Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

VERTICAL TRANSISTOR WITH UNIFORM FIN THICKNESS

Номер патента: US20200035828A1
Опубликовано: 30-01-2020
Автор(ы): Cheng Kangguo
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Product that includes a plurality of vertical transistors with a shared conductive gate plug

Номер патента: US20200013684A1. Автор: Steven Bentley,Steven Soss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Transistor with counter-electrode connection amalgamated with the source/drain contact

Номер патента: EP2599111A1. Автор: Qing Liu,Maud Vinet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-06-05.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US09735253B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US20170294537A1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09698245B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09691850B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Top metal contact for vertical transistor structures

Номер патента: US09685409B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20200066882A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180323283A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US10096695B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180061967A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Bottom contact formation for vertical transistor devices

Номер патента: US20200111895A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Su Chen Fan,Ekmini A. De Silva. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor devices including vertical transistors, electronic systems including the same and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130334583A1. Автор: Ki Ho Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Vertical transistor with edram

Номер патента: US20190363090A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Vertical transistor transmission gate with adjacent nfet and pfet

Номер патента: US20180233502A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Apparatuses comprising vertical transistors having gate electrodes at least partially recessed within channel regions, and related methods and systems

Номер патента: US11908932B2. Автор: Kevin J. Torek,Kamal M. Karda,Fatma Arzum Simsek-Ege,Yunfei GAO,Kamal K. Muthukrishnan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20180308743A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20180308742A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20190311942A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Transistor with embedded isolation layer in bulk substrate

Номер патента: US11749717B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky,Uzma Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Transistor with metal field plate contact

Номер патента: EP4369408A1. Автор: Judson R. Holt,Chung Foong Tan,Rajendran Krishnasamy,Shesh M. Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Transistor with metal field plate contact

Номер патента: US20240162345A1. Автор: Judson R. Holt,Chung Foong Tan,Rajendran Krishnasamy,Shesh M. Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: EP4278387A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-22.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: WO2022192830A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2022-09-15.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A3. Автор: Madhukar B Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Ashok Kapoor. Дата публикации: 2008-12-31.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A2. Автор: Madhukar B. Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Field effect transistors with self-aligned metal plugs and methods

Номер патента: US20200035555A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Vertical transistor with uniform fin thickness

Номер патента: US20200035828A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Top metal pads as local interconnectors of vertical transistors

Номер патента: US09911855B2. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Top metal pads as local interconnectors of vertical transistors

Номер патента: US09524907B2. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Top Metal Pads as Local Interconnectors of Vertical Transistors

Номер патента: US20170084753A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Fabrication of vertical field effect transistors with uniform structural profiles

Номер патента: US09837410B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Top Metal Pads as Local Interconnectors of Vertical Transistors

Номер патента: US20160247720A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Vertical transistor and method of making

Номер патента: US7041556B2. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-09.

Vertical transistor with self-align backside contact

Номер патента: WO2024046738A1. Автор: Brent Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical transistor with self- align backside contact

Номер патента: US20240079461A1. Автор: Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Hybridization fin reveal for uniform fin reveal depth across different fin pitches

Номер патента: US09935015B1. Автор: Peng Xu,Donald F. Canaperi,Sivananda K. Kanakasabapathy,Zhenxing Bi,Fee Li LIE,Thamarai S. Devarajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Hybridization fin reveal for uniform fin reveal depth across different fin pitches

Номер патента: US09754798B1. Автор: Peng Xu,Donald F. Canaperi,Sivananda K. Kanakasabapathy,Zhenxing Bi,Fee Li LIE,Thamarai S. Devarajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Reduced leakage transistors with germanium-rich channel regions

Номер патента: WO2017111849A1. Автор: Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Seiyon Kim,Jun Sung Kang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-29.

Reduced leakage transistors with germanium-rich channel regions

Номер патента: US20180331184A1. Автор: Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Seiyon Kim,Jun Sung Kang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Transistor with buried insulative layer beneath the channel region

Номер патента: US5930642A. Автор: Robert Dawson,H. Jim Fulford, Jr.,Mark W. Michael,Frederick N. Hause,Mark I. Gardner,Bradley T. Moore,Derick J. Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-07-27.

Improved fully-depleted cmos transistors with u-shaped channel

Номер патента: US20190267490A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Terence B. Hook,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20160133722A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: WO2015081286A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-04.

Transistor with inner-gate spacer

Номер патента: US20200006509A1. Автор: Chia-Hong Jan,Joodong Park,Chen-Guan LEE,Jui-Yen Lin,En-Shao LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20150155364A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Embedded bottom metal contact formed by a self-aligned contact process for vertical transistors

Номер патента: US10319835B2. Автор: Tenko Yamashita,Heng Wu,Zuoguang Liu,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Vertical transistors with reduced bottom electrode series resistance

Номер патента: US09899495B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Vertical transistors with reduced bottom electrode series resistance

Номер патента: US09722048B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Embedded bottom metal contact formed by a self-aligned contact process for vertical transistors

Номер патента: US20180337257A1. Автор: Tenko Yamashita,Heng Wu,Zuoguang Liu,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180061967A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

CLOSELY PACKED VERTICAL TRANSISTORS WITH REDUCED CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20200066882A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Vertical transistors with reduced bottom electrode series resistance

Номер патента: US20170278951A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180323283A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Vertical transistors with reduced bottom electrode series resistance

Номер патента: US20170278951A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

BOTTOM CONTACT FORMATION FOR VERTICAL TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20200111895A1. Автор: Kanakasabapathy Sivananda K.,Fan Su Chen,De Silva Ekmini A.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Integration of vertical transistors with 3d long channel transistors

Номер патента: US20170317080A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09837409B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09607899B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US11728433B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20210057565A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Array of vertical transistors having channel regions connected by an elongated conductor line

Номер патента: US12119269B2. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Methods of forming gate electrodes on a vertical transistor device

Номер патента: US09966456B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Ultrascalable vertical mos transistor with planar contacts

Номер патента: EP1880424A2. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-01-23.

Ultrascalable vertical mos transistor with planar contacts

Номер патента: WO2006121566A2. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2006-11-16.

Double-gate vertical transistor semiconductor device

Номер патента: US10355128B2. Автор: Praveen Raghavan,Odysseas Zografos. Владелец: KU Leuven Research and Development. Дата публикации: 2019-07-16.

Vertical transistor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180342480A1. Автор: Chih-Chieh Yeh,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Vertical transistor including a bottom source/drain region, a gate structure, and an air gap formed between the bottom source/drain region and the gate structure

Номер патента: US09748380B1. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Non-floating vertical transistor structure

Номер патента: US09466713B2. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Vertical transistors with top spacers

Номер патента: US20200335605A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Vertical transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20190378765A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Vertical transistors with top spacers

Номер патента: US20200335605A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

VERTICAL TRANSISTOR WITH EDRAM

Номер патента: US20190363090A1. Автор: Reznicek Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

VERTICAL TRANSISTOR WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20190378765A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2019-12-12.

FOLDED CHANNEL VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20210036151A1. Автор: Liu Qing. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

METHOD AND APPARATUS OF FORMING HIGH VOLTAGE VARACTOR AND VERTICAL TRANSISTOR ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20190148360A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2019-05-16.

METHOD AND APPARATUS OF FORMING HIGH VOLTAGE VARACTOR AND VERTICAL TRANSISTOR ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20190148362A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2019-05-16.

VERTICAL TRANSISTOR TRANSMISSION GATE WITH ADJACENT NFET AND PFET

Номер патента: US20180233501A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

VERTICAL TRANSISTOR TRANSMISSION GATE WITH ADJACENT NFET AND PFET

Номер патента: US20180233502A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Vertical transistor with a body contact for back-biasing

Номер патента: US09653575B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Nanosheet transistors with self-aligned dielectric pillars

Номер патента: KR20220106992A. Автор: 뤼룽 자이,캉궈 청,줄리앙 프루지에르. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2022-08-01.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: US20210384310A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US20220302315A1. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Gallium nitride transistors with drain field plates and their methods of fabrication

Номер патента: WO2019066877A1. Автор: Stephan Leuschner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US20160079364A1. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US09397164B2. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: CA1082371A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

High voltage MOS transistors with reduced parasitic current gain

Номер патента: US5218228A. Автор: Richard A. Blanchard,Richard K. Williams,Robert W. Busse. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1993-06-08.

Demos transistors with sti and compensated well in drain

Номер патента: US20100032755A1. Автор: Hisashi Shichijo,Kamel Benaissa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-11.

Transistor with source-drain silicide pullback

Номер патента: US20170200649A1. Автор: Yung Fu Chong,Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Jae Han Cha,Chia Ching YEO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US20200273996A1. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US20200127138A1. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US20200273997A1. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US11387360B2. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Devices and electronic systems including vertical transistors, and related methods

Номер патента: EP3864704A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-18.

Devices including vertical transistors, and related methods

Номер патента: US11973145B2. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Devices and electronic systems including vertical transistors, and related methods

Номер патента: US20200111917A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: US20220285248A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-09-08.

Devices including vertical transistors

Номер патента: US20240363763A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Stacked vertical transistor erasable programmable read-only memory and programmable inverter devices

Номер патента: US20210151449A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Stacked vertical transistor erasable programmable read-only memory and programmable inverter devices

Номер патента: US20200303388A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Devices including vertical transistors, and related methods

Номер патента: US12040411B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Forming vertical transistors and metal-insulator-metal capacitors on the same chip

Номер патента: US9899373B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Forming vertical transistors and metal-insulator-metal capacitors on the same chip

Номер патента: US09812443B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Vertical transistor devices for embedded memory and logic technologies

Номер патента: US09871117B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Roza Kotlyar,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Array Of Vertical Transistors, An Array Of Memory Cells Comprising An Array Of Vertical Transistors, And A Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors

Номер патента: US20220068722A1. Автор: Marcello Mariani,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Vertical transistors with improved top source/drain junctions

Номер патента: US20180204950A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Isolation structure for stacked vertical transistors

Номер патента: US20200335581A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Isolation structure for stacked vertical transistors

Номер патента: US11908890B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Selector transistor with metal replacement gate wordline

Номер патента: US20210391386A1. Автор: Dafna Beery,Amitay Levi,Andrew J. Walker,Peter Cuevas. Владелец: Spin Assignment for Benefit of Creditors LLC. Дата публикации: 2021-12-16.

Fabrication method for forming vertical transistor on hemispherical or polygonal patterned semiconductor substrate

Номер патента: US09647107B1. Автор: Richard Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Vertical transistor including controlled gate length and a self-aligned junction

Номер патента: US09954109B2. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Gate length control for vertical transistors and integration with replacement gate flow

Номер патента: US09685537B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Vertical transistor, integrated circuitry, method of forming a vertical transistor, and method of forming integrated circuitry

Номер патента: US11871582B2. Автор: Masihhur R. Laskar,Darwin Franseda Fan,Albert Liao,Ashonita A. Chavan,Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Vassil N. Antonov,Jeffery B. Hull,Xue-Feng Lin,Manuj Nahar,Irina V. Vasilyeva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Vertical Transistor, Integrated Circuitry, Method Of Forming A Vertical Transistor, And Method Of Forming Integrated Circuitry

Номер патента: US20240164114A1. Автор: Masihhur R. Laskar,Darwin Franseda Fan,Albert Liao,Ashonita A. Chavan,Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Vassil N. Antonov,Jeffery B. Hull,Xue-Feng Lin,Manuj Nahar,Irina V. Vasilyeva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Forming vertical transistors and metal-insulator-metal capacitors on the same chip

Номер патента: US20180204833A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Vertical transistors having uniform channel length

Номер патента: US20200312722A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Vertical transistor device with halo pocket contacting source

Номер патента: US09496390B2. Автор: Hao Su,Hong Liao,Hang HU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Vertical transistors having different gate lengths

Номер патента: US9653465B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for forming impurity region of vertical transistor and method for fabricating vertical transistor using the same

Номер патента: US20110306192A1. Автор: Eun Shil Park,Tae Kyun Kim,Yong Seok Eun,Kyong Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Vertical transistor including controlled gate length and a self-aligned junction

Номер патента: US20180175212A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US09991365B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US10396179B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US20180315834A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US20180315835A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

High performance 3D vertical transistor device enhancement design

Номер патента: US12087817B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Self-aligned vertical transistor with local interconnect

Номер патента: US09917059B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

High performance 3d vertical transistor device enhancement design

Номер патента: US20220238652A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Vertical transistor contact for cross-coupling in a memory cell

Номер патента: US20200161472A1. Автор: Brent A. Anderson,Terence B. Hook,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Fin-type field effect transistors with uniform channel lengths and below-channel isolation on bulk semiconductor substrates and methods

Номер патента: US20200044069A1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier,Srikanth Balaji Samavedam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Stacked vertical transistor memory cell

Номер патента: WO2021094856A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-05-20.

Stacked vertical transistor memory cell

Номер патента: GB2604510A. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Zhang Chen,Wu Heng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-07.

Self-aligned vertical transistor with local interconnect

Номер патента: US20180174969A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

VERTICAL TRANSISTOR WITH A BODY CONTACT FOR BACK-BIASING

Номер патента: US20170323948A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

Devices comprising vertical transistors with hydrogen barrier material, and related methods

Номер патента: KR20210053353A. Автор: 하이타오 리우,카말 엠. 카르다,두라이 비샤크 니르말 라마스와미,스캇 이. 실스,라마나단 간디,이 팡 리. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2021-05-11.

CONTROLLING GATE LENGTH OF VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20200075761A1. Автор: SIEG STUART A.,De Silva Ekmini A.,Seshadri Indira,Joseph Praveen. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Stacked vertical transistor memory cell with epi connections

Номер патента: US20210143159A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Array Of Vertical Transistors

Номер патента: US20220301941A1. Автор: Liu Haitao,Pandey Deepak Chandra,Karda Kamal M.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-09-22.

EFFECTIVE JUNCTION FORMATION IN VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES BY ENGINEERED BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190229204A1. Автор: Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

EFFECTIVE JUNCTION FORMATION IN VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES BY ENGINEERED BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190229205A1. Автор: Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

Top Metal Pads as Local Interconnectors of Vertical Transistors

Номер патента: US20160247720A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) transistor with a vertical channel region

Номер патента: US09768293B1. Автор: Chin-Yi Huang,Wan-Jyun Syue,Kuo-Lung Tzeng,Zhuo-Cang YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Ldmos transistor with implant alignment spacers

Номер патента: US20230231034A1. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

LDMOS transistor with implant alignment spacers

Номер патента: US12132099B2. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

LDMOS Transistor With Implant Alignment Spacers

Номер патента: US20220359727A1. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Ldmos transistor with implant alignment spacers

Номер патента: EP4089741A2. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-11-16.

Transistors with lattice structure

Номер патента: US20210202717A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Uniform work function metal recess for vertical transistor complementary metal oxide semiconductor technology

Номер патента: US20200350313A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Vertical transistor for resistive memory

Номер патента: US09559297B2. Автор: Philippe Boivin,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-01-31.

Vertical transistor having an asymmetric gate

Номер патента: WO2013054212A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Jun Yuan. Владелец: IBM Japan Limited. Дата публикации: 2013-04-18.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230008902A1. Автор: Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Vertical transistor and method of forming the vertical transistor

Номер патента: US12046673B2. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Vertical transistors with various gate lengths

Номер патента: US20200203528A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

INTEGRATION OF VERTICAL TRANSISTORS WITH 3D LONG CHANNEL TRANSISTORS

Номер патента: US20170317080A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230378349A1. Автор: Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Implementation of long-channel thick-oxide devices in vertical transistor flow

Номер патента: US20170186742A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Implementation of long-channel thick-oxide devices in vertical transistor flow

Номер патента: US09698145B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical transistor and array of vertical transistor

Номер патента: US8604520B2. Автор: Tieh-Chiang Wu,Yu-Teh Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2013-12-10.

Programmable read only memory (ROM) integrated in tight pitch vertical transistor structures

Номер патента: US9893207B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Vertical transistor and method of forming the vertical transistor

Номер патента: US20200167331A1. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Vertical transistors with various gate lengths

Номер патента: US20200006553A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

VERTICAL TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20210057565A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

VERTICAL TRANSISTORS WITH BURIED METAL SILICIDE BOTTOM CONTACT

Номер патента: US20190148509A1. Автор: Cheng Kangguo,Ning Tak H.,Reznicek Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

VERTICAL TRANSISTORS WITH VARIOUS GATE LENGTHS

Номер патента: US20200203528A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

VERTICAL TRANSISTORS WITH BURIED METAL SILICIDE BOTTOM CONTACT

Номер патента: US20170338334A1. Автор: Cheng Kangguo,Ning Tak H.,Reznicek Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Circuitry device comprising vertical transistors with buried bit lines and manufacturing method for the same

Номер патента: KR100800469B1. Автор: 김성구,윤재만,박동건,서형원,이충호,이강윤,김봉수,박승배. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-02-01.

Vertical transistors with various gate lengths

Номер патента: US10665714B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-26.

Vertical transistors and methods of forming same

Номер патента: US09929152B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Vertical transistor structure and method of manufacturing same

Номер патента: US20130161715A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

VERTICAL TRANSISTOR CONTACT FOR CROSS-COUPLING IN A MEMORY CELL

Номер патента: US20200006552A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Hook Terence B.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

VERTICAL TRANSISTOR FOR RESISTIVE MEMORY

Номер патента: US20160013245A1. Автор: DELALLEAU JULIEN,Boivin Philippe. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

METHOD OF FORMING A TOP EPITAXY SOURCE/DRAIN STRUCTURE FOR A VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20200135920A1. Автор: Cheng Kangguo,Mochizuki Shogo,Kong Dexin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Double-Gate Vertical Transistor Semiconductor Device

Номер патента: US20180175193A1. Автор: Raghavan Praveen,Zografos Odysseas. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

IMPLEMENTATION OF LONG-CHANNEL THICK-OXIDE DEVICES IN VERTICAL TRANSISTOR FLOW

Номер патента: US20170186742A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Vertical transistor with uniform bottom spacer formed by selective oxidation

Номер патента: US09741626B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Vertical transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09911848B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kai-Chieh Yang,Wai-Yi Lien,Carlos H. Diaz,Hao-Ling Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Vertical power transistor with termination area having doped trenches with variable pitches

Номер патента: US20170250246A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-31.

Vertical power transistor with termination area having doped trenches with variable pitches

Номер патента: US09978831B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Vertical transistors stressed from various directions

Номер патента: US09947789B1. Автор: Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Programmable device compatible with vertical transistor flow

Номер патента: US20190189625A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Diode connected vertical transistor

Номер патента: US09953973B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Vertical transistor and transistor fabrication method

Номер патента: US20030080346A1. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-01.

Vertical power transistor with deep trenches and deep regions surrounding cell array

Номер патента: US09941351B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Vertical power transistor with dual buffer regions

Номер патента: US09852910B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Vertical power transistor with thin bottom emitter layer and dopants implanted in trenches in shield area and termination rings

Номер патента: US09825128B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Vertical power transistor with deep floating termination regions

Номер патента: US09805933B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Vertical transistor structures having vertical-surrounding-gates with self-aligned features

Номер патента: US20070020819A1. Автор: Sanh Tang,Grant Huglin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Vertical transistors for ultra-dense logic and memory applications

Номер патента: US11777029B2. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Jack Kavalieros,Matthew V. Metz,Van Le,Nazila Haratipour,I-Cheng Tung,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Vertical transistor with air gap spacers

Номер патента: US09443982B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Vertical transistors stressed from various directions

Номер патента: US20180108776A1. Автор: Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130126964A1. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Methods of simultaneously forming bottom and top spacers on a vertical transistor device

Номер патента: US20180114850A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12127393B2. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for producing a transistor with a high degree of electron mobility, and produced transistor

Номер патента: US20230420542A1. Автор: Hans-Joachim Würfl,Elke Meissner. Владелец: Ferdinand Braun Institut GgmbH Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20220130963A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for producing three-dimensional structure, method for producing vertical transistor, vertical transistor wafer, and vertical transistor substrate

Номер патента: US11887845B2. Автор: Takashi Ishikawa,Moriya Miyashita,Takao Sakamoto,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh,Koji Izunome,Kazutaka Kamijo. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Methods of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20240154013A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Structures of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20240021689A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Tight pitch inverter using vertical transistors

Номер патента: US09876015B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Structures of gate contact formation for vertical transistors

Номер патента: US11769809B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods of gate contact formation for vertical transistors

Номер патента: US11978777B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Power transistor with soft recovery body diode

Номер патента: US20240266432A1. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11961908B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240222502A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method to form a vertical transistor by selective epitaxial growth and delta doped silicon layers

Номер патента: US20020102784A1. Автор: YELEHANKA Pradeep,YANG Pan,JIA Zheng,James Lee,Lap Chan,Elgin Quek,Ravi Sundaresan,Ying Leung. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Vertical power transistor with deep trenches and deep regions surrounding cell array

Номер патента: US20170250270A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-31.

Techniques for forming vertical transistor architectures

Номер патента: EP3158588A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Vertical power transistor with dual buffer regions

Номер патента: US20170243746A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-24.

Vertical power transistor with deep floating termination regions

Номер патента: US20170243745A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-24.

Vertical transistor with back bias and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180286977A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Vertical transistor with back bias and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180286978A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Devices including vertical transistors, and related methods and electronic systems

Номер патента: US20200111907A1. Автор: Hong Li,Haitao Liu,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Ramanathan GANDHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Vertical transistor devices and techniques

Номер патента: US20200058798A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023029142A1. Автор: WEI Liu,Simon Shi-ning Yang,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Power transistor with soft recovery body diode

Номер патента: EP4256617A1. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Daniel Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09577091B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240079468A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8759892B2. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Power transistor with soft recovery body diode

Номер патента: US11990543B2. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150076588A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Integrated circuit structures having vertical transistor

Номер патента: US20240006531A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of uniform fin recessing using isotropic etch

Номер патента: US09391174B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Transistor with dual spacer and forming method thereof

Номер патента: US20190157418A1. Автор: Chih-Chung Wang,Chia-Ling Wang,Wen-Fang Lee,Ping-Hung Chiang,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Reducing direct source-to-drain tunneling in field effect transistors with low effective mass channels

Номер патента: US09337255B1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Anirban Basu,Amlan Majumdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of fabricating a transistor with reduced hot carrier injection effects

Номер патента: US20170243950A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device structures including transistors with energy barriers adjacent to transistor channels and associated methods

Номер патента: WO2010065332A2. Автор: Chandra V. Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-06-10.

High voltage lateral DMOS transistor with optimized source-side blocking capability

Номер патента: US09831320B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

High voltage lateral DMOS transistor with optimized source-side blocking capability

Номер патента: US09793375B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Low cost demos transistor with improved CHC immunity

Номер патента: US09577094B2. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Shaoping Tang,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

High voltage lateral extended drain MOS transistor with improved drift layer contact

Номер патента: US09543149B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Thin film transistor with low contact resistance

Номер патента: RU2662945C1. Автор: Дуи Ву ФАМ,Ко Хуэй СУ. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2018-07-31.

Transistor with current terminal regions and channel region in layer over dielectric

Номер патента: US20230420546A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Jay Paul John. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Bipolar transistor with trench structure

Номер патента: US20190189786A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Transistor with current terminal regions and channel region in layer over dielectric

Номер патента: EP4297099A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Jay Paul John. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Bipolar transistor with trench structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190319115A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Low cost demos transistor with improved CHC immunity

Номер патента: US9202912B2. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Shaoping Tang,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-01.

Field-effect transistors with asymmetric gate stacks

Номер патента: US11515424B2. Автор: Bernhard Sell,Qiang Yu,Mark Armstrong,Hyung-Jin Lee,Saurabh MORARKA,Said Rami,Guannan Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Vertical field effect transistor with strained channel

Номер патента: US20230411523A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20150179783A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Metal-gate MOS transistor and method of forming the transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: US9356131B2. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20140124874A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for fabricating vertical channel nanowire transistor with asymmetric stress distribution

Номер патента: US20230387303A1. Автор: Ming Li,Ran Bi. Владелец: Beijing Intellectual Property Operation Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Technologies for transistors with a thin-film ferroelectric

Номер патента: US20240113220A1. Автор: Uygar E. Avci,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning,Kevin P. O'brien,Ian Alexander Young,Matthew V. Metz,Shriram SHIVARAMAN,Raseong Kim,John J. Plombon,Sudarat Lee,Arnab SEN GUPTA,Jason C. Retasket,Dmitri Evgenievich Nikonov,Punyashloka Debashis,Rachel A. Steinhardt,Carly ROGAN,Dominique A. Adams,Brandon Holybee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Low cost demos transistor with improved chc immunity

Номер патента: US20160035890A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Shaoping Tang,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Field-effect transistors with asymmetric gate stacks

Номер патента: US20200259018A1. Автор: Bernhard Sell,Qiang Yu,Mark Armstrong,Hyung-Jin Lee,Saurabh MORARKA,Said Rami,Guannan Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

SCALABLE VERTICAL TRANSISTOR BOTTOM SOURCE-DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20210210631A1. Автор: Reznicek Alexander,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Methods of forming vertical transistor devices with different effective gate lengths and the resulting devices

Номер патента: US20180240715A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Methods of forming vertical transistor devices with different effective gate lengths

Номер патента: US09935018B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Fin cut etch process for vertical transistor devices

Номер патента: US10957783B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

High-voltage vertical transistor with a multi-layered extended drain structure

Номер патента: US20030197220A1. Автор: Donald Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Vertical transistor structure with buried channel and resurf regions and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093784A1. Автор: Vipindas Pala,Sundarsan UPPILI. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Fin cut etch process for vertical transistor devices

Номер патента: US20200083355A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

MOS transistor with gate trench adjacent to drain extension field insulation

Номер патента: US7893499B2. Автор: Sridhar Seetharaman,Sameer Pendharkar,Marie Denison,Binghua Hu,Taylor Rice Efland. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-02-22.

Fabrication of a vertical transistor with self-aligned bottom source/drain

Номер патента: US20180350691A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

FABRICATION OF A VERTICAL TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED BOTTOM SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20200083106A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

VERTICAL TRANSISTOR WITH A BODY CONTACT FOR BACK-BIASING

Номер патента: US20180337059A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Fabrication of a vertical transistor with self-aligned bottom source/drain

Номер патента: US20170358497A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Vertical transistor having uniform bottom spacers

Номер патента: US09627511B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Vertical transistor and memory cell

Номер патента: US6018176A. Автор: Byung-hak Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-01-25.

Vertical transistor structure

Номер патента: US4811071A. Автор: Herbert F. Roloff. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-03-07.

Method for manufacturing a vertical transistor that includes a super junction structure

Номер патента: US7635622B2. Автор: Hitoshi Yamaguchi,Takeshi Miyajima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-12-22.

Uniform fin dimensions using fin cut hardmask

Номер патента: US10217867B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

VERTICAL TRANSISTOR WITH EXTENDED DRAIN REGION

Номер патента: US20200135916A1. Автор: Mehrotra Saumitra Raj,Grote Bernhard,Radic Ljubo. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

FINFET INTEGRATED CIRCUITS WITH UNIFORM FIN HEIGHT AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140203376A1. Автор: Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-07-24.

Vertical transistor-based logic gate

Номер патента: WO2019132883A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Patrick Morrow. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-07-04.

Dual channel finfets having uniform fin heights

Номер патента: US20180240713A1. Автор: Peng Xu,Jie Yang,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Dual channel finfets having uniform fin heights

Номер патента: US20180240714A1. Автор: Peng Xu,Jie Yang,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

METHODS, APPARATUS, AND MANUFACTURING SYSTEM FOR SELF-ALIGNED PATTERNING OF A VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20190051563A1. Автор: Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: GLOBALFOUDRIES INC.. Дата публикации: 2019-02-14.

VERTICAL TRANSISTORS STRESSED FROM VARIOUS DIRECTIONS

Номер патента: US20180108776A1. Автор: Suvarna Puneet Harischandra. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Vertical semiconductor component, in particular vertical transistor, with minimized source-drain leakage currents

Номер патента: US20240234491A1. Автор: Daniel Krebs,Muhammad Alshahed,Dragos Costachescu,Humberto Rodriguez Alvarez. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Vertical transistor with edram

Номер патента: US20190363092A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Nonlinear gate vertical transistor

Номер патента: EP4391073A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-26.

Nonlinear gate vertical transistor

Номер патента: EP4391075A3. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US11948974B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US20240194734A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Vertical transistor component

Номер патента: US8093654B2. Автор: Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-01-10.

Method for producing a vertical transistor component

Номер патента: US20100270612A1. Автор: Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-10-28.

Self-aligned sigma extension regions for vertical transistors

Номер патента: US09647123B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Nonlinear Gate Vertical Transistor

Номер патента: US20240213318A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonlinear Gate Vertical Transistor

Номер патента: US20240213365A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonlinear gate vertical transistor

Номер патента: EP4391075A2. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-26.

FinFET devices having silicon germanium channel fin structures with uniform thickness

Номер патента: US09583572B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Contact over active gate structures with uniform and conformal gate insulating cap layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4243082A2. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Chanaka D. Munasinghe,Krishna GANESAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Contact over active gate structures with uniform and conformal gate insulating cap layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4243082A3. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Chanaka D. Munasinghe,Krishna GANESAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Field-effect transistor with two-dimensional channel realized with lateral heterostructures based on hybridized graphene

Номер патента: US09620634B2. Автор: Giuseppe IANNACCONE,Fiori Gianluca. Владелец: UNIVERSITÀ DI PISA. Дата публикации: 2017-04-11.

Source-Down Transistor with Vertical Field Plate

Номер патента: US20210151596A1. Автор: Che-Yung Lin,Chiao-Shun Chuang. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Transistor with asymmetric silicon germanium source region

Номер патента: US20120003802A1. Автор: Jian Chen,James F. Buller,Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: US20240290827A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Transistor with phase transition material region between channel region and each source/drain region

Номер патента: US20220140131A1. Автор: Peter Javorka,Mohit Bajaj,Avinash Lahgere,Prashanth Paramahans Manik,Ali Icel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Advanced transistors with punch through suppression

Номер патента: US09508800B2. Автор: Weimin Zhang,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Sachin R. Sonkusale,Paul E. Gregory. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Transistor arrangement and method for producing a transistor with a fin structure

Номер патента: US20240128358A1. Автор: Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Transistor with fin structure and nanosheet and fabricating method of the same

Номер патента: US20240162291A1. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Ching-In Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for forming a thin film transistor with a lightly doped drain structure

Номер патента: US20020012883A1. Автор: Chih-Chang Chen,Ji-ho Kung. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Transistor with low leakage currents and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266438A1. Автор: Chao-Chun Lu,Weng-Dah Ken. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Transistor with embedded insulating structure set

Номер патента: US20240266435A1. Автор: Chin-Chia Kuo,Ming-Hua Tsai,Wei-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Schottky barrier field effect transistor with carbon-containing insulation layer and method for fabricating the same

Номер патента: WO2013117028A1. Автор: Wei Wang,Jing Wang,Mei Zhao,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-08-15.

Method for producing a transistor with metallic source and drain

Номер патента: US20110003443A1. Автор: Maud Vinet,Thierry Poiroux,Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2011-01-06.

Gate-all-around field-effect transistor with extended source/drain

Номер патента: US20240282839A1. Автор: Sang Uk LEE,Rock-Hyun Baek. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-08-22.

Trench DMOS transistor with reduced gate-to-drain capacitance

Номер патента: US09716167B2. Автор: Yaojian Leng,Richard Wendell Foote, Jr.,Steven J. Adler. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

FinFET transistor with epitaxial structures

Номер патента: US09666715B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chen-Yi Weng,Chung-Fu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Inverse T-gate FET transistor with lightly doped source and drain region

Номер патента: US5241203A. Автор: Seiki Ogura,Louis L. Hsu,Joseph F. Shepard,Paul J. Tsang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Combined-source Mos Transistor with Comb-shaped Gate, and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120181585A1. Автор: ZHAN Zhan,Ru Huang,Qianqian Huang,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-19.

Field-effect transistors with dual thickness gate dielectrics

Номер патента: US20210167180A1. Автор: Rui Ma,Mark Armstrong,Ayan KAR,Akm A. AHSAN,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson,Sameer Jayanta Joglekar,Hyuk Ju Ryu,Sayan Saha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Technologies for ribbon field effect transistors with variable fin channel dimensions

Номер патента: US20240222376A1. Автор: Marko Radosavljevic,Evan A. Clinton,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Munzarin F. Qayyum,Rohit V. Galatage. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Technologies for ribbon field effect transistors with variable fin numbers

Номер патента: US20240222521A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Marko Radosavljevic,Evan A. Clinton,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Munzarin F. Qayyum,Rohit V. Galatage. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Metal oxide thin film transistors with multi-composition gate dielectric

Номер патента: US20220359758A1. Автор: Cheng Tan,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Shailesh Kumar Madisetti,Wen-Chiang Hong,Harish Ganapathy,Lin-Yung Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Self-aligned thin film transistor with doping barrier and method of manufacturing the same

Номер патента: US9245978B2. Автор: Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Him Chan Oh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-01-26.

Gate-all-around transistor with spacer support and methods of forming same

Номер патента: US20190288117A1. Автор: Christopher M. Prindle,Ruilong Xie,Julien Frougier,Nigel G. Cave. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Technologies for transistors with a ferroelectric gate dielectric

Номер патента: US20230352584A1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Uygar E. Avci,Darrell G. Schlom,Hai Li,Chia-Ching Lin,Ian Alexander Young,Raseong Kim,Ashish Verma Penumatcha,Dmitri Evgenievich Nikonov,Tanay A. Gosavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Vertical field effect transistors with controlled overlap between gate electrode and source/drain contacts

Номер патента: US20160149054A1. Автор: Anirban Basu,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu,Amlan Majumdar,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Gallium nitride (gan) transistors with lateral drain depletion

Номер патента: US20240021725A1. Автор: AHMAD Zubair,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Pratik KOIRALA,Samuel James Bader,Heli Chetanbhai VORA,Michael S. BEUMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Transistor with low leakage currents and manufacturing method thereof

Номер патента: US11990548B2. Автор: Chao-Chun Lu,Weng-Dah Ken. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Gate all around transistors with high charge mobility channel materials

Номер патента: US20210226009A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Vertical Transistors With Backside Power Delivery

Номер патента: US20240105617A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical transistor with enhanced drive current

Номер патента: US20180342617A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, And Methods Used In Forming An Array Of Capacitors

Номер патента: US20220173109A1. Автор: Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Integrated circuit having vertical transistor and semiconductor device including the integrated circuit

Номер патента: US20200135721A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Tae-Joong Song,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Sang-hoon BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Integrated circuit having vertical transistor and semiconductor device including the integrated circuit

Номер патента: US20180175024A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Tae-Joong Song,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Sang-hoon BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Array of Memory Cells, Methods Used in Forming an Array of Memory Cells, Methods Used in Forming an Array of Vertical Transistors, Methods Used in Forming an Array of Vertical Transistors, and Methods Used in Forming an Array of Capacitors

Номер патента: US20240107747A1. Автор: Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical transistor and variable resistive memory device including the same

Номер патента: US09691819B2. Автор: Nam Kyun PARK,Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Vertical transistor with enhanced drive current

Номер патента: US20180212054A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: WO2017103752A1. Автор: Edward Nowak,Brent Alan Anderson. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2017-06-22.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: US20190318965A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: US20180277444A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: US20170178970A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Vertical transistor with gate encapsulation layers

Номер патента: US20230170415A1. Автор: Chen Zhang,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Vertical transistor having first and second tensile layers

Номер патента: US8569832B2. Автор: Eun Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-10-29.

Self aligned top extension formation for vertical transistors

Номер патента: US20190386137A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Self aligned top extension formation for vertical transistors

Номер патента: US20180331216A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Self aligned top extension formation for vertical transistors

Номер патента: US09748382B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Process for fabricating a uniform gate oxide of a vertical transistor

Номер патента: US6150670A. Автор: Ulrike Gruening,Rajarao Jammy,Suryanarayan G. Hegde,Johnathan E. Faltermeier,Brian S. Lee,Helmut H. Tews. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Content addressable memory using threshold-adjustable vertical transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20200006383A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Content addressable memory using threshold-adjustable vertical transistors and methods of forming the same

Номер патента: EP3685382A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Memory arrays with vertical transistors and the formation thereof

Номер патента: US20210028308A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Scott J. Derner,Toby D. Robbs,Steve V. Cole. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Array Of Vertical Transistors, An Array Of Memory Cells Comprising An Array Of Vertical Transistors, And A Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors

Номер патента: US20220068722A1. Автор: Mariani Marcello,Rigano Antonino,Calabrese Marcello. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Array Of Vertical Transistors, An Array Of Memory Cells Comprising An Array Of Vertical Transistors, And A Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors

Номер патента: US20220278001A1. Автор: Marcello Mariani,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Structures for nitride vertical transistors

Номер патента: US10256352B2. Автор: Min Sun,Tomas Apostol Palacios. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2019-04-09.

Methods of forming replacement gate structures and bottom and top source/drain regions on a vertical transistor device

Номер патента: US09640636B1. Автор: John H. Zhang,Kwan-Yong Lim,Hiroaki Niimi,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Methods of forming vertical transistor devices with self-aligned replacement gate structures

Номер патента: US09530863B1. Автор: Carl Radens,John H. Zhang,Brian A. Cohen,Kwan-Yong Lim,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Vertical transistor with body contact

Номер патента: US20200273967A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Vertical transistor with body contact

Номер патента: US20210119018A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

METHOD FOR MANUFACTURING A VERTICAL TRANSISTOR WITH INSULATED GRID WITH LOW COVERAGE OF THE GRID ON THE SOURCE AND ON THE DRAIN, AND INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING SUCH A TRANSISTOR

Номер патента: FR2823009B1. Автор: Thomas Skotnicki,Emmanuel Josse. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-07-09.

Vertical transistor pass gate device

Номер патента: US20180331215A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Vertical transistor pass gate device

Номер патента: US10396198B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Methods of forming a gate structure on a vertical transistor device

Номер патента: US09799751B1. Автор: John H. Zhang,Kwan-Yong Lim,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods of forming vertical transistor devices with self-aligned top source/drain conductive contacts

Номер патента: US09530866B1. Автор: Carl Radens,John H. Zhang,Brian A. Cohen,Kwan-Yong Lim,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Vertical Transistor, Integrated Circuitry, Method Of Forming A Vertical Transistor, And Method Of Forming Integrated Circuitry

Номер патента: US20220093617A1. Автор: Chavan Ashonita A.,Vasilyeva Irina V.,Khandekar Anish A.,Antonov Vassil N.,Liu Hung-Wei,Fan Darwin Franseda,Nahar Manuj,Hull Jeffery B.,Laskar Masihhur R.,Liao Albert,Lin Xue-Feng. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-24.

Vertical transistor, integrated circuit, and methods of forming vertical transistor and integrated circuit

Номер патента: CN114256335A. Автор: 刘鸿威,V·N·安东诺夫,A·A·恰范,D·F·范,J·B·赫尔,A·A·卡恩德卡尔,M·R·拉斯卡尔,A·廖,X-F·林,M·纳哈尔,I·V·瓦西里耶沃. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-29.

Vertical transistor, integrated circuitry, method of forming a vertical transistor, and method of forming integrated circuitry

Номер патента: US11264395B1. Автор: Masihhur R. Laskar,Darwin Franseda Fan,Albert Liao,Ashonita A. Chavan,Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Vassil N. Antonov,Jeffery B. Hull,Xue-Feng Lin,Manuj Nahar,Irina V. Vasilyeva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-01.

Vertical transistor with gate encapsulation layers

Номер патента: US11949011B2. Автор: Chen Zhang,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Self aligned top extension formation for vertical transistors

Номер патента: US10079299B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-18.

Vertical transistor including symmetrical source/drain extension junctions

Номер патента: US20210265488A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Alexander Reznicek,Junli Wang,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Vertical transistor including symmetrical source/drain extension junctions

Номер патента: US11862710B2. Автор: Veeraraghavan Basker,Alexander Reznicek,Junli Wang,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Vertical transistor including symmetrical source/drain extension junctions

Номер патента: US11239343B2. Автор: Veeraraghavan Basker,Alexander Reznicek,Junli Wang,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-02-01.

Method and structure for forming vertical transistors with shared gates and separate gates

Номер патента: US20180301381A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

VERTICAL TRANSISTOR WITH VARIABLE GATE LENGTH

Номер патента: US20180005895A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Vertical Transistor with One Atomic Layer Gate Length

Номер патента: US20200044083A1. Автор: Cao Qing,Tang Jianshi. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING VERTICAL TRANSISTORS WITH ALIGNED GATE ELECTRODES

Номер патента: US20190189778A1. Автор: LEE DongHun,PARK SungIl,YOU Junggun,Lee Yunil,KIM Changhee,CANTORO Mirco. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor Devices Having Vertical Transistors with Aligned Gate Electrodes

Номер патента: US20180248018A1. Автор: DongHun Lee,Sungil Park,Changhee Kim,Yunil Lee,Mirco Cantoro,Junggun YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-30.

VERTICAL TRANSISTOR WITH REDUCED GATE-INDUCED-DRAIN-LEAKAGE CURRENT

Номер патента: US20180254344A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

VERTICAL TRANSISTOR WITH BODY CONTACT

Номер патента: US20200273967A1. Автор: Ning Tak H.,Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Yau Jeng-Bang. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING VERTICAL TRANSISTORS WITH SHARED GATES AND SEPARATE GATES

Номер патента: US20180301381A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

Vertical Transistor with Reduced Gate Length Variation

Номер патента: US20190371919A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Lee Choonghyun,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor devices having vertical transistors with aligned gate electrodes

Номер патента: US10559673B2. Автор: DongHun Lee,Sungil Park,Changhee Kim,Yunil Lee,Mirco Cantoro,Junggun YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-11.

There are the semiconductor devices and its manufacturing method of the vertical transistor with alignment gate electrode

Номер патента: CN108511526A. Автор: 李东勋,刘庭均,朴星一,M.坎托罗,朴星,金昶熹,李允逸. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-07.

Vertical transistor with one atomic layer gate length

Номер патента: US10593798B2. Автор: Qing Cao,Jianshi Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Vertical Transistor with Reduced Gate Length Variation

Номер патента: US20190371919A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Vertical transport field-effect transistors with uniform threshold voltage

Номер патента: US20200119010A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Vertical transistor production with insulated gate with weak overlapping of gate on source and drain comprises forming vertical semiconductor column by anisotropic engraving and formation of insulated dielectric gate

Номер патента: FR2823009A1. Автор: Thomas Skotnicki,Emmanuel Josse. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-10-04.

Vertical transistor pass gate device

Номер патента: US20180301555A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Vertical transistor fabrication for memory applications

Номер патента: WO2021015895A1. Автор: Mahendra Pakala,Ellie Y. Yieh,Arvind Kumar,Sanjeev MANHAS. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-01-28.

Close proximity and lateral resistance reduction for bottom source/drain epitaxy in vertical transistor devices

Номер патента: US20190393343A1. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Integrated circuitry, method used in the fabrication of a vertical transistor, and method used in the fabrication of integrated circuitry

Номер патента: US12057493B2. Автор: Masihhur R. Laskar,Hung-Wei Liu,Jeffery B. Hull. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: GB2559935B. Автор: Nowak Edward,Alan Anderson Brent. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-28.

Integrated Circuitry, Method Used In The Fabrication Of A Vertical Transistor, And Method Used In The Fabrication Of Integrated Circuitry

Номер патента: US20240355909A1. Автор: Masihhur R. Laskar,Hung-Wei Liu,Jeffery B. Hull. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Vertical transistor bottom spacer formation

Номер патента: US09748359B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Manufacturing method of transistor with independent contact to substrate

Номер патента: RU2739861C1. Автор: Александр Сергеевич Мокеев,Тамара Александровна Шоболова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-12-29.

Stacked Vertical Transistor-Based Mask-Programmable ROM

Номер патента: US20200035691A1. Автор: Ning Tak,Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

VERTICAL TRANSISTOR PASS GATE DEVICE

Номер патента: US20200066905A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Integrated Circuitry, Method Used In The Fabrication Of A Vertical Transistor, And Method Used In The Fabrication Of Integrated Circuitry

Номер патента: US20220093771A1. Автор: Liu Hung-Wei,Hull Jeffery B.,Laskar Masihhur R.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-24.

METHOD AND STRUCTURE FOR IMPROVING VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20180096996A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

METHOD AND STRUCTURE FOR IMPROVING VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20180097000A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

SELF ALIGNED TOP EXTENSION FORMATION FOR VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20180114859A1. Автор: Reznicek Alexander,Mehta Sanjay C.,Mochizuki Shogo,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

Devices including vertical transistors, and related methods

Номер патента: US20200111916A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

VERTICAL TRANSISTOR AND THE FABRICATION METHOD

Номер патента: US20170222049A1. Автор: Xiao Deyuan,Chang Richard. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

STRUCTURES FOR NITRIDE VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20170236951A1. Автор: Sun Min,Palacios Tomas Apostol. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-08-17.

METHODS OF FORMING VERTICAL TRANSISTOR DEVICES WITH DIFFERENT EFFECTIVE GATE LENGTHS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20180240715A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

Totally self-aligned transistor with polysilicon shallow trench isolation

Номер патента: US6127717A. Автор: Zoran Krivokapic,Ognjen Milic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-03.

Field effect transistor with a short channel length

Номер патента: CA1081368A. Автор: Jeno Tihanyi,Joachim Hoepfner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-07-08.

DRAM Arrays, Vertical Transistor Structures, and Methods of Forming Transistor Structures and DRAM Arrays

Номер патента: US20110018045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Vertical transistor with extended drain region

Номер патента: US20200135916A1. Автор: Saumitra Raj Mehrotra,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Bipolar transistor with a sidewall-diffused subcollector

Номер патента: US5003365A. Автор: Robert H. Havemann,Robert H. Eklund. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-03-26.

PRODUCT THAT INCLUDES A PLURALITY OF VERTICAL TRANSISTORS WITH A SHARED CONDUCTIVE GATE PLUG

Номер патента: US20200013684A1. Автор: Soss Steven,Bentley Steven. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Vertical transistors with merged active area regions

Номер патента: US09761712B1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Terence B. Hook,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: EP4449835A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: WO2024005789A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: US20230422496A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Vertical transistor with field region structure

Номер патента: US20070117328A1. Автор: Jenn-Yu Lin,Ta-Yung Yang,Chih-Feng Huang,Tuo-Hsin Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240332232A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023221915A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023221915A9. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-15.

Vertical transistors and method for producing the same

Номер патента: US20240213366A1. Автор: Christian Huber,Roland Puesche,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230065806A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230066312A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12033967B2. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory with vertical transistors and wrap-around control lines

Номер патента: US20230200075A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory devices with vertical transistors

Номер патента: US20230276615A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Producing a vertical transistor including reentrant profile

Номер патента: US20130084681A1. Автор: David H. Levy,Lee W. Tutt,Shelby F. Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-04.

Method of manufacturing of powerful silicon shf ldmos transistors with modernized gate node of elementary cells

Номер патента: RU2639579C2. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Станислав Михайлович Романовский,Ирина Петровна Семешина. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-12-21.

Manufacturing method of transistor with floating gate and application method of transistor with floating gate electrode

Номер патента: US09620532B2. Автор: Wei Guo,Ning Chen,LU Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Reduced capacitance transistor with electro-static discharge protection structure and method for forming the same

Номер патента: WO1999031729A1. Автор: Michael J. Allen. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-06-24.

Semiconductor device having P channel high voltage transistors with improved breakdown voltages

Номер патента: US5448101A. Автор: Atsushi Ono,Nobuyuki Saiki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Reduced capacitance transistor with electro-static discharge protection structure and method for forming the same

Номер патента: EP1042808A1. Автор: Michael J. Allen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-10-11.

Method for manufacturing a transistor with a dependent contact to the substrate

Номер патента: RU2758413C1. Автор: Александр Сергеевич Мокеев,Тамара Александровна Шоболова,Сергей Дмитриевич Рудаков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом". Дата публикации: 2021-10-28.

Field effect transistor with a short channel lenght

Номер патента: CA1153831A. Автор: Hans-Jorg Pfleiderer,Ernst Hebenstreit,Dezso Takacs,Michael Pomper,Heinrich Klar. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-09-13.

Semiconductor device comprising a channel region of a transistor with a crystalline oxide semiconductor and a specific off-state current for the transistor

Номер патента: US9905596B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Transistors with schottky barriers

Номер патента: US11862725B2. Автор: Yun Shi,John Tzung-Yin LEE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Thin film transistors with metal oxynitride active channels for electronic displays

Номер патента: US20160126355A1. Автор: Chunong Qiu,Cindy Qiu,Ishiang Shih,Yi-Chi Shih,Andy Shih,Julia Qiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-05.

Piezo-resistive resonator device having drive and sense transistors with wells of opposite doping

Номер патента: US20230155550A1. Автор: Ian Alexander Young,Raseong Kim,Dmitri Evgenievich Nikonov,Tanay A. Gosavi,Gary A. Allen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

A lateral surface gate vertical field effect transistor with adjustable output capacitance

Номер патента: US20230369432A1. Автор: Sorin S. Georgescu,Kuo-Chang Robert Yang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated circuit structures having memory access transistor with backside contact

Номер патента: US20240008253A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Gate-all-around (gaa) transistors with shallow source/drain regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220037493A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Vertical transistor with flashover protection

Номер патента: US09524960B2. Автор: Bishnu Gogoi. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20190148372A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Vertical transistor devices with composite high-k and low-k spacers with a controlled top junction

Номер патента: US20210119043A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Vertical transistor and local interconnect structure

Номер патента: US09583615B2. Автор: Yung-Tin Chen,Christopher Petti,Guangle ZHOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Resistive random access memory integrated with stacked vertical transistors

Номер патента: AU2021234176B2. Автор: Takashi Ando,Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical transistor with flashover protection

Номер патента: WO2015152904A1. Автор: Bishnu Gogoi. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2015-10-08.

Series connected stacked vertical transistors for high voltage applications

Номер патента: US11901449B2. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method and structure for forming vertical transistors with shared gates and separate gates

Номер патента: US20200083111A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20200043915A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20200043916A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Vertical transistor with reduced cell height

Номер патента: US20240186376A1. Автор: Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Vertical transistor with late source/drain epitaxy

Номер патента: US11996480B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Vertical transistor floating body one transistor dram memory cell

Номер патента: US20220093794A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Clint Jason Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Vertical transistor fabrication and devices

Номер патента: US09985115B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Brent A. Anderson,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Large area electrostatic dischage for vertical transistor structures

Номер патента: US09947649B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Vertical transistor fabrication and devices

Номер патента: US09941411B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Brent A. Anderson,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Vertical transistor fabrication and devices

Номер патента: US09793374B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Brent A. Anderson,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Vertical transistor having a vertical gate structure having a top or upper surface defining a facet formed between a vertical source and a vertical drain

Номер патента: US09685536B2. Автор: Er-Xuan Ping,Jeffrey A. McKee. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Vertical transistor with reduced cell height

Номер патента: US20240186375A1. Автор: Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Vertical transistor device structure with cylindrically-shaped regions

Номер патента: US9543396B2. Автор: LIN ZHU,Kamal Raj Varadarajan,Sorin Stefan Georgescu,Wayne Byran Grabowski,Kuo-Chang Robert Yang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Bottom spacer formation for vertical transistor

Номер патента: US09954103B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods of simultaneously forming bottom and top spacers on a vertical transistor device

Номер патента: US09882025B1. Автор: John H. Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Bottom spacer formation for vertical transistor

Номер патента: US09773901B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Reduced capacitance in vertical transistors by preventing excessive overlap between the gate and the source/drain

Номер патента: US09716170B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

METHOD FOR MANUFACTURING A VERTICAL TRANSISTOR WITH AN INSULATED GRID WITH A QUADRUPLE CONDUCTION CHANNEL, AND INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING SUCH A TRANSISTOR

Номер патента: FR2823010B1. Автор: Thomas Skotnicki,Emmanuel Josse. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-08-15.

Series connected stacked vertical transistors for high voltage applications

Номер патента: US20200312999A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD TO FORM VERTICAL TRANSISTOR CONTACT NODE

Номер патента: US20150349118A1. Автор: LEE TZUNG-HAN. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Vertical transistor element, semiconductor element structure including an array of vertical transistor elements, and manufacturing method

Номер патента: JP5883508B2. Автор: エス． サンデュ，ガーテ. Владелец: マイクロン テクノロジー， インク．. Дата публикации: 2016-03-15.

Vertical transistor devices, memory arrays, and methods of forming vertical transistor devices

Номер патента: US9287271B2. Автор: Kuo Chen Wang,Sriraj Manavalan,Wei Ming Liao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor device structures including vertical transistor devices, arrays of vertical transistor devices, and methods of fabrication

Номер патента: KR101570945B1. Автор: 거테즈 에스. 샌드후. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2015-11-20.

Semiconductor device structures including vertical transistor devices, arrays of vertical transistor devices, and methods of fabrication

Номер патента: WO2013028685A3. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-05-16.

Method for manufacturing three-dimensional structure, method for manufacturing vertical transistor, and substrate for vertical transistor

Номер патента: JP7274148B2. Автор: 守也 宮下,哲郎 遠藤,宏治 泉妻,多可雄 坂本,悦生 福田,高志 石川,和隆 上條. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

Semiconductor device structures including vertical transistor devices, arrays of vertical transistor devices, and methods of fabrication

Номер патента: CN103765595A. Автор: 古尔特杰·S·桑胡. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-30.

Vertical transistor fabrication and devices

Номер патента: GB2556260A. Автор: Venigalla Rajasekhar,Kim Seong-Dong,DORIS Bruce,A Anderson Brent. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-23.

Tight integrated vertical transistor dual diode structure for electrostatic discharge circuit protector

Номер патента: US20180308835A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Tight integrated vertical transistor dual diode structure for electrostatic discharge circuit protector

Номер патента: US20180269197A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Tight integrated vertical transistor dual diode structure for electrostatic discharge circuit protector

Номер патента: US10079228B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-18.

Three-dimensional asymmetrical vertical transistor architectures

Номер патента: US20230246031A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Reduced capacitance in vertical transistors by preventing excessive overlap between the gate and the source/drain

Номер патента: US20180097086A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Bottom spacer formation for vertical transistor

Номер патента: US20180114860A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Method of manufacturing vertical transistors

Номер патента: US8613861B2. Автор: Masahiko Ohuchi,Chien-Hua Tsai,Sheng-Chang Liang,Hsiao-chia Chen. Владелец: Rexchip Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Nanoribbon-based transistor with uniform oxide

Номер патента: US20240355876A1. Автор: Robin Chao,Siddharth Gupta,Biswajeet Guha,Aravind Killampalli,Jay Prakash Gupta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Nanoribbon-based transistor with uniform oxide

Номер патента: EP4451340A1. Автор: Robin Chao,Siddharth Gupta,Biswajeet Guha,Aravind Killampalli,Jay Prakash Gupta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20200043915A1. Автор: Cheng Kangguo,Zhang Chen,Miao Xin,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20200043916A1. Автор: Cheng Kangguo,Zhang Chen,Miao Xin,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

VERTICAL TRANSISTOR FLOATING BODY ONE TRANSISTOR DRAM MEMORY CELL

Номер патента: US20220093794A1. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Balakrishnan Karthik,Oteri Clint Jason. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING VERTICAL TRANSISTORS WITH SHARED GATES AND SEPARATE GATES

Номер патента: US20200083111A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

VERTICAL TRANSISTOR WITH VARIABLE GATE LENGTH

Номер патента: US20180108754A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,SIEG STUART A.,Hamieh Bassem M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

VERTICAL TRANSISTOR WITH FLASHOVER PROTECTION

Номер патента: US20160155734A1. Автор: Gogoi Bishnu. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-06-02.

VERTICAL TRANSISTORS WITH SIDEWALL GATE AIR GAPS AND METHODS THEREFOR

Номер патента: US20180158947A1. Автор: Yeh Chao Feng,Dong TianChen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-07.

VERTICAL TRANSISTORS WITH IMPROVED TOP SOURCE/DRAIN JUNCTIONS

Номер патента: US20180204950A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Sankarapandian Muthumanickam,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

VERTICAL TRANSISTORS WITH IMPROVED TOP SOURCE/DRAIN JUNCTIONS

Номер патента: US20180204951A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Sankarapandian Muthumanickam,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

VERTICAL TRANSISTOR WITH BACK BIAS AND REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20180286977A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Vertical transistor with back bias and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180286978A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

VERTICAL TRANSISTORS WITH SIDEWALL GATE AIR GAPS AND METHODS THEREFOR

Номер патента: US20180301556A1. Автор: Yeh Chao Feng,Dong TianChen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-10-18.

SELF-ALIGNED VERTICAL TRANSISTOR WITH LOCAL INTERCONNECT

Номер патента: US20170352625A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

Vertical transistor with surrounding gate and work-function metal around upper sidewall, and method for manufacturing the same

Номер патента: US9041095B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Vertical transistors with sidewall gate air gaps and methods therefor

Номер патента: US10115820B2. Автор: Chao Feng Yeh,TianChen Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-10-30.

Vertical transistor with integrated isolation

Номер патента: US20090309155A1. Автор: Aram H. Mkhitarian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-17.

Vertical transistor with trench gate insulator having varying thickness

Номер патента: US10679857B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-09.

Vertical field effect transistors with uniform threshold voltage

Номер патента: US20180337255A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Vertical transistor structures having vertical-surrounding-gates with self-aligned features

Номер патента: US7242057B2. Автор: Sanh D. Tang,Grant S. Huglin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-07-10.

Method for fabricating vertical transistor having a silicided bottom

Номер патента: US20200350174A1. Автор: DUOHUI Bei,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Self aligned top contact for vertical transistor

Номер патента: US20230144407A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Chanro Park,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Vertical transistor having dual work function materials and method for fabricating thereof

Номер патента: US20180294351A1. Автор: DUOHUI Bei,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Self‑aligned top contact for vertical transistor

Номер патента: WO2023079504A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Chanro Park,Christopher Waskiewicz. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-05-11.

Self aligned top contact for vertical transistor

Номер патента: US12009422B2. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Chanro Park,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Resistive random access memory integrated with stacked vertical transistors

Номер патента: EP4118691A4. Автор: Takashi Ando,Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-23.

Resistive random access memory integrated with stacked vertical transistors

Номер патента: EP4118691B1. Автор: Takashi Ando,Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

A method to form a vertical transistor by selective epitaxial growth and delta doped silicon layers

Номер патента: SG115445A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Sundaresan Ravi,Yong Meng Lee James. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-10-28.

Semiconductor device having vertical transistor

Номер патента: US20130270629A1. Автор: Yoshinori Ikebuchi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor device having vertical transistor

Номер патента: US20140015035A1. Автор: Yoshihiro Takaishi. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-01-16.

CHARGE ORDERED VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20150001537A1. Автор: DEVLIN Robert Charles,May Steven,Spanier Jonathan,Rondinelli James,Taheri Mitra,Rappe Andrew Marshall. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

INTEGRATED VERTICAL TRANSISTORS AND LIGHT EMITTING DIODES

Номер патента: US20190006413A1. Автор: Jacob Ajey P.,BANNA Srinivasa R.,NAYAK Deepak K.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

MEMORY ARRAYS WITH VERTICAL TRANSISTORS AND THE FORMATION THEREOF

Номер патента: US20210028308A1. Автор: Derner Scott J.,Simsek-Ege Fatma Arzum,Cole Steve V.,Robbs Toby D.. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

VERTICAL TRANSISTOR DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150069500A1. Автор: Su Hao,Hu Hang,Liao Hong. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-12.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150076588A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

VERTICAL TRANSISTOR DEVICES FOR EMBEDDED MEMORY AND LOGIC TECHNOLOGIES

Номер патента: US20150091058A1. Автор: Kotlyar Roza,Shah Uday,Doyle Brian S.,KUO Charles C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

ASYMMETRICAL VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20180090489A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

Epitaxial source region for uniform threshold voltage of vertical transistors in 3d memory devices

Номер патента: US20170092654A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Kiyohiko Sakakibara,Masatoshi Nishikawa,Shuji Minagawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-30.

Methods of simultaneously forming bottom and top spacers on a vertical transistor device

Номер патента: US20180114850A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Bottom spacer formation for vertical transistor

Номер патента: US20180114860A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

DEVICES INCLUDING VERTICAL TRANSISTORS, AND RELATED METHODS AND ELECTRONIC SYSTEMS

Номер патента: US20200111919A1. Автор: Liu Haitao,LEE Yi Fang,Sills Scott E.,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Karda Kamal M.,Gandhi Ramanathan. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

VERTICAL TRANSISTOR DEVICES WITH COMPOSITE HIGH-K AND LOW-K SPACERS WITH A CONTROLLED TOP JUNCTION

Номер патента: US20200119190A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

VERTICAL TRANSISTORS HAVING A LAYER OF CHARGE CARRIERS IN THE EXTENSION REGION FOR REDUCED EXTENSION REGION RESISTANCE

Номер патента: US20200127104A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

DIODE CONNECTED VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20200152624A1. Автор: Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Vertical Transistor Device Structure with Cylindrically-Shaped Regions

Номер патента: US20150171174A1. Автор: Zhu Lin,Georgescu Sorin Stefan,Varadarajan Kamal Raj,Grabowski Wayne Byran,Yang Kuo-Chang Robert. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

VERTICAL TRANSISTOR INCLUDING CONTROLLED GATE LENGTH AND A SELF-ALIGNED JUNCTION

Номер патента: US20180175212A1. Автор: Cheng Kangguo,Divakaruni Ramachandra. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

VERTICAL TRANSISTOR FABRICATION AND DEVICES

Номер патента: US20170179259A1. Автор: Doris Bruce B.,ANDERSON Brent A.,Venigalla Rajasekhar,Kim Seong-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

VERTICAL TRANSISTOR FABRICATION AND DEVICES

Номер патента: US20170179303A1. Автор: Doris Bruce B.,ANDERSON Brent A.,Venigalla Rajasekhar,Kim Seong-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

FORMATION OF SELF-ALIGNED BOTTOM SPACER FOR VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20190189774A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

VERTICAL TRANSISTOR DEVICE WITH SOURCE/DRAIN REGIONS COMPRISING A TWI-DIMENSIONAL (2D) MATERIAL AND METHODS OF MAKING SUCH VERTICALTRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20210242316A1. Автор: Sun Kai,Yang Heng,Prabhu Manjunatha,Pritchard David,Strehlow Elizabeth,REN Hongru,Nayyar Neha,Cimino Salvatore. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

DIODE CONNECTED VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20190214384A1. Автор: Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

AREA-EFFICIENT INVERTER USING STACKED VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20200212226A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

VERTICAL TRANSISTOR FABRICATION AND DEVICES

Номер патента: US20180226494A1. Автор: Doris Bruce B.,ANDERSON Brent A.,Venigalla Rajasekhar,Kim Seong-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

VERTICAL TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20170229556A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Bu Huiming,Mochizuki Shogo,LIE Fee Li. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

VERTICAL TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20170229558A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Bu Huiming,Mochizuki Shogo,LIE Fee Li. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

Tight pitch inverter using vertical transistors

Номер патента: US20180233503A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

High-k / metal gate CMOS transistors with TiN gates

Номер патента: US09721847B2. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Field-effect transistors with buried gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200312970A1. Автор: Paul Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: EP3090445A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150187653A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: WO2015103412A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2015-07-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150287643A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact

Номер патента: EP4154319A1. Автор: Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2023-03-29.

Method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact

Номер патента: WO2021262421A1. Автор: Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: TELEDYNE SCIENTIFIC & IMAGING, LLC. Дата публикации: 2021-12-30.

Iii-v transistors with resistive gate contacts

Номер патента: US20210167200A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US9012291B2. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-21.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: CA2632233A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Bipolar transistor with low resistance base contact and method of making the same

Номер патента: US20090283801A1. Автор: Kathryn Turner Schonenberg,Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120221987A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Bipolar transistor with a raised collector pedastal for reduced capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: US20130134483A1. Автор: John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,James W. Adkisson,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

A bipolar transistor with a raised collector pedestal for reduced capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: GB201220384D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-26.

Bipolar transistor with thermal conductor

Номер патента: US20230290868A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US8513706B2. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US20230268401A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Transistor with sonos structure having barrier wall over adjacent portions of the select transistor well and memory transistor well

Номер патента: US20190198680A1. Автор: Xiaoliang Tang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Heterojunction bipolar transistor with stress component

Номер патента: US09825157B1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Transistor with wrap-around extrinsic base

Номер патента: US12142673B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Kenneth J. Stein,Shyue Seng Tan,Qizhi Liu,Yung Fu Chong,Xinshu CAI,Judson R. Holt,Kien Seen Daniel Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US20170125557A1. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-05-04.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US20140329368A1. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-11-06.

High-electron-mobility transistor with high voltage endurance capability and preparation method thereof

Номер патента: US20210066481A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for forming a transistor with a conductivity doped base structure

Номер патента: US20240079473A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: EP4336561A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US20160087087A1. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-03-24.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US9590081B2. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-07.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: US20120305994A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-12-06.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: EP1969617A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

Lateral bipolar transistor with gated collector

Номер патента: US11935923B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US11935928B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Bipolar transistor with collector contact

Номер патента: US11935927B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Transistor with wrap-around extrinsic base

Номер патента: US11855195B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Kenneth J. Stein,Shyue Seng Tan,Qizhi Liu,Yung Fu Chong,Xinshu CAI,Judson R. Holt,Kien Seen Daniel Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Transistor with wrap-around extrinsic base

Номер патента: US11855196B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Kenneth J. Stein,Shyue Seng Tan,Qizhi Liu,Yung Fu Chong,Xinshu CAI,Judson R. Holt,Kien Seen Daniel Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Transistor with monocrystalline base structures

Номер патента: US11855173B2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20130062668A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20120126292A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: EP4235799A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Lateral bipolar transistor with gated collector

Номер патента: US20240136400A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Bipolar transistor with stepped emitter

Номер патента: US20240006491A1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,Rajendran Krishnasamy,Ajay RAMAN,Yves T. Ngu,Uppili S. RAGHUNATHAN. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Bipolar transistor with thermal conductor

Номер патента: US11942534B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

GaN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH A P-TYPE STRAINED InGaN BASE LAYER AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20070114518A1. Автор: Jinn-Kong Sheu,Yue-Ming Hsin,Kuang-Po Hsueh. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2007-05-24.

Transistor with wrap-around extrinsic base

Номер патента: US20240006517A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Kenneth J. Stein,Shyue Seng Tan,Qizhi Liu,Yung Fu Chong,Xinshu CAI,Judson R. Holt,Kien Seen Daniel Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120112244A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Method and structure for forming vertical transistors with various gate lengths

Номер патента: US20200052114A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

High-voltage vertical transistor with a multi-gradient drain doping profile

Номер патента: US20070132013A1. Автор: Sujit Banerjee,Donald Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Array Of Vertical Transistors And Method Of Forming An Array Of Vertical Transistors

Номер патента: US20210066135A1. Автор: Liu Haitao,Pandey Deepak Chandra,Karda Kamal M.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING VERTICAL TRANSISTORS WITH VARIOUS GATE LENGTHS

Номер патента: US20200052114A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

VERTICAL TRANSISTOR WITH ENHANCED DRIVE CURRENT

Номер патента: US20180212054A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

VERTICAL TRANSISTOR WITH ENHANCED DRIVE CURRENT

Номер патента: US20180342617A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

Techniques for forming different gate length vertical transistors with dual gate oxide

Номер патента: US10418288B2. Автор: Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Ruqiang Bao,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

High-voltage vertical transistor with a multi-layered extended drain structure

Номер патента: US20030047769A1. Автор: Donald Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2003-03-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING VERTICAL TRANSISTORS AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20190035795A1. Автор: BOEMMELS Juergen. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

High performance integrated vertical transistors and method of making the same

Номер патента: US20070001264A1. Автор: Jeffrey Johnson,David Sheridan,Peter Gray,Qizhi Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Method and structure for improving vertical transistor

Номер патента: US09935102B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method and structure for improving vertical transistor

Номер патента: US20180096996A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Method and structure for improving vertical transistor

Номер патента: US20180097000A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Vertical Transistor with One-Dimensional Edge Contacts

Номер патента: US20200044082A1. Автор: Cao Qing,Tang Jianshi. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Vertical transistor with one-dimensional edge contacts

Номер патента: US10586864B2. Автор: Qing Cao,Jianshi Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-10.

Vertical transistor fabrication for memory applications

Номер патента: US12108604B2. Автор: Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Thomas Kwon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Hermetic seal for transistors with metal on both sides

Номер патента: US20230197538A1. Автор: Mohammad Enamul Kabir,Tofizur RAHMAN,Keith Zawadzki,Conor P. PULS,Hannes Greve. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Hermetic seal for transistors with metal on both sides

Номер патента: EP4199046A3. Автор: Mohammad Enamul Kabir,Tofizur RAHMAN,Keith Zawadzki,Conor P. PULS,Hannes Greve. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-15.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230369505A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230378366A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Vertical transistor manufacturing method and vertical transistor

Номер патента: CN102593002A. Автор: 金明豪,戴维·威廉·卡尔顿,尼克·克肖,克里斯·罗杰斯. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2012-07-18.

Vertical transistor structures with offset spacers

Номер патента: US20240079452A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical Transistors with Through-Si-via Gates

Номер патента: KR102384952B1. Автор: 이 웨이 첸,키니프 포아,니디 니디,쿤-후안 시,왈리드 엠. 하페즈,커티스 차이,샤오동 양,쥐-옌 린. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2022-04-11.

Vertical transistor including reentrant profile

Номер патента: EP2539924A1. Автор: Lee William Tutt,Shelby Forrester Nelson. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2013-01-02.

Vertical Transistor Device Structure with Cylindrically-Shaped Field Plates

Номер патента: US20190006475A9. Автор: Ankoudinov Alexei,Georgescu Sorin Stefan,Varadarajan Kamal Raj. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

VERTICAL TRANSISTORS HAVING IMPROVED GATE LENGTH CONTROL

Номер патента: US20190058046A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

VERTICAL TRANSISTORS HAVING IMPROVED GATE LENGTH CONTROL

Номер патента: US20190058047A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160064541A1. Автор: Wang Chih-hao,Lien Wai-Yi,YANG Kai-Chieh,DIAZ Carlos H.,TANG Hao-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Vertical Transistor Device Structure with Cylindrically-Shaped Field Plates

Номер патента: US20180069087A1. Автор: Ankoudinov Alexei,Georgescu Sorin Stefan,Varadarajan Kamal Raj. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

Vertical transistors having multiple gate thicknesses

Номер патента: US20190088755A1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Stuart A. Sieg,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

VERTICAL TRANSISTOR AND THE FABRICATION METHOD

Номер патента: US20170117407A1. Автор: Xiao Deyuan,Chang Richard. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

DEVICES AND ELECTRONIC SYSTEMS INCLUDING VERTICAL TRANSISTORS, AND RELATED METHODS

Номер патента: US20200111917A1. Автор: Sills Scott E.,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Vertical transistor using a through silicon via gate

Номер патента: US20180130902A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Xiaodong Yang,Yi Wei Chen,Kinyip PHOA,Jui-Yen Lin,Kun-Huan Shih,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

DEVICES INCLUDING VERTICAL TRANSISTORS, AND RELATED METHODS

Номер патента: US20220302318A1. Автор: Sills Scott E.,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

HIGH-DENSITY FIELD-ENHANCED ReRAM INTEGRATED WITH VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20200203428A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Pillars for vertical transistors

Номер патента: US20140097479A1. Автор: Patrick Thomas. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US09941391B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US20180190794A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US20190172928A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Method for forming film layer with uniform thickness distribution and semiconductor structure

Номер патента: US20220310618A1. Автор: Tao Chen,Wenhao Hsieh,Cheng Yeh HSU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method of producing bonded wafer with uniform thickness distribution

Номер патента: US09859149B2. Автор: Hiroji Aga,Norihiro Kobayashi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Transistor with pi-gate structure and method for producing the same

Номер патента: US20020063293A1. Автор: Yeon-Sik Chae,Jin-Koo Rhee,Hyun-Sik Park,Dan An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Method for forming local buried dielectric insulation region of active part of transistors with three-dimensional structure of shell (finfet)

Номер патента: RU2670248C1. Автор: Владимир Александрович Нагнойный,Глеб Владимирович Баранов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники". Дата публикации: 2018-10-19.

High electron mobility transistor with gate electrode below the channel

Номер патента: US20230197842A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Cezar Bogdan Zota,Eunjung Cha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Gallium nitride transistors with source and drain field plates and their methods of fabrication

Номер патента: US20200227545A1. Автор: Stephan Leuschner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Method of fabricating transistor with short gate length by two-step photolithography

Номер патента: US11367615B2. Автор: YI Chang,Yueh-Chin Lin,Po-Sheng Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2022-06-21.

P-type-epitaxial-base transistor with base-collector schottky diode clamp

Номер патента: CA1041226A. Автор: Vincent J. Lucarini,Augustine W. Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-10-24.

Devices having a transistor with a modified channel region

Номер патента: US20230268419A1. Автор: Haitao Liu,Deepak Chandra Pandey,Naveen KAUSHIK,Chittoor Ranganathan Parthasarathy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-24.

MOS transistor with laser-patterned metal gate, and method for making the same

Номер патента: US8461628B2. Автор: Christopher Gudeman,Joerg Rockenberger,Criswell Choi,J. Devin Mackenzie. Владелец: Kovio Inc. Дата публикации: 2013-06-11.

Method of fabricating a metal-oxide-semiconductor transistor with a metal gate

Номер патента: US6080646A. Автор: Kun-Chih Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

P-type-epitaxial-base transistor with base-collector Schottky diode clamp

Номер патента: US4005469A. Автор: Augustine Wei-Chun Chang,Vincent Joseph Lucarini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-01-25.

Method for fabricating a field-effect transistor with a self-aligned gate

Номер патента: CA1271850A. Автор: John Edward Cunningham,Erdmann Fred Schubert,Won Tien Tsang. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-07-17.

Mesfet transistor with air layer between gate electrode connections and substrate

Номер патента: CA1266132A. Автор: Giampiero Donzelli. Владелец: Telettra Telefonia Elettronica e Radio SpA. Дата публикации: 1990-02-20.

Method of fabricating transistor with short gate length by two-step photolithography

Номер патента: US20210151316A1. Автор: YI Chang,Yueh-Chin Lin,Po-Sheng Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-05-20.

Vertical transistors with multiple gate lengths

Номер патента: US20190140053A1. Автор: Peng Xu,ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Asymmetrical vertical transistor

Номер патента: US20180090489A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Asymmetrical vertical transistor

Номер патента: US09837403B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Biopolar transistor with a low saturation voltage

Номер патента: EP1654766A1. Автор: David Casey. Владелец: Zetex PLC. Дата публикации: 2006-05-10.

Semiconductor Device with Vertical Transistor Channels and a Compensation Structure

Номер патента: US20150008517A1. Автор: Anton Mauder,Rolf Weis,Katarzyna Kowalik-Seidl,Uwe Wahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-01-08.

Vertical transistor with source/drain regions induced by work-function differences between a semiconductor pillar body and surrounding metal electrodes

Номер патента: US09496360B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Integrated-circuit structure including lateral PNP transistor with polysilicon layer bridging gap in collector field relief electrode

Номер патента: US4319262A. Автор: Mario Foroni,Franco Bertotti,Vincenzo Prestileo. Владелец: SGS ATES Componenti Elettronici SpA. Дата публикации: 1982-03-09.

Vertical transistor, memory cell, device, system and method of forming same

Номер патента: US20150262643A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Vertical transistor, memory cell, device, system and method of forming same

Номер патента: US20130258756A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, And Methods Used In Forming An Array Of Capacitors

Номер патента: US20220173109A1. Автор: Rigano Antonino. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-02.

Vertical transistor and vertical transistor array

Номер патента: US7928490B2. Автор: Jung-Hua Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-19.

Vertical transistors with multiple gate lengths

Номер патента: US20200098863A1. Автор: Peng Xu,ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Vertical transistors with multiple gate lengths

Номер патента: US20190140053A1. Автор: Peng Xu,ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

VERTICAL TRANSISTOR WITH AIR-GAP SPACER

Номер патента: US20170148876A1. Автор: Cheng Kangguo,Ning Tak H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

VERTICAL TRANSISTOR WITH AIR-GAP SPACER

Номер патента: US20170148897A1. Автор: Cheng Kangguo,Ning Tak H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

VERTICAL TRANSISTOR WITH AIR-GAP SPACER

Номер патента: US20170294537A1. Автор: Cheng Kangguo,Ning Tak H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

A vertical transistor and a method of fabricating the same, and a high voltage transistor

Номер патента: KR101779031B1. Автор: 라비 필라리세티,벤자민 추-쿵,잭 카발리에로스,마르코 라도사블예비치,로버트 차우,닐로이 무커지,매튜 브이. 메츠,길버트 듀이,한 우이 텐. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2017-09-18.

Vertical transistor with dielectrically-isolated work-function metal electrodes surrounding the semiconductor pillar

Номер патента: US9024376B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-05-05.

FinFET with uniform shallow trench isolation recess

Номер патента: US09865598B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130126964A1. Автор: LEE Kyoung Han. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-05-23.

VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20130140618A1. Автор: Juengling Werner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING VERTICAL TRANSISTORS, ELECTRONIC SYSTEMS INCLUDING THE SAME AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130334583A1. Автор: YANG Ki Ho. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor Device with Vertical Transistor Channels and a Compensation Structure

Номер патента: US20150008517A1. Автор: Mauder Anton,Wahl Uwe,Weis Rolf,Kowalik-Seidl Katarzyna. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

TECHNIQUES FOR FORMING VERTICAL TRANSISTOR ARCHITECTURES

Номер патента: US20170025412A1. Автор: Jun Kimin,MORROW Patrick. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-01-26.

FORMING VERTICAL TRANSISTORS AND METAL-INSULATOR-METAL CAPACITORS ON THE SAME CHIP

Номер патента: US20180204833A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VERTICAL TRANSISTORS HAVING A SURROUNDING GATE AND A WORK-FUNCTION METAL AROUND AN UPPER SIDEWALL

Номер патента: US20150236105A1. Автор: MASUOKA Fujio,Nakamura Hiroki. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Dram arrays, vertical transistor structures, and methods of forming transistor structures and dram arrays

Номер патента: US8304818B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-06.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Memory device having vertical transistors and method for forming the same

Номер патента: WO2023216884A1. Автор: He Chen,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2023217069A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230380142A1. Автор: He Chen,WEI Liu,Yanhong Wang,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

III-N transistors with epitaxial layers providing steep subthreshold swing

Номер патента: US09660067B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135722A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220130989A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200161463A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240274599A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Iii-n transistors with epitaxial layers providing steep subthreshold swing

Номер патента: WO2015147802A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Robert Chau. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-10-01.

Enhancement-mode iii-n transistor with n-polarity and method of fabricating the same

Номер патента: WO2015009249A9. Автор: Ján KUZMÍK. Владелец: Centrum Vedecko-Technickych Informacii Sr (Cvti Sr). Дата публикации: 2015-03-26.

Method for making heterojunction bipolar transistor with self-aligned retrograde emitter profile

Номер патента: US5656514A. Автор: Martin Revitz,Jack Chu,David Ahlgren,Paul Ronsheim,Mary Saccamango,David Sunderland. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-08-12.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US11973078B2. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Vertical Transistor Cell Structures Utilizing Topside and Backside Resources

Номер патента: US20240105727A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan,Saurabh P. Sinha. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical transistor cell structures utilizing topside and backside resources

Номер патента: WO2024063901A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan,Saurabh P. Sinha. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230062141A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors And Method Used In Forming An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Vertical Transistor And A Storage Device Above The Vertical Transistor

Номер патента: US20220068934A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Three-dimensional monolithic vertical transistor memory cell with unified inter-tier cross-couple

Номер патента: US20200066732A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Three-dimensional monolithic vertical transistor memory cell with unified inter-tier cross-couple

Номер патента: US20200144274A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Group III-V transistor with semiconductor field plate

Номер патента: US09673286B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

InGaAlP Schottky field effect transistor with AlGaAs carrier supply layer

Номер патента: US10361272B2. Автор: Yu-Chi Wang,Cheng-Guan Yuan,Shih-Ming Joseph Liu,Hsi-Tsung Lin,Chia Hsiung Lee. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

Switching transistor with memory

Номер патента: US3821784A. Автор: D Heald,Kennedy J Holm. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1974-06-28.

Mixed voltage CMOS process for high reliability and high performance core and I/O transistors with reduced mask steps

Номер патента: US6258644B1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Manoj Mehrotra,Mark S. Rodder. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-07-10.

Field Effect Transistor with Access Region Recharge

Номер патента: US20110062495A1. Автор: Alexei Koudymov. Владелец: Alexei Koudymov. Дата публикации: 2011-03-17.

Method of producing a transistor with an insulated control electrode

Номер патента: US3690945A. Автор: Max Kuisl. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1972-09-12.

InGaAlP schottky field effect transistor with stepped bandgap ohmic contact

Номер патента: US10186620B1. Автор: Cheng-Guan Yuan,Shih-Ming Joseph Liu,Hsi-Tsung Lin,Chia Hsiung Lee. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Vertical transistor trench capacitor memory cell and method of making the same

Номер патента: WO2002086904A3. Автор: Carl J Radens,Thomas W Dyer,Stephan P Kudelka,Venkatachaiam C Jaiprakash. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-11-06.

Vertical transistor with improved robustness

Номер патента: US09431484B2. Автор: Markus Winkler,Rainald Sander,Matthias Stecher,Michael Asam. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-30.

High-voltage vertical transistor with a varied width silicon pillar

Номер патента: US20110233657A1. Автор: LIN ZHU,Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2011-09-29.

High-voltage vertical transistor with a varied width silicon pillar

Номер патента: US8395207B2. Автор: LIN ZHU,Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-03-12.

High-Voltage Vertical Transistor With a Varied Width Silicon Pillar

Номер патента: US20130187219A1. Автор: LIN ZHU,Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Segmented pillar layout for a high-voltage vertical transistor

Номер патента: US7557406B2. Автор: Vijay Parthasarathy,Wayne Bryan Grabowski. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2009-07-07.

Segmented pillar layout for a high-voltage vertical transistor

Номер патента: US20090134457A1. Автор: Vijay Parthasarathy,Wayne Bryan Grabowski. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2009-05-28.

Variable channel doping in vertical transistor

Номер патента: US20230021938A1. Автор: Hiu Yung Wong. Владелец: San Jose State University Research Foundation. Дата публикации: 2023-01-26.

Variable channel doping in vertical transistor

Номер патента: WO2023004292A1. Автор: Hiu Yung Wong. Владелец: San Jose State University Research Foundation. Дата публикации: 2023-01-26.

Checkerboarded High-Voltage Vertical Transistor Layout

Номер патента: US20130234243A1. Автор: Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee,Martin H. Manley. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

High-Voltage Vertical Transistor With a Varied Width Silicon Pillar

Номер патента: US20130187219A1. Автор: Zhu Lin,Banerjee Sujit,Parthasarathy Vijay. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2013-07-25.

VERTICAL TRANSISTORS WITH MERGED ACTIVE AREA REGIONS

Номер патента: US20180122792A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Kim Seong-Dong,Hook Terence B.,Chu Albert M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Vertical Transistor with Improved Robustness

Номер патента: US20160343850A1. Автор: Stecher Matthias,Winkler Markus,Sander Rainald,Asam Michael. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Vertical transistor and a semiconductor integrated circuit apparatus having the same

Номер патента: US7521747B2. Автор: Masahiko Sonoda,Masahiro Sakuragi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-04-21.

Vertical transistor with improved robustness

Номер патента: CN102903754A. Автор: 马库斯·温克勒,迈克尔·阿萨姆,赖纳德·桑德尔,马蒂亚斯·斯特彻. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-01-30.

Vertical transistors with merged active area regions

Номер патента: GB2571652B. Автор: Kim Seong-Dong,Hook Terence,Alan Anderson Brent,Manhee Chu Albert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-14.

High-voltage vertical transistor with a varied width silicon pillar

Номер патента: EP2166573B1. Автор: LIN ZHU,Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-04-10.

High-voltage vertical transistor with a varied width silicon pillar

Номер патента: US7964912B2. Автор: LIN ZHU,Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Producing vertical transistor having reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20130084692A1. Автор: Lee W. Tutt,Shelby F. Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-04.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2023221925A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Zichen LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

High-frequency field transistor with the additional field electrode manufacturing method

Номер патента: RU2671312C2. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Сергей Владимирович Литвинов,Виктор Геннадьевич Сысуев,Ирина Дмитриевна Халтурина. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП"). Дата публикации: 2018-10-30.

Method for manufacturing a high-frequency transistor with an additional active field electrode

Номер патента: RU2707402C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-11-26.

Checkerboarded High-Voltage Vertical Transistor Layout

Номер патента: US20130234243A1. Автор: Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee,Martin H. Manley. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Segmented Pillar Layout for a High-Voltage Vertical Transistor

Номер патента: US20140042533A1. Автор: Parthasarathy Vijay,Grabowski Wayne Bryan. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2014-02-13.

VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE WITH BURIED CHANNEL AND RESURF REGIONS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220093784A1. Автор: Pala Vipindas,UPPILI Sundarsan. Владелец: Monolithic Power Systems, Inc.. Дата публикации: 2022-03-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES AND ARRAYS OF VERTICAL TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20150236164A1. Автор: Sandhu Gurtej S.. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Process for manufacturing a twice diffused lateral transistor and a complemtary vertical transistor integrated therewith

Номер патента: DE2862475D1. Автор: Geoffrey Brownell Stephens,David Leo Bergeron,Zimri Congdon Putney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-01-09.

FIN TYPE FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH DIFFERENT PITCHES AND SUBSTANTIALLY UNIFORM FIN REVEAL

Номер патента: US20170263503A1. Автор: Cheng Kangguo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Bi Zhenxing,Devarajan Thamarai S.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

LOW THERMAL BUDGET TOP SOURCE AND DRAIN REGION FORMATION FOR VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20200066594A1. Автор: Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230069096A1. Автор: WEI Liu,Simon Shi-ning Yang,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Load sensor using vertical transistor

Номер патента: US20160202132A1. Автор: Takashi Inoue,Kenichi Sakai,Tetsuya Katoh,Junichi Takeya,Mayumi Uno,Kensuke HATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Load sensor using vertical transistor

Номер патента: US9658121B2. Автор: Takashi Inoue,Kenichi Sakai,Tetsuya Katoh,Junichi Takeya,Mayumi Uno,Kensuke HATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Transistors with selectively landed gate array

Номер патента: US20240153850A1. Автор: Krister Gumaelius,Jimmy Robert Hannes FRANCHI,Jaein An. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Cascode amplifier structures including wide bandgap field effect transistor with field plates

Номер патента: US7126426B2. Автор: Primit Parikh,Umesh Mishra,Yifeng Wu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-10-24.

DIAMOND BASED CURRENT APERTURE VERTICAL TRANSISTOR AND METHODS OF MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20180151715A1. Автор: Chowdhury Srabanti,Nemanich Robert,Dutta Maitreya,Koeck Franz. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

High mobility transistor with opposed-gates

Номер патента: US4839310A. Автор: Mark A. Hollis,William D. Goodhue,Kirby B. Nichols,Normand J. Bergeron, Jr.. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1989-06-13.

Method of improving the radiation resistance of silicon transistors with a silicon oxide coating

Номер патента: US3829961A. Автор: R Bauerlein,D Uhl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1974-08-20.

VERTICAL TRANSISTOR CONTACT FOR A MEMORY CELL WITH INCREASED DENSITY

Номер патента: US20200006353A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Hook Terence B.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

VERTICAL TRANSISTOR CONTACT FOR A MEMORY CELL WITH INCREASED DENSITY

Номер патента: US20200105769A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Hook Terence B.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: US09908115B2. Автор: Justin K. Valley,Eric D. Hobbs. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Vertical transistor with hardening implantation

Номер патента: US20140097400A1. Автор: Young Pil Kim,Maroun Georges Khoury,Peter Nicholas Manos,Chulmin Jung,Dadi Setiadi,Hyung-Kew Lee. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-04-10.

Self-aligned vertical transistor dram structure and its manufacturing methods

Номер патента: US20040036519A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Intelligent Sources Development Corp. Дата публикации: 2004-02-26.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12080665B2. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Vertical transistor fuse latches

Номер патента: US12113015B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230380137A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Programmable logic array with vertical transistors

Номер патента: US20010002109A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-31.

Programmable logic array with vertical transistors

Номер патента: US20010002108A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-31.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230064388A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Field programmable logic arrays with vertical transistors

Номер патента: US6124729A. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-26.

Microfluidic device comprising lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: CA2970174C. Автор: Justin K. Valley,Eric D. Hobbs. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Diagonal memory with vertical transistors and wrap-around control lines

Номер патента: US20230200084A1. Автор: Abhishek A. Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230060149A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230062524A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of making dynamic random access memory having a vertical transistor

Номер патента: US5376575A. Автор: Jong S. Kim,Hee-Koo Yoon,Chung G. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Field-effect transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2743225C1. Автор: Сергей Александрович Богданов,Юрий Михайлович Богданов,Константин Сергеевич Журавлев,Владимир Михайлович Лукашин,Владимир Григорьевич Лапин,Андрей Борисович Пашковский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-02-16.

Method for fast switching on of power transistor with isolated gate and device with use thereof

Номер патента: RU2713559C2. Автор: Евгений Леонидович Пущин. Владелец: Евгений Леонидович Пущин. Дата публикации: 2020-02-05.

Photodetector on cascade transistors with light emitting p-n-junctions and photosensitive n-p-junctions

Номер патента: RU2673424C1. Автор: Владимир Владимирович Козлов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Анатолий Константинович Михайлов,Александр Александрович Иванченко. Владелец: Ооо "Центральный Научно-Исследовательский Институт "Апертура". Дата публикации: 2018-11-26.

Thin film transistor with microlens structures

Номер патента: US7205569B2. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-04-17.

Thin film transistor with microlens structures

Номер патента: US20060163575A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-07-27.

Storage transistor with optical isolation

Номер патента: US09472587B2. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Dyson H. Tai,Yuanwei Zheng,Xianmin Yi. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

RF power transistors with impedance matching circuits, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09571044B1. Автор: Ning Zhu,Damon G. Holmes,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Bipolar semiconductor transistor with thyristor effect

Номер патента: RU2701184C1. Автор: Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Александр Александрович Иванченко,Елена Ивановна Павлюченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций". Дата публикации: 2019-09-25.

Method for fast switching on of power transistor with isolated gate and device with use thereof

Номер патента: RU2713559C9. Автор: Евгений Леонидович Пущин. Владелец: Евгений Леонидович Пущин. Дата публикации: 2021-02-04.

Insulated gate field effect transistor with integrated safety diode

Номер патента: US3648129A. Автор: Rijkent Jan Nienhuis. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-03-07.

Rf power transistor with internal bias feed

Номер патента: WO2004057666A2. Автор: Gordon C. Ma,Larry Leighton,Prasanth Perugupalli,Nagaraj Vishwanath Dixit. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-08.

Rf power transistor with internal bias feed

Номер патента: EP1573813A2. Автор: Gordon C. Ma,Larry Leighton,Prasanth Perugupalli,Nagaraj Vishwanath Dixit. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-14.

Apparatus for biasing a field effect transistor with a single voltage supply

Номер патента: US5646570A. Автор: James Russell Blodgett. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-07-08.

Fin type field effect transistors with different pitches and substantially uniform fin reveal

Номер патента: US09691765B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi,Thamarai S. Devarajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for fabricating a vertical transistor in a trench, and vertical transistor

Номер патента: TW579578B. Автор: Albert Birner,Joern Luetzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-11.

METHOD FOR PRODUCING THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING VERTICAL TRANSISTOR, VERTICAL TRANSISTOR WAFER, AND VERTICAL TRANSISTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20220093396A1. Автор: Ishikawa Takashi,Endoh Tetsuo,SAKAMOTO Takao,KAMIJO Kazutaka,FUKUDA Etsuo,IZUNOME Koji,MIYASHITA Moriya. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

METHOD FOR PRODUCING THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING VERTICAL TRANSISTOR, VERTICAL TRANSISTOR WAFER, AND VERTICAL TRANSISTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20200211840A1. Автор: Ishikawa Takashi,Endoh Tetsuo,SAKAMOTO Takao,KAMIJO Kazutaka,FUKUDA Etsuo,IZUNOME Koji,MIYASHITA Moriya. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Fin type field effect transistors with different pitches and substantially uniform fin reveal

Номер патента: US10020229B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi,Thamarai S. Devarajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Fin type field effect transistors with different pitches and substantially uniform fin reveal

Номер патента: US20170263503A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi,Thamarai S. Devarajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Fin type field effect transistors with different pitches and substantially uniform fin reveal

Номер патента: US20180269108A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi,Thamarai S. Devarajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

III-NITRIDE VERTICAL TRANSISTOR WITH APERTURE REGION FORMED USING ION IMPLANTATION

Номер патента: US20190115448A1. Автор: Chowdhury Srabanti,Ji Dong. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2019-04-18.

FABRICATION OF A VERTICAL TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED BOTTOM SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20180350691A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING A VERTICAL TRANSISTOR WITH EPITAXIAL BASE

Номер патента: FR2309040A1. Автор: . Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1976-11-19.

Vertical transistor gated diode

Номер патента: US09991359B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Advanced etching technologies for straight, tall and uniform fins across multiple fin pitch structures

Номер патента: US11875999B2. Автор: Moosung Kim,Ritesh JHAVERI,Muralidhar S. AMBATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Advanced etching technologies for straight, tall and uniform fins across multiple fin pitch structures

Номер патента: US20240120206A1. Автор: Moosung Kim,Ritesh JHAVERI,Muralidhar S. AMBATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

FIN TYPE FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH DIFFERENT PITCHES AND SUBSTANTIALLY UNIFORM FIN REVEAL

Номер патента: US20180269108A1. Автор: Cheng Kangguo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Bi Zhenxing,Devarajan Thamarai S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

VERTICAL TRANSISTORS HAVING P-TYPE GALLIUM NITRIDE CURRENT BARRIER LAYERS AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150014699A1. Автор: Motonobu Takeya,Lee Kwan Hyun,Jeong Young Do. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

METHOD OF FORMING VERTICAL TRANSISTOR HAVING DUAL BOTTOM SPACERS

Номер патента: US20180047828A1. Автор: Reznicek Alexander,Mehta Sanjay C.,Mochizuki Shogo,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

VERTICAL TRANSISTORS HAVING DIFFERENT GATE LENGTHS

Номер патента: US20180076093A1. Автор: Ning Tak H.,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

METHODS OF FORMING BOTTOM AND TOP SOURCE/DRAIN REGIONS ON A VERTICAL TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20180083121A1. Автор: Chanemougame Daniel,Suvarna Puneet Harischandra,Bentley Steven J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Method and system for a gallium nitride vertical transistor

Номер патента: US20140191242A1. Автор: David P. Bour,Quentin Diduck,Hui Nie,Andrew P. Edwards,Isik Kizilyalli,Thomas R. Prunty. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2014-07-10.

METHODS OF FORMING GATE ELECTRODES ON A VERTICAL TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20180130895A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu,Bentley Steven. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US20190172928A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

VERTICAL TRANSISTOR DEVICES FOR EMBEDDED MEMORY AND LOGIC TECHNOLOGIES

Номер патента: US20160190282A1. Автор: Kotlyar Roza,Shah Uday,Doyle Brian S.,KUO Charles C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US20180190794A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

HIGH-DENSITY FIELD-ENHANCED ReRAM INTEGRATED WITH VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20200203428A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

METHOD AND SYSTEM FOR A GALLIUM NITRIDE VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20150243758A1. Автор: NIE Hui,Bour David P.,Prunty Thomas R.,Edwards Andrew P.,Kizilyalli Isik,Diduck Quentin. Владелец: AVOGY, INC.. Дата публикации: 2015-08-27.

Easy switch-off thyristor of integrated transistors - has partial vertical transistor of high current amplification and lateral low-amplifying one

Номер патента: DE2336287A1. Автор: Rudolf Dipl Phys Aulbach. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 1975-02-06.

Insulated collector PNP type vertical transistor with an arrangement to suppress the action of parasitic junction elements.

Номер патента: DE68921353D1. Автор: Flavio Villa,Marco Siligoni. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1995-04-06.

Read-only memory with vertical transistors

Номер патента: US20230076056A1. Автор: Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

METHOD FOR FORMING IMPURITY REGION OF VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING VERTICAL TRANSISTOR USING THE SAME

Номер патента: US20130288442A1. Автор: EUN Yong Seok,KIM Tae Kyun,ROUH Kyong Bong,PARK Eun Shil. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURE HAVING VERTICAL TRANSISTOR WITH SAGE GATE STRUCTURE

Номер патента: US20200411665A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,SUBRAMANIAN Sairam. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

HIGH-DENSITY FIELD-ENHANCED ReRAM INTEGRATED WITH VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20190198572A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Methods Of Forming A Vertical Transistor

Номер патента: US20140315364A1. Автор: Surthi Shyam,Karda Kamal M.,Mathew Suraj J.,Guha Jaydip,Tsai Hung-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-23.

VERTICAL TRANSISTOR DEVICE COMPRISING A TWO-DIMENSIONAL (2D) MATERIAL POSITIONED IN A CHANNEL REGION OF THE DEVICE AND METHODS OF MAKING SUCH VERTICAL TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20210242094A1. Автор: Sun Kai,Yang Heng,Prabhu Manjunatha,Pritchard David,Strehlow Elizabeth,REN Hongru,Nayyar Neha,Cimino Salvatore. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20190148372A1. Автор: Cheng Kangguo,Zhang Chen,Miao Xin,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Techniques for Forming Different Gate Length Vertical Transistors with Dual Gate Oxide

Номер патента: US20190214305A1. Автор: Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Yeung Chun Wing,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

Hybrid 5F2 cell layout for buried surface strap aligned to vertical transistor

Номер патента: TW454271B. Автор: Ulrike Gruening,Carl J Radens. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-09-11.

Methods Of Forming A Vertical Transistor And At Least A Conductive Line Electrically Coupled Therewith

Номер патента: US20130237023A1. Автор: Surthi Shyam,Karda Kamal M.,Mathew Suraj J.,Guha Jaydip,Tsai Hung-Ming. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-09-12.

VERTICAL TRANSISTOR, MEMORY CELL, DEVICE, SYSTEM AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20130258756A1. Автор: Forbes Leonard. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

VERTICAL TRANSISTORS AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20180006024A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

THREE-DIMENSIONAL MONOLITHIC VERTICAL TRANSISTOR MEMORY CELL WITH UNIFIED INTER-TIER CROSS-COUPLE

Номер патента: US20200066732A1. Автор: Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

VERTICAL TRANSISTORS AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20180175025A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Integrated circuit memory devices having vertical transistor arrays therein and methods of forming same

Номер патента: US20140015032A1. Автор: Ji-Young Kim,Kang L. Wang,Yong-Jik Park,Jeong-hee Han,Augustin Jinwoo Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-16.

CMOS Image Sensors Including Vertical Transistor and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20150243693A1. Автор: AHN Jung-Chak,JEONG HEE-GEUN,Lee Kyung-Ho,OH Young-sun. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Fuel cell stack with uniform gas distribution in main flow channels thereof

Номер патента: US20110223511A1. Автор: Chi-Bin Wu,Po-Hsien Chou. Владелец: Chung Hsin Electric and Machinery Manufacturing Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Preparation method and application of graphene quantum dots with uniform size

Номер патента: AU2021106312A4. Автор: Hongzhou Dong,Liyan Yu,Lifeng Dong,Lina Sui,Zhixing Gan,Beili Pang. Владелец: Qingdao University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-11-04.

Methods of an apparatus for simultaneously covering each of a plurality of elongated materials with uniformly weighted pulp insulation

Номер патента: CA1088360A. Автор: Brian Lynch,James G. Wright, Jr.. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1980-10-28.

Filament bulb with uniform luminance

Номер патента: US10473291B2. Автор: Xiaobo Chen,Xiaojuan Huang,Liangliang Cao,Maojin Zeng,Lianwei Zhang,Mingyan Fu,Lilei Su,Wanzhen Li. Владелец: Xiamen Eco Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Filament bulb with uniform luminance

Номер патента: US20180306407A1. Автор: Xiaobo Chen,Xiaojuan Huang,Liangliang Cao,Maojin Zeng,Lianwei Zhang,Mingyan Fu,Lilei Su,Wanzhen Li. Владелец: Xiamen Eco Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Control Circuit For Transistor With Floating Source Node

Номер патента: US20230133293A1. Автор: Kevin David Moran,Guoming George Zhu. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device structure with vertical transistor over underground bit line

Номер патента: US20240145536A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING VERTICAL TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140035018A1. Автор: Lee Jin Yul. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-02-06.

CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING THRESHOLD-ADJUSTABLE VERTICAL TRANSISTORS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200006383A1. Автор: Petti Christopher J.. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Thin SRAM Cell Having Vertical Transistors

Номер патента: US20180033793A1. Автор: Reznicek Alexander,Guillorn Michael A.,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

PROGRAMMABLE DEVICE COMPATIBLE WITH VERTICAL TRANSISTOR FLOW

Номер патента: US20190189625A1. Автор: Cheng Kangguo,Wang Geng,Li Juntao,Zhang Qintao. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

METHOD FOR FORMING IMPURITY REGION OF VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING VERTICAL TRANSISTOR USING THE SAME

Номер патента: US20130288441A1. Автор: EUN Yong Seok,KIM Tae Kyun,ROUH Kyong Bong,PARK Eun Shil. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors And Method Used In Forming An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Vertical Transistor And A Storage Device Above The Vertical Transistor

Номер патента: US20220068934A1. Автор: YANG Guangjun. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

CMOS image sensors including vertical transistor

Номер патента: US09806113B2. Автор: Kyung-Ho Lee,Hee-Geun Jeong,Jung-Chak Ahn,Young-Sun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

CMOS image sensors including vertical transistor

Номер патента: US09647016B2. Автор: Kyung-Ho Lee,Hee-Geun Jeong,Jung-Chak Ahn,Young-Sun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

High density stacked vertical transistor static random access memory structure

Номер патента: WO2023186507A1. Автор: Brent Anderson,Albert Chu,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-10-05.

High density stacked vertical transistor static random access memory structure

Номер патента: US20230320055A1. Автор: Junli Wang,Hemanth Jagannathan,Brent A Anderson,Albert M Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Vertical Transistor Devices, Memory Arrays, And Methods Of Forming Vertical Transistor Devices

Номер патента: US20150236023A1. Автор: Wang Kuo Chen,Manavalan Sriraj,Liao Wei Ming. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Vertical transistor array and method for forming vertical transistor array

Номер патента: CN113964133A. Автор: S·E·西里斯,李宜芳,K·M·考尔道,李时雨,S-W·杨,J·古哈,L·P·海内克,T·B·麦克丹尼尔,K·J·特雷克. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-21.

VERTICAL TRANSISTOR WITH HARDENING IMPLANTATION

Номер патента: US20140097400A1. Автор: Kim Young Pil,Manos Peter Nicholas,Jung Chulmin,Khoury Maroun Georges,Setiadi Dadi,Lee Hyung-Kew. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-04-10.

VERTICAL TRANSISTOR WITH EDRAM

Номер патента: US20190363092A1. Автор: Reznicek Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Stacked composite device including a group III-V transistor and a group IV vertical transistor

Номер патента: US9343440B2. Автор: Michael A. Briere,Tim Mcdonald. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

INTEGRATED SEMICONDUCTOR CIRCUIT CONTAINING A SEMICONDUCTOR BODY, AS A COMMON BASIC AREA OF LATERAL TRANSISTORS AND AS A COMMON EMITTER AREA OF VERTICAL TRANSISTORS.

Номер патента: NL174894C. Автор: . Владелец: Ibm. Дата публикации: 1984-08-16.

VERTICAL OVERFLOW DRAIN COMBINED WITH VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20190355778A1. Автор: Chen Gang,Mao Duli,Grant Lindsay,Zheng Yuanwei,Tai Dyson. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Method and device to measure the gate oxide thickness of vertical transistor

Номер патента: TW200511459A. Автор: Yu-Chang Lin,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-16.

Modular semiconductor device package with uniform transistor components

Номер патента: WO2022169676A1. Автор: Michael E. Watts,Mario Bokatius,James Krehbiel. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-08-11.

Device packages with uniform components and methods of forming the same

Номер патента: US12074149B2. Автор: Michael E. Watts,Mario Bokatius,James Krehbiel. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Esd protection device with vertical transistor structure

Номер патента: US20120018778A1. Автор: Kun-Hsien LIN,Ryan Hsin-Chin Jiang,Zi-Ping Chen. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130126956A1. Автор: LEE Kyoung Han. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-05-23.

PILLARS FOR VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20140097479A1. Автор: Thomas Patrick. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

LATERAL/VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES AND PROCESS OF MAKING AND USING SAME

Номер патента: US20200078785A1. Автор: Hobbs Eric D.,Valley Justin K.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

DUMMY VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE TO REDUCE CROSS TALK IN PIXEL SENSOR

Номер патента: US20210091127A1. Автор: Lu Jiech-Fun,Tsao Tsun-Kai,Chou Shih-Pei. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

CMOS Image Sensors Including Vertical Transistor

Номер патента: US20170207264A1. Автор: AHN Jung-Chak,JEONG HEE-GEUN,Lee Kyung-Ho,OH Young-sun. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

Compact fuel cell stack with uniform depth flow fields

Номер патента: WO2008070468A2. Автор: Raymond P. Johnston,Mark K. Debe,Krzysztof A. Lewinski,Thomas Herdtle,Kim B. Saulsbury,Andrew J. L. Steinbach,Edward M. Fischer. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2008-06-12.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240381620A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2023028869A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20020053689A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Vertical transistor trench capacitor dram cell and method of making the same

Номер патента: EP1320885A2. Автор: Andreas Knorr,Laertis Economikos,Thomas W. Dyer,Scott Halle. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Memory devices having vertical transistors in staggered layouts

Номер патента: US12082399B2. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device having vertical transistors and method for forming the same

Номер патента: US20230371244A1. Автор: He Chen,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20010000918A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-10.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2024103343A1. Автор: WEI Liu,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Wenyu HUA,Zichen LIU,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240172415A1. Автор: WEI Liu,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Wenyu HUA,Zichen LIU,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230371241A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory devices having vertical transistors in staggered layouts

Номер патента: WO2023070640A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

The intercross coupled magnetic circuit structure with uniform magnetic resistance to adjust air clearance

Номер патента: CA2230958C. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-30.

System and method for generating spatial audio with uniform reverberation in real-time communication

Номер патента: US11950088B2. Автор: Song Li,Bo Wu,Jianyuan Feng,Jimeng ZHENG. Владелец: Agora Lab Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

System and method for generating spatial audio with uniform reverberation in real-time communication

Номер патента: US20240015466A1. Автор: Song Li,Bo Wu,Jianyuan Feng,Jimeng ZHENG. Владелец: Agora Lab Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Electronic device with uniform heat-dissipation

Номер патента: US7239519B2. Автор: DONG Lin,Qing Guo,Bao Hua Li,Jin Fa Zhang. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2007-07-03.

System for generating spatial audio with uniform reverberation in real-time communication

Номер патента: US20240205635A1. Автор: Song Li,Bo Wu,Jianyuan Feng,Jimeng ZHENG. Владелец: Agora Lab Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Distance-dependent spectra with uniform sampling spectrometry

Номер патента: EP1908237A1. Автор: Venkata Guruprasad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-09.

Distance-dependent spectra with uniform sampling spectrometry

Номер патента: CA2613993A1. Автор: Venkata Guruprasad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Radio frequency front end (rffe) command code extension with uniform sequence start condition (ssc)

Номер патента: WO2018048971A1. Автор: Richard Dominic Wietfeldt,Lalan Jee Mishra,Helena Deirdre O'Shea. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-15.

Differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction of class ab with variable voltage of restriction of pass characteristic

Номер патента: RU2712414C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Intermediate cascade of operational amplifier with paraphrase output on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2720555C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Николай Владимирович Бутырлагин,Алексей Андреевич Жук,Елена Владимировна Овсепян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Multifunctional current mirror on complementary field-effect transistors with control pn-junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720557C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Differential input voltage converter with paraphase current outputs based on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2724975C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-29.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Rectifier circuit with multiple cells, each cell having transistors with bulks biased by signals generated in other cells to control threshold voltage, and corresponding device and method

Номер патента: US10312821B2. Автор: Giuseppe Palmisano,Ranieri Guerra,Leandro GRASSO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-06-04.

High-speed output cascade of analogue microcircuits on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2711725C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-21.

4f2 vertical access transistor with reduced floating body effect

Номер патента: US20240341082A1. Автор: Zhijun CHEN,Milan PESIC,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

4f2 vertical access transistor with reduced floating body effect

Номер патента: WO2024211157A1. Автор: Zhijun CHEN,Milan PESIC,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2721940C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Елена Владимировна Овсепян,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel die and implementation method thereof

Номер патента: US20230037951A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Differential cascade of ab class on complementary field transistors with control p-n junction for operation in low temperature conditions

Номер патента: RU2710847C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Differential amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736412C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2741055C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2721942C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Low-temperature and radiation-proof compensation voltage stabilizer on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732950C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-24.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2688225C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Non-inverting current mirror on complementary field-effect transistors with pn-junction control for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720554C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Differential amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736549C1. Автор: Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Иван Николаевич Третьяк. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Differential operational amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739577C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-28.

Differential stage on complete field transistors with increased temperature stability of the static mode

Номер патента: RU2746888C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-04-21.

Low-temperature and radiation-stable voltage follower on complementary field transistors with control p-n junction for tasks of designing active rc-filters

Номер патента: RU2723673C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-17.

Differential cascade on complementary jfet field-effect transistors with high attenuation of input in-phase signal

Номер патента: RU2710296C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-12-25.

Differential amplifier on complimentary field transistors with controlled voltage limitations of passage characteristics

Номер патента: RU2679970C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-02-14.

Low-temperature operational amplifier with high attenuation of input in-phase signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732583C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-21.

Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2684489C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-04-09.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with high stability of static mode

Номер патента: RU2710930C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710846C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Analogue microcircuit output cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710917C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Buffer amplifier with low zero-offset voltage on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2712410C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Superconducting field-effect transistors with inverted misfet structure and method for making the same

Номер патента: CA2058780A1. Автор: Johannes G. Bednorz,Jochen D. Mannhart,Carl A. Mueller. Владелец: Carl A. Mueller. Дата публикации: 1992-07-08.

Buffer amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2710923C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Method for making a high-temperature superconducting field-effect transistor with thick superconducting channel layer

Номер патента: US5663081A. Автор: Jeong-Dae Suh,Gun-Yong Sung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1997-09-02.

Transistor amplifier having field effect transistors with stabilized drain bias current

Номер патента: CA1042995A. Автор: Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-21.

Memory address decode array with vertical transistors

Номер патента: US20030087495A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Coupling with uniform circumferential tightening

Номер патента: RU2679068C2. Автор: Чипрут Ави. Владелец: Элизер Крауц Индастриал Девелопмент Лтд.. Дата публикации: 2019-02-05.

Nozzle with uniform atomising cone

Номер патента: RU2501610C1. Автор: Маттиас Шнайдер. Владелец: Лехлер ГмбХ. Дата публикации: 2013-12-20.

Method of producing high-strength gypsum with uniform heating

Номер патента: RU2729550C1. Автор: Станислав Яковлевич Галицков,Константин Станиславович Галицков,Леонид Леонидович Баженов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2020-08-07.

Multilayer zirconia ceramic block with uniform transition and method for preparing the same

Номер патента: US20210363068A1. Автор: Shuai LIU,Xinzhang YAN,Moushan LIU,Youming LUO,Chongjing FENG,Xiang LIAO. Владелец: Chengdu Besmile Medical Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Air conditioning unit having coil portion with non-uniform fin arrangement

Номер патента: CA2359427C. Автор: Ying Gong,Timothy B. Hawkins. Владелец: Rheem Manufacturing Co. Дата публикации: 2005-01-18.

Electronic document distribution network with uniform data stream

Номер патента: CA1193368A. Автор: Gregory J. Foster. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-09-10.

Mixing method of steel fibro concrete mixture with uniformly-oriented dispersed-reinforcing elements

Номер патента: RU2616033C1. Автор: Анатолий Петрович Богачев,Владимир Михайлович Давыдов,Юрий Сергеевич Прокопьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2017-04-12.

Passive autocatalytic hydrogen and oxygen recombiner with uniform load per area of catalyst element

Номер патента: RU2499305C1. Автор: Владимир Андреевич Шепелин,Дмитрий Евгеньевич Кошманов. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Кошманов. Дата публикации: 2013-11-20.

Sealant with uniform spacer particles

Номер патента: CA1329732C. Автор: Michael S. Sylvester. Владелец: FOAM SEAL Inc. Дата публикации: 1994-05-24.

Double freeform-surface lens with uniform color temperature

Номер патента: US10578275B2. Автор: Peng Ge,Hong Wang,Xiang Wang. Владелец: Zhongshan Institute of Modern Industrial Technology of South China University of Technology. Дата публикации: 2020-03-03.

Read fused groups with uniform resource allocation

Номер патента: US11880604B2. Автор: Mikhail Palityka,Oleg Kragel,Vijay Sivasankaran,Lawrence Vazhapully Jacob. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Read Fused Groups with Uniform Resource Allocation

Номер патента: US20230367512A1. Автор: Mikhail Palityka,Oleg Kragel,Vijay Sivasankaran,Lawrence Vazhapully Jacob. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Foam spring with uniformely dimpled inner and outer surface

Номер патента: WO2013110961A1. Автор: Georgios BAIRAKTARIS. Владелец: Bairaktaris Georgios. Дата публикации: 2013-08-01.

Inhaler articles having folded ends with uniform appearance

Номер патента: WO2023012225A3. Автор: Valerio D'AMBROGI. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS S.A.. Дата публикации: 2023-03-16.

Inhaler articles having folded ends with uniform appearance

Номер патента: US20240306702A1. Автор: Valerio D'AMBROGI. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2024-09-19.

Miniature simulation test device for constructed wetland featured with uniform water collection and distribution and accurate mastering of internal mechanism

Номер патента: AU2020103891A4. Автор: Yi Xing,Ye Zhang,Wei Jiao,Minmin CAI,Shaoyong Lu,Xiangcan JIN,Beihai ZHOU. Владелец: Chinese Academy of Environmental Sciences. Дата публикации: 2021-02-11.

Stamp for obtaining cylindrical metal parts with uniform small-sized structure from bar stocks

Номер патента: RU2629576C2. Автор: Александр Михайлович Дмитриев,Наталья Васильевна Коробова,Анатолий Юрьевич Аксененко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2017-08-30.

Medical products with uniform density of electric charge and methods for production thereof

Номер патента: RU2601454C2. Автор: Зохра ФАДЛИ,Джеймс Д. ФОРД,Скотт Л. ДЖОСЛИН,Шивкумар МАХАДЕВАН,Эрик ДЖОРДЖ,Куниси ВЕНКАТАСУББАН,Томас МЭДЖИО,Чарльз СКЕЙЛС,Кэрри Л. ДЭВИС,Лиа ХАНСЕН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2016-11-10.

Method for generating image with uniform brightness

Номер патента: US11763708B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Yu-Chia Huang,Hsiu-Tung Lin. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Led lighting apparatus with uniform-emitting performance on wall-structure

Номер патента: US20210278051A1. Автор: Youn Kyung KWON. Владелец: Hyundai Luxon Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Liquid crystal display with uniform feed-through voltage

Номер патента: US20090174831A1. Автор: Chien-Hua Chen,Chih-Yuan Chien,Chen-kuo Yang,Hsuen-Ying Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-07-09.

Heater being automatically fed with uniform geometry fuel units

Номер патента: US20110017190A1. Автор: Emiliano Arturo Cardenas Silva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Modular component for the production of building structures with uniform insulating properties

Номер патента: EP1180184A1. Автор: Angelo Velo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-20.

Modular component for the production of building structures with uniform insulating properties

Номер патента: AU4602200A. Автор: Angelo Velo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-12-12.

Liquid crystal display with uniform feed-through voltage

Номер патента: US7633570B2. Автор: Chien-Hua Chen,Chih-Yuan Chien,Chen-kuo Yang,Hsuen-Ying Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-12-15.

Inhaler articles having folded ends with uniform appearance

Номер патента: EP4380656A2. Автор: Valerio D'AMBROGI. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2024-06-12.

Method of determination of transient thermal resistance of crystal-housing and thermal resistance of crystal-housing in the state of heat equilibrium of transistors with field control

Номер патента: RU2685769C1. Автор: Николай Николаевич Беспалов,Владислав Геннадьевич Мясин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2019-04-23.

Vertical transistor with hardening implatation

Номер патента: US20120074488A1. Автор: Young Pil Kim,Maroun Georges Khoury,Hyung-Kyu Lee,Peter Nicholas Manos,Chulmin Jung,Dadi Setiadi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-03-29.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: EP1340254A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-09-03.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: WO2002047159A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-06-13.

Method for forming a vertical transistor with a stacked capacitor DRAM cell

Номер патента: US5429977A. Автор: Horng-Huei Tseng,Chin-Yuan Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1995-07-04.

Self- aligned diffused source vertical transistors with stack capacitors in a 4f- square memory cell array

Номер патента: MY118306A. Автор: Howard Leo Kalter,Stuart Mcallister Burns Jr,Hussein Ibrahim Hanafi,Waldemar Walter Kocon,Jeffrey J Welser. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-09-30.

Trench capacitor dram cell with vertical transistor

Номер патента: EP1186043A1. Автор: Lothar Risch,Matthias Ilg,Gerhard Enders,Helga Widmann. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-03-13.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: WO2002047159A3. Автор: Norbert Arnold,V C Jaiprakash,Michel Seitz. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Trench capacitor dram cell with vertical transistor

Номер патента: WO2000067326A1. Автор: Lothar Risch,Matthias Ilg,Gerhard Enders,Dietrich Widmann. Владелец: Widmann, Helga. Дата публикации: 2000-11-09.

Method for fabricating vertical transistor device and memory device with vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: TW200816387A. Автор: Chung-Yuan Lee,Sheng-Tsung Chen,Shian-Tyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-04-01.

Integrated circuit, has selection transistor designed as vertical transistor, and metalliferous region partially staying in connection with earth plate and/or ground plate, where metalliferous region extends below selection transistor

Номер патента: DE102007054641A1. Автор: Ulrike Dr. Gruening-Von Schwerin. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-05-20.

Memory with vertical transistor with trench capacitor

Номер патента: JPH10256510A. Автор: ハワード・レオ・カルター,Aquarister Burns Stuart Jr,スチュアート・マクアリスター・バーンズ・ジュニア,Ibrahim Hanafi Hussein,フセイン・イブラヒム・ハナフィー,Reo Calter Powerd,Wolter Kokon Waldemar,ワルデマル・ヴォルター・ココン,J Werser Jeffrey,ジェフリー・ジェイ・ウェルサー. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-09-25.

Memory with vertical transistors with stacked capacitors

Номер патента: JP3083801B2. Автор: ハワード・レオ・カルター,スチュアート・マクアリスター・バーンズ・ジュニア,フセイン・イブラヒム・ハナフィー,ワルデマル・ヴォルター・ココン,ジェフリー・ジェイ・ウェルサー. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-09-04.

Vertical transistor with hardening implatation

Номер патента: US20120074488A1. Автор: Young Pil Kim,Maroun Georges Khoury,Hyung-Kyu Lee,Peter Nicholas Manos,Chulmin Jung,Dadi Setiadi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-03-29.

Arrangement and method for the production of vertical transistor cells and transistor-controlled memory cells

Номер патента: DE10362018B4. Автор: Dirk Manger,Till Dr. Schloesser,Bernd Dr. Goebel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-03-08.

Self-aligned diffused source vertical transistors with stack capacitors in a 4f-square memory cell array

Номер патента: KR100288494B1. Автор: 후세인 이브라힘 하나피,스튜아트 맥콜리스터 이세 번스,제프리 제이 웰서,하워드 레오 칼터,왈데마르 월터 코콘. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 2001-06-01.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230380136A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Zichen LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory device with vertical transistor and trench capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: TW200629527A. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

Dynamic random access memory (DRAM) cell with a folded bitline vertical transistor and method of producing the same

Номер патента: US20020102778A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Lawrence Clevenger,Jack Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Memory device with vertical transistors and deep trench capacitors and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200503177A. Автор: Yi-Nan Chen,Tieh-Chiang Wu,Chang-Rong Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-16.

Methods of fabricating static random access memories (SRAMS) having vertical transistors

Номер патента: US20070155085A1. Автор: Seung-Heon Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Circuit de balayage vertical à transistor

Номер патента: FR1303500A. Автор: . Владелец: Compagnie Francaise Thomson Houston SA. Дата публикации: 1962-09-14.

Method for designing an optimization apparatus for a camera having a lens with non-uniform parameters to be imaged as a lens with uniform parameters

Номер патента: US09930326B2. Автор: Patrice Roulet,Simon Thibault,Pierre Konen,Xiaojun Du,Jocelyn PARENT,Pascale NINI. Владелец: 6115187 Canada Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Processing wireless emergency alert messages with uniform resource locators to reduce cellular network load

Номер патента: US09820121B2. Автор: Brian Kevin Daly,DeWayne A. Sennett,Charles Peter Musgrove. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated voltage regulator circuit with vertical transistor

Номер патента: US5909110A. Автор: Han-Tzong Yuan,Albert H. Taddiken,Donald L. Plumton,Jau-Yuann Yang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-06-01.

VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20180004791A1. Автор: Mochizuki Shogo,LIE Fee Li,WANG JunIi. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20200167331A1. Автор: Wang Junli,Mochizuki Shogo,LIE Fee Li. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

VERTICAL TRANSISTORS WITH MERGED ACTIVE AREA REGIONS

Номер патента: US20180121593A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Kim Seong-Dong,Hook Terence B.,Chu Albert M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Multicolor light emitting diode treatment system with uniform illumination

Номер патента: US09533170B2. Автор: Markus P. Hehlen,Catherine L. Dye. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-03.

LATERAL/VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES AND PROCESS OF MAKING AND USING SAME

Номер патента: US20160184821A1. Автор: Hobbs Eric D.,Valley Justin K.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Method of converting random numbers with arbitrary distribution law to random numbers with uniform distribution law

Номер патента: RU2343628C2. Автор: Евгений Михайлович Зверев,Вильжан Мавлютинович Амербаев,Юрий Васильевич Романец,Александр Владимирович Шарамок. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Фирма "Анкад". Дата публикации: 2009-01-10.

Procedure for threaded connection with uniform distribution of load along turns of thread

Номер патента: RU2419733C1. Автор: Аркадий Михайлович Рубин. Владелец: Аркадий Михайлович Рубин. Дата публикации: 2011-05-27.

Production of alloys with uniform distribution of structural components on the basis of systems and limited solubility in liquid state

Номер патента: RU2530676C1. Автор: Анатолий Дмитриевич Шляпин,Антон Николаевич Кравченков,Валерий Иванович Кошкин,Игорь Борисович Руденко,Владимир Адамович Нижник,Егор Сергеевич Зайцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2014-10-10.

Method of producing articles from steel granules by powder metallurgy procedure with uniform distribution of nitrogen on article volume

Номер патента: RU2445188C2. Автор: Олег Хикметович Фаткуллин,Александр Владимирович Филимонов,Юрий Васильевич Луканин,Виктор Владимирович Клочай. Владелец: Открытое акционерное общество "Русполимет". Дата публикации: 2012-03-20.

Method for alternate one-way transmission of messages with disconnected information sources in common zonal communication network with uniform distribution of time slots

Номер патента: RU2589319C2. Автор: Михаил Исаакович Лифшиц. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "Импульс" (ОАО "НПО "Импульс"). Дата публикации: 2016-07-10.

Method of production of finely dispersed powders with uniform distribution of liquid phase over surface of particles and method of production of insectoacaricide dusts

Номер патента: RU2101008C1. Автор: . Владелец: Предприниматель без образования юридического лица Добронравов Петр Николаевич. Дата публикации: 1998-01-10.

Method of producing tubular billet with uniform structure

Номер патента: RU2412770C1. Автор: Андрей Геннадьевич Лебедев,Леонид Яковлевич Левков,Игорь Александрович Свитенко,Виктор Михайлович Ефимов,Михаил Васильевич Ульянов,Алексей Евгеньевич Корнеев,Андрей Сергеевич Гуденко. Владелец: Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России), Россия. Дата публикации: 2011-02-27.

Optical generator of stochastic sequences with uniform distribution

Номер патента: RU2150140C1. Автор: С.В. Соколов,М.Р. Ганеев,В.В. Панасенко. Владелец: Ростовский военный институт ракетных войск. Дата публикации: 2000-05-27.

Method to manufacture microwave field transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2465682C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Наталья Александровна Кувшинова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-10-27.

Method to manufacture field transistors with self-aligned gate of submicron length

Номер патента: RU2436186C2. Автор: Вадим Станиславович Арыков,Анастасия Михайловна Гаврилова,Ольга Анатольевна Дедкова,Юрий Викторович Лиленко. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП"). Дата публикации: 2011-12-10.

High-performance uhf field transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2393589C1. Автор: Александр Михайлович Темнов,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2010-06-27.

IGBT TRANSISTOR WITH PROTECTION AGAINST PARASITIC COMPONENT ACTIVATION AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF

Номер патента: US20120001224A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

Production method of super-high frequency (shf) field-effect transistor with schottki barrier

Номер патента: RU2361319C1. Автор: Александр Михайлович Темнов,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2009-07-10.

Light transistor with two emitting junctions

Номер патента: RU2593443C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Дмитрий Алексеевич Челушкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2016-08-10.

Method for manufacturing bsit-transistor with guard rings

Номер патента: RU2524145C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-07-27.

Magnetic transistor with collector current compensation

Номер патента: RU2591736C1. Автор: Антон Викторович Козлов,Роберт Дмитриевич Тихонов,Антон Юрьевич Красюков,Юрий Александрович Чапыгин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2016-07-20.

Process of fabrication of self-scaling field-effect transistor with struct ure of superself-aligned bipolar transistor

Номер патента: RU2230392C2. Автор: Н.М. Манжа,Н.А. Щербаков,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,М.И. Клычников. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2004-06-10.

Shf high-power transistor with multilayer epitaxial structure

Номер патента: RU2519054C1. Автор: Грачик Хачатурович Аветисян,Алексей Сергеевич Адонин,Юрий Владимирович Колковский,Виктор Алексеевич Курмачев,Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Анатольевич Дарофеев. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2014-06-10.

Process of manufacture of field-effect transistor with submicronic shottky-barrier gate

Номер патента: RU2046453C1. Автор: А.А. Чернявский,А.Ф. Мозгунов,В.Л. Романов. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Планета". Дата публикации: 1995-10-20.

Transistor with metal-oxide-semiconductor structure on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: RU2477904C1. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков,Андрей Александрович Глушко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН). Дата публикации: 2013-03-20.

Method of producing high-frequency transistor with nanometer gates

Номер патента: RU2578517C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП"). Дата публикации: 2016-03-27.

Structure of bipolar transistor with emitter of sub-micron dimensions, and method for manufacturing said structure

Номер патента: RU2279733C2. Автор: Алексей Николаевич Долгов,Александр Николаевич Еременко,Михаил Иванович Клычников,Дмитрий Григорьевич Кравченко,Михаил Иванович Лукасевич,Николай Михайлович Манжа. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2006-07-10.

Integral cell for radiation detector based on bipolar transistor with cellular base

Номер патента: RU2427942C1. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Сергей Иванович Диденко,Светлана Петровна Кобелева,Алексей Сергеевич Корольченко,Олег Михайлович Орлов,Михаил Павлович Коновалов,Дмитрий Леонидович Волков. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2011-08-27.

Method for manufacturing mis transistor with local sections of buried insulator

Номер патента: RU2235388C2. Автор: Ю.И. Денисенко,С.А. Кривелевич. Владелец: Институт микроэлектроники и информатики РАН. Дата публикации: 2004-08-27.

Temperature-sensitive element built on transistors with current output

Номер патента: RU2209407C2. Автор: А.В. Ефанов. Владелец: Ефанов Алексей Валерьевич. Дата публикации: 2003-07-27.

VERTICAL TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD AND VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20120168859A1. Автор: Jin Minghao,Calton David William,Kershaw Nick,Rogers Chris. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2012-07-05.

Vertical Transistor Devices, Memory Arrays, And Methods Of Forming Vertical Transistor Devices

Номер патента: US20130049110A1. Автор: Wang Kuo Chen,Manavalan Sriraj,Liao Wei Ming. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES INCLUDING VERTICAL TRANSISTOR DEVICES, ARRAYS OF VERTICAL TRANSISTOR DEVICES, AND METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20130049120A1. Автор: Sandhu Gurtej S.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-02-28.

PRINTER WITH UNIFORM ILLUMINATION FOR MEDIA IDENTIFICATION

Номер патента: US20120001978A1. Автор: Burke Gregory M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Stacked Composite Device Including a Group III-V Transistor and a Group IV Vertical Transistor

Номер патента: US20120256189A1. Автор: Briere Michael A.,MCDONALD Tim. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-11.

Vertical Transistor with Improved Robustness

Номер патента: US20130026561A1. Автор: Stecher Matthias,Winkler Markus,Sander Rainald,Asam Michael. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-01-31.

A self-aligned vertical transistor DRAM structure and its manufacturing methods

Номер патента: TW560009B. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Intelligent Sources Dev Corp. Дата публикации: 2003-11-01.

Memory device with vertical transistors and deep trench capacitors and method of fabricating the same

Номер патента: TWI221669B. Автор: Yi-Nan Chen,Jeng-Ping Lin,Ming-Cheng Chang,Chung-Yuan Lee,Hui-Min Mao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-01.

Memory device with vertical transistors and deep trench capacitors and method of fabricating the same

Номер патента: TW200507182A. Автор: Yi-Nan Chen,Chang-Rong Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-16.

Method of fabricating buried strap out-diffusions of vertical transistor

Номер патента: TWI222745B. Автор: Yi-Nan Chen,Ming-Cheng Chang,Yu-Sheng Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Memory device with vertical transistors and deep trench capacitors and method of fabricating the same

Номер патента: TWI222718B. Автор: Yi-Nan Chen,Chang-Rung Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Memory device with vertical transistors and deep trench capacitors and method of fabricating the same

Номер патента: TW200501398A. Автор: Yi-Nan Chen,Jeng-Ping Lin,Ming-Cheng Chang,Chung-Yuan Lee,Hui-Min Mao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-01.

Method for improving mobility of vertical transistor channel

Номер патента: TWI245422B. Автор: Ming-Cheng Chang,Shian-Jyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-12-11.

Memory device with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: TW200632906A. Автор: Neng-Tai Shih,Chien-Chang Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-09-16.

METHOD FOR FABRICATING ETCHING BARRIER BY USING SHADOW EFFECT AND METHOD FOR FABRICATING ONE SIDE CONTACT OF VERTICAL TRANSISTOR USING THE SAME

Номер патента: US20120009760A1. Автор: KIM Jun Ki. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-12.

DIFFUSING IMPURITY IONS INTO PILLARS TO FORM VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20120021575A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-26.

VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120021576A1. Автор: CHA Seon Yong. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-26.

Methods Of Forming Pluralities Of Vertical Transistors, And Methods Of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20120052640A1. Автор: Fischer Mark,Tang Sanh D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

Checkerboarded high-voltage vertical transistor layout

Номер патента: US20120061755A1. Автор: Banerjee Sujit,Parthasarathy Vijay,Manley Martin H.. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-03-15.

3D MEMORY ARRAY WITH VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20120074466A1. Автор: . Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-03-29.

VERTICAL TRANSISTOR MEMORY ARRAY

Номер патента: US20120080725A1. Автор: Kim Jinyoung,Ahn Yongchul,Khoueir Antoine,Kim Young Pil,Lee Hyung-Kyu,Manos Peter Nicholas,Setiadi Dadi,Lee Brian. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-04-05.

VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120080745A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120098053A1. Автор: SHIN Jong-Han. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120100704A1. Автор: SHIN Jong-Han. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

METHOD FOR MANUFACTURING VERTICAL TRANSISTOR HAVING ONE SIDE CONTACT

Номер патента: US20120135573A1. Автор: KIM Jun Ki. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-05-31.

VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20120161228A1. Автор: Li Huai-An,WENG SHOU-CHENG. Владелец: Chunghwa Picture Tubes, LTD.. Дата публикации: 2012-06-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING VERTICAL TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DATA PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20120193704A1. Автор: NOJIMA Kazuhiro. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-08-02.

VERTICAL TRANSISTOR FOR RANDOM-ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120193706A1. Автор: Liu Hsien-Wen,LEE TZUNG HAN,LEE CHUNG-YUAN. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2012-08-02.

METHOD FOR OPENING ONE-SIDE CONTACT REGION OF VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING ONE-SIDE JUNCTION REGION USING THE SAME

Номер патента: US20120208364A1. Автор: EUN Yong Seok,ROUH Kyong Bong,PARK Eun Shil. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

VERTICAL TRANSISTOR HAVING A GATE STRUCTURE FORMED ON A BURIED DRAIN REGION AND A SOURCE REGION OVERLYING THE UPPER MOST LAYER OF THE GATE STRUCTURE

Номер патента: US20120211824A1. Автор: . Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-08-23.

VERTICAL TRANSISTOR PHASE CHANGE MEMORY

Номер патента: US20120248398A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-10-04.

MEMORY DEVICE HAVING BURIED BIT LINE AND VERTICAL TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120273874A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

Gate Pullback at Ends of High-Voltage Vertical Transistor Structure

Номер патента: US20120280314A1. Автор: Parthasarathy Vijay,Manley Martin H.. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-11-08.

RESISTIVE MEMORY DEVICE HAVING VERTICAL TRANSISTORS AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20130056698A1. Автор: Zhang Jing,Huai Yiming,Satoh Kimihiro. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

VERTICAL TRANSISTOR HAVING REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20130082746A1. Автор: Nelson Shelby F.,Tutt Lee W.. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-04.

PRODUCING A VERTICAL TRANSISTOR INCLUDING REENTRANT PROFILE

Номер патента: US20130084681A1. Автор: Nelson Shelby F.,Levy David H.,Tutt Lee W.. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-04.

VERTICAL TRANSISTOR HAVING AN ASYMMETRIC GATE

Номер патента: US20130093000A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Guo Dechao,Han Shu-Jen,Yuan Jun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-18.

VERTICAL TRANSISTOR HAVING AN ASYMMETRIC GATE

Номер патента: US20130095623A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Guo Dechao,Han Shu-Jen,Yuan Jun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-18.

VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20130193511A1. Автор: TANAKA Yoshinori,HUANG Yu-Ling,LIU Wei-Chih,Nagai Yukihiro,Hsiung Chih-Wei,FANG Hsuan-Yu,Chen Meng-Hsien,Tseng Chun-Chiao,Ai Chung-Yung,Hsu Yu-Shan,Chang Wei-Che,Huang Chun-Hua,Takesako Kazuaki,Kadoya Tomohiro,Hsu Wen Kuei,Fujita Hirotake. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

CIRCUIT INCLUDING VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20130214347A1. Автор: Nelson Shelby F.,Tutt Lee W.. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-22.

METHOD FOR FABRICATING A VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20130230955A1. Автор: Hsiung Chih-Wei,Chen Meng-Hsien,Ai Chung-Yung. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-05.

VERTICAL TRANSISTOR HAVING EDGE TERMINATION STRUCTURE

Номер патента: US20130240955A1. Автор: Hirler Franz,Meiser Andreas. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-19.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.