VERTICAL TRANSISTOR WITH ENHANCED DRIVE CURRENT.

VERTICAL TRANSISTOR WITH ENHANCED DRIVE CURRENT

Номер патента: US20180342617A1
Опубликовано: 29-11-2018
Автор(ы): Cheng Kangguo, Miao Xin, Reznicek Alexander
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Vertical transistor with enhanced drive current

Номер патента: US20180342617A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Vertical transistor with enhanced drive current

Номер патента: US20180212054A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) transistor with a vertical channel region

Номер патента: US09768293B1. Автор: Chin-Yi Huang,Wan-Jyun Syue,Kuo-Lung Tzeng,Zhuo-Cang YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Vertical transistor including controlled gate length and a self-aligned junction

Номер патента: US09954109B2. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Vertical transistor and variable resistive memory device including the same

Номер патента: US09691819B2. Автор: Nam Kyun PARK,Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Vertical transistor including controlled gate length and a self-aligned junction

Номер патента: US20180175212A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Vertical transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09911848B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kai-Chieh Yang,Wai-Yi Lien,Carlos H. Diaz,Hao-Ling Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Vertical transistor with air gap spacers

Номер патента: US09443982B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20220130963A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Methods of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20240154013A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Structures of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20240021689A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Structures of gate contact formation for vertical transistors

Номер патента: US11769809B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods of gate contact formation for vertical transistors

Номер патента: US11978777B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

High-voltage vertical transistor with a multi-layered extended drain structure

Номер патента: US20030197220A1. Автор: Donald Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Vertical transistor structure with buried channel and resurf regions and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093784A1. Автор: Vipindas Pala,Sundarsan UPPILI. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

MOS transistor with gate trench adjacent to drain extension field insulation

Номер патента: US7893499B2. Автор: Sridhar Seetharaman,Sameer Pendharkar,Marie Denison,Binghua Hu,Taylor Rice Efland. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-02-22.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: US20210384310A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

High voltage lateral DMOS transistor with optimized source-side blocking capability

Номер патента: US09831320B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

High voltage lateral DMOS transistor with optimized source-side blocking capability

Номер патента: US09793375B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Devices including vertical transistors

Номер патента: US20240363763A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Vertical power transistor with termination area having doped trenches with variable pitches

Номер патента: US20170250246A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-31.

Vertical power transistor with termination area having doped trenches with variable pitches

Номер патента: US09978831B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: WO2024005789A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: US20230422496A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Vertical power transistor with deep trenches and deep regions surrounding cell array

Номер патента: US09941351B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Vertical power transistor with dual buffer regions

Номер патента: US09852910B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Vertical power transistor with thin bottom emitter layer and dopants implanted in trenches in shield area and termination rings

Номер патента: US09825128B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Vertical power transistor with deep floating termination regions

Номер патента: US09805933B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Devices including vertical transistors, and related methods

Номер патента: US12040411B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Vertical transistors and method for producing the same

Номер патента: US20240213366A1. Автор: Christian Huber,Roland Puesche,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonlinear gate vertical transistor

Номер патента: EP4391073A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-26.

Nonlinear gate vertical transistor

Номер патента: EP4391075A3. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-17.

Ultrascalable vertical mos transistor with planar contacts

Номер патента: EP1880424A2. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-01-23.

Ultrascalable vertical mos transistor with planar contacts

Номер патента: WO2006121566A2. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2006-11-16.

Fabrication method for forming vertical transistor on hemispherical or polygonal patterned semiconductor substrate

Номер патента: US09647107B1. Автор: Richard Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Gate length control for vertical transistors and integration with replacement gate flow

Номер патента: US09685537B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Vertical power transistor with deep trenches and deep regions surrounding cell array

Номер патента: US20170250270A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-31.

Vertical power transistor with dual buffer regions

Номер патента: US20170243746A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-24.

Vertical power transistor with deep floating termination regions

Номер патента: US20170243745A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-24.

Vertical transistor, integrated circuitry, method of forming a vertical transistor, and method of forming integrated circuitry

Номер патента: US11871582B2. Автор: Masihhur R. Laskar,Darwin Franseda Fan,Albert Liao,Ashonita A. Chavan,Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Vassil N. Antonov,Jeffery B. Hull,Xue-Feng Lin,Manuj Nahar,Irina V. Vasilyeva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Vertical Transistor, Integrated Circuitry, Method Of Forming A Vertical Transistor, And Method Of Forming Integrated Circuitry

Номер патента: US20240164114A1. Автор: Masihhur R. Laskar,Darwin Franseda Fan,Albert Liao,Ashonita A. Chavan,Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Vassil N. Antonov,Jeffery B. Hull,Xue-Feng Lin,Manuj Nahar,Irina V. Vasilyeva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Nonlinear Gate Vertical Transistor

Номер патента: US20240213318A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonlinear Gate Vertical Transistor

Номер патента: US20240213365A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonlinear gate vertical transistor

Номер патента: EP4391075A2. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-26.

Transistor with notched gate

Номер патента: GB2359193A. Автор: Charles Chu,Thomas Letson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2001-08-15.

Complementary field effect transistor (cfet) with balanced n and p drive current

Номер патента: US20240204109A1. Автор: Xia Li,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Complementary field effect transistor (cfet) with balanced n and p drive current

Номер патента: WO2024137197A1. Автор: Xia Li,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-27.

Transistor arrangement and method for producing a transistor with a fin structure

Номер патента: US20240128358A1. Автор: Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Transistor with low leakage currents and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266438A1. Автор: Chao-Chun Lu,Weng-Dah Ken. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Gate-all-around field-effect transistor with extended source/drain

Номер патента: US20240282839A1. Автор: Sang Uk LEE,Rock-Hyun Baek. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-08-22.

Trench DMOS transistor with reduced gate-to-drain capacitance

Номер патента: US09716167B2. Автор: Yaojian Leng,Richard Wendell Foote, Jr.,Steven J. Adler. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Vertical transistors stressed from various directions

Номер патента: US09947789B1. Автор: Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Programmable device compatible with vertical transistor flow

Номер патента: US20190189625A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Vertical transistor structures having vertical-surrounding-gates with self-aligned features

Номер патента: US20070020819A1. Автор: Sanh Tang,Grant Huglin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Vertical transistors for ultra-dense logic and memory applications

Номер патента: US11777029B2. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Jack Kavalieros,Matthew V. Metz,Van Le,Nazila Haratipour,I-Cheng Tung,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Vertical transistors stressed from various directions

Номер патента: US20180108776A1. Автор: Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130126964A1. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Methods of simultaneously forming bottom and top spacers on a vertical transistor device

Номер патента: US20180114850A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Vertical transistor transmission gate with adjacent nfet and pfet

Номер патента: US20180233502A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Vertical transistor with back bias and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180286977A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Vertical transistor with back bias and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180286978A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Devices including vertical transistors, and related methods and electronic systems

Номер патента: US20200111907A1. Автор: Hong Li,Haitao Liu,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Ramanathan GANDHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Vertical transistor devices and techniques

Номер патента: US20200058798A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Non-floating vertical transistor structure

Номер патента: US09466713B2. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8759892B2. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Trenched power mosfet with enhanced breakdown voltage and fabrication method thereof

Номер патента: US20140042534A1. Автор: Chun-Ying Yeh. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for producing three-dimensional structure, method for producing vertical transistor, vertical transistor wafer, and vertical transistor substrate

Номер патента: US11887845B2. Автор: Takashi Ishikawa,Moriya Miyashita,Takao Sakamoto,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh,Koji Izunome,Kazutaka Kamijo. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Power transistor with soft recovery body diode

Номер патента: US20240266432A1. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Power transistor with soft recovery body diode

Номер патента: EP4256617A1. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Daniel Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Power transistor with soft recovery body diode

Номер патента: US11990543B2. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US20220302315A1. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Stacked vertical transistor erasable programmable read-only memory and programmable inverter devices

Номер патента: US20210151449A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Stacked vertical transistor erasable programmable read-only memory and programmable inverter devices

Номер патента: US20200303388A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: EP4278387A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-22.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: WO2022192830A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2022-09-15.

Methods of forming gate electrodes on a vertical transistor device

Номер патента: US09966456B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Selector transistor with metal replacement gate wordline

Номер патента: US20210391386A1. Автор: Dafna Beery,Amitay Levi,Andrew J. Walker,Peter Cuevas. Владелец: Spin Assignment for Benefit of Creditors LLC. Дата публикации: 2021-12-16.

Fin cut etch process for vertical transistor devices

Номер патента: US10957783B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Vertical transistor and method of making

Номер патента: US7041556B2. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-09.

Vertical transistors having uniform channel length

Номер патента: US20200312722A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Self-aligned sigma extension regions for vertical transistors

Номер патента: US09647123B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Vertical transistor device with halo pocket contacting source

Номер патента: US09496390B2. Автор: Hao Su,Hong Liao,Hang HU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Vertical transistors having different gate lengths

Номер патента: US9653465B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for forming impurity region of vertical transistor and method for fabricating vertical transistor using the same

Номер патента: US20110306192A1. Автор: Eun Shil Park,Tae Kyun Kim,Yong Seok Eun,Kyong Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240079468A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Fin cut etch process for vertical transistor devices

Номер патента: US20200083355A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Ldmos transistor with implant alignment spacers

Номер патента: US20230231034A1. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: US20240290827A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

LDMOS transistor with implant alignment spacers

Номер патента: US12132099B2. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of fabricating a transistor with reduced hot carrier injection effects

Номер патента: US20170243950A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

High voltage lateral extended drain MOS transistor with improved drift layer contact

Номер патента: US09543149B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Inverse T-gate FET transistor with lightly doped source and drain region

Номер патента: US5241203A. Автор: Seiki Ogura,Louis L. Hsu,Joseph F. Shepard,Paul J. Tsang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Vertical transistor with edram

Номер патента: US20190363092A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Array Of Vertical Transistors, An Array Of Memory Cells Comprising An Array Of Vertical Transistors, And A Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors

Номер патента: US20220068722A1. Автор: Marcello Mariani,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Isolation structure for stacked vertical transistors

Номер патента: US20200335581A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Isolation structure for stacked vertical transistors

Номер патента: US11908890B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Double-gate vertical transistor semiconductor device

Номер патента: US10355128B2. Автор: Praveen Raghavan,Odysseas Zografos. Владелец: KU Leuven Research and Development. Дата публикации: 2019-07-16.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230066312A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Process for fabricating a uniform gate oxide of a vertical transistor

Номер патента: US6150670A. Автор: Ulrike Gruening,Rajarao Jammy,Suryanarayan G. Hegde,Johnathan E. Faltermeier,Brian S. Lee,Helmut H. Tews. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Metal oxide thin film transistors with multi-composition gate dielectric

Номер патента: US20220359758A1. Автор: Cheng Tan,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Shailesh Kumar Madisetti,Wen-Chiang Hong,Harish Ganapathy,Lin-Yung Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Reduced leakage transistors with germanium-rich channel regions

Номер патента: WO2017111849A1. Автор: Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Seiyon Kim,Jun Sung Kang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-29.

Source-Down Transistor with Vertical Field Plate

Номер патента: US20210151596A1. Автор: Che-Yung Lin,Chiao-Shun Chuang. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Transistor with fin structure and nanosheet and fabricating method of the same

Номер патента: US20240162291A1. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Ching-In Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device having P channel high voltage transistors with improved breakdown voltages

Номер патента: US5448101A. Автор: Atsushi Ono,Nobuyuki Saiki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Transistor with embedded insulating structure set

Номер патента: US20240266435A1. Автор: Chin-Chia Kuo,Ming-Hua Tsai,Wei-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A3. Автор: Madhukar B Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Ashok Kapoor. Дата публикации: 2008-12-31.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A2. Автор: Madhukar B. Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Reduced leakage transistors with germanium-rich channel regions

Номер патента: US20180331184A1. Автор: Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Seiyon Kim,Jun Sung Kang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Integration of vertical transistors with 3d long channel transistors

Номер патента: US20170317080A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09837409B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09607899B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US11728433B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Vertical semiconductor component, in particular vertical transistor, with minimized source-drain leakage currents

Номер патента: US20240234491A1. Автор: Daniel Krebs,Muhammad Alshahed,Dragos Costachescu,Humberto Rodriguez Alvarez. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20210057565A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Vertical transistor with uniform fin thickness

Номер патента: US20200035828A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Vertical transistor with field region structure

Номер патента: US20070117328A1. Автор: Jenn-Yu Lin,Ta-Yung Yang,Chih-Feng Huang,Tuo-Hsin Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Top metal pads as local interconnectors of vertical transistors

Номер патента: US09911855B2. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Top metal pads as local interconnectors of vertical transistors

Номер патента: US09524907B2. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods of forming vertical transistor devices with different effective gate lengths and the resulting devices

Номер патента: US20180240715A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US09735253B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor devices including vertical transistors, electronic systems including the same and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130334583A1. Автор: Ki Ho Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US20170294537A1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09698245B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09691850B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Vertical transistor with a body contact for back-biasing

Номер патента: US09653575B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Forming vertical transistors and metal-insulator-metal capacitors on the same chip

Номер патента: US9899373B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Forming vertical transistors and metal-insulator-metal capacitors on the same chip

Номер патента: US09812443B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Integrated circuit having vertical transistor and semiconductor device including the integrated circuit

Номер патента: US20200135721A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Tae-Joong Song,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Sang-hoon BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Integrated circuit having vertical transistor and semiconductor device including the integrated circuit

Номер патента: US20180175024A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Tae-Joong Song,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Sang-hoon BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Vertical transistor devices for embedded memory and logic technologies

Номер патента: US09871117B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Roza Kotlyar,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Tight pitch inverter using vertical transistors

Номер патента: US09876015B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Top Metal Pads as Local Interconnectors of Vertical Transistors

Номер патента: US20170084753A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Vertical transistors with improved top source/drain junctions

Номер патента: US20180204950A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Top Metal Pads as Local Interconnectors of Vertical Transistors

Номер патента: US20160247720A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Methods of forming vertical transistor devices with different effective gate lengths

Номер патента: US09935018B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Vertical transistor with edram

Номер патента: US20190363090A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Product that includes a plurality of vertical transistors with a shared conductive gate plug

Номер патента: US20200013684A1. Автор: Steven Bentley,Steven Soss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Top metal contact for vertical transistor structures

Номер патента: US09685409B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Vertical transistor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180342480A1. Автор: Chih-Chieh Yeh,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20200066882A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180323283A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US10096695B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180061967A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Apparatuses comprising vertical transistors having gate electrodes at least partially recessed within channel regions, and related methods and systems

Номер патента: US11908932B2. Автор: Kevin J. Torek,Kamal M. Karda,Fatma Arzum Simsek-Ege,Yunfei GAO,Kamal K. Muthukrishnan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Forming vertical transistors and metal-insulator-metal capacitors on the same chip

Номер патента: US20180204833A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Vertical transistor including a bottom source/drain region, a gate structure, and an air gap formed between the bottom source/drain region and the gate structure

Номер патента: US09748380B1. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Vertical transistor with self-align backside contact

Номер патента: WO2024046738A1. Автор: Brent Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical transistor with self- align backside contact

Номер патента: US20240079461A1. Автор: Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Content addressable memory using threshold-adjustable vertical transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20200006383A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Content addressable memory using threshold-adjustable vertical transistors and methods of forming the same

Номер патента: EP3685382A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Bottom contact formation for vertical transistor devices

Номер патента: US20200111895A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Su Chen Fan,Ekmini A. De Silva. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US20160079364A1. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US09397164B2. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Native pmos device with low threshold voltage and high drive current and method of fabricating the same

Номер патента: US20140197497A1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Field-effect transistor with two-dimensional channel realized with lateral heterostructures based on hybridized graphene

Номер патента: US09620634B2. Автор: Giuseppe IANNACCONE,Fiori Gianluca. Владелец: UNIVERSITÀ DI PISA. Дата публикации: 2017-04-11.

Transistor with phase transition material region between channel region and each source/drain region

Номер патента: US20220140131A1. Автор: Peter Javorka,Mohit Bajaj,Avinash Lahgere,Prashanth Paramahans Manik,Ali Icel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Gallium nitride transistors with drain field plates and their methods of fabrication

Номер патента: WO2019066877A1. Автор: Stephan Leuschner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US09991365B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Low cost demos transistor with improved CHC immunity

Номер патента: US09577094B2. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Shaoping Tang,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Vertical Transistors With Backside Power Delivery

Номер патента: US20240105617A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Diode connected vertical transistor

Номер патента: US09953973B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, And Methods Used In Forming An Array Of Capacitors

Номер патента: US20220173109A1. Автор: Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Array of vertical transistors having channel regions connected by an elongated conductor line

Номер патента: US12119269B2. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12127393B2. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for producing a transistor with a high degree of electron mobility, and produced transistor

Номер патента: US20230420542A1. Автор: Hans-Joachim Würfl,Elke Meissner. Владелец: Ferdinand Braun Institut GgmbH Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik. Дата публикации: 2023-12-28.

Array of Memory Cells, Methods Used in Forming an Array of Memory Cells, Methods Used in Forming an Array of Vertical Transistors, Methods Used in Forming an Array of Vertical Transistors, and Methods Used in Forming an Array of Capacitors

Номер патента: US20240107747A1. Автор: Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11961908B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240222502A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method to form a vertical transistor by selective epitaxial growth and delta doped silicon layers

Номер патента: US20020102784A1. Автор: YELEHANKA Pradeep,YANG Pan,JIA Zheng,James Lee,Lap Chan,Elgin Quek,Ravi Sundaresan,Ying Leung. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Techniques for forming vertical transistor architectures

Номер патента: EP3158588A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Vertical transistor having uniform bottom spacers

Номер патента: US09627511B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09577091B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Vertical transistor having first and second tensile layers

Номер патента: US8569832B2. Автор: Eun Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-10-29.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150076588A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Integrated circuit structures having vertical transistor

Номер патента: US20240006531A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory arrays with vertical transistors and the formation thereof

Номер патента: US20210028308A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Scott J. Derner,Toby D. Robbs,Steve V. Cole. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Single-Gate Field Effect Transistor and Method for Modulating the Drive Current Thereof

Номер патента: US20230120523A1. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-20.

Single-gate field effect transistor and method for modulating the drive current thereof

Номер патента: US11908935B2. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-20.

Manufacturing method of transistor with independent contact to substrate

Номер патента: RU2739861C1. Автор: Александр Сергеевич Мокеев,Тамара Александровна Шоболова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-12-29.

Reducing direct source-to-drain tunneling in field effect transistors with low effective mass channels

Номер патента: US09337255B1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Anirban Basu,Amlan Majumdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Reduced capacitance transistor with electro-static discharge protection structure and method for forming the same

Номер патента: WO1999031729A1. Автор: Michael J. Allen. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-06-24.

Transistor with embedded isolation layer in bulk substrate

Номер патента: US11749717B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky,Uzma Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Reduced capacitance transistor with electro-static discharge protection structure and method for forming the same

Номер патента: EP1042808A1. Автор: Michael J. Allen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-10-11.

Field effect transistor with a short channel lenght

Номер патента: CA1153831A. Автор: Hans-Jorg Pfleiderer,Ernst Hebenstreit,Dezso Takacs,Michael Pomper,Heinrich Klar. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-09-13.

Field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: CA1082371A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Transistor with buried insulative layer beneath the channel region

Номер патента: US5930642A. Автор: Robert Dawson,H. Jim Fulford, Jr.,Mark W. Michael,Frederick N. Hause,Mark I. Gardner,Bradley T. Moore,Derick J. Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-07-27.

Vertical transistor component

Номер патента: US8093654B2. Автор: Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-01-10.

Method for producing a vertical transistor component

Номер патента: US20100270612A1. Автор: Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-10-28.

DRAM Arrays, Vertical Transistor Structures, and Methods of Forming Transistor Structures and DRAM Arrays

Номер патента: US20110018045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Transistor with dual spacer and forming method thereof

Номер патента: US20190157418A1. Автор: Chih-Chung Wang,Chia-Ling Wang,Wen-Fang Lee,Ping-Hung Chiang,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

High voltage MOS transistors with reduced parasitic current gain

Номер патента: US5218228A. Автор: Richard A. Blanchard,Richard K. Williams,Robert W. Busse. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1993-06-08.

Vertical transistor and transistor fabrication method

Номер патента: US20030080346A1. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-01.

Vertical transistor with uniform bottom spacer formed by selective oxidation

Номер патента: US09741626B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory with vertical transistors and wrap-around control lines

Номер патента: US20230200075A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023029142A1. Автор: WEI Liu,Simon Shi-ning Yang,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Vertical transistor and memory cell

Номер патента: US6018176A. Автор: Byung-hak Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-01-25.

Gate-all-around integrated circuit structures having backside contact with enhanced area relative to epitaxial source

Номер патента: US20230307514A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Leonard P. GULER,Nafees A. Kabir,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing of powerful silicon shf ldmos transistors with modernized gate node of elementary cells

Номер патента: RU2639579C2. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Станислав Михайлович Романовский,Ирина Петровна Семешина. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-12-21.

Advanced transistors with punch through suppression

Номер патента: US09508800B2. Автор: Weimin Zhang,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Sachin R. Sonkusale,Paul E. Gregory. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US20230268401A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Schottky barrier field effect transistor with carbon-containing insulation layer and method for fabricating the same

Номер патента: WO2013117028A1. Автор: Wei Wang,Jing Wang,Mei Zhao,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device structures including transistors with energy barriers adjacent to transistor channels and associated methods

Номер патента: WO2010065332A2. Автор: Chandra V. Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-06-10.

Thin film transistor with low contact resistance

Номер патента: RU2662945C1. Автор: Дуи Ву ФАМ,Ко Хуэй СУ. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2018-07-31.

Transistor with counter-electrode connection amalgamated with the source/drain contact

Номер патента: EP2599111A1. Автор: Qing Liu,Maud Vinet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-06-05.

Vertical transistors with merged active area regions

Номер патента: US09761712B1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Terence B. Hook,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: EP4449835A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240332232A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023221915A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023221915A9. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US11948974B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US20240194734A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230065806A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12033967B2. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory devices with vertical transistors

Номер патента: US20230276615A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Producing a vertical transistor including reentrant profile

Номер патента: US20130084681A1. Автор: David H. Levy,Lee W. Tutt,Shelby F. Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-04.

Manufacturing method of transistor with floating gate and application method of transistor with floating gate electrode

Номер патента: US09620532B2. Автор: Wei Guo,Ning Chen,LU Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Transistor with asymmetric silicon germanium source region

Номер патента: US20120003802A1. Автор: Jian Chen,James F. Buller,Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for forming a thin film transistor with a lightly doped drain structure

Номер патента: US20020012883A1. Автор: Chih-Chang Chen,Ji-ho Kung. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Method for producing a transistor with metallic source and drain

Номер патента: US20110003443A1. Автор: Maud Vinet,Thierry Poiroux,Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2011-01-06.

FinFET transistor with epitaxial structures

Номер патента: US09666715B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chen-Yi Weng,Chung-Fu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for manufacturing a transistor with a dependent contact to the substrate

Номер патента: RU2758413C1. Автор: Александр Сергеевич Мокеев,Тамара Александровна Шоболова,Сергей Дмитриевич Рудаков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом". Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device comprising a channel region of a transistor with a crystalline oxide semiconductor and a specific off-state current for the transistor

Номер патента: US9905596B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Biopolar transistor with a low saturation voltage

Номер патента: EP1654766A1. Автор: David Casey. Владелец: Zetex PLC. Дата публикации: 2006-05-10.

Bipolar transistor with a sidewall-diffused subcollector

Номер патента: US5003365A. Автор: Robert H. Havemann,Robert H. Eklund. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-03-26.

HIGH-DENSITY FIELD-ENHANCED ReRAM INTEGRATED WITH VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20200203428A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Transistor with sonos structure having barrier wall over adjacent portions of the select transistor well and memory transistor well

Номер патента: US20190198680A1. Автор: Xiaoliang Tang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Heterojunction bipolar transistor with stress component

Номер патента: US09825157B1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Vertical transistor structure

Номер патента: US4811071A. Автор: Herbert F. Roloff. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-03-07.

High-electron-mobility transistor with high voltage endurance capability and preparation method thereof

Номер патента: US20210066481A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Nanoribbon-based transistor with uniform oxide

Номер патента: EP4451340A1. Автор: Robin Chao,Siddharth Gupta,Biswajeet Guha,Aravind Killampalli,Jay Prakash Gupta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Nanoribbon-based transistor with uniform oxide

Номер патента: US20240355876A1. Автор: Robin Chao,Siddharth Gupta,Biswajeet Guha,Aravind Killampalli,Jay Prakash Gupta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Tunneling field-effect transistor with a plurality of nano-wires and fabrication method thereof

Номер патента: US20170194428A1. Автор: Yang-Kyu Choi,Jun-Young Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-07-06.

Tunneling field-effect transistor with a plurality of nano-wires and fabrication method thereof

Номер патента: US09997596B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Jun-Young Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-06-12.

Transistor with pi-gate structure and method for producing the same

Номер патента: US20020063293A1. Автор: Yeon-Sik Chae,Jin-Koo Rhee,Hyun-Sik Park,Dan An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Bipolar transistor with low resistance base contact and method of making the same

Номер патента: US20090283801A1. Автор: Kathryn Turner Schonenberg,Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120221987A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Bipolar transistor with a raised collector pedastal for reduced capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: US20130134483A1. Автор: John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,James W. Adkisson,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

A bipolar transistor with a raised collector pedestal for reduced capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: GB201220384D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-26.

Transistor with wrap-around extrinsic base

Номер патента: US12142673B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Kenneth J. Stein,Shyue Seng Tan,Qizhi Liu,Yung Fu Chong,Xinshu CAI,Judson R. Holt,Kien Seen Daniel Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Integrated-circuit structure including lateral PNP transistor with polysilicon layer bridging gap in collector field relief electrode

Номер патента: US4319262A. Автор: Mario Foroni,Franco Bertotti,Vincenzo Prestileo. Владелец: SGS ATES Componenti Elettronici SpA. Дата публикации: 1982-03-09.

High electron mobility transistor with gate electrode below the channel

Номер патента: US20230197842A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Cezar Bogdan Zota,Eunjung Cha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US9012291B2. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-21.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: CA2632233A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Bipolar transistor with thermal conductor

Номер патента: US20230290868A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US8513706B2. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Method of fabricating transistor with short gate length by two-step photolithography

Номер патента: US11367615B2. Автор: YI Chang,Yueh-Chin Lin,Po-Sheng Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2022-06-21.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US20170125557A1. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-05-04.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US20140329368A1. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-11-06.

III-N transistors with epitaxial layers providing steep subthreshold swing

Номер патента: US09660067B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Iii-n transistors with epitaxial layers providing steep subthreshold swing

Номер патента: WO2015147802A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Robert Chau. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-10-01.

Field-effect transistors with buried gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200312970A1. Автор: Paul Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Group III-V transistor with semiconductor field plate

Номер патента: US09673286B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230069096A1. Автор: WEI Liu,Simon Shi-ning Yang,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Multiple low and high k gate oxides on single gate for lower miller capacitance and improved drive current

Номер патента: EP1927128A4. Автор: Dureseti Chidambarrao,Omer Dokumaci,Oleg Gluschenkov,Michael Belyansky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-28.

High-k / metal gate CMOS transistors with TiN gates

Номер патента: US09721847B2. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Totally self-aligned transistor with polysilicon shallow trench isolation

Номер патента: US6127717A. Автор: Zoran Krivokapic,Ognjen Milic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-03.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: EP3090445A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150187653A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: WO2015103412A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2015-07-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150287643A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Vertical transistor trench capacitor memory cell and method of making the same

Номер патента: WO2002086904A3. Автор: Carl J Radens,Thomas W Dyer,Stephan P Kudelka,Venkatachaiam C Jaiprakash. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-11-06.

High-frequency field transistor with the additional field electrode manufacturing method

Номер патента: RU2671312C2. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Сергей Владимирович Литвинов,Виктор Геннадьевич Сысуев,Ирина Дмитриевна Халтурина. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП"). Дата публикации: 2018-10-30.

Method for manufacturing a high-frequency transistor with an additional active field electrode

Номер патента: RU2707402C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-11-26.

Method of manufacturing vertical transistors

Номер патента: US8613861B2. Автор: Masahiko Ohuchi,Chien-Hua Tsai,Sheng-Chang Liang,Hsiao-chia Chen. Владелец: Rexchip Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Pillars for vertical transistors

Номер патента: US20140097479A1. Автор: Patrick Thomas. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US09941391B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US20180190794A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US20190172928A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

P-type-epitaxial-base transistor with base-collector schottky diode clamp

Номер патента: CA1041226A. Автор: Vincent J. Lucarini,Augustine W. Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-10-24.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Memory device having vertical transistors and method for forming the same

Номер патента: WO2023216884A1. Автор: He Chen,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2023217069A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230380142A1. Автор: He Chen,WEI Liu,Yanhong Wang,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Load sensor using vertical transistor

Номер патента: US20160202132A1. Автор: Takashi Inoue,Kenichi Sakai,Tetsuya Katoh,Junichi Takeya,Mayumi Uno,Kensuke HATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Load sensor using vertical transistor

Номер патента: US9658121B2. Автор: Takashi Inoue,Kenichi Sakai,Tetsuya Katoh,Junichi Takeya,Mayumi Uno,Kensuke HATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Voltage limiter with enhanced power

Номер патента: RU2256257C1. Автор: Алик Фахтдинович Муратов,В.А. Потапчук,Алишер Михайлович Умаров,Чарльз Лео Радд. Владелец: Чарльз Лео Радд. Дата публикации: 2005-07-10.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135722A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220130989A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200161463A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240274599A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

High mobility transistor with opposed-gates

Номер патента: US4839310A. Автор: Mark A. Hollis,William D. Goodhue,Kirby B. Nichols,Normand J. Bergeron, Jr.. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1989-06-13.

Gallium nitride transistors with source and drain field plates and their methods of fabrication

Номер патента: US20200227545A1. Автор: Stephan Leuschner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Vertical Transistor Cell Structures Utilizing Topside and Backside Resources

Номер патента: US20240105727A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan,Saurabh P. Sinha. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical transistor cell structures utilizing topside and backside resources

Номер патента: WO2024063901A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan,Saurabh P. Sinha. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230062141A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors And Method Used In Forming An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Vertical Transistor And A Storage Device Above The Vertical Transistor

Номер патента: US20220068934A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Three-dimensional monolithic vertical transistor memory cell with unified inter-tier cross-couple

Номер патента: US20200066732A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Three-dimensional monolithic vertical transistor memory cell with unified inter-tier cross-couple

Номер патента: US20200144274A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Circuit structures and methods of fabrication with enhanced contact via electrical connection

Номер патента: US20140353843A1. Автор: Xiang Hu,Guoxiang Ning,Paul Ackmann,Sarasvathi Thangaraju. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Substrate for organic light-emitting device with enhanced light extraction efficiency, method of manufacturing the same and organic light-emitting device having the same

Номер патента: US09837636B2. Автор: Seong-Sik PARK. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Multi-chip package with enhanced conductive layer adhesion

Номер патента: US20240071886A1. Автор: Chin Hui Chong,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Aik Boo TAN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods and apparatus for controlling photoresist line width roughness with enhanced electron spin control

Номер патента: US09911582B2. Автор: AJAY Kumar,Kartik Ramaswamy,Banqiu Wu,Omkaram Nalamasu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Substrate container with enhanced flow field therein

Номер патента: US20220093437A1. Автор: Chih-Ming Lin,Ming-Chien Chiu,Yung-Chin PAN,Po-Ting Lee,Cheng-En Chung,En-Nien Shen,Wei-Chien Liu,Jyun-Yan Jiang. Владелец: Gudeng Precision Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor devices with enhanced electromigration performance

Номер патента: US20140131878A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Timothy D. Sullivan,Baozhen Li,David L. Harame,Bjorn K. A. Zetterlund. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Methods and apparatus for controlling photoresist line width roughness with enhanced electron spin control

Номер патента: US20160064197A1. Автор: AJAY Kumar,Kartik Ramaswamy,Banqiu Wu,Omkaram Nalamasu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for forming local buried dielectric insulation region of active part of transistors with three-dimensional structure of shell (finfet)

Номер патента: RU2670248C1. Автор: Владимир Александрович Нагнойный,Глеб Владимирович Баранов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники". Дата публикации: 2018-10-19.

Lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: US09908115B2. Автор: Justin K. Valley,Eric D. Hobbs. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Vertical transistor with hardening implantation

Номер патента: US20140097400A1. Автор: Young Pil Kim,Maroun Georges Khoury,Peter Nicholas Manos,Chulmin Jung,Dadi Setiadi,Hyung-Kew Lee. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-04-10.

Self-aligned vertical transistor dram structure and its manufacturing methods

Номер патента: US20040036519A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Intelligent Sources Development Corp. Дата публикации: 2004-02-26.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12080665B2. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Vertical transistor fuse latches

Номер патента: US12113015B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230380137A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Programmable logic array with vertical transistors

Номер патента: US20010002109A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-31.

Programmable logic array with vertical transistors

Номер патента: US20010002108A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-31.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230064388A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Field programmable logic arrays with vertical transistors

Номер патента: US6124729A. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-26.

Microfluidic device comprising lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: CA2970174C. Автор: Justin K. Valley,Eric D. Hobbs. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Diagonal memory with vertical transistors and wrap-around control lines

Номер патента: US20230200084A1. Автор: Abhishek A. Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230060149A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230062524A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of making dynamic random access memory having a vertical transistor

Номер патента: US5376575A. Автор: Jong S. Kim,Hee-Koo Yoon,Chung G. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Enhancing drive current and increasing device yield in N-type carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: US10141529B1. Автор: Shu-Jen Han,Damon B. Farmer,Jianshi Tang,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-27.

Display panel and display device with enhanced thermal conductivity

Номер патента: US12107079B2. Автор: Yuheng Zhang. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Electrostatic chuck and showerhead with enhanced thermal properties and methods of making thereof

Номер патента: US09597734B2. Автор: Ren-Guan Duan,Sumanth Banda,Jennifer Sun. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Methods and Circuits for Achieving Rational Fractional Drive Currents in Circuits Employing FinFET Devices

Номер патента: US20130099856A1. Автор: David S. Doman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) device with enhanced stability and method to form same

Номер патента: US09882123B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Elijah V. KARPOV,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,Charles C. Kuo,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of making doped Alq3 nanostructures with enhanced photoluminescence

Номер патента: US09862883B2. Автор: Adnan Memic,Attieh A. Al-Ghamdi,Numan Abdullah Salah,Sabah Eid Algarni,Zishan H. Khan. Владелец: KING ABDULAZIZ UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-01-09.

Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) device with enhanced stability and method to form same

Номер патента: US09478734B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Elijah V. KARPOV,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,Charles C. Kuo,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for improving a drive current for semiconductor devices on a wafer-by-wafer basis

Номер патента: US20060035394A1. Автор: Yuqing Xu,James Vaughan,James Friedmann,Jeffrey Loewecke,Kaneez Banu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Method and Apparatus For Driving Semiconductor Lasers, and Method and Apparatus For Deriving Drive Current Patterns For Semiconductor Lasers

Номер патента: US20080279235A1. Автор: Yuichi Teramura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Display panel and display device with enhanced thermal conductivity

Номер патента: US20220013507A1. Автор: Yuheng Zhang. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Photodetector focal plane arrays with enhanced detection capability

Номер патента: US20240243158A1. Автор: Gamini Ariyawansa,Igor Anisimov,Joshua Duran,Vasily Astratov,Grant Bidney. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2024-07-18.

Alloy system with enhanced seebeck coefficient and process for making same

Номер патента: US20170104146A1. Автор: Kafil M. Razeeb,Devendraprakash Gautam. Владелец: University College Cork. Дата публикации: 2017-04-13.

Photovoltaic module with enhanced light collection

Номер патента: US11810992B2. Автор: Paolo Maccario,Mark Rossetto,Maurizio PESCE. Владелец: Silfab Solar Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Adaptive amplifier circuit with enhanced dynamic range

Номер патента: EP1323192A4. Автор: Lester J Kozlowski,William E Tennant. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2006-06-07.

Photo voltaic module with enhanced light collection

Номер патента: EP3766172A1. Автор: Paolo Maccario,Mark Rossetto,Maurizio PESCE. Владелец: Silfab Solar Inc. Дата публикации: 2021-01-20.

Adaptive amplifier circuit with enhanced dynamic range

Номер патента: EP1323192B1. Автор: William E. Tennant,Lester J. Kozlowski. Владелец: Altasens Inc. Дата публикации: 2009-05-06.

Method of processing a semiconductor wafer for controlling drive current

Номер патента: WO1997037380A1. Автор: H. Jim Fulford, Jr.,Derick Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-10-09.

Field-effect transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2743225C1. Автор: Сергей Александрович Богданов,Юрий Михайлович Богданов,Константин Сергеевич Журавлев,Владимир Михайлович Лукашин,Владимир Григорьевич Лапин,Андрей Борисович Пашковский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-02-16.

Flexible device including conductive traces with enhanced stretchability

Номер патента: EP3853894A1. Автор: Thomas P. Klun,Chad M. AMB,Richard J. Pokorny,Jeremy K. Larsen,Mikhail L. Pekurovsky,Jessica Chiu,Thomas J. METZLER,Benjamin R. COONCE,Lyudmila A. Pekurovsky,Ankit Mahajan,Kara A. MEYERS,Saagar A. SHAH,Teresa M. GOEDDEL,Jonathan W. Kemling. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-07-28.

Light converter assemblies with enhanced heat dissipation

Номер патента: US10374137B2. Автор: Maria Anc,Alan Lenef. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-08-06.

Flexible device including conductive traces with enhanced stretchability

Номер патента: US20210212216A1. Автор: Thomas P. Klun,Chad M. AMB,Richard J. Pokorny,Jeremy K. Larsen,Mikhail L. Pekurovsky,Jessica Chiu,Thomas J. METZLER,Benjamin R. COONCE,Lyudmila A. Pekurovsky,Ankit Mahajan,Kara A. MEYERS,Teresa M. GOEDDEL,Jonathan W. Kemling,Saagar Shah. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-07-08.

Flexible device including conductive traces with enhanced stretchability

Номер патента: WO2020058815A1. Автор: Thomas P. Klun,Chad M. AMB,Richard J. Pokorny,Jeremy K. Larsen,Mikhail L. Pekurovsky,Jessica Chiu,Thomas J. METZLER,Benjamin R. COONCE,Lyudmila A. Pekurovsky,Ankit Mahajan,Kara A. MEYERS,Saagar A. SHAH,Teresa M. GOEDDEL,Jonathan W. Kemling. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2020-03-26.

Qwip with enhanced optical coupling

Номер патента: EP1726045A2. Автор: Mani Sundaram,Axel R. Reisinger. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2006-11-29.

Qwip with enhanced optical coupling

Номер патента: WO2005081782A3. Автор: Mani Sundaram,Axel R Reisinger. Владелец: Axel R Reisinger. Дата публикации: 2006-03-16.

Touch sensor with enhanced and small-scale sensitivity and method for making same

Номер патента: US20200133413A1. Автор: Yu-Ju Chen. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for fast switching on of power transistor with isolated gate and device with use thereof

Номер патента: RU2713559C2. Автор: Евгений Леонидович Пущин. Владелец: Евгений Леонидович Пущин. Дата публикации: 2020-02-05.

Photodetector on cascade transistors with light emitting p-n-junctions and photosensitive n-p-junctions

Номер патента: RU2673424C1. Автор: Владимир Владимирович Козлов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Анатолий Константинович Михайлов,Александр Александрович Иванченко. Владелец: Ооо "Центральный Научно-Исследовательский Институт "Апертура". Дата публикации: 2018-11-26.

Thin film transistor with microlens structures

Номер патента: US7205569B2. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-04-17.

Thin film transistor with microlens structures

Номер патента: US20060163575A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-07-27.

Storage transistor with optical isolation

Номер патента: US09472587B2. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Dyson H. Tai,Yuanwei Zheng,Xianmin Yi. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

RF power transistors with impedance matching circuits, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09571044B1. Автор: Ning Zhu,Damon G. Holmes,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Bipolar semiconductor transistor with thyristor effect

Номер патента: RU2701184C1. Автор: Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Александр Александрович Иванченко,Елена Ивановна Павлюченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций". Дата публикации: 2019-09-25.

Method for fast switching on of power transistor with isolated gate and device with use thereof

Номер патента: RU2713559C9. Автор: Евгений Леонидович Пущин. Владелец: Евгений Леонидович Пущин. Дата публикации: 2021-02-04.

Insulated gate field effect transistor with integrated safety diode

Номер патента: US3648129A. Автор: Rijkent Jan Nienhuis. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-03-07.

Control circuit for supplying a driving current to a laser diode

Номер патента: US5732096A. Автор: Kazuhiro Suzuki,Akihiko Yasuda,Yuji Miyaki,Hiroshi Kuzukami,Yoshinori Ohkuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-03-24.

Light-emitting element controller, optical transmitting apparatus, and method and computer program for determining driving current

Номер патента: US20030118063A1. Автор: Mitsuru Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Battery charging system with enhanced time-based charging and battery cell selection

Номер патента: US20240227608A9. Автор: Andreas Martin Viktor Ropel,Ben Peter Lloyd,Matthias Yannick Philippe Le Saux,Klas Roland Persson Signell,Konstantinos Chatziioannou. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Battery charging system with enhanced time-based charging and battery health monitoring and notification

Номер патента: US20240227612A9. Автор: Andreas Martin Viktor Ropel,Ben Peter Lloyd,Matthias Yannick Philippe Le Saux,Klas Roland Persson Signell,Konstantinos Chatziioannou. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Spatial and temporal adjustment of laser device drive current using asic drives

Номер патента: US20240322529A1. Автор: Lawrence Shah,Paul Orville LEISHER,Jenna Nicole CAMPBELL,Michelle Helena LABRECQUE,Jason Matthew Eichenholz. Владелец: Freedom Photonics Llc. Дата публикации: 2024-09-26.

Vcsel with increased wavelength dependence on driving current

Номер патента: US20230020718A1. Автор: Ulrich Weichmann,Holger Joachim MOENCH. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2023-01-19.

Three-phase-two-phase stationary transformer with enhanced coupled magnetic flux

Номер патента: RU2638151C2. Автор: Седрик ДЮВАЛЬ. Владелец: Лабиналь Пауэр Системз. Дата публикации: 2017-12-12.

Compact temperature sensor with enhanced connection of leads

Номер патента: RU2324154C2. Автор: Дирк Уилли БАУШКЕ,Хиеп Хуу НГУЙЕН. Владелец: Роузмаунт Инк.. Дата публикации: 2008-05-10.

Spatial spectrum estimation method with enhanced degree-of-freedom based on block sampling tensor construction for coprime planar array

Номер патента: US20210364564A1. Автор: Jiming Chen,Hang Zheng,Chengwei ZHOU,ZhiGuo Shi. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2021-11-25.

Driving current correction method and apparatus for multiple laser devices, and laser projector

Номер патента: US11942754B2. Автор: Xianbin Wang,Lebao YANG. Владелец: Goertek Optical Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Waveguide-fed planar antenna array with enhanced circular polarization

Номер патента: US20200067201A1. Автор: John E. Rogers. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-02-27.

Fuel cell with enhanced mass transfer characteristics

Номер патента: US20150111127A1. Автор: Sae Hoon Kim,Myoung Woon Moon,Kwang Ryeol Lee,Kook Il Han,Bo Ki Hong. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2015-04-23.

Reforming catalyst pattern for fuel cell operated with enhanced CO2 utilization

Номер патента: US12095129B2. Автор: LU Han,Timothy M. Healy,Hossein Ghezel-Ayagh,Everett J. O'NEAL,Carla S. Pereira,Rodrigo F. BLANCO GUTIERREZ,Carl A. WILLMAN,Frank J. Dobek, JR.. Владелец: Fuelcell Energy Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Fuel cell with enhanced mass transfer characteristics

Номер патента: US09923222B2. Автор: Sae Hoon Kim,Myoung Woon Moon,Kwang Ryeol Lee,Kook Il Han,Bo Ki Hong. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-03-20.

Fuel cell stack with enhanced freeze-thaw durability

Номер патента: US09847535B2. Автор: Jae Jun Ko,Sae Hoon Kim,Kook Il Han,Bo Ki Hong. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

High frequency connector with enhanced grounding for reduced crosstalk

Номер патента: US09634432B2. Автор: Hou-An Su,Hung-Wei Hsu,Chi-Jung Chan. Владелец: Nextronics Engineering Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Micro-sized secondary particles with enhanced ionic conductivity for solid-state electrode

Номер патента: US11575120B2. Автор: Zhe Li,Xiaochao Que,Meiyuan Wu,Mengyan Hou,Qili Su. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-02-07.

Winding type capacitor assembly with enhanced structural strength and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190341197A1. Автор: Ming-Tsung Chen,Chung-Jui Su. Владелец: Apaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Coupled and non-coupled opto-electronic oscillators with enhanced performance

Номер патента: EP1861901A2. Автор: Ismail Tolga Yilmaz,Lutfollah Maleki,Danny Eliyahu,Dmitri A. Kossakovski. Владелец: Oewaves Inc. Дата публикации: 2007-12-05.

Coupled and non-coupled opto-electronic oscillators with enhanced performance

Номер патента: CA2601576A1. Автор: Ismail Tolga Yilmaz,Lutfollah Maleki,Danny Eliyahu,Dmitri A. Kossakovski. Владелец: Dmitri A. Kossakovski. Дата публикации: 2006-09-21.

Battery charging system with enhanced time-based charging and battery health monitoring and notification

Номер патента: US20240131951A1. Автор: Andreas Martin Viktor Ropel,Ben Peter Lloyd,Matthias Yannick Philippe Le Saux,Klas Roland Persson Signell,Konstantinos Chatziioannou. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Battery charging system with enhanced time-based charging and battery cell selection

Номер патента: US20240131949A1. Автор: Andreas Martin Viktor Ropel,Ben Peter Lloyd,Matthias Yannick Philippe Le Saux,Klas Roland Persson Signell,Konstantinos Chatziioannou. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Transmission-Line Filtering with Enhanced Frequency Response

Номер патента: US20200076032A1. Автор: Georgiy Sevskiy,Alexander Chernyakov,Oleksandr GAVRYLIUK,Petro KOMAKHA,Wai San WONG,Volodymyr Novgorodov. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor laser device with wavelength selection and high-frequency modulation of driving current

Номер патента: US6678306B1. Автор: Shinichiro Sonoda. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-13.

Aluminum containing iron-based alloys with enhanced ferromagnetic properties

Номер патента: US20020134468A1. Автор: Seetharama Deevi,Budda Reddy,Shiv Khanna. Владелец: Chrysalis Technologies Inc. Дата публикации: 2002-09-26.

Density modulated electron beam tube with enhanced gain

Номер патента: CA1214272A. Автор: Donald H. Preist. Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1986-11-18.

Mid-infrared optical fibers with enhanced OH-diffusion resistance

Номер патента: US11846807B2. Автор: Real Vallee,Vincent Fortin,Martin Bernier,Souleymane Toubou Bah,Frederic Maes,Yigit Ozan Aydin. Владелец: UNIVERSITE LAVAL. Дата публикации: 2023-12-19.

Method of manufacturing lithium battery electrodes with enhanced electrical and ionic conductivity

Номер патента: EP4309223A1. Автор: Simon Park,Kyoung-Soo Park,Ji-Hoon Kang,Chaneel PARK,Hongseok CHO,Jong-Song Kim. Владелец: Makesens Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Planar waveguides with enhanced support and/or cooling features for high-power laser systems

Номер патента: US20180090902A1. Автор: David M. Filgas,Christopher R. Koontz,Stephen H. McGanty. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-03-29.

Planar waveguides with enhanced support and/or cooling features for high-power laser systems

Номер патента: EP3414803A2. Автор: David M. Filgas,Christopher R. Koontz,Stephen H. McGanty. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-12-19.

Planar waveguides with enhanced support and/or cooling features for high-power laser systems

Номер патента: WO2017139017A2. Автор: David M. Filgas,Christopher R. Koontz,Stephen H. McGanty. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2017-08-17.

Electro magnetic oscillator tube with enhanced isotopes

Номер патента: US20190066862A1. Автор: David Weber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

Lithium secondary battery with enhanced safety

Номер патента: CA3207118A1. Автор: Kyoung Ho Ahn,Chul Haeng Lee,Won Kyung SHIN,Jun Hyeok Han,Young Ho Oh,Su Hyeon Ji,Won Tae Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-05-19.

Method of manufacturing lithium battery electrodes with enhanced electrical and ionic conductivity

Номер патента: US20240145723A1. Автор: Simon Park,Kyoung-Soo Park,Ji-Hoon Kang,Chaneel PARK,Hongseok CHO,Jong-Song Kim. Владелец: Makesens Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Separator for secondary batteries with enhanced stability and method of manufacturing the same

Номер патента: US11855261B2. Автор: HONG Seok Min,Seung Min Oh,Sung Min Choi,Yoon Sung Lee,Yeol Mae Yeo,Ki Seok Koh. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Component interface module with enhanced user convenience

Номер патента: US20240012392A1. Автор: Dae Young Park,Sang Hun Son,Kyung Tak YU,Yoong Hee Lee,Tae Jun Shin. Владелец: Realgain Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Component interface module with enhanced user convenience

Номер патента: EP4287215A1. Автор: Dae Young Park,Sang Hun Son,Kyung Tak YU,Yoong Hee Lee,Tae Jun Shin. Владелец: Realgain Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Mid-infrared optical fibers with enhanced oh-diffusion resistance

Номер патента: US20240069284A1. Автор: Real Vallee,Vincent Fortin,Martin Bernier,Souleymane Toubou Bah,Frederic Maes,Yigit Ozan Aydin. Владелец: UNIVERSITE LAVAL. Дата публикации: 2024-02-29.

Electrical double layer capacitor with enhanced working voltage

Номер патента: US20130283580A1. Автор: Jaan Leis,Mati Arulepp,Anti Perkson. Владелец: Skeleton Technologies OU. Дата публикации: 2013-10-31.

Method of manufacturing lithium battery electrodes with enhanced electrical and ionic conductivity

Номер патента: CA3210793A1. Автор: Simon Park,Kyoung-Soo Park,Ji-Hoon Kang,Chaneel PARK,Hongseok CHO,Jong-Song Kim. Владелец: Makesens Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Vcsel with increased wavelength dependence on driving current

Номер патента: WO2021198345A1. Автор: Ulrich Weichmann,Holger Joachim MOENCH. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2021-10-07.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240381620A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2023028869A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20020053689A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Vertical transistor trench capacitor dram cell and method of making the same

Номер патента: EP1320885A2. Автор: Andreas Knorr,Laertis Economikos,Thomas W. Dyer,Scott Halle. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Memory devices having vertical transistors in staggered layouts

Номер патента: US12082399B2. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device having vertical transistors and method for forming the same

Номер патента: US20230371244A1. Автор: He Chen,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20010000918A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-10.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2024103343A1. Автор: WEI Liu,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Wenyu HUA,Zichen LIU,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240172415A1. Автор: WEI Liu,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Wenyu HUA,Zichen LIU,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230371241A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory devices having vertical transistors in staggered layouts

Номер патента: WO2023070640A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

System for enhanced drive in programmable gate arrays

Номер патента: US5694057A. Автор: Scott Whitney Gould. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-12-02.

Driver for a power field-effect transistor with a programmable drive voltage, and related systems and methods

Номер патента: US20180212524A1. Автор: Alberto Iorio,Maurizio Foresta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-07-26.

Driver for a power field-effect transistor with a programmable drive voltage, and related systems and methods

Номер патента: US09960692B2. Автор: Alberto Iorio,Maurizio Foresta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-01.

Securing communications with enhanced media platforms

Номер патента: US09813403B2. Автор: Kye Hyun Kim,Victor Tan,Jean-Emile Elien,Daniel Collins BALMA,Rocco CREA, III,Michael Brendan FREI,Paul Stephen Hellyar,Travis J. Muhlestein,Robert S. Unoki,Kenneth Michael Bayer,Wes WAHLIN. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Securing communications with enhanced media platforms

Номер патента: US09413738B2. Автор: Kye Hyun Kim,Victor Tan,Jean-Emile Elien,Daniel Collins BALMA,Rocco CREA, III,Michael Brendan FREI,Paul Stephen Hellyar,Travis J. Muhlestein,Robert S. Unoki,Kenneth Michael Bayer,Wes WAHLIN. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-08-09.

Current driving circuit providing nonlinear driving current to compensate for light-emitting device

Номер патента: US12127316B2. Автор: Lee Fu New. Владелец: Lite On Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Current source and method for providing a driving current

Номер патента: US20130293140A1. Автор: Peter Trattler,Mario Manninger,Michael Böhm. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2013-11-07.

Light emitting diode driving circuit with stable driving current

Номер патента: US09913326B1. Автор: Yu-Chen Lin,Hung-Chan Wang,Tsung-Heng Lin. Владелец: Edison Opto (dongguan) Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Pucch resource allocation with enhanced pdcch

Номер патента: RU2578673C1. Автор: Цзун-Каэ ФУ,Юань ЧЖУ,Сонхи ХАН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2016-03-27.

Dynamic hybrid automatic repeat request-acknowledgement (HARQ-ACK) transmission with enhanced physical downlink control channels

Номер патента: US09603132B2. Автор: SEUNGHEE HAN,JONG-KAE FWU,Yuan Zhu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Apparatus and method of controlling driving current of transmission

Номер патента: US8774257B2. Автор: Chih-Hung Tsai,Kuang-Yu Yen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-07-08.

Apparatus and method of controlling driving current of transmission

Номер патента: US20110211626A1. Автор: Chih-Hung Tsai,Kuang-Yu Yen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Reconfigurable drive current system

Номер патента: US09632491B1. Автор: David E. Howard,Dean C. Alhorn,Dennis A. Smith,Kenneth R. Dutton. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2017-04-25.

Adapting drive current for emitters based on characteristics of a cover

Номер патента: US12017578B2. Автор: Andreas Timinger,Peter Jöst. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-25.

Driving current generation circuit, led power supply module and led lamp

Номер патента: US20130009559A1. Автор: Satoshi Yamada,Masamichi IWAKI,Kazuaki Kitaga,Eiichiro Niikura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-01-10.

Drive circuit for multi-phase brushless DC motor including drive current detector

Номер патента: US5189349A. Автор: Hiroyuki Haga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

Driving current generation circuit, LED power supply module and LED lamp

Номер патента: US09888538B2. Автор: Satoshi Yamada,Masamichi IWAKI,Kazuaki Kitaga,Eiichiro Niikura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Illumination device and method for calibrating an illumination device over changes in temperature, drive current, and time

Номер патента: US12052807B2. Автор: David J. Knapp,Horace C. Ho,Jason E. Lewis. Владелец: Lutron Technology Co LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Battery charging system with enhanced time-based charging and battery health monitoring

Номер патента: US20240230781A9. Автор: Andreas Martin Viktor Ropel,Ben Peter Lloyd,Matthias Yannick Philippe Le Saux,Klas Roland Persson Signell,Konstantinos Chatziioannou. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Battery charging system with enhanced time-based charging

Номер патента: US20240227607A9. Автор: Andreas Martin Viktor Ropel,Ben Peter Lloyd,Matthias Yannick Philippe Le Saux,Klas Roland Persson Signell,Konstantinos Chatziioannou. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Battery charging system with enhanced time-based charging and coupling detection

Номер патента: US20240235239A9. Автор: Andreas Martin Viktor Ropel,Ben Peter Lloyd,Matthias Yannick Philippe Le Saux,Klas Roland Persson Signell,Konstantinos Chatziioannou. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Image-forming system with enhanced gray levels

Номер патента: US20030086177A1. Автор: Marek Kowarz,John Brazas. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2003-05-08.

Image-forming system with enhanced gray levels

Номер патента: EP1317142A2. Автор: Marek W. c/o Eastman Kodak Company Kowarz,Jr. John Charles Eastman Kodak Company Brazas. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2003-06-04.

Mobile device with enhanced telephone call information and a method of using same

Номер патента: US20120149347A1. Автор: Lawrence Edward Kuhl,Sherryl Lee Lorraine Scott. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Amplifier with enhanced slew rate

Номер патента: US12107549B2. Автор: Jia-Hui Wang,Yi-Lun Chiang. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Gaming headset with enhanced off-screen awareness

Номер патента: US09782672B2. Автор: Shobha Devi Kuruba Buchannagari,Richard Kulavik. Владелец: Voyetra Turtle Beach Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Generation of drive current independent of input voltage

Номер патента: US09780638B2. Автор: Victor M. Simi. Владелец: LEDVANCE LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Transparent laser drive current update for burst mode fiber optic communication system

Номер патента: US4718118A. Автор: Jeffrey P. Viola. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Apparatus and Method For Sensorless Detection of Load Torque of a Stepper Motor and for Optimizing Drive Current for Efficient Operation

Номер патента: US20190190424A1. Автор: Battu Prakash Reddy,Ashwin Murali. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Pattern based dynamic drive current balancing for data transmission

Номер патента: US20040183573A1. Автор: Priya Ananthanarayanan,Samudyatha Suryanarayana. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Calibration Methods and Circuits to Calibrate Drive Current and Termination Impedance

Номер патента: US20130021056A1. Автор: Vijay Gadde,Huy M. Nguyen,Benedict Lau. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2013-01-24.

Calibration methods and circuits to calibrate drive current and termination impedance

Номер патента: US09780784B2. Автор: Vijay Gadde,Huy M. Nguyen,Benedict Lau. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-10-03.

Method and system for controlling driving current of WDM-PON optical transmitter

Номер патента: US8139955B2. Автор: Kyoung Min Kim,Jae Oh Byun. Владелец: Luxpert Tech Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-20.

Motor driver supplying drive current while adjusting decay rate thereof

Номер патента: US20090206788A1. Автор: Motohiro Ando. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-08-20.

Computing device with enhanced awareness

Номер патента: US20240207728A1. Автор: Shobha Devi Kuruba Buchannagari,Richard Kulavik. Владелец: Voyetra Turtle Beach Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Hearing device with enhanced awareness

Номер патента: US20240198214A1. Автор: Shobha Devi Kuruba Buchannagari,Richard Kulavik. Владелец: Voyetra Turtle Beach Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Signal Transceiver with Enhanced Return Loss in Power-off State

Номер патента: US20140314131A1. Автор: Chiung-Wen Hsin,Cheng-Hsiung Lu. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2014-10-23.

Flexible erasure coding with enhanced local protection group structures

Номер патента: WO2016210212A3. Автор: Cheng Huang,Bradley G. Calder,Aaron W. Ogus,Huseyin Simitci,Sergey M. Yekhanin,Parikshit Santhan GOPALAN. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2017-02-02.

Flexible erasure coding with enhanced local protection group structures

Номер патента: WO2016210212A2. Автор: Cheng Huang,Bradley G. Calder,Aaron W. Ogus,Huseyin Simitci,Sergey M. Yekhanin,Parikshit Santhan GOPALAN. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2016-12-29.

Inter-layer prediction for signals with enhanced dynamic range

Номер патента: EP3259917A1. Автор: QIAN CHEN,Guan-Ming Su. Владелец: Dolby Laboratories Licensing Corp. Дата публикации: 2017-12-27.

Set-Top Box with Enhanced Content and System and Method for Use of Same

Номер патента: US20190215555A1. Автор: William C. Fang,Vanessa Ogle. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2019-07-11.

Connected Logistics Receptacle Apparatus, Systems, and Methods with Enhanced Customer Identification Related to a Delivery Item Being Deposited by a Parcel Customer

Номер патента: US20240211861A1. Автор: Ole-Petter Skaaksrud. Владелец: FedEx Corporate Services Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Set-Top Box with Enhanced Content and System and Method for Use of Same

Номер патента: US20170347148A1. Автор: Vanessa Ogle,Edward H. Wolfe. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2017-11-30.

Digitally compensated hysteretic power supply with enhanced resolution

Номер патента: EP3353886A1. Автор: Peng Xiao,Markus Ziegler. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2018-08-01.

Power detectors with enhanced dynamic range

Номер патента: US12057868B2. Автор: Lui Lam. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Set-Top Box with Enhanced Content and System and Method for Use of Same

Номер патента: US20160309222A1. Автор: Vanessa Ogle,Edward H. Wolfe. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2016-10-20.

Exoscope with enhanced depth of field imaging

Номер патента: US11310477B2. Автор: Siu Wai Jacky MAK,William La. Владелец: Synaptive Medical Inc. Дата публикации: 2022-04-19.

Set-Top Box with Enhanced Behavioral Controls and System and Method for Use of Same

Номер патента: US20180324487A1. Автор: Thomas R. Miller,Vanessa Ogle,Edward H. Wolfe. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2018-11-08.

Set-Top Box with Enhanced Behavioral Controls and System and Method for Use of Same

Номер патента: US20200329274A1. Автор: Thomas R. Miller,Vanessa Ogle. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2020-10-15.

Set-top box with enhanced behavioral controls and system and method for use of same

Номер патента: US20220345775A1. Автор: Thomas R. Miller,Vanessa Ogle. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2022-10-27.

Set-Top Box with Enhanced Behavioral Controls and System and Method for Use of Same

Номер патента: US20190379932A1. Автор: Thomas R. Miller,Vanessa Ogle,Edward H. Wolfe. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2019-12-12.

Method and system of receiving data with enhanced partial matching

Номер патента: US20110119545A1. Автор: Tien-Ju Tsai,Cheng-Hsi Hung. Владелец: Himax Media Solutions Inc. Дата публикации: 2011-05-19.

System and method for managing medical information with enhanced personal information protection

Номер патента: US20220165369A1. Автор: Moon Kyu Song,Jong Hyup Kim,Hyeok Gon RYU. Владелец: Iconloop Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Inter-layer link design method of multilayer constellations with enhanced service coverage capability

Номер патента: US20240283529A1. Автор: Yan Shi,QI Hao,Haoran Li,Di Zhou,Jiandong Li,Min SHENG,Weigang BAI. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2024-08-22.

Communication system with enhanced user datagram protocol support for precision time protocol

Номер патента: US20240178928A1. Автор: Rahul AGNIHOTRI,Devaraj SAMBANDAN,Ehsan Daeipour,Arjun NANJUNDAPPA. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Set-top box with enhanced behavioral controls and system and method for use of same

Номер патента: US20230319343A1. Автор: William C. Fang. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Acoustic Resonator with Enhanced Boundary Conditions

Номер патента: US20190089326A1. Автор: Janardan Nath,Thomas Bain Pollard,Oscar Menendez-Nadal,Brian Hal Fisher. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

System and method for managing medical information with enhanced personal information protection

Номер патента: US12100489B2. Автор: Moon Kyu Song,Jong Hyup Kim,Hyeok Gon RYU. Владелец: Iconloop Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Circuit board layer build-up process with enhanced positioning precision

Номер патента: US20240314942A1. Автор: Chia-Ming Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Power detectors with enhanced dynamic range

Номер патента: US20240364371A1. Автор: Lui Lam. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Apparatuses, methods, and systems for remote deposit capture with enhanced image detection

Номер патента: US12062088B1. Автор: Bharat Prasad,Reynaldo Medina. Владелец: United Services Automobile Association USAA. Дата публикации: 2024-08-13.

Secure vehicular data management with enhanced privacy

Номер патента: US09953467B2. Автор: Ned M. Smith,Nathan Heldt-Sheller,Thomas G. Willis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method and apparatus for time-based fast ACK/NACK response operation with enhanced general packet radio service 2 uplink

Номер патента: US09942007B2. Автор: Marian Rudolf,Prabhakar R. Chitrapu,Stephen G. Dick,Behrouz Aghili. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Set-top box with enhanced controls

Номер патента: US09832511B2. Автор: Vanessa Ogle,Edward H. Wolfe. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Collective objects management system with enhanced security

Номер патента: US09792790B1. Автор: Shengbo Zhu,Su Shiong Huang. Владелец: Microdata Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Apparatuses, methods, and systems for remote deposit capture with enhanced image detection

Номер патента: US09779452B1. Автор: Bharat Prasad,Reynaldo Medina. Владелец: United Services Automobile Association USAA. Дата публикации: 2017-10-03.

Digital-to-analog converter (DAC) with enhanced dynamic element matching (DEM) and calibration

Номер патента: US09762256B2. Автор: Tao Zeng,Gaurav CHANDRA,Shantha Murthy Prem Swaroop. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

User authentication method with enhanced security

Номер патента: US09756040B2. Автор: Min Gyu Kim,Chang Hun Yoo,Un Yeong Heo,Ga Hye KIM. Владелец: Ssenston Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Set-top box with enhanced content and system and method for use of same

Номер патента: US09736532B2. Автор: Vanessa Ogle,Edward H. Wolfe. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Trigger event based response execution with enhanced data security

Номер патента: US09642007B1. Автор: Harri Rautio,Juuso Pesola,Jari Leminen,Sami Pönkänen. Владелец: Button Corp Oy. Дата публикации: 2017-05-02.

Network of biometrically secure devices with enhanced privacy protection

Номер патента: US09619804B1. Автор: Sameer Jayant Thatte,Arvin Carl Robert Haywood. Владелец: Clover Network LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Imitation candle device with enhanced control features

Номер патента: US09605824B1. Автор: Xiaofeng Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Touch control device with enhanced ESD protection effect

Номер патента: US09537305B2. Автор: Ruey-Shing Weng,Yen-Hua Chen,Chi-Yuan Tseng. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Set-top box with enhanced content and system and method for use of same

Номер патента: US09380336B2. Автор: Vanessa Ogle,Edward H. Wolfe. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2016-06-28.

Head-mounted display apparatus with enhanced security and method for accessing encrypted information by the apparatus

Номер патента: US09330272B2. Автор: Tae Eon Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-03.

Fully integrated broadband RF voltage amplifier with enhanced voltage gain and method

Номер патента: US6265944B1. Автор: Akbar Ali,Matteo Conta. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2001-07-24.

LED controller and method using variable drive currents

Номер патента: US8207686B2. Автор: Thomas C. Sloan. Владелец: Sloan Co Inc . Дата публикации: 2012-06-26.

Circuit for the load-proportional adjustment of the driving current of a single-ended output transistor of a transistor amplifier, operated in a common-emitter circuit

Номер патента: US4442411A. Автор: Gerhard Gehring. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1984-04-10.

Illumination device and method for calibrating an illumination device over changes in temperature, drive current, and time

Номер патента: US11723134B2. Автор: David J. Knapp,Horace C. Ho,Jason E. Lewis. Владелец: Lutron Technology Co LLC. Дата публикации: 2023-08-08.

Illumination Device and Method for Calibrating an Illumination Device Over Changes in Temperature, Drive Current, and Time

Номер патента: US20230422376A1. Автор: David J. Knapp,Horace C. Ho,Jason E. Lewis. Владелец: Lutron Technology Co LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Output stage circuit for outputting a driving current varying with a process

Номер патента: US20120229174A1. Автор: Chun Shiah,Hao-Jan Yang,Ching-Ying Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Wireless device with enhanced awareness

Номер патента: US20240198215A1. Автор: Shobha Devi Kuruba Buchannagari,Richard Kulavik. Владелец: Voyetra Turtle Beach Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Set-Top Box with Enhanced Functionality and System and Method for Use of Same

Номер патента: US20190110098A1. Автор: Thomas R. Miller,William C. Fang,Vanessa Ogle. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Set-top box with enhanced content and system and method for use of same

Номер патента: US09525909B2. Автор: Vanessa Ogle,Edward H. Wolfe. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

A mobile device with enhanced telephone call information and a method of using same

Номер патента: CA2692197C. Автор: Lawrence Edward Kuhl,Sherryl Lee Renn Scott. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2015-01-27.

Generating personalized map interface with enhanced icons

Номер патента: US20230376166A1. Автор: Jonathan BRODY. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Architectures for hyperconverged infrastructure with enhanced scalability and fault isolation capabilities

Номер патента: US20210224097A1. Автор: Zhao Jin,Christian DICKMANN,Zongliang Li. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2021-07-22.

Augmentation of audio/video content with enhanced interactive content

Номер патента: US20230353836A1. Автор: Jing Sun,Yunbo Tang. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Battery charging system with enhanced time-based charging and coupling detection

Номер патента: US20240136842A1. Автор: Andreas Martin Viktor Ropel,Ben Peter Lloyd,Matthias Yannick Philippe Le Saux,Klas Roland Persson Signell,Konstantinos Chatziioannou. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Battery charging system with enhanced time-based charging

Номер патента: US20240131948A1. Автор: Andreas Martin Viktor Ropel,Ben Peter Lloyd,Matthias Yannick Philippe Le Saux,Klas Roland Persson Signell,Konstantinos Chatziioannou. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Amplifier with enhanced slew rate

Номер патента: US20230318530A1. Автор: Jia-Hui Wang,Yi-Lun Chiang. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Battery charging system with enhanced time-based charging and battery health monitoring

Номер патента: US20240133968A1. Автор: Andreas Martin Viktor Ropel,Ben Peter Lloyd,Matthias Yannick Philippe Le Saux,Klas Roland Persson Signell,Konstantinos Chatziioannou. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

System for controlling positions of epb caliper and cable by using driving current and ripple

Номер патента: EP3424789A2. Автор: Shin Deok Kang,Seung Soo Noh,Dae Ki Ahn,Dae Kyung Kim. Владелец: Erae Ams Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-09.

Brushless D.C. motor having abnormal driving current cut-off circuit

Номер патента: US4722020A. Автор: Masaaki Nomura,Shingo Nakanishi,Satoshi Kondoh. Владелец: Aisan Industry Co Ltd. Дата публикации: 1988-01-26.

Calibration Methods and Circuits to Calibrate Drive Current and Termination Impedance

Номер патента: US20190305777A1. Автор: Vijay Gadde,Huy M. Nguyen,Benedict Lau. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-10-03.

Calibration Methods and Circuits to Calibrate Drive Current and Termination Impedance

Номер патента: US20170012623A1. Автор: Vijay Gadde,Huy M. Nguyen,Benedict Lau. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-01-12.

Calibration Methods and Circuits to Calibrate Drive Current and Termination Impedance

Номер патента: US20160142053A1. Автор: Vijay Gadde,Huy M. Nguyen,Benedict Lau. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-05-19.

Calibration Methods and Circuits to Calibrate Drive Current and Termination Impedance

Номер патента: US20180019752A1. Автор: Vijay Gadde,Huy M. Nguyen,Benedict Lau. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-18.

Differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction of class ab with variable voltage of restriction of pass characteristic

Номер патента: RU2712414C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Intermediate cascade of operational amplifier with paraphrase output on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2720555C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Николай Владимирович Бутырлагин,Алексей Андреевич Жук,Елена Владимировна Овсепян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Power switching control circuit with enhanced turn-off drive

Номер патента: CA1061862A. Автор: Patrick L. Hunter. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1979-09-04.

Dynamic adaption of arw management with enhanced security

Номер патента: US20220201020A1. Автор: Deepak Khandelwal,Ravikumar AIMANGALA NAGARAJA SETTY,Rajakumar CHIDAMBARAM,Balaji CHINTALAPALLE,Joy DEVASSYKUTTY PULLOKARAN,Joseph Maria Jaison VINCENT SOLOMON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Set-Top Box with Enhanced Content and System and Method for Use of Same

Номер патента: US20190320220A1. Автор: William C. Fang,Vanessa Ogle. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2019-10-17.

Piecewise inter-layer prediction for signals with enhanced dynamic range

Номер патента: EP3105926A1. Автор: QIAN CHEN,PENG Yin,Guan-Ming Su,Ralf WILLENBACHER. Владелец: Dolby Laboratories Licensing Corp. Дата публикации: 2016-12-21.

Set-Top Box With Enhanced Features and System and Method for Use of Same

Номер патента: US20240146977A1. Автор: Thomas R. Miller,Vanessa Ogle,Craig D. Smith,Charles T. Hixon. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Set-Top Box with Enhanced Controls

Номер патента: US20180109847A1. Автор: Vanessa Ogle,Edward H. Wolfe. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2018-04-19.

Multilayer heated window with enhanced view

Номер патента: RU2394399C2. Автор: Пьер ШОССАД,Гийом ГОФФЭН,Венсан ЛЕГУА. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2010-07-10.

Nozzle of microwave plasmatron with enhanced torch stability and heating efficiency

Номер патента: RU2355137C2. Автор: Санг Хун ЛИ,Дзай Дзоонгсоо КИМ. Владелец: Норицу Коки Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-05-10.

Bidirectional gateway with enhanced security level

Номер патента: RU2494561C2. Автор: Кристиан ОРИ,Бенжамен ДЕКЛЕТИ. Владелец: Сажем Дефенс Секюрите. Дата публикации: 2013-09-27.

Multifunctional current mirror on complementary field-effect transistors with control pn-junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720557C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Differential input voltage converter with paraphase current outputs based on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2724975C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-29.

Base station antennas having transmitters and receivers therein that support time division duplexing (tdd) with enhanced bias control for high speed switching

Номер патента: WO2019125761A1. Автор: Breck LOVINGGOOD. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2019-06-27.

Electronic still image camera system with enhanced resolution

Номер патента: CA1287400C. Автор: Conrad H. Biber,William T. Maloney. Владелец: Polaroid Corp. Дата публикации: 1991-08-06.

A projector with enhanced security camcorder defeat

Номер патента: CA2457272C. Автор: David J. Nelson. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2007-09-18.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Display management for images with enhanced dynamic range

Номер патента: US9842385B2. Автор: Robin Atkins. Владелец: Dolby Laboratories Licensing Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Schedule system with enhanced recording capability

Номер патента: US20050028218A1. Автор: Todd Blake. Владелец: Starsight Telecast Inc. Дата публикации: 2005-02-03.

Public key/signature cryptosystem with enhanced digital signature certification

Номер патента: CA2000400C. Автор: Addison Fischer. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-10-08.

Set-top box with enhanced behavioral controls and system and method for use of same

Номер патента: US11785284B2. Автор: Thomas R. Miller,Vanessa Ogle. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Information sharing with enhanced security

Номер патента: US20200374318A1. Автор: Kenneth A. Polando, JR.,Michael J. Gale,Tara B. Jennings. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Manufactureable long cell with enhanced sensitivity and good mechanical strength

Номер патента: US20150370222A1. Автор: Peter J. Hopper,Roozbeh Parsa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Portable electronic device with enhanced sound reproduction

Номер патента: US20140341412A1. Автор: Chien-Feng Yeh. Владелец: Chiun Mai Communication Systems Inc. Дата публикации: 2014-11-20.

Piecewise Inter-Layer Prediction for Signals with Enhanced Dynamic Range

Номер патента: US20170180734A1. Автор: QIAN CHEN,PENG Yin,Guan-Ming Su,Ralf WILLENBACHER. Владелец: Dolby Laboratories Licensing Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Micro-electro-mechanical system device with enhanced structural strength

Номер патента: US9660555B2. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai,WeiChung Wang. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Network of biometrically secure devices with enhanced privacy protection

Номер патента: US20180108020A1. Автор: Brian Jeremiah Murray,Sameer Jayant Thatte,Arvin Carl Robert Haywood. Владелец: Clover Network LLC. Дата публикации: 2018-04-19.

Network of biometrically secure devices with enhanced privacy protection

Номер патента: US20170272432A1. Автор: Sameer Jayant Thatte,Arvin Carl Robert Haywood. Владелец: Clover Network LLC. Дата публикации: 2017-09-21.

Plasma generation systems and methods with enhanced electrode configurations

Номер патента: WO2022220932A3. Автор: Raymond Golingo,Ayan CHOUDHURY,Zahra SEIFOLLAHI MOGHADAM. Владелец: Fuse Energy Technologies Corp.. Дата публикации: 2023-01-26.

Digital mobile radio with enhanced transceiver

Номер патента: US20200235966A1. Автор: Jian Wang,Yong Wang,Esha John,Saeed Aghtar,Reza Alavi,Haijiao Fan,Abdelaziz Chihoub. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2020-07-23.

Micro-electro-mechanical system device with enhanced structural strength

Номер патента: US9302901B2. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai,WeiChung Wang. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Exoscope with enhanced depth of field imaging

Номер патента: US11770515B2. Автор: Siu Wai Jacky MAK,William La. Владелец: Synaptive Medical Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Set-Top Box with Enhanced Controls

Номер патента: US20190200081A1. Автор: Vanessa Ogle,Edward H. Wolfe. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2019-06-27.

Computing device with enhanced awareness

Номер патента: US20220152483A1. Автор: Shobha Devi Kuruba Buchannagari,Richard Kulavik. Владелец: Voyetra Turtle Beach Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Hearing device with enhanced awareness

Номер патента: US20220152485A1. Автор: Shobha Devi Kuruba Buchannagari,Richard Kulavik. Владелец: Voyetra Turtle Beach Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Set-top box with enhanced features and system and method for use of same

Номер патента: US11871045B2. Автор: Thomas R. Miller,Vanessa Ogle,Craig D. Smith,Charles T. Hixon. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Set-Top Box with Enhanced Content and System and Method for Use of Same

Номер патента: US20210084356A1. Автор: William C. Fang,Vanessa Ogle. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Bulk acoustic resonator device with enhanced power handling capabilities by double layer piezoelectric material

Номер патента: WO2024032882A1. Автор: Ventsislav Yantchev. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-15.

Magnetic random access memory (mram) with enhanced magnetic stiffness and method of making same

Номер патента: US20120148735A1. Автор: Yuchen Zhou. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Power supply module with enhanced heat dissipation effect

Номер патента: US20190075679A1. Автор: Chin-Wen Chou,Chih-hao Chen,Yu-Yuan Chang,Yung-Hsin Huang,Chun-Lung Su,Yung-Feng Chiu. Владелец: Zippy Technology Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Set-top box with enhanced functionality and system and method for use of same

Номер патента: US11985375B2. Автор: Thomas R. Miller,William C. Fang,Vanessa Ogle. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Power detectors with enhanced dynamic range

Номер патента: US20230344455A1. Автор: Lui Ray Lam. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Built-in induction system with enhanced safety via smart pad

Номер патента: CA3234328A1. Автор: Sang Woo Kim,Myung Ock Lee. Владелец: Peaceworld Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Built-in induction system with enhanced safety via smart pad

Номер патента: AU2022355862A1. Автор: Sang Woo Kim,Myung Ock Lee. Владелец: Peaceworld Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Set-Top Box with Enhanced Behavioral Controls and System and Method for Use of Same

Номер патента: US20240040189A1. Автор: Thomas R. Miller,Vanessa Ogle. Владелец: Enseo LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Wireless device with enhanced awareness

Номер патента: US11944899B2. Автор: Shobha Devi Kuruba Buchannagari,Richard Kulavik. Владелец: Voyetra Turtle Beach Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

A high-output-power RF power amplifier with enhanced stability

Номер патента: LU101197B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2019-08-26.

Hearing device with enhanced awareness

Номер патента: US11938397B2. Автор: Shobha Devi Kuruba Buchannagari,Richard Kulavik. Владелец: Voyetra Turtle Beach Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Micro-electro-mechanical system device with enhanced structural strength

Номер патента: US20150102701A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai,WeiChung Wang. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Micro-electro-mechanical system device with enhanced structural strength

Номер патента: US20160173002A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai,WeiChung Wang. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Method And Apparatus For Supporting An Advanced Mobile Communication System With Enhanced Channel Designs

Номер патента: US20240154763A1. Автор: Wei-De Wu,Chiou-Wei Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Digital mobile radio with enhanced transceiver

Номер патента: US20210176102A1. Автор: Jian Wang,Yong Wang,Esha John,Saeed Aghtar,Reza Alavi,Haijiao Fan,Abdelaziz Chihoub. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-10.

Computing device with enhanced awareness

Номер патента: US11944898B2. Автор: Shobha Devi Kuruba Buchannagari,Richard Kulavik. Владелец: Voyetra Turtle Beach Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Exoscope with enhanced depth of field imaging

Номер патента: US20200045295A1. Автор: Siu Wai Jacky MAK,William La. Владелец: Synaptive Medical Barbados Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Exoscope with enhanced depth of field imaging

Номер патента: US20200145640A1. Автор: Siu Wai Jacky MAK,William La. Владелец: Synaptive Medical Barbados Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Touch control device with enhanced esd protection effect

Номер патента: US20160149401A1. Автор: Ruey-Shing Weng,Yen-Hua Chen,Chi-Yuan Tseng. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Gaming headset with enhanced off-screen awareness

Номер патента: US20180028908A1. Автор: Shobha Devi Kuruba Buchannagari,Richard Kulavik. Владелец: Voyetra Turtle Beach Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Gaming headset with enhanced off-screen awareness

Номер патента: US20200376371A1. Автор: Shobha Devi Kuruba Buchannagari,Richard Kulavik. Владелец: Voyetra Turtle Beach Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Inter-layer prediction for signals with enhanced dynamic range

Номер патента: US20180262769A1. Автор: QIAN CHEN,Guan-Ming Su. Владелец: Dolby Laboratories Licensing Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Method and apparatus for supporting an advanced mobile communication system with enhanced channel designs

Номер патента: EP4366223A2. Автор: Wei-De Wu,Chiou-Wei Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Rectifier circuit with multiple cells, each cell having transistors with bulks biased by signals generated in other cells to control threshold voltage, and corresponding device and method

Номер патента: US10312821B2. Автор: Giuseppe Palmisano,Ranieri Guerra,Leandro GRASSO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-06-04.

High-speed output cascade of analogue microcircuits on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2711725C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-21.

4f2 vertical access transistor with reduced floating body effect

Номер патента: US20240341082A1. Автор: Zhijun CHEN,Milan PESIC,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

4f2 vertical access transistor with reduced floating body effect

Номер патента: WO2024211157A1. Автор: Zhijun CHEN,Milan PESIC,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2721940C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Елена Владимировна Овсепян,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel die and implementation method thereof

Номер патента: US20230037951A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Differential cascade of ab class on complementary field transistors with control p-n junction for operation in low temperature conditions

Номер патента: RU2710847C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Differential amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736412C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2741055C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2721942C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Low-temperature and radiation-proof compensation voltage stabilizer on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732950C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-24.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2688225C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Non-inverting current mirror on complementary field-effect transistors with pn-junction control for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720554C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Differential amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736549C1. Автор: Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Иван Николаевич Третьяк. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Differential operational amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739577C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-28.

Differential stage on complete field transistors with increased temperature stability of the static mode

Номер патента: RU2746888C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-04-21.

Low-temperature and radiation-stable voltage follower on complementary field transistors with control p-n junction for tasks of designing active rc-filters

Номер патента: RU2723673C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-17.

Differential cascade on complementary jfet field-effect transistors with high attenuation of input in-phase signal

Номер патента: RU2710296C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-12-25.

Differential amplifier on complimentary field transistors with controlled voltage limitations of passage characteristics

Номер патента: RU2679970C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-02-14.

Low-temperature operational amplifier with high attenuation of input in-phase signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732583C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-21.

Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2684489C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-04-09.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with high stability of static mode

Номер патента: RU2710930C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710846C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Analogue microcircuit output cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710917C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Buffer amplifier with low zero-offset voltage on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2712410C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Superconducting field-effect transistors with inverted misfet structure and method for making the same

Номер патента: CA2058780A1. Автор: Johannes G. Bednorz,Jochen D. Mannhart,Carl A. Mueller. Владелец: Carl A. Mueller. Дата публикации: 1992-07-08.

Memory address decode array with vertical transistors

Номер патента: US20030087495A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Ion-sensitive field-effect transistor with sawtooth well to enhance sensitivity

Номер патента: US20200292491A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of detecting nucleic acids with enhanced signal using dual-functional capture particles

Номер патента: US09890418B1. Автор: Hai Xing Chen. Владелец: ACGT CORP. Дата публикации: 2018-02-13.

Pneumatic tire with enhanced resistivity to external impacts

Номер патента: RU2441768C2. Автор: ЛОПЕС Хосе МЕРИНО. Владелец: МИШЛЕН РЕШЕРШ Э ТЕКНИК С.А.. Дата публикации: 2012-02-10.

Pixel driving current extracting apparatus and pixel driving current extracting method

Номер патента: US09437139B2. Автор: Cuili Gai,Zhongyuan Wu,Liye Duan,Danna SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Baked product with enhanced stability

Номер патента: RU2532809C2. Автор: Стив Б. ЗУБАНАС,Бинь-Еа ЧЭНЬ. Владелец: Интерконтинентал Грейт Брэндс ЛЛС. Дата публикации: 2014-11-10.

Surgical needle with enhanced ultrasound reflectivity

Номер патента: US09861385B2. Автор: Richard Eustis Fulton. Владелец: NFINIUM VASCULAR TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2018-01-09.

Surgical needle with enhanced ultrasound reflectivity

Номер патента: US09445837B2. Автор: Richard Eustis Fulton, III. Владелец: NFINIUM VASCULAR TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Children's toy system with enhanced flexibility member

Номер патента: US20230113470A1. Автор: Frank J. Landi, Jr.. Владелец: NSI International Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Pixel circuit for adjusting pulse width of driving current and display panel having the same

Номер патента: US10964254B2. Автор: Mao-Hsun Cheng,Ting-Wei Guo,Chia-Che HUNG. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2021-03-30.

Method for driving current of cell library

Номер патента: US20090150845A1. Автор: Woo-Hyun Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-11.

Method for computing drive currents for a plurality of LEDs in a pixel of a signboard to achieve a desired color at a desired luminous intensity

Номер патента: US09779644B2. Автор: Paul O. Scheibe. Владелец: Landmark Screens LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Transgenic plants with enhanced traits

Номер патента: US09670500B2. Автор: Mark Scott Abad. Владелец: MONSANTO TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of adjusting drive current of magnetism sensor and electronic azimuth meter

Номер патента: EP1176390A3. Автор: Kazuo Kato. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2002-11-27.

Drive current regulating circuit, color deviation correction method, device and storage medium

Номер патента: US12106716B2. Автор: Renjie Zhou,Baohong KANG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Fusion polypeptides with enhanced pharmacokinetic properties

Номер патента: RU2279883C2. Автор: Шон БАРНИ,Келли И. ГАТРИ,Джен МЕРУТКА,Мохмед К. АНВЕР,Деннис М. ЛАМБЕРТ. Владелец: Тримерис, Инк.. Дата публикации: 2006-07-20.

Ship with enhanced performances for navigation in ice

Номер патента: RU2573186C2. Автор: Эркки РАНКИ,Том МАТТССОН,Максимилиан ВОККЕ. Владелец: Акер Арктик Текнолоджи Ой. Дата публикации: 2016-01-20.

Modular building with enhanced consumer properties

Номер патента: RU2630317C2. Автор: Александр Сергеевич Диков. Владелец: Александр Сергеевич Диков. Дата публикации: 2017-09-07.

Prime editing-based gene editing composition with enhanced editing efficiency and use thereof

Номер патента: US20240218358A1. Автор: Seung Kyun Shin,Kyoungmi KIM,Soo Ji Park,Tae-Yeong Jeong,Je Kyung Seong. Владелец: Korea Mouse Phenotyping Center. Дата публикации: 2024-07-04.

S-adenosylmethionine formulations with enhanced bioavailability

Номер патента: EP2512490A1. Автор: Aniko Takacs-Cox,Nancy Harrison,I. David MacDonald,Admir Purac,Almira Blazek-Welsh. Владелец: Msi Methylation Sciences Inc. Дата публикации: 2012-10-24.

S-adenosylmethionine formulations with enhanced bioavailability

Номер патента: US20130142847A1. Автор: Aniko Takacs-Cox,Nancy Harrison,I. David MacDonald,Admir Purac,Almira Blazek-Welsh. Владелец: Methylation Sciences Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

System and method of conducting games of chance with enhanced payouts based on cash in amount

Номер патента: WO2008115955A2. Автор: Sean Malek. Владелец: Sean Malek. Дата публикации: 2008-09-25.

Molecular determinants associated with enhanced ability to enter cells expressing cxcr4

Номер патента: WO2007146336A3. Автор: Wei Huang. Владелец: Monogram Biosciences Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

System and method of conducting games of chance with enhanced payouts based on cash in amount

Номер патента: US20170345255A1. Автор: Sean Malek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-30.

Non-volatile xnor and non-volatile sram system with enhanced store capability for memory and in-memory compute bnn applications and methods of use

Номер патента: US20240153574A1. Автор: Rouwaida Kanj,Zeinab Soueidan. Владелец: American University of Beirut. Дата публикации: 2024-05-09.

System and method of conducting games of chance with enhanced payouts based on cash in amount

Номер патента: WO2008115955A3. Автор: Sean Malek. Владелец: Sean Malek. Дата публикации: 2011-07-21.

Molecular determinants in the HIV-1 envelope associated with enhanced ability to enter CXCR4-expressing cells

Номер патента: US09493847B2. Автор: Wei Huang. Владелец: Monogram Biosciences Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for preparing transgenic plants with enhanced resistance against phytopathogens

Номер патента: RU2261275C2. Автор: С.В. Долгов,К.А. Шестибратов. Владелец: Институт биоорганической химии им. М.М. Шемякина и Ю.А. Овчинникова Российской Академии Наук. Дата публикации: 2005-09-27.

Transgenic plants with enhanced agronomic traits

Номер патента: US10570408B2. Автор: Molian Deng,Zhidong Xie. Владелец: MONSANTO TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2020-02-25.

Transgenic Plants With Enhanced Agronomic Traits

Номер патента: US20110277190A1. Автор: Mark Scott Abad. Владелец: MONSANTO TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Pixel with enhanced luminance non-uniformity, a display device comprising the pixel and driving method of the display device

Номер патента: US9159263B2. Автор: Cheol-Min Kim,Yang-Hwa Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-13.

Method and system for enhancing driving safety

Номер патента: US12091021B2. Автор: Hsun-Wen HUANG. Владелец: Mitac Digital Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Sweet taste enhancers, sweetener compositions with enhanced sweet taste, methods for their preparation and application

Номер патента: RU2470527C2. Автор: Индра ПРАКАШ,Грант Е. ДЮБУА,Мани АПРЕТИ,Джордж А. КИНГ,Джозеф КЛУСИК,МИГЕЛЬ Рафаэль И. САН. Владелец: Дзе Кока-Кола Компани. Дата публикации: 2012-12-27.

High-speed cycling of storage-battery cells with enhanced current

Номер патента: RU2284076C2. Автор: Виктор Александрович Дзензерский,Юрий Иванович Скосарь,Сергей Владимирович Бурылов,В чеслав Юрьевич Скосарь,Вячеслав Юрьевич Скосарь,к Александр Афанасьевич Бур,Александр Афанасьевич Буряк. Владелец: Вячеслав Юрьевич Скосарь. Дата публикации: 2006-09-20.

Method for determining therapeutic position of lower jaw with enhanced dental abrasion

Номер патента: RU2737584C1. Автор: Александр Михайлович Назаров,Михаил Владимирович Сунгуров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение дополнительного профессионального образования "Российская медицинская академия непрерывного профессионального образования" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ДПО РМАНПО Минздрава России). Дата публикации: 2020-12-01.

Sweet taste enhancers, sweetener composition with enhanced sweet taste, methods for preparation and use thereof

Номер патента: RU2606081C2. Автор: Индра ПРАКАШ,Грант Е. ДЮБУА,Мани АПРЕТИ,Джордж А. КИНГ,Джозеф КЛУСИК,МИГЕЛЬ Рафаэль И. САН. Владелец: Дзе Кока-Кола Компани. Дата публикации: 2017-01-10.

Driving current output apparatus, method of manufacturing the same, display device and driving apparatus thereof

Номер патента: US20060290615A1. Автор: Hong-jae Shin,Tae-Whan Kim,Kae-Dal Kwack. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Stem cell-derived microvesicles with enhanced efficacy, use thereof, and method for enhancing efficacy

Номер патента: US20200129433A1. Автор: Eun Hee Kim,Jae Min Cha,Oh Young Bang. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2020-04-30.

Transaction instruments with enhanced security pin and expiration date generation

Номер патента: NZ574076A. Автор: Keith Newbrough,Peter Robbins. Владелец: First Data Corp. Дата публикации: 2011-08-26.

Pixel driving current extracting apparatus and pixel driving current extracting method

Номер патента: US20150302802A1. Автор: Cuili Gai,Zhongyuan Wu,Liye Duan,Danna SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Roofing underlayment with enhanced walkability and traction

Номер патента: CA3084636C. Автор: Martin Vido,Chris Robinson,Zhenchao SUN,Jason WOODALL,Steve THAXTON,Sabrina Difilippo,Stephanie Pruzinsky. Владелец: OWENS CORNING INTELLECTUAL CAPITAL LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

RNAi RECOMBINANT VECTOR INCLUDING BrGI GENE AND TRANSGENIC PLANT WITH ENHANCED SALT STRESS TOLERANCE USING THE SAME

Номер патента: WO2016076548A1. Автор: Soo In Lee,Yeon Hee Lee,Jin A Kim,Joon Ki Hong,Mi Jeong Jeong,Joo Yeol Kim. Владелец: REPUBLIC OF KOREA(MANAGEMENT : RURAL DEVELOPMENT ADMINISTRATION). Дата публикации: 2016-05-19.

Cyclodextrin glycosyltransferase with Enhanced Solvent Tolerance and Preparation Thereof

Номер патента: US20240200039A1. Автор: Yulin Jiang,Ye NI,Ruizhi HAN,Zhaoyue FAN. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-20.

Pipe reinforcing cap for safety belt with enhanced stiffening force

Номер патента: US12018781B1. Автор: Ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-25.

An integrated circuit including a programmable logic analyzer with enhanced analyzing and debugging capabilities and a method therefor

Номер патента: WO2011022480A1. Автор: James Alan Ward,James Ray Bailey. Владелец: Lexmark International, Inc.. Дата публикации: 2011-02-24.

Cosmetic with enhanced collagen i synthesis

Номер патента: WO2013007827A3. Автор: Olivier Doucet,Muriel Pujos,Cécile Robert,Dorothée BERNINI. Владелец: COTY GERMANY GMBH. Дата публикации: 2013-02-28.

Method for providing immune cells with enhanced function

Номер патента: WO2021097521A9. Автор: Alan Osborne Trounson,Richard Boyd,Vera EVTIMOV,Ian NISBET,Runzhe Shu,Nicholas Boyd. Владелец: CARTHERICS PTY. LTD.. Дата публикации: 2021-07-01.

Method for providing immune cells with enhanced function

Номер патента: CA3157344A1. Автор: Alan Osborne Trounson,Richard Boyd,Vera EVTIMOV,Ian NISBET,Runzhe Shu,Nicholas Boyd. Владелец: Cartherics Pty Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Linear dna with enhanced resistance against exonucleases and methods for the production thereof

Номер патента: EP4410995A1. Автор: Daniel Dixon,Heikki Lanckriet,Angel PICHER,Amy WALKER,Milena PAVLICKOVA. Владелец: 4basebio Uk Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Plant with enhanced growth and method for producing the same

Номер патента: US20130007915A1. Автор: Kohji Ito,Motoki TOMINAGA. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2013-01-03.

Food processor with enhanced lid handle and process for operation thereof

Номер патента: US20190380539A1. Автор: Luís ALVES. Владелец: Flama Fabrica De Loucas E Electrodomesticos SA. Дата публикации: 2019-12-19.

Linear dna with enhanced resistance against exonucleases and methods for the production thereof

Номер патента: WO2024160941A1. Автор: Daniel Dixon,Heikki Lanckriet,Angel PICHER,Amy WALKER,Milena PAVLICKOVA. Владелец: 4Basebio, S.L.U.. Дата публикации: 2024-08-08.

Linear dna with enhanced resistance against exonucleases and methods for the production thereof

Номер патента: WO2023006978A1. Автор: Heikki Lanckriet,Angel PICHER,Amy WALKER. Владелец: 4Basebio, S.L.U.. Дата публикации: 2023-02-02.

Methods and compositions for generating stem cell-derived immune cells with enhanced function

Номер патента: AU2022220754A1. Автор: Alan Osborne Trounson,Huimin Cao,Richard Boyd,Runzhe Shu,Nicholas Boyd,Mathew James TIEDEMANN,Frederico Loureiro CALHABEU. Владелец: Cartherics Pty Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Bioreactor with enhanced gas transfer and thermal regulation

Номер патента: EP4069815A1. Автор: Christophe Dumont,José Castillo,Bastien MAIRESSE,Jean-Christophe Drugmand,Sebastien Jean-Pierre Michel Rodriguez,Bart Karel Johan Heeren,Xavier GABET,Florent VAN HIJFTE. Владелец: Univercells Technologies SA. Дата публикации: 2022-10-12.

Bioreactor with enhanced gas transfer and thermal regulation

Номер патента: US20230017014A1. Автор: Christophe Dumont,José Castillo,Bastien MAIRESSE,Jean-Christophe Drugmand,Sebastien Jean-Pierre Michel Rodriguez,Xavier GABET,Florent VAN HIJFTE,Bart Karel Johan Heeran. Владелец: Univercells Technologies SA. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for preparing fibrous starch with enhanced emulsifying capacity and low-fat mayonnaise and margarine compositions using the same

Номер патента: US9232816B2. Автор: Sung Bae Byun,Jin Hee Park,Sang Hoon Song,Ah Jin Kim. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2016-01-12.

A material with enhanced water and/or grease repellency, method for its manufacture and use

Номер патента: WO2024194320A1. Автор: Lars Sandberg. Владелец: Blue Ocean Closures Ab. Дата публикации: 2024-09-26.

Aerosol-generating article with enhanced vapor production

Номер патента: US12102122B2. Автор: Young Rim HAN,Tae Chul Shin,Jung Kyu Seo,Hee Tae Jung. Владелец: KT&G Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Buccal formulation of avanafil with enhanced bioavailability and prolonged duration

Номер патента: US11890380B1. Автор: Tarek A. Ahmed,Khalid M. El-Say,Omar D. Al-hejaili,Hossam S. El-Sawy,Fathy I. Abd-Allah. Владелец: KING ABDULAZIZ UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-06.

Antifungal agents with enhanced activity in acidic pH

Номер патента: AU2024227501A1. Автор: David A. ANGULO GONZALEZ. Владелец: Scynexis Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Mutant lactobacillus beta-glucuronidase enzymes with enhanced enzymatic activity

Номер патента: US09909111B2. Автор: JIA Yang,Qian Wang,Lim Andrew Lee,Pongkwan Sitasuwan,Gary Horvath,Margarita Marinova. Владелец: Integrated Micro-Chromatography Systems. Дата публикации: 2018-03-06.

Mutant with enhanced secretion of L-asparaginase and its application

Номер патента: US09896678B2. Автор: Yue Feng,Song Liu,Jian Chen,Guocheng Du,Hui Gao,Jie RUAN,Yun Jiao,Hongye Cheng. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-20.

Pixel and organic light emitting diode display having a bypass transistor for passing a portion of a driving current

Номер патента: US09728134B2. Автор: Won-Kyu Kwak,Jin-Tae Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

High carbon steel rail with enhanced ductility

Номер патента: US09670570B2. Автор: Gregory Ryan Lehnhoff,Joseph Victor Kristan,Mark David Richards. Владелец: Evraz Inc Na Canada. Дата публикации: 2017-06-06.

Thermal module with enhanced assembling structure

Номер патента: US09618274B2. Автор: Kuo-Sheng Lin,Sheng-Huang Lin. Владелец: Asia Vital Components Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Cosmetic with enhanced collagen I synthesis

Номер патента: US09579267B2. Автор: Olivier Doucet,Muriel Pujos,Cécile Robert,Dorothée BERNINI. Владелец: COTY GERMANY GMBH. Дата публикации: 2017-02-28.

Subdermal lighting apparatus with enhanced biological compatibility and safety

Номер патента: US09424957B1. Автор: Luke Adam Williams. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-23.

Polyester container with enhanced gas barrier and method of making said container

Номер патента: RU2394681C2. Автор: Юй ШИ,Роберт Дж. Шиэвон,Шантель УОЛТЕРС,Роберт КРИДЖЕЛ,Сяоянь Хуан. Владелец: Дзе Кока-Кола Компани. Дата публикации: 2010-07-20.

Current control circuit and motor drive circuit that can accurately and easily control a drive current

Номер патента: US20040145325A1. Автор: Tomomitsu Oohara,Yasuhiko Inagaki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-29.

Transgenic plants with enhanced traits

Номер патента: US20240102037A1. Автор: Barry S. Goldman,Jingrui Wu,Xiaoyun Wu,Tyamagondlu V. Venkatesh,Paolo Castiglioni,G. Ramamohan,Jaishree M. Chittoor-Vijayanath,Robert J. Meister,Monnanda S. Rajani,Naveen Silvester. Владелец: MONSANTO TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Solar dome desalination system with enhanced evaporation

Номер патента: US11772988B1. Автор: Fadi Alnaimat,Mohammed Ziauddin. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-03.

Method and apparatus for controlling drive current of display panel, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20200035155A1. Автор: Wei Chen,Pan Xu,Chi Zhang,Yongqian Li,Zhongyuan Wu,Tieshi WANG,Dongxu HAN,Jinxia HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Method for computing drive currents for a plurality of leds in a pixel of a signboard to achieve a desired color at a desired luminous intensity

Номер патента: EP2181443A1. Автор: Paul O. Scheibe. Владелец: Landmark Screens LLC. Дата публикации: 2010-05-05.

Transgenic plants with enhanced traits

Номер патента: US20240093221A1. Автор: XIAO YANG,Barry S. Goldman,Dhanalakshmi Ramachandra,Jianmin Zhao,Tyamagondlu V. Venkatesh,Mary Fernandes,Balasulojini Karunanandaa,Robert J. Meister,Paul J. Loida,Linda L. Lutfiyya,Edwards M. ALLEN,Monnanda S. Rajani,Bettina Darveaux,Stephen M. Duff,Daniel Ruzicka,Huai Wang,Elena A. Rice,Rebecca L. Thompson,Qin Zeng,Anagha M. Sant,Cara L. Griffith,Saritha V. Kuriakose,Jon J. SCHMUKE,Srikanth Babu Venkatachalayya. Владелец: MONSANTO TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Transgenic Plants with Enhanced Traits

Номер патента: US20170362603A1. Автор: Tyamagondlu V. Venkatesh,Qungang Qi,Steve He,Balasulojini Karunanandaa,Monnanda S. Rajani,Chitresh Sharma,Saritha V. Kuriakose. Владелец: MONSANTO TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-12-21.

Mesenchymal stem cells with enhanced therapeutic properties

Номер патента: EP4065692A2. Автор: Patricia LUZ CRAWFORD,Rafael CONTRERAS LÓPEZ,Roberto ELIZONDO VEGA,Farida DJOUAD. Владелец: Consorcio Regenero SA. Дата публикации: 2022-10-05.

Transgenic plants with enhanced traits

Номер патента: US20240002872A1. Автор: Char Shobha,Barry S. Goldman,Dhanalakshmi Ramachandra,Steven H. Schwartz,Xiaoyun Wu,Paul S. Chomet,Tyamagondlu V. Venkatesh,Erin Bell,Savitha Madappa,Todd Dezwaan,Balasulojini Karunanandaa,Donald E. Nelson,Linda L. Lutfiyya,Daniel P. Schachtman,Stephen M. Duff,Mark S. Abad,Lloyd Jones,Hongwu Jia,Huai Wang,Sasha Preuss,Monnanda Somaiah RAJANI,Saritha V. Kuriakose,Zoe P. McKiness,Aniruddha Raychaudhuri,Matthew M. Tanzer. Владелец: MONSANTO TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Transgenic plants with enhanced traits

Номер патента: US11873502B2. Автор: XIAO YANG,Barry S. Goldman,Dhanalakshmi Ramachandra,Jianmin Zhao,Tyamagondlu V. Venkatesh,Mary Fernandes,Balasulojini Karunanandaa,Robert J. Meister,Paul J. Loida,Edwards M. ALLEN,Monnanda S. Rajani,Bettina Darveaux,Stephen M. Duff,Daniel Ruzicka,Huai Wang,Elena A. Rice,Rebecca L. Thompson,Qin Zeng,Anagha M. Sant,Cara L. Griffith,Jon J. SCHMUKE,Srikanth Babu Venkatachalayya,Saritha V Kuriakose,Linda L Lutfiyya. Владелец: MONSANTO TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

Light sensing module and calibration method for driving current of light source

Номер патента: US20130181610A1. Автор: Han-Chi Liu,Hsin-Chia Chen. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Mesenchymal stem cells with enhanced therapeutic properties

Номер патента: WO2021105926A3. Автор: Patricia LUZ CRAWFORD,Rafael CONTRERAS LÓPEZ,Roberto ELIZONDO VEGA,Farida DJOUAD. Владелец: Consorcio Regenero, S.A.. Дата публикации: 2021-07-08.

Metamaterials with enhanced nonlinearity

Номер патента: US20150168645A1. Автор: Daniel Ironside,Jung-Tsung Shen. Владелец: Washington University in St Louis WUSTL. Дата публикации: 2015-06-18.

Drive current regulating circuit, color deviation correction method, device and storage medium

Номер патента: US20240087521A1. Автор: Renjie Zhou,Baohong KANG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Light sensing module and calibration method for driving current of light source

Номер патента: US8901826B2. Автор: Han-Chi Liu,Hsin-Chia Chen. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2014-12-02.

Defibrillators with enhanced functionality during cardiopulmonary resuscitation periods

Номер патента: US20220193431A1. Автор: Fred W. Chapman,Tyson G. Taylor,David B. Stewart,Daniel W. Piraino,Mark Rutzer,Steven Barry Duke,Dale R. Beuning,Ryan William Apperson,Thangeswaran Natarajan. Владелец: Stryker Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Transgenic Plants With Enhanced Traits

Номер патента: US20170369894A1. Автор: Char Shobha,Barry S. Goldman,Dhanalakshmi Ramachandra,Steven H. Schwartz,Xiaoyun Wu,Paul S. Chomet,Tyamagondlu V. Venkatesh,Erin Bell,Stephen Duff,Savitha Madappa,Todd Dezwaan,Balasulojini Karunanandaa,Donald E. Nelson,Linda L. Lutfiyya,Monnanda S. Rajani,Daniel P. Schachtman,Mark S. Abad,Lloyd Jones,Hongwu Jia,Huai Wang,Sasha Preuss,Saritha V. Kuriakose,Zoe P. McKiness,Aniruddha Raychaudhuri,Matthew M. Tanzer. Владелец: MONSANTO TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-12-28.

Transgenic Plants With Enhanced Traits

Номер патента: US20190382782A1. Автор: Char Shobha,Barry S. Goldman,Dhanalakshmi Ramachandra,Steven H. Schwartz,Xiaoyun Wu,Paul S. Chomet,Tyamagondlu V. Venkatesh,Erin Bell,Savitha Madappa,Todd Dezwaan,Balasulojini Karunanandaa,Donald E. Nelson,Linda L. Lutfiyya,Daniel P. Schachtman,Stephen M. Duff,Mark S. Abad,Lloyd Jones,Hongwu Jia,Huai Wang,Sasha Preuss,Monnanda Somaiah RAJANI,Saritha V. Kuriakose,Zoe P. McKiness,Aniruddha Raychaudhuri,Matthew M. Tanzer. Владелец: MONSANTO TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-12-19.

Display device and drive current detection method for same

Номер патента: US09953563B2. Автор: Noboru Noguchi,Noritaka Kishi,Masanori Ohara,Hiromitsu Katsui,Yoshifumi Ohta,Shigetsugu Yamanaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Image forming apparatus controlling driving current for adjusting light emission intensity of light-emitting element

Номер патента: US09632450B2. Автор: Hirotaka Shiomichi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Composition of heterophase polyolefin with enhanced optical properties

Номер патента: RU2768931C2. Автор: Джингбо Ванг,Маркус ГАХЛЕИТНЕР,Фридрих Бергер,Йоахим ФИЕБИГ,Маркку Вахтери. Владелец: Бореалис Аг. Дата публикации: 2022-03-25.

Use of alkenyl (alkyl) oligoclycosides in processes with enhanced oil recovery

Номер патента: RU2528326C2. Автор: Джианхуа МАО,Лей ВАНГ. Владелец: Когниз АйПи Менеджмент ГмбХ. Дата публикации: 2014-09-10.

Coated article having boron-doped zinc oxide based layer with enhanced durability under functional layer and method of making the same

Номер патента: RU2598007C2. Автор: Мухаммад ИМРАН,Ричард БЛЭКЕР. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2016-09-20.

Combustion chamber with enhanced heat absorption by cooling system

Номер патента: RU2273755C2. Автор: Гюнтер ШМИДТ,Петер БИХЛЕР,Ханс ИММИХ,Йоахим КРЕТШМЕР. Владелец: Астриум Гмбх. Дата публикации: 2006-04-10.

Flavonoid-based composition for pharmaceutical, dietary or cosmetic application with enhanced antioxidant action

Номер патента: RU2640915C2. Автор: Джаммария Джулиани,Анна БЕНЕДУЗИ,Барбара МАРЦАНИ,Серджио Барони,Антонио МАСКОЛО,Антонио ЛИМИТОНЕ. Владелец: ДЖУЛИАНИ С.п.А.. Дата публикации: 2018-01-12.

Local hemostatic agent with enhanced antimicrobial activity

Номер патента: RU2675631C1. Автор: Сергей Сергеевич Брусов,Татьяна Николаевна Юданова,Иван Михайлович Афанасов,Филипп Валерьевич Пономарев,Екатерина Юрьевна Щепелина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Биомедицинские Решения". Дата публикации: 2018-12-21.

Suspension stop with enhanced tightness

Номер патента: RU2591834C2. Автор: Антони ШАМУССЕ. Владелец: Нтн-Снр Рульман. Дата публикации: 2016-07-20.

Application of new carbohydrates and carbohydrate mixture for manufacture of sport beverages with enhanced absorption

Номер патента: RU2476126C1. Автор: Винсент РИНАЛЬДИ,Зейнаб АЛИ,Джефф ЗАХВЕЙЯ,Сяоцай ШИ. Владелец: Стукли-Ван Кэмп, Инк.. Дата публикации: 2013-02-27.

Aluminum sheet with enhanced formability and an aluminum container made from aluminum sheet

Номер патента: RU2664006C2. Автор: Дарл Дж. БОЙСЕЛ,Томас Н. РАУНС,Дэвид Дж. МАКНИШ,Гай П. УИЛСОН,Грег МРОЗИНСКИ,Жан Ф. КЭППС,Ниша А. ГХАДИАЛИ,Сэмьюэл КОМБС,Кристофер Р. МИЛЛЕР,Роберт И. Дик. Владелец: Алкоа Инк.. Дата публикации: 2018-08-14.

Transgenic plants with enhanced traits

Номер патента: US10889828B2. Автор: Tyamagondlu V. Venkatesh,Monnanda S. Rajani,Kammaradi R. Vidya,Mark S. Abad. Владелец: MONSANTO TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2021-01-12.

Pharmaceutical composition containing benzocaine with enhanced stability

Номер патента: RU2761828C2. Автор: Др. Др. Рихард АММЕР,Др. Уве БУСС. Владелец: МЕДИЦЕ АРЦНАЙМИТТЕЛЬ ПЮТТЕР ГМБХ унд КО. КГ. Дата публикации: 2021-12-13.

Propofol-containing composition with enhanced antibacterial effect

Номер патента: RU2244545C2. Автор: Джек Йонгфэнг ЗХАНГ,Джи Фэй ДИНГ,Мэри Зи-Пинг ЛУО. Владелец: Амфастар Фармацевтикалз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2005-01-20.

Transgenic plants with enhanced growth characteristics

Номер патента: RU2582260C2. Автор: Пэт Дж. АНКЕФЕР,Пенелопе С. АНДЕРСОН,Томас Дж. НАЙТ. Владелец: Юниверсити Оф Мейн Систем Бод Оф Трастис. Дата публикации: 2016-04-20.

Electronic book with enhanced properties

Номер патента: RU2493587C2. Автор: Джеймс Р. МИЛН,Триша Анн Саши ЯСУХАРА. Владелец: Сони Электроникс Инк.. Дата публикации: 2013-09-20.

Teatcup liner with enhanced teat massage

Номер патента: RU2666366C2. Автор: Нильс ЭЛЬВЕБЮ. Владелец: ДЕЛАВАЛЬ ХОЛДИНГ АБ. Дата публикации: 2018-09-07.

Method of bun goods production with enhanced food value

Номер патента: RU2681876C1. Автор: Татьяна Николаевна Сафронова,Ольга Михайловна Евтухова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2019-03-13.

Method of manufacture of low-alloyable roll strips with enhanced corrosion resistance

Номер патента: RU2675307C1. Автор: Сергей Михайлович Тихонов,Денис Валерьевич Кузнецов,Александр Иванович Зайцев,Артем Викторович Митрофанов,Максим Юрьевич Матросов,Ирина Гавриловна Родионова,Кирилл Алексеевич Барабошкин,Даниил Александрович Киселев,Геннадий Владимирович Серов,Александр Александрович Комиссаров,Елена Павловна Сидорова. Владелец: Публичное акционерное общество "Северсталь" (ПАО "Северсталь"). Дата публикации: 2018-12-18.

Reinforced structural steel with enhanced strength and method of thermal strengthening hot rolled stock

Номер патента: RU2541255C1. Автор: Александр Дмитриевич Волосков. Владелец: Закрытое акционерное общество "Омутнинский металлургический завод". Дата публикации: 2015-02-10.

Resist composition with enhanced X-ray and electron sensitivity

Номер патента: US20040191669A1. Автор: Arthur Snow,Robert Whitlock,Charles Dozier,Samuel Lambrakos. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2004-09-30.

Producing method of antimicrobial peptide with enhanced adhesion and uses thereof

Номер патента: AU2018256551B2. Автор: Sun-Chang Kim,Young Eun Hwang,Le Minh Bui. Владелец: Intelligent Synthetic Biology Center. Дата публикации: 2020-03-05.

Molecular Determinants Associated with Enhanced Ability to Enter Cells Expressing CXCR4

Номер патента: US20170067878A1. Автор: Wei Huang. Владелец: Monogram Biosciences Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Quasi-volatile memory with enhanced sense amplifier operation

Номер патента: US11848056B2. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

System and method of conducting games of chance with enhanced payouts and bonus rounds

Номер патента: US20140187304A1. Автор: Sean Malek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-07-03.

System and method of conducting games of chance with enhanced payouts based on cash in amount

Номер патента: US10460559B2. Автор: Sean Malek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-10-29.

Transaction instruments with enhanced security pin and expiration date generation

Номер патента: MY145483A. Автор: Newbrough Keith. Владелец: First Data Corp. Дата публикации: 2012-02-29.

Prime editing-based gene editing composition with enhanced editing efficiency and use thereof

Номер патента: EP4230738A1. Автор: Seung Kyun Shin,Kyoungmi KIM,Soo Ji Park,Tae-Yeong Jeong,Je Kyung Seong. Владелец: Korea Mouse Phenotyping Center. Дата публикации: 2023-08-23.

Quasi-volatile memory with enhanced sense amplifier operation

Номер патента: US20220180943A1. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Non-woven fabric with enhanced hardness and sound absorption, manufacturing method therefor, and automotive undercover comprising non-woven fabric with enhanced hardness and sound absorption

Номер патента: US20200040498A1. Автор: Min-Ho Lee,Woo-Seok Choi,Young-Shin Park,Hee-jung CHO,Gyu-in JUNG. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2020-02-06.

System and method of conducting games of chance with enhanced payouts based on cash in amount

Номер патента: US20240127666A1. Автор: Sean Malek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-18.

Silicon depletion modulators with enhanced slab doping

Номер патента: US20170248806A1. Автор: Long Chen,Christopher Doerr. Владелец: Acacia Communications Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Mutant microorganism with enhanced sugar utilization and methods for preparing the same

Номер патента: US20130309744A1. Автор: Sung Kuk Lee,Vinuselvi Parisutham. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Star polymers with enhanced antimicrobial activity in response to light

Номер патента: US11930818B2. Автор: James L. Hedrick,Yi Yan Yang,Victoria A. Piunova,Willy Chin,Zhi Xiang Voo,Noah Frederick Fine Nathel. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2024-03-19.

Amylopectin type starch with enhanced retrogradation stability

Номер патента: EP2496610A2. Автор: Christian Biesgen,Per Hofvander,Michael Geiger. Владелец: BASF Plant Science Co GmbH. Дата публикации: 2012-09-12.

MIXED OXIDE WITH ENHANCED RESISTANCE AND NOx STORAGE CAPACITY

Номер патента: US20200197910A1. Автор: Naotaka Ohtake,Fabien OCAMPO. Владелец: Rhodia Operations SAS. Дата публикации: 2020-06-25.

A VARIANT OF C6 BETA-CHEMOKINE LEUKOTACTIN-1(shLkn-1) WITH ENHANCED BIOLOGICAL ACTIVITY

Номер патента: EP1180148A1. Автор: Byoung S. Kwon,Doo-Hong Park,Eun-Kyoung Lee,Seung Jae Baek,Byung S. Youn,Soo-Il 112-902 Hyundai Apt. Hyojachon CHUNG,Ju-Hyung Ahn,Kong-Ju Lee. Владелец: Korea Green Cross Corp. Дата публикации: 2002-02-20.

Composition with enhanced plant disease control effect and rainfastness of d-tagatose

Номер патента: US20240237639A1. Автор: Tomoyuki Kitano,Kazuki Nomura,Takeshi Fukumoto,Toshiaki Ohara,Keita Okamoto,Niiha Sasakura. Владелец: Mitsui Chemicals Crop & Life Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Novel formulations of eprosartan with enhanced bioavailability

Номер патента: EP1809295A2. Автор: Chin-Chih Chiang. Владелец: DERRAY TECHNOLOGY Inc. Дата публикации: 2007-07-25.

Multilayer structure with enhanced walkability

Номер патента: WO2024123666A1. Автор: Martin Vido,Stephanie Pruzinsky,Toni Newsome,Brian Shaeffer,Marcos Cortes-Medina,Melissa Nogaj,Stephanie Maxson,Dinh Chi Pham. Владелец: OWENS CORNING INTELLECTUAL CAPITAL, LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Formulations with enhanced sn-38 solubility and oral absorption

Номер патента: AU2022339721A1. Автор: Yi-Wen Chu,Du-Shieng Chien. Владелец: Tairx Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Fire ant baits with enhanced selectivity

Номер патента: WO2024123670A1. Автор: Jian Chen. Владелец: The United States of America, as represented by the Secretary of Agriculture. Дата публикации: 2024-06-13.

Novel aav3b capsid variants with enhanced hepatocyte tropism

Номер патента: WO2024015877A3. Автор: Sergei Zolotukhin,Damien MARSIC,Moanaro BISWAS,Jyoti RANA,Ype P. DE JONG. Владелец: The Trustees of Indiana University. Дата публикации: 2024-03-07.

Genetically Engineered Torulopsis glabrata with Enhanced Extracellular Secretion of Pyruvic Acid

Номер патента: US20150176036A1. Автор: Jian Chen,Jingwen Zhou,Guocheng Du,Hongwei Guo. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-06-25.

Star polymers with enhanced antimicrobial activity in response to light

Номер патента: US20190159456A1. Автор: James L. Hedrick,Yi Yan Yang,Victoria A. Piunova,Willy Chin,Zhi Xiang Voo,Noah Frederick Fine Nathel. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-05-30.

Star polymers with enhanced antimicrobial activity in response to light

Номер патента: GB2580240A. Автор: PIUNOVA Victoria,HEDRICK James,CHIN Willy,Yan Yang Yi,Frederick Fine Nathel Noah,Xiang Voo Zhi. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2020-07-15.

Microorganism with enhanced L-histidine production capacity and method for producing histidine by using same

Номер патента: AU2020262366B2. Автор: Chang Il Seo,Lan Huh,Nara Kwon. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2023-09-28.

Polycarboxylic acid production system with enhanced residence time distribution for oxidative digestion

Номер патента: MY147398A. Автор: Lin Robert,WONDERS Alan George,O'meadhra Ruairi Seosamh,Pell Thomas Michael Jr. Владелец: Grupo Petrotemex SA de CV. Дата публикации: 2012-11-30.

Antibodies to CD40 with enhanced agonist activity

Номер патента: US11760805B2. Автор: Rony Dahan,Jeffrey V. Ravetch. Владелец: ROCKEFELLER UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-19.

Linear dna with enhanced resistance against exonucleases and methods for the production thereof

Номер патента: EP4410992A1. Автор: Heikki Lanckriet,Angel PICHER,Amy WALKER. Владелец: 4basebio Uk Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for processing image data with enhanced grayscale level for display panel

Номер патента: US20200118479A1. Автор: Lin Lin,Jian Sun,Ziqiang GUO. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for processing image data with enhanced grayscale level for display panel

Номер патента: EP3788615A1. Автор: Lin Lin,Jian Sun,Ziqiang GUO. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-10.

Hb-egf composition and use thereof to treat a condition associated with enhanced urothelium permeability

Номер патента: WO2011130824A1. Автор: Robert Uger,Penka Petrova. Владелец: TRILLIUM THERAPEUTICS INC.. Дата публикации: 2011-10-27.

Interfering with hd-zip transcription factor repression of gene expression to produce plants with enhanced traits

Номер патента: EP3054765A2. Автор: Sivalinganna Manjunath,Paul J. Loida,Elena A. Rice,Rebecca L. Thompson,Cara L. Griffith,Abha Khandelwal. Владелец: MONSANTO TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-08-17.

Rice flour composition with enhanced process tolerance and solution stability

Номер патента: EP1917868A3. Автор: Wolfgang Bindzus,Yong-Cheng Shi,Tarak Shah,Roxanna Shariff,Vincent Green. Владелец: Brunob II BV. Дата публикации: 2011-04-27.

Display panel with enhanced waterproof ability

Номер патента: US20200233247A1. Автор: Fei Al,Chaojun ZHAO,Shiyu Long. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Processing method of non-woven intrinsically with enhanced deodorant feature from bamboo

Номер патента: US20140291883A1. Автор: Wen-Tung Chou,Ming-Yi Lai,Kun-Shan Huang. Владелец: Acelon Chemicals and Fiber Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Formulations with enhanced sn-38 solubility and oral absorption

Номер патента: EP4395764A1. Автор: Yi-Wen Chu,Du-Shieng Chien. Владелец: Tairx Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Image scaling method and apparatus with enhancement of image quality

Номер патента: US20110188772A1. Автор: Jong-hyun Park,Ji-yong KWON,Moon-Gi Kang,Jae-Hun Lee,Joon-young Chang,Du-sic YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-04.

Silicon depletion modulators with enhanced slab doping

Номер патента: US20150212345A1. Автор: Long Chen,Christopher Doerr. Владелец: Acacia Communications Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Tire pressure management system with enhanced wireless security and control method thereof

Номер патента: US20150197123A1. Автор: Ho Jin Jung. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-07-16.

Antibodies to cd40 with enhanced agonist activity

Номер патента: EP4406550A2. Автор: Rony Dahan,Jeffrey V. Ravetch. Владелец: ROCKEFELLER UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-31.

Cut-case with enhanced display of product information

Номер патента: CA3081863A1. Автор: Joshua Keeler,Michael H. Panosian. Владелец: Toughbuilt Industries Inc. Дата публикации: 2021-02-22.

Cut-case with enhanced display of product information

Номер патента: AU2020220174A1. Автор: Joshua Keeler,Michael Panosian. Владелец: Toughbuilt Industries Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Quick dissolvable microneedle with enhanced mechanical strength, its compositions and method for fabrication thereof

Номер патента: WO2024150247A1. Автор: Viswanathan N. Badri,Nandakumaran G.,Ravi PUNNA RAO,Sinha SWAGATA. Владелец: Transform Scitech Private Limited. Дата публикации: 2024-07-18.

Subsurface optical structure with enhanced distribution of refractive index values

Номер патента: EP4204899A1. Автор: Gustavo A. Gandara-Montano,Lisen J. Xu. Владелец: Clerio Vision Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

C-17/21 OH 20-ketostroid solution aerosol products with enhanced chemical stability

Номер патента: US20020071810A1. Автор: Zheng Wu,Peter Johnson,Nayna Govind. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2002-06-13.

Autonomous mobile robot with enhanced sensing and reporting of obstacles

Номер патента: US20230152819A1. Автор: Hsiao-Lun Chen,Chun-Yuan Chien. Владелец: Futaijing Precision Electronics Yantai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Variant sulfatase enzymes with enhanced properties

Номер патента: US20230149519A1. Автор: John Tomashek,Caleb Reece Schlachter,Lim Andrew Lee. Владелец: Integrated Micro Chromatography Systems Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

An evaporative air cooler with enhanced oscillating mechanism

Номер патента: US20230392801A1. Автор: Achal Anil BAKERI. Владелец: SYMPHONY Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Silicone baby bottle with enhanced water sealing

Номер патента: US20240269044A1. Автор: Kui Hyun Hwang. Владелец: Estuen Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Amphiphilic block copolymer composition with enhanced micelle stability

Номер патента: WO2019146897A1. Автор: Bong Oh Kim,Hye Rim Kim,Bum Chan MIN,Yil Woong Yi,Yoo Jeong YOON,Hye Jin JANG,Gyeong Hae Kim,June Hee LEE,Ho Joon Choi,Suk Yen Ko. Владелец: SAMYANG BIOPHARMACEUTICALS CORPORATION. Дата публикации: 2019-08-01.

Augmented reality for providing autonomous vehicle personnel with enhanced safety and efficiency

Номер патента: US12098929B2. Автор: Jeffrey BRANDON,Domenico Rusciano. Владелец: GM Cruise Holdings LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Subsets of human natural killer cells with enhanced antibody-directed immune responses

Номер патента: EP3793573A1. Автор: Guy DiPierro,Gary DOS SANTOS. Владелец: Indapta Therapeutics Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

Steroid solution aerosol products with enhanced chemical stability

Номер патента: EP1194121A1. Автор: Nayna Govind,Peter R. Johnson,Zheng Z. Wu. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2002-04-10.

Steroid solution aerosol products with enhanced chemical stability

Номер патента: AU5614200A. Автор: Nayna Govind,Peter R. Johnson,Zheng Z. Wu. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2001-01-09.

Method for preparing ceramic waste form containing radioactive rare-earth and transuranic oxide, and ceramic waste form with enhanced density, heat-stability, and leach resistance prepared by the same

Номер патента: US8674162B2. Автор: Hansoo Lee,Hwan-young Kim,Byung-Gil Ahn,In-Tae Kim,Hwan-Seo Park. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2014-03-18.

Variant sulfatase enzymes with enhanced properties

Номер патента: US12076377B2. Автор: John Tomashek,Caleb Reece Schlachter,Lim Andrew Lee. Владелец: Integrated Micro Chromatography Systems Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Zeolite materials with enhanced ion exchange capacity

Номер патента: CA2125314A1. Автор: Raymond Le Van Mao. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-12-08.

Improved led downlight with enhanced features

Номер патента: US20220349563A1. Автор: John Luk,Timothy Hill,Joel Gross. Владелец: Lighting & Supplies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Antibodies to cd40 with enhanced agonist activity

Номер патента: EP4406550A3. Автор: Rony Dahan,Jeffrey V. Ravetch. Владелец: ROCKEFELLER UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-16.

Method for producing multinucleated megakaryocyte with enhanced platelet production capability, method for producing platelets, method for producing platelet preparation, and method for producing blood preparation

Номер патента: US20240352418A1. Автор: Yukitaka Ito,Sachiyo MISUMI. Владелец: Megakaryon Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Drone based 3D printing with enhanced speed by varying the material dispensing

Номер патента: AU2020102449A4. Автор: Balaji Devarajan,Priyadharshini Muthukrishnan,Saravanan M.,Gokulavasan B.,Veerasamy B.,Ajayan J.,Jubair Ahmed L.. Владелец: L Jubair Ahmed Dr. Дата публикации: 2020-11-12.

Recombinant adeno-associated viruses with enhanced liver tropism and uses thereof

Номер патента: AU2021376797A9. Автор: Chao Wang,Tingting ZHANG. Владелец: Beijing Solobio Genetechnology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Self-assembly method for core/shell nanoparticles with enhanced emission

Номер патента: US10934481B2. Автор: Yu Zhu,Hongyou Fan,Kaifu Bian,Leanne Julia Alarid. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2021-03-02.

Silicon depletion modulators with enhanced slab doping

Номер патента: US09989787B2. Автор: Long Chen,Christopher Doerr. Владелец: Acacia Communications Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Washing system to clean a surface with enhanced efficiency

Номер патента: US09944257B1. Автор: Steve Sramek,John J Sramek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-17.

Thermoplastic polyolefin membrane with enhanced thermal resistance

Номер патента: US09920515B2. Автор: Thomas J. Taylor,Linlin Xing. Владелец: Building Materials Investment Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Hot stamping product with enhanced toughness and method for manufacturing the same

Номер патента: US09920408B2. Автор: Seung-Man Nam,Seung-Ha Lee. Владелец: Hyundai Steel Co. Дата публикации: 2018-03-20.

Mutant β-glucuronidase enzymes with enhanced enzymatic activity

Номер патента: US09920306B2. Автор: Lim Andrew Lee. Владелец: Integrated Micro-Chromatography Systems LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Fiber optic adapter with enhanced alignment

Номер патента: US09891387B2. Автор: Jerry A. Wiltjer,John G. Dalton,Calvin H. Derr. Владелец: Panduit Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Tennis ball retrieval apparatus with enhanced ball retention capability

Номер патента: US09878215B1. Автор: David Lee Stanford. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-30.

Porous bodies with enhanced pore architecture

Номер патента: US09776169B2. Автор: Wojciech L. Suchanek. Владелец: Scientific Design Co Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Telescoping vehicular awning apparatus with enhanced durability and storage ability

Номер патента: US09739072B1. Автор: Lane Richard Melland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-22.

Fiber optic adapter with enhanced alignment

Номер патента: US09720183B2. Автор: Jerry A. Wiltjer,John G. Dalton,Calvin H. Derr. Владелец: Panduit Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Mutant Staphylococcus beta-glucuronidase enzymes with enhanced enzymatic activity

Номер патента: US09719075B2. Автор: Lim Andrew Lee. Владелец: Integrated Micro-Chromatography Systems. Дата публикации: 2017-08-01.

Water based pet cremation basket apparatus with enhanced strength

Номер патента: US09700477B1. Автор: Alec John Franks,Jeffrey Alan Franks. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-11.

Enzymatic wound debriding compositions with enhanced enzymatic activity

Номер патента: US09694100B2. Автор: Lei Shi,Duncan Aust,Aleksa Jovanovic. Владелец: Smith and Nephew Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Silicon depletion modulators with enhanced slab doping

Номер патента: US09625746B2. Автор: Long Chen,Christopher Doerr. Владелец: Acacia Communications Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Polynucleotides encoding mutant hydrolase proteins with enhanced kinetics and functional expression

Номер патента: US09593316B2. Автор: Lance P. Encell,Paul Otto,Gediminas Vidugiris,Keith V. Wood,Monika G. Wood,Michael R. Slater,Aldis Darzins,Rachel Friedman Ohana,Kris Zimmerman,Kate Qin Zhao. Владелец: Promega Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Fingerprint identification chip with enhanced ESD protection

Номер патента: US09563802B2. Автор: Po-Chuan Lin. Владелец: Egalax Empia Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Methods of treatment with stents with enhanced fracture toughness

Номер патента: US09522503B2. Автор: Timothy A. Limon,Bin Huang,David C. Gale,Vincent A. Gueriguian. Владелец: Abbott Cardiovascular Systems Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Biodegradable stent with enhanced fracture toughness

Номер патента: US09517149B2. Автор: Bin Huang,David C. Gale,Stephen Schaible. Владелец: Abbott Cardiovascular Systems Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Swellable packer with enhanced sealing capability

Номер патента: US09488029B2. Автор: Kristian Solhaug,Christopher J. Chalker. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Chimeric FGF21 proteins with enhanced binding affinity for β-klotho for the treatment of type II diabetes, obesity, and related metabolic disorders

Номер патента: US09475856B2. Автор: Moosa Mohammadi,Regina GOETZ. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2016-10-25.

Manufactureable long cell with enhanced sensitivity and good mechanical strength

Номер патента: US09454135B2. Автор: Peter J. Hopper,Roozbeh Parsa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Genetically engineered Torulopsis glabrata with enhanced extracellular secretion of pyruvic acid

Номер патента: US09447437B2. Автор: Jian Chen,Jingwen Zhou,Guocheng Du,Hongwei Guo. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-09-20.

Processing method of non-woven intrinsically with enhanced deodorant feature from bamboo

Номер патента: US09441318B2. Автор: Wen-Tung Chou,Ming-Yi Lai,Kun-Shan Huang. Владелец: Acelon Chemicals and Fiber Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Activated carbon-metal organic framework composite materials with enhanced gas adsorption capacity and process for the preparation thereof

Номер патента: US09433919B2. Автор: Mathew John,Nettem Venkateswarlu Choudary,Hari Chand Bajaj,Rajesh Shantilal Somani,Bharat Lakshman Newalkar,Dinesh Patil,Phani Brahma Rallapalli,Karikkethu Prabhakaran Prasanth,Checkalazhikathu Raj Manoj,Rajendra Singh Thakur. Владелец: Bharat Petroleum Corp Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Electronic percussion instrument with enhanced playing area

Номер патента: US09424827B2. Автор: Adam Cohen,David C. Gill. Владелец: InMusic Brands Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Wooden frame truss with enhanced fire resistance

Номер патента: US09422714B2. Автор: Gary Franklin Miller. Владелец: United States Gypsum Co. Дата публикации: 2016-08-23.

Round or anatomical type silicone prosthesis having shell with enhanced durability and method for manufacturing same

Номер патента: US09408692B2. Автор: Won Seok Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-09.

Dynamic light emitting diode driving current compensation method for ensuring cross-panel backlight illumination uniformity in a display device and the display device

Номер патента: WO2012029890A1. Автор: Jiandong Huang,Apostolos T. Voutsas. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-03-08.

Large Language Model Evaluation with Enhanced Interpretability by K-Nearest Neighbor Search

Номер патента: US20240289558A1. Автор: YANG Zhao,Masayasu Muraoka. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Amorphous steel composites with enhanced strengths, elastic properties and ductilities

Номер патента: US09555467B2. Автор: Gary J. Shiflet,S. Joseph Poon,Xiao-Jun Gu. Владелец: UNIVERSITY OF VIRGINIA PATENT FOUNDATION. Дата публикации: 2017-01-31.

Gas storage carbon with enhanced thermal conductivity

Номер патента: US6090477A. Автор: Timothy D. Burchell,Roddie R. Judkins,Michael Ray Rogers. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2000-07-18.

Abrasion-resistant polyester mixture with enhanced consistency of processing, monofilaments therefrom, and production and use thereof

Номер патента: US5700881A. Автор: Hans Wagner,Bernd Espenschied. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1997-12-23.

Process for producing polybutadiene rubber with enhanced mechanical strength

Номер патента: CA1219993A. Автор: Nobunori Maehara,Norihumi Utada,Taiji Oda,Hidetomo Ashitaka,Hideo Ishikawa. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 1987-03-31.

Antibody constructs with enhanced binding affinity

Номер патента: CA2077348A1. Автор: Stephen D. Gillies. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-09-03.

Method for determining formation characteristics with enhanced vertical resolution

Номер патента: CA1281437C. Автор: Charles Flaum,James E. Galford,Steven W. Duckett. Владелец: Schlumberger Canada Ltd. Дата публикации: 1991-03-12.

Adoptive immunotherapy with enhanced t lymphocyte survival

Номер патента: CA2590401C. Автор: Steven A. Rosenberg,Richard A. Morgan,Cary Hsu. Владелец: US Department of Health and Human Services. Дата публикации: 2015-04-21.

Scroll apparatus with enhanced lubricant flow

Номер патента: CA2049878C. Автор: Peter A. Kotlarek,Robert E. Utter,Daniel R. Crum. Владелец: Wabco Standard Trane Inc. Дата публикации: 1994-07-26.

Medicine for preventing or treating ophthalmic disease associated with enhanced intraocular neovascularization and/or intraocular vascular permeability

Номер патента: CA3089952A1. Автор: Tomohiro Aoki,Hideaki Hara,Shuh Narumiya,Ichiro Aramori,Rie Yamamoto. Владелец: Astellas Pharma Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Synthetic compounds and compositions with enhanced cell binding

Номер патента: CA2124583C. Автор: Rajendra S. Bhatnagar. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2010-08-10.

An integrated circuit including a programmable logic analyzer with enhanced analyzing and debugging capabilities and a method therefor

Номер патента: CA2807125C. Автор: James Ray Bailey. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Wearing element with enhanced wear resistance

Номер патента: US8763282B2. Автор: Jose Sanchez,Jorge Triginer Boixeda,Jordi Brufau Guinovart,Jose Lopez Almendros,Jorge Alcala. Владелец: Metalogenia SA. Дата публикации: 2014-07-01.

Gas storage carbon with enhanced thermal conductivity

Номер патента: CA2309720C. Автор: Timothy D. Burchell,Roddie R. Judkins,Michael Ray Rogers. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2003-08-12.

Production method for corn with enhanced quality grain traits

Номер патента: CA2095867C. Автор: Donald L. Thompson,Richard R. Bergquist,Douglas S. Nubel. Владелец: DuPont TopCross International Inc. Дата публикации: 1999-01-05.

Air conditioning control system with enhanced operating range

Номер патента: CA1265771A. Автор: William John Harris. Владелец: Dynamics Corp of America. Дата публикации: 1990-02-13.

Mammal with enhanced liver expression of a transgene

Номер патента: CA2182958A1. Автор: Henri S. Lichenstein,William Scott Simonet,David E. Lyons. Владелец: David E. Lyons. Дата публикации: 1995-04-27.

Implementing Local Evaluation of Domino Read SRAM With Enhanced SRAM Cell Stability and Enhanced Area Usage

Номер патента: US20100046278A1. Автор: Todd Alan Christensen,Chad Allen Adams,Daniel Mark Nelson,Peter Thomas Freiburger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Anionic dye dispersions with enhanced cold water solubility upon dilution

Номер патента: CA1274954A. Автор: Thomas J. Thomas,Charles W. Sandefur. Владелец: Mobay Corp. Дата публикации: 1990-10-09.

Gamma radiation detector with enhanced signal treatment

Номер патента: CA1313429C. Автор: Marlin O. Thurston,Raymond Craig Ramsey. Владелец: Neoprobe Corp. Дата публикации: 1993-02-02.

Cosmetic with enhanced collagen i synthesis

Номер патента: US20140161855A1. Автор: Olivier Doucet,Muriel Pujos,Cécile Robert,Dorothée BERNINI. Владелец: MONSANTO TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-06-12.

Modular drill with enhanced bump-off capability

Номер патента: US20240042530A1. Автор: Marcelo Euripedes Silva,Nicholas J. Henry,Ruy Frota de Souza Filho. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Rekeyable lock cylinder with enhanced torque resistance

Номер патента: AU2021269400B2. Автор: James Lin,Jack Zhang,Hanna Farag,Mark S. Bloom. Владелец: Assa Abloy Americas Residential Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Engineered cyanobacteria with enhanced salt tolerance

Номер патента: US20180291332A1. Автор: Viji SITTHER,Behnam Tabatabai. Владелец: MORGAN STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-10-11.

Potato products with enhanced resistant starch content and moderated glycemic response and methods thereof

Номер патента: EP2482675A2. Автор: Kerry C. Huber,Wei Chen Yu. Владелец: UNIVERSITY OF IDAHO. Дата публикации: 2012-08-08.

Modular drill with enhanced bump-off capability

Номер патента: US11883888B2. Автор: Marcelo Euripedes Silva,Nicholas J. Henry,Ruy Frota de Souza Filho. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Cosmetic compositions with enhanced color retention for improved skin appearance

Номер патента: US11857658B2. Автор: Grace Riccardi,Hiu-Ing Donna Hwang. Владелец: Edgewell Personal Care Brands LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Automobile interior with enhanced acoustics and thermal resistance and methods for making same

Номер патента: US20240034251A1. Автор: James P. Kraft, JR.,II Robert Bowden. Владелец: Mutex LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Linear DNA with enhanced resistance against exonucleases and methods for the production thereof

Номер патента: GB2621500A. Автор: WALKER Amy,Picher Ángel,Lanckriet Heikki. Владелец: 4basebio S L U. Дата публикации: 2024-02-14.

Transaction instruments with enhanced security pin and expiration date generation

Номер патента: WO2007146751A2. Автор: Keith Newbrough,Peter Robbins. Владелец: FIRST DATA CORPORATION. Дата публикации: 2007-12-21.

Wear element for earth/rock working operations with enhanced wear resistance

Номер патента: EP2435638A1. Автор: Jose Sanchez,Jorge Triginer Boixeda,Jordi Brufau Guinovart,Jose Lopez Almendros,Jorge Alcala. Владелец: Metalogenia SA. Дата публикации: 2012-04-04.

Linear dna with enhanced resistance against exonucleases and methods for the production thereof

Номер патента: AU2022320939A1. Автор: Heikki Lanckriet,Angel PICHER,Amy WALKER. Владелец: 4basebio S L U. Дата публикации: 2024-02-29.

Soybean plants with enhanced yields and methods for breeding for and screening of soybean plants with enhanced yields

Номер патента: WO2002063020A2. Автор: Vergel C. Concibido,Xavier Delannay. Владелец: MONSANTO TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for producing stem cell with enhanced efficacy

Номер патента: US20230051601A1. Автор: Mijin Kim,Seunghee Lee,Kwang-Won Seo,Jong Chan Ahn,Kyung-Sun Kang. Владелец: Kangstem Biotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Process for the enzymatic preparation of amino acid derivatives with enhanced optical purity

Номер патента: WO2000037657A1. Автор: Theodorus Sonke,Peter Jan Leonard Mario Quaedflieg,Adolf Fritz Volker Wagner. Владелец: Dsm N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Methods and system for deep learning model generation of samples with enhanced attributes

Номер патента: US20220383070A1. Автор: Ali Madani,Alvin Guo Wei Chan. Владелец: Salesforce com Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Methods and compositions for generating stem cell-derived immune cells with enhanced function

Номер патента: EP4291660A1. Автор: Alan Osborne Trounson,Huimin Cao,Richard Boyd,Runzhe Shu,Nicholas Boyd,Mathew James TIEDEMANN,Frederico Loureiro CALHABEU. Владелец: Cartherics Pty Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Cosmetic with enhanced collagen i synthesis

Номер патента: EP2731579A2. Автор: Olivier Doucet,Muriel Pujos,Cécile Robert,Dorothée BERNINI. Владелец: COTY GERMANY GMBH. Дата публикации: 2014-05-21.

Cosmetic with enhanced collagen i synthesis

Номер патента: WO2013007827A2. Автор: Olivier Doucet,Muriel Pujos,Cécile Robert,Dorothée BERNINI. Владелец: COTY GERMANY GMBH. Дата публикации: 2013-01-17.

Characterizing semiconductor wafers with enhanced S parameter contour mapping

Номер патента: US20020113613A1. Автор: Steven Laureanti. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2002-08-22.

Linear dna with enhanced resistance against exonucleases and methods for the production thereof

Номер патента: CA3224561A1. Автор: Heikki Lanckriet,Angel PICHER,Amy WALKER. Владелец: 4basebio Uk Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Aerosol-generating article with enhanced vapor production

Номер патента: US20220400751A1. Автор: Young Rim HAN,Tae Chul Shin,Jung Kyu Seo,Hee Tae Jung. Владелец: KT&G Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Linear DNA With Enhanced Resistance Against Exonucleases and Methods for the Production Thereof

Номер патента: US20240076659A1. Автор: Heikki Lanckriet,Angel PICHER,Amy WALKER. Владелец: 4basebio Uk Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Motor vehicle with an automatically activable, enhanced driving assistance system, and method for assisting driving

Номер патента: WO2024062295A1. Автор: Marina GIORDANINO,Salvatore ASARO. Владелец: C.R.F. Societa Consortile per Azioni. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods and compositions for generating stem cell-derived immune cells with enhanced function

Номер патента: CA3211013A1. Автор: Alan Osborne Trounson,Huimin Cao,Richard Boyd,Runzhe Shu,Nicholas Boyd,Frederico Loureiro CALHABEU,Mathew James TEIDEMANN. Владелец: Cartherics Pty Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Methods and compositions for generating stem cell-derived immune cells with enhanced function

Номер патента: US20240117311A1. Автор: Alan Osborne Trounson,Huimin Cao,Runzhe Shu,Nicholas Boyd,Mathew James TIEDEMANN,Frederico Loureiro CALHABEU,Riehard BOYD. Владелец: Cartherics Pty Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Transparent film with enhanced durability

Номер патента: US20230273347A1. Автор: Min Soo Lee,Su Hyun Jung,Jong Chun Park,Jeong Hyeob HAN. Владелец: Msway Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Hybrid chill with enhanced heat transfer

Номер патента: US20240058860A1. Автор: Qigui Wang,Lokesh Choudhary,Tiruttani Munikamal,Dale A. Gerard,Thomas W. Gustafson,Steven L. Burkholder. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Assembly of microcantilever-based sensors with enhanced deflections

Номер патента: US20120174268A1. Автор: Kambiz Vafai,Abdul Rahlm A. Khaled. Владелец: Kambix Innovations LLC. Дата публикации: 2012-07-05.

Process for the enzymatic preparation of amino acid derivatives with enhanced optical purity

Номер патента: EP1141333A1. Автор: Theodorus Sonke,Peter Jan Leonard Mario Quaedflieg,Adolf Fritz Volker Wagner. Владелец: DSM NV. Дата публикации: 2001-10-10.

Process for the enzymatic preparation of amino acid derivatives with enhanced optical purity

Номер патента: EP1141333B1. Автор: Theodorus Sonke,Peter Jan Leonard Mario Quaedflieg,Adolf Fritz Volker Wagner. Владелец: DSM IP ASSETS BV. Дата публикации: 2006-06-14.

Evanescent microwave probe with enhanced resolution and sensitivity

Номер патента: WO2006017249A3. Автор: Xiao-Dong Xiang,Gang Wang,Haitao Yang. Владелец: Haitao Yang. Дата публикации: 2006-12-14.

Evanescent microwave probe with enhanced resolution and sensitivity

Номер патента: EP1779127A2. Автор: Xiao-Dong Xiang,Gang Wang,Haitao Yang. Владелец: Intematix Corp. Дата публикации: 2007-05-02.

Sensor detecting attenuated total reflection angle by using semiconductor laser unit driven with driving current on which high frequency component is superimposed

Номер патента: US20020109846A1. Автор: Masayuki Naya. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Antibodies to cd40 with enhanced agonist activity

Номер патента: WO2017004016A1. Автор: Rony Dahan,Bryan C. Barnhart,Aaron P. YAMNIUK,Brigitte Devaux,Brenda L. Stevens,Jeffrey V. Ravetch,Shannon L. Okada. Владелец: THE ROCKEFELLER UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-01-05.

Method of determination of transient thermal resistance of crystal-housing and thermal resistance of crystal-housing in the state of heat equilibrium of transistors with field control

Номер патента: RU2685769C1. Автор: Николай Николаевич Беспалов,Владислав Геннадьевич Мясин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2019-04-23.

Grafted rubber-like silicone gel with enhanced oil compatibility and its synthetic process

Номер патента: AU5156698A. Автор: James Wang,Thomas J. Hrubec. Владелец: Grant Industries Inc. Дата публикации: 1998-05-22.

A cell mediated immune response assay with enhanced sensitivity

Номер патента: AU2017213471A1. Автор: Jeff Boyle. Владелец: Cellestis Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Ceramic membranes with enhanced thermal stability

Номер патента: US5215943A. Автор: Brian L. Bischoff,Marc A. Anderson,Qunyin Xu. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 1993-06-01.

Anti-soiling nano-coating systems with enhanced antimicrobial activity

Номер патента: WO2024028618A1. Автор: Nikolaos Papadopoulos,Polyxeni VOURNA. Владелец: Papadopoulos Nikolaos-Xafakis Sotirios G.P.. Дата публикации: 2024-02-08.

Optical structure of led wall lamps with enhanced effective output light

Номер патента: US20190178466A1. Автор: Guoxin Li,Fangyi Weng. Владелец: SUNDOPT LED LIGHTING CO Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for preparing high-concentration stem cell exosomes with enhanced anti-inflammatory and regenerative functions using lipopolysaccharide and lipoteichoic acid

Номер патента: EP4257673A1. Автор: Jae-Yong Lee,Dong-Yeol Lee,Hee-Jin Ahn,Yea-in Lee,Kyu-Heum Na. Владелец: Primoris Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Methods for the mobilization and use of t-cells with enhanced reconstitution potential and life-span

Номер патента: EP3331539A1. Автор: John L. Magnani,Ingrid G. Winkler,Rachel K. King. Владелец: Glycomimetics Inc. Дата публикации: 2018-06-13.

Engineered microorganisms with enhanced protein expression and secretion

Номер патента: WO2024064888A3. Автор: Daniel Haller,Nathan CROOK,Deniz DURMUSOGLU,Ibrahim AL'ABRI. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2024-05-02.

Microorganisms with enhanced l-branched-chain amino acids productivity and method for producing l-branched-chain amino acids using the same

Номер патента: US20230086419A1. Автор: Hyo Jin Kim,Seon Hye Kim,Hyung Joon Kim,Ji Hye Lee,Byoung Hoon Yoon,Sun Hyoung Choi. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2023-03-23.

Engineered microorganisms with enhanced protein expression and secretion

Номер патента: WO2024064888A2. Автор: Daniel Haller,Nathan CROOK,Deniz DURMUSOGLU,Ibrahim AL'ABRI. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2024-03-28.

Hb-egf composition and use thereof to treat a condition associated with enhanced urothelium permeability

Номер патента: EP2560673A1. Автор: Robert Uger,Penka Petrova. Владелец: Trillium Therapeutics ULC. Дата публикации: 2013-02-27.

Microtextured multilayered elastic laminates with enhanced strength and elasticity and methods of making same

Номер патента: RU2661214C2. Автор: ВанДук ЛИ,Пэйгуан ЧЖО,Давис Данг Хоанг НХАН,Альфонс Карл ДЕМАРКО. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2018-07-13.

Radiation-curable compositions forming elastic coatings with enhanced corrosion-protective properties on metal substrates

Номер патента: RU2454436C2. Автор: Эммануил СПИРУ,Торстен БРАНД. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2012-06-27.

Pharmaceutical compositions with enhanced performance and improved processability

Номер патента: RU2656662C2. Автор: Туйен Т. НГУЙЕН,Тодд А. БРЮГЕЛ,Санграма ЗАХУ,Дивья ТЕВАРИ,Юда ЗОН. Владелец: Геркулес Ллк. Дата публикации: 2018-06-06.

Bread with enhanced content of arabinoxylans oligosaccharides

Номер патента: RU2467574C2. Автор: Филип АРНО,ХАСЕНДОК Ингрид Паула Хилде ВАН,Виллем Франс БРУКАРТ,Жак ЖОРИС,Жан ДЕЛЬКУР,Кристоф КУРТИН. Владелец: Пьюратос Н.В.. Дата публикации: 2012-11-27.

Proteins with enhanced levels of essential amino acids

Номер патента: CA2270289C. Автор: Aragula Gururaj Rao,Keith R. Roesler. Владелец: PIONEER HI BRED INTERNATIONAL INC. Дата публикации: 2005-09-27.

Weld-on casing connector with enhanced load carrying capacity

Номер патента: WO2021260728A1. Автор: Pramod Kumar Gupta. Владелец: United Drilling Tools Ltd.. Дата публикации: 2021-12-30.

Adsorbing device with enhanced absorption capacity

Номер патента: RU2325143C2. Автор: Малин ЭЛИАССОН,Малин ЭЛИАССОН (SE). Владелец: Ска Хайджин Продактс Аб. Дата публикации: 2008-05-27.

Anti-tissue factor antibodies with enhanced anticoagulant potency

Номер патента: WO2001070984A2. Автор: Leonard G. Presta,Daniel K. Kirchhofer,David G. Lowe. Владелец: Genentech, Inc.. Дата публикации: 2001-09-27.

Dendritic polymers with enhanced amplification and interior functionality

Номер патента: CA2598430C. Автор: Donald A. Tomalia,Douglas R. Swanson,Baohua Huang,Veera Reddy Pulgam,Joseph R. Heinzelmann,Sonke Svenson,Lori A. Reyna,Michael A. Zhuravel,Abhay Singh Chauhan,Cordell R. Demattei. Владелец: Dendritic Nanotechnologies Inc. Дата публикации: 2011-10-25.

Dendritic polymers with enhanced amplification and interior functionality

Номер патента: WO2006065266A2. Автор: Donald A. Tomalia,Douglas R. Swanson,Baohua Huang,Veera Reddy Pulgam. Владелец: Dendritic Nanotechnologies, Inc.. Дата публикации: 2006-06-22.

Liquid-impregnated surfaces with enhanced durability

Номер патента: CA2906827A1. Автор: Jeffrey Carbeck,Jonathan David Smith,Charles W. HIBBEN,Tao CONG,Carsten BOERS,Kripa Varanasi,Emily GREEN. Владелец: Liquiglide Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

High contrast photoresist developer with enhanced sensitivity

Номер патента: CA1281578C. Автор: Robert A. Owens,James M. Lewis,Susan A. Ferguson,Valentine T. Zuba,Roland L. Chin. Владелец: MicroSi Inc. Дата публикации: 1991-03-19.

Chimeric fgf21 proteins with enhanced binding affinity for beta-klotho for the treatment of type ii diabetes, obesity and related metabolic disorders

Номер патента: WO2013131091A1. Автор: Moosa Mohammadi,Regina GOETZ. Владелец: New York University. Дата публикации: 2013-09-06.

A process for the preparation of probiotic fermented milk beverage with enhanced stability and metal ions during storage with adjuvant supplementation

Номер патента: WO2008117302A1. Автор: Shobha Rani Popanna,Renu Agrawal. Владелец: COUNCIL OF SCIENTIFIC & INDUSTRIAL RESEARCH. Дата публикации: 2008-10-02.

Shock Absorbing Equipment Having Shear-Wall-Like Mechanism with Enhanced Damping Force for a Building and Shock Absorbing System with the Same

Номер патента: US20240026678A1. Автор: Kuo-Jung Chuang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for preparing high-concentration stem cell exosomes with enhanced anti-inflammatory and regenerative functions using lipopolysaccharide and lipoteichoic acid

Номер патента: US20240000854A1. Автор: Jae-Yong Lee,Dong-Yeol Lee,Hee-Jin Ahn,Yea-in Lee,Kyu-Heum Na. Владелец: Primoris Therapeutics Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Номер патента: US20150140636A1. Автор: Lance P. Encell,Paul Otto,Gediminas Vidugiris,Keith V. Wood,Monika G. Wood,Michael R. Slater,Aldis Darzins,Rachel Friedman Ohana,Kris Zimmerman,Kate Qin Zhao. Владелец: Promega Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Polynucleotides encoding mutant hydrolase proteins with enhanced kinetics and functional expression

Номер патента: US20130302880A1. Автор: Lance P. Encell,Paul Otto,Gediminas Vidugiris,Keith V. Wood,Monika G. Wood,Michael R. Slater,Aldis Darzins,Rachel Friedman Ohana,Kris Zimmerman,Kate Qin Zhao. Владелец: Promega Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Polynucleotides encoding mutant hydrolase proteins with enhanced kinetics and functional expression

Номер патента: US20180223267A1. Автор: Lance P. Encell,Paul Otto,Gediminas Vidugiris,Keith V. Wood,Monika G. Wood,Michael R. Slater,Aldis Darzins,Rachel Friedman Ohana,Kris Zimmerman,Kate Qin Zhao. Владелец: Promega Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Polynucleotides encoding mutant hydrolase proteins with enhanced kinetics and functional expression

Номер патента: US20170137793A1. Автор: Lance P. Encell,Paul Otto,Gediminas Vidugiris,Keith V. Wood,Monika G. Wood,Michael R. Slater,Aldis Darzins,Rachel Friedman Ohana,Kris Zimmerman,Kate Qin Zhao. Владелец: Promega Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Номер патента: US20120303922A1. Автор: Brian E. Bakke,Adrian C. Gerhard,Daniel F. Moertl,Donald J. Ziebarth,Mark J. Moran,Gowrisankar Radhakrishnan,Michael J. Carnevale,Brian L. Bowles,Rick A. Weckwerth,II Robert E. Galbraith,Murali N. Iyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for producing multinucleated megakaryocyte with enhanced platelet production capability, method for producing platelets, method for producing platelet preparation, and method for producing blood preparation

Номер патента: EP4342982A1. Автор: Yukitaka Ito,Sachiyo MISUMI. Владелец: Megakaryon Corp. Дата публикации: 2024-03-27.

Negative pressure wound therapy dressings comprising (meth)acrylate pressure-sensitive adhesive with enhanced adhesion to wet surfaces

Номер патента: EP3344206A1. Автор: Joon Chatterjee,Simon S. Fung. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2018-07-11.

Номер патента: US20240183163A1. Автор: Martin Vido,Stephanie Pruzinsky,Toni Newsome,Brian Shaeffer,Marcos Cortes-Medina,Melissa Nogaj,Stephanie Maxson,Dinh Chi Pham. Владелец: OWENS CORNING INTELLECTUAL CAPITAL LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Номер патента: RU2277604C1. Автор: Валерий Викторович Куликов,Владислав Викторович Зырянов,Андрей Михайлович Степашин,Виталий Георгиевич Востриков,нов Владислав Викторович Зыр,Валерий Михайлович Матус. Владелец: Открытое акционерное общество "Уральская Сталь" (ОАО "Урал Сталь"). Дата публикации: 2006-06-10.

Method for production of rye-wheat bread with enhanced food value

Номер патента: RU2595153C1. Автор: Наталья Сергеевна Родионова,Яна Петровна Коломникова,Евгения Викторовна Литвинова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" (ФГБОУ ВО "ВГУИТ"). Дата публикации: 2016-08-20.

Method of plasty of extraocular muscles with enhancement by compression method

Номер патента: RU2525624C1. Автор: Владимир Николаевич Канюков,Евгения Федоровна Чеснокова. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2014-08-20.

Cold-resistant steel with enhanced strength

Arc protection pickup with enhanced noise immunity

Номер патента: RU2294042C2. Автор: Дамир Фатыхович Губаев,Илья Леонидович Ротберт,Сергей Викторович Морев,Иль Леонидович Ротберт,Леонид Фёдорович Самай. Владелец: ООО "Опытно-конструкторское бюро "Родник". Дата публикации: 2007-02-20.

Elastomeric composition based on butadiene-nitrile rubber with enhanced atmosphere and ozone resistance

Номер патента: RU2322462C2. Автор: Валерий Викторович Русецкий,Юли Владимировна Коровина,Юлия Владимировна Коровина,Марина Евгеньевна Лейзеронок,Денис Валерьевич Русецкий,Тать на Валентиновна Кротова,Татьяна Валентиновна Кротова,Николай Николаевич Михедов,Виктор Иосифович Касперович,Валентина Петровна Максимова,Вера Борисовна Пасько. Владелец: Открытое акционерное общество "Беларусьрезинотехника". Дата публикации: 2008-04-20.

Method for preparation of moisture resistant potassium chloride with enhanced rheological properties

Номер патента: RU2359910C2. Автор: Мария Михайловна Варава,Юрий Владимирович Букша,Валерий Анатольевич Себалло,Нина Кимовна Андреева,Валерий Михайлович Кириенко,Александр Дмитриевич Любущенко,Алексей Владимирович Пастухов,Анна Романовна Штайда,Наталья Васильевна Ганчар. Владелец: Республиканское унитарное предприятие "ПО "Беларуськалий". Дата публикации: 2009-06-27.

Device to stabilise rotation frequency of single-phased commutator motor with enhanced reliability

Номер патента: RU2568816C1. Автор: Александр Сергеевич Мешков,Виктор Иванович Суздорф. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Комсомольский-на-Амуре государственный технический университет" (ФГБОУ ВПО "КнАГТУ"). Дата публикации: 2015-11-20.

Polyvinyl chloride with enhanced chemical stability in organic solvents and its using

Номер патента: RU2275383C1. Автор: Александр Алексеевич Миронов,Владимир Вениаминович Шебырев,Александр Давыдович Гуткович,Александр Николаевич Гришин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Биохимпласт". Дата публикации: 2006-04-27.

Dry mixture for production of soft ice cream with enhanced biological value

Номер патента: RU2449552C1. Автор: Любовь Владимировна Голубева,Екатерина Анатольевна Пожидаева,Екатерина Александровна Аникина,Елена Петровна Качанова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия (ГОУ ВПО ВГТА). Дата публикации: 2012-05-10.

Method of preparing drug with enhanced activity and drug

Номер патента: RU2155062C1. Автор: Л.Е. Ныркова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФИТОГАЛЕНИКА". Дата публикации: 2000-08-27.

Steel with enhanced hardenability for cold die forging stamping

Номер патента: RU2237107C1. Автор: А.М. Ламухин,Г.С. Водовозова,А.Д. Пешев,М.В. Бобылев,Е.И. Гонтарук,А.А. Лехтман,А.Н. Кулапов,Н.В. Степанов,З.А. Антонова,Е.Г. Королева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НОРМА-ИМПОРТ ИНСО". Дата публикации: 2004-09-27.

Method for production of rye and wheat flour mixture bread with enhanced nutrition value

Номер патента: RU2485781C1. Автор: Елена Ивановна Пономарева,Надежда Николаевна Алехина,Ольга Сергеевна Корнеева,Дмитрий Александрович Черенков,Людмила Владимировна Логунова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежский государственный университет инженерных технологий (ФГБОУ ВПО ВГУИТ). Дата публикации: 2013-06-27.

Adaptive position identification and control transducer for articles with enhanced reliability

Номер патента: RU2522114C1. Автор: Сергей Владимирович Карпенко. Владелец: Сергей Владимирович Карпенко. Дата публикации: 2014-07-10.

Method for production of bread of rye and wheat flour mixture with enhanced nutrition value

Номер патента: RU2450523C1. Автор: Елена Ивановна Пономарева,Надежда Николаевна Алехина,Людмила Владимировна Логунова,Евгений Валентинович Маслов,Наталия Николаевна Позднякова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия (ГОУ ВПО ВГТА). Дата публикации: 2012-05-20.

Method for production of grain bread with enhanced food value

Номер патента: RU2560618C1. Автор: Елена Ивановна Пономарева,Надежда Николаевна Алехина,Ирина Александровна Бакаева,Ирина Юрьевна Краснова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежский государственный университет инженерных технологий (ФГБОУ ВПО ВГУИТ). Дата публикации: 2015-08-20.

Method for production of rye and wheat flour mixture bread with enhanced nutritive value

Номер патента: RU2486755C1. Автор: Елена Ивановна Пономарева,Надежда Николаевна Алехина,Людмила Владимировна Логунова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежский государственный университет инженерных технологий (ФГБОУ ВПО ВГУИТ). Дата публикации: 2013-07-10.

Method of selection of strains of rhizobium trifolii able to effective symbiosis in acid soil with enhanced content of aluminium ion

Номер патента: RU2205215C2. Автор: Л.В. Дробышева,тчина Г.П. З,Г.П. Зятчина,И.Е. Огаркова. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт кормов им. В.Р.Вильямса. Дата публикации: 2003-05-27.

Method to manufacture microwave field transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2465682C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Наталья Александровна Кувшинова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-10-27.

Method to manufacture field transistors with self-aligned gate of submicron length

Номер патента: RU2436186C2. Автор: Вадим Станиславович Арыков,Анастасия Михайловна Гаврилова,Ольга Анатольевна Дедкова,Юрий Викторович Лиленко. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП"). Дата публикации: 2011-12-10.

High-performance uhf field transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2393589C1. Автор: Александр Михайлович Темнов,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2010-06-27.

IGBT TRANSISTOR WITH PROTECTION AGAINST PARASITIC COMPONENT ACTIVATION AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF

Номер патента: US20120001224A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

Dendritic polymers with enhanced amplification and interior functionality

Номер патента: NZ563128A. Автор: Baohua Huang,Veera Reddy Pulgam,Sonke Svenson,Abhay Singh Chauhan,Donald A Tomalia,Douglas R Swanson,Joseph R Heinzelmann,Lori A Reyna,Cordell R Demattei,Michael Zhuravel. Владелец: Dendritic Nanotechnologies Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Production method of super-high frequency (shf) field-effect transistor with schottki barrier

Номер патента: RU2361319C1. Автор: Александр Михайлович Темнов,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2009-07-10.

Light transistor with two emitting junctions

Номер патента: RU2593443C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Дмитрий Алексеевич Челушкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2016-08-10.

Method of forming encapsulated compositions with enhanced solubility and stability

Номер патента: AU2017203563B2. Автор: Hai Meng Tan,Harish Methil,Edwin Chow Pei Yong. Владелец: Kemin Industries Inc. Дата публикации: 2024-04-18.