Semiconductor device and process for producing the same
Номер патента: WO2008041275A1
Опубликовано: 10-04-2008
Автор(ы): Masaomi Yamaguchi, Yasuyoshi Mishima
Принадлежит: FUJITSU LIMITED
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 10-04-2008
Автор(ы): Masaomi Yamaguchi, Yasuyoshi Mishima
Принадлежит: FUJITSU LIMITED
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
MOS semiconductor device having gate insulating film containing nitrogen and manufacturing method of the same
Номер патента: TW535191B. Автор: Kazuya Ohuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-01.