Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Phase-Change Memory Apparatus and Fabrication Method Thereof

Phase-Change Memory Apparatus and Fabrication Method Thereof

Номер патента: KR101097433B1
Опубликовано: 23-12-2011
Автор(ы): 이장욱, 최강식
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Phase change memory device accounting for volume change of phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090225589A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-10.

Phase change memory device accounting for volume change of phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120077324A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Phase change memory device accounting for volume change of phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US8093632B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-10.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120009757A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase change memory device

Номер патента: EP1878065A1. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-01-16.

Phase change memory device

Номер патента: WO2006117063A1. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-11-09.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120007036A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase change memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080121863A1. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Sb-te-ti phase-change memory material and ti-sb2te3 phase-change memory material

Номер патента: US20160099050A1. Автор: Cheng Peng,Feng Rao,Min Zhu,Kun REN,Zhitang Song,Xilin ZHOU,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-04-07.

Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same

Номер патента: WO2007109021A1. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-09-27.

Phase change memory cell with high read margin at low power operation

Номер патента: EP1846961A1. Автор: Thomas Happ. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-24.

Phase Change Memory Cell Design with Adjusted Seam Location

Номер патента: US20080179591A1. Автор: Alejandro Gabriel Schrott,Thomas Happ,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Phase-change memory unit, method of forming the phase-change memory unit, phase-change memory device having the phase-change memory unit and method of manufacturing the phase-change memory device

Номер патента: KR100873890B1. Автор: 박인선,이기종,임낙현,임현석,오규환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-12-15.

Phase change memory cell including multiple phase change material portions

Номер патента: EP1783844A3. Автор: Thomas Happ,Jan Boris Philip. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-12-08.

Reduced power consumption phase change memory

Номер патента: EP2383811B1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-13.

Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same

Номер патента: EP2002491A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

Reduced power consumption phase change memory

Номер патента: EP2383811B9. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-11.

Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same

Номер патента: EP2002491B1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-19.

Sb-te-ti phase-change memory material and ti-sb2te3 phase-change memory material

Номер патента: US20160099050A1. Автор: Cheng Peng,Feng Rao,Min Zhu,Kun REN,Zhitang Song,Xilin ZHOU,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-04-07.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US11974510B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Fabrication of phase change memory element with phase-change electrodes using conformal deposition

Номер патента: US7462858B2. Автор: Geoffrey W. Burr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-09.

Phase change memory, electronic device, and preparation method for phase change memory

Номер патента: EP4354525A1. Автор: Xiang Li,Ping Ma. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Phase change memory, electronic device, and preparation method for phase change memory

Номер патента: US20240130253A1. Автор: Xiang Li,Ping Ma. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Phase change memory cell with heater and method therefor

Номер патента: US20120007031A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Dharmesh Jawarani,Leo Mathew,Tushar P. Merchant. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase change memory apparatus having row control cell

Номер патента: US20120081954A1. Автор: Kyoung Wook Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

High-density phase change cell array and phase change memory device having the same

Номер патента: US7136299B2. Автор: Jung Ho Kim,Eu Gene Chu,Ju Ho Mo,Seong Taek Park,Hyun Yong Lim,Pyeong Han Lee,Ja Choon Jeong. Владелец: BeyondMicro Inc. Дата публикации: 2006-11-14.

Method for manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20240215461A1. Автор: Gabriele Navarro,Guillaume Bourgeois. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-27.

Phase change memory cell with an airgap to allow for the expansion and restriction of the pcm material

Номер патента: US20230284542A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Phase change memory cell with an airgap to allow for the expansion and restriction of the PCM material

Номер патента: US11963469B2. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Phase change memory element and method for forming the same

Номер патента: US20090250691A1. Автор: Chen-Ming Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Contact resistance of a metal liner in a phase change memory cell

Номер патента: US11957069B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US20120074370A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Carbon-containing interfacial layer for phase-change memory

Номер патента: US20030164515A1. Автор: Daniel Xu. Владелец: Daniel Xu. Дата публикации: 2003-09-04.

Phase change memory device

Номер патента: US20080067488A1. Автор: Tsuyoshi Kawagoe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Pillar phase change memory cell

Номер патента: EP1844500A1. Автор: Thomas Happ. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-17.

Phase change memory device having Schottky diode and method of fabricating the same

Номер патента: US7804703B2. Автор: Gi-Tae Jeong,Dae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-28.

Phase change memory cell

Номер патента: US20240099168A1. Автор: Marie-Claire Cyrille,Gabriele Navarro,Guillaume Bourgeois. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-03-21.

Phase change memory cell

Номер патента: US20240099164A1. Автор: Marie-Claire Cyrille,Gabriele Navarro,Guillaume Bourgeois. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-03-21.

Sb—Te—Ti phase-change memory material and Ti—Sb2Te3 phase-change memory material

Номер патента: US10276234B2. Автор: Cheng Peng,Feng Rao,Min Zhu,Kun REN,Zhitang Song,Xilin ZHOU,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2019-04-30.

Phase change memory element and method of making the same

Номер патента: US7456460B2. Автор: Yi-Chou Chen,Hsiang-Lan Lung,Geoffrey W. Burr. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-25.

Phase change memory device with reinforced adhesion force

Номер патента: US20090020741A1. Автор: Hae Chan PARK,Nam Kyun PARK,Cheol Seong Hwang,Byung Joon Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Phase change memory device with reinforced adhesion force

Номер патента: US7687795B2. Автор: Hae Chan PARK,Nam Kyun PARK,Cheol Seong Hwang,Byung Joon Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

Multi-bit phase change memory devices

Номер патента: US20100220520A1. Автор: Hong-Sik Jeong,Gi-Tae Jeong,Young-Nam Hwang,Soon-Oh Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-02.

Phase change memory device suitable for high temperature operation

Номер патента: WO2011060032A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Simone Raoux,Bipin Rajendran,Matthew J. Breitwisch,Daniel Krebs. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP.. Дата публикации: 2011-05-19.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US11276818B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-15.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US20200287130A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US20100283027A1. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2010-11-11.

Pahse chang material for phase chang memory and preparation method therefor

Номер патента: US20180315921A1. Автор: Feng Rao,Yong Wang,Zhitang Song,Keyuan Ding. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for fabricating phase change memory

Номер патента: US20140162428A1. Автор: Yoshihiro Hirota,Kenichi Oyama,Hajime Nakabayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Phase-change memory cell

Номер патента: US12114580B2. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-10-08.

Cross-Point Self-Aligned Reduced Cell Size Phase Change Memory

Номер патента: US20120087181A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-12.

Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US7932508B2. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2011-04-26.

Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US7781753B2. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2010-08-24.

Phase change memory cell with double active volume

Номер патента: WO2023165853A1. Автор: Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN,Kevin BREW. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-07.

Phase-change memory cell

Номер патента: US20230389450A1. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-30.

Keyhole-free sloped heater for phase change memory

Номер патента: US20130286726A1. Автор: Jong Won Lee,Tim Minvielle,Jinwook Lee,Soonwoo Cha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Phase change memory

Номер патента: US20100133503A1. Автор: Yung-Chang Lin,Chien-Li Kuo,Kuei-Sheng Wu,Chien-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Phase-change memory (PCM) including liner reducing resistance drift

Номер патента: US11805711B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Kevin W. Brew,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Phase change memory structures and devices

Номер патента: EP3803993A1. Автор: Yao Jin,Stephen Russell,Andrea Redaelli,Pengyuan Zheng,Davide Fugazza,Yongiun J. HU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

Phase change memory using multiple phase change layers and multiple heat conductors

Номер патента: US20200395537A1. Автор: Wei Wang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kevin W. Brew,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Phase-change memory cell with asymmetric structure, a memory device including the phase-change memory cell, and a method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20230240160A1. Автор: Andrea Redaelli,Mario Allegra. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-27.

Phase change memory using multiple phase change layers and multiple heat conductors

Номер патента: US20220102627A1. Автор: Wei Wang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kevin W. Brew,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Accessing phase change memories

Номер патента: US20060002173A1. Автор: Charles Dennison,Ward Parkinson,Stephen Hudgens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Phase change memory with conductive bridge filament

Номер патента: US11805714B2. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A3. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-05-24.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-03-08.

Phase change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070285962A1. Автор: Chuo Yen,Ming-Hau Tseng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2007-12-13.

Phase change memory, electronic device, and preparation method for phase change memory

Номер патента: EP4354525A4. Автор: Xiang Li,Ping Ma. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Phase Change Memory Cell Structure

Номер патента: US20120187362A1. Автор: Chieh-Fang Chen,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-26.

Manufacturing method of phase change memory unit and manufacturing method of phase change memory device using same

Номер патента: KR100873878B1. Автор: 신희주,박두환,임상욱,구봉진,하용호,고한봉. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-12-15.

Phase change memory device and fabrications thereof

Номер патента: TW200744235A. Автор: Yen Chuo,Ming-Hau Tseng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2007-12-01.

Phase change memory cell with tubular heater and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070051936A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Agostino Pirovano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-03-08.

Phase change memory apparatus having row control cell

Номер патента: US20120081954A1. Автор: Kyoung Wook Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Phase change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US7678606B2. Автор: Frederick T Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US20220199901A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Multilevel phase-change memory, manufacture method and status transferring method thereof

Номер патента: TW200612545A. Автор: Chien-Min Lee,Wen-Han Wang,Kuei-Hung Shen. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2006-04-16.

Phase-change memory cell and method of fabricating the phase-change memory cell

Номер патента: US20090072214A1. Автор: Simone Raoux,Jonathan Zanhung Sun,Hemantha Wickramasinghe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046280B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Dinggui Zeng,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US20140097399A1. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US09437816B2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Phase-change memory devices

Номер патента: US20240276892A1. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method, system and device for phase change memory with shunt

Номер патента: US09444043B2. Автор: Andrea Ghetti,Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Phase-change memory device having phase change material pattern shared between adjacent cells and electronic product including the phase-change memory

Номер патента: CN101221970B. Автор: 安亨根,安东浩,堀井秀树,辛宗璨,裴晙洙. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-24.

Phase-change memory device having phase change material pattern shared between adjacent cells and electronic product including the phase-change memory

Номер патента: CN101221970A. Автор: 安亨根,安东浩,堀井秀树,辛宗璨,裴晙洙. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-16.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11856795B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method, system and device for phase change memory with shunt

Номер патента: US20140198565A1. Автор: Andrea Ghetti,Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Method, system and device for phase change memory with shunt

Номер патента: US20150162531A1. Автор: Andrea Ghetti,Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-11.

Phase-change memory device and method

Номер патента: US11997933B2. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20190355902A1. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20190088867A9. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20180166629A1. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US10079340B2. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

Three-dimensional phase change memory and control method thereof

Номер патента: CN112397544B. Автор: 刘峻,鞠韶复. Владелец: Yangtze River Advanced Storage Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

Multilevel phase-change memory, manufacture method and operating method thereof

Номер патента: TWI280614B. Автор: Chih-Wen Hsiung. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-05-01.

Phase change memory fabricated using self-aligned processing

Номер патента: US7362608B2. Автор: Thomas Happ,Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-04-22.

Phase change memory cell with self-aligned vertical heater and low resistivity interface

Номер патента: US20150188040A1. Автор: Barbara Zanderighi,Francesco Pipia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Bottom electrode geometry for phase change memory

Номер патента: US20110299329A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-08.

Phase change memory cell with self-aligned vertical heater and low resistivity interface

Номер патента: US09412941B2. Автор: Barbara Zanderighi,Francesco Pipia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Controlling the circuitry and memory array relative height in a phase change memory feol process flow

Номер патента: TW201027721A. Автор: Marcello Mariani,Lorenzo Fratin,Michele Magistretti,Anna Rita Odorizzi. Владелец: Numonyx Bv. Дата публикации: 2010-07-16.

Controlling the circuitry and memory array relative height in a phase change memory feol process flow

Номер патента: US20100163835A1. Автор: Marcello Mariani,Michele Magistretti,Anna Rita Odorizzi,Lorenzo Frantin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Superlattice phase change memory element for implementing gradual characteristics using operation segmentation of voltage pulse and operation method thereof

Номер патента: KR102144586B1. Автор: 김봉석,송윤흡. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-08-12.

Shaping a phase change layer in a phase change memory cell

Номер патента: TWI319635B. Автор: Michele Magistretti,Pietro Petruzza. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2010-01-11.

Bottom electrode geometry for phase change memory

Номер патента: US20080121862A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Phase change memory with improved recovery from element segregation

Номер патента: US20200091242A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Phase-change memory with selectors in bjt technology and differential-reading method thereof

Номер патента: US20200126616A1. Автор: Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-04-23.

Phase-change memory with selectors in bjt technology and differential-reading method thereof

Номер патента: US20190096480A1. Автор: Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-03-28.

Methods, structures, and devices for reducing operational energy in phase change memory

Номер патента: US20120002465A1. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Nonvolatile logic gate circuit based on phase change memory

Номер патента: US09369130B2. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiaomin Cheng,Huajun Sun,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-06-14.

Phase change memory with finite annular conductive path

Номер патента: US20100328994A1. Автор: Chung H. Lam,Bipin Rajendran,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-30.

Phase-change memory cell, phase-change memory, electronic device and preparation method

Номер патента: EP4343869A1. Автор: Xiang Li,Xin Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Phase change memory with supply voltage regulation circuit

Номер патента: US11107525B2. Автор: Michele La Placa,Fabio Enrico Carlo Disegni,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-08-31.

Phase change memory devices, methods of manufacturing and methods of operating the same

Номер патента: US20110068317A1. Автор: Ji-hyun Hur,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Yoon-Ho Kang,Hyo-sug Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-24.

Phase change memory device

Номер патента: US8263963B2. Автор: Sung-Lae Cho,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-11.

Phase Change Memory Device

Номер патента: US20110180774A1. Автор: Sung-Lae Cho,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-28.

Phase change memory

Номер патента: US09515259B2. Автор: Yang Wu,Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Jia-Ping Wang,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Set/reset methods for crystallization improvement in phase change memories

Номер патента: US20200365203A1. Автор: Neil Leslie Robertson,Gerardo A. Bertero,Michael K. Grobis,Mac D. Apodaca,Michael Nicolas Albert Tran,Zhaoqiang BAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Phase-change memory with supply-voltage regulation circuit

Номер патента: EP3767627A1. Автор: Mr. Michele LA PLACA,Mr. Fabio Enrico Carlo DISEGNI,Mr. Federico GOLLER. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-20.

Storage device with 2D configuration of phase change memory integrated circuits

Номер патента: US09773549B2. Автор: Peter Mueller,Evangelos Eleftheriou,Roman A. Pletka,Ioannis Koltsidas,Theodoros A. Antonakopoulos,Aspasia Palli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Storage device with 2d configuration of phase change memory integrated circuits

Номер патента: US20170117040A1. Автор: Peter Mueller,Evangelos Eleftheriou,Roman A. Pletka,Ioannis Koltsidas,Theodoros A. Antonakopoulos,Aspasia Palli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Storage device with 2D configuration of phase change memory integrated circuits

Номер патента: US09633721B2. Автор: Peter Mueller,Evangelos Eleftheriou,Roman A. Pletka,Ioannis Koltsidas,Theodoros A. Antonakopoulos,Aspasia Palli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Storage device with 2D configuration of phase change memory integrated circuits

Номер патента: US09595322B2. Автор: Peter Mueller,Evangelos Eleftheriou,Roman A. Pletka,Ioannis Koltsidas,Theodoros A. Antonakopoulos,Aspasia Palli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Logic gates and stateful logic using phase change memory

Номер патента: WO2021205456A1. Автор: Shahar Kvatinsky,Barak HOFFER,Eilam Yalon,Nicolas WAINSTEIN. Владелец: TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LIMITED. Дата публикации: 2021-10-14.

Logic gates and stateful logic using phase change memory

Номер патента: EP4133599A1. Автор: Shahar Kvatinsky,Barak HOFFER,Eilam Yalon,Nicolas WAINSTEIN. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: GB2609776A. Автор: LI NING,Sadana Devendra,KIM WANKI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-15.

Bipolar switching operation of confined phase change memory for a multi-level cell memory

Номер патента: US20190325954A1. Автор: Wanki Kim,Yu Zhu,Yujun Xie,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: US20230123642A1. Автор: Ning Li,Wanki Kim,Devendra K. Sadana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: AU2021234173A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Wanki Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: WO2021181173A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Wanki Kim. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-09-16.

Phase-change memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: US20240257871A1. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Chun-Wei Chang,Yung-Huei Lee,Chih-Hung Nien,Wen-Hsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Nonvolatile logic gate circuit based on phase change memory

Номер патента: US20150236697A1. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiaomin Cheng,Huajun Sun,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-08-20.

Memory cell with a variable element and a phase change memory

Номер патента: US20240215462A1. Автор: Ning Li,Kangguo Cheng,Juntao Li,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Jin Ping HAN,Andrew Herbert Simon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Phase change memory device, manufacturing method thereof and operating method thereof

Номер патента: US20090067228A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Methods, structures, and devices for reducing operational energy in phase change memory

Номер патента: US20120002465A1. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Phase-change memory including phase-change elements in series with respective heater elements and methods for manufacturing, programming, and reading thereof

Номер патента: US12120967B2. Автор: Giovanni Campardo,Massimo Borghi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-10-15.

Phase change memory device with voltage control elements

Номер патента: US09525007B2. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Phase change memory device having phase change material layer containing phase change nano particles and method of fabricating the same

Номер патента: US20090278108A1. Автор: Yoon-Ho Khang,Dong-Seok Suh,Wil-Liam Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Self-aligned process for manufacturing a phase change memory cell and phase change memory cell thereby manufactured

Номер патента: EP1469532A1. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-10-20.

Phase change memory with supply voltage regulation circuit

Номер патента: US20210012836A1. Автор: Michele La Placa,Fabio Enrico Carlo Disegni,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-14.

Phase-change memory device, phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US20080049490A1. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2008-02-28.

Phase-change storage unit, phase-change memory, electronic device, and preparation method

Номер патента: US20240114808A1. Автор: Xiang Li,Xin Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US20200168792A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-05-28.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US20220029094A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US11812661B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US10720575B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US20200006646A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Phase change memory coding

Номер патента: US20140119110A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Ming-Hsiu Lee,Yen-Hao Shih,Chao-I Wu,Tien-Yen Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US10923653B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-16.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US20200006645A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Phase change memory device

Номер патента: US9779805B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Roberto Gastaldi,Fabio Pellizzer,Roberto Bez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Phase change memory structure with multiple resistance states and methods of programming and sensing same

Номер патента: WO2008150576A1. Автор: Jun Liu,Mike Violette. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-12-11.

Phase change memory array with integrated polycrystalline diodes

Номер патента: US20190165043A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Chung H. Lam,Matthew J. BrightSky,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11127790B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: GB2617946A. Автор: OK Injo,Saulnier Nicole,Ping Han Jin,Joseph Brightsky Matthew,W Brew Kevin,Mathew Philip Timothy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20190363136A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: US11889773B2. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Matthew Joseph BrightSky,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Phase-change memory cells

Номер патента: US20140369114A1. Автор: Charalampos Pozidis,Chung Hon Lam,Sangbum Kim,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Multi-level programming of phase change memory device

Номер патента: WO2023104452A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: WO2022142647A1. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Matthew Joseph BrightSky,Jin Ping HAN. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-07-07.

Phase-change memory cells

Номер патента: US20150001457A1. Автор: Abu Sebastian,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Phase change memory devices, method for encoding, and methods for storing data

Номер патента: US20130155766A1. Автор: Zhiyong Liu. Владелец: INTERMEC IP CORP. Дата публикации: 2013-06-20.

Phase change memory devices including two-dimensional material and methods of operating the same

Номер патента: US20180061490A1. Автор: Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Seongjun Park,Seunggeol NAM,Yeonchoo CHO,Jinseong Heo,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: US11812676B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Phase change memory and phase change recording medium

Номер патента: US20060289850A1. Автор: Tomio Iwasaki,Hideyuki Matsuoka,Hiroshi Moriya,Norikatsu Takaura. Владелец: Norikatsu Takaura. Дата публикации: 2006-12-28.

Phase change memory and phase change recording medium

Номер патента: US20050156150A1. Автор: Tomio Iwasaki,Hideyuki Matsuoka,Hiroshi Moriya,Norikatsu Takaura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: AU2021244850A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: AU2021244850B2. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: WO2021191696A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-09-30.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: CA3168067A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-30.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: GB2608771A. Автор: CLEVENGER Lawrence,Brew Kevin,Matthew Philip Timothy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-01-11.

Set/reset methods for crystallization improvement in phase change memories

Номер патента: US20200365204A1. Автор: Neil Leslie Robertson,Gerardo A. Bertero,Michael K. Grobis,Mac D. Apodaca,Michael Nicolas Albert Tran,Zhaoqiang BAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Phase change memory using multiple stacks of pcm materials

Номер патента: WO2021161117A1. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin BREW. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-08-19.

Global heater for phase change memory

Номер патента: EP4430932A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Method, system, and device for heating a phase change memory cell

Номер патента: US09620709B2. Автор: Jun Liu,JIAN Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods of forming a phase change memory with vertical cross-point structure

Номер патента: US20200303459A1. Автор: Federico Nardi,Christopher J. Petti,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-24.

Phase change memory using multiple stacks of PCM materials

Номер патента: GB2608308A. Автор: Wu Heng,Zhang Jingyun,Shen Tian,Wayne Brew Kevin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Phase change memory device

Номер патента: US20060203541A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Phase-change memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: US11978511B2. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Chun-Wei Chang,Yung-Huei Lee,Chih-Hung Nien,Wen-Hsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Planar phase-change memory cell with parallel electrical paths

Номер патента: US8685785B2. Автор: Michele M. Franceschini,John P. Karidis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Symmetric phase-change memory devices

Номер патента: US11769046B2. Автор: Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Phase change memory device with reduced unit cell size and improved transistor current flow and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080101112A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100019217A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Chang-Soo Lee,Byung-Gil Choi,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-28.

Phase-change memory devices, systems, and methods of operating thereof

Номер патента: US11929117B2. Автор: Xuwen PAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for programming a phase change memory

Номер патента: US11800820B2. Автор: Gabriele Navarro,Chiara Sabbione,Guillaume Bourgeois,Anna-Lisa Serra. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-10-24.

Phase change memory materials, devices and methods

Номер патента: EP1969602A1. Автор: Robert E. Simpson,Daniel William Hewak,Richard J. Curry,Mohammed Khawar Arshad Mairaj. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2008-09-17.

Method for programming a phase change memory

Номер патента: US20220165946A1. Автор: Gabriele Navarro,Chiara Sabbione,Guillaume Bourgeois,Anna-Lisa Serra. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-05-26.

Phase-change memory device with drive circuit

Номер патента: US10658032B2. Автор: Davide Manfre,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-05-19.

Phase-Change Memory Device with Drive Circuit

Номер патента: US20190043574A1. Автор: Davide Manfre,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-02-07.

Phase-change memory device with drive circuit

Номер патента: US20180151223A1. Автор: Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Davide Manfre',Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-31.

Phase-change memory device with drive circuit

Номер патента: US10115460B2. Автор: Davide Manfre′,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-10-30.

Second-layer phase change memory array on top of a logic device

Номер патента: EP1326158A3. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Guy Wicker. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

Phase change memory cells delineated by regions of modified film resistivity

Номер патента: US20090179186A1. Автор: Tricia Breen Carmichael,John Christopher Arnold. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Global heater for phase change memory

Номер патента: US20230180644A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Method, system, and device for heating a phase change memory cell

Номер патента: US20160172586A1. Автор: Jun Liu,JIAN Li. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-16.

Method, system, and device for heating a phase change memory cell

Номер патента: US20150155484A1. Автор: Jun Liu,JIAN Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Cell-state determination in phase-change memory

Номер патента: WO2012029007A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-08.

Global heater for phase change memory

Номер патента: WO2023104550A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

A multi-stack three-dimensional phase-change memory and methods for making the same

Номер патента: WO2024098366A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Phase change memory using multiple stacks of pcm materials

Номер патента: US20210257547A1. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin W. Brew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Methods for a phase-change memory array

Номер патента: US20140376306A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Cu-doped Sb-Te system phase change material, phase change memory and preparation method thereof

Номер патента: US11807798B2. Автор: Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-11-07.

Cu-DOPED Sb-Te SYSTEM PHASE CHANGE MATERIAL, PHASE CHANGE MEMORY AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20230287253A1. Автор: Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-09-14.

Multi-level phase change memory

Номер патента: US09747975B2. Автор: Charles C. Kuo,Ilya V. Karpov. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Phase change memory with conductive bridge filament

Номер патента: US20210050518A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Clamp elements for phase change memory arrays

Номер патента: US09520554B2. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Clamp elements for phase change memory arrays

Номер патента: US20180123039A1. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Materials and components in phase change memory devices

Номер патента: US09741930B2. Автор: Davide Erbetta,Valter Soncini. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230377644A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Dinggui Zeng,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Phase change memory with metastable set and reset states

Номер патента: US20160125938A1. Автор: Wanki Kim,Chung H. Lam,Sangbum Kim,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Phase change memory cell with double active volume

Номер патента: US20230284541A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Storage nodes including a phase chang layer and methods of manufacturing and operating the same, phase change memory devices and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US7871906B2. Автор: Jong-wook Lee,Jun-Ho Lee,Sung-Kwan Kang,Hion-suck Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-18.

Resistance memory element, phase change memory element, resistance random access memory device, information reading method thereof, phase change random access memory device, and information reading method thereof

Номер патента: US20100008132A1. Автор: Cheol-Seong Hwang,Tae-Joo Park. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2010-01-14.

Phase-change memory device, phase-change channel transistor and memory cell array

Номер патента: US8120007B2. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2012-02-21.

Resistive memory cell fabrication methods and devices

Номер патента: US20140363947A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: KR100892667B1. Автор: 이민용,장헌용,채수진,은용석,이금범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-04-15.

Multistage set procedure for phase change memory

Номер патента: US09892785B2. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Kiran Pangal,Gayathri Rao Subbu,Nevil N Gajera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Phase change memory with inter-granular switching

Номер патента: US09672906B2. Автор: Hsiang-Lan Lung,Yung-Han Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Multistage set procedure for phase change memory

Номер патента: US09583187B2. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Kiran Pangal,Gayathri Rao Subbu,Nevil N Gajera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Phase-change memory cell, phase-change memory, electronic device and preparation method

Номер патента: EP4343869A4. Автор: Xiang Li,Xin Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Phase-change memory element, phase-change memory cell, vacuum treatment device, and method for manufacturing phase-change memory element

Номер патента: KR101141008B1. Автор: 최영석,고지 쯔네까와. Владелец: 캐논 아네르바 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-05-02.

Phase change layer and method of manufacturing the same and phase change memory device comprising phase change layer and methods of manufacturing and operating phase change memory device

Номер патента: US7993963B2. Автор: Youn-Seon Kang,Jin-seo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Multilevel phase-change memory, operating method and manufacture method thereof

Номер патента: TW200612557A. Автор: Chien-Min Lee,Wen-Han Wang,Kuei-Hung Shen. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2006-04-16.

Phase-change memory element, phase-change memory cell, vacuum treatment device, and method for manufacturing phase-change memory element

Номер патента: CN101911296A. Автор: 恒川孝二,崔永硕. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2010-12-08.

Circuits relating to the calculation of power consumption of phase change memory devices, phase change memory systems including the same, and methods relating to the calculation of power consumption of phase change memory devices

Номер патента: TW201835931A. Автор: 趙上球,權正賢,李聖恩. Владелец: 韓商愛思開海力士有限公司. Дата публикации: 2018-10-01.

Phase change memory material and system for embedded memory applications

Номер патента: US20140376309A1. Автор: Che-Min Lin,Hsiang-Lan Lung,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US20220029094A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE HAVING PHASE-CHANGE REGION DIVIDED INTO MULTI LAYERS AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160072059A1. Автор: KIM Jin Hyock,Kwon Young Seok,CHAE Su Jin,PARK Hae Chan. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US20200168792A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-05-28.

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE HAVING PHASE-CHANGE REGION DIVIDED INTO MULTI LAYERS AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140301137A1. Автор: KIM Jin Hyock,Kwon Young Seok,CHAE Su Jin,PARK Hae Chan. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-09.

Phase change memory cell employing a GeBiTe layer as a phase change material layer, phase change memory device including the same, electronic device including the same and method of fabricating the same

Номер патента: KR100782482B1. Автор: 박정희,박두환,구봉진,하용호,고한봉. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-12-05.

Phase Change Memory Cell Employing a GeBiTe Layer as a Phase Change Material Layer, Phase Change Memory Device Including the Same, Electronic System Including the Same and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20070267721A1. Автор: Yong-ho Ha,Jeong-hee Park,Doo-Hwan Park,Bong-Jin Kuh,Han-Bong Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-22.

Drift-insensitive or invariant material for phase change memory

Номер патента: US20130314983A1. Автор: Jing Li,Binquan Luan,Chung H. Lam,Glenn J. Martyna,Dennis M. Newns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Drift-insensitive or invariant material for phase change memory

Номер патента: US20130313501A1. Автор: Jing Li,Binquan Luan,Chung H. Lam,Glenn J. Martyna,Dennis M. Newns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20210320147A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Multiple level cell phase-change memory devices having controlled resistance-drift parameter, memory systems employing such devices and methods of reading memory devices

Номер патента: TW200910353A. Автор: Hyeong-Jun Kim,Dong-won Lim,Dae-Hwan Kang,Chang-Wook Jeong,Seung-Pil KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-01.

Phase-change memory cell having a compact structure

Номер патента: US09735353B2. Автор: Simon Jeannot,Philippe Boivin. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-08-15.

Multistage set procedure for phase change memory

Номер патента: US20180182456A1. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Nevil N. Gajera,Kiran Pangal,Gayathri Rao Subbu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Method of forming phase change material layer using ge(ii) source, and method of fabricating phase change memory device

Номер патента: US20130005112A1. Автор: Sung-Lae Cho,Do-Hyung Kim,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-03.

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF PROGRAMMING A PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210166757A1. Автор: Campardo Giovanni,ZULIANI Paola,Barboni Marco,Borghi Massimo. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

Phase change memory devices including memory cells having different phase change materials and related methods and systems

Номер патента: CN101150138A. Автор: 裵晙洙,安东浩,堀井秀树. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-26.

Method of fabricating a phase change memory and phase change memory

Номер патента: US7671355B2. Автор: Yung-Chang Lin,Chien-Li Kuo,Kuei-Sheng Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Phase change memory device and method for manufacturing phase change memory device

Номер патента: US7532507B2. Автор: Tsutomu Hayakawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-12.

Phase change memory device having phase change material layer containing phase change nano particles and method of fabricating the same

Номер патента: EP1667244A3. Автор: Yoon-Ho Khang,Dong-Seok Suh,Wil-Liam Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-24.

Phase-change memory device, phase-change channel transistor and memory cell array

Номер патента: US20110127486A1. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2011-06-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and phase change memory

Номер патента: TWI286751B. Автор: Kiyoshi Nakai,Isamu Asano,Yukio Fuji,Tsuyoshi Kawagoe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-09-11.

PHASE CHANGE MEMORY USING MULTIPLE PHASE CHANGE LAYERS AND MULTIPLE HEAT CONDUCTORS

Номер патента: US20220102627A1. Автор: Wang Wei,OK Injo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Brew Kevin W.. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

PHASE-CHANGE MEMORY WITH SELECTORS IN BJT TECHNOLOGY AND DIFFERENTIAL-READING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190096480A1. Автор: Conte Antonino. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

PHASE-CHANGE MEMORY WITH SELECTORS IN BJT TECHNOLOGY AND DIFFERENTIAL-READING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200126616A1. Автор: Conte Antonino. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

The non-volatile programable switch device using phase-change memory device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100968888B1. Автор: 이준석,윤성민,이승윤,유병곤,박영삼,정순원. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2010-07-09.

Phase change memory device having high temp phase change pattern and method of fabricating the same

Номер патента: KR100810615B1. Автор: 안동호,배준수,히데끼 호리이. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of forming phase change layer, method of manufacturing a storage node using the same, and method of manufacturing phase change memory device using the same

Номер патента: US20080156651A1. Автор: Seung-Jin Oh,Woong-Chul Shin,Youn-Seon Kang,Kae-dong Back. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor phase change memory using multiple phase change layers

Номер патента: US7729162B2. Автор: Charles H. Dennison,Stephen J. Hudgens. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2010-06-01.

Phase change memory cell and manufacturing method thereof using minitrenches

Номер патента: US9876166B2. Автор: Fabio Pellizzer,Roberto Bez,Marina Tosi,Romina Zonca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-23.

Phase change memory with transistor, resistor and capacitor and operating method thereof

Номер патента: CN101887903B. Автор: 龙翔澜. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-11.

Method of forming phase change material layer using ge(ii) source, and method of fabricating phase change memory device

Номер патента: US20090097305A1. Автор: Sung-Lae Cho,Do-Hyung Kim,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-16.

Phase-change memory device with reduced programming voltage

Номер патента: US20220293853A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Phase-change memory device with reduced programming voltage

Номер патента: WO2022189300A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-09-15.

Apparatus and method for reading a phase-change memory cell

Номер патента: US09431102B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Phase change memory device and computing system having the same

Номер патента: US20130058160A1. Автор: Joo-young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-07.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US20210118500A1. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Content addressable memory cell and content addressable memory using phase change memory

Номер патента: US20080068872A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-20.

Content addressable memory cell and content addressable memory using phase change memory

Номер патента: US7978490B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-12.

Sensing circuit of a phase change memory and sensing method thereof

Номер патента: US7796454B2. Автор: Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-09-14.

Three-dimensional convolution operation device and method based on three-dimensional phase change memory

Номер патента: US20220351026A1. Автор: Hao Tong,Qing Hu,Xiangshui Miao,Yuhui He. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-11-03.

Writing method and system for a phase change memory

Номер патента: US20080219046A1. Автор: Ming-Jung Chen,Te-Sheng Chao,Philip H. Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Writing method and system for a phase change memory

Номер патента: US7773409B2. Автор: Ming-Jung Chen,Te-Sheng Chao,Philip H. Yeh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-08-10.

Memory apparatus with gated phase-change memory cells

Номер патента: US20130322168A1. Автор: Daniel Krebs,Gael Close. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Data storage method and phase change memory

Номер патента: US09899084B2. Автор: ZHEN Li,Junfeng Zhao,Qiang He,Xiangshui Miao,Shujie Zhang,Ronggang Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods and systems for verifying cell programming in phase change memory

Номер патента: US09747977B2. Автор: Raymond W. Zeng,Doyle Rivers,Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Phase change memory device, operation method thereof, and data storage device having the same

Номер патента: US20130155765A1. Автор: Dong Keun Kim,Sun Hyuck Yon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Energy adjusted write pulses in phase-change memories

Номер патента: US7327623B2. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-02-05.

Phase-change memory element and method of storing data therein

Номер патента: US20040145944A1. Автор: Boil Pashmakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-29.

Phase change memory device and control method

Номер патента: EP2291846A1. Автор: Ludovic Goux. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-09.

Driver circuit for phase-change memory cells and method of driving phase-change memory cells

Номер патента: US20230021601A1. Автор: Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Agatino Massimo Maccarrone,Marco Ruta,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-26.

Energy adjusted write pulses in phase-change memories

Номер патента: US20070014173A1. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-01-18.

Energy adjusted write pulses in phase-change memory cells

Номер патента: US20080106928A1. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-05-08.

Phase change memory devices and systems having reduced voltage threshold drift and associated methods

Номер патента: US09627055B1. Автор: Mattia Robustelli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Phase change memory

Номер патента: US20100165723A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of programming a phase change memory and phase change memory device

Номер патента: US09472271B2. Автор: Quentin Hubert,Carine Jahan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-10-18.

Phase change memory

Номер патента: US20120230099A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chinag. Владелец: Higgs Opl Capital Llc. Дата публикации: 2012-09-13.

Memory device based on phase change memory for deep neural network and method for storing weight thereof

Номер патента: US20240161823A1. Автор: Joon-Sung Yang. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-16.

Apparatus and method for programming a multi-level phase change memory (PCM) cell based on an actual resistance value and a reference resistance value

Номер патента: US09576655B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi,Haris Pozidis. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2017-02-21.

Phase Change Memory

Номер патента: US20100165722A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Method, apparatus and system to determine access information for a phase change memory

Номер патента: US20120075924A1. Автор: Albert Fazio,DerChang Kau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Phase change memory device with improved performance that minimizes cell degradation

Номер патента: US20110255333A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Self-adjusting phase change memory storage module

Номер патента: US09563371B2. Автор: Jing Li,Dinesh C. Verma. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Phase-change memory device for improving resistance drift and dynamic resistance drift compensation method of the same

Номер патента: US11848049B2. Автор: Yunheub Song,Yoonseong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: US8717809B2. Автор: Godferius Adrianus Maria Hurkx,Jesus Perez Gonzales. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-05-06.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: US20120294074A1. Автор: Godferius Adrianus Maria Hurkx,Jesus Perez Gonzales. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-11-22.

Phase change memory, writing method thereof and reading method thereof

Номер патента: US20140376308A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: WO2011095902A1. Автор: Godefridus Adrianus Hurkx,Jesus Perez Gonzalez. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2011-08-11.

Method, apparatus and system to determine access information for a phase change memory

Номер патента: EP2619764A1. Автор: Albert Fazio,DerChang Kau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-07-31.

Phase change memory

Номер патента: US8014194B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US11417395B2. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-16.

Self-referenced and regulated sensing solution for phase change memory with ovonic threshold switch

Номер патента: US20230260574A1. Автор: Philippe Boivin,Jean-Michel PORTAL,Vincenzo DELLA MARCA,Jean-Pierre WALDER,Julien GASQUEZ. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2023-08-17.

Self-referenced and regulated sensing solution for phase change memory with ovonic threshold switch

Номер патента: US11875847B2. Автор: Philippe Boivin,Jean-Michel PORTAL,Vincenzo DELLA MARCA,Jean-Pierre WALDER,Julien GASQUEZ. Владелец: Stmicroelectro Crolles 2 Sas. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for multilevel programming of phase change memory cells using a percolation algorithm

Номер патента: US7639526B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-29.

Phase change memory mask

Номер патента: EP2973579A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Phase change memory mask

Номер патента: US20150085570A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Phase change memory mask

Номер патента: US20170025171A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Phase change memory comprising a low-voltage column decoder

Номер патента: US20080062806A1. Автор: Thierry Giovinazzi,Christophe Rodat. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2008-03-13.

Phase-change memory device

Номер патента: US20100149860A1. Автор: Ho-Seok EM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Phase change memory device

Номер патента: US20120120724A1. Автор: Hyuck-Soo Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-17.

Seasoning phase change memories

Номер патента: US09536606B2. Автор: Ward D. Parkinson,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-01-03.

Program-disturb management for phase change memory

Номер патента: US09508426B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Writing multiple levels in a phase change memory

Номер патента: US09502107B2. Автор: Scott C. Lewis,Chung H. Lam,Thomas M. Maffitt,Jack R. MORRISH. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Phase change memory and control method thereof

Номер патента: US7773411B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-08-10.

Phase change memory current

Номер патента: US09792986B2. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Sandeep K. Guliani,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Three-dimensional convolution operation device and method based on three-dimensional phase change memory

Номер патента: US11989644B2. Автор: Hao Tong,Qing Hu,Xiangshui Miao,Yuhui He. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-05-21.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: EP2377128A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-10-19.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: WO2010083087A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-07-22.

Sensing phase-change memory/test cells for determining whether a cell resistance has changed due to thermal exposure

Номер патента: US09875794B2. Автор: Jason Snodgress,Jason Brand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Phase-change memory

Номер патента: US11817146B2. Автор: Matthias Wuttig,Xiaoling Lu,Julian Pries,Shuai WEI,Yudong CHENG. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2023-11-14.

Phase-change memory

Номер патента: US20220215878A1. Автор: Matthias Wuttig,Xiaoling Lu,Julian Pries,Shuai WEI,Yudong CHENG. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2022-07-07.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20190295642A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20160012888A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: EP3167451A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

Reading Phase Change Memories

Номер патента: US20110176358A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Ward D. Parkinson,Roberto Gastaldi,Giulio Casagrande,Claudio Resta. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2011-07-21.

Phase change memory device with dummy cell array

Номер патента: US20090190393A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-30.

Pulsing synaptic devices based on phase-change memory to increase the linearity in weight update

Номер патента: WO2022268416A1. Автор: Wanki Kim,Sangbum Kim,Matthew Joseph BrightSky,Maxence Bouvier,Fabia CARTER. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-12-29.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20180268899A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20160254050A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Processors and Systems Using Phase-Change Memory with and without Bitline-sharing

Номер патента: US20130314984A1. Автор: Christopher Scoville,Wolfgang Hokenmaier. Владелец: Being Advanced Memory Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US09990989B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: WO2007103220A3. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Pantas Sutardja. Дата публикации: 2007-11-01.

Set and reset operation in phase change memory and associated techniques and configurations

Номер патента: US9613698B2. Автор: DerChang Kau,Prashant Damle,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Davide Fugazza,Gerard H. Joyce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Set and reset operation in phase change memory and associated techniques and configurations

Номер патента: US20160254052A1. Автор: DerChang Kau,Prashant Damle,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Davide Fugazza,Gerard H. Joyce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: WO2007103220A2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2007-09-13.

Accessing a Phase Change Memory

Номер патента: US20100020595A1. Автор: Tyler Lowrey,Ward Parkinson. Владелец: Ward Parkinson. Дата публикации: 2010-01-28.

Using an mos select gate for a phase change memory

Номер патента: WO2004055826A1. Автор: Tyler A. Lowrey,Manzur Gill. Владелец: Ovonyx, Inc.. Дата публикации: 2004-07-01.

Using an mos select gate for a phase change memory

Номер патента: MY134505A. Автор: Tyler Lowrey,Manzur Gill. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2007-12-31.

Method of accelerating phase change memory writes

Номер патента: EP2204816A3. Автор: Gutala Ravi,Ferdinando Bedeschi,Meenatchi Jagasivamani,Anthony Ko,Rich E. Fackenthal,Enzo Donze'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-28.

Accelerating phase change memory writes

Номер патента: US20100169740A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Meenatchi Jagasivamani,Anthony Ko,Rich E. Fackenthal,Enzo Donze,Ravi Gutala. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Conditioning phase change memory cells

Номер патента: US09558817B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Descending set verify for phase change memory

Номер патента: US09552876B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor memory device including phase change memory device and method of accessing phase change memory device

Номер патента: US20200066342A1. Автор: Jin-yong Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: US7679953B2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Memory device including phase change memory cell and operation method thereof

Номер патента: US11948632B2. Автор: Jungyu Lee,Jongryul Kim,Hyunkook Parak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Write Operation Method and Device for Phase Change Memory

Номер патента: US20150117096A1. Автор: Yansong Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Accessing a phase change memory

Номер патента: US8120943B2. Автор: Tyler Lowrey,Ward Parkinson. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Method for reading phase change memories and phase change memory

Номер патента: US20080084735A1. Автор: Ward Parkinson. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-04-10.

Refresh circuitry for phase change memory

Номер патента: US7894254B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Adaptive Wordline Programming Bias of a Phase Change Memory

Номер патента: US20110080777A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Richard E. Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani,Ravi Annavajjhala,Enzo M. Donze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-07.

Adaptive Wordline Programming Bias of a Phase Change Memory

Номер патента: US20110292721A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Richard E. Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani,Ravi Annavajjhala,Enzo M. Donze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Adaptive Wordline Programming Bias of a Phase Change Memory

Номер патента: US20120268984A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Richard E. Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani,Ravi Annavajjhala,Enzo M. Donze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-25.

Multilevel programming of phase change memory

Номер патента: US20130083594A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Multilevel programming of phase change memory

Номер патента: US8446760B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

High-speed and large-current adjustable pulse circuit, operating circuit and operating method of phase-change memory

Номер патента: US20240371438A1. Автор: FAN YANG,Xingsheng Wang,Xiangshui Miao,Yinghao Ma,Chengxu WANG,Menghua HUANG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-11-07.

Block erase for phase change memory

Номер патента: US7755935B2. Автор: Hsiang-Lan Lung,Chung Hon Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-13.

Voltage control circuit for phase change memory

Номер патента: US20110149644A1. Автор: Roger Cuppens. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-06-23.

Read and write circuit of three-dimensional phase-change memory

Номер патента: US20220383951A1. Автор: FAN YANG,Lingjun Zhou,Xingsheng Wang,Xiangshui Miao,Chengxu WANG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-12-01.

Method for low power accessing a phase change memory device

Номер патента: US20100165713A1. Автор: Claudio Resta,Ferdinando Bedeschui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Reading phase change memories with select devices

Номер патента: US20090027951A1. Автор: DerChang Kau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Multilevel programming of phase change memory

Номер патента: US20130077394A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Implementing enhanced performance with read before write to phase change memory

Номер патента: US09754682B2. Автор: Robert Eugeniu Mateescu,Cyril Guyot,Dejan Vucinic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Modified reset state for enhanced read margin of phase change memory

Номер патента: US09520190B2. Автор: Fabio Pellizzer,Daniele Ielmini,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Phase change memory with bipolar junction transistor select device

Номер патента: US7848133B2. Автор: Richard Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Phase change memory with bipolar junction transistor select device

Номер патента: US20090168503A1. Автор: Richard Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Single-ended phase-change memory device and reading method

Номер патента: EP3648108A1. Автор: Guido Torelli,Marco Pasotti,Riccardo Zurla,Alessandro Cabrini,Flavio Giovanni Volpe. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-05-06.

Phase change memory and operation method of the same

Номер патента: US20110044097A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Single-ended phase-change memory device and reading method

Номер патента: US20200135273A1. Автор: Guido Torelli,Marco Pasotti,Riccardo Zurla,Alessandro Cabrini,Flavio Giovanni Volpe. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-04-30.

Phase change memory devices and systems, and related programming methods

Номер патента: US7529124B2. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-05.

Phase change memory devices and systems, and related programming methods

Номер патента: US8159867B2. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-17.

Phase change memory array blocks with alternate selection

Номер патента: WO2011134079A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2011-11-03.

Phase change memory devices and systems having reduced voltage threshold drift and associated methods

Номер патента: US20170243643A1. Автор: Mattia Robustelli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Phase Change Memory Device

Номер патента: US20100290272A1. Автор: Hyuck-Soo Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Phase change memory mask

Номер патента: US20140269043A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Write scheme in phase change memory

Номер патента: CA2793922A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Use of decreasing verify currents in a set programming cycle of a phase change memory

Номер патента: WO2011080770A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Ferdinando Bedeschi. Дата публикации: 2011-07-07.

Phase change memory current

Номер патента: WO2016195873A1. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Sandeep K. Guliani,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-12-08.

Phase change memory device, system including the memory device, and method for operating the memory device

Номер патента: US11756614B2. Автор: Davide Manfre,Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-09-12.

Phase change memory current

Номер патента: EP3304560A1. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Sandeep K. Guliani,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-11.

Reading Phase Change Memories

Номер патента: US20090116281A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Ward D. Parkinson,Roberto Gastaldi,Giulio Casagrande,Claudio Resta. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Mitigating write disturbance errors of phase-change memory module

Номер патента: US20220319593A1. Автор: Hyun Kim,Seung Yong Lee,Hyuk Jae Lee,Hyo Keun Lee. Владелец: Foundation for Research and Business of Seoul National University of Science and Technology. Дата публикации: 2022-10-06.

Paralleled Drive Devices Per Bitline in Phase-Change Memory Array

Номер патента: US20130336053A1. Автор: Christopher Scoville,Wolfgang Hokenmaier. Владелец: Being Advanced Memory Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Program-disturb management for phase change memory

Номер патента: US20150095560A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Mixed mode programming for phase change memory

Номер патента: US20150003149A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Mixed mode programming for phase change memory

Номер патента: US20130003450A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Reducing Temporal Changes in Phase Change Memories

Номер патента: US20110210300A1. Автор: Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Reducing temporal changes in phase change memories

Номер патента: US8228722B2. Автор: Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Programming of phase-change memory cells

Номер патента: US9070438B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Angeliki Pantazi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Resetting phase change memory bits

Номер патента: US20060181922A1. Автор: Rick Dodge,Federica Ottogalli,Egidio Buda,Marco Ferraro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Phase-change memory with multiple polarity bits having enhanced endurance and error tolerance

Номер патента: US20120087182A1. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Phase change memory (pcm) architecture and a method for writing into pcm architecture

Номер патента: US20120250401A1. Автор: Godefridus Adrianus Maria Hurkx,Michiel Jos Van Duuren,Maurits Mario Nicolaas Storms,Erik Maria Van Bussel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-10-04.

Phase-change memory with multiple polarity bits having enhanced endurance and error tolerance

Номер патента: US20130215677A1. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham,William F. Petrie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Phase-change memory with multiple polarity bits having enhanced endurance and error tolerance

Номер патента: US8780622B2. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham,William F. Petrie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

PHASE CHANGE MEMORY USING MULTIPLE PHASE CHANGE LAYERS AND MULTIPLE HEAT CONDUCTORS

Номер патента: US20200395537A1. Автор: Wang Wei,OK Injo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Brew Kevin W.. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Methods of forming a phase-change material layer including tellurium and methods of manufacturing a phase-change memory device using the same

Номер патента: TW200849685A. Автор: Do-Hyung Kim,Shin-Jae Kang,Hyun-Seok Lim,In-sun Park,Gyu-Hwan OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-16.

Implementing enhanced performance with read before write to phase change memory to avoid write cancellations

Номер патента: US09471227B2. Автор: Robert Eugeniu Mateescu,Cyril Guyot,Dejan Vucinic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Phase change memory device using carbon nanotube and method for fabricating the same

Номер патента: US7749801B2. Автор: Kuk-Hwan Kim,Yang-Kyu Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2010-07-06.

Suppressing outlier drift coefficients while programming phase change memory synapses

Номер патента: GB2600890A. Автор: Burr Geoffrey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-11.

Suppressing outlier drift coefficients while programming phase change memory synapses

Номер патента: WO2021038334A1. Автор: Geoffrey Burr. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-03-04.

Suppressing outlier drift coefficients while programming phase change memory synapses

Номер патента: US20210065794A1. Автор: Geoffrey Burr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Phase change memory materials

Номер патента: EP2335297A1. Автор: Bruce G. Aitken,Charlene M. Smith. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2011-06-22.

Phase change memory materials

Номер патента: WO2010024936A1. Автор: Bruce G. Aitken,Charlene M. Smith. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-03-04.

Resistive memory apparatus, selective write circuit therefor, and operation method thereof

Номер патента: US9947404B1. Автор: Kee Teok Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8999745B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150179929A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140166964A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09640758B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Phase change memory apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US8883590B2. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-11.

Phase change memory apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20100327252A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Phase change memory apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20130157434A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Three terminal phase change memory with self-aligned contacts

Номер патента: US12108692B2. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin W. Brew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Phase change memory cell with heat shield

Номер патента: US20140252294A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200373483A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Phase change memory and method for making the same

Номер патента: US20220231224A1. Автор: Zhitang Song,Sannian Song. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2022-07-21.

Methods of manufacturing a phase change memory device including a heat sink

Номер патента: US09431610B2. Автор: Tae-Jin Park,Yoon-Jong Song,Chil-Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Wafer bonded access device for multi-layer phase change memory using lock-and-key alignment

Номер патента: US20110049455A1. Автор: Kuan-Neng Chen,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Phase change memory cells

Номер патента: US09773977B2. Автор: Roberto Bez,Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of manufacturing phase change memory and phase change memory

Номер патента: US20210376237A1. Автор: Yu Zhu,Chung-Hon Lam,Kuo-Feng Lo. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Phase Change Memory Cells And Methods Of Forming Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20140252302A1. Автор: Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Superlattice phase-change thin film with low density change, phase-change memory and preparation method therefor

Номер патента: US20220344584A1. Автор: MENG Xu,Ming Xu,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Jinlong Feng. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-10-27.

Metal oxide liner for cross-point phase change memory cell

Номер патента: US20220102625A1. Автор: Rajesh Venkatasubramanian,Hari Chandrasekaran,Hoi-sung Chung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Phase change memory cell and phase change memory

Номер патента: US20150318469A1. Автор: Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Phase change memory element

Номер патента: US09847479B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Phase change memory cell and phase change memory

Номер патента: US09419216B2. Автор: Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US9837604B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20150364678A1. Автор: Sung-Lae Cho,Dong-ho Ahn,Jung-Hwan Park,Hideki Horii,Jeong-hee Park,Zhe Wu,Jun-Ku Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-17.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: EP3238283A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100059731A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20160181324A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: WO2016105750A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20170125671A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US09559146B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Electronic chip with two phase change memories

Номер патента: US20230309423A1. Автор: Remy Berthelon,Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-09-28.

Applying inert ion beam etching for improving a profile and repairing sidewall damage for phase change memory devices

Номер патента: US20230165169A1. Автор: Robert L. Bruce,Sebastian Ulrich Engelmann,Luxherta Buzi,Lynne Marie Gignac,Thitima Suwannasiri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Phase change memory device capable of satisfying reset current characteristic and contact resistance characteristic

Номер патента: US20100117044A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Phase-change memory cell, and method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US09991316B2. Автор: Carlo Luigi PRELINI,Paola Zuliani,Gianluigi CONFALONIERI,Annalisa GILARDINI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-05.

Phase change memory element

Номер патента: US09735352B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Phase change memory unit and preparation method therefor

Номер патента: US20240065120A1. Автор: Ming Li,Min Zhong,Gaoming FENG. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase change memory cell with superlattice based thermal barrier

Номер патента: US20230077912A1. Автор: Takashi Ando,Kevin W. Brew,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Self-aligned embedded phase change memory cell

Номер патента: US20200161370A1. Автор: Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Single mask adder phase change memory element

Номер патента: US20120168709A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Chung H. Lam,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200303638A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US10811607B2. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Phase change memory cell having pillar bottom electrode with improved thermal insulation

Номер патента: WO2023066649A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for fabricating a phase-change memory cell

Номер патента: US20190006421A1. Автор: Fabio Pellizzer,Michele Magistretti,Cristina Casellato,Monica Vigilante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Boron Surface Passivation of Phase Change Memory Material

Номер патента: US20240099166A1. Автор: Robert L. Bruce,Marinus Johannes Petrus Hopstaken,Luxherta Buzi,Charlie Tabachnick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Hydrogen and Hydrocarbon Plasma Treatment of Phase Change Memory Material

Номер патента: US20240099163A1. Автор: Robert L. Bruce,John M. Papalia,Luxherta Buzi,Lynne Marie Gignac. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Phase change heterostructure, and phase change memory device including the same

Номер патента: US20240065118A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Changyup Park,Youngjae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Novel Nanocomposite Phase-Change Memory Materials and Design and Selection of the Same

Номер патента: US20220407001A1. Автор: Mo Li,Ichiro Takeuchi,Changming Wu,Heshan Yu,Aaron Gilad Kusne. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2022-12-22.

3d phase change memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240224541A1. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Phase change memory device

Номер патента: US20080067487A1. Автор: Tsuyoshi Kawagoe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110312149A1. Автор: Heon Yong Chang,Myoung Sub KIM,Gap Sok DO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Phase-change memory

Номер патента: US20240276894A1. Автор: Philippe Boivin,Roberto Simola,Yohann MOUSTAPHA-RABAULT. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for fabricating a phase-change memory cell

Номер патента: US20150357563A1. Автор: Fabio Pellizzer,Michele Magistretti,Cristina Casellato,Monica Vigilante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Phase change memory cell having pillar bottom electrode with improved thermal insulation

Номер патента: EP4420497A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Thermally optimized phase change memory cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US09698346B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Phase change memory unit and phase change memory

Номер патента: EP4391016A1. Автор: Xiang Li,Hao Tong,Xin Chen,Ping Ma,Yanrong GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Integrated schottky diode phase change memory device

Номер патента: WO2022117279A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-06-09.

Integrated schottky diode phase change memory device

Номер патента: EP4256631A1. Автор: Lawrence Clevenger,Timothy Mathew Philip,Kevin BREW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Phase-change memory structure and phase-change memory device including the same

Номер патента: US20240107778A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Youngjae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20140004680A1. Автор: Seong-Ho EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Method of manufacturing memory device and method of manufacturing phase-change memory device using the same

Номер патента: US20100197111A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Phase change memory and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2004055916A3. Автор: Charles H Dennison. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Confined bridge cell phase change memory

Номер патента: US11980111B2. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kevin W. Brew,Injo OK,Nicole Saulnier,Andrew Herbert Simon,Steven Michael McDermott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Phase-change memory cell

Номер патента: US20180090542A1. Автор: Laurent Favennec,Emmanuel Gourvest,Yannick Le Friec. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-03-29.

Forming phase change memory cells

Номер патента: US20100163827A1. Автор: Fabio Pellizzer,Yudong Kim. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Phase change memory structure to reduce leakage from the heating element to the surrounding material

Номер патента: US09660188B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Chang-Ming Wu,Po-ken Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Phase-change memory with an insulating layer on a cavity sidewall

Номер патента: US11800821B2. Автор: DANIEL Benoit,Philippe Boivin,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-10-24.

Phase-change memory

Номер патента: US20200381617A1. Автор: DANIEL Benoit,Philippe Boivin,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2020-12-03.

Phase-change memory and semiconductor recording/reproducing device

Номер патента: US09490428B2. Автор: Susumu Soeya,Toshimichi Shintani,Takahiro Odaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Phase change memory devices and their methods of fabrication

Номер патента: US7598112B2. Автор: Jae-hee Oh,Jae-Hyun Park,Won-Cheol Jeong,Se-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-06.

Phase change memory with gradual conductance change

Номер патента: US20200219933A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Insulated phase change memory using porous dielectrics

Номер патента: US20230093026A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Anirban Chandra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Embedded heater in a phase change memory material

Номер патента: US11910731B2. Автор: Robert L. Bruce,Ching-Tzu Chen,Jin Ping HAN,Philip Joseph Oldiges. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Insulated phase change memory using porous dielectrics

Номер патента: US11980110B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Anirban Chandra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Phase change memory with multi-level programming

Номер патента: US20230301207A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Embedded heater in a phase change memory material

Номер патента: EP4292141A1. Автор: Robert Bruce,Jin-Ping Han,Ching-Tzu Chen,Philip Joseph Oldiges. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Phase-change memory cell with reduced heater size

Номер патента: US20230292637A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Self-aligned cross-point phase change memory-switch array

Номер патента: US09590012B2. Автор: Jong Won Lee,DerChang Kau,Gianpaolo Spadini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Phase change memory unit and preparation method therefor

Номер патента: US20230363299A1. Автор: Ming Li,Min Zhong,Shoumian Chen,Gaoming FENG. Владелец: Shanghai IC Equipment Material Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Phase-change memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240074334A1. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Phase change memory cell structures and methods

Номер патента: US20110291065A1. Автор: Joseph N. Greeley,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Projected phase change memory devices

Номер патента: US20210305503A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Timothy Mathew Philip,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Optimized phase change memory structure to improve nucleation time variation

Номер патента: US20230371408A1. Автор: LU LIU,Hemant P. Rao,Kumar R. Virwani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Phase change memory cell sidewall heater

Номер патента: US20240107900A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Low current phase-change memory device

Номер патента: US20230397510A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Vertical phase change memory device

Номер патента: WO2024037524A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-02-22.

Reducing contact resistance of phase change memory bridge cell

Номер патента: US20230165170A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zuoguang Liu,Arthur Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Selection element-integrated phase-change memory and method for producing same

Номер патента: US11980109B2. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Insulated phase change memory using porous dielectrics

Номер патента: WO2023041296A1. Автор: Lawrence Clevenger,Timothy Mathew Philip,Kevin BREW,Anirban Chandra. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-03-23.

Phase change memory cell sidewall heater

Номер патента: WO2024060645A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-28.

Phase change memory device having protective layer for protecting phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090242867A1. Автор: Dae Ho Rho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Phase-change memory cell, and method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20170373120A1. Автор: Carlo Luigi PRELINI,Paola Zuliani,Gianluigi CONFALONIERI,Annalisa GILARDINI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-12-28.

Vertical phase change memory device

Номер патента: US20240065119A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Integrated phase change memory cell projection liner and etch stop layer

Номер патента: US20220165949A1. Автор: Robert L. Bruce,Kevin W. Brew,Injo OK,Nicole Saulnier,Matthew Joseph BrightSky,Iqbal Rashid Saraf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Process for manufacturing a phase change memory array in Cu-damascene technology and phase change memory array manufactured thereby

Номер патента: US7259040B2. Автор: Fabio Pellizer,Roberto Bez. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-08-21.

Phase change memory structure to reduce power consumption

Номер патента: US10879463B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yi Jen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Phase change memory structure to reduce power consumption

Номер патента: US20200035919A1. Автор: Shih-Chang Liu,Yi Jen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Fabrication of phase change memory cell in integrated circuit

Номер патента: US20200295261A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Barry Linder,Andrew Tae Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Self-aligned small contact phase-change memory method and device

Номер патента: US20060124916A1. Автор: Hsiang Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Phase-change memory device having a barrier layer and manufacturing method

Номер патента: US7411208B2. Автор: Sung-Lae Cho,Kyung-Chang Ryoo,Young-Nam Hwang,Gwan-Hyeob Koh,Se-Ho Lee,Su-Youn Lee,Chang-Wook Jeong,Su-Jin Ahn,Bong-Jin Kuh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-12.

Phase-change memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20070120106A1. Автор: Shinpei Iijima,Tsutomu Hayakawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-05-31.

Liner for phase change memory (pcm) array and associated techniques and configurations

Номер патента: EP3084830A1. Автор: Qian Tao,Vishwanath Bhat,Zhe Song,Noel Rocklein. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Phase change memory cell galvanic corrosion prevention

Номер патента: US11800817B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hari Prasad Amanapu,Kevin W. Brew,Adra Carr,Injo OK,Nicole Saulnier,Prasad Bhosale,Steven Michael McDermott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Phase-change memory

Номер патента: US12004432B2. Автор: Philippe Boivin,Roberto Simola,Yohann MOUSTAPHA-RABAULT. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-06-04.

Liner for phase change memory (pcm) array and associated techniques and configurations

Номер патента: WO2015094810A1. Автор: Qian Tao,Vishwanath Bhat,Zhe Song,Noel Rocklein. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-06-25.

Phase change memory device having tapered portion of the bottom memory layer

Номер патента: US11805712B2. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Phase change memory

Номер патента: US20240180047A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Self-aligned nano-cross-point phase change memory

Номер патента: US20100163832A1. Автор: DerChang Kau. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Phase change memory with ovonic threshold switch

Номер патента: US20100136742A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2010-06-03.

Reducing oxidation of phase change memory electrodes

Номер патента: US20080020508A1. Автор: Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-24.

Structure and method to form bi-layer composite phase-change-memory cell

Номер патента: US20200144501A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Myung-Hee Na,Injo OK,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Phase change memory with heater

Номер патента: US11895934B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Back side phase change memory

Номер патента: WO2024041049A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-02-29.

Integration of selector on confined phase change memory

Номер патента: US20200411757A1. Автор: Wanki Kim,Chung H. Lam,Robert L. Bruce,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Integrated phase change memory cell projection liner and etch stop layer

Номер патента: GB2616551A. Автор: OK Injo,Saulnier Nicole,Wayne Brew Kevin,Rashid Saraf Iqbal,Joseph Brightsky Matthew,L Bruce Robert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Integration of selector on confined phase change memory

Номер патента: US11968913B2. Автор: Wanki Kim,Chung H. Lam,Robert L. Bruce,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Fabrication of phase change memory cell in integrated circuit

Номер патента: US20210020836A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Barry Linder,Andrew Tae Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09583702B2. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,H.-S. Philip Wong,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-28.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US20150048291A1. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US09653683B2. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Double self-aligned phase change memory device structure

Номер патента: US09640757B2. Автор: Jun-Fei Zheng. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Phase change memory device based on nano current channel

Номер патента: US11765987B2. Автор: Han Li,Xiaomin Cheng,Xiangjun Liu,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG,Yunlai ZHU. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-09-19.

Phase change memory having a funnel-shaped heater and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508927B1. Автор: Yu-Jen Lin,Yi-Fang Tao. Владелец: Ningbo Advanced Memory Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Phase change memory device and fabrication thereof

Номер патента: US20100213432A1. Автор: Chien-Min Lee,Ming-Jeng Huang,Jen-Chi Chuang,Jia-Yo Lin,Min-Chih Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Phase change memory device

Номер патента: US20090194759A1. Автор: Chien-Min Lee,Chin-Fu Kao,Tsung-Shune Chin,Ming-Jinn Tsai. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2009-08-06.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12048258B2. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yuan-Tai Tseng,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Phase change memory and method of fabricating same

Номер патента: US20130048936A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Shih-Chang Liu,Tsun-Kai Tsao,Ming-Huei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240349630A1. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yuan-Tai Tseng,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Phase change memory with concentric ring-shaped heater

Номер патента: US20220416161A1. Автор: Carl Radens,Oscar van der Straten,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Juntao Li,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Phase change memory with conductive rings

Номер патента: US20220416157A1. Автор: Carl Radens,Oscar van der Straten,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu,Praneet Adusumilli,Arthur Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Phase change memory and method of fabricating same

Номер патента: US09525130B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Shih-Chang Liu,Tsun-Kai Tsao,Ming-Huei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Phase change memory with graded heater

Номер патента: US20220416162A1. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160276585A1. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn,H.S. Philip Wong. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-09-22.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US7932102B2. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Byung-Seo Kim,Yoon-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-26.

Phase change memory

Номер патента: US20110193047A1. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Byung-Seo Kim,Yoon-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Forming sublithographic heaters for phase change memories

Номер патента: US09412939B2. Автор: Gianpaolo Spadini,Jong-Won S. Lee. Владелец: Carlow Innovations LLC. Дата публикации: 2016-08-09.

Phase change memory structure comprising phase change alloy center-filled with dielectric material

Номер патента: US20130284999A1. Автор: Jun-Fei Zheng. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Phase-change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060006374A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Small footprint phase change memory cell

Номер патента: US20140166967A1. Автор: Eric A. Joseph,Chung H. Lam,Hsiang-Lan Lung,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Lateral phase change memory

Номер патента: US20110003454A1. Автор: Richard Dodge,Guy Wicker. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-01-06.

Method for manufacturing phase change memory

Номер патента: US20200098986A1. Автор: Takeshi Masuda,Robert Bruce,Koukou Suu,Chung Hon Lam,Fabio Carta,Fraczak Gloria Wing Yun FRACZAK,Matthew BRIGHTSKY. Владелец: Ulvac Technologies Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Phase change memory cell with heater

Номер патента: US20240130256A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Arthur Roy Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Phase change memory cell with heater

Номер патента: WO2024083094A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Arthur Roy Gasasira. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-25.

Phase change memory structures

Номер патента: WO2009042293A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Rajesh A. Rao,Tushar P. Merchant. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-04-02.

Phase change memory cell with resistive liner

Номер патента: WO2022207630A3. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-11-10.

Phase change memory with wrap-around projection liner

Номер патента: EP4399953A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yann Mignot,Injo OK,Mary Claire Silvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Phase change memory cell with resistive liner

Номер патента: CA3207064A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Phase change memory cell with spacer

Номер патента: EP4388835A1. Автор: Andrew Simon,Muthumanickam Sankarapandian,Injo OK,Nicole Saulnier,Steven McDermott,Iqbal SARAF. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-26.

Manufacturing method of phase change memory

Номер патента: US09472759B1. Автор: Shui-Chin Su. Владелец: Ningbo Advanced Memory Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Forming phase change memories

Номер патента: MY135719A. Автор: Chien Chiang,Tyler Lowrey,Charles Dennison. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2008-06-30.

Phase change material for a phase change memory device and method for adjusting the resistivity of the material

Номер патента: WO2010125540A3. Автор: Robertus Adrianus Maria Wolters,Michael Antoine Armand In 'T Zandt,Harry Wondergem. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2011-04-07.

Phase Change Material for a Phase Change Memory Device and Method for Adjusting the Resistivity of the Material

Номер патента: US20120091416A1. Автор: Hendrikus Jan Wondergem,Michael Antoine Armand In 'T Zandt,Robertus Adrainus Maria Wolters. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Phase change material for a phase change memory device and method for adjusting the resistivity of the material

Номер патента: US8792265B2. Автор: Robertus Andrianus Maria Wolters,Hendrikus Jan Wondergem,Michael Antoine Armand In 'T Zandt. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-29.

Phase-change memory

Номер патента: US20140175370A1. Автор: Frederick T. Chen. Владелец: Higgs Opl Capital Llc. Дата публикации: 2014-06-26.

Phase change memory with wrap-around projection liner

Номер патента: WO2023036718A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yann Mignot,Injo OK,Mary Claire Silvestre. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-03-16.

Phase change memory cell with sidewall projection liner

Номер патента: EP4410076A1. Автор: Andrew Simon,Injo OK,Kevin BREW,Matthew T. Shoudy,Timothy Philip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Phase change memory cell with spacer

Номер патента: WO2023021178A1. Автор: Andrew Simon,Muthumanickam Sankarapandian,Injo OK,Nicole Saulnier,Steven McDermott,Iqbal SARAF. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-02-23.

Phase-change memory

Номер патента: US20130196467A1. Автор: Frederick T. Chen. Владелец: Higgs Opl Capital Llc. Дата публикации: 2013-08-01.

One-mask phase change memory process integration

Номер патента: WO2012019843A1. Автор: Chung Hon Lam,Matthew Joseph Breitwisch,Eric Andrew Joseph,Hasiang-Lan Lung. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2012-02-16.

Phase-change memory device with conductive cladding

Номер патента: WO2024093753A1. Автор: Kangguo Cheng,Guy M. Cohen,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-05-10.

Phase-change memory device with conductive cladding

Номер патента: US20240147874A1. Автор: Kangguo Cheng,Guy M. Cohen,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Phase change memory and method of fabricating same

Номер патента: CN102956821A. Автор: 杜友伦,蔡嘉雄,刘世昌,沈明辉,曹淳凯. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-06.

Phase change memory with a dielectric bi-layer

Номер патента: US20200066977A1. Автор: Robert Bruce,Kevin W. Brew,Injo OK,Nicole Saulnier,Iqbal Rashid Saraf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Lateral phase change memory

Номер патента: US20120241704A1. Автор: Richard Dodge,Guy Wicker. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-09-27.

Plasma treating methods of fabricating phase change memory devices, and memory devices so fabricated

Номер патента: US8039297B2. Автор: Dong-ho Ahn,Young-Kuk Kim,Mi-Lim Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-18.

Method for manufcturing phase change memory device

Номер патента: KR100960011B1. Автор: 조상훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-05-28.

Phase change memory cell with a metal layer

Номер патента: US11038106B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Phase change memory cell spacer

Номер патента: US11930724B2. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Injo OK,Nicole Saulnier,Iqbal Rashid Saraf,Andrew Herbert Simon,Steven Michael McDermott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Phase change memory cell with resistive liner

Номер патента: GB2619651A. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Li Juntao,Liu Zuoguang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-13.

Phase change memory cell resistive liner

Номер патента: US20220310913A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Phase change memory cell with sidewall projection liner

Номер патента: WO2023052319A1. Автор: Andrew Simon,Injo OK,Kevin BREW,Matthew T. Shoudy,Timothy Philip. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-04-06.

Phase change memory cell resistive liner

Номер патента: WO2022207630A2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory apparatus, charge pump circuit and voltage pumping method thereof

Номер патента: US09491151B2. Автор: Chi-Yi Shao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US20110075474A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US8130540B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-06.

Phase change memory apparatus and read control method to reduce read disturb and sneak current phenomena

Номер патента: US20190066778A1. Автор: Yung-Feng Lin,Hsin-Yi Ho,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method and apparatus for healing phase change memory devices

Номер патента: US09336878B2. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Tzu-Hsiang Su,Win San Khwa. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Techniques for a multi-step current profile for a phase change memory

Номер патента: US20210391005A1. Автор: Sanjay Rangan,Hemant P. Rao,Shylesh Umapathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Techniques for a multi-step current profile for a phase change memory

Номер патента: US20220165335A1. Автор: Sanjay Rangan,Hemant P. Rao,Shylesh Umapathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: WO2006043230A1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-04-27.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: EP1807840A1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-07-18.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: EP1807840B1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-05-26.

Phase change memory apparatus and read control method to reduce read disturb and sneak current phenomena

Номер патента: US10297316B2. Автор: Yung-Feng Lin,Hsin-Yi Ho,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Memory device including phase change memory cell and operation method thereof

Номер патента: EP3985671B1. Автор: Jungyu Lee,Jongryul Kim,Hyunkook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-09.

Linear phase change memory

Номер патента: US20230044919A1. Автор: Ning Li,Wanki Kim,Devendra K. Sadana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Linear phase change memory

Номер патента: WO2023012011A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Wanki Kim. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-02-09.

Phase change memory with flexible time-based cell decoding

Номер патента: US20150078076A1. Автор: Ryan Jurasek,Aaron D. Willey. Владелец: Being Advanced Memory Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Phase change memory with flexible time-based cell decoding

Номер патента: US20140321200A1. Автор: Ryan Jurasek,Aaron D. Willey. Владелец: Being Advanced Memory Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Phase-change memory element driver circuits using measurement to control current and methods of controlling drive current of phase-change memory elements using measurement

Номер патента: TW200606947A. Автор: Sang-beom Kang,Woo-Yeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-16.

Driver circuit for phase-change memory cells and method of driving phase-change memory cells

Номер патента: EP4123651B1. Автор: Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Agatino Massimo Maccarrone,Marco Ruta,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-24.

Apparatuses and/or methods for operating a memory cell as an anti-fuse

Номер патента: US20200013472A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Apparatuses and/or methods for operating a memory cell as an anti-fuse

Номер патента: US20160180931A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-23.

Apparatuses and/or methods for operating a memory cell as an anti-fuse

Номер патента: US9455033B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Systems and Methods to Reduce the Impact of Short Bits in Phase Change Memory Arrays

Номер патента: US20220319629A1. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Apparatuses and/or methods for operating a memory cell as an anti-fuse

Номер патента: US20140010005A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Systems and methods to reduce the impact of short bits in phase change memory arrays

Номер патента: US11557369B2. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Apparatuses and/or methods for operating a memory cell as an anti-fuse

Номер патента: US09805817B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Retention management for phase change memory lifetime improvement through application and hardware profile matching

Номер патента: US09798654B2. Автор: Philip G. Emma,Eren Kursun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Phase change memory dynamic resistance test and manufacturing methods

Номер патента: US20090175071A1. Автор: Chung Hon Lam,Bipin Rajendran,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-09.

Non-volatile memory device, in particular phase change memory, and reading method

Номер патента: US20190341103A1. Автор: Giovanni Campardo,Paola Zuliani,Roberto Annunziata. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-11-07.

Phase change memory array architecture achieving high write/read speed

Номер патента: US09779813B2. Автор: Scott C. Lewis,Hsiang-Lan Lung,Hsin-Yi Ho,Richard C. Jordan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for reducing a reset current for resetting a portion of a phase change material in a memory cell of a phase change memory device and the phase change memory device

Номер патента: US20100015785A1. Автор: Ji-Hye Yi,Beak-Hyung Cho,Chang-Wook Jeong,Jun-Hyok Kong. Владелец: Jun-Hyok Kong. Дата публикации: 2010-01-21.

Method and apparatus for healing phase change memory devices

Номер патента: US20150371704A1. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Tzu-Hsiang Su,Win San Khwa. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Method and apparatus for healing phase change memory devices

Номер патента: US9620210B2. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Win-San Khwa,Tzu-Hsiang Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Phase change memory device with selector mos transistors and source line clustering

Номер патента: US20190051348A1. Автор: Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Davide Manfre'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-02-14.

Phase change memory word line driver

Номер патента: US20130336055A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Techniques for a multi-step current profile for a phase change memory

Номер патента: US11810617B2. Автор: Sanjay Rangan,Hemant P. Rao,Shylesh Umapathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Techniques for a multi-step current profile for a phase change memory

Номер патента: US11276462B2. Автор: Sanjay Rangan,Hemant P. Rao,Shylesh Umapathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-15.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: WO2024087140A1. Автор: Jianping Li. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Content addressable memory cell and content addressable memory using phase change memory

Номер патента: TW200828315A. Автор: Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-01.

Self-referenced and regulated sensing solution for phase change memory with ovonic threshold switch

Номер патента: US20240153557A1. Автор: Philippe Boivin,Jean-Michel PORTAL,Vincenzo DELLA MARCA,Jean-Pierre WALDER,Julien GASQUEZ. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2024-05-09.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF ACCESSING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200066342A1. Автор: HA Jin-Yong. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Phase-change memory device capable of being operated in both non-volatile memory and volatile memory and method thereof

Номер патента: KR100546322B1. Автор: 김기남,안수진,황영남. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Operation method of phase change memory, phase change memory and memory system

Номер патента: CN115083476A. Автор: 杨海波,刘峻,周光乐. Владелец: Yangtze River Advanced Storage Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Phase change memory with flexible time-based cell decoding

Номер патента: US8879344B1. Автор: Ryan Jurasek,Aaron D. Willey. Владелец: Being Advanced Memory Corp. Дата публикации: 2014-11-04.

Method, apparatus and system to determine access information for a phase change memory

Номер патента: TW201227735A. Автор: Albert Fazio,DerChang Kau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-07-01.

SB-TE-TI PHASE-CHANGE MEMORY MATERIAL AND TI-SB2TE3 PHASE-CHANGE MEMORY MATERIAL

Номер патента: US20140192592A1. Автор: ZHU Min,Song Zhitang,Feng Songlin,Wu Liangcai,Peng Cheng,Rao Feng,REN KUN,ZHOU Xilin. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology Chinese Academy. Дата публикации: 2014-07-10.

Method for programming a phase-change memory device of differential type, phase-change memory device, and electronic system

Номер патента: US20210125668A1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-04-29.

METHOD OF PROGRAMMING A PHASE CHANGE MEMORY AND PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140233307A1. Автор: Hubert Quentin,JAHAN Carine. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-21.

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MULTI-LEVEL PROGRAMMING OF PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140293688A1. Автор: KIM Deok Kee. Владелец: Intellectual Discovery Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-10-02.

Phase-change memory element driver circuits using measurement to control current and methods of controlling drive current of phase-change memory elements using measurement

Номер патента: US7190607B2. Автор: Sang-beom Kang,Woo-Yeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-13.

Multi-level phase change memory device, program method thereof, and memory system including the same

Номер патента: KR101390337B1. Автор: 신종찬,히데키 호리이,배준수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-04-29.

Method for low-stress multilevel reading of phase change memory cells and multilevel phase change memory

Номер патента: CN101908374B. Автор: F·贝代斯基,C·雷斯塔,M·费拉托. Владелец: Hengyi Co. Дата публикации: 2014-04-09.

Method for refreshing phase change memory and phase change memory device

Номер патента: CN114783485A. Автор: 朱峰,丁浩,欧兆熊. Владелец: Alibaba Cloud Computing Ltd. Дата публикации: 2022-07-22.

Method for low-stress multilevel reading of phase change memory cells and multilevel phase change memory

Номер патента: US20100165712A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Method for programming a phase-change memory device of differential type, phase-change memory device, and electronic system

Номер патента: EP3817001B1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-15.

Method for multilevel readout of a phase change memory cell and phase change memory

Номер патента: DE102009050746B4. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Method for programming phase-change memory array to set state and circuit of a phase-change memory device

Номер патента: CN1697082A. Автор: 郭忠根,金杜应,赵栢衡,崔炳吉. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-16.

Phase change memory with overvoltage protection and protection method for phase change memory with overvoltage protection

Номер патента: DE60333199D1. Автор: Guido Torelli,Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta. Владелец: Universita degli Studi di Pavia. Дата публикации: 2010-08-12.

METHOD FOR PRE-PROGRAMMING A PHASE CHANGE MEMORY CELL AND PHASE CHANGE MEMORY CELL

Номер патента: FR3002070B1. Автор: Quentin Hubert,Carine Jahan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-06-24.

Method for low-stress multilevel reading of phase change memory cells and multilevel phase change memory

Номер патента: TWI460729B. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-11.

Phase-change memory device and method of writing a phase-change memory device

Номер патента: US7502251B2. Автор: Byung-Gil Choi,Choong-Keun Kwak,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-10.

Non-volatile phase-change memory device including a distributed row decoder with n-channel MOSFET transistors and related row decoding method

Номер патента: US11908514B2. Автор: Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Alin Razafindraibe,Thibault Mortier. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2024-02-20.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: TW200627457A. Автор: Martijn Henri Richard Lankhorst,Hendrik Gezienus Albert Huizing. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2006-08-01.

Phase change memory and method of controlling phase change memory

Номер патента: TW200926176A. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-16.

Non-volatile memory device, in particular phase change memory, and reading method

Номер патента: EP3564957B1. Автор: Giovanni Campardo,Paola Zuliani,Roberto Annunziata. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-02-24.

Single transistor driver for address lines in a phase change memory and switch (pcms) array

Номер патента: WO2012128884A2. Автор: Raymond W. Zeng,DerChang Kau. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-09-27.

PHASE CHANGE MEMORY, WRITING METHOD THEREOF AND READING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140376308A1. Автор: LEE MING-HSIU,Wu Chao-I. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-12-25.

Memory apparatus with gated phase-change memory cells

Номер патента: US20130322168A1. Автор: Daniel Krebs,Gael Close. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

PHASE CHANGE MEMORY APPARATUS AND READ CONTROL METHOD TO REDUCE READ DISTURB AND SNEAK CURRENT PHENOMENA

Номер патента: US20190066778A1. Автор: Ho Hsin-Yi,Lin Yung-Feng,Chou Yun-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Non-volatile phase-change memory device including a distributed row decoder with n-channel mosfet transistors and related row decoding method

Номер патента: US20240153553A1. Автор: Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Alin Razafindraibe,Thibault Mortier. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2024-05-09.

Cell sensing circuit for phase change memory and methods thereof

Номер патента: US20140153326A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chao-I Wu,Tien-Yen Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-05.

Phase change memory device and read method thereof

Номер патента: KR100707305B1. Автор: 조우영,최병길,김두응,노유환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-04-12.

Phase change memory device with improved reliability, write method thereof, and system including the same

Номер патента: KR100764738B1. Автор: 이광진,김혜진,조우영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-10-09.

Phase change memory device and program method thereof

Номер патента: KR100794654B1. Автор: 이광진,김혜진,김두응,노유환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-14.

Phase change memory device and read method thereof

Номер патента: KR100745601B1. Автор: 오형록,조백형,최병길,김두응. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-08-02.

Phase change memory device and word line driving method thereof

Номер патента: KR100744114B1. Автор: 조우영,조백형,김두응,서종수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-08-01.

Write optimization circuit for phase change memory and write optimization method thereof

Номер патента: CN101770807A. Автор: 宋志棠,蔡道林,陈小刚,陈后鹏. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2010-07-07.

Phase change memory device and program method thereof

Номер патента: KR100757410B1. Автор: 이광진,강상범,조우영,김두응. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-09-11.

Multi-level phase change memory device and write method thereof

Номер патента: KR101308549B1. Автор: 김형준,정창욱,강대환,고승필,신재민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-09-13.

Sensing circuit of a phase change memory and sensing method thereof

Номер патента: US20080316847A1. Автор: Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Phase change memory device performing program loop operation and program method thereof

Номер патента: KR100816752B1. Автор: 박준민,김두응. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-25.

Phase change memory device, system including the memory device, and method for operating the memory device

Номер патента: US20210193220A1. Автор: Davide Manfre,Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-24.

Apparatuses and/or methods for operating a memory cell as an anti-fuse

Номер патента: US20170365353A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Dedicated interface to factory program phase-change memories

Номер патента: SG166730A1. Автор: Kerry Dean Tedrow,Nicholas Hendrickson. Владелец: Numonyx Bv. Дата публикации: 2010-12-29.

Phase change memory word line driver

Номер патента: US20150049543A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Phase change memory structure having low-k dielectric heat-insulating material and fabrication method thereof

Номер патента: US20130175493A1. Автор: Zhitang Song,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-07-11.

Barrier film techniques and configurations for phase-change memory elements

Номер патента: US09419212B2. Автор: Dale W. Collins,Allen Mcteer,Christopher W. Petz,Yongjun J. Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Phase change material layers and phase change memory devices including the same

Номер патента: US20090179185A1. Автор: Matthias Wuttig,Yoon-Ho Khang,Cheol-Kyu Kim,Ki-Joon Kim,Dong-Seok Suh,Youn-Seon Kang,Tae-Yon Lee,Daniel Wamwangi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Odd/even invert coding for phase change memory with thermal crosstalk

Номер патента: US20170220266A1. Автор: Imtiaz Ahmad,Areej Helmi Hamouda,Mohammad Gh. Alfailakawi. Владелец: University of Kuwait. Дата публикации: 2017-08-03.

Detecting Unidirectional Resistance Drift Errors In A Multilevel Cell of a Phase Change Memory

Номер патента: US20160085617A1. Автор: Yan Solihin. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-03-24.

Odd/even invert coding for phase change memory with thermal crosstalk

Номер патента: US09891843B2. Автор: Imtiaz Ahmad,Areej Helmi Hamouda,Mohammad G H. Alfailakawi. Владелец: University of Kuwait. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing phase change memory and phase change memory

Номер патента: US20230024030A1. Автор: Chung-Hon Lam,Dong Gan. Владелец: Beijing Advanced Memory Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Dual trench isolation for a phase-change memory cell and method of making same

Номер патента: US20020081807A1. Автор: Daniel Xu. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US20140209847A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US20120007034A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US20130146831A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US8384057B2. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-26.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US8710480B2. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-29.

Low-power phase-change memory technology with interfacial thermoelectric heating enhancement

Номер патента: US20220115590A1. Автор: Kenneth E. Goodson,Mehdi Asheghi,Raisul Islam,Asir Intisar Khan,Eric Pop,H.-S. Philip Wong,Heungdong Kwon. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-04-14.

Phase change memory device having carbon nano tube lower electrode material and method of manufacturing the same

Номер патента: US7589342B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-15.

Strained transistors and phase change memory

Номер патента: US20230329008A1. Автор: Olivier Weber,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-10-12.

Strained transistors and phase change memory

Номер патента: US20210343788A1. Автор: Olivier Weber,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-11-04.

Strained transistors and phase change memory

Номер патента: US11723220B2. Автор: Olivier Weber,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-08-08.

Set technique for phase change memory

Номер патента: US10884640B2. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Hongmei Wang,Innocenzo Tortorelli,Enrico Varesi,Mattia Boniardi,Koushik Banerjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Set technique for phase change memory

Номер патента: US20190102099A1. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Hongmei Wang,Innocenzo Tortorelli,Enrico Varesi,Mattia Boniardi,Koushik Banerjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Set technique for phase change memory

Номер патента: US20190324671A1. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Hongmei Wang,Innocenzo Tortorelli,Enrico Varesi,Mattia Boniardi,Koushik Banerjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

CIRCUITS RELATING TO THE CALCULATION OF POWER CONSUMPTION OF PHASE CHANGE MEMORY DEVICES, PHASE CHANGE MEMORY SYSTEMS INCLUDING THE SAME, AND METHODS RELATING TO THE CALCULATION OF POWER CONSUMPTION OF PHASE CHANGE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20180267877A1. Автор: Lee Sungeun,JO Sang Gu,KWON Jung Hyun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2018-09-20.

Al-sb-te series phase change material used for phase change memory and method thereof

Номер патента: WO2012088853A1. Автор: 宋志棠,刘波,朱敏,彭程,饶峰,吴良才,周夕琳. Владелец: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所. Дата публикации: 2012-07-05.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling with linear indexing

Номер патента: US11875836B2. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via multi-level wear leveling

Номер патента: US11823725B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling in a round robin fashion

Номер патента: US11869562B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via outlier compensation

Номер патента: US11790969B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling and random swap injection

Номер патента: US11295796B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2022-04-05.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling and outlier compensation

Номер патента: US11670352B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-06-06.

MEMORY APPARATUS WITH GATED PHASE-CHANGE MEMORY CELLS

Номер патента: US20130322166A1. Автор: Close Gael,Krebs Daniel. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-05.

Method of forming phase change layer using Ge precursor for low temperature deposition and method of manufacturing phase change memory device using the same

Номер патента: KR101275799B1. Автор: 이재호,신웅철,강윤선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-06-18.

Phase change memory utilizing carbon nanotube and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2007184561A. Автор: Kuk-Hwan Kim,Yang-Kyu Choi,ヤンキュ チェ,ククファン キム. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2007-07-19.

Three-dimensional phase change memory and control method thereof

Номер патента: CN113410381B. Автор: 李博文,刘峻. Владелец: Yangtze River Advanced Storage Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-19.

Process for producing a phase change memory cell with single crystal phase change material

Номер патента: DE112010003917B4. Автор: Alejandro G. Schrott,Chieh-Fang Chen,Chung Hon Lam. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Electrode configurations to increase electro-thermal isolation of phase-change memory elements and associated techniques

Номер патента: US09608042B2. Автор: Sanjay Rangan,Max F. Hineman,Giulio Albini,Fabio Pellizzer,Stephen W. Russell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120156840A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Chemical mechanical polishing stop layer for fully amorphous phase change memory pore cell

Номер патента: US8492194B2. Автор: Chung H. Lam,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100327250A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for making phase change memory

Номер патента: US8621746B2. Автор: Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor memory apparatus, and impedance calibration circuit and method thereof

Номер патента: US09478267B1. Автор: Kwan Su SHON,Yo Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory apparatus and data input and output method thereof

Номер патента: US20110271063A1. Автор: Seung Wook Kwak. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Memory apparatus embedded with computing function and operation method thereof

Номер патента: US20220236874A1. Автор: Chien-Ti Hou,Wu-Chuan CHENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Synchronous semiconductor memory apparatus and input information latch control method thereof

Номер патента: US20020027829A1. Автор: Shigemasa Ito,Mitsuhiro Higashiho. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-07.

Memory apparatus embedded with computing function and operation method thereof

Номер патента: US11782622B2. Автор: Chien-Ti Hou,Wu-Chuan CHENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory apparatus embedded with computing function and operation method thereof

Номер патента: US20230400997A1. Автор: Chien-Ti Hou,Wu-Chuan CHENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: US09547036B2. Автор: Woocheol Jeong,Imkuk KANG,Sungjun YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Display apparatus, and display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: GB2624569A. Автор: ZHANG Dacheng,Li Dongsheng,Yang Shengji,CHEN Xiaochuan,LU Pengcheng,HUANG Kuanta,LI Yunlong,ZHU Zhijian. Владелец: Yunnan Invensight Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Sputtering target for phase-change memory, film for phase change memory formed by using the target, and method for producing the target

Номер патента: EP1480209A1. Автор: Masataka Isohara Fct.of Nikko Mat. Co.Ltd YAHAGI,Yuichiro Isohara Fct. of Nikko Mat.Co Ltd SHINDO,Hideo Isohara Fact of Nikko Mat. Co. Ltd TAKAMI. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-24.

Sputtering target for phase-change memory, film for phase change memory formed by using the target, and method for producing the target

Номер патента: TW200303369A. Автор: Yuichiro Shindo,Masataka Yahagi,Hideo Takami. Владелец: Nikko Materials Company Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-01.

Sputtering target for phase change-type memory, film for phase change memory formed by using the target, and method for manufacturing the target

Номер патента: JP2012009128A. Автор: 裕一朗 新藤,Yuichiro Shindo,Masataka Yahagi,Hideo Takami,英生 高見,政隆 矢作. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase Change Material and Phase Change Memory Element

Номер патента: KR101333751B1. Автор: 유타 사이토,유지 스토,준이치 코이케,토시야 가마다. Владелец: 도호쿠 다이가쿠. Дата публикации: 2013-11-28.

Phase change material and phase change memory element

Номер патента: TW201115573A. Автор: Yuta Saito,Junichi Koike,Yuji Sutou,Toshiya Kamada. Владелец: Univ Tohoku. Дата публикации: 2011-05-01.

Three-dimensional stacked memory and preparation method thereof

Номер патента: US20210104670A1. Автор: Hao Tong,Xiangshui Miao,Yushan SHEN. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-04-08.

Short bridge phase change memory cells and method of making

Номер патента: US20090289243A1. Автор: Song S. Xue,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-11-26.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A2. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2008-08-14.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A9. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: Roger Switzer. Дата публикации: 2008-10-09.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US09673256B2. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods of forming a phase change layer and methods of fabricating a phase change memory device including the same

Номер патента: US20130143380A1. Автор: Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jeong-hee Park,Doo-Hwan Park,Gyu-Hwan OH,Hye-Young Park,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

Phase-change memory device with tapered thermal transfer layer

Номер патента: US20240237560A1. Автор: Yu-Wen Wang,Fu-Ting Sung,Tsung-Hsueh Yang,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and structure for peltier-controlled phase change memory

Номер патента: WO2006121473A1. Автор: Lia Krusin-Elbaum,Dennis M. Newns. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-11-16.

Phase change storage unit and phase change memory

Номер патента: US20240268242A1. Автор: Xiang Li,Hao Tong,Xin Chen,Ping Ma,Yanrong GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Electrode recessed phase change memory pore cell

Номер патента: US20230189670A1. Автор: Wanki Kim,Robert L. Bruce,Chung Hon Lam,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Phase-change memory and method of forming same

Номер патента: US12075713B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

3D phase change memory with high endurance

Номер патента: US09972660B2. Автор: Wanki Kim,Hsiang-Lan Lung,Chung Hon Lam,Matthew J. BrightSky. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Phase change memory with high endurance

Номер патента: US09793323B1. Автор: Wanki Kim,Hsiang-Lan Lung,Chung Hon Lam,Matthew J. BrightSky. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Phase-Change Memory Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: KR101124340B1. Автор: 이민용,채수진,이금범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-16.

Phase-Change Memory Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: KR101097432B1. Автор: 양기호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-23.

Phase change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8071970B2. Автор: Chien-Min Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2011-12-06.

Phase change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US7915602B2. Автор: Natsuki Sato. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-03-29.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US10177198B2. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Phase change memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: TW200847400A. Автор: Chien-Min Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-12-01.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20170358629A1. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Programmable phase-change memory and method therefor

Номер патента: US20120230100A1. Автор: Karen Attenborough,Hans Boeve,Niek Lambert,Victor Van Acht. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Method for producing a pillar-shaped phase change memory device

Номер патента: US9954032B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20190140023A1. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Phase change memory cell with ovonic threshold switch

Номер патента: US11910734B2. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Robert L. Bruce,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Phase change memory cell

Номер патента: GB2617734A. Автор: Mehta Sanjay,Sankarapandian Muthumanickam,OK Injo,Bao Ruqiang,Saulnier Nicole,Herbert Simon Andrew,Brew Kevin,Rashid Saraf Iqbal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Phase change memory cell with ovonic threshold switch

Номер патента: US20230309422A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Robert L. Bruce,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Programmable phase-change memory and method therefor

Номер патента: EP1829110A2. Автор: Karen Attenborough,Hans Boeve,Niek Lambert,Victor Van Acht. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-09-05.

Phase change memory cell with a wrap around and ring type of electrode contact and a projection liner

Номер патента: US20220181546A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kevin W. Brew,Sanjay C. Mehta,Ruqiang Bao,Injo OK,Nicole Saulnier,Iqbal Rashid Saraf,Andrew Herbert Simon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A3. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: Roger Switzer. Дата публикации: 2008-11-27.

Lateral phase change memory cell

Номер патента: US20230309425A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Phase change memory cell with projection liner

Номер патента: WO2022123367A1. Автор: Ruqiang Bao,Injo OK,Nicole Saulnier,Kevin BREW,Prasad Bhosale,Iqbal Rashid Saraf,Andrew Herbert Simon. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2022-06-16.

Phase change memory cell with projection liner

Номер патента: GB2616808A. Автор: OK Injo,Bhosale Prasad,Bao Ruqiang,Saulnier Nicole,Herbert Simon Andrew,Brew Kevin,Rashid Saraf Iqbal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Nonvolatile phase change memory cell having a reduced contact area

Номер патента: US7728318B2. Автор: Usha Raghuram,S. Brad Herner. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Method and structure for peltier-controlled phase change memory

Номер патента: EP1878064A1. Автор: Lia Krusin-Elbaum,Dennis M. Newns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-16.

Phase-change memory and method of forming same

Номер патента: US20210202837A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Phase-Change Memory and Method of Forming Same

Номер патента: US20230320239A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of Forming Phase-Change Memory Layers on Recessed Electrodes

Номер патента: US20230309424A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Phase change memory device and fabricating method of the same

Номер патента: KR100682937B1. Автор: 강윤호,서동석,송미정,레니아신 바실리,세르게이 안토노브. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-02-15.

Phase-Change Material Layer and Phase-Change Memory Device Including the Phase-Change Material Layer

Номер патента: US20080073637A1. Автор: Yong-ho Ha,Hee-Ju SHIN,Doo-Hwan Park,Sang-Wook Lim,Bong-Jin Kuh,Han-Bong Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Phase change memory cell with second conductive layer

Номер патента: US20210020833A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Phase change memory cells and methods of forming phase change memory cells

Номер патента: US9136467B2. Автор: Roberto Bez,Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-15.

Phase change material, phase change memory chip, memory device and electronic device

Номер патента: CN115101666A. Автор: 李响,马平. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-23.

Phase change memory integrated unit of gate tube, preparation method of integrated unit and phase change memory device

Номер патента: CN112652712B. Автор: 徐�明,缪向水,徐开朗. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-08-12.

Process for manufacturing a phase change memory array in Cu-damascene technology and phase change memory array manufactured thereby

Номер патента: US20050064606A1. Автор: Fabio Pellizzer,Roberto Bez. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-03-24.

Phase change memory unit and phase change memory

Номер патента: WO2023036307A1. Автор: 李响,陈鑫,马平,童浩,郭艳蓉. Владелец: 华为技术有限公司. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor memory device, phase change memory device and method of manufcturing the same

Номер патента: TW200725613A. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-07-01.

Phase change memory device and fabrications thereof

Номер патента: TWI297948B. Автор: Chien Min Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-06-11.

Phase change memory array and fabrication thereof

Номер патента: US7679075B2. Автор: Te-Sheng Chao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Sublithographic contact structure, in particular for a phase change memory cell, and fabrication process thereof

Номер патента: EP1439583A1. Автор: Fabio Pellizzer,Osama Khouri,Giorgio Pollaccia. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-07-21.

Storage node, phase change memory device and methods of operating and fabricating the same

Номер патента: US8742514B2. Автор: Dong-Seok Suh,Tae-Seong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-03.

Storage node, phase change memory device and methods of operating and fabricating the same

Номер патента: US20090095952A1. Автор: Dong-Seok Suh,Tae-Sang Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-16.

Phase change memory device having tapered portion of the bottom memory layer

Номер патента: US20230380305A1. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for forming a memory device with at least one memory cell, in particular a phase change memory cell, and memory device

Номер патента: US20070287251A1. Автор: Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-13.

Phase change memory device having increased contact area between bottom electrode contact layer and phase change layer, and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2008103727A. Автор: Yoon-Ho Khang,閏浩 姜,Ki-Joon Kim,基俊 金,Dong-Seok Suh,東碩 徐. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Phase-change memory device and method

Номер патента: US11925127B2. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Method for forming a phase change memory (pcm) cell with a low deviation contact area between a heater and a phase change element

Номер патента: US20200028075A1. Автор: Shih-Chang Liu,Yi Jen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Phase change memory unit and preparation method thereof

Номер патента: CN112635667B. Автор: 钟旻,李铭,冯高明. Владелец: Shanghai IC Equipment Material Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

Phase change memory unit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN112840459A. Автор: 刘峻. Владелец: Yangtze River Advanced Storage Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-25.

Phase change memory elements using self-aligned phase change material layers and methods of making and using the same

Номер патента: EP2325911A3. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-06.

Phase change memory elements using self-aligned phase change material layers and methods of making and using same

Номер патента: KR101067969B1. Автор: 준 리우. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2011-09-26.

Phase change memory devices employing cell diodes and methods of fabricating the same

Номер патента: KR20060110559A. Автор: 박재현,오재희,정원철,이세호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-25.

Integrated circuit having phase change memory with high endurance and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI625875B. Автор: 金完起,龍翔瀾,馬修 必實凱,仲漢 林. Владелец: 國際商業機器股份有限公司. Дата публикации: 2018-06-01.

Phase change memory and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102569648B. Автор: 三重野文健,何有丰. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2014-09-03.

Phase change memory and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1677372A1. Автор: Greg Atwood,Charles C. Kuo,Yudong Kim,Ilya V. Karpov. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-07-05.

Phase change memory unit and preparation method thereof

Номер патента: CN112635667A. Автор: 钟旻,李铭,冯高明. Владелец: Shanghai IC Equipment Material Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-09.

Phase change memory and preparation method thereof

Номер патента: CN102544358A. Автор: 三重野文健,何有丰. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2012-07-04.

Phase change memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101052869B1. Автор: 장헌용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-07-29.

Phase change memory and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102569648A. Автор: 三重野文健,何有丰. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2012-07-11.

Phase change memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101058497B1. Автор: 최미라. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-08-23.

Three-dimensional phase change memory and preparation method thereof

Номер патента: CN113437212B. Автор: 刘峻. Владелец: Yangtze River Advanced Storage Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Phase-Change Memory Device and Method

Номер патента: US20240164223A1. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Phase change memory (PCM) device and fabricating method thereof

Номер патента: TW200725809A. Автор: Chien-Min Lee,Wen-Han Wang,Yen Chuo,Hong-Hui Hsu,Yi-Chan Chen,Wei-Su Chen,Min Hung Lee,Te Sheng Chao. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-07-01.

Phase change memory device having phase change layer spacer, and fabricating method thereof

Номер патента: KR100639999B1. Автор: 윤성민,이승윤,류상욱,이남열,유병곤,박영삼,최규정. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2006-11-01.

Phase change memory device having a small contact size between phase change layer and heating electrode and fabricating method thereof

Номер патента: KR100833505B1. Автор: 윤성민,이승윤,이남열,유병곤,박영삼,최규정. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2008-05-29.

Phase-change memory cell with mixed-material switchable region

Номер патента: WO2024120160A1. Автор: Wanki Kim,Cheng-Wei Cheng,Robert L. Bruce,Guy M. Cohen,Asit Ray,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-13.

Phase-change memory cell with mixed-material switchable region

Номер патента: US20240196766A1. Автор: Wanki Kim,Cheng-Wei Cheng,Robert L. Bruce,Guy M. Cohen,Asit Ray,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Phase change structure, method of forming a phase change layer, phase change memory device and method of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: TW201135999A. Автор: Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jeong-hee Park,Doo-Hwan Park,Gyu-Hwan OH,Hye-Young Park,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-16.

Metal nitride keyhole or spacer phase change memory cell structures

Номер патента: US09627612B2. Автор: Chung Hon Lam,Sangbum Kim,Matthew Joseph BrightSky,Norma Edith Sosa Cortes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Phase Change Memory with Various Grain Sizes

Номер патента: US20140110656A1. Автор: Fu-Liang Yang,Tzyh-Cheang Lee,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Phase change memory with adjustable resistance ratio and fabricating method thereof

Номер патента: TW200703640A. Автор: Wen-Han Wang,Jiuh-Ming Liang,Jyi-Tyan Yeh,Shan-Haw Chiou. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-01-16.

Phase-Change Memory Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: KR100985756B1. Автор: 박형순,신종한,유철휘,박점용,김성준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-10-06.

Phase-Change Memory Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: KR100945790B1. Автор: 강현석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-08.

Phase-change memory and fabrication method thereof

Номер патента: TW200834882A. Автор: Yen Chuo,Hong-Hui Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-08-16.

Phase change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070291533A1. Автор: Chien-Min Lee,Wen-Han Wang,Yen Chuo,Min-Hung Lee,Hong-Hui Hsu,Te-Sheng Chao,Yi-Chan Chen,Wei-Su Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Bridge cell phase change memory

Номер патента: US20230200266A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Phase change memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: TW201123440A. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2011-07-01.

Phase change memory with reduced programming current

Номер патента: US20230284543A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zuoguang Liu,Arthur Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Shunted phase change memory

Номер патента: US20070242504A1. Автор: Guy Wicker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Phase change structure with composite doping for phase change memory

Номер патента: TW201110437A. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung,Chieh-Fang Chen,Simone Raoux,Ming-Hsiu Lee,Yen-Hao Shih,Matthew J Breitwisch,Chung-Hon Lam,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-16.

Phase change material, phase change memory unit and preparation method thereof

Номер патента: CN111244271B. Автор: 宋志棠,赵进,宋文雄. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2021-12-21.

Al-Sc-Sb-Te phase-change material, phase-change memory unit and preparation method thereof

Номер патента: CN110148668B. Автор: 宋志棠,刘广宇,宋三年,吴良才,章思帆. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2022-05-17.

Shunted phase change memory

Номер патента: US7916514B2. Автор: Guy Wicker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Phase change memories and fabrication method

Номер патента: US20140151628A1. Автор: Ying Li,GuanPing WU,Neil Zhu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Phase change memory and fabrication method

Номер патента: US20150090954A1. Автор: Ying Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Phase change alloy material, phase change memory and preparation method of phase change alloy material

Номер патента: CN110718628A. Автор: 徐�明,徐萌,缪向水. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-01-21.

Method for manufacturing phase-change memory device having multi-resistance using block copolymer and multi-layered phase-change memory device having multi-resistance manufactured by the same

Номер патента: KR101339400B1. Автор: 김청수,이정용,윤종문,김용인. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2013-12-10.

Phase change memory unit structure, phase change memory unit and its forming method

Номер патента: CN101047230A. Автор: 杨智超,黄洸汉,T·J·多尔顿,C·J·拉登斯,J·C·阿诺德,L·L·赫萨,M·C·盖迪斯,L·A·克莱文杰. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-10-03.

Phase change memory and method of forming phase change memory

Номер патента: JP4873859B2. Автор: エイ ラウリー，タイラー,チアン，チエン,エイチ デニソン，チャールズ. Владелец: オヴォニクス，インコーポレイテッド. Дата публикации: 2012-02-08.

phase-change memory device, flexible phase-change memory device using insulating nano-dot and manufacturing method for the same

Номер патента: KR101202506B1. Автор: 정재원,최재석,정연식,이건재,유병국,황건태,문범호. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2012-11-16.

Dome-shaped phase change memory mushroom cell

Номер патента: US20230413694A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Louis Zuoguang Liu,Arthur Roy Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Dome-shaped phase change memory mushroom cell

Номер патента: WO2023248048A1. Автор: Kangguo Cheng,Louis Liu,Juntao Li,Arthur Gasasira. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-12-28.

Plasma treating methods of fabricating phase change memory devices, and memory devices so fabricated

Номер патента: TW201017945A. Автор: Dong-ho Ahn,Young-Kuk Kim,Mi-Lim Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-01.

Planarization stop layer in phase change memory integration

Номер патента: US20110062559A1. Автор: Yu Zhu,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Phase Change Material for a Phase Change Memory Device and Method for Adjusting the Resistivity of the Material

Номер патента: US20120091416A1. Автор: Hendrikus Jan Wondergem,Michael Antoine Armand In 'T Zandt,Robertus Adrainus Maria Wolters. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Dielectric mesh isolated phase change structure for phase change memory

Номер патента: TW201015763A. Автор: RAOUX SIMONE,Chung Lam,Hsiang-Lan Lung,Chieh-Fang Chen,Ming-Hsiu Lee,Yen-Hao Shih,Matthew J Breitwisch,Baumann H Frieder,Flaitz Philip. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-16.

Phase change memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101052863B1. Автор: 장헌용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-07-29.

Phase change memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20150042654A. Автор: 김영환,김용태,최민호,강길범,김용태김용태,김영환김영환,강길범강길범,최민호최민호. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2015-04-21.

Bilateral two terminal phase change memory element using tunneling layer and operation method thereof

Номер патента: KR102211710B1. Автор: 송윤흡. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-02-02.

Phase change memory device including phase change device connected to transistor in parallel

Номер патента: KR100656280B1. Автор: 오상현,홍석경,이계남. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-12-11.

Methods for reducing a contact area between heating electrode and phase-change material layer, phase-change memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: TWI333273B. Автор: Teddy Lin,Te Chun Wang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2010-11-11.

Phase change memory element and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4424604B2. Автор: 憲 龍 張. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-03.

Phase change memory and manufacturing method and reading method thereof

Номер патента: CN112234140B. Автор: 刘峻. Владелец: Yangtze River Advanced Storage Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-16.

Phase change material, phase change memory cell and preparation method therefor

Номер патента: US20220328761A1. Автор: Yuan Xue,Zhitang Song,Sannian Song. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2022-10-13.

Bilateral two terminal phase change memory element with reconfigurable depletion layer and operation method thereof

Номер патента: KR102230199B1. Автор: 송윤흡. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-03-19.

Methods for reducing a contact area between heating electrode and phase-change material layer, phase-change memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: TW200845363A. Автор: Teddy Lin,Te-Chun Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-16.

Phase-change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR20060001094A. Автор: 장헌용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-06.

Phase change memory structure comprising phase change alloy center-filled with dielectric material

Номер патента: KR102117124B1. Автор: 준페이 젱. Владелец: 엔테그리스, 아이엔씨.. Дата публикации: 2020-05-29.

Phase change memory

Номер патента: EP4315443A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,Youngseok Kim,Injo OK,Timothy Philip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Phase change memory

Номер патента: US20200328347A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Method and system for mitigating write amplification in a phase change memory-based storage device

Номер патента: WO2019010044A1. Автор: Shu Li,Ping Zhou. Владелец: ALIBABA GROUP HOLDING LIMITED. Дата публикации: 2019-01-10.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8415197B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-04-09.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8283651B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US20120329222A1. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Phase change memory elements using energy conversion layers, memory arrays and systems including same, and methods of making and using same

Номер патента: US20120281466A1. Автор: Jun Liu,Mike Violette,Jon Daley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Method, apparatus, and system for phase change memory packaging

Номер патента: SG146560A1. Автор: Amip Shah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Tone inversion integration for phase change memory

Номер патента: US20190139765A1. Автор: Robert L. Bruce,Hsinyu Tsai,Matthew J. BrightSky,John M. Papalia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

GaSbGe phase change memory materials

Номер патента: US09917252B2. Автор: Hsiang-Lan Lung,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Forming Heaters for Phase Change Memories

Номер патента: US20120121864A1. Автор: Silvia Borsari,Carla Maria Lazzari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-17.

Three-dimensional phase-change memory and methods

Номер патента: WO2024098376A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Ta-Sb-Te phase-change material, phase-changing memory unit and preparation method thereof

Номер патента: CN108899417A. Автор: 宋志棠,郭天琪,薛媛,宋三年. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2018-11-27.

Si/Sb superlattice phase-change thin-film material for phase-change memory and preparation method of Si/Sb superlattice phase-change thin-film material

Номер патента: CN105489758A. Автор: 郑龙,袁丽,吴卫华,邹华,胡益丰,朱小芹,吴世臣,眭永兴,张建豪. Владелец: Jiangsu University of Technology. Дата публикации: 2016-04-13.

Memory array, preparation method of memory array, phase change memory and memory chip

Номер патента: CN115548049A. Автор: 马平,蓝天. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-30.

AL-SB-TE PHASE CHANGE MATERIAL USED FOR PHASE CHANGE MEMORY AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130334469A1. Автор: LIU Bo,ZHU Min,Song Zhitang,Wu Liangcai,Peng Cheng,ZHOU Xilin,Rao Fang. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

Methods Of Manufacturing Non-Volatile Phase-Change Memory Devices

Номер патента: US20120088347A1. Автор: Dong-ho Ahn,Young-Kuk Kim,Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-12.

Phase change memory device having 3 dimensional stack structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20110147690A1. Автор: Ki Ho Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Method of manufacturing phase change memory device and method of forming phase change layer applied in the same

Номер патента: KR101263822B1. Автор: 이재호,신웅철,강윤선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-05-13.

Metal doped ge-sb-te-based multivalue storage phase-change material and phase-change memory

Номер патента: CN105393375A. Автор: 童浩,缪向水,赵俊峰,徐荣刚,张树杰,余念念. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-09.

Phase change memory

Номер патента: FR3124891A1. Автор: Laurent Favennec,Fausto Piazza. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-01-06.

Phase-change memory with two-portioned phase-change layer

Номер патента: US11302865B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Method of manufacturing phase change memory device and method of forming phase change layer applied in the same

Номер патента: KR20080035864A. Автор: 이재호,신웅철,강윤선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-04-24.

Horizontal phase change memory and producing method thereof

Номер патента: CN1507088A. Автор: G·C·维克,G��C����ά˹. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-06-23.

Phase change memory and manufacturing method thereof

Номер патента: CN113629099A. Автор: 刘广宇,杨海波,刘峻,付志成,彭文林. Владелец: Yangtze River Advanced Storage Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-09.

Three-dimensional phase change memory and preparation method thereof

Номер патента: CN112968126B. Автор: 刘峻. Владелец: Yangtze River Advanced Storage Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-25.

Phase change memory device in which a phase change layer is stably formed and prevented from lifting and method for manufacturing the same

Номер патента: US7910908B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-22.

Memory apparatus to write and read data, and method thereof

Номер патента: EP1980940A3. Автор: Sang-Hoon Lee,Geun-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-30.

Display apparatus and control device and control method thereof

Номер патента: US20240355259A1. Автор: Po-Sheng LIAO,Tso-Hua Chien. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor apparatus, solid state imaging device, imaging apparatus and electronic equipment, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09881962B2. Автор: Hidetsugu Otani,Yuuji Kishigami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Touch control apparatus and noise compensating circuit and method thereof

Номер патента: US09830018B2. Автор: Chang-Po Chao,Yi-Chuan Lu,chang-xian Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-11-28.

Information detection and display apparatus, and detecting method and displaying method thereof

Номер патента: US09589170B2. Автор: YAN Ling. Владелец: Shanghai Oxi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for detecting etching endpoint, and etching apparatus and etching system using the method thereof

Номер патента: US6669810B1. Автор: Hiroyuki Tanaka,Toshiyuki Nakamura,Toshiya Miyazaki,Toshihiro Hayami,Tadao Nakatsuka. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2003-12-30.

Host apparatus connected to image forming apparatus and power save mode control method thereof

Номер патента: US20130305072A1. Автор: Sung-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-14.

Action evaluation model building apparatus and action evaluation model building method thereof

Номер патента: US11397471B2. Автор: Chen-Kuo Chiang,Yun-Zhong LU,Bo-Nian CHEN. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2022-07-26.

Electronic apparatus and under-screen fingerprint sensing method thereof

Номер патента: US20200210677A1. Автор: Chen-Chang Huang. Владелец: Egis Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Silicon storage apparatus and its controller, and operating method thereof

Номер патента: US20080126656A1. Автор: Chi-Tung Chang,Shih-Min Lan,Hungchou Tsai. Владелец: Alcor Micro Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Phase change memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US7599216B2. Автор: Yoon-Ho Khang,Dong-Seok Suh,Jin-seo Noh,Mi-Jeong Song,Vassili Leniachine. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-06.

Apparatus and method for treating a substrate

Номер патента: US9793476B2. Автор: Ju Hwan Park,Dong Ho Ryu,Byung Chul Cho. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Phase change memory device and fabricating method of the same

Номер патента: KR100707182B1. Автор: 강윤호,서동석,송미정,노진서,레니아신 바실리. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-04-13.

Phase change memory and manufacturing method thereof

Номер патента: CN113270545A. Автор: 李承翰,刘峻志,廖昱程,邱青松. Владелец: Quanxin Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Two-bit phase change memory based on heterogeneous stack and resistance value measuring method thereof

Номер патента: CN113921707A. Автор: 徐�明,缪向水,沈颖华. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-01-11.

Methods of forming phase-change memory units, and methods of manufacturing phase-change memory devices using the same

Номер патента: US20090258477A1. Автор: Hong-Sik Jeong,Gi-Tae Jeong,Yoon-Jong Song,Kyung Chang Ryoo,Jung-Hoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-15.

Methods of forming phase-change memory units, and methods of manufacturing phase-change memory devices using the same

Номер патента: US8043924B2. Автор: Jung-Hoon Park,Hong-Sik Jeong,Kyung-Chang Ryoo,Gi-Tae Jeong,Yoon-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-25.

A kind of three-dimensional stacked phase change memory array device and preparation method thereof

Номер патента: CN105655368B. Автор: 宋志棠,刘波,刘燕,宋三年. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2018-09-25.

Gold-semiconductor phase change memory for archival data storage

Номер патента: WO2007005323A3. Автор: Leonard Forbes,Paul A Farrar,Alan R Reinberg. Владелец: Alan R Reinberg. Дата публикации: 2007-05-18.

Gold-semiconductor phase change memory for archival data storage

Номер патента: WO2007005323A2. Автор: Leonard Forbes,Paul A. Farrar,Alan R. Reinberg. Владелец: Micron Electronics, Inc.. Дата публикации: 2007-01-11.

Chemical-mechanical polishing method for polishing phase-change material and method of fabricating phase-change memory device using the same

Номер патента: US20100227435A1. Автор: Joon-Sang Park,Chung-Ki Min,Dong-Keun Kim,Yeol Jon,Chang-sun Hwang,Tae-eun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-09.

Methods of forming phase change materials and methods of forming phase change memory circuitry

Номер патента: KR101304753B1. Автор: 티모시 에이. 퀵,유진 피. 마쉬,스테판 우렌브로크. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2013-09-05.

Microfluidic apparatus, and drive circuit and drive method thereof

Номер патента: US12030054B2. Автор: Xiao Chen,Yi Wang,Baiquan LIN,Ping Su,Kerui XI,Huihui Jiang,Aowen LI. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

PHASE CHANGE MEMORY APPARATUS AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130157434A1. Автор: LEE Jang Uk. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

Phase change memory device having phase change layer spacer, and fabricating method thereof

Номер патента: KR100651756B1. Автор: 윤성민,이승윤,류상욱,이남열,유병곤,박영삼,최규정. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2006-12-01.

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE CAPABLE OF REDUCING DISTURBANCE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130071985A1. Автор: LEE Jang Uk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

PHASE CHANGE MEMORY STRUCTURE HAVING LOW-K DIELECTRIC HEAT-INSULATING MATERIAL AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130175493A1. Автор: Song Zhitang,Feng Songlin,Wu Liangcai. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-11.

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20140166964A1. Автор: Lee Il Yong. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-06-19.

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE HAVING SELF-ALIGNED BOTTOM ELECTRODE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20140242773A1. Автор: KIM Jin Hyock,Kwon Young Seok,CHAE Su Jin. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-08-28.

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20150179929A1. Автор: Lee Il Yong. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

Phase-Change Memory Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: KR101019984B1. Автор: 이민용,채수진,이금범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-03-09.

Tellurium (Te) Precursors for Making Phase Change Memory Materials

Номер патента: US20130129603A1. Автор: Manchao Xiao,Thomas Richard Gaffney. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

PHASE CHANGE MEMORY CELL AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130292629A1. Автор: LIU Bo,LI Ying,Zhong Min,Song Zhitang,Zhang Ting,Feng Songlin. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

PHASE CHANGE MEMORY AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20180269393A1. Автор: Zhang Chao,ZHOU Ru Ling,ZHANG Qing Yong. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Apparatus for configuring partitions within phase change memory of tablet computer with integrated memory controller emulating mass storage to storage driver based on request from software

Номер патента: US09529708B2. Автор: James B. Crossland,Blaise Fanning,Leena K. Puthiyedath,Toby Opferman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Ge precursor, GST thin layer formed using the same, phase-change memory device including the GST thin layer, and method of manufacturing the GST thin layer

Номер патента: US7518007B2. Автор: Jung-hyun Lee,Bum-seok Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-14.

Phase change memory with diodes embedded in substrate

Номер патента: US9276209B2. Автор: Fu-Liang Yang,ChiaHua Ho,Fang-Shi Jordan Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Small electrode for phase change memories

Номер патента: US20090121212A1. Автор: Russell C. Zahorik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Phase change memory device, storage system having the same and fabricating method of the same

Номер патента: KR101766222B1. Автор: 박정희,박혜영,권현숙. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2017-08-09.

Phase-change material layer and phase-change memory device including the phase-change material layer

Номер патента: KR100807230B1. Автор: 신희주,박두환,임상욱,구봉진,하용호,고한봉. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-02-28.

Phase-change material and associated resistive phase-change memory

Номер патента: US20220020923A1. Автор: Marie-Claire Cyrille,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-01-20.

Phase Change Memory Cells And Methods Of Forming Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20140252302A1. Автор: Van Gerpen Damon E.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-09-11.

PHASE CHANGE MEMORY AND METHOD OF FABRICATING THE PHASE CHANGE MEMORY

Номер патента: US20140291603A1. Автор: SONG Yun Heub. Владелец: Intellectual Discovery Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-10-02.

PHASE CHANGE MEMORY CELL AND PHASE CHANGE MEMORY

Номер патента: US20150318469A1. Автор: LI QUN-QING,FAN SHOU-SHAN,Liu Peng,JIANG KAI-LI. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

PHASE-CHANGE MEMORY CELL, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE PHASE-CHANGE MEMORY CELL

Номер патента: US20170373120A1. Автор: Prelini Carlo Luigi,ZULIANI Paola,CONFALONIERI Gianluigi,GILARDINI Annalisa. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Chemical Mechanical Polishing Slurry Composition for Polishing Phase-Change Memory Device and Method for Polishing Phase-Change Memory Device Using the Same

Номер патента: US20090294749A1. Автор: In Kyung Lee,Tae Young Lee,Byoung Ho Choi,Yong Soon Park. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Chemical Mechanical Polishing Slurry Composition for Polishing Phase-Change Memory Device and Method for Polishing Phase-Change Memory Device Using the Same

Номер патента: US20090001339A1. Автор: In Kyung Lee,Tae Young Lee,Byoung Ho Choi,Yong Soon Park. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Chemical Mechanical Polishing Slurry Composition for Polishing Phase-Change Memory Device and Method for Polishing Phase-Change Memory Device Using the Same

Номер патента: US20090001340A1. Автор: In Kyung Lee,Tae Young Lee,Byoung Ho Choi,Yong Soon Park. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Chemical mechanical polishing slurry composition for polishing phase-change memory device and method for polishing phase-change memory device using the same

Номер патента: US8586464B2. Автор: In Kyung Lee,Tae Young Lee,Byoung Ho Choi,Yong Soon Park. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2013-11-19.

Antimony-rich high-speed phase change material for phase change memory, method for preparing antimony-rich high-speed phase change material and application of material

Номер патента: CN102800808A. Автор: 宋志棠,朱敏,彭程,饶峰,吴良才. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2012-11-28.

Preparation method of three-dimensional phase change memory and three-dimensional phase change memory

Номер патента: CN113517311A. Автор: 刘峻,杨红心,田宝毅,高王荣. Владелец: Yangtze River Advanced Storage Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-19.

Chemical mechanical polishing slurry composition for polishing phase-change memory device and method for polishing phase-change memory device using the same

Номер патента: TW200901302A. Автор: Byoung-ho Choi,In-Kyung Lee,Tae-Young Lee,Yong-Soon Park. Владелец: Cheil Ind Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

PHASE CHANGE MEMORY APPARATUSES AND METHODS OF FORMING SUCH APPARATUSES

Номер патента: US20150340408A1. Автор: Russo Ugo,Redaelli Andrea,Servalli Giorgio. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-11-26.

Methods of Forming Phase Change Materials and Methods of Forming Phase Change Memory Circuitry

Номер патента: US20140073084A1. Автор: Uhlenbrock Stefan,Quick Timothy A.,Marsh Eugene P.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-03-13.

Methods of Forming Phase Change Materials and Methods of Forming Phase Change Memory Circuitry

Номер патента: US20140308776A1. Автор: Uhlenbrock Stefan,Quick Timothy A.,Marsh Eugene P.. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-16.

Methods of forming a phase-change material layer pattern, methods of manufacturing a phase-change memory device and related slurry compositions

Номер патента: US7682976B2. Автор: Jong-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Phase change memory device having increased contact area between lower electrode contact layer and phase change layer and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100858083B1. Автор: 강윤호,서동석,김기준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-09-10.

Phase change memory device having nanowire network single elemental phase change layer in porous dielectric layer and method for manufacturing same

Номер патента: KR101675322B1. Автор: 이태연. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-11-14.

METHODS OF FORMING A PHASE CHANGE LAYER AND METHODS OF FABRICATING A PHASE CHANGE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130143380A1. Автор: Park Hye-Young,Oh Jin-Ho,Park Jeong-Hee,Kang Man-Sug,Choi Byoung-Deog,Oh Gyu-Hwan,Park Doo-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor Phase Change Memory Using Face Center Cubic Crystalline Phase Change Material

Номер патента: US20130270502A1. Автор: Dennison Charles H.,Hudgens Stephen J.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

PHASE CHANGE MEMORY STRUCTURE COMPRISING PHASE CHANGE ALLOY CENTER-FILLED WITH DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20130284999A1. Автор: Zheng Jun-Fei. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

Methods Of Depositing Antimony-Comprising Phase Change Material Onto A Substrate And Methods Of Forming Phase Change Memory Circuitry

Номер патента: US20130295717A1. Автор: Quick Timothy A.,Marsh Eugene P.. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

PHASE-CHANGE MATERIAL AND ASSOCIATED RESISTIVE PHASE-CHANGE MEMORY

Номер патента: US20220020923A1. Автор: Cyrille Marie-Claire,NAVARRO Gabriele. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-20.

PHASE CHANGE MEMORY CELL WITH IMPROVED PHASE CHANGE MATERIAL

Номер патента: US20150048291A1. Автор: Cheng Huai-Yu,RAOUX SIMONE. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

METHOD FOR FORMING A PHASE CHANGE MEMORY (PCM) CELL WITH A LOW DEVIATION CONTACT AREA BETWEEN A HEATER AND A PHASE CHANGE ELEMENT

Номер патента: US20190067570A1. Автор: Liu Shih-Chang,Tsai Yi Jen. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

PHASE CHANGE MEMORY CELL WITH IMPROVED PHASE CHANGE MATERIAL

Номер патента: US20160118582A1. Автор: Cheng Huai-Yu,RAOUX SIMONE. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

THREE-DIMENSIONAL STACKED PHASE CHANGE MEMORY AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220271089A1. Автор: Miao Xiangshui,TONG Hao,CAI Wang. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-08-25.

Antimony-Rich High-speed Phase-change Material Used In Phase-Change Memory, Preparing Method, And Application Thereof

Номер патента: US20150207070A1. Автор: ZHU Min,Song Zhitang,Wu Liangcai,Peng Cheng,Rao Feng. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

High-speed, High-density, and Low-power consumption Phase-change Memory Unit, and Preparation Method Thereof

Номер патента: US20140291597A1. Автор: Song Zhitang,Gu Yifeng,Song San Nian. Владелец: SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY, CHINESE ACADEMY. Дата публикации: 2014-10-02.

THREE-DIMENSIONAL STACKED PHASE CHANGE MEMORY AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20210280784A1. Автор: Miao Xiangshui,TONG Hao,SHEN Yushan,CAI Wang. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-09-09.

METHOD FOR FORMING A PHASE CHANGE MEMORY (PCM) CELL WITH A LOW DEVIATION CONTACT AREA BETWEEN A HEATER AND A PHASE CHANGE ELEMENT

Номер патента: US20200373484A1. Автор: Liu Shih-Chang,Tsai Yi Jen. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Methods of forming a phase-change material layer pattern, methods of manufacturing a phase-change memory device and related slurry compositions

Номер патента: US20090149006A1. Автор: Jong-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-11.

Method of forming a phase-change material layer pattern, method of manufacturing a phase-change memory device and slurry composition used for the methods

Номер патента: KR101198100B1. Автор: 김종영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-11-09.

Phase change memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101046228B1. Автор: 권기성,금경수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-07-04.

Array structure of phase-change memory and preparation method thereof

Номер патента: CN101777571A. Автор: 吴东平,张世理. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-07-14.

Methods of depositing antimony-comprising phase change material onto a substrate and methods of forming phase change memory circuitry

Номер патента: KR101337810B1. Автор: 티모시 에이. 퀵,유진 피. 마쉬. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2013-12-06.

Phase change memory and preparation method thereof

Номер патента: CN113314503B. Автор: 王晓娟,张恒,刘峻,张曙,雷威锋. Владелец: Yangtze River Advanced Storage Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-19.

METHOD OF FORMING PHASE CHANGE MATERIAL LAYER USING GE(II) SOURCE, AND METHOD OF FABRICATING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130101491A1. Автор: Cho Sung-Lae,Bae Byoung-Jae,Lee Jin-Il,Park Hye-Young,Kim Do-Hyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-04-25.

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE HAVING BURIED CONDUCTION LINES DIRECTLY UNDERNEATH PHASE CHANGE MEMORY CELLS AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120149167A1. Автор: YANG Ki Ho. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-06-14.

Three-dimensional phase-change memory devices and controlling method thereof

Номер патента: WO2024216434A1. Автор: Jianping Li,Xiaojun Sun,Zuqi DONG. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional phase-change memory devices and controlling method thereof

Номер патента: WO2024216432A1. Автор: Jianping Li,Xiaojun Sun,Zuqi DONG. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Phase Change Memory Device, Storage System Having the Same and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20120068136A1. Автор: Park Hye-Young,Park Jeong-Hee,KWON HYUN-SUK. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE WITH ALTERNATING ADJACENT CONDUCTION CONTACTS AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120149163A1. Автор: LEE Jang Uk,CHOI Kang Sik. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-06-14.

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120156851A1. Автор: CHAE Su Jin,LEE Keum Bum,SEO Hye Jin. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Multi-bit phase change memory array and multi-bit phase change memory

Номер патента: TW200903779A. Автор: Chen-Ming Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-01-16.

Multi-bit phase change memory array and multi-bit phase change memory

Номер патента: TWI339439B. Автор: Chen Ming Huang. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2011-03-21.

Phase change memory device and fabrications thereof

Номер патента: TW200826281A. Автор: Frederick T Chen,Yi-Chan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-06-16.

Double-layer phase change resistance and forming method thereof as well as phase change memory and forming method thereof

Номер патента: CN102447059A. Автор: 张海洋,李凡. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-05-09.

Phase Change Memory Cells, Methods Of Forming Phase Change Memory Cells, And Methods Of Forming Heater Material For Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20140117302A1. Автор: Goswami Jaydeb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

Phase-change thin film, phase-change memory cell and preparation method thereof and phase transition storage

Номер патента: CN109728162A. Автор: 宋志棠,郑龙,宋三年. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2019-05-07.

Phase-change memory unit, phase-change memory, preparation method of phase-change memory and electronic equipment

Номер патента: CN115867124B. Автор: 刘文杰,廖昱程,文浚硕. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-28.

Phase change memory, bottom contact structure thereof, method for manufacturing phase change memory and method for manufacturing bottom contact structure of phase change memory

Номер патента: CN103840079A. Автор: 张海洋,王冬江,王新鹏. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-06-04.

Method for manufacturing phase change memory units, phase change material and phase change memory units

Номер патента: CN103904215A. Автор: 张�杰,孔涛,黄荣,程国胜,卫芬芬. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2014-07-02.

Phase change device and the method of forming the same and phase change memory cell

Номер патента: TWI292950B. Автор: Ming Hsiu Lee,Yi Chou Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-21.

Phase change device and the method of forming the same and phase change memory cell

Номер патента: TW200618255A. Автор: Yi-Chou Chen,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-01.

Sb2Tey-Si3N4 composite phase change material for phase change memory and preparation method thereof

Номер патента: CN102569644B. Автор: 宋志棠,刘波,饶峰,吴良才,许建安. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2014-03-12.

Sb-Se-Ti series nano composite phase change film for phase change memory and preparation method thereof

Номер патента: CN109904311B. Автор: 郑龙,吴卫华,邹华,胡益丰,朱小芹,眭永兴. Владелец: Jiangsu University of Technology. Дата публикации: 2022-12-23.

Phase-Change Memory Units and Phase-Change Memory Devices Using the Same

Номер патента: US20120032135A1. Автор: KUH Bong-jin,Park Doo-Hwan,Shin Hee-ju,Ha Yong-ho,Ko Han-Bong,LIM Sang-Wook. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-09.

PHASE CHANGE MEMORY PROGRAMMING METHOD AND PHASE CHANGE MEMORY

Номер патента: US20120294074A1. Автор: Hurkx Godferius Adrianus Maria,Perez Gonzales Jesus. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2012-11-22.

PHASE CHANGE MEMORY AND METHOD FOR FABRICATING PHASE CHANGE MEMORY

Номер патента: US20120314493A1. Автор: NAKABAYASHI Hajime,OYAMA Kenichi,HIROTA Yoshihiro. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-12-13.

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE, FLEXIBLE PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE USING INSULATING NANO-DOT AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20130001502A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

PHASE CHANGE MEMORY CELLS INCLUDING NITROGENATED CARBON MATERIALS, METHODS OF FORMING THE SAME, AND PHASE CHANGE MEMORY DEVICES INCLUDING NITROGENATED CARBON MATERIALS

Номер патента: US20130048935A1. Автор: Fumagalli Luca,GOTTI ANDREA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-02-28.

Phase Change Memory Cells And Methods Of Forming Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20130285002A1. Автор: Bez Roberto,Van Gerpen Damon E.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

Phase Change Memory Cells And Methods Of Forming Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20130285003A1. Автор: Van Gerpen Damon E.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

Phase change memory unit and method for manufacturing phase change memory unit

Номер патента: CN103794723A. Автор: 宋志棠,饶峰,丁科元,夏梦娇. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2014-05-14.

Phase change memory and manufacturing method for material conversion area of phase change memory

Номер патента: CN103972384A. Автор: 王兴亚,陈秋峰. Владелец: XIAMEN BOJIAQIN ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Phase change memory unit SPICE model system considering heat accumulation effects and application of phase change memory unit SPICE model

Номер патента: CN103514322A. Автор: 李震,刘畅,缪向水,邓宇帆. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-01-15.

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20120068147A1. Автор: . Владелец: POWERCHIP SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2012-03-22.

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE ACCOUNTING FOR VOLUME CHANGE OF PHASE CHANGE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120077324A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-03-29.

STORAGE NODE, PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHODS OF OPERATING AND FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120127789A1. Автор: Suh Dong-Seok,Park Tae-Sang. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

Phase change memory device and fabrications thereof

Номер патента: TWI320967B. Автор: Frederick T Chen,Yi Chan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-21.

Methods Of Depositing Antimony-Comprising Phase Change Material Onto A Substrate And Methods Of Forming Phase Change Memory Circuitry

Номер патента: US20120231579A1. Автор: Quick Timothy A.,Marsh Eugene P.. Владелец: Micron Technology,Inc.. Дата публикации: 2012-09-13.

Ge/Sb superlattice phase-change thin film material for high-speed low-power-consumption phase-change memory

Номер патента: CN108539013B. Автор: 袁丽,吴卫华,邹华,胡益丰,朱小芹,吴世臣,眭永兴,张建豪,沈大华. Владелец: Jiangsu University of Technology. Дата публикации: 2021-04-27.

Tungsten-antimony-tellurium phase change material deposition method and phase-change memory cell preparation method

Номер патента: CN103898474B. Автор: 宋志棠,刘波,彭程,饶峰,宋三年,吴良才,张中华. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-02-17.

Methods of forming phase change material layers and methods of manufacturing phase change memory devices

Номер патента: US20120231603A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor Phase Change Memory Using Multiple Phase Change Layers

Номер патента: US20120256154A1. Автор: Dennison Charles H.,Hudgens Stephen J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-11.

Shaping a Phase Change Layer in a Phase Change Memory Cell

Номер патента: US20120298946A1. Автор: Magistretti Michele,Petruzza Pietro. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

PHASE CHANGE MEMORY CELL AND PHASE CHAGE MEMORY

Номер патента: US20120326109A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

METHOD OF FORMING PHASE CHANGE MATERIAL LAYER USING GE(II) SOURCE, AND METHOD OF FABRICATING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130005112A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-03.

METHOD OF FORMING A PHASE CHANGE MATERIAL LAYER PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING A PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130017663A1. Автор: Oh Jin-Ho,Park Jeong-Hee,Park Soon-oh,Park Jung-Hwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE, OPERATION METHOD THEREOF, AND DATA STORAGE DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20130155765A1. Автор: KIM Dong Keun,YON Sun Hyuck. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

Thin film material for phase change memory and preparation method thereof

Номер патента: CN102361063B. Автор: 宋志棠,刘波,彭程,饶峰,吕业刚,宋三年,吴良才. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-12-18.

Phase change memory unit device and preparation method thereof

Номер патента: CN101916822A. Автор: 陈邦明,吴关平,万旭东. Владелец: Shanghai Xinchu Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-15.

There is phase change memory and the manufacture method thereof of needle-like junction

Номер патента: CN106206639A. Автор: 吴孝哲,王博文. Владелец: Ningbo Epoch Quan Xin Science And Technology Ltd. Дата публикации: 2016-12-07.

Phase-change memory cell and preparation method thereof

Номер патента: CN106159085A. Автор: 宋志棠,李莹. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-23.

Antimony-rich Si-Sb-Te sulfur group compound phase-change material for phase change memory

Номер патента: CN101924180A. Автор: 宋志棠,饶峰,吴良才,周夕淋. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2010-12-22.

Double-track phase change memory and preparation method thereof

Номер патента: CN102122700B. Автор: 陈邦明,吴关平,万旭东. Владелец: Shanghai Xinchu Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-26.

GeTe4 phase-change memory element and preparation method thereof

Номер патента: CN102769101A. Автор: 刘治国,李润,夏奕东,殷江,唐时宇. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-07.

A kind of high-speed low-power-consumption phase change memory unit and preparation method thereof

Номер патента: CN103531710B. Автор: 宋志棠,吴良才,周夕淋,吕士龙. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-03-16.

A kind of phase-change memory cell and preparation method thereof

Номер патента: CN103594621B. Автор: 张�杰,孔涛,黄荣,程国胜,卫芬芬. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2016-03-09.

Phase change memory material and preparation method thereof

Номер патента: CN102185106B. Автор: 宋志棠,刘波,饶峰,吴良才,许建安. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-05-22.

Phase change memory cell storage of high reading speed, low operating interference and operating method thereof

Номер патента: CN101339805A. Автор: 林殷茵,徐乐,廖启宏,张佶,薛晓勇,吴雨欣,胡倍源. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-01-07.

High-speed low-power-consumption phase change memory cell and preparation method thereof

Номер патента: CN103531710A. Автор: 宋志棠,吴良才,周夕淋,吕士龙. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2014-01-22.

Phase change memory and manufacturing method thereof and electronic device

Номер патента: CN105470386A. Автор: 王蕾,李莹,李志超,冯高明,詹奕鹏. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-04-06.

Unit structure for reducing power consumption of phase-change memory and preparation method thereof

Номер патента: CN101834273A. Автор: 宋志棠,刘卫丽,马小波,杜小锋. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2010-09-15.

Phase-change memory and preparation method thereof

Номер патента: CN104201282B. Автор: 宋志棠,刘波,陈�峰,陈小刚,陈一峰,王玉婵,王月青. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-02-15.

Setting circuit for phase change memories and setting method thereof

Номер патента: CN102592663B. Автор: 董骁,洪红维,黄崇礼,王瑞哲. Владелец: BAMC-BEIJING Corp. Дата публикации: 2015-05-06.

Phase change memory unit with loop phase change material and its making method

Номер патента: CN100530739C. Автор: 陈宝明,宋志棠,刘波,封松林. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2009-08-19.

Schottky diode and phase-change memory which share metal layer and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101826463B. Автор: 宋志棠,刘波,张挺,凌云,龚岳峰,李宜瑾. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2012-02-29.

Phase-change memory and manufacture method thereof

Номер патента: CN105226181A. Автор: 苏水金. Владелец: Ningbo Epoch Quan Xin Science And Technology Ltd. Дата публикации: 2016-01-06.

Phase-changing memory unit with similar super lattice structure and preparation method thereof

Номер патента: CN102810636A. Автор: 宋志棠,刘波,饶峰,吕业刚,宋三年,吴良才. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2012-12-05.

Si-Sb-Se phase changing thin-film material used for phase changing memory

Номер патента: CN101488557B. Автор: 宋志棠,封松林,凌云,龚岳峰. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2010-10-20.

Write circuit for phase change memories and write method thereof

Номер патента: CN102592671B. Автор: 董骁,洪红维,黄崇礼,王瑞哲. Владелец: BAMC-BEIJING Corp. Дата публикации: 2015-06-17.

A kind of multi-layer nano composite film material and preparation method thereof for low power consumption phase changing memory

Номер патента: CN105304815B. Автор: 王苗,王国祥,戴世勋,吕业刚,沈祥. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2018-07-20.

Phase-change memory device unit construction and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101335328B. Автор: 宋志棠,封松林,饶峰,吴良才. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2011-06-29.

Method for obtaining phase-change memory phase-change resistance crystallization rate

Номер патента: CN101777388B. Автор: 宋志棠,蔡道林,陈小刚,陈后鹏. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2012-08-08.

Phase change memory unit and forming method thereof

Номер патента: CN102637821A. Автор: 宋志棠,刘波,任万春. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-08-15.

Phase change memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101820048A. Автор: 涂丽淑. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-09-01.

Nanocomposite phase-change material, preparation method and application thereof in phase-change memory

Номер патента: CN102169958A. Автор: 宋志棠,吕业刚,宋三年. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2011-08-31.

M-Sb-Se phase changing thin-film material used for phase changing memory

Номер патента: CN101488558A. Автор: 宋志棠,封松林,凌云,龚岳峰. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2009-07-22.

Si-Sb-Se phase changing thin-film material used for phase changing memory

Номер патента: CN101488557A. Автор: 宋志棠,封松林,凌云,龚岳峰. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2009-07-22.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.