Phase change memory device having phase change layer spacer, and fabricating method thereof .

Phase change memory device having phase change layer spacer, and fabricating method thereof

Номер патента: KR100651756B1
Опубликовано: 01-12-2006
Автор(ы): 류상욱, 박영삼, 유병곤, 윤성민, 이남열, 이승윤, 최규정
Принадлежит: 한국전자통신연구원
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US20210249592A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Phase-change random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230403956A1. Автор: Yao-Wen Chang,Huan-Chieh CHEN,Chia-Wen Zhong,Chin I WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Phase-change memory cell, and method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US09991316B2. Автор: Carlo Luigi PRELINI,Paola Zuliani,Gianluigi CONFALONIERI,Annalisa GILARDINI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-05.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175358A1. Автор: Hyun Min Lee,Jung Taik Cheong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Phase-change memory cell, and method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20170373120A1. Автор: Carlo Luigi PRELINI,Paola Zuliani,Gianluigi CONFALONIERI,Annalisa GILARDINI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-12-28.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175368A1. Автор: Doo Kang KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: US09547036B2. Автор: Woocheol Jeong,Imkuk KANG,Sungjun YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Phase change memory structure having low-k dielectric heat-insulating material and fabrication method thereof

Номер патента: US20130175493A1. Автор: Zhitang Song,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-07-11.

Superlattice phase-change thin film with low density change, phase-change memory and preparation method therefor

Номер патента: US20220344584A1. Автор: MENG Xu,Ming Xu,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Jinlong Feng. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-10-27.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09583702B2. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,H.-S. Philip Wong,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory device and method for thermoelectric heat confinement

Номер патента: US09548110B2. Автор: Daniel Krebs,Aravinthan Athmanathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Methods of manufacturing a phase change memory device including a heat sink

Номер патента: US09431610B2. Автор: Tae-Jin Park,Yoon-Jong Song,Chil-Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Phase change memory and method for making the same

Номер патента: US20220231224A1. Автор: Zhitang Song,Sannian Song. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2022-07-21.

Memory cell with post deposition method for regrowth of crystalline phase change material

Номер патента: US20130119339A1. Автор: Stephen M. Rossnagel,Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US20150048291A1. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US09653683B2. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for manufacturing phase change memory

Номер патента: US20200098986A1. Автор: Takeshi Masuda,Robert Bruce,Koukou Suu,Chung Hon Lam,Fabio Carta,Fraczak Gloria Wing Yun FRACZAK,Matthew BRIGHTSKY. Владелец: Ulvac Technologies Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Phase change memory with supply voltage regulation circuit

Номер патента: US11107525B2. Автор: Michele La Placa,Fabio Enrico Carlo Disegni,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-08-31.

Phase change memory element

Номер патента: US09847479B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Boron Surface Passivation of Phase Change Memory Material

Номер патента: US20240099166A1. Автор: Robert L. Bruce,Marinus Johannes Petrus Hopstaken,Luxherta Buzi,Charlie Tabachnick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160276585A1. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn,H.S. Philip Wong. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device having reset gate and phase change layer

Номер патента: US9825222B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Ir photodetector with graphene and phase change layers and related methods

Номер патента: US20230082228A1. Автор: Michael N. Leuenberger,Muhammad Waqas Shabbir. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2023-03-16.

Dielectric thin film on electrodes for resistance change memory devices

Номер патента: US09698344B2. Автор: DerChang Kau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Hydrogen and Hydrocarbon Plasma Treatment of Phase Change Memory Material

Номер патента: US20240099163A1. Автор: Robert L. Bruce,John M. Papalia,Luxherta Buzi,Lynne Marie Gignac. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Electrode configurations to increase electro-thermal isolation of phase-change memory elements and associated techniques

Номер патента: US09608042B2. Автор: Sanjay Rangan,Max F. Hineman,Giulio Albini,Fabio Pellizzer,Stephen W. Russell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory device with improved phase change material nucleation rate

Номер патента: US20210305318A1. Автор: Dan Gealy,Kumar R. Virwani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Phase change memory cell with superlattice based thermal barrier

Номер патента: US20230077912A1. Автор: Takashi Ando,Kevin W. Brew,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Phase change memory with concentric ring-shaped heater

Номер патента: US20220416161A1. Автор: Carl Radens,Oscar van der Straten,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Juntao Li,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Phase-change memory cell with mixed-material switchable region

Номер патента: US20240196766A1. Автор: Wanki Kim,Cheng-Wei Cheng,Robert L. Bruce,Guy M. Cohen,Asit Ray,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods Of Manufacturing Non-Volatile Phase-Change Memory Devices

Номер патента: US20120088347A1. Автор: Dong-ho Ahn,Young-Kuk Kim,Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-12.

Phase change heatsink, manufacturing process thereof, and communication device having the heatsink

Номер патента: US20240349455A1. Автор: Haijiang Wang,Shuaijun Li. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-10-17.

Phase change memory with supply voltage regulation circuit

Номер патента: US20210012836A1. Автор: Michele La Placa,Fabio Enrico Carlo Disegni,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-14.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US10720575B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US20200006646A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US10923653B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-16.

Small footprint phase change memory cell

Номер патента: US20140166967A1. Автор: Eric A. Joseph,Chung H. Lam,Hsiang-Lan Lung,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US20200006645A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Phase change memory with gradual conductance change

Номер патента: US20200219933A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11127790B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20190363136A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Phase change memory with multi-level programming

Номер патента: US20230301207A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Phase-change memory device with drive circuit

Номер патента: US10658032B2. Автор: Davide Manfre,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-05-19.

Phase-Change Memory Device with Drive Circuit

Номер патента: US20190043574A1. Автор: Davide Manfre,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-02-07.

Phase-change memory device with drive circuit

Номер патента: US20180151223A1. Автор: Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Davide Manfre',Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-31.

Phase-change memory device with drive circuit

Номер патента: US10115460B2. Автор: Davide Manfre′,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-10-30.

Phase change memory device having high temp phase change pattern and method of fabricating the same

Номер патента: KR100810615B1. Автор: 안동호,배준수,히데끼 호리이. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-06.

Chemical Mechanical Polishing Slurry Composition for Polishing Phase-Change Memory Device and Method for Polishing Phase-Change Memory Device Using the Same

Номер патента: US20090294749A1. Автор: In Kyung Lee,Tae Young Lee,Byoung Ho Choi,Yong Soon Park. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Chemical Mechanical Polishing Slurry Composition for Polishing Phase-Change Memory Device and Method for Polishing Phase-Change Memory Device Using the Same

Номер патента: US20090001339A1. Автор: In Kyung Lee,Tae Young Lee,Byoung Ho Choi,Yong Soon Park. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Chemical Mechanical Polishing Slurry Composition for Polishing Phase-Change Memory Device and Method for Polishing Phase-Change Memory Device Using the Same

Номер патента: US20090001340A1. Автор: In Kyung Lee,Tae Young Lee,Byoung Ho Choi,Yong Soon Park. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Chemical mechanical polishing slurry composition for polishing phase-change memory device and method for polishing phase-change memory device using the same

Номер патента: US8586464B2. Автор: In Kyung Lee,Tae Young Lee,Byoung Ho Choi,Yong Soon Park. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2013-11-19.

Phase change memory device and method for manufacturing phase change memory device

Номер патента: US7532507B2. Автор: Tsutomu Hayakawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-12.

Chemical mechanical polishing slurry composition for polishing phase-change memory device and method for polishing phase-change memory device using the same

Номер патента: TW200901302A. Автор: Byoung-ho Choi,In-Kyung Lee,Tae-Young Lee,Yong-Soon Park. Владелец: Cheil Ind Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Apparatus and method for passive phase change thermal management

Номер патента: MY137459A. Автор: PULLEN David,Terrance J Dishongh,Damion T Searls. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-30.

Method for programming a phase change memory

Номер патента: US20220165946A1. Автор: Gabriele Navarro,Chiara Sabbione,Guillaume Bourgeois,Anna-Lisa Serra. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-05-26.

Heat sink with internal chamber for phase change material

Номер патента: WO2020148728A1. Автор: Salah Addin Burhan Al Omari. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-07-23.

Phase change liquid cooling heat dissipation device

Номер патента: EP4239671A1. Автор: Xin Nie,Ruohan Yang,Yongheng WANG. Владелец: Thero New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Phase change material in substrate cavity

Номер патента: US20200118990A1. Автор: Cheng Xu,YING Wang,Chong Zhang,Junnan Zhao,Yikang Deng,Zhimin Wan,Kyu-Oh Lee,Chandra Mohan M. Jha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

PHASE-CHANGE MEMORY CELL, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE PHASE-CHANGE MEMORY CELL

Номер патента: US20170373120A1. Автор: Prelini Carlo Luigi,ZULIANI Paola,CONFALONIERI Gianluigi,GILARDINI Annalisa. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Optoelectronic device using a phase change material

Номер патента: EP3622556A1. Автор: Syed Ghazi Sarwat,Harish Bhaskaran,Gerardo Rodriguez HERNANDEZ. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2020-03-18.

Optoelectronic device using a phase change material

Номер патента: WO2018206919A1. Автор: Syed Ghazi Sarwat,Harish Bhaskaran,Gerardo Rodriguez HERNANDEZ. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Methods Of Depositing Antimony-Comprising Phase Change Material Onto A Substrate And Methods Of Forming Phase Change Memory Circuitry

Номер патента: US20130295717A1. Автор: Quick Timothy A.,Marsh Eugene P.. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

Methods of depositing antimony-comprising phase change material onto a substrate and methods of forming phase change memory circuitry

Номер патента: KR101337810B1. Автор: 티모시 에이. 퀵,유진 피. 마쉬. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2013-12-06.

Memory arrays having confined phase change material structures laterally surrounded with silicon nitride

Номер патента: US9755145B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Heat sink for semiconductor die employing phase change cooling

Номер патента: WO2003073475B1. Автор: Ajit Dubhashi. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Encapsulated phase change material heat sink and method

Номер патента: EP3126774A1. Автор: Adam C. Wood. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-02-08.

Vertical phase change switch devices and methods

Номер патента: US20230422644A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Tsung-Hao YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Artificial intelligence device cell with improved phase change material region

Номер патента: US20230099419A1. Автор: Kevin W. Brew,Injo OK,Nicole Saulnier,Iqbal Rashid Saraf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Resistance random access memory device and fabricating method of the same

Номер патента: US20200212300A1. Автор: Won Bin Kim,Jae Myeong Lee,Sangmyeong Lee,Hyun Suk Jung,Ohyeong GONG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2020-07-02.

Resistive random access memory device having nano-scale tip and nanowire, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US20180190903A1. Автор: Byung-gook Park,Sung Hun JIN,Sunghun Jung,Minhwi Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of INU. Дата публикации: 2018-07-05.

Resistive random access memory device having nano-scale tip and nanowire, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: KR101624565B1. Автор: 진성훈,박병국,정성헌,김민휘. Владелец: 인천대학교 산학협력단. Дата публикации: 2016-05-26.

Resistive random access memory device having nano-scale tip and nanowire, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US10050195B2. Автор: Byung-gook Park,Sung Hun JIN,Sunghun Jung,Minhwi Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of INU. Дата публикации: 2018-08-14.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20200350286A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891808A4. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: WO2020220483A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device having analog transistor with improved both operation and flicker noise characteristics and fabrication method thereof

Номер патента: KR100703986B1. Автор: 이호,테츠지 우에노,이화성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-04-09.

Integrate circuit device having buffer layer containing metal oxide stabilized by low temperature treatment and fabricating method thereof

Номер патента: KR100269306B1. Автор: 김병희,박인선,이상민,이상인,김영관,박창수. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-16.

Integrated circuit semiconductor device having different impurity concentration in respective regions of a semiconductor wafer, and fabrication method thereof

Номер патента: KR100546334B1. Автор: 최용배,허부영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Fabrication Method of Phase-Change Random Access Memory Device

Номер патента: KR101159169B1. Автор: 최미라. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-06-22.

Fabrication Method of Phase Change Random Access Memory Device

Номер патента: KR101124301B1. Автор: 김명섭,박남균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-27.

Fabrication method of phase-change random access memory device

Номер патента: KR20110121388A. Автор: 최미라. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-11-07.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING VARIABLE RESISTANCE ELEMENT OR PHASE-CHANGE ELEMENT AS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130163323A1. Автор: YASUTAKE Nobuaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-06-27.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140113427A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

FOUR-OR-MORE-COMPONENT-BASED CHALCOGENIDE PHASE-CHANGE MATERIAL AND MEMORY DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20200083445A1. Автор: JHON Young Min,KIM Yong Tae,Kim Young-Hwan,Choi Minho,KIM Chun Keun,KWON Sehyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220140235A1. Автор: Yen Chun-Hsu,Hsu Yu-Chuan,Yang Chen-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140175358A1. Автор: LEE Hyun Min,CHEONG Jung Taik. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140175368A1. Автор: KIM Doo Kang. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

NOVEL PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200091423A1. Автор: Yen Chun-Hsu,Hsu Yu-Chuan,Yang Chen-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20220285613A1. Автор: WU Jau-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

NOVEL PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190165265A1. Автор: Yen Chun-Hsu,Hsu Yu-Chuan,Yang Chen-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING CONFORMAL WRAP AROUND PHASE CHANGE MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190189688A1. Автор: Lille Jeffrey S.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20210249592A1. Автор: WU Jau-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101434593B1. Автор: 김정태,노대호,조병직. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-08-26.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101259842B1. Автор: 오재민,한기현,유명술. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2013-05-02.

Phase-change random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100728951B1. Автор: 장헌용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-15.

Method for manufacturing phase-change random access memory device

Номер патента: KR101899333B1. Автор: 이용석,조한우,윤효섭. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2018-10-31.

4 or more component based chalcogenide phase-change material and memory device comprising the same

Номер патента: KR102118734B1. Автор: 김영환,권세현,전영민,김용태,최민호,김춘근. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2020-06-09.

Manufacturing method of phase change random access memory device

Номер патента: KR20100097298A. Автор: 이민용,김태중,채수진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-09-03.

Method for forming diode in phase change random access memory device

Номер патента: US20100099243A1. Автор: Ki Hong Lee,Ki Seon Park,Sun Hwan Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Manufacturing method of phase change random access memory device

Номер патента: KR20100097300A. Автор: 김현우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-09-03.

Resistance change memory device including organic indium halide in resistance change layer

Номер патента: KR102078940B1. Автор: 이동화,차필령. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2020-04-07.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788B1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor chip, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20180337143A1. Автор: Ya Ping Wang,Li Hui Lu,Chun Chao FEI,Po Yuan CHIANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Insulated gate type semiconductor device having floating regions at bottom of trenches in cell region and circumferential region and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780205B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Hirokazu Fujiwara,Yukihiko Watanabe,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY, AND FABRICATING AND INSPECTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150162393A1. Автор: YUN Sungjun,Kang Imkuk,JEONG Woocheol. Владелец: LG DISPLAY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-06-11.

TESTING STRUCTURE, AND FABRICATION AND TESTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180190551A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

DATA STORAGE DEVICE, AND FABRICATION AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20140307504A1. Автор: Park Eungjoon,HUNG Hsi-Hsien. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-10-16.

IMAGE SENSORS, AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20180277586A1. Автор: LIU Xuan Jie,ZHANG Hai Fang,Lu Jue,YAO Guo Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

SEMICONDUCTOR CHIP, AND FABRICATION AND PACKAGING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180337143A1. Автор: LU Li Hui,FEI Chun Chao,CHIANG Po Yuan,WANG Ya Ping. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20200350322A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: CN104701348A. Автор: 郑宇喆,康任局,尹圣埈. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-10.

Twin monos memory cell and corresponding fabrication method

Номер патента: EP1237192A2. Автор: Seiki Ogura,Tomoya Saito,Kimihiro Satoh. Владелец: Halo LSI Design and Device Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-04.

One-time programmable memory based on 3d stacked array and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: KR102555572B1. Автор: 김재성,박준희,권희태,윤 김. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-07-13.

Substrate structure, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20220238351A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device having T-shaped gate structure comprising in situ sidewall spacers and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US20040048472A1. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Rolf Stephan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Electronic device using piezoelectric material and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190362118A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Tae Hwan Song. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A UNIFORM AND THIN SILICIDE LAYER ON AN EPITAXIAL SOURCE/ DRAIN STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210035806A1. Автор: Sheu Jyh-Cherng,Wang Sheng-Chen,WANG Sung-Li,Yeong Sai-Hooi,Lee Kai-Hsuan,Yang Cheng-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TERMINALS FORMED ON A CHIP PACKAGE INCLUDING A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR CHIPS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160079222A1. Автор: SATO Takao. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

MOSFET device having linear transfer characteristic when operating in speed saturation mode, method of manufacturing and operating method thereof

Номер патента: JP2004502306A. Автор: バリガ，バントヴァル・ジェヤント. Владелец: ジャイアント・セミコンダクター・コーポレイション. Дата публикации: 2004-01-22.

Phase change heat storage rubber, method for preparing the same, and using method thereof

Номер патента: US20220081601A1. Автор: Liqiang Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-17.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8999745B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150179929A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140166964A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09640758B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Phase-change memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240074334A1. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Methods of forming a phase change layer and methods of fabricating a phase change memory device including the same

Номер патента: US20130143380A1. Автор: Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jeong-hee Park,Doo-Hwan Park,Gyu-Hwan OH,Hye-Young Park,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200373483A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Phase change memory using multiple phase change layers and multiple heat conductors

Номер патента: US20200395537A1. Автор: Wei Wang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kevin W. Brew,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Storage nodes including a phase chang layer and methods of manufacturing and operating the same, phase change memory devices and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US7871906B2. Автор: Jong-wook Lee,Jun-Ho Lee,Sung-Kwan Kang,Hion-suck Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-18.

Memory cell and manufacturing method thereof and memory device

Номер патента: US20200328254A1. Автор: Chun-Chih Liu,Yi-Cheng Lee,Yu-Cheng Liao. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Phase change memory cell and phase change memory

Номер патента: US20150318469A1. Автор: Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Memory devices with reduced operational energy in phase change material and methods of operation

Номер патента: US09865339B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Phase change memory cell and phase change memory

Номер патента: US09419216B2. Автор: Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Phase-change memory with selectors in bjt technology and differential-reading method thereof

Номер патента: US20200126616A1. Автор: Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-04-23.

Phase-change memory with selectors in bjt technology and differential-reading method thereof

Номер патента: US20190096480A1. Автор: Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-03-28.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US09673256B2. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US20200168792A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-05-28.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US20220029094A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230377644A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Dinggui Zeng,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20220367807A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Double self-aligned phase change memory device structure

Номер патента: US09640757B2. Автор: Jun-Fei Zheng. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240040938A1. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yuan-Tien Tu,Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120156840A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Materials and components in phase change memory devices

Номер патента: US09741930B2. Автор: Davide Erbetta,Valter Soncini. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Phase change memory

Номер патента: US09515259B2. Автор: Yang Wu,Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Jia-Ping Wang,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Phase change memory device capable of satisfying reset current characteristic and contact resistance characteristic

Номер патента: US20100117044A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Phase change memory with metastable set and reset states

Номер патента: US20160125938A1. Автор: Wanki Kim,Chung H. Lam,Sangbum Kim,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US20140097399A1. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Applying inert ion beam etching for improving a profile and repairing sidewall damage for phase change memory devices

Номер патента: US20230165169A1. Автор: Robert L. Bruce,Sebastian Ulrich Engelmann,Luxherta Buzi,Lynne Marie Gignac,Thitima Suwannasiri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Method of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20150364678A1. Автор: Sung-Lae Cho,Dong-ho Ahn,Jung-Hwan Park,Hideki Horii,Jeong-hee Park,Zhe Wu,Jun-Ku Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-17.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200303638A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US10811607B2. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Phase change memory devices including two-dimensional material and methods of operating the same

Номер патента: US20180061490A1. Автор: Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Seongjun Park,Seunggeol NAM,Yeonchoo CHO,Jinseong Heo,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Phase Change Memory with Various Grain Sizes

Номер патента: US20140110656A1. Автор: Fu-Liang Yang,Tzyh-Cheang Lee,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Sb—Te—Ti phase-change memory material and Ti—Sb2Te3 phase-change memory material

Номер патента: US10276234B2. Автор: Cheng Peng,Feng Rao,Min Zhu,Kun REN,Zhitang Song,Xilin ZHOU,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2019-04-30.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8415197B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-04-09.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8283651B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Phase change memory using multiple phase change layers and multiple heat conductors

Номер патента: US20220102627A1. Автор: Wei Wang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kevin W. Brew,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US20120329222A1. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Memory device

Номер патента: US20220399488A1. Автор: Kunifumi Suzuki,Yuuichi Kamimuta. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Phase change memory cell with heat shield

Номер патента: US20140252294A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Memory device, semiconductor device, method for producing memory device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09825221B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US09437816B2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for producing a pillar-shaped phase change memory device

Номер патента: US9954032B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Fin field effect transistor, semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09461044B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Phase change memory cells

Номер патента: US09773977B2. Автор: Roberto Bez,Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Resistive random access memory device having a nano-scale tip, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09768381B2. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,Sunghun Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-19.

Phase change memory and method of fabricating same

Номер патента: US09525130B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Shih-Chang Liu,Tsun-Kai Tsao,Ming-Huei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Phase change memory device with voltage control elements

Номер патента: US09525007B2. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory device, semiconductor device, method for producing memory device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09461244B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Methods of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20140004680A1. Автор: Seong-Ho EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Method of manufacturing phase change memory and phase change memory

Номер патента: US20210376237A1. Автор: Yu Zhu,Chung-Hon Lam,Kuo-Feng Lo. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Resistive random access memory device embedding tunnel insulating layer and memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09799706B2. Автор: Sungjun Kim,Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2017-10-24.

Optimized phase change memory structure to improve nucleation time variation

Номер патента: US20230371408A1. Автор: LU LIU,Hemant P. Rao,Kumar R. Virwani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods of forming memory devices

Номер патента: US12022752B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Phase Change Memory Cells And Methods Of Forming Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20140252302A1. Автор: Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Memory devices

Номер патента: US20240315152A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of fabricating semiconductor integrated circuit having phase-change layer

Номер патента: US09419221B2. Автор: Se Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US10177198B2. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20170358629A1. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Pahse chang material for phase chang memory and preparation method therefor

Номер патента: US20180315921A1. Автор: Feng Rao,Yong Wang,Zhitang Song,Keyuan Ding. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2018-11-01.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20190140023A1. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Memory device having electrically insulated reset gate

Номер патента: US9825097B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US9837604B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Metal oxide liner for cross-point phase change memory cell

Номер патента: US20220102625A1. Автор: Rajesh Venkatasubramanian,Hari Chandrasekaran,Hoi-sung Chung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory devices including phase change material elements

Номер патента: US09748475B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20160181324A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20170125671A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Methods for forming narrow vertical pillars and integrated circuit devices having the same

Номер патента: US09627611B2. Автор: Jun Liu,Kunal Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US09559146B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Barrier film techniques and configurations for phase-change memory elements

Номер патента: US09419212B2. Автор: Dale W. Collins,Allen Mcteer,Christopher W. Petz,Yongjun J. Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Three-dimensional stacked memory and preparation method thereof

Номер патента: US20210104670A1. Автор: Hao Tong,Xiangshui Miao,Yushan SHEN. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-04-08.

Phase change memory apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US8883590B2. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-11.

Phase-change memory and method of forming same

Номер патента: US20210202837A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Phase change memory apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20130157434A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Set/reset methods for crystallization improvement in phase change memories

Номер патента: US20200365203A1. Автор: Neil Leslie Robertson,Gerardo A. Bertero,Michael K. Grobis,Mac D. Apodaca,Michael Nicolas Albert Tran,Zhaoqiang BAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Keyhole-free sloped heater for phase change memory

Номер патента: US20130286726A1. Автор: Jong Won Lee,Tim Minvielle,Jinwook Lee,Soonwoo Cha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Method for fabricating phase change memory

Номер патента: US20140162428A1. Автор: Yoshihiro Hirota,Kenichi Oyama,Hajime Nakabayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Multi-level phase change memory

Номер патента: US09747975B2. Автор: Charles C. Kuo,Ilya V. Karpov. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Phase change memory element

Номер патента: US09735352B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Phase change memory having a funnel-shaped heater and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508927B1. Автор: Yu-Jen Lin,Yi-Fang Tao. Владелец: Ningbo Advanced Memory Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Phase-change memory device having a barrier layer and manufacturing method

Номер патента: US7411208B2. Автор: Sung-Lae Cho,Kyung-Chang Ryoo,Young-Nam Hwang,Gwan-Hyeob Koh,Se-Ho Lee,Su-Youn Lee,Chang-Wook Jeong,Su-Jin Ahn,Bong-Jin Kuh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-12.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100327250A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210066586A1. Автор: Hiroyuki Ode. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US20140209847A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US20120007034A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US20130146831A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US8384057B2. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-26.

Phase-change memory device having multiple diodes

Номер патента: US8710480B2. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-29.

Phase-change memory device, phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US20080049490A1. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2008-02-28.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210249597A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Bipolar switching operation of confined phase change memory for a multi-level cell memory

Номер патента: US20190325954A1. Автор: Wanki Kim,Yu Zhu,Yujun Xie,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Integrated phase change memory cell projection liner and etch stop layer

Номер патента: US20220165949A1. Автор: Robert L. Bruce,Kevin W. Brew,Injo OK,Nicole Saulnier,Matthew Joseph BrightSky,Iqbal Rashid Saraf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: US20230123642A1. Автор: Ning Li,Wanki Kim,Devendra K. Sadana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Phase change memory cell with double active volume

Номер патента: US20230284541A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Self-aligned cross-point phase change memory-switch array

Номер патента: US09590012B2. Автор: Jong Won Lee,DerChang Kau,Gianpaolo Spadini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Phase change memory device

Номер патента: US9779805B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Roberto Gastaldi,Fabio Pellizzer,Roberto Bez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Phase change random access memory (PRAM) device

Номер патента: US20060285380A1. Автор: Byung-Gil Choi,Choong-Keun Kwak,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-21.

Phase-change memory

Номер патента: US20200381617A1. Автор: DANIEL Benoit,Philippe Boivin,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2020-12-03.

Phase change memory with conductive rings

Номер патента: US20220416157A1. Автор: Carl Radens,Oscar van der Straten,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu,Praneet Adusumilli,Arthur Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Self-aligned embedded phase change memory cell

Номер патента: US20200161370A1. Автор: Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory device and method of making the same

Номер патента: US20240074337A1. Автор: Chen-Feng Hsu,Cheng-Chun Chang,Xinyu Bao,Tung-Ying Lee,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for forming a three-dimensional (3D) memory device having bonded semiconductor structures

Номер патента: US12080697B2. Автор: WEI Liu,Shiqi HUANG,Bater Chelon,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory cell with a variable element and a phase change memory

Номер патента: US20240215462A1. Автор: Ning Li,Kangguo Cheng,Juntao Li,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Jin Ping HAN,Andrew Herbert Simon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Phase change memory with inter-granular switching

Номер патента: US09672906B2. Автор: Hsiang-Lan Lung,Yung-Han Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09455404B2. Автор: Chin-Tsan Yeh,Bing-Lung Yu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Insulated phase change memory using porous dielectrics

Номер патента: US20230093026A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Anirban Chandra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Phase-change memory device, phase-change channel transistor and memory cell array

Номер патента: US8120007B2. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2012-02-21.

Phase change memory with graded heater

Номер патента: US20220416162A1. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Vertical phase change memory device

Номер патента: US20240065119A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase-change memory cell with reduced heater size

Номер патента: US20230292637A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Projected phase change memory devices

Номер патента: US20210305503A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Timothy Mathew Philip,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Novel Nanocomposite Phase-Change Memory Materials and Design and Selection of the Same

Номер патента: US20220407001A1. Автор: Mo Li,Ichiro Takeuchi,Changming Wu,Heshan Yu,Aaron Gilad Kusne. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor stack incorporating phase change material

Номер патента: US20140061580A1. Автор: Abu Sebastian,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for vapor-phase growth of phase-change thin film, and device for vapor-phase growth of phase-change thin film

Номер патента: US20170125675A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihisa Fujisaki,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US7932102B2. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Byung-Seo Kim,Yoon-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-26.

Memory device

Номер патента: US10790443B2. Автор: Yefei HAN,Tetsu Morooka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-29.

Method for fabricating a phase-change memory cell

Номер патента: US20190006421A1. Автор: Fabio Pellizzer,Michele Magistretti,Cristina Casellato,Monica Vigilante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Phase change material for use in a phase change random access memory, the phase change material having uniformly distributed insulating impurities

Номер патента: US7956342B2. Автор: Yoon-Ho Khang,Dong-Seok Suh,Sang-mock Lee,Jin-seo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-07.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Phase change memory

Номер патента: US20110193047A1. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Byung-Seo Kim,Yoon-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Memory device

Номер патента: US20190088869A1. Автор: Yefei HAN,Tetsu Morooka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Method for fabricating a phase-change memory cell

Номер патента: US20150357563A1. Автор: Fabio Pellizzer,Michele Magistretti,Cristina Casellato,Monica Vigilante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Phase-change memory including phase-change elements in series with respective heater elements and methods for manufacturing, programming, and reading thereof

Номер патента: US12120967B2. Автор: Giovanni Campardo,Massimo Borghi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-10-15.

Fin field effect transistor, semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09954081B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for vapor-phase growth of phase-change thin film, and device for vapor-phase growth of phase-change thin film

Номер патента: US09911916B2. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihisa Fujisaki,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Thermally optimized phase change memory cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US09698346B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09640432B2. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Metal nitride keyhole or spacer phase change memory cell structures

Номер патента: US09627612B2. Автор: Chung Hon Lam,Sangbum Kim,Matthew Joseph BrightSky,Norma Edith Sosa Cortes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Forming sublithographic heaters for phase change memories

Номер патента: US09412939B2. Автор: Gianpaolo Spadini,Jong-Won S. Lee. Владелец: Carlow Innovations LLC. Дата публикации: 2016-08-09.

Low current phase-change memory device

Номер патента: US20230397510A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Phase change memory structure comprising phase change alloy center-filled with dielectric material

Номер патента: US20130284999A1. Автор: Jun-Fei Zheng. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Phase change memory devices, method for encoding, and methods for storing data

Номер патента: US20130155766A1. Автор: Zhiyong Liu. Владелец: INTERMEC IP CORP. Дата публикации: 2013-06-20.

Self-aligned process for manufacturing a phase change memory cell and phase change memory cell thereby manufactured

Номер патента: EP1469532A1. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-10-20.

Dual trench isolation for a phase-change memory cell and method of making same

Номер патента: US20020081807A1. Автор: Daniel Xu. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Phase-change memory device with conductive cladding

Номер патента: US20240147874A1. Автор: Kangguo Cheng,Guy M. Cohen,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Phase change memory cell with heater

Номер патента: US20240130256A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Arthur Roy Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Phase-change memory cell

Номер патента: US20180090542A1. Автор: Laurent Favennec,Emmanuel Gourvest,Yannick Le Friec. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-03-29.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8980683B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8890104B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Semiconductor structure, memory structure and fabrication methods thereof

Номер патента: US20220415898A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130228733A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140322886A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454434A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12136599B2. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Mask read-only memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09905566B2. Автор: Chao Zhang,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Apparatus having self healing liquid phase power connects and method thereof

Номер патента: US09728868B1. Автор: Alexander Lostetter. Владелец: Cree Fayetteville Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Phase change memory structure to reduce leakage from the heating element to the surrounding material

Номер патента: US09660188B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Chang-Ming Wu,Po-ken Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Electronic device assemblies and vehicles employing dual phase change materials

Номер патента: US09478478B2. Автор: Shailesh N. Joshi,Ercan Mehmet DEDE. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Resistive memory device, method of fabricating the same, and memory apparatus and data processing system having the same

Номер патента: US09378813B2. Автор: Sung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Phase change material memory device

Номер патента: US6881603B2. Автор: Stefan K. Lai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20040109351A1. Автор: Takashi Ohtsuka,Hideyuki Tanaka,Kiyoshi Morimoto,Akihito Miyamoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-10.

Phase change memory coding

Номер патента: US20140119110A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Ming-Hsiu Lee,Yen-Hao Shih,Chao-I Wu,Tien-Yen Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

One-transistor dram cell device based on polycrystalline silicon with finfet structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190267381A1. Автор: Seongjae Cho,Hyungsoon Shin. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2019-08-29.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Resistive memory cell fabrication methods and devices

Номер патента: US20140363947A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Electrode recessed phase change memory pore cell

Номер патента: US20230189670A1. Автор: Wanki Kim,Robert L. Bruce,Chung Hon Lam,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09922985B2. Автор: Hae Wan Yang,Sheng Fen Chiu,Guan Hua LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Thermal management in electronic apparatus with phase-change material and silicon heat sink

Номер патента: US09502740B2. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-22.

Phase-change memory and semiconductor recording/reproducing device

Номер патента: US09490428B2. Автор: Susumu Soeya,Toshimichi Shintani,Takahiro Odaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

PRAMS having phase-change layer pattern with electrode contact area and methods of forming the same

Номер патента: US7214957B2. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Young-Nam Hwang,Se-Ho Lee,Su-Youn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-08.

Phase change memory array with integrated polycrystalline diodes

Номер патента: US20190165043A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Chung H. Lam,Matthew J. BrightSky,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Method of manufacturing phase change memory and phase change memory

Номер патента: US20230024030A1. Автор: Chung-Hon Lam,Dong Gan. Владелец: Beijing Advanced Memory Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Memory device and semiconductor die having the memory device

Номер патента: US20240049477A1. Автор: Chien-Hsing Lee,Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Win-San Khwa,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Mask and fabricating method thereof, and displaying base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20220149282A1. Автор: Pengcheng LU,Yunlong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12133337B2. Автор: Yi Hung Lin,Li-Wei Sung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133386B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

3D phase change memory with high endurance

Номер патента: US09972660B2. Автор: Wanki Kim,Hsiang-Lan Lung,Chung Hon Lam,Matthew J. BrightSky. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Phase change memory with high endurance

Номер патента: US09793323B1. Автор: Wanki Kim,Hsiang-Lan Lung,Chung Hon Lam,Matthew J. BrightSky. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Organic light-emitting display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09590177B2. Автор: Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Chia-Yang Lu,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Chien-Tao Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods for forming narrow vertical pillars and integrated circuit devices having the same

Номер патента: US10971683B2. Автор: Jun Liu,Kunal Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-06.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US11903334B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20190088867A9. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Methods of forming memory devices

Номер патента: US20230389454A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US11276818B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-15.

Phase-change memory cells

Номер патента: US20140369114A1. Автор: Charalampos Pozidis,Chung Hon Lam,Sangbum Kim,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Reducing contact resistance of phase change memory bridge cell

Номер патента: US20230165170A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zuoguang Liu,Arthur Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Bridge cell phase change memory

Номер патента: US20230200266A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US20200287130A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Phase change memory material and system for embedded memory applications

Номер патента: US20140376309A1. Автор: Che-Min Lin,Hsiang-Lan Lung,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Phase-change memory cells

Номер патента: US20150001457A1. Автор: Abu Sebastian,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Set/reset methods for crystallization improvement in phase change memories

Номер патента: US20200365204A1. Автор: Neil Leslie Robertson,Gerardo A. Bertero,Michael K. Grobis,Mac D. Apodaca,Michael Nicolas Albert Tran,Zhaoqiang BAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230299189A1. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024130656A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240212753A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215271A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215272A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210296351A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Structure of metal-insulator-semiconductor-like multiple-negative-differential-resistance device and fabrication method thereof

Номер патента: US6197622B1. Автор: Wen-Chau Liu,Lih-Wen Laih. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-03-06.

Three-dimensional memory device comprising contact pads exposed by an opening passing through layer stack and fabrication method thereof

Номер патента: US12089406B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having high-k gate insulation films and fabricating method thereof

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Young-hun Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-12.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170200724A1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Memory and fabrication method thereof and memory system

Номер патента: US20240347452A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Flexible display device having a self-healing capability and fabrication method thereof

Номер патента: US09947899B2. Автор: Conghui LIU. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365597A1. Автор: Ming-Chih Hsu,Yi-Hao Chien,Huang-Nan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09735161B2. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704872B1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device having metal gate and fabrication method thereof

Номер патента: US09524968B1. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Single Crystal Phase Change Material

Номер патента: US20110108792A1. Автор: Alejandro G. Schrott,Chieh-Fang Chen,Chung Hon Lam. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Methods of forming a phase change memory with vertical cross-point structure

Номер патента: US20200303459A1. Автор: Federico Nardi,Christopher J. Petti,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-24.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20190355902A1. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20180166629A1. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Phase change memory structure to reduce power consumption

Номер патента: US10879463B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yi Jen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Phase change memory cell sidewall heater

Номер патента: US20240107900A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US10079340B2. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

Phase-change memory

Номер патента: US20140175370A1. Автор: Frederick T. Chen. Владелец: Higgs Opl Capital Llc. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220115442A1. Автор: Seung-Heon Lee,Ik Soo Kim,Byoung Deog Choi,Byeong Ju BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Phase change memory structure to reduce power consumption

Номер патента: US20200035919A1. Автор: Shih-Chang Liu,Yi Jen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Phase-change memory

Номер патента: US20130196467A1. Автор: Frederick T. Chen. Владелец: Higgs Opl Capital Llc. Дата публикации: 2013-08-01.

Phase change memory with reduced programming current

Номер патента: US20230284543A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zuoguang Liu,Arthur Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Strained transistors and phase change memory

Номер патента: US20230329008A1. Автор: Olivier Weber,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-10-12.

Fabrication of phase change memory cell in integrated circuit

Номер патента: US20200295261A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Barry Linder,Andrew Tae Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Tone inversion integration for phase change memory

Номер патента: US20190139765A1. Автор: Robert L. Bruce,Hsinyu Tsai,Matthew J. BrightSky,John M. Papalia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Tellurium (Te) Precursors for Making Phase Change Memory Materials

Номер патента: US20130129603A1. Автор: Manchao Xiao,Thomas Richard Gaffney. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Strained transistors and phase change memory

Номер патента: US20210343788A1. Автор: Olivier Weber,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-11-04.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US20220199901A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Gap filling method and method for forming semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7855145B2. Автор: Sung-Lae Cho,Choong-Man Lee,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park,Sang-Wook Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-21.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020014626A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050032339A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020130363A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Yurika Satou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

GaSbGe phase change memory materials

Номер патента: US09917252B2. Автор: Hsiang-Lan Lung,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Multistage set procedure for phase change memory

Номер патента: US09892785B2. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Kiran Pangal,Gayathri Rao Subbu,Nevil N Gajera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method, system, and device for heating a phase change memory cell

Номер патента: US09620709B2. Автор: Jun Liu,JIAN Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device having unequal pitch vertical channel transistors employed as selection transistors and method for programming the same

Номер патента: US09595568B2. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Manufacturing method of phase change memory

Номер патента: US09472759B1. Автор: Shui-Chin Su. Владелец: Ningbo Advanced Memory Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method, system and device for phase change memory with shunt

Номер патента: US09444043B2. Автор: Andrea Ghetti,Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for producing a memory device having a phase change film and reset gate

Номер патента: US10026893B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-07-17.

Phase change memory cell with a wrap around and ring type of electrode contact and a projection liner

Номер патента: US20220181546A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kevin W. Brew,Sanjay C. Mehta,Ruqiang Bao,Injo OK,Nicole Saulnier,Iqbal Rashid Saraf,Andrew Herbert Simon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Directly flat-attached switching component for active frequency selective surface and fabricating method thereof

Номер патента: US11056796B2. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-07-06.

I-shaped and L-shaped contact structures and their fabrication methods

Номер патента: US20070032012A1. Автор: Ming Lee,Ruichen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US10332834B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-06-25.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Array substrate and fabrication method thereof, display device and driving method thereof

Номер патента: US09928801B2. Автор: Xin Gu,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09911702B2. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Carrier, semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09899237B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Meng-Tsung Lee,Chiang-Cheng Chang,Jung-Pang Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893098B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

PMOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09741820B2. Автор: Lihong Xiao,Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Array substrate and fabricating method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09696580B2. Автор: Tian Yang,Yanbing WU,Wenbo Li,Chunyan JI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Phase-change chamber with patterned regions of high and low affinity to a phase-change medium for electronic device cooling

Номер патента: US09685393B2. Автор: Bin Wang,Zhen Sun,Xiaodan Chen,Huihe Qiu. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2017-06-20.

UV mask and fabrication method thereof

Номер патента: US09638845B2. Автор: Sung Hun Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09627269B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US09601428B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09564512B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Multi-layer phase change material

Номер патента: US09543510B2. Автор: Hao Tong,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-01-10.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09466624B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Contact liners for integrated circuits and fabrication methods thereof

Номер патента: US09431303B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Resistance change nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9025369B2. Автор: Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-05-05.

Chemical mechanical polishing stop layer for fully amorphous phase change memory pore cell

Номер патента: US8492194B2. Автор: Chung H. Lam,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Phase-Change emulsion heat-transfer medium, preparation method therefor, and battery heat management system

Номер патента: GB2595152A. Автор: Zhang Zhengguo,FANG Xiaoming,Wang Fangxian,Ling Ziye. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2021-11-17.

Phase Change Magnetic Ink And Process For Preparing Same

Номер патента: US20120162306A1. Автор: Peter G. Odell,Gabriel Iftime,C. Geoffrey Allen,Caroline Turek. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Battery package filled with phase change material and battery using the same

Номер патента: US09401500B2. Автор: Chi Hoon Choi,Jin Woo Kwak,Kyong Hwa Song,Han Saem Lee,Byung Sam Choi. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-07-26.

Phase change switch device

Номер патента: WO2023227773A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin,Christian BUTSCHKOW,Jochen Braumueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-30.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: US20230343531A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: EP4266482A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-25.

Phase change switches and circuits coupling to electromagnetic waves containing phase change switches

Номер патента: US20030030519A1. Автор: N. Wyeth,Abert Green. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-13.

PHASE CHANGE HEAT STORAGE RUBBER, METHOD FOR PREPARING THE SAME, AND USING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220081601A1. Автор: Zhang Liqiang. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

Phase-change microcapsule, high-safety lithium battery composite positive electrode and preparation method thereof

Номер патента: CN115558471A. Автор: 张青青,张晨,廖启忠. Владелец: Guangzhou Nano New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-01-03.

Magnetic material sheet and manufacturing method thereof, double-sided adhesive spacer, and, antenna module and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101346253B1. Автор: 야스시 코지마. Владелец: 가부시키가이샤 마루와. Дата публикации: 2013-12-31.

Nonvolatile phase change magnetic material, manufacturing method thereof, and nonvolatile phase change magnetic memory using the same

Номер патента: US8105704B2. Автор: Hidenori Takagi,Tomohiro Takayama. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile Phase Change Magnetic Material, Manufacturing Method Thereof, and Nonvolatile Phase Change Magnetic Memory Using the Same

Номер патента: US20080026257A1. Автор: Hidenori Takagi,Tomohiro Takayama. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2008-01-31.

Antenna and fabricating method thereof, and antenna device and fabricating method thereof

Номер патента: US20220077579A1. Автор: Meng Wei,Wei Zhang,YING Wang,Liang Li,HAO LIU,Jie Wu,Chuncheng CHE,Tienlun Ting,Haocheng JIA,Cuiwei TANG,Qiangqiang LI. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Stretchable composite electrode and fabricating method thereof

Номер патента: US20240212876A1. Автор: Wei Sheng CHEN,Ching Mao Huang,Jia Hui Zhou,Shu Xiong Wang,Chin Hui Lee,Huan Ran YUN. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Thermal energy storage with phase change materials having an adjustable transition temperature

Номер патента: US20230187686A1. Автор: Gao Liu,Ravi Prasher,Joseph Papp,Jonathan Lau,Sumanjeet Kaur,Christopher Dames,Drew Lilley,Piyachai Khomein. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-06-15.

Phase-change microcapsule, separator, electrode plate, battery, and electrical device

Номер патента: EP4262006A1. Автор: Shaojun Niu,Fengsheng Han. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Phase-change microcapsule, separator, electrode plate, battery, and electrical device

Номер патента: US20230395903A1. Автор: Shaojun Niu,Fengsheng Han. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Directly Flat-Attached Switching Component for Active Frequency Selective Surface and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20210005974A1. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-01-07.

Ultra-long silver nanowire material and fabrication method thereof

Номер патента: US12109621B2. Автор: Jing Zheng,Rui Dang. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2024-10-08.

Phase-Change Random Access Memory Device and Methods of Making the Same

Номер патента: US20240206351A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Phase change memory, electronic device, and preparation method for phase change memory

Номер патента: EP4354525A1. Автор: Xiang Li,Ping Ma. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Phase change memory, electronic device, and preparation method for phase change memory

Номер патента: US20240130253A1. Автор: Xiang Li,Ping Ma. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of manufacturing memory device and method of manufacturing phase-change memory device using the same

Номер патента: US20100197111A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US11950518B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Process for manufacturing a phase change memory array in Cu-damascene technology and phase change memory array manufactured thereby

Номер патента: US7259040B2. Автор: Fabio Pellizer,Roberto Bez. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-08-21.

Phase change random access memory device

Номер патента: US11765988B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Phase change random access memory device

Номер патента: US12089513B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120326112A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Memory device including switching material and phase change material

Номер патента: US20240046986A1. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Young Jae Kang,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Yongyoung PARK,Hajun SUNG,Dongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods of manufacturing phase-change random access memory devices

Номер патента: US20100323492A1. Автор: Tae-Yon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-23.

Phase change random access memory device

Номер патента: US20240040939A1. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Phase change random access memory device with transistor, and method for fabricating a memory device

Номер патента: US20080142776A1. Автор: Harald Seidl. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-06-19.

Resistance change memory, memory device, and memory system

Номер патента: US20240038286A1. Автор: Masami Kuroda,Hiroyuki Tezuka,Haruko Takahashi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Three terminal phase change memory with self-aligned contacts

Номер патента: US12108692B2. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin W. Brew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Phase-change memory cell, phase-change memory, electronic device and preparation method

Номер патента: EP4343869A1. Автор: Xiang Li,Xin Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Phase-change memory unit, method of forming the phase-change memory unit, phase-change memory device having the phase-change memory unit and method of manufacturing the phase-change memory device

Номер патента: KR100873890B1. Автор: 박인선,이기종,임낙현,임현석,오규환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-12-15.

Memory device and method for thermoelectric heat confinement

Номер патента: US20160104529A1. Автор: Daniel Krebs,Aravinthan Athmanathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Phase change heterostructure, and phase change memory device including the same

Номер патента: US20240065118A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Changyup Park,Youngjae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Logic gates and stateful logic using phase change memory

Номер патента: WO2021205456A1. Автор: Shahar Kvatinsky,Barak HOFFER,Eilam Yalon,Nicolas WAINSTEIN. Владелец: TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LIMITED. Дата публикации: 2021-10-14.

Logic gates and stateful logic using phase change memory

Номер патента: EP4133599A1. Автор: Shahar Kvatinsky,Barak HOFFER,Eilam Yalon,Nicolas WAINSTEIN. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Phase change memory device using carbon nanotube and method for fabricating the same

Номер патента: US7749801B2. Автор: Kuk-Hwan Kim,Yang-Kyu Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2010-07-06.

Resistance memory element, phase change memory element, resistance random access memory device, information reading method thereof, phase change random access memory device, and information reading method thereof

Номер патента: US20100008132A1. Автор: Cheol-Seong Hwang,Tae-Joo Park. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2010-01-14.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120009757A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120007036A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase-change memory cell with mixed-material switchable region

Номер патента: WO2024120160A1. Автор: Wanki Kim,Cheng-Wei Cheng,Robert L. Bruce,Guy M. Cohen,Asit Ray,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-13.

Phase change memory and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2004055916A3. Автор: Charles H Dennison. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Phase-change storage unit, phase-change memory, electronic device, and preparation method

Номер патента: US20240114808A1. Автор: Xiang Li,Xin Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of manufacturing phase change memory device and method of forming phase change layer applied in the same

Номер патента: KR20080035864A. Автор: 이재호,신웅철,강윤선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-04-24.

Phase change material cell with stress inducer liner

Номер патента: US20120147666A1. Автор: Martin M. Frank,Alejandro G. Schrott,Bipin Rajendran,Catherine A. Dubourdieu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Phase change material cell with piezoelectric or ferroelectric stress inducer liner

Номер патента: WO2012078456A1. Автор: Martin M. Frank,Alejandro G. Schrott,Bipin Rajendran,Catherine A. Dubourdieu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-14.

Method of manufacturing phase change memory device and method of forming phase change layer applied in the same

Номер патента: KR101263822B1. Автор: 이재호,신웅철,강윤선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-05-13.

Programmable phase-change memory and method therefor

Номер патента: EP1829110A2. Автор: Karen Attenborough,Hans Boeve,Niek Lambert,Victor Van Acht. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-09-05.

Programmable phase-change memory and method therefor

Номер патента: US20120230100A1. Автор: Karen Attenborough,Hans Boeve,Niek Lambert,Victor Van Acht. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Phase change memory, electronic device, and preparation method for phase change memory

Номер патента: EP4354525A4. Автор: Xiang Li,Ping Ma. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for programming a phase change memory

Номер патента: US11800820B2. Автор: Gabriele Navarro,Chiara Sabbione,Guillaume Bourgeois,Anna-Lisa Serra. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory device including phase-change material

Номер патента: US20230380195A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Dongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods of forming a phase change material

Номер патента: US20120108037A1. Автор: Keith R. Hampton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Phase-change memory cell and method of fabricating the phase-change memory cell

Номер патента: US20090072214A1. Автор: Simone Raoux,Jonathan Zanhung Sun,Hemantha Wickramasinghe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Process for manufacturing a phase change memory array in Cu-damascene technology and phase change memory array manufactured thereby

Номер патента: US20050064606A1. Автор: Fabio Pellizzer,Roberto Bez. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-03-24.

Methods of forming a phase change material

Номер патента: US20130017664A1. Автор: Keith R. Hampton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Mechanical resonator with a spring-mass system comprising a phase-change material

Номер патента: US09584092B2. Автор: Mark A. Lantz,Johan B. C. Engelen,Wabe W. Koelmans. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Phase change material, a phase change random access memory device including the phase change material, a semiconductor structure including the phase change material, and methods of forming the phase change material

Номер патента: US20100051895A1. Автор: Keith R. Hampton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

System and method for preparing conductive structures using radiation curable phase change gel inks

Номер патента: CA2708056A1. Автор: Barkev Keoshkerian,Peter G. Odell,Jennifer L. Belelie,Christopher A. Wagner,Naveen Chopra,Michelle C. Chretien. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Mechanical resonator with a spring-mass system comprising a phase-change material

Номер патента: US20170163239A1. Автор: Mark A. Lantz,Wabe W. Koelmans,Johan B.C. Engelen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Mechanical resonator with a spring-mass system comprising a phase-change material

Номер патента: US20160308470A1. Автор: Mark A. Lantz,Wabe W. Koelmans,Johan B.C. Engelen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Mechanical resonator with a spring-mass system comprising a phase-change material

Номер патента: US9887685B2. Автор: Mark A. Lantz,Johan B. C. Engelen,Wabe W. Koelmans. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Phase change material (PCM) memory devices with bipolar junction transistors and methods for making thereof

Номер патента: TW200849480A. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2008-12-16.

Multi bit phase-change random access memory devices and methods of forming the same

Номер патента: TW200835006A. Автор: Chang-Wook Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-16.

Dual emissive electroluminescent displays and fabricating and display methods thereof

Номер патента: US20060033424A1. Автор: Chung-Wen Ko. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-02-16.

Phase-change random access memory device having multi-levels and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130248805A1. Автор: Min Seok Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-26.

Memory device having wide area phase change element and small electrode contact area

Номер патента: CN101145599B. Автор: 龙翔澜. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-23.

Memory device having wide area phase change element and small electrode contact area

Номер патента: CN102097587B. Автор: 龙翔澜. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-28.

Resistance access memory device and fabricating method of the same

Номер патента: US11844294B2. Автор: JUNG Hyun Suk,Jun Young Kim,Jin Hyuk Choi,Won Bin Kim,Jae Myeong Lee,Han Gil SANG,Sangmyeong Lee,Oh Young GONG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-12-12.

Fabrication Method of Phase-Change Random Access Memory Device

Номер патента: KR101124300B1. Автор: 이민용,서혜진,이금범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-27.

Storage device having an electroplated phase change switch

Номер патента: GB2550701B. Автор: LILLE Jeffrey,R Bonhote Christian. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2020-01-01.

Method for munufacturing memory device and method for manufacturing phase change random access memory device using the same

Номер патента: KR101181169B1. Автор: 서혜진,이형석,이금범. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-09-18.

Memory device, in particular, phase change random access memory device with transistor, and method for fabricating memory device

Номер патента: JP2008172218A. Автор: Harald Seidl,ザイドルハラルド. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-07-24.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20140140746A. Автор: 이현민,조한우. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-12-10.

Manufacturing Method of Phase Change Random Access Memory Device

Номер патента: KR101069657B1. Автор: 이동렬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-04.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20150007520A. Автор: 정하창,이기아. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2015-01-21.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20140148068A. Автор: 김민석,윤효섭. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-12-31.

Multi-level phase change random access memory device

Номер патента: KR101430171B1. Автор: 이태연. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-08-14.

Phase-change random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7061005B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Phase-Change Random Access Memory Device And Method of Manufacturing The Same

Номер патента: KR100951660B1. Автор: 이민용,이영호,이형석,채수진,이금범,안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-07.

Phase-change random access memory device and method of operating the same

Номер патента: US20070133270A1. Автор: Fai Yeung,Jae-Hyun Park,Chang Jeong,Won-Cheol Jeong,Su-Youn Lee,Su-Jin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Multi Bit Phase Change Random Access Memory Device

Номер патента: KR101094902B1. Автор: 김형준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-15.

Phase change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20100044004A. Автор: 이기정,김진혁,길덕신. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-29.

Phase change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110073830A1. Автор: Min Seok Kim,Hyo Seob Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Phase-change random access memory device and method of operating the same

Номер патента: TWI307552B. Автор: Fai Yeung,Jae-Hyun Park,Won-Cheol Jeong,Su-Youn Lee,Chang-Wook Jeong,Su-Jin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-11.

Phase-change random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR101026476B1. Автор: 장헌용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-04-01.

Display device having a second electrode layer connected to an auxiliary electrode layer, display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US11844255B2. Автор: MENG Li,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Zhongyuan Wu. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Phase change memory device having carbon nano tube lower electrode material and method of manufacturing the same

Номер патента: US7589342B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-15.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100059731A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Phase change memory devices, methods of manufacturing and methods of operating the same

Номер патента: US20110068317A1. Автор: Ji-hyun Hur,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Yoon-Ho Kang,Hyo-sug Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-24.

Wafer bonded access device for multi-layer phase change memory using lock-and-key alignment

Номер патента: US20110049455A1. Автор: Kuan-Neng Chen,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Phase change memory device based on nano current channel

Номер патента: US11765987B2. Автор: Han Li,Xiaomin Cheng,Xiangjun Liu,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG,Yunlai ZHU. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-09-19.

Phase-change memory device with tapered thermal transfer layer

Номер патента: US20240237560A1. Автор: Yu-Wen Wang,Fu-Ting Sung,Tsung-Hsueh Yang,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Phase change memory device

Номер патента: US20090194759A1. Автор: Chien-Min Lee,Chin-Fu Kao,Tsung-Shune Chin,Ming-Jinn Tsai. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2009-08-06.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110312149A1. Автор: Heon Yong Chang,Myoung Sub KIM,Gap Sok DO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Phase change memory device

Номер патента: US20080067487A1. Автор: Tsuyoshi Kawagoe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Methods, structures, and devices for reducing operational energy in phase change memory

Номер патента: US20120002465A1. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Phase change memory with finite annular conductive path

Номер патента: US20100328994A1. Автор: Chung H. Lam,Bipin Rajendran,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-30.

Phase change memory device and fabrication thereof

Номер патента: US20100213432A1. Автор: Chien-Min Lee,Ming-Jeng Huang,Jen-Chi Chuang,Jia-Yo Lin,Min-Chih Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US11812661B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Phase-change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060006374A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12048258B2. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yuan-Tai Tseng,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046280B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Dinggui Zeng,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240349630A1. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yuan-Tai Tseng,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US12029143B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device and formation method thereof

Номер патента: US20240315153A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

3d phase change memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240224541A1. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US20100283027A1. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2010-11-11.

Phase change memory device with reinforced adhesion force

Номер патента: US20090020741A1. Автор: Hae Chan PARK,Nam Kyun PARK,Cheol Seong Hwang,Byung Joon Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Phase change memory device with reinforced adhesion force

Номер патента: US7687795B2. Автор: Hae Chan PARK,Nam Kyun PARK,Cheol Seong Hwang,Byung Joon Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

Memory device

Номер патента: US20080157072A1. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-07-03.

Phase-change memory structure and phase-change memory device including the same

Номер патента: US20240107778A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Youngjae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A3. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-05-24.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-03-08.

Phase change memory device

Номер патента: US8263963B2. Автор: Sung-Lae Cho,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-11.

Phase Change Memory Device

Номер патента: US20110180774A1. Автор: Sung-Lae Cho,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-28.

Phase-change memory and method of forming same

Номер патента: US12075713B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Phase change memory element and method of making the same

Номер патента: US7456460B2. Автор: Yi-Chou Chen,Hsiang-Lan Lung,Geoffrey W. Burr. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-25.

Phase-change memory cell with asymmetric structure, a memory device including the phase-change memory cell, and a method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20230240160A1. Автор: Andrea Redaelli,Mario Allegra. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-27.

Phase change material layers and phase change memory devices including the same

Номер патента: US20090179185A1. Автор: Matthias Wuttig,Yoon-Ho Khang,Cheol-Kyu Kim,Ki-Joon Kim,Dong-Seok Suh,Youn-Seon Kang,Tae-Yon Lee,Daniel Wamwangi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

High-density phase change cell array and phase change memory device having the same

Номер патента: US7136299B2. Автор: Jung Ho Kim,Eu Gene Chu,Ju Ho Mo,Seong Taek Park,Hyun Yong Lim,Pyeong Han Lee,Ja Choon Jeong. Владелец: BeyondMicro Inc. Дата публикации: 2006-11-14.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A2. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2008-08-14.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A9. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: Roger Switzer. Дата публикации: 2008-10-09.

Phase change memory device accounting for volume change of phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090225589A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-10.

Memory device for a hierarchical memory architecture

Номер патента: US20150370750A1. Автор: Sean Eilert,Mark Leinwander. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Memory device for a hierarchical memory architecture

Номер патента: US09626327B2. Автор: Sean Eilert,Mark Leinwander. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Phase change memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US7599216B2. Автор: Yoon-Ho Khang,Dong-Seok Suh,Jin-seo Noh,Mi-Jeong Song,Vassili Leniachine. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-06.

Ge precursor, GST thin layer formed using the same, phase-change memory device including the GST thin layer, and method of manufacturing the GST thin layer

Номер патента: US7518007B2. Автор: Jung-hyun Lee,Bum-seok Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-14.

Phase change memory device having phase change material layer containing phase change nano particles and method of fabricating the same

Номер патента: US20090278108A1. Автор: Yoon-Ho Khang,Dong-Seok Suh,Wil-Liam Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Phase change memory device accounting for volume change of phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120077324A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Phase change memory device accounting for volume change of phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US8093632B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-10.

Phase change memory and method of fabricating same

Номер патента: US20130048936A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Shih-Chang Liu,Tsun-Kai Tsao,Ming-Huei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Nonvolatile logic gate circuit based on phase change memory

Номер патента: US09369130B2. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiaomin Cheng,Huajun Sun,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-06-14.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: US11889773B2. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Matthew Joseph BrightSky,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: WO2022142647A1. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Matthew Joseph BrightSky,Jin Ping HAN. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-07-07.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: GB2617946A. Автор: OK Injo,Saulnier Nicole,Ping Han Jin,Joseph Brightsky Matthew,W Brew Kevin,Mathew Philip Timothy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Phase change material with filament electrode

Номер патента: US20090275168A1. Автор: Eric A. Joseph,Gerhard Ingmar Meijer,Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Matthew J. Breitwisch,Roger W. Cheek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Phase change memory device

Номер патента: US20080067488A1. Автор: Tsuyoshi Kawagoe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Methods for a phase-change memory array

Номер патента: US20140376306A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Cu-doped Sb-Te system phase change material, phase change memory and preparation method thereof

Номер патента: US11807798B2. Автор: Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-11-07.

Cu-DOPED Sb-Te SYSTEM PHASE CHANGE MATERIAL, PHASE CHANGE MEMORY AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20230287253A1. Автор: Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-09-14.

Phase-change memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20070120106A1. Автор: Shinpei Iijima,Tsutomu Hayakawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-05-31.

Method for manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20240215461A1. Автор: Gabriele Navarro,Guillaume Bourgeois. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-27.

Post deposition method for regrowth of crystalline phase change material

Номер патента: EP2534710A1. Автор: Stephen M. Rossnagel,Alejandro G. Schrott,Lam H. Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-19.

Post deposition method for regrowth of crystalline phase change material

Номер патента: WO2011100079A1. Автор: Stephen M. Rossnagel,Alejandro G. Schrott,Lam H. Chung. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-08-18.

Phase change memory device having protective layer for protecting phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090242867A1. Автор: Dae Ho Rho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Phase change memory cell having pillar bottom electrode with improved thermal insulation

Номер патента: WO2023066649A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-04-27.

Phase change memory cell with heater and method therefor

Номер патента: US20120007031A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Dharmesh Jawarani,Leo Mathew,Tushar P. Merchant. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase change memory cell having pillar bottom electrode with improved thermal insulation

Номер патента: EP4420497A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Phase change memory device, manufacturing method thereof and operating method thereof

Номер патента: US20090067228A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Methods, structures, and devices for reducing operational energy in phase change memory

Номер патента: US20120002465A1. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: EP3238283A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Doped phase change material and pram including the same

Номер патента: US20080149908A1. Автор: Matthias Wuttig,Yoon-Ho Khang,Ki-Joon Kim,Dong-Seok Suh,Daniel Wamwangi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Phase-change memory devices

Номер патента: US20240276892A1. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Selection element-integrated phase-change memory and method for producing same

Номер патента: US11980109B2. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Electronic chip with two phase change memories

Номер патента: US20230309423A1. Автор: Remy Berthelon,Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-09-28.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: WO2016105750A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Phase change memory unit and preparation method therefor

Номер патента: US20240065120A1. Автор: Ming Li,Min Zhong,Gaoming FENG. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase-Change Memory and Method of Forming Same

Номер патента: US20230320239A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Phase change memory apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20100327252A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Multifunctional composite phase change material supported by nickel-plated foam and mxene collaboratively, and preparation method thereof

Номер патента: NL2033966A. Автор: XUE Bai,Cheng Ziling. Владелец: Univ Guizhou. Дата публикации: 2023-03-07.

Multifunctional composite phase change material supported by nickel-plated foam and mxene collaboratively, and preparation method thereof

Номер патента: NL2033966B1. Автор: XUE Bai,Cheng Ziling. Владелец: Univ Guizhou. Дата публикации: 2023-07-28.

Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same

Номер патента: WO2007109021A1. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-09-27.

Phase-change memory with supply-voltage regulation circuit

Номер патента: EP3767627A1. Автор: Mr. Michele LA PLACA,Mr. Fabio Enrico Carlo DISEGNI,Mr. Federico GOLLER. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-20.

Short bridge phase change memory cells and method of making

Номер патента: US20090289243A1. Автор: Song S. Xue,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-11-26.

Phase-change memory cell

Номер патента: US12114580B2. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230354722A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Integrated schottky diode phase change memory device

Номер патента: WO2022117279A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-06-09.

Sb-te-ti phase-change memory material and ti-sb2te3 phase-change memory material

Номер патента: US20160099050A1. Автор: Cheng Peng,Feng Rao,Min Zhu,Kun REN,Zhitang Song,Xilin ZHOU,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-04-07.

Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US7932508B2. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2011-04-26.

Multi-bit phase change memory devices

Номер патента: US20100220520A1. Автор: Hong-Sik Jeong,Gi-Tae Jeong,Young-Nam Hwang,Soon-Oh Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-02.

Method of Forming Phase-Change Memory Layers on Recessed Electrodes

Номер патента: US20230309424A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US11744165B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Integrated schottky diode phase change memory device

Номер патента: EP4256631A1. Автор: Lawrence Clevenger,Timothy Mathew Philip,Kevin BREW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US7781753B2. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2010-08-24.

Phase change memory cell with high read margin at low power operation

Номер патента: EP1846961A1. Автор: Thomas Happ. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-24.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: WO2021181173A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Wanki Kim. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-09-16.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: GB2609776A. Автор: LI NING,Sadana Devendra,KIM WANKI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-15.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240381620A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for making phase change memory

Номер патента: US8621746B2. Автор: Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-07.

Phase change memory device with reduced unit cell size and improved transistor current flow and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080101112A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Phase change memory devices and their methods of fabrication

Номер патента: US7598112B2. Автор: Jae-hee Oh,Jae-Hyun Park,Won-Cheol Jeong,Se-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-06.

Phase-change memory with an insulating layer on a cavity sidewall

Номер патента: US11800821B2. Автор: DANIEL Benoit,Philippe Boivin,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-10-24.

Integrated diode memory device

Номер патента: US11800819B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: AU2021234173A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Wanki Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Chalcogenide phase change materials and their use

Номер патента: WO2011114173A1. Автор: Konstantin B. Borisenko. Владелец: ISIS INNOVATION LIMITED. Дата публикации: 2011-09-22.

Phase-change memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: US20240257871A1. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Chun-Wei Chang,Yung-Huei Lee,Chih-Hung Nien,Wen-Hsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Single mask adder phase change memory element

Номер патента: US20120168709A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Chung H. Lam,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Phase change memory device having Schottky diode and method of fabricating the same

Номер патента: US7804703B2. Автор: Gi-Tae Jeong,Dae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-28.

Phase change memory device having tapered portion of the bottom memory layer

Номер патента: US11805712B2. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Vertical phase change memory device

Номер патента: WO2024037524A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-02-22.

Insulated phase change memory using porous dielectrics

Номер патента: US11980110B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Anirban Chandra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: AU2021244850A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: AU2021244850B2. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: WO2021191696A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-09-30.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: CA3168067A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-30.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: GB2608771A. Автор: CLEVENGER Lawrence,Brew Kevin,Matthew Philip Timothy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-01-11.

Nonvolatile logic gate circuit based on phase change memory

Номер патента: US20150236697A1. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiaomin Cheng,Huajun Sun,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-08-20.

Phase change memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080121863A1. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Phase change memory device suitable for high temperature operation

Номер патента: WO2011060032A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Simone Raoux,Bipin Rajendran,Matthew J. Breitwisch,Daniel Krebs. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP.. Дата публикации: 2011-05-19.

Phase Change Memory Cell Design with Adjusted Seam Location

Номер патента: US20080179591A1. Автор: Alejandro Gabriel Schrott,Thomas Happ,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Memory Device and Method of Making Same

Номер патента: US20110227027A1. Автор: Wolodymyr Czubatyj,Tyler Lowrey,Sergey Kostylev. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2011-09-22.

Phase-change memory

Номер патента: US20240276894A1. Автор: Philippe Boivin,Roberto Simola,Yohann MOUSTAPHA-RABAULT. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-08-15.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: US11812676B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Phase change memory device

Номер патента: EP1878065A1. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-01-16.

Phase change memory device

Номер патента: WO2006117063A1. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-11-09.

Phase change memory unit and phase change memory

Номер патента: EP4391016A1. Автор: Xiang Li,Hao Tong,Xin Chen,Ping Ma,Yanrong GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Structure and fabrication method for resistance-change memory cell in 3-d memory

Номер патента: WO2011106329A4. Автор: Deepak C. Sekar,Franz Kreupl. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-10-27.

Write-Once Memory Array including Phase-Change Elements and Threshold Switch Isolation

Номер патента: US20100012918A1. Автор: Ward Parkinson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Phase change memory device

Номер патента: US20060203541A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Phase change random access memory

Номер патента: US7504652B2. Автор: Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-03-17.

Phase change memory element and method for forming the same

Номер патента: US20090250691A1. Автор: Chen-Ming Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Phase change material for a phase change memory device and method for adjusting the resistivity of the material

Номер патента: WO2010125540A3. Автор: Robertus Adrianus Maria Wolters,Michael Antoine Armand In 'T Zandt,Harry Wondergem. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2011-04-07.

Phase Change Material for a Phase Change Memory Device and Method for Adjusting the Resistivity of the Material

Номер патента: US20120091416A1. Автор: Hendrikus Jan Wondergem,Michael Antoine Armand In 'T Zandt,Robertus Adrainus Maria Wolters. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Phase change material for a phase change memory device and method for adjusting the resistivity of the material

Номер патента: US8792265B2. Автор: Robertus Andrianus Maria Wolters,Hendrikus Jan Wondergem,Michael Antoine Armand In 'T Zandt. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-29.

Confined bridge cell phase change memory

Номер патента: US11980111B2. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kevin W. Brew,Injo OK,Nicole Saulnier,Andrew Herbert Simon,Steven Michael McDermott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Multi-level programming of phase change memory device

Номер патента: WO2023104452A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

Phase-change memory device with conductive cladding

Номер патента: WO2024093753A1. Автор: Kangguo Cheng,Guy M. Cohen,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-05-10.

Insulated phase change memory using porous dielectrics

Номер патента: WO2023041296A1. Автор: Lawrence Clevenger,Timothy Mathew Philip,Kevin BREW,Anirban Chandra. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory device

Номер патента: US7718467B2. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-05-18.

Phase change memory cell with heater

Номер патента: WO2024083094A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Arthur Roy Gasasira. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-25.

Phase change memory cell with double active volume

Номер патента: WO2023165853A1. Автор: Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN,Kevin BREW. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-07.

Structure of a memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040004256A1. Автор: Jiun-Ren Lai,Chun-Yi Yang,Shi-Xian Chen,Gwen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Lateral phase change memory

Номер патента: US20110003454A1. Автор: Richard Dodge,Guy Wicker. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-01-06.

Cross-Point Self-Aligned Reduced Cell Size Phase Change Memory

Номер патента: US20120087181A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-12.

Forming phase change memory cells

Номер патента: US20100163827A1. Автор: Fabio Pellizzer,Yudong Kim. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Phase change storage unit and phase change memory

Номер патента: US20240268242A1. Автор: Xiang Li,Hao Tong,Xin Chen,Ping Ma,Yanrong GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Symmetric phase-change memory devices

Номер патента: US11769046B2. Автор: Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

A non-volatile memory cell comprising a dielectric layer and a phase change material in series

Номер патента: WO2006078505A3. Автор: S Brad Herner. Владелец: S Brad Herner. Дата публикации: 2009-06-04.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A3. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: Roger Switzer. Дата публикации: 2008-11-27.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US12052871B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method and structure for peltier-controlled phase change memory

Номер патента: WO2006121473A1. Автор: Lia Krusin-Elbaum,Dennis M. Newns. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-11-16.

Phase change memory cell including multiple phase change material portions

Номер патента: EP1783844A3. Автор: Thomas Happ,Jan Boris Philip. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-12-08.

Vertical phase change bridge memory cell

Номер патента: US11683998B2. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Phase change memory structure with multiple resistance states and methods of programming and sensing same

Номер патента: WO2008150576A1. Автор: Jun Liu,Mike Violette. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-12-11.

Phase change memory cell with an airgap to allow for the expansion and restriction of the pcm material

Номер патента: US20230284542A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Embedded heater in a phase change memory material

Номер патента: US11910731B2. Автор: Robert L. Bruce,Ching-Tzu Chen,Jin Ping HAN,Philip Joseph Oldiges. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Phase change memory unit and preparation method therefor

Номер патента: US20230363299A1. Автор: Ming Li,Min Zhong,Shoumian Chen,Gaoming FENG. Владелец: Shanghai IC Equipment Material Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Phase change memory elements using energy conversion layers, memory arrays and systems including same, and methods of making and using same

Номер патента: US20120281466A1. Автор: Jun Liu,Mike Violette,Jon Daley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Phase change memory cell with an airgap to allow for the expansion and restriction of the PCM material

Номер патента: US11963469B2. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Embedded heater in a phase change memory material

Номер патента: EP4292141A1. Автор: Robert Bruce,Jin-Ping Han,Ching-Tzu Chen,Philip Joseph Oldiges. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Three-dimensional memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20230144830A1. Автор: YING Zhou,Ming Li,Zhenzhen Zhang,LongDong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Non-volatile logic device based on phase-change magnetic materials and logic operation method thereof

Номер патента: US09543955B2. Автор: Yi Li,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-01-10.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100019217A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Chang-Soo Lee,Byung-Gil Choi,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-28.

Phase-change memory cell

Номер патента: US20230389450A1. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-30.

Phase-change memory devices, systems, and methods of operating thereof

Номер патента: US11929117B2. Автор: Xuwen PAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Phase change memory apparatus having row control cell

Номер патента: US20120081954A1. Автор: Kyoung Wook Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Contact resistance of a metal liner in a phase change memory cell

Номер патента: US11957069B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Phase change memory and phase change recording medium

Номер патента: US20060289850A1. Автор: Tomio Iwasaki,Hideyuki Matsuoka,Hiroshi Moriya,Norikatsu Takaura. Владелец: Norikatsu Takaura. Дата публикации: 2006-12-28.

Phase change memory and phase change recording medium

Номер патента: US20050156150A1. Автор: Tomio Iwasaki,Hideyuki Matsuoka,Hiroshi Moriya,Norikatsu Takaura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

Drift-insensitive or invariant material for phase change memory

Номер патента: US20130314983A1. Автор: Jing Li,Binquan Luan,Chung H. Lam,Glenn J. Martyna,Dennis M. Newns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US20120074370A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Phase change memory cell structures and methods

Номер патента: US20110291065A1. Автор: Joseph N. Greeley,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Drift-insensitive or invariant material for phase change memory

Номер патента: US20130313501A1. Автор: Jing Li,Binquan Luan,Chung H. Lam,Glenn J. Martyna,Dennis M. Newns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Phase change memory structures

Номер патента: WO2009042293A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Rajesh A. Rao,Tushar P. Merchant. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-04-02.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215273A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3912188A1. Автор: Linchum WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Forming phase change memories

Номер патента: MY135719A. Автор: Chien Chiang,Tyler Lowrey,Charles Dennison. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2008-06-30.

Carbon-containing interfacial layer for phase-change memory

Номер патента: US20030164515A1. Автор: Daniel Xu. Владелец: Daniel Xu. Дата публикации: 2003-09-04.

Plasma treating methods of fabricating phase change memory devices, and memory devices so fabricated

Номер патента: US8039297B2. Автор: Dong-ho Ahn,Young-Kuk Kim,Mi-Lim Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-18.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11849570B2. Автор: Seung-Heon Lee,Ik Soo Kim,Byoung Deog Choi,Byeong Ju BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Phase change material switch and method of fabricating same

Номер патента: AU2021237822B2. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Heng Wu,Kevin BREW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Phase change memory cell sidewall heater

Номер патента: WO2024060645A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-28.

Phase change random access memory and layout method of the same

Номер патента: US20090231899A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Phase change memory using multiple stacks of pcm materials

Номер патента: WO2021161117A1. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin BREW. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-08-19.

Phase change memory using multiple stacks of PCM materials

Номер патента: GB2608308A. Автор: Wu Heng,Zhang Jingyun,Shen Tian,Wayne Brew Kevin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Phase change memory with wrap-around projection liner

Номер патента: WO2023036718A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yann Mignot,Injo OK,Mary Claire Silvestre. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-03-16.

Phase change memory cell with resistive liner

Номер патента: WO2022207630A3. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-11-10.

Phase change memory with wrap-around projection liner

Номер патента: EP4399953A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yann Mignot,Injo OK,Mary Claire Silvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Phase change memory cell with resistive liner

Номер патента: CA3207064A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Phase change memory cell with sidewall projection liner

Номер патента: EP4410076A1. Автор: Andrew Simon,Injo OK,Kevin BREW,Matthew T. Shoudy,Timothy Philip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Phase change memory cell with spacer

Номер патента: WO2023021178A1. Автор: Andrew Simon,Muthumanickam Sankarapandian,Injo OK,Nicole Saulnier,Steven McDermott,Iqbal SARAF. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-02-23.

Phase change memory cell with spacer

Номер патента: EP4388835A1. Автор: Andrew Simon,Muthumanickam Sankarapandian,Injo OK,Nicole Saulnier,Steven McDermott,Iqbal SARAF. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-26.

Global heater for phase change memory

Номер патента: EP4430932A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12087361B2. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jongryul Kim,Venkataramana Gangasani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Heater for phase change material memory cell

Номер патента: US12150393B2. Автор: Victor W. C. Chan,Injo OK,Jin Ping HAN,Samuel Sung Shik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Storage device with 2D configuration of phase change memory integrated circuits

Номер патента: US09595322B2. Автор: Peter Mueller,Evangelos Eleftheriou,Roman A. Pletka,Ioannis Koltsidas,Theodoros A. Antonakopoulos,Aspasia Palli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Multistage set procedure for phase change memory

Номер патента: US09583187B2. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Kiran Pangal,Gayathri Rao Subbu,Nevil N Gajera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Implementing enhanced performance with read before write to phase change memory to avoid write cancellations

Номер патента: US09471227B2. Автор: Robert Eugeniu Mateescu,Cyril Guyot,Dejan Vucinic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Self-aligned small contact phase-change memory method and device

Номер патента: US20060124916A1. Автор: Hsiang Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Phase change memory cell with ovonic threshold switch

Номер патента: US11910734B2. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Robert L. Bruce,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Phase change memory cell

Номер патента: GB2617734A. Автор: Mehta Sanjay,Sankarapandian Muthumanickam,OK Injo,Bao Ruqiang,Saulnier Nicole,Herbert Simon Andrew,Brew Kevin,Rashid Saraf Iqbal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Phase change memory cell with ovonic threshold switch

Номер патента: US20230309422A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Robert L. Bruce,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Phase-change memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: US11978511B2. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Chun-Wei Chang,Yung-Huei Lee,Chih-Hung Nien,Wen-Hsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Phase-change memory device and method

Номер патента: US11997933B2. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Phase change memory

Номер патента: US20100133503A1. Автор: Yung-Chang Lin,Chien-Li Kuo,Kuei-Sheng Wu,Chien-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Electron transport material and fabricating method thereof, and organic light-emitting diode

Номер патента: US20240032419A1. Автор: Kui Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Circuit board with embedded electronic component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240196512A1. Автор: YING Wang,Yong-Quan Yang. Владелец: Garuda Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Planar phase-change memory cell with parallel electrical paths

Номер патента: US8685785B2. Автор: Michele M. Franceschini,John P. Karidis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Phase-change random access memory device

Номер патента: US20100124101A1. Автор: Kwang-Ho Kim,Mu-hui Park,Soo-Guil Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory device including phase change memory device and method of accessing phase change memory device

Номер патента: US20200066342A1. Автор: Jin-yong Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Phase change random access memory device

Номер патента: US20120081955A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

High throughput programming system and method for a phase change non-volatile memory device

Номер патента: US09697896B2. Автор: Antonino Conte,Kailash Khairnar,Alberto Jose′ Di Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US7961504B2. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-14.

Driving stage for phase change non-volatile memory devices provided with auto-calibration feature

Номер патента: US8942033B2. Автор: Antonino Conte,Kailash Khairnar,FrancescoNino Mammoliti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2015-01-27.

Driving stage for phase change non-volatile memory devices provided with auto-calibration feature

Номер патента: US20130229864A1. Автор: Antonino Conte,Kailash Khairnar,FrancescoNino Mammoliti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-09-05.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20080055971A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20110213922A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20130039124A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-14.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US8320168B2. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-27.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20100220521A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-02.

High-efficiency driving stage for phase change non-volatile memory devices

Номер патента: US20130229863A1. Автор: Antonino Conte,Maria GIAQUINTA,Loredana CHIARAMONTE. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-09-05.

Memory device for increasing write margin during write operation and reducing current leakage during standby operation and operation method thereof

Номер патента: US11776621B2. Автор: Jinn Shyan Wang,Chien Tung LIU,Chih Jung LIU. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-03.

Phase change memory device and control method

Номер патента: EP2291846A1. Автор: Ludovic Goux. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-09.

Three-dimensional convolution operation device and method based on three-dimensional phase change memory

Номер патента: US20220351026A1. Автор: Hao Tong,Qing Hu,Xiangshui Miao,Yuhui He. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-11-03.

Memory device including a programmable resistance element

Номер патента: US20090010048A1. Автор: Yukio Fuji. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-01-08.

Dynamic thermal infrared stealth composite material based on dual phase change and preparation method thereof

Номер патента: US20210324254A1. Автор: Jian Chen,Chuanchang LI,Baoshan XIE. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for multilevel programming of phase change memory cells using a percolation algorithm

Номер патента: US7639526B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-29.

Refresh circuitry for phase change memory

Номер патента: US7894254B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Three-dimensional convolution operation device and method based on three-dimensional phase change memory

Номер патента: US11989644B2. Автор: Hao Tong,Qing Hu,Xiangshui Miao,Yuhui He. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-05-21.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US20170178722A1. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-06-22.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US10068643B2. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-09-04.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US09613692B1. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-04-04.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF ACCESSING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200066342A1. Автор: HA Jin-Yong. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Systems and methods of using phase change material in power plants

Номер патента: US09476648B2. Автор: Ying Sun,Matthew McCarthy,Young I. Cho,Qinghua Xie,Baolan Shi,Han Hu,Philipp Boettcher. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-25.

State of charge sensor for phase change material thermal energy storage

Номер патента: US20240310082A1. Автор: Joseph D. Rendall,Anthony C. Gehl,Jerald A. Atchley,Diana Hun,Som S. Shrestha,Zhenglai Shen. Владелец: UT-BATTELLE, LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Dynamic thermal infrared stealth composite material based on dual phase change and preparation method thereof

Номер патента: US11807797B2. Автор: Jian Chen,Chuanchang LI,Baoshan XIE. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-11-07.

Polyurethane phase-change nanocapsule, phase-change polyurethane pouring sealant and preparation method therefor

Номер патента: US20240309256A1. Автор: Zhi Yu,Jianjun Chen,Jun Song,Hengchao HUANG,Mingsong Miao,You Rao. Владелец: Guangzhou Baiyun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Treated fiber reinforced form stable phase change

Номер патента: US09890313B2. Автор: Anil Kumar Mehta,Devendra Jain,Suman Kumari,Nidhi Agarwal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for producing crockery filled with phase-change material

Номер патента: EP3860407A1. Автор: Karim Redjal. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2021-08-11.

Method for producing crockery filled with phase-change material

Номер патента: WO2020070709A1. Автор: Karim Redjal. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2020-04-09.

Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium

Номер патента: EP1170740A3. Автор: Gian Anton Zardini,Eiji Hitachi Computer Peripherals Co. Ltd Sahota,Yasumi Hitachi Computer Horiguchi. Владелец: Pfeiffer Vacuum Systems (International) AG. Дата публикации: 2003-01-08.

Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium

Номер патента: US20010054604A1. Автор: Eiji Sahota,Yasumi Horiguchi,Gian Zardini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Phase change material injection device and structure for removing moisture of head lamp with the same

Номер патента: US09534841B2. Автор: Jeong Gyu Yang,Byung-Ook Park,Sae-Jun Park. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Thermal control using phase-change material

Номер патента: WO2017192235A1. Автор: Philip Campbell,Larry W. Akers,Joseph F. Wrinn,David GRAZIOSE. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2017-11-09.

Multi-port phase change random access memory cell and multi-port phase change random access memory device including the same

Номер патента: TW200832407A. Автор: Qi Wang,Kwang-Jin Lee,Chang-Soo Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-01.

Phase-change metasurface for programmable waveguide mode conversion

Номер патента: WO2021216282A1. Автор: Mo Li,Changming Wu. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2021-10-28.

Composition of microwavable phase change material

Номер патента: US9765201B2. Автор: Anil Kumar Mehta,Devendra Jain,Suman Kumari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Phase change heat exchanger

Номер патента: US5220954A. Автор: William J. Longardner,Robert L. Longardner. Владелец: Shape Inc. Дата публикации: 1993-06-22.

Ultra-low temperature phase change gel

Номер патента: US20230028657A1. Автор: Tao Tang,Xiaoshan FAN. Владелец: Pregis New Materials Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Shipping package with phase-change material

Номер патента: WO2024042496A1. Автор: Jeffrey Thomas Whitely,Anthony Scott ALLEVA,Ryan Lawrence McKenzie SANDERS,Curtis Brian SCOTT,Chantal Ann WALKER. Владелец: Rapid Aid Corp.. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for low temperature microencapsulation of phase change materials

Номер патента: EP3344381A1. Автор: Mohammed Farid,Jamal Kurdi,Refat AL SHANNAQ,Shaheen AL-MUHTASEB. Владелец: Qatar Foundation for Education Science and Community Development. Дата публикации: 2018-07-11.

Method for low temperature microencapsulation of phase change materials

Номер патента: US20180223146A1. Автор: Mohammed Farid,Jamal Kurdi,Refat AL SHANNAQ,Shaheen AL-MUHTASEB. Владелец: College Of North Atlantic - Qatar. Дата публикации: 2018-08-09.

Treated fiber reinforced form stable phase change

Номер патента: WO2014064518A3. Автор: Anil Kumar Mehta,Devendra Jain,Suman Kumari,Samit JAIN,Nidhi AGRAWAL. Владелец: Agrawal Nidhi. Дата публикации: 2014-07-03.

Phase-change electric water heater and water temperature control method

Номер патента: EP3757478A1. Автор: Ming Wang,Yun Zeng,Shaohe QU. Владелец: Wuhu Midea Kitchen and Bath Appliances Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-30.

Phase change material injection device and structure for removing moisture of head lamp with the same

Номер патента: US20140283405A1. Автор: Jeong Gyu Yang,Byung-Ook Park,Sae-Jun Park. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Method for low temperature microencapsulation of phase change materials

Номер патента: EP3733276A1. Автор: Mohammed Farid,Jamal Kurdi,Refat AL SHANNAQ,Shaheen AL-MUHTASEB. Владелец: College Of North Atlantic Qatar. Дата публикации: 2020-11-04.

Tissue products including a temperature change composition containing phase change components within a non-interfering molecular scaffold

Номер патента: CA2777854C. Автор: Scott W. Wenzel,Corey Thomas Cunningham,Helen Kathleen Moen,Jeffery Richard Seidling. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Phase-change material and method for producing same

Номер патента: US11795360B2. Автор: Mary Anne WHITE,John Alexander Noël. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-24.

Thermal control using phase-change material

Номер патента: US20170322253A1. Автор: Philip Campbell,Larry Akers,David GRAZIOSE,Joseph Wrinn. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Phase change random access memory device capable of change the number of charge pump and method thereof

Номер патента: KR100699872B1. Автор: 이광진,강상범,오형록,김두응. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-28.

Phase change inks

Номер патента: CA2568936C. Автор: Bo Wu,Patricia A. Wang,Trevor J. Snyder,Jule W. Thomas, Jr.. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Reconfigurable photonic integrated chip based on phase change material film and processing method therefor

Номер патента: US20240168320A1. Автор: Zhaohui Li,Hongfei Chen. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2024-05-23.

Write verify method of phase change random access memory device and phase change random access memory device using the same

Номер патента: KR100809333B1. Автор: 이광진,조우영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-05.

Phase change inks containing curable amide gellant compounds

Номер патента: US7714040B2. Автор: Peter G. Odell,Jennifer L. Belelie,Eniko Toma. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-11.

LATENT HEAT BATTERY WITH A DEVICE FOR INITIATING CRYSTALLIZATION IN A PHASE-CHANGING MATERIAL AND METHOD FOR INITIATING CRYSTALLIZATION IN A PHASE-CHANGING MATERIAL

Номер патента: RU2018111398A. Автор: Олаф Андерс,Мориц КУЛЕНКОРД. Владелец: Х.М. Хайцкёрпер Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2019-10-02.

Device controlling phase change storage element and method of increasing realibility of phase change storage elememt

Номер патента: TW200915318A. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

INTERNAL VOLTAGE GENERATING CIRCUIT OF PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20130121069A1. Автор: Shin Yoon-Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-05-16.

INTERNAL VOLTAGE GENERATING CIRCUIT OF PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20140104940A1. Автор: Shin Yoon-Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-04-17.

Phase-change temperature-regulating diatom composition, phase-change temperature-regulating diatom plate and manufacturing method of phase-change temperature-regulating diatom plate

Номер патента: CN107189761B. Автор: 郑水林,孙志明,胡建农. Владелец: Jiangsu Goodlife Environmental Protection Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Phase Change Random Access Memory device having reduced core layout size

Номер патента: KR100688553B1. Автор: 이광진,조백형,박무희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-02.

Phase change optical recording medium

Номер патента: US5889756A. Автор: Katsutaro Ichihara,Keiichiro Yusu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Internal voltage generating circuit of phase change random access memory device and method thereof

Номер патента: US20100165721A1. Автор: Yoon-Jae Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Internal voltage generating circuit of phase change random access memory device and method thereof

Номер патента: US20130121069A1. Автор: Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Internal voltage generating circuit of phase change random access memory device and method thereof

Номер патента: US20140104940A1. Автор: Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Internal voltage generating circuit of phase change random access memory device and method thereof

Номер патента: US8345502B2. Автор: Yoon-Jae Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-01-01.

Phase change random access memory device capable of changing driving voltage

Номер патента: KR100674992B1. Автор: 이광진,조우영,곽충근,김두응. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-29.

Phase Change Random Access Memory device capable of changing driving voltage

Номер патента: KR100674983B1. Автор: 강상범,조우영,곽충근,김두응. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-29.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: WO2016177028A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei Boe Display Light Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-11-10.

IN SITU PHASE CHANGE GEL SUSTAINED-RELEASE SYSTEM FOR SMALL MOLECULE DRUG AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200069583A1. Автор: Fu Yao,Zhang Yan,Gong Tao,Zhang Zhirong,SONG Xu,WEI Guangfei,HU Mei,CHEN Tijia,SUN Xun. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Phase-change temperature-regulating cellulose fiber prepared by solvent method and preparation method thereof

Номер патента: CN105369380A. Автор: 王东,刘长军,刘乐,秦翠梅,马君志,吴亚红,郝连庆,李昌垒. Владелец: Hengtian Hailong Weifang New Materials Co ltd. Дата публикации: 2016-03-02.

Phase-change microcapsule with full-band photo-thermal conversion function and preparation method thereof

Номер патента: CN112251197A. Автор: 王先锋,赵涛,杜博超,靳晓松,吴京. Владелец: Shanghai Edgetex Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-01-22.

Phase-change microcapsule with magnetic and photo-thermal conversion characteristics and preparation method thereof

Номер патента: CN109536137B. Автор: 郭成龙,张同星,高国芮,吕文正,焦少凯. Владелец: China University of Mining and Technology CUMT. Дата публикации: 2020-05-12.

Carbon dioxide phase change fracturing permeability increasing system of immobile pipe column and control method thereof

Номер патента: CN113279756A. Автор: 葛军,石娜,张振兴,常杰,霍耀辉,刘正武,郎君,崔欣杰. Владелец: Luliang University. Дата публикации: 2021-08-20.

Built-in electric heating composite phase change heat storage system and preparation method of composite phase change body

Номер патента: CN111750410B. Автор: 白莉,龙康,张甜甜,谭羽非,韩东亮,张文盛. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2021-07-16.

phase-change heat pipe type high-power LED lamp and heat dissipation method thereof

Номер патента: CN105972454B. Автор: 王伟,李雪,周天,肖玮,张上安. Владелец: Guangdong Heyi New Material Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-31.

Phase change energy storage material with skin-core fiber structure and preparation method thereof

Номер патента: CN109576823B. Автор: 林超,严玉蓉,邱志明,吴松平,黄楚云,李伟培. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2021-02-19.

In situ phase change gel sustained-release system for small molecule drug and preparation method thereof

Номер патента: WO2018233148A1. Автор: 张彦,孙逊,张志荣,龚涛,尉广飞,宋旭,胡梅,陈体佳,符垚. Владелец: 重庆药友制药有限责任公司. Дата публикации: 2018-12-27.

Phase-change heat pipe type high-power LED lamp and heat radiating method thereof

Номер патента: CN105972454A. Автор: 王伟,李雪,周天,肖玮,张上安. Владелец: Guangdong Heyi New Material Institute Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-28.

Phase change materials(pcms)-carbon nanotubes(cnts) hydrid nanowire and the formation method thereof

Номер патента: KR101354453B1. Автор: 여정구,정남조,이욱현. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2014-02-07.

Phase-change temperature-regulating composite fiber with chitosan as matrix and preparation method thereof

Номер патента: CN110863261A. Автор: 张鸿,韩颖,于跃,郭静,张森,孙婷,刘丽莎,宫玉梅,暴达. Владелец: Dalian Polytechnic University. Дата публикации: 2020-03-06.

Phase-change microcapsule with full-band photo-thermal conversion function and preparation method thereof

Номер патента: CN112251197B. Автор: 王先锋,赵涛,杜博超,靳晓松,吴京. Владелец: Zhejiang Ruifeng Capsule Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-01-24.

System and method for extending lifetime of memory device

Номер патента: US11972826B2. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Dawei Heh,Yung-Huei Lee,Wenhsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

HIGH-EFFICIENCY DRIVING STAGE FOR PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20130229863A1. Автор: Conte Antonino,GIAQUINTA Maria,CHIARAMONTE Loredana. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2013-09-05.

DRIVING STAGE FOR PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY DEVICES PROVIDED WITH AUTO-CALIBRATION FEATURE

Номер патента: US20130229864A1. Автор: Conte Antonino,Khairnar Kailash,Mammoliti FrancescoNino. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2013-09-05.

DECODING ARCHITECTURE AND METHOD FOR PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20130258766A1. Автор: Conte Antonino,"DIMARTINO Alberto Jose",SIGNORELLO Alfredo,GRANDE Francesca. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

ROW DECODER CIRCUIT FOR A PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130301348A1. Автор: Perroni Maurizio Francesco,Desandre Guido,Polizzi Salvatore,Castagna Giuseppe. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2013-11-14.

Row Decoding Architecture for a Phase-Change Non-Volatile Memory Device and Corresponding Row Decoding Method

Номер патента: US20190206488A1. Автор: Conte Antonino. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

HIGH THROUGHPUT PROGRAMMING SYSTEM AND METHOD FOR A PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150243356A1. Автор: Conte Antonino,Khairnar Kailash,"Di Martino Alberto Jose". Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Phase change Random Access Memory device

Номер патента: KR100597636B1. Автор: 조백형,김두응. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-05.

Phase change random access memory device

Номер патента: KR100763231B1. Автор: 오형록,조백형,박무희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-10-04.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: TW200820255A. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Antibacterial ultraviolet-proof fabric spraying agent and preparation method thereof, and fabric and preparation method thereof

Номер патента: CN111893774B. Автор: 刘慧香,谢玉青,张宜斐. Владелец: Shanghai Weilujia New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-29.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US10195800B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-05.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US20170139107A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Nonvolatile semiconductor memory device to inhibit the voltage drop of bit line during the write-back operation and the erase method thereof

Номер патента: TW473725B. Автор: Makoto Yamamoto,Susumu Takeuchi,Kiyohiko Sakakibara,Yukio Nakamoto,Kunio Tani. Владелец: Mitsubishi Electric Eng. Дата публикации: 2002-01-21.

LIGHT GUIDE PLATE, BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME, AND FABRICATION DEVICE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20170139107A1. Автор: LIU Xiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: CN1991501A. Автор: 秋教燮,姜熙光. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101822929B1. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2018-01-29.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20170128861A. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2017-11-24.

Anti-skid and anti-bouncing yarn and fabric and production method thereof

Номер патента: CN110629342A. Автор: 贺光明,柯文博,周冰倩. Владелец: Foshan Shunde Lianjin Textile Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Heat insulation integrated ultra-thin panel fixing structural and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106284899A. Автор: 周荣,周平,周奇,周述文. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-04.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: US20110187954A1. Автор: Hee Kwang Kang,Kyo Seop Choo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Custom braces, casts and devices having fenestrations, limited flexibility and modular construction and methods for designing and fabricating

Номер патента: CN103118641A. Автор: S.萨米特,K.B.特劳纳. Владелец: 3D Systems Inc. Дата публикации: 2013-05-22.

Non-volatile memory device, devices having the same, method of operating the same

Номер патента: KR101774496B1. Автор: 천원문,백승훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory device, devices having the same, method of operating the same

Номер патента: KR20120063734A. Автор: 천원문,백승훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-06-18.

Semiconductor memory device capable of improving data processing speed and data input / output pin efficiency, and read / write control method thereof

Номер патента: JP3839638B2. Автор: 健兌金,禎培李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-01.

Semiconductor memory device capable of accessing data in continuous burst mode independent of location of accessing data and driving method thereof

Номер патента: KR100540483B1. Автор: 홍상훈,고재범,안진홍,김세준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-11.

Flash memory device including bitline voltage clamp circuit for controlling bitline voltage during program operation and bitline voltage control method thereof

Номер патента: KR100594280B1. Автор: 오세은. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-30.

Memory device employing open bit line architecture for providing identical data topology on repaired memory cell block and method thereof

Номер патента: US7027339B2. Автор: Dong-Hak Shin,Byung-sik Moon,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-11.

Phase change memory device, operation method thereof, and data storage device having the same

Номер патента: US20130155765A1. Автор: Dong Keun Kim,Sun Hyuck Yon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US20210118500A1. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Content addressable memory cell and content addressable memory using phase change memory

Номер патента: US7978490B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-12.

Content addressable memory cell and content addressable memory using phase change memory

Номер патента: US20080068872A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-20.

Phase change memory device and computing system having the same

Номер патента: US20130058160A1. Автор: Joo-young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-07.

Sensing circuit of a phase change memory and sensing method thereof

Номер патента: US7796454B2. Автор: Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-09-14.

Content addressable memory using phase change devices

Номер патента: US20100002481A1. Автор: Chung H. Lam,Brian L. Ji,Bipin Rajendran,Robert K. Montoye. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-07.

Phase change memory device with improved performance that minimizes cell degradation

Номер патента: US20110255333A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Phase change memory devices and systems having reduced voltage threshold drift and associated methods

Номер патента: US09627055B1. Автор: Mattia Robustelli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Phase-change memory device for improving resistance drift and dynamic resistance drift compensation method of the same

Номер патента: US11848049B2. Автор: Yunheub Song,Yoonseong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor photonic devices using phase change materials

Номер патента: US20190339585A1. Автор: John Heck,Haisheng Rong,Charles Dennison,DerChang Kau,Harel Frish,Jeffrey Driscoll,George A. GHIURCAN,Jonathan K. Doylend,Michael E. Favaro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Memory device based on phase change memory for deep neural network and method for storing weight thereof

Номер патента: US20240161823A1. Автор: Joon-Sung Yang. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of programming a phase change memory and phase change memory device

Номер патента: US09472271B2. Автор: Quentin Hubert,Carine Jahan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-10-18.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: EP2377128A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-10-19.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: WO2010083087A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-07-22.

Self-referenced and regulated sensing solution for phase change memory with ovonic threshold switch

Номер патента: US20230260574A1. Автор: Philippe Boivin,Jean-Michel PORTAL,Vincenzo DELLA MARCA,Jean-Pierre WALDER,Julien GASQUEZ. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2023-08-17.

Self-referenced and regulated sensing solution for phase change memory with ovonic threshold switch

Номер патента: US11875847B2. Автор: Philippe Boivin,Jean-Michel PORTAL,Vincenzo DELLA MARCA,Jean-Pierre WALDER,Julien GASQUEZ. Владелец: Stmicroelectro Crolles 2 Sas. Дата публикации: 2024-01-16.

Phase-change memory device

Номер патента: US20100149860A1. Автор: Ho-Seok EM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Phase change of a recording layer under a temporary capping layer

Номер патента: EP1265235A3. Автор: Heon Lee,Robert Bicknell-Tassius. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-09-17.

Method to fabricate smooth-surfaced crystalline phase-change layer for atomic resolution storage device

Номер патента: US20020182363A1. Автор: Heon Lee,Robert Bicknell-Tassius. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-12-05.

Phase change memory device

Номер патента: US20120120724A1. Автор: Hyuck-Soo Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-17.

Writing method and system for a phase change memory

Номер патента: US20080219046A1. Автор: Ming-Jung Chen,Te-Sheng Chao,Philip H. Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Writing method and system for a phase change memory

Номер патента: US7773409B2. Автор: Ming-Jung Chen,Te-Sheng Chao,Philip H. Yeh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-08-10.

Technique and apparatus for performing write operations to a phase change material memory device

Номер патента: US20030081451A1. Автор: Tyler Lowrey,Ward Parkinson,Manzur Gill. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Data storage method and phase change memory

Номер патента: US09899084B2. Автор: ZHEN Li,Junfeng Zhao,Qiang He,Xiangshui Miao,Shujie Zhang,Ronggang Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods and systems for verifying cell programming in phase change memory

Номер патента: US09747977B2. Автор: Raymond W. Zeng,Doyle Rivers,Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US11417395B2. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-16.

Energy adjusted write pulses in phase-change memories

Номер патента: US20070014173A1. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-01-18.

Energy adjusted write pulses in phase-change memories

Номер патента: US7327623B2. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-02-05.

Phase-change memory element and method of storing data therein

Номер патента: US20040145944A1. Автор: Boil Pashmakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-29.

Phase change memory device with dummy cell array

Номер патента: US20090190393A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-30.

Phase change memory apparatus and read control method to reduce read disturb and sneak current phenomena

Номер патента: US20190066778A1. Автор: Yung-Feng Lin,Hsin-Yi Ho,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Driver circuit for phase-change memory cells and method of driving phase-change memory cells

Номер патента: US20230021601A1. Автор: Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Agatino Massimo Maccarrone,Marco Ruta,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-26.

Method and apparatus for healing phase change memory devices

Номер патента: US09336878B2. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Tzu-Hsiang Su,Win San Khwa. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Energy adjusted write pulses in phase-change memory cells

Номер патента: US20080106928A1. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-05-08.

Phase change memory

Номер патента: US20100165723A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-07-01.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US8335099B2. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2012-12-18.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US20110044086A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-02-24.

Phase-change recording element for write once applications

Номер патента: US20020160304A1. Автор: Yuan-Sheng Tyan,Giuseppe Farruggia,Thomas Cushman,Bruno Primerano,Fridrich Vazan,George Olin,James Barnard. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-10-31.

Phase-change recording element for write once application

Номер патента: EP1235213A3. Автор: Yuan-Sheng C/O Eastman Kodak Company Tyan,Thomas Richard c/o EASTMAN KODAK COMPANY Cushman,Giuseppe c/o Eastman Kodak Company Farruggia,George Russell c/o Eastman Kodak Company Olin,Bruno c/o Eastman Kodak Company Primerano,Fridrich C/O Eastman Kodak Company Vazan,James Arthur c/o Eastman Kodak Company Barnard. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2007-09-05.

Phase change memory

Номер патента: US20120230099A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chinag. Владелец: Higgs Opl Capital Llc. Дата публикации: 2012-09-13.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09978449B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09466365B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US20110075474A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Method for low power accessing a phase change memory device

Номер патента: US20100165713A1. Автор: Claudio Resta,Ferdinando Bedeschui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US8130540B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-06.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09691481B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Apparatus and method for reading a phase-change memory cell

Номер патента: US09431102B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Phase change memory dynamic resistance test and manufacturing methods

Номер патента: US20090175071A1. Автор: Chung Hon Lam,Bipin Rajendran,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-09.

Multi-Stage Variable Type Waste Heat Storage And Recovery Apparatus And Method Thereof

Номер патента: US20230228500A1. Автор: Heung Ki MIN,Hoon Min PARK,Dong Hwan Jeon,Dal Hwan Yoon. Владелец: Emsolution Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Protective gear and operating control method thereof

Номер патента: WO2018028266A1. Автор: Lei Cao,Hailan JIN. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-02-15.

Phase Change Memory

Номер патента: US20100165722A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Phase change memory

Номер патента: US8014194B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Self-adjusting phase change memory storage module

Номер патента: US09563371B2. Автор: Jing Li,Dinesh C. Verma. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Descending set verify for phase change memory

Номер патента: US09552876B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: US8717809B2. Автор: Godferius Adrianus Maria Hurkx,Jesus Perez Gonzales. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-05-06.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: US20120294074A1. Автор: Godferius Adrianus Maria Hurkx,Jesus Perez Gonzales. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-11-22.

Phase change memory, writing method thereof and reading method thereof

Номер патента: US20140376308A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: WO2011095902A1. Автор: Godefridus Adrianus Hurkx,Jesus Perez Gonzalez. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2011-08-11.

Method and system for mitigating write amplification in a phase change memory-based storage device

Номер патента: WO2019010044A1. Автор: Shu Li,Ping Zhou. Владелец: ALIBABA GROUP HOLDING LIMITED. Дата публикации: 2019-01-10.

Non-volatile memory device, in particular phase change memory, and reading method

Номер патента: US20190341103A1. Автор: Giovanni Campardo,Paola Zuliani,Roberto Annunziata. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-11-07.

Linear phase change memory

Номер патента: US20230044919A1. Автор: Ning Li,Wanki Kim,Devendra K. Sadana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Linear phase change memory

Номер патента: WO2023012011A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Wanki Kim. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-02-09.

Phase change memory mask

Номер патента: EP2973579A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Phase change memory mask

Номер патента: US20150085570A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Phase change memory mask

Номер патента: US20170025171A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Systems and Methods to Reduce the Impact of Short Bits in Phase Change Memory Arrays

Номер патента: US20220319629A1. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Odd/even invert coding for phase change memory with thermal crosstalk

Номер патента: US20170220266A1. Автор: Imtiaz Ahmad,Areej Helmi Hamouda,Mohammad Gh. Alfailakawi. Владелец: University of Kuwait. Дата публикации: 2017-08-03.

Detecting Unidirectional Resistance Drift Errors In A Multilevel Cell of a Phase Change Memory

Номер патента: US20160085617A1. Автор: Yan Solihin. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-03-24.

Systems and methods to reduce the impact of short bits in phase change memory arrays

Номер патента: US11557369B2. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Phase change memory comprising a low-voltage column decoder

Номер патента: US20080062806A1. Автор: Thierry Giovinazzi,Christophe Rodat. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2008-03-13.

Odd/even invert coding for phase change memory with thermal crosstalk

Номер патента: US09891843B2. Автор: Imtiaz Ahmad,Areej Helmi Hamouda,Mohammad G H. Alfailakawi. Владелец: University of Kuwait. Дата публикации: 2018-02-13.

Immunity of phase change material to disturb in the amorphous phase

Номер патента: US09570163B2. Автор: Tyler A. Lowrey,James Reed,Ward D. Parkinson,Gianpaolo Spadini,Sergey Kostylev,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky,George A. Gordon. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Seasoning phase change memories

Номер патента: US09536606B2. Автор: Ward D. Parkinson,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-01-03.

Program-disturb management for phase change memory

Номер патента: US09508426B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Writing multiple levels in a phase change memory

Номер патента: US09502107B2. Автор: Scott C. Lewis,Chung H. Lam,Thomas M. Maffitt,Jack R. MORRISH. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory device including phase change memory cell and operation method thereof

Номер патента: US11948632B2. Автор: Jungyu Lee,Jongryul Kim,Hyunkook Parak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Phase change memory and control method thereof

Номер патента: US7773411B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-08-10.

Liquid crystal panel and fabricating method thereof

Номер патента: US09933653B2. Автор: Yuejun TANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Phase change memory current

Номер патента: US09792986B2. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Sandeep K. Guliani,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Single-ended phase-change memory device and reading method

Номер патента: EP3648108A1. Автор: Guido Torelli,Marco Pasotti,Riccardo Zurla,Alessandro Cabrini,Flavio Giovanni Volpe. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-05-06.

Single-ended phase-change memory device and reading method

Номер патента: US20200135273A1. Автор: Guido Torelli,Marco Pasotti,Riccardo Zurla,Alessandro Cabrini,Flavio Giovanni Volpe. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-04-30.

Reading Phase Change Memories

Номер патента: US20110176358A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Ward D. Parkinson,Roberto Gastaldi,Giulio Casagrande,Claudio Resta. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2011-07-21.

Device controlling phase change storage element and method thereof

Номер патента: US7796455B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-09-14.

Techniques for a multi-step current profile for a phase change memory

Номер патента: US20210391005A1. Автор: Sanjay Rangan,Hemant P. Rao,Shylesh Umapathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Pulsing synaptic devices based on phase-change memory to increase the linearity in weight update

Номер патента: WO2022268416A1. Автор: Wanki Kim,Sangbum Kim,Matthew Joseph BrightSky,Maxence Bouvier,Fabia CARTER. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-12-29.

Techniques for a multi-step current profile for a phase change memory

Номер патента: US20220165335A1. Автор: Sanjay Rangan,Hemant P. Rao,Shylesh Umapathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Device controlling phase change storage element and method thereof

Номер патента: US20090080243A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Sensing phase-change memory/test cells for determining whether a cell resistance has changed due to thermal exposure

Номер патента: US09875794B2. Автор: Jason Snodgress,Jason Brand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Phase change material composition and method of fabricating and packaging the same

Номер патента: US09803123B1. Автор: Orville Thomas Neal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Voltage control circuit for phase change memory

Номер патента: US20110149644A1. Автор: Roger Cuppens. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-06-23.

Phase change memory devices and systems having reduced voltage threshold drift and associated methods

Номер патента: US20170243643A1. Автор: Mattia Robustelli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Phase-change memory

Номер патента: US11817146B2. Автор: Matthias Wuttig,Xiaoling Lu,Julian Pries,Shuai WEI,Yudong CHENG. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2023-11-14.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: WO2006043230A1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-04-27.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: WO2007103220A3. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Pantas Sutardja. Дата публикации: 2007-11-01.

Phase-change memory

Номер патента: US20220215878A1. Автор: Matthias Wuttig,Xiaoling Lu,Julian Pries,Shuai WEI,Yudong CHENG. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2022-07-07.

Set and reset operation in phase change memory and associated techniques and configurations

Номер патента: US9613698B2. Автор: DerChang Kau,Prashant Damle,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Davide Fugazza,Gerard H. Joyce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Set and reset operation in phase change memory and associated techniques and configurations

Номер патента: US20160254052A1. Автор: DerChang Kau,Prashant Damle,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Davide Fugazza,Gerard H. Joyce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: EP1807840A1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-07-18.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: EP1807840B1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-05-26.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: WO2007103220A2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2007-09-13.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20190295642A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20160012888A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: EP3167451A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20180268899A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20160254050A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Memory apparatus with gated phase-change memory cells

Номер патента: US20130322168A1. Автор: Daniel Krebs,Gael Close. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Processors and Systems Using Phase-Change Memory with and without Bitline-sharing

Номер патента: US20130314984A1. Автор: Christopher Scoville,Wolfgang Hokenmaier. Владелец: Being Advanced Memory Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US09990989B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Display substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US09696594B2. Автор: Xiaobin Yin. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Phase change material composition and method of fabricating and packaging the same

Номер патента: US09695349B1. Автор: Orville Thomas Neal. Владелец: Neal Energy Management LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Phase-contrast imaging device, having x-ray detector movable element, and corresponding method

Номер патента: RU2562879C2. Автор: Гереон ФОГТМАЙЕР,Клаус Й. ЭНГЕЛЬ,Эвальд РЕССЛЬ,Дитер ГЕЛЛЕР,Герхард МАРТЕНС,Себастьян Зигмунд ШУССЕР,Томас КЕЛЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-09-10.

Phase change memory devices and systems, and related programming methods

Номер патента: US7529124B2. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-05.

Phase change memory devices and systems, and related programming methods

Номер патента: US8159867B2. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-17.

Accessing a Phase Change Memory

Номер патента: US20100020595A1. Автор: Tyler Lowrey,Ward Parkinson. Владелец: Ward Parkinson. Дата публикации: 2010-01-28.

Phase change memory device, system including the memory device, and method for operating the memory device

Номер патента: US11756614B2. Автор: Davide Manfre,Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-09-12.

Phase Change Memory Device

Номер патента: US20100290272A1. Автор: Hyuck-Soo Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Accessing a phase change memory

Номер патента: US8120943B2. Автор: Tyler Lowrey,Ward Parkinson. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Using an mos select gate for a phase change memory

Номер патента: WO2004055826A1. Автор: Tyler A. Lowrey,Manzur Gill. Владелец: Ovonyx, Inc.. Дата публикации: 2004-07-01.

Using an mos select gate for a phase change memory

Номер патента: MY134505A. Автор: Tyler Lowrey,Manzur Gill. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2007-12-31.

Method of accelerating phase change memory writes

Номер патента: EP2204816A3. Автор: Gutala Ravi,Ferdinando Bedeschi,Meenatchi Jagasivamani,Anthony Ko,Rich E. Fackenthal,Enzo Donze'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-28.

Accelerating phase change memory writes

Номер патента: US20100169740A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Meenatchi Jagasivamani,Anthony Ko,Rich E. Fackenthal,Enzo Donze,Ravi Gutala. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Single transistor driver for address lines in a phase change memory and switch (pcms) array

Номер патента: WO2012128884A2. Автор: Raymond W. Zeng,DerChang Kau. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-09-27.

Heat storage composite material and preparing method thereof

Номер патента: US12098320B2. Автор: Bo Zhang,Keqiang Xia. Владелец: AAC Technologies Holdings Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Conditioning phase change memory cells

Номер патента: US09558817B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Cell-assembled motherboard and fabrication method thereof, and liquid crystal display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09488872B2. Автор: Mingchao Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for reading phase change memories and phase change memory

Номер патента: US20080084735A1. Автор: Ward Parkinson. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-04-10.

Method and apparatus for healing phase change memory devices

Номер патента: US20150371704A1. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Tzu-Hsiang Su,Win San Khwa. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Method and apparatus for healing phase change memory devices

Номер патента: US9620210B2. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Win-San Khwa,Tzu-Hsiang Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: US7679953B2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Phase change memory device with selector mos transistors and source line clustering

Номер патента: US20190051348A1. Автор: Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Davide Manfre'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-02-14.

Write Operation Method and Device for Phase Change Memory

Номер патента: US20150117096A1. Автор: Yansong Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Pulsed low-altitude and high-spray tank fire truck and spray method thereof

Номер патента: US20240226623A1. Автор: Hu Liu,Zhenbiao Wang. Владелец: Hebei Feipu Environmental Protection Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Liquid crystal device, fabricating method, and fabricating apparatus thereof

Номер патента: US20040150775A1. Автор: Tetsuya Nogami,Kohji Murayama,Teruhiro Nakasogi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

Hybrid drive shaft using friction-stir welding and fabrication method thereof

Номер патента: US09958003B2. Автор: Dong Ho Kim. Владелец: Woo Shin Emc Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Block erase for phase change memory

Номер патента: US7755935B2. Автор: Hsiang-Lan Lung,Chung Hon Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-13.

Phase change memory apparatus and read control method to reduce read disturb and sneak current phenomena

Номер патента: US10297316B2. Автор: Yung-Feng Lin,Hsin-Yi Ho,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Use of decreasing verify currents in a set programming cycle of a phase change memory

Номер патента: WO2011080770A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Ferdinando Bedeschi. Дата публикации: 2011-07-07.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: WO2024087140A1. Автор: Jianping Li. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Read and write circuit of three-dimensional phase-change memory

Номер патента: US20220383951A1. Автор: FAN YANG,Lingjun Zhou,Xingsheng Wang,Xiangshui Miao,Chengxu WANG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-12-01.

Method, apparatus and system to determine access information for a phase change memory

Номер патента: US20120075924A1. Автор: Albert Fazio,DerChang Kau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Method, apparatus and system to determine access information for a phase change memory

Номер патента: EP2619764A1. Автор: Albert Fazio,DerChang Kau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-07-31.

Reading phase change memories with select devices

Номер патента: US20090027951A1. Автор: DerChang Kau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Adaptive Wordline Programming Bias of a Phase Change Memory

Номер патента: US20110080777A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Richard E. Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani,Ravi Annavajjhala,Enzo M. Donze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-07.

Adaptive Wordline Programming Bias of a Phase Change Memory

Номер патента: US20110292721A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Richard E. Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani,Ravi Annavajjhala,Enzo M. Donze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Adaptive Wordline Programming Bias of a Phase Change Memory

Номер патента: US20120268984A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Richard E. Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani,Ravi Annavajjhala,Enzo M. Donze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-25.

Multilevel programming of phase change memory

Номер патента: US20130083594A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Biomimetic, nanofiber-based and directional moisture-wicking electronic skins and fabrication methods thereof

Номер патента: US20240260899A1. Автор: Jinlian Hu,Shuo SHI,Yifan Si,Chuanwei ZHI. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-08-08.

Multilevel programming of phase change memory

Номер патента: US20130077394A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Multilevel programming of phase change memory

Номер патента: US8446760B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

High-speed and large-current adjustable pulse circuit, operating circuit and operating method of phase-change memory

Номер патента: US20240371438A1. Автор: FAN YANG,Xingsheng Wang,Xiangshui Miao,Yinghao Ma,Chengxu WANG,Menghua HUANG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-11-07.

Implementing enhanced performance with read before write to phase change memory

Номер патента: US09754682B2. Автор: Robert Eugeniu Mateescu,Cyril Guyot,Dejan Vucinic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory device including decoder for a program pulse and related methods

Номер патента: US09613696B1. Автор: Vikas RANA,Marco Pasotti,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-04-04.

Apparatus and method for programming a multi-level phase change memory (PCM) cell based on an actual resistance value and a reference resistance value

Номер патента: US09576655B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi,Haris Pozidis. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2017-02-21.

Modified reset state for enhanced read margin of phase change memory

Номер патента: US09520190B2. Автор: Fabio Pellizzer,Daniele Ielmini,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Row decoder for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US09466347B1. Автор: Vikas RANA,Marco Pasotti. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2016-10-11.

Phase change memory with bipolar junction transistor select device

Номер патента: US7848133B2. Автор: Richard Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Phase change memory with bipolar junction transistor select device

Номер патента: US20090168503A1. Автор: Richard Fackenthal,Meenatchi Jagasivamani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Heat supply system coupling passive phase change energy storage sunlight room and air source heat pump

Номер патента: US20240263806A1. Автор: Jing Zhao,Dehan LIU,Shilei LYU. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20060273315A1. Автор: Yong-Min Ha,Han-Wook Hwang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Micro-encapsulated phase-change material, preparation method thereof, and pillow comprising the same

Номер патента: US20230090981A1. Автор: Yong Wan. Владелец: Wuxi JHT Homewares Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Heat supply system coupling passive phase change energy storage sunlight room and air source heat pump

Номер патента: US12130022B2. Автор: Jing Zhao,Dehan LIU,Shilei LYU. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-29.

Display panel with single substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09983446B2. Автор: Yanbing WU,Wenbo Li,Dongsheng Wang,Youmei Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Wire grid polarizer and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09897735B2. Автор: Yanbing WU,Yingyi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Independent phase-change heat-transfer-type heat tube and manufacturing method thereof

Номер патента: US09878406B2. Автор: Tingqiao Ye,Junyi Tan,Chaofei Zhou. Владелец: Zhuhai Xingye New Energy Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Flooring material and fabrication method thereof

Номер патента: US09833974B2. Автор: Gyeongmin Lee,Hyunjong Kwon,Kyungtae Ha. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Silicon-based rib-waveguide modulator and fabrication method thereof

Номер патента: US09429776B2. Автор: Changhua Chen,Dong Pan,Tuo SHI,Tzung-I Su,Yongbo Shao. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Oxazoline containing compositions of solid ink with phase change

Номер патента: RU2598472C2. Автор: Адела ГОРЕДЕМА,Гуэрино Г. САКРИПАНТЕ,Рина КАРЛИНИ,Кэролайн М. ТУРЕК,Эдвард Г. ЗВАРТЦ. Владелец: Ксерокс Корпорэйшн. Дата публикации: 2016-09-27.

Phase change memory array blocks with alternate selection

Номер патента: WO2011134079A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2011-11-03.

METHOD OF FORMING A PHASE CHANGE MATERIAL LAYER PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING A PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130017663A1. Автор: Oh Jin-Ho,Park Jeong-Hee,Park Soon-oh,Park Jung-Hwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

Methods Of Depositing Antimony-Comprising Phase Change Material Onto A Substrate And Methods Of Forming Phase Change Memory Circuitry

Номер патента: US20120231579A1. Автор: Quick Timothy A.,Marsh Eugene P.. Владелец: Micron Technology,Inc.. Дата публикации: 2012-09-13.

Phase-change random access memory device unit and preparation method thereof

Номер патента: CN102237488B. Автор: 宋志棠,刘波,吴关平,徐成. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-12-04.

Phase-change random access memory device unit and preparation method thereof

Номер патента: CN102237488A. Автор: 宋志棠,刘波,吴关平,徐成. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2011-11-09.

Phase-change energy-storage inorganic foam fireproof thermal-insulation board and preparation method thereof

Номер патента: CN102850080A. Автор: 李勇,李铭,李恒志. Владелец: SHANDONG ZHONGYUAN HUILI ENERGY-SAVING BUILDING MATERIAL CO LTD. Дата публикации: 2013-01-02.

A kind of steel slag with phase-changing and temperature-regulating performance-fiber composite gum filler and preparation method thereof

Номер патента: CN107573547B. Автор: 张�浩,龙红明,王凯祥,张欣雨,徐远迪. Владелец: Anhui University of Technology AHUT. Дата публикации: 2019-07-09.

In-situ phase change gel slow release system taking phospholipid as substrate and preparation method thereof

Номер патента: CN102526753B. Автор: 孙逊,张志荣,龚涛. Владелец: Chengdu Shichuang Biopharmaceutical Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-22.

In-situ phase change gel slow release system taking phospholipid as substrate and preparation method thereof

Номер патента: CN102526753A. Автор: 孙逊,张志荣,龚涛. Владелец: Chengdu Shichuang Biopharmaceutical Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

A kind of phase change energy-storage type is bitumen polyurethane hard foamed and preparation method thereof

Номер патента: CN105647166B. Автор: 王刚,方向晨,赵亮,王海洋,马蕊英. Владелец: Sinopec Fushun Research Institute of Petroleum and Petrochemicals. Дата публикации: 2018-10-12.

Phase change storage structure of sandwich type blade-like electrode and preparation method thereof

Номер патента: CN103441215B. Автор: 宋志棠,刘波. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-03-09.

Phase change energy storage low temperature face mask substrate material and preparation method thereof

Номер патента: CN101392461A. Автор: 唐国翌,马素德. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2009-03-25.

PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120081955A1. Автор: KIM Dong Keun. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120175582A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120205607A1. Автор: Lee Tae-Yon. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-16.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120286228A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120305875A1. Автор: SHIM Kew Chan. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120326112A1. Автор: LEE Jang Uk. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120326114A1. Автор: HAN Ky Hyun,OH Jae Min,YOO Myoung Sul. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130015421A1. Автор: Sim Joon Seop,OH YOUNG HOON,Son Jae Hyun,Lee Dae Woong. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-17.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130134371A1. Автор: Park Nam Kyun. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-30.

METHOD OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130171798A1. Автор: Baek Seung Beom,LEE Hyung Suk. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130193402A1. Автор: RYU Choon Kun. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

MULTI-PIECE BOARD AND FABRICATION METHOD METHOD THEREOF

Номер патента: US20120047728A1. Автор: . Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

Suction duct of air conditioner compressor and fabricating and connecting method thereof

Номер патента: CN101328878A. Автор: 马铁军,徐利华,戎谨,宗远华,谭嘉辉,余治忠,谭田养. Владелец: Guangdong Meizhi Compressor Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-24.

A kind of precast splice type arch rib of ultra-high performance concrete and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN103898831B. Автор: 蒋田勇,田仲初,陈福焕. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-05-18.

Anti-fuse one-time-programmable nonvolatile memory cell and fabricating and programming method thereof

Номер патента: TWI289855B. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-11.

Embedded elastic retaining ring dust cover and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106627636A. Автор: 李亚军,李鹏,罗燕,郭红锋,刘文松,杜方孟. Владелец: Zhuzhou Times New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Multi-color blended yarn and fabric and production method thereof

Номер патента: CN102758363A. Автор: 徐伟杰,解新生,王景呈. Владелец: ZHEJIANG HUAFU MELANGE YARN CO Ltd. Дата публикации: 2012-10-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STACKED ARRAY STRUCTURE, NAND FLASH MEMORY ARRAY USING THE SAME AND FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20120117316A1. Автор: . Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2012-05-10.

ELECTRONIC DEVICE HAVING FUNCTIONAL BLOCKS INDIVIDUALLY CONTROLLED TO SELECTIVELY ENTER POWER-SAVING MODE AND RELATED POWER CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120122417A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-17.

Non-Volatile Memory Device, Devices Having the Same, and Method of Operating the Same

Номер патента: US20120151124A1. Автор: BAEK Sung Hoon,Cheon Won Moon. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

Memory device based on sulfonated graphene/poly-(3,4-Ethylenedioxy Thiophene)-poly-(styrene sulfonic acid) composite and preparation method thereof

Номер патента: CN103594481B. Автор: 李亮,赵睿,张桥,喻湘华,吴艳光. Владелец: Wuhan Institute of Technology. Дата публикации: 2016-10-12.

Phase change memory device having phase change layer spacer, and fabricating method thereof

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты