Group 13 nitride composite substrate, semiconductor element, and production method for group 13 nitride composite substrate
Номер патента: EP3312870A1
Опубликовано: 25-04-2018
Автор(ы): Makoto Iwai, Mikiya Ichimura, Yoshitaka Kuraoka
Принадлежит: NGK Insulators Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-04-2018
Автор(ы): Makoto Iwai, Mikiya Ichimura, Yoshitaka Kuraoka
Принадлежит: NGK Insulators Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Group 13 nitride composite substrate semiconductor device, and method for manufacturing group 13 nitride composite substrate
Номер патента: US09882042B2. Автор: Makoto Iwai,Yoshitaka Kuraoka,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.