Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Vertical cavity surface emitting laser including indium and antimony in the active region

Vertical cavity surface emitting laser including indium and antimony in the active region

Номер патента: WO2003058771A3
Опубликовано: 18-03-2004
Автор(ы): Ralph H Johnson
Принадлежит: Honeywell Int Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Vertical cavity surface emitting laser including indium and nitrogen in the active region

Номер патента: US7408964B2. Автор: Ralph H. Johnson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2008-08-05.

Vertical cavity surface emitting laser including indium in the active region

Номер патента: CA2470858A1. Автор: Ralph H. Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Vertical cavity surface emitting laser (vcsel), vcsel array device, optical scanning apparatus, and image forming apparatus

Номер патента: US20090296768A1. Автор: Kei Hara,Morimasa Kaminish. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Visible light surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US5258990A. Автор: Jack L. Jewell,Gregory R. Olbright. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1993-11-02.

Vertical cavity surface emitting laser (vcsel), vcsel array device, optical scanning apparatus, and image forming apparatus

Номер патента: EP2131458A3. Автор: HARA Kei,Kaminishi Morimasa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-09.

Vertical cavity surface emitting laser having continuous grading

Номер патента: US5530715A. Автор: Chan-Long Shieh,Piotr Grodzinski,Hsing-Chung Lee,Michael S. Lebby. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-06-25.

Red light vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US5796769A. Автор: Michael S. Lebby,Jamal Ramdani,Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Long wavelength VCSEL active region using Sb in GaAsN barrier layers and InGaAsN quantum wells

Номер патента: US20050243888A1. Автор: Ralph Johnson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Surface Emitting Laser With Hybrid Grating Structure

Номер патента: US20230291177A1. Автор: Chien Hung Pan,Cheng Zu Wu. Владелец: TrueLight Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Surface emitting laser devices and methods for manufacturing same

Номер патента: WO2024134145A1. Автор: Richard Taylor,David Childs,Richard Hogg. Владелец: Vector Photonics Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

Surface emitting laser, projection apparatus, head-up display, moving body, head-mounted display, and optometry apparatus

Номер патента: WO2023175482A1. Автор: Hirokazu Iwata,Morimasa Kaminishi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2023-09-21.

Surface emitting laser device

Номер патента: US20100008674A1. Автор: Hitoshi Shimizu,Takeo Kageyama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-14.

Surface emitting laser with hybrid grating structure

Номер патента: US11791609B2. Автор: Chien Hung Pan,Cheng Zu Wu. Владелец: TrueLight Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Surface emitting laser with hybrid grating structure

Номер патента: US11967800B2. Автор: Chien Hung Pan,Cheng Zu Wu. Владелец: TrueLight Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Surface-emitting semiconductor laser and method for producing a surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20240332901A1. Автор: Lutz Hoeppel,Sven GERHARD,Hubert Halbritter. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-10-03.

Surface emitting laser with photonic crystal waveguiding and outcoupling by a discontinuous cladding layer

Номер патента: WO2010113774A1. Автор: Takeshi Uchida,Yasuhiro Nagatomo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2010-10-07.

Surface emitting laser

Номер патента: US20110216796A1. Автор: Takeshi Uchida,Yasuhiro Nagatomo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-09-08.

Surface emitting laser devices and methods for manufacturing same

Номер патента: GB2625726A. Автор: Hogg Richard,Timothy Dylan Childs David,James Edward Taylor Richard. Владелец: Vector Photonics Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Surface emitting laser device and a light emitting device including the same

Номер патента: US12136799B2. Автор: Ju Young Park,Myung Sub Kim,Jun Hee Park. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor stack and vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: EP2639900A3. Автор: Kei Hara. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-13.

Vertical cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20230036079A1. Автор: Takeshi Aoki,Takamichi Sumitomo,Suguru Arikata,Susumu Yoshimoto,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Vertical cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20190372301A1. Автор: Hiroyuki Yoshinaga,Yutaka Onishi,Rei Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Vertical cavity surface-emitting laser

Номер патента: EP3584894A3. Автор: Hiroyuki Yoshinaga,Yutaka Onishi,Rei Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-18.

Vertical cavity surface-emitting laser

Номер патента: US10819083B2. Автор: Hiroyuki Yoshinaga,Yutaka Onishi,Rei Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Method of manufacturing vertical-cavity surface-emitting laser element

Номер патента: US20240146025A1. Автор: Kenichi Terao,Hitoshi Takayama. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20210075192A1. Автор: Masashi Yamamoto,Minoru Murayama,Yuji Tsuji,Daiju TAKAMIZU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-03-11.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US11437783B2. Автор: Masashi Yamamoto,Minoru Murayama,Yuji Tsuji,Daiju TAKAMIZU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-06.

Surface-emitting laser device and method for manufacturing surface-emitting laser device

Номер патента: US12057678B2. Автор: Susumu Noda,Tomoaki Koizumi,Kei EMOTO. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2024-08-06.

Vertical cavity light-emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09935427B2. Автор: Seiichiro Kobayashi,Ji-Hao Liang,Komei Tazawa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Surface emitting laser

Номер патента: EP2195894A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-06-16.

Surface emitting laser

Номер патента: WO2009048159A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2009-04-16.

Array of Surface-Emitting Lasers with High-Brightness Unipolar Output

Номер патента: US20210336423A1. Автор: Jin-Wei Shi. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2021-10-28.

Array of surface-emitting lasers with high-brightness unipolar output

Номер патента: US11316324B2. Автор: Jin-Wei Shi. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2022-04-26.

Surface-emitting laser device and method for manufacturing surface-emitting laser device

Номер патента: US11837850B2. Автор: Susumu Noda,Tomoaki Koizumi,Kei EMOTO. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Nanocrystal surface-emitting lasers

Номер патента: US11909176B2. Автор: Zetian Mi,Xianhe Liu,Yong-Ho Ra,Roksana Tonny RASHID. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-02-20.

Surface emitting semiconductor laser diode

Номер патента: WO2023247129A1. Автор: Christoph Eichler,Hubert Halbritter,Jelena Ristic,Damir Borovac,Åsa HAGLUND,Joachim CIERS. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-28.

Surface emitting quantum cascade laser

Номер патента: US09893493B2. Автор: Shinji Saito,Osamu Yamane,Akira Tsumura,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Temperature-insensitive vertical-cavity surface-emitting lasers and method for fabrication thereof

Номер патента: US5712865A. Автор: Weng W. Chow,Kent D. Choquette,Paul L. Gourley. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20100085999A1. Автор: Tatsuro Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-04-08.

Surface emitting laser

Номер патента: US7693205B2. Автор: Tatsuro Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-04-06.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: EP3266080A1. Автор: Manus HAYNE,Peter David HODGSON. Владелец: Lancaster University Business Enterprises Ltd. Дата публикации: 2018-01-10.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: WO2016139473A1. Автор: Manus HAYNE,Peter David HODGSON. Владелец: Lancaster University Business Enterprises Ltd. Дата публикации: 2016-09-09.

Current confinement for a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: CA2257888C. Автор: Mary K. Hibbs-Brenner,James R. Biard. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2005-05-24.

Nitride semiconductor vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20070036186A1. Автор: David Bour,Scott Corzine. Владелец: Avago Technologies ECBU IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Vertical cavity surface emitting laser for high power single mode operation and method of fabrication

Номер патента: US6021146A. Автор: Michael S. Lebby,Jamal Ramdani,Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

Vertical cavity surface emitting lasers with transparent electrodes

Номер патента: CA2054404C. Автор: Rose Fasano Kopf,George John Zydzik,Erdmann Frederick Schubert,Li-Wei Tu,Yeong-Her Wang,Henry Miles O'bryan Jr. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-03-08.

Vertical cavity surface emitting lasers with transparent electrodes

Номер патента: CA2054404A1. Автор: Rose Fasano Kopf,George John Zydzik,Erdmann Frederick Schubert,Li-Wei Tu,Yeong-Her Wang,Henry Miles O'bryan Jr. Владелец: Henry Miles O'bryan Jr. Дата публикации: 1992-07-04.

Vertical-cavity surface-emitting laser and method for manufacturing the same

Номер патента: US6127200A. Автор: Takashi Kurokawa,Chikara Amano,Kouta Tateno,Hirokazu Takenouchi,Yoshio Itoh,Yoshitaka Ohiso,Yoshitaka Kohama. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2000-10-03.

Method of manufacturing an inp based vertical cavity surface emitting laser and device produced therefrom

Номер патента: EP1790052A2. Автор: Nobuhiko Nishiyama,Chung-En Zah,Catherine G Caneau,Benjamin L Hall. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2007-05-30.

Method of manufacturing an inp based vertical cavity surface emitting laser and device produced therefrom

Номер патента: EP1790052A4. Автор: Nobuhiko Nishiyama,Chung-En Zah,Catherine G Caneau,Benjamin L Hall. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2008-01-23.

Method of manufacturing an inp based vertical cavity surface emitting laser and device produced therefrom

Номер патента: WO2006031984A2. Автор: Nobuhiko Nishiyama,Chung-En Zah,Catherine G Caneau,Benjamin L Hall. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2006-03-23.

Hybrid vertical cavity light emitting sources

Номер патента: US8217410B2. Автор: Weidong Zhou,Zhenqiang Ma. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2012-07-10.

Method for producing a waveguide structure in a surface-emitting semiconductor laser and surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20060078029A1. Автор: Markus-Christian Amann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Vertical cavity surface emitting devices incorporating wafer fused reflectors

Номер патента: WO2011000568A1. Автор: Alexei Sirbu,Alexandru Mereuta,Andrei Caliman. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE. Дата публикации: 2011-01-06.

Vertical cavity surface emitting devices incorporating wafer fused reflectors

Номер патента: EP2449638A1. Автор: Alexei Sirbu,Alexandru Mereuta,Andrei Caliman. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2012-05-09.

Distributed Bragg reflector (DBR) structure in vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) diode, method on manufacturing the same, and VCSEL diode

Номер патента: US20070127535A1. Автор: Ki Soo Kim,Dae Kon Oh,Sung Bock Kim,Wonk Seok Han. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-06-07.

Surface emitting laser, and transceiver, optical transceiver, and optical communication system employing the surface emitting laser

Номер патента: US20100086311A1. Автор: Norihiro Iwai,Hitoshi Shimizu,Takeshi Hama,Setiagung Casimirus,Yasukazu Shiina. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-08.

Surface emitting laser, and transceiver, optical transceiver, and optical communication system employing the surface emitting laser

Номер патента: US20050123014A1. Автор: Norihiro Iwai,Hitoshi Shimizu,Takeshi Hama,Setiagung Casimirus,Yasukazu Shiina. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-09.

Method of fabricating active layers in a laser utilizing InP-based active regions

Номер патента: US20040165631A1. Автор: YING-LAN Chang,Ashish Tandon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-26.

Nitride semiconductor surface emitting laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US09356428B2. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Surface emitting laser, surface emitting laser array, and optical apparatus having surface emitting laser array

Номер патента: US20120093188A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

Vertical cavity laser emission component that emits via the surface at a wavelength lying in the range 1.3 micrometers to 1.55 micrometers and a method for making it

Номер патента: US5809051A. Автор: Jean-Louis Oudar. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1998-09-15.

Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US20080240193A1. Автор: Susumu Noda,Dai Ohnishi,Wataru Kunishi,Jun-ichi Kashiwagi. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2008-10-02.

ENHANCED PLANARITY IN GaN EDGE EMITTING LASERS

Номер патента: EP2577821A2. Автор: Rajaram Bhat. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-04-10.

ENHANCED PLANARITY IN GaN EDGE EMITTING LASERS

Номер патента: US20110292958A1. Автор: Rajaram Bhat. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

ENHANCED PLANARITY IN GaN EDGE EMITTING LASERS

Номер патента: WO2011150135A2. Автор: Rajaram Bhat. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2011-12-01.

Vertical-cavity surface-emitting laser with high modulation speed

Номер патента: US20180366905A1. Автор: Elad Mentovich,Sylvie Rockman,Alexei Sirbu,Vladimir Iakovlev,Itshak Kalifa,Yuri Berk. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2018-12-20.

Passivated vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US5719893A. Автор: Paul Claisse,Michael S. Lebby,Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-02-17.

Electroabsorption vertical cavity surface emitting laser modulator and/or detector

Номер патента: WO2006105545A1. Автор: Ian Young,Edris Mohammed,Serge Oktyabrsky,Michael Yakimov. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-10-05.

Optical device including multilayer reflector and vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US7756187B2. Автор: Tetsuya Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-07-13.

Vertical cavity surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20080144683A1. Автор: Koichiro Adachi,Tomonobu Tsuchiya,Kouji Nakahara,Takashi Shiota,Kazunori Shinoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US4949350A. Автор: Axel Scherer,Jack L. Jewell. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1990-08-14.

Aluminum-free vertical cavity surface emitting laser (VCSELs)

Номер патента: US6610553B2. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-26.

ALUMINUM-FREE VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASERS (VCSELs)

Номер патента: WO2001080288A3. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: MP Technologies LLC. Дата публикации: 2002-05-16.

ALUMINUM-FREE VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASERS (VCSELs)

Номер патента: WO2001080288A2. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: MP Technologies LLC. Дата публикации: 2001-10-25.

Aluminum-free vertical cavity surface emitting laser (VCSELs)

Номер патента: US20020172254A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-21.

Vertical cavity surface emitting laser apparatus

Номер патента: US8306080B2. Автор: Naoki Tsukiji,Keishi Takaki,Suguru Imai. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-06.

Vertical cavity surface emitting laser apparatus

Номер патента: US20110261846A1. Автор: Naoki Tsukiji,Keishi Takaki,Suguru Imai. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Construction, surface emitting laser, and device having the surface emitting laser

Номер патента: US20080192779A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-08-14.

Vertical cavity surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission module, optical transmission device, and optical switching method

Номер патента: US20090074025A1. Автор: Takashi Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Surface emitting laser including a metal film having a periodic fine structure

Номер патента: US7924901B2. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-04-12.

Surface emitting laser, surface-emitting-laser array, and image forming apparatus

Номер патента: US20150036711A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-02-05.

Surface emitting laser, surface-emitting-laser array, and image forming apparatus

Номер патента: EP2628219A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-08-21.

Surface emitting laser, surface-emitting-laser array, and image forming apparatus

Номер патента: US8897330B2. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-11-25.

Photonic-crystal surface emitting laser, laser array using the laser, and image forming apparatus using the laser array

Номер патента: US20120063481A1. Автор: Yasuhiro Nagatomo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-03-15.

Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser

Номер патента: US20130243026A1. Автор: Susumu Noda,Toshiyuki Nobuoka,Seita Iwahashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-09-19.

Use of GaAs extended barrier layers between active regions containing nitrogen and AlGaAs confining layers

Номер патента: US20050123015A1. Автор: Ralph Johnson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2005-06-09.

Distributed feedback surface emitting laser

Номер патента: US8861564B2. Автор: Takeshi Kawashima,Yasuhiro Nagatomo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Surface-emitting laser diode

Номер патента: US5555255A. Автор: Anton Kock,Erich Gornik. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1996-09-10.

Surface emitting quantum cascade laser

Номер патента: US20190074663A1. Автор: Shinji Saito,Yasunobu Kai,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Surface emitting quantum cascade laser

Номер патента: US20200006922A1. Автор: Shinji Saito,Yasunobu Kai,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Surface emitting quantum cascade laser

Номер патента: US10424899B2. Автор: Shinji Saito,Yasunobu Kai,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-24.

Vertical-cavity surface emitting laser for emitting a single mode laser beam

Номер патента: US20220021186A1. Автор: Chao-Hsin Wu,Szu-Yu Min,Hao-Tien Cheng. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2022-01-20.

Vertical cavity surface emitting laser and method for manufacturing vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20200076161A1. Автор: Takamichi Sumitomo,Suguru Arikata,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Vertical cavity surface emitting laser with composite reflectors

Номер патента: US09735545B1. Автор: Xianglin Zeng,Vincent Gambin,Yaochung Chen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of manufacturing vertical cavity surface emitting laser element and vertical cavity surface emitting laser element

Номер патента: US20240243552A1. Автор: Kenichi Terao,Ryoma Shimazu. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Surface emitting laser, method for fabricating surface emitting laser

Номер патента: WO2023188405A1. Автор: Srinivas GANDROTHULA. Владелец: Sanoh Industrial Co.,Ltd.. Дата публикации: 2023-10-05.

Vertical cavity surface emitting laser element and electronic apparatus

Номер патента: US11973316B2. Автор: Rintaro Koda,Katsunori Yanashima,Kota Tokuda,Mikihiro Yokozeki,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Surface emitting laser, method for fabricating surface emitting laser

Номер патента: WO2023233541A1. Автор: Srinivas GANDROTHULA. Владелец: Sanoh Industrial Co.,Ltd.. Дата публикации: 2023-12-07.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20220385034A1. Автор: Yuji Koyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Manufacturing method of vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20230396038A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Vertical-cavity surface-emitting laser with asymmetric aperture for improved polarization stability

Номер патента: US20240348016A1. Автор: Richa Dubey,Matthew Glenn Peters. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Vertical cavity surface emitting laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12126136B2. Автор: Cheng-Yi Ou,Chih-Yuan Lin,Cheng-Hsiao Chi,Te-Lieh Pan. Владелец: Abocom Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Vertical cavity surface emitting laser and preparation method therefor

Номер патента: GB2620534A. Автор: Liu Song,Liang Dong,Weng Weicheng,Ding Weizun,Peng Junyan. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Vertical cavity light-emitting element

Номер патента: EP3930121A1. Автор: Masaru Kuramoto,Seiichiro Kobayashi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-29.

Method and apparatus including improved vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: WO2013016676A3. Автор: Matthew M. Dummer,Klein L. Johnson,Mary K. Hibbs-Brenner. Владелец: MYTEK, LLC (doing business as VIXAR). Дата публикации: 2013-07-04.

Multiple grating-outcoupled surface-emitting lasers

Номер патента: WO2002089269A1. Автор: Gary Evans,Jacob Hammer,Jay Kirk. Владелец: Photodigm. Дата публикации: 2002-11-07.

Surface-emitting laser

Номер патента: US20190052059A1. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Photonic crystal electrically pumped surface-emitting laser and preparation method thereof

Номер патента: US20240322524A1. Автор: Ping Sun,Zhaoyu Zhang,Wentao Xie,Yuanhao Gong,Xiaolei Shen. Владелец: Chinese University of Hong Kong Shenzhen. Дата публикации: 2024-09-26.

Surface emitting quantum cascade laser and control method thereof

Номер патента: US20240113507A1. Автор: Shinji Saito,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US12088063B2. Автор: Tien-Chang Lu,Kuo-Bin HONG,Lih-Ren Chen,Ten-Hsing Jaw. Владелец: General Interface Solotion Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Surface-emitting laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US12027820B2. Автор: Hiroyuki Hiiro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Vertical cavity surface emitting device with a buried index guiding current confinement layer

Номер патента: US12136798B2. Автор: Emil Kolev,Constance J. Chang-Hasnain,Jiaxing Wang,Jonas H. KAPRAUN,Kevin T. COOK. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-11-05.

Vertical cavity surface emitting device

Номер патента: US20220140570A1. Автор: Masaru Kuramoto,Seiichiro Kobayashi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Vertical cavity surface emitting laser and preparation method therefor

Номер патента: EP4311044A1. Автор: Dong Liang,Song Liu,Weicheng WENG,Weizun DING,Junyan PENG. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Surface emitting laser

Номер патента: US20240088627A1. Автор: Takahiro Arakida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Photonic-crystal surface-light-emitting laser element

Номер патента: EP4456345A1. Автор: Takuya Inoue,Susumu Noda,Tomoaki Koizumi,Kei EMOTO. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2024-10-30.

Photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US20230044996A1. Автор: Tien-Chang Lu,Kuo-Bin HONG,Lih-Ren Chen,Ten-Hsing Jaw. Владелец: Interface Optoelectronics Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Surface-emitting laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210320476A1. Автор: Hiroyuki Hiiro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Surface-emitting laser device

Номер патента: US20240195150A1. Автор: Takahiro Sugiyama,Hiroki Kamei,Kazuyoshi Hirose,Masahiro HITAKA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-06-13.

Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser

Номер патента: EP4300732A1. Автор: Masahiro Yoshida,Takuya Inoue,Susumu Noda,Kenji Ishizaki. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-03.

Vertical cavity light emitting device

Номер патента: US09972972B2. Автор: Seiichiro Kobayashi,Keisuke Nakata,Ji-Hao Liang,Komei Tazawa,Masaru Takizawa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for fabricating surface emitting laser

Номер патента: US20170271840A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Vertical cavity surface emmiting laser

Номер патента: US09438010B1. Автор: Babu Dayal PADULLAPARTHI. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Surface light-emitting laser

Номер патента: US20180248339A1. Автор: Masaru Kuramoto,Shoichiro Izumi,Tatsushi Hamaguchi,Noriyuki Futagawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Surface emitting laser

Номер патента: US20200412089A1. Автор: Hiroyuki Yoshinaga,Natsumi Mori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Vertical cavity light-emitting element

Номер патента: EP4387017A1. Автор: Masaru Kuramoto. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Surface emitting laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US11309686B2. Автор: Susumu Sato,Hiroshi Nakajima,Masamichi Ito,Tatsushi Hamaguchi,Jugo Mitomo,Hidekazu Kawanishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Two-dimensional photonic-crystal surface-emitting laser

Номер патента: US20240120710A1. Автор: Masahiro Yoshida,Takuya Inoue,Susumu Noda,Kenji Ishizaki. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2024-04-11.

Vertical cavity surface emmiting laser

Номер патента: US20160276805A1. Автор: Babu Dayal PADULLAPARTHI. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Method of manufacturing surface-emitting semiconductor laser element

Номер патента: US09762030B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US11979001B2. Автор: Hiroshi Nakajima,Rintaro Koda,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Surface emitting laser device and surface emitting laser apparatus having the same

Номер патента: US12003075B2. Автор: Seung Hwan Kim,Se Yeon Jung. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Surface-emitting semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US09466945B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Surface-emitting quantum cascade laser

Номер патента: US20210399526A1. Автор: Shinji Saito,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor surface emitting device

Номер патента: US20050135450A1. Автор: Tsukuru Katsuyama,Jun-Ichi Hashimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-06-23.

Vertical-cavity surface-emitting laser and method for forming the same

Номер патента: US20220311212A1. Автор: Jiun-Tsuen Lai,Min-Chang Tu,Wan-Ting CHIEN. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Vertical-cavity surface-emitting laser and method for forming the same

Номер патента: US12095231B2. Автор: Jiun-Tsuen Lai,Min-Chang Tu,Wan-Ting CHIEN. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Vertical cavity surface emitting laser array and method for manufacturing vertical cavity surface emitting laser array

Номер патента: US09787062B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Vertical cavity surface emitting laser element and method of producing vertical cavity surface emitting laser element

Номер патента: US20230299559A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe,Daiji Kasahara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: US09711946B2. Автор: Tsuyoshi Kaneko,Tetsuo Nishida,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Vertical cavity surface emitting laser element and electronic apparatus

Номер патента: US20210057882A1. Автор: Rintaro Koda,Katsunori Yanashima,Kota Tokuda,Mikihiro Yokozeki,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Electrically-pumped (ga,in, ai) n vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: WO2007133766A8. Автор: Shuji Nakamura,Masahiro Ishida,Robert M Farrell,Daniel F Feezell,Daniel A Cohen. Владелец: Daniel A Cohen. Дата публикации: 2008-03-13.

Electrically-pumped (ga,in, ai) n vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: WO2007133766A3. Автор: Shuji Nakamura,Masahiro Ishida,Robert M Farrell,Daniel F Feezell,Daniel A Cohen. Владелец: Daniel A Cohen. Дата публикации: 2008-07-03.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: US20150180211A1. Автор: Yasutaka IMAI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US11764544B2. Автор: Ki Hwang Lee,Byueng Su Yoo,Jeong Rae Ro. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20230369826A1. Автор: Ki Hwang Lee,Byueng Su Yoo,Jeong Rae Ro,Yoon Sang Jeon,Gong Hee Choi. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: US20160248226A1. Автор: Tsuyoshi Kaneko,Tetsuo Nishida,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US12068582B2. Автор: Ki Hwang Lee,Byueng Su Yoo,Jeong Rae Ro,Yoon Sang Jeon,Gong Hee Choi. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US11764545B2. Автор: Ki Hwang Lee,Byueng Su Yoo,Jeong Rae Ro,Yoon Sang Jeon,Gong Hee Choi. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) with cascaded active region

Номер патента: US20240235160A9. Автор: Elad Mentovich,Tamir Sharkaz,Yuri Berk,Vladimir lakovlev. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Multi-junction bottom emitting vertical cavity surface emitting laser and the fabrication method of the same

Номер патента: EP4369537A2. Автор: Yuhui Luo,Chuyuen CHAN. Владелец: Brightlaser Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Multi-junction bottom emitting vertical cavity surface emitting laser and the fabrication method of the same

Номер патента: EP4369537A3. Автор: Yuhui Luo,Chuyuen CHAN. Владелец: Brightlaser Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Vertical-cavity surface-emitting laser element and method for manufacturing vertical-cavity surface-emitting laser element

Номер патента: EP4207515A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe,Daiji Kasahara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-07-05.

Air-cavity dominant vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: WO2019013846A2. Автор: Connie Chang-Hasnain,Kevin Cook,Pengfei Qiao. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2019-01-17.

Moisture control in oxide-confined vertical cavity surface-emitting lasers

Номер патента: US20210135427A1. Автор: Norbert Lichtenstein,Lukas Mutter. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Air-cavity dominant vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: US20180301870A1. Автор: Connie Chang-Hasnain,Pengfei Qiao,Kevin Taylor Cook. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-10-18.

Bottom surface emitting vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20240332900A1. Автор: Christopher Kocot,Giovanni Barbarossa,Anna Tatarczak. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Bottom surface emitting vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: EP4443674A1. Автор: Giovanni Barbarossa,Anna Tatarczak, Christopher KOCOT. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Iii-nitride-based vertical cavity surface emitting laser (vcsel) with a dielectric p-side lens and an activated tunnel junction

Номер патента: WO2024044567A3. Автор: Shuji Nakamura,Stephen Gee,Daniel A. Cohen,Jared KEARNS,Nathan PALMQUIST. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) having separate electrical and optical confinement

Номер патента: US20240022046A1. Автор: Petter Westbergh. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Vertically offset vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: US12046876B2. Автор: Guowei Zhao,Benjamin Kesler. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Vertical-cavity surface-emitting laser device and vertical-cavity surface-emitting laser array device

Номер патента: US09698568B2. Автор: Hiroshi Watanabe,Keiji Iwata,Masashi Yanagase,Ippei Matsubara,Takayuki Kona. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical cavity surface emitting laser device and method of producing a vertical cavity surface emitting laser device

Номер патента: US20240006851A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe,Daiji Kasahara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20220239070A1. Автор: Daisuke Inoue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Vertical cavity surface emitting laser device with at least one bonding layer

Номер патента: US20220416506A1. Автор: Ajit Vijay Barve,Qianhuan YU. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Structure of Vertical Cavity Surface Emitting Laser

Номер патента: US20200403377A1. Автор: Chih-Cheng Chen,Jia-Yu Lin,Yen Hsiang Wu. Владелец: TrueLight Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Vertical-cavity surface-emitting laser array with isolated cathodes and a common anode

Номер патента: US11855413B2. Автор: Jun Yang,Guowei Zhao,Eric R. Hegblom,Matthew Glenn Peters. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Vertical-cavity surface-emitting laser array with isolated cathodes and a common anode

Номер патента: US20240146027A1. Автор: Jun Yang,Guowei Zhao,Eric R. Hegblom,Matthew Glenn Peters. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Vertical cavity surface emitting laser and preparation method therefor

Номер патента: US20240258770A1. Автор: Dong Liang,Song Liu,Weicheng WENG,Weizun DING,Junyan PENG. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Iii-nitride surface-emitting laser and method of fabrication

Номер патента: US20200244036A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Seunggeun Lee,Erin C. Young,Charles FORMAN,Jared KEARNS. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-07-30.

Multi-Electrode Device Using Vertical Cavity Surface Emitting Laser Array with Improved Electro-to-Optical Frequency Response

Номер патента: US20240154389A1. Автор: Jin-Wei Shi. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-05-09.

A reservoir computing system based on mutually coupled quantum dot spin-polarized vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: AU2020101517A4. Автор: Xiao Jiang,Yiyuan Xie,Bocheng Liu,Qianfeng Tang. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-09-03.

Vertical cavity surface emitting laser device

Номер патента: US20240128722A1. Автор: Rintaro Koda,Kentaro Hayashi,Eiji Nakayama,Mikihiro Yokozeki,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Vertical cavity surface emitting laser element

Номер патента: EP4293842A1. Автор: Rintaro Koda,Kentaro Hayashi,Eiji Nakayama,Mikihiro Yokozeki,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Methods for fabricating a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: EP4420203A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-08-28.

Vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) with cascaded active region

Номер патента: US20240136795A1. Автор: Elad Mentovich,Tamir Sharkaz,Yuri Berk,Vladimir lakovlev. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: EP2887469A3. Автор: Tsuyoshi Kaneko,Tetsuo Nishida,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-09-09.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: US9360845B2. Автор: Tsuyoshi Kaneko,Tetsuo Nishida,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Red-green-blue, vertical-cavity, surface-emitting laser array

Номер патента: US20240204486A1. Автор: Christopher Kocot,Francesco Schiattone,Norbert Lichtenstein,Giovanni Barbarossa,Julie Eng,Anna Tatarczak,Jason Lin-Chew Tan. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of producing vertical cavity surface emitting laser, vertical cavity surface emitting laser, distance sensor, and electronic apparatus

Номер патента: US20210175687A1. Автор: Hideki Kimura. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Vertical-cavity surface-emitting laser, manufacturing method, distance measuring device and electronic device

Номер патента: US20220329044A1. Автор: Yongsheng Hou,Shujuan Li,Zhanqi Xie. Владелец: Silead Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Multi-junction bottom emitting vertical cavity surface emitting laser and the fabrication method of the same

Номер патента: US20240162683A1. Автор: Yuhui Luo,Chuyuen CHAN. Владелец: Brightlaser Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20220385040A1. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Horizontal cavity surface emitting laser device

Номер патента: US09601903B2. Автор: Takanori Suzuki,Koichiro Adachi. Владелец: Oclaro Japan Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Vertical-cavity surface-emitting laser diode and optical transmission apparatus

Номер патента: US09806498B2. Автор: Hamed Dalir,Takashi Kondo,Fumio Koyama,Hideo Nakayama,Kazutaka Takeda,Naoki Jogan. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2017-10-31.

Photonic crystal surface-emitting laser and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240170917A1. Автор: Naoki Fujiwara,Yuki Ito,Akira Furuya,Takuya Inoue,Susumu Noda,Kenji Ishizaki,Naoya KONO. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2024-05-23.

Low-coherence surface-emitting laser (lcsel)

Номер патента: WO2024044998A1. Автор: Dong Liang,Ming Dong,Junping Zhang,Boon S. OOI,Tien Khee Ng,Omar ALKHAZRAGI,Hakan BAGCI. Владелец: King Abdullah University Of Science & Technology. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of fabricating a resonant cavity and distributed bragg reflector mirrors for a vertical cavity surface emitting laser on a wing of an epitaxial lateral overgrowth region

Номер патента: US20240079856A1. Автор: Masahiro Araki,Takeshi Kamikawa,Gandrothula Srinlvas. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical cavity surface emitting laser device

Номер патента: US20220302679A1. Автор: Feng Zhao,Qing Wang,Guoyang Xu. Владелец: Ams Sensors Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Structure of vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US11831125B2. Автор: Chih-Cheng Chen,Jia-Yu Lin,Yen Hsiang Wu. Владелец: TrueLight Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Light guiding for vertical external cavity surface emitting laser

Номер патента: US09859686B2. Автор: Hans Zogg,Pierluigi Debernardi,Ferdinand Felder,Matthias Fill. Владелец: CAMLIN TECHNOLOGIES (SWITZERLAND) Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods for fabricating a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2023069771A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2023-04-27.

Bi-directional vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: US11870217B2. Автор: Benjamin Kesler. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Bi-directional vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: US20240136798A1. Автор: Benjamin Kesler. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Surface emitting laser device and light emitting device including the same

Номер патента: US12068583B2. Автор: Jeong Sik Lee,Keun Uk PARK. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Surface-emitting laser and method for manufacturing surface-emitting laser

Номер патента: US20240305064A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Masayuki Tanaka,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

High speed high bandwidth vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20200106242A1. Автор: Elad Mentovich,Itshak Kalifa. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Vertical cavity surface emitting laser with active layer-specific addressability

Номер патента: US20230420918A1. Автор: Benjamin Kesler. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of manufacturing vertical-cavity surface emitting laser

Номер патента: US20110076854A1. Автор: KAGEYAMA Takeo,Norihiro Iwai,Koji Hiraiwa,Yoshihiko Ikenaga. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Low resistance vertical cavity light source with pnpn blocking

Номер патента: US20200295538A1. Автор: Dennis G. Deppe. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2020-09-17.

Surface emitting laser array, solid-state laser apparatus, and subject information acquisition apparatus including the solid-state laser apparatus

Номер патента: WO2015190615A3. Автор: Mamoru Uchida,Tatsuro Uchida. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-03-24.

Surface emitting laser array, solid-state laser apparatus, and subject information acquisition apparatus including the solid-state laser apparatus

Номер патента: WO2015190615A2. Автор: Mamoru Uchida,Tatsuro Uchida. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-12-17.

Light guiding for vertical external cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2014180751A1. Автор: Hans Zogg,Pierluigi Debernardi,Ferdinand Felder,Matthias Fill. Владелец: Camlin Technologies (Switzerland) Limited. Дата публикации: 2014-11-13.

Strain polarized vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20230344198A1. Автор: Eric R. Hegblom,Yeyu ZHU. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Vertical external cavity surface emitting laser devices allowing high coherence, high power and large tunability

Номер патента: EP3146601A1. Автор: Vincent Lecocq,Isabelle Sagnes,Arnaud GARNACHE-CREUILLOT,Mikhael MYARA,Gregoire Beaudoin,Stéphane DENET,Laurence FERRIERES. Владелец: INNOPTICS. Дата публикации: 2017-03-29.

Vertical external cavity surface emitting laser devices allowing high coherence, high power and large tunability

Номер патента: WO2015177323A1. Автор: Vincent Lecocq,Isabelle Sagnes,Arnaud GARNACHE-CREUILLOT,Mikhael MYARA,Gregoire Beaudoin,Stéphane DENET,Laurence FERRIERES. Владелец: INNOPTICS. Дата публикации: 2015-11-26.

A surface emitting laser device and light emitting device including the same

Номер патента: US20210399528A1. Автор: Jeong Sik Lee,Keun Uk PARK. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Radiation-Emitting Laser Diode, Method for Choosing Refractive Indices of a Waveguide Layer Sequence for a Radiation-Emitting Laser Diode and Method for Producing a Radiation-Emitting Laser Diode

Номер патента: US20230420919A1. Автор: Martin Mueller,Harald KÖNIG,Christian Lauer,Michael Furitsch. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-12-28.

Surface emitting laser apparatus, electronic device, and method for manufacturing surface emitting laser apparatus

Номер патента: US20230283048A1. Автор: Jugo Mitomo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Multi-junction VCSEL with compact active region stack

Номер патента: US11757256B2. Автор: Giuseppe Tandoi. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for fabricating surface emitting laser

Номер патента: US20170271841A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US20230055037A1. Автор: Tien-Chang Lu,Kuo-Bin HONG,Lih-Ren Chen,Ten-Hsing Jaw. Владелец: Interface Optoelectronics Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Surface emitting laser element, surface emitting laser, surface emitting laser device, light source device, and detection apparatus

Номер патента: US11901701B2. Автор: Katsunari Hanaoka,Masayuki Fujiwara. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Surface emitting laser element

Номер патента: US09735544B2. Автор: Ji-Hao Liang,Komei Tazawa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Surface emitting laser, electronic device, and method for manufacturing surface emitting laser

Номер патента: US20240055833A1. Автор: Takahiro Arakida,Rintaro Koda,Osamu Maeda,Kota Tokuda,Yasutaka Higa,Shinichi Agatuma. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Vertical external cavity surface emitting laser devices allowing high coherence, high power and large tunability

Номер патента: US9774165B2. Автор: Vincent Lecocq,Isabelle Sagnes,Arnaud GARNACHE-CREUILLOT,Mikhael MYARA,Gregoire Beaudoin,Stéphane DENET,Laurence FERRIERES. Владелец: INNOPTICS. Дата публикации: 2017-09-26.

Photonic-crystal surface emitting laser and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240047944A1. Автор: Naoki Fujiwara,Yuki Ito,Takuya Inoue,Susumu Noda,Kenji Ishizaki,Naoya KONO,Menaka DE ZOYSA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Surface-emitting laser element

Номер патента: EP4395088A1. Автор: Takuya Inoue,Susumu Noda,Tomoaki Koizumi,Kei EMOTO. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2024-07-03.

Surface-emitting laser with multilayer thermally conductive mirror

Номер патента: US20240106199A1. Автор: Chuan-Wei Chen. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical cavity light-emitting element

Номер патента: EP4451488A2. Автор: Masaru Kuramoto. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Surface-emitting laser array, detection device, and laser device

Номер патента: EP3769382A1. Автор: Naoto Jikutani,Masayuki Numata,Tsuyoshi Ueno,Toshiyuki Ikeoh,Kazuma Izumiya. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-27.

Resonant active grating mirror for surface emitting lasers

Номер патента: US9373936B1. Автор: Zhigang Chen,Jiamin Zhang,Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Method of manufacturing a photonic crystal surface-emitting laser element

Номер патента: EP4283804A1. Автор: Susumu Noda,Hiroshi Kotani,Tomoaki Koizumi,Kei EMOTO. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Method of manufacturing surface-emitting laser element

Номер патента: US20230387659A1. Автор: Susumu Noda,Hiroshi Kotani,Tomoaki Koizumi,Kei EMOTO. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Surface emitting element, method for detecting optic characteristic, and method for adjusting optical characteristic

Номер патента: US20240120709A1. Автор: Rintaro Koda,Kentaro Hayashi,Eiji Nakayama,Tatsushi Hamaguchi,Hidekazu Kawanishi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Surface emitting laser and surface emitting laser array

Номер патента: US20240022040A1. Автор: Rintaro Koda,Shuhei Yamaguchi,Hideki Watanabe,Yasutaka Higa,Go Hirano,Tatsuya Matou. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Surface emitting device

Номер патента: US20240313506A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Masayuki Tanaka,Michinori Shiomi,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe,Daiji Kasahara,Masashi Takanohashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Photonic crystal surface-emitting laser and method for manufacturing same

Номер патента: EP4311043A1. Автор: Naoki Fujiwara,Yuki Ito,Akira Furuya,Takuya Inoue,Susumu Noda,Kenji Ishizaki,Naoya KONO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US09627850B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Susumu Noda,Yong Liang,Tsuyoshi Okino,Kyoko Kitamura,Daiki Yasuda. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-04-18.

Horizontal cavity surface-emitting laser (HCSEL) monolithically integrated with a photodetector

Номер патента: US11909175B2. Автор: Tong Chen,Chih-Wei Chuang,Peter L. Chang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Horizontal cavity surface-emitting laser (hcsel) monolithically integrated with a photodetector

Номер патента: WO2022155094A2. Автор: Tong Chen,Chih-Wei Chuang,Peter L. Chang. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2022-07-21.

Horizontal cavity surface-emitting laser (hcsel) monolithically integrated with a photodetector

Номер патента: WO2022155094A3. Автор: Tong Chen,Chih-Wei Chuang,Peter L. Chang. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2022-09-15.

Surface-emitting ring-cavity quantum cascade laser with ring-shaped phase shifter and related methods

Номер патента: US09819150B2. Автор: Robert E. Peale,Pedro Figueiredo,Andrey V. MURAVIEV. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2017-11-14.

Surface emitting laser

Номер патента: US20120114006A1. Автор: Shoichi Kawashima,Yasuhiro Nagatomo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Surface-emitting ring-cavity quantum cascade laser with ring-shaped phase shifter and related methods

Номер патента: US20170214217A1. Автор: Robert E. Peale,Pedro Figueiredo,Andrey V. MURAVIEV. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2017-07-27.

Photonic crystal surface-emitting lasers enabled by an accidental dirac point

Номер патента: US20140064310A1. Автор: Marin Soljacic,Ling Lu,Song Liang Chua. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2014-03-06.

Vertical cavity surface emitting laser (vcsel) with improved gain-switching behavior

Номер патента: EP3642915A1. Автор: Ulrich Weichmann. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2020-04-29.

Edge-emitting laser having small vertical emitting angle

Номер патента: US10522974B2. Автор: Cheng-Ju Wu,Chien Hung Pan. Владелец: TrueLight Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Edge-emitting laser having small vertical emitting angle

Номер патента: US20180366908A1. Автор: Cheng-Ju Wu,Chien Hung Pan. Владелец: TrueLight Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

A cladding-less gan-based thin-film edge-emitting laser

Номер патента: WO2024114692A1. Автор: Hoi Wai Choi,Wai Yuen FU. Владелец: The University of Hong Kong. Дата публикации: 2024-06-06.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US09882355B2. Автор: Philipp Henning Gerlach,Roland Aloisius JAEGER. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-01-30.

Vertical cavity surface-emitting laser epitaxial structure having a current spreading layer

Номер патента: US20230307889A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truong Dai,Jhao-Hang He. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Vertical cavity surface emitting laser (vcsel), laser sensor and method of producing a vcsel

Номер патента: US20240204479A1. Автор: Ulrich Weichmann,Holger Joachim MOENCH. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-06-20.

Vertical Cavity Surface Emitting Laser, Electronic Device with Same and Manufacturing Method for Same

Номер патента: US20240079854A1. Автор: Jiaxing Wang,Qinpei LIU. Владелец: Shenzhen Berxel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Red-green-blue, vertical-cavity, surface-emitting laser array

Номер патента: EP4398429A2. Автор: Christopher Kocot,Francesco Schiattone,Norbert Lichtenstein,Giovanni Barbarossa,Julie Eng,Anna Tatarczak,Jason Lin-Chew Tan. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: EP3198691A1. Автор: Philipp Henning Gerlach,Roland Aloisius JÄGER. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-08-02.

Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) having small divergence angle, chip, and light source for use in lidar system

Номер патента: GB2618958A. Автор: Zhang Cheng,Liang Dong. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) having small divergence angle, chip, and light source for use in lidar system

Номер патента: GB2618958A8. Автор: Zhang Cheng,Liang Dong. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Method for increasing laser efficiency in a vertical-cavity surface emitting laser

Номер патента: US5879961A. Автор: Jeffrey W. Scott. Владелец: Optical Concepts Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Multiphase growth sequence for forming a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20220209501A1. Автор: Jun Yang,Ajit Vijay Barve,Guowei Zhao,Matthew Glenn Peters. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2022-06-30.

Iii-nitride-based vertical cavity surface emitting laser (vcsel) with a dielectric p-side lens and an activated tunnel junction

Номер патента: WO2024044567A2. Автор: Shuji Nakamura,Stephen Gee,Daniel A. Cohen,Jared KEARNS,Nathan PALMQUIST. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-02-29.

Vertical cavity surface emitting laser (vcsel) having small divergence angle, chip, and light source for use in lidar system

Номер патента: EP4290710A1. Автор: Dong Liang,Cheng Zhang. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) tuned through application of mechanical stress via a piezoelectric material

Номер патента: US11769988B2. Автор: Eran Aharon,Elad Mentovich,Itshak Kalifa,Isabelle Cestier,Matan Galanty. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) tuned through application of mechanical stress via a piezoelectric material

Номер патента: US20210126431A1. Автор: Eran Aharon,Elad Mentovich,Itshak Kalifa,Isabelle Cestier,Matan Galanty. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of manufacturing vertical-cavity surface emitting laser and vertical-cavity surface emitting laser array

Номер патента: US20110064108A1. Автор: Norihiro Iwai,Koji Hiraiwa,Keishi Takaki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-17.

Methods for incorporating a control structure within a vertical cavity surface emitting laser device cavity

Номер патента: US20220352693A1. Автор: Ajit Vijay Barve,Matthew Glenn Peters. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2022-11-03.

Apparatus and method for improving electrical conduction structure of a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2003085788A3. Автор: Xiaobo Zhang. Владелец: Xiaobo Zhang. Дата публикации: 2003-12-04.

Apparatus and method for improving electrical conduction structure of a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: AU2003218480A1. Автор: Xiaobo Zhang. Владелец: AXT Inc. Дата публикации: 2003-10-20.

Apparatus and method for improving electrical conduction structure of a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2003085788A2. Автор: Xiaobo Zhang. Владелец: Axt, Inc.. Дата публикации: 2003-10-16.

Electro-absorption modulator integrated with a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2007005566A2. Автор: Hongyu Deng. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2007-01-11.

Vertical cavity surface emitting laser with integrated photodiode

Номер патента: US20240291238A1. Автор: David Tsi Shi,Chinh Tan,Matthew D. Blasczak. Владелец: Zebra Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Vertical cavity surface emitting laser with integrated photodiode

Номер патента: WO2024182081A1. Автор: David Tsi Shi,Chinh Tan,Matthew D. Blasczak. Владелец: Zebra Technologies Corporation. Дата публикации: 2024-09-06.

Tunnel junction patterning for controlling optical and current confinement in a vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20240380184A1. Автор: Elad Mentovich,Vladimir Iakovlev,Yuri Berk,Isabelle Cestier. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Vertical cavity surface emitting laser diode and a method for producing the same

Номер патента: US7813403B2. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-10-12.

Vertical cavity surface emitting laser and corresponding fabricating method

Номер патента: US12015246B2. Автор: Xianfeng Ni,Ying Cui,Qian Fan,Bin Hua. Владелец: Suzhou Han Hua Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Vertical cavity surface emitting laser device with integrated tunnel junction

Номер патента: US12027819B2. Автор: Marcel Franz Christian Schemmann,Ulrich Weichmann. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-07-02.

Surface-emitting laser, surface-emitting laser array, and electronic apparatus

Номер патента: EP4340142A1. Автор: Kota Tokuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-20.

Surface emitting laser, surface emitting laser array, and electronic device

Номер патента: US20240072514A1. Автор: Kota Tokuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

High speed high bandwidth vertical-cavity surface-emitting laser with controlled overshoot

Номер патента: US20200358253A1. Автор: Elad Mentovich,Itshak Kalifa. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Surface emitting laser device and a light emitting device including the same

Номер патента: US11984703B2. Автор: Jeong Sik Lee. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Electro-absorption modulator integrated with a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2007005566A3. Автор: Hongyu Deng. Владелец: Hongyu Deng. Дата публикации: 2007-04-05.

Vertical cavity surface emitting device

Номер патента: US20210351568A1. Автор: Masaru Kuramoto. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Vcsel device with multiple stacked active regions

Номер патента: US20200335942A1. Автор: Richard F. Carson,Nein-Yi Li,Mial E. WARREN. Владелец: TriLumina Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

hybrid metal-bonded vertical cavity surface emitting laser and fabricating method thereof

Номер патента: KR100627703B1. Автор: 송현우,한원석,김종희,박미란,권오균. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2006-09-26.

Surface-emitting laser device and light emitting device including the same

Номер патента: US11942762B2. Автор: Jeong Sik Lee,Sang Heon Han,Yeo Jae YOON,Keun Uk PARK. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Vertical cavity surface emitting laser (vcsel) emitter with guided-antiguided waveguide

Номер патента: US20240162685A1. Автор: Evgeny Zibik,Antoine Pissis,Stefano TIRELLI. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Vertical cavity surface emitting laser (vcsel) emitter with guided-antiguided waveguide

Номер патента: EP4372933A1. Автор: Evgeny Zibik,Antoine Pissis,Stefano TIRELLI. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Surface emitting laser, atomic oscillator, and manufacturing method of surface emitting laser

Номер патента: US20160126703A1. Автор: Takashi Hagino. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Front-surface emitting diode laser

Номер патента: US5034958A. Автор: Hoi-Jun Yoo,Young-Se Kwon. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1991-07-23.

Surface emitting laser, laser device, detection device, mobile object, and surface emitting laser driving method

Номер патента: EP4378032A1. Автор: Naoto Jikutani,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Surface emitting laser and electronic device

Номер патента: US20240146031A1. Автор: Masayuki Tanaka,Michinori Shiomi,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Oxide aperture shaping in vertical cavity surface-emitting laser

Номер патента: US11757252B2. Автор: Abram Jakubowicz,Mirko Hoser,Tomi Leinonen. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Oxide Aperture Shaping In Vertical Cavity Surface-Emitting Laser

Номер патента: US20200358252A1. Автор: Abram Jakubowicz,Mirko Hoser,Tomi Leinonen. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Oxide Aperture Shaping In Vertical Cavity Surface-Emitting Laser

Номер патента: US20230411930A1. Автор: Abram Jakubowicz,Mirko Hoser,Tomi Leinonen. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Oxide Aperture Shaping In Vertical Cavity Surface-Emitting Laser

Номер патента: US20220190558A1. Автор: Abram Jakubowicz,Mirko Hoser,Tomi Leinonen. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Surface emitting laser, laser device, detection device, and mobile object

Номер патента: WO2023144611A1. Автор: Naoto Jikutani,Kazuhiro Harasaka,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2023-08-03.

Surface emitting laser and method for manufacturing surface emitting laser

Номер патента: US20240146026A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Michinori Shiomi,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Surface emitting laser, laser device, detection device, mobile object, and surface emitting laser driving method

Номер патента: EP4378031A1. Автор: Naoto Jikutani,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Surface emitting laser, atomic oscillator, and manufacturing method of surface emitting laser

Номер патента: US9484716B2. Автор: Takashi Hagino. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for producing a surface-emitting laser

Номер патента: US5416044A. Автор: Toyoji Chino,Kenichi Matsuda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1995-05-16.

Surface emitting laser element and light source device

Номер патента: US20240348013A1. Автор: Hideki Watanabe. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US20080285612A1. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Strain-engineered cladding layer for optimized active region strain and improved laser diode performance

Номер патента: US20220368108A1. Автор: Zhigang Chen,Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Strain-engineered cladding layer for optimized active region strain and improved laser diode performance

Номер патента: WO2021067033A1. Автор: Zhigang Chen,Manoj Kanskar. Владелец: nLIGHT, Inc.. Дата публикации: 2021-04-08.

Nitride Laser Diode with Engineered Non-Uniform Alloy Composition in the N-Cladding Layer

Номер патента: US20160164260A1. Автор: Christopher L. Chua,Zhihong Yang,Thomas Wunderer. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

QCL with wide active region and thinned stages and related methods

Номер патента: US10673209B2. Автор: Arkadiy Lyakh,Matthew Suttinger. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2020-06-02.

Qcl with wide active region and thinned stages and related methods

Номер патента: US20190115727A1. Автор: Arkadiy Lyakh,Matthew Suttinger. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2019-04-18.

Multi-active-region cascaded bragg reflection waveguide edge-emitting diode laser

Номер патента: US20240088624A1. Автор: Lijun Wang,Lijie Wang,Cunzhu Tong,Hangyu PENG. Владелец: Jlight Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Edge emitting laser device and method of processing an edge emitting laser device

Номер патента: WO2024061682A1. Автор: Jens Ebbecke. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-03-28.

Surface-emitting semiconductor laser and method for producing a surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20240097401A1. Автор: Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-03-21.

Quantum cascade laser system with angled active region

Номер патента: US11757251B2. Автор: Arkadiy Lyakh. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2023-09-12.

Quantum cascade laser with angled active region and related methods

Номер патента: US20180048118A1. Автор: Arkadiy Lyakh. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2018-02-15.

Method for making quantum cascade laser with angled active region

Номер патента: US20190260181A1. Автор: Arkadiy Lyakh. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2019-08-22.

Quantum cascade laser system with angled active region

Номер патента: US20200395736A1. Автор: Arkadiy Lyakh. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2020-12-17.

Quantum cascade laser system with angled active region

Номер патента: US20230131797A1. Автор: Arkadiy Lyakh. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2023-04-27.

Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US20070075318A1. Автор: Koujirou Sekine,Mitsuru Yokoyama,Susumu Noda,Eiji Miyai. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-04-05.

Quantum cascade laser design with stepped well active region

Номер патента: US09548590B2. Автор: Feng Xie,Chung-En Zah,Catherine Genevieve Caneau. Владелец: Thorlabs Quantum Electronics Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Quantum cascade laser design with stepped well active region

Номер патента: EP2786458A1. Автор: Feng Xie,Chung-En Zah,Catherine G. Caneau. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2014-10-08.

Quantum cascade laser design with stepped well active region

Номер патента: WO2013082070A1. Автор: Feng Xie,Chung-En Zah,Catherine G Caneau. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor light emitting device with lateral current injection in the light emitting region

Номер патента: EP1927143A2. Автор: James C. Kim,Stephen A. Stockman. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2008-06-04.

Semiconductor light emitting device with lateral current injection in the light emitting region

Номер патента: WO2007031902A3. Автор: James C Kim,Stephen A Stockman. Владелец: Philips Lumileds Lighting Co. Дата публикации: 2007-10-11.

Transistor for emitting laser with a fixed frequency

Номер патента: US11749965B2. Автор: Shu-Wei Chang,Chao-Hsin Wu,Chien-Ting Tung. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-09-05.

Organic vertical cavity lasing devices containing periodic gain regions

Номер патента: US20030147446A1. Автор: John Lebens,Keith Kahen,John Spoonhower,Anna Hrycin. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2003-08-07.

Surface-emitting type semiconductor laser, optical transmission apparatus, and manufacturing method of surface-emitting type semiconductor laser

Номер патента: US20240250501A1. Автор: Atsushi Mukai,Kazutaka Takeda,Takeshi MINAMIRU,Naoya SEKITA,Yuto IWANE,Koga MIZUNO. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Broad area laser including anti-guiding regions for higher-order lateral mode suppression

Номер патента: US09800020B2. Автор: Jürgen Müller,Norbert Lichtenstein,Jarkko Telkkälä. Владелец: II VI Laser Enterprise GmbH. Дата публикации: 2017-10-24.

Broad Area Laser Including Anti-Guiding Regions For Higher-Order Lateral Mode Suppression

Номер патента: US20160372892A1. Автор: Jürgen Müller,Norbert Lichtenstein,Jarkko Telkkälä. Владелец: II VI Laser Enterprise GmbH. Дата публикации: 2016-12-22.

Broad area laser including anti-guiding regions for higher-order lateral mode suppression

Номер патента: WO2016203365A1. Автор: Jürgen Müller,Norbert Lichtenstein,Jarkko Talkkala. Владелец: II-VI Laser Enterprise GmbH. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor laser including tunnel diode for reducing contact resistance

Номер патента: US5751754A. Автор: Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-12.

Vertical cavity surface emitting laser and image forming apparatus using the vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: EP2040345B1. Автор: Takeshi c/o Canon Kabushiki Kaisha Uchida,Tetsuya c/o Canon Kabushiki Kaisha Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-04-18.

Structure and method for the fabrication of a gallium nitride vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US09640947B2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Daniel F. Feezell,Casey O. Holder. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-05-02.

Vertical-cavity surface-emitting laser, module, optical transmission device, free space optical communication device, optical transmission system, and free space optical communication system

Номер патента: US20090201963A1. Автор: Takashi Kondo,Masahiro Yoshikawa,Masateru Yamamoto. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Long-wave vertical-emitting laser with intracavity contacts

Номер патента: RU2703922C2. Автор: Сергей Анатольевич Блохин,Николай Анатольевич Малеев,Александр Георгиевич Кузьменков,Виктор Михайлович Устинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2019-10-22.

Surface emitting laser

Номер патента: US20110044363A1. Автор: Takeshi Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-02-24.

Surface-emitting laser module, optical scanner device, and image forming apparatus

Номер патента: US09831633B2. Автор: Shunichi Sato,Toshihiro Ishii,Kazuhiko Adachi,Satoru Sugawara,Yoshihiro Ohba,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Surface emitting laser array element, optical scanning device, and image forming apparatus

Номер патента: US20130251408A1. Автор: Katsunari Hanaoka,Masayuki Numata,Hiroyoshi Shouji. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Surface emitting semiconductor laser and method of manufacture thereof

Номер патента: EP2550711A1. Автор: Hans Zogg,Mohamed Rahim,Ferdinand Felder,Matthias Fill,Martin Arnild. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2013-01-30.

Surface emitting laser device, surface emitting laser array, optical scanning device, image forming apparatus, and method of manufacturing the surface emitting laser device

Номер патента: EP2395613A3. Автор: Shunichi Sato,Masayuki Numata. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

Surface emitting laser device, surface emitting laser array, optical scanning device, image forming apparatus, and method of manufacturing the surface emitting laser device

Номер патента: EP3667841A1. Автор: Shunichi Sato,Masayuki Numata. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-17.

Surface emitting laser element, surface emitting laser array, optical scanning unit, image forming apparatus and method of manufacturing surface emitting laser element

Номер патента: US20110304682A1. Автор: Mitsugu Irinoda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Surface-emitting laser device, optical scanner device, and image forming apparatus

Номер патента: US20130033559A1. Автор: Toshihide Sasaki,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

Independently-addressable high power surface-emitting laser array with tight-pitch packing

Номер патента: EP4142076A3. Автор: Joerg Martini,Zhihong Yang,Peter Kiesel,Christopher L Chua,Patrick Y Maeda,Noble M Johnson. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Vertical-emitting laser with intracavity contacts and dielectric mirror

Номер патента: RU2704214C1. Автор: Сергей Анатольевич Блохин,Николай Анатольевич Малеев,Александр Георгиевич Кузьменков,Виктор Михайлович Устинов,Юрий Михайлович Задиранов,Алексей Петрович Васильев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2019-10-24.

Improved vertical external cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2005055381A1. Автор: Erling Riis,Richard H. Abram,Allister I. Ferguson. Владелец: UNIVERSITY OF STRATHCLYDE. Дата публикации: 2005-06-16.

Vertical External Cavity Surface Emitting Laser

Номер патента: US20080019406A1. Автор: Erling Riis,Richard H. Abram,Allister I Ferguson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-24.

Improved vertical external cavity surface emitting laser

Номер патента: EP1738445A1. Автор: Erling Riis,Richard H. Abram,Allister I. c/o Univ. of Strathclyde FERGUSON. Владелец: UNIVERSITY OF STRATHCLYDE. Дата публикации: 2007-01-03.

High-density, independently addressable surface emitting semiconductor laser/light emitting diode array

Номер патента: CA2051223C. Автор: Thomas L. Paoli. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1996-07-09.

Surface-emitting laser element, atomic oscillator, and surface-emitting laser element testing method

Номер патента: EP2686923A1. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-22.

Surface-emitting laser element, atomic oscillator, and surface-emitting laser element testing method

Номер патента: US20130335155A1. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-19.

Surface-emitting laser and method for manufacturing surface-emitting laser

Номер патента: US20200251887A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Susumu Noda,Junichi Sonoda,Tomoaki Koizumi,Kei EMOTO,Menaka DE ZOYSA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Hybrid laser including anti-resonant waveguides

Номер патента: US20130322890A1. Автор: Hyundai Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Hybrid laser including anti-resonant waveguides

Номер патента: US9515456B2. Автор: Hyundai Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Hybrid laser including anti-resonant waveguides

Номер патента: WO2013147740A1. Автор: Hyundai Park. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-10-03.

Vertical cavity surface emitting laser with integrated photodiode

Номер патента: US12107388B2. Автор: Ulrich Weichmann. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-10-01.

Vertical cavity surface emitting laser and method of manufacturing vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20230025212A1. Автор: Daisuke Inoue,Akito Fujita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Vertical cavity surface emitting laser and method of fabricating same

Номер патента: EP4131676A1. Автор: Stephan Gronenborn,Alexander WEIGL. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2023-02-08.

Vertical-cavity surface-emitting laser and preparation method

Номер патента: EP4325675A1. Автор: Dong Liang,Song Liu,Weicheng WENG,Weizun DING,Junyan PENG. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: US09397478B2. Автор: Satoshi Takenaka,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Vertical cavity surface emitting laser, vertical-cavity-surface-emitting-laser device, optical transmission apparatus, and information processing apparatus

Номер патента: US20110317540A1. Автор: Takashi Kondo,Kazutaka Takeda,Kazuyuki Matsushita. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: EP2756564A1. Автор: David A. Fattal,Raymond G. Beausoleil,Michael Renne Ty Tan. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-07-23.

Vertical cavity surface emitting laser device with monolithically integrated photodiode

Номер патента: EP3977574A1. Автор: Philipp Henning Gerlach,Ulrich Weichmann,Holger Joachim MOENCH,Susanne Weidenfeld. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2022-04-06.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US11437782B2. Автор: Dong Hwan Kim,Keuk Kim,Won Jin Choi. Владелец: Rayir Co. Дата публикации: 2022-09-06.

Vertical-cavity surface-emitting laser and preparation method

Номер патента: US20240283221A1. Автор: Song Liu,Weicheng WENG,Weizun DING,Junyan PENG. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: EP4439884A1. Автор: Yao Cui,Chihchiang SHEN,Yipeng Ji,Constance Jui-Hua Chang-Hasnain,Jonas Horst KAPRAUN. Владелец: Zhejiang Brexel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Vertical Cavity Surface Emitting Laser

Номер патента: US20240332905A1. Автор: Yao Cui,Chihchiang SHEN,Yipeng Ji,Constance Jui-Hua Chang-Hasnain,Jonas Horst KAPRAUN. Владелец: Zhejiang Berxel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20210336419A1. Автор: Dong Hwan Kim,Keuk Kim,Won Jin Choi. Владелец: Rayir Co. Дата публикации: 2021-10-28.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20040037337A1. Автор: Michael Cohen,Chennupati Jagadish. Владелец: Australian National University. Дата публикации: 2004-02-26.

Surface emitting laser, method for fabricating surface emitting laser

Номер патента: WO2024185048A1. Автор: Srinivas GANDROTHULA. Владелец: Sanoh Industrial Co.,Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Filamented multi-wavelength vertical-cavity surface emitting laser

Номер патента: EP1025625A1. Автор: Robert A. Morgan. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 2000-08-09.

Vertical-cavity surface-emitting laser with an intracavity quantum-well optical absorber

Номер патента: WO1999057789A1. Автор: Connie J. Chang-Hasnain,Kam-Yin Lau,Janice A. Hudgings,Sui F. Lim. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 1999-11-11.

Single Mode Vertical Cavity Surface Emitting Laser Using Photonic Crystals With A Central Defect

Номер патента: US20090232176A1. Автор: Jan Lipson,Hongyu Deng,Thomas Lenosky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Vertical-cavity surface-emitting laser with an intracavity quantum-well optical absorber

Номер патента: EP1075718A4. Автор: Kam-Yin Lau,Connie J Chang-Hasnain,Sui F Lim,Janice A Hudgings. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2001-09-19.

Vertical-cavity surface-emitting lasers with intra-cavity structures

Номер патента: US5245622A. Автор: Jack L. Jewell,Gregory Olbright. Владелец: Bandgap Technology Corp. Дата публикации: 1993-09-14.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20230163568A1. Автор: Takeshi Aoki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: US09748739B2. Автор: Tsuyoshi Kaneko,Tetsuo Nishida,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Vertical-cavity surface-emitting laser and method for forming the same

Номер патента: US12149049B2. Автор: Yu-Chun Chen,Yu-Hsuan Huang,Chia-Ta Chang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

A vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2002039554A1. Автор: Chennupati Jagadish,Michael Israel Cohen. Владелец: THE AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2002-05-16.

Coupled cavity anti-guided vertical cavity surface emitting laser (vcsel)

Номер патента: AU7471000A. Автор: Andrew Clark,James Gunter,Ralph Herbert Johnson. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 2001-03-26.

Polarized/lensed back-side emitting (bse) vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel)

Номер патента: EP4369536A2. Автор: Dmitri Iazikov,Norbert Lichtenstein,Lukas Mutter,Michael Steib,Anna Tatarczak,Jason Lin-Chew Tan,Chris Kocot,Alirio MELGAR,Alex LAURAIN. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Polarized/lensed back-side emitting (bse) vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel)

Номер патента: US20240186766A1. Автор: Dmitri Iazikov,Norbert Lichtenstein,Lukas Mutter,Anna Tatarczak,Jason Lin-Chew Tan,Michael A. Steib,Chris Kocot,Alex LAURAIN,Alirio A. Melgar. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Polarized/lensed back-side emitting (bse) vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel)

Номер патента: EP4369536A3. Автор: Dmitri Iazikov,Norbert Lichtenstein,Lukas Mutter,Michael Steib,Anna Tatarczak,Jason Lin-Chew Tan,Chris Kocot,Alirio MELGAR,Alex LAURAIN. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Operating vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: WO2013162535A1. Автор: Dacheng Zhou,Daniel A. Berkram,Zhubiao Zhu. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2013-10-31.

High-power vertical cavity surface emitting laser cluster

Номер патента: US5812571A. Автор: Frank H. Peters. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 1998-09-22.

Vertical cavity surface emitting laser including meta structure reflector and optical device including the vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20180278023A1. Автор: Seunghoon HAN,Byunghoon NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-27.

Vertical cavity surface emitting laser and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120082178A1. Автор: Takemasa Tamanuki. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2012-04-05.

Vertical cavity surface emitting laser and method of producing same

Номер патента: US20240364081A1. Автор: Ulrich Weichmann,Sven Bader. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-10-31.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: US09634467B2. Автор: Shoji Ono,Satoshi Takenaka,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Small-mode-volume, vertical-cavity, surface-emitting laser

Номер патента: US09991676B2. Автор: Jingjing Li,David A. Fattal,Marco Fiorentino,Wayne V. Sorin,Michael Renne Ty Tan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-06-05.

Top-emitting vertical-cavity surface-emitting laser with bottom-emitting structure

Номер патента: US20210194207A1. Автор: Albert Yuen. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Vertical cavity surface emitting laser comprising a modulator monolithically integrated on top

Номер патента: EP1547215A1. Автор: Oleg Okhotnikov,Tomi Jouhti,Markus Pessa. Владелец: EpiCrystals Oy. Дата публикации: 2005-06-29.

Top-emitting vertical-cavity surface-emitting laser with bottom-emitting structure

Номер патента: US12119610B2. Автор: Albert Yuen. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Two dimensional photonic crystal vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: US09444222B2. Автор: Yoshikatsu Miura,Dai Onishi,Seita Iwahashi,Takui Sakaguchi,Eiji Miyai,Wataru Kunishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20020181530A1. Автор: Keith Goossen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Vertical cavity surface emitting laser assembly

Номер патента: US09525267B2. Автор: Mohammad Azadeh. Владелец: O Net Communications Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Vertical Cavity Surface Emitting Laser and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240136797A1. Автор: Sui ZHANG,Jiaxing Wang. Владелец: Shenzhen Berxel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Vertical Cavity Surface Emitting Laser and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240235162A9. Автор: Sui ZHANG,Jiaxing Wang. Владелец: Shenzhen Berxel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Plated trench for parasitic capacitance control of vertical cavity surface emitting laser devices

Номер патента: US20240348014A1. Автор: Albert Yuen,Shibajyoti Ghosh DASTIDER,Yeyu ZHU,Chien-Yao Lu. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Vertical cavity surface emitting laser device with monolithically integrated photodiode

Номер патента: WO2020244862A1. Автор: Philipp Henning Gerlach,Ulrich Weichmann,Holger Joachim MOENCH,Susanne Weidenfeld. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2020-12-10.

Light detection and ranging (lidar) devices having vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) emitters

Номер патента: US12072422B2. Автор: James Dunphy,Matthew Last,David Schleuning,Augusto Tazzoli. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Light detection and ranging (lidar) devices having vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) emitters

Номер патента: US20240319378A1. Автор: James Dunphy,Matthew Last,David Schleuning,Augusto Tazzoli. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US12095230B2. Автор: Dieter Bimberg,Gunter Larisch. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2024-09-17.

Vertical Cavity Surface-Emitting Laser with Independent Definition of Current and Light Confinement

Номер патента: US20240339814A1. Автор: Wolfgang Kaiser,Evgeny Zibik,Antoine Pissis,Stefano TIRELLI,Eimantas Duda. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Top-emitting surface emitting laser structures

Номер патента: CA2037013C. Автор: Yong H. Lee,Benjamin Tell. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-02-08.

Top-emitting surface emitting laser structures

Номер патента: CA2037013A1. Автор: Yong H. Lee,Benjamin Tell. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1991-10-14.

Gain guide implant in oxide vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: WO2003058267A2. Автор: James K. Guenter,James R. Biard. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2003-07-17.

Vertical cavity surface emitting laser and method for manufacturing the same, electronic apparatus, and printer

Номер патента: US20190006820A1. Автор: Masamitsu Mochizuki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Serially interconnected vertical-cavity surface emitting laser arrays

Номер патента: US20120051384A1. Автор: Jonathan C. Geske,Chad Shin-deh Wang,Michael MacDougal. Владелец: Aerius Photonics LLC. Дата публикации: 2012-03-01.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: GB2619216A. Автор: Zhang Cheng,Liu Song,Liang Dong,Weng Weicheng. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: EP3568886A1. Автор: James A. Lott,Dieter Bimberg,Gunter Larisch. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2019-11-20.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: WO2018130462A1. Автор: James A. Lott,Dieter Bimberg,Gunter Larisch. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAT BERLIN. Дата публикации: 2018-07-19.

Emitter assembly with vertical cavity surface emitting laser (vcsel) clusters

Номер патента: US20240195153A1. Автор: Raman Srinivasan,WEI Shi,Joseph Leigh,Lijun Zhu,Gianluca Bacchin,Huanlin ZHU,Suhit Ranjan Das,Yuefa Li,Qianhuan YU,Jacob U. LOPEZ RUVALCABA. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Vertical cavity surface emitting laser device with integrated photodiode

Номер патента: EP3741014A1. Автор: Philipp Henning Gerlach. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2020-11-25.

Vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US09979158B1. Автор: James A. Lott,Dieter Bimberg,Gunter Larisch. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-05-22.

Vertical-cavity surface-emitting laser array, vertical-cavity surface-emitting laser device, optical transmission apparatus, and information processing apparatus

Номер патента: US8654802B2. Автор: Masaya KUMEI. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-18.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: EP2887468A3. Автор: Shoji Ono,Satoshi Takenaka,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-09-02.

Encoded pixel structure of vertical cavity surface emitting laser and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341741A1. Автор: Dong Liang,Song Liu,Yijie HUO. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Encoded pixel structure of vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20190341746A1. Автор: Dong Liang,Song Liu,Yijie HUO. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Feedback biased vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20190140423A1. Автор: Petter Westbergh. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Vertical-cavity surface-emitting laser and preparation method

Номер патента: GB2621741A. Автор: Liu Song,Liang Dong,Weng Weicheng,Ding Weizun,Peng Junyan. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Substrate-transfer vertical cavity surface emitting laser and method for manufacture thereof

Номер патента: US20220102938A1. Автор: Chihchiang SHEN. Владелец: Zhejiang Berxel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Vertical-cavity surface-emitting laser array with integrated capacitor

Номер патента: US20220209500A1. Автор: Hao Huang,Lijun Zhu,Matthew Glenn Peters,Siu Kwan Cheung,Mohammad Ali SHIRAZI HOSSEINI DOKHT. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2022-06-30.

Vertical cavity surface emitting laser, vertical cavity surface emitting laser device, optical transmission device, and information processing apparatus

Номер патента: US20130034922A1. Автор: Masahiro Yoshikawa,Kazutaka Takeda,Kazuyuki Matsushita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-07.

Method for manufacturing vertical cavity surface emitting laser device

Номер патента: US20240250502A1. Автор: Sae Kyoung Kang,Gyeong Cheol PARK. Владелец: Inoptix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of forming an electrical metal contact and method of producing a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US11862933B2. Автор: Alexander WEIGL,Roman KOERNER. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-01-02.

Mode control in vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: US09742154B2. Автор: Benjamin Kesler,John Michael Dallesasse,Thomas O'Brien, JR.. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2017-08-22.

Single mode vertical cavity surface emitting laser using photonic crystals with a central defect

Номер патента: US20050008060A1. Автор: Jan Lipson,Hongyu Deng,Thomas Lenosky. Владелец: Thomas Lenosky. Дата публикации: 2005-01-13.

Method for manufacturing a distributed bragg reflector for 1550 nm vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20240146028A1. Автор: Chao-Chieh Chu. Владелец: Well & Fortune Tech LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: US20160226221A1. Автор: Tsuyoshi Kaneko,Tetsuo Nishida,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Multi-channel DWDM transmitter based on a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20020097768A1. Автор: Robert Thornton. Владелец: Siros Technologies Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Bottom-emitting vertical cavity surface emitting laser array with integrated directed beam diffuser

Номер патента: US12126145B2. Автор: Eric R. Hegblom,Kevin Wang. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Vertical cavity surface emitting laser with enhanced second harmonic generation and method of making same

Номер патента: US5724375A. Автор: Frank H. Peters. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 1998-03-03.

Vertical cavity surface emitting laser with lateral injection

Номер патента: US5164949A. Автор: Donald E. Ackley,Paige M. Holm. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-11-17.

Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Номер патента: US9337621B2. Автор: Tsuyoshi Kaneko,Tetsuo Nishida,Yuji Kurachi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

High-Speed Vertical Cavity Surface Emitting Laser, Electronic Device with the Same and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240079855A1. Автор: Jiaxing Wang,Huawen Hu. Владелец: Shenzhen Berxel Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical cavity surface emitting laser device with integrated photodiode

Номер патента: US12034272B2. Автор: Philipp Henning Gerlach. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-07-09.

Vertical-cavity surface emitting laser support assembly

Номер патента: EP3864450A1. Автор: William A. Bayer,Michael R. Daun,Nicolai B. MORTENSEN. Владелец: Thermo Electron Scientific Instruments LLC. Дата публикации: 2021-08-18.

Vertical-cavity surface emitting laser support assembly

Номер патента: WO2020077092A1. Автор: William A. Bayer,Michael R. Daun,Nicolai B. MORTENSEN. Владелец: Thermo Electron Scientific Instruments LLC. Дата публикации: 2020-04-16.

Giant cavity surface emitting laser

Номер патента: EP4432490A1. Автор: Dong Liang,Cheng Zhang. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Fabrication method for surface emitting semiconductor device and surface emitting semiconductor device

Номер патента: US20040144984A1. Автор: Markus Weyers,Hans Wenzel,Martin Zorn,Andrea Knigge. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2004-07-29.

Vertical cavity surface emitting laser device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220294185A1. Автор: Cheng-Dong Wang. Владелец: Triple Win Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Detecting pinholes in vertical cavity surface-emitting laser passivation

Номер патента: US7011979B2. Автор: Robert W. Herrick,Suning Xie,Gregory N. DeBrabander,Matthew C. Slater. Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2006-03-14.

Electric Pumping Vertical External Cavity Surface Emitting Laser (EP-VECSEL) array

Номер патента: US12057675B1. Автор: Mahmoud Fallahi,Chris Hessenius. Владелец: Deuve Photonics Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Three-dimensional cavity surface emitting laser structure and fabrication method thereof

Номер патента: US5895224A. Автор: Hye-Yong Chu,Hyo-Hoon Park,Byueng-Su Yoo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1999-04-20.

Q-switched grating vertical-cavity surface-emitting laser system and method for fabricating the same

Номер патента: US20120189024A1. Автор: David A. Fattal,Raymond G. Beausoleil,Michael Renne Ty Tan. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2012-07-26.

Vertical-cavity surface-emitting laser system and method for fabricating the same

Номер патента: US09711947B2. Автор: Jingjing Li,David A. Fattal,Raymond G. Beausoleil,Michael Renne Ty Tan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-07-18.

Vertical-cavity surface-emitting laser device

Номер патента: US5903590A. Автор: Kent D. Choquette,Kevin L. Lear,G. Ronald Hadley,Adelbert Awyoung. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Flip chip power monitoring system for vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: US5757829A. Автор: Michael S. Lebby,Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-05-26.

Surface emitting laser, surface emitting laser device, light source device, and detection apparatus

Номер патента: US12068577B2. Автор: Katsunari Hanaoka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for physical random number generation using a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US12080993B2. Автор: Valerio Pruneri,Carlos Abellán Sánchez,Waldimar Amaya,Morgan Mitchell. Владелец: Institucio Catalana De Recerca | Estudis Avancats. Дата публикации: 2024-09-03.

Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) array package and manufacturing method

Номер патента: US12107387B2. Автор: Yang Wang. Владелец: Shenzhen Raysees Ai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Vertical cavity surface emitting laser for high power operation and method of fabrication

Номер патента: US5914973A. Автор: Michael S. Lebby,Jamal Ramdani,Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-06-22.

Small-mode-volume, vertical-cavity, surface-emitting laser

Номер патента: US20130209110A1. Автор: Jingjing Li,David A. Fattal,Marco Fiorentino,Wayne V. Sorin,Michael Renne Ty Tan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-15.

Techniques for vertical cavity surface emitting laser oxidation

Номер патента: US20200076162A1. Автор: Chen Yu Chen,Ming Chyi Liu,Jhih-Bin CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Vertical cavity surface emitting laser driving circuit

Номер патента: US6067307A. Автор: Ashok V. Krishnamoorthy. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-05-23.

Method of fabricating long wavelength vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: US6727109B2. Автор: Won Seok Han,O Kyun Kwon,Jae Heon Shin,Young Gu Ju,Byueng Su Yoo,Jung Rae Ro. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2004-04-27.

Vertical cavity surface emitting laser illuminator package with embedded capacitor

Номер патента: US20230047740A1. Автор: WEI Shi,Hao Huang,Lijun Zhu,Siu Kwan Cheung,Huanlin ZHU. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-02-16.

Compact emitter design for a vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US09742153B1. Автор: Albert Yuen,Ajit Vijay Barve. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

Long wavelength light emitting vertical cavity surface emitting laser and method of fabrication

Номер патента: US5835521A. Автор: Michael S. Lebby,Jamal Ramdani,Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-11-10.

Long wavelength light emitting vertical cavity surface emitting laser and method of fabrication

Номер патента: US6121068A. Автор: Michael S. Lebby,Jamal Ramdani,Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-09-19.

Operating vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: US20160087400A1. Автор: Dacheng Zhou,Daniel A. Berkram,Zhubiao Zhu. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-03-24.

Techniques for vertical cavity surface emitting laser oxidation

Номер патента: US20220239067A1. Автор: Chen Yu Chen,Ming Chyi Liu,Jhih-Bin CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Vertical cavity surface emitting laser with enhanced modulation bandwidth

Номер патента: US20240136794A1. Автор: Yeyu ZHU,Chien-Yao Lu. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Emitter assembly with a redistribution layer for a vertical cavity surface emitting laser (vcsel) chip

Номер патента: US20240195145A1. Автор: Raman Srinivasan,WEI Shi,Joseph Leigh,Eric R. Hegblom,Lijun Zhu,Gianluca Bacchin,Huanlin ZHU,Suhit Ranjan Das,Yuefa Li,Qianhuan YU,Jacob U. LOPEZ RUVALCABA. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Vertical-cavity surface-emitting laser array with multiple metal layers for addressing different groups of emitters

Номер патента: US20210075196A1. Автор: Eric R. Hegblom. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2021-03-11.

Regulating a Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) -Based Optical Communication Link

Номер патента: US20120300801A1. Автор: Nikola Nedovic,Scott McLeod. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Vertical cavity surface emitting laser with integrated electrostatic discharge protection

Номер патента: US20060118877A1. Автор: Jimmy Tatum,James Guenter,Jose Aizpuru. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Matrix addressable vertical-cavity surface-emitting laser array

Номер патента: US20240283218A1. Автор: Eric R. Hegblom,Yeyu ZHU,Slava KHASSINE. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Vertical cavity surface emitting laser device with an integrated ground layer

Номер патента: US20240348008A1. Автор: Lijun Zhu,Matthew Glenn Peters,Siu Kwan Cheung,Jacob U. LOPEZ RUVALCABA. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Multi-gigahertz frequency-modulated vertical-cavity surface emitting laser

Номер патента: WO1996041403A1. Автор: Robert A. Morgan. Владелец: Honeywell Inc.. Дата публикации: 1996-12-19.

Top-emitting vertical-cavity surface-emitting laser with bottom-emitting structure

Номер патента: US20230163557A1. Автор: Albert Yuen. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for highly compact vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: US6297068B1. Автор: Robert L. Thornton. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2001-10-02.

Vertical cavity surface emitting laser and method of producing same

Номер патента: EP3926769A1. Автор: Ulrich Weichmann,Sven Bader. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2021-12-22.

Bottom emitting vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: WO2019210104A1. Автор: Michael Renne Ty Tan,Wayne Victor Sorin,Stanley Cheung,Sagi Varghese Mathai. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-10-31.

Giant cavity surface emitting laser

Номер патента: GB2627420A. Автор: Zhang Cheng,Liang Dong. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Single-mode vertical cavity surface emitting lasers and methods of making the same

Номер патента: US7218660B2. Автор: Scott W. Corzine,Laura Giovane,Bernhard Ulrich Koelle,An-Nien Chang. Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2007-05-15.

Techniques for vertical cavity surface emitting laser oxidation

Номер патента: US11309685B2. Автор: Chen Yu Chen,Ming Chyi Liu,Jhih-Bin CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Mesa/trench free vertical cavity surface emitting laser (vcsel)

Номер патента: US20240022045A1. Автор: Attila Fülöp,Petter Westbergh. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Techniques for vertical cavity surface emitting laser oxidation

Номер патента: US20210028601A1. Автор: Chen Yu Chen,Ming Chyi Liu,Jhih-Bin CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Surface emitting laser, light source device, electronic device, and method for manufacturing surface emitting laser

Номер патента: US20240146024A1. Автор: Masato Ogawa,Shinichi Agatuma. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Surface-emitting laser, laser device, detection device, mobile object, information terminal apparatus, and method for driving surface-emitting laser

Номер патента: US20240322525A1. Автор: Naoto Jikutani,Naofumi Ueno. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Bragg distributed feedback surface emitting laser

Номер патента: US4675876A. Автор: Mikelis N. Svilans. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1987-06-23.

Vertical cavity surface emitting laser device

Номер патента: US11588301B2. Автор: Yu-Chen Lin,gang-wei Fan,Chung-Yu HONG. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-21.

Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser diode with the mode filter

Номер патента: US20230116144A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truoung Dai,Van-Chien Nguyen. Владелец: Visual Photonics Expitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: GB2622175A. Автор: Liu Song,Liang Dong,Weng Weicheng. Владелец: Vertilite Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Vertical cavity surface emitting laser, head gimbal assembly, and fabrication process

Номер патента: US11817677B2. Автор: Takuya Matsumoto,Barry C. Stipe. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Manufacturing of surface emitting lasers including an integrated metastructure

Номер патента: US20240222938A1. Автор: James EILERTSEN,Maksim ZALKOVSKIJ,Brian Bilenberg,Theodor Nielsen. Владелец: Nilt Switzerland Gmbh. Дата публикации: 2024-07-04.

Vertical cavity surface emitting laser array

Номер патента: US09692211B2. Автор: Keiji Iwata,Ippei Matsubara,Takayuki Kona. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Vertical cavity surface emitting lasers with consistent slope efficiencies

Номер патента: CA2350463C. Автор: Jeffrey W. Scott. Владелец: Optical Communication Products Inc. Дата публикации: 2006-02-14.

Detecting pinholes in vertical cavity surface-emitting laser passivation

Номер патента: US20050175051A1. Автор: Gregory Debrabander,Robert Herrick,Matthew Slater,Suning Xie. Владелец: Slater Matthew C.. Дата публикации: 2005-08-11.

Detecting pinholes in vertical cavity surface-emitting laser passivation

Номер патента: US20040180454A1. Автор: Gregory Debrabander,Robert Herrick,Matthew Slater,Suning Xie. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-09-16.

Vertical-cavity surface emitting laser assay display system

Номер патента: US5325386A. Автор: Jack L. Jewell,Gregory R. Olbright. Владелец: Bandgap Technology Corp. Дата публикации: 1994-06-28.

Integrated assembly comprising vertical cavity surface-emitting laser array with Fresnel microlenses

Номер патента: US5073041A. Автор: Kasra Rastani. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1991-12-17.

Optically matched vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) with passivation

Номер патента: US20200358247A1. Автор: Elad Mentovich,Itshak Kalifa. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for physical random number generation using a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US11631964B2. Автор: Valerio Pruneri,Carlos Abelian Sanchez,Waldimar Amaya,Morgan Mitchell. Владелец: Institucio Catalana De Recerca I Estudis Avancais. Дата публикации: 2023-04-18.

Method for physical random number generation using a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: EP3709456A1. Автор: Valerio Pruneri,Carlos Abellán Sánchez,Waldimar Amaya,Morgan Mitchell. Владелец: Institut de Ciencies Fotoniques ICFO. Дата публикации: 2020-09-16.

Method for physical random number generation using a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20230291174A1. Автор: Valerio Pruneri,Carlos Abellán Sánchez,Waldimar Amaya,Morgan Mitchell. Владелец: Institucio Catalana de Recerca i Estudis Avancats ICREA. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for physical random number generation using a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20210216284A1. Автор: Valerio Pruneri,Carlos Abellán Sánchez,Waldimar Amaya,Morgan Mitchell. Владелец: Institut de Ciencies Fotoniques ICFO. Дата публикации: 2021-07-15.

Surface emitting laser, laser array, light source device, information acquisition device, and optical coherence tomography apparatus

Номер патента: US09991675B2. Автор: Mamoru Uchida,Tatsuro Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Surface emitting laser and optical coherence tomography apparatus including the same

Номер патента: US09709381B2. Автор: Takeshi Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Vertical cavity surface emitting laser device

Номер патента: GB2434914A. Автор: Brian Corbett,John Justice. Владелец: University College Cork. Дата публикации: 2007-08-08.

High efficiency vertical cavity surface emitting laser and its manufacturing method (Low resistance top emitting ridge VCSEL and method of fabrication)

Номер патента: KR970024412A. Автор: 지앙 웬빈,에스. 레비 마이클,사이어 찬-롱. Владелец: 빈센트 비. 인그라시아. Дата публикации: 1997-05-30.

Vertical cavity surface emitting laser design with shorter oxidation length and/or larger number of trenches

Номер патента: US11831129B2. Автор: Ajit Vijay Barve,Mohammad Ali SHIRAZI HOSSEINI DOKHT. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Vertical cavity surface emitting laser device with monolithically integrated photodiode

Номер патента: EP2277245A1. Автор: Roger King,Marcel F. C. Schemmann,Philipp H. Gerlach. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2011-01-26.

Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) array and manufacturing method

Номер патента: US12132297B2. Автор: Yang Wang,Yongxiang He. Владелец: Shenzhen Raysees Ai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Compact emitter design for a vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20170310086A1. Автор: Albert Yuen,Ajit Vijay Barve. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2017-10-26.

Vertical-cavity surface-emitting laser device having relief structure

Номер патента: US8649411B2. Автор: Jin-Wei Shi,Ying-Jay Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2014-02-11.

Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Device Having Relief Structure

Номер патента: US20120163407A1. Автор: Jin-Wei Shi,Ying-Jay Yang. Владелец: Ying-Jay Yang. Дата публикации: 2012-06-28.

Compact emitter design for a vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20170244219A1. Автор: Albert Yuen,Ajit Vijay Barve. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2017-08-24.

Compact emitter design for a vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20200194972A1. Автор: Albert Yuen,Ajit Vijay Barve. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2020-06-18.

Compact emitter design for a vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20230006422A1. Автор: Albert Yuen,Ajit Vijay Barve. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-01-05.

Surface emitting laser, surface emitting laser element and atomic oscillator

Номер патента: WO2015137174A1. Автор: Shunichi Sato,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2015-09-17.

Wavelength tunable surface emitting laser and optical coherence tomography apparatus including the same

Номер патента: US09945658B2. Автор: Takeshi Uchida,Toshimitsu Matsuu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semi-transparent monitor detector for surface emitting light emitting devices

Номер патента: US6037644A. Автор: Henry M. Daghighian,Michael F. Cina. Владелец: Whitaker LLC. Дата публикации: 2000-03-14.

Optical pick-up using vertical resonator surface emitting laser diode

Номер патента: KR970002956A. Автор: 신현국,이유신. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-01-28.

Matrix addressable vertical cavity surface emitting laser array

Номер патента: US20220344909A1. Автор: Eric R. Hegblom,Yeyu ZHU,Yuefa Li. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2022-10-27.

Variable trace width for individual vertical cavity surface emitting laser channels for time of flight illuminators

Номер патента: US11936158B2. Автор: Ajit Vijay Barve,Matthew Glenn Peters,Mohammad Ali SHIRAZI HOSSEINI DOKHT. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Vertical cavity surface emitting laser diode having a high reflective distributed Bragg reflector

Номер патента: US7330495B2. Автор: Mitsuo Takahashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-02-12.

Nanoseconds-pulse based current/voltage measurement for testing vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US11959945B2. Автор: Jun Lu,Wendi SONG,John George BANASKA,Matthew Tate DOUGAN,Jeffrey Allan CORNELL,Xuechen HAN,Kunal Harsad PATEL. Владелец: National Instruments Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Vertical-cavity surface-emitting laser array with multiple metal layers for addressing different groups of emitters

Номер патента: US11398716B2. Автор: Eric R. Hegblom. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2022-07-26.

Vertical cavity surface emitting laser mode control

Номер патента: US20200335943A1. Автор: Albert Yuen,Chien-Yao Lu,Pengfei Qiao. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2020-10-22.

Vertical-cavity surface-emitting laser layout for high bandwidth output

Номер патента: US20180375287A1. Автор: Elad Mentovich,Sylvie Rockman,Itshak Kalifa. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2018-12-27.

Enhanced polarization control and stabilization by macroscopic in-plane anisotropic strain in vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: US20030075725A1. Автор: Hugo Thienpont,Krassimir Panajotov,Irina Veretennicoff. Владелец: VRIIE UNIVERSITEIT BRUSSEL. Дата публикации: 2003-04-24.

Vertical cavity laser including inorganic spacer layers

Номер патента: EP1475869A3. Автор: Keith B. Kahen. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2005-07-27.

Opto-isolator including a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20140197338A1. Автор: Richard L. Bell,James K. Guenter,Jimmy A. Tatum,Jose Joaquin Aizpuru,Norman Brent Stapleton,Harold Young Walker. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Surface-emitting laser, laser device, detection device, mobile object, information terminal apparatus, and method for driving surface-emitting laser

Номер патента: EP4435982A1. Автор: Naoto Jikutani,Naofumi Ueno. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Passively mode-locked optically pumped semiconductor external-cavity surface-emitting laser

Номер патента: AU2994401A. Автор: Rudiger Paschotta,Ursula Keller,Reto Haring. Владелец: Giga Tera AG. Дата публикации: 2001-08-20.

Passively mode-locked optically pumped semiconductor external-cavity surface-emitting laser

Номер патента: EP1264373A1. Автор: Rudiger Paschotta,Ursula Keller,Reto Haring. Владелец: GigaTera AG. Дата публикации: 2002-12-11.

Reflective power monitoring system for vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: KR970072567A. Автор: 지앙 웬빈,에스. 레비 마이클. Владелец: 빈센트 비. 인그라시아. Дата публикации: 1997-11-07.

Surface-emitting laser

Номер патента: US20220224081A1. Автор: Chien-Ping Lee,Chien-Hung Lin,Bo-Tsun Chou,Kuo-Jui Lin. Владелец: Phosertek Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Modulating the properties of the gain region at spaced locations in an organic vertical cavity laser array device

Номер патента: US20050025203A1. Автор: John Lebens,Keith Kahen,Lingadahalli Shantharama. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2005-02-03.

Surface emitting laser apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240235159A9. Автор: Li-Hung Lai,Li-Wen Lai. Владелец: HLJ TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Surface emitting laser, surface emitting laser device, light source device, and detection apparatus

Номер патента: US12046872B2. Автор: Naoto Jikutani,Kazuma Izumiya,Kazuhiro Harasaka,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Surface-emitting laser device

Номер патента: US20240006854A1. Автор: Masashi Yamamoto,Minoru Murayama,Ryo TODO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Organic vertical cavity laser array device

Номер патента: WO2005015696A3. Автор: Keith Brian Kahen. Владелец: Keith Brian Kahen. Дата публикации: 2005-03-31.

Organic vertical cavity laser array device with varying pixel sizes

Номер патента: US20050013336A1. Автор: Keith Kahen. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2005-01-20.

Organic vertical cavity laser array device

Номер патента: EP1647077A2. Автор: Keith Brian Kahen. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2006-04-19.

Organic vertical cavity laser array device

Номер патента: WO2005015696A2. Автор: Keith Brian Kahen. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2005-02-17.

Single mode vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: EP1218987A1. Автор: Jeffrey W. Scott,John G. Wasserbaur. Владелец: Cielo Communications Inc. Дата публикации: 2002-07-03.

Surface-emitting laser, laser device, detection device, mobile object, and method for driving surface-emitting laser

Номер патента: US20240136793A1. Автор: Naoto Jikutani,Yutaka Maita,Naofumi Ueno,Kazuhiro Harasaka,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Vertical cavity surface emitting laser design and method

Номер патента: US20240164136A1. Автор: Jordan Peckham,Jiaqi Cheng. Владелец: Avalon Holographics Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Surface emitting laser apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240235158A9. Автор: Li-Hung Lai,Li-Wen Lai. Владелец: HLJ TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Surface-emitting laser array, light source module, and distance-measuring apparatus

Номер патента: CA3210713A1. Автор: Naoto Jikutani,Kazuma Izumiya,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Surface emitting laser device and light emitting device including the same

Номер патента: US12080991B2. Автор: Yong Gyeong Lee,Tae Yong Lee,Se Yeon Jung. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Surface-emitting semiconductor laser and method for manufacturing thereof as well as optical device

Номер патента: EP1528647A3. Автор: Atsushi Matsuzono,Satoshi Sasaki,Toshihiko Baba,Akio Furukawa,Mitsunari Hoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-04-11.

Surface emitting laser element and atomic oscillator

Номер патента: US20140354366A1. Автор: Shunichi Sato,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Improvements in and relating to vertical-cavity semiconductor optical devices

Номер патента: EP1606863A2. Автор: David Burns,Martin David Dawson,Stephane Luc Dominique Calvez,John-Mark Hopkins. Владелец: UNIVERSITY OF STRATHCLYDE. Дата публикации: 2005-12-21.

Improvements in and relating to vertical-cavity semiconductor optical devices

Номер патента: WO2004086577A2. Автор: David Burns,Martin David Dawson,Stephane Luc Dominique Calvez,John-Mark Hopkins. Владелец: The University of Strathclyde. Дата публикации: 2004-10-07.

Surface emitting laser device, light-emitting device including the same and manufacturing method thereof

Номер патента: US12051886B2. Автор: Yeo Jae YOON,Keun Uk PARK. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for manufacturing surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20070202622A1. Автор: Atsushi Matsuzono,Satoshi Sasaki,Toshihiko Baba,Akio Furukawa,Mitsunari Hoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Surface-emitting laser device with vertical external resonator with optical pumping

Номер патента: RU2623663C2. Автор: Стефан ГРОНЕНБОРН,Михаэль МИЛЛЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-06-28.

Optically pumpable surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20050259700A1. Автор: Stephan Lutgen,Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder,Werner Späth,Ulrich STEEGMÜLLER. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2005-11-24.

Hybrid vertical cavity laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US9048613B2. Автор: Taek Kim,Duanhua KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-02.

Surface-emitting laser device

Номер патента: US11973307B2. Автор: Yong Gyeong Lee,Seung Hwan Kim,Se Yeon Jung. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Manufacturing of surface emitting lasers including an integrated metastructure

Номер патента: EP4335007A1. Автор: James EILERTSEN,Maksim ZALKOVSKIJ,Brian Bilenberg,Theodor Nielsen. Владелец: Nilt Switzerland Gmbh. Дата публикации: 2024-03-13.

Vertical external-cavity surface-emitting laser

Номер патента: EP4060834A1. Автор: Hisashi Ogawa,Tetsushi Takano. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-09-21.

Three-mirror-cavity single longitudinal mode semiconductor membrane external cavity surface emitting laser

Номер патента: US20240128723A1. Автор: Jörn WOLLENZIN,Johannes Dühn,Michael Verges,Matt Kirchner. Владелец: Thorlabs GmbH. Дата публикации: 2024-04-18.

Surface-emitting laser device with conductive thin film and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240283217A1. Автор: Li-Hung Lai,Li-Wen Lai. Владелец: HLJ TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Surface emitting laser device and atomic oscillator

Номер патента: US20140152393A1. Автор: Shunichi Sato,Hiroshi Motomura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-05.

Three-terminal vertical cavity surface emitting laser (vcsel) and a method for operating a three-terminal vcsel

Номер патента: US20130177036A1. Автор: Chung-Yi Su,Rashit Nabiev,Ramana M.V. Murty. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Output-Programmed Vertical Cavity Surface Emitting Laser Array

Номер патента: US20200321755A1. Автор: LI Wang,Neinyi Li. Владелец: Raysea Technology Inc R&d. Дата публикации: 2020-10-08.

Surface emitting laser, laser array, light source device, information acquisition device, and optical coherence tomography apparatus

Номер патента: US20170149212A1. Автор: Mamoru Uchida,Tatsuro Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Surface emitting laser, method for producing surface emitting laser, and image forming apparatus

Номер патента: EP2282383A3. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-09-07.

Vertical external cavity surface emitting laser devices allowing high coherence, high power and large tunability

Номер патента: US20170117684A1. Автор: Vincent Lecocq,Isabelle Sagnes,Arnaud GARNACHE-CREUILLOT,Mikhael MYARA,Stéphane DENET,Laurence FERRIERES,Grégoire BEAUDOUIN. Владелец: INNOPTICS. Дата публикации: 2017-04-27.

Surface-emitting laser, laser device, detection device, mobile object, and method for driving surface-emitting laser

Номер патента: EP4358326A1. Автор: Naoto Jikutani,Yutaka Maita,Naofumi Ueno,Kazuhiro Harasaka,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Surface emitting laser

Номер патента: US20240128721A1. Автор: Rintaro Koda,Shuhei Yamaguchi,Hideki Watanabe. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Surface emitting laser, method for producing surface emitting laser, and image forming apparatus

Номер патента: US20120171790A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Surface emitting laser, surface emitting laser element and atomic oscillator

Номер патента: US20170025820A1. Автор: Shunichi Sato,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Method for modulating an optically pumped, tunable vertical cavi ty surface emitting laser (vcsel)

Номер патента: WO2001013481A9. Автор: Parviz Tayebati,Daryoosh Vakhshoori. Владелец: CoreTek Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Surface emitting laser having a factor of equivalent refractive index constraint by scaled central wavelengths and optical coherence tomography apparatus equipped with such surface emitting laser

Номер патента: US09429415B2. Автор: Yoshinobu Sekiguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Photonic crystal surface emitting laser

Номер патента: US20110158280A1. Автор: Takeshi Uchida,Yasuhiro Nagatomo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Surface emitting laser

Номер патента: US20230112925A1. Автор: Shinichi Agatuma. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Surface emitting optical devices

Номер патента: WO2008043526A1. Автор: Torsten Wipiejewski. Владелец: FIRECOMMS LIMITED. Дата публикации: 2008-04-17.

Surface emitting laser device and atomic oscillator

Номер патента: US20140023104A1. Автор: Shunichi Sato,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Surface emitting laser apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240136792A1. Автор: Li-Hung Lai,Li-Wen Lai. Владелец: HLJ TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Surface emitting laser and image forming apparatus

Номер патента: US20120237261A1. Автор: Aihiko Numata,Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Surface-emitting laser and surface-emitting laser array

Номер патента: US8331414B2. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Surface emitting laser and image forming apparatus

Номер патента: US8625649B2. Автор: Aihiko Numata,Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-01-07.

Surface emitting laser element and manufacturing method of the same

Номер патента: US12113333B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Susumu Noda,Tomoaki Koizumi,Kenji Ishizaki,Kei EMOTO,Menaka DE ZOYSA. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2024-10-08.

Mid-infrared vertical cavity laser

Номер патента: CA3069723A1. Автор: Vijaysekhar Jayaraman,Kevin Lascola,Stephen SEGAL,Fredrick TOWNER,Alex Cable. Владелец: Praevium Research Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Electrically pumped vertical cavity laser

Номер патента: CA2008899C. Автор: Kuochou Tai,Dennis G. Deppe,Kai-Feng Huang,Russell J. Fischer. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-02-01.

Mid-infrared vertical cavity laser

Номер патента: CA3069723C. Автор: Vijaysekhar Jayaraman,Kevin Lascola,Stephen SEGAL,Fredrick TOWNER,Alex Cable. Владелец: Praevium Research Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Method of fabricating surface-emitting laser

Номер патента: US20180287344A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Surface emitting laser element array

Номер патента: US20100195689A1. Автор: Norihiro Iwai,Kazuaki Nishikata,Takeo Kageyama,Maiko Ariga. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser light source

Номер патента: US8923358B2. Автор: Susumu Noda,Yoshitaka Kurosaka,Dai Ohnishi,Eiji Miyai,Wataru Kunishi. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2014-12-30.

Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US20090016395A1. Автор: Takuji Hatano,Mitsuru Yokoyama,Susumu Noda. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US7978745B2. Автор: Takuji Hatano,Mitsuru Yokoyama,Susumu Noda. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2011-07-12.

Surface emitting laser, information acquisition apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09972971B2. Автор: Koichiro Nakanishi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Surface-emitting laser device

Номер патента: EP4020724A1. Автор: Kazuhiko Takahashi,Takahiro Arakida,Osamu Maeda,Yoshihiko Takahashi,Kota Tokuda,Jugo Mitomo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Surface emitting laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US11923661B2. Автор: Yoshiaki Watanabe,Hideki Kimura,Kota Tokuda,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Surface-emitting laser and surface-emitting laser array, method of manufacturing a surface-emitting laser and method of manufacturing a surface-emitting laser array, and optical apparatus including a surface-emitting laser array

Номер патента: US20130044780A1. Автор: Takeshi Uchida,Tatsuro Uchida,Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-02-21.

Surface-emitting laser with surface relief, surface-emitting laser array, method of manufacturing a surface-emitting laser, method of manufacturing a surface-emitting laser array and optical apparatus equipped with said surface-emitting laser array

Номер патента: WO2012063884A1. Автор: Takeshi Uchida,Tatsuro Uchida. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-05-18.

Vertical external cavity surface emitting laser utilizing an external micromirror array

Номер патента: US09780532B1. Автор: Thomas Wunderer,Farsane Tabataba-Vakili. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Surface emitting laser apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240136791A1. Автор: Li-Hung Lai,Li-Wen Lai. Владелец: HLJ TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Surface emitting laser element, electronic device, and method for manufacturing surface emitting laser element

Номер патента: US20240235167A1. Автор: Kota Tokuda,Jugo Mitomo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Surface emitting laser package

Номер патента: US12142891B2. Автор: Ju Young Park,Myung Sub Kim,Woo Jin MOON. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Surface-emitting laser array, light source module, and distance-measuring apparatus

Номер патента: EP4305716A1. Автор: Naoto Jikutani,Kazuma Izumiya,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Three-mirror-cavity single longitudinal mode semiconductor membrane external cavity surface emitting laser

Номер патента: EP4307498A1. Автор: Jörn WOLLENZIN,Johannes Dühn,Michael Verges,Matt Kirchner. Владелец: Thorlabs GmbH. Дата публикации: 2024-01-17.

Three-mirror-cavity single longitudinal mode semiconductor membrane external cavity surface emitting laser

Номер патента: CA3204052A1. Автор: Jörn WOLLENZIN,Johannes Dühn,Michael Verges,Matt Kirchner. Владелец: Thorlabs GmbH. Дата публикации: 2024-01-15.

Surface-emitting laser array, light source module, and distance-measuring apparatus

Номер патента: US20240128725A1. Автор: Naoto Jikutani,Kazuma Izumiya,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-18.

Surface emitting semiconductor laser device and fabricating method of the same

Номер патента: US5821566A. Автор: Seok-Jin Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-13.

Surface emitting laser element and method for producing surface emitting laser element

Номер патента: EP3849031A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Susumu Noda,Tomoaki Koizumi,Kenji Ishizaki,Kei EMOTO,Zoysa Menaka De. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-14.

Polarization-Stable Surface-Emitting Laser Diode

Номер патента: US20130336351A1. Автор: Markus-Christian Amann,Markus Ortsiefer,Jürgen ROSSKOPF. Владелец: VERTILAS GmbH. Дата публикации: 2013-12-19.

Surface-emitting laser with external cavity formed by a waveguide bragg grating

Номер патента: US20050265418A1. Автор: Dmitri Nikonov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-01.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20230246420A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Surface emitting laser device

Номер патента: US20220271507A1. Автор: Daiju TAKAMIZU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US12068581B2. Автор: Yoshiaki Watanabe,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Grating coupled vertical cavity optoelectronic devices

Номер патента: US6031243A. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Geoff W. Taylor. Дата публикации: 2000-02-29.

Measurement method, manufacturing method, measurement apparatus of surface-emitting laser, and non-transitory storage medium storing measurement program of surface-emitting laser

Номер патента: US20220115840A1. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Step-tunable external-cavity surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: WO2003028172A2. Автор: Luis A. Spinelli,Juan L. Chilla,Andrea Caprara,Briggs Atherton. Владелец: Coherent, Inc.. Дата публикации: 2003-04-03.

Surface emitting laser module, optical device, and surface emitting laser substrate

Номер патента: EP3918678A1. Автор: Naoto Jikutani,Misaki Ishida,Kazuma Izumiya. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-08.

Surface emitting laser

Номер патента: US20210044087A1. Автор: Takahiro Arakida,Takayuki Kimura,Yuuta Yoshida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Surface-emitting laser light source using two-dimensional photonic crystal

Номер патента: US20120002692A1. Автор: Susumu Noda,Dai Ohnishi,Eiji Miyai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Surface-emitting laser and surface-emitting laser array

Номер патента: US20110182318A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Vertical cavity light-emitting element

Номер патента: EP3923426A1. Автор: Masaru Kuramoto. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-15.

Surface emitting laser element and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210328406A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Susumu Noda,Tomoaki Koizumi,Kenji Ishizaki,Kei EMOTO,Menaka DE ZOYSA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Electrically pumped vertical cavity laser

Номер патента: CA3112820C. Автор: Vijaysekhar Jayaraman,Kevin Lascola,Stephen SEGAL. Владелец: Praevium Research Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Electrically pumped vertical cavity laser

Номер патента: EP3864727A2. Автор: Vijaysekhar Jayaraman,Kevin Lascola,Stephen SEGAL. Владелец: Praevium Research Inc. Дата публикации: 2021-08-18.

Electrically pumped vertical cavity laser

Номер патента: WO2020076787A3. Автор: Vijaysekhar Jayaraman,Kevin Lascola,Stephen SEGAL. Владелец: Praevium Research, Inc.. Дата публикации: 2020-06-04.

Surface-emitting laser, surface-emitting laser array, method of manufacturing surface-emitting laser, method of manufacturing surface-emitting laser array and optical apparatus equipped with surface-emitting laser array

Номер патента: US20130223465A1. Автор: Takeshi Uchida,Tatsuro Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Surface emitting laser element, illumination device, projection device, measurement device, robot, electronic apparatus, mobile body, and modeling device

Номер патента: US20200303901A1. Автор: Kazuhiro Yoneda,Naoki Fukuoka,Kazuki Nagasawa,Yoshihiko Miki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-24.

Surface emitting laser element and atomic oscillator

Номер патента: US10170887B2. Автор: Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Surface emitting laser device, electronic device, and manufacturing method for surface emitting laser device

Номер патента: US20230352906A1. Автор: Jugo Mitomo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Surface emitting laser element, electronic device, and method for producing surface emitting laser element

Номер патента: EP4336685A1. Автор: Kota Tokuda,Jugo Mitomo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

Surface emitting laser element and atomic oscillator

Номер патента: US20170040771A1. Автор: Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Surface emitting laser, information acquisition apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US20170018908A1. Автор: Koichiro Nakanishi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Surface emitting laser luminescent diode structure

Номер патента: US10541512B2. Автор: Li-Ping Chou,Wei-Yu Yen,Chih-Sung Chang,Tau-Jin Wu. Владелец: HIGH POWER OPTO Inc. Дата публикации: 2020-01-21.

Surface emitting laser luminescent diode structure

Номер патента: US20190334319A1. Автор: Li-Ping Chou,Wei-Yu Yen,Chih-Sung Chang,Tau-Jin Wu. Владелец: HIGH POWER OPTO Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Laser of emitting surface with vertical cavity

Номер патента: RU2655716C1. Автор: Филипп Хеннинг ГЕРЛАХ,Роджер КИНГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-05-29.

Surface emitting laser

Номер патента: US9046807B2. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-06-02.

Surface emitting laser array and production method therefor

Номер патента: US8311072B2. Автор: Shoichi Kawashima,Katsuyuki Hoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-11-13.

Surface emitting laser array and production method therefor

Номер патента: US20100284432A1. Автор: Shoichi Kawashima,Katsuyuki Hoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

Surface emitting laser module and vertical illuminated photodiode module

Номер патента: US8755423B2. Автор: Masahiro Aoki,Koichiro Adachi,Yasunobu Matsuoka,Toshiki Sugawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-06-17.

Surface emitting laser

Номер патента: US20120147918A1. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20210265819A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Surface emitting laser device and a light emitting device including the same

Номер патента: US11894659B2. Автор: Yong Gyeong Lee,Jeong Sik Lee,Su Jung YOON. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor laser with active layer having a radiation emitting active region therein which extends through and is bounded by a current limiting blocking layer

Номер патента: US4819243A. Автор: Jan Opschoor. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1989-04-04.

Surface-emitting laser device

Номер патента: EP4266356A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Hirohisa Yasukawa,Yasutaka Higa,Hayato Kamizuru,Tatsuya Matou. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Process for producing surface-emitting laser and process for producing surface-emitting laser array

Номер патента: US20110165712A1. Автор: Tatsuro Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Vcsel with gain tailoring by apertures with different diameters in the bottom p-dbr

Номер патента: WO2013014563A1. Автор: Holger Moench,Stephan Gronenborn. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2013-01-31.

Semiconductor multilayer film reflecting mirror, vertical cavity light-emitting element using the reflecting mirror, and methods for manufacturing the reflecting mirror and the element

Номер патента: US20180166855A1. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Takanobu Akagi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Surface emitting type device having a resistance to damage by static electricity

Номер патента: US7566909B2. Автор: Tomoko Koyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-07-28.

Surface emitting type device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060175617A1. Автор: Tomoko Koyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Method for producing a vertically emitting laser

Номер патента: US20060113554A1. Автор: Dipl.-Ing. Supper. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-01.

Surface-emitting type device and its manufacturing method

Номер патента: US20060208655A1. Автор: Hajime Onishi,Tetsuo Nishida. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-09-21.

Non-collinearly pumped linearly polarized external cavity surface emitting semiconductor lasers

Номер патента: WO2024154091A1. Автор: Ningyi Luo,Haiwen Wang,Jihchuang Robin Huang. Владелец: Pavilion Integration Corporation. Дата публикации: 2024-07-25.

Surface-emitting semiconductor laser comprising a structured wavegoude

Номер патента: IL174806A0. Автор: . Владелец: VERTILAS GmbH. Дата публикации: 2006-08-20.

Reflector, vertical cavity light-emitting device, and method of producing the same

Номер патента: EP3312891A1. Автор: Seiichiro Kobayashi,Ji-Hao Liang,Komei Tazawa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-25.

Wavelength-tunable vertical cavity surface emitting laser for swept source optical coherence tomography system

Номер патента: US09762031B2. Автор: Toshihiko Makino,Tongning LI,David EU. Владелец: Inphenix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Vertical cavity surface emitting laser optimized for thermal sensitivity

Номер патента: US20050286587A1. Автор: James Guenter. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Wavelength-tunable vertical cavity surface emitting laser for swept source optical coherence tomography system

Номер патента: CA2917147C. Автор: Toshihiko Makino,Tongning LI,David EU. Владелец: Inphenix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Temperature control for bottom emitting wafer-level vertical cavity surface emitting laser testing

Номер патента: US20220283220A1. Автор: Eric R. Hegblom. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2022-09-08.

Vertical Cavity Surface Emitting Laser Assembly

Номер патента: US20160172821A1. Автор: Mohammad Azadeh. Владелец: O Net Communications Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: GB201207790D0. Автор: . Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-06-13.

Random number generator comprising a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20230387660A1. Автор: Carlos ABELLAN,Waldimar Amaya,Domenico Tulli,Miquel RUDÉ. Владелец: Quside Technologies SL. Дата публикации: 2023-11-30.

Vertical cavity surface emitting laser (vcsel) integration on a photonic integrated circuit (pic)

Номер патента: US20240019646A1. Автор: Zhaoming Zhu. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-18.

Temperature control for bottom-emitting wafer-level vertical cavity surface emitting laser testing

Номер патента: US11340290B2. Автор: Eric R. Hegblom. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2022-05-24.

Photonic crystal surface-emitting laser and optical system

Номер патента: US20230140206A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Kuo-Fong Tseng,Kuo-Bin HONG,Tzu-Hsiang Lan,Shih-Chen Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Photonic crystal surface-emitting laser and optical system

Номер патента: EP4175078A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Kuo-Fong Tseng,Kuo-Bin HONG,Tzu-Hsiang Lan,Shih-Chen Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Single mode grating-outcoupled surface emitting laser with broadband and narrow-band dbr reflectors

Номер патента: WO2004030161A3. Автор: Steven Patterson,Gary Evans,Taha Masood. Владелец: Photodigm Inc. Дата публикации: 2004-05-27.

Surface emitting laser

Номер патента: US7876800B2. Автор: Mitsuhiro Ikuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser

Номер патента: US09531160B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Susumu Noda,Yong Liang,Tsuyoshi Okino,Kyoko Kitamura. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2016-12-27.

Two-dimensional photonic crystal surface light emitting laser

Номер патента: US20070217466A1. Автор: Susumu Noda,Dai Ohnishi,Eiji Miyai,Wataru Kunishi,Kyosuke Sakai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-09-20.

Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser

Номер патента: EP4024630A1. Автор: Masahiro Yoshida,Takuya Inoue,Susumu Noda,Menaka DE ZOYSA. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2022-07-06.

Surface emitting photonic device

Номер патента: WO2010144835A1. Автор: Alex Behfar,Cristian Stagarescu. Владелец: BinOptics Corporation. Дата публикации: 2010-12-16.

Surface emitting laser and photodiode, manufacturing method therefor, and optoelectric integrated circuit using the surface emitting laser and the photodiode

Номер патента: US6687268B2. Автор: Takeo Kaneko,Atsushi Harada,Tsugio Ide,Shojiro Kitamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

System, Method and Apparatus for Internal Polarization Rotation for Horizontal Cavity, Surface Emitting Laser Beam for Thermally Assisted Recording in Disk Drive

Номер патента: US20120195341A1. Автор: Thomas Dudley Boone, JR.,Timothy Carl Strand,Bruce David Terris. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2012-08-02.

Hybrid two-dimensional surface-emitting laser arrays

Номер патента: US4881237A. Автор: Joseph P. Donnelly. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1989-11-14.

Surface-emitting laser diode

Номер патента: US5568504A. Автор: Anton Kock,Erich Gornik. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1996-10-22.

Photonic crystal surface-emitting laser device and optical system

Номер патента: US20230139244A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Kuo-Fong Tseng,Kuo-Bin HONG,Tzu-Hsiang Lan,Shih-Chen Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Surface emitting laser with monolithic integrated lens

Номер патента: US4935939A. Автор: James N. Walpole,Zong-Long Liau. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1990-06-19.

Method for producing micro-optics on surface-emitting laser diodes (vcsel)

Номер патента: US20230118706A1. Автор: Johannes Meyer,Johannes Hofmann,Tobias Wilm. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-04-20.

Surface emitting lasers with combined output

Номер патента: CA1318722C. Автор: Donald Barry Carlin. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-06-01.

Integrated surface-emitting laser and modulator device

Номер патента: US20020131465A1. Автор: Yu-Hwa Lo,Zuhua Zhu,Shabbir Bashar. Владелец: Nova Crystals Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Structure having photonic crystal and surface-emitting laser

Номер патента: EP2023454B1. Автор: Takeshi Uchida,Yasuhiro Nagatomo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-12-15.

Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser

Номер патента: US7656925B2. Автор: Koji Otsuka,Susumu Noda,Yoshitaka Kurosaka,Dai Ohnishi,Eiji Miyai,Wataru Kunishi,Kyosuke Sakai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-02-02.

Apparatus and method for providing a single-mode grating-outcoupled surface emitting laser with detuned second-order outcoupler grating

Номер патента: US20060140237A1. Автор: Steven Patterson,Gary Evans,Taha Masood,Nuditha Amarasinghe. Владелец: Photodigm Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Vertical cavity surface emitting laser device, vertical cavity surface emitting laser array, optical scanning apparatus, image forming apparatus, optical transmission module and optical transmission system

Номер патента: US09570887B2. Автор: Naoto Jikutani,Shunichi Sato,Satoru Sugawara,Hiroshi Motomura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Surface-emitting laser element, method for manufacturing a surface-emitting laser element, and atomic oscillator

Номер патента: US09496686B2. Автор: Shunichi Sato,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Superluminescent diode, method of manufacturing the same, and wavelength-tunable external cavity laser including the same

Номер патента: US09343614B2. Автор: Su Hwan Oh,Oh Kee Kwon,Jongbae Kim,Kisoo Kim,Byung-seok Choi,O-Kyun Kwon,Ki-Hong Yoon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-05-17.

Surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanner, and image forming apparatus

Номер патента: EP2577822A1. Автор: Shunichi Sato,Katsunari Hanaoka,Masahiro Hayashi,Akihiro Itoh,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-10.

Surface-emitting laser element, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus, image forming apparatus, and method of manufacturing surface-emitting laser element

Номер патента: WO2010140600A1. Автор: Yasuhiro Higashi,Kazuhiro Harasaka. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2010-12-09.

Surface-emitting laser element, method for manufacturing a surface-emitting laser element, and atomic oscillator

Номер патента: EP2786457A1. Автор: Shunichi Sato,Ryoichiro SUZUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-08.

Surface emitting laser diode, optical scanning apparatus and image forming apparatus

Номер патента: US20120294652A1. Автор: Naoto Jikutani,Shunichi Sato,Akihiro Itoh,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanner, and image forming apparatus

Номер патента: WO2011148957A1. Автор: Shunichi Sato,Katsunari Hanaoka,Masahiro Hayashi,Akihiro Itoh,Kazuhiro Harasaka. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2011-12-01.

Surface-emitting laser element, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus, image forming apparatus, and method of manufacturing surface-emitting laser element

Номер патента: EP2438662A1. Автор: Yasuhiro Higashi,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-11.

Surface-emitting laser element, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus, image forming apparatus, and method of manufacturing surface-emitting laser element

Номер патента: US20120086765A1. Автор: Yasuhiro Higashi,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-12.

Surface emitting laser element and atomic oscillator

Номер патента: WO2013005813A1. Автор: Shunichi Sato. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2013-01-10.

Surface emitting laser element and atomic oscillator

Номер патента: US20140133510A1. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Surface emitting laser element and atomic oscillator

Номер патента: EP2729998A1. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-14.

Surface emitting laser element, surface emitting laser array, optical scanning device, and image forming apparatus

Номер патента: EP2243203A1. Автор: Naoto Jikutani,Shunichi Sato,Satoru Sugawara. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-27.

Surface emitting laser element, surface emitting laser array, optical scanning device, and image forming apparatus

Номер патента: EP2120302A3. Автор: Naoto Jikutani,Shunichi Sato,Toshihiro Ishii,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-09.

Surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus and image forming apparatus

Номер патента: US8958449B2. Автор: Naoto Jikutani,Shunichi Sato,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-17.

Method of manufacturing photonic crystal and method of manufacturing surface-emitting laser

Номер патента: US20130252360A1. Автор: Katsuyuki Hoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Vertical cavity surface emitting laser, vertical-cavity-surface-emitting-laser device, optical transmission apparatus, and information processing apparatus

Номер патента: US20120147727A1. Автор: Takashi Kondo. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Emitter structures for ultra-small vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) and arrays incorporating the same

Номер патента: US12123769B2. Автор: James Carter,Brent Fisher,Scott Burroughs. Владелец: Sense Photonics Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Interferometer using vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: US20090201509A1. Автор: Young-Gu Ju. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2009-08-13.

Method to fabricate GaN-based vertical-cavity surface-emitting devices featuring silicon-diffusion defined current blocking layer

Номер патента: US09819152B2. Автор: Ching-Chin Huang,Ping-hui Yeh,Meng-Chun Yu,Jia-Huan Lin. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2017-11-14.

Measurement method of reflection spectrum of vertical cavity surface emitting laser diode (VCSEL) and epitaxial wafer test fixture

Номер патента: US11482830B2. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truong Dai. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Measurement method of reflection spectrum of vertical cavity surface emitting laser diode (vcsel) and epitaxial wafer test fixture

Номер патента: US20210075185A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truong Dai. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Vertical cavity surface-emitting laser (vcsel) with a light barrier

Номер патента: EP4038708A1. Автор: Robin Sharma,Karol Constantine Hatzilias,Christopher Yuan Ting Liao. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-10.

Vertical cavity surface-emitting laser (VCSEL) with a light barrier

Номер патента: US12074408B2. Автор: Robin Sharma,Karol Constantine Hatzilias,Christopher Yuan Ting Liao. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Vertical cavity surface light-emitting laser, structured light module, and light projection method and terminal

Номер патента: EP3680810A1. Автор: Chung-Te Li,Yung-Lin Huang,Hao-Jen Wang. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-15.

Vertical-cavity surface-emitting laser for near-field illumination of an eye

Номер патента: US20200153204A1. Автор: Robin Sharma,Andrew John Ouderkirk,Gregory Olegovic Andreev,Christopher Yuan-Ting Liao,Paul Armen TCHERTCHIAN,Karol Contantine Hatzilias. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2020-05-14.

Vertical-cavity surface-emitting laser for near-field illumination of an eye

Номер патента: WO2020096851A3. Автор: Robin Sharma,Karol Constantine Hatzilias,Andrew John Ouderkirk,Gregory Olegovic Andreev,Christopher Yuan-Ting Liao,Paul Armen TCHERTCHIAN. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Vertical-cavity surface-emitting laser for near-field illumination of an eye

Номер патента: WO2020096851A2. Автор: Robin Sharma,Karol Constantine Hatzilias,Andrew John Ouderkirk,Gregory Olegovic Andreev,Christopher Yuan-Ting Liao,Paul Armen TCHERTCHIAN. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2020-05-14.

Optical device including laterally guided vertical-cavity surface-emitting lasers (vcsels) outputs and related methods

Номер патента: EP4145198A1. Автор: Fraser R. Dalgleish,Stephen J. Bauman. Владелец: Eagle Technology LLC. Дата публикации: 2023-03-08.

Surface emitting laser and optical coherence tomography apparatus

Номер патента: EP3020105A1. Автор: Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-05-18.

Vertical cavity surface-emitting laser, manufacturing method thereof, and inspection method thereof

Номер патента: US20200412084A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Vertical-cavity surface emitting laser optical interconnect technology

Номер патента: US5266794A. Автор: Jack L. Jewell,Gregory R. Olbright. Владелец: Bandgap Technology Corp. Дата публикации: 1993-11-30.

Device including a multiple-wavelength vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) array

Номер патента: WO2023170188A3. Автор: Tracy Wotherspoon,Robert Bowen,Dan Graham,Mohsin HAJI. Владелец: Npl Management Limited. Дата публикации: 2023-10-19.

Device including a multiple-wavelength vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) array

Номер патента: US20230291182A1. Автор: Tracy Wotherspoon,Daniel Graham,Robert Bowen,Mohsin HAJI. Владелец: Microchip Technology Caldicot Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Device including a multiple-wavelength vertical-cavity surface-emitting laser (vcsel) array

Номер патента: WO2023170188A2. Автор: Tracy Wotherspoon,Robert Bowen,Dan Graham,Mohsin HAJI. Владелец: Npl Management Limited. Дата публикации: 2023-09-14.

System and method for preventing thermal induced failures in vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) array

Номер патента: US12068585B2. Автор: Yang Wang,Dongseok Kang,Yongxiang He,Siva Lanka. Владелец: Shenzhen Raysees Ai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

System and method for preventing thermal induced failures in vertical cavity surface emitting laser (vcsel) array

Номер патента: US20240372333A1. Автор: Yang Wang,Dongseok Kang,Yongxiang He,Siva Lanka. Владелец: Shenzhen Raysees Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Addressable vertical cavity surface emitting laser array for generating structured light patterns

Номер патента: US11611197B2. Автор: Jonatan Ginzburg. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-21.

Vertical-cavity surface-emitting laser, structured light module and method for light projection and terminal

Номер патента: US20200153206A1. Автор: Chung-Te Li,Yung-Lin Huang,Hao-Jen Wang. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: US09502863B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Vertical-cavity surface-emitting laser for near-field illumination of an eye

Номер патента: US20210083455A1. Автор: Robin Sharma,Karol Constantine Hatzilias,Andrew John Ouderkirk,Gregory Olegovic Andreev,Christopher Yuan Ting Liao,Paul Armen TCHERTCHIAN. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Systems including vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: WO2019164560A3. Автор: Shuji Nakamura,Dan Cohen,Kenneth S. Kosik,Charles FORMAN,Jared KEARNS. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2019-11-07.

Surface emitting laser and optical coherence tomography apparatus

Номер патента: US20160164254A1. Автор: Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Method of fabricating surface-emitting laser

Номер патента: US20180356459A1. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: US20160064899A1. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Surface-emitting laser diode module having improved focusing performance

Номер патента: US20120177078A1. Автор: Hsin-Chih Tung. Владелец: Lecc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Display device using vertical cavity laser arrays

Номер патента: WO2005119352A1. Автор: Keith Brian Kahen,Erica Nicole Montbach. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2005-12-15.

Surface-emitting laser apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966730B2. Автор: Naoto Jikutani,Kazuhiko Adachi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Surface-emitting laser package

Номер патента: US11784458B2. Автор: Baek Jun KIM,Myung Sub Kim,Ki Bum Sung,Ba Ro LEE. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Method of manufacturing surface-emitting lasers, method of testing surface-emitting lasers, and surface-emitting-laser-testing apparatus

Номер патента: US11631958B2. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-04-18.

Method of manufacturing surface-emitting lasers, method of testing surface-emitting lasers, and surface-emitting-laser-testing apparatus

Номер патента: US20220407284A1. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Fixture assembly for testing surface emitting laser diodes and testing apparatus having the same

Номер патента: US20200303894A1. Автор: James E. Hopkins. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Surface Emitting Laser, Method For Producing Surface Emitting Laser, Optical Signal Transmission Device, Robot, And Atomic Oscillator

Номер патента: US20190393677A1. Автор: Hiroto TOMIOKA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Manufacturable vertical extended cavity surface emitting laser arrays

Номер патента: WO2006105258A2. Автор: John W. Green,Andrei V. Shchegrov,Michael Jansen,Jason P. Watson,Aram Mooradian,Rene Dato,Dicky Lee,Arvydas Umbrasas. Владелец: Novalux, Inc.. Дата публикации: 2006-10-05.

Two-section edge-emitting laser

Номер патента: US20200366065A1. Автор: Dale Eugene Zimmerman,Shiva Shahin. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Two-section edge-emitting laser

Номер патента: WO2020231567A1. Автор: Dale Eugene Zimmerman,Shiva Shahin. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Two-section edge-emitting laser

Номер патента: EP3970247A1. Автор: Dale Eugene Zimmerman,Shiva Shahin. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-03-23.

High-Power Edge-Emitting Laser Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240322526A1. Автор: Fa-Tzu Chen,Ju-Chun Cheng. Владелец: Coreoptics Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Laser sensor for self-mixing interferometry having a vertical external cavity surface emission laser (VECSEL) as the light source

Номер патента: US09397476B2. Автор: Johannes Baier,Holger Moench. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-07-19.

Gas laser electrodes shaped in the longitudinal axis

Номер патента: US20070274363A1. Автор: Igor Bragin,Vadim Berger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

Heterostructure diode injection laser having a constricted active region

Номер патента: CA1096962A. Автор: Peter S. Zory, Jr.,Martin B. Small. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-03-03.

A method of manufacturing an active optical fibre and the active optical fibre

Номер патента: EP3339261A8. Автор: Ryszard Buczynski,Dariusz Pysz,Ryszard Stepien,Rafał Kasztelanic,Mariusz Klimczak,Marcin Franczyk. Владелец: Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych. Дата публикации: 2018-08-29.

Laser quantron with diode pumping of the active medium

Номер патента: RU2763262C1. Автор: Евгений Владленович Бурый. Владелец: Евгений Владленович Бурый. Дата публикации: 2021-12-28.

Optical device and method of controlling a refractive index profile in the optical device

Номер патента: EP2382696A1. Автор: David A. Rockwell,Vladimir V. Shkunov,Scott T. Johnson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-11-02.

Optical device and method of controlling a refractive index profile in the optical device

Номер патента: WO2010085556A1. Автор: David A. Rockwell,Vladimir V. Shkunov,Scott T. Johnson. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-07-29.

Power device with partitioned active regions

Номер патента: EP4371158A1. Автор: Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-05-22.

Power device with partitioned active regions

Номер патента: WO2023287598A1. Автор: Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor devices having fin active regions

Номер патента: US09941174B2. Автор: Dohyoung Kim,Kwang-Yong Yang,Ah-young Cheon,Myungil KANG,Yoonhae Kim,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Chirped multi-well active region led

Номер патента: EP1173894A1. Автор: YING-LAN Chang,Michael R. Krames,Christopher P. Kocot,Stephen A. Stockman,Patrick N. Grillot,Robert C. Taber,Eugene I. Chen. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2002-01-23.

Semiconductor device including active region and gate structure

Номер патента: US20210043763A1. Автор: Jinbum Kim,Dongil Bae,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Dissipating heat from an active region of an optical device

Номер патента: US11409141B2. Автор: Erik Norberg,Jonathan Edgar Roth. Владелец: Openlight Photonics Inc. Дата публикации: 2022-08-09.

Electronic package formed using low-temperature active solder including indium, bismuth, and/or cadmium

Номер патента: EP1749315A1. Автор: Ronald W. Smith,Randall Redd. Владелец: S-Bond Technologies LLC. Дата публикации: 2007-02-07.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: EP3347922A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-07-18.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: US20180261718A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: WO2017042368A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAT BERLIN. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for making a transistor of which the active region includes a semimetal material

Номер патента: US11239347B2. Автор: Yves Morand,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-02-01.

Method for making a transistor of which the active region includes a semimetal material

Номер патента: US20200343374A1. Автор: Yves Morand,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device including active region and gate structure

Номер патента: US20220231159A1. Автор: Jinbum Kim,Dongil Bae,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Dissipating heat from an active region of an optical device

Номер патента: US20170351124A1. Автор: Erik Norberg,Jonathan Edgar Roth. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor device including active region and gate structure

Номер патента: US11990549B2. Автор: Jinbum Kim,Dongil Bae,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Dissipating heat from an active region of an optical device

Номер патента: US20220350180A1. Автор: Erik Norberg,Jonathan Edgar Roth. Владелец: Openlight Photonics Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Dissipating heat from an active region of an optical device

Номер патента: US20210018769A1. Автор: Erik Norberg,Jonathan Edgar Roth. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Lead-Free and Antimony-Free Solder Alloy, Solder Ball, Ball Grid Array, and Solder Joint

Номер патента: US20230173619A1. Автор: Takashi Saito,Hiroki Sudo,Mai Susa. Владелец: Senju Metal Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Lead-free and antimony-free solder alloy, solder ball, ball grid array and solder joint

Номер патента: MY197988A. Автор: Saito Takashi,Sudo Hiroki,Susa Mai. Владелец: Senju Metal Industry Co. Дата публикации: 2023-07-25.

Non-planar semiconductor device having group III-V material active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: US09653548B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Providing electrical connection between an active region and a conductive layer in a semiconductor device using carbon nanotubes

Номер патента: EP1361608A3. Автор: Gad S. Haase. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-11-24.

Semiconductor device having different size active regions and method of making

Номер патента: US20230275090A1. Автор: Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Sheng-Feng Huang,Shang-Wei Fang,Lee-Chung Lu,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Active material container, battery housing, and method for mounting the active material container in the battery housing

Номер патента: US12095103B2. Автор: Stephan Niemeyer,Jochen Linhart,Daniel Volkmer,Michael Harenbrock,Heinz Dobusch,Richard Bernewitz,Peter Bauditsch,Maximilian Bauch. Владелец: Mann and Hummel GmbH. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structures having active regions including indium gallium nitride, methods of forming such semiconductor structures, and related light emitting devices

Номер патента: US09634182B2. Автор: Ding Ding,Li Huang,Chantal Arena,Jean-Philippe Debray,Heather Mcfavilen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20120202335A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20140248755A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Active region, active region array and formation method thereof

Номер патента: US12087581B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with well resistor and alternated insulating and active regions between input and output terminals

Номер патента: US09786738B2. Автор: Kiyoshi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device structure including active region having an extension portion

Номер патента: US09613181B2. Автор: Joachim Deppe,Ricardo Pablo. Mikalo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Active region array formation method

Номер патента: US12100594B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of forming semiconductor die with active region responsive to external stimulus

Номер патента: US09564413B2. Автор: Heap Hoe Kuan,Il Kwon Shim,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Power transistor, driver and output stage including an active region, a metallization level, and a further metallization level

Номер патента: US10649021B2. Автор: Daniel Schneider,Alexander Mann,Henning Lohmeyer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2020-05-12.

Non-volatile memory cell arrays with a sectioned active region

Номер патента: US20220028873A1. Автор: William Taylor,Oscar D. Restrepo,Edmund K. Banghart. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Pattern form of an active region of a MOS type semiconductor device

Номер патента: US5760454A. Автор: Kenji Nishi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-02.

Integrated circuit comprising components, for example NMOS transistors, having active regions with relaxed compressive stresses

Номер патента: US09899476B2. Автор: Pascal Fornara,Christian Rivero,Guilhem Bouton. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-02-20.

Three-dimensional semiconductor transistor with gate contact in active region

Номер патента: US09691897B2. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having reduced-damage active region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472466B2. Автор: Ki-chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for fabricating microelectronic devices with isolation trenches partially formed under active regions

Номер патента: US09437474B2. Автор: Romain Wacquez,Laurent Grenouillet,Maud Vinet,Nicolas Loubet,Yannick Le Tiec. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-09-06.

Device of active regions and gates and method of forming gate patterns using the same

Номер патента: US20070158693A1. Автор: Hyoung Soon Yune. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

System and method of fabricating ESD FinFET with improved metal landing in the drain

Номер патента: US09865589B1. Автор: Yung Feng Chang,Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Tzung-Chi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

III-nitride nanowire LED with strain modified surface active region and method of making thereof

Номер патента: US09761757B2. Автор: Sungsoo Yi,Nathan Gardner,Linda Romano,Patrik Svensson. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for fabricating microelectronic devices with isolation trenches partially formed under active regions

Номер патента: US09437475B2. Автор: Romain Wacquez,Maud Vinet,Sylvie Mignot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-09-06.

Device of active regions and gates and method of forming gate patterns using the same

Номер патента: US7719034B2. Автор: Hyoung Soon Yune. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-18.

Semiconductor device including gate electrode provided over active region in p-type nitride semiconductor layer and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: US20150187907A1. Автор: Atsushi Yamada. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor structures having active regions comprising InGaN and methods of forming such semiconductor structures

Номер патента: US09978905B2. Автор: Chantal Arena,Jean-Philippe Debray,Heather Mcfavilen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2018-05-22.

Localized implant into active region for enhanced stress

Номер патента: US20130217198A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor device with inverters having transistors formed in different active regions

Номер патента: US09570432B2. Автор: Mamoru NISHIZAKI. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device with sensor potential in the active region

Номер патента: US10096531B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-09.

Semiconductor Device with Sensor Potential in the Active Region

Номер патента: US20160099188A1. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device having storage nodes on active regions and method of fabricating the same

Номер патента: US20090073736A1. Автор: Min-Hee Cho,Seung-Bae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-19.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US8753955B2. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-17.

Active region, active region array and formation method thereof

Номер патента: US20220310615A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Transistor layout structures for controlling sizes of transistors without changing active regions, and methods of controlling the same

Номер патента: US20080141204A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-12.

Well contact cell with doped tap region separated from active region, and methods to form same

Номер патента: US10909298B1. Автор: Nigel Chan,Navneet Jain. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2021-02-02.

Electrical isolation of FinFET active region by selective oxidation of sacrificial layer

Номер патента: US09716174B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Light emitting diode (LED) with three active regions and intensity control unit

Номер патента: GB2497183A. Автор: Eric Dias. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-05.

Bipolar plate having duct divisions present in the active region, and a fuel cell stack

Номер патента: US20230378484A1. Автор: Sebastian Voigt,Oliver Keitsch,Armin Siebel,Fabian Lippl. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing semiconductor structure having word line disposed over portion of an oxide-free dielectric material in the non-active region

Номер патента: US11488964B2. Автор: Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

Semiconductor device including active region with variable atomic concentration of oxide semiconductor material and method of forming the same

Номер патента: US20190296018A1. Автор: Ho Lee,Sang Woo Lee,Chankyung Kim,Jaehong MIN,Junsoo Kim,Minhee Cho,Sangwuk PARK,Woo Bin Song,Hei Seung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of forming a semiconductor device including an active region with variable atomic concentration of oxide semiconductor material

Номер патента: US11862476B2. Автор: Ho Lee,Sang Woo Lee,Chankyung Kim,Jaehong MIN,Junsoo Kim,Minhee Cho,Sangwuk PARK,Woo Bin Song,Hei Seung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device including active region and semiconductor layer on side surface of active region

Номер патента: US20230232614A1. Автор: Jaepil Lee,Hijung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor structure having word line disposed over portion of an oxide-free dielectric material in the non-active region

Номер патента: US20210265361A1. Автор: Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor structure with dispersedly arranged active region trenches

Номер патента: US20130270669A1. Автор: Chih-Chiang Chuang,Chao-Hsin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor device including an active region and two layers having different stress characteristics

Номер патента: US09847389B2. Автор: Brian A. Winstead,Vance H. Adams,Paul A. Grudowski. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device with a gate contact positioned above the active region

Номер патента: US09735242B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Leakage current reduction for continuous active regions

Номер патента: US20230369320A1. Автор: Wei-Ling Chang,Wei-Ren Chen,Ya-Chi CHOU,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods for fabricating integrated circuits with improved active regions

Номер патента: US9620418B2. Автор: Wei Lu,Liang Li,Alex See,Yung Fu Alfred Chong,Lian Choo Goh,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device having reduced-damage active region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150140749A1. Автор: Ki-chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-21.

Nitride semiconductor device comprising layered structure of active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230290836A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device including line-type active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120146121A1. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Optical proximity correction for active region design layout

Номер патента: US20130285194A1. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Jen-Pan Wang,Chih-Hsun Lin,Mei-Hsuan LIN,Chih-Chan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device having device element structures with pn junction formed in active region and voltage withstanding rings formed in periphery region surrounding the active region and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266433A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for packaging integrated circuit devices including cavities adjacent active regions and related structures

Номер патента: WO2000048251A1. Автор: Walter M. Marcinkiewicz. Владелец: Ericsson, Inc.. Дата публикации: 2000-08-17.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US20240297215A1. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device having a gate that is buried in an active region and a device isolation film

Номер патента: US09685540B2. Автор: Kang Yoo SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with polycrystalline silicon active region and ic including semiconductor device

Номер патента: CA1218470A. Автор: Hisao Hayashi,Chiaki Sakai,Hisayoshi Yamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-02-24.

Device with isolation structures in active regions

Номер патента: US20240234425A1. Автор: Hui Zhan,George R. Mulfinger,Tamilmani Ethirajan,Eric S. Kozarsky,Kaustubh Shanbhag,Anton V. Tokranov. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Device with isolation structures in active regions

Номер патента: EP4401123A1. Автор: Hui Zhan,George R. Mulfinger,Tamilmani Ethirajan,Eric S. Kozarsky,Kaustubh Shanbhag,Anton V. Tokranov. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor devices having tapered active regions

Номер патента: US09634092B2. Автор: Zhenhua Wu,Krishna Kumar Bhuwalka,Uihui KWON,Keunho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Electricity-conductive compound in the form of flocculent particles and electricity-conductive composition

Номер патента: RU2310935C2. Автор: Юки ХАРЕЯМА,Юкия ХАРЕЯМА,Хидетоси ОГАВА. Владелец: Оцука Кемикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2007-11-20.

A solar cell comprising clusters in the active region

Номер патента: GB2341002A. Автор: Dieter Meissner,Michael Westphalen,Joern Rostalski,Uwe Kreibig. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2000-03-01.

Method for forming active region array and semiconductor structure

Номер патента: US11887859B2. Автор: Zhen Zhou,Erxuan PING,Yanghao LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for forming active region array and semiconductor structure

Номер патента: US20210343537A1. Автор: Zhen Zhou,Erxuan PING,Yanghao LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device with at least one functional element containing multiple active regions, and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2019162442A1. Автор: Ryan Lewis,David van Treeck,Sergio FERNANDEZ-GARRIDO. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device with at least one functional element containing multiple active regions, and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP3756227A1. Автор: Ryan Lewis,David van Treeck,Sergio FERNANDEZ-GARRIDO. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2020-12-30.

Semiconductor power device including wire or ribbon bonds over device active region

Номер патента: US20200013692A1. Автор: Gabriele Formicone. Владелец: Integra Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Memory device having recessed active region

Номер патента: US20210234051A1. Автор: Ming-Chyi Liu,Yong-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Memory device having recessed active region

Номер патента: US11742434B2. Автор: Ming-Chyi Liu,Yong-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Image sensor including active regions

Номер патента: US11804510B2. Автор: Kyoung-In Lee,Sun-Ho Oh,Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device with t-shaped active region and methods of forming same

Номер патента: US20230343594A1. Автор: Qingchao Meng,Zhang-Ying YAN,Huaixin XIAN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory device having recessed active region

Номер патента: US20230143082A1. Автор: Ming-Chyi Liu,Yong-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device including an active region and two layers having different stress characteristics

Номер патента: US20140054704A1. Автор: Brian A. Winstead,Vance H. Adams,Paul A. Grudowski. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-02-27.

Silicide-layer-coupled doped portion of active region and method of fabricating same

Номер патента: US20240234526A1. Автор: Chung-Hui Chen,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for isolating active regions in germanium-based mos device

Номер патента: US20150031188A1. Автор: Min Li,Ming Li,Xing Zhang,Ru Huang,Xia An. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor device having a gate contact over an active region

Номер патента: US12046670B2. Автор: Shafiullah Syed,Manjunatha Prabhu,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions

Номер патента: US7034365B2. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming shallow trenches of the dual active regions

Номер патента: US09871064B1. Автор: JIN Xu,Quan Jing,Jun Zhu,Xusheng Zhang,Yu Ren,Minjie Chen,Yukun LV. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor arrangement having capacitor separated from active region

Номер патента: US09837421B2. Автор: Xiaomeng Chen,Chia-Shiung Tsai,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Cheng-Jong Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor devices having active regions at different levels

Номер патента: US09673198B2. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Active region design layout

Номер патента: US09529956B2. Автор: Ming Lei,Cheng-Wei Cheng,Chen-Liang Liao,Yi-Lii Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor arrangement having capacitor separated from active region

Номер патента: US09466663B2. Автор: Xiaomeng Chen,Chen-Jong Wang,Chia-Shiung Tsai,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Improvements in or relating to semi-conductor crystals and processes in the production thereof

Номер патента: GB841195A. Автор: . Владелец: Siemens and Halske AG. Дата публикации: 1960-07-13.

Semiconductor devices having a convex active region and methods of forming the same

Номер патента: US7544565B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Won-Cheol Jeong,Yong-Sik Yim,Dong-Hwa Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-09.

Semiconductor device having a gate that is buried in an active region and a device isolation film

Номер патента: US9401301B2. Автор: Kang Yoo SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Optical proximity correction for active region design layout

Номер патента: US20130069162A1. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Jen-Pan Wang,Chih-Hsun Lin,Mei-Hsuan LIN,Chih-Chan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Field Effect Transistor Device with Raised Active Regions

Номер патента: US20130071979A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Vertical cavity-type semiconductor light-emitting device and optical module using vertical cavity -type semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20020038869A1. Автор: Keiji Takaoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Capacitor component including indium and tin, and method of manufacturing the capacitor component

Номер патента: US11967462B2. Автор: Sun Hwa Kim,Su Yeon Lee,Hoe Chul Jung,Yu Hong OH,Byung Kun Kim,Yun Sung Kang,Won Jun Na,Jae Eun Heo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US11996443B2. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Field Effect Transistor Device with Raised Active Regions

Номер патента: US20130069159A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Capacitor component including indium and tin, and method of manufacturing the capacitor component

Номер патента: US20240222019A1. Автор: Sun Hwa Kim,Su Yeon Lee,Hoe Chul Jung,Yu Hong OH,Byung Kun Kim,Yun Sung Kang,Won Jun Na,Jae Eun Heo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Source and drain architecture in an active region of a p-channel transistor by tilted implantation

Номер патента: US20130320409A1. Автор: Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Gate structure cut after formation of epitaxial active regions

Номер патента: US20160027700A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Structure and method for providing line end extensions for fin-type active regions

Номер патента: US11721761B2. Автор: Kuei-Liang Lu,Ming-Feng Shieh,Chih-Hao Chang,Hsin-Chih Chen,Chang-Yun Chang,Shao-Ming Yu,Yi-Tang LIN,Kai-Tai Chang. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859422B2. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Structure and method for providing line end extensions for fin-type active regions

Номер патента: US09673328B2. Автор: Kuei-Liang Lu,Ming-Feng Shieh,Chih-Hao Chang,Hsin-Chih Chen,Chang-Yun Chang,Shao-Ming Yu,Yi-Tang LIN,Kai-Tai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Gate structure cut after formation of epitaxial active regions

Номер патента: US09633906B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Gate structure cut after formation of epitaxial active regions

Номер патента: US09559009B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

LED with active region disposed within an optical cavity defined by an embedded nanostructured layer and a reflector

Номер патента: US11942571B2. Автор: Toni LOPÉZ,Venkata Ananth TAMMA. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device with a gate contact positioned above the active region

Номер патента: US20170110549A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Red micro-led with dopants in active region

Номер патента: WO2021086941A1. Автор: Anurag Tyagi,Guillaume LHEUREUX,David Hwang,Alexander Tonkikh,Michael Grundmann,Markus Broell,Steven David LESTER. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Methods and systems for activating sealed sensors in the field

Номер патента: EP2535687A3. Автор: Jeff Becker,Ramakrishna Budampati. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

Method of Semiconductor Fabrication with Height Control Through Active Region Profile

Номер патента: US20160240444A1. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Active material containing niobium compound for use in nonaqueous electrolyte battery and nonaqueous electrolyte battery with positive electrode containing the active material

Номер патента: US20080220332A1. Автор: Yasuo Akai,Shunsuke Uegaki,Satoru Naruse,Masao Kondou,Tomoyuki Shose. Владелец: Sanyo Energy Tottori Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor devices having fin-shaped active regions

Номер патента: US20200243395A1. Автор: Sung-min Kim,Geum-Jong Bae,Dong-won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor devices including a gate structure between active regions, and methods of forming semiconductor devices including a gate structure between active regions

Номер патента: US20140070291A1. Автор: Jin-Woo Lee,Ja-Young Lee,Seung-Ho Kim,Tae-Yong Song,Hyun-Mi Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor devices having fin-shaped active regions

Номер патента: US10658244B2. Автор: Sung-min Kim,Geum-Jong Bae,Dong-won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-19.

Bipolar junction transistors with a buried dielectric region in the active device region

Номер патента: US09722057B2. Автор: Marwan H. Khater,Vibhor Jain,Renata Camillo-Castillo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of semiconductor fabrication with height control through active region profile

Номер патента: US09673112B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Surface emitting heterojunction light emitting diode

Номер патента: US5151756A. Автор: Hans K. Nettelbladt,Karl M. Widman. Владелец: Asea Brown Boveri AB. Дата публикации: 1992-09-29.

Semiconductor memory device having a vertical active region

Номер патента: US20200091245A1. Автор: Takashi Ando,Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Micro-led active region co-doping for surface losses suppression

Номер патента: WO2023220417A1. Автор: Alexander Tonkikh,Pavel Gorlachuk,Arjun AJAYKUMAR. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor memory device having a vertical active region

Номер патента: US20190393269A1. Автор: Takashi Ando,Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Micro-led active region co-doping for surface losses suppression

Номер патента: US20230369537A1. Автор: Alexander Tonkikh,Pavel Gorlachuk,Arjun AJAYKUMAR. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of determining the active region width between shallow trench isolation structures using a c-v measurement technique for fabricating a flash memory semiconductor device and a device thereby formed

Номер патента: US6818462B1. Автор: Zhigang Wang,Tien-Chun Yang,Nian Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-11-16.

Insulating layer for planarization and definition of the active region of a nanowire device

Номер патента: US20160172538A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2016-06-16.

Thin film transistor including a compositionally-modulated active region and methods for forming the same

Номер патента: US20240274723A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Po-Ting Lin,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device including standard cells with combined active region

Номер патента: US20230306175A1. Автор: Ta-Pen Guo,Guru Prasad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Active antenna system for a mobile communications network as well as a method for relaying a plurality of radio signals through the active antenna system

Номер патента: US20110159807A1. Автор: Peter Kenington. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Method of semiconductor fabrication with height control through active region profile

Номер патента: US09978652B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods of forming a gate contact for a semiconductor device above the active region

Номер патента: US09899321B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Manufacturing method of semiconductor device including indium

Номер патента: US09437723B2. Автор: Toshihide Kikkawa,Masato Nishimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device including a conductive feature over an active region

Номер патента: US11075164B2. Автор: Chung-Te Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Tung-Heng Hsieh,Ting-Wei Chiang,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-27.

Semiconductor device with series connected inverters having different number of active regions

Номер патента: US9768172B2. Автор: Takeshi Okagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device having a gate contact over an active region

Номер патента: US20230102787A1. Автор: Shafiullah Syed,Manjunatha Prabhu,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Gate contact over active region in cell

Номер патента: WO2019226229A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2019-11-28.

Gate contact over active region in cell

Номер патента: US20190363167A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Active part in the form of rotor or stator, the method of manufacturing such an active part and electrical machine

Номер патента: RU2649316C1. Автор: Дитер ШИРМ,Андре ГРЮБЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2018-04-02.

Method for controlling the activation of a voltage-controlled electric machine in a hybrid traction system

Номер патента: US12043123B2. Автор: Jerome Lachaize,Damien Verdier. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-07-23.

Operating vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: WO2013162544A1. Автор: Dacheng Zhou,Daniel A. Berkram,Zhubiao Zhu. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2013-10-31.

Beam locking for free space optical communication using vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: US11711145B2. Автор: Harry Broers,Maurice Herman Johan Draaijer,Jan EKKEL. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2023-07-25.

One-to-many simultaneous and reconfigurable optical two-dimensional plane interconnections using multiple wavelength, vertical cavity, surface-emitting lasers and wavelength-dependent detector planes

Номер патента: US5546209A. Автор: Alan E. Willner,Constance J. Chang-Hasnain,James E. Leight. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 1996-08-13.

Integrated assemblies which include metal-containing interconnects to active-region pillars, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: WO2020117337A1. Автор: Arzum F. Simsek-Ege. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-11.

Integrated circuit memory system with dummy active region

Номер патента: US20070207558A1. Автор: Xiaoyu Chen,Sung Mun Jung,Donghua Liu,Ching Dong Wang,Swee Tuck Woo,Louis Yoke Leng Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-09-06.

Integrated circuit memory system with dummy active region

Номер патента: SG135159A1. Автор: Liu Donghua,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,Jung Sung Mung,Wang Ching Dong,Lim Yoke Leng Louis. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-09-28.

Integrated circuit memory system with dummy active region

Номер патента: US7332378B2. Автор: Xiaoyu Chen,Sung Mun Jung,Donghua Liu,Ching Dong Wang,Swee Tuck Woo,Louis Yoke Leng Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Fluidic device with fluid port orthogonal to functionalized active region

Номер патента: US20240230593A1. Автор: Rio Rivas,Gernot Fattinger. Владелец: Zomedica Biotechnologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Acoustic wave resonator with fractal active region and method of forming it

Номер патента: WO2023235645A1. Автор: Thomas A. Winslow,Rathnait LONG,Mihir S. PATEL,Douglas J. CARLSON. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structure having word lines intersect with active regions

Номер патента: US11980024B2. Автор: Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device having an electrostatically-bounded active region

Номер патента: US20240284806A1. Автор: Pavel ASEEV,Sebastian Heedt,Gijsbertus DE LANGE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Virtual reality floor mat activity region

Номер патента: US20190302879A1. Автор: Julia Schwarz,Jason Michael RAY. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2019-10-03.

Method for establishing communication between a transaction terminal and a mobile device while avoiding an automatic start of an application in the mobile device

Номер патента: US20210383354A1. Автор: Florian STROHMAYER,Stephan Lukas PODLIPNIG,Johannes SEITER,Stefan BACHL. Владелец: Research Industrial Systems Engineering Rise. Дата публикации: 2021-12-09.

Method and apparatus for issuing a report with csi in the drx mode in a next-generation wireless communication system

Номер патента: RU2769538C1. Автор: Соенгхун КИМ,Сынри ДЗИН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2022-04-01.

Fluidic device with fluid port orthogonal to functionalized active region

Номер патента: US11940415B2. Автор: Rio Rivas,Gernot Fattinger. Владелец: Zomedica Biotechnologies LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Managing the activation of an application in an information processing apparatus on which a plurality of applications operate

Номер патента: US09723167B2. Автор: Hideo Asahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device having an electrostatically-bounded active region

Номер патента: EP4364543A1. Автор: Pavel ASEEV,Sebastian Heedt,Gijsbertus DE LANGE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor device having an electrostatically-bounded active region

Номер патента: AU2021454099A1. Автор: Pavel ASEEV,Sebastian Heedt,Gijsbertus DE LANGE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

System and method for smoothing fluctuations in the power of renewable sources of electrical energy

Номер патента: WO2024136763A1. Автор: Milan HRONSKÝ. Владелец: Ing. Milan Hronský Phd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for optimizing customer support in the activation of access control devices or payment devices

Номер патента: US09473636B2. Автор: Harald Lenzeder. Владелец: SkiData AG. Дата публикации: 2016-10-18.

Voltage measurement device at the active AC sectioning post

Номер патента: RU210055U1. Автор: Олег Алексеевич Сидоров,Владислав Леонидович Незевак,Святослав Сергеевич Самолинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный университет путей сообщения". Дата публикации: 2022-03-25.

Modified binary search for transfer function active region

Номер патента: US20130222046A1. Автор: Igor Furlan. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

Method of registering approximation of an active object to the spacecraft of orbital reserve in the region of low earth orbits

Номер патента: RU2658203C1. Автор: Михаил Викторович Яковлев. Владелец: Михаил Викторович Яковлев. Дата публикации: 2018-06-19.

Method for Treating Water on Membranes Integrating Adsorption on Activated Carbon in the Form of Micrograins

Номер патента: US20240368015A1. Автор: Philippe Sauvignet. Владелец: Veolia Water Solutions and Technologies Support SAS. Дата публикации: 2024-11-07.

Vehicle assembly and method of allocating power in the same

Номер патента: US09981578B2. Автор: Daniel Josefsson,Lars Planelid,Karl-Johan Krantz. Владелец: KONGSBERG AUTOMOTIVE AB. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for vitrification of arsenic and antimony

Номер патента: US09981295B2. Автор: David LeMieux,Jean-Marc Lalancette,Khalil Nasrallah,Romain Barbaroux,Gabriel GARCIA CURIEL. Владелец: Dundee Sustainable Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and apparatus for optical spectroscopy incorporating a vertical cavity surface emitting laser (vcsel) as an interferometer reference

Номер патента: US20030189709A1. Автор: Trent Ridder,John Maynard. Владелец: Rio Grande Medical Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-09.

Composite gesture for switching active regions

Номер патента: US09996242B2. Автор: Shigeaki Nishihashi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Article of footwear having active regions and secure regions

Номер патента: US09961962B2. Автор: Sang Jeong Lee. Владелец: Action Sports Equipment Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Vertical cavity laser producing different color light

Номер патента: WO2005119865A1. Автор: Keith Brian Kahen,Erica Nicole Montbach. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2005-12-15.

Vertical cavity laser producing different color light

Номер патента: EP1774629A1. Автор: Keith Brian Kahen,Erica Nicole Montbach. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2007-04-18.

Read operations for active regions of a memory device

Номер патента: US12050786B2. Автор: Lingyun Wang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for isolation of arsenic and antimony from copper-containing raw materials

Номер патента: RU2755597C1. Автор: Георгий Валентинович Петров,Анна Ярославовна Бодуэн,Анатолий Аурелианович Кобылянский,Виктория Евгеньевна Жукова,Светлана Борисовна Фокина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский горный университет». Дата публикации: 2021-09-17.

Virtual space mapping of a variable activity region

Номер патента: US09399167B2. Автор: John Clavin,Peter Glenn Sarrett,Russell Glaser,Steven Michael Beeman,Scott Henson,Robert Sheldon Walker. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-07-26.

Manufacture of organic arsenic and antimony compounds

Номер патента: GB344532A. Автор: . Владелец: IG Farbenindustrie AG. Дата публикации: 1931-03-12.

Read operations for active regions of a memory device

Номер патента: US20230367491A1. Автор: Lingyun Wang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Arsenic and antimony free, titanium oxide containing borosilicate glass and methods for the production thereof

Номер патента: US09650289B2. Автор: Holger Wegener,Reinhard Kassner,Rainer Schwertfeger,Lenka Grygarova. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods for surgical guidance in breast cancer surgery and lymph node dissection using two or more implantation devices comprising a capsule and a population of ultrasound-switchable fluorophores incorporated in the capsule

Номер патента: US11872092B2. Автор: Baohong Yuan. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2024-01-16.

Direct-view display devices using vertical cavity laser arrays

Номер патента: EP1754103A1. Автор: Keith Brian Kahen,Erica Nicole Montbach. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2007-02-21.

Direct-view display devices using vertical cavity laser arrays

Номер патента: WO2005124442A1. Автор: Keith Brian Kahen,Erica Nicole Montbach. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2005-12-29.

Soi-based opto-electronic device including corrugated active region

Номер патента: WO2007146235A3. Автор: Robert Keith Montgomery,Vipulkumar Patel. Владелец: Vipulkumar Patel. Дата публикации: 2008-04-24.

Soi-based opto-electronic device including corrugated active region

Номер патента: WO2007146235A2. Автор: Robert Keith Montgomery,Vipulkumar Patel. Владелец: Sioptical. Inc.. Дата публикации: 2007-12-21.

Determining the activity of the classical pathway of the complement system in a fibrinogen coagulation test

Номер патента: RU2707568C1. Автор: Оксана Михайловна Драпкина,Батожаб Батожаргалович Шойбонов,Ольга Алексеевна Лебедева,Ольга Анатольевна Литинская,Диана Викторовна Григорьева,Наталья Юрьевна Серебрякова. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр профилактической медицины" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ ПМ" Минздрава России). Дата публикации: 2019-11-28.

Active region adaptations for design domains in topology optimizations

Номер патента: US11914934B2. Автор: Lucia MIRABELLA,Suraj Ravi MUSUVATHY,Yu-Chin Chan. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Active region adaptations for design domains in topology optimizations

Номер патента: WO2020055516A1. Автор: Lucia MIRABELLA,Suraj Ravi MUSUVATHY,Yu-Chin Chan. Владелец: Siemens Industry Software Inc.. Дата публикации: 2020-03-19.

Active region adaptations for design domains in topology optimizations

Номер патента: EP3834120A1. Автор: Lucia MIRABELLA,Suraj Ravi MUSUVATHY,Yu-Chin Chan. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2021-06-16.

Active region adaptations for design domains in topology optimizations

Номер патента: US20210200921A1. Автор: Lucia MIRABELLA,Suraj Ravi MUSUVATHY,Yu-Chin Chan. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Systems and methods for extending a patent monopoly on an active ingredient for a chemical composition and on the chemical composition having the active ingredient

Номер патента: US20080319776A1. Автор: GIL Tomer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Compounds modulating the activity of calcium-sensitive receptors for modulating the kokumi taste, and feed products for pets, containing said compounds

Номер патента: RU2759563C2. Автор: Борис КЛЕБАНСКИЙ,Скотт Джозеф МАКГРЕЙН,Мэттью Роналд ГИББЗ,Ричард Мастен ФАЙН,Джерри Уоллес СКАЙЛЗ. Владелец: Марс, Инкорпорейтед. Дата публикации: 2021-11-15.

Method for diagnosing the activity of inflammatory bowel diseases based on a combination of electrical and viscoelastic parameters of erythrocytes

Номер патента: RU2764870C1. Автор: Маргарита Витальевна Кручинина,Владимир Михайлович Генералов,Светлана Арсентьевна Курилович,Андрей Александрович Громов,Константин Владимирович Генералов,Александр Сергеевич Сафатов,Александра Викторовна Азгалдян,Владимир Николаевич Кручинин,Ирина Николаевна Яковина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение Федеральный исследовательский центр "Институт цитологии и генетики Сибирского отделения Российской академии наук" (ИЦиГ СО РАН). Дата публикации: 2022-01-21.

Hydrobromid 4'-(2,3-digidro-9h-imidazo[1,2-a]benzimidazole-9-yl-methyl)biphenyl-2-carbonitril exhibiting the properties of the activator of amp-activated proteinkinase (ampa)

Номер патента: RU2650877C1. Автор: Александр Алексеевич Спасов,Анатолий Савельевич Морковник,Денис Александрович Бабков,Ольга Николаевна Жуковская. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-04-18.

Method for assessing the activity of an inflammatory process in chronic abacterial prostatitis/chronic pelvic pain syndrome

Номер патента: RU2713911C1. Автор: Наталья Борисовна Захарова,Владимир Михайлович Попков,Алексей Аркадьевич Чураков,Алексей Борисович Долгов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный медицинский университет имени В.И. Разумовского" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО Саратовский ГМУ им. В.И. Разумовского Минздрава России). Дата публикации: 2020-02-11.

Biologically active additive in the form of a syrup with increased microbiological resistance

Номер патента: RU2713303C2. Автор: Никита Викторович Кудряшов,Иван Степанович Груданов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Внешторг Фарма". Дата публикации: 2020-02-04.

Treatment of ores or metallurgical by-products containing arsenic and antimony

Номер патента: GB1515596A. Автор: . Владелец: METALLURG HOBEKEN OVERPELT. Дата публикации: 1978-06-28.

Active region determination for line generation in regionalized rasterizer displays

Номер патента: US20040169655A1. Автор: Ronald Larson,Thomas Thrasher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-02.

Method for the detection of the activity of gamma-secretase using a fusion protein

Номер патента: IL172119A. Автор: . Владелец: Sanofi Aventis Deutschland. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for activation of helper t cell and composition for use in the method

Номер патента: RU2680539C2. Автор: Харуо СУГИЯМА. Владелец: Интернешнл Инститьют Оф Кэнсер Иммунолоджи, Инк.. Дата публикации: 2019-02-22.

Microcapsules containing probiotics and maintening the activity of strains thereof, and method for production thereof

Номер патента: RU2755532C1. Автор: Цзюнь Ван,Юань ЮАНЬ,Цайся ВАН,Фухуай ЦЗЯ,Ган Тао,Хунцзянь ТУ,Фэйфэй СЮН.,Лэй ЛЭЙ,Луюнь СЮЙ. Владелец: Нинбо Юйфантан Байолоджикал Сайенс Энд Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-09-17.

Method and complex of means of evacuation of population, material and cultural values in the emergency situation regime

Номер патента: RU2655036C1. Автор: Владимир Иванович Забегаев. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ВСЕРОССИЙСКИЙ ОРДЕНА "ЗНАК ПОЧЕТА" НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ПРОТИВОПОЖАРНОЙ ОБОРОНЫ МИНИСТЕРСТВА РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО ДЕЛАМ ГРАЖДАНСКОЙ ОБОРОНЫ, ЧРЕЗВЫЧАЙНЫМ СИТУАЦИЯМ И ЛИКВИДАЦИИ ПОСЛЕДСТВИЙ СТИХИЙНЫХ БЕДСТВИЙ" (ФГБУ ВНИИПО МЧС России). Дата публикации: 2018-05-23.

Peripheral surface-emitting linear light guide and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240176057A1. Автор: Seiji Kojima,Ryuta Takahashi,kota Tachibana. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Compositions and methods for modulating the activity of G protein-coupled receptor kinases GRK5 and GRK6

Номер патента: US20020034767A1. Автор: Jorge Gomez,Priya Kunapuli,Jeffrey Benovic. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Improvements in Secondary or Storage Batteries or Accumulators and in the Manufacture of the same.

Номер патента: GB189715510A. Автор: James Yate Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-07-31.

Method of identifying agents which modulate the activity of calcium-activated chloride channel

Номер патента: WO2009051439A3. Автор: Uhtaek Oh,Yeon Su Jeong,Si Young Cho,Young Duk Yang,Min Ho Tak,Jae Yeon Koo,Ha Won Cho,Yong Woo Jang. Владелец: Yong Woo Jang. Дата публикации: 2009-07-16.

Herbicide formulation in the form of a microemulsion

Номер патента: AU2018422475A1. Автор: Edmundo Blumel. Владелец: Red Surcos Colombia Ltda. Дата публикации: 2020-05-28.

Nlrp3 activators for use in the treatment of infectious diseases or cancer by activating nlrp3 inflammasome

Номер патента: WO2022079246A1. Автор: Manfred Jung,Olaf Gross,Emilia Neuwirt. Владелец: ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITAT FREIBURG. Дата публикации: 2022-04-21.

Herbicide formulation in the form of a microemulsion

Номер патента: EP3677119A1. Автор: Edmundo Blumel. Владелец: Red Surcos Colombia Ltda. Дата публикации: 2020-07-08.

Method for determining the activity of uncoupling proteins (UCPs) by monitoring NAD(P)H consumption

Номер патента: US20020177543A1. Автор: Jesus Jimenez,Eduardo Rial Zueco. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 2002-11-28.

Nlrp3 activators for use in the treatment of infectious diseases or cancer by activating nlrp3 inflammasome

Номер патента: US20240277658A1. Автор: Manfred Jung,Olaf Gross,Emilia Neuwirt. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for determining the activity of uncoupling proteins (ucps) by monitoring nad(p)h consumption

Номер патента: EP1300673A1. Автор: Eduardo Ctro.Invest.Biol.Consejo Sup. RIAL ZUECO,Jesus Ctro.Inv.Biol. JIMENEZ JIMENEZ. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 2003-04-09.

Generation of active chlorine in the presence of an organic load from sodium chloride in water

Номер патента: EP1073478A1. Автор: Paul S. Malchesky,Christopher M. Fricker,Brian C. Wojcieck,Jason M. Sell. Владелец: Steris Corp. Дата публикации: 2001-02-07.

Method for determining the activity of autoimmune diseases and kit

Номер патента: US20190391144A1. Автор: Matias Adan PREISEGGER,Ricardo Alfredo DEWEY,Benito Jorge VELASCO ZAMORA,Pamela Daiana Vazquez,Alejandra CARREA,Marcelo Javier PERONE. Владелец: Fundacion Articular. Дата публикации: 2019-12-26.

Nlrp3 activators for use in the treatment of infectious diseases or cancer by activating nlrp3 inflammasome

Номер патента: EP4228630A1. Автор: Manfred Jung,Olaf Gross,Emilia Neuwirt. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2023-08-23.

Method for determining the spatiotemporal distribution of activity of a proteolytic enzyme in a heterogeneous system (variations), a device for realizing same and a method for diagnosing the defects in the hemostatic system on the basis of a change in the spatiotemporal distribution of activity of a proteolytic enzyme in a heterogeneous system

Номер патента: US09938563B2. Автор: Fazoil Inoyatovich Ataullakhanov,Sergey Sergeevich KARAMZIN,Nataljya Mikhajlovna Dashkevich,Vasilii Ivanovich SARBASH,Mikhail Aleksandrovich PANTELEEV,Mikhail Vladimirovich Ovanesov,Andrey Yurjevich Kondratovich. Владелец: OBSCHESTVO S OGRANICHENNOY OTVETSTVENNOSTYU GEMATOLOGICHESKAYA KORPORATSIYA. Дата публикации: 2018-04-10.

Peptidyl arginine deiminase 1 and/or 3 activator compounds in the epidermis and uses thereof

Номер патента: US09566222B2. Автор: Michel Simon,Stephane Poigny,Sylvie Daunes-Marion,Guy Serre,Marie-Claire Mechin,Helene Duplan. Владелец: Pierre Fabre Dermo Cosmetique SA. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of geophysical intelligence in searching for relaxing deposits on aquatories in the areas of "living" ripes and in the wave-wide zone

Номер патента: RU2623841C2. Автор: Александр Николаевич Смирнов,Василий Климентьевич Паламарчук,Надежда Викторовна Глинская,Оксана Николаевна Мищенко,Елена Владиславовна Бурдакова,Вадим Викторович Петров,Константин Петрович Субботин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт геологии и минеральных ресурсов Мирового океана имени академика И.С. Грамберга". Дата публикации: 2017-06-29.

Method of identification of residual pathological phenomena in the post-reparal period of respiratory diseases in calves

Номер патента: RU2621273C1. Автор: Юрий Николаевич Алехин,Максим Сергеевич Жуков. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский ветеринарный институт патологии, фармакологии и терапии Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВНИВИПФиТ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2017-06-01.

Safe particles for the introduction of useful chemical agents in the body with controlled activation

Номер патента: WO2020172583A8. Автор: Satish Agrawal,Glenn Horner,Prakash Rai,Bethany PARKER,Joshna Chittigori. Владелец: Bambu Vault LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Inducible site-specific recombination for the activation and removal of transgenes in transgenic plants

Номер патента: EP1232275A2. Автор: Nam-Hai Chua,Simon Geir MØLLER,Jianru Zuo. Владелец: ROCKEFELLER UNIVERSITY. Дата публикации: 2002-08-21.

Method of determining the activity of enzymes converting cytosine derivatives to uracil derivatives in cells, tissues and organisms

Номер патента: EP3186387A1. Автор: Karel Koberna,Anna Ligasová,Ondrej PAV,Ivan Rosenberg,Petr KVAPIL,Radek LIBOSKA,Josef FISER. Владелец: Institute Of Applied Biotechnologies AS. Дата публикации: 2017-07-05.

Transgenic animal for screening of compounds that modulate cell proliferation, and its use in the pharmaceutical field

Номер патента: US20110197288A1. Автор: Adriana Maggi,Paolo Ciana,Giulia Piaggio,Ada Sacchi,Frauke Goeman,Cecilia Tiveron. Владелец: TOP (TRANSGENIC OPERATIVE PRODUCTS) Srl. Дата публикации: 2011-08-11.

Identification of organic compounds capable of modulating the activity of tak1

Номер патента: WO2004083854A1. Автор: Gerald Dubois. Владелец: Novartis Pharma Gmbh. Дата публикации: 2004-09-30.

Pellets having a multi-layer structure for delayed release of the active substance in the distal colon

Номер патента: US20210228487A1. Автор: Roland Greinwald,Tanju NACAK,Rudolf Wilhelm,Markus Proels,Ansgar BOEGERSHAUSEN. Владелец: Dr Falk Pharma GmbH. Дата публикации: 2021-07-29.

Pellets having a multi-layer structure for delayed release of the active substance in the distal colon

Номер патента: CA3108257A1. Автор: Rudolph WILHELM,Markus PRÖLS,Roland Greinwald,Tanju NACAK,Ansgar BÖGERSHAUSEN. Владелец: Dr Falk Pharma GmbH. Дата публикации: 2020-02-27.

Pellets having a multi-layer structure for delayed release of the active substance in the distal colon

Номер патента: AU2019326752A1. Автор: Rudolph WILHELM,Markus PRÖLS,Roland Greinwald,Tanju NACAK,Ansgar BÖGERSHAUSEN. Владелец: Dr Falk Pharma GmbH. Дата публикации: 2021-01-28.

Structures for directing incident light onto the active areas of display elements

Номер патента: WO2013074534A1. Автор: Evgeni Poliakov,Ion Bita,Kollengode S. Narayanan. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2013-05-23.

Inhibition of the Activity of the Capsaicin Receptor in the Treatment of Obesity or Obesity-Related Diseases and Disorders

Номер патента: US20080214574A1. Автор: Anker Jon Hansen,Dorte Xenia Gram. Владелец: Novo Nordisk AS. Дата публикации: 2008-09-04.

A method in the manufacturing of cellulose pulp

Номер патента: AU586304B2. Автор: Hans Olof Prof. Samuelson. Владелец: Mo och Domsjo AB. Дата публикации: 1989-07-06.

Connexin 43 for use in the treatment of a cancer type characterized by the activation of a mitogen-activated protein kinase

Номер патента: US20240173380A1. Автор: María Dolores MAYÁN SANTOS,Adrián VARELA VÁZQUEZ,Amanda GUITIÁN CAAMAÑO,Paula CARPINTERO FERNÁNDEZ,Marta VARELA EIRÍN,Eduardo FONSECA CAPDEVILA,María QUINDÓS VARELA,Teresa CALLEJA CHUCLA. Владелец: FUNDACION PROFESOR NOVOA SANTOS. Дата публикации: 2024-05-30.

A method in the manufacturing of cellulose pulp

Номер патента: AU6640786A. Автор: Hans Olof Prof. Samuelson. Владелец: Mo och Domsjo AB. Дата публикации: 1987-06-11.

N-acetyl cysteine compositions in the treatment of systemic lupus erythematosus

Номер патента: WO2014159703A3. Автор: Andras Perl. Владелец: The Research Foundation for The State of New York. Дата публикации: 2014-12-31.

Connexin 43 for use in the treatment of a cancer type characterized by the activation of a mitogen-activated protein kinase

Номер патента: EP4225347A1. Автор: María Dolores MAYÁN SANTOS,Adrián VARELA VÁZQUEZ,Amanda GUITIÁN CAAMAÑO,Paula CARPINTERO FERNÁNDEZ,Marta VARELA EIRÍN,Eduardo FONSECA CAPDEVILA,María QUINDÓS VARELA,Teresa CALLEJA CHUCLA. Владелец: FUNDACION PROFESOR NOVOA SANTOS. Дата публикации: 2023-08-16.

Method for detecting a cardiac isolation status of a measurement location in the presence of far field interference

Номер патента: US20240350065A1. Автор: Mads Emil Matthiesen,Rune PAAMAND. Владелец: Cathvision Aps. Дата публикации: 2024-10-24.

Apparatus and method for determining the condition of structures in the body

Номер патента: EP4447827A1. Автор: Finbar Dolan,Ivan Mooney,Hugh O'donoghue,Dion GUILFOYLE,Ben KINSELLA,Mary O'DONOGHUE,Jim SMEDLEY. Владелец: Versono Medical Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Coordinate positioning module, optical touch system, method of detecting power of an active touch medium, and method of switching modes of the active touch medium

Номер патента: US09430091B2. Автор: Chun-Yi Lu. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Vertically emitting laser with bragg mirrors and intracavity metal contacts

Номер патента: RU2554302C2. Автор: Михаил Алексеевич Калитеевский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего профессионального образования и науки Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук. Дата публикации: 2015-06-27.

Surface-emitting laser light source using two-dimensional photonic crystal

Номер патента: US20120002692A1. Автор: Noda Susumu,Miyai Eiji,Ohnishi Dai. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Surface emitting laser, method for fabricating surface emitting laser

Номер патента: WO2024185049A1. Автор: Srinivas GANDROTHULA. Владелец: Sanoh Industrial Co.,Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Surface emitting laser

Номер патента: WO2024185050A1. Автор: Srinivas GANDROTHULA. Владелец: Sanoh Industrial Co.,Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Bragg distributed feedback surface emitting laser

Номер патента: CA1238972A. Автор: Mikelis N. Svilans. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 1988-07-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Video Slice and Active Region Based Multiple Partial Encryption

Номер патента: US20120002809A1. Автор: Candelore Brant L.,Pedlow,Derovanessian Henry,JR. Leo M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Vertical cavity lasers with monolithically integrated refractive microlenses

Номер патента: WO1997040558A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1998-02-19.

A new or improved process for refining tin and antimony

Номер патента: GB145789A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1921-09-29.

Method of determining temperature of active region of light-emitting diode

Номер патента: RU2473149C1. Автор: Александр Николаевич Пихтин,Сергей Анатольевич Тарасов,Екатерина Андреевна Менькович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2013-01-20.

Improvements in the Manufacture of Carbon Tetrachloride and Sulphur Chloride.

Номер патента: GB190509404A. Автор: Harry Baker,Edward Haworth. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-04-26.

Improvements in the Electrolytic Refining of Copper.

Номер патента: GB190627740A. Автор: Sherard Osborn Cowper-Coles. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-12-05.

System for monitoring the utilization of personal protective equipment by workers in the workplace

Номер патента: US20120001765A1. Автор: . Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Means for Detecting the Activity of Osteoclasts

Номер патента: US20120003684A1. Автор: Dieter Peter,Lutter Anne-Helen,Hempel Ute. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN. Дата публикации: 2012-01-05.

METABOLIC ENGINEERING OF A GALACTOSE ASSIMILATION PATHWAY IN THE GLYCOENGINEERED YEAST PICHIA PASTORIS

Номер патента: US20120003695A1. Автор: Bobrowicz Piotr,Zha Dongxing,Davidson Robert C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

AUTOANTIBODIES IN THE DETECTION AND TREATMENT OF CANCER

Номер патента: US20120003225A1. Автор: JR. Edward F.,Patz,Campa Michael J.,Gottlin Elizabeth B.. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of regeneration of the active charcoal and the system for its realization

Номер патента: RU2299761C2. Автор: Рафинат Саматович Яруллин,Тимур Ренатович Билалов,Фарид Мухамедович Гумеров,Фаризан Ракибович Габитов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Суперкритические технологии". Дата публикации: 2007-05-27.

Method of production of the active charcoal for detoxication of the feedstuffs in the poultry farming

Номер патента: RU2291104C1. Автор: Сергей Николаевич Соловьев,Олег Евгеньевич Каменер,Виктор Михайлович Мухин,Инна Дмитриевна Зубова,Ирина Николаевна Зубова,Валентин Васильевич Чебыкин,Михаил Владимирович Паршенков,Сергей Юрьевич Гулюшин,Валерий Андреевич Карев,Вачеслав Олегович Ковалёв. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Электростальское научно-производственное объединение "Неорганика" (ФГУП "ЭНПО "Неорганика"). Дата публикации: 2007-01-10.

Tapentadol for use in the treatment of irritable bowel syndrome

Номер патента: US20120004317A1. Автор: . Владелец: GRUENENTHAL GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.

A New or Improved Method and Apparatus for the Treatment of Metallic Compounds of Sulphur, Arsenic and Antimony.

Номер патента: GB190500961A. Автор: Nicolas Henri Marie Dekker. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-07-20.

Method for detecting the activity of homogenate's acid phosphatase out of bees' tissues and organs

Номер патента: RU2256918C2. Автор: Н.Н. Гугушвили,В.М. Мирцхулава,А.Ю. Шантыз,Г.С. Шантыз. Владелец: Кубанский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2005-07-20.

Improvements in the Manufacture of Producer Gas and in the Apparatus used therein.

Номер патента: GB190408827A. Автор: Walter William Tonkin,Samuel Puplett. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-02-16.

Improvements in the manufacture of acetic anhydride

Номер патента: GB230063A. Автор: . Владелец: Consortium fuer Elektrochemische Industrie GmbH. Дата публикации: 1925-04-16.

Tin- and antimony-containing oxides' production process

Номер патента: RU2201397C1. Автор: Ю.П. Егоров,Ю.М. Юхин,А.И. Апарнев,В.Д. Белых,Т.Д. Малиновская. Владелец: Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН. Дата публикации: 2003-03-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.