High capacitance mim device with self aligned spacer
Номер патента: US20220246469A1
Опубликовано: 04-08-2022
Автор(ы): Chun-Yuan Chen, Hsiao-Hui Tseng, Hsuan-Han Tseng, JHY-JYI SZE, Lu-Sheng Chou
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-08-2022
Автор(ы): Chun-Yuan Chen, Hsiao-Hui Tseng, Hsuan-Han Tseng, JHY-JYI SZE, Lu-Sheng Chou
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device with spacers for self aligned vias
Номер патента: US20240297077A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.