Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Method of forming self-aligned silicides

Номер патента: US20060121708A1
Опубликовано: 08-06-2006
Автор(ы): Steven Huang, Yei-Hsiung Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of forming self-aligned silicides

Номер патента: TWI310211B. Автор: Steven Huang,Yeihsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-05-21.

Method of forming self-aligned silicides

Номер патента: TW200620405A. Автор: Steven Huang,Yei-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-16.

METHOD FOR MANUFACTURING A SELF-ALIGNED SILICIDE

Номер патента: FR2763743B1. Автор: Water Lur,Shih Wei Sun,Tony Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-07-23.

METHOD FOR MANUFACTURING A SELF-ALIGNED SILICIDE

Номер патента: FR2763743A1. Автор: Water Lur,Shih Wei Sun,Tony Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-11-27.

All-in-one disposable/permanent spacer elevated source/drain, self-aligned silicide CMOS

Номер патента: US20030209765A1. Автор: Kam Lee,Ronnen Roy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-11-13.

Method of forming self-aligned contact pad in a damascene gate process

Номер патента: TW559913B. Автор: Kyu-Hyun Lee,Tae-Young Chung,Yoo-Sang Hwang,Ki-nam Kim,Hyung-Soo Uh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-01.

Self-aligned silicidation for replacement gate process

Номер патента: US20130092957A1. Автор: Andreas Knorr,Thorsten Kammler,Akif Sultan,Indradeep SEN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Methods of forming integrated circuitry and methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor

Номер патента: US20010009791A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20120064709A1. Автор: Kyung-yub Jeon,Je-woo Han,Jun-ho Yoon,Kyoung-sub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-15.

Self-aligned silicide (salicide) process for electrostatic discharge (ESD) protection

Номер патента: US5946573A. Автор: Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-08-31.

Method and structure for forming self-aligned, dual stress liner for cmos devices

Номер патента: US20080012019A1. Автор: Effendi Leobandung,Huilong Zhu,Huicai Zhong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-01-17.

Method to form self-aligned source/drain cmos device on isulated staircase oxide

Номер патента: SG102650A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Yong Meng Lee James,Sunderasan Ravi. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-03-26.

Self-aligned silicidation for replacement gate process

Номер патента: US20120018816A1. Автор: Andreas Knorr,Thorsten Kammler,Akif Sultan,Indradeep SEN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

Split-polysilicon CMOS process incorporating self-aligned silicidation of conductive regions

Номер патента: US5021353A. Автор: Trung T. Doan,Mark E. Tuttle,Tyler A. Lowrey,Gordon A. Haller,Dermot M. Durcan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1991-06-04.

Methods of forming self-aligned contact structures by work function material layer recessing and the resulting devices

Номер патента: US09824920B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of self-aligning a damascene gate structure to isolation regions

Номер патента: EP1391925B1. Автор: Daniel Yen,Ching-Thiam Chung,Chester Nieh,Wei Hua Cheng,Tong Boon Lee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

Method of self-aligning a damascene gate structure to isolation regions

Номер патента: SG102720A1. Автор: YEN DANIEL,Chung Ching-Thiam,Hua Cheng Wei,Nieh Chester,Boon Lee Tong. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-03-26.

Method of fabricating a bipolar junction transistor

Номер патента: US20060099757A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACT STRUCTURES BY WORK FUNCTION MATERIAL LAYER RECESSING AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20170287780A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

Method of forming self-aligned contacts using a replacement metal gate process in a semiconductor device

Номер патента: KR101699154B1. Автор: 매츠 앤드류. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-01-23.

Manufacturing method of self-aligned silicide

Номер патента: TW428231B. Автор: Shu-Ren Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-04-01.

Method of precision resistor in self-aligned silicided mos process

Номер патента: KR940002390B1. Автор: 케이. 에이. 제터룬드 번. Владелец: 디지털 이큅먼트 코오포레이숀. Дата публикации: 1994-03-24.

Self-aligned silicided process and structure

Номер патента: TW594872B. Автор: Chun-Chieh Lin,Chao-Hsiung Wang,Yee-Chia Yeo,Chien-Chao Huang,Chen-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-06-21.

Bipolar transistor having self-aligned silicide and a self-aligned emitter contact border

Номер патента: US7466010B2. Автор: Richard P. Volant,Marwan H. Khater,Gregory G. Freeman,David C. Ahlgren. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-16.

Method of forming self align silicide in semiconductor device

Номер патента: KR100953489B1. Автор: 강양범. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-04-19.

STRUCTURE AND METHOD OF FORMING SELF ALIGNED CONTACTS IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190181047A1. Автор: Sung Min Gyu. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2019-06-13.

Self-aligned silicide process for forming silicide layer over word lines in DRAM and transistors in logic circuit region

Номер патента: US6281067B1. Автор: Sun-Chieh Chien,Hal Lee,Jhy-Jeng Liu,Wei-Wu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-08-28.

Semiconductor device with self aligned silicide layer and method for forming the same

Номер патента: KR20020048618A. Автор: 김진호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-06-24.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210376126A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210111270A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Fin-last FinFET and methods of forming same

Номер патента: US09543301B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Methods of forming self aligned transistor structure having polycrystalline contacts

Номер патента: US3847687A. Автор: U Davidsohn,A Ajamie. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1974-11-12.

Method for forming self-aligned contact and integrated circuit with self-aligned contact

Номер патента: TW201243956A. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR101046717B1. Автор: 이성권,정태우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-07-05.

Method for forming self-aligned double-layer pattern

Номер патента: CN110459465B. Автор: 张志刚,徐灵芝,陆神洲. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-04.

Method for forming self align contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100745058B1. Автор: 조영재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-01.

Method for forming self-aligned dual fully silicided gates in cmos devices

Номер патента: WO2006060574A2. Автор: Cyril Cabral, Jr.,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Chester T. Dziobkowski,Clement H. Wann. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-06-08.

Method of Forming Self-Aligned Contacts for a Semiconductor Device

Номер патента: US20130189833A1. Автор: Peter Baars,Andy Wei,Martin Mazur,Erik Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Method of forming self-aligned silicide layers on semiconductor devices

Номер патента: US20020182860A1. Автор: Jerry Lin,Cheng-Kuo Yuan,Chi-Wei Chou. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for forming epitaxial Co self-align silicide for semiconductor device

Номер патента: US6077750A. Автор: Jeong Soo Byun,Dong Kyun Sohn. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Self-aligned silicide gate technology for advanced deep submicron MOS device

Номер патента: US6239452B1. Автор: Qi Xiang,Ming-Ren Lin,Shekhar Pramanick. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-05-29.

Process for fabricating self-aligned silicide lightly doped drain mos devices

Номер патента: CA1294061C. Автор: Di Ma,David H. Hoffman. Владелец: Standard Microsystems LLC. Дата публикации: 1992-01-07.

Forming Self-Aligned Contact with Spacer First

Номер патента: US20190027580A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Sean Lian,Mark V. Raymond. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Method for forming self-aligned isolation trenches in semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20150171162A1. Автор: Tzung-Han Lee,Yaw-Wen Hu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: WO2006093730A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-09-08.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: EP1856726A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-21.

Method of forming self-aligned contacts in a semi-conductor process

Номер патента: GB2269938B. Автор: James A Matthews. Владелец: Microunity Systems Engineering Inc. Дата публикации: 1994-09-07.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for CMOS devices

Номер патента: TW200710993A. Автор: Thomas W Dyer,hai-ning Yang. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-03-16.

Method of making small contactless RAM cell

Номер патента: US5340762A. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1994-08-23.

A bicmos process for forming self-aligned npn emitters and bases and mosfet/source drains

Номер патента: EP0293731A3. Автор: Robert H. Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1989-09-27.

Methods for forming self-aligned dual stress liners for cmos semiconductor devices

Номер патента: US20110163387A1. Автор: Thomas W. Dyer,Taehoon Lee,Seung-Man Choi,Kyoung Woo Lee,Ja Hum Ku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for forming self-aligned contact window

Номер патента: US6015741A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Tony Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-01-18.

Forming nickel-platinum alloy self-aligned silicide contacts

Номер патента: US20140073130A1. Автор: Christian Lavoie,Ahmet S. Ozcan,David F. Hilscher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of forming self-aligned split-gate memory cell array with metal gates and logic devices

Номер патента: US09721958B2. Автор: FENG Zhou,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09570583B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09455330B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Self-aligned silicide process

Номер патента: US5888903A. Автор: Sean O'brien,Douglas A. Prinslow. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-03-30.

MOSFETs with recessed self-aligned silicide gradual S/D junction

Номер патента: US5994747A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 1999-11-30.

Self-aligned silicide process for silicon sidewall source and drain contacts and structure formed thereby

Номер патента: US20020155690A1. Автор: Ying Zhang,Guy Cohen,Paul Solomon,Kevin Chan,Christian Lavoie,Cyril Cabral,Kathryn Guarini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20180286750A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20210202313A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20190172748A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US10242911B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Methods of forming self-aligned contact structures in semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US6649508B1. Автор: Jong-woo Park,Yun-gi Kim,Dong-gun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20220406658A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Method of making CMOS device and contacts therein by enhanced oxidation of selectively implanted regions

Номер патента: US4470852A. Автор: Daniel L. Ellsworth. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1984-09-11.

Method for forming self-aligned wells to support tight spacing

Номер патента: US20090042377A1. Автор: Seetharaman Sridhar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for forming self-aligned wells to support tight spacing

Номер патента: WO2009021187A3. Автор: Seetharaman Sridhar. Владелец: Seetharaman Sridhar. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for forming self-aligned wells to support tight spacing

Номер патента: WO2009021187A2. Автор: Seetharaman Sridhar. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-02-12.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US09911652B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

FORMING SELF-ALIGNED VIAS AND AIR-GAPS IN SEMICONDUCTOR FABRICATION

Номер патента: US20210202313A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Radens Carl J.,Zhang John H.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

FORMING SELF-ALIGNED VIAS AND AIR-GAPS IN SEMICONDUCTOR FABRICATION

Номер патента: US20190172748A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Radens Carl J.,Zhang John H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2019-06-06.

FORMING SELF-ALIGNED VIAS AND AIR-GAPS IN SEMICONDUCTOR FABRICATION

Номер патента: US20180286750A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Radens Carl J.,Zhang John H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for forming self-aligned dual salicide in cmos technologies

Номер патента: WO2006060575A2. Автор: James S. Nakos,Cyril Cabral, Jr.,John J. Ellis-Monaghan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Zhijiong Luo,An L. Steegen,Chester T. Dziobkowski,Clement H. Wann. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-06-08.

Method for forming self-aligned dual salicide in cmos technilogies

Номер патента: TWI371084B. Автор: Christian Lavoie,Sunfei Fang,Zhijiong Luo,Cyril Cabral Jr,Chester T Dziobkowski,John J Ellis-Monaghan,James S Nakos,An L Steegen,Clement H Wann. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-08-21.

Method for forming self-aligning contact structure in semiconductor IC device

Номер патента: CN1319886A. Автор: 金允基,朴东建,朴钟佑. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-31.

Method for forming self-aligned channel implants using a gate poly reverse mask

Номер патента: US6489191B2. Автор: Yimin Wang,Kai Shao,Jian Xun Li,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-12-03.

Method for forming self-aligned dual salicide in CMOS technologies

Номер патента: US7064025B1. Автор: James S. Nakos,Cyril Cabral, Jr.,John J. Ellis-Monaghan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Zhijiong Luo,An L. Steegen,Chester T. Dziobkowski,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-20.

Method for forming self-aligned dual salicide in cmos technologies

Номер патента: EP1825508A2. Автор: James S. Nakos,Cyril Cabral, Jr.,John J. Ellis-Monaghan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Zhijiong Luo,An L. Steegen,Chester T. Dziobkowski,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-29.

Integration circuit with self-aligned silicided ESD protection transistors

Номер патента: KR100369361B1. Автор: 정종척. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-30.

Methods of forming self aligned spacers for nanowire device structures

Номер патента: EP3394898A1. Автор: Anand Murthy,Karthik Jambunathan,Seiyon Kim,Jun Sung Kang,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

Method of Forming Metal Silicide Regions on a Semiconductor Device

Номер патента: US20130015527A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of Forming Contacts for Devices with Multiple Stress Liners

Номер патента: US20120299160A1. Автор: Peter Baars,Thilo Scheiper,Marco Lepper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Self-forming, self-aligned barriers for back-end interconnects and methods of making same

Номер патента: US20240203786A1. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Jeffery D. Bielefeld,Hui Jae Yoo,Sean W. King. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of forming self-aligned metal lines and vias

Номер патента: US09607893B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for forming self-aligned silicide layers on sub-quarter micron VLSI circuits

Номер патента: US6100191A. Автор: Jiun-Yuan Wu,Water Lur,Tony Lin,Hsiao-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-08.

Method of forming self-aligned contacts and local interconnects

Номер патента: US20090280633A1. Автор: An Chyi Wei. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-12.

Method of manufacturing self-aligned silicide

Номер патента: US6150264A. Автор: Chih-Ching Hsu,Shu-Jen Chen,Ruoh-Haw Chang. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Forming self-aligned vertical interconnect accesses (vias) in interconnect structures for integrated circuits (ics)

Номер патента: EP3433877A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

Transistor with reduced gate resistance and improved process margin of forming self-aligned contact

Номер патента: US20200111706A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

A method to form self-aligned silicide with reduced sheet resistance

Номер патента: SG107556A1. Автор: Yung Tao Lin,Wei Ning Li. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-12-29.

Method for forming self-align silicide in semiconductor device

Номер патента: KR100271948B1. Автор: 이응준,서태욱,이수근,구자흠,김철성,정주혁. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-11-15.

Method to form self-aligned silicide with reduced sheet resistance

Номер патента: US6509264B1. Автор: Weining Li,Yung Tao Lin. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-01-21.

Method of making semiconductor devices having an implant damage protection film on the gate electrode sidewalls

Номер патента: US5145797A. Автор: Shoji Nakanishi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1992-09-08.

Methods for fabricating semiconductor or micromachined devices with metal structures and methods for forming self-aligned deep cavity metal structures

Номер патента: US09620373B1. Автор: Rakesh Kumar,Sharath POIKAYIL SATHEESH,Pradeep Yelehanka,Natarajan Rajasekaran,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods for forming self-aligned contacts using spin-on silicon carbide

Номер патента: WO2022177828A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods for Forming Self-Aligned Contacts Using Spin-on Silicon Carbide

Номер патента: US20220262679A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of forming self-aligned contacts for a semiconductor device

Номер патента: US8927407B2. Автор: Peter Baars,Andy Wei,Martin Mazur,Erik Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Method of forming self-aligned contacts and local interconnects

Номер патента: US20070004187A1. Автор: An Chyi Wei. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

Self-aligned silicide strap connection of polysilicon layers

Номер патента: US5756394A. Автор: H. Monte Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-05-26.

Methods of forming memory cells having self-aligned silicide

Номер патента: US6939764B2. Автор: Chun Chen,Graham Wolstenholme. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Method of forming a self-aligned silicide layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100508080B1. Автор: 김한성,김호식,우성오. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-26.

Transistor with reduced gate resistance and improved process margin of forming self-aligned contact

Номер патента: US20200111706A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US6194298B1. Автор: Ming-Shing Chen,Akira Mao. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-02-27.

Semiconductor device having a self aligned silicide layer and method of fabricating the same

Номер патента: KR100553714B1. Автор: 김민주,구자흠,정석우,한성기,선민철,노관종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-02-24.

Formation method of self-aligned silicide layer using ammonia plasma

Номер патента: KR100455367B1. Автор: 서태욱,김민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-01-17.

Method for Forming Self-Aligned Silcide of Semiconductor Device

Номер патента: KR100628253B1. Автор: 심규철,이완규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-09-27.

Self-aligned silicide process in forming semiconductor sidewalls

Номер патента: WO1990001795A1. Автор: Tyler A. Lowrey,Clifford A. Maxwell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1990-02-22.

Method for manufacturing field effect transistor using self-aligned silicide layer in semiconductor device

Номер патента: KR100333647B1. Автор: 김천수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-07.

Method and process for forming a self-aligned silicide contact

Номер патента: US20060051961A1. Автор: Balasubramanian Pranatharthi Haran,Mahadevaiyer Krishnan,Andrew Mansson,Michael Cobb,Christian Lavoie,Horatio Wildman,Cyril Cabral,Randolph Knarr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Method for forming a self aligned silicide contact hole

Номер патента: KR100470127B1. Автор: 김재영. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-02-05.

Methods of forming self-aligned contacts on FinFET devices

Номер патента: US09627274B1. Автор: Huang Liu,Xintuo Dai,Jinping Liu,Haifeng Sheng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of forming self-aligned device level contact structures

Номер патента: US09653356B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US20160163585A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US09502286B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Methods of forming self-aligned silicide layers using multiple thermal processes

Номер патента: US7531459B2. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Eun-ji Jung,Hyun-Su Kim,Jong-Ho Yun,Sug-Woo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-12.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for forming self-aligned double pattern and semiconductor structures

Номер патента: US12100593B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for forming self-aligned double pattern, and semiconductor structure

Номер патента: EP4181172A1. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Method and structure of forming self-aligned RMG gate for VFET

Номер патента: US09780208B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED DEVICE LEVEL CONTACT STRUCTURES

Номер патента: US20170047253A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US20160163585A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Method Of Forming Self-Aligned Split-Gate Memory Cell Array With Metal Gates And Logic Devices

Номер патента: US20160218110A1. Автор: Zhou Feng,CHEN CHUN-MING,Do Nhan,Liu Xian,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Method of Forming Self-Aligned Contacts Using a Replacement Metal Gate Process in a Semiconductor Device

Номер патента: US20150263131A1. Автор: Metz Andrew. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-09-17.

DEVICES AND METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED, UNIFORM NANO SHEET SPACERS

Номер патента: US20170330934A1. Автор: Cheng Kangguo,Zhang John,CLEVENGER Lawrence,HARAN Balasubramanian. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-11-16.

Method of forming self-aligned LDD structures and low resistance contacts in thin film transistor technology devices

Номер патента: EP0632492A2. Автор: Robert Louis Hodges,Ravishankar Sundaresan. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1995-01-04.

Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer

Номер патента: US6855610B2. Автор: Ming-Sheng Tung,Yueh-Chuan Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2005-02-15.

Self-aligned silicide gate for discrete shielded-gate trench power mosfet

Номер патента: US20240063305A1. Автор: Zhenyin Yang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Self-aligned silicide gate for discrete shielded-gate trench power mosfet

Номер патента: EP4325583A1. Автор: Zhenyin Yang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-06.

Method and structure of forming self-aligned rmg gate for vfet

Номер патента: US20180019337A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

TRANSISTOR WITH REDUCED GATE RESISTANCE AND IMPROVED PROCESS MARGIN OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20220051939A1. Автор: YANG SHENG-HUI. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Transistor with reduced gate resistance and improved process margin of forming self-aligned contact

Номер патента: US20220051939A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL OVERGROWTH FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS WITHOUT SPACER LOSS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Lauer Isaac,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin,Chu Jack Oon. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Forming self-aligned dual patterning mandrel and non-mandrel interconnects

Номер патента: US09659818B1. Автор: Carl Radens,Lawrence A. Clevenger,John Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Forming self-aligned NiSi placement with improved performance and yield

Номер патента: US09607989B2. Автор: XIN Wang,LUN Zhao,Xusheng Wu,Yong Meng Lee,Yue Hu,Wen-Pin Peng,Wei-Hua TONG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Self-aligned silicide process utilizing ion implants for reduced silicon consumption and control of the silicide formation temperature and structure formed thereby

Номер патента: TWI220054B. Автор: Guy Moshe Cohen,Christian Lavoie,Kevin Kok Chan,Kathryn Wilder Guarini,Cyril Cabral Jr. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-08-01.

Self-aligned silicide/germanide formation to reduce external resistance in a vertical field-effect transistor

Номер патента: US20190393100A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for Forming Self-Aligned Trench Contacts of Semiconductor Components and A Semiconductor Component

Номер патента: US20130181284A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-07-18.

Forming Self-Aligned Contact with Spacer First

Номер патента: US20190027580A1. Автор: Xie Ruilong,Fan Su Chen,Pranatharthiharan Balasubramanian,Greene Andrew M.,Lian Sean,Raymond Mark V.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

RECESSING RMG METAL GATE STACK FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20160149015A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

FORMING SELF-ALIGNED NiSi PLACEMENT WITH IMPROVED PERFORMANCE AND YIELD

Номер патента: US20160163702A1. Автор: WANG Xin,HU Yue,Wu Xusheng,Lee Yong Meng,ZHAO Lun,PENG Wen-Pin,TONG Wei-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED ISOLATION TRENCHES IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150171162A1. Автор: LEE TZUNG-HAN,Hu Yaw-Wen. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2015-06-18.

USING SELECTIVELY FORMED CAP LAYERS TO FORM SELF-ALIGNED CONTACTS TO SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20210280690A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Method to form self aligned, L-shaped sidewall spacers

Номер патента: EP1164636B1. Автор: Gupta Subhash,Pradeep Yelehanka,Chhagan Vijai. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-12-19.

Enlarged sacrificial gate caps for forming self-aligned contacts

Номер патента: US10008385B1. Автор: Haiting Wang,Chih-Chiang Chang,Ashish Kumar JHA,Mitchell Rutkowski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-26.

Using selectively formed cap layers to form self-aligned contacts to source/drain regions

Номер патента: US20210280690A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for forming self-aligned double pattern, and semiconductor structure

Номер патента: EP4181172A4. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Forming self-aligned contacts

Номер патента: GB202001682D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-25.

SELF-ALIGNED SILICIDE/GERMANIDE FORMATION TO REDUCE EXTERNAL RESISTANCE IN A VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200013681A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Lee Choonghyun,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

SELF-ALIGNED SILICIDE/GERMANIDE FORMATION TO REDUCE EXTERNAL RESISTANCE IN A VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20190393100A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Lee Choonghyun,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Fabrication of an electronic component with self-aligned source drain and gate includes self-aligned siliciding of a source and drain formed on either side of a dummy gate

Номер патента: FR2810157A1. Автор: Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2001-12-14.

Self-aligned silicide formation on source/drain through contact via

Номер патента: US9553189B2. Автор: Yoshihiro Uozumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

High voltage field effect transistors with self-aligned silicide contacts and methods for making the same

Номер патента: US20220399447A1. Автор: Hiroshi Nakatsuji,Masashi Ishida,Jun Akaiwa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-15.

Self-aligned silicide/germanide formation to reduce external resistance in a vertical field-effect transistor

Номер патента: US10832970B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-10.

Self-aligned silicide process for silicon sidewall source and drain contacts and structure formed thereby

Номер патента: TW546770B. Автор: Kevin K Chan,Guy Moshe Cohen,Christian Lavoie,Kathryn Wilder Guarini,Cyril Cabral Jr. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-08-11.

N-channel clamp for ESD protection in self-aligned silicided CMOS process

Номер патента: US5262344A. Автор: Kaizad R. Mistry. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

N-channel clamp for esd protection in self-aligned silicided cmos process

Номер патента: CA2039777A1. Автор: Kaizad Rumy Mistry. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1991-10-28.

Method of forming self aligned continuity blocks for mandrel and non-mandrel interconnect lines

Номер патента: US09679809B1. Автор: Lei Yuan,Yan Wang,Guillaume Bouche,Jongwook Kye,Wenhui Wang,Jia ZENG,Chenchen Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Method for forming self-aligned contacts/vias with high corner selectivity

Номер патента: US20150170965A1. Автор: PENG Wang,Eric A. Hudson,Ananth INDRAKANTI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for forming self aligned contacts

Номер патента: US20020098640A1. Автор: Ii-Wook Kim,Jong-Sam Kim,Dong-kuk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Asymmetric, double-sided self-aligned silicide and method of forming the same

Номер патента: US20030129831A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Methods to form self-aligned permanent on-chip interconnect structures

Номер патента: US20120018891A1. Автор: Qinghuang Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Methods of forming self-aligned contacts

Номер патента: US20220189965A1. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Methods of forming self-aligned contacts

Номер патента: US20200373309A1. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Methods of forming self-aligned contacts comprising reusing hardmask materials and lithography reticles

Номер патента: US11302699B2. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-12.

Self-Aligned Silicide Bottom Plate for EDRAM Applications by Self-Diffusing Metal in CVD/ALD Metal Process

Номер патента: US20140117498A1. Автор: Fei Liu,Qing Cao,Zhen Zhang,Zhengwen Li,Sunfei Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Self-aligned silicide bottom plate for eDRAM applications by self-diffusing metal in CVD/ALD metal process

Номер патента: US8866261B2. Автор: Fei Liu,Qing Cao,Zhen Zhang,Zhengwen Li,Sunfei Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

Method of forming vertical field effect transistors with self-aligned gates and gate extensions and the resulting structure

Номер патента: US20190088767A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Lars Liebmann,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Method of Forming Self-Alignment Contact

Номер патента: US20170170292A1. Автор: HSU Hung-Chang,Jang Syun-Ming,Lin Sheng-Hsuan,SU Hung-Wen,Lee Ya-Lien,LIN Rueijer,TSAI Ming-Hsing,Liu Hsiao-Ping,Kao Yen-Shou. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Method of forming self-aligning contacting hole

Номер патента: JPS60216582A. Автор: シエン　テン　スウ. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1985-10-30.

Method of fabricating a MOS transistor using a self-aligned silicide technique

Номер патента: TW501236B. Автор: Hyung-Shin Kwon,Do-hyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-09-01.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20110269288A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

METHODS OF FORMING CoSi2, METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS, AND METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACTS

Номер патента: WO2007018968A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-02-15.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20090035938A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL OVERGROWTH FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS WITHOUT SPACER LOSS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Lauer Isaac,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin,Chu Jack Oon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-19.

Methods of forming CoSi2, methods of forming field effect transistors, and methods of forming conductive contacts

Номер патента: US20070032071A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-08.

RECESSING RMG METAL GATE STACK FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20160372576A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Method for forming self-aligned Schottky junctions for semiconductor devices

Номер патента: JP5001295B2. Автор: ミュラー マーカス. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-08-15.

Method and structure to form self-aligned selective-SOI

Номер патента: US7482656B2. Автор: Huilong Zhu,Yung Fu Chong,Zhijiong Luo,Judson R Holt,Kevin K Dezfulian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-27.

Mosfet structure with multiple self-aligned silicide contacts

Номер патента: US20100304563A1. Автор: Kern Rim,Kevin K. Chan,Christian Lavoie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

MOSFET structure with multiple self-aligned silicide contacts

Номер патента: US20060033165A1. Автор: Kern Rim,Kevin Chan,Christian Lavoie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Fabrication method of trenched power MOSFET with low gate impedance

Номер патента: US7608511B1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-27.

Method of forming self-aligned top gate channel barrier region in ion-implanted JFET

Номер патента: US5120669A. Автор: Gregory A. Schrantz. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1992-06-09.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A3. Автор: Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen,Johannes J T M Donkers. Владелец: Johannes J T M Donkers. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1875494A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-09.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2006-10-19.

Methods of forming self aligned spacers for nanowire device structures

Номер патента: EP3394898B1. Автор: Anand Murthy,Karthik Jambunathan,Seiyon Kim,Jun Sung Kang,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

METHODS OF FORMING SELF ALIGNED SPACERS FOR NANOWIRE DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180358436A1. Автор: Murthy Anand,Kim Seiyon,JAMBUNATHAN KARTHIK,KANG Jun Sung,GLASS Glenn. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-12-13.

Method of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20080017933A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Self-aligned silicide transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104425572A. Автор: 马万里,赵文魁,闻正锋. Владелец: Shenzhen Founder Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-18.

Bipolar transistor with self-aligned retrograde extrinsic base implant profile and self-aligned silicide

Номер патента: US20060097350A1. Автор: Francois Pagette,Marwan Khater. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US20170062431A1. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of forming semiconductor structure with horizontal gate all around structure

Номер патента: US09881993B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US09847336B2. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-19.

FinFET device structure and methods of making same

Номер патента: US09379220B2. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Cheng-Han Wu,Ryan Chia-Jen Chen,Eric Chih-Fang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of forming buffer architecture (versions) and microelectronic structure formed thus

Номер патента: RU2468466C2. Автор: Манту К. ХАДЕЙТ,Питер Г. ТОЛЧИНСКИ,Лорен А. ЧОУ,Дмитрий ЛОУБЫЧЕВ,Жоэль М. ФАСТЕНО,Ами В.К. ЛИУ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2012-11-27.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09922827B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Cheng Chen,Liang-Gi Yao,Ta-Ming Kuan,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

FinFET device and method of forming

Номер патента: US09837539B1. Автор: Yi-Wei Chiu,Xi-Zong Chen,Cha-Hsin Chao,Te-Chih Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of forming vertical memory strings, and methods of forming vertically-stacked structures

Номер патента: US09627550B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Contact structures and methods of forming the same

Номер патента: US09620601B2. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Arrays of recessed access devices, methods of forming recessed access gate constructions, and methods of forming isolation gate constructions in the fabrication of recessed access devices

Номер патента: US09385132B2. Автор: Troy R. Sorensen,Lars P. Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Methods of forming transistors and devices comprising transistors

Номер патента: US20220189828A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20030017680A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Garo Derderian,M. Visokay,J. Drynan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240355904A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of forming an integrated circuit with heat-mitigating diamond-filled channels

Номер патента: US09881849B2. Автор: Daniel J. Ewing,Kyle W. Maples. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09825043B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of forming an integrated circuit with heat-mitigating diamond-filled channels

Номер патента: US09728483B2. Автор: Daniel J. Ewing,Kyle W. Maples. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Graphene layer, method of forming the same, device including graphene layer and method of manufacturing the device

Номер патента: US09660036B2. Автор: Jaeho Lee,Hyowon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming self aligned grids in BSI image sensor

Номер патента: US11776985B2. Автор: Jiech-Fun Lu,Shih-Pei Chou,Tsun-Kai Tsao,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of forming self aligned grids in bsi image sensor

Номер патента: US20240021653A1. Автор: Jiech-Fun Lu,Shih-Pei Chou,Tsun-Kai Tsao,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Forming self-aligned contacts on pillar structures

Номер патента: US20180308898A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Eugene J. O'Sullivan,Anthony J. Annunziata,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Method of forming salicided self-aligned contact for SRAM cells

Номер патента: US5573980A. Автор: Chue-San Yoo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1996-11-12.

Methods of forming backside self-aligned vias and structures formed thereby

Номер патента: WO2017052562A1. Автор: Paul B. Fischer,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Kimin Jun,Il-Seok Son. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Fabrication method of power semiconductor structure with reduced gate impedance

Номер патента: US20120045877A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Method of forming self-aligned thin film transistor

Номер патента: CA2228037A1. Автор: James F. Farrell. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-02-13.

Method of forming self-aligned low resistance contact layer

Номер патента: US20100035399A1. Автор: Sean King,Ravi Pillarisetty,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Jason W. Klaus,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor device containing tubular liner spacer for lateral confinement of self-aligned silicide portions and methods of forming the same

Номер патента: WO2021177991A1. Автор: Fumitaka Amano,Yosuke Kita. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-10.

Semiconductor device containing tubular liner spacer for lateral confinement of self-aligned silicide portions and methods of forming the same

Номер патента: US20210280686A1. Автор: Fumitaka Amano,Yosuke Kita. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-09.

Method to form self-aligned high density nanocrystals

Номер патента: US20160071943A1. Автор: Sung-taeg Kang,Euhngi Lee. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-10.

Process for forming self-aligned dielectric isolation

Номер патента: EP0062170A2. Автор: Klaus Dietrich Beyer,Joseph Skinner Logan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-10-13.

Process for forming self-aligned dielectric isolation

Номер патента: EP0062170B1. Автор: Klaus Dietrich Beyer,Joseph Skinner Logan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-12-07.

Advanced metallization approach for forming self-aligned contacts and local area interconnects for memory and logic devices

Номер патента: US20030170954A1. Автор: Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-09-11.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Array of capacitors, array of memory cells, methods of forming an array of capacitors, and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US12150312B2. Автор: Mark Fischer,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ashonita A. Chavan,Sameer Chhajed. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Apparatus and method of forming self-aligned cuts in mandrel and a non-mandrel lines of an array of metal lines

Номер патента: US09818641B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods Of Forming Metal Chalcogenide Pillars

Номер патента: US20220051941A1. Автор: Srinivas Gandikota,Amrita B. Mullick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Methods of forming metal chalcogenide pillars

Номер патента: WO2019173447A1. Автор: Srinivas Gandikota,Amrita B. Mullick. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-09-12.

Method of forming self aligned extended base contact for a bipolar transistor having reduced cell size

Номер патента: US5227316A. Автор: Madhukar Vora,Greg Burton,Ashok Kapoor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-07-13.

Method of forming self-aligned via

Номер патента: US10923396B2. Автор: Mihaela Balseanu,Suketu Arun Parikh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Method Of Forming Self-Aligned Via

Номер патента: US20200144117A1. Автор: Mihaela Balseanu,Suketu Arun Parikh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for forming self-aligned contacts and local interconnects simultaneously

Номер патента: US20070235798A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Tuung Luoh,Ling-Wuu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of patterning pillars to form variable continuity cuts in interconnection lines of an integrated circuit

Номер патента: US09852986B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Self-forming, self-aligned barriers for back-end interconnects and methods of making same

Номер патента: TW201248779A. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Sean W King,Hui-Jae Yoo,Jeffery D Bielefeld. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-12-01.

Method of manufacturing semiconductor device that includes forming self-aligned contact pad

Номер патента: US20050101127A1. Автор: Tae-Ryong Kim,Jeong-Yun Lee,Yong-Hyeon Park,Jae-hee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-12.

Method of Forming Self-Aligned Air-Gaps Using Self-Aligned Capping Layer over Interconnect Lines

Номер патента: US20070218677A1. Автор: Eugen Unger,Manfred Engelhardt,Andreas Stich. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-09-20.

Method of forming self-aligned floating gate array and flash memory device including self-aligned floating gate array

Номер патента: CN1988135A. Автор: 崔钟云. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-27.

Method of forming self-aligned contact structure in semiconductor device and self-aligned contact structure fabricated thereby

Номер патента: KR100352909B1. Автор: 이재구,고관협. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-09-16.

Method of forming self-aligned contact structure in semiconductor device and self-aligned contact structure fabricated thereby

Номер патента: KR20010091723A. Автор: 이재구,고관협. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-10-23.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using sige layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20090263970A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-22.

Forming self-aligned conductive lines for resistive random access memories

Номер патента: US09705080B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Pietro Petruzza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US09627321B2. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US09373584B2. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Method of fabricating a self-aligned contact using organic dielectric materials

Номер патента: US5482894A. Автор: Robert H. Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-01-09.

Apparatus and method of forming self-aligned cuts in a non-mandrel line of an array of metal lines

Номер патента: US9818640B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing method of self-aligned silicide load for static random access memory

Номер патента: US5854103A. Автор: Kuei-Chang Liang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-12-29.

Method of forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100245136B1. Автор: 김정호,김승준,이동덕,김일욱. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of forming self aligned double pattern

Номер патента: KR100714305B1. Автор: 홍창기,윤보언,최재광,권병호,박준상,윤세라. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-02.

Methods Of Forming Self-Aligned Vias

Номер патента: US20190013202A1. Автор: Thompson David,Anthis Jeffrey W.,Mallick Abhijit Basu,Schmiege Benjamin,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

Methods Of Forming Self-Aligned Vias

Номер патента: US20180096847A1. Автор: Thompson David,Anthis Jeffrey W.,Mallick Abhijit Basu,Schmiege Benjamin,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

Method Of Forming Self-Aligned Via

Номер патента: US20210166973A1. Автор: Parikh Suketu Arun,Balseanu Mihaela A.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-06-03.

Method Of Forming Self-Aligned Via

Номер патента: US20200144117A1. Автор: Balseanu Mihaela,Parikh Suketu Arun. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Method Of Forming Self-Aligned Via

Номер патента: US20200219768A1. Автор: Balseanu Mihaela,Parikh Suketu Arun. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Methods Of Forming Self-Aligned Vias And Air Gaps

Номер патента: US20190348368A1. Автор: GOPALRAJA Praburam,Mallick Abhijit Basu,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Methods Of Forming Self-Aligned Vias And Air Gaps

Номер патента: US20180358260A1. Автор: GOPALRAJA Praburam,Mallick Abhijit Basu,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Methods of forming self-aligned contacts

Номер патента: US20200373309A1. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Methods Of Forming Self-Aligned Vias

Номер патента: US20190385849A1. Автор: Chan Kelvin,Thompson David,Anthis Jeffrey W.,Gandikota Srinivas,Mallick Abhijit Basu,CHEN Yihong,Schmiege Benjamin,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Methods of forming self-aligned vias and air gaps

Номер патента: US10840186B2. Автор: Ziqing Duan,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Praburam Gopalraja. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-17.

Method of forming self-aligned pattern by chemical mechanical polishing suitable for substrate capacitor formation

Номер патента: JP3682903B2. Автор: ジー リー マイケル,アイ ベイリン ソロモン. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-08-17.

Method of forming self-aligned contact in semiconductor device

Номер патента: KR0164497B1. Автор: 최창원. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-01.

Methods of forming self-aligned vias and air gaps

Номер патента: US10403542B2. Автор: Ziqing Duan,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Praburam Gopalraja. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-09-03.

A method of forming self-aligned contacts portion

Номер патента: CN106531684B. Автор: 赵超,朱慧珑,殷华湘,赵治国. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-07-16.

Method of forming self-aligned via structure

Номер патента: US6372641B1. Автор: Chuen-Der Lien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2002-04-16.

Process of forming contact holes

Номер патента: US5500080A. Автор: Yang K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-03-19.

Method and apparatus for forming self-aligned via with selectively deposited etching stop layer

Номер патента: US09659864B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

SELF-FORMING, SELF-ALIGNED BARRIERS FOR BACK-END INTERCONNECTS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20130260553A1. Автор: Yoo Hui Jae,King Sean W.,Balakrishnan Sridhar,Bielefeld Jeffrey D.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

SELF-FORMING, SELF-ALIGNED BARRIERS FOR BACK-END INTERCONNECTS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20160307796A1. Автор: Yoo Hui Jae,Bielefeld Jeffery D.,King Sean W.,Balakrishnan Sridhar. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Method for forming self-alignment insulation structure

Номер патента: US20090283873A1. Автор: Hon-Chun Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Forming self-aligned vertical interconnect accesses in interconnect structures for integrated circuits

Номер патента: EP3433877B1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-07-06.

Methods to form self-aligned permanent on-chip interconnect structures

Номер патента: US20130001801A1. Автор: Qinghuang Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

A method to form self-aligned anti-via interconnects

Номер патента: SG118126A1. Автор: Gupta Subhash,Hong Sangki,Kwok Keung Ho Paul. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-01-27.

Methods for forming self-aligned interconnect structures

Номер патента: US20240347384A1. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Hoi-Tou Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method and apparatus for forming self-aligned via with selectively deposited etching stop layer

Номер патента: US09922927B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for forming self-aligning local interconnects in integrated circuits

Номер патента: EP2592649B1. Автор: Michael C Smayling,Scott T Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2015-04-29.

The manufacturing process of self-aligned silicide, CMP, self-aligned silicide semiconductor

Номер патента: TW324836B. Автор: Sy-Miin Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-01-11.

Method of manufacturing self-aligned silicide

Номер патента: TW366528B. Автор: Shu-Jen Chen,Ruoh-Haw Chang,Jr-Ching Shiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-08-11.

METHODS AND APPARATUSES TO FORM SELF-ALIGNED CAPS

Номер патента: US20130256899A1. Автор: Singh Kanwal Jit,Boyanov Boyan. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

Methods for Forming Self-Aligned Interconnect Structures

Номер патента: US20210035862A1. Автор: Liu Ru-Gun,Chang Shih-Ming,Ng Hoi-Tou. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

Techniques for forming self-aligned memory structures

Номер патента: US20210050521A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

METHOD TO FORM SELF-ALIGNED HIGH DENSITY NANOCRYSTALS

Номер патента: US20160071943A1. Автор: Kang Sung-Taeg,LEE Euhngi. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2016-03-10.

Method and Apparatus for Forming Self-Aligned Via with Selectively Deposited Etching Stop Layer

Номер патента: US20210098362A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,SHUE Shau-Lin,Wu Yung-Hsu,Tsai Jung-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SELF-ALIGNED VIA WITH SELECTIVELY DEPOSITED ETCHING STOP LAYER

Номер патента: US20170110397A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,SHUE Shau-Lin,Wu Yung-Hsu,Tsai Jung-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

METHODS AND APPARATUSES TO FORM SELF-ALIGNED CAPS

Номер патента: US20220270978A1. Автор: Singh Kanwal Jit,Boyanov Boyan. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS/VIAS WITH HIGH CORNER SELECTIVITY

Номер патента: US20150170965A1. Автор: WANG Peng,Hudson Eric A.,INDRAKANTI Ananth. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2015-06-18.

METHODS AND APPARATUSES TO FORM SELF-ALIGNED CAPS

Номер патента: US20170207120A1. Автор: Singh Kanwal Jit,Boyanov Boyan. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SELF-ALIGNED VIA WITH SELECTIVELY DEPOSITED ETCHING STOP LAYER

Номер патента: US20180211911A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,SHUE Shau-Lin,Wu Yung-Hsu,Tsai Jung-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SELF-ALIGNED VIA WITH SELECTIVELY DEPOSITED ETCHING STOP LAYER

Номер патента: US20170256486A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,SHUE Shau-Lin,Wu Yung-Hsu,Tsai Jung-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

FORMING SELF-ALIGNED VERTICAL INTERCONNECT ACCESSES (VIAs) IN INTERCONNECT STRUCTURES FOR INTEGRATED CIRCUITS (ICs)

Номер патента: US20170271202A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao,Yeap Choh Fei,Zhu John Jianhong. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Process Integration Techniques Using A Carbon Layer To Form Self-Aligned Structures

Номер патента: US20180308753A1. Автор: Mosden Aelan,KUMAR KAUSHIK. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS/VIAS WITH HIGH CORNER SELECTIVITY

Номер патента: US20150325479A1. Автор: WANG Peng,Hudson Eric A.,INDRAKANTI Ananth. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US20200321282A1. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

FORMING SELF-ALIGNED MULTI-METAL INTERCONNECTS

Номер патента: US20200357748A1. Автор: De Silva Ekmini Anuja,Dutta Ashim. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US20190393157A1. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Method to form self-aligned gate structures around cold cathode emitter tips using chemical mechanical polishing technology

Номер патента: US5229331A. Автор: Trung T. Doan,David A. Cathey,J. Brett Rolfson,Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1993-07-20.

Process for forming self-aligned conductive plugs in multiple insulation levels in integrated circuit structures and resulting product

Номер патента: US5985746A. Автор: Ashok K. Kapoor. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

A method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100276387B1. Автор: 이재구,조창현,정홍식. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-12-15.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: KR101684310B1. Автор: 보얀 보야노브,칸왈 지트 싱흐. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2016-12-08.

Method for forming self aligned vias in multi level metal integrated circuit

Номер патента: KR100272499B1. Автор: 바실리 킷치. Владелец: 클라크 3세 존 엠.. Дата публикации: 2000-12-01.

Method for forming self aligned contact in semiconductor device with buried gate

Номер патента: KR101075526B1. Автор: 신종한,박점용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for forming self-aligned contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR100441998B1. Автор: 서준,송종희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-07-30.

Method for forming self aligned contact hole in semiconductor

Номер патента: KR100839527B1. Автор: 전재영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100268443B1. Автор: 조창현,김기남,정태영. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-16.

Method for forming self-aligned contact plug of semiconductor device

Номер патента: KR100640628B1. Автор: 홍창기,이재동,박정헌,박준상,배근희,정명호,김영옥,구주선,윤세라. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-31.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device to remove stress and reduce contact resistance

Номер патента: KR100443345B1. Автор: 이동현,박창현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-09-18.

Etching method for forming self-alignment contact holes

Номер патента: JP4638030B2. Автор: フラナー・ジャネット・エム．,マークウェツ・リンダ・エヌ．,クック・ジョエル・エム．,モリー・イアン・ジェイ．. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2011-02-23.

Method for forming self alignment contact

Номер патента: CN1244727A. Автор: 林炳俊. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-02-16.

Method for forming self-aligned contacts in semiconductor devices

Номер патента: KR970018058A. Автор: 최창원. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-04-30.

Method for forming contact hole of semiconductor device to easily form self-aligned contact pattern and enlarge desired plug size

Номер патента: KR100458296B1. Автор: 김동현,최익수,김상욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-02-07.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR940016879A. Автор: 박해성. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-07-25.

Method for forming self align contact of semiconductor device

Номер патента: KR101073130B1. Автор: 이민석,이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-12.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: JP4040781B2. Автор: 燦旭 鄭,昌珍 姜,相燮 鄭,▲チュル▼ 鄭,昶賢 趙,弘植 鄭,宰求 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-30.

Method for forming self-aligned metal silicide contacts

Номер патента: TWI415174B. Автор: Mahadevaiyer Krishnan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Randolph F Kanrr,Renee T Mo,Jay W Strane. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2013-11-11.

Method for forming self-aligned metal silicide contacts

Номер патента: US20070254479A1. Автор: Mahadevaiyer Krishnan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Randolph Knarr,Renee Mo,Jay Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for forming self-aligned trench

Номер патента: CN113488430A. Автор: 杨军. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-08.

Techniques for Forming Self-Aligned Memory Structures

Номер патента: KR20220046633A. Автор: 이노센조 토르토렐리,안드레아 레다엘리,스테판 더블유. 러셀,아고스티노 피로바노,파비오 펠리쩌,로렌조 프라틴. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2022-04-14.

Methods for forming self-aligned interconnect structures

Номер патента: US11289376B2. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Hoi-Tou Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Method for forming self-aligned metal silicide contacts

Номер патента: US7618891B2. Автор: Mahadevaiyer Krishnan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Renee T. Mo,Randolph F. Knarr,Jay W. Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-17.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: KR102151585B1. Автор: 보얀 보야노브,칸왈 지트 싱흐. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2020-09-03.

PROCESS FOR FORMING SELF-ALIGNED CONNECTION HOLES IN MULTI-LAYER INTERCONNECTION SYSTEMS

Номер патента: FR2375717A1. Автор: Bisweswar Patnaik,Chung-Yu Ting,Vivian R Corbin,James E Hitchner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-07-21.

The method for forming self-aligned via holes

Номер патента: CN109791913A. Автор: 戴维·汤普森,杰弗里·W·安西斯,本杰明·施密格,阿布海杰特·巴苏·马利克,苏米特·辛格·罗伊,段子晴. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

Apparatus and method for forming self-aligned trench isolation

Номер патента: WO1988004106A1. Автор: Bing Yeh,Daniel Charles Guterman. Владелец: Xicor, Inc.. Дата публикации: 1988-06-02.

Forming self-aligned multi-metal interconnects

Номер патента: US11355442B2. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-07.

Apparatus and method for forming self-aligned cuts in non-cardiac axes of an array of metal lines

Номер патента: CN107863324B. Автор: 杰森·伊葛尼·史蒂芬,古拉密·波奇. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-07-30.

Method for forming self-aligned interconnect structure

Номер патента: CN112309963A. Автор: 张世明,刘如淦,伍海涛. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: KR102306796B1. Автор: 보얀 보야노브,칸왈 지트 싱흐. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for forming self-aligned contacts using a hard mask

Номер патента: US6265296B1. Автор: Erik S. Jeng,Hung-Yi Luo,Hao-Chieh Liu,Tzu-Shih Yen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-07-24.

Method for forming self-aligned metal silicide contacts

Номер патента: US20090309228A1. Автор: Mahadevaiyer Krishnan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Renee T. Mo,Randolph F. Knarr,Jay W. Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Techniques for forming self-aligned memory structures

Номер патента: US20230027799A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: WO2013066356A1. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-05-10.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: JP5084074B2. Автор: 眞 雄 金. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-11-28.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: TWI792018B. Автор: 肯瓦爾 辛格,伯葉 伯葉諾夫. Владелец: 美商英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2023-02-11.

Method and apparatus for forming self-aligned via with selectively deposited etching stop layer

Номер патента: US20180211911A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Forming self-aligned multi-metal interconnects

Номер патента: US11923311B2. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Method and Apparatus for Forming Self-Aligned Via with Selectively Deposited Etching Stop Layer

Номер патента: US20210098362A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Method and apparatus for forming self-aligned via with selectively deposited etching stop layer

Номер патента: US20170256486A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Methods for forming self-aligned interconnect structures

Номер патента: US12020984B2. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Hoi-Tou Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Contactless local interconnect process utilizing self-aligned silicide

Номер патента: GB0214919D0. Автор: . Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-08-07.

IMPROVED SELF-ALIGNED SILICIDE PROCESS

Номер патента: FR2752331B1. Автор: Jason Jenq,Tung Po Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-11-06.

The manufacturing method on self-aligned silicide barrier layer

Номер патента: CN106024622B. Автор: 陈宏�. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2019-04-19.

Eliminating buried contact trench in MOSFET devices having self-aligned silicide

Номер патента: US6211556B1. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 2001-04-03.

Self-aligned silicide for word lines and contacts

Номер патента: US20050242390A1. Автор: Chun Chen,Graham Wolstenholme. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Contactless local interconnect process utilizing self- aligned silicide

Номер патента: JP2003086680A. Автор: Seungmoo Choi,チョイ セウングムー. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Method of forming self-aligned poly for embedded flash

Номер патента: US20050127435A1. Автор: Han-Ping Chen,Chung-Yi Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Method of forming self-aligned poly for embedded flash

Номер патента: US7153744B2. Автор: Han-Ping Chen,Chung-Yi Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-12-26.

Method for forming self-aligned dielectric cap above floating gate

Номер патента: US20100081267A1. Автор: Takashi Orimoto,Henry Chien,Vinod Robert Purayath,George Matamis,James K. Kai. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

method for forming self aligned field effect transistor structure

Номер патента: KR101070408B1. Автор: 백규하,도이미. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2011-10-06.

SELF-ALIGNED SILICIDATION FOR REPLACEMENT GATE PROCESS

Номер патента: US20130092957A1. Автор: KNORR Andreas,Kammler Thorsten,Sultan Akif,SEN Indradeep. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-04-18.

SELF-ALIGNED SILICIDE FORMATION ON SOURCE/DRAIN THROUGH CONTACT VIA

Номер патента: US20150318395A1. Автор: Uozumi Yoshihiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Method of forming graphene nanopattern by using mask formed from block copolymer

Номер патента: US09748108B2. Автор: Seongjun Park,Yunseong LEE,Seongjun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming contact hole and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060134910A1. Автор: Pin-Yao Wang,Min-San Huang,Leon Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20120119282A1. Автор: Wen-Pin Lu,Tzung-Ting Han,Yu-Fong Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

METHOD OF FORMING SELF ALIGNED GRIDS IN BSI IMAGE SENSOR

Номер патента: US20200135798A1. Автор: Lu Jiech-Fun,Tsao Tsun-Kai,Wu Wei Chuang,Chou Shih-Pei. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

METHOD OF FORMING SELF ALIGNED GRIDS IN BSI IMAGE SENSOR

Номер патента: US20210280630A1. Автор: Lu Jiech-Fun,Tsao Tsun-Kai,Wu Wei Chuang,Chou Shih-Pei. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Method of forming self aligned grids in bsi image sensor

Номер патента: KR102300877B1. Автор: 웨이 추앙 우,춘-카이 차오,시-페이 초우,지에츠-펀 루. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-09-14.

Method of forming self-aligned stacked capacitor

Номер патента: US20020022321A1. Автор: Ching-ming Lee,Wunn-Shien Liao,Ky Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of forming self aligned grids and semiconductor structure for bsi image sensor

Номер патента: TW202018928A. Автор: 周世培,盧玠甫,吳尉壯,曹淳凱. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2020-05-16.

Forming self-aligned contacts on pillar structures

Номер патента: US20180308897A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Eugene J. O'Sullivan,Anthony J. Annunziata,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

FORMING SELF-ALIGNED CONDUCTIVE LINES FOR RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORIES

Номер патента: US20160028002A1. Автор: Tortorelli Innocenzo,Petruzza Pietro,Pellizzer Fabio. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED AIRGAP INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20150054122A1. Автор: Lin Qinghuang,Fletcher Benjamin L.,Cabral Cyril. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

METHODS AND APPARATUSES TO FORM SELF-ALIGNED CAPS

Номер патента: US20150270224A1. Автор: Singh Kanwal Jit,Boyanov Boyan. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS ON PILLAR STRUCTURES

Номер патента: US20180261649A1. Автор: "OSullivan Eugene J.",EDELSTEIN Daniel C.,Utomo Henry K.,Annunziata Anthony J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

FORMING SELF-ALIGNED CONDUCTIVE LINES FOR RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORIES

Номер патента: US20160293842A1. Автор: Tortorelli Innocenzo,Petruzza Pietro,Pellizzer Fabio. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-10-06.

FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS ON PILLAR STRUCTURES

Номер патента: US20180308897A1. Автор: "OSullivan Eugene J.",EDELSTEIN Daniel C.,Utomo Henry K.,Annunziata Anthony J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS ON PILLAR STRUCTURES

Номер патента: US20180308898A1. Автор: "OSullivan Eugene J.",EDELSTEIN Daniel C.,Utomo Henry K.,Annunziata Anthony J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

SELF-ALIGNED SILICIDE FORMATION ON SOURCE/DRAIN THROUGH CONTACT VIA

Номер патента: US20130092988A1. Автор: Uozumi Yoshihiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-04-18.

STRUCTURE FOR SELF-ALIGNED SILICIDE CONTACTS TO AN UPSIDE-DOWN FET BY EPITAXIAL SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20140183637A1. Автор: Lauer Isaac,Cohen Guy M.,Frank David J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for producing self-aligned silicide MOSFET

Номер патента: TW393691B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Tsmc Acer Semiconductor Mfg Co. Дата публикации: 2000-06-11.

Image sensor having self-aligned silicide layer

Номер патента: TW416155B. Автор: Sang-Hoon Park. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2000-12-21.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Method of forming semiconductor structures for converting the radio-chemical decay of c-14 into electric energy

Номер патента: RU2714783C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2020-02-19.

Method of forming hexagonal silicon phase by implanting krypton ions in a film of silicon oxide on a monocrystalline silicon wafer

Номер патента: RU2710479C1. Автор: Давид Исаакович Тетельбаум,Алексей Николаевич Михайлов,Дмитрий Сергеевич Королев,Дмитрий Алексеевич Павлов,Николай Олегович Кривулин,Валерий Константинович Васильев,Алёна Андреевна Никольская. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-12-26.

Methods of electrically contacting to conductive plugs, methods of forming contact openings, and methods of forming dynamic random access memory circuitry

Номер патента: US20010012657A1. Автор: Martin Roberts,Kunal Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Method of forming a submicron t-shaped gate

Номер патента: RU2724354C1. Автор: Евгений Викторович Ерофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2020-06-23.

Microelectrode array unit having liquid crystal polymer, and method of making said unit

Номер патента: RU2488914C2. Автор: Сун Джун КИМ,Сеун Воо ЛИ,Чоон Джае ЛИ,Соонкван АН. Владелец: Нуро Био-Системз Корп.. Дата публикации: 2013-07-27.

Construction Of Integrated Circuitry And A Method Of Forming An Elevationally-Extending Conductor Laterally Between A Pair Of Structures

Номер патента: US20190139893A1. Автор: Silvia Borsari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and capacitor constructions

Номер патента: US20020076938A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lingyi Zheng,Behnam Moradi,John Packard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Methods of forming contacts,methods of contacting lines,methods of operating integrated circuitry , and integrated circuits

Номер патента: US20020016053A1. Автор: Tyler A. Lowrey,Robert Kerr,Luan C. Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Method of forming contacts, methods of contacting lines, methods of operating integrated circuitry, and integrated circuits

Номер патента: US20030075810A1. Автор: Robert Kerr,Tyler Lowrey,Luan Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and capacitor constructions

Номер патента: US20020066920A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lingyi Zheng,Behnam Moradi,John Packard. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of forming a silicide interconnect over a silicon comprising substrate and method of forming a stack of refractory metal nitride over refractory metal silicide over silicon

Номер патента: US20010014532A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Apparatuses including stair-step structures and methods of forming the same

Номер патента: US09870990B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Apparatuses including stair-step structures and methods of forming the same

Номер патента: US09466531B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

A construction of integrated circuitray and a method of forming an elevationally-extending conductor laterally between a pair of structures

Номер патента: WO2018194713A1. Автор: Silvia Borsari. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-10-25.

Array Of Capacitors, Array Of Memory Cells, Methods Of Forming An Array Of Capacitors, And Methods Of Forming An Array Of Memory Cells

Номер патента: US20220037342A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of forming shape on mask based on deep learning, and mask manufacturing method using the method of forming the shape on mask

Номер патента: US11747721B2. Автор: Mincheol Kang,Useong KIM,Woojoo SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of forming via hole, array substrate and method of forming the same and display device

Номер патента: US20180233379A1. Автор: Zhidong Yuan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of forming wiring pattern, and method of forming source electrode and drain electrode for TFT

Номер патента: US20060051500A1. Автор: Toshimitsu Hirai,Shinri Sakai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Method of forming a capacitor and an electrical connection thereto, and method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20010055850A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Semiconductor packaging structure and method of forming the same

Номер патента: US20190319010A1. Автор: Boo Yang Jung,Jason Au. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-10-17.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09812455B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Substrate mask patterns, methods of forming a structure on a substrate, methods of forming a square lattice pattern from an oblique lattice pattern, and methods of forming a pattern on a substrate

Номер патента: US09741580B2. Автор: Kevin R. Shea,William R. Brown,Ranjan Khurana,Anton J. deVilliers,Shane J. Trapp,Vishal Sipani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Alignment structures and methods of forming same

Номер патента: US09646944B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of forming through-hole in silicon substrate, method of forming electrical connection element penetrating silicon substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09633930B2. Автор: Jaegab LEE,Daekyun JEONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of forming electromagnetic interference shielding layer of ball grid array semiconductor package and base tape for the method

Номер патента: US09613913B2. Автор: Sung Hwan Choi,Tae Sup HAN. Владелец: Protec Co Ltd Korea. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of forming patterns and method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US09613821B2. Автор: Dong-won Kim,Tae-hoon Kim,Ju-Young Kim,Yool Kang,Su-min Park,Hyung-Rae Lee,Hye-Ji Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09589962B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Interconnect structures and methods of forming same

Номер патента: US09589862B2. Автор: Chung-Shi Liu,Hsien-Wei Chen,Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Tsung-Yuan Yu,Hsuan-Ting Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods of forming contacts for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US09564442B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Dylan R. MACMASTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Processing method of substrate and manufacturing method of liquid ejection head

Номер патента: US09552984B2. Автор: Ryoji Kanri,Atsushi Hiramoto,Atsunori Terasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US09466612B2. Автор: Jung Ho Kim,Dongwoo Kim,Yong-Hoon Son,Daehyun Jang,Myoungbum Lee,Kihyun Hwang,Sangryol Yang,Ju-Eun Kim,Sunghae Lee,JinGyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Alignment structures and methods of forming same

Номер патента: US09355979B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of patterning capacitors and capacitors made thereby

Номер патента: US20040063278A1. Автор: Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Karl Hornik,Jenny Lian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Method of patterning capacitors and capacitors made thereby

Номер патента: WO2004030069A2. Автор: Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Karl Hornik,Jenny Lian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor Constructions, Memory Arrays, Methods of Forming Semiconductor Constructions and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20140021439A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Standard cell device and method of forming an interconnect structure for a standard cell device

Номер патента: US20200328109A1. Автор: Juergen Boemmels,Julien Ryckaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-10-15.

Capacitors, methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor dielectric layers

Номер патента: US20030045050A1. Автор: John Moore,Scott DeBoer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Method of forming carbon layer and method of forming interconnect structure

Номер патента: US20220068633A1. Автор: Hyeonjin Shin,Keunwook SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Methods of forming a metal telluride material, related methods of forming a semiconductor device structure, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140227863A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Methods of forming features in semiconductor device structures

Номер патента: US20140145311A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Xue Chen,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Structure of integrated circuitry and a method of forming a conductive via

Номер патента: US09960114B1. Автор: Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Naoyoshi Kobayashi,Andrew L. Li,Katsumi Koge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming Cu pillar bump with non-metal sidewall spacer and metal top cap

Номер патента: US09685372B2. Автор: Chung-Shi Liu,Yi-Wen WU,Hui-Jung TSAI,Chien Ling Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Through via structure, methods of forming the same

Номер патента: US09608026B2. Автор: Byung-Jun Park,Seung-Hun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Forming method and method of manufacturing article

Номер патента: US09564374B2. Автор: Masaki Mizutani,Kenichiro Mori,Seiya Miura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3044815A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Method of forming p-n junction on zno thin film and p-n junction thin film

Номер патента: US20030183818A1. Автор: Young-Chang Kim,Sang-Yeol Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of forming a double-layer light-absorbing electroconductive structure

Номер патента: RU2714273C1. Автор: Евгений Алексеевич Гудилин,Андрей Андреевич Петров,Сергей Анатольевич Фатеев,Алексей Борисович Тарасов,Николай Андреевич Белич,Алексей Юрьевич Гришко,Наталья Николаевна Шлёнская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-02-13.

Structures, lithographic mask forming solutions, mask forming methods, field emission display emitter mask forming methods, and methods of forming plural field emission display emitters

Номер патента: US20020006557A1. Автор: David Wells,Eric Knappenberger,James Alwan,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same

Номер патента: RU2586452C2. Автор: Акинори ЁНЭДА,Хирофуми КАВАГУТИ,Коитирох ДЭГУТИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

Semiconductive substrate processing methods and methods of processing a semiconductive substrate

Номер патента: US20030022076A1. Автор: David Wells,Eric Knappenberger,James Alwan,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: US20020045313A1. Автор: D. Durcan,Tyler Lowrey,Luan Tran,Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: US20010001489A1. Автор: D. Durcan,Tyler Lowrey,Luan Tran,Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Methods of forming capacitors, methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: EP1589575A3. Автор: Tyler A Lowrey,Luan C Tran,D Mark Durcan,Alan R Reinburg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-02.

A method of forming nano-patterns on a substrate

Номер патента: SG11201901931UA. Автор: Arseniy KUZNETSOV,Yefeng YU,Kwang Wei Joel Yang,Zhaogang DONG,Ramon Paniagua-Dominguez. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2019-04-29.

Method of Forming Bump, Method of Forming Image Sensor Using the Method, Semiconductor Chip and the Sensor so Formed

Номер патента: US20070105360A1. Автор: Jong-Wook Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-10.

Method of treating substrates and substrate treated using said method

Номер патента: RU2459312C2. Автор: Казуя САЙТО,Сусуму САКИО,Хидео ТАКЕИ,Казухиро ВАТАНАБЕ,Синсуке ИГУТИ,Хироюки ЯМАКАВА,Кюзоу НАКАМУРА,Юй-хсынь ЛИНЬ,Хуан-чун ЧАН,Тун-Цзюн У. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2012-08-20.

Photosensitive device and method of its manufacture

Номер патента: RU2685032C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Генадий Викторович Святец,Константин Павлович Котляр,Родион Романович Резник,Илья Петрович Сошников,Георгий Эрнстович Цырлин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-04-16.

Methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry

Номер патента: EP1603152A3. Автор: Tyler A. Lowrey,Alan R. Reinberg,Luan C. Tran,D Mark Durcan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-16.

Method of forming conductive bumps for cooling device connection

Номер патента: US09899296B2. Автор: Perre Kao,Chun-Jen Chen,You-Hua Chou,Yi-Jen LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Hybrid ultrasonic transducer and method of forming the same

Номер патента: US10944041B1. Автор: Ching-Hui Lin,Chun-Ren Cheng,Fu-Chun Huang,Yi Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

Methods of Forming an Array Comprising Pairs of Vertically Opposed Capacitors and Arrays Comprising Pairs of Vertically Opposed Capacitors

Номер патента: US20180122798A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors and arrays comprising pairs of vertically opposed capacitors

Номер патента: WO2018085016A2. Автор: Durai Vishak Nirmai RAMASWAMY. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-05-11.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180342671A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Method of manufacturing heat sink and heat sink

Номер патента: US20210138592A1. Автор: Keiichi Takahashi,Kazuto Arai. Владелец: Nakamura Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Material pattern, and mold, metal thin-film pattern, metal pattern using thereof, and methods of forming the same

Номер патента: US8278028B2. Автор: Jun-Bo Yoon,Koeng Su Lim,Jin-Wan Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2012-10-02.

Post bump and method of forming the same

Номер патента: US20090184420A1. Автор: Chang-Sup Ryu,Seung-Hyun Cho,Seung-Wan Kim,Jin-won Choi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-23.

Method of producing substrate and method of producing display device

Номер патента: US20190350085A1. Автор: Mikihiro Noma. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Methods of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors and arrays comprising pairs of vertically opposed capacitors

Номер патента: US09935114B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors and arrays comprising pairs of vertically opposed capacitors

Номер патента: US09761580B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09627620B2. Автор: Chungi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of forming an integrated circuit device including a pillar capped by barrier layer

Номер патента: US09627339B2. Автор: Wei Sen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Stack of horizontally extending and vertically overlapping features, methods of forming circuitry components, and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US09564471B2. Автор: Sanh D. Tang,Roger W. Lindsay,Krishna K. Parat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming semiconductor structures with contact holes

Номер патента: US09449822B2. Автор: Joy Cheng,Kuang-Jung Chen,Wu-Song Huang,Wai-Kin Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09385262B2. Автор: Yukinobu Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of forming self-aligned mask ROM

Номер патента: US6420235B1. Автор: Ling-Sung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Method of forming insulated electric conductor

Номер патента: RU2648996C2. Автор: Аллан Рой ГЕЙЛ,Ларри Дин ЭЛИ,Клей Уэсли МАРАНВИЛЛ,Джон Мэттью ДЖИНДЕР. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of forming direction finding radiation patterns in a circular electronic scanning antenna

Номер патента: RU2680729C1. Автор: Олег Станиславович Алексеев,Анатолий Исакович Синани,Георгий Феодосьевич Мосейчук,Александр Николаевич Грибанов,Игорь Владимирович Голиков. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2019-02-26.

Method of transverse pumping of working medium of laser

Номер патента: RU2714781C1. Автор: Сергей Григорьевич Гаранин,Григорий Николаевич Качалин,Станислав Михайлович Куликов,Станислав Александрович Сухарев,Николай Александрович Кирдяев,Кирилл Викторович Комаров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-02-19.

Method of forming differential direction diagrams in antennas of circular electronic scanning

Номер патента: RU2680732C1. Автор: Олег Станиславович Алексеев,Анатолий Исакович Синани,Георгий Феодосьевич Мосейчук,Александр Николаевич Грибанов,Игорь Владимирович Голиков. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2019-02-26.

Method of forming a transmitting and receiving radiation pattern in an antenna of circular electronic scanning

Номер патента: RU2714533C1. Автор: Олег Станиславович Алексеев,Анатолий Исакович Синани,Георгий Феодосьевич Мосейчук,Александр Николаевич Грибанов,Игорь Владимирович Голиков. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2020-02-18.

Method of forming electric heating element by method of plasma sputtering metal and/or metal oxide matrix

Номер патента: RU2383956C2. Автор: Джефри БОРДМАН. Владелец: 2Д Хит Лимитед. Дата публикации: 2010-03-10.

Method of generating an encryption/decryption key

Номер патента: RU2695050C1. Автор: Виктор Алексеевич Яковлев,Павел Владимирович Лебедев,Юрий Владимирович Ковайкин,Андрей Владимирович Бесков,Павел Геннадьевич Романенко,Михаил Леонардович Вотинов,Андрей Викторович Уйманов,Александр Юрьевич Жук,Антон Владимирович Шатров. Владелец: Павел Владимирович Лебедев. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of producing superconducting articles

Номер патента: RU2706214C2. Автор: Борис Петрович Михайлов,Валерий Яковлевич Никулин,Анастасия Сергеевна Цаплева,Елена Нинелевна Перегудова,Павел Викторович Силин,Александра Борисовна Михайлова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-11-15.

Method of forming carbon nanotubes, field emission display device having carbon nanotubes formed through the method, and method of manufacturing field emission display device

Номер патента: US20060202609A1. Автор: Jin Jang,Sung-hoon Lim,Kyu-Chang Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Method of forming a carbon nanotube structure and method of manufacturing field emission device using the method of forming a carbon nanotube structure

Номер патента: US20080003733A1. Автор: In-taek Han,Ha-Jin Kim,Young-Chul Choi,Kwang-Seok Jeong. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of forming elliptical direction diagram for active phased antenna array

Номер патента: RU2642515C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Александр Федотович Крячко,Таджидин Экберович Саркаров,Александр Сергеевич Шкурко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-25.

Methods of forming biocompatible rechargable energisation elements for biomedical devices

Номер патента: RU2675797C2. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Шивкумар МАХАДЕВАН,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Дэниел Б. ОТТС. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-12-25.

Stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120069487A1. Автор: Tatsuya Nakamura,Hitoshi Noguchi,Naoki Tanaka. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-22.

Method of forming connector press-connecting terminal

Номер патента: US20020031957A1. Автор: Yujiro Imai. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Manufacturing method of electrode outer casing

Номер патента: US12103289B2. Автор: Satoshi Nakashima. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of forming hollow single-crystal cylindrical tubes

Номер патента: RU2630811C1. Автор: Мырзамамат Арзиевич Каримбеков,Виктор Васильевич Новокрещенов,Регина Владимировна Родякина,Вячеслав Николаевич Ластовиря. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2017-09-13.

Method for forming self-aligned thermal isolation cell for a variable resistance memory array

Номер патента: TW200725810A. Автор: Erh-Kun Lai,Chia-Hua Ho,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-01.

Self-aligned, silicided, trench-based, dram/edram processes with improved retention

Номер патента: US20060160298A1. Автор: Kim Bosang,Herbert Ho,Babar Khan,Oh-Jung Kwon,Deok-kee Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Method to form self-aligned split gate flash with L-shaped wordline spacers

Номер патента: US6784039B2. Автор: Chia-Ta Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Method of forming self-aligned V-grooves and waveguides

Номер патента: IE913491A1. Автор: Anthony David Welbourn. Владелец: British Telecomm. Дата публикации: 1992-04-22.

Method of forming self-aligned v-grooves and waveguides

Номер патента: IE79653B1. Автор: Anthony David Welbourn. Владелец: British Telecomm. Дата публикации: 1998-05-20.

Method of forming common secret key of two remote subscribers

Номер патента: RU2719554C1. Автор: Дмитрий Николаевич Молдовян. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2020-04-21.

Method of forming parameters of electric signals for digital electrical substations and device for its implementation

Номер патента: RU2706723C1. Автор: Ильдар Ахатович Гиниятуллин,Глеб Борисович Гублер. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие Марс-Энерго". Дата публикации: 2019-11-20.

Streaming dot pattern, method of forming streaming dot pattern, method for information input/output using streaming dot pattern and dot pattern

Номер патента: RU2568308C2. Автор: Кенджи ЙОШИДА. Владелец: Кенджи ЙОШИДА. Дата публикации: 2015-11-20.

Method of forming relief from electronic or photonic material

Номер патента: RU2495515C2. Автор: Хеннинг ЗИРРИНГХАУС,Цзуй-Фэнь ЧАН. Владелец: Кембридж Энтерпрайз Лимитед. Дата публикации: 2013-10-10.

A method of providing a marking to a solid-state material, markings formed from such a method and solid-state materials marked according to such a method

Номер патента: WO2022127759A9. Автор: Jianxing Huang,Yingnan WANG. Владелец: GOLDWAY TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2022-10-13.

Method of forming superconducting thin film with local regions of variable thickness

Номер патента: RU2580213C1. Автор: Александр Геннадьевич Кузин,Геннадий Михайлович Серопян,Андрей Анатольевич Теплоухов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского". Дата публикации: 2016-04-10.

Methods of making bulk metallic glass from powder and foils

Номер патента: US20180080109A1. Автор: Naoto Matsuyuki,Yoshihiko Yokoyama,Theodore A. Waniuk. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Methods of forming microelectronic devices including staircase structures, and related microelectronic devices

Номер патента: WO2024228811A1. Автор: Yiping Wang,David H. Wells,Mojtaba Asadirad,Harsh Narendrakumar Jain,Matthew J. King. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods of forming microelectronic devices including staircase structures, and related microelectronic devices

Номер патента: US20240373636A1. Автор: Yiping Wang,David H. Wells,Mojtaba Asadirad,Harsh Narendrakumar Jain,Matthew J. King. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of producing electrophotographic photosensitive member, method of producing organic device, and emulsion for charge transporting layer

Номер патента: US09575422B2. Автор: Atsushi Okuda,Yohei Miyauchi,Keiko Yamagishi,Kimihiro Yoshimura,Harunobu Ogaki,Hiroki Uematsu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Device and method of implementation of image display support

Номер патента: RU2627097C2. Автор: Харальд ГРАЙНЕР,Ули ТЕССЕЛЬ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of forming high-density thick piezoelectric layer and piezoelectric device including high-density thick piezoelectric layer formed using the method

Номер патента: US20080122319A1. Автор: Jae-Woo Chung,Tae-Kyung Lee,Seung-Mo Lim,Hwa-Sun Lee,Kyo-yeol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of forming pixel cell for three-dimensional image display

Номер патента: US20050057567A1. Автор: Sang-Hoon Shin,Jung-Young Son,Yong-jin Choi,Kae-Dal Kwack,Saveliev Vladmir. Владелец: Hanyang Hak Won Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-17.

Processing methods of forming integrated circuitry memory devices, methods of forming DRAM arrays, and related semiconductor masks

Номер патента: US20010051409A1. Автор: Kris Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Processing methods of forming integrated circuitry memory devices, methods of forming DRAM arrays, and related semiconductor masks

Номер патента: US20030003654A1. Автор: Kris Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Manufacturing method of magnetoresistive effect element, manufacturing method of thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US20070279801A1. Автор: Takeo Kagami,Naoki Ohta. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Method for forming self-aligned overlay mark

Номер патента: US8664077B2. Автор: David Pratt,Vinay Nair,Christopher Hawk,Richard Housley. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-03-04.

Method for forming self aligning contact window structure on semiconductor substrate

Номер патента: CN1365137A. Автор: 曾鸿辉. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-08-21.

Method of forming hydraulic curtain (embodiments), method of protecting fish from ingress into water intake (embodiments), method of antifouling protection (embodiments), fish-protection device, complex fish-protective device (embodiments), protective element

Номер патента: RU2697091C2. Автор: Сергей Николаевич Салиенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Осанна" (ООО "Осанна"). Дата публикации: 2019-08-12.

Needle for insertion of implant and method of its implementation

Номер патента: RU2685765C2. Автор: Оливер КУБЕ,Штефан-Михаэль ФРАЙ,Андреа РИТТИНГХАУС. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2019-04-23.

Design of form to make stairs and stair platforms, method to manufacture such form and method of its usage

Номер патента: RU2525407C2. Автор: Пьеро КРЕТТИ. Владелец: Пластедиль С.А.. Дата публикации: 2014-08-10.

Methods of forming solid-woven multilayer shells of variable thickness (embodiments)

Номер патента: RU2765455C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2022-01-31.

Method of production of polyethyleneterephthalate containers with a shifted from its center nozzle

Номер патента: RU2261176C2. Автор: Мауро ФИББЬЯ,Альберто АРМЭЛЛИН. Владелец: Сипа С.П.А.. Дата публикации: 2005-09-27.

Method of producing isosorbide di(meth)acrylate

Номер патента: RU2703461C2. Автор: Мартин КАЛЛЕР,Кристоф ФЛЕККЕНШТАЙН,Андреа Мисске,Фридерике Фляйшхакер,Ритеш НАИР,Ульрик ШТЕНГЕЛЬ,Матие БЛАНХОТ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2019-10-17.

Method of forming thin films, device for forming thin films, and thin film forming process monitoring method

Номер патента: RU2324765C2. Автор: Тосиаки КАКЕМУРА,Хирото КАСИМА,Манабу ЦУДЗИНО. Владелец: Топпан Принтинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-05-20.

Absorbing cores and methods of their formation

Номер патента: RU2680946C1. Автор: Майкл Б. ВЕНТУРИНО,Джозеф Дж. СИНА. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2019-02-28.

Treatment method of wood biomass in form of combustive chips with receiving of bio-oil and wood coal and drying-retort module for treatment of wood biomass in form of combustive chips with receiving of bio-oil and wood coal

Номер патента: RU2338770C1. Автор: Владимир Николаевич Пиялкин,лкин Владимир Николаевич Пи,Юрий Николаевич Пильщиков,Сергей Анатольевич Прокопьев,Валентин Михайлович Глуховский,Алексей Яковлевич Киповский,Иль Игоревич Белоусов,Илья Игоревич Белоусов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АРС Группа". Дата публикации: 2008-11-20.

Method of identifying elastic afterworking cause, method of displaying influence of elastic afterworking, method of identifying location of elastic afterworking cause, method of identifying position of elastic afterworking preventer, devices for their implementation and programmes

Номер патента: RU2424074C2. Автор: Ясухару ТАНАКА,Тосиюки НИВА,Сеиити ДАИМАРУ,Юкихиса КУРИЯМА,Такаси АРИГА,Тору Ёсида,Сундзи ХИВАТАСИ,Сатору ОКАЯМА. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2011-07-20.

Method of obtaining population of cells, expressing puripotency markers and markers, characteristic of formed endoderm line

Номер патента: RU2553538C2. Автор: Алиреза РЕЗАНИА. Владелец: Сентокор Орто Байотек Инк.. Дата публикации: 2015-06-20.

Overmolded medical connector tubing and method of producing same

Номер патента: RU2649471C2. Автор: Майкл А. СПОН,Кори Дж. ПРАЙС,Эндрю В. МЕЙЕР. Владелец: БАЙЕР ХелсКер ЛЛСи. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of determining inclination angles of reflecting boundaries in a geological environment from profile seismic survey data 2d

Номер патента: RU2692001C1. Автор: Владимир Иванович Бондарев,Сергей Михайлович Крылатков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный горный университет" (ФГБОУ ВО "УГГУ"). Дата публикации: 2019-06-19.

Method of forming pressurized lubricating circuit in engine component (versions)

Номер патента: RU2697295C2. Автор: Энтони Джордж ШЕПАК,Клифф Е. МАКИ,Мэтью Леонард ХИНТЦЕН,Марк В ТИБОЛЬТ. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2019-08-13.

Method of producing a polyorganosiloxane-based stamp, a polyorganosiloxane-based die, use thereof for the printing process and a method for imprinting using it

Номер патента: RU2741506C2. Автор: Маркус Антониус ВЕРСХЮИРЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-01-26.

Method of foarming the skill of constructing symmetrical images in connection with the training of the eye and the device for its implementation

Номер патента: RU2749251C1. Автор: Сергей Аркадьевич Новоселов,Лариса Ивановна Львова,Лидия Сергеевна Попова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный педагогический университет" (УрГПУ). Дата публикации: 2021-06-07.

Method of producing structural component from composite material reinforced by fibers using formed core, and formed core

Номер патента: RU2445206C2. Автор: Торбен ЯКОБ,Йоахим ПИПЕНБРОК. Владелец: Эйрбас Оперейшинз Гмбх. Дата публикации: 2012-03-20.

Method of producing a collagen-based coating by aerosol spraying from an aqueous dispersion

Номер патента: RU2730839C1. Автор: Алексей Валентинович Ромашкин,Денис Дмитриевич Левин,Юрий Александрович Поликарпов,Владимир Кириллович Неволин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-08-26.

Method of forming and apparatus for generating satellite constellation

Номер патента: RU2719067C2. Автор: Дзунити АМИМОТО,Масанобу ФУДЗИМУРА. Владелец: АйЭйчАй АЭРОСПЕЙС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2020-04-17.

Method of forming an element of x-ray optics

Номер патента: RU2707766C1. Автор: Валерий Васильевич Савин,Анатолий Александрович СНИГИРЕВ,Виктория Чайка,Иван Сергеевич Жеребцов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта" (БФУ им. И. Канта). Дата публикации: 2019-11-29.

Electrode for electric discharge surface treatment, method of electric discharge surface treatment, and device for electric discharge surface treatment

Номер патента: RU2325468C2. Автор: Акихиро ГОТО,Масао АКИЁСИ,Кацухиро МАЦУО,Хироюки ОТИАИ,Мицутоси ВАТАНАБЕ,Такаси ФУРУКАВА. Владелец: Исикавадзима-Харима Хеви Индастриз Ко., Лтд. Дата публикации: 2008-05-27.

Method of forming and structuring an electronic database

Номер патента: RU2696295C1. Автор: Алексей Викторович Морозов. Владелец: Алексей Викторович Морозов. Дата публикации: 2019-08-01.

Perfected method of producing composite materials

Номер патента: RU2451601C2. Автор: Бенджамин ФЭРМЕР,Марсель БАКЛИ. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Лимитед. Дата публикации: 2012-05-27.

METHOD OF SIMULTANEOUS REDUCTION OF AMOUNT OF NOx, CO AND CARBON IN ASH AND ADDITIVE FOR COAL

Номер патента: RU2268915C1. Автор: Стефен А. ФЭКТОР,Томмасо ДИДЖИАМБЕРАРДИНО. Владелец: Афтон Кемикал Корпорейшн. Дата публикации: 2006-01-27.

Respirator made of one or more webs of material, airlaid, manufactured on place of forming respirator

Номер патента: RU2564624C1. Автор: Тьен Т. ВУ,Джон Т. ТУШАУС,Джерри А. ХОФФДАЛ. Владелец: 3М Инновэйтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2015-10-10.

Method of forming fiber bragg grating with phase shift

Номер патента: RU2676191C1. Автор: Сергей Владимирович Варжель,Алексей Иванович Грибаев,Кирилл Александрович Коннов,Виктория Александровна Новикова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-12-26.

Method of manufacturing capacitive deionization (cdi) device, cdi device and apparatus for treating water, electrode for capacitive deionization and method of forming same

Номер патента: SG11201903410XA. Автор: Cheng Zhou,Meng Ding,Hui Ying YANG,Zhi Yi LEONG,Francois Zaviska,Xianfen Wang. Владелец: Univ Singapore Technology & Design. Дата публикации: 2019-05-30.

Cyclosporine suspensions a of form 2

Номер патента: RU2641963C2. Автор: Анурадха В. ГОР,Прем Сваруп МОХАНТИ,Э. Квинн ФАРНЕС. Владелец: Аллерган, Инк.. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of forming articles of composite material

Номер патента: RU2603798C1. Автор: Николай Викторович Степанов,Галина Михайловна Разина,Татьяна Петровна Асеева,Елена Юрьевна Зайцева. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина". Дата публикации: 2016-11-27.

Method of forming porous fibres

Номер патента: RU2739906C1. Автор: Василий А. ТОПОЛКАРАЕВ,Райан Дж. МАКИНИНИ,Юэвень СЮЙ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2020-12-29.

Method of forming recommended routes for railway cars

Номер патента: RU2745549C1. Автор: Александр Владимирович Докучаев,Андрей Петрович Котенко,Андрей Андреевич Котенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2021-03-26.

Method of determining humidity threshold for formation of gas hydrate in samples of natural coal

Номер патента: RU2725047C1. Автор: Валерий Васильевич Дырдин,Вячеслав Геннадьевич Смирнов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кузбасский государственный технический университет имени Т.Ф. Горбачева" (КузГТУ). Дата публикации: 2020-06-29.

Method of forming a gingival cuff in the dental implant area from autogenous tissue of the patient attached on the bone

Номер патента: RU2750275C1. Автор: Сергей Сергеевич ЕДРАНОВ. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Профессорская клиника Едранова". Дата публикации: 2021-06-25.

Small crystal ferrierite and method of making the same

Номер патента: RU2640072C9. Автор: Хун-синь ЛИ,Антон ПЕТУШКОВ,Уильям Е. КОРМАЙЕР. Владелец: ПиКью КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-05-30.

Method of obtaining agent for the treatment of solid-hoofed animals with parasitosis

Номер патента: RU2681214C1. Автор: Шахаб Вахидович Вацаев,Владислав Евгеньевич Абрамов,Виктор Васильевич Гришин,Маулды Баудинович Мусаев,Иван Алексеевич Архипов,Ирина Евгеньевна Шумакович,Надежда Борисовна Емельянова,Павел Павлович Кочетков,Имран Русланович Салгириев,Айшет Зеудыевна Джамалова,Хеди Имрановна Берсанова,Виктория Владимировна Защепкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной ветеринарии имени К.И. Скрябина и Я.Р. Коваленко Российской академии наук. Дата публикации: 2019-03-05.

Method of shaping profile of specified shape for stretch ceilings

Номер патента: RU2735136C1. Автор: Руслан Тимихович Бекоев. Владелец: ПИНЧУК Алексей Геннадьевич. Дата публикации: 2020-10-28.

Method of metals extraction form oil dross

Номер патента: RU2348707C1. Автор: Сергей Викторович Дигонский,Виталий В чеславович Тен,Виталий Вячеславович Тен. Владелец: Виталий Вячеславович Тен. Дата публикации: 2009-03-10.

Method of forming ocular lens and lenses thus formed

Номер патента: RU2495749C2. Автор: Питер В. САЙТС,Майкл Ф. УИДМЭН,Джон Б. ЭННС,П. Марк ПАУЭЛЛ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2013-10-20.

Method of forming anti-friction coating by the automated device of powder material supply in the laser processing area

Номер патента: RU2652335C1. Автор: Евгений Викторович Харанжевский,Алексей Геннадьевич Ипатов,Юлия Юрьевна Матвеева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФторКОМ". Дата публикации: 2018-04-25.

Method of forming bidomain structure in ferrielectric monocrystal plates

Номер патента: RU2566142C2. Автор: Александр Сергеевич Быков,Юрий Николаевич Пархоменко,Дмитрий Александрович Киселев,Михаил Давыдович Малинкович,Роман Николаевич Жуков,Илья Викторович Кубасов,Седрак Гургенович Григорян. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2015-10-20.

Method of forming transport road (versions)

Номер патента: RU2582685C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-04-27.

Method of forming steps of resistance increment in a four-wire simulator of signals of strain gauges and a simulator of signals of strain gauges

Номер патента: RU2724321C1. Автор: Евгений Георгиевич Зубов,Геннадий Андреевич Витютин,Шамиль Магамедович Загидуллин,Михаил Александрович Левченко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ"). Дата публикации: 2020-06-22.

Vibration isolator "double bell" (versions) and method of manufacturing of its elastic hysteresis elements from wire material

Номер патента: RU2626787C2. Автор: Александр Иванович Ермаков,Изольд Давидович Эскин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева" (национальный исследовательский университет)" (СГАУ). Дата публикации: 2017-08-01.

Method of producing adiponitrile

Номер патента: RU2373191C2. Автор: Филипп Леконт,Беатрис БАРАТО. Владелец: Родиа Шими. Дата публикации: 2009-11-20.

Method of making element from fibrous composite material and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2584739C2. Автор: Гернот ШНАЙДЕРБАУЭР,Олаф КОХ. Владелец: Фасс Аг. Дата публикации: 2016-05-20.

Method of producing stereoscopic images with a synthesized stereo base value

Номер патента: RU2703611C1. Автор: Аркадий Сергеевич Фомкин,Леонид Семёнович Капелюшник. Владелец: Акционерное общество "Стелла-К". Дата публикации: 2019-10-21.

Method of forming photo-alignment film and method of forming liquid crystal layer

Номер патента: US12124061B2. Автор: Hiroshi Sato,Yukito Saitoh,Fumitake Mitobe,Katsumi SASATA,Akiko Watano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of providing data relating to the patients of medical institution

Номер патента: RU2586854C1. Автор: Олег Николаевич Бодин,Касымбек Адильбекович Ожикенов,Фагим Касымович Рахматуллов,Виталий Германович Полосин,Максим Игоревич Сафронов,Антон Сергеевич Сергеенков,Светлана Александровна Балахонова,Антон Александрович Иванчуков,Абдуразак Оразгелдиевич Касимов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет"). Дата публикации: 2016-06-10.

Method of forming of composite material of empty aerodynamic surfaces - 1

Номер патента: RU2674972C2. Автор: Виктор Степанович Ермоленко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Фирма "МВЕН". Дата публикации: 2018-12-13.

Method of forming hydraulic resistance lengthwise fish conduit and fish pass implementing the method

Номер патента: RU2245415C1. Автор: А.А. Чистяков,ков А.А. Чист. Владелец: Новочеркасская государственная мелиоративная академия НГМА. Дата публикации: 2005-01-27.

Confectionery product with filling (options) and method of its making

Номер патента: RU2647280C2. Автор: Лок Яан Амброзе ЧАН,ШоМенг ЧИН,Луис БОРДЕРА,Деннис АБАД,Венди ЛАУ. Владелец: Вм. Ригли Джр. Компани. Дата публикации: 2018-03-15.

Method of producing metal parts, in which deposition of material is used, and device for realizing said method

Номер патента: RU2723496C2. Автор: Ян СМОЛИК,Иван ДИВИС,Томас ФОРМУСЕК,Франтисек КОМАРЕК,Ян МАЛЫ,Станислав ХОСНЕДЛ. Владелец: Ковосвит Мас, А.С.. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of forming composite image, system for realising said method, method of calculating mismatch value and data medium

Номер патента: RU2475850C2. Автор: Джини А. ГРИНДСТАФФ,Шейла Дж. УАЙТЭКЕР. Владелец: Интегрэф Софтвеа Текнолоджис Кампэни. Дата публикации: 2013-02-20.

Method of forming three-dimensional images in coatings

Номер патента: RU2590880C2. Автор: Петер КЛАУТЕР,Томас ГЁТЦ. Владелец: Мерк Патент Гмбх. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of forming blade edge

Номер патента: RU2725946C2. Автор: Сергей Георгиевич Бирюков. Владелец: Сергей Георгиевич Бирюков. Дата публикации: 2020-07-07.

Method of forming dump

Номер патента: RU2667395C2. Автор: Сергей Павлович Вострецов,Эльвира Вагизовна Пономарева. Владелец: Акционерное общество "ВНИИ Галургии" (АО "ВНИИ Галургии"). Дата публикации: 2018-09-19.

Surgical treatment method of hypospadias

Номер патента: RU2738557C1. Автор: Герман Владимирович Козырев,Дина Тамазиевна МАНАШЕРОВА,Радош Джинович. Владелец: Дина Тамазиевна МАНАШЕРОВА. Дата публикации: 2020-12-14.

Method of oxidative dehydration with improved regulatibility for obtaining butadiene

Номер патента: RU2628519C2. Автор: Джозеф Г. ДАФФ,Лиана КАСИУЛА,Элизабет БАЛЛАРД,Сириша ЧАДА,Сесил Дж. МакФАРЛАНД. Владелец: ТиПиСи ГРУП ЭлЭлСи. Дата публикации: 2017-08-17.

Method of forming coating on metal with electron-beam surfacing of ceramic powder

Номер патента: RU2735688C1. Автор: Илья Юрьевич Бакеев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2020-11-05.

Method of erecting building cover or overfly structure

Номер патента: RU2582682C1. Автор: Александр Павлович Белоглазов,Владимир Лазаревич Чернявский,Гаяне Ашотовна Искандарян,Татьяна Евгеньевна Чернявская. Владелец: Татьяна Евгеньевна Чернявская. Дата публикации: 2016-04-27.

Method of producing powder of uranium and molybdenum-based alloy

Номер патента: RU2586373C2. Автор: Мерил БРОТЬЕР,Жером АЛЛЕНУ,Франсуа ШАРОЛЛЕ,Ксавье ИЛТИ,Оливье ТУГЭ,Матье ПАСТЮРЕЛЬ,Анри НОЭЛЬ. Владелец: Юниверсите Де Ренн 1. Дата публикации: 2016-06-10.

Method of making component of fibrous composite for aircraft and space engineering

Номер патента: RU2492046C2. Автор: Кристиан НИТШ. Владелец: Эйрбас Оператионс Гмбх. Дата публикации: 2013-09-10.

Method of forming medium of specified temperature in working chamber of 3d printer

Номер патента: RU2736449C1. Автор: Евгений Владимирович Матвеев,Дмитрий Николаевич Трушников,Игорь Игоревич Безукладников,Александр Андреевич Осколков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ф2 ИННОВАЦИИ". Дата публикации: 2020-11-17.

Method of selecting an object on a distant background with optical systems from an air carrier

Номер патента: RU2714701C1. Автор: Владимир Аминович Подгорнов,Семён Владимирович Подгорнов,Алексей Евгеньевич Кипкаев,Георгий Анатольевич Крестьянинов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2020-02-19.

Esters of hyaluronic acid with rhein, method of preparing said esters and composition containing said esters

Номер патента: RU2383554C2. Автор: Антонелло ПЬЕТРАНДЖЕЛО,Вальтер ТРАВАЛЬ. Владелец: Лаборатуар Медидом С.А.. Дата публикации: 2010-03-10.

Method of holographic recording remote formation

Номер патента: RU2707582C1. Автор: Сергей Александрович Шойдин. Владелец: Сергей Александрович Шойдин. Дата публикации: 2019-11-28.

Method of separating discrete portion from web

Номер патента: RU2601220C2. Автор: Джеффри Алан ДЕБРО,Эрик Луис ШРЁДЕР,Кирк Джон ДЕМПСИ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of treating fresh ruptures of the thigh quadriceps muscle tendon

Номер патента: RU2723218C1. Автор: Илья Вячеславович Сутягин,Евгений Александрович Дудко,Сергей Петрович Бойчук. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр травматологии и ортопедии имени академика Г.А. Илизарова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-06-09.

Device for forming and freezing tissue samples of a patient or animal and a method of forming and freezing tissue samples of a patient or animal

Номер патента: RU2769506C2. Автор: Дмитрий В. КРАВЦОВ,Норман ГРЭЙ. Владелец: Ванесса Рисерч, Инк.. Дата публикации: 2022-04-01.

Cartridge, components and methods of the inhaled environment generating

Номер патента: RU2664376C1. Автор: Колин ДИККЕНС,Доминик ТЁРНЕР. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of determining workpiece shape, workpiece molded with pressed article, method of forming by pressing, computer program and recording medium

Номер патента: RU2682735C1. Автор: Тосиюки НИВА,Сигеру ЙОНЕМУРА,Тохру ЙОСИДА,Дзун НИТТА. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2019-03-21.

Stack of sheets of paper, a dispenser having such a pile, and a method of forming such pile

Номер патента: RU2709394C1. Автор: Иоанн Дени,Магнус ФАЛЬК,Пол КАРЛСОН. Владелец: Эссити Хайджин Энд Хелт Актиеболаг. Дата публикации: 2019-12-17.

Ceramic element for packing and method of forming layer of packing elements

Номер патента: RU2281156C2. Автор: Томас Жимански,Хассан С. НИКНАФС,Ричард Н. РОБИНЕТТ,Стивен Л. ДАХАР,Джон РЕЙД. Владелец: Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк.. Дата публикации: 2006-08-10.

Method of sandwiched panel assembly and shaping

Номер патента: RU2516508C2. Автор: Эндрю ЛЕВЕРС,Гари УИЛЕС. Владелец: Эйрбас Оперэйшнз Лимитед. Дата публикации: 2014-05-20.

Catalyst for photo-chemical reactions on base of titanium dioxide and method of production of such catalyst

Номер патента: RU2287365C2. Автор: Наталия Ивановна Ермохина,Владимир Георгиевич Ильин,Петр Андреевич Манорик,Натали Ивановна Ермохина,Валентина Ивановна Литвин,Степан Ярославович Кучмий,Александр Леонидович Строюк,Май Альбертовна Федоренко,Майя Альбертовна Федоренко,Анна Васильевна Коржак,ров Виктор Кимович Бухти,Виктор Кимович Бухтияров,Василий Михайлович Гранчак,Александр Васильевич Шульженко. Владелец: Александр Васильевич Шульженко. Дата публикации: 2006-11-20.

Method of calculation of the molding sand properties, method of calculation of component composition of molding and/or core mixtures, device for calculation of the properties of molding sand and/or component composition of forming and/or core mixtures, automated data medium for its implementation

Номер патента: RU2654384C2. Автор: Илья Александрович Кузнецов,Андрей Викторович Лоптев. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственная корпорация "Уралвагонзавод" имени Ф.Э. Дзержинского". Дата публикации: 2018-05-17.

System and method of forming training set for machine learning algorithm

Номер патента: RU2711125C2. Автор: Александр Александрович Чигорин,Константин Викторович Лахман,Виктор Сергеевич Юрченко. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Яндекс". Дата публикации: 2020-01-15.

Method of forming coating from ultra-high molecular polyethylene on tillage working tools

Номер патента: RU2725548C1. Автор: Яков Петрович Лобачевский,Сергей Иванович Старовойтов,Андрей Юрьевич Измайлов,Николай Георгиевич Кынев,Бадри Хутаевич Ахалая,Игорь Анатольевич Пехальский,Юлия Сергеевна Ценч,Сергей Андреевич Квас,Юлия Александровна Лопатина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2020-07-02.

Method of forming a competence model

Номер патента: RU2701993C1. Автор: Михаил Валерьевич Митрофанов,Юрий Иванович Стародубцев,Ольга Владимировна Ильина,Евгения Александровна Алисевич,Малика Абдимуратовна Давлятова. Владелец: Михаил Валерьевич Митрофанов. Дата публикации: 2019-10-02.

Method of forming ink ejection adjustment pattern, ink ejection adjustment method for inkjet head and inkjet printer

Номер патента: US20140009524A1. Автор: Masanobu Ogawa. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

Method of forming ink ejection adjustment pattern, ink ejection adjustment method for inkjet head and inkjet printer

Номер патента: US20150174895A1. Автор: Masanobu Ogawa. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Method of forming nanopattern and substrate having pattern formed using the method

Номер патента: EP1999513A1. Автор: Seung-Tae Oh,Sang-Choll Han,Deok-Joo Kim,Matthias Henyk. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2008-12-10.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: WO2008155550A3. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: WO2008155550A2. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Limited. Дата публикации: 2008-12-24.

Mats of glass fibers and pulp fibers and their method of manufacture

Номер патента: EP1218595A1. Автор: Daojie Dong. Владелец: Owens Corning. Дата публикации: 2002-07-03.

Method of forming mask pattern, method of forming thin film pattern and method of forming magnetoresistive element

Номер патента: US20090294403A1. Автор: Hideyuki Yatsu,Akifumi Kamijima,Hitoshi Hatate. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: EP2158562A2. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Ltd. Дата публикации: 2010-03-03.

Method of incorporating carbon nanotubes in a medical appliance, a carbon nanotube medical appliance, and a medical appliance coated using carbon nanotube technology

Номер патента: WO2006052538A3. Автор: Shrirang V Ranade. Владелец: Shrirang V Ranade. Дата публикации: 2006-11-23.

Method of forming crystalline ito thin film and method of forming on-cell type touch panel

Номер патента: US20190086704A1. Автор: Shaoqing LV. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Method of forming nonround perforations in underground bed bearing hydrocarbons, non-linear cumulative perforator, firing perforator (versions)

Номер патента: RU2358094C2. Автор: Эрнест Л. БЕЙКЕР,Дейвид К. ДЕЙНИЭЛ,Дейвид С. ВЕССОН,Джон Л. БЁРБА III,Артур С. ДЕЙНИЭЛС,Роберт И. ДЕЙВИС. Владелец: Моликорп, Инк.. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of forming a control signal of a steering drive of an uncleaned aircraft and a device for its implementation

Номер патента: RU2681823C1. Автор: Андрей Борисович Петров,Анатолий Сергеевич Сыров,Александр Михайлович Пучков,Дмитрий Григорьевич Тацюк,Артем Владимирович Хлопкин,Надежда Николаевна Кедрова,Валерия Львовна Сухова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское опытно-конструкторское бюро "Марс" (ФГУП МОКБ "Марс"). Дата публикации: 2019-03-12.

Method of packing solid materials during underground treatment operations

Номер патента: RU2679934C1. Автор: Раджеш К. САИНИ,Клейтон С. СМИТ,Мэтью М. СЭМЮЭЛ,Керн Л СМИТ,Чин-Чау ХВАН,Леонид Вигдерман,Дуэйн ТРЕЙБИГ. Владелец: Зе Лубризол Корпорейшн. Дата публикации: 2019-02-14.

Method of obtaining protection elements and hologram

Номер патента: RU2640711C2. Автор: Николай А. ГРИГОРЕНКО,Мишель РИШЕР,Ролан ФЛЕРИ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2018-01-11.

Method of forming an image of an augmented reality that provides the correlation of visual characteristics of real and virtual objects

Номер патента: RU2667602C2. Автор: Андрей Леонидович Горбунов,Андрей Юрьевич Зелинский,Андрей Иванович Кауров,Александра Андреевна Горбунова,Марина Федоровна Козлова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АВИАРЕАЛ". Дата публикации: 2018-09-21.

Method of adaptive control of active power and frequency of hydraulic unit with kaplan turbine

Номер патента: RU2531068C1. Автор: Анатолий Сергеевич Гольцов,Сергей Анатольевич Гольцов. Владелец: Сергей Анатольевич Гольцов. Дата публикации: 2014-10-20.

Containers made from aluminium scrap processed by method of impact compaction

Номер патента: RU2593799C2. Автор: Джон Л. САЙЛС,Сэмьюэл МЕЛАНКОН,Энтони ШАТЕ,Стенли М. ПЛАТЕК. Владелец: Болл Корпорейшн. Дата публикации: 2016-08-10.

Device, plant and method of sheet metal workpiece forming, and part, produced according to this method

Номер патента: RU2634830C2. Автор: Петер КЕНИГ,Михаэль ВОЛЬФ,Оттмар ЛЕР,Клаус ЛЯЙНМЮЛЛЕР,Дитер ВАЙДМАНН. Владелец: Алльгайер Верке Гмбх. Дата публикации: 2017-11-03.

Method of automated establishment and use of the basis of electronic information data of remote sensing of the earth and a multifunctional ground complex for its implementation

Номер патента: RU2646370C1. Автор: Анатолий Васильевич Шишанов,Владимир Васильевич Ромашкин,Михаил Ефимович Синькевич,Павел Алексеевич Лошкарев,Александр Игоревич Макеров,Валерий Александрович Заичко,Овнан Олегович Тохиян,Валерий Павлович Поселяничев. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт точных приборов". Дата публикации: 2018-03-02.

Method of surgical treatment of the chronic lateral instability of the ankle joint with the anteromedial access

Номер патента: RU2680179C1. Автор: Гурген Абавенович Кесян,Александр Алексеевич Очкуренко,Авет Гагикович Ширмазанян,Артак Мацакович Мацакян,Бутай Гайдарович Бутаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр травматологии и ортопедии имени Н.Н. Приорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ ТО им. Н.Н. Приорова" Минздрава России). Дата публикации: 2019-02-18.

Method of forming mismatch parameters in a radio-electronic system for controlling an air-to-air missile with its self-homing on an aircraft of a pair of them according to its functional purpose on the principle of "master-slave"

Номер патента: RU2695762C1. Автор: Александр Викторович Богданов,Валентин Александрович Голубенко,Александр Александрович Кучин,Сергей Александрович Горбунов,Александр Григорьевич Коваленко,Александр Александрович Лобанов. Владелец: Федеральное государственное казённое военное образовательное учреждение высшего образования "Военная академия воздушно-космической обороны имени Маршала Советского Союза Г.К. Жукова" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-07-25.

Method of forming a digital signal of angular stabilization of a non-stationary object of control and a device for its implementation

Номер патента: RU2653409C1. Автор: Алексей Сергеевич Соловьев,Сергей Валентинович Кравчук,Анатолий Сергеевич Сыров,Александр Михайлович Пучков,Юрий Александрович Чернышов,Надежда Павловна Жданович. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское опытно-конструкторское бюро "Марс" (ФГУП МОКБ "Марс"). Дата публикации: 2018-05-08.

Method of making construction slabs

Номер патента: RU2602628C1. Автор: Владислав Петрович Полиновский,Вячеслав Александрович Селезнев,Анна Константиновна Иванова,Алексей Анатольевич Речкин. Владелец: Открытое акционерное общество "Тверьстеклопластик". Дата публикации: 2016-11-20.

Method of making impeller of centrifugal compressor from composite material

Номер патента: RU2652269C2. Автор: Владимир Александрович Грибановский,Владимир Сергеевич Жернаков,Сергей Николаевич Никитин,Виктор Леонидович Юрьев,Арсен Маратович Ахметов. Владелец: Акционерное общество "Институт технологии и организации производства" (АО НИИТ). Дата публикации: 2018-04-25.

Solar cell frame construction made of carbon fiber and method of frame manufacture

Номер патента: RU2654882C1. Автор: Елена Анатольевна Гаврилова,Владимир Евгеньевич Биткин,Александр Владимирович Денисов,Евгений Валериевич Назаров,Марина Анатольевна Денисова,Александр Вениаминович Родионов,Пётр Павлович Каштанов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро "Пластик". Дата публикации: 2018-05-23.

Method of making instrument conical aircraft compartment from polymer composites and instrument conical compartment of aircraft from polymer composites

Номер патента: RU2584731C1. Автор: Вячеслав Александрович Барынин,Александр Алексеевич Кульков,Владимир Иванович Плотников,Александр Михайлович Тимаков,Роман Владимирович Плотников,Илья Николаевич Розов,Вячеслав Петрович Янков,Игорь Викторович Потехин. Владелец: Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт специального машиностроения. Дата публикации: 2016-05-20.

Method of applying solid solder

Номер патента: RU2420375C2. Автор: Лудвиг ВИРЕС. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2011-06-10.

Method of addition of goods and services of different suppliers to electronic basket on the internet

Номер патента: RU2671621C1. Автор: Максим Анатольевич Красавин,Василий Васильевич Корольков. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Картис" (Ооо "Картис"). Дата публикации: 2018-11-02.

Method of forming a coating on stamped steels

Номер патента: RU2746518C1. Автор: Александр Александрович Фомин,Владимир Александрович Кошуро,Максим Евгеньевич Федосеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2021-04-14.

Methods of moulding chewing gum and caramel confectionery material (versions)

Номер патента: RU2585462C2. Автор: Бхарат ДЖАНИ,Леонард СКАРОЛА,НИКЕРК Майлз ВАН,Кришна АДИВИ,Джесси КИФЕР. Владелец: ИНТЕРКОНТИНЕНТАЛ ГРЕЙТ БРЭНДЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2016-05-27.

Droplet forming devices for liquid treatment and methods of forming droplets in liquid treatment device

Номер патента: RU2509058C2. Автор: Ричард Пол РИДЕЛЬ,Дуглас Роберт УТЩ. Владелец: Пюр Уотер Пьюрификейшн Продактс, Инк.. Дата публикации: 2014-03-10.

Device and method of forming and filling container structures in sterile conditions

Номер патента: RU2401780C2. Автор: Дэниел ПАЙ. Владелец: Медикал Инстилл Текнолоджис, Инк.. Дата публикации: 2010-10-20.

Method of medical image forming

Номер патента: RU2736160C1. Автор: Вольдемар Освальдович Ребони,Василий Иванович Нагаев. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательская производственная компания "Электрон" (АО "НИПК "Электрон"). Дата публикации: 2020-11-12.

Method of forming wear-resistant surface layer in cobalt-containing hard-alloyed article in the form of die

Номер патента: RU2599315C1. Автор: Анатолий Борисович Коршунов,Валерий Константинович Ковальков,Тамара Борисовна Сагалова,Лариса Николаевна Корсунская,Валентина Егоровна Рысева,Эльвира Анатольевна Карнажицкая,Владимир Анатольевич Коршунов,Илья Викторович Николаев,Татьяна Васильевна Носова. Владелец: Валерий Константинович Ковальков. Дата публикации: 2016-10-10.

Methods of controlling polymorphism in organic-free synthesis of na-zeolites and zeolite crystals formed therefrom

Номер патента: US20170369327A1. Автор: Jeffrey D. Rimer,Miguel Maldonado,Matthew D. OLEKSIAK. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of drying panels and other building structures

Номер патента: WO2013171475A2. Автор: Robert Bresnahan,David MAYLE,Max BURBIDGE,Piers ASHLEY-CARTER,Mark PATTEN,Ian PRITCHETT. Владелец: Lime Technology Limited. Дата публикации: 2013-11-21.

Methods of forming objects by diffusion welding of foils

Номер патента: EP3452245A1. Автор: David Myron Lineman,Martin Herbert Goller. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2019-03-13.

Method of manufacturing multi-segmented optical fiber and preform

Номер патента: US20020189296A1. Автор: Michael Cain,Richard Fiacco,Liam dePaor,Robert Desorcie,Cynthia Giroux. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Thin film magnetic head, method of manufacturing the same and method of forming magnetic layer pattern

Номер патента: US20020034045A1. Автор: Yoshitaka Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Optical recording medium, and method of manufacturing same

Номер патента: US20010017841A1. Автор: Shin Masuhara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Methods of controlling polymorphism in organic-free synthesis of Na-zeolites and zeolite crystals formed therefrom

Номер патента: US09714174B2. Автор: Jeffrey D. Rimer,Miguel Maldonado,Matthew D. OLEKSIAK. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of making mesh containers with a rail and mesh container formed therefrom

Номер патента: US09687074B2. Автор: Christopher Hardy,Hsi-Ming Cheng,R. Neal Post. Владелец: Design Ideas Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Manufacturing method of glass forming body and forming die

Номер патента: US09650278B2. Автор: Katsuhiro Suzuki,Shiro Funatsu,Tomoharu Hayashi. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Radius fillers for composite structures, composite structures that include radius fillers, and systems and methods of forming the same

Номер патента: US09616594B2. Автор: Robert L. Anderson,Juan C. Guzman,Douglas A. Mccarville. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of forming an aerosol for inhalation delivery

Номер патента: US09439907B2. Автор: Daniel D. Rogers,Peter M. Lloyd,Martin J. Wensley,Daniel Mufson,Craig C. Hodges,Ron L. Hale,Daniel J. Myers,Reynaldo J. Quintana,Joshua D. Rabinowitz,Soonho Song,Jeffrey A. McKinney. Владелец: Alexza Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of producing calcium carbonate

Номер патента: RU2676292C1. Автор: Елена Александровна Вилкай,Игорь Александрович Кабанов,Луиза Яковлевна Коноплина,Александр Павлович Шушкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Комбинат "Электрохимприбор". Дата публикации: 2018-12-27.

Method of gradual forming of part with concave and convex surfaces

Номер патента: RU2515973C2. Автор: Виджитха Сенака КИРИДЕНА,Чжиюн Седрик СЯ. Владелец: Форд Глобал Технолоджис, ЛЛК. Дата публикации: 2014-05-20.

Method of combined liposuction

Номер патента: RU2647621C1. Автор: Виталий Александрович Игумнов,Александр Александрович Игумнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Центр пластической хирургии и косметологии "Шарм". Дата публикации: 2018-03-16.

Thermal transfer printing method and a method of forming an image on ink ribbon during thermal transfer printing

Номер патента: RU2709564C1. Автор: Александр Евгеньевич Виршке. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Виршке". Дата публикации: 2019-12-18.

Method for choosing a method of surgical treatment of stage ii keratoconus

Номер патента: RU2747248C1. Автор: Александр Владимирович Терещенко,Сергей Константинович Демьянченко,Екатерина Николаевна Вишнякова,Максим Александрович Тимофеев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-04-29.

Rounding device for food dough and method of rounding food dough

Номер патента: RU2582348C1. Автор: Митио МОРИКАВА,Кацумити ХИГУТИ,Акинори ТАКАМА,Суя САТО,Акира ТОДАТЕ. Владелец: Реон Отомэтик Машинери Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-04-27.

Multi-layer fabric and its method of its manufacture

Номер патента: RU2507332C2. Автор: Роберт А. ХЭНСЕН. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2014-02-20.

Method of forming lifting force, aeroplane and method of takeoff and landing

Номер патента: RU2223891C1. Автор: Г.И. Авруцкий,И.Г. Авруцка,И.Г. Авруцкая. Владелец: Авруцкая Ирина Гарриевна. Дата публикации: 2004-02-20.

Rotary detonation gas turbine and the method of detonation combustion in it

Номер патента: RU2745975C1. Автор: Сергей Константинович Исаев. Владелец: Сергей Константинович Исаев. Дата публикации: 2021-04-05.

Method of forming clear wettable articles from silicone hydrogel

Номер патента: RU2469053C2. Автор: Диана ЗАНИНИ,Карен АЛЬТХЕЙМ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2012-12-10.

Method of non-ferrous metals extraction

Номер патента: RU2362818C2. Автор: Станислав Львович Орлов,Дмитрий Борисович Басков,Иван Павлович Агалаков,Игорь Эдуардович Ященко. Владелец: Дмитрий Борисович Басков. Дата публикации: 2009-07-27.

Three-dimensional matrixes from structured porous monetite for tissue engineering and bone regeneration and method of their obtaining

Номер патента: RU2491960C2. Автор: ПЕРЕС Хулио ФОНТ,ФЕО Мария Бегонья КАСТРО,ОЛЬМО БАСТЕРРЕЧЕА Маите ДЕЛЬ,ВАСКЕС Мария Долорес ГАРСИЯ,РЕТАМА Хорхе РУБИО,КАБАРКОС Энрике ЛОПЕС,РОДРИГЕС Кармен РУЭДА,МАРИНЬО Фале ТАМИМИ,АЛИ АЛХРАИСАТ Мохаммад ХАМДАН. Владелец: Истоселль, С.Л.. Дата публикации: 2013-09-10.

Apparatus and method of forming a fibrous workpiece in the form of a body of revolution, having a profile varying in radial section

Номер патента: RU2741944C2. Автор: Юбер Жан Мари ФАБР,Жереми ЭЛЛО. Владелец: Сафран Эркрафт Энджинз. Дата публикации: 2021-01-29.

Method of vanadium extraction

Номер патента: RU2348716C1. Автор: Борис Дмитриевич Халезов,Владислав Валентинович Тетюхин,Николай Анатольевич Ватолин,Владимир Иванович Аликин,Алексей Геннадьевич Крашенинин,Алексей Сергеевич Борноволоков,Виктор Арсентьевич Неживых. Владелец: ОАО "Корпорация "ВСМПО-АВИСМА" (Верхне-Салдинское металлургическое производственное объединение). Дата публикации: 2009-03-10.

Method of production of fat-containing confectionary product and fat-containing confectionary product

Номер патента: RU2332851C2. Автор: Бернард РОКЛАГЕ,Соня ЛЕНЕЛЬ,Мирьяна СТУЛАЦ. Владелец: Крафт Фудз Ар Энд Ди, Инк.. Дата публикации: 2008-09-10.

Method of increasing space under stone arch bridge and stone arch bridge

Номер патента: RU2690988C2. Автор: Кевин Джон БЕННЕТТ,Уильям Джон ХАРВИ. Владелец: Солетанш Фрейссине С.А.С.. Дата публикации: 2019-06-07.

Method of heating glass panels in hardening furnace equipped with rollers and device for realization of this method

Номер патента: RU2281922C2. Автор: Йорма ВИТКАЛА. Владелец: ТАМГЛАСС ЛТД. ОЙ. Дата публикации: 2006-08-20.

Sunscreen coatings and methods of forming sunscreen coatings

Номер патента: RU2768915C2. Автор: Гарри БЬЮХЕЙ,Джеймс П. ТИЛЬ,Адам Д. ПОЛСИН,Пол А. МЕДВИК,Эндрю В. ВАГНЕР,Деннис Дж. О'ШОНЕССИ,Джеффри А. БЕНИГНИ,Дональд ЭНТОНИ. Владелец: Витро Флэт Глас ЛЛК. Дата публикации: 2022-03-25.

Method of forming a section of engagement in a part

Номер патента: RU2726515C2. Автор: Томас БЕТТЕРМАНН. Владелец: Хомаг Борзюстеме Гмбх. Дата публикации: 2020-07-14.

Method of forming a secondary anode of an aluminum electrolysis cell with a self-baking anode

Номер патента: RU2698121C1. Автор: Сергей Андреевич Храменко,Евгений Юрьевич Курьянов,Владимир Райнгольдович Шмаль,Андрей Михайлович Константинов,Виктор Юрьевич Бузунов,Игорь Васильевич Черских,Сергей Салихович Ресмятов,Константин Николаевич Бычков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2019-08-22.

Method of extracting noble metals from multicomponent solutions

Номер патента: RU2736477C1. Автор: Татьяна Анатольевна Марютина,Валерий Михайлович Шкинев,Ольга Борисовна Моходоева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр изучения и исследования нефти". Дата публикации: 2020-11-17.

Method of forming solid encasing lining for inner trim with several non-coloured surfaces

Номер патента: RU2584639C2. Автор: Хаолянг Майкл САН. Владелец: Форд Глобал Технолоджис, ЛЛК. Дата публикации: 2016-05-20.

Methods of synthesizing lipstatin derivatives

Номер патента: US20240228451A1. Автор: Zeeshan KAMAL,Apparao BOKKA,Gopalakrishna AKURATHI,Gary Richard Lee. Владелец: Panafina Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

A method of enhancing ethanol fermentation

Номер патента: WO2021186164A1. Автор: Andrew John LEE. Владелец: Lytegro Limited. Дата публикации: 2021-09-23.

Fabrication methods of a luneburg lens

Номер патента: US20240227329A9. Автор: Andrey Kobyakov,Gregory Kobyakov. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming hydrophobic coating layer on surface of nozzle plate of inkjet printhead

Номер патента: US20110049095A1. Автор: Jae-Woo Chung,Seung-Mo Lim,Sung-gyu Kang,Kae-dong Back. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

A method of enhancing ethanol fermentation

Номер патента: CA3175585A1. Автор: Andrew John LEE. Владелец: Lytegro Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

A method of enhancing ethanol fermentation

Номер патента: AU2021236950A1. Автор: Andrew John LEE. Владелец: Lytegro Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

A method of enhancing ethanol fermentation

Номер патента: EP4121509A1. Автор: Andrew John LEE. Владелец: Lytegro Ltd. Дата публикации: 2023-01-25.

Fibrin particles and methods of forming fibrin particles

Номер патента: US12030918B2. Автор: John Oakey,Alan STENQUIST. Владелец: UNIVERSITY OF WYOMING. Дата публикации: 2024-07-09.

Mesh containers and method of making

Номер патента: WO2006014707A9. Автор: Christopher Hardy,Hsi-Ming Cheng,Neal R Post. Владелец: Design Ideas Ltd. Дата публикации: 2006-05-11.

Method of manufacturing nozzle plate

Номер патента: US20070054221A1. Автор: Tsutomu Yokouchi. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-08.

Method of producing a collapsible hat

Номер патента: US20140109291A1. Автор: Shane Douglas Smith. Владелец: BUYSEASONS Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Method of manufacturing liquid jet head

Номер патента: US20050185025A1. Автор: Masato Shimada,Tetsushi Takahashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of forming article, coated powder and article

Номер патента: US11945030B2. Автор: David A. Stewart. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Magnetic filtration process, magnetic filtering material, and methods of forming magnetic filtering material

Номер патента: US20140008564A1. Автор: Cristian I. Contescu,Joanna Mcfarlane,Constantino Tsouris,Patricia Taboada-Serrano. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2014-01-09.

Thermoforming mould, method of fabrication of a thermoforming mould, thermoformed product and mould, method of fabrication of a thermoformed product

Номер патента: WO2016135443A1. Автор: Keith Harrison. Владелец: Par-Pak Europe Limited. Дата публикации: 2016-09-01.

Methods of forming resist pattern, forming electrode pattern, and manufacturing surface acoustic wave device

Номер патента: US6821712B2. Автор: Kenji Sakaguchi,Yoshihiro Koshido,Toshiyuki Fuyutsume. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-23.

Method of forming an article of footwear incorporating a knitted upper with tensile strand

Номер патента: EP3673758A2. Автор: John Droege,Daniel A. Podhajny. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2020-07-01.

Method of forming an article of footwear incorporating a knitted upper with tensile strand

Номер патента: EP3673758A3. Автор: John Droege,Daniel A. Podhajny. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2020-09-02.

Method of forming an article of footwear incorporating a knitted upper with tensile strand

Номер патента: EP3041379A1. Автор: John Droege,Daniel A. Podhajny. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2016-07-13.

Method of forming an article of footwear incorporating a knitted upper with tensile strand

Номер патента: WO2015034568A1. Автор: John Droege,Daniel A. Podhajny. Владелец: Nike Innovate C.V.. Дата публикации: 2015-03-12.

Method of manufacturing slider

Номер патента: US20090238952A1. Автор: Mitsuru Kubo,Satoshi Tomita,Masayuki Hamakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-09-24.

Method of manufacturing housing

Номер патента: EP3750650A1. Автор: Haruhiko Tan,Shota Tominaga. Владелец: Kawasaki Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2020-12-16.

Method of producing casing

Номер патента: US20210213518A1. Автор: Haruhiko Tan,Shota Tominaga. Владелец: Kawasaki Jukogyo KK. Дата публикации: 2021-07-15.

Near field transducers (NFTS) and methods of making

Номер патента: US09928859B2. Автор: Michael C. Kautzky,Martin Blaber,Mark H. Ostrowski,David Michael Grundman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Article and method of forming an article

Номер патента: US09849510B2. Автор: Benjamin Paul Lacy,Srikanth Chandrudu Kottilingam,David Edward Schick,Sandip Dutta. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of forming a template

Номер патента: WO1993015475A1. Автор: William John Welsh,Mark Andrew Shackleton. Владелец: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY. Дата публикации: 1993-08-05.

Near field transducers (NFTS) and methods of making

Номер патента: US09620152B2. Автор: Michael C. Kautzky,Martin Blaber,Mark H. Ostrowski,David Michael Grundman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of forming a container

Номер патента: US09498917B2. Автор: Henry William Slack. Владелец: 3 Boys Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Systems and methods of encoding biosensor calibration

Номер патента: RU2688222C2. Автор: Игорь ГОФМАН. Владелец: Асцензия Диабетс Кэар Холдингс АГ. Дата публикации: 2019-05-21.

Method of forming metal powders for additive technologies in plasma generator apparatus with sorting by weight in electric field

Номер патента: RU2745551C2. Автор: Александр Александрович Иванченко,Владимир Сергеевич Балахнин,Иван Николаевич Корепин,Антон Анатольевич Ващилло,Роман Андреевич Кузьменко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ботлихский радиозавод". Дата публикации: 2021-03-26.

Method of forming microrelief on surface of metal articles

Номер патента: RU2642243C2. Автор: Вячеслав Геннадьевич Кузнецов,Тельман Айдабекович Курбанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем машиноведения Российской академии наук (ИПМаш РАН). Дата публикации: 2018-01-24.

Device and method of continuous long element forming made from foam plastic, plant with said element and structural element made from said foam plastic

Номер патента: RU2502597C2. Автор: Пьеро КРЕТТИ. Владелец: Джилэнбери Трейдинг Лтд.. Дата публикации: 2013-12-27.

Method of forming self-aligned silicide by double ion implantation

Номер патента: TW418449B. Автор: Chi-Ming Yang,Jau-Jie Tsai,Shou-Ren Jang,Jeng-Kuen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-01-11.

Method of forming self-aligned rugged crown-shaped capacitor of high-density dynamic random access memory

Номер патента: TW425702B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-03-11.

Fabrication method of forming self-aligned salicide

Номер патента: TW281788B. Автор: Ming-Jong Yang,Bor-Ren Jeng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-07-21.

Method of forming self-aligned salicide

Номер патента: TW308721B. Автор: Jiunn-Shyan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-06-21.

Method of forming self-aligned contacts

Номер патента: TWI221639B. Автор: Pei-Ren Jeng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-01.

Method of forming self-aligned contacts

Номер патента: TW200423234A. Автор: Pei-Ren Jeng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

Method of forming poly insulator poly capacitor by self-aligned silicide process

Номер патента: TWI220553B. Автор: Hao Fang,Rong-Zheng Gao. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2004-08-21.

Method of forming poly insulator poly capacitor by self-aligned silicide process

Номер патента: TW200516703A. Автор: Hao Fang,Rong-Zheng Gao. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2005-05-16.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED USING REPLACEMENT GATE TECHNIQUES

Номер патента: US20130288468A1. Автор: Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

Manufacturing method of mask read only memory capable of using self-aligned silicide

Номер патента: TWI251336B. Автор: Shuang-Feng Ye. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2006-03-11.

Manufacturing method of mask read only memory capable of using self-aligned silicide

Номер патента: TW200623397A. Автор: Shuang-Feng Ye. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2006-07-01.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED THROUGH SILICON VIA

Номер патента: US20130065393A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,Stamper Anthony K.,LEIDY Robert K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-14.

Method of Forming Self-Aligned Contacts for a Semiconductor Device

Номер патента: US20130189833A1. Автор: Baars Peter,Wei Andy,Geiss Erik,Mazur Martin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-07-25.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130288471A1. Автор: Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

Method of forming self-aligned metal silicide

Номер патента: TWI251272B. Автор: Erh-Kun Lai,Tung-Cheng Kuo,Shou-Wei Hwang,Yu-Ping Huang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-11.

Method of forming self-aligned salicide

Номер патента: TW304279B. Автор: Jenn-Hwa Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-05-01.

Manufacturing method of forming self-aligned twin-tub well on semiconductor substrate

Номер патента: TW301769B. Автор: Jyi-Shyi Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1997-04-01.

Manufacturing method of bridge free MOSFET with self-aligned silicide

Номер патента: TW396607B. Автор: Hung-Huei Tzeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2000-07-01.

Manufacturing method of self-aligned silicide with low resistance

Номер патента: TW299474B. Автор: Jenn-Hwa Yu,Sheau-Lin Suei. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-03-01.

Manufacturing method of self-aligned silicide

Номер патента: TW552640B. Автор: Shau-Lin Shue,Chih-Wei Chang,Mei-Yun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-09-11.

Manufacturing method of field effect transistor with self-aligned silicide

Номер патента: TW320750B. Автор: Shuenn-Liang Sheu,Taw-Jye Tsay. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-11-21.

Method of producing self-aligned silicide

Номер патента: TW418446B. Автор: Jian-Rung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-01-11.

SELF-FORMING, SELF-ALIGNED BARRIERS FOR BACK-END INTERCONNECTS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120248608A1. Автор: Yoo Hui Jae,Bielefeld Jeffery D.,King Sean W.,Balakrishnan Sridhar. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

Method of forming metal oxide semiconductor field effect transistor having recessed self-alignment silicide metal and slowly tapered S/D junctions

Номер патента: TW384549B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Tsmc Acer Semiconductor Mfg Co. Дата публикации: 2000-03-11.

Integrally formed self aligning bearing

Номер патента: AU220369B2. Автор: Mills Ready Graeme. Владелец: Individual. Дата публикации: 1957-11-07.

Method for forming self-aligned, rugged, and extended crown-shaped capacitor of high density random access memory (RAM)

Номер патента: TW480711B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-03-21.

Method for forming self-aligned trench isolation

Номер патента: TW492140B. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2002-06-21.

Structure and method for forming self-aligned bipolar junction transistor with expitaxy base

Номер патента: TW546809B. Автор: Shu-Ya Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-08-11.

Integrally formed self aligning bearing

Номер патента: AU2197556A. Автор: Mills Ready Graeme. Владелец: Individual. Дата публикации: 1957-11-07.

Process for forming self-aligned multi-level interconnect structure

Номер патента: TW444335B. Автор: Hsu-Li Cheng,Erik S Jeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2001-07-01.

METHOD OF MAKING A MOSFET HAVING SELF-ALIGNED SILICIDED SCHOTTKY BODY TIE INCLUDING INTENTIONAL PULL-DOWN OF AN STI EXPOSING SIDEWALLS OF A DIFFUSION REGION

Номер патента: US20120313174A1. Автор: Lauer Isaac,Chang Leland,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-13.

The process of forming the n type metal oxide semi field effect transistor (nMOSFET) short channel having self-aligned silicide contact

Номер патента: TW399243B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Tsmc Acer Semiconductor Mfg Co. Дата публикации: 2000-07-21.

Manufacturing method of self-aligned silicide device with extended path

Номер патента: TW306058B. Автор: Horng-Huei Tzeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 1997-05-21.

Method of making a self-aligned silicide

Номер патента: TW429440B. Автор: Jian-Ting Lin,Jr-Wen Jou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-04-11.

Method of manufacturing a short-channel nMOSFET having a self-aligned silicide contact

Номер патента: TW403948B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-09-01.

METHODS TO FORM SELF-ALIGNED PERMANENT ON-CHIP INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20120018891A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-26.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20120267727A1. Автор: . Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-25.

METHODS TO FORM SELF-ALIGNED PERMANENT ON-CHIP INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20130001801A1. Автор: Lin Qinghuang. Владелец: INTERNATIOANL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED OVERLAY MARK

Номер патента: US20130210213A1. Автор: Pratt David,Nair Vinay,Hawk Christopher,Housley Richard. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR950025876A. Автор: 남종완,권성우. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-09-18.

Method for forming self-aligned metallic silicide

Номер патента: CN102044422B. Автор: 聂佳相,卢炯平,杨瑞鹏,孔祥涛. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-07-04.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR19990074362A. Автор: 염계희. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-05.

Method for forming self-aligned metal silicide at source/drain region of device

Номер патента: CN101866841B. Автор: 陈雄斌,陈瑜,熊涛,陈华伦,罗啸. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-18.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR950007100A. Автор: 성진모. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-03-21.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR940007990A. Автор: 김진웅,손곤. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-04-28.

Method for forming self-aligning contact window structure

Номер патента: CN1290158C. Автор: 董明圣,李岳川. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-13.

Method for using dual damascene trench to form self-aligned mask ROM

Номер патента: TW477003B. Автор: Pei-Ren Jeng,Tzung-Ye Li,Wei-Min Jung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Method for forming self-alignment metal salicide CMOS semi transistor

Номер патента: TW366566B. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-11.

Making process for forming self-alignment contact plug useful in an embedded random access memory

Номер патента: TW385529B. Автор: Jen-Ye Shr. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-03-21.

Method for forming self-aligned metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: TW563189B. Автор: Ding-Jang Jang,Huang-Jung Jeng,Jeng-Jie Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-11-21.

Method for forming ultra-short channel MOSFET with self-aligned silicide contact and extended source/drain junction

Номер патента: TW392221B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Tsmc Acer Semiconductor Mfg Co. Дата публикации: 2000-06-01.

Self-aligned silicide technology

Номер патента: TW411511B. Автор: Jian-Ting Lin,Jiun-Yuan Wu,Huo-Tie Lu,Shiau-Ling Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-11-11.

MOSFET with self-aligned silicide and gate-side air-gap structure

Номер патента: TW346647B. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Ti Acer Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-01.

Formation self-aligned silicide layer by using double ion implantation

Номер патента: TW398034B. Автор: Jau-Jie Tsai,Ching-Shiung He,Shou-Ren Jang,Jeng-Kuen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-07-11.

The manufacturing method for self-aligned silicide

Номер патента: TW325585B. Автор: Jiing-Jiang Jang,Chorng-Jou Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-01-21.

Double self-aligned silicide manufacture process

Номер патента: TW486752B. Автор: Hung-Huei Tzeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2002-05-11.

Method for manufacturing embedded DRAM having a self-aligned silicide logic bit structure

Номер патента: TW415043B. Автор: Wan-Yi Lian. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-12-11.

Method for preventing bridge phenomenon in self-aligned silicide formation

Номер патента: TW394978B. Автор: Jian-Ting Lin,Jr-Wen Jou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-21.

Method for forming a self-aligned silicide

Номер патента: TW434712B. Автор: Jian-Ting Lin,Rung-Jiun Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-16.

Process for producing self-aligned silicide

Номер патента: TW337596B. Автор: Hann-Shing Liou. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-08-01.

Self Aligned Silicided Contacts

Номер патента: US20120126343A1. Автор: . Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-05-24.

SELF-ALIGNED SILICIDE FORMATION ON SOURCE/DRAIN THROUGH CONTACT VIA

Номер патента: US20120241963A1. Автор: Uozumi Yoshihiro. Владелец: TOSHIBA AMERICA ELECTRONIC COMPONENTS, INC.. Дата публикации: 2012-09-27.

Self Aligned Silicide Device Fabrication

Номер патента: US20130134558A1. Автор: Speck Robert K.,Tull Kenneth B.,Miller Marjorie L.. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2013-05-30.

FORMING NICKEL-PLATINUM ALLOY SELF-ALIGNED SILICIDE CONTACTS

Номер патента: US20140073130A1. Автор: Lavoie Christian,Ozcan Ahmet S.,Hilscher David F.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

Self-Aligned Silicide Bottom Plate for EDRAM Applications by Self-Diffusing Metal in CVD/ALD Metal Process

Номер патента: US20140117498A1. Автор: Liu Fei,Li Zhengwen,Zhang Zhen,Cao Qing,Fang Sunfei. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

Self-Aligned Silicide Bottom Plate for EDRAM Applications by Self-Diffusing Metal in CVD/ALD Metal Process

Номер патента: US20140120687A1. Автор: Liu Fei,Li Zhengwen,Zhang Zhen,Cao Qing,Fang Sunfei. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

Method for forming MOSFETs with recessed self-aligned silicide joint and extended source/drain junction

Номер патента: TW544859B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-08-01.

Manufacturing process of self-aligned silicide barrier layer

Номер патента: CN1971857A. Автор: 陈华伦,周贯宇. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-30.

Method for manufacturing high voltage and low voltage metal oxide semiconductor transistor using self-aligned silicide process

Номер патента: TW434707B. Автор: Jian-Guo Yang,Wei-Tsung Chen,Ching-Jiun Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-16.

Method for producing self-aligned silicide (salicide)

Номер патента: TW434710B. Автор: Shiue-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-16.

Structure and manufacturing method for self-aligned silicide

Номер патента: TW383456B. Автор: Jau-Jie Tsai,Shiu-Sheng Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-03-01.

Method to fabricate MOSFETS with ESD resistance and self-aligned silicide

Номер патента: TW360970B. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-11.

Method for forming a self-aligned silicide

Номер патента: TW447020B. Автор: Chi-Dung Huang,Jeng-Cheng Shiue. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-21.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Making a Combustion Turbine Component Having a Plurality of Surface Cooling Features and Associated Components

Номер патента: US20120000072A9. Автор: James Allister W.,Morrison Jay A.,Merrill Gary B.,Fraser Iain A.,Paulus John R.,Lane Jay E.,Appleby Mike P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Refining The Grain Structure Of Alloys

Номер патента: US20120000317A1. Автор: Flemings Merton C.,Ragone David V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING A DRESSING

Номер патента: US20120001366A1. Автор: . Владелец: BOEHRINGER TECHNOLOGIES, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same

Номер патента: US20120002420A1. Автор: IMAI Noboru,ISAKA Fumiya,Noguchi Masahiro,Shibata Akiji,Ashidate Yuzuru,Suzuki Aki. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Preparing Non-Alcohol Bioactive Esential Oil Mouth Rinses

Номер патента: US20120003162A1. Автор: Mordas Carolyn J.,Queiroz Daniel R.,Tsai Patrick B.. Владелец: McNeil-PPC, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods Of Enhancing Antibody-Dependent Cellular Cytotoxicity

Номер патента: US20120003213A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANURACTURING METHOD OF EGG WITH EDIBLE COMPOSITION

Номер патента: US20120003368A1. Автор: LEE Hye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003385A1. Автор: Naito Ryusuke. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003393A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

REINFORCEMENT FOR ASPHALTIC PAVING, METHOD OF PAVING, AND PROCESS FOR MAKING A GRID WITH THE COATING FOR ASPHALTIC PAVING

Номер патента: US20120003889A1. Автор: Lee Sugjoon,NEWTON Mark J.,Fague Gary R.,Woolstencroft Jon,Goupil Richard,Hook Kerry. Владелец: SAINT-GOBAIN TECHNICAL FABRICS AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPANION ANIMAL COMPOSITIONS INCLUDING PYRUVIC ACID AND SALTS THEREOF AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004291A1. Автор: Yamka Ryan Michael,Frantz Nolan Zebulon,Zicker Steven C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SATIATION POUCHES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004590A1. Автор: Stack Richard S.,Williams Michael S.,Glenn Richard A.,Athas William L.,LUNSFORD John,Balbierz Dan. Владелец: Barosense, Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method of Making Tapered Looped Suture

Номер патента: US20120004686A1. Автор: Maiorino Nicholas,Bowns William R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPRESSION SPRINGS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000073A1. Автор: . Владелец: Renton Coil Spring Company. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-LAYER PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A PANEL

Номер патента: US20120002288A1. Автор: Maass Uwe. Владелец: MUSION SYSTEMS LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING A TERNARY ALLOY CATALYST FOR FUEL CELL

Номер патента: US20120003569A1. Автор: Protsailo Lesia V.,Kawamura Tetsuo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTORECEPTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120003574A1. Автор: Tanaka Yasushi,Nakamura Yoichi,Kitagawa Seizo,EMORI Hiroshi,Ichiyanagi Hiroyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF NON-AQUEOUS INKJET COMPOSITE PRINTING AND INK SET

Номер патента: US20120001979A1. Автор: WATANABE Yoshifumi,YAMAMOTO Akiko. Владелец: RISO KAGAKU CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Liquid Crystal Display Device And Method Of Manufacturing That

Номер патента: US20120004453A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of packing piece goods and device for its implementation

Номер патента: RU2523852C1. Автор: Сергей Викторович Полежаев,Петр Владимирович Мочалов,Павел Сергеевич Милык. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Фудлайн". Дата публикации: 2014-07-27.

Method of obtaining anode aluminium oxide with highly ordered porous structure and method of forming arrays of anisotropic nanostructures on its base

Номер патента: RU2555366C2. Автор: Кирилл Сергеевич Напольский,Андрей Анатольевич Елисеев,Алексей Викторович Лукашин,Юрий Дмитриевич Третьяков,Илья Владимирович Росляков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2015-07-10.

Method of forming of volumetric and curvilinear components for an article

Номер патента: RU2266863C1. Автор: В.И. Стельмашенко,Е.В. Баранова,Л.Н. Лисиенкова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет сервиса" (ГОУВПО "МГУС"). Дата публикации: 2005-12-27.

Method of the thermal treatment of the forming rollers

Номер патента: RU2298043C1. Автор: Олег Юрьевич Ефимов,Алексей Борисович Юрьев,Валерий Яковлевич Чинокалов,Олег Валерьевич Дикань,Вадим Петрович Симаков,Виктор Васильевич Саломыкин,Сергей Александрович Дубинин,Владимир Михайлович Никиташев,Семен Прохорович Некипелов,кин Сергей Валентинович Затеп,Сергей Валентинович Затепякин. Владелец: Открытое акционерное общество "Западно-Сибирский металлургический комбинат" ОАО "ЗСМК". Дата публикации: 2007-04-27.

ELECTROLYTIC METHOD OF FUEL

Номер патента: US20120000788A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Punching method of liquid metal of cutters on die casting machine with horizontal chamber of pressing and facility for its implementation

Номер патента: RU2353468C2. Автор: Вениамин Константинович Гребешков,Виктор Юрьевич Пирайнен. Владелец: Виктор Юрьевич Пирайнен. Дата публикации: 2009-04-27.

Retained form assembly, method of assembly production and method of wall erection with the use of above assembly

Номер патента: RU2253719C1. Автор: С.Г. Степанюк,А.Г. Дорофеев. Владелец: Дорофеев Александр Григорьевич. Дата публикации: 2005-06-10.

Organic-inorganic nanostructures and materials, consisting nanoparticles of noble metals, and methods of its receiving

Номер патента: RU2364472C2. Автор: Геннадий Борисович Хомутов. Владелец: Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова Российской академии наук. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of forming and trimming vines

Номер патента: RU2478278C1. Автор: Николай Васильевич Матузок. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2013-04-10.

Method of forming multidimensional image of cardiovascular system state and its visualisation

Номер патента: RU2496409C2. Автор: Валерий Михайлович Никитин,Виктор Митрофанович Довгаль,Елена Андреевна Липунова,Инесса Андреевна Кочеткова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет". Дата публикации: 2013-10-27.

Crystalline form ii of tilorone and method of obtaining thereof (versions)

Номер патента: RU2521595C2. Автор: Александр Сергеевич Семенов,Олег Александрович Игнатенко,Сергей Викторович Пирогов,Игорь Алексеевич Концевой,Александр Фуатович Габитов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Активный Компонент". Дата публикации: 2014-06-27.

Method of forming "grape bowl ru" from fruit shoots on vine plantation (version of russian logic - version 9)

Номер патента: RU2537572C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of forming the system of forces of flying vehicle and flying vehicle-ground-air-amphibian for realization of this method

Номер патента: RU2317220C1. Автор: Сергей Михайлович Семенов,Валентин Васильевич Назаров,Дмитрий Валентинович Назаров,Евгений Алексеевич Лозовик. Владелец: Валентин Васильевич Назаров. Дата публикации: 2008-02-20.

Method of forming waterproof screen in cracked watercut mountain arrays using bridging

Номер патента: RU2531410C1. Автор: Александр Порфирович Андриевский,Алексей Евгеньевич Зуев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и химической технологии Сибирского отделения Российской академии наук (ИХХТ СО РАН). Дата публикации: 2014-10-20.

Method of forming carbon nano-objects on glass-ceramic substrates

Номер патента: RU2601044C2. Автор: Владимир Николаевич Чернышов,Виктор Прокопьевич Шелохвостов,Алексей Геннадьевич Стивкин,Максим Николаевич Дутов,Денис Владимирович Образцов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" ФГБОУ ВПО ТГТУ. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of forming areflux esophageal-enteric anastomosis

Номер патента: RU2437623C2. Автор: Игорь Александрович Ли. Владелец: Игорь Александрович Ли. Дата публикации: 2011-12-27.

Method of forming proton images obtained by magnetic optics operating with magnification

Номер патента: RU2536103C1. Автор: Константин Леонидович Михайлюков,Игорь Васильевич Храмов. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ", Российская Федерация. Дата публикации: 2014-12-20.

Highly productive method of depositing carbon nanotubes and composite films

Номер патента: RU2342316C2. Автор: Станислав Викторович Хартов,Владимир Кириллович Неволин,Сергей Владимирович Бараш. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 2008-12-27.

Method of forming articles out of explosive composition

Номер патента: RU2346918C1. Автор: Исак Гасинович Гатаулин,Геннадий Васильевич Куценко,Геннадий Эдуардович Кузьмицкий,Николай Сергеевич Божья-Воля,Рафис Фассахович Салахов,Анатолий Михайлович Кранидов,Валентина Алексеевна Ступникова,-Вол Николай Сергеевич Божь,Владимир Михайлович Лисовский,Нина Ивановна Куркина,Ирина Викторовна Артемова,Юрий Васильвич Замахаев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полимерных материалов". Дата публикации: 2009-02-20.

Method of forming profile of rail head by forming cutters furnished with change polyhedral blades and milling cutters for rail forming

Номер патента: RU2291929C2. Автор: Сергей Геннадьевич Емельянов,Сергей Александрович Чевычелов,нов Сергей Геннадьевич Емель. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Курский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-01-20.

Method of producing diamond-like carbon and device to this end

Номер патента: RU2567770C2. Автор: Александр Петрович Семенов,Ирина Александровна Семенова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физического материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-11-10.

Method of distal blocking of intramedullary rods in osteosynthesis of long tubular bones and device for its realisation

Номер патента: RU2387401C2. Автор: Валерий Михайлович Никитин,Виктор Михайлович Воронин,Михаил Викторович Воронин,Елена Андреевна Липунова. Владелец: ООО "ВМВ-Медицина". Дата публикации: 2010-04-27.

Method of forming ordered structures on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2593633C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2016-08-10.

Method of localisation of explosions of methan-air mixture and/or coal dust in underground mine workings and facility for implementation of this method (versions)

Номер патента: RU2342535C1. Автор: Виктор Прокопьевич Тациенко,Дмитрий Иванович Адамидзе,Анатолий Владимирович Джигрин,Андрей Юрьевич Горлов,Юрий Владимирович Горлов,Константин Владимирович Горлов. Владелец: ЗАО "Межведомственная комиссия по взрывному делу при Академии горных наук" (ЗАО "МВК по ВД при АГН"). Дата публикации: 2008-12-27.

Method of automatic control of crop condition

Номер патента: RU2537912C2. Автор: Илья Михайлович Михайленко. Владелец: Государственное научное учреждение Агрофизический научно-исследовательский институт Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ АФИ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2015-01-10.

Method of forming aggregated data structure and method of searching for data through aggregated data structure in data base management system

Номер патента: RU2433467C1. Автор: Сергей Павлович Маркин. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственное предприятие "Реляционные экспертные системы". Дата публикации: 2011-11-10.

Method of teaching subject "physical education" to students of special medical group

Номер патента: RU2411906C1. Автор: Нина Геннадьевна Коновалова,Анна Исмагиловна Яруллина,Елена Владимировна Красильникова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кузбасская государственная педагогическая академия. Дата публикации: 2011-02-20.

IMAGE SCANNING APPARATUS AND CONTROL METHOD OF DOCUMENT SIZE DETECTION LIGHT SOURCE

Номер патента: US20120002247A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of surgical treatment of tongue and oral cavity floor

Номер патента: RU2391923C1. Автор: Павел Викторович Светицкий,Абдуаваз Абдулахатович Ганиев,Василий Васильевич Калий,Мамука Важаевич Баужадзе. Владелец: Мамука Важаевич Баужадзе. Дата публикации: 2010-06-20.

Method of stitch formation in pyelitis and pyelitisuretroanastomosis

Номер патента: RU2369343C1. Автор: Валерий Иргюнович Ким,Илья Иосифович Каган,Игорь Владимирович Семенякин,Айнур Мухаметгалеевич Хазимов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургская государственная медицинская академия" Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию" (ГОУ ВПО ОрГМА Росздрава). Дата публикации: 2009-10-10.

Fabrication method of seamless hot-deformed tubes of large and mean diametres on tube-forming installations with pilger mills

Номер патента: RU2387498C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Андреевич Логовиков,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Валерий Александрович Головинов,Владимир Сергеевич Баричко,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Дмитрий Всеволодович Марков,Юрий Борисович Белокозович,Сергей Геннадьевич Чикалов,Константин Николаевич Бубнов. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2010-04-27.

Method of forming rectangular groove for mounting open shed in wooden structure members joined by said groove and milling cutter for working rectangular groove

Номер патента: RU2278023C1. Автор: Владимир Яковлевич Нагорный. Владелец: Владимир Яковлевич Нагорный. Дата публикации: 2006-06-20.

Method of forming switching jumper

Номер патента: RU2579166C2. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Method of manufacturing vermicompost and device for its implementation

Номер патента: RU2546893C1. Автор: Владимир Яковлевич Спевак,Николай Владимирович Спевак,Роман Максимович Медведев,Владислав Васильевич Лифатов,Анастасия Александровна Никульникова,Ирина Геннадьевна Шарапова,Евгений Владимирович Моисеев. Владелец: Николай Владимирович Спевак. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of forming "grape bowl ru" from fruit shoots (version of russian logic - version 10)

Номер патента: RU2537569C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of producing microoptical raster

Номер патента: RU2554595C1. Автор: Вадим Павлович Вейко,Галина Кирилловна Костюк,Максим Михайлович Сергеев,Евгений Борисович Яковлев,Роман Алексеевич Заколдаев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2015-06-27.

Method of forming fabric with variable density of filling thread

Номер патента: RU2495168C2. Автор: Владимир Юрьевич Селиверстов,Александр Павлович Гречухин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Костромской государственный технологический университет". Дата публикации: 2013-10-10.

Method of forming frameless centrifugal structure (versions) and device for realization of this method

Номер патента: RU2309875C1. Автор: Виталий Михайлович Мельников,Владимир Александрович Комков,Виталий Михайлович Мельников (RU),Владимир Александрович Комков (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество "ТехКом". Дата публикации: 2007-11-10.

Method of forming magnetic tunnel junction based on nanosize metal-insulator-metal structures and magnetic tunnel junction strucure based on nanosize metal-insulator-metal structures (versions)

Номер патента: RU2394304C2. Автор: Андрей Владимирович Зенкевич,Александр Юрьевич Гойхман,Юрий Юрьевич Лебединский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2010-07-10.

Method of forming vines

Номер патента: RU2478279C1. Автор: Николай Васильевич Матузок,Петр Пантелеевич Радчевский. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2013-04-10.

Method of surgical correction of myopic astigmatism

Номер патента: RU2376964C1. Автор: Александр Иванович Мягких. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ост-Оптик К". Дата публикации: 2009-12-27.

METHOD OF PRODUCING SILICON p-i-n PHOTODIODE

Номер патента: RU2541416C1. Автор: Сергей Иванович Денисов,Станислав Стефанович Демидов,Евгений Алексеевич Климанов,Марина Александровна Нури. Владелец: Открытое акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of and device for orientation of different-shape articles at transportation

Номер патента: RU2288871C2. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2006-12-10.

Method of forming magnetoresistive memory element based on tunnel junction and structure thereof

Номер патента: RU2522714C2. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Сергей Александрович Гусев,Александр Юрьевич Климов,Андрей Александрович Фраерман,Владимир Всеволодович Рогов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2014-07-20.

Device and method of forming absorbing cores which are obtained by pneumostacking

Номер патента: RU2405516C2. Автор: Хенрик КАРЛЕН,Гуннар ЭДВАРДССОН. Владелец: Ска Хайджин Продактс Аб. Дата публикации: 2010-12-10.

Acoustic horn and method of making same (versions)

Номер патента: RU2519852C1. Автор: Алексей Юрьевич Химичев. Владелец: Алексей Юрьевич Химичев. Дата публикации: 2014-06-20.

Method of forming epitaxial copper nanostructures on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2522844C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2014-07-20.

Electrolyte for forming black ceramic coat on rectifying metals and their alloys; method of forming such coat and coat formed by this method

Номер патента: RU2285066C1. Автор: Анатолий Иванович Мамаев,Павел Игоревич Бутягин,ков Евгений Васильевич Хохр,Евгений Васильевич Хохряков,гин Павел Игоревич Бут. Владелец: Анатолий Иванович Мамаев. Дата публикации: 2006-10-10.

Method of forming high brightness and contrast location image and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2483323C1. Автор: Игорь Леонидович Мисюченко,Николай Тимофеевич Ничипоренко,Антон Александрович Булатов,Игорь Евгеньевич Маренич,Иван Елисеевич Ушаков,Борис Сергеевич Трофимов,Вадим Георгиевич Яковлев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Морские комплексы и системы". Дата публикации: 2013-05-27.

Method of forming decorative vinegrove head

Номер патента: RU2473206C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2013-01-27.

Method of rolling metal billet

Номер патента: RU2488455C2. Автор: Евгений Николаевич Чумаченко,Николай Николаевич Грунин,Сергей Алексеевич Аксенов,Ирина Валентиновна Логашина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики". Дата публикации: 2013-07-27.

Method of forming of electronic documents and device for its realisation

Номер патента: RU2365047C2. Автор: Александр Иванович Иванов,Вячеслав Александрович Фунтиков. Владелец: Вячеслав Александрович Фунтиков. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of preparing combined fish mass

Номер патента: RU2255612C2. Автор: В.Д. Богданов,Л.П. Ольхова,Л.П. Ольховая,Л.Д. Петрова. Владелец: Тихоокеанский государственный экономический университет. Дата публикации: 2005-07-10.

Method of forming domain structure in monocrystalline wafer of nonlinear-optic ferroelectric material

Номер патента: RU2439636C1. Автор: Владимир Яковлевич Шур,Иван Сергеевич Батурин,Андрей Ришатович Ахматханов,Михаил Владимирович Конев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер". Дата публикации: 2012-01-10.

Method of forming objects on surface of materials using focused ion beam

Номер патента: RU2457573C1. Автор: Евгений Владиславович Пустовалов,Владимир Сергеевич Плотников,Борис Николаевич Грудин,Алексей Петрович Глухов,Алексей Валерьевич Кириллов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2012-07-27.

Method of maintenance of thermal conditions in space rocket head module and device for realization of this method

Номер патента: RU2293044C2. Автор: Вячеслав Михайлович Филин,Михаил Викторович Рожков,Виктор Николаевич Веселов,Владимир Петрович Клиппа,Виктор Иванович Негодяев,В чеслав Михайлович Филин,ев Виктор Иванович Негод. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева". Дата публикации: 2007-02-10.

Method of forming coatings of tantalum pentoxide on substrate

Номер патента: RU2518257C1. Автор: Владимир Сергеевич Руднев,Михаил Азарьевич Медков,Кирилл Николаевич Килин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН). Дата публикации: 2014-06-10.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming nanowires from colloidal natural material

Номер патента: RU2533330C1. Автор: Александр Павлович Кузьменко,Владимир Владимирович Чаков,Ньен Аунг Чан,Валерия Александровна Башкатова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2014-11-20.

Method of forming of furrow slices and device for its implementation

Номер патента: RU2537554C1. Автор: Адаман Габдинагимович Габдуллин,Станислав Степанович Литвинов,Иван Иванович Вирченко. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт овощеводства Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of forming divided charges in flooded wells

Номер патента: RU2306522C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2007-09-20.

Method of forming divided charges in flooded wells

Номер патента: RU2306523C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2007-09-20.

Method of forming vessels, activating lifting force of overwater transport performing cargo transportation (version of russian logic - version 4)

Номер патента: RU2582735C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-04-27.

Method of repeated producing formation exposing and device for its implementation

Номер патента: RU2365743C1. Автор: Сергей Сергеевич Яковлев,Максим Павлович Копотилов. Владелец: Максим Павлович Копотилов. Дата публикации: 2009-08-27.

Method of obtaining calcium apatite

Номер патента: RU2473461C2. Автор: Альберт Семенович Алой,Николай Константинович Мокин,Анастасия Вадимовна Макарова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина". Дата публикации: 2013-01-27.

Method of forming vertically oriented vegetable crops (version of russian logic - version 1)

Номер патента: RU2476065C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2013-02-27.

Method of forming single-crystal nanowires in matrix of native oxide

Номер патента: RU2503084C1. Автор: Борис Аронович Гурович,Кирилл Евгеньевич Приходько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2013-12-27.

Method of forming three-dimensional image of earth's surface and air environment using antenna array

Номер патента: RU2539558C1. Автор: Владимир Константинович Клочко,Алексей Николаевич Усачев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2015-01-20.

Method of forming neck of urinary bladder after prostatectomy

Номер патента: RU2462201C1. Автор: Валерий Иргюнович Ким,Михаил Иванович Васильченко,Игорь Владимирович Семенякин,Айнур Мухаметгалеевич Хазимов,Дмитрий Александрович Зеленин,Евгений Александрович Яшин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургская государственная медицинская академия" Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации (ГОУ ВПО ОрГМА Минздравсоцразвития России). Дата публикации: 2012-09-27.

Method of forming "grape bowl ru" from fruit shoots (version of russian logic - version 1)

Номер патента: RU2537571C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of forming antifriction coating on thin-walled steel shells of sliding supports

Номер патента: RU2319049C1. Автор: Лев Борисович Леонтьев,Ванда Болиславовна Хмелевская,Надежда Анатольевна Рассказова. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Морской государственный университет имени адмирала Г.И. Невельского". Дата публикации: 2008-03-10.

Method of decomposing sludge, formed after processing of utilised emulsion cutting fluids

Номер патента: RU2537293C1. Автор: Игорь Александрович Малыхин,Сергей Марциянович Совка,Олег Владимирович Пелипенко,Геннадий Васильевич Сазонов. Владелец: Сергей Марциянович Совка. Дата публикации: 2014-12-27.

Method of forming data support aircraft flight path and device for its implementation

Номер патента: RU2597309C1. Автор: Валерий Иванович Петунин,Любовь Михайловна Неугодникова,Валерий Дмитриевич Елисеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2016-09-10.

Method of separating layer of stems of flax fibre into portions

Номер патента: RU2584123C1. Автор: Михаил Михайлович Ковалев,Юрий Федорович Лачуга,Вячеслав Анатольевич Романов,Федор Владимирович Зубов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт механизации льноводства" (ФГБНУ ВНИИМЛ). Дата публикации: 2016-05-20.

Method of differential diagnostics of form of erectile dysfunction

Номер патента: RU2460462C1. Автор: Пётр Витальевич Глыбочко,Юрий Михайлович Есилевский,Армаис Альбертович Камалов,Петр Витальевич Глыбочко (RU),Армаис Альбертович Камалов (RU),Юрий Михайлович Есилевский (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Первый Московский государственный медицинский университет им. И.М. Сеченова Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации (ГОУ ВПО Первый МГМУ им. И.М. Сеченова Минздравсоцразвития России). Дата публикации: 2012-09-10.

Method of forming cavitation jets for treatment of surfaces submerged in liquid

Номер патента: RU2271300C2. Автор: Анатолий Иванович Харламов,Валерий Борисович Мустафин,Бандула ВИДЖАЯРАТХНА. Владелец: Анатолий Иванович Харламов. Дата публикации: 2006-03-10.

Method of surface hardening

Номер патента: RU2375465C1. Автор: Святослав Феоктистович Кукин,Олег Георгиевич Девойно,Александр Алексеевич Баркун,Александр Святославович Кукин. Владелец: Республиканское унитарное предприятие "Минский тракторный завод". Дата публикации: 2009-12-10.

Method of forming protective coat (versions)

Номер патента: RU2292325C2. Автор: ров Александр Петрович Стол,Александр Петрович Столяров. Владелец: Александр Петрович Столяров. Дата публикации: 2007-01-27.

Method of forming end-side oesophageal-gastric anastomosis after proximal stomach resection

Номер патента: RU2535075C2. Автор: Илья Иосифович Каган,Анатолий Андреевич Третьяков,Петр Владимирович Самойлов,Валерий Иванович Ким. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургская государственная медицинская академия" Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации /ГБОУ ВПО ОрГМА Минздравсоцразвития России/. Дата публикации: 2014-12-10.

METHOD OF FORMING CONTACT PADS ON YBA2CU3O7-x FILMS

Номер патента: RU2538932C2. Автор: Сергей Александрович Сычев,Александр Геннадьевич Петров,Денис Викторович Федосов,Геннадий Михайлович Серопян,Ирина Станиславовна Позыгун. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инженерные решения". Дата публикации: 2015-01-10.

Method of treating obesity in case of external type of eating behavior disorder

Номер патента: RU2264232C2. Автор: О.И. Хвостова,Е.Н. Лобыкина,В.З. Колтун. Владелец: Новокузнецкий государственный институт усовершенствования врачей. Дата публикации: 2005-11-20.

Method of suture fixation of intraocular lens in ciliary sulcus

Номер патента: RU2472474C1. Автор: Виктор Петрович Фокин,Александр Михайлович Марухненко,Наталья Валентиновна Кадатская. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова Федерального агентства по высокотехнологичной медицинской помощи". Дата публикации: 2013-01-20.

Method of producing abrasive wheel by water-ice jet

Номер патента: RU2407625C2. Автор: Юрий Сергеевич Степанов,Андрей Викторович Киричек,Борис Иванович Афанасьев,Дмитрий Сергеевич Фомин,Михаил Анатольевич Бурнашов,Михаил Алексеевич Степанищев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный технический университет" (ОрелГТУ). Дата публикации: 2010-12-27.

Method of forming information space-time field

Номер патента: RU2492517C2. Автор: Владимир Степанович Телешевский,Анатолий Павлович Арцебарский,Арман Анетович Кульбеков. Владелец: Акционерное общество "Национальная компания "Казакстан Ғарыш Сапары". Дата публикации: 2013-09-10.

Method of catalytic purification of hydrogen-containing gaseous mixture from carbon oxides

Номер патента: RU2534249C1. Автор: Алексей Викторович Дульнев,Анатолий Васильевич Обысов,Мария Александровна Круглова,Валерий Иванович Головков,Татьяна Ивановна Мозгунова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НИАП-КАТАЛИЗАТОР". Дата публикации: 2014-11-27.

Liana-shaped method of forming vines

Номер патента: RU2535734C1. Автор: Александр Юрьевич Ваулин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Челябинская государственная агроинженерная академия" (ФГБОУ ВПО ЧГАА). Дата публикации: 2014-12-20.

Method of laparoscopic anti-reflux operation of fundoplication

Номер патента: RU2463004C1. Автор: Михаил Владимирович Бурмистров,Евгений Иосифович Сигал,Алексей Владимирович Бердников,Том Леонидович Шарапов,Антон Александрович Морошек,Ксения Владимировна Семенова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ" (КНИТУ-КАИ). Дата публикации: 2012-10-10.

Method of forming vessels with sliding devices, activating lifting force of overwater transport performing cargo transportation (version of russian logic - version 2)

Номер патента: RU2580387C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-04-10.

Method of determining parameters of heart rhythm variability

Номер патента: RU2546103C9. Автор: Игорь Анатольевич Ермоленко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Калининградский государственный технический университет". Дата публикации: 2016-01-27.

Method of forming single information pattern from interlinked fragments for display thereof in viewing window of demonstration stand

Номер патента: RU2530854C2. Автор: Сергей Евгеньевич Маркин. Владелец: Сергей Евгеньевич Маркин. Дата публикации: 2014-10-20.

Method of forming vessels, activating lifting force of overwater transport performing cargo transportation (version of russian logic - version 2)

Номер патента: RU2582724C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-04-27.

Method of forming crown of vineyard at lower part of poplar woody plants (version of russian logic - version 3)

Номер патента: RU2532426C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2014-11-10.

Method of hip joint endoprosthesis in case of juvenile arthritis in combination with osteoporosis in teenagers

Номер патента: RU2482810C1. Автор: Олег Алексеевич Малахов,Олег Олегович Малахов,Сергей Юрьевич Морев,Екатерина Иосифовна Алексеева. Владелец: Учреждение Российской академии медицинских наук Научный центр здоровья детей РАМН (НЦЗД РАМН). Дата публикации: 2013-05-27.

Thermal processing method of deep-lying slate coals

Номер патента: RU2388790C1. Автор: Ефим Вульфович Крейнин,Алексей Юрьевич Зоря,Александр Мирославович Карасевич. Владелец: Открытое акционерное общество "Газпром промгаз" (ОАО "Газпром промгаз"). Дата публикации: 2010-05-10.

Method of floors repair

Номер патента: RU2381344C1. Автор: Анатолий Сергеевич Ведяшкин,Николай Леонидович Великанов,Юрий Михайлович Сапрыкин. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Калининградский государственный технический университет". Дата публикации: 2010-02-10.

Method of making abrasive tool

Номер патента: RU2523863C2. Автор: Сергей Александрович Рябцев,Владислав Георгиевич Боровский. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2014-07-27.

Method of forming nanosized conducting element

Номер патента: RU2478239C1. Автор: Дмитрий Борисович Омороков,Владимир Александрович Русецкий. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2013-03-27.

Method of forming protective coating

Номер патента: RU2597460C2. Автор: Виктор Иванович Кубанцев,Михаил Леонидович Трачевский,Евгений Михайлович Рязанов,Анатолий Петрович Криволапов. Владелец: Виктор Иванович Кубанцев. Дата публикации: 2016-09-10.

Method of making sculptures or copies thereof

Номер патента: RU2541945C1. Автор: Николай Алексеевич Козин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ростр". Дата публикации: 2015-02-20.

Method of preventing stenosis of frontonasal fistula in surgical treatment of chronic frontitis

Номер патента: RU2421165C1. Автор: Вячеслав Валерьевич Вавин,Николай Васильевич Мингалев,Андрей Владимирович Шелковников. Владелец: Государственное образовательное учреждение дополнительного профессионального образования "Новокузнецкий государственный институт усовершенствования врачей Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию". Дата публикации: 2011-06-20.

Method of treating obesity in case of emotiogenic type of eating behavior disorder

Номер патента: RU2264233C2. Автор: О.И. Хвостова,Е.Н. Лобыкина,В.З. Колтун. Владелец: Новокузнецкий государственный институт усовершенствования врачей. Дата публикации: 2005-11-20.

Method of restoring impaired innervation of stomach in case of operations of proximal stomach resection

Номер патента: RU2487674C1. Автор: Георгий Цыренович Дамбаев,Михаил Михайлович Соловьев,Василий Васильевич Скиданенко,Александр Николаевич Вусик,Чахангирбай Карипович Абилов. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации (ГБОУ ВПО СибГМУ Минздравсоцразвития России). Дата публикации: 2013-07-20.

Method of positioning of tool in reference system of machine tool in automated engraving complex

Номер патента: RU2279964C1. Автор: Аркадий Владимирович Трачук,Андрей Валерьевич Чеглаков,Александр Георгиевич Писарев,Александр Игоревич Мочалов,Валерий Анатольевич Чеглаков,Андрей Владимирович Журавлев,Владимир Васильевич Павлов,залов Сергей Юрьевич В,Сергей Юрьевич Вязалов,Александр Васильевич Курочкин,Евгений Михайлович Метельский,Виктор Сергеевич Солдатченков,Яков Михайлович Ашкиназий,Виктор Афанасьевич Чекмарев,Алексей Иванович Климов. Владелец: Научно-исследовательский институт Гознака. Дата публикации: 2006-07-20.

Method of forming teeth for arming borehole calibrator

Номер патента: RU2592589C1. Автор: Оксана Юрьевна Елагина,Андрей Геннадьевич Буклаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный университет нефти и газа имени И.М. Губкина". Дата публикации: 2016-07-27.

Method of forming double curvature sheet parts

Номер патента: RU2259248C1. Автор: О.С. Куклин,В.Ю. Шуньгин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт технологии судостроения" (ФГУП "ЦНИИТС"). Дата публикации: 2005-08-27.

Method of forming thin-film protective coating on bases of removable dentures, obturators and components of maxillofacial prostheses

Номер патента: RU2540227C2. Автор: Андрей Леонидович Калинин,Евгений Аркадьевич Митрофанов,Сергей Борисович Симакин. Владелец: Сергей Борисович Симакин. Дата публикации: 2015-02-10.

Method of manufacturing detachable dental prostheses

Номер патента: RU2427345C1. Автор: Танка Ибрагимович Ибрагимов,Александр Александрович Копытов,Сергей Юрьевич Казаков,Владислав Анатольевич Сныткин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный медико-стоматологический университет Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию РФ". Дата публикации: 2011-08-27.

Method of forming ultra-fine-grained structure in billets from metal and alloys

Номер патента: RU2456111C1. Автор: Владимир Валентинович Латыш,Владимир Алексеевич Шундалов,Сергей Петрович Павлинич,Владимир Юрьевич Иванов,Альфред Васимович Шарафутдинов,Игорь Николаевич Михайлов,Юрий Васильевич Артюхин. Владелец: Открытое акционерное общество "Уфимское моторостроительное производственное объединение". Дата публикации: 2012-07-20.

Method of assessment of reservoir bed porosity in horizontal wells by implemeting three-probe neutron survey

Номер патента: RU2351963C1. Автор: Владимир Петрович Стенин,Алексей Алексеевич Чередниченко,Андрей Владимирович Тепляков,Борис Евгеньевич Лухминский. Владелец: ПетроАльянс Сервисис Компани лимитед (Кипр). Дата публикации: 2009-04-10.

Method of forming of discrete wearproof coating of part

Номер патента: RU2562584C1. Автор: Александр Григорьевич Григорьянц,Игорь Николаевич Шиганов,Александр Иванович Мисюров,Роман Сергеевич Третьяков,Петр Евгеньевич Самарин,Антон Яковлевич Ставертий,Андрей Андреевич Холопов,Алексей Николаевич Трушников,Роман Дмитриевич Асютин,Дмитрий Сергеевич Колчанов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2015-09-10.

Method of coloured image formation on metallic surfaces

Номер патента: RU2357844C2. Автор: Евгений Иванович Пряхин,Михаил Григорьевич Афонькин,Екатерина Владимировна Ларионова,Владимир Борисович Звягин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-западный государственный заочный технический университет (СЗТУ). Дата публикации: 2009-06-10.

Method of forming domain structure in single-crystal wafer of nonlinear optical ferroelectric material

Номер патента: RU2411561C1. Автор: Дмитрий Константинович Кузнецов,Владимир Яковлевич Шур,Иван Сергеевич Батурин,Станислав Александрович Негашев,Алексей Иванович Лобов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер". Дата публикации: 2011-02-10.

Method of forming ordered array of nanosized spheroids on substrate

Номер патента: RU2444084C1. Автор: Владимир Владимирович Чесноков,Дмитрий Владимирович Чесноков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУ ВПО "СГГА"). Дата публикации: 2012-02-27.

Synthesis method of superconducting intermetallic compound in films

Номер патента: RU2287614C2. Автор: Адил Жианшахович Тулеушев,Валерий Николаевич Володин,Юрий Жианшахович Тулеушев. Владелец: Дочернее государственное предприятие (на праве хозяйственного ведения) "Институт ядерной физики" Республиканского государственного предприятия (на праве хозяйственного ведения) "Национальный ядерный центр Республики Казахстан" Министерства энергетики и минеральных ресурсов Республики Казахстан. Дата публикации: 2006-11-20.

Manufacturing method of formed fish product

Номер патента: RU2360541C2. Автор: Владимир Александрович Гроховский,Ольга Федоровна Низковская. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Мурманский государственный технический университет. Дата публикации: 2009-07-10.

Method of controlled change of form of frontal eye cornea surface by creation of pseudo membrane in ablation zone

Номер патента: RU2504354C1. Автор: Владимир Анатольевич Семчишен,Антон Владимирович Семчишен. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук. Дата публикации: 2014-01-20.

Method of arc welding or building-up

Номер патента: RU2490101C2. Автор: Алексей Алексеевич Казинский,Роман Юрьевич Ещенко,Никита Алексеевич Казинский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ). Дата публикации: 2013-08-20.

Method of forming system of flows in working chamber of heat-and-mass exchange apparatus and heat-and-mass exchanger apparatus for realization of this method

Номер патента: RU2137074C1. Автор: А.Ф. Гуцол. Владелец: Поляков Евгений Георгиевич. Дата публикации: 1999-09-10.

Method of forming large-size load-bearing structures from glass-reinforced plastic and forming device to this end

Номер патента: RU2405710C1. Автор: Александр Анатольевич Андриенко,Ольга Евгеньевна Федорова,Валерий Михайлович Левшаков. Владелец: Открытое акционерное общество "Центр технологии судостроения и судоремонта" (ОАО "ЦТСС"). Дата публикации: 2010-12-10.

Method of forming composite coatings on magnesium

Номер патента: RU2704344C1. Автор: Сергей Васильевич Гнеденков,Сергей Леонидович Синебрюхов,Вячеслав Михайлович Бузник,Игорь Михайлович Имшинецкий,Дмитрий Валерьевич Машталяр,Александр Константинович Цветников,Константинэ Вахтангович Надараиа,Дмитрий Павлович Кирюхин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН). Дата публикации: 2019-10-28.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of forming active layer of tubular catalyst

Номер патента: RU2401699C1. Автор: Юрий Терентьевич Синяпкин. Владелец: Юрий Терентьевич Синяпкин. Дата публикации: 2010-10-20.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of obtaining hydrogel of medicinal purpose (versions)

Номер патента: RU2432954C1. Автор: Андрей Павлович Морыганов,Наталия Дмитриевна Олтаржевская,Мария Анатольевна Коровина,Лариса Ивановна Макарова,Ирина Михайловна Липатова,Елена Александровна Мезина. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт химии растворов РАН. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of forming "grape bowl ru" from fruit shoots (version of russian logic - version 5)

Номер патента: RU2537917C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2015-01-10.

Production method of sundried formed fish food product

Номер патента: RU2361461C1. Автор: Любовь Сергеевна Абрамова,Елена Германовна Виноградова,Татьяна Николаевна Радакова,Владимир Васильевич Сысоев,Александр Юрьевич Пахомовский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Нессе Петербург". Дата публикации: 2009-07-20.

Article with dimensionally stable polymeric multiple-filament yarn (versions) and method of forming yarn

Номер патента: RU2286409C2. Автор: Питер РИМ,Фаранджис КАЙАНИ. Владелец: Перформанс Файберс, Инк.. Дата публикации: 2006-10-27.

Method of organ-preserving treatment of breast cancer

Номер патента: RU2481075C1. Автор: Дингир Дмитриевич Пак,Алексей Анатольевич Волченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Московский научно-исследовательский онкологический институт им. П.А. Герцена Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации" (ФГБУ "МНИОИ им. П.А. Герцена" Минздравсоцразвития России). Дата публикации: 2013-05-10.

Compound bar for casting of driven elements of impeller pumps with bicurvative blades and method of its manufacturing

Номер патента: RU2359778C1. Автор: Яков Абрамович Глускин. Владелец: "Центр Разработки Нефтедобывающего Оборудования (Црно)". Дата публикации: 2009-06-27.

Method of increasing adaptive capacity of holstein cows under conditions of monsoon climate during formation of breeding herd on productive longevity

Номер патента: RU2553559C2. Автор: Наталья Федоровна Ключникова,Михаил Тихонович Ключников,Елена Михайловна Ключникова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Дальневосточный научно-исследовательский институт сельского хозяйства (ФГБНУ "ДВ НИИСХ"). Дата публикации: 2015-06-20.

Method of forming protective coats for graphite substrate holders and device for method embodiment

Номер патента: RU2165999C2. Автор: Ю.Н. Баранов,Е.Н. Любушкин,С.Н. Батюк,Э.Б. Сигалов,Н.С. Волков. Владелец: Научно-исследовательский институт молекулярной электроники. Дата публикации: 2001-04-27.

Method of forming ground cereal products

Номер патента: RU2263544C1. Автор: В.Л. Злочевский,А.В. Злочевский. Владелец: Злочевский Алексей Валерьевич. Дата публикации: 2005-11-10.

Method of surgical correction of myopic astigmatism

Номер патента: RU2379012C1. Автор: Александр Иванович Мягких. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ост-Оптик К". Дата публикации: 2010-01-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.