Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Methods of forming self-aligned vias and air gaps

Номер патента: US10840186B2
Опубликовано: 17-11-2020
Автор(ы): Abhijit Basu Mallick, Praburam Gopalraja, Susmit Singha Roy, Ziqing Duan
Принадлежит: Applied Materials Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Self-aligned via patterning with multi-colored photobuckets for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09406512B2. Автор: Kanwal Jit Singh,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Alan M. Myers. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Self aligned via and pillar cut for at least a self aligned double pitch

Номер патента: US09548243B1. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Terry A. Spooner,Theodorus E. Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Self-aligned via forming to conductive line and related wiring structure

Номер патента: US20180211871A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Self-aligned via forming to conductive line and related wiring structure

Номер патента: US20170186682A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Self aligned via and pillar cut for at least a self aligned double pitch

Номер патента: US20170004996A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Terry A. Spooner,Theodorus E. Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Self aligned via and pillar cut for at least a self aligned double pitch

Номер патента: US20170117177A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Terry A. Spooner,Theodorus E. Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Self aligned via and pillar cut for at least a self aligned double pitch

Номер патента: US20190311946A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Terry A. Spooner,Theodorus E. Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Self aligned via and pillar cut for at least a self aligned double pitch

Номер патента: US10395977B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Terry A. Spooner,Theodorus E. Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Self aligned via and pillar cut for at least a self aligned double pitch

Номер патента: US20190318960A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Terry A. Spooner,Theodorus E. Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Cut first alternative for 2D self-aligned via

Номер патента: US09425097B1. Автор: Guillaume Bouche,Sudharshanan RAGHUNATHAN,Andy Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Fully self aligned via integration processes

Номер патента: WO2023027827A1. Автор: Xintuo Dai. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Self-aligned via and plug patterning with photobuckets for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09553018B2. Автор: Kanwal Jit Singh,Kevin Lin,Robert L. Bristol,Alan M. Myers,Richard E. Schenker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Subtractive self-aligned via and plug patterning for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: EP3050087A1. Автор: Florian Gstrein,Robert L. Bristol,Charles H. Wallace,Richard E. Schenker,Hui Jae Yoo,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-03.

Subtractive self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09793163B2. Автор: Florian Gstrein,Robert L. Bristol,Charles H. Wallace,Richard E. Schenker,Hui Jae Yoo,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Back end of line integration for self-aligned vias

Номер патента: US11916010B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for producing self-aligned vias

Номер патента: US09484258B1. Автор: Lei Sun,Wenhui Wang,Ryan Ryoung-Han Kim,Yulu Chen,Erik Verduijn. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Apparatus and method of forming self-aligned cuts in mandrel and a non-mandrel lines of an array of metal lines

Номер патента: US09818641B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods Of Forming Self-Aligned Vias And Air Gaps

Номер патента: US20180358260A1. Автор: GOPALRAJA Praburam,Mallick Abhijit Basu,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Methods of forming self-aligned vias and air gaps

Номер патента: US10403542B2. Автор: Ziqing Duan,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Praburam Gopalraja. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-09-03.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20180286750A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20210202313A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20190172748A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US10242911B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US09911652B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20220406658A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Method for forming self-aligned contacts/vias with high corner selectivity

Номер патента: US20150170965A1. Автор: PENG Wang,Eric A. Hudson,Ananth INDRAKANTI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Interconnect structure having large self-aligned vias

Номер патента: US09659820B2. Автор: Carl Radens,Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Nicole A. Saulnier,Richard Stephen Wise,Yiheng XU,Akil K. Sutton,Terry Allen Spooner. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-23.

Self aligned via in integrated circuit

Номер патента: US09768113B2. Автор: Terry A. Spooner,Lars W. Liebmann,Yann Mignot,Yannick Feurprier,Joe Lee,Douglas M. Trickett,Mehmet Yilmaz. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-09-19.

SELF ALIGNED VIA AND PILLAR CUT FOR AT LEAST A SELF ALIGNED DOUBLE PITCH

Номер патента: US20190311946A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,STANDAERT Theodorus E.,Spooner Terry A.,RIZZOLO Michael,Briggs Benjamin D.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Self aligned via and pillar cut for at least a self aligned double pitch

Номер патента: US20190318960A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Terry A. Spooner,Theodorus E. Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Fully Self-Aligned Via

Номер патента: US20210090952A1. Автор: Hwang Ho-Yung David,Ren He,Bazizi El Mehdi,Sachan Madhur,Freed Regina,Mitra Uday,Roy Susmit Singha,Alva Gabriela,Sachid Angada Bangalore,Mittal Sushant. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

SELF-ALIGNED VIA FORMING TO CONDUCTIVE LINE AND RELATED WIRING STRUCTURE

Номер патента: US20170186682A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

SELF-ALIGNED VIA FORMING TO CONDUCTIVE LINE AND RELATED WIRING STRUCTURE

Номер патента: US20180211871A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

INTERCONNECT STRUCTURE HAVING LARGE SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20160247722A1. Автор: Radens Carl,Clevenger Lawrence A.,Zhang John H.,XU Yiheng,Sutton Akil K.,Wise Richard Stephen,SAULNIER Nicole A.,SPOONER Terry Allen. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

Method For Creating A Fully Self-Aligned Via

Номер патента: US20190378756A1. Автор: Ingle Nitin K.,Hwang Ho-Yung David,Wang Xikun,Freed Regina,Mitra Uday,Mullick Amrita B.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

A method for creating a fully self-aligned via

Номер патента: WO2019236350A1. Автор: Xikun Wang,Regina FREED,Nitin K. Ingle,Uday Mitra,Ho-Yung David Hwang,Amrita B. Mullick. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2019-12-12.

Method for creating a fully self-aligned via

Номер патента: US10699953B2. Автор: Xikun Wang,Regina FREED,Nitin K. Ingle,Uday Mitra,Ho-Yung David Hwang,Amrita B. Mullick. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2020-06-30.

Structure and method to self align via to top and bottom of tight pitch metal interconnect layers

Номер патента: KR102312732B1. Автор: 케빈 린,마니쉬 찬독,로버트 엘. 브리스톨,리차드 이. 쉔커,마우로 제이. 코브린스키. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-10-15.

Fully self-aligned via

Номер патента: US11437274B2. Автор: Susmit Singha Roy,Regina FREED,Uday Mitra,He REN,Ho-Yung David Hwang,Madhur Sachan,El Mehdi Bazizi,Gabriela Alva,Angada Bangalore Sachid,Sushant Mittal. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2022-09-06.

Structure and method to self align via to top and bottom of tight pitch metal interconnect layers

Номер патента: WO2016105422A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Kevin Lin,Robert L. Bristol,Richard E. Schenker,Manish Chandhok. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Self-aligned via patterning with multi-colored photobuckets for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: KR102281062B1. Автор: 제임스 엠. 블랙웰,로버트 엘. 브리스톨,앨런 엠. 마이어스,칸왈 제이. 싱. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-07-23.

Self aligned via in integrated circuit

Номер патента: US9373582B1. Автор: Terry A. Spooner,Lars W. Liebmann,Yann Mignot,Yannick Feurprier,Joe Lee,Douglas M. Trickett,Mehmet Yilmaz. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-06-21.

Self-aligned via patterning with multi-colored photobuckets for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: EP3084820A1. Автор: James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Alan M. Myers,Kanwal J. SINGH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Self aligned via in integrated circuit

Номер патента: US9385078B1. Автор: Terry A. Spooner,Lars W. Liebmann,Yann Mignot,Yannick Feurprier,Joe Lee,Douglas M. Trickett,Mehmet Yilmaz. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-07-05.

Cut first alternative for 2D self-aligned via

Номер патента: US09852984B2. Автор: Guillaume Bouche,Sudharshanan RAGHUNATHAN,Andy Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of forming self-aligned metal lines and vias

Номер патента: US09607893B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Forming Self-Aligned Contact with Spacer First

Номер патента: US20190027580A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Sean Lian,Mark V. Raymond. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Methods for forming self-aligned contacts using spin-on silicon carbide

Номер патента: WO2022177828A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods for Forming Self-Aligned Contacts Using Spin-on Silicon Carbide

Номер патента: US20220262679A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Double self aligned via patterning

Номер патента: US20140363969A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yongan Xu,Yunpeng Yin,Ailian Zhao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Double self-aligned via patterning

Номер патента: US20150364372A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yongan Xu,Yunpeng Yin,Ailian Zhao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS/VIAS WITH HIGH CORNER SELECTIVITY

Номер патента: US20150325479A1. Автор: WANG Peng,Hudson Eric A.,INDRAKANTI Ananth. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

CUT FIRST ALTERNATIVE FOR 2D SELF-ALIGNED VIA

Номер патента: US20160322298A1. Автор: Wei Andy,Bouche Guillaume,Raghunathan Sudharshanan. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

Method of creating a maskless air gap in back end interconnects with double self-aligned vias

Номер патента: US20150001724A1. Автор: Florian Gstrein,Hui Jae Yoo,Manish Chandhok,Yan A. Borodovsky,Kevin L. Lin,David N. Shykind. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-01.

Methods, apparatus and system for forming a dielectric field for dual orientation self aligned vias

Номер патента: US9530691B1. Автор: Xunyuan Zhang,Errol Todd Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming self aligned continuity blocks for mandrel and non-mandrel interconnect lines

Номер патента: US09679809B1. Автор: Lei Yuan,Yan Wang,Guillaume Bouche,Jongwook Kye,Wenhui Wang,Jia ZENG,Chenchen Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

FORMING SELF-ALIGNED VIAS AND AIR-GAPS IN SEMICONDUCTOR FABRICATION

Номер патента: US20210202313A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Radens Carl J.,Zhang John H.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

FORMING SELF-ALIGNED VIAS AND AIR-GAPS IN SEMICONDUCTOR FABRICATION

Номер патента: US20190172748A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Radens Carl J.,Zhang John H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2019-06-06.

FORMING SELF-ALIGNED VIAS AND AIR-GAPS IN SEMICONDUCTOR FABRICATION

Номер патента: US20180286750A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Radens Carl J.,Zhang John H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2018-10-04.

Method and apparatus for forming self-aligned via with selectively deposited etching stop layer

Номер патента: US09659864B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method and apparatus for forming self-aligned via with selectively deposited etching stop layer

Номер патента: US09922927B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Apparatus and method of forming self-aligned cuts in a non-mandrel line of an array of metal lines

Номер патента: US9818640B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method and Apparatus for Forming Self-Aligned Via with Selectively Deposited Etching Stop Layer

Номер патента: US20210098362A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,SHUE Shau-Lin,Wu Yung-Hsu,Tsai Jung-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SELF-ALIGNED VIA WITH SELECTIVELY DEPOSITED ETCHING STOP LAYER

Номер патента: US20170110397A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,SHUE Shau-Lin,Wu Yung-Hsu,Tsai Jung-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SELF-ALIGNED VIA WITH SELECTIVELY DEPOSITED ETCHING STOP LAYER

Номер патента: US20180211911A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,SHUE Shau-Lin,Wu Yung-Hsu,Tsai Jung-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SELF-ALIGNED VIA WITH SELECTIVELY DEPOSITED ETCHING STOP LAYER

Номер патента: US20170256486A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,SHUE Shau-Lin,Wu Yung-Hsu,Tsai Jung-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

Method and apparatus for forming self-aligned via with selectively deposited etching stop layer

Номер патента: US20180211911A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Method and Apparatus for Forming Self-Aligned Via with Selectively Deposited Etching Stop Layer

Номер патента: US20210098362A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Method and apparatus for forming self-aligned via with selectively deposited etching stop layer

Номер патента: US20170256486A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Methods for forming self-aligned interconnect structures

Номер патента: US20240347384A1. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Hoi-Tou Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods for Forming Self-Aligned Interconnect Structures

Номер патента: US20210035862A1. Автор: Liu Ru-Gun,Chang Shih-Ming,Ng Hoi-Tou. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

Methods for forming self-aligned interconnect structures

Номер патента: US11289376B2. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Hoi-Tou Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Method for forming self-aligned interconnect structure

Номер патента: CN112309963A. Автор: 张世明,刘如淦,伍海涛. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Methods for forming self-aligned interconnect structures

Номер патента: US12020984B2. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Hoi-Tou Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Subtractive self-aligned via and plug patterning for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: EP3050087A4. Автор: Florian Gstrein,Robert L. Bristol,Charles H. Wallace,Richard E. Schenker,Hui Jae Yoo,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-26.

Methods Of Producing Self-Aligned Vias

Номер патента: US20190067102A1. Автор: ZHANG YING,Hwang Ho-Yung David,Ren He,Mallick Abhijit Basu,Zhou Qingjun,Lin Yung-Chen,Mitra Uday. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Methods of producing self-aligned vias

Номер патента: WO2019046399A1. Автор: Ying Zhang,Abhijit Basu Mallick,Ho-Yung Hwang,Uday Mitra,Yung-Chen Lin,Qingjun Zhou,He REN. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Methods of producing self-aligned vias

Номер патента: WO2019050735A1. Автор: Ying Zhang,Regina FREED,Nitin K. Ingle,Ho-Yung Hwang,Uday Mitra. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2019-03-14.

Methods of producing self-aligned vias

Номер патента: US10510602B2. Автор: Ying Zhang,Abhijit Basu Mallick,Uday Mitra,Yung-Chen Lin,Qingjun Zhou,He REN,Ho-Yung David Hwang. Владелец: Mirocmaterials LLC. Дата публикации: 2019-12-17.

Methods of producing self-aligned vias

Номер патента: US10600688B2. Автор: Ying Zhang,Regina FREED,Nitin K. Ingle,Uday Mitra,Ho-Yung David Hwang. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2020-03-24.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Self-aligned via and plug patterning with photobuckets for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: US20160104642A1. Автор: Kanwal Jit Singh,Kevin Lin,Robert L. Bristol,Alan M. Myers,Richard E. Schenker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-14.

Self Aligned Via and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20180151432A1. Автор: Lai Chih-Ming,Liu Ru-Gun,LIN WEI-CHENG,TZENG JIANN-TYNG,WU Chia-Tien,Chuang Cheng-Chi,Young Charles Chew-Yuen,Sio Kam-Tou,CHEN Chih-Liang,Chou Lei-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

SELF-ALIGNED VIA AND PLUG PATTERNING WITH PHOTOBUCKETS FOR BACK END OF LINE (BEOL) INTERCONNECTS

Номер патента: US20150171010A1. Автор: LIN Kevin,Singh Kanwal Jit,SCHENKER Richard E.,BRISTOL Robert L.,Myers Alan M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Self aligned via and method for fabricating the same

Номер патента: TWI713783B. Автор: 曾健庭,林威呈,吳佳典,劉如淦,莊正吉,陳志良,賴志明,超源 楊,蕭錦濤,周雷峻. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2020-12-21.

Self-aligned via and plug patterning with photobuckets for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: KR102280070B1. Автор: 케빈 린,로버트 엘. 브리스톨,리차드 이. 쉔커,앨런 엠. 마이어스,칸월 제이. 싱. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-07-22.

Subtractive self-aligned via and plug patterning for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: EP3050087B1. Автор: Florian Gstrein,Robert L. Bristol,Charles H. Wallace,Richard E. Schenker,Hui Jae Yoo,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-29.

Method for fully self-aligned via formation using a directed self assembly (dsa) process

Номер патента: US20180130708A1. Автор: Elliott Franke,Richard Farrell,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-10.

SELF-ALIGNED VIA BELOW SUBTRACTIVELY PATTERNED INTERCONNECT

Номер патента: US20190035677A1. Автор: Yoo Hui Jae,NASKAR Sudipto,CHANDHOK Manish,Suri Satyarth,SCHENKER Richard E.,LIN Kevin L.,BOJARSKI Stephanie A.,CARVER Colin T.,Chawla Jasmeet S.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

Self-aligned via fuse

Номер патента: US20150048479A1. Автор: Wai-Kin Li,Junjing Bao,Samuel S. Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

METHOD FOR FULLY SELF-ALIGNED VIA FORMATION USING A DIRECTED SELF ASSEMBLY (DSA) PROCESS

Номер патента: US20180130708A1. Автор: Mohanty Nihar,FRANKE Elliott,Farrell Richard. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

Self-aligned via interconnect structures

Номер патента: US20160163587A1. Автор: Joyeeta Nag,Benjamin C. BACKES,Brian A. Cohen,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUITS WITH SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20160254185A1. Автор: RYAN Errol Todd,Lin Sean X.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

SELF-ALIGNED VIA INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20190326170A1. Автор: Radens Carl J.,BACKES Benjamin C.,COHEN Brian A.,NAG Joyeeta. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

Selective Removal Process To Create High Aspect Ratio Fully Self-Aligned Via

Номер патента: US20190348322A1. Автор: Ren He,Srinivasan Swaminathan,Sachan Madhur,Freed Regina,Mitra Uday,Mullick Amrita B.. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

SELF ALIGNED VIA IN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160379929A1. Автор: Liebmann Lars W.,Mignot Yann,Spooner Terry A.,LEE JOE,Feurprier Yannick,TRICKETT Douglas M.,Yilmaz Mehmet. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Selective Removal Process To Create High Aspect Ratio Fully Self-Aligned Via

Номер патента: US20200388535A1. Автор: Ren He,Srinivasan Swaminathan,Sachan Madhur,Freed Regina,Mitra Uday,Mullick Amrita B.. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2020-12-10.

Selective removal process to create high aspect ratio fully self-aligned via

Номер патента: US10790191B2. Автор: Swaminathan Srinivasan,Regina FREED,Uday Mitra,He REN,Amrita B. Mullick,Madhur Sachan. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2020-09-29.

Method for creating a fully self-aligned via

Номер патента: US10892187B2. Автор: Regina FREED,Uday Mitra,Sanjay Natarajan. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2021-01-12.

Selective removal process to create high aspect ratio fully self-aligned via

Номер патента: US11037825B2. Автор: Swaminathan Srinivasan,Regina FREED,Uday Mitra,He REN,Amrita B. Mullick,Madhur Sachan. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2021-06-15.

Self-aligned via interconnect structures

Номер патента: US10727122B2. Автор: Joyeeta Nag,Benjamin C. BACKES,Brian A. Cohen,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-28.

Semiconductor device with self-aligned vias

Номер патента: US11502001B2. Автор: Chien-Han Chen,Chien-Chih Chiu,Ming-Chung Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-15.

Selective removal process to create high aspect ratio fully self-aligned via

Номер патента: WO2019217363A1. Автор: Swaminathan Srinivasan,Regina FREED,Uday Mitra,He REN,Amrita B. Mullick,Madhur Sachan. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2019-11-14.

Self-aligned via interconnect structures

Номер патента: US11348832B2. Автор: Joyeeta Nag,Benjamin C. BACKES,Brian A. Cohen,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-31.

Self-aligned via fuse

Номер патента: US9240376B2. Автор: Wai-Kin Li,Junjing Bao,Samuel S. Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-19.

Semiconductor device with self-aligned vias

Номер патента: KR102526311B1. Автор: 치엔-한 첸,치엔-치 치유,밍-충 리앙. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2023-04-26.

Self-aligned via and air gap

Номер патента: US09842801B2. Автор: Mark A. Zaleski,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Self-aligned via and air gap

Номер патента: US20160260666A1. Автор: Mark A. Zaleski,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Previous layer self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09793159B2. Автор: Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar,Paul A. Nyhus,Elliot N. Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09666451B2. Автор: Charles H. Wallace,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with self-aligned vias

Номер патента: US09520321B2. Автор: Errol Todd Ryan,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Self-aligned via structure by selective deposition

Номер патента: US11756878B2. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Novel self-align via structure by selective deposition

Номер патента: US20240021517A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of patterning pillars to form variable continuity cuts in interconnection lines of an integrated circuit

Номер патента: US09852986B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Spacer self-aligned via structures using directed selfassembly for gate contact or trench contact

Номер патента: US20230317617A1. Автор: Tahir Ghani,Gurpreet Singh,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor back end of line (beol) interconnect using multiple materials in a fully self-aligned via (fsav) process

Номер патента: US20200303253A1. Автор: Kaoru Maekawa,Hirokazu Aizawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Self-aligned via structures and methods

Номер патента: US20240339396A1. Автор: Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Interconnect structure having a barrier layer along the sidewall of self-aligned via structures

Номер патента: US12046551B2. Автор: Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Self-aligned via to metal line for interconnect

Номер патента: US12080640B2. Автор: Tao Li,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Methods for forming 2-dimensional self-aligned vias

Номер патента: US09847252B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Mehul Naik,Bencherki Mebarki. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Integrated circuit interconnect level comprising multi-height lines and self-aligned vias

Номер патента: EP4376063A1. Автор: Matthew Metz,Manish Chandhok,Miriam Reshotko,Elijah Karpov,June CHOI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-29.

Self-aligned via structures with barrier layers

Номер патента: US11251118B2. Автор: Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-15.

Self-Aligned Via to Metal Line for Interconnect

Номер патента: US20230077878A1. Автор: Tao Li,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Methods for forming 2-dimensional self-aligned vias

Номер патента: US20170294348A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Mehul Naik,Bencherki Mebarki. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Integrated circuit interconnect level comprising multi-height lines & self-aligned vias

Номер патента: US20240170394A1. Автор: Matthew Metz,Manish Chandhok,Miriam Reshotko,Elijah Karpov,June CHOI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of creating a maskless air gap in back end interconnects with double self-aligned vias

Номер патента: US20150001724A1. Автор: Florian Gstrein,Hui Jae Yoo,Manish Chandhok,Yan A. Borodovsky,Kevin L. Lin,David N. Shykind. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-01.

METHOD OF CREATING A MASKLESS AIR GAP IN BACK END INTERCONNECTIONS WITH DOUBLE SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20150171012A1. Автор: Yoo Hui Jae,Gstrein Florian,CHANDHOK Manish,Borodovsky Yan A.,LIN Kevin L.,Shykind David N.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Method of forming an air gap semiconductor structure with selective cap bilayer

Номер патента: US09711455B2. Автор: Elbert E. Huang,Stephen M. Gates,Christopher J. Penny,Deepika Priyadarshini,Dimitri R. Kioussis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods of forming air gaps in metallization layers on integrated circuit products

Номер патента: US09768058B2. Автор: Christian Witt,Qiang Fang,Zhiguo Sun. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Interconnect structure having air gap and method of forming the same

Номер патента: US09754882B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Forming air gap

Номер патента: US20180076082A1. Автор: Naftali E. Lustig,Elbert E. Huang,Griselda Bonilla,Andrew H. Simon,Ronald G. Filippi,Samuel S. Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Method of forming self-aligned via

Номер патента: US10923396B2. Автор: Mihaela Balseanu,Suketu Arun Parikh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Method Of Forming Self-Aligned Via

Номер патента: US20200144117A1. Автор: Mihaela Balseanu,Suketu Arun Parikh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Methods of forming backside self-aligned vias and structures formed thereby

Номер патента: WO2017052562A1. Автор: Paul B. Fischer,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Kimin Jun,Il-Seok Son. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Interconnect integration scheme with fully self-aligned vias

Номер патента: US20210118733A1. Автор: Terry A. Spooner,Shyng-Tsong Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Interconnect structures including self aligned vias

Номер патента: US20210090942A1. Автор: Chih-Chao Yang,Terry A. Spooner,Shyng-Tsong Chen,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of manufacturing semiconductor device that includes forming self-aligned contact pad

Номер патента: US20050101127A1. Автор: Tae-Ryong Kim,Jeong-Yun Lee,Yong-Hyeon Park,Jae-hee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-12.

Process Integration Techniques Using A Carbon Layer To Form Self-Aligned Structures

Номер патента: US20180308753A1. Автор: Mosden Aelan,KUMAR KAUSHIK. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR101046717B1. Автор: 이성권,정태우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-07-05.

A method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100276387B1. Автор: 이재구,조창현,정홍식. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-12-15.

Method for forming self aligned contact in semiconductor device with buried gate

Номер патента: KR101075526B1. Автор: 신종한,박점용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for forming self aligned contact hole in semiconductor

Номер патента: KR100839527B1. Автор: 전재영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device to remove stress and reduce contact resistance

Номер патента: KR100443345B1. Автор: 이동현,박창현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-09-18.

Etching method for forming self-alignment contact holes

Номер патента: JP4638030B2. Автор: フラナー・ジャネット・エム．,マークウェツ・リンダ・エヌ．,クック・ジョエル・エム．,モリー・イアン・ジェイ．. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2011-02-23.

Method for forming contact hole of semiconductor device to easily form self-aligned contact pattern and enlarge desired plug size

Номер патента: KR100458296B1. Автор: 김동현,최익수,김상욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-02-07.

Method for forming self align contact of semiconductor device

Номер патента: KR101073130B1. Автор: 이민석,이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-12.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: JP4040781B2. Автор: 燦旭 鄭,昌珍 姜,相燮 鄭,▲チュル▼ 鄭,昶賢 趙,弘植 鄭,宰求 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-30.

Method for forming self-aligned contacts using a hard mask

Номер патента: US6265296B1. Автор: Erik S. Jeng,Hung-Yi Luo,Hao-Chieh Liu,Tzu-Shih Yen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-07-24.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: JP5084074B2. Автор: 眞 雄 金. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-11-28.

Forming self-aligned contacts

Номер патента: GB202001682D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-25.

Method of fabricating an ultra low-k dielectric self-aligned via

Номер патента: US20140024220A1. Автор: Nikolaos Bekiaris,Sean S. Kang,Chih-Yang Chang,Chia-Ling Kao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-23.

Methods Of Producing Self-Aligned Vias

Номер патента: US20190074219A1. Автор: ZHANG YING,Ingle Nitin K.,Hwang Ho-yung,Freed Regina,Mitra Uday. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-07.

SELF ALIGNED VIA AND PILLAR CUT FOR AT LEAST A SELF ALIGNED DOUBLE PITCH

Номер патента: US20170004996A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,STANDAERT Theodorus E.,Spooner Terry A.,RIZZOLO Michael,Briggs Benjamin D.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

Self-Aligned Via Formation Using Spacers

Номер патента: US20220102212A1. Автор: Su Yi-Nien,SHIEH JYU-HORNG. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

SELF-ALIGNED VIA INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20160197013A1. Автор: Radens Carl J.,BACKES Benjamin C.,COHEN Brian A.,NAG Joyeeta. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Selectively Etched Self-Aligned Via Processes

Номер патента: US20190189510A1. Автор: Ying Zhang,Regina FREED,Uday Mitra,Yung-Chen Lin,Qingjun Zhou,Ho-Yung David Hwang. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2019-06-20.

DOUBLE SELF-ALIGNED VIA PATTERNING

Номер патента: US20150364372A1. Автор: Yin Yunpeng,Chen Hsueh-Chung,Xu Yongan,ZHAO Ailian. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Selectively etched self-aligned via processes

Номер патента: EP3499557A1. Автор: Ying Zhang,Regina FREED,Uday Mitra,Yung-Chen Lin,Qingjun Zhou,Ho-Yung David Hwang. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2019-06-19.

Selectively etched self-aligned via processes

Номер патента: US10593594B2. Автор: Ying Zhang,Regina FREED,Uday Mitra,Yung-Chen Lin,Qingjun Zhou,Ho-Yung David Hwang. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2020-03-17.

Selectively etched self-aligned via processes

Номер патента: KR102219125B1. Автор: 잉 장,영-첸 린,칭준 조우,호-영 데이비드 황,우다이 미트라,레기나 프리드. Владелец: 마이크로머티어리얼즈 엘엘씨. Дата публикации: 2021-02-23.

Self-aligned via processes that are selectively etched

Номер патента: KR20200044978A. Автор: 잉 장,영-첸 린,케빈 조우,호-영 황. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2020-04-29.

Selectively etched self-aligned via processes

Номер патента: KR20190072461A. Автор: 잉 장,영-첸 린,칭준 조우,호-영 데이비드 황,우다이 미트라,레기나 프리드. Владелец: 마이크로머티어리얼즈 엘엘씨. Дата публикации: 2019-06-25.

Integration of silicon-rich material in the self-aligned via approach of dual damascene interconnects

Номер патента: US6350675B1. Автор: Yi Xu,Mei-Sheng Zhou,Subhash Gupta,Simon Chooi. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-02-26.

Selectively Etched Self-Aligned Via Processes

Номер патента: KR102355958B1. Автор: 잉 장,영-첸 린,케빈 조우,호-영 황. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2022-01-25.

Method for maximizing air gap in back end of the line interconnect through via landing modification

Номер патента: US09837355B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Christopher J. Penny. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of forming semiconductor device

Номер патента: US20240274527A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09570583B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09455330B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Methods of forming self-aligned contacts

Номер патента: US20220189965A1. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Methods of forming self-aligned contacts

Номер патента: US20200373309A1. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Methods of forming self-aligned contacts comprising reusing hardmask materials and lithography reticles

Номер патента: US11302699B2. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-12.

Forming self-aligned vertical interconnect accesses (vias) in interconnect structures for integrated circuits (ics)

Номер патента: EP3433877A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED DEVICE LEVEL CONTACT STRUCTURES

Номер патента: US20170047253A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

Method of forming self-aligned pattern by chemical mechanical polishing suitable for substrate capacitor formation

Номер патента: JP3682903B2. Автор: ジー リー マイケル,アイ ベイリン ソロモン. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-08-17.

Forming self-aligned dual patterning mandrel and non-mandrel interconnects

Номер патента: US09659818B1. Автор: Carl Radens,Lawrence A. Clevenger,John Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for Forming Self-Aligned Trench Contacts of Semiconductor Components and A Semiconductor Component

Номер патента: US20130181284A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-07-18.

PROCESS FOR FORMING SELF-ALIGNED CONNECTION HOLES IN MULTI-LAYER INTERCONNECTION SYSTEMS

Номер патента: FR2375717A1. Автор: Bisweswar Patnaik,Chung-Yu Ting,Vivian R Corbin,James E Hitchner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-07-21.

Methods Of Producing Fully Self-Aligned Vias And Contacts

Номер патента: US20180374750A1. Автор: ZHANG YING,Ingle Nitin K.,Mallick Abhijit Basu,Hwang Ho-yung,Freed Regina,Mitra Uday,Natarajan Sanjay. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Self-aligned via for gate contact of semiconductor devices

Номер патента: WO2016003595A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-01-07.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09966310B1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09892970B2. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Self aligned via dual damascene

Номер патента: US5795823A. Автор: Steven Avanzino,Subhash Gupta,Ming-Ren Lin,Rich Klein,Scott D. Luning. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US12021123B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20240339511A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Interconnection with self-aligned via plug

Номер патента: US5596230A. Автор: Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20220302268A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of Forming Self-Aligned Contacts for a Semiconductor Device

Номер патента: US20130189833A1. Автор: Peter Baars,Andy Wei,Martin Mazur,Erik Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Self-forming, self-aligned barriers for back-end interconnects and methods of making same

Номер патента: US20240203786A1. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Jeffery D. Bielefeld,Hui Jae Yoo,Sean W. King. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of selective film deposition for forming fully self-aligned vias

Номер патента: US20190157149A1. Автор: Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of selective deposition for forming fully self-aligned vias

Номер патента: US20210074584A1. Автор: Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Spacer self-aligned via structures for gate contact or trench contact

Номер патента: EP4099371A1. Автор: Tahir Ghani,Robert Joachim,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-07.

Spacer self-aligned via structures using assisted grating for gate contact or trench contact

Номер патента: US20230290841A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Desalegne B. Teweldebrhan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20220285216A1. Автор: Chen Chien-Han,Liang Ming-Chung,Chiu Chien-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20200135562A1. Автор: Chen Chien-Han,Liang Ming-Chung,Chiu Chien-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Method for forming self-aligned isolation trenches in semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20150171162A1. Автор: Tzung-Han Lee,Yaw-Wen Hu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US09627321B2. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US09373584B2. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

SELF-FORMING, SELF-ALIGNED BARRIERS FOR BACK-END INTERCONNECTS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20160307796A1. Автор: Yoo Hui Jae,Bielefeld Jeffery D.,King Sean W.,Balakrishnan Sridhar. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Air gap dielectric in self-aligned via structures

Номер патента: US6281585B1. Автор: Subhas Bothra. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 2001-08-28.

METHODS AND APPARATUSES TO FORM SELF-ALIGNED CAPS

Номер патента: US20220270978A1. Автор: Singh Kanwal Jit,Boyanov Boyan. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

METHODS AND APPARATUSES TO FORM SELF-ALIGNED CAPS

Номер патента: US20170207120A1. Автор: Singh Kanwal Jit,Boyanov Boyan. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US20200321282A1. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

FORMING SELF-ALIGNED MULTI-METAL INTERCONNECTS

Номер патента: US20200357748A1. Автор: De Silva Ekmini Anuja,Dutta Ashim. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US20190393157A1. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: KR101684310B1. Автор: 보얀 보야노브,칸왈 지트 싱흐. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: KR102151585B1. Автор: 보얀 보야노브,칸왈 지트 싱흐. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2020-09-03.

Forming self-aligned multi-metal interconnects

Номер патента: US11355442B2. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-07.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: KR102306796B1. Автор: 보얀 보야노브,칸왈 지트 싱흐. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-09-30.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: WO2013066356A1. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-05-10.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: TWI792018B. Автор: 肯瓦爾 辛格,伯葉 伯葉諾夫. Владелец: 美商英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2023-02-11.

Forming self-aligned multi-metal interconnects

Номер патента: US11923311B2. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Self-aligned via process flow

Номер патента: US09502293B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy C. Wei,Sudharshanan Raghunthathan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of etching self-aligned vias to metal using a silicon nitride spacer

Номер патента: US6287952B1. Автор: Edward Belden Harris. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2001-09-11.

Self-aligned via process flow

Номер патента: US20160141206A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy C. Wei,Sudharshanan Raghunthathan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Hybrid interconnect structure for self aligned via

Номер патента: US20230335486A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Hybrid interconnect structure for self aligned via

Номер патента: US20220319984A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

PREVIOUS LAYER SELF-ALIGNED VIA AND PLUG PATTERNING FOR BACK END OF LINE (BEOL) INTERCONNECTS

Номер патента: US20180033692A1. Автор: Sivakumar Swaminathan,Wallace Charles H.,Tan Elliot N.,NYHUS Paul A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

SELF ALIGNED VIA AND PILLAR CUT FOR AT LEAST A SELF ALIGNED DOUBLE PITCH

Номер патента: US20170117177A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,STANDAERT Theodorus E.,Spooner Terry A.,RIZZOLO Michael,Briggs Benjamin D.. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Previous Layer Self-Aligned Via and Plug Patterning for Back End of Line (BEOL)Interconnects

Номер патента: US20160190009A1. Автор: Sivakumar Swaminathan,Wallace Charles H.,Tan Elliot N.,NYHUS Paul A.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Self-Aligned Via and Plug Patterning for Back End of Line (BEOL) Interconnects

Номер патента: US20170221810A1. Автор: Charles H. Wallace,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

SELF-ALIGNED VIA AND PLUG PATTERNING FOR BACK END OF LINE (BEOL) INTERCONNECTS

Номер патента: US20190252208A1. Автор: Wallace Charles H.,NYHUS Paul A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Previous layer self-aligned via and plug patterning for back end of line(beol) interconnects

Номер патента: KR102167317B1. Автор: 스와미나단 시바쿠마르,폴 에이. 니후스,찰스 에이치. 월레스,엘리엇 엔. 탄. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2020-10-19.

Self-aligned via and plug patterning for back end of line(beol) interconnects

Номер патента: KR20160061968A. Автор: 찰스 에이치. 월러스,폴 에이. 나이허스. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2016-06-01.

Self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US10991599B2. Автор: Charles H. Wallace,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-27.

Self-aligned via and plug patterning for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: EP3050085A4. Автор: Charles H. Wallace,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-24.

Previous layer self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: TW201528347A. Автор: Swaminathan Sivakumar,Elliot N Tan,Charles H Wallace,Paul A Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

SELF-ALIGNED VIA PROCESS FLOW

Номер патента: US20170004999A1. Автор: Bouche Guillaume,Wei Andy C.,Raghunthathan Sudharshanan. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

Self-Aligned Via Structures and Methods

Номер патента: US20210082804A1. Автор: Lee Chung-Ju,Tsai Cheng-Hsiung,Wu Chieh-Han,Lu Chih Wei. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

FULLY SELF-ALIGNED VIA

Номер патента: US20200098633A1. Автор: ZHANG YING,Ingle Nitin K.,Hwang Ho-Yung David,Mallick Abhijit Basu,Freed Regina,Mitra Uday. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2020-03-26.

Fully Self-Aligned Via

Номер патента: US20190189512A1. Автор: ZHANG YING,Ingle Nitin K.,Hwang Ho-Yung David,Mallick Abhijit Basu,Freed Regina,Mitra Uday. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

SELF-ALIGNED VIA PATTERNING WITH MULTI-COLORED PHOTOBUCKETS FOR BACK END OF LINE (BEOL) INTERCONNECTS

Номер патента: US20150255284A1. Автор: BLACKWELL JAMES M.,Singh Kanwal Jit,BRISTOL Robert L.,Myers Alan M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

STRUCTURE AND METHOD TO SELF ALIGN VIA TO TOP AND BOTTOM OF TIGHT PITCH METAL INTERCONNECT LAYERS

Номер патента: US20170263553A1. Автор: LIN Kevin,CHANDHOK Manish,KOBRINSKY Mauro J.,SCHENKER Richard E.,BRISTOL Robert L.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

INTERCONNECT STRUCTURE HAVING LARGE SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20150279784A1. Автор: Radens Carl,Clevenger Lawrence A.,Zhang John H.,XU Yiheng,Wise Richard Stephen,SAULNIER Nicole A.,Spooner Terry. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Self-Aligned Via Interconnect Using Relaxed Patterning Exposure

Номер патента: US20140367855A1. Автор: Moroz Victor,Rieger Michael L.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

METHODS FOR FORMING 2-DIMENSIONAL SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20170294348A1. Автор: Nemani Srinivas D.,Naik Mehul,MEBARKI BENCHERKI. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

2d self-aligned via first process flow

Номер патента: US20160329278A1. Автор: Guillaume Bouche,Sudharshanan RAGHUNATHAN,Andy Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Fully Self-Aligned Via

Номер патента: US20190348323A1. Автор: ZHANG YING,Ingle Nitin K.,Mallick Abhijit Basu,Hwang Ho-yung,Freed Regina,Mitra Uday. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Method For Creating A Fully Self-Aligned Via

Номер патента: US20190355620A1. Автор: Freed Regina,Mitra Uday,Natarajan Sanjay. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Previous layer self-aligned via hole and plug patterning for back segment (BEOL) interconnection

Номер патента: CN105493249B. Автор: C·H·华莱士,P·A·尼许斯,E·N·谭,S·希瓦库马. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-14.

Self-aligned via hole and plug patterning for back segment (BEOL) interconnection

Номер патента: CN105518837B. Автор: C·H·华莱士,P·A·尼许斯. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

Gate spacer structure and method of forming same

Номер патента: US12062709B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Wei-Ting Chien,Yi-Hsiu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Method for forming self-aligned contact window

Номер патента: US6015741A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Tony Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-01-18.

Method for forming self aligned contacts

Номер патента: US20020098640A1. Автор: Ii-Wook Kim,Jong-Sam Kim,Dong-kuk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Transistor with reduced gate resistance and improved process margin of forming self-aligned contact

Номер патента: US20220051939A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Methods to form self-aligned permanent on-chip interconnect structures

Номер патента: US20120018891A1. Автор: Qinghuang Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Method of forming chip with through silicon via electrode

Номер патента: US09437491B2. Автор: Yung-Chang Lin,Chien-Li Kuo,Chu-Fu Lin,Ming-Tse Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Methods Of Forming Self-Aligned Vias

Номер патента: US20190385849A1. Автор: Chan Kelvin,Thompson David,Anthis Jeffrey W.,Gandikota Srinivas,Mallick Abhijit Basu,CHEN Yihong,Schmiege Benjamin,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACT STRUCTURES BY WORK FUNCTION MATERIAL LAYER RECESSING AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20170287780A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

Methods of forming self-aligned contacts

Номер патента: US20200373309A1. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

The method for forming self-aligned via holes

Номер патента: CN109791913A. Автор: 戴维·汤普森,杰弗里·W·安西斯,本杰明·施密格,阿布海杰特·巴苏·马利克,苏米特·辛格·罗伊,段子晴. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

Method for forming self-aligned contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR100441998B1. Автор: 서준,송종희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-07-30.

Method of forming and patterning conformal insulation layer in vias and etched structures

Номер патента: CN102844856A. Автор: 罗伯特·迪蒂奇奥. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2012-12-26.

Method of forming and patterning conformal insulation layer in vias and etched structures

Номер патента: WO2011104550A2. Автор: Robert Ditizio. Владелец: Spp Process Technology Systems Uk Limited. Дата публикации: 2011-09-01.

SELF-ALIGNED VIA INTERCONNECT USING RELAXED PATTERNING EXPOSURE

Номер патента: US20140015135A1. Автор: Moroz Victor,Rieger Michael L.. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor back end of line (beol) interconnect using multiple materials in a fully self-aligned via (fsav) process

Номер патента: US20200303253A1. Автор: Kaoru Maekawa,Hirokazu Aizawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor back end of line (BEOL) interconnect using multiple materials in a fully self-aligned via (FSAV) process

Номер патента: US10777456B1. Автор: Kaoru Maekawa,Hirokazu Aizawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Method of forming self-aligned silicide layers on semiconductor devices

Номер патента: US20020182860A1. Автор: Jerry Lin,Cheng-Kuo Yuan,Chi-Wei Chou. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods for fabricating semiconductor or micromachined devices with metal structures and methods for forming self-aligned deep cavity metal structures

Номер патента: US09620373B1. Автор: Rakesh Kumar,Sharath POIKAYIL SATHEESH,Pradeep Yelehanka,Natarajan Rajasekaran,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device structure having air gap and methods of forming the same

Номер патента: US20230386901A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Air-gap scheme for BEOL process

Номер патента: US09449811B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jen-Pan Wang,Chih-Fu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of Forming an Interconnect Structure Having an Air Gap and Structure Thereof

Номер патента: US20230275025A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

BEOL vertical fuse formed over air gap

Номер патента: US09997454B2. Автор: Christopher J. Penny,Marc A. Bergendahl,James J. Demarest,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of forming an interconnect structure having an air gap and structure thereof

Номер патента: US09917058B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

BEOL vertical fuse formed over air gap

Номер патента: US09666528B1. Автор: Christopher J. Penny,Marc A. Bergendahl,James J. Demarest,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of forming an interconnect structure having an air gap and structure thereof

Номер патента: US09496169B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Conductive line structures and methods of forming the same

Номер патента: US9318419B2. Автор: Jung-Dal Choi,Seong-Min Jo,Joon-Hee Lee,Sok-Won LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-19.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US20160307791A1. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US09818642B2. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Air-gap forming techniques for interconnect structures

Номер патента: US09633897B2. Автор: Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12033889B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device structure integrating air gaps and methods of forming the same

Номер патента: US12068372B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240312835A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US12094764B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Cherng-Shiaw Tsai,Kuang-Wei Yang,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3945557A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12046507B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240355671A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Air gaps in a multilayer integrated circuit and method of making same

Номер патента: US20110241220A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Wiring structure and method of forming the same, and semiconductor device including the wiring structure

Номер патента: US09716043B2. Автор: Jeong-Hoon Ahn,Sang-Chul Lee,In-Hwan Kim,Jun-Jung Kim,Joon-Nyung Lee,Yeon-Joo Kim,Jin-Hyeung PARK,Kyoung-Pil Park,Hyo-Seon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240266213A1. Автор: Yasuhiro Mametsuka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240250017A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor devices including an air gap adjacent to an interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240347380A1. Автор: Anthony Jeremy Villalon. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Interconnect structure and method of forming the same

Номер патента: US09564397B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Hai-Ching Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12062612B2. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Shu-Wei LI,Guanyu Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240363534A1. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Shu-Wei LI,Guanyu Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device including air gaps and method of fabricating the same

Номер патента: US09627253B2. Автор: Min-ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Integrated circuit interconnect structure having discontinuous barrier layer and air gap

Номер патента: US20240290653A1. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Chin-Lung Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of forming self aligned extended base contact for a bipolar transistor having reduced cell size

Номер патента: US5227316A. Автор: Madhukar Vora,Greg Burton,Ashok Kapoor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-07-13.

Method Of Forming Self-Aligned Via

Номер патента: US20210166973A1. Автор: Parikh Suketu Arun,Balseanu Mihaela A.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-06-03.

Method Of Forming Self-Aligned Via

Номер патента: US20200144117A1. Автор: Balseanu Mihaela,Parikh Suketu Arun. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Method Of Forming Self-Aligned Via

Номер патента: US20200219768A1. Автор: Balseanu Mihaela,Parikh Suketu Arun. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Method of forming self-aligned via structure

Номер патента: US6372641B1. Автор: Chuen-Der Lien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2002-04-16.

Method of forming self-aligned contacts in a semi-conductor process

Номер патента: GB2269938B. Автор: James A Matthews. Владелец: Microunity Systems Engineering Inc. Дата публикации: 1994-09-07.

METHODS OF FORMING BACKSIDE SELF-ALIGNED VIAS AND STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20180248012A1. Автор: Jun Kimin,MORROW Patrick,FISCHER Paul B.,KOBRINSKY Mauro J.,SON Il-Seok. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-08-30.

METHODS OF FORMING BACKSIDE SELF-ALIGNED VIAS AND STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20190326405A1. Автор: Jun Kimin,MORROW Patrick,FISCHER Paul B.,KOBRINSKY Mauro J.,SON Il-Seok. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for forming self-aligning local interconnects in integrated circuits

Номер патента: EP2592649B1. Автор: Michael C Smayling,Scott T Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2015-04-29.

Interconnect structure having large self-aligned vias

Номер патента: US09658523B2. Автор: Carl Radens,Terry Spooner,Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Nicole A. Saulnier,Richard Stephen Wise,Yiheng XU. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-23.

Techniques for forming self-aligned memory structures

Номер патента: US20210050521A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Techniques for Forming Self-Aligned Memory Structures

Номер патента: KR20220046633A. Автор: 이노센조 토르토렐리,안드레아 레다엘리,스테판 더블유. 러셀,아고스티노 피로바노,파비오 펠리쩌,로렌조 프라틴. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2022-04-14.

Apparatus and method for forming self-aligned cuts in non-cardiac axes of an array of metal lines

Номер патента: CN107863324B. Автор: 杰森·伊葛尼·史蒂芬,古拉密·波奇. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-07-30.

Techniques for forming self-aligned memory structures

Номер патента: US20230027799A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Bottom self-aligned via

Номер патента: US09859208B1. Автор: Naftali E. Lustig,Matthew S. Angyal,Rasit O. TOPALOGLU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods of producing fully self-aligned vias and contacts

Номер патента: US10553485B2. Автор: Ying Zhang,Abhijit Basu Mallick,Regina FREED,Nitin K. Ingle,Ho-Yung Hwang,Uday Mitra,Sanjay Natarajan. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20210305381A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Buried power rails with self-aligned vias to trench contacts

Номер патента: US12094822B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei,Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

FinFET devices with a backside power rail and a backside self-aligned via disposed between dielectric fins

Номер патента: US11901456B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Fully self-aligned via with selective bilayer dielectric regrowth

Номер патента: US20200006140A1. Автор: Jeffrey Smith,Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Finfet devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20210305428A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Finfet devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20220310841A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

FINFET Devices with Backside Power Rail and Backside Self-Aligned Via

Номер патента: US20240222508A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Subtractive Self-Aligned Via and Plug Patterning for Back End of Line (BEOL) Interconnects

Номер патента: US20160197011A1. Автор: Yoo Hui Jae,Gstrein Florian,Wallace Charles H.,SCHENKER Richard E.,BRISTOL Robert L.,NYHUS Paul A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US20240297077A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

FULLY SELF-ALIGNED VIA WITH SELECTIVE BILAYER DIELECTRIC REGROWTH

Номер патента: US20200006140A1. Автор: Smith Jeffrey,Tapily Kandabara. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-01-02.

Interconnect structures including self aligned vias

Номер патента: US20220093453A1. Автор: Chih-Chao Yang,Terry A. Spooner,Shyng-Tsong Chen,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

INTERCONNECT STRUCTURES INCLUDING SELF ALIGNED VIAS

Номер патента: US20210090942A1. Автор: Yang Chih-Chao,Chen Shyng-Tsong,Spooner Terry A.,Motoyama Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SPACERS FOR SELF ALIGNED VIAS

Номер патента: US20220181207A1. Автор: WU Chia-Tien,Chen Hsin-Ping,Ho Pokuan. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

ANTI-FUSE WITH SELF ALIGNED VIA PATTERNING

Номер патента: US20200118927A1. Автор: Shu Jiehui,ZHANG Xiaoqiang,Ning Guoxiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

SELF-ALIGNED VIA PROCESS FLOW

Номер патента: US20160141206A1. Автор: Bouche Guillaume,Wei Andy C.,Raghunthathan Sudharshanan. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20220302268A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

SELF-ALIGNED VIA PATTERNING WITH MULTI-COLORED PHOTOBUCKETS FOR BACK END OF LINE (BEOL) INTERCONNECTS

Номер патента: US20150171009A1. Автор: BLACKWELL JAMES M.,Singh Kanwal Jit,BRISTOL Robert L.,Myers Alan M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

FINFET DEVICES WITH BACKSIDE POWER RAIL AND BACKSIDE SELF-ALIGNED VIA

Номер патента: US20220310841A1. Автор: Wang Chih-hao,Ju Shi Ning,Cheng Kuan-Lun,Chiang Kuo-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

FULLY SELF-ALIGNED VIA WITH SELECTIVE BILAYER DIELECTRIC REGROWTH

Номер патента: US20210249305A1. Автор: Smith Jeffrey,Tapily Kandabara. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2021-08-12.

INTERCONNECT STRUCTURE HAVING LARGE SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20150279780A1. Автор: Radens Carl,Clevenger Lawrence A.,Zhang John H.,XU Yiheng,Sutton Akil K.,Wise Richard Stephen,SAULNIER Nicole A.,SPOONER Terry Allen. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Fully Self-Aligned Via

Номер патента: US20180286749A1. Автор: ZHANG YING,Ingle Nitin K.,Mallick Abhijit Basu,Hwang Ho-yung,Freed Regina,Mitra Uday. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

SELF-ALIGNED VIA

Номер патента: US20190311984A1. Автор: BLACKWELL JAMES M.,HOURANI Rami,BRISTOL Robert L.,LIN Kevin L.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-10-10.

INTERCONNECT STRUCTURE WITH FULLY SELF-ALIGNED VIA PATTERN FORMATION

Номер патента: US20190385910A1. Автор: Yang Chih-Chao,LAI Kafai. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

SELF-ALIGNED CUT PROCESS FOR SELF-ALIGNED VIA PROCESS WINDOW

Номер патента: US20200402852A1. Автор: Yang Chih-Chao,Cheng Kangguo,Guo Jing,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

Self-aligned via structure and process for producing the same

Номер патента: TW345720B. Автор: Ming-Lun Zhang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-11-21.

Self-aligned vias in an integrated circuit structure

Номер патента: US6787875B2. Автор: Paul M. Gillespie,Kenneth D. Brennan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-07.

Interconnect structure with fully self-aligned via pattern formation

Номер патента: US10727123B2. Автор: Chih-Chao Yang,Kafai Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-28.

Self-aligned via

Номер патента: CN110024103B. Автор: R.L.布里斯托尔,J.M.布莱克维尔,K.L.林,R.霍拉尼. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-30.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US20220181207A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US20210134672A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US11984359B2. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

METHOD OF SELECTIVE FILM DEPOSITION FOR FORMING FULLY SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20190157149A1. Автор: Tapily Kandabara. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Method of forming self-aligned split-gate memory cell array with metal gates and logic devices

Номер патента: US09721958B2. Автор: FENG Zhou,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of forming self aligned transistor structure having polycrystalline contacts

Номер патента: US3847687A. Автор: U Davidsohn,A Ajamie. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1974-11-12.

Methods Of Forming Self-Aligned Vias And Air Gaps

Номер патента: US20190348368A1. Автор: GOPALRAJA Praburam,Mallick Abhijit Basu,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Package substrate with dual damascene based self-aligned vias

Номер патента: US20240128181A1. Автор: Hiroki Tanaka,Srinivas V. Pietambaram,Brandon C. MARIN,Haobo Chen,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Relaxed semiconductor layers with reduced defects and methods of forming the same

Номер патента: US09773906B2. Автор: Christopher Bowen,Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Ganesh Hedge. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer

Номер патента: US6855610B2. Автор: Ming-Sheng Tung,Yueh-Chuan Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2005-02-15.

Package structures and method of forming the same

Номер патента: US10157835B2. Автор: Chen-Hua Yu,An-Jhih Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

Package structures and method of forming the same

Номер патента: US09786599B2. Автор: Chen-Hua Yu,An-Jhih Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for forming self-aligned contact and integrated circuit with self-aligned contact

Номер патента: TW201243956A. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Forming self-aligned vertical interconnect accesses in interconnect structures for integrated circuits

Номер патента: EP3433877B1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-07-06.

METHODS AND APPARATUSES TO FORM SELF-ALIGNED CAPS

Номер патента: US20130256899A1. Автор: Singh Kanwal Jit,Boyanov Boyan. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

FORMING SELF-ALIGNED VERTICAL INTERCONNECT ACCESSES (VIAs) IN INTERCONNECT STRUCTURES FOR INTEGRATED CIRCUITS (ICs)

Номер патента: US20170271202A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao,Yeap Choh Fei,Zhu John Jianhong. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Self-aligned vias formed using sacrificial metal caps

Номер патента: US20150091181A1. Автор: Chih-Chao Yang,Juntao Li,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Method of forming self-aligned silicides

Номер патента: US20060121708A1. Автор: Steven Huang,Yei-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

METHOD OF SELECTIVE DEPOSITION FOR FORMING FULLY SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20190164749A1. Автор: Tapily Kandabara. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Methods of forming self-aligned contacts on FinFET devices

Номер патента: US09627274B1. Автор: Huang Liu,Xintuo Dai,Jinping Liu,Haifeng Sheng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of forming self-aligned device level contact structures

Номер патента: US09653356B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods Of Forming Metal Chalcogenide Pillars

Номер патента: US20220051941A1. Автор: Srinivas Gandikota,Amrita B. Mullick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Methods of forming metal chalcogenide pillars

Номер патента: WO2019173447A1. Автор: Srinivas Gandikota,Amrita B. Mullick. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-09-12.

Methods of forming self-aligned contact structures by work function material layer recessing and the resulting devices

Номер патента: US09824920B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US20160163585A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US09502286B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of Forming Self-Aligned Air-Gaps Using Self-Aligned Capping Layer over Interconnect Lines

Номер патента: US20070218677A1. Автор: Eugen Unger,Manfred Engelhardt,Andreas Stich. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-09-20.

Method of forming self-aligned contacts and local interconnects

Номер патента: US20090280633A1. Автор: An Chyi Wei. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-12.

Method for forming self-aligned contacts and local interconnects simultaneously

Номер патента: US20070235798A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Tuung Luoh,Ling-Wuu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Self-forming, self-aligned barriers for back-end interconnects and methods of making same

Номер патента: TW201248779A. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Sean W King,Hui-Jae Yoo,Jeffery D Bielefeld. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-12-01.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Method of fabricating dual damascene structure

Номер патента: US09748139B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming self-aligned floating gate array and flash memory device including self-aligned floating gate array

Номер патента: CN1988135A. Автор: 崔钟云. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-27.

Method of forming self-aligned contact structure in semiconductor device and self-aligned contact structure fabricated thereby

Номер патента: KR100352909B1. Автор: 이재구,고관협. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-09-16.

Method of forming self-aligned contact structure in semiconductor device and self-aligned contact structure fabricated thereby

Номер патента: KR20010091723A. Автор: 이재구,고관협. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-10-23.

Method for forming self-aligned double pattern and semiconductor structures

Номер патента: US12100593B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Transistor with reduced gate resistance and improved process margin of forming self-aligned contact

Номер патента: US20200111706A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using sige layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20090263970A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-22.

Forming self-aligned conductive lines for resistive random access memories

Номер патента: US09705080B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Pietro Petruzza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of fabricating a self-aligned contact using organic dielectric materials

Номер патента: US5482894A. Автор: Robert H. Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-01-09.

Method for forming self-aligned double pattern, and semiconductor structure

Номер патента: EP4181172A1. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US20160163585A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Method of Forming Self-Aligned Contacts Using a Replacement Metal Gate Process in a Semiconductor Device

Номер патента: US20150263131A1. Автор: Metz Andrew. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-09-17.

DEVICES AND METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED, UNIFORM NANO SHEET SPACERS

Номер патента: US20170330934A1. Автор: Cheng Kangguo,Zhang John,CLEVENGER Lawrence,HARAN Balasubramanian. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-11-16.

Method of forming self-aligned contacts using a replacement metal gate process in a semiconductor device

Номер патента: KR101699154B1. Автор: 매츠 앤드류. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-01-23.

Method of forming self-aligned contact in semiconductor device

Номер патента: KR0164497B1. Автор: 최창원. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of forming self-aligned LDD structures and low resistance contacts in thin film transistor technology devices

Номер патента: EP0632492A2. Автор: Robert Louis Hodges,Ravishankar Sundaresan. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1995-01-04.

Methods of forming self-aligned contact structures in semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US6649508B1. Автор: Jong-woo Park,Yun-gi Kim,Dong-gun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Method of forming self align silicide in semiconductor device

Номер патента: KR100953489B1. Автор: 강양범. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-04-19.

Process of forming contact holes

Номер патента: US5500080A. Автор: Yang K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-03-19.

A method of forming self-aligned contacts portion

Номер патента: CN106531684B. Автор: 赵超,朱慧珑,殷华湘,赵治国. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-07-16.

Method of forming self-aligned contact pad in a damascene gate process

Номер патента: TW559913B. Автор: Kyu-Hyun Lee,Tae-Young Chung,Yoo-Sang Hwang,Ki-nam Kim,Hyung-Soo Uh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-01.

Method of forming self-aligned contacts for a semiconductor device

Номер патента: US8927407B2. Автор: Peter Baars,Andy Wei,Martin Mazur,Erik Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Method of forming self-aligned contacts and local interconnects

Номер патента: US20070004187A1. Автор: An Chyi Wei. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

SELF-FORMING, SELF-ALIGNED BARRIERS FOR BACK-END INTERCONNECTS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20130260553A1. Автор: Yoo Hui Jae,King Sean W.,Balakrishnan Sridhar,Bielefeld Jeffrey D.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

Method for forming self aligned vias in multi level metal integrated circuit

Номер патента: KR100272499B1. Автор: 바실리 킷치. Владелец: 클라크 3세 존 엠.. Дата публикации: 2000-12-01.

Method of making CMOS device and contacts therein by enhanced oxidation of selectively implanted regions

Номер патента: US4470852A. Автор: Daniel L. Ellsworth. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1984-09-11.

TRANSISTOR WITH REDUCED GATE RESISTANCE AND IMPROVED PROCESS MARGIN OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20220051939A1. Автор: YANG SHENG-HUI. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Transistor with reduced gate resistance and improved process margin of forming self-aligned contact

Номер патента: US20200111706A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Methods to form self-aligned permanent on-chip interconnect structures

Номер патента: US20130001801A1. Автор: Qinghuang Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

A method to form self-aligned anti-via interconnects

Номер патента: SG118126A1. Автор: Gupta Subhash,Hong Sangki,Kwok Keung Ho Paul. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-01-27.

Forming self-aligned NiSi placement with improved performance and yield

Номер патента: US09607989B2. Автор: XIN Wang,LUN Zhao,Xusheng Wu,Yong Meng Lee,Yue Hu,Wen-Pin Peng,Wei-Hua TONG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Forming Self-Aligned Contact with Spacer First

Номер патента: US20190027580A1. Автор: Xie Ruilong,Fan Su Chen,Pranatharthiharan Balasubramanian,Greene Andrew M.,Lian Sean,Raymond Mark V.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

FORMING SELF-ALIGNED NiSi PLACEMENT WITH IMPROVED PERFORMANCE AND YIELD

Номер патента: US20160163702A1. Автор: WANG Xin,HU Yue,Wu Xusheng,Lee Yong Meng,ZHAO Lun,PENG Wen-Pin,TONG Wei-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS/VIAS WITH HIGH CORNER SELECTIVITY

Номер патента: US20150170965A1. Автор: WANG Peng,Hudson Eric A.,INDRAKANTI Ananth. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2015-06-18.

Method to form self-aligned gate structures around cold cathode emitter tips using chemical mechanical polishing technology

Номер патента: US5229331A. Автор: Trung T. Doan,David A. Cathey,J. Brett Rolfson,Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1993-07-20.

Process for forming self-aligned conductive plugs in multiple insulation levels in integrated circuit structures and resulting product

Номер патента: US5985746A. Автор: Ashok K. Kapoor. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100268443B1. Автор: 조창현,김기남,정태영. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-16.

Method for forming self-aligned contact plug of semiconductor device

Номер патента: KR100640628B1. Автор: 홍창기,이재동,박정헌,박준상,배근희,정명호,김영옥,구주선,윤세라. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-31.

Method for forming self alignment contact

Номер патента: CN1244727A. Автор: 林炳俊. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-02-16.

Method for forming self-aligned contacts in semiconductor devices

Номер патента: KR970018058A. Автор: 최창원. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-04-30.

Method to form self aligned, L-shaped sidewall spacers

Номер патента: EP1164636B1. Автор: Gupta Subhash,Pradeep Yelehanka,Chhagan Vijai. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-12-19.

Method for forming self-aligning contact structure in semiconductor IC device

Номер патента: CN1319886A. Автор: 金允基,朴东建,朴钟佑. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-31.

Enlarged sacrificial gate caps for forming self-aligned contacts

Номер патента: US10008385B1. Автор: Haiting Wang,Chih-Chiang Chang,Ashish Kumar JHA,Mitchell Rutkowski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-26.

Method for forming self align contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100745058B1. Автор: 조영재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-01.

Advanced metallization approach for forming self-aligned contacts and local area interconnects for memory and logic devices

Номер патента: US20030170954A1. Автор: Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-09-11.

Method for forming self-aligned double pattern, and semiconductor structure

Номер патента: EP4181172A4. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Manufacturing method of self-aligned via hole in the multilevel interconnects

Номер патента: TW415060B. Автор: Hua-Shu Wu,Jiun-Hung Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-12-11.

Self-Aligned Via and Plug Patterning for Back End of Line (BEOL) Interconnects

Номер патента: US20160204002A1. Автор: Wallace Charles H.,NYHUS Paul A.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-07-14.

DOUBLE SELF ALIGNED VIA PATTERNING

Номер патента: US20140363969A1. Автор: Yin Yunpeng,Chen Hsueh-Chung,Xu Yongan,ZHAO Ailian. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

TRIBLOCK COPOLYMERS FOR SELF-ALIGNING VIAS OR CONTACTS

Номер патента: US20180323104A1. Автор: BLACKWELL JAMES M.,HAN Eungnak,YOUNKIN Todd R.,HARLSON Shane M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-11-08.

DOUBLE SELF ALIGNED VIA PATTERNING

Номер патента: US20150371896A1. Автор: Yin Yunpeng,Chen Hsueh-Chung,Xu Yongan,ZHAO Ailian. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Structure of integrated circuitry and a method of forming a conductive via

Номер патента: US09960114B1. Автор: Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Naoyoshi Kobayashi,Andrew L. Li,Katsumi Koge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated circuit structures comprising conductive vias and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09704802B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Integrated circuits and methods of forming the same with metal layer connection to through-semiconductor via

Номер патента: US09761481B2. Автор: Chun Yu Wong,Sarasvathi Thangaraju,Percival Rayo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Source/drain extension regions and air spacers for nanosheet field-effect transistor structures

Номер патента: US20200286992A1. Автор: Yi Song,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Single-chip field effect transistor (FET) switch with silicon germanium (SiGe) power amplifier and methods of forming

Номер патента: US09646993B2. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Dummy metal structure and method of forming dummy metal structure

Номер патента: US09472509B2. Автор: Shan GAO,Jae Kyu Cho. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method of forming insulating layer in notches around conductive TSV for stress relief

Номер патента: US09837336B2. Автор: Chang Bum Yong,Won Kyoung Choi,Jae Hun Ku. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of self-aligning a damascene gate structure to isolation regions

Номер патента: EP1391925B1. Автор: Daniel Yen,Ching-Thiam Chung,Chester Nieh,Wei Hua Cheng,Tong Boon Lee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

Method of self-aligning a damascene gate structure to isolation regions

Номер патента: SG102720A1. Автор: YEN DANIEL,Chung Ching-Thiam,Hua Cheng Wei,Nieh Chester,Boon Lee Tong. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-03-26.

Method for forming self-alignment insulation structure

Номер патента: US20090283873A1. Автор: Hon-Chun Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED ISOLATION TRENCHES IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150171162A1. Автор: LEE TZUNG-HAN,Hu Yaw-Wen. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2015-06-18.

Process for forming self-aligned dielectric isolation

Номер патента: EP0062170A2. Автор: Klaus Dietrich Beyer,Joseph Skinner Logan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-10-13.

Method for forming self-aligned trench

Номер патента: CN113488430A. Автор: 杨军. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-08.

Process for forming self-aligned dielectric isolation

Номер патента: EP0062170B1. Автор: Klaus Dietrich Beyer,Joseph Skinner Logan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-12-07.

Apparatus and method for forming self-aligned trench isolation

Номер патента: WO1988004106A1. Автор: Bing Yeh,Daniel Charles Guterman. Владелец: Xicor, Inc.. Дата публикации: 1988-06-02.

Method for forming self-aligned dual fully silicided gates in cmos devices

Номер патента: WO2006060574A2. Автор: Cyril Cabral, Jr.,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Chester T. Dziobkowski,Clement H. Wann. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-06-08.

Controlled air gap formation

Номер патента: US20140248754A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Nitin K. Ingle,Jingjing Xu,Pravin K. Narwankar,Joe Griffith Cruz,Kiran V. Thadani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Methods of making integrated circuits including conductive structures through substrates

Номер патента: US09773701B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Yuan-Hung Liu,Hsin-Yu Chen,Tsang-Jiuh Wu,Ming-Tsu Chung,Pei-Ching Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method of forming conductive vias by direct via reveal with organic passivation

Номер патента: US09768066B2. Автор: XING Zhao,Duk Ju Na,Lai Yee Chia. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of forming self aligned spacers for nanowire device structures

Номер патента: EP3394898A1. Автор: Anand Murthy,Karthik Jambunathan,Seiyon Kim,Jun Sung Kang,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

Air gap and air spacer pinch off

Номер патента: US09793193B1. Автор: Son Nguyen,Takeshi Nogami,Griselda Bonilla,Elbert Huang,Christopher J. Penny,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnection structures

Номер патента: EP1352421A2. Автор: Clifford Lee Henderson,Paul Albert Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen,Dhananjay M. Bhusari,Hollie Anne Reed. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2003-10-15.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnection structures

Номер патента: EP1352421B1. Автор: Clifford Lee Henderson,Paul Albert Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen,Dhananjay M. Bhusari,Hollie Ann Kelleher. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2009-11-25.

Air Spacer and Method of Forming Same

Номер патента: US20210408266A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Chia-Jen Chen,An Chyi Wei,Shao-Hua Hsu,Szu-Ping LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Air spacer and method of forming same

Номер патента: US12107149B2. Автор: Cheng-Chung Chang,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Chia-Jen Chen,An Chyi Wei,Shao-Hua Hsu,Szu-Ping LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Air spacer and method of forming same

Номер патента: US20240379820A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Chia-Jen Chen,An Chyi Wei,Shao-Hua Hsu,Szu-Ping LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Air gap formation method

Номер патента: US12087616B2. Автор: Ching-Yu Chang,Yu-Chung Su,Chin-Hsiang Lin,Chun-Chih Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US10553581B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US09608065B1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: US20220130723A1. Автор: Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Nanosheet field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240297237A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wen-Kai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Methods of reducing parasitic capacitance in semicondutor devices

Номер патента: US20240332084A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of forming low resistivity titanium nitride thin film in horizontal vias and related devices

Номер патента: US20230175118A1. Автор: Mansour Moinpour,Daniel Moser,Ravindra Kanjolia,Andrew Kummel,Cheng-Hsuan Kuo,SeongUk Yun. Владелец: CALIFORNIA A CALIFORNIA, University of, Regents of. Дата публикации: 2023-06-08.

Methods for forming air gaps in shallow trench isolation trenches for NAND memory

Номер патента: US09779983B2. Автор: Oshi Wakamatsu,Yasuhiro Domae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US12100625B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods of forming memory cells with air gaps and other low dielectric constant materials

Номер патента: US09679778B2. Автор: Minsoo Lee,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having a shallow trench isolation structure and methods of forming the same

Номер патента: US09953861B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Ding-I Liu,Po-Hsiung Leu,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Electronic devices comprising air gaps adjacent to bitlines and related methods and systems

Номер патента: US20220157354A1. Автор: Mithun Kumar RAMASAHAYAM,Michael J. Gossman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Electronic devices comprising air gaps adjacent to bitlines and related methods and systems

Номер патента: WO2022103526A1. Автор: Mithun Kumar RAMASAHAYAM,Michael J. Gossman. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-19.

Shallow trench air gaps and their formation

Номер патента: US09524973B1. Автор: Masafumi Yoshida,Ryo Nakamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Electronic devices comprising air gaps adjacent to bitlines

Номер патента: US20230081678A1. Автор: Mithun Kumar RAMASAHAYAM,Michael J. Gossman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240244824A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Methods Of Forming Self-Aligned Vias

Номер патента: US20190013202A1. Автор: Thompson David,Anthis Jeffrey W.,Mallick Abhijit Basu,Schmiege Benjamin,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

Methods Of Forming Self-Aligned Vias

Номер патента: US20180096847A1. Автор: Thompson David,Anthis Jeffrey W.,Mallick Abhijit Basu,Schmiege Benjamin,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

Method of forming self aligned double pattern

Номер патента: KR100714305B1. Автор: 홍창기,윤보언,최재광,권병호,박준상,윤세라. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-02.

Method of forming self-aligned thin film transistor

Номер патента: CA2228037A1. Автор: James F. Farrell. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-02-13.

Method Of Forming Self-Aligned Split-Gate Memory Cell Array With Metal Gates And Logic Devices

Номер патента: US20160218110A1. Автор: Zhou Feng,CHEN CHUN-MING,Do Nhan,Liu Xian,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Methods of forming self-aligned silicide layers using multiple thermal processes

Номер патента: US7531459B2. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Eun-ji Jung,Hyun-Su Kim,Jong-Ho Yun,Sug-Woo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-12.

Method to form self-aligned high density nanocrystals

Номер патента: US20160071943A1. Автор: Sung-taeg Kang,Euhngi Lee. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-06.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL OVERGROWTH FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS WITHOUT SPACER LOSS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Lauer Isaac,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin,Chu Jack Oon. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

METHOD TO FORM SELF-ALIGNED HIGH DENSITY NANOCRYSTALS

Номер патента: US20160071943A1. Автор: Kang Sung-Taeg,LEE Euhngi. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2016-03-10.

RECESSING RMG METAL GATE STACK FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20160149015A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Method for forming self-aligned metal silicide contacts

Номер патента: TWI415174B. Автор: Mahadevaiyer Krishnan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Randolph F Kanrr,Renee T Mo,Jay W Strane. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2013-11-11.

Method for forming self-aligned metal silicide contacts

Номер патента: US20070254479A1. Автор: Mahadevaiyer Krishnan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Randolph Knarr,Renee Mo,Jay Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for forming self-aligned metal silicide contacts

Номер патента: US7618891B2. Автор: Mahadevaiyer Krishnan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Renee T. Mo,Randolph F. Knarr,Jay W. Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-17.

Method for forming self-aligned metal silicide contacts

Номер патента: US20090309228A1. Автор: Mahadevaiyer Krishnan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Renee T. Mo,Randolph F. Knarr,Jay W. Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device having vias and pads formed by laser

Номер патента: US20230402349A1. Автор: Michele DERAI,Dario Vitello. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of forming self aligned grids in BSI image sensor

Номер патента: US11776985B2. Автор: Jiech-Fun Lu,Shih-Pei Chou,Tsun-Kai Tsao,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of forming self aligned grids in bsi image sensor

Номер патента: US20240021653A1. Автор: Jiech-Fun Lu,Shih-Pei Chou,Tsun-Kai Tsao,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Forming self-aligned contacts on pillar structures

Номер патента: US20180308898A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Eugene J. O'Sullivan,Anthony J. Annunziata,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

SELF-ALIGNED VIA AND AIR GAP

Номер патента: US20160260666A1. Автор: Wei Andy Chih-Hung,Zaleski Mark A.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-09-08.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED AIRGAP INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20150054122A1. Автор: Lin Qinghuang,Fletcher Benjamin L.,Cabral Cyril. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

METHODS AND APPARATUSES TO FORM SELF-ALIGNED CAPS

Номер патента: US20150270224A1. Автор: Singh Kanwal Jit,Boyanov Boyan. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

SELF-ALIGNED VIA INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20160197038A1. Автор: Radens Carl J.,BACKES Benjamin C.,COHEN Brian A.,NAG Joyeeta. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Method of forming self-aligned silicides

Номер патента: TWI310211B. Автор: Steven Huang,Yeihsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-05-21.

Method of making semiconductor devices having an implant damage protection film on the gate electrode sidewalls

Номер патента: US5145797A. Автор: Shoji Nakanishi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1992-09-08.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: WO2006093730A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-09-08.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: EP1856726A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-21.

Method and structure of forming self-aligned RMG gate for VFET

Номер патента: US09780208B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100245136B1. Автор: 김정호,김승준,이동덕,김일욱. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

STRUCTURE AND METHOD OF FORMING SELF ALIGNED CONTACTS IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190181047A1. Автор: Sung Min Gyu. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2019-06-13.

Method of forming self-aligned low resistance contact layer

Номер патента: US20100035399A1. Автор: Sean King,Ravi Pillarisetty,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Jason W. Klaus,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Method of forming self-aligned silicides

Номер патента: TW200620405A. Автор: Steven Huang,Yei-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-16.

MOSFET device structure with air-gaps in spacer and methods for forming the same

Номер патента: US11855170B2. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Mosfet device structure with air-gaps in spacer and methods for forming the same

Номер патента: US20210305396A1. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Mosfet device structure with air-gaps in spacer and methods for forming the same

Номер патента: US20240079471A1. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for forming self-aligned silicide layers on sub-quarter micron VLSI circuits

Номер патента: US6100191A. Автор: Jiun-Yuan Wu,Water Lur,Tony Lin,Hsiao-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-08.

Air-gap top spacer and self-aligned metal gate for vertical fets

Номер патента: US09735246B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method and structure of forming self-aligned rmg gate for vfet

Номер патента: US20180019337A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for CMOS devices

Номер патента: TW200710993A. Автор: Thomas W Dyer,hai-ning Yang. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-03-16.

Method for forming self-aligned wells to support tight spacing

Номер патента: US20090042377A1. Автор: Seetharaman Sridhar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for forming self-aligned wells to support tight spacing

Номер патента: WO2009021187A3. Автор: Seetharaman Sridhar. Владелец: Seetharaman Sridhar. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for forming self-aligned wells to support tight spacing

Номер патента: WO2009021187A2. Автор: Seetharaman Sridhar. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-02-12.

USING SELECTIVELY FORMED CAP LAYERS TO FORM SELF-ALIGNED CONTACTS TO SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20210280690A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Method for forming self-aligned double-layer pattern

Номер патента: CN110459465B. Автор: 张志刚,徐灵芝,陆神洲. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-04.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR940016879A. Автор: 박해성. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-07-25.

Method to form self-aligned silicide with reduced sheet resistance

Номер патента: US6509264B1. Автор: Weining Li,Yung Tao Lin. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-01-21.

Method for forming self-aligned dual salicide in cmos technologies

Номер патента: WO2006060575A2. Автор: James S. Nakos,Cyril Cabral, Jr.,John J. Ellis-Monaghan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Zhijiong Luo,An L. Steegen,Chester T. Dziobkowski,Clement H. Wann. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-06-08.

Method for forming self-aligned dual salicide in cmos technilogies

Номер патента: TWI371084B. Автор: Christian Lavoie,Sunfei Fang,Zhijiong Luo,Cyril Cabral Jr,Chester T Dziobkowski,John J Ellis-Monaghan,James S Nakos,An L Steegen,Clement H Wann. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-08-21.

Method for Forming Self-Aligned Silcide of Semiconductor Device

Номер патента: KR100628253B1. Автор: 심규철,이완규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-09-27.

Method and structure for forming self-aligned, dual stress liner for cmos devices

Номер патента: US20080012019A1. Автор: Effendi Leobandung,Huilong Zhu,Huicai Zhong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-01-17.

Method for forming self-aligned channel implants using a gate poly reverse mask

Номер патента: US6489191B2. Автор: Yimin Wang,Kai Shao,Jian Xun Li,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-12-03.

Method for forming self-aligned dual salicide in CMOS technologies

Номер патента: US7064025B1. Автор: James S. Nakos,Cyril Cabral, Jr.,John J. Ellis-Monaghan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Zhijiong Luo,An L. Steegen,Chester T. Dziobkowski,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-20.

A method to form self-aligned silicide with reduced sheet resistance

Номер патента: SG107556A1. Автор: Yung Tao Lin,Wei Ning Li. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-12-29.

Method for forming self-aligned dual salicide in cmos technologies

Номер патента: EP1825508A2. Автор: James S. Nakos,Cyril Cabral, Jr.,John J. Ellis-Monaghan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Zhijiong Luo,An L. Steegen,Chester T. Dziobkowski,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-29.

Method for forming self-align silicide in semiconductor device

Номер патента: KR100271948B1. Автор: 이응준,서태욱,이수근,구자흠,김철성,정주혁. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-11-15.

A bicmos process for forming self-aligned npn emitters and bases and mosfet/source drains

Номер патента: EP0293731A3. Автор: Robert H. Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1989-09-27.

Methods for forming self-aligned dual stress liners for cmos semiconductor devices

Номер патента: US20110163387A1. Автор: Thomas W. Dyer,Taehoon Lee,Seung-Man Choi,Kyoung Woo Lee,Ja Hum Ku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-07.

Using selectively formed cap layers to form self-aligned contacts to source/drain regions

Номер патента: US20210280690A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Method to form self-aligned source/drain cmos device on isulated staircase oxide

Номер патента: SG102650A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Yong Meng Lee James,Sunderasan Ravi. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-03-26.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor device and method of forming a vertical interconnect structure for 3-D FO-WLCSP

Номер патента: US09847324B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Construction Of Integrated Circuitry And A Method Of Forming An Elevationally-Extending Conductor Laterally Between A Pair Of Structures

Номер патента: US20190139893A1. Автор: Silvia Borsari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

A construction of integrated circuitray and a method of forming an elevationally-extending conductor laterally between a pair of structures

Номер патента: WO2018194713A1. Автор: Silvia Borsari. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-10-25.

Self-aligned via in double diffusion break to connect to backside interconnects

Номер патента: US20240312912A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

SELF ALIGNED VIA FUSE

Номер патента: US20160104677A1. Автор: Bao Junjing,Choi Samuel S.,Li Wai-Kin. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BACKSIDE POWER RAIL AND BACKSIDE SELF-ALIGNED VIA

Номер патента: US20210305381A1. Автор: Wang Chih-hao,Ju Shi Ning,Chuang Cheng-Chi,Cheng Kuan-Lun,Chiang Kuo-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

Backside via and metal gate separation

Номер патента: US20240355708A1. Автор: Mei-Yun Wang,Shih-Chieh Wu,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

FET with air gap spacer for improved overlap capacitance

Номер патента: US09508810B1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device with through molding vias and method of making the same

Номер патента: US09469524B2. Автор: Shang-Ying Tsai,Jung-Huei Peng,Chun-Wen Cheng,Yi-Chuan Teng,Hung-Chia Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of forming vertical field effect transistors with self-aligned gates and gate extensions and the resulting structure

Номер патента: US20190088767A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Lars Liebmann,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Method of forming self-aligned top gate channel barrier region in ion-implanted JFET

Номер патента: US5120669A. Автор: Gregory A. Schrantz. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1992-06-09.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A3. Автор: Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen,Johannes J T M Donkers. Владелец: Johannes J T M Donkers. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1875494A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-09.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2006-10-19.

Methods of forming self aligned spacers for nanowire device structures

Номер патента: EP3394898B1. Автор: Anand Murthy,Karthik Jambunathan,Seiyon Kim,Jun Sung Kang,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Fabrication method of trenched power MOSFET with low gate impedance

Номер патента: US7608511B1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-27.

METHOD OF FORMING SELF ALIGNED GRIDS IN BSI IMAGE SENSOR

Номер патента: US20200135798A1. Автор: Lu Jiech-Fun,Tsao Tsun-Kai,Wu Wei Chuang,Chou Shih-Pei. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Method of forming self-aligned poly for embedded flash

Номер патента: US20050127435A1. Автор: Han-Ping Chen,Chung-Yi Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Method of Forming Self-Alignment Contact

Номер патента: US20170170292A1. Автор: HSU Hung-Chang,Jang Syun-Ming,Lin Sheng-Hsuan,SU Hung-Wen,Lee Ya-Lien,LIN Rueijer,TSAI Ming-Hsing,Liu Hsiao-Ping,Kao Yen-Shou. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

METHOD OF FORMING SELF ALIGNED GRIDS IN BSI IMAGE SENSOR

Номер патента: US20210280630A1. Автор: Lu Jiech-Fun,Tsao Tsun-Kai,Wu Wei Chuang,Chou Shih-Pei. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

METHODS OF FORMING SELF ALIGNED SPACERS FOR NANOWIRE DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180358436A1. Автор: Murthy Anand,Kim Seiyon,JAMBUNATHAN KARTHIK,KANG Jun Sung,GLASS Glenn. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-12-13.

Method of forming self-aligned poly for embedded flash

Номер патента: US7153744B2. Автор: Han-Ping Chen,Chung-Yi Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-12-26.

Method of forming self aligned grids in bsi image sensor

Номер патента: KR102300877B1. Автор: 웨이 추앙 우,춘-카이 차오,시-페이 초우,지에츠-펀 루. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-09-14.

Method of forming self-aligning contacting hole

Номер патента: JPS60216582A. Автор: シエン　テン　スウ. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1985-10-30.

Method of forming self-aligned stacked capacitor

Номер патента: US20020022321A1. Автор: Ching-ming Lee,Wunn-Shien Liao,Ky Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of forming self aligned grids and semiconductor structure for bsi image sensor

Номер патента: TW202018928A. Автор: 周世培,盧玠甫,吳尉壯,曹淳凱. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2020-05-16.

Forming self-aligned contacts on pillar structures

Номер патента: US20180308897A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Eugene J. O'Sullivan,Anthony J. Annunziata,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL OVERGROWTH FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS WITHOUT SPACER LOSS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Lauer Isaac,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin,Chu Jack Oon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-19.

FORMING SELF-ALIGNED CONDUCTIVE LINES FOR RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORIES

Номер патента: US20160028002A1. Автор: Tortorelli Innocenzo,Petruzza Pietro,Pellizzer Fabio. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS ON PILLAR STRUCTURES

Номер патента: US20180261649A1. Автор: "OSullivan Eugene J.",EDELSTEIN Daniel C.,Utomo Henry K.,Annunziata Anthony J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

FORMING SELF-ALIGNED CONDUCTIVE LINES FOR RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORIES

Номер патента: US20160293842A1. Автор: Tortorelli Innocenzo,Petruzza Pietro,Pellizzer Fabio. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-10-06.

FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS ON PILLAR STRUCTURES

Номер патента: US20180308897A1. Автор: "OSullivan Eugene J.",EDELSTEIN Daniel C.,Utomo Henry K.,Annunziata Anthony J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS ON PILLAR STRUCTURES

Номер патента: US20180308898A1. Автор: "OSullivan Eugene J.",EDELSTEIN Daniel C.,Utomo Henry K.,Annunziata Anthony J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

RECESSING RMG METAL GATE STACK FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20160372576A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Method for forming self-aligned dielectric cap above floating gate

Номер патента: US20100081267A1. Автор: Takashi Orimoto,Henry Chien,Vinod Robert Purayath,George Matamis,James K. Kai. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

method for forming self aligned field effect transistor structure

Номер патента: KR101070408B1. Автор: 백규하,도이미. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2011-10-06.

Method for forming self-aligned Schottky junctions for semiconductor devices

Номер патента: JP5001295B2. Автор: ミュラー マーカス. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-08-15.

Method and structure to form self-aligned selective-SOI

Номер патента: US7482656B2. Автор: Huilong Zhu,Yung Fu Chong,Zhijiong Luo,Judson R Holt,Kevin K Dezfulian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-27.

SELF-ALIGNED VIA FOR GATE CONTACT OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160005822A1. Автор: Wang Zhongze,Yeap Choh Fei,SONG Stanley Seungchul,RIM Kern. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

High density memory array with self-aligned via

Номер патента: WO2017052586A1. Автор: Yih Wang,Kevin J. Lee. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US20120074530A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Pop devices and methods of forming the same

Номер патента: US09793246B1. Автор: Hsien-Wei Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Tien-Chung Yang,Hua-Wei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of fabricating vias in solder pads of a ball grid array (BGA) substrate

Номер патента: US20030022419A1. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Precision Technology Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor device having vertical channel and air gap, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09634024B2. Автор: Kohji Kanamori,Young-woo Park,Jae-Duk Lee,Jae-Goo Lee,Chung-Jin Kim,Moo-Rym Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Multi-bit ferroelectric memory device and methods of forming the same

Номер патента: US09564576B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,F. Daniel Gealy,Chandra V. Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Multiphase thermal interface component, method of forming the same and electronic device testing apparatus provided with the same

Номер патента: US20240192268A1. Автор: Yu-Wei Chuang,Xin-Yi Wu,Jui-Che Chou. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Multi-bit ferroelectric memory device and methods of forming the same

Номер патента: US09847123B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,F. Daniel Gealy,Chandra V. Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of forming memory device with physical vapor deposition system

Номер патента: US12035538B2. Автор: Chin-Szu Lee,Yu-Jen Chien,I-Pin CHIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of forming a double-layer light-absorbing electroconductive structure

Номер патента: RU2714273C1. Автор: Евгений Алексеевич Гудилин,Андрей Андреевич Петров,Сергей Анатольевич Фатеев,Алексей Борисович Тарасов,Николай Андреевич Белич,Алексей Юрьевич Гришко,Наталья Николаевна Шлёнская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-02-13.

Self-aligned via contact for magnetic memory element

Номер патента: WO2003079366A2. Автор: Saied N. Tehrani,Kelly Kyler,Mark A. Durlam,John J. D'Urso,Gregory W. Grynkewich,Brian Butcher. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc. Are. Дата публикации: 2003-09-25.

Fabrication of self-aligned via holes in polymer thin films

Номер патента: EP2006930A3. Автор: Klaus Dimmler,Siddharth Mohapatra,Patrick H Jenkins. Владелец: Weyerhaeuser Co. Дата публикации: 2011-03-23.

Method of forming an electrical connector

Номер патента: US09825391B2. Автор: Huilin Ren,Thomas S. Cohen,Mark W. Gailus,Marc B. Cartier, Jr.,Trent K. Do. Владелец: Amphenol Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Electro-mechanical device and associated method of assembly

Номер патента: US20130093547A1. Автор: Scott Parsons,Zbyslaw Staniewicz,Andrew Malcolm Boyes. Владелец: LITENS AUTOMOTIVE PARTNERSHIP. Дата публикации: 2013-04-18.

Method of forming insulated electric conductor

Номер патента: RU2648996C2. Автор: Аллан Рой ГЕЙЛ,Ларри Дин ЭЛИ,Клей Уэсли МАРАНВИЛЛ,Джон Мэттью ДЖИНДЕР. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of short circuit current limitation and device for its implementation

Номер патента: RU2713439C1. Автор: Виктор Иванович Мрыхин. Владелец: Виктор Иванович Мрыхин. Дата публикации: 2020-02-05.

Method and air baffle for improving air flow over ionizing pins

Номер патента: US20040012909A1. Автор: Michael Jacobs,John Gorczyca. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2004-01-22.

Method of forming direction finding radiation patterns in a circular electronic scanning antenna

Номер патента: RU2680729C1. Автор: Олег Станиславович Алексеев,Анатолий Исакович Синани,Георгий Феодосьевич Мосейчук,Александр Николаевич Грибанов,Игорь Владимирович Голиков. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2019-02-26.

Method of forming self-aligned mask ROM

Номер патента: US6420235B1. Автор: Ling-Sung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Method for forming self-aligned thermal isolation cell for a variable resistance memory array

Номер патента: TW200725810A. Автор: Erh-Kun Lai,Chia-Hua Ho,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-01.

Method to form self-aligned split gate flash with L-shaped wordline spacers

Номер патента: US6784039B2. Автор: Chia-Ta Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

System and method of use for a user interface dashboard of a heating, ventilation and air conditioning network

Номер патента: US8615326B2. Автор: Timothy H. Thorson,Amanda Filbeck,Christopher W. Spencer,Souhel H. Stanbouly. Владелец: Lennox Industries Inc. Дата публикации: 2013-12-24.

Dual inline lead-type electronic-part-mounted printed circuit board, method of soldering dual inline lead-type electronic part, printed circuit board and air-conditioner

Номер патента: US8309862B2. Автор: Tsuyoshi Miura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-11-13.

Method of manufacturing multi-layer circuit board including extreme fine via and multi-layer circuit board manufactured by the same

Номер патента: US20230147650A1. Автор: Eun Ha Park,Byeong Yong Lee,Weon Bin JANG,Gun Won SEO,Kum Sun Park,Chung Hyeon KIM. Владелец: TSE Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Fabrication of self-aligned via holes in polymer thin films

Номер патента: KR100956253B1. Автор: 시드하르트 모하파트라,클라우스 딤러,패트릭 에이치. 젠킨스. Владелец: 웨이어해유저 컴파니. Дата публикации: 2010-05-06.

Self-aligned via contact for magnetic memory element

Номер патента: AU2003212446A1. Автор: Kelly Kyler,Saied N Tehrani,Gregory W Grynkewich,Mark A Durlam,Brian Butcher,John J D'Urso. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-09-29.

Method of forming self-aligned V-grooves and waveguides

Номер патента: IE913491A1. Автор: Anthony David Welbourn. Владелец: British Telecomm. Дата публикации: 1992-04-22.

Method of forming self-aligned v-grooves and waveguides

Номер патента: IE79653B1. Автор: Anthony David Welbourn. Владелец: British Telecomm. Дата публикации: 1998-05-20.

Laminar substrate and method of its fabrication, as well as inner envelope of air tire and air tire

Номер патента: RU2406617C2. Автор: Даисуке НОХАРА,Даисуке КАТОУ,Юва ТАКАХАСИ,Даисуке НАКАГАВА,Кота ИЗОЯМА,Томоюки ВАТАНАБЕ,Каору ИКЕДА. Владелец: Курараи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2010-12-20.

System and method of use for a user interface dashboard of a heating, ventilation and air conditioning network

Номер патента: US8543243B2. Автор: Timothy H. Thorson,Jacob Jennings,Timothy Wallaert. Владелец: Lennox Industries Inc. Дата публикации: 2013-09-24.

System and method of use for a user interface dashboard of a heating, ventilation and air conditioning network

Номер патента: CA2698797C. Автор: Wojciech Grohman,Darko Hadzidedic. Владелец: Lennox Industries Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Method of non-destructive quality control of thermoelectric module thermal contact

Номер патента: RU2650833C1. Автор: Валерий Михайлович Башков,Алексей Сергеевич Осипков,Павел Андреевич Михалев,Мстислав Олегович Макеев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240164087A1. Автор: Shu-Ming Li,Tzu-Ming Ou Yang,Wei-Zhi FANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Matching method of magnetic conductors of rotor and armature in two-dimensional electric machines-generators

Номер патента: RU2726867C2. Автор: Яков Михайлович Кашин,Багаудин Хамидович Гайтов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВО "КубГТУ"). Дата публикации: 2020-07-16.

High-frequency processing method of structurally complex articles from polymer materials

Номер патента: RU2717804C1. Автор: Александр Сергеевич Попов,Сергей Константинович Каргапольцев,Денис Витальевич Буторин,Николай Григорьевич Филиппенко,Александр Валерьевич Лившиц,Денис Викторович Баканин,Владимир Сергеевич Бычковский,Алексей Сергеевич Курайтис. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Иркутский государственный университет путей сообщения (ФГБОУ ВО ИрГУПС). Дата публикации: 2020-03-25.

Electric Machines with Air Gap Control Systems, and Systems and Methods of Controlling an Air Gap in an Electric Machine

Номер патента: US20200244202A1. Автор: Pablo Gabriel Piazza Galarza,Fabian Isaza. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: US20120235108A1. Автор: John Smythe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: EP2393957A1. Автор: John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-14.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: WO2010090900A1. Автор: John Smythe. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-08-12.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: US20100288994A1. Автор: John Smythe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Method of thermal energy transformation to electricity by free linked energy-module with linear electric generator and heat exchanger

Номер патента: RU2659908C1. Автор: Анатолий Александрович Рыбаков. Владелец: Анатолий Александрович Рыбаков. Дата публикации: 2018-07-04.

Method of making piezoelectric microphone with deflection control

Номер патента: US11963452B2. Автор: NAGARAJAN Ranganathan,Rakesh Kumar,Jia Jie Xia,Minu Prabhachandran NAIR. Владелец: Vanguard International Semiconductor SIngapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of forming a substrate core structure using microvia laser drilling and conductive layer pre-patterning and substrate core structure formed according to the method

Номер патента: US09648733B2. Автор: Charan Gurumurthy,Islam Salama,Yonggang Li,Hamid Azimi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Pressure pump with dielectric barrier and method of its fabrication

Номер патента: RU2516002C2. Автор: Ричард С. ДИЕР,Джозеф С. СИЛКИ,Брэдли А. ОСБОРН. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2014-05-20.

Inflatable air gap tooling for assembly of rotor and stator

Номер патента: US09647519B2. Автор: Paul F. Turnbull,Alan G. Holmes. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of reagent-free water filtration and disinfection

Номер патента: RU2700505C1. Автор: Сергей Алексеевич Бахарев. Владелец: Сергей Алексеевич Бахарев. Дата публикации: 2019-09-17.

Fuel filter assembly, filter element and method of draining water from fuel filter assembly

Номер патента: RU2675885C1. Автор: Герт ВИЛЛЕМС,Дэниэл ФЕРТИЛ,Мауро Моранди. Владелец: Дональдсон Компани, Инк.. Дата публикации: 2018-12-25.

Method of separating a mine working by means of an air barrage and air barrage therefor

Номер патента: PL323211A1. Автор: John Joseph Reinmann,Edward Clay Barber. Владелец: Strata Products USA Inc. Дата публикации: 1998-05-25.

Method of thermal treatment of air with heat recovery

Номер патента: RU2669830C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-10-16.

Method of air cleaning from fine solid particles

Номер патента: RU2710336C1. Автор: Денис Николаевич Ватузов,Светлана Михайловна Пуринг,Ольга Александровна Баландина,Николай Павлович Тюрин,Денис Николаевич Тюрин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-12-25.

Heating, ventilation, and air-conditioning, system, method of controlling a heating, ventilation, and air-conditioning system and method of training a comfort model to be used for controlling a heating, ventilation, and air-conditioning system

Номер патента: US20230017242A1. Автор: Manish Gupta,Baris Tanyildiz,Fabrizio Cola. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of extracting acetic acid from water streams

Номер патента: RU2727192C2. Автор: Дэвид Петерсон,Самир ТАЛРЕЙА. Владелец: Бипи Корпорейшн Норт Америка Инк.. Дата публикации: 2020-07-21.

Method for forming self-aligned overlay mark

Номер патента: US8664077B2. Автор: David Pratt,Vinay Nair,Christopher Hawk,Richard Housley. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-03-04.

Method for forming self aligning contact window structure on semiconductor substrate

Номер патента: CN1365137A. Автор: 曾鸿辉. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-08-21.

The control method of outdoor machine of air-conditioner, outdoor machine of air-conditioner and air conditioning system

Номер патента: CN106225145A. Автор: 汪俊勇,熊俊峰,胡知耀,莫灼均. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2016-12-14.

Analysis method of effects on diffraction efficiency of multi-layered diffraction optical elements imposed by air gaps

Номер патента: CN105404002A. Автор: 薛常喜,龚豪. Владелец: Changchun University of Science and Technology. Дата публикации: 2016-03-16.

A kind of manufacturing method of top-surface camber type air cushion, saddle, seat cushion, backrest and air cushion

Номер патента: CN109969304A. Автор: 陶泽成,陶超凡. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-07-05.

System and method of use for a user interface dashboard of a heating, ventilation and air conditioning network

Номер патента: US8442693B2. Автор: Muhammad Ali Mirza,Timothy H. Thorson. Владелец: Lennox Industries Inc. Дата публикации: 2013-05-14.

System and method of use for a user interface dashboard of a heating, ventilation and air conditioning network

Номер патента: US8655490B2. Автор: Thomas Gerard Pavlak,Jacob Jennings. Владелец: Lennox Industries Inc. Дата публикации: 2014-02-18.

System and method of use for a user interface dashboard of a heating, ventilation and air conditioning network

Номер патента: US8452456B2. Автор: Muhammad Ali Mirza,Timothy H. Thorson,Suresh Kumar Devineni,Timothy Wallaert,Thomas Gerald Pavlak. Владелец: Lennox Industries Inc. Дата публикации: 2013-05-28.

System and method of use for a user interface dashboard of a heating, ventilation and air conditioning network

Номер патента: US9268345B2. Автор: Muhammad Ali Mirza,Amanda Filbeck,Jacob Jennings. Владелец: Lennox Industries Inc. Дата публикации: 2016-02-23.

System and method of use for a user interface dashboard of a heating, ventilation and air conditioning network

Номер патента: US8239066B2. Автор: Amanda Filbeck,Jacob Jennings,Thomas Gerald Pavlak,Christopher W. Spencer. Владелец: Lennox Industries Inc. Дата публикации: 2012-08-07.

System and method of use for a user interface dashboard of a heating, ventilation and air conditioning network

Номер патента: US9261888B2. Автор: Timothy H. Thorson,Thomas Gerard Pavlak,Timothy Wallaert. Владелец: Lennox Industries Inc. Дата публикации: 2016-02-16.

System and method of use for a user interface dashboard of a heating, ventilation and air conditioning network

Номер патента: US8744629B2. Автор: Muhammad Ali Mirza,Timothy H. Thorson,Timothy E. Wallaert,Suresh Kumar Devineni,Thomas G. Pavlak. Владелец: Lennox Industries Inc. Дата публикации: 2014-06-03.

Method of supplying multi-cylindrical internal combustion engine with mixture of fuel and air and multi-cylindrical internal combustion engine for executing it

Номер патента: JPS5793648A. Автор: Shiyumito Buorufugangu. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 1982-06-10.

System and method of use for a user interface dashboard of a heating, ventilation and air conditioning network

Номер патента: US20100107112A1. Автор: Amanda Filbeck,Thomas Gerard Pavlak,Jacob Jennings,Christopher W. Spencer. Владелец: Lennox Industries Inc. Дата публикации: 2010-04-29.

System and method of use for a user interface dashboard of a heating, ventilation and air conditioning network

Номер патента: US20100107070A1. Автор: Timothy H. Thorson,Thomas Gerard Pavlak,Suresh Kumar Devineni,Timothy Wallaert,Muhammed Ali Mirza. Владелец: Lennox Industries Inc. Дата публикации: 2010-04-29.

METHOD OF COOLING THE INTERIOR OF A COVER OF A MOTOR VEHICLE AND AIR INTAKE SYSTEM

Номер патента: FR3044611A1. Автор: Fabien Teissier. Владелец: PEUGEOT CITROEN AUTOMOBILES SA. Дата публикации: 2017-06-09.

METHODOLOGY FOR MODEL-BASED SELF-ALIGNED VIA AWARENESS IN OPTICAL PROXIMITY CORRECTION

Номер патента: US20180247008A1. Автор: Hamouda Ayman. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-08-30.

Method of eliminating entrained air between substrates during optical bonding

Номер патента: US20240083141A1. Автор: Andre Mendiboure,Richard K. McMillan,Carlos Caldeira,Nelson Lima,Hugo Cardoso,Andre Ruza,Antonio Aires,Abhilash Marthi Somashankar. Владелец: Visteon Global Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of eliminating entrained air between substrates during optical bonding

Номер патента: US20210008836A1. Автор: Andre Mendiboure,Richard K. McMillan,Carlos Caldeira,Nelson Lima,Hugo Cardoso,Andre Ruza,Antonio Aires,Abhilash Marthi Somashankar. Владелец: Visteon Global Technologies Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of eliminating entrained air between substrates during optical bonding

Номер патента: US11813837B2. Автор: Andre Mendiboure,Richard K. McMillan,Carlos Caldeira,Nelson Lima,Hugo Cardoso,Andre Ruza,Antonio Aires,Abhilash Marthi Somashankar. Владелец: Visteon Global Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Method of massive breaking of rock ore

Номер патента: RU2645048C1. Автор: Игорь Владимирович Соколов,Алексей Алексеевич Смирнов,Кирилл Васильевич Барановский,Артем Андреевич Рожков,Игорь Владимирович Качалов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт горного дела Уральского отделения Российской академии наук (ИГД УрО РАН). Дата публикации: 2018-02-15.

Pressure unit (embodiments), vehicle and method of changing air flow velocity in pressure unit

Номер патента: RU2696106C2. Автор: Роберт Стивен СОЙЕР. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-07-31.

Micromechanical structure, device including the structure, and methods of forming and using same

Номер патента: US20050045920A1. Автор: Michael Kozicki. Владелец: Axon Technologies Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Method and device for control of wear of brake pads and air gap of working brake of vehicles

Номер патента: RU2592753C2. Автор: Томас Виттманн,Штефан ВЕЛЛЬНЕР. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2016-07-27.

Rotary detonation gas turbine and the method of detonation combustion in it

Номер патента: RU2745975C1. Автор: Сергей Константинович Исаев. Владелец: Сергей Константинович Исаев. Дата публикации: 2021-04-05.

Method of preparation for sampling of ethanol vapor analyzer

Номер патента: RU2728700C1. Автор: Александр Сергеевич Сидоров,Сергей Витальевич Мосин,Александр Кириллович Духанин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АЛКОТЕКТОР". Дата публикации: 2020-07-30.

Micro-electro-mechanical pressure device and methods of forming same

Номер патента: US09975756B2. Автор: Lorenzo Baldo,Sebastiano Conti,Flavio Francesco Villa,Enri Duqi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-22.

Air cleaner filter system, air purifier and air purifier control method

Номер патента: RU2711258C2. Автор: Деклан Патрик КЕЛЛИ,Корнелис Рейндер РОНДА,Корай КАРАКАЯ,Джин Барт БЛИКЕР,Жан-Поль ЯКОБС,Эйнте ХОЛВЕРДА,Хенрик Рихард ЯУСМА. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2020-01-15.

Mixing head for device for application of shotcrete and device for application of shotcrete, which contains such mixing nozzle, and method of application of shotcrete

Номер патента: RU2730720C1. Автор: Себастиан Бендер,Штефан Шеффлер,Бертрам Кесселхайм. Владелец: Рефратехник Холдинг Гмбх. Дата публикации: 2020-08-25.

Method of stage change in fuel supply in device with combustion chamber

Номер патента: RU2526410C2. Автор: Дональд У. КЕНДРИК. Владелец: Лин Флейм, Инк.. Дата публикации: 2014-08-20.

Method of preparation of gaseous fuel and air before their feeding into the combustion device

Номер патента: RU2652697C1. Автор: Станислав Васильевич Михайлин,Алексей Валериевич Зеленов,Владимир Альбертович Гринев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное объединение "Магнитные материалы". Дата публикации: 2018-04-28.

Method of wireless electric power transmission and device to this end (versions)

Номер патента: RU2408476C2. Автор: Дмитрий Семенович Стребков. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской Академии Сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ). Дата публикации: 2011-01-10.

Power supply method of piston internal combustion engine and air supply device for implementation of said method

Номер патента: RU2725310C1. Автор: Александр Николаевич Черников,Эрик Гургенович Ванян,Борис Васильевич Хакимов. Владелец: Борис Васильевич Хакимов. Дата публикации: 2020-06-30.

Operating method of water heating device

Номер патента: RU2736404C1. Автор: Валерий Игнатьевич Гуров,Михаил Валерьевич Гордин,Владимир Владимирович Курносов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный институт авиационного моторостроения имени П.И. Баранова". Дата публикации: 2020-11-16.

Method of monitoring microbiological contamination of ventilation and conditioning systems

Номер патента: RU2734494C1. Автор: Елена Ивановна Гаврикова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Орловский государственный аграрный университет имени Н.В. Парахина". Дата публикации: 2020-10-19.

Operating method of pulse-detonation engine in centrifugal force field and device for implementation thereof in jet helicopter

Номер патента: RU2718726C1. Автор: Геннадий Григорьевич Лазарев,Константин Алексеевич Авдеев,Сергей Михайлович Фролов,Владислав Сергеевич Иванов,Сергей Александрович Набатников,Виктор Серафимович Аксенов,Игорь Олегович Шамшин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые физические принципы". Дата публикации: 2020-04-14.

Method of thermal processing of metal in combustion furnace of either direct or indirect reheating (variants), method of burning of mixture of liquid or gazeous fuel and heated air in combustion furnace of either direct or indirect reheating, heating mechanism (variants) and regenerative capping (variants) to implement these procedures

Номер патента: RU2324745C2. Автор: Игорь Михайлович Дистергефт,Илья Игоревич Дистергефт,Игорь Михайлович Дистергефт (RU),Иль Игоревич Дистергефт (RU). Владелец: Илья Игоревич Дистергефт. Дата публикации: 2008-05-20.

Device and method of controlling ratio of fuel and air at combustion of coal dust in furnace installation plant

Номер патента: RU2594837C2. Автор: Ханс Георг КОНРАДС,Александр ХАЛЬМ,Мартин БОМ. Владелец: Промекон Процесс-Унд Месстекник Конрадс Гмбх. Дата публикации: 2016-08-20.

Thermally stable air-gap etalon for dense wavelength-division multiplexing applications

Номер патента: WO2001006605A1. Автор: David L. Lunt. Владелец: Blue Sky Research. Дата публикации: 2001-01-25.

Combustion chamber of gas turbine (versions) and method of control of air flow supplied to combustion chamber of gas turbine

Номер патента: RU2576287C2. Автор: Мадхаван Нарасимхан ПОЙЙАПАККАМ,Кхавар САЙЕД,Клаус КНАПП,Торстен ВИНД. Владелец: АЛЬСТОМ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2016-02-27.

Compressed air preparation device and operating method of said device

Номер патента: RU2699941C1. Автор: Кристиан УРРА,Томас МЕРКЕЛЬ,Ангелика РИДИ,Филипп ГЕРКЕ. Владелец: КНОРР-БРЕМЗЕ ЗЮСТЕМЕ ФЮР ШИНЕНФАРЦОЙГЕ ГМБХ. Дата публикации: 2019-09-11.

Closed coal transfer system and method of its operation

Номер патента: RU2733677C1. Автор: Андрей Андреевич Сизов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Приморский универсально-перегрузочный комплекс". Дата публикации: 2020-10-06.

Method of treating waste water using an aeration device

Номер патента: RU2769518C2. Автор: Сергей Валентинович Красавин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Навигатор". Дата публикации: 2022-04-01.

Method of testing products for tightness

Номер патента: RU2770228C1. Автор: Валерий Аркадьевич Зяблов,Владимир Иванович Тройников,Игорь Андреевич Оксов. Владелец: Публичное акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королёва". Дата публикации: 2022-04-14.

Method of fuel-air mix preparation and device to this end

Номер патента: RU2404369C2. Автор: Николай Николаевич Буряк,Раиса Николаевна Смолич. Владелец: Буряк Анатолий Николаевич. Дата публикации: 2010-11-20.

Method of oxidation carbon contained in an electrolyte of an aluminum electrolysis cell

Номер патента: RU2697141C1. Автор: Андрей Васильевич Завадяк,Илья Иванович Пузанов,Петр Васильевич Поляков,Сергей Георгиевич Шахрай,Юрий Глебович Михалев,Андрей Александрович Поляков,Андрей Станиславович Ясинский,Александр Иннокентьевич Безруких,Никита Анатольевич Шарыпов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2019-08-12.

Device and method of cooling, sparking and cleaning of smoke emissions from braziers and other furnaces

Номер патента: RU2718084C1. Автор: Александр Владимирович Стегленко. Владелец: Александр Владимирович Стегленко. Дата публикации: 2020-03-30.

Method of cleaning gas turbine engine

Номер патента: RU2706516C1. Автор: Евгений Ювенальевич Марчуков,Виктор Викторович Куприк,Юрий Александрович Канахин,Ирина Михайловна Стародумова,Елена Сергеевна Некрасова. Владелец: Публичное акционерное общество "ОДК-Уфимское моторостроительное производственное объединение" (ПАО "ОДК-УМПО"). Дата публикации: 2019-11-19.

Distillation module for concentration and desalination of aqueous solution and method of concentrating and desalting aqueous solution using thereof

Номер патента: RU2737524C1. Автор: Алексей Владимирович Волков,Илья Леонидович Борисов,Владимир Павлович Василевский,Георгий Сергеевич Голубев,Илья Сергеевич Еремеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Инсти тут нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2020-12-01.

Method of determination of temperature downstream combustion chamber and gas turbine control method

Номер патента: RU2565469C2. Автор: Вили ПАНОВ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-10-20.

Air gap adjustment in hydraulic brake system

Номер патента: RU2550651C2. Автор: Маттиас ЛИРМАНН,Кристиан ШТАММЕН. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-05-10.

Control method of turbo-compressor unit

Номер патента: RU2702714C1. Автор: Андрей Петрович Большаков,Олег Евгеньевич Медяков,Артем Владимирович Новиков. Владелец: Публичное акционерное общество "ОДК-Уфимское моторостроительное производственное объединение" (ПАО "ОДК-УМПО"). Дата публикации: 2019-10-09.

Device and method of selective monitoring of air inlet for air conditioning system

Номер патента: RU2569974C2. Автор: Ранганатхан МАДХАВАН,Кертис М. ДЖОНС,Халим ВИДЖАЯ,Манфред КОБЕРШТЕЙН. Владелец: Форд Глобал Технолоджис, ЛЛК. Дата публикации: 2015-12-10.

Method of producing hollow granules from inorganic raw material and device for implementation thereof

Номер патента: RU2719466C1. Автор: Евгений Борисович Цыпкин,Анатолий Геннадьевич Титов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "УралНИПИнефть". Дата публикации: 2020-04-17.

Method of aerating water bodies and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2478583C1. Автор: Павел Анатольевич Таран. Владелец: Таран Анатолий Петрович. Дата публикации: 2013-04-10.

System for inspection and/or renovation and/or modification of thermal insulation systems in the building industry and method of inspection and/or renovation and/or modifications of these thermal insulation systems

Номер патента: EP2572053A2. Автор: Alois Palacký. Владелец: Ecoraw SRO. Дата публикации: 2013-03-27.

System for inspection and/or renovation and/or modification of thermal insulation systems in the building industry and method of inspection and/or renovation and/or modifications of these thermal insulation systems

Номер патента: WO2011144187A3. Автор: Alois Palacký. Владелец: Ecoraw, S.R.O.. Дата публикации: 2012-04-05.

A method of forming a decorative glass article and a decorative glass article

Номер патента: WO1999010290A1. Автор: Mark Duro. Владелец: Mark Duro. Дата публикации: 1999-03-04.

System for inspection and/or renovation and/or modification of thermal insulation systems in the building industry and method of inspection and/or renovation and/or modifications of these thermal insulation systems

Номер патента: WO2011144187A2. Автор: Alois Palacký. Владелец: Ecoraw, S.R.O.. Дата публикации: 2011-11-24.

Control method of gas turbine engine with afterburner combustion chamber

Номер патента: RU2706518C1. Автор: Юрий Маркович Зеликин,Алексей Александрович Инюкин,Виктор Викторович Королев. Владелец: Публичное акционерное общество "ОДК - Уфимское моторостроительное производственное объединение" (ПАО "ОДК-УМПО"). Дата публикации: 2019-11-19.

Method of air cleaning from harmful impurities and device for its embodiment

Номер патента: RU2161567C1. Автор: А.А. Кутьев,В.М. Злотопольский,С.В. Маркин,А.С. Гузенберг,Д.А. Крыченков,С.И. Еремеев,Л.И. Гаврилов,Л.А. Жинжиков. Владелец: Маркин Сергей Владимирович. Дата публикации: 2001-01-10.

Method for power supply and assembly of facilities in extreme conditions and air mobile unit for implementation thereof

Номер патента: RU2748809C1. Автор: Александр Алексеевич Таранцев,Валерий Иванович Чугунов. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский университет Государственной противопожарной службы Министерства Российской Федерации по делам гражданской обороны, чрезвычайным ситуациям и ликвидации последствий стихийных бедствий". Дата публикации: 2021-05-31.

Method of producing metallurgical medium-temperature coke in fluidized bed

Номер патента: RU2665409C2. Автор: Сергей Григорьевич Степанов,Сергей Романович Исламов,Дмитрий Александрович Логинов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Сибнииуглеобогащение". Дата публикации: 2018-08-29.

Method of breathing gas turbine engine rotor support oil cavity and oil ring vacuum pump for implementation thereof

Номер патента: RU2731978C1. Автор: Владимир Васильевич Скиба. Владелец: Публичное акционерное общество "ОДК-Уфимское моторостроительное производственное объединение". Дата публикации: 2020-09-09.

Method of forming hydraulic curtain (embodiments), method of protecting fish from ingress into water intake (embodiments), method of antifouling protection (embodiments), fish-protection device, complex fish-protective device (embodiments), protective element

Номер патента: RU2697091C2. Автор: Сергей Николаевич Салиенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Осанна" (ООО "Осанна"). Дата публикации: 2019-08-12.

Method of aircraft passenger cabin ventilation and air mixer-distributor

Номер патента: RU2699317C1. Автор: Владимир Иванович Королев,Валентин Иванович Иванов,Дмитрий Васильевич Пряхин. Владелец: Публичное акционерное общество "Научно-производственная корпорация "Иркут". Дата публикации: 2019-09-04.

Power control method of combined-cycle plants and apparatus for its implementation

Номер патента: RU2601320C1. Автор: Юрий Семенович Тверской,Игорь Константинович Муравьев. Владелец: Юрий Семенович Тверской. Дата публикации: 2016-11-10.

Pneumatic system for vehicles and air pressure regulation method

Номер патента: RU2359846C2. Автор: Лео МЕДБЕРГ,Мартин ЛУНДГРЕН. Владелец: Скания Св Аб (Пабл). Дата публикации: 2009-06-27.

Wallpapers with air cleaning functions and method of their production

Номер патента: RU2432263C1. Автор: Гун Соо ЧУНГ,Ченг Зхе ХУАНГ. Владелец: Эл Джи Хаусис, Лтд.. Дата публикации: 2011-10-27.

Method of reducing the power of a gas turbine plant below its permissible lower limit of the control range

Номер патента: RU2767677C1. Автор: Павел Андреевич Березинец,Юрий Аркадьевич Балашов,Вероника Николаевна Маркина. Владелец: Акционерное общество "Интер РАО-Электрогенерация". Дата публикации: 2022-03-18.

Vacuum cleaner and method of reduction of noise, prodused by vacuum cleaner

Номер патента: RU2323674C1. Автор: Сеунг Гее ХОНГ,Дзае Ман ДЗОО,Дзун Хва ЛИ,Тае Сеок ЙООН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2008-05-10.

Method of producing uncooked smoked pork product, in particular, ham, breast of pork, boneless breast, neck, fillet, foreshank, method of producing uncooked smoked ham, method of producing uncooked smoked breast of pork, method of producing uncooked smoked boneless breast, method of producing uncooked smoked neck, method of producing uncooked smoked fillet, method of producing uncooked smoked foreshank

Номер патента: RU2207020C1. Автор: . Владелец: Геута Вадим Сергеевич. Дата публикации: 2003-06-27.

Method of piston in pneumatic cylinder adaptive braking creating

Номер патента: RU2605513C1. Автор: Сергей Петрович Круглов,Андрей Викторович Лесников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский государственный университет путей сообщения" (ФГБОУ ВО ИрГУПС). Дата публикации: 2016-12-20.

Systems and methods of controlling air quality and events which can affect air quality, and performing corrective action

Номер патента: RU2699266C2. Автор: Деклан Патрик КЕЛЛИ,Корнелис Рейндер РОНДА,Сяомин Чжоу,Аманда ЧЖАО. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2019-09-04.

Method of making a container with stereoscopic effect and a label applied by deformation

Номер патента: RU2730527C2. Автор: Ву Хонг БИЮН. Владелец: Ву Хонг БИЮН. Дата публикации: 2020-08-24.

Device and method of coating tablets using revolving drum

Номер патента: RU2359895C2. Автор: Ханс-Херманн ЮРГЕНС. Владелец: Гебр. Лёдиге Машиненбау-Гезелльшафт Мбх. Дата публикации: 2009-06-27.

Method of determining leakage of articles operating under external pressure and internal excess pressure

Номер патента: RU2716474C1. Автор: Эдуард Викторович Щербаков,Владимир Иванович Тройников. Владелец: Публичное акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королёва". Дата публикации: 2020-03-11.

Needle for insertion of implant and method of its implementation

Номер патента: RU2685765C2. Автор: Оливер КУБЕ,Штефан-Михаэль ФРАЙ,Андреа РИТТИНГХАУС. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2019-04-23.

Complex method of aircraft navigation

Номер патента: RU2646957C1. Автор: Виктор Федорович Заец,Владимир Сергеевич Кулабухов,Борис Олегович Качанов,Николай Алексеевич Туктарев,Дмитрий Викторович Гришин,Сабина Курбановна Ахмедова,Антон Вадимович Перепелицин. Владелец: Открытое акционерное общество Московский научно-производственный комплекс "Авионика" имени О.В. Успенского (ОАО МНПК "Авионика"). Дата публикации: 2018-03-12.

Carbonating machine of beverage and method of production of carbonated beverage

Номер патента: RU2567953C2. Автор: Георг ГРОЙЕЛЬ,Барт ГОТТЕНБОС,Корнелис Рейндер РОНДА,Петрус Хенрикус Лаурентиус НОТТЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-11-10.

Method of operating a fuel heater of a vehicle

Номер патента: RU2708514C1. Автор: Ганс ЙЕНСЕН,Вальтер БЛАШКЕ,Михаэль ХУМБУРГ,Вольфганг ПФИСТЕР. Владелец: Эбершпехер Клаймит Контрол Системз Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2019-12-09.

Method of detecting leaks in an air-to-air heat exchanger and a device for its implementation

Номер патента: RU2701457C1. Автор: Александр Николаевич Козырев,Станислав Евгеньевич Зеленский,Павел Игоревич Ермаков,Андрей Евгеньевич Голяев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КОНТУР-НИИРС". Дата публикации: 2019-09-26.

Method of aeration reservoir in period of ice formation

Номер патента: RU2569959C1. Автор: Александр Леонидович Шестаков,Рамзиль Салахович Карипов,Денис Рамзилевич Карипов,Дмитрий Александрович Брейгин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Уральский государственный университет" (национальный исследовательский университет) (ФГБОУ ВПО "ЮУрГУ" (НИУ)). Дата публикации: 2015-12-10.

Method of comparative evaluation of efficiency of fuel combustion promoters in combustion chamber of air-jet engine

Номер патента: RU2642236C1. Автор: Евгений Петрович Федоров,Леонид Самойлович Яновский,Наталья Ивановна Варламова,Иван Михайлович Попов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный институт авиационного моторостроения имени П.И. Баранова". Дата публикации: 2018-01-24.

Method of processing natural/associated gas to synthesis gas by autothermal reforming

Номер патента: RU2664063C1. Автор: Михаил Николаевич Михайлов,Дмитрий Александрович Григорьев,Александр Васильевич Сандин,Алексей Эдуардович Бессуднов,Сергей Александрович Михайлов,Олег Николаевич Протасов,Николай Александрович Мамонов,Павел Михайлович Ступаков. Владелец: Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" (ПАО "НК "Роснефть"). Дата публикации: 2018-08-14.

Design of form to make stairs and stair platforms, method to manufacture such form and method of its usage

Номер патента: RU2525407C2. Автор: Пьеро КРЕТТИ. Владелец: Пластедиль С.А.. Дата публикации: 2014-08-10.

Air gap insulated exhaust pipe with branch pipe stub and method of manufacturing same

Номер патента: US20020014007A1. Автор: Pierre Bonny,Thomas Huelsberg. Владелец: Daimler Benz AG. Дата публикации: 2002-02-07.

Mode-matched single proof-mass dual-axis gyroscope and method of fabrication

Номер патента: US09726489B2. Автор: Farrokh Ayazi,Wang-Kyung Sung,Mohammad ZAMAN. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Methods of forming solid-woven multilayer shells of variable thickness (embodiments)

Номер патента: RU2765455C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2022-01-31.

Method of production of polyethyleneterephthalate containers with a shifted from its center nozzle

Номер патента: RU2261176C2. Автор: Мауро ФИББЬЯ,Альберто АРМЭЛЛИН. Владелец: Сипа С.П.А.. Дата публикации: 2005-09-27.

Method of producing liquid and gaseous oxygen-enriched air separation product in an air separation plant and an air separation plant

Номер патента: RU2722074C2. Автор: Тобиас Лаутеншлагер. Владелец: Линде Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2020-05-26.

Method of production of ammonia

Номер патента: RU2196733C1. Автор: О.С. Чехов,А.Н. Семагин. Владелец: Московский государственный университет инженерной экологии. Дата публикации: 2003-01-20.

Method of producing isosorbide di(meth)acrylate

Номер патента: RU2703461C2. Автор: Мартин КАЛЛЕР,Кристоф ФЛЕККЕНШТАЙН,Андреа Мисске,Фридерике Фляйшхакер,Ритеш НАИР,Ульрик ШТЕНГЕЛЬ,Матие БЛАНХОТ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2019-10-17.

Method of controlling air temperature aboard manned spacecraft

Номер патента: RU2739649C1. Автор: Дмитрий Николаевич Рулев,Александр Иванович Спирин. Владелец: Публичное акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королёва". Дата публикации: 2020-12-28.

Method of forming thin films, device for forming thin films, and thin film forming process monitoring method

Номер патента: RU2324765C2. Автор: Тосиаки КАКЕМУРА,Хирото КАСИМА,Манабу ЦУДЗИНО. Владелец: Топпан Принтинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-05-20.

Absorbing cores and methods of their formation

Номер патента: RU2680946C1. Автор: Майкл Б. ВЕНТУРИНО,Джозеф Дж. СИНА. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of cupola-furnace off gas cleaning and recovery

Номер патента: RU2464069C2. Автор: Витаутас Валентинович Сенкус,Богдан Михайлович Стефанюк,Василий Витаутасович Сенкус,Валентин Витаутасович Сенкус,Нина Ивановна Конакова,Иван Филиппович Селянин,Валентин Александрович Марченко,Андрей Владимирович Феоктистов,Илья Александрович Перематин,Василий Витаутасович Сенкус (RU),Нина Ивановна Конакова (RU),Витаутас Валентинович Сенкус (RU),Богдан Михайлович Стефанюк (RU),Валентин Витаутасович Сенкус (RU),Валентин Александрович Марченко (RU),Иван Филиппович Селянин (RU),Андрей Владимирович Феоктистов (RU),Илья Александрович Перематин (RU). Владелец: Илья Александрович Перематин. Дата публикации: 2012-10-20.

Treatment method of wood biomass in form of combustive chips with receiving of bio-oil and wood coal and drying-retort module for treatment of wood biomass in form of combustive chips with receiving of bio-oil and wood coal

Номер патента: RU2338770C1. Автор: Владимир Николаевич Пиялкин,лкин Владимир Николаевич Пи,Юрий Николаевич Пильщиков,Сергей Анатольевич Прокопьев,Валентин Михайлович Глуховский,Алексей Яковлевич Киповский,Иль Игоревич Белоусов,Илья Игоревич Белоусов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АРС Группа". Дата публикации: 2008-11-20.

Method of identifying elastic afterworking cause, method of displaying influence of elastic afterworking, method of identifying location of elastic afterworking cause, method of identifying position of elastic afterworking preventer, devices for their implementation and programmes

Номер патента: RU2424074C2. Автор: Ясухару ТАНАКА,Тосиюки НИВА,Сеиити ДАИМАРУ,Юкихиса КУРИЯМА,Такаси АРИГА,Тору Ёсида,Сундзи ХИВАТАСИ,Сатору ОКАЯМА. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2011-07-20.

Method of obtaining population of cells, expressing puripotency markers and markers, characteristic of formed endoderm line

Номер патента: RU2553538C2. Автор: Алиреза РЕЗАНИА. Владелец: Сентокор Орто Байотек Инк.. Дата публикации: 2015-06-20.

Air gap device and liquid disinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and disinfecting apparatus

Номер патента: US11944712B2. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical BV. Дата публикации: 2024-04-02.

Air gap device and liquid disinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and disinfecting apparatus

Номер патента: AU2018355821B2. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Pipeline correlation detection method and apparatus for multi-split air conditioner, and air conditioner

Номер патента: EP3855088A1. Автор: Jianying Wang,Chao An,Zhigao CAO. Владелец: Haier Smart Home Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-28.

Renewal method of air-conditioning unit for vehicle and air-conditioning unit for vehicle

Номер патента: US20130133344A1. Автор: Shiro Takatani,Masatoshi Urakawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Air gap device and liquid desinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and desinfecting apparatus

Номер патента: WO2019083366A1. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical B.V.. Дата публикации: 2019-05-02.

Air gap device and liquid desinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and desinfecting apparatus

Номер патента: CA3084478A1. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical BV. Дата публикации: 2019-05-02.

Air gap device and liquid desinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and desinfecting apparatus

Номер патента: EP3700586A1. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical BV. Дата публикации: 2020-09-02.

Air gap device and liquid disinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and disinfecting apparatus

Номер патента: US20200282094A1. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical BV. Дата публикации: 2020-09-10.

Air gap device and liquid disinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and disinfecting apparatus

Номер патента: AU2018355821A1. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical BV. Дата публикации: 2020-05-14.

Renewal method of air-conditioning unit for vehicle and air-conditioning unit for vehicle

Номер патента: US09890978B2. Автор: Shiro Takatani,Masatoshi Urakawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Explosive tube having air gap and method of blasting bedrock using same

Номер патента: US09829287B2. Автор: Jin Sung Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of foarming the skill of constructing symmetrical images in connection with the training of the eye and the device for its implementation

Номер патента: RU2749251C1. Автор: Сергей Аркадьевич Новоселов,Лариса Ивановна Львова,Лидия Сергеевна Попова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный педагогический университет" (УрГПУ). Дата публикации: 2021-06-07.

Membrane distillation module and method of mineralized water desalination

Номер патента: RU2612701C1. Автор: Владимир Васильевич Волков,Алексей Владимирович Волков,Илья Леонидович Борисов,Владимир Павлович Василевский,Эдуард Григорьевич Новицкий. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2017-03-13.

Method of producing high-caloric fuel pellets from organic material with annual renewal

Номер патента: RU2723938C1. Автор: Владислав Васильевич Степанов,Ольга Владимировна Степанова,Евгения Витальевна Степанова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭКОТОПЛИВО". Дата публикации: 2020-06-18.

Method of getting outside building construction

Номер патента: RU2630836C2. Автор: Рудольф БРАНД. Владелец: Бдпс Инженергезелльшафт Мбх. Дата публикации: 2017-09-13.

Method of phosphorus removal from waste water of inner-surface sewage of sewage treatment facilities

Номер патента: RU2708310C1. Автор: Евгений Николаевич Матюшенко,Владислав Андреевич Возный. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Новосибирский государственный архитектурно-строительный университет (Сибстрин). Дата публикации: 2019-12-05.

Overmolded medical connector tubing and method of producing same

Номер патента: RU2649471C2. Автор: Майкл А. СПОН,Кори Дж. ПРАЙС,Эндрю В. МЕЙЕР. Владелец: БАЙЕР ХелсКер ЛЛСи. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of gas feed to air heater, heater and air guide sleeve

Номер патента: RU2524982C2. Автор: Юха ОЯНПЕРЯ. Владелец: Валмет Пауэр Ой. Дата публикации: 2014-08-10.

Blowdown method of intermediate cavity of turbo-pump unit

Номер патента: RU2727121C1. Автор: Владимир Александрович Шишков. Владелец: Владимир Александрович Шишков. Дата публикации: 2020-07-20.

Method of creating system of forces of aircraft of aeroplane configuration and ground-air amphibious vehicle for implementing this method

Номер патента: RU2127202C1. Автор: В.В. Назаров. Владелец: Назаров Валентин Васильевич. Дата публикации: 1999-03-10.

Method of correcting the trajectory of sheets of multiple launch rocket systems

Номер патента: RU2678922C1. Автор: Николай Сергеевич Кузнецов. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Дельта". Дата публикации: 2019-02-04.

Method of producing a collagen-based coating by aerosol spraying from an aqueous dispersion

Номер патента: RU2730839C1. Автор: Алексей Валентинович Ромашкин,Денис Дмитриевич Левин,Юрий Александрович Поликарпов,Владимир Кириллович Неволин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-08-26.

Method of forming an element of x-ray optics

Номер патента: RU2707766C1. Автор: Валерий Васильевич Савин,Анатолий Александрович СНИГИРЕВ,Виктория Чайка,Иван Сергеевич Жеребцов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта" (БФУ им. И. Канта). Дата публикации: 2019-11-29.

Method of determining inclination angles of reflecting boundaries in a geological environment from profile seismic survey data 2d

Номер патента: RU2692001C1. Автор: Владимир Иванович Бондарев,Сергей Михайлович Крылатков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный горный университет" (ФГБОУ ВО "УГГУ"). Дата публикации: 2019-06-19.

Method of forming pressurized lubricating circuit in engine component (versions)

Номер патента: RU2697295C2. Автор: Энтони Джордж ШЕПАК,Клифф Е. МАКИ,Мэтью Леонард ХИНТЦЕН,Марк В ТИБОЛЬТ. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2019-08-13.

Device and method of regenerating odour absorber in motor vehicle hvac (heating, ventilation and air conditioning) system

Номер патента: RU2714095C2. Автор: Роберт Стивен СОЙЕР. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2020-02-11.

Blow molding unit and method of blowing bottle from glass billet

Номер патента: RU2295505C2. Автор: Стивен Дж. ПИНКЕРТОН,Ф. Алан ФЕНТОН,Лео ДИМ,Вольфганг АНХЕЙЕР,Джон П. МАНГОВАН. Владелец: Эмхарт Гласс С.А.. Дата публикации: 2007-03-20.

Method of research of conditions of powder charge ignition with explosive fuel and air mixture during mixture blasting and device for its implementation

Номер патента: RU2324926C2. Автор: Владимир Григорьевич Михеев,Алексей Владимирович Назаров,Сергей Владимирович Мартынов,Алексей Николаевич Царьков,Николай Николаевич Николаев,Александр Иванович Устинкин. Владелец: ИНСТИТУТ ИНЖЕНЕРНОЙ ФИЗИКИ РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (ИИФ РФ). Дата публикации: 2008-05-20.

Method of forming self-aligned rugged crown-shaped capacitor of high-density dynamic random access memory

Номер патента: TW425702B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-03-11.

Fabrication method of forming self-aligned salicide

Номер патента: TW281788B. Автор: Ming-Jong Yang,Bor-Ren Jeng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-07-21.

Method of forming self-aligned silicide by double ion implantation

Номер патента: TW418449B. Автор: Chi-Ming Yang,Jau-Jie Tsai,Shou-Ren Jang,Jeng-Kuen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-01-11.

Method of forming self-aligned salicide

Номер патента: TW308721B. Автор: Jiunn-Shyan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-06-21.

Method of forming self-aligned contacts

Номер патента: TWI221639B. Автор: Pei-Ren Jeng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-01.

Method of forming self-aligned contacts

Номер патента: TW200423234A. Автор: Pei-Ren Jeng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

Manufacturing method of multi-level copper metallisation of vlsic

Номер патента: RU2420827C1. Автор: Константин Анатольевич Воротилов,Владимир Александрович Васильев,Адиль Салихович Валеев,Геннадий Яковлевич Красников,Николай Алексеевич Шелепин,Олег Павлович Гущин,Сергей Николаевич Аверкин,Геннадий Яковлевич Красников (RU),Адиль Салихович Валеев (RU),Николай Алексеевич Шелепин (RU),Олег Павлович Гущин (RU),Константин Анатольевич Воротилов (RU),Владимир Александрович Васильев (RU),Сергей Николаевич Аверкин (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2011-06-10.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED USING REPLACEMENT GATE TECHNIQUES

Номер патента: US20130288468A1. Автор: Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED THROUGH SILICON VIA

Номер патента: US20130065393A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,Stamper Anthony K.,LEIDY Robert K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-14.

Method of Forming Self-Aligned Contacts for a Semiconductor Device

Номер патента: US20130189833A1. Автор: Baars Peter,Wei Andy,Geiss Erik,Mazur Martin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-07-25.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130288471A1. Автор: Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

Method of forming self-aligned metal silicide

Номер патента: TWI251272B. Автор: Erh-Kun Lai,Tung-Cheng Kuo,Shou-Wei Hwang,Yu-Ping Huang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-11.

Method of forming self-aligned salicide

Номер патента: TW304279B. Автор: Jenn-Hwa Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-05-01.

Manufacturing method of forming self-aligned twin-tub well on semiconductor substrate

Номер патента: TW301769B. Автор: Jyi-Shyi Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1997-04-01.

SELF-FORMING, SELF-ALIGNED BARRIERS FOR BACK-END INTERCONNECTS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120248608A1. Автор: Yoo Hui Jae,Bielefeld Jeffery D.,King Sean W.,Balakrishnan Sridhar. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

Method of and apparatus for detonation-free combustion of air-fuel mixture and air-fuel mixture for internal combustion engine

Номер патента: PL262499A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1988-08-04.

Method of heating of mining units

Номер патента: RU2636596C1. Автор: Владимир Ильич Матюхин,Олег Владимирович Матюхин,Анна Владимировна Матюхина. Владелец: Владимир Ильич Матюхин. Дата публикации: 2017-11-24.

Integrally formed self aligning bearing

Номер патента: AU220369B2. Автор: Mills Ready Graeme. Владелец: Individual. Дата публикации: 1957-11-07.

Method for forming self-aligned, rugged, and extended crown-shaped capacitor of high density random access memory (RAM)

Номер патента: TW480711B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-03-21.

Method for forming self-aligned trench isolation

Номер патента: TW492140B. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2002-06-21.

Structure and method for forming self-aligned bipolar junction transistor with expitaxy base

Номер патента: TW546809B. Автор: Shu-Ya Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-08-11.

Integrally formed self aligning bearing

Номер патента: AU2197556A. Автор: Mills Ready Graeme. Владелец: Individual. Дата публикации: 1957-11-07.

Process for forming self-aligned multi-level interconnect structure

Номер патента: TW444335B. Автор: Hsu-Li Cheng,Erik S Jeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2001-07-01.

METHODS TO FORM SELF-ALIGNED PERMANENT ON-CHIP INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20120018891A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-26.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20120267727A1. Автор: . Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-25.

METHODS TO FORM SELF-ALIGNED PERMANENT ON-CHIP INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20130001801A1. Автор: Lin Qinghuang. Владелец: INTERNATIOANL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED OVERLAY MARK

Номер патента: US20130210213A1. Автор: Pratt David,Nair Vinay,Hawk Christopher,Housley Richard. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR950025876A. Автор: 남종완,권성우. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-09-18.

Method for forming self-aligned metallic silicide

Номер патента: CN102044422B. Автор: 聂佳相,卢炯平,杨瑞鹏,孔祥涛. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-07-04.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR19990074362A. Автор: 염계희. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-05.

Method for forming self-aligned metal silicide at source/drain region of device

Номер патента: CN101866841B. Автор: 陈雄斌,陈瑜,熊涛,陈华伦,罗啸. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-18.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR950007100A. Автор: 성진모. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-03-21.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR940007990A. Автор: 김진웅,손곤. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-04-28.

Method for forming self-aligning contact window structure

Номер патента: CN1290158C. Автор: 董明圣,李岳川. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-13.

Method for using dual damascene trench to form self-aligned mask ROM

Номер патента: TW477003B. Автор: Pei-Ren Jeng,Tzung-Ye Li,Wei-Min Jung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Method for forming self-alignment metal salicide CMOS semi transistor

Номер патента: TW366566B. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-11.

Making process for forming self-alignment contact plug useful in an embedded random access memory

Номер патента: TW385529B. Автор: Jen-Ye Shr. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-03-21.

Method for forming self-aligned metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: TW563189B. Автор: Ding-Jang Jang,Huang-Jung Jeng,Jeng-Jie Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-11-21.

Method of recovering refrigerant and oil, controller for recovering refrigerant and oil, and air conditioner

Номер патента: JP2003240368A. Автор: 繁治 平良,Shigeji Taira. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2003-08-27.

SELF ALIGNING VIA PATTERNING

Номер патента: US20120302057A1. Автор: Kanakasabapathy Sivananda K.,Yin Yunpeng,Burns Sean D.,Arnold John Christopher. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming the system of forces of flying vehicle and flying vehicle-ground-air-amphibian for realization of this method

Номер патента: RU2317220C1. Автор: Сергей Михайлович Семенов,Валентин Васильевич Назаров,Дмитрий Валентинович Назаров,Евгений Алексеевич Лозовик. Владелец: Валентин Васильевич Назаров. Дата публикации: 2008-02-20.

Method of forming divided charges in flooded wells

Номер патента: RU2306522C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2007-09-20.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming three-dimensional image of earth's surface and air environment using antenna array

Номер патента: RU2539558C1. Автор: Владимир Константинович Клочко,Алексей Николаевич Усачев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2015-01-20.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making polymer filtration material and filtration material

Номер патента: RU2492912C2. Автор: Георгий Николаевич Ворожцов,Олег Леонидович Калия,Юрий Михайлович Голуб,Алексей Дмитриевич Шепелев,Виссарион Георгиевич Мамагулашвили,Ксения Игоревна Луканина,Андрей Евгеньевич Негин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (ФГУП "НИФХИ им. Л.Я. Карпова"). Дата публикации: 2013-09-20.

Method of direct reduction of iron oxides

Номер патента: RU2640371C1. Автор: Петр Петрович Петров,Петр Петрович Тарасов,Борис Юрьевич Прядезников,Ксения Валерьевна Степанова,Валерия Валерьевна Малышева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физико-технических проблем Севера им. В.П. Ларионова СО РАН. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEPARATOR FOR AN ELECTRICITY STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003525A1. Автор: . Владелец: TOMOEGAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Regenerating a Polishing Pad Using a Polishing Pad Sub Plate

Номер патента: US20120003903A1. Автор: SUZUKI Eisuke,SUZUKI Tatsutoshi. Владелец: Toho Engineering. Дата публикации: 2012-01-05.

Harmonising method of magnetic conductors of rotor and armature in two-dimensional electric machines - generators

Номер патента: RU2496211C1. Автор: Яков Михайлович Кашин,Багаудин Хамидович Гайтов,Тамара Борисовна Гайтова,Александр Яковлевич Кашин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВПО "КубГТУ"). Дата публикации: 2013-10-20.

Operation method of controlled gas magnetic bearing assembly and bearing assembly

Номер патента: RU2545146C1. Автор: Александр Станиславович Хвостиков,Алексей Владимирович Смирнов,Александр Владимирович Ульянов,Сергей Михайлович Копытов,Александр Витальевич Космынин,Владимир Степанович Щетинин,Юлия Владимировна Медведовская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Комсомольский-на-Амуре государственный технический университет" (ФГБОУ ВПО "КнАГТУ"). Дата публикации: 2015-03-27.

Method of charge dispersal in well

Номер патента: RU2325617C2. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский,Надежда Кимовна Лукашевич,Денис Витальевич Сергейцов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2008-05-27.

ABSORPTION HEAT PUMP SYSTEM AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120000221A1. Автор: Wang Kai,Abdelaziz Omar,Vineyard Edward Allan,ZALTASH Abdolreza. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLARED TIP FAN BLADE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003098A1. Автор: . Владелец: SPX Cooling Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

FUEL CELL SYSTEM AND DRIVING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120003553A1. Автор: Kim Dong-hyun,KIM Hyun,Hong Ming-Zi,Kim Dong-Rak,Cho Woong-Ho. Владелец: Samsung SDI Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Operating method of chimney-type and fan cooling tower of evaporative type and device for its implementation

Номер патента: RU2552212C2. Автор: Владимир Анатольевич Калатузов. Владелец: Владимир Анатольевич Калатузов. Дата публикации: 2015-06-10.

Method of vaporising chimney-type and mechanical-draft cooling tower operation and device for method implementation

Номер патента: RU2552028C2. Автор: Владимир Анатольевич Калатузов. Владелец: Владимир Анатольевич Калатузов. Дата публикации: 2015-06-10.

Method of and device to supply electric vehicles

Номер патента: RU2297928C1. Автор: Василий Иванович Верютин,Дмитрий Семенович Стребков,Леонид Юрьевич Юферев,Алексей Иосифович Некрасов,Олег Алексеевич Рощин,Александр Николаевич Кармазин. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2007-04-27.

Device for inspecting air gap

Номер патента: RU2318184C1. Автор: Игорь Иосифович Радчик,Олег Борисович Скворцов,Вячеслав Михайлович Тараканов,В чеслав Михайлович Тараканов,Евгений Степанович Трунин,Сергей Алексеевич Королев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Диамех 2000". Дата публикации: 2008-02-27.

Method of formation of bipolar signals for data transmission through air gap and device for its implementation

Номер патента: RU2566949C1. Автор: Виктор Владимирович Карасев,Мария Александровна Зилотова,Анастасия Викторовна Николаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2015-10-27.

Method of determining flow rate of air through air inlet during flight tests of propulsive jet engine of hypersonic aircraft

Номер патента: RU2491512C2. Автор: Нина Александровна Андреева,Андрей Романович Горбай. Владелец: Открытое акционерное общество "Лётно-исследовательский институт имени М.М. Громова" (ОАО "ЛИИ имени М.М. Громова"). Дата публикации: 2013-08-27.

Method of ultrasonic drying of linen in tumbler washing machines

Номер патента: RU2277611C1. Автор: Владимир Николаевич Хмелёв,Андрей Викторович Шалунов,Максим Владимирович Хмелёв,Роман Владиславович Барсуков,Сергей Николаевич Цыганок,Игорь Игоревич Савин,Андрей Николаевич Заборовский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ). Дата публикации: 2006-06-10.

Method of and air conditioning system for individual control of air temperature in compartments of passenger car (versions)

Номер патента: RU2270117C1. Автор: Анатолий Леонович Емельянов,нов Анатолий Леонович Емель,нов Федор Анатольевич Емель,Федор Анатольевич Емельянов,Виталий Владимирович Царь. Владелец: ООО "Балтийские системы кондиционирования". Дата публикации: 2006-02-20.

Laminar material based on thermoplastic polymer composition with low air permeability and air tire with inner layer made thereof

Номер патента: RU2412055C2. Автор: Юити ХАРА,Энди Хайшунг ТСОУ,Йосихиро СОЕДА,Наоюки МОРООКА. Владелец: Эксонмобил Кемикал Пэйтентс Инк.. Дата публикации: 2011-02-20.

Method of Making a Combustion Turbine Component Having a Plurality of Surface Cooling Features and Associated Components

Номер патента: US20120000072A9. Автор: James Allister W.,Morrison Jay A.,Merrill Gary B.,Fraser Iain A.,Paulus John R.,Lane Jay E.,Appleby Mike P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Refining The Grain Structure Of Alloys

Номер патента: US20120000317A1. Автор: Flemings Merton C.,Ragone David V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of automatic gas-pulse purging of heating surfaces of oil-heating furnace convection chambers

Номер патента: RU2358220C2. Автор: Сталив Иванович Воеводин,Анатолий Петрович Погребняк,Валерий Леонидович Кокорев,Александр Леонидович Кокорев. Владелец: Александр Леонидович Кокорев. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of automatic control of bulk materials drying in drum-type drier with cyclone spiral adapter

Номер патента: RU2345301C1. Автор: Сергей Владимирович Сергеев,Андрей Олегович Сафонов,Инна Валерьевна Труфанова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежская государственная лесотехническая академия" (ВЛГТА). Дата публикации: 2009-01-27.

Method of fluid dispersion and controlled aerosol disperser to this end

Номер патента: RU2449842C2. Автор: Михаил Дмитриевич Акульшин,Олег Наилевич Абдразяков. Владелец: Олег Наилевич Абдразяков. Дата публикации: 2012-05-10.

Control method of air leakages and flow for turbine cooling in double-flow gas turbine engine

Номер патента: RU2389891C1. Автор: Вячеслав Алексеевич Рыбко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское машиностроительное производственное предприятие "САЛЮТ" (ФГУП "ММПП "САЛЮТ"). Дата публикации: 2010-05-20.

Method of controlled cooling of oil or oil-air mix and air cooling unit with circulated airflow to this end

Номер патента: RU2505736C1. Автор: Юрий Васильевич Белоусов,Николай Николаевич Пучков,Сергей Борисович Козлов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газхолодтехника". Дата публикации: 2014-01-27.

Method of drying inside fixed capacitor with two bottoms installed vertically, height of which is greater than width of base

Номер патента: RU2602659C2. Автор: Геннадий Дмитриевич Лузгин,Владимир Васильевич Волков,Антон Викторович Бодырев,Артём Витальевич Кравцов,Михаил Васильевич Шепелев,Александр Владимирович Курбатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный технологический университет". Дата публикации: 2016-11-20.

Method of dehydration of chlorine magnesium salts in multichamber furnace of boiling bed

Номер патента: RU2334829C1. Автор: Николай Александрович Шундиков,Валерий Владимирович Тетерин,Илья Николаевич Бездоля,Олег Львович Черных,Иль Николаевич Бездол,Сергей Иванович Потеха,Владимир Семенович Бабин,Эдуард Федорович Михайлов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Корпорация Всмпо-Ависма". Дата публикации: 2008-09-27.

Method of aeration of liquids

Номер патента: RU2250140C1. Автор: А.В. Орлов,В.В. Хан,В.Д. Казаков,М.Ю. Толстой,А.В. Куртин,В.В. Кочержинский,С.И. Кантарович,М.И. Паутов. Владелец: Иркутский государственный технический университет (ГОУ ИрГТУ). Дата публикации: 2005-04-20.

Method of air start of unmanned flying vehicle and external suspension system for realization of this method

Номер патента: RU2258639C1. Автор: . Владелец: Открытое акционерное общество "Опытно-конструкторское бюро "Сокол". Дата публикации: 2005-08-20.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING A DRESSING

Номер патента: US20120001366A1. Автор: . Владелец: BOEHRINGER TECHNOLOGIES, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same

Номер патента: US20120002420A1. Автор: IMAI Noboru,ISAKA Fumiya,Noguchi Masahiro,Shibata Akiji,Ashidate Yuzuru,Suzuki Aki. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Preparing Non-Alcohol Bioactive Esential Oil Mouth Rinses

Номер патента: US20120003162A1. Автор: Mordas Carolyn J.,Queiroz Daniel R.,Tsai Patrick B.. Владелец: McNeil-PPC, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods Of Enhancing Antibody-Dependent Cellular Cytotoxicity

Номер патента: US20120003213A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANURACTURING METHOD OF EGG WITH EDIBLE COMPOSITION

Номер патента: US20120003368A1. Автор: LEE Hye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003385A1. Автор: Naito Ryusuke. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003393A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGNIN/POLYACRYLONITRILE-CONTAINING DOPES, FIBERS, AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120003471A1. Автор: . Владелец: WEYERHAEUSER NR COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Air Water Vacuum Syringe and Method of Use

Номер патента: US20120003603A1. Автор: Hirsch James A.,Hirsch Thomas R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

REINFORCEMENT FOR ASPHALTIC PAVING, METHOD OF PAVING, AND PROCESS FOR MAKING A GRID WITH THE COATING FOR ASPHALTIC PAVING

Номер патента: US20120003889A1. Автор: Lee Sugjoon,NEWTON Mark J.,Fague Gary R.,Woolstencroft Jon,Goupil Richard,Hook Kerry. Владелец: SAINT-GOBAIN TECHNICAL FABRICS AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPANION ANIMAL COMPOSITIONS INCLUDING PYRUVIC ACID AND SALTS THEREOF AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004291A1. Автор: Yamka Ryan Michael,Frantz Nolan Zebulon,Zicker Steven C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SATIATION POUCHES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004590A1. Автор: Stack Richard S.,Williams Michael S.,Glenn Richard A.,Athas William L.,LUNSFORD John,Balbierz Dan. Владелец: Barosense, Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method of Making Tapered Looped Suture

Номер патента: US20120004686A1. Автор: Maiorino Nicholas,Bowns William R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Tape-pipe method of extinguishing forest fires with transforming dismountable links

Номер патента: RU2470685C2. Автор: Владимир Ильич Юркин. Владелец: Владимир Ильич Юркин. Дата публикации: 2012-12-27.

Method of cast-in-place pile construction out of soil and slag mix with solidification activating agent in expanded wells

Номер патента: RU2354780C1. Автор: Вячеслав Александрович Ильичев,Борис Васильевич Жадановский,Ярослав Анатольевич Саурин,Юлия Вячеславовна Редькина,Денис Николаевич Милютин,Анатолий Никифорович Саурин. Владелец: Анатолий Никифорович Саурин. Дата публикации: 2009-05-10.

Flammability testing method of construction materials, and evaluation plant of construction materials flammability

Номер патента: RU2475286C1. Автор: Владимир Иванович Забегаев,Сергей Валентинович Баженов,Станислав Михайлович Лашкин,Юрий Геннадьевич Семенов. Владелец: Федеральное государственное учреждение Всероссийский ордена "Знак Почета" научно-исследовательский институт противопожарной обороны МЧС России (ФГУ ВНИИПО МЧС России). Дата публикации: 2013-02-20.

Management method of thermal processing of raw smoked and prosciutto meat and fish products in climatic chamber convection plant

Номер патента: RU2442426C1. Автор: Сергей Геннадьевич Юзов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет прикладной биотехнологии". Дата публикации: 2012-02-20.

Method of gas generation for creation of thrust in air jet engine with multi-stage axial compressor and air jet engine

Номер патента: RU2405959C1. Автор: Валерий Григорьевич Кехваянц. Владелец: Российская Федерация в лице Министерства промышленности и торговли Российской Федерации (МИНПРОМТОРГ РОССИИ). Дата публикации: 2010-12-10.

Method of determination of vectors of air and ground speeds and drift angle of flying vehicle and complex laser unit for realization of this method

Номер патента: RU2238521C1. Автор: В.Р. Мамошин. Владелец: Мамошин Владимир Романович. Дата публикации: 2004-10-20.

Method of and device for cleaning exhaust gases

Номер патента: RU2306440C1. Автор: Юрий Алексеевич Иванов,Александр Петрович Орлов,Евгений Дмитриевич Иванов,Раиса Петровна Орлова,Сергей Алексеевич Быстров,нчиков Александр Григорьевич Двор,Александр Григорьевич Дворянчиков. Владелец: Александр Григорьевич Дворянчиков. Дата публикации: 2007-09-20.

Delivery method of air-water mixture on blank in area of secondary cooling on continuous-casting machine

Номер патента: RU2355508C1. Автор: Александр Валентинович Куклев,Юрий Моисеевич Айзин. Владелец: Закрытое акционерное общество "КОРАД". Дата публикации: 2009-05-20.

Method of high-intensity shock testing of devices and equipment

Номер патента: RU2335748C1. Автор: Александр Сергеевич Орлов,Сергей Александрович Орлов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение прикладной механики им. академика М.Ф. Решетнева". Дата публикации: 2008-10-10.

Method of natural and associated gas processing

Номер патента: RU2551678C1. Автор: Валерий Иванович Савченко,Геннадий Петрович Белов,Владимир Сергеевич Арутюнов,Рустам Нухкадиевич Магомедов,Игорь Владимирович Седов,Алексей Витальевич Никитин,Илья Геннадьевич Фокин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2015-05-27.

Construction method of underground pipeline at intersection of tectonic breaks

Номер патента: RU2365802C1. Автор: Сергей Андреевич Толстунов,Сергей Петрович Мозер,Антон Сергеевич Толстунов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный горный институт имени Г.В. Плеханова (технический университет)". Дата публикации: 2009-08-27.

COMPRESSION SPRINGS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000073A1. Автор: . Владелец: Renton Coil Spring Company. Дата публикации: 2012-01-05.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF NON-AQUEOUS INKJET COMPOSITE PRINTING AND INK SET

Номер патента: US20120001979A1. Автор: WATANABE Yoshifumi,YAMAMOTO Akiko. Владелец: RISO KAGAKU CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-LAYER PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A PANEL

Номер патента: US20120002288A1. Автор: Maass Uwe. Владелец: MUSION SYSTEMS LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING A TERNARY ALLOY CATALYST FOR FUEL CELL

Номер патента: US20120003569A1. Автор: Protsailo Lesia V.,Kawamura Tetsuo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTORECEPTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120003574A1. Автор: Tanaka Yasushi,Nakamura Yoichi,Kitagawa Seizo,EMORI Hiroshi,Ichiyanagi Hiroyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Photon-crystal chalcogenide fibre and method of its production

Номер патента: RU2552590C1. Автор: Юлия Сергеевна Скибина,Михаил Валерьевич Чайников,Игорь Юрьевич Силохин,Валерий Викторович Тучин,Андрей Александрович Шувалов,Анастасия Андреевна Занишевская,Штейнмаер Гюнтер. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственное предприятие "Наноструктурная Технология Стекла". Дата публикации: 2015-06-10.

Method of operating control of main fan unit for shaft ventilation

Номер патента: RU2537427C1. Автор: Виктор Александрович Николаев,Александр Викторович Николаев,Николай Иванович Алыменко,Галина Борисовна Лялькина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2015-01-10.

Method of operation of thermal power station

Номер патента: RU2296230C1. Автор: Владимир Иванович Шарапов,Сергей Евгеньевич Кубашов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-03-27.

Method of operation of thermal power plant

Номер патента: RU2502878C2. Автор: Владимир Иванович Шарапов,Михаил Александрович Маликов,Роман Алексеевич Фионов,Александр Викторович Ярмухин,Максим Владимирович Мелёхин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2013-12-27.

Combustion method of fine pulverised coal and regular pulverised coal in pulverised coal burner, and device for its implementation

Номер патента: RU2460941C1. Автор: Юрий Степанович Попов,Сергей Иванович Шторк,Сергей Владимирович Алексеенко,Анатолий Петрович Бурдуков,Виталий Исакович Попов. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения РАН (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2012-09-10.

Gas dynamic sealing method of charging and discharging openings of draw furnace (versions)

Номер патента: RU2443960C1. Автор: Лик Анварович Зайнуллин,Владимир Михайлович Калганов,Михаил Владимирович Калганов,Дмитрий Владимирович Калганов,Лик Анварович Зайнуллин (RU),Владимир Михайлович Калганов (RU),Михаил Владимирович Калганов (RU),Дмитрий Владимирович Калганов (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт металлургической теплотехники" (ОАО "ВНИИМТ"). Дата публикации: 2012-02-27.

System of fuel and air mixture ignition, spark plug and method of fuel and air mixture ignition

Номер патента: RU2552712C1. Автор: Николай Борисович Болотин. Владелец: Николай Борисович Болотин. Дата публикации: 2015-06-10.

Method of disposal of solid household wastes and device to this end

Номер патента: RU2487767C2. Автор: Владимир Маркович Радомский,Дмитрий Евгеньевич Быков,Константин Львович Чертес,Виталий Николаевич Пыстин,Ольга Владимировна Тупицина,Наталия Вячеславовна Гвоздева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный технический университет. Дата публикации: 2013-07-20.

Method of catalytic gasification of biomass with obtaining gaseous fuels

Номер патента: RU2538966C2. Автор: Михаил Геннадьевич Сульман,Владимир Петрович Молчанов,Эсфирь Михайловна Сульман,Юрий Владимирович Луговой. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тверской государственный университет". Дата публикации: 2015-01-10.

Method of protection against air corrosion for temporary storage and transportation of metalware

Номер патента: RU2391446C2. Автор: Александр Николаевич Захаров. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-техническое объединение ПРИБОРСЕРВИС". Дата публикации: 2010-06-10.

Method of leak testing of pipes

Номер патента: RU2493548C1. Автор: Валерий Владимирович Бодров,Рамиль Мерсеитович Багаутдинов,Александр Алексеевич Батурин. Владелец: Валерий Владимирович Бодров. Дата публикации: 2013-09-20.

Method of controlling layer state in aerodynamic systems of machines for post-harvesting treatment of material and device for its implementation

Номер патента: RU2558737C2. Автор: Михаил Станиславович Волхонов,Сергей Александрович Полозов,Иван Альбертович Смирнов,Роман Михайлович Волхонов,Сергей Леонидович Габалов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Костромская Государственная Сельскохозяйственная Академия. Дата публикации: 2015-08-10.

Control method of position of guide vanes of compressor of gas turbine engine

Номер патента: RU2425255C1. Автор: Нина Сергеевна Мельникова,Георгий Викторович Добрянский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственный центр газотурбостроения "Салют" (ФГУП "НПЦ газотурбостроения "Салют"). Дата публикации: 2011-07-27.

Method of local energy supply to air flow that flows around object

Номер патента: RU2495327C2. Автор: Леонард Макарович Дмитриев,Вадим Иванович Алферов,Алексей Степанович Бушмин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ"). Дата публикации: 2013-10-10.

Method of fabricating rubber tire element and air tire

Номер патента: RU2395394C2. Автор: Масаюки САКАМОТО. Владелец: Сумитомо Раббер Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2010-07-27.

Method of and device for pneumomechanical transportation of long-length continuous fiber structure (versions)

Номер патента: RU2255036C2. Автор: В.О. Симонян,н В.О. Симон. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Центральный научно-исследовательский институт хлопчатобумажной промышленности. Дата публикации: 2005-06-27.

Automatic modular burner for burning fuel in form of gas-air mixture, burner head and control method of modular burner operation

Номер патента: RU2360183C1. Автор: Александр Мирославович Карасевич,Николай Миронович Сторонский,Алексей Александрович Фалин,Евгений Алексеевич Пацков,Александр Владимирович Дробязко. Владелец: Открытое акционерное общество "Газпром промгаз" (ОАО "Газпром промгаз"). Дата публикации: 2009-06-27.

Method of vibration isolation of transport facility and self-propelled process vehicle operator and operator seat contact suspension to this end

Номер патента: RU2438888C1. Автор: Владимир Николаевич Говердовский,Владимир Валерьевич Бабенков,Павел Владимирович Говердовский,Александр Валерьевич Зобов,Юрий Николаевич Смородин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный университет путей сообщения" (СГУПС). Дата публикации: 2012-01-10.

Method of ingot continuous casting

Номер патента: RU2345862C1. Автор: Леонид Александрович Годик,Николай Анатольевич Козырев,В чеслав Владимирович Павлов,Вячеслав Владимирович Павлов,Михаил Владимирович Обшаров,Игорь Викторович Александров,ткин Юрий Дмитриевич Дев,Юрий Дмитриевич Девяткин,Валерий Петрович Дементьев,Павел Евгеньевич Сычев,Алексей Владиславович Шуклин,Дмитрий Владимирович Бойков. Владелец: Открытое акционерное общество "Новокузнецкий металлургический комбинат". Дата публикации: 2009-02-10.

Apparatus for electrically controlled optical device and method of making same

Номер патента: RU2572523C1. Автор: Владимир Владимирович Чесноков,Дмитрий Владимирович Чесноков,Дмитрий Михайлович Никулин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный универститет геоситем и технологий" (СГУГиТ). Дата публикации: 2016-01-20.

Improved Method of Compressing Air or Gases, and Apparatus therefor.

Номер патента: GB190812565A. Автор: Herbert Alfred Humphrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-06-10.

Liquid Crystal Display Device And Method Of Manufacturing That

Номер патента: US20120004453A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of testing strength and air-tightness of pipe section using air and mobile compressor unit for testing

Номер патента: RU2358253C1. Автор: Александр Викторович Жуков,Евгений Борисович Гавриков,Евгений Константинович Виноградов. Владелец: Александр Викторович Жуков. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of packing piece goods and device for its implementation

Номер патента: RU2523852C1. Автор: Сергей Викторович Полежаев,Петр Владимирович Мочалов,Павел Сергеевич Милык. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Фудлайн". Дата публикации: 2014-07-27.

Method of ammonia production

Номер патента: RU2184702C1. Автор: О.С. Чехов,А.Н. Семагин. Владелец: Московский государственный университет инженерной экологии. Дата публикации: 2002-07-10.

Method of obtaining anode aluminium oxide with highly ordered porous structure and method of forming arrays of anisotropic nanostructures on its base

Номер патента: RU2555366C2. Автор: Кирилл Сергеевич Напольский,Андрей Анатольевич Елисеев,Алексей Викторович Лукашин,Юрий Дмитриевич Третьяков,Илья Владимирович Росляков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2015-07-10.

Water-heating boiler and method of its operation

Номер патента: RU2452905C2. Автор: Ришат Асхатович Самигуллин. Владелец: Ришат Асхатович Самигуллин. Дата публикации: 2012-06-10.

The method of high-silica sand cleaning and air-dry enrichment and technological equipment for granular noncoherent material cleaning and dynamic air-dry enrichment

Номер патента: RU2331486C2. Автор: Леонид Петрович Любченко,Юрий Анатольевич Козлов,Юрий Яковлевич Гайтанов,Евгений Андреевич Клементьев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Нерудные строительные материалы". Дата публикации: 2008-08-20.

Method of forming of volumetric and curvilinear components for an article

Номер патента: RU2266863C1. Автор: В.И. Стельмашенко,Е.В. Баранова,Л.Н. Лисиенкова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет сервиса" (ГОУВПО "МГУС"). Дата публикации: 2005-12-27.

Method of the thermal treatment of the forming rollers

Номер патента: RU2298043C1. Автор: Олег Юрьевич Ефимов,Алексей Борисович Юрьев,Валерий Яковлевич Чинокалов,Олег Валерьевич Дикань,Вадим Петрович Симаков,Виктор Васильевич Саломыкин,Сергей Александрович Дубинин,Владимир Михайлович Никиташев,Семен Прохорович Некипелов,кин Сергей Валентинович Затеп,Сергей Валентинович Затепякин. Владелец: Открытое акционерное общество "Западно-Сибирский металлургический комбинат" ОАО "ЗСМК". Дата публикации: 2007-04-27.

Method of needle-milling and hardening

Номер патента: RU2434732C2. Автор: Юрий Сергеевич Степанов,Андрей Викторович Киричек,Борис Иванович Афанасьев,Николай Николаевич Самойлов,Анатолий Юрьевич Мальцев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный технический университет" (ОрелГТУ). Дата публикации: 2011-11-27.

ELECTROLYTIC METHOD OF FUEL

Номер патента: US20120000788A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of ore disintegration using explosion

Номер патента: RU2562718C2. Автор: Фёдор Фёдорович Борисков,Дмитрий Федорович Борисков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт горного дела Уральского отделения Российской академии наук (ИГД УрО РАН). Дата публикации: 2015-09-10.

Vertical prismatic furnace and method of its operation

Номер патента: RU2370701C1. Автор: Владимир Валентинович Осинцев,Евгений Васильевич Торопов,Константин Владимирович Осинцев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Уральский государственный университет". Дата публикации: 2009-10-20.

Method of two-stage image recovery in multi-channel radio- and radio-ir-radars

Номер патента: RU2379705C2. Автор: Владимир Константинович Клочко. Владелец: Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет. Дата публикации: 2010-01-20.

Method of stimulation of coal bed through wells drilled from excavations

Номер патента: RU2547873C1. Автор: Александр Владимирович Шипулин,Геннадий Иванович Коршунов,Евгений Васильевич Мазаник,Анатолий Алексеевич Мешков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный минерально-сырьевой университет "Горный". Дата публикации: 2015-04-10.

Punching method of liquid metal of cutters on die casting machine with horizontal chamber of pressing and facility for its implementation

Номер патента: RU2353468C2. Автор: Вениамин Константинович Гребешков,Виктор Юрьевич Пирайнен. Владелец: Виктор Юрьевич Пирайнен. Дата публикации: 2009-04-27.

Method of heat treatment of organic wastes and plant for realization of this method

Номер патента: RU2140611C1. Автор: А.А. Войченко,П.П. Ивлев,В.В. Опарин,М.Л. Рагинский,В.В. Турков,Г.М. Шинкеев. Владелец: Закрытое акционерное общество "СОЦИАЛЬНО-ОРИЕНТИРОВАННОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ". Дата публикации: 1999-10-27.

System of fuel and air mixture ignition, spark plug and method of fuel and air mixture ignition

Номер патента: RU2553971C2. Автор: Николай Борисович Болотин. Владелец: Николай Борисович Болотин. Дата публикации: 2015-06-20.

Method of detection of loss of tightness of technological line in mix of air-tight compartment

Номер патента: RU2085887C1. Автор: Э.В. Щербаков,Н.Г. Панов,Л.В. Липняк,В.А. Ольшанский. Владелец: Ракетно-космическая корпорация "Энергия" им.С.П.Королева. Дата публикации: 1997-07-27.

Method of vacuum separation of sponge titanium and device for realization of this method

Номер патента: RU2220215C1. Автор: Г.Г. Семянников,И.А. Кашкаров,В.Е. Шумский,В.Н. Тупица. Владелец: Открытое акционерное общество "АВИСМА титано-магниевый комбинат". Дата публикации: 2003-12-27.

Retained form assembly, method of assembly production and method of wall erection with the use of above assembly

Номер патента: RU2253719C1. Автор: С.Г. Степанюк,А.Г. Дорофеев. Владелец: Дорофеев Александр Григорьевич. Дата публикации: 2005-06-10.

Method of timber drying and associated device

Номер патента: RU2334924C1. Автор: Сергей Викторович Серков,Сергей Викторович Серков (RU). Владелец: ООО "Фонд содействия развитию российских технологий". Дата публикации: 2008-09-27.

Method of pumping multiphase liquid compositions with normal pressure

Номер патента: RU2281415C2. Автор: Наиль Минрахманович Нуртдинов,Игорь Эдуардович Власов,Валерий Николаевич Панчиков. Владелец: Валерий Николаевич Панчиков. Дата публикации: 2006-08-10.

Method of separating minerals

Номер патента: RU2472595C1. Автор: Михаил Николаевич Злобин,Владлен Васильевич Новиков,Валерий Владимирович Рудаков,Владимир Петрович Валюхов,Владимир Дмитриевич Купцов,Владимир Иванович Малаховский,Валерий Александрович Ольховой,Михаил Владимирович Купцов. Владелец: Владлен Васильевич Новиков. Дата публикации: 2013-01-20.

Method of ammonia production

Номер патента: RU2216513C2. Автор: О.С. Чехов,А.Н. Семагин. Владелец: Московский государственный университет инженерной экологии. Дата публикации: 2003-11-20.

Method of operation of thermal power station

Номер патента: RU2299994C1. Автор: Владимир Иванович Шарапов,Сергей Евгеньевич Кубашов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-05-27.

Method of blowdown of gas valve air drive accumulator and fuel injector with ice shutoff valve

Номер патента: RU2514971C1. Автор: Анатолий Александрович Рыбаков. Владелец: Анатолий Александрович Рыбаков. Дата публикации: 2014-05-10.

Method of safe burner operation in wide range of loads

Номер патента: RU2493489C2. Автор: Михаил Юрьевич Кулинич. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Энерго Эстейт". Дата публикации: 2013-09-20.

Method of producing diamond-like carbon and device to this end

Номер патента: RU2567770C2. Автор: Александр Петрович Семенов,Ирина Александровна Семенова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физического материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-11-10.

Method of burning fuel

Номер патента: RU2233404C2. Автор: Ю.В. Андреев,Н.В. Андреев,Ю.С. Тверской,Д.Ю. Тверской. Владелец: Тверской Дмитрий Юрьевич. Дата публикации: 2004-07-27.

Method of charging water producing wells with bulk solid hydrolabile explosive substances (versions)

Номер патента: RU2341767C1. Автор: Вениамин Хаимович Кантор,Анатолий Георгиевич Потапов,Василий Васильевич Фалько,Римма Алексеевна Текунова,Геннадий Ильич Дегтярев,рев Геннадий Ильич Дегт. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-техническая фирма "Взрывтехнология". Дата публикации: 2008-12-20.

Method of unloading of bearing in electromechanical energy converters

Номер патента: RU2557333C1. Автор: Флюр Рашитович Исмагилов,Вячеслав Евгеньевич Вавилов,Ирек Ханифович Хайруллин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2015-07-20.

Organic-inorganic nanostructures and materials, consisting nanoparticles of noble metals, and methods of its receiving

Номер патента: RU2364472C2. Автор: Геннадий Борисович Хомутов. Владелец: Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова Российской академии наук. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of distal blocking of intramedullary rods in osteosynthesis of long tubular bones and device for its realisation

Номер патента: RU2387401C2. Автор: Валерий Михайлович Никитин,Виктор Михайлович Воронин,Михаил Викторович Воронин,Елена Андреевна Липунова. Владелец: ООО "ВМВ-Медицина". Дата публикации: 2010-04-27.

Method of operation of unitized gas burner and unitized gas burner for realization of this method

Номер патента: RU2103603C1. Автор: А.И. Киселев,В.Ф. Киселев,В.М. Морзобаев. Владелец: Акционерное общество "Нижегородский машиностроительный завод". Дата публикации: 1998-01-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.