Method and structure to form self-aligned selective-SOI
Номер патента: US7482656B2
Опубликовано: 27-01-2009
Автор(ы): Huilong Zhu, Judson R Holt, Kevin K Dezfulian, Yung Fu Chong, Zhijiong Luo
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-01-2009
Автор(ы): Huilong Zhu, Judson R Holt, Kevin K Dezfulian, Yung Fu Chong, Zhijiong Luo
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for forming self-aligned isolation trenches in semiconductor substrate and semiconductor device
Номер патента: US20150171162A1. Автор: Tzung-Han Lee,Yaw-Wen Hu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2015-06-18.