Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of Forming Self-Aligned Air-Gaps Using Self-Aligned Capping Layer over Interconnect Lines

Method of Forming Self-Aligned Air-Gaps Using Self-Aligned Capping Layer over Interconnect Lines

Номер патента: US20070218677A1
Опубликовано: 20-09-2007
Автор(ы): Andreas Stich, Eugen Unger, Manfred Engelhardt
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG, Qimonda AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Microstructure device including a metallization structure with self-aligned air gaps between closely spaced metal lines

Номер патента: US20100133648A1. Автор: Markus Nopper,Axel Preusse,Robert Seidel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-06-03.

Microstructure device including a metallization structure with self-aligned air gaps formed based on a sacrificial material

Номер патента: US20100301489A1. Автор: Thomas Werner,Robert Seidel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09640426B2. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US09627321B2. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US09373584B2. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Methods for forming self-aligned interconnect structures

Номер патента: US20240347384A1. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Hoi-Tou Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods for forming self-aligned interconnect structures

Номер патента: US12020984B2. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Hoi-Tou Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Microstructure device including a metallization structure with self-aligned air gaps and refilled air gap exclusion zones

Номер патента: US20100219534A1. Автор: Thomas Werner,Robert Seidel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-09-02.

Microstructure device including a metallization structure with self-aligned air gaps between closely spaced metal lines

Номер патента: WO2009154696A2. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2009-12-23.

Method of Forming Self-Aligned Contacts for a Semiconductor Device

Номер патента: US20130189833A1. Автор: Peter Baars,Andy Wei,Martin Mazur,Erik Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Self-forming, self-aligned barriers for back-end interconnects and methods of making same

Номер патента: US20240203786A1. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Jeffery D. Bielefeld,Hui Jae Yoo,Sean W. King. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of forming self-aligned metal lines and vias

Номер патента: US09607893B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Forming Self-Aligned Contact with Spacer First

Номер патента: US20190027580A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Sean Lian,Mark V. Raymond. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Methods for forming self-aligned contacts using spin-on silicon carbide

Номер патента: WO2022177828A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods for Forming Self-Aligned Contacts Using Spin-on Silicon Carbide

Номер патента: US20220262679A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Forming self-aligned vertical interconnect accesses (vias) in interconnect structures for integrated circuits (ics)

Номер патента: EP3433877A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

Contact having self-aligned air gap spacers

Номер патента: US09768118B1. Автор: Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

CONTACT HAVING SELF-ALIGNED AIR GAP SPACERS

Номер патента: US20180082951A1. Автор: Yang Chih-Chao,Wang Junli,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20140187037A1. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150132936A1. Автор: LEE Jong-Min,RHO Il-Cheol. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Adjustable self-aligned air gap dielectric for low capacitance wiring

Номер патента: US20050067673A1. Автор: Robert Geffken,William Motsiff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-31.

Adjustable self-aligned air gap dielectric for low capacitance wiring

Номер патента: US7071532B2. Автор: William T. Motsiff,Robert M. Geffken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-07-04.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US8962472B2. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-24.

Method for fabricating a capacitor by using self-aligned etaching process

Номер патента: US20020132489A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Method of forming self aligned continuity blocks for mandrel and non-mandrel interconnect lines

Номер патента: US09679809B1. Автор: Lei Yuan,Yan Wang,Guillaume Bouche,Jongwook Kye,Wenhui Wang,Jia ZENG,Chenchen Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Methods of forming self-aligned device level contact structures

Номер патента: US09653356B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of forming self-aligned contact structures by work function material layer recessing and the resulting devices

Номер патента: US09824920B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09570583B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09455330B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for forming self-aligned contacts/vias with high corner selectivity

Номер патента: US20150170965A1. Автор: PENG Wang,Eric A. Hudson,Ananth INDRAKANTI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Isolation Structure And A Self-Aligned Capping Layer Formed Thereon

Номер патента: US20230377943A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method and apparatus for forming self-aligned via with selectively deposited etching stop layer

Номер патента: US09922927B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for forming self-aligned contact window

Номер патента: US6015741A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Tony Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-01-18.

Method for forming self aligned contacts

Номер патента: US20020098640A1. Автор: Ii-Wook Kim,Jong-Sam Kim,Dong-kuk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Methods to form self-aligned permanent on-chip interconnect structures

Номер патента: US20120018891A1. Автор: Qinghuang Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Methods of forming self-aligned contacts

Номер патента: US20220189965A1. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Methods of forming self-aligned contacts

Номер патента: US20200373309A1. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Methods of forming self-aligned contacts comprising reusing hardmask materials and lithography reticles

Номер патента: US11302699B2. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-12.

Method and apparatus for forming self-aligned via with selectively deposited etching stop layer

Номер патента: US20180211911A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Method and Apparatus for Forming Self-Aligned Via with Selectively Deposited Etching Stop Layer

Номер патента: US20210098362A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Method and apparatus for forming self-aligned via with selectively deposited etching stop layer

Номер патента: US20170256486A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Method for manufacturing semiconductor devices using self-aligned process to increase device packing density

Номер патента: US9263548B2. Автор: Tzu-Yin Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-16.

Method for manufacturing semiconductor devices using self-aligned process to increase device packing density

Номер патента: US20080254587A1. Автор: Tzu-Yin Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240234144A9. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240234145A9. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

CMOS compatible fuse or resistor using self-aligned contacts

Номер патента: US09876009B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

CMOS compatible fuse or resistor using self-aligned contacts

Номер патента: US09627373B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09997451B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo,Benjamin David Briggs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US20160163585A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US09502286B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of forming metal interconnection

Номер патента: US09972529B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Tz-Jun Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of forming metal interconnection

Номер патента: US09613856B1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Tz-Jun Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US20180005941A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo,Benjamin David Briggs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of forming contact metal

Номер патента: US09711402B1. Автор: Yu-Kai Chen,Chun-Hsien Huang,Wei-Jung Lin,Hong-Mao Lee,Hsien-Lung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of forming self-aligned via

Номер патента: US10923396B2. Автор: Mihaela Balseanu,Suketu Arun Parikh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Method Of Forming Self-Aligned Via

Номер патента: US20200144117A1. Автор: Mihaela Balseanu,Suketu Arun Parikh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US20160163585A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Methods Of Forming Self-Aligned Vias And Air Gaps

Номер патента: US20180358260A1. Автор: GOPALRAJA Praburam,Mallick Abhijit Basu,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Methods of forming self-aligned vias and air gaps

Номер патента: US10403542B2. Автор: Ziqing Duan,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Praburam Gopalraja. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-09-03.

METHODS AND APPARATUSES TO FORM SELF-ALIGNED CAPS

Номер патента: US20220270978A1. Автор: Singh Kanwal Jit,Boyanov Boyan. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

METHODS AND APPARATUSES TO FORM SELF-ALIGNED CAPS

Номер патента: US20170207120A1. Автор: Singh Kanwal Jit,Boyanov Boyan. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US20200321282A1. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US20190393157A1. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: KR101684310B1. Автор: 보얀 보야노브,칸왈 지트 싱흐. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: KR102151585B1. Автор: 보얀 보야노브,칸왈 지트 싱흐. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2020-09-03.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: KR102306796B1. Автор: 보얀 보야노브,칸왈 지트 싱흐. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-09-30.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: WO2013066356A1. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-05-10.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: TWI792018B. Автор: 肯瓦爾 辛格,伯葉 伯葉諾夫. Владелец: 美商英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2023-02-11.

SELF-FORMING, SELF-ALIGNED BARRIERS FOR BACK-END INTERCONNECTS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20160307796A1. Автор: Yoo Hui Jae,Bielefeld Jeffery D.,King Sean W.,Balakrishnan Sridhar. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Interconnects having sealing structures to enable selective metal capping layers

Номер патента: US09984922B2. Автор: YING Zhou,Jun He,Peter K. Moon,Kevin J. Fischer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Interconnects having sealing structures to enable selective metal capping layers

Номер патента: US09437545B2. Автор: YING Zhou,Jun He,Peter K. Moon,Kevin J. Fischer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

A method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100276387B1. Автор: 이재구,조창현,정홍식. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-12-15.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: JP4040781B2. Автор: 燦旭 鄭,昌珍 姜,相燮 鄭,▲チュル▼ 鄭,昶賢 趙,弘植 鄭,宰求 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-30.

Methods for forming self-aligned interconnect structures

Номер патента: US11289376B2. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Hoi-Tou Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Method for forming self-aligned interconnect structure

Номер патента: CN112309963A. Автор: 张世明,刘如淦,伍海涛. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

METHOD OF FABRICATING AN AIR GAP USING A DAMASCENE PROCESS AND STRUCTURE OF SAME

Номер патента: US20140252633A1. Автор: Lee Chung-Ju,Tsai Cheng-Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

SELF-FORMING BARRIER INTEGRATED WITH SELF-ALIGNED CAP

Номер патента: US20150228585A1. Автор: He Ming,Zhao Larry. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-08-13.

Blanket selective deposition of cvd al using self-aligned ultra-thin film and improvement of reflectivity

Номер патента: JPH1041247A. Автор: Liang-Yuh Chen,Fusen Chen,Ted Tie Guo,タイ グオ テッド,チャン リャン−ユー,チャン フセン,Roderick Craig Mosley,クレイグ モーズリー ロデリック. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1998-02-13.

Transistor with reduced gate resistance and improved process margin of forming self-aligned contact

Номер патента: US20200111706A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of manufacturing multilevel interconnects including performing a surface treatment to form a hydrophilic surface layer

Номер патента: US6429115B1. Автор: Ming-Sheng Yang,Chin-Hsiang Lin,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-06.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20190109138A1. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Method for forming self-aligned contact and integrated circuit with self-aligned contact

Номер патента: TW201243956A. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Transistor with reduced gate resistance and improved process margin of forming self-aligned contact

Номер патента: US20200111706A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Monolithic three dimensional NAND strings and methods of fabrication thereof

Номер патента: US9691884B2. Автор: Yanli Zhang,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Rahul Sharangpani,George Matamis,Senaka Krishna Kanakamedala,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device formed with an air gap using etch back of inter layer dielectric (ILD)

Номер патента: US7126223B2. Автор: James Powers,Kevin P. O'brien. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-10-24.

Semiconductor device structure having air gap and methods of forming the same

Номер патента: US20230386901A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09576892B2. Автор: Chih-Chien Chi,Huang-Yi Huang,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Selective local metal cap layer formation for improved electromigration behavior

Номер патента: US09455186B2. Автор: Naftali E. Lustig,Griselda Bonilla,Stephen E. Greco,Andrew H. Simon,Thomas W. Dyer,Matthew S. Angyal,Ronald G. Filippi,James A. Culp,Junjing Bao,Samuel S. Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240312901A1. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Chun-Chieh Lin,Yen-Chun Lin,Chien Chang,Chih-Wei Chang,Jen-Wei Liu,Cheng-Hui Weng,Harry CHIEN,Chih-Han Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of forming ruthenium conductive structures in a metallization layer

Номер патента: US09589836B1. Автор: Hoon Kim,Xunyuan Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240222191A1. Автор: Chu-Chun HSIEH,Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods of forming interconnect structures using via holes filled with dielectric film first and structures formed thereby

Номер патента: US20200365451A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200312708A1. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Methods of performing chemical-mechanical polishing process in semiconductor devices

Номер патента: US11742239B2. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Contacts to semiconductor substrate and methods of forming same

Номер патента: US09865546B2. Автор: Christian Lavoie,Emre Alptekin,Kathryn T. Schonenberg,Ahmet S. Ozcan,Nicolas L. Breil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Via bottom structure and methods of forming

Номер патента: US09716065B2. Автор: Takeshi Nogami,James J. Kelly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US12094764B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Cherng-Shiaw Tsai,Kuang-Wei Yang,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of chip packaging

Номер патента: US09761486B2. Автор: Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai,Gwo-Chyuan KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of forming butted contact

Номер патента: US09564363B1. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Chia-Hao Chang,Chun-Hsiung Lin,Jia-Chuan You,Zhi-Chang Lin,Yi-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Methods of fabricating an F-RAM

Номер патента: US09548348B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Shan Sun,Kedar Patel,Thomas Davenport. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Conductive feature of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20240379425A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Chin-Szu Lee,Szu-Hua Wu,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12033965B2. Автор: Yen-Yu Chen,Chih-Wei Lin,Wen-hao Cheng,Yi-Ming Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Selective local metal cap layer formation for improved electromigration behavior

Номер патента: US09431293B2. Автор: Erdem Kaltalioglu,Ping-Chuan Wang,Lijuan Zhang,Ronald G. Filippi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor interconnection structure and methods of forming the same

Номер патента: US12068248B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods of forming metal silicides

Номер патента: US09607842B1. Автор: Jacob Huffman Woodruff. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-03-28.

Selective local metal cap layer formation for improved electromigration behavior

Номер патента: US09536779B2. Автор: Erdem Kaltalioglu,Ping-Chuan Wang,Lijuan Zhang,Ronald G. Filippi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US11776810B2. Автор: Chun-Yen Chang,Yee-Chia Yeo,Chia-Cheng Chen,Chih-Kai Yang,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Ya Hui Chang,Chun-Hung Wu,Yu-Tien Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Interconnect Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20190326156A1. Автор: Minghsing Tsai,Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Jeng-Shiou Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Methods of forming a conductive contact structure to an embedded memory device on an ic product and a corresponding ic product

Номер патента: US20210193573A1. Автор: Hyung Woo Kim,Nicholas LiCausi,Julien Frougier,Keith Donegan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Method of Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230411156A1. Автор: Chun-Yen Chang,Yee-Chia Yeo,Chia-Cheng Chen,Chih-Kai Yang,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Ya Hui Chang,Chun-Hung Wu,Yu-Tien Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Mechanisms of forming damascene interconnect structures

Номер патента: US09953868B2. Автор: Hung-Wen Su,Syun-Ming Jang,Chun-Chieh Lin,Chien-An Chen,Ming Hsing Tsai,Wen-Jiun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Apparatus and method of forming self-aligned cuts in mandrel and a non-mandrel lines of an array of metal lines

Номер патента: US09818641B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of patterning pillars to form variable continuity cuts in interconnection lines of an integrated circuit

Номер патента: US09852986B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods Of Forming Metal Chalcogenide Pillars

Номер патента: US20220051941A1. Автор: Srinivas Gandikota,Amrita B. Mullick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Methods of forming metal chalcogenide pillars

Номер патента: WO2019173447A1. Автор: Srinivas Gandikota,Amrita B. Mullick. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-09-12.

Method of forming self aligned extended base contact for a bipolar transistor having reduced cell size

Номер патента: US5227316A. Автор: Madhukar Vora,Greg Burton,Ashok Kapoor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-07-13.

Method of fabricating a self-aligned contact using organic dielectric materials

Номер патента: US5482894A. Автор: Robert H. Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-01-09.

Methods of forming backside self-aligned vias and structures formed thereby

Номер патента: WO2017052562A1. Автор: Paul B. Fischer,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Kimin Jun,Il-Seok Son. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Dumbbell shaped self-aligned capping layer over source/drain contacts and method thereof

Номер патента: US12068382B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of forming self-aligned contacts and local interconnects

Номер патента: US20090280633A1. Автор: An Chyi Wei. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-12.

Interconnect structure and method of making same

Номер патента: US20090152723A1. Автор: Shom Ponoth,Terry A. Spooner,Ya Ou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Method for forming self-aligned contacts and local interconnects simultaneously

Номер патента: US20070235798A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Tuung Luoh,Ling-Wuu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Self-registering method of fabricating field effect transistors

Номер патента: CA1078077A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-05-20.

Self-forming, self-aligned barriers for back-end interconnects and methods of making same

Номер патента: TW201248779A. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Sean W King,Hui-Jae Yoo,Jeffery D Bielefeld. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-12-01.

Method of manufacturing semiconductor device that includes forming self-aligned contact pad

Номер патента: US20050101127A1. Автор: Tae-Ryong Kim,Jeong-Yun Lee,Yong-Hyeon Park,Jae-hee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-12.

Method of forming self-aligned floating gate array and flash memory device including self-aligned floating gate array

Номер патента: CN1988135A. Автор: 崔钟云. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-27.

Method of forming self-aligned contact structure in semiconductor device and self-aligned contact structure fabricated thereby

Номер патента: KR100352909B1. Автор: 이재구,고관협. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-09-16.

Method of forming self-aligned contact structure in semiconductor device and self-aligned contact structure fabricated thereby

Номер патента: KR20010091723A. Автор: 이재구,고관협. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-10-23.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using sige layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20090263970A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor device with reduced trap defect and method of forming the same

Номер патента: US20210020761A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20180286750A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20210202313A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20190172748A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US10242911B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Forming self-aligned conductive lines for resistive random access memories

Номер патента: US09705080B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Pietro Petruzza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Apparatus and method of forming self-aligned cuts in a non-mandrel line of an array of metal lines

Номер патента: US9818640B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device with reduced trap defect and method of forming the same

Номер патента: US11764284B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080102575A1. Автор: Soo Jin Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED DEVICE LEVEL CONTACT STRUCTURES

Номер патента: US20170047253A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

Method Of Forming Self-Aligned Via

Номер патента: US20210166973A1. Автор: Parikh Suketu Arun,Balseanu Mihaela A.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-06-03.

Method Of Forming Self-Aligned Via

Номер патента: US20200144117A1. Автор: Balseanu Mihaela,Parikh Suketu Arun. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Method Of Forming Self-Aligned Via

Номер патента: US20200219768A1. Автор: Balseanu Mihaela,Parikh Suketu Arun. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Method of Forming Self-Aligned Contacts Using a Replacement Metal Gate Process in a Semiconductor Device

Номер патента: US20150263131A1. Автор: Metz Andrew. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-09-17.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACT STRUCTURES BY WORK FUNCTION MATERIAL LAYER RECESSING AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20170287780A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

Methods of forming self-aligned contacts

Номер патента: US20200373309A1. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Methods Of Forming Self-Aligned Vias

Номер патента: US20190385849A1. Автор: Chan Kelvin,Thompson David,Anthis Jeffrey W.,Gandikota Srinivas,Mallick Abhijit Basu,CHEN Yihong,Schmiege Benjamin,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Methods of forming self-aligned vias and air gaps

Номер патента: US10840186B2. Автор: Ziqing Duan,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Praburam Gopalraja. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-17.

Method of forming self-aligned contacts using a replacement metal gate process in a semiconductor device

Номер патента: KR101699154B1. Автор: 매츠 앤드류. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-01-23.

Method of forming self-aligned pattern by chemical mechanical polishing suitable for substrate capacitor formation

Номер патента: JP3682903B2. Автор: ジー リー マイケル,アイ ベイリン ソロモン. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-08-17.

Method of forming self-aligned contact in semiconductor device

Номер патента: KR0164497B1. Автор: 최창원. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of forming self-aligned LDD structures and low resistance contacts in thin film transistor technology devices

Номер патента: EP0632492A2. Автор: Robert Louis Hodges,Ravishankar Sundaresan. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1995-01-04.

Methods of forming self-aligned contact structures in semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US6649508B1. Автор: Jong-woo Park,Yun-gi Kim,Dong-gun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer

Номер патента: US6855610B2. Автор: Ming-Sheng Tung,Yueh-Chuan Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2005-02-15.

A method of forming self-aligned contacts portion

Номер патента: CN106531684B. Автор: 赵超,朱慧珑,殷华湘,赵治国. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-07-16.

Method of forming self-aligned contact pad in a damascene gate process

Номер патента: TW559913B. Автор: Kyu-Hyun Lee,Tae-Young Chung,Yoo-Sang Hwang,Ki-nam Kim,Hyung-Soo Uh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-01.

Method of forming self-aligned contacts for a semiconductor device

Номер патента: US8927407B2. Автор: Peter Baars,Andy Wei,Martin Mazur,Erik Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Method of forming self-aligned via structure

Номер патента: US6372641B1. Автор: Chuen-Der Lien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2002-04-16.

Method of forming self-aligned contacts and local interconnects

Номер патента: US20070004187A1. Автор: An Chyi Wei. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

Method of forming self-aligned contacts in a semi-conductor process

Номер патента: GB2269938B. Автор: James A Matthews. Владелец: Microunity Systems Engineering Inc. Дата публикации: 1994-09-07.

Through Substrate Via Semiconductor Components And Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20130267093A1. Автор: Uwe Hoeckele,Albert Birner,Uwe Seidel,Thomas Kunstmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-10-10.

METHODS AND APPARATUSES TO FORM SELF-ALIGNED CAPS

Номер патента: US20130256899A1. Автор: Singh Kanwal Jit,Boyanov Boyan. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

Process of forming contact holes

Номер патента: US5500080A. Автор: Yang K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-03-19.

SELF-FORMING, SELF-ALIGNED BARRIERS FOR BACK-END INTERCONNECTS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20130260553A1. Автор: Yoo Hui Jae,King Sean W.,Balakrishnan Sridhar,Bielefeld Jeffrey D.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

Method and apparatus for forming self-aligned via with selectively deposited etching stop layer

Номер патента: US09659864B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20220406658A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

TRANSISTOR WITH REDUCED GATE RESISTANCE AND IMPROVED PROCESS MARGIN OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20220051939A1. Автор: YANG SHENG-HUI. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Method of making CMOS device and contacts therein by enhanced oxidation of selectively implanted regions

Номер патента: US4470852A. Автор: Daniel L. Ellsworth. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1984-09-11.

Transistor with reduced gate resistance and improved process margin of forming self-aligned contact

Номер патента: US20220051939A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Forming self-aligned vertical interconnect accesses in interconnect structures for integrated circuits

Номер патента: EP3433877B1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-07-06.

Methods to form self-aligned permanent on-chip interconnect structures

Номер патента: US20130001801A1. Автор: Qinghuang Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

A method to form self-aligned anti-via interconnects

Номер патента: SG118126A1. Автор: Gupta Subhash,Hong Sangki,Kwok Keung Ho Paul. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-01-27.

Method for forming self-aligning local interconnects in integrated circuits

Номер патента: EP2592649B1. Автор: Michael C Smayling,Scott T Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2015-04-29.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US09911652B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Forming self-aligned dual patterning mandrel and non-mandrel interconnects

Номер патента: US09659818B1. Автор: Carl Radens,Lawrence A. Clevenger,John Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Forming self-aligned NiSi placement with improved performance and yield

Номер патента: US09607989B2. Автор: XIN Wang,LUN Zhao,Xusheng Wu,Yong Meng Lee,Yue Hu,Wen-Pin Peng,Wei-Hua TONG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Interconnection structure and method of manufacturing the same, and electronic device including the interconnection structure

Номер патента: US20210005549A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-01-07.

Interconnection structure and method of manufacturing the same, and electronic device including the interconnection structure

Номер патента: US11373948B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-06-28.

Method for Forming Self-Aligned Trench Contacts of Semiconductor Components and A Semiconductor Component

Номер патента: US20130181284A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-07-18.

Forming Self-Aligned Contact with Spacer First

Номер патента: US20190027580A1. Автор: Xie Ruilong,Fan Su Chen,Pranatharthiharan Balasubramanian,Greene Andrew M.,Lian Sean,Raymond Mark V.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Methods for Forming Self-Aligned Interconnect Structures

Номер патента: US20210035862A1. Автор: Liu Ru-Gun,Chang Shih-Ming,Ng Hoi-Tou. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

Techniques for forming self-aligned memory structures

Номер патента: US20210050521A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Method and Apparatus for Forming Self-Aligned Via with Selectively Deposited Etching Stop Layer

Номер патента: US20210098362A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,SHUE Shau-Lin,Wu Yung-Hsu,Tsai Jung-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SELF-ALIGNED VIA WITH SELECTIVELY DEPOSITED ETCHING STOP LAYER

Номер патента: US20170110397A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,SHUE Shau-Lin,Wu Yung-Hsu,Tsai Jung-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS/VIAS WITH HIGH CORNER SELECTIVITY

Номер патента: US20150170965A1. Автор: WANG Peng,Hudson Eric A.,INDRAKANTI Ananth. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2015-06-18.

FORMING SELF-ALIGNED VIAS AND AIR-GAPS IN SEMICONDUCTOR FABRICATION

Номер патента: US20210202313A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Radens Carl J.,Zhang John H.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

FORMING SELF-ALIGNED VIAS AND AIR-GAPS IN SEMICONDUCTOR FABRICATION

Номер патента: US20190172748A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Radens Carl J.,Zhang John H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2019-06-06.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SELF-ALIGNED VIA WITH SELECTIVELY DEPOSITED ETCHING STOP LAYER

Номер патента: US20180211911A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,SHUE Shau-Lin,Wu Yung-Hsu,Tsai Jung-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SELF-ALIGNED VIA WITH SELECTIVELY DEPOSITED ETCHING STOP LAYER

Номер патента: US20170256486A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,SHUE Shau-Lin,Wu Yung-Hsu,Tsai Jung-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

FORMING SELF-ALIGNED VERTICAL INTERCONNECT ACCESSES (VIAs) IN INTERCONNECT STRUCTURES FOR INTEGRATED CIRCUITS (ICs)

Номер патента: US20170271202A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao,Yeap Choh Fei,Zhu John Jianhong. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

FORMING SELF-ALIGNED VIAS AND AIR-GAPS IN SEMICONDUCTOR FABRICATION

Номер патента: US20180286750A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Radens Carl J.,Zhang John H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2018-10-04.

Process Integration Techniques Using A Carbon Layer To Form Self-Aligned Structures

Номер патента: US20180308753A1. Автор: Mosden Aelan,KUMAR KAUSHIK. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS/VIAS WITH HIGH CORNER SELECTIVITY

Номер патента: US20150325479A1. Автор: WANG Peng,Hudson Eric A.,INDRAKANTI Ananth. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

FORMING SELF-ALIGNED MULTI-METAL INTERCONNECTS

Номер патента: US20200357748A1. Автор: De Silva Ekmini Anuja,Dutta Ashim. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Process for forming self-aligned conductive plugs in multiple insulation levels in integrated circuit structures and resulting product

Номер патента: US5985746A. Автор: Ashok K. Kapoor. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR101046717B1. Автор: 이성권,정태우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-07-05.

Method for forming self aligned vias in multi level metal integrated circuit

Номер патента: KR100272499B1. Автор: 바실리 킷치. Владелец: 클라크 3세 존 엠.. Дата публикации: 2000-12-01.

Method for forming self aligned contact in semiconductor device with buried gate

Номер патента: KR101075526B1. Автор: 신종한,박점용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for forming self-aligned contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR100441998B1. Автор: 서준,송종희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-07-30.

Method for forming self aligned contact hole in semiconductor

Номер патента: KR100839527B1. Автор: 전재영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100268443B1. Автор: 조창현,김기남,정태영. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-16.

Method for forming self-aligned contact plug of semiconductor device

Номер патента: KR100640628B1. Автор: 홍창기,이재동,박정헌,박준상,배근희,정명호,김영옥,구주선,윤세라. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-31.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device to remove stress and reduce contact resistance

Номер патента: KR100443345B1. Автор: 이동현,박창현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-09-18.

Etching method for forming self-alignment contact holes

Номер патента: JP4638030B2. Автор: フラナー・ジャネット・エム．,マークウェツ・リンダ・エヌ．,クック・ジョエル・エム．,モリー・イアン・ジェイ．. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2011-02-23.

Method for forming self alignment contact

Номер патента: CN1244727A. Автор: 林炳俊. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-02-16.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Method for forming self-aligned contacts in semiconductor devices

Номер патента: KR970018058A. Автор: 최창원. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-04-30.

Method for forming contact hole of semiconductor device to easily form self-aligned contact pattern and enlarge desired plug size

Номер патента: KR100458296B1. Автор: 김동현,최익수,김상욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-02-07.

Method for forming self align contact of semiconductor device

Номер патента: KR101073130B1. Автор: 이민석,이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-12.

Techniques for Forming Self-Aligned Memory Structures

Номер патента: KR20220046633A. Автор: 이노센조 토르토렐리,안드레아 레다엘리,스테판 더블유. 러셀,아고스티노 피로바노,파비오 펠리쩌,로렌조 프라틴. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2022-04-14.

PROCESS FOR FORMING SELF-ALIGNED CONNECTION HOLES IN MULTI-LAYER INTERCONNECTION SYSTEMS

Номер патента: FR2375717A1. Автор: Bisweswar Patnaik,Chung-Yu Ting,Vivian R Corbin,James E Hitchner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-07-21.

The method for forming self-aligned via holes

Номер патента: CN109791913A. Автор: 戴维·汤普森,杰弗里·W·安西斯,本杰明·施密格,阿布海杰特·巴苏·马利克,苏米特·辛格·罗伊,段子晴. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

Method for forming self-aligning contact structure in semiconductor IC device

Номер патента: CN1319886A. Автор: 金允基,朴东建,朴钟佑. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-31.

Forming self-aligned multi-metal interconnects

Номер патента: US11355442B2. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-07.

Enlarged sacrificial gate caps for forming self-aligned contacts

Номер патента: US10008385B1. Автор: Haiting Wang,Chih-Chiang Chang,Ashish Kumar JHA,Mitchell Rutkowski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-26.

Apparatus and method for forming self-aligned cuts in non-cardiac axes of an array of metal lines

Номер патента: CN107863324B. Автор: 杰森·伊葛尼·史蒂芬,古拉密·波奇. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-07-30.

Method for forming self align contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100745058B1. Автор: 조영재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-01.

Method for forming self-aligned contacts using a hard mask

Номер патента: US6265296B1. Автор: Erik S. Jeng,Hung-Yi Luo,Hao-Chieh Liu,Tzu-Shih Yen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-07-24.

Techniques for forming self-aligned memory structures

Номер патента: US20230027799A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: JP5084074B2. Автор: 眞 雄 金. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-11-28.

Advanced metallization approach for forming self-aligned contacts and local area interconnects for memory and logic devices

Номер патента: US20030170954A1. Автор: Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-09-11.

Forming self-aligned multi-metal interconnects

Номер патента: US11923311B2. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Forming self-aligned contacts

Номер патента: GB202001682D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-25.

Method of forming pad pattern using self-align double patterning method, and method of forming contact hole using self-align double patterning method

Номер патента: KR100790998B1. Автор: 이지영,장대현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-03.

Gate-all-around devices having self-aligned capping between channel and backside power rail

Номер патента: US12107131B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Gate-all-around devices having self-aligned capping between channel and backside power rail

Номер патента: US20230307515A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing a low k dielectric film and manufacturing air-gap using the low k dielectric film

Номер патента: KR101015534B1. Автор: 양재영. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2011-02-16.

Method of manufacturing semiconductor device using self-aligned contact process

Номер патента: KR100647481B1. Автор: 이성호,김영희,남신우,안창문. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-17.

CMOS COMPATIBLE FUSE OR RESISTOR USING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170062413A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Metal Routing with Flexible Space Formed Using Self-Aligned Spacer Patterning

Номер патента: US20190103305A1. Автор: WU Chia-Tien,Liu Hsiang-Wei,CHU WEI-CHEN. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

Metal Routing with Flexible Space Formed Using Self-Aligned Spacer Patterning

Номер патента: US20200144104A1. Автор: WU Chia-Tien,Liu Hsiang-Wei,CHU WEI-CHEN. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

METHOD AND STRUCTURE FOR CUTTING DENSE LINE PATTERNS USING SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING

Номер патента: US20190157082A1. Автор: Huo Zongliang,XIA Zhiliang,Hua Zi Qun,Feng Yaobin,Cao Qingchen,FAN Lu Ming,LI Bi Feng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-05-23.

CMOS COMPATIBLE FUSE OR RESISTOR USING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170170169A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

CMOS COMPATIBLE FUSE OR RESISTOR USING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20180286856A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

CMOS COMPATIBLE FUSE OR RESISTOR USING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170330875A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

METHOD AND STRUCTURE FOR CUTTING DENSE LINE PATTERNS USING SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING

Номер патента: US20200321215A1. Автор: Huo Zongliang,XIA Zhiliang,Hua Zi Qun,Feng Yaobin,Cao Qingchen,FAN Lu Ming,LI Bi Feng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-10-08.

Metal Routing with Flexible Space Formed Using Self-Aligned Spacer Patterning

Номер патента: US20200365449A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for fabricating pad without void using self-aligned contact etch process in semiconductor device

Номер патента: KR100382727B1. Автор: 지경구,민경진,전정식,박완재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-05-09.

Dual Pad Cell Semiconductor Device Using Self Align and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: KR970003472A. Автор: 조상연,박재관. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-01-28.

Metal routing with flexible space formed using self-aligned spacer patterning

Номер патента: US10529617B2. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Method and structure for cutting dense line patterns using self-aligned double patterning

Номер патента: WO2019100899A1. Автор: Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Luming FAN,Ziqun HUA,Bifeng LI,Qingchen CAO,Yaobin FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-05-31.

Method for forming self-aligned isolation trenches in semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20150171162A1. Автор: Tzung-Han Lee,Yaw-Wen Hu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Metal lines for interconnect structure and method of manufacturing same

Номер патента: US09735052B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Carlos H. Diaz,Yung-Hsu WU,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of forming bit line contact via

Номер патента: US20040198008A1. Автор: Yi-Nan Chen,Tzu-Ching Tsai,Hui-Min Mao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

Method of forming Cu pillar bump with non-metal sidewall spacer and metal top cap

Номер патента: US09685372B2. Автор: Chung-Shi Liu,Yi-Wen WU,Hui-Jung TSAI,Chien Ling Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device structure with uniform threshold voltage distribution and method of forming the same

Номер патента: US12087844B2. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Wei-Chih Kao,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor Device Structure With Uniform Threshold Voltage Distribution and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240363731A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Wei-Chih Kao,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming a contact

Номер патента: US09627258B1. Автор: Yu-Lien Huang,Yuan-Hung Chiu,Li-Te Lin,Han-Yu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

FinFET Device and Method of Forming

Номер патента: US20200135476A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of forming trenches

Номер патента: US12033891B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of forming trenches

Номер патента: US09728501B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing a semiconductor device including capping layer, barrier layer and work function layer

Номер патента: US12046657B2. Автор: Hsueh Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Standard cell device and method of forming an interconnect structure for a standard cell device

Номер патента: US20200328109A1. Автор: Juergen Boemmels,Julien Ryckaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-10-15.

Method of forming patterns and method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US09613821B2. Автор: Dong-won Kim,Tae-hoon Kim,Ju-Young Kim,Yool Kang,Su-min Park,Hyung-Rae Lee,Hye-Ji Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Air Spacer and Method of Forming Same

Номер патента: US20210408266A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Chia-Jen Chen,An Chyi Wei,Shao-Hua Hsu,Szu-Ping LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Method of forming a semiconductor capacitor using amorphous carbon

Номер патента: US7824998B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yuan-Hung Liu,Chi-Hsin Lo,Yeur-Luen Tu,Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-11-02.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240266289A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Air spacer and method of forming same

Номер патента: US12107149B2. Автор: Cheng-Chung Chang,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Chia-Jen Chen,An Chyi Wei,Shao-Hua Hsu,Szu-Ping LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor devices including a capping layer

Номер патента: US09953924B2. Автор: Nae-in Lee,Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of concurrently forming source/drain and gate contacts and related device

Номер патента: US09837402B1. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming interconnect structures by self-aligned approach

Номер патента: US09824922B1. Автор: Chih-hao Chen,Ta-Ching Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Three-dimensional memory device containing annular etch-stop spacer and method of making thereof

Номер патента: US09780034B1. Автор: Zhenyu Lu,Tadashi Nakamura,Tong Zhang,Masanori Tsutsumi,Kota Funayama,Ryoichi EHARA,Youko Furihata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Air spacer and method of forming same

Номер патента: US20240379820A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Chia-Jen Chen,An Chyi Wei,Shao-Hua Hsu,Szu-Ping LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor devices including a capping layer

Номер патента: US09711453B2. Автор: Nae-in Lee,Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of forming interconnect structures by self-aligned approach

Номер патента: US09659821B1. Автор: Chih-hao Chen,Ta-Ching Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of making a semiconductor device using a barrier and antireflective coating (BARC) layer

Номер патента: US09589798B2. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby

Номер патента: US09443883B2. Автор: Joseph Carr,Etienne Menard,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: Semprius Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Epitaxial Layers In Source/Drain Contacts And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20220359310A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Method of forming openings in a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20100291770A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick,Lionel Riviere-Cazeaux,Will Conley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Epitaxial Layers in Source/Drain Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200006159A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Methods of forming a conductive line

Номер патента: US20030071356A1. Автор: Jigish Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

FinFET device and method of forming

Номер патента: US09837539B1. Автор: Yi-Wei Chiu,Xi-Zong Chen,Cha-Hsin Chao,Te-Chih Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Contact structures and methods of forming the same

Номер патента: US09620601B2. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device with low-galvanic corrosion structures, and method of making same

Номер патента: US20230253249A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of minimizing via sidewall damages during dual damascene trench reactive ion etching in a via first scheme

Номер патента: SG151170A1. Автор: Hermann Wendt,Ravi Prakash Srivastava,Kaushik A Kumar,Nicholson M Lee. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US11923240B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Integrated Circuit Package and Method of Forming Same

Номер патента: US20230253351A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Wei Ling Chang,Chieh-Yen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US12062613B2. Автор: Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou,Chun-Te Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20220359412A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor Device and Method of Forming Repassivation Layer for Robust Low Cost Fan-Out Semiconductor Package

Номер патента: US20170084526A1. Автор: Xia Feng,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240282700A1. Автор: Li Han Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of forming trenches with different depths

Номер патента: US09779984B1. Автор: Mei-Yun Wang,Chao-Hsun Wang,Hsien-Cheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of forming air gaps in metallization layers on integrated circuit products

Номер патента: US09768058B2. Автор: Christian Witt,Qiang Fang,Zhiguo Sun. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of forming repassivation layer for robust low cost fan-out semiconductor package

Номер патента: US09754867B2. Автор: Xia Feng,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method of forming repassivation layer for robust low cost fan-out semiconductor package

Номер патента: US09548240B2. Автор: Xia Feng,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09515021B1. Автор: Hung-Lung Hu,Yu-Chih Chen,Chia-Ching Tsai,Szu-Hung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of forming semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09478636B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Methods of Forming Metal Layer Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200111702A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chien Wen Lai,Cheng-Chi Chuang,Yi-Hsiung Lin,Hsin-Ping Chen,Ethan Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of forming structure including a doped adhesion film

Номер патента: US20230349040A1. Автор: Moataz Bellah Mousa,Paul Ma,YoungChol Byun,Jiyeon Kim,ChuanDao Wang,Jaebeom LEE,Guannan Chen,Jacqueline WRENCH,Charith Eranga Nanayakkara. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-02.

Conductive feature of a semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US11996324B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12080553B2. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui,Sung-En Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Package structure and method of forming package structure

Номер патента: US20180286823A1. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Hsiu-Jen Lin,Ming-Da Cheng,Chih-Hua Chen,Yu-Chih Huang,Chih-Hsuan Tai,Ting-Ting KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240363349A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui,Sung-En Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of forming a gate contact for a transistor above an active region and the resulting device

Номер патента: US09947589B1. Автор: Lars W. Liebmann,Ruilong Xie,Chanro Park,Nigel G. Cave,Andre P. Labonte,Mark V. Raymond. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of making a multilevel memory stack structure using a cavity containing a sacrificial fill material

Номер патента: US09853043B2. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Tong Zhang,Johann Alsmeier,Henry Chien,Wenguang Shi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated circuits and methods of forming the same with metal layer connection to through-semiconductor via

Номер патента: US09761481B2. Автор: Chun Yu Wong,Sarasvathi Thangaraju,Percival Rayo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Interconnect structure and method of forming same

Номер патента: US09583429B2. Автор: Su-Jeng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method of forming sacrificial protective layer to protect semiconductor die edge during singulation

Номер патента: US09558958B2. Автор: Xia Feng,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device with reduced trap defect and method of forming the same

Номер патента: US20240371974A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Interconnect structure and method of forming the same

Номер патента: US09385080B2. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Hung Lin,Mei-Hui Fu,Shih-Chi Lin,Hon-Lin Huang,Wei-Jung Lin,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Methods of forming memory devices

Номер патента: US12022752B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US7413972B2. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US20060134900A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Package structures and methods of forming the same

Номер патента: US20230307338A1. Автор: Shin-puu Jeng,Chia-Hsiang Lin,Chien-Tung Yu,Chi-Pu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of forming a passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070161254A1. Автор: Tae Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240282629A1. Автор: Chih-Yuan Ting,I-Chang Lee,Yu-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Protective capping layer for area selective deposition

Номер патента: WO2024206261A1. Автор: Andrea Leoncini. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Protective capping layer for area selective deposition

Номер патента: US20240332072A1. Автор: Andrea Leoncini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices including conductive features with capping layers and methods of forming the same

Номер патента: US09812390B2. Автор: Mei-Ling Chen,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou,Hui-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of forming UBM structure on back surface of TSV semiconductor wafer

Номер патента: US09601462B2. Автор: Won Kyoung Choi,Jae Hun Ku,Chang Beom Yong. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device with reduced trap defect and method of forming the same

Номер патента: US12119389B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor devices including conductive features with capping layers and methods of forming the same

Номер патента: US09349689B2. Автор: Mei-Ling Chen,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou,Hui-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Method of forming contact structures

Номер патента: US20230299154A1. Автор: Fu-Hsiang Su,Yi Hsien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods of Forming Interconnect Structures in Semiconductor Fabrication

Номер патента: US20210375756A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of Implantation for Semiconductor Device

Номер патента: US20220123111A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Che-Fu Chiu,Bau-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240355904A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Via structure and methods of forming the same

Номер патента: US12010933B2. Автор: Feng-Jia Shiu,Chern-Yow Hsu,Wei-Chieh Huang,Jieh-Jang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of forming high density, high shorting margin, and low capacitance interconnects by alternating recessed trenches

Номер патента: US09911694B2. Автор: Christopher J. Jezewski,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Wafer level chip scale package interconnects and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09892962B2. Автор: Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Chun-Cheng Lin,Hui-min Huang,Cheng-Tar Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of forming a gate contact structure for a semiconductor device

Номер патента: US09853110B2. Автор: Xunyuan Zhang,Ruilong Xie,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of forming ultra-thin nanowires

Номер патента: US09698238B2. Автор: Martin Christopher Holland,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of forming a combined gate and source/drain contact structure and the resulting device

Номер патента: US09455254B2. Автор: Ruilong Xie,Su Chen Fan,Andre Labonte,Balasubramanian S. Pranatharthi Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of forming a compact multi-level interconnection metallurgy system for semiconductor devices

Номер патента: CA1089112A. Автор: Janos Havas,Eugene E. Cass,William A. Enichen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-11-04.

Semiconductor device structure with uniform threshold voltage distribution and method of forming the same

Номер патента: US11799017B2. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Wei-Chih Kao,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor Device Structure With Uniform Threshold Voltage Distribution and Method of Forming the Same

Номер патента: US20230369465A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Wei-Chih Kao,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of Forming a Contact

Номер патента: US20170365691A1. Автор: Yu-Lien Huang,Yuan-Hung Chiu,Li-Te Lin,Han-Yu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Methods of forming a masking pattern for integrated circuits

Номер патента: EP2353172A2. Автор: Anton Devilliers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-10.

Method of forming a gate structure

Номер патента: US12027425B2. Автор: Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Hsin-Wen Su,Kian-Long Lim,Bwo-Ning Chen,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of producing semiconductor element

Номер патента: US7998876B2. Автор: Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-16.

Method of producing semiconductor element

Номер патента: US20100248483A1. Автор: Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor device with sidewall passivation and method of making

Номер патента: US20200119153A1. Автор: Weng Chang,Chih-Chang Hung,Huicheng Chang,Hsueh Wen Tsau,Chia-Ching Lee,Da-Yuan Lee,Mrunal A. Khaderbad,Hsiao-Kuan Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method of forming a pattern for interconnection lines and associated continuity blocks in an integrated circuit

Номер патента: US20170278720A1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS,Byoung Youp Kim,Craig Michael CHILD, JR.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Deep trench capacitor including self-aligned plate contact via structures and methods of forming the same

Номер патента: US20220199759A1. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Method of Forming Semiconductor Device Including Tungsten Layer

Номер патента: US20180083010A1. Автор: Kenichi Kusumoto,Yasutaka Iuchi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Multi-wafer capping layer for metal arcing protection

Номер патента: US20220375789A1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Kuo-Ming Wu,Chih-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Method of forming superconducting wiring layers with low magnetic noise

Номер патента: US20180219150A1. Автор: Trevor Michael Lanting,Eric G. Ladizinsky,Byong Hyop Oh,J. Jason Yao. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Schottky barrier diode with reduced leakage current and method of forming the same

Номер патента: US20240258402A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of forming a gate structure

Номер патента: US20240332089A1. Автор: Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Hsin-Wen Su,Kian-Long Lim,Bwo-Ning Chen,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Contact plug without seam hole and methods of forming the same

Номер патента: US09966309B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming a pattern for interconnection lines and associated continuity blocks in an integrated circuit

Номер патента: US09818623B2. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS,Byoung Youp Kim,Craig Michael CHILD, JR.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Intermediate layer for copper structuring and methods of formation thereof

Номер патента: US09773736B2. Автор: Roman Roth,Ravi Keshav Joshi,Christian Fachmann,Petra Fischer,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of forming a nanowire

Номер патента: US09564317B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Martin Christopher Holland,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Controlled metal extrusion opening in semiconductor structure and method of forming

Номер патента: US09484301B2. Автор: Timothy D. Sullivan,Max G. Levy,David C. Thomas,Steven S. Williams,Gary L. Milo,Matthew D. Moon,Anthony C. Speranza. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Contact plug without seam hole and methods of forming the same

Номер патента: US09472448B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing electronic device

Номер патента: US20040157424A1. Автор: Shoichi Fukui,Yoshihiro Kusumi,Takeru Matsuoka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-12.

Method of forming nitride capped cu lines with reduced electromigration along the cu/nitride interface

Номер патента: WO2003007368A3. Автор: Minh Van Ngo,Larry Zhao,Paul R Besser. Владелец: Paul R Besser. Дата публикации: 2003-03-27.

3DIC seal ring structure and methods of forming same

Номер патента: US09806119B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Pao-Tung Chen,Wen-De Wang,Cheng-Ying Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of forming a pattern for interconnection lines in an integrated circuit wherein the pattern includes gamma and beta block mask portions

Номер патента: US09691626B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of forming a vertical device

Номер патента: US09614054B2. Автор: Teng-Chun Tsai,MING-CHING Chang,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Cheng-Tung Lin,Chun-Hung Lee,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of self-aligning a damascene gate structure to isolation regions

Номер патента: EP1391925B1. Автор: Daniel Yen,Ching-Thiam Chung,Chester Nieh,Wei Hua Cheng,Tong Boon Lee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

Method of self-aligning a damascene gate structure to isolation regions

Номер патента: SG102720A1. Автор: YEN DANIEL,Chung Ching-Thiam,Hua Cheng Wei,Nieh Chester,Boon Lee Tong. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-03-26.

Method of Forming a Vertical Device

Номер патента: US20240186400A1. Автор: Teng-Chun Tsai,MING-CHING Chang,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Cheng-Tung Lin,Chun-Hung Lee,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of forming a vertical device

Номер патента: US20160111523A1. Автор: Teng-Chun Tsai,MING-CHING Chang,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Cheng-Tung Lin,Chun-Hung Lee,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Method of forming a vertical device

Номер патента: US20210050430A1. Автор: Teng-Chun Tsai,MING-CHING Chang,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Cheng-Tung Lin,Chun-Hung Lee,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Method of forming a vertical device

Номер патента: US20200111887A1. Автор: Teng-Chun Tsai,MING-CHING Chang,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Cheng-Tung Lin,Chun-Hung Lee,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Method for forming self-alignment insulation structure

Номер патента: US20090283873A1. Автор: Hon-Chun Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED ISOLATION TRENCHES IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150171162A1. Автор: LEE TZUNG-HAN,Hu Yaw-Wen. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2015-06-18.

Process for forming self-aligned dielectric isolation

Номер патента: EP0062170A2. Автор: Klaus Dietrich Beyer,Joseph Skinner Logan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-10-13.

Method for forming self-aligned trench

Номер патента: CN113488430A. Автор: 杨军. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-08.

Process for forming self-aligned dielectric isolation

Номер патента: EP0062170B1. Автор: Klaus Dietrich Beyer,Joseph Skinner Logan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-12-07.

Apparatus and method for forming self-aligned trench isolation

Номер патента: WO1988004106A1. Автор: Bing Yeh,Daniel Charles Guterman. Владелец: Xicor, Inc.. Дата публикации: 1988-06-02.

Semiconductor devices including buried gate electrodes and isolation layers and methods of forming semiconductor devices including buried gate electrodes and isolation layers using self aligned double patterning

Номер патента: US8486818B2. Автор: Kye-hee Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-16.

MULTIGATE TRANSISTOR DEVICE AND METHOD OF ISOLATING ADJACENT TRANSISTORS IN MULTIGATE TRANSISTOR DEVICE USING SELF-ALIGNED DIFFUSION BREAK (SADB)

Номер патента: US20160093511A1. Автор: Yeap Choh Fei,SENGUPTA Samit,Yang Da,Ekbote Shashank. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

Method of fabricating the trench isolation layer in semiconductor device using self aligned side oxidation

Номер патента: KR20070044931A. Автор: 서혜진,김수호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-02.

Capping Layers in Metal Gates of Transistors

Номер патента: US20220208984A1. Автор: Yi-Ting Wang,Hsien-Ming Lee,Tsung-ta Tang,Chung Ta Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12040385B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US10256136B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Han-Sang Song,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Semiconductor-on-oxide structure and method of forming

Номер патента: US20140191359A1. Автор: Kirk D. Peterson,John E. Barth, Jr.,Herbert L. Ho,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

METHOD OF CREATING HIGH-QUALITY RELAXED SiGe-ON-INSULATOR FOR STRAINED Si CMOS APPLICATIONS

Номер патента: WO2003063229A1. Автор: Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Keith E. Fogel,Jack O. Chu,John Albrecht Ott,Stephen J. Koester. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2003-07-31.

Single-chip field effect transistor (FET) switch with silicon germanium (SiGe) power amplifier and methods of forming

Номер патента: US09653477B2. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of forming diffusion breaks on integrated circuit products comprised of finFET devices

Номер патента: US09653583B1. Автор: Min-Hwa Chi,Haiting Wang,Wei Zhao,Zhenyu Hu,Hongliang Shen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of integration of ono stack formation into thick gate oxide cmos flow

Номер патента: WO2018063459A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-04-05.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US09831251B2. Автор: Jun Tan,Jian Zhong,Qiuming Huang,Jianqin Gao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of forming shallow trench isolation (STI) structures

Номер патента: US09627246B2. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device having a low divot of alignment between a substrate and an isolation thereof and method of forming the same

Номер патента: US09520296B2. Автор: Teng-Chun Tsai,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Cheng-Tung Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of forming silicon-on-insulator wafer having reentrant shape dielectric trenches

Номер патента: US20070249144A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Hybrid material electrically programmable fuse and methods of forming

Номер патента: US20190067191A1. Автор: Chun Yu Wong,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of filling shallow trenches

Номер патента: US8685830B2. Автор: HAO LI,FAN CHEN,Kai Xue,Jia Pan,Yongcheng Wang,Xiongbin Chen,Keran Zhou. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-01.

Method of forming isolation structures in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20070178662A1. Автор: CHEN Liao,Chun Chen,Chi Huang,Yung Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of forming FinFET channel

Номер патента: US09711535B2. Автор: Chih-Hao Wang,Jhon Jhy Liaw,Wai-Yi Lien,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Self-aligned air gap formation in microelectronics packages

Номер патента: US20240101413A1. Автор: Brandon C. MARIN,Jeremy D. Ecton,Srinivas Venkata Ramanuja Pietambaram,Oscar Ojeda,Oladeji Fadayomi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of forming self-aligned silicides

Номер патента: US20060121708A1. Автор: Steven Huang,Yei-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Method of forming self-aligned silicide layers on semiconductor devices

Номер патента: US20020182860A1. Автор: Jerry Lin,Cheng-Kuo Yuan,Chi-Wei Chou. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods of forming self aligned transistor structure having polycrystalline contacts

Номер патента: US3847687A. Автор: U Davidsohn,A Ajamie. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1974-11-12.

Methods for fabricating semiconductor or micromachined devices with metal structures and methods for forming self-aligned deep cavity metal structures

Номер патента: US09620373B1. Автор: Rakesh Kumar,Sharath POIKAYIL SATHEESH,Pradeep Yelehanka,Natarajan Rajasekaran,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160329247A1. Автор: Tsung-Ding Wang,Bo-I Lee,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Method of manufacturing semiconductor package including forming a recessed region in a substrate

Номер патента: US09570368B2. Автор: Tsung-Ding Wang,Bo-I Lee,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09484316B2. Автор: Thomas Fischer,Alexander Heinrich,Evelyn Napetschnig,Ulrike Fastner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of forming a die structure including a controlled thickness layer and an apparatus for performing the method

Номер патента: US20240222351A1. Автор: Anshuman Cherala,Mario Johannes Meissl. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of forming self-aligned split-gate memory cell array with metal gates and logic devices

Номер патента: US09721958B2. Автор: FENG Zhou,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for forming self-aligned dual fully silicided gates in cmos devices

Номер патента: WO2006060574A2. Автор: Cyril Cabral, Jr.,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Chester T. Dziobkowski,Clement H. Wann. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-06-08.

Using selectively formed cap layers to form self-aligned contacts to source/drain regions

Номер патента: US20210280690A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Method of making threshold voltage tuning using self-aligned contact cap

Номер патента: US09601387B2. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Xiuyu Harry CAI. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Reduced electric field dmos using self-aligned trench isolation

Номер патента: US20080135933A1. Автор: Michael Graf,Gayle W. Miller,Volker Dudek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Threshold voltage tuning using self-aligned contact cap

Номер патента: US20150194350A1. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Xiuyu Harry CAI. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-09.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240136185A1. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240136186A1. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Reduced electric field dmos using self-aligned trench isolation

Номер патента: WO2007018896A3. Автор: Michael Graf,Volker Dudek,Gayle W Miller Jr. Владелец: Gayle W Miller Jr. Дата публикации: 2008-06-19.

Reduced electric field dmos using self-aligned trench isolation

Номер патента: WO2007018896A2. Автор: Michael Graf,Volker Dudek,Gayle W. Miller, JR.. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2007-02-15.

Reduced electric field dmos using self-aligned trench isolation

Номер патента: EP1911095A2. Автор: Michael Graf,Volker Dudek,Gayle W. Miller, JR.. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Methods of forming self aligned spacers for nanowire device structures

Номер патента: EP3394898A1. Автор: Anand Murthy,Karthik Jambunathan,Seiyon Kim,Jun Sung Kang,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

Solar cell emitter region fabrication using self-aligned implant and cap

Номер патента: US09577134B2. Автор: Timothy Weidman. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Self-aligned air gap spacer for nanosheet CMOS devices

Номер патента: US09954058B1. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Junli Wang,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

SELF-ALIGNED AIR GAP SPACER FOR NANOSHEET CMOS DEVICES

Номер патента: US20180358435A1. Автор: Reznicek Alexander,Wang Junli,Mochizuki Shogo,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Method of forming self aligned grids in BSI image sensor

Номер патента: US11776985B2. Автор: Jiech-Fun Lu,Shih-Pei Chou,Tsun-Kai Tsao,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of forming self aligned grids in bsi image sensor

Номер патента: US20240021653A1. Автор: Jiech-Fun Lu,Shih-Pei Chou,Tsun-Kai Tsao,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Forming self-aligned contacts on pillar structures

Номер патента: US20180308898A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Eugene J. O'Sullivan,Anthony J. Annunziata,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Methods of forming self-aligned contacts on FinFET devices

Номер патента: US09627274B1. Автор: Huang Liu,Xintuo Dai,Jinping Liu,Haifeng Sheng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor package and method of forming the same

Номер патента: US12021051B2. Автор: Hsien-Wei Chen,An-Jhih Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Method of forming self-aligned silicides

Номер патента: TWI310211B. Автор: Steven Huang,Yeihsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-05-21.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for forming self-aligned double pattern and semiconductor structures

Номер патента: US12100593B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of making semiconductor devices having an implant damage protection film on the gate electrode sidewalls

Номер патента: US5145797A. Автор: Shoji Nakanishi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1992-09-08.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: WO2006093730A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-09-08.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: EP1856726A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-21.

Method for forming self-aligned double pattern, and semiconductor structure

Номер патента: EP4181172A1. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Method and structure of forming self-aligned RMG gate for VFET

Номер патента: US09780208B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods Of Forming Self-Aligned Vias

Номер патента: US20190013202A1. Автор: Thompson David,Anthis Jeffrey W.,Mallick Abhijit Basu,Schmiege Benjamin,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

Methods Of Forming Self-Aligned Vias

Номер патента: US20180096847A1. Автор: Thompson David,Anthis Jeffrey W.,Mallick Abhijit Basu,Schmiege Benjamin,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

STRUCTURE AND METHOD OF FORMING SELF ALIGNED CONTACTS IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190181047A1. Автор: Sung Min Gyu. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2019-06-13.

Method Of Forming Self-Aligned Split-Gate Memory Cell Array With Metal Gates And Logic Devices

Номер патента: US20160218110A1. Автор: Zhou Feng,CHEN CHUN-MING,Do Nhan,Liu Xian,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

DEVICES AND METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED, UNIFORM NANO SHEET SPACERS

Номер патента: US20170330934A1. Автор: Cheng Kangguo,Zhang John,CLEVENGER Lawrence,HARAN Balasubramanian. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-11-16.

Methods Of Forming Self-Aligned Vias And Air Gaps

Номер патента: US20190348368A1. Автор: GOPALRAJA Praburam,Mallick Abhijit Basu,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Method of forming self aligned double pattern

Номер патента: KR100714305B1. Автор: 홍창기,윤보언,최재광,권병호,박준상,윤세라. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-02.

Method of forming self-aligned low resistance contact layer

Номер патента: US20100035399A1. Автор: Sean King,Ravi Pillarisetty,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Jason W. Klaus,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Method of forming self-aligned thin film transistor

Номер патента: CA2228037A1. Автор: James F. Farrell. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-02-13.

Method of forming self align silicide in semiconductor device

Номер патента: KR100953489B1. Автор: 강양범. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-04-19.

Methods of forming self-aligned silicide layers using multiple thermal processes

Номер патента: US7531459B2. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Eun-ji Jung,Hyun-Su Kim,Jong-Ho Yun,Sug-Woo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-12.

Method of forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100245136B1. Автор: 김정호,김승준,이동덕,김일욱. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of forming self-aligned silicides

Номер патента: TW200620405A. Автор: Steven Huang,Yei-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-16.

USING SELECTIVELY FORMED CAP LAYERS TO FORM SELF-ALIGNED CONTACTS TO SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20210280690A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Method for forming self-aligned silicide layers on sub-quarter micron VLSI circuits

Номер патента: US6100191A. Автор: Jiun-Yuan Wu,Water Lur,Tony Lin,Hsiao-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-08.

Method to form self-aligned high density nanocrystals

Номер патента: US20160071943A1. Автор: Sung-taeg Kang,Euhngi Lee. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-06.

Method and structure of forming self-aligned rmg gate for vfet

Номер патента: US20180019337A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL OVERGROWTH FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS WITHOUT SPACER LOSS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Lauer Isaac,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin,Chu Jack Oon. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Structure and formation method of chip package with fan-out structure

Номер патента: US20180108613A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Shing-Chao Chen,Tsung-Hsien Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for CMOS devices

Номер патента: TW200710993A. Автор: Thomas W Dyer,hai-ning Yang. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-03-16.

Method for forming self-aligned wells to support tight spacing

Номер патента: US20090042377A1. Автор: Seetharaman Sridhar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for forming self-aligned wells to support tight spacing

Номер патента: WO2009021187A3. Автор: Seetharaman Sridhar. Владелец: Seetharaman Sridhar. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for forming self-aligned wells to support tight spacing

Номер патента: WO2009021187A2. Автор: Seetharaman Sridhar. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-02-12.

Manufacturing method of semiconductor package structure having interconnections between dies

Номер патента: US20240021528A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

METHOD TO FORM SELF-ALIGNED HIGH DENSITY NANOCRYSTALS

Номер патента: US20160071943A1. Автор: Kang Sung-Taeg,LEE Euhngi. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2016-03-10.

RECESSING RMG METAL GATE STACK FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20160149015A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

FORMING SELF-ALIGNED NiSi PLACEMENT WITH IMPROVED PERFORMANCE AND YIELD

Номер патента: US20160163702A1. Автор: WANG Xin,HU Yue,Wu Xusheng,Lee Yong Meng,ZHAO Lun,PENG Wen-Pin,TONG Wei-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Method to form self-aligned gate structures around cold cathode emitter tips using chemical mechanical polishing technology

Номер патента: US5229331A. Автор: Trung T. Doan,David A. Cathey,J. Brett Rolfson,Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1993-07-20.

Method for forming self-aligned double-layer pattern

Номер патента: CN110459465B. Автор: 张志刚,徐灵芝,陆神洲. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-04.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR940016879A. Автор: 박해성. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-07-25.

Method for forming self-aligned metal silicide contacts

Номер патента: TWI415174B. Автор: Mahadevaiyer Krishnan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Randolph F Kanrr,Renee T Mo,Jay W Strane. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2013-11-11.

Method for forming self-aligned metal silicide contacts

Номер патента: US20070254479A1. Автор: Mahadevaiyer Krishnan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Randolph Knarr,Renee Mo,Jay Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Method to form self aligned, L-shaped sidewall spacers

Номер патента: EP1164636B1. Автор: Gupta Subhash,Pradeep Yelehanka,Chhagan Vijai. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-12-19.

Method to form self-aligned silicide with reduced sheet resistance

Номер патента: US6509264B1. Автор: Weining Li,Yung Tao Lin. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-01-21.

Method for forming self-aligned dual salicide in cmos technologies

Номер патента: WO2006060575A2. Автор: James S. Nakos,Cyril Cabral, Jr.,John J. Ellis-Monaghan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Zhijiong Luo,An L. Steegen,Chester T. Dziobkowski,Clement H. Wann. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-06-08.

Method for forming self-aligned dual salicide in cmos technilogies

Номер патента: TWI371084B. Автор: Christian Lavoie,Sunfei Fang,Zhijiong Luo,Cyril Cabral Jr,Chester T Dziobkowski,John J Ellis-Monaghan,James S Nakos,An L Steegen,Clement H Wann. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-08-21.

Method for forming self-aligned metal silicide contacts

Номер патента: US7618891B2. Автор: Mahadevaiyer Krishnan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Renee T. Mo,Randolph F. Knarr,Jay W. Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-17.

Method for Forming Self-Aligned Silcide of Semiconductor Device

Номер патента: KR100628253B1. Автор: 심규철,이완규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-09-27.

Method and structure for forming self-aligned, dual stress liner for cmos devices

Номер патента: US20080012019A1. Автор: Effendi Leobandung,Huilong Zhu,Huicai Zhong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-01-17.

Method for forming self-aligned channel implants using a gate poly reverse mask

Номер патента: US6489191B2. Автор: Yimin Wang,Kai Shao,Jian Xun Li,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-12-03.

Method for forming self-aligned dual salicide in CMOS technologies

Номер патента: US7064025B1. Автор: James S. Nakos,Cyril Cabral, Jr.,John J. Ellis-Monaghan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Zhijiong Luo,An L. Steegen,Chester T. Dziobkowski,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-20.

A method to form self-aligned silicide with reduced sheet resistance

Номер патента: SG107556A1. Автор: Yung Tao Lin,Wei Ning Li. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-12-29.

Method for forming self-aligned dual salicide in cmos technologies

Номер патента: EP1825508A2. Автор: James S. Nakos,Cyril Cabral, Jr.,John J. Ellis-Monaghan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Zhijiong Luo,An L. Steegen,Chester T. Dziobkowski,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-29.

Method for forming self-align silicide in semiconductor device

Номер патента: KR100271948B1. Автор: 이응준,서태욱,이수근,구자흠,김철성,정주혁. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-11-15.

Method for forming self-aligned metal silicide contacts

Номер патента: US20090309228A1. Автор: Mahadevaiyer Krishnan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Renee T. Mo,Randolph F. Knarr,Jay W. Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

A bicmos process for forming self-aligned npn emitters and bases and mosfet/source drains

Номер патента: EP0293731A3. Автор: Robert H. Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1989-09-27.

Methods for forming self-aligned dual stress liners for cmos semiconductor devices

Номер патента: US20110163387A1. Автор: Thomas W. Dyer,Taehoon Lee,Seung-Man Choi,Kyoung Woo Lee,Ja Hum Ku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for forming self-aligned double pattern, and semiconductor structure

Номер патента: EP4181172A4. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Method to form self-aligned source/drain cmos device on isulated staircase oxide

Номер патента: SG102650A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Yong Meng Lee James,Sunderasan Ravi. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-03-26.

Method of forming small transistor gates by using self-aligned reverse spacer as a hard mask

Номер патента: SG104349A1. Автор: Quek Elgin,YEN DANIEL,Cher Liang Cha Randall,Sheng Zhou Mei,Zhen Zheng Jia,Hoe Ang Chew,Hua Lim Eng. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-06-21.

Methods of making three dimensional nand devices

Номер патента: US20150380423A1. Автор: Yanli Zhang,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,George Matamis,Senaka Krishna Kanakamedala,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-12-31.

Method of fabricating an electrode structure and apparatus for fabricating the electrode structure

Номер патента: US20230360932A1. Автор: Dohyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Gate-all-around devices having self-aligned capping between channel and backside power rail

Номер патента: US20240379782A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

GATE-ALL-AROUND DEVICES HAVING SELF-ALIGNED CAPPING BETWEEN CHANNEL AND BACKSIDE POWER RAIL

Номер патента: US20210359091A1. Автор: Wang Chih-hao,Huang Mao-Lin,Cheng Kuan-Lun,Chiang Kuo-Cheng,Chu Lung-Kun,Hsu Chung-Wei,Yu Jia-Ni. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING SELF-ALIGNED SPACERS TO PROVIDE FINE PATTERNS

Номер патента: US20160233104A1. Автор: Kim Jinyoung,Kim Nam-Gun,Yoon Hyun-Chul,KIM JONGCHEON,LEE CHANMl,CHOI SUNGGIL. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

Fabricating method of semiconductor device using self aligned process

Номер патента: KR0137949B1. Автор: 홍찬희. Владелец: 엘지일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1998-06-01.

Method of manufacturing STI using self-aligned Si3N4 as mask

Номер патента: CN101501835A. Автор: 李秋德. Владелец: He Jian Technology Suzhou Co ltd. Дата публикации: 2009-08-05.

CMOS COMPATIBLE FUSE OR RESISTOR USING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170062409A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

MARGIN FOR FIN CUT USING SELF-ALIGNED TRIPLE PATTERNING

Номер патента: US20180090335A1. Автор: LIE Fee Li,SIEG STUART A.,Miller Eric R.,Karve Gauri,Teehan Sean,Sporre John R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

METHODS FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUITS USING SELF-ALIGNED QUADRUPLE PATTERNING

Номер патента: US20150170973A1. Автор: Kim Ryan Ryoung Han,CANTONE Jason. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2015-06-18.

SOURCE AND DRAIN FORMATION USING SELF-ALIGNED PROCESSES

Номер патента: US20190164756A1. Автор: LEE YUN SEOG,KIM Seyoung,Sadana Devendra,de Souza Joel. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

THRESHOLD VOLTAGE TUNING USING SELF-ALIGNED CONTACT CAP

Номер патента: US20150194350A1. Автор: Kim Hoon,Park Chanro,CAI Xiuyu Harry. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

MARGIN FOR FIN CUT USING SELF-ALIGNED TRIPLE PATTERNING

Номер патента: US20180226262A1. Автор: LIE Fee Li,SIEG STUART A.,Miller Eric R.,Karve Gauri,Teehan Sean,Sporre John R.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2018-08-09.

METHODS FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUITS USING SELF-ALIGNED QUADRUPLE PATTERNING

Номер патента: US20150318181A1. Автор: Jang Linus,Kim Ryan Ryoung-Han,Cantone Jason Richard. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2015-11-05.

Method for manufacturing field effect transistor using self-aligned silicide layer in semiconductor device

Номер патента: KR100333647B1. Автор: 김천수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-07.

Method for manufacturing side contact in semiconductor device using self aligned damascene process

Номер патента: KR101096184B1. Автор: 이상오. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-22.

Performance enhancement on both nmosfet and pmosfet using self-aligned dual stressed films

Номер патента: US20080169510A1. Автор: Huilong Zhu,Mahender Kumar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-17.

Performance enhancement on both nmosfet and pmosfet using self-aligned dual stressed films

Номер патента: EP2122679A1. Автор: Huilong Zhu,Mahender Kumar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-25.

Global planarization using self aligned polishing or spacer technique and isotropic etch process

Номер патента: EP0718874A3. Автор: Reinhard J Stengl,Matthias L Peschke. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-02-05.

Method for making very low Vt metal-gate/high-k CMOSFETs using self-aligned low temperature shallow junctions

Номер патента: TW200947622A. Автор: Feng-De Jing. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2009-11-16.

Margin for fin cut using self-aligned triple patterning

Номер патента: US20180090335A1. Автор: John R. Sporre,Eric R. Miller,Stuart A. Sieg,Gauri Karve,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Methods for fabricating integrated circuits using self-aligned quadruple patterning

Номер патента: US20150170973A1. Автор: Jason CANTONE,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for making very low Vt metal-gate/high-k CMOSFETs using self-aligned low temperature shallow junctions

Номер патента: US20090280630A1. Автор: Albert Chin. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2009-11-12.

Method for making very low Vt metal-gate/high-κ CMOSFETs using self-aligned low temperature shallow junctions

Номер патента: US7754551B2. Автор: Albert Chin. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2010-07-13.

Method for manufacturing CCD type solid image pickup device using self-alignment process

Номер патента: US5441910A. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-08-15.

Devices, structures, and methods using self-aligned resistive source extensions

Номер патента: WO2011035331A3. Автор: Jun Zeng,Richard A. Blanchard,Mohamed N. Darwish. Владелец: MAXPOWER SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2011-07-28.

Margin for fin cut using self-aligned triple patterning

Номер патента: US09997369B2. Автор: John R. Sporre,Eric R. Miller,Stuart A. Sieg,Gauri Karve,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods for fabricating integrated circuits using self-aligned quadruple patterning

Номер патента: US09620380B1. Автор: Huang Liu,Xintuo Dai,Jin Ping Liu,Jiong Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Gate Structure and Methods of Forming Metal Gate Isolation

Номер патента: US20190334003A1. Автор: Meng-Fang Hsu,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Salicide formation using a cap layer

Номер патента: US09978604B2. Автор: Ling-Sung Wang,Ching-Hua Chu,Chih-Hsun Lin,Mei-Hsuan LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US12094778B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240363418A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming a FinFET device

Номер патента: US09953881B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Buffer cap layer to improve MIM structure performance

Номер патента: US09425061B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Jian-Shiou Huang,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Multiple-threshold voltage devices and method of forming same

Номер патента: US09368353B2. Автор: Martin Christopher Holland,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Photoresist layer surface treatment, cap layer, and method of forming photoresist pattern

Номер патента: US12057315B2. Автор: Ching-Yu Chang,Chi-Ming Yang,Yen-Yu Chen,Tze-Liang Lee,Yi-Chen Kuo,Chih-Cheng Liu,Ming-Hui Weng,Jr-Hung Li,Yahru CHENG,Jia-Lin WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Photoresist layer surface treatment, cap layer, and method of forming photoresist pattern

Номер патента: US20240355623A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chi-Ming Yang,Yen-Yu Chen,Tze-Liang Lee,Yi-Chen Kuo,Chih-Cheng Liu,Ming-Hui Weng,Jr-Hung Li,Yahru CHENG,Jia-Lin WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of forming metal gate electrode

Номер патента: US09449828B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Peng-Soon Lim,Jian-Hao Chen,Xiong-Fei Yu,Cheng-Hao Hou,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee,Fan-yi Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of integrating a charge-trapping gate stack into a CMOS flow

Номер патента: US9196496B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-11-24.

Method of integrating a charge-trapping gate stack into a cmos flow

Номер патента: US20190067313A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of integrating a charge-trapping gate stack into a cmos flow

Номер патента: US20160099253A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Method of integrating a charge-trapping gate stack into a cmos flow

Номер патента: US20140235046A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20030017680A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Garo Derderian,M. Visokay,J. Drynan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Manufacturing method of semiconductor structure for improving quality of epitaxial layers

Номер патента: US09741818B2. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a CMOS process flow

Номер патента: US09496144B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Hui-Mei Shih. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method of making including cap layer and nitride semiconductor layer

Номер патента: US20160163822A1. Автор: Kohji Ishikura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Fin Field-Effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US12051626B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chun-Neng LIN,Ying-Liang Chuang,Chun-Cheng CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Metal Gate Scheme for Device and Methods of Forming

Номер патента: US20180226485A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Method of fabricating polysilicon film

Номер патента: US20060258065A1. Автор: Mao-Yi Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-11-16.

Method of fabricating polysilicon film

Номер патента: US7393734B2. Автор: Mao-Yi Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-07-01.

Capacitors, methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor dielectric layers

Номер патента: US20030045050A1. Автор: John Moore,Scott DeBoer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Integrated circuit with electrical fuse and method of forming the same

Номер патента: US20170062335A1. Автор: Chan-Hong Chern,Fu-Lung Hsueh,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Alignment Structure for Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20210257310A1. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240355680A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chun-Neng LIN,Ying-Liang Chuang,Chun-Cheng CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Metal gate scheme for device and methods of forming

Номер патента: US09941376B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Integrated circuits and methods of forming the same with effective dummy gate cap removal

Номер патента: US09917016B2. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for fabricating semiconductor device including replacement process of forming at least one metal gate structure

Номер патента: US09812367B2. Автор: Jeong-Nam Han,Ju-youn Kim,Tae-Won Ha,Ji-Hwan An,Kwang-yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

FinFET semiconductor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US09812336B2. Автор: Michael Ganz,Sruthi Muralidharan,Bingwu Liu,Johannes Marinus VAN MEER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09748372B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Organic interposer including a dual-layer inductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240379589A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Ming-Da Cheng,Chun-Hung Chen,Hong-Seng Shue,Wei Sen CHANG,Wei-Han Chiang,Ching-Ho Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Organic interposer including a dual-layer inductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US12142582B2. Автор: Hsiao Ching-Wen,Ming-Da Cheng,Chun-Hung Chen,Hong-Seng Shue,Wei Sen CHANG,Wei-Han Chiang,Ching-Ho Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Integrated circuits with electrical fuses and methods of forming the same

Номер патента: US09524934B2. Автор: Chan-Hong Chern,Fu-Lung Hsueh,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor Device and Method of Forming Micro-Vias Partially Through Insulating Material Over Bump Interconnect Conductive Layer for Stress Relief

Номер патента: US20140239496A1. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Micro-Vias Partially through Insulating Material over Bump Interconnect Conductive Layer for Stress Relief

Номер патента: US20130249105A1. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240170338A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220165623A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Method Of Making Memory Cells, High Voltage Devices And Logic Devices On A Substrate With Silicide On Conductive Blocks

Номер патента: US20220052059A1. Автор: Chunming Wang,Andy Yang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

CMOS FinFET structures including work-function materials having different proportions of crystalline orientations and methods of forming the same

Номер патента: US11961768B2. Автор: Hsien-Ming Lee,Yu-Sheng Wang,Da-Yuan Lee,Ya-Wen Chiu,Kai-Cyuan Yang,Chih-Hsiang Fan,Kun-Wa Kuok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of forming epitaxial features

Номер патента: US12068318B2. Автор: Yung Feng Chang,Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Ming-Yang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Capacitor constructions comprising a nitrogen-containing layer over a rugged polysilicon layer

Номер патента: US20030203581A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lingyi Zheng,Behnam Moradi,John Packard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Method of forming a capacitor dielectric layer

Номер патента: US20030207592A1. Автор: John Moore,Scott DeBoer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Methods of forming contact features in field-effect transistors

Номер патента: US12087860B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of forming contact features in field-effect transistors

Номер патента: US20240363757A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Fin field-effect transistor device and methods of forming

Номер патента: US20240363353A1. Автор: Syun-Ming Jang,Ming-Hsing Tsai,Wei-Jen Lo,Chi-Yuan Chen,Chih-Wei Chang,Wei-Jung Lin,Pin-Wen Chen,Ya-Yi CHENG,Yu-Chen Ko,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09978853B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same

Номер патента: US09922884B2. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of modifying capping layer in semiconductor structure

Номер патента: US09837504B2. Автор: Hui-Cheng Chang,Liang-Yin Chen,Xiong-Fei Yu,Wayne Liu,Chun-Heng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming semiconductor structure including suspended semiconductor layer and resulting structure

Номер патента: US09805988B1. Автор: Guillaume Bouche,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method of forming micro-vias partially through insulating material around bump interconnect

Номер патента: US09685415B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate, and method of making same

Номер патента: US09634019B1. Автор: FENG Zhou,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Structure and method of forming semiconductor device

Номер патента: US09496385B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Multiple gate field-effect transistors having various gate oxide thicknesses and methods of forming the same

Номер патента: US11894276B2. Автор: Wen-Hung Huang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Wei Lee,Zoe Chen,Hsueh-Ju CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US12029041B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

Номер патента: WO2024072806A1. Автор: Michael Allen,Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Pattern forming method, semiconductor memory device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240266170A1. Автор: Donghwan Lee,Wonchul Lee,Kanguk KIM,Seokhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor Device Manufacturing Methods and Methods of Forming Insulating Material Layers

Номер патента: US20130043512A1. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-21.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US11690227B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Multi-gate field-effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12087633B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device structure having dislocation stress memorization and methods of forming the same

Номер патента: US12107163B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of fabricating an electrical contact for use on a semiconductor device

Номер патента: US09934978B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Metal gate scheme for device and methods of forming

Номер патента: US09871114B2. Автор: Hsueh Wen Tsau,Chia-Ching Lee,Da-Yuan Lee,Chung-Chiang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of forming the gate electrode of field effect transistor

Номер патента: US09812551B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Yi-An Lin,Chun-Wei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device manufacturing methods and methods of forming insulating material layers

Номер патента: US09607826B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods of forming strained epitaxial semiconductor material(S) above a strain-relaxed buffer layer

Номер патента: US09490123B2. Автор: YI Qi,David Paul Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Devices and methods of forming higher tunability FinFET varactor

Номер патента: US09437713B2. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Amaury Gendron,Gopal Srinivasan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20150118852A1. Автор: Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Seong-Ji Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240243015A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods of forming layers over substrates; and methods of forming trenched isolation regions

Номер патента: US20040266197A1. Автор: Demetrius Sarigiannis,Cem Basceri,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Method of Forming a Transistor, Method of Patterning a Substrate, and Transistor

Номер патента: US20160093706A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-31.

Method of forming polysilicon film and film forming apparatus

Номер патента: US20200161130A1. Автор: Atsushi Endo,Yutaka Motoyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Cap layer for bit line resistance reduction

Номер патента: WO2020081948A1. Автор: Ning Li,Sanjay Natarajan,Gill Yong Lee,Nobuyuki Sasaki,In Seok Hwang,Mihaela Balseanu,Sung-Kwan Kang,Jianxin Lei,Priyadarshi PANDA,Wenting Hou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-04-23.

Methods of forming electronic devices by ion implanting

Номер патента: US20090155726A1. Автор: Eric Apelgren,Nabil R. Yazdani. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-06-18.

Nanostructure field-effect transistor device and methods of forming

Номер патента: US20240321581A1. Автор: Shun-Hui YANG,Chun-Liang Lai,Yun-Chen Wu,Yen Ju Chen,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of forming vertical structure

Номер патента: US12062705B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kai-Chieh Yang,Wai-Yi Lien,Shi-Ning Ju,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a contact including an alkaline earth metal on a semiconductor layer, and related devices

Номер патента: US09966449B2. Автор: Jorge A. Kittl. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming a transistor, method of patterning a substrate, and transistor

Номер патента: US09954068B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method of forming vertical structure

Номер патента: US09755033B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kai-Chieh Yang,Wai-Yi Lien,Shi-Ning Ju,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of forming a shallow pinned photodiode

Номер патента: US09685479B2. Автор: Eric G. Stevens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of forming semiconductor die with active region responsive to external stimulus

Номер патента: US09564413B2. Автор: Heap Hoe Kuan,Il Kwon Shim,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of forming no-flow underfill material around vertical interconnect structure

Номер патента: US09524955B2. Автор: Rui Huang,Heap Hoe Kuan,Seng Guan Chow,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method of forming base substrate with recesses for capturing bumped semiconductor die

Номер патента: US09449932B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza A. Pagaila,Arnel Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of fabricating a silicon-on-insulator structure

Номер патента: EP1846321B1. Автор: Philippe Renaud,Isabelle Bertrand. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-12-22.

Methods for forming interconnection line using screen printing technique

Номер патента: US8951810B2. Автор: Kyu Won Lee,Ji Eun Kim,Hee Min SHIN,Cheol Ho JOH,Chong Ho CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-10.

Semiconductor structure, hemt structure and method of forming the same

Номер патента: US20190245074A1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Method of forming high voltage transistor and structure resulting therefrom

Номер патента: US20240234566A1. Автор: Chih-Ming Lee,Pei-Lun Wang,Chih-Hsiung Huang,Wen-Chih Chiang,Yu-Chang Jong,Cheng-Ming Wu,Yu-Hsien CHU,Ling Mei LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Air Gap Adjacent to Stress Sensitive Region of the Die

Номер патента: US20130093068A1. Автор: Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Methods of forming diodes

Номер патента: US11916129B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor arrangement and method of manufacture

Номер патента: US20240258374A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Tsung-Yu Yang,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240250150A1. Автор: Hung Chia-Yang,Sheng-Liang Pan,Huan-Just Lin,Chung-Chieh Lee,Yung-Chang Hsu,Po-Chuan Wang,Guan-Xuan Chen,Chen Yung Tzu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of forming a novel gate electrode structure comprised of a silicon-germanium layer located between random grained polysilicon layers

Номер патента: US20040132270A1. Автор: Shih-Chang Chen,Liang-Gi Yao,Chia-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of making a trench capacitor

Номер патента: US20200161416A1. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Ping Lai,Chung-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Method of forming a high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20110006375A1. Автор: Manfred Ramin,Husam Alshareef,Michael F. Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-13.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240290869A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,An Chyi Wei,Shu-Uei JANG,Shao-Hua Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure, HEMT structure and method of forming the same

Номер патента: US12107156B2. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device with tunable epitaxy structures and method of forming the same

Номер патента: US12112989B2. Автор: Chih-Hsiang Huang,Shih-Hao Lin,Hsin-Wen Su,Tzu-Hsiang HSU,Szu-Chi Yang,Chong-De LIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure, HEMT structure and method of forming the same

Номер патента: US09812562B1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Transistor structure and fabrication methods with an epitaxial layer over multiple halo implants

Номер патента: US09768074B2. Автор: Samar K. Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming a semiconductor device including a pitch multiplication

Номер патента: US09741582B2. Автор: Lionel LUPO. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Transistor device and a method of manufacturing same

Номер патента: US09646892B2. Автор: Markus Mueller,Jacob C. Hooker. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of forming embedded source/drain regions on finFET devices

Номер патента: US09530869B2. Автор: Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of forming vertical transistor devices with self-aligned top source/drain conductive contacts

Номер патента: US09530866B1. Автор: Carl Radens,John H. Zhang,Brian A. Cohen,Kwan-Yong Lim,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of forming diodes

Номер патента: US09520478B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

FinFET device structure and methods of making same

Номер патента: US09379220B2. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Cheng-Han Wu,Ryan Chia-Jen Chen,Eric Chih-Fang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

FinFET Devices and Methods of Forming

Номер патента: US20190123181A1. Автор: Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor structure, hemt structure and method of forming the same

Номер патента: US20180053839A1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor device and methods of manufacturing

Номер патента: US20230402326A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Hsueh-Chang Sung,Hung-Yao Chen,Pin-Chu Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20200335403A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20210287947A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Buffer layer and method of forming buffer layer

Номер патента: US20130032900A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Wei-Yang Lee,Xiong-Fei Yu,Cheng-Hao Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

Methods of forming silicon-containing layers

Номер патента: WO2020051116A1. Автор: Abhishek Dube,Steven C.H. Hung,Benjamin Colombeau,Johanes F. Swenberg. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-03-12.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240371650A1. Автор: Yu-Li Lin,Chih-Teng Liao,Jui Fu Hsieh,Chih Hsuan Cheng,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US12125707B2. Автор: Yu-Li Lin,Chih-Teng Liao,Jui Fu Hsieh,Chih Hsuan Cheng,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Embedded memory and methods of forming the same

Номер патента: US09929168B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Source/drain regions for fin field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09923094B2. Автор: Chi-Wen Liu,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming an integrated circuit with heat-mitigating diamond-filled channels

Номер патента: US09881849B2. Автор: Daniel J. Ewing,Kyle W. Maples. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods of forming a gate contact above an active region of a semiconductor device

Номер патента: US09780178B2. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Devices and methods of forming SADP on SRAM and SAQP on logic

Номер патента: US09761452B1. Автор: Jinping Liu,Daniel Jaeger,Jiehui SHU,Garo Jacques DERDERIAN,Haifeng Sheng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of forming an integrated circuit with heat-mitigating diamond-filled channels

Номер патента: US09728483B2. Автор: Daniel J. Ewing,Kyle W. Maples. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US09627500B2. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240379812A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Source/drain regions for fin field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09577101B2. Автор: Chi-Wen Liu,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Protective layer over FinFET and method of forming same

Номер патента: US11948840B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Hsueh-Chang Sung,Hung-Yao Chen,Pin-Chu Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US11901441B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Po-Yuan Wang,Tzu Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of forming a salicide layer for a semiconductor device

Номер патента: US7763533B2. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013882A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3913656A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20170338330A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013883A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200020789A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10644139B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10833179B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10615270B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10276696B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Method of manufacturing semiconductor element, semiconductor element, and substrate

Номер патента: US12065760B2. Автор: Masahiro Araki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of Forming a Salicide Layer for a Semiconductor Device

Номер патента: US20090221121A1. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Epitaxial source/drain structure and method of forming same

Номер патента: US12062720B2. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20240363753A1. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming ultra-thin nanowires

Номер патента: US09978834B2. Автор: Martin Christopher Holland,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of forming low height split gate memory cells

Номер патента: US09972493B2. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Protective layer for contact pads in fan-out interconnect structure and method of forming same

Номер патента: US09941244B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Chin-Chuan Chang,Tsei-Chung Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor structure and method of forming

Номер патента: US09793230B1. Автор: Chen-Hua Yu,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Interconnect structures for wafer level package and methods of forming same

Номер патента: US09659896B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Chih-Hao Chang,Tin-Hao Kuo,Guan-Yu Chen,Wei Sen CHANG,Tsung-Hsien Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming ultra-thin nanowires

Номер патента: US09653288B1. Автор: Martin Christopher Holland,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrated fan-out (InFO) package structures and methods of forming same

Номер патента: US09640498B1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo,Shih-Wei Liang,Yu-Chia Lai,Chang-Pin Huang,Ching-Jung Yang,Hsien-Ming Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of forming a singe metal that performs N and P work functions in high-K/metal gate devices

Номер патента: US09633856B2. Автор: Su-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Silicided semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09437593B2. Автор: Jiang Yan,Henning Haffner,Sun-OO Kim,Frank Huebinger,Klaus Schruefer,Richard Lindsay. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of selectively deglazing p205

Номер патента: US20140054727A1. Автор: Hong-Gap Chua,Yee-Chung Chan,Mei-Yu Muk. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2014-02-27.

Methods of forming photonic devices

Номер патента: US20230152521A1. Автор: Shih-Chi Kuo,Tsai-Hao Hung,Tao-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Methods of forming photonic devices

Номер патента: US12013570B2. Автор: Shih-Chi Kuo,Tsai-Hao Hung,Tao-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Chip package, method of forming a chip package and method of forming an electrical contact

Номер патента: US12033972B2. Автор: Michael Bauer,Joachim Mahler,Francisco Javier Santos Rodriguez,Jochen Dangelmaier,Frank Hille,Heinrich Koerner,Reimund Engl,Johann Gatterbauer,Antonio Vellei,Werner Kanert,Brigitte Ruehle,Michael Huettinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-09.

Interposer including a copper edge seal ring structure and methods of forming the same

Номер патента: US12040289B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Chen-Shien Chen,Ming-Da Cheng,Hong-Seng Shue,Yao-Chun Chuang,Yu-Tse Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Schottky diode and method of fabrication thereof

Номер патента: US20240258439A1. Автор: Cheng-Wei Wu,Yu-Chi LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory arrays; methods of forming memory arrays; and methods of forming contacts to bitlines

Номер патента: WO2005117121A2. Автор: Luan C. Tran,Fred D. Fishburn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Protective layer for contact pads in fan-out interconnect structure and method of forming same

Номер патента: US20200350280A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Chin-Chuan Chang,Tsei-Chung Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of Forming Multiple Patterning Spacer Structures

Номер патента: US20150340239A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Method of Forming Multiple Patterning Spacer Structures

Номер патента: US20160314971A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of Forming Multiple Patterning Spacer Structures

Номер патента: US20150096958A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-09.

Interposer including a copper edge seal ring structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240332220A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Chen-Shien Chen,Ming-Da Cheng,Hong-Seng Shue,Yao-Chun Chuang,Yu-Tse Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of forming a trench using epitaxial lateral overgrowth

Номер патента: US09768273B2. Автор: Ravi Joshi,Martin Poelzl,Johannes Baumgartl,Matthias Kuenle,Christoph Gruber,Georg Ehrentraut,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor package and method of forming the same

Номер патента: US09768133B1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Chi-Hsi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming multiple patterning spacer structures

Номер патента: US09741567B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of forming vertical field effect transistors with self-aligned gates and gate extensions and the resulting structure

Номер патента: US20190088767A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Lars Liebmann,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Method of forming self-aligned top gate channel barrier region in ion-implanted JFET

Номер патента: US5120669A. Автор: Gregory A. Schrantz. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1992-06-09.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A3. Автор: Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen,Johannes J T M Donkers. Владелец: Johannes J T M Donkers. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1875494A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-09.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2006-10-19.

Methods of forming self aligned spacers for nanowire device structures

Номер патента: EP3394898B1. Автор: Anand Murthy,Karthik Jambunathan,Seiyon Kim,Jun Sung Kang,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US20120074530A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Fabrication method of trenched power MOSFET with low gate impedance

Номер патента: US7608511B1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-27.

METHOD OF FORMING SELF ALIGNED GRIDS IN BSI IMAGE SENSOR

Номер патента: US20200135798A1. Автор: Lu Jiech-Fun,Tsao Tsun-Kai,Wu Wei Chuang,Chou Shih-Pei. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Method of Forming Self-Alignment Contact

Номер патента: US20170170292A1. Автор: HSU Hung-Chang,Jang Syun-Ming,Lin Sheng-Hsuan,SU Hung-Wen,Lee Ya-Lien,LIN Rueijer,TSAI Ming-Hsing,Liu Hsiao-Ping,Kao Yen-Shou. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

METHOD OF FORMING SELF ALIGNED GRIDS IN BSI IMAGE SENSOR

Номер патента: US20210280630A1. Автор: Lu Jiech-Fun,Tsao Tsun-Kai,Wu Wei Chuang,Chou Shih-Pei. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

METHODS OF FORMING SELF ALIGNED SPACERS FOR NANOWIRE DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180358436A1. Автор: Murthy Anand,Kim Seiyon,JAMBUNATHAN KARTHIK,KANG Jun Sung,GLASS Glenn. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-12-13.

Method of forming self-aligned poly for embedded flash

Номер патента: US20050127435A1. Автор: Han-Ping Chen,Chung-Yi Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Method of forming self-aligned poly for embedded flash

Номер патента: US7153744B2. Автор: Han-Ping Chen,Chung-Yi Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-12-26.

Method of forming self aligned grids in bsi image sensor

Номер патента: KR102300877B1. Автор: 웨이 추앙 우,춘-카이 차오,시-페이 초우,지에츠-펀 루. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-09-14.

Method of forming self-aligning contacting hole

Номер патента: JPS60216582A. Автор: シエン　テン　スウ. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1985-10-30.

Method of forming self-aligned stacked capacitor

Номер патента: US20020022321A1. Автор: Ching-ming Lee,Wunn-Shien Liao,Ky Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of forming self aligned grids and semiconductor structure for bsi image sensor

Номер патента: TW202018928A. Автор: 周世培,盧玠甫,吳尉壯,曹淳凱. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2020-05-16.

METHODS AND APPARATUSES TO FORM SELF-ALIGNED CAPS

Номер патента: US20150270224A1. Автор: Singh Kanwal Jit,Boyanov Boyan. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Forming self-aligned contacts on pillar structures

Номер патента: US20180308897A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Eugene J. O'Sullivan,Anthony J. Annunziata,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL OVERGROWTH FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS WITHOUT SPACER LOSS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Lauer Isaac,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin,Chu Jack Oon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-19.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES BY FORMING A SEMICONDUCTOR LAYER ABOVE SOURCE/DRAIN REGIONS PRIOR TO REMOVING A GATE CAP LAYER

Номер патента: US20140220756A1. Автор: Lutz Robert C.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

Bidirectional jfet and a process of forming the same

Номер патента: US20180061998A1. Автор: Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-03-01.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US8084840B2. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-27.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US20070013392A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-18.

Method of making stacked capacitor in memory device

Номер патента: US6358795B1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-03-19.

FORMING SELF-ALIGNED CONDUCTIVE LINES FOR RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORIES

Номер патента: US20160028002A1. Автор: Tortorelli Innocenzo,Petruzza Pietro,Pellizzer Fabio. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED AIRGAP INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20150054122A1. Автор: Lin Qinghuang,Fletcher Benjamin L.,Cabral Cyril. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS ON PILLAR STRUCTURES

Номер патента: US20180261649A1. Автор: "OSullivan Eugene J.",EDELSTEIN Daniel C.,Utomo Henry K.,Annunziata Anthony J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

FORMING SELF-ALIGNED CONDUCTIVE LINES FOR RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORIES

Номер патента: US20160293842A1. Автор: Tortorelli Innocenzo,Petruzza Pietro,Pellizzer Fabio. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-10-06.

FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS ON PILLAR STRUCTURES

Номер патента: US20180308897A1. Автор: "OSullivan Eugene J.",EDELSTEIN Daniel C.,Utomo Henry K.,Annunziata Anthony J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS ON PILLAR STRUCTURES

Номер патента: US20180308898A1. Автор: "OSullivan Eugene J.",EDELSTEIN Daniel C.,Utomo Henry K.,Annunziata Anthony J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

RECESSING RMG METAL GATE STACK FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20160372576A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Method for forming self-aligned dielectric cap above floating gate

Номер патента: US20100081267A1. Автор: Takashi Orimoto,Henry Chien,Vinod Robert Purayath,George Matamis,James K. Kai. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

method for forming self aligned field effect transistor structure

Номер патента: KR101070408B1. Автор: 백규하,도이미. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2011-10-06.

Method for forming self-aligned Schottky junctions for semiconductor devices

Номер патента: JP5001295B2. Автор: ミュラー マーカス. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-08-15.

Method and structure to form self-aligned selective-SOI

Номер патента: US7482656B2. Автор: Huilong Zhu,Yung Fu Chong,Zhijiong Luo,Judson R Holt,Kevin K Dezfulian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-27.

Method of forming poly insulator poly capacitors by using a self-aligned salicide process

Номер патента: US20050085046A1. Автор: Hao Fang,Jung-Cheng Kao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Method of inspecting a defect on a translucid film

Номер патента: US5907397A. Автор: Anchor Chen. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-05-25.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230378233A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of making an insulated gate bipolar transistor with high-energy P+ im

Номер патента: US5843796A. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1998-12-01.

MEMORY ELEMENTS USING SELF-ALIGNED PHASE CHANGE MATERIAL LAYERS AND METHODS OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20130248810A1. Автор: Liu Jun,Daley Jon,Violette Mike. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-09-26.

INSULATING INDUCTOR CONDUCTORS WITH AIR GAP USING ENERGY EVAPORATION MATERIAL (EEM)

Номер патента: US20200013551A1. Автор: Singh Sunil K.,SINGH Jagar. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2020-01-09.

MEMORY ELEMENTS USING SELF-ALIGNED PHASE CHANGE MATERIAL LAYERS AND METHODS OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20140117300A1. Автор: Liu Jun. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

MEMORY ELEMENTS USING SELF-ALIGNED PHASE CHANGE MATERIAL LAYERS AND METHODS OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20160035977A1. Автор: Liu Jun. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Memory elements using self-aligned phase change material layers and methods of manufacturing same

Номер патента: US9595672B2. Автор: Jun Liu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory elements using self-aligned phase change material layers and methods of manufacturing same

Номер патента: US9178141B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-03.

Insulating inductor conductors with air gap using energy evaporation material (EEM)

Номер патента: US10453605B2. Автор: Jagar Singh,Sunil K. Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Method of manufacturing flash memory device using self-aligned non-exposed pattern formation process

Номер патента: JP4128404B2. Автор: 大 ▲よう▼ 李,宰 翰 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-30.

DEVICES, STRUCTURES, AND METHODS USING SELF-ALIGNED RESISTIVE SOURCE EXTENSIONS

Номер патента: US20140117367A1. Автор: Zeng Jun,Blanchard Richard A.,Darwish Mohamed N.. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-01.

METHOD, APPARATUS, AND SYSTEM FOR IMPROVED MEMORY CELL DESIGN HAVING UNIDIRECTIONAL LAYOUT USING SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING

Номер патента: US20180040631A1. Автор: RASHED Mahbub,KIM JuHan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-02-08.

Solar Cell Emitter Region Fabrication Using Self-Aligned Implant and Cap

Номер патента: US20150162484A1. Автор: Weidman Timothy. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

Solar Cell Emitter Region Fabrication Using Self-Aligned Implant and Cap

Номер патента: US20170162729A1. Автор: Timothy Weidman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-08.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES USING SELF-ALIGNED PROCESS TO INCREASE DEVICE PACKING DENSITY

Номер патента: US20150194500A1. Автор: Chiu Tzu-Yin. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Method for forming thin film photovoltaic interconnects using self-aligned process

Номер патента: US20070232057A1. Автор: David Eaglesham,Peter Borden. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-10-04.

Charge coupled device manufacturing method using self-align process

Номер патента: KR920010433B1. Автор: 손동균. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1992-11-27.

Fabrication method for flash memory device using self-aligned non-exposure pattern formation process

Номер патента: KR100393228B1. Автор: 이재한,이대엽. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-07-31.

Method for forming thin film photovoltaic interconnects using self-aligned process

Номер патента: US7547570B2. Автор: David Eaglesham,Peter Borden. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-06-16.

Method for fabricating ccd using self-align

Номер патента: KR930000720B1. Автор: 이서규,용 박. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1993-01-30.

Apparatus, System, and Method for Tunneling Mosfets Using Self-Aligned Heterostructure Source and Isolated Drain

Номер патента: US20110278670A1. Автор: Chanro Park,Wei-Yip Loh,Kanghoon Jeon. Владелец: Sematech Inc. Дата публикации: 2011-11-17.

Capacitor Manufacturing Method Using Self Alignment

Номер патента: KR970012990A. Автор: 문철연. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-03-29.

Fabrication of solar cell emitter area using self-aligned implantation and capping

Номер патента: JP6543856B2. Автор: ウェイドマン、ティモシー. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2019-07-17.

Method and apparatus for a heterojunction bipolar transistor using self-aligned epitaxy

Номер патента: SG112041A1. Автор: Chu Shao-Fu Sanford,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Jian Xun Li,Raj Verma Purakh. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-06-29.

Backside gate via structure using self-aligned scheme

Номер патента: US20240297098A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG,Leon Sigal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Devices and methods of forming VFET with self-aligned replacement metal gates aligned to top spacer post top source drain EPI

Номер патента: US09773708B1. Автор: John Zhang,Kwan-Yong Lim,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Structures, lithographic mask forming solutions, mask forming methods, field emission display emitter mask forming methods, and methods of forming plural field emission display emitters

Номер патента: US20020006557A1. Автор: David Wells,Eric Knappenberger,James Alwan,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductive substrate processing methods and methods of processing a semiconductive substrate

Номер патента: US20030022076A1. Автор: David Wells,Eric Knappenberger,James Alwan,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor device with inductive component and method of forming

Номер патента: US20240234481A1. Автор: Kai Tzeng,Chi-Cheng Chen,Chun Yi Wu,Yuh-Sen Chang,Chi-Chun Peng,Szu-Shu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640761B2. Автор: Chungi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Photo diode and method of forming the same

Номер патента: US09356069B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Keng-Yu Chou,Chun-Hao Chuang,Tzu-Jui WANG,Ming-Chieh Hsu,Ren-Jie Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Hybrid ultrasonic transducer and method of forming the same

Номер патента: US10944041B1. Автор: Ching-Hui Lin,Chun-Ren Cheng,Fu-Chun Huang,Yi Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

Controlled collapse chip connection (c4) structure and methods of forming

Номер патента: US20140042630A1. Автор: Timothy H. Daubenspeck,David J. Hill,Timothy M. Sullivan,Stephen P. Ayotte,Glen E. Richard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Method of manufracturing structure of dielectric grid for a semiconductor device

Номер патента: US09419048B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Chi-Cherng Jeng,Yin-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of forming a metal pattern and method of manufacturing a display substrate

Номер патента: US20150380443A1. Автор: Hong-Sick Park,Young-Min Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Method of fabricating a bond pad structure

Номер патента: US9601446B2. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Yu-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of forming poly pattern in r-string of lcd drive ic and structure of the same

Номер патента: US20090096064A1. Автор: Byung-Ho Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Method of forming poly pattern in R-string of LCD drive IC and structure of the same

Номер патента: US7713830B2. Автор: Byung-Ho Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-11.

Low voltage drive ferroelectric capacitor and method of manufacturing same

Номер патента: US20040110309A1. Автор: Chao-Hsiung Wang,Tai-Bor Wu,Yuan-Chieh Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-06-10.

Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures

Номер патента: US09890039B2. Автор: Anthony K. Stamper,Jeffrey C. Maling,Russell T. Herrin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of forming a gate spacer

Номер патента: US09876098B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures

Номер патента: US09862598B2. Автор: Anthony K. Stamper,Jeffrey C. Maling,Russell T. Herrin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures

Номер патента: US09815690B2. Автор: Anthony K. Stamper,Jeffrey C. Maling,Russell T. Herrin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated magnetic core inductor and methods of fabrications thereof

Номер патента: US09799721B2. Автор: Yen-Shuo Su,Jiech-Fun Lu,Chun-Tsung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures

Номер патента: US09764944B2. Автор: Anthony K. Stamper,Jeffrey C. Maling,Russell T. Herrin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of fabricating a bond pad structure

Номер патента: US09601446B2. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Yu-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures

Номер патента: US09493343B2. Автор: Anthony K. Stamper,Jeffrey C. Maling,Russell T. Herrin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Light coupling device and methods of forming same

Номер патента: US09478939B2. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method of forming shielding layer over integrated passive device using conductive channels

Номер патента: US09324700B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-04-26.

Method of forming a dielectric collar for semiconductor wires

Номер патента: WO2021069310A1. Автор: Wei Sin Tan,Pierre Tchoulfian,Pamela Rueda Fonseca. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of forming memory device with physical vapor deposition system

Номер патента: US12035538B2. Автор: Chin-Szu Lee,Yu-Jen Chien,I-Pin CHIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of forming semiconductor structures including metal insulator metal capacitor

Номер патента: US10050103B2. Автор: Sheng Yu Lin,Chia-Wei Liu,Chun Hua CHANG,Fang-Ting KUO,Chien-Ying WU,Ren-Wei Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Method of forming semiconductor structures

Номер патента: US20170263694A1. Автор: Sheng Yu Lin,Chia-Wei Liu,Chun Hua CHANG,Fang-Ting KUO,Chien-Ying WU,Ren-Wei Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240266224A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Contact pad structure and method of forming the same

Номер патента: US20210384219A1. Автор: HAO Zhang,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yonggang YANG,Yiming AI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Method of forming monolithic cmos-mems hybrid integrated, packaged structures

Номер патента: WO2011003057A3. Автор: Nishit A. Choksi,Joseph M. Chalil,Krishna G. Kumar. Владелец: Advanced Microfab, LLC. Дата публикации: 2011-04-14.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20110272756A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20150235968A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Light emitting diode array with inactive implanted isolation regions and methods of forming the same

Номер патента: EP4427272A1. Автор: Saket Chadda,Zhen Chen,Shuke YAN. Владелец: GLO Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-11.

Method of forming an integrated circuit device including a pillar capped by barrier layer

Номер патента: US09627339B2. Автор: Wei Sen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of forming a memory and method of forming a memory array

Номер патента: US09362498B2. Автор: Robert Strenz,Klaus Knobloch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Method of manufacturing heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20130178037A1. Автор: Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Philippe Meunier-Beillard. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-07-11.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US9917268B1. Автор: Cheng-Hang Hsu,Hsiao-Wen Zan,Shao-Fu Peng. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180076402A1. Автор: Cheng-Hang Hsu,Hsiao-Wen Zan,Shao-Fu Peng. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device, and method of forming same

Номер патента: US12093627B2. Автор: Chung-Hui Chen,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09818938B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Magnetic memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US09583697B2. Автор: Minah Kang,Yong Sung Park,Sechung Oh,Keewon Kim,Soonoh Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of forming a solder bump on a substrate

Номер патента: US09520375B2. Автор: Kazushige Toriyama,Shintaro Yamamichi,Hiroyuki Mori,Toyohiro Aoki,Yasumitsu K. Orii. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

MIM capacitor and method of forming the same

Номер патента: US9577026B2. Автор: Chun-Chieh Huang,Pin-Cheng HSU,Chih-Wei Kao,Chia-Der Chang,Hsiao-Hui YU,Hao-Wen HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Mim capacitor and method of forming the same

Номер патента: US20150349047A1. Автор: Chun-Chieh Huang,Pin-Cheng HSU,Chih-Wei Kao,Chia-Der Chang,Hsiao-Hui YU,Hao-Wen HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Led device and method of manufacture

Номер патента: US20230290806A1. Автор: Muhammad Ali,Tongtong ZHU,Yingjun Liu. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of creating cigs photodiode for image sensor applications

Номер патента: US20210111297A1. Автор: Seshadri Ramaswami,Philip Hsin-Hua LI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of manufacturing a 3 color led integrated si cmos driver wafer using die to wafer bonding approach

Номер патента: US20190019915A1. Автор: Rahul Agarwal,Srinivasa Banna,Deepak Nayak,Luke England. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

FinFET Structures and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240304725A1. Автор: Yu-Sheng Wang,Chia-Ching Lee,Chi-Cheng Hung,Ching-Hwanq Su,Chung-Chiang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of forming post-passivation interconnect structure

Номер патента: US09953891B2. Автор: Ming-Che Ho,Chung-Shi Liu,Zheng-Yi Lim,Yi-Wen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of making photovoltaic device having high quantum efficiency

Номер патента: US09583655B2. Автор: Tzu-Huan CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Transistor devices having an anti-fuse configuration and methods of forming the same

Номер патента: US09431497B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Thin capped channel layers of semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20130230977A1. Автор: Pang-Yen Tsai,Shih-Hsun Chang,Che-Ting Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Method of making an image sensor with sidewall protection

Номер патента: US20210043675A1. Автор: Chia-Ping Lai,Chung-Chuan Tseng,Chiao-Chi Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of making an image sensor with sidewall protection

Номер патента: US11961866B2. Автор: Chia-Ping Lai,Chung-Chuan Tseng,Chiao-Chi Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20170288135A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20210367145A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Methods of forming semiconductor constructions

Номер патента: US7470590B2. Автор: Werner Juengling,Kunal R. Parekh,Steven M. McDonald. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-30.

Methods of forming semiconductor constructions

Номер патента: US20060231528A1. Автор: Werner Juengling,Steven McDonald,Kunal Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20170207385A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Methods of forming semiconductor constructions

Номер патента: US20050255701A1. Автор: Werner Juengling,Steven McDonald,Kunal Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-17.

Semiconductor die, a semiconductor die stack, a semiconductor module, and methods of forming the semiconductor die and the semiconductor die stack

Номер патента: US20240332241A1. Автор: Jin Woong Kim,Mi Seon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatus and method of forming chip package with waveguide for light coupling

Номер патента: US09831634B2. Автор: Kuo-Chung Yee,Chun-Hao Tseng,Ying-hao Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US09711713B1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of forming semiconductor structure with anti-punch through structure

Номер патента: US09595442B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Yao-De Chiou,Jui-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Package redistribution layer structure and method of forming same

Номер патента: US09548283B2. Автор: Yi-Wen WU,Hung-Jui Kuo,Tsung-Shu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Apparatus and method of forming laser chip package with waveguide for light coupling

Номер патента: US09488779B2. Автор: Kuo-Chung Yee,Chun-Hao Tseng,Ying-hao Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Package Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20150212270A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Method of forming openings in selected material

Номер патента: WO2008092186A8. Автор: Roland Yudadibrata Utama,Stuart Ross Wenham,Anita Wing Yi Ho-Baillie,Alison Lennon. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2009-09-24.

Method of manufacturing a temperature-compensated micromechanical resonator

Номер патента: US09742373B2. Автор: Mina Raieszadeh,Zhengzheng Wu,Vikram Atul Thakar,Adam Peczalski. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-08-22.

Package Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20190219762A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of forming split-gate memory cell array along with low and high voltage logic devices

Номер патента: US9496369B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory structure and method of forming the same

Номер патента: US20230292525A1. Автор: Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Harry-HakLay Chuang,Chien Ta Huang,Chia Chi Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Bond rings in semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09957156B2. Автор: Ping-Yin Liu,Chung-Yi Yu,Yeur-Luen Tu,Chih-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device including a resistor metallic layer and method of forming the same

Номер патента: US09673192B1. Автор: Douglas Dean Lopata,Jeffrey Demski,Jay Norton,Miguel Rojas-Gonzales. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

INSULATING INDUCTOR CONDUCTORS WITH AIR GAP USING ENERGY EVAPORATION MATERIAL (EEM)

Номер патента: US20190108942A1. Автор: Singh Sunil K.,SINGH Jagar. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-04-11.

Method of forming self-aligned mask ROM

Номер патента: US6420235B1. Автор: Ling-Sung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Memory cell, memory device, and methods of forming the same

Номер патента: SG11201806324UA. Автор: XINPENG WANG,Hideaki Fukuzawa,Jun Yu,Michael Han,Vladimir Bliznetsov. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2018-08-30.

Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group iii-v compound semiconductor layer

Номер патента: US20120207185A1. Автор: Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Micromagnetic device and method of forming the same

Номер патента: US20230307165A1. Автор: Amrit Panda,Trifon LIAKOPOULOS. Владелец: Enachip Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Nano Bubble Water Generator with Self-aligned Air Gap Structure

Номер патента: KR102150865B1. Автор: 윤상. Владелец: 주식회사 이앤에이치. Дата публикации: 2020-09-02.

Method of forming metal ion transistor

Номер патента: US20100184280A1. Автор: Fen Chen,Armin Fischer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Diodes, and methods of forming diodes

Номер патента: US8323995B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Method for forming self-aligned thermal isolation cell for a variable resistance memory array

Номер патента: TW200725810A. Автор: Erh-Kun Lai,Chia-Hua Ho,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-01.

Method to form self-aligned split gate flash with L-shaped wordline spacers

Номер патента: US6784039B2. Автор: Chia-Ta Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Cross-point magnetoresistive random memory array and method of making thereof using self-aligned patterning

Номер патента: US12041787B2. Автор: Lei Wan,Jordan Katine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Cross-point magnetoresistive random memory array and method of making thereof using self-aligned patterning

Номер патента: US12004356B2. Автор: Lei Wan,Jordan Katine,Tsai-Wei Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Cross-point magnetoresistive random memory array and method of making thereof using self-aligned patterning

Номер патента: US12004357B2. Автор: Lei Wan,Chu-Chen Fu,Jordan Katine,Tsai-Wei Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

1 bit local SONOS memory cell using self aligned etching and method of fabricating the same

Номер патента: KR100498507B1. Автор: 김용태,전희석,윤승범. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-07-01.

Phase change memory elements using self-aligned phase change material layers and methods of making and using the same

Номер патента: EP2325911A3. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-06.

Phase change memory elements using self-aligned phase change material layers and methods of making and using same

Номер патента: KR101067969B1. Автор: 준 리우. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2011-09-26.

Method for fabricating non-volatile memory device using self-aligned source process

Номер патента: KR100295149B1. Автор: 최정혁. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-07-12.

Method for manufacturing non-volatile memory device using self-aligned source process

Номер патента: KR19990075948A. Автор: 최정혁. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-15.

Nonvolatile memory cell formed using self aligned source implant

Номер патента: US5656513A. Автор: Hsingya Arthur Wang,James Juen Hsu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-08-12.

Phase change memory fabricated using self-aligned processing

Номер патента: KR100807677B1. Автор: 토마스 하프,울리케 그루에닝 폰 쉬버린. Владелец: 키몬다 아게. Дата публикации: 2008-02-28.

Method for manufacturing local SONOS device using self aligning

Номер патента: KR100585107B1. Автор: 김성균,최용석,김재황,윤승범. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-30.

Phase change memory fabricated using self-aligned processing

Номер патента: US7362608B2. Автор: Thomas Happ,Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-04-22.

Method of forming self-aligned V-grooves and waveguides

Номер патента: IE913491A1. Автор: Anthony David Welbourn. Владелец: British Telecomm. Дата публикации: 1992-04-22.

Method of forming self-aligned v-grooves and waveguides

Номер патента: IE79653B1. Автор: Anthony David Welbourn. Владелец: British Telecomm. Дата публикации: 1998-05-20.

Manufacturing method of magnetoresistive effect element, manufacturing method of thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US20070279801A1. Автор: Takeo Kagami,Naoki Ohta. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Processing methods of forming integrated circuitry memory devices, methods of forming DRAM arrays, and related semiconductor masks

Номер патента: US20010051409A1. Автор: Kris Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Processing methods of forming integrated circuitry memory devices, methods of forming DRAM arrays, and related semiconductor masks

Номер патента: US20030003654A1. Автор: Kris Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Method of making piezoelectric microphone with deflection control

Номер патента: US11963452B2. Автор: NAGARAJAN Ranganathan,Rakesh Kumar,Jia Jie Xia,Minu Prabhachandran NAIR. Владелец: Vanguard International Semiconductor SIngapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Magnetic tunnel junction and method of fabrication

Номер патента: WO2010048259A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee,Matthew Nowak. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-04-29.

Phase-change memory and method of forming same

Номер патента: US12075713B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Hinged MEMS diaphragm, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09906869B2. Автор: Ronald N. Miles,Weili Cui. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of forming a non-volatile memory array

Номер патента: US5661054A. Автор: Roger Lee,Ralph Kauffman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-08-26.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20230200254A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of forming conformal barrier layers for protection of thermoelectric materials

Номер патента: EP2643494A1. Автор: Charles A. Paulson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Method of forming conformal barrier layers for protection of thermoelectric materials

Номер патента: WO2012071173A1. Автор: Charles A. Paulson. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2012-05-31.

Three-dimensional memory device and method of making thereof including non-conformal selective deposition of spacers in memory openings

Номер патента: US20240244844A1. Автор: Senaka Kanakamedala,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing component built-in module and component built-in module

Номер патента: US20120218721A1. Автор: Shigeo Nishimura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Three-dimensional memory device containing composite word lines including a respective fluorine-free capping sublayer and methods of forming the same

Номер патента: US20240306386A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Yusuke Mukae,Tatsuya Hinoue,Shungo ASAEDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Three-dimensional memory device containing composite word lines including a respective fluorine-free capping sublayer and methods of forming the same

Номер патента: WO2024186381A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Yusuke Mukae,Tatsuya Hinoue,Shungo ASAEDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of reducing undesired light influence in extreme ultraviolet exposure

Номер патента: US20240295820A1. Автор: BO-TSUN Liu,Chih-Tsung Shih,Yahru CHENG,Tsung Chuan LEE,Chen-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for forming self-aligned overlay mark

Номер патента: US8664077B2. Автор: David Pratt,Vinay Nair,Christopher Hawk,Richard Housley. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-03-04.

Method for forming self aligning contact window structure on semiconductor substrate

Номер патента: CN1365137A. Автор: 曾鸿辉. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-08-21.

Method of reducing undesired light influence in extreme ultraviolet exposure

Номер патента: US12013641B2. Автор: BO-TSUN Liu,Chih-Tsung Shih,Yahru CHENG,Tsung Chuan LEE,Chen-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Self-aligning cap nut for use with a spinal rod anchor

Номер патента: CA2398118A1. Автор: Rolando M. Puno,Philip A. Mellinger,Joseph A. Perra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Methods of Patterning Wafers Using Self-Aligned Double Patterning Processes

Номер патента: US20150193570A1. Автор: JEONG MOON-GYU. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Systems and methods for remote sensing of air gaps using a capacitor sensor array

Номер патента: US20200309504A1. Автор: John E. Rogers,Robert A. Smith,Michael Francis Mitchell,Ted Ronald Dabrowski,Corey McKinney Thacker,Timothy Doyle Messer. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-10-01.

METHODS AND SYSTEMS FOR ESTIMATING ROAD SURFACE FRICTION COEFFICIENT USING SELF ALIGNING TORQUE

Номер патента: US20160101782A1. Автор: Ghoneim Youssef A.,Sidlosky David M.,ZHANG Qi,BOATMAN VALARIE V.,Litkouhi Bakhtiar B.,Zhao Qingrong,Ahmed Sami,SI YINGMEI. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Methods and systems for estimating road surface friction coefficient using self aligning torque

Номер патента: US20160101782A1. Автор: Qi Zhang,Youssef A. Ghoneim,Bakhtiar B. Litkouhi,David M. Sidlosky,Qingrong Zhao,Sami Ahmed,Yingmei Si,Valarie V. Boatman. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-04-14.

Building of optomechanical systems using self-aligned reference balls

Номер патента: CA3132956C. Автор: Nichola Desnoyers,Frederic Lamontagne,Martin Grenier,Mathieu Legros. Владелец: Institut National dOptique. Дата публикации: 2024-02-13.

Optical fiber interconnections using self-aligned core extensions

Номер патента: WO1995014947A1. Автор: SANG K SHEEM. Владелец: Sheem, Sang, K.. Дата публикации: 1995-06-01.

Optical fiber interconnections using self-aligned core extensions

Номер патента: AU1259895A. Автор: Sang K. Sheem. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-06-13.

Optical fiber couplers using self-aligned core-extensions, and their manufacturing methods

Номер патента: GB9401365D0. Автор: . Владелец: SHEEM SUSAN K. Дата публикации: 1994-03-23.

Optical fiber couplers using self-aligned core-extensions, and their manufacturing methods

Номер патента: AU5489994A. Автор: Sang Keun Sheem,Susan Kim Sheem. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-08-10.

Phase change of a recording layer under a temporary capping layer

Номер патента: EP1265235A3. Автор: Heon Lee,Robert Bicknell-Tassius. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-09-17.

Photomask with enhanced contamination control and method of forming the same

Номер патента: US20210063869A1. Автор: Chien-Hung Lai,Chih-Tsung Shih,Hao-Ming Chang,Yu-Hsun Wu,Chia-Shih Lin,Yu-Hsin Hsu,Hsuan-Wen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method Of Critical Dimension Control By Oxygen And Nitrogen Plasma Treatment In Euv Mask

Номер патента: US20240264520A1. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien,Chun-Fu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing a wire grid polarizer for a display apparatus

Номер патента: US10401676B2. Автор: Sungman KIM,Junho Song,Seon Uk LEE,Tae Hyung HWANG,Seongsu Lim,Hanjun YU. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US09493347B2. Автор: Yi-Shao LIU,Allen Timothy Chang,Wen-Hsiang Lin,Chun-Ren Cheng,Yi-Hsien Chang,Ching-Ray Chen,Yeh-Tseng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of manufacturing an analytical sample and method of analyzing an analytical sample

Номер патента: US7932097B2. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-26.

Method of manufacturing an analytical sample and method of analyzing an analytical sample

Номер патента: US20100171034A1. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Method of manufacturing an analytical sample and method of analyzing an analytical sample

Номер патента: US20110031390A1. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-10.

Method of manufacturing an analytical sample and method of analyzing an analytical sample

Номер патента: US7846741B2. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-07.

Mechanical layer and methods of making the same

Номер патента: WO2012148777A1. Автор: FAN Zhong,YI Tao,Hojin Lee. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-11-01.

A method of forming a composite article in a mold

Номер патента: CA2648485A1. Автор: David DeBiasi,Jon P. Pavlinac. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Method of forming super-paramagnetic cladding material on conductive lines of MRAM devices

Номер патента: US20070014146A1. Автор: Po-Kang Wang,Yimin Guo. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2007-01-18.

Implantable devices and methods of forming the same

Номер патента: EP2077797A2. Автор: S. Eric Ryan,Richard Sahagian. Владелец: Cornova Inc. Дата публикации: 2009-07-15.

Method of forming super-paramagnetic cladding material on conductive lines of mram devices

Номер патента: WO2007008280A2. Автор: Po-Kang Wang,Yimin Guo. Владелец: MAGIC TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2007-01-18.

DFL read head with SiOx cap layer on AlOx refill layers

Номер патента: US12106787B1. Автор: Ming Jiang,Guanxiong Li,Ming Mao,Chih-Ching Hu,Yung-Hung Wang,Chen-Jung Chien,Hongxue LIU. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Implantable devices and methods of forming the same

Номер патента: WO2008027871A3. Автор: Richard Sahagian,S Eric Ryan. Владелец: S Eric Ryan. Дата публикации: 2008-11-27.

Methods of forming a gyroscope sensor and a structure for a gyroscope sensors

Номер патента: US09677884B2. Автор: Shang-Ying Tsai,Jung-Huei Peng,Jiou-Kang Lee,Chun-Ren Cheng,Ting-Hau Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Self-sealing fuel tank and method of forming a self-sealing fuel tank

Номер патента: CA3217967A1. Автор: Larry W. Stuck,Colin G. Vogel,Flavien P. Montange,Daniel T. Bruder. Владелец: HUTCHINSON SA. Дата публикации: 2022-11-10.

Silver-containing solution and method of forming silver catalyst layer in chemical plating

Номер патента: US12023653B2. Автор: Hung-Yuan Hsieh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-07-02.

Edge coupler and method of forming the same

Номер патента: US20240069276A1. Автор: Chewn-Pu Jou,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Composites and methods of forming composites having an increased volume of ceramic particles

Номер патента: US12036782B2. Автор: Christopher T. Kirkpatrick. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of preparing pure precious metal nanoparticles with large fraction of (100) facets, nanoparticles obtained by this method and their use

Номер патента: RU2661137C2. Автор: Адам ЛЕВЕРА,Рафаль ЮРЧАКОВСКИ,Юстина ПИВОВАР,Барбара ГРАЛЕЦ. Владелец: Университет Варшавски. Дата публикации: 2018-07-11.

Decoration article having clear layer and method of forming the same

Номер патента: US09789895B2. Автор: Takayuki Ito,Kenichiro Yasui,Kazuya WATAKABE. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming self-aligned rugged crown-shaped capacitor of high-density dynamic random access memory

Номер патента: TW425702B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-03-11.

Fabrication method of forming self-aligned salicide

Номер патента: TW281788B. Автор: Ming-Jong Yang,Bor-Ren Jeng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-07-21.

Method of forming self-aligned silicide by double ion implantation

Номер патента: TW418449B. Автор: Chi-Ming Yang,Jau-Jie Tsai,Shou-Ren Jang,Jeng-Kuen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-01-11.

Method of forming self-aligned salicide

Номер патента: TW308721B. Автор: Jiunn-Shyan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-06-21.

Method of forming self-aligned contacts

Номер патента: TW200423234A. Автор: Pei-Ren Jeng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

Method of forming self-aligned contacts

Номер патента: TWI221639B. Автор: Pei-Ren Jeng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-01.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED USING REPLACEMENT GATE TECHNIQUES

Номер патента: US20130288468A1. Автор: Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED THROUGH SILICON VIA

Номер патента: US20130065393A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,Stamper Anthony K.,LEIDY Robert K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-14.

Method of Forming Self-Aligned Contacts for a Semiconductor Device

Номер патента: US20130189833A1. Автор: Baars Peter,Wei Andy,Geiss Erik,Mazur Martin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-07-25.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130288471A1. Автор: Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

Method of forming self-aligned metal silicide

Номер патента: TWI251272B. Автор: Erh-Kun Lai,Tung-Cheng Kuo,Shou-Wei Hwang,Yu-Ping Huang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-11.

Method of forming self-aligned salicide

Номер патента: TW304279B. Автор: Jenn-Hwa Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-05-01.

Manufacturing method of forming self-aligned twin-tub well on semiconductor substrate

Номер патента: TW301769B. Автор: Jyi-Shyi Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1997-04-01.

SELF-FORMING, SELF-ALIGNED BARRIERS FOR BACK-END INTERCONNECTS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120248608A1. Автор: Yoo Hui Jae,Bielefeld Jeffery D.,King Sean W.,Balakrishnan Sridhar. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

Integrally formed self aligning bearing

Номер патента: AU220369B2. Автор: Mills Ready Graeme. Владелец: Individual. Дата публикации: 1957-11-07.

Method for forming self-aligned, rugged, and extended crown-shaped capacitor of high density random access memory (RAM)

Номер патента: TW480711B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-03-21.

Method for forming self-aligned trench isolation

Номер патента: TW492140B. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2002-06-21.

Structure and method for forming self-aligned bipolar junction transistor with expitaxy base

Номер патента: TW546809B. Автор: Shu-Ya Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-08-11.

Integrally formed self aligning bearing

Номер патента: AU2197556A. Автор: Mills Ready Graeme. Владелец: Individual. Дата публикации: 1957-11-07.

Process for forming self-aligned multi-level interconnect structure

Номер патента: TW444335B. Автор: Hsu-Li Cheng,Erik S Jeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2001-07-01.

METHODS TO FORM SELF-ALIGNED PERMANENT ON-CHIP INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20120018891A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-26.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20120267727A1. Автор: . Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-25.

METHODS TO FORM SELF-ALIGNED PERMANENT ON-CHIP INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20130001801A1. Автор: Lin Qinghuang. Владелец: INTERNATIOANL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED OVERLAY MARK

Номер патента: US20130210213A1. Автор: Pratt David,Nair Vinay,Hawk Christopher,Housley Richard. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR950025876A. Автор: 남종완,권성우. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-09-18.

Method for forming self-aligned metallic silicide

Номер патента: CN102044422B. Автор: 聂佳相,卢炯平,杨瑞鹏,孔祥涛. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-07-04.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR19990074362A. Автор: 염계희. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-05.

Method for forming self-aligned metal silicide at source/drain region of device

Номер патента: CN101866841B. Автор: 陈雄斌,陈瑜,熊涛,陈华伦,罗啸. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-18.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR950007100A. Автор: 성진모. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-03-21.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR940007990A. Автор: 김진웅,손곤. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-04-28.

Method for forming self-aligning contact window structure

Номер патента: CN1290158C. Автор: 董明圣,李岳川. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-13.

Method for using dual damascene trench to form self-aligned mask ROM

Номер патента: TW477003B. Автор: Pei-Ren Jeng,Tzung-Ye Li,Wei-Min Jung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Method for forming self-alignment metal salicide CMOS semi transistor

Номер патента: TW366566B. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-11.

Making process for forming self-alignment contact plug useful in an embedded random access memory

Номер патента: TW385529B. Автор: Jen-Ye Shr. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-03-21.

Method for forming self-aligned metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: TW563189B. Автор: Ding-Jang Jang,Huang-Jung Jeng,Jeng-Jie Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-11-21.

Manufacturing method of mask read only memory capable of using self-aligned silicide

Номер патента: TWI251336B. Автор: Shuang-Feng Ye. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2006-03-11.

Manufacturing method of mask read only memory capable of using self-aligned silicide

Номер патента: TW200623397A. Автор: Shuang-Feng Ye. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2006-07-01.

Method of manufacturing vertical-cavity surface-emitting laser mode selection by using self-aligned technique

Номер патента: TW200743911A. Автор: Sun-Jian Ke,Feng-Min Li. Владелец: Chunghwa Telecom Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-01.

Method of using self-aligned metal silicide bridging to form interconnects

Номер патента: TWI225284B. Автор: Shr-De Tzeng,Guo-Hau Rau. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-12-11.

Method for manufacturing high voltage and low voltage metal oxide semiconductor transistor using self-aligned silicide process

Номер патента: TW434707B. Автор: Jian-Guo Yang,Wei-Tsung Chen,Ching-Jiun Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-16.

Method for manufacturing capacitor using self-aligned etching process

Номер патента: TW473992B. Автор: Ching-Yu Jang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-21.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF USE OF TARGETING PEPTIDES FOR DIAGNOSIS AND THERAPY OF HUMAN CANCER

Номер патента: US20120003152A1. Автор: Pasqualini Renata,Arap Wadih,KOLONIN Mikhail G.,Mintz Paul J.,Zurita Amado J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of support of mine workings and device for its embodiment

Номер патента: RU2087720C1. Автор: М.И. Смирнов,С.Л. Акакиев,С.В. Самойлов,Ю.Ф. Зайцев. Владелец: Воркутинское производственное объединение по добыче угля "Воркутауголь". Дата публикации: 1997-08-20.

Method of Making a Combustion Turbine Component Having a Plurality of Surface Cooling Features and Associated Components

Номер патента: US20120000072A9. Автор: James Allister W.,Morrison Jay A.,Merrill Gary B.,Fraser Iain A.,Paulus John R.,Lane Jay E.,Appleby Mike P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Refining The Grain Structure Of Alloys

Номер патента: US20120000317A1. Автор: Flemings Merton C.,Ragone David V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Nanostructured Mn-Al Permanent Magnets And Methods of Producing Same

Номер патента: US20120003114A1. Автор: Zeng Qi,Baker Ian. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.