Adjustable self-aligned air gap dielectric for low capacitance wiring .

Adjustable self-aligned air gap dielectric for low capacitance wiring

Номер патента: US7071532B2
Опубликовано: 04-07-2006
Автор(ы): Robert M. Geffken, William T. Motsiff
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Adjustable self-aligned air gap dielectric for low capacitance wiring

Номер патента: US20050067673A1. Автор: Robert Geffken,William Motsiff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-31.

Contact having self-aligned air gap spacers

Номер патента: US09768118B1. Автор: Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nanosheet MOSFET with full-height air-gap spacer

Номер патента: US09853132B2. Автор: Michael A. Guillorn,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

FinFETs with air-gap spacers and methods for forming the same

Номер патента: US09831346B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of forming an air gap semiconductor structure with selective cap bilayer

Номер патента: US09711455B2. Автор: Elbert E. Huang,Stephen M. Gates,Christopher J. Penny,Deepika Priyadarshini,Dimitri R. Kioussis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Nanosheet MOSFET with full-height air-gap spacer

Номер патента: US9508829B1. Автор: Michael A. Guillorn,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device having an air gap between a contact pad and a sidewall of contact hole

Номер патента: US12057396B2. Автор: Yong Woo HYUNG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09627252B2. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Finfet structure with controlled air gaps

Номер патента: US20230386904A1. Автор: Hua Feng Chen,Kuo-Hua Pan,Min-Yann Hsieh,Wen-Che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

FinFET structure with controlled air gaps

Номер патента: US11804402B2. Автор: Hua Feng Chen,Kuo-Hua Pan,Min-Yann Hsieh,Wen-Che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Microstructure device including a metallization structure with self-aligned air gaps and refilled air gap exclusion zones

Номер патента: US20100219534A1. Автор: Thomas Werner,Robert Seidel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-09-02.

Microstructure device including a metallization structure with self-aligned air gaps formed based on a sacrificial material

Номер патента: US20100301489A1. Автор: Thomas Werner,Robert Seidel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

CONTACT HAVING SELF-ALIGNED AIR GAP SPACERS

Номер патента: US20180082951A1. Автор: Yang Chih-Chao,Wang Junli,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Microstructure device including a metallization structure with self-aligned air gaps between closely spaced metal lines

Номер патента: US20100133648A1. Автор: Markus Nopper,Axel Preusse,Robert Seidel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09514980B2. Автор: Seung-Hee Hong,Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Nam-Yeal Lee,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20150371891A1. Автор: Seung-Hee Hong,Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Nam-Yeal Lee,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: US20230290677A1. Автор: Jeffrey Smith,Robert D. Clark,Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: WO2023172892A1. Автор: Robert Clark,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor structure having air gap dielectric and method of preparing the same

Номер патента: US20240055296A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure having air gap dielectric and method of preparing the same

Номер патента: US20230369101A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device having metallization layer with low capacitance and method for manufacturing the same

Номер патента: US12062572B2. Автор: Shau-Lin Shue,Gary Liu,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Cherng-Shiaw Tsai,Kuang-Wei Yang,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Structure including discrete dielectric member for protecting first air gap during forming of second air gap

Номер патента: US20230402317A1. Автор: Juan Boon Tan,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Air gaps in a multilayer integrated circuit and method of making same

Номер патента: US20110241220A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor devices having staggered air gaps

Номер патента: US09748170B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device including air gaps and method of fabricating the same

Номер патента: US09627253B2. Автор: Min-ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device having metallization layer with low capacitance and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230260831A1. Автор: Shau-Lin Shue,Gary Liu,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Cherng-Shiaw Tsai,Kuang-Wei Yang,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Integrated circuit interconnect structure having discontinuous barrier layer and air gap

Номер патента: US20240290653A1. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Chin-Lung Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Enhancing barrier in air gap technology

Номер патента: US09847295B2. Автор: Wei Lin,Takeshi Nogami. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device with air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US09786598B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: US20240332166A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: EP4443483A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

BEOL vertical fuse formed over air gap

Номер патента: US09997454B2. Автор: Christopher J. Penny,Marc A. Bergendahl,James J. Demarest,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

BEOL vertical fuse formed over air gap

Номер патента: US09666528B1. Автор: Christopher J. Penny,Marc A. Bergendahl,James J. Demarest,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Enhancing barrier in air gap technology

Номер патента: US10332837B2. Автор: Wei Lin,Takeshi Nogami. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-25.

Semiconductor interconnect structure with air gap for reducing intralayer capacitance in metal layers in damascene metalization process

Номер патента: US5949143A. Автор: David Bang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-09-07.

Integrated circuit interconnect structure having discontinuous barrier layer and air gap

Номер патента: US11978663B2. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Chin-Lung Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Air-Gap Containing Metal Interconnects

Номер патента: US20200273743A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Kisik Choi,Kenneth C. K. Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device structure having air gap

Номер патента: US20240282623A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor devices including an air gap adjacent to an interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240347380A1. Автор: Anthony Jeremy Villalon. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device including air gaps between interconnects and method of manufacturing the same

Номер патента: US09922940B2. Автор: Takashi Watanabe,Takeshi Arakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Air gap with inverted t-shaped lower portion extending through at least one metal layer, and related method

Номер патента: US20230411208A1. Автор: LIU Xinfu,Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wensheng Deng,Kemao LIN,Yanxia Shao,Shucheng Yin,Jason Kin Wei Wong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for preparing semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20220059398A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device with air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20140357076A1. Автор: Hyung-Kyun Kim,Jae-Soo Kim,Yong-Soo JOUNG,Dong-Gun HWANG,Kyoung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor device containing bit lines separated by air gaps and methods for forming the same

Номер патента: WO2022203703A1. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor structure with air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240038586A1. Автор: Hsiao-Kang Chang,Kai-Fang CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Air-dielectric for subtractive etch line and via metallization

Номер патента: US20140203453A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,Elbert Huang,David V. Horak,Charles W. Koburger, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230411209A1. Автор: Keng-Chu Lin,Hung-Yu Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device structure having air gap and methods of forming the same

Номер патента: US20230386901A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Circuit structure including at least one air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240304523A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Circuit structure including at least one air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240304522A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Middle-of-line interconnect structure having air gap and method of fabrication thereof

Номер патента: US12142520B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Integrated circuit structure with air gap and manufacturing method thereof

Номер патента: CN100372113C. Автор: 李大为,杨名声,卢火铁,王光志. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-02-27.

Multi-barrier deposition for air gap formation

Номер патента: US10483161B2. Автор: Hsiang-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-19.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210175116A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device containing bit lines separated by air gaps and methods for forming the same

Номер патента: US11984395B2. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device structure having air gap and method for forming the same

Номер патента: US11972975B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Air gap in beol interconnect

Номер патента: US20240312834A1. Автор: Son Nguyen,Chih-Chao Yang,Ashim Dutta,Matthew T. Shoudy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Advanced BEOL interconnect structure containing uniform air gaps

Номер патента: US09786553B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Air gap between tungsten metal lines for interconnects with reduced RC delay

Номер патента: US09425096B2. Автор: Matthew Michael Nowak,Jeffrey Junhao XU,Shiqun Gu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device structure with interconnect structure having air gap

Номер патента: US12068193B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structure with interconnect structure having air gap

Номер патента: US20240347381A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Interconnect structure with air-gaps

Номер патента: US09875967B2. Автор: Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09837490B2. Автор: Tae-Woo Jung,Hae-Jung Park,Jung-Taik Cheong,Yun-Je CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Air-gap scheme for BEOL process

Номер патента: US09449811B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jen-Pan Wang,Chih-Fu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Air gap between tungsten metal lines for interconnects with reduced rc delay

Номер патента: WO2016010841A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Jeffrey Junhao XU,Shiqun Gu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-01-21.

Method of Forming an Interconnect Structure Having an Air Gap and Structure Thereof

Номер патента: US20230275025A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device having air-gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US9589898B2. Автор: Jae Houb CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Vertical memory stucture with air gaps and method for preparing the same

Номер патента: US20240357821A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device comprising a conductive layer having an air gap

Номер патента: US09972639B2. Автор: Ju Hak Song,Seon Kyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of forming an interconnect structure having an air gap and structure thereof

Номер патента: US09917058B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Self-aligned via and air gap

Номер патента: US09842801B2. Автор: Mark A. Zaleski,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09698097B2. Автор: Seung-Jin Yeom,Nam-Yeal Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device having air-gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US09589898B2. Автор: Jae Houb CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of forming an interconnect structure having an air gap and structure thereof

Номер патента: US09496169B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Wet etch process and methods to form air gaps between metal interconnects

Номер патента: US20240087950A1. Автор: Shan Hu,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Wet etch process and methods to form air gaps between metal interconnects

Номер патента: WO2024058875A1. Автор: Shan Hu,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter D'ELIA. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-21.

Multi-level air gap formation in dual-damascene structure

Номер патента: US9859212B1. Автор: Richard A. Conti,Son V. Nguyen,Jeffrey C. SHEARER,Jessica Dechene,Susan S. FAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20160247760A1. Автор: Seung-Jin Yeom,Nam-Yeal Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device with air gap below landing pad and method for forming the same

Номер патента: US11894304B2. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Vertical memory structure with air gaps and method for preparing the same

Номер патента: US20210320117A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Vertical memory structure with air gaps and method for preparing the same

Номер патента: US20230354607A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for preparing vertical memory structure with air gaps

Номер патента: US11877455B2. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for preparing semiconductor die structure with air gaps

Номер патента: US11764108B2. Автор: Pei-Cheng Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of Forming an Interconnect Structure Having an Air Gap and Structure Thereof

Номер патента: US20180204801A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Method for preparing semiconductor memory device with air gaps between conductive features

Номер патента: US20220059544A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Method for fabricating a semiconductor device with air gaps

Номер патента: US20210320030A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Structure and Method for a Low-K Dielectric With Pillar-Type Air-Gaps

Номер патента: US20230369228A1. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for preparing semiconductor device with air gap

Номер патента: US11705364B2. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor memory device with air gaps between conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20210327882A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Vertical memory structure with air gaps and method for preparing the same

Номер патента: US20240057334A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Self-aligned via and air gap

Номер патента: US20160260666A1. Автор: Mark A. Zaleski,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method for preparing semiconductor device with air gap

Номер патента: US20210296158A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20210366762A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Microelectronic devices having air gap structures integrated with interconnect for reduced parasitic capacitances

Номер патента: US20210202374A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Microelectronic devices having air gap structures integrated with interconnect for reduced parasitic capacitances

Номер патента: US20190304896A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210090939A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240170403A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chia-Wei Su,Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device with air gap below landing pad and method for forming the same

Номер патента: US12051648B2. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device structure integrating air gaps and methods of forming the same

Номер патента: US12068372B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Self-forming barrier for use in air gap formation

Номер патента: US20200402849A1. Автор: Takeshi Nogami,Benjamin D. Briggs,Elbert Huang,Christopher J. Penny. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Self-forming barrier for use in air gap formation

Номер патента: US20230335438A1. Автор: Takeshi Nogami,Benjamin D. Briggs,Elbert Huang,Christopher J. Penny. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device containing bit lines separated by air gaps and methods for forming the same

Номер патента: US12096636B2. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US12087620B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Air gap structure and method

Номер патента: US09991200B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Multi-barrier deposition for air gap formation

Номер патента: US09728447B2. Автор: Hsiang-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Air-gap forming techniques for interconnect structures

Номер патента: US09633897B2. Автор: Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Air gap forming techniques based on anodic alumina for interconnect structures

Номер патента: US09583383B2. Автор: Chia-Tien Wu,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Air gap forming techniques based on anodic alumina for interconnect structures

Номер патента: US09412652B2. Автор: Chia-Tien Wu,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Air gaps structures for damascene metal patterning

Номер патента: US09401305B2. Автор: Yuji Takahashi,Satoshi Kamata,Takuya Futase,Yoko Furihata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor device containing bit lines separated by air gaps and methods for forming the same

Номер патента: US20230089578A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device having air gap structures and method of fabricating thereof

Номер патента: US9496224B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US11923306B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chia-Wei Su,Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor chip with stacked conductor lines and air gaps

Номер патента: EP3953964A1. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-02-16.

Interconnect structure with air-gaps

Номер патента: US11842962B2. Автор: Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Air gap forming techniques based on anodic alumina for interconnect structures

Номер патента: US20160343606A1. Автор: Chia-Tien Wu,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Air gap forming techniques based on anodic alumina for interconnect structures

Номер патента: US20150194383A1. Автор: Chia-Tien Wu,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device with air gap below landing pad and method for forming the same

Номер патента: US20240006321A1. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor chip with stacked conductor lines and air gaps

Номер патента: US11742289B2. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Middle-Of-Line Interconnect Structure Having Air Gap And Method Of Fabrication Thereof

Номер патента: US20230360966A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for preparing semiconductor device with air gap

Номер патента: US20230298933A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor chip with stacked conductor lines and air gaps

Номер патента: US20200328155A1. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory device with air gaps for reducing capacitive coupling

Номер патента: US20210407908A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for preparing semiconductor device with air gap

Номер патента: US11978662B2. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09640426B2. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Methods of making integrated circuits including air gaps around interconnect structures

Номер патента: US9147602B2. Автор: Chih-hao Chen,Chii-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-29.

Semiconductor device having air-gap

Номер патента: US09824726B2. Автор: Dong-wan Kim,Jung-Hoon Han,Ju-Ik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device including air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US09425200B2. Автор: Do-Hyung Kim,Seung-Bum Kim,Noh-Jung Kwak,Dae-Sik Park,Chang-Youn Hwang,Se-Han Kwon,Yun-Je CHOI,Doo-Sung JUNG,Hong-Gu Yi,Ki-Soo CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device having air-gap

Номер патента: US9379002B2. Автор: Dong-wan Kim,Jung-Hoon Han,Ju-Ik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12022648B2. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20230238276A1. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for manufacturing a semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20240008261A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Interconnect having air gaps and polymer wrapped conductive lines

Номер патента: US09496170B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Hsiang-Huan Lee,Hsi-Wen Tien,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device (alternatives) and method for organizing air gaps inside structure (alternatives)

Номер патента: RU2204181C2. Автор: Сью Энн Бидструп АЛЛЕН,Пол Э. КОЛ,Кианг ЧЖАО. Владелец: Джорджиэ Тек Рисеч Копэрейшн. Дата публикации: 2003-05-10.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20210098389A1. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of manufacturing semiconductor structure having air gap

Номер патента: US11823951B2. Автор: Yao-Hsiung Kung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device having air gap spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20180158718A1. Автор: Dong Jun Lee,Ji Young Kim,Dong Ryul Lee,Chang Hyun Cho,Chan Sic YOON,Ji Min CHOI,Joong Chan SHIN,Ho Ouk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor Devices with Backside Air Gap Dielectric

Номер патента: US20210375691A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor devices with backside air gap dielectric

Номер патента: US20230298943A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor devices with backside air gap dielectric

Номер патента: US20220367284A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of forming high density, high shorting margin, and low capacitance interconnects by alternating recessed trenches

Номер патента: US09911694B2. Автор: Christopher J. Jezewski,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices

Номер патента: US09892961B1. Автор: Kangguo Cheng,Son V. Nguyen,Chanro Park,Tenko Yamashita,Juntao Li,Sanjay C. Mehta,Eric G. Liniger,Thomas J. Haigh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Forming air gap

Номер патента: US20180076082A1. Автор: Naftali E. Lustig,Elbert E. Huang,Griselda Bonilla,Andrew H. Simon,Ronald G. Filippi,Samuel S. Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor structure with an air gap

Номер патента: US20210242110A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chih-Jung Wang,Ching-Pin Hsu,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor structure with an air gap

Номер патента: EP4340041A2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chih-Jung Wang,Ching-Pin Hsu,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-20.

Semiconductor structure with an air gap

Номер патента: US20220068766A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chih-Jung Wang,Ching-Pin Hsu,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor structure with an air gap

Номер патента: EP4340041A3. Автор: PURAKH Raj Verma,Chih-Jung Wang,Ching-Pin Hsu,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-12.

Interconnect structures incorporating air-gap spacers

Номер патента: US09673087B2. Автор: Shom Ponoth,Satya V. Nitta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for manufacturing interconnect structures incorporating air gap spacers

Номер патента: US09613851B2. Автор: Shom Ponoth,Satya V. Nitta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Integrated two-terminal fuse-antifuse and fuse and integrated two-terminal fuse-antifuse structures incorporating an air gap

Номер патента: US5903041A. Автор: Chun-Mai Liu,Yu-Lin Lee,Scott Graham,Michael David La Fleur,Ralph Whitten,Alan E. Comer. Владелец: Aptix Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Air gap seal for interconnect air gap and method of fabricating thereof

Номер патента: US11996353B2. Автор: Xusheng Wu,Youbo LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Air Gap Seal for Interconnect Air Gap and Method of Fabricating Thereof

Номер патента: US20220262708A1. Автор: Xusheng Wu,Youbo LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of forming high density, high shorting margin, and low capacitance interconnects by alternating recessed trenches

Номер патента: US11380617B2. Автор: Christopher J. Jezewski,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices

Номер патента: US20240079266A1. Автор: Kangguo Cheng,Son V. Nguyen,Chanro Park,Tenko Yamashita,Juntao Li,Sanjay C. Mehta,Eric G. Liniger,Thomas J. Haigh. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Air gap contact formation for reducing parasitic capacitance

Номер патента: US20170033200A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US12040224B2. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor package with air gap and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343668A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Structure with air gaps extending from dielectric liner around through semicondcutor via

Номер патента: US20240243037A1. Автор: Daniel Smith,Zhuojie Wu,Dewei Xu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Structure and method for maximizing air gap in back end of the line interconnect through via landing modification

Номер патента: US20240014133A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Christopher J. Penny. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for manufacturing structure having air gap

Номер патента: US20150270336A1. Автор: Hsin Tai,Chan-Tsun Wu,Ming-Hsin Yeh. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Structure with air gaps extending from dielectric liner around through semiconductor via

Номер патента: EP4401120A1. Автор: Daniel Smith,Zhuojie Wu,Dewei Xu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20240332067A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for maximizing air gap in back end of the line interconnect through via landing modification

Номер патента: US09837355B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Christopher J. Penny. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Air gap contact formation for reducing parasitic capacitance

Номер патента: US09786767B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods of forming air gaps in metallization layers on integrated circuit products

Номер патента: US09768058B2. Автор: Christian Witt,Qiang Fang,Zhiguo Sun. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Air gap contact formation for reducing parasitic capacitance

Номер патента: US09761698B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Air gap contact formation for reducing parasitic capacitance

Номер патента: US09484250B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Multilevel interconnect structure with air gaps formed between metal leads

Номер патента: US5461003A. Автор: Shin-puu Jeng,Robert H. Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-10-24.

Multilevel interconnect structure with air gaps formed between metal leads

Номер патента: US5936295A. Автор: Shin-puu Jeng,Robert H. Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Semiconductor structure with an air gap

Номер патента: US11848253B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chih-Jung Wang,Ching-Pin Hsu,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for manufacturing interconnect structures incorporating air gap spacers

Номер патента: US20160181144A1. Автор: Shom Ponoth,Satya V. Nitta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Interconnect structures incorporating air-gap spacers

Номер патента: US20110210449A1. Автор: Shom Ponoth,Satya V. Nitta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Low capacitance interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US20160111372A1. Автор: Jin Lu,Kevin Torek,Hongqi Li,Alex Schrinsky,Thy Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20220262671A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Integrated circuit device including air gaps and method of manufacturing the same

Номер патента: US11862514B2. Автор: Woojin Lee,Sanghoon Ahn,Kyuhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Multigate device with air gap spacer and backside rail contact and method of fabricating thereof

Номер патента: US20230387236A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Multigate device with air gap spacer and backside rail contact and method of fabricating thereof

Номер патента: EP3945595A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor package with air gap

Номер патента: US11830837B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for manufacturing semiconductor package with air gap

Номер патента: US11817306B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Multigate device with air gap spacer and backside rail contact and method of fabricating thereof

Номер патента: US11984488B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit comprising memory cells with air gaps in upper metal layers

Номер патента: EP4105975A1. Автор: Travis W. LaJoie,Van H. Le,Fatih Hamzaoglu,Hui Jae Yoo,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma,Alekhya Nimmagadda,Albert B. CHEN,Miriam R. Reshotko. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Air gap contact formation for reducing parasitic capacitance

Номер патента: US20160268158A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20220139762A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Air gap contact formation for reducing parasitic capacitance

Номер патента: US20170033223A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20180286750A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20210202313A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20190172748A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US10242911B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Vertical air gap subtractive etch back end metal

Номер патента: US20170287784A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Integrated circuit structure with backside interconnection structure having air gap

Номер патента: US20240258158A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240266212A1. Автор: Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao,Hwei-Jay CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Air gaps in memory array structures

Номер патента: US12087621B2. Автор: Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Vertical air gap subtractive etch back end metal

Номер патента: US09917014B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US09911652B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Interconnect structure having air gap and method of forming the same

Номер патента: US09754882B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Vertical air gap subtractive etch back end metal

Номер патента: US09653347B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrated circuit structure with backside dielectric layer having air gap

Номер патента: US11935781B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device with air gap structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210050355A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor Device with Air Gaps and Method of Fabrication Thereof

Номер патента: US20230386905A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated circuit structure with backside interconnection structure having air gap

Номер патента: US11984350B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Air gaps in memory array structures

Номер патента: US20230215761A1. Автор: Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20220406658A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Integrated circuit structure with backside dielectric layer having air gap

Номер патента: US20240186180A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device with air gaps and method of fabrication thereof

Номер патента: US11830769B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of preparing air gap, dynamic random access memory and electronic equipment

Номер патента: US20230123510A1. Автор: Lei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor Device with Air Gaps and Method of Fabrication Thereof

Номер патента: US20210375664A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Bonded assembly containing oxidation barriers, hybrid bonding, or air gap, and methods of forming the same

Номер патента: US20210028136A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-01-28.

Self-aligned air spacers and methods for forming

Номер патента: US12107146B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: US20220130723A1. Автор: Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Interconnection structure including air gap, semiconductor device including air gap, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583382B2. Автор: Ki Hong Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20160005743A1. Автор: Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20140187037A1. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150132936A1. Автор: LEE Jong-Min,RHO Il-Cheol. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US8962472B2. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-24.

Structure and method of increasing subtractive bitline air gap height

Номер патента: US20230065187A1. Автор: John Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing capacitive coupling and method for preparing the same

Номер патента: US20210335792A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device with air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240282622A1. Автор: Keng-Chu Lin,Hung-Yu Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device with protection liners and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US12119302B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Interconnects having air gap spacers

Номер патента: US20210090938A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Interconnects having air gap spacers

Номер патента: US20210118722A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor memory device having air gap

Номер патента: US10319734B2. Автор: Akifumi Gawase,Kei Watanabe,Shinya Arai,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Self-aligned air gap formation in microelectronics packages

Номер патента: US20240101413A1. Автор: Brandon C. MARIN,Jeremy D. Ecton,Srinivas Venkata Ramanuja Pietambaram,Oscar Ojeda,Oladeji Fadayomi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-volatile memory with flat cell structures and air gap isolation

Номер патента: US09698149B2. Автор: Yuan Zhang,James Kai,Henry Chien,Vinod Robert Purayath,George Matamis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Self-aligned contact air gap formation

Номер патента: US11901408B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Sai-Hooi Yeong,Yih-Ann Lin,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Self-Aligned Contact Air Gap Formation

Номер патента: US20210183996A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Sai-Hooi Yeong,Yih-Ann Lin,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20210134808A1. Автор: Sang-Soo Park,Tae-Hyeok Lee,Chan-bae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Self-aligned contact air gap formation

Номер патента: US20240186372A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Sai-Hooi Yeong,Yih-Ann Lin,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Bridge interconnect with air gap in package assembly

Номер патента: US09589866B2. Автор: Mathew J. Manusharow,Chia-Pin Chiu,Zhiguo Qian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Manufacturing method of semiconductor memory device with air gap isolation layers

Номер патента: US09293360B2. Автор: Eun Joo Jung,Jong Moo Choi,Jung Il Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Non-volatile memory devices having air gaps on common source lines and methods of fabricating the same

Номер патента: KR20120020550A. Автор: 신현철,송준의,유환배,유다훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-03-08.

Semiconductor memory array with air gaps between adjacent gate structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160086966A1. Автор: Chun-Min Cheng,Pei-Ci Jhang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Method and system for forming an air gap structure

Номер патента: WO2009052117A1. Автор: Dorel I. Toma,Junjun Liu. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2009-04-23.

Ic structure with air gap adjacent to gate structure and methods of forming same

Номер патента: US20200127109A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Guowei Xu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Methods of forming memory cells with air gaps and other low dielectric constant materials

Номер патента: US09679778B2. Автор: Minsoo Lee,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09472644B2. Автор: Min-Chul Sung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Air gap in inner spacers and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US11990529B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Air gap in inner spacers and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240313082A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor devices including an air-gap and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859288B2. Автор: Keun-Ho Lee,Young-Kwan Park,Seon-Young Lee,Dae-Sin Kim,Sang-Woo OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor Devices with Air Gaps and the Method Thereof

Номер патента: US20240379813A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor structure with air gaps for buried semiconductor gate and method for forming the same

Номер патента: US11812605B2. Автор: Chang-Hung Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Structure with air gap crack stop

Номер патента: US09536842B2. Автор: Naftali E. Lustig,Griselda Bonilla,Andrew H. Simon,Xiao H. Liu,Ronald G. Filippi,Junjing Bao,Samuel S. Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Dielectric fins with air gap and backside self-aligned contact

Номер патента: US20240379744A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ming-Shuan Li,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device with protection structure and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327823A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for fabricating semiconductor device with protection structure and air gaps

Номер патента: US20210358862A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Low capacitance interconnect structure for integrated circuits using decomposed polymers

Номер патента: US5923074A. Автор: Shin-puu Jeng. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Air gap type semiconductor device package structure

Номер патента: US20230291379A1. Автор: Mengbin LIU,Yunxiang DI,Situo XU. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Air gap type semiconductor device package structure

Номер патента: US11979136B2. Автор: Mengbin LIU,Yunxiang DI,Situo XU. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device having self-aligned air spacers

Номер патента: US20240363727A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of Forming Self-Aligned Air-Gaps Using Self-Aligned Capping Layer over Interconnect Lines

Номер патента: US20070218677A1. Автор: Eugen Unger,Manfred Engelhardt,Andreas Stich. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-09-20.

Microstructure device including a metallization structure with self-aligned air gaps between closely spaced metal lines

Номер патента: WO2009154696A2. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2009-12-23.

Semiconductor device structure with air gap structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210351140A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09466603B2. Автор: Seung-Hee Hong,Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Nam-Yeal Lee,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for forming an air gap around a through-silicon via

Номер патента: US09425127B2. Автор: Huang Liu,Hong Yu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Fin field effect transistor (FinFET) having air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09865738B2. Автор: Jin Gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Through-silicon via with sidewall air gap

Номер патента: US09437524B2. Автор: Shan GAO,Seung Man Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for forming an air gap around a through-silicon via

Номер патента: US20150069579A1. Автор: Huang Liu,Hong Yu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor devices including a drain captive structure having an air gap and methods of forming the same

Номер патента: US11862693B2. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

POP structures with dams encircling air gaps and methods for forming the same

Номер патента: US09659918B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chen-Shien Chen,Chung-Shi Liu,Jiun Yi Wu,Dean Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

3-dimensional flash memory having air gap, and method for manufacturing same

Номер патента: US12082417B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Low capacitance multilevel metal interconnect structure and method of manufacture

Номер патента: US6100590A. Автор: Kevin Weaver,Hengyang James Lin,Visvamohan Yegnashankaran. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-08-08.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnection structures

Номер патента: EP1352421A2. Автор: Clifford Lee Henderson,Paul Albert Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen,Dhananjay M. Bhusari,Hollie Anne Reed. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2003-10-15.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnection structures

Номер патента: EP1352421B1. Автор: Clifford Lee Henderson,Paul Albert Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen,Dhananjay M. Bhusari,Hollie Ann Kelleher. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2009-11-25.

Air gap process

Номер патента: US09385028B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Takehito KOSHIZAWA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Preventing leakage inside air-gap spacer during contact formation

Номер патента: US09799746B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Preventing leakage inside air-gap spacer during contact formation

Номер патента: US09589833B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Controlled air gap formation

Номер патента: US20140248754A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Nitin K. Ingle,Jingjing Xu,Pravin K. Narwankar,Joe Griffith Cruz,Kiran V. Thadani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Metal Control Gate Structures And Air Gap Isolation In Non-Volatile Memory

Номер патента: US20130334587A1. Автор: Yuan Zhang,Hiroyuki Kinoshita,Tuan Pham,Henry Chien,Henry Chin,Vinod Robert Purayath,George Matamis,James K. Kai,Takashi W. Orimoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-12-19.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Low capacitance interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US09911653B2. Автор: Jin Lu,Kevin Torek,Hongqi Li,Alex Schrinsky,Thy Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated metal spacer and air gap interconnect

Номер патента: US09640424B2. Автор: Mehul B. Naik,He REN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Low capacitance interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US09613864B2. Автор: Jin Lu,Kevin Torek,Hongqi Li,Alex Schrinsky,Thy Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Post contact air gap formation

Номер патента: US20190206740A1. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas Michael Reber. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Inverse t-shaped contact structures having air gap spacers

Номер патента: US20190334011A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Air gap regions of a semiconductor device

Номер патента: US20210050412A1. Автор: LIU Jiang,Haiting Wang,Xiaoming Yang,Chun Yu Wong,Yong Jun Shi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Method to create air gaps

Номер патента: US20200219758A1. Автор: Bart J. van Schravendijk,Seshasayee Varadarajan,Patrick Van Cleemput. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US20170294537A1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

DRAM device including an air gap and a sealing layer

Номер патента: US11729966B2. Автор: Wonseok Yoo,Kyungwook Park,Dain LEE,Yoongoo Kang,Hokyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device structure having air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210265218A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Method to create air gaps

Номер патента: US12112980B2. Автор: Bart J. van Schravendijk,Patrick A. Van Cleemput,Seshasayee Varadarajan. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09698245B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09691850B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for residue-free block pattern transfer onto metal interconnects for air gap formation

Номер патента: US09390967B2. Автор: Yann Mignot,Brown C. Peethala,Joe Lee. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-07-12.

Contact air gap formation and structures thereof

Номер патента: US11854907B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Air gaps between copper lines

Номер патента: WO2015112300A1. Автор: Nitin K. Ingle,Vinod R. Purayath. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-07-30.

Contact air gap formation and structures thereof

Номер патента: US20240112958A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for forming intermetallic air gap

Номер патента: US12002708B2. Автор: Xiaoxu KANG,Ruoxi SHEN,Xiaolan ZHONG. Владелец: Shanghai IC Equipment Material Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for forming a dielectric layer with an air gap, and a structure including the dielectric layer with the air gap

Номер патента: US7994046B2. Автор: Shin-puu Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-08-09.

Air gap semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20010007788A1. Автор: Ting-Chang Chang,Po-Tsun Liu,Yi-Shien Mor. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-12.

Selective deposition method to form air gaps

Номер патента: US20230360964A1. Автор: Chiyu Zhu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-09.

Dram device including an air gap and a sealing layer

Номер патента: US20220246620A1. Автор: Wonseok Yoo,Kyungwook Park,Dain LEE,Yoongoo Kang,Hokyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for forming semiconductor device with air gap between two conductive features

Номер патента: US20220271145A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor Structure With Air Gap And Method Sealing The Air Gap

Номер патента: US20230335432A1. Автор: Ziwei Fang,Akira Mineji,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Air gap structure integration using a processing system

Номер патента: WO2015094667A1. Автор: Mehul B. Naik,He REN,Zhenjiang Cui. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-06-25.

Novel air gap integration scheme

Номер патента: US20100151671A1. Автор: Li-Qun Xia,Alexandros T. Demos,Hichem M'Saad,Derek R. Witty,Bok Hoen Kim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device having an air gap along a gate spacer

Номер патента: US11817491B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Raised Source/Drain and Gate Portion with Dielectric Spacer or Air Gap Spacer

Номер патента: US20150087120A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Juntao Li,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Method for residue-free block pattern transfer onto metal interconnects for air gap formation

Номер патента: US20160172231A1. Автор: Yann Mignot,Brown C. Peethala,Joe Lee. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-06-16.

Pitch quartering to create pitch halved trenches and pitch halved air gaps

Номер патента: US20140091466A1. Автор: Marc Van Veenhuizen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-03.

Seal material for air gaps in semiconductor devices

Номер патента: US20210193799A1. Автор: Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin,Tetsuji Ueno,Chen-Han Wang,Ting-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US10553581B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Air gap formation method

Номер патента: US12087616B2. Автор: Ching-Yu Chang,Yu-Chung Su,Chin-Hsiang Lin,Chun-Chih Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12132087B2. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US09608065B1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Early bit line air gap formation

Номер патента: US09524904B2. Автор: Yuji Takahashi,Takuya Futase,Noritaka Fukuo,Kiyokazu Shishido,Toshiyuki Sega,Hiroto Ohori,Kotaro Jinnouchi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for forming an air gap in a semiconductor metal line manufacturing process

Номер патента: KR100508538B1. Автор: 오상훈. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-08-17.

Method for forming air gaps for advanced interconnect systems

Номер патента: US6037249A. Автор: David B. Fraser,Chien Chiang,Chuanbin Pan,Vicky Ochoa,Sing-Mo H. Tzeng. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Three dimensional flash memory including air gap

Номер патента: KR20220067031A. Автор: 송윤흡. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-05-24.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US11923243B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and fabrication method including air gap spacers

Номер патента: US11127638B2. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-21.

Semiconductor device with air gap on gate structure and method for forming the same

Номер патента: US20210083046A1. Автор: Chih-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Chia-Lin Chuang,Che-Chen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor devices having air-gap

Номер патента: US11855178B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang,Chih-Chao CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Air gap formation method

Номер патента: US20230238275A1. Автор: Ching-Yu Chang,Yu-Chung Su,Chin-Hsiang Lin,Chun-Chih Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20170352657A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor device with air gap

Номер патента: US11985816B2. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162084A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of manufacturing semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20230238433A1. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device including dam structure having air gap and electronic system including the same

Номер патента: US20220384479A1. Автор: Haemin LEE,Hyeonjoo SONG,Byoungtaek KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20200235094A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20180158818A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20180294263A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20230352480A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US10607991B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-03-31.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US10043801B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Self-aligned air gap spacer for nanosheet CMOS devices

Номер патента: US09954058B1. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Junli Wang,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Bottom-up epitaxy growth on air-gap buffer

Номер патента: US10158022B2. Автор: Yi-Wei Chen,Chih-Chung Chen,Man-Ling Lu,Chung-Min Tsai,Jhen-Cyuan Li,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-18.

Air gap isolation in non-volatile memory

Номер патента: US09460958B2. Автор: Hiroyuki Kinoshita,Tuan Pham,Vinod R Purayath. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device including spacer structure having air gap

Номер патента: US20240215225A1. Автор: Teawon Kim,Seohee PARK,Yongsuk Tak,MinKyung Kang,Joonnyung Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Bottom-up epitaxy growth on air-gap buffer

Номер патента: US09780218B1. Автор: Yi-Wei Chen,Chih-Chung Chen,Man-Ling Lu,Chung-Min Tsai,Jhen-Cyuan Li,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods for forming air gaps in shallow trench isolation trenches for NAND memory

Номер патента: US09779983B2. Автор: Oshi Wakamatsu,Yasuhiro Domae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

MOSFET device structure with air-gaps in spacer and methods for forming the same

Номер патента: US11855170B2. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Non-volatile memory comprising bit line air gaps and word line air gaps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP2583302A1. Автор: Hiroyuki Kinoshita,Tuan Pham,Eli Harari,Vinod Robert Purayath,George Matamis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-04-24.

Mosfet device structure with air-gaps in spacer and methods for forming the same

Номер патента: US20210305396A1. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Mosfet device structure with air-gaps in spacer and methods for forming the same

Номер патента: US20240079471A1. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device with air gap

Номер патента: US11742383B2. Автор: Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Transistor with air gap under raised source/drain region in bulk semiconductor substrate

Номер патента: US11817479B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Uzma B. Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Memory array with an air gap between memory cells and the formation thereof

Номер патента: US20130260521A1. Автор: Christopher J. Larsen,Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor device with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20210320172A1. Автор: Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device with air gap

Номер патента: US20220320274A1. Автор: Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Bottom-up epitaxy growth on air-gap buffer

Номер патента: US20170345938A1. Автор: Yi-Wei Chen,Chih-Chung Chen,Man-Ling Lu,Chung-Min Tsai,Jhen-Cyuan Li,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing current leakage

Номер патента: US20230189500A1. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai,Jr-Chiuan Wang,Hao-Chan Lo,Hsing-Han Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Fill Structures With Air Gaps

Номер патента: US20240250121A1. Автор: Yen Chuang,Min-Hao Hong,Hsiu-Yung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Air Gaps In Memory Array Structures

Номер патента: US20240260276A1. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with air gap between conductive features

Номер патента: US11825647B2. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Integrated Technology for Partial Air Gap Low K Deposition

Номер патента: US20130147046A1. Автор: Hung Jui Chang,Chih-Tsung Lee,You-Hua Chou,Shiu-Ko Jang Jian,Ming-Shiou Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor device with air gap between conductive features

Номер патента: US20220262804A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Bi-directional esd diode structure with ultra-low capacitance that consumes a small amount of silicon real estate

Номер патента: US20150243757A1. Автор: Akihiko Yamashita,Kentaro Takahashi,Toshiyuki Tani,Motoaki KUSAMAKI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor memory devices including an air gap and methods of fabricating the same

Номер патента: US9166012B2. Автор: Jong-Min Lee,Jinhyun Shin,Jae-Hwang Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Air gaps in memory array structures

Номер патента: US20230067455A1. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Electronic devices comprising air gaps adjacent to bitlines and related methods and systems

Номер патента: US20220157354A1. Автор: Mithun Kumar RAMASAHAYAM,Michael J. Gossman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Methods of forming devices including air gaps, and related devices, and electronic systems

Номер патента: WO2020040834A1. Автор: Kuo-Chen Wang,Mohd Kamran Akhtar,Katsumi Koge,Guangjun Yang,Arzum F. Simsek-Ege. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-27.

Air gap underneath passive devices

Номер патента: US20210143050A1. Автор: YE Lu,Haitao Cheng,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device having an air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US11791390B2. Автор: Dong-Soo Kim,Se-Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Air gap architecture for high speed i/o substrate traces

Номер патента: US20240113007A1. Автор: Kristof Darmawikarta,Srinivas PIETAMBARAM,Benjamin DUONG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing current leakage

Номер патента: US11832437B2. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai,Jr-Chiuan Wang,Hao-Chan Lo,Hsing-Han Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Electronic devices comprising air gaps adjacent to bitlines and related methods and systems

Номер патента: WO2022103526A1. Автор: Mithun Kumar RAMASAHAYAM,Michael J. Gossman. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-19.

Air gaps in memory array structures

Номер патента: US11968838B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Fill structures with air gaps

Номер патента: US11961884B2. Автор: Yen Chuang,Min-Hao Hong,Hsiu-Yung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Electronic devices comprising air gaps adjacent to bitlines

Номер патента: US20230081678A1. Автор: Mithun Kumar RAMASAHAYAM,Michael J. Gossman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Package substrate with open air gap structures

Номер патента: US20240113049A1. Автор: Kemal Aygun,Zhiguo Qian,Dilan Seneviratne,Tarek A. Ibrahim,Kristof Kuwawi Darmawikarta,Wei-Lun Jen,Cemil S. Geyik. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device with air gap between bit line and capacitor contact and method for forming the same

Номер патента: US20220262802A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240032284A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory array having air gaps

Номер патента: US20230337441A1. Автор: Enrico Varesi,Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

FinFET devices with embedded air gaps and the fabrication thereof

Номер патента: US12057343B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US12100625B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240341088A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240341087A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device structure incorporating air gap

Номер патента: US12125848B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wen-Yuan Chen,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang,Chung-Wei Wu,zhi-qiang Wu,Chun-Chung SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Air gaps formed by porous silicon removal

Номер патента: US09755015B1. Автор: Richard A. Phelps,James A. Slinkman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Vertical transistor including a bottom source/drain region, a gate structure, and an air gap formed between the bottom source/drain region and the gate structure

Номер патента: US09748380B1. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices having air gaps

Номер патента: US09577115B2. Автор: Young-woo Park,Chang-Hyun Lee,Byung-Kyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09525025B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Shallow trench air gaps and their formation

Номер патента: US09524973B1. Автор: Masafumi Yoshida,Ryo Nakamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Air gap spacer integration for improved fin device performance

Номер патента: US09515156B2. Автор: Yoshie Kimura,Dengliang Yang,Bart van Schravendijk,Gerardo A. Delgadino,Paul Raymond Besser,Harald Orkorn-Schmidt. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor storage device having communicated air gaps between adjacent memory cells

Номер патента: US9543310B2. Автор: Satoshi Nagashima,Takehiro Kondoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Air gap spacer with wrap-around etch stop layer under gate spacer

Номер патента: US20190280099A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20230387117A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US11877435B2. Автор: Yao-Hsiung Kung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor structure having air gap between gate electrode and distal end portion of active area and fabrication method thereof

Номер патента: US20190296020A1. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor structure having air gap between gate electrode and distal end portion of active area

Номер патента: US20190006368A1. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US11756835B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US20160307999A1. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240032283A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for preparing semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US11895826B2. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor Device With Air Gaps Between Metal Gates And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20230369128A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor Device With Air Gaps Between Metal Gates And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20220344216A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Three-dimensional semiconductor device with air gap

Номер патента: US11825643B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Hun SON,Seung Wook Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Apparatus including air gap in scribe region of semiconductor device

Номер патента: US20240243077A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US20120074530A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Microelectronic devices including stack structures having air gaps, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US12052862B2. Автор: Byeung Chul Kim,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US8084840B2. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-27.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US20070013392A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-18.

Method for low temperature ion implantation

Номер патента: US20110244669A1. Автор: Zhimin Wan,John D. Pollock,Erik Collart. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Device including air gapping of gate spacers and other dielectrics and process for providing such

Номер патента: US11769814B2. Автор: Patrick Morrow,Ehren Mannebach,Hui Jae Yoo,Tristan TRONIC,Aaron Lilak,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

SELF-ALIGNED AIR GAP SPACER FOR NANOSHEET CMOS DEVICES

Номер патента: US20180358435A1. Автор: Reznicek Alexander,Wang Junli,Mochizuki Shogo,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Multi-gate device with air gap spacer and fabrication methods thereof

Номер патента: US20230369398A1. Автор: Pei-Yu Wang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Multi-gate device with air gap spacer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11764262B2. Автор: Pei-Yu Wang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Vertical vacuum channel transistor with minimized air gap between tip and gate

Номер патента: US20190378675A1. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Method for forming replacement air gap

Номер патента: US20190393335A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Laertis Economikos,Jinping Liu,Shesh Mani Pandey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Air gap formation between gate spacer and epitaxy structure

Номер патента: US20210118749A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Transistor comprising an air gap positioned adjacent a gate electrode

Номер патента: US20200066899A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Laertis Economikos,Jinping Liu,Shesh Mani Pandey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Low capacitance and low resistance devices

Номер патента: US20240339527A1. Автор: John J. Pekarik,Judson R. Holt,Souvick Mitra,Anindya Nath. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Low capacitance and low resistance devices

Номер патента: EP4443518A1. Автор: John J. Pekarik,Judson R. Holt,Souvick Mitra,Anindya Nath. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Air-gap top spacer and self-aligned metal gate for vertical fets

Номер патента: US20180350939A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Air-gap top spacer and self-aligned metal gate for vertical fets

Номер патента: US10090411B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Air-gap top spacer and self-aligned metal gate for vertical fets

Номер патента: US20170330965A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Method for forming air gap between gate dielectric layer and spacer

Номер патента: US12107121B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Kai-Lin Lee,Chuang-Han Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

FET with air gap spacer for improved overlap capacitance

Номер патента: US09508810B1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Formation of an air gap spacer using sacrificial spacer layer

Номер патента: US20200373204A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Gate structures with air gap isolation features

Номер патента: US11881506B2. Автор: Mark D. Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky,Brett T. Cucci. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Phase-change material (pcm) radio frequency (rf) switching device with air gap

Номер патента: US20230422642A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Low capacitance esd protection devices

Номер патента: US20240113098A1. Автор: Sreeram NASUM SUBRAMANYAM,Shraddha Balasaheb Keripale,Chinna Veerappan Venkatachalam. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

PIN or NIP low capacitance transient voltage suppressors and steering diodes

Номер патента: US20050189619A1. Автор: Cecil Walters. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-01.

Low capacitance optoelectronic device

Номер патента: US09917419B2. Автор: Joerg-Reinhardt Kropp,Nikolay Ledentsov,Vitaly Shchukin. Владелец: VI Systems GmbH. Дата публикации: 2018-03-13.

Low dynamic resistance low capacitance diodes

Номер патента: US09773777B2. Автор: Gang Xue,Alexei Sadovnikov,Dening Wang,Andrew D Strachan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Bi-directional pin or nip low capacitance transient voltage suppressors and steering diodes

Номер патента: US20050190523A1. Автор: Cecil Walters. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor device having air gap between gate electrode and source/drain pattern

Номер патента: US12046632B2. Автор: Seung Hun Lee,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Image sensors with controlled air gaps

Номер патента: US20220013563A1. Автор: Nathan Wayne CHAPMAN,Brian Anthony VAARTSTRA,Amanda Thuy Trang VU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-01-13.

Low capacitance precision resistor

Номер патента: US8853045B2. Автор: Steven R. Soss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-10-07.

Low capacitance precision resistor

Номер патента: US20110163389A1. Автор: Steven R. Soss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Vertical transistor with air gap spacers

Номер патента: US09443982B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Low capacitance bidirectional transient voltage suppressor

Номер патента: US10937780B2. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy,Ning Shi. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2021-03-02.

Method to form air-gap spacers and air-gap spacer-containing structures

Номер патента: US20180130899A1. Автор: Xunyuan Zhang,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Low capacitance differential input pad with common mode rejection, selectable input impedance, and ESD protection

Номер патента: US20040161276A1. Автор: Kenneth Richardson. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Low capacitance bidirectional transient voltage suppressor

Номер патента: US20240290777A1. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy,Ning Shi. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Scaled nanotube electrode for low power multistage atomic switch

Номер патента: US20200136034A1. Автор: Ning Li,Qing Cao,Jianshi Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Scaled nanotube electrode for low power multistage atomic switch

Номер патента: US20190319184A1. Автор: Ning Li,Qing Cao,Jianshi Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Scaled nanotube electrode for low power multistage atomic switch

Номер патента: US20200066979A1. Автор: Ning Li,Qing Cao,Jianshi Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device with air-gap spacers

Номер патента: US20240304689A1. Автор: Yen-Ming Chen,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Kai-Hsuan LEE,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Air gap in BAW top metal stack for reduced resistive and acoustic loss

Номер патента: US09948272B2. Автор: Paul Stokes,Gernot Fattinger. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Resistive RAM including air gaps between word lines and between vertical bit lines

Номер патента: US09911790B1. Автор: Michiaki Sano,Seiji Shimabukuro,Kan Fujiwara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device having vertical channel and air gap, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09634024B2. Автор: Kohji Kanamori,Young-woo Park,Jae-Duk Lee,Jae-Goo Lee,Chung-Jin Kim,Moo-Rym Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for forming air gap structure using carbon-containing spacer

Номер патента: US09443956B2. Автор: Huang Liu,Hong Yu,Jin Ping Liu,Biao Zuo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Large area, low capacitance photodiode and range finder device using same

Номер патента: WO1987003140A1. Автор: David Noel Lambeth. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 1987-05-21.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20240008252A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Low capacitance precision resistor

Номер патента: US20120038026A1. Автор: Steven R. Soss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Structure of two-dimensional material-based device having air-gap and method for preparing same

Номер патента: US20240105821A1. Автор: Yi Shi,Weisheng Li,Xinran Wang,Hao Qiu,Dongxu Fan. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-03-28.

Low capacitance floating diffusion structure for a solid state image sensor

Номер патента: US5621230A. Автор: Robert M. Guidash,Antonio S. Ciccarelli. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1997-04-15.

Low capacitance poly-bounded silicon controlled rectifiers

Номер патента: EP4456138A1. Автор: Srivatsan Parthasarathy,Yuanzhong Zhou,Shudong Huang,Jean-Jacques Hajjar. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Low capacitance poly-bounded silicon controlled rectifiers

Номер патента: US20240363618A1. Автор: Srivatsan Parthasarathy,Yuanzhong Zhou,Shudong Huang,Jean-Jacques Hajjar. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Trilayer josephson junction structure with small air bridge and no interlevel dielectric for superconducting qubits

Номер патента: US09564573B1. Автор: Josephine B. Chang,Gerald W. Gibson,Mark B. Ketchen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of fabricating an air-gap spacer of a metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US5972763A. Автор: Tony Lin,Jih-Wen Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Various stress free sensor packages using wafer level supporting die and air gap technique

Номер патента: US9574959B2. Автор: Jun Zhai,Tongbi Jiang,Caleb C. Han. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Photodetector structure with air gap and related methods

Номер патента: US20240063315A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Rajendran Krishnasamy,Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Pixel array including air gap reflection structures

Номер патента: US11810936B2. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Feng-Chien Hsieh,ChunHao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Pixel array including air gap reflection structures

Номер патента: US20230378214A1. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Chun-Hao Lin,Feng-Chien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method and structure for air gap inner spacer in gate-all-around devices

Номер патента: US20240128376A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Shih-Chiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method and structure for air gap inner spacer in gate-all-around devices

Номер патента: US11855220B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Shih-Chiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Photodetector with reflector with air gap adjacent photodetecting region

Номер патента: US20210351306A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Mark D. Levy,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Source/drain spacer with air gap in semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11837631B2. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Vertical structure non-volatile memory device having insulating regions that are formed as air gaps

Номер патента: US09406688B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Low-capacitance bidirectional protection device

Номер патента: US6919587B2. Автор: Christian Ballon,Rachel Pezzani-Legall. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-07-19.

Low capacitance finfet gate structure

Номер патента: US20150214325A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Low capacitance bidirectional transient voltage suppressor

Номер патента: US11990467B2. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy,Ning Shi. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Low capacitance differential input pad with common mode rejection, selectable input impedance, and ESD protection

Номер патента: US7170727B2. Автор: Kenneth Richardson. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2007-01-30.

Methods of manufacturing an image sensor having an air gap

Номер патента: US20100203665A1. Автор: Byung-Jun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-12.

Method for fabricating semiconductor device with air gap

Номер патента: US20230180461A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Stack chip air gap heat insulator

Номер патента: US20220392943A1. Автор: Sing-Chung Hu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Bonded assembly containing oxidation barriers, hybrid bonding, or air gap, and methods of forming the same

Номер патента: US20210028135A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory structure of three-dimensional nor memory strings of junctionless ferroelectric memory transistors incorporating air gap isolation structures

Номер патента: US20230262987A1. Автор: Kavita Shah,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Source/Drain Spacer with Air Gap in Semiconductor Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20220328623A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Source/drain spacer with air gap in semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230387198A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240162174A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Stack chip air gap heat insulator

Номер патента: US20210111212A1. Автор: Sing-Chung Hu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Stack chip air gap heat insulator

Номер патента: US20240178260A1. Автор: Sing-Chung Hu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Stack chip air gap heat insulator

Номер патента: US11942504B2. Автор: Sing-Chung Hu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device with air-gap spacers

Номер патента: US12002863B2. Автор: Yen-Ming Chen,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Kai-Hsuan LEE,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Stacked image sensor having an air gap

Номер патента: US20180069037A1. Автор: Yun-Hui YANG,Seon-Man HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device with air gap

Номер патента: US20240162177A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Word line with air-gap for non-volatile memories

Номер патента: US20200006433A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

A solid-state circuit breaker trips an air gap actuator and solid-state switiching components at the same time or the solid-state switiching components with a delay

Номер патента: EP4434067A1. Автор: Guang Yang. Владелец: Siemens Industry Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Circuit breaker with moving magnetic core for low current magnetic trip

Номер патента: CA2025781C. Автор: John Joseph Shea,Richard Paul Sabol,Ronald Andrew Cheski. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2000-02-15.

Minimising chatter armature electromagnetic valve at closing thereof by inhibition of link in residual air gap

Номер патента: RU2592637C2. Автор: Андреас РЕТТИХ,Маттиас ХОРН,Йенс ЛАЙСТЕР,Флориан ХОФФМАНН. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2016-07-27.

Method of reducing the dependence of the air gap energy on gap length in a magnetic circuit and apparatus using the method

Номер патента: GB2156590A. Автор: Martin Witschi,Paul Straubinger. Владелец: Roell & Korthaus Amsler Prufma. Дата публикации: 1985-10-09.

Solid-state circuit breaker trips an air gap actuator and solid-state switching components at the same time or the solid-state switching components with a delay

Номер патента: US11798756B2. Автор: Guang Yang. Владелец: Siemens Industry Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

A solid-state circuit breaker trips an air gap actuator and solid-state switiching components at the same time or the solid-state switiching components with a delay

Номер патента: WO2023141088A1. Автор: Guang Yang. Владелец: Siemens Industry, Inc.. Дата публикации: 2023-07-27.

Over voltage protection device with an air-gap

Номер патента: US20090002911A1. Автор: Te-Pang Liu,Sheng-Fu Su,Yi-Lin Wu. Владелец: Inpaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Waterproof case for low-frequency electric stimulation device, waterproof-type low-frequency electric stimulation device, and insulator electrode for low-frequency electric stimulation

Номер патента: EP3815739A1. Автор: Kimitoshi Fukae. Владелец: Fukae Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-05.

Wire-wound inductor using magnetic cores with three air gaps

Номер патента: US20240249871A1. Автор: Jiu Nan Lin,Chen-Chih Lee,Tzu To CHU,Chih Ho WU. Владелец: ACME ELECTRONICS Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Automatic iron core air gap cutting apparatus

Номер патента: US20030121392A1. Автор: Albert Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Air gap short circuiting device for gas tube arrester

Номер патента: US4150414A. Автор: Peter J. Pagliuca. Владелец: TII Corp. Дата публикации: 1979-04-17.

Inductor with variable air-gap separation

Номер патента: US6583701B2. Автор: Xiaodong Sun,Yanfang Liu. Владелец: Lite On Electronics Inc. Дата публикации: 2003-06-24.

Lighting control device with air gap switch controlled output

Номер патента: WO2024037925A1. Автор: Philip Dean Winters,Sreenivas Reddy KALATHOOR,Travis James MCAFEE,Seth David DOHENY. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2024-02-22.

Integrated differential antenna with air gap for propagation of differential-mode radiation

Номер патента: US20210091470A1. Автор: Majid Ahmadloo,Arnold Möbius. Владелец: Veoneer US LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Air gap creation in electronic devices

Номер патента: WO2015183516A1. Автор: Hatem Mohamed AEAD. Владелец: Aead Hatem Mohamed. Дата публикации: 2015-12-03.

Induction devices with distributed air gaps

Номер патента: US6885273B2. Автор: Li Ming,Rongsheng Liu,PAN Min,Christian Sasse,Gunnar Russberg,Par Holmberg,Mikael Dahlgren,Svante Soderholm. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 2005-04-26.

Method of Generating Novel Air Gap Layouts for Laminated Magnetic Core Miniature Thin Film Inductors and Transformers with a Continuous Function

Номер патента: US20230274879A1. Автор: Osman Ersed Akcasu,John Othniel Mcdonald. Владелец: Atlas Magnetics. Дата публикации: 2023-08-31.

Apparatus and method for uniform air gap in thin film magnetic cores

Номер патента: US20230057305A1. Автор: Osman Ersed Akcasu,John Othniel Mcdonald. Владелец: Atlas Magnetics. Дата публикации: 2023-02-23.

System and method using rotating air gaps to control magnetic wheel adhesion

Номер патента: US20230356544A1. Автор: Fadl Abdellatif,Ahmed Al Brahim. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2023-11-09.

Interoperable EV wireless charging system based on air gap between primary and secondary coils

Номер патента: US09944190B2. Автор: Allan Lewis. Владелец: Hyundai America Technical Center Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method and device for transmitting data through the air gap with the use of inductive related circuits excited by an acute-angle pulse

Номер патента: RU2674923C1. Автор: Виктор Владимирович Карасев,Дмитрий Борисович Кольцов. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2018-12-13.

Adjusting disc to set residual air gap

Номер патента: RU2521432C2. Автор: ДРЕКСЕЛЬ Мартин,ГРАГЕН Ральф. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2014-06-27.

Air-gap switch

Номер патента: CA2557139A1. Автор: Roger T. Johnsen,James K. Russell,Richard C. Hedderich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-09.

Air gap metal tip electrostatic discharge protection

Номер патента: US20180212424A1. Автор: Yang Liu,ZHENG Xu,Dongbing Shao,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Air gap metal tip electrostatic discharge protection

Номер патента: US20180212423A1. Автор: Yang Liu,ZHENG Xu,Dongbing Shao,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Over voltage protection device with an air-gap

Номер патента: US20090002906A1. Автор: Te-Pang Liu,Sheng-Fu Su,Yi-Lin Wu. Владелец: Inpaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Device for monitoring the air gap of an electric machine and method for retrofitting

Номер патента: US20190020244A1. Автор: Markus Adam,Achim Frank,Stefan Lahres,Dirk EMMRICH. Владелец: VOITH PATENT GMBH. Дата публикации: 2019-01-17.

Embedded air gap transmission lines

Номер патента: EP3776720A1. Автор: RICHARD ROY,Pierre-Luc Cantin,Teckgyu Kang,Woon seong Kwon. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-02-17.

Manual operation device for low voltage switching apparatus

Номер патента: US9966208B2. Автор: ZHEN Li,Mi Zhou,Di Shen,Anshun YOU,Degang Qu. Владелец: SEARI Electric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

All-solid-state battery comprising oxide-based solid electrolyte for low-temperature sintering process, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4181261A1. Автор: Seung Won Park,Kiyoshi Kanamura,Hoe Jin Hah,Hyea Eun Han. Владелец: Tokyo Metropolitan Public University Corp. Дата публикации: 2023-05-17.

All-solid-state battery including oxide-based solid electrolyte for low-temperature sintering process and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230143908A1. Автор: Seung Won Park,Kiyoshi Kanamura,Hoe Jin Hah,Hyea Eun Han. Владелец: Tokyo Metropolitan Public University Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Antenna configured for low frequency applications

Номер патента: WO2008101119A1. Автор: Laurent Desclos,Ki Soo Kim,Sebastian Rowson,Rowland Jones. Владелец: ETHERTRONICS, INC.. Дата публикации: 2008-08-21.

Connector block slotted plate with polytropic air gap

Номер патента: AU3093484A. Автор: Manfred Muller,Dieter Gerke,Wolfgang Radelow,Peter Zytowski. Владелец: Krone GmbH. Дата публикации: 1985-10-31.

Overvoltage arrester with air gap

Номер патента: CA2000766C. Автор: Juergen Boy,Gerhard Schwenda,Oskar Sippekamp. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-08-24.

Millimeter wave antenna structures with air-gap layer or cavity

Номер патента: EP3033804A1. Автор: Bryce Horine,Helen Kankan Pan,Raanan SOVER,Mohamed A. Megahed,Eran Gerson,Ana Yepes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-22.

공극(Air Gap)을 도입한 초전도 한류기 및 철심구조

Номер патента: KR19980014759A. Автор: 고태국,주민석,주백. Владелец: 주백. Дата публикации: 1998-05-25.

Residual current detector, toroid of magnetic material with magnetoresistive sensor in air gap

Номер патента: NZ295220A. Автор: Simon Powell. Владелец: POWERBREAKER PLC. Дата публикации: 1998-11-25.

Method for mounting an electrical coil on a magnetic circuit with an air gap

Номер патента: US5457873A. Автор: Pierre Cattaneo. Владелец: Liaisons Electroniques Mecaniques LEM SA. Дата публикации: 1995-10-17.

Power transformers and power inductors for low frequency applications using isotropic composite magnetic materials with high power to weight ratio

Номер патента: AU7397400A. Автор: Jerome Cros,Philippe Viarouge. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-04-17.

Power circuit breaker with air gap between molded insulative casing and grounded barrier insulating operating mechanism

Номер патента: EP1281188A2. Автор: Norman Davies,Francois J. Marchand,Walter O. Jenkins,Robert J. Rinefierd,Glenn A. Calhoon. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2003-02-05.

Power circuit breaker with air gap between molded insulative casing and grounded barrier insulating operating mechanism

Номер патента: WO2001086769A2. Автор: Norman Davies,Francois J. Marchand,Walter O. Jenkins,Robert J. Rinefierd,Glenn A. Calhoon. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 2001-11-15.

Correction of the passband of an air gap transformer

Номер патента: US20150035592A1. Автор: Michel Guenego. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2015-02-05.

Magnetic structures for large air gap

Номер патента: US11756726B2. Автор: Marco Antonio Davila,Ionel Jitaru,Andrei Savu,Andrei Ion Radulescu. Владелец: Delta Electronics Thailand PCL. Дата публикации: 2023-09-12.

Accessory device for low-voltage electrical installations

Номер патента: EP4456110A1. Автор: Luciano Di Maio. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-10-30.

Preformed coil to produce a self-supporting air gap winding, in particular oblique winding of a small electrical motor

Номер патента: US09923425B2. Автор: Roland Keller,Armin Nagel,Andreas Holder,Markus Krumbein,Janos Puplics. Владелец: Dr Fritz Faulhaber GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-03-20.

Wireless power transfer using air gap and metamaterial

Номер патента: US09515492B2. Автор: Koji Shiozaki,Paul Donald SCHMALENBERG,Tsuyoshi Nomura,Jae Seung Lee. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Use of electrochemical cells containing a negative active material based on lithium titanium oxide or titanate, for low-earth orbit applications

Номер патента: RU2705568C1. Автор: Камен НЕЧЕВ,Янник БОРТОМЬЕ,Чэнсун МА,Томас КРЕСЗЛЕР,Сесиль ТЕССЬЕ. Владелец: Сафт. Дата публикации: 2019-11-08.

Low capacitance type of high-frequency cable

Номер патента: GB982748A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables PLC. Дата публикации: 1965-02-10.

In field settable differential pressure switch assembly for low fluid pressure applications

Номер патента: CA2056462C. Автор: Stephen L. Squires. Владелец: Dwyer Instruments LLC. Дата публикации: 1998-04-14.

Field settable differential pressure switch assembly for low fluid pressure applications

Номер патента: US5061832A. Автор: Stephen L. Squires. Владелец: Dwyer Instruments LLC. Дата публикации: 1991-10-29.

Apparatus for low-frequency signal detection and transmission

Номер патента: US20130143493A1. Автор: Hui Zhao,Zhiyu Zheng. Владелец: Nationz Technologies Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Heat storage device for low-temperature operation of storage batteries

Номер патента: RU2762041C1. Автор: Сергей Васильевич Щитов,Евгений Евгеньевич Кузнецов,Семен Сергеевич Ус,Александр Викторович Кучер,Андрей Владимирович Канунников,Константин Евгеньевич Кузнецов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВО Дальневосточный ГАУ). Дата публикации: 2021-12-15.

Method for controlling solenoid de-energized air gap

Номер патента: US4938451A. Автор: Richard D. Weaver,Sims B. Demere,Thomas Hensley. Владелец: Siemens Bendix Automotive Electronics LP. Дата публикации: 1990-07-03.

Electrode material for low-temperature plasma generator

Номер патента: RU2176833C1. Автор: С.Е. Виноградов,В.В. Рыбин,В.И. Шекалов,А.А. Сафронов,ев В.Н. Шир,В.Н. Ширяев,Ф.Г. Рутберг. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственный центр "СОЛИТОН-НТТ". Дата публикации: 2001-12-10.

Method of manufacturing a permanent magnet which is to be arranged in an air gap of a transformer core

Номер патента: US4369567A. Автор: Gerrit Bosch,Arnoldus W. Kok,Harmen Giethoorn. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1983-01-25.

Electrical rough-in box for low voltage transformer

Номер патента: CA2476718C. Автор: Scott Blaise Tylicki,Roger Dennis Cornett,Douglas Dean Rohrer. Владелец: Heathco LLC. Дата публикации: 2009-11-10.

Air gap metal tip electrostatic discharge protection

Номер патента: US11165248B2. Автор: Yang Liu,ZHENG Xu,Dongbing Shao,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Electrical connector having leadframe assemblies separated by air gaps

Номер патента: WO2023147450A1. Автор: Jonathan E. Buck,Madhumitha RENGARAJAN,Randall Eugene MUSSER. Владелец: SAMTEC, INC.. Дата публикации: 2023-08-03.

Magnetic Structures for Large Air Gap

Номер патента: US20200243255A1. Автор: Marco Antonio Davila,Ionel Jitaru,Andrei Savu,Andrei Ion Radulescu. Владелец: Delta Electronics Thailand PCL. Дата публикации: 2020-07-30.

Fastening device for low-profile fuses of vehicle

Номер патента: EP2045830A3. Автор: Lee Chul c/o Tyco Electronics AMP Korea Ltd. Sub, Min Park Cheol c/o Tyco Electr. AMP Korea Ltd.. Владелец: Tyco Electronics AMP Korea Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-25.

Air gap metal tip electrostatic discharge protection

Номер патента: US20200059091A1. Автор: Yang Liu,ZHENG Xu,Dongbing Shao,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Air gap metal tip electrostatic discharge protection

Номер патента: US11133670B2. Автор: Yang Liu,ZHENG Xu,Dongbing Shao,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-28.

Air gap metal tip electrostatic discharge protection

Номер патента: US20200059090A1. Автор: Yang Liu,ZHENG Xu,Dongbing Shao,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Annular gap magnet system, particularly for low frequency loudspeakers

Номер патента: US4628154A. Автор: Eckehard K. Kort. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-12-09.

Electric Machines with Air Gap Control Systems, and Systems and Methods of Controlling an Air Gap in an Electric Machine

Номер патента: US20200244202A1. Автор: Pablo Gabriel Piazza Galarza,Fabian Isaza. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-30.

Inflatable air gap tooling for assembly of rotor and stator

Номер патента: US09647519B2. Автор: Paul F. Turnbull,Alan G. Holmes. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Electric machines with air gap control systems, and systems and methods of controlling an air gap in an electric machine

Номер патента: US11962255B2. Автор: Pablo Gabriel Piazza Galarza,Fabian Isaza. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-04-16.

Low-capacitive-reactance protection method and system, and computer-readable storage medium and computer program product

Номер патента: EP4297218A1. Автор: YING Liang,Hong Cao,Xingguo Wang,Zexin Zhou,Shuyang Wang,Guosheng YANG,Dingxiang DU,Yarong Guo. Владелец: China Electric Power Research Institute Co Ltd CEPRI. Дата публикации: 2023-12-27.

Secure and repeatable deployment to an air-gapped system

Номер патента: US20230379349A1. Автор: Anthony Hamilton,Bryson Earl. Владелец: Applied Research Associates Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Electrical machine and method for cleaning an air gap in an electrical machine

Номер патента: US20240088755A1. Автор: Frederic Pflaum,Anton Dilcher,Philipp Schildt,Pascal Kolem. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2024-03-14.

一种改善带Air-gap FPC开路缺口不良的结构

Номер патента: CN110505749. Автор: 隽培军,杨顺桃. Владелец: Junmei Jingwei Circuit Co ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

Generator fault detection method based on the characteristics of air gap magnetic flux density

Номер патента: US20240369635A1. Автор: YONG Li,Wen Zhang,Xiaolong Wang,Mingxing Xu,Yifan BAI,Yuling He. Владелец: NORTH CHINA ELECTRIC POWER UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-07.

Rotor of permanent magnet motor having air gaps at permanent magnet end portions

Номер патента: US09692264B2. Автор: Koji Yabe,Naohiro Oketani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Hybrid wave plasma engine for low orbit space vehicle

Номер патента: RU2764487C1. Автор: Андрей Иванович Шумейко,Виктор Дмитриевич Телех,Вера Ивановна Майорова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2022-01-17.

Tool carrier for checking stator-to-rotor air gap in dynamo

Номер патента: RU2122272C1. Автор: Лонгрее Александер. Владелец: Сименс АГ. Дата публикации: 1998-11-20.

Way of the air gap magnetic flux drag reduction among linear electric power generator anchors of the free-piston energy module with the external combustion shaft

Номер патента: RU2618689C1. Автор: Анатолий Александрович Рыбаков. Владелец: Анатолий Александрович Рыбаков. Дата публикации: 2017-05-10.

Air-gap wound synchronous generator with integrated magnetic suspension

Номер патента: RU2647490C1. Автор: Флюр Рашитович Исмагилов,Вячеслав Евгеньевич Вавилов,Ирек Ханифович Хайруллин,Айбулат Халяфович Минияров,Антон Александрович Меднов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2018-03-16.

Wind power generation unit, electric motor, and airflow delivery device for electric motor air gap

Номер патента: US11855511B2. Автор: Shengjun MA. Владелец: Beijing Goldwind Science and Creation Windpower Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Secure data replication to, and recovery of data from, air-gapped data storage pools

Номер патента: US20240007505A1. Автор: Arun Prasad Amarendran,Hetal Kapadia,Laskshmi N Prakash PARVATHAMVENKATAS,Satya Narayan Mohanty. Владелец: Commvault Systems Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of inspecting a generator air-gap

Номер патента: US20150276931A1. Автор: Lijian Wu,Giovanni Airoldi,Xavier Tourde,Paul Kordjian,Adriana Cristina. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-10-01.

Visual data transmission by an air-gapped system

Номер патента: US12003709B1. Автор: Frank Kuster,Reinhold Geiselhart,Rene BLATH. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for rendering virtual desktops on an air-gapped endpoint

Номер патента: US20200279042A1. Автор: Tal Zamir,Nir Adler,Oleg ZLOTNIK. Владелец: Hysolate Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Visual data transmission by an air-gapped system

Номер патента: US20240163429A1. Автор: Frank Kuster,Reinhold Geiselhart,Rene BLATH. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Single-phase asynchronous motor with stepped air gap

Номер патента: EP1636893A1. Автор: Jozsef Sisa. Владелец: Kiss Pál. Дата публикации: 2006-03-22.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12058848B2. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Air gap scavenging system for oil cooled electric motor

Номер патента: US12132381B2. Автор: Steven VANHEE,Dolf VANDAMME. Владелец: Dana Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Rotating electric machine including rotor arranged with intermediation of air gap

Номер патента: US09882442B2. Автор: Masafumi Sakamoto,Shunsuke Takeguchi,Shigeyoshi Sato,Shun Yasuda. Владелец: Nippon Piston Ring Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Air gap control systems and methods

Номер патента: US09479038B2. Автор: Matthew B. Jore,James S. Smith,Michael A. Kvam,David Samsel,James David Duford,Brian J. Sullivan,Charles Perry Butterfield. Владелец: Boulder Wind Power Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Bone conduction device including a balanced electromagnetic actuator having radial and axial air gaps

Номер патента: US09445207B2. Автор: Kristian Åsnes. Владелец: Cochlear Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Dimmer switch having dimmer actuator operable for actuating an air-gap switch

Номер патента: US09398667B2. Автор: Adam Kevelos,Michael KAMOR,Renjith Mathew,Ronald Jansen. Владелец: LEVITON MANUFACTURING CO INC. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of controlling air gaps between anchor and poles in electrical machines during assembly

Номер патента: RU2695096C1. Автор: Вячеслав Михайлович Волков,Сергей Николаевич Должиков,Максим Николаевич Лакеенко,Сергей Васильевич Пахоменко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Опытно-инструментальный завод "Транспорт" (ООО "ОИЗ "Транспорт"). Дата публикации: 2019-07-19.

Arrangement to compensate a non-uniform air gap of an electric machine

Номер патента: CA2724042C. Автор: Henrik Stiesdal. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-10-30.

Flexible serrated abradable stator mounted air gap baffle for a dynamoelectric machine

Номер патента: US4264834A. Автор: Anthony F. Armor,John R. Morgan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1981-04-28.

Air-Gapped Remote Controller System

Номер патента: US20230216855A1. Автор: Roman Potapov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-06.

Electret transducer with variable actual air gap

Номер патента: CA1186045A. Автор: James E. West,Ilene J. Busch-Vishniac,Robert L. Wallace, Jr.. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-04-23.

Access control for air-gapped computer systems

Номер патента: US20230252168A1. Автор: Amihai Savir,Jehuda Shemer,Stav Sapir,Naor Radami. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-08-10.

Modeling method of stator winding air gap for temperature field analysis of AC traction motor

Номер патента: US11196374B2. Автор: Ping Liu,Xiaoping Zhang,Zhu Zhang,Sijian KUANG. Владелец: Hunan University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-12-07.

Access control for air-gapped computer systems

Номер патента: US11960612B2. Автор: Amihai Savir,Jehuda Shemer,Stav Sapir,Naor Radami. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-04-16.

Air-gap type film bulk acoustic resonator

Номер патента: US11996823B2. Автор: Byung Hun Kim,Jong Hyeon Park. Владелец: Wisol Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Modeling method of stator winding air gap for temperature field analysis of ac traction motor

Номер патента: US20210013820A1. Автор: Ping Liu,Xiaoping Zhang,Zhu Zhang,Sijian KUANG. Владелец: Hunan University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-01-14.

Executing commands on air-gapped computer systems

Номер патента: US20230252169A1. Автор: Amihai Savir,Jehuda Shemer,Stav Sapir,Naor Radami. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-08-10.

Axial air gap brushless alternator

Номер патента: CA1223624A. Автор: Mikhail Godkin,Kevin S. Moran. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1987-06-30.

Arrangement to ensure an air gap in an electric machine

Номер патента: CA2724005C. Автор: Henrik Stiesdal. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Low capacitance surge protector for high speed data transmission

Номер патента: GB2354381A. Автор: Peter Kobsa. Владелец: Porta Systems Corp. Дата публикации: 2001-03-21.

Miniature air gap inspection device

Номер патента: CA2264382C. Автор: Kenneth J. Hatley. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-10-09.

Air-gap type film bulk acoustic resonator

Номер патента: US11777467B2. Автор: Byung Hun Kim,A Young MOON,Yong Hun KO. Владелец: Wisol Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Electromagnetic transducer with non-axial air gap

Номер патента: US11778385B2. Автор: Tommy BERGS. Владелец: Cochlear Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

System for the circulation of gas in airs gaps of rotating machines

Номер патента: US20200340495A1. Автор: Heloisa Helena Da Silva Folhadella,Anderson Moita Witka,Eduardo Wong Cardoso,Lafaete Creomar Lima Junior. Владелец: FMC TECHNOLOGIES DO BRASIL LTDA. Дата публикации: 2020-10-29.

Air gap system and method using out of band signaling

Номер патента: US20210110068A1. Автор: Michael Steven Voss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-15.

Air gap boom cover system and method for drying an insulated boom section of an aerial lift device

Номер патента: WO2023220667A3. Автор: Daniel Neil O'connell,Raymond Henry JODOIN. Владелец: Quanta Associates, L.P.. Дата публикации: 2024-03-14.

Controlling access to external networks by an air-gapped endpoint

Номер патента: US20200285735A1. Автор: Tal Zamir,Nir Adler,Oleg ZLOTNIK,Boris FIGOVSKY. Владелец: Hysolate Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Techniques for improving seamless user experience on air-gapped endpoints

Номер патента: US20180211036A1. Автор: Tal Zamir,Nir Adler,Oleg ZLOTNIK. Владелец: Hysolate Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Loudspeaker with ventilation shafts for air gap cooling

Номер патента: WO2008093238A8. Автор: Alex Geltmeyer. Владелец: Alex Geltmeyer. Дата публикации: 2009-07-23.

Installation device for air gap arrester and installation method thereof

Номер патента: US11764554B2. Автор: Bin Wang,Bo Zhang,Chi Yu,Yunpeng GUO,Zhiyi WANG,Wendong JIANG,Kaimei ZHAO,Jianye Cui,Yuqun Fang,Weinan Qin. Владелец: State Grid Jinhua Power Supply Co. Дата публикации: 2023-09-19.

Automated Certificate Management in Air-Gapped Networks

Номер патента: US20240259366A1. Автор: Chandra Mouli Addaguduru,Manoj Kumar Ampalam,Krupesh Satishkumar Dhruva,Narasimha KARUMANCHI. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Tape fed miniature air gap inspection crawler

Номер патента: EP1863153A3. Автор: Paul C. Bagley,Kenneth Hatley,Robert M. Roney. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2008-06-04.

A mechanical assembly for maintaining an air gap between a stator and rotor in an electro-mechanical energy converter

Номер патента: EP2695282A1. Автор: Joseph Prudell,Kenneth Rhinefrank,Alphonse Schacher,Erik HAMMAGREN. Владелец: COLUMBIA POWER TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2014-02-12.

A mechanical assembly for maintaining an air gap between a stator and rotor in an electro-mechanical energy converter

Номер патента: NZ617146A. Автор: Joseph Prudell,Kenneth Rhinefrank,Alphonse Schacher,Erik HAMMAGREN. Владелец: COLUMBIA POWER TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2015-09-25.

Automated certificate management in air-gapped networks

Номер патента: WO2024158557A1. Автор: Chandra Mouli Addaguduru,Manoj Kumar Ampalam,Krupesh Satishkumar Dhruva,Narasimha KARUMANCHI. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2024-08-02.

Dynamoelectric machine with differential protection system including means for air gap monitoring

Номер патента: US3713002A. Автор: E Whitney. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1973-01-23.

一种Air-gap结构的软硬结合板制作方法

Номер патента: CN116709666. Автор: 杨林,杨承杰. Владелец: Sichuan Shangda Electronics Co ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

一种改善FPC板Air-gap结构粘结的方法

Номер патента: CN113286454. Автор: 何淼,彭卫红,张盼盼,宋建远. Владелец: Shenzhen Suntak Multilayer PCB Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-20.

Enhanced cell (re)selection for low power wake-up signal mode of operation

Номер патента: US20240340744A1. Автор: Sunyoung Lee,Knud Knudsen,Jan Torst HVIID,David BHATOOLAUL,Tanumay Manna,Alok SETHI,Brajesh SONI. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-10-10.

Fabric-based virtual air gap provisioning, system and methods

Номер патента: US12021683B2. Автор: Nicholas James Witchey,Thomas M. Wittenschlaeger. Владелец: NANT HOLDINGS IP LLC. Дата публикации: 2024-06-25.

Downlink control information (DCI) design for low cost devices

Номер патента: US09826514B2. Автор: Hao Xu,Juan Montojo,Peter Gaal,Wanshi Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Electric machine with multiple air gaps and a 3D magnetic flux

Номер патента: US09685828B2. Автор: Damien Mariotto. Владелец: Sintertech SAS. Дата публикации: 2017-06-20.

Capacitive coupled resonator device with air-gap separating electrode and piezoelectric layer

Номер патента: US09608594B2. Автор: Phil Nikkel,Dariusz Burak. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Electric machine with intermediate pieces having multiple air gaps and a 3D magnetic flux

Номер патента: US09496757B2. Автор: Damien Mariotto. Владелец: Sintertech SAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Mechanical assembly for maintaining an air gap between a stator and rotor in an electro-mechanical energy converter

Номер патента: US09484779B2. Автор: Joseph Prudell,Alphonse Schacher,Erik HAMMAGREN,Kenneth Edward Rhinefrank. Владелец: COLUMBIA POWER TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

System and methods for low-overhead wireless beacons having next full beacon indications

Номер патента: RU2567375C2. Автор: Симоне МЕРЛИН,Мартен Мензо ВЕНТИНК,Сантош Пол АБРАХАМ,Гвидо Роберт ФРЕДЕРИКС. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2015-11-10.

Air gap adjusting apparatus for cylindrical linear motor of an elevator

Номер патента: US5512791A. Автор: Kil Hee Cho. Владелец: LG Industrial Systems Co Ltd. Дата публикации: 1996-04-30.

Mechanical means for holding air gaps on bolt-down stators in refrigerant compressors

Номер патента: US4544334A. Автор: Charles B. Ellis. Владелец: Lennox Industries Inc. Дата публикации: 1985-10-01.

Axial air gap motor and clothing processing apparatus having same

Номер патента: US20200067392A1. Автор: Hyounguk NAM,Seungsuk Oh,Dosun Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-02-27.

Bone conduction device including a balanced electromagnetic actuator having radial and axial air gaps

Номер патента: US11917376B2. Автор: Kristian Åsnes. Владелец: Cochlear Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Double air gap-type surface permanent magnet synchronous motor provided with non-magnetic shielding member

Номер патента: US20230421007A1. Автор: Jin-woo Ahn,Kwang-Il Jeong,Do-Hyun Kang. Владелец: Industry Cooperation Foundation of Kyungsung University. Дата публикации: 2023-12-28.

Electric Motor with Air-Gap Sleeve

Номер патента: US20230163657A1. Автор: David Finck. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-05-25.

Air gap scavenging system for oil cooled electric motor

Номер патента: US11876434B2. Автор: Steven VANHEE,Dolf VANDAMME. Владелец: Dana Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Echter sicherer air gap

Номер патента: DE102022116254A1. Автор: Amihai Savir,Jehuda Shemer,Stav Sapir,Naor Radami. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

Double air gap-type surface permanent magnet synchronous motor provided with double controllers

Номер патента: US20240006970A1. Автор: Jin-woo Ahn,Kwang-Il Jeong,Do-Hyun Kang. Владелец: Industry Cooperation Foundation of Kyungsung University. Дата публикации: 2024-01-04.

Air gap boom cover system and method for drying an insulated boom section of an aerial lift device

Номер патента: CA3158861A1. Автор: Daniel Neil O'connell. Владелец: Quanta Associates LP. Дата публикации: 2023-11-12.

Additively manufactured air gap winding for an electrical machine

Номер патента: US20240186858A1. Автор: Ralf Werner,Johannes Rudolph,Max Erick Busse-Grawitz,Fabian Lorenz. Владелец: MAXON INTERNATIONAL AG. Дата публикации: 2024-06-06.

Air gap scavenging system for oil cooled electric motor

Номер патента: US20240106304A1. Автор: Steven VANHEE,Dolf VANDAMME. Владелец: Dana Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Adjustable air gap axial flux motor

Номер патента: US20240178732A1. Автор: Jian Yao,Alan G. Holmes,Chengwu Duan,Denghao Fan,Vincent Fedida. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

A driver circuit for low voltage operation of a successive approximation register (sar) analog to digital (a/d) converter and method therefor

Номер патента: WO1999037027A1. Автор: David Susak. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 1999-07-22.

A Day ahead Mobile Energy Storage System Scheduling Method for Low Voltage Distribution System

Номер патента: LU503731B1. Автор: He Meng,Tao Xu,Jiadong Zhang,Hongru Wang,Jianhang SUN,Mengchao LI,Shuqi Cai,Zuozheng Liu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2023-09-25.

Circuits for low noise amplifiers with interferer reflecting loops

Номер патента: US09954497B2. Автор: Peter R. Kinget,Harish Krishnaswamy,Jianxun Zhu. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2018-04-24.

Systems and methods for low power consumption in wireless communication systems

Номер патента: US09462555B2. Автор: Maruti Gupta,Puneet K. Jain,Ali T. Koc,Varun N. Rao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Apparatus and method for low voltage reference and oscillator

Номер патента: US09436205B2. Автор: Guillaume De Cremoux. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Electronic ballast having an air gapped resonant inductor

Номер патента: GB2347029A. Автор: Michael Andrews. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-08-23.

Brushless d.c. dynamoelectric machine with decreased magnitude of pulsations of air gap flux

Номер патента: CA1271510A. Автор: Eric Whiteley. Владелец: Maghemite Inc. Дата публикации: 1990-07-10.

Axial-air-gap type semiconductor electric motor

Номер патента: US4072881A. Автор: Itsuki Ban. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-02-07.

Axial air gap motor

Номер патента: US4618790A. Автор: Yoshitaka Kakuda,Norimasa Kondoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-10-21.

Radiotelephone with an air gap provided between the speaker and sound ports

Номер патента: GB2311187A. Автор: Joel Clark. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-09-17.

Device for fixing an air-gap winding of a dynamo-electric machine

Номер патента: US5053663A. Автор: Joachim Boer,Fritz Sommer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-10-01.

Air gap winding rotating electric machine

Номер патента: US4475052A. Автор: Toshiki Hirao,Kouichi Okamoto,Tatsuei Nomura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1984-10-02.

Electric machine having an air-gap winding

Номер патента: GB1492636A. Автор: . Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1977-11-23.

DC brushless motor having an interior permanent magnet rotor with optimal magnet thickness/air gap relationship

Номер патента: US6034458A. Автор: Akihito Uetake,Yoshihiko Yamagishi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-03-07.

Improvements in electrical rotating machines of the flat annular air-gap type

Номер патента: GB1207883A. Автор: . Владелец: Photocircuits Corp. Дата публикации: 1970-10-07.

Dual position air gap baffle assembly for a dynamoelectric machine

Номер патента: CA1087669A. Автор: George F. Dailey,Raymond M. Calfo,Gerald R. Alkire,Arthur Mulach. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1980-10-14.

Permanent magnet coupler with adjustable air gaps

Номер патента: IL147686A. Автор: . Владелец: Magna Force Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Electric machine having a plurality of closing devices for closing respective intermediate spaces in relation to an air gap, and production method

Номер патента: US20210218308A1. Автор: Robert Goraj,Izabela Kuder. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2021-07-15.

Fabric-based virtual air gap provisioning, systems and methods

Номер патента: US20200259709A1. Автор: Nicholas J. Witchey,Thomas Wittenschlaeger. Владелец: NANT HOLDINGS IP, LLC. Дата публикации: 2020-08-13.

Fabric-Based Virtual Air Gap Provisioning, System And Methods

Номер патента: US20220086041A1. Автор: Nicholas James Witchey,Thomas M. Wittenschlaeger. Владелец: NANT HOLDINGS IP LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

Fabric-Based Virtual Air Gap Provisioning, Systems and Methods

Номер патента: US20150341209A1. Автор: Nicholas J. Witchey,Thomas Wittenschlaeger. Владелец: NANT HOLDINGS IP LLC. Дата публикации: 2015-11-26.

Air gap-based network isolation device

Номер патента: US20230370463A1. Автор: Anthony Hasek,Richard Bate. Владелец: Goldilock Secure Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

一种Air-gap结构的软硬结合板制作方法

Номер патента: CN116709666A. Автор: 杨林,杨承杰. Владелец: Sichuan Shangda Electronics Co ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Air gap baffle train for a zone cooled turbine generator

Номер патента: US11552512B2. Автор: Benjamin Todd Humphries,Robert Gore. Владелец: Siemens Energy Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Air gap adjustment apparatus

Номер патента: US11962208B2. Автор: Sang Deok Kim,Seung Ki Kim,Kwang Jin Kim,Chul Jun Park,Kyo Ho LEE,Yoon Zong Kim,Joo Seob Kim,Bit Na Oh. Владелец: Hyosung Heavy Industries Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Rigid rotor structures for conical air gap electrodynamic machines

Номер патента: WO2017053579A1. Автор: Alan Crapo,Paul Knauer. Владелец: NovaTorque, Inc.. Дата публикации: 2017-03-30.

Air Gap Boom Cover System And Method For Drying An Insulated Boom Section Of An Aerial Lift Device

Номер патента: US20230366621A1. Автор: Raymond Henry JODOIN,Daniel Neil O’Connell. Владелец: Quanta Associates LP. Дата публикации: 2023-11-16.

Air-gap type FBAR

Номер патента: US12003228B2. Автор: Byung Hun Kim,Yong Hun KO. Владелец: Wisol Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Air gap adjustment apparatus

Номер патента: US20220352798A1. Автор: Sang Deok Kim,Seung Ki Kim,Kwang Jin Kim,Chul Jun Park,Kyo Ho LEE,Yoon Zong Kim,Joo Seob Kim,Bit Na Oh. Владелец: Hyosung Heavy Industries Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Air gap baffle train for a zone cooled turbine generator

Номер патента: US20220200369A1. Автор: Benjamin Todd Humphries,Robert Gore. Владелец: Siemens Energy Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Loudspeaker with ventilation shafts for air gap cooling

Номер патента: WO2008093238A3. Автор: Alex Geltmeyer. Владелец: Alex Geltmeyer. Дата публикации: 2008-10-16.

Motor air gap air injection pump control

Номер патента: US20240235453A1. Автор: Farzad Samie,Chunhao J. Lee,Xiaofeng Yang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Air gap boom cover system and method for drying an insulated boom section of an aerial lift device

Номер патента: WO2023220667A2. Автор: Daniel Neil O'connell,Raymond Henry JODOIN. Владелец: Quanta Associates, L.P.. Дата публикации: 2023-11-16.

One bit compression sensing mechanism for low rate wireless sensor networks

Номер патента: AU2020103755A4. Автор: J. V. Anand,Kumaresan Angappan,M. Balasaraswathi,K. Jeyapiriya,D. Karunkuzhali,B. Uma Maheswari,D. Periyaazhagar,T. Saravanan,G. Sudha,V. A. Velvizhi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-11.

Motor with axial air gap

Номер патента: US8729761B2. Автор: Duo-Nian Shan,yuan-jie Zheng. Владелец: Sunonwealth Electric Machine Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-20.

Motor with Axial Air Gap

Номер патента: US20130033143A1. Автор: Duo-Nian Shan,yuan-jie Zheng. Владелец: Sunonwealth Electric Machine Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

Air gap-based network isolation device circuit board

Номер патента: EP4396995A1. Автор: Anthony Hasek,Richard Bate,Mohamed SAMAK,Josh HOMERSTON. Владелец: Goldilock Secure Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Motor generator with improved air gap flux alignment

Номер патента: EP3977596A1. Автор: Henry K. Obermeyer,Tanner GRIDER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-06.

Motor generator with improved air gap flux alignment

Номер патента: AU2020282371A1. Автор: Henry K. Obermeyer,Tanner GRIDER. Владелец: Bhe Turbomachinery LLC. Дата публикации: 2022-02-03.

A modular frame structure of an enclosure for low-voltage switchgear and controlgear assemblies with improved degree of protection (ip code)

Номер патента: AU2020457842A1. Автор: Peter Alexeev. Владелец: ELSTEEL PVT Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

A modular frame structure of an enclosure for low-voltage switchgear and controlgear assemblies with improved degree of protection (ip code)

Номер патента: EP4176499A1. Автор: Peter Alexeev. Владелец: Elsteel Denmark AS. Дата публикации: 2023-05-10.

Protecting confidentiality of air-gapped logs

Номер патента: GB2610448A. Автор: Maass Michael,Li Xiangrong,Abi-Antoun Marwan,Spangler Andrew. Владелец: MOTIONAL AD LLC. Дата публикации: 2023-03-08.

Air gap-based network isolation device circuit board

Номер патента: AU2022336838A1. Автор: Anthony Hasek,Richard Bate,Mohamed SAMAK,Josh HOMERSTON. Владелец: Goldilock Secure Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Preemption for low latency application by using null tones or dedicated resource unit for suspend request feedback

Номер патента: EP4412376A1. Автор: Qinghua Li,Juan Fang,Laurent Cariou,Robert Stacey,Danny Alexander. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Image signal processor architecture optimized for low-power, processing flexibility, and user experience

Номер патента: WO2013006512A2. Автор: Madhu S. Athreya,Ravi Kolagotla,Yuh-Lin E. Chang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-01-10.

Axial air gap electric rotary motor

Номер патента: US20240243645A1. Автор: Allen G. Duncan,Robert J. Nicholl,Michael A. Alen. Владелец: Moog Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Txop preemption for low latency application

Номер патента: US20240349319A1. Автор: Juan Fang,Laurent Cariou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-17.

Paging for low complexity user equipment and/or user equipment in coverage enhancement mode

Номер патента: US20200163051A1. Автор: RAPEEPAT Ratasuk,Yan Ji ZHANG,Yuan Tao ZHANG. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2020-05-21.

Miniaturized real time pseudo-cross domain data communication system with air gapped full motion video device and method

Номер патента: US09967234B1. Автор: Bradford James Crane,Kevin Dee Shepherd. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-05-08.

Axial air-gap motor stator and fan having the same

Номер патента: US09917489B2. Автор: Fu-Lung Lin,Shih-Wei Huang,Chu-Yi Kuo. Владелец: Cooler Master Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Wi-Fi scan scheduling and power adaptation for low-power indoor location

Номер патента: US09877158B2. Автор: Lei Yang,XUE Yang,Hongtao Xu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Double air gap, spoke type vernier machine

Номер патента: US09595858B2. Автор: Thomas A. Lipo,Byungtaek Kim. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-03-14.

Electromagnetic transducer with air gap substitute

Номер патента: US09432782B2. Автор: Johan Gustafsson,Tommy BERGS. Владелец: Cochlear Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Radar tracking system for low-flying unmanned aerial vehicles and objects

Номер патента: RU2737058C2. Автор: Ерленд ОЛСОН. Владелец: Рхомбус Сыстемс Гроуп, Инц.. Дата публикации: 2020-11-24.

Systems and methods for low-overhead wireless beacons having compressed network identifiers

Номер патента: RU2580517C2. Автор: Симоне МЕРЛИН,Мартен Мензо ВЕНТИНК,Сантош Пол АБРАХАМ,Гвидо Роберт ФРЕДЕРИКС. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2016-04-10.

Preemption indication for low latency communications on dynamically allocated resources

Номер патента: US20190320448A1. Автор: Srinivas YERRAMALLI,Xiaoxia Zhang,Jing Sun,Seyed Ali Akbar Fakoorian,Chih-Hao Liu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Capacitive wire sensing for furniture

Номер патента: US20130176040A1. Автор: Ryan Edward Chacon,William Robert Rohr. Владелец: L&P Property Management Co. Дата публикации: 2013-07-11.

Artificial intelligence-based power controller for low voltage ride-through control of grid connected distributed generation networks

Номер патента: US11362539B1. Автор: Md Mottahir Alam,Ibrahim M. Mehedi,Nebras Sobahi,Asif Irshad Khan,Md. Moddassir Alam,Ahteshamul Haque,Samir Kasim,Varaha Satya Bharath Kurukuru. Владелец: KING ABDULAZIZ UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-06-14.

Preemption indication for low latency communications on dynamically allocated resources

Номер патента: EP3777423A1. Автор: Srinivas YERRAMALLI,Xiaoxia Zhang,Jing Sun,Seyed Ali Akbar Fakoorian,Chih-Hao Liu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-02-17.

Preemption indication for low latency communications on dynamically allocated resources

Номер патента: WO2019200276A1. Автор: Srinivas YERRAMALLI,Xiaoxia Zhang,Jing Sun,Seyed Ali Akbar Fakoorian,Chih-Hao Liu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-10-17.

RANDOM ACCESS RESOURCE UNITS (RA-RUs) FOR LOW-LATENCY (LL) TRAFFIC

Номер патента: US20240237037A9. Автор: Hongyuan Zhang,Liwen Chu,Kiseon Ryu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

RANDOM ACCESS RESOURCE UNITS (RA-RUs) FOR LOW-LATENCY (LL) TRAFFIC

Номер патента: US20240137959A1. Автор: Hongyuan Zhang,Liwen Chu,Kiseon Ryu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

A modular frame structure of an enclosure for low-voltage switchgear and controlgear assemblies with improved degree of protection (ip code)

Номер патента: WO2022008948A1. Автор: Peter Alexeev. Владелец: Elsteel (Pvt) Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Paging for low complexity user equipment and/or user equipment in coverage enhancement mode

Номер патента: EP3335471A1. Автор: RAPEEPAT Ratasuk,Yanji Zhang,Yuantao Zhang. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2018-06-20.

Low complexity receiver and method for low density signature modulation

Номер патента: US09614576B2. Автор: Mohammadhadi Baligh,Hosein Nikopour,Alireza Bayesteh. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Capacitive wire sensing for furniture

Номер патента: US09528812B2. Автор: William Rohr,Ryan Edward Chacon,Avinash Madadi,Sam Cassell. Владелец: L&P Property Management Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of transmitting control information for low-cost machine type communication, and apparatus for supporting same

Номер патента: US09515799B2. Автор: Jiwoong Jang,Hangyu Cho,Hyunsoo Ko. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-12-06.

Resampling audio signal for low-delay encoding/decoding

Номер патента: RU2679228C2. Автор: Стефан РАГО,Балаж КОВЕЗИ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2019-02-06.

Slotless, brushless, large air gap electric motor

Номер патента: US5200661A. Автор: Daniel J. Shramo,Susan M. Benford. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-04-06.

Package for speed sensing device having minimum air gap

Номер патента: US5250925A. Автор: George A. Shinkle. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1993-10-05.

Resampling of an audio signal for low-latency encoding/decoding

Номер патента: RU2756042C2. Автор: Стефан РАГО,Балаж КОВЕЗИ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-09-24.

Integrated circuit and method for low noise frequency synthesis

Номер патента: US6107891A. Автор: Bruce H. Coy. Владелец: Applied Micro Circuits Corp. Дата публикации: 2000-08-22.

Systems and methods for low-overhead wireless beacon timing

Номер патента: RU2580840C2. Автор: Симоне МЕРЛИН,Мартен Мензо ВЕНТИНК,Сантош Пол АБРАХАМ,Гвидо Роберт ФРЕДЕРИКС. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2016-04-10.

Coding of samples array for low delay

Номер патента: RU2682922C1. Автор: Валери ГЕОРГЕ,Хайнер КИРХХОФФЕР,Детлеф МАРПЕ,Томас ШИРЛЬ,Анастасия ХЕНКЕЛЬ. Владелец: ДжиИ Видео Компрешн, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-03-22.

Air-gap winding in an electrical machine

Номер патента: US4321494A. Автор: Robert B. MacNab. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1982-03-23.

Wireless data transmission protocol for low-power receivers

Номер патента: RU2583753C2. Автор: Адам ТОНЕР,Дэниел Б. ОТТС,Рэндалл Брэкстон ПЬЮ,Уилльям Честер НИЛИ,Скотт Роберт ХАМФРИЗ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2016-05-10.

Axial air-gap electric motors: mounting rotors

Номер патента: GB2032705A. Автор: . Владелец: Portescap SA. Дата публикации: 1980-05-08.

Two part laminated stator for an electric machine with an air-gap winding

Номер патента: US4173724A. Автор: Rudolf Von Musil. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1979-11-06.

Apparatus and method for auto control of air gap in wireless power transmission system

Номер патента: KR20140116644A. Автор: 박인숙,김용필. Владелец: 박인숙. Дата публикации: 2014-10-06.

Mounting of armature conductors in air-gap armatures

Номер патента: US4281264A. Автор: Donald W. Jones,Thomas A. Keim. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1981-07-28.

Reluctance machine having a non-uniform air gap between a rotor pole and a stator pole

Номер патента: CA2575712C. Автор: Neil N. Norell,Mark E. Baer. Владелец: Shop Vac Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Axial air gap motor

Номер патента: US3745388A. Автор: D Frederick. Владелец: Individual. Дата публикации: 1973-07-10.

Motor generator with improved air gap flux alignment

Номер патента: CA3142426A1. Автор: Henry K. Obermeyer,Tanner GRIDER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-03.

Downlink control information for low cost devices

Номер патента: EP2781133A1. Автор: Hao Xu,Juan Montojo,Peter Gaal,Wanshi Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-09-24.

Downlink control information for low cost devices

Номер патента: WO2013074722A1. Автор: Hao Xu,Juan Montojo,Peter Gaal,Wanshi Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-05-23.

Protecting Enterprise Computing Resources by Implementing an Optical Air Gap System

Номер патента: US20210014229A1. Автор: Jeffrey K. Johnson,George Albero,Michael Beveridge,Elizabeth R. Liuzzo. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Magnetic tunnel junction device with air gap

Номер патента: US11937512B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Downlink control information (dci) design for low cost devices

Номер патента: US20180077693A1. Автор: Hao Xu,Juan Montojo,Peter Gaal,Wanshi Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Variable air-gap electric motor

Номер патента: WO2024105487A1. Автор: Bruno Vianello,Massimiliano GIACOMETTI,Iacopo SPRESIAN. Владелец: Texa Dynamics s.r.l.. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and apparatus for low latency transmissions

Номер патента: EP3342078A1. Автор: Robert T. Love,Ajit Nimbalker,Vijay Nangia,Ravi Kuchibhotla,Ravikiran Nory. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2018-07-04.

Method and apparatus for low latency transmissions

Номер патента: WO2017136008A1. Автор: Robert T. Love,Ajit Nimbalker,Ravi Kuchibhotla,Ravikiran Nory,Vijay NANJIA. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2017-08-10.

Electrical machine with an axial air gap for an aircraft

Номер патента: US20230402888A1. Автор: Anton Rudenko. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2023-12-14.

Virtual air-gapped endpoint, and methods thereof

Номер патента: US20180213001A1. Автор: Tal Zamir,Oleg ZLOTNIK,Boris FIGOVSKY. Владелец: Hysolate Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Adjustable self-aligning bushing

Номер патента: US1632164A. Автор: Bert R Benjamin,Webber William. Владелец: International Harverster Corp. Дата публикации: 1927-06-14.

Adjustable self-aligning pivot bearing, and ball pin and socket employing same

Номер патента: US3778174A. Автор: L Molby. Владелец: RG LeTourneau Inc. Дата публикации: 1973-12-11.

Adjustable, self-aligning rotor locking device for an aerogenerator

Номер патента: CN101535635B. Автор: K·奥胡斯,J·塞达拉加拉特. Владелец: Gamesa Eolica SA. Дата публикации: 2012-06-06.

Adjustable, self-aligning rotor locking device for an aerogenerator

Номер патента: CN101535635A. Автор: K·奥胡斯,J·塞达拉加拉特. Владелец: Gamesa Eolica SA. Дата публикации: 2009-09-16.

Adjustable, self-aligning rotor locking device for an aerogenerator

Номер патента: ES2302628A1. Автор: Karl Aarhus,Javier Cerrada Garate. Владелец: Gamesa Innovation and Technology SL. Дата публикации: 2008-07-16.

Adjustable, self-aligning, linear roller bearing

Номер патента: US20020102037A1. Автор: John Hubbard,Daniel McLarty,Stephen Podhajecki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Nano Bubble Water Generator with Self-aligned Air Gap Structure

Номер патента: KR102150865B1. Автор: 윤상. Владелец: 주식회사 이앤에이치. Дата публикации: 2020-09-02.

Self aligning air roller for light load and High-Speed Rotor

Номер патента: KR101223188B1. Автор: 홍열표. Владелец: 홍열표. Дата публикации: 2013-01-17.

Method and device for control of wear of brake pads and air gap of working brake of vehicles

Номер патента: RU2592753C2. Автор: Томас Виттманн,Штефан ВЕЛЛЬНЕР. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2016-07-27.

Device and method for low pressure compresssion and valve for use in the system

Номер патента: WO2004108051A2. Автор: Noam Calderon,Amit Ben Dror. Владелец: C-Boot Ltd. Дата публикации: 2004-12-16.

Method for transmitting and receiving data through an air gap by bipolar pulses and a device for realizing said data

Номер патента: RU2723088C1. Автор: Виктор Владимирович Карасев,Тимур Аманович Абдыев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина". Дата публикации: 2020-06-08.

Air gap membrane distillation assembly and method for controlling such assembly

Номер патента: WO2024200281A1. Автор: Björn Holmström. Владелец: Nss Water Enhancement Technology Ab. Дата публикации: 2024-10-03.

Air gap adjustment in hydraulic brake system

Номер патента: RU2550651C2. Автор: Маттиас ЛИРМАНН,Кристиан ШТАММЕН. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-05-10.

Method of and arrangement for measuring low capacitances

Номер патента: US4775830A. Автор: Matti Lyyra. Владелец: Vaisala Oy. Дата публикации: 1988-10-04.

Low capacitance pad for semiconductor chip testing

Номер патента: US4439727A. Автор: David H. Boyle. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-03-27.

Air gap device and liquid disinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and disinfecting apparatus

Номер патента: US11944712B2. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical BV. Дата публикации: 2024-04-02.

Mixing apparatus assembly with air gap separation, in particular for backflow prevention

Номер патента: US20140169121A1. Автор: Stefano Livoti,Gabriele PETRANGELI. Владелец: Seko SpA. Дата публикации: 2014-06-19.

Mixing apparatus assembly with air gap separation, in particular for backflow prevention

Номер патента: EP2734294A1. Автор: Stefano Livoti,Gabriele PETRANGELI. Владелец: Seko SpA. Дата публикации: 2014-05-28.

Mixing apparatus assembly with air gap separation, in particular for backflow prevention

Номер патента: US9375688B2. Автор: Stefano Livoti,Gabriele PETRANGELI. Владелец: Seko SpA. Дата публикации: 2016-06-28.

Mixing apparatus assembly with air gap separation, in particular for backflow prevention

Номер патента: WO2013011486A1. Автор: Stefano Livoti,Gabriele PETRANGELI. Владелец: SEKO S.P.A.. Дата публикации: 2013-01-24.

Air gap device and liquid disinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and disinfecting apparatus

Номер патента: AU2018355821B2. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Chemical eductor with integral elongated air gap

Номер патента: WO1997001681A1. Автор: William F. Sand. Владелец: Hydro Systems Company. Дата публикации: 1997-01-16.

Air gap device and liquid desinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and desinfecting apparatus

Номер патента: WO2019083366A1. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical B.V.. Дата публикации: 2019-05-02.

Air gap device and liquid desinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and desinfecting apparatus

Номер патента: CA3084478A1. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical BV. Дата публикации: 2019-05-02.

Air gap device and liquid desinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and desinfecting apparatus

Номер патента: EP3700586A1. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical BV. Дата публикации: 2020-09-02.

Air gap device and liquid disinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and disinfecting apparatus

Номер патента: US20200282094A1. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical BV. Дата публикации: 2020-09-10.

Air gap device and liquid disinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and disinfecting apparatus

Номер патента: AU2018355821A1. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical BV. Дата публикации: 2020-05-14.

Faucet that can be equipped with an air gap device

Номер патента: US20220154439A1. Автор: Jui-Ching Chen,Jui-Chien Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-05-19.

Heat-seal Band System with Heat Tunability Through an Air Gap Arrangement

Номер патента: US20240294287A1. Автор: Michael Parkinson. Владелец: Force Global Ropex America LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Heat-seal band system with heat tunability through an air gap arrangement

Номер патента: EP4424499A1. Автор: Michael Parkinson. Владелец: Force Global Ropex America LLC. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for determining an air gap of a vehicle brake and vehicle brake having a device for determining an air gap

Номер патента: US09964166B2. Автор: Christian Staahl,Thomas KLIEGL. Владелец: Knorr Bremse Systeme fuer Nutzfahrzeuge GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Air gap catch

Номер патента: US09745210B2. Автор: Jon-Andrew Vincent Sigona. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-29.

Non-contact electrical machine air gap measurement tool

Номер патента: US09599452B2. Автор: Trent J. Krummel. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-21.

Brake system and method of control with air gap estimation

Номер патента: US09457782B2. Автор: Yixin Yao. Владелец: ArvinMeritor Technology LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of transmitting and receiving data through an air gap with short pulses and a device for its implementation

Номер патента: RU2710301C1. Автор: Виктор Владимирович Карасев,Мария Сергеевна Кузнецова. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина". Дата публикации: 2019-12-25.

Product with low-emission coating containing absorbing layers for low reflection on film side and low passage of visible spectrum

Номер патента: RU2637003C2. Автор: Бернд ДИСТЕЛЬДОРФ,Антон ДИТРИХ,Петр КОКОТ,Адам ТОКАЖ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2017-11-29.

Apparatus for low-temperature dephlegmation with separation of ltds to prepare natural gas to obtain a propane-butane fraction

Номер патента: RU2685102C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2019-04-16.

Apparatus for low-temperature separation with dephlegmation of ltsd for extraction of hydrocarbons c2+ from natural gas (versions)

Номер патента: RU2685101C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2019-04-16.

Unit for low-temperature separation and cold recovery

Номер патента: RU2585809C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2016-06-10.

Plant for low-temperature separation with dephlegmation ltsd to obtain hydrocarbons c2+ from natural gas (versions)

Номер патента: RU2703132C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2019-10-15.

Device for creation of air gaps and elimination of re-drilling in blasting wells

Номер патента: RU2732373C1. Автор: Андрей Викторович Белов,Павел Викторович Белов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кузбасспецзатвор" (ООО "Кузбасспецзатвор"). Дата публикации: 2020-09-16.

Air gap controlling system for linear motor

Номер патента: CA2047977C. Автор: Noboru Kobayashi,Hiromu Miki. Владелец: Kawasaki Jukogyo KK. Дата публикации: 1994-07-26.

Secure data collection from an air-gapped network

Номер патента: US11954211B2. Автор: Sreenevas Subramaniam,Cody Wolf,Séverin Launiau,Luke Andrew Kasper,Evan Orgel,Ryan Craig Zulli. Владелец: ServiceNow Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Combination low capacitance probe tip and socket for a measurement probe

Номер патента: US20020175667A1. Автор: Richard Huard. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 2002-11-28.

Air Gap Floor Drain

Номер патента: US20190376270A1. Автор: Bryan VandenHeuvel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-12-12.

Air gap insulated exhaust pipe with branch pipe stub and method of manufacturing same

Номер патента: US20020014007A1. Автор: Pierre Bonny,Thomas Huelsberg. Владелец: Daimler Benz AG. Дата публикации: 2002-02-07.

Air-gap aerodynamically sealing apparatus for a motorized vehicle, and motorized vehicle, in particular a truck, comprising such an apparatus

Номер патента: EP4397579A1. Автор: Muthukumar Venkitachalam,Akarsh Kumar,Johan Torsholm. Владелец: Volvo Truck Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Air-gap aerodynamically sealing apparatus for a motorized vehicle, and motorized vehicle, in particular a truck, comprising such an apparatus

Номер патента: US20240217595A1. Автор: Muthukumar Venkitachalam,Akarsh Kumar,Johan Torsholm. Владелец: Volvo Truck Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Decorative air gap cap cover

Номер патента: US20210047814A1. Автор: Luke J. Williams,Luke M. Williams. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-18.

Fabrication of air gap regions in multicomponent lens systems

Номер патента: US20170351095A1. Автор: Omar Negrete. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Fabricating air gap regions in multicomponent lens systems

Номер патента: WO2017213694A1. Автор: Omar Negrete. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-12-14.

Explosive tube having air gap and method of blasting bedrock using same

Номер патента: US09829287B2. Автор: Jin Sung Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-28.

Air-gap faucet

Номер патента: US09765505B2. Автор: Hai Le,Kirk Mellits,Jeff Peltier,Steve Ferreira. Владелец: SYMMONS INDUSTRIES Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Air-gap faucet

Номер патента: US09499961B1. Автор: Hai Le,Kirk Mellits,Jeff Peltier,Steve Ferreira. Владелец: SYMMONS INDUSTRIES Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Air-gap faucet

Номер патента: US09359749B1. Автор: Hai Le,Kirk Mellits,Jeff Peltier,Steve Ferreira. Владелец: SYMMONS INDUSTRIES Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Air gap spacer for use in building construction

Номер патента: CA2449772A1. Автор: Clarence Thibeau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-12.

Laser gauge with full air gap measurement range

Номер патента: US10240911B2. Автор: Derrick Baker. Владелец: Advanced Gauging Technologies LLC. Дата публикации: 2019-03-26.

Air gap barrier

Номер патента: EP2547834A1. Автор: Jørgen Young,Øystein ØVRETVEIT. Владелец: Isola As. Дата публикации: 2013-01-23.

Igniter curcuit with an air gap

Номер патента: WO2004028207A2. Автор: Thomas L. Cowan. Владелец: Cowan Thomas L. Дата публикации: 2004-04-01.

Air Gap Detectors in Heating System for Draped Basin

Номер патента: US20210236223A1. Автор: Kevin Joseph Rackers,Thomas J. Wanbaugh,Paul Grozier. Владелец: Weg Surgical Solutions LLC. Дата публикации: 2021-08-05.

Evaporative-cooling and absorption-heating in air gaps insulation powered by humidity fluctuations

Номер патента: US20230280051A1. Автор: Dror ZCHORI. Владелец: Termotera Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Remote command execution over an air-gap secured system

Номер патента: US20230237199A1. Автор: Amihai Savir,Jehuda Shemer,Stav Sapir,Naor Radami. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-07-27.

Evaporative-cooling and absorption-heating in air gaps insulation powered by humidity fluctuations

Номер патента: AU2021320602A1. Автор: Dror ZCHORI. Владелец: TERMOTERA LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

System for low-photon-count visual object detection and classification

Номер патента: EP4147156A1. Автор: Luciano Sbaiz,Thomas Fischbacher. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-03-15.

Temperature sensitive paint for low-temperature use

Номер патента: US20050040368A1. Автор: Keisuke Asai,Yoshimi Iijima. Владелец: Japan Aerospace Exploration Agency JAXA. Дата публикации: 2005-02-24.

Ceramic-based composite material used for low-concentration formaldehyde degradation and preparation method therefor

Номер патента: US20240342653A1. Автор: BIN Li,Xiaomin Liu,Yufeng Wu. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-10-17.

Electrocatalyst carrier for low-temperature alcohol fuel elements

Номер патента: RU2504051C1. Автор: Юрий Анатольевич Добровольский,Александр Евгеньевич Укше,Любовь Анатольевна Фролова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2014-01-10.

Method and system for low-energy biomass torrefaction

Номер патента: RU2692250C2. Автор: Йонас БУРМАН,Ингемар Олофссон,Мартин СЬЁСТРЁМ,Мартин СТРАНДБЕРГ,Андерс Нордин,Эрик САНДСТРЁМ. Владелец: Биоэндев Аб. Дата публикации: 2019-06-24.

Annular barrier and well system for low pressure zone

Номер патента: RU2728157C2. Автор: Рикарду Ревис ВАСКИС. Владелец: Веллтек Ойлфилд Солюшнс АГ. Дата публикации: 2020-07-28.

Composition for low-caloricity sauce of pasty consistency, stable upon freezing and defrosting procedures, and method for producing the same

Номер патента: RU2264131C2. Автор: Бернард С. СЕКУЛА,Роземари А. ГОЛЬДЕН. Владелец: Бестфудс. Дата публикации: 2005-11-20.

Accessory faucet for purified water in a dishwasher air gap system

Номер патента: US5875809A. Автор: Robert David Barrom. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-03-02.

Method of measuring changes in impedance of a variable impedance load by disposing an impedance connected coil within the air gap of a magnetic core

Номер патента: US5132617A. Автор: Michael A. Leach,Brian J. Machesney,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-07-21.

Improved air gap eductor

Номер патента: AU5373798A. Автор: William F Sand. Владелец: Hydro Systems Co. Дата публикации: 1998-09-09.

Improved air gap eductor

Номер патента: WO1998037280A1. Автор: William F. Sand. Владелец: Hydro Systems Company. Дата публикации: 1998-08-27.

Capping head with torque adjustment using magnets separated by an adjustable air gap

Номер патента: EP1094983B1. Автор: Karl Heinz Spether. Владелец: Alcoa Inc. Дата публикации: 2003-01-22.

Sound attenuator for low frequencies, method for manufacturing sound attenuator for low frequencies and system for attenuating low frequencies for example in air-conditioning ducts of paper mills

Номер патента: EP2300752A1. Автор: Henrik Pettersson,Kalle Helenius. Владелец: Metso Paper Oy. Дата публикации: 2011-03-30.

Sound attenuator for low frequencies, method for manufacturing sound attenuator for low frequencies and system for attenuating low frequencies for example in air-conditioning ducts of paper mills

Номер патента: WO2009133240A1. Автор: Henrik Pettersson,Kalle Helenius. Владелец: METSO PAPER, INC.. Дата публикации: 2009-11-05.

Method for achieving final air gap and parallelism of a fuel injector control valve

Номер патента: WO2018141696A1. Автор: Simon Backhouse. Владелец: Delphi France Sas. Дата публикации: 2018-08-09.

Process for the preparation of polymer fibers from polymers dissolved in ionic liquids by means of an air gap spinning process

Номер патента: US20230228002A1. Автор: Frank Hermanutz,Falko ABELS,Tomasz Cwik,Ronald BEYER. Владелец: Technikum Laubholz GmbH TLH. Дата публикации: 2023-07-20.

Capping head with torque adjustment using magnets separated by an adjustable air gap

Номер патента: EP1094983A1. Автор: Karl Heinz Spether. Владелец: Alcoa Inc. Дата публикации: 2001-05-02.

Secure data collection from an air-gapped network

Номер патента: US20240256683A1. Автор: Sreenevas Subramaniam,Cody Wolf,Séverin Launiau,Luke Andrew Kasper,Evan Orgel,Ryan Craig Zulli. Владелец: ServiceNow Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Air gap mounting sink for a backflow prevention device

Номер патента: US20030188779A1. Автор: Craig DeGarmo. Владелец: DeGarmo Plumbing Inc. Дата публикации: 2003-10-09.

Stereotactic device wearable by a patient for low-intensity focused-ultrasound neuromodulation

Номер патента: WO2023119054A1. Автор: Giovanni Durando,Stefania Ferraro,Francesco Prada,Anna Nigri,Maria Grazia Bruzzone,Domenico Aquino,Maria Luisa Fumagalli. Владелец: Istituto Nazionale Di Ricerca Metrologica (I.N.Ri.M.). Дата публикации: 2023-06-29.

Methods and apparatus for low precision training of a machine learning model

Номер патента: US20200226454A1. Автор: Anahita Bhiwandiwalla,Ting Gong,Léopold Cambier. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Data storage device and method for low-latency power state transitions by having power islanding in a host memory buffer

Номер патента: WO2022260713A1. Автор: Amit Sharma,Dinesh Kumar Agarwal. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-12-15.

Air gap mounting sink for a backflow prevention device

Номер патента: US20050098212A1. Автор: Craig DeGarmo. Владелец: DeGarmo Plumbing Inc. Дата публикации: 2005-05-12.

Air-Gapped Cryptographic Communication System

Номер патента: US20240184902A1. Автор: Cansu Deniz Yetkin,Oguz Yetkin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-06.

Wastewater oxidation with hydrogen peroxide injected in the air-gap of a vessel

Номер патента: EP4433429A1. Автор: Wu Chen,LIN Zhao,Jen-Hsiang KAO,Michael E. UHL. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Development of iterative reconstruction framework using analytic principle for low dose X-ray CT

Номер патента: US09892527B2. Автор: Jong Chul Ye,Eun Hee Kang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-02-13.

Plant and method for low-temperature air separation

Номер патента: US20240377129A1. Автор: Stefan Lochner. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 2024-11-14.

Air gap-insulated exhaust manifold

Номер патента: US09587549B2. Автор: Andreas Wagner,Georg Wirth,Kresimir Jambrosic,Ralf Mohr,Jürgen Häberle. Владелец: Eberspaecher Exhaust Technology GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-03-07.

Plant and process for low-temperature fractionation of air

Номер патента: US20240377131A1. Автор: Stefan Lochner. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 2024-11-14.

Recording/playback device for executing rmw for low, recording/playback method thereof and information storage medium thereof

Номер патента: RU2358336C2. Автор: Дзунг-ван КО,Сунг-хее ХВАНГ,Киунг-геун ЛИ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2009-06-10.

Mixture for low-carbohydrate baking

Номер патента: RU2631694C1. Автор: Наталья Александровна Тарасенко,Елизавета Максимовна Кустова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВО "КубГТУ"). Дата публикации: 2017-09-26.

Method for installing geothermal heat exchangers for low-grade heat extraction

Номер патента: RU2641439C1. Автор: Станислав Александрович Демов. Владелец: Станислав Александрович Демов. Дата публикации: 2018-01-17.

Universal testing machine for mechanical tests of samples of materials and articles for tension, compression and bending at static load application and for low- and high-cycle fatigue at tension-compression at cyclic load application at normal and high temperatures

Номер патента: RU2766998C1. Автор: Евгений Николаевич Потаенко,Эдуард Халилевич Шайхлисламов,Артур Аветикович Арутюнян. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЗИМ Точмашприбор". Дата публикации: 2022-03-16.

Balancing device for low-tonnage ships

Номер патента: RU2297944C2. Автор: Жан-Эдмон ШЭ. Владелец: Сосьете Текник Пур Л`Энержи Атомик Текникатом. Дата публикации: 2007-04-27.

Air-gap faucet

Номер патента: CA2932410C. Автор: Hai Le,Kirk Mellits,Jeff Peltier,Steve Ferreira. Владелец: SYMMONS INDUSTRIES Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Device for low-bacterial fluid supply

Номер патента: RU2543288C2. Автор: АРНИТЦ Тео,ЛАММЕЛЬ Михаэль,ФОККЕ Тобиас. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2015-02-27.

Low capacitance airless spray apparatus

Номер патента: CA1161634A. Автор: Donald R. Hastings,Alvin A. Rood. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Illuminating member for reducing ugr comprising air gap and the manufacturing method of the same

Номер патента: WO2012050281A1. Автор: Dong Hyun Lee,Dong Mug Seong,Jun Phill Eom,Beom Sun Hong. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-19.

Wireless charging system for low-power consumers of electrical energy

Номер патента: RU2510558C1. Автор: Дмитрий Николаевич Кушнерёв,Александр Викторович Атаманов,Дмитрий Сергеевич Лопатин. Владелец: Александр Викторович Атаманов. Дата публикации: 2014-03-27.

Process for low molecular weight heparin preparation

Номер патента: RU2639574C2. Автор: Евгений Юрьевич Белов,Евгений Александрович Черторижский,Сергей Александрович Аракелов,Алексей Георгиевич Александров,Иван Анатольевич Филипенко. Владелец: Алексей Георгиевич Александров. Дата публикации: 2017-12-21.

Air gap drain module for use in a reverse osmosis system

Номер патента: US4454891A. Автор: Richard J. Smith,Richard C. Dreibelbis. Владелец: EMERSON ELECTRIC CO. Дата публикации: 1984-06-19.

Air gap faucet

Номер патента: US4856121A. Автор: Paul L. Traylor. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-08-15.

Horizontal-mount bracket system for automatically setting an air gap

Номер патента: US6139211A. Автор: Thaddeus Schroeder,Robin Stevenson. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Magnetic position sensor with hall probe formed in an air gap of a stator

Номер патента: US5789917A. Автор: Claude Oudet,Daniel Prudham. Владелец: Moving Magnet Technologie SA. Дата публикации: 1998-08-04.

Liquid crystal display with low capacitance zinc oxide varistor

Номер патента: US4490014A. Автор: Lionel M. Levinson. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1984-12-25.

System using an air gap for workpiece protection in a fastener machine

Номер патента: US10065235B2. Автор: Reese R. Allen,Peter B. Zieve,Cosmos G. Krejci. Владелец: ELECTROIMPACT Inc. Дата публикации: 2018-09-04.

Multi-stage air gap membrane distillation system and process

Номер патента: US20240058759A1. Автор: Turki Nabieh BAROUD,Hasan Al Abdulgader,Dahiru Umar Lawal. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-02-22.

Magnetic bearing compressor, air conditioner, and protective air gap value setting method

Номер патента: US20220074638A1. Автор: Bin Yang,Fengshuang Wang. Владелец: Hefei Midea Heating and Ventilating Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Hollow core fiber air-gap connector

Номер патента: US20240151904A1. Автор: Richard J. Pimpinella,Jose M. Castro,Bulent Kose,Yu Yuang. Владелец: Panduit Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Air gap servo for optical recording

Номер патента: EP1961003A2. Автор: Juil Lee. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-08-27.

Hollow core fiber air-gap connector

Номер патента: WO2024102291A1. Автор: YU HUANG,Richard J. Pimpinella,Jose M. Castro,Bulent Kose. Владелец: PANDUIT CORP.. Дата публикации: 2024-05-16.

Fixed attenuation air gap interface for a multimode optical fiber interconnection

Номер патента: US20110317961A1. Автор: Mark Marino. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Plastic profile for sealing air gaps between body parts of motor vehicles

Номер патента: US20020022158A1. Автор: Klaus-Wilhelm Voss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Magnetic bearing compressor, air conditioner, and protective air gap value setting method

Номер патента: US11965685B2. Автор: Bin Yang,Fengshuang Wang. Владелец: Gd Midea Heating & Ventilating Equipment Co Ltd Foshan Cn. Дата публикации: 2024-04-23.

Air gap insulated exhaust pipe with branch pipe stub and method of manufacturing same

Номер патента: US20020011002A1. Автор: Pierre Bonny,Thomas Huelsberg. Владелец: Daimler Benz AG. Дата публикации: 2002-01-31.

Apparatus and method for low-temperature aging using slurry ice

Номер патента: US20240099318A1. Автор: Jong-Su BYEON. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-28.

Systems and methods for low compute high-resolution depth map generation using low-resolution cameras

Номер патента: EP4327268A1. Автор: Raymond Kirk Price,Michael Bleyer,Christopher Douglas Edmonds. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-02-28.

Pharmaceutical preparation for low-temperature thermotherapy, and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: EP4151238A1. Автор: Xiaohai Tang,Yuanfang HUANG,Kexin Tang. Владелец: Sichuan Enray Pharmaceutical Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Systems and methods for low visibility guidance and taxi routing

Номер патента: US12051337B2. Автор: Gang He,Thea Feyereisen,Rakshit R,Bincicil Mathew,Pavan Kumar Desai,Roshini Mehboob. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Dye sublimation ready coating for low temperature plastic substrates

Номер патента: US11731447B2. Автор: Paul Andrew Ramsden. Владелец: Conde Systems Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

System and Method for Low-Rank Tensor Decomposition with Neural Network Priors

Номер патента: US20240249123A1. Автор: Ashok Veeraraghavan,Richard Baraniuk,Vishwanath Raja Venkata SARAGADAM,Randall BALESTRIERO. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2024-07-25.

Systems and methods for low compute high-resolution depth map generation using low-resolution cameras

Номер патента: US20230274455A1. Автор: Raymond Kirk Price,Michael Bleyer,Christopher Douglas Edmonds. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Systems and methods for low compute high-resolution depth map generation using low-resolution cameras

Номер патента: US12080012B2. Автор: Raymond Kirk Price,Michael Bleyer,Christopher Douglas Edmonds. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Current reference circuit for low supply voltages

Номер патента: US20020196071A1. Автор: Antonino Conte,Oreste Concepito. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-26.

Improved imaging lens arrangement designed for low light conditions

Номер патента: EP1428059A2. Автор: David Nilson,Bradley W. Rice,Edward P. Wallerstein,Raymond Fraze. Владелец: Xenogen Corp. Дата публикации: 2004-06-16.

Dynamic biasing circuits for low drop out (LDO) regulators

Номер патента: US09710002B2. Автор: Sri Navaneethakrishnan Easwaran,Vijayalakshmi Devarajan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Beneficiation process for low grade uranium ores

Номер патента: US09695491B2. Автор: Murray Philip Hill. Владелец: Uranium Beneficiation Pty Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods and systems for energy efficiency and energy conservation including entry and exit latency reduction for low power states

Номер патента: US09665144B2. Автор: Muhammad M. Khellah,Jawad Nasrullah,Kelvin Kwan,Jaydeep P. Kulkarni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Curing agents for low-emission epoxy resin products

Номер патента: US09631047B2. Автор: Urs Burckhardt,Andreas Kramer,Ursula Stadelmann,Edis Kasemi. Владелец: SIKA TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2017-04-25.

Product with low-emission coating containing absorbing layers for low reflection on film side and low passage of visible spectrum

Номер патента: RU2637390C2. Автор: Бернд ДИСТЕЛЬДОРФ,Антон ДИТРИХ,Петр КОКОТ,Адам ТОКАЖ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2017-12-04.

Device for low-temperature air separation

Номер патента: RU2580571C2. Автор: Аугустин РАМПП. Владелец: Линде Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2016-04-10.

Air gap adjuster for electric clutches

Номер патента: CA1138356A. Автор: Thomas C. Sekella. Владелец: Purolator Products Co LLC. Дата публикации: 1982-12-28.

Aircraft wing, method for operating an aircraft wing, and use of a pivotable trailing edge on a main wing of an aircraft, for adjusting the shape and the width of an air gap

Номер патента: CA2522553C. Автор: Daniel Reckzeh,Adrian R. Dyke. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2010-09-21.

Magnetostrictive torque sensor air gap compensator

Номер патента: US5495774A. Автор: Robert D. Klauber,Erik B. Vigmostad,Frederick P. Sprague. Владелец: Sensortech Lp. Дата публикации: 1996-03-05.

Flux/current air gap estimation method for active magnetic bearings

Номер патента: US5300842A. Автор: James P. Lyons,Mark A. Preston. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1994-04-05.

Digital tachometer with air gap adjusting yoke insertable through holes in the tachometer housing

Номер патента: US4890059A. Автор: Herwig Guentner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-12-26.

Air gap prism and method for producing same

Номер патента: US5900984A. Автор: Masahiro Nishio,Mutsuhiro Yamanaka. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-04.

Home appliance having an air gap insulator

Номер патента: CA2910890C. Автор: Ben Braden,Timothy Russell,Michael Rutherford,Richard Moyers. Владелец: BSH Home Appliances Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Thermoelectric air gap membrane distillation system and process

Номер патента: US20240091710A1. Автор: Dahiru Umar Lawal,Isam Hasan Aljundi,Wail Sulaiman FALLATAH,Mohamed Abdelkarim Antar. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-03-21.

Device and method for detecting slot wedge, air gap and broken rotor bar in magnetic circuit of electric machinery

Номер патента: US20240044982A1. Автор: Ming Xu,Chao Wang,Weixing Yang,Jie Luo,Han GAO,Junliang LIU,Liwei QIU,Boyan ZHAO,Qianyi Zhang,Jiamin LI,Yuewu ZHANG,Gang Du,Yanxing Bao,Zuting Cao. Владелец: Hangzhou Henuova Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Device and method for detecting slot wedge, air gap and broken rotor bar in magnetic circuit of electric machinery

Номер патента: US11933850B2. Автор: Ming Xu,Chao Wang,Weixing Yang,Jie Luo,Han GAO,Junliang LIU,Liwei QIU,Boyan ZHAO,Qianyi Zhang,Jiamin LI,Yuewu ZHANG,Gang Du,Yanxing Bao,Zuting Cao. Владелец: Hangzhou Henuova Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for achieving final air gap and parallelism of a fuel injector control valve

Номер патента: EP3577336A1. Автор: Simon Backhouse. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2019-12-11.

Air gap eductor and method of making same

Номер патента: EP3964042A1. Автор: Mark Dalhart. Владелец: Capital Formation Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Aerosol Generation Device with Cover and Insulating Air Gap

Номер патента: US20230380495A1. Автор: Jon MASON,Layth Sliman BOUCHUIGUIR. Владелец: JT INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Wastewater oxidation with hydrogen peroxide injected in the air-gap of a vessel

Номер патента: CA3237668A1. Автор: Wu Chen,LIN Zhao,Jen-Hsiang KAO,Michael E. UHL. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2023-05-25.

Spectrometers having a variable focus lens with a single air gap

Номер патента: US10823934B2. Автор: Kirk David Urmey,Eric Todd Marple,John Meckert. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-03.

Pneumatically supported towers for low gravity applications

Номер патента: US20240159076A1. Автор: James G. Small,Joel C. Sercel,Philip J. Wahl,Craig E. Peterson. Владелец: Trans Astronautica Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Lockable air gap deep cells in a tape library

Номер патента: GB2625966A. Автор: Jesionowski Leonard,Nave Shawn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Apparatus for low coherence optical imaging

Номер патента: US20130100457A1. Автор: Po-Kai Hsu,Sheng-Lung Huang,Yu-Ta Wang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2013-04-25.

Lens module including two lens elements separated by an air gap

Номер патента: EP4399564A1. Автор: Ran He,Graham B Myhre,Zachary A Granger,Francois R Jacob. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Pan with integrated air gap

Номер патента: US20210002027A1. Автор: Theresa Mayer,Kristin Blada,Maximilian James Casler. Владелец: Vollrath Co LLC. Дата публикации: 2021-01-07.

Piston with insulating air gap formed by additive manufacturing

Номер патента: EP4372222A2. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Cummins Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Interconnected acoustic framework for low frequency modal absorption

Номер патента: WO2023227958A1. Автор: Roshan GEORGE THOMAS. Владелец: George Thomas Roshan. Дата публикации: 2023-11-30.

Piston with insulating air gap formed by additive manufacturing

Номер патента: EP4372222A3. Автор: Lyle E. Kocher,Jordan E. Kelleher,Brett A. Boas,Dwight. A. DOIG. Владелец: Cummins Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Lens Module Including Two Lens Elements Separated by an Air Gap

Номер патента: US20240264425A1. Автор: Ran He,Francois R. Jacob,Graham B. Myhre,Zachary A. Granger. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Technologies for low-power standby display refresh

Номер патента: US20160267883A1. Автор: Ajaya V. Durg,Rajesh Poornachandran,Anil K. Sabbavarapu,Arpit Shah,Vasudev Bibikar,Nabil F. Kerkiz,Quang T. Le,Ryan R. Pinto,Moorthy Rajesh,James A. Bish,Ranjani Sridharan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Digital divider for low voltage logen

Номер патента: US20090160526A1. Автор: Behnam Mohammadi. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Air gap paper analytical device and fabrication

Номер патента: US20240085441A1. Автор: Marya Lieberman,Rachel Marie ROLLER. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2024-03-14.

Fuel system having fuel injector boot assembly with air gap standoff protrusions

Номер патента: US20240295206A1. Автор: Kenth I. Svensson. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Implantable endovascular, low profile intracardiac left atrial restraining devices for low energy atrial cardioversion, pacing and sensing

Номер патента: US20240316341A1. Автор: Paul Spence,Randall K. Wolf. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-26.

Hot-rolled steel plate for low-cost high temperature enameling, and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2022219117B2. Автор: Shuangcheng WANG,Quanshe SUN. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of detecting air gap in gypsum-based building board and method of manufacturing gypsum-based building board

Номер патента: US09851318B2. Автор: Yasutoshi UENO,Shinji Yonezawa. Владелец: Yoshino Gypsum Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Curing agents for low-emission epoxy resin products

Номер патента: US09790319B2. Автор: Urs Burckhardt,Andreas Kramer,Ursula Stadelmann,Edis Kasemi. Владелец: SIKA TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Dual-chambered molten metal holding furnace for low pressure casting

Номер патента: US09636743B2. Автор: Kiyata MOCHIZUKI. Владелец: TOUNETSU Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Metering module featuring air gap insulation

Номер патента: US09435243B2. Автор: Stephan Pohl,Martin Kiontke,Achim Knittel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-09-06.

Highly efficient oxo-biodegradation modifier for low-density polyethylene products and method for production thereof

Номер патента: RU2756091C1. Автор: Игорь Брониславович Степанюк,Игорь Алексеевич Соломкин,Федор Николаевич Бахов. Владелец: Игорь Брониславович Степанюк. Дата публикации: 2021-09-27.

Cigarette paper coated with coating materials for low flammability and flameproof cigarette containing such paper

Номер патента: RU2464919C2. Автор: Соо Хо КИМ,Чон Ёл КИМ,Чин Вон ПАРК,Ёнг Чоо СУНГ,Бурм Хо ЯНГ,Моон Ёнг ЛИ,Чунг Рюл КИМ,Чэ Чин КВАГ,Моон Соо РЭЭ. Владелец: КТ энд ДЖИ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2012-10-27.

Beverage preparation machine for low and high cups

Номер патента: RU2617365C9. Автор: Антуан Каэн,Франсуа БЕССОН. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for automatic maintenance of density of unstable gas condensate using air cooling devices in installations for low-temperature gas separation of northern oil and gas condensate fields of the russian federation

Номер патента: RU2768442C1. Автор: Анатолий Кузьмич Арабский,Сергей Иванович Гункин,Этибар Гурбанали оглы Талыбов,Виктор Владимирович Моисеев,Владислав Леонидович Пономарев,Алексей Леонидович Агеев,Алексей Александрович Турбин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпром добыча Ямбург". Дата публикации: 2022-03-24.

Номер патента: RU2457028C1. Автор: Александр Павлович Ильин,Юрий Михайлович Комаров,Дмитрий Вячеславович Бабайкин,Александр Александрович Ильин,Николай Николаевич Смирнов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный химико-технологический университет". Дата публикации: 2012-07-27.

Method for low-temperature ion nitriding of titanium alloys

Номер патента: RU2633867C1. Автор: Камиль Нуруллаевич Рамазанов,Владимир Васильевич Будилов,Рашид Денисламович Агзамов,Айнур Фиргатович Тагиров,Илья Владимирович Золотов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2017-10-18.

Method for low-dose scanning of chest organs, adapted to patient's body weight

Номер патента: RU2753474C1. Автор: Сергей Павлович Морозов,Антон Юрьевич Силин,Иван Сергеевич Груздев,Андрей Иванович Мещеряков. Владелец: Государственное бюджетное учреждение здравоохранения города Москвы "Научно-практический клинический центр диагностики и телемедицинских технологий Департамента здравоохранения города Москвы" (ГБУЗ "НПКЦ ДиТ ДЗМ"). Дата публикации: 2021-08-17.

Vertebral body endoprosthesis for low invasive (thoracoscopic) spondylosyndesis, instrument for endoprosthesis implantation with locking device, and method for claimed endoprosthesis installation with claimed tools and locking device

Номер патента: RU2615863C2. Автор: Алексей Викторович Грибанов. Владелец: Алексей Викторович Грибанов. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of transmitting and receiving data through an air gap based on inductively coupled circuits excited by rectangular pulses of different polarity, and a device for realizing said

Номер патента: RU2719557C1. Автор: Виктор Владимирович Карасев,Дарья Игоревна Матюшова. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина". Дата публикации: 2020-04-21.

Номер патента: RU2755911C1. Автор: Руслан Каримович Вафин,Александр Владиславович Асылбаев,Даниил Валерьевич Мамонтов,Иван Дмитриевич Склизков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2021-09-22.

Method of updating operational installation for low-temperature gas separation

Номер патента: RU2609175C2. Автор: Андрей Владиславович Курочкин,Наталья Леонидовна Елизарьева. Владелец: Некоммерческое партнерство "Интегрированные технологии". Дата публикации: 2017-01-30.

Sheet material based on titanium alloy for low-temperature superplastic deformation

Номер патента: RU2691434C2. Автор: Михаил Оттович Ледер,Александр Владимирович Берестов,Игорь Юрьевич Пузаков,Наталья Юрьевна Таренкова,Наталия Георгиевна Митропольская,Роберт Дэвид Бриггс. Владелец: Компания Боинг. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for determination of optimum period of oil well injection wells for low-permeability reservoirs

Номер патента: RU2740510C1. Автор: Дмитрий Павлович Патраков,Юлия Александровна Плиткина,Эдуард Олегович Кондратов,Дмитрий Владиславович Никифоров,Михаил Александрович Гладких. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Тюменский нефтяной научный центр" (ООО "ТННЦ"). Дата публикации: 2021-01-14.

Номер патента: RU2687616C1. Автор: Эдуард Леонидович Варданян,Камиль Нуруллаевич Рамазанов,Юлдаш Гамирович Хусаинов,Рашид Денисламович Агзамов,Роман Сергеевич Есипов,Алексей Александрович Николаев,Айнур Фирганович Тагиров. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2019-05-15.

Method of producing heterogeneous catalysts for low-temperature oxidation of carbon monoxide

Номер патента: RU2739564C1. Автор: Сарра Абрамовна Бекузарова,Владислав Борисович Заалишвили,Ольга Германовна Бурдзиева,Тамерлан Таймуразович Магкоев,Георгий Эмзарович Туаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный научный центр "Владикавказский научный центр Российской академии наук" (ВНЦ РАН). Дата публикации: 2020-12-25.

Номер патента: RU2425956C1. Автор: Вячеслав Ефимович Ахрименко,Зоя Михайловна Ахрименко. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2011-08-10.

System of single guiding sectional vertical gate and sectional vertical gate (versions) for low stop with system of single guides

Номер патента: RU2477360C1. Автор: Роман Викторович Смирнов,Людмила Викторовна Вятина. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Дорхан 21 Век". Дата публикации: 2013-03-10.

Smart bra for optical scanning of breast tissue to detect abnormal tissue with selectively-expandable components to reduce air gaps

Номер патента: US11950881B2. Автор: Robert A. Connor. Владелец: Holovsions LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Номер патента: US20220365286A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo,Cheng-chieh Hsieh,Min-Hsiang Hsu,Chung-Ming Weng,Che-Hsiang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

System for insulating and dry cladding with limited thickness of the perimeter, with ventilated air gap, of a building wall

Номер патента: EP4253687A1. Автор: Giuseppe Marinelli. Владелец: Ev Services Srl. Дата публикации: 2023-10-04.

Development of iterative reconstruction framework using analytic principle for low dose x-ray ct

Номер патента: US20160328842A1. Автор: Jong Chul Ye,Eun Hee Kang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-11-10.

Detecting air gaps in liquid product lines

Номер патента: GB8500352D0. Автор: . Владелец: UNILEVER PLC. Дата публикации: 1985-02-13.

Method for two-stage closure of a roller extrusion facility for precise adjustment of the air gap for generating a profiled element

Номер патента: US20240083085A1. Автор: Miguel Torres-Castellano. Владелец: Compagnie Generale des Etablissements Michelin SCA. Дата публикации: 2024-03-14.