Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

形成自对准通孔的方法

Номер патента: CN109791913A
Опубликовано: 21-05-2019
Автор(ы): 戴维·汤普森, 本杰明·施密格, 杰弗里·W·安西斯, 段子晴, 苏米特·辛格·罗伊, 阿布海杰特·巴苏·马利克
Принадлежит: Applied Materials Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods Of Forming Self-Aligned Vias

Номер патента: US20190385849A1. Автор: Chan Kelvin,Thompson David,Anthis Jeffrey W.,Gandikota Srinivas,Mallick Abhijit Basu,CHEN Yihong,Schmiege Benjamin,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Method of selective film deposition for forming fully self-aligned vias

Номер патента: US20190157149A1. Автор: Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of selective deposition for forming fully self-aligned vias

Номер патента: US20210074584A1. Автор: Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Fully self aligned via integration processes

Номер патента: WO2023027827A1. Автор: Xintuo Dai. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor back end of line (beol) interconnect using multiple materials in a fully self-aligned via (fsav) process

Номер патента: US20200303253A1. Автор: Kaoru Maekawa,Hirokazu Aizawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Subtractive self-aligned via and plug patterning for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: EP3050087A1. Автор: Florian Gstrein,Robert L. Bristol,Charles H. Wallace,Richard E. Schenker,Hui Jae Yoo,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-03.

Subtractive self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09793163B2. Автор: Florian Gstrein,Robert L. Bristol,Charles H. Wallace,Richard E. Schenker,Hui Jae Yoo,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for forming low dielectric constant fluorine-doped layers

Номер патента: US7579271B2. Автор: Ting Cheong Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-08-25.

Method of forming self-aligned metal lines and vias

Номер патента: US09607893B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Forming Self-Aligned Contact with Spacer First

Номер патента: US20190027580A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Sean Lian,Mark V. Raymond. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Methods for forming self-aligned contacts using spin-on silicon carbide

Номер патента: WO2022177828A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods for Forming Self-Aligned Contacts Using Spin-on Silicon Carbide

Номер патента: US20220262679A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Back end of line integration for self-aligned vias

Номер патента: US11916010B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Methods, apparatus and system for forming a dielectric field for dual orientation self aligned vias

Номер патента: US9530691B1. Автор: Xunyuan Zhang,Errol Todd Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming a structure including carbon material, structure formed using the method, and system for forming the structure

Номер патента: KR20210100535A. Автор: 요시오 스사,료 미야마,히로츠구 스기우라,요시유키 키쿠치. Владелец: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.. Дата публикации: 2021-08-17.

Method for producing self-aligned vias

Номер патента: US09484258B1. Автор: Lei Sun,Wenhui Wang,Ryan Ryoung-Han Kim,Yulu Chen,Erik Verduijn. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Double self aligned via patterning

Номер патента: US20140363969A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yongan Xu,Yunpeng Yin,Ailian Zhao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Double self-aligned via patterning

Номер патента: US20150364372A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yongan Xu,Yunpeng Yin,Ailian Zhao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Self-aligned via and plug patterning with photobuckets for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09553018B2. Автор: Kanwal Jit Singh,Kevin Lin,Robert L. Bristol,Alan M. Myers,Richard E. Schenker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Self-aligned via patterning with multi-colored photobuckets for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09406512B2. Автор: Kanwal Jit Singh,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Alan M. Myers. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of Forming Self-Aligned Contacts for a Semiconductor Device

Номер патента: US20130189833A1. Автор: Peter Baars,Andy Wei,Martin Mazur,Erik Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Interconnect integration scheme with fully self-aligned vias

Номер патента: US20210118733A1. Автор: Terry A. Spooner,Shyng-Tsong Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Forming self-aligned vertical interconnect accesses (vias) in interconnect structures for integrated circuits (ics)

Номер патента: EP3433877A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with self-aligned vias

Номер патента: US09520321B2. Автор: Errol Todd Ryan,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of forming self-aligned via

Номер патента: US10923396B2. Автор: Mihaela Balseanu,Suketu Arun Parikh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Method Of Forming Self-Aligned Via

Номер патента: US20200144117A1. Автор: Mihaela Balseanu,Suketu Arun Parikh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Self-forming, self-aligned barriers for back-end interconnects and methods of making same

Номер патента: US20240203786A1. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Jeffery D. Bielefeld,Hui Jae Yoo,Sean W. King. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods of forming backside self-aligned vias and structures formed thereby

Номер патента: WO2017052562A1. Автор: Paul B. Fischer,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Kimin Jun,Il-Seok Son. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Self-aligned via and air gap

Номер патента: US09842801B2. Автор: Mark A. Zaleski,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Self-aligned via and air gap

Номер патента: US20160260666A1. Автор: Mark A. Zaleski,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Interconnect structures including self aligned vias

Номер патента: US20210090942A1. Автор: Chih-Chao Yang,Terry A. Spooner,Shyng-Tsong Chen,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Self-aligned via for gate contact of semiconductor devices

Номер патента: WO2016003595A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-01-07.

Self-aligned via structure by selective deposition

Номер патента: US11756878B2. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Novel self-align via structure by selective deposition

Номер патента: US20240021517A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Previous layer self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09793159B2. Автор: Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar,Paul A. Nyhus,Elliot N. Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09666451B2. Автор: Charles H. Wallace,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Spacer self-aligned via structures for gate contact or trench contact

Номер патента: EP4099371A1. Автор: Tahir Ghani,Robert Joachim,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-07.

Spacer self-aligned via structures using directed selfassembly for gate contact or trench contact

Номер патента: US20230317617A1. Автор: Tahir Ghani,Gurpreet Singh,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Spacer self-aligned via structures using assisted grating for gate contact or trench contact

Номер патента: US20230290841A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Desalegne B. Teweldebrhan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of forming self aligned continuity blocks for mandrel and non-mandrel interconnect lines

Номер патента: US09679809B1. Автор: Lei Yuan,Yan Wang,Guillaume Bouche,Jongwook Kye,Wenhui Wang,Jia ZENG,Chenchen Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Forming self-aligned dual patterning mandrel and non-mandrel interconnects

Номер патента: US09659818B1. Автор: Carl Radens,Lawrence A. Clevenger,John Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Self aligned via in integrated circuit

Номер патента: US09768113B2. Автор: Terry A. Spooner,Lars W. Liebmann,Yann Mignot,Yannick Feurprier,Joe Lee,Douglas M. Trickett,Mehmet Yilmaz. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-09-19.

Self-aligned via forming to conductive line and related wiring structure

Номер патента: US20180211871A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Self-aligned via forming to conductive line and related wiring structure

Номер патента: US20170186682A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Method of filling a via hole and apparatus for performing the same

Номер патента: US10777458B2. Автор: Yoon Ki Sa,Mong Ryong Lee. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Method of filling a via hole and apparatus for performing the same

Номер патента: US20180182669A1. Автор: Yoon Ki Sa,Mong Ryong Lee. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Method for forming self-aligned isolation trenches in semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20150171162A1. Автор: Tzung-Han Lee,Yaw-Wen Hu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for forming self-aligned contact window

Номер патента: US6015741A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Tony Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-01-18.

Method for forming self aligned contacts

Номер патента: US20020098640A1. Автор: Ii-Wook Kim,Jong-Sam Kim,Dong-kuk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Forming self-aligned NiSi placement with improved performance and yield

Номер патента: US09607989B2. Автор: XIN Wang,LUN Zhao,Xusheng Wu,Yong Meng Lee,Yue Hu,Wen-Pin Peng,Wei-Hua TONG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Methods to form self-aligned permanent on-chip interconnect structures

Номер патента: US20120018891A1. Автор: Qinghuang Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Interconnection with self-aligned via plug

Номер патента: US5596230A. Автор: Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Method of forming self-aligned contacts and local interconnects

Номер патента: US20090280633A1. Автор: An Chyi Wei. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-12.

Bottom self-aligned via

Номер патента: US09859208B1. Автор: Naftali E. Lustig,Matthew S. Angyal,Rasit O. TOPALOGLU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Transistor with reduced gate resistance and improved process margin of forming self-aligned contact

Номер патента: US20220051939A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Fully self-aligned via with selective bilayer dielectric regrowth

Номер патента: US20200006140A1. Автор: Jeffrey Smith,Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Via-hole etching method

Номер патента: US09564354B2. Автор: Donghua Jiang,Wuyang ZHAO,Chundong LI,Byung Chun Lee,Yongyi FU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for forming self-aligned contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR100441998B1. Автор: 서준,송종희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-07-30.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device to remove stress and reduce contact resistance

Номер патента: KR100443345B1. Автор: 이동현,박창현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-09-18.

Method of creating a maskless air gap in back end interconnects with double self-aligned vias

Номер патента: US20150001724A1. Автор: Florian Gstrein,Hui Jae Yoo,Manish Chandhok,Yan A. Borodovsky,Kevin L. Lin,David N. Shykind. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-01.

Cut first alternative for 2D self-aligned via

Номер патента: US09852984B2. Автор: Guillaume Bouche,Sudharshanan RAGHUNATHAN,Andy Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Subtractive self-aligned via and plug patterning for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: EP3050087A4. Автор: Florian Gstrein,Robert L. Bristol,Charles H. Wallace,Richard E. Schenker,Hui Jae Yoo,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-26.

Method of creating a maskless air gap in back end interconnects with double self-aligned vias

Номер патента: US20150001724A1. Автор: Florian Gstrein,Hui Jae Yoo,Manish Chandhok,Yan A. Borodovsky,Kevin L. Lin,David N. Shykind. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20220285216A1. Автор: Chen Chien-Han,Liang Ming-Chung,Chiu Chien-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20200135562A1. Автор: Chen Chien-Han,Liang Ming-Chung,Chiu Chien-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

METHOD OF CREATING A MASKLESS AIR GAP IN BACK END INTERCONNECTIONS WITH DOUBLE SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20150171012A1. Автор: Yoo Hui Jae,Gstrein Florian,CHANDHOK Manish,Borodovsky Yan A.,LIN Kevin L.,Shykind David N.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor back end of line (beol) interconnect using multiple materials in a fully self-aligned via (fsav) process

Номер патента: US20200303253A1. Автор: Kaoru Maekawa,Hirokazu Aizawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Methods Of Producing Fully Self-Aligned Vias And Contacts

Номер патента: US20180374750A1. Автор: ZHANG YING,Ingle Nitin K.,Mallick Abhijit Basu,Hwang Ho-yung,Freed Regina,Mitra Uday,Natarajan Sanjay. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Subtractive self-aligned via and plug patterning for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: EP3050087B1. Автор: Florian Gstrein,Robert L. Bristol,Charles H. Wallace,Richard E. Schenker,Hui Jae Yoo,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-29.

Semiconductor back end of line (BEOL) interconnect using multiple materials in a fully self-aligned via (FSAV) process

Номер патента: US10777456B1. Автор: Kaoru Maekawa,Hirokazu Aizawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Method for forming self-alignment insulation structure

Номер патента: US20090283873A1. Автор: Hon-Chun Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Method for forming conducting via and damascene structure

Номер патента: US09728445B2. Автор: Ming-Chung Liang,Wen-Kuo HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method and apparatus for forming self-aligned via with selectively deposited etching stop layer

Номер патента: US09659864B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for forming a horizontal surface spacer and devices formed thereby

Номер патента: MY117065A. Автор: Toshiharu Furukawa,Mark C Hakey,Steven J Holmes,David V Horak,Paul A Rabidoux. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-04-30.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20180286750A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20210202313A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20190172748A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US10242911B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Method for forming self-aligned contacts/vias with high corner selectivity

Номер патента: US20150170965A1. Автор: PENG Wang,Eric A. Hudson,Ananth INDRAKANTI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09570583B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09455330B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20220406658A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Method and apparatus for forming self-aligned via with selectively deposited etching stop layer

Номер патента: US09922927B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US09911652B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods for forming self-aligned interconnect structures

Номер патента: US20240347384A1. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Hoi-Tou Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatus and method of forming self-aligned cuts in mandrel and a non-mandrel lines of an array of metal lines

Номер патента: US09818641B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method and Apparatus for Forming Self-Aligned Via with Selectively Deposited Etching Stop Layer

Номер патента: US20210098362A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,SHUE Shau-Lin,Wu Yung-Hsu,Tsai Jung-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SELF-ALIGNED VIA WITH SELECTIVELY DEPOSITED ETCHING STOP LAYER

Номер патента: US20170110397A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,SHUE Shau-Lin,Wu Yung-Hsu,Tsai Jung-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SELF-ALIGNED VIA WITH SELECTIVELY DEPOSITED ETCHING STOP LAYER

Номер патента: US20180211911A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,SHUE Shau-Lin,Wu Yung-Hsu,Tsai Jung-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SELF-ALIGNED VIA WITH SELECTIVELY DEPOSITED ETCHING STOP LAYER

Номер патента: US20170256486A1. Автор: CHEN Hai-Ching,BAO Tien-I,SHUE Shau-Lin,Wu Yung-Hsu,Tsai Jung-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

Method and apparatus for forming self-aligned via with selectively deposited etching stop layer

Номер патента: US20180211911A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Method and Apparatus for Forming Self-Aligned Via with Selectively Deposited Etching Stop Layer

Номер патента: US20210098362A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Method and apparatus for forming self-aligned via with selectively deposited etching stop layer

Номер патента: US20170256486A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Method for forming contact hole of semiconductor device to easily form self-aligned contact pattern and enlarge desired plug size

Номер патента: KR100458296B1. Автор: 김동현,최익수,김상욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-02-07.

Method for making stacked and borderless via structures for multilevel metal interconnections on semiconductor substrates

Номер патента: US5891799A. Автор: Bing-Yue Tsui. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1999-04-06.

FORMING SELF-ALIGNED VIAS AND AIR-GAPS IN SEMICONDUCTOR FABRICATION

Номер патента: US20210202313A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Radens Carl J.,Zhang John H.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

FORMING SELF-ALIGNED VIAS AND AIR-GAPS IN SEMICONDUCTOR FABRICATION

Номер патента: US20190172748A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Radens Carl J.,Zhang John H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2019-06-06.

FORMING SELF-ALIGNED VIAS AND AIR-GAPS IN SEMICONDUCTOR FABRICATION

Номер патента: US20180286750A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Radens Carl J.,Zhang John H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2018-10-04.

Methods Of Forming Self-Aligned Vias And Air Gaps

Номер патента: US20180358260A1. Автор: GOPALRAJA Praburam,Mallick Abhijit Basu,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Methods of forming self-aligned vias and air gaps

Номер патента: US10840186B2. Автор: Ziqing Duan,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Praburam Gopalraja. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-17.

Methods of forming self-aligned vias and air gaps

Номер патента: US10403542B2. Автор: Ziqing Duan,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Praburam Gopalraja. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-09-03.

Method for Forming Self-Aligned Trench Contacts of Semiconductor Components and A Semiconductor Component

Номер патента: US20130181284A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-07-18.

Methods for Forming Self-Aligned Interconnect Structures

Номер патента: US20210035862A1. Автор: Liu Ru-Gun,Chang Shih-Ming,Ng Hoi-Tou. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS/VIAS WITH HIGH CORNER SELECTIVITY

Номер патента: US20150325479A1. Автор: WANG Peng,Hudson Eric A.,INDRAKANTI Ananth. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR101046717B1. Автор: 이성권,정태우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-07-05.

A method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100276387B1. Автор: 이재구,조창현,정홍식. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-12-15.

Method for forming self aligned contact in semiconductor device with buried gate

Номер патента: KR101075526B1. Автор: 신종한,박점용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for forming self aligned contact hole in semiconductor

Номер патента: KR100839527B1. Автор: 전재영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-06-19.

Etching method for forming self-alignment contact holes

Номер патента: JP4638030B2. Автор: フラナー・ジャネット・エム．,マークウェツ・リンダ・エヌ．,クック・ジョエル・エム．,モリー・イアン・ジェイ．. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2011-02-23.

Method for forming self align contact of semiconductor device

Номер патента: KR101073130B1. Автор: 이민석,이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-12.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: JP4040781B2. Автор: 燦旭 鄭,昌珍 姜,相燮 鄭,▲チュル▼ 鄭,昶賢 趙,弘植 鄭,宰求 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-30.

Methods for forming self-aligned interconnect structures

Номер патента: US11289376B2. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Hoi-Tou Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Method for forming self-aligned interconnect structure

Номер патента: CN112309963A. Автор: 张世明,刘如淦,伍海涛. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Method for forming self-aligned contacts using a hard mask

Номер патента: US6265296B1. Автор: Erik S. Jeng,Hung-Yi Luo,Hao-Chieh Liu,Tzu-Shih Yen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-07-24.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: JP5084074B2. Автор: 眞 雄 金. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-11-28.

Methods for forming self-aligned interconnect structures

Номер патента: US12020984B2. Автор: Ru-Gun Liu,Shih-Ming Chang,Hoi-Tou Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

PROCESS FOR FORMING SELF-ALIGNED CONNECTION HOLES IN MULTI-LAYER INTERCONNECTION SYSTEMS

Номер патента: FR2375717A1. Автор: Bisweswar Patnaik,Chung-Yu Ting,Vivian R Corbin,James E Hitchner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-07-21.

Method of manufacturing semiconductor device that includes forming self-aligned contact pad

Номер патента: US20050101127A1. Автор: Tae-Ryong Kim,Jeong-Yun Lee,Yong-Hyeon Park,Jae-hee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-12.

Interconnect structure having large self-aligned vias

Номер патента: US09659820B2. Автор: Carl Radens,Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Nicole A. Saulnier,Richard Stephen Wise,Yiheng XU,Akil K. Sutton,Terry Allen Spooner. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-23.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED DEVICE LEVEL CONTACT STRUCTURES

Номер патента: US20170047253A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

Process Integration Techniques Using A Carbon Layer To Form Self-Aligned Structures

Номер патента: US20180308753A1. Автор: Mosden Aelan,KUMAR KAUSHIK. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

Methods of forming self-aligned contacts

Номер патента: US20200373309A1. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Method of forming self-aligned pattern by chemical mechanical polishing suitable for substrate capacitor formation

Номер патента: JP3682903B2. Автор: ジー リー マイケル,アイ ベイリン ソロモン. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-08-17.

Apparatus and method of forming self-aligned cuts in a non-mandrel line of an array of metal lines

Номер патента: US9818640B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods of forming self-aligned contacts

Номер патента: US20220189965A1. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Methods of forming self-aligned contacts

Номер патента: US20200373309A1. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Methods of forming self-aligned contacts comprising reusing hardmask materials and lithography reticles

Номер патента: US11302699B2. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-12.

Forming self-aligned contacts

Номер патента: GB202001682D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-25.

Self aligned via and pillar cut for at least a self aligned double pitch

Номер патента: US09548243B1. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Terry A. Spooner,Theodorus E. Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Cut first alternative for 2D self-aligned via

Номер патента: US09425097B1. Автор: Guillaume Bouche,Sudharshanan RAGHUNATHAN,Andy Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for fully self-aligned via formation using a directed self assembly (dsa) process

Номер патента: US20180130708A1. Автор: Elliott Franke,Richard Farrell,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-10.

Self aligned via and pillar cut for at least a self aligned double pitch

Номер патента: US20170004996A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Terry A. Spooner,Theodorus E. Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Self aligned via and pillar cut for at least a self aligned double pitch

Номер патента: US20170117177A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Terry A. Spooner,Theodorus E. Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Self aligned via and pillar cut for at least a self aligned double pitch

Номер патента: US20190311946A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Terry A. Spooner,Theodorus E. Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Self aligned via and pillar cut for at least a self aligned double pitch

Номер патента: US10395977B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Terry A. Spooner,Theodorus E. Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Self aligned via and pillar cut for at least a self aligned double pitch

Номер патента: US20190318960A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Terry A. Spooner,Theodorus E. Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

METHOD FOR FULLY SELF-ALIGNED VIA FORMATION USING A DIRECTED SELF ASSEMBLY (DSA) PROCESS

Номер патента: US20180130708A1. Автор: Mohanty Nihar,FRANKE Elliott,Farrell Richard. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

Self Aligned Via and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20180151432A1. Автор: Lai Chih-Ming,Liu Ru-Gun,LIN WEI-CHENG,TZENG JIANN-TYNG,WU Chia-Tien,Chuang Cheng-Chi,Young Charles Chew-Yuen,Sio Kam-Tou,CHEN Chih-Liang,Chou Lei-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUITS WITH SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20160254185A1. Автор: RYAN Errol Todd,Lin Sean X.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Method For Creating A Fully Self-Aligned Via

Номер патента: US20190378756A1. Автор: Ingle Nitin K.,Hwang Ho-Yung David,Wang Xikun,Freed Regina,Mitra Uday,Mullick Amrita B.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

A method for creating a fully self-aligned via

Номер патента: WO2019236350A1. Автор: Xikun Wang,Regina FREED,Nitin K. Ingle,Uday Mitra,Ho-Yung David Hwang,Amrita B. Mullick. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2019-12-12.

Method for creating a fully self-aligned via

Номер патента: US10699953B2. Автор: Xikun Wang,Regina FREED,Nitin K. Ingle,Uday Mitra,Ho-Yung David Hwang,Amrita B. Mullick. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2020-06-30.

Method for creating a fully self-aligned via

Номер патента: US10892187B2. Автор: Regina FREED,Uday Mitra,Sanjay Natarajan. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2021-01-12.

Self aligned via and method for fabricating the same

Номер патента: TWI713783B. Автор: 曾健庭,林威呈,吳佳典,劉如淦,莊正吉,陳志良,賴志明,超源 楊,蕭錦濤,周雷峻. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2020-12-21.

Method of fabricating an ultra low-k dielectric self-aligned via

Номер патента: US20140024220A1. Автор: Nikolaos Bekiaris,Sean S. Kang,Chih-Yang Chang,Chia-Ling Kao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-23.

SELF ALIGNED VIA AND PILLAR CUT FOR AT LEAST A SELF ALIGNED DOUBLE PITCH

Номер патента: US20170004996A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,STANDAERT Theodorus E.,Spooner Terry A.,RIZZOLO Michael,Briggs Benjamin D.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

SELF-ALIGNED VIA BELOW SUBTRACTIVELY PATTERNED INTERCONNECT

Номер патента: US20190035677A1. Автор: Yoo Hui Jae,NASKAR Sudipto,CHANDHOK Manish,Suri Satyarth,SCHENKER Richard E.,LIN Kevin L.,BOJARSKI Stephanie A.,CARVER Colin T.,Chawla Jasmeet S.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

Self-aligned via fuse

Номер патента: US20150048479A1. Автор: Wai-Kin Li,Junjing Bao,Samuel S. Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Methods Of Producing Self-Aligned Vias

Номер патента: US20190067102A1. Автор: ZHANG YING,Hwang Ho-Yung David,Ren He,Mallick Abhijit Basu,Zhou Qingjun,Lin Yung-Chen,Mitra Uday. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Methods Of Producing Self-Aligned Vias

Номер патента: US20190074219A1. Автор: ZHANG YING,Ingle Nitin K.,Hwang Ho-yung,Freed Regina,Mitra Uday. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-07.

Self-Aligned Via Formation Using Spacers

Номер патента: US20220102212A1. Автор: Su Yi-Nien,SHIEH JYU-HORNG. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Fully Self-Aligned Via

Номер патента: US20210090952A1. Автор: Hwang Ho-Yung David,Ren He,Bazizi El Mehdi,Sachan Madhur,Freed Regina,Mitra Uday,Roy Susmit Singha,Alva Gabriela,Sachid Angada Bangalore,Mittal Sushant. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Self-aligned via and plug patterning with photobuckets for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: US20160104642A1. Автор: Kanwal Jit Singh,Kevin Lin,Robert L. Bristol,Alan M. Myers,Richard E. Schenker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-14.

Self-aligned via interconnect structures

Номер патента: US20160163587A1. Автор: Joyeeta Nag,Benjamin C. BACKES,Brian A. Cohen,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

SELF-ALIGNED VIA AND PLUG PATTERNING WITH PHOTOBUCKETS FOR BACK END OF LINE (BEOL) INTERCONNECTS

Номер патента: US20150171010A1. Автор: LIN Kevin,Singh Kanwal Jit,SCHENKER Richard E.,BRISTOL Robert L.,Myers Alan M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

SELF-ALIGNED VIA FORMING TO CONDUCTIVE LINE AND RELATED WIRING STRUCTURE

Номер патента: US20170186682A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

SELF-ALIGNED VIA INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20160197013A1. Автор: Radens Carl J.,BACKES Benjamin C.,COHEN Brian A.,NAG Joyeeta. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Selectively Etched Self-Aligned Via Processes

Номер патента: US20190189510A1. Автор: Ying Zhang,Regina FREED,Uday Mitra,Yung-Chen Lin,Qingjun Zhou,Ho-Yung David Hwang. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2019-06-20.

SELF-ALIGNED VIA FORMING TO CONDUCTIVE LINE AND RELATED WIRING STRUCTURE

Номер патента: US20180211871A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

INTERCONNECT STRUCTURE HAVING LARGE SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20160247722A1. Автор: Radens Carl,Clevenger Lawrence A.,Zhang John H.,XU Yiheng,Sutton Akil K.,Wise Richard Stephen,SAULNIER Nicole A.,SPOONER Terry Allen. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

CUT FIRST ALTERNATIVE FOR 2D SELF-ALIGNED VIA

Номер патента: US20160322298A1. Автор: Wei Andy,Bouche Guillaume,Raghunathan Sudharshanan. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

SELF ALIGNED VIA AND PILLAR CUT FOR AT LEAST A SELF ALIGNED DOUBLE PITCH

Номер патента: US20190311946A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,STANDAERT Theodorus E.,Spooner Terry A.,RIZZOLO Michael,Briggs Benjamin D.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Self aligned via and pillar cut for at least a self aligned double pitch

Номер патента: US20190318960A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Terry A. Spooner,Theodorus E. Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

SELF-ALIGNED VIA INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20190326170A1. Автор: Radens Carl J.,BACKES Benjamin C.,COHEN Brian A.,NAG Joyeeta. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

DOUBLE SELF-ALIGNED VIA PATTERNING

Номер патента: US20150364372A1. Автор: Yin Yunpeng,Chen Hsueh-Chung,Xu Yongan,ZHAO Ailian. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Selective Removal Process To Create High Aspect Ratio Fully Self-Aligned Via

Номер патента: US20190348322A1. Автор: Ren He,Srinivasan Swaminathan,Sachan Madhur,Freed Regina,Mitra Uday,Mullick Amrita B.. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

SELF ALIGNED VIA IN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160379929A1. Автор: Liebmann Lars W.,Mignot Yann,Spooner Terry A.,LEE JOE,Feurprier Yannick,TRICKETT Douglas M.,Yilmaz Mehmet. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Selective Removal Process To Create High Aspect Ratio Fully Self-Aligned Via

Номер патента: US20200388535A1. Автор: Ren He,Srinivasan Swaminathan,Sachan Madhur,Freed Regina,Mitra Uday,Mullick Amrita B.. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2020-12-10.

Methods of producing self-aligned vias

Номер патента: WO2019046399A1. Автор: Ying Zhang,Abhijit Basu Mallick,Ho-Yung Hwang,Uday Mitra,Yung-Chen Lin,Qingjun Zhou,He REN. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Methods of producing self-aligned vias

Номер патента: WO2019050735A1. Автор: Ying Zhang,Regina FREED,Nitin K. Ingle,Ho-Yung Hwang,Uday Mitra. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2019-03-14.

Selectively etched self-aligned via processes

Номер патента: EP3499557A1. Автор: Ying Zhang,Regina FREED,Uday Mitra,Yung-Chen Lin,Qingjun Zhou,Ho-Yung David Hwang. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2019-06-19.

Selective removal process to create high aspect ratio fully self-aligned via

Номер патента: US10790191B2. Автор: Swaminathan Srinivasan,Regina FREED,Uday Mitra,He REN,Amrita B. Mullick,Madhur Sachan. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2020-09-29.

Methods of producing self-aligned vias

Номер патента: US10510602B2. Автор: Ying Zhang,Abhijit Basu Mallick,Uday Mitra,Yung-Chen Lin,Qingjun Zhou,He REN,Ho-Yung David Hwang. Владелец: Mirocmaterials LLC. Дата публикации: 2019-12-17.

Selectively etched self-aligned via processes

Номер патента: US10593594B2. Автор: Ying Zhang,Regina FREED,Uday Mitra,Yung-Chen Lin,Qingjun Zhou,Ho-Yung David Hwang. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2020-03-17.

Methods of producing self-aligned vias

Номер патента: US10600688B2. Автор: Ying Zhang,Regina FREED,Nitin K. Ingle,Uday Mitra,Ho-Yung David Hwang. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2020-03-24.

Selective removal process to create high aspect ratio fully self-aligned via

Номер патента: US11037825B2. Автор: Swaminathan Srinivasan,Regina FREED,Uday Mitra,He REN,Amrita B. Mullick,Madhur Sachan. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2021-06-15.

Selectively etched self-aligned via processes

Номер патента: KR102219125B1. Автор: 잉 장,영-첸 린,칭준 조우,호-영 데이비드 황,우다이 미트라,레기나 프리드. Владелец: 마이크로머티어리얼즈 엘엘씨. Дата публикации: 2021-02-23.

Self-aligned via processes that are selectively etched

Номер патента: KR20200044978A. Автор: 잉 장,영-첸 린,케빈 조우,호-영 황. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2020-04-29.

Selectively etched self-aligned via processes

Номер патента: KR20190072461A. Автор: 잉 장,영-첸 린,칭준 조우,호-영 데이비드 황,우다이 미트라,레기나 프리드. Владелец: 마이크로머티어리얼즈 엘엘씨. Дата публикации: 2019-06-25.

Self-aligned via interconnect structures

Номер патента: US10727122B2. Автор: Joyeeta Nag,Benjamin C. BACKES,Brian A. Cohen,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-28.

Structure and method to self align via to top and bottom of tight pitch metal interconnect layers

Номер патента: KR102312732B1. Автор: 케빈 린,마니쉬 찬독,로버트 엘. 브리스톨,리차드 이. 쉔커,마우로 제이. 코브린스키. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-10-15.

Fully self-aligned via

Номер патента: US11437274B2. Автор: Susmit Singha Roy,Regina FREED,Uday Mitra,He REN,Ho-Yung David Hwang,Madhur Sachan,El Mehdi Bazizi,Gabriela Alva,Angada Bangalore Sachid,Sushant Mittal. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2022-09-06.

Semiconductor device with self-aligned vias

Номер патента: US11502001B2. Автор: Chien-Han Chen,Chien-Chih Chiu,Ming-Chung Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-15.

Structure and method to self align via to top and bottom of tight pitch metal interconnect layers

Номер патента: WO2016105422A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Kevin Lin,Robert L. Bristol,Richard E. Schenker,Manish Chandhok. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Integration of silicon-rich material in the self-aligned via approach of dual damascene interconnects

Номер патента: US6350675B1. Автор: Yi Xu,Mei-Sheng Zhou,Subhash Gupta,Simon Chooi. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-02-26.

Self-aligned via patterning with multi-colored photobuckets for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: KR102281062B1. Автор: 제임스 엠. 블랙웰,로버트 엘. 브리스톨,앨런 엠. 마이어스,칸왈 제이. 싱. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-07-23.

Selective removal process to create high aspect ratio fully self-aligned via

Номер патента: WO2019217363A1. Автор: Swaminathan Srinivasan,Regina FREED,Uday Mitra,He REN,Amrita B. Mullick,Madhur Sachan. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2019-11-14.

Self-aligned via interconnect structures

Номер патента: US11348832B2. Автор: Joyeeta Nag,Benjamin C. BACKES,Brian A. Cohen,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-31.

Self aligned via in integrated circuit

Номер патента: US9373582B1. Автор: Terry A. Spooner,Lars W. Liebmann,Yann Mignot,Yannick Feurprier,Joe Lee,Douglas M. Trickett,Mehmet Yilmaz. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-06-21.

Self-aligned via patterning with multi-colored photobuckets for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: EP3084820A1. Автор: James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Alan M. Myers,Kanwal J. SINGH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Self-aligned via fuse

Номер патента: US9240376B2. Автор: Wai-Kin Li,Junjing Bao,Samuel S. Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-19.

Self-aligned via and plug patterning with photobuckets for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: KR102280070B1. Автор: 케빈 린,로버트 엘. 브리스톨,리차드 이. 쉔커,앨런 엠. 마이어스,칸월 제이. 싱. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-07-22.

Selectively Etched Self-Aligned Via Processes

Номер патента: KR102355958B1. Автор: 잉 장,영-첸 린,케빈 조우,호-영 황. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2022-01-25.

Semiconductor device with self-aligned vias

Номер патента: KR102526311B1. Автор: 치엔-한 첸,치엔-치 치유,밍-충 리앙. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2023-04-26.

Self aligned via in integrated circuit

Номер патента: US9385078B1. Автор: Terry A. Spooner,Lars W. Liebmann,Yann Mignot,Yannick Feurprier,Joe Lee,Douglas M. Trickett,Mehmet Yilmaz. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-07-05.

Methods Of Forming Self-Aligned Vias

Номер патента: US20190013202A1. Автор: Thompson David,Anthis Jeffrey W.,Mallick Abhijit Basu,Schmiege Benjamin,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

Methods Of Forming Self-Aligned Vias

Номер патента: US20180096847A1. Автор: Thompson David,Anthis Jeffrey W.,Mallick Abhijit Basu,Schmiege Benjamin,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

Method for forming self-aligned contacts and local interconnects simultaneously

Номер патента: US20070235798A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Tuung Luoh,Ling-Wuu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Self-aligned formation and method for semiconductors

Номер патента: US6165896A. Автор: Rainer F. Schnabel,Zhijian Lu,Jeffrey Gambino. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-12-26.

Method for forming self-aligning local interconnects in integrated circuits

Номер патента: EP2592649B1. Автор: Michael C Smayling,Scott T Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2015-04-29.

Method for forming self aligned vias in multi level metal integrated circuit

Номер патента: KR100272499B1. Автор: 바실리 킷치. Владелец: 클라크 3세 존 엠.. Дата публикации: 2000-12-01.

Methods for forming 2-dimensional self-aligned vias

Номер патента: US09847252B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Mehul Naik,Bencherki Mebarki. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for forming self-aligned contact and integrated circuit with self-aligned contact

Номер патента: TW201243956A. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Forming self-aligned conductive lines for resistive random access memories

Номер патента: US09705080B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Pietro Petruzza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods of forming self-aligned device level contact structures

Номер патента: US09653356B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US09627321B2. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US09373584B2. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Transistor with reduced gate resistance and improved process margin of forming self-aligned contact

Номер патента: US20200111706A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of forming self aligned extended base contact for a bipolar transistor having reduced cell size

Номер патента: US5227316A. Автор: Madhukar Vora,Greg Burton,Ashok Kapoor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-07-13.

Method for improved aluminium-copper deposition and robust via contact resistance

Номер патента: US5736458A. Автор: Ming-Chang Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-04-07.

Self-forming, self-aligned barriers for back-end interconnects and methods of making same

Номер патента: TW201248779A. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Sean W King,Hui-Jae Yoo,Jeffery D Bielefeld. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-12-01.

Method Of Forming Self-Aligned Via

Номер патента: US20210166973A1. Автор: Parikh Suketu Arun,Balseanu Mihaela A.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-06-03.

Method Of Forming Self-Aligned Via

Номер патента: US20200144117A1. Автор: Balseanu Mihaela,Parikh Suketu Arun. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Method Of Forming Self-Aligned Via

Номер патента: US20200219768A1. Автор: Balseanu Mihaela,Parikh Suketu Arun. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Method of forming self-aligned via structure

Номер патента: US6372641B1. Автор: Chuen-Der Lien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2002-04-16.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS/VIAS WITH HIGH CORNER SELECTIVITY

Номер патента: US20150170965A1. Автор: WANG Peng,Hudson Eric A.,INDRAKANTI Ananth. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100268443B1. Автор: 조창현,김기남,정태영. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-16.

Method for forming self-aligned contact plug of semiconductor device

Номер патента: KR100640628B1. Автор: 홍창기,이재동,박정헌,박준상,배근희,정명호,김영옥,구주선,윤세라. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-31.

Method for forming self alignment contact

Номер патента: CN1244727A. Автор: 林炳俊. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-02-16.

Method for forming self-aligned contacts in semiconductor devices

Номер патента: KR970018058A. Автор: 최창원. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-04-30.

Method for forming self-aligning contact structure in semiconductor IC device

Номер патента: CN1319886A. Автор: 金允基,朴东建,朴钟佑. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-31.

Apparatus and method for forming self-aligned cuts in non-cardiac axes of an array of metal lines

Номер патента: CN107863324B. Автор: 杰森·伊葛尼·史蒂芬,古拉密·波奇. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-07-30.

Method for forming self align contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100745058B1. Автор: 조영재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-01.

Method of Forming Self-Aligned Air-Gaps Using Self-Aligned Capping Layer over Interconnect Lines

Номер патента: US20070218677A1. Автор: Eugen Unger,Manfred Engelhardt,Andreas Stich. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-09-20.

Method of forming self-aligned floating gate array and flash memory device including self-aligned floating gate array

Номер патента: CN1988135A. Автор: 崔钟云. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-27.

Method of forming self-aligned contact structure in semiconductor device and self-aligned contact structure fabricated thereby

Номер патента: KR100352909B1. Автор: 이재구,고관협. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-09-16.

Method of forming self-aligned contact structure in semiconductor device and self-aligned contact structure fabricated thereby

Номер патента: KR20010091723A. Автор: 이재구,고관협. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-10-23.

Methods for forming 2-dimensional self-aligned vias

Номер патента: US20170294348A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Mehul Naik,Bencherki Mebarki. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Techniques for forming self-aligned memory structures

Номер патента: US20210050521A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Process for forming self-aligned conductive plugs in multiple insulation levels in integrated circuit structures and resulting product

Номер патента: US5985746A. Автор: Ashok K. Kapoor. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

Techniques for Forming Self-Aligned Memory Structures

Номер патента: KR20220046633A. Автор: 이노센조 토르토렐리,안드레아 레다엘리,스테판 더블유. 러셀,아고스티노 피로바노,파비오 펠리쩌,로렌조 프라틴. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2022-04-14.

Enlarged sacrificial gate caps for forming self-aligned contacts

Номер патента: US10008385B1. Автор: Haiting Wang,Chih-Chiang Chang,Ashish Kumar JHA,Mitchell Rutkowski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-26.

Techniques for forming self-aligned memory structures

Номер патента: US20230027799A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Advanced metallization approach for forming self-aligned contacts and local area interconnects for memory and logic devices

Номер патента: US20030170954A1. Автор: Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-09-11.

Forming self-aligned vertical interconnect accesses in interconnect structures for integrated circuits

Номер патента: EP3433877B1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-07-06.

Methods to form self-aligned permanent on-chip interconnect structures

Номер патента: US20130001801A1. Автор: Qinghuang Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US20160163585A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

A method to form self-aligned anti-via interconnects

Номер патента: SG118126A1. Автор: Gupta Subhash,Hong Sangki,Kwok Keung Ho Paul. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-01-27.

Methods of forming self-aligned contact structures by work function material layer recessing and the resulting devices

Номер патента: US09824920B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US09502286B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

SELF-FORMING, SELF-ALIGNED BARRIERS FOR BACK-END INTERCONNECTS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20130260553A1. Автор: Yoo Hui Jae,King Sean W.,Balakrishnan Sridhar,Bielefeld Jeffrey D.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

SELF-FORMING, SELF-ALIGNED BARRIERS FOR BACK-END INTERCONNECTS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20160307796A1. Автор: Yoo Hui Jae,Bielefeld Jeffery D.,King Sean W.,Balakrishnan Sridhar. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Method for forming local interconnect metal structures via the addition of a titanium nitride anti-reflective coating

Номер патента: US6020267A. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ching-Yau Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Interconnect structure having large self-aligned vias

Номер патента: US09658523B2. Автор: Carl Radens,Terry Spooner,Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Nicole A. Saulnier,Richard Stephen Wise,Yiheng XU. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-23.

METHODS AND APPARATUSES TO FORM SELF-ALIGNED CAPS

Номер патента: US20130256899A1. Автор: Singh Kanwal Jit,Boyanov Boyan. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

Forming Self-Aligned Contact with Spacer First

Номер патента: US20190027580A1. Автор: Xie Ruilong,Fan Su Chen,Pranatharthiharan Balasubramanian,Greene Andrew M.,Lian Sean,Raymond Mark V.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

TRANSISTOR WITH REDUCED GATE RESISTANCE AND IMPROVED PROCESS MARGIN OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20220051939A1. Автор: YANG SHENG-HUI. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Transistor with reduced gate resistance and improved process margin of forming self-aligned contact

Номер патента: US20200111706A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

METHODS AND APPARATUSES TO FORM SELF-ALIGNED CAPS

Номер патента: US20220270978A1. Автор: Singh Kanwal Jit,Boyanov Boyan. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US20160163585A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

METHODS AND APPARATUSES TO FORM SELF-ALIGNED CAPS

Номер патента: US20170207120A1. Автор: Singh Kanwal Jit,Boyanov Boyan. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

Method of Forming Self-Aligned Contacts Using a Replacement Metal Gate Process in a Semiconductor Device

Номер патента: US20150263131A1. Автор: Metz Andrew. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-09-17.

FORMING SELF-ALIGNED VERTICAL INTERCONNECT ACCESSES (VIAs) IN INTERCONNECT STRUCTURES FOR INTEGRATED CIRCUITS (ICs)

Номер патента: US20170271202A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao,Yeap Choh Fei,Zhu John Jianhong. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACT STRUCTURES BY WORK FUNCTION MATERIAL LAYER RECESSING AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20170287780A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US20200321282A1. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

FORMING SELF-ALIGNED MULTI-METAL INTERCONNECTS

Номер патента: US20200357748A1. Автор: De Silva Ekmini Anuja,Dutta Ashim. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US20190393157A1. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: KR101684310B1. Автор: 보얀 보야노브,칸왈 지트 싱흐. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2016-12-08.

Method of forming self-aligned contacts using a replacement metal gate process in a semiconductor device

Номер патента: KR101699154B1. Автор: 매츠 앤드류. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-01-23.

Method of forming self-aligned contact in semiconductor device

Номер патента: KR0164497B1. Автор: 최창원. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of forming self-aligned LDD structures and low resistance contacts in thin film transistor technology devices

Номер патента: EP0632492A2. Автор: Robert Louis Hodges,Ravishankar Sundaresan. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1995-01-04.

Methods of forming self-aligned contact structures in semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US6649508B1. Автор: Jong-woo Park,Yun-gi Kim,Dong-gun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: KR102151585B1. Автор: 보얀 보야노브,칸왈 지트 싱흐. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer

Номер патента: US6855610B2. Автор: Ming-Sheng Tung,Yueh-Chuan Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2005-02-15.

Forming self-aligned multi-metal interconnects

Номер патента: US11355442B2. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-07.

A method of forming self-aligned contacts portion

Номер патента: CN106531684B. Автор: 赵超,朱慧珑,殷华湘,赵治国. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-07-16.

Method of forming self-aligned contact pad in a damascene gate process

Номер патента: TW559913B. Автор: Kyu-Hyun Lee,Tae-Young Chung,Yoo-Sang Hwang,Ki-nam Kim,Hyung-Soo Uh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-01.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: KR102306796B1. Автор: 보얀 보야노브,칸왈 지트 싱흐. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-09-30.

Method of forming self-aligned contacts for a semiconductor device

Номер патента: US8927407B2. Автор: Peter Baars,Andy Wei,Martin Mazur,Erik Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using sige layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20090263970A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-22.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: WO2013066356A1. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-05-10.

Method of forming self-aligned contacts and local interconnects

Номер патента: US20070004187A1. Автор: An Chyi Wei. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: TWI792018B. Автор: 肯瓦爾 辛格,伯葉 伯葉諾夫. Владелец: 美商英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2023-02-11.

Method of forming self-aligned contacts in a semi-conductor process

Номер патента: GB2269938B. Автор: James A Matthews. Владелец: Microunity Systems Engineering Inc. Дата публикации: 1994-09-07.

Forming self-aligned multi-metal interconnects

Номер патента: US11923311B2. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Integrated circuit interconnect level comprising multi-height lines and self-aligned vias

Номер патента: EP4376063A1. Автор: Matthew Metz,Manish Chandhok,Miriam Reshotko,Elijah Karpov,June CHOI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-29.

Self-aligned via to metal line for interconnect

Номер патента: US12080640B2. Автор: Tao Li,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Previous layer self-aligned via hole and plug patterning for back segment (BEOL) interconnection

Номер патента: CN105493249B. Автор: C·H·华莱士,P·A·尼许斯,E·N·谭,S·希瓦库马. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-14.

Manufacturing method of self-aligned via hole in the multilevel interconnects

Номер патента: TW415060B. Автор: Hua-Shu Wu,Jiun-Hung Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-12-11.

Self-aligned via hole and plug patterning for back segment (BEOL) interconnection

Номер патента: CN105518837B. Автор: C·H·华莱士,P·A·尼许斯. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

METHODS FOR FORMING 2-DIMENSIONAL SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20170294348A1. Автор: Nemani Srinivas D.,Naik Mehul,MEBARKI BENCHERKI. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

Self aligned via dual damascene

Номер патента: US5795823A. Автор: Steven Avanzino,Subhash Gupta,Ming-Ren Lin,Rich Klein,Scott D. Luning. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Self-Aligned Via to Metal Line for Interconnect

Номер патента: US20230077878A1. Автор: Tao Li,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Integrated circuit interconnect level comprising multi-height lines & self-aligned vias

Номер патента: US20240170394A1. Автор: Matthew Metz,Manish Chandhok,Miriam Reshotko,Elijah Karpov,June CHOI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Interconnect structure having a barrier layer along the sidewall of self-aligned via structures

Номер патента: US12046551B2. Автор: Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Self-aligned via structures and methods

Номер патента: US20240339396A1. Автор: Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Self-aligned via process flow

Номер патента: US09502293B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy C. Wei,Sudharshanan Raghunthathan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

METHOD OF SELECTIVE FILM DEPOSITION FOR FORMING FULLY SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20190157149A1. Автор: Tapily Kandabara. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Self-aligned via structures with barrier layers

Номер патента: US11251118B2. Автор: Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-15.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20210305381A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Self-aligned via process flow

Номер патента: US20160141206A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy C. Wei,Sudharshanan Raghunthathan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Buried power rails with self-aligned vias to trench contacts

Номер патента: US12094822B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei,Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

The method and apparatus for forming autoregistration cap

Номер патента: CN107968069A. Автор: B.博亚诺夫,K.J.辛格. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-27.

FinFET devices with a backside power rail and a backside self-aligned via disposed between dielectric fins

Номер патента: US11901456B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Hybrid interconnect structure for self aligned via

Номер патента: US20230335486A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Finfet devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20210305428A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Finfet devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20220310841A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Hybrid interconnect structure for self aligned via

Номер патента: US20220319984A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

FINFET Devices with Backside Power Rail and Backside Self-Aligned Via

Номер патента: US20240222508A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method For Creating A Fully Self-Aligned Via

Номер патента: US20190355620A1. Автор: Freed Regina,Mitra Uday,Natarajan Sanjay. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US12021123B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US20240297077A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20240339511A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

SELF-ALIGNED VIA INTERCONNECT USING RELAXED PATTERNING EXPOSURE

Номер патента: US20140015135A1. Автор: Moroz Victor,Rieger Michael L.. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2014-01-16.

SELF-ALIGNED VIA PROCESS FLOW

Номер патента: US20170004999A1. Автор: Bouche Guillaume,Wei Andy C.,Raghunthathan Sudharshanan. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

FULLY SELF-ALIGNED VIA WITH SELECTIVE BILAYER DIELECTRIC REGROWTH

Номер патента: US20200006140A1. Автор: Smith Jeffrey,Tapily Kandabara. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-01-02.

PREVIOUS LAYER SELF-ALIGNED VIA AND PLUG PATTERNING FOR BACK END OF LINE (BEOL) INTERCONNECTS

Номер патента: US20180033692A1. Автор: Sivakumar Swaminathan,Wallace Charles H.,Tan Elliot N.,NYHUS Paul A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

Interconnect structures including self aligned vias

Номер патента: US20220093453A1. Автор: Chih-Chao Yang,Terry A. Spooner,Shyng-Tsong Chen,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Self-Aligned Via Structures and Methods

Номер патента: US20210082804A1. Автор: Lee Chung-Ju,Tsai Cheng-Hsiung,Wu Chieh-Han,Lu Chih Wei. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Self-aligned vias formed using sacrificial metal caps

Номер патента: US20150091181A1. Автор: Chih-Chao Yang,Juntao Li,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

INTERCONNECT STRUCTURES INCLUDING SELF ALIGNED VIAS

Номер патента: US20210090942A1. Автор: Yang Chih-Chao,Chen Shyng-Tsong,Spooner Terry A.,Motoyama Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

FULLY SELF-ALIGNED VIA

Номер патента: US20200098633A1. Автор: ZHANG YING,Ingle Nitin K.,Hwang Ho-Yung David,Mallick Abhijit Basu,Freed Regina,Mitra Uday. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2020-03-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SPACERS FOR SELF ALIGNED VIAS

Номер патента: US20220181207A1. Автор: WU Chia-Tien,Chen Hsin-Ping,Ho Pokuan. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

SELF ALIGNED VIA AND PILLAR CUT FOR AT LEAST A SELF ALIGNED DOUBLE PITCH

Номер патента: US20170117177A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,STANDAERT Theodorus E.,Spooner Terry A.,RIZZOLO Michael,Briggs Benjamin D.. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

ANTI-FUSE WITH SELF ALIGNED VIA PATTERNING

Номер патента: US20200118927A1. Автор: Shu Jiehui,ZHANG Xiaoqiang,Ning Guoxiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

SELF-ALIGNED VIA PROCESS FLOW

Номер патента: US20160141206A1. Автор: Bouche Guillaume,Wei Andy C.,Raghunthathan Sudharshanan. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20220302268A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

SELF-ALIGNED VIA PATTERNING WITH MULTI-COLORED PHOTOBUCKETS FOR BACK END OF LINE (BEOL) INTERCONNECTS

Номер патента: US20150171009A1. Автор: BLACKWELL JAMES M.,Singh Kanwal Jit,BRISTOL Robert L.,Myers Alan M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

FINFET DEVICES WITH BACKSIDE POWER RAIL AND BACKSIDE SELF-ALIGNED VIA

Номер патента: US20220310841A1. Автор: Wang Chih-hao,Ju Shi Ning,Cheng Kuan-Lun,Chiang Kuo-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

Previous Layer Self-Aligned Via and Plug Patterning for Back End of Line (BEOL)Interconnects

Номер патента: US20160190009A1. Автор: Sivakumar Swaminathan,Wallace Charles H.,Tan Elliot N.,NYHUS Paul A.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Subtractive Self-Aligned Via and Plug Patterning for Back End of Line (BEOL) Interconnects

Номер патента: US20160197011A1. Автор: Yoo Hui Jae,Gstrein Florian,Wallace Charles H.,SCHENKER Richard E.,BRISTOL Robert L.,NYHUS Paul A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Fully Self-Aligned Via

Номер патента: US20190189512A1. Автор: ZHANG YING,Ingle Nitin K.,Hwang Ho-Yung David,Mallick Abhijit Basu,Freed Regina,Mitra Uday. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Self-Aligned Via and Plug Patterning for Back End of Line (BEOL) Interconnects

Номер патента: US20170221810A1. Автор: Charles H. Wallace,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

FULLY SELF-ALIGNED VIA WITH SELECTIVE BILAYER DIELECTRIC REGROWTH

Номер патента: US20210249305A1. Автор: Smith Jeffrey,Tapily Kandabara. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2021-08-12.

SELF-ALIGNED VIA PATTERNING WITH MULTI-COLORED PHOTOBUCKETS FOR BACK END OF LINE (BEOL) INTERCONNECTS

Номер патента: US20150255284A1. Автор: BLACKWELL JAMES M.,Singh Kanwal Jit,BRISTOL Robert L.,Myers Alan M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

METHODS OF FORMING BACKSIDE SELF-ALIGNED VIAS AND STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20180248012A1. Автор: Jun Kimin,MORROW Patrick,FISCHER Paul B.,KOBRINSKY Mauro J.,SON Il-Seok. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-08-30.

SELF-ALIGNED VIA AND PLUG PATTERNING FOR BACK END OF LINE (BEOL) INTERCONNECTS

Номер патента: US20190252208A1. Автор: Wallace Charles H.,NYHUS Paul A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

STRUCTURE AND METHOD TO SELF ALIGN VIA TO TOP AND BOTTOM OF TIGHT PITCH METAL INTERCONNECT LAYERS

Номер патента: US20170263553A1. Автор: LIN Kevin,CHANDHOK Manish,KOBRINSKY Mauro J.,SCHENKER Richard E.,BRISTOL Robert L.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

INTERCONNECT STRUCTURE HAVING LARGE SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20150279780A1. Автор: Radens Carl,Clevenger Lawrence A.,Zhang John H.,XU Yiheng,Sutton Akil K.,Wise Richard Stephen,SAULNIER Nicole A.,SPOONER Terry Allen. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

INTERCONNECT STRUCTURE HAVING LARGE SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20150279784A1. Автор: Radens Carl,Clevenger Lawrence A.,Zhang John H.,XU Yiheng,Wise Richard Stephen,SAULNIER Nicole A.,Spooner Terry. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

DOUBLE SELF ALIGNED VIA PATTERNING

Номер патента: US20140363969A1. Автор: Yin Yunpeng,Chen Hsueh-Chung,Xu Yongan,ZHAO Ailian. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

Self-Aligned Via Interconnect Using Relaxed Patterning Exposure

Номер патента: US20140367855A1. Автор: Moroz Victor,Rieger Michael L.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Fully Self-Aligned Via

Номер патента: US20180286749A1. Автор: ZHANG YING,Ingle Nitin K.,Mallick Abhijit Basu,Hwang Ho-yung,Freed Regina,Mitra Uday. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

2d self-aligned via first process flow

Номер патента: US20160329278A1. Автор: Guillaume Bouche,Sudharshanan RAGHUNATHAN,Andy Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

SELF-ALIGNED VIA

Номер патента: US20190311984A1. Автор: BLACKWELL JAMES M.,HOURANI Rami,BRISTOL Robert L.,LIN Kevin L.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-10-10.

TRIBLOCK COPOLYMERS FOR SELF-ALIGNING VIAS OR CONTACTS

Номер патента: US20180323104A1. Автор: BLACKWELL JAMES M.,HAN Eungnak,YOUNKIN Todd R.,HARLSON Shane M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-11-08.

METHODS OF FORMING BACKSIDE SELF-ALIGNED VIAS AND STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20190326405A1. Автор: Jun Kimin,MORROW Patrick,FISCHER Paul B.,KOBRINSKY Mauro J.,SON Il-Seok. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-10-24.

DOUBLE SELF ALIGNED VIA PATTERNING

Номер патента: US20150371896A1. Автор: Yin Yunpeng,Chen Hsueh-Chung,Xu Yongan,ZHAO Ailian. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Fully Self-Aligned Via

Номер патента: US20190348323A1. Автор: ZHANG YING,Ingle Nitin K.,Mallick Abhijit Basu,Hwang Ho-yung,Freed Regina,Mitra Uday. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

INTERCONNECT STRUCTURE WITH FULLY SELF-ALIGNED VIA PATTERN FORMATION

Номер патента: US20190385910A1. Автор: Yang Chih-Chao,LAI Kafai. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

SELF-ALIGNED CUT PROCESS FOR SELF-ALIGNED VIA PROCESS WINDOW

Номер патента: US20200402852A1. Автор: Yang Chih-Chao,Cheng Kangguo,Guo Jing,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

Methods of producing fully self-aligned vias and contacts

Номер патента: US10553485B2. Автор: Ying Zhang,Abhijit Basu Mallick,Regina FREED,Nitin K. Ingle,Ho-Yung Hwang,Uday Mitra,Sanjay Natarajan. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2020-02-04.

Previous layer self-aligned via and plug patterning for back end of line(beol) interconnects

Номер патента: KR102167317B1. Автор: 스와미나단 시바쿠마르,폴 에이. 니후스,찰스 에이치. 월레스,엘리엇 엔. 탄. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2020-10-19.

Self-aligned via and plug patterning for back end of line(beol) interconnects

Номер патента: KR20160061968A. Автор: 찰스 에이치. 월러스,폴 에이. 나이허스. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2016-06-01.

Self-aligned via structure and process for producing the same

Номер патента: TW345720B. Автор: Ming-Lun Zhang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-11-21.

Self-aligned vias in an integrated circuit structure

Номер патента: US6787875B2. Автор: Paul M. Gillespie,Kenneth D. Brennan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-07.

Self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US10991599B2. Автор: Charles H. Wallace,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-27.

Method of etching self-aligned vias to metal using a silicon nitride spacer

Номер патента: US6287952B1. Автор: Edward Belden Harris. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2001-09-11.

Air gap dielectric in self-aligned via structures

Номер патента: US6281585B1. Автор: Subhas Bothra. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 2001-08-28.

Self-aligned via and plug patterning for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: EP3050085A4. Автор: Charles H. Wallace,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-24.

Interconnect structure with fully self-aligned via pattern formation

Номер патента: US10727123B2. Автор: Chih-Chao Yang,Kafai Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-28.

Previous layer self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: TW201528347A. Автор: Swaminathan Sivakumar,Elliot N Tan,Charles H Wallace,Paul A Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

Self-aligned via

Номер патента: CN110024103B. Автор: R.L.布里斯托尔,J.M.布莱克维尔,K.L.林,R.霍拉尼. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-30.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US20220181207A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor devices with backside power rail and backside self-aligned via

Номер патента: US20220302268A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US20210134672A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US11984359B2. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for forming conductive structure in semiconductor structure

Номер патента: US09799558B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Carlos H. Diaz,Hsi-Wen Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US10050116B2. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Sheng-Hsuan Lin,Ya-Lien Lee,Hung-Chang Hsu,Rueijer Lin,Hsiao-Ping Liu,Yen-Shou Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09818834B2. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Sheng-Hsuan Lin,Ya-Lien Lee,Hung-Chang Hsu,Rueijer Lin,Hsiao-Ping Liu,Yen-Shou Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for Forming a Via Profile of Interconnect Structure of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170194197A1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for forming a via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09997401B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for forming via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09536964B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for forming semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20180166285A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Keng-Chu Lin,Chih-Tsung Lee,Victor Y. Lu,Shing-Chyang Pan,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for forming semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200144063A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Keng-Chu Lin,Chih-Tsung Lee,Victor Y. Lu,Shing-Chyang Pan,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

System and method for manufacturing contact

Номер патента: US8828867B2. Автор: TAO Han,Jianguo Fan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

System and method for manufacturing contact

Номер патента: US20080138981A1. Автор: TAO Han,Jianguo Fan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Method for forming semiconductor die having edge with multiple gradients

Номер патента: US12087618B2. Автор: Fu-Chen Chang,Yu-Sheng Tang,Cheng-Lin Huang,Wen-Ming Chen,Chun-Yen Lo,Kuo-Chio Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09842768B2. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Shu-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for forming self-aligned metal silicide contacts

Номер патента: TWI415174B. Автор: Mahadevaiyer Krishnan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Randolph F Kanrr,Renee T Mo,Jay W Strane. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2013-11-11.

Method for forming self-aligned metal silicide contacts

Номер патента: US20070254479A1. Автор: Mahadevaiyer Krishnan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Randolph Knarr,Renee Mo,Jay Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for forming self-aligned metal silicide contacts

Номер патента: US7618891B2. Автор: Mahadevaiyer Krishnan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Renee T. Mo,Randolph F. Knarr,Jay W. Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-17.

Method for forming self-aligned metal silicide contacts

Номер патента: US20090309228A1. Автор: Mahadevaiyer Krishnan,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Renee T. Mo,Randolph F. Knarr,Jay W. Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Method of forming self-aligned silicide layers on semiconductor devices

Номер патента: US20020182860A1. Автор: Jerry Lin,Cheng-Kuo Yuan,Chi-Wei Chou. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-05.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED ISOLATION TRENCHES IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150171162A1. Автор: LEE TZUNG-HAN,Hu Yaw-Wen. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for forming self-aligned trench

Номер патента: CN113488430A. Автор: 杨军. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-08.

Apparatus and method for forming self-aligned trench isolation

Номер патента: WO1988004106A1. Автор: Bing Yeh,Daniel Charles Guterman. Владелец: Xicor, Inc.. Дата публикации: 1988-06-02.

Process for forming self-aligned dielectric isolation

Номер патента: EP0062170A2. Автор: Klaus Dietrich Beyer,Joseph Skinner Logan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-10-13.

Process for forming self-aligned dielectric isolation

Номер патента: EP0062170B1. Автор: Klaus Dietrich Beyer,Joseph Skinner Logan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-12-07.

The method and apparatus for forming silicon oxide film

Номер патента: CN109509698A. Автор: 菱屋晋吾,高京硕,岛裕巳,木镰英司. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-03-22.

Self-Aligned Via and Plug Patterning for Back End of Line (BEOL) Interconnects

Номер патента: US20160204002A1. Автор: Wallace Charles H.,NYHUS Paul A.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-07-14.

Methods for fabricating semiconductor or micromachined devices with metal structures and methods for forming self-aligned deep cavity metal structures

Номер патента: US09620373B1. Автор: Rakesh Kumar,Sharath POIKAYIL SATHEESH,Pradeep Yelehanka,Natarajan Rajasekaran,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for forming a via hole self-aligned with a metal block on a substrate

Номер патента: US11270912B2. Автор: Christopher Wilson,Martin O'Toole,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-03-08.

Method for Forming a Via Hole Self-aligned with a Metal Block on a Substrate

Номер патента: US20210183698A1. Автор: Christopher Wilson,Martin O'Toole,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09786593B1. Автор: Po-Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

A method for forming a via hole self-aligned with a metal block on a substrate

Номер патента: EP3836198A1. Автор: Christopher Wilson,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim,Martin O´TOOLE. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-16.

Array substrate, method for manufacturing the same, and display apparatus

Номер патента: US09698178B2. Автор: Yuliang Wang,Daeyoung Choi,Zengli LIU,Daojie LI,Shijuan CHEN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for fabricating semiconductor device including a via hole in a mask pattern

Номер патента: US09941172B2. Автор: Suk-joo Lee,Joong-Won JEON,Jong-Doo Kim,Young-Deok KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods for fabricating semiconductor devices having through electrodes

Номер патента: US09543200B2. Автор: Jisoon Park,Byung Lyul Park,SuKyoung Kim,Ju-Il Choi,Gilheyun CHOI,Kunsang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for forming fin field effect transistor (finfet) device structure with conductive layer between gate and gate contact

Номер патента: US20200058794A1. Автор: Mei-Yun Wang,Chen-Yuan Kao,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Multi-step planarizing method for forming a patterned thermally extrudable material layer

Номер патента: US20030008494A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Method for forming semiconductor device structure with conductive line

Номер патента: US20200118932A1. Автор: Yun Chang,Chi-Cherng Jeng,Shyh-Wei Cheng,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for forming fin field effect transistor device structure

Номер патента: US12107012B2. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for forming flash memory structure

Номер патента: US09859295B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Shih-Chang Liu,Fu-Ting Sung,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150364427A1. Автор: Takashi KANSAKU. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor device structure with protection cap and method for forming the same

Номер патента: US20190371653A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor memory structure and method for forming the same

Номер патента: US11521975B2. Автор: Ying-Chu YEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20190067012A1. Автор: Yen-Ting Chen,Chun-Hsiung Lin,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Chun-An Lin,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor structure having metal contact features and method for forming the same

Номер патента: US20200294806A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for forming semiconductor device structure with conductive line

Номер патента: US20190139895A1. Автор: Yun Chang,Chi-Cherng Jeng,Shyh-Wei Cheng,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297217A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Fu-Hsiang Su,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for forming contact window

Номер патента: US20010046782A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wei-Wu Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor device structure with conductive via structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274525A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Fin field effect transistor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20200294846A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for forming chip structure with conductive structure

Номер патента: US12057419B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Mao-Nan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor package structure having first and second guard ring regions of different conductivity types and method for forming the same

Номер патента: US09786560B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Tung-Hsing Lee,Tzu-Hung Lin,Wei-Che Huang,Yu-Hua Huang,Cheng-Chou Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for forming integrated circuit structure with thinned contact

Номер патента: US09576847B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Interconnect structure and method for manufacturing the interconnect structure

Номер патента: US20220189871A1. Автор: KHADERBAD Mrunal Abhijith,Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Interconnect structure and method for manufacturing the interconnect structure

Номер патента: US20230268268A1. Автор: KHADERBAD Mrunal Abhijith,Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Interconnect structure and method for manufacturing the interconnect structure

Номер патента: US11637062B2. Автор: KHADERBAD Mrunal Abhijith,Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Method for forming hybrid bonding with through substrate via (tsv)

Номер патента: US20180005977A1. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12074204B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for forming semiconductor device structure with graphene layer

Номер патента: US10818596B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Wei-Chen CHU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Method For Forming Semiconductor Structure And A Semiconductor

Номер патента: US20240268104A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for forming semiconductor structures and semiconductor structures

Номер патента: US12051618B2. Автор: Yuchen Wang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200044035A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20170278756A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200365696A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Digital Isolator Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230420496A1. Автор: Hongxu Yang,Hualun CHEN,Hongfeng JIN. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US12100657B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12125749B2. Автор: Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for forming conductive structure in semiconductor structure

Номер патента: US09972526B2. Автор: Yi-Wei Chiu,Chih-ching Cheng,Fang-Yi WU,Chia-Hsin TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09831130B2. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09496367B2. Автор: Hung-Chang Hsu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Yi-Chun Lo,Chia-Der Chang,Tien-Chun Wang,Guo-Chiang CHI,Chia-Ping LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09484207B2. Автор: Yu-Sheng Su,Chia-Cheng Lin,Hung-Jui Chang,Shu-Huei Suen,Jeng-Chang Her. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09425087B1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of forming a structure including silicon-carbon material, structure formed using the method, and system for forming the structure

Номер патента: US20220178023A1. Автор: Yoshio SUSA,Naoki Umehara,Yu Min Huang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-06-09.

Methods of forming self aligned transistor structure having polycrystalline contacts

Номер патента: US3847687A. Автор: U Davidsohn,A Ajamie. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1974-11-12.

Method of forming self-aligned silicides

Номер патента: US20060121708A1. Автор: Steven Huang,Yei-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Method for forming self-aligned double pattern and semiconductor structures

Номер патента: US12100593B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for forming self-aligned double pattern, and semiconductor structure

Номер патента: EP4181172A1. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Methods of forming self-aligned contacts on FinFET devices

Номер патента: US09627274B1. Автор: Huang Liu,Xintuo Dai,Jinping Liu,Haifeng Sheng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-06.

Method to form self-aligned high density nanocrystals

Номер патента: US20160071943A1. Автор: Sung-taeg Kang,Euhngi Lee. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-10.

Method for producing a laminated body having a1-based group-iii nitride single crystal layer, laminated body produced by the method, method for producing a1-based group-iii nitride single crystal substrate employing the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: CA2712148C. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2012-08-07.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09799665B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for forming flash memory devices

Номер патента: US09431405B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for forming isolation with multi-step structure

Номер патента: US20200411363A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Kuang-Cheng Tai,Chih-Hung Hsieh,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Tien-Shao Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: WO2006093730A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-09-08.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: EP1856726A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-21.

Method for forming self-aligned dual fully silicided gates in cmos devices

Номер патента: WO2006060574A2. Автор: Cyril Cabral, Jr.,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Chester T. Dziobkowski,Clement H. Wann. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-06-08.

Using selectively formed cap layers to form self-aligned contacts to source/drain regions

Номер патента: US20210280690A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Methods of forming self aligned spacers for nanowire device structures

Номер патента: EP3394898A1. Автор: Anand Murthy,Karthik Jambunathan,Seiyon Kim,Jun Sung Kang,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

Method for forming silicon dots

Номер патента: US20100260944A1. Автор: Hirokazu Kaki,Eiji Takahashi,Atsushi Tomyo. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-14.

Method for forming monocrystalline diamond film

Номер патента: EP4442867A1. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

METHOD TO FORM SELF-ALIGNED HIGH DENSITY NANOCRYSTALS

Номер патента: US20160071943A1. Автор: Kang Sung-Taeg,LEE Euhngi. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2016-03-10.

Methods of forming self-aligned silicide layers using multiple thermal processes

Номер патента: US7531459B2. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Eun-ji Jung,Hyun-Su Kim,Jong-Ho Yun,Sug-Woo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-12.

Method of forming self aligned grids in bsi image sensor

Номер патента: US20240021653A1. Автор: Jiech-Fun Lu,Shih-Pei Chou,Tsun-Kai Tsao,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of forming self aligned grids in BSI image sensor

Номер патента: US11776985B2. Автор: Jiech-Fun Lu,Shih-Pei Chou,Tsun-Kai Tsao,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Forming self-aligned contacts on pillar structures

Номер патента: US20180308898A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Eugene J. O'Sullivan,Anthony J. Annunziata,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Method for producing concentrator photovoltaic unit, production apparatus used in the method, method for producing concentrator photovoltaic module, and production apparatus used in the method

Номер патента: US09871157B2. Автор: Yoshiki Kuhara,Takashi Iwasaki,Koji Mori,Makoto Inagaki,Kazumasa Toya,Rui Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for manufacturing polycrystalline silicon thin-film solar cells by means method for crystallizing large-area amorphous silicon thin film using linear electron beam

Номер патента: US09680047B2. Автор: Sun Hwa Lee,Ho Sung Kim,Sang Ryu,Chae Hwan Jeong,Seong Jae Boo. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2017-06-13.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL OVERGROWTH FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS WITHOUT SPACER LOSS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Lauer Isaac,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin,Chu Jack Oon. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Method for forming self-aligned double pattern, and semiconductor structure

Номер патента: EP4181172A4. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Method for forming an absorber layer of a thin film solar cell

Номер патента: US8569101B2. Автор: Tadahiro Kubota,Daisuke Okamura,Katustoshi Nosaki. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-29.

RECESSING RMG METAL GATE STACK FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20160149015A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Method of forming self-aligned split-gate memory cell array with metal gates and logic devices

Номер патента: US09721958B2. Автор: FENG Zhou,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Vertical sidewall profile spacer layer and method for fabrication thereof

Номер патента: US6828186B2. Автор: Chi-Hsin Lo,Shih-Chiang Liu,Chia-Shiang Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-12-07.

Vertical sidewall profile spacer layer and method for fabrication thereof

Номер патента: US20040188779A1. Автор: Chi-Hsin Lo,Shih-Chiang Liu,Chia-Shiang Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

FORMING SELF-ALIGNED NiSi PLACEMENT WITH IMPROVED PERFORMANCE AND YIELD

Номер патента: US20160163702A1. Автор: WANG Xin,HU Yue,Wu Xusheng,Lee Yong Meng,ZHAO Lun,PENG Wen-Pin,TONG Wei-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Method Of Forming Self-Aligned Split-Gate Memory Cell Array With Metal Gates And Logic Devices

Номер патента: US20160218110A1. Автор: Zhou Feng,CHEN CHUN-MING,Do Nhan,Liu Xian,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

DEVICES AND METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED, UNIFORM NANO SHEET SPACERS

Номер патента: US20170330934A1. Автор: Cheng Kangguo,Zhang John,CLEVENGER Lawrence,HARAN Balasubramanian. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-11-16.

Method to form self-aligned gate structures around cold cathode emitter tips using chemical mechanical polishing technology

Номер патента: US5229331A. Автор: Trung T. Doan,David A. Cathey,J. Brett Rolfson,Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1993-07-20.

Method of forming self aligned double pattern

Номер патента: KR100714305B1. Автор: 홍창기,윤보언,최재광,권병호,박준상,윤세라. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-02.

Method of forming self-aligned thin film transistor

Номер патента: CA2228037A1. Автор: James F. Farrell. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-02-13.

Method to form self aligned, L-shaped sidewall spacers

Номер патента: EP1164636B1. Автор: Gupta Subhash,Pradeep Yelehanka,Chhagan Vijai. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-12-19.

Method of forming self align silicide in semiconductor device

Номер патента: KR100953489B1. Автор: 강양범. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-04-19.

Pattern forming method, resist pattern formed by the method, method for manufacturing electronic device using the same, and electronic device

Номер патента: US9448482B2. Автор: Kaoru Iwato,Hiroo Takizawa,Takanobu Takeda. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for producing a laminated body having a1-based group-iii nitride single crystal layer, laminated body produced by the method, method for producing a1-based group-iii nitride single crystal substrate employing the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: CA2712148A1. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-23.

METHOD FOR PRODUCING A LAMINATED BODY HAVING Al-BASED GROUP-III NITRIDE SINGLE CRYSTAL LAYER, LAMINATED BODY PRODUCED BY THE METHOD, METHOD FOR PRODUCING Al-BASED GROUP-III NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE EMPLOYING THE LAMINATED BODY, AND ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20110018104A1. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Method for forming CMOS device with self-aligned contacts and region formed using salicide process

Номер патента: US7582567B1. Автор: Tsengyou Syau,Shih-Ked Lee,Chuen-Der Lien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-01.

Method for forming self-aligned wells to support tight spacing

Номер патента: US20090042377A1. Автор: Seetharaman Sridhar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for forming self-aligned wells to support tight spacing

Номер патента: WO2009021187A3. Автор: Seetharaman Sridhar. Владелец: Seetharaman Sridhar. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for forming self-aligned wells to support tight spacing

Номер патента: WO2009021187A2. Автор: Seetharaman Sridhar. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for CMOS devices

Номер патента: TW200710993A. Автор: Thomas W Dyer,hai-ning Yang. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-03-16.

Method for forming self-aligned silicide layers on sub-quarter micron VLSI circuits

Номер патента: US6100191A. Автор: Jiun-Yuan Wu,Water Lur,Tony Lin,Hsiao-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-08.

Methods Of Forming Self-Aligned Vias And Air Gaps

Номер патента: US20190348368A1. Автор: GOPALRAJA Praburam,Mallick Abhijit Basu,Duan Ziqing,Roy Susmit Singha. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Methods for forming self-aligned dual stress liners for cmos semiconductor devices

Номер патента: US20110163387A1. Автор: Thomas W. Dyer,Taehoon Lee,Seung-Man Choi,Kyoung Woo Lee,Ja Hum Ku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for forming self-aligned double-layer pattern

Номер патента: CN110459465B. Автор: 张志刚,徐灵芝,陆神洲. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-04.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR940016879A. Автор: 박해성. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-07-25.

Method for forming self-aligned dual salicide in cmos technologies

Номер патента: WO2006060575A2. Автор: James S. Nakos,Cyril Cabral, Jr.,John J. Ellis-Monaghan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Zhijiong Luo,An L. Steegen,Chester T. Dziobkowski,Clement H. Wann. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-06-08.

Method for forming self-aligned dual salicide in cmos technilogies

Номер патента: TWI371084B. Автор: Christian Lavoie,Sunfei Fang,Zhijiong Luo,Cyril Cabral Jr,Chester T Dziobkowski,John J Ellis-Monaghan,James S Nakos,An L Steegen,Clement H Wann. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-08-21.

Method for Forming Self-Aligned Silcide of Semiconductor Device

Номер патента: KR100628253B1. Автор: 심규철,이완규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-09-27.

Method for forming self-aligned channel implants using a gate poly reverse mask

Номер патента: US6489191B2. Автор: Yimin Wang,Kai Shao,Jian Xun Li,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-12-03.

Method for forming self-aligned dual salicide in CMOS technologies

Номер патента: US7064025B1. Автор: James S. Nakos,Cyril Cabral, Jr.,John J. Ellis-Monaghan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Zhijiong Luo,An L. Steegen,Chester T. Dziobkowski,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-20.

Method for forming self-aligned dual salicide in cmos technologies

Номер патента: EP1825508A2. Автор: James S. Nakos,Cyril Cabral, Jr.,John J. Ellis-Monaghan,Christian Lavoie,Sunfei Fang,Zhijiong Luo,An L. Steegen,Chester T. Dziobkowski,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-29.

Method for forming self-align silicide in semiconductor device

Номер патента: KR100271948B1. Автор: 이응준,서태욱,이수근,구자흠,김철성,정주혁. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-11-15.

Method and structure for forming self-aligned, dual stress liner for cmos devices

Номер патента: US20080012019A1. Автор: Effendi Leobandung,Huilong Zhu,Huicai Zhong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-01-17.

A bicmos process for forming self-aligned npn emitters and bases and mosfet/source drains

Номер патента: EP0293731A3. Автор: Robert H. Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1989-09-27.

Method for forming a metal contact on a surface of a semiconductor, and device with a metal contact

Номер патента: US9768356B2. Автор: Luca Redaelli,Sven Einfeldt,Michael Kneissl. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming self-aligned silicides

Номер патента: TWI310211B. Автор: Steven Huang,Yeihsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-05-21.

Method and structure of forming self-aligned RMG gate for VFET

Номер патента: US09780208B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Radio frequency (rf) amplifier device on silicon-on-insulator (soi) and method for fabricating thereof

Номер патента: US20210375941A1. Автор: Timothy Lee. Владелец: Metamos Solutions. Дата публикации: 2021-12-02.

Low loss power device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20210376146A1. Автор: Timothy Lee. Владелец: Metamos Solutions. Дата публикации: 2021-12-02.

Low loss power device and method for fabricating thereof

Номер патента: EP3916799A1. Автор: Timothy Lee. Владелец: Metamos Solutions Inc. Дата публикации: 2021-12-01.

Radio frequency (rf) switch device on silicon-on-insulator (soi) and method for fabricating thereof

Номер патента: EP3916798A1. Автор: Timothy Lee. Владелец: Metamos Solutions Inc. Дата публикации: 2021-12-01.

Radio frequency (rf) switch device on silicon-on-insulator (soi) and method for fabricating thereof

Номер патента: US20210376148A1. Автор: Timothy Lee. Владелец: Metamos Solutions. Дата публикации: 2021-12-02.

Method and structure of forming self-aligned rmg gate for vfet

Номер патента: US20180019337A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

STRUCTURE AND METHOD OF FORMING SELF ALIGNED CONTACTS IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190181047A1. Автор: Sung Min Gyu. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2019-06-13.

USING SELECTIVELY FORMED CAP LAYERS TO FORM SELF-ALIGNED CONTACTS TO SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20210280690A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Method of forming self-aligned low resistance contact layer

Номер патента: US20100035399A1. Автор: Sean King,Ravi Pillarisetty,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Jason W. Klaus,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Method to form self-aligned silicide with reduced sheet resistance

Номер патента: US6509264B1. Автор: Weining Li,Yung Tao Lin. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-01-21.

A method to form self-aligned silicide with reduced sheet resistance

Номер патента: SG107556A1. Автор: Yung Tao Lin,Wei Ning Li. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-12-29.

Method of forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100245136B1. Автор: 김정호,김승준,이동덕,김일욱. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of forming self-aligned silicides

Номер патента: TW200620405A. Автор: Steven Huang,Yei-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-16.

Method to form self-aligned source/drain cmos device on isulated staircase oxide

Номер патента: SG102650A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Yong Meng Lee James,Sunderasan Ravi. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-03-26.

Package substrate with dual damascene based self-aligned vias

Номер патента: US20240128181A1. Автор: Hiroki Tanaka,Srinivas V. Pietambaram,Brandon C. MARIN,Haobo Chen,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

METHOD OF SELECTIVE DEPOSITION FOR FORMING FULLY SELF-ALIGNED VIAS

Номер патента: US20190164749A1. Автор: Tapily Kandabara. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Method for forming gate structures in different operation voltages

Номер патента: US09929056B1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Shan-Shi Huang,Hung-Yi Tsai,Tun-Jen Cheng,Ching-Wei Teng,Te-Chiu Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for Forming Mixed Substrate

Номер патента: US20240186140A1. Автор: Tao Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: WO2002015252A3. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2002-11-21.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: WO2002015252A2. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-02-21.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: EP1309991A2. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-05-14.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for forming dielectric films of anodized aluminum-silicon alloy having effect of switching conductivity

Номер патента: RU2657096C2. Автор: Александр Степанович Рудый,Аркадий Евгеньевич Бердников,Валерий Николаевич Гусев,Александр Афанасьевич Попов,Владимир Дмитриевич Черномордик,Михаил Олегович Изюмов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова" (ЯрГУ). Дата публикации: 2018-06-08.

Method and Apparatus for Forming Oriented Nanowire Material and Method for Forming Conductive Structure

Номер патента: US20150380131A1. Автор: Feng Bai,Zhen Liu,Tao Ren,Yiming Zhao,Ruiyong WANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Method for forming silicon oxide and metal nanopattern's, and magnetic recording medium for information storage using the same

Номер патента: US09495991B2. Автор: No Ma Kim,Eun Ji Shin,Yeon Sik Jung,Sung Soo Yoon,Yang Kyoo Han,Je Gwon Lee,Hyun Jin Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240243186A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for forming deposition film

Номер патента: EP4443478A1. Автор: Daisuke Sato,Yuki Oka,Moe TANIWAKI. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor structure with low defect and method for forming the same

Номер патента: US09806077B2. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Resist material and method for forming semiconductor structure using resist layer

Номер патента: US20180164684A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu,Chin-Hsiang Lin,Cheng-Han Wu,Ya-Ching Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: EP3940751A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220020644A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Method for forming semiconductor structure with fins using a multilayer mask structure for etching to form nanostructures

Номер патента: US12087641B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Wen-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09455194B1. Автор: Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Ssu-I Fu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Shih-Fang Hong,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for producing a composition for forming an organic film

Номер патента: US10047244B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Motoaki Iwabuchi,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Method for manufacturing semiconductor structure with source/drain structure having modified shape

Номер патента: US20240234548A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230141093A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Methods for running a high density plasma etcher to achieve reduced transistor device damage

Номер патента: WO2000036638A1. Автор: Eric A. Hudson,Jaroslaw W. Winniczek,Joel M. Cook,Helen L. Maynard. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2000-06-22.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US20160190013A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for forming semiconductor structure with epitaxial growth structure

Номер патента: US09997615B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Chung-Cheng Wu,Cheng-Long Chen,Che-Yu Yeh,Gwan-Sin Chang,Ying-Hsuan WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Cleaning liquid for lithography and method for forming wiring

Номер патента: US09920286B2. Автор: Tomoya Kumagai,Takahiro Eto. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US09799565B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods for gate formation in circuit structures

Номер патента: US09640402B1. Автор: Xintuo Dai,Jiong Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for forming semiconductor nanowire transistors

Номер патента: US09520484B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for processing the beam of neutral particles based on the technology for processing the beam of gas cluster ions and obtained by such as a product

Номер патента: RU2648961C2. Автор: Майкл Дж. УОЛШ,Шон Р. КИРКПАТРИК,Аллен Р. КИРКПАТРИК. Владелец: Эксодженезис Корпорейшн. Дата публикации: 2018-03-28.

METHOD FOR FORMING A LiCoO2 FILM AND APPARATUS FOR IMPLEMENTATION THEREOF

Номер патента: RU2765222C1. Автор: Айрат Хамитович Хисамов,Сергей Михайлович Насточкин,Александр Викторович Россохатый,Ярослав Анатольевич Короленко. Владелец: Тхе Баттериес Сп. з о.о.. Дата публикации: 2022-01-26.

Method for forming an electrically conductive oxide film, an electrically conductive oxide film, and uses for the same

Номер патента: US09892814B2. Автор: Jarmo Maula. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing for forming source/drain contact features and devices manufactured thereof

Номер патента: US20240266407A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of forming self-aligned top gate channel barrier region in ion-implanted JFET

Номер патента: US5120669A. Автор: Gregory A. Schrantz. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1992-06-09.

Method for making semiconductor apparatus and semiconductor apparatus obtained by the method, method for making thin film transistor substrate and thin film transistor substrate obtained by the method, and method for making display apparatus and display apparatus obtained by the method

Номер патента: US20120205657A1. Автор: Naoki HAYASHI,Toshiaki Arai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Method for forming self-aligned Schottky junctions for semiconductor devices

Номер патента: JP5001295B2. Автор: ミュラー マーカス. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-08-15.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL OVERGROWTH FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS WITHOUT SPACER LOSS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Lauer Isaac,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin,Chu Jack Oon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-19.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED AIRGAP INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20150054122A1. Автор: Lin Qinghuang,Fletcher Benjamin L.,Cabral Cyril. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Method for forming self-aligned dielectric cap above floating gate

Номер патента: US20100081267A1. Автор: Takashi Orimoto,Henry Chien,Vinod Robert Purayath,George Matamis,James K. Kai. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

method for forming self aligned field effect transistor structure

Номер патента: KR101070408B1. Автор: 백규하,도이미. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2011-10-06.

Forming self-aligned contacts on pillar structures

Номер патента: US20180308897A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Eugene J. O'Sullivan,Anthony J. Annunziata,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Cover, display device, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20210405432A1. Автор: Tao Song,Pengfei Yu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

RECESSING RMG METAL GATE STACK FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20160372576A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Method for forming structure for reducing noise in cmos image sensors

Номер патента: US20130023083A1. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for forming structure for reducing noise in cmos image sensors

Номер патента: US20140252525A1. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Method for forming structure for reducing noise in CMOS image sensors

Номер патента: US9263486B2. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Methods of forming self aligned spacers for nanowire device structures

Номер патента: EP3394898B1. Автор: Anand Murthy,Karthik Jambunathan,Seiyon Kim,Jun Sung Kang,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

METHOD FOR FORMING A PLURALITY OF MICRO-PARTICLES AND/OR NANO-PARTICLES, PLURALITY OF PARTICLES FORMED BY THE METHOD AND APPARATUS FOR FORMING A PLURALITY OF PARTICLES ACCORDING TO THE METHOD

Номер патента: BRPI0417848A8. Автор: P Rolland Jason,t samulski Edward,M Desimone Joseph,E Exner Ansley,W Maynor Benjamin,E Euliss Larken,M Denison Ginger,Jude Samulski R. Владелец: Univ North Carolina State. Дата публикации: 2018-02-06.

FORMING SELF-ALIGNED CONDUCTIVE LINES FOR RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORIES

Номер патента: US20160028002A1. Автор: Tortorelli Innocenzo,Petruzza Pietro,Pellizzer Fabio. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

METHOD OF FORMING SELF ALIGNED GRIDS IN BSI IMAGE SENSOR

Номер патента: US20200135798A1. Автор: Lu Jiech-Fun,Tsao Tsun-Kai,Wu Wei Chuang,Chou Shih-Pei. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Method of Forming Self-Alignment Contact

Номер патента: US20170170292A1. Автор: HSU Hung-Chang,Jang Syun-Ming,Lin Sheng-Hsuan,SU Hung-Wen,Lee Ya-Lien,LIN Rueijer,TSAI Ming-Hsing,Liu Hsiao-Ping,Kao Yen-Shou. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

METHOD OF FORMING SELF ALIGNED GRIDS IN BSI IMAGE SENSOR

Номер патента: US20210280630A1. Автор: Lu Jiech-Fun,Tsao Tsun-Kai,Wu Wei Chuang,Chou Shih-Pei. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

METHODS AND APPARATUSES TO FORM SELF-ALIGNED CAPS

Номер патента: US20150270224A1. Автор: Singh Kanwal Jit,Boyanov Boyan. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS ON PILLAR STRUCTURES

Номер патента: US20180261649A1. Автор: "OSullivan Eugene J.",EDELSTEIN Daniel C.,Utomo Henry K.,Annunziata Anthony J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

FORMING SELF-ALIGNED CONDUCTIVE LINES FOR RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORIES

Номер патента: US20160293842A1. Автор: Tortorelli Innocenzo,Petruzza Pietro,Pellizzer Fabio. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-10-06.

FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS ON PILLAR STRUCTURES

Номер патента: US20180308897A1. Автор: "OSullivan Eugene J.",EDELSTEIN Daniel C.,Utomo Henry K.,Annunziata Anthony J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS ON PILLAR STRUCTURES

Номер патента: US20180308898A1. Автор: "OSullivan Eugene J.",EDELSTEIN Daniel C.,Utomo Henry K.,Annunziata Anthony J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

METHODS OF FORMING SELF ALIGNED SPACERS FOR NANOWIRE DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180358436A1. Автор: Murthy Anand,Kim Seiyon,JAMBUNATHAN KARTHIK,KANG Jun Sung,GLASS Glenn. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-12-13.

Method of forming self-aligned poly for embedded flash

Номер патента: US20050127435A1. Автор: Han-Ping Chen,Chung-Yi Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Method of forming self-aligned poly for embedded flash

Номер патента: US7153744B2. Автор: Han-Ping Chen,Chung-Yi Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-12-26.

Method of forming self aligned grids in bsi image sensor

Номер патента: KR102300877B1. Автор: 웨이 추앙 우,춘-카이 차오,시-페이 초우,지에츠-펀 루. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-09-14.

Method of forming self-aligning contacting hole

Номер патента: JPS60216582A. Автор: シエン　テン　スウ. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1985-10-30.

Method of forming self-aligned stacked capacitor

Номер патента: US20020022321A1. Автор: Ching-ming Lee,Wunn-Shien Liao,Ky Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of forming self aligned grids and semiconductor structure for bsi image sensor

Номер патента: TW202018928A. Автор: 周世培,盧玠甫,吳尉壯,曹淳凱. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2020-05-16.

Method and structure to form self-aligned selective-SOI

Номер патента: US7482656B2. Автор: Huilong Zhu,Yung Fu Chong,Zhijiong Luo,Judson R Holt,Kevin K Dezfulian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-27.

Self-aligned via in double diffusion break to connect to backside interconnects

Номер патента: US20240312912A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

METHOD FOR PRODUCING CONCENTRATOR PHOTOVOLTAIC UNIT, PRODUCTION APPARATUS USED IN THE METHOD, METHOD FOR PRODUCING CONCENTRATOR PHOTOVOLTAIC MODULE, AND PRODUCTION APPARATUS USED IN THE METHOD

Номер патента: US20150194561A1. Автор: Mori Koji,Toya Kazumasa,Iwasaki Takashi,Mikami Rui,INAGAKI Makoto,KUHARA Yoshiki. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Method for manufacturing of P type and N type coexisting wafers, P type and N type coexisting wafers manufactured by the method, method for manufacturing solar cell using P type and N type coexisting wafers and solar cell manufactured by the method

Номер патента: KR102098705B1. Автор: 박성은,강민구,이정인,송희은,민관홍. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2020-04-08.

SELF-ALIGNED VIA FOR GATE CONTACT OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160005822A1. Автор: Wang Zhongze,Yeap Choh Fei,SONG Stanley Seungchul,RIM Kern. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

SELF ALIGNED VIA FUSE

Номер патента: US20160104677A1. Автор: Bao Junjing,Choi Samuel S.,Li Wai-Kin. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

SELF-ALIGNED VIA INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20160197038A1. Автор: Radens Carl J.,BACKES Benjamin C.,COHEN Brian A.,NAG Joyeeta. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

SELF-ALIGNED VIA AND AIR GAP

Номер патента: US20160260666A1. Автор: Wei Andy Chih-Hung,Zaleski Mark A.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-09-08.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BACKSIDE POWER RAIL AND BACKSIDE SELF-ALIGNED VIA

Номер патента: US20210305381A1. Автор: Wang Chih-hao,Ju Shi Ning,Chuang Cheng-Chi,Cheng Kuan-Lun,Chiang Kuo-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

High density memory array with self-aligned via

Номер патента: WO2017052586A1. Автор: Yih Wang,Kevin J. Lee. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor structure and method for forming the same, and memory and method for forming the same

Номер патента: US12075612B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor structure with dopants diffuse protection and method for forming the same

Номер патента: US09899273B1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Huai-Tei Yang,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150179528A1. Автор: Shukun Yu,Qingsong WEI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Method for forming a patterned film, method for manufacturing optical component, method for manufacturing circuit board, and method for manufacturing electronic component

Номер патента: EP3061121A1. Автор: Keita Sakai,Toshiki Ito,Shingo Ishida,Youji Kawasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-31.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020106863A1. Автор: In-Chul Jung,Seung-Hoon Sa. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210313449A1. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device structure with work function layer and method for forming the same

Номер патента: US20240322009A1. Автор: Po-Chi WU,Ming-Chia Tai,Chang-Yin Chen,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09824882B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09758373B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-12.

Metal-insulator-metal structure and method for forming the same

Номер патента: US09728597B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Hsing-Lien Lin,Wen-Chuan Chiang,Huey-Chi Chu,Wei-Min Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for forming semiconductor structure with etched fin structure

Номер патента: US09659766B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for forming a current-collecting contact on the surface of solar cells with a heterojunction

Номер патента: RU2762374C1. Автор: Иван Сергеевич Митченко,Максим Михайлович Власенко,Александра Александровна Булгакова,Нина Ивановна Шалько,Илья Алексеевич Агарков,Алена Геннадиевна Варавина,Антон Андреевич Острый,Мария Александровна Пономаренко,Олег Викторович Качалов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Научное предприятие Монокристалл Пасты». Дата публикации: 2021-12-20.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12034061B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chien-Wei Lee,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222434A1. Автор: Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods and apparatus for forming resist pattern using EUV light with electric field

Номер патента: US11754925B2. Автор: Bu Geun KI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Methods and apparatus for forming resist pattern using euv light with electric field

Номер патента: US20220244646A1. Автор: Bu Geun KI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

A method for controlling stress in thin film layers deposited over a high density interconnect common circuit base

Номер патента: EP1114573A1. Автор: Jan I. Strandberg,Scott M. Westbrook. Владелец: Kulicke and Soffa Holdings Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Method for forming photomask and photolithography method

Номер патента: US20210080822A1. Автор: Minfeng CHEN,Shao-Chi Wei,Shih-Ming Chang,Min-An Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Method for forming conductive patterns using microwave

Номер патента: US20110185934A1. Автор: Jung-Ho Park,Joon-Hyung Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US20120104486A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device structure with glue layer and method for forming the same

Номер патента: US20230290638A1. Автор: Chia-Wei Chen,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Cheng-Hong Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Gate all around structure with additional silicon layer and method for forming the same

Номер патента: US12119404B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Chen-Han Wang,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for forming package structure

Номер патента: US12094819B2. Автор: Shin-puu Jeng,Yi-Wen WU,Po-Hao Tsai,Po-Yao Chuang,Meng-Liang Lin,Techi WONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor Device Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240372000A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

FinFET and method for forming the same

Номер патента: US09893182B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Display panel and method for forming micro component support

Номер патента: US10403493B2. Автор: Yi-Cheng Liu,Chin-Yuan Ho. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2019-09-03.

Semiconductor Device Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20210013338A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for forming fin field effect transistor device structure

Номер патента: US20210313443A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chien-Wei Lee,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Display panel and method for forming micro component support

Номер патента: US20180366320A1. Автор: Yi-Cheng Liu,Chin-Yuan Ho. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-12-20.

Method for forming a package-on-package structure

Номер патента: US20100032847A1. Автор: Vincent Ho,Asri bin Yusof. Владелец: EEMS Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240030279A1. Автор: WAN Song,Wensheng QIAN,Donghua Liu,Sitong CHEN,Zhengrong CHEN,Zhaozhao XU,Leping Wei. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12100765B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371873A1. Автор: Fu-Hsiang Su,Shih-Hsun Chang,Hong-Chih Chen,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371864A1. Автор: Chih-Yang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

LTPS array substrate and method for producing the same

Номер патента: US09893096B2. Автор: Peng Du,Cong Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09660084B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Fabrication of self-aligned via holes in polymer thin films

Номер патента: EP2006930A3. Автор: Klaus Dimmler,Siddharth Mohapatra,Patrick H Jenkins. Владелец: Weyerhaeuser Co. Дата публикации: 2011-03-23.

Self-aligned via contact for magnetic memory element

Номер патента: WO2003079366A2. Автор: Saied N. Tehrani,Kelly Kyler,Mark A. Durlam,John J. D'Urso,Gregory W. Grynkewich,Brian Butcher. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc. Are. Дата публикации: 2003-09-25.

Method for forming metal nanowire or metal nanomesh

Номер патента: US09957363B2. Автор: No Ma Kim,Eun Ji Shin,Sung Soo Yoon,Yang Kyoo Han,Je Gwon Lee,Hyun Jin Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for forming a multiple sectional ring

Номер патента: US3562898A. Автор: Leonard D Minutillo. Владелец: Griffiths Electronics Inc. Дата публикации: 1971-02-16.

METHOD FOR TRANSMISSION OF RADIO-FREQUENCY ELECTROMAGNETIC SIGNALS, SYSTEM FOR IMPLEMENTING THE METHOD, METHOD FOR INSTALLING THE SYSTEM, THE OBJECT IN WHICH THE SYSTEM IS MOUNTED, THE RADIATING CABLE FOR THE PRODUCTION SYSTEM AND PRODUCTION METHOD

Номер патента: RU2019139299A. Автор: Владислав Владимирович Балалаев,Станислав Владимирович Балалаев,Владимир Евгеньевич Балалаев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Радиочастотные Компоненты" (ООО "РЧ Компоненты"). Дата публикации: 2021-06-03.

Method for transmitting radio frequency electromagnetic signals, system for implementing the method, method for mounting the system, object in which the system is mounted, radiating cable for the system and method for its production

Номер патента: RU2763877C2. Автор: Владислав Владимирович Балалаев,Станислав Владимирович Балалаев,Владимир Евгеньевич Балалаев. Владелец: Владислав Владимирович Балалаев. Дата публикации: 2022-01-11.

Method For Preparing R-FE-B-Based Rare Earth Magnetic Powder For A Bonded Magnet, Magnetic Powder Prepared By The Method, Method For Producing A Bonded Magnet Using The Magnetic Powder, And Bonded Magnet Produced By The Method

Номер патента: US20130320585A1. Автор: Yu Ji-Hun,Lee Dongwon,Lee Junggoo. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials. Дата публикации: 2013-12-05.

Method for inspecting via hole of wafer

Номер патента: US20240264091A1. Автор: Dae Hwan Kim,Jae Yeol Lee,Ho Cheol Shin,Seung Gyun Back. Владелец: GOOIL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Solid high aspect ratio via hole used for burn-in boards, wafer sort probe cards, and package test load boards with electronic circuitry

Номер патента: US20080100291A1. Автор: Romi O. Mayder. Владелец: Silicon Test Systems Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Monodisperse granular film, method for forming the monodisperse granular film, solar cell, method for preparing the solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: WO2024124771A1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Menglei Xu,Yuanfang Zhang. Владелец: Jinko Solar Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Monodisperse granular film, method for forming the monodisperse granular film, solar cell, method for preparing the solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: EP4409643A1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Menglei Xu,Yuanfang Zhang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for forming active structures for microelectronic devices and microelectronic device containing active structures

Номер патента: RU2749070C1. Автор: Евгений Викторович Данилкин,Валентина Александровна Гайдедей,Владимир Марк Крупник. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2021-06-03.

Array substrate and the method for making the same, and display device

Номер патента: US09576989B2. Автор: Wei Qin,Wenqi Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for forming capacitor opening hole, and method for forming memory capacitor

Номер патента: EP4002504A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Method for manufacturing ESD device, ESD device and display panel

Номер патента: US09443884B2. Автор: Zhenfei Cai,Zhaohui Hao. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

System and method for forming solder bumps

Номер патента: WO2021018466A1. Автор: Jae-Woong Nah,Jeng-Bang Yau,Peter Jerome Sorce,Eric Peter Lewandowski. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for manufacturing device comprising charge transport layer

Номер патента: US20230354685A1. Автор: Min Hee Kim,Hyun Suk Jung,Gill Sang HAN. Владелец: Global Frontier Center For Multiscale Energy Systems. Дата публикации: 2023-11-02.

Three-dimensional memory device with source contacts connected by an adhesion layer and methods for forming the same

Номер патента: US11758723B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Qingqing WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Integrated circuits using guard rings for esd, systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US20130084680A1. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor structure with modified spacer and method for forming the same

Номер патента: US20230187535A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Kuo-Feng Yu,Shu-Han Chen,Hsiu-Hao Tsao,Ming-Chang Wen,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG,Hsuan-Chih Wu,Min-Chia Lee,Kai-Min Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Integrated circuits using guard rings for ESD, systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US8772092B2. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor device having stacked capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240268094A1. Автор: Yen-Min RUAN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming a thin-film layer pattern, display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20160020231A1. Автор: Ming Tian,Junwei Wang,Liyan XU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Mechanisms for forming backside illuminated image sensor device structure

Номер патента: US09620551B2. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Wei Liu,Chung-Chuan Tseng,Li-Hsin CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US11916037B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

A method for forming a contoured floating gate cell

Номер патента: EP1091392A3. Автор: Yun Chang,Chin-Yi Huang,Chih-Jen Huang,Samuel C. Pan,James Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-15.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240258394A1. Автор: Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao,Jyun-Hong Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US20230238354A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor memory structure and method for forming the same

Номер патента: US20230292629A1. Автор: Yu-Jen Wang,Dian-Hau Chen,Chen-Chiu Huang,Tzu-Ting Liu,Hung-Chao Kao,Liang-Wei WANG,Chih-Pin CHIU,Chih-Chuan SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for producing at least one photovoltaic cell for converting electromagnetic radiation into electrical energy

Номер патента: US20240282872A1. Автор: Henning Helmers,Oliver Höhn,David Lackner,Felix Predan. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for forming semiconductor structures and semiconductor structure

Номер патента: US12089400B2. Автор: Minki HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240347594A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Jhon-Jhy Liaw,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods for forming integrated circuit having guard rings

Номер патента: US11398467B2. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-26.

Method for manufacturing image sensor structure having wide contact

Номер патента: US09978805B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Yuichiro Yamashita,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for forming a case for an electronic device and manufactured case structure for electronic device

Номер патента: US09799585B2. Автор: Yi-Lun Cheng,Chun-Lung Lin,Chih-Ming WENG. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for forming a thin-film layer pattern, display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09502444B2. Автор: Ming Tian,Junwei Wang,Liyan XU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for forming a semiconductor device having nanocrystal

Номер патента: US20120264277A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Methods for forming a memory cell having a top oxide spacer

Номер патента: US20120181601A1. Автор: Gang Xue,Kashmir Sahota,Chun Chen,Scott Bell,Wai Lo,Alexander Nickel,Shenqing Fang,Angela Hui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Method for Manufacturing Image Sensor

Номер патента: US20070148976A1. Автор: Seong Jeong. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for forming image sensor device

Номер патента: US20190181174A1. Автор: Chi-Yuan Wen,Shih-Shiung Chen,Kun-Yu Lin,Yu-Lung Yeh,Ming-Chi Wu,Chun-Chieh Fang,Chien-Nan Tu,Ji-Heng Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197831A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197522A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Dual deck three-dimensional nand memory and method for forming the same

Номер патента: US20210225866A1. Автор: FENG Lu,Jing Gao,Wenbin Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Methods for forming a memory cell having a top oxide spacer

Номер патента: US20110233647A1. Автор: Gang Xue,Kashmir Sahota,Chun Chen,Scott Bell,Wai Lo,Alexander Nickel,Shenqing Fang,Angela Hui. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2011-09-29.

Methods for forming integrated circuit having guard rings

Номер патента: US20200357787A1. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Methods for forming image sensors

Номер патента: US20230378218A1. Автор: Chia-Ping Lai,Chung-Chuan Tseng,Chiao-Chi Wang,Yeh-Hsun Fang,Szu-Chien Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device structure with contact structure and method for forming the same

Номер патента: US20240313065A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09806187B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods for forming apparatus for stud bump formation

Номер патента: US09498851B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Mirng-Ji Lii,Yeong-Jyh Lin,Yi-Li Hsiao,Hsin-Hung Liao,Chien Ling Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for forming conductive electrode patterns and method for manufacturing solar cells comprising the same

Номер патента: US09412524B2. Автор: Kyoung Jin Jeong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for generating a radiation pattern and an antenna array for its implementation

Номер патента: RU2754653C1. Автор: Алексей Викторович Тихонов,Александр Юрьевич Сивов,Вячеслав Анатольевич Кочетков,Николай Леонидович Алымов,Александр Евгеньевич Черкасов,Игорь Михайлович Ханарин. Владелец: Игорь Михайлович Ханарин. Дата публикации: 2021-09-06.

Method for forming negative electrode and method for manufacturing lithium secondary battery

Номер патента: US09680272B2. Автор: Kiyofumi Ogino. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for stabilizing a plasma and an improved ionization chamber

Номер патента: US09601320B2. Автор: Marc Mestres,Paul Ceccato. Владелец: Laser Systems and Solutions of Europe SAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for forming the emitting surface of auto-emission cathodes

Номер патента: RU2645153C1. Автор: Александр Николаевич Сауров,Сергей Николаевич Козлов,Александр Алексеевич Павлов,Сергей Викторович Булярский,Алексей Васильевич Живихин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук. Дата публикации: 2018-02-16.

Systems and methods for reconfigurable faceted reflector antennae

Номер патента: RU2650841C2. Автор: Джек ЮЙ,Джозеф Кристофер КАРДОСО,Мартин ЭДВАРДС. Владелец: Орбитал Сайенсиз Корпорейшн. Дата публикации: 2018-04-17.

High-density field emission elements and a method for forming said emission elements

Номер патента: US20090280585A1. Автор: Seong Jin Koh,Gerald W. Gibson, Jr.. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2009-11-12.

Method for forming channels on diffusion media for a membrane humidifier

Номер патента: US09742014B2. Автор: David A. Martinchek,Jeffrey M. Guzda. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

Organic-electroluminescence-material-containing solution, method for synthesizing organic electroluminescence material, compound synthesized by the method, method for forming thin film of organic electroluminescence material, thin film of organic electroluminescence material and organic electroluminescence device

Номер патента: US20080210905A1. Автор: Mineyuki Kubota,Tetsuya Inoue,Mitsunori Ito. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-04.

Method for manufacturing multilayer wiring substrate

Номер патента: US09516764B2. Автор: Nobuyuki Yoshida. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for treating substrate that support catalyst particles for plating processing

Номер патента: US09565776B2. Автор: Junichi Taniuchi,Shoso Shingubara,Noriaki Nakamura,Fumihiro Inoue,Tomoko Ishikawa,Hitoshi Kubo,Yuusuke Ohshima. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for forming self-aligned thermal isolation cell for a variable resistance memory array

Номер патента: TW200725810A. Автор: Erh-Kun Lai,Chia-Hua Ho,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-01.

Method for making self-aligned node contacts to bit lines for capacitor-over-bit-line structures on dynamic random access memory (DRAM) devices

Номер патента: US5837577A. Автор: George Meng-Jaw Cherng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-11-17.

Method for measuring the temperature of a current collector of a structure for induction heating, structure for induction heating, and aerosol-generating apparatus and system

Номер патента: RU2761243C1. Автор: Олег МИРОНОВ,Жером Кристиан КУРБА,Энрико СТУРА. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2021-12-06.

Method for inspecting filled state of via-holes filled with fillers and apparatus for carrying out the method

Номер патента: US5015097A. Автор: Takanori Ninomiya,Yasuo Nakagawa,Toshimitsu Hamada,Mineo Nomoto,Hiroya Koshishiba. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-05-14.

Method for determining color difference component quantization parameter and device using the method

Номер патента: US20240251081A1. Автор: Jin Woong Kim,Jin Ho Lee,Jin Soo Choi,Sung Chang Lim,Hui Yong Kim,Se Yoon Jeong,Jong Ho Kim,Ha Hyun Lee. Владелец: Dolby Laboratories Licensing Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for determining color difference component quantization parameter and device using the method

Номер патента: US09516323B2. Автор: Jin Woong Kim,Jin Ho Lee,Jin Soo Choi,Sung Chang Lim,Hui Yong Kim,Se Yoon Jeong,Jong Ho Kim,Ha Hyun Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for manufacturing a printed circuit board

Номер патента: EP2405726A3. Автор: Hiroshi Kajio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-29.

Method of forming self-aligned mask ROM

Номер патента: US6420235B1. Автор: Ling-Sung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Method for forming a bottom gate thin film transistor using a blend solution to form a semiconducting layer and an insulating layer

Номер патента: US7351606B2. Автор: Ana C. Arias. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2008-04-01.

Method for forming resist pattern, printed wiring board obtained by the method, and apparatus for forming the same

Номер патента: JP2865578B2. Автор: 克美 内川. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-03-08.

Method to form self-aligned split gate flash with L-shaped wordline spacers

Номер патента: US6784039B2. Автор: Chia-Ta Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Fabrication of self-aligned via holes in polymer thin films

Номер патента: KR100956253B1. Автор: 시드하르트 모하파트라,클라우스 딤러,패트릭 에이치. 젠킨스. Владелец: 웨이어해유저 컴파니. Дата публикации: 2010-05-06.

Method for determining color difference component quantization parameter and device using the method

Номер патента: US11979573B2. Автор: Jin Woong Kim,Jin Ho Lee,Jin Soo Choi,Sung Chang Lim,Hui Yong Kim,Se Yoon Jeong,Jong Ho Kim,Ha Hyun Lee. Владелец: Dolby Laboratories Licensing Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

The method and apparatus for forming virtual subdistrict in a wireless communication system

Номер патента: CN103931109B. Автор: 黄必龙. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-07.

method for manufacturing the rigid-flexible substrate having the micro via hole

Номер патента: KR100567095B1. Автор: 이병호,명범영,양덕진,이양제,임재옥. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-03-31.

Method for fabricating multi-layered flexible printed circuit board without via holes

Номер патента: US20080005896A1. Автор: Syh-Tau Yeh,Yao-Ming Chen. Владелец: TeamChem Co. Дата публикации: 2008-01-10.

Self-aligned via contact for magnetic memory element

Номер патента: AU2003212446A1. Автор: Kelly Kyler,Saied N Tehrani,Gregory W Grynkewich,Mark A Durlam,Brian Butcher,John J D'Urso. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-09-29.

Method for making a biocompatible hermetic housing including hermetic electrical feedthroughs

Номер патента: US09936590B2. Автор: Jerry Ok,Robert J Greenberg. Владелец: Second Sight Medical Products Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of forming self-aligned V-grooves and waveguides

Номер патента: IE913491A1. Автор: Anthony David Welbourn. Владелец: British Telecomm. Дата публикации: 1992-04-22.

Method of forming self-aligned v-grooves and waveguides

Номер патента: IE79653B1. Автор: Anthony David Welbourn. Владелец: British Telecomm. Дата публикации: 1998-05-20.

Container comprising fibers, having a container body comprising fibers and a lid comprising fibers, lid comprising fibers, method for producing the container, device for carrying out the method, method for producing the lid

Номер патента: US20240246729A1. Автор: Jörg Zacharias,Andreas HIPPEL. Владелец: KRONES AG. Дата публикации: 2024-07-25.

METHOD OF FORMING A STRUCTURE INCLUDING CARBON MATERIAL, STRUCTURE FORMED USING THE METHOD, AND SYSTEM FOR FORMING THE STRUCTURE

Номер патента: US20210238742A1. Автор: Kikuchi Yoshiyuki,Susa Yoshio,SUGIURA Hirotsugu,MIYAMA Ryo. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

A method for coating surfaces with an electrically conductive diamond-like layer, electrically conductive diamond-like layer produced by the method, workpiece with the electrically conductive diamond-like layer produced by the method, method for producing the workpiece with the electrically conductive diamond-like layer and method for determining the Position of the workpiece

Номер патента: DE102008020468B4. Автор: Oliver Noll. Владелец: Auctio Gmbh. Дата публикации: 2011-09-15.

Method for producing laminate having aluminum nitride single crystal layer, laminate produced by the method, method for producing aluminum nitride single crystal substrate using the laminate, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: JP2011020900A. Автор: Kazuya Takada,徹 永島,Toru Nagashima,和哉 高田,Akira Hakomori,明 箱守. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Method for forming via hole in substrate for flexible printed circuit board

Номер патента: EP1884147A1. Автор: Hideo Yamazaki,Kazuo Satoh. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2008-02-06.

Method For Forming Via Hole in Substrate For Flexible Printed Circuit Board

Номер патента: US20080210661A1. Автор: Hideo Yamazaki,Kazuo Satoh. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2008-09-04.

Method for manufacturing a printed circuit board

Номер патента: US09491866B2. Автор: Sang Myung Lee,Yeong Uk Seo,Jin Su Kim,Sung Woon Yoon,Myoung Hwa Nam,Byeong Ho Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Single-cap via-in-pad and methods for forming thereof

Номер патента: US8772647B1. Автор: Chien Te Chen. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Method for forming memristive structures based on composite oxides with nanoparticle agglomerate

Номер патента: RU2767721C1. Автор: Владимир Петрович Жалнин,Вадим Анатольевич Шахнов,Андрей Игоревич Власов,Константин Александрович Муравьев,Александр Александрович Расюк,Олег Вячеславич Косьянов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Московский Государственный Технический Университет Имени Н.Э. Баумана (Национальный Исследовательский Университет)". Дата публикации: 2022-03-18.

Method for removing a stub of a via hole and a printed circuit board designed based on the method

Номер патента: US20100276192A1. Автор: Shou-Kuo Hsu,Chia-Nan Pai. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Carrier-foiled composite copper foil, method for manufacturing printed circuit board with resistance circuit, and printed circuit board having resistance circuit

Номер патента: EP1229768A1. Автор: Takuya Mitsui Mining & Smelting Co. Ltd YAMAMOTO,Takashi MITSUI MINING & SMELTING CO.LTD KATAOKA,Naotomi MITSUI MINING & SMELTING CO.LTD TAKAHASHI. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-07.

Method for forming a plating layer and method for manufacturing a circuit board using the same

Номер патента: US20120031550A1. Автор: Kwang-ok Jeong,Jeong-Ho Moon,Hyo-Seung Nam,Won-gyu PARK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Circuit board with a substrate made of silicon and the methods for forming the same

Номер патента: US20190191554A1. Автор: Wen Yao Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-06-20.

Production method for copper-clad laminated sheet

Номер патента: EP1227710A4. Автор: Fujio Kuwako,Tomohiro Ishino. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-14.

Mask ROM, method for fabricating the same, and method for coding the same

Номер патента: US20060194394A1. Автор: Heung Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-31.

Mask ROM, method for fabricating the same, and method for coding the same

Номер патента: US7645672B2. Автор: Heung Jin Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-12.

Apparatus and method for forming a resist fine pattern

Номер патента: US20230182488A1. Автор: Jong-Gyun Lee,Seog-Soon Kim,Hee-Jun Han. Владелец: Unijet Co ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

System and corresponding method for gluing two components on automotive body assembly line

Номер патента: RU2718076C2. Автор: СТЕФАНО Джованни ДИ,Валерия СЕРПИ,Стефано АРДУИНО. Владелец: Комау С.п.А.. Дата публикации: 2020-03-30.

Food protein ingredient and methods for producing same

Номер патента: RU2667427C2. Автор: Эмине УНЛУ,Хуань СЯ,Майкл Уилльям МЕРКЕЛЬ,Шэннон Ли АБТС,Пол Ричард МЭТЬЮСОН,Гаэтан Люк Доминик ДАНСЕТ,Лусио ЙОНЕМОТО. Владелец: Марс, Инкорпорейтед. Дата публикации: 2018-09-19.

METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM OXIDE DISPERSED AT pH GREATER THAN 8

Номер патента: RU2746675C2. Автор: Брайан К. ПИПЛЗ,Эллисон Л. ХЭНН. Владелец: СЭСОЛ (ЮЭсЭй) КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-04-19.

Methods for forming porous-surfaced polymeric bodies

Номер патента: CA1319232C. Автор: Eldon Eugene Frisch. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1993-06-22.

Method for producing acetic acid and dimethyl ester with using ceolite catalyst

Номер патента: RU2559058C2. Автор: Гленн Санли Джон,Джон ЛО Дейвид,Джон ДАНИЕЛ Бериан. Владелец: Бп Кемикэлз Лимитед. Дата публикации: 2015-08-10.

The method and apparatus for forming glass tube from gas preform

Номер патента: CN109311723A. Автор: L·B·库克,M·W·艾伦,D·W·霍托夫,T·H·弗莱切,P·A·雅克布森,D·J·麦克恩罗,A·M·帕伦博. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2019-02-05.

Methods for identifying risk of breast cancer and treatments thereof

Номер патента: CA2505786C. Автор: Andreas Braun,Richard B. Roth,Matthew Roberts Nelson,Stefan M. Kammerer,Rikard Reneland. Владелец: Sequenom Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Methods for identifying risk of breast cancer and treatments thereof

Номер патента: EP1766051A1. Автор: Andreas Braun,Carolyn R. Hoyal-Wrightson,Richard B. Roth,Matthew Roberts Nelson,Stefan M. Kammerer,Rikard Reneland,Mikhail F. Denissenko,Caridad Rosette. Владелец: Sequenom Inc. Дата публикации: 2007-03-28.

Methods for identifying risk of low bmd and treatments thereof

Номер патента: WO2006074061A3. Автор: Andreas Braun,Stefan Kammerer,Steven Mah,Matthew R Nelson,Carolyn R Hoyal-Wrightson,Rikard H Reneland. Владелец: Rikard H Reneland. Дата публикации: 2009-06-04.

Method for identifying risk of melanoma and treatments thereof

Номер патента: CA2504903A1. Автор: Andreas Braun,Richard B. Roth,Matthew Roberts Nelson,Stefan M. Kammerer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-27.

Method for preparing a nanocarbon-dispersing liquid, nanocarbon-dispersing liquid made by the method, method for evaluating nanocarbons, method for producing nanocarbon materials, and method for producing nanocarbon solids

Номер патента: WO2011034408A3. Автор: 김상옥. Владелец: (주)월드튜브. Дата публикации: 2011-09-09.

"Method for recovering inert or live microparticles, use of the method, method for treating water from aquaculture breeding ponds and installation for recovering live or inert microparticles"

Номер патента: BR112012010885A2. Автор: Chapelon Jean-Yves. Владелец: Aventis Pharma S A Institut Gustave Roussy E Centre National De La Recherche Scient. Дата публикации: 2019-09-24.

Method for forming an active layer on the surface of the electrode for collecting biopotentials

Номер патента: RU2749599C1. Автор: Руслан Феликсович Шеханов,Анатолий Викторович Балмасов,Валерия Сергеевна Белова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ивановский государственный химико-технологический университет". Дата публикации: 2021-06-15.

METHOD FOR FORMING A LAYER OF A SINGLE-PHASE OXIDE (Fe,Cr)2O3 WITH A RHOMBOHEDRAL STRUCTURE ON A SUBSTRATE MADE OF STEEL OR A HEAT-RESISTANT ALLOY

Номер патента: RU2769915C1. Автор: Оливье РАККЮР,Жан-Мари ГЕНТЗБИТТЕЛЬ,Оливье СИКАРДИ,Франсис БУРГИНЬОН,Пьер-Жан МАРШЕ. Владелец: Маннесманн Пресизьон Тюб Франс. Дата публикации: 2022-04-08.

Method for producing a metal tape with a bronze layer with a corrugated surface for impregnation with a fluoroplastic paste

Номер патента: RU2764531C1. Автор: Ахнаф Раисович Гарифуллин,Василий Николаевич Корнопольцев. Владелец: Василий Николаевич Корнопольцев. Дата публикации: 2022-01-18.

Method for forming anti-corrosive coating on the shaped surface of a product of structural steel of perlite class

Номер патента: RU2760352C1. Автор: Владимир Владимирович Кудинов,Денис Германович Куликов,Алексей Борисович Коростелев,Владимир Николаевич Ёлкин,Павел Евгеньевич Могилевский. Владелец: Акционерное Общество "Наука И Инновации". Дата публикации: 2021-11-24.

Method for forming thin film

Номер патента: WO2003041142A1. Автор: Won-Yong Koh,Choon-Soo Lee. Владелец: Genitech Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for forming thin film

Номер патента: EP1454347A1. Автор: Won-Yong 105-605 Hanul Apt. KOH,Choon-Soo 113-402 Hanmaeul Apt. 200-4 LEE. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-08.

Methods for forming peroxyformic acid and uses thereof

Номер патента: US09845290B2. Автор: Junzhong Li,Brian Bennett,Allison BREWSTER,Richard Staub,Victor KEASLER,Ramakrishnan Balasubramanian. Владелец: ECOLAB USA INC. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for forming high-quality film by cvd process

Номер патента: US20240200187A1. Автор: Dan Li,Tiezhu Xu. Владелец: Piotech Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and device for forming cigarette filter rod

Номер патента: US09936728B2. Автор: XU Wang,Ming HOU,Yigang Tong,Yong Si. Владелец: SHANGHAI TABACCO GROUP CO Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for obtaining personal care composition with introduction of rheology modifier at late stage

Номер патента: RU2671814C2. Автор: Марк Льюис АГЕРТОН,Стивен Роберт АЛЕКСАНДЕР,Джина Линн БЛЮМ,Марко КАГГИОНИ,Сьюзан Мари ДАУЭС,Дэвид Майкл ФАРРЕН,Джастин Томас Лайдон ХЕДИН,Чарльз Филлип МИЛЛЕР,Криста Мари НОВИЦКИ,Мелисса Чери ПЭЙН,Молли Роуз СКОТТЕЛКОТТЕ,Джон Кристофер ВЕСНЕР,Рандалл Ли ВУД,Джеймс Альберт БЕРТА. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2018-11-07.

Method for construction of caisson blocks and structure from caisson blocks

Номер патента: RU2710433C1. Автор: Сан Ки КИМ. Владелец: Юджу Ко., Лтд. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for forming self-aligned overlay mark

Номер патента: US8664077B2. Автор: David Pratt,Vinay Nair,Christopher Hawk,Richard Housley. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-03-04.

Method for forming self aligning contact window structure on semiconductor substrate

Номер патента: CN1365137A. Автор: 曾鸿辉. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-08-21.

Bimetallic coin and method for producing the same

Номер патента: US5996262A. Автор: Won Hone Kim. Владелец: Poongsan Corp. Дата публикации: 1999-12-07.

Masking frame plating method for forming masking frame plated layer

Номер патента: US6627390B2. Автор: Kochan Ju,Jei-Wei Chang,Yi-Chun Liu,Yining Hu,Xue Hua Wu. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2003-09-30.

Drying method for selectively removing volatile components from wet coatings

Номер патента: CA2422267C. Автор: William Blake Kolb,Peter T. Benson,Gary L. Huelsman,Richard G. Sitz,Kathleen M. Cooklock,Nirmal Jain,John M. Sever. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2010-02-16.

Method for the production of multilayer film for packagings and film produced by said method

Номер патента: WO2003013854A1. Автор: Antonio Garegnani. Владелец: Akro-Flex S.A.S. Di Garegnani Antonio & C.. Дата публикации: 2003-02-20.

Method for prediction of chronic kidney disease risk

Номер патента: RU2733471C2. Автор: Андреас БЕРГМАНН,Олле МЕЛАНДЕР. Владелец: Сфинготек Гмбх. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for synthesis of acrylonitrile copolymers (versions)

Номер патента: RU2528395C2. Автор: Илья Эдуардович Нифантьев,Андрей Владимирович Шляхтин,Дмитрий Анатольевич Леменовский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2014-09-20.

Methods for the joint wrapping of bags with their contents, applying machine and packet of bags containing 'snack' thus obtained

Номер патента: AU2007293230B2. Автор: Ferrucchio Carmelo Calvano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-20.

The method and apparatus for forming the calibration chart for the underground fuel tanks

Номер патента: CA2703643A1. Автор: Yusuf Kaya. Владелец: Asis Akaryakit Servis Istasyon Sistemleri Ve Insaat Sanayi Ve Ticaret Li Mited Sirketi. Дата публикации: 2009-04-23.

A method for enabling user selection of a service, a system for performing the method. Method for enabling a user to select a service.system for carrying out the method, server for use in the system, and apparatus for use in the system

Номер патента: KR960706117A. Автор: 프란시스쿠스 라우렌티우스 가르디엔 파울루스,마리아 데 본트 요한나. Владелец: 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 1996-11-08.

Method for recording asynchronously produced digital data codes, recording unit used for the method, method for reproducing the digital data codes, playback unit used for the method and information storage medium

Номер патента: EP2169678A2. Автор: Jun Ishii,Haruki Uehara. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2010-03-31.

The method and apparatus for forming the panel with hyperbolicity ripple and surface texture

Номер патента: CN108348977A. Автор: 艾伦·利科克. Владелец: Ulster University. Дата публикации: 2018-07-31.

Packing box, blank, the method and apparatus for forming it

Номер патента: CN107848658A. Автор: M·威斯特伦,R·黑格隆德,M·博德尔. Владелец: SCA Forest Products AB. Дата публикации: 2018-03-27.

The method of manufacture for forming nonwoven mat do exploit for rice straw

Номер патента: KR20010090061A. Автор: 최병국. Владелец: 최병국. Дата публикации: 2001-10-18.

The method and apparatus for forming heat-exchange tube

Номер патента: CN103998890B. Автор: S.本达普迪,P.L.克拉维特,J.J.科文顿. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

The method of manufacture for forming nonwoven mat do exploit for polypropelene resin

Номер патента: KR20010099507A. Автор: 최병국. Владелец: 최병국. Дата публикации: 2001-11-09.

Specialized product pouches and the method and apparatus for forming individual pouches from a continuous web and packaging a product.

Номер патента: EP0615510A1. Автор: Curtis L Larson,Joseph F Garvey,Aaron A Minion,Warren T Smith. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1994-09-21.

Method for estimating protein conformation morphology characteristics based on nanopore via hole current

Номер патента: CN113686235B. Автор: 龙勉,张明焜,吕守芹. Владелец: Institute of Mechanics of CAS. Дата публикации: 2022-09-16.

PATTERN FORMING METHOD, RESIST PATTERN FORMED BY THE METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150253673A1. Автор: IWATO Kaoru,Takizawa Hiroo,Takeda Takanobu. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2015-09-10.

Method for producing plastic glazing, product obtained by the method, method for using a product and glazing for motor vehicle

Номер патента: KR100847496B1. Автор: 림 벤야히아,빠스칼 르페르. Владелец: 쌩-고벵 글래스 프랑스. Дата публикации: 2008-07-22.

METHODOLOGY FOR MODEL-BASED SELF-ALIGNED VIA AWARENESS IN OPTICAL PROXIMITY CORRECTION

Номер патента: US20180247008A1. Автор: Hamouda Ayman. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-08-30.

METHOD OF MANUFACTURE OF PACKING MATERIAL, PACKING MATERIAL PERFORMED ACCORDING TO THE METHOD, METHOD FOR INFLATING AND UNINFLATING SUCH PACKING MATERIAL AND DEVICE TO INFLATE SUCH PACKING MATERIAL.

Номер патента: AR023426A1. Автор: . Владелец: Simhaee Ebrahim. Дата публикации: 2002-09-04.

Method for manufacturing a component of a device for precipitation of drops (variants)

Номер патента: RU2310566C2. Автор: Пол Рэймонд ДРУРИ. Владелец: Ксаар Текнолоджи Лимитед. Дата публикации: 2007-11-20.

Method for moulding a glass item, in particular a three-dimensionally moulded planar glass item, and device for carrying out the method, and use of a metal melt for carrying out the method

Номер патента: US20240343630A1. Автор: Bernhard Altendorfer,Alexandra Füller. Владелец: Fueller Glastechnologie Vertriebs GmbH. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for forming glass products

Номер патента: RU2763578C1. Автор: Вячеслав Владимирович Головин. Владелец: Вячеслав Владимирович Головин. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for forming carbon-carbon bond

Номер патента: EP3971156A1. Автор: Hironao Sajiki,Shinji Nakamura,Hitoshi Takada,Tsuyoshi Yamada,Yoshinari Sawama. Владелец: Organo Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Method for forming in-mold coating multi-layer coating film

Номер патента: EP4431192A1. Автор: Takashi Kitamura,Haruka Nakaoka,Katsuto Komura. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for producing aluminum nitride substrate, aluminum nitride substrate, and method for suppressing introduction of dislocation into aluminum nitride growth layer

Номер патента: US20230392282A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Yoshitaka Nishio,Daichi DOJIMA,Moeko Matsubara,Taku Murakawa. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2023-12-07.

Thermoplastic resin covering composition for particles designed for forming styrofoam containers

Номер патента: RU2328510C2. Автор: Цзяньшэн ТАН,Цз ньшэн ТАН,Дэвид Аллен КАУЭН,Деннис Х. ПИИСПАНЕН,Майкл Т. УИЛЛЬЯМС. Владелец: Нова Кемикалз Инк.. Дата публикации: 2008-07-10.

Device and method for forming a non-ground vial

Номер патента: WO2006127843A2. Автор: Herbert A. Gerretz,Wayne Mozzo,Ivan E. Perez. Владелец: Alcan Global Pharmaceutical Packaging Inc.. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of forming a flat glass into a glass component and forming tool for use in the method

Номер патента: US20220411312A1. Автор: Christian Franz,Thomas Höing,Julia Wallner,Damien Czwalinna. Владелец: FLABEG Automotive Germany GmbH. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for manufacturing glass blank for magnetic disk, method for manufacturing glass substrate for magnetic disk

Номер патента: US09336810B2. Автор: Takashi Sato,Akira Murakami,Masaru Onishi,Hideki Isono,Hidekazu TANINO,Masamune SATO. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for forming multilayer coating film

Номер патента: CA3076175A1. Автор: Nobuhiko Narita,Hirokazu OKAZAKI,Tatsuo Kuramochi,Yuya Hirai. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Method for forming a sheet blank as a workpiece in a forming tool

Номер патента: US12064800B2. Автор: Peter Amborn. Владелец: Hodforming GmbH. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for forming tissue pieces for tissue array and device for forming tissue pieces for tissue array

Номер патента: US20130122540A1. Автор: Masahiko Arakawa,Yoshiaki Nakazawa,Kohji Naritake,Masaki Takano. Владелец: Sakura Finetek Japan Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-16.

Method for forming a bond between two substrates of a device; device obtainable by the method; a microfluidic device; and use of the device

Номер патента: WO2022207392A1. Автор: Jurriaan Hüskens,Daniele DI IORIO,Maciej Damian SKOLIMOWSKI,Brigitte Bibiche BRUIJNS. Владелец: Micronit Holding B.V.. Дата публикации: 2022-10-06.

Methods for forming white anodized films by metal complex infusion

Номер патента: EP3017094A1. Автор: Kenji Hara,Takahiro Oshima,Peter N. Russell-Clarke,Masashige Tatebe,Jody R. Akana,Ayumi HONGOU. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-05-11.

Method for forming excellent multi-layer coating film

Номер патента: US09737906B2. Автор: Hiroshi Kubota,Hiroaki Fujii,Masafumi Shinoda,Fumi HIRANO,Yoshiko Aoki,Sakura NAKANO,Tatsuo Tsuneoka. Владелец: Nippon Paint Automotive Coatings Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods for forming white anodized films by metal complex infusion

Номер патента: US09512536B2. Автор: Kenji Hara,Takahiro Oshima,Peter N. Russell-Clarke,Masashige Tatebe,Jody R. Akana,Ayumi HONGOU. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Solventless method for forming a coating on a medical electrical lead body

Номер патента: EP2473211A1. Автор: James Q. Feng,Larry L. Hum,Tolga Tas,Arienne P. Simon. Владелец: Cardiac Pacemakers Inc. Дата публикации: 2012-07-11.

Method for forming metal film

Номер патента: US20220403544A1. Автор: Haruki KONDOH. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Method for manufacturing powder metallurgical tooling

Номер патента: WO1998047833A9. Автор: Paul D Vawter. Владелец: Paul D Vawter. Дата публикации: 1999-05-06.

Dichroic dye for polarization film, composition comprising the same for polarization film, method for forming polarization plate and polarization plate prepared thereby

Номер патента: WO2008030024A9. Автор: Eun-Kyung Kim,Sin-Young Kim,Yong-Il Cho,Jeong-Su Yu. Владелец: Jeong-Su Yu. Дата публикации: 2008-09-18.

Tissue construct-forming substrate, tissue construct-forming kit, method for forming tissue construct using the same and three-dimensional tissue construct formed by the method

Номер патента: US20080215073A1. Автор: Koji Nakazawa,Masatsugu Shimomura,Hiroshi Iwanaga,Kentaro Shiratsuchi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Method for the production of a refractory filter

Номер патента: US09518307B2. Автор: Kazuhiro Nakano,Friedhelm Demey,Renate JAHRE,Hans RIETHMANN,Mario ARRUDA,Antonio CASSARA,Raphael NETO,Fabio DE OLIVEIRA,Sueli PEREIRA. Владелец: Foseco International Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for forming blanks of refractory ceramic products

Номер патента: RU2763647C1. Автор: Михаил Юрьевич Русин,Анатолий Степанович Хамицаев,Дмитрий Викторович Харитонов,Антонина Александровна Анашкина,Галина Ивановна Куликова,Семен Васильевич Баранов,Николай Ефимович Шер,Дмитрий Андреевич Михалевский. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г.Ромашина". Дата публикации: 2021-12-30.

Method for manufacturing a smoking product

Номер патента: RU2771509C1. Автор: Норио ЯМАМОТО,Риодзи Фудзита,Кадзухико КАТАЯМА,Такеси Синкава. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for forming a two-thread two-line chain stitch and a device for its implementation

Номер патента: RU2756206C1. Автор: Олег Петрович Бутенко,Виктория Анатольевна Зинькова,Ольга Викторовна Костина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова». Дата публикации: 2021-09-28.

System, machine-readable media and method for core analysis by images

Номер патента: RU2760105C1. Автор: Ксения Ахатовна Габдрахманова,Тимур Венерович Мамяшев,Дмитрий Александрович Степанов,Тимур Альфредович Салимов,Данил Петрович Кульминский,Владислав Владимирович Ефимов,Владислав Игоревич Горбунов. Владелец: Публичное акционерное общество «Газпром нефть». Дата публикации: 2021-11-22.

System and method for forming appliance for oral care

Номер патента: RU2707516C2. Автор: Алан СОРРЕНТИНО,Стивен Нельсон. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2019-11-27.

Method for forming an osteochondral defect in animal experiments

Номер патента: RU2759474C1. Автор: Евгений Александрович Коновалов. Владелец: Евгений Александрович Коновалов. Дата публикации: 2021-11-15.

Method for forming an open stamped element, in particular for forming a wrapping box of tray with a lid type, and cardboard machine

Номер патента: RU2756945C2. Автор: Маурицио ЧЕЧИ. Владелец: Тайбер Пэк С.П.А.. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for treatment of acute pulmonary insufficiency and device for its implementation savelieva b.s.

Номер патента: RU2745759C1. Автор: Борис Михайлович Рачков,Борис Сергеевич Савельев. Владелец: Борис Сергеевич Савельев. Дата публикации: 2021-03-31.

Method for forming collection and long-term deposition of grapes in vitro

Номер патента: RU2764104C1. Автор: Наталья Петровна Дорошенко,Валентина Георгиевна Пузырнова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный Ростовский аграрный научный центр" (ФГБНУ ФРАНЦ). Дата публикации: 2022-01-13.

Method for forming energy-efficient track of operated vehicle when operated vehicle is moving along section of path that includes mandatory deceleration point

Номер патента: RU2771477C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Омникомм Онлайн". Дата публикации: 2022-05-04.

System for forming a power-efficient track of an operated vehicle during movement of the operated vehicle along a motorway

Номер патента: RU2764741C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Осаюхинг Омникомм. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for two-level management and system for its implementation (options)

Номер патента: RU2665096C1. Автор: Валерий Анатольевич Селифанов. Владелец: Валерий Анатольевич Селифанов. Дата публикации: 2018-08-28.

Pharmaceutical substance for forming drug preparations based on gramicidin c and a method for production thereof (versions), pharmaceutical substance for forming drug preparations of prolonged action based on gramicidin c and a method for production thereof (versions)

Номер патента: RU2733715C2. Автор: Владлен Борисович Калустов,Александр Алексеевич Дранников. Владелец: Акционерное Общество "Производственная Фармацевтическая Компания Обновление". Дата публикации: 2020-10-06.

Apparatus for forming a power-efficient track of an operated vehicle during movement of the operated vehicle along a motorway

Номер патента: RU2765268C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Осаюхинг Омникомм. Дата публикации: 2022-01-27.

Machine and method for confectionary product production

Номер патента: RU2452191C2. Автор: Луис БОРДЕРА,Хоан Ф. ФОРНАГУЕРА,Деннис ЭБЭД,Энди ДЖИЛ,Мелхор БЛАЗКЕЗ,Эмили РОМЕРО. Владелец: Вм. Ригли Дж. Компани. Дата публикации: 2012-06-10.

Method for forming a rolled combined grass cover

Номер патента: RU2764735C1. Автор: Алексей Александрович Зайцев. Владелец: Алексей Александрович Зайцев. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for formation of cavitational zones in flow of non-burning liquid and control of their destruction, and also device for implementation of method

Номер патента: RU2657389C1. Автор: Герман Евсеевич Иткин,Никита Анатольевич Федоров. Владелец: Герман Евсеевич Иткин. Дата публикации: 2018-06-13.

Method for forming spatial configurations of laser sources in schemes for direct irradiation of spherical targets at installations for laser thermonuclear synthesis

Номер патента: RU2749835C1. Автор: Сергей Викторович Бондаренко,Людмила Владимировна Солнышкова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2021-06-17.

Method for forming a block of ice for subsequent movement thereof

Номер патента: RU2770219C1. Автор: Юрий Васильевич Иванщиков,Юрий Николаевич Доброхотов,Андрей Евгеньевич Макушев,Николай Николаевич Пушкаренко,Людмила Михайловна Корнилова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чувашский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2022-04-14.

Set and method for local delivery of beneficial effects

Номер патента: RU2750210C2. Автор: Курт БИННЕР,Александру ПАУНЕСКУ. Владелец: Джонсон энд Джонсон Консьюмер Инк.. Дата публикации: 2021-06-24.

Methods for forming tissue thickness compensator arrangements for surgical staplers

Номер патента: RU2649525C2. Автор: Фредерик Э. ШЕЛТОН IV,Ричард В. ТИММ,Стивен Г. ХОЛЛ,Тамара ВАЙДЕНХАУЗ,Мэттью М. ЛЭНГ,Марк Д. ТИММЕР. Владелец: Этикон Эндо-Серджери, Инк.. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for forming multilayer woven casing

Номер патента: RU2752183C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2021-07-23.

Method for performing dynamic hydromassage procedures

Номер патента: RU2613409C1. Автор: Андрей Николаевич Алексеев. Владелец: Андрей Николаевич Алексеев. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for manufacturing printed goods, device for the continuous production of printed goods and device for synthesized image formation

Номер патента: RU2747162C2. Автор: Аксель ЛУНДВАЛЛЬ. Владелец: Роллинг Оптикс Инновейшн АБ. Дата публикации: 2021-04-28.

Cladding and the method for its formation

Номер патента: RU2759409C1. Автор: Константин Юрьевич Севенард. Владелец: Константин Юрьевич Севенард. Дата публикации: 2021-11-12.

Method for automatic monitoring of the condition of asbestos-cement discharge pipelines in a closed irrigation system

Номер патента: RU2762365C1. Автор: Михаил Александрович Бандурин,Павел Григорьевич Пасниченко,Александр Сергеевич Шишкин,Владимир Владимирович Ванжа,Александр Александрович Солодунов,Ахмед Асланович Сидаков,Федор Сергеевич Литовка,Елена Владимировна Дегтярева,Евгений Владимирович Долобешкин,Нелли Олеговна Черняева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный аграрный университет имени И.Т. Трубилина". Дата публикации: 2021-12-20.

Method for creating structured x-ray screen

Номер патента: RU2757299C1. Автор: Борис Григорьевич Гольденберг,Владимир Петрович Назьмов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки, Институт Ядерной Физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения (ИЯФ СО РАН). Дата публикации: 2021-10-13.

Method for forming glonass group navigation signal

Номер патента: RU2660126C1. Автор: Михаил Федорович Кудряшов,Александр Борисович Ткачев,Дмитрий Анатольевич Астахов. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2018-07-05.

Method for forming a signature for detecting unauthorised access to a computer obtained using remote administration means, and system implementing the method

Номер патента: RU2769651C2. Автор: Сергей Николаевич Иванов. Владелец: Акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2022-04-04.

Systems and methods for forming cavities and perforation channels in well

Номер патента: RU2411352C2. Автор: Лоренс Дж. ЛЕЙСИНГ,Роберт Майкл РЭМСИ,Хауард Л. МАКГИЛЛ. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Бв. Дата публикации: 2011-02-10.

Method for forming parts by stretch forming of a movable die

Номер патента: RU2663016C2. Автор: Владимир Михайлович Бойко,Роман Фаддеевич Крупский,Антон Владиславович Станкевич,Антон Александрович Кривенок. Владелец: Публичное акционерное общество "Авиационная холдинговая компания "Сухой". Дата публикации: 2018-08-01.

Method for forming chiral structure

Номер патента: RU2656288C1. Автор: Владимир Александрович Бурдин,Дмитрий Сергеевич Клюев,Олег Владимирович Осипов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики" (ФГБОУ ВО ПГУТИ). Дата публикации: 2018-06-04.

Method for making an object of spatial-visual art and an object of spatial-visual art made by this method

Номер патента: RU2751524C2. Автор: Геннадий Валериевич Ромин. Владелец: Геннадий Валериевич Ромин. Дата публикации: 2021-07-14.

Method for forming atmospheric projective target for learning battle shooting and device for its implementation

Номер патента: RU2638510C1. Автор: Владимир Валентинович Колтунов,Николай Михайлович Ватутин,Михаил Игоревич Сидоров,Евгений Александрович Ломакин. Владелец: Федеральное казенное предприятие "Научно-исследовательский институт "Геодезия" (ФКП "НИИ "Геодезия"). Дата публикации: 2017-12-13.

Image processing method and system for forming superhigh-resolution images

Номер патента: RU2635883C1. Автор: Ксения Юрьевна Петрова,Дмитрий Александрович СУЛТАНОВ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2017-11-16.

Method for the preparation of optical waveguide devices and optical waveguide devices

Номер патента: US20040228595A1. Автор: Toshihiro Kuroda,Madoka Kondou. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Method for forming fixed images

Номер патента: EP2649495A1. Автор: YASUHIRO Hidaka,Akihiro Eida. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2013-10-16.

Method for manufacturing metallic dental crown and mold material for forming dental crown occlusal portion used for the method

Номер патента: US20020031750A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method for manufacturing press-molded article

Номер патента: EP4011517A1. Автор: Shohei Yamazaki,Tohru Yoshida,Ryuichi Nishimura,Koichi Hamada,Takuya Oishi. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2022-06-15.

Method for manufacturing constant velocity drive shaft

Номер патента: EP4434652A1. Автор: Tsuyoshi Muramatsu,Munemasa Kamizaiku,Motoharu NUKA,Smit Jaradswong. Владелец: Sigma & Hearts Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Method for manufacturing constant velocity drive shaft

Номер патента: US20240316618A1. Автор: Tsuyoshi Muramatsu,Munemasa Kamizaiku,Motoharu NUKA,Smit Jaradswong. Владелец: Sigma & Hearts Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Manufacturing method for vehicle knuckle using preform

Номер патента: US20230128647A1. Автор: Ki Ho Kim,Se Woong JEONG,Ig Jin KWON,Ju Hyoung Cho,Hyun Tae BANG. Владелец: Iljin Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for forming micro-electro-mechanical system (mems) structure

Номер патента: US20190315620A1. Автор: Kai-Fung Chang,Len-Yi Leu,Lien-Yao TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Method for making mold for forming anti-flare lens

Номер патента: US8454864B2. Автор: Chien-Feng Huang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-04.

Method for blow molding hollow articles

Номер патента: US3816579A. Автор: E Moslo. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-06-11.

Method for forming a panel, particularly skin for a hollow core door, and a method of manufacturing a hollow core door

Номер патента: WO2016081958A3. Автор: Fahiem Amod BUX. Владелец: Bux Fahiem Amod. Дата публикации: 2016-08-25.

Method for forming three-dimensional object

Номер патента: US20180147775A1. Автор: Hirofumi Hara,Masaya Nagahari. Владелец: MIMAKI ENGINEERING CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Method for forming a combined decoy optical target

Номер патента: RU2759170C1. Автор: Андрей Владимирович Алабовский,Павел Евгеньевич Кулешов,Татьяна Николаевна Павлова,Владимир Дмитриевич Попело. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2021-11-09.

Method for pharmaceutical multiparticulates production

Номер патента: RU2331410C2. Автор: Маршалл Дэвид КРЮ,Родерик Джек РЭЙ,Лиа Элизабет ЭППЕЛ,Дуэйн Томас ФРИСЕН. Владелец: Пфайзер Продактс Инк.. Дата публикации: 2008-08-20.

Method for dry-forming cellulose products from a cellulose blank structure in a product forming unit and a product forming unit

Номер патента: AU2022259460A1. Автор: Ove Larsson,Patrik Larsson,Olle HÖGBLOM,Edward Guidotti,Martin Ljungberg,Björn Arlerot. Владелец: PulPac AB. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for dry-forming cellulose products from a cellulose blank structure in a product forming unit and a product forming unit

Номер патента: EP4323181A1. Автор: Ove Larsson,Patrik Larsson,Olle HÖGBLOM,Edward Guidotti,Martin Ljungberg,Björn Arlerot. Владелец: PulPac AB. Дата публикации: 2024-02-21.

Method for making a bung for a metal cask

Номер патента: AU2001235542A1. Автор: Jean-Claude Carayon,Lucien Brun. Владелец: Gallay SA. Дата публикации: 2001-07-31.

Method for forming a building foundation, building foundation, system, spacer, connector and insulating block

Номер патента: WO2011135354A3. Автор: Philip Major. Владелец: SIG PLC. Дата публикации: 2012-05-03.

Shaped articles for nuclear remediation and methods for forming such shaped articles

Номер патента: WO2015183435A2. Автор: Evgeny Todorov KOLEV. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2015-12-03.

Method for dry-forming cellulose products from a cellulose blank structure in a product forming unit and a product forming unit

Номер патента: US20240181740A1. Автор: Ove Larsson,Olle HÖGBLOM,Edward Guidotti,Martin Ljungberg,Björn Arlerot,Partik Larsson. Владелец: PulPac AB. Дата публикации: 2024-06-06.

System and method for forming a concrete wall having a smooth face

Номер патента: AU2022218610A1. Автор: Craig Huggett,Timothy James Orr. Владелец: Meso Systems Pty Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Methods and systems for preparing blanks for forming carriers for containers

Номер патента: EP4405170A1. Автор: David F. Warner,Colin P. Ford,Jason C. ANDERSON. Владелец: Graphic Packaging International LLC. Дата публикации: 2024-07-31.

System and method for forming a concrete wall having a smooth face

Номер патента: AU2021107320A4. Автор: Craig Huggett,Timothy James Orr. Владелец: Meso Systems Pty Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

A method for stuffing articles in envelopes

Номер патента: WO2013054314A1. Автор: Francesco Ponti. Владелец: C.M.C. S.R.L.. Дата публикации: 2013-04-18.

Method for forming a stick for lips, a machine for forming sticks for lips, and a product for lips made using this method

Номер патента: US20220160103A1. Автор: Mauro Gaboardi,Giorgio Guizzetti,Sergio Valvassori. Владелец: Chromavis SpA. Дата публикации: 2022-05-26.

Method for forming resist underlayer film and patterning process

Номер патента: EP4435516A1. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Kenta Ishiwata,Nobuhiro Nagamachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Method For Forming Resist Underlayer Film And Patterning Process

Номер патента: US20240345483A1. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Kenta Ishiwata,Nobuhiro Nagamachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for dry-forming cellulose products from a cellulose blank structure in a product forming unit and a product forming unit

Номер патента: ZA202309109B. Автор: Ove Larsson,Patrik Larsson,Olle HÖGBLOM,Edward Guidotti,Martin Ljungberg,Björn Arlerot. Владелец: PulPac AB. Дата публикации: 2024-08-28.

Shaped articles for nuclear remediation and methods for forming such shaped articles

Номер патента: US09682369B2. Автор: Evgeny Todorov KOLEV. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for forming flat surface of plate, driven by explosive charge explosion products

Номер патента: RU2634454C2. Автор: Игорь Борисович Тарасов,Елена Владимировна Крутикова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2017-10-30.

Method for forming a foamed product integral with a sheet of covering material

Номер патента: US7323126B2. Автор: Yasushi Asano,Takahito Yabe. Владелец: TS Tech Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-29.

Method for quantifying amino acid and amino acid quantification kit

Номер патента: US10942187B2. Автор: Daisuke Sato,Hideyuki Aoki,Shoji Kaneko,Kenta Yamada,Akimitsu Kugimiya,Tomoko NAKATSUKA,Mikiko KIDA. Владелец: Hiroshima City University. Дата публикации: 2021-03-09.

Method for Forming a Membrane Holder and Membrane Holder Thus Formed

Номер патента: US20120132580A1. Автор: Hendrik Johan Ferdinand Berends. Владелец: Demand Holding BV. Дата публикации: 2012-05-31.

Method for forming a membrane holder and membrane holder thus formed

Номер патента: WO2010071419A1. Автор: Hendrik Johan Ferdinand Berends. Владелец: Demand Holding B.V.. Дата публикации: 2010-06-24.

Method for manufacturing a master mold which is used to form a micropatterned film applied to an exterior of a household appliance and manufacturing apparatus and method of the film using the master mold

Номер патента: WO2011028060A9. Автор: Ju Hyun Kim,Young Kyu Kim,Seok Jae JEONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2011-08-04.

Methods for manufacturing panels

Номер патента: EP4382309A3. Автор: Bruno Vermeulen. Владелец: UNILIN BV. Дата публикации: 2024-07-17.

Multi-pass welding method, multi-pass butt welded joint, and lamination pattern calculation method for a multi-pass weld

Номер патента: US20240238889A1. Автор: Takashi Yashima. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for forming pattern and method for fabricating LCD device using the same

Номер патента: US20070148603A1. Автор: Jae Oh,Hye Lee. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Manufacturing method for a medical implantable device and a medical implantable device and base body for such implantable device

Номер патента: EP4393450A1. Автор: Secil SOYUTEMIZ,Ugur Karaman,Olcay Çavusolu,Cansel Isilkli. Владелец: Occlutech GmbH. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for forming a membrane holder and membrane holder thus formed

Номер патента: EP2379208A1. Автор: Hendrik Johan Ferdinand Berends. Владелец: Demand Holding BV. Дата публикации: 2011-10-26.

Method, device and system for forming fusion model, medium, processor and terminal

Номер патента: EP3828735A1. Автор: He Yu,Qi Wang,Wenjing Zhou. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2021-06-02.

Method for manufacturing a master mold which is used to form a micropatterned film applied to an exterior of a household appliance and manufacturing apparatus and method of the film using the master mold

Номер патента: EP2473329A2. Автор: Ju Hyun Kim,Young Kyu Kim,Seok Jae JEONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2012-07-11.

Method for producing brushes and apparatus for performing said method

Номер патента: US20030001427A1. Автор: Armin Seifert,Andreas Lanvers,Erwin Buchholz. Владелец: M&C Schiffer GmbH. Дата публикации: 2003-01-02.

Manufacturing method for a medical implantable device and a medical implantable device and base body for such implantable device

Номер патента: WO2024141652A1. Автор: Secil SOYUTEMIZ,Ugur Karaman,Olcay Çavusolu,Cansel ISILKI. Владелец: Occlutech GmbH. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatus and method for forming a multilayer cosmetic product by means of a flexible core

Номер патента: US12035794B2. Автор: Sven Droste,Ann-Kristin Commes,Markus Hell,Fabian Rankl. Владелец: Weckerle GmbH. Дата публикации: 2024-07-16.

System and method for forming optimized perimeter surveillance

Номер патента: EP2277152A1. Автор: Paul Z. Thunemann,Robert W. Grube,Robert W. Mattikalli. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2011-01-26.

Method for forming a vehicle reinforcing member

Номер патента: EP3448720A1. Автор: Andrew C Shum. Владелец: BASF East Asia Regional Headquarters Ltd. Дата публикации: 2019-03-06.

A method for forming a deep draw closure cap

Номер патента: NZ782388A. Автор: Thomas Haar. Владелец: Saeta Gmbh & Co Kg. Дата публикации: 2024-07-26.

Device and method for packaging products in a foil device, package produced and filled using the method

Номер патента: US09902510B2. Автор: Marius Petrus Jozef Johannes Robertus PONTEN. Владелец: PMB-UVA International BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for using expendable flexures for forming composite laminates

Номер патента: EP4442442A2. Автор: Mark Anthony Wadsworth,Robert Raymond Meinders. Владелец: Spirit AeroSystems Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Carrier for dry adsorbent for carbon dioxide including spherical silica whose surface is engraved in the form of nanowires and method for preparing the same

Номер патента: US09737876B2. Автор: Beom Seok Kim,Hyung Hee Cho,Hwanseong Lee,Hokyu Moon,Geehong Choi,Donghwi Lee,Hoanju Yoo,Dong Il Shim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for forming a self-aligned Mach-Zehnder interferometer

Номер патента: US09696604B1. Автор: Masaki Kato,Jie Lin,Robb Johnson. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for forming self-aligned, rugged, and extended crown-shaped capacitor of high density random access memory (RAM)

Номер патента: TW480711B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-03-21.

Method for forming self-aligned trench isolation

Номер патента: TW492140B. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2002-06-21.

Structure and method for forming self-aligned bipolar junction transistor with expitaxy base

Номер патента: TW546809B. Автор: Shu-Ya Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-08-11.

Process for forming self-aligned multi-level interconnect structure

Номер патента: TW444335B. Автор: Hsu-Li Cheng,Erik S Jeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2001-07-01.

Method for manufacturing semiconductor device with gate electrode of nanometric length

Номер патента: RU2237947C1. Автор: К.А. Валиев,А.А. Орликовский,А.Д. Кривоспицкий,А.А. Окшин. Владелец: Окшин Алексей Александрович. Дата публикации: 2004-10-10.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20120267727A1. Автор: . Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-25.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED OVERLAY MARK

Номер патента: US20130210213A1. Автор: Pratt David,Nair Vinay,Hawk Christopher,Housley Richard. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

Method for forming self-aligned metallic silicide

Номер патента: CN102044422B. Автор: 聂佳相,卢炯平,杨瑞鹏,孔祥涛. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-07-04.

Method for forming self-aligned metal silicide at source/drain region of device

Номер патента: CN101866841B. Автор: 陈雄斌,陈瑜,熊涛,陈华伦,罗啸. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-18.

Method for forming self-aligning contact window structure

Номер патента: CN1290158C. Автор: 董明圣,李岳川. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-13.

Method for forming self-alignment metal salicide CMOS semi transistor

Номер патента: TW366566B. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-11.

Method for forming self-aligned metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: TW563189B. Автор: Ding-Jang Jang,Huang-Jung Jeng,Jeng-Jie Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-11-21.

Making process for forming self-alignment contact plug useful in an embedded random access memory

Номер патента: TW385529B. Автор: Jen-Ye Shr. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-03-21.

Integrally formed self aligning bearing

Номер патента: AU220369B2. Автор: Mills Ready Graeme. Владелец: Individual. Дата публикации: 1957-11-07.

Method of forming self-aligned rugged crown-shaped capacitor of high-density dynamic random access memory

Номер патента: TW425702B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-03-11.

Fabrication method of forming self-aligned salicide

Номер патента: TW281788B. Автор: Ming-Jong Yang,Bor-Ren Jeng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-07-21.

Integrally formed self aligning bearing

Номер патента: AU2197556A. Автор: Mills Ready Graeme. Владелец: Individual. Дата публикации: 1957-11-07.

Method of forming self-aligned silicide by double ion implantation

Номер патента: TW418449B. Автор: Chi-Ming Yang,Jau-Jie Tsai,Shou-Ren Jang,Jeng-Kuen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-01-11.

Method of forming self-aligned salicide

Номер патента: TW308721B. Автор: Jiunn-Shyan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-06-21.

Method of forming self-aligned contacts

Номер патента: TWI221639B. Автор: Pei-Ren Jeng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-01.

Method of forming self-aligned contacts

Номер патента: TW200423234A. Автор: Pei-Ren Jeng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

SELF-FORMING, SELF-ALIGNED BARRIERS FOR BACK-END INTERCONNECTS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120248608A1. Автор: Yoo Hui Jae,Bielefeld Jeffery D.,King Sean W.,Balakrishnan Sridhar. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

Method for using dual damascene trench to form self-aligned mask ROM

Номер патента: TW477003B. Автор: Pei-Ren Jeng,Tzung-Ye Li,Wei-Min Jung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

METHODS TO FORM SELF-ALIGNED PERMANENT ON-CHIP INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20120018891A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-26.

METHODS TO FORM SELF-ALIGNED PERMANENT ON-CHIP INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20130001801A1. Автор: Lin Qinghuang. Владелец: INTERNATIOANL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED THROUGH SILICON VIA

Номер патента: US20130065393A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,Stamper Anthony K.,LEIDY Robert K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-14.

Method of Forming Self-Aligned Contacts for a Semiconductor Device

Номер патента: US20130189833A1. Автор: Baars Peter,Wei Andy,Geiss Erik,Mazur Martin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-07-25.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED USING REPLACEMENT GATE TECHNIQUES

Номер патента: US20130288468A1. Автор: Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130288471A1. Автор: Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR950025876A. Автор: 남종완,권성우. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-09-18.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR19990074362A. Автор: 염계희. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-05.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR950007100A. Автор: 성진모. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-03-21.

Method of forming self-aligned metal silicide

Номер патента: TWI251272B. Автор: Erh-Kun Lai,Tung-Cheng Kuo,Shou-Wei Hwang,Yu-Ping Huang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-11.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR940007990A. Автор: 김진웅,손곤. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-04-28.

Method of forming self-aligned salicide

Номер патента: TW304279B. Автор: Jenn-Hwa Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-05-01.

Manufacturing method of forming self-aligned twin-tub well on semiconductor substrate

Номер патента: TW301769B. Автор: Jyi-Shyi Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1997-04-01.

METHOD FOR MAKING SEMICONDUCTOR APPARATUS AND SEMICONDUCTOR APPARATUS OBTAINED BY THE METHOD, METHOD FOR MAKING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE OBTAINED BY THE METHOD, AND METHOD FOR MAKING DISPLAY APPARATUS AND DISPLAY APPARATUS OBTAINED BY THE METHOD

Номер патента: US20120205657A1. Автор: Arai Toshiaki,HAYASHI Naoki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-16.

METHOD FOR MAKING SEMICONDUCTOR APPARATUS AND SEMICONDUCTOR APPARATUS OBTAINED BY THE METHOD, METHOD FOR MAKING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE OBTAINED BY THE METHOD, AND METHOD FOR MAKING DISPLAY APPARATUS AND DISPLAY APPARATUS OBTAINED BY THE METHOD

Номер патента: US20120267633A1. Автор: Arai Toshiaki,HAYASHI Naoki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-25.

METHOD FOR GENERATING RIGHTS OBJECT AND DEVICE TO PERFORM THE METHOD, METHOD FOR TRANSMITTING RIGHTS OBJECT AND DEVICE TO PERFORM THE METHOD, AND METHOD FOR RECEIVING RIGHTS OBJECT AND DEVICE TO PERFORM THE METHOD

Номер патента: US20130067230A1. Автор: KIM Kun-uk. Владелец: Pantech Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for decellularization of skin, decellularized dermal matrix by the method, method for producing the same, and complex cultured skin using the matrix

Номер патента: JP3658385B2. Автор: 佳宏 高見. Владелец: 佳宏 高見. Дата публикации: 2005-06-08.

The method and structure for forming ring-shaped capacitor of DRAM

Номер патента: TW328633B. Автор: Cherng-Tsong Ni,Jyh-Shyan Wang. Владелец: Mos Electronics Taiwan Inc. Дата публикации: 1998-03-21.

Method for preventing Al-Si-Cu interconnect from protruding through via hole

Номер патента: TW468264B. Автор: Shr-Wen Lu,Chiang-Min Chen,Wen-Guang Dai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-12-11.

SELF ALIGNING VIA PATTERNING

Номер патента: US20120302057A1. Автор: Kanakasabapathy Sivananda K.,Yin Yunpeng,Burns Sean D.,Arnold John Christopher. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD FOR MAINTAINING HEAD

Номер патента: US20120001976A1. Автор: . Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DIELECTRIC CERAMIC, METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC, AND ELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20120004090A1. Автор: Nakano Takahiro,SAKURAI Toshio,ARASHI Tomohiro,KOBUKE Hisashi,NAKAMURA Tomoko,MIYAUCHI Yasuharu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EMBEDDED SUBSTRATE

Номер патента: US20120003793A1. Автор: HWANG Sun-Uk,Cho Young-Woong,Yoon Kyoung-Ro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STRUCTURE PROVIDED WITH ZEOLITE SEPARATION MEMBRANE, METHOD FOR PRODUCING SAME, METHOD FOR SEPARATING MIXED FLUIDS AND DEVICE FOR SEPARATING MIXED FLUIDS

Номер патента: US20120000358A1. Автор: MORI Nobuhiko,KAWAI Masaaki,SATOH Aya,TOMITA Toshihiro. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A PHOTOVOLTAIC CELL AND A PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: US20120000529A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120000595A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR REPAIRING GAS TURBINE BLADES AND GAS TURBINE BLADE

Номер патента: US20120000890A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING SOLID STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001292A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ANISOPTROPIC BULK MATERIALS

Номер патента: US20120001368A1. Автор: Filippov Andrey V.,Milia Charlotte Diane. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND DEVICE FOR FORMING SURFACE PROCESSED DATA

Номер патента: US20120001908A1. Автор: Takahashi Kenji,Kikuta Mamoru,Miura Kenjiro,Uzuyama Daijiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ACTIVELY TRACKING MULTIPLE MOVING OBJECTS USING A MONITORING CAMERA

Номер патента: US20120002056A1. Автор: HONG Sang-Jin,NAM Yun-Young,CHO Shung-Han,KIM Yang-Weon,CHO We-Duke,HWANG Yong-Hyeon. Владелец: Ajou University Industry-Academic Corporation Foundation. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION SUBSTRATE, SUSPENSION, HEAD SUSPENSION, HARD DISK DRIVE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUSPENSION

Номер патента: US20120002366A1. Автор: OHNUKI Masao,YAMAZAKI Tsuyoshi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING CAPSULE SERIES, AND RELATED CAPSULE SERIES

Номер патента: US20120003285A1. Автор: Bibette Jérôme,Chu Liang-yin,Santanach Carreras Enric,Royere Audrey,Bremond Nicolas. Владелец: CAPSUM. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

BELTS FOR ELECTROSTATOGRAPHIC APPARATUS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003415A1. Автор: FROMM Paul M.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE HAVING POROUS COATING LAYER, ELECTRODE MANUFACTURED THEREFROM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120003545A1. Автор: Kim Jong-Hun,LEE Joo Sung,Hong Jang-Hyuk,Yoon Su-Jin,PARK Pil-kyu,Shin Byoung-Jin,Cho Byeong-Gyu,Jin Sun-Mi,Kim In-Chul. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120003902A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

REAGENT AND METHOD FOR PROVIDING COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20120004339A1. Автор: . Владелец: SURMODICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SERIAL VALVES AND HUBS FOR TUBULAR DEVICES AND METHODS FOR MAKING AND USING THEM

Номер патента: US20120004622A1. Автор: . Владелец: AUST DEVELOPMENT, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Manufacturing Alloy Resistor

Номер патента: US20120000066A1. Автор: . Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EASY OPEN END

Номер патента: US20120000340A1. Автор: Kubo Hiroshi,Kojima Katsumi,Yamanaka Yoichiro,Tada Masaki,Iwasa Hiroki. Владелец: JFE STEEL CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Tricalcium Phosphate Coarse Particle Compositions and Methods for Making the Same

Номер патента: US20120000394A1. Автор: Delaney David C.,Jalota Sahil,Yetkinler Duran N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Corrosion Protection Treatment

Номер патента: US20120000591A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGETS INCLUDING EXCESS CADMIUM FOR FORMING A CADMIUM STANNATE LAYER

Номер патента: US20120000776A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Adjusting Method For Recording Condition And Optical Disc Device

Номер патента: US20120002527A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

AMINE AQUEOUS SOLUTION FOR FORMING AN ACTIVE LAYER OF POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE, POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE PREPARED THEREBY, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003387A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method For Producing A Porcelain Enamel Logo On A Porcelain Enamel Background On A Grill Component With Preselected Colors

Номер патента: US20120003445A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE MATERIAL AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE MATERIAL

Номер патента: US20120003529A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Anti-Corrosion Treatment

Номер патента: US20120003598A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Joint Resurface Repair

Номер патента: US20120004663A1. Автор: . Владелец: ARTHROSURFACE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device and Method for Fixing a Component in Position on a Component Carrier

Номер патента: US20120000601A1. Автор: Fessler-Knobel Martin,Huttner Roland. Владелец: MTU AERO ENGINES GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

System and method for grouping precursor and fragment ions using selected ion chromatograms

Номер патента: US20120001066A1. Автор: Geromanos Scott J.,Silva Jeffrey Cruz,GORENSTEIN Marc Victor,LI Guo-Zhong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEIC ACID MOLECULE CAPABLE OF BINDING TO 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON, METHOD FOR DETECTING COMPOUND HAVING 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON USING THE NUCLEIC ACID MOLECULE, AND USE OF THE NUCLEIC ACID MOLECULE

Номер патента: US20120003749A1. Автор: . Владелец: NEC SOFT, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Uses of Protein Precursors as Prodrugs

Номер патента: US20120004398A1. Автор: Wang Yan,SHEN Wei-Chiang. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-01-05.

DESIGNING METHOD FOR DIMPLE PATTERN OF GOLF BALL

Номер патента: US20120004053A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND ASSOCIATED METHOD FOR PREVENTING OVERFILLING IN A DISHWASHER

Номер патента: US20120000535A1. Автор: Poyner Dennis A.,Mitchell Glen,Duckworth Jason,DeFilippi John,Francisco Virgil J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for coiling rolled rod and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2270730C1. Автор: Андрей Владимирович Лукьянов,нов Андрей Владимирович Лукь,Владимир Станиславович Некипелов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МТ груп". Дата публикации: 2006-02-27.

Method for forming nano-(micro-)systems from carbon nanotubes

Номер патента: RU2306257C1. Автор: Эдуард Анатольевич Ильичев,Геннадий Сергеевич Рычков,Константин Анатольевич Царик,Эдуард Алексеевич Полторацкий,Виталий Николаевич Инкин,Василий Газизович Гарипов. Владелец: ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина". Дата публикации: 2007-09-20.

Method for forming thz images of cancer and skin pathologies

Номер патента: RU2559938C2. Автор: Владимир Анатольевич Макаров,Александр Сергеевич Колесников,Валерий Викторович Тучин,Дарья Кирилловна Тучина,Сергей Рудольфович Утц,Гариф Газизович Акчурин,Георгий Гарифович Акчурин,Александр Николаевич Якунин,Юрий Арташесович Аветисян,Алексей Петрович Попов,Екатерина Михайловна Галкина,Андрей Александрович Ангелуц,Екатерина Александровна Колесникова,Илья Александрович Ожередов,Александр Александрович Скапцов,Александр Павлович Шкуринов,Алексей Вячеславович Балакин,Михаил Маратович Стольниц,Кристина Николаевна Колесникова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2015-08-20.

Method for forming of charges with air gaps

Номер патента: RU2314488C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский,Петр Петрович Сас. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2008-01-10.

Method for forming of air gaps from foam polystyrene

Номер патента: RU2314487C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский,Петр Петрович Сас. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2008-01-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.