Self-aligned silicide process for silicon sidewall source and drain contacts and structure formed thereby.

Self-aligned silicide process for silicon sidewall source and drain contacts and structure formed thereby

Номер патента: TW546770B
Опубликовано: 11-08-2003
Автор(ы): Christian Lavoie, Cyril Cabral Jr, Guy Moshe Cohen, Kathryn Wilder Guarini, Kevin K Chan
Принадлежит: Ibm
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Self-aligned silicide process for silicon sidewall source and drain contacts and structure formed thereby

Номер патента: US20020155690A1. Автор: Ying Zhang,Guy Cohen,Paul Solomon,Kevin Chan,Christian Lavoie,Cyril Cabral,Kathryn Guarini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Self-aligned silicidation for replacement gate process

Номер патента: US20130092957A1. Автор: Andreas Knorr,Thorsten Kammler,Akif Sultan,Indradeep SEN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Self-aligned silicide gate for discrete shielded-gate trench power mosfet

Номер патента: US20240063305A1. Автор: Zhenyin Yang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Self-aligned silicide gate for discrete shielded-gate trench power mosfet

Номер патента: EP4325583A1. Автор: Zhenyin Yang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Method and structure of improving contact resistance for passive and long channel devices

Номер патента: US09887289B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method and structure of improving contact resistance for passive and long channel devices

Номер патента: US10043904B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Method and structure of improving contact resistance for passive and long channel devices

Номер патента: US20180053851A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Method and structure of improving contact resistance for passive and long channel devices

Номер патента: US20180294356A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Method and structure of improving contact resistance for passive and long channel devices

Номер патента: US20190305132A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Source and drain refractory metal cap

Номер патента: US20240006494A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Chi-hing Choi,Matthew V. Metz,Nazila Haratipour,Nancy Zelick,I-Cheng Tung,Arnab SEN GUPTA,Jitendra Kumar JHA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Self-aligned silicidation for replacement gate process

Номер патента: US20120018816A1. Автор: Andreas Knorr,Thorsten Kammler,Akif Sultan,Indradeep SEN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

Transistors with metal source and drain contacts including a heusler alloy

Номер патента: WO2018004700A1. Автор: Singh Kanwaljit,Chaudhry Anurag,Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Uygar E. Avci,Christopher J. WIEGAND,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-01-04.

Transistors with metal source and drain contacts including a heusler alloy

Номер патента: US20190181249A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Uygar E. Avci,Christopher J. WIEGAND,Anurag Chaudhry,Kanwaljit Singh,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Source and drain formation in silicon on insulator device

Номер патента: WO2007072305A3. Автор: Dal Mark van,Radu Surdeanu. Владелец: Radu Surdeanu. Дата публикации: 2007-10-18.

Source and drain formation in silicon on insulator device

Номер патента: WO2007072305A2. Автор: Radu Surdeanu,Mark Van Dal. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-06-28.

Self-aligned silicide/germanide formation to reduce external resistance in a vertical field-effect transistor

Номер патента: US20190393100A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

SELF-ALIGNED SILICIDE/GERMANIDE FORMATION TO REDUCE EXTERNAL RESISTANCE IN A VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200013681A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Lee Choonghyun,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

SELF-ALIGNED SILICIDE/GERMANIDE FORMATION TO REDUCE EXTERNAL RESISTANCE IN A VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20190393100A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Lee Choonghyun,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Methods of forming self-aligned silicide layers using multiple thermal processes

Номер патента: US7531459B2. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Eun-ji Jung,Hyun-Su Kim,Jong-Ho Yun,Sug-Woo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-12.

Self-aligned silicide formation on source/drain through contact via

Номер патента: US9553189B2. Автор: Yoshihiro Uozumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

High voltage field effect transistors with self-aligned silicide contacts and methods for making the same

Номер патента: US20220399447A1. Автор: Hiroshi Nakatsuji,Masashi Ishida,Jun Akaiwa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-15.

Self-aligned silicide/germanide formation to reduce external resistance in a vertical field-effect transistor

Номер патента: US10832970B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-10.

Gate Structure Passivating Species Drive-In Method and Structure Formed Thereby

Номер патента: US20230317457A1. Автор: Hsien-Ming Lee,Chin-You Hsu,Hsin-Yun Hsu,Hsiao-Kuan Wei,Pin-Hsuan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and process for fabricating the same

Номер патента: US5897345A. Автор: Hideki Uochi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Self-Aligned Source and Drain Contacts

Номер патента: US20220005934A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Transistor devices with double-side contacts and standard cell

Номер патента: US20240105728A1. Автор: DEEPAK SHARMA,Jun Yuan,Jonghae Kim,Haining Yang,Qingqing Liang,Giridhar Nallapati,Periannan Chidambaram,George Pete IMTHURN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Low resistance source drain contact formation

Номер патента: US10381442B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Low resistance source drain contact formation

Номер патента: US09972682B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Cobalt silicidation process for substrates comprised with a silicon-germanium layer

Номер патента: US20160240372A9. Автор: Chun-Chieh Lin,Chao-Hsiung Wang,Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Cobalt Silicidation Process for Substrates Comprised with a Silicon-Germanium Layer

Номер патента: US20170271449A1. Автор: Chun-Chieh Lin,Chao-Hsiung Wang,Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Cobalt silicidation process for substrates comprised with a silicon-germanium layer

Номер патента: US09673280B2. Автор: Chun-Chieh Lin,Chao-Hsiung Wang,Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Nickel silicide method and structure

Номер патента: WO2006127846A3. Автор: Rajneesh Jaiswal. Владелец: Rajneesh Jaiswal. Дата публикации: 2009-04-16.

Low Resistance Source Drain Contact Formation with Trench Metastable Alloys and Laser Annealing

Номер патента: US20190181012A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A3. Автор: Madhukar B Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Ashok Kapoor. Дата публикации: 2008-12-31.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A2. Автор: Madhukar B. Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Fabrication flow based on metal gate process for making low cost flash memory

Номер патента: US09431253B1. Автор: Weidong Tian,Ning TAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Nickel silicide method and structure

Номер патента: US20060267117A1. Автор: Rajneesh Jaiswal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-11-30.

Transistor with Asymmetric Source and Drain Regions

Номер патента: US20170345930A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Ru-Gun Liu,Tzu-Jin Yeh,Hua-Chou Tseng,Chien-Chih Ho,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Transistor with Asymmetric Source and Drain Regions

Номер патента: US20210184036A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Ru-Gun Liu,Tzu-Jin Yeh,Hua-Chou Tseng,Chien-Chih Ho,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US20240363441A1. Автор: Yen-Yu Chen,Po-An Chen,Soon-Kang Huang,Tung-Huang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Fin-FET semiconductor device with a source/drain contact having varying different widths

Номер патента: US09786764B2. Автор: Sung-Woo Kang,Sun-jung Lee,Jeong-Nam Han,Chan-jin Park,Young-Mook Oh,Chung-Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device with dielectric spacer liner on source/drain contact

Номер патента: US20230268402A1. Автор: Kei-Wei Chen,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Chia-Yang Wu,Ming-Ching CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Low resistance approaches for fabricating contacts and the resulting structures

Номер патента: US12119387B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Matthew V. Metz,Nazila Haratipour,Arnab SEN GUPTA,Mengcheng Lu,Ryan KEECH,Koustav Ganguly,Jitendra Kumar JHA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device with dielectric spacer liner on source/drain contact

Номер патента: US20200343349A1. Автор: Kei-Wei Chen,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Chia-Yang Wu,Ming-Ching CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US09853156B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Buried source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US09793171B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,William J. Taylor,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-10-17.

Selective Capping Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20220328309A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Pei-Hsuan Lee,Hsin-Yun Hsu,Jui-Fen CHIEN,Hsiao-Kuan Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Selective Capping Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20200402795A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Pei-Hsuan Lee,Hsin-Yun Hsu,Jui-Fen CHIEN,Hsiao-Kuan Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Selective capping processes and structures formed thereby

Номер патента: US11830742B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Pei-Hsuan Lee,Hsin-Yun Hsu,Jui-Fen CHIEN,Hsiao-Kuan Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09916984B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09786756B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09673290B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US09443957B1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for forming an MOS transistor having a metallic gate electrode that is formed after the formation of self-aligned source and drain regions

Номер патента: US5960270A. Автор: Brad Smith,Suresh Venkatesan,Veena Misra,Christopher C. Hobbs,Jeffrey S. Cope,Earnest B. Wilson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-09-28.

Transistor with dopant-bearing metal in source and drain

Номер патента: US20050205896A1. Автор: Nirmal Chaudhary,Hong-Jyh Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US20160336418A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US20160268395A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US20160336424A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices

Номер патента: US20170213736A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Siegfried L. Maurer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor device containing tubular liner spacer for lateral confinement of self-aligned silicide portions and methods of forming the same

Номер патента: US20210280686A1. Автор: Fumitaka Amano,Yosuke Kita. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device containing tubular liner spacer for lateral confinement of self-aligned silicide portions and methods of forming the same

Номер патента: WO2021177991A1. Автор: Fumitaka Amano,Yosuke Kita. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-10.

MOSFETs with recessed self-aligned silicide gradual S/D junction

Номер патента: US5994747A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 1999-11-30.

Self-aligned silicide gate technology for advanced deep submicron MOS device

Номер патента: US6239452B1. Автор: Qi Xiang,Ming-Ren Lin,Shekhar Pramanick. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-05-29.

Method of forming self-aligned silicide layers on semiconductor devices

Номер патента: US20020182860A1. Автор: Jerry Lin,Cheng-Kuo Yuan,Chi-Wei Chou. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for forming epitaxial Co self-align silicide for semiconductor device

Номер патента: US6077750A. Автор: Jeong Soo Byun,Dong Kyun Sohn. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Method for doping source and drain regions of a transistor by means of selective amorphisation

Номер патента: US09966453B2. Автор: Shay REBOH,Frédéric Mazen,Perrine Batude,Benoit Sklenard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming source and drain of field-effect-transistor and structure thereof

Номер патента: SG144827A1. Автор: Tan Shyue Seng,Lee Jae Gon,TEO Lee Wee,Mishra Shailendra,Henry K Utomo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US10211094B2. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US9853115B2. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US09853115B2. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US09484255B1. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Transistors with Ballistic or Quasi-Ballistic Carrier Behavior and Low Resistance in Source and Drain Nodes

Номер патента: US20190334026A1. Автор: Ian Young,Raseong Kim,Uygar Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US20170125535A1. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US20180047824A1. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Pre-deposition treatment and atomic layer deposition (ALD) process and structures formed thereby

Номер патента: US09947540B2. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Yi-Hung Lin,Hsueh Wen Tsau,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Ying-Chieh Hung,JoJo Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Forming crystalline source/drain contacts on semiconductor devices

Номер патента: WO2019066772A1. Автор: Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Cory C. Bomberger,Scott J. MADDOX. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

Forming crystalline source/drain contacts on semiconductor devices

Номер патента: US20200365585A1. Автор: Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Cory C. Bomberger,Scott J. MADDOX. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09947790B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09601622B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device having metallic source and drain regions

Номер патента: US9583487B2. Автор: Annalisa Cappellani,Cory E. Weber,Rafael Rios,Aaron A. Budrevich,Martin D. Giles,Sanaz Kabehie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US9337305B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Process for forming a short channel trench MOSFET and device formed thereby

Номер патента: US09831336B2. Автор: Deva Pattanayak,Zachary Lee. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Self-aligned silicide transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104425572A. Автор: 马万里,赵文魁,闻正锋. Владелец: Shenzhen Founder Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-18.

Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09922930B2. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09559060B2. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09437546B2. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of fabricating FinFET device and structure thereof

Номер патента: US09653593B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US20230326860A1. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Thin film transistors with raised source and drain contacts and process for forming such

Номер патента: US11908911B2. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Thin film transistors with offset source and drain structures and process for forming such

Номер патента: US11929415B2. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Travis W. LaJoie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Metal gate cut formed after source and drain contacts

Номер патента: US20240112916A1. Автор: Matthew J. Prince,Andrew Arnold,Reza Bayati,Alison V. DAVIS,Swapnadip Ghosh,Chun C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Metal gate cut formed after source and drain contacts

Номер патента: EP4345869A1. Автор: Matthew Prince,Andrew Arnold,Alison Davis,Chun Kuo,Reza Bayati,Swapnadip Ghosh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Co-deposition of titanium and silicon for improved silicon germanium source and drain contacts

Номер патента: EP4109494A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Anand Murthy,Chi-hing Choi,Nazila Haratipour,Harold Kennel,Jitendra Kumar JHA,Debaleena Nandi,Omair Saadat,Adedapo Oni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Graded LDD implant process for sub-half-micron MOS devices

Номер патента: US20020190315A1. Автор: Charles Dennison,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Graded LDD implant process for sub-half-micron MOS devices

Номер патента: US20020182813A1. Автор: Charles Dennison,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Thin film transistor structures with regrown source and drain

Номер патента: US11887988B2. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Matthew Metz,Cheng-Ying Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor structure cutting process and structures formed thereby

Номер патента: US11855085B2. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor Structure Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20240113113A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method and structure for semiconductor device having gate spacer protection layer

Номер патента: US09831090B2. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Hai-Ching Chen,Chih Wei Lu,Chien-Hua Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method and Structure For NFET With Embedded Silicon Carbon

Номер патента: US20090181508A1. Автор: Kern Rim,Judson R. Holt,Yaocheng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Methods for making a semiconductor device with shaped source and drain recesses and related devices

Номер патента: US20140353714A1. Автор: Alexander Reznicek,Nicolas Loubet,Douglas LaTulipe. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-12-04.

Method of forming epitaxial buffer layer for finFET source and drain junction leakage reduction

Номер патента: US09390976B2. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Andreas Scholze,Chun-Chen Yeh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Solid source doping for source and drain extension doping

Номер патента: US09978649B2. Автор: Jeffrey Smith,Robert D. Clark,Steven P. CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Solid source doping for source and drain extension doping

Номер патента: US20170271212A1. Автор: Jeffrey Smith,Robert D. Clark,Steven P. CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Process and structure for a superjunction device

Номер патента: US20210242338A1. Автор: Alexei Ankoudinov,Sorin S. Georgescu. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Resistive switching random access memory with asymmetric source and drain

Номер патента: US09478638B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Metal-oxide semiconductor (MOS) field effect transistor having extremely shallow source/drain zones and silicide terminal zones, and a process for producing the transistor circuit

Номер патента: US4885617A. Автор: C. A. Mazure-Espejo,Franz Neppl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-12-05.

Process for fabricating lightly doped drain MOS devices

Номер патента: US4744859A. Автор: Yaw W. Hu,Charles C. C. Kau. Владелец: Vitelic Corp. Дата публикации: 1988-05-17.

Contact and via structures for semiconductor devices

Номер патента: US20220336642A1. Автор: Keng-Chu Lin,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Contact and via structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210184018A1. Автор: Keng-Chu Lin,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Metal oxide semiconductor device with improved threshold voltage and drain junction breakdown voltage and method for fabricating same

Номер патента: US20080023776A1. Автор: Allan Laser. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Structure and method of making strained channel CMOS transistors having lattice-mismatched epitaxial extension and source and drain regions

Номер патента: US6906360B2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Huajie Chen,Haining S. Yang,Omer O. Dokumaci. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-14.

Structure and method of making strained channel cmos transistors having lattice-mismatched epitaxial extension and source and drain regions

Номер патента: EP1668672A2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Omer Dokumaci,Huajie Chen,Haining S. Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-14.

Resistive switching random access memory with asymmetric source and drain

Номер патента: US11856797B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods for making a semiconductor device with shaped source and drain recesses and related devices

Номер патента: US9190517B2. Автор: Alexander Reznicek,Nicolas Loubet,Douglas LaTulipe. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-11-17.

Methods for making a semiconductor device with shaped source and drain recesses and related devices

Номер патента: US20150054032A1. Автор: Alexander Reznicek,Nicolas Loubet,Douglas LaTulipe. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-02-26.

Resistive Switching Random Access Memory with Asymmetric Source and Drain

Номер патента: US20190051702A1. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Process for forming vertical semiconductor device having increased source contact area

Номер патента: EP1067596A3. Автор: Thomas Grebs,Jason Trost. Владелец: Intersil Corp. Дата публикации: 2003-05-28.

Self-aligned silicide process utilizing ion implants for reduced silicon consumption and control of the silicide formation temperature and structure formed thereby

Номер патента: TWI220054B. Автор: Guy Moshe Cohen,Christian Lavoie,Kevin Kok Chan,Kathryn Wilder Guarini,Cyril Cabral Jr. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-08-01.

Method and structure for ultra-low contact resistance cmos formed by vertically self-aligned cosi2 on raised source drain si/sige device

Номер патента: US20030219965A1. Автор: Guy Cohen,Ronnen Roy,Jack Chu,Kevin Chan,Christian Lavoie,Cyril Cabral,Roy Carruthers,Steven Koester. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Source and drain contacts formed using sacrificial regions of source and drain

Номер патента: EP4293724A1. Автор: Nitesh Kumar,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas,Jami A. WIEDEMER,Rohit Galatage,Munzarin F. Qayyum,Subrina RAFIQUE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Source and drain contacts formed using sacrificial regions of source and drain

Номер патента: US20230402513A1. Автор: Nitesh Kumar,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Rohit Galatage,Munzarin F. Qayyum,Subrina RAFIQUE,Nicloe K. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Nanowire MOSFET with support structures for source and drain

Номер патента: US09773868B2. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Nanowire MOSFET with support structures for source and drain

Номер патента: US9263295B2. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Nanowire mosfet with support structures for source and drain

Номер патента: US20150255306A1. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Nanowire mosfet with support structures for source and drain

Номер патента: US20160141361A1. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Source/drain contact at tight cell boundary

Номер патента: US20240234523A9. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Process for forming lightly-doped-drain (LDD) without extra masking steps

Номер патента: US4843023A. Автор: Fu-Chieh Hsu,Kuang Y. Chiu. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1989-06-27.

All-in-one disposable/permanent spacer elevated source/drain, self-aligned silicide CMOS

Номер патента: US20030209765A1. Автор: Kam Lee,Ronnen Roy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-11-13.

Nanosheet transistor with fully isolated source and drain regions and spacer pinch off

Номер патента: US20200303500A1. Автор: Nicolas Loubet,Pietro Montanini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Nanosheet channel-to-source and drain isolation

Номер патента: US09620590B1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Merged gate and source/drain contacts in a semiconductor device

Номер патента: US09960256B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for producing a field effect transistor including forming a gate after forming the source and drain

Номер патента: US09502566B2. Автор: Perrine Batude,Claire Fenouillet-Beranger. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-22.

Source and drain doping profile control employing carbon-doped semiconductor material

Номер патента: US09385237B2. Автор: Zhengmao Zhu,Pranita Kerber,Viorel Ontalus,Donald R. Wall. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Nanosheet channel-to-source and drain isolation

Номер патента: US20200266284A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-08-20.

Nanosheet channel-to-source and drain isolation

Номер патента: US20180374930A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Nanosheet channel-to-source and drain isolation

Номер патента: US20240088268A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Manufacturing method and structure thereof of TFT backplane

Номер патента: US09735186B2. Автор: Xiaoxing Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Structure including transistor using buried insulator layer as gate dielectric and trench isolations in source and drain

Номер патента: US20240055434A1. Автор: Alban Zaka,Yiching Chen,Tom Herrmann,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Structure including transistor using buried insulator layer as gate dielectric and trench isolations in source and drain

Номер патента: US11837605B2. Автор: Alban Zaka,Yiching Chen,Tom Herrmann,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Overhanging source/drain contact

Номер патента: US20220223743A1. Автор: Ting Fang,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Cheng-Ming Lee,Chung-Hao CAI,Chia-Hsien Yao,Yen-Jun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Techniques for integration of ge-rich p-mos source/drain contacts

Номер патента: EP3120388A1. Автор: Nabil G. Mistkawi,Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Ying Pang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-25.

Middle of the line architecture with subtractive source/drain contact

Номер патента: US20240222448A1. Автор: Nelson Felix,Eric Miller,Andrew Herbert Simon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Techniques for integration of Ge-rich p-MOS source/drain contacts

Номер патента: US09859424B2. Автор: Nabil G. Mistkawi,Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Ying Pang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Manufacture method of dual gate oxide semiconductor TFT substrate and structure thereof

Номер патента: US09768323B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Shimin Ge,Hejing ZHANG,Chihyuan Tseng,Chihyu SU,Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Silicon-on-insulator transistor with self-aligned borderless source/drain contacts

Номер патента: US09368590B2. Автор: David V. Horak,Charles W. Koburger,Balasubramanian S. Haran,Susan S. FAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor device having front side and back side source/drain contacts

Номер патента: US20230268403A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US20180061976A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Manfred J. Eller,Jerome J. B. Ciavatti. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US09842927B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Jerome J. B. Ciavatti,Manfred J Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Self-aligned SOI device with body contact and NiSi2 gate

Номер патента: US6091123A. Автор: Shekhar Pramanick,Zoran Krivokapic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-18.

Fabrication of an electronic component with self-aligned source drain and gate includes self-aligned siliciding of a source and drain formed on either side of a dummy gate

Номер патента: FR2810157A1. Автор: Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2001-12-14.

Bipolar transistor having self-aligned silicide and a self-aligned emitter contact border

Номер патента: US7466010B2. Автор: Richard P. Volant,Marwan H. Khater,Gregory G. Freeman,David C. Ahlgren. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-16.

Formation method of self-aligned silicide layer using ammonia plasma

Номер патента: KR100455367B1. Автор: 서태욱,김민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-01-17.

MOSFET structure with multiple self-aligned silicide contacts

Номер патента: US20060033165A1. Автор: Kern Rim,Kevin Chan,Christian Lavoie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Mosfet structure with multiple self-aligned silicide contacts

Номер патента: US20100304563A1. Автор: Kern Rim,Kevin K. Chan,Christian Lavoie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20220262957A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20240006541A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method to reduce parasitic gate capacitance and structure for same

Номер патента: US09419102B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20200091348A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US11799037B2. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

3d source and drain contacts tuned for pmos and nmos

Номер патента: US20230395717A1. Автор: Nitesh Kumar,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Christopher J. Jezewski,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Rohit Galatage,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

3d source and drain contacts tuned for vertically stacked pmos and nmos

Номер патента: US20230395718A1. Автор: Nitesh Kumar,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Christopher J. Jezewski,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Rohit Galatage,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method and structure for III-V nanowire tunnel FETs

Номер патента: US09548381B1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Integrated circuits with monolayer tmd channel and multilayer tmd source and drain

Номер патента: US20240355934A1. Автор: Uygar E. Avci,Kevin P. O'brien,Tristan A. TRONIC,Mahmut Sami KAVRIK,Jennifer Lux. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuits with monolayer tmd channel and multilayer tmd source and drain

Номер патента: EP4451339A1. Автор: Uygar E. Avci,Tristan A. TRONIC,Mahmut Sami KAVRIK,Jennifer Lux,Kevin P. O`BRIEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Transistors incorporating metal quantum dots into doped source and drain regions

Номер патента: US09711649B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods for Threshold Voltage Tuning and Structure Formed Thereby

Номер патента: US20200083114A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee,Ching-Hwanq Su,Cheng-Yen Tsai,Zoe Chen,Wei-Chin Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Nanowire structures having non-discrete source and drain regions

Номер патента: US09564522B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Martin D. Giles,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method and structure of accurately controlling contact gouging position

Номер патента: US20240313070A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Source and Drain Isolation for CMOS Nanosheet with One Block Mask

Номер патента: US20190214314A1. Автор: Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Method for manufacturing for forming source/drain contact features and devices manufactured thereof

Номер патента: US20240266407A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit structures with backside conductive source or drain contact having enhanced contact area

Номер патента: US20240332302A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Debaleena Nandi,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure with backside source or drain contact selectivity

Номер патента: US20240332377A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated device with raised locos insulation regions and process for manufacturing such device

Номер патента: US09640614B2. Автор: Simone Dario Mariani,Paolo Colpani,Alessandro Causio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: EP4270484A3. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Elliot Tan,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Source/drain contact with low-k contact etch stop layer and method of fabricating thereof

Номер патента: US20220285513A1. Автор: Wei-Yang Lee,Da-Wen Lin,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Device with shallow source/drain contact and related method

Номер патента: US20240274675A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Yu-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: US20230290825A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Elliot N. Tan,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Forming source/drain contact in a tight tip-to-tip space

Номер патента: US20240339509A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Julien Frougier,Andrew Gaul. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of forming self-aligned silicides

Номер патента: US20060121708A1. Автор: Steven Huang,Yei-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Method for forming self-aligned silicide layers on sub-quarter micron VLSI circuits

Номер патента: US6100191A. Автор: Jiun-Yuan Wu,Water Lur,Tony Lin,Hsiao-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-08.

Method of manufacturing self-aligned silicide

Номер патента: US6150264A. Автор: Chih-Ching Hsu,Shu-Jen Chen,Ruoh-Haw Chang. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Process for fabricating self-aligned silicide lightly doped drain mos devices

Номер патента: CA1294061C. Автор: Di Ma,David H. Hoffman. Владелец: Standard Microsystems LLC. Дата публикации: 1992-01-07.

Self-aligned silicided process and structure

Номер патента: TW594872B. Автор: Chun-Chieh Lin,Chao-Hsiung Wang,Yee-Chia Yeo,Chien-Chao Huang,Chen-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-06-21.

Forming nickel-platinum alloy self-aligned silicide contacts

Номер патента: US20140073130A1. Автор: Christian Lavoie,Ahmet S. Ozcan,David F. Hilscher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Method and process for forming a self-aligned silicide contact

Номер патента: US20060051961A1. Автор: Balasubramanian Pranatharthi Haran,Mahadevaiyer Krishnan,Andrew Mansson,Michael Cobb,Christian Lavoie,Horatio Wildman,Cyril Cabral,Randolph Knarr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Method of forming a self-aligned silicide layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100508080B1. Автор: 김한성,김호식,우성오. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-26.

Method to form self-aligned silicide with reduced sheet resistance

Номер патента: US6509264B1. Автор: Weining Li,Yung Tao Lin. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-01-21.

Semiconductor device having a self aligned silicide layer and method of fabricating the same

Номер патента: KR100553714B1. Автор: 김민주,구자흠,정석우,한성기,선민철,노관종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-02-24.

A method to form self-aligned silicide with reduced sheet resistance

Номер патента: SG107556A1. Автор: Yung Tao Lin,Wei Ning Li. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-12-29.

Method for forming self-align silicide in semiconductor device

Номер патента: KR100271948B1. Автор: 이응준,서태욱,이수근,구자흠,김철성,정주혁. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-11-15.

Processes for preparing integrated circuits with improved source/drain contact structures and integrated circuits prepared according to such processes

Номер патента: US09466701B2. Автор: Sipeng Gu,Sandeep Gaan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Preventing shorting between source and/or drain contacts and gate

Номер патента: US09972620B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Charan V. Surisetty. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor structure with strained source and drain structures and method for forming the same

Номер патента: US09559165B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Protecting an integrated circuit from the drilling of a source and/or drain contact

Номер патента: US20210020663A1. Автор: Philippe Galy,Thomas Bedecarrats. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2021-01-21.

Conformal buffer layer in source and drain regions of fin-type transistors

Номер патента: US09634084B1. Автор: Chengwen Pei,Henry K. Utomo,Christopher D. Sheraw,Zhibin Ren,Yue Ke,Eric T. Harley,Yinxiao Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Transistor including wrap around source and drain contacts

Номер патента: US20190305136A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Van H. Le,Sean Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of forming performance optimized gate structures by silicidizing lowered source and drain regions

Номер патента: US09735058B2. Автор: Katsunori Onishi,Jian Yu,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Strained source and drain (SSD) structure and method for forming the same

Номер патента: US09660052B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming performance optimized gate structures by silicidizing lowered source and drain regions

Номер патента: US09455195B2. Автор: Katsunori Onishi,Jian Yu,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Scaled gate contact and source/drain cap

Номер патента: US20210066464A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Jae Gon Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Differential Layer Formation Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20200035679A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Selective process for source and drain formation

Номер патента: US09923081B1. Автор: Zhiyuan Ye,Hua Chung,Schubert S. Chu,Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao,Xuebin Li,Abhishek Dube,Flora Fong-Song Chang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Recess liner for silicon germanium fin formation

Номер патента: US09893154B2. Автор: Timothy J. McArdle,Junli Wang,Judson R. Holt. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Recess liner for silicon germanium fin formation

Номер патента: US09698226B1. Автор: Timothy J. McArdle,Junli Wang,Judson R. Holt. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

A latch up free, high voltage, cmos process for sub-half-micron devices

Номер патента: WO1990006594A1. Автор: Joseph E. Farb. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1990-06-14.

Preventing shorting between source and/or drain contacts and gate

Номер патента: US20180047727A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Charan V. Surisetty. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Source and drain process for FinFET

Номер патента: US9922816B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Source and drain process for FinFET

Номер патента: US09922816B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Source and drain process for FinFET

Номер патента: US09570567B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Metal oxide thin film transistor with source and drain regions doped at room temperature

Номер патента: US09960281B2. Автор: Lei Lu,Man Wong,Hoi Sing Kwok. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor structure with strained source and drain structures and method for forming the same

Номер патента: US20160087037A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Source and drain epitaxy and isolation for gate structures

Номер патента: US20210288184A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Formation of dislocations in source and drain regions of FinFET devices

Номер патента: US09768256B2. Автор: Wei-Yang Lee,Wei-Yuan Lu,Chun Hsiung Tsai,Chien-Tai CHAN,Da-Wen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Fabrication method for a self-aligned thin film transistor having reduced end leakage and device formed thereby

Номер патента: US5324674A. Автор: Ching-Yeu Wei,George E. Possin. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1994-06-28.

Differential Layer Formation Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20190096888A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor fabrication method and structure using multiple sacrificial layers to form sidewall spacers

Номер патента: US11742245B2. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Strained source and drain (ssd) structure and method for forming the same

Номер патента: US20150380521A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Method for producing a transistor with metallic source and drain

Номер патента: US20110003443A1. Автор: Maud Vinet,Thierry Poiroux,Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2011-01-06.

Self-aligned trench silicide process for preventing gate contact to silicide shorts

Номер патента: US09722043B2. Автор: Kangguo Cheng,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor structure having a source and a drain with reverse facets

Номер патента: US09673296B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam,Jinghong Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Epitaxial growth of doped film for source and drain regions

Номер патента: US09583393B2. Автор: Tsan-Yao Chen,Chun Hsiung Tsai,Jian-An Ke,Chin-Kun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Low Voltage Power Mosfets Using Graphene for Metal Layers and Graphene Nanoribbons for Channel and Drain Enhancement Regions of Power Vertical and Lateral Mosfets on substrates of Silicon, GAN, SIC, or Diamond to Integrate Narrow Band Gap Engineering with Wide Band Gap Engineering and Achieve Energy Saving Devices and Environmental Progress in the Power Semiconductor Industry

Номер патента: US20220123134A1. Автор: Samuel J. Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Method and structure for forming gate contact above active area with trench silicide

Номер патента: US09508825B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method and structure for forming gate contact above active area with trench silicide

Номер патента: US09508818B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Source and drain epitaxy forming method capable of improving performance of finfet device

Номер патента: US20220029003A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Source and drain process for FinFET

Номер патента: US11127586B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Method and structure to decrease area capacitance within a buried insulator device

Номер патента: US20050130379A1. Автор: Rafael Rios,Martin Giles,Borna Obradovic,Mark Stettler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Process for integrated circuit fabrication including a liner silicide with low contact resistance

Номер патента: US09633909B2. Автор: Qing Liu,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of forming strained source and drain regions in a P-type finFET structure

Номер патента: US8987101B2. Автор: Yi Ding,JunHua Yan,Minghua Zhang,Jingxun FANG. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Method of forming strained source and drain regions in a p-type finfet structure

Номер патента: US20140357041A1. Автор: Yi Ding,JunHua Yan,Minghua Zhang,Jingxun FANG. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

3d high density devices integrated with source and drain rails

Номер патента: US20240071871A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Low resistance source and drain extensions for etsoi

Номер патента: US20130015512A1. Автор: Sanjay Mehta,Sivananda K. Kanakasabapathy,Hemanth Jagannathan,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Source and Drain Surface Treatment for Multi-Gate Field Effect Transistors

Номер патента: US20190165139A1. Автор: Yu-Lin Yang,Chun-Hsiang FAN,Wei-Yuan Lu,Sai-Hooi Yeong,Wei-Han Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Structure and method of making strained semiconductor CMOS transistors having lattice-mismatched semiconductor regions underlying source and drain regions

Номер патента: US6891192B2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Huajie Chen,Haining S. Yang,Oleg G. Gluschenkov,An L. Steegen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-05-10.

Fully-depleted SOI MOSFETs with low source and drain resistance and minimal overlap capacitance using a recessed channel damascene gate process

Номер патента: US6841831B2. Автор: Diane C. Boyd,Kevin K. Chan,Leathen Shi,Hussein I. Hanafi,Wesley Natzle. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-01-11.

Source and drain process for finfet

Номер патента: US20170194441A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Maskless epitaxial growth of phosphorus-doped Si and boron-doped SiGe (Ge) for advanced source/drain contact

Номер патента: US10930567B2. Автор: Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-23.

P-type field effect transistor (pfet) on a silicon germanium (ge) buffer layer to increase ge in the pfet source and drain to increase compression of the pfet channel and method of fabrication

Номер патента: EP4295410A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

P-type field effect transistor (pfet) on a silicon germanium (ge) buffer layer to increase ge in the pfet source and drain to increase compression of the pfet channel and method of fabrication

Номер патента: WO2022177683A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-08-25.

Method and structure for finfet device

Номер патента: US20240178070A1. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

MASKLESS EPITAXIAL GROWTH OF PHOSPHORUS-DOPED Si AND BORON-DOPED SiGe (Ge) FOR ADVANCED SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20190318969A1. Автор: Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Epitaxial Growth Process for Semiconductor Device and Semiconductor Device Comprising Epitaxial Layer Formed By Adopting the Same

Номер патента: US20210398805A1. Автор: Qin Deng,Huojin Tu,Zhanyuan Hu,Jueyang Liu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Process for the preparation of a thin film transistor

Номер патента: US5470769A. Автор: Jung J. Kim. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1995-11-28.

Semiconductor structure having a source and a drain with reverse facets

Номер патента: US20160064523A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam,Jinghong Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of making the selection gate in a split-gate flash EEPROM cell its and structure

Номер патента: US20050026368A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chrong-Jung Lin,Jack Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Process for the selective manufacturing of a T-shaped gate

Номер патента: EP1182700A3. Автор: Ying Michael Cheng,Thomas Richard Lepkowski,Costas Varmazis. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2004-05-19.

Process for integrated circuit fabrication including a liner silicide with low contact resistance

Номер патента: US20160118305A1. Автор: Qing Liu,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-04-28.

Transistor gate contacts and methods of forming the same

Номер патента: US12119259B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Manufacture method of AMOLED back plate and structure thereof

Номер патента: US09947736B2. Автор: Yuanjun Hsu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US09786751B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Airgap formation between source/drain contacts and gates

Номер патента: US09666533B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US09496394B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Liner and cap layer for placeholder source/drain contact structure planarization and replacement

Номер патента: US09466723B1. Автор: Huang Liu,Qiang Fang,Haigou Huang,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Structure and method for vertical tunneling field effect transistor with leveled source and drain

Номер патента: US11894448B2. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Harry-Hak-Lay Chuang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Structure and Method for Vertical Tunneling Field Effect Transistor with Leveled Source and Drain

Номер патента: US20190097029A1. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Harry-Hak-Lay Chuang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Structure and method for vertical tunneling field effect transistor with leveled source and drain

Номер патента: US20240178303A1. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Harry-Hak-Lay Chuang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit structures with backside self-aligned penetrating conductive source or drain contact

Номер патента: EP4246587A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Leonard P. GULER,Makram Abd El Qader,Tanir Ghani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Integrated circuit structures with backside self-aligned penetrating conductive source or drain contact

Номер патента: US20230290844A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Leonard P. GULER,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Contact and isolation in monolithically stacked VTFET

Номер патента: GB2628294A. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Zhang Chen,Yu Lan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Method of forming buffer architecture (versions) and microelectronic structure formed thus

Номер патента: RU2468466C2. Автор: Манту К. ХАДЕЙТ,Питер Г. ТОЛЧИНСКИ,Лорен А. ЧОУ,Дмитрий ЛОУБЫЧЕВ,Жоэль М. ФАСТЕНО,Ами В.К. ЛИУ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2012-11-27.

Process for making a semiconductor device

Номер патента: CA1223975A. Автор: Gustaaf Schols. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1987-07-07.

Source/drain contacts between transistor gates with abbreviated inner spacers for improved contact area and related method of fabrication

Номер патента: WO2023283502A1. Автор: Haining Yang,YouSeok Suh,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-01-12.

Methods of Forming Source/Drain Contacts in Field-Effect Transistors

Номер патента: US20200058744A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Source/drain contact having a protruding segment

Номер патента: US20240292590A1. Автор: Ting Fang,Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Yuan Chang,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Concept for silicon carbide power devices

Номер патента: US20240321868A1. Автор: Christian Vieider,Adolf SCHÖNER,Nicolas THIERRY-JEBALI,Hossein ELAHIPANAH,Sergey RESHANOV,Wlodzimierz KAPLAN. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Air gap spacer between contact and gate region

Номер патента: US09716158B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas Jean Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for manufacturing field effect transistor using self-aligned silicide layer in semiconductor device

Номер патента: KR100333647B1. Автор: 김천수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-07.

Method for forming a self aligned silicide contact hole

Номер патента: KR100470127B1. Автор: 김재영. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-02-05.

Self-aligned silicide process

Номер патента: US5888903A. Автор: Sean O'brien,Douglas A. Prinslow. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-03-30.

Semiconductor structure having buried gate, buried source and drain contacts, and strained silicon and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210057578A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Inverse T-gate FET transistor with lightly doped source and drain region

Номер патента: US5241203A. Автор: Seiki Ogura,Louis L. Hsu,Joseph F. Shepard,Paul J. Tsang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Technologies for selective source and drain epitaxial growth

Номер патента: US20230253404A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Protective Liner for Source/Drain Contact to Prevent Electrical Bridging While Minimizing Resistance

Номер патента: US20240379785A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Hsin-Huang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method and Structure for Straining Carrier Channel in Vertical Gate All-Around Device

Номер патента: US20170148899A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Tetsu Ohtou,Jiun-Peng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Method and structure for straining carrier channel in vertical gate all-around device

Номер патента: US09570612B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Tetsu Ohtou,Jiun-Peng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Methods of forming doped source/drain contacts and structures formed thereby

Номер патента: US20200176601A1. Автор: Anand Murthy,Karthik Jambunathan,Seiyon Kim,Glenn Glass,Chandra MOHAPATRA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Integrated circuit layouts with source and drain contacts of different widths

Номер патента: US20200135869A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Jung-Chan YANG,Shang-Syuan Ciou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Mos transistor structure with in-situ doped source and drain and method for forming the same

Номер патента: US20120032231A1. Автор: Lei Guo,Jing Wang,Jun Xu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Field-Effect Transistor Device with Equivalent Source and Drain Region Optimization

Номер патента: US20240371937A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG,Yeye Guo. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-07.

Method and structure to improve body effect and junction capacitance

Номер патента: US20120196413A1. Автор: Xiangdong Chen,Geng Wang,Da Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Finfet with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US20160172498A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

FinFET with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US9620641B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Finfet with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US20180323288A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

FinFET with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US09620641B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

3d semiconductor device and structure with transistors

Номер патента: US20220130905A1. Автор: Zvi Or-Bach,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

3D semiconductor devices and structures with transistors

Номер патента: US11956976B2. Автор: Zvi Or-Bach,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

3d semiconductor devices and structures with transistors

Номер патента: US20230397441A1. Автор: Zvi Or-Bach,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

3D semiconductor devices and structures

Номер патента: US11793005B2. Автор: Zvi Or-Bach,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Recessed source and drain regions for finfets

Номер патента: US20130175624A1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Jeffrey W. Sleight,Chung-Hsun Lin,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Asymmetrical transistor with lightly doped drain region, heavily doped source and drain regions, and ultra-heavily doped source region

Номер патента: US5831306A. Автор: H. Jim Fulford, Jr.,Mark I. Gardner,Derick J. Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-11-03.

Method for making FINFETs and semiconductor structures formed therefrom

Номер патента: US8729638B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-05-20.

Deep source and drain for transistor structures with back-side contact metallization

Номер патента: US11688780B2. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Configuration and Fabrication of Semiconductor Structure in Which Source and Drain Extensions of Field-effect Transistor Are Defined with Different Dopants

Номер патента: US20120184077A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,William D. French. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Configuration and fabrication of semiconductor structure in which source and drain extensions of field-effect transistor are defined with different dopants

Номер патента: EP2412013A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,William D. French. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

FinFET with epitaxial source and drain regions and dielectric isolated channel region

Номер патента: US10707332B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Method and structure for reducing the external resistance of a three-dimensional transistor through use of epitaxial layers

Номер патента: WO2007078957A2. Автор: Justin K. Brask,Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Suman Datta,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Amlan Majumdar. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-07-12.

Gate and source/drain contact structures for a semiconductor device

Номер патента: US20160268415A1. Автор: Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Gate and source/drain contact structures for a semiconductor device

Номер патента: US09478662B2. Автор: Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

N-channel clamp for ESD protection in self-aligned silicided CMOS process

Номер патента: US5262344A. Автор: Kaizad R. Mistry. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

N-channel clamp for esd protection in self-aligned silicided cmos process

Номер патента: CA2039777A1. Автор: Kaizad Rumy Mistry. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1991-10-28.

SELF-ALIGNED SILICIDATION FOR REPLACEMENT GATE PROCESS

Номер патента: US20130092957A1. Автор: KNORR Andreas,Kammler Thorsten,Sultan Akif,SEN Indradeep. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-04-18.

SELF-ALIGNED SILICIDE FORMATION ON SOURCE/DRAIN THROUGH CONTACT VIA

Номер патента: US20150318395A1. Автор: Uozumi Yoshihiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Gate cut, and source and drain contacts

Номер патента: US20240222447A1. Автор: Lin Hu,Anupama Bowonder,Brian Greene,Amritesh Rai,Reken Patel,Conor P. PULS,Krishna GANESAN,Shruti SUBRAMANIAN,Swapnadip Ghosh,Diana Ivonne PAREDES,Akitomo Matsubayashi,Sunzida Ferdous,Lateef Uddin Syed,Kyle T. HORAK,Gordon S. FREEMAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Gate cut, and source and drain contacts

Номер патента: EP4394857A1. Автор: Lin Hu,Anupama Bowonder,Brian Greene,Amritesh Rai,Reken Patel,Conor P. PULS,Krishna GANESAN,Shruti SUBRAMANIAN,Swapnadip Ghosh,Diana Ivonne PAREDES,Akitomo Matsubayashi,Sunzida Ferdous,Lateef Uddin Syed,Kyle T. HORAK,Gordon S. FREEMAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US20170047349A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-16.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US09922993B2. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-20.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US09496283B1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor structure containing low-resistance source and drain contacts

Номер патента: US09406568B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor structure containing low-resistance source and drain contacts

Номер патента: US9768173B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structure containing low-resistance source and drain contacts

Номер патента: US20160336323A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Chemical mechanical polishing of metal gate cuts formed after source and drain contacts

Номер патента: US20240213026A1. Автор: Matthew J. Prince,Robert R. Mitchell,Girish Sharma,Reza Bayati,Alison V. DAVIS,Swapnadip Ghosh,Lawrence Zaino,Barry B. Butler,Rajaram A. Pai,Niels Sveum,Chun Chen Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for forming thickened source/drain contact regions for field effect transistors

Номер патента: US5250454A. Автор: Witold P. Maszara. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1993-10-05.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US20180166469A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-06-14.

Methods of forming field effect transistors having self-aligned intermediate source and drain contacts

Номер патента: US6162690A. Автор: Kang-yoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-12-19.

Process for producing a self-aligned grid field-effect transistor

Номер патента: US4326330A. Автор: Henri Derewonko,Joel Lepage,Michel Laviron. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1982-04-27.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US09412750B2. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative Schottky barrier height

Номер патента: US12034078B2. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height

Номер патента: US20240347641A1. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Butted Source Contact and Well Strap

Номер патента: US20090286395A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-11-19.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US12100627B2. Автор: Yen-Yu Chen,Po-An Chen,Soon-Kang Huang,Tung-Huang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Self-aligned fabrication process for gaas mesfet devices

Номер патента: CA1252226A. Автор: John R. Hayes. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1989-04-04.

Transistor arrangements with stacked trench contacts and gate straps

Номер патента: EP4016599A1. Автор: Guillaume Bouche,Charles Wallace,Andy Wei,Changyok Park,Hyuk RYU,Mohit HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-22.

System and Method for Forming a Semiconductor Device Source/Drain Contact

Номер патента: US20080315321A1. Автор: Ching-Ya Wang,Chung-Hu Ke,When-Chin Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Self-aligned source/drain contacts

Номер патента: US09576957B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Praneet Adusumilli,Emre Alptekin,Shom S. Ponoth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height

Номер патента: US20210083123A1. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height

Номер патента: US20190109241A1. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Technologies Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height

Номер патента: US20200091347A1. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2020-03-19.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height

Номер патента: US20180145184A1. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height

Номер патента: US20230006066A1. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2023-01-05.

Multiple epitaxial layer source and drain transistors for low temperature computation

Номер патента: US20230317558A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Rajabali Koduri,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Dual salicide integration for salicide through trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US20100164002A1. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Structure for reduced source and drain contact to gate stack capacitance

Номер патента: US09601570B1. Автор: Carl J Radens,Richard Q Williams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Methods of forming backside self-aligned vias and structures formed thereby

Номер патента: WO2017052562A1. Автор: Paul B. Fischer,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Kimin Jun,Il-Seok Son. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor Fin Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20240282638A1. Автор: Chia-Hui Lin,Shih-Wen Huang,Jei Ming CHEN,Jaming CHANG,Kai Hung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method and structure for forming silicon germanium finfet

Номер патента: US20190206999A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Method and structure for forming silicon germanium finfet

Номер патента: US20190333996A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Method and Structure for Reducing Source/Drain Contact Resistance at Wafer Backside

Номер патента: US20220344496A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor structure cutting process and structures formed thereby

Номер патента: US11894370B2. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor Structure Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20240113112A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for forming a field-effect transistor having difference in capacitance between source and drain with respect to shield layer

Номер патента: US5891757A. Автор: Yasuo Ohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-06.

Semiconductor Fin cutting process and structures formed thereby

Номер патента: US11990375B2. Автор: Chia-Hui Lin,Shih-Wen Huang,Jei Ming CHEN,Jaming CHANG,Kai Hung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Epitaxial formation mechanisms of source and drain regions

Номер патента: US09502404B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Meng-Yueh Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method and structure for reducing source/drain contact resistance at wafer backside

Номер патента: US11848372B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Methods of forming structures having nanotubes extending between opposing electrodes and structures including same

Номер патента: US20140084248A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Methods of forming structures having nanotubes extending between opposing electrodes and structures including same

Номер патента: US20120261647A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Epitaxial Formation Mechanisms of Source and Drain Regions

Номер патента: US20150076621A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Meng-Yueh Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Threshold adjustment for quantum dot array devices with metal source and drain

Номер патента: US09748356B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-08-29.

Strained channel region transistors employing source and drain stressors and systems including the same

Номер патента: US09698265B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Fabricating field-effect transistors with interleaved source and drain finger configuration

Номер патента: US11842947B2. Автор: Dylan Charles BARTLE,David Scott Whitefield,Paul T. Dicarlo,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Self-aligned cmos process for bulk silicon device

Номер патента: GB1529297A. Автор: . Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1978-10-18.

Threshold adjustment for quantum dot array devices with metal source and drain

Номер патента: US20220140110A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for forming silicide at source and drain

Номер патента: US20040106282A1. Автор: Jeng-Ping Lin,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-03.

Method for forming silicide at source and drain

Номер патента: US6743717B1. Автор: Jeng-Ping Lin,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-01.

Epitaxial source and drain structures for high voltage devices

Номер патента: US20190096887A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Self-aligned CMOS process for bulk silicon and insulating substrate device

Номер патента: US4047284A. Автор: Gregorio Spadea. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1977-09-13.

Semiconductor device having a ring-shaped protection spacer above a contact pad and enclosing a source/drain contact plug

Номер патента: US12034060B2. Автор: Hongsik SHIN,Sughyun Sung,Heungsik Park,Wonhyuk LEE,Hyunjoon ROH,Dohaing LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Dumbbell shaped self-aligned capping layer over source/drain contacts and method thereof

Номер патента: US12068382B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

System and method for I/O ESD protection with polysilicon regions fabricated by processes for making core transistors

Номер патента: US7642602B2. Автор: Ting Chieh Su,Min Chie Jeng,Chin Chang Liao,Jun Cheng Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Semiconductor structure having source/drain contacts and method of fabricating thereof

Номер патента: US20240363709A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Slot contacts and method forming same

Номер патента: US20240290661A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semicondustor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Bipolar transistor with self-aligned retrograde extrinsic base implant profile and self-aligned silicide

Номер патента: US20060097350A1. Автор: Francois Pagette,Marwan Khater. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

METHOD FOR MANUFACTURING A SELF-ALIGNED SILICIDE

Номер патента: FR2763743B1. Автор: Water Lur,Shih Wei Sun,Tony Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-07-23.

METHOD FOR MANUFACTURING A SELF-ALIGNED SILICIDE

Номер патента: FR2763743A1. Автор: Water Lur,Shih Wei Sun,Tony Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-11-27.

Vertical tunneling field-effect transistor cell with coaxially arranged gate contacts and drain contacts

Номер патента: US09466714B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Cheng-Cheng Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Vertical Tunneling Field-Effect Transistor Cell with Coaxially Arranged Gate Contacts and Drain Contacts

Номер патента: US20150236153A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Cheng-Cheng Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and process for same

Номер патента: US20020089002A1. Автор: Satoshi Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Transistors with vertically opposed source and drain metal interconnect layers

Номер патента: US20190198627A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Self-aligned silicide strap connection of polysilicon layers

Номер патента: US5756394A. Автор: H. Monte Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-05-26.

Thin film transistors with epitaxial source/drain and drain field relief

Номер патента: US20200006555A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Marinus P.J. Hopstaken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Creation of a transistor with close silicide source and drain from the canal

Номер патента: US20240249945A1. Автор: Shay REBOH,Laurent Brunet,Pablo Acosta Alba,Frederic Milesi. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device and structure

Номер патента: US09953994B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Thin film transistors with epitaxial source/drain and drain field relief

Номер патента: US20190172947A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Marinus P.J. Hopstaken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Polishing slurry for silicon, method of polishing polysilicon and method of manufacturing a thin film transistor substrate

Номер патента: US09982165B2. Автор: Joon-Hwa Bae,Jin-Hyung Park,Joo-Woan Cho,In-Sun Hwang,Byoung-Ho Cheong,Byoung-Kwon Choo,Jeong-Kyun NA. Владелец: UBMATERIALS Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Process for making bipolar transistor with polysilicon stringer base contact

Номер патента: US5063168A. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-11-05.

Asymmetric, double-sided self-aligned silicide and method of forming the same

Номер патента: US20030129831A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

A high electron mobility transistor with source and drain electrodes below the channel

Номер патента: WO2023100058A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Eunjung Cha,Bogdan ZOTA. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-06-08.

High electron mobility transistor with source and drain electrodes below the channel

Номер патента: US20230178642A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Cezar Bogdan Zota,Eunjung Cha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Self-aligned metal silicide process for integrated circuits having self-aligned polycrystalline silicon electrodes

Номер патента: CA1241770A. Автор: Yun B. Koh,Frank Chien,Madhu Vora. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1988-09-06.

Selective silicide process

Номер патента: US20110269310A1. Автор: Ivo Raaijmakers. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2011-11-03.

Self-aligned silicide process in forming semiconductor sidewalls

Номер патента: WO1990001795A1. Автор: Tyler A. Lowrey,Clifford A. Maxwell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1990-02-22.

Split-polysilicon CMOS process incorporating self-aligned silicidation of conductive regions

Номер патента: US5021353A. Автор: Trung T. Doan,Mark E. Tuttle,Tyler A. Lowrey,Gordon A. Haller,Dermot M. Durcan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1991-06-04.

Method of forming self-aligned silicides

Номер патента: TWI310211B. Автор: Steven Huang,Yeihsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-05-21.

IMPROVED SELF-ALIGNED SILICIDE PROCESS

Номер патента: FR2752331B1. Автор: Jason Jenq,Tung Po Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-11-06.

Method of precision resistor in self-aligned silicided mos process

Номер патента: KR940002390B1. Автор: 케이. 에이. 제터룬드 번. Владелец: 디지털 이큅먼트 코오포레이숀. Дата публикации: 1994-03-24.

Contactless local interconnect process utilizing self-aligned silicide

Номер патента: GB0214919D0. Автор: . Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-08-07.

Method of manufacturing self-aligned silicide

Номер патента: TW366528B. Автор: Shu-Jen Chen,Ruoh-Haw Chang,Jr-Ching Shiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-08-11.

Eliminating buried contact trench in MOSFET devices having self-aligned silicide

Номер патента: US6211556B1. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 2001-04-03.

Contactless local interconnect process utilizing self- aligned silicide

Номер патента: JP2003086680A. Автор: Seungmoo Choi,チョイセウングムー. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Method of forming self-aligned silicides

Номер патента: TW200620405A. Автор: Steven Huang,Yei-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-16.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: WO2024205835A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of making an igfet using solid phase diffusion to dope the gate, source and drain

Номер патента: US20010039094A1. Автор: Robert Dawson,H. Jim Fulford, Jr.,Mark W. Michael,Frederick N. Hause,Mark I. Gardner,Bradley T. Moore,Derick J. Wristers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

The manufacturing process of self-aligned silicide, CMP, self-aligned silicide semiconductor

Номер патента: TW324836B. Автор: Sy-Miin Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-01-11.

Asymmetric gate contact over source/drain contact

Номер патента: US20240332182A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Yann Mignot,Shahab Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of fabricating a MOS transistor using a self-aligned silicide technique

Номер патента: TW501236B. Автор: Hyung-Shin Kwon,Do-hyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-09-01.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: US20240332297A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of forming group III-nitride semiconductor devices including implanting ions directly into source and drain regions and annealing to activate the implanted ions

Номер патента: US09711633B2. Автор: Sten Heikman,Scott T. Sheppard,Yifeng Wu,Matthew Jacob-Mitos,R. Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Layout design for a high power, GaN-based FET having interdigitated gate, source and drain electrodes

Номер патента: US8729565B2. Автор: Milan Pophristic,Boris Peres,Linlin Liu. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2014-05-20.

Methods of forming low interface resistance rare earth metal contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09934976B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Robert S Chau,Matt Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Fork sheet device with wrapped source and drain contact to prevent nfet to pfet contact shortage in a tight space

Номер патента: US20240213243A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Indira Seshadri,Shravana Kumar Katakam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09917050B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Field-effect transistor (fet) with source-drain contact over gate spacer

Номер патента: US20140370681A1. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Kevin K. Chan,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Field-effect transistor (FET) with source-drain contact over gate spacer

Номер патента: US8969152B2. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Kevin K. Chan,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Method and structure for semiconductor mid-end-of-line (MEOL) process

Номер патента: US09633999B1. Автор: Chung-Ju Lee,Hsiang-Ku Shen,Chih Wei Lu,Chien-Hua Huang,Zhao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Process for the fabrication of mosfet devices depletion, silicided source and drain junctions

Номер патента: WO2002027799A3. Автор: Hussein Ibrahim Hanafi,Stephen Bruce Brodsky,Diane Catherine Boyd,Ronnen Andrew Roy. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-11-21.

Process for the fabrication of mosfet devices depletion, silicided source and drain junctions

Номер патента: EP1320878A2. Автор: Hussein Ibrahim Hanafi,Stephen Bruce Brodsky,Diane Catherine Boyd,Ronnen Andrew Roy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Process for the fabrication of mosfet devices depletion, silicided source and drain junctions

Номер патента: WO2002027799A2. Автор: Hussein Ibrahim Hanafi,Stephen Bruce Brodsky,Diane Catherine Boyd,Ronnen Andrew Roy. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2002-04-04.

Multigate structure formed with electroless metal deposition

Номер патента: US9099327B2. Автор: Bin Yang,Zhen Zhang,Christian Lavoie,Wilfried Haensch,Xiaoyan Shao,Paul M. Solomon,Christine Qiqing Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Multigate structure formed with electroless metal deposition

Номер патента: US20120298965A1. Автор: Bin Yang,Zhen Zhang,Christian Lavoie,Wilfried Haensch,Xiaoyan Shao,Paul M. Solomon,Christine Qiqing Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Gallium nitride transistors with source and drain field plates and their methods of fabrication

Номер патента: US20200227545A1. Автор: Stephan Leuschner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Methods of forming semiconductor structures including iii-v semiconductor material using substrates comprising molybdenum, and structures formed by such methods

Номер патента: US20150144958A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-05-28.

Recessed Single Crystalline Source and Drain For Semiconductor-On-Insulator Devices

Номер патента: US20130105898A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Method and structure for semiconductor mid-end-of-line (meol) process

Номер патента: US20170141104A1. Автор: Chung-Ju Lee,Hsiang-Ku Shen,Chih Wei Lu,Chien-Hua Huang,Zhao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Extended source/drain contact for shifted drain voltage for a backside power distribution network

Номер патента: US20240213337A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Metallizing process and structure for semiconductor devices

Номер патента: US4965173A. Автор: Herbert J. Gould. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1990-10-23.

Recessed single crystalline source and drain for semiconductor-on-insulator devices

Номер патента: US20140073092A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of forming source/drain contact

Номер патента: US9799567B2. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20160118303A1. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor structure and process for forming plug including layer with pulled back sidewall part

Номер патента: US09679813B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Chun-Chieh Chiu,Hsin-Fu Huang,Li-Han Chen,Chia Chang Hsu,Pin-Hong Chen,Shu Min Huang,Kuo-Chih Lai,Min-Chuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Silicon carbide static induction transistor and process for making a silicon carbide static induction transistor

Номер патента: US09490355B2. Автор: Pierre Morin,John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-08.

Titanium silicide formation in a narrow source-drain contact

Номер патента: US09779987B2. Автор: Min Gyu Sung,Hiroaki Niimi,Kwanyong LIM. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of fabricating a metal gate MOS transistor with self-aligned first conductivity type source and drain regions and second conductivity type contact regions

Номер патента: US5547895A. Автор: Sheng-Hsing Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-08-20.

Method of concurrently forming source/drain and gate contacts and related device

Номер патента: US09837402B1. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09478636B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Field effect device with reduced capacitance and resistance in source/drain contacts at reduced gate pitch

Номер патента: US20190311949A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Field effect device with reduced capacitance and resistance in source/drain contacts at reduced gate pitch

Номер патента: US11004737B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Field effect device with reduced capacitance and resistance in source/drain contacts at reduced gate pitch

Номер патента: US20190287850A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20130228845A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20160197091A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20150221664A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20120086070A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor device structures formed by ion-assisted oxidation

Номер патента: US7049664B2. Автор: Li Li,Pai-Hung Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-23.

Method of post-deposition treatment for silicon oxide film

Номер патента: US12100588B2. Автор: Toshiya Suzuki. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated circuit and process for fabricating thereof

Номер патента: US09941158B2. Автор: Charan Gurumurthy,Islam Salama,Houssam Jomaa,Ravi Tanikella. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of post-deposition treatment for silicon oxide film

Номер патента: US20230343587A1. Автор: Toshiya Suzuki. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods and structures for preventing gate salicidation and for forming source and drain salicidation and for forming semiconductor device

Номер патента: US20060040481A1. Автор: Bor-Wen Chan,Yu-Shen Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-02-23.

Jfet device with virtual source and drain link regions and method of fabrication

Номер патента: WO2008137294A1. Автор: Ashok K. Kapoor,Samar K. Saha. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Process for fabricating an integrated circuit cointegrating a FET transistor and an OxRAM memory location

Номер патента: US09711567B2. Автор: Yves Morand,Laurent Grenouillet,Maud Vinet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-07-18.

Junction field-effect transistor with raised source and drain regions formed by selective epitaxy

Номер патента: US9236499B2. Автор: John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Kevin K. Chan,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-12.

Transistors including first and second semiconductor materials between source and drain regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11777022B2. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Three-dimensional memory device containing alternating stack of source layers and drain layers and vertical gate electrodes

Номер патента: US20210050359A1. Автор: James Kai,Johann Alsmeier,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-18.

HEMT with epitaxial narrow bandgap source/drain contacts isolated from wide bandgap layer

Номер патента: US4714948A. Автор: Takashi Mimura,Satoshi Hiyamizu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-12-22.

Self-aligned silicide bottom plate for eDRAM applications by self-diffusing metal in CVD/ALD metal process

Номер патента: US8866261B2. Автор: Fei Liu,Qing Cao,Zhen Zhang,Zhengwen Li,Sunfei Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

Self-Aligned Silicide Bottom Plate for EDRAM Applications by Self-Diffusing Metal in CVD/ALD Metal Process

Номер патента: US20140117498A1. Автор: Fei Liu,Qing Cao,Zhen Zhang,Zhengwen Li,Sunfei Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Manufacturing method of self-aligned silicide load for static random access memory

Номер патента: US5854103A. Автор: Kuei-Chang Liang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-12-29.

Self-aligned silicide process for forming silicide layer over word lines in DRAM and transistors in logic circuit region

Номер патента: US6281067B1. Автор: Sun-Chieh Chien,Hal Lee,Jhy-Jeng Liu,Wei-Wu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-08-28.

Self-aligned silicide (salicide) process for electrostatic discharge (ESD) protection

Номер патента: US5946573A. Автор: Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-08-31.

Process for patterning local interconnects

Номер патента: US4657628A. Автор: Che-Chia Wei,Roger A. Haken,Thomas C. Holloway,David A. Bell,Thomas E. Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1987-04-14.

Semiconductor device with self aligned silicide layer and method for forming the same

Номер патента: KR20020048618A. Автор: 김진호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-06-24.

Integration circuit with self-aligned silicided ESD protection transistors

Номер патента: KR100369361B1. Автор: 정종척. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-30.

Method of forming self align silicide in semiconductor device

Номер патента: KR100953489B1. Автор: 강양범. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-04-19.

Manufacturing method of self-aligned silicide

Номер патента: TW428231B. Автор: Shu-Ren Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-04-01.

Methods of forming memory cells having self-aligned silicide

Номер патента: US6939764B2. Автор: Chun Chen,Graham Wolstenholme. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

The manufacturing method on self-aligned silicide barrier layer

Номер патента: CN106024622B. Автор: 陈宏�. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2019-04-19.

Self-aligned silicide for word lines and contacts

Номер патента: US20050242390A1. Автор: Chun Chen,Graham Wolstenholme. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Method and structure for reducing resistance in integrated circuits

Номер патента: US4885627A. Автор: Nathen P. Edwards. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-12-05.

Methods of forming hetero-layers with reduced surface roughness and bulk defect density of non-native surfaces and the structures formed thereby

Номер патента: US09711591B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Peter G. Tolchinsky,Niloy Mukherjee,Van H. Le,James M. Powers,Niti Goel,Matthew V. Metz,Loren Chow,Mark R. Lemay. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods of forming copper iodide layer and structures including copper iodide layer

Номер патента: US20230243032A1. Автор: Michael Givens,Varun Sharma,Charles DEZELAH,Bart Vermeulen,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Process for fabricating high voltage cmos with self-aligned guard rings utilizing selective diffusion and local oxidation

Номер патента: US4135955A. Автор: John T. Gasner,Anthony L. Rivoli. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1979-01-23.

PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF SIDE-BY-SIDE ISLANDS BY SELF-ORGANIZED DEPOSITION ON A SUBSTRATE AND STRUCTURE THUS OBTAINED

Номер патента: FR2814854A1. Автор: Noel Magnea,David Martrou. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2002-04-05.

Structure and process for millimetric wave sources integrated in a radial waveguide

Номер патента: US4126932A. Автор: Gerard Cachier. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1978-11-28.

Isolation structure in a semiconductor device processes and structures

Номер патента: US20140264721A1. Автор: Guo-Yu LAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Process for stabilizing a bonding interface, located within a structure which comprises an oxide layer and structure obtained

Номер патента: US09659777B2. Автор: Ionut Radu,Didier Landru,Carole David,Yann Sinquin,Lucianna Capello. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-05-23.

Process for manufacturing semiconductor bicmos devices

Номер патента: CA1273128A. Автор: Tzu-Yin Chiu,Gen Man Chin,Ronald Curtis Hanson,Kwing Fai Lee,Maureen Y. Lau,Mark D. Morris,Alexander Michael Voshchenkov. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1990-08-21.

Method and structure for implanting bonded substrates for electrical conductivity

Номер патента: WO2006058076A2. Автор: Francois J. Henley. Владелец: Silicon Genesis Corporation. Дата публикации: 2006-06-01.

STRUCTURE FOR SELF-ALIGNED SILICIDE CONTACTS TO AN UPSIDE-DOWN FET BY EPITAXIAL SOURCE AND DRAIN

Номер патента: US20140183637A1. Автор: Lauer Isaac,Cohen Guy M.,Frank David J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

SELF-ALIGNED SILICIDE FORMATION ON SOURCE/DRAIN THROUGH CONTACT VIA

Номер патента: US20130092988A1. Автор: Uozumi Yoshihiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-04-18.

Method for producing self-aligned silicide MOSFET

Номер патента: TW393691B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Tsmc Acer Semiconductor Mfg Co. Дата публикации: 2000-06-11.

Image sensor having self-aligned silicide layer

Номер патента: TW416155B. Автор: Sang-Hoon Park. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2000-12-21.

Methods of forming buried vertical capacitors and structures formed thereby

Номер патента: US09818751B2. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rajashree Baskaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods of forming buried vertical capacitors and structures formed thereby

Номер патента: US09646972B2. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rajashree Baskaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

NAND memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US10361215B2. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

NAND memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US10566341B2. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Nand memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US20210082927A1. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Nand memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US20180366473A1. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Nand memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US20200168618A1. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Nand memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US20190326303A1. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

NAND memory cell string having a stacked select gate structure and process for forming same

Номер патента: US11069699B2. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Diode structure compatible with silicide processes for ESD protection

Номер патента: US6297536B2. Автор: Ta-Lee Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-10-02.

Architecture design and process for manufacturing monolithically integrated 3D CMOS logic and memory

Номер патента: US11901360B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of forming extruded structures from polycrystalline materials and devices formed thereby

Номер патента: US20020179201A1. Автор: Lawrence Clevenger,Munir Naeem. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods of forming package structures for enhanced memory capacity and structures formed thereby

Номер патента: US20180182734A1. Автор: Ranjul Balakrishnan,Navneet K. Singh,Shanto A. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Methods of forming wafer level underfill materials and structures formed thereby

Номер патента: US09631065B2. Автор: Arjun Krishnan,Nisha ANANTHAKRISHNAN,Anna M. Prakash,James C. Matayabas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of etching a wafer layer using multiple layers of the same photoresistant material and structure formed thereby

Номер патента: WO2001011666A8. Автор: Nan Zhang. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Self-aligning contact and interconnect structure

Номер патента: CA2034075C. Автор: Joseph Tzou,Norman Godinho,Frank Tsu-Wei Lee,Hsiang-Wen Chen,Richard F. Motta,Juine-Kai Tsang,Jai-Man Baik,Ting-Pwu Yen. Владелец: Paradigm Technology Inc. Дата публикации: 1996-01-02.

Self-aligning contact and interconnect structure

Номер патента: US5656861A. Автор: Joseph Tzou,Norman Godinho,Hsiang-Wen Chen,Richard F. Motta,Juine-Kai Tsang,Jai-Man Baik,Ting-Pwu Yen,Tsu-Wei Frank Lee. Владелец: Paradigm Technology Inc. Дата публикации: 1997-08-12.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US6573546B2. Автор: Makoto Ogasawara,Yoshitaka Tadaki,Masashi Horiguchi,Norio Hasegawa,Shinichi Fukada,Makoto Ohkura,Aritoshi Sugimoto,Kiyonori Ohyu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-06-03.

Method for fabricating a semiconductor transistor and structure thereof

Номер патента: US5278441A. Автор: Young-Tae Kang,Rae-Ku Kang,Byoung-Hyeok Nho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-01-11.

Methods of forming C4 round dimple metal stud bumps for fine pitch packaging applications and structures formed thereby

Номер патента: US7952203B2. Автор: Chi-Won Hwang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-05-31.

Methods of forming C4 metal stud bump for fine pitch packaging applications and structures formed thereby

Номер патента: US20100052159A1. Автор: Chi-Won Hwang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

Method of etching a wafer layer using multiple layers of the same photoresistant material and structure formed thereby

Номер патента: WO2001011666A3. Автор: Nan Zhang. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2001-08-16.

Method of etching a wafer layer using multiple layers of the same photoresistant material and structure formed thereby

Номер патента: WO2001011666A2. Автор: Nan Zhang. Владелец: ADC TELECOMMUNICATIONS, INC.. Дата публикации: 2001-02-15.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20120292709A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: WO2010074973A3. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-10-21.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: EP2368267A2. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20100155848A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Method of forming nano-scale structures from polycrystalline materials and nano-scale structures formed thereby

Номер патента: MY120870A. Автор: Lawrence A Clevenger,Munir D Naeem. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-11-30.

Methods for depositing layers of materials on substrates and structures formed accordingly

Номер патента: US20240302748A1. Автор: Paul Chatelain,Kishan Ashokbhai Patel,Fatemeh Davodi,João Antunes Afonso,Steaphan Mark Wallace. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-12.

Method and structure to contact tight pitch conductive layers with guided vias

Номер патента: US09659860B2. Автор: Richard E. Schenker,Elliot N. Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Polycide local interconnect method and structure

Номер патента: US5294822A. Автор: Douglas P. Verrett. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-03-15.

Process for fabricating a moderate-depth diffused emitter bipolar transistor in a BICMOS device without using an additional mask

Номер патента: US5780329A. Автор: Todd A. Randazzo,John J. Seliskar. Владелец: Symbios Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20020000595A1. Автор: Makoto Ogasawara,Yoshitaka Tadaki,Masashi Horiguchi,Norio Hasegawa,Shinichi Fukada,Makoto Ohkura,Aritoshi Sugimoto,Kiyonori Ohyu. Владелец: Kiyonori Ohyu. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for forming alignment marks and structure of same

Номер патента: US10074612B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Yeur-Luen Tu,Tzu-Hsuan Hsu,Ching-Chun Wang,Cheng-Hsien Chou,Shyh-Fann Ting,Sheng-Chau Chen,Shih Pei Chou,Wei-Cheng Hsu,Hsiao-Hui Tseng,Chih-Yu Lai,Chun-Wei Chang,Kai-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-11.

Method for Forming Alignment Marks and Structure of Same

Номер патента: US20170207176A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Yeur-Luen Tu,Tzu-Hsuan Hsu,Ching-Chun Wang,Cheng-Hsien Chou,Shyh-Fann Ting,Sheng-Chau Chen,Shih Pei Chou,Wei-Cheng Hsu,Hsiao-Hui Tseng,Chih-Yu Lai,Chun-Wei Chang,Kai-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method for forming alignment marks and structure of same

Номер патента: US09627326B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Yeur-Luen Tu,Tzu-Hsuan Hsu,Ching-Chun Wang,Cheng-Hsien Chou,Shyh-Fann Ting,Sheng-Chau Chen,Shih Pei Chou,Wei-Cheng Hsu,Hsiao-Hui Tseng,Chih-Yu Lai,Chun-Wei Chang,Kai-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Systems and methods for depositing materials on either side of a freestanding film using laser-assisted chemical vapor deposition (LA-CVD), and structures formed using same

Номер патента: US09583354B2. Автор: David P. Taylor,Margaret H. Abraham. Владелец: Aerospace Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Process for fabrication of semiconductors utilizing selectively etchable diffusion sources in combination with melt-flow techniques

Номер патента: US4204894A. Автор: Kazufumi Ogawa,Tadao Komeda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-27.

Process for fabricating a complementary MIS transistor

Номер патента: US5532176A. Автор: Tadashi Hattori,Hidetoshi Muramoto,Mitsutaka Katada,Katsunori Abe,Seizi Fuzino. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-02.

Semiconductor fabrication method and structure using multiple sacrificial layers to form sidewall spacers

Номер патента: US11894231B2. Автор: HAIYANG Zhang,CHENXI Yang,Longjuan Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Methods for selective reverse mask planarization and interconnect structures formed thereby

Номер патента: US20140131893A1. Автор: Eric J. White,Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Methods for selective reverse mask planarization and interconnect structures formed thereby

Номер патента: WO2010060890A1. Автор: Zhong-Xiang He,Anthony Stamper,Jeffrey Eric White. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-06-03.

Epitaxial growth method for silicon carbide

Номер патента: US20180266012A1. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-09-20.

Wire bond mold lock method and structure

Номер патента: US09685351B2. Автор: Leo M. Higgins, III. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Fabrication process for aligned and stacked CMOS devices

Номер патента: US4654121A. Автор: Nicholas J. Szluk,Gayle W. Miller,William W. Mckinley,George Maheras,Hubert O. Hayworth. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1987-03-31.

Method and structure of middle layer removal

Номер патента: US20200266065A1. Автор: Chia-Wei Wu,Neng-Jye Yang,Chun-Li Chou,Nai-Chia Chen,Wan Hsuan Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Etching gas for silicon etch back

Номер патента: US20020066884A1. Автор: Ray Lee,Nien-Yu Tsai,Te-Hsun Pang,Mu-Tsun Ting. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2002-06-06.

Loading and unloading system for silicon wafer

Номер патента: US20240178030A1. Автор: Huan ZHOU,Xiang Shi,Jiaji Lin. Владелец: Laplace Wuxi Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Process for making complementary transistors

Номер патента: CA1191973A. Автор: Donald M. Kenney,Peter E. Cottrell,Henry J. Geipel, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-08-13.

Reflective ohmic contacts for silicon carbide including a layer consisting essentially of nickel, methods of fabricating same, and light emitting devices including the same

Номер патента: MY127699A. Автор: Helmut Hagleitner,David B Slater Jr. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-12-29.

Epitaxial growth method for silicon carbide

Номер патента: US10435813B2. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-10-08.

High aspect ratio via fill process employing selective metal deposition and structures formed by the same

Номер патента: US20230130849A1. Автор: Fumitaka Amano,Tatsuya Hinoue,Takashi Yamaha. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-27.

Etching method for silicon nitride and production method for semiconductor element

Номер патента: US12014929B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Low resistance semiconductor process and structures

Номер патента: US20030082907A1. Автор: Kunal Parekh,Michael Hermes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Pocket integration process for embedded memory

Номер патента: US12069866B2. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Process for fabricating integrated circuits having shallow junctions

Номер патента: CA1314631C. Автор: Ronald Joseph Schutz,Nadia Lifshitz. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1993-03-16.

Heat treatment jig and heat treatment method for silicon wafer

Номер патента: US20090127746A1. Автор: Takeshi Hasegawa,Hiroyuki Shiraki,Yoshinobu Nakada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

BiCMOS process for forming double-poly MOS and bipolar transistors with substantially identical device architectures

Номер патента: US5943564A. Автор: Hung-Sheng Chen,Chih Sieh Teng. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Process for manufacturing CMOS device

Номер патента: US5747368A. Автор: Ching-Nan Yang,Li-Chun Peng. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1998-05-05.

Process monitoring structures for via etch processes for semiconductor devices

Номер патента: US20240162097A1. Автор: YAN Luo,René Wientjes,Poh Cheng Tan,Deo Brat Singh,Sudeep Gudla. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Substrate(s) for an integrated circuit (ic) package employing a metal core for improved electrical shielding and structural strength, and related ic packages and fabrication methods

Номер патента: US20240355712A1. Автор: Hong Bok We,Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Michelle Yejin Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Insulated top side bump connection for a power device, for example for gate, source and drain contacts of a power field effect transistor

Номер патента: WO2014149579A1. Автор: Gregory Dix,Roger MELCHER. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Methods of forming ultra thin package structures including low temperature solder and structures formed therby

Номер патента: US20140175644A1. Автор: Sriram Srinivasan,Ram S. Viswanath,Rajasekaran Swaminathan,Rajen S. Sidhu,Paul R. Start. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Methods of forming ultra thin package structures including low temperature solder and structures formed therby

Номер патента: US09461014B2. Автор: Sriram Srinivasan,Ram S. Viswanath,Rajasekaran Swaminathan,Rajen S. Sidhu,Paul R. Start. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Methods of forming package structures for enhanced memory capacity and structures formed thereby

Номер патента: US20190074281A1. Автор: Ranjul Balakrishnan,Navneet K. Singh,Shanto A. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Methods of fabricating vertical carbon nanotube field effect transistors for arrangement in arrays and field effect transistors and arrays formed thereby

Номер патента: WO2005078819A1. Автор: David Vaclav Horak,Charles William Koburger, III,Larry Alan Nesbit,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,Peter Mitchell,Steven John Holmes. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods for forming electrically precise capacitors on insulative substrates, and structures formed therefrom

Номер патента: US09552924B2. Автор: JIANG LI,Erik Scher,Patrick Smith,Criswell Choi,Arvind Kamath. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2017-01-24.

Methods of fabricating storage elements and structures having edgeless features for programmable layer(s)

Номер патента: US9595671B1. Автор: Pascal Verrier,Jeffrey Allan SHIELDS,Kuei Chang Tsai. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Process and structure of a modified T-shaped capacitor having a rough top surface

Номер патента: US6037624A. Автор: Wei-Shang King. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2000-03-14.

Photoelectric conversion device and process for its fabrication

Номер патента: EP1075028A3. Автор: Hiroshi C/O Canon Kabushiki Kaisha Yuzurihara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-06-04.

Process for integrating in a same chip a non-volatile memory and a high-performance logic circuitry

Номер патента: EP1005079B1. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Alfonso Maurelli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-12-26.

Low temperature solder column attach by injection molded solder and structure formed

Номер патента: US20020023945A1. Автор: Peter Gruber,James Covell,David Danovitch,Lannie Bolde,Chon Lei,Guy Brouillette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Flip-chip field effect transistor layouts and structures

Номер патента: US20240266348A1. Автор: Scott Sheppard,Jeremy Fisher,Fabian Radulescu,Qianli MU,Basim Noori,Dan Namishia. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Silicon photonics integration method and structure

Номер патента: US10026852B2. Автор: Solomon Assefa,William M. Green,Tymon Barwicz,Marwan H. Khater,Steven M. Shank,Jessie C. Rosenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Silicon photonics integration method and structure

Номер патента: US9755087B2. Автор: Solomon Assefa,William M. Green,Tymon Barwicz,Marwan H. Khater,Steven M. Shank,Jessie C. Rosenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Silicon photonics integration method and structure

Номер патента: US09755087B2. Автор: Solomon Assefa,William M. Green,Tymon Barwicz,Marwan H. Khater,Steven M. Shank,Jessie C. Rosenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and structure for providing ESD protection for silicon on insulator integrated circuits

Номер патента: US5610790A. Автор: David R. Staab,Sheau-Suey Li. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1997-03-11.

Process for integrating in a same chip a non-volatile memory and a high-performance logic circuitry

Номер патента: US20020140047A1. Автор: Alfonso Maurelli,Paolo Cappelletti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-10-03.

Process and structure of an integrated vacuum microelectronic device.

Номер патента: MY106893A. Автор: Michael Zimmerman Steven. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1995-08-30.

Methods of forming stacked integrated circuits using selective thermal atomic layer deposition on conductive contacts and structures formed using the same

Номер патента: US12027488B2. Автор: Victor Wang,Charles H. Winter,Muhannad Bakir,Andrew Kummel,Nyi Myat Khine LINN,Jonathan HOLLIN,Ming-Jui LI,Mike Breeden. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Methods of fabricating vertical carbon nanotube field effect transistors for arrangement in arrays and field effect transistors and arrays formed thereby

Номер патента: EP1714330A1. Автор: David Vaclav Horak,Charles William Koburger, III,Larry Alan Nesbit,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,Peter Mitchell,Steven John Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-10-25.

Low voltage avalanche photodiode with re-entrant mirror for silicon based photonic integrated circuits

Номер патента: EP2973729A1. Автор: Ansheng Liu,Han-Din D. Liu,Yamin Kang. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Methods and structures to facilitate through-silicon vias

Номер патента: US09431320B2. Автор: Rodrigo Carrillo-Ramirez. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Silicon photoelectronic multiplier (alternatives) and locations for silicon photoelectronic multiplier

Номер патента: RU2290721C2. Автор: Елена Викторовна Попова,Борис Анатольевич Долгошеин,Сергей Николаевич Клемин,Леонид Анатольевич Филатов. Владелец: Борис Анатольевич Долгошеин. Дата публикации: 2006-12-27.

Silicon photonics integration method and structure

Номер патента: US20160181445A1. Автор: Solomon Assefa,William M. Green,Tymon Barwicz,Marwan H. Khater,Steven M. Shank,Jessie C. Rosenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon photonics integration method and structure

Номер патента: US20200075781A1. Автор: Solomon Assefa,William M. Green,Tymon Barwicz,Marwan H. Khater,Steven M. Shank,Jessie C. Rosenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Silicon photonics integration method and structure

Номер патента: US20180269338A1. Автор: Solomon Assefa,William M. Green,Tymon Barwicz,Marwan H. Khater,Steven M. Shank,Jessie C. Rosenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Silicon photonics integration method and structure

Номер патента: US20170194513A1. Автор: Solomon Assefa,William M. Green,Tymon Barwicz,Marwan H. Khater,Steven M. Shank,Jessie C. Rosenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Silicon photonics integration method and structure

Номер патента: US20160247944A1. Автор: Solomon Assefa,William M. Green,Tymon Barwicz,Marwan H. Khater,Steven M. Shank,Jessie C. Rosenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Methods and structures to facilitate through-silicon vias

Номер патента: WO2014149274A1. Автор: Rodrigo Carrillo-Ramirez. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2014-09-25.

Metal-free frame design for silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: US12074121B2. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim,Sairam Agraharam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Silicone product, lighting device, containing silicone product, and method for silicone product manufacture

Номер патента: RU2632840C2. Автор: ЛАТ Антониус Вильхельмус Мария ДЕ,Рулоф КОЛЕ,Марсель Рене БОМЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-10-10.

Method to form nanosized pattern on substrate (versions) and structure with pattern comprising nanosized self-assembled self-built structures

Номер патента: RU2462412C2. Автор: Чарлз Т. БЛЭК,Тимоти Дж. ДЭЛТОН,Брюс Б. ДОРИС,Карл РЕЙДЕНС,Чарлз Т. БЛЭК (US),Тимоти Дж. ДЭЛТОН (US),Брюс Б. ДОРИС (US),Карл РЕЙДЕНС (US). Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2012-09-27.

Curable resin composition for silicon-containing resist, pattern forming method, method for producing imprint mold, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240004294A1. Автор: Masakazu Kaneko,Yasuhiro Okawa,Hirokazu Oda,Shintaro Nasu. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Active layer for silicon light-emitting devices and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120119185A1. Автор: Hideo Iwase. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-17.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Electrically Optimized and Structurally Protected Via Structure for High Speed Signals

Номер патента: US20080272862A1. Автор: Gen Yamada,Paul M. Harvey,Kazushige Kawasaki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Methods of quantifying variations resulting from manufacturing-induced corner rounding of various features, and structures for testing same

Номер патента: US20070298524A1. Автор: Mark W. Michael,David D. Wu,Akif Sultan,Jingrong Zhou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-27.

Radiation Source and Method for the Operation Thereof

Номер патента: US20160013409A1. Автор: Alexander Burenkov. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2016-01-14.

Hole-blocking silicon/titanium-oxide heterojunction for silicon photovoltaics

Номер патента: EP2826070A1. Автор: James C. Sturm,Sushobhan Avasthi,William E. MCCLAIN,Jefferey SCHWARTZ. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-01-21.

Radiation source and method for the operation thereof

Номер патента: US9812642B2. Автор: Alexander Burenkov. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2017-11-07.

Movable jig for silicon-based thin film solar cell

Номер патента: US20120142137A1. Автор: Yi Li,Jianhua Zhou,Zhijiang Li,Zhubing He,Shengming Hu,Chunzhu Wang. Владелец: Shenzhen Trony Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Core-shell nickel alloy composite particle metallization layers for silicon solar cells

Номер патента: US09698283B2. Автор: Stephen T. Connor,James Randy GROVES,Brian E. Hardin,Craig H. Peters. Владелец: Plant PV Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF MATERIALS FOR INTERNAL OXIDIZED AG-SNO SYSTEM LEAD ELECTRONIC CONTACTS AND MATERIALS PRODUCED BY THAT PROCESS

Номер патента: PT82516B. Автор: . Владелец: Chugai Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 1992-07-31.

Process for silicon nanowire-graphene hybrid mat

Номер патента: US09755225B2. Автор: Aruna Zhamu,Bor Z. Jang,Qing Fang. Владелец: Nanotek Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

System and method for silicon material manufacturing

Номер патента: WO2024129683A1. Автор: Robert C. IONESCU,Chueh Liu LIU. Владелец: Ionobell, Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

System and method for silicon material manufacturing

Номер патента: US20240109779A1. Автор: Robert C. IONESCU,Chueh LIU. Владелец: Ionobell Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Method And System For Silicon-Dominant Lithium-Ion Cells With Controlled Utilization of Silicon

Номер патента: US20240154086A1. Автор: Benjamin Park,Sung Won Choi,Ian Browne,Fred Bonhomme. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Method and system for silicon-dominant lithium-ion cells with controlled utilization of silicon

Номер патента: EP4042497A1. Автор: Benjamin Park,Sung Won Choi,Ian Browne,Fred Bonhomme. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2022-08-17.

Method and system for silicon-dominant lithium-ion cells with controlled utilization of silicon

Номер патента: WO2021071695A1. Автор: Benjamin Park,Sung Won Choi,Ian Browne,Fred Bonhomme. Владелец: ENEVATE CORPORATION. Дата публикации: 2021-04-15.

Process for producing silicon nanowires directly from silicon particles

Номер патента: US09774033B2. Автор: Aruna Zhamu,Bor Z. Jang,Qing Fang. Владелец: Nanotek Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Conformal metallization process for the fabrication of semiconductor laser devices

Номер патента: US20130163631A1. Автор: Jia-Sheng Huang,Phong Thai. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Method and system for water soluble weak acidic resins as carbon precursors for silicon-dominant anodes

Номер патента: US20240290943A1. Автор: Benjamin Park,Younes Ansari,Liwen Ji. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and system for water soluble weak acidic resins as carbon precursors for silicon-dominant anodes

Номер патента: US20220140314A1. Автор: Benjamin Park,Younes Ansari,Liwen Ji. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method and system for water soluble weak acidic resins as carbon precursors for silicon-dominant anodes

Номер патента: US11699786B2. Автор: Benjamin Park,Younes Ansari,Liwen Ji. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2023-07-11.

Method and system for water soluble weak acidic resins as carbon precursors for silicon-dominant anodes

Номер патента: US12113200B2. Автор: Benjamin Park,Younes Ansari,Liwen Ji. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Light source and ts manufacturing process

Номер патента: RU2260226C2. Автор: Йорг АРНОЛЬД,Йорг АРНОЛЬД (DE). Владелец: Ип2Х Аг. Дата публикации: 2005-09-10.

Energy-efficient pyrometallurgical process for treating li-ion batteries

Номер патента: US20240258597A1. Автор: Lennart SCHEUNIS. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2024-08-01.

Variable-frequency optical combs, heterodyne sensor, and process for performing spectroscopy

Номер патента: US09903808B2. Автор: David A. Long,Joseph T. Hodges,Kevin O. Douglass,Adam J. Fleisher,David F. Plusquellic. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2018-02-27.

Aqueous based polymers for silicon anodes

Номер патента: US20230275230A1. Автор: Qing Zhang,Benjamin Yong Park,Younes Ansari,Anil Malhotra,Ambica Nair. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Method and system for pulverization mitigation additives for silicon dominant anodes

Номер патента: US20230352653A1. Автор: Benjamin Park. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Antenna housing and structure for antenna housing

Номер патента: US20210091449A1. Автор: Stefan Weber,Eckart STUIBLE. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2021-03-25.

Method and system for water soluble weak acidic resins as carbon precursors for silicon-dominant anodes

Номер патента: US11923531B2. Автор: Benjamin Park,Younes Ansari,Liwen Ji. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Method and system for water based phenolic binders for silicon-dominant anodes

Номер патента: WO2022010670A1. Автор: Benjamin Park,Younes Ansari,Liwen Ji,Sanjaya D. Perera. Владелец: ENEVATE CORPORATION. Дата публикации: 2022-01-13.

Processes for making niobium-based electrode materials

Номер патента: US12021231B2. Автор: Konstantinos Gerasopoulos,Dajie Zhang,Matthew W. Logan. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-25.

Processes for making niobium-based electrode materials

Номер патента: US12015150B2. Автор: Konstantinos Gerasopoulos,Dajie Zhang,Matthew W. Logan. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-18.

Processes for making niobium-based electrode materials

Номер патента: US20230299279A1. Автор: Konstantinos Gerasopoulos,Dajie Zhang,Matthew W. Logan. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-21.

Process for lithiating negative electrodes for lithium ion electrochemical cells

Номер патента: US09837659B2. Автор: Nicholas P. Irish,Michael P. Balogh,Nicole D. Ellison. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Electrochemical process for the production of synthesis gas using atmospheric air and water

Номер патента: US09631285B2. Автор: Ashok V. Joshi,Joseph J. Hartvigsen,John Howard Gordon,S. Elangovan,Shekar Balagopal,Michele Hollist. Владелец: Ceramatec Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Thermal evaporation process for manufacture of solid state battery devices

Номер патента: US09631269B2. Автор: Ann Marie Sastry,Marc Langlois,Hyoncheol KIM,Myoungdo Chung. Владелец: Sakti3 Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Self-aligned, silicided, trench-based, dram/edram processes with improved retention

Номер патента: US20060160298A1. Автор: Kim Bosang,Herbert Ho,Babar Khan,Oh-Jung Kwon,Deok-kee Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Process for securing projecting studs in the ends of wood resin composite bodies and the like and the structure formed thereby

Номер патента: US4420354A. Автор: Meade A. Gougeon,Jan C. Gougeon. Владелец: Gougeon Brothers Inc. Дата публикации: 1983-12-13.

Process for the preparation of neuraminidase from viral sources and methods of utilizing same

Номер патента: US4136168A. Автор: Robert Fontanges. Владелец: Science Union et Cie. Дата публикации: 1979-01-23.

Process for preparing ethylene glycol from a carbohydrate source and hydrogen in a continuous way

Номер патента: WO2023186840A1. Автор: Benjamin Mckay,Faezeh ESMAEILI,Scott Henry Russell. Владелец: Avantium Knowledge Centre B.V.. Дата публикации: 2023-10-05.

Process for fabricating a field-effect transistor with a buried Mott material oxide channel

Номер патента: US20010055818A1. Автор: BRUCE Scott,Alejandro Schrott,James Misewich. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Epitaxial source/drain contacts self-aligned to gates for deposited fet channels

Номер патента: WO2011157487A1. Автор: Vijay Narayanan,Paul Chang,Jeffrey Sleight,Josephine Chang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for fabricating memory cell matrix having parallel source and drain interconnection metal lines formed on the substrate and topped by orthogonally oriented gate interconnection parallel metal lines

Номер патента: US5279982A. Автор: Pier L. Crotti. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1994-01-18.

Surface acoustic wave RFID sensor for material and structure sensing

Номер патента: US10523181B2. Автор: Ayal Ram. Владелец: Epitronic Holdings Pte Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Process for the fabrication of an integrated circuit comprising MOS transistors for low voltage, EPROM cells and MOS transistors for high voltage

Номер патента: US20010018250A1. Автор: Nicola Zatelli,Barbara Crivelli,Elisabetta Palumbo,Daniela Peschiaroli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-08-30.

Organic thin film transistor and process for manufacturing same

Номер патента: US7598116B2. Автор: Roberta Cuozzo,Anna Morra,Teresa Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-10-06.

Humidity-sensing structural color emitting laminate and structural color display device self-powered by triboelectricity including the same laminate

Номер патента: US20230184687A1. Автор: Jae Won Lee,Cheolmin Park,Taebin KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2023-06-15.

Process for fabricating electrically alterable floating gate memory devices

Номер патента: US4780424A. Автор: Simon M. Tam,Mark A. Holler. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1988-10-25.

Cooling system with integrated fill and drain pump

Номер патента: US09918409B2. Автор: Daniel J. Kearney,Gary F. Goth,Francis R. Krug, Jr.,Robert K. Mullady,Allan C. VANDEVENTER,Randy J. Zoodsma,Donald W. Porter,David L. Edwards,Peter W. Kelly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Cooling system with integrated fill and drain pump

Номер патента: US09861013B2. Автор: Daniel J. Kearney,Gary F. Goth,Francis R. Krug, Jr.,Robert K. Mullady,Allan C. VANDEVENTER,Randy J. Zoodsma,Donald W. Porter,David L. Edwards,Peter W. Kelly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method and system for cwdm mux/demux designs for silicon photonics interposers

Номер патента: EP3864776A1. Автор: Subal Sahni. Владелец: Luxtera LLC. Дата публикации: 2021-08-18.

Condensation Compound Between Fluorinated Cyclopentane Ring and Aromatic Ring, and Process for Producing the Same

Номер патента: US20080207922A1. Автор: Yutaka Ie,Yoshio Aso. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Condensation compound between fluorinated cyclopentane ring and aromatic ring, and process for producing the same

Номер патента: US20110213162A1. Автор: Yutaka Ie,Yoshio Aso. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Condensation compound between fluorinated cyclopentane ring and aromatic ring, and process for producing the same

Номер патента: US20110282073A1. Автор: Yutaka Ie,Yoshio Aso. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Local light biasing for silicon photomultiplier-based optical wireless communication

Номер патента: US20240235691A1. Автор: Junyi Li,Xiaoxia Zhang,Jason Bush,Jing Sun,Yisheng Xue,Morteza SOLTANI,Karoly Becze,Deepu Alex. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and process for monitoring network behaviour of internet-of-things (IoT) devices

Номер патента: AU2019396129B2. Автор: Vijay Sivaraman,Hassan Habibi Gharakheili,Mohammed Ayyoob Ahamed HAMZA. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Method and system for silicon photonics wavelength division multiplexing transceivers

Номер патента: US09912408B2. Автор: Peng Sun,Peter De Dobbelaere,Attila Mekis,Yannick De Koninck,Lieven Verslegers. Владелец: Luxtera LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing a memory FET with shorted source and drain region

Номер патента: US4608748A. Автор: Hideo Noguchi,Tugunari Iwamoto. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-09-02.

Systems and methods for filling and draining liquid of a liquid cooling system

Номер патента: US20240040745A1. Автор: Laura Smith,Ben J. Sy,Eric M. Tunks,Camden SCHREEDER,Ian GREENER,Nathaniel HONL,Andre BRANCO,Pavel LAZURENKO,Jackson COLVIN. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-02-01.

Selective segment via plating process and structure

Номер патента: US09867290B2. Автор: Pui Yin Yu,Kwan Pen. Владелец: Multek Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Selective segment via plating process and structure

Номер патента: US09763327B2. Автор: Pui Yin Yu,Kwan Pen. Владелец: Multek Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of producing electroluminescent material 1,10-phenanthroline-tri-(thenoyltrifluoroacetonate) europium (iii) for use in production of organic light-emitting diodes (oled) and structures based thereon

Номер патента: RU2584208C1. Автор: Николай Николаевич Усов,Игорь Христофорович Аветисов,Александр Генрихович Чередниченко,Борис Афанасьевич Кондрацкий,Олег Алексеевич Грачев,Олег Геннадьевич Котовский. Владелец: Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "ЦИКЛОН". Дата публикации: 2016-05-20.

Method and system for CWDM MUX/DEMUX designs for silicon photonics interposers

Номер патента: US10917190B2. Автор: Subal Sahni. Владелец: Luxtera LLC. Дата публикации: 2021-02-09.

Circuit and structure having high input impedance and DC return

Номер патента: US4050031A. Автор: Paul R. Gray,Mark L. Stephens. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1977-09-20.

Protection of conductive connection by electrophoresis coating and structure formed thereof

Номер патента: WO2002089543A1. Автор: Alfred I-Tsung Pan. Владелец: Hewlett-Packard Company. Дата публикации: 2002-11-07.

Protection of conductive connection by electrophoresis coating and structure formed thereof

Номер патента: EP1382232A1. Автор: Alfred I-Tsung Pan. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-01-21.

Process for manufacturing a plasma source, and plasma source obtained from this manufacturing process

Номер патента: WO2012101472A1. Автор: Peter Choi. Владелец: Nano-Uv. Дата публикации: 2012-08-02.

Methods and structures for generating smooth electrodes and electrode structures with a uniformly smooth surface

Номер патента: US20240235513A1. Автор: Mohammad Jafar Modarres-Zadeh. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and structure for implementing column attach coupled noise suppressor

Номер патента: US20050098607A1. Автор: Philip Germann,Mark Maxson,Gerald Bartley,Darryl Becker,Paul Dahlen,Andrew Maki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-05-12.

Provisioning and streaming media to wireless speakers from fixed and mobile media sources and clients

Номер патента: WO2008011384A3. Автор: Ravi Rajapakse. Владелец: Blackfire Res Corp. Дата публикации: 2008-04-24.

Method and system for an optoelectronic built-in self-test system for silicon photonics optical transceivers

Номер патента: US09960888B2. Автор: Steffen Gloeckner,Joseph Balardeta,Scott Denton,Simon Pang,Subal Sahni. Владелец: Luxtera LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Process for gas-heated reforming of a hydrocarbon source and a related plant

Номер патента: US20150132200A1. Автор: Enrico Rizzi,Gabriele Germani. Владелец: Casale SA. Дата публикации: 2015-05-14.

Process for making a lighter sic structure, such as a sandwich structure with a honeycomb core and structure obtained with such process

Номер патента: CA2172920A1. Автор: Gerard Rousseau,Frederic Boursereau,Jean-Pascal Chenier. Владелец: Jean-Pascal Chenier. Дата публикации: 1996-09-30.

Microporous membranes having increased pore densities and process for making the same

Номер патента: US5013439A. Автор: Harold M. Fisher,Daniel E. Leone,James J. Lowery. Владелец: Hoechst Celanese Corp. Дата публикации: 1991-05-07.

Methods of producing construction elements, construction elements produced thereby, and structures produced therefrom

Номер патента: WO2023205162A1. Автор: Maria Mirian Velay Lizancos. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-10-26.

IMPREGNATION PROCESS FOR A FUNCTIONAL FIBROUS SUBSTRATE, LIQUID MONOMERIC SYRUP FOR THE IMPREGNATION PROCESS, ITS POLYMERIZATION METHOD AND STRUCTURAL ARTICLE OBTAINED

Номер патента: FR3016641B1. Автор: Pierre Gerard,Michel Glotin,Sebastien Taillemite. Владелец: Arkema France SA. Дата публикации: 2020-02-21.

Impregnation process for a fibrous substrate, a liquid monomer syrup for the impregnation process, its polymerization method and structured article obtained therefrom

Номер патента: ES2804100T3. Автор: Pierre Gerard,Michel Glotin,Sebastien Taillemite. Владелец: Arkema France SA. Дата публикации: 2021-02-03.

IMPREGNATION PROCESS FOR A FIBROUS SUBSTRATE, LIQUID (METH) ACRYLIC SYRUP FOR THE IMPREGNATION PROCESS, ITS POLYMERIZATION PROCESS AND STRUCTURE PRODUCT OBTAINED THEREFROM

Номер патента: FR2993581B1. Автор: Pierre Gerard,Gilles Francois,Gilles Hochstetter,Michel Glotin,Pole Plasturgie De L Est Jean-Pierre Cauchois,Pole Plasturgie De L Est Camille Perrin. Владелец: Arkema France SA. Дата публикации: 2016-01-22.

IMPREGNATION PROCESS FOR A FIBROUS SUBSTRATE, LIQUID (METH) ACRYLIC SYRUP FOR THE IMPREGNATION PROCESS, ITS POLYMERIZATION PROCESS AND STRUCTURE PRODUCT OBTAINED THEREFROM

Номер патента: FR2993581A1. Автор: Pierre Gerard,Gilles Francois,Gilles Hochstetter,Michel Glotin,Pole Plasturgie De L Est Jean-Pierre Cauchois,Pole Plasturgie De L Est Camille Perrin. Владелец: Arkema France SA. Дата публикации: 2014-01-24.

PROCESS FOR GAS-HEATED REFORMING OF A HYDROCARBON SOURCE AND A RELATED PLANT

Номер патента: US20150132200A1. Автор: Rizzi Enrico,Germani Gabriele. Владелец: Casale SA. Дата публикации: 2015-05-14.

Process for the preparation of polymetallo(disily) silazane polymers and the polymers therefrom

Номер патента: CA1246281A. Автор: Loren A. Haluska. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1988-12-06.

A process for the preparation of a thixotropic composition

Номер патента: EP3535308A1. Автор: Martin Bosma,Richard Hendrikus Gerrit Brinkhuis,Petrus Johannes Maria David Elfrink,Enrico Richardus August Rensen. Владелец: ALLNEX NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2019-09-11.

Methods of forming sensor integrated packages and structures formed thereby

Номер патента: US09505607B2. Автор: Zheng Zhou,Feras Eid,Javier Soto Gonzalez,Sasha N. OSTER,Islam A. Salama,Kyu Oh Lee,Lay Wai Kong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Integrated pressure sensor with remote power source and remote read-out

Номер патента: US5610340A. Автор: William N. Carr,Subramanyam Chamarti. Владелец: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 1997-03-11.

Method for improving the adhesion of silicone elastomers to pre-cured silicone elastomeric substrates, and primer composition for silicone rubber compositions and elastomeric materials

Номер патента: US20240262970A1. Автор: Patrick Beyer,Roman Vanecek. Владелец: Dow Silicones Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Multilayer structure formed by layers of nanoparticles having one-dimensional photonic crystal properties, method of making and using said structure

Номер патента: RU2454688C2. Автор: ПЕРЕС Сильвия КОЛОДРЕРО,ХУРАДО Мануэль ОКАНЬЯ,ГАРСИЯ Эрнан Руй МИГЕС. Владелец: Консехо Супериор Де Инвестигасионес Сьентификас. Дата публикации: 2012-06-27.

Test and drain valve with integrated relief valve

Номер патента: AU2021309188A1. Автор: Krishnaswamy Manikandan,James O. Williams,Normand James Roy,Joshua MOTHA. Владелец: Tyco Fire Products LP. Дата публикации: 2022-12-01.

Structure forming method, structure forming apparatus, structure forming program and structure forming processing medium

Номер патента: US20200262217A1. Автор: Fusao Nishiura. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Process for growing a film epitaxially upon an oxide surface and structures formed with the process

Номер патента: US5821199A. Автор: Rodney Allen Mckee,Frederick Joseph Walker. Владелец: Lockheed Martin Energy Systems Inc. Дата публикации: 1998-10-13.

Shell element, shell structure and structure forming set

Номер патента: US20190093375A1. Автор: Keisuke Kitagawa. Владелец: Jinzaikaihatsu-Sienkikou Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Primer for silicone rubber compositions and elastomeric materials

Номер патента: EP3963018A1. Автор: Patrick Beyer,Roman Vanecek. Владелец: Dow Silicones Corp. Дата публикации: 2022-03-09.

Hydrophilic silica as filler for silicone rubber formulations

Номер патента: US09725326B2. Автор: Michael Kempf,Gottlieb-Georg Lindner. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2017-08-08.

Process for forming a graded index optical material and structures formed thereby

Номер патента: US4545646A. Автор: Ronald T. Smith,Mao-Jin Chern,John W. Peters. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1985-10-08.

Method of making a slitted or particulate absorbent material and structures formed thereby

Номер патента: WO1999042067A1. Автор: John Lee Hammons,Gary Dean Lavon,Ronald Ray Mcfall,Donald Carroll Roe,John Richard Noel. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 1999-08-26.

Impregnation process for a fibrous substrate, a liquid (meth) acrylic syrup for the impregnation process, its method of polymerization and structured article obtained thereof

Номер патента: US11773247B2. Автор: Pierre Gerard,Gilles Hochstetter,Jean-Pierre Cauchois,Michel Glotin,Camille Perrin,Gilles Raymond Francois. Владелец: Arkema France SA. Дата публикации: 2023-10-03.

Structures and methods of manufacturing including structures formed based on directed force loading or shock induced deformation and orientation of microstructures

Номер патента: US20150298194A1. Автор: Eric Scheid. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-10-22.

Process for recovering and improving production of meso-lactide from a crude lactide containing stream

Номер патента: US09573925B2. Автор: Denis Mignon,Philippe Coszach. Владелец: Futerro SA. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of manufacturing food dispersion containing butter and structure-forming agent

Номер патента: RU2377781C2. Автор: Экхард ФЛЕТЕР,ДЕН БЕРГ Корнелия София Мартье ВАН,Геррит Ян Виллем ГАУДАППЕЛЬ,Йоханнес Йозеф Мария ЯНССЕН,Ксавье Ив ЛАУТЕСЛАГЕР,Готэм Сатиамюрти НИВАРТИ,Франк Эмили ВУББОЛТС. Владелец: Юнилевер Н.В.. Дата публикации: 2010-01-10.

Crystallisation pan for silicon crystallisation

Номер патента: RU2355832C2. Автор: Жильбер РАНКУЛЬ. Владелец: Везувиус Крусибл Компани. Дата публикации: 2009-05-20.

Device for siliconizing by vapor-liquid-phase method

Номер патента: RU2723247C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Геннадьевич Лунегов,Михаил Владимирович Никитин. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2020-06-09.

Steam generation and drain system for modular oven

Номер патента: EP4330602A1. Автор: Philip R. Mckee,Lee Thomas Vanlanen,Jeff Maddox,Craig Douglas Burnett. Владелец: Alto Shaam Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Methods and apparatuses for producing carbon nanotubes, methods of producing such apparatuses, and structures formed from such nanotubes

Номер патента: US20240010497A1. Автор: Peter J. Schubert. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-11.

Process of tailoring vibratory characteristics of a cover for an open body hollow vane assembly, hollow vane assembly, and process for modifying a vibratory characteristic of a cover to an open body

Номер патента: EP4431701A1. Автор: William John Oldach,David E. Bitter,William C. Sheridan,Matthew Michael Massaro. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Process of tailoring vibratory characteristics of a cover for an open body hollow vane assembly, hollow vane assembly and process for modifying a vibratory characteristic of a cover to an open body

Номер патента: EP4431700A1. Автор: William John Oldach,David E. Bitter,William C. Sheridan,Matthew Michael Massaro,Bret B. Bonarrigo. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Apparatus and process for manufacturing tyres for vehicle wheels

Номер патента: US09616628B2. Автор: Gianni Mancini,Gaetano Lo Presti,Maurizio Marchini. Владелец: Pirelli Tyre SpA. Дата публикации: 2017-04-11.

Cutting structures and structures for retaining the same

Номер патента: US09482058B2. Автор: Michael A. Siracki. Владелец: Smith International Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Finite flow pattern word representation device, word representation method, and program, structure shape learning method, and structure designing method

Номер патента: EP4006918A1. Автор: Takashi SAKAJO,Tomoo YOKOYAMA. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2022-06-01.

A Method for Silicon Carbide Slip Casting and Sintering

Номер патента: LU102184B1. Автор: Changqing Li,Yansong Li,Baoliang Liu. Владелец: Univ Guangdong Petrochem Tech. Дата публикации: 2021-05-12.

Structured illumination apparatus, structured illumination microscopy, and structured illumination method

Номер патента: US20140092463A1. Автор: Hisao Osawa,Naoki Fukutake,Tatsushi Nomura. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Bi-material cantilevers with flipped over material sections and structures formed therefrom

Номер патента: WO2006047156A2. Автор: Arun Majumdar,Roberto Horowitz,Si-Hyung Lim,Jongeum Choi. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2006-05-04.

Sink and drain for sink

Номер патента: US20200248441A1. Автор: Shawn Daly,Christopher Waas,Erik Lynch,Robert Zudic,Jonathan Chee Yeen Chong,Daniel Keating Childs. Владелец: Elkay Manufacturing Co. Дата публикации: 2020-08-06.

Soft magnetic alloy embodiments for additive manufacturing and geometric structures formed therefrom

Номер патента: US20200263281A1. Автор: Keith Carver,Benjamin Stump,Ryan Dehoff,Peeyush Nandwana,Alexander Plotkowski,Frederick List, III,Jason Pries. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2020-08-20.

Composition for silicone rubber foam, manufacturing method of silicone rubber foam, and silicone rubber foam

Номер патента: US20140288197A1. Автор: Masanari Shimakawa. Владелец: MOMENTIVE PERFORMANCE MATERIALS JAPAN LLC. Дата публикации: 2014-09-25.

Sink and drain for sink

Номер патента: US09783968B2. Автор: Shawn Daly,Jonathan Chee Yeen Chong,Daniel Keating Childs. Владелец: Elkay Manufacturing Co. Дата публикации: 2017-10-10.

Nozzle for silicon container

Номер патента: US09744554B2. Автор: Sunhee Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-29.

Fill and drain fittings for a hydroponic flood table

Номер патента: US09717192B1. Автор: Michael Danner,Steven Sawicki. Владелец: Eugene G Danner Manufacturing Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Water dispenser and drain for use with a toilet

Номер патента: US09554676B1. Автор: Bernard Bisciotti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-31.

Wholly aromatic polyamides, processes for preparing them and structures formed from them

Номер патента: CA1322429C. Автор: Peter Klein,Karl Heinrich,Gunter Keil. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1993-09-21.

Locking and draining device of a railway tank car

Номер патента: RU170721U9. Автор: Денис Владимирович Шевченко,Кирилл Вальтерович Кякк,Роман Александрович Савушкин,Сергей Александрович Савельев,Александр Васильевич Александр Васильевич Калугин,Дмитрий Трофимович Дмитрий Трофимович Лавренко. Владелец: РЕЙЛ 1520 АйПи ЛТД. Дата публикации: 2022-04-11.

Washing machine appliances with shortened supplementary spin and drain cycles

Номер патента: US20240060226A1. Автор: Ryan James Scheckelhoff,Ryan Ellis Leonard. Владелец: Haier US Appliance Solutions Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Word representation device of finite type flow pattern, word representation method, program, learning method of structure shape, and structure designing method

Номер патента: US20220300539A1. Автор: Takashi SAKAJO,Tomoo YOKOYAMA. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2022-09-22.

Strand for stressed concrete structure and process for its production

Номер патента: WO1987003322A1. Автор: Otto Lakatos,Lajos Madarasz. Владелец: "December 4." Drótmüvek. Дата публикации: 1987-06-04.

Process and apparatus for forming edible products, and products formed thereby

Номер патента: AU7416281A. Автор: Gary Norman Binley. Владелец: UNILEVER PLC. Дата публикации: 1982-02-16.

Structure detection apparatus, structure detection method, and structure detection processing program

Номер патента: US20220172389A1. Автор: Tomoya Shimizu,Masaaki Inoue,Ryuji Honda,Hiroyuki Oshida. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Waste water treatment process for animal processing contaminant removal

Номер патента: EP1490303A4. Автор: Stephen Allen. Владелец: Water Solutions Inc. Дата публикации: 2007-02-28.

Composition for silicone rubber foam, manufacturing method of silicone rubber foam, and silicone rubber foam

Номер патента: US20150267021A1. Автор: Masanari Shimakawa. Владелец: MOMENTIVE PERFORMANCE MATERIALS JAPAN LLC. Дата публикации: 2015-09-24.

A graphite crucible for electromagnetic induction melting silicon and apparatus for silicon melting and refining using the graphite crucible

Номер патента: EP2334850A1. Автор: Sang Hyun Park,Young Soo Ahn,Dong Kook Kim,Bo Yun JANG,Joon Soo Kim,Gwon Jong Yu. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2011-06-22.

Formulation for silicone hydrogel, silicone hydrogel and method for forming silicone hydrogel

Номер патента: US09896531B2. Автор: Hsiu-Wen Chien. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Channel for collecting road dust and draining water

Номер патента: RU2764554C1. Автор: Сяньминь СЮЙ. Владелец: Шанхай Санкан Энвайромент Текнолоджи Ко.Лтд. Дата публикации: 2022-01-18.

Building block and structures formed therefrom

Номер патента: CA1101688A. Автор: Gary L. Hansen,Keith W. Inness. Владелец: Insulock Corp. Дата публикации: 1981-05-26.

SHUT-OFF AND DRAIN DEVICE OF TANK CAR

Номер патента: RU210198U1. Автор: Александр Васильевич Калугин,Владимир Александрович Шнек,Денис Александрович Квактун,Татьяна Николаевна Шипицына. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Торгово-Закупочная Компания ОВК" (ООО "ТЗК "ОВК"). Дата публикации: 2022-03-31.

Apparatus and processes for silicon on insulator mems pressure sensors

Номер патента: CA2807671A1. Автор: George C. Brown,Curtis Rahn. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Process for the production of a hybrid structure consisting of coupled silk fibroin microfibers and nanofibers, hybrid structure thus obtained and its use as implantable medical device

Номер патента: CA2965600C. Автор: Antonio Alessandrino. Владелец: Silk Biomaterials Srl. Дата публикации: 2023-03-07.

Water closet bowl support and drain assembly

Номер патента: GB749121A. Автор: Hurley Vernon Boggess,John Henry Schmid. Владелец: J A ZURN Manufacturing CO. Дата публикации: 1956-05-16.

Thin film transistor array having single light shield layer over transistors and gate and drain lines

Номер патента: US5327001A. Автор: Haruo Wakai,Nobuyuki Yamamura,Syunichi Sato,Minoru Kanbara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1994-07-05.

Process for the production of a hybrid structure consisting of coupled silk fibroin microfibers and nanofibers, hybrid structure thus obtained and its use as implantable medical device

Номер патента: AU2015338739A1. Автор: Antonio Alessandrino. Владелец: Silk Biomaterials Srl. Дата публикации: 2017-06-15.

Production process for silicone polymer

Номер патента: US20190023848A1. Автор: Hidetoshi Kato,Masayuki Mizuta,Hiroyasu Seki,Hisatake Kobayashi. Владелец: Toray Fine Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Trapping storage flash memory cell structure with inversion source and drain regions

Номер патента: US20080205166A1. Автор: Mu-Yi Liu,Chia-Lun Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Production method for silicon monocrystal

Номер патента: US20230340691A1. Автор: Hitomi Yamamoto,Shogo Kobayashi,Takahiro KANEHARA,Norihito Fukatsu. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Organic thin film transistor with protic group on source and drain electrodes for determining presence and/or concentration of ester

Номер патента: WO2020152453A1. Автор: Pascal Cachelin. Владелец: SUMITOMO CHEMICAL CO., LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for silicon reduction with dimercaptosuccinic acid (dmsa)

Номер патента: CA2012470A1. Автор: Harvey Craig Gonick,Farhad Khalil-Manesh,Elmar Willibald Johannes Weiler. Владелец: Cedars Sinai Medical Center. Дата публикации: 1991-09-19.

Standardized step module for building prefabricated staircases, process for producing such module, prefabricated staircase and process for assemblying prefabricated staircases

Номер патента: AU1382392A. Автор: Mastella Massimo,Salva' Domenico. Владелец: Generali Costruzioni Srl abbr GECO Srl. Дата публикации: 1992-10-01.

SYSTEM AND PROCESS FOR EFFICIENT SCR AT HIGH NO2 TO NOx RATIOS

Номер патента: WO2021115815A1. Автор: David Taylor,Kim Hougaard PEDERSEN,Wayne S. Jones. Владелец: UMICORE AG & CO. KG. Дата публикации: 2021-06-17.

Process for manufacturing a pure porous 3D diamond

Номер патента: US12065357B2. Автор: Saeed Alhassan ALKHAZRAJI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-20.

Gas-jet driven rotary device for generating a field and a process for treating items within the field for increased performance

Номер патента: US20040191055A1. Автор: Karl Aegerter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-30.

Gas-jet driven rotary device for generating a field and a process for treating items within the field for increased performance

Номер патента: US20060257242A1. Автор: Karl Aegerter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Methods for increasing aggregate hardness, hardened aggregate, and structures including the hardened aggregate

Номер патента: US09850176B2. Автор: Dal N. Hills,Jeffrey L. Koebrick. Владелец: ADVANCED CONCRETE TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Motor vehicle body provided with a structure for receiving and draining water

Номер патента: US09481397B2. Автор: Gianfranco Del Nero,Sebastian Favaloro,Ernesto D'Andrea. Владелец: FCA Italy SpA. Дата публикации: 2016-11-01.

Sliding shower door guide and drain assembly

Номер патента: US09433325B2. Автор: James Allen Austin, Iii. Владелец: Liberty Hardware Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of reservoir water area localization of pollutants entering reservoir from tributaries and drains

Номер патента: RU2665072C1. Автор: Юрий Викторович Герасимов,Алексей Гавриилович Афанасьев,Иван Алексеевич Афанасьев,Евгений Николаевич Прохоров. Владелец: Евгений Николаевич Прохоров. Дата публикации: 2018-08-28.

Hydrophilic silicon dioxide as filling agent for silicone rubber compositions

Номер патента: RU2516830C2. Автор: ЛИНДНЕР Готтлиб-Георг,КЕМПФ Михаэль. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2014-05-20.

Method for non-destructive testing of carrying capacity of structural systems of buildings and structures

Номер патента: RU2701476C1. Автор: Максим Юрьевич Нестеренко,Георгий Александрович Столповский,Алексей Михайлович Нестеренко. Владелец: Алексей Михайлович Нестеренко. Дата публикации: 2019-09-26.

Interlocked remote oil filter and drain

Номер патента: CA1313609C. Автор: Torey W. Degrazia, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-02-16.

Combined faucet and drain assembly

Номер патента: CA2475465C. Автор: Perry D. Erickson,Ricardo O. Gray,Jeffrey L. Mueller,Mark F. Mcmullen. Владелец: Kohler Co. Дата публикации: 2007-11-13.

Fast filling and draining valve assembly and associated system

Номер патента: US20230000023A1. Автор: Benestine Lee,Todd Eberline,Paul Millett,Neill Wainwright. Владелец: Invertigro Pty Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Inflow and drain fixture for bathtubs or shower tubs

Номер патента: CA2316734C. Автор: Maarten Röst,David Benne. Владелец: Geberit Technik Ag. Дата публикации: 2007-06-12.

Optimized process for silicon deposition

Номер патента: WO2024027952A1. Автор: Alexander Lygin. Владелец: Alexander Lygin. Дата публикации: 2024-02-08.

Optimized process for silicon deposition

Номер патента: EP4317062A1. Автор: Alexander Lygin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-07.

Cutting structures and structures for retaining the same

Номер патента: US20140367174A1. Автор: Michael A. Siracki. Владелец: Smith International Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Apparatus and method for silicon carbide ingot peeling

Номер патента: US20240149494A1. Автор: Yi-Wei Lin,Weng-Jung Lu,Ying-Fang Chang,Pin-Yao Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-05-09.

Systems And Methods For Characterizing And Sampling Nucleic Acid Sequences And Structures Of Same

Номер патента: US20190147974A1. Автор: Christopher L. Barrett,Christian Reidys,Qijun He,Wenda Huang. Владелец: Virginia Polytechnic Institute and State University. Дата публикации: 2019-05-16.

Process for preparing an aqueous dispersion of multistage polymer particles

Номер патента: US20200024440A1. Автор: Antony K. Van Dyk,Andrew Hejl,Jonathan Derocher,John J. Rabasco,Jessica Levin,Kimy YEUNG. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 2020-01-23.

Additive manufacturing process for high performance composite pressure vessels and structures

Номер патента: CA3235763A1. Автор: R. Matt VILLARREAL,Tarell D. Nunley,Connor COPELAND. Владелец: Infinite Composites Inc. Дата публикации: 2023-05-19.

Beta-cryptoxanthin from plant source and a process for its preparation

Номер патента: US20150361040A1. Автор: Madapura Lingappiah Shankaranarayana,Thattaruparambil Krishna Das SUNILKUMAR,Padinjarevattom Abdulkadir SHERENA,Jeyakodi SHANKARANAARAYANAN. Владелец: OmniActive Health Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Beta-cryptoxanthin from plant source and a process for its preparation

Номер патента: US20170334845A1. Автор: JEYAKODI Shankaranarayanan,Madapura Lingappiah Shankaranarayana,Thattaruparambil Krishna Das SUNILKUMAR,Padinjarevattom Abdulkadir SHERENA. Владелец: OmniActive Health Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Beta-cryptoxanthin from plant source and a process for its preparation

Номер патента: WO2014115037A3. Автор: P. A. Sherena,J. Shankaranarayanan,T.K Sunilkumar,M.L Shankaranarayana. Владелец: Omniactive Health Technologies Ltd.. Дата публикации: 2014-12-31.

A process for development of nutri-rich vegan paneer from non-bovine source

Номер патента: AU2021105504A4. Автор: A. Surendra Babu,P. Sankar Ganesh,M. Selvamuthukumaran,Aafiya Halima Y.. Владелец: KCG College of Technology. Дата публикации: 2021-11-11.

Process for manufacturing acrylic acid

Номер патента: EP3394026A1. Автор: Elisabeth Bouwman,Jan Van Krieken,Jos Wilting,Gijsbert Gerritsen,Bastiaan J. V. VERKUIJL,Frédéric G. TERRADE. Владелец: Purac Biochem BV. Дата публикации: 2018-10-31.

Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ

Номер патента: EP4291352A1. Автор: Rajeev Bajaj,Daniel REDFIELD,Veera Raghava Reddy KAKIREDDY,Puneet Narendra JAWALI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Valve attachment, filling device, filling assembly, and method for filling a container with liquid and draining said container of liquid

Номер патента: US9783402B2. Автор: Benedikt Leibinger. Владелец: LEIBINGER GMBH. Дата публикации: 2017-10-10.

Compositions and processes for producing vitamin K

Номер патента: AU2019330737B2. Автор: Fariba Dehghani,John Kavanagh,Yanwei MA,Dale McClure. Владелец: UNIVERSITY OF SYDNEY. Дата публикации: 2022-07-14.

A self-imageable film forming polymer, compositions thereof and devices and structures made therefrom

Номер патента: EP2448991A2. Автор: Andrew Bell,Larry Rhodes,Hendra Ng,Haruo Ikeda,Osamu Onishi,Edmund Elce,Chad Brick,Pramod Kandanarachchi,Paul J. Evans. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-09.

Process and apparatus for silicon carbide production by means of a solid-state carbothermal reduction process

Номер патента: EP4405298A1. Автор: Simone BONANOMI,Sandro USSEGLIO NANOT,David CALLEJO MUNOZ DAVID. Владелец: Sicreate GmbH. Дата публикации: 2024-07-31.

Low cell density fermentation process for the production of heterologous recombinant proteins in microorganisms

Номер патента: AU2004325822A1. Автор: Shrikant Mishra,Monsur Ahmed Borbhuiya,Dipanwita Maiti,Laxmi Srinivas Rao,Uma Sankararaman,Genevieve Suzie Nazareth,Neelesh Ramesh Surlikar,Saptarshi Paul,Milind Prabhakar Niphadkar. Владелец: USV Pvt Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Valve Attachment, Filling Device, Filling Assembly, and Method for Filling a Container with Liquid and Draining Said Container of Liquid

Номер патента: US20160145089A1. Автор: Benedikt Leibinger. Владелец: LEIBINGER GMBH. Дата публикации: 2016-05-26.

Method and structure of ion implanted elements for the optimization of resistance

Номер патента: US20070111355A1. Автор: Russell Johnson,Curtis Rahn. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-05-17.

Process for producing titanium-containing silicon oxide catalyst, the catalyst, and process for producing olefin compound with the catalyst

Номер патента: US20090234143A1. Автор: Jun Yamamoto. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-17.

Tamper-proof strainer and drain stop assembly

Номер патента: US20210285196A1. Автор: Greg Glazar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-16.

Contain and drain sill systems

Номер патента: US20240254830A1. Автор: Christopher Hanson,Adam Rietz,Allen DaRonco. Владелец: Andersen Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Process for tanning leathers with triazine derivatives

Номер патента: EP3049541A2. Автор: Valentina BEGHETTO,Giorgio POZZA,Aurora ZANCANARO. Владелец: Gruppo Mastrotto Spa. Дата публикации: 2016-08-03.

Additive manufacturing process for high performance composite pressure vessels and structures

Номер патента: EP4429891A1. Автор: R. Matt VILLARREAL,Tarell D. Nunley,Connor COPELAND. Владелец: Infinite Composites Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

A device for detecting particles in fluid and a process for detecting said particles

Номер патента: EP4423479A1. Автор: Visarute Pinrod,Paisan KHANCHAITIT,Kittipong TANTISANTISOM,Sattra THONGMA,Thitikorn BOONKOOM,Yossawat RAYANASUKHA,Kittiphong THANA,Arachaporn ANUTTALIYA,Tanuspong POKAVANICH,Naruchol PHOKAWAT,Prasert PAVASANT. Владелец: PTT Exploration and Production PCL. Дата публикации: 2024-09-04.

Single-step catalytic process for the production of alkylated aromatics using co2

Номер патента: US20240317656A1. Автор: Nagabhatla Viswanadham,Anjan Ray,Anup PRAKASH TATHOD,Selvamani ARUMUGAM. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2024-09-26.

Processes for preparing zincoaluminosilicates with AEI, CHA, and GME topologies and compositions derived therefrom

Номер патента: US09901909B2. Автор: Mark E. Davis,Michiel J. Dusselier. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-02-27.

Beta-cryptoxanthin from plant source and a process for its preparation

Номер патента: US09771323B2. Автор: JEYAKODI Shankaranarayanan,Madapura Lingappiah Shankaranarayana,Thattaruparambil Krishna Das SUNILKUMAR,Padinjarevattom Abdulkadir SHERENA. Владелец: OmniActive Health Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Removable wound bandage and method for temporarily closing and draining open wound

Номер патента: RU2261692C2. Автор: Кеннет Уиль м ХАНТ,Кеннет Уильям ХАНТ,Кит Патрик ХИТОН,Уэйн М. Д. ШРОДЕР. Владелец: Кей-Си-Ай Лайсенсинг, Инк.. Дата публикации: 2005-10-10.

Method for silicone implant fixation and stabilization after skin-preserving mastectomy

Номер патента: RU2635450C1. Автор: Юрий Валентинович Пржедецкий,Эльбрус Асланбекович Байчоров,Виктория Юрьевна Пржедецкая. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Ростовский научно-исследовательский онкологический институт" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2017-11-13.

Method of reconstruction of insulating surface of cathode-polarizable metal structures and structures (variants) and electroactive monomer immobilized as gel substance and method of providing polymeric organic compound with capability of electrodeposition from water solutions on cathode

Номер патента: RU2667843C1. Автор: Николай Николаевич Петров,Виктор Викторович Доценко,Николай Николаевич Буков. Владелец: Михеев Михаил Николаевич. Дата публикации: 2018-09-24.

Multilayer tape for creping and structuring in the process of production of cellulose-based product

Номер патента: RU2690889C2. Автор: Йонас КАРЛССОН,Дана ИГЛС,Роберт ХАНСЕН,Мэниш ДЖЕЙН,Друв АГАРВАЛ. Владелец: Олбэни Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2019-06-06.

Alloy, protective coating and structural element

Номер патента: RU2591096C2. Автор: Вернер ШТАММ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2016-07-10.

High-speed device for drying and grinding solid particles and a method of producing solid ground and drained particles using said device

Номер патента: RU2744347C9. Автор: Роберто Энрике АРАОС АЛЬМЕНДРАС. Владелец: Импресас Ианса С.А.. Дата публикации: 2021-04-26.

Method of vibration processing of structure for change of stress-strain and structural state of material

Номер патента: RU2695912C1. Автор: Сергей Александрович Бокарев,Андрей Михайлович Усольцев,Екатерина Германовна Попова,Михаил Юрьевич Маликов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет путей сообщения" (СГУПС). Дата публикации: 2019-07-29.

Improvement in composite materials and structures, and also improvements concerning composite materials and structures

Номер патента: RU2338820C2. Автор: Патрик Барри ХУК,Кеннет Е. ЭВАНЗ,Джонатан Пол ХАННИНГТОН,Клэр ХАРТМАНН-ТОМПСОН,Тимоти Рекс БАНС. Владелец: Дау Корнинг Лимитед. Дата публикации: 2008-11-20.

System for segmenting images of buildings and structures

Номер патента: RU2734058C1. Автор: Анна Александровна Островская,Владимир Вячеславович Хрящев. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2020-10-12.

Universal kit for building low-rise buildings and structures

Номер патента: RU2605654C2. Автор: Геннадий Бернардович Вержбовский,Алексей Григорьевич Жданов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2016-12-27.

Method of heat treatment of structural component out of hardened heat resistant steel and structural component out of hardened heat resistant steel

Номер патента: RU2366746C2. Автор: Франц-Йозеф ЭБЕРТ,Вернер ТРОЯН,Кристиан ШУЛЬТЕ-НЁЛЛЕ. Владелец: Шефлер Кг. Дата публикации: 2009-09-10.

Structure from foamed concrete and structural reinforcement mesh and method of its erection

Номер патента: RU2693071C1. Автор: Дянъи ЛИ. Владелец: Дянъи ЛИ. Дата публикации: 2019-07-01.

Technological complex for elimination of collapse of buildings and structures

Номер патента: RU2603779C1. Автор: Игорь Яковлевич Харченко,Алексей Игоревич Харченко,Валерий Евсеевич Меркин,Александр Алексеевич Пискунов,Константин Николаевич Матвеев,Алексей Николаевич Симутин,Владимир Александрович Швецов. Владелец: Владимир Александрович Швецов. Дата публикации: 2016-11-27.

Method of regulating flow of coolant inside actively cooled structural elements and structural element

Номер патента: RU2593798C2. Автор: Кристиан ЛЕРНЕР,Фатхи АХМАД,Кнут ХАЛЬБЕРШТАДТ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2016-08-10.

Aquarium capable of automatically collecting, precipitating and draining sewage

Номер патента: EP1741333A1. Автор: Chen Hui Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-10.

Silicon carbide single crystal, silicon carbide substrate and manufacturing method for silicon carbide single crystal

Номер патента: CA2524581C. Автор: Hiromu Shiomi,Hiroyuki Kinoshita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-07-20.

Technological complex for elimination of deformations of buildings and structures

Номер патента: RU2603782C2. Автор: Игорь Яковлевич Харченко,Алексей Игоревич Харченко,Валерий Евсеевич Меркин,Александр Алексеевич Пискунов,Константин Николаевич Матвеев,Алексей Николаевич Симутин,Владимир Александрович Швецов. Владелец: Владимир Александрович Швецов. Дата публикации: 2016-11-27.

Modular system for creating structure, module connector and structure comprising modular system

Номер патента: RU2766969C2. Автор: Иоахим БИНДЕР. Владелец: Кнауф Гипс КГ. Дата публикации: 2022-03-16.

Reinforcing filler for silicone rubber and sealants

Номер патента: US20050203236A1. Автор: Ashok Khokhani,Christina Prowell,Scott Schurmann. Владелец: Engelhard Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Dish rack and drain tray assembly

Номер патента: US5158184A. Автор: Stacy L. Wolff,Charles W. Craft. Владелец: Rubbermaid Inc. Дата публикации: 1992-10-27.

Process for preparing thermoinsulating and/or structural formed articles and products so obtained

Номер патента: US5262117A. Автор: Francesco Mascia,Antonio Addeo,Annibale Vezzoli,Lucio Pinetti. Владелец: Centro Sviluppo Settori Impiego SRL. Дата публикации: 1993-11-16.

Sliding shower door guide and drain assembly

Номер патента: CA2859532C. Автор: James A. Austin, Iii. Владелец: Liberty Hardware Manufacturing Corp. Дата публикации: 2019-01-08.

Tool and method for cleaning and draining a water heater

Номер патента: US11920830B1. Автор: Russell Dwayne Mcnally. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-05.

Halogen assisted physical vapor transport method for silicon carbide growth

Номер патента: US20120167825A1. Автор: Valeri F. Tsvetkov,Hudson M. Hobgood,Stephan G. Mueller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Ink for silicone rubber, and molded silicone rubber

Номер патента: US20010018473A1. Автор: Akito Nakamura,Takayoshi Otomo. Владелец: Dow Corning Toray Silicone Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-30.

Tool for silicone caulking

Номер патента: WO2023237899A1. Автор: Zoltan Zelenka. Владелец: Zelenka Zoltan. Дата публикации: 2023-12-14.

Tool and method for cleaning and draining a water heater

Номер патента: US20240200829A1. Автор: Russell Dwayne Mcnally. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-20.

Packages and processes for radio frequency mitigation and self-test

Номер патента: US20240094779A1. Автор: Krishna Prasad VUMMIDI MURALI. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Process for preparing phosphotartaric acid and salts thereof

Номер патента: WO2017154556A1. Автор: Hater Wolfgang,Wolf Florian,Lunkenheimer Rudolf. Владелец: KURITA WATER INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2017-09-14.

Structural parts kit for formation of architectural and structural didactic models

Номер патента: US20220249970A1. Автор: Marcio Sequeira De Oliveira. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-08-11.

Short Chain PEGylation of Amino Acid Monomers Glutamine, Lysine and Peptides Formed Thereby

Номер патента: US20170137460A1. Автор: Modi WETZLER,Paris Lamont HAMILTON. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2017-05-18.

Process for an aqueous synthesis of titanium phosphates ion-exchangers having solely -H2PO4 active groups

Номер патента: SE542125C2. Автор: Daniela Pencheva Rusanova-Naydenova,Mylène Claire Trublet,Oleg N Antzutkin. Владелец: Rusanova Naydenova Daniela Pencheva. Дата публикации: 2020-02-25.

Process for producing and using fibrillated biodegradable microfibers

Номер патента: US20240102238A1. Автор: Nicholas Morris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-28.

Manufacturing process data conversion and structuring

Номер патента: EP4235529A1. Автор: Francisco P. Maturana,Brian Taylor,Jay W. Schiele,Sachin Misra,Dennis J. Luo. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Process for the manufacture of γ-pyrones

Номер патента: US5075461A. Автор: Hans-Jakob Wild. Владелец: Givaudan Corp. Дата публикации: 1991-12-24.

A Process for the Continuous Preparation of Wort

Номер патента: CA2100262A1. Автор: Christian W. Versteegh. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-07-12.

Process for the preparation of arylcyclobutene terminated condensation polymers

Номер патента: WO1992011308A1. Автор: Alan K. Schrock,Maurice J. Marks,Thomas H. Newman. Владелец: The Dow Chemical Company. Дата публикации: 1992-07-09.

Acoustic array signal processing for flow detection

Номер патента: EP4245960A2. Автор: Nam Nguyen,Avinash Vinayak Taware,Daniel Viassolo,Yinghui Lu,Paris Smaragdis,David Alan Welsh,Clifford Lloyd Macklin. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Remote controlled water flow and drain system

Номер патента: WO2003020012A1. Автор: FRANC GERGEK. Владелец: FRANC GERGEK. Дата публикации: 2003-03-13.

Remote controlled water flow and drain system

Номер патента: EP1422996A1. Автор: FRANC GERGEK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-02.

Discovering contexts and structured data structures from hazy data

Номер патента: EP4239493A1. Автор: Hyun Joo Kim,Richard MONTONEY. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-09-06.

Pneumatic module and process for supplying a consumer with a pressure surge-free stream of medical gases or medical air

Номер патента: US20220072264A1. Автор: Thomas Rossen. Владелец: Draegerwerk AG and Co KGaA. Дата публикации: 2022-03-10.

Web material structuring belt, method for making structured web material and structured web material made by the method

Номер патента: GB2627655A. Автор: William Ostendorf Ward,Glen Sheehan Jeffrey,Christian Kien Kathryn,Jose Marie Bernard Mignot Laurent. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2024-08-28.

Laundry treatment apparatus having a condensate tank and method of condensate collecting and draining

Номер патента: EP3008237A1. Автор: Giuseppe Rossi,Nicola Reid. Владелец: Electrolux Appliances AB. Дата публикации: 2016-04-20.

Process to produce a pyrolysis oil comprising liquid hydrocarbons from plastic material from an intermittent energy source, and relative plant

Номер патента: WO2024165941A1. Автор: Antonio Ponticiello,Riccardo Felisari,Armando Galeotti,Mirco Nodari. Владелец: Versalis S.p.A.. Дата публикации: 2024-08-15.

Process for reducing total suspended solids (tss), biochemical oxygen demand (bod), chemical oxygen demand (cod) in commercial laundry

Номер патента: US20240286944A1. Автор: Kaustav Ghosh,Russell Berman,Olivia Mary Neville,Craig Coldiron. Владелец: ECOLAB USA INC. Дата публикации: 2024-08-29.

Discovering contexts and structured data structures from hazy data

Номер патента: US20230281178A1. Автор: Hyun Joo Kim,Richard MONTONEY. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-09-07.

Zero-emission self-sustainable process for producing chemicals from organic sources

Номер патента: WO2023166438A1. Автор: Enrica Bargiacchi,Sergio Miele,Flavio Manenti. Владелец: Consorzio Interuniversitario Nazionale Per La Scienza E Tecnologia Dei Materiali (Instm). Дата публикации: 2023-09-07.

Process for producing polyarylene sulfide and apparatus used therein

Номер патента: US20020147299A1. Автор: Yoshinari Koyama. Владелец: Idemitsu Petrochemical Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Process for providing steam for a hydrocarbon recovery process

Номер патента: US20240287884A1. Автор: Timothy Bennet Anderson. Владелец: Cenovus Energy Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Process for the production of unsubstituted or in the phenyl group substituted 1-phenyl-2-amino-1:3-propandiols

Номер патента: GB699820A. Автор: . Владелец: Chinoin Gyogyszer es Vegyeszeti Termekek Gyara Zrt. Дата публикации: 1953-11-18.

Process for producing a fertilizer and related fertilizer

Номер патента: WO2024003703A1. Автор: Michele Rossin,Alberto Modena,Clizia Franceschi,Matteo Casella,Elia Pagliarini. Владелец: F.O.M.E.T. S.P.A.. Дата публикации: 2024-01-04.

Discovering contexts and structured data structures from hazy data

Номер патента: US12086119B2. Автор: Hyun Joo Kim,Richard MONTONEY. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-09-10.

Metal foam bodies and process for production thereof

Номер патента: US12076790B2. Автор: René Poss,Monika Berweiler,Meike Roos. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-09-03.

Web material structuring belt, method for making structured web material and structured web material made by the method

Номер патента: GB2626904A. Автор: William Ostendorf Ward,Glen Sheehan Jeffrey,Christian Kien Kathryn,Jose Marie Bernard Mignot Laurent. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2024-08-07.

Processes for making chitosan salts and products formed thereby

Номер патента: US20200017608A1. Автор: Hélène L. Lauzon,Rúnar Marteinsson. Владелец: Primex ehf. Дата публикации: 2020-01-16.

Process for reducing total suspended solids (tss), biochemical oxygen demand (bod), chemical oxygen demand (cod) in commercial laundry

Номер патента: WO2024182459A1. Автор: Kaustav Ghosh,Russell Berman,Olivia Mary Neville,Craig Coldiron. Владелец: ECOLAB USA INC.. Дата публикации: 2024-09-06.

Modeling of soil compaction and structural capacity for field trafficability by agricultural equipment from diagnosis and prediction of soil and weather conditions associated with user-provided feedback

Номер патента: US20240341249A1. Автор: John J. Mewes,Dustin M. Salentiny. Владелец: DTN LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Improved processes for making chitosan salts and products formed thereby

Номер патента: EP3820911A1. Автор: Rúnar Marteinsson,Hélène Liette LAUZON. Владелец: Primex ehf. Дата публикации: 2021-05-19.

Plant and process for production of purified methane

Номер патента: US20240352366A1. Автор: Golo Zick,Jean-Marc Bernhardt,Romain LOEB. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-10-24.

Electro-optic displays, and processes for the production thereof

Номер патента: US20130141778A1. Автор: Richard J. Paolini, Jr.,Thomas Henry Whitesides. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Process for the preparation of a catalyst support

Номер патента: US09987623B2. Автор: Aan Hendrik Klazinga,László Domokos,Peter Geerinck. Владелец: Shell Oil Co. Дата публикации: 2018-06-05.

Process for friction stir welding dissimilar metals and workpiece assemblies formed thereby

Номер патента: US09937587B2. Автор: Vahid Firouzdor,Sindo Kou. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-04-10.

Process for processing fresh produce

Номер патента: US09894909B1. Автор: David Morris,Carter McEntire,R. C. McEntire, Jr.,Tom Lovelace. Владелец: McEntire Produce Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Process for the preparation of a catalyst support

Номер патента: US09873111B2. Автор: Aan Hendrik Klazinga,László Domokos,Peter Geerinck. Владелец: Shell Oil Co. Дата публикации: 2018-01-23.

Process for removing growth factors from platelets

Номер патента: US09757418B1. Автор: Clark Galen,John Kiwczak,Gary H. Nelson,Ryan N Brandt. Владелец: Pgfx Patent Holdings Llc. Дата публикации: 2017-09-12.

Process for separating data recorded during a continuous data acquisition seismic survey

Номер патента: US09690003B2. Автор: John Sallas. Владелец: CGG SERVICES SAS. Дата публикации: 2017-06-27.

Process for producing VET-type zeolite

Номер патента: US09650257B2. Автор: Keiji Itabashi,Tatsuya Okubo,Kenta Iyoki. Владелец: Unizeo Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Process for the preparation of a catalyst support

Номер патента: US09604204B2. Автор: Aan Hendrik Klazinga,László Domokos,Peter Geerinck. Владелец: Shell Oil Co. Дата публикации: 2017-03-28.

Flexible minimum energy utilization electric arc furnace system and processes for making steel products

Номер патента: US09551045B2. Автор: Algirdas A. Underys,Guy A. Brada,John A. Guliana,Christian H. Ericksen,Bruce C. Liimatainen. Владелец: Finkl A and Sons Co. Дата публикации: 2017-01-24.

Process and structure for servicing a vehicle

Номер патента: US09499378B2. Автор: Jim Kelly,Denise C. Kelly. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-22.

Process for making improved catalysts from clay-derived zeolites

Номер патента: US09416322B2. Автор: Wu-Cheng Cheng,Richard F. Wormsbecher,Yuying Shu,Michael D Wallace. Владелец: WR Grace and Co Conn. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for silicon packing into packing casing

Номер патента: RU2463227C2. Автор: Го САСАКИ,Го САСАКИ (JP). Владелец: Мицубиси Материалз Корпорейшн. Дата публикации: 2012-10-10.

Method of producing briquets for silicon production by reductive melting

Номер патента: RU2638464C1. Автор: Владимир Юрьевич Бажин,Вадим Борисович Кусков,Владимир Леонидович Трушко,Сергей Анатольевич Савченков,Михаил Александрович Сутягинский. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский горный университет". Дата публикации: 2017-12-13.

Process for partial removal of lignin and filling of lignocellulosic material, and structure of composite material produced by this process

Номер патента: RU2747643C2. Автор: Тимоте БУАТУЗЕ,Бенжамен ДРОГЕ. Владелец: Сас Вуду. Дата публикации: 2021-05-11.

Processes for preparing barrier layer films for use in enzyme electrodes and films made thereby

Номер патента: US5766839A. Автор: Jay M. Johnson,Jeffrey L. Huntington. Владелец: YSI Inc. Дата публикации: 1998-06-16.

Method for construction of caisson blocks and structure from caisson blocks

Номер патента: RU2710433C1. Автор: Сан Ки КИМ. Владелец: Юджу Ко., Лтд. Дата публикации: 2019-12-26.

Gas turbine plant rotor balancing system; rotor disc and structural assembly, which contain such system, and gas turbine plant

Номер патента: RU2448257C2. Автор: Стефан Пьер Гийом БЛАНШАР,Тома ЛАНЖЕВЕН,Фабрис ГАРЭН,Морис Ги ЖЮДЕ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-04-20.

Installation of floor heating system of buildings and structures

Номер патента: RU2767128C1. Автор: Владислав Петрович Харитонов. Владелец: Владислав Петрович Харитонов. Дата публикации: 2022-03-16.

Horizontal barrier for seismic protection of buildings and structures

Номер патента: RU2686778C1. Автор: Андрей Петрович Пустовгар,Алексей Олегович Адамцевич,Сергей Владимирович Кузнецов,Дмитрий Юрьевич Кольчугин,Павел Юрьевич Воробьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Московский государственный строительный университет" (НИУ МГСУ). Дата публикации: 2019-04-30.

Kochetov stand for testing destructive elements of buildings and structures

Номер патента: RU2585794C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2016-06-10.

Method of erection of large-panel buildings and structures

Номер патента: RU2696730C1. Автор: Игорь Николаевич Тихонов,Владимир Павлович Блажко,Александр Александрович Бубис,Любовь Николаевна Смирнова,Георгий Игоревич Тихонов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский центр "Строительство", АО "НИЦ "Строительство". Дата публикации: 2019-08-05.

Installation element and structure of a building wall

Номер патента: RU2763940C2. Автор: Рёхэй ТАЦУКИ. Владелец: НИТИХА КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2022-01-11.

Structural assembly and structure used, in particular, in aircraft engineering

Номер патента: RU2496678C2. Автор: Хельмут ЛЮТТИНГ. Владелец: Эйрбас Оперэйшнз Гмбх. Дата публикации: 2013-10-27.

Method of locking the hatch of a well installed on aboveground and underground networks and structures

Номер патента: RU2743982C1. Автор: Дмитрий Анатольевич Мишин. Владелец: Дмитрий Анатольевич Мишин. Дата публикации: 2021-03-01.

Buildings and structures frame multi-span reinforced concrete floor reinforcement method

Номер патента: RU2664084C1. Автор: Вячеслав Геворкович Асатрян,Теймураз Ильич Гуладзе,Владимир Андреевич Монахов,Евгений Александрович Зеленев. Владелец: Акционерное общество "СТЭФС". Дата публикации: 2018-08-15.

System to balance rotor of gas turbine plant, rotor disc and structural unit comprising such system and gas turbine plant

Номер патента: RU2447291C2. Автор: Стефан Пьер Гийом БЛАНШАР,Тома ЛАНЖЕВЕН,Фабрис ГАРЭН,Морис Ги ЖЮДЕ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-04-10.

Method to make structure having prefabricated wooden frame and structure produced by this method

Номер патента: RU2526941C2. Автор: Пьер-Эмманюэль ЛИТЕЗ. Владелец: Эльмер. Дата публикации: 2014-08-27.

Method of forming and structuring an electronic database

Номер патента: RU2696295C1. Автор: Алексей Викторович Морозов. Владелец: Алексей Викторович Морозов. Дата публикации: 2019-08-01.

Fire-prevention compartment for buildings and structures

Номер патента: RU2696564C1. Автор: Евгений Александрович Аннушкин,Дмитрий Олегович Козлов. Владелец: Дмитрий Олегович Козлов. Дата публикации: 2019-08-06.

Method of non-destructive control of chemical composition and structure of metals and alloys

Номер патента: RU2674562C1. Автор: Игорь Григорьевич Козырь,Алексей Сергеевич Комоликов. Владелец: Алексей Сергеевич Комоликов. Дата публикации: 2018-12-11.

Seismic device for measuring dynamic impacts in monitoring the technical condition of loadbearing buildings and structures

Номер патента: RU2655462C1. Автор: Александр Сергеевич Денисов,Владимир Владимирович Гурьев,Владимир Михайлович Дорофеев,Дмитрий Анатольевич Лысов,Вадим Георгиевич Катренко. Владелец: Вадим Георгиевич Катренко. Дата публикации: 2018-05-28.

Method and apparatus for making inorganic webs and structures formed thereof

Номер патента: CA1320897C. Автор: Manfred R. Kuehnle. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-08-03.

Branched polysilahydrocarbon precursors for silicon carbide

Номер патента: CA1225511A. Автор: Thomas C. Williams,Curtis L. Schilling, Jr.. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1987-08-18.

Compositions and methods for waterproofing structures formed from water-penetrable construction materials

Номер патента: US5132183A. Автор: Robert A. Wiercinski,James M. Gaidis. Владелец: WR Grace and Co Conn. Дата публикации: 1992-07-21.

Coating system for silicon based substrates

Номер патента: US7374818B2. Автор: Wayde R. Schmidt,Tania Bhatia,William K. Tredway,Venkata R. Vedula. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2008-05-20.

Drying and draining multi-leveled shoe rack system

Номер патента: CA3028769C. Автор: Alice Morin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-05.

Device for connecting and draining a pouch

Номер патента: CA1277634C. Автор: Roland Steiner,Eugene Van Meir. Владелец: SOCIETE DES PRODUITS NESTLE SA. Дата публикации: 1990-12-11.

Condensate Liquid Level Sensor and Drain Fitting

Номер патента: US20120318381A1. Автор: Jeffrey N. Arensmeier. Владелец: EMERSON ELECTRIC CO. Дата публикации: 2012-12-20.

Confidential compute architecture for silicon initialization for ip protection and assurance

Номер патента: WO2023230834A1. Автор: Jiewen Yao,Vincent Zimmer,Rajesh Poornachandran,Subrata Banik. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for estimating resistances of a source contact and a drain contact of a mos transistor

Номер патента: US20190178931A1. Автор: Shih-Ting Lin,Kung-Ming Fan,Hung-Hsiang XSIAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Process for a mild aqueous synthesis of titanium phospates ion-exchangers having solely h2po4 active groups

Номер патента: SE1751347A1. Автор: Daniela Pencheva Rusanova-Naydenova,Mylène Claire Trublet,Oleg N Antzutkin. Владелец: Rusanova Naydenova Daniela Pencheva. Дата публикации: 2019-05-01.

Method for inspecting surface deformation of structure, system for inspecting surface deformation of structure, and structure protection sheet

Номер патента: AU2022249790A2. Автор: Takahiro Tsuji,Kosuke Yasuno,Satoru Tani,Yuki Matsuno,Satoshi Shiba,Yu Kariya. Владелец: Keiwa Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for inspecting surface deformation of structure, system for inspecting surface deformation of structure, and structure protection sheet

Номер патента: AU2022249790A1. Автор: Takahiro Tsuji,Kosuke Yasuno,Satoru Tani,Yuki Matsuno,Satoshi Shiba,Yu Kariya. Владелец: Keiwa Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Process for producing 2,5-furandicarboxylic acid dialkyl ester

Номер патента: US20210188794A1. Автор: Ronnie Ozer,Eric R. Sacia,Pranit S. Metkar. Владелец: DuPont Industrial Biosciences USA LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Staggered Arcuate Interlocking Frame Adapted for Silicone Edge Graphics

Номер патента: US20200168134A1. Автор: Branden Storey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-28.

Method of fabricating nanometer-scale flowchannels and trenches with self-aligned electrodes and structures formed by the same

Номер патента: WO2002073314A1. Автор: Axel Scherer. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2002-09-19.

Process and structure for repairing defect of liquid crystal display

Номер патента: US20060164592A1. Автор: Chih-Wei Wang,George Hsu,Hong-Jye Hong. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Method for preventing stray currents in peripheral system parts during an electrolysis process for obtaining metals

Номер патента: AU5674500A. Автор: Walter Kuhn,Nikola Anastasijevic,Stefan Laibach,Markus Schweitzer,Friedhelm MÜNKER. Владелец: OUTOKUMPU OYJ. Дата публикации: 2001-03-26.

Process for producing water-resistant films from corn gluten meal

Номер патента: US20230271106A1. Автор: Anne Lamp. Владелец: Traceless Materials GmbH. Дата публикации: 2023-08-31.

Process for making three-dimensional objects from filamentary materials and corresponding object

Номер патента: WO2003055666A1. Автор: Paladino Orlandini. Владелец: Orlando Orlandini S.R.L.. Дата публикации: 2003-07-10.

Systems and processes for reforming a liquid hydrocarbon fuel

Номер патента: US12006479B1. Автор: Qingyuan Hu,Guanghui Zhu,Maryam M. AL-TAHER. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-06-11.

Modular elements for portions of building façades and processes for removing and replacing such portions

Номер патента: US11821649B2. Автор: Massimo Roj. Владелец: Progetto Cmr Srl. Дата публикации: 2023-11-21.

Matching inventory characteristics and structure

Номер патента: US20230108984A1. Автор: Walker RAMIREZ,Saman BAGHESTANI,Brandon DRUMHELLER,Veerendra JOTE. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2023-04-06.

Process for the large-scale synthesis of 4,10-dinitro -2,6,8,12- tetraoxa- 4,10-diazatetracyclo- [5.5.0.0?5,903,11¿]- dodecane

Номер патента: WO2000009509A2. Автор: Robert B. Wardle,Jerald C. Hinshaw,Thomas K. Highsmith,Robert M. Hajik. Владелец: Cordant Technologies, Inc.. Дата публикации: 2000-02-24.

Systems, devices and methods for sensing physiologic data and draining and analyzing bodily fluids

Номер патента: CA2961757C. Автор: Daniel R. BURNETT,Christina Skieller,Stephen Boyd,Evan S. Luxon,Marcie HAMILTON,Mark Ziegler,Saheel SUTARIA,Rich Keenan,Alex YEE,Griffeth TULLY. Владелец: Potrero Medical Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Process for producing 2,5-furandicarboxylic acid dialkyl ester

Номер патента: US20200255391A1. Автор: Ronnie Ozer,Eric R. Sacia,Pranit S. Metkar. Владелец: DuPont Industrial Biosciences USA LLC. Дата публикации: 2020-08-13.

Process for manufacturing oxides

Номер патента: WO2024165387A1. Автор: Alexander Lygin,Franz Schmidt. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-08-15.

Process for storing data

Номер патента: WO2001069413A3. Автор: Andrew Martin. Владелец: Inpharmatica Ltd. Дата публикации: 2004-02-12.

Process for storing data

Номер патента: WO2001069413A2. Автор: Andrew Martin. Владелец: Inpharmatica Limited. Дата публикации: 2001-09-20.

Systems and processes for reforming a liquid hydrocarbon fuel

Номер патента: US20240287393A1. Автор: Qingyuan Hu,Guanghui Zhu,Maryam M. AL-TAHER. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-08-29.

Systems and processes for reforming a liquid hydrocarbon fuel

Номер патента: WO2024129851A1. Автор: Qingyuan Hu,Guanghui Zhu,Maryam M. AL-TAHER. Владелец: Aramco Services Company. Дата публикации: 2024-06-20.

Systems and processes for reforming a liquid hydrocarbon fuel

Номер патента: US20240199961A1. Автор: Qingyuan Hu,Guanghui Zhu,Maryam M. AL-TAHER. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-06-20.

Process for the large-scale synthesis of 4,10-dinitro -2,6,8,12- tetraoxa- 4,10-diazatetracyclo- [5.5.0.0?5,903,11¿]- dodecane

Номер патента: WO2000009509A9. Автор: Thomas K Highsmith,Robert B Wardle,Jerald C Hinshaw,Robert M Hajik. Владелец: Cordant Tech Inc. Дата публикации: 2001-12-13.

Process for preparing dispersible sulfate, preferably barium sulfate nanoparticles

Номер патента: EP1753827A1. Автор: Michael Berkei,Heiner Pfundt. Владелец: Centrum fuer Angewandte Nanotechnologie CAN GmbH. Дата публикации: 2007-02-21.

Process for preparing dispersible sulfate, preferably barium sulfate nanoparticles

Номер патента: AU2004319070A1. Автор: Michael Berkei,Heiner Pfundt. Владелец: Nanosolutions Gmbh. Дата публикации: 2005-11-10.

Process for preparing dispersible sulfate, preferably barium sulfate nanoparticles

Номер патента: EP1753827B1. Автор: Michael Berkei,Heiner Pfundt. Владелец: Centrum fuer Angewandte Nanotechnologie CAN GmbH. Дата публикации: 2011-10-12.

Process for preparing discodermolide and analogues thereof

Номер патента: US20020198389A1. Автор: Frederick Kinder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Ionic liquid based processes for extraction of metals

Номер патента: US20240183006A1. Автор: Robin D. Rogers,Gabriela Gurau,Caleb M. Hill,Kristin R. DI BONA. Владелец: Wyonics Llc. Дата публикации: 2024-06-06.

Process for the preparation of 1-phenyl-2-amino-1:3-propandiol-1-ethers substituted or unsubstituted in the phenyl-group and of their derivatives

Номер патента: GB699821A. Автор: . Владелец: Chinoin Gyogyszer es Vegyeszeti Termekek Gyara Zrt. Дата публикации: 1953-11-18.

Systems and processes for maintaining continuous carbon dioxide capture utilising waste excess energy from parallel and downstream processes

Номер патента: EP4419233A1. Автор: XIAO Fu,Sayee Prasaad BALAJI,Mark Klokkenburg. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 2024-08-28.

Process for producing a liquid hydrocarbon from renewable sources

Номер патента: EP4444823A1. Автор: Edward Julius Creyghton,Ronald Martijn De Deugd,Nicolaas Van Dijk. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 2024-10-16.

Processes for manufacturing biodiesel from fatty waste

Номер патента: EP4402275A1. Автор: Yonatan SHPANOF. Владелец: Univice ME Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Process for preparing formic acid

Номер патента: US20140018456A1. Автор: Martin Schäfer,Daniel Schneider,Peter Bassler,Joaquim Henrique Teles,Jurgen Paschold,Stefan Rittinger,Donata Maria Fries,Klaus-Dieter Mohl. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2014-01-16.

Process for producing reaction bonded silicon carbide member

Номер патента: US09994487B2. Автор: Masami Ando,Takayuki Ide,Takero TOKIZONO. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Process for synthesizing iron carbide Fischer-Tropsch catalysts

Номер патента: US09833774B2. Автор: GASCON Jorge,Michiel Makkee,Garmt R. Meima,Vera P. SANTOS CASTRO,Adam Chojecki,Adrianus KOEKEN,Matthijs RUITENBEEK,Thomas DAVIDIAN,Tim A. WEZENDONK,Freek Kapteijn. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Process for building tyres and tyre obtained thereby

Номер патента: US09802376B2. Автор: Gianni Mancini. Владелец: Pirelli Tyre SpA. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods and structure for online migration of data in storage systems comprising a plurality of storage devices

Номер патента: US09720606B2. Автор: Keith W. Holt,Kevin Kidney,John G. Logan. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Universal panels and structures comprised of the same

Номер патента: US09657490B1. Автор: Charles K Willsey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-23.

Process for separating components of a reaction mixture obtained by high-pressure polymerization of ethylenically unsaturated monomers with improved level control

Номер патента: US09637568B2. Автор: Claudio FIBLA,Erich Neumann,Christoph Wolf,Michael Deuerling,Danir KHAYRULLIN. Владелец: BASELL POLYOLEFINE GMBH. Дата публикации: 2017-05-02.

System and structure for heating or sterilizing a liquid stream

Номер патента: US09599407B2. Автор: Roderick A. Hyde,Nathan P. Myhrvold,Lowell L. Wood, JR.,Jordin T. Kare,Ozgur Yildirim,Geoffrey F. Deane,David B. Tuckerman,William Gates. Владелец: TOKITAE LLC. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of forming poly insulator poly capacitor by self-aligned silicide process

Номер патента: TWI220553B. Автор: Hao Fang,Rong-Zheng Gao. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2004-08-21.

Method of forming poly insulator poly capacitor by self-aligned silicide process

Номер патента: TW200516703A. Автор: Hao Fang,Rong-Zheng Gao. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2005-05-16.

Process for producing self-aligned silicide

Номер патента: TW337596B. Автор: Hann-Shing Liou. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-08-01.

Method for forming ultra-short channel MOSFET with self-aligned silicide contact and extended source/drain junction

Номер патента: TW392221B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Tsmc Acer Semiconductor Mfg Co. Дата публикации: 2000-06-01.

Manufacturing method of bridge free MOSFET with self-aligned silicide

Номер патента: TW396607B. Автор: Hung-Huei Tzeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2000-07-01.

Self-aligned silicide technology

Номер патента: TW411511B. Автор: Jian-Ting Lin,Jiun-Yuan Wu,Huo-Tie Lu,Shiau-Ling Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-11-11.

MOSFET with self-aligned silicide and gate-side air-gap structure

Номер патента: TW346647B. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Ti Acer Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-01.

Manufacturing method of self-aligned silicide with low resistance

Номер патента: TW299474B. Автор: Jenn-Hwa Yu,Sheau-Lin Suei. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-03-01.

Formation self-aligned silicide layer by using double ion implantation

Номер патента: TW398034B. Автор: Jau-Jie Tsai,Ching-Shiung He,Shou-Ren Jang,Jeng-Kuen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-07-11.

Manufacturing method of field effect transistor with self-aligned silicide

Номер патента: TW320750B. Автор: Shuenn-Liang Sheu,Taw-Jye Tsay. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-11-21.

Method of forming self-aligned silicide by double ion implantation

Номер патента: TW418449B. Автор: Chi-Ming Yang,Jau-Jie Tsai,Shou-Ren Jang,Jeng-Kuen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-01-11.

Manufacturing method of mask read only memory capable of using self-aligned silicide

Номер патента: TWI251336B. Автор: Shuang-Feng Ye. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2006-03-11.

Manufacturing method of mask read only memory capable of using self-aligned silicide

Номер патента: TW200623397A. Автор: Shuang-Feng Ye. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2006-07-01.

Method for manufacturing high voltage and low voltage metal oxide semiconductor transistor using self-aligned silicide process

Номер патента: TW434707B. Автор: Jian-Guo Yang,Wei-Tsung Chen,Ching-Jiun Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-16.

Manufacturing method of self-aligned silicide

Номер патента: TW552640B. Автор: Shau-Lin Shue,Chih-Wei Chang,Mei-Yun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-09-11.

The manufacturing method for self-aligned silicide

Номер патента: TW325585B. Автор: Jiing-Jiang Jang,Chorng-Jou Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-01-21.

Double self-aligned silicide manufacture process

Номер патента: TW486752B. Автор: Hung-Huei Tzeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2002-05-11.

Method for manufacturing embedded DRAM having a self-aligned silicide logic bit structure

Номер патента: TW415043B. Автор: Wan-Yi Lian. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-12-11.

Method for forming a self-aligned silicide

Номер патента: TW434712B. Автор: Jian-Ting Lin,Rung-Jiun Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-16.

Method of producing self-aligned silicide

Номер патента: TW418446B. Автор: Jian-Rung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-01-11.

Method for preventing bridge phenomenon in self-aligned silicide formation

Номер патента: TW394978B. Автор: Jian-Ting Lin,Jr-Wen Jou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-21.

Self-Aligned Silicide Bottom Plate for EDRAM Applications by Self-Diffusing Metal in CVD/ALD Metal Process

Номер патента: US20140117498A1. Автор: Liu Fei,Li Zhengwen,Zhang Zhen,Cao Qing,Fang Sunfei. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

Self-Aligned Silicide Bottom Plate for EDRAM Applications by Self-Diffusing Metal in CVD/ALD Metal Process

Номер патента: US20140120687A1. Автор: Liu Fei,Li Zhengwen,Zhang Zhen,Cao Qing,Fang Sunfei. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

Self Aligned Silicided Contacts

Номер патента: US20120126343A1. Автор: . Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-05-24.

SELF-ALIGNED SILICIDE FORMATION ON SOURCE/DRAIN THROUGH CONTACT VIA

Номер патента: US20120241963A1. Автор: Uozumi Yoshihiro. Владелец: TOSHIBA AMERICA ELECTRONIC COMPONENTS, INC.. Дата публикации: 2012-09-27.

METHOD OF MAKING A MOSFET HAVING SELF-ALIGNED SILICIDED SCHOTTKY BODY TIE INCLUDING INTENTIONAL PULL-DOWN OF AN STI EXPOSING SIDEWALLS OF A DIFFUSION REGION

Номер патента: US20120313174A1. Автор: Lauer Isaac,Chang Leland,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-13.

Self Aligned Silicide Device Fabrication

Номер патента: US20130134558A1. Автор: Speck Robert K.,Tull Kenneth B.,Miller Marjorie L.. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2013-05-30.

FORMING NICKEL-PLATINUM ALLOY SELF-ALIGNED SILICIDE CONTACTS

Номер патента: US20140073130A1. Автор: Lavoie Christian,Ozcan Ahmet S.,Hilscher David F.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

Method for forming MOSFETs with recessed self-aligned silicide joint and extended source/drain junction

Номер патента: TW544859B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-08-01.

Manufacturing process of self-aligned silicide barrier layer

Номер патента: CN1971857A. Автор: 陈华伦,周贯宇. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-30.

The process of forming the n type metal oxide semi field effect transistor (nMOSFET) short channel having self-aligned silicide contact

Номер патента: TW399243B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Tsmc Acer Semiconductor Mfg Co. Дата публикации: 2000-07-21.

Method of making a self-aligned silicide

Номер патента: TW429440B. Автор: Jian-Ting Lin,Jr-Wen Jou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-04-11.

Method of manufacturing a short-channel nMOSFET having a self-aligned silicide contact

Номер патента: TW403948B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-09-01.

Method of forming metal oxide semiconductor field effect transistor having recessed self-alignment silicide metal and slowly tapered S/D junctions

Номер патента: TW384549B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Tsmc Acer Semiconductor Mfg Co. Дата публикации: 2000-03-11.

Method for producing self-aligned silicide (salicide)

Номер патента: TW434710B. Автор: Shiue-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-16.

Structure and manufacturing method for self-aligned silicide

Номер патента: TW383456B. Автор: Jau-Jie Tsai,Shiu-Sheng Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-03-01.

Manufacturing method of self-aligned silicide device with extended path

Номер патента: TW306058B. Автор: Horng-Huei Tzeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 1997-05-21.

Method to fabricate MOSFETS with ESD resistance and self-aligned silicide

Номер патента: TW360970B. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-11.

Method for forming a self-aligned silicide

Номер патента: TW447020B. Автор: Chi-Dung Huang,Jeng-Cheng Shiue. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-21.

Process for preparing transistor with metallic silicide on source and drain

Номер патента: CN1366335A. Автор: 曾鸿辉. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-08-28.

An improved process for the separation of 1, 1-bis(4-chlorophenyl)-2, 2-dichloroethane from its isomers and structurally related products formed during its manufacture

Номер патента: AU208536B2. Автор: Herbert Bing and William Harcourt Kennedy George. Владелец: TIMBROL Ltd. Дата публикации: 1956-09-27.

OXYGEN PLASMA CONVERSION PROCESS FOR PREPARING A SURFACE FOR BONDING

Номер патента: US20120003813A1. Автор: Usenko Alex,Chuang Ta Ko. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Self-aligned cmos process for bulk silicon and insulating substrate device

Номер патента: CA1057414A. Автор: Gregorio Spadea. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1979-06-26.

Self-aligned cmos process for bulk silicon and insulating substrate device

Номер патента: CA1057415A. Автор: Gregorio Spadea. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1979-06-26.

Self-aligned cmos process for bulk silicon and insulating substrated device

Номер патента: CA1057416A. Автор: Gregorio Spadea. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1979-06-26.

Process for catalytic deoxygenation of coal mine methane

Номер патента: US20120003132A1. Автор: Wang Sheng,ZHANG Chunxi,Wang Shudong,LI Deyi,Yuan Zhongshan,Ni Changjun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POLYARYLENE POLYMERS AND PROCESSES FOR PREPARING

Номер патента: US20120004387A1. Автор: Teasley Mark F.. Владелец: E. I. Du Pont De Nemours and Company. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND STRUCTURE FOR NASAL DILATOR

Номер патента: US20120004683A1. Автор: Gray David,Litman Mark A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE COMPRISING HYDROXAMIC ACID OR A SALT THEREOF AS ADDITIVE AND PROCESS FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20120000533A1. Автор: Erk Peter,Reichelt Helmut,Schoeneboom Jan,PSCHIRER Neil Gregory,Eickemeyer Felix,Sens Rüdiger,BERGMANN Hermann. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120001223A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,KATO Ryou,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,IWANAGA Junko. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of active electroosmotic drying of walls of buildings and structures from ground waters

Номер патента: RU2103054C1. Автор: В.В. Липатов,Ю.Я. Иоссель,Е.В. Константинов,Г.С. Казаров,Е.А. Ивлиев. Владелец: Константинов Евгений Валентинович. Дата публикации: 1998-01-27.

Light-weight laminated wall structure formed of different materials

Номер патента: RU2260096C1. Автор: А.Я. Стеценко. Владелец: Стеценко Анатолий Яковлевич. Дата публикации: 2005-09-10.

Bottom drain device hydromonitor nozzle for heating and draining high-viscosity and congealed products by substitution

Номер патента: RU2403984C1. Автор: Евгений Леонидович Левченко,Михаил Алексеевич Елисеев,Владимир Валентинович Писарев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Домодедовский опытный машиностроительный завод". Дата публикации: 2010-11-20.

PLASMA-ARC-THROUGH APPARATUS AND PROCESS FOR SUBMERGED ELECTRIC ARCS

Номер патента: US20120000787A1. Автор: . Владелец: MAGNEGAS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

PROCESS FOR PRODUCING CAROTENOID

Номер патента: US20120004319A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Process For The Preparation Of An Isomorphously Substituted Silicate

Номер патента: US20120004465A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Intensifier of thick fluid filling and draining

Номер патента: RU2475439C1. Автор: Алексей Викторович Гладилин,Павел Александрович Курбатов,Игорь Мильевич Маргулис,Всеволод Анатольевич Пирогов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2013-02-20.

Device for heating and draining of high-viscous oil products from tank

Номер патента: RU2538657C2. Автор: Дмитрий Александрович Боднарчук. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Производственная компания "Нефтехранение". Дата публикации: 2015-01-10.

Method of heating and draining of cold and thick products and device to this end

Номер патента: RU2517137C2. Автор: Сергей Геннадьевич Конесев,Марат Радусович Садиков,Эдуард Юрьевич Кондратьев,Андрей Дмитриевич Кисеев. Владелец: Сергей Геннадьевич Конесев. Дата публикации: 2014-05-27.

Method for silicon dioxide film creation

Номер патента: RU2449413C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Бийке Алиевна Шангереева,Солтанат Магомедовна Гаджиева. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2012-04-27.

Flushing-and-draining device for toilet (versions) and rubber gate for flushing-and-draining device

Номер патента: RU2274570C1. Автор: Александр Альбертович Василенко,Алексей Моисеевич Мейстер,Александр Сергеевич Рогачев,Алексей Алимпиевич Юхневский. Владелец: Зао Но "Тив". Дата публикации: 2006-04-20.

System for determining liquid and gas flow rate by means of ultrasound and structure thereof

Номер патента: RU2590338C2. Автор: Алексей Андреевич Калмыков,Михаил Владимирович Ронкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Акунар". Дата публикации: 2016-07-10.

Method of heating and draining of thick and frozen products from vessel

Номер патента: RU2500598C1. Автор: Евгений Леонидович Левченко,Андрей Геннадьевич Харитонов,Михаил Алексеевич Елисеев,Владимир Валентинович Писарев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Аккорд Эстейт". Дата публикации: 2013-12-10.

Device to fill and drain reservoir with oil and oil products

Номер патента: RU2449944C2. Автор: Татьяна Сергеевна Мещерякова. Владелец: Татьяна Сергеевна Мещерякова. Дата публикации: 2012-05-10.

Method of warming and draining of high viscosity products from transport and stationary reservoirs

Номер патента: RU2297959C1. Автор: Николай Анатольевич Бердников,Алексей Константинович Тоболкин,Рауф Багадыр Оглы Садыхов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Северо-Западное Морское Агентство ТЕРМИНАЛ". Дата публикации: 2007-04-27.

Номер патента: RU2256256C1. Автор: В.Д. Скупов,В.К. Смолин,А.Ю. Малков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство Российской Федерации по Атомной Энергии. Дата публикации: 2005-07-10.

Method of heating and draining residual fuel oils from rail tank cars

Номер патента: RU2112733C1. Автор: Е.Л. Левченко,М.А. Елисеев,В.Н. Кудеяров,С.А. Веялис,А.С. Шаранов,Б.Н. Дубинкин,А.И. Жиров,Б.В. Забулдин,Е.Ф. Ляхин,В.В. Иноземцев. Владелец: Левченко Евгений Леонидович. Дата публикации: 1998-06-10.

Method for silicone chips mounting to gold-plated surface

Номер патента: RU2570226C1. Автор: Владимир Андреевич Кожевников,Тамара Ивановна Бражникова,Олег Васильевич Марченко,Геннадий Александрович Велигура. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2015-12-10.

Номер патента: RU2286269C2. Автор: Валерий Аванесович Айриев,Олег Георгиевич Крыжановский. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственная фирма "Центральное конструкторское бюро арматуростроения". Дата публикации: 2006-10-27.

Device for warming and draining products in cold and viscous state from tanks

Номер патента: RU2307057C2. Автор: Ирек Альбертович Макулов,Рустам Ирекович Макулов,Тимур Мингарифович Зидиханов,Ильгиз Флюрович Ягудин,Радик Рифаитович Музиров. Владелец: ООО "Газ-Проект Инжиниринг". Дата публикации: 2007-09-27.

Method of and device for heating and draining high-viscosity products from railway tanks

Номер патента: RU2275317C2. Автор: Евгений Леонидович Левченко,Валентин Митрофанович Мазур,Михаил Алексеевич Елисеев,Евгений Леонидович Левченко (RU),Валентин Митрофанович Мазур (RU),Михаил Алексеевич Елисеев (RU). Владелец: Евгений Леонидович Левченко. Дата публикации: 2006-04-27.

Method to monitor safety of bearing structures, structural elements of buildings and structures and system for its realisation

Номер патента: RU2413193C2. Автор: Олег Сергеевич Волков,Владимир Иванович Клецин. Владелец: Владимир Иванович Клецин. Дата публикации: 2011-02-27.

Номер патента: RU2429196C2. Автор: Виталий Викторович Заддэ,Виталий Викторович Заддэ (RU). Владелец: Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ). Дата публикации: 2011-09-20.

Method of heating and draining high-viscosity products from vessel with bottom hatch, device to this end and device to feed hot products into said vessel

Номер патента: RU2448888C2. Автор: Евгений Леонидович Левченко,Михаил Алексеевич Елисеев,Владимир Валентинович Писарев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Домодедовский опытный машиностроительный завод". Дата публикации: 2012-04-27.

Automated method of erection of solid foundations and walls of buildings and structures of plastic blocks

Номер патента: RU2532117C2. Автор: Кирилл Константинович Нежданов,Вячеслав Александрович Туманов,Алексей Александрович Игошин,Антон Вячеславович Туманов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Пензенский государственный университет архитектуры и строительства. Дата публикации: 2014-10-27.

Method of forming magnetoresistive memory element based on tunnel junction and structure thereof

Номер патента: RU2522714C2. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Сергей Александрович Гусев,Александр Юрьевич Климов,Андрей Александрович Фраерман,Владимир Всеволодович Рогов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2014-07-20.

Method to develop soil-reinforced basements and foundations of buildings and structures and device for its realisation

Номер патента: RU2415229C2. Автор: Владимир Петрович Дыба,Татьяна Петровна Кашарина,Юрий Викторович Галашев,Анна Сергеевна Глаголева. Владелец: Анна Сергеевна Глаголева. Дата публикации: 2011-03-27.

Hand cart to carry barrels and drain liquids therefrom

Номер патента: RU2375228C1. Автор: Дмитрий Ильич Овчинин,Владимир Николаевич Еремин,Владимир Михайлович Таран,Фёдор Валентинович Белохвостов,Игорь Анатольевич Кувичка. Владелец: Федеральное автономное учреждение "25 Государственный научно-исследовательский институт химмотологии Министерства обороны Российской Федерации". Дата публикации: 2009-12-10.

Process for producing natural juice beverage product

Номер патента: PH22020050308Y1. Автор: Marcela C Saises,Alex M Palomo,Abbie L Padrones,Theresa Krista B Jolejole,Aiza B Umali,Ann Margarette F Satorre,Jc Medel A Victorio,John Lester G Ramirez,Junimer B Lala. Владелец: Department Of Science And Tech Food And Nutrition Research Institute Dost Fnri. Дата публикации: 2020-07-29.

Process for producing fine-grained biologically active materials

Номер патента: RU2440105C2. Автор: Владимир Андрианович Алёшкин,Станислав Степанович Афанасьев,Валерий Юрьевич Давыдкин,Игорь Юрьевич Давыдкин,Александра Вадимовна Мелихова,Николай Валерьевич Колесов. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Московский научно-исследовательский институт эпидемиологии и микробиологии имени Г.Н. Габричевского Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека" (ФБУН МНИИЭМ им. Г.Н. Габричевского Роспотребнадзора). Дата публикации: 2012-01-20.

Method for correction of vertical position of buildings and structures on panel-wall foundation

Номер патента: RU2352723C1. Автор: Леонид Викторович Нуждин,Матвей Леонидович Нуждин. Владелец: Матвей Леонидович Нуждин. Дата публикации: 2009-04-20.

Method of analysing optical and structural isomers

Номер патента: RU2413936C2. Автор: Людмила Артемовна Онучак,Юрий Иванович Арутюнов,Анна Ивановна Жосан,Раиса Федоровна Степанова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный университет". Дата публикации: 2011-03-10.

Device of opening size selection for relief constructional element and its weight, designed to protect buildings and structures against explosions

Номер патента: RU2520670C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов,Мария Олеговна Стареева,Мария Михайловна Стареева. Владелец: Мария Михайловна Стареева. Дата публикации: 2014-06-27.

Method of analysing optical and structural isomers

Номер патента: RU2494390C2. Автор: Кирилл Александрович Копытин,Юрий Иванович Арутюнов,Станислав Юрьевич Кудряшов,Людмила Артёмовна Оничак. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный университет". Дата публикации: 2013-09-27.

Номер патента: RU2593463C2. Автор: Антон Сергеевич Воронин,Михаил Максимович Симунин,Станислав Викторович Хартов,Юрий Владимирович Фадеев,Дарина Валерьевна Карпова,Алексей Валерьевич Шиверский. Владелец: Приходько Сергей Валентинович. Дата публикации: 2016-08-10.

Method to form and structure of crown of treelike vineyard (version of russian logics - version 2)

Номер патента: RU2477602C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2013-03-20.

Self-aligned silicide process for silicon sidewall source and drain contacts and structure formed thereby

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты