Semiconductor integrated circuit device having interposer and method of manufacturing the same
Номер патента: US6661088B1
Опубликовано: 09-12-2003
Автор(ы): Hirokazu Ezawa, Takashi Yoda
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-12-2003
Автор(ы): Hirokazu Ezawa, Takashi Yoda
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Integrated circuit device having through silicon via structure and method of manufacturing the same
Номер патента: KR102379165B1. Автор: 박병률,이호진,안진호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-03-25.