Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Voltage generation circuit, level shift circuit, and semiconductor device

Voltage generation circuit, level shift circuit, and semiconductor device

Номер патента: JP3916931B2
Опубликовано: 23-05-2007
Автор(ы): 久雄 鈴木
Принадлежит: Fujitsu Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Level shift circuit

Номер патента: US20100321084A1. Автор: Tatsuya Uchino,Hiromi Saitou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Negative voltage level conversion control circuit and method

Номер патента: US12101086B2. Автор: Xin Zhang,Chifeng LIU. Владелец: Smarter Microelectronics Guangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Level shift circuit

Номер патента: US20120223760A1. Автор: Tatsuya Uchino,Hiromi Saitou. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-06.

Level shift circuit and switching regulator using the same

Номер патента: US8575986B2. Автор: Hironori Sumitomo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-11-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09948283B2. Автор: Koji Takayanagi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Level shifting circuit and integrated circuit

Номер патента: US09859894B1. Автор: Min-Chung Chou. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Level Shift Circuit, Integrated Circuit, Electronic Device

Номер патента: US20230216487A1. Автор: Xiaoheng Zhang,Haohao ZHANG,Jiajhang Wu. Владелец: Hefei Eswin Computing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device having input buffers to which internally-generated reference voltages are applied

Номер патента: US20030214328A1. Автор: Takashi Oguri. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Drive circuit, drive method, and semiconductor system

Номер патента: US11165418B2. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

Voltage generating circuits based on a power-on control signal

Номер патента: US20140002172A1. Автор: Wen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Drive circuit, drive method, and semiconductor system

Номер патента: US20220045671A1. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Drive circuit, drive method, and semiconductor system

Номер патента: US20200228110A1. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20140320180A1. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Voltage generator with low clock feedthrough

Номер патента: US20240022164A1. Автор: Jingfeng Gong,William Frede,Yeung Bun Choi. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Oscillation circuit and interface circuit

Номер патента: US20210021267A1. Автор: Hiroo Yabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Power-up signal generation circuit

Номер патента: US20110026335A1. Автор: Kyoung Hwan Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Level shift circuit

Номер патента: US09948302B2. Автор: Kosuke Takada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20210066911A1. Автор: Dai KAMIMARU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and test system including the same

Номер патента: US09874604B2. Автор: Min-Su Kim,Jin-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Buffer circuit, clock generating circuit, semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20240356550A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Voltage generator with charge pump and related methods and apparatus

Номер патента: US9467124B2. Автор: Jonathan Christian Crandall. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Voltage generator with charge pump and related methods and apparatus

Номер патента: US09837993B2. Автор: Jonathan Christian Crandall. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Built-in self-test circuit and temperature measurement circuit including the same

Номер патента: US20230280398A1. Автор: Kwangho Kim,Sangho Kim,Yongjin Lee,Michael Choi,Junhee Shin,Jooseong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Built-in self-test circuit and temperature measurement circuit including the same

Номер патента: US11686766B2. Автор: Kwangho Kim,Sangho Kim,Yongjin Lee,Michael Choi,Junhee Shin,Jooseong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-27.

Voltage generating circuits based on a power-on control signal

Номер патента: US09806611B2. Автор: Wen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20190260363A1. Автор: Koichi Takeda,Yoji Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US09853641B2. Автор: Bong Hwa Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Switching control circuit and semiconductor device

Номер патента: US20210152075A1. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Command Generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20100085815A1. Автор: Bok Rim KO,Keun Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-08.

Flag signal generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20100085816A1. Автор: Keun Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-08.

Level shift circuit with short-circuit detection mechanism and short-circuit detection method thereof

Номер патента: US20160054368A1. Автор: Ching-Hung Wang,Huang-Ti Lin,Jin-Jang Yang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-02-25.

Level shift delay equalization circuit and methodology

Номер патента: US20070146007A1. Автор: Burt Price. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device and system

Номер патента: US20050063112A1. Автор: Kazuo Kanetani,Hiroaki Nambu,Hideto Kazama,Takemi Negishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-03-24.

Semiconductor device and system

Номер патента: US20030222285A1. Автор: Kazuo Kanetani,Hiroaki Nambu,Hideto Kazama,Takemi Negishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Voltage generation circuit and input buffer including the voltage generation circuit

Номер патента: US20210103306A1. Автор: Jin Ha Hwang,Soon Sung AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Termination resistance adjustment circuit and device including termination resistance adjustment circuit

Номер патента: US9614531B1. Автор: Takayuki SHIBASAKI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Gate-source voltage generation for pull-up and pull-down devices in i/o designs

Номер патента: US20200076429A1. Автор: Prasant Kumar Vallur,Jagadeesh Anathahalli Singrigowda,Girish Anathahalli Singrigowda,Rajesh Mangalore Anand. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device having a reverse bias voltage generator

Номер патента: US4996446A. Автор: Kazuhiro Nakada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-02-26.

Output circuit, transmission circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11791820B2. Автор: Akiyoshi Matsuda,Takumi FUNAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Pulse-width modulation controller and tri-state voltage generation method

Номер патента: US20190288675A1. Автор: Chih-Lien Chang,Min-Rui Lai. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Inverter with control voltage generating circuit capable of withstanding high voltage

Номер патента: US10784843B2. Автор: Hsin-Cheng HSU,Po-Ching Lin,Tay-Her Tsaur. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Voltage generation circuit and input buffer including the voltage generation circuit

Номер патента: US11550347B2. Автор: Jin Ha Hwang,Soon Sung AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Spike neural network circuit including self-correcting control circuit and method of operation thereof

Номер патента: US20220253673A1. Автор: Kwang Il Oh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor device including plurality of semiconductor circuits

Номер патента: US20080094125A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Half power supply voltage generating circuit for a semiconductor device

Номер патента: US5592119A. Автор: Seung-Moon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-01-07.

Circuit and method for generating clock-signals

Номер патента: US09774326B2. Автор: Fei Liu,Hua Tang,Benpeng Xun,Haifeng Yang,Chia Chi Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device allowing fast and stable transmission of signals

Номер патента: US6087885A. Автор: Youichi Tobita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160197603A1. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Impedance calibration circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20080143377A1. Автор: Mi-Jin Lee,Yong-Ki Cho,Sung-Jinn CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-19.

Output circuit using calibration circuit, and semiconductor device and system including the same

Номер патента: US09859869B1. Автор: Kwang Hun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09917572B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Circuit and method for adaptively eliminating ringing in signals driving capacitive loads

Номер патента: EP4402801A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Sam Seiichiro Ochi,Tetsuya Takata,Tomohiro Yoneyama. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-07-24.

Circuit and method for adaptively eliminating ringing in signals driving capacitive loads

Номер патента: WO2023043677A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Sam Seiichiro Ochi,Tetsuya Takata,Tomohiro Yoneyama. Владелец: Kyosan Electric Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-23.

Bias voltage generator

Номер патента: WO2023234775A1. Автор: Fabio Sebastiano,Masoud Babaie,Lucas Alexander ENTHOVEN. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2023-12-07.

Circuit and method for adaptively eliminating ringing in signals driving capacitive loads

Номер патента: AU2022344993A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Sam Seiichiro Ochi,Tetsuya Takata,Tomohiro Yoneyama. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Signal inverting device, power transmission device, and negative-voltage generating circuit

Номер патента: US20160211840A1. Автор: Yasufumi Kawai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Voltage generator and voltage generating method thereof

Номер патента: US11916476B2. Автор: Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Voltage generator and voltage generating method thereof

Номер патента: US20230369970A1. Автор: Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20190341913A1. Автор: Roh YAMAMOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Clock generating circuit having additional delay line besides digital dll loop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: KR100393714B1. Автор: 구게시게히로. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-08-09.

Reference voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US09906124B2. Автор: Yanzheng ZHANG. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Power-on reset circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US09899065B1. Автор: Hyun Chul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Phase synchronization circuit, transmission and reception circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11757457B2. Автор: Hiromitsu OSAWA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Level shift circuit and drive circuit of display device

Номер патента: US20130162294A1. Автор: Kiyoshi Miyazaki,Yutaka Saeki,Isao HENMI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Reference voltage generator circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240361796A1. Автор: Yuta IIDA,Kengo KOMIYA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit and an operation method thereof

Номер патента: US12034297B2. Автор: Kai Zhou,Lei Pan,Ya-Qi Ma,Zhang-Ying YAN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit and an operation method thereof

Номер патента: US20240313528A1. Автор: Kai Zhou,Lei Pan,Ya-Qi Ma,Zhang-Ying YAN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Gate-on voltage generation circuit, display panel driving device and display device

Номер патента: US11749174B2. Автор: Mingliang Wang. Владелец: Chongqing Advance Display Technology Research. Дата публикации: 2023-09-05.

Reference voltage generation circuit

Номер патента: US8947159B2. Автор: Hideo Yoshino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Voltage Variation Detection Circuit, Semiconductor Integrated Circuit, and Vehicle

Номер патента: US20180164352A1. Автор: Takayuki Nakashima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-14.

Clock generation circuit and voltage generation circuit including the clock generation circuit

Номер патента: US20240235560A1. Автор: Hyun Chul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Voltage generation circuits, semiconductor devices including the same, and methods of generating voltages

Номер патента: US20180091120A1. Автор: Byung Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device without limitation on insert orientation on board

Номер патента: US6417718B1. Автор: Akiko Ota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-09.

Voltage generation circuit and integrated circuit including the same

Номер патента: US09996098B2. Автор: Chang-Hyun Lee,Jae-Boum Park,Kyeong-tae Kim,Saeng-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Level shifter and level shifting method and semiconductor device including the same

Номер патента: US11646736B2. Автор: Nam Hee Lee,Jung-ho Song,Ho Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-09.

Level shifter and level shifting method and semiconductor device including the same

Номер патента: US20220182056A1. Автор: Nam Hee Lee,Jung-ho Song,Ho Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Cascode voltage generating circuit and method

Номер патента: US09755632B2. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-09-05.

Current generation circuit, drive circuit, and current adjustment method

Номер патента: US20210389788A1. Автор: Takahiro Mori. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Slope wave generation circuit and digital-to-analog conversion circuit thereof, fingerprint identification system

Номер патента: US09953203B2. Автор: Songtao Chen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Compensation circuit and compensation method

Номер патента: US09948288B2. Автор: Hiroshi Komori,Atsushi Yoshimoto,Ryo KITAMURA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Voltage generation circuit and integrated circuit including the same

Номер патента: US09712154B1. Автор: Jung-Ung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

CMOS power-on reset pulse generating circuit with extended reset pulse duration

Номер патента: US4558233A. Автор: Tutomu Nakamori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-12-10.

Protection voltage generating circuit with monotonic and stable power supply voltage behavior

Номер патента: GB2626648A. Автор: Thomsen Axel,Angel C Abusleme Hoffman. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Voltage generation integrated circuit and display apparatus having the same

Номер патента: US9830848B2. Автор: Young-Su Kim,Jae-Won Jeong,Kyung-Uk Choi,Hyun Seok Hong,Hyelim Kim,Jinhyun KO,Sangyoung Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Output driving circuit and transistor output circuit

Номер патента: US20130038356A1. Автор: Chang Jae Heo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20190115910A1. Автор: Takanori Kohama,Yuya Abe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Voltage generation integrated circuit and display apparatus having the same

Номер патента: US09830848B2. Автор: Young-Su Kim,Jae-Won Jeong,Kyung-Uk Choi,Hyun Seok Hong,Hyelim Kim,Jinhyun KO,Sangyoung Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Skew compensation circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US10491219B2. Автор: Da In IM,Young Suk SEO,Seung Wook Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-26.

High-side gate drive voltage generation circuit and semiconductor module

Номер патента: US11757347B2. Автор: Narumi Matsushita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Power-up signal generation circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09847780B2. Автор: Sang-Ho Lee,Kyoung-youn Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Internal voltage generation circuits

Номер патента: US20140292397A1. Автор: Min Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Duty correction device including duty correction circuit and semiconductor device including duty correction device

Номер патента: US11894102B2. Автор: Jin Hyung Lee,Chang Kwon Lee,Su Hyun OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190348093A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Power-up signal generation circuit

Номер патента: US20150244356A1. Автор: Hyun-Ju HAM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-27.

Reference voltage generation circuit including resistor arrangements

Номер патента: US09886047B2. Автор: Yuki Inoue,Yusuke YOSHII. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Reference voltage generating apparatus and method

Номер патента: US20190041889A1. Автор: Sang Joon Kim,Seungchul Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Clock-generating circuit

Номер патента: US20240013841A1. Автор: Liang-Hsiang Chiu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Clock-generating circuit

Номер патента: US11961569B2. Автор: Liang-Hsiang Chiu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Voltage generation circuit having a temperature compensation function

Номер патента: US20180181155A1. Автор: SHINICHI IIZUKA,Jong Ok HA,Jeong Hoon Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Regulator circuit and front end module including the same

Номер патента: US11527954B2. Автор: Sanghoon Ha. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-13.

Periodic signal generation circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09887691B2. Автор: Kyung Hoon Kim,Myeong Jae PARK,Woo Yeol SHIN,Han Kyu CHI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Voltage generation circuit, image sensor, scope, and voltage generation method

Номер патента: US20230353141A1. Автор: Yoshio Hagihara. Владелец: OLYMPUS MEDICAL SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2023-11-02.

Reference voltage generation circuit

Номер патента: US20140240038A1. Автор: Hideo Yoshino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Duty cycle monitor circuit and method for duty cycle monitoring

Номер патента: EP3648348A1. Автор: Pierre Savary,Jean-Stephane Vigier,Cristian Pavao Moreira,Matthis Bouchayer. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-05-06.

Level detector, voltage generator, and semiconductor device

Номер патента: US20100219880A1. Автор: Byung-Chul Kim,Whi-Young Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-02.

Pwm signal conversion circuit and method, and led dimming system

Номер патента: EP4344355A1. Автор: Jun Liu,Guocheng Li,Quanqing Wu. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Pwm signal conversion circuit and method, and led dimming system

Номер патента: EP4344355A9. Автор: Jun Liu,Guocheng Li,Quanqing Wu. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Voltage switching circuitry, integrated device and integrated circuit, and method of voltage switching

Номер патента: WO2012056266A1. Автор: Jerome Enjalbert,Marianne Maleyran. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2012-05-03.

Voltage generation circuit

Номер патента: US7907136B2. Автор: Hironori Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Duty cycle monitor circuit and method for duty cycle monitoring

Номер патента: US20200136599A1. Автор: Pierre Savary,Jean-Stephane Vigier,Cristian Pavao Moreira,Matthis Bouchayer. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Protection voltage generating circuit with monotonic and stable power supply voltage behavior

Номер патента: US20240192715A1. Автор: Axel Thomsen,Angel C. Abusleme Hoffman. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrating analog-to-digital converter and semiconductor device

Номер патента: US12040813B2. Автор: Fukashi Morishita,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and internal voltage adjusting method thereof

Номер патента: US20180323703A1. Автор: Chang-Hyun Lee,Jae-Boum Park,Bong-Hwa Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Logic circuit and semiconductor device formed using unipolar transistor

Номер патента: US11777502B2. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Power gating control circuit and semiconductor apparatus including the power gating control circuit

Номер патента: US11322193B2. Автор: Woong Rae KIM,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

Valley detection circuit and drive circuit

Номер патента: US09793883B2. Автор: Shun Yabuta. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Pulse generating circuit and a semiconductor memory device provided with the same

Номер патента: US5691661A. Автор: Shigeru Mori,Masanori Hayashikoshi,Tatsuya Fukuda,Seiji Sawada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Device for controlling high-voltage transistor, specifically mos transistor of high-voltage generator for controlling internal combustion engine ignition

Номер патента: RU2377720C2. Автор: Андре АНЬЕРАЙ,Клеман НУВЕЛЬ. Владелец: Рено С.А.С.. Дата публикации: 2009-12-27.

Data storage apparatus, and internal voltage trimming circuit and trimming method therefor

Номер патента: US20210050065A1. Автор: Young Jin Moon,Young Sub Yuk. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Voltage generation circuit for sram

Номер патента: US20240062791A1. Автор: Hubert Martin Bode,Alexander Hoefler,Glenn Charles Abeln. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-02-22.

Bandgap reference circuit including resistivity temperature coefficient cancellation circuit, and oscillator circuit including the bandgap reference circuit

Номер патента: US11789482B2. Автор: Taeik Kim,Chanyoung Jeong,Wooseok Kim,Jusung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Signal converting circuit and bias voltage generation circuit thereof

Номер патента: US20230291398A1. Автор: Yi-Chun HSIEH,Hsi-En Liu,Chien-Tsu YEH. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Voltage generation circuit for sram

Номер патента: EP4328914A1. Автор: Hubert Martin Bode,Alexander Hoefler,Glenn Charles Abeln. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-02-28.

Low voltage detection circuit and memory device including the same

Номер патента: US20190279687A1. Автор: Hyun Chul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

DC offset cancellation circuit, differential amplification circuit with DC offset cancellation circuit, photo-electric pulse conversion circuit, pulse shaping circuit, and pulse generation circuit

Номер патента: US20020109075A1. Автор: Akihiko Ono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Power supply generating circuit, capacitive array sensing apparatus and terminal device

Номер патента: US20190025091A1. Автор: Chengzuo Wang. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Threshold voltage generator circuit and corresponding receiver device

Номер патента: EP4312378A1. Автор: Giulio Ricotti,Eleonora Franchi Scarselli,Antonio Gnudi,Matteo D'addato,Alessia Maria ELGANI,Luca Perilli,Roberto Antonio CANEGALLO. Владелец: Universita di Bologna. Дата публикации: 2024-01-31.

Signal generation circuit, switching device, and switching power supply device

Номер патента: US20240162817A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Daichi Yuruki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US10176879B2. Автор: Dong Hwan Lee,Min Gyu KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Constant current source, ramp voltage generation circuit, and a/d converter

Номер патента: US20090079603A1. Автор: Masahiko Maruyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Constant voltage generation circuit

Номер патента: US6064327A. Автор: Fumihiro Ryoho,Taiki Nishiuchi,Terunori Kubo. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-16.

Constant voltage generating circuit for selectively generating a constant voltage at a high-speed

Номер патента: US4933627A. Автор: Yoshiko Hara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-06-12.

Clock generation circuit and voltage generation circuit including the clock generation circuit

Номер патента: US11967961B2. Автор: Hyun Chul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

High frequency switch, amplifying circuit, and mobile communication terminal

Номер патента: US20030201826A1. Автор: Takashi Yamamoto,Masao Nakayama,Masahiko Inamori,Kaname Motoyoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Delay circuit, delay locked loop circuit including delay circuit and processor including delay locked loop circuit

Номер патента: US20160105189A1. Автор: Masazumi Maeda,Yoshiharu Yoshizawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-04-14.

Voltage generation apparatus

Номер патента: US9564888B2. Автор: Hyun Ju HAM,Kee Teok Park,Hyung Sik WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Voltage generation apparatus

Номер патента: US20160164513A1. Автор: Hyun Ju HAM,Kee Teok Park,Hyung Sik WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Switch circuit and method of switching radio frequency signals

Номер патента: US10790820B2. Автор: Mark L. Burgener,James S. Cable,Robert H. Benton. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2020-09-29.

Switch circuit and method of switching radio frequency signals

Номер патента: US20050017789A1. Автор: Mark Burgener,James Cable. Владелец: Burgener Mark L.. Дата публикации: 2005-01-27.

High voltage generation circuit and method

Номер патента: CA3070394C. Автор: Yi Liao,Saijun Mao,Stewart Blake Brazil,Yunzheng CHEN,Xinhong HAN. Владелец: GE Oil and Gas ESP Inc. Дата публикации: 2022-12-13.

Semiconductor device having shielding structure

Номер патента: US20240159802A1. Автор: Suk Hwan CHOI,Jong Seok JUNG,Sun Beom LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Signal generating circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US11769536B2. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Switching point detection circuit and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040000944A1. Автор: Kwang-Rae Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-01.

Voltage generation integrated circuit and display apparatus having the same

Номер патента: US20150116298A1. Автор: Young-Su Kim,Jae-Won Jeong,Kyung-Uk Choi,Hyun Seok Hong,Hyelim Kim,Jinhyun KO,Sangyoung Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Core voltage generation circuit

Номер патента: US20090058513A1. Автор: Jae-Boum Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Gate driving circuit and display device having the same

Номер патента: US20150206500A1. Автор: CheolKyu Kim,JiHoon Oh,Sanghyun Jeon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Tri-level voltage generator circuit

Номер патента: US3604952A. Автор: William M Regitz. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1971-09-14.

Internal voltage generating circuit

Номер патента: US20160254034A1. Автор: Ho Uk Song,A Ram RIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20160043716A1. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device including delay compensation circuit

Номер патента: US20210320664A1. Автор: Taesung Lee,Anil KAVALA,Byunghoon Jeong,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device including delay compensation circuit

Номер патента: US12047082B2. Автор: Taesung Lee,Anil KAVALA,Byunghoon Jeong,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Systems and methods for high voltage generation

Номер патента: US11330696B2. Автор: XU Chu,Guoping Zhu,Jinglin Wu,Tieshan ZHANG,Bobin TONG. Владелец: Shanghai United Imaging Healthcare Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-10.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09800130B2. Автор: Yoshikazu Tanaka,Hiroshi Yoshida,Nobuya Nishida,Shiori Uota,Kyoko OYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Current compensation circuit and light apparatus comprising the same

Номер патента: US09780650B2. Автор: Seung Woo Hong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Period signal generation circuits

Номер патента: US9130544B2. Автор: Hyun Ju HAM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-08.

Voltage generating circuit with timing skipping control

Номер патента: US20210281180A1. Автор: Yu-Hsuan Liu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Driving voltage generating device

Номер патента: US20240102868A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US7852608B2. Автор: Tetsuya Hayashi,Tomokazu Higuchi,Masanori Yoshitani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-14.

Solid-state relay and semiconductor device

Номер патента: US11758745B2. Автор: Noboru Inoue,Takahiro Fukutome,Shigeru Onoya. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Voltage Generator With Adjustable Slope

Номер патента: US20130285738A1. Автор: Yen-Ming Chen,Chih-Ning Chen. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Frequency dividing circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09900014B2. Автор: Tetsuro Tamura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Reference voltage generator

Номер патента: US5384740A. Автор: Masakazu Aoki,Yoshinobu Nakagome,Hitoshi Tanaka,Koji Kawamoto,Jun Etoh. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1995-01-24.

Reference voltage generator

Номер патента: US5455797A. Автор: Masakazu Aoki,Yoshinobu Nakagome,Hitoshi Tanaka,Koji Kawamoto,Jun Etoh. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1995-10-03.

Back bias regulator circuit and method therefor

Номер патента: US20190250656A1. Автор: Stefano Pietri,Ivan Carlos Ribeiro do Nascimento,Felipe Ricardo Clayton,Charles Eric Seaberg,Ricardo Pureza Coimbra,Javier Mauricio OLARTE GONZALEZ. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Reset signal generating circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US20130069698A1. Автор: Masaya Fukazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240305282A1. Автор: Tadakatsu Kuroda. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Converter output stage with bias voltage generator

Номер патента: US20240305198A1. Автор: Timothy Alan Phillips. Владелец: Empower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Ramp voltage generator and image sensing device including the same

Номер патента: US09774318B2. Автор: Jung-Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Impulse voltage generator circuit

Номер патента: AU4109397A. Автор: Jürgen Wolf. Владелец: Haefely Trench AG. Дата публикации: 1998-04-17.

Voltage generation circuit

Номер патента: US20240186997A1. Автор: Koji Saito,Ryoichi KUROKAWA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Reference voltage generator for logic elements providing stable and predefined gate propagation time

Номер патента: WO2003100973A3. Автор: Igor Anatolievich Abrosimov. Владелец: Igor Anatolievich Abrosimov. Дата публикации: 2004-02-12.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Data latch circuit, semiconductor device, and semiconductor storage device

Номер патента: US20240305279A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Kiyofumi Sakurai,Eiji Kozuka,Teppei Higashitsuji,Takumi Kosaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Pulse output circuit and semiconductor device

Номер патента: US09742378B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Manabu Sato,Kenichi Okazaki,Yoshifumi Tanada,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Internal voltage generator

Номер патента: US7936207B2. Автор: Jae-Hyuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor device including cmos circuit and operation method thereof

Номер патента: US20190245532A1. Автор: Jae-Jin Lee,Sung Eun Kim,Kwang Il Oh,Kyuseung HAN,Tae Wook Kang,Sukho Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor circuit and semiconductor device

Номер патента: US20120154007A1. Автор: Yoshikazu Tanaka,Kenji Sakai,Motoki Imanishi,Kyouko Oyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

High-voltage generator for providing a high-voltage pulse

Номер патента: US20200194210A1. Автор: Sven Mueller,Oliver Heuermann,Martin Koschmieder,Stefan Willing,Marvin Moeller. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200287527A1. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device driving circuit

Номер патента: US20180205373A1. Автор: Dong Wang,Akihisa Yamamoto,Kazuya Hokazono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Substrate bias voltage generating circuit

Номер патента: US6700434B2. Автор: Mako Kobayashi,Fukashi Morishita,Akira Yamazaki,Yasuhiko Taito,Nobuyuki Fujii,Mihoko Akiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-02.

Voltage generator and memory device including the same

Номер патента: US20230307068A1. Автор: Yoonjae Lee,ChiWeon Yoon,Cheonan Lee,Byungjoon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor drive device and semiconductor module

Номер патента: US20240195408A1. Автор: Tatsunori Sakano,Kento Adachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Switch circuit and semiconductor switch, for battery-powered equipment

Номер патента: WO2000059093A1. Автор: Pieter G. Blanken,Franciscus A. C. M. Schoofs,Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-10-05.

Negative voltage generator

Номер патента: US09800153B2. Автор: Stéphane David. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-10-24.

SUSPENDED PHASE LOOP CIRCUIT AND INTEGRATED CIRCUIT SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2840470A1. Автор: Hyeok Chul Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-05.

SUSPENDED PHASE LOOP CIRCUIT AND INTEGRATED CIRCUIT SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2840470B1. Автор: Hyeok Chul Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-18.

Test circuit and method of semiconductor device

Номер патента: US20160202314A1. Автор: Ho Sung Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device outputting reference voltages

Номер патента: US09742356B2. Автор: Kei Takahashi,Yoshifumi Tanada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Differential amplifier circuit, reception circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12113494B2. Автор: Hideki Kano,Takuya FUJIMURA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and electronic timepiece

Номер патента: US20170017207A1. Автор: Masaya Ninomiya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20140085119A1. Автор: Takaya MASUDA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Bias voltage generating circuit, signal generator circuit and power amplifier

Номер патента: US20240291441A1. Автор: Yu-Jiu Wang,Ta-Shun Chu,Yue Ming WU,Hao-Chung Chou. Владелец: Tron Future Tech Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Reference voltage generator circuit such as band gap reference voltage generator circuit, and method of generating reference voltage

Номер патента: US11977405B2. Автор: Kaoru Nakano,Yohkoh HIROSE. Владелец: Nisshinbo Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

REFERENCE VOLTAGE GENERATOR CIRCUIT SUCH AS BAND GAP REFERENCE VOLTAGE GENERATOR CIRCUIT, AND METHOD OF GENERATING REFERENCE VOLTAGE (as amended)

Номер патента: US20230333587A1. Автор: Kaoru Nakano,Yohkoh HIROSE. Владелец: Nisshinbo Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Variable voltage generation circuit and memory device including the same

Номер патента: US09859848B2. Автор: Chung-Ho Yu,Gyo-Soo Choo,Pil-Seon Yoo,Duk-Min Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Reference voltage generating circuit and offset-compensated current-voltage converting circuit using the same

Номер патента: US20090027113A1. Автор: Ha Woong JUNG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20210336623A1. Автор: Kwang Chan LEE,Jeong Kwang Lee,Ho Jun YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device

Номер патента: US7319575B2. Автор: Hiroki Yamashita,Masayoshi Yagyu,Tatsuya Kawashimo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-01-15.

Delay circuit and electronic circuit including delay circuit

Номер патента: US20060214715A1. Автор: Hajime Takashima. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20180109233A1. Автор: Shingo Sakamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Oscillator circuit and temperature compensation method for oscillator circuit

Номер патента: US12088251B2. Автор: Takayuki Sato,Takeshi Hamada. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

A/d conversion circuit and a/d conversion method

Номер патента: US20110309961A1. Автор: Takumi DANJO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Write voltage generation circuit and memory apparatus

Номер патента: US09887012B2. Автор: Katsuaki Matsui,Akira Akahori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Tunable DC voltage generating circuit

Номер патента: US09823675B2. Автор: Kuo-Chi Liu,Wei-Hsin Wei. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-11-21.

Reference voltage generating circuit and power supply device using the same

Номер патента: WO2007116780A1. Автор: Masaaki Yoshida,Hiroaki Nakanishi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2007-10-18.

Tunable DC voltage generating circuit

Номер патента: US09958886B2. Автор: Kuo-Chi Liu,Wei-Hsin Wei. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US12126352B2. Автор: Fukashi Morishita,Wataru Saito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Current tracking bulk voltage generator

Номер патента: US12132451B2. Автор: Dong Pan,Wei Lu CHU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Multi-voltage generation circuit

Номер патента: US20230118768A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Bias voltage generating circuit

Номер патента: US20240283405A1. Автор: Po-Chih Wang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Residual signal generating circuit, successive approximation ad converter, pipelined ad converter, and radio receiver

Номер патента: US20130183920A1. Автор: Masanori Furuta,Hirotomo Ishii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Detection circuit, reception circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240088851A1. Автор: Hideki Kano,Ryoichiro Nakamura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20150333742A1. Автор: Sakae Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Substrate voltage generator and method therefor in a semiconductor device having selectively activated internal stepped-down power supply voltages

Номер патента: US5315166A. Автор: Kazutami Arimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-05-24.

Clock Generation Circuit and Semiconductor Device Including the Same

Номер патента: US20120173915A1. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Masami Endo,Daisuke Kawae. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-05.

Offset compensation gamma buffer and gray scale voltage generation circuit using the same

Номер патента: WO2009066882A2. Автор: Dae Seong Kim,Joon Ho Na,An Young Kim,Dae Keun Han,Man Jeong Ko. Владелец: SILICON WORKS CO., LTD. Дата публикации: 2009-05-28.

Reference voltage generator circuit

Номер патента: US20020047794A1. Автор: Katsuyoshi Yamamoto,Toshitaka Mizuguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Reference voltage generator circuit

Номер патента: US20010002820A1. Автор: Katsuyoshi Yamamoto,Toshitaka Mizuguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-06-07.

Pilot signal detection circuit and semiconductor integrated circuit equipping the circuit

Номер патента: US20070170946A1. Автор: Masaaki Kato,Hiroshi Miyagi. Владелец: Nigata Semitsu Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Voltage generation circuit and semiconductor circuit including the voltage generation circuit

Номер патента: US11264097B2. Автор: Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-01.

Constant voltage generating circuit

Номер патента: EP1798627B1. Автор: Masahiko CITIZEN WATCH CO. LTD. HITOMI,Masashi CITIZEN WATCH CO. LTD. SHIMOZURU. Владелец: Citizen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-26.

Reference voltage generator

Номер патента: US09971373B1. Автор: Teh-Shang Lu. Владелец: Aucmos Technologies USA Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and electronic timepiece

Номер патента: US9857774B2. Автор: Masaya Ninomiya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Pop sound reduction circuit and audio circuit having such pop sound reduction circuit for use in audio amplifier

Номер патента: WO2011010513A1. Автор: Masayuki Doi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2011-01-27.

Voltage generating system, voltage generating circuit and associated method

Номер патента: US20200019206A1. Автор: Yi-Chun Shih,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Gamma voltage generator, display driver, display device and method of generating a gamma voltage

Номер патента: US11847951B2. Автор: Dae-Sik Lee,Sanghyun Lee,Songyi Han,Keunoh Kang,Siduk Sung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Gamma voltage generator, display driver, display device and method of generating a gamma voltage

Номер патента: US20230368719A1. Автор: Dae-Sik Lee,Sanghyun Lee,Songyi Han,Keunoh Kang,Siduk Sung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Variable voltage generation circuit and memory device including the same

Номер патента: US20160352223A1. Автор: Chung-Ho Yu,Gyo-Soo Choo,Pil-Seon Yoo,Duk-Min Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-01.

Multi-voltage generation circuit and related envelope tracking amplifier apparatus

Номер патента: US20210006206A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Multi-voltage generation circuit and related envelope tracking amplifier apparatus

Номер патента: US20200127607A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device

Номер патента: US8922408B2. Автор: Takaya MASUDA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-30.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20110102031A1. Автор: Kwan-Dong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Reference voltage generator

Номер патента: US20190204863A1. Автор: Hwey-Ching Chien. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Reference voltage generator and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190158109A1. Автор: Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Young-don Choi,Seon-Kyoo Lee,Anil KAVALA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Clock generation circuit and semiconductor device provided therewith

Номер патента: US09819352B2. Автор: Takeshi Osada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Amplifier bias voltage generating circuit and method

Номер патента: US6441687B1. Автор: Thomas R. Apel. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-08-27.

Current detection circuit and protection circuit

Номер патента: US7394635B2. Автор: Seiji Miura,Akira Ikeuchi. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Current detection circuit and protection circuit

Номер патента: US20050190518A1. Автор: Seiji Miura,Akira Ikeuchi. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Load detection circuit and load driver having load detection circuit

Номер патента: US10890605B1. Автор: Ji Buem CHUN. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-12.

Clock generator for adjusting jitter characteristics and operation power, semiconductor device including the clock generator, and operating method of the clock generator

Номер патента: US20200401178A1. Автор: Sangdon Jung,Kyungmin Lee,Seunghyun Oh,Jaehong Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Oscillator, synthesizer tuner circuit and am synchronous detect circuit employing the oscillator

Номер патента: MY112439A. Автор: Komori Kenji,Hirabayashi Atsushi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-06-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20060158802A1. Автор: Hiroki Yamashita,Masayoshi Yagyu,Tatsuya Kawashimo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Delay-locked loop circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20110128056A1. Автор: Chang-Ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-02.

Amplifier circuit with variable temperature coefficient of gain, and circuit for generating voltage with variable temperature coefficient, which becomes reference potential at reference temperature, direct voltage generating circuit, and circuit for compensating for temperature drift of another amplifier circuit, which use the amplifier circuit

Номер патента: CA3192418A1. Автор: Shingo Sobukawa,Takehito Kamimura,Tatsuru Tamori. Владелец: NF Holdings Corp. Дата публикации: 2023-09-09.

Clock and data recovery circuit and frequency maintaining method

Номер патента: US20210328592A1. Автор: Fang-Ren LIAO,Pei Wei Chen,Po Huang Huang. Владелец: Grace Connection Microelectronics Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Clock and data recovery circuit and frequency maintaining method

Номер патента: US11177812B2. Автор: Fang-Ren LIAO,Pei Wei Chen,Po Huang Huang. Владелец: Grace Connection Microelectronics Ltd. Дата публикации: 2021-11-16.

Charge-steering amplifier circuit and control method thereof

Номер патента: US11804806B2. Автор: Shih-Hsiung Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

A/D conversion circuit and A/D conversion method

Номер патента: US8384571B2. Автор: Takumi DANJO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-02-26.

AD conversion method, AD converter, semiconductor device for detecting distribution of physical quantities, and electronic apparatus

Номер патента: US20050231624A1. Автор: Noriyuki Fukushima,Yoshikazu Nitta,Yoshinori Muramatsu,Yukihiro Yasui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Multi-voltage generation circuit

Номер патента: EP4167478A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-04-19.

Multi-voltage generation circuit

Номер патента: EP4167477A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-04-19.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20170294431A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20180358349A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20210265337A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US12057442B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Mixer circuit and method for adjusting common voltage of mixer circuit

Номер патента: US8446205B2. Автор: Shingo Sakamoto,Kentaro UCHIDA,Jialin REN. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Mixer circuit and method for adjusting common voltage of mixer circuit

Номер патента: US20110241753A1. Автор: Shingo Sakamoto,Kentaro UCHIDA,Jialin REN. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Memristor-based circuit and method

Номер патента: GB2583463A. Автор: Yang Xiaohan,Muhammad Jabir Abusaleh,Khandelwal Saurabh. Владелец: OXFORD BROOKES UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-11-04.

Envelope tracking integrated circuit and related apparatus

Номер патента: US20200274494A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

D/a converter circuit, liquid crystal driving circuit, and liquid crystal device

Номер патента: US20080012843A1. Автор: Fumio Meno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-01-17.

D/A converter circuit, liquid crystal driving circuit, and liquid crystal device

Номер патента: US8400382B2. Автор: Fumio Meno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-03-19.

Reference voltage controlling circuit and analog-to-digital converter

Номер патента: US20210250037A1. Автор: Erkan Alpman,Ning Zhang,Xiaofeng Guo,Haigang Feng,Yulin Tan,Jon Sweat DUSTER. Владелец: Radiawave Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Tunable dc voltage generating circuit

Номер патента: US20170227974A1. Автор: Kuo-Chi Liu,Wei-Hsin Wei. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-08-10.

Tunable dc voltage generating circuit

Номер патента: US20170351281A1. Автор: Kuo-Chi Liu,Wei-Hsin Wei. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-12-07.

Tunable DC voltage generating circuit

Номер патента: US9825525B2. Автор: Kuo-Chi Liu,Wei-Hsin Wei. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-11-21.

Tunable dc voltage generating circuit

Номер патента: US20170237341A1. Автор: Kuo-Chi Liu,Wei-Hsin Wei. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-08-17.

Analog-to-digital converter integrated with reference voltage generation, and calibration method

Номер патента: EP4391389A1. Автор: Zhong Tang,Nianxiong Tan,Yuyan Liu. Владелец: Hangzhou Vango Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20220238423A1. Автор: Haidong Sun. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Pll circuit and control method thereof

Номер патента: US20160248579A1. Автор: Yoshitaka Hirai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Memristor-based circuit and method

Номер патента: EP3956894A1. Автор: Xiaohan Yang,Abusaleh JABIR,Saurabh Khandelwal. Владелец: OXFORD BROOKES UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-02-23.

Memristor-based circuit and method

Номер патента: WO2020212443A1. Автор: Xiaohan Yang,Abusaleh JABIR,Saurabh Khandelwal. Владелец: OXFORD BROOKES UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-22.

Memristor-based circuit and method

Номер патента: US11646749B2. Автор: Xiaohan Yang,Abusaleh JABIR,Saurabh Khandelwal. Владелец: OXFORD BROOKES UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-09.

Integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240097632A1. Автор: Motomitsu IWAMOTO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Systems and methods for driving semiconductor devices and sensing device parameters

Номер патента: US11936347B2. Автор: Ronald Chang,Denpol Kultran,Harry Bourne MARR, Jr.,Padraig James Cooney. Владелец: Epirus Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Systems and methods for driving semiconductor devices and sensing device parameters

Номер патента: US20240186962A1. Автор: Ronald Chang,Denpol Kultran,Harry Bourne MARR, Jr.,Padraig James Cooney. Владелец: Epirus Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Reference voltage generator using two fine resistor ladders

Номер патента: US6204791B1. Автор: Katsuyoshi Yamamoto,Toshitaka Mizuguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-03-20.

Multi-power domain operational amplifier and voltage generator using the same

Номер патента: US9093895B2. Автор: Chiu-Huang Huang,Min-Hung Hu,Chen-Tsung Wu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2015-07-28.

Clock generation circuit and semiconductor apparatus using the clock generation circuit

Номер патента: US12057847B2. Автор: Young Suk SEO,Sung Hyun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Charge-pump circuitry and a method for high voltage generation with improved psrr

Номер патента: US20210159786A1. Автор: Lasse Aaltonen. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230204658A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20210011076A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240168086A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20190348091A1. Автор: Young Suk SEO,Gyu Tae Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Reference voltage generating device

Номер патента: GB2016801A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-09-26.

Apparatus including a bias voltage generator

Номер патента: US20230096979A1. Автор: Rachid El Waffaoui,Christophe Cordier,Mark Pieter Van Der Heijden. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Delay locked loop circuit and semiconductor device having the delay locked loop circuit

Номер патента: US20110109357A1. Автор: Jun Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-12.

Precise reference voltage generator for feedforward compensated amplifiers

Номер патента: US5148119A. Автор: Robert C. Dobkin,John W. Wright. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 1992-09-15.

Semiconductor device, system, and device using the same

Номер патента: US11838664B2. Автор: Kei Ochiai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Analog-to-digital converter and semiconductor device having the same

Номер патента: US20240195429A1. Автор: Ju Hyun Lee,Won Joon Hwang,Byung Jun SEO. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device for a tuner and diversity receiver

Номер патента: WO2007005826A3. Автор: Hideyuki Jp Maejima. Владелец: Hideyuki Jp Maejima. Дата публикации: 2007-06-07.

Error correcting code encoding circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240340025A1. Автор: Hong Rak Son,Kijun JEON,Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Bohwan Jun,Dae-Yeol Yang,Kyoungbin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Packaging structure and semiconductor device having same, and electronic apparatus having semiconductor device

Номер патента: EP3869579A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG,Chongling SUN. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Level-shift circuits and related methods

Номер патента: US20030020542A1. Автор: Edward Cherry,Christopher Martinez. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Motor driving circuit and motor driving method thereof

Номер патента: US20200021230A1. Автор: Ming-Jung Tsai. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Motor driving circuit and motor driving method thereof

Номер патента: US10637389B2. Автор: Ming-Jung Tsai. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-28.

100BASE-TX transceiver with transmit clock selected from output clock of clock generator circuit and receive recovered clock of clock and data recovery circuit and associated method

Номер патента: US12120213B2. Автор: Chia-Hsing Hsu,Chun-Chia Huang. Владелец: Airoha Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Synchronization signal generating circuit, chip and synchronization method and device, based on multi-core architecture

Номер патента: US12072730B2. Автор: Fei Luo,Weiwei Wang. Владелец: Stream Computing Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

100base-tx transceiver with transmit clock selected from output clock of clock generator circuit and receive recovered clock of clock and data recovery circuit and associated method

Номер патента: US20230388099A1. Автор: Chia-Hsing Hsu,Chun-Chia Huang. Владелец: Airoha Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

SIGNAL PROCESSING CIRCUIT, INVERTER CIRCUIT, BUFFER CIRCUIT, LEVEL SHIFTER, FLIP-FLOP, DRIVER CIRCUIT, AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20130154374A1. Автор: Sasaki Yasushi,Murakami Yuhichiroh,Yamamoto Etsuo. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

TEST CIRCUIT AND METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160202314A1. Автор: CHO Ho Sung. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

TEST CIRCUIT AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140368224A1. Автор: Lee Dong-Uk. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-12-18.

Test circuit and method for semiconductor devices

Номер патента: CN104237640B. Автор: 李东郁. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-11-30.

Needle alignment verification circuit and method for semiconductor device

Номер патента: US7323894B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Young-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-29.

Signal shifting circuit, base chip, and semiconductor system including the same

Номер патента: US09972372B2. Автор: Chun-Seok Jeong,Hyun-Sung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Supply voltage generating circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: US20140185373A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-07-03.

Supply voltage generating circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: US20130215676A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Internal voltage generation circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US9740231B2. Автор: Yeon-Uk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Internal voltage generation circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09939836B2. Автор: Yeon-Uk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Internal voltage generation circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09740231B2. Автор: Yeon-Uk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Internal-voltage generating circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20090116329A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Koichiro Hayashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Body bias voltage generator and semiconductor device including the same preliminary class

Номер патента: US12015024B2. Автор: Youngjae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20160035713A1. Автор: Kazushige Iwamoto. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09935093B2. Автор: Kazushige Iwamoto. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190293711A1. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US10761132B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Retention voltage generation circuit and electronic apparatus

Номер патента: US20180137911A1. Автор: Lei Wu,Simon To-Ming SZETO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Retention voltage generation circuit and electronic apparatus

Номер патента: US10283192B2. Автор: Lei Wu,Simon To-Ming SZETO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-05-07.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09933806B2. Автор: Shigeru Onoya. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and method of manufaturing the same

Номер патента: US20070243684A1. Автор: Masahiro Yoshida,Noriyuki Ota,Nobuyuki Katsuki,Atsushi Nakagawa,Atsushi Oga,Kenta Arai,Shuuichi Senou,Tomotaka Murakami. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050087774A1. Автор: Masahiro Yoshida,Noriyuki Ota,Nobuyuki Katsuki,Atsushi Nakagawa,Atsushi Oga,Kenta Arai,Shuuichi Senou,Tomotaka Murakami. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Supply voltage generating method

Номер патента: US09966843B2. Автор: Jian Deng. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Reference voltage generation circuits and related methods

Номер патента: US20210376718A1. Автор: Michael Lueders,Bernhard Wicht,Maik Peter Kaufmann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Power supply system and semiconductor package assembly

Номер патента: US20210210134A1. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor device, display panel, and electronic device

Номер патента: US20190362668A1. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Voltage Generation Module and Power Supply Management Chip

Номер патента: US20230253880A1. Автор: Yonghua Zhou. Владелец: Hefei Eswin IC Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Power supply circuit and control method thereof

Номер патента: US20240313626A1. Автор: Leaf Chen,Li Cheng Chu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Reference voltage generator

Номер патента: US20180284833A1. Автор: Hideo Yoshino,Masahiro HATAKENAKA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Drive signal generating circuit and power supply circuit

Номер патента: US20200251989A1. Автор: Ryuji Yamada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Device for analyzing failure in semiconductor device provided with internal voltage generating circuit

Номер патента: US20040012406A1. Автор: Kensaku Naito. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-01-22.

Internal supply voltage generator capable of reducing latch-up and semiconductor device having the same

Номер патента: US20090315528A1. Автор: Jae-Youn Lee,Byung-Ho Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-24.

High voltage generation circuit

Номер патента: US20170257036A1. Автор: Tomokazu Hariya,Naoto Sasada,Takayuki Toshida. Владелец: SMC Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

High voltage generation circuit

Номер патента: US10097104B2. Автор: Tomokazu Hariya,Naoto Sasada,Takayuki Toshida. Владелец: SMC Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Voltage generation circuit which is capable of executing high-speed boost operation

Номер патента: US20230352103A1. Автор: Masami Masuda,Tatsuro MIDORIKAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Voltage generation circuit which is capable of executing high-speed boost operation

Номер патента: US20240274208A1. Автор: Masami Masuda,Tatsuro MIDORIKAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Source driver circuit, and display device

Номер патента: US20170263185A1. Автор: Hirofumi Nakagawa. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Power supply circuit and electronic equipment

Номер патента: US8179107B2. Автор: Iwao Fukushi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2012-05-15.

Power Supply Circuit and Electronic Equipment

Номер патента: US20090322302A1. Автор: Iwao Fukushi. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20160163358A1. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US20220172752A1. Автор: Seok In Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09779782B2. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Protection circuit and hub chip

Номер патента: US12021367B2. Автор: Hsiao Chyi Lin,shao-yu Chen,Chia Ming TU,Yi Shing LIN. Владелец: Via Labs Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Gamma voltage generation circuit and display device including the same

Номер патента: US11763723B2. Автор: Su Bin Kim,Jin Young Jeon,Se Byung CHAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Overheat detection circuit and semiconductor device

Номер патента: US09983067B2. Автор: Atsushi Igarashi,Masakazu Sugiura,Tsutomu Tomioka,Hideyuki SAWAI,Daisuke Okano,Nao OTSUKA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Resistance circuit, and voltage detection and constant voltage generating circuits incorporating such resistance circuit

Номер патента: US20070075825A1. Автор: Hidenori Kato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Voltage boosting/lowering circuit and voltage boosting/lowering circuit control method

Номер патента: US20140333275A1. Автор: Takeshi Uchiike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Piezoelectric transformer drive circuit and cold cathode tube lighting apparatus

Номер патента: US20050206273A1. Автор: Kinya Takama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-09-22.

Reference voltage generation circuit and DCDC converter having the same

Номер патента: US09941787B2. Автор: Akihiro Kawano,Katsuya Goto. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Power supply circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230146002A1. Автор: Toyoaki Uo,Tatsuhiko Maruyama. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

High-voltage generation circuit for a plasma-based gas-treatment apparatus

Номер патента: WO2022098244A1. Автор: Bjarte Kvingedal,Frode Vik. Владелец: Seid As. Дата публикации: 2022-05-12.

Power supply device, electronic device using the same, and semiconductor device

Номер патента: US20090273327A1. Автор: Tomoyuki Ito,Isao Yamamoto,Yoichi Tamegai,Koki Tamakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-11-05.

Stabilized voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240094758A1. Автор: Hiroshi Yoshikawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Biasing voltage generating circuit for avalanche photodiode and related control circuit

Номер патента: US09882069B2. Автор: Shih-Wei Wang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Body bias voltage generator and semiconductor device including the same

Номер патента: US20230317710A1. Автор: Youngjae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Voltage booster circuit, semiconductor device, and voltage booster circuit control method

Номер патента: US20150277459A1. Автор: Yosuke IWASA. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Voltage booster circuit, semiconductor device, and voltage booster circuit control method

Номер патента: US09703304B2. Автор: Yosuke IWASA. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

High voltage generating circuit for a toner system printer

Номер патента: US20020044790A1. Автор: Yoshio Higuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor circuit and semiconductor device using same

Номер патента: US20080061869A1. Автор: KENICHI Takatori. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Internal voltage generation circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160224050A1. Автор: Yeon-Uk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Led driving circuit and method using single inductor

Номер патента: US20160066377A1. Автор: Wei Chen,Jianxin Wang,Hongbin Lai. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2016-03-03.

Negative voltage generator circuit, light receiver module, and lidar

Номер патента: WO2024125661A1. Автор: Shaoqing Xiang,Xue ZHANG,Zhenliang Chen,Jianxiong Zhu,Luying QIANG. Владелец: Hesai Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Reference voltage generation circuit, power-on detection circuit, and semiconductor device for preventing internal circuit from operating incorrectly at low voltage

Номер патента: US10990119B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-27.

High-voltage generating circuit for catheter and ablation tool

Номер патента: EP4385435A1. Автор: Chenggang Zhao. Владелец: Accupulse Medical Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Supply voltage generating circuit

Номер патента: US20130265103A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Koichiro Hayashi. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-10-10.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US20160233765A1. Автор: Jae-ho Lee,Chi-hyun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

High-voltage generating circuit for catheter and ablation tool

Номер патента: US20240277398A1. Автор: Chenggang Zhao. Владелец: Accupulse Medical Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Negative reference voltage generating circuit

Номер патента: US20160211744A1. Автор: Hideki Arakawa,Tomofumi Kitani. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Voltage generation circuit

Номер патента: US09893612B2. Автор: Ki Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Reference voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US10845838B2. Автор: Hiroyuki Tanikawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-24.

Voltage generator with voltage multiplier

Номер патента: CA2014657A1. Автор: Takaaki Ishii,Masayuki Sakanishi,Katsuhiko Kita. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-10-17.

High-voltage transformer and generation circuit for a plasma-based gas-treatment apparatus

Номер патента: WO2022098245A1. Автор: Bjarte Kvingedal,Frode Vik. Владелец: Seid As. Дата публикации: 2022-05-12.

Voltage generator and semiconductor device including the same

Номер патента: US12040704B2. Автор: Kyungsoo Ha,Sungju Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Overheat protection circuit, and semiconductor integrated circuit device and vehicle therewith

Номер патента: US20160336309A1. Автор: Hirofumi Yuki,Shuntaro Takahashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-17.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US09843256B2. Автор: Ji-Yong UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US7961036B2. Автор: Jae-Boum Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-14.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US20100289557A1. Автор: Jae-Boum Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Voltage generation circuit

Номер патента: US09985519B2. Автор: Michio Nakagawa,Yoshinao Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Stress compensation control circuit and semiconductor sensor device

Номер патента: US20200233045A1. Автор: Kentaro Fukai,Tomoki Hikichi. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US11982707B2. Автор: Namsu Kim,Heesu KIM,Bonggyu Kang,Junsik PARK,Youngmin Ku. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20230133288A1. Автор: Namsu Kim,Heesu KIM,Bonggyu Kang,Junsik PARK,Youngmin Ku. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Vision sensor including a voltage generation circuit for outputting a test bias voltage to a transistor and operating method thereof

Номер патента: US12111206B2. Автор: Seol Namgung,Jeongseok Kim,Yunjae Suh,Junseok Kim,Jongwoo Bong,Seungnam Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Radio-frequency voltage generator

Номер патента: US09773655B2. Автор: Ikuo Konishi. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Wireless communication system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7340227B2. Автор: Yutaka Igarashi,Akio Yamamoto,Daisuke Yoshimi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-04.

Temperature dependent constant-current generating circuit and light emitting semiconductor element driving circuit using the same

Номер патента: US6037832A. Автор: Katsuji Kaminishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20230376058A1. Автор: Tadashi Kameyama,Yusuke Aihara,Naoyuki Hamanishi,Kuniyasu Tajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Feedback control circuit and method thereof

Номер патента: US20170207702A1. Автор: Chih-Cheng Lin,Shih-Chieh Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-20.

Reference voltage generating apparatus and method

Номер патента: US10404163B2. Автор: Sang Joon Kim,Seungchul Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-03.

Voltage generating circuit

Номер патента: US09989985B2. Автор: Shinya Sano,Masashi Horiguchi,Takahiro Miki,Mitsuru Hiraki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Feedback control circuit and method thereof

Номер патента: US09712057B1. Автор: Chih-Cheng Lin,Shih-Chieh Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having a reference voltage generating circuit

Номер патента: US4994688A. Автор: Masakazu Aoki,Yoshinobu Nakagome,Hitoshi Tanaka,Masashi Horiguchi,Norio Miyake,Takaaki Noda,Kiyoo Itoh,Jun Etoh,Shin'ichi Ikenaga. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1991-02-19.

Switching power supply circuit and switching power supply device

Номер патента: US20230387805A1. Автор: Tadashi Akaho. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Power supply circuit and control method thereof

Номер патента: US20240223083A1. Автор: Li Cheng Chu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Internal voltage generation circuit of smart card and smart card including the same

Номер патента: US20240232564A9. Автор: Junho Kim,Eunsang JANG,Inhyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device, motor drive system, and method of starting motor

Номер патента: US11942890B2. Автор: Minoru Kurosawa,Satoshi Narumi,Takeshi Ohtsuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Internal voltage generation circuit of smart card and smart card including the same

Номер патента: US20210406631A1. Автор: Junho Kim,Eunsang JANG,lnhyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-30.

LED drive circuit and LED illumination apparatus using the same

Номер патента: US8692469B2. Автор: Takeshi Murata,Hirohisa Warita,Atsushi Kanamori,Takayuki Shimizu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-04-08.

Resistance hybrid, and voltage detection and constant voltage generating circuits incorporating such resistance hybrid

Номер патента: US20020180453A1. Автор: Kohzoh Itoh. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Voltage generation circuit and associated capacitor charging method and system

Номер патента: US11520366B2. Автор: Chun-I Kuo. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Power source apparatus, control circuit, and method of controlling power source apparatus

Номер патента: US20110241632A1. Автор: Makoto YASHIKI. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

High voltage generator circuit

Номер патента: US5642072A. Автор: Shigeru Atsumi,Junichi Miyamoto,Yasuo Itoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-06-24.

Constant voltage circuit and constant current source, amplifier, and power supply circuit using the same

Номер патента: US20060022660A1. Автор: Kohzoh Itoh. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Voltage generation module and power supply management chip

Номер патента: US11942862B2. Автор: Yonghua Zhou. Владелец: Hefei Eswin IC Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Voltage detection circuit and internal voltage generating circuit comprising it

Номер патента: US20040257148A1. Автор: Youichi Tobita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor device

Номер патента: US11915987B2. Автор: Takanobu Naruse. Владелец: Aisin Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US20240113628A1. Автор: YOSHIZAWA Tsuyoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: EP1043727A3. Автор: Hidenori C/O Oki Electric Ind. Co. Ltd. Uehara,Nobutaka c/o Oki Electric Ind. Co. Ltd. Nasu. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-11.

Power supplying circuit and phase-change random access memory including the same

Номер патента: US20090122601A1. Автор: Won-seok Lee,Kwang-Ho Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-14.

Dc-dc converter and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150188422A1. Автор: Hideyuki Kokatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Reference voltage generator capable of reducing hot carrier stress

Номер патента: US20200159273A1. Автор: Chun-Hung Lin,Cheng-Da Huang,Jen-Yu Peng. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Frequency limit circuit and dc-dc converter including the same

Номер патента: US20210194365A1. Автор: Hyunseok Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Multilayered semiconductor device

Номер патента: US20160133301A1. Автор: Tetsuo FUKUSHI,Atsunori Hirobe,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Internal voltage generation device and method for generating internal voltage

Номер патента: US20200202902A1. Автор: Sang-Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Power supply apparatus, semiconductor integrated circuit, and ripple suppressing method

Номер патента: US20200389959A1. Автор: Satoshi Arima,Hiroki Matsuda,Daisuke IMADE. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230307066A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Internal voltage generation device and method for generating internal voltage

Номер патента: US20210193192A1. Автор: Sang-Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Internal voltage generation device and method for generating internal voltage

Номер патента: US20210193193A1. Автор: Sang-Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Power protection circuit and power converting system

Номер патента: US20240120828A1. Автор: Sheng-Bo Wang. Владелец: Ganrich Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Power supply circuit and drive circuit

Номер патента: US20240204649A1. Автор: Kosuke Yamamoto. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

High voltage generation apparatus and image forming apparatus

Номер патента: US20180067416A1. Автор: Hirohisa Nakajima,Satoshi Ogawara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Voltage generator to compensate for process corner and temperature variations

Номер патента: WO2017099926A1. Автор: Hao Nguyen,Man Mui,Ohwon KWON,Amul DESAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-15.

Lamp driving circuit and display apparatus having the same

Номер патента: US20080137385A1. Автор: Moon-Shik Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-12.

Voltage generator to compensate for process corner and temperature variations

Номер патента: US09959915B2. Автор: Hao Nguyen,Man Mui,Ohwon KWON,Amul DESAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Motor speed control circuit and control method thereof

Номер патента: US09871477B2. Автор: Ming-Jung Tsai. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US20230051610A1. Автор: Yoshinori Kobayashi,Hiroaki Matsumoto,Masayuki Yamadaya. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Detection circuit, switching control circuit, and power supply circuit

Номер патента: US11936302B2. Автор: Jian Chen. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Power switch control circuit and control method thereof

Номер патента: US20200160922A1. Автор: Tomofumi Kitani. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Signal transceiving circuit and receiving circuit control method

Номер патента: US20180054230A1. Автор: Tzu-Ming Kao. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Voltage generation circuit which is capable of executing high-speed boost operation

Номер патента: US12002520B2. Автор: Masami Masuda,Tatsuro MIDORIKAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor laser drive circuit and photoelectric sensor

Номер патента: EP1494324A3. Автор: Takayuki Takeda,Takayuki Ochiai. Владелец: Sunx Ltd. Дата публикации: 2005-01-12.

Voltage generator circuit

Номер патента: US9641068B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Constant voltage power circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130049727A1. Автор: Hironori Nagasawa,Atsushi Namai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor devices having voltage generators using weighted combination of feedback voltages

Номер патента: US20190129457A1. Автор: Min-Sang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Dynamic focus adjusting voltage generating circuit

Номер патента: US5043638A. Автор: Shigeo Yamashita. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1991-08-27.

High voltage generation circuit and method for generating high voltage

Номер патента: US20080191786A1. Автор: Oh Suk Kwon,Ki Hwan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Dcdc converter, integrated circuit, and target voltage generation circuit

Номер патента: US20230402911A1. Автор: Masaru Nakamura,Kenji AKATSUKI,Takaaki NOJIMA. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Gamma voltage generation circuit and display device including the same

Номер патента: US20230387472A1. Автор: Su Bin Kim,Jin Young Jeon,Se Byung CHAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09939692B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Power module power generation redundant circuit and its control method

Номер патента: RU2741338C1. Автор: Хайин Ли,Дунмин ЦАО,Чжунфэн ЧЖАН,Еюань Се,Тяньгуй ЦЗЯН,Минлянь Чжу. Владелец: Нр Энджиниринг Ко., Лтд. Дата публикации: 2021-01-25.

Memory Device, Semiconductor Device, and Driving Method Thereof

Номер патента: US20080144349A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Konami Izumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Sweep generator circuit for a streak camera

Номер патента: US5949065A. Автор: Daniel Kaplan,Marcel A. Bouvier. Владелец: Fastlite SARL. Дата публикации: 1999-09-07.

High voltage generation circuit

Номер патента: US6784723B2. Автор: Joon-Ho Kim,Sang-Kwon Lee,Young-Jun Nam,Kwang-Rae Cho,Byung-Jae Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20150048874A1. Автор: Tatsufumi Kurokawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20230198378A1. Автор: Hideyuki Tajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20180005888A1. Автор: Fujiyuki Minesaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Operational amplifier, load driving apparatus and grayscale voltage generating circuit

Номер патента: US10621905B2. Автор: Ji-Ting Chen,Wei-Hsiang Hung. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2020-04-14.

Operational amplifier, load driving apparatus and grayscale voltage generating circuit

Номер патента: US20180005554A1. Автор: Ji-Ting Chen,Wei-Hsiang Hung. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-01-04.

Load driving apparatus and grayscale voltage generating circuit

Номер патента: US09792843B2. Автор: Ji-Ting Chen,Wei-Hsiang Hung. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-10-17.

High voltage generator

Номер патента: RU2488016C2. Автор: Клеман НУВЕЛЬ,Паоло БАРРОСО. Владелец: Рено С.А.С.. Дата публикации: 2013-07-20.

Charge pump type of negative voltage generator circuit and method

Номер патента: US5841314A. Автор: Marc Guedj,Alessandro Brigati,Maxence Aulas,Nicolas Demange. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1998-11-24.

Internal supply voltage generating circuit

Номер патента: US6034519A. Автор: Dong Jun Yang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-07.

Dropout voltage generation circuit, switching power supply and dropout voltage generation method

Номер патента: US20230412075A1. Автор: Yin Zhou. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Reference voltage generation circuit

Номер патента: US11940823B2. Автор: Seiichi Yamamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Supply voltage generating circuit

Номер патента: US20080238536A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Koichiro Hayashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor element, method for fabricating the same, and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160300921A1. Автор: Byung Jin Cho,Hyun Jun Ahn,Jung Min Moon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-10-13.

Internal voltage generator for semiconductor device

Номер патента: US20060104138A1. Автор: Kwan Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20210217673A1. Автор: Kiyoshi Kansaku. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Processing circuit, radio communication circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12081251B2. Автор: Takashi Miyazaki,Shunsuke Hirano,Yasuhiro Majima,Daisuke Kimura,Shunichiro Masaki,Kenta Aruga. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Power voltage generator and display device having the same

Номер патента: US20240258922A1. Автор: Yanguk NAM,Sungchun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Voltage Generation Circuit

Номер патента: US20150108957A1. Автор: Shingo Nakashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-23.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US20120274380A1. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Liquid crystal display and common voltage generating circuit thereof

Номер патента: US20080074410A1. Автор: Ki-Bum Kim,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

MEMS image forming element with built-in voltage generator

Номер патента: US12030772B2. Автор: Qian Zhang,Yongxin Wang,Rui-Ling Lai. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-07-09.

Current detection circuit and load drive control device including the circuit

Номер патента: EP4047376A1. Автор: Tadao Yamaguchi,Masahito Sonehara. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2022-08-24.

Current detection circuit and load drive control device including the circuit

Номер патента: US20220263400A1. Автор: Tadao Yamaguchi,Masahito Sonehara. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Active snubber circuit and buck converter

Номер патента: US20230369967A1. Автор: Keisuke Kanda,Koichi USHITANI. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20120230114A1. Автор: Yusuke Sekine. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-13.

Ramp voltage generator, image sensing device including the same and method for driving the image sensing device

Номер патента: US09781368B2. Автор: Jung-Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor integrated circuit with voltage generation circuit, liquid crystal display controller and mobile electric equipment

Номер патента: US20070211508A1. Автор: Toshio Mizuno,Kazuya Endo,Naoki Miyamoto,Yoshikazu Yokota,Takayuki Nakaji,Takatoshi Uchida,Kazuo Ookado. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US20130169353A1. Автор: Jae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-07-04.

Power conversion system and virtual DC voltage generator circuit

Номер патента: US11990830B2. Автор: Fumito Kusama,Takaaki Norisada. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

High-voltage generator

Номер патента: US20080037292A1. Автор: Geu-Cheng Hu,Hsiang-Yuan Yu. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Semiconductor device, motor control device, lens unit for imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US20160054728A1. Автор: Shigeyuki Endo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US9997552B2. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20170256577A1. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240315037A1. Автор: Koichi Sakata,Keisuke Nakatsuka,Keita Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US09997552B2. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Scalable protection voltage generator

Номер патента: US09831764B2. Автор: Hiten Advani,Phalguni Bala. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-11-28.

Voltage generation method

Номер патента: RU2720353C2. Автор: Геннадий Леонидович Багич. Владелец: Геннадий Леонидович Багич. Дата публикации: 2020-04-29.

Electrically programmable internal power voltage generating circuit

Номер патента: US5396113A. Автор: Hyung-Kyu Lim,Yong-Bo Park,Byeong-Yun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20150261245A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuui Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

High voltage generator having separate voltage supply circuit

Номер патента: US20050099830A1. Автор: Won-Chang Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-12.

Equalization circuit and equalization system

Номер патента: US9059769B2. Автор: Lei Li,Zhaolei Wu. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-16.

Equalization circuit and equalization system

Номер патента: US20130076329A1. Автор: Lei Li,Zhaolei Wu. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Memory device including voltage generating circuit

Номер патента: US20200160915A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device, in-vehicle valve system and solenoid driver

Номер патента: US20190080830A1. Автор: Satoshi Kondo,Kazuaki Kubo,Noriyuki Itano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Voltage generation apparatus and voltage generation method

Номер патента: US20130028407A1. Автор: Takuma Aoshima. Владелец: NEC AccessTechnica Ltd. Дата публикации: 2013-01-31.

Display device including voltage generator for receiving feedback driving voltage

Номер патента: US12094408B2. Автор: Sungjin Kim,Hyo-Sang Yang,Boram Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09922685B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Sinusoidal voltage generator based on nuclear power plant

Номер патента: RU2735021C1. Автор: Леонид Петрович Гаврилов. Владелец: Леонид Петрович Гаврилов. Дата публикации: 2020-10-27.

Negative voltage generating circuit

Номер патента: US20090154207A1. Автор: Jin-Liang Xiong. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Reference voltage generator and voltage regulator incorporating same

Номер патента: US20080297132A1. Автор: Hideyuki Aota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Voltage generation device, power control device, image forming apparatus, and control method

Номер патента: US20190369536A1. Автор: Tsuyoshi Mano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Mid-Bus Voltage Generation via Idle Phases in a Linear Motor Track System

Номер патента: US20190348899A1. Автор: Jonathan D. Hoffman,Patrick E. Ozimek. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Overcurrent protection circuit and switching power apparatus using the same

Номер патента: US09997902B2. Автор: Shinji Kawata,Keita Itohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Offset voltage generator and method for generating an offset voltage of three-phase inverter

Номер патента: US09899936B2. Автор: Hak-Jun Lee. Владелец: LSIS Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Offset voltage generator and method for generating an offset voltage of three-phase inverter

Номер патента: US09812940B2. Автор: Hak-Jun Lee,An-No YOO. Владелец: LSIS Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Internal voltage generation circuit of smart card and smart card including the same

Номер патента: US11893435B2. Автор: Junho Kim,Eunsang JANG,Inhyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Internal voltage generation circuit of smart card and smart card including the same

Номер патента: US20240135131A1. Автор: Junho Kim,Eunsang JANG,Inhyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Voltage generating apparatus and x-ray generating apparatus having the same

Номер патента: US20240237182A1. Автор: Hyun Jun Kim,Sung Ho Cho,Young Hwan Kim,Re Na Lee. Владелец: Remedi Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device having process failure detection circuit and semiconductor device production method

Номер патента: US20110012108A1. Автор: Toru Fujimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Information collection circuit and information collection module

Номер патента: US09985479B2. Автор: Tomoki Kobayashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Circuit arrangement for reducing the maximum electrical field strength, high voltage generation unit with such a circuit arrangement and x-ray generator with such a high voltage generation unit

Номер патента: US09967970B2. Автор: Walter Beyerlein,Richard Eichhorn,Christian Hoffmann,Norbert Hoffmann,Rashid Karimi. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Electromagnetic wave shielding support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semicondutor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, and semiconductor apparatus

Номер патента: US09865518B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Circuits and methods of determining position and velocity of a rotor

Номер патента: US09825564B2. Автор: David P. Magee,Shih-Chin Yang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Parabolic voltage generating circuit

Номер патента: CA2040252C. Автор: James Albert Wilber,Lawrence Edward Smith. Владелец: Thomson Consumer Electronics Inc. Дата публикации: 1994-08-23.

High voltage generating circuit

Номер патента: US4027200A. Автор: Tamiji Nagai,Hiroshi Sahara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1977-05-31.

High voltage generating circuit

Номер патента: CA1044364A. Автор: Tamiji Nagai,Hiroshi Sahara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-12-12.

Semiconductor devices comprising failure detectors for detecting failure of bipolar junction transistors and methods for detecting failure of the bipolar junction transistors

Номер патента: US20230296661A1. Автор: DongHun Heo,Cheolhwan LIM,Himchan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Motor driver device and semiconductor device

Номер патента: US20200106375A1. Автор: Shinichi Miura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Equalization circuit, semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US10091032B2. Автор: Kwan Su SHON,Yo Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-10-02.

Photomultiplier tube module having high-voltage generating circuit and digital circuit

Номер патента: US7649163B2. Автор: Takanori Nakaya. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2010-01-19.

Equalization circuit, semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20170324592A1. Автор: Kwan Su SHON,Yo Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Equalization circuit, semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20170063577A1. Автор: Kwan Su SHON,Yo Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Equalization circuit, semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US9787506B2. Автор: Kwan Su SHON,Yo Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

High-voltage Generator for an X-ray Device

Номер патента: US20180063932A1. Автор: Michael Leibl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-01.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Communication apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20230283187A1. Автор: Takaaki Shimizu,Jun IHARA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Random number generation circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US9704602B2. Автор: Kyung Hoon Kim,In Sik YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and semiconductor device assembly

Номер патента: US20020084470A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada,Shoji Sakemi,Mitsuru Ozono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor devices, semiconductor device packages, electronic systems including same, and related methods

Номер патента: US20210183843A1. Автор: Xiaopeng Qu,Shams U. Arifeen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

High-voltage generator

Номер патента: SG78290G. Автор: . Владелец: Telefunken Fernseh & Rundfunk. Дата публикации: 1990-11-23.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20090289310A1. Автор: Toshikazu Fukuda,Takayuki Hiraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-26.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, semiconductor device control method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313094A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Booster apparatus for a direct current voltage generator

Номер патента: US09882469B2. Автор: Atsushi Sakurai,Hiroshi Saito. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Selectable boost converter and charge pump for compliance voltage generation in an implantable stimulator device

Номер патента: US09872995B2. Автор: Jordi Parramon,Md. Mizanur Rahman,Kiran Nimmagadda. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Reference voltage generation device

Номер патента: US10886267B2. Автор: Hideo Yoshino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2021-01-05.

Reference voltage generation device

Номер патента: US20190244956A1. Автор: Hideo Yoshino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20140376138A1. Автор: Jong-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296238A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Akihiro Kajita,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

High-voltage generator device, x-ray generator and method for manufacturing a high-voltage generator device

Номер патента: US20240098865A1. Автор: Aaron Reichert,Johannes Zenner,Michael Freiburghaus. Владелец: Comet AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US6841417B2. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Electrostatic protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240006408A1. Автор: Tsutomu Tomioka. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor packaging method and semiconductor device based on molding process

Номер патента: US11728368B2. Автор: TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Mingzhu Wang,Nan Guo,Bojie ZHAO,Heng JIANG. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20220158000A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20020089033A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20010042911A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20030001257A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Drive circuit and method

Номер патента: US20130293180A1. Автор: Kosaku Hioki. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2013-11-07.

Control device of power factor correction circuit, power factor correction circuit, power supply device, and semiconductor device

Номер патента: US11736003B2. Автор: Yoshinori Sato,Satoru Nate,Yifei Tang. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device, communication systems and method for controlling the communication system

Номер патента: EP3678336A3. Автор: Keiichiro Sano,Jean Noel MOUTHE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-08-12.

Semiconductor device, communication systems and method for controlling the communication system

Номер патента: US20200213148A1. Автор: Keiichiro Sano,Jean Noel MOUTHE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and semiconductor module including semiconductor devices

Номер патента: US20090184430A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe,Ichiro Anjoh. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110312142A1. Автор: Toshikazu Fukuda,Takayuki Hiraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor failure analysis device and semiconductor failure analysis method

Номер патента: US12117480B2. Автор: Shinsuke Suzuki,Masataka IKESU. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-15.

Optical semiconductor device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12126138B2. Автор: Atsushi Nakamura,Hideaki Asakura,Shunya YAMAUCHI,Hayato TAKITA. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor devices and semiconductor packages including the same

Номер патента: US12040294B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,JONGHO LEE,Jin Ho An,Un-Byoung Kang,Ju-Il Choi,Jeonggi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09972722B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device, fabricating method thereof and semiconductor package including the semiconductor device

Номер патента: US09941196B2. Автор: Ho-geon Song,Se-young Jeong,Ho-Jin Lee,Dong-Hyeon Jang,Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Min-Seung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Method and device for insulation of high-voltage generator tank

Номер патента: US09899142B2. Автор: Yunhua ZHANG,Jieyong MENG,Qingchang CHEN,Yihong LIU,Shilin SHEN. Владелец: Shanghai United Imaging Healthcare Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Electrostatic protection circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09846194B2. Автор: Nam Pyo Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780179B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688864C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Low power regulator for a voltage generator circuit

Номер патента: US5260646A. Автор: Adrian H. Ong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1993-11-09.

Negative reference voltage generating circuit and negative reference voltage generating system using the same

Номер патента: US20150355665A1. Автор: Nobuhiko Ito,Teruaki Maeda. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device, data storage system and method for controlling termination circuits

Номер патента: US12066956B2. Автор: Tsan-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Voltage generator

Номер патента: US20130038315A1. Автор: Chih-Jen Chen,Kuang-Wei Chao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2013-02-14.

Bias current generation circuit and flash memory

Номер патента: US12130649B2. Автор: Youhui LI,Lijuan Zhu. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Internal Voltage Generation Circuit and Method of Semiconductor Device Using Test Pad

Номер патента: KR100365736B1. Автор: 김영희,오진근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-04-18.

Internal voltage generation circuit and method for semiconductor device

Номер патента: US20080219077A1. Автор: Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor device having no through current flow in standby period

Номер патента: US5321654A. Автор: Shigeru Mori,Hiroshi Miyamoto,Yoshikazu Morooka,Mitsuya Kinoshita,Makoto Suwa,Shigeru Kikuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-06-14.

SIGNAL SHIFTING CIRCUIT, BASE CHIP, AND SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170186470A1. Автор: JEONG Chun-Seok,LEE Hyun-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

TEST MODE SET CIRCUIT AND METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190128959A1. Автор: MOON Hong-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Data input/output circuit and method for semiconductor device

Номер патента: JPH1166892A. Автор: Chinseki Kaku,郭鎭錫. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-03-09.

Voltage generating circuit and semiconductor device for suppressing leakage current

Номер патента: US12032396B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09837162B2. Автор: Takafumi Noguchi,Atsuo Yoneyama,Masayuki KAWAE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US12013712B2. Автор: Koji OOIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20060120179A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyong-Ryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-08.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20080122523A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyoung-Ryol Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240295894A1. Автор: Koji OOIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Internal voltage generator circuit and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20110051533A1. Автор: Young-Hoon Kim,Nam-jong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20240282356A1. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20240274212A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Internal voltage generation circuit and semiconductor memory apparatus including the same

Номер патента: US12068019B2. Автор: Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Internal voltage generation circuit and semiconductor memory apparatus including the same

Номер патента: US20230298656A1. Автор: Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US11755045B1. Автор: Chang Hyun Lee,Jin Hoon Hyun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and control method thereof

Номер патента: US20120112821A1. Автор: Kenji Yoshida. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Temperature sensing circuit, voltage generation circuit, and semiconductor storage device

Номер патента: US20070121404A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor device, semiconductor system, and method for use in operating the same based on operation mode information

Номер патента: US20160372171A1. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20160254033A1. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11860657B2. Автор: Shuichi Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Voltage switching circuit and power supply device with regulator

Номер патента: US09921599B2. Автор: Maomi KATSUMATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Reference voltage generation circuit

Номер патента: US20240077901A1. Автор: Yoshikazu Furuta,Masaya Kondo,Tomohiro Nezuka. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Reference voltage circuit and electronic apparatus

Номер патента: US20210294366A1. Автор: Hiroyuki Watanabe. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Voltage generating circuit

Номер патента: GB9216841D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-09-23.

Regulator and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09710009B2. Автор: Hidefumi Kushibe,Hiroyuki Ideno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Reference voltage generator circuit for nonvolatile memory

Номер патента: EP1211691A3. Автор: Yasuhiro NEC Micro Systems Ltd. Tonda,Gou NEC Micro Systems Ltd. Tamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-28.

Signal detector circuit and signal detection method

Номер патента: US20230258697A1. Автор: Bing-Hung Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Internal power supply voltage generation circuit

Номер патента: US20120206172A1. Автор: Masakazu Sugiura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Correction current output circuit and reference voltage circuit with correction function

Номер патента: US20200333821A1. Автор: Yukihiro Tomonaga,Kazutaka Honda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Common Voltage Generation Circuit and Generation Method, and Display Device

Номер патента: US20200013324A1. Автор: Yifei ZHAN,Dayu ZHANG,Xiaohan LING. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Pre-charge control circuit and voltage generation circuit including the same

Номер патента: US20240355376A1. Автор: Ji Young Lee,Jung Yeop Lee,Dong Wook Jang,Keun Seon AHN,Bon Kwang Koo,Eun Ji CHOI,Soon Sung AN,Gwan Woo KIM,Sun Ki CHO,In Seok Kong,Sung Hwa Ok,Jae Hyeong Hong,Heon Ki KIM,Jun Seo Jang,Beom Kyu SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Circuit and method for generating reference voltage based on temperature coefficient

Номер патента: US09874886B2. Автор: Jong-Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Band gap reference voltage generation circuit

Номер патента: US20070146059A1. Автор: Eun JO. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Write voltage generating circuit and method

Номер патента: US20090046518A1. Автор: Takuya Ariki,Yuichiro Nakagaki. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device, method of supplying voltage in the same, and semiconductor device

Номер патента: US8248865B2. Автор: Daichi KAKU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Voltage generating circuit and memory

Номер патента: US20240071463A1. Автор: Jianyong QIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Driving circuit and display device

Номер патента: US20220101808A1. Автор: LI TANG. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor integrated circuit device having internal voltage generating circuit

Номер патента: US20080122527A1. Автор: Toshiharu Okamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20030107924A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Takao Watanabe,Hiroyuki Mizuno,Mitsuru Hiraki. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Driving circuit and display apparatus having the same

Номер патента: US20110148841A1. Автор: Seunghwan Moon,Po-Yun Park,Jang-Hyun Yeo,Junghwan Cho,OckJin KIM,YongSoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-23.

Gamma voltage generation circuit, method and data driver

Номер патента: US09799299B2. Автор: Yiqiang LAI. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Temperature voltage generator

Номер патента: US09791327B2. Автор: Suhwan Kim,Hyunjoong LEE,Cyu-Yeol RHEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Power supply circuit and electronic control unit employing the same

Номер патента: WO2013132319A8. Автор: Eiichiro Shigehara,Keisuke Hata,Tomohisa Ose,Junichi Fukuta,Yusuke Shindo. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-11-07.

Word line voltage generator for multiple-time programmable memory

Номер патента: US09990963B2. Автор: YU Cheng,Zijian Zhao,Hao Ni,Yijin Kwon. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Voltage generating circuit and a nonvolatile memory apparatus using the voltage generating circuit

Номер патента: US20210257006A1. Автор: Jun Ho Cheon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor devices providing test mode related to reliability

Номер патента: US20240282350A1. Автор: Yun Suk HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Driving circuit and driving method for display panel and display module

Номер патента: US20210241712A1. Автор: Li-Yu Huang,Kai-Yi Wu,Yun-Chu Chen. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2021-08-05.

Reference voltage generation circuit and method for driving the same

Номер патента: US09946291B2. Автор: Tae-Gyu Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Gray-scale voltage generating circuit to control luminance of the display unit

Номер патента: US09940877B2. Автор: Junichi Yamashita,Kei Kimura,Yusuke Onoyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory circuit and method for increased write margin

Номер патента: US09934846B1. Автор: Perry H. Pelley. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Image forming apparatus and drive-voltage generating circuit

Номер патента: US20120306952A1. Автор: Yuji Ieiri. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor integrated circuit and IC card

Номер патента: US20060164906A1. Автор: Toshio Yamada,Takeo Kanai,Yoshio Takazawa,Minoru Katoh,Toshihiro Araki,Shinichi Ozawa,Koudou Yamauchi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-27.

System-on-chip including voltage droop detection circuit and operating method thereof

Номер патента: US20240353907A1. Автор: TAKAHIRO Nomiyama,Yunjeong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Bias generator circuit, voltage generator circuit, communications device, and radar device

Номер патента: US09996099B2. Автор: Hiroshi Kimura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US20220300024A1. Автор: Koji OOIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230236618A1. Автор: Koji OOIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Internal power voltage generating circuit in semiconductor memory device

Номер патента: US7613063B2. Автор: Hyong-Ryol Hwang,Ki-Ho Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-03.

Data driver with multilevel voltage generating circuit, and liquid crystal display apparatus

Номер патента: US20080122776A1. Автор: Hiroshi Tsuchi,Junichirou Ishii. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Data current generation circuit, driving method, driver chip and display panel

Номер патента: US20220208098A1. Автор: Ping-Lin Liu,Haodong ZHANG. Владелец: Seeya Optronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Power supply circuit and electronic device

Номер патента: US20110187334A1. Автор: Ryuji Yamamoto. Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING LTD. Дата публикации: 2011-08-04.

Gray-scale voltage generating circuit and display unit

Номер патента: US09953582B2. Автор: Junichi Yamashita,Kei Kimura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Small-circuit-scale reference voltage generating circuit

Номер патента: US09785176B2. Автор: Kenji Furusawa,Mitsuya FUKAZAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20130322195A1. Автор: Dong-Kyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

Internal power supply voltage generation circuit

Номер патента: US20110234309A1. Автор: Masakazu Sugiura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Methods and apparatus for reduced hardware multiple variable voltage generator

Номер патента: US20070216470A1. Автор: Joseph Anidjar. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-09-20.

Reference voltage generation device

Номер патента: US20240329682A1. Автор: Satoshi Suzuki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Current generation circuits and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09836074B2. Автор: Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US20080205142A1. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US20070183221A1. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-09.

Image forming apparatus and voltage generation circuit

Номер патента: US20110020028A1. Автор: Yasuhiko Okumura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Memory controller controlling semiconductor storage device and semiconductor device

Номер патента: US20100122147A1. Автор: Shinichi Kanno,Toshio Shirakihara,Yosuke Kuroda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Memory controller controlling semiconductor storage device and semiconductor device

Номер патента: US7848143B2. Автор: Shinichi Kanno,Toshio Shirakihara,Yosuke Kuroda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Overheat-sensing circuit and semiconductor integrated circuit device having the same

Номер патента: US20060289461A1. Автор: Akio Kojima,Hiroyuki Ban. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Display driver and semiconductor device

Номер патента: US20190164466A1. Автор: Atsushi Hirama,Koya SUGIHARA. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Display driver and semiconductor device

Номер патента: US10818218B2. Автор: Atsushi Hirama,Koya SUGIHARA. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Semiconductor device and semiconductor device examination method

Номер патента: US11740287B2. Автор: Koichi Kimura,Takeshi Yamaguchi,Kazuhito Hosaka,Nariyuki Fukuda,Isao Ooigawa,Tsutomu MIYAMAE,Suguru Tahara,Keitarou MISHIMA,Yuichiro SANUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Gamma voltage generating circuit and display driving device including the same

Номер патента: US12020664B2. Автор: In Suk Kim,Jee Hwal Kim,Ki Ho Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US20100302878A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Pre-charge voltage generation circuit for random memory and random memory

Номер патента: US20240257859A1. Автор: Miaomiao Wu,Meifeng WANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

High voltage generation and regulation circuit in a memory device

Номер патента: US7372739B2. Автор: Agostino Macerola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-05-13.

Voltage generating circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20060098501A1. Автор: Dong-Su Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

CONSTANT VOLTAGE GENERATOR CIRCUIT OPERATING AT LOW VOLTAGE POTENTIAL DIFFERENCE BETWEEN INPUT VOLTAGE AND OUTPUT VOLTAGE (as amended)

Номер патента: US20240231401A1. Автор: Kohji Yoshii,Kenji MII. Владелец: Nisshinbo Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Reference voltage generating circuit and low power consumption sensor

Номер патента: US20220171419A1. Автор: Yu-Te Liao,Cheng-Ze SHAO,Shih-Che KUO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2022-06-02.

Internal voltage generating apparatus adaptive to temperature change

Номер патента: US20060220633A1. Автор: Seok-Cheol Yoon,Sang-Jin Byeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Fractional bandgap reference voltage generator

Номер патента: US09898030B2. Автор: Abhirup LAHIRI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-02-20.

Display device for adjusting current output of a common voltage generating circuit

Номер патента: US09805677B2. Автор: Katsuki Ochiai. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Constant voltage generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US6734719B2. Автор: Toru Tanzawa,Yoshinori Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-11.

Pumping voltage generating circuit in nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060098487A1. Автор: Hui-Kwon Seo,Woo-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Voltage generation circuit and method thereof

Номер патента: US7605643B2. Автор: Masao Kuriyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-20.

Methods of operating voltage generation circuits

Номер патента: US20190051333A1. Автор: Agostino Macerola,Marco-Domenico Tiburzi,Stefano Perugini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20210373784A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Tsuyoshi Atsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Distributed cell plate and/or digit equilibrate voltage generator

Номер патента: US20030053341A1. Автор: Steve Porter,Scott Graaff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Reference voltage generator circuit with reduced manufacturing steps

Номер патента: US20240248501A1. Автор: Li Lin,Chien-Yu Chen,Shao-Hung Lu,Ting-Wei Liao,Cheng-Kuang Lin,Yue-Hung Tang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-07-25.

Internal power supply voltage generating circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US6281745B1. Автор: Hoon Ryu,Jae Hoon Kim,Hyun Soon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-28.

Under drive control circuit and semiconductor apparatus including the under drive control circuit

Номер патента: US20230410924A1. Автор: Hyung Jin Choi,Gwi Han KO,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device

Номер патента: US9846504B2. Автор: Kazuya Endo. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-12-19.

Internal voltage generation circuit of semiconductor memory device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20130188432A1. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-25.

Power voltage generating circuit and display apparatus including the same

Номер патента: US20180144680A1. Автор: Seunghwan Moon,Kyunho Kim,Sung-In Kang,Shimho Yi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20140184314A1. Автор: Kei Takahashi,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Bias voltage generation circuit for memory devices

Номер патента: US20230253017A1. Автор: Ming Yin,Bipul C. Paul,Shashank Nemawarkar,Nishtha Gaul. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor chips and semiconductor packages setting bit organization based on operation voltage

Номер патента: US20240320172A1. Автор: Joon Hong Park,Dae Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Bias voltage generation circuit for memory devices

Номер патента: US12087384B2. Автор: Ming Yin,Bipul C. Paul,Shashank Nemawarkar,Nishtha Gaul. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Reference voltage generation circuit

Номер патента: US09829901B2. Автор: Kenichi Watanabe,Norimasa Hane. Владелец: Torex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Positive and negative full-range back-bias generator circuit structure

Номер патента: US20200117226A1. Автор: Juhan Kim,Mahbub Rashed,Arif A. Siddiqi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Random-number-generating circuit

Номер патента: US20240028300A1. Автор: Chih-Feng Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Drive Circuit and Liquid Ejecting Apparatus

Номер патента: US20240316918A1. Автор: Kunio Tabata,Satoru Uematsu,Dai Nozawa,Noritaka Ide,Rika TANIMOTO. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having a test-voltage generation circuit

Номер патента: US20070296602A1. Автор: Tatsuya Matano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Bias voltage generator circuit

Номер патента: US7129776B2. Автор: Shinichi Watanabe. Владелец: Seiko NPC Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Reference voltage generating circuit

Номер патента: US5798637A. Автор: Daejeong Kim,Sungho Wang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-25.

Semiconductor device

Номер патента: US6567309B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-05-20.

Ultrasonic device, semiconductor device, and method of controlling ultrasonic device

Номер патента: US20230270419A1. Автор: Masaya Tamamura,Naoto Yoneda,Naoto Adachi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20100091597A1. Автор: Tatsuya Matano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Semiconductor device and electronic equipment using the same

Номер патента: US6339342B1. Автор: Masayuki Yoshizawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Clock distribution network, and semiconductor device and semiconductor system including the clock distribution network

Номер патента: US20240192722A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Set-voltage generation unit, set-voltage generation method and display device

Номер патента: US20210241692A1. Автор: Wei Chen,Min He,Chun Cao,Wenchao Bao. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Data driver circuit and display device having the same

Номер патента: US20230206828A1. Автор: Se-Byung Chae. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Data driver circuit and display device having the same

Номер патента: US20230419888A1. Автор: Se-Byung Chae. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Data driver circuit and display device having the same

Номер патента: US12046191B2. Автор: Se-Byung Chae. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device including bulk voltage generation circuit

Номер патента: US20140219040A1. Автор: Mi Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Driving voltage generating circuit, liquid crystal display having the same and method of generating driving voltage

Номер патента: US20070085806A1. Автор: Seung-Hwan Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-19.

Measurement circuit and test apparatus

Номер патента: US20070268022A1. Автор: Masahiro Nagata. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2007-11-22.

Bias voltage generator circuit

Номер патента: US20050116766A1. Автор: Shinichi Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Drive Circuit And Liquid Ejecting Apparatus

Номер патента: US20240300237A1. Автор: Kunio Tabata,Satoru Uematsu,Dai Nozawa,Noritaka Ide,Rika TANIMOTO. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device having internal power supply voltage generation circuit

Номер патента: US20070024349A1. Автор: Masaki Tsukude. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Reference voltage generating circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230307067A1. Автор: Osamu Hirabayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Circuit and method for regulating a voltage

Номер патента: WO1996041247A1. Автор: Stephen L. Casper. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1996-12-19.

Reference voltage generator circuit

Номер патента: US10585446B2. Автор: Ivan Jesus Rebollo Pimentel,Gerhard Martin Landauer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-03-10.

Voltage generation circuits

Номер патента: US10515669B2. Автор: Agostino Macerola,Marco-Domenico Tiburzi,Stefano Perugini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-24.

Resistive memory apparatus and voltage generating circuit therefor

Номер патента: US20170243641A1. Автор: Tae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Drive Circuit And Liquid Ejecting Apparatus

Номер патента: US20240316919A1. Автор: Kunio Tabata,Satoru Uematsu,Dai Nozawa,Noritaka Ide,Rika TANIMOTO. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Gamma voltage generating circuit, source driver and display device including the same

Номер патента: US12118959B2. Автор: Su Bin Kim,Se Byung CHAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Systems and methods for low power common electrode voltage generation for displays

Номер патента: US12087248B2. Автор: Stewart S. Taylor. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Device having internal voltage generating circuit

Номер патента: US09958887B2. Автор: Yutaka Ikeda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Resistive memory apparatus and voltage generating circuit therefor

Номер патента: US09881672B2. Автор: Tae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Bit line clamp voltage generator for STT MRAM sensing

Номер патента: US09852784B2. Автор: John K. DeBrosse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Device having internal voltage generating circuit

Номер патента: US09740220B2. Автор: Yutaka Ikeda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Programmable power generation circuit for flash EEPROM memory systems

Номер патента: US5508971A. Автор: Raul-Adrian Cernea,Douglas J. Lee,Sanjay Mehrotra,Mehrdad Mofidi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Reference voltage generator of a band-gap regulator type used in CMOS transistor circuit

Номер патента: US5568045A. Автор: Shin-ichi Koazechi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Programmable power generation circuit for flash EEPROM memory systems

Номер патента: US5568424A. Автор: Raul-Adrian Cernea,Douglas J. Lee,Sanjay Mehrotra,Mehrdad Mofidi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Band gap reference voltage generator

Номер патента: US20100308789A1. Автор: Seong-Heon Jeong,Sung-ho Beck. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

Internal voltage generation circuit and memory device including the internal voltage generation circuit

Номер патента: US20190355395A1. Автор: Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Device having internal voltage generating circuit

Номер патента: US20170315572A1. Автор: Yutaka Ikeda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Circuits and methods to calibrate mirror displacement

Номер патента: US20220342202A1. Автор: Robert Floyd Payne,James Norman Hall. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Voltage generation circuits

Номер патента: US20190051334A1. Автор: Agostino Macerola,Marco-Domenico Tiburzi,Stefano Perugini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Circuit and method of generating high voltage for programming operation of flash memory device

Номер патента: US7443758B2. Автор: Hyun-Chul Ha,Jong-Hwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-28.

Reception circuit, method for adjusting timing in reception circuit, and semiconductor device

Номер патента: US9620196B2. Автор: Hiroyuki Kano,Kazumi Kojima,Hiroaki Ukai,Takanori Aoshima. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Voltage generating circuit capable of supplying stable output voltage regardless of external input voltage

Номер патента: US6980048B2. Автор: Kee-won Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-27.

Reference voltage generating circuit

Номер патента: US8988137B2. Автор: Kenji Furusawa,Mitsuya FUKAZAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Voltage generating circuit capable of supplying stable output voltage regardless of external input voltage

Номер патента: US20030184362A1. Автор: Kee-won Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-02.

Memory cell voltage regulator with temperature correlated voltage generator circuit

Номер патента: US6184670B1. Автор: Andrea Ghilardelli,Jacopo Mulatti,Matteo Zammattio,Marcello Carrera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20140091779A1. Автор: Kikuo Utsuno. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Gamma reference voltage generating circuit, liquid crystal display panel driving circuit and method thereof

Номер патента: US20200082778A1. Автор: Xue Hu,Leli PENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Constant voltage generating circuit

Номер патента: US20230176603A1. Автор: Hironori Sumitomo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Constant voltage generating circuit

Номер патента: US20180259991A1. Автор: Kiyotaka Umemoto,Genki Tsuruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-09-13.

Display driver, semiconductor device, and amplifier circuit having a response-speed increase circuit

Номер патента: US12067954B2. Автор: Kenichi Shiibayashi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Constant voltage generating circuit

Номер патента: US10379564B2. Автор: Kiyotaka Umemoto,Genki Tsuruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-08-13.

Reliability evaluation circuit and reliability evaluation system

Номер патента: US20100231227A1. Автор: Jong-Won Lee,Jae-Hoon Lee,Sang-jin Kwon,Yong-ha Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-16.

Constant voltage generating circuit

Номер патента: US09996097B2. Автор: Kiyotaka Umemoto,Genki Tsuruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Current generation circuit, and bandgap reference circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09891650B2. Автор: Yuichi Okuda,Atsushi Motozawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Reference voltage generation circuit and method, display driver circuit and liquid crystal display device

Номер патента: EP1335347A1. Автор: Akira Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-08-13.

Internal voltage generation circuit for semiconductor device

Номер патента: US5942933A. Автор: Dong Jun Yang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-24.

Gamma standard voltage generating circuit, gamma driving voltage generating circuit and display device

Номер патента: US11955068B2. Автор: Hui Zhao,Zebang GUO,Baoyun WU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Reference power generating circuit and electronic circuit using the same

Номер патента: US20150261234A1. Автор: Muh-rong Yang. Владелец: MIDASTEK MICROELECTRONIC Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

RRAM circuit and method

Номер патента: US12014776B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Hsu-Shun Chen,Chien-An Lai,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Voltage generator arrangement

Номер патента: US20040130310A1. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Stephan Schroder,Manfred Pröll. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-08.

Temperature sensor for display driver circuit and operating method thereof

Номер патента: US20240161666A1. Автор: Jiyun Kim,YoungJoon Kim,Sangkyung Kim,Jinseok YANG,Gilsung ROH,Yongsup LEE,Kwonyoung OH. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Drive Circuit And Liquid Ejecting Apparatus

Номер патента: US20240300239A1. Автор: Kunio Tabata,Satoru Uematsu,Dai Nozawa,Noritaka Ide,Rika TANIMOTO. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Drive Circuit And Liquid Ejecting Apparatus

Номер патента: US20240300238A1. Автор: Kunio Tabata,Satoru Uematsu,Dai Nozawa,Noritaka Ide,Rika TANIMOTO. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Adjustable reference current generator, semiconductor device and adjustable reference current generating method

Номер патента: US09804630B2. Автор: Mamoru Kondo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Voltage generation circuit capable of supplying stable power supply voltage to load operating in response to timing signal

Номер патента: US6084386A. Автор: Tadaaki Yamauchi,Mitsuya Kinoshita,Mitsue Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Voltage generator circuit

Номер патента: US6043637A. Автор: Takayuki Suzu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Voltage generating circuit

Номер патента: US7113026B2. Автор: Seiji Yamahira. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-26.

Boost voltage generating circuit and method thereof

Номер патента: US20070201283A1. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-30.

Semiconductor memory apparatus, and reference voltage control circuit and internal voltage generation circuit therefor

Номер патента: US20150228311A1. Автор: Jae Boum Park,Cheol Hoe KIM,Na Yeon CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Bias generator circuit, voltage generator circuit, communications device, and radar device

Номер патента: US20170192447A1. Автор: Hiroshi Kimura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20120049905A1. Автор: Yasuyuki Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Common voltage generation circuit and liquid crystal display

Номер патента: EP3644304A1. Автор: Dan Cao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-29.

True random number generator circuit

Номер патента: US11500616B1. Автор: Xuan Wang,Guangjun He,Tianwei Liu,Hejia Yan. Владелец: Ambarella International LP. Дата публикации: 2022-11-15.

Electronic device with a reference voltage generator circuit and an adaptive cascode circuit

Номер патента: US11797040B2. Автор: Tae-hwang Kong,Junhyeok YANG,Jooseong Kim,Jeongpyo PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Voltage detection circuit and method for semiconductor memory devices

Номер патента: US20030198088A1. Автор: Duane Laurent. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-10-23.

Voltage detection circuit and method for semiconductor memory devices

Номер патента: EP1355315A3. Автор: Duane Giles Laurent. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-12-15.

Semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: US20230282277A1. Автор: Haruhiko Terada,Yotaro Mori. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Apparatus and method for detecting leakage current of semiconductor memory device, and internal voltage generating circuit using the same

Номер патента: US20080219061A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Drive Circuit And Liquid Ejecting Apparatus

Номер патента: US20240316917A1. Автор: Kunio Tabata,Satoru Uematsu,Dai Nozawa,Noritaka Ide,Rika TANIMOTO. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with a voltage regulator

Номер патента: US6600692B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-07-29.

Temperature regulator circuit and precision voltage reference for integrated circuit

Номер патента: US6082115A. Автор: Richard J. Strnad. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Gamma voltage generator, source driver and display apparatus

Номер патента: US20230316975A1. Автор: Chi-Yi Lo. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device capable of checking deterioration of select transistor and operating method thereof

Номер патента: US20240185919A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG,Young Seung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Control circuit and control system

Номер патента: US09798345B1. Автор: Chen-Feng CHIANG,Che-Yuan Jao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Circuit and method for bias voltage generation

Номер патента: US20070063687A1. Автор: Dacheng Zhou,Jeffry Yetter,Daniel Berkram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Reference voltage generating circuit and analog circuit using the same

Номер патента: US8416012B2. Автор: Keiichi Ashida. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-09.

Reference voltage generation circuit and its generation method, display device

Номер патента: US20220415229A1. Автор: Haoran Li,Jianfeng Xiao. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Voltage generator circuit for use in a semiconductor device

Номер патента: US20030107362A1. Автор: Shinichiro Shiratake,Daisaburo Takashima,Kohei Oikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20240161835A1. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Power supply circuit and chip

Номер патента: US20240053785A1. Автор: Weibing SHANG,Jianyong QIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Voltage generating circuit

Номер патента: US20050024031A1. Автор: Yasuhiko Inagaki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Reference voltage generating circuit and receiver circuit

Номер патента: US20110115528A1. Автор: Tomomitsu Ohara,Takafumi Goto. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-19.

Reference voltage generating circuit and receiver circuit

Номер патента: US8314650B2. Автор: Tomomitsu Ohara,Takafumi Goto. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-20.

Data current generation circuit including a compensation control circuit, driving method, driver chip and display panel

Номер патента: US11521550B2. Автор: Ping-Lin Liu,Haodong ZHANG. Владелец: Seeya Optronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

Circuit and method for generating word line off voltage

Номер патента: US20090323438A1. Автор: Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090063876A1. Автор: Kesatoshi Takeuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US12046323B2. Автор: Min Jun Choi,Jeong Jin HWANG,Sung Nyou YU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Input circuit with function for detecting abnormality in input circuit and control device having the same

Номер патента: US20020118020A1. Автор: Kenji Tanaka,Mitsuo Mori,Kenji Kotani. Владелец: Tokai Rika Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Data I/O circuits and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09823956B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Voltage generating circuit

Номер патента: US5534817A. Автор: Tomohiro Suzuki,Toshiyuki Sakuta. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-07-09.

Reference voltage generating circuit for liquid crystal display

Номер патента: US20040183707A1. Автор: Yong Kim,Hwa Lee. Владелец: Boe Hydis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-23.

Circuit and method for antifuse stress test

Номер патента: US5848010A. Автор: Joseph C. Sher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-12-08.

Dual back-bias voltage generating circuit with switched outputs

Номер патента: US5444362A. Автор: Jin Y. Chung,Deog Y. Kwak. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1995-08-22.

Internal power voltage generating circuit

Номер патента: US20030085754A1. Автор: Kyu-Nam Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-05-08.

Integrated temperature threshold detection circuit and corresponding method

Номер патента: US20230333581A1. Автор: Vratislav Michal. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2023-10-19.

Gamma voltage generating circuit for use in display device having first and second pixel areas, and display device including the same

Номер патента: US11830442B2. Автор: Seung Taek Oh,Kyu Jin Kim,Bo Yun JUNG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Voltage generating circuit and a nonvolatile memory apparatus using the voltage generating circuit

Номер патента: US11790957B2. Автор: Jun Ho Cheon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

High voltage generating circuit and method

Номер патента: US20020118589A1. Автор: Kyu-Nam Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-29.

Row decoding circuit and memory

Номер патента: US20140177333A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Malfunction detecting circuit and malfunction detecting method for detecting malfunction of current-sensing resistor, and power converting system applying the malfunction detecting circuit

Номер патента: US20090212787A1. Автор: Chun-Liang Lin. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Reference voltage generation circuit, and constant voltage circuit using the reference voltage generation circuit

Номер патента: US20070057291A1. Автор: Hideyuki Aota. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US20160179125A1. Автор: Jong-Man Im,Jun-Cheol Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and semiconductor system related to write leveling operations

Номер патента: US11742009B2. Автор: Hyun Seung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Bandgap reference circuit and method for producing the circuit

Номер патента: US8305069B2. Автор: Leon C. M. Van Den Oever,Jeroen Bouwman. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2012-11-06.

Temperature compensation circuit and method for sensing memory

Номер патента: US20100124136A1. Автор: Wen-Chiao Ho,Chun-Hsiung Hung,Shuo-Nan Hung,Ji-Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09959922B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09916887B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Bioelectric signal detecting circuits, lead wire detecting circuits and medical devices

Номер патента: US09897629B2. Автор: Bing Wang,Qiling Liu,Xiaoyu Wu,Jian CEN. Владелец: Shenzhen Mindray Bio Medical Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09779799B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Circuit and method for reducing stored energy in an electrosurgical generator

Номер патента: US8734438B2. Автор: Robert Behnke. Владелец: Covidien AG. Дата публикации: 2014-05-27.

Internal source voltage generating circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US20100097867A1. Автор: Young-Sun Min,Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Reference voltage generating circuit capable of suppressing spurious voltage

Номер патента: US5831473A. Автор: Noriko Ishii. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-11-03.

Voltage generator circuit generating stable negative potential

Номер патента: US5532640A. Автор: Kazuo Okunaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-07-02.

Voltage generation circuit and nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US20100302881A1. Автор: Byung Ryul Kim,Duck Ju Kim,You Sung Kim,Se Chun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Voltage generating circuit in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5633825A. Автор: Tomohiro Suzuki,Toshiyuki Sakuta,Yuriko Iizuka. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-05-27.

Set-up voltage generating circuit and plasma display panel driving circuit using same

Номер патента: US20060202916A1. Автор: Tae Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor device including negative bias voltage generation circuit

Номер патента: US20140010027A1. Автор: Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Gamma voltage generator and display device including the same

Номер патента: US20200312215A1. Автор: Jinyoung You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US7382663B2. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-03.

Reference voltage generation circuit and method for driving the same

Номер патента: US20170351290A1. Автор: Tae-Gyu Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Proportional to absolute temperature (ptat) voltage generating circuit for generating a ptat voltage and acts as a temperature sensor

Номер патента: US20230273632A1. Автор: Arpan Jain,Zia Abbas,Abhishek Pullela,Ashfakh Ali. Владелец: International Institute of Information Technology Hyderabad. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070214444A1. Автор: Nobuyuki Nakai,Yuji Yamasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20100074043A1. Автор: Khil-Ohk Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-25.

Cell plate voltage generator of a semiconductor memory device

Номер патента: US6081459A. Автор: Sang Soo Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-27.

Internal voltage generator

Номер патента: US6150860A. Автор: Jun-Hyun Chun. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-21.

Gamma reference voltages generating circuit

Номер патента: US7642941B2. Автор: Yao-Jen Tsai,Chi-Lun Hung. Владелец: Himax Display Inc. Дата публикации: 2010-01-05.

Display drive circuit and display device

Номер патента: US20150124006A1. Автор: Jun Uchida,Kiichi Makuta,Toshikazu Arai,Keita Tsubakino,Yoshinori Ura. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2015-05-07.

Display drive circuit and display device

Номер патента: US9558708B2. Автор: Jun Uchida,Kiichi Makuta,Toshikazu Arai,Keita Tsubakino,Yoshinori Ura. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-01-31.

Voltage regulator and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US11797038B2. Автор: Jaewoo Park,Eunseok SHIN,WooChul Jung,Myoungbo KWAK,Junhan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Gamma voltage generation circuit and drive apparatus

Номер патента: US20180197492A1. Автор: Wei Chen,Xingling Guo,Xiaoping Tan. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US7755963B2. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-13.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US20090147604A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Gamma reference voltages generating circuit

Номер патента: US20090207062A1. Автор: Yao-Jen Tsai,Chi-Lun Hung. Владелец: Himax Display Inc. Дата публикации: 2009-08-20.

Zq calibration circuit, operation method of the zq calibration circuit, and semiconductor memory device

Номер патента: US20240127871A1. Автор: Sungyong Cho,Jaehyeok Baek,Donggun AN,Moonchul Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Current source circuit and semiconductor device

Номер патента: US20110215859A1. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Microcontroller including a reference voltage generator circuit

Номер патента: US20240210984A1. Автор: Cedric THOMAS,Ayoub Hagrou. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-27.

Reference voltage generating device and circuit system using the same

Номер патента: US20240264622A1. Автор: Cheng-Tao Li,Chih Ming Li. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070274139A1. Автор: Masahiro Yamashita,Takashi Uehara,Mamoru Takaku,Hiroaki Nambu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-29.

Bandgap voltage reference core circuit, bandgap voltage reference source and semiconductor memory

Номер патента: US20230280777A1. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Sampled band-gap reference voltage generators

Номер патента: US12085972B1. Автор: Rakesh Kumar Palani,Srikar Bhagavatula. Владелец: Mixed Signal Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Circuit for common electrode voltage generation

Номер патента: US09881580B2. Автор: Zhirong Chen,Wing Chun Chan,Wai Kwong Lee,Choi Wing Siu. Владелец: Solomon Systech Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Gamma-voltage generation module and liquid crystalline panel

Номер патента: RU2667383C2. Автор: Чжи-цзун КАН,Люсиань ЧЭНЬ. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-09-19.

Internal voltage generating circuit of semiconductor device

Номер патента: US8299846B2. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-30.

Plate voltage generation circuit capable controlling dead band

Номер патента: US7176752B2. Автор: Takeshi Hashimoto,Hiromitsu Kojima. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-13.

Internal voltage generation circuits

Номер патента: US20140145690A1. Автор: Jae Wook Lee,Chang Ho Do. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Output circuit and voltage signal output method

Номер патента: US20140333370A1. Автор: Yuichi Itonaga. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Reference voltage generation circuit with startup circuit

Номер патента: US9864394B2. Автор: Yousuke Katsushima. Владелец: Torex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Reference voltage generating circuit

Номер патента: US9098102B2. Автор: Akihiro Tanaka,Hirokazu Kadowaki,Hideaki Miyoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Erase control circuit and method of non-volatile semiconductor memory device, and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200286565A1. Автор: Mathias Yves Gilbert BAYLE. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Internal voltage generating circuit of phase change random access memory device and method thereof

Номер патента: US20130121069A1. Автор: Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Internal voltage generating circuit of phase change random access memory device and method thereof

Номер патента: US20140104940A1. Автор: Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Internal voltage generating circuit of phase change random access memory device and method thereof

Номер патента: US8345502B2. Автор: Yoon-Jae Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-01-01.

Gamma reference voltages generating circuit with output offset and display apparatus

Номер патента: US20150009240A1. Автор: Toshiaki Matsuoka,Chia Cheng Lei. Владелец: Integrated Solutions Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Voltage generating circuit

Номер патента: US20080191792A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-14.

Voltage generation circuit and liquid crystal television

Номер патента: US9898994B1. Автор: Mingliang Wang,Dongsheng Guo. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Voltage generation circuit and liquid crystal television

Номер патента: US20180047363A1. Автор: Mingliang Wang,Dongsheng Guo. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Circuit for generating negative voltage and semiconductor memory apparatus using the same

Номер патента: US20100019810A1. Автор: Young Do Hur,Yeon Uk KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-28.

Reference voltage generation within a temperature range

Номер патента: WO2024091584A1. Автор: Markus Georg Rommel,Konrad Wagensohner,Annabelle Arnold. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including a semiconductor device

Номер патента: US20190267051A1. Автор: Kwandong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Data line switching control circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20210035616A1. Автор: Kyeong Pil KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Internal voltage generator and contactless ic card including the same

Номер патента: US20140266414A1. Автор: Jun-Ho Kim,Jong-Pil Cho,Il-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-18.

Multi-Level Voltage Generator

Номер патента: US20080303587A1. Автор: Sang Wook Ahn. Владелец: Syncoam Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor device and method for generating test pulse signals

Номер патента: US12105144B2. Автор: Po-Lin Chen,Yueh-Shu Li. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Reference voltage generating circuit

Номер патента: US7990129B2. Автор: Yoon-hee Choi,Jin-Yub Lee,Bo-Geun Kim,Joon Young Kwak,You-Sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-02.

Constant internal voltage generation circuit

Номер патента: US20020030537A1. Автор: Mako Kobayashi,Fukashi Morishita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Rapid on chip voltage generation for low power integrated circuits

Номер патента: WO2000029919A1. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ray-Lin Wan,I-Long Lee,Tien-Shin Ho,Tzeng-Hei Shiau. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2000-05-25.

Reference Voltage Generation Circuit

Номер патента: US20170199541A1. Автор: Yousuke Katsushima. Владелец: Torex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Sub-bandgap compensated reference voltage generation circuit

Номер патента: US11775001B2. Автор: Pijush Kanti Panja,Gautam Dey KANUNGO. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2023-10-03.

Voltage generation circuit

Номер патента: US20140062445A1. Автор: Jong Man IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Programmable reference voltage generating circuit

Номер патента: US20030001661A1. Автор: Nam-Seog Kim,Jin-ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-02.

Internal reference voltage generating circuit, particularly of the CMOS type

Номер патента: US20020014912A1. Автор: Laura Varisco,Ettore Riccio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-02-07.

Low line-sensitivity and process-portable reference voltage generator circuit

Номер патента: US20240077903A1. Автор: Martin LUEKER-BODEN,Mohammad Reza Mahmoodi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor storage memory having a reference voltage generation circuit generating the word line voltage

Номер патента: US6181625B1. Автор: Kenji Hibino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Semiconductor device and self-diagnostic method of semiconductor device

Номер патента: US20220328123A1. Автор: Terunori Kubo,Hirotsugu Nakamura,Daisuke Katagiri. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Voltage generator and methods thereof

Номер патента: US20070189085A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Hyo-Sang Lee,Hoon-Jin Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-16.

Method of supporting design, computer product, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9886537B2. Автор: Kenichi Nomura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US7460417B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-02.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US20060203573A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-14.

Method of supporting design, computer product, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160224712A1. Автор: Kenichi Nomura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09761281B2. Автор: Takashi Nakagawa,Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Takeshi Aoki,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Back bias voltage generator circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: US5434820A. Автор: Tae-hoon Kim. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1995-07-18.

Voltage generation circuit

Номер патента: US20170069370A1. Автор: Hyun Kyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20070288817A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Data bus driving circuit, and semiconductor device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170315952A1. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20060123299A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Sequence circuit and semiconductor device using sequence circuit

Номер патента: EP1204119A3. Автор: Masaharu Wada,Atsushi c/o Fujitsu Limited Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-04.

Voltage generator for semiconductor device

Номер патента: US20020110017A1. Автор: Tetsuya Kaneko,Junichi Okamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Distributed DC voltage generator for system on chip

Номер патента: US20030189460A1. Автор: Louis Hsu,Li-Kong Wang,Fanchieh Yee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-10-09.

Program circuit suppressing stand-by current and permitting highly reliable operation, and semiconductor memory device using the program circuit

Номер патента: US6320802B1. Автор: Shigeki Ohbayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-20.

Reference voltage generator, display device including the same, and method of driving display device

Номер патента: US11741868B2. Автор: Jin-Taek Hong,Hyungrae Nam. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor devices

Номер патента: US09997234B1. Автор: Jaeil Kim,Jae In Lee,Yong Mi Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Gamma reference voltage generating device and display with temperature compensation

Номер патента: US09997097B2. Автор: Huijuan Chen,Qian Wang,Hyungkyu Kim. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Internal strobe signal generating circuit capable of selecting data rate and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09990980B2. Автор: Kwang Hun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Reference voltage generating circuit

Номер патента: US4446383A. Автор: Charles K. Erdelyi,Michael P. Concannon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-05-01.

Substrate bias voltage generating circuit for use in a semiconductor memory device

Номер патента: US7298199B2. Автор: Chi-wook Kim,Han-Gyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-20.

Reference voltage generating circuit of sense amplifier using residual data line

Номер патента: US6002616A. Автор: Bong-Hwa Jeong. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-14.

Semiconductor storage device including a voltage generator for applying first and second intermediate voltages to an adjacent word line in a program operation

Номер патента: US11869597B2. Автор: Junichi Sato,Takeshi Nakano,Hideyuki Kataoka,Hiroki Date,Yuzuru SHIBAZAKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Gamma voltage generating circuit, source driver and display device including the same

Номер патента: US20230252956A1. Автор: Su Bin Kim,Se Byung CHAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and semiconductor device testing method

Номер патента: US20240085473A1. Автор: Tomomi Miyano. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Gamma voltage generating circuit, source driver and display device including the same

Номер патента: US20200286448A1. Автор: Su Bin Kim,Se Byung CHAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Voltage generation circuit for multivalued cell type mask ROM

Номер патента: US6108247A. Автор: Takayuki Suzu,Kenji Hibino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-22.

Voltage generator with multiple voltage vs. temperature slope domains

Номер патента: EP3977228A1. Автор: Esmail Babakrpur Nalousi,Hassan Osama Elwan. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-06.

Semiconductor device including abnormality detection circuit and semiconductor device control method for detecting abnormality

Номер патента: US11908534B2. Автор: Hiroyuki Fujimoto,Masahiro Yanagida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device, semiconductor system including the semiconductor device, and method of operating the semiconductor device and system

Номер патента: US20190267058A1. Автор: Dong Kyun Kim,Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: EP4043992A1. Автор: Mukul Pancholi,Sushil Kumar Gupta. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-08-17.

Reference voltage generation system and method

Номер патента: US20210325923A1. Автор: Xiaoyu Huang. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Voltage generator

Номер патента: US20140361967A1. Автор: Wei-Kai Tseng. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2014-12-11.

Memory control circuit and semiconductor integrated circuit incorporating the same

Номер патента: US20100039870A1. Автор: Yoshihiro Murakami. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-18.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200379680A1. Автор: Woongrae Kim,Seung Wook Oh,Woo Jin KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09997257B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Control circuit and control system

Номер патента: US09746866B2. Автор: Chen-Feng CHIANG,Che-Yuan Jao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Measurement device, semiconductor device and impedance adjustment method

Номер патента: US09702942B2. Автор: Toshihiro Katoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Reference voltage generating circuit

Номер патента: US5061862A. Автор: Akio Tamagawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-10-29.

Gamma voltage generating circuit and display driving device including the same

Номер патента: US20210358448A1. Автор: In Suk Kim,Jee Hwal Kim,Ki Ho Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Gamma voltage generating circuit and display driving device including the same

Номер патента: US20230078111A1. Автор: In Suk Kim,Jee Hwal Kim,Ki Ho Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Bit Line Clamp Voltage Generator for STT MRAM Sensing

Номер патента: US20170125080A1. Автор: John K. DeBrosse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Power voltage generating circuit and display apparatus including the same

Номер патента: US20200020297A1. Автор: Dae-Sik Lee,Yanguk NAM,Taegon Im. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Reference voltage generator circuit

Номер патента: US20180224879A1. Автор: Ivan Jesus Rebollo Pimentel,Gerhard Martin Landauer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-08-09.

Bit Line Clamp Voltage Generator for STT MRAM Sensing

Номер патента: US20170047102A1. Автор: John K. DeBrosse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Gamma voltage generating circuit, source driver and display device including the same

Номер патента: US20220351703A1. Автор: Su Bin Kim,Se Byung CHAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Voltage generator and memory device having the voltage generator

Номер патента: US20210366555A1. Автор: Won Jae Choi,Hyun Chul Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

High-voltage generator with voltage control on the basis of the discharge current

Номер патента: WO1998019962A1. Автор: Gerardus Nicolaas Anna Hoogendijk. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1998-05-14.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170200485A1. Автор: Geun Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Voltage generator, display device including the same and voltage generation method

Номер патента: US20170148413A1. Автор: Sanghyun Park,Yong-Sik Hwang,Kyungmo Lee,Hyejung HONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Reference voltage generator based on threshold voltage difference of field effect transistors

Номер патента: WO2023132918A1. Автор: HUI Wang,John ABCARIUS,Debesh BHATTA,Shitong ZHAO,Sulin LI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-07-13.

Internal voltage generation device

Номер патента: US09874892B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Substrate voltage generation circuit

Номер патента: US6104234A. Автор: Youn-Cherl Shin,Dae-Jeong Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Reference voltage generation circuit

Номер патента: EP1237063A1. Автор: Koji Oka,Yoshitsugu Inagaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-04.

Constant voltage generating circuit

Номер патента: US20160224049A1. Автор: Kiyotaka Umemoto,Genki Tsuruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-04.

Power voltage generating circuit and display apparatus having the same and method of protecting data driver using the same

Номер патента: US20190318705A1. Автор: Dae-Sik Lee,Yanguk NAM,Songyi Han. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device including pre-charge circuit and a method of operating thereof

Номер патента: US20240144993A1. Автор: Motoki Tamura. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Voltage generation circuit

Номер патента: US20230186955A1. Автор: Takaya Yasuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor devices

Номер патента: US20170372796A1. Автор: Chang Ki Baek,Saeng Hwan Kim,In Tae Kim,Mun Seon JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor devices relating to a refreshing operation

Номер патента: US09990978B2. Автор: Bo Yeun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Input/output terminal characteristic calibration circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09953723B1. Автор: Nak Kyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device relating to generate target address to execute a refresh operation

Номер патента: US09947384B1. Автор: Dong Yoon KA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Reference voltage generator

Номер патента: US09804628B2. Автор: Yoshitsugu Hirose,Masayuki Hashitani. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Voltage regulator and semiconductor device

Номер патента: US09798341B2. Автор: Tsutomu Tomioka. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Bias current generator circuit for a sense amplifier

Номер патента: US5168466A. Автор: Thomas R. Toms,Clinton C. Kuo,Mark S. Weidner. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-12-01.

Power voltage generating circuit and display apparatus including the same

Номер патента: US10607530B2. Автор: Seunghwan Moon,Kyunho Kim,Sung-In Kang,Shimho Yi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-31.

Gallium nitride reference voltage generation circuit

Номер патента: US20240045454A1. Автор: Tao Liu,Songming Zhou. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20210397362A1. Автор: Ki Woong Lee,Sang Jin Lee,Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Information processing apparatus, method of controlling information processing apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20110078431A1. Автор: Akira Okamoto,Takayuki Kinoshita,Makoto Hataida,Seiji Satta. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: EP4148438A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor devices

Номер патента: US11062764B1. Автор: Kwang Hun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-13.

Semiconductor devices

Номер патента: US20190267050A1. Автор: Jaeil Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240331752A1. Автор: Jae Il Kim,Ki Hun KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Reference-Voltage-Generators Within Integrated Assemblies

Номер патента: US20220301610A1. Автор: Yasuo Satoh,Takamasa Suzuki,Yuan He,Hyunui LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Regulator voltage detection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240319753A1. Автор: Takayoshi Fujino. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Refresh time detection circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09824745B1. Автор: Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Test mode circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09817065B2. Автор: Bo Kyeom Kim,Tae Seung SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Reference voltage generating circuit of nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US20030026154A1. Автор: Hee Kang,Duck Kim,Hun Kye,Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-02-06.

Display driver and semiconductor apparatus

Номер патента: US20180061359A1. Автор: Kenichi Shiibayashi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Voltage divider circuit and semiconductor device

Номер патента: US20110227635A1. Автор: Kenji Yoshida,Kazuaki Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170169865A1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor devices

Номер патента: US20190279696A1. Автор: Woongrae Kim,Tae Yong Lee,Myung Kyun KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Internal voltage generating apparatus for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030179618A1. Автор: Tae Kim,Jun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-25.

Magnetic head drive circuit and magneto-optical recording device

Номер патента: US20010015938A1. Автор: Kazuyoshi Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Error correction circuit using multi-clock and semiconductor device including the same

Номер патента: US12100465B2. Автор: Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09817425B2. Автор: Jong Joo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Data driver circuit and display device having the same

Номер патента: US11862074B2. Автор: Se-Byung Chae. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

The generating circuit from reference voltage of charge pump circuit and charge pump circuit

Номер патента: CN101814829B. Автор: 肖军,杨光军. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-09-16.

Input protective circuit and manufacture thereof, semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: JPH1065109A. Автор: 宏知 三浦,Hirotomo Miura. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1998-03-06.

DRIVING CIRCUIT AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001952A1. Автор: Hasegawa Hideaki,Higuchi Koji,HIRAMA Atsushi. Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

OVERVOLTAGE CIRCUIT, AND MOTOR STARTER, OVERLOAD RELAY AND LOW-POWER SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002332A1. Автор: Riley Joseph D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for determination of input impedances of electric circuit and device for its realization

Номер патента: RU2301425C1. Автор: Василий Иванович Туев. Владелец: Василий Иванович Туев. Дата публикации: 2007-06-20.

PROTECTION CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120002335A1. Автор: TANG XING-HUA. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Pulse-voltage generator

Номер патента: RU2042263C1. Автор: А.А. Фёдоров. Владелец: Научно-исследовательский институт приборов. Дата публикации: 1995-08-20.

Air ionizer electrode drive circuit and method

Номер патента: MY155170A. Автор: Hsia Jia Bau. Владелец: Oxion Pte Ltd. Дата публикации: 2015-09-15.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Self-tuning voltage generator for non-volatile semiconductor memory unit, non-volatile semiconductor memory unit, and method for self- tuning generation of voltage in said memory unit

Номер патента: RU2146398C1. Автор: Ким Джин-ки,Лим Хьюнг-Кью,Ли Сунг-Соо. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2000-03-10.

System of voltage generation

Номер патента: RU2474941C1. Автор: Сергей Федорович Коняхин,Андрей Михайлович Нагорнов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Агрегатное Конструкторское Бюро "Якорь". Дата публикации: 2013-02-10.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Sine-wave voltage generator

Номер патента: RU2252480C2. Автор: И.А. Семенов,В.Е. Конопл,В.Е. Конопля. Владелец: Открытое акционерное общество Арзамсское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" (ОАО АНПП "ТЕМП-АВИА"). Дата публикации: 2005-05-20.

VOLTAGE LEVEL SHIFT CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120001683A1. Автор: . Владелец: PACIFICTECH MICROELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

Method of diagnosing technical state of measuring voltage transformer in network of voltage generator of power plant

Номер патента: RU2589752C1. Автор: Владимир Мушегович Геворкян,Константин Владимирович Краюшкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2016-07-10.

Commutator-free dc voltage generator

Номер патента: RU2226736C2. Автор: А.Т. Синг. Владелец: Синг Аркадий Тэдивич. Дата публикации: 2004-04-10.

Technique of electric arc welding voltage generating and appropriate apparatus

Номер патента: RU2324581C2. Автор: Николай Михайлович Чуйко,Дмитрий Николаевич Чуйко. Владелец: Дмитрий Николаевич Чуйко. Дата публикации: 2008-05-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.