Magnetoresistive sensor having a bias field applied at approximately 56°
Номер патента: US5663644A
Опубликовано: 02-09-1997
Автор(ы): Hiroshi Shimamura, Satoru Mitani
Принадлежит: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-09-1997
Автор(ы): Hiroshi Shimamura, Satoru Mitani
Принадлежит: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Bias structure for magnetic tunnel junction magnetoresistive sensor
Номер патента: US6724586B2. Автор: Hardayal Singh Gill. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2004-04-20.