Integrated SOI pressure sensor having silicon stress isolation member
Номер патента: US10151647B2
Опубликовано: 11-12-2018
Автор(ы): Curtis Rahn, Gregory C. Brown
Принадлежит: Honeywell International Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-12-2018
Автор(ы): Curtis Rahn, Gregory C. Brown
Принадлежит: Honeywell International Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Chip-scale packaged pressure sensor
Номер патента: WO2000029822A9. Автор: Janusz Bryzek,David W Burns,Steven S Nasiri,Sean S Cahill. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS. Дата публикации: 2000-11-02.