Magneto optical memory device.

Magneto optical memory device

Номер патента: US5631096A
Опубликовано: 20-05-1997
Автор(ы): Akira Takahashi, Junsaku Nakajima, Kenji Ohta, Yoshiteru Murakami
Принадлежит: Sharp Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Magneto-optical disk

Номер патента: CA2084235C. Автор: Akira Takahashi,Yoshiteru Murakami,Naoyasu Iketani,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Magneto-optical recording medium and method for reading out information from the same

Номер патента: US5814418A. Автор: Yasumori Hino,Keiji Nishikiori,Masahiro Birukawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-29.

Method for annealing domain wall displacement type magneto-optical disc and magneto-optical disc

Номер патента: US20020132138A1. Автор: Yasuyuki Miyaoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Dielectric layer for magneto-optic storage media structures

Номер патента: CA2032866A1. Автор: Christopher V. Jahnes,Fletcher Jones,Michael A. Russak,Joseph S. Logan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-08-01.

Magneto-optical recording medium and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020022153A1. Автор: Tetsuo Hosokawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Magneto-optical recording medium and manufacturing method thereof

Номер патента: US5968678A. Автор: Atsushi Yamaguchi,Yoshihisa Suzuki,Kenji Torasawa,Seiji Murata,Kenji Tanase,Satoshi Sumi,Yoshiharu Uchihara. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-19.

Magneto-optical recording medium and recording and reading out process using the same

Номер патента: US5821004A. Автор: Norio Miyatake,Yasumori Hino,Masahiro Birukawa,Yoshihiko Kudoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-13.

Magneto optic recording medium with silicon carbide dielectric

Номер патента: US5158834A. Автор: Arnold W. Funkenbusch. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1992-10-27.

Magneto-optical storage medium with double mask

Номер патента: US6124048A. Автор: Stephan Becker. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2000-09-26.

Magneto-optical memory device for multi-wavelength recording and reproduction

Номер патента: US5270966A. Автор: Takahiko Tamaki. Владелец: Nippon Hoso Kyokai NHK. Дата публикации: 1993-12-14.

Magneto-optic memory medium

Номер патента: CA1185013A. Автор: Akira Takahashi,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1985-04-02.

Magneto-optical memory element

Номер патента: CA1226672A. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Junji Hirokane,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-09-08.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US5565278A. Автор: Motoyoshi Murakami,Masahiro Birukawa,Hidetsugu Kawabata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1996-10-15.

Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same

Номер патента: US6451424B1. Автор: Yuichi Sabi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-17.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US5786078A. Автор: Kazuhiko Honjo,Masahiko Sekiya,Atsushi Oyamatsu. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 1998-07-28.

Magneto-optical recording medium and process for producing the same

Номер патента: US5637411A. Автор: Eiji Koyama,Hideo Fujiwara,Masatoshi Hashimoto,Katsusuke Shimazaki,Yukinori Yamada,Yoshinori Shirai,Norio Ohta,Hitoshi Furusho,Masafumi Yoshihiro,Satoru Ohnuki. Владелец: Hitachi Maxell Ltd. Дата публикации: 1997-06-10.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: CA2017300C. Автор: Hiroshi Tanaka,Teruhisa Shimizu,Shinji Takayama,Yoshimine Kato. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-05-17.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US4837118A. Автор: Ryoichi Yamamoto,Takashi Yamada,Masaaki Nomura,Akira Nahara. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1989-06-06.

Magneto-optical recording medium and process for producing the same

Номер патента: US5540988A. Автор: Hiroshi Yoshida,Shinichi Tachibana,Katsuhiko Takano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1996-07-30.

Magneto-optical recording medium and method for processing the surface

Номер патента: CA2035410C. Автор: Hiroyuki Katayama,Junichiro Nakayama,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-09-30.

Magneto-optical recording medium, magneto-optical recording method, and magneto-optical recording apparatus

Номер патента: US5985436A. Автор: Akira Takahashi,Junji Hirokane,Yoshiteru Murakami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

Magneto-Optical Recording Medium

Номер патента: CA2090366A1. Автор: Hiroyuki Katayama,Junichiro Nakayama,Naoyasu Iketani,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1993-10-23.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US5055353A. Автор: Ryoichi Yamamoto,Takashi Yamada,Shizuo Umemura,Kiichi Kato. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1991-10-08.

Magneto-optical disk having a microporous protective coating containing a lubricant

Номер патента: US5578355A. Автор: Hideki Hirata,Isamu Kuribayashi,Hiroyuki Endo,Tsuyoshi Komaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1996-11-26.

Magneto-optical recording medium and reproducing device

Номер патента: US20020168549A1. Автор: Noboru Iwata,Junji Hirokane. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US5589282A. Автор: Masayuki Kubogata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-12-31.

Magneto-optical recording medium.

Номер патента: MY106198A. Автор: Tanaka Hiroshi,Takayama Shinji,Kato Yoshimine,Shimizu Teruhisa. Владелец: Mediatek Inc Corp. Дата публикации: 1995-03-31.

Magneto-optical medium

Номер патента: US4743502A. Автор: Yukio Watanabe,Jun Sasaki,Yoshimitsu Kobayashi,Toshihiko Yoshitomi. Владелец: Mitsubishi Kasei Corp. Дата публикации: 1988-05-10.

Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same

Номер патента: US5547751A. Автор: Tatsuya Fukami,Kazuo Hashima,Yuji Kawano,Yoshio Fujii,Takashi Tokunaga,Yoshiyuki Nakaki,Kazuhiko Tsutsumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-08-20.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US5512364A. Автор: Tetsuo Sato,Kiyoshi Chiba,Kazutomi Suzuki,Masahiko Sekiya. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 1996-04-30.

Magneto-optic disk

Номер патента: US5618617A. Автор: Kiyoshi Uchida,Norio Miyatake,Kazunori Omoya. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-04-08.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US20040048108A1. Автор: Takahiro Umada,Koji Matsumoto,Keiji Shono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Magneto-optical recording medium, manufacturing method thereof and magneto-optical data recording and playback device

Номер патента: US20060286411A1. Автор: Abel Rousset,Philippe Tailhades,Hiroshi Yoshikawa,Akinori Furuya,Manabu Yamamoto,Laurence Bouet,Takaya Tanabe,Toshifumi Ohkubo,Corine Despax-Bonningue. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

Domain wall-displacement type magneto-optical medium and reproducing method for the same

Номер патента: US20020106534A1. Автор: Yukari Aoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Magneto-optic memory element

Номер патента: CA1224270A. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Junji Hirokane,Hideyoshi Yamaoka,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-07-14.

Integrated magneto-optical having a magnetic head set back from an optical head

Номер патента: US5440530A. Автор: Jean-Marc Fedeli,Serge Valette,Stephane Renard,Hubert Jouve. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1995-08-08.

Magneto-optical recording medium with first and second magnetic layers with almost equal Curie temperatures

Номер патента: US6821642B2. Автор: Ken Tamanoi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-11-23.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US6086993A. Автор: Shinji Miyazaki,Jiro Yoshinari,Hiroyasu Inoue. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Magneto optical device

Номер патента: EP1743328A1. Автор: Ferry Zijp,Rudolf J. M. Vullers. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-01-17.

Method of manufacturing a digital magneto-optical signal write/read head and write/read head manufactured according to the method

Номер патента: US20030067845A1. Автор: Frank Penning. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Magneto optical device

Номер патента: EP1743328B1. Автор: Ferry Zijp,Rudolf J. M. Vullers. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-05-14.

Magneto-optical storage medium

Номер патента: US4978584A. Автор: Dieter Weller,Wolfgang Reim. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-12-18.

Magneto-optical recording medium having lubrication on both sides

Номер патента: US6625107B2. Автор: Hiroyasu Kawano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-09-23.

Magneto optic recording medium with silicon carbide dielectric

Номер патента: US4917970A. Автор: Arnold W. Funkenbusch. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1990-04-17.

Magneto-optical recording material

Номер патента: US4880694A. Автор: Shinji Takayama,Katsuhiro Kaneko,Yutaka Sugita,Toshio Niihara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-11-14.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US20020177010A1. Автор: Ken Tamanoi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Magneto optical device

Номер патента: WO2005104096A1. Автор: Ferry Zijp,Rudolf J. M. Vullers. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-11-03.

Magneto optical disc

Номер патента: US5279877A. Автор: Hideki Hirata,Isamu Kuribayashi,Hiroyuki Endo,Setsuko Shibuya,Tsuneo Kuwahara,Ryota Uchiyama,Shin-ichi Tezuka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1994-01-18.

Method for adjusting magnetic and optical heads in magneto-optical recording device

Номер патента: US20010024407A1. Автор: Yasukiyo Kunimatsu,Kazuhito Yokoyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-09-27.

Magneto-optical memory medium and apparatus for writing and reading information on and from the medium

Номер патента: US4922454A. Автор: Kazunari Taki. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 1990-05-01.

Method of setting power for a reproducing beam to be applied to a magneto-optical disc, and method of reproducing data from a magneto-optical disc

Номер патента: US6552980B2. Автор: Kenji Yamazaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-04-22.

Method of setting power for a reproducing beam to be applied to a magneto-optical disc, and method of reproducing data from a magneto-optical disc

Номер патента: US20020001269A1. Автор: Kenji Yamazaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Magneto-optical disk apparatus capable of accurate reproduction of signal by removing magnetic influence by magnet included in optical head and method of detecting intensity of magnetic field applied by magnet

Номер патента: US20020034128A1. Автор: Masaaki Shidochi,Seiichiro Takahashi,Mitsuhiko Maeda,Yoichi Tsuchiya,Seiji Kajiyama,Kanichi Koyama. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Magneto-optical recording medium and reproducing method for reproducing magnetic domain in enlarged form on a reproducing layer

Номер патента: US20010012263A1. Автор: Hitoshi Watanabe,Katsusuke Shimazaki,Hiroki Takao,Norio Ohta,Masafumi Yoshihiro,Satoru Ohnuki. Владелец: Hitachi Maxell Ltd. Дата публикации: 2001-08-09.

Recording medium, method for recording and reproducing data using the medium, and magneto-optical recording apparatus

Номер патента: US6754141B1. Автор: Masakazu Taguchi,Akihiro Itakura,Akiyoshi Uchida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-06-22.

Method for manufacturing magneto-optical recording medium

Номер патента: US20040229085A1. Автор: Takeshi Miki,Kazuhiko Fujiie,Yasuhito Tanaka,Goro Fujita,Tetsuhiro Sakamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US6477120B1. Автор: Akira Takahashi,Naoyasu Iketani,Go Mori,Michinobu Mieda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-11-05.

Magneto-optical recording method and magneto-optical recording apparatus

Номер патента: AU639412B2. Автор: Johannes Hendrikus Maria Spruit,Gerard Eduard Van Rosmalen,Bernardus Antonius Johannus Jacobs. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1993-07-29.

Magneto-optic recording disk and method of reproducing recorded signals

Номер патента: CA2036890C. Автор: Hiroyuki Katayama,Toshio Ishikawa,Junichiro Nakayama,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1996-02-13.

Magneto-optical recording medium and magneto-optical recording apparatus capable of performing a light-modulation overwriting operation

Номер патента: US5615180A. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Junichiro Nakayama,Kenji Ohta,Michinobu Mieda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Magneto-optical recording method using a magneto-optical recording medium having two or more magnetic layers to allow recording and reproduction to be effected simultaneously and magneto-optical recording medium used in the method

Номер патента: CA2073924C. Автор: Koyo Hasegawa,Tadashi Kobayashi,Masakuni Yamamoto,Kazuoki Hongu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-03-04.

Floating type magneto-optic disk reading head system having external semiconductor laser resonator operating at orthogonal two mode oscillations

Номер патента: CA1322599C. Автор: Nobuhiro Fukushima,Ippei Sawaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1993-09-28.

Magneto-optical recording medium having a plurality of magnetic layers

Номер патента: US5768218A. Автор: Akira Takahashi,Junji Hirokane,Junichiro Nakayama,Yoshiteru Murakami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Magneto-optical recording medium and signal reproduction method

Номер патента: US20040244027A1. Автор: Makoto Watanabe,Takeshi Miki,Kazuhiko Fujiie,Yasuhito Tanaka,Goro Fujita,Kazutomo Miyata,Teruyuki Ota,Tetsuhiro Sakamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Magneto-optical disk drive supporting a direct-over-write operation and a write-after-erase operation

Номер патента: US5956295A. Автор: Takehiko Numata,Teruji Yamakawa,Kiyomi Ogino. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-09-21.

Recording and reproduction device for a magneto-optic recording medium capable of recording information according to optical super-resolution

Номер патента: US6243326B1. Автор: Atsushi Yamaguchi,Yoshihisa Suzuki,Seiji Murata,Kenji Tanase,Kenji Torazawa,Satoshi Sumi,Yoshiharu Uchihara. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-05.

Magneto-optical recording media and mangeto-optical device using the media

Номер патента: US5462811A. Автор: MAKOTO Miyamoto,Harukazu Miyamoto,Toshio Niihara,Masahiro Ojima,Keikichi Andoo. Владелец: Hitachi Maxell Ltd. Дата публикации: 1995-10-31.

Magneto-optical recording-reproducing method utilizing domain wall displacement, and apparatus therefor

Номер патента: US5953289A. Автор: Yasuyuki Miyaoka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-09-14.

Magneto-optical disk reproducing intensity control system

Номер патента: CA2082135C. Автор: Akira Takahashi,Junichiro Nakayama,Junsaku Nakajima,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

Magneto-optical recording medium and signal reproduction method

Номер патента: US7060373B2. Автор: Makoto Watanabe,Takeshi Miki,Kazuhiko Fujiie,Yasuhito Tanaka,Goro Fujita,Kazutomo Miyata,Teruyuki Ota,Tetsuhiro Sakamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-06-13.

Phase error detection apparatus and method, and laser power control apparatus and method, as well as magneto-optical recording and/or playback apparatus

Номер патента: US20020114226A1. Автор: Goro Fujita,Minoru Tobita,Tetsuhiro Sakamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US20030133367A1. Автор: Masahiro Tabata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Apparatus for reproducing a magneto-optical disk

Номер патента: CA1310120C. Автор: Hiroshi Ogawa,Hideyoshi Horimai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-11-10.

Magneto-optical medium and recording and/or reproducing apparatus thereof

Номер патента: US5579294A. Автор: Shunji Yoshimura,Isamu Nakao,Atsushi Fukumoto,Toshiki Udagawa,Masumi Ohta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-11-26.

Magneto-optical recording media and overwrite recording method using the same

Номер патента: US5263015A. Автор: MAKOTO Miyamoto,Atsushi Saito,Harukazu Miyamoto,Yoshio Suzuki,Tsuyoshi Toda,Hiroyuki Awano,Toshio Niihara,Masahiro Ojima,Keikichi Andoo. Владелец: Hitachi Maxell Ltd. Дата публикации: 1993-11-16.

Magneto-optical reading method and apparatus and magneto-optical recording medium used for execution of the method

Номер патента: US5883863A. Автор: Masakazu Taguchi,Akihiro Itakura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-03-16.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US20030133366A1. Автор: Masahiro Tabata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Magneto-optical recording medium comprising recording layer and reproducing layer

Номер патента: US20020054544A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Kenji Tanase. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-09.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US20050024993A1. Автор: Motonobu Mihara,Ken Tamanoi,Ryo Kurita,Shoyu Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Magneto-optical recording and reproducing device

Номер патента: CA1316258C. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Junichiro Nakayama,Tomoyuki Miyake,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1993-04-13.

Magneto-optical storage medium and optical disk drive

Номер патента: US20050249053A1. Автор: Tetsuo Hosokawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Method of an apparatus for magneto-optically recording information by changing the position or shape or controlling the diameter of reversed domains

Номер патента: US5321672A. Автор: Harukazu Miyamoto,Fumiyoshi Kirino,Yoshio Suzuki,Masahiko Takahashi,Yumiko Anzai,Toshio Niihara,Norio Ohta. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

Method and apparatus of reading written information from magneto-optical writing media

Номер патента: US6014348A. Автор: Dae Young Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2000-01-11.

Overwritable magneto-optical recording medium having two-layer magnetic films wherein one of the films contains one or more of Cu, Ag, Ti, Mn, B, Pt, Si, Ge, Cr and Al, and a method of recording on the same

Номер патента: US5265073A. Автор: Yoichi Osato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1993-11-23.

Magneto-optical recording and reproducing device

Номер патента: US5226030A. Автор: Youichi Konno. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1993-07-06.

Magneto-optical recording medium having a plurality of magnetic layers

Номер патента: US5684764A. Автор: Akira Takahashi,Junji Hirokane,Junichiro Nakayama,Michinobu Mieda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-11-04.

Magneto-optical recording medium having a signal reproducing region of the reproducing layer larger than the record bit in the recording layer

Номер патента: US5982715A. Автор: Akira Takahashi,Junji Hirokane,Naoyasu Iketani,Ippei Suzuki,Go Mori,Michinobu Mieda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-11-09.

Write and erase magnetic bias field switching system for a magneto-optic disk drive

Номер патента: US4977549A. Автор: Thomas E. Berg. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1990-12-11.

Method for reproducing signal using an external magnetic field from magneto-optical recording medium having three magnetic layers

Номер патента: US5018119A. Автор: Kenjiro Watanabe,Katsuhisa Aratani,Minoru Kohno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-05-21.

Magneto-optical recording medium having a layer that retains its state of magnetization regardless of the presence of an external magnetic field, and a recording/reproducing method therefor

Номер патента: US5450382A. Автор: Tsutomu Shiratori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1995-09-12.

Code-adaptive magneto-optical write strategy

Номер патента: WO2004081924A1. Автор: Hans W. Van Kesteren. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-09-23.

System and method of reproducing signals recorded on a magneto-optic recording medium

Номер патента: CA2060547A1. Автор: Isamu Nakao,Katsuhisa Aratani,Masumi Ohta. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-08-09.

Magneto-optic recording medium and apparatus

Номер патента: CA2029951C. Автор: Motohisa Taguchi,Tatsuya Fukami,Takashi Tokunaga,Yoshiyuki Nakaki,Kazuhiko Tsutsumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-10-31.

Magneto-optical recording medium including a plurality of recording layers having different curie temperatures and method of recording and reading

Номер патента: US5420728A. Автор: Takeo Kawase. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1995-05-30.

Magneto-optic recording medium and manufacturing method

Номер патента: US5216663A. Автор: Motohisa Taguchi,Tatsuya Fukami,Takashi Tokunaga,Yoshiyuki Nakaki,Kazuhiko Tsutsumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-06-01.

Apparatus for reproducing information from a magneto-optical storage medium

Номер патента: CA2026202C. Автор: Toshihisa Deguchi,Hiroshi Fuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Method and apparatus for magneto-optical recording of a plurality of discrete levels

Номер патента: US5432761A. Автор: Atsushi Maeda. Владелец: Research Development Corp of Japan. Дата публикации: 1995-07-11.

Head arrangement for domain expansion magnetic amplifying magneto-optical system

Номер патента: US7224644B2. Автор: Coen Adrianus Verschuren. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-05-29.

Code-adaptive magneto-optical write strategy

Номер патента: EP1604357A1. Автор: Hans W. Van Kesteren. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-14.

Magneto-optical recording for improved domain expansion reading

Номер патента: EP1402525A1. Автор: C.A. Internationaal Octrooibureau B.V. VERSCHUREN,B. Internationaal Octrooibureau B.V. VAN ROMPAEY,Paulus W.M. Internationaal Octrooibureau B.V BLOM,J.J.L. Internationaal Octrooibureau B.V. HORIKX,H. Internationaal Octrooibureau B.V. VAN KESTEREN. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-31.

Magneto-optical recording for improved domain expansion reading

Номер патента: US7027365B2. Автор: Coen Adrianus Verschuren,Hans Willem Van Kesteren,Jeroen Jan Lambertus Horikx,Paulus Wilhelmus Maria Blom,Bart Van Rompaey. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-11.

Domain wall displacement magneto-optic recording medium, and reproducing method and apparatus for the same

Номер патента: US20020085457A1. Автор: Tomoyuki Hiroki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Magneto-optical recording for improved domain expansion reading

Номер патента: US20020191497A1. Автор: Coen Verschuren,Bart Van Rompaey,Hans Van Kesteren,Jeroen Horikx,Paulus Blom. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-12-19.

Magneto-optic memory device

Номер патента: CA1315983C. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Junichiro Nakayama,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta,Kazuo Van,Ichiro Hiramatsu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1993-04-13.

Magneto-optic memory element

Номер патента: US4414650A. Автор: Akira Takahashi,Toshihisa Deguchi,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1983-11-08.

Integrated magneto-optical write/read head

Номер патента: WO2005091281A1. Автор: Ferry Zijp,Bernardus H. W. Hendriks,Frank C. Penning,Aukje A. A. Kastelijn. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-09-29.

Magneto-optical memory element

Номер патента: US5414652A. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Kenji Ohta,Michinobu Mieda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-05-09.

Magneto-optical recording medium device

Номер патента: US20040114471A1. Автор: Takehiko Numata,Shigenori Yanagi,Nobuyuki Nankumo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-06-17.

Magneto-optical head utilizing central and peripheral portions of reflected light flux for different purposes

Номер патента: US5081614A. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Toshihisa Deguchi,Tomoyuki Miyake,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta,Kazuo Van,Michinobu Mieda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-01-14.

Magneto-optical head and magneto-optical disk drive

Номер патента: US20050094671A1. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Koichi Tezuka,Hiroyasu Yoshikawa,Tohru Fujimaki,Goro Kawasaki,Nobuyuki Kanto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-05-05.

Recording head for magneto-optical recording device and magneto-optical recording device comprising the same

Номер патента: WO2005029485A1. Автор: Hans W. Van Kesteren,Bernardus H. W. Hendriks. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-03-31.

Magneto-optical head assembly

Номер патента: CA1190321A. Автор: Akira Takahashi,Toshihisa Deguchi,Hideyoshi Yamaoka,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1985-07-09.

Magneto-optic recording and playback system

Номер патента: US5278811A. Автор: Zu-Wen Chao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1994-01-11.

Magneto-optical head and magneto-optical disk drive

Номер патента: US7127729B2. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Koichi Tezuka,Hiroyasu Yoshikawa,Tohru Fujimaki,Goro Kawasaki,Nobuyuki Kanto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-24.

Magneto-optical recording and reproducing apparatus

Номер патента: US20030123370A1. Автор: Yoshihiro Nakao,Haruhiko Izumi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Magneto-optical disk recording apparatus

Номер патента: CA2016559C. Автор: Takashi Ohmori,Hirotoshi Fujisawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Recording and/or reproducing apparatus for using magneto-optical disc

Номер патента: CA2041366C. Автор: Wataru Yamatani. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Magneto-optical storage medium

Номер патента: US20050266272A1. Автор: Gavin Phillips. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-01.

Method for driving magnetic head and driving circuit of magneto-optical disk drive

Номер патента: US20030007427A1. Автор: Michio Matsuura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Magneto-optical recording system using recording waveform having a plurality of power levels providing high recording density

Номер патента: US5463600A. Автор: Atsushi Saito,Takeshi Maeda,Fumiyoshi Kirino,Fumio Kugiya,Hiroshi Ide,Tsuyoshi Toda,Hiroyuki Tsuchinaga. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-10-31.

An optical pickup apparatus for a magneto-optical recording medium

Номер патента: MY114127A. Автор: Saito Kimihiro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-08-30.

Magneto-optical storage device and manufacturing method thereof

Номер патента: CA2069056A1. Автор: Akira Takahashi,Junsaku Nakajima,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-11-24.

Process for manufacturing a magneto-optic disc

Номер патента: CA2016815C. Автор: Hiroyuki Katayama,Junichiro Nakayama,Tomoyuki Miyake,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-04-04.

High-density magneto-optical disk apparatus

Номер патента: US5719830A. Автор: Yong-Jae Lee,Kyo-bang Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-02-17.

Magneto-optical disk apparatus and position adjustment method of head mechanism

Номер патента: US20020064101A1. Автор: Hitoshi Watanabe,Masashi Suenaga,Norio Ohta. Владелец: Hitachi Maxell Ltd. Дата публикации: 2002-05-30.

Sliding type magnetic head for magneto-optical recording

Номер патента: US5508869A. Автор: Shinichi Nanjyo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Magneto-optical memory element

Номер патента: CA1326548C. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Junichiro Nakayama,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta,Kazuo Van. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-01-25.

Magneto-optic memory medium

Номер патента: CA2014158C. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Tomokazu Ise,Junichiro Nakayama,Tomoyuki Miyake,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-04-04.

Magneto-optical layer and magneto-optical recording medium

Номер патента: CA2098950A1. Автор: Yoshihiko Takeda,Kiyoshi Chiba,Tomokazu Umezawa. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 1993-12-26.

Magneto-optic recording medium, magneto-optic recording system and magneto-optic recording method

Номер патента: US5369628A. Автор: Kazuhiko Tsutsumi,Isao Watanabe,Koichi Takeuchi,Osamu Ito,Kunimaro Tanaka,Kyosuke Yoshimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-11-29.

Magneto-optic recording method and magneto-optic recording/reproducing apparatus

Номер патента: US5208799A. Автор: Shunji Yoshimura,Isamu Nakao,Atsushi Fukumoto,Toshiki Udagawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1993-05-04.

Magneto-optical recording apparatus with an optical element providing a high C/N ratio

Номер патента: US5748572A. Автор: Masatsugu Ogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Magneto-optical disk apparatus

Номер патента: US20030227832A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Satoshi Sumi,Sayoko Okada. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Magneto-optical recording/reproducing apparatus and magneto-optical recording/reproducing method

Номер патента: US20050068853A1. Автор: Akihiro Itakura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-03-31.

Integrated magneto-optical write/read head

Номер патента: EP1728248A1. Автор: Ferry Zijp,Bernardus H. W. Hendriks,Frank C. Penning,Aukje A. A. Kastelijn. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-12-06.

Integrated magneto-Optical Write/Read Head

Номер патента: US20080043578A1. Автор: Bernardus Hendrikus Wilhelmus Hendriks,Ferry Zijp,Frank Cornelis Penning,Aukje Arianne Annette Kastelijn. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-02-21.

Magneto-optical recording and/or reproducing apparatus having a plurality of optical systems

Номер патента: US5784343A. Автор: Tetsu Watanabe,Tamotsu Yamagami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-07-21.

Magneto-optical disk recording device capable of checking erased state during erasing

Номер патента: US5883868A. Автор: Toshiaki Iwanaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Dual shield vertical magneto-optical read head

Номер патента: US20030086340A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Sebastien Ferrand,Jorn Raastad,Yannick Maral,Jean-Christophe Toussaint. Владелец: O-MASS AS. Дата публикации: 2003-05-08.

Apparatus and method for optimizing performance in read/write head of an optical storage system with a magneto-optical storage medium

Номер патента: US5282188A. Автор: Edward C. Gage. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1994-01-25.

Magneto-optic multitrack reading head having a plurality of reflective rays

Номер патента: US5689391A. Автор: Francois Maurice. Владелец: Thomson Consumer Electronics Inc. Дата публикации: 1997-11-18.

Improved magneto-optical recording apparatus for digital signal information

Номер патента: US5488591A. Автор: Hiroshi Hirayama,Michio Kobayashi,Satoshi Nebashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1996-01-30.

Magnetic head having elastic members for magneto-optical recording device

Номер патента: US5657300A. Автор: Tomoyuki Takahashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-08-12.

Positioning a magnetic head base of a magneto-optical disk drive

Номер патента: US5995333A. Автор: Hiroshi Kanazawa,Isao Okuda,Suguru Takishima,Shimpei Shinozaki. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-30.

Magnetic head carriage locking system for magneto-optical disk drive

Номер патента: US5933291A. Автор: Hiroshi Kanazawa,Isao Okuda,Suguru Takishima,Takeharu Shin,Shimpei Shinozaki. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-03.

Magneto-optical disk and method of manufacturing the same

Номер патента: CA2041680C. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Junichiro Nakayama,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta,Hirotaka Toki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-06-24.

Record face identifying device for magneto-optic record medium

Номер патента: US4993012A. Автор: Tomiyuki Numata,Hiroshi Fuji,Tsuneo Fujiwara,Kentaroh Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-02-12.

Reproduction apparatus for a magneto-optical recording medium

Номер патента: US4833662A. Автор: Yoshiro Yoda. Владелец: Olympus Optical Co Ltd. Дата публикации: 1989-05-23.

Magneto-optical disk apparatus including two magnetic field applying devices, one of which has a substantial ring-shaped core member with a gap in a portion thereof

Номер патента: US5625607A. Автор: Masahiko Chaya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-04-29.

Pickup device for a magneto-optical information recording system

Номер патента: US5428584A. Автор: Yoshio Yoshida,Hiroyuki Yamamoto,Yukio Kurata,Kuniaki Okada,Renzaburou Miki,Kouji Minami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Method of manufacturing a magneto-optical device

Номер патента: EP1709637A1. Автор: Rudolf J. M. Vullers. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-10-11.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US5233575A. Автор: Toshifumi Kawano,Kenichi Uchino. Владелец: Mitsubishi Kasei Corp. Дата публикации: 1993-08-03.

Recording layer of magneto-optical storage medium having sublayer and method of fabricating the same

Номер патента: US20040115482A1. Автор: Yong Park,Mun Paek,Yeung Sohn,Dong Suh,Ho Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2004-06-17.

Read out apparatus for reading out information from magneto-optic disk

Номер патента: CA2063189C. Автор: Masaharu Moritsugu,Masakazu Taguchi,Haruhiko Izumi,Akio Futamata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-01-02.

Phase compensation adjustor for magneto-optical recording device

Номер патента: US5831942A. Автор: Yasuaki Morimoto,Nobuhide Aoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-11-03.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: CA2051603A1. Автор: Shinji Takayama,Hideo Iiyori. Владелец: Hideo Iiyori. Дата публикации: 1992-04-06.

Magneto-optical disk and process for manufacturing the same

Номер патента: US5179546A. Автор: Harukazu Miyamoto,Yoshinori Miyamura,Yumiko Anzai,Toshio Niihara,Norio Ohta. Владелец: Hitachi Maxell Ltd. Дата публикации: 1993-01-12.

Magneto-optical recording medium, and method for fabricating the same

Номер патента: US20050190658A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Ryo Kurita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of Manufacturing a Magneto-Optical Device

Номер патента: US20080231991A1. Автор: Rudolf Johan Maria Vullers. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-09-25.

Magneto-optical storage media

Номер патента: US20020136097A1. Автор: Akira Takahashi,Naoyasu Iketani,Go Mori,Michinobu Mieda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US20030002397A1. Автор: Tsutomu Tanaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Microelectro mechanical system for magneto-optic data storage apparatus

Номер патента: US20050194515A1. Автор: Yi Sun,Han-Ping Shieh,Wensyang Hsu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2005-09-08.

Magnetic head drive circuit and magneto-optical recording device

Номер патента: US20010015938A1. Автор: Kazuyoshi Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Flash layer overcoat for magnetically-induced super resolution magneto-optical media

Номер патента: US20030096141A1. Автор: Ga-Lane Chen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2003-05-22.

Magneto-optical reproducing device with optical system having two reflective elements and providing phase difference cancellation

Номер патента: US5309423A. Автор: Isao Okuda,Masato Noguchi,Suguru Takishima. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 1994-05-03.

Magneto-optical recording system utilizing a leakage magnetic field of focusing actuator

Номер патента: US4672594A. Автор: Tsuyoshi Kato,Toshio Niihara,Masahiro Ojima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-06-09.

Magneto-optical recording medium and method and apparatus for reproducing data therefrom

Номер патента: US5987002A. Автор: Atsushi Fukumoto,Katsuhisa Aratani,Shin Masuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

Magneto-optical device

Номер патента: WO2004114295B1. Автор: Ferry Zijp,Der Mark Martinus B Van,Someren Bob Van,Rudolf J M Vullers. Владелец: Rudolf J M Vullers. Дата публикации: 2005-02-17.

Magneto-optic pickup head including tracking and focusing error correction

Номер патента: US4868803A. Автор: Hiroshi Nishihara,Toshiaki Suhara,Hiroshi Sunagawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1989-09-19.

Domain wall displacement type magneto-optical recording medium and recording method

Номер патента: US6980491B2. Автор: Tsutomu Shiratori,Katsumi Arisaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-12-27.

Magneto-optical device

Номер патента: US20070146864A1. Автор: Martinus VAN DER MARK,Ferry Zijp,Bob Van Someren,Rudolf Vullers. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-06-28.

Magneto-optical disk with lubricant film

Номер патента: CA2046178C. Автор: Hiroyuki Katayama,Junichiro Nakayama,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-11-09.

Magneto-optical recording method and apparatus to be used in the method

Номер патента: US5859813A. Автор: Haruhiko Izumi,Akihiro Itakura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-01-12.

Sliding type magnetic head for magneto-optical recording

Номер патента: US5467237A. Автор: Tomoyuki Takahashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1995-11-14.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US6141297A. Автор: Jin-Hong Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2000-10-31.

Method of recording information in a magneto-optical record carrier, apparatus for carrying out the method, and magneto-optical record carrier for use in an apparatus for carrying out the method

Номер патента: CA1224268A. Автор: Josephus J.M. Braat,Marino G. Carasso. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1987-07-14.

Method and apparatus for magneto-optical reading of superimposed magnetic recordings

Номер патента: US3629517A. Автор: Marian Andreas Grimm. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-12-21.

Magneto-optical recording medium and manufacturing method thereof

Номер патента: CA2087288C. Автор: Hiroyuki Katayama,Junji Hirokane,Junichiro Nakayama,Michinobu Mieda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-07-08.

Scanning head including a magneto-optical element and scanning device including the scanning head

Номер патента: WO1996009625A1. Автор: . Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1996-03-28.

Magnetic domain wall displacement type magneto-optical medium and method for manufacturing the same

Номер патента: US6805901B2. Автор: Kazuyoshi Ishii. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-10-19.

Magneto-optical disk and recording and/or reproducing method and recording and/or reproducing apparatus using the magneto-optical disk

Номер патента: EP1471508A3. Автор: Minoru C/O Sony Corporation Tobita,Makoto c/o Sony Corporation Watanabe,Kazutomo c/o Sony Corporation Miyata,Teruyuki c/o Sony Corporation Ota. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-12-20.

Permanent magnet device for selectively inverting a magnetic bias field for magneto-optic recording

Номер патента: US5535181A. Автор: Edward P. Furlani,Syamal K. Ghosh,Christopher C. Williams. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1996-07-09.

High speed switching circuit for controlling current flow in a bridge circuit coil for use in a magneto-optic direct overwrite system

Номер патента: US5189567A. Автор: Hemant K. Mody. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1993-02-23.

A magneto-optical storage medium

Номер патента: EP1543504A2. Автор: Gavin N. Phillips. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-06-22.

Magnetic head for a magneto-optical device and magneto-optical device

Номер патента: EP1654730A1. Автор: Hans W. Van Kesteren,Rudolf J. M. Vullers. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-05-10.

Magneto-optic records

Номер патента: CA1303739C. Автор: Fred W. Spong,Boris J. Muchnik,Christopher A. Smith. Владелец: Kerdix Inc. Дата публикации: 1992-06-16.

Method and apparatus for magneto-optical recording and reading using optimized laser powers

Номер патента: US5703865A. Автор: Ann Guo. Владелец: Maxoptix Corp. Дата публикации: 1997-12-30.

Magneto-optical recording/reproducing apparatus with optical pickup device having a multi-layer dielectric film beam splitter

Номер патента: CA2110753A1. Автор: Nobuhiko Ando,Kazuhiko Fujiie. Владелец: Kazuhiko Fujiie. Дата публикации: 1994-06-09.

Magneto-optical recording/reproducing apparatus with optical pickup device having a multi-layer dielectric film beam splitter

Номер патента: CA2110753C. Автор: Nobuhiko Ando,Kazuhiko Fujiie. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-05-20.

Optical pickup apparatus and magneto-optical reproducing system

Номер патента: US5394381A. Автор: Michio Oka,Atsushi Fukumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US20020159339A1. Автор: Noboru Iwata,Junji Hirokane. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Magneto-optic recording system employing near field optics

Номер патента: WO1998007147A1. Автор: Gordon S. Kino. Владелец: Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 1998-02-19.

Optical head for magneto-optical record medium

Номер патента: US5541906A. Автор: Shohei Kobayashi. Владелец: Olympus Optical Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-30.

Magneto-optical recording medium with initializing layer for initializing different regions in different directions

Номер патента: US5629909A. Автор: Tsutomu Shiratori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

Near field magneto-optical recording system employing slit illumination

Номер патента: US5883872A. Автор: Gordon S. Kino. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 1999-03-16.

Magnetic writing head for magneto-optical recording with thick protective coating

Номер патента: US5544131A. Автор: Jean-Marc Fedeli,Jean B. Albertini. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1996-08-06.

Record holder for a magneto-optical recording device with a retractable magnetic head

Номер патента: US5223999A. Автор: Tsuneo Suzuki. Владелец: Deutsche Thomson Brandt GmbH. Дата публикации: 1993-06-29.

Method and apparatus for generating magnetic field for magneto-optic recording system

Номер патента: US6130864A. Автор: Alan C. Burroughs. Владелец: TeraStor Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: CA2060548C. Автор: Isamu Nakao,Katsuhisa Aratani,Masumi Ohta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-07-03.

Method of making magneto optic recording medium with silicon carbide dielectric

Номер патента: US5098541A. Автор: Arnold W. Funkenbusch. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1992-03-24.

Magneto-optical recording element and method for fabrication thereof

Номер патента: US4954232A. Автор: Takashi Yamada,Takashi Maeda,Hisao Arimune. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1990-09-04.

Recording apparatus for magneto-optical disc and disc cartridge misinsertion preventing mechanism

Номер патента: CA2034330C. Автор: Hideki Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US7257076B2. Автор: Takeshi Miki,Goro Fujita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-14.

System for applying a perpendicular magnetic field to the illuminated side of a magneto-optic medium

Номер патента: US5022018A. Автор: Peter J. Vogelgesang. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1991-06-04.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US5627777A. Автор: Ken Tamanoi,Kenji Shono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-05-06.

Holding device for a record in a magneto-optical recording-and/or reproducing-set.

Номер патента: MY105923A. Автор: SUZUKI Tsuneo. Владелец: Thomson Brandt Gmbh. Дата публикации: 1995-02-28.

Optical memory device

Номер патента: CA1247237A. Автор: Yoshikazu Fujii,Toshihisa Deguchi,Tetsuya Inui,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1988-12-20.

Small-sized optical memory device and information processing apparatus utilizing cylindrically shaped information recording medium

Номер патента: US5109374A. Автор: Takeshi Maeda,Yoshito Tsunoda,Hiroshi Yasuoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-04-28.

Optical memory device

Номер патента: CA1288512C. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Junji Hirokane,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-09-03.

Optical memory system which uses a different illumination mode when scanning reserved areas

Номер патента: US4868804A. Автор: Daniel Lecomte,Rene Romeas,Dominique Leterme,Francois Le Carvennec. Владелец: Alcatel Thomson Gigadisc SA. Дата публикации: 1989-09-19.

Magneto-optical memory element

Номер патента: CA1154532A. Автор: Peter Hansen,Marlies Urner-Wille. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1983-09-27.

Magneto-optic memory device

Номер патента: US5738765A. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Junji Hirokane,Hideyoshi Yamaoka,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-04-14.

Method of producing an optical or magneto-optical recording card and transfer type optical or magneto-optical recording medium

Номер патента: US5156941A. Автор: Minoru Fujita,Yoichi Fukushima,Toshio Haga. Владелец: Kyodo Printing Co Ltd. Дата публикации: 1992-10-20.

Magneto-optical recording medium and method of reproducing magneto-optical information using thereof

Номер патента: US5637394A. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Junsaku Nakajima,Yoshiteru Murakami,Naoyasu Iketani,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-06-10.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: US4497870A. Автор: Akira Muto,Noriaki Hara,Yoshihiko Kudo,Masahiro Birukawa,Hidetsugu Kawabata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1985-02-05.

Magneto-optical recording medium

Номер патента: AU2807684A. Автор: Richard Neal GARDNER. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1984-11-22.

Silver halide material for optical memory devices with luminescent reading and methods for the treatment thereof

Номер патента: WO1998037456A9. Автор: Mark A Alperovich,Eugene B Levich,Jacob N Malkin,Boris M Shapiro. Владелец: Boris M Shapiro. Дата публикации: 1999-11-11.

Silver halide material for optical memory devices with luminescent reading and methods for the treatment thereof

Номер патента: US20020115026A1. Автор: Mark Alperovich,Eugene Levich,Jacob Malkin,Boris Shapiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Optical disk for use in optical memory devices

Номер патента: CA1303740C. Автор: Tetsuya Inui,Hirotoshi Takemori,Kenji Ohta,Kazuo Van,Toshikazu Nagaura,Hirotaka Toki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-06-16.

Optical memory device

Номер патента: US5175079A. Автор: Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta,Kazuo Van. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-12-29.

Near field optical memory head

Номер патента: US6376827B1. Автор: Kenji Kato,Takashi Niwa,Norio Chiba,Manabu Oumi,Nobuyuki Kasama,Yasuyuki Mitsuoka,Kunio Nakajima,Masataka Shinogi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2002-04-23.

Method of manufacturing optical memory element

Номер патента: CA1225467A. Автор: Akira Takahashi,Toshihisa Deguchi,Tetsuya Inui,Junji Hirokane,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-08-11.

Method of manufacturing optical memory element

Номер патента: US4778747A. Автор: Akira Takahashi,Toshihisa Deguchi,Tetsuya Inui,Junji Hirokane,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1988-10-18.

Magneto-optical memory apparatus and optical memory apparatus

Номер патента: CA1316597C. Автор: Akira Takahashi,Kunio Kojima,Takeshi Yamaguchi,Toshihisa Deguchi,Hiroshi Fuji,Kenji Ohta,Shigeo Terashima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1993-04-20.

Magneto-optical memory apparatus utilizing edges or recording mark to manage data

Номер патента: US5546364A. Автор: Akira Takahashi,Kunio Kojima,Takeshi Yamaguchi,Toshihisa Deguchi,Hiroshi Fuji,Kenji Ohta,Shigeo Terashima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1996-08-13.

Magneto-optic readout system

Номер патента: US3705395A. Автор: Roger L Aagard,Francis M Schmit. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1972-12-05.

UV-ray setting resin and a method for manufacturing a magneto-optical disk by the use of the UV-ray setting resin

Номер патента: US5912061A. Автор: Kiyoshi Uchida,Keiji Nishikiori. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Target for magneto-optical recording media and method for producing same

Номер патента: US5447801A. Автор: Kaoru Masuda,Shunichiro Matsumoto. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Data carrier for optical memory devices, method for producing said data carrier and optical recorder with appropriate recording layer

Номер патента: RU2248623C2. Автор: Атанас ЗАФИРОВ,Славчо РАКОВСКИ,Яна БАКАРДЖИЕВА-ЕНЕВА. Владелец: Вивастар Материалз Аг. Дата публикации: 2005-03-20.

Magneto-optic thin film for memory devices

Номер патента: US4170689A. Автор: Kazumichi Egashira,Akinori Katsui. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1979-10-09.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20080111124A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-15.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20110213172A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Controlled heating of a memory device

Номер патента: EP3871064A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-01.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20240203479A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US20210082479A1. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory device low power mode

Номер патента: EP3899946A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Memory device low power mode

Номер патента: WO2020132207A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Extended utilization area for a memory device

Номер патента: US20240168635A1. Автор: Jani Hyvonen,Kimmo J. Mylly,Yevgen Gyl,Jussi Hakkinen. Владелец: Memory Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Training method of memory device and electronic device and electronic system including the same

Номер патента: US11461113B2. Автор: Dong Kim,Jong Un Kim,Jang Seon PARK,Ju Chan LEE,Hyung Lae EUN,In Hoon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-04.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: US11625170B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-11.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US12073871B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20190114271A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-04-18.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20210011867A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-01-14.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20190294568A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-09-26.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20180150420A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-31.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US09858216B2. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-02.

Reduced-voltage operation of a memory device

Номер патента: US20220415410A1. Автор: Vipul Patel,Ezra E. Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Protocol For Refresh Between A Memory Controller And A Memory Device

Номер патента: US20240242751A1. Автор: Frederick A. Ware,Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Dynamic allocation of a capacitive component in a memory device

Номер патента: US20240257841A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: WO2019231589A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-12-05.

System having one or more memory devices

Номер патента: US20140325178A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Hakjune Oh,Roland SCHUETZ,Steven Przybylski. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Independently controlled virtual memory devices in memory modules

Номер патента: EP2313891A1. Автор: Norman P. Jouppi,Jung Ho Ahn,Jacob B. Leverich. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2011-04-27.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Channel modulation for a memory device

Номер патента: EP3912043A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Timothy M. Hollis,Roy E. Greeff,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210035617A1. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US12112830B2. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device capable of adjusting operation voltage and application processor for controlling the memory device

Номер патента: US09891855B2. Автор: Soo-Hwan Kim,Hui-Kap YANG,Myung-Kyoon Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Characterization profiles of memory devices

Номер патента: US20170357463A1. Автор: Cullen E. Bash,Naveen Muralimanohar. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-14.

Frame protocol of memory device

Номер патента: US20200159687A1. Автор: Brent Keeth,James Brian Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Dynamic power managment of a memory device

Номер патента: US20170294216A1. Автор: Taeyoung Oh,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-12.

Magnetic-core polymer-shell nanocomposites with tunable magneto-optical and/or optical properties

Номер патента: US20150221425A1. Автор: Robert A. Norwood,Palash Gangopadhyay,Alejandra Lopez-Santiago. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2015-08-06.

Magneto-optical photoresist

Номер патента: US20080151207A1. Автор: Vladimir Nikitin. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2008-06-26.

Magneto-optical disk apparatus

Номер патента: US5970037A. Автор: Hiroshi Kanazawa,Isao Okuda,Suguru Takishima,Shimpei Shinozaki. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-19.

Magneto-optical recording/reproducing device

Номер патента: CA2043995C. Автор: Akira Takahashi,Toshio Ishikawa,Tatsushi Yamamoto,Kenji Ohta,Tetsurou Muramatsu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-06-24.

Method for measuring current distribution in an integrated circuit by detecting magneto-optic polarization rotation in an adjacent magneto-optic film

Номер патента: US5663652A. Автор: Mark Russel Freeman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-09-02.

Light-transmitting bismuth-substituted rare-earth iron garnet-type calcined material, and magneto-optical device

Номер патента: US20150315084A1. Автор: Toshiaki Watanabe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

System and method for generating position error signals within a computer memory device

Номер патента: WO1998054709A1. Автор: Karl A. Belser. Владелец: Seagate Technology, Inc.. Дата публикации: 1998-12-03.

Method of making magneto-optical recording medium

Номер патента: US5198087A. Автор: YANG Chang Sun,Jo Yung-Kuk,Jo Yong In. Владелец: SKC Co Ltd. Дата публикации: 1993-03-30.

Magneto-optical disk pick-up device having mode splitter using cut off effect caused by tapered waveguide

Номер патента: US5652737A. Автор: Yoshio Yoshida,Hiroyuki Yamamoto,Yukio Kurata,Kuniaki Okada,Keiji Sakai,Kohji Minami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-07-29.

Alloy target for manufacturing a magneto-optical recording medium

Номер патента: US4915738A. Автор: Toshio Morimoto,Tatsuo Nate. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 1990-04-10.

Magneto-optical alloy sputter targets

Номер патента: CA2174433C. Автор: Daniel R. Marx. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 2004-07-20.

Optical memory device

Номер патента: RU2214630C2. Автор: Питер Дж. КЕЛЛЕР,Майкл Дж. Келли. Владелец: ЭДВАНСД ОДИО ДИВАЙСИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2003-10-20.

Master plate of optical memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: CA2087108C. Автор: Hiroyuki Katayama,Junji Hirokane,Junichiro Nakayama,Kenji Ohta,Michinobu Mieda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-02-16.

Optical memory device and system

Номер патента: US4835762A. Автор: Hideo Ando. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-05-30.

Drive unit for optical memory device having first and second front covers

Номер патента: US5732057A. Автор: Satoshi Okabe,Sunao Aoki. Владелец: Olympus Optical Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-24.

Optical memory device with means for detecting erroneous data writing

Номер патента: US4554654A. Автор: Kiichi Kato. Владелец: Olympus Optical Co Ltd. Дата публикации: 1985-11-19.

Reader/writer apparatus for optical memory card

Номер патента: CA1281815C. Автор: Hidefumi Suzuki,Akiyoshi Hashimoto,Shunzo Takahashi,Yukio Hamasaki. Владелец: CSK Corp. Дата публикации: 1991-03-19.

Method and device for recording data in an optical memory card

Номер патента: US6208600B1. Автор: Yasuyuki Kimura,Akira Onodera. Владелец: Nippon Conlux Co Ltd. Дата публикации: 2001-03-27.

Optical memory method and system

Номер патента: CA1334217C. Автор: Joseph Lindmayer. Владелец: Quantex Corp. Дата публикации: 1995-01-31.

Optical memory method and system

Номер патента: WO1989012304A1. Автор: Joseph Lindmayer. Владелец: Quantex Corporation. Дата публикации: 1989-12-14.

Optical memory having narrowed track pitch

Номер патента: US5676854A. Автор: Akira Takahashi,Tetsuya Inui,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta,Michinobu Mieda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-10-14.

Near-field crystal optical memory

Номер патента: WO2001035398A9. Автор: Marko Moscovitch. Владелец: Univ Georgetown. Дата публикации: 2002-05-30.

Dynamic solid state diffractive optics applied for reading a diffractive optics memory

Номер патента: US20050141389A1. Автор: Patrick Meyrueis,Idriss El Hafidi,Romualda Grzymala,Renauld Kiefer. Владелец: Research Investment Network Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Three-dimensional optical memory with fluorescent photosensitive material

Номер патента: WO2000031733A1. Автор: Eugen Pavel. Владелец: Eugen Pavel. Дата публикации: 2000-06-02.

Optical memory medium and write and read apparatus using the same

Номер патента: CA2118338C. Автор: Norio Chiba,Hiroshi Muramatsu,Tatsuaki Ataka,Masamichi Fujihira. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2001-08-07.

Tracking device for optical memory card

Номер патента: CA1320574C. Автор: Kiyoshi Horie. Владелец: CSK Corp. Дата публикации: 1993-07-20.

Method for writing of data in an optical memory and apparatus for performing the method

Номер патента: WO1997001165A1. Автор: Hans Gude Gudesen. Владелец: Opticom A.S. Дата публикации: 1997-01-09.

Programmable magnetic memory device

Номер патента: WO2004032145A3. Автор: Kars-Michiel H Lenssen,Gavin N Phillips. Владелец: Gavin N Phillips. Дата публикации: 2005-06-16.

Method and system for refresh of memory devices

Номер патента: US20240021233A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method and device for controlling tracking of optical memory card

Номер патента: US6144624A. Автор: Hiroaki Yoshida,Michihiro Ohta. Владелец: Nippon Conlux Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-07.

Optical memory disc

Номер патента: CA1224161A. Автор: Akira Takahashi,Tetsuya Inui,Hideyoshi Yamaoka,Kenji Ohta,Takao Hyuga. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-07-14.

Polymer bound donor-acceptor-donor compounds and their use in a 3-dimensional optical memory

Номер патента: WO2003070689A3. Автор: Nissim Garti,Ortal Alpert,Andrew Shipway,Thierry Wasserman,Elena Panitkova. Владелец: Elena Panitkova. Дата публикации: 2003-12-18.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced wall displacement

Номер патента: US20110007559A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-13.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced domain wall displacement

Номер патента: WO2009072819A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: KOREA UNIVERSITY INDUSTRIAL & ACADEMIC COLLABORATION FOUNDATION. Дата публикации: 2009-06-11.

Magneto-optical memory interface

Номер патента: US20230368840A1. Автор: Shunsuke Fukami,Seiji Sakai,Junsaku Nitta,Yoshiro Hirayama,Shigemi Mizukami,Satoshi Iihama. Владелец: NATIONAL INSTITUTES FOR QUANTUM SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-11-16.

Nonvolatile magneto-optical memory element and a method of writing thereon

Номер патента: US3680065A. Автор: George S Almasi,Eugene R Genovese. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-07-25.

Magneto-Optical Device

Номер патента: US20160322089A1. Автор: Theodorus Henricus Maricus Maria RASING,Matteo SAVOINI. Владелец: Radboud University Nijmegen. Дата публикации: 2016-11-03.

Magneto-optical device

Номер патента: US9627023B2. Автор: Theodorus Henricus Maricus Maria RASING,Matteo SAVOINI. Владелец: Radboud University Nijmegen. Дата публикации: 2017-04-18.

Magneto-optical device

Номер патента: WO2015072856A2. Автор: Theodorus Henricus Maricus Maria RASING,Matteo SAVOINI. Владелец: Stichting Katholieke Universiteit Nijmegen. Дата публикации: 2015-05-21.

Magneto-optical device

Номер патента: EP3069347A2. Автор: Theodorus Henricus Maricus Maria RASING,Matteo SAVOINI. Владелец: Radboud University Nijmegen. Дата публикации: 2016-09-21.

Magneto-optical device

Номер патента: WO2015072856A4. Автор: Theodorus Henricus Maricus Maria RASING,Matteo SAVOINI. Владелец: Stichting Katholieke Universiteit Nijmegen. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of manufacturing a multilayer magneto-optic device

Номер патента: US4478872A. Автор: George R. Pulliam. Владелец: Litton Systems Inc. Дата публикации: 1984-10-23.

Magneto-optical element on the basis of pt-mn-sb

Номер патента: CA1216939A. Автор: Kurt H.J. Buschow,Pieter G. Van Engen,Ronald Jongebreur. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1987-01-20.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US8335099B2. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2012-12-18.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US20110044086A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-02-24.

Optical memory for storing data

Номер патента: WO1996008826A1. Автор: Gian-Luca Bona,Roland Germann,Huub Wilhelmus Maria Salemink. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 1996-03-21.

Optical memory head

Номер патента: US20020044195A1. Автор: Manami Kuiseko. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

All-optical memory based on interconnected lasers

Номер патента: WO2022245236A1. Автор: Matti Lassas,Tuomo Von Lerber,Franko Kuppers. Владелец: Autonomous Non-Profit Organization For Higher Education "Skolkovo Institute Of Science And Technology". Дата публикации: 2022-11-24.

Method and device for scanning information content of an optical memory

Номер патента: US3737876A. Автор: D Froelich,W Welsch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1973-06-05.

Architecture of optical memory expansion

Номер патента: RU2603553C2. Автор: Венкатраман АЙЕР,Цзяньпин Джейн СЮЙ,Дональд ФОУ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2016-11-27.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: EP4417026A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Arrangement for reading an electro-optical memory

Номер патента: US3693172A. Автор: Ernst Feldtkeller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1972-09-19.

Method and apparatus for recording high-speed input data into matrix of memory devices

Номер патента: RU2417461C2. Автор: Томас БРУНЕ,Йенс Петер ВИТТЕНБУРГ. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2011-04-27.

Memory device stack availability

Номер патента: WO2024086104A1. Автор: John Eric Linstadt,Dongyun Lee,Wendy Elsasser. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-04-25.

Solid-state memory device with plurality of memory devices

Номер патента: WO2017046638A1. Автор: James T. Cerrelli. Владелец: 2419265 Ontario Limited. Дата публикации: 2017-03-23.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US12051477B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device sensors

Номер патента: EP4073799A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device sensors

Номер патента: WO2021118711A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20200075567A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Garbage collection adapted to memory device life expectancy

Номер патента: US11693769B2. Автор: Qing Liang,Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230301100A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institure Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-09-21.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: US20240303158A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US20240347125A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US12125557B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Improvements in or relating to optical memories

Номер патента: GB1236108A. Автор: Michel Albert Duguay,Peter Michael Rentzepis. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1971-06-23.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220246681A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Image sensor data management using a multi-port memory device

Номер патента: WO2022108935A1. Автор: Amit Gattani,Richard C. Murphy,Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-27.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20210193252A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: WO2021126838A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A2. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Memory device training

Номер патента: US12027195B2. Автор: QI Dong,Xuesong Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Temperature-dependent read operation time adjustment in non-volatile memory devices

Номер патента: US20190043567A1. Автор: Ali Khakifirooz,Pranav Kalavade,Aliasgar MADRASWALA,Shantanu Rajwade,Rohit Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US20240241641A1. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and process for improving the state of a termination

Номер патента: US20030076712A1. Автор: Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: EP3924968A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: WO2020167817A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Method for improving memory device cycling endurance by providing additional pulses

Номер патента: US20090323428A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: US20240241648A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20230197181A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Modified distribution of memory device states

Номер патента: US11776639B2. Автор: Vinayak Bhat,Harish R. Singidi,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US11935617B2. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20190285695A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20210003632A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Error correction management for a memory device

Номер патента: US11720443B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20220084565A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: EP4420494A1. Автор: Kunal R. Parekh,Angela S. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Method and system for tuning a memory device for high-speed transitions

Номер патента: US12067233B2. Автор: Sumeet Paul,Shankar Athanikar,Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US20230326494A1. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of erasing a resistive memory device

Номер патента: US20080130392A1. Автор: An Chen,Swaroop Kaza,Sameer Haddad,Yi-Ching Jean Wu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-05.

Scan fragmentation in memory devices

Номер патента: US20240256145A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani,Christopher M. Smitchger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240321366A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Microelectronic devices, and related methods and memory devices

Номер патента: US12089422B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Microelectronic devices, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US12101932B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Surendranath C. Eruvuru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Adaptive optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240302968A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Fusion memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12119336B2. Автор: Daehyun Kim,Jinmin Kim,Hyunsik Park,Hei Seung Kim,Sangkil Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Method and system for validating a memory device

Номер патента: US20220043708A1. Автор: Abhinav Sharma,Rengaraja Sudarmani,Sachin Suresh Upadhya,Prathiksha Gautham,Uday Kumar N B. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

System and method for polling the status of memory devices

Номер патента: US09910600B2. Автор: Matthew Stephens,Neil Buxton. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Intelligent memory device test rack

Номер патента: US12142336B2. Автор: Patrick CARAHER,Michael R. Spica,Gary D. Hamor,João Elmiro da Rocha Chaves,Donald Shepard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: US20220285607A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-08.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20190051349A1. Автор: George McNeil Lattimore,Bal S. Sandhu,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP4053925A3. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-19.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US12026372B2. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US10811120B2. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Page buffer program command and methods to reprogram pages without re-inputting data to a memory device

Номер патента: EP2351040A1. Автор: Luca Fasoli,Yuheng Zhang,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-08-03.

Memory device, operation method of memory device, and operation method of test device configured to test memory device

Номер патента: US20240233857A1. Автор: Sang-Won Park,Bongsoon LIM,Won-Taeck JUNG,Kuihan KO,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Technologies for issuing commands on selected memory devices

Номер патента: US20200133578A1. Автор: Muthukumar P. SWAMINATHAN,Kunal A. Khochare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Write-read circuit with a bit line multiplexer for a memory device

Номер патента: US20240170034A1. Автор: Mohit Gupta,Stefan Cosemans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-23.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20220171688A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Transistor configurations for multi-deck memory devices

Номер патента: US20240194671A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory devices and related electronic systems

Номер патента: US20240170427A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods for tuning command/address bus timing and memory devices and memory systems using the same

Номер патента: US20240249758A1. Автор: Dirgha Khatri,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Matthew B. Leslie,Baekkyu Choi,Yogesh Sharma,Scott R. Cyr,Elancheren Durai,Quincy R. Holton,Boe L. Holbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP4053925A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-07.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332969A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US20190347028A1. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US12050777B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US7567470B2. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-28.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US20080013387A1. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-01-17.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Decoder for memory device

Номер патента: WO2006096783A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3985494A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US12062401B2. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Headroom management during parallel plane access in a multi-plane memory device

Номер патента: US20230105208A1. Автор: Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20200243146A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: EP3769203A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20190295666A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20210082529A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: WO2019182747A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US10867685B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US12072762B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device and read/write method of memory device

Номер патента: US12051392B2. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method and a device for testing electronic memory devices

Номер патента: US20020018376A1. Автор: Giovanni Campardo,Stefano Commodaro,Massimiliano Picca,Patrizia Mongelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Method and a device for testing electronic memory devices

Номер патента: US7168016B2. Автор: Giovanni Campardo,Stefano Commodaro,Massimiliano Picca,Patrizia Mongelli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-01-23.

Memory device including one-time programmable block and operation method thereof

Номер патента: US20230153000A1. Автор: Sangyong Yoon,Sang-Wan Nam,Jae-Hoon Choi,Kookhyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020190708A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US20160358657A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149982A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149981A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Non-volatile memory device capable of supplying power

Номер патента: US20100027365A1. Автор: Chwei-Jing Yeh. Владелец: Ritek Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Timing signal delay for a memory device

Номер патента: US20220157365A1. Автор: Dong Pan,Zhi Qi Huang,Wei Lu CHU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Data buffer for memory devices with unidirectional ports

Номер патента: US20240256131A1. Автор: Christopher Haywood. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Refreshing a memory device using real-time clock information

Номер патента: US20240249763A1. Автор: Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Artificial synapse device based on resistive change memory device, and method for manufacturing same

Номер патента: US20240237566A1. Автор: Jea Gun Park,Soo Min JIN,Dae Seong WOO,Sang Hong PARK,Sung Mok JUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Etch stop layer for memory device formation

Номер патента: US20240321635A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Sheng-Chang Chen,Sheng-Huang Huang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Skipping pages for weak wordlines of a memory device during pre-programming

Номер патента: US12080376B2. Автор: Ting Luo,Cheng Cheng Ang,Chun Lei Kong,Aik Boon Edmund Yap. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US20240311004A1. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device health monitoring and dynamic adjustment of device parameters

Номер патента: US20240347127A1. Автор: Dongxiang Liao,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory module including memory devices to which unit id is assigned and storage device including the same

Номер патента: US20240345944A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Determining read voltage offset in memory devices

Номер патента: US20240347084A1. Автор: Steven Michael Kientz,Robert W. Mason,Pitamber Shukla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device, host device and method of operating the memory device

Номер патента: US12093569B2. Автор: Young Don CHOI,Joo Hwan Kim,Jung Hwan Choi,Eun Seok SHIN,Su Cheol Lee,Jin do Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Adaptive parity techniques for a memory device

Номер патента: US20240362115A1. Автор: Justin Eno,Sean S. Eilert,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Stacked memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240345737A1. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory module including memory devices to which unit id is assigned and storage device including the same

Номер патента: EP4459620A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-06.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US12066958B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Magnetic memory device

Номер патента: US12040036B2. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Stacked memory devices, systems, and methods

Номер патента: US09990144B2. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for extending period of data retention of flash memory device and device for the same

Номер патента: US09904479B1. Автор: Ming-Sheng Chen,Ting-Chiang Liu,Liang-Tsung Wang. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Flash memory device and erase method thereof capable of reducing power consumption

Номер патента: US09865358B2. Автор: Kenichi Arakawa,Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Flash memory device including deduplication, and related methods

Номер патента: US09841918B2. Автор: Jun Jin Kong,Avner Dor,Elona Erez. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for writing in mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: RU2546572C2. Автор: Нил БЕРГЕР,БАРАДЖИ Мурад ЭЛЬ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-04-10.

Method and device for changing content of memory devices of control blocks

Номер патента: RU2248627C2. Автор: Мартин ХУРИХ,Геральд ХОЛЬЦАПФЕЛЬ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2005-03-20.

Chalcogenide memory device components and composition

Номер патента: US20200035753A1. Автор: F. Daniel Gealy,Enrico Varesi,Paolo Fantini,Swapril A. Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Inductive energy harvesting and signal development for a memory device

Номер патента: US20220037920A1. Автор: Dmitri A. Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2017051176A1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Memory device with microbumps to transmit data for a machine learning operation

Номер патента: US20210173583A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120376A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4271164A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230019156A1. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4250296A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-27.

Cross-temperature compensation in non-volatile memory devices

Номер патента: US20240202071A1. Автор: Andrea Giovanni Xotta,Umberto Siciliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Spin orbit torque magnetic memory devices, operating methods thereof, and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240147868A1. Автор: Atsushi Okada,Soichiro Mizusaki,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230020056A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120375A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230108946A1. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Data erasure device for erasing data from non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190325967A1. Автор: Yoshiaki Nakayama,Koichi Yako. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Memory devices having programmable elements with accurate operating parameters stored thereon

Номер патента: US20120036314A1. Автор: Jeffery W. Janzen,Scott Schaefer,Todd D. Farrell. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Apparatus and method for detecting errors in a memory device

Номер патента: US12009041B2. Автор: Siddharth Gupta,Antony John Penton,Sachin Gulyani,Cyrille Nicolas Dray,Luc Olivier PALAU. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Technologies for issuing commands on selected memory devices

Номер патента: EP3761314A1. Автор: Muthukumar P. SWAMINATHAN,Kunal A. Khochare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

Information processing apparatus, method for controlling information processing apparatus, non-transitory recording medium storing control tool, host device, non-transitory recording medium storing performance evaluation tool, and performance evaluation method for external memory device

Номер патента: EP2745203A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-25.

Storage device, memory device and semiconductor device

Номер патента: US20170076756A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Microelectronic devices including stair step structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20210398997A1. Автор: Justin B. Dorhout,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

High performance semiconductor memory devices

Номер патента: US20030202405A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US20240004581A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20200293417A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

Номер патента: US20040141370A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Lung Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

System and method for reducing pin-count of memory devices, and memory device testers for same

Номер патента: US20130229878A1. Автор: Benjamin S. Louie,Scott N. Gatzemeier,Adam D. Johnson,Wallace E. Fister. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Single-chip microcomputer and method of modifying memory contents of its memory device

Номер патента: US20010048442A1. Автор: Izumi Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Resistive memory device

Номер патента: US8547721B2. Автор: Changbum Lee,Bosoo Kang,Seungeon Ahn,Kihwan Kim,Changjung Kim,Myungjae LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-01.

Method and system for analyzing a refresh rate of a volatile memory device

Номер патента: US20170062073A1. Автор: Michael Shaun Backsen,Frank D. Simon,Jennie Colleen Grosslight. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Adaptive optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240053893A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20220013168A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Built-in-self-test and self-repair methods and devices for computer memories comprising a reconfiguration memory device

Номер патента: US20020019957A1. Автор: Yervant Zorian,Hai Quang Pham,Ilyoung Kim,Goh Komoriya,Frank P. Higgins. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230059590A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: EP4401127A2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Memory device with extended write data window

Номер патента: WO2024050265A1. Автор: Christopher Haywood,Michael Raymond Miller. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-03-07.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US12051459B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US12046322B2. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145010A1. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Reducing spurious write operations in a memory device

Номер патента: US20230307019A1. Автор: Vinay Kumar,Shishir Kumar. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US12052930B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332972A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11929126B2. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory device with ferroelectric charge trapping layer

Номер патента: US12041782B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-07-16.

Microelectronic devices including support pillar structures, and related memory devices

Номер патента: US20220367500A1. Автор: Justin B. Dorhout,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US11734142B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Saman M. I. Adham,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US11256588B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Saman M. I. Adham,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Temperature-dependent operations in a memory device

Номер патента: US20220293184A1. Автор: Giuseppina Puzzilli,Pitamber Shukla,Priya Venkataraman,Scott A. Stoller,Niccolo' Righetti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: US20210335407A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Layouts for pads and conductive lines of memory devices, and related devices, systems, and methods

Номер патента: US11742306B2. Автор: Takashi Ishihara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20200394103A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: EP3983898A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20220237081A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Testing architecture for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030005372A1. Автор: K. T. Hsiao,Hao-Liang Lo,Li-Yang Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor memory devices with ballasts

Номер патента: WO2018125237A1. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for initializing memory device

Номер патента: US20110116331A1. Автор: Cheng-Che Tsai,Pu-Jen Cheng. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-05-19.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220077168A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Three-dimensional memory device having a shielding layer and method for forming the same

Номер патента: US11758729B2. Автор: Zhiliang Xia,Jun Chen,Zongliang Huo,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Complex page access in memory devices

Номер патента: US20240290391A1. Автор: Dmitri Yudanov,Jeongsu JEONG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Current monitor for a memory device

Номер патента: US20210098046A1. Автор: Debra M. Bell,Aaron P. Boehm,Kristen M. HOPPER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Resistive memory device having a retention layer

Номер патента: WO2019215489A1. Автор: Seshubabu Desu,Michael Van Buskirk. Владелец: 4D-S, LTD.. Дата публикации: 2019-11-14.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US20150356322A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20120176845A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20230418708A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Van der Waals heterostructure memory device and switching method

Номер патента: US11705200B2. Автор: Tao Liu,Wei Chen,DU Xiang. Владелец: Singapore Suzhou Research, National University of. Дата публикации: 2023-07-18.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US20220208271A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Microelectronic devices including through-silicon vias, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20240290385A1. Автор: James E. Davis,Shyam Surthi,Kangyoul LEE,Yui Shimizu,Martin W. Popp. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device with security function and control method thereof

Номер патента: US20110182101A1. Автор: Ji Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Memory devices, systems and methods employing command/address calibration

Номер патента: US20160307617A1. Автор: Young-Jin Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230282274A1. Автор: Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Che-An Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory device with row redundancy

Номер патента: US5889710A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-03-30.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2022132537A1. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo,Shicong Wang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Van der waals heterostructure memory device and switching method

Номер патента: US20210391009A1. Автор: Tao Liu,Wei Chen,DU Xiang. Владелец: Singapore Suzhou Research Institute, National University of. Дата публикации: 2021-12-16.

Memory device, memory system, and operation method of memory device

Номер патента: US20210327476A1. Автор: Ki-Seok OH,DongHun Lee,Young-Soo Sohn,Young-Hoon SON,Hyun-Yoon Cho,Kyung-Soo Ha,Changkyo LEE,Daesik Moon,Seokhun Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of identifying information related to an eye open monitor (EOM) operation performed in a memory device, and memory system performing the method

Номер патента: US12067292B2. Автор: Won Ho Kang,Chang Min Jeon,Young San KANG,Sung Tack HONG,Kwang Won Park,YeJin Cho,Hyunsoo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Generating command snapshots in memory devices

Номер патента: US11733923B2. Автор: Chandra M. Guda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Storage device and method for updating meta slice including map chunks stored in nonvolatile memory device according to journal entries

Номер патента: US11734167B2. Автор: Ju Hyun Kim,Jin Yeong Kim,Jae Wan YEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor memory device having boosted voltage stabilization circuit

Номер патента: US20010050867A1. Автор: Ho-young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-13.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US20070121400A1. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-31.

2-port memory device

Номер патента: US20020161977A1. Автор: Pien Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240274184A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Signal timing alignment based on a common data strobe in memory devices configured for stacked arrangements

Номер патента: US20240265961A1. Автор: Michael C. Stephens, Jr.. Владелец: III Holdings 2 LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240257858A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Divided quad clock-based inter-die clocking in a three-dimensional stacked memory device

Номер патента: US20240223196A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device heating in cold environments

Номер патента: US20240170029A1. Автор: Poorna Kale,Christopher Joseph Bueb,Aravind Ramamoorthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Storage device including nonvolatile memory device and controller, controller and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230350609A1. Автор: Young-Ho Park,Yonghwa LEE,Seontaek Kim,Eun Ju Choi,Jesuk YEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6914843B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6674677B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

Semiconductor memory device capable of reducing power supply noise caused by output data therefrom

Номер патента: US5883847A. Автор: Mariko Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US7436721B2. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-10-14.

Memory devices and systems configured to communicate a delay signal and methods for operating the same

Номер патента: US20240312512A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US20240329852A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Signal development caching in a memory device

Номер патента: US20240329885A1. Автор: Dmitri A. Yudanov,Shanky Kumar Jain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US20240347116A1. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20240334840A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods for on-die memory termination and memory devices and systems employing the same

Номер патента: EP4446899A2. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather,Gary Howe,Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20240296890A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Program continuation strategies after memory device power loss

Номер патента: US12119068B2. Автор: Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu,Renato C. Padilla,Gary F. Besinga. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory device, memory system including the memory device, and test operation of the memory device

Номер патента: US12125550B2. Автор: Jun Hyuk Lee,Min Kyu Lee,Deung Kak YOO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US20240371423A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

On-die heater devices for memory devices and memory modules

Номер патента: US12073908B2. Автор: William A. Lendvay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Flash memory controller and method capable of using one set-feature signal as a macro execution signal to execute multiple set-feature operations for flash memory device

Номер патента: US12073085B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068046B2. Автор: Sang Ho Yun,Jang Seob KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Determining read voltage offset in memory devices

Номер патента: US12057190B2. Автор: Steven Michael Kientz,Robert W. Mason,Pitamber Shukla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US20240370333A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Non-overlapped-extension-implantation nonvolatile memory device capable of being treated with anti-fuse operation

Номер патента: US09991269B2. Автор: Syang-Ywan Jeng. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Feedback for multi-level signaling in a memory device

Номер патента: EP4366167A3. Автор: M. Ataul Karim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Power control device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09984733B2. Автор: Jae Wook Lee,Jong Ho Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory devices, systems and methods employing command/address calibration

Номер патента: US09971521B2. Автор: Young-Jin Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory device, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09941304B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory device

Номер патента: US09922713B2. Автор: Leroy Cronin,Asen ASENOV. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory device ultra-deep power-down mode exit control

Номер патента: US09922684B2. Автор: Gideon Intrater,Nathan Gonzales,John Dinh,Derric Lewis,Bard M. Pedersen. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Dynamic control of power consumption based on memory device activity

Номер патента: US09898059B2. Автор: Barak Rotbard,Assaf Shappir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Storage device including nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09886219B2. Автор: Dukyoung Yun,Hyoungsuk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Static random access memory device and forming method thereof

Номер патента: US09871049B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US09852778B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory device check bit read mode

Номер патента: US09842021B2. Автор: Kuljit S Bains,John B Halbert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Query operations for stacked-die memory device

Номер патента: US09818455B2. Автор: James M. O'Connor,Gabriel H. Loh,Nuwan S. Jayasena,Yasuko ECKERT. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Devices and methods of managing nonvolatile memory device having single-level cell and multi-level cell areas

Номер патента: US09805799B2. Автор: Kyung-Ho Shin,Mi-Hyang Lee,Gwang-Ok Go,Joon-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US09792984B1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Azeez Jennudin Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Non-volatile memory device having a memory size

Номер патента: US09753665B2. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-09-05.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: WO2021257260A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory device testing

Номер патента: US20020172086A1. Автор: Ebrahim Abedifard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

Dynamic programming time for a memory device

Номер патента: US20240221804A1. Автор: Yue Wang,Jingcheng Yuan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210104267A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory device for adjusting magnitude of signal used to precharge bit line according to position of plug hole and operating method thereof

Номер патента: US12014782B2. Автор: Jung Hyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11557333B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Generic physical layer providing a unified architecture for interfacing with an external memory device and methods of interfacing with an external memory device

Номер патента: US20220208240A1. Автор: Chee Hak Teh,Soon Chieh Lim,Tat Hin Tan. Владелец: SKYECHIP SDN BHD. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory device and method of managing temperature of the same

Номер патента: US20240203505A1. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and method for testing a memory device

Номер патента: US20170206982A1. Автор: Martin Huch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-20.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20210335414A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20240029785A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11776619B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11056179B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

RAM memory device selectively protectable with ECC

Номер патента: US8566670B2. Автор: Andre Roger,Charles Aubenas,Sergio Bacchin. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2013-10-22.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20240233833A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: WO2024145860A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus, memory device, and method for storing multiple parameter codes for operation parameters

Номер патента: US20220148631A1. Автор: Kiho Kim,Youngbin LEE,Yeonkyu CHOI,Jinhoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US20210118500A1. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20210319838A1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Replacement memory device

Номер патента: WO2004019339A3. Автор: Kenneth K Smith,Colin A Stobbs. Владелец: Hewlett Packard Development Co. Дата публикации: 2005-04-21.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: US20200342933A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: EP3659037A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: WO2019022993A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-31.

Microelectronic devices and memory devices including conductive levels having varying compositions

Номер патента: US20230154856A1. Автор: Rita J. Klein,Yiping Wang,John D. Hopkins,Yongjun J. Hu,Jordan D. GREENLEE,Everett A. McTeer,Rajesh Balachandran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20180254084A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Azeez Jennudin Bhavnagarwala,Robert Campbell Aitken. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Improving reliability, availability, and serviceability in a memory device

Номер патента: EP2035938A2. Автор: Kuljit S. Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-03-18.

Memory device comprising an ecc for error correction based on hint data

Номер патента: EP4170660A1. Автор: YoungMin Lee,Jeongmin Seo,Changjun LEE,Eunkak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-26.

Storage node of a resistive random access memory device with a resistance change layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US8362455B2. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-29.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Memory device, memory device read method

Номер патента: US20060034135A1. Автор: Fumi Kambara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

Electronic device including memory device and training method

Номер патента: US20220093157A1. Автор: Kyumin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Configurable resistivity for lines in a memory device

Номер патента: US12040014B2. Автор: Jian Jiao,Michael P. O'Toole,Jason R. Johnson,William L. Cooper,Koushik Banerjee,Isaiah O. Gyan,Robert Cassel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US20140056090A1. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Memory device and method of manufacturing the memory device

Номер патента: US20240244842A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device, method for programming memory device, program verification method and memory system

Номер патента: US20230148366A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Copy-back operations in a memory device

Номер патента: US20200278907A1. Автор: Giuseppe Cariello,Fulvio Rori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of writing data in memory device, method of reading data from memory device and method of operating memory device including the same

Номер патента: US20210181984A1. Автор: Youngsun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240194260A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Nonvolatile memory device, memory system including nonvolatile memory device, and method of controlling nonvolatile memory device

Номер патента: US20200135281A1. Автор: Minsoo Kim,Kyunghoon Sung,Deahan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240185921A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240071509A1. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device related to verifying memory cells in an erase state and method of operating the memory device

Номер патента: US20240153568A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028218A1. Автор: Se Chun Park,Chan Hui Jeong,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240177780A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Nonvolatile memory device and read method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220051714A1. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Doohyun Kim,Jinbae BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013838A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory device, error correction device and error correction method thereof

Номер патента: US11949429B2. Автор: Kuan-Chieh Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: EP3563214A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-06.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: WO2018125475A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240145008A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: EP3800641A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and method for adjusting internal voltage thereof

Номер патента: US20050270868A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20230290409A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Shuangqiang Luo,Jiewei Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Stacked memory device with paired channels

Номер патента: US11775213B2. Автор: Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-10-03.

Storage device including nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US11775203B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO,Woohyun Kang,Shinho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US20170185315A1. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Power loss protection of data in memory devices

Номер патента: US11747994B2. Автор: Yi-Min Lin,Chih-kuo Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Managing power loss in a memory device

Номер патента: US12086062B2. Автор: Wei Wang,Jiangli Zhu,Frederick Adi,Venkata Naga Lakshman Pasala,Huapeng G. Guan,Yipei Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US20200409608A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Read operations for active regions of a memory device

Номер патента: US12050786B2. Автор: Lingyun Wang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method and apparatus for managing a plurality of memory devices

Номер патента: US20160124674A1. Автор: Sei-Jin Kim,Min-Jung Kim,Bo-Young Seo,Sung-Hwan Yun,Dong-Wook Suh,Jung-Yup Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-05.

Optimized flash memory device for miniaturized devices

Номер патента: US09861826B2. Автор: Charles R Gordon,Duane R Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Host assisted operations in managed memory devices

Номер патента: US20240256468A1. Автор: Nadav Grosz,Jonathan Scott Parry. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for preparing cycloolefin (co)polymers for using in optical memory devices

Номер патента: RU2203290C2. Автор: Варрен Марк КЕЛЛИ,СТАРЦЕВСКИ Карл-Хайнц ОСТОЯ,Андреас ШТУМПФ,Клаудиа ШМИД. Владелец: Байер Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2003-04-27.

Ferrite material having composition gradient for measuring magneto-optical-effect properties and method for evaluating properties of ferrite

Номер патента: US20110305890A1. Автор: Masashi Kawasaki,Yosuke Iwasaki,Tomoteru Fukumura. Владелец: JFE Mineral Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Device for magneto-optical visualization of defects in electrically conductive materials and their automatic fixation

Номер патента: RU2753839C1. Автор: Владимир Наумович Бержанский,Назар Викторович Луговской,Игорь Михайлович Лагунов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Крымский федеральный университет имени В.И. Вернадского". Дата публикации: 2021-08-24.

Magneto-optical current sensor with optical media arranged with distinct verdet constant values and method for arranging said sensor

Номер патента: WO2024147790A1. Автор: Stefan Schuberth,Thomas Judendorfer. Владелец: Hsp Hochspannungsgerate GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for tuning magneto-optical system of protonographic complex

Номер патента: RU2750693C1. Автор: Константин Леонидович Михайлюков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2021-07-01.

Apparatus and method for visualizing defects using a magneto-optical effect

Номер патента: US12078692B2. Автор: Manoj Kumar Koyithitta Meethal,Aparna Chakrapani Sheila-Vadde,Satya Mohan Vamsi ANDALAM,Vikram MELAPUDI. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Magneto-optical thin film, optical isolator, and method for manufacturing magneto-optical thin film

Номер патента: EP4386473A1. Автор: Bin Zhang,Huajun Zhou,Rong Chen,Kun CAO,Haohua Li,Yingfei XIONG,Zerui Jin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Magneto-optical material, method for producing same and magneto-optical device

Номер патента: US09891452B2. Автор: Masanori Ikari. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Magneto-optical modulator for superconducting digital interface

Номер патента: WO2003003578A2. Автор: Roman Sobolewski. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2003-01-09.

Magneto-optical modulator for superconducting digital interface

Номер патента: EP1360545A2. Автор: Roman Sobolewski. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2003-11-12.

Compact magneto-optical trap with thermal ablation

Номер патента: WO2023027642A3. Автор: David Paul Maxime WILKOWSKI,Chung Chuan HSU,Chang Chi KWONG. Владелец: Université Côte D'azur (Uca). Дата публикации: 2023-06-01.

Magneto-optical ceramic material and method for selecting same

Номер патента: US20140001424A1. Автор: Tadakatsu Shimada. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Compact magneto-optical trap with thermal ablation

Номер патента: WO2023027642A2. Автор: David Paul Maxime WILKOWSKI,Chung Chuan HSU,Chang Chi KWONG. Владелец: Université Côte D'azur (Uca). Дата публикации: 2023-03-02.

Transparent ceramic for magneto-optical element, and magneto-optical element

Номер патента: EP4450476A1. Автор: Masanori Ikari,Keita Tanaka,Takuto Matsumoto. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Magneto-optical material and production method therefor

Номер патента: US12099263B2. Автор: Kenji Ikeda,Satoshi Iwamoto,Nobukiyo Kobayashi,Yasutomo Ota. Владелец: Research Institute for Electromagnetic Materials. Дата публикации: 2024-09-24.

Magneto-optical device

Номер патента: EP1971897A1. Автор: Tadao Katsuragawa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-24.

Magneto-optical device

Номер патента: WO2007080816A1. Автор: Tadao Katsuragawa. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2007-07-19.

Magneto-Optic Thin Film, Optical Isolator, and Method for Manufacturing Magneto-Optic Thin Film

Номер патента: US20240248333A1. Автор: Bin Zhang,Huajun Zhou,Rong Chen,Kun CAO,Haohua Li,Yingfei XIONG,Zerui Jin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Magneto-optic element and method for producing same

Номер патента: US20200033647A1. Автор: Futoshi SUZUKI. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Magneto-Optic Defect Visualization System

Номер патента: US20240027546A1. Автор: Manoj Kumar Koyithitta Meethal,Aparna Chakrapani Sheila-Vadde,Satya Mohan Vamsi ANDALAM,Vikram MELAPUDI. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-01-25.

Systems and methods for positionally stable magneto-optical trapping over temperature

Номер патента: US09989926B2. Автор: Bernard Fritz,Karl D. Nelson,Chad Fertig. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Magneto-optic defect visualization system

Номер патента: EP4310484A1. Автор: Manoj Kumar Koyithitta Meethal,Aparna Chakrapani Sheila-Vadde,Satya Mohan Vamsi ANDALAM,Vikram MELAPUDI. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-01-24.

Magneto-optical material and method for producing same

Номер патента: US12105160B2. Автор: Tadayoshi Iwasa,Kenichi Arai,Kenji Ikeda,Nobukiyo Kobayashi. Владелец: Research Institute for Electromagnetic Materials. Дата публикации: 2024-10-01.

Magneto-optical switching element provided plane of polarization rotator based on faraday-effect

Номер патента: RU2244952C2. Автор: Юрий С. ДИДОСЯН. Владелец: Юрий С. ДИДОСЯН. Дата публикации: 2005-01-20.

Magneto-optical material, method for producing same and magneto-optical device

Номер патента: CA2918508C. Автор: Masanori Ikari. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-08.

Method of amplifying magneto-optical kerr effect by using photon crystal structures, and photon crystal having amplified magneto-optical kerr effect, method of fabricating photon crystal

Номер патента: US20130141773A1. Автор: Andrey Anatolevich ELISEEV,Nina Aleksandrovna SAPOLETOVA,Kirill Sergeevich NAPOLSKIY,Andrey Anatolevich GRUNIN,Andrey Anatolevich FEDYAKIN. Владелец: Factory of New Materials LLC. Дата публикации: 2013-06-06.

Planar-optics based light delivery system for magneto-optical traps and method for using the same

Номер патента: US20220390760A1. Автор: Amit Kumar Agrawal,Vladimir Aksyuk,Jabez McClelland,Wenqi ZHU,William R. MCGEHEE. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2022-12-08.

Rare-earth chalcogenide magneto-optical elements with protective layers

Номер патента: US3567308A. Автор: Kie Y Ahn,Siegfried Methfessel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-03-02.

Magneto-optical material, method for producing same and magneto-optical device

Номер патента: CA2979022C. Автор: Masanori Ikari,Takuto Matsumoto. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Device and method for vector generalized magneto-optical ellipsometry

Номер патента: EP4357757A1. Автор: Amalio Fernández-Pacheco Chicón,Dédalo Sanz Hernández,Miguel Angel Cascales Sandoval,Aurelio Hierro Rodríguez. Владелец: Universidad de Oviedo. Дата публикации: 2024-04-24.

Device and method for vector generalized magneto-optical ellipsometry

Номер патента: WO2024083914A1. Автор: Amalio Fernández-Pacheco Chicón,Dédalo Sanz Hernández,Miguel Angel Cascales Sandoval,Aurelio Hierro Rodríguez. Владелец: Universidad de Oviedo. Дата публикации: 2024-04-25.

Magneto-optical current measurement apparatus

Номер патента: US5502373A. Автор: Lawrence J. Ryczek,Ruth E. Hubbell. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1996-03-26.

Magneto-optical modulator-based system for transferring quantum information

Номер патента: WO2022164554A1. Автор: Haidang Lin,Charles Walter Boecker,Richard P. Rouse,Winston Allen Saunders,Derek Leslie Knee,Foteini KARINOU,Marijn Petrus Gerardus Rombouts. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-08-04.

Magneto-optical modulator-based system for transferring quantum information

Номер патента: EP4285184A1. Автор: Haidang Lin,Charles Walter Boecker,Richard P. Rouse,Winston Allen Saunders,Derek Leslie Knee,Foteini KARINOU,Marijn Petrus Gerardus Rombouts. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-06.

Magneto-optic element

Номер патента: US20190278113A1. Автор: Futoshi SUZUKI. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Method for forming magneto-optical films for integrated photonic devices

Номер патента: US09829728B2. Автор: Xueyin SUN,Mehmet Cengiz ONBASLI,Caroline Anne ROSS. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-11-28.

Magneto-optical modulator-based system for transferring quantum information

Номер патента: US20220236593A1. Автор: Haidang Lin,Charles Walter Boecker,Richard P. Rouse,Winston Allen Saunders,Derek Leslie Knee,Foteini KARINOU,Marijn Petrus Gerardus Rombouts. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-07-28.

Magneto-optical converter

Номер патента: CA1208290A. Автор: Yoshiki Kuhara,Masami Tatsumi,Tsutomu Mitsui,Kohji Tada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1986-07-22.

Magneto-optic current transformer, and method for measuring a current intensity

Номер патента: US20230296650A1. Автор: Stefan Schuberth,Thomas Judendorfer,Federico Canas. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-09-21.

Magneto-optic device with reflective conductor

Номер патента: US5241412A. Автор: William E. Ross. Владелец: Litton Systems Inc. Дата публикации: 1993-08-31.

Magneto-optical detection and discernment of biofluid crystals

Номер патента: US11982638B2. Автор: Robert Brown,Brian T. Grimberg,Robert Deissler,Tanvir Baig,Abdullah Amin. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-14.

Self-biased magneto-optical non-reciprocal metasurface device

Номер патента: US11747518B2. Автор: Jun Qin,Lei Bi,Weihao YANG,Jiawei LONG,Longjiang Deng. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-09-05.

Analyzer employing magneto-optic rotation

Номер патента: US3738755A. Автор: M Kelly,R Chaney. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1973-06-12.

Magneto-optical material and production method therefor

Номер патента: US20230273465A1. Автор: Kenji Ikeda,Satoshi Iwamoto,Nobukiyo Kobayashi,Yasutomo Ota. Владелец: Research Institute for Electromagnetic Materials. Дата публикации: 2023-08-31.

Self-biased magneto-optical non-reciprocal metasurface device

Номер патента: US20220082730A1. Автор: Jun Qin,Lei Bi,Weihao YANG,Jiawei LONG,Longjiang Deng. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-03-17.

Magneto-optical detection and discernment of biofluid crystals

Номер патента: US20220299475A1. Автор: Robert Brown,Brian T. Grimberg,Robert Deissler,Tanvir Baig,Abdullah Amin. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-22.

Magneto-optical trap method and apparatus using positive and negative g-factors

Номер патента: US12035456B2. Автор: Hiromitsu Imai,Atsushi Ishizawa,Hideki Gotoh,Katsuya Oguri,Tomoya Akatsuka,Hidetoshi Katori,Masao Takamoto. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2024-07-09.

Magneto-optic current transformer, and method for measuring a current intensity

Номер патента: AU2021314954A1. Автор: Stefan Schuberth,Thomas Judendorfer,Federico Canas. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-02-09.

Magneto-optic current transformer, and method for measuring a current intensity

Номер патента: AU2021314954B2. Автор: Stefan Schuberth,Thomas Judendorfer,Federico Canas. Владелец: HSP Hochspannungsgeraete GmbH. Дата публикации: 2024-02-29.

Grating chip for a magneto-optical trap and fabrication method

Номер патента: GB2583367A. Автор: Griffin Paul,Riis Erling,S Arnold Aidan,Burrow Oliver. Владелец: UNIVERSITY OF STRATHCLYDE. Дата публикации: 2020-10-28.

Magneto-optically modulating system

Номер патента: US5434934A. Автор: Morio Kobayashi,Minoru Takeda,Masayuki Togawa,Kiyoshi Toyama. Владелец: Teijin Seiki Co Ltd. Дата публикации: 1995-07-18.

Magneto-optic current transformer and method for detecting a current intensity

Номер патента: CA3190271A1. Автор: Stefan Schuberth,Thomas Judendorfer,Federico Canas. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-02-03.

Magneto-optical sensor for magnetic field measurement

Номер патента: US20240272244A1. Автор: Israel Owens,Andrew Charles Biller. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Magneto-optical material, faraday rotator, and optical isolator

Номер патента: CA2813905C. Автор: Shinji Makikawa,Toshiaki Watanabe,Akio Yamanaka,Hirotaka Naruse. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Magneto-optic rotator

Номер патента: CA1233683A. Автор: Ralph A. Bergh,Herve C. Lefevre. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 1988-03-08.

Magneto-optic rotation analyzer

Номер патента: US3738756A. Автор: R Chaney. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1973-06-12.

Thin-film magneto-optic polarization rotator

Номер патента: CA2156626A1. Автор: Richard M. Osgood, Jr.,Miguel Levy. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-09-01.

Magneto-optical converter

Номер патента: AU1084483A. Автор: Yoshiki Kuhara,Masami Tatsumi,Tsutomu Mitsui,Kohji Tada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1983-08-04.

Magneto-optic analysers

Номер патента: GB1534894A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-12-06.

Microwave-to-optical transducer using magneto-optics at zero applied magnetic field

Номер патента: US20210302767A1. Автор: TIAN XIE,Andrei Faraon,Jake ROCHMAN,John G. BARTHOLOMEW. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2021-09-30.

Diamond magneto-optical sensor and diamond magneto-optical sensor system

Номер патента: EP4318013A1. Автор: Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Tsukasa Hayashi,Hiroshige Deguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Optical waveguide for a magneto-optical current sensor

Номер патента: US20230288641A1. Автор: Stefan Schuberth,Thomas Judendorfer. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-09-14.

Magneto-optical material and method for producing same

Номер патента: US20240069124A1. Автор: Tadayoshi Iwasa,Kenichi Arai,Kenji Ikeda,Nobukiyo Kobayashi. Владелец: Research Institute for Electromagnetic Materials. Дата публикации: 2024-02-29.

Magneto-optic switch

Номер патента: US20140139918A1. Автор: Zexiong Zhao,Yu Hu,Senming Gong,Xiansheng Sun,Binglong Qiu. Владелец: Oplink Communications LLC. Дата публикации: 2014-05-22.

Magneto-optic nanocrystalline oxides and methods of forming the same

Номер патента: US20120076712A1. Автор: Javier E. Garay,Jason R. Morales. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-03-29.

Diamond magneto-optical sensor and diamond magneto-optical sensor system

Номер патента: US20240159845A1. Автор: Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Tsukasa Hayashi,Hiroshige Deguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Super resolution for magneto-optical microscopy

Номер патента: US20210405086A1. Автор: Suzanne Gabriëlle Everdine te Velthuis,Michael Claus Siegfried Vogel,Axel Friedrich Hoffmann. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2021-12-30.

Optical waveguide for a magneto-optical current sensor

Номер патента: AU2021333162B2. Автор: Stefan Schuberth,Thomas Judendorfer. Владелец: HSP Hochspannungsgeraete GmbH. Дата публикации: 2024-06-20.

Drift compensation technique for a magneto-optic current sensor

Номер патента: CA1245724A. Автор: Robert C. Miller,Juris A. Asars. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1988-11-29.

Polarization scrambler based on Faraday magneto-optic effect

Номер патента: US20170261773A1. Автор: Wenbo Wang,Shudong Wu. Владелец: Zibo Qi-Red Photoelectric Technology Co ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Diamond magneto-optical sensor

Номер патента: EP4318011A1. Автор: Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Tsukasa Hayashi,Hiroshige Deguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Diamond magneto-optical sensor

Номер патента: US20240175945A1. Автор: Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Tsukasa Hayashi,Hiroshige Deguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Magneto-optic transducer

Номер патента: CA1182215A. Автор: Bo B. Wikstrom. Владелец: Sab Industri AB. Дата публикации: 1985-02-05.

A low latency optical memory bus

Номер патента: WO2005066679A1. Автор: Brandon C. Barnett,Warren R. Morrow. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-07-21.

Apparatus, systems, and methods for measurement using magneto-optical Kerr effect

Номер патента: US11906605B1. Автор: Wayne C. Tucker,Nicholas J. Jones,Emily L. Guzas,Matthew T. Roberts. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2024-02-20.

Diamond magneto-optical sensor

Номер патента: EP4318012A1. Автор: Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Tsukasa Hayashi,Hiroshige Deguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Magneto-optical detection of lyme disease using magnetic nanparticles

Номер патента: US20210068697A1. Автор: Robert Brown,Michael Martens,Robert Deissler,Tanvir Baig,Brian Grimberg. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-03-11.

Magneto-optic chip with gray-scale capability

Номер патента: US4495492A. Автор: William E. Ross,Robert H. Anderson,Theodore R. Maki. Владелец: Litton Systems Inc. Дата публикации: 1985-01-22.

Collimator lens of erasable and re-recordable magneto-optical disk system

Номер патента: US5087990A. Автор: Koichi Maruyama. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 1992-02-11.

Magneto-optical trap method and apparatus using positive and negative g-factors

Номер патента: US11800629B2. Автор: Hiromitsu Imai,Atsushi Ishizawa,Hideki Gotoh,Katsuya Oguri,Hidetoshi Katori,Masao Takamoto,Tomoyo AKATSUKA. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2023-10-24.

Diamond magneto-optical sensor

Номер патента: US20240168107A1. Автор: Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Tsukasa Hayashi,Hiroshige Deguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Magneto-optical measurement apparatus

Номер патента: US20210109168A1. Автор: Nobuya Seko. Владелец: Tianma Japan Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Magneto-optical trap method and apparatus using positive and negative g-factors

Номер патента: US20230422386A1. Автор: Hiromitsu Imai,Atsushi Ishizawa,Hideki Gotoh,Katsuya Oguri,Hidetoshi Katori,Masao Takamoto,Tomoyo AKATSUKA. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2023-12-28.

Magneto-optical trap method and device

Номер патента: EP3703076A1. Автор: Hiromitsu Imai,Atsushi Ishizawa,Hideki Gotoh,Katsuya Oguri,Tomoya Akatsuka,Hidetoshi Katori,Masao Takamoto. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2020-09-02.

Laser magneto-optic rotation spectrometer (LMORS)

Номер патента: USH1844H. Автор: Richard Billmers,William J. Scharpf,Alan Laux,Kevin Owens. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2000-03-07.

Neutron dosimetry using three-dimensional optical memory

Номер патента: WO1994011760A1. Автор: Marko Moscovitch. Владелец: GEORGETOWN UNIVERSITY. Дата публикации: 1994-05-26.

Electrical and optical memory access

Номер патента: US09910789B2. Автор: Seiji Muneto,Atsuya Okazaki,Yasunao Katayama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Fresnel zone plate optical memory device

Номер патента: CA1078653A. Автор: Hiroshi Sato,Yasuo Shibata,Shoji Wako. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1980-06-03.

Neutron spectrometer, real-time dosimeter and methodology using three-dimensional optical memory

Номер патента: US5498876A. Автор: Marko Moscovitch. Владелец: GEORGETOWN UNIVERSITY. Дата публикации: 1996-03-12.

System and method of using an optical memory card to communicate over a network for electronic commerce

Номер патента: EP1192568A1. Автор: Richard M. Haddock. Владелец: Drexler Technology Corp. Дата публикации: 2002-04-03.

System and method of using an optical memory card to communicate over a network for electronic commerce

Номер патента: EP1192568A4. Автор: Richard M Haddock. Владелец: Drexler Technology Corp. Дата публикации: 2002-05-29.

Optical memory card based e-commerce business method

Номер патента: EP1323110A1. Автор: Richard M. Haddock,Louis H. Sciupac. Владелец: Drexler Technology Corp. Дата публикации: 2003-07-02.

Memory device and memory device controlling apparatus

Номер патента: US20100017541A1. Автор: Hideaki Yamashita,Takeshi Ootsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US20050278489A1. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Hardware latency monitoring for memory device input/output requests

Номер патента: US20240231633A1. Автор: Aviv Kfir,Liron Mula,Oren Duer,Shridhar Rasal. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Frequency monitoring for memory devices

Номер патента: WO2022066439A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-31.

Host timeout avoidance in a memory device

Номер патента: US20200004459A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Shared function for multi-port memory device

Номер патента: US20240241823A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US20240256187A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: WO2021126656A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory device virtualization

Номер патента: US20240289159A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

A Portable Memory Device For Use With An Infusion Device

Номер патента: US20230056279A1. Автор: Joshua Guthermann. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2023-02-23.

Method and apparatus for associating optically stored data with a wireless memory device

Номер патента: WO2000048115A1. Автор: Christopher A. Wiklof,H. Sprague Ackley. Владелец: Intermec Ip Corporation. Дата публикации: 2000-08-17.

System, apparatus, and methods for digitally labeling memory devices without affecting data storage

Номер патента: US20240241684A1. Автор: David D. Kwan. Владелец: Memoric Technology LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: US12099746B2. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US7430644B2. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Memory device health monitoring logic

Номер патента: US20240345932A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device health monitoring logic

Номер патента: WO2024220299A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for detecting temperature in a flash memory device and the flash memory device thereof

Номер патента: US20240329850A1. Автор: Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Using memory device sensors

Номер патента: WO2021118712A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Using memory device sensors

Номер патента: EP4073798A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Partitioning of memory device for multi-client computing system

Номер патента: EP2646925A1. Автор: Thomas J. Gibney,Patrick J. Koran. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US12038849B2. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Address verification for a memory device

Номер патента: WO2021126457A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory device active command tracking

Номер патента: WO2024123886A1. Автор: Horia C. Simionescu,Prateek Sharma,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Swap memory device providing data and data block, method of operating the same, and method of operating electronic device including the same

Номер патента: US20240152461A1. Автор: Jiwon Lee,Jeonghoon CHOI,Won Woo Ro,Hyoseong Choi. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-09.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: EP4404064A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Cluster namespace for a memory device

Номер патента: US20240231610A9. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Management of erase suspend and resume operations in memory devices

Номер патента: US20210173580A1. Автор: Suresh Rajgopal,Chandra M. Guda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Management of erase suspend and resume operations in memory devices

Номер патента: WO2021119203A1. Автор: Suresh Rajgopal,Chandra M. Guda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Memory device with cryptographic kill switch

Номер патента: US11726923B2. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Using memory device sensors

Номер патента: US12066916B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Power down of memory device based on hardware reset signal

Номер патента: US20240289035A1. Автор: Steffen Buch,Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device, system including the same, and operating method of memory device

Номер патента: US20240248850A1. Автор: Daehyun Kim,Jiho Kim,Sukhan Lee,Kijun Lee,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device activity-based copying defect management data

Номер патента: US20220019502A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20210173574A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Generating codewords with diverse physical addresses for 3DXP memory devices

Номер патента: US11734190B2. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Track activities of components in endpoints having secure memory devices via identity validation

Номер патента: US12088581B2. Автор: Lance W. Dover,Jeffrey Charles Shiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Lifespan forecasting of memory devices and predictive device health management

Номер патента: US20240272803A1. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device controlled low temperature thermal throttling

Номер патента: US20240176506A1. Автор: Marco Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Modifying conditions for memory device error connection operations

Номер патента: US20220050743A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Metadata communication by a memory device

Номер патента: US20240354028A1. Автор: Matthew A. Prather,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Utilization of solid state memory devices

Номер патента: US09846661B2. Автор: Shmuel Ur,Mordehai MARGALIT,David Hirshberg,Shimon Gruper,Menahem Kaplan. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Prioritization of successful read recovery operations for a memory device

Номер патента: US20240231985A1. Автор: Tingjun Xie,Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and method for controlling access to a memory device

Номер патента: US20160357688A1. Автор: Mark Andrew Brittain,Michael Andrew Campbell. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Quality of service for the multiple functions in memory devices

Номер патента: WO2021081419A1. Автор: Luca Bert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory device to train neural networks

Номер патента: WO2021231069A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-18.

Memory device operation based on device characteristics

Номер патента: US20240255567A1. Автор: Kazuaki Ohara,Rachael R. Skreen,Soujanya Venigalla,Jihye Gale Shin,Rosa Maria Avila-Hernandez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Usage level identification for memory device addresses

Номер патента: US20240281371A1. Автор: Luca Porzio,Giuseppe Cariello,Roberto IZZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Power management in a memory device based on a host device configuration

Номер патента: US20240264753A1. Автор: Marco Redaelli,Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Host controlled enablement of automatic background operations in a memory device, and associated memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240311012A1. Автор: Francesco Falanga,Danilo Caraccio. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Dynamic logical page sizes for memory devices

Номер патента: US12130747B2. Автор: Sushil Kumar,David Aaron Palmer,Venkata Kiran Kumar Matturi,Sharath Chandra Ambula,Sri Ramya Pinisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of operating a memory device

Номер патента: US09971549B2. Автор: In-su Choi,Yong-Jun Yu,Doo-Hwan Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Parallel scheduling of write commands to multiple memory devices

Номер патента: US09952779B2. Автор: Barak Baum,Etai Zaltsman,Moti Altahan,Roman Gindin,Yoni Labenski,Yoram Harel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Apparatus for monitoring data access to internal memory device and internal memory device

Номер патента: US09934165B2. Автор: Gang Shan. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Rebalancing operation using a solid state memory device

Номер патента: US09881039B2. Автор: Abhinay R. Nagpal,Sandeep Ramesh Patil,Yan Wang Stein,Harshwardhan S. Mulay. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US09875038B2. Автор: Songho Yoon,Bomi KIM,Dae-Hoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Internal error correction for memory devices

Номер патента: US12141029B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-12.

Apparatus and method for controlling access to a memory device

Номер патента: US09785578B2. Автор: Mark Andrew Brittain,Michael Andrew Campbell. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatus and method for sanitizing a shared memory device or a memory expander

Номер патента: US20240231615A1. Автор: Jung Min Choi,Sun Woong Kim,Min Ho Ha,Byung Il Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Management of error-handling flows in memory devices using probability data structure

Номер патента: US12032833B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method and apparatus for performing configuration management of memory device in predetermined communications architecture with aid of electronic fuse data preparation, and associated computer-readable medium

Номер патента: US12026403B1. Автор: Hong-Ren Fang,Guo-Jhang Hong,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device wear-leveling techniques

Номер патента: WO2011090547A2. Автор: Yen Lin,Howard Tsai,Nirmal Saxena,Dimitry Vyshetsky. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2011-07-28.

Storage device including non-volatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240241642A1. Автор: Young-rok Oh,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and apparatus for performing access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of automatic parameter setting

Номер патента: US20240232067A1. Автор: Shen-Ting Chiu,Te-Kai WANG,Po-Lin WU,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method for selectively affecting data flow to or from a memory device

Номер патента: EP1639480A2. Автор: Richard Chin,Frank N. Cheung. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2006-03-29.

Memory device log data storage

Номер патента: US12039163B2. Автор: Scheheresade Virani,Jeffrey Lee Munsil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Efficient buffer management for media management commands in memory devices

Номер патента: US12039192B2. Автор: Bharani Rajendiran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Evaluation of memory device health monitoring logic

Номер патента: US12038806B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory devices

Номер патента: EP1618513A1. Автор: Ronald Barry Zmood. Владелец: Mems ID Pty Ltd. Дата публикации: 2006-01-25.

Memory devices

Номер патента: WO2004084131A1. Автор: Ronald Barry Zmood. Владелец: Mems-Id Pty Ltd.. Дата публикации: 2004-09-30.

Dynamic memory device management and stream prioritization based on quality of service metrics

Номер патента: US12045467B2. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Quality of service for the multiple functions in memory devices

Номер патента: US20230236734A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Automated optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240256375A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and apparatus for performing configuration management of memory device in predetermined communications architecture with aid of electronic fuse data preparation, and associated computer-readable medium

Номер патента: US20240220159A1. Автор: Hong-Ren Fang,Guo-Jhang Hong,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory controller with ring bus for interconnecting memory clients to memory devices

Номер патента: WO2008008220A1. Автор: Patrick Law,Alex Miretsky,Warren F. Kruger. Владелец: Ati Technologies, U.L.C.. Дата публикации: 2008-01-17.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Method, apparatus, and system for securing data on a removable memory device

Номер патента: EP1929422A1. Автор: David N. Skinner,Yancy T. Chen. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-06-11.

A method, apparatus, and system for securing data on a removable memory device

Номер патента: WO2007027299A1. Автор: David N. Skinner,Yancy T. Chen. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-03-08.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: WO2012138865A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: MCAFEE, INC.. Дата публикации: 2012-10-11.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: EP2695067A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: McAfee LLC. Дата публикации: 2014-02-12.

Managing Memory Devices in a Storage Network

Номер патента: US20230280911A1. Автор: Gary W. Grube,Manish Motwani,Jason K. Resch,Ilya Volvovski,Timothy W. Markison. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Interleaved codeword transmission for a memory device

Номер патента: US20240289220A1. Автор: Thomas Hein,Steffen Buch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Quality of service for the multiple functions in memory devices

Номер патента: US12073088B2. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Management of error-handling flows in memory devices using probability data structure

Номер патента: US20240289032A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device and memory system for direct communication between the memory devices

Номер патента: US20200104060A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Active calibration for high-speed memory devices

Номер патента: EP2384474A1. Автор: Frederick A. Ware,Jared L. Zerbe,Brian S. Leibowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2011-11-09.

Portable memory device having mutually exclusive non-volatile electronic data storage

Номер патента: US20200241800A1. Автор: Chad Dustin Tillman,Evan Michael DORSEL. Владелец: Ipxcl LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

System for installing software on a small-memory device

Номер патента: WO2015190998A2. Автор: Ching Guan Tay,Tong Peow Ow. Владелец: Home Control Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-12-17.

Method and apparatus for concurrently communicating with multiple embedded dynamic random access memory devices

Номер патента: US20030014606A1. Автор: Ravi Arimilli,Sanjeev Ghai,William Starke,James Fields,Praveen Reddy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Parallel boot execution of memory devices

Номер патента: US11734018B2. Автор: Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Shay Benisty. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

System and method for controlling access to a memory device of an electronic device

Номер патента: US20100199031A1. Автор: Runbo Fu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Testing for memory devices using dedicated command and address channels

Номер патента: US20240281350A1. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Utilization of a memory device for per-user encryption

Номер патента: US20240267208A1. Автор: Zhan Liu,Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Read performance improvement using memory device latches

Номер патента: US20240264933A1. Автор: Amiya Banerjee,Jameer Mulani,Sriraman Sridharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Neuronal to memory device communication

Номер патента: US20240160288A1. Автор: John D. Hopkins,Mohad Baboli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Evaluation of memory device health monitoring logic

Номер патента: US20240320093A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Using a persistent byte-addressable memory in a compute express link (cxl) memory device for efficient power loss recovery

Номер патента: US20240311019A1. Автор: Rohit Sehgal,Vishal TANNA,Eishan MIRAKHUR. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20240319871A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Heuristic interface for enabling a computer device to utilize data property-based data placement inside a nonvolatile memory device

Номер патента: US20240303222A1. Автор: Changho Choi,Hingkwan HUEN,Derrick Tseng,Jianjian Huo,Praveen Krishnamoorthy. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

System and method for controlling access to a memory device of an electronic device

Номер патента: US8010762B2. Автор: Runbo Fu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2011-08-30.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: EP4435612A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Techniques for firmware enhancement in memory devices

Номер патента: US12112066B2. Автор: Jia Sun,Ming Ma,Zhengbo Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Apparatus and method for supporting data input/output operation based on a data attribute in a shared memory device or a memory expander

Номер патента: US20240338330A1. Автор: Sung Hyun Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Efficient buffer management for media management commands in memory devices

Номер патента: US20240329874A1. Автор: Bharani Rajendiran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Selection of erase policy in a memory device

Номер патента: US20240370364A1. Автор: Peng Zhang,Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device overhead reduction using artificial intelligence

Номер патента: US12131065B2. Автор: Benjamin Rivera,Joseph A. DE LA CERDA,Ezra E. Hartz,Nicolas Soberanes,Bruce J. Ford. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Data processing method for efficiently processing data stored in the memory device by splitting data flow and the associated data storage device

Номер патента: US12067286B2. Автор: Yu-Ta Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory devices for detecting known initial states and related methods and electronic systems

Номер патента: US09977603B2. Автор: Graziano Mirichigni,Luca Porzio,Danilo Caraccio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for managing multi-channel memory device to have improved channel switch response time and related memory control system

Номер патента: US09965384B2. Автор: Chuan Liu,Wen-Hsuen KUO. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device that switches between states and moves data in accordance with a current state

Номер патента: US09940029B2. Автор: Tatsunori Kanai,Tetsuro Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method and apparatus for authorizing a print device to perform a service using a portable memory device

Номер патента: US09930217B2. Автор: Donald J. Gusmano. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Information processing system performing synchronization between memory devices and memory devices performing wireless communication

Номер патента: US09898747B2. Автор: Shigeki Koizumi,Shuichi Sakurai,Keisuke Sato,Michio Ido,Masahiko Nakashima,Masaomi Teranishi,Shigeto ENDO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Backup memory administration using an active memory device and a backup memory device

Номер патента: US09836370B2. Автор: Jeffrey R. Hamilton,Ross L. Mickens,Markesha F. Parker,Melba I. Lopez. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Proportional performance metric control for physical functions of a memory device

Номер патента: US20240202030A1. Автор: Horia C. Simionescu,Parag R. Maharana,Alex Ga Hing Tang,Paul Roger Stonelake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Proportional performance metric control for physical functions of a memory device

Номер патента: WO2024129595A1. Автор: Horia C. Simionescu,Parag R. Maharana,Alex Ga Hing Tang,Paul Roger Stonelake. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Error protection for managed memory devices

Номер патента: US20240235578A9. Автор: Tal Sharifie,Yoav Weinberg,Chandrakanth Rapalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Bit error management in memory devices

Номер патента: US20230393739A1. Автор: Tommaso Vali,Luigi Pilolli,Cristina Lattaro,Agostino Macerola,Walter Di Francesco,Jeremy Binfet,Andrea D'Alessandro,Angelo COVELLO,Claudia CIASCHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Contactless data transmission for memory devices

Номер патента: US20240211581A1. Автор: Felice COSENZA,Domenico Balzano,Graziano LEONE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Open block management in memory devices

Номер патента: US20240061575A1. Автор: Juane LI,Michael Winterfeld. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: EP3673380A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200349097A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200242057A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: WO2019040200A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10983934B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10754801B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20210209039A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Dynamically adjusting the initial polling timer in memory devices

Номер патента: US20240160367A1. Автор: Peng Fei,YUE Wei,Donghua Zhou,Shao Chun Shi,Kai Wen Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Host adaptive memory device optimization

Номер патента: US20210141570A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Memory device for cryptographic operations and method for interacting therewith

Номер патента: WO2008027165A3. Автор: Kevin Lewis,Susan Cannon. Владелец: Susan Cannon. Дата публикации: 2008-07-31.

Memory device having redundant media management capabilities

Номер патента: EP4133374A1. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Memory device having redundant media management capabilities

Номер патента: WO2021207405A1. Автор: Gil Golov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-14.

Method and system providing file system for an electronic device comprising a composite memory device

Номер патента: US20170228190A1. Автор: Vishak Guddekoppa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-10.

Isolating functions in a memory device

Номер патента: US20240078192A1. Автор: Michael Burk,Lance Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for fabricating a magneto-optic modulator

Номер патента: US6500498B1. Автор: Carol M. Ford,Randy J. Ramberg. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-12-31.

Hybrid-multimodal magneto-optical contrast markers

Номер патента: US20100317966A1. Автор: Ozzy Mermut,Nolwenn Le Bouch. Владелец: Institut National dOptique. Дата публикации: 2010-12-16.

Optical interface module for coherent reception, optical memory module, and optical memory system comprising same

Номер патента: US20150207563A1. Автор: Kyoung-ho Ha,Gi-Tae Jeong,Ho-Chul Ji,Keun-Yeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-23.

Arrangement for reading out an optical memory

Номер патента: US4107702A. Автор: Johann Plockl. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-08-15.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

System comprised of a floor processing device, a memory device and at least one accessory device

Номер патента: US20230157502A1. Автор: Frederic Hahn. Владелец: Vorwerk and Co Interholding GmbH. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for improving erase saturation in non-volatile memory devices and devices obtained thereof

Номер патента: US20080185632A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Pieter Blomme,Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-08-07.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic device including memory device

Номер патента: US20240292618A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20120202335A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20140248755A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: EP3262680A2. Автор: Masahide Matsumoto,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Johann Alsmeier,Yuki Mizutani,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-03.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Staggered horizontal cell architecture for memory devices

Номер патента: US20240107748A1. Автор: Christopher Locke,William M. Brewer,Kyle B. Campbell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor and a method of manufacturing the three-dimensional memory device

Номер патента: US20220149052A1. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Network access with a portable memory device

Номер патента: EP2039122A1. Автор: Teemu Savolainen,Petros Belimpasakis,Marko Luomi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-03-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4432803A1. Автор: Jae Hyun Choi,Junsoo Kim,Taeyoon AN,Jun-Bum LEE,Jihye Kwon,Hyun Seung CHOI,Dongsik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240334717A1. Автор: Kunal R. Parekh,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2024206702A1. Автор: Kunal R. Parekh,Russell L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor

Номер патента: US11690233B2. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Integration of non-volatile charge trap memory devices and logic cmos devices

Номер патента: WO2008147529A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Sam Geha,Fredrick B. Jenne,Sagy Levy,Igor Kouznetsov,Jeremy Warren,Ravindra Kapre,William W.C. KOUTNY, Jr.. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-04.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240315008A1. Автор: Jae Hyun Choi,Junsoo Kim,Taeyoon AN,Jun-Bum LEE,Jihye Kwon,Hyun Seung CHOI,Dongsik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Vertical diodes for non-volatile memory device

Номер патента: WO2012166945A2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device, fabricating method, memory device and device system

Номер патента: US20240312925A1. Автор: Peng Chen,Xin Feng,XinRu Zeng,Ping Mo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Microelectronic devices, and related memory device packages and electronic systems

Номер патента: US20240304598A1. Автор: Seng Kim Dalson Ye,Chin Hui Chong,Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Microelectronic devices, and related memory device packages and electronic systems

Номер патента: WO2024186577A1. Автор: Seng Kim Dalson Ye,Chin Hui Chong,Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-12.

Microelectronic devices and memory devices including vertically spaced transistors and storage devices, and related electronic systems

Номер патента: US20240357793A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240365534A1. Автор: Jun Luo,Huilong Zhu,Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-31.

Resistive switching memory devices and method(s) for forming the resistive switching memory devices

Номер патента: US12075712B2. Автор: Sundar Narayanan,Natividad VASQUEZ, JR.,Wee Chen Gan. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780144B2. Автор: Soon-Oh Park,Dong-Jun Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Sidewall insulated resistive memory devices

Номер патента: US20180301507A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Two-terminal memory device, a method for manufacturing the same, and a semiconductor device including a two-terminal memory device

Номер патента: US12022661B2. Автор: Sang-Hyeok Yang,Jong-Seok Lee,Ui-Yeon Won. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Memory device assembly with a leaker device

Номер патента: US20240049473A1. Автор: Ashonita A. Chavan,Aditi P. Kulkarni,Aysha Siddique SHANTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory device with vertical field effect transistor

Номер патента: US20230276613A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Magnetic memory device, a method for manufacturing a magnetic memory device, and an integrated circuit device including such magnetic memory device

Номер патента: US20040233757A1. Автор: Akihiro Maesaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: EP2928763A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2015-10-14.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: WO2014088489A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2014-06-12.

Methods of forming memory device with reduced resistivity

Номер патента: WO2023278296A1. Автор: Deenesh Padhi,Abdul Wahab MOHAMMED,Gill Yong Lee,Hang Yu,Sung-Kwan Kang,Chuanxi YANG,Hailing Liu,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor storage device including staggered semiconductor memory devices on opposed surfaces

Номер патента: US20240260194A1. Автор: BO Yang,Chun Sean Lau,Fu Xing Chan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Microelectronic device packages including wirebonding and related methods, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240153914A1. Автор: Akanksha Sahoo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11770938B2. Автор: Soon-Oh Park,Dong-Jun Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Vertical diodes for non-volatile memory device

Номер патента: US20130134419A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Memory device and semiconductor device including the memory device

Номер патента: US12063770B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory structures having a single access transistor for multiple memory devices

Номер патента: US20240284687A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Electronic devices including vertical strings of memory cells, and related memory devices, systems and methods

Номер патента: US20230066753A1. Автор: Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor structure with a logic device and a memory device being formed in different levels, and method of forming the same

Номер патента: US12058869B2. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Three-dimensional and planar memory device co-integration

Номер патента: US20200286956A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070102751A1. Автор: Sang-Bum Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Line and space architecture for a non-volatile memory device

Номер патента: US20130299769A1. Автор: Steven Patrick MAXWELL. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

Method and system for providing reducing thinning of field isolation structures in a flash memory device

Номер патента: US20020158284A1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Vertical diodes for non-volatile memory device

Номер патента: WO2012166945A3. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor structure with a logic device and a memory device being formed in different levels

Номер патента: US20240357829A1. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Contact formation for a memory device

Номер патента: US20240357837A1. Автор: ZHAO Zhao,Farrell M. Good,Nirav Vora,Kolya Yastrebenetsky,Darwin A. Clampitt,Stephen W. Russell,Steven P. Turini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240349478A1. Автор: Chunhua Yao,Scott L. Light,Fatma Arzum Simsek-Ege,Efe S. Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Resistive memory device having field enhanced features

Номер патента: US09997703B2. Автор: Zhang-Lin Zhou,Xia Sheng,Si-Ty Lam,Richard H. Henze. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-06-12.

Flash memory device

Номер патента: US09871050B1. Автор: Ralf Richter,Sven Beyer,Jan Paul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory device, semiconductor device, method for producing memory device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09825221B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US12150387B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Flash memory device

Номер патента: US7670906B2. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Methods of forming microelectronic devices with nitrogen-rich insulative structures, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20240215246A1. Автор: Kadir Abdul,Swapnil A. Lengade,Jeremy Adams,Naiming Liu,Jeslin J. Wu,Carlo Mendoza OROFEO. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A3. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-04-19.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240244820A1. Автор: Scott E. Sills,Richard E. Fackenthal,Hiroki Fujisawa,Si-Woo Lee`. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: US20130009208A1. Автор: Chandra Mouli,Suraj J Mathew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A2. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-26.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: WO2024076297A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2024151406A1. Автор: Scott E. Sills,Richard E. Fackenthal,Hiroki Fujisawa,Si-Woo Lee. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311299A1. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Electronic devices including isolation structures exhibiting a weave pattern, and related memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240081076A1. Автор: Yi Hu,Sidhartha Gupta,Matthew J. King,Jiewei Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional memory device with support structures in gate line slits and methods for forming the same

Номер патента: US20200395376A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150194332A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Il Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-09.

Memory device implementing multi-bit and memory apparatus including the same

Номер патента: US20240260274A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Yoonsang PARK,Sijung YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory devices including staircase structures, and related 3d nand flash memory devices

Номер патента: US20240015971A1. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory device implementing multi-bit and memory apparatus including the same

Номер патента: EP4407658A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Yoonsang PARK,Sijung YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230380133A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Flash memory device

Номер патента: US20080157167A1. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Device for destroying information from optical and magneto-optical discs

Номер патента: RU2394285C1. Автор: Максим Владимирович Фесенко,Борис Васильевич Хлопов,Александр Сергеевич Кузьминых,Виктор Филиппович Сверчков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт имени академика А.И. Берга". Дата публикации: 2010-07-10.

Magneto-optic flaw detector

Номер патента: RU2156489C1. Автор: . Владелец: ЗАО "Нефтегазкомплектсервис". Дата публикации: 2000-09-20.

Materiale vitroase fosfato-teluritice cu proprietăţi magnetice şi magneto-optice pentru rota- tori faraday şi procedeul de obţinere a acestora

Номер патента: RO135738A2. Автор: Bogdan Alexandru Sava,Lucica Boroica,Mihail Elisa,Ştefan Marian Iordache,Aurelian Cătălin Gâlcă,Victor Kuncser. Владелец: Institutul Naţional Pentru Fizica Laserilor Plasmei Şi Radiaţiei - Inflpr. Дата публикации: 2022-05-30.

Photon echo-based magneto-optical current detector

Номер патента: RU2284529C2. Автор: И.И. Попов,Камиль Шамилевич Газизов,Андрей Михайлович Гладышев,Евгений Юрьевич Севрюгин,Владимир Прокофьевич Шатохин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Марийский государственный университет". Дата публикации: 2006-09-27.

Temperature-controlled cryostatic system for magneto-optical and electrophysical analysis

Номер патента: RU2466446C2. Автор: Иван Павлович Жарков,Виталий Викторович Сафронов,Владимир Александрович Ходунов,Анатолий Григорьевич Чмуль. Владелец: Институт Физики Национальной Академии Наук Украины. Дата публикации: 2012-11-10.

Device to erase data from optic and magneto-optic disks

Номер патента: RU2389556C1. Автор: Максим Владимирович Фесенко,Борис Васильевич Хлопов,Александр Сергеевич Кузьминых,Виктор Филиппович Сверчков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт имени академика А.И.Берга". Дата публикации: 2010-05-20.

Method for reproducing signal from magneto-optical recording medium

Номер патента: CA1315880C. Автор: Kenjiro Watanabe,Katsuhisa Aratani,Minoru Kohno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1993-04-06.

Electromagnet radiation magneto-optic modulator based onto effect of elastic induced magnetization in a reverse sense

Номер патента: RU2266552C1. Автор: А.П. Кузьменко,Е.А. Жуков,Н.А. Леоненко,А.В. Каминский,нхуа Ли Цдз,Ли Цдзянхуа. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования ХАБАРОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ, РФ. Дата публикации: 2005-12-20.

Magneto-optic recording medium and manufacturing method

Номер патента: CA2010470C. Автор: Motohisa Taguchi,Tatsuya Fukami,Takashi Tokunaga,Yoshiyuki Nakaki,Kazuhiko Tsutsumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-09-03.

Recording apparatus for magneto-optical disc and disc cartridge misinsertion preventing mechanism.

Номер патента: MY113258A. Автор: Inoue Hideki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Photochromic recording medium for three-dimensional optical memory

Номер патента: RU2463330C1. Автор: Валерий Александрович Барачевский,Евгений Петрович Гребенников,Константин Сергеевич Левченко,Павел Сергеевич Шмелин,Павел Борисович Малышев,Антон Оскарович Айт,Александр Александрович Дунаев,Михаил Михайлович Краюшкин,Владимир Николаевич Яровенко,Людмила Витальевна Христофорова,Ольга Игоревна Кобелева,Татьяна Михайловна Валова,Юрий Александрович Пьянков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Центр фотохимии Российской академии наук (ЦФ РАН). Дата публикации: 2012-10-10.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2568785C2. Автор: Владимир Владимирович Соколов,Геннадий Георгиевич Стецюра. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук. Дата публикации: 2015-11-20.

In-line fiber optic memory

Номер патента: CA1268541A. Автор: Herbert J. Shaw,Emmanuel Desurvire,Michel J.F. Digonnet. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 1990-05-01.

Optical memory

Номер патента: CA1290848C. Автор: Alexandr A. Antonov,Vyacheslav V. Petrov,Andrei A. Krjuchin,Nikolai V. Gorshkov,Alexandr P. Tokar,Vladimir P. Skuridin,Leonid M. Gapchenko,Anton V. Vozovik,Valery D. Kovtun. Владелец: INSTITUT PROBLEM MODELIROVANIA V ENERGETIKE AKADEMII NAUK UKRAINSKOI SSR. Дата публикации: 1991-10-15.

Magneto optical memory device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты