通过p型钝化实现增强型HEMT的方法

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

High Electron Mobility Transistor and manufacture method thereof

Номер патента: CN103579299B. Автор: 杨宗谕,黄宗义,邱建维,黄智方,张庭辅. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-04-13.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103579299A. Автор: 杨宗谕,黄宗义,邱建维,黄智方,张庭辅. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-02-12.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11257939B2. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210151591A1. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040392B2. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339532A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040393B2. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240322030A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

High electron mobility transistor esd protection structures

Номер патента: EP3599640A8. Автор: Chungchi Gina Liao,Muhammad Ayman Shibib. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4379811A2. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4379811A3. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240072153A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

High-electron-mobility transistor with high voltage endurance capability and preparation method thereof

Номер патента: US20210066481A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240038871A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230100904A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

High Electron Mobility Transistor with Varying Semiconductor Layer

Номер патента: US20190115462A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

High Electron Mobility Transistor ESD Protection Structures

Номер патента: US20200035666A1. Автор: Muhammed Ayman Shibib,Chungchi Gina Liao. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240178310A1. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

High electron mobility transistor device having an aluminum-doped buffer layer

Номер патента: US20240355917A1. Автор: José JIMENEZ,Jinqiao Xie,Vipan Kumar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

High electron mobility transistor device having an aluminum-doped buffer layer

Номер патента: US12074214B2. Автор: José JIMENEZ,Jinqiao Xie,Vipan Kumar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

HEMT semiconductor device and Method for manufacturing the same

Номер патента: KR20220125032A. Автор: 이상민. Владелец: 국방과학연구소. Дата публикации: 2022-09-14.

Predisposed high electron mobility transistor

Номер патента: WO2014055314A3. Автор: Christer Hallin. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

High electron mobility transistor (hemt) comprising stacked nanowire or nanosheet heterostructures

Номер патента: US20220328655A1. Автор: Xiuling Li,Shaloo Rakheja. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2022-10-13.

Methods for manufacturing enhancement-mode HEMTs with self-aligned field plate

Номер патента: US8168486B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2012-05-01.

High electron mobility transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313085A1. Автор: Shang-Hua Tsai. Владелец: Infinity Communication Tech Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

High electron mobility transistor and high electron mobility transistor forming method

Номер патента: US20240313084A1. Автор: Wei-Chih Ho. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for growing III-V epitaxial layers and semiconductor structure

Номер патента: US09543424B2. Автор: Stefan Degroote,Marianne Germain,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2017-01-10.

High Electron Mobility Transistor and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20110156100A1. Автор: Chien-I Kuo,Edward Yi Chang,Heng-Tung Hsu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2011-06-30.

High electron mobility transistor (HEMT)

Номер патента: US09735240B2. Автор: LONG Yang,Dong Lee,William Fenwick. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

High electron mobility transistors

Номер патента: US09425276B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240136432A1. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-04-25.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240234561A9. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20110272741A1. Автор: In-jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-10.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US09379227B2. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-28.

Integrated circuit with high electron mobility transistor

Номер патента: GB2412238A. Автор: Chul Hong Park. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-09-21.

Method for fabricating a recessed ohmic contact for a PHEMT structure

Номер патента: US7678629B1. Автор: Jerod F. Mason,Dylan C. Bartle. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2010-03-16.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US20140073095A1. Автор: Ken Sato. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20190334023A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20200373423A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

High electron mobility transistor (hemt)

Номер патента: EP3767685A1. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Kuan-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-20.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US12100758B2. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

High electron mobility transistor (HEMT) device and method of making the same

Номер патента: US09865721B1. Автор: Jinqiao Xie,Edward A. Beam, III. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230387280A1. Автор: Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11894441B2. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

High-electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230335630A1. Автор: Ta-Kang Lo,Cheng-Han Wu,Cheng-Guo Chen,Jian-Li Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

High-electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP4266374A1. Автор: Ta-Kang Lo,Cheng-Han Wu,Cheng-Guo Chen,Jian-Li Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240097004A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240194773A1. Автор: Tzu-Wen Wang,Yen-Chun Tseng,Chuan-Wei Chen. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20160126339A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-05.

High electron mobility transistor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230290872A1. Автор: Po-Jung Lin,Jia-Zhe Liu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN112652659A. Автор: 张峻铭,侯俊良,黄哲弘,廖文荣. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Semiconductor structure and high electron mobility transistor

Номер патента: US11942519B2. Автор: Chih-Yen Chen,Franky Juanda LUMBANTORUAN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11830941B2. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

High electron mobility transistor (HEMT)

Номер патента: US11843046B2. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Kuan-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240014309A1. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

High electron mobility transistor (hemt)

Номер патента: US20210020767A1. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Kuan-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Double aluminum nitride spacers for nitride high electron-mobility transistors

Номер патента: WO2013185089A1. Автор: Yu Cao,Wayne Johnson,Oleg Laboutin. Владелец: IQE KC, LLC. Дата публикации: 2013-12-12.

Integrated enhancement/depletion mode hemt and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200381543A1. Автор: Wei He,Xianfeng Ni,Qian Fan. Владелец: Suzhou Han Hua Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Gallium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230411509A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US9276098B2. Автор: Hong-Pyo HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-01.

Fabrication method for thin film transistor, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: US20180277376A1. Автор: Wei Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20240258412A1. Автор: Tatsuya Naito,Toshiki Suzuki,Toshiyuki Matsui,Kazuki KAMIMURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040380B2. Автор: Chen-Wei Pan,Chun-Pin Fang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230231044A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12080787B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Access conductivity enhanced high electron mobility transistor

Номер патента: US09679762B2. Автор: Yan Zhu,Xinyu Zhang,Andrew Paul Edwards. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Doped gallium nitride high-electron mobility transistor

Номер патента: US09640650B2. Автор: Jinqiao Xie,Edward A. Beam, III. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Electronic assembly provided with a plurality of high electron mobility transistors

Номер патента: US20220328681A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-13.

High electron mobility transistors with field plate electrode

Номер патента: US09577064B2. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: Selex ES SpA. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for manufacturing high-electron-mobility transistor

Номер патента: US20230402526A1. Автор: Chan-Shin Wu. Владелец: Ultraband Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for manufacturing high-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4290582A1. Автор: Chan-Shin Wu. Владелец: Ultraband Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20180294341A1. Автор: Chih-Yen Chen,Hsien-Lung Yang. Владелец: Wavetek Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

High electron mobility transistors with field plate electrode

Номер патента: WO2012017390A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-02-09.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240021703A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for fabricating high electron mobility transistor

Номер патента: US20240072126A1. Автор: Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Metamorphic high electron mobility transistor-heterojunction bipolar transistor integration

Номер патента: US20210391321A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

High electron mobility transistor and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2023194211A1. Автор: Joff Derluyn,Prem Kumar Kandaswamy. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2023-10-12.

P-gan high electron mobility transistor field plating

Номер патента: WO2024030127A1. Автор: Ayman SHIBIB,Saba RAJABI. Владелец: Vishay Siliconix LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20220093778A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

High electron mobility transistor (HEMT) and a method of forming the same

Номер патента: US9831332B2. Автор: Shinya Mizuno. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20230020271A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

High electron mobility transistors with charge compensation

Номер патента: US20200373383A1. Автор: Yuhao ZHANG. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12107157B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234559A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method for forming insulating structure of high electron mobility transistor

Номер патента: US20210074838A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230231021A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US12051740B2. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240290875A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20220376100A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240355920A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Enhancement High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230420498A1. Автор: Han-Chung Tai. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-12-28.

Multi-Channel High Electron Mobility Transistor with Reduced Input Capacitance

Номер патента: US20240304670A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-12.

Multi-channel high electron mobility transistor with reduced input capacitance

Номер патента: EP4428927A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-11.

A vertical hemt, an electrical circuit, and a method for producing a vertical hemt

Номер патента: AU2022399226A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240322007A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12027602B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220115520A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210193824A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Insulating structure of high electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210013335A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

High electron mobility transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12057490B2. Автор: Ming-Chang Lu,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

High electron mobility transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20240347621A1. Автор: Ming-Chang Lu,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240313087A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

High electron mobility transistor

Номер патента: US09960264B1. Автор: Chih-Yen Chen,Hsien-Lung Yang. Владелец: Wavetek Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

High-electron-mobility transistor having a buried field plate

Номер патента: US09728630B2. Автор: Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US11757029B2. Автор: Jongseob Kim,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230275147A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20230369481A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Gallium nitride device and method for manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: US20240038847A1. Автор: Chun-Liang Hou,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for manufacturing high electron mobility transistor with at least two barrier layers

Номер патента: US11462636B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11973133B2. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for fabricating a high electron mobility transistor

Номер патента: EP4210113A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

Gallium nitride device and method for manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: EP4312276A1. Автор: Chun-Liang Hou,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-31.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: TW202115909A. Автор: 張峻銘,黃哲弘,廖文榮,侯俊良,葉治東. Владелец: 聯華電子股份有限公司. Дата публикации: 2021-04-16.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3726585A2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-10-21.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210217885A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20220416073A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP4216281A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-26.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20200328298A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US11894453B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3726585A3. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230275146A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US20240120416A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12009415B2. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Multi-threshold voltage galium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230420541A1. Автор: Elias AL ALAM,Alireza LOGHMANY. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2023-12-28.

Gallium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230395694A1. Автор: Chan-Hong Chern,Yi-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

High-electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20240006511A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3772112A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-03.

High electron mobility transistor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230369447A1. Автор: Jia-Zhe Liu,Tzu-Yao Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US11616135B2. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-28.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: EP3863064A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-11.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210036138A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230129579A1. Автор: Tsai-Fu Chen,Hao-Ming Lee,Shou-Wei Hsieh,Ta Kang Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

High electron mobility transistor device and method of making the same

Номер патента: US20230361186A1. Автор: HUI Zhang,Shenghou LIU,Wenbi Cai,Xiguo SUN. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11777023B2. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Transistor having high withstand voltage and high electron mobility and preparation method therefor

Номер патента: US20220302292A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Transistor having high withstand voltage and high electron mobility and preparation method therefor

Номер патента: EP4006991A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-01.

High electron mobility transistor with periodically carbon doped gallium nitride

Номер патента: US09608103B2. Автор: Jeffrey Craig Ramer,Karl Knieriem. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

High electron mobility transistor and high electron mobility transistor forming method

Номер патента: US11799000B1. Автор: Yan Lai,Wei-Chen YANG. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

High electron mobility transistor and high electron mobility transistor forming method

Номер патента: US20240213334A1. Автор: Yan Lai,Wei-Chen YANG. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

High electron mobility transistor device

Номер патента: US20140253241A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

Multi-channel gate-all-around high-electron-mobility transistor

Номер патента: US20220131013A1. Автор: YE Lu,Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Chenjie TANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

High-electron-mobility transistor devices

Номер патента: US20180158940A1. Автор: Kyle Terrill,Ayman SHIBIB. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

High electron mobility transistor (hemt) devices and methods

Номер патента: US20210091219A1. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-25.

Manufacturing method for ldmos integrated device

Номер патента: US20240339522A1. Автор: FENG Lin,Yi Zhang,Shuxian Chen,Ruibin CAO,Chaoqi XU,Chunxia MA,Penglong XU. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

High electron mobility transistor

Номер патента: US9660066B2. Автор: Hao-Chung Kuo,Zhen-Yu Li,Chunyen Chang,An-Jye TZOU. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-05-23.

Structure of high electron mobility transistor growth on si substrate and the method thereof

Номер патента: US20130049070A1. Автор: Edward Yi Chang,Yueh-Chin Lin,Shih-Hsuan Tang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-28.

Terahertz radiating device and fabricating method for the same

Номер патента: US09680000B2. Автор: Jae-Hyung Jang,Sung-min Hong. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-06-13.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20160211330A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Zhen-Yu Li,Chunyen Chang,An-Jye TZOU. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2016-07-21.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: US20240234560A9. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistor device

Номер патента: US20230326980A1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Wei Jen Chen,Chi-Hsiao Chen,Kai Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: EP4362105A2. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: EP4362105A3. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Substrate biasing for bidirectional high electron mobility transistor device

Номер патента: US20240072161A1. Автор: Santosh Sharma. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

High electron mobility transistor

Номер патента: US09627523B2. Автор: Chih-Wei Yang,Chien-Kai Tung,Heng-Kuang Lin,Hsiang-Chun WANG,Hsein-chin CHIU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

High electron mobility transistor

Номер патента: US9331154B2. Автор: Chih-Wei Yang,Hsien-Chin Chiu,Chien-Kai Tung,Heng-Kuang Lin,Hsiang-Chun WANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Aluminum free group iii-nitride based high electron mobility transistors and methods of fabricating same

Номер патента: EP1875514A1. Автор: Adam William Saxler. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-01-09.

Complementary high electron mobility transistor

Номер патента: US20230207679A1. Автор: Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: US20240136431A1. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

InGaAs/GaAs high electron mobility transistor

Номер патента: US6953955B2. Автор: Wei-Chou Hsu,Ching-Sung Lee. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2005-10-11.

High-electron mobility transistor

Номер патента: WO2010126288A1. Автор: Doyeol Ahn. Владелец: UNIVERSITY OF SEOUL INDUSTRY COOPERATION FOUNDATION. Дата публикации: 2010-11-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12002857B2. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11848376B1. Автор: Yan Lai,Wei-Chen YANG. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240194774A1. Автор: Tzu-Wen Wang,Yen-Chun Tseng,Chuan-Wei Chen. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Enhancement-mode High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20200235218A1. Автор: Brice De Jaeger,Niels Posthuma,Steve Stoffels. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-23.

Electronic device comprising two high electron mobility transistors

Номер патента: US20220328471A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-13.

Gallium Nitride high-electron mobility transistors with p-type layers and process for making the same

Номер патента: US12142674B2. Автор: Saptharishi Sriram. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

High electron mobility transistor, preparation method, and power amplifier/switch

Номер патента: EP4254507A1. Автор: Xiaoxiang Wu,Teng JIANG,Sike TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12034068B2. Автор: Joff Derluyn. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2024-07-09.

A high electron mobility transistor

Номер патента: EP3642882A1. Автор: Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2020-04-29.

A vertical hemt, an electrical circuit, and a method for producing a vertical hemt

Номер патента: EP4437592A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-10-02.

High-electron-mobility transistors

Номер патента: US09525055B2. Автор: Jamal Ramdani,Alexey Kudymov,Linlin Liu. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

GaN-based high electron mobility transistors and fabrication method thereof

Номер патента: US12113127B2. Автор: Kuang-Po Hsueh. Владелец: Nanjing Greenchip Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for manufacturing aluminum nitride-based transistor

Номер патента: US11978629B2. Автор: Ok Hyun Nam,Ui Ho Choi. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Korea Polytechnic University. Дата публикации: 2024-05-07.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12034071B2. Автор: Yang Du,Chia-Ching HUANG,Shin-Chen Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

High-electron-mobility transistor (hemt)

Номер патента: EP4383345A1. Автор: Mark D. Levy,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Gallium nitride high electron mobility transistor and gate structure thereof

Номер патента: US20200212173A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US20240222133A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

High electron mobility transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240243194A1. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4333042A3. Автор: Santosh Sharma,Steven Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4333042A2. Автор: Santosh Sharma,Steven Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Iii-nitride/gallium oxide based high electron mobility transistors

Номер патента: US20230089714A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2023-03-23.

A heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: US20240304715A1. Автор: Olof Kordina,Jr-Tai Chen. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2024-09-12.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12080778B2. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Sensor-less overcurrent fault detection using high electron mobility transistors

Номер патента: US12074209B2. Автор: Jing Xu,Xiaoqing Song,Pietro CAIROLI,Utkarsh Raheja. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-27.

Surface treatment and passivation for high electron mobility transistors

Номер патента: US09666683B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240371968A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for epitaxy of high electron mobility transistor

Номер патента: US20240063291A1. Автор: Jia-Zhe Liu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US11810962B2. Автор: Cheng-Wei Chou,Hsin-Chih Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230361207A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11749748B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240113215A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11251292B2. Автор: Yu Cao,Yongjie Cui,Andrew Arthur Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-02-15.

High electron mobility transistor, preparation method, and power amplifier/switch

Номер патента: US20230352558A1. Автор: Xiaoxiang Wu,Teng JIANG,Sike TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20200373419A1. Автор: Yu Cao,Yongjie Cui,Andrew Arthur Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

A high electron mobility transistor

Номер патента: WO2018234338A1. Автор: Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2018-12-27.

An enhancement mode metal insulator semiconductor high electron mobility transistor

Номер патента: WO2020236180A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2020-11-26.

An enhancement mode metal insulator semiconductor high electron mobility transistor

Номер патента: US20220254912A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

An enhancement mode metal insulator semiconductor high electron mobility transistor

Номер патента: EP3973576A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-03-30.

High electron mobility transistor (HEMT) device structure

Номер патента: US10014402B1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

High-electron-mobility transistor with buried interconnect

Номер патента: EP3331027A2. Автор: Yongping Ding,Kyle Terrill,Ayman SHIBIB,Jinman Yang. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-06-06.

A heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: TW201919238A. Автор: 陳志泰,歐羅夫 寇迪那. Владелец: 瑞典商斯維甘公司. Дата публикации: 2019-05-16.

Methods of manufacturing high electron mobility transistors having improved performance

Номер патента: EP4341998A1. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20230335629A1. Автор: Zhibiao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

High electron mobility transistor (hemt) device and method of forming the same

Номер патента: US20240014307A1. Автор: Wei Jen Chen,Kai Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11784238B2. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Sensor-less overcurrent fault detection using high electron mobility transistors

Номер патента: EP4149000A1. Автор: Jing Xu,Xiaoqing Song,Pietro CAIROLI,Utkarsh Raheja. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2023-03-15.

Multi-gate high electron mobility transistors and methods of fabrication

Номер патента: EP3192101A1. Автор: Patrick Morrow,Sansaptak DASGUPTA,Kimin Jun,Alejandro X. Levander. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

High electron mobility transistor epitaxial structure

Номер патента: US20240063270A1. Автор: Jia-Zhe Liu,Hong-Che LIN. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Manufacturing of scalable gate length high electron mobility transistors

Номер патента: EP2601678A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: Selex ES SpA. Дата публикации: 2013-06-12.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210083073A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20230402527A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3796395A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-24.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240079405A1. Автор: Santosh Sharma,Steven Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

High electron mobility transistors having improved performance

Номер патента: US12009417B2. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US20230112917A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US12002681B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: US12002881B2. Автор: Olof Kordina,Jr-Tai Chen. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2024-06-04.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240186384A1. Автор: Mark D. Levy,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Manufacturing of scalable gate length high electron mobility transistors

Номер патента: WO2012017389A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-02-09.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200111901A1. Автор: Wen-Ying Wen,Chih-hao Chen. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Double continuous graded back barrier group iii-nitride high electron mobility heterostructure

Номер патента: US20240162341A1. Автор: John Andrew Logan,Maher Bishara Tahhan. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-05-16.

Double continuous graded back barrier group iii-nitride high electron mobility heterostructure

Номер патента: WO2024107467A1. Автор: John Andrew Logan,Maher Bishara Tahhan. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2024-05-23.

GaN-Based High Electron Mobility Transistors and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20230268431A1. Автор: Kuang-Po Hsueh. Владелец: Nanjing Greenchip Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Asymmetrically angled gate structure and method for making same

Номер патента: EP4281997A1. Автор: John P. Bettencourt,Kenneth A. Wilson,Matthew Thomas Dejarld,Adam Lyle Moldawer. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-11-29.

Integrated enhancement/depletion mode hemt and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190267469A1. Автор: Wei He,Xianfeng Ni,Qian Fan. Владелец: Suzhou Han Hua Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

A high electron mobility field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2013176905A4. Автор: Karim S. Boutros,Sameh Khalil. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2014-01-23.

High power pseudomorphic gallium arsenide high electron mobility transistors

Номер патента: US5262660A. Автор: Po-Hsin Liu,Dwight C. Streit,Kin L. Tan. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1993-11-16.

Compound semiconductor epitaxial substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20060054923A1. Автор: Tsuyoshi Nakano,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-16.

Epitaxial oxide high electron mobility transistor

Номер патента: US20230141076A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Reverse direction high-electron-mobility transistor circuit

Номер патента: US20200126970A1. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-23.

Reverse direction high-electron-mobility logic gate

Номер патента: US20200127664A1. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-23.

Reverse direction high-electron-mobility logic gate

Номер патента: US10651852B1. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-12.

Terahertz radiating device and fabricating method for the same

Номер патента: US20160163915A1. Автор: Jae-Hyung Jang,Sung-min Hong. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-06-09.

Reverse direction high-electron-mobility logic devices

Номер патента: US20200235742A1. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-23.

Reverse direction high-electron-mobility logic devices

Номер патента: US10879694B2. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-29.

P-type passivation contact solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: CN111540794A. Автор: 单伟,何胜,廖晖,徐伟智,马玉超. Владелец: Chint Solar (Zhejiang) Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-14.

Method for producing an opto-electronic integrated circuit

Номер патента: CA1301897C. Автор: Goro Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-05-26.

Substrate manufacturing method for realizing three-dimensional packaging

Номер патента: US20220189789A1. Автор: LEI FENG,Xianming Chen,Benxia Huang,Yejie Hong. Владелец: Zhuhai Access Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Substrate manufacturing method for realizing three-dimensional packaging

Номер патента: US11961743B2. Автор: LEI FENG,Xianming Chen,Benxia Huang,Yejie Hong. Владелец: Zhuhai Access Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024113097A1. Автор: King Yuen Wong,Chi Sun,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Liquid Crystal Display Panel, Array Substrate And Manufacturing Method For The Same

Номер патента: US20170235198A1. Автор: Meng Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor storage device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040173832A1. Автор: Taiji Ema,Tohru Anezaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-09-09.

Liquid crystal display panel, array substrate and manufacturing method for the same

Номер патента: US09904132B2. Автор: Meng Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods for characterizing shallow semiconductor junctions

Номер патента: US09472474B2. Автор: Jean-Luc Everaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-10-18.

Organic light emitting diode display device and method for driving the same

Номер патента: US09524678B2. Автор: Jongsik Shim,Nayoung BAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Electron beam melting furnace and method for operating same

Номер патента: US09773642B2. Автор: Takashi Oda,Takeshi Shiraki,Hisamune Tanaka. Владелец: Toho Titanium Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

System and method for realizing communication connection of analyte detection device

Номер патента: EP4410048A1. Автор: Cuijun YANG. Владелец: Medtrum Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

A composition for a photo-conductive layer and a method for preparing a fluorescent layer on a crt panel

Номер патента: MY133459A. Автор: Min-ho Kim,Jae-Ho Sim. Владелец: Samsung Display Devices Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-30.

Lithium iron phosphate cathode material and method for producing same

Номер патента: US20140212756A1. Автор: Yoshitaka Hamanaka,Yoshiki Sakaguchi. Владелец: Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

High-Voltage Gate Driver that Drives Group III-N High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20120176162A1. Автор: Karl Richard Heck. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Power converter circuits including high electron mobility transistors for switching and rectification

Номер патента: US09467038B2. Автор: Robert Joseph Callanan. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method and system for realizing communication connection of a mobile terminal

Номер патента: WO2017088619A1. Автор: Jing Liu,Sheng Jin,Xiaolei Qin,Zhenyang HONG,Shijie ZHONG. Владелец: SIMO HOLDINGS INC.. Дата публикации: 2017-06-01.

Apparatus and method for correcting data errors

Номер патента: EP1056236A3. Автор: Jun Yoshida,Keiichi Iwamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-07-07.

Method for protecting cell phones from stealing, device and plant for realization of said method

Номер патента: RU2276474C2. Автор: Ричард ТОФФОЛЕ. Владелец: РОБЕРТ Патрик. Дата публикации: 2006-05-10.

Power converter circuits including high electron mobility transistors for switching and rectification

Номер патента: US20150049514A1. Автор: Robert Joseph Callanan. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for realizing fully intelligent security-protecting mobile phone

Номер патента: EP4401396A1. Автор: Wenwu Xie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for realizing video information preview, client and storage medium

Номер патента: US20200120394A1. Автор: Jianhua Kong,Jia Cao,Xingchang Zhu,Guozhu Liang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for realizing multi-party interactive communication and system thereof

Номер патента: US09561438B2. Автор: Wei Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for realizing bluetooth binding of intelligent key device and mobile device

Номер патента: MY173361A. Автор: Zhou Lu,Huazhang Yu. Владелец: Feitian Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-21.

Method for redundancy backup of signaling link in ip network

Номер патента: EP1450510A4. Автор: Min Xi. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2007-11-21.

Method, apparatus and application platform for realizing logon to an application service website

Номер патента: US09794242B2. Автор: Jie Lin,Ningjun DOU. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

A method for realizing metering pulse in ngn

Номер патента: EP1710955A4. Автор: Yangbo Lin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-14.

Method for realizing metering pulse in NGN

Номер патента: US7715359B2. Автор: Yangbo Lin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-11.

Method and device for realizing signaling route in rich communication

Номер патента: EP4007222A1. Автор: LU Zhang,Xiaojun Zhou,Guanjun Li,Mengxiao Wang,Aijun Li,Zhimin Yan. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2022-06-01.

Wireless telecommunications method and mobile device for realizing the same

Номер патента: US20050288004A1. Автор: Chun-Hung Lin. Владелец: Compal Communications Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

A method for realizing multimedia message signature service

Номер патента: EP2003906B1. Автор: Xiang Zhou,Liang Li,Jingxiang Wang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2010-02-24.

Control method for four-switch buck-boost converter

Номер патента: US20240266959A1. Автор: QI Liu,Longxing Shi,Weifeng Sun,Qinsong Qian,Leilei SHI,Weiwei ZHAI. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

Device and method for realizing broadcast service protection in optical transport network

Номер патента: PH12019500595A1. Автор: Yaqin Wang. Владелец: Fiberhome Telecommunication Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-20.

Control method for four-switch buck-boost converter

Номер патента: US12062985B1. Автор: QI Liu,Longxing Shi,Weifeng Sun,Qinsong Qian,Leilei SHI,Weiwei ZHAI. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-13.

Tweeter and method for realizing omnidirectional high pitch sound field

Номер патента: US09906861B2. Автор: Song Liu,Yitao Liu. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

System and method for limiting mobile phone use by drivers

Номер патента: US20240214487A1. Автор: Dilip Jehtala Mehta. Владелец: Prana Enterprise Pty Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for realizing bluetooth-binding between smart key device and mobile device

Номер патента: US20160269103A1. Автор: Zhou Lu,Huazhang Yu. Владелец: Feitian Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Method for realizing communication sessions using a telecommunications network

Номер патента: US20240259438A1. Автор: Roland Schott,Roland JESSKE,Michael Kreipl,Bastian Dreyer. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2024-08-01.

Multimedia message gateway and a method for realizing the gateway flow control

Номер патента: US20110320517A1. Автор: Hengsheng Zhang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

System and method for automatically limiting mobile device functionality

Номер патента: AU2023233221A1. Автор: Gary Edward Tonkin. Владелец: HARDFACING IND WA Pty Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Visible-light communication MIMO system and method for realizing data transceiving therefor

Номер патента: US09967029B2. Автор: ZHOU Zhi,WEI Wei,Zhong Yu,Xiaohong Chen,Wenxin HONG. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for realizing awakening of small cell, access network element device and computer storage medium

Номер патента: US09955417B2. Автор: Feng Xie,Yin Gao. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for realizing bluetooth-binding between smart key device and mobile device

Номер патента: US09787393B2. Автор: Zhou Lu,Huazhang Yu. Владелец: Feitian Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for realizing secure communication

Номер патента: US09633211B2. Автор: Zhou Lu,Huazhang Yu. Владелец: Feitian Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of modelling the spectrum of a signal and apparatus for realizing the method

Номер патента: WO1996035259A1. Автор: Unto Kalervo Laine. Владелец: Unto Kalervo Laine. Дата публикации: 1996-11-07.

Method for realizing stable display of 5g signal

Номер патента: EP4142364A1. Автор: Yuejun Zhu. Владелец: JRD Communication Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Terminal device and method for realizing analogue circuit in terminal device

Номер патента: US20130214849A1. Автор: Weiwei Ma. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

ARRANGEMENT AND METHOD FOR REALIZATION OF VIRTUAL SHARED MEDIUM FOR QoS

Номер патента: EP1310064B1. Автор: Niklas Borg,Joachim Johansson,Emil Svanberg,Anders Bergsten. Владелец: Telia AB. Дата публикации: 2007-12-12.

System and method for limiting mobile phone use by drivers

Номер патента: AU2022312477A1. Автор: Dilip Jehtala Mehta. Владелец: Prana Entpr Pty Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

ARRANGEMENT AND METHOD FOR REALIZATION OF VIRTUAL SHARED MEDIUM FOR QoS

Номер патента: WO2002005498A1. Автор: Niklas Borg,Joachim Johansson,Emil Svanberg,Anders Bergsten. Владелец: Telia Ab (Publ). Дата публикации: 2002-01-17.

ARRANGEMENT AND METHOD FOR REALIZATION OF VIRTUAL SHARED MEDIUM FOR QoS

Номер патента: EP1310064A1. Автор: Niklas Borg,Joachim Johansson,Emil Svanberg,Anders Bergsten. Владелец: Telia AB. Дата публикации: 2003-05-14.

Device and method for receiving digital broadcast signal

Номер патента: US09628780B2. Автор: Jeehyun Choe,Jongyeul Suh,Jinpil Kim,Kwansuk Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for data detection, and user equipment

Номер патента: US20200067679A1. Автор: Liu Liu,Qin MU,Jiahui Liu. Владелец: NTT DOCOMO INC. Дата публикации: 2020-02-27.

Apparatus for avoiding IKE process conflict and method for the same

Номер патента: US20060215674A1. Автор: Chia-Yuan Chen,Chi-Wei Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

Method, system and device for realizing the intelligent service

Номер патента: EP2086172A4. Автор: Yaodong Liu,Yongfeng Cai,Taiyong DUN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-25.

Modulation method for power-efficient transmissions

Номер патента: EP4388713A1. Автор: Ismael Peruga Nasarre,Mikko Valkama,Markku Renfors,Toni Aleksi Levanen,Juha YLI-KAAKINEN. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-06-26.

Optical sampling signal holding method for photonic analog-to-digital conversion system

Номер патента: US12074608B2. Автор: Weiwen ZOU,Na Qian,Shiyu HUA. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for restoring connections in a network

Номер патента: WO2010037594A1. Автор: Stefan Ansorge. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2010-04-08.

Demonstration devices and methods for enhancement for low vision users and systems improvements

Номер патента: US11756168B2. Автор: Brian Kim,Jay E. Cormier,David Watola. Владелец: Eyedaptic Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method and apparatus for realizing video conference, and electronic device and computer-readable storage medium

Номер патента: EP4167567A1. Автор: Teng GUO,Yifang Yu. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-04-19.

Method and apparatus for realizing optical network unit activation

Номер патента: EP4373126A2. Автор: Dan Geng,Weiliang Zhang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-05-22.

Methods and systems for realizing reduced complexity in three-dimensional digitizer systems

Номер патента: WO2012018989A2. Автор: Ivan Faul,Dennis Toms. Владелец: Boulder Innovation Group Inc.. Дата публикации: 2012-02-09.

Method for realizing rapid power response, and new energy power plant

Номер патента: EP4293854A1. Автор: Yanzhong ZHANG,Yanbai Shen,Shuchao Wang. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

A method for realizing handover between systems

Номер патента: EP1871134A4. Автор: Shijun Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-29.

Method and apparatus for realizing optical network unit activation

Номер патента: US20190014398A1. Автор: Dan Geng,Weiliang Zhang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Method and apparatus for realizing optical network unit activation

Номер патента: EP4373126A3. Автор: Dan Geng,Weiliang Zhang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Processing device and method for improving S/N ratio

Номер патента: US09918162B2. Автор: Shinpei TSUCHIYA,Kohei Asada,Koji Nageno,Daizen Kobayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for realizing ambience listening, and radio unit

Номер патента: AU1952895A. Автор: Mika Lehmusto,Mika Heiskari. Владелец: Nokia Telecommunications Oy. Дата публикации: 1995-10-17.

System and beam management method for mimo systems

Номер патента: WO2024144625A1. Автор: Huseyin Arslan,Liza Afeef Omar Shehab El Din,Peri GUNES. Владелец: Ulak Haberleşme Anoni̇m Şi̇rketi̇. Дата публикации: 2024-07-04.

Laser projection display and method for aligning color of the same

Номер патента: US09513540B2. Автор: Jaehyuk Lim,Jideok Kim,Jaewook Kwon,Jaeho OH. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-12-06.

Variable coding method for realizing chip reuse and communication terminal therefor

Номер патента: US20180351553A1. Автор: Sheng Lin. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Method for determining layout of ecu

Номер патента: US20240214241A1. Автор: Keita Goto. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

A realization method for harq in multiple frequency points cell

Номер патента: EP1950903A1. Автор: Dapeng Li,Zijiang Ma,Zhifeng Ma,Yincheng Zhang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2008-07-30.

Method for realizing voice preference over packet data service and voice service in a cdma system

Номер патента: CA2523003C. Автор: Yuhong Xue,Jiazhou Chen. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2013-04-02.

Method, system and device for realizing user identity association

Номер патента: CA2672851C. Автор: Shufeng Shi,Xuexia Yan,Deping Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-25.

Method and mobile terminal for realizing communication connection thereof

Номер патента: WO2017067518A1. Автор: Jing Liu,Sheng Jin,Xiaolei Qin,Zhenyang HONG,Shijie ZHONG. Владелец: SIMO HOLDINGS INC.. Дата публикации: 2017-04-27.

Device and method for realizing data synchronization

Номер патента: US20220078004A1. Автор: Peng Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Device and method for realizing data synchronization

Номер патента: US11502814B2. Автор: Peng Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Method, apparatus and system for realizing carrier grade network address translation

Номер патента: EP4117251A1. Автор: Yong Chen,Guangping Huang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-01-11.

Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US12108182B2. Автор: Ken Miyauchi. Владелец: Brillnics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Bandgap reference circuit and method for producing the circuit

Номер патента: US8305069B2. Автор: Leon C. M. Van Den Oever,Jeroen Bouwman. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2012-11-06.

Bandgap reference circuit and method for producing the circuit

Номер патента: US20110215789A1. Автор: Jeroen Bouwman,Léon C.M. van den Oever. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2011-09-08.

Method for making wire, rods and seamless tubes and rolling plant for performing the same

Номер патента: RU2274503C2. Автор: Манфред ЛЕФЕРИНК. Владелец: СМС МЕЕР ГМБХ. Дата публикации: 2006-04-20.

Cryptographic method and chip-card for realization of said method (variants)

Номер патента: RU2276465C2. Автор: Мартин ЗЕЙЗЕН. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2006-05-10.

Communication system of expanded order based on internet and method for realization of the same

Номер патента: RU2273880C2. Автор: Ёнг-Нам ПАРК. Владелец: Ёнг-Нам ПАРК. Дата публикации: 2006-04-10.

Apparatus and method for realizing real-time spatial structure

Номер патента: US20230211242A1. Автор: Seong Jae Lim,Seung Wook Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-07-06.

Method, apparatus, terminal device and medium for realizing otg communication without plugging and unplugging

Номер патента: US20240248868A1. Автор: Zhou Lu. Владелец: Feitian Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Apparatus and method for realizing runtime system for programming language

Номер патента: US09921858B2. Автор: Kazunori Ogata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for continuous production of tetraphosphorus polysulfides and device for its realization

Номер патента: RU2049052C1. Автор: Энжель Филип,Куран Алан. Владелец: Атошем. Дата публикации: 1995-11-27.

Device and method for generating a sequence of industrial process

Номер патента: US5208743A. Автор: Hiroshi Nishikawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1993-05-04.

Method for realizing a tennis court, and such a tennis court

Номер патента: EP2330252A3. Автор: Gosewinus Bos,Friso Van den Berg. Владелец: Oranjewoud Realisatie BV. Дата публикации: 2016-03-02.

System and method for realizing a building system

Номер патента: EP2686793A1. Автор: Deepak J. Aatresh,Zigmund Rubel,Ward A. VERCRUYSSE. Владелец: Aditazz Inc. Дата публикации: 2014-01-22.

E-commerce system and a method for achieving

Номер патента: US20140316972A1. Автор: Dongsheng Yan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-23.

Method for realizing a parallel connection, and a parallel connection

Номер патента: WO1995010807A1. Автор: Olli Rissanen,Esko Rautanen. Владелец: Nokia Telecommunications Oy. Дата публикации: 1995-04-20.

Method for realizing embossed decorative elements on physical supports

Номер патента: EP4434715A1. Автор: Francesco Celante,Marco CALENDA. Владелец: ROTAS ITALIA SRL. Дата публикации: 2024-09-25.

Method for realising cartons for packing and an apparatus actuating the method

Номер патента: US09962895B2. Автор: Giuseppe Ponti. Владелец: FL Auto SRL. Дата публикации: 2018-05-08.

System and method for realizing a building system

Номер патента: US09607110B2. Автор: Deepak J. Aatresh,Zigmund Rubel,Ward A. VERCRUYSSE. Владелец: Aditazz Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Filter for water treatment filtering and method for producing the same

Номер патента: US09486748B2. Автор: Keiichi Yamakawa,Tomoka Ogura. Владелец: WL Gore and Associates GK. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for scheduling of storage devices

Номер патента: US7849285B2. Автор: Takuya Okamoto,Nobuo Beniyama,Shunya Tabata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-12-07.

Apparatus and method for realizing a precision measuring device

Номер патента: US11085757B2. Автор: Fabrizio MARTINI. Владелец: ELBO CONTROLLI Srl. Дата публикации: 2021-08-10.

Apparatus and method for realizing a precision measuring device

Номер патента: EP3712566A1. Автор: Fabrizio MARTINI. Владелец: ELBO CONTROLLI Srl. Дата публикации: 2020-09-23.

Device and method for installing muntin bars into a frame

Номер патента: US20020053173A1. Автор: Harald Apfelthaler. Владелец: R and R Sondermaschinen GmbH. Дата публикации: 2002-05-09.

Apparatus and method for realizing a precision measuring device

Номер патента: US20200300611A1. Автор: Fabrizio MARTINI. Владелец: ELBO CONTROLLI Srl. Дата публикации: 2020-09-24.

Zoning Method for Phreatic Water Resources Protection Grade in Arid and Semi-arid Mining Area

Номер патента: AU2021104330A4. Автор: Wenhui Zhang,Weiguo LI,Shiliang Liu. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2021-09-16.

Methods for biological processing of hydrocarbon-containing substances and system for realization thereof

Номер патента: US20240110105A1. Автор: Jerry Wayne FINNEY. Владелец: Mcfinney LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for separating biomass components by ternary system

Номер патента: US20230323597A1. Автор: Yongchao Zhang,Menghua Qin,Yingjuan Fu. Владелец: Qilu University of Technology. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods for biological processing of hydrocarbon-containing substances and system for realization thereof

Номер патента: US12084618B2. Автор: Jerry Wayne FINNEY. Владелец: Mcfinney LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

A method for placing rooms in a building system

Номер патента: WO2017095754A1. Автор: Alexander Khainson,Zachary Deretsky,Maxim Samsonov,Timur Gamerov. Владелец: ADITAZZ, INC.. Дата публикации: 2017-06-08.

Method for placing rooms in a building system

Номер патента: US20170154263A1. Автор: Alexander Khainson,Zachary Deretsky,Maxim Samsonov,Timur Gamerov. Владелец: Aditazz Inc. Дата публикации: 2017-06-01.

Process for realizing a thin lens and thin lens

Номер патента: EP3420404A1. Автор: Gianni Vetrini. Владелец: Barberini SpA. Дата публикации: 2019-01-02.

Coupling device and method for fabricating a grip ring to be used in such a coupling device

Номер патента: US20010030421A1. Автор: Dries Nijsen,Michel HULSEBOS. Владелец: Georg Fischer Waga NV. Дата публикации: 2001-10-18.

Method for designing diodes

Номер патента: US09418197B1. Автор: Gianluca Boselli,Farzan Farbiz,Akram A. Salman,Aravind C. Appaswamy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Lens for selective mirroring glasses and method for realizing a selective mirroring lens

Номер патента: WO2024023701A1. Автор: Elena CAPETTI,Flavio RABEZZANA. Владелец: LUXOTTICA S.R.L.. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for realizing burning candle on internet space

Номер патента: US20020013713A1. Автор: Dong Wook Shin,Sung Chul Lee. Владелец: Hoseo University. Дата публикации: 2002-01-31.

System, server and method for realizing individual services for subscriber

Номер патента: US20080189362A1. Автор: Xiaomin Shi,Jieping Zhong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Method, 3d display device and 3d terminal for realizing floating touch

Номер патента: US20220413619A1. Автор: Honghao DIAO,Lingxi HUANG. Владелец: Visiotech Ventures Pte Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for realizing multi-column continuous flow chromatography design and analysis

Номер патента: US20220381751A1. Автор: Ce Shi,Dong Qiang LIN,Shan Jing YAO. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2022-12-01.

Method for forming dual-depth isolation channels through P type ion injection

Номер патента: CN102437030A. Автор: 罗飞. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-05-02.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and system for realizing secure forking call session in IP multimedia subsystem

Номер патента: US20120002816A1. Автор: Teng Zhimeng,Wei Yinxing,Tian Tian,Zhu Yunwen. Владелец: ZTE CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

Adjusting Method For Recording Condition And Optical Disc Device

Номер патента: US20120002527A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for realization of protective isolation of ethernet network services

Номер патента: RU2319313C2. Автор: Минхун ЦЗЯ,Юн Ю,Линбо СЮЙ. Владелец: Зте Корпорейшн. Дата публикации: 2008-03-10.

Method for actualization of digital area map and device for realization of said method

Номер патента: RU2246695C2. Автор: В.Л. Кашин,Л.И. Яблонский. Владелец: 29 Нии Мо Рф. Дата публикации: 2005-02-20.

Image generation method and device for realization of the method

Номер патента: RU2313920C1. Автор: Борис Иванович Волков. Владелец: Борис Иванович Волков. Дата публикации: 2007-12-27.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001953A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR TRANSMITTING AND RECEIVING MBS DATA

Номер патента: US20120002582A1. Автор: . Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for determining direction to source of optical radiation on basis of component, dissipated in atmosphere, and device for realization of said method

Номер патента: RU2285275C1. Автор: Владимир Михайлович Коровин,Александр Юрьевич Козирацкий,Павел Евгеньевич Кулешов,Дмитрий Владимирович Прохоров,Яха Яхъяевна Хаджиева,Юрий Леонтьевич Козирацкий,Сергей Владимирович Голубев,Алексей Викторович Кусакин,Владимир Петрович Дунец,Виктор Иванович Подлужный,Александр Вячеславович Шамарин,Юрий Леонтьевич Козирацкий (RU),Павел Евгеньевич Кулешов (RU),Алексей Викторович Кусакин (RU),Дмитрий Владимирович Прохоров (RU),Александр Юрьевич Козирацкий (RU),Сергей Владимирович Голубев (RU),Яха Яхъ евна Хаджиева (RU),Виктор Иванович Подлужный (RU),Владимир Петрович Дунец (RU),Владимир Михайлович Коровин (RU),Александр В чеславович Шамарин (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Военный институт радиоэлектроники. Дата публикации: 2006-10-10.

DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002128A1. Автор: NAKAGAWA Hidetoshi. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for replicating information in distributed databases and system for realization thereof

Номер патента: RU2315349C1. Автор: Михаил ТОПР. Владелец: Михаил ТОПР. Дата публикации: 2008-01-20.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR PROVIDING 3D AUGMENTED REALITY

Номер патента: US20120001901A1. Автор: PARK Sun-Hyung. Владелец: Pantech Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for obtaining semi-finished food dish

Номер патента: RU2210284C2. Автор: Г.Г. Валеев,Г.Г. Гофман,М.К. Дзалаев,И.Я. Либин. Владелец: Зао "Тимакс". Дата публикации: 2003-08-20.

Method for protecting surface of construction objects

Номер патента: RU2139980C1. Автор: В.П. Блажко. Владелец: Милюков Леонид Александрович. Дата публикации: 1999-10-20.

Method for reducing aftereffect of flood

Номер патента: RU2141551C1. Автор: Б.П. Таланов. Владелец: Таланов Борис Петрович. Дата публикации: 1999-11-20.

GLOVE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000005A1. Автор: KISHIHARA Hidetoshi,II Yasuyuki. Владелец: SHOWA GLOVE CO.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Manufacturing Alloy Resistor

Номер патента: US20120000066A1. Автор: . Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Operating a Motor-Drive Device for a Home Automation Installation Comprising a Shutter Provided with Two Leaves

Номер патента: US20120000133A1. Автор: Rohee Clément. Владелец: Somfy SAS. Дата публикации: 2012-01-05.

Machine and Method for Installing Curved Hardwood Flooring

Номер патента: US20120000159A1. Автор: Young Julius. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DETECTING ABNORMALITY IN REDUCING AGENT

Номер патента: US20120000185A1. Автор: Narita Hironori. Владелец: HINO MOTORS ,LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device and Method for Controlling Compressor of Vehicles

Номер патента: US20120000210A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING COMPRESSOR OF VEHICLES

Номер патента: US20120000211A1. Автор: Kwon Choon Gyu,KIM Jae Woong,LEE Chang Won. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING OPTICAL FIBER PREFORM

Номер патента: US20120000249A1. Автор: HAMADA Takahiro. Владелец: FUJIKURA LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING AMINO ACID LIQUID FERTILIZER USING LIVESTOCK BLOOD AND AMINO ACID LIQUID FERTILIZER MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20120000260A1. Автор: Oh Jin Yeol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PROVIDING AT LEAST ONE WORK ROLL FOR ROLLING ROLLING STOCK

Номер патента: US20120000263A1. Автор: . Владелец: SMS SIEMAG AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2012-01-05.

AUTOMATIC HEAT TREATMENT METHOD FOR METAL RING

Номер патента: US20120000265A1. Автор: Watabe Yoshiharu,Saruyama Masaomi,Tsuyuzaki Hiroyuki. Владелец: HONDA MOTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

EXPANSION TOOL AND METHOD FOR COLD EXPANSION OF HOLES

Номер патента: US20120000266A1. Автор: Wölcken Piet,Reese Eggert D.,Jones Timothy G.B.. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE GEAR BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120000307A1. Автор: Oolderink Rob,Nizzoli Ermanno,Vandenbruaene Hendrik. Владелец: QUADRANT EPP AG. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR CUTTING POROUS SUBSTRATES

Номер патента: US20120000330A1. Автор: Griffin Weston Blaine. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus and Method for Biogas Purification

Номер патента: US20120000357A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Composition and method for dust suppression wetting agent

Номер патента: US20120000361A1. Автор: Weatherman Greg,Cash Marcia. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION OF CELLULOSE FIBERS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000392A1. Автор: Isogai Akira,Mukai Kenta,Kumamoto Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Tricalcium Phosphate Coarse Particle Compositions and Methods for Making the Same

Номер патента: US20120000394A1. Автор: Delaney David C.,Jalota Sahil,Yetkinler Duran N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

MILKING PARLOUR AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120000427A1. Автор: . Владелец: DELAVAL HOLDING AB. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS FOR ADMINISTRATION OF POSITIVE AIRWAY PRESSURE THERAPIES

Номер патента: US20120000463A1. Автор: Bordewick Steven S.,Bowman Bruce,Baser Joseph A.. Владелец: SOMNETICS GLOBAL PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND ASSOCIATED METHOD FOR PREVENTING OVERFILLING IN A DISHWASHER

Номер патента: US20120000535A1. Автор: Poyner Dennis A.,Mitchell Glen,Duckworth Jason,DeFilippi John,Francisco Virgil J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Collecting and Storing Rain and Snow and For Irrigating, and Apparatus Therefor

Номер патента: US20120000537A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for the Collection, Retention, and Redistribution of Rainwater and Methods of Construction of the Same

Номер патента: US20120000546A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HOLDING DEVICES AND METHODS FOR USING THE SAME

Номер патента: US20120000571A1. Автор: Foscarota Valentino. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for the beta annealing of a workpiece produced from a Ti alloy

Номер патента: US20120000581A1. Автор: Buscher Markus,Witulski Thomas. Владелец: OTTO FUCHS KG. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Corrosion Protection Treatment

Номер патента: US20120000591A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120000595A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING PLASTIC LABELS WITH SELF-ADHESIVE PATTERN, AND ATTACHING SUCH LABELS TO A TIN

Номер патента: US20120000598A1. Автор: . Владелец: REYNDERS ETIKETTEN, NAAMLOZE VENNOOTSCHAP. Дата публикации: 2012-01-05.

Device and Method for Fixing a Component in Position on a Component Carrier

Номер патента: US20120000601A1. Автор: Fessler-Knobel Martin,Huttner Roland. Владелец: MTU AERO ENGINES GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRANGEMENT, SYSTEM AND METHOD FOR TREATMENT OF CELLULOSE PULP

Номер патента: US20120000619A1. Автор: ENGELFELDT Andreas,Ernerfeldt Bertil,Lindkvist David. Владелец: METSO PAPER, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR STABILIZATION OF MINE VOIDS USING WASTE MATERIAL AND A BINDING AGENT

Номер патента: US20120000654A1. Автор: Justice Charles Russell. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus And Methods For Producing Oil and Plugging Blowouts

Номер патента: US20120000656A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Soil Saturation and Digging

Номер патента: US20120000710A1. Автор: Gomez Randy Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BIOLOGICAL GRAFT TRANSFERRING INSTRUMENT AND METHOD FOR TRANSFERRING BIOLOGICAL GRAFT

Номер патента: US20120000745A1. Автор: Nozaki Yusuke. Владелец: TERUMO KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SCANDIUM ALUMINUM NITRIDE FILM

Номер патента: US20120000766A1. Автор: Kano Kazuhiko,Nishikubo Keiko,TESHIGAHARA Akihiko,AKIYAMA Morito,Tabaru Tatsuo. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for Manufacturing a Vacuum Chamber and Components Thereof, and Improved Vacuum Chambers and Components Thereof

Номер патента: US20120000811A1. Автор: . Владелец: Kurt J. Lesker Company. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Casualty Treatment and Evacuation in Response to an Emergency Situation

Номер патента: US20120000813A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HYDROPROCESSING CATALYSTS AND METHODS FOR MAKING THEREOF

Номер патента: US20120000821A1. Автор: Yang Shuwu,Reynolds Bruce Edward,Chabot Julie,Kou Bo. Владелец: CHEVRON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

NANOPOROUS FILMS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000845A1. Автор: Park Han Oh,Kim Jae Ha,JIN Myung Kuk. Владелец: BIONEER CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR REPAIRING GAS TURBINE BLADES AND GAS TURBINE BLADE

Номер патента: US20120000890A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRICALLY EXTENSIVELY HEATABLE, TRANSPARENT OBJECT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND USE THEREOF

Номер патента: US20120000896A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Pulsed Operation of a Light Barrier, and a Light Barrier

Номер патента: US20120001062A1. Автор: Ottleben Bernd,Ottleben Petra,Mock Bernward. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.