通过p型钝化实现增强型HEMT的方法
Номер патента: CN113380623A
Опубликовано: 10-09-2021
Автор(ы): 于国浩, 付凯, 宋亮, 张宝顺, 张晓东, 范亚明, 蔡勇, 郝荣晖
Принадлежит: SUZHOU NENGWU ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 10-09-2021
Автор(ы): 于国浩, 付凯, 宋亮, 张宝顺, 张晓东, 范亚明, 蔡勇, 郝荣晖
Принадлежит: SUZHOU NENGWU ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
High electron mobility transistor hemt device, wafer, packaging device, and electronic device
Номер патента: EP4210111A1. Автор: Hang Wang,DONGLIANG Zhang,Feng Xie,Jianyun Zhu,Ronghua XIE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.