Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Silicon carbide Schottky diode and manufacturing method thereof

Silicon carbide Schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4126359B2
Опубликовано: 30-07-2008
Автор(ы): 恒一 西川, 正章 清水, 祐介 福田
Принадлежит: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Silicon carbide junction barrier schottky diodes with suppressed minority carrier injection

Номер патента: EP1880423A2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-01-23.

Schottky diode with low leakage current and fabrication method thereof

Номер патента: US7382035B2. Автор: Hyung Choi,Dong-sik Shim,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-03.

Schottky diode with low leakage current and fabrication method thereof

Номер патента: US20060186421A1. Автор: Hyung Choi,Dong-sik Shim,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-24.

Novel silicon carbide junction barrier Schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: CN109560142B. Автор: 蔡文必,高秀秀,陶永洪. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Silicon carbide-barrier layer-schottky diode, has trenches provided in region of silicon carbide layer with depth and in distance so that electrical field intensity at schottky-transition-boundary surface is equal to specific value or small

Номер патента: DE102012023512A1. Автор: Natsuki Yokoyama,Kumiko Konishi,Norifumi Kameshiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

Silicon carbide junction barrier schottky diode

Номер патента: CN114171607A. Автор: 刘涛,刘旭,尹杰,刘勇强,杨承晋,兰华兵. Владелец: Shenzhen Sen Ke Polytron Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-11.

Silicon carbide junction barrier schottky diodes with supressed minority carrier injection

Номер патента: US20060255423A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Transverse Schottky diode based on interdigital structure and preparation method thereof

Номер патента: CN111477678A. Автор: 王军,侯斌,马晓华,郝跃,杨凌,张蒙,宓珉瀚. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-07-31.

Silicon carbide mosfets with integrated antiparallel junction barrier schottky free wheeling diodes and methods of fabricating same

Номер патента: WO2004097944A2. Автор: Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc.. Дата публикации: 2004-11-11.

Silicon carbide mosfets with integrated antiparallel junction barrier schottky diode and methods of fabricating same

Номер патента: EP1616356A2. Автор: Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-01-18.

Silicon carbide mosfets with integrated antiparallel junction barrier schottky free wheeling diodes and methods of fabricating same

Номер патента: WO2004097944A3. Автор: Sei-Hyung Ryu. Владелец: Sei-Hyung Ryu. Дата публикации: 2004-12-23.

Silicon carbide Schottky diode and method of making the same

Номер патента: US20070293001A1. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Chip Integration Tech Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-20.

Counter-doped silicon carbide Schottky barrier diode

Номер патента: US11728440B2. Автор: James A. Cooper,Rahul R. Potera. Владелец: Semiq Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Counter-Doped Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

Номер патента: US20220059708A1. Автор: James A. Cooper,Rahul R. Potera. Владелец: Semiq Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Silicon carbide schottky diode

Номер патента: US09627553B2. Автор: Giovanni Richieri. Владелец: Siliconix Technology CV. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing silicon carbide schottky barrier diode

Номер патента: US8980732B2. Автор: Jong Seok Lee,Kyoung Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-17.

Trench junction barrier schottky diode with voltage reducing layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200321478A1. Автор: Ruigang Li,Zheng Zuo,Na Ren. Владелец: AZ Power Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Sicilon carbide diode having high surge current capability and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210336010A1. Автор: PENG Ye,Zhuo Yang,Yuanzheng ZHU,Jingcheng ZHOU. Владелец: Wuxi NCE Power Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Silicon carbide schottky barrier diode and method of making

Номер патента: EP1405350A1. Автор: Dev Internationaal Octrooibureau B.V. ALOK. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-04-07.

Counter-doped silicon carbide Schottky barrier diode

Номер патента: US11631773B2. Автор: James A. Cooper,Rahul R. Potera. Владелец: Semiq Inc. Дата публикации: 2023-04-18.

Method for manufacturing silicon carbide schottky barrier diode

Номер патента: US20130115758A1. Автор: Jong Seok Lee,Kyoung Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2013-05-09.

Silicon carbide schottky diode

Номер патента: US20140042459A1. Автор: Giovanni Richieri. Владелец: Siliconix Technology CV. Дата публикации: 2014-02-13.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220190117A1. Автор: Chien-Chung Hung,Kuo-Ting CHU,Chwan-Yin LI. Владелец: Shanghai Hestia Power Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Sic-based electronic device with improved gate dielectric and manufacturing method thereof, diode

Номер патента: US20240079455A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Fabrizio Roccaforte,Patrick FIORENZA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-03-07.

Diode device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9859447B2. Автор: Chih-Wei Hsu,Yu-Hung Chang,Shih-han Yu,Sung-Ying Tsai,Ju-Hsu Chuang. Владелец: Lite On Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Diode device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09859447B2. Автор: Chih-Wei Hsu,Yu-Hung Chang,Shih-han Yu,Sung-Ying Tsai,Ju-Hsu Chuang. Владелец: Lite On Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Silicon carbide schottky barrier diode and method of making

Номер патента: US6797586B2. Автор: Alok Dev. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-09-28.

Silicon carbide schottky barrier diode and method of making

Номер патента: WO2003003474A1. Автор: Dev Alok. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-01-09.

Silicon-carbide shielded-mosfet embedded with trench schottky diode and heterojunction gate

Номер патента: WO2021072791A1. Автор: Shu Kin Yau,Siu Wai Wong. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited. Дата публикации: 2021-04-22.

Insulated gate power semiconductor device with Schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2259327A3. Автор: Ferruccio Frisina,Angelo Magri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-06-29.

Semiconductor Device Including Trench Contact Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20210020740A1. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-01-21.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20170301783A1. Автор: Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Edge termination structures for silicon carbide devices

Номер патента: US09515135B2. Автор: Allan Ward,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Silicon carbide device and a method for manufacturing a silicon carbide device

Номер патента: US09412808B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Christian Hecht,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-09.

Schottky diode and manufacturing method therefor

Номер патента: US20220416092A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Silicon Carbide Device and a Method for Manufacturing a Silicon Carbide Device

Номер патента: US20150187871A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Christian Hecht,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-07-02.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor apparatus and silicon carbide semiconductor apparatus fabricated thereby

Номер патента: US09768260B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Molybdenum barrier metal for SiC Schottky diode and process of manufacture

Номер патента: US09627552B2. Автор: Giovanni Richieri. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Silicon carbide substrate and method for producing silicon carbide substrate

Номер патента: US09882010B2. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160225855A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Wide bandgap high-density semiconductor switching device and manufacturing process thereof

Номер патента: US09711599B2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Simone Rascuna,Fabrizio Roccaforte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-18.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691859B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230335632A1. Автор: Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Silicon carbide power device equipped with termination structure

Номер патента: US20150102362A1. Автор: Cheng-Tyng Yen,Lurng-Shehng Lee,Chien-Chung Hung,Chwan-Ying Lee. Владелец: Hestia Power Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Silicon carbide power diode device and fabrication method thereof

Номер патента: US11967651B2. Автор: Yonghong Tao,Zhidong Lin,Zhigao Peng. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11869943B2. Автор: Chien-Chung Hung,Kuo-Ting CHU,Chwan-Yin LI. Владелец: Shanghai Hestia Power Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Silicon carbide power diode device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220005959A1. Автор: Yonghong Tao,Zhidong Lin,Zhigao Peng. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Schottky barrier diode and method for manufacturing schottky barrier diode

Номер патента: US20150076515A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-19.

Schottky barrier diode and method for manufacturing schottky barrier diode

Номер патента: US9006746B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-04-14.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09559217B2. Автор: Keiji Wada,Kenji Kanbara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device

Номер патента: EP4113581A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Paolo BADALA',Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-04.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9397155B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Masaki Furumai,Mitsuhiko Sakai,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Silicon carbide semiconductor device and power converter

Номер патента: US12057496B2. Автор: Shiro Hino,Hideyuki HATTA,Koji Sadamatsu,Yuichi Nagahisa,Kotaro Kawahara,Shingo Tomohisa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09799732B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: WO2023052355A1. Автор: Lars Knoll,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-04-06.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device

Номер патента: US20220415655A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Paolo BADALA',Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-12-29.

Silicon carbide semiconductor device and power conversion device using silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274709A1. Автор: Shiro Hino,Kotaro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150318357A1. Автор: Yoichiro Tarui,Koji Okuno,Chihiro Tadokoro. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9324806B2. Автор: Yoichiro Tarui,Koji Okuno,Chihiro Tadokoro. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140077226A1. Автор: Yoichiro Tarui,Takeshi Kitani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Schottky diode with metal gate electrode and forming method thereof

Номер патента: CN107068566A. Автор: P.里斯,D.西普拉克. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-18.

Method for manufacturing a silicon carbide device and a silicon carbide device

Номер патента: US09704718B2. Автор: Ralf Otremba,Anton Mauder,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230099660A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US9455248B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140346594A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148363A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160358906A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor Device with Embedded Schottky Diode And Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20220045223A1. Автор: Qian Sun,Wai Tien Chan,Wing Chong Tony CHAU,Wing Kit CHEUNG,Ho Nam LEE. Владелец: Alpha Power Solutions Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Controlled Ion Implantation into Silicon Carbide Using Channeling and Devices Fabricated Using Controlled Ion Implantation into Silicon Carbide Using Channeling

Номер патента: US20180069083A1. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Methods of Forming Buried Junction Devices in Silicon Carbide Using Ion Implant Channeling and Silicon Carbide Devices Including Buried Junctions

Номер патента: US20170084700A1. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions

Номер патента: US09484413B2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions

Номер патента: WO2015013628A2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

Controlled ion implantation into silicon carbide using channeling and devices fabricated using controlled ion implantation into silicon carbide using channeling

Номер патента: US09768259B2. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Controlled ion implantation into silicon carbide

Номер патента: EP3025372A1. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-06-01.

Controlled ion implantation into silicon carbide

Номер патента: EP4009380A2. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2022-06-08.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09722017B2. Автор: Nobuyuki Tomita,Takaaki TOMINAGA,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09627525B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Diffused junction termination structures for silicon carbide devices

Номер патента: US09570560B2. Автор: Qingchun Zhang,Anant K. Agarwal,Tangali S. Sudarshan,Alexander Bolotnikov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Substrate with silicon carbide film, semiconductor device, and method for producing substrate with silicon carbide film

Номер патента: US09536954B2. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP3989264A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

Semiconductor device including mosfet region and diode region and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240128260A1. Автор: Seung Hyun Kim,Hee Bae Lee,Jae Yuhn MOON,Soon Jong Park. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20090134404A1. Автор: Kenichi Kuroda,Hiroshi Sugimoto,Noboru Mikami,Yoshinori Matsuno,Kenichi Ohtsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Silicon carbide static induction transistor and method for manufacturing same

Номер патента: WO1998034283A1. Автор: Saptharishi Sriram,Rowland C. Clarke,Richard R. Siergiej. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 1998-08-06.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACTS, INTEGRATED CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20100155743A1. Автор: Oliver Haeberlen,Franz Auerbach,Michael Treu,Kathrin Rueschenschmidt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-06-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190237547A1. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

High temperature transducer using SOI, silicon carbide or gallium nitride electronics

Номер патента: US09915578B2. Автор: Anthony D. Kurtz,Wolf S. Landmann,Alexander A. Ned,Joseph R. VanDeWeert. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Silicon carbide switching device with rectifying-gate

Номер патента: US5396085A. Автор: Bantval J. Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1995-03-07.

Igbt with built-in diode and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160240528A1. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

IGBT with built-in diode and manufacturing method therefor

Номер патента: US09595520B2. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Bidirectional silicon carbide transient voltage suppression devices

Номер патента: EP2409329A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Sarah Kay Haney. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-01-25.

Bidirectional silicon carbide transient voltage supression devices

Номер патента: US20130240908A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Sarah Kay Haney. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Methods of forming uniformly doped deep implanted regions in silicon carbide and silicon carbide layers including uniformly doped implanted regions

Номер патента: US20230420575A1. Автор: Steven Rogers,Edward Robert Van Brunt,Rahul R. Potera. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method of silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20230378341A1. Автор: Bo Shi,Dan ZENG,Daokun CHEN,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2023-11-23.

Silicon carbide power mosfet device having improved performances and manufacturing process thereof

Номер патента: EP4411830A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Laura Letizia SCALIA,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-07.

Silicon carbide power mosfet device having improved performances and manufacturing process thereof

Номер патента: US20240258377A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Laura Letizia SCALIA,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices having fin field effect transistor (FinFET) structures and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: US09818745B2. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180350802A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20200111782A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Array substrate and manufacturing and repairing method thereof, display device

Номер патента: US09502438B2. Автор: Jaikwang Kim,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Image sensor employing avalanche diode and pixel circuit and operating method thereof

Номер патента: US20200275044A1. Автор: TSO-SHENG TSAI. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A4. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-08-04.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4195285A4. Автор: Bo Shi,Dan ZENG,Daokun CHEN,Yiren LIN. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2024-10-09.

Silicon carbide device working in high-temperature environment and manufacturing method thereof

Номер патента: CN111509032A. Автор: 何佳,李昀佶,陈彤. Владелец: Global Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN114388606A. Автор: 曾丹,史波,陈道坤,林苡任. Владелец: Zhuhai Zero Boundary Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-22.

Semiconductor Devices and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20130228866A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huie Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor Devices Having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180040618A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20210098452A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20200111782A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20150348967A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180350802A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor devices and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: KR20130100660A. Автор: 퉁 잉 리,치-하오 창,웬-훼이 궈,쇼우 젠 창. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2013-09-11.

Capacitor-less floating-body volatile memory cell comprising a pass transistor and a vertical read/write enable transistor and manufacturing and programming methods thereof

Номер патента: CN101641788B. Автор: 钱德拉·V·穆利,费尔南多·冈萨雷斯. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-08.

Silicon carbide substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371945A1. Автор: Ching-Shan Lin,Ying-Ru Shih,Chung Chi Yang,Chih Shan Tan. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon carbide epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190273136A1. Автор: Tomohisa Kato,Satoshi Segawa,Toshiyuki Ohno,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-09-05.

High voltage silicon carbide schottky diode flip chip array

Номер патента: WO2019184005A1. Автор: Shu Kin Yau,Sui Wai WONG. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited. Дата публикации: 2019-10-03.

MOS Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20090236674A1. Автор: Hyuk Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100244051A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Silicon carbide mosfet device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234536A9. Автор: Hui Chen,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon-carbide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954072B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Shiro Hino,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234508A9. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140231827A1. Автор: Masahiro Sugimoto,Yukihiko Watanabe,Akitaka SOENO,Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Silicon carbide substrate, silicon carbide device, and substrate thinning method thereof

Номер патента: US20220293737A1. Автор: Yuxi Wan,Boning Huang,Yiyu Wang,Xiaobiao HAN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Silicon carbide semiconductor device, power conversion device, and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027590B2. Автор: Munetaka Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Manufacturing method of semi-insulating single-crystal silicon carbide powder

Номер патента: US12098477B2. Автор: Bo-Cheng Lin,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu. Владелец: Taisic Materials Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150318389A1. Автор: Hiroyuki Matsushima,Ryuta Tsuchiya,Naoki Tega,Digh Hisamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-11-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09755020B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Nack Yong JOO. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09437682B2. Автор: Hiroshi Kono,Makoto Mizukami,Takashi Shinohe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Silicon carbide semiconductor element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170207305A1. Автор: Cheng-Tyng Yen,Chien-Chung Hung,Chwan-Ying Lee,Yao-Feng Huang,Hsiang-Ting Hung. Владелец: Hestia Power Inc. Дата публикации: 2017-07-20.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140299886A1. Автор: Jun Kawai,Kazuhiko Sugiura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09922822B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09773874B2. Автор: Yutaka Fukui,Nobuo Fujiwara,Yasuhiro Kagawa,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device having a field effect transistor formed on a silicon-on-insulator substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966452B2. Автор: Hidekazu Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor Device Including Trench Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20220149156A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-05-12.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20100258816A1. Автор: Yoshitaka Sugawara,Tomonori Nakamura,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Katsunori Asano,Joji Nakayama,Toshiyuki Miyanagi. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09490328B2. Автор: Koji Fujisaki,Takashi Takahama,Keisuke Kobayashi,Naoki Tega. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Power semiconductor device with dual shield structure in silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411511A1. Автор: Chongman Yun,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Hemt device having low conduction losses and manufacturing process thereof

Номер патента: US20230261100A1. Автор: Giuseppe Greco,Ferdinando Iucolano,Andrea Severino,Fabrizio Roccaforte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-17.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11735654B2. Автор: Shuhei Mitani,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Yusuke Yamashita,Aiko KAJI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120261677A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor element, semiconductor device, and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: US20130328065A1. Автор: Masahiko Niwayama,Masao Uchida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Mosfet device of silicon carbide having an integrated diode and manufacturing process thereof

Номер патента: US20240243122A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Simone Rascuna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-18.

Mosfet device of silicon carbide having an integrated diode and manufacturing process thereof

Номер патента: US20190013312A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Simone Rascuna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-01-10.

Hemt device having low conduction losses and manufacturing process thereof

Номер патента: EP4231360A1. Автор: Giuseppe Greco,Ferdinando Iucolano,Andrea Severino,Fabrizio Roccaforte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-23.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US12062691B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332364A1. Автор: Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12125881B2. Автор: Hiromu Shiomi,Tsutomu Hori,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing a silicon carbide device and a silicon carbide device

Номер патента: US20140284615A1. Автор: Ralf Otremba,Anton Mauder,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-09-25.

Methods for Processing a Silicon Carbide Wafer, and a Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190362972A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Werner Schustereder,Wolfgang Lehnert,Alexander Breymesser,Mihai Draghici,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer,Guenter Denifl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-11-28.

Methods of fabricating silicon carbide power devices by at least partially removing an n-type silicon carbide substrate, and silicon carbide power devices so fabricated

Номер патента: EP2149154A2. Автор: Mrinal Kanti Das,Matthew Donofrio,Qingchun Zhang,John M. Clayton, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-02-03.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09960040B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Youichi Makifuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US09605358B2. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US09422639B2. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Silicon carbide ingot, method for manufacturing silicon carbide ingot, and method for manufacturing silicon carbide wafer

Номер патента: US20230193510A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Silicon carbide substrate, silicon carbide wafer, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240250128A1. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240290616A1. Автор: Tomohiro Mimura,Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide components and methods for producing silicon carbide components

Номер патента: US11715768B2. Автор: Roland Rupp,Ronny Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-01.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240363696A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Silicon carbide epitaxial wafer, method for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, device for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, and silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09587326B2. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-03-07.

Silicon carbide mosfet device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230038280A1. Автор: Hui Chen. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

MOS transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070072379A1. Автор: Hyuk Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

MOS transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US7556954B2. Автор: Hyuk Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-07.

Semiconductor device including trench structure and manufacturing method

Номер патента: US11276754B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-15.

Semiconductor Device Including Trench Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20200286991A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor Device Including Trench Structures and Manufacturing Method

Номер патента: US20200176568A1. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Andreas Meiser,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-04.

Silicon Carbide Device and a Method for Manufacturing A Silicon Carbide Device

Номер патента: US20150008447A1. Автор: Roland Rupp,Christian Hecht,Bernd Leonhard Zippelius. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-08.

Recycle wafer of silicon carbide and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220085172A1. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing thereof, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11201218B2. Автор: Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method for same

Номер патента: US09825164B2. Автор: Yutaka Fukui,Yasuhiro Kagawa,Shiro Hino,Kohei Ebihara,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09530703B2. Автор: Hiroshi Sugimoto,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Silicon carbide-based device contact and contact fabrication method

Номер патента: US20060178016A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Rockwell Scientific Licensing LLC. Дата публикации: 2006-08-10.

Silicon carbide power mos field effect transistors and manufacturing methods

Номер патента: EP1576672A2. Автор: Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-09-21.

Silicon carbide MOSFET device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11894440B2. Автор: Hui Chen,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Silicon carbide-based device contact and contact fabrication method

Номер патента: WO2006086336A2. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Teledyne Licensing, Llc.. Дата публикации: 2006-08-17.

Silicon carbide semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20050093000A1. Автор: Satoshi Tanimoto,Hideyo Okushi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2005-05-05.

Silicon carbide mosfet device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240136421A1. Автор: Hui Chen,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

4h-sic electronic device with improved short-circuit performances, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222424A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Angelo Magri',Edoardo Zanetti,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Silicon carbide vertical field effect transistor

Номер патента: US20140008666A1. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

Silicon carbide semiconductor device including a resin covering a silicon carbide semiconductor chip

Номер патента: US11387156B2. Автор: So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Antenna module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240339747A1. Автор: Makoto Kawai,Shoji Akiyama,Minoru Kawahara,Tetsuya Suemitsu,Yuji Tobisaka,Issei WATANABE,Hirokazu FUKIDOME. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-10-10.

Antenna module and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4456331A1. Автор: Makoto Kawai,Shoji Akiyama,Minoru Kawahara,Tetsuya Suemitsu,Yuji Tobisaka,Issei WATANABE,Hirokazu FUKIDOME. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-10-30.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Large area silicon carbide devices and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP1428268A1. Автор: John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-06-16.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240136402A1. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110306188A1. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Nobuyuki Kato,Jun Kawai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Silicon carbide semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923090B2. Автор: Osamu Kusumoto,Masao Uchida,Nobuyuki HORIKAWA,Atsushi Ohoka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09893162B2. Автор: Takumi Fujimoto,Yoshiyuki Sakai,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627488B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Silicon carbide switching devices including P-type channels

Номер патента: US09552997B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Qingchun Zhang,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Silicon carbide epitaxy

Номер патента: US09520285B2. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220231142A1. Автор: Kotaro Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Silicon carbide epitaxial wafer and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190333998A1. Автор: Tomohisa Kato,Takashi Mitani,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO,Kazuma ETO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-10-31.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160056257A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US9577044B2. Автор: Masashi Hayashi,Masao Uchida,Koutarou Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Silicon carbide EPI wafer and method for manufacturing same

Номер патента: US09991344B2. Автор: Seok Min Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Densification of silicon carbide film using remote plasma treatment

Номер патента: US09837270B1. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Zhe Gui,Guangbi Yuan,Fengyuan Lai. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647081B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09608074B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09466675B2. Автор: Chikayuki Okamoto,Tomihito Miyazaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09449823B2. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20180323299A1. Автор: Shiro Hino,Takaaki TOMINAGA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138274A1. Автор: Makoto Utsumi,Yasuhiko OONISHI,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device having improved mechanical stability

Номер патента: EP4160655A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi,Paolo BADALÁ. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-04-05.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device having improved mechanical stability

Номер патента: US20230094592A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Paolo BADALA',Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-03-30.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9040402B2. Автор: Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro,Masahide Goto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Method for producing a silicon carbide substrate

Номер патента: US20240240357A1. Автор: Andrei Mihaila,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing silicon carbide substrate and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8969103B2. Автор: Shin Harada,Satomi Itoh,Makoto Sasaki,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160181373A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313083A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332414A1. Автор: Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Carbon based contact structure for silicon carbide device technical field

Номер патента: US09917170B2. Автор: Markus Kahn,Romain Esteve,Ravi Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716168B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09640618B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09620358B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide semiconductor device, manufacturing method therefor and power conversion apparatus

Номер патента: US10431658B2. Автор: Yutaka Fukui,Atsushi Narazaki,Katsutoshi Sugawara,Yasuhiro Kagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-10-01.

Method for manufacturing silicon carbide base body, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide base body, and semiconductor device

Номер патента: US20210217619A1. Автор: Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: US20110266556A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150295048A1. Автор: Toru Hiyoshi,Takashi Tsuno,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Silicon carbide transistor device

Номер патента: US12062698B2. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181376A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210265469A1. Автор: Toru Hiyoshi,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Silicon carbide device with compensation region and method of manufacturing

Номер патента: US11764063B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Romain Esteve,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09935170B2. Автор: Yoichiro Tarui,Masayuki Furuhashi,Toshikazu Tanioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09455197B2. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Trench Type Silicon Carbide MOSFET Structure and Preparation Method Thereof

Номер патента: US20240145548A1. Автор: Xin Huang,Hongbo Gao. Владелец: Guangzhou Anhi Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Silicon carbide wafer and silicon carbide semiconductor device including the same

Номер патента: US20240234515A9. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027576B2. Автор: Tomoaki Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20150010726A1. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Silicon carbide wafer and silicon carbide semiconductor device including the same

Номер патента: US20240213332A1. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of manufacturing silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130017683A1. Автор: Shin Harada,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP1796148A3. Автор: Satoshi Tanimoto. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide device and a method for forming a silicon carbide device

Номер патента: US20160104779A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Bergner,Christian Hecht,Rudolf Elpelt,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-14.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20150311076A1. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: US20130153928A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: EP2563950A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-03-06.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: WO2011137202A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2011-11-03.

Silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor circuit device

Номер патента: US11695045B2. Автор: Keiji Okumura,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Trench power MOSFET in silicon carbide and method of making the same

Номер патента: US20050266623A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Yen Chuo,Yung-Chung Lee,Tsung-Ming Pan. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-12-01.

Silicon carbide semiconductor device, silicon carbide semiconductor assembly, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240321947A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Silicon carbide and related wide-bandgap transistors on semi insulating epitaxy

Номер патента: NZ572662A. Автор: Michael S Mazzola. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-02-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181160A1. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09985125B1. Автор: Takashi Hasegawa,Osamu Kusumoto,Kouichi Saitou,Osamu Ishiyama,Tsutomu Kiyosawa,Tsuneichiro Sano,Atsushi Ohoka,Daisuke Shindo,Takayuki Wakayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978651B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Schottky barrier structure for silicon carbide (SiC) power devices

Номер патента: US09960247B2. Автор: Ruigang Li,Zheng Zuo,Bochao Huang,Da Teng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09923062B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905653B2. Автор: Masayuki Kobayashi,Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Shinji Kimura,So Tanaka,Taku Horii,Ryosuke Kubota,Daisuke Hamajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09893177B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US09799735B2. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09543412B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Silicon carbide static induction transistor and process for making a silicon carbide static induction transistor

Номер патента: US09490355B2. Автор: Pierre Morin,John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-08.

Silicon-carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09425261B2. Автор: Yutaka Fukui,Yuji Abe,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Silicon carbide mosfet device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4336565A1. Автор: Jun Yuan. Владелец: Hubei Jiufengshan Laboratory. Дата публикации: 2024-03-13.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230299192A1. Автор: Ryosuke Iijima,Shinichi Kimoto,Shinsuke Harada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Sic wide trench-type junction barrier schottky diode and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200194600A1. Автор: Tae Young Kang,Sin Su Kyoung. Владелец: Powercubesemi Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Forming a Metal Contact Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device with Metal Contact Structure

Номер патента: US20180174840A1. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160163853A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170250082A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20160181374A1. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150236148A1. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for reducing stacking faults in silicon carbide, and structure created by means of said method

Номер патента: EP4415024A1. Автор: Kiyoshi Kojima,Jun Sasaki,Tadaaki Kaneko,Kohei Toda,Daichi DOJIMA. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180323262A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10998406B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10700169B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230299144A1. Автор: Shinichiro Matsunaga. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Silicon carbide substrate

Номер патента: US20110175107A1. Автор: Shin Harada,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-21.

Concept for silicon carbide power devices

Номер патента: US20240321868A1. Автор: Christian Vieider,Adolf SCHÖNER,Nicolas THIERRY-JEBALI,Hossein ELAHIPANAH,Sergey RESHANOV,Wlodzimierz KAPLAN. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Superjunction silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing superjunction silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240347587A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09761453B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Insulated gate silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09741797B2. Автор: Yutaka Fukui,Yuji Abe,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716157B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09673313B2. Автор: Atsushi Tanaka,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09647106B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647072B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Takashi Tsuno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Conductivity modulation in a silicon carbide bipolar junction transistor

Номер патента: US09478629B2. Автор: Martin Domeij,Benedetto Buono. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450060B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Silicon carbide MOSFET with integrated MOS diode

Номер патента: US09324807B1. Автор: Anup Bhalla,Leonid Fursin. Владелец: United Silicon Carbide Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel

Номер патента: US6956238B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Ranbir Singh,John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Lori A. Lipkin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-10-18.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190214264A1. Автор: Katsumi Suzuki,Shigeyuki Takagi,Yuichi Takeuchi,Masaki Shimomura,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US20150076520A1. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, driver device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20220005925A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Toshihide Ito,Chiharu Ota,Johji Nishio,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Methods of Forming Semiconductor Devices in a Layer of Epitaxial Silicon Carbide

Номер патента: US20230361196A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: Infineon Techmologies Ag. Дата публикации: 2023-11-09.

Silicon carbide power mosfet with floating field ring and floating field plate

Номер патента: WO1993026047A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1993-12-23.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072485A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

METHODS AND STRUCTURES FOR FORMING MICROSTRIP TRANSMISSION LINES ON THIN SILICON CARBIDE ON INSULATOR (SiCOI) WAFERS

Номер патента: EP3437125A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-02-06.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12057498B2. Автор: Takehiro Kato,Katsumi Suzuki,Yuichi Takeuchi,Yusuke Yamashita. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190221647A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200287000A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180308937A1. Автор: Akira Saito,Takayuki Hirose,Yutaka Terao,Hideaki Teranishi,Aki Takigawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US20200219981A1. Автор: Tsutomu Hori,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240347599A1. Автор: Cheng-Tyng Yen,Fu-Jen Hsu,Hsiang-Ting Hung. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240304676A1. Автор: Takaya MIYASE,Hideyuki Hisanabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332363A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339499A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Yu Saitoh,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Silicon carbide semiconductor device having stacked epitaxial layers

Номер патента: US09997358B2. Автор: Masanobu IWAYA,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Silicon carbide semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US09966249B2. Автор: Kenji Kanbara,Taro Nishiguchi,So Tanaka,Kyoko Okita,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semi-insulating silicon carbide monocrystal and method of growing the same

Номер патента: US09893152B2. Автор: Yu Liu,BO Wang,Gang Wang,Xiaolong Chen,Wenjun Wang,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Longyuan Li. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2018-02-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799515B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device including forming a protective film with a 2-layer structure comprised of silicon and carbon

Номер патента: US09748149B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09722027B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09680006B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240371766A1. Автор: Yu Saitoh,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09502552B2. Автор: Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Silicon carbide semiconductor apparatus and method of manufacturing same

Номер патента: US09490338B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Seiji Suzuki,Kazuhiro Adachi,Kenji Fukuda,Shinsuke Harada,Tsutomu Yatsuo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits

Номер патента: US09490169B2. Автор: Helmut Hagleitner,Zoltan Ring,Scott Thomas Sheppard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09472635B2. Автор: Shunsuke Yamada,Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Silicon carbide semiconductor devices having buried silicon carbide conduction barrier layers therein

Номер патента: US5543637A. Автор: Bantval J. Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1996-08-06.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US20160326669A1. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US20150255279A1. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200343345A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210013039A1. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, driver device, vehicle, and elevator

Номер патента: US11764269B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Toshihide Ito,Chiharu Ota,Johji Nishio,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Silicon carbide power mosfet with floating field ring and floating field plate

Номер патента: AU4528993A. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1994-01-04.

Manufacturing methods for large area silicon carbide devices

Номер патента: EP1428268B1. Автор: John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

Superior silicon carbide integrated circuits and method of fabricating

Номер патента: US20020034852A1. Автор: Dev Alok. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Silicon Carbide Components and Methods for Producing Silicon Carbide Components

Номер патента: US20230334337A1. Автор: Roland Rupp,Ronny Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180090320A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Masaki Miyazato,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Manufacturing method of silicon carbide wafer and semiconductor structure

Номер патента: US11987902B2. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide single-crystal substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230369411A1. Автор: Hirofumi Yamamoto,Takashi Sakurada,Makoto Sasaki,Naoki Matsumoto,Tetsuro Kondo,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09899532B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Xuyuan Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Array substrate, manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818775B2. Автор: Chunping Long,Chien Hung Liu,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods and structures for forming microstrip transmission lines on thin silicon carbide on insulator (SICOI) wafers

Номер патента: US09761445B2. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-09-12.

TFT and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof, X-ray detector and display device

Номер патента: US09647019B2. Автор: Peng Li,Zongmin Tian,Huichao Gao. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device, thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478562B2. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Zuqiang Wang,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232A1. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-12-11.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP4322202A1. Автор: Gregor Langer,Axel Koenig,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-14.

Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Method for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Device for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, and Silicon Carbide Semiconductor Element

Номер патента: US20160168751A1. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-06-16.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2019159680A1. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO. Дата публикации: 2019-08-22.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11501971B2. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Silicon Carbide Components and Methods for Producing Silicon Carbide Components

Номер патента: US20190067425A1. Автор: Roland Rupp,Ronny Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-28.

Silicon carbide components and methods for producing silicon carbide components

Номер патента: US11069778B2. Автор: Roland Rupp,Ronny Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-20.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055256A1. Автор: Axel König,Gregor Langer,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods of processing semiconductor wafers having silicon carbide power devices thereon

Номер патента: EP1935007A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Matt Donofrio. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-06-25.

Superior silicon carbide integrated circuits and method of fabricating

Номер патента: EP1157412A1. Автор: Dev Alok. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-28.

Zener diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220238727A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chien-Yu Chen,Chien-Wei Chiu,Kun-Huang Yu,Wu-Te Weng,Ting-Wei Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Optical sensor and manufacturing method thereof, display device and display apparatus

Номер патента: US20200251537A1. Автор: Ling Wang,Pan Xu,Zhen Song,Cuili Gai,Yicheng Lin,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Array substrate, manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634043B2. Автор: Chunping Long,Chien Hung Liu,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2669949A1. Автор: Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-06-05.

Silicon carbide n-channel power LMOSFET

Номер патента: US6593594B1. Автор: Dev Alok. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-07-15.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232C. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220052176A1. Автор: Hui Chen,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210060818A1. Автор: Naoki Matsumoto,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Recycle wafer of silicon carbide and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11862684B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10396163B2. Автор: Keiji Wada,Kenji Kanbara,Hironori Itoh,Takemi Terao,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-08-27.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US11824083B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Methods of Re-using a Silicon Carbide Substrate

Номер патента: US20210265484A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-08-26.

Silicon carbide semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20150228482A1. Автор: Naohiko Hirano,Shouichi Yamauchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Methods for silicon carbide gate formation

Номер патента: US20230207638A1. Автор: Yi Zheng,Er-Xuan Ping. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240170540A1. Автор: Jun Yuan. Владелец: Hubei Jiufengshan Laboratory. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device including trench structure and manufacturing method

Номер патента: US11929397B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-12.

Silicon carbide device

Номер патента: US20230275134A1. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Rui Wang,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20240047514A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Silicon Carbide Device and Method for Forming a Silicon Carbide Device

Номер патента: US20240113026A1. Автор: Wolfgang Scholz,Thomas Basler,Edward Fürgut,Martin Gruber,Ravi Keshav Joshi,Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Silicon carbide semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20140001472A1. Автор: Akihiko Furukawa,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180301536A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for producing an ohmic contact on a crystallographic c-side of a silicon carbide substrate, and ohmic contact

Номер патента: US20230050165A1. Автор: Jan-Hendrik Alsmeier,Humberto Rodriguez Alvarez. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-02-16.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160300943A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Fabrication of a high temperature silicon carbide transistor device

Номер патента: US11823899B1. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Mitchell Adrian Gross,Aysanew Abate. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11984499B2. Автор: Lurng-Shehng Lee,Chien-Chung Hung,Kuo-Ting CHU,Chwan-Yin LI. Владелец: Shanghai Hestia Power Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and pressure transmitter using semiconductor device

Номер патента: US11349000B2. Автор: Isao Hara,Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Ryo Kuwana,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-05-31.

Silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US20240136403A1. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Silicon carbide semiconductor device and power converter using silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240250165A1. Автор: Yuichi Nagahisa,Kotaro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of fabricating self-aligned silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US7508000B2. Автор: Bart J. Van Zeghbroeck,John T. Torvik. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258424A1. Автор: Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240194781A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Power silicon carbide mosfet devices and related methods

Номер патента: WO2019125600A1. Автор: Qingchun Zhang,Alexander V. Suvorov. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240282824A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130207124A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-08-15.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220109049A1. Автор: Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

Process for manufacturing localized ion implants in silicon-carbide power electronic devices

Номер патента: US20240297044A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Gabriele BELLOCCHI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9972676B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Naruhisa Miura,Rina Tanaka,Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Process for manufacturing localized ion implants in silicon-carbide power electronic devices

Номер патента: EP4425533A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Gabriele BELLOCCHI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12132084B2. Автор: Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Electroluminescence display apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991312B1. Автор: Jungchul Kim,JunYoung KWON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09972676B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Naruhisa Miura,Rina Tanaka,Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09966437B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09892919B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Naoto Fujishima,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09887270B2. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09728607B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of forming a silicon-carbide device with a shielded gate

Номер патента: US09577073B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09543429B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Silicon carbide field controlled bipolar switch

Номер патента: CA2285067C. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-05-02.

Layered structures comprising silicon carbide layers, a process for their manufacture and their use

Номер патента: EP2277194A1. Автор: Norbert Wagner,Chien Hsueh Steve Shih,Alexander Traut. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2011-01-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10236372B2. Автор: Keiji Okumura,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Silicon carbide cmos and method of fabrication

Номер патента: AU2667597A. Автор: David B. Slater Jr.,Lori A. Lipkin,John W Palmour,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1997-11-07.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190245044A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Silicon carbide semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170125575A1. Автор: Osamu Kusumoto,Masao Uchida,Nobuyuki HORIKAWA,Atsushi Ohoka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufactuing same

Номер патента: US20140042461A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Silicon carbide epitaxy

Номер патента: EP2771903A2. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2014-09-03.

Silicon carbide epitaxy

Номер патента: WO2013061047A2. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Limited. Дата публикации: 2013-05-02.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4376056A1. Автор: Jun Yuan. Владелец: Hubei Jiufengshan Laboratory. Дата публикации: 2024-05-29.

Composite silicon carbide substrate and preparation method therefor

Номер патента: EP4391070A1. Автор: Chao Guo,Fengwen MU. Владелец: Tj Innovative Semiconductor Substrate Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234569A9. Автор: Cheng-Tyng Yen,Fu-Jen Hsu,Hsiang-Ting Hung. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Singulation of silicon carbide semiconductor wafers

Номер патента: US20240234155A1. Автор: Aira Lourdes VILLAMOR. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Pm-147 silicon carbide slow-change PN type isotope battery and manufacturing method thereof

Номер патента: CN110556192B. Автор: 张�林,程鸿亮,胡笑钏. Владелец: Changan University. Дата публикации: 2021-04-13.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: US09368522B2. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Array substrate wiring and the manufacturing and repairing method thereof

Номер патента: US9666609B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

DISPLAY CONTROL CIRCUIT AND DRIVING METHOD THEREOF, DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING AND CONTROLLING METHODS THEREOF

Номер патента: US20200043963A1. Автор: HU Weipin,BU Qianqian. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Array substrate and manufacturing and repairing method thereof, display device

Номер патента: US20160013211A1. Автор: Jaikwang Kim,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: US20160043107A1. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Touch Glasses-Free Grating 3D Display Device and Manufacturing and Control Methods Thereof

Номер патента: US20170048516A1. Автор: Dong Xue,Wang Haisheng,Ding Xiaoliang,Yang Shengji,ZHAO Wenqing,Xue Hailin. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING AND TESTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150155212A1. Автор: KIM Jun Su,PARK Jin Seob. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

Gas sensor chip with dielectric multi-layer, and manufacturing and sensing method thereof

Номер патента: KR100927379B1. Автор: 조민석,정호철,김영섭,진성일,장성우,박찬량,항 최. Владелец: 박찬량. Дата публикации: 2009-11-19.

High-brightness LED with surface microstructure and manufacturing and screening method thereof

Номер патента: CN103872203A. Автор: 吴超瑜,王笃祥,吴俊毅,陶青山,卢怡安,蔡坤煌. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-18.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: EP2878996B1. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-29.

Substrate and manufacturing and application method thereof

Номер патента: WO2013083007A1. Автор: 梁秉文. Владелец: 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司. Дата публикации: 2013-06-13.

Liquid crystal display device and manufacturing and repairing methods thereof

Номер патента: US20110037934A1. Автор: Dae Young Seok,Mon Soo Kang,Hyun Jeong Lee,Jae Ho YOON,Dong Chun KANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Solid State Image Sensing Device and Manufacturing and Driving Methods Thereof

Номер патента: US20070134836A1. Автор: Masaki Funaki. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

IMAGE SENSOR EMPLOYING AVALANCHE DIODE AND PIXEL CIRCUIT AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200275044A1. Автор: Tsai Tso-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

Silicon carbide composite wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384385A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Silicon carbide composite wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4095291A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

High-resistance resistor based on silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230317770A1. Автор: Kun Hu,Yuan Tian,Guohui Li,Bingshe Xu,Yanxia CUI,Yuying XI. Владелец: Institute Of New Materials And Chemical Engineering Zhejiang University Shanxi. Дата публикации: 2023-10-05.

Large area silicon carbide devices and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP1444729A2. Автор: John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-08-11.

Solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100330734A1. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Makoto Nakagawa. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Part including silicon carbide layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230068125A1. Автор: Ji-Hoon Lee,Nam-Ju Kim,In-Su Hwang,Bun-Hei Koo,Jong-hwa WEON,Myung-jin KO,Hyeon-jun CHO. Владелец: Knj Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Silicon carbide structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168697A1. Автор: Joung Il Kim,Jae Seok Lim,Mi-Ra Yoon. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Manufacturing method and apparatus for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer

Номер патента: US09564315B1. Автор: Takahiro Yamamoto,Yasuhiro Kimura,Masashi Sakai,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno,Takuma Mizobe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Method for producing substrate based on silicon carbide and silicon carbide substrate

Номер патента: RU2756815C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2021-10-05.

Semiconductor element, semiconductor element manufacturing method, semiconductor module, semiconductor module manufacturing method, and semiconductor package

Номер патента: US20150249133A1. Автор: Yasuyuki Yanase,Tsutomu Kiyosawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490213B2. Автор: Junji Noguchi,Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Tatsuyuki Saito,Tomio Iwasaki,Kensuke Ishikawa,Tsuyoshi Tamaru,Noriko Miura,Kiyomi Katsuyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Composite silicon carbide substrate and preparation method therefor

Номер патента: EP4411788A1. Автор: Chao Guo,Fengwen MU. Владелец: Tj Innovative Semiconductor Substrate Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09659867B2. Автор: Junji Noguchi,Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Tatsuyuki Saito,Tomio Iwasaki,Kensuke Ishikawa,Tsuyoshi Tamaru,Noriko Miura,Kiyomi Katsuyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Reduction of carrot defects in silicon carbide epitaxy

Номер патента: US09903046B2. Автор: Michael John O'Loughlin,Joseph John Sumakeris. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Silicon carbide-tantalum carbide composite and susceptor

Номер патента: US09764992B2. Автор: Masato Shinohara. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Pin diode and manufacturing method thereof, and x-ray detector using pin diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484486B2. Автор: Sung Jin Choi. Владелец: Hydis Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09368345B2. Автор: Jun Genba. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Silicon carbide powder, method for manufacturing silicon carbide ingot using the same, and silicon carbide wafer

Номер патента: EP4212480A2. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-07-19.

Method for oxidizing a silicon carbide based on microwave plasma at an ac voltage

Номер патента: US20200152451A1. Автор: HONG Chen,Yun Bai,Xinyu Liu,Xiaoli Tian,Yidan TANG,Chengyue Yang,Shengkai WANG,Zhonglin Han. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for producing polycrystalline silicon carbide substrate

Номер патента: EP4421220A1. Автор: Kuniaki Yagi. Владелец: Sicoxs Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Silicon carbide semiconductor device manufacturing method and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09418840B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Yoshiyuki Yonezawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of surface modification of silicon carbide crystals

Номер патента: RU2745736C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Даниил Алексеевич Евстигнеев,Владимир Александрович Карачинов,Александр Сергеевич Ионов,Андрей Валерьевич Желаннов. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2021-03-31.

Method of processing surface of silicon carbide plates in low-temperature inductively coupled plasma

Номер патента: RU2708812C1. Автор: Сергей Евгеньевич Александров,Артём Арменакович Осипов,Екатерина Вячеславовна Ендиярова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2019-12-11.

Large area silicon carbide devices and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP1444729B1. Автор: John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-02-23.

Semiconductor heat treatment member and manufacturing method thereof

Номер патента: US12014948B2. Автор: Kenji Suzuki,Sayaka TOGASHI,Nobuyuki MUNAKATA. Владелец: Coorstek Gk. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of manufacturing silicon carbide structure

Номер патента: US8865519B2. Автор: Joung Il Kim,Jae Seok Lim,Mi-Ra Yoon. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Silicon carbide powder, method for manufacturing silicon carbide ingot using the same, and silicon carbide wafer

Номер патента: US20230203707A1. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for obtaining large homogeneous crystals of silicon carbide using distillation and condensation processes

Номер патента: RU2495163C2. Автор: Марк ЛОБОДА,Сеунг-хо ПАРК,Виктор ТОРРЕС. Владелец: Доу Корнинг Корпорейшн. Дата публикации: 2013-10-10.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274434A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide using a feed material including a surface layer containing a polycrystalline silicon carbide with a 3C crystal polymorph

Номер патента: US09725822B2. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Mid-infrared light emitting diode and manufacturing method thereof, silicon photonic circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220140187A1. Автор: Chang-Hua Liu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-05-05.

Composite body comprising silicon carbide and method for producing same

Номер патента: US20240149565A1. Автор: Hideki Takagi,Hitoshi Umezawa,Yuuichi KURASHIMA,Eiji Higurashi,Takashi MATSUMAE. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon carbide-based full-spectrum-responsive photodetector and method for producing same

Номер патента: US11710801B2. Автор: Yuan Tian,Guohui Li,Yanxia CUI,Yaping FAN,Xianyong YAN. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-07-25.

Integrated silicon carbide ultraviolet sensors and methods

Номер патента: US11031513B1. Автор: Matthew Francis,James A. Holmes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-08.

Electronic devices comprising silicon carbide materials

Номер патента: US20240332002A1. Автор: Santanu Sarkar,Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US09631296B2. Автор: Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi,Tsutomu Hori,Naoki Ooi,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Manufacturing method of silicon carbide thin film for transparent solar cell

Номер патента: US20240120433A1. Автор: Jae Kwang YOON,Chan Uk JON,Jun Yong Bak. Владелец: ARCHE Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

A method for reducing warpage of silicon carbide substrate

Номер патента: ZA202308586B. Автор: Shen Xiaoyu,Shen Mengfei,Chen Wenjin. Владелец: Huzhou Tony Semiconductor Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09957638B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Charge accumulator, method of its manufacturing, method for manufacturing of electroconductive structure for charge accumulator, mobile electronic device using charge accumulator and microelectronic device containing charge accumulator

Номер патента: RU2553981C2. Автор: Дональд С. ГАРДНЕР,Эрик К. ХАННА,Джон Л. ГУСТАФСОН,Жун ЧЭН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2015-06-20.

Silicon carbide substrate manufacturing method, silicon carbide substrate, and method of removing strain layer introduced into silicon carbide substrate by laser processing

Номер патента: EP4137619A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Daichi DOJIMA. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2023-02-22.

Black silicon carbide ceramic based thermoelectric photodetector, optical power meter and optical energy meter

Номер патента: US20220412806A1. Автор: Delong LI. Владелец: Shandong Xinyuan Photoelectric Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for evaluating crystal defects in silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20240142390A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Forming silicon dioxide on silicon carbide

Номер патента: WO2013140122A1. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Limited. Дата публикации: 2013-09-26.

Silicon carbide substrate

Номер патента: US12091772B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US09777404B2. Автор: Keiji Wada,Jun Genba,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Silicon carbide-based lateral PN junction extreme ultraviolet detector based on selective-area ion implantation, and preparation method thereof

Номер патента: US12080821B2. Автор: Dong Zhou,Hai Lu,Weizong Xu. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-03.

Silicon carbide ultraviolet light photodetector and manufacturing process thereof

Номер патента: US20190305159A1. Автор: Antonello Santangelo,Massimo Cataldo MAZZILLO,Salvatore Cascino,Antonella SCIUTO,Giuseppe LONGO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of producing different types of silicon carbide surface morphology

Номер патента: RU2724142C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Даниил Алексеевич Евстигнеев,Владимир Александрович Карачинов,Александр Сергеевич Ионов,Андрей Валерьевич Желаннов. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-06-22.

Epitaxial growth method for silicon carbide

Номер патента: US20180266012A1. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-09-20.

Wafer-level package structure of light emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US8445919B2. Автор: Wei Wang,Wenbin Wang,Junjie Li,Guoqing Yu,Qiuhong Zou. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Method of preparing a silicon carbide wafer

Номер патента: EP4214741A2. Автор: Michael Cooke,Andrew Newton,Samantha MAZZAMUTO,Matthew LOVEDAY. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Method of manufacturing silicon carbide seminconductor device

Номер патента: US20100233832A1. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Single-crystal silicon carbide and single-crystal silicon carbide wafer

Номер патента: US09777403B2. Автор: Tatsuo Fujimoto,Hiroshi Tsuge,Masakazu Katsuno,Masashi Nakabayashi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices

Номер патента: CA2962602C. Автор: Ashish P. Diwanji,Andrew R. Hopkins,Walter J. Sherwood,Douglas M. Dukes,Mark S. Land,Brian L. Benac,Glenn Sandgren. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685566B2. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods of depositing an alpha-silicon-carbide-containing film at low temperature

Номер патента: US09546420B1. Автор: Scott D. Habermehl. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Thin-film type solar cell including by-pass diode and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008030019A1. Автор: Seh-Won Ahn,Hwa-Nyeon Kim,Kwang-Sun Ji,Young-Joo Eo,Bum-Sung Kim,Heon-Min Lee,Jung-Heum Yun,Hae-Seok Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2008-03-13.

Thin-film type solar cell including by-pass diode and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2008312A1. Автор: Seh-Won Ahn,Hwa-Nyeon Kim,Kwang-Sun Ji,Young-Joo Eo,Bum-Sung Kim,Heon-Min Lee,Jung-Heum Yun,Hae-Seok Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-12-31.

Method for producing a porous layer of a silicon carbide heterostructure on a silicon substrate

Номер патента: RU2653398C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Михаил Вячеславович Долгополов,Альбина Валентиновна Гурская,Наталья Виленовна Латухина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2018-05-08.

Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures

Номер патента: US5631190A. Автор: Gerald H. Negley. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1997-05-20.

Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures

Номер патента: AU3761295A. Автор: Gerald H Negley. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1996-05-02.

Method of forming trenches in monocrystalline silicon carbide

Номер патента: US5436174A. Автор: Bantval J. Baliga,Dev Alok. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1995-07-25.

Wafer base for silicon carbide semiconductor devices, incorporating alloy substrates

Номер патента: US5043773A. Автор: Walter Precht,Richard Koba,Donald Kupp,Delwyn Cummings. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1991-08-27.

Method of making a hybride substrate having a thin silicon carbide membrane layer

Номер патента: US6699770B2. Автор: John Tarje Torvik. Владелец: Astralux Inc. Дата публикации: 2004-03-02.

Method of producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20190194818A1. Автор: Takahiro IGI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-06-27.

Silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US11984480B2. Автор: Taro Nishiguchi,Tsutomu Hori,Taro Enokizono. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Display panel and manufacturing method thereof, display device, array substrate, and temporary substrate

Номер патента: US20240055564A1. Автор: Zufeng HUANG. Владелец: Tianma Advanced Display Technology Institute Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Ultraviolet light emitting diode and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240243227A1. Автор: Gong Chen,Bin Jiang,Shao-Hua Huang,Chung-Ying Chang,Jianbin Chen,Yashu ZANG. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Polythiophene derivative, composite and manufacture method thereof

Номер патента: US20190207113A1. Автор: Bao ZHA. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Wafer-level package structure of light emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130228817A1. Автор: Wei Wang,Wenbin Wang,Junjie Li,Guoqing Yu,Qiuhong Zou. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Metal mesh array and manufacturing method thereof, thin film sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240211082A1. Автор: Feng Qu,Kui Liang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Organic light-emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780337B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG,Jiantao Liu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Quantum dot light-emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773943B1. Автор: Zaifeng XIE. Владелец: AAC Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Process for forming graphene layers on silicon carbide

Номер патента: US09771665B2. Автор: Francesca Iacopi,Mohsin Ahmed,Benjamin Vaughan CUNNING. Владелец: Griffith University. Дата публикации: 2017-09-26.

Organic light emitting diode display having porous frit layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768408B2. Автор: Hao-Jung Huang,Kuang-Pin Chao,Yang-Chen Chen. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Organic light-emitting diode array substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09647044B2. Автор: Hongfei Cheng,Lifei Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of manufacturing products, containing silicon substrate with silicon carbide film on its surface and reactor of realising thereof

Номер патента: RU2522812C1. Автор: Сергей Германович Жуков,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2014-07-20.

Method for producing thin membranes of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer membranes obtained by molecular layer precipitation

Номер патента: RU2749573C1. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-06-15.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-08-17.

Method and apparatus for manufacturing silicon carbide single crystal, and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20220112623A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Manufacturing method of silicon carbide wafer, silicon carbide wafer and system for manufacturing wafer

Номер патента: US20220219354A1. Автор: Jong Hwi Park,Jung-Gyu Kim,Jung Woo Choi,Kap-Ryeol KU,Jung Doo Seo. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Manufacturing method of silicon carbide wafer, silicon carbide wafer and system for manufacturing wafer

Номер патента: US11969917B2. Автор: Jong Hwi Park,Jung-Gyu Kim,Jung Woo Choi,Kap-Ryeol KU,Jung Doo Seo. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Silicon carbide powder, method for manufacturing silicon carbide ingot using the same, and silicon carbide wafer

Номер патента: EP4212480A3. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Silicon carbide seed crystal and method of manufacturing silicon carbide ingot

Номер патента: US11821105B2. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Fabricating a silicon carbide and nitride structures on a carrier substrate

Номер патента: AU2021201807A1. Автор: Daniel Yap,Edward H. CHEN,Samuel J. Whiteley,Danny M. Kim,Thaddeus D. Ladd. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-12-02.

Silicon carbide wafer and method of manufacturing same

Номер патента: US12037704B2. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Heat-dissipating member and manufacturing method for same

Номер патента: EP3920215A1. Автор: Hiroaki Ota,Daisuke Goto. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-08.

Method of fabricating silicon carbide ingot

Номер патента: US20240271322A1. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Lighting apparatus using organic light-emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190019981A1. Автор: Jong-min Kim,Tae-Joon SONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Gallium-nitride light emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120248404A1. Автор: Sung Bum Bae,Eun Soo Nam,Jong Moo Lee,Han Youl RYU. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-10-04.

Heat treatment environment evaluation method and silicon carbide substrate

Номер патента: EP4239112A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Daichi DOJIMA. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Method for producing a semiconductor structure comprising a useful layer made of silicon carbide, with improved electrical properties

Номер патента: US20240312831A1. Автор: Walter Schwarzenbach,Gweltaz Gaudin,Emmanuel Rolland,Julie Widiez,Alexis Drouin,Séverin Rouchier. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-09-19.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4439630A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Silicon carbide substrate

Номер патента: US12104278B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Metal-silicon carbide-based composite material, and method for producing metal-silicon carbide-based composite material

Номер патента: EP3823017A1. Автор: Hiroaki Ota,Daisuke Goto. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Reflective ohmic contacts for silicon carbide including a layer consisting essentially of nickel, methods of fabricating same, and light emitting devices including the same

Номер патента: MY127699A. Автор: Helmut Hagleitner,David B Slater Jr. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-12-29.

Method for evaluating crystal defects of silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: EP4310893A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Reducing electrical activity of defects in silicon carbide grown on silicon

Номер патента: WO2023111540A1. Автор: Martin LAMB. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Silicon carbide epitaxial wafer, method for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, and power converter

Номер патента: US20200321437A1. Автор: Masashi Sakai,Yoichiro Mitani,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Fabricating a silicon carbide and nitride structures on a carrier substrate

Номер патента: US20210358747A1. Автор: Daniel Yap,Edward H. CHEN,Samuel J. Whiteley,Danny M. Kim,Thaddeus D. Ladd. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-11-18.

H-3 silicon carbide PN-type radioisotopic battery and manufacturing method of the same

Номер патента: US11769603B2. Автор: LIN Zhang,Xiaoyan Wang,Liya Zhu. Владелец: Changan University. Дата публикации: 2023-09-26.

Silicon carbide powder and method of preparing the same using a hydrophobic spherical silica aerogel

Номер патента: US20190256360A1. Автор: Je Kyun Lee,Young Hun Kim,Kyoung Jin Lee,Hae Jin Hwang. Владелец: Inha University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2019-08-22.

Method for forming identification marks on silicon carbide single crystal substrate, and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Silicon carbide substrate, semiconductor device, wiring substrate, and silicon carbide manufacturing method

Номер патента: US20090263306A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Akinobu Teramoto,Fusao Fujita,Sumio Sano. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2009-10-22.

Method of calculating thickness of graphene layer and method of measuring content of silicon carbide by using xps

Номер патента: EP3916348A1. Автор: Sangwon Kim,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO,Eunkyu Lee,Hyunjae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-01.

Detection substrate and manufacturing method thereof, flat panel detector and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378100A1. Автор: Ye Zhang,Bin Zhao,Jinyu Li,Chuncheng CHE,Shuai Xu,Binbin Xu,Xuecheng Hou. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of calculating thickness of graphene layer and method of measuring content of silicon carbide by using xps

Номер патента: US20240151522A1. Автор: Sangwon Kim,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO,Eunkyu Lee,Hyunjae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Light emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2309558A3. Автор: Tzu-Chi Cheng. Владелец: Interlight Optotech Corp. Дата публикации: 2014-05-14.

Embedded terminal module and connector and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: US12034242B2. Автор: Kuo-Chi Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-09.

Resolver and manufacturing manufacturing method thereof

Номер патента: KR101964371B1. Автор: 박용호,이진주,진창성. Владелец: 한화디펜스 주식회사. Дата публикации: 2019-04-01.

Laser diode and laser diode manufacturing method

Номер патента: US20240178631A1. Автор: Ai-Sen Liu,Hsiang-An Feng,Cheng-Yu Chung,Ya-Li Chen. Владелец: Ingentec Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Electrode assembly and manufacturing apparatus and method thereof, cylindrical battery including the electrode assembly, and battery pack and vehicle including the same

Номер патента: CA3237122A1. Автор: Joo-Young Chung,Tae-Jong Kim,Jin-Gon Kim,Su-Taek Jung,Byeong-Kyu Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Embedded Terminal Module and Connector and Manufacturing and Assembling Method Thereof

Номер патента: US20220102895A1. Автор: YU Kuo-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Integral structure of electroabsorption modulation laser and manufacturing and testing method thereof

Номер патента: CN108242763B. Автор: 王宝军,黄永光,朱洪亮,张瑞康. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2020-02-18.

Anode material of lithium ion battery and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN108432006B. Автор: 马晓华,马克·N·奥布罗瓦茨. Владелец: JOHNSON MATTHEY PLC. Дата публикации: 2022-04-26.

Socket insulation assembly and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN112186391B. Автор: 吴学东,何泽顺. Владелец: Hongya Chuangjie Communication Co ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Secondary battery and manufacturing system and method thereof

Номер патента: EP1489679A2. Автор: Yukimasa Nishide. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2004-12-22.

Enameled wire and manufacturing and processing method thereof

Номер патента: CN112349451A. Автор: 吕宁,盛珊瑜. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-09.

Electron generating device, image forming device and manufacturing and adjusting method thereof

Номер патента: KR970060294A. Автор: 히데또시 스즈끼,에이지 야마구찌,아끼라 후지이. Владелец: 미따라이 후지오. Дата публикации: 1997-08-12.

Nano silicon-carbon composite material and preparation method thereof

Номер патента: US09666863B2. Автор: Shigang Lu,Juanyu Yang,Haiyang Ding,Xingming WANG,Zhefeng Gao. Владелец: China Automotive Battery Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Corona-resistant N-grade insulation paper for variable frequency motor and preparation method thereof

Номер патента: US12110638B1. Автор: Guoqing Jiang,Lihua Zhao,Zi WANG,Shenli JIA,Junwen REN,Qiuwanyu Qing,Fuli Teng. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods of adjusting carbon and silica content in rice hull ash (rha) byproducts to control carbothermal reduction forming nanostructured silicon carbide, silicon nitride, silicon oxynitride nanocomposites

Номер патента: EP4399180A1. Автор: Richard Laine,Mengjie Yu,Eleni TEMECHE. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-07-17.

Array type laser diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020003826A1. Автор: Isao Yoneda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

A kind of magnetic-like linear silicon carbide and preparation method and application thereof

Номер патента: NL2034109A. Автор: Zhang Rui,WANG Hailong,Guan Li,Zhang Xinyue,Fan Bingbing,Wang Xiangli,Gao Qiancheng,Hao Wending. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2023-05-15.

A kind of magnetic-like linear silicon carbide and preparation method and application thereof

Номер патента: NL2034109B1. Автор: Zhang Rui,WANG Hailong,Guan Li,Zhang Xinyue,Fan Bingbing,Wang Xiangli,Gao Qiancheng,Hao Wending. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2023-12-08.

Nano-porous electrode for super capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09847183B2. Автор: Myung Gi Jeong,Chanhwa Chung,Serhiy Cherevko. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2017-12-19.

Magnetic random access memory using single crystal self-aligned diode and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: TWI332210B. Автор: Chia Hua Ho,Hsiang Lan Lung,Yen Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-21.

Electrostatically actuated oscillating structure with oscillation starting phase control, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: US09921405B2. Автор: Benedetto Vigna,Marco Ferrera,Sonia Costantini,Marco Salina. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-03-20.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170123202A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180157030A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150168715A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Resistive random access memory device and manufacturing and operating methods thereof

Номер патента: CN102270654B. Автор: 孙兵,高滨,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,韩汝琦,陈沅沙. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-16.

Electrostatically actuated oscillating structure with oscillation starting phase control, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: US9753279B2. Автор: Benedetto Vigna,Marco Ferrera,Sonia Costantini,Marco Salina. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: US20060170038A1. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

Automatic door control image intensifier shell and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111885861A. Автор: 王强,周盛涛,杜培德,朱文锦,曾进能,杨玺文,李亚情. Владелец: North Night Vision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Flexible Printed Cercuit Board having Conductive Circuit Pattern by Laser Direct Writing Method and Manufacturing System and Method Thereof

Номер патента: KR100906408B1. Автор: 이제훈,손현기,신동식,노지환,서정,조수재. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2009-07-09.

Multi-valued resistor memory device and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: JP5209852B2. Автор: 正 賢 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-12.

Equipped flexible electronic support, supporting at least one light emitting diode, and the associated manufacturing method

Номер патента: US20080253145A1. Автор: Gerard Billot,Vincent Biarne. Владелец: Valeo Vision SA. Дата публикации: 2008-10-16.

Electronic device and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240237195A1. Автор: Chung-Jyh Lin,Ker-Yih Kao,Chin-Ming Huang,Chien-Lin Lai. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Process for producing a conductive sintered body based on silicon carbide

Номер патента: MY113141A. Автор: SCHMIDT Helmut,Aslan Mesut,Nab Rudiger. Владелец: Institut Fur Neue Mat Gemeinnutzige Gmbh. Дата публикации: 2001-11-30.

Black silicon carbide ceramic based thermoelectric photodetector, optical power meter and optical energy meter

Номер патента: EP4113079A1. Автор: Delong LI. Владелец: Shandong Xinyuan Photoelectric Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Method of producing a conductive silicon carbide-based sintered compact

Номер патента: AU7288596A. Автор: Helmut Schmidt,Mesut Aslan,Rüdiger Nass. Владелец: Leibniz Institut fuer Neue Materialien Gemeinnuetzige GmbH. Дата публикации: 1997-04-30.

Method of producing silicon carbide sintered body for heater

Номер патента: US20070117722A1. Автор: Toshikazu Shinogaya,Fumio Odaka,Mari Miyano. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Piezoelectric single crystal silicon carbide microelectromechanical resonators

Номер патента: US20190305749A1. Автор: Raviv Perahia,Logan D. Sorenson,Lian X. Huang,Jeremy BREGMAN. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2019-10-03.

Motor drive with silicon carbide MOSFET switches

Номер патента: US09787212B2. Автор: Lixiang Wei,Neil Gollhardt,Kevin Baumann,William Brumsickle,Rangarajan Tallam,Richard Lukaszewski,Navid R. Zargari,Lee Gettelfinger,Stephen E. Denning,Garron Morris,Bruce Weiss,Robert Wright Reese. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Ceramic substrate, preparation method thereof, ceramic heating element, and electronic atomization device

Номер патента: CA3205713A1. Автор: Zhichao Chen,Yue Jiang,Haihua Li,Shaobin XIANG. Владелец: Shenzhen Smoore Technology Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Organic light emitting diode and manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20240023370A1. Автор: Yepeng XIANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Silicon carbide matrix composite material, process for producing the same and process for producing part of silicon carbide matrix composite material

Номер патента: US8568650B2. Автор: Tsuneji Kameda,Yoshiyasu Itoh,Shoko Suyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-29.

Quantum dot light emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240341117A1. Автор: JIN Wang,Yixing YANG,Yiran YAN,Weiran Cao,Likuan Zhou. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Fuel ignitor comprising a novel silicon carbide composition and process for preparing the composition

Номер патента: CA1102103A. Автор: James A. Hirsch,Martin R. Kasprzyk,Charles J. Boos,Elwood B. Hausler,Elmer G. Smith. Владелец: Carborundum Co. Дата публикации: 1981-06-02.

Thermal management in electric machines using near net shape formation of silicon carbide potting material

Номер патента: US20240275246A1. Автор: Bahram Jadidian,Mahdi Mohajeri,Mehrad MEHR. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Stretchable organic light emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298476A1. Автор: Taehyun Kim,Seunghyup Yoo,Hanul MOON,Subon KIM,Donggyun Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-09-05.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US20240251926A1. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US12102206B2. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Porous silicon carbide nanocomposite structure comprising nanowires and method of preparing the same

Номер патента: US09776172B2. Автор: In Ho Kim,Sang Woo Kim,Dong Ju Moon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-10-03.

Full-silicon carbide MEMS (micro-electromechanical system) triaxial accelerometer and manufacturing method thereof

Номер патента: CN109444469B. Автор: 赵玉龙,孙林,赵立波,蒋庄德,吴晨,方续东. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2020-06-12.

Silicon carbide-reinforced stibium-stannum-copper alloy bar and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2018107847A1. Автор: 赵勇,孙飞,埃里克斯⋅高登. Владелец: 苏州金仓合金新材料有限公司. Дата публикации: 2018-06-21.

Silicon carbide mildew-proof termite-proof coating, termite-proof wood and preparation method thereof

Номер патента: CN112210294B. Автор: 曾伟荣,曾伟城. Владелец: Guangdong Geek Bright Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-23.

Silicon carbide-based castable for repairing carbonaceous furnace eye bricks and preparation method thereof

Номер патента: CN115403391B. Автор: 牛强,姜娟. Владелец: Ordos Xijin Mining And Metallurgy Co ltd. Дата публикации: 2023-06-23.

Continuous silicon carbide fiber with controllable electrical property and wide range and preparation method thereof

Номер патента: CN110105070B. Автор: 王军,王浩,简科,邵长伟,王小宙,苟燕子. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-09-24.

Loofah derived porous silicon carbide ceramic-based high-temperature photo-thermal storage material and preparation method thereof

Номер патента: CN113800945A. Автор: 宣益民,徐巧,刘向雷. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2021-12-17.

A kind of silicon carbide/crystal-germanium/graphene heterojunction photoelectric device and its manufacturing method

Номер патента: CN107579129B. Автор: 冯松,蒲红斌,胡继超,李连碧,臧源,林生晃,贺小敏,韩雨凌,褚庆,封先锋,宋立勋,雷倩倩. Владелец: Xian Polytechnic University. Дата публикации: 2019-03-26.

LIGHT GUIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, LIGHT GUIDE PLATE AND MANUFACTURING AND RECYCLING METHODS THEREOF

Номер патента: US20170115445A1. Автор: Wang Peina. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Easy-split reclosable tape and manufacturing method thereof, and packaging bag with easy-split reclosable tape and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: TWI399326B. Автор: Kenichi Tanaka,Shuichi Goto,Yoshinori Namba. Владелец: Idemitsu Unitech Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-21.

Multi-component thermal spray coating material for semiconductor processing equipment, and manufacturing and coating method thereof

Номер патента: TW201043592A. Автор: Hyun-Kwang Seok,Kyeong-Ho Baik,Yu-Chan Kim. Владелец: Korea Inst Sci & Tech. Дата публикации: 2010-12-16.

Fixed value residual stress test block and manufacturing and preservation method thereof

Номер патента: US09989496B2. Автор: XIAO Li,LANG Xu,Chunguang Xu,Wentao SONG,Dingguo Xiao,Qinxue PAN. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2018-06-05.

High-strength glued wood beam bridge convenient to manufacture and construct and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN112482186A. Автор: 陈义龙,周建华,陈浩东,陈爱军,王虎瑞,王皓磊,贺国京,王解军. Владелец: Central South University of Forestry and Technology. Дата публикации: 2021-03-12.

Pocket spring mattress attached with strip material at side surface thereof and manufacturing device and method thereof

Номер патента: EP3821765A1. Автор: Zhiming Tan,Jie Liang. Владелец: Guangzhou Lianrou Machinery and Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

MULTI-HEAD PROBE AND MANUFACTURING AND SCANNING METHODS THEREOF

Номер патента: US20140020140A1. Автор: Tseng Fan-Gang,CHANG JOE-MING. Владелец: National Tsing Hua University. Дата публикации: 2014-01-16.

Fixed Value Residual Stress Test Block And Manufacturing And Preservation Method Thereof

Номер патента: US20160033452A1. Автор: Li Xiao,Xu Chunguang,Xiao Dingguo,SONG Wentao,XU Lang,PAN Qinxue. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Heat protector and manufacturing and mounting methods thereof

Номер патента: US20150060026A1. Автор: Tae-Wan Kim,Kwang-Weon Ahn. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-05.

Gel Nail Polish and Manufacturing and Using Method Thereof

Номер патента: US20170056312A1. Автор: Zhen Lijuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Wu Chien-Min,Wu Bo-Lun,LIN Meng-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Bagged spring bed core with side connected to strip-shaped material and manufacturing device and method thereof

Номер патента: US20200198961A1. Автор: Zhiming Tan,Jie Liang. Владелец: Guangzhou Lianrou Machinery and Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Fixed Value Residual Stress Test Block And Manufacturing And Preservation Method Thereof

Номер патента: US20180231499A1. Автор: Li Xiao,Xu Chunguang,Xiao Dingguo,SONG Wentao,XU Lang,PAN Qinxue. Владелец: Beijing Institute of Technology. Дата публикации: 2018-08-16.

Gel Nail Polish and Manufacturing and Using Method Thereof

Номер патента: US20180250219A1. Автор: Zhen Lijuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

ENCODER SCALE AND MANUFACTURING AND ATTACHING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160313144A1. Автор: MORITA Ryo,Kodama Kazuhiko,Otsuka Takanori,Wakasa Taisuke,Yoshihara Kouichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Self-healing asphalt composition and manufacturing, waterproofing structure method thereof

Номер патента: KR102265535B1. Автор: 황정준. Владелец: 주식회사 삼송마그마. Дата публикации: 2021-06-17.

Grinding wheel and manufacturing apparatus, mold, method thereof

Номер патента: KR100459810B1. Автор: 이환철,김상욱,박강래,서준원. Владелец: 신한다이아몬드공업 주식회사. Дата публикации: 2004-12-03.

Fiber and manufacture system and method thereof

Номер патента: CN105988160A. Автор: 蒋方荣,邹国辉,肖尚宏. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Single-clad-surface bendable multi-layer stacked corrugated core material and manufacturing and bending method thereof

Номер патента: CN113306259B. Автор: 张志智,郝景新,于利亚,李士豪,吴新凤. Владелец: Shenzhen Langhui Exhibition Co ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Surface wettability variable micro-pore model and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112161907B. Автор: 郭威,王一凡,胡冉,魏鹳举,廖震,周晨星,陈旭升,武东生,陈益峰. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2021-06-04.

Converter slag modifier and manufacture and using method thereof

Номер патента: CN102719575B. Автор: 徐鹏飞,于淑娟,侯洪宇,马光宇,耿继双,王向锋,杨大正. Владелец: Angang Steel Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-04.

Multi-layer wet tissue sheets and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: KR100495309B1. Автор: 박한욱. Владелец: 애드윈코리아 주식회사. Дата публикации: 2005-06-16.

I section composite girder, girder bridge and manufacturing and constructing method thereof

Номер патента: KR101182680B1. Автор: 박정환. Владелец: 대영스틸산업주식회사. Дата публикации: 2012-09-14.

Bedding layer for dairy cow breeding and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112205307B. Автор: 张青,杨洋,刘国锋,张华斌,程媛,程泽华,程武增,孙海栓,花勤孟,孙正沿,付希强,刘哲澔. Владелец: Shandong Huibangbohai Agricultural Development Co ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

High-stability small infrared gas sensor and manufacturing and implementation method thereof

Номер патента: CN112067572B. Автор: 卿笃安,曹绍情. Владелец: Shenzhen Nuoan Environmental & Safety Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

Conditioner for fermenting organic fertilizer from sludge and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN102391027B. Автор: 陈志峰,黄明强,许文江,刘美龄,谢小青,戴兰华,余淑蓉,郑晓倩,谢鸿根,宋志瑜. Владелец: SUBTROPICAL CROPS INSTITUTE OF FUJIAN PROVINCE. Дата публикации: 2014-04-02.

Protection barrier layer and manufacture and use method thereof

Номер патента: CN106163809A. Автор: J·P·凯利,R·D·乔丹,R·C·小诺里斯,F·J·柯西奥. Владелец: Georgia Pacific Consumer Products LP. Дата публикации: 2016-11-23.

Strain sensor based on flexible capacitor and manufacturing and test method thereof

Номер патента: CN105783696A. Автор: 刘昊,王亚楠,秦国轩,黄治塬,靳萌萌,党孟娇. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-07-20.

anti-transfer RFID intelligent label and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106682722B. Автор: 朱阁勇. Владелец: SHANGHAI CHINA CARD SMART CARD CO Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

3-dimension structural semiconductor bridge igniter and manufacturing and packaging method thereof

Номер патента: KR100482156B1. Автор: 박종욱,김선환,김윤범,이정복,김길현,박명일. Владелец: 주식회사 한화. Дата публикации: 2005-04-13.

Decorative surface of complete furniture and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111493566A. Автор: 吴根水. Владелец: Suzhou Jiahui Wooden Industry Constructing Co ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

Water bag concrete engineering deformation joint water stop type cavity die and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104314047A. Автор: 张朝利. Владелец: 张朝利. Дата публикации: 2015-01-28.

Root crop hoe blade, blade set, hoe blade and manufacturing and maintaining method thereof

Номер патента: CN111083984A. Автор: 安东·诺伊迈尔,爱德华·里克特. Владелец: EXEL INDUSTRIES SA. Дата публикации: 2020-05-01.

Flexible pipe with stable flow speed and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN110603140A. Автор: J·贝克,C·S·哥鲁布,H·S·列侬,M·T·怀特,L·雷,G·H·凌. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2019-12-20.

Steel-UHPC combined structure shear connector and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112176850B. Автор: 刘扬,曾丹,曹磊,鲁乃唯,陈方怀. Владелец: Hunan University of Technology. Дата публикации: 2022-07-01.

Prefabricated wall modular decoration combination and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN113802789A. Автор: 林有昌. Владелец: Tongtong Global Co ltd. Дата публикации: 2021-12-17.

Positioning device with external spiral grooves and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN109727682B. Автор: 刘璐,冯丽,王大伟,李金阳,张璐,于锐,彭天骥,盛鑫,顾龙,朱彦雷,秦长平,姜韦,范大军,唐延泽,田旺盛,范旭凯,崔青蓝. Владелец: Institute of Modern Physics of CAS. Дата публикации: 2020-11-10.

Micro-nano optical sensor for detecting chemical components and manufacturing and detecting method thereof

Номер патента: CN113804630A. Автор: 金庆辉,郜晚蕾,鹿胜康,管轶华,冯璐璠. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2021-12-17.

Grinding wheel and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103567858A. Автор: 聂大仕,黄胜蓝,缑高翔. Владелец: Saint Gobain Abrasifs SA. Дата публикации: 2014-02-12.

Concrete slump detection device and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: CN112269018A. Автор: 李岳,阳欢,夏开飞,邱燕飞,蔡关虎. Владелец: Sichuan Xing Cheng Gang Rui Building Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Multilayer compound eccentric-wear-preventing continuous sucker rod and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN104060944A. Автор: 李强,崔昌瑞,王瑞星,吴永太. Владелец: Shengli Oilfield Xinda Pipes Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-24.

Packaging structure and manufacturing machine and method thereof

Номер патента: JP4633343B2. Автор: アレクンダー テーラー アルフレッド,ディ パルマ ルイギ. Владелец: ティー・エヌ・エー オーストラリア ピィー・ティー・ワイ リミテッド. Дата публикации: 2011-02-16.

Modular assembly type copper-aluminum composite efficient cooling and heating radiation plate unit and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN109323344B. Автор: 张文丰. Владелец: Langfang Congpin Air Conditioning Equipment Manufacturing Co ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Gas-insulated GIL size effect test electrode device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: CN109633397B. Автор: 郑宇�,张天然,周文俊,喻剑辉. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2021-02-02.

Circular polarization device and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN106646919A. Автор: 苏刚. Владелец: SHENZHEN WANMING PRECISION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Projection welding insulation positioning pin and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN111250852A. Автор: 黎华. Владелец: Jiangling Motors Corp Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Anti-transfer RFID intelligent label and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN106682722A. Автор: 朱阁勇. Владелец: SHANGHAI CHINA CARD SMART CARD CO Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Projection exposure apparatus and manufacturing and adjusting methods thereof

Номер патента: US6621556B2. Автор: Osamu Yamashita,Masaya Iwasaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Endoscope optical system and manufacture device and method thereof

Номер патента: CN104473613A. Автор: 赵跃东. Владелец: NANJING DONGLILAI PHOTOELECTRIC INDUSTRIAL Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-01.

Foldable water stopping type cavity die for concrete deformation joint and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104314049A. Автор: 张朝利. Владелец: 张朝利. Дата публикации: 2015-01-28.

External steel beam joint of original concrete cylindrical structure and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN115596083A. Автор: 余晓波,孙江龙,张洪,张洋洋,潘炜,刘超超,张泽玉,杨同林,周帅翰. Владелец: China Construction First Group Construction and Development Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-13.

Eelectricity candle paraffin wax body and manufacturing instrument and method thereof

Номер патента: KR101323505B1. Автор: 이종걸. Владелец: 이종걸. Дата публикации: 2013-11-04.

Flexible 3D biological printing coaxial nozzle and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106671408B. Автор: 赵波,李瑜,王建平,石国宏,卞平艳,殷森. Владелец: Henan University of Technology. Дата публикации: 2023-02-28.

Encoder scale and manufacturing and attaching method thereof

Номер патента: US9739642B2. Автор: Kazuhiko Kodama,Ryo Morita,Takanori Otsuka,Taisuke Wakasa,Kouichi Yoshihara. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Modularized ship cabin and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN106628012A. Автор: 王旭,姜军,于航,储云泽,周文鑫,邢宏岩. Владелец: Shanghai Shipbuilding Technology Research Institute. Дата публикации: 2017-05-10.

Impact-resistant, high-temperature-resistant and high-hardness welding wire and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN110560959B. Автор: 曾斌,刘鑫. Владелец: Angang No3 Steel Making And Repairing Plant. Дата публикации: 2021-07-13.

Conductive Structure Body Having Conductive Darkening Layer, and Manufacturing Apparatus and Method thereof

Номер патента: KR20160127295A. Автор: 이상일,이정현,정좌진,권이태. Владелец: 주식회사 아텍. Дата публикации: 2016-11-03.

Cross form for porous concrete pile and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN107116665B. Автор: 陈�峰. Владелец: Maanshan City Sanshan Machinery Co ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Mold for customizing whole complete gourd appliance and manufacturing and use method thereof

Номер патента: CN105493917A. Автор: 黄全华. Владелец: TIANJIN ZHAOFU SCIENCE & TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

Accurate positioning device for embedded bolts of prefabricated stairs and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN109025323B. Автор: 尹万云,钱元弟,鲁德建. Владелец: China MCC17 Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

Nasal cavity dust removal and humidification dosing device and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN105963872A. Автор: 张朝峰,许小磊. Владелец: Suzhou Huicheng Zhizao Industrial Design Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-28.

Through bar type concrete composite floor slab structure and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN106368365A. Автор: 李明,王浩然,赵唯坚. Владелец: Shenyang Jianzhu University. Дата публикации: 2017-02-01.

Gusset for lightweight bag, bag assembled therefrom, and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: JP4376864B2. Автор: ティム ジェイ フェントン,ポール ヴィー シクルーナ,ディック エイチ ポーウェル. Владелец: テューミ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2009-12-02.

Composite bearing and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN113508241A. Автор: B·S·墨菲,文森特·迪玛蒂诺,格雷戈里·阿里. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2021-10-15.

Hard umbrella skirt composite insulated cross arm for use at high voltage and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN106320797A. Автор: 吴昊,吴亚民. Владелец: TAIPURUI ELECTROTECHNICAL INSULATION TECHNIQUE CO Ltd SHAANXI. Дата публикации: 2017-01-11.

SHEET WITH HIGH PRICE PRINTABLE "SKIN" TOUCH AND MANUFACTURING AND PACKAGING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2791368A1. Автор: Gilles Gesson,Philippe Baretje. Владелец: ArjoWiggins SAS. Дата публикации: 2000-09-29.

Hydraulic closing system for water gate and manufacturing and constructing method thereof

Номер патента: CN105507217A. Автор: 张朝峰. Владелец: Suzhou Duogu Engineering Design Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

Tank of benzene hydrogenation engineering and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN104843357B. Автор: 陈和平,刘昌球,匡礼毅,兰静,冯娜. Владелец: MCC5 Group Shanghai Corp Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Bone cutting navigation device capable of positioning accurately and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN104706425B. Автор: 李伟,李川,陆声,周游,徐小山,王均. Владелец: 周游. Дата публикации: 2017-02-22.

Manual pipe bending tool for marine instrument pipeline and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN111702051A. Автор: 李为民,左浩,许淳雄. Владелец: Hudong Zhonghua Shipbuilding Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-25.

Injection molded optical ferrules and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: KR100301075B1. Автор: 멜빈해리 존슨,프랭크마스덴 윌리스. Владелец: 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니. Дата публикации: 2001-10-22.

Condensation heat exchange pipe and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN105547032A. Автор: 李凯,王恩禄,茅锦达,万丛,徐煦. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2016-05-04.

Composite pipe and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN107345598B. Автор: 黄险波,熊鑫,陈大华,孙雅杰,蔡华轮,范欣愉,徐光磊,李晓拓,蒲颖. Владелец: Guangzhou Kingfa Carbon Fiber New Materials Development Co ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Information processing apparatus and method, information recording medium, and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: CN1971740B. Автор: 高岛芳和. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

High-safety intelligent hydrogen storage device and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN114370597B. Автор: 陆晓峰,朱晓磊,刘杨. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-14.

Steel-UHPC combined structure shear connector and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112176850A. Автор: 刘扬,曾丹,曹磊,鲁乃唯,陈方怀. Владелец: Hunan University of Technology. Дата публикации: 2021-01-05.

Novel radio frequency electrode and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN114343836A. Автор: 李芳�,冯超,卢科军,王李成. Владелец: Shaanxi Xindailu Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-04-15.

Flexible magnetic flux sensor and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111830445A. Автор: 魏建东,郝放,戚丹丹,陈家模,齐清华. Владелец: ZHENGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-27.

Hardware address addressing circuit and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106844266B. Автор: 黄赛,蒋政,李繁,颜然. Владелец: Tianjin Comba Telecom Systems Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Silver wear-resisting powder coating and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN104962180A. Автор: 袁文荣. Владелец: Suzhou Pu Le New Material Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-07.

Cutting torch cutting nozzle adapter and structure and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112958868A. Автор: 宋晓波. Владелец: Anhui Jinhuoshen Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Underground windowless side waterproof sheet film and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112776426A. Автор: 埃米尔·夏伊·卢蒂安. Владелец: Ai MierXiayiLudian. Дата публикации: 2021-05-11.

Medium-low temperature fast curing trivalent chromium passivation solution and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112301338A. Автор: 俞威,陈星�,朱丹青,陆海涛,曾建峰,朱洪帆. Владелец: Shanghai Xingsaier Surface Material Co ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Resistive random access memory and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Resistive random access memory with high-reliability and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US9899078B2. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Driver integrated circuit of light emitting diodes and multi-stage current setting method thereof

Номер патента: CN103068098B. Автор: 林崇伟. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2015-06-17.

Silicone carbide crystals and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200190693A1. Автор: Ching-Shan Lin,I-Ching Li,Chien-Cheng Liou,Jian-Hsin Lu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Semi-insulating silicon carbide crystalline ingot having a resistivity larger than 10∧7 Ohm-cm and manufacturing method therefor

Номер патента: US11041255B2. Автор: Ching-Shan Lin,I-Ching Li,Chien-Cheng Liou,Jian-Hsin Lu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Dispersion for silicon carbide sintered body, green sheet for silicon carbide sintered body and prepreg material for silicon carbide sintered body using the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US11760697B2. Автор: Keiji Ashitaka,Naoya Miwa,Souma TAGUCHI,Keigo KAMOSHIDA. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Cubic silicon carbide film manufacturing method, cubic silicon carbide film-attached substrate manufacturing method, and power device by use of the cubic silicon carbide film

Номер патента: US20150275394A1. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240337044A1. Автор: Takeshi Okamoto,Nobuyuki Oya,Akiyoshi HORIAI. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

High-throughput silicon carbide ceramic filter membrane and preparation method therefor

Номер патента: EP4332071A1. Автор: Johnny Marcher,Linfeng YUAN. Владелец: Nanjing Hanssen Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20120073495A1. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Silicon carbide crystal growing apparatus and crystal growing method thereof

Номер патента: US20210246573A1. Автор: Min-Sheng Chu,Wei-Tse Hsu,chun-sheng Peng,Yun-Fu Chen. Владелец: Winsheng Material Technology Wmt Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Method for producing ceramic composite material based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2744543C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-03-11.

Method for modification of silicon carbide

Номер патента: RU2600065C1. Автор: Виктор Федорович Каблов,Виталий Сергеевич Лифанов,Вера Павловна Шабанова,Никита Викторович Писарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2016-10-20.

Article with silicon carbide coating and method for manufacturing of article with silicon carbide coating

Номер патента: RU2684128C1. Автор: Алексей Викторович Редьков,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов,Александр Сергеевич Гращенко,Генадий Викторович Святец,Сергей Дмитриевич Федотов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-04-04.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20230279580A1. Автор: Takashi Kanemura,Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: CENTRAL RESEARCH INST OF ELECTRIC POWER IND. Дата публикации: 2023-09-07.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240191392A1. Автор: Takashi Kanemura,Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof

Номер патента: WO2022072258A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2022-04-07.

Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof

Номер патента: US20240271279A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of making ceramics based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibres

Номер патента: RU2718682C2. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Сергей Николаевич Перевислов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2020-04-13.

Method for obtaining silicon carbide

Номер патента: RU2767270C1. Автор: Владимир Николаевич Старовойтов,Виктор Юрьевич Пиирайнен,Кирилл Борисович ИГНАТЬЕВ. Владелец: Кирилл Борисович ИГНАТЬЕВ. Дата публикации: 2022-03-17.

Composition for bonding ceramic composite materials based on silicon carbide

Номер патента: RU2604530C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Олег Юрьевич Сорокин,Денис Вячеславович Гращенков,Сергей Станиславович Солнцев,Мария Леонидовна Ваганова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2016-12-10.

Silicon carbide single crystal growth apparatus and method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210262119A1. Автор: Toru Takahashi,Hitoshi Ikeda,Yuichi Matsumoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Silicon carbide seed crystal

Номер патента: US20240262084A1. Автор: Ray-Hua Horng,Ying-Ru Shih,Tsung-Po Chuang,Chai-Wei Ku. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Silicon carbide substrate

Номер патента: US20240254656A1. Автор: Hiroki Takaoka,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of applying gas-tight coating of silicon carbide

Номер патента: RU2601049C1. Автор: Владимир Николаевич Курлов,Ирина Алексеевна Шикунова,Сергей Леонидович Шикунов,Антон Евгеньевич Ершов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2016-10-27.

Silicon carbide powder and method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US09816200B2. Автор: Masakazu Suzuki,Hideaki Tanaka,Tomohisa Kato,Kiyoshi Nonaka,Kenta Masuda,Kouki Ichitsubo. Владелец: Taiheiyo Cement Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Silicon carbide powder comprising alpha phase silicon carbide granules of trimodal particle size distribution and low impurities

Номер патента: US09440859B2. Автор: Dong Geun Shin,Byung Sook Kim,Jung Eun Han,Kyoung Seok MIN. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for obtaining a wear-resistant composite material based on silicon carbide

Номер патента: RU2759858C1. Автор: Петр Александрович Витязь,Александр Федорович Ильющенко,Лариса Николаевна Дьячкова,Владимир Анатольевич Осипов. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ ПОРОШКОВОЙ МЕТАЛЛУРГИИ ИМЕНИ АКАДЕМИКА О.В. РОМАНА. Дата публикации: 2021-11-18.

Silicon carbide single crystal, silicon carbide substrate and manufacturing method for silicon carbide single crystal

Номер патента: CA2524581C. Автор: Hiromu Shiomi,Hiroyuki Kinoshita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-07-20.

Diamond-containing adhesive for joining reaction-bonded silicon-carbide parts

Номер патента: EP4365153A1. Автор: Glenn Evans,Sam Salamone,Sean Mcanany. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Method and device for manufacturing silicon carbide single-crystal

Номер патента: US20130239881A1. Автор: Shin Harada,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Shinsuke Fujiwara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Method of making composite articles from silicon carbide

Номер патента: US20200040449A1. Автор: William F Fischer, III,Walter Wrigglesworth, III,Lauren Montgomery. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Apparatus for producing bulk silicon carbide

Номер патента: US20210087706A1. Автор: Santhanaraghavan Parthasarathy,Roman V. Drachev,Andriy M. Andrukhiv,David S. Lyttle. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of preparing silicon carbide powder comprising converting a liquid SiC precursor to a B-phase SiC particulate material

Номер патента: US09551086B2. Автор: Kyoung Seok MIN. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for production of silicon carbide

Номер патента: RU2747988C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2021-05-18.

Method of obtaining articles of complex shape based on reaction-bonded silicon carbide

Номер патента: RU2735471C1. Автор: Владимир Сергеевич Зайцев,Михаил Юрьевич Русин,Наталья Александровна Голубева,Андрей Олегович Забежайлов,Илья Геннадьевич Михайлов,Максим Геннадьевич Лисаченко,Любовь Александровна Соловьёва. Владелец: Акционерное общество «Обнинское научно-производственное предприятие «Технология» им. А.Г.Ромашина». Дата публикации: 2020-11-02.

Charge for production of silicon carbide

Номер патента: RU2673821C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2018-11-30.

Polymer composition for producing silicon carbide

Номер патента: RU2605257C1. Автор: Владимир Георгиевич Севастьянов,Николай Тимофеевич Кузнецов,Нелли Леонидовна Шембель,Игорь Дмитриевич Симонов-Емельянов,Елизавета Петровна Симоненко,Николай Петрович Симоненко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технологический университет". Дата публикации: 2016-12-20.

A Method for Silicon Carbide Slip Casting and Sintering

Номер патента: LU102184B1. Автор: Changqing Li,Yansong Li,Baoliang Liu. Владелец: Univ Guangdong Petrochem Tech. Дата публикации: 2021-05-12.

Cut resistant and creep resistant uhmwpe fiber and preparation method thereof

Номер патента: US20210032448A1. Автор: Feng Yu,Lingli Zhang,Xiaolin Chen,Wendong Shen,Qingqing Chen,Haijian CAO,Junhao CHE,Xingyin SONG,Yafeng CAO,Chenyu ZHU. Владелец: Jiangsu Jonnyma New Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Growth of ulta-high purity silicon carbide crystals in an ambient containing hydrogen

Номер патента: EP1664397A1. Автор: Valeri F. Tsvetkov,Hudson McDonald Hobgood,Jason Ronald Jenny,David Phillip Malta. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-06-07.

Methods and apparatus for crosslinking a silicon carbide fiber precursor polymer

Номер патента: US20150018448A1. Автор: Slawomir Rubinsztajn,Peter Kennedy Davis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-01-15.

Methods and apparatus for crosslinking a silicon carbide fiber precursor polymer

Номер патента: EP3019318A1. Автор: Slawomir Rubinsztajn,Peter Kennedy Davis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-05-18.

Methods and apparatus for crosslinking a silicon carbide fiber precursor polymer

Номер патента: WO2015006025A1. Автор: Slawomir Rubinsztajn,Peter Kennedy Davis. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-01-15.

Silicon carbide joint and metal penetration connection method therefor

Номер патента: EP4421053A1. Автор: Yongdong Zhang,Xiansheng ZHANG,Qisen REN,Yehong LIAO,Lixiang Wu,Jiaxiang XUE,Jianhan ZHAI. Владелец: China Nuclear Power Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Silicon to silicon carbide conversion for ceramic matrix composite fabrication

Номер патента: US12054433B2. Автор: Jiping Zhang,Jonas Opperman,Austin TRAVIS,George JACOBSEN. Владелец: General Atomics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Bulk silicon carbide having low defect density

Номер патента: US09512542B2. Автор: Parthasarathy Santhanaraghavan,Roman V. Drachev,Andriy M. Andrukhiv,David S. Lyttle. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Silicon carbide sintered body and sliding component using the same, and protective body

Номер патента: US09388083B2. Автор: Kazuhiro Ishikawa,Mieko Yashima,Mami IIDA,Yuusaku Ishimine. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Method for producing part incorporating silicon substrate whose surface is covered with silicon carbide film

Номер патента: RU2286616C2. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие"). Дата публикации: 2006-10-27.

Method of depositing aluminium oxide coating on silicon carbide-coated substrate

Номер патента: RU2468361C2. Автор: Фредерик ЛЕМАН,Софи КОСТИЛЬ,Кристиан КОДДЕ,Пьер БЕРТРАН,Себастьен ЛЮКА. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-11-27.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210230768A2. Автор: Yohei FUJIKAWA,Hidetaka Takaba. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-29.

Method for manufacturing honeycomb structure containing silicon carbide

Номер патента: US12103856B2. Автор: Keisuke Kimura,Suguru KODAMA,Taku Nishigaki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Device for growing silicon carbide crystals

Номер патента: RU2341595C2. Автор: Данило КРИППА,Франко ПРЕТИ,Натале СПЕЧИАЛЕ,Джан Лука ВАЛЕНТЕ,Витторио ПОДЗЕТТИ,Ольле КОРДИНА,Маурицио МАСИ. Владелец: Лпе Спа. Дата публикации: 2008-12-20.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20240110309A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Silicon carbide (SiC)-loaded graphene photocatalyst for hydrogen production under visible light irradiation and preparation thereof

Номер патента: US11969716B2. Автор: Xin Chen,Yun Chen,Biao Li,Zuohui Liu,Maoxiang HOU,Shengbao LAI,Guanhai WEN. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20160340796A1. Автор: Akira Matsushima,Tsutomu Hori,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Silicon carbide crystal expansion apparatus, silicon carbide crystal expansion method and silicon carbide crystal expansion process

Номер патента: US20240263345A1. Автор: Lei Fang,Min-Sheng Chu,Wei-Tse Hsu,Chi-Hang HUNG. Владелец: Winsheng Material Technology Wmt Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Silicon carbide (SiC)-loaded graphene photocatalyst for hydrogen production under visible light irradiation and preparation thereof

Номер патента: US20230390746A1. Автор: Xin Chen,Yun Chen,Biao Li,Zuohui Liu,Maoxiang HOU,Shengbao LAI,Guanhai WEN. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-12-07.

Silicon carbide single crystal and method and apparatus for producing the same

Номер патента: EP1540048A1. Автор: Naoki c/o Showa Denko K.K. OYANAGI,Yasuyuki c/o Showa Denko K.K. SAKAGUCHI,Atsushi c/o Showa Denko K.K. TAKAGI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2005-06-15.

Methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US12071709B2. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for the production of shaped articles from reaction-bonded, silicon-infiltrated silicon carbide and/or boron carbide and thus produced shaped body

Номер патента: US09695089B2. Автор: Arthur Lynen,Jens Larsen,Michael Clemens. Владелец: Schunk Ingenieurkeramik GmbH. Дата публикации: 2017-07-04.

Joint design for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor

Номер патента: US09446367B2. Автор: Michael V. Spangler,Walter J. Stupin,Matthew J. Miller,Gerald A. Zeininger,William J. Onstot. Владелец: REC SILICON INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Silicon carbide porous body, honeycomb structure, and electric heating type catalyst carrier

Номер патента: US09440225B2. Автор: Katsuhiro Inoue,Yoshimasa Kobayashi,Takahiro Tomita,Kiyoshi MATSUSHIMA. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of coating silicon carbide-coated substrate

Номер патента: RU2466116C2. Автор: Фредерик ЛЕМАН,Себастьян ЛЮКА,Софи КОСТИЛЬ,Кристиан КОДДЕ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-11-10.

Complex steel oxidazer based on lumpy silicon carbide

Номер патента: RU2631570C2. Автор: Виктор Владимирович Алексенко. Владелец: ООО "НПК "КарбонГрупп". Дата публикации: 2017-09-25.

Method of producing powder containing silicon carbide and aluminum nitride from natural coal ash

Номер патента: RU2731094C1. Автор: Геннадий Яковлевич Мамонтов,Владимир Евгеньевич Губин,Александр Яковлевич Пак,Юлия Захаровна Васильева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2020-08-28.

Method for producing silicon carbide sintered body

Номер патента: US20180282227A1. Автор: Hiroki Ishida,Hironori Takahashi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Single-crystal silicon carbide wafer, single-crystal silicon carbide ingot, and single-crystal silicon carbide production method

Номер патента: EP4411029A1. Автор: Tomonori Umezaki,Gaku KONO,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Porous silicon dioxide-carbon composite and method for preparing high-purity granular beta-phase silicon carbide powder with using the same

Номер патента: US09994454B2. Автор: Sang Whan Park,Mi Rae YOUM,Sung Il YOUN,Gyoung Sun CHO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-06-12.

Non-contaminating bonding material for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor

Номер патента: US09662628B2. Автор: Michael V. Spangler,Barry Wemp,Matthew J. Miller,Sefa Yilmaz,Stein Julsrud. Владелец: REC SILICON INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Process for sintering silicon carbide

Номер патента: US09556073B2. Автор: Dale Adams. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-31.

Silicon carbide porous material, honeycomb structure and electric heating-type catalyst carrier

Номер патента: US09457345B2. Автор: Katsuhiro Inoue,Yoshimasa Kobayashi,Takahiro Tomita,Kiyoshi MATSUSHIMA. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Seed material for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide, and method for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon

Номер патента: US09447517B2. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Composition of coating to extend surface life of silicon carbide electric heaters

Номер патента: RU2049761C1. Автор: А.В. Иванов,Б.И. Поляк,к Б.И. Пол,В.А. Науменко,Н.П. Талакуев,В.Е. Сотников,А.Л. Юрков. Владелец: Юрков Андрей Львович. Дата публикации: 1995-12-10.

Alloy-reinforced high-carbon steel casting material and manufacturing method thereof

Номер патента: LU501948B1. Автор: Fang Xuan,HUI Zhang,Dunpu Zhang,Haibao Duan. Владелец: Univ Nanjing Xiaozhuang. Дата публикации: 2022-10-31.

Ingot, silicon carbide substrate, and method for producing ingot

Номер патента: US9546437B2. Автор: Makoto Sasaki,Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Systems and methods for producing silicon carbide powder

Номер патента: EP4378890A1. Автор: Bahram Jadidian,Mehrad MEHR. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Coloured silicon carbide

Номер патента: EP1268676A1. Автор: Adrian John Shortland. Владелец: Altro Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Pressed silicon carbide ceramic (sic) fluidic modules with integrated heat exchange

Номер патента: US20230219053A1. Автор: James Scott Sutherland,Alexander Lee CUNO,Howen LIM. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Method of producing silicon carbide: heating and lighting elements

Номер патента: US20020104984A1. Автор: Gady Golan. Владелец: Silbid Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Reaction bonded silicon carbide bodies made from high purity carbonaceous preforms

Номер патента: US09676631B2. Автор: Lori Bracamonte. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-13.

Silicon carbide powder and method for manufacturing the same

Номер патента: US09534316B2. Автор: Dong Geun Shin,Byung Sook Kim,Jung Eun Han,Bum Sup Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

High-flux silicon carbide ceramic filter membrane and preparation method thereof

Номер патента: US20240033690A1. Автор: Johnny Marcher,Linfeng YUAN. Владелец: Nanjing Hanssen Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Vanadium silicon carbide film, vanadium silicon carbide film coated member, and manufacturing method of vanadium silicon carbide film coated member

Номер патента: US20220411271A1. Автор: Hiroyuki Matsuoka,Satoru HABUKA. Владелец: Dowa Thermotech Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Silicon carbide powder and manufacturing method for same

Номер патента: US20230312353A1. Автор: Taira Otsu,Yuji Masuda,Mina Sato,Naoki Ushida,Takuya ISAYAMA,Haruna Inagaki,Naomi Ban. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Pressed silicon carbide ceramic (sic) fluidic modules with integrated heat exchange

Номер патента: WO2022005862A1. Автор: James Scott Sutherland,Alexander Lee CUNO,Howen LIM. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2022-01-06.

Dense, self-sintered silicon carbide/carbon-graphite composite and process for producing same

Номер патента: WO1994018141A1. Автор: Xin E. Chen,Mark E. Pfaff. Владелец: THE MORGAN CRUCIBLE COMPANY PLC. Дата публикации: 1994-08-18.

Silicon carbide monofilaments for improved composite properties and method

Номер патента: CA2001984A1. Автор: Raymond Loszewski. Владелец: Avco Corp. Дата публикации: 1990-05-28.

Coloured silicon carbide

Номер патента: WO2001074951A1. Автор: Adrian John Shortland. Владелец: ALTRO LIMITED. Дата публикации: 2001-10-11.

Silicon carbide single crystal wafer and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: EP4411030A1. Автор: Tomonori Umezaki,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Device and method for the production of silicon carbide

Номер патента: AU2023214706A1. Автор: Siegmund Greulich-Weber. Владелец: Yellow Sic Holding GmbH. Дата публикации: 2024-08-22.

Crystalline silicon carbide fiber and method for manufacturing same, and ceramic composite substrate

Номер патента: US12060302B2. Автор: Hideki Ozawa,Hiroyuki Yamaoka,Yuusuke TOMINAGA,Kouichirou Suyama,Mao SUMINO. Владелец: Ube Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Fiber-reinforced silicon carbide composite materials, method for producing the fiber-reinforced silicon carbide composite materials, and uses of the fiber-reinforced silicon carbide composite materials

Номер патента: US09975814B2. Автор: Andreas Kienzle,Tanja Damjanovic,Ingrid Kraetschmer. Владелец: SGL CARBON SE. Дата публикации: 2018-05-22.

Sintered refractory block based on silicon carbide with silicon nitride binder

Номер патента: RU2395477C9. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье Маргюэн. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2010-10-10.

X-ray membrane for x-ray mask, x-ray mask blank, x-ray mask, manufacturing method thereof and method of polishing silicon carbide film

Номер патента: US6127068A. Автор: Tsutomu Shoki,Kesahiro Koike. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2000-10-03.

Method and device for producing a silicon carbide-comprising workpiece

Номер патента: AU2023211108A1. Автор: Siegmund Greulich-Weber. Владелец: Yellow Sic Holding GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Diamond-silicon carbide composite

Номер патента: US20050209089A1. Автор: JIANG Qian,Yusheng Zhao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Anti-corrosion and anti-coking ceramic coating with easy state identification for coal-fired boiler and preparation method thereof

Номер патента: US11858868B2. Автор: Jing Zhu,Xianwei ZHU,Hongfei Sun,Xiaotao Luo,Hefa Li. Владелец: Xuzhen New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE SiC AND METHOD OF ITS PRODUCTION (VERSIONS)

Номер патента: RU2162902C1. Автор: Кити Танино,Кития Танино. Владелец: Ниппон Пиллар Пэкинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2001-02-10.

Method of producing silicon carbide

Номер патента: RU2689586C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2019-05-28.

Silicon carbide fiber reinforced silicon carbide composite material

Номер патента: CA2974485C. Автор: Kazuya Shimoda,Tatsuya Hinoki. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-16.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus and method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20220213617A1. Автор: Rimpei Kindaichi,Nobutoshi SUDOH. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-07-07.

Diffusion Bonded Silicon Carbide Having Iridium and Hermetic Silicon Carbide-Iridium Bonds

Номер патента: US20190329519A1. Автор: Brian V. Cockeram. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 2019-10-31.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US20140123901A1. Автор: Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: US20230183075A1. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2023-06-15.

Laser Guided Nano-Brazing Method for Reinforced Aluminum Composite Material having High Volume Fraction Silicon Carbide Particles

Номер патента: US20150196965A1. Автор: QIANG LI,PENG Wang,Gang Zeng,Sijie CHEN,Xitao WANG,Zeng GAO,Jitai Niu,Dongfeng Cheng,Baoqing Zhang,Erzhen Mu,Hengze Xian. Владелец: Henan Jingtai Areospace High-Novel Materials Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Silicon carbide single crystal wafer, and methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and the silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20210108334A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Silicon nitride/silicon carbide nano-nano composites

Номер патента: US20040179969A1. Автор: Julin Wan,Amiya Mukherjee,Matthew Gasch. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-09-16.

Atomic layer deposition method enhancing the nucleation and crystallinity of a boron nitride interface coating on a silicon carbide fiber

Номер патента: EP4414344A1. Автор: John E Holowczak. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A3. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A9. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2022-03-31.

Method and device for producing a silicon carbide-containing workpiece

Номер патента: AU2023214705A1. Автор: Siegmund Greulich-Weber. Владелец: Yellow Sic Holding GmbH. Дата публикации: 2024-08-22.

Diamond-silicon carbide composite and method for preparation thereof

Номер патента: US20040242399A1. Автор: JIANG Qian,Yusheng Zhao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Apparatus for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: EP2107138A3. Автор: Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-08-04.

Anti-corrosion and anti-coking ceramic coating with easy state identification for coal-fired boiler and preparation method thereof

Номер патента: US20230060480A1. Автор: Jing Zhu,Xianwei ZHU,Hongfei Sun,Xiaotao Luo,Hefa Li. Владелец: Xuzhen New Energy Technology (shanghai) Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Atomic layer deposition method enhancing the nucleation and crystallinity of a boron nitride interface coating on a silicon carbide fiber

Номер патента: US20240270652A1. Автор: John E. Holowczak. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Ceramic substate with reaction-bonded silicon carbide having diamond particles

Номер патента: US20240360049A1. Автор: Samuel M SALAMONE,Glenn EVANS, JR.. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Sealing method for silicon carbide parts used at high temperatures

Номер патента: US09702490B2. Автор: Nicolas Leblond,Mehrdad Mahmoudi. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US09644286B2. Автор: Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Process for producing silicon carbide

Номер патента: EP2297033A1. Автор: Ding Ma,Xinhe Bao,Lijun Gu,Wenjie Shen. Владелец: Dalian Institute of Chemical Physics of CAS. Дата публикации: 2011-03-23.

Method of producing textile silicon carbide materials

Номер патента: RU2694340C1. Автор: Елена Иннокентьевна Истомина,Павел Валентинович Истомин,Владислав Эвальдович Грасс,Александр Вениаминович Надуткин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Коми научного центра Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2019-07-11.

Silicon carbide element reinforced with continuous fibers, method of its production and structural element of nuclear reactor

Номер патента: RU2692765C1. Автор: Сёко СУЯМА,Масару УКАИ,Масаюки УТИХАСИ,Кадзуо КАКИУТИ,Хидеаки ХЕКИ. Владелец: Тосиба Энерджи Системс Энд Солюшнс Корпорейшн. Дата публикации: 2019-06-27.

Method of producing polyimide composite fibre based on carbon reinforced by nanostructured silicon carbide

Номер патента: RU2644906C2. Автор: Виталий Сергеевич Иванов,Антон Сергеевич Егоров,Алена Игоревна Возняк,Ксения Валерьевна Царькова,Алексей Вячеславович Антипов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт"-ИРЕА). Дата публикации: 2018-02-14.

Method for preparation of charge for the production of silicon carbide

Номер патента: RU2771203C1. Автор: Олег Иванович Дошлов,Михаил Сергеевич Ковалев,Иван Олегович Дошлов,Никита Александрович Горяшин,Александр Андреевич Турусин,Юлия Сергеевна Лукьянова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский национальный исследовательский технический университет" (ФГБОУ ВО "ИРНИТУ"). Дата публикации: 2022-04-28.

Silicon carbide powder and production method thereof

Номер патента: US20230159339A1. Автор: Yuji Masuda,Mina Sato,Naoki Ushida. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A2. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2021-12-02.

Ceramic substrate with reaction-bonded silicon carbide having diamond particles

Номер патента: US12054439B2. Автор: Samuel M. Salamone,Glen Evans, JR.. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for purifying silicon carbide

Номер патента: US20220250918A1. Автор: Matthias Hausmann,Wenzel KLIETZ,Josef GARBES. Владелец: Esk Sic GmbH. Дата публикации: 2022-08-11.

Method for removing layers of silicon carbide, as well as process and apparatus for cleaning epitaxial reactor components

Номер патента: EP4424868A1. Автор: Giovanni Franco,Maria Elena Fragala. Владелец: Universita degli Studi di Catania. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for removing layers of silicon carbide, as well as process and apparatus for cleaning epitaxial reactor components

Номер патента: US20240293850A1. Автор: Giovanni Franco,Maria Elena Fragala. Владелец: Catania, University of. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of producing silicon carbide refractories

Номер патента: RU2740392C1. Автор: Сергей Викторович Зайцев,Василий Степанович Бессмертный,Надежда Ивановна Бондаренко,Евгений Иванович Евтушенко,Владимир Анатольевич Дороганов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова". Дата публикации: 2021-01-13.

Sublimation method for growing silicon carbide monocrystals and silicon carbide source involved

Номер патента: RU2094547C1. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Евгений Николаевич Мохов,Юрий Александрович Водаков,Марк Григорьевич Рамм,Александр Дмитриевич Роенков,Сергей Юрьевич Карпов,Марк Спиридонович Рамм,Леонид Иосифович Темкин. Владелец: Леонид Иосифович Темкин. Дата публикации: 1997-10-27.

Mixture for producing silicon carbide for metallurgical production

Номер патента: RU2715828C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин,Иван Миронович Кашлев. Владелец: Иван Миронович Кашлев. Дата публикации: 2020-03-03.

Method for making a silicon carbide substrate

Номер патента: US4582561A. Автор: Takeshi Sakurai,Toshinori Ioku. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1986-04-15.

Silicon based melting composition and manufacturing method for silicon carbide single crystal using the same

Номер патента: US11873576B2. Автор: Chanyeup CHUNG,Junghwan Kim,Horim Lee,Jung Min Ko. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Manufacturing method of silicon carbide ingot

Номер патента: US11859306B2. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Graphite electrode and manufacturing process thereof, and a carbon dioxide generator

Номер патента: US20190161873A1. Автор: Jun Zheng. Владелец: Ningbo Dayang Industry And Trade Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Silicon carbide powder, method for manufacturing the same and silicon carbide sintered body, method for manufacturing the same

Номер патента: US09840420B2. Автор: Dong Geun Shin,Byung Sook Kim,Jung Eun Han. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Silicon carbide powder

Номер патента: US09630854B2. Автор: Kazuhito HASE. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of producing a composite based on microporous zeolite and silicon carbide

Номер патента: RU2725586C1. Автор: Алексей Георгиевич Дедов,Александр Александрович Караваев,Алексей Сергеевич Локтев,Илья Иосифович Моисеев,Алексей Сергеевич Митиненко,Екатерина Андреевна Исаева. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный университет нефти и газа (национальный исследовательский университет) имени И.М. Губкина". Дата публикации: 2020-07-02.

Method for producing silicon carbide felt

Номер патента: RU2758311C9. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-12-08.

Method for producing silicon carbide felt

Номер патента: RU2758311C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Антон Сергеевич Лысенков,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Марианна Геннадьевна Флорова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-10-28.

Sintered silicon carbide-based refractory material with silicon nitride as binder

Номер патента: RU2496745C2. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье МАРГЮИН,Лионель МУАТРИЕ,Оливье Ситти. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2013-10-27.

High-temperature antioxidant coating for ceramic composite materials based on silicon carbide

Номер патента: RU2601676C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Олег Юрьевич Сорокин,Денис Вячеславович Гращенков,Сергей Станиславович Солнцев,Мария Леонидовна Ваганова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2016-11-10.

Silicon carbide based porous article and method for preparation thereof

Номер патента: US20040033893A1. Автор: Takashi Harada,Shuichi Ichikawa,Takahiro Tomita,Yuichiro Tabuchi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2004-02-19.

High quality silicon carbide seed crystal, silicon carbide crystal, silicon carbide substrate, and preparation method therefor

Номер патента: US20230295838A1. Автор: He Zhang,Jian Yang,Yu Guo,BO Wang,Ning Zhao,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Yanfang LOU. Владелец: Jiangsu Tankeblue Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Silicon Based Melting Composition and Manufacturing Method for Silicon Carbide Single Crystal Using the Same

Номер патента: US20200224330A1. Автор: Chanyeup CHUNG,Junghwan Kim,Horim Lee,Jung Min Ko. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Method of forming a laminate of epitaxially grown cubic silicon carbide layers, and method of forming a substrate-attached laminate of epitaxially grown cubic silicon carbide layers

Номер патента: US9732439B2. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof

Номер патента: EP4222293A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Silicon Based Fusion Composition and Manufacturing Method of Silicon Carbide Single Crystal Using the Same

Номер патента: US20200010973A1. Автор: Chan Yeup Chung,Ho Rim Lee,Jung Min Ko,Manshik Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Production of bulk single crystals of silicon carbide

Номер патента: EP1129238A2. Автор: Charles Eric Hunter. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2001-09-05.

Production of bulk single crystals of silicon carbide

Номер патента: AU1106600A. Автор: Charles Eric Hunter. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2000-05-01.

Closing of micropipes in silicon carbide (SiC) using oxidized polysilicon techniques

Номер патента: US20030092242A1. Автор: Anthony Kurtz,Alexander Ned. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2003-05-15.

Method of producing structural ceramic material based on silicon carbide for articles of complex geometry

Номер патента: RU2739774C1. Автор: Алексей Владимирович Красиков,Михаил Александрович Марков,Павел Алексеевич Кузнецов,Евгений Александрович Самоделкин,Алина Дмитриевна Быкова,Михаил Валерьевич Хроменков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт"-ЦНИИ КМ "Прометей"). Дата публикации: 2020-12-28.

Cvd reactor for synthesis of heteroepitaxial silicon carbide films on silicon substrates

Номер патента: RU2767098C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Открытый код". Дата публикации: 2022-03-16.

Product from silicon carbide, which is saturated with resin

Номер патента: RU2508517C1. Автор: Освин ЭТТИНГЕР,Маркус ФРАНЦ. Владелец: Сгл Карбон Се. Дата публикации: 2014-02-27.

Methods of fabricating silicon carbide crystals

Номер патента: US6706114B2. Автор: Stephan Mueller. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-03-16.

Method for producing oxide-silicon carbide cutting ceramics of new fraction

Номер патента: RU2748537C1. Автор: Анатолий Андреевич Рыжкин,Владимир Николаевич Пучкин,Илья Андреевич Туркин,Юлия Анатольевна Олейникова,Татьяна Владимировна Кащеева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-05-26.

Method for manufacturing silicone carbide bodies

Номер патента: CA1092793A. Автор: Wendel G. Brown. Владелец: Coors Porcelain Co. Дата публикации: 1981-01-06.

Silicon carbide material, honeycomb structure and electric-heating type catalyst carrier

Номер патента: EP2671857A1. Автор: Yoshimasa Kobayashi,Takahiro Tomita,Miyuki Yabuki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-12-11.

Methods of fabricating silicon carbide crystals

Номер патента: US7135072B2. Автор: Stephan Mueller. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-11-14.

Silicon carbide fiber reinforced silicon carbide composite material

Номер патента: EP3231782A1. Автор: Kazuya Shimoda,Tatsuya Hinoki. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-10-18.

Sagger for sintering lithium composite transition metal oxide and preparation method thereof

Номер патента: US20230322636A1. Автор: LING Li,BIN Li,Changdong LI,Dingshan Ruan,Xingyu Wu,Shenghe Tang. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods of forming silicon carbide coated base substrates at multiple temperatures

Номер патента: US11827999B2. Автор: Hui Chen,Shawn Thomas,Xinning Luan,Yen Lin Leow,Kirk Allen Fisher. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for producing silicon carbide single-crystal ingot and silicon carbide single-crystal ingot

Номер патента: US20180066380A1. Автор: Tatsuo Fujimoto,Takayuki Yano,Kazuaki Seki,Hiroshi Tsuge,Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Komomo TANI. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Bulk silicon carbide having low defect density

Номер патента: US20150072101A1. Автор: Parthasarathy Santhanaraghavan,Roman V. Drachev,Andriy M. Andrukhiv,David S. Lyttle. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Silicon to silicon carbide conversion for ceramic matrix composite fabrication

Номер патента: EP4211093A1. Автор: Jiping Zhang,Jonas Opperman,Austin TRAVIS,George JACOBSEN. Владелец: General Atomics Corp. Дата публикации: 2023-07-19.

Methods of forming silicon carbide coated base substrates at multiple temperatures

Номер патента: US20240052521A1. Автор: Hui Chen,Shawn Thomas,Xinning Luan,Yen Lin Leow,Kirk Allen Fisher. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US20240026569A1. Автор: Taro Nishiguchi,Takaya MIYASE,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof

Номер патента: US11987882B2. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Methods for Preparing Silicon Carbide Powder and Single Crystal Silicon Carbide

Номер патента: US20220371901A1. Автор: Yong Jin Kwon,Il Gon Kim,In Seok Yang. Владелец: HANA MATERIALS Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Apparatus and method for silicon carbide ingot peeling

Номер патента: US20240149494A1. Автор: Yi-Wei Lin,Weng-Jung Lu,Ying-Fang Chang,Pin-Yao Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon carbide magnetometer and associated material formation methods

Номер патента: US11993864B2. Автор: Robert Osiander,John B. Abraham,Brian D. Clader,Cameron A. Gutgsell,Dalibor J. Todorovski,Scott A. Sperling,Jacob E. Epstein,Timothy M. Sweeney,Elizabeth A. Pogue,Tyrel M. McQueen. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-28.

Silicon carbide cladding and brazing connection method therefor, and fuel rod and fuel assembly

Номер патента: EP4230336A1. Автор: Yang Liu,Tong Liu,Rui Li,Yongdong Zhang,Xiansheng ZHANG,Haibin Ma,Qisen REN,Yehong LIAO,Jiaxiang XUE,Jianhan ZHAI. Владелец: Lingdong Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Silicon carbide manufacturing device and method of manufacturing silicon carbide

Номер патента: US20080053371A1. Автор: Fusao Hirose,Masao Nagakubo,Yasuo Kitoh. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Silicon carbide manufacturing device and method of manufacturing silicon carbide

Номер патента: US7879150B2. Автор: Fusao Hirose,Masao Nagakubo,Yasuo Kitoh. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

An abrasive aggregate including silicon carbide and a method of making same

Номер патента: WO2013003814A3. Автор: Guan Wang,Russell Krause,Yves Boussant-Roux. Владелец: SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.. Дата публикации: 2013-02-28.

Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys

Номер патента: EP3074366A2. Автор: Bernard Patrick Bewlay,Brian Michael Ellis,Joan McKIEVER,Nicholas Vincent Mclasky. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-10-05.

Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys

Номер патента: WO2015112232A2. Автор: Bernard Patrick Bewlay,Brian Michael Ellis,Joan McKIEVER,Nicholas Vincent Mclasky. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMAPNY. Дата публикации: 2015-07-30.

Method of forming silicon carbide film on aluminum nitride, film structure and silicon carbide film

Номер патента: US6617059B1. Автор: Hiromichi Kobayashi,Hirotake Yamada,Hiroshi Furukubo. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2003-09-09.

Process for manufacturing a silicon carbide coated body

Номер патента: EP3732158A1. Автор: Paul Westphal,Peter J. GUERCIO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Process for manufacturing a silicon carbide coated body

Номер патента: US12077441B2. Автор: Paul Westphal,Peter J. GUERCIO,Kirk Allen Fisher. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Silicon carbide mems structures and methods of forming the same

Номер патента: WO2006020674A1. Автор: Chien-Hung Wu,Jeffrey M. Melzak. Владелец: Flx Micro, Inc.. Дата публикации: 2006-02-23.

Low resistivity single crystal silicon carbide wafer

Номер патента: US09915011B2. Автор: Noboru Ohtani,Tatsuo Fujimoto,Hirokatsu Yashiro,Masakazu Katsuno,Masashi Nakabayashi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Ceramic matrix composite including silicon carbide fibers in a ceramic matrix comprising a max phase compound

Номер патента: US09856176B2. Автор: Stephen Harris,Robert Shinavski. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US09845549B2. Автор: Shin Harada,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US09844893B2. Автор: Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Methods for producing silicon carbide whisker-reinforced refractory composition

Номер патента: US09683782B2. Автор: Patrick Malkmus,Jerome Soudier. Владелец: Calderys France SAS. Дата публикации: 2017-06-20.

Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys

Номер патента: US09511417B2. Автор: Bernard Patrick Bewlay,Brian Michael Ellis,Joan McKIEVER,Nicholas Vincent Mclasky. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-12-06.

Production method of polyimide composite film coating reinforced by nanostructured silicon carbide (versions)

Номер патента: RU2620122C2. Автор: Виталий Сергеевич Иванов,Антон Сергеевич Егоров,Алена Игоревна Возняк,Ксения Валерьевна Царькова,Алексей Вячеславович Антипов. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Химических Реактивов И Особо Чистых Химических Веществ". Дата публикации: 2017-05-23.

Epitaxial growth of silicon carbide and resulting silicon carbide structures

Номер патента: CA2205918C. Автор: Vladimir A. Dmitriev,Calvin H. Carter, Jr.,Svetlana V. Rendakova,Vladimir A. Ivantsov. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2002-01-29.

Method of manufacturing silicon carbide crystals

Номер патента: US3962406A. Автор: Gerrit Verspui,Wilhelmus Franciscus Knippenberg. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-06-08.

Process for preparing a silicon carbide sintered body for use in semiconductor equipment

Номер патента: US5589116A. Автор: Hiroaki Wada,Tadaaki Miyazaki,Shoichi Kojima,Kazuhiro Minagawa,Haruyuki Kano. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1996-12-31.

A sintered silicon carbide product and a process for producing the same

Номер патента: GB2054540A. Автор: . Владелец: Nippon Crucible Co Ltd. Дата публикации: 1981-02-18.

Composite material of silicon carbide and silicon and methods of producing

Номер патента: CA1158259A. Автор: Martin R. Kasprzyk,Douglas J. Mcdowell,Francis J. Frechette,Joseph S. Zanghi. Владелец: Kennecott Corp. Дата публикации: 1983-12-06.

Recovery of silicon carbide whiskers from coked, converted rice hulls by froth flotation

Номер патента: US4293099A. Автор: William M. Goldberger,Bhupendra K. Parekh. Владелец: Silag A Inc. Дата публикации: 1981-10-06.

Silicon carbide member

Номер патента: US5229193A. Автор: Michio Hayashi,Fukuji Matsumoto,Junji Madono. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1993-07-20.

Sintered silicon carbide/carbon composite ceramic body having ultrafine grain microstructure

Номер патента: CA1248975A. Автор: Wolfgang D.G. Boecker,George I. Reini. Владелец: Stemcor Corp. Дата публикации: 1989-01-17.

Silicon carbide powder and method for producing the same

Номер патента: US6733736B2. Автор: Shigeki Endo,Masashi Otsuki. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2004-05-11.

A molybdenum carbide / carbon composite and manufacturing method

Номер патента: EP3066063A1. Автор: Alessandro BERTARELLI,Stefano BIZZARRO. Владелец: Brevetti Bizz Srl. Дата публикации: 2016-09-14.

High temperature sensors utilizing doping controlled, dielectrically isolated beta silicon carbide (SiC) sensing elements on a specifically selected high temperature force collecting membrane

Номер патента: US20030087481A1. Автор: Anthony Kurtz,Alexander Ned. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Method of growing silicon carbide crystals

Номер патента: US20240011188A1. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240183073A1. Автор: Takahiro Kanda,Soma SAKAKIBARA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Silicon carbide single crystal ingot, silicon carbide wafer, and method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240110308A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Diamond-containing adhesive for joining reaction-bonded silicon-carbide parts

Номер патента: US20240141212A1. Автор: Glenn Evans,Sam Salamone,Sean Mcanany. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Humidity sensitive nano-photonics and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240125974A1. Автор: Jae Kyoung Kim,Jun Suk RHO,Trevon Badloe,Young Hwan YANG,Byoung Su KO. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of manufacturing honeycomb structure and silicon carbide particles used for producing honeycomb structure

Номер патента: US20060154068A1. Автор: Takashi Harada,Shuichi Ichikawa,Aiko Otsuka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2006-07-13.

Group iii nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlayer structure

Номер патента: CA2493503C. Автор: John Adam Edmond,Hua-Shuang Kong,Kathleen Marie Doverspike,Michelle Turner Leonard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-11-29.

Silicon carbide transverse-pin penny-sized nuclear battery and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103021492A. Автор: 张�林,李清华,邱彦章,巨永锋. Владелец: Changan University. Дата публикации: 2013-04-03.

Zirconium carbide-silicon carbide-silicon nitride super high temperature ceramic composite material and preparation method thereof

Номер патента: CN103253940A. Автор: 韩丽丽,韩文波,马宝霞,郭二军. Владелец: Harbin University of Science and Technology. Дата публикации: 2013-08-21.

Silicon carbide junction barrier Schottky diode

Номер патента: CN210349845U. Автор: 吴昊,黄兴,张梓豪,陈欣璐. Владелец: Pn Junction Semiconductor Hangzhou Co ltd. Дата публикации: 2020-04-17.

Silicon carbide-added high-thermal-conductivity silicon nitride ceramic material and preparation method thereof

Номер патента: CN115650733A. Автор: 于琦,董宾宾,李县辉,曹嘉诚,屈晶晶,蒋育曈. Владелец: Luoyang Institute of Science and Technology. Дата публикации: 2023-01-31.

Silicon carbide ceramic wave-absorbing pyramid based on 3D printing and preparation method thereof

Номер патента: CN114315366A. Автор: 何山,李家雨,花晓军. Владелец: Aerospace Changping Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Manufacturing and assembling mechanism of light guide plate with scheduled torn off edge material and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: TWI776615B. Автор: 李明彥. Владелец: 茂林光電科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-09-01.

Self-adhesive waterproof roll and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103556788A. Автор: 崔学民,宋敦清,薛兴勇,龚荣华. Владелец: GUANGXI QINGLONG CHEMICAL BUILDING MATERIAL CO Ltd. Дата публикации: 2014-02-05.

Double-layer solid wood floorboard and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN103510682A. Автор: 陈建国. Владелец: Shanghai Zhubang Wood Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-15.

Unit extensible type assembled metal gutter and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN103422625A. Автор: 李春光,刘献文,杨时银,杨亚. Владелец: Jangho Group Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Improved sandwiched color-steel plate and manufacture and construction method thereof

Номер патента: CN105064602A. Автор: 吴耀荣. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-18.

Connector capable of realizing deep-sea hot plugging and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN101944678B. Автор: 康图强. Владелец: 康图强. Дата публикации: 2012-09-05.

Filled karst pipeline system and manufacturing and refilling methods thereof

Номер патента: CN104215425A. Автор: 周毅,李利平,石少帅,李术才,张乾青,陈迪杨,许振浩,孙尚渠. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2014-12-17.

Solid-state imaging device, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: CN100481482C. Автор: 阿部秀司,佐藤充,北野良昭,黑岩淳,平田清,大木洋昭,唐泽信浩,滝泽律夫,山下满,国分胜则. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-22.

Connector capable of realizing deep-sea live-wire insertion and extraction and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN101944678A. Автор: 康图强. Владелец: 康图强. Дата публикации: 2011-01-12.

Belt transmission water flow energy dissipation, power generation and settling device and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104819090A. Автор: 张朝利. Владелец: Suzhou Huicheng Zhizao Industrial Design Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-05.

Micro-pressure sensor and manufacturing and detecting method thereof

Номер патента: CN103983395A. Автор: 赵玉龙,李萍,赵立波,乔智霞,蒋庄德,李支康,叶志英,薛方正. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2014-08-13.

High-molecular polymer based resistance type humidity sensor and manufacturing and testing method thereof

Номер патента: CN102928475B. Автор: 陈宏�,吴佳俊,卞侃,熊克,潘潇. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2015-01-14.

Surface-mounted electronic device package structure and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN104340516A. Автор: 弗兰克·魏. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-11.

Blank-filling bar code circle menu and manufacturing and interpreting methods thereof

Номер патента: CN101739580A. Автор: 吴坤荣,吴伊婷,黄景焕,郑维恒,简大为. Владелец: Chunghwa Telecom Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Automatic ordering and manufacturing system and method thereof

Номер патента: KR100561067B1. Автор: 김상현,오인환,송병래. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2006-03-16.

Image identifier capable of obtaining hidden information and manufacturing and reading method thereof

Номер патента: CN103295047A. Автор: 谢婧. Владелец: 谢婧. Дата публикации: 2013-09-11.

Foldable multifunctional overhanging unloading platform and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN105239765B. Автор: 张磊,孙涛,陈晓东,于光,张平平,杨少林,史一剑,包海明,王立营,史剑. Владелец: China Construction Baili Engineering Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

Differential transformer type line displacement sensor and manufacture and use methods thereof

Номер патента: CN102175128A. Автор: 杨蕾,梁锋,韦林,王卫斌. Владелец: XI'AN XUTONG ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Adjustable body type hybrid power system test-bed and manufacturing and adjusting method thereof

Номер патента: CN102435439B. Автор: 张伟健,张兆龙,周炳峰. Владелец: Shanghai Zhongke Shenjiang Electric Vehicle Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-09.

Patch type RFID (Radio Frequency Identification Device) tire electronic tag device and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN102054195B. Автор: 陈海军,王曙光,董兰飞,袁仲雪,邬立春,刘川来. Владелец: Mesnac Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Building construction all-steel mold plate and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN102182302B. Автор: 李春林,张晓亮,李青文,刘肆方,邝维萍. Владелец: THIRD INSTALLATION ENGINEERING Co Ltd OF SINOCHEM 2 CONSTRUCTION GROUP Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

Glass rod preventing liquid from bumping, and manufacture and usage method thereof

Номер патента: CN104415800A. Автор: 彭慧仙. Владелец: Pangang Group Panzhihua Iron and Steel Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-18.

Arc diameter detector and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN101650149A. Автор: 宁杰,袁福吾,黄恭祝,覃洪东. Владелец: Guangxi Yuchai Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-17.

Grouting bag for grouting and lifting of ballastless track and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN104153260A. Автор: 曾志,郑新国,王月华,杨德军,谢永江,李书明,刘竞,翁智财,朱长华,仲新华. Владелец: Railway Engineering Research Institute of CARS. Дата публикации: 2014-11-19.

Film transistor array substrate and manufacturing and repairing methods thereof

Номер патента: CN102213879A. Автор: 白国晓. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-12.

Dismantling-free stiffened composite template and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103195238A. Автор: 张建华. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-10.

Electric-controlled equipment real-time reading and writing system in assembly and manufacture process and method thereof

Номер патента: CN101387869A. Автор: 陈兴,邢晓龙. Владелец: Shanghai Baosight Software Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-18.

'8'-shaped double-pancake coil of transformer and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN102568771A. Автор: 李德荣,卢永安,梁湖. Владелец: LIUZHOU SOENEN SPECIAL TRANSFORMER CO Ltd. Дата публикации: 2012-07-11.

Cement concrete building solid phase filler surfactant and manufacturing and use methods thereof

Номер патента: CN104496246A. Автор: 熊敏. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-08.

Epoxy resin AB glue used in high-temperature environment and manufacturing and use methods thereof

Номер патента: CN104987849A. Автор: 张隽华,张向宇. Владелец: Zhuzhou Shilin Polymer Co ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

Fibre strengthening resin structure material and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN101209588A. Автор: 本居孝治. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-02.

Silicon-based silicon dioxide waveguide, and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN103364873B. Автор: 张小平,张卫华,单欣岩,李铭晖. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-02-08.

Collosol counter stiffener and manufacturing equipment and method thereof

Номер патента: CN101849728A. Автор: 邱于建. Владелец: SHISHI TESI NON-WOVEN FABRICS GARMENT Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-06.

Spherical poultry-egg label and manufacturing and pasting methods thereof

Номер патента: CN103680305A. Автор: 王众. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-26.

Array substrate and manufacturing and maintaining method thereof and display device

Номер патента: CN102931189A. Автор: 张明,蔡振飞,郝昭慧,尹雄宣,贾丕健. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-13.

Weak alkaline reverse osmosis water and weak alkaline mineral water and manufacturing system and method thereof

Номер патента: TW201102350A. Автор: Wei Fang,Shi-Wei Kong,Ming-Yih Chang,Chi-Yu Chuang,Lin-Chi Chen. Владелец: Ming-Yih Chang. Дата публикации: 2011-01-16.

Optical fiber coupler and manufacturing device and method thereof

Номер патента: TWI239413B. Автор: Li-Ming Liou,Jeng-Tsan Jou. Владелец: Coretech Optical Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-11.

Zener diode and BCD technique manufacturing method thereof

Номер патента: CN101442077B. Автор: 陈志勇. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing refractory material based on silicon carbide and silicon

Номер патента: RU2439032C1. Автор: Сергей Викторович Дигонский,Виталий Вячеславович Тен. Владелец: Виталий Вячеславович Тен. Дата публикации: 2012-01-10.

Manufacturing method of corrugated plate for heat exchanger from composite materials

Номер патента: RU2562274C1. Автор: Александр Павлович Белоглазов,Евгений Акимович Богачев,Александр Борисович Елаков,Леонид Владимирович Быков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет) (МАИ). Дата публикации: 2015-09-10.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Carbon-silicon carbide composite material and method for manufacturing products from thereof

Номер патента: RU2573141C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Михайлович Никулин,Елена Юрьевна Турбина. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2016-01-20.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing titanium dioxide and silicon carbide from abrasive processing waste

Номер патента: RU2281912C2. Автор: Адольф Николаевич Трубин,Галина Ивановна Гиль. Владелец: Галина Ивановна Гиль. Дата публикации: 2006-08-20.

Method of making airgtight articles from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2480433C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани,Сергей Евгеньевич Бутузов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пермский государственный технический университет". Дата публикации: 2013-04-27.

Method of primary annealing for processing silicon-carbide tubes

Номер патента: RU2376675C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-12-20.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Nakano Yoshiaki,Song Xueliang,Yit Foo Cheong,Wang Shurong,Horiguchi Katsumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing silicon carbide nanofibre

Номер патента: RU2393112C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Владимир Георгиевич Севастьянов,Николай Тимофеевич Кузнецов,Владимир Анатольевич Ермаков,Алексей Вячеславович Антипов,Елизавета Петровна Симоненко,Роман Георгиевич Павелко. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Общей И Неорганической Химии Им. Н.С. Курнакова Ран (Ионх Ран). Дата публикации: 2010-06-27.

Method for obtaining polycrystalline silicone carbide

Номер патента: RU2448041C1. Автор: Иван Иванович Иванов,Наиль Михайлович Теляков,Олег Александрович Дубовиков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный горный институт имени Г.В. Плеханова (технический университет)". Дата публикации: 2012-04-20.

Method for manufacture of product containing siliceous substrate with silicon carbide film on its surface

Номер патента: RU2363067C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Фонд поддержки науки и образования. Дата публикации: 2009-07-27.

Method of obtaining finely dispersive polycrystalline silicon carbide

Номер патента: RU2516547C1. Автор: Иван Иванович Иванов,Ольга Владимировна Зырянова,Дмитрий Викторович Шмидт,Олег Александрович Дубовиков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный минерально-сырьевой университет "Горный". Дата публикации: 2014-05-20.

ANTI-REFLECTION DISPLAY WINDOW PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of obtaining nanostructured silicon-carbide ceramics

Номер патента: RU2556599C1. Автор: Валентин Александрович Авраменко,Евгений Константинович Папынов,Владимир Георгиевич Севастьянов,Олег Олегович Шичалин,Николай Тимофеевич Кузнецов,Елизавета Петровна Симоненко,Николай Петрович Симоненко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук (ИОНХ РАН). Дата публикации: 2015-07-10.

Method for manufacturing articles of carbon-silicon carbide composite material with variable content of silicon carbide

Номер патента: RU2570068C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Михайлович Никулин,Никита Александрович Хохлявин. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2015-12-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making silicon carbide films on silicon substrate

Номер патента: RU2341847C1. Автор: Елена Николаевна Федорова,Валентин Михайлович Иевлев,Сергей Владимирович Канныкин,Сергей Борисович Кущев,Сергей Анатольевич Солдатенко,Николай Владимирович Черников. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-12-20.

Spinning solution for electrical forming, method for obtaining fibres by electrical forming, and fibres of silicone carbide

Номер патента: RU2427673C1. Автор: Виктор Васильевич Авдеев,Андрей Трофимович Матвеев,Эдмунд Валерьевич Быстревский,Виктор Васильевич Авдеев (RU),Андрей Трофимович Матвеев (RU),Эдмунд Валерьевич Быстревский (RU). Владелец: Институт новых углеродных материалов и технологий (Закрытое акционерное общество) (ИНУМиТ (ЗАО)). Дата публикации: 2011-08-27.

HUMIDITY SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000284A1. Автор: Hasegawa Hideki,Yokoyama Shinya,Waga Satoshi,Tondokoro Atsushi,Sakashita Tadashi,Morita Sumihito,Kamimura Hideki,Yamatani Masaya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFLECTIVE TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001188A1. Автор: HAYASHI Masami. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SPARK PLUG AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001533A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for preparing silicone carbide plates

Номер патента: RU2540668C1. Автор: Сергей Константинович Брантов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Инситут физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2015-02-10.

Method of nanopolished silicon carbide wafer fabrication

Номер патента: RU2345442C2. Автор: Владимир Михайлович Каневский,Александр Николаевич Дерябин,Евгений Олегович Тихонов,бин Александр Николаевич Дер. Владелец: Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук. Дата публикации: 2009-01-27.

Method of producing porous nanostructured silicon carbide

Номер патента: RU2484017C2. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина. Владелец: Светлана Борисовна Корчагина. Дата публикации: 2013-06-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CAPACITIVE TYPE HUMIDITY SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000285A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MICROWAVE PLASMA FORMATION OF CUBIC SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON (3C-SiC)

Номер патента: RU2538358C1. Автор: Петр Павлович Мальцев,Юрий Владимирович Федоров,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2015-01-10.

Method of producing silicon carbide nano powder

Номер патента: RU2327638C1. Автор: Геннадий Владиславович Галевский,Виктория Владимировна Руднева,Сергей Геннадьевич Галевский,Виктори Владимировна Руднева,х Ольга Анатольевна Пол,Ольга Анатольевна Полях. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования СИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНДУСТРИАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. Дата публикации: 2008-06-27.

Method of producing protective coating on articles with silicon carbide, silicon nitride and carbon-containing base

Номер патента: RU2520310C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Вадим Александрович Некрасов,Дмитрий Сергеевич Оболенский. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2014-06-20.

SURFACE MODIFICATION OF NANO-DIAMONDS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003479A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of soldering silicon carbide-based chips

Номер патента: RU2460168C2. Автор: Владимир Иванович Бойко,Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,Александр Валерьевич Кочергин,Андрей Владимирович Строгонов. Владелец: ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка". Дата публикации: 2012-08-27.

Device for precipitating layers of silicon carbide from gaseous phase

Номер патента: RU2060299C1. Автор: Л.С. Иванов,В.Г. Левин,Е.Н. Люкшин,Е.И. Куроленкин,Ю.Я. Ольский. Владелец: Акционерное общество "РОПЭ". Дата публикации: 1996-05-20.

Silicon carbide based powder material

Номер патента: RU2117066C1. Автор: Николай Филиппович Гадзыра. Владелец: Николай Филиппович Гадзыра. Дата публикации: 1998-08-10.

Method of producing articles from carbon-silicon-carbide composite

Номер патента: RU2561101C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2015-08-20.

Process for production of silicon carbide from rice husk

Номер патента: RU2296102C1. Автор: Игорь Леонидович Шкарупа,Владимир Васильевич Викулин,Татьяна Васильевна Гурина,Тать на Васильевна Гурина,Мухаммад-Султан Саидивалиханович Пайзулаханов,Шавкат Адилович Файзиев,Гайрат Тышабаевич Адылов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2007-03-27.

Production of article from carbon-silicon-carbide material in form of shells

Номер патента: RU2513497C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Дмитрий Сергеевич Оболенский,Андрей Николаевич Фалькович. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2014-04-20.

Method of making airtight articles from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2568670C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Михайлович Никулин,Федор Викторович Трубин. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2015-11-20.

Composite material with carbon-silicon carbide matrix for hermetic products and method of thereof production

Номер патента: RU2573515C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани,Сергей Геннадьевич Лунегов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2016-01-20.

Method of producing ceramic armour material based on silicon carbide and boron carbide and ceramic armour material based on silicon carbide and boron carbide

Номер патента: RU2440956C1. Автор: Владимир Валерьевич Ленский,Евгений Федорович Харченко,Владимир Александрович Анискович,Илья Сергеевич Гавриков,Валерий Анатольевич Быков,Евгений Федорович Харченко (RU),Владимир Александрович Анискович (RU),Владимир Валерьевич Ленский (RU),Илья Сергеевич Гавриков (RU),Валерий Анатольевич Быков (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "АРМОКОМ-ЦЕНТР". Дата публикации: 2012-01-27.

Method of production of silicon carbide powder from rice husk

Номер патента: RU2299177C1. Автор: Игорь Леонидович Шкарупа,Владимир Васильевич Викулин,Татьяна Васильевна Гурина,Тать на Васильевна Гурина,Мухаммад-Султан Саидивалиханович Пайзулаханов,Шавкат Адилович Файзиев,Гайрат Тышабаевич Адылов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2007-05-20.

Cvd-reactor and method of synthesis of hetero-epitaxial films of silicon carbide on silicon

Номер патента: RU2394117C2. Автор: Борис Михайлович Синельников,Виталий Алексеевич Тарала,Иван Сергеевич Митченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "Эпикрист". Дата публикации: 2010-07-10.

Ceramic material based on silicon carbide and nitride and method of manufacturing products from it

Номер патента: RU2511415C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Вадим Александрович Некрасов,Дмитрий Сергеевич Оболенский,Андрей Николаевич Фалькович. Владелец: Максим Вячеславович Бушуев. Дата публикации: 2014-04-10.

Method for producing part incorporating silicon substrate whose surface is covered with silicon carbide film

Номер патента: RU2286617C2. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие"). Дата публикации: 2006-10-27.

Method of making articles from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2494043C1. Автор: Александр Сергеевич Воробьев,Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани,Владимир Юрьевич Чунаев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2013-09-27.

Method of manufacturing carbide-silicon electrical heaters using black silicon carbide

Номер патента: RU2171792C2. Автор: Т.А. Тычинкина,Г.А. Горохова,Л.Ф. Саттаров. Владелец: Открытое акционерное общество "Комбинат Магнезит". Дата публикации: 2001-08-10.

Method for producing nanofiber silicon carbide

Номер патента: RU2328444C2. Автор: Владимир Викторович Ковалевский,Александр Николаевич Сафронов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Шунгитон". Дата публикации: 2008-07-10.

Method of production of powder material based on iron with silicon carbide

Номер патента: RU2090645C1. Автор: А.И. Макаров,В.Н. Кусков. Владелец: Тюменский государственный нефтегазовый университет. Дата публикации: 1997-09-20.

Carbon-containing composition for producing reaction-bonded silicon carbide

Номер патента: RU2514041C2. Автор: Владимир Маркович Самойлов,Игорь Александрович Породзинский. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт конструкционных материалов на основе графита "НИИграфит". Дата публикации: 2014-04-27.

Method of making articles from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2494998C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Дмитрий Сергеевич Мертвищев,Сергей Евгеньевич Бутузов. Владелец: Вячеслав Максимович Бушуев. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of producing heteroepitaxial silicon carbide films on silicon substrate

Номер патента: RU2521142C2. Автор: Шихгасан Муфтялиевич Рамазанов,Гусейн Муфтялиевич Рамазанов,Газимагомед Убайдулаевич Газимагомедов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СИКЛАБ". Дата публикации: 2014-06-27.

Silicon carbide-based refractory material

Номер патента: RU2232736C2. Автор: Б.А. Гнесин. Владелец: ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН. Дата публикации: 2004-07-20.

Process for cementing diamond to silicon-silicon carbide composite and article produced thereby

Номер патента: CA1171666A. Автор: Minyoung Lee,Lawrence E. Szala. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1984-07-31.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.