Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

NON-FLOATING VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20160093732A1
Опубликовано: 31-03-2016
Автор(ы): LEE TZUNG-HAN
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Vertical transistors having uniform channel length

Номер патента: US20200312722A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Vertical transistors having different gate lengths

Номер патента: US9653465B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Apparatuses comprising vertical transistors having gate electrodes at least partially recessed within channel regions, and related methods and systems

Номер патента: US11908932B2. Автор: Kevin J. Torek,Kamal M. Karda,Fatma Arzum Simsek-Ege,Yunfei GAO,Kamal K. Muthukrishnan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Non-floating vertical transistor structure

Номер патента: US09466713B2. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Techniques for forming vertical transistor architectures

Номер патента: EP3158588A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Integrated circuit structures having vertical transistor

Номер патента: US20240006531A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Field-effect transistor structure having low gate resistance, and preparation method

Номер патента: EP3843160A1. Автор: Miao Xu,Xinfang Liu,Yanxiang Liu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-30.

Tight pitch inverter using vertical transistors

Номер патента: US09876015B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Vertical transistor with extended drain region

Номер патента: US20200135916A1. Автор: Saumitra Raj Mehrotra,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Transistor structure with gate over well boundary and related methods to form same

Номер патента: US11942325B2. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Gap fill dielectrics for electrical isolation of transistor structures in the manufacture of integrated circuits

Номер патента: US12087614B2. Автор: Minyoung Lee,Michael Makowski,Christopher Parker,Sudipto NASKAR,Ryan Pearce,Nita Chandrasekhar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Transistor structure with increased gate dielectric thickness between gate-to-drain overlap region

Номер патента: US12125910B2. Автор: Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo,Chun-Nan LU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: EP3968375A3. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: US11855218B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: US20240030347A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Transistor structures with reduced source/drain leakage through backside treatment of subfin semiconductor material

Номер патента: EP4156294A1. Автор: Rishabh Mehandru,Aaron Lilak,Patrick Keys,Cory Weber,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Transistor structure with increased gate dielectric thickness between gate-to-drain overlap region

Номер патента: US20220393028A1. Автор: Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo,Chun-Nan LU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Transistor structures including a non-planar body having variable and complementary semiconductor and insulator portions

Номер патента: US20200312841A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Cheng-Ying Huang,Nishant Gupta,Aravind S. Killampalli,Prashant Wadhwa,Byungki Jung,Kaiwen Hsu,Supanee Sukrittanon,Caleb Barrett,Jay P. Gupta,Justin Railsback. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Vertical transistor with self-align backside contact

Номер патента: WO2024046738A1. Автор: Brent Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical transistor with self- align backside contact

Номер патента: US20240079461A1. Автор: Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09837409B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09607899B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Integration of vertical transistors with 3d long channel transistors

Номер патента: US20170317080A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Top metal pads as local interconnectors of vertical transistors

Номер патента: US09911855B2. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Top metal pads as local interconnectors of vertical transistors

Номер патента: US09524907B2. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods of forming vertical transistor devices with different effective gate lengths and the resulting devices

Номер патента: US20180240715A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Top Metal Pads as Local Interconnectors of Vertical Transistors

Номер патента: US20170084753A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Top Metal Pads as Local Interconnectors of Vertical Transistors

Номер патента: US20160247720A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US11948974B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US20240194734A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Vertical transistor with uniform fin thickness

Номер патента: US20200035828A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Methods of forming vertical transistor devices with different effective gate lengths

Номер патента: US09935018B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Nanowire transistor structure and nanowire inverter structure

Номер патента: US11038066B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Deep source and drain for transistor structures with back-side contact metallization

Номер патента: US11688780B2. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Transistor structure with multi-layer field plate and related method

Номер патента: US20230307508A1. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor structure and transistor structure

Номер патента: US20240014319A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Nanowire transistor structure and nanowire inverter structure

Номер патента: US20190386150A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Nanowire transistor structure and nanowire inverter structure

Номер патента: US20200220027A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Vertical transistor and array of vertical transistor

Номер патента: US8604520B2. Автор: Tieh-Chiang Wu,Yu-Teh Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2013-12-10.

Vertical transistor pass gate device

Номер патента: US20180331215A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Vertical transistor pass gate device

Номер патента: US10396198B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: US20190318965A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: US20180277444A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: WO2017103752A1. Автор: Edward Nowak,Brent Alan Anderson. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2017-06-22.

Vertical transistors with various gate lengths

Номер патента: US20200203528A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: US20170178970A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: GB2559935B. Автор: Nowak Edward,Alan Anderson Brent. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-28.

Vertical transistors and methods of forming same

Номер патента: US09929152B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

VERTICAL TRANSISTOR WITH VARIABLE GATE LENGTH

Номер патента: US20180005895A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

VERTICAL TRANSISTOR CONTACT FOR CROSS-COUPLING IN A MEMORY CELL

Номер патента: US20200006552A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Hook Terence B.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Vertical transistors with various gate lengths

Номер патента: US20200006553A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

VERTICAL TRANSISTOR PASS GATE DEVICE

Номер патента: US20200066905A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

METHOD AND STRUCTURE FOR IMPROVING VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20180096996A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

METHOD AND STRUCTURE FOR IMPROVING VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20180097000A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: US20170178970A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

VERTICAL TRANSISTORS WITH VARIOUS GATE LENGTHS

Номер патента: US20200203528A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

IMPLEMENTATION OF LONG-CHANNEL THICK-OXIDE DEVICES IN VERTICAL TRANSISTOR FLOW

Номер патента: US20170222048A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Non-floating vertical transistor structure and method for forming the same

Номер патента: TWI560886B. Автор: Tzung Han Lee. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Array of vertical transistors having channel regions connected by an elongated conductor line

Номер патента: US12119269B2. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Integrated circuit having vertical transistor and semiconductor device including the integrated circuit

Номер патента: US20180175024A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Tae-Joong Song,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Sang-hoon BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Integrated circuit having vertical transistor and semiconductor device including the integrated circuit

Номер патента: US20200135721A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Tae-Joong Song,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Sang-hoon BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Vertical transistor having uniform bottom spacers

Номер патента: US09627511B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Series-connected transistor structure

Номер патента: US09620500B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Tien-Wei Chiang,Chien-Chih Lee,Chin-Chi Wang,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Series connected stacked vertical transistors for high voltage applications

Номер патента: US11901449B2. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Series connected stacked vertical transistors for high voltage applications

Номер патента: US20200312999A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Three-dimensional asymmetrical vertical transistor architectures

Номер патента: US20230246031A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Method and structure for forming vertical transistors with shared gates and separate gates

Номер патента: US20200083111A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20190148372A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device having vertical transistor

Номер патента: US20130270629A1. Автор: Yoshinori Ikebuchi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20200043915A1. Автор: Cheng Kangguo,Zhang Chen,Miao Xin,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20200043916A1. Автор: Cheng Kangguo,Zhang Chen,Miao Xin,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING VERTICAL TRANSISTORS WITH SHARED GATES AND SEPARATE GATES

Номер патента: US20200083111A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

ASYMMETRICAL VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20180090489A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

CONTROLLING SELF-ALIGNED GATE LENGTH IN VERTICAL TRANSISTOR REPLACEMENT GATE FLOW

Номер патента: US20180090598A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-03-29.

VERTICAL TRANSISTOR WITH EXTENDED DRAIN REGION

Номер патента: US20200135916A1. Автор: Mehrotra Saumitra Raj,Grote Bernhard,Radic Ljubo. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Transistor structure and method with an epitaxial layer over multiple halo implants

Номер патента: US20150084108A1. Автор: Samar Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-26.

Tight pitch inverter using vertical transistors

Номер патента: US20180233503A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US11728433B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20210057565A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Vertical transistor including controlled gate length and a self-aligned junction

Номер патента: US09954109B2. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Vertical transistor, integrated circuitry, method of forming a vertical transistor, and method of forming integrated circuitry

Номер патента: US11871582B2. Автор: Masihhur R. Laskar,Darwin Franseda Fan,Albert Liao,Ashonita A. Chavan,Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Vassil N. Antonov,Jeffery B. Hull,Xue-Feng Lin,Manuj Nahar,Irina V. Vasilyeva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Vertical Transistor, Integrated Circuitry, Method Of Forming A Vertical Transistor, And Method Of Forming Integrated Circuitry

Номер патента: US20240164114A1. Автор: Masihhur R. Laskar,Darwin Franseda Fan,Albert Liao,Ashonita A. Chavan,Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Vassil N. Antonov,Jeffery B. Hull,Xue-Feng Lin,Manuj Nahar,Irina V. Vasilyeva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Integrated transistor structure having a power transistor and a bipolar transistor

Номер патента: US09564425B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-07.

Vertical transistor including controlled gate length and a self-aligned junction

Номер патента: US20180175212A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Double-sided integrated circuit transistor structures with depopulated bottom channel regions

Номер патента: EP3926668A1. Автор: PENG Zheng,Tahir Ghani,Mauro Kobrinsky,Aaron Lilak,Harold Kennel,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-22.

Vertical thin film transistor structures with localized gate dielectric

Номер патента: US20200388711A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Elijah Karpov,Rami HOURANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Vertical transistors stressed from various directions

Номер патента: US09947789B1. Автор: Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Vertical transistors stressed from various directions

Номер патента: US20180108776A1. Автор: Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Vertical transistors with merged active area regions

Номер патента: US09761712B1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Terence B. Hook,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Isolation walls for vertically stacked transistor structures

Номер патента: US20190393214A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Single-transistor structure, multi-transistor structure, and electronic apparatus

Номер патента: US20240213323A1. Автор: Mingzhi Dai. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2024-06-27.

High performance 3D vertical transistor device enhancement design

Номер патента: US12087817B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

High performance 3d vertical transistor device enhancement design

Номер патента: US20220238652A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768168B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Tall single-fin fin-type field effect transistor structures and methods

Номер патента: US09929157B1. Автор: Andreas Knorr,Nigel Graeme Cave,Ruilong Xie,Murat Kerem Akarvardar,Lars Liebmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Fin field effect transistor structure and method to form defect free merged source and drain epitaxy for low external resistance

Номер патента: US09985114B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Fin field effect transistor structure and method to form defect free merged source and drain epitaxy for low external resistance

Номер патента: US09620416B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200335499A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Co-integration of high voltage (hv) and low voltage (lv) transistor structures, using channel height and spacing modulation

Номер патента: EP4202996A3. Автор: Anand Murthy,Susmita Ghose,Prashant Majhi,Glenn Glass,Rushabh Shah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230369505A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Stacked vertical transistor erasable programmable read-only memory and programmable inverter devices

Номер патента: US20210151449A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Stacked vertical transistor erasable programmable read-only memory and programmable inverter devices

Номер патента: US20200303388A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Stacked complementary transistor structure for three-dimensional integration

Номер патента: GB2628503A. Автор: Cheng Kangguo,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Method of manufacturing trench transistor structure

Номер патента: US20210091067A1. Автор: Wei-Yu Lin,Shih-Hao Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Methods of forming gate electrodes on a vertical transistor device

Номер патента: US09966456B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Vertical transistor device with halo pocket contacting source

Номер патента: US09496390B2. Автор: Hao Su,Hong Liao,Hang HU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for forming impurity region of vertical transistor and method for fabricating vertical transistor using the same

Номер патента: US20110306192A1. Автор: Eun Shil Park,Tae Kyun Kim,Yong Seok Eun,Kyong Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Trench transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200135713A1. Автор: Wei-Yu Lin,Shih-Hao Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Field-effect transistor structure including passive component or bipolar junction transistor with back side power distribution network (bspdn)

Номер патента: EP4333061A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Field-effect transistor structure including passive device and back side power distribution network (bspdn)

Номер патента: US20230163202A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Vertically Stacked Transistor Structures

Номер патента: US20230187539A1. Автор: Hans Mertens,Steven Demuynck,Sujith Subramanian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-15.

Ggnmos transistor structure, and esd protection component and circuit

Номер патента: EP4333077A1. Автор: Yan Yan,LIN Wu,Cheng Zhou,Yong Huang,Lu Huang,Wanyi ZHOU,Haili SHI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Self-aligned schottky-barrier clamped planar DMOS transistor structure and its manufacturing methods

Номер патента: US20060131619A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon-Based Technology Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

3d-stacked transistor structure with barrier layer between upper gate structure and lower gate structure

Номер патента: US20240243172A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Vertical transistor contact for cross-coupling in a memory cell

Номер патента: US20200161472A1. Автор: Brent A. Anderson,Terence B. Hook,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for fabricating semiconductor device with vertical transistor structure

Номер патента: US9012303B2. Автор: Ying-Cheng Chuang,Shyam Surthi,Sheng-Wei Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-04-21.

Bonding and Isolation Techniques for Stacked Transistor Structures

Номер патента: US20240282815A1. Автор: Ku-Feng Yang,Chi On Chui,Chen-Fong Tsai,Han-De Chen,Kuan-Kan HU,Szuya Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Self-aligned vertical transistor with local interconnect

Номер патента: US09917059B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method and structure for forming vertical transistors with various gate lengths

Номер патента: US20200052114A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

INTEGRATION OF VERTICAL TRANSISTORS WITH 3D LONG CHANNEL TRANSISTORS

Номер патента: US20170317080A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09520467B1. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Transistor structure with gate isolation structures and method of fabricating thereof

Номер патента: US20240120377A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

2D-Channel Transistor Structure with Source-Drain Engineering

Номер патента: US20230361180A1. Автор: KHADERBAD Mrunal Abhijith,DHANYAKUMAR Mahaveer Sathaiya,Tzer-Min Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Implementation of long-channel thick-oxide devices in vertical transistor flow

Номер патента: US20170186742A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Implementation of long-channel thick-oxide devices in vertical transistor flow

Номер патента: US09698145B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING VERTICAL TRANSISTORS WITH VARIOUS GATE LENGTHS

Номер патента: US20200052114A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160064541A1. Автор: Wang Chih-hao,Lien Wai-Yi,YANG Kai-Chieh,DIAZ Carlos H.,TANG Hao-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Vertical transistors having multiple gate thicknesses

Номер патента: US20190088755A1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Stuart A. Sieg,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Vertical transistor contact for cross-coupling in a memory cell

Номер патента: US20200161472A1. Автор: Brent A. Anderson,Terence B. Hook,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Self-aligned vertical transistor with local interconnect

Номер патента: US20180174969A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

IMPLEMENTATION OF LONG-CHANNEL THICK-OXIDE DEVICES IN VERTICAL TRANSISTOR FLOW

Номер патента: US20170186742A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Top Metal Pads as Local Interconnectors of Vertical Transistors

Номер патента: US20160247720A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US10475932B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Shao-Hui Wu. Владелец: Untied Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Fabrication of thin film fin transistor structure

Номер патента: US12080781B2. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Noriyuki Sato,Van H. Le,Hui Jae Yoo,Elliot N. Tan,Sarah ATANASOV,Jason Peck,Tobias Brown-Heft. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20190131456A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Shao-Hui Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Transistor structure with multiple halo implants having epitaxial layer over semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20200135583A1. Автор: Samar K. Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-30.

Transistor structure

Номер патента: US09954099B1. Автор: Cheng-Hsun Chung,Shih-Teng HUANG,Tien-SHang Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Transistor structure

Номер патента: US09741826B1. Автор: Cheng-Hsun Chung,Shih-Teng HUANG,Tien-SHang Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Transistor structures with a metal oxide contact buffer and a method of fabricating the transistor structures

Номер патента: US11843058B2. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Justin Weber,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Van Le,Nazila Haratipour,Shriram SHIVARAMAN,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Transistor structures with a metal oxide contact buffer and a method of fabricating the transistor structures

Номер патента: US20240105854A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Justin Weber,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Van Le,Nazila Haratipour,Shriram SHIVARAMAN,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Transistor structure

Номер патента: US20180114858A1. Автор: Cheng-Hsun Chung,Shih-Teng HUANG,Tien-SHang Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Fin transistor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240055504A1. Автор: Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Transistor structures with a metal oxide contact buffer

Номер патента: US20220052200A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Justin Weber,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Van Le,Nazila Haratipour,Shriram SHIVARAMAN,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Uniform work function metal recess for vertical transistor complementary metal oxide semiconductor technology

Номер патента: US20200350313A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Method and structure for improving vertical transistor

Номер патента: US09935102B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor Device with Vertical Transistor Channels and a Compensation Structure

Номер патента: US20150008517A1. Автор: Anton Mauder,Rolf Weis,Katarzyna Kowalik-Seidl,Uwe Wahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-01-08.

Asymmetrical vertical transistor

Номер патента: US20180090489A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Vertical transistors with multiple gate lengths

Номер патента: US20190140053A1. Автор: Peng Xu,ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Asymmetrical vertical transistor

Номер патента: US09837403B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method and structure for improving vertical transistor

Номер патента: US20180096996A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Method and structure for improving vertical transistor

Номер патента: US20180097000A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

High voltage transistor structure

Номер патента: US11942475B2. Автор: Yong-Shiuan Tsair,Meng-Han LIN,Wen-Tuo Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor Device with Vertical Transistor Channels and a Compensation Structure

Номер патента: US20150008517A1. Автор: Mauder Anton,Wahl Uwe,Weis Rolf,Kowalik-Seidl Katarzyna. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

TECHNIQUES FOR FORMING VERTICAL TRANSISTOR ARCHITECTURES

Номер патента: US20170025412A1. Автор: Jun Kimin,MORROW Patrick. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-01-26.

Vertical transistors with multiple gate lengths

Номер патента: US20200098863A1. Автор: Peng Xu,ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Vertical transistors with multiple gate lengths

Номер патента: US20190140053A1. Автор: Peng Xu,ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

INTEGRATED CIRCUIT HAVING VERTICAL TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200135721A1. Автор: BAEK Sang-hoon,LEE Seung-Young,JUNG Jong-hoon,DO Jung-ho,Song Tae-Joong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-04-30.

SCALABLE VERTICAL TRANSISTOR BOTTOM SOURCE-DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20210210631A1. Автор: Reznicek Alexander,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230378366A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Vertical transistor having an asymmetric gate

Номер патента: WO2013054212A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Jun Yuan. Владелец: IBM Japan Limited. Дата публикации: 2013-04-18.

Vertical transistor transmission gate with adjacent nfet and pfet

Номер патента: US20180233502A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Top metal contact for vertical transistor structures

Номер патента: US09685409B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Devices including vertical transistors

Номер патента: US20240363763A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices including vertical transistors, electronic systems including the same and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130334583A1. Автор: Ki Ho Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Devices including vertical transistors, and related methods

Номер патента: US12040411B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Double-gate vertical transistor semiconductor device

Номер патента: US10355128B2. Автор: Praveen Raghavan,Odysseas Zografos. Владелец: KU Leuven Research and Development. Дата публикации: 2019-07-16.

Forming vertical transistors and metal-insulator-metal capacitors on the same chip

Номер патента: US9899373B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Vertical transistor devices for embedded memory and logic technologies

Номер патента: US09871117B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Roza Kotlyar,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Forming vertical transistors and metal-insulator-metal capacitors on the same chip

Номер патента: US09812443B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Fabrication method for forming vertical transistor on hemispherical or polygonal patterned semiconductor substrate

Номер патента: US09647107B1. Автор: Richard Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Isolation structure for stacked vertical transistors

Номер патента: US20200335581A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Isolation structure for stacked vertical transistors

Номер патента: US11908890B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Vertical transistor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180342480A1. Автор: Chih-Chieh Yeh,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Array Of Vertical Transistors, An Array Of Memory Cells Comprising An Array Of Vertical Transistors, And A Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors

Номер патента: US20220068722A1. Автор: Marcello Mariani,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US09735253B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09698245B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09691850B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Self-aligned sigma extension regions for vertical transistors

Номер патента: US09647123B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US20170294537A1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Gate length control for vertical transistors and integration with replacement gate flow

Номер патента: US09685537B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Forming vertical transistors and metal-insulator-metal capacitors on the same chip

Номер патента: US20180204833A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Vertical transistor with edram

Номер патента: US20190363090A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20200066882A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Vertical transistors with improved top source/drain junctions

Номер патента: US20180204950A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180323283A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180061967A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Product that includes a plurality of vertical transistors with a shared conductive gate plug

Номер патента: US20200013684A1. Автор: Steven Bentley,Steven Soss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US10096695B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Bottom contact formation for vertical transistor devices

Номер патента: US20200111895A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Su Chen Fan,Ekmini A. De Silva. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Transistor structure and formation method thereof

Номер патента: US20240105846A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu,Wen-Hsien TU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical transistors for ultra-dense logic and memory applications

Номер патента: US11777029B2. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Jack Kavalieros,Matthew V. Metz,Van Le,Nazila Haratipour,I-Cheng Tung,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Structures of gate contact formation for vertical transistors

Номер патента: US11769809B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Structures of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20240021689A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Methods of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20220130963A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Methods of gate contact formation for vertical transistors

Номер патента: US11978777B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Methods of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20240154013A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Vertical transistor structures having vertical-surrounding-gates with self-aligned features

Номер патента: US20070020819A1. Автор: Sanh Tang,Grant Huglin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Vertical transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09911848B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kai-Chieh Yang,Wai-Yi Lien,Carlos H. Diaz,Hao-Ling Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Programmable device compatible with vertical transistor flow

Номер патента: US20190189625A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Vertical transport field-effect transistor structure having increased effective width and self-aligned anchor for source/drain region formation

Номер патента: US20210391444A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Vertical transport field-effect transistor structure having increased effective width and self-aligned anchor for source/drain region formation

Номер патента: US20210057568A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Diode connected vertical transistor

Номер патента: US09953973B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Vertical transistor devices and techniques

Номер патента: US20200058798A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130126964A1. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12127393B2. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for producing three-dimensional structure, method for producing vertical transistor, vertical transistor wafer, and vertical transistor substrate

Номер патента: US11887845B2. Автор: Takashi Ishikawa,Moriya Miyashita,Takao Sakamoto,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh,Koji Izunome,Kazutaka Kamijo. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09647073B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023029142A1. Автор: WEI Liu,Simon Shi-ning Yang,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Transistor structure with multiple vertical thin bodies

Номер патента: US20240282861A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Transistor structure with multiple vertical thin bodies

Номер патента: EP4418328A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Transistor structure with improved unclamped inductive switching immunity

Номер патента: US09425304B2. Автор: Madhur Bobde,Wenjie Zhang,Kyle Terrill,Qufei Chen. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Methods of simultaneously forming bottom and top spacers on a vertical transistor device

Номер патента: US20180114850A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Method to form a vertical transistor by selective epitaxial growth and delta doped silicon layers

Номер патента: US20020102784A1. Автор: YELEHANKA Pradeep,YANG Pan,JIA Zheng,James Lee,Lap Chan,Elgin Quek,Ravi Sundaresan,Ying Leung. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09577091B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Vertical transistor with air gap spacers

Номер патента: US09443982B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Vertical transistor and method of making

Номер патента: US7041556B2. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-09.

Vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11961908B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8759892B2. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Devices including vertical transistors, and related methods and electronic systems

Номер патента: US20200111907A1. Автор: Hong Li,Haitao Liu,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Ramanathan GANDHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240222502A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Vertical transistor with back bias and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180286978A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Transistor structure and related inverter

Номер патента: US12074205B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Vertical transistor with back bias and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180286977A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150076588A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Transistor structure with improved unclamped inductive switching immunity

Номер патента: US9716166B2. Автор: Madhur Bobde,Wenjie Zhang,Kyle Terrill,Qufei Chen. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160126316A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Transistor structure with overlying gate on polysilicon gate structure and related method

Номер патента: US20210091200A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20170213890A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Thin film transistor structure, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20210057549A1. Автор: En-Tsung Cho,Qionghua Mo. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Transistor structure

Номер патента: US11721587B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Transistor structures, methods of incorporating nitrogen into silicon-oxide-containing layers; and methods of forming transistors

Номер патента: US20020182812A1. Автор: John Moore,Neal Rueger,Gurtej Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Transistor structure

Номер патента: US12087635B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of fabricating thin film transistor structure

Номер патента: US09935182B2. Автор: Wen Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Large area electrostatic dischage for vertical transistor structures

Номер патента: US09947649B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Transistor structure

Номер патента: US20230387309A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for forming trench transistor structure

Номер патента: US5705409A. Автор: Keith E. Witek. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-01-06.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230402457A1. Автор: Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo,Chun-Nan LU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Igzo transistor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20150171225A1. Автор: Longqiang Shi,Chihyuan Tseng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Transistor structure

Номер патента: US20190115260A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Transistor structure

Номер патента: US20210335669A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Transistor structure

Номер патента: US20230326801A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Transistor structure

Номер патента: US11088027B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Transistor structure

Номер патента: US10796964B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Transistor structure

Номер патента: US10373872B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Vertical transistor with flashover protection

Номер патента: US09524960B2. Автор: Bishnu Gogoi. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Different gate widths for upper and lower transistors in a stacked vertical transport field-effect transistor structure

Номер патента: US20200328120A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Vertical transistor with flashover protection

Номер патента: WO2015152904A1. Автор: Bishnu Gogoi. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2015-10-08.

Transistor structure and fabrication methods with an epitaxial layer over multiple halo implants

Номер патента: US09768074B2. Автор: Samar K. Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

VERTICAL TRANSISTOR WITH FLASHOVER PROTECTION

Номер патента: US20160155734A1. Автор: Gogoi Bishnu. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-06-02.

High-voltage vertical transistor with a multi-layered extended drain structure

Номер патента: US20030197220A1. Автор: Donald Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Vertical transistor structure with buried channel and resurf regions and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093784A1. Автор: Vipindas Pala,Sundarsan UPPILI. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Integrated circuits including LDMOS transistor structures and methods for fabricating LDMOS transistor structures

Номер патента: US09793394B1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Shi Ya Phyllis Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Vertical transistor with edram

Номер патента: US20190363092A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

FINFET transistor structure and method for making the same

Номер патента: US09385193B2. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Sheng-Huei Dai,Rai-Min Huang,Chen-Hua Tsai,Xiao Zhong Zhu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Thin film transistor structure, array substrate and method for manufacturing a thin film transistor structure

Номер патента: US20200066901A1. Автор: Liangchen YAN,Dongfang Wang,Zhanfeng CAO,Jingang Fang,Ce ZHAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Transistor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240079497A1. Автор: Chien-Hao Huang,Chung-Te Lin,Gao-Ming Wu,Katherine H Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Transistor structure with reduced parasitic side wall characteristics

Номер патента: US09577039B2. Автор: Hubert Rothleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Ldmos transistor structures and integrated circuits including ldmos transistor structures

Номер патента: US20180053842A1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Shi Ya Phyllis Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-02-22.

Manufacturing method for n-polar gan transistor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230402525A1. Автор: Xiaoming Ge,Zhitao Chen,Xuebing Yin,Chengguo Li,Qiaoyu ZENG. Владелец: Institute of Semiconductors of Guangdong Academy of Sciences. Дата публикации: 2023-12-14.

Transistor structure with reduced parasitic "side wall" characteristics

Номер патента: US20170117370A1. Автор: Hubert Rothleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-27.

Thin film transistor structures with regrown source and drain

Номер патента: US11887988B2. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Matthew Metz,Cheng-Ying Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Thin-film transistor structure and manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20190267409A1. Автор: WEI YANG,YU Wen,Ke Wang,Hehe HU,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device with unified transistor structure and voltage regulator diode

Номер патента: US20220069119A1. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor with unified transistor structure and voltage regulator diode

Номер патента: US20200105924A1. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor with unified transistor structure and voltage regulator diode

Номер патента: US11955544B2. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor with unified transistor structure and voltage regulator diode

Номер патента: US11201237B2. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-12-14.

Programmable read only memory (ROM) integrated in tight pitch vertical transistor structures

Номер патента: US9893207B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Vertical transistor with enhanced drive current

Номер патента: US20180342617A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Vertical transistor with enhanced drive current

Номер патента: US20180212054A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Strained semiconductor on insulator (ssoi) based gate all around (gaa) transistor structures

Номер патента: EP4187611A1. Автор: Prashant Majhi,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-31.

Vertical transistor, integrated circuitry, method of forming a vertical transistor, and method of forming integrated circuitry

Номер патента: US11264395B1. Автор: Masihhur R. Laskar,Darwin Franseda Fan,Albert Liao,Ashonita A. Chavan,Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Vassil N. Antonov,Jeffery B. Hull,Xue-Feng Lin,Manuj Nahar,Irina V. Vasilyeva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-01.

Vertical Transistor, Integrated Circuitry, Method Of Forming A Vertical Transistor, And Method Of Forming Integrated Circuitry

Номер патента: US20220093617A1. Автор: Chavan Ashonita A.,Vasilyeva Irina V.,Khandekar Anish A.,Antonov Vassil N.,Liu Hung-Wei,Fan Darwin Franseda,Nahar Manuj,Hull Jeffery B.,Laskar Masihhur R.,Liao Albert,Lin Xue-Feng. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-24.

Vertical transistor, integrated circuit, and methods of forming vertical transistor and integrated circuit

Номер патента: CN114256335A. Автор: 刘鸿威,V·N·安东诺夫,A·A·恰范,D·F·范,J·B·赫尔,A·A·卡恩德卡尔,M·R·拉斯卡尔,A·廖,X-F·林,M·纳哈尔,I·V·瓦西里耶沃. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-29.

Fabrication of a vertical transistor with self-aligned bottom source/drain

Номер патента: US20180350691A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

VERTICAL TRANSISTORS HAVING IMPROVED CONTROL OF TOP SOURCE OR DRAIN JUNCTIONS

Номер патента: US20200006528A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

VERTICAL TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20210057565A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

FORMING VERTICAL TRANSISTOR DEVICES WITH GREATER LAYOUT FLEXIBILITY AND PACKING DENSITY

Номер патента: US20200058565A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

FABRICATION OF A VERTICAL TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED BOTTOM SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20200083106A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Vertical transistor including symmetrical source/drain extension junctions

Номер патента: US20210265488A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Alexander Reznicek,Junli Wang,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Vertical transistor and transistor fabrication method

Номер патента: US20030080346A1. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor structure having test and transistor structures

Номер патента: US20120319110A1. Автор: Zhengmao Zhu,Abhishek Dube,Viorel Ontalus,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Nanowire transistor structures with merged source/drain regions using auxiliary pillars

Номер патента: US09917200B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Nanowire transistor structures with merged source/drain regions using auxiliary pillars

Номер патента: US09608063B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods of forming transistor structures including forming channel material after formation processes to prevent damage to the channel material

Номер патента: US09570588B2. Автор: Murat Kerem Akarvardar,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Vertical transistor with uniform bottom spacer formed by selective oxidation

Номер патента: US09741626B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Transistor structure

Номер патента: US20230170421A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: EP4278387A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-22.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: WO2022192830A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2022-09-15.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240079468A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor transistor structure

Номер патента: US20240258406A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Arrays of double-sided dram cells including capacitors on the frontside and backside of a stacked transistor structure

Номер патента: US12120865B2. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Jack Kavalieros,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Power rail between fins of a transistor structure

Номер патента: EP4123690A3. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Methods for manufacturing isolation layers in stacked transistor structures

Номер патента: US11798985B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,DHANYAKUMAR Mahaveer Sathaiya,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Ko-Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Miniaturized transistor structure with controlled dimensions of source/drain and contact-opening and related manufacture method

Номер патента: US11972983B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Miniaturized transistor structure with controlled dimensions of source/drain and contact-opening and related manufacture method

Номер патента: US11973120B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Transistor structure

Номер патента: EP4187584A3. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Isolation layers for stacked transistor structures

Номер патента: US20230378257A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,DHANYAKUMAR Mahaveer Sathaiya,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Ko-Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Transistor structure

Номер патента: EP4187584A2. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-31.

Transistor structure having an air spacer and method for making the same

Номер патента: US20230290855A1. Автор: Liang Li,Chun Yu Wong,John H Zhang,Heng Yang,Sunil K Singh. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit transistor structure with high germanium concentration SiGe stressor

Номер патента: US09660082B2. Автор: Chih-Hao Chang,Chien-Hsun Wang,Chih Chieh Yeh,Jeff J. Xu,Chih-Hsiang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: US20230052056A1. Автор: Xiang Li,XIN ZHAO,Shan Liu,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Transistor structure

Номер патента: US10573737B1. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-25.

Fabricating method of transistor structure

Номер патента: US10825925B2. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Semiconductor transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11955536B2. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220399459A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Multi-Finger Transistor Structure and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20230163184A1. Автор: Su Xing,PURAKH Raj Verma,Rudy Octavius Sihombing,Shyam Parthasarathy,Jinyu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Body contact soi transistor structure and method of making

Номер патента: US20130026573A1. Автор: Dongping Wu,Shili Zhang. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-01-31.

Transistor structure having interconnect to side of diffusion and related method

Номер патента: US20060094182A1. Автор: Richard Williams,Hussein Hanafi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US11881395B2. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US11843044B2. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: EP4210110A1. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Transistor structures having a doping layer on transition metal dichalcogenide layers outside of the channel region

Номер патента: US20240222482A1. Автор: Kevin P. O'brien,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci,Tristan TRONIC,Carl H. Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Scott Clendenning,Ande KITAMURA,Rachel Steinhardt,Mahmut Sami KAVRIK. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Segmented pillar layout for a high-voltage vertical transistor

Номер патента: US7557406B2. Автор: Vijay Parthasarathy,Wayne Bryan Grabowski. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2009-07-07.

Segmented pillar layout for a high-voltage vertical transistor

Номер патента: US20090134457A1. Автор: Vijay Parthasarathy,Wayne Bryan Grabowski. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2009-05-28.

Field effect transistor structure with gate structure having a wall and floor portions

Номер патента: US09843007B2. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-12-12.

MOS transistor structure and method of forming the structure with vertically and horizontally-elongated metal contacts

Номер патента: US09966373B2. Автор: Kamel Benaissa,Russell Carlton MCMULLAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

MOS transistor structure and method of forming the structure with vertically and horizontally-elongated metal contacts

Номер патента: US09583609B2. Автор: Kamel Benaissa,Russell Carlton MCMULLAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Forksheet transistor structures with gate cut spine

Номер патента: US20240113104A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Segmented Pillar Layout for a High-Voltage Vertical Transistor

Номер патента: US20140042533A1. Автор: Parthasarathy Vijay,Grabowski Wayne Bryan. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2014-02-13.

Vertical transistor structures with offset spacers

Номер патента: US20240079452A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: WO2024005789A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: US20230422496A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12027584B2. Автор: Ling-Wuu Yang,Jung-Yu Shieh,Zong-Jie Ko,Jeng Hwa Liao,Hsing-Ju Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Fin cut etch process for vertical transistor devices

Номер патента: US10957783B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Vertical transistor component

Номер патента: US8093654B2. Автор: Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-01-10.

Method for producing a vertical transistor component

Номер патента: US20100270612A1. Автор: Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-10-28.

Vertical semiconductor component, in particular vertical transistor, with minimized source-drain leakage currents

Номер патента: US20240234491A1. Автор: Daniel Krebs,Muhammad Alshahed,Dragos Costachescu,Humberto Rodriguez Alvarez. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Vertical transistor including a bottom source/drain region, a gate structure, and an air gap formed between the bottom source/drain region and the gate structure

Номер патента: US09748380B1. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20120241863A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20130089957A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240290880A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-29.

Vertical field-effect transistor structure and method for producing a vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240222495A1. Автор: Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Ggnmos transistor structure, esd protection device and circuit

Номер патента: US20240282765A1. Автор: Yan Yan,LIN Wu,Cheng Zhou,Yong Huang,Lu Huang,Wanyi ZHOU,Haili SHI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240371928A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-11-07.

Thin film transistor structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US8445912B2. Автор: Hideki Ono,Mari Sasaki,Iwao Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Asymmetric field effect transistor structure and method

Номер патента: US20110101449A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

High voltage transistor structure and method

Номер патента: US09799766B2. Автор: Po-Yu Chen,Kuo-Ming Wu,Wan-Hua Huang,Jing-Ying CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Fin cut etch process for vertical transistor devices

Номер патента: US20200083355A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230326969A1. Автор: Ling-Wuu Yang,Jung-Yu Shieh,Zong-Jie Ko,Jeng Hwa Liao,Hsing-Ju Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Transistor structure

Номер патента: EP4177957A3. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Transistor structure

Номер патента: EP4177957A2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-10.

Mos transistor structure with in-situ doped source and drain and method for forming the same

Номер патента: US20120032231A1. Автор: Lei Guo,Jing Wang,Jun Xu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Thin film transistor structure

Номер патента: US20240014277A1. Автор: Lih-Hsiung Chan,Ming-Kai Chuang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for manufacturing a vertical field effect transistor structure and corresponding vertical field effect transistor structure

Номер патента: US20240128372A1. Автор: Christian Huber,Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Transistor structure with hybrid gate dielectric structure and asymmetric source/drain regions

Номер патента: US20240030343A1. Автор: Jagar Singh,Man Gu,Saloni Chaurasia. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Thin-film transistor structure with three-dimensional fin-shape channel and preparation method thereof

Номер патента: US10431688B2. Автор: HAI Ou,Kai Wang,Jun Chen. Владелец: SYSU CMU Shunde International Joint Research Institute. Дата публикации: 2019-10-01.

Transistor gate forming methods and transistor structures

Номер патента: US7867845B2. Автор: Prashant Raghu,Sanh D. Tang,Ravi Iyer,Gordon A. Haller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-11.

Method of fabricating a self-aligned contact trench DMOS transistor structure

Номер патента: US5665619A. Автор: Izak Bencuya,Sze-Hon Kwan. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Transistor structures

Номер патента: US7659560B2. Автор: Prashant Raghu,Sanh D. Tang,Ravi Iyer,Gordon A. Haller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Thin film transistor structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20110204375A1. Автор: Hideki Ono,Mari Sasaki,Iwao Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Thin film transistor structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20130237020A1. Автор: Hideki Ono,Mari Sasaki,Iwao Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Transistor structure

Номер патента: EP4125134A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-02-01.

Lateral bipolar transistor structure with marker layer for emitter and collector

Номер патента: US11799021B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Normally-off gallium oxide field-effect transistor structure and preparation method therefor

Номер патента: US11456387B2. Автор: Xin Tan,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Xingye Zhou,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2022-09-27.

Method of fabricating transistor structure

Номер патента: US20240064993A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Kuo-Chang Chiang,Song-Fu Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Transistor structure with a monolayer edge contact

Номер патента: EP4156295A1. Автор: Kevin P. O'brien,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci,Tristan TRONIC,Carl Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Scott Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Transistor structure having improved electrode conductance and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230361216A1. Автор: Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Transistor structure having improved electrode conductance and method for manufacturing the same

Номер патента: US12021150B2. Автор: Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150235967A1. Автор: Yi-Kai Wang,Yu-Jung Peng,Chi-Jen Kao. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for forming transistor structure

Номер патента: US20230027913A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, And Methods Used In Forming An Array Of Capacitors

Номер патента: US20220173109A1. Автор: Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Array of Memory Cells, Methods Used in Forming an Array of Memory Cells, Methods Used in Forming an Array of Vertical Transistors, Methods Used in Forming an Array of Vertical Transistors, and Methods Used in Forming an Array of Capacitors

Номер патента: US20240107747A1. Автор: Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical Transistors With Backside Power Delivery

Номер патента: US20240105617A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Transistor structure with multiple vertical thin bodies

Номер патента: US20240304672A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Vertical transistor and variable resistive memory device including the same

Номер патента: US09691819B2. Автор: Nam Kyun PARK,Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Vertical transistor with a body contact for back-biasing

Номер патента: US09653575B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Stacked vertical transistor memory cell

Номер патента: WO2021094856A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-05-20.

Stacked vertical transistor memory cell

Номер патента: GB2604510A. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Zhang Chen,Wu Heng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-07.

Vertical transistor having first and second tensile layers

Номер патента: US8569832B2. Автор: Eun Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-10-29.

Content addressable memory using threshold-adjustable vertical transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20200006383A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory arrays with vertical transistors and the formation thereof

Номер патента: US20210028308A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Scott J. Derner,Toby D. Robbs,Steve V. Cole. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Process for fabricating a uniform gate oxide of a vertical transistor

Номер патента: US6150670A. Автор: Ulrike Gruening,Rajarao Jammy,Suryanarayan G. Hegde,Johnathan E. Faltermeier,Brian S. Lee,Helmut H. Tews. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Content addressable memory using threshold-adjustable vertical transistors and methods of forming the same

Номер патента: EP3685382A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Transistor structure and preparation method therefor, and semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4170701A1. Автор: Inho Park,Hui Xue,Wentao Xu,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Transistor structure, semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220352361A1. Автор: Inho Park,Hui Xue,Wentao Xu,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Transistor structure and memory structure

Номер патента: US20220399339A1. Автор: Chiu-Tsung Huang,Chun-Sheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

METHOD FOR MANUFACTURING A VERTICAL TRANSISTOR WITH INSULATED GRID WITH LOW COVERAGE OF THE GRID ON THE SOURCE AND ON THE DRAIN, AND INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING SUCH A TRANSISTOR

Номер патента: FR2823009B1. Автор: Thomas Skotnicki,Emmanuel Josse. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-07-09.

Vertical transistors with top spacers

Номер патента: US20200335605A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Close proximity and lateral resistance reduction for bottom source/drain epitaxy in vertical transistor devices

Номер патента: US20190393343A1. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Vertical transistor with body contact

Номер патента: US20210119018A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Vertical transistor with body contact

Номер патента: US20200273967A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Methods of forming a gate structure on a vertical transistor device

Номер патента: US09799751B1. Автор: John H. Zhang,Kwan-Yong Lim,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

MERGED GATE FOR VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20180005902A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.,Wang Junli,LIE Fee Li. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Stacked Vertical Transistor-Based Mask-Programmable ROM

Номер патента: US20200035691A1. Автор: Ning Tak,Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

Stacked vertical transistor memory cell with epi connections

Номер патента: US20210143159A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

VERTICAL TRANSISTORS WITH BURIED METAL SILICIDE BOTTOM CONTACT

Номер патента: US20190148509A1. Автор: Cheng Kangguo,Ning Tak H.,Reznicek Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING VERTICAL TRANSISTORS WITH ALIGNED GATE ELECTRODES

Номер патента: US20190189778A1. Автор: LEE DongHun,PARK SungIl,YOU Junggun,Lee Yunil,KIM Changhee,CANTORO Mirco. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-20.

VERTICAL TRANSISTORS HAVING IMPROVED GATE LENGTH CONTROL USING UNIFORMLY DEPOSITED SPACERS

Номер патента: US20190198642A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Mignot Yann,WASKIEWICZ Christopher J.,SIEG STUART A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor Devices Having Vertical Transistors with Aligned Gate Electrodes

Номер патента: US20180248018A1. Автор: DongHun Lee,Sungil Park,Changhee Kim,Yunil Lee,Mirco Cantoro,Junggun YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-30.

DRAM Arrays, Vertical Transistor Structures, and Methods of Forming Transistor Structures and DRAM Arrays

Номер патента: US20110018045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: EP4449835A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023221915A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023221915A9. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory devices with vertical transistors

Номер патента: US20230276615A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Thin film transistor structure and manufacturing method thereof, circuit structure, display substrate and display device

Номер патента: US20210257393A1. Автор: MENG Li,Pan Xu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Xuehuan Feng,Zhenfei Cai. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Vertical-channel cell array transistor structure and dram device including the same

Номер патента: US20230072229A1. Автор: Sangwon Kim,Changhyun KIM,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Transistor structure and semiconductor device using the same

Номер патента: US20230269933A1. Автор: Jaepil Lee,Minhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Transistor structure, manufacturing method of transistor structure, and light emitting apparatus

Номер патента: US8633487B2. Автор: Kazuto Yamamoto. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Thin film transistor structure and array substrate using the same

Номер патента: US8872173B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Xue-Hung TSAI,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

Thin film transistor structure and array substrate using the same

Номер патента: US20130320329A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Xue-Hung TSAI,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Thin, dielectrically isolated island resident transistor structure having low collector resistance

Номер патента: CA2033780C. Автор: James D. Beasom. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1996-07-30.

Thin, dielectrically isolated island resident transistor structure having low collector resistance

Номер патента: CA2033780A1. Автор: James D. Beasom. Владелец: James D. Beasom. Дата публикации: 1991-07-09.

Enhancement - depletion field effect transistor structure and method of manufacture

Номер патента: EP1794796A2. Автор: Hassan Maher,Pierre M. M. Baudet. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-06-13.

High performance integrated vertical transistors and method of making the same

Номер патента: US20070001264A1. Автор: Jeffrey Johnson,David Sheridan,Peter Gray,Qizhi Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Bonding and Isolation Techniques for Stacked Transistor Structures

Номер патента: US20240282814A1. Автор: Ku-Feng Yang,Chi On Chui,Chen-Fong Tsai,Han-De Chen,Kuan-Kan HU,Szuya Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Bonding and isolation techniques for stacked transistor structures

Номер патента: US12132079B2. Автор: Ku-Feng Yang,Chi On Chui,Chen-Fong Tsai,Han-De Chen,Kuan-Kan HU,Szuya Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Vertical transistor and local interconnect structure

Номер патента: US09583615B2. Автор: Yung-Tin Chen,Christopher Petti,Guangle ZHOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

VERTICAL TRANSISTOR FLOATING BODY ONE TRANSISTOR DRAM MEMORY CELL

Номер патента: US20220093794A1. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Balakrishnan Karthik,Oteri Clint Jason. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Vertical transistor devices, memory arrays, and methods of forming vertical transistor devices

Номер патента: US9287271B2. Автор: Kuo Chen Wang,Sriraj Manavalan,Wei Ming Liao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Bipolar junction transistor structures

Номер патента: US20240145466A1. Автор: Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Transistor structure having N-type and P-type elongated regions intersecting under common gate

Номер патента: US09865603B2. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Low power semiconductor transistor structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US09865596B2. Автор: Weimin Zhang,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Sachin R. Sonkusale. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Low power semiconductor transistor structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US09496261B2. Автор: Weimin Zhang,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Sachrin R. Sonkusale. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Transistor structure with feed-through source-to-substrate contact

Номер патента: US09443959B2. Автор: Kyle Terrill. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

INTEGRATED VERTICAL TRANSISTORS AND LIGHT EMITTING DIODES

Номер патента: US20190006413A1. Автор: Jacob Ajey P.,BANNA Srinivasa R.,NAYAK Deepak K.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

VERTICAL TRANSISTORS STRESSED FROM VARIOUS DIRECTIONS

Номер патента: US20180108776A1. Автор: Suvarna Puneet Harischandra. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

VERTICAL TRANSISTOR INCLUDING CONTROLLED GATE LENGTH AND A SELF-ALIGNED JUNCTION

Номер патента: US20180175212A1. Автор: Cheng Kangguo,Divakaruni Ramachandra. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

VERTICAL TRANSISTORS WITH IMPROVED TOP SOURCE/DRAIN JUNCTIONS

Номер патента: US20180204950A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Sankarapandian Muthumanickam,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

VERTICAL TRANSISTORS WITH IMPROVED TOP SOURCE/DRAIN JUNCTIONS

Номер патента: US20180204951A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Sankarapandian Muthumanickam,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

VERTICAL TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20170229556A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Bu Huiming,Mochizuki Shogo,LIE Fee Li. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

Vertical transistor and local interconnect structure

Номер патента: US20160240665A1. Автор: Yung-Tin Chen,Christopher Petti,Guangle ZHOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-18.

Vertical transistor and memory cell

Номер патента: US6018176A. Автор: Byung-hak Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-01-25.

Transistor structure, method for manufacturing a transistor structure, force-measuring system

Номер патента: US20130153970A1. Автор: Karl Haberger,Ignaz Eisele,Martin Heigl. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2013-06-20.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US12040224B2. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20240332067A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20220262671A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20220139762A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

LDMOS Transistor Structure and Method of Manufacture

Номер патента: US20180277501A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech,Michaela Braun,Jan Ropohl,Matthias Zigldrum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Vertical transistor structure and method of manufacturing same

Номер патента: US20130161715A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Embedded bottom metal contact formed by a self-aligned contact process for vertical transistors

Номер патента: US10319835B2. Автор: Tenko Yamashita,Heng Wu,Zuoguang Liu,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Array Of Vertical Transistors, An Array Of Memory Cells Comprising An Array Of Vertical Transistors, And A Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors

Номер патента: US20220068722A1. Автор: Mariani Marcello,Rigano Antonino,Calabrese Marcello. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Array Of Vertical Transistors, An Array Of Memory Cells Comprising An Array Of Vertical Transistors, And A Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors

Номер патента: US20220278001A1. Автор: Marcello Mariani,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Structures for nitride vertical transistors

Номер патента: US10256352B2. Автор: Min Sun,Tomas Apostol Palacios. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2019-04-09.

Integrated circuit multi-gate transistors structure with gate via and manufacturing method thereof

Номер патента: US12142651B2. Автор: Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Embedded bottom metal contact formed by a self-aligned contact process for vertical transistors

Номер патента: US20180337257A1. Автор: Tenko Yamashita,Heng Wu,Zuoguang Liu,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Dense vertical field effect transistor structure

Номер патента: US20190214392A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Self aligned top extension formation for vertical transistors

Номер патента: US20190386137A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Self aligned top extension formation for vertical transistors

Номер патента: US20180331216A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230008902A1. Автор: Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Integrated circuitry, method used in the fabrication of a vertical transistor, and method used in the fabrication of integrated circuitry

Номер патента: US12057493B2. Автор: Masihhur R. Laskar,Hung-Wei Liu,Jeffery B. Hull. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Vertical transistor with gate encapsulation layers

Номер патента: US20230170415A1. Автор: Chen Zhang,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Integrated Circuitry, Method Used In The Fabrication Of A Vertical Transistor, And Method Used In The Fabrication Of Integrated Circuitry

Номер патента: US20240355909A1. Автор: Masihhur R. Laskar,Hung-Wei Liu,Jeffery B. Hull. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Vertical transistors with reduced bottom electrode series resistance

Номер патента: US09899495B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Self aligned top extension formation for vertical transistors

Номер патента: US09748382B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Vertical transistor bottom spacer formation

Номер патента: US09748359B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Vertical transistors with reduced bottom electrode series resistance

Номер патента: US09722048B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of forming replacement gate structures and bottom and top source/drain regions on a vertical transistor device

Номер патента: US09640636B1. Автор: John H. Zhang,Kwan-Yong Lim,Hiroaki Niimi,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Methods of forming vertical transistor devices with self-aligned top source/drain conductive contacts

Номер патента: US09530866B1. Автор: Carl Radens,John H. Zhang,Brian A. Cohen,Kwan-Yong Lim,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of forming vertical transistor devices with self-aligned replacement gate structures

Номер патента: US09530863B1. Автор: Carl Radens,John H. Zhang,Brian A. Cohen,Kwan-Yong Lim,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

VERTICAL TRANSISTOR WITH UNIFORM FIN THICKNESS

Номер патента: US20200035828A1. Автор: Cheng Kangguo. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

FOLDED CHANNEL VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20210036151A1. Автор: Liu Qing. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

Vertical Transistor with One Atomic Layer Gate Length

Номер патента: US20200044083A1. Автор: Cao Qing,Tang Jianshi. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING VERTICAL TRANSISTORS, ELECTRONIC SYSTEMS INCLUDING THE SAME AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150054066A1. Автор: YANG Ki Ho. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180061967A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

CLOSELY PACKED VERTICAL TRANSISTORS WITH REDUCED CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20200066882A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Integrated Circuitry, Method Used In The Fabrication Of A Vertical Transistor, And Method Used In The Fabrication Of Integrated Circuitry

Номер патента: US20220093771A1. Автор: Liu Hung-Wei,Hull Jeffery B.,Laskar Masihhur R.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-24.

METHODS OF FORMING A VERTICAL TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20180083136A1. Автор: Fronheiser Jody A.,Xie Ruilong,Bentley Steven J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

FIN CUT ETCH PROCESS FOR VERTICAL TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20200083355A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

SELF ALIGNED TOP EXTENSION FORMATION FOR VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20180114859A1. Автор: Reznicek Alexander,Mehta Sanjay C.,Mochizuki Shogo,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

BOTTOM CONTACT FORMATION FOR VERTICAL TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20200111895A1. Автор: Kanakasabapathy Sivananda K.,Fan Su Chen,De Silva Ekmini A.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Devices including vertical transistors, and related methods

Номер патента: US20200111916A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

METHOD AND APPARATUS OF FORMING HIGH VOLTAGE VARACTOR AND VERTICAL TRANSISTOR ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20190148360A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2019-05-16.

METHOD AND APPARATUS OF FORMING HIGH VOLTAGE VARACTOR AND VERTICAL TRANSISTOR ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20190148362A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2019-05-16.

Double-Gate Vertical Transistor Semiconductor Device

Номер патента: US20180175193A1. Автор: Raghavan Praveen,Zografos Odysseas. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

VERTICAL TRANSISTOR WITH ENHANCED DRIVE CURRENT

Номер патента: US20180212054A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

VERTICAL TRANSISTOR AND THE FABRICATION METHOD

Номер патента: US20170222049A1. Автор: Xiao Deyuan,Chang Richard. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

VERTICAL TRANSISTOR TRANSMISSION GATE WITH ADJACENT NFET AND PFET

Номер патента: US20180233501A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

VERTICAL TRANSISTOR TRANSMISSION GATE WITH ADJACENT NFET AND PFET

Номер патента: US20180233502A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

STRUCTURES FOR NITRIDE VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20170236951A1. Автор: Sun Min,Palacios Tomas Apostol. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-08-17.

METHODS OF FORMING VERTICAL TRANSISTOR DEVICES WITH DIFFERENT EFFECTIVE GATE LENGTHS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20180240715A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240332232A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Vertical transistor with field region structure

Номер патента: US20070117328A1. Автор: Jenn-Yu Lin,Ta-Yung Yang,Chih-Feng Huang,Tuo-Hsin Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130105764A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-02.

Memory with vertical transistors and wrap-around control lines

Номер патента: US20230200075A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230065806A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230066312A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12033967B2. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Vertical transistors and method for producing the same

Номер патента: US20240213366A1. Автор: Christian Huber,Roland Puesche,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-06-27.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230335609A1. Автор: Chin-Chia Kuo,Ming-Hua Tsai,Wei Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: Rongwei Yu. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Thin Film Transistor Structure

Номер патента: US20100289068A1. Автор: Hsiao-Wei Cheng,Yi-Chang Yang,Hsiu-Ju Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-11-18.

Vertical-channel cell array transistor structure and dram device including the same

Номер патента: EP4148793A1. Автор: Sangwon Kim,Changhyun KIM,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-15.

Producing a vertical transistor including reentrant profile

Номер патента: US20130084681A1. Автор: David H. Levy,Lee W. Tutt,Shelby F. Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-04.

High voltage transistor structure

Номер патента: US11990507B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US8853674B2. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-07.

Stacked transistor structures with asymmetrical terminal interconnects

Номер патента: EP3886152A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Aaron D. Lilak,Ehren Mannebach,Anh Phan,Nafees KABIR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-29.

Stacked transistor structures with asymmetrical terminal interconnects

Номер патента: US20210305098A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Nafees KABIR,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Thin film transistor structure for a field emission display and the method for making the same

Номер патента: US6958492B2. Автор: Cheng-Chung Chen,Chun-Yao Huang,Chen-Ming Chen,Huai-Yuan Tseng,Yu-Wu Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-10-25.

Transistor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240105830A1. Автор: Yan-Ru Chen. Владелец: Hon Young Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Transistor Structure and Control Unit Comprising the Same

Номер патента: US20080067691A1. Автор: Chun-Ching Wei,Chung-Yu Liang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-03-20.

Transistor structure, display device including transistor structure, and method of manufacturing transistor structure

Номер патента: US11843002B2. Автор: Hyun Sup Lee,Keun Kyu SONG,Jung Hun NOH,Byung Seok Choi,Sang Hee Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Thin film transistor structure, GOA circuit, and display device

Номер патента: US11855160B2. Автор: Gongtan LI,HyunSik Seo. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Thin film transistor structure, display panel and display device

Номер патента: US11967646B2. Автор: Liu He,FENG Jiang,Rongrong Li,Yizhen XU,Chunhui REN,Keming Yang,Qiang Leng. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Thin film transistor structure, display panel and display device

Номер патента: US20240088298A1. Автор: Liu He,FENG Jiang,Rongrong Li,Yizhen XU,Chunhui REN,Keming Yang,Qiang Leng. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for forming a dual transistor structure

Номер патента: US5413948A. Автор: James R. Pfiester,James D. Hayden. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-05-09.

Top-drain trench based resurf DMOS transistor structure

Номер патента: US5723891A. Автор: Satwinder Malhi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-03-03.

Solid power semiconductor field effect transistor structure

Номер патента: US20200266273A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Xianda Zhao,Wai Yee LIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-08-20.

Resistive random access memory integrated with stacked vertical transistors

Номер патента: AU2021234176B2. Автор: Takashi Ando,Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical transistor floating body one transistor dram memory cell

Номер патента: US20220093794A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Clint Jason Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE WITH REDUCED PARASITIC GATE CAPACITANCE

Номер патента: US20170278943A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

Vertical transistor structure with reduced parasitic gate capacitance

Номер патента: US9780194B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Vertical transistor structures having vertical-surrounding-gates with self-aligned features

Номер патента: US7242057B2. Автор: Sanh D. Tang,Grant S. Huglin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-07-10.

Vertical transistor devices with composite high-k and low-k spacers with a controlled top junction

Номер патента: US20210119043A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Vertical transistor fabrication and devices

Номер патента: US09985115B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Brent A. Anderson,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Vertical transistor fabrication and devices

Номер патента: US09941411B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Brent A. Anderson,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Vertical transistor fabrication and devices

Номер патента: US09793374B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Brent A. Anderson,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Insulated gate bipolar transistor structure having low substrate leakage

Номер патента: US09793385B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Vertical transistor element, semiconductor element structure including an array of vertical transistor elements, and manufacturing method

Номер патента: JP5883508B2. Автор: エス． サンデュ，ガーテ. Владелец: マイクロン テクノロジー， インク．. Дата публикации: 2016-03-15.

METHOD FOR MANUFACTURING A VERTICAL TRANSISTOR WITH AN INSULATED GRID WITH A QUADRUPLE CONDUCTION CHANNEL, AND INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING SUCH A TRANSISTOR

Номер патента: FR2823010B1. Автор: Thomas Skotnicki,Emmanuel Josse. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-08-15.

Semiconductor device structures including vertical transistor devices, arrays of vertical transistor devices, and methods of fabrication

Номер патента: KR101570945B1. Автор: 거테즈 에스. 샌드후. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2015-11-20.

Insulated gate bipolar transistor structure having low substrate leakage

Номер патента: US20130161689A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker Hsiao Huo,Leaf YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD TO FORM VERTICAL TRANSISTOR CONTACT NODE

Номер патента: US20150349118A1. Автор: LEE TZUNG-HAN. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Vertical transistor device structure with cylindrically-shaped regions

Номер патента: US9543396B2. Автор: LIN ZHU,Kamal Raj Varadarajan,Sorin Stefan Georgescu,Wayne Byran Grabowski,Kuo-Chang Robert Yang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device structures including vertical transistor devices, arrays of vertical transistor devices, and methods of fabrication

Номер патента: WO2013028685A3. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-05-16.

Method for manufacturing three-dimensional structure, method for manufacturing vertical transistor, and substrate for vertical transistor

Номер патента: JP7274148B2. Автор: 守也 宮下,哲郎 遠藤,宏治 泉妻,多可雄 坂本,悦生 福田,高志 石川,和隆 上條. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

Semiconductor device structures including vertical transistor devices, arrays of vertical transistor devices, and methods of fabrication

Номер патента: CN103765595A. Автор: 古尔特杰·S·桑胡. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-30.

Vertical transistor fabrication and devices

Номер патента: GB2556260A. Автор: Venigalla Rajasekhar,Kim Seong-Dong,DORIS Bruce,A Anderson Brent. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-23.

Integrated ferroelectric capacitor/ field effect transistor structure

Номер патента: US20200176586A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Resistive random access memory integrated with stacked vertical transistors

Номер патента: EP4118691A4. Автор: Takashi Ando,Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-23.

Resistive random access memory integrated with stacked vertical transistors

Номер патента: EP4118691B1. Автор: Takashi Ando,Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Vertical transistor-based logic gate

Номер патента: WO2019132883A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Patrick Morrow. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-07-04.

A method to form a vertical transistor by selective epitaxial growth and delta doped silicon layers

Номер патента: SG115445A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Sundaresan Ravi,Yong Meng Lee James. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-10-28.

Bottom spacer formation for vertical transistor

Номер патента: US09954103B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods of simultaneously forming bottom and top spacers on a vertical transistor device

Номер патента: US09882025B1. Автор: John H. Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Bottom spacer formation for vertical transistor

Номер патента: US09773901B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Reduced capacitance in vertical transistors by preventing excessive overlap between the gate and the source/drain

Номер патента: US09716170B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Vertical transistor having a vertical gate structure having a top or upper surface defining a facet formed between a vertical source and a vertical drain

Номер патента: US09685536B2. Автор: Er-Xuan Ping,Jeffrey A. McKee. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Insulated Gate Bipolar Transistor Structure Having Low Substrate Leakage

Номер патента: US20160111498A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Insulated Gate Bipolar Transistor Structure Having Low Substrate Leakage

Номер патента: US20160308036A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device having vertical transistor

Номер патента: US20140015035A1. Автор: Yoshihiro Takaishi. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-01-16.

CHARGE ORDERED VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20150001537A1. Автор: DEVLIN Robert Charles,May Steven,Spanier Jonathan,Rondinelli James,Taheri Mitra,Rappe Andrew Marshall. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

MEMORY ARRAYS WITH VERTICAL TRANSISTORS AND THE FORMATION THEREOF

Номер патента: US20210028308A1. Автор: Derner Scott J.,Simsek-Ege Fatma Arzum,Cole Steve V.,Robbs Toby D.. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

VERTICAL TRANSISTOR DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150069500A1. Автор: Su Hao,Hu Hang,Liao Hong. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-12.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150076588A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

VERTICAL TRANSISTOR DEVICES FOR EMBEDDED MEMORY AND LOGIC TECHNOLOGIES

Номер патента: US20150091058A1. Автор: Kotlyar Roza,Shah Uday,Doyle Brian S.,KUO Charles C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

Epitaxial source region for uniform threshold voltage of vertical transistors in 3d memory devices

Номер патента: US20170092654A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Kiyohiko Sakakibara,Masatoshi Nishikawa,Shuji Minagawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-30.

Reduced capacitance in vertical transistors by preventing excessive overlap between the gate and the source/drain

Номер патента: US20180097086A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

REDUCTION OF TOP SOURCE/DRAIN EXTERNAL RESISTANCE AND PARASITIC CAPACITANCE IN VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20200105928A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Methods of simultaneously forming bottom and top spacers on a vertical transistor device

Номер патента: US20180114850A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Bottom spacer formation for vertical transistor

Номер патента: US20180114860A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

DEVICES INCLUDING VERTICAL TRANSISTORS, AND RELATED METHODS AND ELECTRONIC SYSTEMS

Номер патента: US20200111907A1. Автор: Liu Haitao,LI HONG,Sills Scott E.,Tang Sanh D.,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Karda Kamal M.,Gandhi Ramanathan. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

VERTICAL TRANSISTOR DEVICES WITH COMPOSITE HIGH-K AND LOW-K SPACERS WITH A CONTROLLED TOP JUNCTION

Номер патента: US20200119190A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

VERTICAL TRANSISTORS HAVING A LAYER OF CHARGE CARRIERS IN THE EXTENSION REGION FOR REDUCED EXTENSION REGION RESISTANCE

Номер патента: US20200127104A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

VERTICAL TRANSISTORS WITH SIDEWALL GATE AIR GAPS AND METHODS THEREFOR

Номер патента: US20180158947A1. Автор: Yeh Chao Feng,Dong TianChen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-07.

DIODE CONNECTED VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20200152624A1. Автор: Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Vertical Transistor Device Structure with Cylindrically-Shaped Regions

Номер патента: US20150171174A1. Автор: Zhu Lin,Georgescu Sorin Stefan,Varadarajan Kamal Raj,Grabowski Wayne Byran,Yang Kuo-Chang Robert. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

VERTICAL TRANSISTOR FABRICATION AND DEVICES

Номер патента: US20170179259A1. Автор: Doris Bruce B.,ANDERSON Brent A.,Venigalla Rajasekhar,Kim Seong-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

FORMING VERTICAL TRANSISTORS AND METAL-INSULATOR-METAL CAPACITORS ON THE SAME CHIP

Номер патента: US20180204833A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

VERTICAL TRANSISTOR DEVICE WITH SOURCE/DRAIN REGIONS COMPRISING A TWI-DIMENSIONAL (2D) MATERIAL AND METHODS OF MAKING SUCH VERTICALTRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20210242316A1. Автор: Sun Kai,Yang Heng,Prabhu Manjunatha,Pritchard David,Strehlow Elizabeth,REN Hongru,Nayyar Neha,Cimino Salvatore. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

DIODE CONNECTED VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20190214384A1. Автор: Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

VERTICAL TRANSISTOR FABRICATION AND DEVICES

Номер патента: US20180226494A1. Автор: Doris Bruce B.,ANDERSON Brent A.,Venigalla Rajasekhar,Kim Seong-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

Vertical Transistor Device with a Variable Gate Dielectric Thickness

Номер патента: US20180248000A1. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-08-30.

Bipolar transistor structure with collector on polycrystalline isolation layer and methods to form same

Номер патента: US11749747B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Jeffrey B. Johnson,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Bipolar transistor structure with collector on polycrystalline isolation layer and methods to form same

Номер патента: US20230223463A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Jeffrey B. Johnson,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Bipolar transistor structure with a shallow isolation extension region providing reduced parasitic capacitance

Номер патента: US6864560B2. Автор: Marwan H. Khater,Jae-Sung Rieh,Andreas Daniel Stricker,Gregory Gower Freeman,Kathryn Turner Schonenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-08.

Group iii nitride transistor structure capable of reducing leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US20230260988A1. Автор: XING Wei,Xiaodong Zhang,Baoshun Zhang,Desheng Zhao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-08-17.

Bipolar transistor structures with base having varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: US11916109B2. Автор: Peter Baars,Judson R. Holt,Ketankumar Harishbhai Tailor,Alexander M. Derrickson,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Lateral bipolar transistor structure with inner and outer spacers and methods to form same

Номер патента: US11888050B2. Автор: Haiting Wang,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson,John L. Lemon. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Lateral bipolar transistor structure with superlattice layer and method to form same

Номер патента: US11862717B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alvin J. Joseph,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Bipolar transistor structure with emitter/collector contact to doped semiconductor well and related methods

Номер патента: US11804541B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Bipolar transistor structure with base protruding from emitter/collector and methods to form same

Номер патента: US11961901B2. Автор: Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Group III nitride transistor structure capable of reducing leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US11810910B2. Автор: XING Wei,Xiaodong Zhang,Baoshun Zhang,Desheng Zhao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-11-07.

Bipolar transistor structures with base having varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: US20230290829A1. Автор: Peter Baars,Judson R. Holt,Ketankumar Harishbhai Tailor,Alexander M. Derrickson,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Lateral bipolar transistor structure with base over semiconductor buffer and related method

Номер патента: US11784224B2. Автор: Hong Yu,John J. Pekarik,Zhenyu Hu,Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Bipolar transistor structures with base having varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: EP4243083A1. Автор: Peter Baars,Judson R. Holt,Ketankumar Harishbhai Tailor,Alexander M. Derrickson,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Checkerboarded High-Voltage Vertical Transistor Layout

Номер патента: US20130234243A1. Автор: Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee,Martin H. Manley. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

EFFECTIVE JUNCTION FORMATION IN VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES BY ENGINEERED BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190189777A1. Автор: Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

EFFECTIVE JUNCTION FORMATION IN VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES BY ENGINEERED BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190229204A1. Автор: Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

EFFECTIVE JUNCTION FORMATION IN VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES BY ENGINEERED BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190229205A1. Автор: Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

Effective junction formation in vertical transistor structures by engineered bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US10763343B2. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek. Владелец: Elpis Technologies Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Vertical transistor and a semiconductor integrated circuit apparatus having the same

Номер патента: US7521747B2. Автор: Masahiko Sonoda,Masahiro Sakuragi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-04-21.

High-voltage vertical transistor with a multi-gradient drain doping profile

Номер патента: US20070132013A1. Автор: Sujit Banerjee,Donald Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Transistor structure with field plate for reducing area thereof

Номер патента: US20170345902A1. Автор: Shui-Ming Cheng,Yu-Chang Jong,Jing-Ying CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Contact-over-active-gate transistor structures with contacts landed on enlarged gate portions

Номер патента: US20230125886A1. Автор: Anthony K. Stamper,Mark Levy,Steven M. Shank,Venkata N.R. Vanukuru. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Checkerboarded High-Voltage Vertical Transistor Layout

Номер патента: US20130234243A1. Автор: Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee,Martin H. Manley. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

VERTICAL TRANSISTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190019888A1. Автор: Yu Shao-Ming,YUN Wei-Sheng,YEH Chih-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING VERTICAL TRANSISTORS AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20190035795A1. Автор: BOEMMELS Juergen. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

LOW THERMAL BUDGET TOP SOURCE AND DRAIN REGION FORMATION FOR VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20200066594A1. Автор: Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

VERTICAL TRANSISTORS HAVING DIFFERENT GATE LENGTHS

Номер патента: US20180076093A1. Автор: Ning Tak H.,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

STANDARD CELL HAVING VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20180190670A1. Автор: Ryckaert Julien,Huynh Bao Trong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

Devices and electronic systems including vertical transistors, and related methods

Номер патента: EP3864704A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-18.

Method for forming a transistor structure comprising a fin-shaped channel structure

Номер патента: US09633891B2. Автор: Geert Eneman,Min-Soo Kim,Nadine Collaert,Naoto Horiguchi,Rita Rooyackers,Anabela Veloso,Liesbeth Witters. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-04-25.

Field effect transistor structure with abrupt source/drain junctions

Номер патента: US09793373B2. Автор: Chia-Hong Jan,Robert S. Chau,Patrick Morrow,Anand S. Murthy,Paul Packan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for manufacturing a vertical transistor that includes a super junction structure

Номер патента: US7635622B2. Автор: Hitoshi Yamaguchi,Takeshi Miyajima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-12-22.

Transistor structure with varied gate cross-sectional area

Номер патента: US09966457B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Pranita Kerber. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Field effect transistor structure and method of forming same

Номер патента: US09825172B2. Автор: Edward J. Nowak,Richard Q. Williams. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, And Methods Used In Forming An Array Of Capacitors

Номер патента: US20220173109A1. Автор: Rigano Antonino. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-02.

Devices including vertical transistors, and related methods

Номер патента: US11973145B2. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Devices and electronic systems including vertical transistors, and related methods

Номер патента: US20200111917A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

3d-transistor structure with precise geometries

Номер патента: US20240128357A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Back side processing of integrated circuit structures to form insulation structure between adjacent transistor structures

Номер патента: US11894262B2. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Transistor structure

Номер патента: US20240186408A1. Автор: Ming-Ta Lei,Chih-Wen Yao,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung,Chun-Hsun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor structure, field effect transistor structure and method of forming mos device, method of producing semiconductor device

Номер патента: TWI341588B. Автор: Hu Chenming,Wen Chin Lee,Chung Hu Ge. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-01.

Fabrication of nanowire field effect transistor structures

Номер патента: US09576856B2. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of fabricating a field effect transistor structure with abrupt source/drain junctions

Номер патента: US6887762B1. Автор: Chia-Hong Jan,Robert S. Chau,Patrick Morrow,Anand S. Murthy,Paul Packan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Nanowire transistor structure and method of shaping

Номер патента: US11869973B2. Автор: William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Aditya Kasukurti,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Nanowire transistor structure and method of shaping

Номер патента: US20240088296A1. Автор: William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Aditya Kasukurti,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20130140618A1. Автор: Juengling Werner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING VERTICAL TRANSISTORS, ELECTRONIC SYSTEMS INCLUDING THE SAME AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130334583A1. Автор: YANG Ki Ho. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-12-19.

Vertical Transistor with One-Dimensional Edge Contacts

Номер патента: US20200044082A1. Автор: Cao Qing,Tang Jianshi. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

METHODS, APPARATUS, AND MANUFACTURING SYSTEM FOR SELF-ALIGNED PATTERNING OF A VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20190051563A1. Автор: Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: GLOBALFOUDRIES INC.. Дата публикации: 2019-02-14.

VERTICAL TRANSISTOR WITH VARIABLE GATE LENGTH

Номер патента: US20180108754A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,SIEG STUART A.,Hamieh Bassem M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

DEVICES INCLUDING VERTICAL TRANSISTORS, AND RELATED METHODS AND ELECTRONIC SYSTEMS

Номер патента: US20200111919A1. Автор: Liu Haitao,LEE Yi Fang,Sills Scott E.,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Karda Kamal M.,Gandhi Ramanathan. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: US20220285248A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-09-08.

VERTICAL TRANSISTOR FABRICATION AND DEVICES

Номер патента: US20170179303A1. Автор: Doris Bruce B.,ANDERSON Brent A.,Venigalla Rajasekhar,Kim Seong-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

FORMATION OF SELF-ALIGNED BOTTOM SPACER FOR VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20190189774A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

AREA-EFFICIENT INVERTER USING STACKED VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20200212226A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

VERTICAL TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20170229558A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Bu Huiming,Mochizuki Shogo,LIE Fee Li. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

METHODS OF FORMING UPPER SOURCE/DRAIN REGIONS ON A VERTICAL TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20180248046A1. Автор: Zhang John,Shu Jiehui,Huang Haigou,Wu Xusheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Three-dimensional monolithic vertical transistor memory cell with unified inter-tier cross-couple

Номер патента: US20200066732A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Three-dimensional monolithic vertical transistor memory cell with unified inter-tier cross-couple

Номер патента: US20200144274A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Backside illuminated image sensor with three-dimensional transistor structure and forming method thereof

Номер патента: US20200135777A1. Автор: Wenqiang Li,Jie Li,Yonggang Wang,Lixin Zhao. Владелец: Galaxycore Shanghai Ltd Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Nonlinear gate vertical transistor

Номер патента: EP4391073A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-26.

Nonlinear gate vertical transistor

Номер патента: EP4391075A3. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-17.

Vertical transistor for resistive memory

Номер патента: US09559297B2. Автор: Philippe Boivin,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-01-31.

Nonlinear Gate Vertical Transistor

Номер патента: US20240213318A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonlinear Gate Vertical Transistor

Номер патента: US20240213365A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonlinear gate vertical transistor

Номер патента: EP4391075A2. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-26.

Vertical transistor and method of forming the vertical transistor

Номер патента: US12046673B2. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Fin-type transistor structures with extended embedded stress elements and fabrication methods

Номер патента: US20150129983A1. Автор: Hong Yu,LUN Zhao,Puneet Khanna,Hyucksoo Yang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Trench power transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876106B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Thin film transistor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050101071A1. Автор: Cheng-Chi Wang. Владелец: Chi Mei Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-05-12.

Thin film transistor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040063255A1. Автор: Cheng-Chi Wang. Владелец: Chi Mei Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-04-01.

Bipolar junction transistor structure

Номер патента: US09685502B2. Автор: John Wood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Vertical transistor manufacturing method and vertical transistor

Номер патента: CN102593002A. Автор: 金明豪,戴维·威廉·卡尔顿,尼克·克肖,克里斯·罗杰斯. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2012-07-18.

Vertical transistor including reentrant profile

Номер патента: EP2539924A1. Автор: Lee William Tutt,Shelby Forrester Nelson. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2013-01-02.

Formation of gate spacers for strained pmos gate-all-around transistor structures

Номер патента: EP4174916A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-03.

Array Of Vertical Transistors And Method Of Forming An Array Of Vertical Transistors

Номер патента: US20210066135A1. Автор: Liu Haitao,Pandey Deepak Chandra,Karda Kamal M.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Vertical transistor and method of forming the vertical transistor

Номер патента: US20200167331A1. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Transistor structure with indium phosphide channel

Номер патента: US20200098757A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Matthew Metz,Cheng-Ying Huang,Nicholas MINUTILLO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Forming single and double diffusion breaks for fin field-effect transistor structures

Номер патента: US20220037194A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Trench power transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170033213A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor structure with low leakage current and reserved gate length

Номер патента: US20230402504A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Vertical transistor structure

Номер патента: US4811071A. Автор: Herbert F. Roloff. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-03-07.

Vertical Transistor Device Structure with Cylindrically-Shaped Field Plates

Номер патента: US20190006475A9. Автор: Ankoudinov Alexei,Georgescu Sorin Stefan,Varadarajan Kamal Raj. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

VERTICAL TRANSISTOR FOR RESISTIVE MEMORY

Номер патента: US20160013245A1. Автор: DELALLEAU JULIEN,Boivin Philippe. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

VERTICAL TRANSISTOR FABRICATION FOR MEMORY APPLICATIONS

Номер патента: US20210028282A1. Автор: Kumar Arvind,PAKALA MAHENDRA,YIEH Ellie Y.,MANHAS Sanjeev. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

VERTICAL TRANSISTORS HAVING IMPROVED GATE LENGTH CONTROL

Номер патента: US20190058046A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

VERTICAL TRANSISTORS HAVING IMPROVED GATE LENGTH CONTROL

Номер патента: US20190058047A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

VERTICAL TRANSISTOR DEVICES AND TECHNIQUES

Номер патента: US20200058798A1. Автор: Rachmady Willy,Pillarisetty Ravi,Le Van H.,SHARMA Abhishek A.,Dewey Gilbert W.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-02-20.

Vertical Transistor Device Structure with Cylindrically-Shaped Field Plates

Номер патента: US20180069087A1. Автор: Ankoudinov Alexei,Georgescu Sorin Stefan,Varadarajan Kamal Raj. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

CONTROLLING GATE LENGTH OF VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20200075761A1. Автор: SIEG STUART A.,De Silva Ekmini A.,Seshadri Indira,Joseph Praveen. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

VERTICAL TRANSISTOR AND THE FABRICATION METHOD

Номер патента: US20170117407A1. Автор: Xiao Deyuan,Chang Richard. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

DEVICES AND ELECTRONIC SYSTEMS INCLUDING VERTICAL TRANSISTORS, AND RELATED METHODS

Номер патента: US20200111917A1. Автор: Sills Scott E.,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Vertical transistor using a through silicon via gate

Номер патента: US20180130902A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Xiaodong Yang,Yi Wei Chen,Kinyip PHOA,Jui-Yen Lin,Kun-Huan Shih,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Array Of Vertical Transistors

Номер патента: US20220301941A1. Автор: Liu Haitao,Pandey Deepak Chandra,Karda Kamal M.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-09-22.

DEVICES INCLUDING VERTICAL TRANSISTORS, AND RELATED METHODS

Номер патента: US20220302318A1. Автор: Sills Scott E.,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

TRANSISTOR STRUCTURE, DISPLAY DEVICE INCLUDING TRANSISTOR STRUCTURE, AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20210233937A1. Автор: CHOI Byung Seok,LEE Hyun Sup,NOH Jung Hun,SONG Keun Kyu,JANG Sang Hee. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

Pillars for vertical transistors

Номер патента: US20140097479A1. Автор: Patrick Thomas. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

HIGH-DENSITY FIELD-ENHANCED ReRAM INTEGRATED WITH VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20200203428A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

High voltage transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123121A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

High voltage transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11610973B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

High voltage transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20220013648A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Bipolar transistor structure and a method of manufacturing a bipolar transistor structure

Номер патента: US09673294B2. Автор: Armin Tilke,Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-06.

Process of forming an electronic device including a transistor structure

Номер патента: US11342443B2. Автор: Abhishek Banerjee,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-05-24.

Process of forming an electronic device including a transistor structure

Номер патента: US20190035910A1. Автор: Abhishek Banerjee,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-01-31.

Process of Forming an Electronic Device Including a Transistor Structure

Номер патента: US20200227536A1. Автор: Abhishek Banerjee,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-07-16.

High electron mobility transistor structure and manufacturing method therefor and application thereof

Номер патента: EP4318596A1. Автор: YU Zhou,QIAN LI,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Xinkun ZHANG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-02-07.

Transistor Structure Including a Scandium Gallium Nitride Back-barrier Layer

Номер патента: US20190006502A1. Автор: Robert L. Coffie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-01-03.

High-electron-mobility transistor structure as well as fabricating method and use thereof

Номер патента: US20240186405A1. Автор: YU Zhou,QIAN LI,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Xinkun ZHANG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-06-06.

Lateral transistor structure having self-aligned base and base contact and method of fabrication

Номер патента: CA1179786A. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-12-18.

Transistor structure incorporating a solid deuterium source for gate interface passivation

Номер патента: US6114734A. Автор: Robert H. Eklund. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Bipolar transistor structure and a method of manufacturing a bipolar transistor structure

Номер патента: US9312369B2. Автор: Armin Tilke,Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-04-12.

Quasi-symmetrical bipolar transistor structure

Номер патента: CA1161964A. Автор: Denny D. Tang,Arnold Reisman,Victor J. Silvestri,Siegfried K. Wiedmann,Hwa N. Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: US09908115B2. Автор: Justin K. Valley,Eric D. Hobbs. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Microfluidic device comprising lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: CA2970174C. Автор: Justin K. Valley,Eric D. Hobbs. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Powerful hf- and microwave transistor structure

Номер патента: RU2743673C1. Автор: Олег Митрофанович Булгаков,Юрий Кимович Николаенков,Михаил Владимирович Таравков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2021-02-24.

Heterojunction bipolar transistor structure having current clamping layer

Номер патента: US20240079450A1. Автор: Zong-Lin LI,Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: FR2897204A1. Автор: Didier Pribat,Costel Sorin Cojocaru. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 2007-08-10.

Process for fabricating a nano wire - based vertical transistor structure

Номер патента: EP1982358A1. Автор: Didier Pribat,Costel-Sorin Cojocaru. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 2008-10-22.

Process for fabricating a nano wire - based vertical transistor structure

Номер патента: WO2007090814A1. Автор: Didier Pribat,Costel-Sorin Cojocaru. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 2007-08-16.

Process for fabricating a nanowire-based vertical transistor structure

Номер патента: US20090035908A1. Автор: Didier Pribat,Costel-Sorin Cojocaru. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 2009-02-05.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with controlled gate length

Номер патента: US09917162B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with controlled gate length

Номер патента: US09711618B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

A vertical transistor and a method of fabricating the same, and a high voltage transistor

Номер патента: KR101779031B1. Автор: 라비 필라리세티,벤자민 추-쿵,잭 카발리에로스,마르코 라도사블예비치,로버트 차우,닐로이 무커지,매튜 브이. 메츠,길버트 듀이,한 우이 텐. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2017-09-18.

Vertical transistor and vertical transistor array

Номер патента: US7928490B2. Автор: Jung-Hua Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-19.

Vertical transistor, memory cell, device, system and method of forming same

Номер патента: US20150262643A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Vertical transistor, memory cell, device, system and method of forming same

Номер патента: US20130258756A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US20130210210A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Vertical transistor fabrication for memory applications

Номер патента: US12108604B2. Автор: Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Thomas Kwon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Vertical transistor with source/drain regions induced by work-function differences between a semiconductor pillar body and surrounding metal electrodes

Номер патента: US09496360B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US09450069B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130126964A1. Автор: LEE Kyoung Han. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-05-23.

Vertical Transistor Component

Номер патента: US20130307062A1. Автор: Zundel Markus,Kadow Christoph,Meiser Andreas Peter. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

VERTICAL TRANSISTORS HAVING MULTIPLE GATE THICKNESSES

Номер патента: US20190088754A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,LIE Fee Li,SIEG STUART A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

METHOD OF FORMING A TOP EPITAXY SOURCE/DRAIN STRUCTURE FOR A VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20200135920A1. Автор: Cheng Kangguo,Mochizuki Shogo,Kong Dexin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

VERTICAL TRANSISTOR WITH AIR-GAP SPACER

Номер патента: US20170148876A1. Автор: Cheng Kangguo,Ning Tak H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VERTICAL TRANSISTORS HAVING A SURROUNDING GATE AND A WORK-FUNCTION METAL AROUND AN UPPER SIDEWALL

Номер патента: US20150236105A1. Автор: MASUOKA Fujio,Nakamura Hiroki. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Method of manufacturing vertical transistors

Номер патента: US8613861B2. Автор: Masahiko Ohuchi,Chien-Hua Tsai,Sheng-Chang Liang,Hsiao-chia Chen. Владелец: Rexchip Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US09941391B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US20180190794A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US20190172928A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145559A1. Автор: Po-Chun Yeh,Hui-Yu Chen,Jui-Chin Chen,Po-Tsung Tu,Chang-Yan HSIEH. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-05-02.

Dram arrays, vertical transistor structures, and methods of forming transistor structures and dram arrays

Номер патента: US8304818B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-06.

Transistor structures with interleaved body contacts and gate contacts

Номер патента: EP4404271A1. Автор: Steven M. Shank,Venkata Narayana Rao Vanukuru. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Transistor structures with interleaved body contacts and gate contacts

Номер патента: US20240243175A1. Автор: Steven M. Shank,Venkata Narayana Rao Vanukuru. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES AND ARRAYS OF VERTICAL TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20150236164A1. Автор: Sandhu Gurtej S.. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Memory device having vertical transistors and method for forming the same

Номер патента: WO2023216884A1. Автор: He Chen,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2023217069A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230380142A1. Автор: He Chen,WEI Liu,Yanhong Wang,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

High electron mobility transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240243194A1. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Self-aligned raised extrinsic base bipolar transistor structure and method

Номер патента: US6869852B1. Автор: Qizhi Liu,BethAnn Rainey,Alvin J. Joseph,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

Drail-well/extension high voltage MOS transistor structure and method of fabrication

Номер патента: US4978628A. Автор: Bruce D. Rosenthal. Владелец: Teledyne Industries Inc. Дата публикации: 1990-12-18.

Self aligned field effect transistor structure

Номер патента: US20100155793A1. Автор: Lee-mi Do,Kyu-Ha Baek. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor transistor structure with reduced contact resistance and fabrication method thereof

Номер патента: US11791407B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Ruey-Chyr Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230062141A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Vertical Transistor Cell Structures Utilizing Topside and Backside Resources

Номер патента: US20240105727A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan,Saurabh P. Sinha. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical transistor cell structures utilizing topside and backside resources

Номер патента: WO2024063901A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan,Saurabh P. Sinha. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Transistor structures and transistors with a germanium-containing channel

Номер патента: US20060001126A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Transistor structures and transistors with a germanium-containing channel

Номер патента: US7446351B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-11-04.

Transistor structure including as-grown graphene and semiconductor device including the transistor structure

Номер патента: US20240297221A1. Автор: Seunghyun Lee,Sangwon Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Dohee Kim,Junseong BAE,Hyeyoon RYU. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-09-05.

Circuit wiring techniques for stacked transistor structures

Номер патента: US20200286831A1. Автор: Chen Zhang,ZHENG Xu,Tenko Yamashita,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Circuit wiring techniques for stacked transistor structures

Номер патента: US11894303B2. Автор: Chen Zhang,ZHENG Xu,Tenko Yamashita,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Transistor structures and transistors with a germanium-containing channels

Номер патента: US20060266995A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of making truly complementary and self-aligned bipolar and CMOS transistor structures with minimized base and gate resistances and parasitic capacitance

Номер патента: US5439833A. Автор: Rashid Bashir,Francois Hebert,Datong Chen. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-08-08.

Field effect transistor structure and method for making same

Номер патента: CA1061014A. Автор: Robert C. Dockerty,Shakir A. Abbas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-08-21.

Self-aligned vertical transistor dram structure and its manufacturing methods

Номер патента: US20040036519A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Intelligent Sources Development Corp. Дата публикации: 2004-02-26.

Vertical transistor trench capacitor memory cell and method of making the same

Номер патента: WO2002086904A3. Автор: Carl J Radens,Thomas W Dyer,Stephan P Kudelka,Venkatachaiam C Jaiprakash. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-11-06.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US9490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US09490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Combination capacitor and transistor structure for use in monolithic circuits

Номер патента: US4245231A. Автор: Robert B. Davies. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1981-01-13.

Clocked CBICMOS integrated transistor structure

Номер патента: US5119160A. Автор: John H. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-06-02.

Conductance modulated integrated transistor structure with low drain capacitance

Номер патента: US5164812A. Автор: John H. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-11-17.

Conductance-modulated integrated transistor structure

Номер патента: US4920399A. Автор: John H. Hall. Владелец: Linear Integrated Systems Inc. Дата публикации: 1990-04-24.

VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE WITH BURIED CHANNEL AND RESURF REGIONS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220093784A1. Автор: Pala Vipindas,UPPILI Sundarsan. Владелец: Monolithic Power Systems, Inc.. Дата публикации: 2022-03-24.

VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE WITH BURIED CHANNEL AND RESURF REGIONS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200259012A1. Автор: Pala Vipindas,UPPILI Sundarsan. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Vertical transistor structure

Номер патента: TWI435448B. Автор: Huai An Li,Shou Cheng Weng. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2014-04-21.

Gate pullback at ends of high-voltage vertical transistor structure

Номер патента: US9601613B2. Автор: Vijay Parthasarathy,Martin H. Manley. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Variable channel doping in vertical transistor

Номер патента: US20230021938A1. Автор: Hiu Yung Wong. Владелец: San Jose State University Research Foundation. Дата публикации: 2023-01-26.

Variable channel doping in vertical transistor

Номер патента: WO2023004292A1. Автор: Hiu Yung Wong. Владелец: San Jose State University Research Foundation. Дата публикации: 2023-01-26.

Vertical transistor with improved robustness

Номер патента: US09431484B2. Автор: Markus Winkler,Rainald Sander,Matthias Stecher,Michael Asam. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Transistor structures and electrical signal connections for use in display devices

Номер патента: WO2024181966A1. Автор: Soo Young Choi,Jung Bae Kim,Dong Kil Yim,Yangho BAE,Wei-chun MA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Producing vertical transistor having reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20130084692A1. Автор: Lee W. Tutt,Shelby F. Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-04.

High-voltage vertical transistor with a varied width silicon pillar

Номер патента: US20110233657A1. Автор: LIN ZHU,Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2011-09-29.

High-voltage vertical transistor with a varied width silicon pillar

Номер патента: US8395207B2. Автор: LIN ZHU,Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-03-12.

High-Voltage Vertical Transistor With a Varied Width Silicon Pillar

Номер патента: US20130187219A1. Автор: LIN ZHU,Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

High-Voltage Vertical Transistor With a Varied Width Silicon Pillar

Номер патента: US20130187219A1. Автор: Zhu Lin,Banerjee Sujit,Parthasarathy Vijay. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2013-07-25.

Vertical Transistors

Номер патента: US20220181434A1. Автор: LU Ning,LEE Yi Fang,Khandekar Anish A.,Liu Hung-Wei,Borsari Silvia,Hull Jeffery B.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-09.

VERTICAL TRANSISTORS WITH MERGED ACTIVE AREA REGIONS

Номер патента: US20180122792A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Kim Seong-Dong,Hook Terence B.,Chu Albert M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

MULTI-CHANNEL VERTICAL TRANSISTOR FOR EMBEDDED NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20200144330A1. Автор: Pillarisetty Ravi,Majhi Prashant,SHARMA Abhishek A.,Doyle Brian S.,Karpov Elijah V.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Vertical Transistor Component

Номер патента: US20150214357A1. Автор: Zundel Markus,Kadow Christoph,Meiser Andreas Peter. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

Compact P-channel/N-channel transistor structure

Номер патента: US5693975A. Автор: Chuen-Der Lien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 1997-12-02.

Vacuum channel transistor structures with sub-10 nanometer nanogaps and layered metal electrodes

Номер патента: US20210166908A1. Автор: Joshua T. Smith,Benjamin Wunsch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Vacuum channel transistor structures with sub-10 nanometer nanogaps and layered metal electrodes

Номер патента: US20200098534A1. Автор: Joshua T. Smith,Benjamin Wunsch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230069096A1. Автор: WEI Liu,Simon Shi-ning Yang,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Load sensor using vertical transistor

Номер патента: US20160202132A1. Автор: Takashi Inoue,Kenichi Sakai,Tetsuya Katoh,Junichi Takeya,Mayumi Uno,Kensuke HATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Load sensor using vertical transistor

Номер патента: US9658121B2. Автор: Takashi Inoue,Kenichi Sakai,Tetsuya Katoh,Junichi Takeya,Mayumi Uno,Kensuke HATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor Element having an Enhancement-Type Transistor Structure

Номер патента: US20200373399A1. Автор: Joachim N. Burghartz,Mohammed Alomari,Muhammad Alshahed. Владелец: Institut fur Mikroelektronik Stuttgart. Дата публикации: 2020-11-26.

Field Effect Transistor Structure Having Notched Mesa

Номер патента: US20180286947A1. Автор: Kiuchul Hwang. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-10-04.

Field effect transistor structure having notched mesa

Номер патента: WO2016182825A1. Автор: Kiuchul Hwang. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2016-11-17.

Field effect transistor structure having notched mesa

Номер патента: EP3295487A1. Автор: Kiuchul Hwang. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-03-21.

Elevated bipolar transistor structure

Номер патента: US20080099863A1. Автор: Chuan-Ying Lee,Denny Duan-Iee Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Bipolar transistor structure

Номер патента: EP1238424A1. Автор: Ted Johansson,Torkel Arnborg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2002-09-11.

Bipolar transistor structure

Номер патента: AU2034201A. Автор: Ted Johansson,Torkel Arnborg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2001-06-12.

Bipolar transistor structure

Номер патента: US20010016421A1. Автор: Ted Johansson,Torkel Arnborg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Transistor structure with a sidewall-defined intrinsic base to extrinsic base link-up region and method of forming the structure

Номер патента: TW201214571A. Автор: Renata Camillo-Castillo,David L Harame,Andreas D Stricker,Mattias E Dahlstrom,Peter B Gray,Alvin J Joseph,Russell T Herrin. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-04-01.

Transistor structure with a sidewall-defined intrinsic base to extrinsic base link-up region and method of forming the structure

Номер патента: TW201612981A. Автор: Renata Camillo-Castillo,David L Harame,Andreas D Stricker,Mattias E Dahlstrom,Peter B Gray,Alvin J Joseph,Russell T Herrin. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2016-04-01.

Bipolar junction transistor structure for reduced current crowding

Номер патента: US09755018B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

DIAMOND BASED CURRENT APERTURE VERTICAL TRANSISTOR AND METHODS OF MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20180151715A1. Автор: Chowdhury Srabanti,Nemanich Robert,Dutta Maitreya,Koeck Franz. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors And Method Used In Forming An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Vertical Transistor And A Storage Device Above The Vertical Transistor

Номер патента: US20220068934A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure integrated with a resistance random access memory (RRAM) and the manufacturing methods thereof

Номер патента: US09431506B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Xi Lin,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-30.

Array fanout pass transistor structure

Номер патента: US9330764B2. Автор: Chieh-Fang Chen,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230064388A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of making dynamic random access memory having a vertical transistor

Номер патента: US5376575A. Автор: Jong S. Kim,Hee-Koo Yoon,Chung G. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Transistor structures

Номер патента: US11881492B2. Автор: Robert Michael Guidash,Muhammad Maksudur RAHMAN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Unit pixel having 2-transistor structure for image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1900030A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-19.

MOS-transistor structure as light sensor

Номер патента: US09721980B2. Автор: Ernst Bretschneider. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-08-01.

Thin film transistor structure of pixel

Номер патента: US20100320473A1. Автор: Chih-Chung Liu. Владелец: Century Display Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Unit pixel having 2-transistor structure for image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007001131A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2007-01-04.

Method of making high electron mobility transistor structure

Номер патента: US09583588B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Transition metal dichalcogenide (tmd) transistor structure

Номер патента: US20230343833A1. Автор: TIAN Shen,Ruilong Xie,Heng Wu,Liqiao QIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

VERTICAL TRANSISTORS AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20180006024A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20190148372A1. Автор: Cheng Kangguo,Zhang Chen,Miao Xin,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

VERTICAL TRANSISTORS AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20180175025A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12080665B2. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Vertical transistor fuse latches

Номер патента: US12113015B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Field programmable logic arrays with vertical transistors

Номер патента: US6124729A. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-26.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230380137A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Diagonal memory with vertical transistors and wrap-around control lines

Номер патента: US20230200084A1. Автор: Abhishek A. Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Vertical transistor with hardening implantation

Номер патента: US20140097400A1. Автор: Young Pil Kim,Maroun Georges Khoury,Peter Nicholas Manos,Chulmin Jung,Dadi Setiadi,Hyung-Kew Lee. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-04-10.

Programmable logic array with vertical transistors

Номер патента: US20010002109A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-31.

Programmable logic array with vertical transistors

Номер патента: US20010002108A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-31.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230060149A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230062524A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Field-effect transistor structure for preventing from shorting

Номер патента: US09520343B1. Автор: Chung Hsing Tzu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-13.

Electrical-interference-isolated transistor structure

Номер патента: US20060125063A1. Автор: Chung-Hsing Tzu. Владелец: Domintech Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Transistor structures

Номер патента: US20180286801A1. Автор: Haojun Zhang,Chien-Hsin Lee,Mahadeva Iyer NATARAJAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Organic thin film transistor structure and manufacturing method, gas sensor and related apparatus

Номер патента: US20190252629A1. Автор: Xiang Feng,Qiang Zhang,Sha Liu,Zhaokun YANG,Ruizhi Yang,Yun Qiu,Qinghe Wang,Chunyan Xie. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Organic thin film transistor structure and manufacturing method, gas sensor and related apparatus

Номер патента: US10804479B2. Автор: Xiang Feng,Qiang Zhang,Sha Liu,Zhaokun YANG,Ruizhi Yang,Yun Qiu,Qinghe Wang,Chunyan Xie. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-13.

Transistor structure, gate driving circuit, driving method thereof, and display panel

Номер патента: US20240005839A1. Автор: Haoxuan ZHENG,Dujuan Yin. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Transistor structure, gate driving circuit, driving method thereof, and display panel

Номер патента: US11955050B2. Автор: Haoxuan ZHENG,Dujuan Yin. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Non-volatile memory device having select transistor structure and SONOS cell structure and method for fabricating the device

Номер патента: US6794711B2. Автор: Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Soeng-gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-21.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: US11894444B2. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Clint Jason Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: US20230109345A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Clint Jason Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: GB2616547A. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Xie Ruilong,Zhang Jingyun,Jason Oteri Clint. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: US20220149183A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Clint Jason Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Low power smith-purcell radiation sources based on high electron mobility transistor structures

Номер патента: US20230327011A1. Автор: John S Cetnar,David H Tomich,Shivashankar R Vangala. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2023-10-12.

VERTICAL TRANSISTORS HAVING P-TYPE GALLIUM NITRIDE CURRENT BARRIER LAYERS AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150014699A1. Автор: Motonobu Takeya,Lee Kwan Hyun,Jeong Young Do. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

METHODS OF FORMING GATE ELECTRODES ON A VERTICAL TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20180130895A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu,Bentley Steven. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

HIGH-DENSITY FIELD-ENHANCED ReRAM INTEGRATED WITH VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20200203428A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Include transverse direction/vertical transistor structure microfluidic device and production and preparation method thereof

Номер патента: CN107223074B. Автор: J·K·瓦利,E·D·霍布斯. Владелец: Berkeley's Light Life Technology Co. Дата публикации: 2019-10-18.

Microfluidic device comprising lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: KR102369770B1. Автор: 에릭 디 홉스,저스틴 케이 밸리. Владелец: 버클리 라잇츠, 인크.. Дата публикации: 2022-03-02.

Microfluidic device comprising lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: KR102322180B1. Автор: 에릭 디 홉스,저스틴 케이 밸리. Владелец: 버클리 라잇츠, 인크.. Дата публикации: 2021-11-05.

Microfluidic device comprising lateral/vertical transistor structures

Номер патента: EP3831482B1. Автор: Justin K. Valley,Eric D. Hobbs. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Junction field effect transistor structure with p-type silicon germanium or silicon germanium carbide gate(s) and method of forming the structure

Номер патента: US20120168820A1. Автор: Xuefeng Liu,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Xiaowei Tian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Easy switch-off thyristor of integrated transistors - has partial vertical transistor of high current amplification and lateral low-amplifying one

Номер патента: DE2336287A1. Автор: Rudolf Dipl Phys Aulbach. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 1975-02-06.

INTEGRATED SEMICONDUCTOR CIRCUIT CONTAINING A SEMICONDUCTOR BODY, AS A COMMON BASIC AREA OF LATERAL TRANSISTORS AND AS A COMMON EMITTER AREA OF VERTICAL TRANSISTORS.

Номер патента: NL174894C. Автор: . Владелец: Ibm. Дата публикации: 1984-08-16.

Junction field effect transistor structure with p-type silicon germanium or silicon germanium carbide gate(s) and method of forming the structure

Номер патента: US20140235021A1. Автор: Xuefeng Liu,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Xiaowei Tian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Heterojunction bipolar transistor structure with a bandgap graded hole barrier layer

Номер патента: US20200194573A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Distributed inductance integrated field effect transistor structure

Номер патента: US20210320053A1. Автор: Nianhua (Frank) JIANG. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for fabricating a vertical transistor in a trench, and vertical transistor

Номер патента: TW579578B. Автор: Albert Birner,Joern Luetzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-11.

METHOD FOR PRODUCING THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING VERTICAL TRANSISTOR, VERTICAL TRANSISTOR WAFER, AND VERTICAL TRANSISTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20220093396A1. Автор: Ishikawa Takashi,Endoh Tetsuo,SAKAMOTO Takao,KAMIJO Kazutaka,FUKUDA Etsuo,IZUNOME Koji,MIYASHITA Moriya. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

METHOD FOR PRODUCING THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING VERTICAL TRANSISTOR, VERTICAL TRANSISTOR WAFER, AND VERTICAL TRANSISTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20200211840A1. Автор: Ishikawa Takashi,Endoh Tetsuo,SAKAMOTO Takao,KAMIJO Kazutaka,FUKUDA Etsuo,IZUNOME Koji,MIYASHITA Moriya. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Process for manufacturing a twice diffused lateral transistor and a complemtary vertical transistor integrated therewith

Номер патента: DE2862475D1. Автор: Geoffrey Brownell Stephens,David Leo Bergeron,Zimri Congdon Putney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-01-09.

Fin field-effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20190067283A1. Автор: Yin Wang,Chien-Tai CHAN,Chien-Chih Lin,Wei-Ken LIN,Chun-Te Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Vertical transistor gated diode

Номер патента: US09991359B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Easily manufacturable thin film transistor structures

Номер патента: US4888632A. Автор: Ivan Haller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-12-19.

PRODUCT THAT INCLUDES A PLURALITY OF VERTICAL TRANSISTORS WITH A SHARED CONDUCTIVE GATE PLUG

Номер патента: US20200013684A1. Автор: Soss Steven,Bentley Steven. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

METHOD OF FORMING VERTICAL TRANSISTOR HAVING DUAL BOTTOM SPACERS

Номер патента: US20180047828A1. Автор: Reznicek Alexander,Mehta Sanjay C.,Mochizuki Shogo,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

METHODS OF FORMING BOTTOM AND TOP SOURCE/DRAIN REGIONS ON A VERTICAL TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20180083121A1. Автор: Chanemougame Daniel,Suvarna Puneet Harischandra,Bentley Steven J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Method and system for a gallium nitride vertical transistor

Номер патента: US20140191242A1. Автор: David P. Bour,Quentin Diduck,Hui Nie,Andrew P. Edwards,Isik Kizilyalli,Thomas R. Prunty. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2014-07-10.

III-NITRIDE VERTICAL TRANSISTOR WITH APERTURE REGION FORMED USING ION IMPLANTATION

Номер патента: US20190115448A1. Автор: Chowdhury Srabanti,Ji Dong. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2019-04-18.

VERTICAL TRANSISTOR WITH AIR-GAP SPACER

Номер патента: US20170148897A1. Автор: Cheng Kangguo,Ning Tak H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US20190172928A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

VERTICAL TRANSISTOR DEVICES FOR EMBEDDED MEMORY AND LOGIC TECHNOLOGIES

Номер патента: US20160190282A1. Автор: Kotlyar Roza,Shah Uday,Doyle Brian S.,KUO Charles C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US20180190794A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

METHOD AND SYSTEM FOR A GALLIUM NITRIDE VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20150243758A1. Автор: NIE Hui,Bour David P.,Prunty Thomas R.,Edwards Andrew P.,Kizilyalli Isik,Diduck Quentin. Владелец: AVOGY, INC.. Дата публикации: 2015-08-27.

Read-only memory with vertical transistors

Номер патента: US20230076056A1. Автор: Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Field effect transistor structure and method of forming same

Номер патента: US20120292669A1. Автор: Yun Shi,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Panglijen Candra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

METHOD FOR FORMING IMPURITY REGION OF VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING VERTICAL TRANSISTOR USING THE SAME

Номер патента: US20130288442A1. Автор: EUN Yong Seok,KIM Tae Kyun,ROUH Kyong Bong,PARK Eun Shil. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Fabrication of test field effect transistor structure

Номер патента: US6436773B1. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-08-20.

Methods Of Forming A Vertical Transistor, Methods Of Forming Memory Cells, And Methods Of Forming Arrays Of Memory Cells

Номер патента: US20140073100A1. Автор: Surthi Shyam,Karda Kamal M.,Mathew Suraj J.,Guha Jaydip,Tsai Hung-Ming. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-03-13.

MEMORY DEVICE HAVING BURIED BIT LINE AND VERTICAL TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20140213027A1. Автор: Liu Hsien-Wen,Wu Tieh-Chiang,Chen Yi-Nan. Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORP.. Дата публикации: 2014-07-31.

HIGH-DENSITY FIELD-ENHANCED ReRAM INTEGRATED WITH VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20190198572A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Methods Of Forming A Vertical Transistor

Номер патента: US20140315364A1. Автор: Surthi Shyam,Karda Kamal M.,Mathew Suraj J.,Guha Jaydip,Tsai Hung-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-23.

CMOS Image Sensors Including Vertical Transistor and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20150243693A1. Автор: AHN Jung-Chak,JEONG HEE-GEUN,Lee Kyung-Ho,OH Young-sun. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

THREE-DIMENSIONAL MONOLITHIC VERTICAL TRANSISTOR MEMORY CELL WITH UNIFIED INTER-TIER CROSS-COUPLE

Номер патента: US20200066732A1. Автор: Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

THREE-DIMENSIONAL MONOLITHIC VERTICAL TRANSISTOR MEMORY CELL WITH UNIFIED INTER-TIER CROSS-COUPLE

Номер патента: US20200144274A1. Автор: Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

High density stacked vertical transistor static random access memory structure

Номер патента: WO2023186507A1. Автор: Brent Anderson,Albert Chu,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-10-05.

High density stacked vertical transistor static random access memory structure

Номер патента: US20230320055A1. Автор: Junli Wang,Hemanth Jagannathan,Brent A Anderson,Albert M Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Esd protection device with vertical transistor structure

Номер патента: US20120018778A1. Автор: Kun-Hsien LIN,Ryan Hsin-Chin Jiang,Zi-Ping Chen. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor memory devices including vertical transistor structures

Номер патента: US20130056812A1. Автор: Sua Kim,Jin HO KIM,Chulwoo PARK,Sangbo Lee,Hongsun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-07.

Esd protection device with vertical transistor structure

Номер патента: TWI427765B. Автор: Ryan Hsin Chin Jiang,Kun Hsien Lin,Zi Ping Chen. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2014-02-21.

Integrated circuit memory devices having vertical transistor arrays therein and methods of forming same

Номер патента: US20140015032A1. Автор: Ji-Young Kim,Kang L. Wang,Yong-Jik Park,Jeong-hee Han,Augustin Jinwoo Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-16.

Method and device to measure the gate oxide thickness of vertical transistor

Номер патента: TW200511459A. Автор: Yu-Chang Lin,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-16.

INTEGRATED CIRCUIT MEMORY DEVICES HAVING VERTICAL TRANSISTOR ARRAYS THEREIN AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20140015032A1. Автор: Kim Ji-young,Han Jeong-Hee,Wang Kang L.,Park Yong-Jik,Hong Augustin Jinwoo. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

Techniques for Forming Different Gate Length Vertical Transistors with Dual Gate Oxide

Номер патента: US20190214305A1. Автор: Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Yeung Chun Wing,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device structure with vertical transistor over underground bit line

Номер патента: US20240145536A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING VERTICAL TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140035018A1. Автор: Lee Jin Yul. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-02-06.

CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING THRESHOLD-ADJUSTABLE VERTICAL TRANSISTORS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200006383A1. Автор: Petti Christopher J.. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Thin SRAM Cell Having Vertical Transistors

Номер патента: US20180033793A1. Автор: Reznicek Alexander,Guillorn Michael A.,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

Thin SRAM Cell Having Vertical Transistors

Номер патента: US20180069013A1. Автор: Reznicek Alexander,Guillorn Michael A.,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

Load sensor using vertical transistor

Номер патента: US20160202132A1. Автор: Takashi Inoue,Kenichi Sakai,Tetsuya Katoh,Junichi Takeya,Mayumi Uno,Kensuke HATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

PROGRAMMABLE DEVICE COMPATIBLE WITH VERTICAL TRANSISTOR FLOW

Номер патента: US20190189625A1. Автор: Cheng Kangguo,Wang Geng,Li Juntao,Zhang Qintao. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

METHOD FOR FORMING IMPURITY REGION OF VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING VERTICAL TRANSISTOR USING THE SAME

Номер патента: US20130288441A1. Автор: EUN Yong Seok,KIM Tae Kyun,ROUH Kyong Bong,PARK Eun Shil. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Embedded bit line structure, field effect transistor structure with the same and method of fabricating the same

Номер патента: TW201120993A. Автор: Shing-Hwa Renn,Cheng-Chih Huang,Yung-Meng Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

LATERAL/VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES AND PROCESS OF MAKING AND USING SAME

Номер патента: US20200078785A1. Автор: Hobbs Eric D.,Valley Justin K.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

DUMMY VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE TO REDUCE CROSS TALK IN PIXEL SENSOR

Номер патента: US20210091127A1. Автор: Lu Jiech-Fun,Tsao Tsun-Kai,Chou Shih-Pei. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

LATERAL/VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES AND PROCESS OF MAKING AND USING SAME

Номер патента: US20180193835A1. Автор: Hobbs Eric D.,Valley Justin K.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

Dummy vertical transistor structure to reduce cross talk in pixel sensor

Номер патента: US11309342B2. Автор: Jiech-Fun Lu,Shih-Pei Chou,Tsun-Kai Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors And Method Used In Forming An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Vertical Transistor And A Storage Device Above The Vertical Transistor

Номер патента: US20220068934A1. Автор: YANG Guangjun. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Vertical Transistor Devices, Memory Arrays, And Methods Of Forming Vertical Transistor Devices

Номер патента: US20150236023A1. Автор: Wang Kuo Chen,Manavalan Sriraj,Liao Wei Ming. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Vertical transistor array and method for forming vertical transistor array

Номер патента: CN113964133A. Автор: S·E·西里斯,李宜芳,K·M·考尔道,李时雨,S-W·杨,J·古哈,L·P·海内克,T·B·麦克丹尼尔,K·J·特雷克. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-21.

CMOS image sensors including vertical transistor

Номер патента: US09806113B2. Автор: Kyung-Ho Lee,Hee-Geun Jeong,Jung-Chak Ahn,Young-Sun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

CMOS image sensors including vertical transistor

Номер патента: US09647016B2. Автор: Kyung-Ho Lee,Hee-Geun Jeong,Jung-Chak Ahn,Young-Sun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130126956A1. Автор: LEE Kyoung Han. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-05-23.

PILLARS FOR VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20140097479A1. Автор: Thomas Patrick. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

CMOS Image Sensors Including Vertical Transistor

Номер патента: US20170207264A1. Автор: AHN Jung-Chak,JEONG HEE-GEUN,Lee Kyung-Ho,OH Young-sun. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

Transistor structures gated using a conductor-filled via or trench

Номер патента: US09953900B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Sami Rosenblatt,John M. Safran,Michael S. Cranmer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

VERTICAL TRANSISTOR DEVICE COMPRISING A TWO-DIMENSIONAL (2D) MATERIAL POSITIONED IN A CHANNEL REGION OF THE DEVICE AND METHODS OF MAKING SUCH VERTICAL TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20210242094A1. Автор: Sun Kai,Yang Heng,Prabhu Manjunatha,Pritchard David,Strehlow Elizabeth,REN Hongru,Nayyar Neha,Cimino Salvatore. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Hybrid 5F2 cell layout for buried surface strap aligned to vertical transistor

Номер патента: TW454271B. Автор: Ulrike Gruening,Carl J Radens. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-09-11.

Methods Of Forming A Vertical Transistor And At Least A Conductive Line Electrically Coupled Therewith

Номер патента: US20130237023A1. Автор: Surthi Shyam,Karda Kamal M.,Mathew Suraj J.,Guha Jaydip,Tsai Hung-Ming. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-09-12.

VERTICAL TRANSISTOR, MEMORY CELL, DEVICE, SYSTEM AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20130258756A1. Автор: Forbes Leonard. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

3D ARRAY WITH VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20130302948A1. Автор: Kim Young Pil,Lee Hyung-Kyu,Manos Peter Nicholas,Jung Chulmin,Khoury Maroun Georges,Setiadi Dadi,Liou Hsing-Kuen,Subramanian Paramasivan Kamatchi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-11-14.

VERTICAL TRANSISTOR CONTACT FOR A MEMORY CELL WITH INCREASED DENSITY

Номер патента: US20200006353A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Hook Terence B.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

VERTICAL TRANSISTOR CONTACT FOR A MEMORY CELL WITH INCREASED DENSITY

Номер патента: US20200105769A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Hook Terence B.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Process for producing a bipolar vertical transistor structure

Номер патента: EP0032999B1. Автор: Narasipur Gundappa Anantha,Harsaran Singh Bhatia,James Leo Walsh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-05-15.

Bonding techniques for stacked transistor structures

Номер патента: US20240321855A1. Автор: Chi On Chui,Chen-Fong Tsai,Han-De Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Stacked composite device including a group III-V transistor and a group IV vertical transistor

Номер патента: US9343440B2. Автор: Michael A. Briere,Tim Mcdonald. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Method for fabricating a damascene self-aligned ferrorelectric random access memory (f-ram) having a ferroelectric capacitor aligned with a three dimensional transistor structure

Номер патента: US20140093983A1. Автор: John Cronin,Shan Sun,Tom E. Davenport. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

VERTICAL TRANSISTOR WITH HARDENING IMPLANTATION

Номер патента: US20140097400A1. Автор: Kim Young Pil,Manos Peter Nicholas,Jung Chulmin,Khoury Maroun Georges,Setiadi Dadi,Lee Hyung-Kew. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-04-10.

CHARGE ORDERED VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20160155941A1. Автор: DEVLIN Robert Charles,May Steven,Spanier Jonathan,Rondinelli James,Taheri Mitra,Rappe Andrew Marshall. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240381620A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20020053689A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2023028869A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Memory device having vertical transistors and method for forming the same

Номер патента: US20230371244A1. Автор: He Chen,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory devices having vertical transistors in staggered layouts

Номер патента: US12082399B2. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Vertical transistor trench capacitor dram cell and method of making the same

Номер патента: EP1320885A2. Автор: Andreas Knorr,Laertis Economikos,Thomas W. Dyer,Scott Halle. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20010000918A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-10.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2024103343A1. Автор: WEI Liu,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Wenyu HUA,Zichen LIU,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240172415A1. Автор: WEI Liu,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Wenyu HUA,Zichen LIU,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory devices having vertical transistors in staggered layouts

Номер патента: WO2023070640A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230371241A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Display device and transistor structure for the same

Номер патента: US09818342B2. Автор: Joon-Min Park. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Organic thin film transistor structure and manufacturing method, gas sensor and related apparatus

Номер патента: EP3671878A1. Автор: Xiang Feng,Qiang Zhang,Sha Liu,Zhaokun YANG,Ruizhi Yang,Yun Qiu,Qinghe Wang,Chunyan Xie. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-24.

Head switch for a stacked transistor structure

Номер патента: WO2024172968A1. Автор: Hayg-Taniel Dabag,Ibrahim Ramez CHAMAS,Waqas Ahmad,Asad Ali NAWAZ. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-22.

Head switch for a stacked transistor structure

Номер патента: US20240275378A1. Автор: Hayg-Taniel Dabag,Ibrahim Ramez CHAMAS,Waqas Ahmad,Asad Ali NAWAZ. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Ambipolar transistor structure and electronic device

Номер патента: US20230240088A1. Автор: Tanmoy SARKAR,Gitti L. FREY. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Bi-directional transistor structure

Номер патента: US6084458A. Автор: Kuan-Yu Fu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Topological transistor structure and topological transistor

Номер патента: EP3975275A1. Автор: Victor Fernandez Becerra,Mircea Trif,Timo Hyart. Владелец: Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk. Дата публикации: 2022-03-30.

Memory address decode array with vertical transistors

Номер патента: US20030087495A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Method for producing a hybrid organic silicon field effect transistor structure

Номер патента: EP1506392A1. Автор: Wouter Olthuis,Ernst Jan Robert Sudholter,Piet Bergveld,Louis Cornelia Patrick Maria De Smet,Han Zuilhof,Alexander Bernardus Sieval,E. J. Faber,Gerben Machiel Visser. Владелец: Stichting voor de Technische Wetenschappen STW. Дата публикации: 2005-02-16.

Method for producing a hybrid organic silicon field effect transistor structure

Номер патента: WO2003098204A1. Автор: Wouter Olthuis,Ernst Jan Robert Sudholter,Piet Bergveld,Louis Cornelia Patrick Maria De Smet,Han Zuilhof,Alexander Bernardus Sieval,E. J. Faber,Gerben Machiel Visser. Владелец: Stichting voor de Technische Wetenschappen. Дата публикации: 2003-11-27.

Nonvolative memory devices with charge trap transistor structures and methods of operation thereof

Номер патента: US20240087647A1. Автор: Subramanian Iyer,Sepideh NOURI. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-03-14.

Trench capacitor dram cell with vertical transistor

Номер патента: EP1186043A1. Автор: Lothar Risch,Matthias Ilg,Gerhard Enders,Helga Widmann. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-03-13.

Trench capacitor dram cell with vertical transistor

Номер патента: WO2000067326A1. Автор: Lothar Risch,Matthias Ilg,Gerhard Enders,Dietrich Widmann. Владелец: Widmann, Helga. Дата публикации: 2000-11-09.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: EP1340254A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-09-03.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: WO2002047159A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-06-13.

Vertical transistor with hardening implatation

Номер патента: US20120074488A1. Автор: Young Pil Kim,Maroun Georges Khoury,Hyung-Kyu Lee,Peter Nicholas Manos,Chulmin Jung,Dadi Setiadi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-03-29.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: WO2002047159A3. Автор: Norbert Arnold,V C Jaiprakash,Michel Seitz. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Method for fabricating vertical transistor device and memory device with vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: TW200816387A. Автор: Chung-Yuan Lee,Sheng-Tsung Chen,Shian-Tyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-04-01.

Self- aligned diffused source vertical transistors with stack capacitors in a 4f- square memory cell array

Номер патента: MY118306A. Автор: Howard Leo Kalter,Stuart Mcallister Burns Jr,Hussein Ibrahim Hanafi,Waldemar Walter Kocon,Jeffrey J Welser. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-09-30.

Method for forming a vertical transistor with a stacked capacitor DRAM cell

Номер патента: US5429977A. Автор: Horng-Huei Tseng,Chin-Yuan Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1995-07-04.

Integrated circuit, has selection transistor designed as vertical transistor, and metalliferous region partially staying in connection with earth plate and/or ground plate, where metalliferous region extends below selection transistor

Номер патента: DE102007054641A1. Автор: Ulrike Dr. Gruening-Von Schwerin. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-05-20.

Arrangement and method for the production of vertical transistor cells and transistor-controlled memory cells

Номер патента: DE10362018B4. Автор: Dirk Manger,Till Dr. Schloesser,Bernd Dr. Goebel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-03-08.

Locally 2 sided chc dram access transistor structure

Номер патента: US20120235214A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Memory device with vertical transistor and trench capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: TW200629527A. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

Dynamic random access memory (DRAM) cell with a folded bitline vertical transistor and method of producing the same

Номер патента: US20020102778A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Lawrence Clevenger,Jack Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Memory device with vertical transistors and deep trench capacitors and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200503177A. Автор: Yi-Nan Chen,Tieh-Chiang Wu,Chang-Rong Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-16.

Methods of fabricating static random access memories (SRAMS) having vertical transistors

Номер патента: US20070155085A1. Автор: Seung-Heon Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Circuit de balayage vertical à transistor

Номер патента: FR1303500A. Автор: . Владелец: Compagnie Francaise Thomson Houston SA. Дата публикации: 1962-09-14.

Vertical transistor with hardening implatation

Номер патента: US20120074488A1. Автор: Young Pil Kim,Maroun Georges Khoury,Hyung-Kyu Lee,Peter Nicholas Manos,Chulmin Jung,Dadi Setiadi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-03-29.

LATERAL/VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES AND PROCESS OF MAKING AND USING SAME

Номер патента: US20160184821A1. Автор: Hobbs Eric D.,Valley Justin K.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Integrated voltage regulator circuit with vertical transistor

Номер патента: US5909110A. Автор: Han-Tzong Yuan,Albert H. Taddiken,Donald L. Plumton,Jau-Yuann Yang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-06-01.

VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20180004791A1. Автор: Mochizuki Shogo,LIE Fee Li,WANG JunIi. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20200167331A1. Автор: Wang Junli,Mochizuki Shogo,LIE Fee Li. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20140078805A1. Автор: KAJIGAYA Kazuhiko. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

VERTICAL TRANSISTORS WITH MERGED ACTIVE AREA REGIONS

Номер патента: US20180121593A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Kim Seong-Dong,Hook Terence B.,Chu Albert M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Powerful uhf transistor structure

Номер патента: RU2253923C1. Автор: Б.К. Петров,О.М. Булгаков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет". Дата публикации: 2005-06-10.

Method of making self-scaled self-aligned transistor structure

Номер патента: RU2408951C2. Автор: Александр Николаевич Сауров,Николай Михайлович Манжа,Александр Николаевич Сауров (RU),Николай Михайлович Манжа (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ФГУ "НПК "ТЦ" МИЭТ). Дата публикации: 2011-01-10.

Isothermal transistor structures

Номер патента: WO2024209317A1. Автор: Ken Cadien,Douglas W. Barlage,Lhing Gem SHOUTE. Владелец: Zinite Corporation. Дата публикации: 2024-10-10.

Complementary bipolar transistor structure of integrated circuit

Номер патента: RU2111578C1. Автор: А.Н. Сауров. Владелец: Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники. Дата публикации: 1998-05-20.

Heavy-power microwave transistor structure

Номер патента: RU2216069C1. Автор: Б.К. Петров,О.М. Булгаков. Владелец: Воронежский государственный университет. Дата публикации: 2003-11-10.

Heavy-power microwave transistor structure

Номер патента: RU2216071C1. Автор: Б.К. Петров,О.М. Булгаков. Владелец: Воронежский государственный университет. Дата публикации: 2003-11-10.

Heavy-power microwave transistor structure

Номер патента: RU2216070C1. Автор: Б.К. Петров,О.М. Булгаков. Владелец: Воронежский государственный университет. Дата публикации: 2003-11-10.

Integrated mos transistor structure

Номер патента: RU2207662C1. Автор: В.Н. Мордкович,В.Н. Мурашев,Е.А. Ладыгин,Е.С. Горнев,В.А. Сычевский. Владелец: АООТ "НИИМЭ и завод "Микрон". Дата публикации: 2003-06-27.

Method of selecting cmos/soi transistor structures resistant to effect of full absorbed dose of ionising radiation

Номер патента: RU2466417C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Владимир Дмитриевич Скупов,Сергей Леонидович Торохов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2012-11-10.

Power mos transistor structure

Номер патента: CA1280221C. Автор: Eugene Tonnel,Gilles Thomas. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1991-02-12.

Method for making transistor structures

Номер патента: CA1050666A. Автор: George E. Smith. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1979-03-13.

VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20120161228A1. Автор: Li Huai-An,WENG SHOU-CHENG. Владелец: Chunghwa Picture Tubes, LTD.. Дата публикации: 2012-06-28.

Gate Pullback at Ends of High-Voltage Vertical Transistor Structure

Номер патента: US20120280314A1. Автор: Parthasarathy Vijay,Manley Martin H.. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-11-08.

VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20130193511A1. Автор: TANAKA Yoshinori,HUANG Yu-Ling,LIU Wei-Chih,Nagai Yukihiro,Hsiung Chih-Wei,FANG Hsuan-Yu,Chen Meng-Hsien,Tseng Chun-Chiao,Ai Chung-Yung,Hsu Yu-Shan,Chang Wei-Che,Huang Chun-Hua,Takesako Kazuaki,Kadoya Tomohiro,Hsu Wen Kuei,Fujita Hirotake. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

Vertical transistor structure and manufacture thereof

Номер патента: TWI312573B. Автор: Ming-Cheng Chang,Chien-Chang Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-21.

Vertical transistor structure and manufacture thereof

Номер патента: TW200810089A. Автор: Ming-Cheng Chang,Chien-Chang Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-02-16.

VERTICAL TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD AND VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20120168859A1. Автор: Jin Minghao,Calton David William,Kershaw Nick,Rogers Chris. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2012-07-05.

Stacked Composite Device Including a Group III-V Transistor and a Group IV Vertical Transistor

Номер патента: US20120256189A1. Автор: Briere Michael A.,MCDONALD Tim. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-11.

Vertical Transistor Devices, Memory Arrays, And Methods Of Forming Vertical Transistor Devices

Номер патента: US20130049110A1. Автор: Wang Kuo Chen,Manavalan Sriraj,Liao Wei Ming. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES INCLUDING VERTICAL TRANSISTOR DEVICES, ARRAYS OF VERTICAL TRANSISTOR DEVICES, AND METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20130049120A1. Автор: Sandhu Gurtej S.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-02-28.

A self-aligned vertical transistor DRAM structure and its manufacturing methods

Номер патента: TW560009B. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Intelligent Sources Dev Corp. Дата публикации: 2003-11-01.

Memory device with vertical transistors and deep trench capacitors and method of fabricating the same

Номер патента: TWI221669B. Автор: Yi-Nan Chen,Jeng-Ping Lin,Ming-Cheng Chang,Chung-Yuan Lee,Hui-Min Mao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-01.

Memory device with vertical transistors and deep trench capacitors and method of fabricating the same

Номер патента: TW200507182A. Автор: Yi-Nan Chen,Chang-Rong Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-16.

Method of fabricating buried strap out-diffusions of vertical transistor

Номер патента: TWI222745B. Автор: Yi-Nan Chen,Ming-Cheng Chang,Yu-Sheng Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Memory device with vertical transistors and deep trench capacitors and method of fabricating the same

Номер патента: TWI222718B. Автор: Yi-Nan Chen,Chang-Rung Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Memory device with vertical transistors and deep trench capacitors and method of fabricating the same

Номер патента: TW200501398A. Автор: Yi-Nan Chen,Jeng-Ping Lin,Ming-Cheng Chang,Chung-Yuan Lee,Hui-Min Mao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-01.

Method for improving mobility of vertical transistor channel

Номер патента: TWI245422B. Автор: Ming-Cheng Chang,Shian-Jyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-12-11.

Memory device with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: TW200632906A. Автор: Neng-Tai Shih,Chien-Chang Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-09-16.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING VERTICAL TRANSISTOR AND BURIED BIT LINE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120007171A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-12.

METHOD FOR FABRICATING ETCHING BARRIER BY USING SHADOW EFFECT AND METHOD FOR FABRICATING ONE SIDE CONTACT OF VERTICAL TRANSISTOR USING THE SAME

Номер патента: US20120009760A1. Автор: KIM Jun Ki. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120012913A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-19.

Vertical Transistor Component

Номер патента: US20120012924A1. Автор: . Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-01-19.

DIFFUSING IMPURITY IONS INTO PILLARS TO FORM VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20120021575A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-26.

VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120021576A1. Автор: CHA Seon Yong. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-26.

Methods Of Forming Pluralities Of Vertical Transistors, And Methods Of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20120052640A1. Автор: Fischer Mark,Tang Sanh D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

Checkerboarded high-voltage vertical transistor layout

Номер патента: US20120061755A1. Автор: Banerjee Sujit,Parthasarathy Vijay,Manley Martin H.. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-03-15.

3D MEMORY ARRAY WITH VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20120074466A1. Автор: . Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-03-29.

VERTICAL TRANSISTOR MEMORY ARRAY

Номер патента: US20120080725A1. Автор: Kim Jinyoung,Ahn Yongchul,Khoueir Antoine,Kim Young Pil,Lee Hyung-Kyu,Manos Peter Nicholas,Setiadi Dadi,Lee Brian. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-04-05.

VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120080745A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20120094449A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-04-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120098053A1. Автор: SHIN Jong-Han. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120100704A1. Автор: SHIN Jong-Han. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

VERTICAL TRANSISTOR HAVING BURIED JUNCTION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120112270A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-05-10.

TRENCH-GENERATED TRANSISTOR STRUCTURES, DEVICE STRUCTURES, AND DESIGN STRUCTURES

Номер патента: US20120119296A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-17.

METHOD FOR MANUFACTURING VERTICAL TRANSISTOR HAVING ONE SIDE CONTACT

Номер патента: US20120135573A1. Автор: KIM Jun Ki. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-05-31.

IMAGE SENSOR PIXELS WITH BACK-GATE-MODULATED VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20120175497A1. Автор: Hynecek Jaroslav. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING VERTICAL TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DATA PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20120193704A1. Автор: NOJIMA Kazuhiro. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-08-02.

VERTICAL TRANSISTOR FOR RANDOM-ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120193706A1. Автор: Liu Hsien-Wen,LEE TZUNG HAN,LEE CHUNG-YUAN. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2012-08-02.

METHOD FOR OPENING ONE-SIDE CONTACT REGION OF VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING ONE-SIDE JUNCTION REGION USING THE SAME

Номер патента: US20120208364A1. Автор: EUN Yong Seok,ROUH Kyong Bong,PARK Eun Shil. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

VERTICAL TRANSISTOR HAVING A GATE STRUCTURE FORMED ON A BURIED DRAIN REGION AND A SOURCE REGION OVERLYING THE UPPER MOST LAYER OF THE GATE STRUCTURE

Номер патента: US20120211824A1. Автор: . Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-08-23.

Methods Of Forming A Vertical Transistor And At Least A Conductive Line Electrically Coupled Therewith, Methods Of Forming Memory Cells, And Methods Of Forming Arrays Of Memory Cells

Номер патента: US20120214285A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-23.

VERTICAL TRANSISTOR PHASE CHANGE MEMORY

Номер патента: US20120248398A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-10-04.

MEMORY DEVICE HAVING BURIED BIT LINE AND VERTICAL TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120273874A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

Vertical Transistor with Improved Robustness

Номер патента: US20130026561A1. Автор: Stecher Matthias,Winkler Markus,Sander Rainald,Asam Michael. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-01-31.

RESISTIVE MEMORY DEVICE HAVING VERTICAL TRANSISTORS AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20130056698A1. Автор: Zhang Jing,Huai Yiming,Satoh Kimihiro. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

PILLARS FOR VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20130062675A1. Автор: Thomas Patrick. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-14.

VERTICAL TRANSISTOR HAVING REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20130082746A1. Автор: Nelson Shelby F.,Tutt Lee W.. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-04.

PRODUCING A VERTICAL TRANSISTOR INCLUDING REENTRANT PROFILE

Номер патента: US20130084681A1. Автор: Nelson Shelby F.,Levy David H.,Tutt Lee W.. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-04.

PRODUCING VERTICAL TRANSISTOR HAVING REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20130084692A1. Автор: Nelson Shelby F.,Tutt Lee W.. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-04.

VERTICAL TRANSISTOR HAVING AN ASYMMETRIC GATE

Номер патента: US20130093000A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Guo Dechao,Han Shu-Jen,Yuan Jun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-18.

VERTICAL TRANSISTOR HAVING AN ASYMMETRIC GATE

Номер патента: US20130095623A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Guo Dechao,Han Shu-Jen,Yuan Jun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-18.

METHOD OF MANUFACTURING VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20130146561A1. Автор: Chen Hsiao-chia,Liang Sheng-chang,Tsai Chien-hua,Ohuchi Masahiko. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-13.

CIRCUIT INCLUDING VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20130214347A1. Автор: Nelson Shelby F.,Tutt Lee W.. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-22.

VERTICAL TRANSISTOR ACTUATION

Номер патента: US20130214845A1. Автор: Nelson Shelby F.,Tutt Lee W.. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-22.

METHOD FOR FABRICATING A VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20130230955A1. Автор: Hsiung Chih-Wei,Chen Meng-Hsien,Ai Chung-Yung. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-05.

VERTICAL TRANSISTOR HAVING EDGE TERMINATION STRUCTURE

Номер патента: US20130240955A1. Автор: Hirler Franz,Meiser Andreas. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-19.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.