Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE WITH REDUCED PARASITIC GATE CAPACITANCE

VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE WITH REDUCED PARASITIC GATE CAPACITANCE

Номер патента: US20170278943A1
Опубликовано: 28-09-2017
Автор(ы): Balakrishnan Karthik, Cheng Kangguo, Hashemi Pouya, Reznicek Alexander
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Vertical fet with shaped spacer to reduce parasitic capacitance

Номер патента: US20190181238A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Vertical transistor structures having vertical-surrounding-gates with self-aligned features

Номер патента: US20070020819A1. Автор: Sanh Tang,Grant Huglin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Replacement metal gate with reduced shorting and uniform chamfering

Номер патента: US20200066879A1. Автор: Hui Zang,Guowei Xu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Transistor structure with hybrid gate dielectric structure and asymmetric source/drain regions

Номер патента: US20240030343A1. Автор: Jagar Singh,Man Gu,Saloni Chaurasia. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

High voltage transistor structure and method

Номер патента: US09799766B2. Автор: Po-Yu Chen,Kuo-Ming Wu,Wan-Hua Huang,Jing-Ying CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130126964A1. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8759892B2. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Vertical transistor having an asymmetric gate

Номер патента: WO2013054212A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Jun Yuan. Владелец: IBM Japan Limited. Дата публикации: 2013-04-18.

Vertical transistor with back bias and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180286977A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Vertical transistor with back bias and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180286978A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

High-voltage vertical transistor with a multi-layered extended drain structure

Номер патента: US20030197220A1. Автор: Donald Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Method to form a vertical transistor by selective epitaxial growth and delta doped silicon layers

Номер патента: US20020102784A1. Автор: YELEHANKA Pradeep,YANG Pan,JIA Zheng,James Lee,Lap Chan,Elgin Quek,Ravi Sundaresan,Ying Leung. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09577091B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150076588A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Integrated transistor structure having a power transistor and a bipolar transistor

Номер патента: US09564425B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-07.

Vertical transistors for ultra-dense logic and memory applications

Номер патента: US11777029B2. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Jack Kavalieros,Matthew V. Metz,Van Le,Nazila Haratipour,I-Cheng Tung,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Structures of gate contact formation for vertical transistors

Номер патента: US11769809B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Structures of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20240021689A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Methods of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20220130963A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Methods of gate contact formation for vertical transistors

Номер патента: US11978777B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Methods of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20240154013A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Vertical transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09911848B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kai-Chieh Yang,Wai-Yi Lien,Carlos H. Diaz,Hao-Ling Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Devices including vertical transistors

Номер патента: US20240363763A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Vertical transistors stressed from various directions

Номер патента: US09947789B1. Автор: Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Programmable device compatible with vertical transistor flow

Номер патента: US20190189625A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Devices including vertical transistors, and related methods

Номер патента: US12040411B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Vertical transistors stressed from various directions

Номер патента: US20180108776A1. Автор: Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Methods of simultaneously forming bottom and top spacers on a vertical transistor device

Номер патента: US20180114850A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Vertical transistor including controlled gate length and a self-aligned junction

Номер патента: US09954109B2. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Gate length control for vertical transistors and integration with replacement gate flow

Номер патента: US09685537B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Fabrication method for forming vertical transistor on hemispherical or polygonal patterned semiconductor substrate

Номер патента: US09647107B1. Автор: Richard Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Vertical transistor devices and techniques

Номер патента: US20200058798A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Devices including vertical transistors, and related methods and electronic systems

Номер патента: US20200111907A1. Автор: Hong Li,Haitao Liu,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Ramanathan GANDHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Vertical transistor with edram

Номер патента: US20190363092A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Vertical transistor with air gap spacers

Номер патента: US09443982B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Vertical transistor including controlled gate length and a self-aligned junction

Номер патента: US20180175212A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Transistor structure with reduced parasitic side wall characteristics

Номер патента: US09577039B2. Автор: Hubert Rothleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Vertical transistor structure with buried channel and resurf regions and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093784A1. Автор: Vipindas Pala,Sundarsan UPPILI. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Device structure with increased contact area and reduced gate capacitance

Номер патента: US20140167164A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Transistor structure with reduced parasitic "side wall" characteristics

Номер патента: US20170117370A1. Автор: Hubert Rothleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-27.

Multi-fingered diode with reduced capacitance and method of making the same

Номер патента: US20200075575A1. Автор: Vishal Kumar Sharma. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-03-05.

Vertical transistor component

Номер патента: US8093654B2. Автор: Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-01-10.

Method for producing a vertical transistor component

Номер патента: US20100270612A1. Автор: Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-10-28.

Transistor structure with improved unclamped inductive switching immunity

Номер патента: US09425304B2. Автор: Madhur Bobde,Wenjie Zhang,Kyle Terrill,Qufei Chen. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Transistor structure with improved unclamped inductive switching immunity

Номер патента: US9716166B2. Автор: Madhur Bobde,Wenjie Zhang,Kyle Terrill,Qufei Chen. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing trench transistor structure

Номер патента: US20210091067A1. Автор: Wei-Yu Lin,Shih-Hao Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Thin film transistor structures with regrown source and drain

Номер патента: US11887988B2. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Matthew Metz,Cheng-Ying Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Vertical field-effect transistor structure and method for producing a vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240222495A1. Автор: Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for fabricating super-junction power device with reduced miller capacitance

Номер патента: US20130260523A1. Автор: Yi-Chun Shih,Yung-Fa Lin,Shou-Yi Hsu,Meng-Wei Wu. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Vtfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20240021609A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Vertical transistor transmission gate with adjacent nfet and pfet

Номер патента: US20180233502A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Vertical thin film transistor structures with localized gate dielectric

Номер патента: US20200388711A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Elijah Karpov,Rami HOURANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Non-floating vertical transistor structure

Номер патента: US09466713B2. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US09735253B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Top metal contact for vertical transistor structures

Номер патента: US09685409B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Stacked vertical transistor erasable programmable read-only memory and programmable inverter devices

Номер патента: US20210151449A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Stacked vertical transistor erasable programmable read-only memory and programmable inverter devices

Номер патента: US20200303388A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Vertical transistor and transistor fabrication method

Номер патента: US20030080346A1. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-01.

Diode connected vertical transistor

Номер патента: US09953973B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor devices including vertical transistors, electronic systems including the same and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130334583A1. Автор: Ki Ho Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20200066882A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180323283A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US10096695B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180061967A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US11728433B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20210057565A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Forming vertical transistors and metal-insulator-metal capacitors on the same chip

Номер патента: US9899373B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Forming vertical transistors and metal-insulator-metal capacitors on the same chip

Номер патента: US09812443B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12127393B2. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Methods of forming gate electrodes on a vertical transistor device

Номер патента: US09966456B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Vertical transistor devices for embedded memory and logic technologies

Номер патента: US09871117B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Roza Kotlyar,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Array Of Vertical Transistors, An Array Of Memory Cells Comprising An Array Of Vertical Transistors, And A Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors

Номер патента: US20220068722A1. Автор: Marcello Mariani,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Tight pitch inverter using vertical transistors

Номер патента: US09876015B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Isolation structure for stacked vertical transistors

Номер патента: US20200335581A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Isolation structure for stacked vertical transistors

Номер патента: US11908890B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Vertical FET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09853028B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu,Philip J. Oldiges. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Double-gate vertical transistor semiconductor device

Номер патента: US10355128B2. Автор: Praveen Raghavan,Odysseas Zografos. Владелец: KU Leuven Research and Development. Дата публикации: 2019-07-16.

Vertical transistor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180342480A1. Автор: Chih-Chieh Yeh,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Techniques for forming vertical transistor architectures

Номер патента: EP3158588A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Vertical transport field-effect transistor structure having increased effective width and self-aligned anchor for source/drain region formation

Номер патента: US20210391444A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11961908B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Vertical transport field-effect transistor structure having increased effective width and self-aligned anchor for source/drain region formation

Номер патента: US20210057568A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240222502A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Vertical transistor, integrated circuitry, method of forming a vertical transistor, and method of forming integrated circuitry

Номер патента: US11871582B2. Автор: Masihhur R. Laskar,Darwin Franseda Fan,Albert Liao,Ashonita A. Chavan,Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Vassil N. Antonov,Jeffery B. Hull,Xue-Feng Lin,Manuj Nahar,Irina V. Vasilyeva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Apparatuses comprising vertical transistors having gate electrodes at least partially recessed within channel regions, and related methods and systems

Номер патента: US11908932B2. Автор: Kevin J. Torek,Kamal M. Karda,Fatma Arzum Simsek-Ege,Yunfei GAO,Kamal K. Muthukrishnan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Vertical Transistor, Integrated Circuitry, Method Of Forming A Vertical Transistor, And Method Of Forming Integrated Circuitry

Номер патента: US20240164114A1. Автор: Masihhur R. Laskar,Darwin Franseda Fan,Albert Liao,Ashonita A. Chavan,Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Vassil N. Antonov,Jeffery B. Hull,Xue-Feng Lin,Manuj Nahar,Irina V. Vasilyeva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Forming vertical transistors and metal-insulator-metal capacitors on the same chip

Номер патента: US20180204833A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US20170294537A1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Vertical transistors having uniform channel length

Номер патента: US20200312722A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09698245B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09691850B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Vertical transistor device with halo pocket contacting source

Номер патента: US09496390B2. Автор: Hao Su,Hong Liao,Hang HU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Vertical field effect transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180301541A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Vertical field effect transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180294340A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Method for forming impurity region of vertical transistor and method for fabricating vertical transistor using the same

Номер патента: US20110306192A1. Автор: Eun Shil Park,Tae Kyun Kim,Yong Seok Eun,Kyong Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Product that includes a plurality of vertical transistors with a shared conductive gate plug

Номер патента: US20200013684A1. Автор: Steven Bentley,Steven Soss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Vertical transistors with improved top source/drain junctions

Номер патента: US20180204950A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Vertical transistors having different gate lengths

Номер патента: US9653465B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Vertical transistor with edram

Номер патента: US20190363090A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Integrated circuit structures having vertical transistor

Номер патента: US20240006531A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Bottom contact formation for vertical transistor devices

Номер патента: US20200111895A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Su Chen Fan,Ekmini A. De Silva. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Local isolation of source/drain for reducing parasitic capacitance in vertical field effect transistors

Номер патента: US20210035867A1. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Hemanth Jagannathan,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Local isolation of source/drain for reducing parasitic capacitance in vertical field effect transistors

Номер патента: US20220037210A1. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Hemanth Jagannathan,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Transistor structure with multiple vertical thin bodies

Номер патента: US20240282861A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Transistor structure with multiple vertical thin bodies

Номер патента: EP4418328A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Vertical channel field effect transistor (vcfet) with reduced contact resistance and/or parasitic capacitance, and related fabrication methods

Номер патента: US20240096964A1. Автор: Xia Li,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Vertical channel field effect transistor (vcfet) with reduced contact resistance and/or parasitic capacitance, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024064565A3. Автор: Xia Li,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-16.

Vertical channel field effect transistor (vcfet) with reduced contact resistance and/or parasitic capacitance, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024064565A2. Автор: Xia Li,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical transistor structures with offset spacers

Номер патента: US20240079452A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230378366A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Self-aligned sigma extension regions for vertical transistors

Номер патента: US09647123B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: EP4278387A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-22.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: WO2022192830A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2022-09-15.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240079468A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Nanowire transistor structures with merged source/drain regions using auxiliary pillars

Номер патента: US09917200B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Nanowire transistor structures with merged source/drain regions using auxiliary pillars

Номер патента: US09608063B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device having channel structure with 2D material

Номер патента: US11942536B2. Автор: Robert D. Clark,Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Transistor structure with varied gate cross-sectional area

Номер патента: US09966457B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Pranita Kerber. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Transistors including retracted raised source/drain to reduce parasitic capacitances

Номер патента: US20190058042A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Nanowire structure with selected stack removed for reduced gate resistance and method of fabricating same

Номер патента: US09461149B2. Автор: Hongmei Li,Kai Zhao,Junjun Li,Xiaoping Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: US20210384310A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: WO2021247167A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-12-09.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: EP4161868A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-04-12.

Transistor structure with increased gate dielectric thickness between gate-to-drain overlap region

Номер патента: US12125910B2. Автор: Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo,Chun-Nan LU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Transistor structure with overlying gate on polysilicon gate structure and related method

Номер патента: US20210091200A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Stacked complementary transistor structure for three-dimensional integration

Номер патента: GB2628503A. Автор: Cheng Kangguo,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Integrated circuits including LDMOS transistor structures and methods for fabricating LDMOS transistor structures

Номер патента: US09793394B1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Shi Ya Phyllis Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Thin-film transistor structure with three-dimensional fin-shape channel and preparation method thereof

Номер патента: US10431688B2. Автор: HAI Ou,Kai Wang,Jun Chen. Владелец: SYSU CMU Shunde International Joint Research Institute. Дата публикации: 2019-10-01.

Trenched power semiconductor structure with reduced gate impedance and fabrication method thereof

Номер патента: US20120309177A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12027584B2. Автор: Ling-Wuu Yang,Jung-Yu Shieh,Zong-Jie Ko,Jeng Hwa Liao,Hsing-Ju Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Transistor structure with multi-layer field plate and related method

Номер патента: US20230307508A1. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Arrays of double-sided dram cells including capacitors on the frontside and backside of a stacked transistor structure

Номер патента: US12120865B2. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Jack Kavalieros,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Transistor structure with a monolayer edge contact

Номер патента: EP4156295A1. Автор: Kevin P. O'brien,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci,Tristan TRONIC,Carl Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Scott Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Fet device with reduced overlap capacitance and method of manufacture

Номер патента: CA1049157A. Автор: Ronald P. Esch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-02-20.

Ldmos transistor structures and integrated circuits including ldmos transistor structures

Номер патента: US20180053842A1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Shi Ya Phyllis Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-02-22.

Transistor structure and formation method thereof

Номер патента: US20240105846A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu,Wen-Hsien TU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Transistor structure with increased gate dielectric thickness between gate-to-drain overlap region

Номер патента: US20220393028A1. Автор: Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo,Chun-Nan LU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230326969A1. Автор: Ling-Wuu Yang,Jung-Yu Shieh,Zong-Jie Ko,Jeng Hwa Liao,Hsing-Ju Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Body contacted transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20110163382A1. Автор: Antonio L. P. Rotondaro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-07.

Body contacted transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: WO2011084397A3. Автор: Antonio L.P. Rotondaro. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Body contacted transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: GB2489882B. Автор: Antonio L P Rotondaro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-11.

Body contacted transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US9269783B2. Автор: Antonio L. P. Rotondaro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-23.

Nanowire transistor with reduced parasitics and method for making such a transistor

Номер патента: EP3397589A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-11-07.

Nanowire device with reduced parasitics

Номер патента: US20190067435A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Nanowire transistor with reduced parasitics and method for making such a transistor

Номер патента: WO2017116545A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-07-06.

Nanowire device with reduced parasitics

Номер патента: US20170186846A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230369505A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Vertical semiconductor component, in particular vertical transistor, with minimized source-drain leakage currents

Номер патента: US20240234491A1. Автор: Daniel Krebs,Muhammad Alshahed,Dragos Costachescu,Humberto Rodriguez Alvarez. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for producing three-dimensional structure, method for producing vertical transistor, vertical transistor wafer, and vertical transistor substrate

Номер патента: US11887845B2. Автор: Takashi Ishikawa,Moriya Miyashita,Takao Sakamoto,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh,Koji Izunome,Kazutaka Kamijo. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

FinFET-BASED INTEGRATED CIRCUITS WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20200312843A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Finfets with reduced parasitics

Номер патента: US20240055524A1. Автор: Wenjun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Vertical transistor and method of making

Номер патента: US7041556B2. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-09.

Vertical transistor with uniform bottom spacer formed by selective oxidation

Номер патента: US09741626B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor Device with Reduced Parasitic Capacitance

Номер патента: US20180286984A1. Автор: Chewn-Pu Jou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US11948974B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US20240194734A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Transistor structures with reduced source/drain leakage through backside treatment of subfin semiconductor material

Номер патента: EP4156294A1. Автор: Rishabh Mehandru,Aaron Lilak,Patrick Keys,Cory Weber,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Technique for filling high aspect ratio, narrow structures with multiple metal layers and associated configurations

Номер патента: US09972541B2. Автор: Joseph M. Steigerwald,Nick Lindert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor structure having test and transistor structures

Номер патента: US20120319110A1. Автор: Zhengmao Zhu,Abhishek Dube,Viorel Ontalus,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Methods of forming transistor structures including forming channel material after formation processes to prevent damage to the channel material

Номер патента: US09570588B2. Автор: Murat Kerem Akarvardar,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for reducing parasitic junction field effect transistor resistance

Номер патента: US20230360916A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2023-11-09.

Mos transistor structure with in-situ doped source and drain and method for forming the same

Номер патента: US20120032231A1. Автор: Lei Guo,Jing Wang,Jun Xu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Using oxynitride spacer to reduce parasitic capacitance in CMOS devices

Номер патента: US20060054934A1. Автор: Kaiping Liu,Haowen Bu,Yuanning Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

Reducing parasitic capacitance within semiconductor devices

Номер патента: US20210327762A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

FinFET with improved short channel effect and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US8552477B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-10-08.

CONTINUOUS CRYSTALLINE GALLIUM NITRIDE (GaN) PN STRUCTURE WITH NO INTERNAL REGROWTH INTERFACES

Номер патента: US20180212045A1. Автор: Jinqiao Xie,Edward A. Beam, III,Xing Gu. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Transistor structure with multiple halo implants having epitaxial layer over semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20200135583A1. Автор: Samar K. Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-30.

Integrated circuit transistor structure with high germanium concentration SiGe stressor

Номер патента: US09660082B2. Автор: Chih-Hao Chang,Chien-Hsun Wang,Chih Chieh Yeh,Jeff J. Xu,Chih-Hsiang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09647073B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US10475932B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Shao-Hui Wu. Владелец: Untied Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Deep source and drain for transistor structures with back-side contact metallization

Номер патента: US11688780B2. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Transistor structure with gate over well boundary and related methods to form same

Номер патента: US11942325B2. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Miniaturized transistor structure with controlled dimensions of source/drain and contact-opening and related manufacture method

Номер патента: US11972983B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Miniaturized transistor structure with controlled dimensions of source/drain and contact-opening and related manufacture method

Номер патента: US11973120B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20120241863A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Thin film transistor structure, array substrate and method for manufacturing a thin film transistor structure

Номер патента: US20200066901A1. Автор: Liangchen YAN,Dongfang Wang,Zhanfeng CAO,Jingang Fang,Ce ZHAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Transistor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240079497A1. Автор: Chien-Hao Huang,Chung-Te Lin,Gao-Ming Wu,Katherine H Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20130089957A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Transistor structure

Номер патента: US20230170421A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240290880A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor transistor structure

Номер патента: US20240258406A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

FINFET transistor structure and method for making the same

Номер патента: US09385193B2. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Sheng-Huei Dai,Rai-Min Huang,Chen-Hua Tsai,Xiao Zhong Zhu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: US20230052056A1. Автор: Xiang Li,XIN ZHAO,Shan Liu,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: EP3968375A3. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: US11855218B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: US20240030347A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Ggnmos transistor structure, esd protection device and circuit

Номер патента: US20240282765A1. Автор: Yan Yan,LIN Wu,Cheng Zhou,Yong Huang,Lu Huang,Wanyi ZHOU,Haili SHI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240371928A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-11-07.

Transistor structures with a metal oxide contact buffer and a method of fabricating the transistor structures

Номер патента: US11843058B2. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Justin Weber,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Van Le,Nazila Haratipour,Shriram SHIVARAMAN,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Transistor structures with a metal oxide contact buffer and a method of fabricating the transistor structures

Номер патента: US20240105854A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Justin Weber,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Van Le,Nazila Haratipour,Shriram SHIVARAMAN,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Thin film transistor structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US8445912B2. Автор: Hideki Ono,Mari Sasaki,Iwao Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Nanowire transistor structure and nanowire inverter structure

Номер патента: US11038066B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Transistor structure and method with an epitaxial layer over multiple halo implants

Номер патента: US20150084108A1. Автор: Samar Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-26.

Transistor structure and related inverter

Номер патента: US12074205B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Fabrication of thin film fin transistor structure

Номер патента: US12080781B2. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Noriyuki Sato,Van H. Le,Hui Jae Yoo,Elliot N. Tan,Sarah ATANASOV,Jason Peck,Tobias Brown-Heft. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Asymmetric field effect transistor structure and method

Номер патента: US20110101449A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device with reduced gate height budget

Номер патента: US20190027575A1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of fabricating a transistor with reduced hot carrier injection effects

Номер патента: US20170243950A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

STRESSING OF A TRANSISTOR CHANNEL STRUCTURE WITH SUPERIMPOSED BARS BY STRAINING THE SPACERS

Номер патента: FR3088482B1. Автор: Kangguo Cheng,Shay REBOH,Remi Coquand,Nicolas Loubet,Robin Chao. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-05-14.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160126316A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20170213890A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Transistor structures with a metal oxide contact buffer

Номер патента: US20220052200A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Justin Weber,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Van Le,Nazila Haratipour,Shriram SHIVARAMAN,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20190131456A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Shao-Hui Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Bipolar transistor structure with emitter/collector contact to doped semiconductor well and related methods

Номер патента: US11804541B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Lateral bipolar transistor structure with base over semiconductor buffer and related method

Номер патента: US11784224B2. Автор: Hong Yu,John J. Pekarik,Zhenyu Hu,Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Vertical transistor and variable resistive memory device including the same

Номер патента: US09691819B2. Автор: Nam Kyun PARK,Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Transistor structure with multiple vertical thin bodies

Номер патента: US20240304672A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Fabrication method of power semiconductor structure with reduced gate impedance

Номер патента: US20120045877A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Metal high-k transistor having silicon sidewall for reduced parasitic capacitance

Номер патента: US7843007B2. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Metal High-K Transistor Having Silicon Sidewall For Reduced Parasitic Capacitance, And Process To Fabricate Same

Номер патента: US20090298275A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Metal High-K Transistor Having Silicon Sidewall For Reduced Parasitic Capacitance, And Process To Fabricate Same

Номер патента: US20100006956A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Bipolar transistor structures with base having varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: US11916109B2. Автор: Peter Baars,Judson R. Holt,Ketankumar Harishbhai Tailor,Alexander M. Derrickson,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Bipolar transistor structures with base having varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: US20230290829A1. Автор: Peter Baars,Judson R. Holt,Ketankumar Harishbhai Tailor,Alexander M. Derrickson,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Single-transistor structure, multi-transistor structure, and electronic apparatus

Номер патента: US20240213323A1. Автор: Mingzhi Dai. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2024-06-27.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: Rongwei Yu. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Bipolar transistor structures with base having varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: EP4243083A1. Автор: Peter Baars,Judson R. Holt,Ketankumar Harishbhai Tailor,Alexander M. Derrickson,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Integration of vertical transistors with 3d long channel transistors

Номер патента: US20170317080A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, And Methods Used In Forming An Array Of Capacitors

Номер патента: US20220173109A1. Автор: Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09837409B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09607899B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods of forming vertical transistor devices with different effective gate lengths and the resulting devices

Номер патента: US20180240715A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Top metal pads as local interconnectors of vertical transistors

Номер патента: US09911855B2. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Top metal pads as local interconnectors of vertical transistors

Номер патента: US09524907B2. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Vertical Transistors With Backside Power Delivery

Номер патента: US20240105617A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical transistor with self-align backside contact

Номер патента: WO2024046738A1. Автор: Brent Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical transistor with self- align backside contact

Номер патента: US20240079461A1. Автор: Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Array of Memory Cells, Methods Used in Forming an Array of Memory Cells, Methods Used in Forming an Array of Vertical Transistors, Methods Used in Forming an Array of Vertical Transistors, and Methods Used in Forming an Array of Capacitors

Номер патента: US20240107747A1. Автор: Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Top Metal Pads as Local Interconnectors of Vertical Transistors

Номер патента: US20170084753A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Top Metal Pads as Local Interconnectors of Vertical Transistors

Номер патента: US20160247720A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Fin cut etch process for vertical transistor devices

Номер патента: US10957783B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Methods of forming vertical transistor devices with different effective gate lengths

Номер патента: US09935018B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

HIGH-DENSITY FIELD-ENHANCED ReRAM INTEGRATED WITH VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20200203428A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Vertical transistor with uniform fin thickness

Номер патента: US20200035828A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Vertical transistor including a bottom source/drain region, a gate structure, and an air gap formed between the bottom source/drain region and the gate structure

Номер патента: US09748380B1. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated circuit having vertical transistor and semiconductor device including the integrated circuit

Номер патента: US20180175024A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Tae-Joong Song,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Sang-hoon BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Integrated circuit having vertical transistor and semiconductor device including the integrated circuit

Номер патента: US20200135721A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Tae-Joong Song,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Sang-hoon BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Vertical transistor having first and second tensile layers

Номер патента: US8569832B2. Автор: Eun Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-10-29.

Fin cut etch process for vertical transistor devices

Номер патента: US20200083355A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Content addressable memory using threshold-adjustable vertical transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20200006383A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Content addressable memory using threshold-adjustable vertical transistors and methods of forming the same

Номер патента: EP3685382A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Memory arrays with vertical transistors and the formation thereof

Номер патента: US20210028308A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Scott J. Derner,Toby D. Robbs,Steve V. Cole. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Bipolar transistor structure with a shallow isolation extension region providing reduced parasitic capacitance

Номер патента: US6864560B2. Автор: Marwan H. Khater,Jae-Sung Rieh,Andreas Daniel Stricker,Gregory Gower Freeman,Kathryn Turner Schonenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-08.

DRAM Arrays, Vertical Transistor Structures, and Methods of Forming Transistor Structures and DRAM Arrays

Номер патента: US20110018045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Array of vertical transistors having channel regions connected by an elongated conductor line

Номер патента: US12119269B2. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: WO2024005789A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: US20230422496A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230066312A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Vertical transistor fabrication for memory applications

Номер патента: US12108604B2. Автор: Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Thomas Kwon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Vertical transistors and method for producing the same

Номер патента: US20240213366A1. Автор: Christian Huber,Roland Puesche,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-06-27.

Vertical transistor having uniform bottom spacers

Номер патента: US09627511B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor integrated circuit device having an improved vertical bipolar transistor structure

Номер патента: US5468989A. Автор: Osamu Kasahara,Hirotaka Nishizawa,Seiichiro Azuma,Sinichi Suzuki,Kazuaki Ootoshi,Masataka Miyama,Shuji Kawata. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1995-11-21.

Vertical transistor fabrication for memory applications

Номер патента: WO2020159663A1. Автор: Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Thomas Kwon. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-08-06.

Bipolar transistor structure with collector on polycrystalline isolation layer and methods to form same

Номер патента: US11749747B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Jeffrey B. Johnson,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Bipolar transistor structure with collector on polycrystalline isolation layer and methods to form same

Номер патента: US20230223463A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Jeffrey B. Johnson,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Transistors having reduced parasitics and enhanced performance

Номер патента: US11705487B2. Автор: Yun Shi,John Tzung-Yin LEE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Insulated gate bipolar transistor with high emitter gate capacitance

Номер патента: US9153677B2. Автор: Christoph Von Arx. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2015-10-06.

Power switching transistor with low drain to gate capacitance

Номер патента: US6870221B2. Автор: Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-03-22.

Lateral bipolar transistor structure with inner and outer spacers and methods to form same

Номер патента: US11888050B2. Автор: Haiting Wang,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson,John L. Lemon. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Lateral bipolar transistor structure with superlattice layer and method to form same

Номер патента: US11862717B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alvin J. Joseph,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Lateral bipolar transistor structure with marker layer for emitter and collector

Номер патента: US11799021B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Bipolar transistor structure with base protruding from emitter/collector and methods to form same

Номер патента: US11961901B2. Автор: Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120221987A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US20160087087A1. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-03-24.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US9590081B2. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-07.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US8513706B2. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US20170125557A1. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-05-04.

Carbon field effect transistors having charged monolayers to reduce parasitic resistance

Номер патента: GB2504643A. Автор: Shu-Jen Han,Hsin-Ying Chiu,Hareem T Maune. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-05.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: EP4449835A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Method of manufacturing a thin film transistor with reduced parasitic capacitance and reduced feed-through voltage

Номер патента: US6020223A. Автор: Christopher L. Chua,Ping Mei,James B. Boyce,Michael G. Hack,René A. Lujan. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2000-02-01.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240332232A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023221915A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023221915A9. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-15.

Vertical transistors with merged active area regions

Номер патента: US09761712B1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Terence B. Hook,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Vertical transistor with field region structure

Номер патента: US20070117328A1. Автор: Jenn-Yu Lin,Ta-Yung Yang,Chih-Feng Huang,Tuo-Hsin Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Bulk CMOS RF Switch With Reduced Parasitic Capacitance

Номер патента: US20180323114A1. Автор: Marco Racanelli,Edward J. Preisler,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2018-11-08.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230065806A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12033967B2. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory with vertical transistors and wrap-around control lines

Номер патента: US20230200075A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023029142A1. Автор: WEI Liu,Simon Shi-ning Yang,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Vertical transistor with a body contact for back-biasing

Номер патента: US09653575B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

TFT with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US5414283A. Автор: Mohshi Yang,Willem den Boer. Владелец: OIS Optical Imaging Systems Inc. Дата публикации: 1995-05-09.

Semiconductor package with reduced parasitic coupling effects and process for making the same

Номер патента: US20180261470A1. Автор: Baker Scott,Dirk Robert Walter Leipold,George Maxim,Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

High-k/metal gate mosfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: WO2009002670A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-31.

Vertical transistor and memory cell

Номер патента: US6018176A. Автор: Byung-hak Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-01-25.

Memory devices with vertical transistors

Номер патента: US20230276615A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor transistor structure with reduced contact resistance and fabrication method thereof

Номер патента: US11791407B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Ruey-Chyr Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device structures with self-aligned fin structure(s) and fabrication methods thereof

Номер патента: US09478661B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Process for fabricating a uniform gate oxide of a vertical transistor

Номер патента: US6150670A. Автор: Ulrike Gruening,Rajarao Jammy,Suryanarayan G. Hegde,Johnathan E. Faltermeier,Brian S. Lee,Helmut H. Tews. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Producing a vertical transistor including reentrant profile

Номер патента: US20130084681A1. Автор: David H. Levy,Lee W. Tutt,Shelby F. Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-04.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US12040224B2. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20240332067A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Contact techniques and configurations for reducing parasitic resistance in nanowire transistors

Номер патента: US09461141B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Bucket-brigade delay line having reduced parasitic capacitances and method for making the same

Номер патента: US4002513A. Автор: Mark B. Barron,Walter J. Butler,Bruno F. Kurz, deceased. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1977-01-11.

High voltage transistor structure

Номер патента: US11942475B2. Автор: Yong-Shiuan Tsair,Meng-Han LIN,Wen-Tuo Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130105764A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-02.

Isolation walls for vertically stacked transistor structures

Номер патента: US20190393214A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Series-connected transistor structure

Номер патента: US09620500B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Tien-Wei Chiang,Chien-Chih Lee,Chin-Chi Wang,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Non-planar pMOS structure with a strained channel region and an integrated strained CMOS flow

Номер патента: US7348284B2. Автор: Suman Datta,Robert Chau,Been-Yih Jin,Brian S Doyle,Nancy M Zelick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-03-25.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20220262671A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Double-sided integrated circuit transistor structures with depopulated bottom channel regions

Номер патента: EP3926668A1. Автор: PENG Zheng,Tahir Ghani,Mauro Kobrinsky,Aaron Lilak,Harold Kennel,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-22.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20220139762A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Thin film transistor structure and manufacturing method thereof, circuit structure, display substrate and display device

Номер патента: US20210257393A1. Автор: MENG Li,Pan Xu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Xuehuan Feng,Zhenfei Cai. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

High voltage transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123121A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

High voltage transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11610973B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

High voltage transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20220013648A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

MOSFET with reduced leakage current

Номер патента: US5801424A. Автор: Thomas Luich. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Transistor structure, method for manufacturing a transistor structure, force-measuring system

Номер патента: US20130153970A1. Автор: Karl Haberger,Ignaz Eisele,Martin Heigl. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2013-06-20.

MOSFETs WITH REDUCED CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20130157423A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Thin Film Transistor Structure

Номер патента: US20100289068A1. Автор: Hsiao-Wei Cheng,Yi-Chang Yang,Hsiu-Ju Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-11-18.

Vertical-channel cell array transistor structure and dram device including the same

Номер патента: EP4148793A1. Автор: Sangwon Kim,Changhyun KIM,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-15.

High voltage transistor structure

Номер патента: US11990507B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Vertical-channel cell array transistor structure and dram device including the same

Номер патента: US20230072229A1. Автор: Sangwon Kim,Changhyun KIM,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US8853674B2. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-07.

Power rail between fins of a transistor structure

Номер патента: EP4123690A3. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

3D semiconductor device and structure with single-crystal layers

Номер патента: US11876011B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

3d semiconductor device and structure with single-crystal layers

Номер патента: US20230343632A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US20240249980A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US09768072B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Memory device having vertical transistors and method for forming the same

Номер патента: WO2023216884A1. Автор: He Chen,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2023217069A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230380142A1. Автор: He Chen,WEI Liu,Yanhong Wang,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing vertical transistors

Номер патента: US8613861B2. Автор: Masahiko Ohuchi,Chien-Hua Tsai,Sheng-Chang Liang,Hsiao-chia Chen. Владелец: Rexchip Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US09941391B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US20180190794A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US20190172928A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Junction field effect transistor structure with p-type silicon germanium or silicon germanium carbide gate(s) and method of forming the structure

Номер патента: US20120168820A1. Автор: Xuefeng Liu,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Xiaowei Tian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Junction field effect transistor structure with p-type silicon germanium or silicon germanium carbide gate(s) and method of forming the structure

Номер патента: US20140235021A1. Автор: Xuefeng Liu,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Xiaowei Tian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Bipolar transistor structure and a method of manufacturing a bipolar transistor structure

Номер патента: US09673294B2. Автор: Armin Tilke,Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuit device with reduced n-p boundary effect

Номер патента: US20240321887A1. Автор: Yang Zhang,ZHENG GUO,Feng Zhang,Robin Chao,Guowei Xu,Yusung KIM,Yanbin LUO,Chiao-Ti HUANG,Paul Packan,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Pillars for vertical transistors

Номер патента: US20140097479A1. Автор: Patrick Thomas. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Integrated circuit structure with dual thickness cobalt silicide layers and method for its manufacture

Номер патента: US6040606A. Автор: Christopher S. Blair. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-03-21.

Method for making CMOS device having reduced parasitic capacitance

Номер патента: US5627097A. Автор: Suresh Venkatesan,Stephen Poon,Jeffrey Lutze. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-05-06.

Group iii nitride transistor structure capable of reducing leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US20230260988A1. Автор: XING Wei,Xiaodong Zhang,Baoshun Zhang,Desheng Zhao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device with reduced leakage current and method for making the same

Номер патента: US09530853B2. Автор: Eunki Hong,Haldane S. Henry,Charles S. Whitman. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Transistor structure including as-grown graphene and semiconductor device including the transistor structure

Номер патента: US20240297221A1. Автор: Seunghyun Lee,Sangwon Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Dohee Kim,Junseong BAE,Hyeyoon RYU. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-09-05.

Vertical transistor structure

Номер патента: US4811071A. Автор: Herbert F. Roloff. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-03-07.

Heterojunction bipolar transistor structure with a bandgap graded hole barrier layer

Номер патента: US20200194573A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Powerful hf- and microwave transistor structure

Номер патента: RU2743673C1. Автор: Олег Митрофанович Булгаков,Юрий Кимович Николаенков,Михаил Владимирович Таравков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2021-02-24.

Backside illuminated image sensor with three-dimensional transistor structure and forming method thereof

Номер патента: US20200135777A1. Автор: Wenqiang Li,Jie Li,Yonggang Wang,Lixin Zhao. Владелец: Galaxycore Shanghai Ltd Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230335609A1. Автор: Chin-Chia Kuo,Ming-Hua Tsai,Wei Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Vacuum channel transistor structures with sub-10 nanometer nanogaps and layered metal electrodes

Номер патента: US20210166908A1. Автор: Joshua T. Smith,Benjamin Wunsch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Field Effect Transistor Structure Having Notched Mesa

Номер патента: US20180286947A1. Автор: Kiuchul Hwang. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-10-04.

Vacuum channel transistor structures with sub-10 nanometer nanogaps and layered metal electrodes

Номер патента: US20200098534A1. Автор: Joshua T. Smith,Benjamin Wunsch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Field effect transistor structure having notched mesa

Номер патента: WO2016182825A1. Автор: Kiuchul Hwang. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2016-11-17.

Field effect transistor structure having notched mesa

Номер патента: EP3295487A1. Автор: Kiuchul Hwang. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-03-21.

Transistor structures and transistors with a germanium-containing channel

Номер патента: US20060001126A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Transistor structures and transistors with a germanium-containing channel

Номер патента: US7446351B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor Element having an Enhancement-Type Transistor Structure

Номер патента: US20200373399A1. Автор: Joachim N. Burghartz,Mohammed Alomari,Muhammad Alshahed. Владелец: Institut fur Mikroelektronik Stuttgart. Дата публикации: 2020-11-26.

Device isolator with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09806148B2. Автор: Thomas D. Bonifield,Byron Lovell Williams,Anant Shankar Kamath,Raja Selvaraj,John Kenneth Arch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Device isolator with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US11869933B2. Автор: Thomas D. Bonifield,Byron Lovell Williams,Anant Shankar Kamath,Raja Selvaraj,John Kenneth Arch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Device isolator with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20190148486A1. Автор: Thomas D. Bonifield,Byron Lovell Williams,Anant Shankar Kamath,Raja Selvaraj,John Kenneth Arch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Device isolator with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180026095A1. Автор: Thomas D. Bonifield,Byron Lovell Williams,Anant Shankar Kamath,Raja Selvaraj,John Kenneth Arch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor-On-Insulator (SOI) Device with Reduced Parasitic Capacitance

Номер патента: US20210005630A1. Автор: Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device structure with vertical transistor over underground bit line

Номер патента: US20240145536A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230069096A1. Автор: WEI Liu,Simon Shi-ning Yang,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Load sensor using vertical transistor

Номер патента: US20160202132A1. Автор: Takashi Inoue,Kenichi Sakai,Tetsuya Katoh,Junichi Takeya,Mayumi Uno,Kensuke HATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Load sensor using vertical transistor

Номер патента: US9658121B2. Автор: Takashi Inoue,Kenichi Sakai,Tetsuya Katoh,Junichi Takeya,Mayumi Uno,Kensuke HATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device having a reduced parasitic capacitance bonding pad structure

Номер патента: US6417558B1. Автор: Koji Shirai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-07-09.

High power, high efficiency quantum cascade lasers with reduced electron leakage

Номер патента: WO2012021208A3. Автор: Jae Cheol Shin,Dan Botez. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-04-19.

Stacked transistor structures with asymmetrical terminal interconnects

Номер патента: EP3886152A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Aaron D. Lilak,Ehren Mannebach,Anh Phan,Nafees KABIR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-29.

Stacked transistor structures with asymmetrical terminal interconnects

Номер патента: US20210305098A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Nafees KABIR,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Schottky diode structure with localized diode well

Номер патента: US5150177A. Автор: Murray J. Robinson,Christopher C. Joyce,Tim W. Luk. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1992-09-22.

High power, high efficiency quantum cascade lasers with reduced electron leakage

Номер патента: US20120039350A1. Автор: Jae Cheol Shin,Dan Botez. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-02-16.

High power, high efficiency quantum cascade lasers with reduced electron leakage

Номер патента: WO2012021208A2. Автор: Jae Cheol Shin,Dan Botez. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-02-16.

High power, high efficiency quantum cascade lasers with reduced electron leakage

Номер патента: EP2603959A2. Автор: Jae Cheol Shin,Dan Botez. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2013-06-19.

Methods of forming hetero-layers with reduced surface roughness and bulk defect density of non-native surfaces and the structures formed thereby

Номер патента: US09711591B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Peter G. Tolchinsky,Niloy Mukherjee,Van H. Le,James M. Powers,Niti Goel,Matthew V. Metz,Loren Chow,Mark R. Lemay. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Vertical transistor trench capacitor memory cell and method of making the same

Номер патента: WO2002086904A3. Автор: Carl J Radens,Thomas W Dyer,Stephan P Kudelka,Venkatachaiam C Jaiprakash. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-11-06.

Enhancement - depletion field effect transistor structure and method of manufacture

Номер патента: EP1794796A2. Автор: Hassan Maher,Pierre M. M. Baudet. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-06-13.

Lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: US09908115B2. Автор: Justin K. Valley,Eric D. Hobbs. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory structure with 4f2 optimized cell layout

Номер патента: US20240315004A1. Автор: Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory structure with 4f 2 optimized cell layout

Номер патента: WO2024196630A1. Автор: Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-26.

Microfluidic device comprising lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: CA2970174C. Автор: Justin K. Valley,Eric D. Hobbs. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Integrated injection logic cell having self-aligned collector and base with reduced base resistance and method of making same

Номер патента: GB2081508A. Автор: . Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1982-02-17.

Self-aligned vertical transistor dram structure and its manufacturing methods

Номер патента: US20040036519A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Intelligent Sources Development Corp. Дата публикации: 2004-02-26.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12080665B2. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Vertical transistor fuse latches

Номер патента: US12113015B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230380137A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Programmable logic array with vertical transistors

Номер патента: US20010002109A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-31.

Programmable logic array with vertical transistors

Номер патента: US20010002108A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-31.

Vertical transistor with hardening implantation

Номер патента: US20140097400A1. Автор: Young Pil Kim,Maroun Georges Khoury,Peter Nicholas Manos,Chulmin Jung,Dadi Setiadi,Hyung-Kew Lee. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-04-10.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230062141A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230064388A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Phase-Change Material (PCM) Radio Frequency (RF) Switch with Reduced Parasitic Capacitance

Номер патента: US20200058848A1. Автор: David J. Howard,Gregory P. Slovin,Jefferson E. Rose,Nabil El-Hinnawy. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-02-20.

Field programmable logic arrays with vertical transistors

Номер патента: US6124729A. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-26.

Diagonal memory with vertical transistors and wrap-around control lines

Номер патента: US20230200084A1. Автор: Abhishek A. Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors And Method Used In Forming An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Vertical Transistor And A Storage Device Above The Vertical Transistor

Номер патента: US20220068934A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230060149A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Three-dimensional monolithic vertical transistor memory cell with unified inter-tier cross-couple

Номер патента: US20200066732A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Vertical Transistor Cell Structures Utilizing Topside and Backside Resources

Номер патента: US20240105727A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan,Saurabh P. Sinha. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical transistor cell structures utilizing topside and backside resources

Номер патента: WO2024063901A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan,Saurabh P. Sinha. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional monolithic vertical transistor memory cell with unified inter-tier cross-couple

Номер патента: US20200144274A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Methods, apparatuses, integrated circuits, and circuit boards for power conversion with reduced parasitics

Номер патента: US20240153847A1. Автор: Gregory Szczeszynski,Jeffrey Chad BRYAN. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230062524A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Methods, apparatuses, integrated circuits, and circuit boards for power conversion with reduced parasitics

Номер патента: WO2024102593A2. Автор: Gregory Szczeszynski,Jeffrey Chad BRYAN. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2024-05-16.

Three-dimensional memory devices containing memory stack structures with position-independent threshold voltage

Номер патента: US09356043B1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of making dynamic random access memory having a vertical transistor

Номер патента: US5376575A. Автор: Jong S. Kim,Hee-Koo Yoon,Chung G. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Method of measuring gate capacitance by correcting dissipation factor error

Номер патента: US20040164761A1. Автор: Gi-young Yang,Yong-Un Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-26.

Circuit structure with low dielectric constant regions

Номер патента: US8772941B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Matthew E. Colburn,Wai-Kin Li,Louis C. Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-08.

Circuit Structure with Low Dielectric Constant Regions

Номер патента: US20090008791A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Wai-Kin Li,Louis C. Hsu,Mathew E. Colburn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: EP3449497A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-03-06.

Bus bar having reduced parasitic inductances and equal current path lengths

Номер патента: US5777377A. Автор: Thomas Gilmore. Владелец: Allen Bradley Co LLC. Дата публикации: 1998-07-07.

Method of making truly complementary and self-aligned bipolar and CMOS transistor structures with minimized base and gate resistances and parasitic capacitance

Номер патента: US5439833A. Автор: Rashid Bashir,Francois Hebert,Datong Chen. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-08-08.

Laser annealing of gan leds with reduced pattern effects

Номер патента: SG191475A1. Автор: Yun Wang,Andrew M Hawryluk. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2013-07-31.

Phase-Change Material (PCM) Contacts with Slot Lower Portions and Contact Dielectric for Reducing Parasitic Capacitance and Improving Manufacturability in PCM RF Switches

Номер патента: US20200058857A1. Автор: David J. Howard,Gregory P. Slovin,Jefferson E. Rose,Michael J. Debar,Nabil El-Hinnawy. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-02-20.

Reducing parasitic capacitance in a differential cascode amplifier

Номер патента: WO2024059399A1. Автор: Abdellatif Bellaouar,Chuan-Cheng Cheng,Ranadeep Dutta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-21.

Systems and methods to reduce parasitic capacitance

Номер патента: US09941156B2. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Shiqun Gu,Jun Chen,Vidhya Ramachandran,Choh fei Yeap,Jihong Choi,Christine Sung-An HAU-RIEGE. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Reducing Parasitic Capacitance

Номер патента: US20240097619A1. Автор: Abdellatif Bellaouar,Chuan-Cheng Cheng,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Systems and methods to reduce parasitic capacitance

Номер патента: US20160293475A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Shiqun Gu,Jun Chen,Vidhya Ramachandran,Choh fei Yeap,Jihong Choi,Christine Sung-An HAU-RIEGE. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

CMOS three-dimensional image sensor detectors having reduced inter-gate capacitance, and enhanced modulation contrast

Номер патента: US09595550B2. Автор: Cyrus Bamji. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: US20190131127A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-05-02.

Light-emitting device based on nitride of group iii element with light-emitting layer with reduced voltages

Номер патента: RU2591246C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Орельен Дж. Ф. ДЭВИД,Сунгсоо И,Натан Ф. ГАРДНЕР,Линда Т. РОМАНО. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2016-07-20.

Solid-state image sensor with reduced image blur and colour blending

Номер патента: RU2444150C1. Автор: Тору КОИЗУМИ,Соудзи КОУНО. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2012-02-27.

Method for forming a self-aligned copper structure with improved planarity

Номер патента: US6080656A. Автор: Tsu Shih,Ying-Ho Chen,Syun-Ming Jang,Jih-Churng Twu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-06-27.

Conductance modulated integrated transistor structure with low drain capacitance

Номер патента: US5164812A. Автор: John H. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-11-17.

CMOS three-dimensional image sensor detectors having reduced inter-gate capacitance, and enhanced modulation contrast

Номер патента: US20110292380A1. Автор: Cyrus Bamji. Владелец: Canesta Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Interconnect structures with reduced capacitance

Номер патента: US20190371736A1. Автор: Sunil Kumar Singh,Shesh Mani Pandey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

EMBEDDED TRACE SUBSTRATES (ETSs) WITH T-SHAPED INTERCONNECTS WITH REDUCED-WIDTH EMBEDDED METAL TRACES, AND RELATED INTEGRATED CIRCUIT (IC) PACKAGES AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20240250009A1. Автор: Zhijie Wang,Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Seongryul CHOI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Embedded trace substrates (etss) with t-shaped interconnects with reduced-width embedded metal traces, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: WO2024158553A1. Автор: Zhijie Wang,Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Seongryul CHOI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-02.

Large dimension silicon carbide single crystalline materials with reduced crystallographic stress

Номер патента: WO2022132715A1. Автор: Curt Progl,Caleb A. Kent,Valeri F. Tsvetkov,Adrian R. Powell,Steven Griffiths,Yuri Khlebnikov,Michael Fusco,Robert Tyler Leonard,Elif Balkas,Simon Bubel,Varad R. SAKHALKAR,Michael J. PAISLEY,Oleksandr KRAMARENKO,Matthew David Conrad,Eugene Deyneka,Alexander Shveyd,Kathy Doverspike,Lukas NATTERMANN. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-06-23.

For memory on package with reduced thickness

Номер патента: US20240334715A1. Автор: Phani Alaparthi,Samarth Alva,Navneet Kumar SINGH,Gaurav HADA,Aiswarya M. Pious,Ritu Bawa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Large dimension silicon carbide single crystalline materials with reduced crystallographic stress

Номер патента: US12125701B2. Автор: Curt Progl,Caleb A. Kent,Valeri F. Tsvetkov,Adrian R. Powell,Steven Griffiths,Yuri Khlebnikov,Michael Fusco,Robert Tyler Leonard,Elif Balkas,Simon Bubel,Varad R. SAKHALKAR,Michael J. PAISLEY,Oleksandr KRAMARENKO,Matthew David Conrad,Eugene Deyneka,Alexander Shveyd,Kathy Doverspike,Lukas NATTERMANN. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Metal removal with reduced surface roughness

Номер патента: US09659791B2. Автор: Xikun Wang,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang,David Cui. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Barrier coating with reduced process time

Номер патента: US09472783B2. Автор: Ahmet Gun Erlat,George Theodore Dalakos,Brian Joseph Scherer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-10-18.

Field-effect transistor structure for preventing from shorting

Номер патента: US09520343B1. Автор: Chung Hsing Tzu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-13.

Vertical non-volatile memory devices having a multi-stack structure with enhanced photolithographic alignment characteristics

Номер патента: US11895827B2. Автор: Dongseog EUN,Youngjin Kwon,Giyong Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Vertical non-volatile memory devices having a multi-stack structure with enhanced photolithographic alignment characteristics

Номер патента: US20240138141A1. Автор: Dongseog EUN,Youngjin Kwon,Giyong Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Electrical-interference-isolated transistor structure

Номер патента: US20060125063A1. Автор: Chung-Hsing Tzu. Владелец: Domintech Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure integrated with a resistance random access memory (RRAM) and the manufacturing methods thereof

Номер патента: US09431506B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Xi Lin,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of making photovoltaic devices with reduced conduction band offset between pnictide absorber films and emitter films

Номер патента: WO2013116320A2. Автор: Marty W. Degroot,Nathan S. Lewis,Harry A. Atwater,Jeffrey P. BOSCO,Gregory M. Kimball,Rebekah KRISTINE-LIGMAN FEIST. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2013-08-08.

Vertical non-volatile memory devices having a multi-stack structure with enhanced photolithographic alignment characteristics

Номер патента: US20220199626A1. Автор: Dongseog EUN,Youngjin Kwon,Giyong Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-23.

On-chip interconnects with reduced capacitance and method of fabrication thereof

Номер патента: US20150014859A1. Автор: Achyut Kumar Dutta. Владелец: Banpil Photonics Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

On-chip interconnects with reduced capacitance and method of afbrication

Номер патента: US20120298411A1. Автор: Achyut Kumar Dutta. Владелец: Banpil Photonics Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

On-chip interconnects with reduced capacitance and method of fabrication thereof

Номер патента: US9257406B2. Автор: Achyut Kumar Dutta. Владелец: Banpil Photonics Inc. Дата публикации: 2016-02-09.

Pixel designs with reduced lofic reset and settling times

Номер патента: US20230421922A1. Автор: Chengcheng Xu,Tiejun Dai,Zhe GAO,Dennis Tunglin LEE. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Optoelectronic device with reduced optical loss

Номер патента: US12100779B2. Автор: Joseph Dion,Devendra DIWAN,Brandon A Robinson,Rakesh B Jain. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Adaptive capacitors with reduced variation in value and in-line methods for making same

Номер патента: US09899468B2. Автор: Peter J. Zampardi,Brian Moser. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Processes and apparatus for preparing heterostructures with reduced strain by radial compression

Номер патента: US09583364B2. Автор: John A. Pitney,Robert J. Falster,Vladimir V. Voronkov,Peter D. Albrecht. Владелец: SunEdison Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device with reduced thickness

Номер патента: US09418922B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Detector with reduced noise in fluorescence band

Номер патента: RU2738311C1. Автор: Тарун КХУРАНА,Рэндалл СМИТ,Джозеф ПИНТО,Трейси Х. ФУН,Пурья САБОУНЧИ,Бернард ХИРШБАЙН,Вэньи ФЭН. Владелец: Иллюмина, Инк.. Дата публикации: 2020-12-11.

Circuit wiring techniques for stacked transistor structures

Номер патента: US20200286831A1. Автор: Chen Zhang,ZHENG Xu,Tenko Yamashita,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Circuit wiring techniques for stacked transistor structures

Номер патента: US11894303B2. Автор: Chen Zhang,ZHENG Xu,Tenko Yamashita,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Large dimension silicon carbide single crystalline materials with reduced crystallographic stress

Номер патента: EP4263922A1. Автор: Curt Progl,Caleb A. Kent,Valeri F. Tsvetkov,Adrian R. Powell,Steven Griffiths,Yuri Khlebnikov,Michael Fusco,Robert Tyler Leonard,Elif Balkas,Simon Bubel,Varad R. SAKHALKAR,Michael J. PAISLEY,Oleksandr KRAMARENKO,Matthew David Conrad,Eugene Deyneka,Alexander Shveyd,Kathy Doverspike,Lukas NATTERMANN. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Method for making image sensor with reduced etching damage

Номер патента: EP1746657A3. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2009-10-07.

Methods and apparatus for providing improved physical designs and routing with reduced capacitive power dissipation

Номер патента: US20020106878A1. Автор: David Brown,Tom O'Brien,Ajay Chandna. Владелец: Bops Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Adaptive capacitors with reduced variation in value and in-line methods for making same

Номер патента: US9899468B2. Автор: Peter J. Zampardi,Brian Moser. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Adaptive capacitors with reduced variation in value and in-line methods for making same

Номер патента: US09673271B2. Автор: Peter J. Zampardi,Brian Moser. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Processes and apparatus for preparing heterostructures with reduced strain by radial distension

Номер патента: US09583363B2. Автор: John A. Pitney,Robert J. Falster,Vladimir V. Voronkov,Peter D. Albrecht. Владелец: SunEdison Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor optical device with a buried heterostructure (bh) having reduced parasitic capacitance and reduced inter-diffusion

Номер патента: US20230411931A1. Автор: Dapeng Xu,Huanlin Zhang,Dion McIntosh-Dorsey. Владелец: Applied Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Reducing parasitic capacitance in medium-voltage inductors

Номер патента: US20240170203A1. Автор: Hongbo ZHAO,Stig Munk-Nielsen. Владелец: Aalborg Universitet AAU. Дата публикации: 2024-05-23.

Key structure with reduced resonant noise

Номер патента: US9697965B2. Автор: Chun-Lin Chen. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Reducing parasitic capacitance in medium-voltage inductors

Номер патента: EP4315375A1. Автор: Hongbo ZHAO,Stig Munk-Nielsen. Владелец: Aalborg Universitet AAU. Дата публикации: 2024-02-07.

Key structure with reduced resonant noise

Номер патента: US20160148763A1. Автор: Chun-Lin Chen. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

A method for preparation of supply pulses to generate a glow discharge between electrodes enclosed in a chamber with reduced gas pressure and a circuit for preparation of supply pulses to generate a glow discharge between electrodes enclosed in a chamber with reduced gas pressure

Номер патента: EP3831168A1. Автор: Edward Reszke,Ihar Yelkin. Владелец: Plasma Investment Sp Z OO. Дата публикации: 2021-06-09.

Multi-beam charged particle imaging system with reduced charging effects

Номер патента: WO2024099587A1. Автор: Stefan Schubert. Владелец: Carl Zeiss Multisem Gmbh. Дата публикации: 2024-05-16.

Laser bar with reduced lateral far-field divergence

Номер патента: US20240250506A1. Автор: Paul Crump,Mathias M. KAROW,Mohammad Jarez MIAH. Владелец: Ferdinand Braun Institut GgmbH Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik. Дата публикации: 2024-07-25.

Downhole cable with reduced diameter

Номер патента: RU2723291C2. Автор: Марк Эдмунд ЛОУЭЛЛ,Эдвард ВИНСЕК,Марк ДЕННЕ,Мэттью БОДЗИОНИ. Владелец: Призмиан С.П.А.. Дата публикации: 2020-06-09.

Ion funnel for efficient passage of ions with low ratio of mass to charge with reduced gas flow rate at outlet

Номер патента: RU2698795C2. Автор: Жан ХЕНДРИКС,Вадим БЕРКУТ. Владелец: Смитс Детекшен Инк.. Дата публикации: 2019-08-30.

High-frequency commutators with reduced number of switching elements

Номер патента: RU2691593C1. Автор: Михаил Николаевич Макурин,Геннадий Александрович Евтюшкин,Антон Сергеевич Лукьянов,Артем Юрьевич Никишов,Елена Александровна Шепелева. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2019-06-14.

Tape from ferromagnetic alloy with reduced amount of surface defects and its application

Номер патента: RU2528623C1. Автор: Юдзи МАЦУМОТО,Даити АДЗУМА,Риусуке ХАСЕГАВА,Юити ОГАВА,Эрик А. ТЭЙСЕН. Владелец: Метглас, Инк.. Дата публикации: 2014-09-20.

Monolithic nonlinear transmission lines and sampling circuits with reduced shock-wave-to-surface-wave coupling

Номер патента: US6894581B2. Автор: Karam Michael Noujeim. Владелец: Anritsu Co. Дата публикации: 2005-05-17.

A method for reducing internal resistance of a battery and a battery with reduced internal resistance

Номер патента: WO2021005272A1. Автор: Reijo Lappalainen,Pekka Saastamoinen,Petteri Koljonen. Владелец: Spindeco Technologies Oy. Дата публикации: 2021-01-14.

A method for reducing internal resistance of a battery and a battery with reduced internal resistance

Номер патента: AU2020310565A1. Автор: Reijo Lappalainen,Pekka Saastamoinen,Petteri Koljonen. Владелец: Spindeco Tech Oy. Дата публикации: 2022-02-10.

A method for reducing internal resistance of a battery and a battery with reduced internal resistance

Номер патента: AU2020310565B2. Автор: Reijo Lappalainen,Pekka Saastamoinen,Petteri Koljonen. Владелец: Qid Oy. Дата публикации: 2023-11-16.

A method for reducing internal resistance of a battery and a battery with reduced internal resistance

Номер патента: EP3997746A1. Автор: Reijo Lappalainen,Pekka Saastamoinen,Petteri Koljonen. Владелец: Spindeco Tech Oy. Дата публикации: 2022-05-18.

Electrochemical battery pack with reduced magnetic field emission and corresponding devices

Номер патента: EP2603945A1. Автор: Hossein Maleki,Jerald A. Hallmark. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2013-06-19.

Non-aqueous heat exchange fluid with reduced low-temperature viscosity

Номер патента: RU2701551C2. Автор: Дж. Томас ЛАЙТ. Владелец: Эванс Кулинг Системз, Инк.. Дата публикации: 2019-09-30.

Structures comprising molecular structures with high aspect ratio, and methods of their manufacturing

Номер патента: RU2526969C2. Автор: Дэвид П. БРАУН,Альберт Г. НАСИБУЛИН,Брэдли Дж. ЭЙТЧИСОН,Эско И. КАУППИНЕН. Владелец: Канату Ой. Дата публикации: 2014-08-27.

A method for reducing internal resistance of a battery and a battery with reduced internal resistance

Номер патента: CA3147031A1. Автор: Reijo Lappalainen,Pekka Saastamoinen,Petteri Koljonen. Владелец: Spindeco Technologies Oy. Дата публикации: 2021-01-14.

Card edge connector with reduced height

Номер патента: US20240072468A1. Автор: Xiaodong Hu,Kui YANG. Владелец: Amphenol Commercial Products Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Process for the production of evaporable getter devices with reduced particle loss

Номер патента: WO2000007209A1. Автор: Corrado Carretti,Marco Guastalla. Владелец: SAES GETTERS S.P.A.. Дата публикации: 2000-02-10.

Evaporable getter device with reduced loss of particles and process for producing the same

Номер патента: WO2000028568A1. Автор: Daniele Martelli,Giuseppe Urso. Владелец: SAES GETTERS S.P.A.. Дата публикации: 2000-05-18.

Lithium Battery Explosion-proof Structure with Built-in BMS Board

Номер патента: US20240313306A1. Автор: Jinhui Zeng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Laser system with reduced apparent speckle

Номер патента: US09559492B2. Автор: Brian L. Olmsted. Владелец: Lasermax Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240381620A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2023028869A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20020053689A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Vertical transistor trench capacitor dram cell and method of making the same

Номер патента: EP1320885A2. Автор: Andreas Knorr,Laertis Economikos,Thomas W. Dyer,Scott Halle. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Memory devices having vertical transistors in staggered layouts

Номер патента: US12082399B2. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device having vertical transistors and method for forming the same

Номер патента: US20230371244A1. Автор: He Chen,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Equalizing transceiver with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20060091930A1. Автор: Fred Chen,Vladimir Stojanovic. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-04.

Equalizing transceiver with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US7348811B2. Автор: Vladimir M. Stojanovic,Fred F. Chen. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2008-03-25.

Equalizing Transceiver With Reduced Parasitic Capacitance

Номер патента: US20090066376A1. Автор: Vladimir M. Stojanovic,Fred F. Chen. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2009-03-12.

MEMS-microphone with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09980052B2. Автор: Kurt Rasmussen,Pirmin Hermann Otto Rombach,Jan Tue Ravnkilde,Leif Steen Johansen. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20010000918A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-10.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2024103343A1. Автор: WEI Liu,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Wenyu HUA,Zichen LIU,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240172415A1. Автор: WEI Liu,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Wenyu HUA,Zichen LIU,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230371241A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory devices having vertical transistors in staggered layouts

Номер патента: WO2023070640A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor structure with improved capacitance of bit line

Номер патента: US20140054535A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Voltage-to-time converter and method for reducing parasitic capacitance and power supply influences

Номер патента: US20210203344A1. Автор: TING Li,Yong Zhang,Dongbing Fu,Jian'an Wang,Zhengbo Huang,Yabo NI. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2021-07-01.

Voltage-to-time converter and method for reducing parasitic capacitance and power supply influences

Номер патента: US11115039B2. Автор: TING Li,Yong Zhang,Dongbing Fu,Jian'an Wang,Zhengbo Huang,Yabo NI. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2021-09-07.

Shield structures with reduced spacing between adjacent insulation components and systems and methods for making the same

Номер патента: US20190082565A1. Автор: Wei Lin,John Z. Zhong,Nathan K. Gupta. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Gate drive circuit to reduce parasitic coupling

Номер патента: US09887697B2. Автор: Christopher Joseph LEE,Luke Anthony Solomon,Alfred Permuy. Владелец: GE Energy Power Conversion Technology Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for reducing parasitic vibrations of a loudspeaker environment and associated processing device

Номер патента: US09443502B2. Автор: Frederic Amadu,Thomas Esnault,Alexandre Fenieres. Владелец: Arkamys SA. Дата публикации: 2016-09-13.

Gate drive circuit to reduce parasitic coupling

Номер патента: GB2540020A. Автор: Permuy Alfred,Joseph Lee Christopher,Anthony Solomon Luke. Владелец: GE Energy Power Conversion Technology Ltd. Дата публикации: 2017-01-04.

3d lens with reduced back reflectance

Номер патента: US20170068028A1. Автор: Brian Thomas Sullivan,Peter Hook,Graham Carlow,Michelle Derouin. Владелец: Iridian Spectral Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Differential output structure with reduced skew for a single input

Номер патента: US6836163B2. Автор: James R. Spehar. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-12-28.

Differential output structure with reduced skew for a single input

Номер патента: US20030197539A1. Автор: James Spehar. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-10-23.

Tunnel acoustic system with reduced air turbulence, bipolar dependence of sound pressure level from direction of sound radiation and new design and method for its realisation

Номер патента: RU2356181C2. Автор: Мэтью С. Мл. ПОЛК. Владелец: Британия Инвестмент Корпорейшн. Дата публикации: 2009-05-20.

Ultra high speed microgenerator with reduced heat release

Номер патента: RU2656868C2. Автор: Флюр Рашитович Исмагилов,Вячеслав Евгеньевич Вавилов,Валентина Владимировна Айгузина,Ирек Ханифович Хайруллин,Владимир Игоревич Бекузин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2018-06-07.

Enhanced node B and methods for network assisted interference cancellation with reduced signaling

Номер патента: US09787444B2. Автор: Bernhard Raaf,Alexei Davydov,Thorsten Clevorn,Stefan Franz,Jan Ellenbeck,Sabine ROESSEL. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Remote direct memory access with reduced latency

Номер патента: US09774677B2. Автор: Mark S. HEFTY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

VCOM with reduced supply rails

Номер патента: US09558707B1. Автор: Chun Lu,Dimitry Goder,Alberto Giovanni Viviani,ChinFa Kao,JunGi Lee. Владелец: IML INTERNATIONAL. Дата публикации: 2017-01-31.

Methods and apparatus for video coding and decoding with reduced bit-depth update mode and reduced chroma sampling update mode

Номер патента: US09510016B2. Автор: PENG Yin,Cristina Gomila,Joel Sole,Oscar Divorra Escoda. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2016-11-29.

Continuous information transfer with reduced latency

Номер патента: US09490988B2. Автор: Mark S. HEFTY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Generator of multi-phase emf system with reduced twice power tongs

Номер патента: RU2681347C1. Автор: Леонид Петрович Гаврилов. Владелец: Леонид Петрович Гаврилов. Дата публикации: 2019-03-06.

Method for obtaining radio frequency signal with reduced level of by-side discrete components

Номер патента: RU2647629C1. Автор: Игорь Сергеевич Формальнов,Александр Алексеевич Суханов,Дмитрий Сергеевич Очков,Иван Андреевич Григорьев,Егор Михайлович Макарычев. Владелец: Публичное акционерное общество "Радиофизика". Дата публикации: 2018-03-16.

Precharged buffer with reduced output voltage swing

Номер патента: WO1992010836A1. Автор: Paul Ta. Владелец: Vlsi Technology, Inc.. Дата публикации: 1992-06-25.

Adaptive processing of video streams with reduced color resolution

Номер патента: US09699469B2. Автор: Laurence Alan Thompson. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Voltage controlled oscillator with reduced phase noise

Номер патента: EP3837770A1. Автор: Douglas S. Jansen. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

Portable communications devices with reduced interference between communication systems

Номер патента: CA3169025A1. Автор: Antonio Faraone,Giorgi Bit-Babik. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Multi-Level Sigma-Delta ADC With Reduced Quantization Levels

Номер патента: US20140266829A1. Автор: Carlo Pinna. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2014-09-18.

Voltage controlled oscillator with reduced phase noise

Номер патента: WO2020009833A1. Автор: Douglas S. Jansen. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc.. Дата публикации: 2020-01-09.

Lens module with reduced height and electronic device having the same

Номер патента: US20240142859A1. Автор: Wen-Jie Yi. Владелец: Triple Win Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Wireless device and method for rekeying with reduced packet loss for high-throughput wireless communications

Номер патента: US20180241562A1. Автор: Jesse R. Walker,Robert J. Stacey,Marc Jalfon,Emily H. Qi,Herbert Liondas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Single phase bi-directional ac-dc converter with reduced passive components size and common mode electro-magnetic interference

Номер патента: WO2014172439A1. Автор: Siqi Li,Chris MI. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2014-10-23.

Method and apparatus for paging dedicated for devices with reduced capabilities

Номер патента: US20230300786A1. Автор: Haiming Wang,Yingying Li,Yuantao Zhang,Hongmei Liu,Zhi YAN,Ran YUE. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Wireless device and method for rekeying with reduced packet loss for high-throughput wireless communications

Номер патента: WO2011084263A2. Автор: Jesse R. Walker,Robert J. Stacey,Marc Jalfon,Emily H. Qi,Herbert Liondas. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2011-07-14.

Phase modulator with reduced residual amplitude modulation

Номер патента: US20180062755A1. Автор: Yves Painchaud,Alexandre D. Simard,Michel Poulin. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Wireless device and method for rekeying with reduced packet loss for high-throughput wireless communications

Номер патента: EP2517400A2. Автор: Jesse R. Walker,Robert J. Stacey,Marc Jalfon,Emily H. Qi,Herbert Liondas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Wireless device and method for rekeying with reduced packet loss for high-throughput wireless communications

Номер патента: WO2011084263A3. Автор: Jesse R. Walker,Robert J. Stacey,Marc Jalfon,Emily H. Qi,Herbert Liondas. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2011-09-15.

Wireless device and method for rekeying with reduced packet loss for high-throughput wireless communications

Номер патента: US20160119139A1. Автор: Jesse R. Walker,Robert J. Stacey,Marc Jalfon,Emily H. Qi,Herbert Liondas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Method And System For Multi-Band Transceiver Front-End Architecture With Reduced Switch Insertion Loss

Номер патента: US20180278274A1. Автор: Branislav Petrovic,Carl De Ranter. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Method and system for multi-band transceiver front-end architecture with reduced switch insertion loss

Номер патента: US09985663B2. Автор: Branislav Petrovic,Carl De Ranter. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Phase modulator with reduced residual amplitude modulation

Номер патента: US09941973B2. Автор: Yves Painchaud,Alexandre D. Simard,Michel Poulin. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Wireless device and method for rekeying with reduced packet loss for high-throughput wireless communications

Номер патента: US09866380B2. Автор: Jesse R. Walker,Robert J. Stacey,Marc Jalfon,Emily H. Qi,Herbert Liondas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Single phase bi-directional AC-DC converter with reduced passive components size and common mode electro-magnetic interference

Номер патента: US09559581B2. Автор: Siqi Li,Chris MI. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-01-31.

Optimized flash memory without dedicated parity area and with reduced array size

Номер патента: US09424178B2. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Simon Litsyn. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory Structure with Reduced-Size Memory Element Between Memory Material Portions

Номер патента: US20080246014A1. Автор: Hsiang Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Dual connectivity for wireless devices with reduced capabilities

Номер патента: US11818614B2. Автор: Alireza Babaei. Владелец: PanPsy Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-14.

Display device and transistor structure for the same

Номер патента: US09818342B2. Автор: Joon-Min Park. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Light-emitting diode (led) light source with reduced flickering

Номер патента: RU2597326C2. Автор: Тео Геррит ЗЕЙЛМАН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-09-10.

Transmitting a data signal in a wireless communication system with reduced through delay

Номер патента: RU2728539C1. Автор: Томас ХАУШТАЙН,Ларс ТИЛЕ,Корнелиус ХЕЛЛЬГЕ,Томас Вирт,Мартин КУРРАС,Яго САНЧЕС,Томас ШИРЛЬ,Лешек РАШКОВСКИЙ,Татьяна ЕФИМУШКИНА. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2020-07-30.

Display with reduced visual discomfort

Номер патента: RU2709389C2. Автор: Скотт ФУЛЛЕМ. Владелец: МАЙКРОСОФТ ТЕКНОЛОДЖИ ЛАЙСЕНСИНГ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-12-17.

Coupling with reduced voltage for industrial process transmitter housing

Номер патента: RU2654933C2. Автор: Джоэл Дэвид Вандераа. Владелец: Роузмаунт Инк.. Дата публикации: 2018-05-23.

Ways of implementing paging procedures for wtru with reduced band width

Номер патента: RU2684756C1. Автор: Моон-Ил ЛИ,Паскаль М. АДЖАКПЛЕ,Дженет А. СТЕРН-БЕРКОВИЧ,Чаихён АН. Владелец: Интердиджитал Пейтент Холдингз, Инк.. Дата публикации: 2019-04-12.

Smoothing jitters in network with reduced delay

Номер патента: RU2596808C2. Автор: Тянь ВАН,Хосам А. ХАЛИЛ,Гуо-Вей ШИХ. Владелец: МАЙКРОСОФТ ТЕКНОЛОДЖИ ЛАЙСЕНСИНГ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2016-09-10.

Method super-regenerative transceiver, and computer system for providing short range communication with reduced current drain

Номер патента: US5621756A. Автор: Harry D. Bush,George N. Kotzamanis,James O. Tomaszewski. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-04-15.

A receiver with reduced current drain

Номер патента: WO1996024224A1. Автор: Harry David Bush,James Oscar Tomaszewski,George Nicholas Kotzamanis. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 1996-08-08.

Portable, compact, rapid employable, reduced power consumption, and lightweight information command and control system including an integrated shipping case/equipment mounting structure, multi-application work station, communication system, an expandable display array, location determining system, low power cooling system, and data center section with data servers and network hub capability with design configurations enabling operation with reduced or passive thermal control capabilities

Номер патента: US20180303003A1. Автор: Michael A Meinhart. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-10-18.

Multiband digital pre-distorter with reduced dimension requirements

Номер патента: EP4327456A1. Автор: Ashim Biswas,Leonard Rexberg,S M Shahrear TANZIL,Yuecheng YANG. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-02-28.

Access Control for Wireless Devices with Reduced Capabilities

Номер патента: US20210345227A1. Автор: Alireza Babaei. Владелец: PanPsy Technologies LLC. Дата публикации: 2021-11-04.

Pas with reduced flash formation and good mechanical properties

Номер патента: US5219908A. Автор: Burkhard Kohler,Hans-Detlef Heinz,Friedrich Jonas,Bahman Sarabi,Sabine Dorf. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1993-06-15.

Power managing semiconductor die with reduced power consumption

Номер патента: US20090057665A1. Автор: Wenkwei Lou. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

An efficient encryption method to secure data with reduced number of encryption operations

Номер патента: EP3365884A1. Автор: M. Oguzhan KULEKCI. Владелец: Istanbul Teknik Universitesi ITU. Дата публикации: 2018-08-29.

Method for forming a buried diffusion layer with reducing topography in a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20060154441A1. Автор: Cheng-Ming Yih,Huei-Huarng Chen,Hsuan-Ling Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-13.

Rf filter with reduced insertion loss

Номер патента: EP3485568A1. Автор: Werner Ruile,Markus Hauser,Sebastian Bertl,Veit Meister. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2019-05-22.

Apparatuses and methods for a level shifter with reduced shoot-through current

Номер патента: US20110115541A1. Автор: Jeffrey G. Barrow. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2011-05-19.

Dc-dc converter with reduced input current ripples

Номер патента: US20030002300A1. Автор: Toshiaki Nakamura. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Image acquisition techniques with reduced noise using single photon avalanche diodes

Номер патента: WO2022177707A1. Автор: Raymond Kirk Price,Michael Bleyer,Christopher Douglas Edmonds. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-08-25.

Multiple Stage Network Microphone Device with Reduced Power Consumption and Processing Load

Номер патента: US20240288926A1. Автор: Klaus Hartung,Nick D'Amato,Daniele Giacobello,Joachim Fainberg. Владелец: Sonos Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Electronic Messaging System for Mobile Devices with Reduced Traceability of Electronic Messages

Номер патента: US20240291793A1. Автор: Joseph Collins,Amit Jindas Shah. Владелец: Vaporstream Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Image processing apparatus capable of precise color correction with reduced memory capacity

Номер патента: US6590678B1. Автор: Junji Nishigaki,Hideyuki Hashimoto,Kenichi Morita,Takashi Yamauchi,Takayuki Nabeshima,Kazuhiro Ishiguro. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-08.

Automatically resolving, with reduced user inputs, a set of activity instances for a group of users

Номер патента: US12126668B2. Автор: Marcos Calvo Lance,Philip Koonce. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Method and apparatus for fast phase locked loop (PLL) settling with reduced frequency overshoot

Номер патента: US09859903B2. Автор: Fazil Ahmad,Pin-En Su,Greg Alyn UNRUH. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Enhanced node B and method for precoding with reduced quantization error

Номер патента: US09843367B2. Автор: Xiaogang Chen,Qinghua Li,Yuan Zhu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods and apparatus for sensing current through power semiconductor devices with reduced sensitivity to temperature and process variations

Номер патента: US09742398B2. Автор: Cetin Kaya,Ramesh Chandrasekaran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Envelope tracking with reduced circuit area and power consumption

Номер патента: US09634620B2. Автор: Nadim Khlat,Michael R. Kay. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Enhanced node B and method for precoding with reduced quantization error

Номер патента: US09525471B2. Автор: Xiaogang Chen,Qinghua Li,Yuan Zhu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method and apparatus for lattice reduction with reduced computational complexity

Номер патента: US09407340B2. Автор: Kyeong Yeon KIM,Ki Taek BAE,Ho Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Power supply system with reduced power losses, electronic device and controller

Номер патента: RU2556700C2. Автор: ЛАНГЕВЕЛЬДЕ Рональд ВАН,Вильхельмус ЭТТЕС,Хюго ВЕНСТРА,Франсискус Андрианус Корнелис Мария СХОФС. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-07-20.

Window glass structure with plate with energy-saving coating and capacitive switching section

Номер патента: RU2702509C2. Автор: Паскаль Бойерле,Штефан Дросте,Патрик Вебер,Клаус Шмальбух. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2019-10-08.

An apparatus and method for memory encryption with reduced decryption latency

Номер патента: EP1654661A2. Автор: Carlos Rozas,Gary Graunke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-10.

Esm with reduced torque ripple

Номер патента: US20240136870A1. Автор: Florian Bittner. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2024-04-25.

Flexible Printed Circuit Assembly With Reduced Dielectric Loss

Номер патента: US20090211792A1. Автор: Matthew Stephen Doyle,John Richard Dangler,Paul V. Abrahamson,Daniel Lee Dawiedezyk. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2009-08-27.

Composite switch circuit with reduced power loss and the forming method thereof

Номер патента: US20240243665A1. Автор: Vipin Pala. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Power converter with reduced power consumption and method of operating the same

Номер патента: US20240178740A1. Автор: Yen-Wei Lin,Shang-Kay YANG,Hsien-Kai WANG. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

An efficient encryption method to secure data with reduced number of encryption operations

Номер патента: US20180351730A1. Автор: M. Oguzhan KULEKCI. Владелец: Istanbul Teknik Universitesi ITU. Дата публикации: 2018-12-06.

Technique to constrain a video slice size with reduced performance penalty on pipelined encoder architectures

Номер патента: US9888256B2. Автор: Lei Zhang,Khaled Mammou,Edward Harold,Ihab M. A. Amer,Steven Lok-Man Doo,Jonathon Walter Riley. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2018-02-06.

Multi-cell scheduling with reduced control overhead

Номер патента: US20230309106A1. Автор: Aris Papasakellariou,Qiongjie LIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Method and apparatus for frequency hopping for control channels for devices with reduced capabilities

Номер патента: US20230283438A1. Автор: Haiming Wang,Yingying Li,Yuantao Zhang,Hongmei Liu,Zhi YAN. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Sidelink communication with reduced power consumption

Номер патента: US20230209468A1. Автор: Dong Li,Yong Liu. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2023-06-29.

Methods and apparatus for obtaining content with reduced access times

Номер патента: EP2356799A1. Автор: Ramin Rezaiifar,Rohit Kapoor,Bibhu P. Mohanty,Michael Mitrani. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-08-17.

Method and arrangement for transmitting an optical transmission signal with reduced polarisation-dependent loss

Номер патента: WO2011072720A1. Автор: Berthold Lankl,Bernhard Spinnler,Maxim Kuschnerov,Antonio Napoli. Владелец: NOKIA SIEMENS NETWORKS OY. Дата публикации: 2011-06-23.

Method and arrangement for transmitting an optical transmission signal with reduced polarisation-dependent loss

Номер патента: US09832055B2. Автор: Berthold Lankl,Bernhard Spinnler,Maxim Kuschnerov,Antonio Napoli. Владелец: Xieon Networks SARL. Дата публикации: 2017-11-28.

Apparatus and methods for negative voltage generation with reduced clock feed-through

Номер патента: US09698832B2. Автор: Florinel G. Balteanu,Peter Harris Robert Popplewell,Jakub F. Pingot. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for testing a GSM (global system for mobile communications) handset with reduced signaling requirements

Номер патента: US09674722B1. Автор: Jeffrey Charles Smolinske. Владелец: Litepoint Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method and apparatus of chroma intra prediction with reduced line memory

Номер патента: US09565428B2. Автор: Xun Guo,Mei Guo,Yu-Wen Huang,Shaw-Min Lei. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Transceiver system with reduced latency uncertainty

Номер патента: US09559881B2. Автор: Bruce B. Pedersen,Sergey Shumarayev,Andy Turudic,David W. Mendel,Kumara Tharmalingam,Tim Tri Hoang,Michael Menghui Zheng,Neville Carvalho,Kalyan Kankipati,Allan Thomas Davidson,Seungmyon Park. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory address decode array with vertical transistors

Номер патента: US20030087495A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Magnetic head having a write coil structure with a reduced electrical resistance for reducing thermal protrusion

Номер патента: US20050024764A1. Автор: Wen-Chien Hsiao,Vladimir Nikitin,Samuel Yuan,Edward Lee. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2005-02-03.

Methods, systems, and articles of manufacture for enhancing timing analyses with reduced timing libraries for electronic designs

Номер патента: US09710593B1. Автор: Igor Keller,Xiaojun Sun,Mikhail Chetin. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory structure with reduced number of reflected signals

Номер патента: US20140192582A1. Автор: Cheng-Lung Lin. Владелец: Eorex Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

High strength munitions structures with inherent chemical energy

Номер патента: US09702676B1. Автор: Atakan Peker,Yogendra M. Gupta. Владелец: Washington State University WSU. Дата публикации: 2017-07-11.

Vehicle with reduced noise emission

Номер патента: RU2603631C2. Автор: Штеффен ТРЕБСТ. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2016-11-27.

Method for predicting the survival of a patient with chronic heart failure with reduced left ventricular ejection fraction

Номер патента: RU2646749C1. Автор: Борис Иванович Смирнов,Лариса Васильевна Прокопова,Мария Юрьевна Ситникова. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Северо-Западный федеральный медицинский исследовательский центр имени В.А. Алмазова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-03-06.

Reducer tank, segment for such reducer tank and vehicle with reducer tank

Номер патента: RU2721060C2. Автор: Марко МИШКЕ,Даниэль ТОЙБНЕР,Амир-Реза АФКХАМИ. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2020-05-15.

Genetic construct based on non-viral vector plasmid including p4na2 gene cdna for reducing manifestations of human body conditions associated with reduced expression of p4na2 gene and/or reducing amount of prolyl 4-hydroxy acid alpha 2 protein, method of producing and use

Номер патента: RU2700649C2. Автор: Наталиа Савелиева,Всеволод Петрович Лехин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Прорывные Инновационные Технологии". Дата публикации: 2019-09-18.

Chemical reactions with reduced moisture content

Номер патента: RU2375298C2. Автор: Эндрю ХИЛЛ,Джон ХИЛЛ. Владелец: Атраверда Лимитед. Дата публикации: 2009-12-10.

High strength munitions structures with inherent chemical energy

Номер патента: US11835323B2. Автор: Atakan Peker,Yogendra M. Gupta. Владелец: Washington State University WSU. Дата публикации: 2023-12-05.

High-strength munitions structures with inherent chemical energy

Номер патента: US10267608B2. Автор: Atakan Peker,Yogendra M. Gupta. Владелец: Washington State University WSU. Дата публикации: 2019-04-23.

Method for production of a dairy product with reduced plasmin activity

Номер патента: RU2703403C2. Автор: Харри КАЛЛИОЙНЕН,Саара ЛЯХТЕВЯНОЯ. Владелец: Валио Лтд. Дата публикации: 2019-10-16.

Method of treating patients with reduced face height and deforming the occlusal plane

Номер патента: RU2701098C1. Автор: Александр Сергеевич Попов,Роман Александрович Фадеев,Константин Александрович Овсянников,Татьяна Александровна Гилина,Абутаир Фарес. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого". Дата публикации: 2019-09-24.

Method of ensuring the viability of functioning of the liquefied natural gas production complex with reduced methane emissions into the atmosphere of the earth named after v. a. abramov

Номер патента: RU2745461C2. Автор: Валентин Алексеевич Абрамов. Владелец: Валентин Алексеевич Абрамов. Дата публикации: 2021-03-25.

New type cigarette with reduced temperature of tobacco steam and improved taste

Номер патента: RU2698740C1. Автор: Хуачэнь ЛЮ,Икунь ЧЭНЬ,Вэйчан КЭ,Чэнхао ЛО,Сянхао ЛЮ. Владелец: Хубэй Чайна Тобакко Индастри Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of manufacture of dry building mixtures with reduced dust formation

Номер патента: RU2655697C1. Автор: Андрей Петрович Пустовгар,Ирина Сергеевна Иванова,Дмитрий Юрьевич Кольчугин,Сергей Владимирович Нефедов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Московский государственный строительный университет" (НИУ МГСУ). Дата публикации: 2018-05-29.

Method to prepare coffee extract for large cup from capsule with reduced time of outflow

Номер патента: RU2430670C2. Автор: Пауль АЙХЛЕР,Петер КОХ,Сильвия ОРЕССЕР,Эрнест РЭТЦ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2011-10-10.

Abramov complex for production of liquefied natural gas (lng) with reduced emission of methane into earth atmosphere

Номер патента: RU2686773C2. Автор: Валентин Алексеевич Абрамов. Владелец: Валентин Алексеевич Абрамов. Дата публикации: 2019-04-30.

Fat-simulating composition, food composition with reduced caloricity comprising thereof, and method for preparing composition alkoxylated polyol esterified with fatty acids

Номер патента: RU2258382C2. Автор: Бернард Чарльз СЕКУЛА. Владелец: Бестфудс. Дата публикации: 2005-08-20.

Cement with reduced permeability

Номер патента: US20210163360A1. Автор: Jill Angelique CLAUSEN,Astri KVASSNES. Владелец: Restone As. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of stimulating motor skills in children with reduced muscle tone

Номер патента: RU2728423C1. Автор: Галина Сергеевна Лупандина-Болотова,Дмитрий Андреевич Игнатов,Андрей Петрович Фисенко,Екатерина Николаевна Стрижко. Владелец: Федеральное государственное автономное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр здоровья детей" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГАУ "НМИЦ здоровья детей Минздрава России). Дата публикации: 2020-07-29.

Medication with reduced bitter taste perception

Номер патента: RU2666531C2. Автор: Якан ЛИН,Джейсон Уильям НЬЮЛОН,Коти СРЕЕКРИШНА,Молли Кристина ФИНДЛИ. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2018-09-11.

Method of producing semi-smoked sausage from poultry meat with reduced content of table salt

Номер патента: RU2634967C1. Автор: Ольга Михайловна Мышалова,Ирина Сергеевна Патракова,Оксана Яковлевна Алексеевнина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кемеровский технологический институт пищевой промышленности (университет)". Дата публикации: 2017-11-08.

Pressure regulator operation method with reduced power consumption and system for performing the same

Номер патента: RU2292577C2. Автор: Ричард Дж. ВАНДЕРАХ,Пол Р. АДАМС,Дэвид Э. ВУЛЛАМС,Джон Б. МИЛЛИКЕН. Владелец: Фишер Контролз Интернэшнл Ллс. Дата публикации: 2007-01-27.

Method for producing gadolinium (iii) chloride with reduced content of uranium and thorium

Номер патента: RU2753711C1. Автор: Михаил Борисович Гришечкин,Игорь Христофорович Аветисов,Роман Игоревич Аветисов,Андрей Владимирович Хомяков,Марина Павловна Зыкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева» (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2021-08-20.

Curing mixture with reduced sodium content

Номер патента: RU2652831C1. Автор: Анастасия Артуровна Семенова,Виктория Викторовна Насонова,Елена Карленовна Туниева,Кирилл Игоревич Спиридонов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный центр пищевых систем им. В.М. Горбатова" РАН. Дата публикации: 2018-05-03.

Plate based on a wood material with reduced release of volatile organic compounds (voc) and application thereof

Номер патента: RU2766678C2. Автор: Норберт ДР. КАЛЬВА. Владелец: СВИСС КРОНО Тек АГ. Дата публикации: 2022-03-15.

Method for obtaining composition containing proteins and lipids with reduced coagulation in digestive tract

Номер патента: RU2683371C2. Автор: Рудольф Эдуардус Мариа ВЕРДЮРМЕН,Томас ЛЮДВИГ,Марсел МИНОР,ДЕН БРАК Клаудиа Катарина Мария ВАН,Хильде РУИС. Владелец: Н.В. Нютрисиа. Дата публикации: 2019-03-28.

Composition containing iron sucrose and high-concentrated microencapsulated lcpusfa, with reduced foreign flavor

Номер патента: RU2666190C2. Автор: Марсель БРАУН,Рафаэль БЕРРОКАЛЬ,Элоди СУССАН,Матье БЕДАРД. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2018-09-06.

Methods and apparatus for ring oscillator based mosfet gate capacitance measurements

Номер патента: US20070046383A1. Автор: Manjul Bhushan,Mark Ketchen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-03-01.

Method and Apparatus for Simulating Gate Capacitance of a Tucked Transistor Device

Номер патента: US20130117001A1. Автор: Jung-Suk Goo,Ciby Thuruthiyil,Venkat Ramasubramanian,John Faricelli. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Interferometer spectrometer with reduced alignment sensitivity

Номер патента: EP1222446A1. Автор: Robert G. Messerschmidt,Russell E. Abbink. Владелец: Rio Grande Medical Technologies Inc. Дата публикации: 2002-07-17.

Interferometer spectrometer with reduced alignment sensitivity

Номер патента: WO2001027575A1. Автор: Robert G. Messerschmidt,Russell E. Abbink. Владелец: Rio Grande Medical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2001-04-19.

Process for reducing creep in a gypsum plaster-based element, gypsum plaster-based composition and method for making a gypsum plaster-based element with reduced creep

Номер патента: US20060048680A1. Автор: Daniel Martin,Roger Arese,Michel Rigaudon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Transgenic plant with reduced heavy metals and methods for preparation thereof

Номер патента: US20240052360A1. Автор: Kyoung Hwan OH,Young Gi Lee,Kwang Chul Kim,Jeong Heon Lee,Hyo Seok Seo,Eun Young JEON,Woong Hyun NA. Владелец: KT&G Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Steviol glycoside compositions with reduced surface tension

Номер патента: US12097231B2. Автор: Dan S. GASPARD,Adam T. ZARTH,Adam John STEINBACH. Владелец: Cargill Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of producing body adhering absorbent article orientated in cross-machine direction with reduced curl

Номер патента: RU2596939C2. Автор: Джозеф Даниэль КОЭНЕН,Роберт Ли ПОПП,Джей Дэвид ГОТТЛЕЙБ,Гэри Алан ТУРЧАН. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2016-09-10.

Method for assay of microorganism with reduced adaptation to specific environment, dna (variants), virulence gene, polypeptide, method for assay of compound, antisense nucleic acid, method for host treatment and pharmaceutical composition

Номер патента: RU2241758C2. Автор: Дэвид Уильям ХОЛДЕН,Жаклин Элизабет ШИА,Михаэль ХЕНЗЕЛЬ,Дэвид Уиль м ХОЛДЕН. Владелец: Империал Колледж Инновейшенс Лимитед, Майкросайенс Лимитед. Дата публикации: 2004-12-10.

Insulin analogues with reduced affinity to insulin receptor and their use

Номер патента: RU2764197C1. Автор: Норберт ТЕННАГЕЛЬС,Ин Юн ЧОЙ,Сун Юб ДЖУН,Маркус КОРН,Стефан ГЮСРЕГЕН. Владелец: Ханми Фарм. Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-01-14.

Methods of treating heart failure with reduced ejection fraction

Номер патента: US20240216404A1. Автор: Anna Maria Langkilde. Владелец: AstraZeneca AB. Дата публикации: 2024-07-04.

Complex procedure for conversion of all ashes produced with steam boiler into volatile ashes with reduced contents of not-combusted substance and system for processing steam boiler produced ashes by such procedure

Номер патента: RU2419742C2. Автор: Марио МАГАЛЬДИ,Рокко СОРРЕНТИ. Владелец: Магальди Пауэр С.П.А.. Дата публикации: 2011-05-27.

Curving chocolate product with reduced areas and such product manufacture method

Номер патента: RU2534587C2. Автор: Винсент ДОЛАН,Йоун Мартин ФОСТЕР (умер). Владелец: КЭДБЕРИ Ю Кей ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2014-11-27.

Drinks with reduced prolamin content and their production methods

Номер патента: RU2408668C2. Автор: Штефан МАРКС,Ральф ПАСТЕРНАК,Доминик ЙОРДАН. Владелец: Н-Циме Биотек Гмбх. Дата публикации: 2011-01-10.

Method and charge for manufacturing of structural steel with reduced hardenability

Номер патента: RU2363736C2. Автор: Анатолий Александрович Карпов,Сергей Николаевич Филипьев,Евгений Александрович Васин,Николай Викторович Наумов,Сергей Данилович Дьяконов,Станислав Андреевич Щербаков. Владелец: Открытое акционерное общество "Чусовской металлургический завод". Дата публикации: 2009-08-10.

Only-hccd r 3 libraries with reduced combinatorial redundancy and optimized loop length distribution

Номер патента: RU2745452C2. Автор: Армин ЛЭМ,Кристиан ШТАЙНКУЛЕР,Джессика ФИЛОКАМО. Владелец: Италфармако С.П.А.. Дата публикации: 2021-03-25.

Recording operation for magnetoresistive random access memory with spin transfer torque with reduced size of bit cell

Номер патента: RU2471260C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Сей Сеунг ЙООН,Мехди Хамиди САНИ,Сеонг-Оок ДЗУНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-12-27.

Automotive aluminium sheet of high formability with reduced or absent surface furrow and method for production thereof

Номер патента: RU2699496C2. Автор: Од ДЕСПУА,Раджеев Г. КАМАТ,Дэвид КАСТЕРС,Элок ГУПТА. Владелец: Новелис Инк.. Дата публикации: 2019-09-05.

Method of waste treatment with reduced odor emitting

Номер патента: RU2683928C2. Автор: Дэвид Кристер ХЕНРИКССОН,Уэйн Фредерик УИНКЛЕР,Брэдли Э. ЛУКАС. Владелец: ДЖУНО ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-04-02.

Modified polypeptide with reduced citrate synthase activity and a method for producing the l-amino acid using the polypeptide

Номер патента: RU2732815C1. Автор: Имсан ЛИ,Кван У ЛИ,Ён Ук СИН,Чжевон ЧАН. Владелец: СиДжей ЧеилДжеданг Корпорейшн. Дата публикации: 2020-09-22.

Vgc2 dna of salmonella typhimurium, mutant bacterium with reduced adaptability to environment, and method of its obtainment

Номер патента: RU2370541C2. Автор: Дэвид Уильям ХОЛДЕН,Жаклин Элизабет ШИА,Михаэль ХЕНЗЕЛЬ. Владелец: Имерджент Продакт Дивелопмент Юк Лимитед. Дата публикации: 2009-10-20.

Method for writing in mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: RU2546572C2. Автор: Нил БЕРГЕР,БАРАДЖИ Мурад ЭЛЬ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-04-10.

Fluorinated polyamide composition with reduced flammability

Номер патента: RU2679237C1. Автор: Виктор Михайлович Шаповалов,Сергей Владимирович Кудашев,Андрей Михайлович Валенков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2019-02-06.

System and method to control automotive air conditioner with reduced consumed power

Номер патента: RU2416530C2. Автор: Стефано МОЛА,Карлоандреа МАЛЬВИЧИНО. Владелец: К.Р.Ф. Сочьета Консортиле Пер Ациони. Дата публикации: 2011-04-20.

Screw elements with reduced ridge inclination

Номер патента: RU2522624C9. Автор: Томас КЕНИГ,Михаэль БИРДЕЛЬ,Ульрих ЛИЗЕНФЕЛЬДЕР. Владелец: Байер Интеллектуэль Проперти Гмбх. Дата публикации: 2015-02-20.

Sound-absorbing structure of roof of large room with reduced reverberation time

Номер патента: RU2769015C2. Автор: Христиан ХОППЕ,Елмар Йоханнес Антон ТОБЕР,Роналд ТСЧИЕРСЧ. Владелец: Лиавер Гмбх & Цо.Кг. Дата публикации: 2022-03-28.

Dry building mixtures with reduced dust formation manufacturing method

Номер патента: RU2660709C1. Автор: Андрей Петрович Пустовгар,Ирина Сергеевна Иванова,Дмитрий Юрьевич Кольчугин,Сергей Владимирович Нефедов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Московский государственный строительный университет" (НИУ МГСУ). Дата публикации: 2018-07-09.

Method of obtaining recombinant polypeptiide-antagonist of somatotropic hormone with reduced content of isoform admixtures (versions)

Номер патента: RU2337920C2. Автор: Анураг С. РАТОР,Стивен Б. ЛАЙЛ,Дейвид И. СТЕЙНМАЙЕР,Скотт И. АЛЛЕН,Джон МАЙЕР,Деннис М. БОЙЛ,Джон Дж. БАКЛИ,Гэри В. ДЖОНСОН. Владелец: Фармация Корпорейшн. Дата публикации: 2008-11-10.

Compositions of metformin with reduced weight

Номер патента: RU2564901C2. Автор: Адмассу АБЕБЕ,Кайл МАРТИН,Джатин М. ПАТЕЛ,Питер ТИММИНС. Владелец: Бристол-Майерс Сквибб Кампани. Дата публикации: 2015-10-10.

Lubricant for lubricating conveyor belts with reduced use of water

Номер патента: RU2605750C2. Автор: Удо ПРЕККЕЛЬ,Петер БЕРГДОЛЬТ,Отмар ХИН. Владелец: Тензид-Хеми Гмбх. Дата публикации: 2016-12-27.

Cavitation induced by high-intensity focused ultrasound with reduced power threshold

Номер патента: RU2549443C2. Автор: ЙОНГ Михил ДЕ,ДОРН Ари Р. ВАН. Владелец: Биокартис Нв. Дата публикации: 2015-04-27.

Filtering grid with reduced diffuse light scattering

Номер патента: RU2725707C2. Автор: Майкл Дж. ТАТАРЕК,Кевин Р. ДАУНИНГ. Владелец: Материон Корпорейшн. Дата публикации: 2020-07-03.

Halogenated polyisoolefins with reduced content of halogenated oligomers

Номер патента: RU2730499C2. Автор: Дана К. АДКИНСОН,Сара Дж. ЭЛЛИОТТ. Владелец: Арланксео Сингапур Пте.Лтд.. Дата публикации: 2020-08-24.

Methods of applying sns-595 for treatment of subjects with oncologic diseases with reduced brca2 activity

Номер патента: RU2558835C2. Автор: Рейчал Э. ХОТИН,Джудит А. ФОКС. Владелец: Санесис Фармасьютикалз, Инк.. Дата публикации: 2015-08-10.

Turbofan gas turbine engine with reduced jet noise

Номер патента: RU2379536C1. Автор: Ален ПОРТ. Владелец: Эрбюс Франс. Дата публикации: 2010-01-20.

Food composition of margarine for puff pastry with reduced content of saturated fats

Номер патента: RU2756317C2. Автор: Надя МОРБАРИГАЦЦИ,Аннализа БАККИ. Владелец: Барилла Г. И Р. Фрателли С.П.А.. Дата публикации: 2021-09-29.

Bypass turbomachine with reduced jet noise

Номер патента: RU2468232C2. Автор: Александр Альфред Гастон ВЮИЛЛЬМЕН,Жаки Рафаэль Мишель ДЕРЕНЕ,Брюно Альбер БЁТЕН,Фредерик Поль АЙХШТАДТ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-11-27.

Design of table for patient with reduced attenuation for emission and transmission tomography

Номер патента: RU2764864C2. Автор: Андрий АНДРЕЙЕВ,Чуаньюн БАЙ,Дуглас Б. МАКНАЙТ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2022-01-21.

Tool face control of downhole tool with reduced drill string friction

Номер патента: RU2673827C2. Автор: Майкл Дж. СТРЭЧЕН. Владелец: ХЭЛЛИБЕРТОН ЭНЕРДЖИ СЕРВИСИЗ, ИНК.. Дата публикации: 2018-11-30.

Surfactant treatment for sterilization wrapping with reduced occurrence of wet packages after steam sterilization

Номер патента: RU2703727C2. Автор: Катерина Дж. ТЁРНБАУ,Стивен СПЕНСЕР,III Роджер Б. КУИНСИ. Владелец: Авент, Инк.. Дата публикации: 2019-10-22.

Easy-to-use container with reduced neck height for sealing with sealing cover and sealing method

Номер патента: RU2708757C2. Автор: Роберт ФИНК,Ханс-Петер ХАЙН,Хельмут КЛЕММ,Андрэас МАНИРА,Людвиг КРАМЕР. Владелец: Силган Холдингс Инк.. Дата публикации: 2019-12-11.

Pharmaceutical compositions for treatment diseases associated with reducing osseous mass and comprising ep4 agonist as active component

Номер патента: RU2303451C2. Автор: Каору КОБАЯСИ,Тору МАРУЯМА,Такаюки МАРУЯМА,Тохру КАМБЕ,Хидеюки ЙОСИДА,Акио НИСИУРА,Нобутака АБЕ. Владелец: Оно Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2007-07-27.

Optionally transferable optical system with reduced thickness

Номер патента: RU2641316C9. Автор: Скотт К. ПАЛМ,Джонатан Д. ГОСНЕЛЛ,Самуэль М. КЕЙП,Грегори Р. ДЖОРДАН,Каролине Б. КЕННЕДИ. Владелец: Визуал Физикс, Ллс. Дата публикации: 2019-03-21.

Plunger gasket with reduced surface contact

Номер патента: CA3150740A1. Автор: David A. Doornbos,Benjamin M. Davis. Владелец: Neomed Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Plunger gasket with reduced surface contact

Номер патента: AU2020351080A1. Автор: David A. Doornbos,Benjamin M. Davis. Владелец: Neomed Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Plunger gasket with reduced surface contact

Номер патента: EP4031212A1. Автор: David A. Doornbos,Benjamin M. Davis. Владелец: Neomed Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Plunger gasket with reduced surface contact

Номер патента: WO2021055145A1. Автор: David A. Doornbos,Benjamin M. Davis. Владелец: NEOMED, INC.. Дата публикации: 2021-03-25.

Wholemeal bread with reduced FODMAP content

Номер патента: AU2018317774A1. Автор: Christophe Courtin,Johan Thevelein,Kevin VERSTREPEN,Nore STRUYF. Владелец: Vlaams Instituut voor Biotechnologie VIB. Дата публикации: 2020-04-02.

Wholemeal bread with reduced FODMAP content

Номер патента: AU2018317774B2. Автор: Christophe Courtin,Johan Thevelein,Kevin VERSTREPEN,Nore STRUYF. Владелец: Vlaams Instituut voor Biotechnologie VIB. Дата публикации: 2023-08-31.

Wholemeal bread with reduced fodmap content

Номер патента: US20200205425A1. Автор: Christophe Courtin,Johan Thevelein,Kevin VERSTREPEN,Nore STRUYF. Владелец: Katholieke Universiteit Leuven. Дата публикации: 2020-07-02.

Wholemeal bread with reduced fodmap content

Номер патента: EP3668321A1. Автор: Christophe Courtin,Johan Thevelein,Kevin VERSTREPEN,Nore STRUYF. Владелец: Vlaams Instituut voor Biotechnologie VIB. Дата публикации: 2020-06-24.

Polymerizable surfactant with reducibility and preparation method therefor

Номер патента: US20230028363A1. Автор: LI Jiang,Hongjun Yang,Wenyan Huang,Bibiao Jiang,Qimin JIANG,Xiaoqiang Xue,Qiujie SUN. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-01-26.

Lavatory access for persons with reduced mobility

Номер патента: US20240253783A1. Автор: Mark B. DOWTY,Dylan Shoemaker. Владелец: BE Aerospace Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Lavatory access for persons with reduced mobility

Номер патента: EP4406839A1. Автор: Mark B. DOWTY,Dylan Shoemaker. Владелец: BE Aerospace Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Method of producing lignin with reduced amount of odorous substances

Номер патента: SE1650898A1. Автор: TOMANI Per,ALVARADO Fernando,SEDIN Maria. Владелец: Valmet Oy. Дата публикации: 2017-12-23.

Method of producing lignin with reduced amount of odorous substances

Номер патента: EP3475342A1. Автор: Per Tomani,Fernando Alvarado,Maria SEDIN. Владелец: Valmet Oy. Дата публикации: 2019-05-01.

Tire with reduced noise

Номер патента: US20200047563A1. Автор: Ki Bum Kim,Su Jin Son,Chang Hyo Hong,Il Sik Kim. Владелец: Hankook Tire Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Electric chair movement motor with reducer mechanism

Номер патента: EP4412866A1. Автор: Sedat HALAC,Anil ARABACI. Владелец: Tanatar Kalip Pres Isleri Sanayi Ve Ticaret Ltd Sirketi. Дата публикации: 2024-08-14.

Millet and food products with reduced lipase activity, genes and implementation thereof

Номер патента: US20240349763A1. Автор: John D. Everard,William James Gordon-Kamm,Laura L. Wayne,Rasika Rajendra AHER,Pooja BHATNAGAR-MATHUR,Sudhakar Reddy PALAKOLANU,Kayla S. Flyckt,Kiran K. Sharma. Владелец: International Crops Research Institute For Semi Arid Tropics. Дата публикации: 2024-10-24.

Bi-directional force sensing device with reduced cross-talk between the sensitive elements

Номер патента: US09989428B2. Автор: Michael Vinogradov-Nurenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-05.

Optical metrology with reduced focus error sensitivity

Номер патента: US09970863B2. Автор: Xuefeng Liu,David Y. Wang,Shankar Krishnan,Guorong V. Zhuang. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing a body adhering absorbent article oriented in the machine direction with reduced curl

Номер патента: US09468564B2. Автор: Robert Lee Popp,Joseph Daniel Coenen,Gary Alan TURCHAN,Jay David Gottleib. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Packaged food product with reduced adhesiveness and solid particles and such product manufacture method

Номер патента: RU2556706C2. Автор: Мари-Луиза МАТЕУС,Ив Мишель ТОНИ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2015-07-20.

Lightweight gypsum boards with reduced density and installed fire resistance degree

Номер патента: RU2558057C2. Автор: Цян Ю,Вэньци ЛУАН,Уэиксин Д. СОНГ,Сринивас ВЕЕРАМАСУТЕНИ,Альфред ЛИ. Владелец: ЮНАЙТЕД СТЭЙТС ДЖИПСУМ КОМПАНИ. Дата публикации: 2015-07-27.

Method of ensuring the viability of functioning of the liquefied natural gas production complex with reduced methane emissions into the atmosphere of the earth named after v. a. abramov

Номер патента: RU2745461C9. Автор: Валентин Алексеевич Абрамов. Владелец: Валентин Алексеевич Абрамов. Дата публикации: 2021-04-29.

Cigarette with reduced release of side-stream smoke, having burning paper

Номер патента: RU2277364C2. Автор: Роберт Е. БЕКЕР,Станислав М. СНЭЙДР. Владелец: Ротманс, Бенсон Энд Хеджиз Инк.. Дата публикации: 2006-06-10.

Method of reducing formaldehyde emission from mineral fibrous article and mineral fibrous article with reduced emission of formaldehyde

Номер патента: RU2591951C2. Автор: Эрлинг Леннарт Хансен,Поул НИССЕН,Ларс Наэрум. Владелец: РОКВУЛ ИНТЕРНЭШНЛ А/С. Дата публикации: 2016-07-20.

Reducer with reduced play

Номер патента: RU2639831C2. Автор: Бертран ШУР. Владелец: Гудрич Актюасьён Системз Сас. Дата публикации: 2017-12-22.

Gas turbine with reduced discharges at partial load

Номер патента: RU2562681C2. Автор: Аднан ЭРОГЛУ,Вэйцюнь ГЭН,Клаус КНАП,Петер ФЛОР,Ганс Петер КНЁПФЕЛЬ. Владелец: АЛЬСТОМ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2015-09-10.

Chocolate or fat-containing confectionery material with reduced content of fat and method of their production

Номер патента: RU2189755C2. Автор: Стефен Томас БЕКЕТТ. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2002-09-27.

Acrylic materials with hugh refractive index with reduced quantity of blinding flashes for ophthalmological devices

Номер патента: RU2571091C2. Автор: Чарльз ФРИМАН,Уолтер Р. ЛАРЕДО,Томас А. КАЛЛАГАН. Владелец: НОВАРТИС АГ. Дата публикации: 2015-12-20.

Antibodies with reduced total positive charge

Номер патента: RU2219949C2. Автор: Лесли А. Ноули,Алан Л. Эпштейн. Владелец: Перигрин Фармасьютикалс Инк.. Дата публикации: 2003-12-27.

Transgenic potatoes having reduced levels of alpha glucan l- or h-type tuber phosphorylase activity with reduced cold-sweetening

Номер патента: CA2275885C. Автор: Lawrence Michael Kawchuk,John David Armstrong,Dermot Roborg Lynch,Norman Richard Knowles. Владелец: Agriculture and Agri Food Canada AAFC. Дата публикации: 2007-01-09.

Steviol glycoside compositions with reduced surface tension

Номер патента: CA3078214C. Автор: Dan S. GASPARD,Adam T. ZARTH,Adam John STEINBACH. Владелец: Cargill Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

A live bacteria strain with reduced capsules

Номер патента: WO2024002331A1. Автор: Ming-Chun Lee,Mengya ZHANG,Mingrui Wang,Qiubin LIN. Владелец: Shanghai Yuguan Biotech Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-04.

Optical Coating and Method for Producing an Optical Coating with Reduced Light Scattering

Номер патента: US20190086580A1. Автор: Gunther Notni,Sven Schröder,Angela Duparré,Alexander von Finck,Steffen Wilbrandt,Olaf Stenzel. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2019-03-21.

Systems, methods, and apparatuses related to vehicles with reduced emissions

Номер патента: US20150033701A1. Автор: Roderick A. Hyde,Lowell L. Wood, JR.. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2015-02-05.

Pool lift for the autonomous access to a pool of wheelchair users and persons with reduced mobility

Номер патента: WO2018229516A1. Автор: Nikolaos Ioannou. Владелец: Nikolaos Ioannou. Дата публикации: 2018-12-20.

Projection tv with reduced cabinet dimensions

Номер патента: WO2007067971A3. Автор: Steven M Penn,Dana F Segler. Владелец: Dana F Segler. Дата публикации: 2007-11-15.

Handheld electronic device with reduced keyboard and associated method of providing quick text entry in a message

Номер патента: SG149012A1. Автор: George V Babu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2009-01-29.

Pool lift for the autonomous access to a pool of wheelchair users and persons with reduced mobility

Номер патента: EP3638184A1. Автор: Nikolaos Ioannou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-22.

Method of sintering glass preform with reduced helium consumption

Номер патента: EP3925935A1. Автор: Amjad Khan,Chitra D,Dr. Sudhakar REDDY,Samir BHONGADE. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-12-22.

Feed unit for feeding products with reduced longitudinal dimensions in machines of the tobacco industry

Номер патента: EP3048907A1. Автор: Massimo Sartoni,Ivan Eusepi,Marco Esposti. Владелец: GD SpA. Дата публикации: 2016-08-03.

Modified nk cells with reduced ccr5 expression and methods of their use

Номер патента: EP4240829A1. Автор: Richard W. Childs,Emily R. LEVY,Joseph CLARA. Владелец: US Department of Health and Human Services. Дата публикации: 2023-09-13.

Methods for forming a single crystal silicon ingot with reduced crucible erosion

Номер патента: EP4244411A1. Автор: Richard Joseph Phillips,Salvador Zepeda. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

A blood oxygenator with reduced pressure drop

Номер патента: WO2024151238A1. Автор: Kerem Pekkan,Canberk YILDIRIM,Azmat ULLAH,Anil AKSEKI,Easa Aliabbasi MIAVAGHI. Владелец: KOC Universitesi. Дата публикации: 2024-07-18.

Factor viii muteins with reduced immunogenicity

Номер патента: WO2009158511A8. Автор: John Murphy,Richard Harkins,Ying Zhu,Faye Wu,Fred Jullien Aswad,Hsiao-Lai Liu. Владелец: Bayer HealthCare LLC. Дата публикации: 2011-01-13.

Resid upgrading with reduced coke formation

Номер патента: SG11201908353XA. Автор: Stephen Brown,Brian Cunningham,Tien Le,Samia ILIAS,Randolph Smiley,Brenda Raich. Владелец: Exxonmobil Res & Eng Co. Дата публикации: 2019-10-30.

Impeller and housing assembly with reduced noise and improved airflow

Номер патента: EP1220633A2. Автор: Robert N. Mckee,J. Adin Mann, Iii.,Doug S. Zlatic. Владелец: Royal Appliance Manufacturing Co. Дата публикации: 2002-07-10.

Wynn-Dyson imaging system with reduced thermal distortion

Номер патента: US20140176923A1. Автор: Andrew M. Hawryluk. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Systems and methods for chip operation using serial peripheral interface (spi) with reduced pin options

Номер патента: EP4402577A1. Автор: Richard Dominic Wietfeldt,Lalan Jee Mishra,Radu Pitigoi-Aron. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Methods for forming a single crystal silicon ingot with reduced crucible erosion

Номер патента: US12110609B2. Автор: Richard Joseph Phillips,Salvador Zepeda. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

GUAR GUM FRACTURING FLUID GEL AND GUAR GUM FRACTURING FLUID SYSTEM WITH REDUCED pH DEPENDENCE, AS WELL AS PREPARATION METHOD AND APPLICATION THEREOF

Номер патента: US20240368459A1. Автор: NING Xu,Bin Liu,Lei Liang,Yanling Wang,Chuanbao Zhang,Longhao TANG,Jincheng GONG. Владелец: China University of Petroleum East China. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for preparingpickled roast meat product with reduced free radical and phip contents

Номер патента: LU506797B1. Автор: Junke Li. Владелец: Univ Ludong. Дата публикации: 2024-10-03.

Pyrolysis oil with reduced total acid number (value)

Номер патента: WO2024217699A1. Автор: Ardy TOUSSAINT,Ali NAZARI KHOORASGANI. Владелец: Btg Bioliquids B.V.. Дата публикации: 2024-10-24.

Vector processing engines (VPEs) employing a tapped-delay line(s) for providing precision filter vector processing operations with reduced sample re-fetching and power consumption, and related vector processor systems and methods

Номер патента: US09792118B2. Автор: Raheel Khan,Afshin SHIRAVI,Fahad Ali Mujahid. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of sintering glass preform with reduced helium consumption

Номер патента: US12129198B2. Автор: Sudhakar Reddy,Amjad Khan,Chitra D,Samir BHONGADE. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Mark reader with reduced trigger-to-decode response time

Номер патента: US09721134B2. Автор: James A. Negro. Владелец: Cognex Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Systems, methods, and apparatuses related to vehicles with reduced emissions

Номер патента: US09708947B2. Автор: Roderick A. Hyde,Lowell L. Wood, JR.. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Composition for synthesizing protein with reduced lipopolysaccharide contamination, method for producing protein using said composition

Номер патента: US09617533B2. Автор: Takashi Kanamori,Takuya Ueda,Mikiko Nakamura,Yuki HAYAMI,Kanehisa KOJOH,Kumiko TSUIHIJI,Tomoe FUSE,Shizue KATO. Владелец: Genefrontier Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Systems, methods, and apparatuses related to vehicles with reduced emissions

Номер патента: US09574476B2. Автор: Roderick A. Hyde,Lowell L. Wood, JR.. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Systems, methods, and apparatuses related to vehicles with reduced emissions

Номер патента: US09494064B2. Автор: Roderick A. Hyde,Lowell L. Wood, JR.. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2016-11-15.

Optical metrology with reduced sensitivity to grating anomalies

Номер патента: US09470639B1. Автор: Paul Aoyagi,Lanhua Wei,Walter Mieher,Shankar Krishnan,Guorong V. Zhuang. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Systems, methods, and apparatuses related to vehicles with reduced emissions

Номер патента: US09435239B2. Автор: Roderick A. Hyde,Lowell L. Wood, JR.. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2016-09-06.

Modified anti-egfr antibodies with reduced ammonogenicity

Номер патента: RU2297245C2. Автор: Грэм КАРТЕР,Фрэнсис Дж. КАРР,Тим ДЖОНС,Стивен УИЛЛЬЯМС,Анита ХАМИЛЬТОН. Владелец: Мерк Патент Гмбх. Дата публикации: 2007-04-20.

Powdery covers with reduced luster with using free radicals

Номер патента: RU2289600C2. Автор: Оуэн Х. ДЕКЕР,Фредерик Л. БЭЙЛИ,Кармен ФЛОСБАХ,Раджендра Кумар ПОЛУ. Владелец: Е.И.Дюпон де Немур энд Компани. Дата публикации: 2006-12-20.

Light, gypsum panels with reduced density and installed degree of fire resistance

Номер патента: RU2700540C2. Автор: Цян Ю,Вэньци ЛУАН,Уэиксин Д. СОНГ,Сринивас ВЕЕРАМАСУТЕНИ,Альфред ЛИ. Владелец: ЮНАЙТЕД СТЭЙТС ДЖИПСУМ КОМПАНИ. Дата публикации: 2019-09-17.

Interbedding combustion with reduced co2 emissions

Номер патента: RU2564425C2. Автор: Карина Хейтнес ХОФСТАД,Пентти ПАУРОЛА,Харалд ВИНДСПОЛЛ,Кнут Вебьорн Гранде. Владелец: Статойл Аса. Дата публикации: 2015-09-27.

Barrel drum unit of clock mechanism having core with reduced diameter

Номер патента: RU2557403C1. Автор: Марко РОША,Эдмон КАПТ. Владелец: Бланпэн Са. Дата публикации: 2015-07-20.

Fiber-optic device for detecting vibration effects with phase recovery with reduced effect of instabilities of the recording interferometer

Номер патента: RU2730887C1. Автор: Валерий Ефимович Карасик,Алексей Борисович Пнев,Дмитрий Александрович Шелестов,Константин Викторович Степанов,Андрей Андреевич Жирнов,Антон Олегович Чернуцкий,Кирилл Игоревич Кошелев,Татьяна Васильевна Чобан. Владелец: Константин Викторович Степанов. Дата публикации: 2020-08-26.

Multi-element oil-control piston ring with reduced friction

Номер патента: RU2720123C2. Автор: Штефан МАХЛИНЕР,Фабиан РУХ. Владелец: Федераль-Могуль Буршейд Гмбх. Дата публикации: 2020-04-24.

Operation viability ensuring method of the liquefied natural gas production complex with reduced emission of methane into atmosphere of the earth

Номер патента: RU2713272C1. Автор: Валентин Алексеевич Абрамов. Владелец: Валентин Алексеевич Абрамов. Дата публикации: 2020-02-04.

Method for the production of caramel "without added sugar" with reduced calorie content and glycemicity

Номер патента: RU2761090C1. Автор: Газибег Омарович Магомедов,Магомед Гасанович Магомедов,Инесса Викторовна Плотникова,Виктория Жирайровна Тигранян,Артем Грантович Кочарьян. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Воронежский государственный университет инженерных технологий» (ФГБОУ ВО «ВГУИТ»). Дата публикации: 2021-12-03.

Coagulation factor viii with reduced immunogenicity

Номер патента: RU2631801C2. Автор: Жан-Мари СЕН-РЕМИ. Владелец: Имнейт Сарл. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for preparation of ice-cream with reduced caloric content

Номер патента: RU2601817C1. Автор: Тамара Гелаевна Патаркалашвили,Альбина Алексеевна Варивода. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2016-11-10.

Roof decking with reduced radiation

Номер патента: US5231814A. Автор: Robert Hageman. Владелец: Robert Hageman. Дата публикации: 1993-08-03.

Composition for obtaining wood-fiber boards with reduced fire hazard

Номер патента: RU2649149C2. Автор: Юрий Давыдович Алашкевич,Вячеслав Анатольевич Якимов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГУ им. М.Ф. Решетнева). Дата публикации: 2018-03-30.

Cigarette with reduced amount of side-stream smoke

Номер патента: RU2279233C2. Автор: Казуко ТАКЕДА,Йосиюки ЯМАДА. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2006-07-10.

Connectors of repeated treatment device of endoscope with reduced occlusion

Номер патента: RU2351275C2. Автор: Тодд МОРРИСОН,Ник Нгос НХЬЮЕН. Владелец: Этикон, Инк.. Дата публикации: 2009-04-10.

Smoking article wrapper with reduced ignition propensity

Номер патента: EP2329726A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: JT INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2011-06-08.

Styrene copolymer molding compositions with reduced mold deposit formation for high gloss applications

Номер патента: US20240093018A1. Автор: Christian Ruthard,Oliver Carstensen,Eric CHAMBOST. Владелец: INEOS STYROLUTION GROUP GMBH. Дата публикации: 2024-03-21.

Steviol glycoside compositions with reduced surface tension

Номер патента: US20240050506A1. Автор: Dan S. GASPARD,Adam T. ZARTH,Adam John STEINBACH. Владелец: Cargill Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for producing a hybrid organic silicon field effect transistor structure

Номер патента: EP1506392A1. Автор: Wouter Olthuis,Ernst Jan Robert Sudholter,Piet Bergveld,Louis Cornelia Patrick Maria De Smet,Han Zuilhof,Alexander Bernardus Sieval,E. J. Faber,Gerben Machiel Visser. Владелец: Stichting voor de Technische Wetenschappen STW. Дата публикации: 2005-02-16.

Method for producing a hybrid organic silicon field effect transistor structure

Номер патента: WO2003098204A1. Автор: Wouter Olthuis,Ernst Jan Robert Sudholter,Piet Bergveld,Louis Cornelia Patrick Maria De Smet,Han Zuilhof,Alexander Bernardus Sieval,E. J. Faber,Gerben Machiel Visser. Владелец: Stichting voor de Technische Wetenschappen. Дата публикации: 2003-11-27.

Cartridge with reduced bullet speed

Номер патента: RU2710241C1. Автор: Александр Дмитриевич Борисов,Михаил Иванович Кабаев,Петр Иванович Сердюков,Николай Николаевич Кузин,Дмитрий Андреевич Генералов,Николай Вениаминович Забелин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-12-25.

Derivative of insulin or its physiologically acceptable salt, precursor of insulin derivative, dna sequence encoding precursor, expression vector comprising mentioned dna sequence, substrate transformed with mentioned expression vector, pharmaceutical composition with reducing and regulating blood glucose level effectiveness, respectively

Номер патента: RU2207874C9. Автор: Йоханн ЭРТЛЬ,Пауль ХАБЕРМАНН,Карл ГАЙЗЕН,Герхард ЗАЙПКЕ. Владелец: Авентис Фарма Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2007-12-20.

Method for anti-corrosion processing of metal surface with reduced etching of material

Номер патента: RU2754070C2. Автор: Анна Верена МОР,Михаэль ДРЁГЕ,Даниэль ШАТЦ,Марк РИТТМАЙЕР. Владелец: Хеметалл Гмбх. Дата публикации: 2021-08-25.

Fluorinated polyamide composition with reduced combustibility

Номер патента: RU2641931C1. Автор: Сергей Владимирович Кудашев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2018-01-23.

Process plant to produce composite cementing materials with reduced carbon dioxide release

Номер патента: RU2370474C2. Автор: Владимир РОНИН. Владелец: Проседо Энтерпрайзес Этаблиссман. Дата публикации: 2009-10-20.

Method for correcting the position of heads of lower jaw in patients with reduced interalveolar height

Номер патента: RU2761589C1. Автор: Михаил Александрович Постников,Дарья Сергеевна Булычева,Елена Анатольевна Булычева,Станислав Александрович Блум,Татьяна Александровна Ищенко,Александра Анатольевна Игнатьева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр комплексной стоматологии". Дата публикации: 2021-12-10.

Method of reduction based on reforming-gas with reduced nox emissions

Номер патента: RU2532757C2. Автор: Роберт МИЛЛЬНЕР,Гюнтер ПЕЕР. Владелец: СИМЕНС ФАИ МЕТАЛЗ ТЕКНОЛОДЖИЗ ГМБХ. Дата публикации: 2014-11-10.

Multiaxial fabric with reduced interferential pattern

Номер патента: RU2401330C2. Автор: Скотт КУИГЛИ,Гленн КОРНЕТТ,Джон М. ХЭЙЗ,Бьёрн РЮДИН,Майкл Э. РОЙО,Джеймс Дж. ДОНОВАН,Стивен ЙОК. Владелец: Олбэни Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2010-10-10.

Method of combusting mercury-bearing fuel (versions), method of reducing mercury emission, method of combusting coal with reduced emission of harmful elements and method of decreasing mercury content in flue gas

Номер патента: RU2494793C2. Автор: Дуглас С. КОМРИ. Владелец: НОКС II ИНТЕНЭШНЛ, эЛТиДи.. Дата публикации: 2013-10-10.

Absorbent article with a fastening system with reduced waste and method of manufacturing the same

Номер патента: RU2661820C2. Автор: Джейсон Джин КСИДА,Ребекка Сюзанна УОЛТЕР,Патрик Роберт Лорд,Кайл Марк БАРРИДЖЕР,Эрик-Джон Раул ГИЛГЕНБАХ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2018-07-19.

Fragrances with reduced content of sulphur and their application in compositions for oral cavity care

Номер патента: RU2423102C2. Автор: II Стивен Гамильтон ХОУК,Марк Алан ГЕСТЕР,Ниранджан РАМДЖИ,Роберт Лесли Джр. СВЭЙН,Герхард Норберт ЗЕХЕНТБАУЭР,Дениз Мари МАККЛЕНАТАН. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2011-07-10.

Aqueous herbicidal concentrates of auxinic carboxylic acids with reduced eye irritancy

Номер патента: RU2560601C2. Автор: Лэй Лю,Мэй ЛИ,Никола СТАГГ,Т. Блуэтт,Хольгер Танк. Владелец: ДАУ АГРОСАЙЕНСИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2015-08-20.

Frozen confectionary products with reduced sugar content

Номер патента: RU2484637C2. Автор: Мириам ШЛЕГЕЛЬ,Анн-Сесиль Анье ЛЕБЛЁ,Джумана СЭКАЛИ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of manufacturing a body adhering absorbent article orientated in the machine direction with reduced curl

Номер патента: RU2605188C2. Автор: Джозеф Даниэль КОЭНЕН,Роберт Ли ПОПП,Джей Дэвид ГОТТЛЕЙБ,Гэри Алан ТУРЧАН. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2016-12-20.

Process for obtaining cross-linked bitumen-polymer composition with reduce emission of h2s

Номер патента: RU2616043C2. Автор: Зенке ШРЕДЕР. Владелец: Тоталь Маркетин Сервис. Дата публикации: 2017-04-12.

Capsule with reduced drop formation

Номер патента: RU2443614C2. Автор: Жан-Поль ДЕНИЗАР,Жан-Люк ДЕНИЗАР,Зенон Иоаннис МАНДРАЛИС,Абдельмалек БЕНЕЛЬМОУФФОК,Фредерик ДОЛЕАК. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2012-02-27.

Tool with reduced hydraulic oil exchange

Номер патента: RU2628517C2. Автор: Рэндалл А. МАРО,Аарон Л. БАРФЕЛЗ. Владелец: ДИР ЭНД КОМПАНИ. Дата публикации: 2017-08-17.

Aircraft turbojet engine thrust reverser with reduced number of latches

Номер патента: RU2594846C2. Автор: Пьер КАРЮЭЛЬ. Владелец: Эрсель. Дата публикации: 2016-08-20.

Improved cigarette with reduced flame spreading

Номер патента: RU2304913C2. Автор: Такааки МАТСУФУДЗИ,Такаси КОМИНАМИ,Кен УЯМА,Такео ЦУЦУМИ,Кейго МИУРА. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2007-08-27.

Immunoglobulins with reduced aggregation

Номер патента: RU2532226C2. Автор: Нареш ЧЕННАМСЕТТИ,Бернхард ХЕЛК,Вейсел КАЙЗЕР,Бернхард ТРОУТ,Владимир ВОЙНОВ. Владелец: Массачусетс Инститьют Оф Текнолоджи. Дата публикации: 2014-10-27.

Thermal electric power station with reduced co2-content and method to produce electric power from coal fuel

Номер патента: RU2378519C2. Автор: Тор КРИСТЕНСЕН,Хенрик ФЛЕЙСКЕР,Кнут БЕРСЕТ. Владелец: Саргас Ас. Дата публикации: 2010-01-10.

Propylene-based polymer with reduced high-molecular weight part

Номер патента: RU2702633C1. Автор: Ян В. ВАН ЭГМОНД,Джон К. КААРТО,Чарльз Д. ЛЕСТЕР. Владелец: У.Р. Грейс Энд Ко.-Конн. Дата публикации: 2019-10-09.

Method for activating ovarian function with reduced ovarian reserve

Номер патента: RU2759168C1. Автор: Александр Сергеевич Гаспаров,Наталья Викторовна Дмитриева,Екатерина Дмитриевна Дубинская,Надежда Михайловна Крылова. Владелец: Екатерина Дмитриевна Дубинская. Дата публикации: 2021-11-09.

Screw elements with reduced ridge inclination

Номер патента: RU2522624C2. Автор: Томас КЕНИГ,Михаэль БИРДЕЛЬ,Ульрих ЛИЗЕНФЕЛЬДЕР. Владелец: Байер Интеллектуэль Проперти Гмбх. Дата публикации: 2014-07-20.

Pharmaceutical compositions with reduced release of phenol opioids

Номер патента: RU2562583C2. Автор: Томас Э. ДЖЕНКИНС,Джули Д. СЕРУДЖИ,Джонатан В. РЭЙ. Владелец: Сигничер Терапьютикс, Инк.. Дата публикации: 2015-09-10.

Formulations with reduced degradation of polysorbate

Номер патента: EP3397287A1. Автор: Brian Connolly,Lydia HAMBURG,Emily HOLZ. Владелец: F Hoffmann La Roche AG. Дата публикации: 2018-11-07.

Variants of group 5 allergens of cereals with reduced allergenicity due to mutagenesis of proline residues

Номер патента: RU2658767C1. Автор: Хельмут ФИБИГ,Андреас НАНДИ,Мартин ВАЛЬД,Бернхард ВЕБЕР,Хельга КАЛЕРТ,Геральд РЕЗЕ,Оливер КРОМВЕЛЛЬ. Владелец: Мерк Патент Гмбх. Дата публикации: 2018-06-22.

Fastening device for the appliance for treatment with reduced pressure

Номер патента: RU2625646C2. Автор: Аксель ЭКШТАЙН,Пьер КРУАЗА,Астрид ФОНФАРА-ДЁРР,Андреас МАЛЕР,Йюрген ХОФСТЕТТЕР,Андреас ВАЙНБЕРГ,Мартин РУФ. Владелец: Пауль Хартманн Аг. Дата публикации: 2017-07-17.

Piston ring with reduced friction

Номер патента: RU2718653C2. Автор: Айан Грэхем ПЕГГ. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2020-04-13.

Chocolate glaze with reduced fat content applied by way of spaying

Номер патента: RU2480994C2. Автор: Элейн ЛИС,Гэри Пьер МОЛ,Самнанг НОС. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2013-05-10.

Shaping device of bipolar reference voltage with reduced noise level

Номер патента: RU2675796C1. Автор: Сергей Николаевич Бондарь,Мария Сергеевна Жаворонкова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2018-12-25.

Restored tobacco with reduced protein content and a method for manufacture thereof

Номер патента: RU2248737C2. Автор: Джин-Пол МУА,Террил Ваннеттер БЕЙКЕР,Джр. Кеннет Джон БРЭДЛИ,Уилл м Ричер КОНУЭЙ,Уиллям Ричер КОНУЭЙ,Уолтер Майкл ДРЕКСЛЕР. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2005-03-27.

Method for predicting the presence of calcinosis of coronary arteries and thoracic aorta by the level of arterial stiffness in the patients of high risk of cardiovascular complications with reduced mineral density of bone tissue

Номер патента: RU2723361C1. Автор: Сергей Константинович Терновой,Фаиль Таипович Агеев,Зоя Николаевна Бланкова,Нарине Самвеловна Самсонова,Мераб Арчильевич Шария,Игорь Сергеевич Федотенков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр кардиологии" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ кардиологии" Минздрава России). Дата публикации: 2020-06-10.

Antibacterial contact lenses with reduced opacity and their manufacturing

Номер патента: RU2467768C2. Автор: Осман РАТОР,Найиби АЛЬВАРЕС-КАРРИГАН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2012-11-27.

Applicator head for an optical fiber with reduced wetting length

Номер патента: RU2749220C2. Автор: Пушкар ТАНДОН,Роберт Кларк МУР,Дуглас Грегг НИЛСОН,Сумитава ДЕ. Владелец: Корнинг Инкорпорейтед. Дата публикации: 2021-06-07.

Watchwork having case with reduced core diameter

Номер патента: RU2562398C1. Автор: Лоран КАЕЛЕН,Батист ВИССБРОД,Артур КЕВАЛЬ. Владелец: Эта Са Мануфактюр Орложэр Сюис. Дата публикации: 2015-09-10.

Thiazolidinedione salts with reduced affinity to ppar for treatment of metabolic disorders

Номер патента: RU2564661C2. Автор: Джерард Р. КОЛКА,Стивен П. ТАНИС,Скотт Д. ЛАРСЕН. Владелец: МЕТАБОЛИК СОЛЮШНЗ ДЕВЕЛОПМЕНТ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2015-10-10.

Compositions and methods including versions of cellulase with reduced affinity to non-cellulosic materials

Номер патента: RU2486242C2. Автор: Луис Г. КАСКАО-ПЕРЕЙРА,Тейс КАПЕР,Брэдли Р. КЕЛЕМЕН,Эми ЛЮ. Владелец: ДАНИСКО ЮЭс ИНК.. Дата публикации: 2013-06-27.

Bar soap composition with reduced wear properties

Номер патента: RU2356941C2. Автор: Реджина ХАУРИГАН. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2009-05-27.

Process for preparing oxygen cocktail with reduced allergenicity and increased mass fraction of animal protein

Номер патента: RU2612317C1. Автор: Алла Львовна Новокшанова,Наталия Владимировна Неповинных,Наталия Михайловна Птичкина,Алина Игоревна Семина,Анна Александровна Абабкова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Вологодская государственная молочнохозяйственная академия имени Н.В. Верещагина" (ФГБОУ ВО Вологодская ГМХА). Дата публикации: 2017-03-06.

Difenoconazole stereoisomeric composition with reduced phytotoxicity

Номер патента: RU2656550C2. Автор: Джереми Роберт ГОДУИН,Александер Марк Хеминг,Кристиан ЛОТШЮТЦ,Петер Шнайтер,Вольфганг ШУТЦ. Владелец: Зингента Партисипейшнс Аг. Дата публикации: 2018-06-05.

Pump with reduced vibration

Номер патента: RU2560323C2. Автор: Жиль ГАВИЛЛЕ,Райнер МАЙШ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2015-08-20.

Fluidized bed reduction of laterite fines with reducing gases generated in situ

Номер патента: CA2371159C. Автор: Ron Shonewille,Gary Kaiura,Terry Koehler. Владелец: Falconbrige Ltd. Дата публикации: 2007-01-02.

Methods for producing hydrocarbon compositions with reduced acid number and for isolation of short-chain fatty acids

Номер патента: RU2749418C2. Автор: Дэвид БРЕССЛЕР. Владелец: Дзе Гавернэс оф дзе Юниверсити оф Альберта. Дата публикации: 2021-06-09.

Heteromultimers with reduced or silenced effector function

Номер патента: CA2913370C. Автор: Eric Escobar-Cabrera. Владелец: Zymeworks Inc Canada. Дата публикации: 2022-12-13.

Compositions with reduced oxidation

Номер патента: RU2707550C2. Автор: Сридхара Алаваттам,Мэри МЭЛЛЭНИ,Парбир ГРЕВАЛ. Владелец: Дженентек, Инк.. Дата публикации: 2019-11-27.

Derivative of insulin or its physiologically acceptable salt, precursor of insulin derivative, dna sequence encoding precursor, expression vector comprising mentioned dna sequence, substrate transformed with mentioned expression vector, pharmaceutical composition with reducing and regulating blood glucose level effectiveness, respectively

Номер патента: RU2207874C2. Автор: Йоханн ЭРТЛЬ,Пауль ХАБЕРМАНН,Карл ГАЙЗЕН,Герхард ЗАЙПКЕ. Владелец: Авентис Фарма Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2003-07-10.

Window glass with reduced tensile stress

Номер патента: RU2764111C2. Автор: Тьерри Оливье,Эрве ТЕЛЛЬЕ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2022-01-13.

Sweeping for marine vibrators with reduced degradation and/or high maximum allowable signal distortion

Номер патента: RU2554682C2. Автор: Роберт ЛОУС. Владелец: Джеко Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2015-06-27.

Production of immunoglobulins with reduced thrombogenic agent content, and immunoglobulin composition

Номер патента: RU2627162C2. Автор: Исраэль НУР,Роберто МЕЙДЛЕР,Лилиана БАР,Рони МИНТЦ,Олег БЕЛЯЕВ. Владелец: Омрикс Биофармасьютикалс Лтд.. Дата публикации: 2017-08-03.

Encoder and method for encoding an audio signal with reduced background noise using linear predictive coding

Номер патента: CA2998689C. Автор: Tom Baeckstroem,Johannes Fischer,Emma Jokinen. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2021-10-26.

Integration of techniques for high-frequency reconstruction with reduced post-processing delay

Номер патента: RU2758199C1. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС,Хейко ПУРНХАГЕН,Пер ЭКСТРАНД,Кристофер ЧОЭРЛИНГ. Владелец: Долби Интернешнл Аб. Дата публикации: 2021-10-26.

Milling tool with reduced noise emission for machining wood or the like

Номер патента: US6039096A. Автор: Uwe Heisel,Johannes Troger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-03-21.

Preparation of composite fuels, with reduced sulfur emission characteristics, from oily and carbonaceous wastes

Номер патента: CA1306354C. Автор: Bryan D. Sparks,Vincent P. Clancy,Abdul Majid. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 1992-08-18.

Method for recovery of paraxylene with reduced crystallization load

Номер патента: US20210371359A1. Автор: Brian Benjamin. Владелец: Ineos US Chemicals Co Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for obtaining plants with reduced susceptibility to plant-parasitic nematodes

Номер патента: US5866777A. Автор: Peter Christiaan Sijmons,Oscar Johannes Maria Goddijn,Frederique Marianne Van Der Lee,Petrus Josephus Maria Van Den Elzen. Владелец: Mogen International NV. Дата публикации: 1999-02-02.

Methods of reducing plaque and gingivitis with reduced staining

Номер патента: US5213790A. Автор: Satyanarayana Majeti,Michael F. Lukacovic. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1993-05-25.

Heteromultimers with reduced or silenced effector function

Номер патента: WO2014190441A9. Автор: Eric Escobar-Cabrera. Владелец: Zymeworks Inc.. Дата публикации: 2015-02-05.

Method of producing lignin with reduced amount of odorous substances

Номер патента: CA3021990A1. Автор: Per Tomani,Fernando Alvarado,Maria SEDIN. Владелец: VALMET AB. Дата публикации: 2018-01-04.

Methods and compositions for treating thyroid-related medical conditions with reduced folates

Номер патента: MY189270A. Автор: Iii Linzy O Scott. Владелец: Iii Linzy O Scott. Дата публикации: 2022-01-31.

Methods of treating heart failure with reduced ejection fraction

Номер патента: US11903955B2. Автор: Anna Maria Langkilde. Владелец: AstraZeneca AB. Дата публикации: 2024-02-20.

Media structure with selected segregants configured to improve heat-assisted magnetic recording

Номер патента: US20240071416A1. Автор: Paul Christopher Dorsey,Tomoko SEKI,Hoan Cong Ho. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Weathering-resistant styrene copolymer molding compositions with reduced mold deposit formation for high gloss applications

Номер патента: US20240026146A1. Автор: Christian Ruthard. Владелец: INEOS STYROLUTION GROUP GMBH. Дата публикации: 2024-01-25.

Provision of inorganic powders with reduced hazard

Номер патента: US20160340479A1. Автор: David Christopher Crossley. Владелец: William Blythe Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Fingerprint sensors with reduced-illumination patterns

Номер патента: WO2021162682A1. Автор: Jean-Marie Bussat,Firas Sammoura. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-08-19.

Millet and food products with reduced lipase activity, genes and implementation thereof

Номер патента: WO2023019172A3. Автор: William James Gordon-Kamm,John D Everard,Kayla S FLYCKT,Laura L Wayne,Rasika Rajendra AHER,Pooja BHATNAGAR-MATHUR,Sudhakar Reddy PALAKOLANU,Kiran K SHARMA. Владелец: INTERNATIONAL CROPS RESEARCH INSTITUTE FOR THE SEMI-ARID TROPICS (ICRISAT). Дата публикации: 2023-04-06.

Hud system with reduced reflection and a method of reducing the reflection of a hud system

Номер патента: EP4327157A1. Автор: Pal Koppa,Abel Sulyok. Владелец: BUDAPESTI MUSZAKI ES GAZDASAGTUDOMANYI EGYETEM. Дата публикации: 2024-02-28.

Multimode optical fiber with reduced cladding thickness

Номер патента: US20200271857A1. Автор: Pushkar Tandon,Scott Robertson Bickham,Ruchi Tandon. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

French fry production method with reduced crumb generation

Номер патента: WO2008005939A3. Автор: David B Walker,Bruce T Pittard,Michael L Hamman,David N Gallina,Stephen O'bannon. Владелец: Stephen O'bannon. Дата публикации: 2008-10-02.

Method of producing lignin with reduced amount of odorous substances

Номер патента: EP3475341A1. Автор: Henrik Wallmo. Владелец: Valmet Oy. Дата публикации: 2019-05-01.

Rubber composition with reduced odor and good thermal oxidative aging-resistant and anti-fatigue properties

Номер патента: CA3191293A1. Автор: Yang Gao,JIN Zhang,Zhimin TANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-21.

Rubber composition with reduced odor and good thermal oxidative aging-resistant and anti-fatigue properties

Номер патента: AU2021359501A1. Автор: Yang Gao,JIN Zhang,Zhimin TANG. Владелец: Sennics Co ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Rubber composition with reduced odor and good thermal oxidative aging-resistant and anti-fatigue properties

Номер патента: EP4229128A1. Автор: Yang Gao,JIN Zhang,Zhimin TANG. Владелец: Sennics Co ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Composite material of magnetic mycelium sphere loaded with reduced graphene oxide and preparation method thereof

Номер патента: NL2026560A. Автор: Yu Li,LI Peiwu,ZHANG Liangxiao,Ma Fei,Yue Xiaofeng,Yin Nanri. Владелец: Oil Crops Res Institute Chinese Academyof Agricultural Sciences. Дата публикации: 2021-05-25.

Hud system with reduced reflection and a method of reducing the reflection of a hud system

Номер патента: US20240210685A1. Автор: Pal Koppa,Abel Sulyok. Владелец: Budapesti Muszaki Es Gazdasagtudomanyi Egyetem Budapest University Of Technology And Economics. Дата публикации: 2024-06-27.

French fry production method with reduced crumb generation

Номер патента: WO2008005939A2. Автор: David N. Gallina,David B. Walker,Bruce T. Pittard,Stephen O'bannon,Michael L. Hamman. Владелец: J.R. SIMPLOT COMPANY. Дата публикации: 2008-01-10.

Rubber composition with reduced odor and good thermal oxidative aging-resistant and anti-fatigue properties

Номер патента: US12031036B2. Автор: Yang Gao,JIN Zhang,Zhimin TANG. Владелец: Sennics Co ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Vehicle clutch auxiliary pneumatic cylinder with reducing response period

Номер патента: WO2001073310A1. Автор: Zvonimir Raimundo Zupan. Владелец: Zvonimir Raimundo Zupan. Дата публикации: 2001-10-04.

Dual-momentum gradient optimization with reduced memory requirements

Номер патента: US20230244945A1. Автор: Marc Tremblay,Jinwen Xi,Bharadwaj Pudipeddi. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Air-cooled pneumatically-actuated brake with reduced diameter multiple discs, particularly for industrial applications

Номер патента: WO2009115417A1. Автор: Ugo Jacopo Re. Владелец: Ugo Jacopo Re. Дата публикации: 2009-09-24.

Systems and methods for parenterally procuring bodily-fluid samples with reduced contamination

Номер патента: US20240164670A1. Автор: Richard G. Patton. Владелец: Magnolia Medical Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Multi-layer sandwich structure of an x-ray detector cover for sufficient magnetic shielding with reduced x-ray absorption

Номер патента: WO2009010914A2. Автор: Lex Alving,Dirk W. Harberts. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.. Дата публикации: 2009-01-22.

Method Of Data Communications With Reduced Latency

Номер патента: US20120124249A1. Автор: Michael A. Blocksome,Jeffrey J. Parker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Adhesive bandage with reduced pain during removal

Номер патента: WO2007084410A3. Автор: Chung-Yu Lin. Владелец: Chen Chung Chin. Дата публикации: 2008-01-17.

Adhesive bandage with reduced pain during removal

Номер патента: EP1976476A2. Автор: Chung-Yu Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-08.

Reaction mixture suitable for manufacturing of foam with reduced aldehyde emission

Номер патента: EP3898750A1. Автор: Lies BONAMI,Joris Bosman,Yuefan Zhang,Zhuxia RONG,Bao LUAN. Владелец: Huntsman International LLC. Дата публикации: 2021-10-27.

Preparation of 4,4'-dihydroxy-alpha-alkylstilbene with reduced dimer formation

Номер патента: WO1998011042A3. Автор: Louis L Walker,Robert E Hefner Jr,Katherine S Clement,Emmett L Tasset. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 2002-10-03.

Preparation of 4,4'-dihydroxy-alpha-alkylstilbene with reduced dimer formation

Номер патента: WO1998011042A2. Автор: Louis L. Walker,Robert E. Hefner, Jr.,Katherine S. Clement,Emmett L. Tasset. Владелец: The Dow Chemical Company. Дата публикации: 1998-03-19.

Clothing especially for patients and persons with reduced moveability

Номер патента: EP2181615A3. Автор: Antonín Havelka,Zdeněk Kůs. Владелец: Technicka Univerzita v Liberci. Дата публикации: 2011-06-22.

Polyimide resin with reduced mold deposit

Номер патента: WO2004113446A3. Автор: Robert Russell Gallucci,Mark Alan Sanner,William A Kernick Iii,Roy Ray Oldle. Владелец: Roy Ray Oldle. Дата публикации: 2005-09-01.

Polyimide resin with reduced mold deposit

Номер патента: EP1639044A2. Автор: Robert Russell Gallucci,William A. Kernick, Iii,Mark Alan Sanner,Roy Ray Oldle. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2006-03-29.

Fumed alumina powder with reduced moisture content

Номер патента: US20240239679A1. Автор: Frank Menzel,Rainer Golchert,Alexander Lygin,Mareike Giesseler. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-07-18.

Collapsible protective screen, particularly for covering large surfaces, with reduced footprint during opening and closing

Номер патента: WO2005053455A1. Автор: Marco Fiocchi. Владелец: Marco Fiocchi. Дата публикации: 2005-06-16.

Process for manufacturing fiber boards with reduced voc emissions

Номер патента: AU2022314224A1. Автор: Andre Hennig,Thomas Heine,Christian DÜMICHEN,Martin SCHWENDY,Bernd Bungert. Владелец: Fiberboard GmbH. Дата публикации: 2024-03-07.

Ingot puller apparatus and methods for growing a single crystal silicon ingot with reduced lower chamber deposits

Номер патента: US20240247398A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Matteo Pannocchia,William Lynn Luter. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Process for preparing polyurethane sheet/laminate with reduced bubbles

Номер патента: EP4405427A1. Автор: Zhong Kai ZHANG,Dong Liang Wang. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-07-31.

Calcitonin peptides with reduced self aggregation activity

Номер патента: WO2005035566A1. Автор: Jesus Zurdo. Владелец: Zyentia Limited. Дата публикации: 2005-04-21.

Techniques and devices for efficient montgomery multiplication with reduced dependencies

Номер патента: US20230244445A1. Автор: Chen Yao,XIAO Wu,Shuai Wang,Xixi XIE,Yuji QIAN,Rongzhe ZHU. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Use of tryptophan from a seed source for treating diseases associated with reduced serotonin

Номер патента: NZ522318A. Автор: Susan P Hudson,Craig J Hudson. Владелец: Craig J Hudson. Дата публикации: 2003-09-26.

Spandex fiber with reduced visibility

Номер патента: WO2020102044A1. Автор: Steven W. Smith,Robert Dewhurst,Geoffrey D. Hietpas,Mary Wahlstrom,Giovanni PARINI,Ambata M. POE. Владелец: The LYCRA Company LLC. Дата публикации: 2020-05-22.

Organ-on-chip platforms with reduced fluid volume

Номер патента: US12065635B2. Автор: David L. Trumper,Daniel Rodion RATHBONE. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-08-20.

Manifold for liquid or gas distribution systems, with reduced overall size

Номер патента: EP1881247B1. Автор: Renato Colombo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-07.

A polyurethane composition with reduced aldehyde emission

Номер патента: WO2021021098A1. Автор: Renjie JI,Yide Liang. Владелец: Huntsman Petrochemical LLC. Дата публикации: 2021-02-04.

Comfort device with reduced space requirement, especially for a passenger in a public transport vehicle

Номер патента: AU2020200841A1. Автор: Antonio Da Costa,Denis Miglianico. Владелец: Alstom Transport Technologies SAS. Дата публикации: 2020-08-27.

Ingot puller apparatus and methods for growing a single crystal silicon ingot with reduced lower chamber deposits

Номер патента: WO2024155776A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Matteo Pannocchia,William Lynn Luter. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for preparing a single crystal silicon ingot with reduced radial resistivity variation

Номер патента: US20240279840A1. Автор: Jaewoo Ryu,Chun-Sheng Wu,Carissima Marie Hudson,Young Gil Jeong. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Compounds and pharmaceutical compositions that have powerful non-NMDA antagonist properties with reduced nephrotoxicity

Номер патента: NZ510000A. Автор: Alex Cordi,Patrice Desos,Pierre Lestage. Владелец: Adir. Дата публикации: 2001-12-21.

Process and plant for producing pure hydrogen by steam reforming with reduced carbon dioxide emissions

Номер патента: US20240294379A1. Автор: Sophia Schmidt,Teja Schmid Mcguinness,Jasmin JUNGER,Jakub Kuzniar. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-09-05.

Process for Identifying Novel Anti-Inflammatory Molecules with Reduced Direct Transrepression of Genes Induced by Glucocorticoids

Номер патента: US20140093884A1. Автор: MILAN Surjit,Daniel Metzger,Pierre Chambon. Владелец: Institut National de la Sante et de la Recherche Medicale INSERM. Дата публикации: 2014-04-03.

Rare-earth metal halide scintillators with reduced hygroscopicity and method of making the same

Номер патента: WO2013055648A1. Автор: Matthias J. Schmand,Mark S. Andreaco,A. Andrew Carey,Piotr Szupryczynski. Владелец: SIEMENS MEDICAL SOLUTIONS USA, INC.. Дата публикации: 2013-04-18.

Apparatus and methods for three dimensional optical imaging of dynamics with reduced motion artifacts

Номер патента: US20220039651A1. Автор: WEI Wei,Cristina Canavesi,Andrea Cogliati. Владелец: Lighttoptech Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Process for identifying novel anti-inflammatory molecules with reduced direct transrepression of genes induced by glucocorticoids

Номер патента: EP2697393A1. Автор: MILAN Surjit,Daniel Metzger,Pierre Chambon. Владелец: Institut National de la Sante et de la Recherche Medicale INSERM. Дата публикации: 2014-02-19.

Semiconductor device including memory with reduced current consumption

Номер патента: US20030039160A1. Автор: Kazutami Arimoto,Hiroki Shimano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Method for identifying HIV-1 protease inhibitors with reduced metabolic affects

Номер патента: US20090117535A1. Автор: William J. Geese,Koustubh Ranade. Владелец: Bristol Myers Squibb Co. Дата публикации: 2009-05-07.

Corrective read of a memory device with reduced latency

Номер патента: US20240264771A1. Автор: Tao Liu,Zhengang Chen,Ting Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods of treating heart failure with reduced ejection fraction using modified forms of trimetazidine

Номер патента: US20240245678A1. Автор: Jaikrishna Patel,Paul Chamberlin. Владелец: Imbria Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for preparing a single crystal silicon ingot with reduced radial resistivity variation

Номер патента: WO2024177846A1. Автор: Jaewoo Ryu,Chun-Sheng Wu,Carissima Marie Hudson,Young Gil Jeong. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-29.

MEMS mirror arrays with reduced crosstalk

Номер патента: US12103843B2. Автор: Scott A. Miller. Владелец: CalientAi Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Prime editing systems having pegrna with reduced auto-inhibitory interaction

Номер патента: WO2024220135A1. Автор: Jonathan Watts,Pengpeng Liu,Gitali DEVI,Scot WOLFE,Karthikeyan PONNIENSELVAN,David Keener. Владелец: University of Massachusetts. Дата публикации: 2024-10-24.

Engineered type ii cas polynucleotides with reduced immunogenicity and uses thereof

Номер патента: WO2024211456A1. Автор: Feng Zhang,Indigo KING,Yifan SONG,Rumya RAGHAVAN,Lucas Nivon,Rhiannon MACRAE. Владелец: Cyrus Biotechnology. Дата публикации: 2024-10-10.

Engineered type v cas polynucleotides with reduced immunogenicity and uses thereof

Номер патента: WO2024211453A1. Автор: Feng Zhang,Indigo KING,Yifan SONG,Rumya RAGHAVAN,Lucas Nivon,Rhiannon MACRAE. Владелец: Cyrus Biotechnology. Дата публикации: 2024-10-10.

Implantable cancer therapy electrodes with reduced mri artifacts

Номер патента: EP4456970A1. Автор: Michael J. Kane,Devon N. Arnholt. Владелец: Cardiac Pacemakers Inc. Дата публикации: 2024-11-06.

Alfalfa with reduced lignin composition

Номер патента: AU2018260469B2. Автор: Song Luo,Nicholas J. Baltes. Владелец: CELLECTIS SA. Дата публикации: 2024-09-05.

Solid nanoparticle formulation of water insoluble pharmaceutical substances with reduced Ostwald ripening

Номер патента: US09993454B2. Автор: Chandra Ulagaraj Singh. Владелец: Luminus Biosciences Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Anti-IFNAR1 antibodies with reduced Fc ligand affinity

Номер патента: US09988459B2. Автор: Herren Wu,Peter Kiener,Anthony Coyle,Ricardo Cibotti. Владелец: AstraZeneca AB. Дата публикации: 2018-06-05.

Systems and methods for parenterally procuring bodily-fluid samples with reduced contamination

Номер патента: US09872645B2. Автор: Richard G. Patton. Владелец: Magnolia Medical Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Systems and methods for parenterally procuring bodily-fluid samples with reduced contamination

Номер патента: US09855002B2. Автор: Richard G. Patton. Владелец: Magnolia Medical Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods and compositions for making antibodies and antibody derivatives with reduced core fucosylation

Номер патента: US09816069B2. Автор: Django Sussman,Brian Toki,Patrick J. Burke,Stephen C. Alley,Scott C. Jeffrey,Dennis R. Benjamin. Владелец: Seattle Genetics Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods and systems for slurry hydrocracking with reduced feed bypass

Номер патента: US09777226B2. Автор: Robert Haizmann,Trung Pham,Grant YOKOMIZO. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Feeder device of products with reduced longitudinal dimensions in machines for the tobacco industry

Номер патента: US09681683B2. Автор: Massimo Sartoni,Ivan Eusepi,Marco Esposti,Nicola Baldanza. Владелец: GD SpA. Дата публикации: 2017-06-20.

Vector processing engines (VPEs) employing tapped-delay line(s) for providing precision correlation / covariance vector processing operations with reduced sample re-fetching and power consumption, and related vector processor systems and methods

Номер патента: US09619227B2. Автор: Raheel Khan,Afshin SHIRAVI,Fahad Ali Mujahid. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Launch lock assemblies with reduced preload and spacecraft isolation systems including the same

Номер патента: US09475594B2. Автор: Ken Young,Timothy Hindle,Tim Daniel Barber. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Implanted pulse generators with reduced power consumption via signal strength/duration characteristics, and associated systems and methods

Номер патента: US09409020B2. Автор: Jon Parker. Владелец: Nevro Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Selective high frequency spinal cord modulation for inhibiting pain with reduced side effects, and associated systems and methods

Номер патента: US09327125B2. Автор: Yougandh Chitre,James R. Thacker,Konstantinos Alataris,Jon Parker,Andre B. Walker,Sangsoo Wesley Park. Владелец: Nevro Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Method of obtaining high-octane petrol with reduced content of benzole by alkylation of bezole at high conversion of benzole

Номер патента: RU2515525C2. Автор: Майкл К. КЛАРК,Бенджамин С. УМАНСКИ,Элизабет А. НАЙ,Марк Дж. РИЧЕНСПЕРГЕР,Уильям К. ЛЬЮИС. Владелец: ЭкссонМобил Рисерч энд Энджиниринг Компани. Дата публикации: 2014-05-10.

Shaving sets and shaving set cartridges with reduced total distance between blades

Номер патента: RU2479416C2. Автор: Марк ПЕТЕРСОН,Кевин Дэвид КАВЛИ,Оливер Дэвид ОГЛСБИ. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2013-04-20.

Structure with multiple levels and method of its erection

Номер патента: RU2518580C2. Автор: Эпаминондас КАТСАЛИДИС. Владелец: ЭКО ПЭТЕНТ & АйПи ХОЛДИНГЗ ПиТиУай ЭлТиДи. Дата публикации: 2014-06-10.

Culvert with a cellular structure with a minimum surface

Номер патента: RU2757452C1. Автор: Алексей Анатольевич Пиотрович,Дмитрий Денисович Барма. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный государственный университет путей сообщения" (ДВГУПС). Дата публикации: 2021-10-15.

Method for determining deformation in bone tissue of jaw around an orthopedic structure with support on dental implants

Номер патента: RU2717221C1. Автор: Рамаз Шалвович Гветадзе,Станислав Евгеньевич Крючков. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Центральный научно-исследовательский институт стоматологии и челюстно-лицевой хирургии" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-03-18.

Shaping device of bipolar reference voltage with reduced noise level

Номер патента: RU2669375C1. Автор: Сергей Николаевич Бондарь,Мария Сергеевна Жаворонкова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2018-10-11.

Methods of producing polymers with reduced tackiness and rubber compositions containing these polymers

Номер патента: RU2714874C1. Автор: Вэй ЧЖАО,Терренс Е. ХОГАН,Габриель Л. МакИНТАЙР. Владелец: Файэрстоун Полимерс, Ллк. Дата публикации: 2020-02-20.

Screw elements with reduced power supply at pressure increase

Номер патента: RU2516552C9. Автор: Томас КЕНИГ,Михаэль БИРДЕЛЬ,Ульрих ЛИЗЕНФЕЛЬДЕР. Владелец: Байер Интеллектуэль Проперти Гмбх. Дата публикации: 2015-03-10.

Layered structure with barrier layer, garment with the said layered structure and method of manufacture this layered structure

Номер патента: RU2462966C1. Автор: Александер ЦАГГЛЬ,Хольгер ЦОУДЛИК,Хельмут КЛУГ. Владелец: В.Л. Гор Энд Эсошиейтс Гмбх. Дата публикации: 2012-10-10.

Method of manufacturing a ruminant feedstuff with reduced ruminal protein degradability

Номер патента: US6506423B2. Автор: James S. Drouillard,Conrad M. Coetzer. Владелец: Kansas State University. Дата публикации: 2003-01-14.

Method for obtaining a repeated impression for making a frame of an orthopedic structure with support on implants

Номер патента: RU2693142C1. Автор: Сергей Егорович Жолудев,Денис Сергеевич Жолудев,Наталья Олеговна Падерина. Владелец: Наталья Олеговна Падерина. Дата публикации: 2019-07-01.

Method of producing polydienes and polydiene copolymers with reduced cold flow

Номер патента: RU2640800C2. Автор: Стивен ЛУО. Владелец: Бриджстоун Корпорейшн. Дата публикации: 2018-01-12.

Easily transported and assembled wall structure with or for sliding door

Номер патента: RU2682342C2. Автор: Массимо МИГЛИОРИНИ. Владелец: Кобленц С.п.А.. Дата публикации: 2019-03-19.

Rock-fill hydraulic structure with operation platform, also with moorage for small vessels

Номер патента: RU2435900C1. Автор: Виталий Александрович Бондаренко,Эдуард Хаджимосович Кушу,Дмитрий Олегович Нацвин,Юрий Владимирович Рысин,Олег Филиппович Козинский. Владелец: Олег Филиппович Козинский. Дата публикации: 2011-12-10.

Drive belt with reduced degree of extension

Номер патента: RU2261384C2. Автор: Пол С. НАТСОН. Владелец: Дзе Гейтс Корпорейшн. Дата публикации: 2005-09-27.

Improved wall structure with sliding door or slide-swinging door

Номер патента: RU2677965C2. Автор: Массимо МИГЛИОРИНИ. Владелец: Кобленц С.п.А.. Дата публикации: 2019-01-22.

Composition for final treatment with reduced content of volatile organic compounds

Номер патента: RU2375400C2. Автор: Ричард С. СМИТ,Ловелл В. ХОЛЛАНД,Ричард С. СМИТ (US),Ловелл В. ХОЛЛАНД (US). Владелец: 3М Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2009-12-10.

Method of anti-corrosion protection of cathodic-polarizable underground metal structures with bitumen-polymeric layer of mastic in insulated coating and bitumen-polymer mask for insulating coating of cathodic-polarizable underground metal structures

Номер патента: RU2666917C1. Автор: Сергей Николаевич Макаров,Николай Николаевич Петров,Сергей Баянович Фахретдинов,Марат Константинович Тен. Владелец: Акционерное общество "Делан". Дата публикации: 2018-09-13.

Resonator with reduced sensitivity to climatic variations

Номер патента: RU2677029C2. Автор: Пьер КЮЗЕН,Тьерри ХЕССЛЕР,Фатмир САЛИХУ,Люси БРОХЕР. Владелец: Ниварокс-Фар С.А.. Дата публикации: 2019-01-15.

Pharmaceutical structures with increased albumin binding affinity

Номер патента: RU2753880C1. Автор: Хсинг-Мао ЧУ,Цзянь-Жэнь ЛИНЬ,Тсе-вэнь ЧАН. Владелец: Иммунворк Инк.. Дата публикации: 2021-08-24.

Aircraft with reduced environment impact

Номер патента: RU2384479C2. Автор: Кристоф КРО,Пьер-Эммануэль ГАЛЛЬ. Владелец: Эрбюс Франс. Дата публикации: 2010-03-20.

Micro-disperser with periodic structure with variable pitch for generation of drops

Номер патента: RU2732142C1. Автор: Руфат Шовкет оглы Абиев,Александр Иванович Поняев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)". Дата публикации: 2020-09-11.

Process for making hmf from sugars with reduced byproduct formation and improved stability hmf compositions

Номер патента: RU2659166C2. Автор: Александра Сэнборн,Эрик ХЭГБЕРГ,Стивен ХОУАРД,Эрин М. РОКАФЕЛЛОУ. Владелец: Арчер Дэниелс Мидлэнд Компани. Дата публикации: 2018-06-28.

Disk brake with electric engine actuator in form of structure with self amplification

Номер патента: RU2408803C2. Автор: Бернхард МИЛЛЕР. Владелец: Кнорр-Бремзе Зюстеме Фюр Нутцфарцойге Гмбх. Дата публикации: 2011-01-10.

Element in the form of a sandwich structure with an open core structure consisting of tightly packed tetrahedrons

Номер патента: RU2731609C2. Автор: Михаил СТОКФЕЛЬТ. Владелец: Нитиу Аб. Дата публикации: 2020-09-07.

Assembly structure with shelves

Номер патента: RU2433775C2. Автор: Йохн АНДЕРСЕН,Хокан ШЕЛАНДЕР. Владелец: Инджой Груп Аб. Дата публикации: 2011-11-20.

Oral care compositions with reduced surface staining

Номер патента: RU2681220C2. Автор: Грегори ШЕВЧУК,Сюзанна ДЖОГАН,Шашанк ПОТНИС,Нита ПАТЕЛ. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2019-03-05.

Information carrier having structure with optically variable properties

Номер патента: RU2395842C2. Автор: Карлхайнц МАЙЕР,Петер ФРАНЦ,Кристоф БАЛЬДУС,Астрид ХАЙНЕ,Рогер АДАМЧИК. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2010-07-27.

High-stable electrolytic water with reduced width of nuclear magnetic resonance peak at half height

Номер патента: RU2494748C2. Автор: Юнгэ ЧЭНЬ,НОНИ Роберто ДЕ. Владелец: Акуатек С.Р.Л.. Дата публикации: 2013-10-10.

Methods for identifying antibodies with reduced immunogenicity

Номер патента: RU2648141C2. Автор: Фиона А. ХАРДИНГ,Оливиа Дженнифер РЭЙЗО. Владелец: Эббви Биотерапьютикс Инк.. Дата публикации: 2018-03-22.

Low dropout regulator circuit with reduced overshoot and undershoot and the method thereof

Номер патента: US20230400872A1. Автор: YONG ZHOU. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory write assist with reduced switching power

Номер патента: US12020746B2. Автор: Rahul Sahu,Pradeep Raj,Rejeesh AMMANATH VIJAYAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Dual-momentum gradient optimization with reduced memory requirements

Номер патента: US20210326711A1. Автор: Marc Tremblay,Jinwen Xi,Bharadwaj Pudipeddi. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-10-21.

Dual-momentum gradient optimization with reduced memory requirements

Номер патента: EP4136587A1. Автор: Marc Tremblay,Jinwen Xi,Bharadwaj Pudipeddi. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-02-22.

Air-cooled pneumatically-actuated brake with reduced diameter multiple discs, particularly for industrial applications

Номер патента: EP2265839A1. Автор: Ugo Jacopo Re. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-29.

Multi-layer sandwich structure of an x-ray detector cover for sufficient magnetic shielding with reduced x-ray absorption

Номер патента: WO2009010914A3. Автор: Lex Alving,Dirk W Harberts. Владелец: Dirk W Harberts. Дата публикации: 2009-08-20.

Adhesive bandage with reduced pain during removal

Номер патента: WO2007084410A2. Автор: Chung-Yu Lin. Владелец: Chen, Chung, Chin. Дата публикации: 2007-07-26.

Method for producing a cheese with reduced amount of galactose

Номер патента: US12035726B2. Автор: Thomas Janzen,Veronique Jactat,Ditte Ellegaard Christiansen,Charlotte Elisabeth Grüner SCHÖLLER,Kasper Rosenkvist. Владелец: Chr Hansen AS. Дата публикации: 2024-07-16.

Condensate drain pump with reduced noise

Номер патента: EP4269802A1. Автор: Elio Marioni. Владелец: Askoll Holding SRL. Дата публикации: 2023-11-01.

Waste-fiber-made brick body connection structure with thermal insulation effect

Номер патента: LU502180B1. Автор: Zeliang Li. Владелец: Suqian Univ. Дата публикации: 2022-11-30.

Lampshade with reducible package volume

Номер патента: US20030107896A1. Автор: Hak Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Lampshade with reducible package volume

Номер патента: US6793377B2. Автор: Hak Kee Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-21.

Signal processing with reduced combinatorial complexity

Номер патента: EP1639385A1. Автор: Simon Richard QinetiQ Malvern MASKELL. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2006-03-29.

Process for identifying novel anti-inflammatory molecules with reduced direct transrepression of genes induced by glucocorticoids

Номер патента: WO2012140233A1. Автор: MILAN Surjit,Daniel Metzger,Pierre Chambon. Владелец: Universite De Strasbourg. Дата публикации: 2012-10-18.

Systems and methods to provide welding-type arc starting and stabilization with reduced open circuit voltage

Номер патента: US20240261884A1. Автор: Bernard J. Vogel,Michael D. Madsen. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2024-08-08.

Implanted pulse generators with reduced power consumption via signal strength/duration characteristics, and associated systems and methods

Номер патента: US11766566B2. Автор: Jon Parker. Владелец: Nevro Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Process for co-producing ammonia and methanol with reduced carbon

Номер патента: AU2023237524A1. Автор: Per Juul Dahl. Владелец: Haldor Topsoe AS. Дата публикации: 2024-08-08.

Process for co-producing ammonia and methanol with reduced carbon

Номер патента: WO2023180114A1. Автор: Per Juul Dahl. Владелец: Topsoe A/S. Дата публикации: 2023-09-28.

Three-dimensional implantable matrix with reduced foreign body response

Номер патента: US20230270918A1. Автор: Alessandro Tocchio,Irini GERGES,Federico MARTELLO,Margherita TAMPLENIZZA,Giulia Maria Foscarina CHINCARINI,Stefano KOMAN. Владелец: TENSIVE SRL. Дата публикации: 2023-08-31.

Maize plants with reduced gene silencing

Номер патента: US20090265811A1. Автор: Jay B. Hollick,Christopher J. Hale,Jennifer L. STONAKER. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2009-10-22.

Selective high frequency spinal cord modulation for inhibiting pain with reduced side effects, and associated systems and methods

Номер патента: US20240181258A1. Автор: Yougandh Chitre,James R. Thacker,Konstantinos Alataris,Jon Parker,Andre B. Walker,Sangsoo Wesley Park. Владелец: Nevro Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Multi-view display with reduced bezels

Номер патента: US20240126128A1. Автор: Albert Han Ng,David Steven Thompson,Hitesh Ahuja,David Randall Bonds. Владелец: Misapplied Sciences Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for identifying hiv-1 protease inhibitors with reduced metabolic affects

Номер патента: WO2008005391A3. Автор: Ranade Koustubh,William J Geese. Владелец: William J Geese. Дата публикации: 2008-03-06.

Method for identifying hiv-1 protease inhibitors with reduced metabolic affects

Номер патента: WO2008005391A2. Автор: Ranade Koustubh,William J. Geese. Владелец: BRISTOL-MYERS SQUIBB COMPANY. Дата публикации: 2008-01-10.

Three-dimensional implantable matrix with reduced foreign body response

Номер патента: AU2020471265A9. Автор: Alessandro Tocchio,Irini GERGES,Federico MARTELLO,Margherita TAMPLENIZZA,Giulia Maria Foscarina CHINCARINI,Stefano KOMAN. Владелец: TENSIVE SRL. Дата публикации: 2024-09-05.

Multi-threaded processing with reduced context switching

Номер патента: US09870252B2. Автор: John P. Bates. Владелец: Sony Interactive Entertainment Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Systems and methods for parenterally procuring bodily-fluid samples with reduced contamination

Номер патента: US09861306B2. Автор: Richard G. Patton. Владелец: Magnolia Medical Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Systems and methods for parenterally procuring bodily-fluid samples with reduced contamination

Номер патента: US09855001B2. Автор: Richard G. Patton. Владелец: Magnolia Medical Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Oxidation dye with reduced hair damage

Номер патента: US09839596B2. Автор: Gabriele Weser,Ulrike Schumacher. Владелец: Henkel AG and Co KGaA. Дата публикации: 2017-12-12.

Compositions with reduced bitter taste perception

Номер патента: US09827320B2. Автор: Yakang Lin,Koti Sreekrishna. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of designing a conductive pattern with reduced channel break visibility

Номер патента: US09639221B2. Автор: Yieu Chyan. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-05-02.

Source driver with reduced number of latch devices

Номер патента: US09477104B2. Автор: Yung-Yuan Liu. Владелец: FocalTech Systems Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Selective high frequency spinal cord modulation for inhibiting pain with reduced side effects, and associated systems and methods

Номер патента: US09333357B2. Автор: Yougandh Chitre,James R. Thacker,Konstantinos Alataris,Jon Parker,Andre B. Walker,Sangsoo Wesley Park. Владелец: Nevro Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Absorbent article with reduced sag

Номер патента: RU2743030C1. Автор: Хелена КОРНЕЛИУССОН,Филип СИЛЛЕРСТРЕМ,Тереза ХЕРМАНССОН. Владелец: Эссити Хайджин Энд Хелт Актиеболаг. Дата публикации: 2021-02-12.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMMUNOGLOBULINS WITH REDUCED AGGREGATION

Номер патента: US20120003211A1. Автор: Chennamsetty Naresh,Helk Bernhard,Kayser Veysel,Trout Bernhardt,Voynov Vladimir. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making self-scaled self-aligned transistor structure

Номер патента: RU2408951C2. Автор: Александр Николаевич Сауров,Николай Михайлович Манжа,Александр Николаевич Сауров (RU),Николай Михайлович Манжа (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ФГУ "НПК "ТЦ" МИЭТ). Дата публикации: 2011-01-10.

LITHIUM CONDITIONED ENGINE WITH REDUCED CARBON OXIDE EMISSIONS

Номер патента: US20120000449A1. Автор: Taplin,JR. Harry R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Metal structure with grid from rhombic closed bent-welded shapes

Номер патента: RU2500863C1. Автор: Александр Суренович Марутян,Сергей Игоревич Экба. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Кавказский федеральный университет". Дата публикации: 2013-12-10.

Net with reduced bulk, enhanced elasticity, reduced hydrodynamic resistance

Номер патента: RU2268328C2. Автор: Валентин Гаврилович ПЕРЕВОЩИКОВ,Шериф Адхам САФВАТ. Владелец: Кандис Ехф.. Дата публикации: 2006-01-20.

Method for producing of smoking tobacco article with reduced resin and nicotine content

Номер патента: RU2290046C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Ирина Игоревна Татарченко,Ольга Алексеевна Бирюкова. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2006-12-27.

Shaping device of bipolar reference voltage with reduced noise level

Номер патента: RU2549509C1. Автор: Сергей Николаевич Бондарь,Мария Сергеевна Жаворонкова. Владелец: ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ОБЪЕДИНЕНИЕ "Дельта". Дата публикации: 2015-04-27.

Paste-like milk-containing product with reduced milk proteins allergenicity

Номер патента: RU2552149C2. Автор: Сергей Владимирович Симоненко,Евгения Юрьевна Агаркова,Светлана Елисеевна Димитриева,Светлана Геннадиевна Ботина,Александр Юрьевич Золотин. Владелец: Государственное научное учреждение Научно-исследовательский институт детского питания Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2015-06-10.

Shaping device of reference voltage with reduced noise level

Номер патента: RU2496132C1. Автор: Сергей Николаевич Бондарь,Мария Сергеевна Жаворонкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2013-10-20.

EVOH Barrier Film with Reduced Autoclave Shock

Номер патента: US20120000166A1. Автор: . Владелец: CRYOVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Powerful uhf transistor structure

Номер патента: RU2253923C1. Автор: Б.К. Петров,О.М. Булгаков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет". Дата публикации: 2005-06-10.

Axial-flow turbomachine with reduced level of pressure fluctuations exciting vibrations of blades and noise

Номер патента: RU2280169C2. Автор: Николай Михайлович Савин,Виктор Энсиович Сарен,Николай Михайлович Савин (RU),Виктор Энсиович Сарен (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный институт авиационного моторостроения им. П.И. Баранова". Дата публикации: 2006-07-20.

Isothermal transistor structures

Номер патента: WO2024209317A1. Автор: Ken Cadien,Douglas W. Barlage,Lhing Gem SHOUTE. Владелец: Zinite Corporation. Дата публикации: 2024-10-10.

VARIABLE GAIN AMPLIFIER WITH REDUCED POWER CONSUMPTION

Номер патента: US20120001691A1. Автор: Chen Minhan,Cranford,JR. Hayden C.,Qi Jieming,Boerstler David W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing kreteks with reduced tar and nicotine content

Номер патента: RU2326564C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Ирина Игоревна Татарченко,Гедиминас Аниц тович Мостис,Гедиминас Аницятович Мостис. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2008-06-20.

Radar antenna with reduced scattering cross-section

Номер патента: RU2526741C1. Автор: Сергей Владимирович Ковалев,Алексей Сергеевич Грибков,Сергей Михайлович Нестеров,Иван Алексеевич Скородумов,Виталий Сергеевич Грибков,Виктор Федорович Казанцев. Владелец: Виктор Федорович Казанцев. Дата публикации: 2014-08-27.

Method for assessing disturbed haemoglobin oxygenation with reduced microviscosity of peripheral erythrocyte membrane of pregnant women in third trimester of gestation and aggravated cytomegalovirus infection

Номер патента: RU2540425C1. Автор: Михаил Тимофеевич Луценко,Ирина Анатольевна Андриевская,Ольга Леонидовна Кутепова,Наталья Александровна Ишутина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Дальневосточный научный центр физиологии и патологии дыхания" Сибирского отделения РАМН. Дата публикации: 2015-02-10.

Polymer-rubber waterproofing composition with reduced fire hazard and method of obtaining thereof

Номер патента: RU2532519C1. Автор: Вильдан Валерьевич Уваев,Владимир Алексеевич Маслов,Сария Абдулловна Хафизова,Николай Николаевич Жданов,Альберт Равилевич Фатхутдинов. Владелец: Открытое акционерное общество "Казанский химический научно-исследовательский институт". Дата публикации: 2014-11-10.

Device to generate reference voltage with reduced noise level

Номер патента: RU2422874C1. Автор: Мария Сергеевна Бондарь. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2011-06-27.

Method for production of milky product with reduced content of spores and bacteria, and device therefor, method for production of milky whey with reduced content of spores and bacteria and device therefor

Номер патента: RU2264717C2. Автор: Йохн ЕНСЕН. Владелец: Ниро А/С. Дата публикации: 2005-11-27.

Method of reducing content of sulphur and/or mercury in flue gases (versions), sorbent composition, method of burning coal with reduced emission of harmful elements into environment (versions), coal ash obtained using said methods, and cement, pozzolan, concrete mixture and mortar thereof, concrete structure, method of producing cementing mixture, obtained based on or through said ash

Номер патента: RU2440179C2. Автор: Дуглас С. КОМРИ,Винсент ВЕЛЛЕЛЛА. Владелец: НОКС II ИНТЕНЭШНЛ, эЛТиДи.. Дата публикации: 2012-01-20.

Complementary bipolar transistor structure of integrated circuit

Номер патента: RU2111578C1. Автор: А.Н. Сауров. Владелец: Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники. Дата публикации: 1998-05-20.

Organo-inorganic binding agent for obtaining composite materials with reduced combustibility (versions)

Номер патента: RU2573512C1. Автор: Александр Александрович Берлин,Андрей Владимирович Грачев,Александр Юханович Шаулов,Владимир Михайлович Лалаян,Елена Михайловна Нечволодова,Лариса Александровна Ткаченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химической физики им. Н.Н. Семенова Российской академии наук (ИХФ РАН). Дата публикации: 2016-01-20.

Mosfet with reduced leakage current

Номер патента: WO1996025762A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-11-07.

Burner for combustion of gaseous and/or liquid fuel with reduced exhaust of nitrogen oxides

Номер патента: RU2432530C1. Автор: Петр Васильевич Королев,Юрий Анатольевич Валуев,Сергей Юрьевич Соколов,Евгений Николаевич Цветков. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственный центр энергетического оборудования". Дата публикации: 2011-10-27.

Method for replacement ascending aorta and aortic arch replacement with reducing prosthesis into true lumen of dissected ascending aorta in type a dissections

Номер патента: RU2552875C1. Автор: Анна Борисовна Степаненко,Эдуард Рафаэлович Чарчян,Алексей Алексеевич Скворцов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение Российский научный центр хирургии имени академика Б.В. Петровского РАМН. Дата публикации: 2015-06-10.

Composite sugar-containing food product with reduced nutritive properties

Номер патента: RU2551096C1. Автор: Михаил Алексеевич Суслов. Владелец: Уварова Ольга Вячеславовна. Дата публикации: 2015-05-20.

Heavy-power microwave transistor structure

Номер патента: RU2216069C1. Автор: Б.К. Петров,О.М. Булгаков. Владелец: Воронежский государственный университет. Дата публикации: 2003-11-10.

Heavy-power microwave transistor structure

Номер патента: RU2216071C1. Автор: Б.К. Петров,О.М. Булгаков. Владелец: Воронежский государственный университет. Дата публикации: 2003-11-10.

Heavy-power microwave transistor structure

Номер патента: RU2216070C1. Автор: Б.К. Петров,О.М. Булгаков. Владелец: Воронежский государственный университет. Дата публикации: 2003-11-10.

Integrated mos transistor structure

Номер патента: RU2207662C1. Автор: В.Н. Мордкович,В.Н. Мурашев,Е.А. Ладыгин,Е.С. Горнев,В.А. Сычевский. Владелец: АООТ "НИИМЭ и завод "Микрон". Дата публикации: 2003-06-27.

Semiconductor Structures with Rare-earths

Номер патента: US20120001171A1. Автор: Atanackovic Petar B.. Владелец: TRANSLUCENT INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTION OF A PROSTHESIS STRUCTURE WITH AN IMPLANT STRUCTURE

Номер патента: US20120003606A1. Автор: FISCHLER Titus,Schaffner Roland,Fischler Elisabeth,Baechler Martin,Baechler Juerg. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Pyrotechnic sound-and-light compound with reduced smoke formation

Номер патента: RU2426714C1. Автор: Владимир Борисович Громов,Юрий Николаевич Юрченко. Владелец: Юрий Николаевич Юрченко. Дата публикации: 2011-08-20.

Magnetic liquid seal of shaft with reduced friction torque

Номер патента: RU2531070C1. Автор: Сергей Михайлович Перминов,Анастасия Сергеевна Перминова,Владимир Алексеевич Полетаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный энергетический университет имени В.И. Ленина" (ИГЭУ). Дата публикации: 2014-10-20.

Method for producing of smoking tobacco article with reduced resin and nicotine content

Номер патента: RU2289996C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Ирина Игоревна Татарченко,Ольга Алексеевна Бирюкова. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2006-12-27.

Method for producing of smoking tobacco article with reduced content of resin and nicotine

Номер патента: RU2289987C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Ирина Игоревна Татарченко,Евгения Вадимовна Гнучих,Евгени Вадимовна Гнучих. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2006-12-27.

Method for assessing forming hypoxia in third trimester of gestation with reduced ph value and oxyhaemoglobin caused by aggravated cylomegaloviral infection

Номер патента: RU2535047C1. Автор: Михаил Тимофеевич Луценко,Ирина Анатольевна Андриевская,Ольга Леонидовна Кутепова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Дальневосточный научный центр физиологии и патологии дыхания" Сибирского отделения РАМН. Дата публикации: 2014-12-10.

Thermal formwork for manufacturing of pre-stressed monolithic reinforced concrete structures with linear and flat pre-stressing

Номер патента: RU2491395C2. Автор: Виктор Аршакович Кеворков. Владелец: Виктор Аршакович Кеворков. Дата публикации: 2013-08-27.

Insole with reduced fretting wear

Номер патента: RU2546448C2. Автор: Сергей Петрович Александров,Ирина Петровна Бердникова,Татьяна Владимировна Жуковская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет технологий и управления" им. К.Г. Разумовского. Дата публикации: 2015-04-10.

Multi-tier avalanche structure with promenade terraces on scarp

Номер патента: RU2501911C1. Автор: Виталий Александрович Бондаренко,Эдуард Хаджимосович Кушу,Дмитрий Олегович Нацвин,Юрий Владимирович Рысин. Владелец: Юрий Владимирович Рысин. Дата публикации: 2013-12-20.

Design and technology to manufacture integral micromechanical relay with movable electrode as structure with piezoelectric layer

Номер патента: RU2481675C2. Автор: Сергей Николаевич Орлов,Николай Алексеевич Зайцев,Андрей Владимирович Дайнеко,Илья Алексеевич Хомяков. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2013-05-10.

Methods and compositions for treating thyroid-related medical conditions with reduced folates

Номер патента: AU2021261903A1. Автор: Linzy Scott Iii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-02.

A method for preparing rbdpo with reduced 3-mcpde and ge

Номер патента: MY173784A. Автор: R Unnithan U. Владелец: Sumwin Solutions Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2020-02-21.

Transgenic plant with reduced lignin content and method of production thereof

Номер патента: MY181045A. Автор: Othalathara Usharraj Abhilash,Alam Maqsudul,Nazalan Mohd Najimudin MOHD,Ann Saito JENNIFER. Владелец: Univ Sains Malaysia. Дата публикации: 2020-12-16.

Energy-preserving anticorrosion coating with reduced fire hazard and method of obtaining thereof

Номер патента: RU2551363C2. Автор: Антон Андреевич Гайдук,Денис Вячеславович Десятков. Владелец: Денис Вячеславович Десятков. Дата публикации: 2015-05-20.

Method of producing biologically active drinking water with reduced content of deuterium

Номер патента: RU2438766C1. Автор: Владимир Юрьевич Фролов,Степан Сергеевич Джимак,Лариса Владимировна Ломакина,Михаил Геннадьевич Барышев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный университет". Дата публикации: 2012-01-10.

Semiconductor nano-structure with composite quantum well

Номер патента: RU2278072C2. Автор: Владимир Иванович Кадушкин. Владелец: Рязанский государственный педагогический университет им. С.А. Есенина (РГПУ). Дата публикации: 2006-06-20.

Steel with reduced hardenability for coil springs with rod diameter from 24 to below 27 mm and spring made out of it

Номер патента: RU2568405C2. Автор: Александр Александрович Андреев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Коммерческий центр "РИЦ". Дата публикации: 2015-11-20.

Electric insulating structure with hydrophobic coating of different thickness

Номер патента: RU2499315C2. Автор: Владимир Николаевич Таран. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инвест-Энерго". Дата публикации: 2013-11-20.

Earthquake-resistant structure with microclimate

Номер патента: RU2535327C2. Автор: Алексей Александрович Кузнецов,Михаил Дмитриевич Лалайкин. Владелец: Михаил Дмитриевич Лалайкин. Дата публикации: 2014-12-10.

Underground structure with natural heat-exchange ventilation

Номер патента: RU2572265C1. Автор: Игорь Григорьевич Ткаченко,Сергей Геннадьевич Шабля,Вадим Георгиевич Гераськин,Сергей Петрович Сусликов,Дмитрий Юрьевич Феденко,Виталий Леонидович Кораблёв,Андрей Николаевич Касымов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Газпром Трансгаз Краснодар". Дата публикации: 2016-01-10.

Procedure for facilitating bearing capacity of metal structure with bolts of high strength

Номер патента: RU2413098C1. Автор: Раиса Григорьевна Хусид,Симон Соломонович Кунин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью Производственно-Инжиниринговая Фирма "Партнёр". Дата публикации: 2011-02-27.

STEEL WITH REDUCED HARDENABILITY FOR SCREW SPRINGS WITH DIAMETRE OF RODS 17-23 mm AND SPRING FABRICATED OUT OF IT

Номер патента: RU2370566C2. Автор: Александр Александрович Андреев,Александр Петрович Андреев,Владимир Михайлович Федин,Владимир Викторович Мацкевич,Алексей Игоревич Борц,Борис Константинович Ушаков,Вячеслав Николаевич Бочкарев,Василий Алексеевич Чижов,Сергей Анатольевич Решетников,Иван Степанович Мулюкин. Владелец: ООО "Вагон Комплект". Дата публикации: 2009-10-20.

Building structure with tile facing

Номер патента: RU2429331C1. Автор: Владимир Владимирович Батенко. Владелец: Владимир Владимирович Батенко. Дата публикации: 2011-09-20.

Security element for valuable document composed of sandwiched polymer structure with magnetic ply and article with security element

Номер патента: RU2509652C1. Автор: Андрей Борисович Курятников,Анатолий Павлович Губарев,Игорь Васильевич Павлов,Георгий Валентинович Корнилов,Елена Самуиловна Туркина,Елена Михайловна Федорова,Владимир Александрович Скиданов,Петр Михайлович Ветошко. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Гознак" (Фгуп "Гознак"). Дата публикации: 2014-03-20.

Method for production of ice cream with milk fat substitute with reduced weight fraction of skim solids (versions)

Номер патента: RU2552661C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2015-06-10.

Method for production of ice cream with milk fat substitute with reduced weight fraction of skim solids (versions)

Номер патента: RU2558183C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2015-07-27.

Steel reinforced concrete structure with ballastless board of traffic area and method of its erection

Номер патента: RU2435899C1. Автор: Сергей Николаевич Корнев,Антон Андреевич Дорошкевич,Эдуард Максович Гитман,Олег Викторович Барабошин. Владелец: Открытое акционерное общество по проектированию строительства мостов "Институт Гипростроймост". Дата публикации: 2011-12-10.

Wall enclosing structure with heat insulation and decorative facade finishing, facade panel (variants) and covering strip (variants) for facade panel

Номер патента: RU2305736C1. Автор: Алексей Александрович Герасимов,Валерий Анатольевич Семакин,Владимир Вениаминович Олейниченко. Владелец: Владимир Вениаминович Олейниченко. Дата публикации: 2007-09-10.

Waveguide structure with permitted and forbidden bands

Номер патента: RU2575995C2. Автор: Сергей Аполлонович Никитов,Дмитрий Александрович Усанов,Александр Владимирович Скрипаль,Вадим Ермингельдович Орлов,Александр Павлович Фролов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2016-02-27.

Enclosing structure with metal frame

Номер патента: RU2412308C1. Автор: Александр Сергеевич Грынь. Владелец: Александр Сергеевич Грынь. Дата публикации: 2011-02-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.