IMPRINT METHOD, IMPRINT APPARATUS, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD
Номер патента: US20170092524A1
Опубликовано: 30-03-2017
Автор(ы): Hasegawa Noriyasu, MATSUMOTO Takahiro, Murakami Yosuke, Nakagawa Kazuki
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 30-03-2017
Автор(ы): Hasegawa Noriyasu, MATSUMOTO Takahiro, Murakami Yosuke, Nakagawa Kazuki
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Silicon carbide epitaxial growth apparatus and silicon carbide epitaxial wafer manufacturing method
Номер патента: JP7176489B2. Автор: 和雄 小林,泰成 日野,雅 酒井,真一郎 香月. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-11-22.