Semiconductor integrated circuit for high frequency power amplifier, electronic component for high frequency power amplifier, and radio communication system .

Semiconductor integrated circuit for high frequency power amplifier, electronic component for high frequency power amplifier, and radio communication system

Номер патента: US20040212432A1
Опубликовано: 28-10-2004
Автор(ы): Kyoichi Takahashi, Masashi Maruyama, Shinji Yamada
Принадлежит: Renesas Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Radio frequency power amplifier circuit and method

Номер патента: GB2452215A. Автор: Narendra Kumar Aridas,Macwien Krishnamurthi Annamalai,Joshua Khai Ho Lee,Teik Siew Tan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2009-02-25.

High frequency power amplifier electric parts and radio telecommunication system

Номер патента: US20040108902A1. Автор: Masahiro Tsuchiya,Kyoichi Takahashi,Hitoshi Akamine. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-10.

Noise Optimized Envelope Tracking System for Power Amplifiers

Номер патента: US20130229228A1. Автор: Serge Francois Drogi. Владелец: Quantance Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Dual mode power amplifier

Номер патента: EP1941612A2. Автор: David S. Ripley,Michael L. Hageman,Dale R. Brandt. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2008-07-09.

Dual mode power amplifier

Номер патента: WO2007050264A2. Автор: David S. Ripley,Michael L. Hageman,Dale R. Brandt. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2007-05-03.

Methods and devices for increased efficiency in linear power amplifier

Номер патента: US20220416735A1. Автор: Wayne Ballantyne,Ali AZAM,LiChung CHANG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

High frequency power amplifier, transmitter and mobile communication terminal using the power amplifier

Номер патента: US20120208476A1. Автор: Hidetoshi Matsumoto,Tomonori Tanoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

High frequency power amplifier and wireless communication module

Номер патента: US20030107433A1. Автор: Satoshi Arai,Tomio Furuya,Masashi Maruyama,Hitoshi Sekiguchi,Nobuhiro Matsudaira,Yasushi Ohyama,Tsuyoshi Shibuya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

High frequency power amplifier and wireless communication module

Номер патента: US20040212435A1. Автор: Satoshi Arai,Tomio Furuya,Masashi Maruyama,Hitoshi Sekiguchi,Nobuhiro Matsudaira,Yasushi Ohyama,Tsuyoshi Shibuya. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

High frequency power amplifier and wireless communication module

Номер патента: US20030137347A1. Автор: Satoshi Arai,Tomio Furuya,Masashi Maruyama,Hitoshi Sekiguchi,Nobuhiro Matsudaira,Yasushi Ohyama,Tsuyoshi Shibuya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-07-24.

Input drive control for switcher regulated power amplifier modules

Номер патента: CA2616323C. Автор: Wen-Yen Chan,Nasserullah Khan. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2011-08-02.

DECOUPLING CIRCUITS FOR FILTERING A VOLTAGE SUPPLY OF MULTIPLE POWER AMPLIFIERS

Номер патента: US20140009226A1. Автор: Severson Cory,Fisher David,Ramachandran Ravi. Владелец: R2 SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2014-01-09.

Decoupling circuits for filtering a voltage supply of multiple power amplifiers

Номер патента: WO2014011339A1. Автор: David Fisher,Ravi Ramachandran,Cory Severson. Владелец: R2 SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2014-01-16.

High-frequency power amplifier

Номер патента: US20070046370A1. Автор: Hidetoshi Matsumoto,Tomonori Tanoue,Isao Ohbu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-03-01.

high frequency power amplifier and wireless communication system

Номер патента: EP1411632A3. Автор: Nobuhiro Matsudaira,Hitoshi Akamine,Kyoichi Hitachi ULSI Systems Co. Ltd. Takahashi. Владелец: Hitachi Hybrid Network Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-30.

High frequency power amplifier and wireless communication system

Номер патента: EP1411632B1. Автор: Nobuhiro Matsudaira,Hitoshi Akamine,Kyoichi Hitachi ULSI Systems Co. Ltd. Takahashi. Владелец: Hitachi Hybrid Network Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-26.

High frequency power amplification electric part and wireless communication system

Номер патента: US20060012435A1. Автор: Kyoichi Takahashi,Nobuhiro Matsudaira,Hitoshi Akamine. Владелец: Hitachi Hybrid Network Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-19.

High frequency power amplification electric part and wireless communication system

Номер патента: US7173492B2. Автор: Kyoichi Takahashi,Nobuhiro Matsudaira,Hitoshi Akamine. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-06.

High frequency power amplification electric part and wireless communication system

Номер патента: US20040075501A1. Автор: Kyoichi Takahashi,Nobuhiro Matsudaira,Hitoshi Akamine. Владелец: Hitachi Hybrid Network Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-22.

Power amplifier efficiency using error estimate and data rate

Номер патента: US20080182530A1. Автор: Melanie Daniels,Peter D. Mueller. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Dual current mirror power amplifier bias control

Номер патента: US20030038676A1. Автор: Phillip Mages. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2003-02-27.

Input drive control for switcher regulated power amplifier modules

Номер патента: US20130149978A9. Автор: Wen-Yen Chan,Nasserullah Khan. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Radio frequency circuit apparatus and radio frequency module

Номер патента: US7848714B2. Автор: Akira Kuriyama,Eriko Takeda,Tatemi Ido. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2010-12-07.

Radio frequency power amplifier and corresponding method

Номер патента: EP1869777A2. Автор: Richard Wilson,David Kelly,William Martin Snelgrove,Kelly Mekechuk. Владелец: Pulsewave Rf Inc. Дата публикации: 2007-12-26.

Radio frequency power amplifier and corresponding method

Номер патента: WO2006104685A2. Автор: Richard Wilson,David Kelly,William Martin Snelgrove,Kelly Mekechuk. Владелец: Pulsewave Rf, Inc.. Дата публикации: 2006-10-05.

Radio frequency power amplifier and corresponding method

Номер патента: EP1869777A4. Автор: Richard Wilson,David Kelly,William Martin Snelgrove,Kelly Mekechuk. Владелец: Pulsewave Rf Inc. Дата публикации: 2008-06-11.

High-frequency power amplifier device

Номер патента: US20120154043A1. Автор: Masashi Maruyama,Hisanori Namie. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Power amplifier circuit

Номер патента: US20220069780A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Jun Enomoto,Fumio Harima,Yuri Honda. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Pseudo-envelope follower power management system with high frequency ripple current compensation

Номер патента: EP2649724A1. Автор: Nadim Khlat,Michael R. Kay,Philippe Gorisse. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-16.

Method and controller for controlling power amplifier in radio transmitter as well as radio unit and radio device

Номер патента: EP3635874A1. Автор: Yang Zhang,Peng Liu,Qiaoyu Li. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2020-04-15.

Arrangement and method for radio frequency power amplification

Номер патента: WO2015032513A1. Автор: Michel Rixain. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2015-03-12.

Power amplifier and method for power amplification

Номер патента: WO2004032317A1. Автор: Giuseppe Grillo,Domenico Cristaudo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-04-15.

Method and controller for controlling power amplifier in radio transmitter as well as radio unit and radio device

Номер патента: US20200280325A1. Автор: Yang Zhang,Peng Liu,Qiaoyu Li. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2020-09-03.

Doherty power amplifier and power amplification method

Номер патента: US20230170860A1. Автор: Xiaojun Cui,Huazhang Chen,jinyuan An,Ting Hou. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Multi-band power amplifier

Номер патента: WO2012000129A1. Автор: Linsheng Liu,Xiaochuan Jiang. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-Band Power Amplifier

Номер патента: US20130088295A1. Автор: Linsheng Liu,Xiaochuan Jiang. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2013-04-11.

High-frequency drain power supply to decrease power dissipation in class-ab power amplifiers

Номер патента: WO2014037926A2. Автор: Alexander Greber,Jeyran Hezaveh,Amir Hooshang FARAHANI SAMANI,Ali Asghar TALEBI. Владелец: Innovaradio S.A.. Дата публикации: 2014-03-13.

Power amplifier and electronic device comprising same

Номер патента: EP4391371A1. Автор: Kyoungtae Kim,Changwook Kim,Youngoo Yang,Woojin Choi,Yifei CHEN,Seunghoon JEE,Youngyoon WOO,Hyunuk KANG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Envelope tracking integrated circuit operable across wide modulation bandwidth

Номер патента: WO2022103484A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2022-05-19.

Power amplifier and method for power amplification

Номер патента: EP1550209A1. Автор: Giuseppe Grillo,Domenico Cristaudo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-06.

High-frequency drain power supply to decrease power dissipation in class-ab power amplifiers

Номер патента: WO2014037926A3. Автор: Alexander Greber,Jeyran Hezaveh,Amir Hooshang FARAHANI SAMANI,Ali Asghar TALEBI. Владелец: Innovaradio S.A.. Дата публикации: 2014-05-01.

Power supply circuit for power amplifier and communication device

Номер патента: EP4318942A1. Автор: Yao Qian,Weinan Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Envelope tracking integrated circuit operable across wide modulation bandwidth

Номер патента: US20240014787A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Power-amplifier arrangement

Номер патента: EP2559160A1. Автор: Thomas Lejon,Ulf Gustavsson,Johan THOREBÄCK. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2013-02-20.

Envelope tracking integrated circuit operable across wide modulation bandwidth

Номер патента: EP4244981A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Doherty power amplifier and electronic device including the same

Номер патента: US20240120886A1. Автор: Kyoungtae Kim,Changwook Kim,Youngoo Yang,Seunghoon JEE,Youngyoon WOO,Hyunuk KANG,Yi Fei Chen. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-04-11.

Power supply circuit for power amplifier and communication apparatus

Номер патента: US20240056032A1. Автор: Yao Qian,Weinan Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

A power amplifier system

Номер патента: EP3747124A1. Автор: Ahmet Aktuğ,Ahmet Deği̇rmenci̇. Владелец: Aselsan Elektronik Sanayi ve Ticaret AS. Дата публикации: 2020-12-09.

LOW DROPOUT VOLTAGE REGULATOR FOR HIGHLY LINEAR RADIO FREQUENCY POWER AMPLIFIERS

Номер патента: US20170163218A1. Автор: Gorbachov Oleksandr,Zhang Lisette L.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

Linear power amplifier unit in shortwave radio range

Номер патента: RU2694141C1. Автор: Иван Николаевич Логунов,Андрей Александрович Беляков. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение Ангстрем". Дата публикации: 2019-07-09.

Power amplifier tube and power amplification method

Номер патента: US20130141166A1. Автор: Gang He,Xiaojun Cui,Huazhang Chen. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

High efficiency wideband dynamic load modulation power amplifier architecture

Номер патента: WO2013174411A1. Автор: David Gustafsson,Christer Andersson. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2013-11-28.

Envelope controlled biasing of an auxiliary transmitter of a doherty power amplifier

Номер патента: EP4150758A1. Автор: Stefan Andersson,Sven Mattisson,Christian Elgaard. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-03-22.

System and method for operating a power amplifier and a load modulation network

Номер патента: US9270234B2. Автор: Quan Xue,Shichang Chen. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2016-02-23.

Protection circuit for acoustic filter and power amplifier stage

Номер патента: US20230246601A1. Автор: Hui Liu,Baker Scott,George Maxim,Jungmin Park,Stephen James Franck. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Protection circuit for acoustic filter and power amplifier stage

Номер патента: EP4220952A1. Автор: Hui Liu,Baker Scott,George Maxim,Jungmin Park,Stephen James Franck. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Power amplifier circuit

Номер патента: US20240128940A1. Автор: Kenji Tahara,Yoshiaki SUKEMORI. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Temperature Compensation Circuit for Power Amplifier

Номер патента: US20210399698A1. Автор: Hwey-Ching Chien. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Apparatus and methods for biasing a power amplifier

Номер патента: US20120146734A1. Автор: Sabah Khesbak,San Chin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Power amplifier with clamp and feedback protection circuitry

Номер патента: US20230253930A1. Автор: Hui Liu,Baker Scott,George Maxim,Sukchan Kang,Chong Woo. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Power amplifier with current reuse

Номер патента: EP4344057A1. Автор: Mark G Forbes,Nitesh Singhal. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Hybrid power amplifier with GaN-on-Si and GaN-on-SiC circuits

Номер патента: US12028022B2. Автор: Prity Kirit PATEL. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

System and method for adaptive power modulation for power amplifier

Номер патента: WO2018004744A1. Автор: Uma S. Jha. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-01-04.

Doherty power amplifier circuit

Номер патента: US10511265B2. Автор: YANG FANG,Baoqiang AI,Shimin Yang. Владелец: Datang Mobile Communications Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Over temperature protection with soft shutdown for power amplifier

Номер патента: US20240072731A1. Автор: Shota Ishihara. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Doherty power amplifier circuit

Номер патента: US20190074799A1. Автор: YANG FANG,Baoqiang AI,Shimin Yang. Владелец: Datang Mobile Communications Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

High frequency amplifier

Номер патента: EP4387096A1. Автор: Takuya Yoshida,Hiroshi Kunitama. Владелец: Kyosan Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

RF power amplifier apparatus and power supply circuit for controlling power-supply voltage to RF power amplifier

Номер патента: CN101414806A. Автор: 浪江寿典,岛本健一. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-04-22.

High frequency switch-mode power amplifier

Номер патента: EP1269623A1. Автор: Robert Leedham. Владелец: Ling Dynamic Systems Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

High frequency switch-mode power amplifier

Номер патента: WO2001076061A1. Автор: Robert Leedham. Владелец: Ling Dynamic Systems Limited. Дата публикации: 2001-10-11.

Driver for a high efficiency, high frequency Class-D power amplifier

Номер патента: US5023566A. Автор: George Jernakoff,Sayed-Amr A. El-Hamamsy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1991-06-11.

Voltage and current sense circuits for measuring a load connected to a power amplifier

Номер патента: US20240329099A1. Автор: Marco Berkhout,Mike Hendrikus Splithof. Владелец: Goodix Technology Hong Kong Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Radio frequency power amplifier module integrated with a power control loop

Номер патента: US20040108895A1. Автор: Cheng-chi Hu,Janne-wha Wu,Ying-chou Shih. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2004-06-10.

Method and arrangement for controlling the operation of a high-frequency power amplifier

Номер патента: AU7699694A. Автор: André DEKKER. Владелец: Nokia Telecommunications Oy. Дата публикации: 1995-04-10.

Communication semiconductor integrated circuit, radio communication system, and adjustment method of gain and offset

Номер патента: US7961821B2. Автор: Kiyoharu Ozaki,Tatsuji Matsuura,Koichi Yahagi,Toshihito Habuka,Naoto Inokawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-14.

Communication semiconductor integrated circuit, radio communication system, and adjustment method of gain and offset

Номер патента: US20090080577A1. Автор: Kiyoharu Ozaki,Tatsuji Matsuura,Koichi Yahagi,Toshihito Habuka,Naoto Inokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-26.

Power amplifier and a rf transmitter and terminal including the amplifier

Номер патента: EP1611675A1. Автор: Hagen Roger Purschke. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2006-01-04.

High frequency power source allowing arbitrary setting of temporal change pattern for high frequency output power

Номер патента: US20220293393A1. Автор: KATSUNORI Tanaka,Toshihiro Takahara,Takamichi KISHIRA. Владелец: Adtec Plasma Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

High frequency power source allowing arbitrary setting of temporal change pattern for high frequency output power

Номер патента: US11875968B2. Автор: KATSUNORI Tanaka,Toshihiro Takahara,Takamichi KISHIRA. Владелец: Adtec Plasma Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor integrated bipolar switching circuit for controlling passage of signals

Номер патента: US4829202A. Автор: Kenneth Austin. Владелец: Pilkington Micro Electronics Ltd. Дата публикации: 1989-05-09.

Self-tuned matching network for high efficient power amplifiers

Номер патента: US20040056733A1. Автор: Chul Park. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-03-25.

Electrical circuit for generating precise high frequency oscillation intermittently modulatable in frequency

Номер патента: US3736529A. Автор: Der Floe H Van,J Langendorf. Владелец: Autophon AG. Дата публикации: 1973-05-29.

An oscillator circuit for generating a high-frequency electromagnetic oscillation

Номер патента: WO2004054090A9. Автор: Andreas Koellmann. Владелец: Andreas Koellmann. Дата публикации: 2005-06-23.

An oscillator circuit for generating a high-frequency electromagnetic oscillation

Номер патента: WO2004054090A1. Автор: Andreas Kollmann. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2004-06-24.

An oscillator circuit for generating a high-frequency electromagnetic oscillation

Номер патента: EP1573895A1. Автор: Andreas Philips Intell.Prop.&Stand.GmbH KÖLLMANN. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2005-09-14.

Digitally controlled rf power amplifier

Номер патента: US20230188103A1. Автор: Kang Yoon Lee,Jong Wan Jo,Reza Eftekhari Rad,Yeon Jae JUNG. Владелец: Skaichips Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Improved control of switcher regulated power amplifier modules

Номер патента: CA2623941C. Автор: Wen-Yen Chan,Nasserullah Khan. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2012-12-04.

Power amplifier linearization system and method

Номер патента: US20190058446A1. Автор: Yu Zhu,Paul T. Dicarlo,Oleksiy Klimashov,Dylan C. Bartle. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Wireless communications system, power supply system, and terminal device

Номер патента: US20230027340A1. Автор: Daiping Tang,Hsiang Hui CHANG,Feiyang HU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Circuit for amplifying ultra-high frequency oscillations in a wide frequency band.

Номер патента: CH271793A. Автор: Gloeilampenfabrieken N Philips. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1950-11-15.

Power amplifier and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110235689A1. Автор: Shouhei Kousai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Power amplifier and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8565341B2. Автор: Shouhei Kousai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-22.

Integrated circuit, wireless communication unit and method for providing a power supply

Номер патента: EP2671320A1. Автор: Paul Fowers,Patrick Stanley Riehl. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-12-11.

Integrated circuit, wireless communication unit and method for providing a power supply

Номер патента: WO2012104038A1. Автор: Paul Fowers,Patrick Stanley Riehl. Владелец: MEDIATEK SINGAPORE PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-08-09.

Bias circuit for a radio frequency power-amplifier and method therefor

Номер патента: EP2005600A1. Автор: Pierre Savary,Didier Salle,Arnaud Girardot,Gérald HAENNIG. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-12-24.

Radiofrequency power amplifier and coupling circuit for increasing video bandwidth

Номер патента: EP4239882A1. Автор: Yiping Sun,Lipeng ZHANG,Maoqing Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Power amplifier and radio communication device using the amplifier

Номер патента: US20060033564A1. Автор: Keiichi Yamaguchi,Hiroyuki Kayano,Yuta Araki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Power amplifier and radio communication device using the amplifier

Номер патента: US20060038613A1. Автор: Keiichi Yamaguchi,Hiroyuki Kayano,Yuta Araki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Power amplifier and radio communication device using the amplifier

Номер патента: US7046084B2. Автор: Keiichi Yamaguchi,Hiroyuki Kayano,Yuta Araki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-16.

Power amplifier and radio communication device using the amplifier

Номер патента: US7046085B2. Автор: Keiichi Yamaguchi,Hiroyuki Kayano,Yuta Araki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-16.

Radio-frequency power generator and control method

Номер патента: US20230246607A1. Автор: David J. Perreault,Haoquan Zhang,Anas AL BASTAMI. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-08-03.

Power amplifier and radio communication device using the amplifier

Номер патента: US20060033565A1. Автор: Keiichi Yamaguchi,Hiroyuki Kayano,Yuta Araki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Power amplifier and radio communication device using the amplifier

Номер патента: US20060038612A1. Автор: Keiichi Yamaguchi,Hiroyuki Kayano,Yuta Araki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Power amplifier and radio communication device using the amplifier

Номер патента: US7091776B2. Автор: Keiichi Yamaguchi,Hiroyuki Kayano,Yuta Araki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-08-15.

Power amplifier and radio communication device using the amplifier

Номер патента: US7095276B2. Автор: Keiichi Yamaguchi,Hiroyuki Kayano,Yuta Araki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-08-22.

Power amplifier and radio communication device using the amplifier

Номер патента: US20060033563A1. Автор: Keiichi Yamaguchi,Hiroyuki Kayano,Yuta Araki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Radio-frequency power generator and control method

Номер патента: US20240305254A1. Автор: David J. Perreault,Haoquan Zhang,Anas AL BASTAMI. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated power amplifier circuit

Номер патента: EP1658672A1. Автор: John Gillis,Mark Doherty,Michael McPartlin,David Helms,Phillip Antognetti. Владелец: Sige Semiconductor US Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Integrated power amplifier circuit

Номер патента: EP1656733A1. Автор: John Gillis,Mark Doherty,Michael McPartlin,David Helms,Phillip Antognetti. Владелец: Sige Semiconductor US Corp. Дата публикации: 2006-05-17.

Integrated power amplifier circuit

Номер патента: EP1654801A1. Автор: John Gillis,Mark Doherty,Michael McPartlin,David Helms,Phillip Antognetti. Владелец: Sige Semiconductor US Corp. Дата публикации: 2006-05-10.

Integrated power amplifier circuit

Номер патента: AU2004252928B2. Автор: John Gillis,Mark Doherty,Michael McPartlin,David Helms,Phillip Antognetti. Владелец: Sige Semiconductor US Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

High frequency power amplifivation device

Номер патента: US20240195369A1. Автор: Masatoshi Kamitani,Kazuhiko Ohhashi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-06-13.

Wireless Communication Unit, Integrated Circuit and Biasing Therefor

Номер патента: US20080204146A1. Автор: Jean-Jacques Bouny. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-08-28.

Power amplifier using coupler and electronic device including the same

Номер патента: US20230261615A1. Автор: Kyoungtae Kim,Youngoo Yang,Woojin Choi,Yifei CHEN,Seunghoon JEE,Youngyoon WOO,Hyunuk KANG,Jaekyung SHIN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-17.

Envelope tracking integrated circuit operable with multiple types of power amplifiers

Номер патента: US12063018B2. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Band-Reconfigurable and Load-Adaptive Power Amplifier

Номер патента: US20190199297A1. Автор: Dimitrios Peroulis,Kenle Chen. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-06-27.

Squelch circuitry for high speed high frequency operation

Номер патента: US20040120389A1. Автор: Ching-Lin Wu,Hung-Chih Liu,Hsien-Feng Liu. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor Integrated Circuit and Radio Communication Terminal Including the Same

Номер патента: US20160006477A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

High-frequency power amplifier circuit and electronic part for communication

Номер патента: US20060279359A1. Автор: Masahiro Tsuchiya,Takayuki Tsutsui,Tetsuaki Adachi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Electric power adjustment method, electric power adjustment program, electric power adjustment apparatus, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP3079262A1. Автор: Manabu Murakami,Yasuhiro Murakami,Masahiko Hirao,Yusuke Yamamori,Mikio Hayashihara,Nobuhide Hachiya,Yasuaki Takeuchi,Takashi Tanii. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-12.

Multimode power amplifier module, chip and communication terminal

Номер патента: EP4293900A3. Автор: Yunfang Bai. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Multimode power amplifier module, chip and communication terminal

Номер патента: EP4293900A2. Автор: Yunfang Bai. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

High frequency power amplifier module, and wireless communications system

Номер патента: US20020109549A1. Автор: Masatoshi Morikawa,Hitoshi Akamine,Tetsuaki Adachi,Yasuhiro Nunogawa,Masahito Numanami,Tsuyoshi Shibuya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

High frequency power amplifier

Номер патента: US20080088376A1. Автор: Haruhiko Koizumi,Masahiko Inamori,Kazuki Tateoka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-17.

Digital pre-distortion device and method for a broadband power amplifier

Номер патента: US20130200948A1. Автор: Sung Ho Choi,Yong Hoon Lee,Eui Rim Jeong. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2013-08-08.

Radio-frequency power amplifier with intermodulation distortion mitigation

Номер патента: US12119796B2. Автор: Nitesh Singhal. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Radio-frequency power amplifier with intermodulation distortion mitigation

Номер патента: US12126310B2. Автор: Nitesh Singhal. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Multimode Operation for Differential Power Amplifiers

Номер патента: US20160380601A1. Автор: Hervé Cam,Emmanuel Picard,Pascal Reynier. Владелец: ACCO. Дата публикации: 2016-12-29.

Power amplifier circuit

Номер патента: US20120062325A1. Автор: Youn Suk Kim,Jun Goo WON,Joong Jin NAM,Ki Joong KIM,Seong Geon KIM. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

Power supply circuit, power supply method, audio power amplifier and integrated circuit

Номер патента: US20240106394A1. Автор: Yi Ke,Jie Lu,Deheng Liu,Kezheng MA. Владелец: Wuhan Silicon Integrated Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Traveling wave power combiner and radio base station

Номер патента: US20010019289A1. Автор: Masami Ohnishi,Kenji Sekine,Ken Takei. Владелец: Ken Takei. Дата публикации: 2001-09-06.

Rf power amplifier

Номер патента: US20190207566A1. Автор: Daniel C. Boire. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Power amplifier with nulling monitor circuit

Номер патента: US20190115876A1. Автор: Christopher John Day. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Apparatus and method for power amplifying using predistortion and radio communication system having the apparatus

Номер патента: KR100509632B1. Автор: 김용섭,황인규,첸 류,레이놀드 왕. Владелец: 단암유에스에이 인코포레이티드. Дата публикации: 2005-08-22.

Radio-frequency Power Amplifier with Intermodulation Distortion Mitigation

Номер патента: US20230421122A1. Автор: Nitesh Singhal. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Radio frequency power amplifier based on current detection feedback, chip and communication terminal

Номер патента: US20200177142A1. Автор: Yunfang Bai,Jinxin ZHAO. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Bias circuit for independent control of on and off switching time

Номер патента: US20240243705A1. Автор: Zijiang Yang,Nuttapong Srirattana. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

High-frequency amplifier, feed-forward amplifier and distortion compensation amplifier

Номер патента: EP1317063A1. Автор: Masatoshi c/o MITSUBISHI DENKI K K NAKAYAMA,Kenichi c/o MITSUBISHI DENKI K K HORIGUCHI,Yukio c/o MITSUBISHI DENKI K K IKEDA,Satoshi c/o MITSUBISHI DENKI K K KUNUGI,Yuji c/o MITSUBISHI DENKI K K SAKAI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-04.

High-frequency circuit

Номер патента: US20040155712A1. Автор: Jiro Miyahara,Tatsunobu Inamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Equal power amplifier system for active phase array antenna and method of arranging same

Номер патента: US4825172A. Автор: James D. Thompson. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1989-04-25.

Power amplifier trimming based on coefficients for digital pre-distortion

Номер патента: US20240162922A1. Автор: Serge Francois Drogi. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Envelope tracking for doherty power amplifiers

Номер патента: US20200350866A1. Автор: David Richard Pehlke. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Power amplifier linearization circuit and related apparatus

Номер патента: US20210288617A1. Автор: Baker Scott,Michael F. Zybura,Toshiaki Moriuchi,Edward T. Spears,Mikyung Cho. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Power amplifiers with adaptive bias for envelope tracking applications

Номер патента: US20230291370A1. Автор: Georgios Palaskas,Aleksey A. LYALIN,Shayan Farahvash,Huiming Xu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Bias-based power amplifier load modulation

Номер патента: US20240322771A1. Автор: Florinel G. Balteanu,Yunyoung Choi,Sruthi Venimadhavan,Kiran Tej Thoomu,Ashish Vijay Pingale,Saunak Sarkar. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Differential source follower driven power amplifier

Номер патента: US09985591B2. Автор: Darryl Jessie,Jeremy Goldblatt. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Low Dropout Voltage Regulator for Highly Linear Radio Frequency Power Amplifiers

Номер патента: US20190229682A1. Автор: Gorbachov Oleksandr,Zhang Lisette L.. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

Power amplifier circuit

Номер патента: US20190199302A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Yasuhisa Yamamoto,Takayuki Tsutsui. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Rf circuit for preventing damage to power amplifier

Номер патента: US20240097622A1. Автор: Taeyoung Kim,Dongil YANG,Hyoseok NA,Yousung LEE,Yohan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Power amplifying module

Номер патента: US11817836B2. Автор: Hideyuki Sato,Kenji Tahara,Yoshiaki SUKEMORI,Hisanori Namie. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Power amplifier having transformer

Номер патента: US20100148872A1. Автор: Akihiko Furukawa,Yasuhiro Kagawa,Satoshi Yamakawa,Tsuyoshi Kawakami. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Power amplifier system with adjustable signal path for multiple-modes

Номер патента: US20230370027A1. Автор: Valter Karavanic,Neal J. Tuffy,Martin John O’Flaherty,Michael John Ball,Alasdair Bruce. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Power amplifier circuit

Номер патента: US20210044263A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Yasuhisa Yamamoto,Takayuki Tsutsui. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Mixed-signal power amplifier and transmission systems and methods

Номер патента: US20190097586A1. Автор: SONG Hu,Hua Wang,Fei Wang,Huy Thong NGUYEN. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Switchable supply and tunable load impedance power amplifier

Номер патента: US20160373064A1. Автор: Saihua LIN,Jonghoon Choi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Fir/iir filter predistorter for power amplifiers exhibiting short-term and/or long-term memory effects

Номер патента: EP2820762A1. Автор: Chunlong Bai,Sai Mohan Kilambi,Yuxing Zhang. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2015-01-07.

Dual-band monolithic microwave ic (mmic) power amplifier

Номер патента: WO2023018882A1. Автор: Miroslav Micovic,Katherine J. Herrick,Andrew D. Gamalski. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-02-16.

Compensating power amplifier distortion

Номер патента: US20240223135A1. Автор: Esa Tapani Tiirola,Kari Pekka Pajukoski,Oskari TERVO,Samad Ali. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-07-04.

Tunable high-frequency push-pull power amplifier

Номер патента: US2662127A. Автор: Boterweg Dirk,Robeer Andries Gerrit. Владелец: Hartford National Bank and Trust Co. Дата публикации: 1953-12-08.

Power tube connection structure of power amplifier and power amplifier

Номер патента: CA2976522C. Автор: LIANG Xu,Qingyun WANG,Songlin Li,Pengbo TIAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-28.

Mmic folded power amplifier

Номер патента: WO2002025810A2. Автор: Kenneth V. Buer,Michael R. Lyons,Christopher D. Grondahl. Владелец: U.S. Monolithics, L.L.C.. Дата публикации: 2002-03-28.

Dual-band monolithic microwave ic (mmic) power amplifier

Номер патента: EP4385126A1. Автор: Miroslav Micovic,Katherine J. Herrick,Andrew D. Gamalski. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-06-19.

D-class power amplifier with electric power regeneration function

Номер патента: US20020180524A1. Автор: Jun Honda,Tsutomu Kawamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Electronic device and method for switching power amplifiers

Номер патента: US20150133103A1. Автор: Dong-Ju Lee,Ji-Woo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-14.

Electronic device and method for switching power amplifiers

Номер патента: US9998078B2. Автор: Dong-Ju Lee,Ji-Woo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Feedforward linearization of rf power amplifiers

Номер патента: EP2277262A1. Автор: G. Patrick Martin,James Tonti,Christopher D . Moffatt. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2011-01-26.

Feedforward linearization of rf power amplifiers

Номер патента: WO2009123999A1. Автор: G. Patrick Martin,James Tonti,Christopher D . Moffatt. Владелец: HARRIS CORPORATION. Дата публикации: 2009-10-08.

A monolithically integrated dual-band RF power amplifier

Номер патента: LU101198B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2019-08-26.

Differential source follower driven power amplifier

Номер патента: US20180123532A1. Автор: Darryl Jessie,Jeremy Goldblatt. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Combined feedback and feed-forward linearisation of rf power amplifiers

Номер патента: EP2277263A1. Автор: Mikkel Christian Wendelboe Hoyerby,Niels-Henrik Lai Hansen. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2011-01-26.

Combined feedback and feed-forward linearisation of rf power amplifiers

Номер патента: WO2009134590A4. Автор: Mikkel Christian Wendelboe Hoyerby,Niels-Henrik Lai Hansen. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2010-01-14.

An electron tube circuit for frequency separation

Номер патента: GB793592A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables PLC. Дата публикации: 1958-04-16.

Distributed circular geometry power amplifier architecture

Номер патента: US6737948B2. Автор: Ichiro Aoki,Seyed-Ali Hajimiri,Scott David Kee,David B. Rutledge. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2004-05-18.

High Frequency Wide Band Power Amplifier

Номер патента: CA2107733A1. Автор: JEAN Michel,Jean-Claude Combe,Hermino De Faria. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-04-10.

Circuit for interfacing a balanced radio frequency power amplifier with an unbalanced load

Номер патента: US20010004224A1. Автор: Jesper Riishoej,Peter Lerke. Владелец: Nokia Mobile Phones Ltd. Дата публикации: 2001-06-21.

Dual connectivity power amplifier system

Номер патента: US11949389B2. Автор: Roman Zbigniew Arkiszewski,Jeffrey Gordon Strahler. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Compensating power amplifier distortion

Номер патента: EP4331113A1. Автор: Esa Tapani Tiirola,Kari Pekka Pajukoski,Oskari TERVO,Samad Ali. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-03-06.

Power amplifier

Номер патента: EP2382705A1. Автор: Mark Pieter Van Der Heijden,Melina Apostolidou,Mustafa Acar,Jan Sophia Vromans. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-11-02.

Power Amplifier

Номер патента: US20110260791A1. Автор: Mark Pieter Van Der Heijden,Melina Apostolidou,Mustafa Acar,Jan Sophia Vromans. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-10-27.

Simulation post processor for a dual-mode power amplifier

Номер патента: US20230394201A1. Автор: Neal J. Tuffy. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Valley detection for supply voltage modulation in power amplifier circuits

Номер патента: EP3631981A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-08.

Grounded rf power amplifier circuit apparatus

Номер патента: CA1115347A. Автор: Forest M. Cummings. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1981-12-29.

Power interface circuit for a tdma transmitter

Номер патента: WO1998042080A1. Автор: Per-Olof Magnus Brandt. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 1998-09-24.

Resonance Mitigation In RF High Power Amplifier Enclosure

Номер патента: US20180041172A1. Автор: Vipin Tyagi,Soundarakumar MASILAMANI,Theepak SHOUNDRABALAN,Vijaya Suresh NAMBURI,Selvapriya RADHAKRISHNAN,Devadas BHASKARAN. Владелец: Centre for Development of Telematics C DOT. Дата публикации: 2018-02-08.

High-frequency signal amplifier

Номер патента: US8653888B2. Автор: Shinsuke Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Power amplifier system including a composite digital predistorter

Номер патента: WO2014137783A2. Автор: Hao Zhou,Ning Zhang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-12.

Resonance mitigation in RF high power amplifier enclosure

Номер патента: US10340856B2. Автор: Vipin Tyagi,Soundarakumar MASILAMANI,Theepak SHOUNDRABALAN,Vijaya Suresh NAMBURI,Selvapriya RADHAKRISHNAN,Devadas BHASKARAN. Владелец: Centre for Development of Telematics C DOT. Дата публикации: 2019-07-02.

ARCHITECTURE FOR HIGH-BANDWIDTH POWER SUPPLY TO POWER AMPLIFIER (PA) DISTRIBUTION NETWORK

Номер патента: US20190044481A1. Автор: SCUDERI Antonino,MARRA Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

Circuit for controlling input voltage applied to a power amplifier in a mobile communication system

Номер патента: KR100312338B1. Автор: 김선호. Владелец: 엘지정보통신주식회사. Дата публикации: 2001-11-03.

Voltage and current sense circuits for measuring load connected to power amplifier

Номер патента: WO2023109760A1. Автор: Marco Berkhout,Mike Hendrikus Splithof. Владелец: Goodix Technology (Hk) Company Limited. Дата публикации: 2023-06-22.

High frequency intensity amplifier circuitry arrangement for indoor cable television

Номер патента: CA2187815A1. Автор: Bark-Lee Yee. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-04-11.

Power amplification high-frequency circuit device

Номер патента: US20240213189A1. Автор: Takeshi Oshima,Yuta Sugiyama,Hidenori Ishibashi,Hidenori Yukawa,Miki Kagano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Protective circuit for complementary field-effect transistors

Номер патента: US4630164A. Автор: Bengt G. Olsson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-12-16.

Off-chip LC circuit for lowest ground and VDD impedance for power amplifier

Номер патента: US20050200426A1. Автор: Jesus Castaneda,Qiang (Tom) Li. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Off-chip LC circuit for lowest ground and VDD impedance for power amplifier

Номер патента: US7321273B2. Автор: Jesus Alfonso Castaneda,Qiang (Tom) Li. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-01-22.

Temperature compensating circuit for limiting of over power outputting in power amplifier

Номер патента: KR100651503B1. Автор: 정상훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-28.

Semiconductor device having balanced circuit for use in high frequency band

Номер патента: US20040178854A1. Автор: Akira Inoue,Akira Ohta,Seiki Goto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Phase correction circuit for transistor using high-frequency signal

Номер патента: US20030112054A1. Автор: Yoshinobu Sasaki,Mamiko Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Power amplifier device with built-in power supply unit

Номер патента: RU2701486C1. Автор: Сергей Вячеславович Власкин,Виталий Геннадиевич Соколов,Иван Николаевич Логунов,Виктор Николаевич Погосьян. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение Ангстрем". Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor integrated circuit, reception device, memory system, and semiconductor storage device for reducing power consumption of equalizer

Номер патента: US11989442B2. Автор: Shinichi Ikeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

High-frequency module

Номер патента: US20240030165A1. Автор: Takashi Yamada,Kiyoshi Aikawa,Takanori Uejima,Hiromichi Kitajima,Yoshihiro DAIMON. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

High-frequency module

Номер патента: US20240014832A1. Автор: Takashi Yamada,Kiyoshi Aikawa,Takanori Uejima,Hiromichi Kitajima,Yoshihiro DAIMON. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

High-frequency power supply device

Номер патента: US20240222074A1. Автор: Yuichi Hasegawa,Yuya Ueno. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

High frequency circuit module

Номер патента: US20140133103A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Tomohiro Igarashi. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

High-Frequency Circuit Module

Номер патента: US20140055956A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Tomohiro Igarashi. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2014-02-27.

Impedance-matching switching circuit, antenna device, high-frequency power amplifying device, and communication terminal apparatus

Номер патента: US20140062817A1. Автор: Noboru Kato,Kenichi Ishizuka,Noriyuki Ueki,Koji Shiroki. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

High frequency circuit module

Номер патента: US20140132365A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Tomohiro Igarashi. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

High frequency circuit module

Номер патента: US20140347145A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Tomohiro Igarashi. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2014-11-27.

High frequency power source allowing arbitrary setting of temporal change pattern for high frequency output power

Номер патента: US20220293393A1. Автор: KATSUNORI Tanaka,Toshihiro Takahara,Takamichi KISHIRA. Владелец: Adtec Plasma Tech Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Plasma processing device, high-frequency power supply circuit, and impedance matching method

Номер патента: US20240120179A1. Автор: Kazunori Koga,Masaharu Shiratani,Tatsuo Matsudo,Takahiro Shindo,Kunihiro KAMATAKI. Владелец: Kyushu University NUC. Дата публикации: 2024-04-11.

Method and apparatus for high speed on-chip signal propagation

Номер патента: EP1035653A3. Автор: Nital P. Patwa,James Vinh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-02-07.

Communication system and oscillation signal provision method

Номер патента: US20090201092A1. Автор: Ti-Wen Yuan,Chung-Shine Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

High-frequency power supply device and output method of high-frequency power

Номер патента: US11769651B2. Автор: Koji Itadani,Satoru Hamaishi,Katsuyuki Fukano,Yuya NAKAMORI. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Integrated circuit arrangement for demodulating an amplitude modulated high frequency signal

Номер патента: US3585511A. Автор: Eckart Schatter,Walter O Spichall. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1971-06-15.

Resonance type high frequency power supply device and switching circuit for resonance type high frequency power supply device

Номер патента: JPWO2015063916A1. Автор: 好幸阿久澤,阿久澤　好幸,有基伊藤,清秀酒井,酒井　清秀,俊裕江副. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Resonant type high frequency power supply device and switching circuit for resonant type high frequency power supply device

Номер патента: KR20160077195A. Автор: 유키 이토,요시유키 아쿠자와,도시히로 에조에,기요히데 사카이. Владелец: 미쓰비시 덴끼 엔지니어링 가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-07-01.

Resonant type high frequency power supply device and switching circuit for resonant type high frequency power supply device

Номер патента: US9882509B2. Автор: Yuki Ito,Toshihiro Ezoe,Yoshiyuki Akuzawa,Kiyohide Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Systems and methods for compressing high frequency signals

Номер патента: DK179177B1. Автор: Brian F HOWARD. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 2018-01-08.

A method of impedance matching the output impedance of a high frequency power supply arrangement to the impedance of a plasma load and high frequency power supply arrangement

Номер патента: DE102011076404B4. Автор: Rolf Merte. Владелец: Trumpf Huettinger GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-06-26.

A method of impedance matching the output impedance of a high frequency power supply arrangement to the impedance of a plasma load and high frequency power supply arrangement

Номер патента: DE102011076404A1. Автор: Rolf Merte. Владелец: Huettinger Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for impedance matching the output impedance of a high-frequency power supply arrangement to the impedance of a plasma load, and high frequency power supply arrangement

Номер патента: WO2012159620A2. Автор: Rolf Merte. Владелец: Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg. Дата публикации: 2012-11-29.

Frequency converter circuit for a radar-based measuring device

Номер патента: US11054512B2. Автор: Peter KLÖFER,Thomas Blödt. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 2021-07-06.

Flat cable high-frequency filter, flat cable high-frequency diplexer, and electronic device

Номер патента: US20150325900A1. Автор: Noboru Kato,Jun Sasaki,Kuniaki Yosui,Satoshi Ishino,Takahiro Baba,Yasuko YOSHINAGA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Control circuit for tuning a high-frequency input circuit

Номер патента: GB2154818A. Автор: Martin Englmeier. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1985-09-11.

Control circuit for tuning a high-frequency input circuit

Номер патента: GB2154818B. Автор: Martin Englmeier. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1987-10-14.

HIGH FREQUENCY OSCILLATOR, HIGH FREQUENCY WELDING SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING THE FREQUENCY USING SAID TYPE OF HIGH FREQUENCY OSCILLATOR

Номер патента: US20190039327A1. Автор: MARTINEZ VELA Fernando. Владелец: KIEFEL GMBH. Дата публикации: 2019-02-07.

HIGH FREQUENCY OSCILLATOR, HIGH FREQUENCY WELDING SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING THE FREQUENCY USING SAID TYPE OF HIGH FREQUENCY OSCILLATOR

Номер патента: US20160067915A1. Автор: MARTINEZ VELA Fernando. Владелец: KIEFEL GMBH. Дата публикации: 2016-03-10.

High frequency oscillator, high frequency welding system and method for controlling the frequency using said type of high frequency oscillator

Номер патента: CN105247780A. Автор: 费尔南多·马丁内斯·维拉. Владелец: KIEFEL GMBH. Дата публикации: 2016-01-13.

High-frequency surface acoustic wave resonator and method for making the same

Номер патента: US11804821B2. Автор: Kai Huang,Hongyan Zhou,Xin Ou,Shibin Zhang,Chengli WANG,Pengcheng ZHENG. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2023-10-31.

Pulsed high frequency monitor

Номер патента: US11852665B2. Автор: Hiroyuki Kojima,Ryota Suzuki. Владелец: Kyosan Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Pulsed high frequency monitor

Номер патента: EP4012994A1. Автор: Hiroyuki Kojima,Ryota Suzuki. Владелец: Kyosan Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-15.

Pulsed high frequency monitor

Номер патента: US20220276289A1. Автор: Hiroyuki Kojima,Ryota Suzuki. Владелец: Kyosan Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Switch circuit for ultra-high frequency band

Номер патента: US11955961B2. Автор: Jongmin Lee,Dong Min Kang,Hong Gu Ji,Byoung-Gue Min,Kyu Jun CHO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-04-09.

Detection circuit for small amplitude high-frequency signals

Номер патента: EP0351601B1. Автор: Bruno Fognini. Владелец: Siemens Albis AG. Дата публикации: 1992-12-09.

An oscillator circuit for generating a high-frequency electromagnetic oscillation

Номер патента: AU2003286326A1. Автор: Andreas Kollmann. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-30.

Radio frequency power supply system and a method for performing impedance matching by utilizing radio frequency power supply system

Номер патента: CN104349567A. Автор: 张璐. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6559718B2. Автор: Ryotaro Kudo,Jin Kiong Ang,Shin Chiba. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-05-06.

Switching power amplifier

Номер патента: US4763080A. Автор: Zdzislaw Gulczynski. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-08-09.

Wireless communication unit, integrated circuits and method for linearizing a transmitter signal

Номер патента: US20160065250A1. Автор: Jeffrey Kevin Jones,Youri Volokhine. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

High frequency module and communication device

Номер патента: US20240292519A1. Автор: Tomoaki Sato,Hiroyuki Kani,Keisuke Arima. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for amplification of electric and radio signals and device for its implementation-analogue-digital amplifier of electric and radio signals

Номер патента: RU2730409C2. Автор: Сергей Николаевич Панычев,Николай Андреевич Самоцвет,Амер Фархан Шит. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Инновационный Центр Самоцвет". Дата публикации: 2020-08-21.

High electron mobility transistor, radio frequency transistor, power amplifier, and preparation method for high electron mobility transistor

Номер патента: US20240322029A1. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Radio frequency power amplifier module using cavity and submodule technologies

Номер патента: US20240146257A1. Автор: Wei-Shun Wang,Chang Kyu Choi,Wangmyong Woo,Ricardo Javier Torres. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Driving circuit for audio power amplifier and electronic device

Номер патента: US20240235499A9. Автор: Ronglin Linghu. Владелец: AAC Microtech Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

High-frequency power supply device and output control method for high-frequency power

Номер патента: EP4451541A1. Автор: Satoshi Kawai,Takuya Yoshida,Hiroshi Kunitama. Владелец: Kyosan Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Power amplifier, non-linear distortion correcting method of power amplifier and radio communication device

Номер патента: US20110121899A1. Автор: Masahiro Kawai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-05-26.

Radio frequency power amplifier system and method of linearizing an output signal thereof

Номер патента: US12052004B2. Автор: Mats Carlsson. Владелец: Quantairf Ag. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor integrated circuit power amplifier device

Номер патента: GB2073489A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-10-14.

Unilateral feedback power amplifier and method for realizing the same

Номер патента: US20090009255A1. Автор: Zuo-Min Tsai,Huei Wang,George D. Vendelin. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-08.

Gate protection diode for high-frequency power amplifier

Номер патента: US20110169094A1. Автор: Hideyuki Ono,Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Gate protection diode for high-frequency power amplifier

Номер патента: US8294204B2. Автор: Hideyuki Ono,Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Gate protection diode for high-frequency power amplifier

Номер патента: US7932562B2. Автор: Hideyuki Ono,Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-26.

High-frequency power amplifier module

Номер патента: US20020089380A1. Автор: Masatoshi Morikawa,Isao Yoshida,Toru Fujioka,Mineo Katsueda,Kenji Sekine,Yoshikuni Matsunaga,Osamu Kagaya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Power amplifier with two transistors and traces forming two transformers

Номер патента: US8130040B2. Автор: Robert Bogdan Staszewski,See Taur Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-03-06.

Semiconductor integrated circuit device, electronic device, and radio communication device

Номер патента: US9136801B2. Автор: Seiji Yamamoto,Yutaka Uneme,Miki Shiraishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-15.

Radio frequency power amplifier and method using an amplitude control system

Номер патента: WO2006116743A3. Автор: Richard Wilson,David Lovelace,William Martin Snelgrove,Kelly Mekechuk,Thomas A Blease Jr. Владелец: Pulsewave Rf Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

High-frequency power supply system

Номер патента: US11756768B2. Автор: Yuichi Hasegawa,Yuya Ueno. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Radio frequency power amplifier and method using an amplitude control system

Номер патента: WO2006116743A2. Автор: Richard Wilson,David Lovelace,William Martin Snelgrove,Kelly Mekechuk,Thomas A. Blease, Jr.. Владелец: Pulsewave Rf, Inc.. Дата публикации: 2006-11-02.

Integrated power amplifier

Номер патента: US20100271131A1. Автор: Robert Bogdan Staszewski,See Taur Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-10-28.

Integrated power amplifier

Номер патента: US20100007423A1. Автор: Robert Bogdan Staszewski,See Taur Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Output matching circuit and power amplifier comprised thereof

Номер патента: US12074574B2. Автор: Xiumei Cao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of amplifying and demodulating frequency-modulated signals and device therefor

Номер патента: RU2599964C1. Автор: Владислав Викторович Кирюшкин,Александр Афанасьевич Головков,Владимир Николаевич Гаврюшин,Ибрагим Нугаевич Нугаев. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20100225396A1. Автор: Ryota Terauchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

D-class audio power amplifier and method thereof

Номер патента: US20060114058A1. Автор: Chuan-Chu Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-01.

Power supply device for high frequency power amplification circuit and high frequency power amplification device

Номер патента: US20150002232A1. Автор: Hitoshi Tsuji. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Ka-BAND GALLIUM-NITRIDE (GaN) MONOLITHIC-MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT (MMIC) POWER AMPLIFIER CIRCUIT AND AMPLIFIER

Номер патента: US20240267009A1. Автор: Yu Wang,Zhipeng Ren,Hanbin Qu,Zhaotan Cui,Xuelong Jiao,Pengbo Du. Владелец: North China Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040119532A1. Автор: Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

Time-shared moving-object radio communication system and device with power amplifier linearizing facilities

Номер патента: RU2109403C1. Автор: Патрик Ван Ден Хевель Энтони,Томас Вэлентайн Стефен,Боскович Дрэгэн. Владелец: Моторола Инк.. Дата публикации: 1998-04-20.

Bias compensation circuit for RF power amplifier

Номер патента: US7233208B2. Автор: Matthew Russell Greene. Владелец: Amptech Inc. Дата публикации: 2007-06-19.

Power amplifier and radio frequency module

Номер патента: US20240146262A1. Автор: Kazuya Yamamoto,Ko Kanaya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for isolating transmission lines of radio frequency power amplifier and transmission structure for radio frequency power amplifier

Номер патента: US20230246608A1. Автор: Huan Huang,Jiashuai GUO. Владелец: Lansus Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030075771A1. Автор: Masahiro Shiina. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor integrated circuit with noise reduction circuit

Номер патента: US20050249005A1. Автор: Hiroyuki Nakamoto,Kunihiko Gotoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

High-frequency signal processing apparatus and wireless communication apparatus

Номер патента: US09955435B2. Автор: SATOSHI Tanaka,Taizo Yamawaki,Takayuki Tsutsui,Kiichiro TAKENAKA,Shun Imai. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

High frequency power amplifier

Номер патента: US20090251209A1. Автор: Yutaka Yoshii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

High-frequency power amplifier device

Номер патента: US20070229170A1. Автор: Masahiro Maeda,Katsuhiko Kawashima,Masatoshi Kamitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-04.

Wireless communication unit and semiconductor device having a power amplifier therefor

Номер патента: US20110031571A1. Автор: Gerard Bouisse. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-10.

Gallium arsenide power amplifier output stage

Номер патента: RU2767976C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-22.

High frequency power amplifier

Номер патента: US6157258A. Автор: Gary C. Adishian,Daniel J. Lincoln,Robert Sengillo, Jr.,John Cunliffe. Владелец: Ameritherm Inc. Дата публикации: 2000-12-05.

Analogue pre-distortion linearizer for power amplifier

Номер патента: RU2692966C1. Автор: Сергей Владимирович Петушков,Егор Николаевич Вильдерман. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2019-06-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050040869A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222686A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit and radio communication apparatus

Номер патента: US20110227656A1. Автор: Yuji Satoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

High frequency semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240322808A1. Автор: Takayuki Teraguchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Radio receiver and radio communication system

Номер патента: US20030050034A1. Автор: Yasuhiro Yokota. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Semiconductor integrated circuit for power supply, and power supply system

Номер патента: US12095349B2. Автор: Kazuhiro Murakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Test circuit for integrated analog-to-digital converters

Номер патента: EP1145442A2. Автор: Jean-Yves Michel. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Test circuit for integrated analog-to-digital converters

Номер патента: WO2001029970A3. Автор: Jean-Yves Michel. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-11-01.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6703955B2. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030197634A1. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor integrated circuit and high frequency module with the same

Номер патента: US20120229192A1. Автор: TAKASHI Ogawa,Shinichiro Takatani,Yasushi Shigeno,Kaoru Katoh,Shigeki Koya,Akishige Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor integrated circuit and broadcast receiver

Номер патента: US20110188608A1. Автор: Yasuo Oba. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: US20090273366A1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: EP2053746B1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-08-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080169950A1. Автор: Naoki Yamada,Naoki Kuroda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor integrated circuit and image sensor

Номер патента: US20140070975A1. Автор: Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040113224A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US20220416795A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US11750202B2. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020015347A1. Автор: Ayako Kitamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Physically unclonable function for an integrated circuit

Номер патента: WO2024142056A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Nir SEVER,Boaz Katz,Shelley LAN. Владелец: Proteantecs Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160087617A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Information processing apparatus with semiconductor integrated circuit capable of reducing amount of radiation noise and control method therefor

Номер патента: US20160233857A1. Автор: Tadashi Kawaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor integrated circuit, method of controlling semiconductor integrated circuit, and circuit system

Номер патента: US20240097687A1. Автор: Kiyohito Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150244380A1. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20090102531A1. Автор: Hideo Ito,Kazutero Nanba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-23.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: AU2002339165A1. Автор: Hirotaka Osawa,Masumi Kasahara,Robert Astle Henshaw. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020005742A1. Автор: Tatsumi Yamauchi,Kazuharu Kuchimachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240283440A1. Автор: Kang Min Lee,Young Jin Yoon,Sang Min Jun,Kwang Kyung Lee,Seung Cheol Bae,Sun Byeong Yoon. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130207692A1. Автор: Eiji Sawada,Tokio Tanaka,Toshiyuki Furusawa,Hiroyuki Fujioka,Satoko Kawakami,Hitoshi Nemoto,Nariyuki Fukuda,Noriyuki Moriyasu,Isao Ooigawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor integrated circuit device and method of laying out clock driver used in the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014898A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100327962A1. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit for realizing coding circuit

Номер патента: US7095895B2. Автор: Jun-Ichi Okamura,Tatsuo Tsujita. Владелец: THine Electronics Inc. Дата публикации: 2006-08-22.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050185440A1. Автор: Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit device, and motor-drive control system

Номер патента: US20210091691A1. Автор: Hideki Kimura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor integrated circuit and electronic circuit

Номер патента: US20090128210A1. Автор: Takuji Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Reset detection circuit in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070210834A1. Автор: Akira Suzuki,Hideaki Ishihara,Yasuyuki Ishikawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190348093A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070176674A1. Автор: Tomoki Shioda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Power supply semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220075004A1. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor integrated circuit and layout design method thereof

Номер патента: US20020003243A1. Автор: Hirotaka Shimoshige. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor integrated circuit device and pulse width changing circuit

Номер патента: US20020140459A1. Автор: Satoshi Eto,Kuninori Kawabata,Haruki Toda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (PLL) circuit, and system

Номер патента: US12040806B2. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor integrated circuit, A/D converter, delta sigma-type A/D converter, incremental delta sigma-type A/D converter, and switched capacitor

Номер патента: US10985772B2. Автор: Naoya Waki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Semiconductor integrated circuit having an on-chip pll and operating method thereof

Номер патента: US20120242384A1. Автор: Takahiro Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor integrated circuit with reduced current consumption

Номер патента: US20070109036A1. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170262331A1. Автор: Takanori Miyoshi,Yoshiyuki Amanuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit operable as a phase-locked loop

Номер патента: EP1791261A3. Автор: Masaya C/O Fujitsu Limited Tamamura,Syouji c/o FUJITSU LIMITED Ohishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-25.

Semiconductor integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080265934A1. Автор: Hayato Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200286882A1. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Dynamic semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020180485A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050007827A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Local skew detecting circuit for semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20090015307A1. Автор: Hong-Sok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240258786A1. Автор: Yoichi Takano,Chuhei Terada. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12072375B2. Автор: Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US20090096516A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US8053934B2. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8445943B2. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240204767A1. Автор: Kosuke Yamamoto. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240146300A1. Автор: Kohei Sakurai,Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor integrated circuit, layout design system, layout designing method, and non-transitory computer-readable storage medium storing program

Номер патента: EP4386842A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12046301B2. Автор: Sachio Ogawa,Masanori OKINOI,Ryo AZUMAI,Kiichi HAMASAKI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Impedance control circuit for controlling multiple different impedances with single control circuit

Номер патента: US20040000926A1. Автор: Takeshi Ooshita. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-01-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110175197A1. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US20170005649A1. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170111032A1. Автор: Chun-Wei Chang,Ching-Chih Li,Chun-Neng Liao,Chee-Kong Ung,Meng-Hsin CHIANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US11742835B2. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor integrated circuit with radiation resistance

Номер патента: US20210021266A1. Автор: Youichi Satou,Masazumi Shiochi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140375379A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020186067A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040145021A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-07-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070183226A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080290932A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Input/output circuit of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020175734A1. Автор: Hideo Oishi,Masanori Hirofuji,Tadayoshi Seike. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor integrated circuit and signal processing device

Номер патента: US20230308319A1. Автор: Mitsuyuki ASHIDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6687107B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7009830B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-07.

Semiconductor integrated circuit and image capturing apparatus

Номер патента: US09986185B2. Автор: Tohru Kanno,Yuuya Miyoshi,Sho KAMEZAWA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09966956B2. Автор: Jung Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09893065B2. Автор: Hiroshi Kanno,Hitoshi Sumida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Superheterodyne receiver apparatus, superheterodyne receiving method and semiconductor integrated circuit for superheterodyne receiver apparatus

Номер патента: US20120135699A1. Автор: Kiminori Yashima,Nobutaka Shimizu. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: USRE49986E1. Автор: Hiromi Ogata. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor integrated circuit and method for desigining the same

Номер патента: US20130305208A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20120242368A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor integrated circuit and transmitter apparatus having the same

Номер патента: US20100245663A1. Автор: Toru Iwata,Hirokazu Sugimoto,Ryogo Yanagisawa,Manabu Kawabata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10685685B2. Автор: Masanobu Hirose. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-06-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP4068358A2. Автор: Yasuhiro Yadoguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010026171A1. Автор: Yasuhiko Hagihara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Wideband modification of high-frequency key power amplifier

Номер патента: RU2732966C1. Автор: Вячеслав Вячеславович Воронович,Артур Геннадьевич Гадзиковский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2020-09-25.

Induction plant for surface hardening of gear-wheel members, method for high-frequency check of gear-wheel member temperature, induction hardening plant, method for high- frequency control of power supply to induction hardening plant

Номер патента: RU2113773C1. Автор: М.Сторм Джон,Л.Гиббс Спенсер. Владелец: Контоур Хаднинг, Инк.. Дата публикации: 1998-06-20.

Low temperature sintering ceramic composition for use in high frequency, method of fabricating the same and electronic component

Номер патента: US20060058170A1. Автор: Kiyoshi Mizushima,Mikio Takimoto,Naoki Kidani. Владелец: Nikko Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-16.

Low temperature sintering ceramic composition for use in high frequency, method of fabricating the same and electronic component

Номер патента: WO2004060829A1. Автор: Kiyoshi Mizushima,Mikio Takimoto,Naoki Kidani. Владелец: NIKKO COMPANY. Дата публикации: 2004-07-22.

Integrated circuit (ic) structure for high performance and functional density

Номер патента: US20200066584A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Kuan-Chieh Huang,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Integrated circuit (ic) structure for high performance and functional density

Номер патента: US20200043783A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Kuan-Chieh Huang,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

High-frequency current suppression body using magnetic loss material exhibiting outstanding complex permeability characteristics

Номер патента: MY128406A. Автор: Koji Kamei,Shinya Watanabe,Yoshio Awakura. Владелец: NEC Tokin Corp. Дата публикации: 2007-01-31.

Modular circuit for compensating for radio signal attenuation

Номер патента: RU2435299C2. Автор: Гельмут НАСТ,Раймо ЯКОБИ,Франк ХЕЙДЕР. Владелец: Функверк Дабендорф Гмбх. Дата публикации: 2011-11-27.

High frequency module and communication apparatus

Номер патента: US20230411377A1. Автор: Masanori Kishimoto,Atsushi Ono,Yoshiaki SUKEMORI,Yoshiki KOGUSHI,Kenichi Shimamoto,Hisanori Namie. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Multi-band high-frequency circuit, multi-band high frequency circuit component and multi-band communication apparatus using same

Номер патента: US7982554B2. Автор: Masayuki Uchida,Shigeru Kemmochi,Kazuhiro Hagiwara,Keisuke Fukamachi. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2011-07-19.

Case of powerful hybrid ultra-high frequency integrated circuit

Номер патента: RU2659304C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Михаил Сергеевич Попов,Михаил Миронович Крымко,Андрей Анатольевич Пронин,Вадим Владимирович Груздов,Александр Дмитриевич Першин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2018-06-29.

High frequency heating apparatus

Номер патента: US20240196486A1. Автор: Takashi Uno,Mikio Fukui,Shinji Takano,Daisuke Hosokawa,Chikako HOSOKAWA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and arrangement in a communication system

Номер патента: US20110275405A1. Автор: Jacob ÖSTERLING,Ulf Backman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-10.

Signal synchronization method and apparatus for high frequency communication

Номер патента: US20170251444A1. Автор: Yi Wang,Lei Huang,Zhenyu Shi. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Fluororesin material, fluororesin material for high frequency transmission, and covered electric wire for high-frequency transmission

Номер патента: US11926753B2. Автор: Masahiro Kondo,Hitoshi Imamura. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Dc bias suppression method and high-frequency power conversion circuit using the same

Номер патента: EP4443724A1. Автор: HONG Liu,Wen Zhang,Baihui SONG. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Systems and methods for emergency operation of a wireless communication system

Номер патента: US20190166511A1. Автор: Karl-Heinz Fackler,Alexander Kopp,Jaroslav Hoffmann,Andreas Biehler,Peter Starek. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2019-05-30.

Systems and methods for emergency operation of a wireless communication system

Номер патента: US10425847B2. Автор: Karl-Heinz Fackler,Alexander Kopp,Jaroslav Hoffmann,Andreas Biehler,Peter Starek. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2019-09-24.

Engine fault detection system based on high-frequency signals supply by means of communication

Номер патента: RU2730902C1. Автор: Вэй Чен,Синьминь ЛИ,Тинна ШИ,Чанлян СЯ,Шухай ДУН. Владелец: Тяньгун Юниверсити. Дата публикации: 2020-08-26.

High-frequency power supply device

Номер патента: US20230207268A1. Автор: Yuichi Hasegawa,Yuya Ueno. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Integrated cold plasma and high frequency plasma electrosurgical system and method

Номер патента: US11950831B2. Автор: Jerome Canady,Taisen ZHUANG,Alexey Shashurin,Michael Keidar. Владелец: US Patent Innovations LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

High-frequency processing device

Номер патента: EP4110014A1. Автор: Hideki Nakamura,Takashi Uno,Kazuki Maeda,Yoshiharu Oomori,Daisuke Hosokawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-28.

Device and method for high-frequency heating of dielectric liquid

Номер патента: RU2497315C2. Автор: Ян С. ПРЖИБИЛА. Владелец: Е2В ТЕКНОЛОДЖИЗ (ЮКей) ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2013-10-27.

Ballast circuit for high intensity discharge (hid) lamps

Номер патента: CA1097730A. Автор: William C. Knoll. Владелец: GTE Sylvania Inc. Дата публикации: 1981-03-17.

Process of manufacture and test of electron components

Номер патента: RU2133522C1. Автор: . Владелец: Закрытое акционерное общество "Техно-ТМ". Дата публикации: 1999-07-20.

Transmission device and radio signal transmission method

Номер патента: US20150341080A1. Автор: Shingo Yamanouchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Packaged electronic components for producing a sub-harmonic frequency signal at millimetric frequencies

Номер патента: US7388450B2. Автор: Marc Camiade,Denis Domnesque,Klaus Beilenhoff. Владелец: United Monolithic Semiconductors SAS. Дата публикации: 2008-06-17.

Multi-layer integrated circuits having isolation cells for layer testing and related methods

Номер патента: US20190302179A1. Автор: Ran Wang,Krishnendu Chakrabarty. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2019-10-03.

Transmitter circuit for mobile telephone set compatible with two different systems

Номер патента: US20030114121A1. Автор: Jiro Kikuchi. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-19.

RESONANT TYPE HIGH FREQUENCY POWER SUPPLY DEVICE AND SWITCHING CIRCUIT FOR RESONANT TYPE HIGH FREQUENCY POWER SUPPLY DEVICE

Номер патента: US20160241160A1. Автор: ITO Yuki,AKUZAWA Yoshiyuki,Ezoe Toshihiro,SAKAI Kiyohide. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Company, Limited. Дата публикации: 2016-08-18.

RESONANT TYPE HIGH FREQUENCY POWER SUPPLY DEVICE AND SWITCHING CIRCUIT FOR RESONANT TYPE HIGH FREQUENCY POWER SUPPLY DEVICE

Номер патента: US20160248277A1. Автор: ITO Yuki,AKUZAWA Yoshiyuki,Ezoe Toshihiro,SAKAI Kiyohide. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Company, Limited. Дата публикации: 2016-08-25.

RESONANT TYPE HIGH FREQUENCY POWER SUPPLY DEVICE AND SWITCHING CIRCUIT FOR RESONANT TYPE HIGH FREQUENCY POWER SUPPLY DEVICE

Номер патента: US20160254700A1. Автор: ITO Yuki,AKUZAWA Yoshiyuki,Ezoe Toshihiro,SAKAI Kiyohide. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Company, Limited. Дата публикации: 2016-09-01.

Resonance type high frequency power supply device and switching circuit for resonance type high frequency power supply device

Номер патента: JPWO2015063919A1. Автор: 好幸阿久澤,阿久澤　好幸,有基伊藤,清秀酒井,酒井　清秀,俊裕江副. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Systems and methods for emergency operation of a wireless communication system

Номер патента: EP3718225A1. Автор: Karl-Heinz Fackler,Alexander Kopp,Jaroslav Hoffmann,Andreas Biehler,Peter Starek. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-07.

Systems and methods for emergency operation of a wireless communication system

Номер патента: US20190373488A1. Автор: Karl-Heinz Fackler,Alexander Kopp,Jaroslav Hoffmann,Andreas Biehler,Peter Starek. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Systems and methods for emergency operation of a wireless communication system

Номер патента: WO2019103846A1. Автор: Karl-Heinz Fackler,Alexander Kopp,Jaroslav Hoffmann,Andreas Biehler,Peter Starek. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2019-05-31.

Systems and methods for emergency operation of a wireless communication system

Номер патента: US10728776B2. Автор: Karl-Heinz Fackler,Alexander Kopp,Jaroslav Hoffmann,Andreas Biehler,Peter Starek. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-28.

High frequency electronic component and method of manufacturing high frequency electronic component

Номер патента: JP2871591B2. Автор: 卓佐藤,潤一田中,清治市川,友明廣川,伴昭木村,智司村田,勧窪田,全夫荻原,建次内田,雅俊小原. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-17.

Generator of high frequency pulses on the basis of discharge with full cathode

Номер патента: RU2657240C1. Автор: Дмитрий Викторович Вялых,Александр Евгеньевич Дубинов,Виктор Станиславович Жданов,Игорь Львович Львов,Сергей Александрович Садовой. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2018-06-09.

High-frequency generator for ionic and electronic sources

Номер патента: RU2461908C2. Автор: Вернер КАДРНОШКА,Райнер КИЛЛИНГЕР,Йоханн МЮЛЛЕР,Антон ЛЕБЕДА,Штефан ВАЙС. Владелец: Астриум Гмбх. Дата публикации: 2012-09-20.

Sub-surface communications system and method

Номер патента: EP2130065A1. Автор: David O. Levan. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 2009-12-09.

Device for measuring volumes of a liquid in a container by measuring an emitted high-frequency radiation

Номер патента: US20230024911A1. Автор: Robert Lindemann,David HANNES,Felix Wege. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2023-01-26.

Method and device for encoding a high frequency signal, and method and device for decoding a high frequency signal

Номер патента: US20170316789A1. Автор: Anisse Taleb,LEI Miao,Zexin LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Method and Device for Encoding a High Frequency Signal, and Method and Device for Decoding a High Frequency Signal

Номер патента: US20230298604A1. Автор: Anisse Taleb,LEI Miao,Zexin LIU. Владелец: Crystal Clear Codec LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Method and system for acquiring high frequency carrier in a wireless communication network

Номер патента: US11778577B2. Автор: ANSHUMAN Nigam,ANIL Agiwal. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

High frequency signal reradiating device, high frequency signal receiving device, and wireless system

Номер патента: US20230299799A1. Автор: Katsuyuki Tanaka,Tatsuhiro Kawaguchi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method and device for encoding a high frequency signal, and method and device for decoding a high frequency signal

Номер патента: US12087313B2. Автор: Anisse Taleb,LEI Miao,Zexin LIU. Владелец: Crystal Clear Codec LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for matching the impedance of the Output Impedance of a High-Frequency Power Supply Arrangement to the Impedance of a Plasma Load and High-Frequency Power Supply Arrangement

Номер патента: US20140145636A1. Автор: Merte Rolf. Владелец: TRUMPF Huettinger GmbH + Co. KG. Дата публикации: 2014-05-29.

Apparatus and method for pre-distorting of digital pre-distortion power amplifier in a wireless communication system

Номер патента: KR101478255B1. Автор: 김병욱,정승일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-12-31.

Electronic device and method for obtaining reverse signal and feedback signal in wireless communication system

Номер патента: US20230387948A1. Автор: Seonghyeon LEE,Jungwoo KU,Youngyoon WOO,Munwoo LEE,Dogeun EUM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

High frequency semiconductor device

Номер патента: US20060187977A1. Автор: Yoshihiro Notani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

High frequency equalizer using a demultiplexing technique and related semiconductor device

Номер патента: US6983010B1. Автор: Soo-In Cho,Jung-Bae Lee,Hong-Joon Park,Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-03.

Colored Ultrathin High Frequency Cover Film with High Haze and Preparation Method Thereof

Номер патента: US20180343738A1. Автор: ChihMing Lin,Lichih YANG,Weichih LEE,Chienhui LEE. Владелец: Kunshan Aplus Tec Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Colored ultrathin high frequency cover film with high haze and preparation method thereof

Номер патента: US10609815B2. Автор: ChihMing Lin,Lichih YANG,Weichih LEE,Chienhui LEE. Владелец: Kunshan Aplus TecCorporation. Дата публикации: 2020-03-31.

High-frequency circuit board

Номер патента: EP2555236A4. Автор: Yoshiyuki Ishida,Sadao Matushima,Toshihide Fukuchi. Владелец: Furukawa Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2013-12-25.

Method and system for acquiring high frequency carrier in a wireless communication network

Номер патента: US20210360559A1. Автор: ANSHUMAN Nigam,ANIL Agiwal. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Method and system for acquiring high frequency carrier in a wireless communication network

Номер патента: EP2989730A1. Автор: ANSHUMAN Nigam,ANIL Agiwal. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-02.

High-frequency filter device, filter device combined to a transmit-receive antenna, and wireless apparatus using the same

Номер патента: US20030184402A1. Автор: Toru Yamada,Toshio Ishizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Generator system based on high-frequency isolated matrix converter and regulation method thereof

Номер патента: US20240356457A1. Автор: Yang Xu,Zheng Wang,Yinzhen SHEN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-24.

Optical information recording/reproducing apparatus supplying a smaller high-frequency current to a first semiconductor laser for generating a light beam to record information than to a second semiconductor laser for reproducing recorded information

Номер патента: US5781222A. Автор: Akira Miyashita,Takeshi Yamawaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Efficient resonant topology for dc-ac inversion with minimal use of high frequency switches

Номер патента: US20140268898A1. Автор: Donald Richard Zimmanck. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

High-frequency input coupler and waveguide

Номер патента: US20230420821A1. Автор: Hideharu Takahashi. Владелец: Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit and assembly therewith

Номер патента: US20090185317A1. Автор: Antonius J. M. De Graauw,Johannes F. Dijkhuis. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-23.

Adaptive deemphasis and reemphasis of high frequencies in a video signal

Номер патента: CA2053966C. Автор: Christopher H. Strolle,Werner F. Wedam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-04-22.

Optical pickup and high-frequency superposition module therefor

Номер патента: US20020163875A1. Автор: Masamichi Tanaka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-11-07.

A method of forming an integrated circuit substrate

Номер патента: EP1639873A2. Автор: Charan Gurumurthy,Arthur Lin,Hamid Azimi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-03-29.

Detection of cyber attacks from high-frequency hashed incorrect passwords

Номер патента: US10992706B2. Автор: Lloyd Burch,Michael F. Angelo,Baha Masoud. Владелец: NetIQ Corp. Дата публикации: 2021-04-27.

Detection of cyber attacks from high-frequency hashed incorrect passwords

Номер патента: US20200351299A1. Автор: Lloyd Burch,Michael F. Angelo,Baha Masoud. Владелец: NetIQ Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

High-frequency dielectric attachment

Номер патента: US20120321831A1. Автор: Masanori Kasai,Takashi Ishihara,Kengo Onaka. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of glass ceramic substrates cleaning in the low pressure high-frequency plasma jet

Номер патента: RU2649695C1. Автор: Юрий Дмитриевич Голяев,Илдар Гарифович Гафаров,Валентина Васильевна Азарова,Вадим Альбертович Галеев,Анастасия Юрьевна Голяева,Александр Владимирович Товстопят,Виталий Владимирович Фокин. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха". Дата публикации: 2018-04-04.

High frequency bus system

Номер патента: US6067594A. Автор: David Nguyen,Srinivas Nimmagadda,Richard DeWitt Crisp,James A. Gasbarro,Donald V. Perino,Billy Wayne Garrett, Jr.,Haw-Jyh Liaw. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2000-05-23.

Circular window for ultra-high frequency waveguide

Номер патента: CA1236179A. Автор: Jacques Tikes,Jean C. Kuntzmann. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1988-05-03.

High-frequency composite part

Номер патента: US5903421A. Автор: Norio Nakajima,Koji Furutani,Hidefumi Suzaki. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-11.

Low temperature sintering ceramic composition for use in high frequency, method of fabricating the same and electronic component

Номер патента: AU2003298494A1. Автор: Kiyoshi Mizushima,Mikio Takimoto,Naoki Kidani. Владелец: Nikko Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-29.

Method and device for encoding a high frequency signal, and method and device for decoding a high frequency signal

Номер патента: US11580998B2. Автор: Anisse Taleb,LEI Miao,Zexin LIU. Владелец: Crystal Clear Codec LLC. Дата публикации: 2023-02-14.

INTEGRATED CIRCUIT SUPPORT DEVICE FOR HIGH-RELIABILITY INTEGRATED CIRCUIT SELECTION SYSTEM

Номер патента: FR2509563A1. Автор: Stephane Charruau. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1983-01-14.

Electronic ignition circuit for oil burners

Номер патента: AU2001298080A1. Автор: Ken Petersen. Владелец: Danfoss AS. Дата публикации: 2003-06-30.

Ultra-high Frequency Super Thin Coaxial RF Connector Assembly

Номер патента: US20200036143A1. Автор: Yi-Gen Lyu. Владелец: HARUMOTO TECHNOLOGY (SHEN ZHEN) Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Method for producing at least one high-frequency contact element or a high-frequency contact element arrangement and associated apparatuses

Номер патента: US20200403364A1. Автор: Hauke SCHÜTT,Waldemar Schmidt,Alexandra HENNIGER-LUDWIG. Владелец: Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-12-24.

Apparatus and method for removing high-frequency radio frequency interference

Номер патента: US11770146B2. Автор: Ming Li,Peng Zhang,Xianliang He,Xingliang Jin,Zuming YAO,Zhigang Ye,Hanyuan LUO,Ningling ZHANG,Junhua XIE. Владелец: Shenzhen Mindray Scientific Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Electronic ignition circuit for oil burners

Номер патента: EP1454096A1. Автор: Ken Petersen. Владелец: Danfoss AS. Дата публикации: 2004-09-08.

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US20160163660A1. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Analogue control component for aerosol delivery device

Номер патента: RU2740355C2. Автор: Раджеш СУР,Стивен Б. СИРС,Джеймс В. РОДЖЕРС. Владелец: РАИ СТРЕТЕДЖИК ХОЛДИНГС, ИНК.. Дата публикации: 2021-01-13.

Dielectric waveguide device; phase shifter, high frequency switch, and attenuator provided with dielectric waveguide device; and method of manufacturing high frequency transmitter, high frequency receiver, high frequency transmitter/receiver and radar device, array antenna, and dielectric waveguide device

Номер патента: EP2009731A4. Автор: Nobuki Hiramatsu,Tetsuya Kishino,Djuniadi Arifin Sagala. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Noise reducing circuit for ctd delay line

Номер патента: CA1140641A. Автор: Mitsuru Hosoya,Kenji Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1983-02-01.

High frequency substrate

Номер патента: US20040124955A1. Автор: Kun-Ching Chen,Sung-Mao Wu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

High-frequency heating device for mounting led

Номер патента: US20200365426A1. Автор: Chien-Shou Liao. Владелец: Asti Global Inc Taiwan. Дата публикации: 2020-11-19.

Integrated circuit (ic) structure for high performance and functional density

Номер патента: US20180025970A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Kuan-Chieh Huang,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

INTEGRATED CIRCUIT (IC) STRUCTURE FOR HIGH PERFORMANCE AND FUNCTIONAL DENSITY

Номер патента: US20200043783A1. Автор: Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Kao Min-Feng,Huang Kuan-Chieh,LIN Hsing-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

INTEGRATED CIRCUIT (IC) STRUCTURE FOR HIGH PERFORMANCE AND FUNCTIONAL DENSITY

Номер патента: US20200066584A1. Автор: Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Kao Min-Feng,Huang Kuan-Chieh,LIN Hsing-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Dielectrically-isolated integrated circuit complementary transistors for high voltage use

Номер патента: WO1980001335A1. Автор: T Riley,A Hartman,P Shackle. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1980-06-26.

Dielectrically-isolated integrated circuit complementary transistors for high voltage use

Номер патента: ES487064A1. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1980-09-16.

Electronic circuit for controlling e.g. home automation device, has pass-through mounting electronic component partially mounted over surface mounting electronic component and spacer, which is mounted on circuit board

Номер патента: FR2979483A1. Автор: Volkmar Rebel. Владелец: Somfy SA. Дата публикации: 2013-03-01.

Electrode for high pressure discharge lamp, high pressure discharge lamp, and method for manufacturing electrode for high pressure discharge lamp

Номер патента: CA2731648C. Автор: Toshio Yoshizawa,Yoshiaki Kuroda,Junpei Nishimura. Владелец: Iwasaki Denki KK. Дата публикации: 2013-11-12.

Radio frequency power supply adjustment method, apparatus and device, and storage medium

Номер патента: EP4228137A1. Автор: Shaowu Shen. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Radio frequency power supply adjustment method, apparatus and device, and storage medium

Номер патента: AU2021356425A1. Автор: Shaowu Shen. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Radio frequency power supply adjustment method, apparatus and device, and storage medium

Номер патента: EP4228137A9. Автор: Shaowu Shen. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Dynamically stable sheet clamping system for high speed sheet handling drums

Номер патента: CA1322489C. Автор: Alan M. Binder,Walter P. Haimberger,Theodore J. Labelle,Kenneth A. Mcauley. Владелец: Polaroid Corp. Дата публикации: 1993-09-28.

Electrode for high pressure discharge lamp, high pressure discharge lamp, and method for manufacturing electrode for high pressure discharge lamp

Номер патента: CA2731648A1. Автор: Toshio Yoshizawa,Yoshiaki Kuroda,Junpei Nishimura. Владелец: Iwasaki Denki KK. Дата публикации: 2010-01-28.

Circuit for connecting through high-frequency signals

Номер патента: EP0846394A1. Автор: Wilfried Seckendorf. Владелец: Interessengemeinschaft fuer Rundfunkschutzrechte GmbH Schutzrechtsverwertung and Co KG. Дата публикации: 1998-06-10.

Two trellises in a braking field circuit for amplifying ultra-high frequency electromagnetic oscillations

Номер патента: DE885729C. Автор: . Владелец: Julius Pintsch AG. Дата публикации: 1953-08-06.

CONNECTOR FOR HIGH-SPEED TRANSMISSION AND METHOD FOR FIXING SOLDER TO FORK PORTION OF CONNECTOR FOR HIGH-SPEED TRANSMISSION

Номер патента: US20210184383A1. Автор: ITO Toshiyasu,TAKAI Yosuke,ENJOJI Taichi. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

Transceiver front-end circuit for a cellular radio that employs components for reducing power consumption

Номер патента: US20160337965A1. Автор: Mohiuddin Ahmed,Yen-Cheng Kuan,Albert E. Cosand,Timothy J. Talty,Cynthia D. Baringer,James Chingwei Li,Peter Petre,Zhiwei A. Xu. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-11-17.

High-efficiency pulse-width modulator for linear modulation of high-frequency key mode power amplifiers

Номер патента: RU2522881C2. Автор: Алексей Николаевич Плюснин,Павел Вячеславович Балаев. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Федеральное государственное казенное учреждение "Войсковая часть 35533". Дата публикации: 2014-07-20.

Testing methods of a semiconductor integrated incorporating a high-frequency receiving circuit and a demodulation circuit

Номер патента: US7693223B2. Автор: Shinya Kishigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-04-06.

Current measurement circuit for transformer with high frequency output

Номер патента: US20070003305A1. Автор: Hendrikus Adrianus Verheijen. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Mirroring circuit for operation at high frequencies

Номер патента: US20030094999A1. Автор: Francois Van Zanten,Marc Sabut,Raymond Ribas. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-05-22.

Cartesian numerically controlled machine tool for high-precision machining and optical apparatus for monitoring deformations for cartesian machine tools for high-precision machining

Номер патента: EP3307481A1. Автор: Gabriele Piccolo,Massimo Fedel,Luca POLETTO. Владелец: HPT Sinergy SRL. Дата публикации: 2018-04-18.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit for radio communication

Номер патента: US20070190961A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube,Akio Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180049323A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170354038A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

User terminal and radio communication method

Номер патента: RU2748617C1. Автор: Кадзуки ТАКЕДА,Хироки ХАРАДА,Даики ТАКЕДА,Ёусуке САНО. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2021-05-28.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8478022B2. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

Device, system and method of controlling transmission power for radio communication

Номер патента: RU2599613C1. Автор: Александр МАЛЬЦЕВ,Али С. САДРИ,Андрей Пудеев,Ричард Б. НАЙХОЛЛС. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2016-10-10.

User terminal, radio base station and radio communication method

Номер патента: RU2739466C2. Автор: Ёсихиса КИСИЯМА,Сатоси НАГАТА,Кадзуки ТАКЕДА,Симпэи ЯСУКАВА. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2020-12-24.

User terminal and radio communication method

Номер патента: RU2769721C1. Автор: Сатоси НАГАТА,Кадзуки ТАКЕДА,Юки МАЦУМУРА,Сохэи ЁСИОКА. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2022-04-05.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100241374A1. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Mobile hardware hf-uhf radio communication

Номер патента: RU2711025C1. Автор: Николай Иванович Вергелис,Валерий Михайлович Жужома,Денис Александрович Козориз,Олег Валерьевич Назаров,Алексей Александрович Михалочкин,Николай Михайлович Красуцкий. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "16 Центральный научно-исследовательский испытательный ордена Красной Звезды институт имени маршала войск связи А.И. Белова" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2020-01-14.

Rectifying circuit for high-frequency power supply

Номер патента: US20160248339A1. Автор: Yuki Ito,Toshihiro Ezoe,Yoshiyuki Akuzawa,Kiyohide Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

High-frequency module and communication device

Номер патента: US20230308121A1. Автор: Motoji TSUDA,Keisuke Arima,Mayuka ONO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Method for setting subbands in multicarrier communication system and radio base station apparatus

Номер патента: RU2544781C2. Автор: Акихико НИСИО,Даити ИМАМУРА,Масару ФУКУОКА. Владелец: Панасоник Интеллекчуал Проперти Корпорэйшн оф Америка. Дата публикации: 2015-03-20.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050007846A1. Автор: Masatoshi Hasegawa,Yousuke Tanaka,Tomofumi Hokari. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Compound semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9070685B2. Автор: Shinichiro Takatani,Hsien-Fu HSIAO,Yu-Kai WU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Dc current detection method and apparatus for high-frequency power source apparatus

Номер патента: MY143887A. Автор: Toshiyuki Kano,Iwao Kurata. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-15.

Semiconductor integrated circuit for sensorless driving and sensorless driving system

Номер патента: US20080203951A1. Автор: Shigeki Murai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

Multilayer semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09978717B2. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: Thruchip Japan Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

Radio communication system, base station and radio communication method

Номер патента: RU2628766C2. Автор: Ёсихиса КИСИЯМА,Сатоси НАГАТА,Кадзуаки ТАКЕДА,Хидеаки ТАКАХАСИ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for measuring angular coordinates and radio location target coordinator

Номер патента: RU2753370C1. Автор: Владимир Иванович Винокуров. Владелец: Владимир Иванович Винокуров. Дата публикации: 2021-08-13.

Method of communication in wireless local network with group consisting of repeaters and radio access stations

Номер патента: RU2378801C2. Автор: Эгон ШУЛЬЦ,Хой ЛИ,Дан ЮЙ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2010-01-10.

Inter-operator spectrum sharing control, inter-operator interference coordination method, and radio resource scheduling in wireless communication systems

Номер патента: EP2754313A1. Автор: Paolo Priotti. Владелец: Telecom Italia SpA. Дата публикации: 2014-07-16.

Analysis of integrated circuits for high frequency performance

Номер патента: US20050114806A1. Автор: Frantisek Gasparik,Joseph Brehmer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-26.

Method for changing between a packet-oriented PTT session and a circuit-oriented telephone connection between at least two radio communication appliances, associated radio communication appliance, network component and radio communication system

Номер патента: US7522584B2. Автор: Norbert Schwagmann,Josef Laumen,Olaf Kautz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2009-04-21.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor integrated circuit and digital camera comprising the same

Номер патента: US6465817B1. Автор: Shinji Furuichi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1990835A3. Автор: Fuminori Hashimoto. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Surge protection in semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230198251A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US11362131B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Radio communication method, and radio communication system

Номер патента: US20240243887A1. Автор: Daisuke Murayama,Shota Nakayama. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210257412A1. Автор: Jin-Hong Park,Sungjoo Lee,Jae Hyeok JU,Sungpyo BAEK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for semiconductor integrated circuit fabrication and a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050006709A1. Автор: Takeshi Takagi,Akira Asai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020049927A1. Автор: Takeshi Yamamura,Kazuhiro Kobayashi,Tadahiro Saitoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20080210979A1. Автор: Rika SUWAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor integrated circuit for voltage detection

Номер патента: US20080246540A1. Автор: Masaki Okuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Radio communication device, radio communication system and radio communication method

Номер патента: RU2557794C1. Автор: Йосинори ТАНАКА,Йосихиро КАВАСАКИ,Йосиаки ОХТА,Тецуя ЯНО. Владелец: Фудзицу Лимитед. Дата публикации: 2015-07-27.

Radio communication device, radio communication system and radio communication method

Номер патента: RU2510792C1. Автор: Йосинори ТАНАКА,Йосихиро КАВАСАКИ,Йосиаки ОХТА,Тецуя ЯНО. Владелец: Фудзицу Лимитед. Дата публикации: 2014-04-10.

Mobile communication system and radio communication resource allocation method

Номер патента: RU2504921C2. Автор: Ёсихиса КИСИЯМА,Кэнъити ХИГУТИ,Мамору САВАХАСИ,Мотохиро ТАННО,Акихито МОРИМОТО. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2014-01-20.

Radio base station, user terminal, radio communication system and radio communication method

Номер патента: RU2584698C1. Автор: Кадзуаки ТАКЕДА,Цинь МУ,Лю ЛЮ,Лань ЧЭНЬ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2016-05-20.

Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170201697A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor integrated circuit that stops power supply to at least a storage area of a first SRAM in a power-saving mode, and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10027906B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090146693A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Method and system for measuring thermal stability factor of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Hideo Sato,Hideo Ohno,Takashi Saito,Kenchi Ito,Tetsuo Endoh,Masakazu Muraguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110043292A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8076957B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7843227B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020079958A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030060183A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor device for radio communication device, and radio communication device using said semiconductor device

Номер патента: US7088983B2. Автор: Junichi Hikita,Hiroo Mochida,Katsutoshi Nagi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-08-08.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20030006498A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20090115442A1. Автор: Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040124463A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20050002153A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

High-frequency dielectric heating device and image forming apparatus

Номер патента: US20170066254A1. Автор: Yukie Inoue,Dan Ozasa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US6841864B2. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: EP1274127A3. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Method for improving the operational efficiency of an adaptive decametric radio communication system

Номер патента: RU2733802C1. Автор: Алексей Анатольевич Гаврилов,Илья Евгеньевич Волков. Владелец: Федеральное Государственное Казенное Военное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Тихоокеанское Высшее Военно-Морское Училище Имени С.О. Макарова" Министерства Обороны Российской Федерации (Г. Владивосток). Дата публикации: 2020-10-07.

User terminal, base station and radio communication method

Номер патента: RU2747131C1. Автор: Сатоси НАГАТА,Кадзуки ТАКЕДА,Лихуэй ВАН,Сяолинь ХОУ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2021-04-28.

Method of performing handover, user device and radio communication system

Номер патента: RU2697188C2. Автор: Юити МОРИОКА,Хироаки ТАКАНО,Рё САВАИ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2019-08-13.

Radio communication device, base station, radio communication method, programme and radio communication system

Номер патента: RU2577538C2. Автор: Хироаки ТАКАНО. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2016-03-20.

Radio terminal, radio communication system and radio communication method

Номер патента: RU2572612C1. Автор: Йосихару ТАДЗИМА,Йосиаки ОХТА,Акира ИТО. Владелец: Фудзицу Лимитед. Дата публикации: 2016-01-20.

Method for control of transmission speed, mobile station, base radio station and radio network controller

Номер патента: RU2348107C2. Автор: Анил УМЕШ,Масафуми УСУДА. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2009-02-27.

Base radio station, retransmitting station, radio communication system and radio communication method

Номер патента: RU2419981C2. Автор: Дзюнити СУГА. Владелец: Фудзицу Лимитед. Дата публикации: 2011-05-27.

Radio communication apparatus, wireless lan router, unauthorized access prevention method, and radio communication system

Номер патента: US20200389794A1. Автор: Hiroshi Nishikawa. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor integrated circuit having layout in which buffers or protection circuits are arranged in concentrated manner

Номер патента: US20060163615A1. Автор: Tadashi Nakamura,Kiyohiko Sakakibara,Yutaka Takikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100127334A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing the same, and logical circuit

Номер патента: US5747847A. Автор: Koichiro Mashiko,Kimio Ueda,Hiroyuki Morinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Radio communication apparatus, computer readable storage medium, and radio communication system

Номер патента: WO2009093404A1. Автор: Tomoko Adachi,Toshihisa Nabetani,Kiyoshi Toshimitsu,Tatsuma HIRANO,Masahiro Takagi,Ryoko Matsuo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor integrated circuit, and sensor system and vehicle including the same

Номер патента: US20180069169A1. Автор: Akihiro Ota,Yuji Kaneda,Isao Niwa,Yuzo Mizushima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor integrated circuit device, motor system and vehicle

Номер патента: US20240258945A1. Автор: Yoshinori Oka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit and television

Номер патента: US20120072712A1. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Efficient solid-state high frequency power amplifier structure

Номер патента: WO2000024081A1. Автор: Kenneth V. Buer,Dean L. Cook,Richard Torkington,Edwin J. Stanfield,Phillip James Denisuk. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2000-04-27.

Updatable integrated-circuit radio

Номер патента: EP3084593A1. Автор: Joel David Stapleton,Martin Tverdal. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2016-10-26.

Updatable integrated-circuit radio

Номер патента: WO2015092355A1. Автор: Joel David Stapleton,Martin Tverdal. Владелец: Wilson, Timothy James. Дата публикации: 2015-06-25.

Method for signaling a path to radio stations of a radio communications system

Номер патента: US20070133452A1. Автор: HUI Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

User terminal and radio communication method

Номер патента: RU2747283C1. Автор: Цзин Ван,Сатоси НАГАТА,Лю ЛЮ,Хироки ХАРАДА. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2021-05-04.

Method for high-accuracy signal frequency estimation in broadband communication systems

Номер патента: RU2691972C1. Автор: Александр Сергеевич Ситников,Максим Анатольевич Тютюнников,Юрий Александрович Соловьев,Владимир Борисович Манелис,Александр Иванович Сергиенко. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2019-06-19.

Radio communication system

Номер патента: RU2762574C1. Автор: Александр Владимирович Кейстович,Алексей Владимирович Комяков. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Полет". Дата публикации: 2021-12-21.

Radio communication system, base station, retransmitting station and radio communication method

Номер патента: RU2533189C2. Автор: Йосихару ТАДЗИМА,Казухиса ОБУТИ,Йосинори ТАНАКА,Йосихиро КАВАСАКИ,Йосиаки ОХТА. Владелец: Фудзицу Лимитед. Дата публикации: 2014-11-20.

Mobile communication terminal and radio communication system

Номер патента: RU2522313C2. Автор: Хидедзи ВАКАБАЯСИ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2014-07-10.

Service transmission control method, user device, basic station and radio communication system

Номер патента: RU2540281C2. Автор: Хироаки ТАКАНО. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2015-02-10.

Wireless communication system and electronic device

Номер патента: EP4387109A1. Автор: PENG Gao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030011004A1. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Base station and radio communication system

Номер патента: US20240172201A1. Автор: Teruya Fujii. Владелец: SoftBank Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200328203A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Communication system, information processing apparatus, information processing method, recording medium and program

Номер патента: US20090088136A1. Автор: Kazuyuki Yamamoto,Shin Iima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Integrated-circuit radio

Номер патента: GB201211423D0. Автор: . Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2012-08-08.

Integrated-circuit radio

Номер патента: WO2014001801A1. Автор: Joel David Stapleton. Владелец: Wilson, Timothy James. Дата публикации: 2014-01-03.

Integrated circuit with independently powered processors booted sequentially, while sharing a common memory unit for loading programs onto processors after booting

Номер патента: US8601251B2. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090261315A1. Автор: Haruki Toda,Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20080290376A1. Автор: Junichi Yano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Compact transceiver on a multi-level integrated circuit

Номер патента: US10593470B1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2020-03-17.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010017426A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Shinji Suminoe,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Integrated-circuit radio

Номер патента: US20140007141A1. Автор: Joel David Stapleton. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20090065889A1. Автор: Yasuyo Sogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7276769B2. Автор: Masaru Yamada,Yasutoshi Okuno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Radio communication system and radio communication method

Номер патента: US12114248B2. Автор: Masayuki Takekawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240332289A1. Автор: Tatsuro Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for receiving signal in communication system with several channels for transmitting and receiving

Номер патента: RU2303330C1. Автор: Александр Васильевич Гармонов,Юрий Евгеньевич Карпитский,Галина Семеновна Кравцова,Джозеф Роберт КЛИВЛЕНД. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2007-07-20.

Method of performing handover, user equipment, base station and radio communication system

Номер патента: RU2559199C2. Автор: Юити МОРИОКА,Хироаки ТАКАНО,Рё САВАЙ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2015-08-10.

Radio communication system, user terminal and radio communication method

Номер патента: RU2608887C2. Автор: Ёсихиса КИСИЯМА,Сатоси НАГАТА,Кадзуаки ТАКЕДА,Дайсуке НИСИКАВА,Тоору ЮТИНО,Юта САГАЭ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2017-01-26.

Radio communication system, base station, mobile station and radio communication method

Номер патента: RU2565250C1. Автор: Акира ИТО. Владелец: Фудзицу Лимитед. Дата публикации: 2015-10-20.

Method and system for transmission of ip-packets by combining several radio communication channels for high speed data transmission

Номер патента: RU2316130C2. Автор: Азиз ГОЛМИЕХ,Дурга МАЛЛАДИ,Сиварамакришна ВЕЕРЕПАЛЛИ,Майкл К. СПАРТЦ,Никхил ДЗАИН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2008-01-27.

Quadrature modulator operable in quasi-microwave band of digital communication system

Номер патента: CA2145622C. Автор: Masaho Mineo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-11-03.

Radio communication device and semiconductor integrated circuit device used for the same

Номер патента: US8792533B2. Автор: Yoshinori Shigeta,Yoshimitsu Shimojo,Toshiki Kizu,Yasuro Shobatake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12027424B2. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Yusuke Oniki. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor integrated circuit and electronic instrument

Номер патента: EP3836200A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-06-16.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus

Номер патента: US20210265269A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Method of estimating wiring complexity degree in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060124968A1. Автор: Eiji Nagata,Fumihito Watanuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Wireless Power Transmitter For High Fidelity Communications And High Power Transfer

Номер патента: US20240204580A1. Автор: Alberto Peralta,Pavel Shostak. Владелец: Nucurrent Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10217689B2. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus provided with same

Номер патента: US20130136162A1. Автор: Hiroo Yamamoto,Tetsuji Gotou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor integrated circuit including internal circuits and electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20110310515A1. Автор: Hirofumi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6998654B2. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-14.

Semiconductor integrated circuit and layout designing method of the same

Номер патента: US20070061770A1. Автор: Tsutomu Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor integrated circuit device and layout method of patterns for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1381085A3. Автор: Hideo c/o NEC Electronics Corporation Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-23.

Conductive structure for a semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20120309186A1. Автор: Cheng Tang Huang,J. B. Chyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20060061926A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Integrated circuit with laminated magnetic core inductor and magnetic flux closure layer

Номер патента: US12048097B2. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: FERRIC INC.. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6924237B2. Автор: Satoshi Yamamoto,Satoshi Sakai,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Electronic apparatus and radio communication method in radio communication system

Номер патента: US10432277B2. Автор: Xin Zhang,Jinhui Chen,Gaosi LI,Zaixue Wei,Nanxi Li. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-10-01.

Electronic apparatus and radio communication method in radio communication system

Номер патента: US20210297132A1. Автор: Xin Zhang,Jinhui Chen,Gaosi LI,Zaixue Wei,Nanxi Li. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Electronic apparatus and radio communication method in radio communication system

Номер патента: US20190363771A1. Автор: Xin Zhang,Jinhui Chen,Gaosi LI,Zaixue Wei,Nanxi Li. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacturing method

Номер патента: US20060205130A1. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Method for controlling the weighting of a data signal in the at least two antenna elements of a radio connection unit, module and communications system

Номер патента: EP1366579A2. Автор: Ari Hottinen,Olav Tirkkonen,Risto Wichman. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2003-12-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6081012A. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-06-27.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus provided with same

Номер патента: US8774255B2. Автор: Hiroo Yamamoto,Tetsuji Gotou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor integrated circuit and design method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080141186A1. Автор: Mitsuhiro Imaizumi,Takahiro Nagatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20170110400A1. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US9891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050280038A1. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

High-frequency module and communication device

Номер патента: US20230253993A1. Автор: Takayuki Shinozaki. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20040052021A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor integrated circuit device for preventing warping of an insulating film therein

Номер патента: US7081681B2. Автор: Takehiro Suzuki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20120049292A1. Автор: Yuuichi Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170207140A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

High-frequency module and communication device

Номер патента: US12074620B2. Автор: Takayuki Shinozaki. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6661692B2. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor integrated circuit having efficient layout of wiring lines

Номер патента: US6020612A. Автор: Hiromi Kanda,Toshiya Uchida,Takahiro Sawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US20010025365A1. Автор: Sumio Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Integrated Circuit with Laminated Magnetic Core Inductor and Magnetic Flux Closure Layer

Номер патента: US20180295726A1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9269707B2. Автор: Kunihiko Kato,Masatoshi Taya. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-02-23.

Semiconductor integrated circuit with TSV bumps

Номер патента: US8994110B2. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20140145266A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US12068288B2. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit with secure metadata store

Номер патента: US20080044020A1. Автор: Tom Ryan. Владелец: STMicroelectronics Ltd Great Britain. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor integrated circuit and system

Номер патента: US20020053725A1. Автор: Hiroshi Kimura,Hiroshi Shimomura,Jyoji Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20230223381A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210193682A1. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20150145053A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Integrated circuit with secure metadata store

Номер патента: US9100684B2. Автор: Tom Ryan. Владелец: STMicroelectronics Research and Development Ltd. Дата публикации: 2015-08-04.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20240355786A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

High-frequency module and communication device

Номер патента: US20240372571A1. Автор: Takayuki Shinozaki. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

User terminal and radio communication method

Номер патента: RU2760210C2. Автор: Сатоси НАГАТА,Кадзуки ТАКЕДА,Лихуэй ВАН. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2021-11-22.

User terminal and radio communication method

Номер патента: RU2753241C1. Автор: Сатоси НАГАТА,Кадзуки ТАКЕДА,Лихуэй ВАН,Сяолинь ХОУ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2021-08-12.

User terminal and radio communication method

Номер патента: RU2746577C1. Автор: Сатоси НАГАТА,Кадзуки ТАКЕДА,Лихуэй ВАН,Сяолинь ХОУ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2021-04-15.

User terminal and radio communication method

Номер патента: RU2755360C2. Автор: Сатоси НАГАТА,Кадзуки ТАКЕДА,Лихуэй ВАН. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2021-09-15.

Customer provided terminal and radio communication method

Номер патента: RU2748376C2. Автор: Кадзуки ТАКЕДА,Рёсуке ОСАВА,Юити КАКИСИМА. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2021-05-25.

Signal receiving/transmitting method in multiple-user radio communication system with many transmitting and receiving antennae

Номер патента: RU2405252C2. Автор: Александр Васильевич Гармонов,Галина Семеновна Кравцова,Олег Викторович Беспалов,Су Хванг СУНГ. Владелец: Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд.". Дата публикации: 2010-11-27.

Channel estimation method and radio communication system related to it

Номер патента: RU2322759C2. Автор: Марцин СИКОРА,Александер ЗЕЕГЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2008-04-20.

Mobile communication terminal and radio communication system

Номер патента: RU2372718C1. Автор: Хидедзи ВАКАБАЯСИ. Владелец: Мицубиси Денки Кабусики Кайся. Дата публикации: 2009-11-10.

Method and device for extending communication network coverage range in communication system

Номер патента: RU2163059C2. Автор: Эрик Оке Стейнар Дахлин Ян,Вильям Робин Чамберт Георг. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2001-02-10.

Mobile communication terminal and radio communication system

Номер патента: RU2425445C2. Автор: Хидедзи ВАКАБАЯСИ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2011-07-27.

Radio communication system, base station and radio communication method

Номер патента: US20200077397A1. Автор: Osamu Kato,Hiroaki Asano,Hideki Kanemoto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Radio communication system, base station and radio communication method

Номер патента: US10939439B2. Автор: Osamu Kato,Hiroaki Asano,Hideki Kanemoto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-02.

Radio communication systems and radio communication methods

Номер патента: EP2984858A1. Автор: Kah Yong Lee,Chee Oei Chan,Min-Liang Tan,Sze Wei Joel Hong. Владелец: Razer Asia Pacific Pte Ltd. Дата публикации: 2016-02-17.

Device and method in radio communication system, and radio communication system

Номер патента: US20200329498A1. Автор: Yuan Zhang,Wei Wang,Pingping Xu,Bingshan HU,Pen-Shun LU. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Processing system and method for making spherical shaped semiconductor integrated circuits

Номер патента: US6203658B1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-03-20.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US5960309A. Автор: Midori Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Radio communication device, radio communication device control method, and radio communication system

Номер патента: US20190028963A1. Автор: Daisuke Mori. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Rf communication system having a chaotic signal generator and method for generating chaotic signal

Номер патента: WO2007097529A1. Автор: Seong-soo Lee,Young-Hwan Kim,Jae-Hyon Kim,Sang-Min Han,Anton Laktushkin,Elena Efremova. Владелец: Institute Of Radio Engineering And Electronics Of Ras. Дата публикации: 2007-08-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8395189B2. Автор: Junichi Yamada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacture using automatic layout

Номер патента: US20050040435A1. Автор: Yukichi Ono. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US20040088667A1. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US6954919B2. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-11.

On-chip impedance matching power amplifier and radio applications thereof

Номер патента: US20030194976A1. Автор: Iqbal Bhatti. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2003-10-16.

Semiconductor integrated circuit device including an electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180350797A1. Автор: Seung Yeop Lee,Hee Jeong SON,Chang Hwi LEE,Ki Ryong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Radio communication station and radio communication device, and methods of operating same

Номер патента: US9281956B2. Автор: Matthew P. J. Baker,Timothy J. Moulsley,Filippo Tosato,Domenico Porcino. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-03-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11309333B2. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Noise and temperature shield for an integrated circuit

Номер патента: WO2000003439A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100207169A1. Автор: Junichi Yamada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor integrated circuit device having boosting circuit

Номер патента: US20030006823A1. Автор: Akira Hosogane,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit and a semiconductor device

Номер патента: US7345340B2. Автор: Akihiro Tamura,Toshio Nagasawa,Mitsuharu Hitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-18.

Radio communication control device and radio communication control method

Номер патента: US20230262548A1. Автор: Kazuyuki Ozaki,Kenichi Nishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor integrated circuits and method for designing the same

Номер патента: US6675367B1. Автор: Kensuke Torii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Protective envelope for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6593665B2. Автор: Roberto Tiziani,Marzio Terzoli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-15.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010008312A1. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080008004A1. Автор: Takahiko Hara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor integrated circuit device including electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240170477A1. Автор: Ho Sang LEE,Chang Hwi LEE,Dong Ju LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

High-frequency power amplifier device and high-frequency module including the same

Номер патента: US5325072A. Автор: Masahito Numanami,Iwamichi Kohjiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-28.

Signal processing circuit, chip, circuit board assembly and radio-frequency transceiver

Номер патента: EP4447326A1. Автор: Jijun Li,Xiren GUO. Владелец: Sanechips Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240290715A1. Автор: Yasuhiko Maki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Terminal, base station and radio communication method

Номер патента: RU2765426C1. Автор: Сатоси НАГАТА,Кадзуки ТАКЕДА,Юки МАЦУМУРА. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2022-01-31.

Power amplifier of transmitter of near-field magnetic communication system

Номер патента: RU2709789C1. Автор: Борис Афанасьевич Беляев,Никита Михайлович Боев,Андрей Викторович Изотов,Софья Андреевна Клешнина,Антон Владимирович Бурмитских,Артем Александрович Сушков,Тимур Нугзарович Батурин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2019-12-20.

Energy-saving method of accessing channel for radio communication devices in radio communication networks with high density of stations

Номер патента: RU2688267C1. Автор: Ситтабрата ГОШ,Чэнь КОДЗОКАРО,Эльдад ПЕРАХИА,Шарназ АЗИЗИ. Владелец: ИНТЕЛ АйПи КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-05-21.

Method for determining displacement of power hs-pdsch in asynchronous cdma movile communications system and appropriate method for transferring required information

Номер патента: RU2253947C2. Автор: Дзу-Хо ЛИ,Йонг-Дзун КВАК,Сунг-Хо ЧОЙ. Владелец: Самсунг Электроникс Ко.,Лтд. Дата публикации: 2005-06-10.

High-frequency component, electric circuit arrangement and radar system

Номер патента: US20230328875A1. Автор: Marcel Mueller,Klaus Baur,Juergen Seiz,Christian Hollaender,Kevin Stella,Soeren Mjoernell,Kai Schiemenz. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor integrated circuit wafer, semiconductor integrated circuit chip, and method of testing semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US20090251160A1. Автор: Manabu Miyazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-10-08.

Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same

Номер патента: US20050014326A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Hitoshi Kume,Katsutaka Kimura,Tokuo Kure,Yasushi Goto,Syunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor integrated circuit device comprising misfets in soi and bulk substrate regions

Номер патента: US20180350844A1. Автор: Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Wireless communication system and electronic device

Номер патента: US20240204807A1. Автор: PENG Gao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit with leakage current suppressed

Номер патента: US20080087920A1. Автор: Kenichi Yoda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070102820A1. Автор: Yoshitaka Kimura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

User equipment and radio base station

Номер патента: US12041567B2. Автор: Tooru UCHINO,Teruaki TOEDA,Tianyang Min. Владелец: NTT DOCOMO INC. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor integrated circuit device including a word line with variable widths

Номер патента: US20240215228A1. Автор: Seok Young KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Antenna and radio communication system

Номер патента: US20240204396A1. Автор: Jun Uchida. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit comprising an inductor which prevents latch-up and a method for its manufacture

Номер патента: EP1171917A1. Автор: Ulf Magnusson,Kjell Bohlin,Ola Tylstedt. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2002-01-16.

Integrated circuit comprising an inductor which prevents latch-up and a method for its manufacture

Номер патента: WO2000048253A1. Автор: Ulf Magnusson,Kjell Bohlin,Ola Tylstedt. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Дата публикации: 2000-08-17.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070207559A1. Автор: Akio Hasebe,Yasunori Narizuka,Teruo Shoji,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8174123B2. Автор: Hideo Sonohara, Sr.. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200303262A1. Автор: Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A3. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: Jiro Amemiya. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A2. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Mobile radio communication system and radio communication method

Номер патента: US8290426B2. Автор: Onur Altintas. Владелец: Toyota InfoTechnology Center Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-16.

Radio communication device, control method and radio communication system

Номер патента: US20170171863A1. Автор: Taku Fujiwara,Tomohiko Ohtsu,Masamitsu MURATANI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130264647A1. Автор: Kazuo Tanaka,Hiroyasu Ishizuka,Takeo Toba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor integrated circuit device having reservoir capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357377A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7994811B2. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Semiconductor integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: US20040061225A1. Автор: Katsuhiko Tsuura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

An equipment protection semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5304823A. Автор: Stephen W. Byatt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-04-19.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US20030214587A1. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060214234A1. Автор: Shigeru Nagatomo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Semiconductor integrated circuit realizing electrical interface

Номер патента: US20010032328A1. Автор: Satoshi Takahashi,Takashi Hirata,Hironori Akamatsu,Yutaka Terada,Yoshihide Komatsu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240233854A1. Автор: Hideo Akiyoshi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Light Emitting Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20240179815A1. Автор: Faquan Liang. Владелец: Nanning Wang Choi Lighting Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Signal receiver and signal receiving method for otfs based mmwave communication systems having non-ideal power amplifier attributing nonlinear distortions in the signal

Номер патента: US20240007332A1. Автор: Debarati Sen,Preety Priya,Ch Santosh Reddy. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY KHARAGPUR. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US7106362B2. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-12.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US6639300B2. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2003-10-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240332277A1. Автор: Hisashi Sugie. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

User terminal, radio base station and radio communication method

Номер патента: RU2742555C1. Автор: Сатоси НАГАТА,Кадзуки ТАКЕДА,Лихуэй ВАН,Сяолинь ХОУ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2021-02-08.

Mobile communication system, mobile station and radio base station

Номер патента: RU2493675C1. Автор: Микио ИВАМУРА,Вури Андармаванти ХАПСАРИ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2013-09-20.

New fdma/tdma architecture using channel receiver and matrix power amplifier

Номер патента: RU2709283C2. Автор: Карл Дж. ХАН III,Леонард РОЗЕНХЕК. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2019-12-17.

Semiconductor integrated circuit and multi-chip module

Номер патента: US8013362B2. Автор: Daisuke Matsuoka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Method and radio communication system for synchronizing subscriber stations

Номер патента: RU2213419C2. Автор: Томас УЛЬРИХ,Фолькер ЗОММЕР,Майк КОТТКАМП,Михель ФЕРБЕР,Михель БЕНЦ,Ан КЛАЙН,Аня КЛАЙН,Армин ЗИТТЕ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2003-09-27.

Adapter element, high-frequency surgical instrument, adapter nozzle and system

Номер патента: RU2644264C2. Автор: Мартин ХАГГ. Владелец: Эрбе Электромедицин Гмбх. Дата публикации: 2018-02-08.

A clock generator for an integrated circuit with a high-speed serial interface

Номер патента: EP1383023A3. Автор: John P. Hill. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2006-02-22.

System and method for generating a number of signals of high-frequency sub-bands

Номер патента: RU2758466C2. Автор: Кристофер ЧОЭРЛИНГ. Владелец: Долби Интернешнл Аб. Дата публикации: 2021-10-28.

Servo actuator with mechanical power amplifier and manual bypass

Номер патента: US3592317A. Автор: Charles W Chillson,John S Perryman. Владелец: Curtiss Wright Corp. Дата публикации: 1971-07-13.

WIDE DYNAMIC RANGE BROADBAND CURRENT MODE LINEAR DETECTOR CIRCUITS FOR HIGH POWER RADIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER

Номер патента: US20170160318A1. Автор: Gorbachov Oleksandr,Zhang Lisette L.,MUSIOL LOTHAR. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

Wide Dynamic Range Broadband Current Mode Linear Detector Circuits for High Power Radio Frequency Power Amplifier

Номер патента: US20190331716A1. Автор: Gorbachov Oleksandr,Zhang Lisette L.,MUSIOL LOTHAR. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

Wide dynamic range broadband current mode linear detector circuits for high power radio frequency power amplifier

Номер патента: US10365308B2. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang,Lothar Musiol. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-07-30.

High frequency alternating field charging of aerosols

Номер патента: CA1070369A. Автор: William B. Pennebaker (Jr.). Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-01-22.

Wide dynamic range broadband current mode linear detector circuits for high power radio frequency power amplifier

Номер патента: WO2017100471A1. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang,Lothar Musiol. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2017-06-15.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: US12002476B2. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-06-04.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: US20240282315A1. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-08-22.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: AU2024205260A1. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-08-22.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: AU2024205275A1. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-08-22.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: US20240282317A1. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-08-22.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: US20240282316A1. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods of testing a connection between speakers and a power amplifier and devices therefor

Номер патента: US9041412B2. Автор: Minoru Matsuyama,Taro Kitagawa. Владелец: Alpine Electronics Inc. Дата публикации: 2015-05-26.

Method for determining an optimal structure of a high-frequency shield of a high-frequency antenna of a magnetic resonance arrangement

Номер патента: US20130090896A1. Автор: Volker Matschl,Jürgen NISTLER,Sebastian Martius,Dirk Diehl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2013-04-11.

High-frequency dielectric heating adhesive sheet

Номер патента: US20230159795A1. Автор: YUICHI Mori,Naoki Taya. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Processing audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: RU2530254C2. Автор: Кристофер ЧОЭРЛИНГ. Владелец: Долби Интернешнл Аб. Дата публикации: 2014-10-10.

High-frequency electron paramagnetic resonance spectrometer

Номер патента: RU2711228C1. Автор: Роман Андреевич Бабунц,Павел Георгиевич Баранов,Александр Сергеевич Гурин,Андрей Гагикович Бадалян,Николай Георгиевич Романов,Юлия Александровна Успенская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2020-01-15.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: EP3288032A1. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2018-02-28.

Processing of Audio Signals during High Frequency Reconstruction

Номер патента: AU2021277643A1. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2021-12-23.

Processing of audio signals during high frequency reconstruction

Номер патента: AU2023202541B2. Автор: Kristofer Kjoerling. Владелец: DOLBY INTERNATIONAL AB. Дата публикации: 2024-06-06.

Heating device comprising heating element and high-frequency heating assembly

Номер патента: CA3129628A1. Автор: Tuanfang Liu. Владелец: Shenzhen Eigate Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-02.

Generator for the delivery of high frequency alternating current to a medical instrument

Номер патента: US12004798B2. Автор: Thomas Fähsing. Владелец: OLYMPUS Winter and Ibe GmbH. Дата публикации: 2024-06-11.

Super high frequency plant with mesh drums for the slaughter animals non-food waste heat treatment

Номер патента: RU2671714C1. Автор: Галина Владимировна Новикова,Марьяна Валентиновна Белова,Георгий Валерьевич Жданкин,Владимир Федорович Сторчевой. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородская государственная сельскохозяйственная академия", (ФГБОУ ВО НГСХА). Дата публикации: 2018-11-06.

Method for determining an optimal structure of a high-frequency shield of a high-frequency antenna of a magnetic resonance arrangement

Номер патента: US9098672B2. Автор: Volker Matschl,Jürgen NISTLER,Sebastian Martius,Dirk Diehl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-08-04.

Use of a weblike high-frequency weldable material containing high-frequency weldable fibres to produce articles with a cushion by joint to joint high-frequency welding

Номер патента: DE3468912D1. Автор: Gerhard Zwirner. Владелец: Gebrueder Happich GmbH. Дата публикации: 1988-02-25.

Power supply with current measurement circuit for transformer with high frequency output

Номер патента: US7411406B2. Автор: Hendrikus Adrianus Anthonius Verheijen. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2008-08-12.

Method and apparatus for encoding and decoding high frequency for bandwidth extension

Номер патента: US10339948B2. Автор: Ki-hyun Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-02.

Treatment apparatus using high frequency waves and method for controlling same

Номер патента: US9744371B2. Автор: Kwang Chon Ko. Владелец: Lutronic Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

High-frequency generator for tissue cutting and for coagulating in high-frequency surgery

Номер патента: US5108391A. Автор: Heinz Lindenmeier,Karl Fastenmeier,Gerhard Flachenecker. Владелец: Karl Storz Endoscopy America Inc. Дата публикации: 1992-04-28.

Treatment device using high frequency

Номер патента: US11338132B2. Автор: Kwang Chon Ko. Владелец: Lutronic Corp. Дата публикации: 2022-05-24.

Semi-conductive shielding material for high-voltage cable, and preparation method therefor

Номер патента: EP4253471A1. Автор: Xiao Chen,Yifan ZHANG,SHU Xu,Xiaolin Li,Bin Feng,Hong Xie,Shuai Hou,Wenbo ZHU,Mingli FU,Baojun HUI,Guoxing WU. Владелец: Shenzhen Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Ecg amplifier and cardiac pacemaker for use during magnetic resonance imaging

Номер патента: US5217010A. Автор: Henry Halperin,Myron Weisfeldt,Joshua E. Tsitlik,Howard Levin. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 1993-06-08.

RDLL circuit for using at high frequency

Номер патента: KR100706776B1. Автор: 권기섭. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-04-11.

Color reproducing circuit for color signal high frequency part sequential transmission color tv signal

Номер патента: JPH01190192A. Автор: 能成藤井,Toshiyuki Ishizaki,Yoshinari Fujii,利之石崎,利次尾上,Toshiji Onoe. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 1989-07-31.

Waist strappings constituted by an oscillating circuit for absorption of high-frequency electromagnetic waves

Номер патента: FR2560771A2. Автор: . Владелец: Patois Raymond. Дата публикации: 1985-09-13.

CARTESIAN NUMERICALLY CONTROLLED MACHINE TOOL FOR HIGH-PRECISION MACHINING AND OPTICAL APPARATUS FOR MONITORING DEFORMATIONS FOR CARTESIAN MACHINE TOOLS FOR HIGH-PRECISION MACHINING

Номер патента: US20180173188A1. Автор: PICCOLO Gabriele,Fedel Massimo,POLETTO Luca. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

ELECTRIC RESISTANCE WELDED STEEL PIPE FOR HIGH-STRENGTH HOLLOW STABILIZER, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRIC RESISTANCE WELDED STEEL PIPE FOR HIGH-STRENGTH HOLLOW STABILIZER

Номер патента: US20180305780A1. Автор: Hashimoto Yuji,Aratani Masatoshi,Iwazaki Kenichi,KOKUBO Shinsaku. Владелец: JFE STEEL CORPORATION. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor integrated circuit device having various blocks specifically arranged on a single semiconductor substrate for high speed operation

Номер патента: US5321664A. Автор: Kazuhiro Akimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100207662A1. Автор: Mitsuhiro Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US20080253208A1. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same

Номер патента: US8301915B2. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor integrated circuit having enhanced acquisition of external signal

Номер патента: US20020036946A1. Автор: Yoshiyuki Ishida,Hiroyuki Sugamoto,Yasushige Ogawa,Satoshi Takashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-28.

Circuit for efficiently testing memory and shadow logic of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6263461B1. Автор: Ajay Khoche,Amitava Majumdar,Timothy Ayres. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2001-07-17.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor integrated circuit for low and high voltage operations

Номер патента: US20120087180A1. Автор: Krishnakumar Mani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor integrated circuit apparatus and circuit board and information readout method

Номер патента: US20040174753A1. Автор: Takahito Nakano,Hiroyuki Kiba,Satoshi Akui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Remote sensing system of radio waves transitional distribution for meteoric radio communication

Номер патента: RU2650196C1. Автор: Николай Васильевич Дегтярев,Сергей Владимирович Толмачев,Игорь Владимирович Рябов,Игорь Витальевич Стрельников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный технологический университет". Дата публикации: 2018-04-11.

Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method thereof

Номер патента: US20090072886A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060282721A1. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030053363A1. Автор: Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Linear regulator and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200341499A1. Автор: Makoto Yasusaka,Kotaro Iwata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for controlling re-writing operation for memory cell in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equpped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the semiconductor device

Номер патента: US20020015325A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US20080304331A1. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US7613962B2. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-11-03.

Semiconductor integrated circuit with voltage drop detector

Номер патента: US20080068045A1. Автор: Yasuhiro Tokunaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20070214336A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US7634698B2. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor integrated circuit and unstable bit detection method for the same

Номер патента: US20090168539A1. Автор: Tomonori Hayashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20240329680A1. Автор: Takayuki Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated device and control method thereof

Номер патента: EP2302484A3. Автор: Takao Kondo,Atsushi Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080183416A1. Автор: Toshihiko Matsuoka. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Probe card for testing semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010015650A1. Автор: Masahiro Tanaka,Yoshihiro Kashiba,Shigeki Maekawa,Yoshinori Deguchi,Megumi Takemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor integrated circuit, method of testing the semiconductor integrated circuit, and semiconductor substrate

Номер патента: US11774493B2. Автор: Koichi Iwao,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Semiconductor integrated circuit device and vehicle

Номер патента: US20240201250A1. Автор: Yuji Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor integrated circuit device and display apparatus

Номер патента: US20090153534A1. Автор: Yasuhiro Ogata,Yasuyuki Yokota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor integrated circuit device and debugger device for the same

Номер патента: US20040019826A1. Автор: Tsutomu Mikami,Atsushi Ubukata,Motohide Nishibata,Takio Yamashita,Kouichirou Miyawaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Design method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060095875A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor integrated circuit and IC card

Номер патента: US20060164906A1. Автор: Toshio Yamada,Takeo Kanai,Yoshio Takazawa,Minoru Katoh,Toshihiro Araki,Shinichi Ozawa,Koudou Yamauchi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor integrated circuit and data output method

Номер патента: US20070140021A1. Автор: Kouji Tsunetou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US20070176610A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor integrated circuit for generating row main signal and controlling method thereof

Номер патента: US20090316504A1. Автор: Don Hyun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20170262226A1. Автор: Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Electronic watt/watthour meter with automatic error correction and high frequency digital output

Номер патента: CA1218414A. Автор: Miran Milkovic. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1987-02-24.

Power control apparatus for radio-frequency power amplifier and radio-frequency transmission system for mri system

Номер патента: US20210396822A1. Автор: Yu Liu,Hai Huang,Haotian Jiang,Haoyang XING,Sheng Tong,Xuelian Lu. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050117445A1. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor integrated circuit and method of testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210063484A1. Автор: Yuki Watanabe,Masato Nakazato,Shohei Morishima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160109924A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Chip size estimating apparatus for semiconductor integrated circuit and chip size estimating method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120297350A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor integrated circuit provided with determination circuit

Номер патента: US6658639B2. Автор: Yoshikazu Morooka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-02.

Method and design system of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080066035A1. Автор: Kazuki Asao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits

Номер патента: US20010030901A1. Автор: Daisuke Kato,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Apparatus for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040177302A1. Автор: Teruhiko Funakura,Hisaya Mori,Hisayoshi Hanai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Packaging design supporting device and packaging design supporting method for semiconductor integrated circuit and recording medium

Номер патента: US8341583B2. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20010009381A1. Автор: Hiroshi Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Apparatus for measuring voltage fluctuation waveform in semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit having function for measuring voltage fluctuation waveform

Номер патента: US20040212387A1. Автор: Keisuke Muraya,Yoshitomo Ozeki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Apparatus and method for controlling refresh operation of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070291568A1. Автор: Jong Yeol Yang,Tae Woo Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor integrated circuit having battery control function and operation method thereof

Номер патента: US20180100897A1. Автор: Yoko Nakayama,Takeshi Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7143200B2. Автор: Katsuichi Tomobe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-11-28.

Semiconductor integrated circuit including command decoder for receiving control signals

Номер патента: US20030160645A1. Автор: Shinichi Yamada,Satoshi Eto,Satoru Saitoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Semiconductor integrated ciruit device

Номер патента: US20040196731A1. Автор: Mitsuhiro Shimamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

Method for compressing semiconductor integrated circuit, using design region divided into plural blocks

Номер патента: US20050015735A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method and apparatus for designing integrated circuit

Номер патента: US20120023470A1. Автор: Koichi Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050102446A1. Автор: Kiyotake Togo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20240257884A1. Автор: Mikio Shiraishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit routing method and recording medium which stores routing software

Номер патента: US20060184909A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

System, method and program for designing a semiconductor integrated circuit using standard cells

Номер патента: US20060206849A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040032292A1. Автор: Hidehiko Yajima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor integrated circuit and test system for testing the same

Номер патента: US7222279B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060066378A1. Автор: Tadahiro Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor integrated circuit and source voltage/substrate bias control circuit

Номер патента: US7551019B2. Автор: Tetsuya Fujita,Hiroyuki Hara,Mototsugu Hamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-23.

Semiconductor integrated circuit device incorporating a data memory testing circuit

Номер патента: US20050276113A1. Автор: Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20100194455A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070011641A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Method for designing semiconductor integrated circuit and program

Номер патента: US20150067630A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Jason Anderson,Hirotaka Tamura,Safeen Huda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Delay diagnosis method for semiconductor integrated circuit, computer program product for diagnosing delay of semiconductor integrated circuit and computer readable recording medium recording program thereon

Номер патента: US20030226126A1. Автор: Yoshihiro Iwai,Hirotake Tokuyama,Tatsuki Ishii,Kenji Shigeoka. Владелец: Hitachi Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20090164860A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20060174176A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US7589540B2. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020145935A1. Автор: Yoshimasa Yagishita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor integrated circuit and power supply control method therefor

Номер патента: US20160077563A1. Автор: Noboru Sakimura,Ayuka Tada,Ryusuke Nebashi,Yukihide Tsuji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor integrated circuit and design method and manufacturing method of the same

Номер патента: US20010044918A1. Автор: Masayuki Sato,Kunio Uchiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030005209A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Method of designing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030135833A1. Автор: Masahiro Ohashi,Yuji Sugisawa,Masayoshi Tojima,Mana Hamada,Miki Arita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-17.

Multi-layer semiconductor integrated circuits enabling stabilizing photolithography process parameters, the photomask being used, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20040087181A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Kuang-Wen Liu,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050125588A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050125587A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050120156A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Logic circuit setting optimization condition of semiconductor integrated circuit regardless of fuse cut

Номер патента: US20060239100A1. Автор: Min-Sang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-26.

Design method of semiconductor integrated circuit device, a program, and the support method of measurement evaluation

Номер патента: US20070079263A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034040A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor integrated circuit capable of reducing area occupied by data bus

Номер патента: US20020021613A1. Автор: Tadaaki Yamauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Design method of semiconductor integrated circuit and computer readable medium

Номер патента: US20120047480A1. Автор: Hiroaki Yamaoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7428601B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7426587B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7181549B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7406544B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-29.

Semiconductor integrated circuit and compiler

Номер патента: US9348588B2. Автор: Hiroshi Okano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor integrated circuit device and method of designing thereof

Номер патента: US20070240087A1. Автор: Hiroshige Fujii,Fujio Ishihara,Toshihiko Himeno,Ryubi Okuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030058729A1. Автор: Katsuyoshi Watanabe,Shinya Nagata,Masahiko Ikemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor integrated circuit and contactless type information system including the same

Номер патента: EP1742172A4. Автор: Tatsumi Sumi,George Nakane. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090102287A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8054705B2. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034039A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor integrated circuit allowing internal voltage to be measured and controlled externally

Номер патента: US20020024330A1. Автор: Hiroaki Nakai,Akira Hosogane,Tatsuya Saeki,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020126566A1. Автор: Yoshiaki Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor integrated circuit, timing controller, and display device

Номер патента: US20170110040A1. Автор: Takashi Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110058434A1. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020062458A1. Автор: Hideshi Maeno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020021615A1. Автор: Yoshiyuki Ota,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12119076B2. Автор: Takayuki Miyazaki,Yuki Ishizaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Loopback testing of integrated circuits

Номер патента: US12123908B1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Shai Cohen,Guy REDLER. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor integrated circuit, checking device and method of checking semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060009252A1. Автор: Makoto Inoguchi,Izumi Iida. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20070288817A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Test socket assemblies with liquid cooled frame for semiconductor integrated circuits

Номер патента: US12032000B2. Автор: Quynh Ngoc Nguyen,James Edward Spooner. Владелец: Smiths Interconnect Americas Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20060123299A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Method of designing semiconductor integrated circuit using test point insertion adjustable to delay time

Номер патента: US20080148209A1. Автор: Toshiyuki Maeda,Toshiharu Asaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070067699A1. Автор: Mitsuhiro Koga,Hiroshi Shinya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor integrated circuit having test circuit

Номер патента: US20020194564A1. Автор: Toshiyuki Tsujii,Masahiko Hyozo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070064482A1. Автор: Ken Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030034549A1. Автор: Tatsunori Komoike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor integrated circuit and power supply voltage control method

Номер патента: US20210311511A1. Автор: Koji Aoki,Mitsuhiro Inagaki,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Method and device for secure radio communications

Номер патента: RU2108675C1. Автор: В.П. Чернолес,И.Н. Самуйлов. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Информационные телекоммуникационные технологии". Дата публикации: 1998-04-10.

Broad-band high-frequency push-pull power amplifier

Номер патента: RU2157585C1. Автор: В.Н. Алексеенко. Владелец: Омский научно-исследовательский институт приборостроения. Дата публикации: 2000-10-10.

HIGH FREQUENCY CIRCUIT

Номер патента: US20120001686A1. Автор: . Владелец: Icom Incorporated. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRICAL SYSTEM USING HIGH FREQUENCY AC AND HAVING INDUCTIVELY CONNECTED LOADS, AND RELATED POWER SUPPLIES AND LUMINAIRES

Номер патента: US20120001563A1. Автор: RIMMER Philip John,Sherrington Carole. Владелец: JUICE TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ADAPTIVE POWER AMPLIFIER

Номер патента: US20120001692A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIELECTRIC CERAMIC, METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC, AND ELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20120004090A1. Автор: Nakano Takahiro,SAKURAI Toshio,ARASHI Tomohiro,KOBUKE Hisashi,NAKAMURA Tomoko,MIYAUCHI Yasuharu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

High frequency atomiser

Номер патента: RU2555489C2. Автор: Дмитрий Григорьевич Громаковский,Михаил Васильевич Карпухин,Александр Петрович Бураков,Евгений Павлович Кочеров,Наталья Анатольевна Карева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный технический университет. Дата публикации: 2015-07-10.

Method of generating high-frequency signals and apparatus therefor

Номер патента: RU2568374C1. Автор: Николай Михайлович Тихомиров,Александр Афанасьевич Головков,Владимир Александрович Головков,Дмитрий Николаевич Рахманин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-11-20.

Method for sound reinforcement including current control of electrodynamic loudspeaker and power amplifier for active acoustic systems

Номер патента: RU2181932C1. Автор: А.П. Сырицо,А.В. Алейнов,А.Д. Муринов. Владелец: Муринов Александр Дмитриевич. Дата публикации: 2002-04-27.

High frequency system and method for exchanging packet data

Номер патента: RU2286030C1. Автор: Юрий Петрович Палочкин,Владимир Алексеевич Фролов,Геннадий Иванович Калашников,чева Тамара Ивановна Гор,Тамара Ивановна Горячева,Дмитрий Сергеевич Кулаков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Полет". Дата публикации: 2006-10-20.

Monolithic microwave integrated circuit manufacturing process

Номер патента: RU2130215C1. Автор: В.Г. Божков,В.А. Геннеберг,К.И. Куркан. Владелец: Государственное научно-производственное предприятие "НИИПП". Дата публикации: 1999-05-10.

Apparatus for extremely-high frequency therapy

Номер патента: RU2131278C1. Автор: А.В. Отчерцов,В.Д. Котов. Владелец: Котов Виктор Дмитриевич. Дата публикации: 1999-06-10.

Novel fixing device and assembling method for high-power radio frequency power amplifiers

Номер патента: CN102625625A. Автор: 孙红业,梁燕生,韦天德. Владелец: BEIJING VIGOR DIGITAL COMMUNICATION TECHNOLOGIES CO LTD. Дата публикации: 2012-08-01.

High-Frequency Coupler

Номер патента: US20120001705A1. Автор: Nozue Daisuke,Naito Takaki,Dobashi Daisuke,Takasu Shunnosuke. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Generator of high-frequency emission based on discharge with hollow cathode

Номер патента: RU2462783C1. Автор: Виктор Дмитриевич Селемир,Дмитрий Викторович Вялых,Александр Евгеньевич Дубинов,Виктор Станиславович Жданов,Игорь Львович Львов,Сергей Александрович Садовой. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики"-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2012-09-27.

High-frequency accelerating structure for ion beams extracted from laser plasma

Номер патента: RU2533194C2. Автор: Владимир Иванович Турчин,Сергей Валентинович Плотников,Александр Николаевич Балабаев,Юрий Алексеевич Сатов,Александр Викторович Шумшуров,Сергей Михайлович Савин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Государственный научный центр Российской Федерации - Институт Теоретической и Экспериментальной Физики". Дата публикации: 2014-11-20.

high-frequency digital modulation power amplifying circuit

Номер патента: CN206650634U. Автор: 刘华长,李国顺. Владелец: Guangzhou Wanchang Sound Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-17.

Driver for a high efficiency, high frequency class-d power amplifier

Номер патента: CA2037375A1. Автор: George Jernakoff,Sayed-Amr Ahmes El-Hamamsy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-08-29.

Base for high pressure lamp

Номер патента: CA165287S. Автор: . Владелец: LightSources Inc. Дата публикации: 2016-06-27.

Base for high pressure lamp

Номер патента: CA165318S. Автор: . Владелец: LightSources Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Base for high pressure lamp

Номер патента: CA165286S. Автор: . Владелец: LightSources Inc. Дата публикации: 2016-06-27.

Method for frequency modulation and demodulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2483429C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Ирина Александровна Малютина. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г.Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-05-27.

Method for phase modulation and demodulation of high-frequency signals and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2481700C2. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Ирина Александровна Малютина. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-05-10.

Method for generation and frequency modulation of high-frequency signals and apparatus therefor

Номер патента: RU2568375C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Дмитрий Александрович Ишутин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-11-20.

Generation method of high-frequency signals and device for its implementation

Номер патента: RU2568928C1. Автор: Александр Афанасьевич Головков,Виталий Николаевич Димитренко,Александр Александрович Чаплыгин,Александр Германович Волобуев. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-11-20.

Circuit for improving additional efficiency of power of power amplifier

Номер патента: CN203313124U. Автор: 陈涛,孙晓红,田婷,高怀. Владелец: SUZHOU YINGNUOXUN TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-27.

Input short-circuit protecting circuit for PWM (Pulse-Width Modulation) type audio power amplifier

Номер патента: CN104836192A. Автор: 蔡铁军,何邦君,寇冠,江碧波. Владелец: 何邦君. Дата публикации: 2015-08-12.

Circuit for driving ab and b class transistor power amplifier

Номер патента: JPS5361253A. Автор: Kouichi Date. Владелец: RATSUKUSU KK. Дата публикации: 1978-06-01.

Control circuit for inverter system high-frequency heating device

Номер патента: JPS6431390A. Автор: Naoyoshi Maehara,Shigeru Kusuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1989-02-01.

On-vehicle communication unit for high lift work vehicle and high lift work vehicle, and information collection system for high lift work vehicle

Номер патента: JP2021042058A. Автор: Masahiko Watanabe,則英五十嵐,政彦渡辺,Norihide Igarashi,渡辺　政彦. Владелец: Hokuetsu Industries Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Output coupling circuit for a balanced high frequency generator

Номер патента: CA497285A. Автор: M. Rust William. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1953-10-27.

Steel for high-temperature carburization superior in grain-coarsening resistance, manufacturing method therefor, formed article for high-temperature carburization, and carburizing and quenching method therefor

Номер патента: JP2006249570A. Автор: Kazuya Hashimoto,和弥橋本. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-21.

Electronic circuit for measuring voltage generated by pulse width modulation (PWM) in electrical machines includes operational amplifier, monostable units, signal integrators, solid stage switches, isolation amplifier and voltage divider

Номер патента: ES2245576A1. Автор: Andres Garcia Rico,Julian Florez Esnal,Gonzalo Martinez Diaz,Miguel Martinez Iturralde Maiza. Владелец: INSTITUTO CIENTIFICO Y TECNOLOGICO DE GUIPUZCOA SA. Дата публикации: 2006-01-01.

Номер патента: RU2450388C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-05-10.

Номер патента: RU2440676C1. Автор: Александр Юрьевич Сивов,Александр Александрович Медведев,Сергей Владимирович Дьяконов,Михаил Геннадьевич Алешин,Виталий Дмитриевич Аралов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Академия Федеральной службы охраны Российской Федерации (Академия ФСО России). Дата публикации: 2012-01-20.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

Method of and device for combined radio communication and radio navigation for use in railway transport

Номер патента: RU2278048C1. Автор: Виктор Иванович Дикарев,Виталий Владимирович Журкович,Валентина Георгиевна Сергеева,Леонид Всеволодович Рыбкин. Владелец: Леонид Всеволодович Рыбкин. Дата публикации: 2006-06-20.

Band power amplifier

Номер патента: RU2297093C1. Автор: Владимир Николаевич Ильюшенко,Александр Анатольевич Титов,Маргарита Александровна Титова. Владелец: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР). Дата публикации: 2007-04-10.

RADIO COMMUNICATION SYSTEM, MOBILE STATION APPARATUS, BASE STATION APPARATUS, AND RADIO COMMUNICATION METHOD IN RADIO COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20120002657A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of and device for combined radio communication and radio navigation for use in railway transport

Номер патента: RU2278047C1. Автор: Виктор Иванович Дикарев,Виталий Владимирович Журкович,Валентина Георгиевна Сергеева,Леонид Всеволодович Рыбкин,Виктор Иванович Дикарев (RU),Виталий Владимирович Журкович (RU),Валентина Георгиевна Сергеева (RU),Леонид Всеволодович Рыбкин (RU). Владелец: Леонид Всеволодович Рыбкин. Дата публикации: 2006-06-20.

Номер патента: RU2270461C2. Автор: Юрий Соломонович Ицкович,Юрий Федорович Подоплекин,Игорь Викторович Симановский,Евгений Анатольевич Войнов,Владимир Алексеевич Коноплев,Евгений Алексеевич Горбачев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт "Гранит". Дата публикации: 2006-02-20.

Номер патента: RU2391711C1. Автор: Владимир Петрович Грибок,Сергей Александрович Косарев,Владимир Петрович Грибок (RU),Сергей Александрович Косарев (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АЛЬТОНИКА" (ООО "АЛЬТОНИКА"). Дата публикации: 2010-06-10.

Номер патента: RU2580070C2. Автор: Дмитрий Геннадьевич Митрофанов,Александр Владимирович Зайцев,Олег Олегович Красавцев,Денис Александрович Кичулкин,Анатолий Анатольевич Чижов,Александр Александрович Терещенко,Игорь Анатольевич Тимофеев,Виктор Сергеевич Азаров,Александр Константинович Черников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Смоленский научно-инновационный центр радиоэлектронных систем "Завант". Дата публикации: 2016-04-10.

Номер патента: RU2284668C1. Автор: Герман Борисович Волобуев,Валерий Иванович Ледовских. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-09-27.

Номер патента: RU2538346C1. Автор: Андрей Юрьевич Потапов,Вячеслав Вячеславович Воронович,Николай Владимирович Рогов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-01-10.

Multichannel communication system

Номер патента: RU2194365C2. Автор: В.И. Ледовских,Н.В. Ледовских. Владелец: Воронежский государственный технический университет. Дата публикации: 2002-12-10.

Electric noise diagnostic method for high-voltage equipment

Номер патента: RU2511607C1. Автор: Вадим Анатольевич Шахнин,Олег Юрьевич Моногаров,Юлия Сергеевна Чебрякова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ). Дата публикации: 2014-04-10.

Method of and device for combined radio communication and radio navigation on railway transport

Номер патента: RU2108252C1. Автор: Ю.А. Ерохин. Владелец: Московский государственный университет путей сообщения. Дата публикации: 1998-04-10.

METHOD AND APPARATUS FOR TRANSMITTING DATA ON RELAY COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20120002598A1. Автор: Kim Byoung-Hoon,Seo Han-Byul. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Communication system for very low frequency and extremely low frequency range with deeply submerged and remote objects - 2

Номер патента: RU2590899C2. Автор: Виктор Ефимович Пониматкин,Олег Романович Кивчун,Василий Александрович Майоров,Вячеслав Леонидович Евстратов,Алексей Алексеевич Типикин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-Морского флота "Военно-Морская академия" имени адмирала флота Советского Союза Н.Г. Кузнецова". Дата публикации: 2016-07-10.

Номер патента: RU2433524C1. Автор: Александр Карпович Балыко,Виталий Юрьевич Мякиньков,Ольга Сергеевна Зуева,Людмила Геннадьевна Савельева,Марина Юрьевна Вахламова,Анаит Кимовна Гуларян,Наталья Александровна Фетисова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-11-10.

Semiconductor integrated circuit for high frequency power amplifier, electronic component for high frequency power amplifier, and radio communication system

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты