METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR, ESPECIALLY IN THE LOW ENERGY UV-X DOMAIN, AND PHODETECTOR OBTAINED BY THIS METHOD
Номер патента: FR2831992A1
Опубликовано: 09-05-2003
Автор(ы): Benoit Guizard, Francois Foulon
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-05-2003
Автор(ы): Benoit Guizard, Francois Foulon
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for making a semiconductor photodetector, in particular in the low-energy uv-x domain, and photodetector obtained by said method
Номер патента: CA2465882A1. Автор: Benoit Guizard,Francois Foulon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.