Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管形成方法

沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管形成方法

Номер патента: CN102270660B
Опубликовано: 05-03-2014
Автор(ы): 亚历山大·卡尼斯基, 吴国铭, 段孝勤, 黄伟宗
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Self-aligned contact for trench MOSFET

Номер патента: US09735266B2. Автор: Hsiao-Chin Tuan,Alex Kalnitsky,Kuo-Ming Wu,Wei Tsung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device with low-k gate cap and self-aligned contact

Номер патента: US20150255556A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Method to manufacture short channel trench MOSFET

Номер патента: US9269805B2. Автор: Sik Lui. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-23.

Trench MOSFET with resurf stepped oxide and diffused drift region

Номер патента: US8587054B2. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-19.

Shield gate trench mosfet device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230124023A1. Автор: Shufan YAN. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for fabricating self-aligned contact in a semiconductor device

Номер патента: US20170125586A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Hugo CHAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of manufacturing self-aligned contact in semiconductor device

Номер патента: CN106653847B. Автор: 李振铭,杨复凯,王美匀,赵高毅. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-17.

Method for fabricating self-aligned contact in a semiconductor device

Номер патента: US9647116B1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Kuo-Yi Chao,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Self-aligned contact for trench power MOSFET

Номер патента: US09691863B2. Автор: Wenjun Li,Sik Lui,Hongyong Xue,Jowei Dun,Ching-Kai Lin,Yi Chang Yang,Terence Huang. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-06-27.

Self-aligned contact for trench power mosfet

Номер патента: US20160300917A1. Автор: Wenjun Li,Sik Lui,Hongyong Xue,Jowei Dun,Ching-Kai Lin,Yi Chang Yang,Terence Huang. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-13.

Process for forming a short channel trench MOSFET and device formed thereby

Номер патента: US09831336B2. Автор: Deva Pattanayak,Zachary Lee. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Sidewall spacers for self-aligned contacts

Номер патента: US09882023B2. Автор: Hua Feng Chen,Kuo-Hua Pan,Min-Yann Hsieh,Jyun-Ming Lin,C. H. Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Structure and method for replacement gate integration with self-aligned contacts

Номер патента: US09627510B1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Self-aligned contacts for vertical field effect transistors

Номер патента: US11081566B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Su Chen Fan,Ekmini A. De Silva. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Self aligned contact with improved robustness

Номер патента: US20140070333A1. Автор: Shom Ponoth,Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Sidewall Spacers for Self-Aligned Contacts

Номер патента: US20180151697A1. Автор: PAN Kuo-Hua,Lin Jyun-Ming,Chen Hua Feng,Hsieh Min-Yann,WU C.H.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

HIGH DENSITY MOSFET ARRAY WITH SELF-ALIGNED CONTACTS ENHANCEMENT PLUG AND METHOD

Номер патента: US20150255565A1. Автор: Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Sidewall Spacers for Self-Aligned Contacts

Номер патента: US20170250264A1. Автор: PAN Kuo-Hua,Lin Jyun-Ming,Chen Hua Feng,Hsieh Min-Yann,WU C.H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

Self-aligned contact for vertical field effect transistor

Номер патента: US20200052096A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Junli Wang,Su Chen Fan,Steven Bentley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Self aligned trench MOSFET with integrated diode

Номер патента: US09911840B2. Автор: Sik Lui,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated trench mosfet with trench schottky rectifier

Номер патента: US20130214350A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Intergrated trench mosfet with trench schottky rectifier

Номер патента: US20100176448A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-15.

Transistor with reduced gate resistance and improved process margin of forming self-aligned contact

Номер патента: US20200111706A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Selective gate cap for self-aligned contacts

Номер патента: US20230187549A1. Автор: Kangguo Cheng,Ekmini Anuja De Silva,Ruilong Xie,Chanro Park,Eric Miller,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for fabricating a finFET metallization architecture using a self-aligned contact etch

Номер патента: US09818876B1. Автор: Guillaume Bouche. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Zero drain overlap and self-aligned contacts and contact methods for mod devices

Номер патента: CA1197926A. Автор: Gary F. Derbenwick,James R. Adams,Matthew V. Hanson,William D. Ryden,Alfred P. Gnadinger. Владелец: Inmos Corp. Дата публикации: 1985-12-10.

Integrated multiple gate length semiconductor device including self-aligned contacts

Номер патента: US09466680B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Rajasekhar Venigalla,Su Chen Fan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Gate-top dielectric structure for self-aligned contact

Номер патента: US20240014292A1. Автор: Chih-Hao Chang,Yi-Hsien Chen,Ta-Chun Lin,Yi-Shien Mor,Chung-Ting LI,Wen-Cheng LUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

SELF-ALIGNED CONTACTS FOR WALLED NANOSHEET AND FORKSHEET FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20210193821A1. Автор: Ryckaert Julien,Weckx Pieter,Horiguchi Naoto,BOEMMELS Juergen,Dentoni Litta Eugenio. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

TRANSISTOR WITH REDUCED GATE RESISTANCE AND IMPROVED PROCESS MARGIN OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20220051939A1. Автор: YANG SHENG-HUI. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Transistor with reduced gate resistance and improved process margin of forming self-aligned contact

Номер патента: US20200111706A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

MOSFET WITH ASYMMETRIC SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20170141198A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Xie Ruilong,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device including self-aligned contact, and method for fabricating the same

Номер патента: KR102376718B1. Автор: 강성우,이상현,이정윤,이동석,배근희,전용호,권기상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-03-18.

Trench mosfet device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240088215A1. Автор: Cesare Ronsisvalle,Fanghua LI,Shuntao Hu,Guixin Liu. Владелец: Lingrui Semiconductor Shanghai Co ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Trench mosfet device with low gate charge and the manfacturing method thereof

Номер патента: US20100171171A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun We Ni,Kao- Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Trench mosfet device and method for fabricating the same

Номер патента: WO2012079456A1. Автор: Jiakun Wang. Владелец: Csmc Technologies Fab1 Co., Ltd. Дата публикации: 2012-06-21.

Method for manufacturing trench MOSFET device with low gate charge

Номер патента: US8114762B2. Автор: Kao-Way Tu,Hsiu-wen Hsu,Chun Wei Ni. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-14.

一种减少掩膜次数的Trench MOSFET的制作工艺

Номер патента: CN114864403B. Автор: 黄健,张楠,刘静,孙闫涛,顾昀浦,宋跃桦,吴平丽. Владелец: Jiejie Microelectronics Shanghai Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-05-12.

一种减少掩膜次数的Trench MOSFET的制作工艺

Номер патента: CN114864403. Автор: 黄健,张楠,刘静,孙闫涛,顾昀浦,宋跃桦,吴平丽. Владелец: Jiejie Microelectronics Shanghai Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-08-05.

Method of fabricating a self-aligned contact trench DMOS transistor structure

Номер патента: US5665619A. Автор: Izak Bencuya,Sze-Hon Kwan. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Semiconductor devices having self-aligned contact pads and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20150311276A1. Автор: In-seak Hwang,Young-Kuk Kim,Han-jin Lim,Ki-Vin Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Methods of manufacturing semiconductor devices having self-aligned contact pads

Номер патента: US9184227B1. Автор: In-seak Hwang,Young-Kuk Kim,Han-jin Lim,Ki-Vin Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-10.

High density MOSFET array with self-aligned contacts enhancement plug and method

Номер патента: US09401409B2. Автор: Hong Chang,Yeeheng Lee,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-26.

SELF-ALIGNED CONTACT FOR TRENCH POWER MOSFET

Номер патента: US20170288028A1. Автор: Lin Ching-Kai,Lui Sik,Li Wenjun,Xue Hongyong,Huang Terence,Yang Yi Chang,Dun Jowei. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

Fin-based semiconductor device structure including self-aligned contacts and method for forming the same

Номер патента: US12119391B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

VERTICAL THIN FILM TRANSISTORS HAVING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20200006572A1. Автор: Ghani Tahir,Wang Yih,Kavalieros Jack T.,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Le Van H.,SUNG Seung Hoon,SHARMA Abhishek A.,HARATIPOUR Nazila,SHIVARAMAN Shriram. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Iii-v semiconductor device having self-aligned contacts

Номер патента: US20150021662A1. Автор: Anirban Basu,Amlan Majumdar,Yanning Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

DEVICE INCLUDING CAVITY AND SELF-ALIGNED CONTACT AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160049487A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao,Yeap Choh Fei,Machkaoutsan Vladimir,BADAROGLU Mustafa,Zhu John Jianhong. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

VERTICAL-TRANSPORT TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20190051757A1. Автор: Xie Ruilong,Zang Hui,Chanemougame Daniel,Bourjot Emilie,Lee Tek Po Rinus. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOW-K GATE CAP AND SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20150255556A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Surisetty Charan V. V. S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-10.

Self-Aligned Contact and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20180350927A1. Автор: Lee Tung Ying,YEH Chih Chieh,LIU Chi-Wen,Yeo Yee-Chia,YEH Jeng-Ya David,Chiu Yuan-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

RECESSING RMG METAL GATE STACK FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20160372576A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

III-V semiconductor device having self-aligned contacts

Номер патента: US9666684B2. Автор: Anirban Basu,Amlan Majumdar,Yanning Sun. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Trench mosfet with trench contact holes and method for fabricating the same

Номер патента: US20120091523A1. Автор: Gang Ji,Jianping Gu,Kaibin Ni,Tianbing Zhong. Владелец: Will Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Shielded gate trench mosfet with esd diode manufactured using two poly-silicon layers process

Номер патента: US20210202471A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Shielded gate trench mosfet with esd diode manufactured using two poly-silicon layers process

Номер патента: US20210104510A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Self-aligned contacts

Номер патента: US09892967B2. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Self-aligned contacts

Номер патента: US09508821B2. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Self-aligned contacts

Номер патента: US09466565B2. Автор: Mark T Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz,Nadia M. Rahhai-Orabi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US09443738B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Self-aligned contact metallization for reduced contact resistance

Номер патента: US09754940B2. Автор: Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Self-aligned contact process enabled by low temperature

Номер патента: US09634117B2. Автор: Hong He,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Self-aligned contacts

Номер патента: US11600524B2. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Self-aligned contacts

Номер патента: US20240030067A1. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Self-aligned contacts

Номер патента: US11887891B2. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Partial self-aligned contact for MOL

Номер патента: US11887890B2. Автор: Veeraraghavan Basker,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Self-aligned contact and method for forming the same

Номер патента: US20190305110A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Chien-Ting Chen,Sih-Han Chen,Yao-Ting Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US20160233091A1. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Self-aligned contact structure

Номер патента: US20150200137A1. Автор: David L. Rath,Ravikumar Ramachandran,John A. Fitzsimmons,Russell H. Arndt,Rosa A. Orozco-Teran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

Self aligned contact structure

Номер патента: US10074562B2. Автор: David L. Rath,Ravikumar Ramachandran,John A. Fitzsimmons,Russell H. Arndt,Rosa A. Orozco-Teran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-11.

Self-aligned contact structure

Номер патента: US09548244B2. Автор: David L. Rath,Ravikumar Ramachandran,John A. Fitzsimmons,Rosa A. Orozco-Teran,Russell H Arndt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Self-aligned contact structure

Номер патента: US20150371948A1. Автор: David L. Rath,Ravikumar Ramachandran,John A. Fitzsimmons,Russell H. Arndt,Rosa A. Orozco-Teran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Self-aligned contact structure

Номер патента: US9548244B2. Автор: David L. Rath,Ravikumar Ramachandran,John A. Fitzsimmons,Rosa A. Orozco-Teran,Russell H Arndt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Self aligned contact structure

Номер патента: US20160336266A1. Автор: David L. Rath,Ravikumar Ramachandran,John A. Fitzsimmons,Rosa A. Orozco-Teran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING SELF-ALIGNED CONTACT PADS

Номер патента: US20160027786A1. Автор: Kim Young-Kuk,Im Ki-vin,LIM Han-jin,Hwang In-seak. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

HIGH DENSITY MOSFET ARRAY WITH SELF-ALIGNED CONTACTS DELIMITED BY NITRIDE-CAPPED TRENCH GATE STACKS AND METHOD

Номер патента: US20150340363A1. Автор: Chang Hong,Kim Jongoh,Lee Yeeheng -. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2015-11-26.

Termination structure with multiple embedded potential spreading capacitive structures for trench mosfet

Номер патента: US20150214312A1. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-07-30.

Termination structure with multiple embedded potential spreading capacitive structures for trench mosfet

Номер патента: US20170053989A9. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-02-23.

Termination Structure with Multiple Embedded Potential Spreading Capacitive Structures for Trench MOSFET and Method

Номер патента: US20110198605A1. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-08-18.

Termination structure with multiple embedded potential spreading capacitive for trench MOSFET and method

Номер патента: US9029236B2. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-05-12.

Termination structure with multiple embedded potential spreading capacitive structures for trench MOSFET

Номер патента: US09960237B2. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-05-01.

Termination Structure with Multiple Embedded Potential Spreading Capacitive Structures for Trench MOSFET and Method

Номер патента: US20140167212A1. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-06-19.

Mushroomed via structures for trench contact or gate contact

Номер патента: US20240105599A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Desalegne B. Teweldebrhan,Vishal Tiwari. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Verfahren zur herstellung eines trench-mosfet

Номер патента: EP3923346A1. Автор: Holger Schlichting,Minwho Lim,Oleg Rusch,Dr. Tobias Erlbacher,Dr. Tomasz Sledziewski. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2021-12-15.

Folded channel trench mosfet

Номер патента: US20190172945A1. Автор: Sik Lui. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2019-06-06.

Sic super junction trench mosfet

Номер патента: US20220123140A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Sic super junction trench mosfet

Номер патента: US20220367710A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Trench MOSFET with shielded gate and diffused drift region

Номер патента: US09530882B1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

SiC trench MOSFET with low on-resistance and switching loss

Номер патента: US11777000B2. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Embedded bottom metal contact formed by a self-aligned contact process for vertical transistors

Номер патента: US10319835B2. Автор: Tenko Yamashita,Heng Wu,Zuoguang Liu,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

FinFET standard cell with double self-aligned contacts and method therefor

Номер патента: US12062659B2. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Embedded bottom metal contact formed by a self-aligned contact process for vertical transistors

Номер патента: US20180337257A1. Автор: Tenko Yamashita,Heng Wu,Zuoguang Liu,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Embedded bottom metal contact formed by a self-aligned contact process for vertical transistors

Номер патента: GB201916897D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-01.

Reverse tone self-aligned contact

Номер патента: US09412656B2. Автор: Ching-Feng Fu,Chia-Ying Lee,Yu-Chan Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

FinFET STANDARD CELL WITH DOUBLE SELF-ALIGNED CONTACTS AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20230051161A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

INTEGRATED MULTIPLE GATE LENGTH SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20150349075A1. Автор: Venigalla Rajasekhar,Fan Su Chen,Pranatharthiharan Balasubramanian. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Self-aligned contact etch for fabricating a FinFET

Номер патента: US09905473B1. Автор: Guillaume Bouche,Vimal Kamineni,Michael Aquilino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Reverse tone self-aligned contact

Номер патента: US09812536B2. Автор: Ching-Feng Fu,Chia-Ying Lee,Yu-Chan Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Graphene/nanostructure fet with self-aligned contact and gate

Номер патента: WO2011160922A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey Sleight,Josephine Chang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-12-29.

Self-aligned contact and contact over active gate structures

Номер патента: US20200279773A1. Автор: Susmit Singha Roy,Regina FREED,Madhur Sachan,Sanjay Natarajan,Yuriy Shusterman. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2020-09-03.

Sacrificial fin for self-aligned contact rail formation

Номер патента: US20230064608A1. Автор: Brent Anderson,Junli Wang,Yann Mignot,Su Chen Fan,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Sacrificial fin for self-aligned contact rail formation

Номер патента: US11901440B2. Автор: Brent Anderson,Junli Wang,Yann Mignot,Su Chen Fan,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Integration of air spacer with self-aligned contact in transistor

Номер патента: US20200083101A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Gate cap last for self-aligned contact

Номер патента: US20200381306A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Placeholder Profile for Backside Self-Aligned Contact

Номер патента: US20240072134A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Structure and method for bi-layer self-aligned contact

Номер патента: US20210066470A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Self-aligned contact for replacement gate devices

Номер патента: US20130175587A1. Автор: Ying Li,Ravikumar Ramachandran,Richard S. Wise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Integration of air spacer with self-aligned contact in transistor

Номер патента: US20200161169A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Trenched mosfet with guard ring and channel stop

Номер патента: US20100038711A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-18.

Shielded gate trench MOSFET devices

Номер патента: US11640993B2. Автор: Hamza Yilmaz,Jong Oh Kim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-02.

Lined conductive structures for trench contact

Номер патента: US20240186395A1. Автор: Peter P. SUN,Krishna GANESAN,Ala ALAZIZI,Ankit Kirit LAKHANI,Diana Ivonne PAREDES. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Shielded gate trench mosfet devices

Номер патента: US20220130999A1. Автор: Hamza Yilmaz,Jong Oh Kim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Shielded gate trench mosfet devices

Номер патента: US20220131001A1. Автор: Hamza Yilmaz,Jong Oh Kim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Shielded gate trench mosfet devices

Номер патента: US20220131000A1. Автор: Hamza Yilmaz,Jong Oh Kim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

一种自对准功率Trench MOSFET制作方法及其结构

Номер патента: CN113948397A. Автор: 黄平,顾海颖,鲍利华. Владелец: Shanghai Fine Chip Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

一种新型自对准功率Trench MOSFET制作方法及其结构

Номер патента: CN113964039B. Автор: 黄平,顾海颖,鲍利华. Владелец: Shanghai Fine Chip Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-01-05.

一种自对准功率Trench MOSFET制作方法及其结构

Номер патента: CN113948397B. Автор: 黄平,顾海颖,鲍利华. Владелец: Shanghai Fine Chip Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-01-05.

一种新型自对准功率Trench MOSFET制作方法及其结构

Номер патента: CN113964039A. Автор: 黄平,顾海颖,鲍利华. Владелец: Shanghai Fine Chip Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2022-01-21.

Gate-source structure and manufacturing method thereof, and asymmetric trench mosfet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355925A1. Автор: Yanggang Ou,Jiamin LUO. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

一种新型自对准功率Trench MOSFET制作方法及其结构

Номер патента: CN113964039. Автор: 黄平,顾海颖,鲍利华. Владелец: Shanghai Fine Chip Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2022-01-21.

一种自对准功率Trench MOSFET制作方法及其结构

Номер патента: CN113948397. Автор: 黄平,顾海颖,鲍利华. Владелец: Shanghai Fine Chip Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

Trench MOSFET having reduced gate charge

Номер патента: US09583611B2. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Touhidur Rahman,Thomas Eugene Grebs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for manufacturing trench mosfet

Номер патента: US20240128370A1. Автор: Jinyong Cai. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Shielded gate trench mosfets with improved termination structures

Номер патента: US20240128369A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Trench mosfet with self-aligned body contact with spacer

Номер патента: EP3365919A1. Автор: Kyle Terrill,Lingpeng Guan,Seokjin Jo. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-08-29.

EMBEDDED BOTTOM METAL CONTACT FORMED BY A SELF-ALIGNED CONTACT PROCESS FOR VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20180337257A1. Автор: Yamashita Tenko,Wu Heng,Fan Su Chen,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

EMBEDDED BOTTOM METAL CONTACT FORMED BY A SELF-ALIGNED CONTACT PROCESS FOR VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20180337260A1. Автор: Yamashita Tenko,Wu Heng,Fan Su Chen,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

SELF-ALIGNED CONTACT FOR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200052096A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Xie Ruilong,Fan Su Chen,Pranatharthiharan Balasubramanian,Bentley Steven. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

SELF-ALIGNED CONTACTS FOR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20200295156A1. Автор: Kanakasabapathy Sivananda K.,Fan Su Chen,De Silva Ekmini A.. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

SELF-ALIGNED CONTACT FOR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20180337256A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Xie Ruilong,Fan Su Chen,Pranatharthiharan Balasubramanian,Bentley Steven. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

VERTICAL SWITCHING DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20200220023A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Majhi Prashant,SUNG Seung Hoon,SHARMA Abhishek A.,Doyle Brian S.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

VERTICAL-TRANSPORT FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20190312116A1. Автор: Bentley Steven,Chanemougame Daniel,Bourjot Emilie. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Method and device for self-aligned contact on a non-recessed metal gate

Номер патента: US9076816B2. Автор: Hoon Kim,Xunyuan Zhang,Xiuyu Cai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-07.

Vertical switching device with self-aligned contact

Номер патента: WO2019135753A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Seung Hoon Sung,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-07-11.

Non-self aligned contact semiconductor devices

Номер патента: US20200295151A1. Автор: Hari Prasad Amanapu,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Vertical switching device with self-aligned contact

Номер патента: EP3735709A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Seung Hoon Sung,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-11.

Closed cell lateral MOSFET using silicide source and body regions with self-aligned contacts

Номер патента: US09853143B2. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-12-26.

Self-aligned contact structure for replacement metal gate

Номер патента: US20140377927A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device including a self-aligned contact layer with enhanced etch resistance

Номер патента: US20240030311A1. Автор: Huang-Lin Chao,Yao-Sheng Huang,Lo-Heng Chang,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang,Yun-Ju FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

SELF-ALIGNED CONTACTS FOR REPLACEMENT METAL GATE TRANSISTORS

Номер патента: US20140327058A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

SELF ALIGNED CONTACT WITH IMPROVED ROBUSTNESS

Номер патента: US20150041868A1. Автор: Ponoth Shom,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOW-K GATE CAP AND SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20160163808A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Surisetty Charan V. V. S.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACT ELEMENTS

Номер патента: US20150263160A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Trench mosfet and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210202701A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Yi-Lun LO. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Dielectric liner for a self-aligned contact via structure

Номер патента: US9318384B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Methods of forming FinFET semiconductor devices with self-aligned contact elements using a replacement gate process and the resulting devices

Номер патента: US09515163B2. Автор: Shom Ponoth,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Self-aligned contact for silicon-on-insulator devices

Номер патента: US20040203211A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Fu-Liang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-10-14.

Methods of forming semiconductor device with self-aligned contact elements and the resulting device

Номер патента: US20170077247A1. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

METHOD FOR FABRICATING SELF-ALIGNED CONTACT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170207135A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,Chao Kuo-Yi,LEE Chen-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

MODIFIED SELF-ALIGNED CONTACT PROCESS AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150228746A1. Автор: Ho Wei-Shuo,Chen Kuang-Hsin,Chiang Tsung-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-08-13.

USING SELECTIVELY FORMED CAP LAYERS TO FORM SELF-ALIGNED CONTACTS TO SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20210280690A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

MATERIAL REMOVAL PROCESS FOR SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170358453A1. Автор: Ozcan Ahmet S.,Kanakasabapathy Sivananda K.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Self aligned contact formation

Номер патента: US8921136B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-12-30.

Self-aligned contacts for vertical field effect transistors

Номер патента: US09548385B1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Self-aligned contacts for vertical field effect transistors

Номер патента: US09312383B1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Self-Aligned Contact Plugs and Semiconductor Device

Номер патента: US20140367773A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-12-18.

Dummy hybrid film for self alignment contact formation

Номер патента: US20240379815A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Bor Chiuan Hsieh,Po-Cheng Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device with self-aligned contact plugs

Номер патента: US20150221590A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-08-06.

Methods of forming vertical field-effect transistor with self-aligned contacts for memory devices with planar periphery/array and intermediate structures formed thereby

Номер патента: US9673102B2. Автор: Jun Liu,David H. Wells,Sanh D. Tang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-06.

METHOD AND DEVICE FOR SELF-ALIGNED CONTACT ON A NON-RECESSED METAL GATE

Номер патента: US20150137273A1. Автор: Kim Hoon,Zhang Xunyuan,Cai Xiuyu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device with self-aligned contact plugs

Номер патента: US20150221590A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-08-06.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Self-Aligned Contact Plugs and Semiconductor Device

Номер патента: US20140367773A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-12-18.

SELF ALIGNED CONTACT SCHEME

Номер патента: US20170288031A1. Автор: Jeng Pei-Ren,Hsu Kuang-Yuan,Ho Tsai-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US09443944B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Self-aligned contacts

Номер патента: US20140070282A1. Автор: Shom Ponoth,David L. Rath,Muthumanickam Sankarapandian,David V. Horak,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Self-aligned contacts

Номер патента: WO2014039166A1. Автор: Shom Ponoth,David L. Rath,Muthumanickam Sankarapandian,David V. Horak,Su Chen Fan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

Monolithically integrated trench mosfet and schottky diode

Номер патента: WO2000051167A9. Автор: Steven Paul Sapp. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2001-06-14.

Monolithically integrated trench mosfet and schottky diode

Номер патента: EP1095454A2. Автор: Steven Paul Sapp. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-05-02.

Trench mosfet having an independent coupled element in a trench

Номер патента: WO2014042675A1. Автор: Hirokazu Kato,Tetsuo Sato,Tomoaki Uno,Nobuyoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics America Inc.. Дата публикации: 2014-03-20.

Monolithically integrated trench mosfet and schottky diode

Номер патента: WO2000051167A3. Автор: Steven Paul Sapp. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2000-12-21.

Shielded gate trench mosfets with improved performance structures

Номер патента: US20230327013A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构

Номер патента: CN113013247. Автор: 吕文生,黄传伟,诸建周,胡盖,夏华秋. Владелец: Wuxi Roum Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Method for fabricating a shield gate trench MOSFET

Номер патента: US09761695B1. Автор: Rangxuan Fan,Jinzheng Miao. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of fabricating a trench MOSFET

Номер патента: EP1376675A2. Автор: David Chang,Deva Pattanayak,Mohamed N. Darwish,Kyle Terrill,Kam Hong Lui,Kuo-In Chen,Ben Chan,Ronald Wong,Frederick P. Giles,Christiana Yue,Robert Q. Xu. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

Trench MOSFET structure capable of reducing on-resistance

Номер патента: CN113013247A. Автор: 吕文生,黄传伟,诸建周,胡盖,夏华秋. Владелец: Wuxi Roum Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Shielded gate trench mosfets with improved trench terminations and shielded gate trench contacts

Номер патента: US20230343867A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Shielded gate trench mosfets with improved trench terminations and shielded gate trench contacts

Номер патента: US20230343866A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09570583B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09455330B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

High density MOSFET array with self-aligned contacts delimited by nitride-capped trench gate stacks and method

Номер патента: US10297594B2. Автор: Hong Chang,Yeeheng Lee,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2019-05-21.

Partial spacer for increasing self aligned contact process margins

Номер патента: US09496368B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Self-aligned contact and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190385858A1. Автор: Tai-Chun Huang,Bang-Tai Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Self-aligned contacts for replacement metal gate transistors

Номер патента: US20140327058A1. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Self-aligned Contacts For Replacement Metal Gate Transistors

Номер патента: US20140252427A1. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Self-aligned contact metallization for reduced contact resistance

Номер патента: US20160118384A1. Автор: Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Self-aligned contact metallization for reduced contact resistance

Номер патента: KR101560112B1. Автор: 타히르 가니,글렌 에이. 글라스,아난드 에스. 머시. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2015-10-13.

Self-aligned contact metallization for reduced contact resistance

Номер патента: KR20140097462A. Автор: 타히르 가니,글렌 에이. 글라스,아난드 에스. 머시. Владелец: 인텔 코오퍼레이션. Дата публикации: 2014-08-06.

Sacrificial pre-metal dielectric for self-aligned contact scheme

Номер патента: KR102501364B1. Автор: 슈라벤디크 바트 제이. 반,토마스 웰러 마운트시어,아난다 케이. 바네르지,나그라 샹카르. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-02-17.

Self-aligned contact metallization for reduced contact resistance

Номер патента: WO2013095377A1. Автор: Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

Partial spacer for increasing self aligned contact process margins

Номер патента: US9929047B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Partial Self-Aligned Contact for MOL

Номер патента: US20220108923A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Partial Self-Aligned Contact for MOL

Номер патента: US20210134671A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Self-aligned contacts

Номер патента: US20130178033A1. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz,Joseph M Steigerwald. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACT ELEMENTS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150021683A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-01-22.

SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20190051558A1. Автор: Ghani Tahir,Hwang Jack,Bohr Mark T.,Steigerwald Joseph M.,JOSHI Subhash M.,Rahhal-Orabi Nadia M.,Klaus Jason W.,Mackiewicz Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

PARTIAL SPACER FOR INCREASING SELF ALIGNED CONTACT PROCESS MARGINS

Номер патента: US20180068893A1. Автор: Alptekin Emre,Sardesai Viraj Y.,Vega Reinaldo A.,Ramachandran Ravikumar. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20180096891A1. Автор: Ghani Tahir,Hwang Jack,Bohr Mark T.,Steigerwald Joseph M.,JOSHI Subhash M.,Rahhal-Orabi Nadia M.,Klaus Jason W.,Mackiewicz Ryan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device comprising self-aligned contact elements and a replacement gate electrode structure

Номер патента: US20140203339A1. Автор: Frank Jakubowski,Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

RECESSING RMG METAL GATE STACK FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20160149015A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Self-aligned contacts

Номер патента: US20160155815A1. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Methods of forming semiconductor device with self-aligned contact elements and the resulting devices

Номер патента: US20140252425A1. Автор: Xiuyu Cai,John A. Iacoponi,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

High Density MOSFET Array with Self-Aligned Contacts Delimited by Nitride-Capped Trench Gate Stacks and Method

Номер патента: US20140252460A1. Автор: Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20150270216A1. Автор: Ghani Tahir,Hwang Jack,Bohr Mark T.,Steigerwald Joseph M.,JOSHI Subhash M.,Klaus Jason W.,Mackiewicz Ryan,Rahhai-Orabi Nadia M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20200251387A1. Автор: Ghani Tahir,Hwang Jack,Bohr Mark T.,Steigerwald Joseph M.,JOSHI Subhash M.,Rahhal-Orabi Nadia M.,Klaus Jason W.,Mackiewicz Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

SELF-ALIGNED CONTACT PROCESS ENABLED BY LOW TEMPERATURE

Номер патента: US20150279996A1. Автор: Yin Yunpeng,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-10-01.

FINFET WITH HIGH-K SPACER AND SELF-ALIGNED CONTACT CAPPING LAYER

Номер патента: US20190259619A1. Автор: Xu Guowei,Zang Hui,Tabakman Keith. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-08-22.

SELF-ALIGNED CONTACT PROCESS ENABLED BY LOW TEMPERATURE

Номер патента: US20180331039A1. Автор: Yin Yunpeng,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Partial spacer for increasing self aligned contact process margins

Номер патента: US20160379882A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Self-aligned contacts

Номер патента: KR20120089357A. Автор: 타히르 가니,마크 티 보,나디아 엠 라할-오라비,수바시 조시,조셉 엠 슈타이거왈드,제이슨 더블유 클라우스,잭 황,라이언 맥키윅즈. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2012-08-09.

Self-aligned contacts

Номер патента: KR102302712B1. Автор: 타히르 가니,마크 티 보,나디아 엠 라할-오라비,수바시 조시,조셉 엠 슈타이거왈드,제이슨 더블유 클라우스,잭 황,라이언 맥키윅즈. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-09-15.

Self-aligned contacts

Номер патента: KR102254439B1. Автор: 타히르 가니,마크 티 보,나디아 엠 라할-오라비,수바시 조시,조셉 엠 슈타이거왈드,제이슨 더블유 클라우스,잭 황,라이언 맥키윅즈. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-05-20.

A method of manufacturing a semiconductor device having self-aligned contact elements and an exchange gate electrode structure

Номер патента: DE102011004322B4. Автор: Frank Jakubowski,Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2012-12-06.

Self-aligned contacts

Номер патента: KR102033275B1. Автор: 타히르 가니,마크 티 보,나디아 엠 라할-오라비,수바시 조시,조셉 엠 슈타이거왈드,제이슨 더블유 클라우스,잭 황,라이언 맥키윅즈. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2019-10-16.

Self-aligned contacts

Номер патента: EP4033543A1. Автор: Tahir Ghani,Mark Bohr,Jason Klaus,Jack Hwang,Subhash Joshi,Ryan Mackiewicz,Joseph STEIGERWALD,Nadia Rahhal-Orabi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-27.

Self-aligned contact process enabled by low temperature

Номер патента: US10566454B2. Автор: Hong He,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-02-18.

Self-aligned contacts

Номер патента: KR102432086B1. Автор: 타히르 가니,마크 티 보,나디아 엠 라할-오라비,수바시 조시,조셉 엠 슈타이거왈드,제이슨 더블유 클라우스,잭 황,라이언 맥키윅즈. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2022-08-11.

High density MOSFET array with self-aligned contacts delimited by nitride-capped trench gate stacks and method

Номер патента: US9136377B2. Автор: Hong Chang,Yeeheng Lee,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-09-15.

Self-aligned contact process enabled by low temperature

Номер патента: US9324830B2. Автор: Hong He,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Self-aligned contacts

Номер патента: KR101510034B1. Автор: 타히르 가니,마크 티 보,나디아 엠 라할-오라비,수바시 조시,조셉 엠 슈타이거왈드,제이슨 더블유 클라우스,잭 황,라이언 맥키윅즈. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2015-04-08.

Self-aligned contacts

Номер патента: EP3312888A2. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Subhash Joshi,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Sacrificial pre-metal dielectric for self-aligned contact scheme

Номер патента: KR102345587B1. Автор: 슈라벤디크 바트 제이. 반,토마스 웰러 마운트시어,아난다 케이. 바네르지,나그라 샹카르. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2021-12-30.

Self-aligned contacts

Номер патента: KR101778717B1. Автор: 타히르 가니,마크 티 보,나디아 엠 라할-오라비,수바시 조시,조셉 엠 슈타이거왈드,제이슨 더블유 클라우스,잭 황,라이언 맥키윅즈. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2017-09-14.

Self-aligned contacts

Номер патента: EP3096357B1. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Subhash Joshi,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

Self-aligned contact and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200357648A1. Автор: Tai-Chun Huang,Bang-Tai Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Self-aligned contact for MOS processing

Номер патента: US4795718A. Автор: Bruce A. Beitman. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1989-01-03.

Methods of forming self-aligned contacts on FinFET devices

Номер патента: US09627274B1. Автор: Huang Liu,Xintuo Dai,Jinping Liu,Haifeng Sheng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Self-aligned contacts for nanosheet field effect transistor devices

Номер патента: US20210183711A1. Автор: Juergen Boemmels,Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Eugenio Dentoni Litta,Pieter Weckx. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-17.

MOSFET with asymmetric self-aligned contact

Номер патента: US09698230B2. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

MOSFET with asymmetric self-aligned contact

Номер патента: US09640436B1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

MOSFET with asymmetric self-aligned contact

Номер патента: US09484306B1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

MOSFET with asymmetric self-aligned contact

Номер патента: US09466570B1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device with self-aligning contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220271036A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods of forming self-aligned contact structures by work function material layer recessing and the resulting devices

Номер патента: US09824920B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Self-aligned contacts for walled nanosheet and forksheet field effect transistor devices

Номер патента: US20210193821A1. Автор: Juergen Boemmels,Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Eugenio Dentoni Litta,Pieter Weckx. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-24.

Mosfet with asymmetric self-aligned contact

Номер патента: US20170140987A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Self-aligned contacts for nanosheet field effect transistor devices

Номер патента: US11462443B2. Автор: Juergen Boemmels,Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Eugenio Dentoni Litta,Pieter Weckx. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-10-04.

Contact jumper for non-self aligned contact devices

Номер патента: US20240088241A1. Автор: Ruilong Xie,Heng Wu,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Protruding spacers for self-aligned contacts

Номер патента: TW200406045A. Автор: Kurt George Steiner,Gerald W Gibson Jr,Eduardo Jose Quinones. Владелец: AGERE SYSTEMS INC. Дата публикации: 2004-04-16.

Self-aligned contact cap

Номер патента: US20180025944A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Self-aligned contact cap

Номер патента: US20180166336A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Self-aligned contact cap

Номер патента: US20180025942A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor structure with backside self-aligned contact and method for forming same

Номер патента: US20240290850A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Yun Ju FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Self-aligned contact hard mask structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12087838B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Self-Aligned Contact Hard Mask Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240363713A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Material removal process for self-aligned contacts

Номер патента: US09761455B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Ahmet S. Ozcan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor devices with self-aligned contacts and low-k spacers

Номер патента: US09543426B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device including self-aligned contact and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210217749A1. Автор: Jongchul Park,Sanghyun Lee,Sungwoo Kang,Youngmook Oh,Jeongyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device including self-aligned contact and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230097668A1. Автор: Jongchul Park,Sanghyun Lee,Sungwoo Kang,Youngmook Oh,Jeongyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for fabricating semiconductor device with self-aligning contact

Номер патента: US11764223B2. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for fabricating semiconductor device with self-aligning contact

Номер патента: US20220293602A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Direct backside self-aligned contact

Номер патента: WO2024082734A1. Автор: Chen Zhang,Ruilong Xie,Heng Wu,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-25.

Direct backside self-aligned contact

Номер патента: US20240128333A1. Автор: Chen Zhang,Ruilong Xie,Heng Wu,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Using selectively formed cap layers to form self-aligned contacts to source/drain regions

Номер патента: US20210280690A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-06.

SELF-ALIGNED CONTACT AND CONTACT OVER ACTIVE GATE STRUCTURES

Номер патента: US20200279773A1. Автор: Sachan Madhur,Freed Regina,Natarajan Sanjay,Roy Susmit Singha,Shusterman Yuriy. Владелец: Micromaterials LLC. Дата публикации: 2020-09-03.

ADDITIONAL SPACER FOR SELF-ALIGNED CONTACT FOR ONLY HIGH VOLTAGE FINFETS

Номер патента: US20200321332A1. Автор: Sheraw Christopher D.,Zhao Kai,Ma Wei,Haran Bala S.,SAUDARI SANGAMESHWAR RAO,Zainuddin Abu Naser M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

SELF-ALIGNED CONTACTS FOR NANOSHEET FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20210183711A1. Автор: Ryckaert Julien,Weckx Pieter,Horiguchi Naoto,BOEMMELS Juergen,Dentoni Litta Eugenio. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

Insulative cap for borderless self-aligning contact in semiconductor device

Номер патента: US20140120709A1. Автор: Chih-Chao Yang,Kangguo Cheng,Keith Kwong Hon Wong,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

STRUCTURE AND METHOD FOR BI-LAYER SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20210066470A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lin Yu-Ming,Chuang Cheng-Chi,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

GRAPHENE/NANOSTRUCTURE FET WITH SELF-ALIGNED CONTACT AND GATE

Номер патента: US20220093772A1. Автор: Chang Josephine,Lauer Isaac,Sleight Jeffrey. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH SELF ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20200098929A1. Автор: Cheng Kangguo,Song Yi,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNING CONTACT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20220271036A1. Автор: Lai Chun-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

Mosfet with asymmetric self-aligned contact

Номер патента: US20170140987A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

SELF-ALIGNED CONTACT PROCESS ENABLED BY LOW TEMPERATURE

Номер патента: US20170141038A1. Автор: Yin Yunpeng,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2017-05-18.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNING CONTACT

Номер патента: US20220293602A1. Автор: Lai Chun-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

SELF-ALIGNED CONTACT ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200152514A1. Автор: De Silva Ekmini A.,Dutta Ashim,Church Jennifer,Thompson Luciana M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

FINFET WITH ETCH-SELECTIVE SPACER AND SELF-ALIGNED CONTACT CAPPING LAYER

Номер патента: US20190164898A1. Автор: Xie Ruilong,Xu Guowei,Zang Hui,Beasor Scott. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device including self-aligned contact and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210217749A1. Автор: Jongchul Park,Sanghyun Lee,Sungwoo Kang,Youngmook Oh,Jeongyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

High Performance Self Aligned Contacts and Method of Forming Same

Номер патента: US20150255275A1. Автор: Tze-Liang Lee,Bor Chiuan Hsieh,Tai-Chun Huang,Yen-Chun Huang,Chia-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

INTEGRATED CIRCUITS WITH SELF ALIGNED CONTACT STRUCTURES FOR IMPROVED WINDOWS AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20160260743A1. Автор: Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-09-08.

DIELECTRIC LINER FOR A SELF-ALIGNED CONTACT VIA STRUCTURE

Номер патента: US20150270171A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-24.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20190252267A1. Автор: Xie Ruilong,Fan Su Chen,Park Chanro,Anderson Brent,Sung Min Gyu,Bentley Steven,LIEBMANN Lars,Suvarna Puneet Harischandra. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

REVERSE TONE SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20160329406A1. Автор: Lee Chia-Ying,Fu Ching-Feng,Yen Yu-Chan. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

MATERIAL REMOVAL PROCESS FOR SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170345659A1. Автор: Ozcan Ahmet S.,Kanakasabapathy Sivananda K.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Gate cap last for self-aligned contact

Номер патента: US20200381306A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Self aligned contact scheme

Номер патента: US9548366B1. Автор: Tsai-Jung Ho,Kuang-Yuan Hsu,Pei-Ren Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Self aligned contact scheme

Номер патента: US9859386B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Kuang-Yuan Hsu,Pei-Ren Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of forming self-aligned contacts using a replacement metal gate process in a semiconductor device

Номер патента: KR101699154B1. Автор: 매츠 앤드류. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-01-23.

SELF-ALIGNED CONTACT MOS DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2446011A1. Автор: . Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1980-08-01.

Techniques for using material substitution processes to form replacement metal gate electrodes of semiconductor devices with self-aligned contacts

Номер патента: US8536040B1. Автор: Chang Seo Park. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Recess transistor (TR) gate to obtain large self-aligned contact (SAC) open margin

Номер патента: US7091540B2. Автор: Ji-Young Kim,Jin-Jun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-15.

Integrated circuits with self aligned contact structures for improved windows and fabrication methods

Номер патента: US9356047B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Integrated circuits with self aligned contact structures for improved windows and fabrication methods

Номер патента: US10068921B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-09-04.

Self-aligned contact cap

Номер патента: US9929046B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Dielectric fins with air gap and backside self-aligned contact

Номер патента: US11600695B2. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ming-Shuan Li,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Insulative cap for borderless self-aligning contact in semiconductor device

Номер патента: US20140117423A1. Автор: Chih-Chao Yang,Kangguo Cheng,Keith Kwong Hon Wong,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Threshold voltage tuning using self-aligned contact cap

Номер патента: US20150194350A1. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Xiuyu Harry CAI. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-09.

Material removal process for self-aligned contacts

Номер патента: US20170170019A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Ahmet S. Ozcan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Dielectric fins with air gap and backside self-aligned contact

Номер патента: US20210376071A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ming-Shuan Li,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Transistor with reduced gate resistance and improved process margin of forming self-aligned contact

Номер патента: US20220051939A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Material removal process for self-aligned contacts

Номер патента: US20170345659A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Ahmet S. Ozcan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Material removal process for self-aligned contacts

Номер патента: US9929016B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Ahmet S. Ozcan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Graphene/nanostructure fet with self-aligned contact and gate

Номер патента: GB201211842D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-15.

Trench MOSFET器件的自对准的制备方法

Номер патента: CN117612942A. Автор: 陈敏,袁琼,欧新华,傅钢杰,庞亚楠. Владелец: Shanghai Xindao Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Trench MOSFET器件的自对准的制备方法

Номер патента: CN117612942. Автор: 陈敏,袁琼,欧新华,傅钢杰,庞亚楠. Владелец: Shanghai Xindao Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Trench mosfet and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220037522A1. Автор: Bing Wu,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Forming Self-Aligned Contact with Spacer First

Номер патента: US20190027580A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Sean Lian,Mark V. Raymond. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Self-aligned contact with metal-insulator transistion materials

Номер патента: US20200135882A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

System for Self-Aligned Contacts

Номер патента: US20140213052A1. Автор: Keisuke Shinohara,Miguel Urteaga,Richard L. Pierson, Jr.. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2014-07-31.

Self-aligned contacts

Номер патента: US20130230978A1. Автор: Dechao Guo,Chung-Hsun Lin,Shu-Jen Han,Wilfried E.A. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Self-aligned contacts

Номер патента: US20110248362A1. Автор: Dechao Guo,Chung-Hsun Lin,Shu-Jen Han,Wilfried E.A. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Self-aligned contacts

Номер патента: US20120299125A1. Автор: Dechao Guo,Chung-Hsun Lin,Shu-Jen Han,Wilfried E.A. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Self-aligned isolation for self-aligned contacts for vertical fets

Номер патента: US20240274602A1. Автор: Hao Cui,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Self-aligned contact (sac) in nanosheet transistors

Номер патента: US20230290821A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Self-aligned isolation for self-aligned contacts for vertical FETS

Номер патента: US11996407B2. Автор: Hao Cui,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Vertical field effect transistors with self aligned contacts

Номер патента: US20200098929A1. Автор: Yi Song,Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

SELF-ALIGNED CONTACTS FOR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR CELL HEIGHT SCALING

Номер патента: US20190088764A1. Автор: Xie Ruilong,Fan Su Chen,Park Chanro,Anderson Brent,Sung Min Gyu,Bentley Steven,LIEBMANN Lars,Suvarna Puneet Harischandra. Владелец: GLBOALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-03-21.

SELF-ALIGNED CONTACTS FOR THIN FILM TRANSISTORS

Номер патента: US20200227568A1. Автор: Kavalieros Jack T.,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Le Van H.,SHARMA Abhishek A.,SHIVARAMAN Shriram,TAN Li Huey,TRONIC Tristan A.,Reshotko Miriam R.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

Thin body silicon-on-insulator transistor with borderless self-aligned contacts

Номер патента: US20120299101A1. Автор: Michael A. Guillorn,Isaac Lauer,Amlan Majumdar,Katherina E. Babich. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL OVERGROWTH FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS WITHOUT SPACER LOSS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Lauer Isaac,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin,Chu Jack Oon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-19.

METHODS OF FORMING FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED CONTACT ELEMENTS USING A REPLACEMENT GATE PROCESS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150069532A1. Автор: Ponoth Shom,Xie Ruilong,Pranatharthiharan Balasubramanian. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

REDUCED RESISTANCE FINFET DEVICE WITH LATE SPACER SELF ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20150129988A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-14.

METHOD FOR FABRICATING A FINFET METALLIZATION ARCHITECTURE USING A SELF-ALIGNED CONTACT ETCH

Номер патента: US20180138308A1. Автор: Bouche Guillaume. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-05-17.

SELF-ALIGNED CONTACT PROCESS ENABLED BY LOW TEMPERATURE

Номер патента: US20160204257A1. Автор: Yin Yunpeng,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20210242317A1. Автор: Shu Jiehui,WANG Haiting,Gu Sipeng,SHEN Yanping. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

CLOSED CELL LATERAL MOSFET USING SILICIDE SOURCE AND BODY REGIONS WITH SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20160225898A1. Автор: Mallikarjunaswamy Shekar. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

SELF-ALIGNED CONTACT OPENINGS OVER FINS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150303295A1. Автор: Bouche Guillaume,Liu Jinping,WAN Jing,Wells Gabriel Padron,HU Xiang,XU Cuiqin,Wei Andy Chih-Hung. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-10-22.

SELF-ALIGNED CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20150371948A1. Автор: Rath David L.,Fitzsimmons John A.,Ramachandran Ravikumar,Arndt Russell H.,Orozco-Teran Rosa A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Dielectric fins with air gap and backside self-aligned contact

Номер патента: KR102502371B1. Автор: 코-쳉 리우,밍-슈안 리,밍-룽 쳉,창-미아오 리우. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2023-02-23.

Dielectric fins with air gap and backside self-aligned contact

Номер патента: US20220384570A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ming-Shuan Li,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Thin body silicon-on-insulator transistor with borderless self-aligned contacts

Номер патента: TW201009958A. Автор: Isaac Lauer,Amlan Majumdar,Michael A Guillorn,Katherina E Babich. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-03-01.

Self-aligned sacrificial epitaxial capping for trench silicide

Номер патента: US09812453B1. Автор: HAO Zhang,George R. Mulfinger,Timothy J. McArdle,Judson R. Holt,Scott Beasor,Lakshmanan H. VANAMURTHY. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

击穿电压温度系数可调的Trench MOSFET器件及制备方法

Номер патента: CN113990931A. Автор: 李泽宏,刘小菡,王彤阳,黄龄萱. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-01-28.

击穿电压温度系数可调的Trench MOSFET器件及制备方法

Номер патента: CN113990931. Автор: 李泽宏,刘小菡,王彤阳,黄龄萱. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-01-28.

低击穿电压温度系数的Trench MOSFET器件及制备方法

Номер патента: CN113990928. Автор: 李泽宏,刘小菡,王彤阳,黄龄萱. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-01-28.

低击穿电压温度系数的Trench MOSFET器件及制备方法

Номер патента: CN113990928B. Автор: 李泽宏,刘小菡,王彤阳,黄龄萱. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-05-26.

低击穿电压温度系数的Trench MOSFET器件及制备方法

Номер патента: CN113990928A. Автор: 李泽宏,刘小菡,王彤阳,黄龄萱. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-01-28.

Composite masking self-aligned trench mosfet

Номер патента: US20180097078A1. Автор: Hong Chang,Sik Lui. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-04-05.

SELF-ALIGNED CONTACT FOR TRENCH MOSFET

Номер патента: US20130277736A1. Автор: Wu Kuo-Ming,KALNITSKY Alex,TUAN Hsiao-Chin,HUANG Wei Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

High density mosfet array with self-aligned contacts enhancement plug and method

Номер патента: US20160035846A1. Автор: Hong Chang,Yeeheng Lee,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-04.

Modified self-aligned contact process and semiconductor device

Номер патента: US09711611B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for manufacturing a semiconductor device utilizing self-aligned contact regions

Номер патента: US4830971A. Автор: Tadashi Shibata. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-05-16.

Self-aligned contact air gap formation

Номер патента: US11901408B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Sai-Hooi Yeong,Yih-Ann Lin,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Self-Aligned Contact Air Gap Formation

Номер патента: US20210183996A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Sai-Hooi Yeong,Yih-Ann Lin,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Self-aligned contact air gap formation

Номер патента: US20240186372A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Sai-Hooi Yeong,Yih-Ann Lin,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Dummy Hybrid Film for Self-Alignment Contact Formation

Номер патента: US20230163194A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Bor Chiuan Hsieh,Po-Cheng Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Self-Aligned Contact Air Gap Formation

Номер патента: US20200105867A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Sai-Hooi Yeong,Yih-Ann Lin,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

TRANSISTOR WITH IMPROVED SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20200135561A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao,Bi Zhenxing,Kong Dexin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Self-Aligned Contact Air Gap Formation

Номер патента: US20210183996A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Sai-Hooi Yeong,Yih-Ann Lin,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Modified self-aligned contact process and semiconductor device

Номер патента: US20160211344A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

INTEGRATED CIRCUITS WITH MIDDLE OF LINE CAPACITANCE REDUCTION IN SELF-ALIGNED CONTACT PROCESS FLOW AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20160233091A1. Автор: Pranatharthiharan Balasubramanian,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

Dummy hybrid film for self-alignment contact formation

Номер патента: KR20230075330A. Автор: 포-쳉 시,보르 치우안 시에,차이-정 호,쯔-리앙 리. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2023-05-31.

Method of forming self-aligned contacts in a semi-conductor process

Номер патента: GB2269938B. Автор: James A Matthews. Владелец: Microunity Systems Engineering Inc. Дата публикации: 1994-09-07.

MOS transistors having low-resistance salicide gates and a self-aligned contact between them and method of manufacture

Номер патента: TW200735354A. Автор: Wei-Ming Chung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-16.

Method of Forming Self-Aligned Contacts for a Semiconductor Device

Номер патента: US20130189833A1. Автор: Peter Baars,Andy Wei,Martin Mazur,Erik Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Self-aligned contact based via to backside power rail

Номер патента: US20240290657A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Richard C. Johnson,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

CMOS compatible fuse or resistor using self-aligned contacts

Номер патента: US09876009B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

CMOS compatible fuse or resistor using self-aligned contacts

Номер патента: US09627373B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for forming self-aligned contact window

Номер патента: US6015741A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Tony Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-01-18.

Self-aligned contact structures

Номер патента: US11916133B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Self-aligned contact structures

Номер патента: US20240021707A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of forming self-aligned contacts and local interconnects

Номер патента: US20090280633A1. Автор: An Chyi Wei. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-12.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACTS, INTEGRATED CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20100155743A1. Автор: Oliver Haeberlen,Franz Auerbach,Michael Treu,Kathrin Rueschenschmidt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-06-24.

Method for making a closed gate MOS transistor with self-aligned contacts with dual passivation layer

Номер патента: US4272881A. Автор: Rodney L. Angle. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-06-16.

Method of Forming Self-Alignment Contact

Номер патента: US20170170292A1. Автор: HSU Hung-Chang,Jang Syun-Ming,Lin Sheng-Hsuan,SU Hung-Wen,Lee Ya-Lien,LIN Rueijer,TSAI Ming-Hsing,Liu Hsiao-Ping,Kao Yen-Shou. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

SELF-ALIGNED CONTACT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170365674A1. Автор: Lee Tung Ying,YEH Chih Chieh,LIU Chi-Wen,Yeo Yee-Chia,YEH Jeng-Ya David,Chiu Yuan-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

SELF-ALIGNED CONTACT (SAC) ON GATE FOR IMPROVING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (MOS) VARACTOR QUALITY FACTOR

Номер патента: US20180366592A1. Автор: YANG Bin,Ge Lixin,CHEN CHUAN-HSING,Lu Ye,YUE Yun,LIAO Ken. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

Method for Preventing Gate Oxide Damage of a Trench MOSFET during Wafer Processing while Adding an ESD Protection Module Atop

Номер патента: US20110018054A1. Автор: Mengyu Pan,Zengyi He,Kaiyu Chen. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Method for preventing gate oxide damage of a trench MOSFET during wafer processing while adding an ESD protection module atop

Номер патента: US8084304B2. Автор: Mengyu Pan,Zengyi He,Kaiyu Chen. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-27.

Trench MOSFET with an ONO insulating layer sandwiched between an ESD protection module atop and a semiconductor substrate

Номер патента: US7728385B2. Автор: Mengyu Pan,Zengyi He,Kaiyu Chen. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-06-01.

Method for preventing gate oxide damage of a trench MOSFET during wafer processing while adding an ESD protection module atop

Номер патента: US20090140333A1. Автор: Mengyu Pan,Zengyi He,Kaiyu Chen. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

GaN TRENCH MOSFET AND FABRICATION METHOD

Номер патента: US20240021724A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

GaN TRENCH MOSFET AND FABRICATION METHOD

Номер патента: WO2024015623A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SIXPOINT MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2024-01-18.

Trench MOSFET device with polycrystalline silicon source contact structure

Номер патента: US20050062075A1. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,Koon So,John Amato,Yan Tsui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-24.

Trench MOSFET device with polycrystalline silicon source contact structure

Номер патента: US20030107080A1. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,Koon So,John Amato,Yan Tsui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Self-Aligned Contact and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20180350927A1. Автор: Chi-Wen Liu,Tung Ying Lee,Yuan-Hung Chiu,Yee-Chia Yeo,Jeng-Ya David Yeh,Chih Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Field-effect transistors with self-aligned and non-self-aligned contact openings

Номер патента: US20200335591A1. Автор: Daniel Jaeger,Shreesh Narasimha,Jessica Dechene,Michael Aquilino,Naved Siddiqui,Daniel J. Dechene,Natalia Borjemscaia. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Field-effect transistors with self-aligned and non-self-aligned contact openings

Номер патента: US10833160B1. Автор: Daniel Jaeger,Shreesh Narasimha,Jessica Dechene,Michael Aquilino,Naved Siddiqui,Daniel J. Dechene,Natalia Borjemscaia. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACT ELEMENTS AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20140197468A1. Автор: Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-07-17.

Self Aligned Contact Formation

Номер патента: US20140197499A1. Автор: Huang Gin-Chen,Chen Neng-Kuo,Wann Clement Hsingjen,Hsu Chia-Jung,Yu Shao-Ming,Sun Sey-Ping. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-07-17.

STRUCTURE AND METHOD OF FORMING SELF ALIGNED CONTACTS IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190181047A1. Автор: Sung Min Gyu. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2019-06-13.

III-V SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20150325650A1. Автор: Shiu Kuen-Ting,Majumdar Amlan,Sun Yanning,Basu Anirban. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20170372957A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Method for forming a self-aligned contact with a silicide or damascene conductor and the structure formed thereby

Номер патента: US6884715B1. Автор: Kangguo Cheng,Carl J. Radens,Oh-Jung Kwon,Deok-kee Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Independently controlled, double gate nanowire memory cell with self-aligned contacts

Номер патента: US7498211B2. Автор: Peter L. D. Chang,Ibrahim Ban. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-03-03.

Self-aligned contact and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20170142849A. Автор: 치 웬 리우,치 치에 예,텅 잉 이,젱 야 예,유안 헝 치우,이 치아 예오. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2017-12-28.

Structure for Measuring Body Pinch Resistance of High Density Trench MOSFET Array

Номер патента: US20090256149A1. Автор: Moses Ho,Tiesheng Li,Il Kwan Lee. Владелец: ALPHA and OMEGA SEMICONDUCTORS Ltd. Дата публикации: 2009-10-15.

Trench mosfets having dummy cells for avalanche capability improvement

Номер патента: US20210104624A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

一种集成esd二极管的trench mosfet优化工艺

Номер патента: CN114464536. Автор: 黄种德,鄢细根. Владелец: Xiamen Zhong Neng Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-05-10.

一种超自对准功率Trench MOSFET制作方法及结构

Номер патента: CN110416211. Автор: 黄平,顾海颖,鲍利华. Владелец: Shanghai Zhen Xin Microelectronics Science And Technology Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

一种集成esd二极管的trench mosfet优化工艺

Номер патента: CN114464536A. Автор: 黄种德,鄢细根. Владелец: Xiamen Zhong Neng Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-05-10.

一种提升trench型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法

Номер патента: CN116190235. Автор: 唐新宇,徐政,徐海铭,廖远宝. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2023-05-30.

一种提升trench型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法

Номер патента: CN116190235A. Автор: 唐新宇,徐政,徐海铭,廖远宝. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2023-05-30.

Self-aligned contact doping for organic field-effect transistors

Номер патента: TW550843B. Автор: Guenter Schmid,Hagen Klauk. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-01.

SELF-ALIGNED CONTACT FOR REPLACEMENT GATE DEVICES

Номер патента: US20130175587A1. Автор: LI Ying,Ramachandran Ravikumar,Wise Richard S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED CONTACTS AND LOW-K SPACERS

Номер патента: US20140042502A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: Globalfounries Inc.. Дата публикации: 2014-02-13.

SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20140151817A1. Автор: Ghani Tahir,Hwang Jack,Bohr Mark T.,Steigerwald Joseph M.,JOSHI Subhash M.,Klaus Jason W.,Mackiewicz Ryan,Rahhai-Orabi Nadia M.. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-05.

CAP LAYERS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED CONTACT ELEMENTS

Номер патента: US20150243604A1. Автор: Xie Ruilong,Cai Xiuyu,Zhao Larry. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Manufacturing method of self-aligned contact in semiconductor device

Номер патента: KR930009476B1. Автор: 이원규. Владелец: 정몽헌. Дата публикации: 1993-10-04.

Semiconductor device with self-aligned contact structure for field effect transistors and manufacturing method for these

Номер патента: DE4113962C2. Автор: Yasushi Matsui,Natsuo Ajika,Kaoru Motonami,Yoshinori Okumura,Atsushi Hachisuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-12-11.

Trench MOSFET having implanted drain-drift region

Номер патента: US6600193B2. Автор: Mohamed N. Darwish. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2003-07-29.

Linear magnetoresistive random access memory device with a self-aligned contact above MRAM nanowire

Номер патента: US09537086B1. Автор: Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Linear magnetoresistive random access memory device with a self-aligned contact above MRAM nanowire

Номер патента: US09525125B1. Автор: Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

High band-gap devices with self-aligned contact

Номер патента: US20240322006A1. Автор: Dong Seup Lee,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

High band-gap devices with self-aligned contact

Номер патента: WO2024206206A1. Автор: Dong Seup Lee,Jungwoo Joh. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Super-self-aligned contacts and method for making the same

Номер патента: US09818747B2. Автор: Michael C. Smayling. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of Forming a Semiconductor Device by Using Sacrificial Gate Electrodes and Sacrificial Self-Aligned Contact Structures

Номер патента: US20130137257A1. Автор: Peter Baars,Andy Wei,Erik Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Forming Self-Aligned Contact with Spacer First

Номер патента: US20190027580A1. Автор: Xie Ruilong,Fan Su Chen,Pranatharthiharan Balasubramanian,Greene Andrew M.,Lian Sean,Raymond Mark V.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Super-Self-Aligned Contacts and Method for Making the Same

Номер патента: US20200066722A1. Автор: Smayling Michael C.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Super-Self-Aligned Contacts and Method for Making the Same

Номер патента: US20180083003A1. Автор: Smayling Michael C.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

TRANSISTOR WITH AIR SPACER AND SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20180090586A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

SELF-ALIGNED CONTACT WITH METAL-INSULATOR TRANSISTION MATERIALS

Номер патента: US20200135881A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Lee Choonghyun,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

SELF-ALIGNED CONTACT WITH METAL-INSULATOR TRANSISTION MATERIALS

Номер патента: US20200135882A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Lee Choonghyun,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

PARTIAL SPACER FOR INCREASING SELF ALIGNED CONTACT PROCESS MARGINS

Номер патента: US20160181392A1. Автор: Alptekin Emre,Sardesai Viraj Y.,Vega Reinaldo A.,Ramachandran Ravikumar. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Super-Self-Aligned Contacts and Method for Making the Same

Номер патента: US20160190132A1. Автор: Smayling Michael C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

NON-SELF ALIGNED CONTACT SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200295151A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Amanapu Hari Prasad. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

SELF-ALIGNED CONTACT AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20190305110A1. Автор: CHEN Chien-Ting,Tsai Yao-Ting,LIAO Hsiu-Han,CHEN Sih-Han. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

SELF ALIGNED CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20160336266A1. Автор: Rath David L.,Fitzsimmons John A.,Ramachandran Ravikumar,Orozco-Teran Rosa A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Super-self-aligned contacts and method for making the same

Номер патента: US8541879B2. Автор: Michael C. Smayling. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2013-09-24.

Method for producing a transistor with self-aligned contacts and field insulation

Номер патента: WO1997050118A1. Автор: Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat A L'energie Atomique. Дата публикации: 1997-12-31.

SELF-ALIGNED CONTACT FOR TRENCH POWER MOSFET

Номер патента: US20160300917A1. Автор: Lin Ching-Kai,Lui Sik,Li Wenjun,Xue Hongyong,Huang Terence,Yang Yi Chang,Dun Jowei. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Self-Aligned Contacts for High k/Metal Gate Process Flow

Номер патента: US20120175711A1. Автор: Ying Li,Ravikumar Ramachandran,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

SELF-ALIGNED CONTACTS FOR HIGH k/METAL GATE PROCESS FLOW

Номер патента: US20130189834A1. Автор: Ying Li,Ravikumar Ramachandran,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

Self-aligned contacts for high k/metal gate process flow

Номер патента: US8536656B2. Автор: Ying Li,Ravikumar Ramachandran,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Self-aligned contacts for high k/metal gate process flow

Номер патента: CN103299428A. Автор: 李影,R·拉玛钱德兰,R·迪瓦卡鲁尼. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-11.

SELF-ALIGNED CONTACT CAP

Номер патента: US20180025942A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

SELF-ALIGNED CONTACT CAP

Номер патента: US20180025944A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

System for Self-Aligned Contacts

Номер патента: US20140213052A1. Автор: JR. Richard L.,Pierson,Shinohara Keisuke,Urteaga Miguel. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-31.

SELF-ALIGNED CONTACT CAP

Номер патента: US20180166336A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

THRESHOLD VOLTAGE TUNING USING SELF-ALIGNED CONTACT CAP

Номер патента: US20150194350A1. Автор: Kim Hoon,Park Chanro,CAI Xiuyu Harry. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Method of Forming Self-Aligned Contacts Using a Replacement Metal Gate Process in a Semiconductor Device

Номер патента: US20150263131A1. Автор: Metz Andrew. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-09-17.

SELF-ALIGNED CONTACTS AND METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20150279738A1. Автор: Labonte Andre,Bouche Guillaume,Wells Gabriel Padron,HU Xiang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-10-01.

Method of forming a self-aligned contact pad in a damascene gate process

Номер патента: KR100350056B1. Автор: 김기남,정태영,이규현,황유상,우형수. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-08-24.

Self-aligned contact structure and method for fabricating the same

Номер патента: KR100467023B1. Автор: 이신애,김성민,김성호,박동건,이창섭,최정동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-01-24.

Method of forming self-aligned contact pad in a damascene gate process

Номер патента: TW559913B. Автор: Kyu-Hyun Lee,Tae-Young Chung,Yoo-Sang Hwang,Ki-nam Kim,Hyung-Soo Uh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-01.

Semiconductor device with self-aligned contact

Номер патента: US09679812B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Hsien-Cheng WANG,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having sidewall spacers manifesting a self-aligned contact hole

Номер патента: US20010017423A1. Автор: Jae Roh,Woun Yang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-30.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Self-Aligned Contact and Method

Номер патента: US20160027689A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Hsien-Cheng WANG,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Self Aligned Contact Scheme

Номер патента: US20240258168A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of fabricating self-aligned contact

Номер патента: US6107175A. Автор: Han Lin,Sun-Chieh Chien,Jengping Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-22.

Self-aligned contact

Номер патента: US20170372957A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Self-aligned contact process involving forming an opening in carbide or nitride layer over a gate

Номер патента: GB2357186A. Автор: Vivek Saxena,Seungmoo Choi,Amal Ma Hamad,Felix Llevada,Pai H Yih. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2001-06-13.

Method of fabricating self-aligned contact pad using chemical mechanical polishing process

Номер патента: US20070072407A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Joon-Sang Park,Ho-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of fabricating self-aligned contact pad using chemical mechanical polishing process

Номер патента: US7781281B2. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Joon-Sang Park,Ho-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-24.

Method of fabricating self-aligned contact pad using chemical mechanical polishing process

Номер патента: US20100124817A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Joon-Sang Park,Ho-Young Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-20.

Self-aligned contact

Номер патента: US20170372956A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

METHOD OF FORMING A SELF-ALIGNED CONTACT USING SELECTIVE SiO2 DEPOSITION

Номер патента: US20180233407A1. Автор: Kandabara N. Tapily,Soo Doo Chae,Sangcheol Han. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Self aligned contact scheme

Номер патента: US11978670B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Self-aligned contact with ct cut after rmg

Номер патента: US20240347533A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

DIELECTRIC LINER FOR A SELF-ALIGNED CONTACT VIA STRUCTURE

Номер патента: US20150270359A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Method for forming self-aligned contacts and local interconnects simultaneously

Номер патента: US20070235798A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Tuung Luoh,Ling-Wuu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Self-aligned contact set

Номер патента: US8058733B2. Автор: Chan-Lon Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-11-15.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Fabrication method for forming a self-aligned contact window and connection in an epitaxial layer and device structures employing the method

Номер патента: CA1244559A. Автор: Brian J. Machesney,Nicky C-C. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-11-08.

Methods for forming self-aligned contacts using spin-on silicon carbide

Номер патента: WO2022177828A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods for Forming Self-Aligned Contacts Using Spin-on Silicon Carbide

Номер патента: US20220262679A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Method for fabricating mos device with self-aligned contacts

Номер патента: CA1210528A. Автор: Tarsaim L. Batra. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1986-08-26.

Completing middle of line integration allowing for self-aligned contacts

Номер патента: US9093557B2. Автор: Haiting Wang,Guillaume Bouche. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-28.

Method for forming self-aligned contacts/vias with high corner selectivity

Номер патента: US20150170965A1. Автор: PENG Wang,Eric A. Hudson,Ananth INDRAKANTI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for manufacturing an mdl semiconductor device including a dram device having self-aligned contact hole and a logic device having dual gate structure

Номер патента: US20020058378A1. Автор: Hyung-Moo Park,Suk-gu Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Method of forming a self-aligned contact opening

Номер патента: US20010029097A1. Автор: Kei-Yu Ko,Dave Pecora. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Method of manufacturing a self-aligned contact from a conductive layer that is free of voids

Номер патента: US20020090808A1. Автор: Kyeong-koo Chi,Jeong-sic Jeon,Wan-Jae Park,Gyung-Jin Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Self-aligning contact and interconnect structure

Номер патента: CA2034075C. Автор: Joseph Tzou,Norman Godinho,Frank Tsu-Wei Lee,Hsiang-Wen Chen,Richard F. Motta,Juine-Kai Tsang,Jai-Man Baik,Ting-Pwu Yen. Владелец: Paradigm Technology Inc. Дата публикации: 1996-01-02.

Self-aligning contact and interconnect structure

Номер патента: US5656861A. Автор: Joseph Tzou,Norman Godinho,Hsiang-Wen Chen,Richard F. Motta,Juine-Kai Tsang,Jai-Man Baik,Ting-Pwu Yen,Tsu-Wei Frank Lee. Владелец: Paradigm Technology Inc. Дата публикации: 1997-08-12.

Method of forming a self-aligned contact of a DRAM cell

Номер патента: US5885895A. Автор: Chuck Chen,Ming-Hua Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-03-23.

Method for forming self aligned contacts

Номер патента: US20020098640A1. Автор: Ii-Wook Kim,Jong-Sam Kim,Dong-kuk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Self-aligned contact process for complementary field-effect integrated circuits

Номер патента: US5283203A. Автор: Manzur Gill,Danny Shum. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-02-01.

Middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20190157388A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Lift-off process for fabricating self-aligned contacts

Номер патента: CA1204224A. Автор: Alvin Milgram. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1986-05-06.

Method for forming CMOS device with self-aligned contacts and region formed using salicide process

Номер патента: US7582567B1. Автор: Tsengyou Syau,Shih-Ked Lee,Chuen-Der Lien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-01.

Method for forming a self-aligned contact in a damascene structure used to form a memory device

Номер патента: US20160163593A1. Автор: Masanori Tsukamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor structures including middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20190259831A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty,Soon-Cheno Seo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor structures including middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20230299134A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V. Surisetty. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Self-aligned contacts for semiconductor device

Номер патента: US6165910A. Автор: Joel M. Cook,Janet M. Flanner,Ian J. Morey,Linda N. Marquez. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2000-12-26.

Semiconductor structures including middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20210210596A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. Surisetty,Soon-Cheno Seo. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-07-08.

Method of fabricating self-aligned contact

Номер патента: KR20000054995A. Автор: 김동현,전광열. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-09-05.

Method of fabricating a self-aligned contact using organic dielectric materials

Номер патента: US5482894A. Автор: Robert H. Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-01-09.

Multicolor Self-Aligned Contact Selective Etch

Номер патента: US20190279901A1. Автор: Ying Zhang,Ho-Yung Hwang,Yung-Chen Lin,Qingjun Zhou. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Multicolor self-aligned contact selective etch

Номер патента: US11094589B2. Автор: Ying Zhang,Yung-Chen Lin,Qingjun Zhou,Ho-Yung David Hwang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-08-17.

Self-aligned contact process

Номер патента: US5500382A. Автор: Che-Chia Wei. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1996-03-19.

Acceleration of etch selectivity for self-aligned contact

Номер патента: US5804506A. Автор: Randhir P. S. Thakur,Kirk Prall,Gordon A. Haller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-08.

Planarization method for self-aligned contact process

Номер патента: US6110827A. Автор: Der-Yuan Wu,Sun-Chieh Chien,Kun-Cho Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Method of forming a self aligned contact (SAC) window

Номер патента: US5920780A. Автор: Chung-Cheng Wu. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1999-07-06.

Method of fabricating sidewall spacers for a self-aligned contact hole

Номер патента: US6033962A. Автор: Erik S. Jeng,Hung-Yi Luo,Ming-Horn Tsai,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-03-07.

Transistor with air spacer and self-aligned contact

Номер патента: US09721897B1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US20160163585A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US09502286B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Formation of self-organized stacked islands for self-aligned contacts

Номер патента: WO2003025989A3. Автор: Detlev Gruetzmacher. Владелец: Detlev Gruetzmacher. Дата публикации: 2003-10-16.

Formation of self-organized stacked islands for self-aligned contacts of low dimensional structures

Номер патента: EP1436831A2. Автор: Detlev GRÜTZMACHER. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2004-07-14.

Formation of self-organized stacked islands for self-aligned contacts

Номер патента: AU2002335309A1. Автор: Detlev GRÜTZMACHER. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2003-04-01.

METHOD FOR PRODUCING A TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: FR2752644A1. Автор: Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1998-02-27.

Transistor with air spacer and self-aligned contact

Номер патента: US20180090586A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Transistor with air spacer and self-aligned contact

Номер патента: US20180090593A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of making threshold voltage tuning using self-aligned contact cap

Номер патента: US09601387B2. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Xiuyu Harry CAI. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Formation of self-organized stacked islands for self-aligned contacts of low dimensional structures

Номер патента: US20050037556A1. Автор: Detlev GRÜTZMACHER. Владелец: Detlev GRÜTZMACHER. Дата публикации: 2005-02-17.

Formation of self-organized stacked islands for self-aligned contacts

Номер патента: WO2003025989A2. Автор: Detlev GRÜTZMACHER. Владелец: PAUL SCHERRER INSTITUT. Дата публикации: 2003-03-27.

Self-aligned contacts for field effect transistor devices

Номер патента: US8367508B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Xinhui Wang,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-05.

Self-aligned contacts for field effect transistor devices

Номер патента: GB2492514C. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Xinhui Wang,Wilfried E A Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-18.

SACRIFICIAL PRE-METAL DIELECTRIC FOR SELF-ALIGNED CONTACT SCHEME

Номер патента: US20160071953A1. Автор: Shankar Nagraj,van Schravendijk Bart J.,Banerji Ananda K.,Mountsier Thomas Weller. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

INTEGRATED CIRCUITS WITH MIDDLE OF LINE CAPACITANCE REDUCTION IN SELF-ALIGNED CONTACT PROCESS FLOW AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20160141379A1. Автор: Pranatharthiharan Balasubramanian,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US20160163585A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

SELF-ALIGNED CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20150200137A1. Автор: Rath David L.,Fitzsimmons John A.,Ramachandran Ravikumar,Arndt Russell H.,Orozco-Teran Rosa A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-16.

III-V SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20150243773A1. Автор: Shiu Kuen-Ting,Majumdar Amlan,Sun Yanning,Basu Anirban. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-08-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140346575A1. Автор: Chang Feng-Yi,Chen Hsuan-Hsu,Chen Chieh-Te. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

SELF-ALIGNED CONTACT STRUCTURE FOR REPLACEMENT METAL GATE

Номер патента: US20140377927A1. Автор: Reznicek Alexander,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACT STRUCTURES BY WORK FUNCTION MATERIAL LAYER RECESSING AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20170287780A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

TRANSISTOR DEVICE WITH ULTRA LOW-K SELF ALIGNED CONTACT CAP AND ULTRA LOW-K SPACER

Номер патента: US20200279745A1. Автор: Cheng Kangguo. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

SELF-ALIGNED CONTACT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180315608A1. Автор: Huang Tai-Chun,TANG Bang-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

SELF-ALIGNED CONTACT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200357648A1. Автор: Huang Tai-Chun,TANG Bang-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

SELF-ALIGNED CONTACT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190385858A1. Автор: Huang Tai-Chun,TANG Bang-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Method for forming a self aligned contact in a damascene metal gate

Номер патента: KR100376876B1. Автор: 김태균,여인석,장세억. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-03-19.

Method for forming a self align contact in semiconductor device and manufacturing a semiconductor device using for same

Номер патента: KR100457038B1. Автор: 황기현,신승목,한재종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-10.

Method for forming a silicide gate stack for use in a self-aligned contact etch

Номер патента: KR100626928B1. Автор: 맥스에프 하이네만. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2006-09-20.

METHOD FOR PRODUCING A TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: FR2752644B1. Автор: Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1998-10-02.

Semiconductor device with self aligned contacts having integrated silicide stringer removal and method thereof

Номер патента: US6242354B1. Автор: Michael E. Thomas. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-06-05.

III-V semiconductor device having self-aligned contacts

Номер патента: US9324853B2. Автор: Anirban Basu,Kuen-Ting Shiu,Amlan Majumdar,Yanning Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Enlarged sacrificial gate caps for forming self-aligned contacts

Номер патента: US10008385B1. Автор: Haiting Wang,Chih-Chiang Chang,Ashish Kumar JHA,Mitchell Rutkowski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-26.

Method for forming a silicide gate stack for use in a self-aligned contact etch

Номер патента: WO2001071800A3. Автор: Max F Hineman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-03-07.

Structure and method for replacement gate mosfet with self-aligned contact using sacrificial mandrel dielectric

Номер патента: US20110298061A1. Автор: Michael P. Chudzik,Carl J. Radens,Shahab Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Forming self-aligned contacts

Номер патента: GB202001682D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-25.

一种提升trench型MOSFET抗单粒子栅穿的方法

Номер патента: CN115241050. Автор: 王涛,唐新宇,吴建伟,徐政,徐海铭,彭时秋,廖远宝. Владелец: WUXI ZHONGWEI MICROCHIPS CO Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

一种提升trench型MOSFET抗单粒子栅穿的方法

Номер патента: CN115241050A. Автор: 王涛,唐新宇,吴建伟,徐政,徐海铭,彭时秋,廖远宝. Владелец: WUXI ZHONGWEI MICROCHIPS CO Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Super junction trench mosfet and method for preparing same

Номер патента: US20240145534A1. Автор: Kaiyu Chen. Владелец: Alkaid Semi Technologies Shanghai Co ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12074105B2. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method and apparatus for fabricating self-aligned contacts in an integrated circuit

Номер патента: US20030203613A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Method and apparatus for fabricating self-aligned contacts in an integrated circuit

Номер патента: US6974968B2. Автор: Theodore W. Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-12-13.

Method and apparatus for fabricating self-aligned contacts in an integrated circuit

Номер патента: US20030100159A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

High performance self aligned contacts and method of forming same

Номер патента: US09437712B2. Автор: Tze-Liang Lee,Bor Chiuan Hsieh,Tai-Chun Huang,Yen-Chun Huang,Chia-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Transistor having raised source/drain self-aligned contacts and method of forming same

Номер патента: TW200945581A. Автор: Swaminathan Sivakumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-11-01.

Transistor formed with self-aligned contacts

Номер патента: WO2007033337A3. Автор: Andrew Marshall,Tito Gelsomini,Harvey Edd Davis. Владелец: Harvey Edd Davis. Дата публикации: 2009-04-23.

Transistor formed with self-aligned contacts

Номер патента: WO2007033337A2. Автор: Andrew Marshall,Tito Gelsomini,Harvey Edd Davis. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-03-22.

Method of forming a transistor with self-aligned contacts

Номер патента: EP1935012B1. Автор: Andrew Marshall,Tito Gelsomini,Harvey Edd Davis. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

Dielectric fins with air gap and backside self-aligned contact

Номер патента: US20240379744A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ming-Shuan Li,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of fabricating a semiconductor structure with a self-aligned contact

Номер патента: US09543203B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,En-Chiuan Liou,Yu-Ting Hung,Wei-Hao Huang,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated circuit contact structure having gate electrode protection for self-aligned contacts with zero enclosure

Номер патента: US6057604A. Автор: Loi N. Nguyen. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-05-02.

Field effect transistor (fet) with self-aligned contacts, integrated circuit (ic) chip and method of manufacture

Номер патента: US20160035743A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack O. Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Transistor having raised source/drain self-aligned contacts and method of forming same

Номер патента: WO2009085520A3. Автор: Swaminathan Sivakumar. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2009-09-17.

Method of forming self-aligned contacts for a semiconductor device

Номер патента: US8927407B2. Автор: Peter Baars,Andy Wei,Martin Mazur,Erik Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Methods of forming semiconductor devices with self-aligned contacts and the resulting devices

Номер патента: US20140070285A1. Автор: Ponoth Shom,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Xiuyu Cai,Robert J. Miller,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

METHOD OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH A SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20170004997A1. Автор: Chang Feng-Yi,Chen Chun-Lung,Liou En-Chiuan,Liao Kun-Yuan,Lu Chia-Lin,HUANG WEI-HAO,Tseng Chia-Hsun,Hung Yu-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) WITH SELF-ALIGNED CONTACTS, INTEGRATED CIRCUIT (IC) CHIP AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20160035743A1. Автор: Lauer Isaac,Chu Jack O.,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-02-04.

INTEGRATED CIRCUITS WITH SELF ALIGNED CONTACT STRUCTURES FOR IMPROVED WINDOWS AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20160049427A1. Автор: Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-02-18.

CMOS COMPATIBLE FUSE OR RESISTOR USING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170062409A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

CMOS COMPATIBLE FUSE OR RESISTOR USING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170062413A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

MULTI-CELL TRANSISTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING SAME WITH CUT POLYOXIDE PROCESS FOR SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170077090A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao,CHEN Jun,Yeap Choh Fei,SONG Stanley Seungchul,RIM Kern,Yang Da,Zhu John Jianhong. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

TRANSISTOR WITH AIR SPACER AND SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20180090593A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

SELF-ALIGNED CONTACT STRUCTURES

Номер патента: US20220173223A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lin Yu-Ming,Chuang Cheng-Chi,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

SELF-ALIGNED CONTACT PROTECTION USING REINFORCED GATE CAP AND SPACER PORTIONS

Номер патента: US20180130889A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-05-10.

Using Mask Layers to Facilitate the Formation of Self-Aligned Contacts and Vias

Номер патента: US20200126857A1. Автор: CHEN Jyh-Huei,Chen Yi-Ju,Tsai Kuo-Chiang,Yu Ke-Jing,Su Fu-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACT ELEMENTS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20140252424A1. Автор: Xie Ruilong,Cai Xiuyu,Iacoponi John A.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-09-11.

In-situ metal gate recess process for self-aligned contact application

Номер патента: US20140256124A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Yi-An Lin,Gin-Chen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

CMOS COMPATIBLE FUSE OR RESISTOR USING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170170169A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

SELF-ALIGNED CONTACT AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20190164830A1. Автор: LIN Hsien-Hsin. Владелец: MEDIATEK INC.. Дата публикации: 2019-05-30.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL OVERGROWTH FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS WITHOUT SPACER LOSS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Lauer Isaac,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin,Chu Jack Oon. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Reverse Tone Self-Aligned Contact

Номер патента: US20150235897A1. Автор: Lee Chia-Ying,Fu Ching-Feng,Yen Yu-Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-08-20.

CMOS COMPATIBLE FUSE OR RESISTOR USING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20180286856A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SELF-ALIGNED CONTACT AND METHOD OF FABRICATING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190295889A1. Автор: Lee Sang Hyun,LEE Dong Seok,KANG Sung Woo,LEE Jeong Yun,JEON YONG-HO,KWON Kee Sang,BAI Keun Hee. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

CMOS COMPATIBLE FUSE OR RESISTOR USING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170330875A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

Method for forming semiconductor device having self-aligned contact hole

Номер патента: KR100289750B1. Автор: 홍승완. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-05-15.

CMOS device with dual epi-channels and self-aligned contacts and manufacturing processes

Номер патента: DE112008000094B4. Автор: Pushkar Ranade,Keith E. Zawadzki. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

In-situ metal gate recess process for self-aligned contact application

Номер патента: US8940597B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Yi-An Lin,Gin-Chen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-27.

Method for forming a self-aligned contact and a plasma especially applicable in performing said method

Номер патента: EP0052227A1. Автор: Francis Roger White,Edward Donald Purcell,John Michael Wursthorn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-05-26.

Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer

Номер патента: US6855610B2. Автор: Ming-Sheng Tung,Yueh-Chuan Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2005-02-15.

self-aligned contact structures

Номер патента: DE102020119275A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Self-aligned contact with zero offset to gate

Номер патента: EP0660395A2. Автор: Robert Louis Hodges,Loi Nguyen. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1995-06-28.

CMOS device with dual epi channels and self-aligned contacts

Номер патента: DE112008000094T5. Автор: Pushkar Hillsboro Ranade,Keith E. Portland Zawadzki. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Method and apparatus for fabricating self-aligned contacts in an integrated circuit

Номер патента: US6576519B1. Автор: Theodore W. Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-06-10.

Self-aligned contact structures

Номер патента: KR102434615B1. Автор: 치하오 왕,리전 위,린위 후앙,치아하오 창,청치 추앙,위밍 린. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2022-08-19.

Transistor formed with self-aligned contacts

Номер патента: EP1935012A4. Автор: Andrew Marshall,Tito Gelsomini,Harvey Edd Davis. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-04-20.

Method of forming self-aligned contacts and local interconnects

Номер патента: US20070004187A1. Автор: An Chyi Wei. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

Method of integrating a salicide process and a self-aligned contact process

Номер патента: US6383878B1. Автор: Shui-Chin Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-05-07.

Method of manufacturing self-aligned contact opening

Номер патента: TWI301997B. Автор: Pin Yao Wang,Liang Chuan Lai,Jeng Huan Yang. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-10-11.

Method of fabricating a semiconductor structure with a self-aligned contact

Номер патента: US20170004997A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,En-Chiuan Liou,Yu-Ting Hung,Wei-Hao Huang,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Method of manufacturing self-aligned contact opening and semiconductor device

Номер патента: TW200701307A. Автор: Pin-Yao Wang,Liang-Chuan Lai,Jeng-Huan Yang. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-01-01.

SELF-ALIGNED CONTACT METALLIZATION FOR REDUCED CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20150311204A1. Автор: Ghani Tahir,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-10-29.

STRUCTURE AND METHOD FOR REPLACEMENT GATE MOSFET WITH SELF-ALIGNED CONTACT USING SACRIFICIAL MANDREL DIELECTRIC

Номер патента: US20130143377A1. Автор: Chudzik Michael P.,Radens Carl J.,Siddiqui Shahab. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-06.

SELF-ALIGNED CONTACT EMPLOYING A DIELECTRIC METAL OXIDE SPACER

Номер патента: US20130178053A1. Автор: LI Ying,Utomo Henry K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

METHODS OF FORMING CAP LAYERS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED CONTACT ELEMENTS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150035086A1. Автор: Xie Ruilong,Cai Xiuyu,Zhao Larry. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

Super-Self-Aligned Contacts and Method for Making the Same

Номер патента: US20150091190A1. Автор: Smayling Michael C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

SELF ALIGNED CONTACT FORMATION

Номер патента: US20150108651A1. Автор: Huang Gin-Chen,Chen Neng-Kuo,Wann Clement Hsingjen,Hsu Chia-Jung,Yu Shao-Ming,Sun Sey-Ping. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

Method of forming self-aligning contacting hole

Номер патента: JPS60216582A. Автор: シエン　テン　スウ. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1985-10-30.

Method of fabricating a memory device having a self-aligned contact window and equipment formed thereby

Номер патента: CN1315182C. Автор: 吕文彬,陈铭祥,曾铕寪,邱宏裕. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-09.

Method of fabricating a memory device having a self-aligned contact window and equipment formed thereby

Номер патента: CN1630065A. Автор: 吕文彬,陈铭祥,曾铕寪,邱宏裕. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-22.

Self-aligned contact

Номер патента: US20100210098A1. Автор: Shom Ponoth,Kaushik Kumar,Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,Stephan Grunow,Vidhya Ramachandran,Johnathan E. Faltermeier,Kevin Petrarca. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170040218A1. Автор: Ghani Tahir,Hwang Jack,Bohr Mark T.,Steigerwald Joseph M.,JOSHI Subhash M.,Rahhal-Orabi Nadia M.,Klaus Jason W.,Mackiewicz Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

一种抗辐射trench型MOSFET的制造方法

Номер патента: CN117410183A. Автор: 唐新宇,徐政,徐海铭,谢儒彬,洪根深,张庆东,廖远宝. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2024-01-16.

一种抗辐射trench型MOSFET的制造方法

Номер патента: CN117410183. Автор: 唐新宇,徐政,徐海铭,谢儒彬,洪根深,张庆东,廖远宝. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2024-01-16.

Self-aligned Contacts For Replacement Metal Gate Transistors

Номер патента: US20140252427A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-11.

MIDDLE-OF-LINE (MOL) CAPACITANCE REDUCTION FOR SELF-ALIGNED CONTACT IN GATE STACK

Номер патента: US20170148874A1. Автор: OK Injo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Seo Soon-Cheon,Surisetty Charan V.V.S.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

MIDDLE OF THE LINE SUBTRACTIVE SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170162443A1. Автор: Pranatharthiharan Balasubramanian,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

MIDDLE OF THE LINE SUBTRACTIVE SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20180261511A1. Автор: Pranatharthiharan Balasubramanian,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

TWO-DIMENSIONAL (2D) SELF-ALIGNED CONTACT (OR VIA) TO ENABLE FURTHER DEVICE SCALING

Номер патента: US20200411376A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Reznicek Alexander,Wang Junli,Yeh Chun-chen. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Two-dimensional (2D) self-aligned contact (or via) to enable further device scaling

Номер патента: US11056386B2. Автор: Alexander Reznicek,Junli Wang,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Advanced metallization approach for forming self-aligned contacts and local area interconnects for memory and logic devices

Номер патента: US20030170954A1. Автор: Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-09-11.

Trench MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) gate oxidation processing method in silicon carbide device

Номер патента: CN105513962A. Автор: 胡建国,周雯,廖奇泊. Владелец: Shanghai Jingliang Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

一种高密度trench型MOSFET的制造方法

Номер патента: CN116564821. Автор: 唐新宇,徐政,徐海铭,张庆东,廖远宝. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2023-08-08.

一种高密度trench型MOSFET的制造方法

Номер патента: CN116564821A. Автор: 唐新宇,徐政,徐海铭,张庆东,廖远宝. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2023-08-08.

Implementing contacts for bodies of semiconductor-on-insulator transistors

Номер патента: US20020030229A1. Автор: John Sheets,Todd Christensen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

MATERIAL REMOVAL PROCESS FOR SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170170019A1. Автор: Ozcan Ahmet S.,Kanakasabapathy Sivananda K.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Solid-state wafer bonding of functional materials on substrates and self-aligned contacts

Номер патента: WO2016073460A1. Автор: Shadi A. DAYEH,Renjie Chen. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of forming salicided self-aligned contact for SRAM cells

Номер патента: US5573980A. Автор: Chue-San Yoo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1996-11-12.

Self-aligned backside contact for 3dic application

Номер патента: WO2024064520A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Qingqing Liang,Periannan Chidambaram,George Pete IMTHURN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-28.

Sealed self aligned contacts using two nitrides process

Номер патента: US5043790A. Автор: Douglas Butler. Владелец: NMB Semiconductor KK. Дата публикации: 1991-08-27.

Method of manufacturing semiconductor device that includes forming self-aligned contact pad

Номер патента: US20050101127A1. Автор: Tae-Ryong Kim,Jeong-Yun Lee,Yong-Hyeon Park,Jae-hee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-12.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device to remove stress and reduce contact resistance

Номер патента: KR100443345B1. Автор: 이동현,박창현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-09-18.

Self aligned contact with interlayer to fill spaces between stacked patterns with contact holes and spacers on sidewalls of patterns

Номер патента: DE19925657A1. Автор: Kyu-Hyun Lee,Sang-Sub Jeong,Jae-Goo Lee,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-23.

Method of forming an electrical contact in a semiconductor device using an improved self-aligned contact (SAC) process

Номер патента: TW200746367A. Автор: Hyung-Hwan Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-16.

Self-aligned contacts for salicided MOS devices

Номер патента: US6258714B1. Автор: Ritu Shrivastava. Владелец: Alliance Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-07-10.

SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20130230978A1. Автор: Guo Dechao,Han Shu-Jen,Haensch Wilfried E.A.,Lin Chung-Hsun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-05.

HIGH DENSITY MOSFET ARRAY WITH SELF-ALIGNED CONTACTS ENHANCEMENT PLUG AND METHOD

Номер патента: US20160035846A1. Автор: Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

INTEGRATED MULTIPLE GATE LENGTH SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20150145057A1. Автор: Venigalla Rajasekhar,Fan Su Chen,Pranatharthiharan Balasubramanian. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-28.

METHODS FOR MAKING A TRIM-RATE TOLERANT SELF-ALIGNED CONTACT VIA STRUCTURE ARRAY

Номер патента: US20160190154A1. Автор: NOZAWA Kei. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

SELF-ALIGNED CONTACT AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20150206753A1. Автор: Yeh Cheng-Hao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-07-23.

METHOD OF FORMING A SELF-ALIGNED CONTACT USING SELECTIVE SiO2 DEPOSITION

Номер патента: US20180233407A1. Автор: Tapily Kandabara N.,Chae Soo Doo,Han Sangcheol. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Critical Dimension Control For Self-Aligned Contact Patterning

Номер патента: US20180240706A1. Автор: Mallick Abhijit Basu,Duan Ziqing. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor Device with Self-Aligned Contact

Номер патента: US20170278751A1. Автор: WANG Mei-Yun,Wang Hsien-Cheng,WANG Chao-Hsun,Yang Fu-Kai,Liu Shih-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

METHOD, APPARATUS AND SYSTEM FOR FABRICATING SELF-ALIGNED CONTACT USING BLOCK-TYPE HARD MASK

Номер патента: US20170358585A1. Автор: Xie Ruilong,Kim Ryan Ryoung-Han,LIM Kwanyong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-12-14.

SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20170372956A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Self aligned contact plug technology

Номер патента: US6348409B1. Автор: Cheng-Yeh Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-02-19.

Critical dimension control for self-aligned contact patterning

Номер патента: US10770349B2. Автор: Ziqing Duan,Abhijit Basu Mallick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-09-08.

Self-aligned contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR100284535B1. Автор: 이재구,조창현,이규현,정상섭. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-04-02.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100268443B1. Автор: 조창현,김기남,정태영. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-16.

Structure and method for self-aligned contact formation

Номер патента: KR100228619B1. Автор: 치아 웨이 체,자크체리니 키아라,오티스 밀러 로버트,아난트 딕시트 기라쉬. Владелец: 에스티 마이크로일렉트로닉스 인코포레이티드. Дата публикации: 1999-11-01.

Semiconductor device having self aligned contact and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100335488B1. Автор: 박준수,이중현,김인성,강현재. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-04.

Self-aligned contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR940001268A. Автор: 김정호,김승준,이동덕,김일욱. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-01-11.

Method for manufacturing a semiconductor device having dual gate poly structure available self-aligned contact and gate layers structure thereof

Номер патента: KR100618807B1. Автор: 박종우,오재희,김동우,문창록. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-08-31.

Method of forming a self-aligned contact structure using a sacrificial mask layer

Номер патента: KR100541046B1. Автор: 정태영,윤철주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-11.

Method of making a self-aligned contact in semiconductor device

Номер патента: KR100260577B1. Автор: 김재갑. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-08-01.

Semiconductor device having a self-aligned contact plug and fabricating method therefor

Номер патента: KR100450686B1. Автор: 손승용,지경구,강창진,김명철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-10-01.

Method for forming self alignment contact

Номер патента: CN1244727A. Автор: 林炳俊. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-02-16.

A semiconductor device having self-aligned contact hole and fabrication method thereof

Номер патента: KR100487951B1. Автор: 김형섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-06.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR940016879A. Автор: 박해성. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-07-25.

METHOD FOR FORMING A SELF-ALIGNED CONTACT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2784229B1. Автор: Chang Hyum Cho,Kyu Hyun Lee,Lae Goo Lee,Sang Sub Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-12.

Method of manufacturing self-aligned contact hole for semiconductor device

Номер патента: KR960032616A. Автор: 다다시 후까세. Владелец: 닛뽕 덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1996-09-17.

METHOD FOR FORMING A SELF-ALIGNED CONTACT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2784229A1. Автор: Chang Hyum Cho,Kyu Hyun Lee,Lae Goo Lee,Sang Sub Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-04-07.

Structure and procedure for establishing self-aligning contacts

Номер патента: DE69214339D1. Автор: Girish Anant Dixit,Che Chia Wei,Chiara Zaccherini,Robert Otis Miller. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1996-11-14.

Deposition of carbon into nitride layer for improved selectivity of oxide to nitride etchrate for self aligned contact etching

Номер патента: EP0908941A2. Автор: Matthias Ilg,Bruno Spuler,Wolfgang Bergner,Juergen Wittmann,Martin Gutsche. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-04-14.

Methods of fabricating integrated circuit devices having self-aligned contact structures

Номер патента: US20060194432A1. Автор: Gil-heyun Choi,Hee-sook Park,Hyun-Su Kim,Kwang-jin Moon,Sang-Bom Kang,Seung-Gil Yang. Владелец: Seung-Gil Yang. Дата публикации: 2006-08-31.

Method for manufacturing self-aligned contact hole and semiconductor device

Номер патента: KR940007994A. Автор: 하노 멜츠너. Владелец: 제멘스 악티엔게젤샤프트. Дата публикации: 1994-04-28.

Method for forming a self aligned contact in a semiconductor device

Номер патента: GB9909492D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-23.

Method for manufacturing self aligned contact hole

Номер патента: KR100366617B1. Автор: 지경구,남병윤. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor device with a self-aligned contact and a method of manufacturing the same

Номер патента: US6573602B2. Автор: Myeong-Cheol Kim,Tae-Hyuk Ahn,Jun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-06-03.

Self-aligned contact and method of fabricating the same

Номер патента: KR100268431B1. Автор: 박병준. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-16.

Method for fabricating self aligned contact hole

Номер патента: KR100613392B1. Автор: 황한규. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-17.

Self aligned contact scheme

Номер патента: US11302577B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Semiconductor component with a self-aligned contact and method for its production

Номер патента: DE4426364B8. Автор: Hyun-Cheol Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-28.

Method of forming a self-aligned contact structure using a sacrificial mask layer

Номер патента: US7205232B2. Автор: Tae-Young Chung,Cheol-ju Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-17.

Formation of self-aligned contacts in semiconductor device

Номер патента: JPH11162952A. Автор: Matthias Ilg,Bruno Spuler,Wolfgang Bergner,ベルクナー ヴォルフガング,Juergen Wittmann,イルク マティアス,Martin Gutsche,シュプーラー ブルーノ,ヴィットマン ユルゲン,グッチェ マーティン. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-06-18.

Method for forming semiconductor device having low parasite capacitance using air gap and self-aligned contact plug

Номер патента: US20010023123A1. Автор: Jin-woong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-20.

Semiconductor device having self-aligned contact hole and method of fabricating the same

Номер патента: US20040155282A1. Автор: Hyoung-Sub Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-12.

Self aligned contact pad in a semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US6204161B1. Автор: Tae-Young Chung,Jae-Goo Lee,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-03-20.

Method of manufacturing self-aligned contact hole

Номер патента: US6498081B2. Автор: Byeong-Yun Nam,Kyeong-koo Chi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-24.

Method of forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100245136B1. Автор: 김정호,김승준,이동덕,김일욱. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

MANUFACTURING A SELF-ALIGNING CONTACT WINDOW IN AN INTEGRATED CIRCUIT.

Номер патента: DE3687179D1. Автор: Barbara A Heath. Владелец: Thorn EMI North America Inc. Дата публикации: 1993-01-14.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: JP5084074B2. Автор: 眞 雄 金. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-11-28.

Self-aligned contact and method of forming the same

Номер патента: US20150206753A1. Автор: Cheng-Hao Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Self-aligned contact frequency doubling technology for memory and logic device applications

Номер патента: US20080227295A1. Автор: Yijian Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-18.

Air-replaced spacer for self-aligned contact scheme

Номер патента: US12040222B2. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Meng-Yu Lin,Chung-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Air-replaced spacer for self-aligned contact scheme

Номер патента: US20210125858A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Meng-Yu Lin,Chung-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Air-Replaced Spacer for Self-Aligned Contact Scheme

Номер патента: US20240339355A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Meng-Yu Lin,Chung-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Trench silicide with self-aligned contact vias

Номер патента: US09721888B2. Автор: Fei Liu,Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Adam M. Pyzyna. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Self-aligned contact openings for backside through substrate vias

Номер патента: US20240297099A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Swarnal Borthakur. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuits with self aligned contacts and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09576852B2. Автор: Theodorus Standaert,Jim Kelly,Ming He,Yann Mignot,Seowoo Nam,Raghuveer Patlotta. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-21.

Self-aligned contact openings for backside through substrate vias

Номер патента: US11973006B2. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Swarnal Borthakur. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Methods for forming a self-aligned contact via selective lateral etch

Номер патента: US09368369B2. Автор: Jungmin Ko,Sean Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Self-aligned contacts for 3d logic and memory

Номер патента: WO2020242602A1. Автор: Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2020-12-03.

Self-aligned contacts for 3d logic and memory

Номер патента: US20200373203A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Method of forming self-aligned contact structure in semiconductor device and self-aligned contact structure fabricated thereby

Номер патента: KR100352909B1. Автор: 이재구,고관협. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-09-16.

Method for forming a self-aligning contact and manufacturing method for a semiconductor device with a self-aligning contact

Номер патента: DE10122976A1. Автор: Tae-Hyuk Ahn,Ji-soo Kim,Kyoung-sub Shin,Gyung-Jin Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-18.

Self-aligned contact hole and pillar array patterning

Номер патента: EP3671822A1. Автор: Jae Uk Lee. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-24.

Self-aligned contacts and methods of fabrication

Номер патента: US20150279738A1. Автор: Guillaume Bouche,Xiang Hu,Andre Labonte,Gabriel Padron Wells. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Self-aligned contacts and methods of fabrication

Номер патента: US09460963B2. Автор: Guillaume Bouche,Xiang Hu,Andre Labonte,Gabriel Padron Wells. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of forming self-aligned contact structure in semiconductor device and self-aligned contact structure fabricated thereby

Номер патента: KR20010091723A. Автор: 이재구,고관협. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-10-23.

Method for forming self-aligned contact and integrated circuit with self-aligned contact

Номер патента: TW201243956A. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20230102519A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2021007781A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-01-21.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210020566A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210183765A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Self aligned contact

Номер патента: TW200826240A. Автор: Yi Ding. Владелец: Promos Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2008-06-16.

Self-aligned contacts to gates

Номер патента: AU2003260060A1. Автор: Mark Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-11.

Insulated-gate field-effect transistor with self-aligned contact hole to source or drain

Номер патента: US4103415A. Автор: James A. Hayes. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1978-08-01.

Air-replaced spacer for self-aligned contact scheme

Номер патента: US20220181202A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Meng-Yu Lin,Chung-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for manufacturing a semiconductor device having self-aligned contacts

Номер патента: US20030025137A1. Автор: Akira Takahashi. Владелец: Akira Takahashi. Дата публикации: 2003-02-06.

Method for manufacturing a semiconductor device having self-aligned contacts

Номер патента: US20040159953A1. Автор: Akira Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Process for fabricating an integrated circuit with a self-aligned contact

Номер патента: EP1064679A1. Автор: Yu Sun,Fei Wang,Unsoon Kim,Hung-Sheng Chen,Mark Chang,Tatsuya Kajita,Chi Chang,Mark Ramsbey,Mark Randolph,Angela Hui. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-01-03.

Integrated circuit devices including self-aligned contacts with increased alignment margin and methods of fabricating same

Номер патента: TW586183B. Автор: Won-suk Yang,Ki-nam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-01.

Methods of fabricating integrated circuit devices including self-aligned contacts with increased alignment margin

Номер патента: US20050272251A1. Автор: Won-suk Yang,Ki-nam Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-08.

SELF-ALIGNED CONTACT METALLIZATION FOR REDUCED CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20130277752A1. Автор: Ghani Tahir,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Method for forming contact hole of semiconductor device to easily form self-aligned contact pattern and enlarge desired plug size

Номер патента: KR100458296B1. Автор: 김동현,최익수,김상욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-02-07.

Self-aligned contact/borderless contact opening and method for forming same

Номер патента: TW200425398A. Автор: Chia-Chi Chung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-16.

Self-Aligned Contacts for MOL

Номер патента: US20210090950A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Fan Su Chen,Carr Adra. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

SELF-ALIGNED CONTACTS FOR 3D LOGIC AND MEMORY

Номер патента: US20200373203A1. Автор: deVilliers Anton J.,Smith Jeffrey,Tapily Kandabara,LIEBMANN Lars. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-11-26.

Method of fabricating self-aligned contact for semiconductor device

Номер патента: KR920004366B1. Автор: 이대훈,정인술. Владелец: 정몽헌. Дата публикации: 1992-06-04.

Self-aligned contacts for complementary field-effect integrated circuits

Номер патента: EP0557754A2. Автор: Manzur Gill,Danny Shum. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-09-01.

Self-aligned contacts for transistors

Номер патента: US7563701B2. Автор: Brian S. Doyle,Peter L. D. Chang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-07-21.

Self-aligned contact for embedded memory

Номер патента: US20230197513A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of making self-aligned contact for via hole

Номер патента: TW392305B. Автор: Wen-Yi Tan,Kuen-Ji Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-01.

Self-aligned contacts for semiconductor devices

Номер патента: JP2004500696A. Автор: フラナー・ジャネット・エム．,マーキュイズ・リンダ・エヌ．. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2004-01-08.

Super-Self-Aligned Contacts and Method for Making the Same

Номер патента: US20140030890A1. Автор: Smayling Michael C.. Владелец: Tela Innovations, Inc.. Дата публикации: 2014-01-30.

SELF-ALIGNED CONTACT SCHEME FOR PILLAR-BASED MEMORY ELEMENTS

Номер патента: US20210020508A1. Автор: Lanzillo Nicholas Anthony,RIZZOLO Michael,Briggs Benjamin D.. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

Self-Aligned Contact and Method

Номер патента: US20160027689A1. Автор: WANG Mei-Yun,Wang Hsien-Cheng,WANG Chao-Hsun,Yang Fu-Kai,Liu Shih-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) WITH SELF-ALIGNED CONTACTS, INTEGRATED CIRCUIT (IC) CHIP AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20150035060A1. Автор: Lauer Isaac,Chu Jack O.,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-05.

COMPLETING MIDDLE OF LINE INTEGRATION ALLOWING FOR SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20150041909A1. Автор: Bouche Guillaume,WANG Haiting. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-02-12.

INTEGRATION OF AIR SPACER WITH SELF-ALIGNED CONTACT IN TRANSISTOR

Номер патента: US20200083101A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

FORMING VIAS AND TRENCHES FOR SELF-ALIGNED CONTACTS IN A SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20140191409A1. Автор: Lao Keith Quoc. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-10.

AIR-REPLACED SPACER FOR SELF-ALIGNED CONTACT SCHEME

Номер патента: US20210125858A1. Автор: Wu Zhiqiang,Lin Meng-Yu,Wu Chung-Wei,Cheng Chun-Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

AIR-REPLACED SPACER FOR SELF-ALIGNED CONTACT SCHEME

Номер патента: US20220181202A1. Автор: Wu Zhiqiang,Lin Meng-Yu,Wu Chung-Wei,Cheng Chun-Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-09.

METHODS FOR FORMING A SELF-ALIGNED CONTACT VIA SELECTIVE LATERAL ETCH

Номер патента: US20160133480A1. Автор: KO Jungmin,Kang Sean. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING MIDDLE-OF-LINE (MOL) CAPACITANCE REDUCTION FOR SELF-ALIGNED CONTACT IN GATE STACK

Номер патента: US20170148662A1. Автор: OK Injo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Seo Soon-Cheon,Surisetty Charan V.V.S.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

METHOD FOR FORMING A SELF-ALIGNED CONTACT IN A DAMASCENE STRUCTURE USED TO FORM A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160163593A1. Автор: TSUKAMOTO MASANORI. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

MIDDLE OF THE LINE SUBTRACTIVE SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170162437A1. Автор: Pranatharthiharan Balasubramanian,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

TRENCH SILICIDE WITH SELF-ALIGNED CONTACT VIAS

Номер патента: US20170162496A1. Автор: Liu Fei,Chang Josephine B.,Guillorn Michael A.,Pyzyna Adam M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

Middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20190157388A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS/VIAS WITH HIGH CORNER SELECTIVITY

Номер патента: US20150170965A1. Автор: WANG Peng,Hudson Eric A.,INDRAKANTI Ananth. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2015-06-18.

INTEGRATION OF AIR SPACER WITH SELF-ALIGNED CONTACT IN TRANSISTOR

Номер патента: US20200161169A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING MIDDLE-OF-LINE (MOL) CAPACITANCE REDUCTION FOR SELF-ALIGNED CONTACT IN GATE STACK

Номер патента: US20210210596A1. Автор: OK Injo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Surisetty Charan V.,Seo Soon-Cheno. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Self Aligned Contact Scheme

Номер патента: US20210225706A1. Автор: HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING MIDDLE-OF-LINE (MOL) CAPACITANCE REDUCTION FOR SELF-ALIGNED CONTACT IN GATE STACK

Номер патента: US20190259831A1. Автор: OK Injo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Surisetty Charan V.V.S.,Seo Soon-Cheno. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

MULTICOLOR SELF-ALIGNED CONTACT SELECTIVE ETCH

Номер патента: US20210343592A1. Автор: ZHANG YING,Hwang Ho-Yung David,Zhou Qingjun,Lin Yung-Chen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-11-04.

Multicolor Self-Aligned Contact Selective Etch

Номер патента: US20190279901A1. Автор: ZHANG YING,Zhou Qingjun,Lin Yung-Chen,Hwang Ho-yung. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING SELF-ALIGNED CONTACT PADS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150311276A1. Автор: Kim Young-Kuk,Im Ki-vin,LIM Han-jin,Hwang In-seak. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS/VIAS WITH HIGH CORNER SELECTIVITY

Номер патента: US20150325479A1. Автор: WANG Peng,Hudson Eric A.,INDRAKANTI Ananth. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

SOLID-STATE WAFER BONDING OF FUNCTIONAL MATERIALS ON SUBSTRATES AND SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20170317050A1. Автор: Chen Renjie,Dayeh Shadi A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

STACKED MIM CAPACITORS WITH SELF-ALIGNED CONTACT TO REDUCE VIA ENCLOSURE

Номер патента: US20190305076A1. Автор: Ando Takashi,Clevenger Lawrence A.,Jagannathan Hemanth,Bonilla Griselda,Groves Robert Allen. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

TRENCH SILICIDE WITH SELF-ALIGNED CONTACT VIAS

Номер патента: US20170330830A1. Автор: Liu Fei,Chang Josephine B.,Guillorn Michael A.,Pyzyna Adam M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

INTEGRATED CIRCUITS WITH SELF ALIGNED CONTACTS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160379881A1. Автор: He Ming,Mignot Yann,Nam Seowoo,Standaert Theodorus,Kelly Jim,Patlotta Raghuveer. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Methods of forming self-aligned contacts

Номер патента: US20200373309A1. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Manufacturing method for self-aligned contacts

Номер патента: TW384525B. Автор: Jin-Huei Li,Jia-Wen Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-03-11.

Method for fabricating a self-aligned contact

Номер патента: US6001743A. Автор: Jia-Hwa Lee,Chia-Wen Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR101046717B1. Автор: 이성권,정태우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-07-05.

A method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100276387B1. Автор: 이재구,조창현,정홍식. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-12-15.

Method for fabricating pad without void using self-aligned contact etch process in semiconductor device

Номер патента: KR100382727B1. Автор: 지경구,민경진,전정식,박완재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-05-09.

Forming method for self aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100440076B1. Автор: 김진웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-15.

A method for forming a self-aligned contact of a semiconductor device

Номер патента: KR100609523B1. Автор: 남상혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-04.

Method for forming self aligned contact in semiconductor device with buried gate

Номер патента: KR101075526B1. Автор: 신종한,박점용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-20.

A method for forming gate spacer of self-aligned contact

Номер патента: KR100380348B1. Автор: 서준,송종희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-04-11.

Method of fabricating semiconductor device having self-aligned contact plug and related device

Номер патента: KR100843716B1. Автор: 김동현,우동수,강남정,홍형선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-07-04.

A method of manufacturing self align contact of semiconductor device

Номер патента: KR100400298B1. Автор: 권오성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-04.

Method for forming self-aligned contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR100441998B1. Автор: 서준,송종희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-07-30.

Method for forming self aligned contact hole in semiconductor

Номер патента: KR100839527B1. Автор: 전재영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device having self-aligned contact pad for increasing process margin by using modified pad division pattern

Номер патента: KR100450665B1. Автор: 남동석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-16.

Method for fotming self aligned contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR20010109369A. Автор: 박병준,오정훈. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-12-10.

Process of chemical mechanical polishing for isolating self-aligned contact pad

Номер патента: KR100475123B1. Автор: 홍창기,이재동,박정헌,박영래,김호영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for forming self-aligned contact plug of semiconductor device

Номер патента: KR100640628B1. Автор: 홍창기,이재동,박정헌,박준상,배근희,정명호,김영옥,구주선,윤세라. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-31.

Memory merged logic semiconductor device of salicided dual gate structure including embedded memory of self-aligned contact structure and Method of manufacturing the same

Номер патента: KR100393205B1. Автор: 김봉석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-07-31.

Method for etching a self align contact of semiconductor device

Номер патента: KR20030000949A. Автор: 조영재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-06.

METHOD FOR FABRICATION OF SELF ALIGN CONTACT HOLE OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING ArF PHOTO LITHOGRAPHY

Номер патента: KR100942980B1. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-02-17.

Method for fabricating semiconductor device having self-aligned contact pad

Номер патента: KR100652369B1. Автор: 이강윤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-30.

Self-aligning contact hole etching process

Номер патента: CN104465493A. Автор: 李俊杰,王文武,李俊峰,李春龙,洪培真. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-03-25.

Fabricating method for self-aligned contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100300053B1. Автор: 강정원,채민철. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-10-19.

Semiconductor device having self-aligned contact and method of fabricating the same

Номер патента: CN101009267A. Автор: 朴源模. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-01.

Self-aligned contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR100560294B1. Автор: 임규남,이해정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-13.

Lift off method of foring self-aligning contact

Номер патента: JPS5944824A. Автор: アルビン・ミルグラム. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-03-13.

Self-align contact etch method of semiconductor device

Номер патента: KR100585084B1. Автор: 김현우,김지수,안태혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-30.

Method for self aligned contact in semiconductor device

Номер патента: KR100838392B1. Автор: 김승범,신수범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-06-13.

Method of manufacturing semiconductor device using self-aligned contact process

Номер патента: KR100647481B1. Автор: 이성호,김영희,남신우,안창문. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-17.

Etching method for forming self-alignment contact holes

Номер патента: JP4638030B2. Автор: フラナー・ジャネット・エム．,マークウェツ・リンダ・エヌ．,クック・ジョエル・エム．,モリー・イアン・ジェイ．. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2011-02-23.

Method for forming self-aligned contacts in semiconductor devices

Номер патента: KR970018058A. Автор: 최창원. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-04-30.

Method for forming the semiconductor memory device having a self-aligned contact hole

Номер патента: KR20050003296A. Автор: 구동철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-10.

A method of manufacturing self align contact of semiconductor device

Номер патента: KR20010002131A. Автор: 권오성. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2001-01-05.

Method of forming self-aligned contact in semiconductor device

Номер патента: KR0164497B1. Автор: 최창원. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of fabricating semiconductor device having self-aligned contact plug and related device

Номер патента: CN101308812B. Автор: 金东铉,康湳婷,禹东秀,洪亨善. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-07.

The preparation method of self-aligned contact hole

Номер патента: CN106206421B. Автор: 陈宏�,许昕睿. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2019-06-28.

MANUFACTURING METHOD FOR LOCAL INTERCONNECTIONS AND SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: FR2772985A1. Автор: Shih Wei Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-06-25.

Method for forming self align contact of semiconductor device

Номер патента: KR101073130B1. Автор: 이민석,이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-12.

METHOD FOR FORMING A SELF-ALIGNED CONTACT IN A SEMICONDUCTOR DIPOSITIVE

Номер патента: FR2773417A1. Автор: Jung Chul,Hyun Cho Chang,Sik Jeong Hong,Goo Lee Jae,Jin Kang Chang,Sup Jeong Sang,Ouk Jung Chan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-09.

Self-aligning contact and interconnect structure

Номер патента: CA2034075A1. Автор: Joseph Tzou,Norman Godinho,Frank Tsu-Wei Lee,Hsiang-Wen Chen,Richard F. Motta,Juine-Kai Tsang,Jai-Man Baik,Ting-Pwu Yen. Владелец: Paradigm Technology, Inc.. Дата публикации: 1991-07-13.

Method for forming cmos device with self-aligned contacts and region formed using salicide process

Номер патента: US7098114B1. Автор: Tsengyou Syau,Shih-Ked Lee,Chuen-Der Lien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2006-08-29.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: JP4040781B2. Автор: 燦旭 鄭,昌珍 姜,相燮 鄭,▲チュル▼ 鄭,昶賢 趙,弘植 鄭,宰求 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-30.

MANUFACTURING METHOD FOR LOCAL INTERCONNECTIONS AND SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: FR2772985B1. Автор: Shih Wei Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-05-26.

Semiconductor device having self-aligned contact structure and methods of forming same

Номер патента: CN1148788C. Автор: ,林炳俊,黄有商. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-05.

A forming method of self align contact using ArF lithography

Номер патента: KR100527398B1. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-11-15.

Method of fabricating self-align-contact

Номер патента: US6169025B1. Автор: Chien-Li Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-01-02.

Method of forming a self-aligned contact hole on a semiconductor wafer

Номер патента: US6306760B1. Автор: Hsin-Tuei Hsu,Yuang-Chang Lin,Wen-Jeng Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-10-23.

Memory merged logic semiconductor device of salicided dual gate structure including embedded memory of self-aligned contact structure and Method of manufacturing the same

Номер патента: KR20010108658A. Автор: 김봉석. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-12-08.

Semiconductor memory device having self-aligned contacts and method of fabricating the same

Номер патента: KR100363091B1. Автор: 김명철,민경진,안태혁,이중현,남병윤. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-11-30.

Manufacturing method for forming a self aligned contact

Номер патента: US8993433B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Hsuan-Hsu Chen,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yu-Tsung Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Method of forming vias and trenches for self-aligned contacts in a semiconductor structure

Номер патента: KR102128769B1. Автор: 키쓰 쿠옥 라오. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-07-08.

Lift-off process for fabricating self-aligned contacts

Номер патента: DE3375962D1. Автор: Alvin Milgram. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1988-04-14.

Process for the production of self-aligned contacts on buried bit lines

Номер патента: DE10256936B3. Автор: Josef Dr. Willer,Juerg Haufe. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor device with self-aligned contacts and method of fabrication

Номер патента: EP0749156A1. Автор: Hanno Melzner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1996-12-18.

A fabrication method for forming a self-aligned contact window and connection in an epitaxial layer and device structures employing the method

Номер патента: AU594200B2. Автор: Nicky Chau-Chun Lu,Brain John Machesney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-03-01.

Methods of forming self-aligned contact structures in semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US6649508B1. Автор: Jong-woo Park,Yun-gi Kim,Dong-gun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Process for making self-aligned contacts

Номер патента: EP0355339A2. Автор: David Stanasolovich,Steven Peterman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-02-28.

Semiconductor device having self-aligned contact and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060183295A1. Автор: Min-San Huang,Hann-Jye Hsu,Yung-Chung Yao. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Method of fabricating semiconductor device having self-aligned contact plug and related device

Номер патента: CN101308812A. Автор: 金东铉,康湳婷,禹东秀,洪亨善. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-19.

How to manufacture self-aligned contact trench DMOS transistors

Номер патента: KR100373581B1. Автор: 프랑수와 헤버트,이작 벤쿠야,제-혼 콴. Владелец: 내셔널 세미콘덕터 코포레이션. Дата публикации: 2003-05-09.

Structure and fabricating method of self-aligned contact

Номер патента: TW388104B. Автор: Jian-Li Guo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-04-21.

Stacked MIM capacitors with self-aligned contact to reduce via enclosure

Номер патента: US10734475B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Griselda Bonilla,Takashi Ando,Hemanth Jagannathan,Robert Allen Groves. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Self-aligned contact method

Номер патента: CN1825541A. Автор: 洪昌基,朴正宪,李在东,朴俊相,尹世罗,裵根熙,郑明浩,具珠善,金荣玉. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-30.

Semiconductor device with self-aligned contacts using a liner oxide layer

Номер патента: US6420752B1. Автор: Yu Sun,Fei Wang,Minh Van Ngo,Mark T. Ramsbey,Chi Chang,Angela T. Hui,Mark S. Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-07-16.

METHOD FOR FORMING A SELF-ALIGNED CONTACT IN A SEMICONDUCTOR DIPOSITIVE

Номер патента: FR2773417B1. Автор: Jung Chul,Hyun Cho Chang,Sik Jeong Hong,Goo Lee Jae,Jin Kang Chang,Sup Jeong Sang,Ouk Jung Chan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-31.

Semiconductor device having self-aligned contact and method of forming the same

Номер патента: KR100675303B1. Автор: 박원모. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-29.

Sidewall spacer structure for self-aligned contact and method for forming the same

Номер патента: KR100499161B1. Автор: 이동준,이재구,정태영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-07-01.

Method for forming a self aligned contact in a semiconductor device

Номер патента: US6177320B1. Автор: Sang-Sup Jeong,Chang-jin Kang,Hong-Sik Jeong,Chul Jung,Chan-ouk Jung,Jae-Goo Lee,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-23.

Method for forming a self-aligned contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US6808975B2. Автор: Jun Seo,Jong-Heui Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-26.

Manufacturing method of self-aligned contact of dynamic random access memory

Номер патента: TW320765B. Автор: Ming-Hwa Liou,Ming-Tsong Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-11-21.

Semiconductor apparatus formed by SAC (self-aligned contact)

Номер патента: US6483138B1. Автор: Masami Aoki,Kazumasa Sunouchi,Mariko Habu,Tahru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-11-19.

Methods of forming semiconductor device having a self-aligned contact structure

Номер патента: EP1169731B1. Автор: Byung-Jun Park,Yoo-Sang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-25.

Method for forming self-aligning contact structure in semiconductor IC device

Номер патента: CN1319886A. Автор: 金允基,朴东建,朴钟佑. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-31.

Method for making self-aligned contact

Номер патента: TW436985B. Автор: Ye-Sen Lin. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2001-05-28.

Semiconductor device having a self-aligned contact structure and methods of forming the same

Номер патента: EP1169731A1. Автор: Byung-Jun Park,Yoo-Sang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-01-09.

Lift-off process for fabricating self-aligned contacts

Номер патента: EP0100735A3. Автор: Alvin Milgram. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-10-24.

Self-aligned contact studs for semiconductor structures

Номер патента: EP0540446B1. Автор: Donna Rizzone Cote,David Stanasolovich,Ronald Archer Warren. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-07-22.

Hydrogenated silicon carbide as a liner for self-aligning contact vias

Номер патента: US6362094B1. Автор: Kurt G. Steiner,Gary Dabbaugh,Gerald W. Gibson, Jr.,Troy A. Giniecki. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-03-26.

The forming method of self-aligned contact hole

Номер патента: CN108417527A. Автор: 郭振强. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2018-08-17.

Semiconductor arrangement with self-aligned contacts and method for their production

Номер патента: DE59506590D1. Автор: Hanno Melzner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-09-16.

Method of manufacturing self-aligned contact

Номер патента: US6171954B1. Автор: Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-01-09.

A method of forming self-aligned contacts portion

Номер патента: CN106531684B. Автор: 赵超,朱慧珑,殷华湘,赵治国. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-07-16.

Forming method for self aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100440079B1. Автор: 김진웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-15.

Method for fabricating self-aligned contact hole

Номер патента: US6303491B1. Автор: Jengping Lin,Tse Yao Huang,Tzu-Ching Tsai,Lin-Chin Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2001-10-16.

Semiconductor device with self-aligned contact and its manufacture

Номер патента: TW347558B. Автор: Kenichi Inoue,Koichi Hashimoto,Kazuo Itabashi,Osamu Tuboi,Yuji Yokoyam. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-12-11.

Processes and structures for self-aligned contact non-volatile memory with peripheral transistors easily modifiable for various technologies and applications

Номер патента: US6818504B2. Автор: Peter Rabkin,Kai-Cheng Chou,Hsingya Arthur Wang. Владелец: Hynix Semiconductor America Inc. Дата публикации: 2004-11-16.

Method for forming self align contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100745058B1. Автор: 조영재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-01.

Semiconductor memory device having a self-aligned contact and fabricating method thereof

Номер патента: KR100366620B1. Автор: 김명철,안태혁,정상섭,남병윤. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2003-01-09.

Lift-off process for fabricating self-aligned contacts

Номер патента: EP0100735A2. Автор: Alvin Milgram. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-02-15.

Method for forming self-aligned contacts using a hard mask

Номер патента: US6265296B1. Автор: Erik S. Jeng,Hung-Yi Luo,Hao-Chieh Liu,Tzu-Shih Yen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-07-24.

Method of forming a self-aligned contact pad for a semiconductor device

Номер патента: US6355547B1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Jae-Goo Lee,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-12.

Method for isolating self-aligned contact pads

Номер патента: US20040132223A1. Автор: Young-rae Park,Chang-ki Hong,Jae-dong Lee,Jeong-Heon Park,Ho-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of forming a self aligned contact in a semiconductor device

Номер патента: KR100334572B1. Автор: 박영우,이원성. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-03.

Self-aligned contact process implementing bias compensation etch endpoint detection and methods for implementing the same

Номер патента: US6861362B2. Автор: Jun-Cheng Ko,Young-Tong Tsai. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2005-03-01.

Self-aligned contact hole formation method using selective polymer deposition

Номер патента: JP4632371B2. Автор: 昌 熊 秋,太 赫 安,相 燮 鄭,智 洙 金. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-16.

Self align contact fabrication method

Номер патента: KR100202198B1. Автор: 박희국,오진성,김일욱,손곤. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

A MANUFACTURING METHOD TO FORM A SELF-ALIGNED CONTACT WINDOW AND A CONNECTION IN AN EPITAXIAL LAYER AND DEVICE STRUCTURES USING THE METHOD.

Номер патента: ES2031083T3. Автор: Nicky Chau-Chun Lu,Brian John Machesney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-12-01.

Merged memory and logic semiconductor device of salicided dual gate structure including embedded memory of self-aligned contact structure and manufacturing method thereof

Номер патента: TW495856B. Автор: Bong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-21.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using sige layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20090263970A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor device having self-aligned contact and landing pad structure and method of forming same

Номер патента: US20020000601A1. Автор: Seungmoo Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device with self-aligned contact and its manufacture

Номер патента: US20030168676A1. Автор: Kenichi Inoue,Koichi Hashimoto,Kazuo Itabashi,Yuji Yokoyama,Osamu Tsuboi,Wataru Futo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-09-11.

Method of manufacturing a self-aligned contact structure

Номер патента: US20060105561A1. Автор: Yunjun Huh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor device having self-aligned contact and landing pad structure and method of forming same

Номер патента: TW471138B. Автор: Seungmoo Choi. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-01-01.

Method for manufacturing gate spacer for self-aligned contact

Номер патента: US20020115249A1. Автор: Jun Seo,Jong-Heui Sing. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-22.

Self-aligned contacts to gates

Номер патента: US6686247B1. Автор: Mark Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Self-aligned contact etch with high sensitivity to nitride shoulder

Номер патента: TW200305947A. Автор: James A Stinnett,Ajey M Joshi,Pui Man Agnes Ng,Usama Dadu,Jason M Regis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-01.

Methods of forming self-aligned contacts

Номер патента: US20220189965A1. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Methods of forming self-aligned contacts

Номер патента: US20200373309A1. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Electronic device having self-aligned contacts

Номер патента: US11638376B2. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-04-25.

Methods of forming self-aligned contacts comprising reusing hardmask materials and lithography reticles

Номер патента: US11302699B2. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-12.

Middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20170148874A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor structures including middle-of-line (mol) capacitance reduction for self-aligned contact in gate stack

Номер патента: US20170148662A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Self-aligned contact landing on a metal circuit

Номер патента: US20240112954A1. Автор: Ming-Hsun LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Self-aligned contact scheme for pillar-based memory elements

Номер патента: US20210020508A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Michael RIZZOLO,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of manufacturing a semiconductor device using anti-reflective layer and self-aligned contact technique and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: TW495917B. Автор: Se-Hyeong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-21.

Method for making self-aligned contacts to source/drain without hard mask layer

Номер патента: SG99295A1. Автор: Weining Li. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-10-27.

Power trench mosfet rectifier

Номер патента: US20110284953A1. Автор: TAO Long,Yiming Wang,Zhongyuan Jin. Владелец: Shanghai SIM BCD Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Test circuit for measuring specific contact resistivity of self-aligned contacts in integrated circuits

Номер патента: CA1288526C. Автор: William Thomas Lynch,Kwok Kwok Ng. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1991-09-03.

Forming self-aligned contacts on pillar structures

Номер патента: US20180308898A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Eugene J. O'Sullivan,Anthony J. Annunziata,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Forming self-aligned contacts on pillar structures

Номер патента: US20180308897A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Eugene J. O'Sullivan,Anthony J. Annunziata,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Self aligned contacts for back contact solar cells

Номер патента: WO2015130989A1. Автор: Mehrdad M. Moslehi,Sean M. Seutter,Virendra V. Rana,Pawan Kapur,Anand Deshpande. Владелец: SOLEXEL, INC.. Дата публикации: 2015-09-03.

SELF-ALIGNED CONTACT FOR REPLACEMENT METAL GATE AND SILICIDE LAST PROCESSES

Номер патента: US20130234253A1. Автор: Toh Eng Huat,Quek Elgin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2013-09-12.

SELF ALIGNED CONTACTS FOR SOLAR CELLS

Номер патента: US20170194520A1. Автор: Moslehi Mehrdad M.,Kapur Pawan,Rana Virendra V.,Seutter Sean M.,Deshpande Anand. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Self Aligned Contacts for Solar Cells

Номер патента: US20150221792A1. Автор: Moslehi Mehrdad M.,Kapur Pawan,Rana Virendra V.,Seutter Sean M.,Deshpande Anand. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SELF-ALIGNED CONTACT BARS AND METAL LINES WITH INCREASED VIA LANDING REGIONS

Номер патента: US20130154018A1. Автор: Baars Peter,Feustel Frank,Werner Thomas. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

SELF-ALIGNED CONTACTS IN THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210020566A1. Автор: ZHU Hongbin,Hua Zi Qun,Tang Juan. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

CIRCUIT STRUCTURE AND METHOD FOR RESISTIVE RAM WITH SELF ALIGNED CONTACTS IN ZERO-VIA LAYER

Номер патента: US20210159273A1. Автор: Gupta Anuj,Paul Bipul C.,Versaggi Joe A.. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

SELF-ALIGNED CONTACTS IN THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210183765A1. Автор: ZHU Hongbin,Hua Zi Qun,Tang Juan. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS ON PILLAR STRUCTURES

Номер патента: US20180261649A1. Автор: "OSullivan Eugene J.",EDELSTEIN Daniel C.,Utomo Henry K.,Annunziata Anthony J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS ON PILLAR STRUCTURES

Номер патента: US20180308897A1. Автор: "OSullivan Eugene J.",EDELSTEIN Daniel C.,Utomo Henry K.,Annunziata Anthony J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS ON PILLAR STRUCTURES

Номер патента: US20180308898A1. Автор: "OSullivan Eugene J.",EDELSTEIN Daniel C.,Utomo Henry K.,Annunziata Anthony J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

Spin orbit torque (sot) memory device with self-aligned contacts and their methods of fabrication

Номер патента: US20190326353A1. Автор: Mark Doczy,Kevin O'Brien,Noriyuki Sato,Kaan OGUZ,Benjamin Buford,Charles Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Methods of forming semiconductor mesa structures including self-aligned contact layers and related devices

Номер патента: US20040152224A1. Автор: Scott Sheppard,Kevin Haberern,Sheila Sherrick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-05.

Methods of forming semiconductor mesa structures including self-aligned contact layers and related devices

Номер патента: CA2500647A1. Автор: Kevin W. Haberern,Scott T. Sheppard,Sheila Sherrick. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-07-15.

Method for manufacturing semiconductor memory device having self-aligned contact

Номер патента: CN1181628A. Автор: 潘涍同,崔铉哲,崔昌植. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-05-13.

Structures and methods for trench isolation

Номер патента: US12074169B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Kuan-Jung Chen,Wen-Chih Chiang,Chung-Ming Lin,Cheng-Hung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Structures and methods for trench isolation

Номер патента: US20220367523A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Kuan-Jung Chen,Wen-Chih Chiang,Chung-Ming Lin,Cheng-Hung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Structures and methods for trench isolation

Номер патента: US11894381B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Kuan-Jung Chen,Wen-Chih Chiang,Chung-Ming Lin,Cheng-Hung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Trench power device of integrated inductor, and manufacturing method for trench power device

Номер патента: EP4386824A1. Автор: Liang Shi,Yi Zhao,Bing MEI. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Spacer for trench epitaxial structures

Номер патента: US20180254274A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Spacer for trench epitaxial structures

Номер патента: US20190296015A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Spacer for trench epitaxial structures

Номер патента: US20180254275A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Spacer for trench epitaxial structures

Номер патента: US20190279983A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Reflecting contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2535636C2. Автор: Джон И. ЭПЛЕР. Владелец: ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-12-20.

Contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2491683C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Джон И. ЭПЛЕР,Патрик Н. ГРИЙО,Рафаэл I АЛДАЗ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-08-27.

System and Method for Thin Film Photovoltaic Modules and Back Contact for Thin Solar Cells

Номер патента: US20160027954A1. Автор: Alan E. Delahoy,Ken K. Chin,Zimeng Cheng. Владелец: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-01-28.

Self-aligning contact assembly

Номер патента: US20100216349A1. Автор: Attalee S. Taylor. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Improvements relating to electric switches having self-aligning contacts

Номер патента: GB596156A. Автор: . Владелец: English Electric Co Ltd. Дата публикации: 1947-12-30.

Configuration of electric contacts for vacuum circuit breaker

Номер патента: RU2545514C2. Автор: Тарек ЛАМАРА,Дитмар ГЕНЧ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2015-04-10.

Connector and device with cut-in contacts for telecommunication and information equipment

Номер патента: RU2391752C2. Автор: Манфред МЮЛЛЕР,Харальд КЛЕЙН,Доминик Джозеф ЛУЕЙДЖИ,Харальд КЛЕЙН (DE),Доминик Джозеф ЛУЕЙДЖИ (US),Манфред МЮЛЛЕР (DE). Владелец: Адц Гмбх. Дата публикации: 2010-06-10.

Contact for a direct plug-in connection, and direct plug-in connection

Номер патента: US10797415B2. Автор: Klaus Richter,Anh-Nguyen Nguyen,Daniel Kübler,Michael Brodbeck. Владелец: Wuerth Elektronik Eisos GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-10-06.

Socket connector having carbon nanotube contacts for signal transmission and metallic contacts for power transimission

Номер патента: US20120045911A1. Автор: Cheng-Chi Yeh,Andrew Cheng. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-23.

Method for manufacturing a connecting contact for an electrode of an electrochemical store, method for manufacturing an electrochemical store, and electrochemical store

Номер патента: US09812698B2. Автор: Jens Koenig,Rico Bauer,Michael Guyenot,Sonja Dudziak,Reiner Ramsayer,Sebastian Fritz. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-11-07.

Apparatus and methods for monitoring self-aligned contact arrays

Номер патента: WO2003003375A3. Автор: Sanjay Tandon,Kurt H Weiner,Peter D Nunan. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Apparatus and methods for monitoring self-aligned contact arrays

Номер патента: WO2003003375A2. Автор: Kurt H. Weiner,Peter D. Nunan,Sanjay Tandon. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2003-01-09.

Three terminal phase change memory with self-aligned contacts

Номер патента: US12108692B2. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin W. Brew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Structures and methods for forming SRAM cells with self-aligned contacts

Номер патента: TW200739886A. Автор: Haining S Yang,Robert C Wong. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-10-16.

Method of forming a self-aligned contact via for a magnetic random access memory

Номер патента: TW200727394A. Автор: Wei-Chuan Chen,Cheng-Tyng Yen,Kuei-Hung Shen. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-07-16.

Self align contact structure semiconductor device & its fabrication method

Номер патента: KR0165304B1. Автор: 최진규,노준영. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-12-15.

Method of forming split-gate flash cell for salicide and self-align contact

Номер патента: US6284596B1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-09-04.

Method for fabricating semiconductor device with improved protection capability of fail in self align contact

Номер патента: KR100427035B1. Автор: 김동현,변상진,김준동. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-14.

A method of manufacturing self align contact of semiconductor device

Номер патента: KR100372770B1. Автор: 김진웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-02-20.

Method for forming self aligning contact window structure on semiconductor substrate

Номер патента: CN1365137A. Автор: 曾鸿辉. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-08-21.

Assembly and method for trenching underwater cables

Номер патента: EP4374015A1. Автор: Diego Lazzarin,Alberto Serena. Владелец: Saipem Spa. Дата публикации: 2024-05-29.

Assembly and method for trenching underwater cables

Номер патента: WO2023002448A1. Автор: Diego Lazzarin,Alberto Serena. Владелец: SAIPEM S.p.A.. Дата публикации: 2023-01-26.

SiC Trench MOSFET器件的制造方法、器件、设备以及制作方法

Номер патента: CN115910793. Автор: 陈敏,袁琼,孙春明,符志岗,欧新华,李艳旭. Владелец: Shanghai Xindao Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

Ring of cutter for trench walls

Номер патента: RU2550765C2. Автор: Людвиг Андреас Хубер. Владелец: Бауэр Машинен Гмбх. Дата публикации: 2015-05-10.

SiC Trench MOSFET器件的制造方法、器件、设备以及制作方法

Номер патента: CN115910793A. Автор: 陈敏,袁琼,孙春明,符志岗,欧新华,李艳旭. Владелец: Shanghai Xindao Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

Protective cage for trench workers

Номер патента: US3818709A. Автор: V Gibson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-06-25.

Bracing system glide shoe for trench sheeting equipment

Номер патента: CA1084029A. Автор: Josef Krings. Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-08-19.

Connected by baking direct pin contacts for inert anodes

Номер патента: RU2342223C2. Автор: Мл. ЛеРой Э. Д`АСТОЛФО. Владелец: Алкоа Инк.. Дата публикации: 2008-12-27.

Method of fabricating a self-aligned contact opening and structure of a self-aligned contact

Номер патента: TW200512862A. Автор: Ping Hsu,Yi-Nan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-01.

Method of fabricating a self-aligned contact opening and structure of a self-aligned contact

Номер патента: TWI227927B. Автор: Ping Hsu,Yi-Nan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-11.

Method of fabricating a contact and structure of a self-aligned contact

Номер патента: TWI238492B. Автор: Hsin-Tang Peng. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2005-08-21.

Butted contact process for self-align contact of integrated circuit

Номер патента: TW425669B. Автор: Jung-Jr Liau. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-03-11.

Method of fabricating a contact and structure of a self-aligned contact

Номер патента: TW200534427A. Автор: Hsin-Tang Peng. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2005-10-16.

METHOD FOR SELF-ALIGNING A STOP LAYER TO A REPLACEMENT GATE FOR SELF-ALIGNED CONTACT INTEGRATION

Номер патента: US20120068234A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-03-22.

Method of manufacturing metal source line and self-aligned contact and device thereby

Номер патента: TW291603B. Автор: Liing Chen,Horng-Jeng Sonq. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1996-11-21.

Forming method for self-alignment contacts

Номер патента: TW366564B. Автор: Dun-Nian Yaung,Li-Jr Jau,Kuo-Ching Huang,Shou-Gwo Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-11.

Method for forming a self-aligned contact structure on a semiconductor substrate

Номер патента: TW469593B. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2001-12-21.

Manufacturing method of self-aligned contact

Номер патента: TW418502B. Автор: Hau-Jie Liou. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-01-11.

Method of using a self-alignment contact hole technique to form a semiconductor structure

Номер патента: TW544863B. Автор: Wen-Shiun Lo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-01.

Method of fabricating a self-aligned contact opening and structure of interconnects and fabricating method thereof

Номер патента: TW200509298A. Автор: Shih-Fan Kuan,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-01.

Method of fabricating a self-aligned contact opening and method of fabricating interconnects

Номер патента: TWI237870B. Автор: Shih-Fan Kuan,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Method of producing self-aligned contact dual gate structure

Номер патента: TW409301B. Автор: Jung-Jr Liau. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-10-21.

Method of forming a gate structure and a self-aligned contact structure

Номер патента: TW554424B. Автор: Wen-Wei Lo,Su-Chen Lai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-09-21.

The producing method for SRAM with self-aligned contact

Номер патента: TW333700B. Автор: Jong-Jyh Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-11.

Self-aligned contact process of crown-type capacitors

Номер патента: TW423104B. Автор: Yu-Hua Li,Min-Shiung Jiang,Jen-Min Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-02-21.

Deep level self-aligned contact process

Номер патента: TW527691B. Автор: Jian-Luen Yang,Lian-Fa Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-04-11.

Self-aligned contact process with polysilicon barrier

Номер патента: TW302503B. Автор: Show-Gwo Wuu,Chyuan-Jong Wang,Menq-Song Liang,Jong-Huei Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-04-11.

Method for manufacturing self-aligned contacts

Номер патента: TW417242B. Автор: Fu-Liang Yang,Shiang-Yuan Jeng,Jian-Sheng Shie,Wen-Ruei Lin,Bo-Ru Shiu. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2001-01-01.

Manufacturing method for integrating metal silicide and self-aligned contact

Номер патента: TW416126B. Автор: Jen-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-12-21.

Method of forming self-aligned contacts

Номер патента: TWI221639B. Автор: Pei-Ren Jeng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-01.

Method of forming self-aligned contacts

Номер патента: TW200423234A. Автор: Pei-Ren Jeng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

The producing method for self-aligned contact hole by spin-coating

Номер патента: TW306045B. Автор: Lih-Wei Yan,Miin-Horng Wang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 1997-05-21.

Manufacturing method of self-aligned contact of integrated circuit and structure thereof

Номер патента: TW318271B. Автор: Jenn-Cherng Jou,Jenn Tsaur,Tzong-Sheng Jang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-10-21.

Forming method of self-aligned contact window

Номер патента: TW463315B. Автор: Jr-Shiang Jeng,Le-Tian Rung,Wei-Wu Liau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-11-11.

Method of fabricating a self-aligned contact opening and method of fabricating interconnects

Номер патента: TW200509299A. Автор: Shih-Fan Kuan,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-01.

SYSTEM AND METHOD OF PLATING CONDUCTIVE GATE CONTACTS ON METAL GATES FOR SELF-ALIGNED CONTACT INTERCONNECTIONS

Номер патента: US20120313153A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

METHOD FOR PRODUCING CONTACT OPENINGS IN A SEMICONDUCTOR BODY AND SELF-ALIGNED CONTACT STRUCTURES ON A SEMICONDUCTOR BODY

Номер патента: US20120315759A1. Автор: Hofer Heimo,Poelzl Martin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor Device Comprising Replacement Gate Electrode Structures and Self-Aligned Contact Elements Formed by a Late Contact Fill

Номер патента: US20130075821A1. Автор: Baars Peter,Carter Richard,Stephan Rolf. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-03-28.

Self-alignment contact hole interlayer film, manufacturing method, and contact hole etching method

Номер патента: CN101452905B. Автор: 王函,吕煜坤. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-11.

Self-Aligned Contact For Replacement Gate Devices

Номер патента: US20120139061A1. Автор: LI Ying,Ramachandran Ravikumar,Wise Richard S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-07.

SELF-ALIGNED CONTACT FOR REPLACEMENT METAL GATE AND SILICIDE LAST PROCESSES

Номер патента: US20120223394A1. Автор: Toh Eng Huat,Quek Elgin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2012-09-06.

METHODS OF FORMING VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED CONTACTS FOR MEMORY DEVICES WITH PLANAR PERIPHERY/ARRAY AND INTERMEDIATE STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20120248529A1. Автор: Liu Jun,Wells David H.,Tang Sanh D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

Self-Aligned Contacts for Field Effect Transistor Devices

Номер патента: US20120280322A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Guo Dechao,Haensch Wilfried E.,Wang Xinhui. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-08.

Self-Aligned Contacts for Photosensitive Detection Devices

Номер патента: US20130009045A1. Автор: . Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of Forming Self-Aligned Contacts for a Semiconductor Device

Номер патента: US20130189833A1. Автор: Baars Peter,Wei Andy,Geiss Erik,Mazur Martin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-07-25.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED USING REPLACEMENT GATE TECHNIQUES

Номер патента: US20130288468A1. Автор: Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130288471A1. Автор: Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

Self-Aligned Contacts in Carbon Devices

Номер патента: US20120007054A1. Автор: Guo Dechao,Han Shu-Jen,Lin Chung-Hsun,Chang Josephine B.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-12.

SELF-ALIGNED CONTACT STRUCTURE LATERALLY ENCLOSED BY AN ISOLATION STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120021581A1. Автор: . Владелец: GLOBAL FOUNDRIES Inc.. Дата публикации: 2012-01-26.

SELF-ALIGNED CONTACT STRUCTURE TRENCH JFET

Номер патента: US20120104467A1. Автор: . Владелец: Monolithic Power Systems, Inc.. Дата публикации: 2012-05-03.

SELF-ALIGNED CONTACT EMPLOYING A DIELECTRIC METAL OXIDE SPACER

Номер патента: US20120119307A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-17.

SELF-ALIGNED CONTACT COMBINED WITH A REPLACEMENT METAL GATE/HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20120139062A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor Device Comprising Self-Aligned Contact Bars and Metal Lines With Increased Via Landing Regions

Номер патента: US20120153366A1. Автор: Baars Peter,Feustel Frank,Werner Thomas. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SELF-ALIGNED CONTACT ELEMENTS

Номер патента: US20120211837A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Semiconductor Device Comprising Self-Aligned Contact Elements and a Replacement Gate Electrode Structure

Номер патента: US20120211844A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20120267727A1. Автор: . Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-25.

Self-Aligned Contacts in Carbon Devices

Номер патента: US20120292597A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-22.

Graphene/Nanostructure FET with Self-Aligned Contact and Gate

Номер патента: US20120298949A1. Автор: Chang Josephine,Lauer Isaac,Sleight Jeffrey. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20120299125A1. Автор: Guo Dechao,Han Shu-Jen,Haensch Wilfried E.A.,Lin Chung-Hsun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

METHODS OF MANUFACTURING GATES FOR PREVENTING SHORTS BETWEEN THE GATES AND SELF-ALIGNED CONTACTS AND SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING THE SAME

Номер патента: US20130015532A1. Автор: KIM Ju Youn,Kim Jedon. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-17.

System for Self-Aligned Contacts

Номер патента: US20130032927A1. Автор: JR. Richard L.,Pierson,Shinohara Keisuke,Urteaga Miguel. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

Method of forming a self-aligned contact opening in MOSFET

Номер патента: US20130049104A1. Автор: CHEN Chia-Hui,Yeh Teng-Hao,TAI SUNG-SHAN. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

TECHNIQUES FOR USING MATERIAL SUBSTITUTION PROCESSES TO FORM REPLACEMENT METAL GATE ELECTRODES OF SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20130260548A1. Автор: Park Chang Seo. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-03.

METHOD FOR FORMING A SELF-ALIGNED CONTACT OPENING BY A LATERAL ETCH

Номер патента: US20130307087A1. Автор: Xie Ruilong,Fan Su Chen,Balasubramanian Pranatharthiharan Haran,Horak David Vaclav,Shom Ponoth. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20140070282A1. Автор: Horak David V.,Ponoth Shom,Rath David L.,Sankarapandian Muthumanickam,Fan Su Chen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

SELF-ALIGNED CONTACT STRUCTURE FOR REPLACEMENT METAL GATE

Номер патента: US20140117421A1. Автор: Reznicek Alexander,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,Seo Soon-Cheon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

INSULATIVE CAP FOR BORDERLESS SELF-ALIGNING CONTACT IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140117423A1. Автор: Yang Chih-Chao,Wong Keith Kwong Hon,Cheng Kangguo,Wang Junli. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

DIELECTRIC CAP LAYER FOR REPLACEMENT GATE WITH SELF-ALIGNED CONTACT

Номер патента: US20140134836A1. Автор: Wang Junli,Xie Ruilong,Park Chang Seo,Pranatharthiharan Balasubramanian,Surisetty Charan Veera Venkata Satya. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-15.

Self-aligned contact formation method

Номер патента: KR940001282A. Автор: 박희국,손곤. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-01-11.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR950025876A. Автор: 남종완,권성우. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-09-18.

Self-aligned contact etch method

Номер патента: CN102543840B. Автор: 陈广龙,陈昊瑜,张可钢. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-02-26.

Method of forming a self-align contact in semiconductor memory device

Номер патента: KR960006719B1. Автор: 박규찬,이우성,이예승,반천수. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-05-22.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR19990074362A. Автор: 염계희. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-05.

Improvement of isolation spacing between a self-aligned contacts and gate

Номер патента: TW389983B. Автор: Ren-Cheng Liou,Li-Jr Jau,Huan-Je Lin,Yung-Kuan Shiau. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-05-11.

Metal semiconductor transistor and self-aligning contact method

Номер патента: CN101009246B. Автор: 钟维民. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-09.

The forming method of self-align contact

Номер патента: TW400618B. Автор: Dau-Sheng Jang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-08-01.

Polysilicon self-aligning contact plug and polysilicon sharing source electrode wire and method for making the same

Номер патента: CN1291491C. Автор: 陈辉煌,吴俊沛,蔡文彬,钟维民,高瑄苓. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-20.

Method for preventing short circuit between polysilicon in the self-aligned contact etching process

Номер патента: TW429532B. Автор: Kuen-Lin Wu,Yu-Tsai Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-04-11.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR950007100A. Автор: 성진모. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-03-21.

Self-aligning contact window open mfg. method, internal connecting structure and mfg. method thereof

Номер патента: CN1591785A. Автор: 管式凡,吴国坚. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-09.

Self-aligned contact hole formation method

Номер патента: KR19980065726A. Автор: 최지환. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-10-15.

How to form self-aligned contacts

Номер патента: KR940007990A. Автор: 김진웅,손곤. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-04-28.

Method for forming self-aligning contact window structure

Номер патента: CN1290158C. Автор: 董明圣,李岳川. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-13.

Manufacturing method by self-aligned contact

Номер патента: TW393734B. Автор: Jen-Tsung Shiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-11.

A method of utilizing self-aligned contact via to fabricate the capacitor on the bitline in DRAM

Номер патента: TW404053B. Автор: Ying-Ruei Liau,Shiang-Yuan Jeng,Juang-Yau Chen,Jian-Mai Sung. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2000-09-01.

Method to fabricate self-aligned contact holes on the semiconductor wafer

Номер патента: TW434814B. Автор: Yuang-Chang Lin,Wen-Jeng Lin,Shin-Huei Shiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-16.

Processing for self-aligned contact

Номер патента: TW459310B. Автор: Yun-Ding Hung,Huei-Huang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Manufacturing method of self-aligned contact structure

Номер патента: TWI240972B. Автор: Yun-Jun Huh. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2005-10-01.

Self-aligned contact and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200830471A. Автор: Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-07-16.

Process of forming the SAC Plug for self-aligned contact hole

Номер патента: TW411566B. Автор: Jen-Ye Shr. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-11-11.

Manufacturing method of spacer in the self-aligned contact process

Номер патента: TW441012B. Автор: Ming-Hung Tsai,Hung-Yi Luo,Yuan-Feng Chen,Shiang-Yuan Jeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2001-06-16.

The spacer process for isolating self-alignment contact (SAC) opening

Номер патента: TW406361B. Автор: Ren-Cheng Liou,Jia-Shiung Tsai,Jen-Shiang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-09-21.

DRAM structure and method for manufacturing self-aligned contact

Номер патента: TW430937B. Автор: Yung-Chang Lin,Wen-Jeng Lin,Le-Tian Rung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-04-21.

Methods of providing masks for self-aligned contact etching, and uses of the same

Номер патента: TWI287169B. Автор: Ming-Hung Lin. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-09-21.

Manufacturing method to integrate silicide gate and self-aligned contact process

Номер патента: TW483110B. Автор: Ming-Hsiung Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-04-11.

Method of manufacturing self-aligned contact with reduced process steps

Номер патента: TW359872B. Автор: Ching-Nan Yang,Li-Chiun Peng. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 1999-06-01.

Self-aligned contact (SAC)

Номер патента: TW388985B. Автор: Jr-Shiang Jen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-05-01.

Manufacturing method for self-aligned contact structure

Номер патента: TW200516676A. Автор: Yun-Jiun Shiu. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2005-05-16.

Manufacturing method of self-aligned contact

Номер патента: TW301776B. Автор: Ming-Bin Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-04-01.

Self-aligned contact structure and production process thereof

Номер патента: TW343374B. Автор: Jenn-Cherng Jou,Jenn Tsaur. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-21.

Manufacturing method of self-aligned contact hole

Номер патента: TW466690B. Автор: Tzung-Han Lee,Hsi-Chien Lin,Horng-Nan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-12-01.

Process for forming the plugs with self-aligned contact window

Номер патента: TW421872B. Автор: Jin-Yuan Lee,Chung-Long Chang,Cheng-Yeh Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-02-11.

Making process for forming self-alignment contact plug useful in an embedded random access memory

Номер патента: TW385529B. Автор: Jen-Ye Shr. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-03-21.

Process for forming a self align contact with silicon nitride sidewalls (addition one)

Номер патента: TW343379B. Автор: Iuan-Chyi Juang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-10-21.

Methods of providing masks for self-aligned contact etching, and uses of the same

Номер патента: TW200809395A. Автор: Ming-Hung Lin. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-02-16.

Self-aligned contact structure and process for producing the same

Номер патента: TW337041B. Автор: Jenn-Cherng Jou,Jenn Tsaur. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-21.

The forming method of self-aligned contacting window with SiN sidewall

Номер патента: TW284898B. Автор: Iuan-Chyi Juang,Jong-Shyan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-09-01.

Mobile complex for trenching during underground installation of pipeline

Номер патента: RU2489552C1. Автор: Юрий Дмитриевич Тарасов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный минерально-сырьевой университет "Горный". Дата публикации: 2013-08-10.

An Excavator for Trenches, Cuttings and the like.

Номер патента: GB190118061A. Автор: Ernest Schofield. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-08-28.

Device for trenches excavation

Номер патента: RU2381332C1. Автор: Владимир Константинович Зенькович,Геннадий Анатольевич Шаталов. Владелец: Геннадий Анатольевич Шаталов. Дата публикации: 2010-02-10.

Trench construction method based on pilot well and working wells, as well as rotary drilling rig for trench construction and calibrator

Номер патента: RU2277161C2. Автор: Валерий Сергеевич Кузькин,Иван Андреевич Тимошков,Станислав Иванович Беляков,Александр Михайлович Гусаков,Антон Самойлович Экдышман,ков Станислав Иванович Бел,Павел Егорович Гончаров,Тимофей Валерьевич Кузькин,Сергей Валерьевич Кузькин,Нина Яковлевна Деревенских. Владелец: Открытое акционерное общество "Специализированное горное строительно-технологическое управление ВИОГЕМ". Дата публикации: 2006-05-27.

一种SiC Trench MOSFET器件

Номер патента: CN221687538U. Автор: 蔡铭进,徐守一,李贤杰. Владелец: Xiamen Xindamao Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

一种SiC Trench MOSFET器件及其制备方法

Номер патента: CN117747668. Автор: 蔡铭进,徐守一,李贤杰. Владелец: Xiamen Xindamao Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2024-03-22.

一种SiC Trench MOSFET器件及其制备方法

Номер патента: CN117747668A. Автор: 蔡铭进,徐守一,李贤杰. Владелец: Xiamen Xindamao Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2024-03-22.

Unit for trench free pipeline laying

Номер патента: RU2044840C1. Автор: Анатолий Иванович Сидоров,Михаил Алексеевич Дроздов,Александр Николаевич Муретов,Алексей Петрович Хвастунов,Владимир Владимирович Сбитнев,Александр Сергеевич Бубнов,Александр Викторович Исаев. Владелец: Александр Викторович Исаев. Дата публикации: 1995-09-27.

Device for trench free laying pipelines

Номер патента: RU2057856C1. Автор: В.А. Григоращенко,В.Д. Плавских,М.В. Курленя,Ю.Б. Рейфисов,А.Е. Земцова. Владелец: Институт горного дела СО РАН. Дата публикации: 1996-04-10.

一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构

Номер патента: CN214043678U. Автор: 黄传伟,胡盖,夏华秋,谈益民. Владелец: Wuxi Roum Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.