Method for manufacturing semiconductor optical amplifier having planar buried heteostructure
Номер патента: KR100520796B1
Опубликовано: 13-10-2005
Автор(ы): 김기수, 박문호, 심은덕, 이동훈
Принадлежит: 한국전자통신연구원
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 13-10-2005
Автор(ы): 김기수, 박문호, 심은덕, 이동훈
Принадлежит: 한국전자통신연구원
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Diode laser, integrated diode laser and integrated semiconductor optical amplifier
Номер патента: RU2391756C2. Автор: Игорь Петрович Ярема,Алексей Николаевич Сонк,Василий Иванович Швейкин,Виктор Арчилович Геловани. Владелец: Виктор Арчилович Геловани. Дата публикации: 2010-06-10.