Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Co-integrated channel and gate formation scheme for nanosheet transistors having separately tuned threshold voltages

Co-integrated channel and gate formation scheme for nanosheet transistors having separately tuned threshold voltages

Номер патента: US10692866B2
Опубликовано: 23-06-2020
Автор(ы): Alexander Reznicek, ChoongHyun Lee, Jingyun Zhang, Pouya Hashemi, Takashi Ando
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Co-integrated channel and gate formation scheme for nanosheet transistors having separately tuned threshold voltages

Номер патента: US11830877B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US09728462B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-K layer

Номер патента: US09627484B1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US20170103982A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US10366897B2. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US9984883B2. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US9972497B2. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US20180226257A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US20170278713A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US20170103897A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US20180096851A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Devices with multiple threshold voltages formed on a single wafer using strain in the high-k layer

Номер патента: US20170104066A1. Автор: Takashi Ando,Terence B. Hook,Mohit Bajaj,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Patterning of vertical nanowire transistor channel and gate with directed self assembly

Номер патента: US09653576B2. Автор: Swaminathan Sivakumar,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Patterning of vertical nanowire transistor channel and gate with directed self assembly

Номер патента: US09431518B2. Автор: Swaminathan Sivakumar,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having dual metal gates and gate dielectrics with a single polarity dipole layer

Номер патента: US20230290778A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Patterning of vertical nanowire transistor channel and gate with directed self assembly

Номер патента: US9054215B2. Автор: Swaminathan Sivakumar,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-06-09.

Multi-threshold voltage non-planar complementary metal-oxide-semiconductor devices

Номер патента: US11749680B2. Автор: Koji Watanabe,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Transistor and semiconductor device with multiple threshold voltages and fabrication method thereof

Номер патента: US20240096993A1. Автор: Huang-Lin Chao,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Bottom dielectric isolation structure for nanosheet containing devices

Номер патента: US20210193797A1. Автор: Takashi Ando,Jingyun Zhang,Xin Miao,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Threshold Voltage Tuning for Fin-Based Integrated Circuit Device

Номер патента: US20190139828A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen,Wei-Jen Chen,Ming-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Multi-gate device integration with separated fin-like field effect transistor cells and gate-all-around transistor cells

Номер патента: US11791339B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Multi-Gate Device Integration with Separated Fin-Like Field Effect Transistor Cells and Gate-All-Around Transistor Cells

Номер патента: US20230387122A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated input output and logic device for nanosheet technology

Номер патента: WO2023099188A1. Автор: Carl Radens,Ardasheir Rahman,Kevin BREW,Maruf Amin Bhuiyan. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-08.

Integrated input output and logic device for nanosheet technology

Номер патента: US20230178547A1. Автор: Carl Radens,Kevin W. Brew,Ardasheir Rahman,Maruf Amin Bhuiyan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Intrinsic channel planar field effect transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: WO2015007143A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Vijay Narayanan,Arvind Kumar,Ramachandra Divakaruni,Barry P. Linder,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2015-01-22.

Vertical transport fets having a gradient threshold voltage

Номер патента: US20190172922A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Vertical transport FETs having a gradient threshold voltage

Номер патента: US10600883B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Multi-threshold voltage structures with a lanthanum nitride film and methods of formation thereof

Номер патента: US09748354B2. Автор: Lin Dong,Seshadri Ganguli,Naomi Yoshida,Wenyu ZHANG,Paul F. Ma,Yixiong Yang,Wei V. Tang,Shih Chung CHEN,Steven C. H. Hung,Liqi Wu,Michael Chudzik,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods of forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US10229855B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-03-12.

Methods of forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US20180122702A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Vertical transport field-effect transistors with uniform threshold voltage

Номер патента: US20200119010A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Multi-threshold voltage devices and associated techniques and configurations

Номер патента: US20240322037A1. Автор: Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jenny Hu,Ian R.C. Post. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Multi-threshold voltage devices and associated techniques and configurations

Номер патента: US09761713B2. Автор: Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jenny Hu,Ian R. C. Post. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Integrated circuit with a fin and gate structure and method making the same

Номер патента: US11961900B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Creating Devices with Multiple Threshold Voltage by Cut-Metal-Gate Process

Номер патента: US20190267372A1. Автор: Hsien-Chin Lin,Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Creating Devices with Multiple Threshold Voltages by Cut-Metal-Gate Process

Номер патента: US20200058650A1. Автор: Hsien-Chin Lin,Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Multi-threshold voltage devices and associated techniques and configurations

Номер патента: EP4254500A3. Автор: Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jenny Hu,Ian R.C. Post. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-02-14.

Multi-threshold voltage devices and associated techniques and configurations

Номер патента: EP4254500A2. Автор: Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jenny Hu,Ian R.C. Post. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Multi-threshold voltage devices and associated techniques and configurations

Номер патента: US12021141B2. Автор: Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jenny Hu,Ian R. C. Post. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Source/drain extension regions and air spacers for nanosheet field-effect transistor structures

Номер патента: US20200286992A1. Автор: Yi Song,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device including a transistor having low threshold voltage and high breakdown voltage

Номер патента: US20050194648A1. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor device including a transistor having low threshold voltage and high breakdown voltage

Номер патента: US7217985B2. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-15.

Method of increasing forward biased safe operating area using different threshold voltage segments

Номер патента: US11688770B2. Автор: Praveen Shenoy. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200098569A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Praveen Joseph,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200098570A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Praveen Joseph,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Reversed tone patterning method for dipole incorporation for multiple threshold voltages

Номер патента: US20240282587A1. Автор: Chih-Hao Wang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Nanosheet transistors with self-aligned dielectric pillars

Номер патента: KR20220106992A. Автор: 뤼룽 자이,캉궈 청,줄리앙 프루지에르. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2022-08-01.

Semiconductor device with tunable threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240021709A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Yao-Sheng Huang,Yu-Chia LIANG,Tzer-Min Shen,Hsiang-Pi Chang,Chansyun David Yang,Yen-Tien Tung,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Reversed tone patterning method for dipole incorporation for multiple threshold voltages

Номер патента: US20230360926A1. Автор: Chih-Hao Wang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Composite Semiconductor Device with Multiple Threshold Voltages

Номер патента: US20150325565A1. Автор: XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Pete Rodriguez. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-12.

Reversed tone patterning method for dipole incorporation for multiple threshold voltages

Номер патента: US11996298B2. Автор: Chih-Hao Wang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Integrated circuit with backside trench for nanosheet removal

Номер патента: US20230137307A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

3d-stacked semiconductor device having different channel and gate dimensions across lower stack and upper stack

Номер патента: US20230352528A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

3d-stacked semiconductor device having different channel and gate dimensions across lower stack and upper stack

Номер патента: EP4270462A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Nanosheet transistor with asymmetric gate stack

Номер патента: CA3176383A1. Автор: Tao Li,Carl Radens,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Ruilong Xie,Juntao Li,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Nanosheet transistor with asymmetric gate stack

Номер патента: US20210359103A1. Автор: Tao Li,Carl Radens,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Ruilong Xie,Juntao Li,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Self-aligned dielectric isolation structure for nanosheet

Номер патента: US20230369394A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Junli Wang,Julien Frougier,Nicolas Jean Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Nanosheet transistor with asymmetric gate stack

Номер патента: AU2021276898B2. Автор: Tao Li,Carl Radens,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Ruilong Xie,Juntao Li,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Nanosheet transistor with asymmetric gate stack

Номер патента: EP4154323A1. Автор: Tao Li,Carl Radens,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Ruilong Xie,Juntao Li,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Nanosheet transistor with asymmetric gate stack

Номер патента: AU2021276898A1. Автор: Tao Li,Carl Radens,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Ruilong Xie,Juntao Li,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Nanosheet transistor with asymmetric gate stack

Номер патента: WO2021234482A1. Автор: Tao Li,Carl Radens,Kangguo Cheng,Dechao Guo,Ruilong Xie,Juntao Li,Tsung-Sheng KANG. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-11-25.

Geometry for threshold voltage tuning on semiconductor device

Номер патента: US11935957B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsueh Wen Tsau,Chia-Ching Lee,Da-Yuan Lee,Ching-Hwanq Su,Cheng-Yen Tsai,Wei-Chin Lee,Chung-Chiang WU,Shih-Hang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Self-aligned contact (sac) in nanosheet transistors

Номер патента: US20230290821A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Methods for Threshold Voltage Tuning and Structure Formed Thereby

Номер патента: US20200083114A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee,Ching-Hwanq Su,Cheng-Yen Tsai,Zoe Chen,Wei-Chin Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Devices including stacked nanosheet transistors

Номер патента: US11843001B2. Автор: Kang-ill Seo,Seunghyun Song,Byounghak Hong,Ki-Il KIM,Gunho JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Devices including stacked nanosheet transistors

Номер патента: US20240072060A1. Автор: Kang-ill Seo,Seunghyun Song,Byounghak Hong,Ki-Il KIM,Gunho JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuit devices including transistor stacks having different threshold voltages and methods of forming the same

Номер патента: US11923365B2. Автор: KANG Ill Seo,Ki-Il KIM,Jeonghyuk Yim,Gil Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Integrated circuit devices including transistor stacks having different threshold voltages and methods of forming the same

Номер патента: US20240170486A1. Автор: KANG Ill Seo,Ki-Il KIM,Jeonghyuk Yim,Gil Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Gate all around transistors with different threshold voltages

Номер патента: US12119379B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975236A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Semiconductor device including gate structures and gate isolation structure

Номер патента: EP4336549A1. Автор: Jisu Kang,Hojun Kim,Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Gate-all-around field-effect transistor with asymmetric threshold voltage

Номер патента: US20220123144A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Threshold voltage adjustment in a fin transistor by corner implantation

Номер патента: SG188041A1. Автор: Flachowsky Stefan,Wei Andy,Illgen Ralf,Baldauf Tim,Herrmann Tom. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Gate All Around Transistors With Different Threshold Voltages

Номер патента: US20230369406A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Threshold voltage adjustment in a fin-transistor by corner implantation

Номер патента: SG188066A1. Автор: Flachowsky Stefan,Illgen Ralf,Baldauf Tim,Herrmann Tom,Wie Andy. Владелец: Globalfoundries Dresden Mod 1. Дата публикации: 2013-03-28.

Integrated Circuit with a Fin and Gate Structure and Method Making the Same

Номер патента: US20240274694A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Threshold voltage adjustment in a fin transistor by corner implantation

Номер патента: US20140027825A1. Автор: Andy Wei,Ralf Illgen,Stefan Flachowsky,Tim Baldauf,Tom Herrmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Transistor having an active channel region

Номер патента: US09773782B2. Автор: Trudy Benjamin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-09-26.

Channel SiGe devices with multiple threshold voltages on hybrid oriented substrates, and methods of manufacturing same

Номер патента: US09490161B2. Автор: Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220093743A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wei-Yang Lee,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Ming-Chang Wen,Jo-Tzu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Integrated circuit devices including transistor stacks having different threshold voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP4092723A1. Автор: Kangill Seo,Gilhwan Son,Jeonghyuk Yim,Kiil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-23.

Sram with dipole dopant threshold voltage modulation for greater read stability

Номер патента: EP4203641A1. Автор: ZHENG GUO,Tahir Ghani,Leonard GULER,Eric A. KARL,Smita SHRIDHARAN,Clifford Ong,Yen Ting Chiu,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor having a consistent channel width

Номер патента: US09893169B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor having a consistent channel width

Номер патента: US09837405B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Apparatuses comprising vertical transistors having gate electrodes at least partially recessed within channel regions, and related methods and systems

Номер патента: US11908932B2. Автор: Kevin J. Torek,Kamal M. Karda,Fatma Arzum Simsek-Ege,Yunfei GAO,Kamal K. Muthukrishnan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Field effect transistor having a gate dielectric with a dipole layer and having a gate stressor layer

Номер патента: US11984506B2. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Dan S. Lavric,Michal MLECZKO,Vishal Tiwari. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated Structure of MOS Transistors Having Different Working Voltages and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20230335641A1. Автор: Tao Liu,Qi Cheng,Qiwei Wang,Zhenxing Yang,Haihua Zou. Владелец: Shanghai Huali Intergrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated circuit devices with transistors having angled gates

Номер патента: US20230395676A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

CO-INTEGRATED CHANNEL AND GATE FORMATION SCHEME FOR NANOSHEET TRANSISTORS HAVING SEPARATELY TUNED THRESHOLD VOLTAGES

Номер патента: US20200020690A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

CO-INTEGRATED CHANNEL AND GATE FORMATION SCHEME FOR NANOSHEET TRANSISTORS HAVING SEPARATELY TUNED THRESHOLD VOLTAGES

Номер патента: US20200083221A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Fin-type field effect transistor having a wrap-around gate with bottom isolation and inner spacers to reduce parasitic capacitance

Номер патента: US12094949B2. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Ribbon or wire transistor stack with selective dipole threshold voltage shifter

Номер патента: US20220199620A1. Автор: Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning,Matthew Metz,Charles Kuo,I-Cheng Tung,Sudarat Lee,Nicole Thomas,Thoe MICHAELOS,Eric Mattson,Charles Mokhtarzadeh,Tobias Brown-Heft. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Apparatus and circuits with dual threshold voltage transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135733A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatus and circuits with dual threshold voltage transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230290782A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

A semiconductor device including stress inducing films formed over n-channel and p-channel field effect transistors and a method of manufacturing the same

Номер патента: MY135557A. Автор: Yusuke Nonaka,Akihiro Shimizu,Nagatoshi Ooki,Katsuhiko Ichinose. Владелец: Hitachi Ulsi Sys Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-30.

Semiconductor structure including semiconductor devices with different threshold voltages and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230411520A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Hsiang-Pi Chang,Chun-I Wu,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Co-integrating thin gate oxide and thick gate oxide nanosheet transistors

Номер патента: US20240047525A1. Автор: Chen Zhang,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Teresa J. Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

III-N transistors with local stressors for threshold voltage control

Номер патента: US11670709B2. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

Method of concurrently forming source/drain and gate contacts and related device

Номер патента: US09837402B1. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Stacked nanowires with multi-threshold voltage solution for PFETS

Номер патента: US09735176B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Stacked nanowires with multi-threshold voltage solution for pFETs

Номер патента: US09425293B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Transistor with threshold voltage set notch and method of fabrication thereof

Номер патента: US09922977B2. Автор: Reza Arghavani,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Catherine De Villeneuve. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Stacked nanowires with multi-threshold voltage solution for pfets

Номер патента: US20170194357A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Transistor with threshold voltage set notch and method of fabrication thereof

Номер патента: US09418987B2. Автор: Reza Arghavani,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Catherine De Villeneuve. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Co-integration of source-drain trench metal cut and gate-contact-over active device for advanced transistor architectures

Номер патента: US20230282722A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Eric Miller,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker,Su Chen Fan,Julien Frougier,Tushar Gupta,Sagarika Mukesh,Albert M Chu,Prateek HUNDEKAR. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Multi-Gate Device Integration with Separated Fin-Like Field Effect Transistor Cells and Gate-All-Around Transistor Cells

Номер патента: US20240379681A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of making threshold voltage tuning using self-aligned contact cap

Номер патента: US09601387B2. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Xiuyu Harry CAI. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Structure and fabrication of asymmetric field-effect transistor having asymmetric channel zone and differently configured source/drain extensions

Номер патента: US20100244131A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Peter B. Johnson,Jeng-Jiun Yang,William D. French,Donald M. Archer,D. Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Threshold voltage tuning using self-aligned contact cap

Номер патента: US20150194350A1. Автор: Hoon Kim,Chanro Park,Xiuyu Harry CAI. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-09.

Incorporating nitrogen in dipole engineering for multi-threshold voltage applications in stacked device structures

Номер патента: US12040365B1. Автор: Chi On Chui,Cheng-Hao Hou,Pei Ying Lai,Cheng-Chieh Lin,Tsung-Da Lin,Hsueh-Ju CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Incorporating Nitrogen in Dipole Engineering for Multi-Threshold Voltage Applications in Stacked Device Structures

Номер патента: US20240290630A1. Автор: Chi On Chui,Cheng-Hao Hou,Pei Ying Lai,Cheng-Chieh Lin,Tsung-Da Lin,Hsueh-Ju CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

FinFET Varactor with Low Threshold Voltage and Method of Making the Same

Номер патента: US20180337173A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI,Han-Min Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

FinFET Varactor with Low Threshold Voltage and Method of Making the Same

Номер патента: US20170317073A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI,Han-Min Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

FinFET Varactor with Low Threshold Voltage and Method of Making the Same

Номер патента: US20200126975A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI,Han-Min Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Method for manufacturing field effect transistor having widened trench

Номер патента: US09741825B1. Автор: Yi-Lung Tsai,Po-Wen Yang,Aryadeep Mrinal,Mohammad Amanullah,Shu-Siang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Engineering multiple threshold voltages in an integrated circuit

Номер патента: US20150214323A1. Автор: Vijay Narayanan,Martin Michael Frank,Catherine Anne Dubourdieu. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-30.

Integration of finfet and gate-all-around devices

Номер патента: US20240194673A1. Автор: Guillaume Bouche,Hwichan Jun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Transistor threshold voltage variation optimization

Номер патента: US10734378B2. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Transistor threshold voltage variation optimization

Номер патента: US20190019793A1. Автор: MORRIS Daniel H,Ian A. Young,Uygar E. Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Transistor arrangements with stacked trench contacts and gate straps

Номер патента: EP4016599A1. Автор: Guillaume Bouche,Charles Wallace,Andy Wei,Changyok Park,Hyuk RYU,Mohit HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-22.

III-V FINFET devices having multiple threshold voltages

Номер патента: US09837406B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Uniform threshold voltage for nanosheet devices

Номер патента: US20180350935A1. Автор: Koji Watanabe,Vijay Narayanan,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Self-aligned wrap-around contacts for nanosheet devices

Номер патента: US09847390B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Inner spacer for nanosheet transistors

Номер патента: US20200098860A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Nanosheet transistor

Номер патента: US11901438B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Nanosheet transistor

Номер патента: US20190157420A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Nanosheet transistor

Номер патента: US20210280688A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-09-09.

Short-gate tunneling field effect transistor having non-uniformly doped vertical channel and fabrication method thereof

Номер патента: US09508839B2. Автор: Chao Wang,Ru Huang,Jiaxin Wang,Qianqian Huang,Chunlei Wu,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-29.

Inner spacer and junction formation for integrating extended-gate and standard-gate nanosheet transistors

Номер патента: US11062959B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-13.

Inner spacer and junction formation for integrating extended-gate and standard-gate nanosheet transistors

Номер патента: US20190287864A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Nanosheet transistors with different gate materials in same stack and method of making

Номер патента: US11776856B2. Автор: Anirban Roy,Mark Douglas Hall,Tushar Praful Merchant. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-03.

Thin film transistors having multi-layer gate dielectric structures integrated with 2d channel materials

Номер патента: EP4156303A1. Автор: Uygar E. Avci,Scott B. Clendenning,Ashish Verma Penumatcha,Carl Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Charles Mokhtarzadeh,Kevin OBrien. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Gan-based hemt structure having multiple threshold voltages, and preparation method therefor and application thereof

Номер патента: EP4336563A1. Автор: Yong Yang,Xin Chen,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Hongwei Gao,Xiaolu Guo. Владелец: Guangdong Institute Of Semiconductor Micro Nano Manufacturing Technology. Дата публикации: 2024-03-13.

Nanosheet metal-oxide semiconductor field effect transistor with asymmetric threshold voltage

Номер патента: GB2619470A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Zhang Jingyun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Lateral field-effect transistor having an insulated trench gate electrode

Номер патента: EP1639651A1. Автор: Raymond J. E. Philips Intellectual HUETING,Erwin A. Philips Intellectual Property HIJZEN. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-03-29.

Vertical field-effect-transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US09716155B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of providing threshold voltage adjustment through gate dielectric stack modification

Номер патента: US8354309B2. Автор: Yue Liang,Xiaojun Yu,Brian J. Greene,Michael P. Chudzik,William K. Henson,Shu-Jen Han,Edward J. Nowak,Edward P. Maciejewski,Myung-Hee Na. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-15.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135722A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240274599A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Vertical field-effect-transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US9941370B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Vertical field-effect-transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US20170170298A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Vertical field-effect-transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US20180090581A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Fin field effect transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: WO2015007144A1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Michael P. Chudzik,Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2015-01-22.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US11973078B2. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device comprising transistor cell units with different threshold voltages

Номер патента: US20170309619A1. Автор: Franz-Josef Niedernostheide,Markus Bina,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device comprising transistor cell units with different threshold voltages

Номер патента: US10109624B2. Автор: Franz-Josef Niedernostheide,Markus Bina,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-23.

Multiple threshold voltage devices

Номер патента: US20210013109A1. Автор: Jiehui SHU,Rinus Tek Po Lee,Bharat V. Krishnan,Hyung Yoon CHOI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor pillar transistors having channels with different crystal orientations

Номер патента: US9355908B2. Автор: Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor pillar transistors having channels with different crystal orientations

Номер патента: US09355908B2. Автор: Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Electronic device including a transistor having structures with different characteristics

Номер патента: US20200243503A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Balaji Padmanabhan,Kirk K. Huang,Emily M. Linehan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Electronic device including a transistor having structures with different characteristics

Номер патента: US20190067266A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Balaji Padmanabhan,Kirk K. Huang,Emily M. Linehan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-02-28.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: US09548087B2. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Gate oxide for nanosheet transistor devices

Номер патента: US11888048B2. Автор: Koji Watanabe,Kai Zhao,Shahab Siddiqui,Rishikesh Krishnan,Daniel James Dechene,Charlotte DeWan Adams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Method and apparatus to tune threshold voltage of device with high angle source/drain implants

Номер патента: US20160172443A1. Автор: SONG Zhao,Kwan-Yong Lim,Seung-Chul Song,Younsung Choi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Self-aligned isolation for nanosheet transistor

Номер патента: US11152464B1. Автор: Ruilong Xie,Veeraraghavan S. Basker,Robert Robison,Balasubramanian S. Pranatharthi Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

SOI-based semiconductor device with dynamic threshold voltage

Номер патента: US09601512B2. Автор: Hui Zang,Manfred Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Sense amplifier configuration having a field-effect transistor having a short channel length and an adjustable threshold voltage

Номер патента: US6417722B1. Автор: Helmut Schneider,Jürgen Lindolf,Hermann Ruckerbauer,Thomas Borst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-09.

Controlling threshold voltage in nanosheet transistors

Номер патента: US09818616B1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method and gate structure for threshold voltage modulation in transistors

Номер патента: US20150123167A1. Автор: Moon-Sig Joo,Se-Aug Jang,Yun-Hyuck Ji,Hyung-Chul Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Asymmetrical transistor having a gate dielectric which is substantially resistant to hot carrier injection

Номер патента: US5920103A. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-07-06.

Select transistors with tight threshold voltage in 3D memory

Номер патента: US09941293B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Nanowire transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US09865681B1. Автор: John Zhang,Xusheng Wu,Jiehui SHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having molybdenum nitride metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: US12051698B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel G. OUELLETTE,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,Lukas BAUMGARTEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate cmos devices

Номер патента: US20160293493A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US9985027B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate cmos devices

Номер патента: US20170077098A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US09985027B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Stable multiple threshold voltage devices on replacement metal gate CMOS devices

Номер патента: US09536791B2. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Tenko Yamashita,Su Chen Fan,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Nanosheet transistors with self-aligned gate cut

Номер патента: US12107014B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Nanosheet Transistors with Reduced Source/Drain Resistance and Associated Method of Manufacture

Номер патента: US20230290862A1. Автор: Asanga H. Perera,Mark Douglas Hall,Craig Allan Cavins,Tushar Praful Merchant. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Nanosheet transistors with reduced source/drain resistance and associated method of manufacture

Номер патента: EP4243078A1. Автор: Mark Douglas Hall,Craig Allan Cavins,Tushar Praful Merchant,Asanga H PERERRA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20150179783A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Metal-gate MOS transistor and method of forming the transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: US9356131B2. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20140124874A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Metal gate mos transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: WO2014074777A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-05-15.

Method of forming a field effect transistor having a gate structure with a first section having a first effective work function above a center portion of the channel region and with second sections having a second effective work function above opposing sidewalls of the channel region

Номер патента: US20140070330A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Gate-all-around fets having uniform threshold voltage

Номер патента: US20200043808A1. Автор: Dechao Guo,Heng Wu,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Integrated circuits having multiple gate devices with dual threshold voltages and methods for fabricating such integrated circuits

Номер патента: US09754939B2. Автор: Shyue Seng Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

3d-stacked semiconductor device having different channel layer intervals at lower nanosheet transistor and upper nanosheet transistor

Номер патента: US20230352529A1. Автор: Byounghak Hong,Seungchan Yun,Gunho JO,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Support dielectric fin to prevent gate flop-over in nanosheet transistors

Номер патента: US20240178156A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device including gate channel having adjusted threshold voltage

Номер патента: US20160111340A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

A finfet transistor having a doped subfin structure to reduce channel to substrate leakage

Номер патента: WO2018004630A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-01-04.

Finfet transistor having a doped subfin structure to reduce channel to substrate leakage

Номер патента: US20210296180A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Transistor having germanium channel on silicon nanowire and fabrication method thereof

Номер патента: US09935189B2. Автор: Seongjae Cho,Mina Yun. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor fabrication employing a post-implant anneal within a low temperature high pressure nitrogen ambient to improve channel and gate oxide reliability

Номер патента: US5861335A. Автор: Fred N. Hause,Mark I. Gardner. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-01-19.

Semiconductor device having field plate structures and gate electrode structures between the field plate structures

Номер патента: US9691862B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor Device Having Field Plate Structures and Gate Electrode Structures Between the Field Plate Structures

Номер патента: US20160204210A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-07-14.

Structure and method for multiple threshold voltage definition in advanced cmos device technology

Номер патента: US20180277540A1. Автор: Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device including gate channel having adjusted threshold voltage

Номер патента: US20150318307A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Asymmetric fet including sloped threshold voltage adjusting material layer and method of fabricating same

Номер патента: US20120171831A1. Автор: Yue Liang,Dureseti Chidambarrao,Xiaojun Yu,Jun Yuan,Sunfei Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Multiple threshold voltage scheme in complementary metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US12068387B2. Автор: Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Transistor having a stressed body

Номер патента: US9123809B2. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-09-01.

Vertical transport cmos transistors with asymmetric threshold voltage

Номер патента: US20220165850A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Vertical transport CMOS transistors with asymmetric threshold voltage

Номер патента: GB2616541A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Asymmetric threshold voltage vtfet with intrinsic dual channel epitaxy

Номер патента: US20200111788A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Asymmetric threshold voltage vtfet with intrinsic dual channel epitaxy

Номер патента: US20200111787A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Transistor having a stressed body

Номер патента: US20150008521A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-01-08.

Dual channel structures with multiple threshold voltages

Номер патента: US09997519B1. Автор: Michael A. Guillorn,Vijay Narayanan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Alternative threshold voltage scheme via direct metal gate patterning for high performance CMOS FinFETs

Номер патента: US09905476B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Alternative threshold voltage scheme via direct metal gate patterning for high performance CMOS FinFETs

Номер патента: US09553092B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device including gate channel having adjusted threshold voltage

Номер патента: US09530699B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Vertical field effect transistor having a disc shaped gate

Номер патента: EP3120387A1. Автор: Moshe Einav. Владелец: SKOKIE SWIFT CORP. Дата публикации: 2017-01-25.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20160133722A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: WO2015081286A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-04.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20150155364A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Method of forming structures for threshold voltage control

Номер патента: US20220123131A1. Автор: Qi Xie,Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Giuseppe Alessio Verni,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-04-21.

Integrated circuits having multiple gate devices with dual threshold voltages and methods for fabricating such integrated circuits

Номер патента: US20170133373A1. Автор: Shyue Seng Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-11.

Threshold voltage adjustment from oxygen vacancy by scavenge metal filling at gate cut (ct)

Номер патента: US20200287048A1. Автор: Andrew M. Greene,Gen Tsutsui,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Ion implantation to increase mosfet threshold voltage

Номер патента: US20230178373A1. Автор: Wei Zou,Qintao Zhang,Samphy Hong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor process of forming metal gates with different threshold voltages and semiconductor structure thereof

Номер патента: US09659937B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Kuo-Chih Lai,Nien-Ting Ho,Wei-Ming Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Dual metal gate electrode for reducing threshold voltage

Номер патента: US09577062B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Hemanth Jagannathan. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US09552992B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Nanosheet transistors with self-aligned gate cut

Номер патента: US20230099643A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device including gate channel having adjusted threshold voltage

Номер патента: US9275908B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-01.

Ultra-low threshold voltage transistor cell layout

Номер патента: EP4345881A1. Автор: Yanbin LUO,Paul Packan,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Nanosheet transistors with self-aligned gate cut

Номер патента: WO2023051596A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-04-06.

Transistor having strain-inducing anchors and a strain-enhancing suspended channel

Номер патента: US20200365467A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Transistor having reduced gate-induced drain-leakage current

Номер патента: US20190341488A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Nanosheet transistor device with bottom isolation

Номер патента: US20210074809A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Veeraraghavan S. Basker,Pietro Montanini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Oxide semiconductor having ohmic junction structure, thin-film transistor having same, and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20240120379A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Ho Jae Lee. Владелец: Iucf Hyu Industry University Cooperation Hanyang Foundation University. Дата публикации: 2024-04-11.

DMOS transistor having thick gate oxide and STI and method of fabricating

Номер патента: US12113128B2. Автор: Alexei Sadovnikov,Natalia Lavrovskaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Asymmetrical P-channel transistor having a boron migration barrier and a selectively formed sidewall spacer

Номер патента: US5893739A. Автор: Fred N. Hause,Jon D. Cheek,Daniel Kadosh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-04-13.

Asymmetrical n-channel transistor having LDD implant only in the drain region

Номер патента: US5930592A. Автор: Jon D. Cheek,Daniel Kadosh,Brad T. Moore. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-07-27.

Native pmos device with low threshold voltage and high drive current and method of fabricating the same

Номер патента: US20140197497A1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Threshold voltage adjustment from oxygen vacancy by scavenge metal filling at gate cut (CT)

Номер патента: US11282962B2. Автор: Andrew M. Greene,Gen Tsutsui,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US20160254158A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Threshold voltage adjustment from oxygen vacancy by scavenge metal filling at gate cut (ct)

Номер патента: US20200052125A1. Автор: Andrew M. Greene,Gen Tsutsui,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Transistor having dual work function buried gate electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US09818843B2. Автор: Tae-Kyung Oh,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Transistor having dual work function buried gate electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US09530849B2. Автор: Tae-Kyung Oh,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Thin film transistors having relatively increased width and shared bitlines

Номер патента: US20200212075A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Field effect transistor with conduction band electron channel and uni-terminal response

Номер патента: US09768289B2. Автор: Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Multiple threshold voltage FinFETs

Номер патента: US09425196B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Ramachandra Divakaruni,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Field Effect Transistor with Conduction Band Electron Channel and Uni-Terminal Response

Номер патента: US20160126341A1. Автор: Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Integrated circuit with NMOS and PMOS transistors having different threshold voltages through channel doping and gate material work function schemes

Номер патента: US09985029B2. Автор: François Andrieu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-29.

Channel stop and well dopant migration control implant for reduced mos threshold voltage mismatch

Номер патента: US20230095534A1. Автор: Mahalingam Nandakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Channel stop and well dopant migration control implant for reduced MOS threshold voltage mismatch

Номер патента: US11869956B2. Автор: Mahalingam Nandakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Channel stop and well dopant migration control implant for reduced mos threshold voltage mismatch

Номер патента: US20240088262A1. Автор: Mahalingam Nandakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Channel replacement and bimodal doping scheme for bulk finFET threshold voltage modulation with reduced performance penalty

Номер патента: US09735275B2. Автор: Robert R. Robison,Gauri Karve,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Transistors having optimized source-drain structures and methods for making the same

Номер патента: EP1380049A1. Автор: Samar K. Saha. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2004-01-14.

Transistors having optimized source-drain structures and methods for making the same

Номер патента: WO2001075959A1. Автор: Samar K. Saha. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor device with fin field effect transistors having different separation regions between fins in NMOS and PMOS regions

Номер патента: US10128243B2. Автор: Woosik Kim,Sangyoon KIM,Heedon Jeong,Je-Min YOO,Jongmil Youn,HwaSung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-13.

Semiconductor devices with varying threshold voltage and fabrication methods thereof

Номер патента: US09748145B1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Bipolar transistor and gate structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US20240088272A1. Автор: Vibhor Jain,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for suppressing layout sensitivity of threshold voltage in a transistor array

Номер патента: US20080296698A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

Method for suppressing layout sensitivity of threshold voltage in a transistor array

Номер патента: US20090236673A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

SOI transistor having a reduced body potential and a method of forming the same

Номер патента: US7863171B2. Автор: Manfred Horstmann,Jan Hoentschel,Andy Wei,Joe Bloomquist. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Forming nanosheet transistor using sacrificial spacer and inner spacers

Номер патента: US20190252516A1. Автор: Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Forming nanosheet transistor using sacrificial spacer and inner spacers

Номер патента: US20210399114A1. Автор: Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Julien Frougier. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Metal oxide semiconductor device with improved threshold voltage and drain junction breakdown voltage and method for fabricating same

Номер патента: US20080023776A1. Автор: Allan Laser. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Trench vertical jfet with improved threshold voltage control and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2016144530A1. Автор: Anup Bhalla,Peter Alexandrov. Владелец: UNITED SILICON CARBIDE, INC.. Дата публикации: 2016-09-15.

Devices having multiple threshold voltages and method of fabricating such devices

Номер патента: US09536880B2. Автор: Qintao Zhang,Aimin Xing. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Forming nanosheet transistor using sacrificial spacer and inner spacers

Номер патента: US11121233B2. Автор: Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Julien Frougier. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-09-14.

Forming nanosheet transistor using sacrificial spacer and inner spacers

Номер патента: US20240120408A1. Автор: Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Julien Frougier. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Threshold voltage control for mixed-type non-planar semiconductor devices

Номер патента: US9209186B1. Автор: Yiqun Liu,Mitsuhiro Togo,Rohit Pal,Changyong Xiao,Dina H. Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-08.

Dual threshold voltage (VT) channel devices and their methods of fabrication

Номер патента: US11967615B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Neville L. DIAS,Hsu-Yu Chang,Roman W. OLAC-VAW,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Trench vertical jfet with improved threshold voltage control

Номер патента: US20160336432A1. Автор: Anup Bhalla,Peter Alexandrov. Владелец: United Silicon Carbide Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Trench transistor having a doped semiconductor region

Номер патента: US09711621B2. Автор: Thorsten Meyer,Markus Schmitt,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Carsten Schaeffer,Michael Rüb,Uwe Wahl,Carolin Tolksdorf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Nonvolatile memory transistor having poly-silicon fin, stacked nonvolatile memory device having the transistor, method of fabricating the transistor, and method of fabricating the device

Номер патента: US7842994B2. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Young-soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-30.

Method of Introducing Strain Into Channel and Device Manufactured by Using the Method

Номер патента: US20120181634A1. Автор: Huaxiang Yin,Qiuxia Xu,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-07-19.

Integrated circuit device with transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20130328133A1. Автор: Seung-Chul Lee,In-Kook Jang,Seung-Hyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Integration method for fabrication of metal gate based multiple threshold voltage devices and circuits

Номер патента: US09455201B2. Автор: Richard J. Carter,Rohit Pal,Manfred Eller,Srikanth Balaji Samavedam,Jin Ping Liu,Manoj Joshi,Bongki Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Multiple threshold voltage semiconductor device

Номер патента: US20150287725A1. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Stacked nanosheet transistor with defect free channel

Номер патента: US20230299176A1. Автор: Chen Zhang,LAN Yu,Kangguo Cheng,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Stacked nanosheet transistor with defect free channel

Номер патента: GB2628728A. Автор: Cheng Kangguo,Zhang Chen,Wu Heng,Yu Lan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Nanosheet transistor with ultra low-k spacer and improved patterning robustness

Номер патента: US20220399439A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Multi-state transistor devices with multiple threshold voltage channels

Номер патента: US20200287055A1. Автор: Seyoung Kim,Cheng-Wei Cheng,Ko-Tao Lee,Pierce I-Jen CHUANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Structure and method for multiple threshold voltage definition in advanced cmos device technology

Номер патента: US20190287970A1. Автор: Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Structure and method for multiple threshold voltage definition in advanced CMOS device technology

Номер патента: US10636792B2. Автор: Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-28.

Field effect transistors having comb-shaped electrode assemblies

Номер патента: US5614762A. Автор: Mikio Kanamori,Takafumi Imamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Field effect transistor having improved gate structures

Номер патента: WO2021061252A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,John P. Bettencourt,Kelly P. Ip,Paul J. Duval. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2021-04-01.

Field effect transistor having improved gate structures

Номер патента: US20210098285A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,John P. Bettencourt,Kelly P. Ip,Paul J. Duval. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-04-01.

Field effect transistor having improved gate structures

Номер патента: EP4035210A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,John P. Bettencourt,Kelly P. Ip,Paul J. Duval. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-08-03.

Uniform threshold voltage non-planar transistors

Номер патента: US20220376069A1. Автор: Gang Chen,Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Process manufacturing method, method for adjusting threshold voltage device, and storage medium

Номер патента: US20210303768A1. Автор: JISONG Jin,Ying Jin,Abraham Yoo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Three-dimensional memory device with select transistor having charge trapping gate dielectric layer and methods of making and operating thereof

Номер патента: US09748266B1. Автор: Yanli Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Matthias Baenninger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Insulated gate field effect transistor having passivated schottky barriers to the channel

Номер патента: US09583614B2. Автор: Daniel J. Connelly,Daniel E. Grupp. Владелец: Acorn Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US12057487B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US11757014B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Process manufacturing method, method for adjusting threshold voltage device, and storage medium

Номер патента: US11809802B2. Автор: JISONG Jin,Ying Jin,Abraham Yoo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (HKMG) film stacks

Номер патента: US12020990B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (hkmg) film stacks

Номер патента: US20220148924A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Volumeless Threshold Voltage Tuning for Stacked Device Structures

Номер патента: US20240290662A1. Автор: Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Te-Yang Lai,Tsung-Da Lin,Yao-Teng CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (hkmg) film stacks

Номер патента: US20210013111A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of forming semiconductor device with different threshold voltages

Номер патента: US09349652B1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Chia-Cheng Ho,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Memory chip structure having gaa transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US20220231145A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Methods And Materials For Modifying The Threshold Voltage Of Metal Oxide Stacks

Номер патента: US20200234959A1. Автор: Atashi Basu,Paul F. Ma,Siddarth Krishnan,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Creation of stress in the channel of a nanosheet transistor

Номер патента: US20210020743A1. Автор: Tenko Yamashita,Shay REBOH,Remi Coquand,Nicolas Bernier,Nicolas Loubet,Guillaume Audoit. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of making a low leakage dynamic threshold voltage mos (dtmos) transistor

Номер патента: US20020076887A1. Автор: Sheng Hsu,Yanjun Ma. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of fabricating a semiconductor device including high-K metal gate having reduced threshold voltage variation

Номер патента: US09570361B1. Автор: Takashi Ando,David J. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device including gate structure for threshold voltage modulation in transistors and method for fabricating the same

Номер патента: US09548304B2. Автор: Se-Aug Jang,Yun-Hyuck Ji,Hyung-Chul Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Integrated circuit comprising a clamping structure and method of adjusting a threshold voltage of a clamping transistor

Номер патента: US09490244B2. Автор: Anton Mauder,Jens Barrenscheen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-08.

Integrated assemblies having threshold-voltage-inducing-structures proximate gated-channel-regions, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US11177265B2. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-16.

Nanosheet transistors with inner airgaps

Номер патента: US11557651B2. Автор: LAN Yu,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-01-17.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: US11894444B2. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Clint Jason Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory chip structure having gaa transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US20230369434A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: US20230109345A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Clint Jason Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Method of forming semiconductor device with different threshold voltages

Номер патента: US20160172247A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Chia-Cheng Ho,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: GB2616547A. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Xie Ruilong,Zhang Jingyun,Jason Oteri Clint. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: US20220149183A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Clint Jason Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for improving threshold voltage of oxide semiconductor thin-film transistor

Номер патента: EP3644347A1. Автор: Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-29.

Nanowire mesh fet with multiple threshold voltages

Номер патента: WO2010135206A1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Jeffrey W. Sleight,Paul Chang. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-11-25.

Methods for fabricating integrated circuits with controlled p-channel threshold voltage

Номер патента: US20130109166A1. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Structure and method for fully depleted silicon on insulator structure for threshold voltage modification

Номер патента: US09941300B2. Автор: Terence B Hook,Kirk David Peterson,John Joseph Ellis-Monaghan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Multi-threshold voltage field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837416B2. Автор: Amey Mahadev Walke,Chi-Hsun Hsieh,Che-Min Chu,Yu-Hsuan Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Multiple threshold voltage trigate devices using 3D condensation

Номер патента: US09536795B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor integrated circuit having N-channel and P-channel transistors

Номер патента: US5616935A. Автор: Yasuhiko Takemura,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1997-04-01.

Replacement gate formation in memory

Номер патента: WO2022235364A1. Автор: Thomas M. Graettinger. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-11-10.

Power semiconductor devices integrated with clamp diodes having separated gate metal pads to avoid breakdown voltage degradation

Номер патента: US8148773B2. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-03.

Charge-induced threshold voltage tuning in III-N transistors

Номер патента: US11715790B2. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,YANG Cao,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Charge-induced threshold voltage tuning in iii-n transistors

Номер патента: US20200335590A1. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,YANG Cao,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Methods And Materials For Modifying The Threshold Voltage Of Metal Oxide Stacks

Номер патента: US20190181011A1. Автор: Atashi Basu,Paul F. Ma,Siddarth Krishnan,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Replacement gate formation in memory

Номер патента: US20230282730A1. Автор: Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Self-aligning source, drain and gate process for iii-v nitride mishemts

Номер патента: US20180033631A1. Автор: Sudhiranjan Tripathy,Surani Bin Dolmanan,Lakshmi Kanta Bera,Yee Chong Loke,Wai Hoe Tham. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2018-02-01.

MULTI-THRESHOLD VOLTAGE (Vt) WORKFUNCTION METAL BY SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD)

Номер патента: WO2015138176A1. Автор: David Thompson,Seshadri Ganguli,Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-09-17.

Nanosheet transistors with inner airgaps

Номер патента: US20210151556A1. Автор: LAN Yu,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Nanosheet transistors with inner airgaps

Номер патента: US20210020741A1. Автор: LAN Yu,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Power semiconductor devices integrated with clamp diodes having separated gate metal pads to avoid breakdown voltage degradation

Номер патента: US20110169047A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Vertical transistor having an asymmetric gate

Номер патента: WO2013054212A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Jun Yuan. Владелец: IBM Japan Limited. Дата публикации: 2013-04-18.

Thin film tunnel field effect transistors having relatively increased width

Номер патента: US20200168636A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Thin-film transistor having a vertical structure and an electronic device

Номер патента: US20240234576A1. Автор: Zhifu Li,Guanghui Liu,Dewei SONG,Chengzhi LUO,Fei AI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Iii-n transistors integrated with thin-film transistors having graded dopant concentrations and/or composite gate dielectrics

Номер патента: US20200312961A1. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode,Xiaojun Weng,Samuel Jack Beach. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Threshold voltage control using channel digital etch

Номер патента: US10985280B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Threshold voltage control using channel digital etch

Номер патента: US10978593B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Structure and method for fully depleted silicon on insulator structure for threshold voltage modification

Номер патента: US20170179156A1. Автор: Terence B. Hook,Kirk David Peterson,John Joseph Ellis-Monaghan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Threshold voltage control using channel digital etch

Номер патента: US20190341498A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Threshold voltage control using channel digital etch

Номер патента: US20190296151A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Threshold voltage control using channel digital etch

Номер патента: US20190341497A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Mos transistors having inverted t-shaped gate electrodes and fabrication methods thereof

Номер патента: US20070096217A1. Автор: Sung-min Kim,Shin-Ae Lee,Dong-gun Park,Seong-Ho Kim,Chang-Sub Lee,Jeong-Dong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-03.

Thin film transistors having u-shaped features

Номер патента: US20200006575A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Nazila Haratipour,Shriram SHIVARAMAN,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Trench isolated IC with transistors having locos gate dielectric

Номер патента: US10014206B1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Methods And Circuits To Reduce Threshold Voltage Tolerance and Skew In Multi-Threshold Voltage Applications

Номер патента: US20080122524A1. Автор: Douglas Willard Stout,Paul Steven Zuchowski,Douglas W. Kemerer,Stephen Gerard Shuma,Corey Kenneth Barrows,Oscar Conrad Strohacker,Mark Steven Styduhar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Methods to reduce threshold voltage tolerance and skew in multi-threshold voltage applications

Номер патента: US20080265983A1. Автор: Douglas Willard Stout,Paul Steven Zuchowski,Douglas W. Kemerer,Stephen Gerard Shuma,Corey Kenneth Barrows,Oscar Conrad Strohacker,Mark Steven Styduhar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-30.

Methods to reduce threshold voltage tolerance and skew in multi-threshold voltage applications

Номер патента: US7671666B2. Автор: Douglas Willard Stout,Paul Steven Zuchowski,Douglas W. Kemerer,Stephen Gerard Shuma,Corey Kenneth Barrows,Oscar Conrad Strohacker,Mark Steven Styduhar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Methods and circuits to reduce threshold voltage tolerance and skew in multi-threshold voltage applications

Номер патента: US20080246533A1. Автор: Douglas Willard Stout,Paul Steven Zuchowski,Douglas W. Kemerer,Stephen Gerard Shuma,Corey Kenneth Barrows,Oscar Conrad Strohacker,Mark Steven Styduhar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-09.

Trap charge equalizing method and threshold voltage distribution reducing method

Номер патента: US8058187B2. Автор: Ki-whan Song,Su-a Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-15.

Trap charge equalizing method and threshold voltage distribution reducing method

Номер патента: US20100173503A1. Автор: Ki-whan Song,Su-a Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: US20130163363A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: US20140293724A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: WO2011123583A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2011-10-06.

Ferroelectric-based field-effect transistor with threshold voltage switching for enhanced on-state and off-state performance

Номер патента: US20200321445A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Nanosheet transistors having different gate dielectric thicknesses on the same chip

Номер патента: US09935014B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor devices comprising transistors having increased threshold voltage and related methods and systems

Номер патента: US11843055B2. Автор: Haitao Liu,Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor devices comprising transistors having increased threshold voltage and related methods and systems

Номер патента: US20240113223A1. Автор: Haitao Liu,Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Low voltage CMOS structure with dynamic threshold voltage

Номер патента: US20070034912A1. Автор: Yaowen Chang,Taocheng Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

A threshold voltage stabilizer, method of manufacturing and integrated circuit employing the same

Номер патента: WO2005076807A2. Автор: Khan Imran,Pinghai Hao,Xiaoju Wu. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2005-08-25.

A threshold voltage stabilizer, method of manufacturing and integrated circuit employing the same

Номер патента: WO2005076807A3. Автор: Khan Imran,Pinghai Hao,Xiaoju Wu. Владелец: Xiaoju Wu. Дата публикации: 2005-12-15.

Threshold voltage adjustment using adaptively biased shield plate

Номер патента: US12100740B2. Автор: George IMTHURN,Stuart B. Molin,Yashodhan Vijay Moghe,James Douglas Ballard. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dynamic threshold voltage mosfet having gate to body connection for ultra-low voltage operation

Номер патента: US5559368A. Автор: Fariborz Assaderaghi,Chenming Hu,Ping K. Ko,Stephen Parke. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1996-09-24.

Threshold voltage adjustment using adaptively biased shield plate

Номер патента: US20230369421A1. Автор: George IMTHURN,Stuart B. Molin,Yashodhan Vijay Moghe,James Douglas Ballard. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Low voltage CMOS structure with dynamic threshold voltage

Номер патента: US20050148126A1. Автор: Yaowen Chang,Taocheng Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Shallow low energy ion implantation into pad oxide for improving threshold voltage stability

Номер патента: US20050239256A1. Автор: Kim Sik,ZHAO Lun,Yisuo Li,Francis Benistant. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2005-10-27.

Nanosheet transistor with robust source/drain isolation from substrate

Номер патента: US20200006476A1. Автор: CHENG Chi,Kangguo Cheng,John H. Zhang,Ruilong Xie,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

A multi-transistor based non-volatile memory cell with dual threshold voltage

Номер патента: WO2008038236A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van,Michiel Slotboom,Nader Akil,Almudena Huerta,Duuren Michiel J Van. Владелец: Duuren Michiel J Van. Дата публикации: 2008-07-03.

MOSFET structure and fabrication process for decreasing threshold voltage

Номер патента: US5729037A. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,Yan Man Tsui,Koon Chong So,True-Lon Lin,Danny Chi Nim. Владелец: MegaMOS Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Improvements in or relating to devices for regulating the threshold voltages of IGFET transistors of integrated circuits

Номер патента: GB2001494A. Автор: . Владелец: Ebauches SA. Дата публикации: 1979-01-31.

Field effect transistor with self-adjusting threshold voltage

Номер патента: US20140239371A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Elgin Kiok Boone Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Method for fabricating a bipolar transistor having self-aligned emitter contact

Номер патента: US09508824B2. Автор: Alexander Fox,Bernd Heinemann,Steffen Marschmeyer. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2016-11-29.

Carrier barrier layer for tuning a threshold voltage of a ferroelectric memory device

Номер патента: US11769815B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Structure And Method For Adjusting Threshold Voltage Of The Array Of Transistors

Номер патента: US20120217561A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Jin Cai,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Trench Vertical JFET With Improved Threshold Voltage Control

Номер патента: US20160380117A1. Автор: Anup Bhalla,Peter Alexandrov. Владелец: United Silicon Carbide Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

Structure and method for adjusting threshold voltage of the array of transistors

Номер патента: US20140362638A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Jin Cai,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Structure and method for adjusting threshold voltage of the array of transistors

Номер патента: US20170004873A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Jin Cai,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Structure and method for adjusting threshold voltage of the array of transistors

Номер патента: US9666267B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Jin Cai,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Structure and method for adjusting threshold voltage of the array of transistors

Номер патента: US9484464B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Jin Cai,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Trench vertical jfet with improved threshold voltage control

Номер патента: EP3510637A1. Автор: Anup Bhalla,Peter Alexandrov. Владелец: United Silicon Carbide Inc. Дата публикации: 2019-07-17.

Field effect transistor having same gate and source doping, cell structure, and preparation method

Номер патента: EP4141960A1. Автор: Xing Huang,Xin Lu CHEN. Владелец: Pn Junction Semiconductor Hangzhou Co ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Structure of a field effect transistor having metallic silicide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070158757A1. Автор: Takashi Ichimori,Norio Hirashita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-12.

Thin film transistors having double gates

Номер патента: US12125917B2. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

LDMOS transistor having vertical floating field plate and manufacture fhereof

Номер патента: US20220102551A1. Автор: Min-Hwa Chi,Min Li. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Field effect transistors having improved breakdown voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP2622638A1. Автор: Edward John Coyne,Jagar Singh,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly,Seamus Whiston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

Multi-gate transistor having sidewall contacts

Номер патента: US8536651B2. Автор: Josephine B. Chang,Dechao Guo,Chung-Hsun Lin,Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Field effect transistor having same gate and source doping, cell structure, and preparation method

Номер патента: US20230178636A1. Автор: Xing Huang,Xin Lu CHEN. Владелец: Pn Junction Semiconductor (hangzhou) Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Carbon field effect transistors having charged monolayers to reduce parasitic resistance

Номер патента: GB2504643A. Автор: Shu-Jen Han,Hsin-Ying Chiu,Hareem T Maune. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-05.

Enhancement-mode hfet circuit arrangement having high power and a high threshold voltage

Номер патента: US20110309372A1. Автор: Michael Shur,Milan Pophristic,Xiaobin XIN. Владелец: Velox Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Simplified multi-threshold voltage scheme for fully depleted SOI MOSFETs

Номер патента: US09633911B2. Автор: Qing Liu,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Scott Luning,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-25.

Nanosheet transistors having different gate dielectric thicknesses on the same chip

Номер патента: US10249539B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

Method of fabricating mosfet transistors with multiple threshold voltages by halo compensation and masks

Номер патента: US20030203579A1. Автор: Kaizad Mistry,Ian Post. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Method of fabricating mosfet transistors with multiple threshold voltages by halo compensation and masks

Номер патента: US20030122198A1. Автор: Kaizad Mistry,Ian Post. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Drain select gate formation methods and apparatus

Номер патента: US09842847B2. Автор: Gordon Haller,Luan C. Tran,Hongbin Zhu,Lijing Gou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and electronic device with data voltages read accurately without the influence of threshold voltage variation

Номер патента: US09640226B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Atsushi Miyaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

MISFET threshold voltage control

Номер патента: GB2348318A. Автор: Tohru Mogami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-27.

Fully depleted semiconductor-on-insulator transistors with different buried dielectric layer charges and different threshold voltages

Номер патента: US20200083253A1. Автор: Kangguo Cheng,Shawn P. Fetterolf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Fully depleted semiconductor-on-insulator transistors with different buried dielectric layer charges and different threshold voltages

Номер патента: US11145677B2. Автор: Kangguo Cheng,Shawn P. Fetterolf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-12.

Fully depleted semiconductor-on-insulator transistors with different buried dielectric layer charges and different threshold voltages

Номер патента: US20200098791A1. Автор: Kangguo Cheng,Shawn P. Fetterolf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Method of making truly complementary and self-aligned bipolar and CMOS transistor structures with minimized base and gate resistances and parasitic capacitance

Номер патента: US5439833A. Автор: Rashid Bashir,Francois Hebert,Datong Chen. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-08-08.

Efuse inside and gate structure on triple-well region

Номер патента: US11848324B2. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Ephrem G. Gebreselasie,Steven M. Shank,Alain F. Loiseau,Michel J. Abou-Khalil,Ahmed Y. Ginawi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Gate Formation Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20210183713A1. Автор: Chang-Yun Chang,Chih-Hao Yu,Hsiu-Hao Tsao,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Bipolar selector with independently tunable threshold voltages

Номер патента: US20220328560A1. Автор: Min Cao,Randy Osborne,Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Bipolar selector with independently tunable threshold voltages

Номер патента: US20210233958A1. Автор: Min Cao,Randy Osborne,Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Bipolar selector with independently tunable threshold voltages

Номер патента: US20230363181A1. Автор: Min Cao,Randy Osborne,Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Bipolar selector with independently tunable threshold voltages

Номер патента: US11792999B2. Автор: Min Cao,Randy Osborne,Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Transistor capable of electrically controlling a threshold voltage and semiconductor device including the transistor

Номер патента: US20230101075A1. Автор: Seonhaeng Lee,Gangjun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Work function adjustment in high-k gate stacks for devices of different threshold voltage

Номер патента: US8357604B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-22.

Work function adjustment in high-k gate stacks for devices of different threshold voltage

Номер патента: US20110127616A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Formation of gate stacks comprising a threshold voltage tuning layer

Номер патента: US20230197796A1. Автор: Eric James Shero,Fu Tang,Eric Jen Cheng Liu,Gejian Zhao. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-06-22.

Field effect transistor having field plate

Номер патента: AU2020375557B2. Автор: Michael S. Davis,Eduardo M. Chumbes,Brian T. APPLETON JR.. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-09-05.

Thin film transistor having increased effective channel width

Номер патента: US5656822A. Автор: Chun-Ting Liu,Kuo-Hua Lee. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-08-12.

Method of fabricating a flash memory device having separated charge storage regions

Номер патента: WO2009048601A1. Автор: Takayuki Maruyama,Fumihiko Inoue. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-04-16.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: NL2024135B1. Автор: Valk Patrick. Владелец: Ampleon Netherlands Bv. Дата публикации: 2021-07-19.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: WO2021086189A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Ampleon Netherlands B.V.. Дата публикации: 2021-05-06.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: EP4052300A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Samba Holdco Netherlands BV. Дата публикации: 2022-09-07.

Memristor using parallel asymmetrical transistors having shared floating gate and diode

Номер патента: US09514818B1. Автор: Evgeny Pikhay,Yakov Roizin. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device having a minimized region of sheild electrode and gate electrode overlap

Номер патента: US9577055B2. Автор: Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Flip-flop with transistors having different threshold voltages, semiconductor device including same and methods of manufacturing same

Номер патента: US20230421141A1. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Yung-Chen CHIEN,Huaixin XIAN,Xing Chao YIN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device including threshold voltage measurement circuitry

Номер патента: US20180052196A1. Автор: Richard Stephen Roy. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Low threshold voltage anti-fuse device

Номер патента: CA2646367A1. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2009-03-11.

Metal control gate formation in non-volatile storage

Номер патента: US20120187468A1. Автор: Vinod Robert Purayath,Takashi Whitney Orimoto,Jarrett Jun Liang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-07-26.

Method for increasing bridging process window of contact hole and gate of device

Номер патента: US20240170277A1. Автор: Yenxia HAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Increasing forward biased safe operating area using different threshold voltage segments

Номер патента: US20200286994A1. Автор: Praveen Shenoy. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

TFT modulating threshold voltage and flat panel display having the same

Номер патента: US20050110017A1. Автор: Byoung-Deog Choi,Myeong-Seob So. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-26.

Stretchable display panel, method for compensating threshold voltage of transistor and computer readable storage medium

Номер патента: US20220068177A1. Автор: Qian Yang,Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Methods and systems for forming structures comprising a threshold voltage tuning layer

Номер патента: US20240234129A1. Автор: Eric James Shero,Michael Eugene Givens,Fu Tang,Charles DEZELAH,Paul Ma,Marko Tuominen,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi,Eric Jen Cheng Liu,Gejian Zhao,Eva Elisabeth Tois. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Mosfet with reduced threshold voltage and on resistance and process for its manufacture

Номер патента: US20030089945A1. Автор: Thomas Herman,Jianjun Cao,Harold Davis,Kyle Spring. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for modifying and controlling the threshold voltage of thin film transistors

Номер патента: US09640390B1. Автор: Joerg Rockenberger,Arvind Kamath,Fabio Zurcher,Wenzhuo Guo. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2017-05-02.

Electronic Devices Having Displays With Compensation for Oxide Transistor Threshold Voltage

Номер патента: US20200243012A1. Автор: David A. Doyle,Michael H. Lim,Paolo Sacchetto,Weijun Yao,Timothy M. Johnson,Jiayi Jin,Kyung Hoae Koo,Yue Jack Chu,Maofeng Yang,Venkatesh Rajendran. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Integrated circuit comprising transistors with different threshold voltages

Номер патента: US09911737B2. Автор: Jean-Philippe Noel,Bastien Giraud,Philippe Flatresse,Bertrand Pelloux-Prayer. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-03-06.

Tined gate to control threshold voltage in a device formed of materials having piezoelectric properties

Номер патента: US09837523B2. Автор: Nelson de Almeida Braga,Rimvydas Mickevicius,Hiu Y. WONG. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Soi mosfet device having second gate electrodes for threshold voltage control

Номер патента: US20040070031A1. Автор: Shunsuke Baba. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-15.

Thin film transistor having Schottky barrier

Номер патента: US8410531B2. Автор: Chun-Wei Su,Ming-Tse Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-04-02.

Thin film transistor having schottky barrier

Номер патента: US20120146003A1. Автор: Chun-Wei Su,Ming-Tse Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Threshold Voltage Compensation Circuit

Номер патента: KR100278608B1. Автор: 전진,권오경. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-02-01.

Microelectronic fabrication method minimizing threshold voltage variation

Номер патента: CA1132722A. Автор: Roy L. Maddox, Iii. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1982-09-28.

Thin film transistors having strain-inducing structures integrated with 2d channel materials

Номер патента: EP4152409A1. Автор: Kevin O'Brien,Uygar E. Avci,Ashish Verma Penumatcha,Carl Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

Method for fabricating a field-effect transistor having a floating gate

Номер патента: US20030119261A1. Автор: Franz Hofmann,Robert Strenz,Georg Tempel,Robert Wiesner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-26.

Transistor having increased breakdown voltage

Номер патента: EP2629332A3. Автор: Michael A. Briere,Reenu Garg,Naresh Thapar. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-07-30.

Semiconductor memory device comprising transistor having vertical channel structure

Номер патента: US20090103343A1. Автор: Jin-Young Kim,Ki-whan Song,Duk-ha Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-23.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising mos-transistors having gate oxides of different thicknesses

Номер патента: EP1459377A2. Автор: Hendrik H. Van Der Meer,Klaas G. Druijf. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-09-22.

Systems and methods for backside threshold voltage adjustment

Номер патента: US20130168823A1. Автор: Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2013-07-04.

Bipolar transistor having collector with doping concentration discontinuity

Номер патента: US20230006055A1. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Bipolar transistor having collector with doping concentration discontinuity

Номер патента: US12113125B2. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for changing threshold voltage of device in resist asher

Номер патента: WO2006127305A3. Автор: William Markland,Chungdar Daniel Wang. Владелец: Chungdar Daniel Wang. Дата публикации: 2007-04-05.

Bipolar transistor having collector with grading

Номер патента: US09768282B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Insulated gate bipolar transistor having high breakdown voltage

Номер патента: US5331184A. Автор: Masashi Kuwahara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-19.

Bipolar transistor having collector with doping concentration grading

Номер патента: US20230006056A1. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Heterojunction bipolar transistor having non-uniformly doped collector for improved safe-operating area

Номер патента: US20040065897A1. Автор: Yan Chen,Chien Lee,Nanlei Wang,Barry Lin,Hin Chau,Clarence Dunnrowicz. Владелец: Eic Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

High electron mobility transistor having reduced threshold voltage variation and method of manufacturing the same

Номер патента: US09543391B2. Автор: In-jun Hwang,Jae-joon Oh,Jae-won Lee,Hyo-ji CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Transistor having resistive field plate

Номер патента: WO2021188189A1. Автор: Brian Thomas Appleton, Jr.,Casey Alan Howsare. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2021-09-23.

Transistor having resistive field plate

Номер патента: EP4122015A1. Автор: Brian Thomas Appleton, Jr.,Casey Alan Howsare. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-01-25.

Method for fabricating at least three MOS transistors having different threshold voltages.

Номер патента: EP2437292A3. Автор: ARNAUD Franck. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-05-14.

High-voltage transistor having shielding gate

Номер патента: US09590052B2. Автор: Kikuko Sugimae,Takeshi Kamigaichi,Hiroyuki Kutsukake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for fabricating at least three metal-oxide semiconductor transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20120080758A1. Автор: Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2012-04-05.

Method of fabricating dual threshold voltage n-channel and p-channel mosfets with a single extra masked implant operation

Номер патента: US20030094659A1. Автор: Kaizad R. Mistry,Ian R. Post. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Dynamic threshold voltage control of power amplifiers

Номер патента: US20240282848A1. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra,Christopher John Day,Guanghai DING. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method and apparatus providing CMOS imager device pixel with transistor having lower threshold voltage than other imager device transistors

Номер патента: US20080176350A1. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Method and apparatus providing CMOS imager device pixel with transistor having lower threshold voltage than other imager device transistors

Номер патента: US7397075B2. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-07-08.

Dynamic threshold voltage control of power amplifiers

Номер патента: EP4445420A1. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra,Christopher John Day,Guanghai DING. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Composite transistor having a slew-rate control

Номер патента: US20020084497A1. Автор: Kerry Bernstein,Anthony Correale,Terence Hook,Douglas Stout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Tft pixel threshold voltage compensation circuit with short one horizontal time

Номер патента: US20200135105A1. Автор: TONG Lu,Michael James Brownlow. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Adjustment of threshold voltages of selected NMOS and PMOS transistors using fewer masking steps

Номер патента: US20030181004A1. Автор: Jeffrey Watt. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor fuse with measurement circuit for the detecting of a drift of the gate threshold voltage

Номер патента: US20240297128A1. Автор: Stefan Hofinger. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Tft pixel threshold voltage compensation circuit with short one horizontal time

Номер патента: US20200135106A1. Автор: TONG Lu,Michael James Brownlow. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Threshold voltage (VT)-type transistor sensitive and/or fan-out sensitive selective voltage binning

Номер патента: US09653330B1. Автор: Robert J. McMahon,Jeanne P. Bickford,John R. Goss,Troy J. Perry,Thomas G. Sopchak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US7170795B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-30.

Electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US20050237783A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-10-27.

AND gate based on ballistic electrons

Номер патента: US11211482B2. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim Chowdhurry. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2021-12-28.

Variable threshold voltage complementary MOSFET with SOI structure

Номер патента: US20040262647A1. Автор: Masao Okihara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

AND Gate Based on Ballistic Electrons

Номер патента: US20210280704A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim Chowdhurry. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Diode device having a low threshold voltage

Номер патента: EP1019968A2. Автор: Herbert Zirath. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2000-07-19.

Low threshold voltage diode-connected FET

Номер патента: US6097247A. Автор: Herbert Zirath. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2000-08-01.

Diode device having a low threshold voltage

Номер патента: WO1999017376A2. Автор: Herbert Zirath. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Дата публикации: 1999-04-08.

Cmos transistor fabrication with different threshold voltages

Номер патента: WO2012024391A3. Автор: Weize Xiong,Greg C. Baldwin. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2012-08-09.

Cmos transistor fabrication with different threshold voltages

Номер патента: WO2012024391A2. Автор: Weize Xiong,Greg C. Baldwin. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2012-02-23.

Apparatus and method for measuring dynamic threshold voltage of nitride-based power device

Номер патента: WO2024108420A1. Автор: Feng Huang. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Tined gate to control threshold voltage in a device formed of materials having piezoelectric properties

Номер патента: EP3394894A1. Автор: Nelson de Almeida Braga,Rimvydas Mickevicius,Hiu Y. WONG. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-10-31.

Tined gate to control threshold voltage in a device formed of materials having piezoelectric properties

Номер патента: US20180300443A1. Автор: Hiu Yung Wong,Nelson de Almeida Braga,Rimvydas Mickevicius. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for manufacturing a MOS device with multiple threshold voltages

Номер патента: US6235596B1. Автор: Kuan-Yang Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-22.

Methods of forming multiple n-type semiconductor devices with different threshold voltages on a semiconductor substrate

Номер патента: US20140227845A1. Автор: Yanxiang Liu,Manfred Eller,Johannes Van Meer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Diode device having a low threshold voltage

Номер патента: WO1999017376A3. Автор: Herbert Zirath. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1999-06-17.

High threshold voltage nmos transistors for low power ic technology

Номер патента: US20130196476A1. Автор: Jun Yuan,Huiling Shang,Victor W. C. Chan,Roger Allen Booth, Jr.,Narasimhulu Kanike,Varadarajan Vidya. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Insulated gate field effect transistor having vertically layered elevated source/drain structure

Номер патента: US5235203A. Автор: Carlos Mazure,Marius Orlowski,Matthew S. Noell. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-08-10.

Power transistors having controlled emitter impurity concentrations

Номер патента: US3614553A. Автор: David Louis Franklin,Barry Joel Fehder. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1971-10-19.

High density memory with stacked nanosheet transistors

Номер патента: US20230309324A1. Автор: Tenko Yamashita,Heng Wu,Junli Wang,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Data selector based on threshold voltage defined

Номер патента: US20200176399A1. Автор: Bo Chen,Gang Li,Liwei Li,Yuejun Zhang,Pengjun WANG. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2020-06-04.

Method and semiconductor circuit for maintaining integrity of field threshold voltage requirements

Номер патента: US5981994A. Автор: Jian Chen,Ming Sang Kwan,David K. Y. Liu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-09.

Pixel circuit, active matrix apparatus and display apparatus with first and second reference potentials applied to source, and gate of drive transistor

Номер патента: US09454929B2. Автор: Junichi Yamashita,Tetsuro Yamamoto,Katsuhide Uchino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Pixel circuit, active matrix apparatus and display apparatus with first and second reference potentials applied to source, and gate of drive transistor

Номер патента: US09454928B2. Автор: Junichi Yamashita,Tetsuro Yamamoto,Katsuhide Uchino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Use of self-assembled layers for checking the threshold voltage of organic transistors

Номер патента: US09583540B2. Автор: Jean-Pierre Simonato,Caroline Celle. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-02-28.

Manufacturing method of pixel structure with data line, scan line and gate electrode formed on the same layer

Номер патента: US09449998B2. Автор: Hsiang-Lin Lin,Kuo-Yu Huang,Te-Chun Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods and apparatus to reduce threshold voltage drift

Номер патента: US09824767B1. Автор: Feng Pan,Prashant S. Damle,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Hanmant Pramod Belgal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Random number generation based on threshold voltage randomness

Номер патента: US20240057489A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Matteo Impalà,Cécile Colette Solange Nail. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Threshold voltage defined switches for programmable camouflage gates

Номер патента: WO2017176381A3. Автор: Swaroop Ghosh,Anirudh Srikant IYENGAR,Deepakreddy VONTELA,Ithihasareddy NIRMALA. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2017-12-21.

One selector one resistor RAM threshold voltage drift and offset voltage compensation methods

Номер патента: US11004508B2. Автор: Daniel Bedau,Michael K. Grobis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-11.

Block Health Monitoring Using Threshold Voltage Of Dummy Memory Cells

Номер патента: US20180075919A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Nian Niles Yang,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-15.

Method for determining a threshold voltage for obtaining a batch of sensing chips with increased sensitivity and method for increasing sensitivity of the batch of sensing chips

Номер патента: US10580961B2. Автор: Guan-Lin Chen,Chien-Chong Hong. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-03-03.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US11355202B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US10607707B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Non-contact measurement of memory cell threshold voltage

Номер патента: US20190189237A1. Автор: Zengtao T. Liu,Hongmei Wang,Amitava Majumdar,Shawn D. Lyonsmith,Ervin T. Hill,Rajesh Kamana,Marlon W. Hug. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20220262443A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20200227122A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: US20230048326A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

A threshold voltage (vth), power supply (vdd), and temperature compensation bias circuit for cmos passive mixer

Номер патента: SG147283A1. Автор: Tan Chun Geik,Masaaki Itoh. Владелец: Oki Techno Ct Singapore Pte. Дата публикации: 2008-11-28.

Method for determining a threshold voltage for obtaining a batch of sensing chips with increased sensitivity and method for increasing sensitivity of the batch of sensing chips

Номер патента: US20180331278A1. Автор: Guan-Lin Chen,Chien-Chong Hong. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-11-15.

Method for calculating threshold voltage of pocket implant MOSFET

Номер патента: US20050086014A1. Автор: Michiko Miura,Daisuke Kitamaru. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2005-04-21.

Interconnect circuits having low threshold voltage p-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: US20160049940A1. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Interconnect circuits having low threshold voltage p-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: EP3195477A1. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-07-26.

Interconnect circuits having low threshold voltage p-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: WO2016025261A1. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2016-02-18.

Capacitor structures for display pixel threshold voltage compensation circuits

Номер патента: US09647048B2. Автор: Vasudha Gupta,Shih Chang Chang,Young Bae Park. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Interconnect circuits having low threshold voltage P-channel transistors for a programmable integrated circuit

Номер патента: US09628081B2. Автор: Michael J. Hart,Praful Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Three-dimensional memory devices containing memory stack structures with position-independent threshold voltage

Номер патента: US09356043B1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-05-31.

Nanostructures consisting of gate metals and gate metal sub oxides and methods of their production

Номер патента: RU2493939C2. Автор: Кристоф ШНИТТЕР,Роберт МЮЛЛЕР,Хельмут ХААС,Хольгер БРУММ,Герхард ГИЛЛЕ,Манфред БОБЕТ. Владелец: Х. К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2013-09-27.

Semiconductor fuse with detection circuit for the detection of a drift of the gate threshold voltage

Номер патента: US20240297492A1. Автор: Stefan Hofinger,Stefan Hagenauer. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Detection and gating module, battery management system and battery management chip

Номер патента: US20240036120A1. Автор: Hao Zhou. Владелец: Zhuhai Maiju Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Bundled wire separator having separating fins

Номер патента: US09496628B2. Автор: Robert V. Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-15.

Mechanical and gate for interlocking electric power switches and distribution system incorporating same

Номер патента: CA2360905A1. Автор: William John Jones,Raymond Clyde Doran. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2002-05-03.

Integrated ion focusing and gating optics for ion trap mass spectrometer

Номер патента: WO2003065404A1. Автор: Gregory J. Wells,Steven D. Schachterle. Владелец: Varian, Inc.. Дата публикации: 2003-08-07.

Integrated ion focusing and gating optics for ion trap mass spectrometer

Номер патента: EP1470567A1. Автор: Gregory J. Wells,Steven D. Schachterle. Владелец: Varian Inc. Дата публикации: 2004-10-27.

Sensor element for opening of doors and gates

Номер патента: US8223085B2. Автор: Klaus Mezger,Leon Audergon. Владелец: Bircher Reglomat AG. Дата публикации: 2012-07-17.

Sensor element for opening of doors and gates

Номер патента: US20090313897A1. Автор: Klaus Mezger,Leon Audergon. Владелец: Bircher Reglomat AG. Дата публикации: 2009-12-24.

Tubular solid polymer fuel cell comprising a rod-shaped current collector with peripheral glas flow channels and production method thereof

Номер патента: CA2621385A1. Автор: Sreekumar Kurungot,Toru Sugiyama,Yuichiro Hama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Localization Systems And Methods Using Communication Protocols With Open Channels And Secure Communication Connections

Номер патента: US20190086526A1. Автор: Kyle GOLSCH. Владелец: Denso International America Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

High density memory with stacked nanosheet transistors

Номер патента: WO2023186407A1. Автор: Sanjay Mehta,Tenko Yamashita,Heng Wu,Junli Wang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-10-05.

Ac Coupling And Gate Charge Pumping For Nmos And Pmos Device Control

Номер патента: US20080191784A1. Автор: Elie G. Khoury,DC Sessions. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-08-14.

Voltage selecting circuit capable of successfully turning on internal transistor even if the difference between input voltages is less than threshold voltage of internal transistor

Номер патента: US09772640B2. Автор: Shih-Chieh Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods and apparatuses for threshold voltage measurement and related semiconductor devices and systems

Номер патента: US10914780B2. Автор: Rajesh N. Gupta,Binoy Jose Panakkal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Multi-stage overload protection scheme for pipeline analog-to-digital converters

Номер патента: US09893737B1. Автор: Mansour Keramat,Vijay Srinivas,KiYoung Nam. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Multi-phase turn-on blanking time with VBATT-based fault threshold voltage

Номер патента: US09733296B2. Автор: Jorge GONZALEZ-AMAYA,Chung Heum Baik. Владелец: Continental Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Implementing enhanced data read for multi-level cell (MLC) memory using threshold voltage-drift or reistance drift tolerant moving baseline memory data

Номер патента: GB201301474D0. Автор: . Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2013-03-13.

Detector of differential threshold voltage

Номер патента: EP1738186A1. Автор: Sami Ajram,Florent Garcia,Franck Strazzieri. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-01-03.

Methods and apparatus to reduce threshold voltage drift

Номер патента: WO2018004836A1. Автор: Feng Pan,Prashant S. Damle,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Hanmant Pramod Belgal. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-01-04.

Random number generation based on threshold voltage randomness

Номер патента: US12075714B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Matteo Impalà,Cécile Colette Solange Nail. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device and operation based on threshold voltage distribution of memory cells of adjacent states

Номер патента: US12106807B2. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Low power cryo-cmos circuits with non-volatile threshold voltage offset compensation

Номер патента: AU2021339521A9. Автор: David J. Reilly. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-10.

Low power cryo-cmos circuits with non-volatile threshold voltage offset compensation

Номер патента: EP4211801A1. Автор: David J. Reilly. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-07-19.

Thyristor based optical and gate and thyristor-based electrical and gate

Номер патента: US09541945B2. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Opel Solar Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Restoring OFF-state stress degradation of threshold voltage

Номер патента: US09531371B2. Автор: Alessio Spessot,Moon Ju Cho. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-12-27.

Threshold voltage sensor and a chip using the threshold voltage sensor

Номер патента: US20240223142A1. Автор: Hung-Chieh Tsai,wan-ling Wu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Threshold voltage sensor and a chip using the threshold voltage sensor

Номер патента: EP4394541A1. Автор: Hung-Chieh Tsai,wan-ling Wu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Implementing Enchanced Data Write for Multi-Level Cell (MLC) Memory Using Threshold Voltage-Drift or Resistance Drift tolerant Moving Baseline Memory Data

Номер патента: GB201301472D0. Автор: . Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2013-03-13.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Traveling wave amplifier with distributed regenerative feedback between drain-to-drain transmission lines and gate-to-gate transmission lines for enhanced high frequency bandwidth

Номер патента: US20080074191A1. Автор: William MORDARSKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Power converter controller having a short-circuit protection threshold voltage no higher than an over-current protection threshold voltage

Номер патента: US20210328501A1. Автор: Chih-Liang Wang,Chin-Chuan Chen,Shu-Chia Lin,Kuo-Jung Wu. Владелец: Inno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Self-selecting memory device having polarity dependent threshold voltage shift characteristics and memory apparatus including the same

Номер патента: US20240324246A1. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Jeonghee Park,Zhe Wu,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Donggeon Gu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for adjusting shutdown threshold voltage, startup method, and electronic devices thereof

Номер патента: US09665166B2. Автор: Jie Zou,Konggang Wei,Qiang XIONG. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for compensating thin film transistor threshold voltage drift

Номер патента: US09571090B2. Автор: Yan Wei,CHAO Xu,Chunfang Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Static random access memory and semiconductor device using MOS transistors having channel region electrically connected with gate

Номер патента: US6724065B2. Автор: Yuichi Sato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-20.

Fault tolerant and gate circuit

Номер патента: US5457403A. Автор: Eric B. Baum. Владелец: NEC Laboratories America Inc. Дата публикации: 1995-10-10.

And gates and clock dividers

Номер патента: EP3794727A1. Автор: Joao DE OLIVEIRA. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2021-03-24.

And gates and clock dividers

Номер патента: US20210226629A1. Автор: Joao DE OLIVEIRA. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

And gates and clock dividers

Номер патента: WO2019220123A1. Автор: Joao DE OLIVEIRA. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

AND gates and clock dividers

Номер патента: US11316518B2. Автор: Joao DE OLIVEIRA. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Multi-phase turn-on blanking time with vbatt- based fault threshold voltage

Номер патента: WO2017087049A1. Автор: Jorge GONZALEZ-AMAYA,Chung BAIK. Владелец: CONTINENTAL AUTOMOTIVE SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2017-05-26.

In situ threshold voltage determination of a semiconductor device

Номер патента: US11821936B2. Автор: Jerry Rudiak,Ibrahim Shihadeh Kandah. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Modified verify scheme for programming a memory apparatus

Номер патента: US20210202022A1. Автор: Henry Chin,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Modified verify scheme for programming a memory apparatus

Номер патента: WO2021133426A1. Автор: Henry Chin,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Variable size physical sidelink control channel and aggregation

Номер патента: EP3857784A1. Автор: Kapil Gulati,Tien Viet NGUYEN,Sudhir Kumar Baghel,Arjun Bharadwaj,Shailesh Patil,Shuanshuan Wu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-08-04.

Rectifier circuit with multiple cells, each cell having transistors with bulks biased by signals generated in other cells to control threshold voltage, and corresponding device and method

Номер патента: US10312821B2. Автор: Giuseppe Palmisano,Ranieri Guerra,Leandro GRASSO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-06-04.

Variable size physical sidelink control channel and aggregation

Номер патента: WO2020068415A1. Автор: Kapil Gulati,Tien Viet NGUYEN,Sudhir Kumar Baghel,Arjun Bharadwaj,Shailesh Patil,Shuanshuan Wu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-04-02.

Variable size physical sidelink control channel and aggregation

Номер патента: US20210314932A1. Автор: Kapil Gulati,Tien Viet NGUYEN,Sudhir Kumar Baghel,Arjun Bharadwaj,Shailesh Patil,Shuanshuan Wu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Downlink control information signaling schemes for bandwidth part switching

Номер патента: EP4404499A2. Автор: Peter Gaal,Wanshi Chen,Alexei Gorokhov,Jing Sun,Heechoon Lee,Peter Ang,Joseph Soriaga. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Circuit and method for input to failsafe "and" gate

Номер патента: EP1247342A1. Автор: Thomas Hajjar. Владелец: GE Harris Railway Electronics LLC. Дата публикации: 2002-10-09.

Circuit and method for input to failsafe 'and' gate

Номер патента: WO2001050605A1. Автор: Thomas Hajjar. Владелец: Ge-Harris Railway Electronics, Llc. Дата публикации: 2001-07-12.

Circuit and method for input to failsafe “AND” gate

Номер патента: US6462606B2. Автор: Thomas Hajjar. Владелец: GE Harris Railway Electronics LLC. Дата публикации: 2002-10-08.

Downlink control information signaling schemes for bandwidth part switching

Номер патента: EP4404499A3. Автор: Peter Gaal,Wanshi Chen,Alexei Gorokhov,Jing Sun,Heechoon Lee,Peter Ang,Joseph Soriaga. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-11-06.

Threshold voltage and delay time setting circuit, and battery management system including the same

Номер патента: US20140016239A1. Автор: Jin-Tae Kim,Eun CHEON. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

Ratio resource sharing and contention scheme for device-to-device communication in white space spectrum bands

Номер патента: US09991998B2. Автор: Tao Peng,Tao Chen,Haiming Wang,Wenwen LIU,Ziyang Liu,Songling Wang,Zixi Fu. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

System having a configurable pico-second pulsed LED driver circuit and photomultiplier tube biasing and gating circuits for real-time, time-resolved transient recording of fluorescence

Номер патента: US09867250B1. Автор: Linda S. Powers,Janet M. ROVEDA,Jerrie V. Fairbanks. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2018-01-09.

On line automatic detection of the time phase of the threshold voltage of a lighting load and its application in lighting management

Номер патента: US09655219B2. Автор: Chia-Teh Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-16.

Method and apparatus for transmitting a control channel and a data channel in a wireless communication system

Номер патента: US09504027B2. Автор: Kijun KIM,Hanbyul Seo,Inkwon Seo,Byounghoon Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-11-22.

Pixel capable of adjusting a threshold voltage of a driving transistor

Номер патента: US11881169B2. Автор: Wonkyu Kwak,Yangwan Kim,Chulkyu Kang,Minku LEE,Jihyun KA,Kyonghwan OH,Kimyeong Eom,Jintae Jeong,Soongi KWON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Threshold voltage generator circuit and corresponding receiver device

Номер патента: EP4312378A1. Автор: Giulio Ricotti,Eleonora Franchi Scarselli,Antonio Gnudi,Matteo D'addato,Alessia Maria ELGANI,Luca Perilli,Roberto Antonio CANEGALLO. Владелец: Universita di Bologna. Дата публикации: 2024-01-31.

Block health monitoring using threshold voltage of dummy memory cells

Номер патента: WO2018048490A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Nian Niles Yang,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US11837294B2. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Block health monitoring using threshold voltage of dummy memory cells

Номер патента: EP3455857A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Nian Niles Yang,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-03-20.

Threshold voltage generator circuit and corresponding receiver device

Номер патента: US20240056060A1. Автор: Giulio Ricotti,Eleonora Franchi Scarselli,Antonio Gnudi,Matteo D'addato,Alessia Maria ELGANI,Luca Perilli,Roberto Antonio CANEGALLO. Владелец: Universita di Bologna. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor memory with different threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20240185930A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Circuit and method for input to failsafe "AND " gate

Номер патента: US20010048316A1. Автор: Thomas Hajjar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: EP4385019A2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Slew rate control of output drivers using fets with different threshold voltages

Номер патента: US20030025542A1. Автор: Guy Harlan Humphrey. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-02-06.

Methods and nodes for policing and gating in a communication network

Номер патента: WO2015090389A1. Автор: Mattias LIDSTRÖM,Mona Matti. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2015-06-25.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: US11756630B2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US20070153586A1. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US7660164B2. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Dense wavelength-division and multiplexing scheme for optical integrated circuits

Номер патента: EP3987691A1. Автор: Chuan Xie. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2022-04-27.

Display data channel snooping scheme for retimers

Номер патента: US09935839B2. Автор: Ming Qu,Qing Li,Zhengyu Yuan,Hongquan Wang. Владелец: Parade Technologies Ltd Caymand Islands. Дата публикации: 2018-04-03.

Receiver with time-varying threshold voltage

Номер патента: US09843309B2. Автор: QI Lin,Jared L. Zerbe,Brian S. Leibowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-12-12.

Method and apparatus for controlling threshold voltage

Номер патента: US09660622B2. Автор: Sung Ho Kim,Eric Hyunsurk RYU,Yunjae Suh,Junseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Midpacket detection schemes for clear channel assessment (CCA)

Номер патента: US09439091B2. Автор: Bin Tian,Tao Tian,Sameer Vermani,Eugene Jong-Hyon BAIK. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Circuit for eliminating threshold voltage difference between backlight LED strings and liquid crystal display using the same

Номер патента: US8624512B2. Автор: Fei Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-07.

Electrically-erasable, electrically-programmable read-only memory cell with a selectable threshold voltage and methods for its use

Номер патента: US5200919A. Автор: Cetin Kaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-04-06.

Simple cmos threshold voltage extraction circuit

Номер патента: US20180307262A1. Автор: Weston Roper,Xiaoxin Feng. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Pam-n receiver capable of adaptively adjusting threshold voltages determining level of data in received signal and method of adaptively adjusting threshold voltages of pam-n receiver

Номер патента: US20230188391A1. Автор: Hyeon-Woo Ahn,Yo-Han Kim,Il-Soo Lee,Yongsam Moon,Jae-Geol LEE,Soo-Hwan YOO,Hyo-Goon LIM. Владелец: Industry Cooperation Foundation of University of Seoul. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of modulating threshold voltage of a mask ROM

Номер патента: US20040208040A1. Автор: Kuang-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

PAM-N receiver capable of adaptively adjusting threshold voltages determining level of data in received signal and method of adaptively adjusting threshold voltages of PAM-N receiver

Номер патента: US11716229B2. Автор: Hyeon-Woo Ahn,Yo-Han Kim,Il-Soo Lee,Yongsam Moon,Jae-Geol LEE,Soo-Hwan YOO,Hyo-Goon LIM. Владелец: Industry Cooperation Foundation of University of Seoul. Дата публикации: 2023-08-01.

Method for manufacturing memory cell with increased threshold voltage accuracy

Номер патента: US6187638B1. Автор: Wen-Ying Wen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Buck converter system with an asymmetric threshold voltage gate drive circuit design

Номер патента: US20230299673A1. Автор: Weidong Zhu,Wenkai Wu,Jialun Du. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-21.

Thayer switch of reduced threshold voltage

Номер патента: UST934012I4. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1975-05-06.

Switched-capacitor charge pump with reduced diode threshold voltage and on state resistance

Номер патента: US20180337596A1. Автор: Wern Ming Koe. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Apparatus for detecting variation in transistor threshold voltage

Номер патента: US20170149423A1. Автор: Bo-Jr Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Single poly eeprom allowing continuous adjustment of its threshold voltage

Номер патента: US20100177569A1. Автор: Jozef Czeslaw Mitros,David Alan Heisley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-07-15.

Organic thin film devices with stabilized threshold voltage and mobility, and method for preparing the devices

Номер патента: US20110272674A1. Автор: Yongqiang Wang,Beatrice Fraboni,Piero Cosseddu,Annalisa Bonfiglio,Michael Anthony Nastasi. Владелец: Los Alamos National Security LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Single poly eeprom allowing continuous adjustment of its threshold voltage

Номер патента: WO2009061809A3. Автор: Jozef Czeslaw Mitros,David Alan Heisley. Владелец: David Alan Heisley. Дата публикации: 2009-07-09.

Single poly eeprom allowing continuous adjustment of its threshold voltage

Номер патента: WO2009061809A2. Автор: Jozef Czeslaw Mitros,David Alan Heisley. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-05-14.

Apparatus for detecting variation in transistor threshold voltage

Номер патента: US09991879B2. Автор: Bo-Jr Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Multiple in multiple out network coded amplify and forward relaying scheme for three node bidirectional cooperation

Номер патента: US09577722B2. Автор: WEN Gao,Jialing Li. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2017-02-21.

Input current cancellation scheme for fast channel switching systems

Номер патента: US09548948B2. Автор: Gerard MORA PUCHALT,Arvind MADAN,Bhargav R. VYAS,Adrian W. SHERRY. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-01-17.

Communication system having separate unidirectional information signalling

Номер патента: CA1244541A. Автор: Gerald Molnar. Владелец: Trillium Telephone Systems Inc.. Дата публикации: 1988-11-08.

Switch with improved threshold voltage

Номер патента: CA2058509C. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Patrick J. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1995-10-17.

Switch with improved threshold voltage

Номер патента: US5330630A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Patrick J. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1994-07-19.

Programmable delay circuit including threshold-voltage programmable field effect transistor

Номер патента: US11855642B1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Navneet K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Calculating soft metrics depending on threshold voltages of memory cells in multiple neighbor word lines

Номер патента: US11874736B2. Автор: Nir Tishbi,Yonathan Tate. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Obtaining threshold voltage measurements for memory cells based on a user read mode

Номер патента: WO2023018453A2. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Qianqian Yu,Loc Tu. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-02-16.

Multicast routing in a logical router having separated north/south and east/west packet handlers

Номер патента: US20210314182A1. Автор: Sami Boutros,Ankur Dubey,Vijayalaxmi Basavaraj. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2021-10-07.

Multi-channel communication scheme for medical body area network (MBAN) to meet duty cycle regulation

Номер патента: US09961589B2. Автор: Dong Wang. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-05-01.

Transmission rate adaptive transmission scheme for multiple input and output systems

Номер патента: RU2487475C2. Автор: Авниш АГРАВАЛ,Тамер КАДОУС,Раджив ВИДЖАЯН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-07-10.

Transmission rate adaptive transmission scheme for multiple input multiple output (mimo) systems

Номер патента: RU2530992C2. Автор: Авниш АГРАВАЛ,Тамер КАДОУС,Раджив ВИДЖАЯН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2014-10-20.

Method for transmission of speech files over a noisy channel and apparatus for implementation thereof

Номер патента: RU2754497C1. Автор: Евгений Львович Столов,Рустам Хафизович Латыпов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2021-09-02.

Method and system using the difference of long-term correlations between the left and right channels for downmixing in the time domain of a stereophonic audio signal into a primary channel and a secondary channel

Номер патента: RU2763374C2. Автор: Милан ЕЛИНЕК,Томми ВАЙАНКУР. Владелец: Войсэйдж Корпорейшн. Дата публикации: 2021-12-28.

Method and device to send and receive transfers of general logical channel and dedicated logical channel via shared high-speed channel of downlink

Номер патента: RU2420032C2. Автор: Стефен Е. ТЕРРИ,Поль МАРИНЬЕ,Диана ПАНИ,Кристофер Р. КЕЙВ. Владелец: Интердиджитал Текнолоджи Корпорейшн. Дата публикации: 2011-05-27.

Transmission rate adaptive transmission scheme for multiple input multiple output systems

Номер патента: RU2524357C2. Автор: Авниш АГРАВАЛ,Тамер КАДОУС,Раджив ВИДЖАЯН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2014-07-27.

Scheme for selecting redundancy strategy

Номер патента: RU2328832C2. Автор: Эса МАЛКАМАКИ,Франк ФРЕДЕРИКСЕН. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2008-07-10.

Method and device for operating an electrical machine having separate excitation

Номер патента: US9531304B2. Автор: Gunther Goetting,Mario Beyer,Daniel Raichle,Dragan Mikulec,Stefan Spannhake,Mercedes Herranz Gracia,Stefan Kolmorgen,Yves Challand,Alexander Scheidle. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-12-27.

Ring oscillator and delay circuit using low threshold voltage type MOSFETS

Номер патента: US6154100A. Автор: Toshiharu Okamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

Single clock CMOS logic circuit with selected threshold voltages

Номер патента: US4250406A. Автор: Allan A. Alaspa. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1981-02-10.

Control of threshold voltage in organic field effect transistors

Номер патента: WO2006052625A1. Автор: Vladimir Bulovic,Akintunde I. Akinwande,Ioannis Kymissis,Annie I. Wang. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2006-05-18.

Line transient improvement through threshold voltage modulation of buffer-fet in linear regulators

Номер патента: US20210096587A1. Автор: Avinash Shreepathi Bhat,Chizim Obinuchi OKPARA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Reprogramming memory cells to tighten threshold voltage distributions and improve data retention

Номер патента: EP4049279A1. Автор: Han-Ping Chen,Henry Chin,Ashish Baraskar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-31.

Reprogramming memory cells to tighten threshold voltage distributions and improve data retention

Номер патента: WO2021167638A1. Автор: Han-Ping Chen,Henry Chin,Ashish Baraskar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

Pre-amplifier employing transistors having a diminished breakdown voltage and a disk drive and a thevenin writer employing the same

Номер патента: US20030234689A1. Автор: Hao Fang,Michael O'Brien,John Leighton,Scott O'Brien,Cameron Rabe. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2003-12-25.

Pre-amplifier employing transistors having a diminished breakdown voltage and a disk drive and a Thevenin writer employing the same

Номер патента: US7019923B2. Автор: Hao Fang,Michael J. O'Brien,John D. Leighton,Scott O'Brien,Cameron C. Rabe. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-03-28.

Method, transmission/reception device and system for configuring and controlling channels in wireless communication system using amc channels and diversity channels

Номер патента: RU2382501C2. Автор: Хван-Дзоон КВОН,Дзу-Хо ЛИ,Дзоон-Йоунг ЧО,Дзин-Киу ХАН,Донг-Хи КИМ,Юн-Ок ЧО. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2010-02-20.

Scheme for ensuring fault tolerance in communication networks

Номер патента: RU2424625C2. Автор: Рауль ФЬОРОНЕ,Риккардо МАРТИНОТТИ,Андреа КОРТИ. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2011-07-20.

Coding schemes for wireless communication transmission

Номер патента: RU2426241C2. Автор: Аамод КХАНДЕКАР,Томас РИЧАРДСОН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-08-10.

Method of access to uplink channel and corresponding device

Номер патента: RU2696220C1. Автор: Кай СЮЙ,Сяоцуй ЛИ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-07-31.

Method for transmitting and receiving downlink data transmission channel and equipment for this

Номер патента: RU2764029C1. Автор: Юндзунг И,Даесунг ХВАНГ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2022-01-12.

Scheme for power control messages transmission

Номер патента: RU2447582C2. Автор: Тинфан ЦЗИ,Пранав ДАЯЛ,Тинфан ЦЗИ (US),Пранав ДАЯЛ (US). Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-04-10.

Method and apparatus for encoding/decoding an image element comprising image data represented by a luminance component channel and at least one chroma component channel

Номер патента: RU2739251C2. Автор: Франк ГАЛЬПЭН,Фабрис ЛЕЛЕАННЕК,Танжи ПУАРЬЕ,Фабрис ЮРБАН. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2020-12-22.

Domain name control scheme for cross-chain interactions in blockchain systems

Номер патента: RU2718959C1. Автор: Хунлинь ЦЮ. Владелец: Алибаба Груп Холдинг Лимитед. Дата публикации: 2020-04-15.

Method of configuring signal information on state of channel and basic station

Номер патента: RU2627739C1. Автор: Ни МА,Цзин Ян,Кайнань ШАО,То ЧЭНЬ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-08-11.

Method of switching n×n optical channels and multichannel switch

Номер патента: RU2504812C2. Автор: Игорь Николаевич Компанец,Сергей Игоревич Компанец,Татьяна Александровна Неевина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ОПТЭЛКО". Дата публикации: 2014-01-20.

Flexible segmentation scheme for communication systems

Номер патента: RU2409898C2. Автор: Цуеши КАШИМА,Мика П. РИННЕ,Юкка РАНТА,Пайви ПУРОВЕСИ. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2011-01-20.

Activation scheme for ophthalmological lense with electric power

Номер патента: RU2637611C2. Автор: Адам ТОНЕР,Скотт Роберт ХАМФРИС,Роберт Карл ШВАЙКЕРТ,Стивен Филлип ХОГГАРТ,Сейед Али Горджи ЗАДЕХ,Дональд К. Мл. УИТНИ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2017-12-05.

Conversion scheme for switching of big number of levels of switched voltage

Номер патента: RU2414045C2. Автор: Петер БАРБОЗА,Петер ШТАЙМЕР,Туфанн ЧАУДХУРИ. Владелец: АББ Рисерч ЛТД. Дата публикации: 2011-03-10.

Principle for audio coding and decoding for audio channels and audio objects

Номер патента: RU2641481C2. Автор: Юрген ХЕРРЕ,Фабиан КЮХ,Михаэль КРАЧМЕР,Ахим КУНТЦ,Андреас ХЕЛЬЦЕР,Йоханнес ХИЛЬПЕРТ,Ян ПЛОГСТИС,Адриан МУРТАЗА,Кристиан БОРСС,Андреас ЗИЛЬЦЛЕ,Кристиан ЭРТЕЛЬ,Саша ДИК,Зимоне ФЮГ,Александер АДАМИ,Ханне ШТЕНЦЕЛЬ. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2018-01-17.

Method of switching nxn optical channels and multichannel switch (versions)

Номер патента: RU2515958C1. Автор: Игорь Николаевич Компанец,Татьяна Александровна Неевина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ОПТЭЛКО". Дата публикации: 2014-05-20.

Method for arrangement of channels and device of base radio communication station

Номер патента: RU2480916C2. Автор: Хидетоси СУЗУКИ,Акихико НИСИО,Масару ФУКУОКА,Кристиан ВЕНГЕРТЕР. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2013-04-27.

Multiple input multiple output (mimo) communication system comprising determined channels, and method

Номер патента: RU2462816C2. Автор: Цугуо МАРУ. Владелец: Нек Корпорейшн. Дата публикации: 2012-09-27.

Scheme for addressing protocol frames to target devices

Номер патента: RU2658787C1. Автор: Андреас ВАСС,Эрик ЛЕРФАРС. Владелец: Ска Хайджин Продактс Аб. Дата публикации: 2018-06-22.

Method of joint evaluation of communication channel and soft demodulation for cofdm signals and device for its implementation

Номер патента: RU2658335C1. Автор: Кирилл Сергеевич Митягин,Андрей Сергеевич Левченко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)". Дата публикации: 2018-06-20.

Device and methods of disconnecting extended dedicated upline channel and high-speed communically used channel of drop link

Номер патента: RU2642836C1. Автор: Нианшан ШИ,Ниило МУСИККА,Хелена ИРФОРС. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2018-01-29.

Method and system for unified management of service channels and streaming media services on demand

Номер патента: RU2516597C2. Автор: Ли Чжоу,Шан ЧЕН. Владелец: Зте Корпорейшн. Дата публикации: 2014-05-20.

System and method for dynamic distribution and simultaneous operation of direct channel and direct additional channel in ev-dv network

Номер патента: RU2304852C2. Автор: Пурва Р. РАДЖКОТИЯ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2007-08-20.

Method of controlling operation of channels and optical communication system

Номер патента: RU2696560C2. Автор: Давид Джимми ДАХАН,Амитай МЕЛАМЕД. Владелец: ИСиАй ТЕЛЕКОМ ЛТД.. Дата публикации: 2019-08-05.

Electronic ballast scheme for lamps

Номер патента: RU2560526C2. Автор: Стив МАКНЕЙ. Владелец: ДЖЕНИСИС ГЛОБАЛ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of transmitting data over uplink channel and buffer status reports in wireless communication system and wireless device for implementing said method

Номер патента: RU2427105C1. Автор: Патрик ФИШЕР. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2011-08-20.

Method of switching n×n optical channels and multichannel switch

Номер патента: RU2491592C2. Автор: Игорь Николаевич Компанец,Татьяна Александровна Неевина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ОПТЭЛКО". Дата публикации: 2013-08-27.

Sounding feedback schemes for very high throughput wireless systems

Номер патента: RU2540854C2. Автор: ЗЕЛСТ Альберт ВАН,Хемантх САМПАТХ,Самир ВЕРМАНИ,Рауль ТАНДРА,НЕ Дидье Йоханнес Ричард ВАН,IV Винсент Ноулз ДЖОУНС. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2015-02-10.

Process monitor based keeper scheme for dynamic circuits

Номер патента: US20040051562A1. Автор: Claude Gauthier,Shaishav Desai. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Method and apparatus for predictive reference data transfer scheme for motion estimation

Номер патента: US8675737B2. Автор: Soyeb Nagori. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-03-18.

Method and apparatus for predictive reference data transfer scheme for motion estimation

Номер патента: US20110103481A1. Автор: Soyeb Nagori. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

Method and apparatus for constructing three-dimensional channel, and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20230230316A1. Автор: Hong Yi,Wei Wang,Liyan Liu,Haijing JIA,Hengzhi Zhang. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Methods and apparatus of enhanced candidate allocation schemes for enhanced pdcch

Номер патента: EP4316119A1. Автор: Wei Ling,Yi Zhang,Chenxi Zhu,Bingchao LIU,Lingling Xiao. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Apparatus and method for allocating channel and power in communication system

Номер патента: WO2011093687A3. Автор: Ho-Joong Kwon,Seung-won Kang,June Moon,Soon-Young Yoon,Sung-Woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2011-12-29.

Heating device for perfusion fluid, channel and heating assembly

Номер патента: WO2024049297A1. Автор: Klaus Werner,Stephan Holtrup,Anna Helena TER STEGE-HAKE. Владелец: Thermasolutions Europe B.V.. Дата публикации: 2024-03-07.

Method and apparatus for predictive reference data transfer scheme for motion estimation

Номер патента: US9071823B2. Автор: Soyeb Nagori. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-30.

Method and apparatus for performing joint channel and time estimation in a GNSS receiver

Номер патента: US11994598B2. Автор: Jose Antonio Garcia Molina. Владелец: AGENCE SPATIALE EUROPEENNE. Дата публикации: 2024-05-28.

Method and system for determining a sampling scheme for sensor data

Номер патента: EP3398347A1. Автор: Markus Kopf,Daniel Lampert Richart. Владелец: Teraki GmbH. Дата публикации: 2018-11-07.

Transmit diversity schemes for uplink sequence transmissions

Номер патента: EP3659267A1. Автор: Tao Luo,Peter Gaal,Wanshi Chen,Renqiu Wang,Yi Huang,Seyong Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

Transmit diversity schemes for uplink sequence transmissions

Номер патента: WO2019023612A1. Автор: Tao Luo,Peter Gaal,Wanshi Chen,Renqiu Wang,Yi Huang,Seyong Park. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-01-31.

Method, user equipment, and storage medium for transmitting uplink channel, and method and base station for receiving uplink channel

Номер патента: US12041648B2. Автор: Suckchel Yang,Hyunho Lee,Changhwan Park,Seonwook Kim,Duckhyun BAE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-16.

Bandwidth management and congestion control scheme for multicast atm networks

Номер патента: WO1993003555A1. Автор: Jonathan S. Turner. Владелец: WASHINGTON UNIVERSITY. Дата публикации: 1993-02-18.

Ald vs pvd igzo channel and alox channel passivation in a 3d nand vertical wordline driver

Номер патента: US20240121964A1. Автор: Jessica Sevanne Kachian,Jose CRUZ-CAMPA. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Method and apparatus for enabling channel and interference estimations in macro/rrh system

Номер патента: WO2012109037A3. Автор: Tao Luo,Hao Xu,Peter Gaal,Wanshi Chen,Stefan Geirhofer. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-11-15.

Selective Crest Factor Reduction and Digital Pre-Distortion of Physical Channels and Physical Signals

Номер патента: US20200068570A1. Автор: Farooq Khan,Sidharth Balasubramanian. Владелец: Phazr Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Method and apparatus for monitoring physical downlink control channel, and storage medium

Номер патента: EP4336927A1. Автор: Mingju Li. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Elevation estimation for determining operating channels and transmission parameters

Номер патента: US20240155549A1. Автор: Vincent Knowles Jones,Tevfik Yucek,Zhiqun Liu,Ahmed Owais Qureshi,Matthew Tornquist. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Communication device, communication method, and program for selectively switching between a first physical uplink channel and a second physical uplink channel

Номер патента: US12047928B2. Автор: Naoki Kusashima. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Method and apparatus for predictive reference data transfer scheme for motion estimation

Номер патента: US20140146893A1. Автор: Soyeb Nagori. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Ofdm radar sensor including multiple transmission channels and progressive computation of time signals

Номер патента: US20220244348A1. Автор: Daniel Schindler,Juergen Hasch,Robert Nabholz. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for transmitting power offset information of secondary common pilot channel and radio network controller

Номер патента: US20130258990A1. Автор: Xiang Cheng. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Method and device for determining resource of logical channel, and computer storage medium

Номер патента: EP3684097A1. Автор: Hai Tang. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2020-07-22.

Efficient protection scheme for mpls multicast

Номер патента: EP2520051A1. Автор: Yigal Bejerano,Pramod Koppol. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2012-11-07.

Efficient protection scheme for mpls multicast

Номер патента: WO2011081742A1. Автор: Yigal Bejerano,Pramod Koppol. Владелец: Alcatel-Lucent USA Inc.. Дата публикации: 2011-07-07.

Methods, apparatuses, systems, etc. directed to enhanced control channel and shared channel transmission at high frequencies

Номер патента: EP4229814A1. Автор: Paul Marinier,Moon Il Lee,Nazli KHAN BEIGI,Young Woo Kwak,Prasanna Herath. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

Channel access schemes for wireless local area network (wlan) with full-duplex radios

Номер патента: EP3788834A1. Автор: Xiaofei Wang,Li-Hsiang Sun,Alphan Sahin,Rui Yang,Robert L. Olesen,Oghenekome Oteri,Hanqing Lou. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2021-03-10.

Systems and methods for state awareness across communication channels and statefully transitioning between communication channels

Номер патента: US20160088158A1. Автор: Siddhartha Dutta. Владелец: III Holdings 1 LLC. Дата публикации: 2016-03-24.

Communication device, communication method, and program for selectively switching between a first physical uplink channel and a second physical uplink channel

Номер патента: US11737070B2. Автор: Naoki Kusashima. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Microfluidic device having separable structure using thin film

Номер патента: US12059678B2. Автор: Jin-Ho Kim,Ki-ho Han. Владелец: INJE University Industry—Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for connection of sections of crane suspension assembly and gate unit used therein

Номер патента: RU2587746C2. Автор: Дэвид Дж. ПЕЧ,Роберт Дж. УОКЕР,Уильям Дж. О'НИЛ. Владелец: МАНИТОВОК КРЕЙН КАМПЕНИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2016-06-20.

Dump body and gate locking system

Номер патента: CA1155475A. Автор: Jean-Guy Lagace,Remi Lagace. Владелец: LAGACE JEAN GUY. Дата публикации: 1983-10-18.

Reservoir equipped with wall having separate area through which through element passes

Номер патента: RU2697074C2. Автор: Эдуард ДЮКЛУА,Иларион ЖИВОЛУ. Владелец: Газтранспорт Эт Технигаз. Дата публикации: 2019-08-12.

Controlled stratification of foliated structures having separate closed areas of material

Номер патента: RU2279266C2. Автор: Джеффри И. ФИШ,Дженнифер Э. ГРИФФИТС. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2006-07-10.

Injection molding machine having separate mold moving and mold closure force applying means which are resettable

Номер патента: CA1037666A. Автор: Edwin Ruegg. Владелец: Maschinenfabrik und Giesserei Netstal AG. Дата публикации: 1978-09-05.

Vise provided with a movable jaw device having separated approaching and clamping steps in a pipe bending machine die

Номер патента: CA2720040C. Автор: Alessandro Caporusso. Владелец: CML International SpA. Дата публикации: 2016-05-31.

Device for support of mass flow of rod-like products of tobacco industry in transport channel and method of filling and emptying of transport channel

Номер патента: RU2698122C2. Автор: Адам ГЕЛНЕВСКИ,Бартош ФИЛИПЕК. Владелец: Интернэшнл Тобакко Машинери Поланд Сп. з о.о.. Дата публикации: 2019-08-22.

Absorbing product with channels and its manufacturing method

Номер патента: RU2769161C2. Автор: Стивен СМЕТ,Вернер ВАН ИНГЕЛГЕМ,Том ДЕРИККЕ,Дрис ВЕРДЮЙН. Владелец: ДРАЙЛОК ТЕКНОЛОДЖИЗ НВ. Дата публикации: 2022-03-28.

Optical waveguide with nano-channel and optofluidic sensor with such an optical waveguide

Номер патента: RU2654924C2. Автор: Аластэр МАНЬЯЛЬДО,Эльза ЖАРДИНЬЕ,Лоран КУСТОН,Жан-Эмманюэль БРОКЕН,Давиде БУЧЧИ,Фабрис КАНТО. Владелец: Комиссариат А Л' Энержи Атомик Э Оз Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2018-05-23.

System for channelling and unloading hot-rolled materials

Номер патента: RU2590430C2. Автор: Джузеппе МУСКАРА,Руслан ШВАЙКО. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз Итали С.Р.Л.. Дата публикации: 2016-07-10.

Micro-channel and preparation method and operating method therefor

Номер патента: EP3940385A1. Автор: Guangcai Yuan,Zhengliang Li,ce Ning,Xiaochen MA. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Pressure die-casting machine having a shut-off valve in the melt inlet channel and operating method

Номер патента: CA3202550A1. Автор: Andreas Sydlo,Daniel Gerner. Владелец: Oskar Frech GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-06-16.

Threshold voltage verification method and circuit for program and erasure verification of non-volatile memory cell

Номер патента: GB2299190A. Автор: Bok Nam Song. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-25.

Gate driver, display apparatus and gate driving method of outputting a multi-pulse waveform

Номер патента: US09799271B2. Автор: Zhongyuan Wu,Liye Duan,Lirong WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Threshold voltage adjustment for a select gate transistor in a stacked non-volatile memory device

Номер патента: EP2856470A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-04-08.

Threshold voltage adjustment for a select gate transistor in a stacked non-volatile memory device

Номер патента: WO2013180893A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-12-05.

Memory circuit with transistors having different threshold voltages and method of operating the memory circuit

Номер патента: US09812181B2. Автор: Yi-Cheng HUANG,Chou-Ying Yang,Shang-Hsuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device including string select transistors having different threshold voltages and method of operating the memory device

Номер патента: US20240282383A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device including string select transistors having different threshold voltages and method of operating the memory device

Номер патента: EP4421808A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Sensing scheme for high speed memory circuits with single ended sensing

Номер патента: US09583208B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Vaibhav Verma,Sachin Taneja,Pritender Singh. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Read threshold voltage estimation systems and methods for parametric PV-level modeling

Номер патента: US11769555B2. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA,Haobo Wang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method and apparatus for measuring the threshold voltage of flash EEPROM memory cells being applied a variable control gate bias

Номер патента: US5966330A. Автор: Yuan Tang,Chien-Sheng Su. Владелец: Eon Silicon Devices Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Systems and methods for modeless read threshold voltage estimation

Номер патента: US11769556B2. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA,Haobo Wang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory devices with differential threshold voltages

Номер патента: US20240274189A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Sense amplifier schemes for accessing memory cells

Номер патента: US20220383912A1. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Detector circuit with low threshold voltage and high voltage input

Номер патента: US20140091859A1. Автор: David Kung. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Multipage program scheme for flash memory

Номер патента: US09852788B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Multipage program scheme for flash memory

Номер патента: US09484097B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory device with MOS transistors having bodies biased by temperature-compensated voltage

Номер патента: US5602790A. Автор: Patrick J. Mullarkey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-02-11.

Memory device with MOS transistors having bodies biased by temperature-compensated voltage

Номер патента: US5793691A. Автор: Patrick J. Mullarkey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-08-11.

Apparatuses and methods of power supply control for threshold voltage compensated sense amplifiers

Номер патента: WO2022072032A1. Автор: Toshiyuki Sato,Hidekazu Noguchi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-04-07.

Drive module for a gate, a gate and fence provided therewith, and methods for providing such a drive and gate

Номер патента: EP4215713A1. Автор: Edward Wouter Hoog Antink. Владелец: Esedco Beheer BV. Дата публикации: 2023-07-26.

Isotropically articulating fence post and gate system

Номер патента: US20020070378A1. Автор: Donald Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Organic light emitting display, device for sensing threshold voltage of driving TFT in organic light emitting display, and method for sensing threshold voltage of driving TFT in organic light emitting display

Номер патента: US09830854B2. Автор: JungHyeon Kim,Taegung Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Fault detection scheme for a variable reluctance sensor interface having a differential input and adaptive control

Номер патента: US5493214A. Автор: Brian K. Good,Mark R. Keyse. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1996-02-20.

High speed threshold voltage and average surface doping measurements

Номер патента: US20030173988A1. Автор: William Howland. Владелец: Solid State Measurements Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Self-compensation of driving transistor threshold voltage using body effect

Номер патента: WO2023192355A1. Автор: Gang Chen,Qianqian Wang,Min Hyuk Choi. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Threshold voltage bin calibration at memory device power up

Номер патента: US11922041B2. Автор: Steven Michael Kientz,Chia-Yu Kuo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Circuit for Sensing Threshold Voltage and Display Device Including the Same

Номер патента: US20180190203A1. Автор: Tae Ho Hwang. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Three-dimensional (3-d) write assist scheme for memory cells

Номер патента: US20220343958A1. Автор: Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,I-Han HUANG,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Measuring threshold voltage distribution in memory using an aggregate characteristic

Номер патента: EP1993101A3. Автор: Mark Shlick,Menahem Lasser. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2009-07-08.

Threshold voltage digitizer for array of programmable threshold transistors

Номер патента: US8014206B2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2011-09-06.

Low power read scheme for memory array structures

Номер патента: WO2002086901A2. Автор: Shree Kant,Gajendra P. Singh. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Time-based signal acquisition apparatus and method using sawtooth-shaped threshold voltage

Номер патента: US20180299566A1. Автор: Jae Sung Lee,Guen Bae KO. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2018-10-18.

Display driver and threshold voltage measurement method

Номер патента: US20100321367A1. Автор: Yoshihiro Shona. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Method for determining native threshold voltage of nonvolatile memory

Номер патента: US20100265774A1. Автор: Chien-Min Wu,Chao-Hua Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Reference voltage generator based on threshold voltage difference of field effect transistors

Номер патента: WO2023132918A1. Автор: HUI Wang,John ABCARIUS,Debesh BHATTA,Shitong ZHAO,Sulin LI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-07-13.

Low power read scheme for memory array structures

Номер патента: EP1382042A2. Автор: Shree Kant,Gajendra P. Singh. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Low power read scheme for memory array structures

Номер патента: WO2002086901A3. Автор: Shree Kant,Gajendra P Singh. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-02-27.

Compensating for variations in selector threshold voltages

Номер патента: US09966127B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Background threshold voltage shifting using base and delta threshold voltage shift values in non-volatile memory

Номер патента: US09864523B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Thomas Parnell,Ioannis Koltsidas,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Bonnet and gate arrangements for a gate valve in particulate-laden fluid environments

Номер патента: US09845897B2. Автор: Boris (Bruce) P. Cherewyk. Владелец: Isolation Equipment Services Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Read threshold voltage adaptation using bit error rates based on decoded data

Номер патента: US09818488B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Sundararajan Sankaranarayanan,AbdelHakim Salem Alhussien. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Threshold voltage analysis

Номер патента: US09659639B2. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US09653127B1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Program method of nonvolatile memory device for having dense threshold voltage distribution by controlling voltage of bit line according to threshold voltage of memory cell

Номер патента: US09627070B2. Автор: Cheul Hee Koo,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Threshold voltage sensing circuit of organic light-emitting diode display device

Номер патента: US09620053B2. Автор: Ji-Hun Kim,Hae-Won Lee,Yeong-Joon Son,Kyoung-Jik Min. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods and apparatuses for determining threshold voltage shift

Номер патента: US09536603B2. Автор: Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Threshold voltage grouping of memory cells in same threshold voltage range

Номер патента: US09536601B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Threshold voltage analysis

Номер патента: US09455029B2. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method and system of reading threshold voltage equalization

Номер патента: US09454420B1. Автор: Ying Yu Tai,Seungjune Jeon,Jinagli Zhu,Yeuh Yale Ma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Threshold voltage compensation circuit of thin film transistor and method for the same, shift register, and display device

Номер патента: US09418756B2. Автор: Lujiang Huangfu,Yinan LIANG,Lifei Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Pixel circuit, driving method for threshold voltage compensation, and organic light emitting display device using the same

Номер патента: US09349318B2. Автор: Jin-Hyun Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Secret lock with double scheme of coding for doors and gates

Номер патента: RU2391475C2. Автор: Федерико ФЕНИНИ. Владелец: Изео Серратуре Спа. Дата публикации: 2010-06-10.

Positioning system and formatting scheme for magnetic tape media

Номер патента: CA1139436A. Автор: Michael D. Leis,Robert C. Rose. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-01-11.

Liquid crystal display device having dummy channels and channel selection unit and method of driving the same

Номер патента: GB2409096A. Автор: Hong Sung Song,Jin Cheol Hong,Sin Ho Kang,Seung Kuk An. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-15.

Apparatus and method for operating an ISFET at multiple drain currents and gate-source voltages allowing for diagnostics and control of isopotential points

Номер патента: US5911873A. Автор: James R. Gray,Robert Tanner McCarron. Владелец: Rosemount Analytical Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Positive displacement rotary components having main and gate rotors with axial flow inlets and outlets

Номер патента: CA2689175A1. Автор: Kurt David Murrow,Rollin George Giffin. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2010-06-30.

Combined fence and gate post

Номер патента: GB1136223A. Автор: Charles Goodall,Maurice Goodall. Владелец: SWYFTITE Ltd. Дата публикации: 1968-12-11.

Sense amplifier schemes for accessing memory cells

Номер патента: US20190051335A1. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Sense amplifier schemes for accessing memory cells

Номер патента: US11915779B2. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Multi-pass programming with modified pass voltages to tighten threshold voltage distributions

Номер патента: EP3711052A1. Автор: Ching-Huang Lu,Vinh Diep. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-23.

Reducing widening of threshold voltage distributions in a memory device due to temperature change

Номер патента: EP3685384A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Threshold Voltage Digitizer for Array of Programmable Threshold Transistors

Номер патента: US20110310672A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-22.

Threshold voltage digitizer for array of programmable threshold transistors

Номер патента: US20130322182A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2013-12-05.

Threshold voltage digitizer for array of programmable threshold transistors

Номер патента: WO2009026364A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2009-02-26.

Threshold voltage compacting for non-volatile semiconductor memory designs

Номер патента: WO2002091387A1. Автор: Xin Guo,Sameer Haddad,Richard M. Fastow. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-14.

Threshold voltage digitizer for array of programmable threshold transistors

Номер патента: US20110001547A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Threshold voltage digitizer for array of programmable threshold transistors

Номер патента: US8149626B2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2012-04-03.

Self-compensation of driving transistor threshold voltage using body effect

Номер патента: US12057067B2. Автор: Gang Chen,Qianqian Wang,Min Hyuk Choi. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Threshold voltage detecting method

Номер патента: US20230120112A1. Автор: Jing Xu,Wei Dou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Read threshold voltage selection

Номер патента: US20180102146A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

SRAM array with temperature-compensated threshold voltage

Номер патента: US20030151956A1. Автор: John Porter,Kenneth Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-08-14.

Method for managing threshold voltage, and method for reading flash data

Номер патента: US20230298676A1. Автор: Yunxin Huang,Haojun Fang. Владелец: Dapustor Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Device for measuring threshold voltage of a transistor based on constant drain voltage and constant drain source current

Номер патента: US09989582B2. Автор: Jung-Hyun Park,Seong-Ook Jung,Youngjae AN,Kiryong KIM,Hyucksang YIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-06-05.

Read threshold voltage selection

Номер патента: US09911466B2. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Organic light emitting display with sensor transistor measuring threshold voltages of driving transistors

Номер патента: US09734800B2. Автор: Sungman Han,Jongsik Shim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Threshold voltage compensation in a memory

Номер патента: US09520183B2. Автор: Vishal Sarin,Theodore T. Pekny,Violante Moschiano,Tommaso Vali,William Henry Radke,Giovanni Naso. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Operation scheme for programming charge trapping non-volatile memory

Номер патента: US20050281085A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-22.

Mapping a computer code to wires and gates

Номер патента: WO2019213539A1. Автор: Daniel Joseph Bentley KLUSS. Владелец: Archeo Futurus, Inc.. Дата публикации: 2019-11-07.

Self-convergent method for programming FLASH and EEPROM memory cells that moves the threshold voltage from an erased threshold voltage range to one of a plurality of programmed threshold voltage ranges

Номер патента: US5808937A. Автор: Min-Hwa Chi,Albert Bergemont. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-09-15.

Method of sensing threshold voltage in display panel, display driver integrated circuit performing the same and display device including the same

Номер патента: US20210020083A1. Автор: Jungmoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Threshold voltage bin calibration at memory device power up

Номер патента: US20230266904A1. Автор: Steven Michael Kientz,Max Kuo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Circuit arrangement for the lowering of the threshold voltage of a diode configured transistor

Номер патента: US6501673B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Antonino Geraci,Carlo Lisi,Vincenzo Dima. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-31.

Apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20180151206A1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US9905280B2. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20170221536A1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Tft pixel threshold voltage compensation circuit with data voltage applied at light-emitting device

Номер патента: US20190295473A1. Автор: TONG Lu,Naoki Ueda,Tim Michael Smeeton,Michael James Brownlow. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Pixel circuits and driving schemes for active matrix organic light emitting diodes

Номер патента: WO2014113389A3. Автор: Vasudha Gupta. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2014-10-16.

Dram positive wordline voltage compensation device for array device threshold voltage and voltage compensating method thereof

Номер патента: US20110080771A1. Автор: Ryan Andrew Jurasek,Richard Michael Parent,Benjamin James STEMBRIDGE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Method and configuration to allow a lower wordline boosted voltage operation while increasing a sensing signal with access transistor threshold voltage

Номер патента: US20030081447A1. Автор: Louis Hsu,Toshiaki Kirihata,Daniel Storaska. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Systems and methods for parametric pv-level modeling and read threshold voltage estimation

Номер патента: US20220336039A1. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Threshold voltage bin calibration at memory device power up

Номер патента: US20240143214A1. Автор: Steven Michael Kientz,Chia-Yu Kuo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Pixel circuits and driving schemes for active matrix organic light emitting diodes

Номер патента: WO2014113389A2. Автор: Vasudha Gupta. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2014-07-24.

Dual threshold voltage sram cell with bit line leakage control

Номер патента: EP1155413A1. Автор: Kevin Zhang,Vivek De,Yibin Ye,Ali Keshavarzi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2001-11-21.

Fence and gate decorative cover

Номер патента: US20230351929A1. Автор: Darline Riggs. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Display apparatus incorporating varying threshold voltage transistors

Номер патента: WO2014182809A3. Автор: Stephen R. Lewis,Jianru Shi,Mark B. Andersson,Cait Ni Chleirigh. Владелец: Pixtronix, Inc.. Дата публикации: 2014-12-31.

Display apparatus incorporating varying threshold voltage transistors

Номер патента: WO2014182809A2. Автор: Stephen R. Lewis,Jianru Shi,Mark B. Andersson,Cait Ni Chleirigh. Владелец: Pixtronix, Inc.. Дата публикации: 2014-11-13.

Cost-saving scheme for scan testing of 3D stack die

Номер патента: US12099091B2. Автор: Lu Lu,Lifeng Zhang,Ahmet TOKUZ,Qi SHAO,Songgan Zang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

AMOLED pixel driving circuit and pixel driving method with compensation of threshold voltage changes

Номер патента: US09721507B2. Автор: Baixiang Han. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Threshold voltage distribution determination

Номер патента: US09607692B2. Автор: Mark A. Helm,Feng Pan,Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Temperature dependent sensing scheme to counteract cross-temperature threshold voltage distribution widening

Номер патента: US09530512B2. Автор: Biswajit Ray,Changyuan Chen,Abuzer DOGAN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of characterizing and modeling leakage statistics and threshold voltage

Номер патента: US09519741B2. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Readout from memory cells subjected to perturbations in threshold voltage distributions

Номер патента: US12148496B2. Автор: Nir Tishbi,Yonathan Tate,Roy Roth. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Pre-program detection of threshold voltages of select gate transistors in a memory device

Номер патента: US09418751B1. Автор: Masaaki Higashitani,Deepanshu Dutta,Shota Murai,Hideto Tomiie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-16.

Recycling water supply system with cooling towers having separate hydraulic circuits for water preparation and consumption

Номер патента: RU2667218C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-09-17.

Toner cartridge, toner supply mechanism and gate

Номер патента: RU2697013C2. Автор: Есуки КАСИИДЕ,Такаси КИМУРА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-08-08.

Toner cartridge, toner supply mechanism and gate

Номер патента: RU2720130C1. Автор: Есуки КАСИИДЕ,Такаси КИМУРА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2020-04-24.

Methods and circuits for optimizing performance and power consumption in a design and circuit employing lower threshold voltage (LVT) devices

Номер патента: US8924902B2. Автор: Lew G. Chua-Eoan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-12-30.

Non-equal threshold voltage ranges in MLC NAND

Номер патента: US7639532B2. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-29.

Threshold voltage generator

Номер патента: CA1157550A. Автор: Jacobus Van Der Mark. Владелец: Thales Nederland BV. Дата публикации: 1983-11-22.

Circuit for controlling the threshold voltage in a semiconductor device

Номер патента: US5909140A. Автор: Jin Kook Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-01.

Fast bit erase for upper tail tightening of threshold voltage distributions

Номер патента: US20230034752A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Background threshold voltage shifting using base and delta threshold voltage shift values in non-volatile memory

Номер патента: US9583205B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Thomas Parnell,Ioannis Koltsidas,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Determining threshold voltage distribution in flash memory

Номер патента: US8625369B1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu,Gregory Burd. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2014-01-07.

Combined hot tap pipe cutter and gate valve for plastic pipe

Номер патента: US5269340A. Автор: Gregory J. Drzewiecki. Владелец: Institute of Gas Technology. Дата публикации: 1993-12-14.

Flash memory having low threshold voltage distribution

Номер патента: US5978278A. Автор: Peter Wung Lee. Владелец: Aplus Integrated Circuits Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

Method to improve flash EEPROM cell write/erase threshold voltage closure

Номер патента: US5949717A. Автор: Jian-Hsing Lee,Kuo-Reay Peng,Ming-Chou Ho,Juang-Ker Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-09-07.

Fence and gate decorative cover

Номер патента: US11741858B2. Автор: Darline Riggs. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-29.

Fence and gate decorative cover

Номер патента: US20230196948A1. Автор: Darline Riggs. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-22.

Self-compensation of driving transistor threshold voltage using body effect

Номер патента: US20230317012A1. Автор: Gang Chen,Qianqian Wang,Min Hyuk Choi. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Fast bit erase for upper tail tightening of threshold voltage distributions

Номер патента: US11961566B2. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Threshold voltage detecting method

Номер патента: US11823599B2. Автор: Jing Xu,Wei Dou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Display device and method of sensing a threshold voltage

Номер патента: US20220406259A1. Автор: Joon-Chul Goh,Sangik Lee,Soo Yeon Lee,Kyeong Soo Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Goa circuit and display panel for reducing threshold voltage shift of transistor by pulling down signal during blank time of scan signal

Номер патента: US11837188B2. Автор: Xiaowen LV. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Systems and methods for adjusting threshold voltage distribution due to semi-circle SGD

Номер патента: US11776628B2. Автор: Xiang Yang,Parth AMIN,Kazuki ISOZUMI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Read retry threshold voltage selection

Номер патента: US20210027845A1. Автор: Fan Zhang,Haobo Wang,Chenrong Xiong,Meysam Asadi,Xuanxuan Lu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Threshold voltage offset bin selection based on die family in memory devices

Номер патента: US11791004B2. Автор: Bruce A. Liikanen,Michael Sheperek,Steve Kientz,Anita Ekren,Gerald Cadloni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Read threshold voltage selection

Номер патента: US20190325921A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Energy absorption soft-sided corner assembly for gate-opening sections and gates of dasher board assemblies

Номер патента: CA3150504A1. Автор: Roger NOSEWORTHY. Владелец: Sport Safe Systems Inc. Дата публикации: 2023-08-28.

Energy absorption soft-sided corner assembly for gate-opening sections and gates of dasher board assemblies

Номер патента: US20230272665A1. Автор: Roger NOSEWORTHY. Владелец: Sport Safe Systems Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Preread and read threshold voltage optimization

Номер патента: WO2021126885A1. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Seungjune Jeon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Display device and method for correcting signal voltage using determined threshold voltage shift

Номер патента: US9805660B2. Автор: Hiroshi Hayashi,Takahiro Kawashima. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device having memory cell pairs defining data based on threshold voltages

Номер патента: US10658031B2. Автор: Hirokazu NAGASE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Preread and read threshold voltage optimization

Номер патента: US11763896B2. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Preread and read threshold voltage optimization

Номер патента: US20230017981A1. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory cell programming that cancels threshold voltage drift

Номер патента: US11887665B2. Автор: Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Threshold voltage measurement device

Номер патента: US20130301343A1. Автор: Yi-Wei Lin,Wei-Chiang Shih,Ching-Te Chuang,Nan-Chun Lien,Shao-cheng WANG,Shyh-Jye Jou,Geng-Cing Lin,Ming-Chien Tsai,Kuen-Di Lee,Jyun-Kai Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-14.

Memory programming using consecutive coarse-fine programming operations of threshold voltage distributions

Номер патента: US20230360705A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Akira Goda,Huai-Yuan Tseng,James Fitzpatrick,Giovanni Maria Paolucci. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Spring-holder device for roller shutters and gates

Номер патента: EP1945900A1. Автор: Mario Gnaccarini. Владелец: Pastore SpA. Дата публикации: 2008-07-23.

Generating patterns for memory threshold voltage difference

Номер патента: US11978513B2. Автор: Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Techniques for threshold voltage scans

Номер патента: US20240029800A1. Автор: Ciro Feliciano,Aniello Palomba,Antonio Imperiale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Electric field to reduce select gate threshold voltage shift

Номер патента: EP3619710A1. Автор: Yingda Dong,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-03-11.

Electric field to reduce select gate threshold voltage shift

Номер патента: WO2019022811A1. Автор: Yingda Dong,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-01-31.

Memory sub-system threshold voltage modification operations

Номер патента: US20230395176A1. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Threshold voltage analysis

Номер патента: US20150340086A1. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

Single-ended semiconductor receiver with built in threshold voltage difference

Номер патента: US20010000953A1. Автор: Claude Bertin,William Tonti,Russell Houghton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-05-10.

Die by die trimming of drain-side select gate threshold voltage to reduce cumulative read disturb

Номер патента: US20230410912A1. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Preread and read threshold voltage optimization

Номер патента: US20210183454A1. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Shift register unit and threshold voltage compensation method thereof, driving circuit and display apparatus

Номер патента: US20210035517A1. Автор: Wei Feng,Xingyi LIU,Yongxian XIE,Jideng ZHOU,Yanchun LU. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Reducing widening of threshold voltage distributions in a memory device due to temperature change

Номер патента: WO2019221790A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-11-21.

Water-Ballasted Protection Barrier Array and Fencing and Gate Assemblies for Use with the Same

Номер патента: US20180223561A1. Автор: Shane D. Howell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-09.

Threshold voltage compensation in a memory

Номер патента: US20150243351A1. Автор: Vishal Sarin,Theodore T. Pekny,Violante Moschiano,Tommaso Vali,William Henry Radke,Giovanni Naso. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-27.

Adaptive read threshold voltage tracking with gap estimation between adjacent read threshold voltages

Номер патента: US20190122726A1. Автор: Erich F. Haratsch,Sundararajan Sankaranarayanan. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-04-25.

Threshold Voltage Digitizer for Array of Programmable Threshold Transistors

Номер патента: US20120176846A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Threshold voltage compensation in a memory

Номер патента: EP2748821A1. Автор: Vishal Sarin,Theodore T. Pekny,Violante Moschiano,Tommaso Vali,William Henry Radke,Giovanni Naso. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-02.

Threshold voltage compensation in a memory

Номер патента: WO2013032928A1. Автор: Vishal Sarin,Theodore T. Pekny,Violante Moschiano,Tommaso Vali,William Henry Radke,Giovanni Naso. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Self-recovering erase scheme for flash memory

Номер патента: WO1995005664A1. Автор: Sam S. D. Chu,Calvin V. Ho. Владелец: Catalyst Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 1995-02-23.

Threshold voltage analysis

Номер патента: US20160358647A1. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Threshold voltage analysis

Номер патента: EP3146348A1. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-29.

Threshold voltage analysis

Номер патента: WO2015179340A1. Автор: Violante Moschiano,William C. Filipiak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-11-26.

High speed method of measuring the threshold voltage and surface doping

Номер патента: EP1345032B1. Автор: William H. Howland. Владелец: Solid State Measurements Inc. Дата публикации: 2010-10-13.

Cascode circuits in dual threshold voltage, bicmos and dtmos technologies

Номер патента: EP1264348A2. Автор: Surinder P. Singh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-12-11.

Method for resetting threshold voltage of non-volatile memory

Номер патента: US20070211539A1. Автор: Chih-Kai Kang,Hann-Ping Hwang,Chih-Ming Chao,Shi-Hsien Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Method of controlling threshold voltage of NROM cell

Номер патента: US20050190596A1. Автор: Chao Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Sense Amplifier Circuitry and Threshold Voltage Compensation

Номер патента: US20240290376A1. Автор: Yuan He,Shinichi Miyatake,Hiroki Fujisawa,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: US20210287744A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: EP4059019A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: WO2021096685A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-05-20.

Modified adder tree structure and method using logic and gates to generate carry-in values

Номер патента: US6127842A. Автор: Stephen C. Purcell,Parin B. Dalal,Nital Patwa,Steve Hale. Владелец: ATI International SRL. Дата публикации: 2000-10-03.

Joint pruning and quantization scheme for deep neural networks

Номер патента: US12131258B2. Автор: YING Wang,Jilei Hou,Yadong Lu,Tijmen Pieter Frederik BLANKEVOORT,Christos LOUIZOS,Matthias REISSER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Threshold voltage detection circuit for OLED display device

Номер патента: US09947271B2. Автор: Zhenling Wang,Taijiun HWANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Inferring threshold voltage distributions associated with memory cells via interpolation

Номер патента: US09779828B2. Автор: William H. Radke,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Threshold voltage margin analysis

Номер патента: US09728278B2. Автор: Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Abolfazl Rashwand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Organic light-emitting display device to compensate pixel threshold voltage

Номер патента: US09672772B2. Автор: Ui Taek JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory cell architecture utilizing a transistor having a dual access gate

Номер патента: US5912840A. Автор: Fernando Gonzalez,David Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Message processing system having separate message receiving and transmitting processors with message processing being distributed between the separate processors

Номер патента: US5195181A. Автор: Stewart F. Bryant,Michael J. Seaman. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1993-03-16.

Dual-threshold-voltage two-port sub-threshold SRAM cell apparatus

Номер патента: US20100172194A1. Автор: Wei Hwang,Mu-Tien Chang,Po-Tsang Huang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2010-07-08.

Sensing scheme for flash memory with multilevel cells

Номер патента: US5828616A. Автор: Albert Fazio,Mark E. Bauer,Sanjay Talreja,Gregory Atwood,Johnny Javanifard,Kevin W. Frary. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1998-10-27.

Dynamic and adaptive optimization of read compare levels based on memory cell threshold voltage distribution

Номер патента: US20110194348A1. Автор: Nima Mokhlesi,Henry Chin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2011-08-11.

Extra dummy erase pulses after shallow erase-verify to avoid sensing deep erased threshold voltage

Номер патента: US8130551B2. Автор: Ken Oowada,Yingda Dong,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-03-06.

Memory controller, memory system with improved threshold voltage distribution characteristics, and operation method

Номер патента: US11894079B2. Автор: Jinkyu Kang,Jaeduk LEE,Sejun Park,Hyeji Lee,Raeyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

State look ahead quick pass write algorithm to tighten ongoing natural threshold voltage of upcoming states for program time reduction

Номер патента: US20230402110A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Electronic devices having displays with compensation for oxide transistor threshold voltage

Номер патента: EP3686875A1. Автор: Timothy Johnson,Michael Lim,David Doyle,Paolo Sacchetto,Weijun Yao,Jiayi Jin,Kyung Hoae Koo,Yue Jack Chu,Maofeng Yang,Venkatesh Rajendran. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-07-29.

Method for compacting the erased threshold voltage distribution of flash memory devices during writing operations

Номер патента: US20080049521A1. Автор: Rino Micheloni,Luca Crippa,Federico Pio,Roberto Ravasio. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor memory devices with differential threshold voltages

Номер патента: US11978509B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Threshold voltage based on program/erase cycles

Номер патента: US11776629B2. Автор: Mark A. Helm,Gil Golov,Kishore K. Muchherla,Akira Goda,Giuseppina Puzzilli,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil, Jr.,Todd A. Marquart,Jeremy Binfet,Carmine Miccoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

State look ahead quick pass write algorithm to tighten ongoing natural threshold voltage of upcoming states for program time reduction

Номер патента: US11972817B2. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Threshold voltage detection method, detection device, and display device

Номер патента: US20240044950A1. Автор: Wei Dou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Bit line accumulation readout scheme for an analog in-memory computation processing circuit

Номер патента: US20240177769A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-05-30.

Pixel circuit having threshold voltage compensation and method for driving the same

Номер патента: US9355597B2. Автор: FEI Yang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Memory device with improved threshold voltage distribution and operating method thereof

Номер патента: US20240161842A1. Автор: Changhwan Shin,Woojae Jang,Sejun Park,Joonam KIM,Hyeji Lee,Kangin SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Dual threshold voltage sram cell with bit line leakage control

Номер патента: WO2000052702A1. Автор: Kevin Zhang,Vivek De,Yibin Ye,Ali Keshavarzi. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2000-09-08.

Circuit to compensate threshold voltage variation due to process variation

Номер патента: US20080116962A1. Автор: Edward J. Nowak,William F. Clark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: US20170125087A1. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: WO2017074575A1. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Verification of an excessively high threshold voltage in a memory device

Номер патента: US20200395089A1. Автор: Sang-Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Differential Threshold Voltage Non-Volatile Memory and Related Methods

Номер патента: US20110261635A1. Автор: Lawrence T. Clark,David R. Allee,Sameer M. Venugopal. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2011-10-27.

Calibration of threshold voltage shift values

Номер патента: US12087379B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Timothy J. Fisher,Nikolas Ioannou,Roman Alexander Pletka,Radu Ioan Stoica,Aaron Daniel Fry. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Data storage device compensating for initial threshold voltage distribution shift, method of operating the same, and data processing system including the same

Номер патента: US09875044B2. Автор: Jun Jin Kong,Hong Rak Son,Dong Hwan Lee,Chang Kyu Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of characterizing and modeling leakage statistics and threshold voltage for ensemble devices

Номер патента: US09791497B2. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: US09711211B2. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Organic light-emitting display device to compensate pixel threshold voltage

Номер патента: US09548020B2. Автор: Jin Hyoung Kim,Seung Tae Kim,Kyoung Sik Choi,Ui Jeong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Organic light emitting display with threshold voltage compensation and method for driving the same

Номер патента: US09478197B2. Автор: Sangho Yu,MunJun Lee,Yirang LIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Microprocessor having separate instruction and data interfaces

Номер патента: CA1283221C. Автор: Howard Gene Sachs,Walter H. Hollingsworth,James Y. Cho. Владелец: Intergraph Corp. Дата публикации: 1991-04-16.

Semiconductor nonvolatile memory apparatus including threshold voltage shift circuitry

Номер патента: US5331597A. Автор: Sumio Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-19.

Circuit and method for sensing memory cell having multiple threshold voltages

Номер патента: US6069830A. Автор: Seok-Ho Seo. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Improvements in Bolts for Doors and Gates.

Номер патента: GB191310515A. Автор: Richard Cobden Cooper. Владелец: Individual. Дата публикации: 1913-12-11.

Method and apparatus for attaching pin fittings to slide fastener having separable end stop

Номер патента: CA1203367A. Автор: Koichi Kawakami. Владелец: Yoshida Kogyo KK. Дата публикации: 1986-04-22.

ASIC low power activity detector to change threshold voltage

Номер патента: US6097241A. Автор: Claude L. Bertin,Wilbur D. Pricer,Kenneth J. Goodnow,William R. Tonti,Alvar A. Dean. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-08-01.

Systems and methods for stabilizing cell threshold voltage

Номер патента: US11830548B2. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Image Data Compensation Based on Predicted Changes in Threshold Voltage of Pixel Transistors

Номер патента: US20200388215A1. Автор: XIN Lin,Baris CAGDASER,Alex H. Pai,Yun Wang,Hyunsoo Kim,Yongjun Li,Chaohao WANG,Hyunwoo Nho,Majid Gharghi,Jiun-Jye Chang,Junhua Tan,Derek K. Shaeffer,Wei H. Yao,Ching-Sang Chuang,Mohammad Reza Esmaeili Rad,Hsin-Ying Chiu,Hei Kam,Shihchang Chang,Aida Raquel Colon-Berrios. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Adaptive calibration for threshold voltage offset bins

Номер патента: US20230395170A1. Автор: Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Efficient reprogramming method for tightening a threshold voltage distribution in a memory device

Номер патента: US20150325297A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-11-12.

Nonvolatile memory device, with valley search for threshold voltage, memory controller, and reading method of storage device including the same

Номер патента: US11868647B2. Автор: Jinyoung Kim,Ilhan Park,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Threshold voltage variation compensation in integrated circuits

Номер патента: US20230326493A1. Автор: Shang-Chi Yang,Hui-Yao Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory device having memory cells with floating gates and memory cell threshold voltage control method

Номер патента: US20050174843A1. Автор: Takuya Fujimoto,Yoshiaki Hashiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-11.

Threshold voltage margin analysis

Номер патента: US20170301408A1. Автор: Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Abolfazl Rashwand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Multi-tier threshold voltage offset bin calibration

Номер патента: US11783901B2. Автор: Xiangang Luo,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Jiangang WU,Karl D. Schuh,Mustafa N. Kaynak,Devin M. Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

System and method for micromechanical logical and gate

Номер патента: US20220382316A1. Автор: Robert Matthew Panas,Frederick SUN. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Temperature dependent sensing scheme to counteract cross-temperature threshold voltage distribution widening

Номер патента: WO2016043959A1. Автор: Biswajit Ray,Changyuan Chen,Abuzer DOGAN. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-03-24.

Threshold voltage variation compensation in integrated circuits

Номер патента: US11942179B2. Автор: Shang-Chi Yang,Hui-Yao Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Frying Basket Assembly Having Separated Handle, and Air Fryer

Номер патента: US20230276987A1. Автор: Yichi ZHANG,Rongjie BAI,Huayuan PAN,Chengzhou Huang. Владелец: Ningbo Careline Electric Appliance Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Measuring threshold voltage of transistors in a circuit

Номер патента: US20080204156A1. Автор: Atul Maheshwari,Greg Taylor. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

Structure, design structure and process for increasing magnitude of device threshold voltage for low power applications

Номер патента: US20120084741A1. Автор: Wagdi W. Abadeer,Lilian Kamal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Method of forming a layout including cells having different threshold voltages, a system of implementing and a layout formed

Номер патента: US20140165020A1. Автор: Chung-Hsing Wang,Yen-Pin Chen,Yuan-Te Hou,King-Ho Tam,Zhe-Wei Jiang,Sung-Yen YEH,Yeh-Chi CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Modular mobile point of sale device having separable units for configurable data processing

Номер патента: AU2018395259B2. Автор: Satish Narayan Govindarajan,Anantharaj Uruthiralingam,Carlos Manuel Rivas,Guhan Senguttuvan. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Pot Call Having Separate Sound Chambers

Номер патента: US20210368778A1. Автор: Joseph Louis Mirocha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-02.

Clock having separation of means of energy transmission and counting means

Номер патента: RU2586056C1. Автор: Тьерри КОНУС,Жан-Люк ХЕЛФЕР,Паскаль ВИНКЛЕР. Владелец: Эта Са Мануфактюр Орложэр Сюис. Дата публикации: 2016-06-10.

Method for fish attracting into inlet head of fish passing and spawning channel and fish passing and spawning channel

Номер патента: RU2269621C1. Автор: Александр Михайлович Анохин,Виктор Николаевич Шкура,Александр Анатольевич Чистяков,Владимир Петрович Боровской,ков Александр Анатольевич Чист,йнов Алексей Владимирович Гор,Алексей Владимирович Горяйнов. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новочеркасская государственная мелиоративная академия" ФГОУ ВПО (НГМА). Дата публикации: 2006-02-10.

Touch sensitive device using threshold voltage signal

Номер патента: WO2011060114A3. Автор: Brock A. Hable,Billy L. Weaver. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2011-10-13.

Defining fields for presented files and extensible markup language scheme for bibliography and citation

Номер патента: RU2422889C2. Автор: Дженнифер П. МИХЕЛЬШТЕЙН,Джо К. ЯП,Эдисон НИКА. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2011-06-27.

Adaptive threshold voltage for frequency input modules

Номер патента: US8981756B2. Автор: Joseph G. Vazach. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Semiconductor memory device and method of controlling a threshold voltage of the same

Номер патента: US6157571A. Автор: Koji Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-05.

Sub-threshold voltage leakage current tracking

Номер патента: EP3769308A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Method of characterizing and modeling leakage statistics and threshold voltage for ensemble devices

Номер патента: US20180259569A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of characterizing and modeling leakage statistics and threshold voltage for ensemble devices

Номер патента: US20170328948A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Memory controller, memory device and memory system having improved threshold voltage distribution characteristics and related operating methods

Номер патента: US11854623B2. Автор: Dongkyo Shim,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Sub-threshold voltage leakage current tracking

Номер патента: US20200227094A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Modular mobile point of sale device having separable units for configurable data processing

Номер патента: US20210248857A1. Автор: Satish Narayan Govindarajan,Anantharaj Uruthiralingam,Carlos Manuel Rivas,Guhan Senguttuvan. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor memory device comprising controllable threshold voltage dummy memory cells

Номер патента: US20080055983A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Hideaki Kurata,Satoshi Noda,Masahiro Shimizu,Kenji Kozakai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

System approach to reduce stable threshold voltage (vt) read disturb degradation

Номер патента: US20200118637A1. Автор: Shankar Natarajan,Yihua Zhang,Sriram Natarajan,Rohit S. Shenoy,Hinesh K. SHAH,Arun Sitaram ATHREYA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Programming to minimize cross-temperature threshold voltage widening

Номер патента: US20210050054A1. Автор: Peter Rabkin,Biswajit Ray,Changyuan Chen,Gerrit Jan Hemink,Mohan DUNGA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-18.

Temperature compensation in an analog memory array by changing a threshold voltage of a selected memory cell in the array

Номер патента: US20210090654A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Threshold voltage expansion

Номер патента: US20160049209A1. Автор: Sanjay Rangan,Prashant S. Damle,Kiran Pangal,Dany-Sebastien LY-GAGNON,Hanmant P. Belgal,Abhinav PANDEY,Arjun KRIPANIDHI,Sebastian T. Uribe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Threshold voltage expansion

Номер патента: EP3180789A1. Автор: Sanjay Rangan,Prashant S. Damle,Kiran Pangal,Dany-Sebastien LY-GAGNON,Hanmant P. Belgal,Abhinav PANDEY,Arjun KRIPANIDHI,Sebastian T. Uribe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-21.

Calibration of threshold voltage shift values

Номер патента: US20240071542A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Timothy J. Fisher,Nikolas Ioannou,Roman Alexander Pletka,Radu Ioan Stoica,Aaron Daniel Fry. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Modular mobile point of sale device having separable units for configurable data processing

Номер патента: EP3732641A1. Автор: Satish Narayan Govindarajan,Anantharaj Uruthiralingam,Carlos Manuel Rivas,Guhan Senguttuvan. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Modular mobile point of sale device having separable units for configurable data processing

Номер патента: AU2018395259A1. Автор: Satish Narayan Govindarajan,Anantharaj Uruthiralingam,Carlos Manuel Rivas,Guhan Senguttuvan. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Scheme for refreshing connection with network printing device for clients of printer device

Номер патента: RU2357283C2. Автор: Стивен КАЙРЕЛИ,Майкл П. ФЕНЕЛОН,Тейли РОТ,Стивен КАЙРЕЛИ (US),Майкл П. ФЕНЕЛОН (US),Тейли РОТ (US). Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2009-05-27.

Downhole tool having axial channel and opening/closing side channel for fluid medium

Номер патента: RU2722610C2. Автор: Уилльям Александер БЕВЕРИДЖ. Владелец: Зенит Ойлфилд Текнолоджи Лимитед. Дата публикации: 2020-06-02.

Method for fish passage via fish pass channel and fish pass

Номер патента: RU2274706C1. Автор: Виктор Николаевич Шкура,Александр Анатольевич Чистяков,ков Александр Анатольевич Чист. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новочеркасская государственная мелиоративная академия" ФГОУ ВПО (НГМА)". Дата публикации: 2006-04-20.

Method for kinetic flow energy dissipation in fish passing and hatchery channel and fish passing and hatchery channel

Номер патента: RU2274702C1. Автор: Виктор Николаевич Шкура,Александр Анатольевич Чистяков,ков Александр Анатольевич Чист,Сергей Иванович Алымов. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новочеркасская государственная мелиоративная академия" ФГОУ ВПО НГМА. Дата публикации: 2006-04-20.

Method for forming spatial configurations of laser sources in schemes for direct irradiation of spherical targets at installations for laser thermonuclear synthesis

Номер патента: RU2749835C1. Автор: Сергей Викторович Бондаренко,Людмила Владимировна Солнышкова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2021-06-17.

Channel and immersion tube for sensor array

Номер патента: RU2752852C2. Автор: Сьюзи Мари МАРКУЧЧО,Клинт Адам БРАУН,Пол Грегори ДЖЕЙМС. Владелец: Халлибертон Энерджи Сервисез, Инк.. Дата публикации: 2021-08-11.

Device for arrangement of ventilation channel and input grid of device for arrangement of ventilation channel

Номер патента: RU2728398C1. Автор: Дмитрий Александрович Трубицын,Роман Николаевич Смирнов. Владелец: Акционерное общество "Тион Умный микроклимат". Дата публикации: 2020-07-29.

Absorbing products with channels and indicating elements

Номер патента: RU2636366C2. Автор: Рэйчел Иден ВАЛЬТЕР,Энн Сесилия ТАПП,Сара Энн СЭНБОРН,Теодор Кори ФИТЕС,Джон Андреу СТРАСЕМЕИЕР. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2017-11-22.

Absorbing products with channels and signs

Номер патента: RU2635070C2. Автор: Бланка АРИЗТИ,Родриго РОЗАТИ,Дональд Кэрролл РОЕ,Даррелл Ян БРАУН,Ханс Адольф ДЖАКЕЛС,Сара Энн СЭНБОРН,Теодор Кори ФИТЕС,Карстен Генрих КРЕЮЗЕР,Эрнесто БЬЯНКИ. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2017-11-08.

Instruction and logical scheme for sorting and loading of save instructions

Номер патента: RU2663362C1. Автор: Андрей Ефимов,Андрей Клучников,Антон Леченко,Сергей И ШИШЛОВ,Камиль ГАРИФУЛЛИН,Игорь БУРОВЕНКО,Борис А БАБАЯН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-08-03.

Connector and method for connection of auxiliary through channels and electric busbars

Номер патента: RU2401932C2. Автор: Ашес ПАРТУШ,Кент Д. ХАРМС,Фредерик ЛАТРИЙ,Джон Мл. КЭМПБЕЛЛ,Томас В. ПАЛМЕР,Ашес ПАРТУШ (US),Кент Д. ХАРМС (US),Фредерик ЛАТРИЙ (US),Джон Мл. КЭМПБЕЛЛ (US),Томас В. ПАЛМЕР (US). Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Бв. Дата публикации: 2010-10-20.

Improved bladder injection scheme for administration of botulinum toxins

Номер патента: RU2741966C2. Автор: Нэнси АЛЬВАНДИ,Кристофер А. ДАДАС,Манер А. ДЖОШИ. Владелец: Аллерган, Инк.. Дата публикации: 2021-02-01.

Caching scheme for real-time delivery of optimal vehicle data

Номер патента: US20240202759A1. Автор: Alexey PLOKHIKH,Inesa PLOKHIKH,Jared NEVES. Владелец: Runmylease Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Drainage channel and grate assembly

Номер патента: US20220145607A1. Автор: Luke Nigel Nattrass,David Michael McDonald. Владелец: REIN Pty Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Channels and lenses for linear lighting

Номер патента: CA3178236A1. Автор: Raymond G. Bryan,Robert Green,David Greenspan,Travis IRONS,Matthew John,Adam L. Pruitt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-16.

Channels and lenses for linear lighting

Номер патента: EP4165339A1. Автор: Raymond G. Bryan,Robert Green,David Greenspan,Travis IRONS,Matthew John,Adam L. Pruitt. Владелец: Elemental LED Inc. Дата публикации: 2023-04-19.

A novel compound integration dual-core optical fiber with optical waveguide wrapping microfluidic channel and preparation

Номер патента: AU2020100691A4. Автор: Xiaotong Zhang,Libo Yuan,Tingting YUAN. Владелец: Guilin University of Electronic Technology. Дата публикации: 2020-06-25.

Scalable, high-performance, global interconnect scheme for multi-threaded, multiprocessing system-on-a-chip network processor unit

Номер патента: WO2006057847A1. Автор: Sridhar Lakshmanamurthy,Mark Rosenbluth,Matthew Adiletta,Bijoy Bose,Jeen-Yuan Minn. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-06-01.

Linear drain system including drain channel and support bracket assembly

Номер патента: US20190211541A1. Автор: Jonathan Brill,Alan Trink,Bhasnarine Ramkarran. Владелец: Infinity Drain Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Scheme for use in testing software for computer entertainment systems

Номер патента: WO2007047057A3. Автор: Jie Xu. Владелец: Sony Comp Entertainment Us. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US20080304331A1. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US7613962B2. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-11-03.

Mink-related genes, formation of potassium channels and association with cardiac arrhythmia

Номер патента: AU4240900A. Автор: Igor Splawski,Mark T. Keating,Geoffrey W. Abbott,Federico Sesti,Steve A. N. Goldstein. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2000-11-02.

MinK-RELATED GENES, FORMATION OF POTASSIUM CHANNELS AND ASSOCIATION WITH CARDIAC ARRHYTHMIA

Номер патента: EP1175513B1. Автор: Igor Splawski,Mark T. Keating,Geoffrey W. Abbott,Federico Sesti,Steve A. N. Goldstein. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2009-12-23.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

River-going transport trimaran (versions), method of optimization of cruising modes of "river-sea" trimaran, methods of loading, transportation and unloading of cargoes for "river-sea" trimaran, method of passage of "river-sea" transport trimaran through locks, channels and narrow farways

Номер патента: RU2237592C2. Автор: Г.Ю. Халидов,У.Г. Халидов. Владелец: Халидов Уллубий Гамидович. Дата публикации: 2004-10-10.

Choke and gate valve

Номер патента: RU2259465C1. Автор: В.А. Челбин,В.А. Чёлбин (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество "Нефтемашвнедрение". Дата публикации: 2005-08-27.

Panel for roofs, walls, facades and gates

Номер патента: CA142547S. Автор: . Владелец: Poliuretanos S W SA de CV. Дата публикации: 2012-12-27.

Panel for roofs, walls, facades and gates

Номер патента: CA148686S. Автор: . Владелец: Poliuretanos S W SA de CV. Дата публикации: 2012-12-27.

Wicket and gate hinged joint

Номер патента: RU2572175C1. Автор: Александр Вячеславович Ваганов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Дефенс-Рус". Дата публикации: 2015-12-27.

Improvements in Hinges for Doors and Gates.

Номер патента: GB190611468A. Автор: John Charles Rouse,Harry Rudder. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-08-30.

Certain Improvements in Door and Gate Locks and Latches.

Номер патента: GB189804183A. Автор: Andrew Cashin. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-01-07.

BIPOLAR TRANSISTOR HAVING SELF-ADJUSTED EMITTER CONTACT

Номер патента: US20120001192A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Optical and gate for continuous sets

Номер патента: RU2419128C2. Автор: Сергей Викторович Соколов,Михаил Александрович Аллес,Виктор Михайлович Курейчик,Сергей Михайлович Ковалев,Владимир Викторович Курейчик,Сергей Викторович Соколов (RU),Михаил Александрович Аллес (RU),Сергей Михайлович Ковалев (RU),Виктор Михайлович Курейчик (RU),Владимир Викторович Курейчик (RU). Владелец: ГОУ ВПО Ростовский государственный университет путей сообщения (РГУПС). Дата публикации: 2011-05-20.

Improvements in the Means for Automatically Closing Vestibule and other Doors and Gates, and in Attachments therefor.

Номер патента: GB189706843A. Автор: Thomas Little. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-04-17.

Improvements in and in the Manufacture of Bolts for Doors and Gates.

Номер патента: GB190405851A. Автор: John Tipper. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-01-12.

Self-acting Opening and Closing Door and Gate Apparatus.

Номер патента: GB190100876A. Автор: Frederick Stead. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-01-14.

Improvements in Hinges for Doors and Gates

Номер патента: GB190524787A. Автор: John Charles Rouse,Harry Rudder. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-08-23.

Latch for doors and gates

Номер патента: CA108097S. Автор: . Владелец: D&D Group Pty Ltd. Дата публикации: 2006-01-27.

Improvements in Locks and Latches for Doors and Gates.

Номер патента: GB190103014A. Автор: David Waine. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-12-21.

Improvements in Door and Gate Fastenings.

Номер патента: GB189708817A. Автор: George Baldry. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-04-02.

Microprocessor having separate instruction and data interfaces

Номер патента: CA1283222C. Автор: Howard Gene Sachs,Walter H. Hollingsworth,James Y. Cho. Владелец: Intergraph Corp. Дата публикации: 1991-04-16.

Improved Means for Operating and Fastening Sliding Window Sashes, Doors, and Gates.

Номер патента: GB189730122A. Автор: George Richard Hill. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-04-30.

Universal Control Scheme For Mobile Hydraulic Equipment And Method For Achieving The Same

Номер патента: US20120000192A1. Автор: Ramun John R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for overvoltage protection of electronic circuits of bottomhole telemetric system with wireless communication channel and turbogenerator and device for its realisation

Номер патента: RU2383730C1. Автор: Василий Прокопьевич Чупров,Рамиль Анварович Шайхутдинов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "ВНИИГИС - Забойные телеметрические комплексы" (ООО НПФ "ВНИИГИС - ЗТК"). Дата публикации: 2010-03-10.

Header scheme for wireless signal

Номер патента: RU2461148C2. Автор: Аамод КХАНДЕКАР,Алексей ГОРОХОВ,Нага БХУШАН,Рави ПАЛАНКИ,Авниш АГРАВАЛ,Ашвин САМПАТХ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-09-10.

Method for group processing of channels in intraareal correspondents of basic station of radio telephone network with code division of channels and device for its realisation

Номер патента: RU2463736C2. Автор: Алексей Александрович Галицын. Владелец: Алексей Александрович Галицын. Дата публикации: 2012-10-10.

Method for guaranteed transmission of information over a communication channel and system for its implementation

Номер патента: RU2577484C1. Автор: Ольга Александровна Бистерфельд. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2016-03-20.

Combustion method of cavitation carbon-water fuel from oil coke in inert material fluidised bed furnace, and scheme for its implementation

Номер патента: RU2534652C1. Автор: Феликс Анатольевич Серант,Алексей Иванович Цепенок,Арсений Робертович Квривишвили,Евгений Георгиевич Карпов,Игорь Васильевич Листратов. Владелец: Закрытое акционерное общество "ЗиО-КОТЭС". Дата публикации: 2014-12-10.

Method for wireless transfer of information via multi-beam channel and system for realization of said method

Номер патента: RU2293438C1. Автор: Александр Сергеевич Дмитриев,Андрей Владимирович Клецов,Юрий Вениаминович Андреев,Максим Валерьевич Коротеев. Владелец: Александр Сергеевич Дмитриев. Дата публикации: 2007-02-10.

Method for signal transmission-reception in radio communication system with n transmission channels and m reception channels

Номер патента: RU2381628C2. Автор: Джонг-Хо Ли,Александр Васильевич Гармонов,Галина Семеновна Кравцова,Олег Викторович Беспалов,Сунг Су ХВАНГ,Кванг Юнг ДЖЕОНГ. Владелец: Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд.". Дата публикации: 2010-02-10.

Method of percussion control of several step motors with the help of personal computer via usb channel and device for its implementation

Номер патента: RU2704486C1. Автор: Сергей Михайлович Иванов,Алексей Васильевич Разумов,Александр Федорович Сонин,Алексей Игоревич Иванов. Владелец: Акционерное общество "Корпорация "Московский институт теплотехники" (АО "Корпорация "МИТ"). Дата публикации: 2019-10-29.

Protocol for controlling radio-channel and/or controlling access to transfer environment

Номер патента: RU2285350C2. Автор: Бенуа СЕБИР,Гийом СЕБИР,Райно ЛИНТУЛАМПИ. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2006-10-10.

Method for guaranteed transmission of information over communication channel and system therefor

Номер патента: RU2595556C1. Автор: Александр Николаевич Пресняков,Юрий Александрович Новиков,Виталий Иванович Везенов,Николай Александрович Лукашов,Алексей Владимирович Погасий,Сергей Владимирович Филаткин. Владелец: Акционерное общество "Ракетно-космический центр "Прогресс" (АО "РКЦ "Прогресс"). Дата публикации: 2016-08-27.

Method of protecting computer equipment from leakage of information through compromising emanation channel and noise pickup

Номер патента: RU2479022C1. Автор: Владимир Иванович Маслов,Дмитрий Викторович Долниковский. Владелец: федеральное автономное учреждение "Государственный научно-исследовательский испытательный институт проблем технической защиты информации Федеральной службы по техническому и экспортному контролю". Дата публикации: 2013-04-10.

Process scheme for producing ammonium or potassium trichloroammine platinate (ii) from platinum

Номер патента: RU2409520C2. Автор: Александр Константинович Старков,Галина Анатольевна Кожуховская. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт химии и химической технологии СО РАН (ИХХТ СО РАН). Дата публикации: 2011-01-20.

Method for obtaining magnesium and chlorine with electrolysis of molten salts, and process scheme for its implementation

Номер патента: RU2476625C1. Автор: Владимир Александрович Сергеев,Николай Александрович Шундиков,Виктор Иванович Трифонов,Татьяна Васильевна Бояршинова,Валерий Владимирович Тетерин,Сергей Михайлович Елин,Владимир Иванович Бухаринов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Корпорация Всмпо-Ависма". Дата публикации: 2013-02-27.

Control joint for water-tight channel and water pool lining

Номер патента: RU2278202C1. Автор: Анатолий Георгиевич Алимов. Владелец: Государственное научное учреждение Поволжский научно-исследовательский институт эколого-мелиоративных технологий Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2006-06-20.

Linear stepped electromagnetic motor with axial channel and pull-though device with engagement with washers

Номер патента: RU2488212C1. Автор: Константин Михайлович Усанов,Виталий Александрович Каргин,Андрей Валерьевич Волгин,Алексей Петрович Моисеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный аграрный университет имени Н.И. Вавилова". Дата публикации: 2013-07-20.

Laser fragmentation of micro- and nanoparticles in flow channels and device to this end

Номер патента: RU2569277C2. Автор: Георгий Айратович Шафеев,Антон Алексеевич Серков,Екатерина Владимировна Бармина,Петр Геннадьевич Кузьмин,Александр Владимирович Симакин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Энергомаштехника" (ООО "ЭМТ"). Дата публикации: 2015-11-20.

Method of switching n×n optical channels and multichannel switch

Номер патента: RU2456652C2. Автор: Игорь Николаевич Компанец,Сергей Игоревич Компанец,Татьяна Александровна Неевина. Владелец: Игорь Николаевич Компанец. Дата публикации: 2012-07-20.

Control joint for watertight channel and water pool liners

Номер патента: RU2281360C1. Автор: Анатолий Георгиевич Алимов. Владелец: Государственное научное учреждение Поволжский научно-исследовательский институт эколого-мелиоративных технологий Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2006-08-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.