Metal casing for semiconductor device having high thermal conductivity and thermal expansion coefficient similar to that of semiconductor and method for manufacturing the same
Номер патента: EP0645804B1
Опубликовано: 23-04-2003
Автор(ы): Junzoh C/O Itami Works Of Sumitomo Matsumura, Masanori C/O Itami Works Of Sumitomo Tsujioka
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-04-2003
Автор(ы): Junzoh C/O Itami Works Of Sumitomo Matsumura, Masanori C/O Itami Works Of Sumitomo Tsujioka
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Low surface roughness thermal interface device based on graphite with branched siloxane having high through-plane thermal conductivity
Номер патента: US20230182453A1. Автор: Chenmin Liu,Jinliang Zhao,Yijun LIAO,ChiHo KWOK. Владелец: Nano and Advanced Materials Institute Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.