Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • METHOD OF MANUFACTURING TOP-GATE THIN FILM TRANSISTOR AND TOP-GATE THIN FILM TRANSISTOR THEREOF

METHOD OF MANUFACTURING TOP-GATE THIN FILM TRANSISTOR AND TOP-GATE THIN FILM TRANSISTOR THEREOF

Номер патента: US20180130826A1
Опубликовано: 10-05-2018
Автор(ы): Zhang Hejing
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Thin film transistor structure, array substrate and method for manufacturing a thin film transistor structure

Номер патента: US20200066901A1. Автор: Liangchen YAN,Dongfang Wang,Zhanfeng CAO,Jingang Fang,Ce ZHAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Array substrate, method of manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20230411528A1. Автор: Liang Hu,Bin Liu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Thin film transistor having germanium thin film and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US09704891B2. Автор: Yanzhao Li,Yong Qiao,Long Wang,Yongchun Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US20160197274A1. Автор: Yanzhao Li,Yong Qiao,Long Wang,Yongchun Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Thin film transistor, thin film transistor array, and thin film transistor production method

Номер патента: EP4181214A1. Автор: Noriaki Ikeda. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Thin film transistor, method of manufacturing the same, and display device having thin film transistor

Номер патента: US8964141B2. Автор: Ji-Yong Park,Kyung-Min Park,Jin-Suk Park,Sung-In Ro,Seong-Yeun Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE, ARRAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING A THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20210050442A9. Автор: CAO Zhanfeng,WANG Dongfang,YAN Liangchen,ZHAO Ce,DING Luke,FANG Jingang. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE, ARRAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING A THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20200066901A1. Автор: CAO Zhanfeng,WANG Dongfang,YAN Liangchen,ZHAO Ce,DING Luke,FANG Jingang. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09748276B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09647141B2. Автор: Tao Jiang,Botao SONG,Binbin CAO,Ling Han,Chengshao Yang,Junhao HAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of manufacturing a thin film transistor and a pixel structure

Номер патента: US09543330B1. Автор: Der-Chun Wu,Shin-Chuan Chiang,Yu-Hsien Chen,Yi-Hsien Lin,Po-Lung Chen,Cheng-Jung Yang,Kuo-Hsing Tseng. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09461066B2. Автор: Mian Zeng,Jaikwang Kim,Zhizhong TU,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Thin film transistor, array substrate and method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US09391097B2. Автор: Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Preparation method of oxide thin-film transistor

Номер патента: US09812472B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Thin-film transistor structure and manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20190267409A1. Автор: WEI YANG,YU Wen,Ke Wang,Hehe HU,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, array substrate and display panel

Номер патента: US20240297255A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Thin film transistor, display device having thin film transistor, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100279475A1. Автор: Satoshi Kobayashi,Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki,Yasuhiro Jinbo,Daisuke Kawae. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

The production method and thin film transistor (TFT) and display device of a kind of thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN110098126A. Автор: 高鹏,唐辉,曾柯,王帅毅,李向峰. Владелец: Chengdu CEC Panda Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-06.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US9773813B2. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US20160141311A1. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Manufacturing method of thin film transistor array panel and thin film transistor array panel

Номер патента: US09806100B2. Автор: Jong Chan Lee,Joon-Hwa Bae,Woong Hee Jeong,In Sun Hwang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Thin film transistors and semiconductor constructions

Номер патента: US7385222B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Pierre C. Fazan,Shubneesh Batra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-06-10.

TOP GATE THIN FILM TRANSISTOR, FABRICATING METHOD THEREOF, ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20200251596A1. Автор: Liu Jun,Li Wei,Wang Chao,SUN TAO,WANG Dongfang,Wang Qinghe,SU Tongshang,LI Guangyao. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

Method of improving the crystallization of semiconductor films particularly for thin film transistors

Номер патента: EP0997950A2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Toru Takayama,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-03.

Method of applying electrical stress to low-temperature poly-crystalline thin film transistor

Номер патента: US7749777B2. Автор: Woon Suh Paik. Владелец: Neopoly Inc. Дата публикации: 2010-07-06.

Thin film semiconductor device

Номер патента: US6204519B1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takeshi Fukada,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2001-03-20.

Thin film semiconductor device having a gate electrode insulator formed through high-heat oxidization

Номер патента: US20030071312A1. Автор: Yasuhisa Oana,Masakiyo Matsumura. Владелец: Advanced LCD Technologies Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-17.

Coating liquid for forming metal oxide thin film, metal oxide thin film, field effect transistor, and method for producing the field effect transistor

Номер патента: SG190430A1. Автор: Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-31.

Semiconductor thin film forming method, semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, substrate, and thin film substrate

Номер патента: JP5508535B2. Автор: 輝 西谷,孝啓 川島,盛 大高. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-06-04.

Thin film transistor, array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786791B2. Автор: Jie Song,Gaofei Shi,Yijun Wang,Tianzhen LIU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Thin film transistor assembly, array substrate method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09543443B2. Автор: Jing NIU,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Shuang Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: EP4425557A3. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: US12034082B2. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: EP4425557A2. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of manufacturing thin-film transistor substrate

Номер патента: US09741588B2. Автор: Yuji Kishida,Toshiaki Yoshitani. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Manufacturing method of a thin film transistor and pixel unit thereof

Номер патента: US09583519B2. Автор: Peng Wei,Xiaojun Yu,Zihong Liu. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

A manufacturing method of a thin film transistor and pixel unit thereof

Номер патента: US20150349098A1. Автор: Peng Wei,Xiaojun Yu,Zihong Liu. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: US20240313127A1. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing thin film transistor and method of manufacturing display substrate having the same

Номер патента: US09412771B2. Автор: Masataka Kano,Sangho Park,Myounghwa KIM,Jun Hyung LIM,Soyoung Koo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Thin film transistor, display apparatus comprising the same, method of manufacturing thin film transistor, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US09515154B2. Автор: Jongchan Lee,Myounghwa KIM,Yoonho Khang,Myounggeun Cha,Joonhwa BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Thin film transistor substrate, display apparatus comprising the same, method of manufacturing thin film transistor substrate, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US09437624B2. Автор: Myounghwa KIM,Dongjo Kim,Yoonho Khang,Myounggeun Cha,KyoungWon LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Schottky barrier thin film transistor and its method of manufacture

Номер патента: WO2020128508A1. Автор: Aimin Song,Jiawei Zhang,Joshua Wilson. Владелец: THE UNIVERSITY OF MANCHESTER. Дата публикации: 2020-06-25.

Schottky barrier thin film transistor and its method of manufacture

Номер патента: EP3884525A1. Автор: Aimin Song,Jiawei Zhang,Joshua Wilson. Владелец: University of Manchester. Дата публикации: 2021-09-29.

Display apparatus including thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US10854644B2. Автор: Jongchan Lee,Yongsu Lee,Taehoon Yang,Woonghee Jeong,Jaeseob Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Thin film transistor substrate, organic light-emitting apparatus including the same, method of manufacturing the thin film transistor substrate, and method of manufacturing the organic light-emitting apparatus

Номер патента: US09595694B2. Автор: Dong-Won Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060073648A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-06.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060243193A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Thin film transistors and their manufacture

Номер патента: WO2000011709A1. Автор: Ian D. French. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-03-02.

Displays with silicon and semiconducting-oxide top-gate thin-film transistors

Номер патента: WO2018175177A1. Автор: Shinya Ono,Shang-Chih Lin,Jiun-Jye Chang,Chin-Wei Lin,Ching-Sang Chuang,Takahide Ishii,Keisuke Omoto,Ting-ku CHANG. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2018-09-27.

Thin film field effect transistor and method of making same

Номер патента: CA1230948A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Stephen J. Hudgens. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1987-12-29.

Thin film field effect transistor and method of making same

Номер патента: US4843443A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Stephen J. Hudgens. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1989-06-27.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: US20030224561A1. Автор: David Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-04.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: US20010026962A1. Автор: David Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: WO2001052313A1. Автор: David J. Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-07-19.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: EP1166348A1. Автор: David J. Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-01-02.

Semiconductor device including two thin-film transistors and method of fabricating the same

Номер патента: US11908924B2. Автор: Junhyung LIM,Taesang Kim,Seryeong KIM,Jaybum KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Manufacturing method of low temperature polysilicon, low temperature polysilicon film and thin film transistor

Номер патента: US20150194502A1. Автор: Xueyan TIAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Embedded memory employing self-aligned top-gated thin film transistors

Номер патента: EP3602559A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Yih Wang,Van Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-05.

Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070187760A1. Автор: Hiroshi Furuta,Hiromitsu Ishii,Takashi Hirao,Motohiko Yoshida,Mamoru Furuta,Takahiro Hiramatsu,Hitoshi Hokari,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Kochi Ind Promotion Center. Дата публикации: 2007-08-16.

Display Device and Thin Film Transistor Array Substrate and Thin Film Transistor thereof

Номер патента: US20110095285A1. Автор: Fang-An Shu,Henry Wang,Tung-Liang Lin,Wei-Chou Lan,Lee-Tyng Chen. Владелец: Prime View International Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Thin film, method of forming thin film, semiconductor device including thin film, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425323B2. Автор: Anass Benayad,Kyoung-seok SON,Tae-Sang Kim,Eun-ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Thin film transistor structure and manufacturing method thereof, circuit structure, display substrate and display device

Номер патента: US20210257393A1. Автор: MENG Li,Pan Xu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Xuehuan Feng,Zhenfei Cai. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Method for manufacturing top gate thin-film transistor

Номер патента: WO2017219412A1. Автор: 邓永. Владелец: 深圳市华星光电技术有限公司. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of manufacturing an optical matrix device

Номер патента: US20110244614A1. Автор: Susumu Adachi. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Thin-film transistor substrate

Номер патента: US20240178233A1. Автор: Kazushige Takechi. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and flat panel display device having the thin film transistor

Номер патента: KR101064402B1. Автор: 이종혁,최천기,송영우,하재흥. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2011-09-14.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and flat panel display device having the thin film transistor

Номер патента: KR100941850B1. Автор: 정재경,양희원,정종한,모연곤. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2010-02-11.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and flat panel display device having the thin film transistor

Номер патента: CN101794819B. Автор: 李钟赫,宋英宇,河载兴,崔千基. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-28.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and flat panel display device having the thin film transistor

Номер патента: KR100963003B1. Автор: 박진성,김광숙,정재경,정종한,모연곤. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2010-06-10.

Thin film transistor and display device comprising the same

Номер патента: GB2613685A. Автор: LEE Dohyung,CHOI HongRak,JEONG ChanYong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Organic light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09583546B2. Автор: Myungseop Kim,SungJin Hong,Joongsun Yoon,Younghoon Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Thin-film transistor, display panel, and electronic device

Номер патента: US20240047544A1. Автор: Xi CHENG. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Thin-film transistor device

Номер патента: US20230178660A1. Автор: Po-Tsun Liu,Zhen-Hao Li,Tsung-Che Chiang,Po-Yi Kuo. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2023-06-08.

Carbon nanotube thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US10205109B2. Автор: Xueyan TIAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-12.

Thin-film transistor substrate

Номер патента: US20200243570A1. Автор: Tae-Jin Kim,Jong-Hyun Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Thin film transistor, display panel and display device

Номер патента: US12062725B2. Автор: Dong Li,Huijuan Zhang,Shantao CHEN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Thin Film Transistor and Display Device Including the Same

Номер патента: US20230389380A1. Автор: Dongchae Shin,Mijin JEONG,Sangsoon NOH. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Thin film transistor array substrate including oxide semiconductor pattern and display device including the same

Номер патента: GB2622682A. Автор: Ju Choi Sung,Hyun Ko Young,Yong Jeong Chan,Seok Seo Jung,Yoon Park Jae,Yeon Im Seo,Won JUNG Jin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Thin film transistor, electroluminescent display device and driving transistor

Номер патента: GB2624073A. Автор: Lee Jihun,HAN Younghun. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Manufacturing method of thin film transistor, transistor and display substrate

Номер патента: CN109037075B. Автор: 刘军,李伟,周斌,方金钢,闫梁臣,黄勇潮. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-13.

Thin film transistor, display panel and display device

Номер патента: US20240120422A1. Автор: Dong Li,Huijuan Zhang,Shantao CHEN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Thin film transistor base plate and possess the display unit of thin film transistor base plate

Номер патента: CN102315229A. Автор: 前田刚彰,后藤裕史,岩成裕美. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2012-01-11.

Thin film transistor, manufacturing method thereof and display substrate using the thin film transistor

Номер патента: KR101600879B1. Автор: 윤필상,이우근,이영욱. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2016-03-09.

Electroconductive thin film, coating liquid for forming electroconductive thin film, field-effect transistor, and method for producing field-effect transistor

Номер патента: EP2828892A4. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-04.

Electroconductive thin film, coating liquid for forming electroconductive thin film, field-effect transistor, and method for producing field-effect transistor

Номер патента: US9978877B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Thin-film field-effect transistor and drive method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: CN103311312A. Автор: 吴博,祁小敬. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-18.

Thin film field effect transistor and display device using the same

Номер патента: JP5258467B2. Автор: 昌哉 中山,直希 小糸. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-08-07.

Bottom-gate and top-gate vtfts on common structure

Номер патента: US20160365369A1. Автор: Christopher R. Morton,Shelby Forrester Nelson,Carolyn Rae Ellinger. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-12-15.

Bottom-gate and top-gate VTFTs on common structure

Номер патента: US09653493B2. Автор: Christopher R. Morton,Shelby Forrester Nelson,Carolyn Rae Ellinger. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-05-16.

Display apparatus having a silicon nitride buffer layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11658190B2. Автор: Eunjin Kwak,Yeoungkeol Woo,Yungbin CHUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Thin film transistor array substrate and electronic device including the same

Номер патента: US12087835B2. Автор: Dohyung Lee,Juheyuck BAECK,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Display apparatus having a silicon nitride buffer layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210288083A1. Автор: Eunjin Kwak,Yeoungkeol Woo,Yungbin CHUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20190386143A1. Автор: Zhou Xingyu. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Thin Film Transistor Array Substrate and Electronic Device Including the Same

Номер патента: US20230361189A1. Автор: Dohyung Lee,Juheyuck BAECK,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Thin film semiconductor device having a buffer layer

Номер патента: US20020030188A1. Автор: Hisao Hayashi,Keiji Kato,Yasushi Shimogaichi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Top-gate thin-film transistor, array substrate and manufacturing method therefor, and tft device

Номер патента: WO2016127372A1. Автор: 魏鹏,袁泽,余晓军,刘自鸿,赵继刚,罗浩俊. Владелец: 深圳市柔宇科技有限公司. Дата публикации: 2016-08-18.

Low Temperature Poly-Silicon Thin Film, Method for Making The Thin Film, and Transistor Made from The Thin Film

Номер патента: US20150194310A1. Автор: Longxian Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Low temperature poly-silicon thin film, method for making the thin film, and transistor made from the thin film

Номер патента: US9209025B2. Автор: Longxian Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-08.

METHOD FOR MANUFACTURING AT LEAST ONE THIN FILM FIELD EFFECT TRANSISTOR AND TRANSISTOR OBTAINED THEREBY

Номер патента: FR2566583A1. Автор: Nicolas Szydlo,Francois Boulitrop,Rolande Kasprzak. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1985-12-27.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620647B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-yu Su,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160343877A1. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-yu Su,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Thin-film transistor, method of manufacturing the same, and organic light-emitting diode (OLED) display including the same

Номер патента: US09412846B2. Автор: Ki Yeol BYUN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Thin film transistor, thin film transistor manufacturing method and liquid crystal display panel

Номер патента: US20190043995A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Thin film transistor, display device, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US09859391B2. Автор: Jun Tanaka. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US09620648B2. Автор: Meili Wang,Longbao XIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

MANUFACTURING METHOD OF TOP GATE THIN-FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20180197973A1. Автор: DENG Yong. Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-07-12.

Preparation method of indium-gallium-zinc-oxygen-based multi-layer structure thin film transistor

Номер патента: CN112599420A. Автор: 杨帆,白航空,林丹,何嵘,竹文坤,邱慧,李宸,冯金波,郑在纹,任俨,乐昊飏. Владелец: Mianyang HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-02.

Active layer of thin film transistor by crystallizating silicon layer and Method for fabricating thin film trnasistor including the same process

Номер патента: KR101640112B1. Автор: 김성기,최병국,이홍구. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2016-07-15.

Thin film structure, semiconductor device including the same, and semiconductor apparatus including semiconductor device

Номер патента: US20220393016A1. Автор: Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-08.

Method of manufacturing of inverter and inverter

Номер патента: RU2433504C2. Автор: Хидея КУМОМИ,Масафуми САНО,Масато ОФУДЗИ,Кацуми АБЕ,Рио ХАЯСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-11-10.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634148B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-yu Su,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09755054B2. Автор: Hyeon Jun Lee,Ki Hwan Kim,Kap Soo Yoon,Jeong Uk Heo,Myung Kwan Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, display substrate, and display apparatus

Номер патента: US09704998B2. Автор: Chunsheng Jiang,Jingfei Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09634033B2. Автор: Zhenfei Cai,Zhengwei Chen. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748395B2. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-08-29.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, display panel, and display device

Номер патента: US11183546B2. Автор: Chuni LIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-23.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, display panel, and display device

Номер патента: US20210043708A1. Автор: Chuni LIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Thin Film Transistor and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20110315980A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Top gate thin film transistor gas sensor

Номер патента: WO2020021251A1. Автор: Christopher Newsome,Nicholas Dartnell,Daniel Tobjork. Владелец: CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2020-01-30.

Top gate thin film transistor gas sensor

Номер патента: EP3827251A1. Автор: Christopher Newsome,Nicholas Dartnell,Daniel Tobjork. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-02.

Method of manufacturing thin film transistor and organic light emitting diode display

Номер патента: US09401418B2. Автор: Xiaowen LV,Chihyuan Tseng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Polycrystalline oxide thin-film transistor array substrate and method of manufacturing same

Номер патента: US09583517B2. Автор: Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Thin film transistor structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US8445912B2. Автор: Hideki Ono,Mari Sasaki,Iwao Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220037531A1. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Lin Tsai,Yu-Ching Tsao,Po-Hsun Chen,Hong-Chih Chen,Mao-Chou Tai,Shin-Ping Huang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-02-03.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US5436184A. Автор: Takeo Muragishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-07-25.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and device comprising the same

Номер патента: US09461070B2. Автор: Yanzhao Li,Gang Wang,Jingang Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09917203B2. Автор: Chunsheng Jiang,Lung Pao Hsin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

METHOD FOR MANUFACTURING TOP-GATED THIN FILM TRANSISTORS

Номер патента: US20190027515A1. Автор: SONG Liwang. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Method for manufacturing top-gated thin film transistors

Номер патента: US10204942B1. Автор: Liwang Song. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-12.

Method of manufacturing a transistor

Номер патента: US20020132401A1. Автор: Martin Powell. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2002-09-19.

Method of manufacturing a transistor

Номер патента: EP1163695A1. Автор: Martin J. Powell. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-12-19.

Metal oxide semiconductor thin film, thin-film-transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: EP3317899A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-05-09.

Metal oxide semiconductor thin film, thin film transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: US09806097B2. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-10-31.

Top-gate doped thin film transistor

Номер патента: US20240105852A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Van H. Le,Sean T. MA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Thin film transistor structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20110204375A1. Автор: Hideki Ono,Mari Sasaki,Iwao Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Thin film transistor structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20130237020A1. Автор: Hideki Ono,Mari Sasaki,Iwao Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

THIN FILM TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE THIN FILM TRANSISTOR AND FLAT PANEL DISPLAY DEVICE HAVING THE THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20150200238A1. Автор: LEE Il-Jeong,Ko Moo-Soon. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and flat panel display device having the thin film transistor

Номер патента: KR100963026B1. Автор: 박진성,김광숙,김민규,정재경,양희원,정종한,안태경,모연곤,정현중. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2010-06-10.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same, and semiconductor device having thin-film transistor

Номер патента: JP2017107952A. Автор: Eiji Takahashi,英治 高橋,Yukiharu Uraoka,行治 浦岡,Haruka Yamazaki,Mami Fujii,浦岡　行治,はるか 山▲崎▼,茉美 藤井. Владелец: Nara Institute of Science and Technology NUC. Дата публикации: 2017-06-15.

Active layer, thin film transistor, array substrate, and display apparatus and fabrication methods

Номер патента: EP3403281A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-11-21.

Thin-film transistor

Номер патента: US09588392B2. Автор: Zhiguang Yi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for hydrogenating thin film transistor by using a spin-on-glass film

Номер патента: US5401685A. Автор: Hyoung C. Ha. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-03-28.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US09685542B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: KR100745031B1. Автор: 슈테펜 예이. 바테르스비. Владелец: 티피오 홍콩 홀딩 리미티드. Дата публикации: 2007-08-02.

Top gate thin film transistor and method of producing the same

Номер патента: GB9927287D0. Автор: . Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-01-12.

Thin film transistor, memory and manufacturing method, and electronic device

Номер патента: EP4261907A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Kailiang HUANG,Junxiao FENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Thin film transistor

Номер патента: US20010015440A1. Автор: Toshihide Tsubata,Junichi Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Method of controlling electric conductivity of metal oxide thin film and thin film transistor including the metal oxide film having the controlled electric conductivity

Номер патента: US10217871B2. Автор: Jin Seo Kim,Sang Yeon Lee,Hyungtak Seo. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2019-02-26.

Manufacturing Method of Top Gate Thin Film Transistor

Номер патента: KR100489588B1. Автор: 장현수,이성권,김현철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-09-15.

SEMICONDUCTOR FILM, METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR FILM, SOLAR CELL, LIGHT-EMITTING DIODE, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150287878A1. Автор: ONO Masashi,TANAKA Atsushi,SUZUKI Masayuki,Kikuchi Makoto,KANEMITSU Yoshihiko. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2015-10-08.

Method of manufacturing semiconductor device having a circuit including thin film transistors

Номер патента: US7501653B2. Автор: Shinji Maekawa,Yasuyuki Arai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-10.

Method for processing polysilicon thin film and method for fabricating thin film transistor

Номер патента: US9985116B2. Автор: Dong Li,Zheng Liu,Xiaolong Li,Jian Min,Huijuan Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for Processing Polysilicon Thin Film and Method for Fabricating Thin Film Transistor

Номер патента: US20170194461A1. Автор: Dong Li,Zheng Liu,Xiaolong Li,Jian Min,Huijuan Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Thin film transistor, method of producting the same, and display device using the thin film transistor

Номер патента: TW200834934A. Автор: Toru Takeguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-08-16.

EMBEDDED MEMORY EMPLOYING SELF-ALIGNED TOP-GATED THIN FILM TRANSISTORS

Номер патента: US20190393224A1. Автор: Wang Yih,Sharma Abhishek,LE VAN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for fabricating flexible top gate thin-film-transistor

Номер патента: KR101073727B1. Автор: 최윤영,김한기,최광혁. Владелец: 경희대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-10-13.

Printed, self-aligned, top-gate thin film transistor

Номер патента: TW200818509A. Автор: Joerg Rockenberger,Arvind Kamath,James Montague Cleeves. Владелец: Kovio Inc. Дата публикации: 2008-04-16.

Method of forming integrated circuit having plural transistors with work function metal gate structures

Номер патента: US09754841B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Yu-Ru Yang,Chih-Wei Yang,En-Chiuan Liou,Jian-Cun KE,Yu-Feng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

MANUFACTURING METHOD OF LOW TEMPERATURE POLYSILICON, LOW TEMPERATURE POLYSILICON FILM AND THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20150194502A1. Автор: Tian Xueyan. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-07-09.

Amorphous oxide thin film, thin film transistor comprising same, and process for production of the thin film transistor

Номер патента: EP2533293A4. Автор: Kazushige Takechi,Mitsuru Nakata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-12-07.

Amorphous oxide thin film, thin film transistor comprising same, and process for production of the thin film transistor

Номер патента: CN102742015A. Автор: 竹知和重,中田充. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2012-10-17.

Amorphous oxide thin film, thin film transistor comprising same, and process for production of the thin film transistor

Номер патента: WO2011093506A1. Автор: 和重 竹知,充 中田. Владелец: 日本電気株式会社. Дата публикации: 2011-08-04.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, and semiconductor device having the thin film transistor

Номер патента: TWI623045B. Автор: Eiji Takahashi,Yukiharu Uraoka,Haruka Yamazaki,Mami Fujii. Владелец: National Univ Corporation Nara Institute Of Science And Technology. Дата публикации: 2018-05-01.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, crystalline oxide semiconductor thin film and manufacturing method thereof, display device, and X-ray sensor

Номер патента: JP5995698B2. Автор: 真之 鈴木,淳 田中,田中　淳,真宏 高田,雅司 小野,鈴木　真之. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-09-21.

Thin-film dual gate, common channel semiconductor device having a single first gate and a multi-gate second gate structure

Номер патента: US5955765A. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-21.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: WO2016109118A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of producing at least one thin-film field-effect transistor , and transistor obtained

Номер патента: DE3568669D1. Автор: Nicolas Szydlo,Francois Boulitrop. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1989-04-13.

Thin-film semiconductor device and its production method

Номер патента: EP1416522A8. Автор: M.; c/o Advanced LCD Technologies MATSUMURA,Y.; c/o Advanced LCD Technologies OANA,H.; c/o Advanced LCD Technologies ABE,Y.; c/o Advanced LCD Technologies YAMAMOTO,H.; c/o Advanced LCD Technologies KOSEKI,M.; c/o Advanced LCD Technologies WARABISAKO. Владелец: Advanced LCD Technologies Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-04.

COATING LIQUID FOR FORMING METAL OXIDE THIN FILM, METAL OXIDE THIN FILM, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20140299877A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Takada Mikiko,Saotome Ryoichi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2014-10-09.

Coating liquid for forming metal oxide thin film, metal oxide thin film, field-effect transistor, and method for manufacturing field-effect transistor

Номер патента: KR101697412B1. Автор: 유키코 아베,나오유키 우에다,유키 나카무라,신지 마츠모토,유지 소네,료이치 사오토메,미키코 다카다. Владелец: 가부시키가이샤 리코. Дата публикации: 2017-01-17.

Coating liquid for forming metal oxide thin film, metal oxide thin film, field-effect transistor, and method for manufacturing field-effect transistor

Номер патента: TW201327831A. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-01.

METAL OXIDE THIN FILM, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SOLUTION FOR METAL OXIDE THIN FILM

Номер патента: US20150137115A1. Автор: JEONG Youngmin,SONG Keun Kyu,JUNG Yangho,Kim Areum,Jun Tae Hwan,Moon Jooho. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University. Дата публикации: 2015-05-21.

Thin film field effect transistor and liquid crystal display

Номер патента: KR100199652B1. Автор: 마사히꼬 아끼야마,요시미 이께다,도시야 기요따. Владелец: 니시무로 타이죠. Дата публикации: 1999-06-15.

METHOD FOR MANUFACTURING AT LEAST ONE THIN-FILM FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND TRANSISTOR OBTAINED THEREBY

Номер патента: FR2566186A1. Автор: Nicolas Szydlo,Francois Boulitrop. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1985-12-20.

Thin film field effect transistor and process for its manufacture

Номер патента: DE2820331C3. Автор: Traugott Dr.-Ing. 7141 Großbottwar Kallfaß. Владелец: Individual. Дата публикации: 1982-03-18.

A thin film field-effect transistor and a process for producing the same

Номер патента: EP0090661B1. Автор: Yasuhiro Nasu,Nobuyoshi Takagi,Satoru Kawai,Shintaro Yanagisawa,Toshirou Kodama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-12-16.

CMOS thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030111691A1. Автор: Woo-Young So. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-19.

Crystallization method of thin film transistor, thin film transistor array panel and manufacturing method for thin film transistor array panel

Номер патента: US09406807B2. Автор: Jae-hak Lee,Joo-Han Kim,Joo Seok Yeom,Jeong-Ju Park,Hyoung Cheol Lee,Tae-Kyung Yim,Hyuk Soon Kwon,Hwa-Dong Jung,So-Young Koo,Jee-Hun Lim,Wan-Soon Lim,Se-Myung Kwon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780227B2. Автор: Takashi Okada,Arichika Ishida,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same field

Номер патента: US09911859B2. Автор: Takashi Okada,Arichika Ishida,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010002047A1. Автор: Mitsuaki Suzuki,Shinichi Kamagami,Takuji Nakazono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-31.

Method of manufacturing low temperature polycrystalline silicon thin film and thin film transistor, thin film transistor, display panel and display device

Номер патента: US09842735B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Yanan NIU,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Thin film transistors and related fabrication techniques

Номер патента: US20240237364A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Thin film transistors and related fabrication techniques

Номер патента: US11903223B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Thin film transistors and related fabrication techniques

Номер патента: US20210288050A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Thin film transistors and related fabrication techniques

Номер патента: US20200194431A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Thin film transistors and related fabrication techniques

Номер патента: EP3900042A2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Thin film transistors and related fabrication techniques

Номер патента: WO2020131396A2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Thin film transistor, method of fabricating the same, and flat panel display using thin film transistor

Номер патента: US7235850B2. Автор: Jae-Bon Koo,Sang-Gul Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-26.

Nano semiconductor sheet, manufacturing method of the nano semiconductor sheet, manufacturing method of tft using the nano semiconductor sheet, manufacturing method of flat panel display using the nano semiconductor sheet, thin film transistor, and flat panel display device

Номер патента: KR100647699B1. Автор: 이상민,양남철. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2006-11-23.

Oxynitride semiconductor thin film

Номер патента: US09543447B2. Автор: Eiichiro Nishimura,Tokuyuki Nakayama,Masashi Iwara. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for manufacturing thin film transistor and pixel unit thereof

Номер патента: US09679995B2. Автор: Peng Wei,Xiaojun Yu,Zihong Liu. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Manufacturing method of thin film transistor and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09508808B2. Автор: Huibin Guo,Xiaowei Liu,Shoukun WANG,Zongjie Guo,Yuchun FENG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and flat panel display having the thin film transistor

Номер патента: US09991319B2. Автор: Yoon-Ho Khang,Sang-Ho Park,Dae-Ho Kim,Hyun-Jae Na,Myoung-Geun CHA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Thin film transistor, method of manufacturing thin film transistor and flat panel display having the thin film transistor

Номер патента: US09552998B2. Автор: Yoon-Ho Khang,Sang-Ho Park,Dae-Ho Kim,Hyun-Jae Na,Myoung-Geun CHA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and display device comprising the same

Номер патента: US09478666B2. Автор: Seyeoul Kwon,Sangcheon Youn,Mingu CHO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160149046A1. Автор: Takashi Okada,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Masayoshi Fuchi,Arichika Ishiba. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Method of manufacturing thin-film transistor, thin-film transistor, and display apparatus including the same

Номер патента: US20160133725A1. Автор: Hyunduck CHO,Youngjun Chung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Thin-film transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US09825180B2. Автор: Toshihide Nabatame,Toyohiro Chikyo,Shinya Aikawa,Kazuhito Tsukagoshi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2017-11-21.

Lower temperature polycrystalline silicon thin film transistor and method of manufacture thereof and oled display device

Номер патента: US20190386146A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Fabrication method of thin film transistor substrate for X-ray detector

Номер патента: US20030096441A1. Автор: Ik kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Method Of Manufacturing Thin Film Transistor

Номер патента: US20020117671A1. Автор: Yoshinori Tateishi. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-29.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US09768312B2. Автор: Liang Sun,Yanan NIU,Hongwei TIAN,Zuqiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US8823005B2. Автор: Seong-Hun Kim,Jean-Ho Song,Yang-Ho Bae,O-Sung SEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US10153379B2. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120037913A1. Автор: Seong-Hun Kim,Jean-Ho Song,Yang-Ho Bae,O-Sung SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226507A1. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Thin film transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US09859440B2. Автор: Kuo-Lung Fang,Yi-Chun Kao,Hsin-Hua Lin,Chih-Lung Lee,Po-Li Shih. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin film transistor and method of fabricating the same, array substrate and method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US09455324B2. Автор: Qi Yao,Bing Sun,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Thin film transistor, array substrate, display panel and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20200013867A1. Автор: Bin Zhou,Liangchen YAN,Dongfang Wang,Tongshang Su,Ce ZHAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Display device, method of manufacturing the same, and tiled display device including the same

Номер патента: US12087807B2. Автор: Jun Mo IM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Display device including a plurality of thin film transistors with different characteristics

Номер патента: US12074260B2. Автор: KyungMo SON,Shunyoung YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods of manufacturing thin film transistor and array substrate

Номер патента: US09881945B2. Автор: Qiyu Shen. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for fabricating thin film transistor and method for fabricating display device having thin film transistor

Номер патента: KR101535821B1. Автор: 심종식,황순재. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2015-07-13.

Thin-film transistor, manufacturing method therefor, and electronic device using a thin-film transistor

Номер патента: US8436355B2. Автор: Kazunori Komori,Takaaki Ukeda,Sadayoshi Hotta,Tohru Saitoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-07.

Thin-film transistor, manufacturing method therefor, and electronic device using a thin-film transistor

Номер патента: US20100320467A1. Автор: Kazunori Komori,Takaaki Ukeda,Sadayoshi Hotta,Tohru Saitoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Method of manufacturing thin film transistor and display device

Номер патента: US20220262826A1. Автор: En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Chuzhou HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190140106A1. Автор: Yung-Hui Yeh,Chun-Hung Chu,Hsiao-Chiang Yao,Tai-Jui Wang,Jui-Wen Yang. Владелец: Intellectual Property Innovation Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Thin film transistor, thin film transistor array panel, and manufacturing method of thin film transistor

Номер патента: US09553201B2. Автор: Hiroshi Goto,Toshihiro Kugimiya,Shinya Morita,Je Hun Lee,Gun Hee Kim,Yeon Hong KIM,Yeon Gon Mo,Aya Miki,Byung Du Ahn,Kwang Suk Kim,Kyoung Won Lee,Ji Hun LIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and flat panel display device having the thin film transistor

Номер патента: KR100958006B1. Автор: 신현수,정재경,모연곤. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2010-05-17.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and flat panel display device having the thin film transistor

Номер патента: KR100882677B1. Автор: 박진성,신현수,이헌정,정재경,정종한,모연곤. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2009-02-06.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and organic light emitting display device having thin film transistor

Номер патента: US20110079784A1. Автор: Ki-Ju Im. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Thin film transistor, method of manufacturing the same, and device having the thin film transistor

Номер патента: KR101905898B1. Автор: 아츠시 다나카,마사유키 스즈키,마사시 오노,마사히로 다카타. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-10-08.

method for manufacturing thin film transistors based on titanium oxides as active layer and thin film transistors thereof

Номер патента: KR101482944B1. Автор: 박재우,한성원. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2015-01-16.

Thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US8946701B2. Автор: Qi Yao,Seongyeol Yoo,Zhanfeng CAO,Xiaoyang Tong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

Thin film transistor and Light-emitting dislplay device having the thin film transistor

Номер патента: KR100907400B1. Автор: 박진성,신현수,이헌정,정재경,정종한,모연곤. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2009-07-10.

Method for fabricating thin-film bottom-contact transistors and bottom-contact transistors thus obtained

Номер патента: TW201227972A. Автор: Robert Müller. Владелец: IMEC. Дата публикации: 2012-07-01.

Dual-type thin-film field-effect transistors and method for forming the same

Номер патента: TW503581B. Автор: Wei Huang,Chang C Tsuei,Thomas Doderer. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2002-09-21.

Thin film field effect transistor and display using the same

Номер патента: EP2061087A2. Автор: Shinji Imai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-05-20.

COATING LIQUID FOR FORMING METAL OXIDE THIN FILM, METAL OXIDE THIN FILM, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD FOR PRODUCING THE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20130240881A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2013-09-19.

ELECTROCONDUCTIVE THIN FILM, COATING LIQUID FOR FORMING ELECTROCONDUCTIVE THIN FILM, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD FOR PRODUCING FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20150028334A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Takada Mikiko,Saotome Ryoichi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor device, polycrystalline semiconductor thin film, method for manufacturing polycrystalline semiconductor thin film, field effect transistor, and method for manufacturing field effect transistor

Номер патента: JPWO2008117739A1. Автор: 一吉 井上,公規 矢野,矢野　公規,井上　一吉. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-15.

Semiconductor device, polycrystalline semiconductor thin film, process for producing polycrystalline semiconductor thin film, field effect transistor, and process for producing field effect transistor

Номер патента: US8158974B2. Автор: Koki Yano,Kazuyoshi Inoue. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-17.

Semiconductor device, polycrystalline semiconductor thin film, method for manufacturing polycrystalline semiconductor thin film, field effect transistor, and method for manufacturing field effect transistor

Номер патента: JP5466939B2. Автор: 一吉 井上,公規 矢野. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-09.

Thin film structure including dielectric material layer and electronic device employing the same

Номер патента: US20230015172A1. Автор: Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Thin film structure including dielectric material layer and electronic device employing the same

Номер патента: US20220005923A1. Автор: Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-06.

Thin film field effect transistor and display using the same

Номер патента: EP2061086A2. Автор: Shinji Imai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-05-20.

Thin film field effect transistor and display

Номер патента: EP2105967A1. Автор: Yuichiro Itai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-09-30.

Thin film field effect transistor and display device

Номер патента: JP4555358B2. Автор: 雄一郎 板井. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-09-29.

Thin film field effect transistor and display using the same

Номер патента: KR101421303B1. Автор: 신지 이마이. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-07-18.

Thin-film field-effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: TW201140850A. Автор: Masaya Nakayama,Yoshihiro Aburaya. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-11-16.

Thin film field effect transistor and display using the same

Номер патента: KR101421304B1. Автор: 신지 이마이. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-07-18.

Thin film field effect transistor and display using the same

Номер патента: EP2061087A3. Автор: Shinji Imai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-06-17.

Thin film field effect transistor and electroluminescence display using the same

Номер патента: US20090134389A1. Автор: Atsushi Matsunaga. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor processing method of providing electrical isolation between adjacent semiconductor diffusion regions of different field effect transistors and integrated circuitry having adjacent electrically isolated field effect transistors

Номер патента: US5895243A. Автор: Trung Tri Doan,Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors

Номер патента: US09818765B2. Автор: Hiroshi Osawa,Shih Chang Chang,Kyung-Wook Kim,Yu-Cheng Chen,Ming-Chin Hung. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Display Apparatus And Method Of Manufacturing Display Apparatus

Номер патента: US20180196294A1. Автор: Shigeru Ishida,Kazuki Kobayashi,Takao Matsumoto,Yoshiaki Matsushima,Nobutake Nodera,Taimi Oketani,Ryouhei Takakura. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Thin-film transistor substrate, thin-film transistor substrate manufacturing method, and liquid crystal display

Номер патента: US09876039B2. Автор: Takaaki Murakami,Kazunori Inoue,Naoki Nakagawa,Koji Oda,Rii Hirano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and flat panel display device having the thin film transistor

Номер патента: KR100769433B1. Автор: 한상면,한민구. Владелец: 한민구. Дата публикации: 2007-10-22.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and flat panel display device having the thin film transistor

Номер патента: KR100975204B1. Автор: 박진성,신현수,이헌정,정재경,정종한,안태경,모연곤. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2010-08-10.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and flat panel display device having the thin film transistor

Номер патента: KR100963104B1. Автор: 김광숙,이종혁,최천기,송영우,김민규,정재경,양희원,정종한,모연곤,정현중,하재흥. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2010-06-14.

Thin-film transistor circuit, driving method thereof, and light-emitting display apparatus

Номер патента: WO2009066627A1. Автор: Katsumi Abe,Ryo Hayashi,Hisae Shimizu. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2009-05-28.

Thin-film transistor circuit, driving method thereof, and light-emitting display apparatus

Номер патента: EP2195806A1. Автор: Katsumi Abe,Ryo Hayashi,Hisae Shimizu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-06-16.

Array substrate, display device and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09608118B2. Автор: Sheng Wang,Lei Du,Xiangyang Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Thin film transistor having an annealed gate oxide and method of making same

Номер патента: US4633284A. Автор: Zvi Yaniv,Vincent D. Cannella,Gregory L. Hansell. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1986-12-30.

Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors

Номер патента: US11876099B2. Автор: Hiroshi Osawa,Shih Chang Chang,Kyung-Wook Kim,Yu-Cheng Chen,Ming-Chin Hung. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Displays With Silicon and Semiconducting Oxide Thin-Film Transistors

Номер патента: US20240128274A1. Автор: Vasudha Gupta,Shih Chang Chang,Young Bae Park,Tsung-Ting Tsai,Jae Won Choi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Ultra high resolution liquid crystal display having a compensating thin film transistor at each pixel

Номер патента: US20150309351A1. Автор: Jungil Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Thin film transistor, display substrate and display device

Номер патента: US20240274674A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Niangi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Manufacturing method of TFT array substrate, TFT array substrate and display device

Номер патента: US9494837B2. Автор: Shi Shu,Guanbao HUI,Chunsheng Jiang,Teng Ye,Cuili Gai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Substrate for flexible device, thin film transistor substrate for flexible device, flexible device, substrate for thin film element, thin film element, thin film transistor, method for manufacturing substrate for thin film element, method for manufacturing thin film element, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US9024312B2. Автор: Koji Ichimura,Katsuya Sakayori,Shunji Fukuda,Keita Arihara,Kei Amagai. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2015-05-05.

PRINTED, SELF-ALIGNED, TOP GATE THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20140299883A1. Автор: KAMATH Arvind,Cleeves James Montague,Rockenberger Joerg. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-09.

TOP GATE THIN FILM TRANSISTOR GAS SENSOR

Номер патента: US20210262976A1. Автор: NEWSOME Christopher,Tobjork Daniel,Dartnell Nicholas. Владелец: Sumitomo Chemical Company Limited. Дата публикации: 2021-08-26.

A top gate thin film transistor using nano particle and a method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100792407B1. Автор: 김동원,김상식,장재원,조경아. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-01-08.

Top gate thin-film transistor, display device, and electronic apparatus

Номер патента: US8334553B2. Автор: Shigeru Mori,Hiroshi Tanabe,Takahiro Korenari. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2012-12-18.

Thin film transistor, gate on array circuit and array substrate

Номер патента: US20220344480A1. Автор: Lizhong Wang,ce Ning,Hehe HU,Tianmin Zhou,Jipeng Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor layer oxide, thin film transistor (TFT), display device and the sputtering target of thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN104335354B. Автор: 钉宫敏洋,森田晋也,三木绫,广濑研太. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2018-07-20.

CNT-IGZO thin film heterojunction bipolar transistor and preparation method and application thereof

Номер патента: CN111063731A. Автор: 王彦杰,江潮,樊园. Владелец: Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems. Дата публикации: 2020-04-24.

Thin film field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: JPH0638429B2. Автор: 大蔵 安藤. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-05-18.

Thin film field effect transistor and display device using the same

Номер патента: JP4727684B2. Автор: 昌哉 中山. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-07-20.

Thin-film field-effect transistor and manufacture thereof

Номер патента: JPS61187272A. Автор: Daizo Ando,安藤　大蔵. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-08-20.

Thin-film field effect transistor and manufacture thereof

Номер патента: JPS61145870A. Автор: Ikunori Kobayashi,郁典 小林,Hiroki Saito,Sadakichi Hotta,定吉 堀田,弘樹 斉藤. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-07-03.

Thin film field effect transistor and display device using the same

Номер патента: JP5191409B2. Автор: 昌哉 中山. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-05-08.

Thin film field effect transistor and display

Номер патента: KR101497878B1. Автор: 마사야 나카야마. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-03-04.

Thin film active element group, thin film active element array, organic light emitting device, display apparatus, and thin film active element manufacturing method

Номер патента: US20100258803A1. Автор: Tomonori Matsumuro. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-14.

Monolithically integrated top-gate thin-film transistor and light-emitting diode and method of making

Номер патента: EP4364540A1. Автор: Amalkumar P. Ghosh,Seonki Kim. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2024-05-08.

Manufacturing method of polycrystalline silicon thin film and manufacturing method of thin film transistor array substrate

Номер патента: US20190027513A1. Автор: Leilei Dong. Владелец: Actinium Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Methods for forming thin film transistors on a glass substrate and liquid crystal displays formed therefrom

Номер патента: US12013619B2. Автор: Bin Zhu,Rajesh Vaddi,Ming-Huang Huang,Robert Bumju LEE. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods for forming thin film transistors on a glass substrate and liquid crystal displays formed therefrom

Номер патента: US20210018780A1. Автор: Bin Zhu,Rajesh Vaddi,Ming-Huang Huang,Robert Bumju LEE. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of fabricating a thin film transistor substrate using a plurality of photo masks and liquid crystal display

Номер патента: US09536902B2. Автор: Qibiao LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Low-temperature fabrication of nanomaterial-derived metal composite thin films

Номер патента: US09412852B2. Автор: Yu Xia,He Yan,Tobin J. Marks,Antonio Facchetti,Mercouri G. Kanatzidis,William Christopher Sheets,Myung-Gil Kim. Владелец: Polyera Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Thin film transistor, thin film transistor array panel including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09793377B2. Автор: Je Hun Lee,Yun Jong YEO,Jun Ho Song,Hwa Dong Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

TOP-GATE THIN FILM TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY PANEL COMPRISING TOP-GATE THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20180294360A1. Автор: Li Wei,Zhang Xing,ZHANG Jianye. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-10-11.

Thin film transistor substrate comprising a photoresist layer formed between a first dielectric layer and an amorphous silicon layer

Номер патента: US09780221B2. Автор: Qibiao LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Gallium arsenide based materials used in thin film transistor applications

Номер патента: US9780223B2. Автор: Robert Jan Visser,Kaushal K. Singh,Bhaskar Kumar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Thin film transistor structure, GOA circuit, and display device

Номер патента: US11855160B2. Автор: Gongtan LI,HyunSik Seo. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Thin film transistor, display device, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20190237587A1. Автор: Simon Chen. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Method of manufacturing metal oxide layer, metal oxide layer, thin film transistor and electronic device

Номер патента: KR101926955B1. Автор: 마사히로 다카타. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-12-07.

Crystalline oxide thin film, laminate, and thin-film transistor

Номер патента: EP4418330A1. Автор: Koji Yamaguchi,Nobuhiro Iwase,Daichi Sasaki,Yuki Tsuruma,Emi Kawashima. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

SEMICONDUCTOR FILM, METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR FILM, SOLAR CELL, LIGHT-EMITTING DIODE, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150236178A1. Автор: ONO Masashi,TANAKA Atsushi,SUZUKI Masayuki,Kikuchi Makoto,KANEMITSU Yoshihiko. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2015-08-20.

SEMICONDUCTOR FILM, METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR FILM, SOLAR CELL, LIGHT-EMITTING DIODE, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150318421A1. Автор: ONO Masashi,TANAKA Atsushi,SUZUKI Masayuki,Kikuchi Makoto,KANEMITSU Yoshihiko. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2015-11-05.

THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20200013867A1. Автор: Zhou Bin,WANG Dongfang,SU Tongshang,YAN Liangchen,ZHAO Ce. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Thin-film transistor array, image display device, and method for manufacturing thin-film transistor array

Номер патента: US20180024391A1. Автор: Mamoru Ishizaki. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

THIN FILM TRANSISTOR ARRAY, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM TRANSISTOR ARRAY

Номер патента: JPWO2016147672A1. Автор: 守 石▲崎▼. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Method for Selective Delamination and Transfer of Thin Film Using Liquid Platform

Номер патента: US20200387073A1. Автор: Sumin Kang,Taek-Soo Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-12-10.

Dialkylzinc partial hydrolysate-containing solution and method of production of zinc oxide thin film using the solution

Номер патента: US20180145179A1. Автор: Kouji Toyota,Toshio Naka,Koichiro Inaba. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Process for the fabrication of thin-film device and thin-film device

Номер патента: US20070090404A1. Автор: Akihiko Asano,Tomoatsu Kinoshita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-26.

Thin film forming method, semiconductor substrate and electronic device produced by employing same

Номер патента: US20150349137A1. Автор: Yoshitaka Kobayashi,Shogo Nakamura,Seiichiro Higashi,Kohei SAKAIKE,Muneki AKAZAWA. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2015-12-03.

Spatial power-combining devices with thin film resistors

Номер патента: US20200274506A1. Автор: Ankush Mohan,Dan Denninghoff,Soack Dae Yoon. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

COMPOUND-BASED THIN FILM, METHOD FOR FORMING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE USING THE THIN FILM

Номер патента: JPWO2008146575A1. Автор: 忠弘 大見,大見　忠弘,敦智 井ノ口,浩和 浅原,耕平 綿貫,浅原　浩和. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2010-08-19.

Thin film field effect transistor and manufacture thereof

Номер патента: JPS5919377A. Автор: Hiroki Saito,Kiyohiro Kawasaki,Sadakichi Hotta,Seiichi Nagata,清弘 川崎,Shigenobu Shirai,弘樹 斉藤,清一 永田,白井　繁信,堀田　定「よ」. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1984-01-31.

Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors

Номер патента: US09564531B2. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Kyung-bae Park,Jong-baek Seon,Bon-Won Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Thin-film transistor, method for manufacturing the same and display device comprising the same

Номер патента: US09761650B2. Автор: Seyeoul Kwon,Sangcheon Youn,Mingu CHO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Organic thin film transistor, method of manufacturing organic thin film transistor, organic thin film transistor material, organic thin film transistor composition, organic semiconductor film, and compound

Номер патента: US20180155338A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Masatoshi Yumoto,Hiroaki Tsuyama,Masashi Koyanagi,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-06-07.

Method of manufacturing thin film transistor array substrate

Номер патента: US09954015B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508752B2. Автор: Toshihiro Sato,Kazuhiro ODAKA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

A method of manufacturing a semi-conducting thin film device

Номер патента: US20230197449A1. Автор: Freddy Roozeboom,Alfredo Mameli,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2023-06-22.

Organic light emitting diode display device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11917868B2. Автор: Chao Liang,Xuyang Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of fabricating oxide thin film device using laser lift-off and oxide thin film device fabricated by the same

Номер патента: US8828845B2. Автор: Jin Sang Kim,Ji Won Choi,Hyun Cheol Song,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Seok Jin Yoon,Young Ho Do. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-09-09.

Thin film transistor array

Номер патента: EP3846225A1. Автор: Mamoru Ishizaki. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-07.

Method of forming step doping channel profile for super steep retrograde well field effect transistor and resulting device

Номер патента: US20150053981A1. Автор: YI Qi,Srikanth Samavedam,Laegu Kang,Puneet Khanna,Sri Charan Vemula,Vara Govindeswara Reddy Vakada,Michael P. Ganz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Method of forming step doping channel profile for super steep retrograde well field effect transistor and resulting device

Номер патента: US8916442B2. Автор: YI Qi,Srikanth Samavedam,Laegu Kang,Puneet Khanna,Sri Charan Vemula,Vara Govindeswara Reddy Vakada,Michael P. Ganz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-23.

Method of forming step doping channel profile for super steep retrograde well field effect transistor and resulting device

Номер патента: US20140197411A1. Автор: YI Qi,Srikanth Samavedam,Laegu Kang,Puneet Khanna,Sri Charan Vemula,Vara Govindeswara Reddy Vakada,Michael P. Ganz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Method of fabricating nonvolatile organic bistable memory device including polymer thin film with nanoparticles serving as charge trapping region

Номер патента: WO2009022774A1. Автор: Jae-Hoon Jung,Tae-Whan Kim,Dong-Ick Son,Jae-Hyeon Leem. Владелец: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION, HANYANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-02-19.

Poly-crystalline thin film, thin film transistor formed from a poly-crystalline thin film and methods of manufacturing the same

Номер патента: US7851802B2. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Tae-Sang Kim,Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Ji-sim Jung,Jae-Young Choi,Hyeon-jin SHIN,Seon-mi Yoon,Kyung-seok SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-14.

Method of manufacturing layer-stacked wiring

Номер патента: US20110053354A1. Автор: Jun Tanaka,Hiroshi Kanoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Poly-crystalline thin film, thin film transistor formed from a poly-crystalline thin film and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090127560A1. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Tae-Sang Kim,Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Ji-sim Jung,Jae-Young Choi,Hyeon-jin SHIN,Seon-mi Yoon,Kyung-seok SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-21.

Method of manufacturing aluminum gate electrode

Номер патента: US6110768A. Автор: Ting-Chang Chang,Po-Sheng Shih,Du-Zen Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Method of making tapered poly profile for TFT device manufacturing

Номер патента: US5393682A. Автор: Chwen-Ming Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1995-02-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: SG178705A1. Автор: Fuse Genshu,Sugitani Michiro. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display substrate and display device

Номер патента: US09773917B2. Автор: Jiangbo Chen,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor Thin Film, Thin Film Transistor, Manufacturing Method Thereof and Device for Manufacturing Semiconductor Thin Film

Номер патента: KR100915160B1. Автор: 토루 타케구치,신스케 유라. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-09-03.

Method of manufacturing of amorphous silicon thin film transistor liquid crystal display device

Номер патента: US09454049B2. Автор: Dong-Gyu Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190229131A1. Автор: Daewoo Lee,Yunmo Chung,ILhun SEO,Hojin YOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210343756A1. Автор: Daewoo Lee,Yunmo Chung,Hojin YOON,llhun SEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US11824067B2. Автор: Daewoo Lee,Yunmo Chung,ILhun SEO,Hojin YOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Manufacturing method of self-aligned homo, hetero-junction bipplar transistor using thin film crystal growth method

Номер патента: KR940007658B1. Автор: 이경수,강상원,염병렬. Владелец: 경상현. Дата публикации: 1994-08-22.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a high-breakdown-voltage mos transistor and a low-breakdown-voltage mos transistor are formed on an identical semiconductor substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6916714B2. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US09755184B2. Автор: Sun Ho Kim,Tae Woong Kim,Pil Suk Lee,Bo Ik PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030160285A1. Автор: Mika Shiiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210118968A1. Автор: Hyunsup Lee,Yongseok Kim,Dongchul Shin,Gyehwan LIM,Kangyoung LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US8164097B2. Автор: Jin-Goo Jung,Kyung-Min Park,Chun-Gi You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-24.

Thin film transistor circuit and display device using it

Номер патента: US09419021B2. Автор: Toshio Miyazawa,Takahide Kuranaga. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Display apparatus and method of providing the same

Номер патента: EP4326031A1. Автор: Wooyong Sung,Jeongseok LEE,Taewook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Display apparatus and method of providing the same

Номер патента: US20240065081A1. Автор: Wooyong Sung,Jeongseok LEE,Taewook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Thin film transistor array substrate including oxide semiconductor pattern and display device including same

Номер патента: US20240234433A1. Автор: Sanghoon JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same and mask for manufacturing thin film transistor substrate

Номер патента: US7719008B2. Автор: Yong Jo Kim,Hong Woo Lee,Yong Woo Lee,Jong Hwan Lee,Do Gi Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-18.

Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same and mask for manufacturing thin film transistor substrate

Номер патента: US20070181877A1. Автор: Yong Jo Kim,Hong Woo Lee,Yong Woo Lee,Jong Hwan Lee,Do Gi Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-09.

Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same and mask for manufacturing thin film transistor substrate

Номер патента: CN101013705B. Автор: 李庸羽,李洪雨,李钟焕,金容照,林都基. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-22.

Thin-film transistor array substrate for AMOLED and manufacturing method thereof

Номер патента: US10157970B2. Автор: Hejing ZHANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

Organic light emitting diode display with thin film transistors in portions of curved semiconductor layer

Номер патента: US11574989B2. Автор: Jin-woo Park,Se-Ho Kim,Won-Se Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-07.

Display panel, display device, and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20240016007A1. Автор: Xialiang YUAN,Shijian Qin. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Repair structure for thin film transistor-liquid crystal display

Номер патента: US20020043685A1. Автор: Jia-Shyong Cheng,Jack Tsai,Shou-Jen Chang. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2002-04-18.

Thin film transistor substrate and metho of manufacturing the same and mask for manufacturing thin film transistor substrate

Номер патента: KR101211086B1. Автор: 이용우,이종환,김용조,임도기. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2012-12-12.

Method for forming a polysilicon thin film layer

Номер патента: US20090127557A1. Автор: Shan-Hung Tsai,Tsung-Yen LIN,Ho-Hsuan Lin,Wen-Tseng Cheng. Владелец: TPO Displays Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

IC with matched thin film resistors

Номер патента: US11522043B2. Автор: ABBAS Ali,Can Duan,Tae Seung Kim,Scott William Jessen,Steven Lee Prins,Erich Wesley Kinder. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-12-06.

Light emitting display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090072248A1. Автор: Byoung-Deog Choi,Ki-Ju Im. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Displays With Silicon and Semiconducting-Oxide Top-Gate Thin-Film Transistors

Номер патента: US20180277614A1. Автор: Lin Chin-Wei,ONO Shinya,Omoto Keisuke,Chang Jiun-Jye,Chuang Ching-Sang,Chang Ting-Kuo,Ishii Takahide,Lin Shang-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Thin-film transistor array device, el display panel, el display device, thin-film transistor array device manufacturing method, el display panel manufacturing method

Номер патента: US20130082270A1. Автор: Genshirou Kawachi,Shinya Ono,Arinobu Kanegae. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Thin film transistor base plate and the display device of this thin film transistor base plate of use

Номер патента: CN106257677A. Автор: 李昭珩,张允琼,朴权植,金敏澈,梁晸硕. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-28.

Nanoscale Thin Film Structure and Implementing Method Thereof

Номер патента: US20220223687A1. Автор: Chan Soo Shin,Hyun Mi Kim,Sang Tae Lee,Dong Hwan Jun. Владелец: Korea Advanced Nano Fab Center. Дата публикации: 2022-07-14.

Ic with matched thin film resistors

Номер патента: US20210134939A1. Автор: ABBAS Ali,Can Duan,Tae Seung Kim,Scott William Jessen,Steven Lee Prins,Erich Wesley Kinder. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

METHOD OF CUTTING A BLOCK OF MATERIAL AND FORMING A THIN FILM

Номер патента: FR2811807B1. Автор: Bernard Aspar,Chrystelle Lagache. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2003-07-04.

BOTTOM-GATE AND TOP-GATE VTFTS ON COMMON STRUCTURE

Номер патента: US20160365369A1. Автор: Ellinger Carolyn Rae,Nelson Shelby Forrester,Morton Christopher R.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Dual port gain cell with side and top gated read transistor

Номер патента: US7459743B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Jack A. Mandelman,Carl J. Radens,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-02.

Dual port gain cell with side and top gated read transistor

Номер патента: TW200725617A. Автор: Geng Wang,Jack A Mandelman,Carl J Radens,Ramachandra Divakaruni,Kang-Guo Cheng. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-07-01.

Dual port gain cell with side and top gated read transistor

Номер патента: WO2007023011A3. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Geng Wang,Jack Mandelman,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Ramachandra Divakaruni. Дата публикации: 2007-06-21.

Dram gain cell with side and top gated read transistor

Номер патента: EP1938378A2. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Geng Wang,Jack Mandelman,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-02.

Dual port gain cell with side and top gated read transistor

Номер патента: WO2007023011B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Geng Wang,Jack Mandelman,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Ramachandra Divakaruni. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for modifying and controlling the threshold voltage of thin film transistors

Номер патента: US09640390B1. Автор: Joerg Rockenberger,Arvind Kamath,Fabio Zurcher,Wenzhuo Guo. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of forming nano crystals and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus including thin film having the same

Номер патента: US09450199B2. Автор: Cheol-Lae Roh,Myung-Soo Huh,Seung-Ho Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of preparing substrate surface from aluminum nitride ceramics for thin film metallization

Номер патента: RU2724291C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing a sensor device having a porous thin-film metal electrode

Номер патента: WO2014100611A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,Ashwin Samarao. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-06-26.

Oxide superconductor thin film, superconducting fault current limiter, and method for manufacturing oxide superconductor thin film

Номер патента: US9105794B2. Автор: Masakazu Matsui,Toshiya Kumagai,Takaaki Manabe,Kengo Nakao,Norio Matsui,Hajime Kasahara,Mitsugu Sohma,Naoto Edo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2015-08-11.

Oxide superconductor thin film, superconducting fault current limiter, and method for manufacturing oxide superconductor thin film

Номер патента: US20140080714A1. Автор: Masakazu Matsui,Toshiya Kumagai,Takaaki Manabe,Kengo Nakao,Norio Matsui,Hajime Kasahara,Mitsugu Sohma,Naoto Edo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-03-20.

Method of preventing a peeling issue of a high stressed thin film

Номер патента: US20070066026A1. Автор: Kuo-Wei Yang,Hui-Shen Shih,Chih-Jen Mao,Chun-Han Chuang,Chun-Hung Hsia. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Bottom and Top Gate Organic Transistors with Fluropolymer Banked Crystallization Well

Номер патента: US20140054560A1. Автор: Kurt Ulmer,Lisa Stecker,Kanan Puntambekar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-27.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal oxide thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240199670A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, apparatus for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, method for selectively growing semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, and semiconductor element using substrate irradiated with focused light

Номер патента: US20120001302A1. Автор: Hisashi Matsumura,Kazuyoshi Itoh,Shunro Fuke,Yasuo Kanematsu. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2012-01-05.

Platinum group metal chalcogenide thin film, and semiconductor material provided with the platinum group metal chalcogenide thin film

Номер патента: US20240258446A1. Автор: Dong Hyun Kim,Hyung Jun Kim,Tatsuya Nakazawa. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-08-01.

Thin film capacitor, its manufacturing method, and electronic circuit substrate having the thin film capacitor

Номер патента: US20230268120A1. Автор: Kenichi Yoshida,Yoshihiko Yano,Daiki Ishii,Yuki YAMASHITA,Tetsuhiro Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Thin-film resistor with a layer structure and method for manufacturing a thin-film resistor with a layer structure

Номер патента: US20090206982A1. Автор: Uwe Paschen,Holger Vogt,Heinz Deiters,Susanne Linnenberg,Dirk Nachrodt. Владелец: Universitaet Duisburg Essen. Дата публикации: 2009-08-20.

Thin film capacitor, its manufacturing method, and electronic circuit substrate having the thin film capacitor

Номер патента: US20230335579A1. Автор: Kenichi Yoshida,Yoshihiko Yano,Daiki Ishii,Yuki YAMASHITA,Tetsuhiro Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for planarizing cis-based thin film, cis-based thin film manufactured using the same, and solar cell comprising cis-based thin film

Номер патента: US20230290899A1. Автор: Seung Tae Kim,Jeung Hyun JEONG,Doh Kwon Lee,Byoung Soo Yu,Yoon Hee JANG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-09-14.

Organic thin film solar cell module, electronic device and method for manufacturing organic thin film solar cell module

Номер патента: US20180138326A1. Автор: Yoichi Aoki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-17.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of recovery of MOTFT backplane after a-Si photodiode fabrication

Номер патента: US09947704B1. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Guangming Wang. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230246011A1. Автор: Nak Cho CHOI,Sang Woo An. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Monolithically integrated top-gate thin-film transistor and light-emitting diode and method of making

Номер патента: WO2023278339A1. Автор: Amalkumar P. Ghosh,Seonki Kim. Владелец: EMAGIN CORPORATION. Дата публикации: 2023-01-05.

Germanium based metal-insulator transition thin film, metal-insulator transition device including the metal-insulator transition thin film, and method of fabricating the metal-insulator transition device

Номер патента: WO2009017305A1. Автор: Hyun-Tak Kim,Yong-Wook Lee,Bong-Jun Kim,Sung-Youl CHOI,Jae-Yeob Shim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2009-02-05.

Germanium based metal-insulator transition thin film, metal-insulator transition device including the metal-insulator transition thin film, and method of fabricating the metal-insulator transition device

Номер патента: US20110233616A1. Автор: Hyun-Tak Kim,Yong-Wook Lee,Bong-Jun Kim,Sung-Youl CHOI,Jae-Yeob Shim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-09-29.

Ferroelectric thin-film element, sensor, and method for making the ferroelectric thin-film element

Номер патента: US20010042877A1. Автор: Katsuhiko Tanaka,Xiao-min Li. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-22.

Thin-film field effect transistor and making method

Номер патента: CN100514673C. Автор: 福井育生. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-15.

Thin-film field effect transistor and making method thereof

Номер патента: TW200520226A. Автор: Ikuo Fukui. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1953813A3. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Flat panel display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110241010A1. Автор: Kyung-Min Park. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured using the method, and flat panel display device comprising the thin film transistor

Номер патента: US20060103773A1. Автор: Min-chul Suh,Jae-Bon Koo. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-18.

Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured using the method, and flat panel display device comprising the thin film transistor

Номер патента: US7341961B2. Автор: Min-chul Suh,Jae-Bon Koo. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Display apparatus and method of manufacturing same

Номер патента: US20230255096A1. Автор: Junyoung KIM,Seunggyu Tae,Kwangsoo Lee,Jongmoo Huh,Jonghyun YUN,Sangcheon HAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Display apparatus and method of manufacturing same

Номер патента: US20240268207A1. Автор: Junyoung KIM,Seunggyu Tae,Kwangsoo Lee,Jongmoo Huh,Jonghyun YUN,Sangcheon HAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Organic light emitting display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09496321B2. Автор: Jinwook Seo,Seihwan Jung,Taewook Kang,Kiyong Lee,Taehoon Yang,Byoungkeon Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Display substrate and method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09354478B2. Автор: Cheng Li,AN Seong Jun,Xueguang HAO,Xiangdong WEI,Bongyeol Ryu. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Thin film transistor type display device, method of manufacturing thin film element, thin film transistor circuit board, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US20040256622A1. Автор: Mutsumi Kimura,Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Vacuum channel transistor and diode emitting thermal cathode electrons, and method of manufacturing the vacuum channel transistor

Номер патента: US20100102325A1. Автор: Hyun Tak Kim,Dae Yong Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-04-29.

Method of forming p-n junction on zno thin film and p-n junction thin film

Номер патента: US20030183818A1. Автор: Young-Chang Kim,Sang-Yeol Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Vacuum channel transistor and diode emitting thermal cathode electrons, and method of manufacturing the vacuum channel transistor

Номер патента: US8115207B2. Автор: Hyun Tak Kim,Dae Yong Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-02-14.

Method of manufacturing gate insulator and gate electrode of thin film transistor using solution process

Номер патента: KR101495921B1. Автор: 김현재,김동림,김시준,김두나. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-02-27.

Thin film and method for manufacturing thin film

Номер патента: US20160056068A1. Автор: Wen Hu,Hui Hu. Владелец: Jinan Jingzheng Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

A method for manufacturing thin films with 3-D nanoporous structure over using a baffle and thin films with 3-D nanoporous structure thereof

Номер патента: KR101818646B1. Автор: 이호년,김현종. Владелец: 한국생산기술연구원. Дата публикации: 2018-03-02.

Thin-film field-effect transistors and making method

Номер патента: EP1583165A1. Автор: Ikuo Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. Fukui. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-05.

Thin-film field-effect transistors and making method

Номер патента: US7256436B2. Автор: Ikuo Fukui. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-14.

METHOD OF FORMING STEP DOPING CHANNEL PROFILE FOR SUPER STEEP RETROGRADE WELL FIELD EFFECT TRANSISTOR AND RESULTING DEVICE

Номер патента: US20150053981A1. Автор: Samavedam Srikanth,Kang Laegu,Qi Yi,Khanna Puneet,Ganz Michael P.,Vemula Sri Charan,Vakada Vara Govindeswara Reddy. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Method of making a two-layer anode substrate with a thin-film electrolyte for solid oxide fuel cell

Номер патента: RU2735327C1. Автор: Сергей Иванович Бредихин,Ольга Васильевна Тиунова,Ольга Юрьевна Задорожная,Юрий Кондратьевич Непочатов,Илья Николаевич Бурмистров,Дмитрий Александрович Агарков,Екатерина Алексеевна Агаркова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2020-10-30.

Cable having a thin film material and methods of preventing discoloration damage to a cable having a thin film material

Номер патента: US09640300B2. Автор: Scott Magner. Владелец: Rockbestos Surprenant Cable Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Cable having a thin film material and methods of preventing discoloration damage to a cable having a thin film material

Номер патента: GB2517608A. Автор: Scott Magner. Владелец: Rockbestos Surprenant Cable Corp. Дата публикации: 2015-02-25.

Cable having a thin film material and methods of preventing discoloration damage to a cable having a thin film material

Номер патента: CA2874680C. Автор: Scott Magner. Владелец: Rockbestos Surprenant Cable Corp. Дата публикации: 2021-12-14.

Method for manufacturing thin-film capacitor for performing temperature compensation of junction capacitance of semiconductor device

Номер патента: US20030008470A1. Автор: Makoto Sasaki,Hitoshi Kitagawa. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Thin film transistor array substrate, method of manufacturing the same, and display device having the same

Номер патента: US09871062B2. Автор: Su Wan WOO,Wan Soon Im. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Array substrate, liquid crystal display device and drive method of liquid crystal display device

Номер патента: US20180046000A1. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Thin film transistor array substrate, display device and method

Номер патента: US09594280B2. Автор: WEI Hu,Tianlei Shi,Zailong Mo. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of manufacturing display panel substrate

Номер патента: US09853070B2. Автор: Hidefumi Yoshida,Shinya Kadowaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Liquid crystal displays with oxide-based thin-film transistors

Номер патента: US09564478B2. Автор: Hiroshi Osawa,Szu-Hsien Lee,Shih Chang Chang,Ting-Kuo Chang,Cheng-Ho Yu,Abbas Jamshidi Roudbari,Kyung-Wook Kim,Chun-Yao Huang,Shang-Chih Lin,Yu-Cheng Chen,Ming-Chin Hung. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of manufacturing dual gate oxide devices

Номер патента: US20140342565A1. Автор: Jun Huang,Zhibiao Mao,Ermin Chong. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-11-20.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20010048127A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20020066918A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of making an organic thin film transistor

Номер патента: US09882128B2. Автор: Oana Diana Jurchescu,Peter James Diemer. Владелец: Wake Forest University. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of making an organic thin film transistor

Номер патента: US09530975B2. Автор: Oana Diana Jurchescu,Peter James Diemer. Владелец: Wake Forest University. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of manufacturing stacked thin film piezoelectric filter

Номер патента: US09386388B2. Автор: Takashi Miyake. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, substrate processing system and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US09831082B2. Автор: HIROSHI Ashihara,Yoshiro Hirose,Takaaki Noda,Satoshi Shimamoto,Tsukasa Kamakura,Takeo Hanashima,Shingo Nohara. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing surface-treated transparent conductive polymer thin film, and transparent electrode manufactured using the same

Номер патента: US09653217B2. Автор: Mikyoung Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing method

Номер патента: US09837261B2. Автор: Atsushi Sano,Yoshiro Hirose,Satoshi Shimamoto,Yoshitomo Hashimoto,Yugo Orihashi. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-12-05.

Display apparatus including a thin film encapsulation layer and apparatus for and method of manufacturing the display apparatus

Номер патента: US09587311B2. Автор: Sungchul Kim,Cheollae Roh,Myungsoo Huh,Dongkyun Ko,Choelmin Jang,InKyo KIM,Seungwoo Seo,Sungmin Cho,Sangjoon Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of producing light-absorbing layer of thin-film solar cells from copper-indium-gallium-sulphur-selenium

Номер патента: RU2446510C1. Автор: Фукианг ХУАНГ,Яоминг ВАНГ. Владелец: Шанхайский Институт Керамики Китайской Академии Наук. Дата публикации: 2012-03-27.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09793107B2. Автор: Yoshiro Hirose,Takaaki Noda,Satoshi Shimamoto,Kiyohiko Maeda,Shingo Nohara. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-10-17.

Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09722201B2. Автор: Jiro Yamada,Takashi Hirano,Koji Hanawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09698007B2. Автор: Yoshiro Hirose,Takaaki Noda,Satoshi Shimamoto,Kiyohiko Maeda,Shingo Nohara. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacturing a SiOCN film, substrate processing apparatus and recording medium

Номер патента: US09837262B2. Автор: Yoshinobu Nakamura,Ryota Sasajima. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing a SiOCN film, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09412585B2. Автор: Yoshinobu Nakamura,Ryota Sasajima. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-08-09.

Transparent thin film having conductive and nonconductive portions, method of patterning the portions, thin-film transistor array substrate including the thin film and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130264572A1. Автор: Ki-Beom Lee,Kyu-Young Kim,Nam-Ok Jung,Gug-Rae Jo,Dae-Young Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Transparent thin film having conductive and nonconductive portions, method of patterning the portions, thin-film transistor array substrate including the thin film and method of manufacturing the same

Номер патента: US9000439B2. Автор: Ki-Beom Lee,Kyu-Young Kim,Nam-Ok Jung,Gug-Rae Jo,Dae-Young Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-07.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09431236B2. Автор: Yoshinobu Nakamura,Ryota Sasajima. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of producing photosensitive kesterite films

Номер патента: RU2744157C1. Автор: Михаил Вячеславович Гапанович,Геннадий Федорович Новиков,Михаил Денисович Агапкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН). Дата публикации: 2021-03-03.

Design and Method of Manufacturing an Enhanced High Performance Image Sensor Device

Номер патента: US20200075678A1. Автор: Paul Carey,Shawn Michael O'rourke,Robert Rodriquez,Ick-hwan KO. Владелец: dpiX LLC. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of enhancing the conductive and optical properties of deposited indium tin oxide (ito) thin films

Номер патента: EP2436044A1. Автор: Yiwei Lu,David M. Broadway. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2012-04-04.

Method of enhancing the conductive and optical properties of deposited indium tin oxide (ito) thin films

Номер патента: WO2010138157A1. Автор: Yiwei Lu,David M. Broadway. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2010-12-02.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09548198B2. Автор: Kazutaka Yanagita,Yoshiro Hirose,Shingo OKUBO,Norikazu Mizuno. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-01-17.

Deterministic Quantum Emitter Operating At Room Temperature In Optical Communication Wavelength Using Intersubband Transition Of Nitride-Based Semiconductor Quantum Dot, Method Of Fabricating Same, And Operating Method Thereof

Номер патента: US20190027645A1. Автор: Yong-Hoon Cho,Hwanseop Yeo,JongHoi Cho. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-01-24.

Thin film photovoltaic cell, cell pack and method of fabricating thin film photovoltaic cell

Номер патента: US12125925B2. Автор: YUAN Li,Liang Yang,Xiongcai XIE,Guang Huang. Владелец: Truly Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Device for application of functional layers of thin-film solar cells on substrate by deposition in plasma of low-frequency induction discharge of low-pressure transformer

Номер патента: RU2582077C2. Автор: Игорь Максимович Уланов,Артем Юрьевич Литвинцев,Михаил Витальевич Исупов,Павел Александрович Мищенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2016-04-20.

Manufacturing method of two-dimensional transition-metal chalcogenide thin film

Номер патента: US09460919B1. Автор: Henry Medina,Yu-Lun Chueh,Yu-Ze Chen,Yi-Chen Hsieh. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of forming chalcopyrite light-absorbing layer

Номер патента: US09437761B2. Автор: Sang Hyun Park,Young Joo Eo,Ara Cho,SeJin Ahn,Jihye Gwak,Kyung Hoon YOON,Jae Ho Yun,Kee Shik Shin,SeoungKyu Ahn,Jun Sik Cho,Joo Hyung Park,Jin Su Yoo. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2016-09-06.

Thin film transistor array substrate and method of manufacturing thereof and display device having the thin film transistor array substrate

Номер патента: KR102304991B1. Автор: 임완순,우수완. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2021-09-28.

Thin film transistor array substrate and organic light emitting diode panel

Номер патента: US20210126067A1. Автор: Hongyu Xu,Bin Xu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

A method for fabricating thin films

Номер патента: EP2274771A1. Автор: Bing Liu,Makoto Murakami,Yong Che,Yuzuru Uehara,Zhenlin Liu,Zhendong Hu. Владелец: IMRA America Inc. Дата публикации: 2011-01-19.

Thin-film transistor array substrate and display device

Номер патента: US20210143184A1. Автор: Tatsuya Kawasaki,Hajime Imai,Masaki Maeda,Hideki Kitagawa,Yoshihito Hara,Tohru Daitoh,Toshikatsu ITOH. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Dielectric thin film element, antifuse element, and method of producing dielectric thin film element

Номер патента: US09548161B2. Автор: Jun Takagi,Yutaka Takeshima,Yutaka Ishiura,Toshiyuki Nakaiso,Shinsuke Tani,Yuji Irie. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Dielectric thin film element, antifuse element, and method of producing dielectric thin film element

Номер патента: US09460859B2. Автор: Jun Takagi,Yutaka Takeshima,Yutaka Ishiura,Toshiyuki Nakaiso,Shinsuke Tani,Yuji Irie. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of manufacturing a thin-film pattern on a substrate

Номер патента: US5259926A. Автор: Yuji Mori,Kazuhiro Kuwabara,Yoshiro Mikami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-11-09.

Method for fabricating thin film transistor matrix device

Номер патента: US5580796A. Автор: Kazuhiro Watanabe,Yasuhiro Nasu,Kazuo Nonaka,Hideaki Takizawa,Shiro Hirota,Teiji Majima,Seii Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-12-03.

Method of manufacturing non-photosensitive polyimide passivation layer

Номер патента: US20130130504A1. Автор: Xiaobo Guo. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Polymeric dielectrics, methods of manufacturing the same, and electronic devices and thin film transistors including the same

Номер патента: US20170331057A1. Автор: Zhenan Bao,Jong Won Chung,Sangyoon Lee,Ying-Li RAO. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-11-16.

Method of manufacturing light absorbing layer for solar cell using selenization process under element selenium vapor ambience and thermal treatment apparatus for manufacturing light absorbing layer

Номер патента: US20150031166A1. Автор: Seong Hoon Song. Владелец: Semics Inc. Дата публикации: 2015-01-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8288221B2. Автор: Nobuyuki Mise,Takahisa Eimori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Photodetector and method of manufacturing the photodetector

Номер патента: US11362224B2. Автор: Seung Hyuk CHOI,Jin Hong Park,Sung Joo Lee,Jae Ho Jeon. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-06-14.

Photodetector and method of manufacturing the photodetector

Номер патента: US20210119070A1. Автор: Seung Hyuk CHOI,Jin Hong Park,Sung Joo Lee,Jae Ho Jeon. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-04-22.

Method of transferring and electrically joining a high density multilevel thin film to a circuitized and flexible organic substrate and associated devices

Номер патента: WO2012096774A1. Автор: Louis Joseph Rendek, Jr.,David Nicol,Michael Weatherspoon. Владелец: HARRIS CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-19.

Method of transferring and electrically joining a high density multilevel thin film to a circuitized and flexible organic substrate and associated devices

Номер патента: US09691698B2. Автор: Louis Joseph Rendek, Jr.,Michael Raymond Weatherspoon,David B. Nicol. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of transferring and electrically joining a high density multilevel thin film to a circuitized and flexible organic substrate and associated devices

Номер патента: US09420687B2. Автор: Louis Joseph Rendek, Jr.,Michael Raymond Weatherspoon,David B. Nicol. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2016-08-16.

Thin-film devices and fabrication

Номер патента: US20220241893A1. Автор: Robert T. Rozbicki,Abhishek Anant Dixit,Anshu A. Pradhan,Todd William Martin,Fabian Strong. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Thin-film devices and fabrication

Номер патента: US20240082949A1. Автор: Robert T. Rozbicki,Abhishek Anant Dixit,Anshu A. Pradhan,Todd William Martin,Fabian Strong. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Thin-film devices and fabrication

Номер патента: US11865632B2. Автор: Robert T. Rozbicki,Abhishek Anant Dixit,Anshu A. Pradhan,Todd William Martin,Fabian Strong. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Patterning Method Of Organic materials Of Organic Electric Device and Organic Thin Film Transistor and Organic Electronic Emitting Device

Номер патента: KR100843553B1. Автор: 박상희,안성덕,양용석,도이미,추혜용,이정익,황치선,강광용,정승묵. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2008-07-04.

Organic Thin Film Transistor Manufacturing Method Using Roll Imprinting Process And Organic Thin Film Transistor Thereby

Номер патента: KR101425193B1. Автор: 김광영,장윤석,조정대,이택민. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2014-07-31.

Metal thin-film precursor composition, method of forming thin film using metal thin-film precursor composition, and semiconductor substrate fabricated using method

Номер патента: US20240145301A1. Автор: Ji Hyun Nam,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Stress control of thin films by mechanical deformation of wafer substrate

Номер патента: US6156623A. Автор: Jeffrey F. Roeder,Steven M. Bilodeau,Bryan C. Hendrix. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2000-12-05.

Method of treating wafer surface

Номер патента: US5078832A. Автор: Masato Tanaka. Владелец: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1992-01-07.

Ferroelectric thin film coated substrate, producing method thereof and capacitor structure element using thereof

Номер патента: US5757061A. Автор: Takeshi Kijima,Masayoshi Koba,Sakiko Satoh,Hironori Matsunaga. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

Thin-film type solar cell and method of manufacturing the same, and thin-film type solar cell module and power generation system using the thin-film type solar cell

Номер патента: DE102009058794A1. Автор: Chang Kyun Seongnam-si Park,Hyung Dong Yongin-si Kang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-17.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20140220787A1. Автор: Yoshinobu Nakamura,Ryota Sasajima. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-08-07.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20150126043A1. Автор: Yoshinobu Nakamura,Ryota Sasajima. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2015-05-07.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US8728954B2. Автор: Yoshinobu Nakamura,Ryota Sasajima. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-05-20.

Auxiliary precursor, thin-film precursor composition, method of forming thin film, and semiconductor substrate fabricated using method

Номер патента: US20240136175A1. Автор: Seung Hyun Lee,Sung Woo Cho,Ji Hyun Nam,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Thin film photovoltaic cell and method of fabricating same, and cell pack

Номер патента: EP4376100A1. Автор: YUAN Li,Liang Yang,Xiongcai XIE,Guang Huang. Владелец: Truly Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Methods of forming thin film resistors with high power handling capability

Номер патента: US20160307671A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Methods of forming hydrophobic silicon dioxide layer and forming organic thin film transistor

Номер патента: TWI474400B. Автор: Ching Lin Fan,Ping Cheng Chiu,Chang Chih Lin. Владелец: Univ Nat Taiwan Science Tech. Дата публикации: 2015-02-21.

Method of removing thin film layers of a semiconductor component

Номер патента: US5926688A. Автор: Yih-Yuh Doong,Chien-Hsin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-07-20.

Solvent-less method to manufacture thin film devices

Номер патента: CA3036194C. Автор: Alberto Argoitia,Kangning Liang,Jaroslaw Zieba,Johannes P. Seydel. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2023-09-26.

Transparent conductive oxide thin film substrate, method of fabricating the same, and organic light-emitting device and photovoltaic cell having the same

Номер патента: US20140026952A1. Автор: Seo Hyun Kim,Hyunhee Lee,Young Zo Yoo,Gun Sang Yoon. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

Methods of bandgap analysis and modeling for high k metal gate

Номер патента: US20190242938A1. Автор: Qiang Zhao,Min Dai,Dawei Hu,Dominic Schepis,Ming Di. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Polycrystalline silicon thin film forming method

Номер патента: US6447850B1. Автор: Eiji Takahashi,Naoto Kuratani,Akinori Ebe. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-10.

Methods of forming thin film resistors with high power handling capability

Номер патента: US9842674B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Thin film photovoltaic cell, cell pack and method of fabricating thin film photovoltaic cell

Номер патента: US20240170587A1. Автор: YUAN Li,Liang Yang,Xiongcai XIE,Guang Huang. Владелец: Truly Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Full-laser grooving and scribing method of large-area copper indium gallium selenide thin-film solar cell module

Номер патента: GB2555277A9. Автор: Zhang Ning,YU Xinping,DAI Wanlei. Владелец: Beijing Sifang Crenergey Optoelectronics Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-11.

Method of controlling the composition of a photovoltaic thin film

Номер патента: WO2011029706A2. Автор: Hariklia Deligianni,Harold John Hovel,Raman Vaidyanathan. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-03-17.

A method for detecting defects in thin film layers

Номер патента: EP3847686A1. Автор: Anthony O'hara,Daniel Drysdale. Владелец: Memsstar Ltd. Дата публикации: 2021-07-14.

Method for detecting defects in thin film layers

Номер патента: US11740185B2. Автор: Anthony O'hara,Daniel Drysdale. Владелец: Memsstar Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240145620A1. Автор: Takuma Ishikawa,Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Yutaka Kitajima,Hironori Furuta,Yuuki SHINOHARA. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of etching thin film and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230377911A1. Автор: Won-Geun Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Optical thin film laminate for organic electroluminescent display element, production method thereof, organic electroluminescent display element and display device

Номер патента: US09450210B2. Автор: Fei Liu,Xue Gao,Jinlong Liao,Qinghui Zeng,Junran Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

METHOD OF FORMING NANO CRYSTALS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS INCLUDING THIN FILM HAVING THE SAME

Номер патента: US20140227809A1. Автор: Choi Seung-Ho,Huh Myung-Soo,Roh Cheol-Lae. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-14.

Method for producing self-sustained thin films

Номер патента: RU2767034C2. Автор: Иван Александрович Корж. Владелец: Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП"). Дата публикации: 2022-03-16.

Method of forming a dielectric thin film having low loss composition of Bax Sry Ca1-x-y TiO3 : Ba0.12-0.25 Sr0.35-0.47 Ca0.32-0.53 TiO3

Номер патента: US6146907A. Автор: Xiao-Dong Xiang,Ichiro Takeuchi,Hauyee Chang. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 2000-11-14.

High-resolution micro-LED display panel and manufacturing method of the same

Номер патента: US11915962B2. Автор: Feng Zhang,Jian Sun,Yudi Gao,Wenbin Zhou,Xiaolong Yang,Xiaosong Du. Владелец: Kunshan Fantaview Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Manufacture method of quantum dot light-emitting diode display and quantum dot light-emitting diode display

Номер патента: US20180102506A1. Автор: Dongze Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

Manufacture method of quantum dot light-emitting diode display and quantum dot light-emitting diode display

Номер патента: US9941490B1. Автор: Dongze Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Capacitor, electronic device including the same, and method of preparing the capacitor

Номер патента: US20230402231A1. Автор: Changsoo LEE,Jooho Lee,Cheheung KIM,Jinhong Kim,Yong-hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Magnetic thin film inductor structures

Номер патента: US20180219059A1. Автор: Eric Soenen,Alan Roth,Paul Rannuci,Ted Dibenne. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Magnetic thin film inductor structures

Номер патента: US20240162277A1. Автор: Eric Soenen,Alan Roth,Paul Rannuci. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

A method for controlling stress in thin film layers deposited over a high density interconnect common circuit base

Номер патента: EP1114573A1. Автор: Jan I. Strandberg,Scott M. Westbrook. Владелец: Kulicke and Soffa Holdings Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Method for producing a thin film cell arrangement

Номер патента: US09865755B2. Автор: Birger Zimmermann,Hans-Frieder Schleiermacher,Sebastian Schiefer. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for preparing a nanoporous ultra-low dielectric thin film including a high-temperature ozone treatment and a nanoporous ultra-low dielectric thin film prepared by the same method

Номер патента: US09679761B2. Автор: Bum Suk Kim,Bo Ra Shin,Hee Woo Rhee,Kyu Yoon CHOI. Владелец: Sogang University. Дата публикации: 2017-06-13.

Thin film solar module and method for production of the same

Номер патента: US09425339B2. Автор: Frank Becker,Michael Bauer,Jochen Fritsche,Matthias Huchel. Владелец: CALYXO GMBH. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of fabricating thin film solar cell

Номер патента: US20110312124A1. Автор: Jong-Il Kim,Hui-Jae Lee,Tae-Kung YU. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Transition metal-dichalcogenide thin film and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200277700A1. Автор: TAE JOO Park,Dae Hyun Kim,Daewoong Kim,Tae Jun Seok,Hyunsoo Jin. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-09-03.

Thin film capacitor and electronic circuit substrate having the same

Номер патента: US20230268125A1. Автор: Kenichi Yoshida,Yoshihiko Yano,Daiki Ishii,Yuki YAMASHITA,Tetsuhiro Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Thin film photoelectric conversion device and method for manufacturing thin film photoelectric conversion device

Номер патента: US20110272771A1. Автор: Jose Briceno. Владелец: Si Nano Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Method for producing thin film

Номер патента: US20020187649A1. Автор: Takayuki Abe,Naoki Nakamura,Naomi Fukumaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Thin film resistor (tfr) with oxidation prevention

Номер патента: US20240282806A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Sheng-Chau Chen,Guanyu Luo. Владелец: Taiwen Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Transition metal-dichalcogenide thin film and manufacturing method therefor

Номер патента: US11649545B2. Автор: TAE JOO Park,Dae Hyun Kim,Daewoong Kim,Tae Jun Seok,Hyunsoo Jin. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-05-16.

Organic thin film passivation of metal interconnections

Номер патента: US20170141061A1. Автор: Mark S. Hlad,Aleksandar Aleksov,Edward R. Prack,Tony Dambrauskas,Danish Faruqui. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Organic thin film passivation of metal interconnections

Номер патента: US20140138818A1. Автор: Mark S. Hlad,Edward R. Prack,Tony Dambrauskas,Danish Faruqui,Alexsandar Aleksov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Carbon-titania nanocomposite thin films and applications of the same

Номер патента: US20230335343A1. Автор: Yu Teng Liang,Baiju K. Vijayan,Kimberly A. Gray,Mark C. Hersam. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2023-10-19.

Visually undistorted thin film electronic devices

Номер патента: US20230262997A1. Автор: Marinus Franciscus Antonius Maria van Hest,Scott R. Hammond,John A. Conklin. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Thin films prepared with gas phase deposition technique

Номер патента: EP1838893A1. Автор: Ola Nilsen,Helmer Fjellvag. Владелец: Universitetet I Oslo. Дата публикации: 2007-10-03.

Visually undistorted thin film electronic devices

Номер патента: US12075639B2. Автор: Marinus Franciscus Antonius Maria van Hest,Scott R. Hammond,John A. Conklin. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Organic thin film passivation of metal interconnections

Номер патента: US09824991B2. Автор: Mark S. Hlad,Aleksandar Aleksov,Edward R. Prack,Tony Dambrauskas,Danish Faruqui. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Organic thin film passivation of metal interconnections

Номер патента: US09583390B2. Автор: Mark S. Hlad,Aleksandar Aleksov,Edward R. Prack,Tony Dambrauskas,Danish Faruqui. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Composition for ferroelectric thin film formation, method for forming ferroelectric thin film, and ferroelectric thin film formed by the method thereof

Номер патента: US09502636B2. Автор: Takashi Noguchi,Nobuyuki Soyama,Jun Fujii,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Thin film bismuth iron oxides useful for piezoelectric devices

Номер патента: US09356224B2. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Lane W. Martin,Robert J. Zeches. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of Manufacturing a Sensor Device Having a Porous Thin-Film Metal Electrode

Номер патента: US20140175523A1. Автор: Feyh Ando,Yama Gary,"OBrien Gary",Purkl Fabian,Samarao Ashwin K.. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-06-26.

DRAM cell with enhanced capacitor area and the method of manufacturing the same

Номер патента: US8084321B2. Автор: Jai-Hoon Sim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-12-27.

Method of manufacturing a sensor device having a porous thin-film metal electrode

Номер патента: EP2981816B1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,Ashwin Samarao. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-03-21.

Dram cell with enhanced capacitor area and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20090057741A1. Автор: Jai-Hoon Sim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Dram cell with enhanced capacitor area and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20110230023A1. Автор: Jai-Hoon Sim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor device, photoelectronic device, and method for manufacturing transition-metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US10593819B2. Автор: Jin Woo Park,Ki Hyun Kim,Ki Seok Kim,Ji Young Byun,Geun Young Yeom,Doo San KIM,You Jin JI. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2020-03-17.

Thin-film semiconductor device, electro-optical device, methods for manufacturing the same, and reticle

Номер патента: US20030160244A1. Автор: Takahiro Amano,Kiyofumi Kitawada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-08-28.

Manganese oxide thin film and oxide laminate

Номер патента: US20140374749A1. Автор: Yasushi Ogimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device, photoelectronic device, and method for manufacturing transistion-metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US20200176620A1. Автор: Jin Woo Park,Ki Hyun Kim,Ki Seok Kim,Ji Young Byun,Geun Young Yeom,Doo San KIM,You Jin JI. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2020-06-04.

METHOD OF FABRICATING A(C)IGS BASED THIN FILM USING Se-Ag2Se CORE-SHELL NANOPARTICLES, A(C)IGS BASED THIN FILM FABRICATED BY THE SAME, AND TANDEM SOLAR CELLS INCLUDING THE A(C)IGS BASED THIN FILM

Номер патента: US20150287854A1. Автор: Gwak Jihye,Ahn Sejin,Ahn SeoungKyu,Cho Ara,Yoo Jin-Su,Yoon Kyung Hoon,Eo Young Joo,Cho Jun Sik,Park Joo Hyung,Yun Jae Ho,Shin Kee Shik. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

Metallic very thin film, metallic very thin film multilayer body, and method for manufacturing the metallic very thin film or the metallic very thin film laminate

Номер патента: CA2441204A1. Автор: Yoshitada Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of fabricating A(C)IGS based thin film using Se-Ag2Se core-shell nanoparticles, A(C)IGS based thin film fabricated by the same, and tandem solar cells including the A(C)IGS based thin film

Номер патента: US9634162B2. Автор: Young Joo Eo,Ara Cho,SeJin Ahn,Jihye Gwak,Jin-Su Yoo,Kyung Hoon YOON,Jae Ho Yun,Kee Shik Shin,SeoungKyu Ahn,Jun Sik Cho,Joo Hyung Park. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of producing electrotechnical thin films at room temperature, use thereof and heating system based on thin films obtained using said method

Номер патента: RU2731839C2. Автор: Патрик ЛИНДЕР,Даниль ЛИНДЕР. Владелец: Дайнемик Солар Системс Аг. Дата публикации: 2020-09-08.

Polythiophene star copolymer capable of being self-doped by external stimulus, a method for producing the same, a conductive thin film using the same, and a method for producing the conductive thin film

Номер патента: US09908979B2. Автор: Hyun Ji Kim,Seung Sang Hwang,Soon Man Hong,Kyung Youl Baek,Chong Min Koo,Yun Jae Lee,Hyeon Yeol Jeon,Min Jae KO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-03-06.

THIN FILM ASSEMBLY AND METHOD OF PREPARING THE SAME, AND HETERO-JUNCTION CELL INCLUDING THIN FILM ASSEMBLY

Номер патента: US20190198698A1. Автор: Zhang Jinyan,Yu Cao,Xu Xixiang,CUI GE,HE YONGCAI. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Ferroelectric thin film, method of forming the same, coating liquid for forming the thin film

Номер патента: JP2999703B2. Автор: 晃 橋本,一郎 小岩,充郎 見田,隆雄 金原,佳宏 澤田. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-17.

Thin film formation method for ferroelectric materials

Номер патента: US5976946A. Автор: Yoshihiro Hayashi,Takeo Matsuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Gallium nitride compound-based semiconductor light emitting device and process for producing gallium nitride compound-based semiconductor thin film

Номер патента: MY114592A. Автор: Takeishi Hidemi,Kamei Hidenori,Oku Yasunari,Shinagawa Shuuichi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-30.

Thin-film double-glazed photovoltaic module and fabrication method thereof

Номер патента: CA3018695A1. Автор: Jinchun ZHANG. Владелец: Miasole Photovoltaic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-19.

Preparation method of a(c)igs-based thin film using core(se)-shell(ag2se) nanoparticles, a(c)igs-based thin film prepared by the same, and tandem solar cell containing the same

Номер патента: KR101352861B1. Автор: 조아라,안승규,윤경훈,곽지혜,안세진,윤재호,신기식,어영주. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2014-02-18.

Ferroelectric thin film device and method for making the same

Номер патента: US5817532A. Автор: Seungki Joo,Jaehyun Joo. Владелец: Seungki Joo. Дата публикации: 1998-10-06.

Plated article having metal thin film formed by electroless plating

Номер патента: US8394508B2. Автор: Junichi Ito,Toru Imori,Atsushi Yabe,Junnosuke Sekiguchi,Yoshiyuki Hisumi. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-12.

A method of manufacturing a semiconductor device having atleast one insulated gate field effect transistor, and semiconductor device manufactured by using the method

Номер патента: AU464037B2. Автор: Steinmeier Walter. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1975-07-29.

Thin film assembly and method of preparing the same, and hetero-junction cell including thin film assembly

Номер патента: CA3011855A1. Автор: Cao Yu,XiXiang Xu,Jinyan Zhang,Ge CUI,Yongcai He. Владелец: Beijing Juntai Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-21.

Thin film assembly and method of preparing the same, and hetero-junction cell including thin film assembly

Номер патента: AU2018206805A1. Автор: Cao Yu,XiXiang Xu,Jinyan Zhang,Ge CUI,Yongcai He. Владелец: Beijing Juntai Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Metal-doped gallium oxide transparent conductive thin film for ultraviolet waveband and preparation method therefor

Номер патента: US20210305460A1. Автор: Hong Wang,Xiaolong Hu,Quanbin ZHOU,Rulian WEN. Владелец: Zhongshan Institute of Modern Industrial Technology of South China University of Technology. Дата публикации: 2021-09-30.

Thin Film Inductor, Power Conversion Circuit, and Chip

Номер патента: US20200005985A1. Автор: Wei Chen,Yongfa Zhu,Shijun Yang,Heqian YANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Treatment of a thin film by hydrogen plasma and polarisation in order to improve the crystalline quality thereof

Номер патента: US11898239B2. Автор: Jean-Charles Arnault,Samuel Saada,Julien DELCHEVALRIE,Romain BACHELET. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for forming a planarized thin film

Номер патента: CA1247464A. Автор: Hiroaki Nakamura,Kazuyoshi Kamoshida,Takao Amazawa. Владелец: Takao Amazawa. Дата публикации: 1988-12-28.

Downhole tool with thin film thermoelectric cooling

Номер патента: GB2476178A. Автор: Rocco DiFoggio. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2011-06-15.

Silicon thin film member

Номер патента: US5484658A. Автор: HISANORI Ihara,Hidetoshi Nozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-01-16.

Methods for fabricating thin film iii-v compound solar cell

Номер патента: US20090044860A1. Автор: Christopher Youtsey,David McCallum,Noren Pan,Glen Hillier,Duy Phach Vu,Rao Tatavarti. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Methods for fabricating thin film III-V compound solar cell

Номер патента: US11901476B2. Автор: Christopher Youtsey,Genevieve Martin,David McCallum,Noren Pan,Glen Hillier,Duy Phach Vu,Rao Tatavarti. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Thin film structure for micro-bolometer and method for fabricating the same

Номер патента: US20190316968A1. Автор: Won Jun Choi,Sanghyeon Kim,Jeong Min BAIK,Ki-suk Lee,Seung Hyub BAEK,Tae Hyeon KIL. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Thin film deposition apparatus and thin film deposition method

Номер патента: US20210102287A1. Автор: Kyu Jin Choi,Kwang Woon Lee,Sung Ha CHOI,Kang Il Lee,Min Hyuk IM. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of transferring and electrically joining a high density multilevel thin film to a circuitized and flexible organic substrate and associated devices

Номер патента: EP2664224A1. Автор: Louis Joseph Rendek, Jr.,David Nicol,Michael Weatherspoon. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2013-11-20.

Treatment of a thin film by hydrogen plasma and polarisation in order to improve the crystalline quality thereof

Номер патента: US20220325405A1. Автор: Jean-Charles Arnault,Samuel Saada,Julien DELCHEVALRIE,Romain BACHELET. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-10-13.

Method for activating absorption layer of thin-film solar cell

Номер патента: EP4369423A1. Автор: SHOU PENG,Xinjian Yin,Ganhua FU,Christian Drost,Liyun MA. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Method for making thin film devices intended for solar cells or SOI applications

Номер патента: EP1385200A3. Автор: Jef Poortmans,Renat Bilyalov,Chetan Singh Solanki. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2005-03-09.

Magnetic thin film inductor structures

Номер патента: US11935914B2. Автор: Eric Soenen,Alan Roth,Paul Rannuci. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Rare earth sulfide thin films

Номер патента: EP2556544A2. Автор: Chin Li Cheung,Joseph R. Brewer. Владелец: NuTech Ventures Inc. Дата публикации: 2013-02-13.

Material for formation of thin film for use in atomic layer deposition and method for producing thin film

Номер патента: EP4130335A4. Автор: Keisuke Takeda,Masaki Enzu. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for production of re-emitting textured thin films based on amorphous hydrogenated silicon with silicon nanocrystals

Номер патента: RU2619446C1. Автор: Денис Михайлович Жигунов,Павел Константинович Кашкаров,Андрей Георгиевич Казанский,Павел Анатольевич Форш,Андрей Вячеславович Емельянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2017-05-15.

Thin film resistor comprising sputtered alloy of silicon and tantalum

Номер патента: US3790913A. Автор: F Peters,N Schwartz. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-02-05.

Preparation method of copper-indium-gallium-selenium light absorption layer of thin-film solar cell

Номер патента: CN105097965A. Автор: 张坤峰. Владелец: XIAMEN SHENKE SOLAR ENERGY CO Ltd. Дата публикации: 2015-11-25.

Method of coating exterior surface of case with high resistance thin film

Номер патента: WO2009057892A1. Автор: Young Sang Yoo. Владелец: Sid Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-05-07.

Method and device for removing a thin film from a wafer backside surface

Номер патента: US5605602A. Автор: Damon K. DeBusk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-02-25.

Ferroelectric thin film and method for forming the same

Номер патента: EP1434259A1. Автор: Yong-kyun Lee,Young-soo Park,June-key Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-06-30.

Thin films and preparation process thereof

Номер патента: WO2013098839A3. Автор: Swanand Patil,Uday Agarwal. Владелец: Reliance Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Thin films and preparation process thereof

Номер патента: EP2771184A2. Автор: Swanand Patil,Uday Agarwal. Владелец: Reliance Industries Ltd. Дата публикации: 2014-09-03.

Ferroelectric thin film, electronic element using same, and method for manufacturing ferroelectric thin film

Номер патента: US20230029023A1. Автор: Hiroshi Yamada,Takao Shimizu,Masato Uehara,Hiroshi Funakubo,Marito AKIYAMA,Shinnosuke YASUOKA. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2023-01-26.

Piezoelectric thin film device

Номер патента: US20200176667A1. Автор: Junichi Kimura,Yukari Inoue. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Piezoelectric thin film element, piezoelectric actuator, piezoelectric sensor, hard-disk drive and ink jet printer device

Номер патента: US9685602B2. Автор: Hitoshi Sakuma,Ryu OHTA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Piezoelectric thin film element, piezoelectric actuator, piezoelectric sensor, hard-disk drive and ink jet printer device

Номер патента: US20160218271A1. Автор: Hitoshi Sakuma,Ryu OHTA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Mask for oled thin-film encapsulation

Номер патента: US20190198821A1. Автор: Wei Yu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device, photoelectronic device, and method for manufacturing transition-metal dichalcogenide thin film

Номер патента: US10916670B2. Автор: Jin Woo Park,Ki Hyun Kim,Ki Seok Kim,Ji Young Byun,Geun Young Yeom,Doo San KIM,You Jin JI,Jieun Kang. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-02-09.

Method of transferring and electrically joining a high density multilevel thin film to a circuitized and flexible organic substrate and associated devices

Номер патента: US20120182701A1. Автор: Louis Joseph Rendek, Jr.,David Nicol,Michael Weatherspoon. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2012-07-19.

INK FOR PRODUCING COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM, COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM PRODUCED USING THE INK, SOLAR CELL HAVING COMPOUND SEMICONDUCTOR THE THIN FILM, AND PROCESS FOR PRODUCING SOLAR CELL

Номер патента: US20130153033A1. Автор: Yamada Akira,Zhang Yiwen. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-20.

METHOD OF PRODUCING GLASS SUBSTRATE FOR PATTERNED SOLAR CELL AND THIN-FILM SOLAR CELL USING THE GLASS SUBSTRATE

Номер патента: US20160218230A1. Автор: YI Junsin,Park Hyeongsik,Ahn Shihyun,Kim Sunbo. Владелец: RESEARCH & BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-07-28.

METHOD OF TRANSFERRING AND ELECTRICALLY JOINING A HIGH DENSITY MULTILEVEL THIN FILM TO A CIRCUITIZED AND FLEXIBLE ORGANIC SUBSTRATE AND ASSOCIATED DEVICES

Номер патента: US20160322284A1. Автор: Rendek,JR. Louis Joseph,Weatherspoon Michael Raymond,NICOL DAVID B.. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

Manufacturing method of high efficiency Cu (In, Ga) (Se, S) 2 thin film for solar cell

Номер патента: JPH10513606A. Автор: ヌーフィ、ロメル,エム ガボー、アンドリュー,アール タトル、ジョン,エル テナント、アンドリュー,エイ コントレラス、マイゲル,エス アルビン、デイビッド,ジェイ カラペラ、ジェフレー. Владелец: ミドウェスト リサーチ インスティチュート. Дата публикации: 1998-12-22.

Method of making a lamination and surface planarization for multilayer thin film interconnect

Номер патента: US6632314B1. Автор: Sampath Purushothaman,Chandrika Prasad,Sung Kwon Kang,Kimberley A. Kelly,RongQing Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-10-14.

Manufacturing method of high efficiency Cu (In, Ga) (Se, S) 2 thin film for solar cell

Номер патента: JP3258667B2. Автор: ヌーフィ、ロメル,エム ガボー、アンドリュー,アール タトル、ジョン,エル テナント、アンドリュー,エイ コントレラス、マイゲル,エス アルビン、デイビッド,ジェイ カラペラ、ジェフレー. Владелец: ミドウェスト リサーチ インスティチュート. Дата публикации: 2002-02-18.

Thin film photoelectric conversion device substrate, thin film photoelectric conversion device including the same, and method for manufacturing thin film photoelectric conversion device substrate

Номер патента: JPWO2009142156A1. Автор: 敏明 佐々木,佐々木　敏明,隆 菊池,菊池　隆. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

CZTSSe thin film preparation method used for solar cell, thin film prepared by using said method and solar cell containing said thin film

Номер патента: CN106684210A. Автор: 张超,王赫,乔在祥,杨亦桐,邓朝文. Владелец: CETC 18 Research Institute. Дата публикации: 2017-05-17.

Method of transferring and electrically joining a high density multilevel thin film to a circuitized and flexible organic substrate and associated devices

Номер патента: TW201230222A. Автор: David Nicol,Michael Weatherspoon,Louis Joseph Rendek Jr. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2012-07-16.

Thin film encapsulation structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210336200A1. Автор: Rui Hong,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Vertical type nitride semiconductor light emitting device and method of of manufacturing the same

Номер патента: KR100723150B1. Автор: 김태준,오방원,백두고. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-05-30.

OXIDE SUPERCONDUCTOR THIN FILM, SUPERCONDUCTING FAULT CURRENT LIMITER, AND METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE SUPERCONDUCTOR THIN FILM

Номер патента: US20140080714A1. Автор: Manabe Takaaki,Kumagai Toshiya,Sohma Mitsugu,Matsui Norio,Kasahara Hajime,Matsui Masakazu,Edo Naoto,Nakao Kengo. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-20.

ORGANIC THIN FILM SOLAR CELL MODULE, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC THIN FILM SOLAR CELL MODULE

Номер патента: US20180138326A1. Автор: AOKI Yoichi. Владелец: ROHM CO., LTD.. Дата публикации: 2018-05-17.

COMPOSITION, THIN FILM INCLUDING THE COMPOSITION, AND ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE INCLUDING THE THIN FILM

Номер патента: US20190157570A1. Автор: MIYAZAKI Hiroshi,KIM JongSoo,CHUNG Yeonsook,JEON Soonok,SIM Myungsun,IHN Sooghang,KIM Joonghyuk,LEE Hasup. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

POLYTHIOPHENE STAR COPOLYMER CAPABLE OF BEING SELF-DOPED BY EXTERNAL STIMULUS, A METHOD FOR PRODUCING THE SAME, A CONDUCTIVE THIN FILM USING THE SAME, AND A METHOD FOR PRODUCING THE CONDUCTIVE THIN FILM

Номер патента: US20150203639A1. Автор: KO Min Jae,Lee Yun Jae,Jeon Hyeon Yeol,KIM Hyun Ji,Koo Chong Min,Hong Soon Man,Hwang Seung Sang,Baek Kyung Youl. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

CIGSSe THIN FILM FOR SOLAR CELL, PREPARATION METHOD THEREOF AND ITS APPLICATION TO THIN FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20160315216A1. Автор: MIN Byoung Koun,HWANG Yun Jeong,Park Se Jin. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

THIN FILM CAPACITOR, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND MULTILAYER CIRCUIT BOARD EMBEDDED WITH THIN FILM CAPACITOR

Номер патента: US20190392992A1. Автор: Yoshikawa Kazuhiro,TANAKA Shigeaki,SAITA Hitoshi,KUMAGAE Michihiro. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-12-26.

Amorphous carbon thin film and its formation method, and semiconductor device using amorphous carbon thin film

Номер патента: KR970067603A. Автор: 가즈히코 엔도,도루 다쓰미. Владелец: 닛폰 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 1997-10-13.

Silicon substrate MOS thin film light emitting devices and preparation method thereof and full spectrum thin film light emitting device

Номер патента: CN108011000A. Автор: 张小宁,王耀功,林媛媛,刘凌光. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2018-05-08.

A thin-film solar cell system and method and apparatus for manufacturing a thin-film solar cell

Номер патента: EP2186140A2. Автор: Jiri Springer. Владелец: OC OERLIKON BALZERS AG. Дата публикации: 2010-05-19.

A thin-film solar cell system and method and apparatus for manufacturing a thin-film solar cell

Номер патента: WO2009027476A3. Автор: Jiri Springer. Владелец: Jiri Springer. Дата публикации: 2009-06-18.

Metal thin film resistor suitable for multilayer metal wiring, integrated circuit using metal thin film resistor and integrated circuit manufacturing method

Номер патента: CN110993582A. Автор: 王飞,刘建,刘青,税国华,胡镜影,阚玲. Владелец: Chongqing Zhongke Yuxin Electronic Co ltd. Дата публикации: 2020-04-10.

CIGSSe thin film for solar cell, preparation method thereof and its application to thin film solar cell

Номер патента: US9484488B1. Автор: Se Jin Park,Byoung Koun Min,Yun Jeong HWANG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-11-01.

Thin film capacitor, manufacturing method therefor, and multilayer circuit board embedded with thin film capacitor

Номер патента: US11011315B2. Автор: Shigeaki Tanaka,Kazuhiro Yoshikawa,Michihiro Kumagae,Hitoshi Saita. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-05-18.

Platinum-group metal chalcogenide thin film and a semiconductor material comprising the platinum-group metal chalcogenide thin film

Номер патента: TW202304819A. Автор: 金亨俊,仲沢達也,金東昡. Владелец: 延世大學校產學協力團. Дата публикации: 2023-02-01.

Thin film capacitor, its manufacturing method, and electronic circuit substrate having the thin film capacitor

Номер патента: US20230260697A1. Автор: Kenichi Yoshida,Yoshihiko Yano,Daiki Ishii,Yuki YAMASHITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Bottom and Top Gate Organic Transistors with Fluropolymer Banked Crystallization Well

Номер патента: US20140054560A1. Автор: Ulmer Kurt,Puntambekar Kanan,Stecker Lisa. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

SELF-ALIGNED CARBON NANOTUBE TRANSISTOR INCLUDING SOURCE/DRAIN EXTENSIONS AND TOP GATE

Номер патента: US20160380217A1. Автор: Afzali-Ardakani Ali,Tulevski George S.,Franklin Aaron D.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

SELF-ALIGNED CARBON NANOTUBE TRANSISTOR INCLUDING SOURCE/DRAIN EXTENSIONS AND TOP GATE

Номер патента: US20160380218A1. Автор: Afzali-Ardakani Ali,Tulevski George S.,Franklin Aaron D.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Self-aligned carbon nanotube transistor including source/drain extensions and top gate

Номер патента: US09543535B1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,George S. Tulevski,Aaron D. Franklin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Self-aligned carbon nanotube transistor including source/drain extensions and top gate

Номер патента: US09543534B1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,George S. Tulevski,Aaron D. Franklin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Organic thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09620729B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin film transistor, method of manufacturing same, and electronic device including thin same

Номер патента: US09923159B2. Автор: Eun Kyung Lee,Jiyoung JUNG,Jeong Il Park,Ajeong CHOI,Joo Young Kim,Woo Young Yang,Youngjun YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Array substrate, display device and method of manufacturing the array substrate

Номер патента: US09553110B2. Автор: Shi Shu,Yonglian QI,Guanbao HUI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Liquid crystal display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09785002B2. Автор: Sang Il Kim,Yu Jin Kim,Kyung Tae CHAE,Kwang Soo BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Display device comprising a plurality of microcavities and an encapsulation layer that seals the plurality of microcavities and method of manufacturing the same

Номер патента: US09595549B2. Автор: Yong Seok Kim,Han Joon Yoo,Sung Hwan Won,Won Tae Kim,Pil Sook Kwon,Seon Uk LEE,Woo Jae Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of manufacturing a microstrip edge ground termination

Номер патента: US20030057181A1. Автор: William Oldfield. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-27.

Thin-film devices and fabrication

Номер патента: US09454053B2. Автор: Yashraj Bhatnagar,Todd Martin,Robert T. Rozbicki,Abhishek Anant Dixit,Fabian Strong. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Superconducting thin-film material, superconducting wire and method of production thereof

Номер патента: RU2338280C1. Автор: Судзи ХАХАКУРА,Казу ОХМАЦУ,Казуя ОХМАЦУ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2008-11-10.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: US20220154332A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: US20230128366A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Iron oxide magnetic nanoparticle powder and method of producing the same, iron oxide magnetic nanoparticle thin film containing the iron oxide magnetic nanoparticle powder and method of producing the same

Номер патента: US09916922B2. Автор: Takayuki Yoshida,Manabu Tanaka,Shin-ichi Ohkoshi,Marie YOSHIKIYO,Asuka Namai,Hiroko Tokoro,Waka TARORA. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

System, method and apparatus for forming a thin film lithium ion battery

Номер патента: US09478797B2. Автор: Byunghoon Yoon,Wenming Li,Ann Koo. Владелец: Applejack 199 LP. Дата публикации: 2016-10-25.

Porous, thin film electrodes for lithium-ion batteries

Номер патента: US09748569B2. Автор: Byunghoon Yoon,Wenming Li,Ann Koo. Владелец: Applejack 199 LP. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of making electrodes of a chemical current source

Номер патента: RU2696479C1. Автор: Владимир Владимирович Слепцов,Дмитрий Юрьевич Кукушкин,Анна Олеговна Дителева,Павел Александрович Щур. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)". Дата публикации: 2019-08-02.

Solderable polymer thick film silver electrode composition for use in thin-film photovoltaic cells and other applications

Номер патента: EP2640774A1. Автор: Jay Robert Dorfman. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2013-09-25.

Method of forming a thin film from a lead halide precursor ink for perovskite material devices

Номер патента: EP4422379A2. Автор: Michael D. Irwin,Jerred A. CHUTE,Valvek V Dhas. Владелец: CubicPV Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for high volume manufacturing of thin film batteries

Номер патента: WO2009055529A1. Автор: Byung-Sung Kwak,Nety Krishna,Kurt Eisenbeiser,William J. Dauksher,Jon Candelaria. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of manufacturing thin-film polymer multi-layer capacitor and thin-film polymer multi-layer capacitor

Номер патента: US9947477B2. Автор: Tomonao Kako,Shigeya Tomimoto. Владелец: Rubycon Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Magnetoresistance effect film, a method of manufacturing the same, and magnetoresistance effect device

Номер патента: US5989690A. Автор: Kazuhiko Hayashi,Masafumi Nakada,Jun-Ichi Fujikata,Hidefumi Yamamoto,Kunihiko Ishihara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Thin-film devices and fabrication

Номер патента: CA2859023A1. Автор: Yashraj Bhatnagar,Todd Martin,Robert T. Rozbicki,Abhishek Anant Dixit,Fabian Strong. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Thin-film devices and fabrication

Номер патента: CA2859023C. Автор: Yashraj Bhatnagar,Todd Martin,Robert T. Rozbicki,Abhishek Anant Dixit,Fabian Strong. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Thin-film devices and fabrication

Номер патента: US20220080706A1. Автор: Yashraj Bhatnagar,Todd Martin,Robert T. Rozbicki,Abhishek Anant Dixit,Fabian Strong. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Mesostructured thin-films as electrocatalysts with tunable compositions and surface morphology

Номер патента: US20130209898A1. Автор: Nenad Markovic,Vojislav Stamenkovic. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-15.

Method of producing a freestanding thin film of nano-crystalline graphite

Номер патента: US20150151972A1. Автор: Bart Buijsse,Kasim Sader,Radostin Stoyanov Danev. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2015-06-04.

Method of producing a freestanding thin film of nano-crystalline graphite

Номер патента: US9908778B2. Автор: Bart Buijsse,Kasim Sader,Radostin Stoyanov Danev. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of Producing a Freestanding Thin Film of Nano-Crystalline Carbon

Номер патента: US20160096734A2. Автор: Bart Buijsse,Kasim Sader,Radostin Stoyanov Danev. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2016-04-07.

Metal trim mirror for optimized thin film resistor laser trimming

Номер патента: US20050030632A1. Автор: Karl Robinson,Ralph Wall. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2005-02-10.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: WO2022109516A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus, Inc.. Дата публикации: 2022-05-27.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: EP4247507A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Solderable polymer thick film silver electrode composition for use in thin-film photovoltaic cells and other applications

Номер патента: WO2012067705A1. Автор: Jay Robert Dorfman. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2012-05-24.

Thin film forming method and thin film stack

Номер патента: US20110052924A1. Автор: Kiyoshi Oishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2011-03-03.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of thin film laminated article

Номер патента: US6514372B1. Автор: Akio Yamazaki. Владелец: New Create Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Thin-film dielectric and thin-film capacitor element

Номер патента: US09947469B2. Автор: Masahito Furukawa,Masanori Kosuda,Saori Takeda. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

The method of manufacturing a electrode of hydrous ruthenium oxide thin film electrode and the installation thereof

Номер патента: KR100377302B1. Автор: 김일환,김광범,남경완. Владелец: 김광범. Дата публикации: 2003-03-26.

Method of manufacturing electrical resistors in the form of thin films

Номер патента: FR1337590A. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1963-09-13.

Micro electro-mechanical system device with piezoelectric thin film actuator

Номер патента: WO2004047190A2. Автор: Joon Park,Robert C. Allison,Ron K. Nakahira. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2004-06-03.

Titanium dioxide thin film systems and method of making same

Номер патента: US20100043881A1. Автор: Gregory W. Auner,Golam Newaz,Ibrahim Abdullah Ibrahim AlHomoudi. Владелец: WAYNE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-02-25.

Patterning of magnetic thin film using energized ions and thermal excitation

Номер патента: US20140083363A1. Автор: Mahalingam Venkatesan,Steven Verhaverbeke,Omkaram Nalamasu,Majeed A. Foad,Nety M. Krishna. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Thin film catalytic material for use in fuel

Номер патента: US09577269B2. Автор: Michael Ian Petch,Graham Alan Hards,Jonathan David Brereton Sharman,Ian Roy Harkness,Edward Anthony Wright,Alexander Martin WILLCOCKS. Владелец: Johnson Matthey Fuel Cells Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Thin film device

Номер патента: US20070222550A1. Автор: Kyung-Ku Choi,Toshiyasu Fujiwara. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-09-27.

Barrier layer for thin film battery

Номер патента: US09799914B2. Автор: Prantik Mazumder,Bruce Gardiner Aitken,Mark Alejandro Quesada,Todd Parrish St. Clair,James R Lim. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Manufacturing method of ultra fine grain permanent magnet thin film of iron boron compound / niodymium iron boron / iron boron compound thin film structure

Номер патента: KR100285352B1. Автор: 김상원,양충진. Владелец: 박호군. Дата публикации: 2001-04-02.

Low resistance conductive thin film and fabrication method for the same

Номер патента: US12091738B2. Автор: Min Soo Lee,Jong Chun Park. Владелец: Msway Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Transparent conductive thin film

Номер патента: US09659681B2. Автор: Hee Jung PARK,Chan Kwak,Byungki RYU,Doh Won JUNG,Kyu Hyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Cable having a Thin Film Material and Methods of Preventing Discoloration Damage to a Cable having a Thin Film Material

Номер патента: US20140014391A1. Автор: Magner Scott. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

Cable having a thin film material and methods of preventing discoloration damage to a cable having a thin film material

Номер патента: GB2517608B. Автор: Magner Scott. Владелец: Rockbestos Surprenant Cable Corp. Дата публикации: 2020-02-26.

Method for forming thin film conductors on a substrate

Номер патента: EP2926367A1. Автор: Andrew E. Edd,Charles C. Munson. Владелец: NCC Nano LLC. Дата публикации: 2015-10-07.

Thin-film capacitor core

Номер патента: EP4246544A1. Автор: Wengang Zhang,Jintao LIN,Shaohan LAN. Владелец: XIAMEN FARATRONIC CO Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Thin-Film Capacitor Core

Номер патента: US20240021374A1. Автор: Wengang Zhang,Jintao LIN,Shaohan LAN. Владелец: Xiamen Faratroinic Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Miniaturized electronics package with patterned thin film solid state battery

Номер патента: US11539081B2. Автор: John U. Knickerbocker,Bing Dang,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Miniaturized electronics package with patterned thin film solid state battery

Номер патента: US10651507B2. Автор: John U. Knickerbocker,Bing Dang,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-12.

Thin-film-based assembly

Номер патента: WO2023282753A1. Автор: Pauline Martha Gerardina VAN DEURSEN. Владелец: Vitrotem B.V.. Дата публикации: 2023-01-12.

Miniaturized electronics package with patterned thin film solid state battery

Номер патента: US20180323472A1. Автор: John U. Knickerbocker,Bing Dang,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Miniaturized electronics package with patterned thin film solid state battery

Номер патента: US20200194841A1. Автор: John U. Knickerbocker,Bing Dang,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Miniaturized electronics package with patterned thin film solid state battery

Номер патента: US20200185781A1. Автор: John U. Knickerbocker,Bing Dang,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Miniaturized electronics package with patterned thin film solid state battery

Номер патента: US20180323473A1. Автор: John U. Knickerbocker,Bing Dang,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Thin-film-based assembly

Номер патента: EP4367494A1. Автор: Pauline Martha Gerardina VAN DEURSEN. Владелец: Vitrotem BV. Дата публикации: 2024-05-15.

Thin film head having improved saturation magnetization

Номер патента: US4631613A. Автор: William W. French. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1986-12-23.

High frequency thin film resistor assembly and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4040452A1. Автор: Chi-Yu Lu,Cheng-Chung Chiu,Zhong-yu CHEN. Владелец: Viking Tech Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELDING THIN FILM, ELECTRONIC DEVICE PROVIDED WITH ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELDING THIN FILM AND SHIELDING STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELDING THIN FILM

Номер патента: US20170034965A1. Автор: Park Jin-Man,LEE Ju-Ho,Park Eun-Soo,PARK Keum-hwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-02-02.

Broad band, thin film attenuator and method for construction thereof

Номер патента: CA1240372A. Автор: Leonard A. Roland,H. Erwin Grellmann,Larry R. Lockwood. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1988-08-09.

Low resistance conductive thin film and fabrication method for the same

Номер патента: US20230193446A1. Автор: Min Soo Lee,Jong Chun Park. Владелец: Msway Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Nanocrystal oxide/glass composite mesoporous powder or thin film, process for producing the same, and utilizing the powder or thin film, various devices, secondary battery and lithium storing device

Номер патента: EP1690838B1. Автор: Haoshen c/o Nat. Inst. of Advanced Ind. ZHOU,Itaru c/o National Inst. of Advanced Ind. HOMMA. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2011-02-16.

Nanocrystal oxide/glass composite mesoporous powder or thin film, process for producing the same, and utilizing the powder or thin film, various devices, secondary battery and lithium storing device

Номер патента: EP1690838A4. Автор: Itaru Homma,Haoshen Zhou. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2008-08-13.

Superconducting thin film material, superconducting wire rod and methods for manufacturing such superconducting thin film material and superconducting wire rod

Номер патента: EP1852877A1. Автор: Kazuya Osaka Works of Sumitomo El.Ind.Ltd OHMATSU,Shuji Osaka Works of Sumitomo El.Ind.Ltd HAHAKURA. Владелец: International Superconductivity Technology Center. Дата публикации: 2007-11-07.

Superconducting thin film material, superconducting wire rod and methods for manufacturing such superconducting thin film material and superconducting wire rod

Номер патента: KR100894806B1. Автор: 슈지 하하쿠라,가즈야 오마츠. Владелец: 재단법인 국제 초전도 산업기술연구 센터. Дата публикации: 2009-04-24.

Oxide thin film, and oxide sintered body for sputtering target for producing oxide thin film

Номер патента: KR102315765B1. Автор: 아츠시 나라,게이 무네야스. Владелец: 제이엑스금속주식회사. Дата публикации: 2021-10-22.

Oxide thin film and oxide sintered body for sputtering target for producing the thin film

Номер патента: KR102225493B1. Автор: 아츠시 나라,게이 무네야스. Владелец: 제이엑스금속주식회사. Дата публикации: 2021-03-10.

Method of producing high-stable tensoresistor pressure sensor based on thin-film nano- and micro-electromechanical system

Номер патента: RU2601204C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Пензенский государственный университет"). Дата публикации: 2016-10-27.

Method of forming crystallite-oriented superconducting ceramics by electrodeposition and thin film superconducting ceramic made thereby

Номер патента: WO1989011458A1. Автор: Helmut Eckhardt,Ray H. Baughman,Macrae Maxfield,Zafar Iqbal. Владелец: Allied-Signal Inc.. Дата публикации: 1989-11-30.

Bottom and top gate organic transistors with fluropolymer banked crystallization well

Номер патента: US8803139B2. Автор: Kurt Ulmer,Lisa Stecker,Kanan Puntambekar. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2014-08-12.

Ambipolar organic thin-film field-effect transistor and its fabrication method

Номер патента: EP1705726A2. Автор: Masateru Taniguchi,Tomoji Kawai,Ikuo Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. Fukui,Eriko Mizuno. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2006-09-27.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196666A1. Автор: Byung Yong Ahn,Won So Son,Chang Hyeon Cho. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing piezoelectric element array board, piezoelectric element array board, and poling apparatus

Номер патента: US20230241646A1. Автор: Kenji Sera,HIROSHI Haga,Kenichi Hayashi,Shin Takeuchi. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Vibrating plate of dynamic microphone and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050135652A1. Автор: Hiroshi Akino. Владелец: Audio Technica KK. Дата публикации: 2005-06-23.

Optically treated organic light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070166480A1. Автор: Yu-Jin KIM,Jhun-mo Son,Young-Mok Son,Sang-Hoon Park,Mu-gyeom Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Optically treated organic light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7806742B2. Автор: Yu-Jin KIM,Jhun-mo Son,Young-Mok Son,Sang-Hoon Park,Mu-gyeom Kim. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-05.

Multilayer thin film, method of manufacturing the same, and electronic product including the same

Номер патента: US09999139B2. Автор: Hyun Jun Jung,Jin Hyun Cho,Min Chul JUNG,Hyong Jun YOO,Seo Joon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Ultrasonic transducers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09872120B2. Автор: Dongsik Shim,Seogwoo Hong,Seokwhan CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of forming a planar thin film transistor

Номер патента: US5411909A. Автор: Monte Manning,Charles Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-05-02.

Sealed thin-film device, method of and system for repairing a sealing layer applied to a thin-film device

Номер патента: EP2436059A1. Автор: Herbert Lifka,Coen A. Verschuren,Rifat A. M. Hikmet. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-04-04.

Display device and method of providing the same

Номер патента: US20240090261A1. Автор: Kihyun Kim,Ran Kim,Younggil PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Thin-film bulk acoustic wave delay line

Номер патента: US09473106B2. Автор: William Hunt,James Geoffrey Maloney,Adam Wathen,Farasat Munir,Kyle Spencer Davis,Ryan Sloan Westafer. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method Of Manufacturing Electric Device, Array Of Electric Devices, And Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20130001554A1. Автор: Jeong Il Park,Zhenan Bao,Bang Lin Lee,Sang Yoon Lee,Yong Wan Jin,Do Hwan Kim,Jong Won Chung,Christopher J. Bettinger. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2013-01-03.

Microstructure and method of producing a microstructure

Номер патента: US12071341B2. Автор: Michelle Müller,Goran Stojanovic,Peter HEEB. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of Fabricating Thin Film Transistor and Top-gate Type Thin Film Transistor

Номер патента: US20120280213A1. Автор: Chie Gau,Shiuan-Hua Shiau,Bai-Sheng Cheng. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2012-11-08.

Method of fabricating thin film transistor and top-gate type thin film transistor

Номер патента: TW201246309A. Автор: Chie Gau,Shiuan-Hua Shiau,Bai-Sheng Cheng. Владелец: Univ Nat Cheng Kung. Дата публикации: 2012-11-16.

Method of manufacturing organic semiconductor nanofibrillar network dispersed in insulating polymer using a blend of organic semiconductor/insulating polymer and organic thin film transistor using the same

Номер патента: US8692236B2. Автор: Kil Won Cho,Long Zhen Qiu,Wi Hyoung Lee. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2014-04-08.

Method of manufacturing organic semiconductor nanofibrillar network dispersed in insulating polymer using a blend of organic semiconductor/insulating polymer and organic thin film transistor using the same

Номер патента: EP2377178B1. Автор: Kil Won Cho,Long Zhen Qiu,Wi Hyoung Lee. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2014-07-16.

Method of manufacturing organic semiconductor nanofibrillar network dispersed in insulating polymer using a blend of organic semiconductor/insulating polymer and organic thin film transistor using the same

Номер патента: EP2377178A1. Автор: Kil Won Cho,Long Zhen Qiu,Wi Hyoung Lee. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2011-10-19.

Multilayer thin film, method of manufacturing the same, and electronic product including the same

Номер патента: US20160205788A1. Автор: Hyun Jun Jung,Jin Hyun Cho,Min Chul JUNG,Hyong Jun YOO,Seo Joon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-14.

Optical-energy crosslinkable organic thin film transistor insulation layer material, overcoat insulation layer and organic thin film transistor

Номер патента: TW201213345A. Автор: Isao Yahagi. Владелец: Sumitomo Chemical Co. Дата публикации: 2012-04-01.

Method for forming high tc superconductive thin films

Номер патента: US5922651A. Автор: Masahiro Kawamura,Hiroki Hoshizaki. Владелец: Advanced Mobile Telecommunication Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Method of manufacturing a high temperature superconducting Josephson device

Номер патента: US5981443A. Автор: Zhongmin Wen. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-09.

Organic semiconductor compound, organic thin film including the organic semiconductor compound electronic device including the organic thin film and method of manufacturing the organic thin film

Номер патента: KR20130057951A. Автор: 이방린,박정일,정종원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-06-03.

Organic thin film and organic thin film manufacturing method, organic electroluminescence element, display device, lighting device, organic thin film solar cell, thin film transistor, paint composition

Номер патента: JPWO2016181705A1. Автор: 宗弘 長谷川,森井　克行,克行 森井,貴央 清水,弘彦 深川,清水　貴央,隼 郷田. Владелец: Japan Broadcasting Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Sealed thin-film device as well as method of repairing, system for repairing and computer program product

Номер патента: EP2786436A1. Автор: Coen Verschuren,Antonius Maria Bernardus Van Mol,Peter Van De Weijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2014-10-08.

Method of making n-type semiconductor layer and n-type thin film transistor

Номер патента: TWI560137B. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin. Владелец: Hon Hai Prec Ind Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Method of making N-type semiconductor layer and N-type thin film transistor

Номер патента: TW201545967A. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin. Владелец: Hon Hai Prec Ind Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-16.

Heterolayered ferroelectric thin films and methods of forming the same

Номер патента: SG113020A1. Автор: Wang John,Zhaohui Zhou Anthony,Xue Junmin. Владелец: Univ Singapore. Дата публикации: 2005-07-28.

Wiring circuit board and method of producing the wiring circuit board

Номер патента: US20230413431A1. Автор: Takahiro Ikeda,Yuki Takeda,Kyotaro Yamada,Taketo ISHIKAWA,Hironori KUWAYAMA. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Multilayer encapsulation thin-film

Номер патента: US12134821B2. Автор: Ho Kyoon Chung,Heeyeop Chae,Sang Joon Seo,Seung Woo Seo,Choelmin Jang,Sungmin Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for producing thermally conductive thin film using synthetic graphite powder

Номер патента: US11737243B2. Автор: Dong Ha Kim. Владелец: Indong Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

A method of manufacturing an electromagnetic wave shielding material using thin film aluminum and an electromagnetic wave shielding material

Номер патента: KR101931531B1. Автор: 곽규범. Владелец: (주)크린앤사이언스. Дата публикации: 2018-12-21.

Method of fabricating a terbium-doped electroluminescence device via metal organic deposition processes

Номер патента: US20080026494A1. Автор: Tingkai Li,Wei Gao,Wei-Wei Zhuang,Yoshi Ono. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of forming a one-time-programming (OTP) bit

Номер патента: US10910078B1. Автор: Yu Chou Ke. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-02.

Thin film forming method and color filter manufacturing method

Номер патента: US8187665B2. Автор: Satoru Katagami,Hirotaka ISHIZUKA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-05-29.

Thin film housing structures for collecting solar energy, and associated systems and methods

Номер патента: EP3566010A1. Автор: Chiaki Treynor,Peter Emery Von Behrens,Hayden Graham Burvill,Manish Chandra,Thomas Owlett. Владелец: Glasspoint Solar Inc. Дата публикации: 2019-11-13.

Josephson junction element and method of making the same

Номер патента: US4539741A. Автор: Hiroshi Ohta. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 1985-09-10.

Microelectromechanical microphone with membrane trench reinforcements and method of fabrication

Номер патента: US20230356998A1. Автор: Kurt Rasmussen,Morten Ginnerup,Pirmin Hermann Otto Rombach,Jan Tue Ravnkilde,Dennis Mortensen,Cheng-Yen Liu,Jotaro Akiyama. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Microelectromechanical microphone with membrane trench reinforcements and method of fabrication

Номер патента: US12012326B2. Автор: Kurt Rasmussen,Morten Ginnerup,Pirmin Hermann Otto Rombach,Jan Tue Ravnkilde,Dennis Mortensen,Cheng-Yen Liu,Jotaro Akiyama. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Organic light-emitting diode display device including a thin film encapsulation layer

Номер патента: US12048190B2. Автор: Wonmin Yun,Yisu Kim,Byoungduk Lee,Yoonhyeung Cho,Yongchan Ju,Eungseok Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Organic light-emitting diode display device including a thin film encapsulation layer

Номер патента: US20240357856A1. Автор: Wonmin Yun,Yisu Kim,Byoungduk Lee,Yoonhyeung Cho,Yongchan Ju,Eungseok Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Piezoelectric thin-film resonator

Номер патента: US20080179995A1. Автор: Hideki Kawamura,Keiichi Umeda. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Thin film electroluminescent (EL) panel

Номер патента: US5124204A. Автор: KEIICHI Uno,Shigeo Nakajima,Masaru Yoshida,Yoshiki Murakami,Takuo Yamashita. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-06-23.

Thin film measuring apparatus and thin film measuring method

Номер патента: US20180135959A1. Автор: Cheng-Chi Tai,Chien-Chang Chen. Владелец: METAL INDUSTRIES RESEARCH AND DEVELOPMENT CENTRE. Дата публикации: 2018-05-17.

Method For Manufacturing A Thin Film On A Substrate

Номер патента: US20130260026A1. Автор: Matthias Schreiter,Carsten Schuh,Dana Pitzer,Thorsten Steinkopff. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2013-10-03.

Method for enhancing aggregation state stability of organic semiconductor thin film

Номер патента: GB2617975A. Автор: Hu Wenping,LI Liqiang,Chen Xiaosong,Qi Jiannan. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-25.

Thermoelectric transducing material thin film, sensor device, and its manufacturing method

Номер патента: US20060063291A1. Автор: Noriya Izu,Norimitsu Murayama,Woosuck Shin,Ichiro Matsubara,Fabin Qiu. Владелец: NATIONAL INSTITUTE OF ADV INDUSTRIAL SCI AND Technology. Дата публикации: 2006-03-23.

Microwave Oscillator Tuned With a Ferromagnetic Thin Film

Номер патента: US20070247243A1. Автор: Olivier Klein,Vladimir Naletov. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-10-25.

Method for manufacturing piezoelectric thin film resonator, piezoelectric thin film resonator, frequency filter; method for manufacturing oscillator, oscillator, electronic circuit, and electronic apparatus

Номер патента: US20060037183A1. Автор: Setsuya Iwashita,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Gradient Thin Film

Номер патента: US20090110952A1. Автор: Tae Hyung Kim,Sang Soo Oh,Kyu Jung Song,Rock Kil Ko,Dong Woo Ha,Hong Soo Ha,Ho Sup Kim,Nam Jin LEE. Владелец: Korea Electrotechnology Research Institute KERI. Дата публикации: 2009-04-30.

Microwave oscillator tuned with a ferromagnetic thin film

Номер патента: EP1790072A1. Автор: Vladimir Serv.Physique de l'Etat Condensé NALETOV,Olivier Serv. Physique de l'Etat Condensé KLEIN. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-05-30.

Green light emitting organic thin film electroluminescent device

Номер патента: US5998046A. Автор: Akira Hirano,Hiroshi Tada,Koji Utsugi,Hiroyuki Endoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-12-07.

A kind of inorganic perovskite preparation method of solar battery and products thereof with indium sulfide thin film

Номер патента: CN109216560A. Автор: 杨波,臧志刚. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2019-01-15.

METHOD OF TRANSFERRING AND ELECTRICALLY JOINING A HIGH DENSITY MULTILEVEL THIN FILM TO A CIRCUITIZED AND FLEXIBLE ORGANIC SUBSTRATE AND ASSOCIATED DEVICES

Номер патента: US20140376197A1. Автор: Rendek,JR. Louis Joseph,Weatherspoon Michael Raymond,NICOL DAVID B.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Manufacturing method of core / shell type inorganic fine particles and ferroelectric thin film

Номер патента: JP4298039B2. Автор: 寿和 上垣内. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-07-15.

IR source used in gas sensors comprises thin film section formed as membrane arranged on substrate, resistor provided on thin film section and heated by introducing current to it, and strongly emitting film

Номер патента: DE102004051364A1. Автор: Hisanori Kariya Yokura,Takahiko Nishio Yoshida. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2005-06-09.

Thin-film memory system having thin-film peripheral circuit and memory controller for interfacing with a standalone thin-film memory

Номер патента: US7839673B2. Автор: Tyler Lowrey. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2010-11-23.

Thin film encapsulation structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11765926B2. Автор: Rui Hong,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Thin film packaging structure and preparation method therefor

Номер патента: EP3731292A1. Автор: Rui Hong,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-28.

Superconducting thin film formed of oxide superconductor material, superconducting device utilizing the superconducting thin film and method for manufacturing thereof

Номер патента: EP0533568A1. Автор: So C/O Osaka Works Tanaka,Michitomo C/O Osaka Works Iiyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1993-03-24.

Organic semiconductor material, organic semiconductor composition, organic thin film, field-effect transistor, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP2615657A1. Автор: Yuichi Sadamitsu. Владелец: Nippon Kayaku Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-17.

Organic semiconductor material, organic semiconductor composition, organic thin film, field-effect transistor, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP2615657A4. Автор: Yuichi Sadamitsu. Владелец: Nippon Kayaku Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-05.

Thin film field effect transistor and method for manufacturing same

Номер патента: WO2007077648A1. Автор: Kyoko Kato,Haruo Kawakami,Hisato Kato,Nobuyuki Sekine,Takahiko Maeda. Владелец: FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD.. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for compensation of manufacturing tolerances of at least one electric parameter of a power transistor and associated system

Номер патента: US20130241605A1. Автор: RICHARD Stephane,CARA Herve,NICOLAI Jean-Marc. Владелец: GE ENERGY POWER CONVERSION TECHNOLOGY LTD.. Дата публикации: 2013-09-19.

Laminate, method of forming conductive pattern, conductive pattern obtained thereby, printed wiring board, thin-layer transistor and apparatus utilizing these

Номер патента: WO2008038500A1. Автор: Hiroshi Sato,Yasuaki Matsushita. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2008-04-03.

Method of reducing stress-induced mechanical problems in optical-quality thin films

Номер патента: EP1302792A3. Автор: Luc Ouellet,Jonathan Lachance. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-08-04.

Method of fabricating patterned cellulose nanocrystal composite nanofibers and nano thin films and their applications

Номер патента: US20220177661A1. Автор: Wei-Chih Wang,Yen-Tse Cheng. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-06-09.

Method of fabricating patterned cellulose nanocrystal composite nanofibers and nano thin films and their applications

Номер патента: US11634549B2. Автор: Wei-Chih Wang,Yen-Tse Cheng. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-04-25.

Method of fabricating patterned cellulose nanocrystal composite nanofibers and nano thin films and their applications

Номер патента: US11649333B2. Автор: Wei-Chih Wang,Yen-Tse Cheng. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-05-16.

Method of fabricating patterned cellulose nanocrystal composite nanofibers and nano thin films and their applications

Номер патента: US20220185976A1. Автор: Wei-Chih Wang,Yen-Tse Cheng. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-06-16.

Indium compound, method of producing the same, composition for depositing indium-containing thin film, and indium-containing thin film

Номер патента: US20230212196A1. Автор: Sangick Lee,Sangyong JEON,Yonghee Kwone,Youngjae Im,Taeseok Byun,Sangchan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of fabricating patterned cellulose nanocrystal composite nanofibers and nano thin films and their applications

Номер патента: US11572450B2. Автор: Wei-Chih Wang,Yen-Tse Cheng. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-02-07.

Thin film specimen for tensile test and physical property evaluation method for thin film specimen

Номер патента: US20220390337A1. Автор: Yong Seok Choi,Han Sol Lee,Jee Soon Choi. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Thin film specimen for tensile test and physical property evaluation method for thin film specimen

Номер патента: EP4036551A1. Автор: Yong Seok Choi,Han Sol Lee,Jee Soon Choi. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Organic thin film transistor and method of manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: US11765917B2. Автор: Eijiro Iwase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Thin-film transistor device and manufacturing method

Номер патента: EP2006929A3. Автор: Tadashi Arai,Tomihiro Hashizume,Takeo Shiba,Yuji Suwa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-05-18.

Liquid crystal display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09880438B2. Автор: Kikuo Ono,Daisuke Kajita,Ryutaro Oke. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing an analytical sample and method of analyzing an analytical sample

Номер патента: US7932097B2. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-26.

Method of manufacturing an analytical sample and method of analyzing an analytical sample

Номер патента: US20100171034A1. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Method of manufacturing an analytical sample and method of analyzing an analytical sample

Номер патента: US20110031390A1. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-10.

Method of manufacturing an analytical sample and method of analyzing an analytical sample

Номер патента: US7846741B2. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-07.

Method of manufacturing thermochromic substrate

Номер патента: US9657385B2. Автор: Yong Won Choi,Yung-Jin Jung,Hyun Bin Kim,Seulgi Bae. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing thermochromic substrate

Номер патента: US09657385B2. Автор: Yong Won Choi,Yung-Jin Jung,Hyun Bin Kim,Seulgi Bae. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Threshold voltage compensation circuit of thin film transistor and method for the same, shift register, and display device

Номер патента: US09418756B2. Автор: Lujiang Huangfu,Yinan LIANG,Lifei Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Ultrasonic transducer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09873136B2. Автор: Dongsik Shim,Seogwoo Hong,Seokwhan CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Thin film transistor liquid crystal display and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030038899A1. Автор: Wen-Jian Lin. Владелец: Prime View International Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Membrane transducer structures and methods of manufacturing same using thin-film encapsulation

Номер патента: US09637371B2. Автор: Jeremy R. Hui,Carrie Wing-Zin Low,Emmanuel P Quevy. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing X-ray exposure mask

Номер патента: US5364717A. Автор: Yasuyuki Miyamoto,Kazuhito Furuya. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 1994-11-15.

Heat-resistant optical fiber, a method of manufacturing the same, a method of fixing an optical fiber, and a heat-resistant optical fiber using a protective tube

Номер патента: US20060140566A1. Автор: Yasushi Murakami,Masanori Nonomura,Hidehiko Shimizu,Asuka Nakayama,Tomio Kaise,Tatuo Yamaguchi. Владелец: Totoku Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Thin-film devices and fabrication

Номер патента: EP4344867A3. Автор: Todd Martin,Robert T. Rozbicki,Tom Toan-Cong Tran,Brian D. Griedel. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Methods of peeling and transferring hetero-epitaxially grown graphene films and products containing said films

Номер патента: RU2568718C2. Автор: Виджайен С. ВЕЕРАСАМИ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2015-11-20.

Thin film transistor gas sensor system

Номер патента: GB2597267A. Автор: Cachelin Pascal,Per Gustav Tobjork Daniel. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Method of manufacturing thin film magnetic head

Номер патента: US20010052509A1. Автор: Toru Katakura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Thin film transistor array having a static electricity preventing circuit

Номер патента: US5909035A. Автор: Jeom Jae Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 1999-06-01.

Method for manufacturing a liquid crystal display by applying a laser to remove at least a portion of a polymer thin film layer and a substrate

Номер патента: US09910305B2. Автор: Myung Hwan Kim,Myeong Hee Kim,Dae Ho Lee,Hee-Keun Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of producing gas-analytical multi-sensor chip based on zinc oxide nanorods

Номер патента: RU2732800C1. Автор: Виктор Владимирович Сысоев,Алексей Сергеевич Варежников,Антон Алексеевич Бобков,Илья Анатольевич Плугин,Вячеслав Алексеевич Мощников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2020-09-22.

Method for synthesis of thin film composite membranes

Номер патента: US09808768B2. Автор: Ivo Vankelecom,Guy Koeckelberghs,Sanne Hermans,Ellen Dom. Владелец: Katholieke Universiteit Leuven. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming mask pattern, method of forming thin film pattern and method of forming magnetoresistive element

Номер патента: US20090294403A1. Автор: Hideyuki Yatsu,Akifumi Kamijima,Hitoshi Hatate. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Method of patterning a thin film

Номер патента: US09625820B2. Автор: Arnold Chang-Mou Yang,Wei-Chun Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-04-18.

Use of polyvinylpyrrolidone in the preparation of ana-ZMOF thin film membranes for separation processes

Номер патента: US12017186B2. Автор: Mohamed Eddaoudi,Youssef BELMABKHOUT,Osama Shekhah,Valeriya CHERNIKOVA. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2024-06-25.

Use of polyvinylpyrrolidone in the preparation of ana-zmof thin film membranes for separation processes

Номер патента: EP3860749A1. Автор: Mohamed Eddaoudi,Youssef BELMABKHOUT,Osama Shekhah,Valeriya CHERNIKOVA. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2021-08-11.

In-situ thickness and refractive index monitoring and control system for thin film deposition

Номер патента: WO2002029358A1. Автор: Jian Zhang,Jing Pan. Владелец: Opnetics Corporation. Дата публикации: 2002-04-11.

Novel complexes of metals with n-aminoguanidine, intended for use in making thin films and for catalysis

Номер патента: RU2705362C2. Автор: Йёрг ЗУНДЕРМАЙЕР,Катрин ШЛЕХТЕР. Владелец: Умикоре Аг Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2019-11-07.

Scan driving circuit for oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US09524689B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Thermochromic window and method of fabricating the same

Номер патента: US09442313B2. Автор: Chang Gyu Kim,Yongwon Choi,Yung-Jin Jung,Hyun Bin Kim. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Thin film transistor liquid crystal display and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040104434A1. Автор: Wen-Jian Lin. Владелец: Prime View International Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-03.

Light modulating element array and method of driving the light modulating element array

Номер патента: US20020027536A1. Автор: Koichi Kimura. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-07.

Method of producing graphene ink

Номер патента: RU2737798C2. Автор: Юлия Владимировна Баскакова,Сергей Алексеевич Баскаков,Наталья Юрьевна Шульга,Юрий Макарович Шульга. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Графенокс" (Ооо "Графенокс"). Дата публикации: 2020-12-03.

Thin film magnetic head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010040763A1. Автор: Yoshitaka Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Contact type thin film magnetic head and method of using the same

Номер патента: US20070109687A1. Автор: Satoshi Morikawa. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Method of Forming a Repair Patch for Repairing Inflatable Objects

Номер патента: US20140158283A1. Автор: Alfiero F. Balzano. Владелец: Basic Electronics Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Thin film magnetic recording heads

Номер патента: US4195323A. Автор: Fred S. Lee. Владелец: Magnex Corp. Дата публикации: 1980-03-25.

Display panel and method of manufacturing the display panel

Номер патента: US11886070B2. Автор: WEI Ren. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Method Of Manufacturing Thermochromic Substrate

Номер патента: US20130149441A1. Автор: Yong Won Choi,Yung-Jin Jung,Hyun Bin Kim,Seulgi Bae. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Volume solid electrolyte for high-temperature electrotechnical devices and method of its manufacturing

Номер патента: RU2422952C1. Автор: Виктор Владимирович Иванов,Сергей Николаевич Паранин,Александр Сергеевич Липилин,Алексей Викторович Спирин,Владимир Рудольфович Хрустов,Сергей Николаевич Шкерин,Алексей Викторович Никонов,Виктор Владимирович Иванов (RU),Сергей Николаевич Шкерин (RU),Владимир Рудольфович Хрустов (RU),Александр Сергеевич Липилин (RU),Алексей Викторович Никонов (RU),Алексей Викторович Спирин (RU),Сергей Николаевич Паранин (RU). Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт электрофизики Уральского отделения РАН (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2011-06-27.

Contact type thin film magnetic head with heaters for distance control

Номер патента: US20110013309A1. Автор: Satoshi Morikawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Thin film transistor substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US20180196317A1. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of waste hydrocarbon oils reprocessing to produce high quality base hydrocarbon oils

Номер патента: RU2217484C2. Автор: Йоахим ПЕЛЕР,Михель МЕДЛЕР,Детлеф БРУНКЕ,Хольгер ХИНДЕНБЕРГ. Владелец: Минералель-Раффинери Доллберген Гмбх. Дата публикации: 2003-11-27.

Membrane Transducer Structures And Methods Of Manufacturing Same Using Thin-Film Encapsulation

Номер патента: US20160023889A1. Автор: Emmanuel P. Quevy,Jeremy R. Hui,Carrie Wing-Zin Low. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

WEARABLE THIN-FILM MAGNETIC RESONANCE IMAGING (MRI) RECEIVE COIL INTEGRATED WITH MRI GUIDED TRANSCRANIAL FOCUSED ULTRASOUND (tFUS ) THERAPY SYSTEM

Номер патента: US20230293038A1. Автор: HSU Chang,Ching Yao,San-Chao Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-21.

WEARABLE THIN-FILM MAGNETIC RESONANCE IMAGING (MRI) RECEIVE COIL INTEGRATED WITH MRI GUIDED TRANSCRANIAL FOCUSED ULTRASOUND (tFUS) THERAPY SYSTEM

Номер патента: WO2023183266A1. Автор: HSU Chang,Ching Yao,San-Chao Huang. Владелец: Mbinsight Systems, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Magnetic head and method of manufacturing the same

Номер патента: US5691866A. Автор: Tatsushi Yamamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Thin-film devices and fabrication

Номер патента: CA2935687C. Автор: Todd Martin,Robert T. Rozbicki,Tom Toan-Cong Tran,Brian D. Griedel. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Thin-film devices and fabrication

Номер патента: EP4344867A2. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Thin-film transistor array and liquid crystal display device for using thin-film transistor array

Номер патента: KR100228520B1. Автор: 마모루 요시다,마고또 사사끼,히로유끼 오끼모도,쓰도무 노모도,순이찌 사또우. Владелец: 가시오 가즈오. Дата публикации: 1999-11-01.

Thin film transistor substrate for liquid crystal display device applying pair thin film transistor

Номер патента: KR100521256B1. Автор: 김일곤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-12.

Thin-film transistor array and liquid crystal display device using the thin-film transistor array

Номер патента: CN1065051C. Автор: 佐藤俊一,吉田守,佐佐木诚,冲本浩之,野本勉. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2001-04-25.

Method of manufacturing a thin film attached to the skin coated with a functional mixture and thin film attached to the skin manufactured using the same

Номер патента: KR20210142303A. Автор: 김기돈,정준호,전소희,황순형,강혁중. Владелец: 씨알에스큐브 아메리카, 인크.. Дата публикации: 2021-11-25.

Functionalised thin-film polyamide membranes

Номер патента: RU2519377C9. Автор: Мартина Х. ШТЕНЦЕЛЬ,Рикардо ГОДОЙ-ЛОПЕС,Саймон ХАРРИСОН,Эцио РИЦЦАРДО. Владелец: Полимерс СРС Лимитед. Дата публикации: 2015-03-20.

Mucoadhesive drug delivery systems and methods of use

Номер патента: WO2024059952A1. Автор: Andrew B. MERKUR,Khoi Anh TRAN. Владелец: Madd Ophthalmics Ltd.. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for incorporating an additive into a thin film formed on a substrate

Номер патента: US6723377B2. Автор: Jean-Paul Cano,Yves Leclaire. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2004-04-20.

Thin film composite membranes for fluid separations

Номер патента: US10688444B2. Автор: Ingo Pinnau,Zain ALI. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2020-06-23.

Method of making a fluid-jet ejection device

Номер патента: US6718632B2. Автор: Qin Liu,Chien-Hua Chen,Naoto Kawamura. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-04-13.

In-situ thickness and refractive index monitoring and control system for thin film deposition

Номер патента: US20020075486A1. Автор: Jian Zhang,Jing Pan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

A method of controlling sensitivity and dynamic range of a sensor

Номер патента: WO2024018225A1. Автор: Shamit SHRIVASTAVA. Владелец: Apoha Limited. Дата публикации: 2024-01-25.

In-situ thickness and refractive index monitoring and control system for thin film deposition

Номер патента: WO2002029358A9. Автор: Jian Zhang,Jing Pan. Владелец: OPNETICS CORP. Дата публикации: 2002-10-17.

Thin film getter structure having miniature heater and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4074650A3. Автор: Tao Lu,Shinan Wang. Владелец: Shanghai Industrial Technology Research Institute. Дата публикации: 2022-10-26.

Method of reducing stress-induced mechanical problems in optical-quality thin films

Номер патента: EP1302792B1. Автор: Luc Ouellet,Jonathan Lachance. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-04.

Flux Transformer Formed of an Oxide Superconducting Thin Film and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: CA2145827A1. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Hirokazu Kugai. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-09-30.

Glass plate with thin film produced thereon

Номер патента: RU2430896C2. Автор: Такаси МУРОМАТИ,Нобуки ИВАИ,Хисаси ОГАВА,Мамору ЙОСИДА. Владелец: Ниппон Шит Гласс Компани, Лимитед. Дата публикации: 2011-10-10.

Method of making ferrolectric thin film composites

Номер патента: US5766697A. Автор: Louise Sengupta,Somnath Sengupta. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1998-06-16.

Dielectric thin film-applied substrate and optical modulation element using the same

Номер патента: US10649246B2. Автор: Kenji Sasaki,Shinji Iwatsuka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-12.

Laminated film for forming inorganic thin film layer

Номер патента: US20240336048A1. Автор: Atsushi Yamazaki,Mahiro Nakano,Mitsuhiro KASHIWA. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Fluid flow sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US6768291B2. Автор: Yasushi Kohno,Toshimasa Yamamoto,Toshiki Isogai,Hiroyuki Wado. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-07-27.

Methods and apparatus for preparing thin-film specimens

Номер патента: US20240255388A1. Автор: Jeffrey Bowser. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods and apparatus for preparing thin-film specimens

Номер патента: WO2024163556A1. Автор: Jeffrey Bowser. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC.. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing drug-releasing stent using titanium oxide thin film coating

Номер патента: KR101060607B1. Автор: 김경석,정명호,박유정,조동련,송선정. Владелец: 전남대학교산학협력단. Дата публикации: 2011-08-31.

Methods for marketing and generating revenue from edible thin films

Номер патента: WO2004045306A2. Автор: David B. Kroll,Steven P. Barton,Donna M. Dikselis. Владелец: WM. WRIGLEY JR. COMPANY. Дата публикации: 2004-06-03.

Method of manufacturing a pole tip structure in a thin film magnetic transducer

Номер патента: EP0442213B1. Автор: George J. Gau. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY INTERNATIONAL. Дата публикации: 1996-01-31.

Driving method of thin film EL display unit and driving circuit thereof

Номер патента: US4999618A. Автор: Shuji Inada,Hiroshi Kishishita,Hisashi Uede,Toshihiro Ohba. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-03-12.

Method of manufacturing a pole tip structure in a thin film magnetic transducer

Номер патента: EP0442213A3. Автор: George J. Gau. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY INTERNATIONAL. Дата публикации: 1993-02-10.

Methods of protecting metallic components against corrosion using chromium-containing thin films

Номер патента: US20230184119A1. Автор: David Thompson,Mark Saly,Thomas Knisley,David Alexander Britz. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Contact type thin film magnetic head with heater for distance control

Номер патента: US8045286B2. Автор: Satoshi Morikawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-10-25.

Thin film stack with surface-conditioning buffer layers and related methods

Номер патента: US20140036340A1. Автор: John Hyunchul Hong,Yaoling Pan,Edward Keat Leem Chan,Tallis Young CHANG,Chong Uk Lee,Isak Clark REINES. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Absorbent structure, particularly a sensor, provided with a thin film layer of not monomeric phtalocyanine and/or phtalocynine derivatives and a method for regenerating it

Номер патента: US20030122557A1. Автор: Giovanni Pennesi,Aldo Capobianchi,Maria Paoletti,Gentilina Rossi. Владелец: CONSIGNLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE. Дата публикации: 2003-07-03.

An absorbent structure, particularly a sensor, provided with a thin film layer of not monomeric phthalocyanine and/or phthalocyanine derivatives and a method for regenerating it

Номер патента: EP1250590A2. Автор: Aldo Capobianchi,Gentilina Rossi,Anna Maria Paoletti,Giovanna Pennesi. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2002-10-23.

Thin-film evaporator

Номер патента: RU2372129C2. Автор: Михель КОНКАР,Вольфганг ГЛАСЛЬ,Маттеус ЗИБЕНХОФЕР,Михель КОНКАР (AT),Вольфганг ГЛАСЛЬ (AT),Маттеус ЗИБЕНХОФЕР (AT). Владелец: Фту-Инджиниринг Планунгс-Унд Бератунгсгезелльшафт М.Б.Х.. Дата публикации: 2009-11-10.

Method of fabrication of liquid film, method of arranging nano paticles and substrate to have liquid thin film manufactured by using the same

Номер патента: KR101313812B1. Автор: 신현진,최재영,한재용,윤선미,오병도. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-09-30.

Nonlinear optical chromophores having a diamondoid group attached thereto, methods of preparing the same, and uses thereof

Номер патента: US11921401B2. Автор: Barry Johnson,Cory Pecinovsky,Ginelle RAMANN. Владелец: Lightwave Logic Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Nonlinear Optical Chromophores Having a Diamondoid Group Attached Thereto, Methods of Preparing the Same, and Uses Thereof

Номер патента: US20240045307A1. Автор: Barry Johnson,Cory Pecinovsky,Ginelle RAMANN. Владелец: Lightwave Logic Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Nonlinear Optical Chromophores Having a Diamondoid Group Attached Thereto, Methods of Preparing the Same, and Uses Thereof

Номер патента: US20240045306A1. Автор: Barry Johnson,Cory Pecinovsky,Ginelle RAMANN. Владелец: Lightwave Logic Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Gradient thin films

Номер патента: RU2666198C1. Автор: Альпана РАНАДЕ,Марви А. МАТОС. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2018-09-06.

Nanoparticle based thin films

Номер патента: WO2008140591A2. Автор: Jung-Sheng Wu,James E. Thorson,John E. Potts,Junjun Wu. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2008-11-20.

Printhead having a thin film membrane with a floating section

Номер патента: US20030081074A1. Автор: Matthew Giere,Jeffery Hess,Ulrich Hess. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-05-01.

Interference coatings for flexible optics using multilayered polymer thin films

Номер патента: US20240027651A1. Автор: Sheng Ye,Wyatt TENHAEFF,Yineng ZHAO. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2024-01-25.

Thin film superconductor magnetic bearings

Номер патента: US5479059A. Автор: Bernard R. Weinberger. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1995-12-26.

Thin film piezoelectric micro-actuator for head gimbal assembly

Номер патента: US20070230060A1. Автор: Masashi Shiraishi,Ming Gao Yao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for producing thin film, thin film forming material, optical thin film, and optical member

Номер патента: US20190025466A1. Автор: Hirofumi Tanaka,Gentaro Tanaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Process for preparing a polypropylene-based sponge-like porous thin film

Номер патента: US11883792B1. Автор: Junaid Saleem,Zubair Khalid Baig Moghal,Safdar Hossain S K,Gordan McKay. Владелец: King Faisal University SA. Дата публикации: 2024-01-30.

Thin-film micromesh and related methods

Номер патента: US20200030126A1. Автор: Vikas Gupta,Colin Kealey. Владелец: Monarch Biosciences Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Thin-film micromesh and related methods

Номер патента: US20210196489A1. Автор: Vikas Gupta,Colin Kealey. Владелец: Monarch Biosciences Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Oral thin films with low water activity

Номер патента: WO2024008954A1. Автор: Markus Müller,Michael Linn,Sabine Warnus,Claudia Norelli,Mario FICKER,Martin Richter-Friis. Владелец: ALK-ABELLO A/S. Дата публикации: 2024-01-11.

Production method for oxidized carbon thin film, and element having oxidized carbon thin film and production method therefor

Номер патента: US20130023070A1. Автор: Akihiro Odagawa,Nozomu Matsukawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Dielectric thin film-applied substrate and optical modulation element using the same

Номер патента: US20190293972A1. Автор: Kenji Sasaki,Shinji Iwatsuka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Method and system for analyzing 2D material thin film

Номер патента: US11555996B2. Автор: Hsiang-Chen Wang,Kai-Chun Li,Kai-Hsiang Ke,Chun-Wen Liang. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-01-17.

Method and system for analyzing 2d material thin film

Номер патента: US20210349299A1. Автор: Hsiang-Chen Wang,Kai-Chun Li,Kai-Hsiang Ke,Chun-Wen Liang. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-11-11.

Laminated film for forming inorganic thin film layer

Номер патента: EP4371770A1. Автор: Atsushi Yamazaki,Mahiro Nakano,Mitsuhiro KASHIWA. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Thin film getter structure having miniature heater and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4074650A2. Автор: Tao Lu,Shinan Wang. Владелец: Shanghai Industrial Technology Research Institute. Дата публикации: 2022-10-19.

Large-area single-crystal silver thin-film structure using single-crystal copper thin-film buffer layer and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4242706A1. Автор: Se Young Jeong,You Sil LEE,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2023-09-13.

Method for measuring thickness of a thin film layer on glass

Номер патента: US20240027185A1. Автор: Yu-Lin Liu,Hsiang-Chen Wang,Ching-Yi Huang,Yu-Ming Tsao,Yu-Yang Chen. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for manufacturing a thin film actuatable mirror array having an enhanced structural integrity

Номер патента: US6136390A. Автор: Myong-Hyun Park,Jin-Hun Kim,Hyoung-Jung Kim. Владелец: Daewoo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-24.

Thin film formation use sputtering target material, thin film formed using same, and optical recording medium

Номер патента: US20050129900A1. Автор: Takashi Ueno,Katsuhisa Aratani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Methods of protecting metallic components against corrosion using chromium-containing thin films

Номер патента: US20190284694A1. Автор: David Thompson,Mark Saly,Thomas Knisley,David Alexander Britz. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Production of a thin film reflector

Номер патента: EP3166902A1. Автор: Tapani Alasaarela,Anna SAHLHOLM. Владелец: Scint X AB. Дата публикации: 2017-05-17.

System for measuring residual stress in optical thin films in both transmission and reflection

Номер патента: US10697841B2. Автор: Chuen-Lin Tien. Владелец: FENG CHIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-30.

Methods of protecting metallic components against corrosion using chromium-containing thin films

Номер патента: EP3768873A1. Автор: David Thompson,Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Lance A. Scudder,Mark Saly,David Britz,Sukti Chatterjee,Jonathan Frankel,Thomas Knisley,Kaushal Gangakhedkar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Intrasaccular thin-film flow diverters and related methods

Номер патента: US20210128166A1. Автор: Vikas Gupta,Colin Kealey. Владелец: Monarch Biosciences Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Thin-film magnetic recording head with thin film which constructs sensor or heater beneath main magnetic pole

Номер патента: US20140002921A1. Автор: Isamu TOBA,Hiromichi Umehara,Hisayoshi Watanabe,Masashi Sano,Tatsuhiro NOJIMA,Hitoshi Hatate,Mutsumi Fujita. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

Oral thin films with low water activity

Номер патента: EP4302751A1. Автор: Markus Müller,Michael Linn,Sabine Warnus,Claudia Norelli,Mario FICKER,Martin Richter-Friis. Владелец: ALK Abello AS. Дата публикации: 2024-01-10.

Drawability enhancement in polymer thin films

Номер патента: WO2023107307A3. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Arman Boromand. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

Fabrication Method of Lithium Phosphate Target for High Performance Electrolyte of Thin Film Micro-Battery

Номер патента: KR100336407B1. Автор: 조병원,조원일,윤영수,남상철,송종한,전은정,신영화. Владелец: 박호군. Дата публикации: 2002-05-10.

Control of flow rate and thermal conditions using two-layered thin films separated by flexible seals and rotatable pivot

Номер патента: US8690073B2. Автор: Kambiz Vafai,Abdul-Rahim Assaad Khaled. Владелец: Kambix Innovations LLC. Дата публикации: 2014-04-08.

Method of forming pattern and composition for forming of organic thin-film for use therein

Номер патента: US8173348B2. Автор: Nobuji Matsumura,Daisuke Shimizu,Toshiyuki Kai,Tsutomu Shimokawa,Hikaru Sugita. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Thin film reactor

Номер патента: US3902857A. Автор: Frank J Kremers,Mey John E Vander. Владелец: Allied Chemical Corp. Дата публикации: 1975-09-02.

A method for manufacturing a thin film hard coating film for a foldable cover window and a thin film hard coating film manufactured by the same

Номер патента: KR102227369B1. Автор: 이창우,윤성환,한윤덕. Владелец: 율촌화학 주식회사. Дата публикации: 2021-03-15.

A kind of preparation method of the gas of based single crystal silicon nano thin-film photoelectric device and chemical substance sensor-based system

Номер патента: CN109580553A. Автор: 黄高山,梅永丰,李恭谨. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-04-05.

Method for synthesis and processing of continuous monocrystalline diamond thin films

Номер патента: US5221411A. Автор: Jagdish Narayan. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1993-06-22.

Method of detecting very low levels of analyte within a thin film fluid sample contained in a thin thickness chamber

Номер патента: CN102047116A. Автор: 斯蒂芬·C·沃德洛,罗伯特·A·莱文. Владелец: ABBOTT POINT OF CARE INC. Дата публикации: 2011-05-04.

Method of protecting a steel substrate by means of a thin film of organic-inorganic hybrid polymer.

Номер патента: FR2720404A1. Автор: PHILIPPE Antoine,Philippe Legros,Marcel Poulain. Владелец: Lorraine de Laminage Continu SA SOLLAC. Дата публикации: 1995-12-01.

Method of detecting very low levels of analyte within a thin film fluid sample contained in a thin thickness chamber

Номер патента: EP2281197B1. Автор: Robert A. Levine,Stephen C. Wardlaw. Владелец: ABBOTT POINT OF CARE INC. Дата публикации: 2015-09-02.

Marking on a thin film

Номер патента: WO2005111720A3. Автор: Shlomo Assa. Владелец: Shlomo Assa. Дата публикации: 2007-01-04.

Method of detecting very low levels of analyte within a thin film fluid sample contained in a thin thickness chamber

Номер патента: WO2009126505A1. Автор: Robert A. Levine,Stephen C. Wardlaw. Владелец: ABBOTT POINT OF CARE, INC.. Дата публикации: 2009-10-15.

Method of detecting very low levels of analyte within a thin film fluid sample contained in a thin thickness chamber

Номер патента: CA2720072A1. Автор: Robert A. Levine,Stephen C. Wardlaw. Владелец: ABBOTT POINT OF CARE INC. Дата публикации: 2009-10-15.

Method of forming pattern and composition for forming of organic thin-film for use therein

Номер патента: US20100233635A1. Автор: Nobuji Matsumura,Daisuke Shimizu,Toshiyuki Kai,Tsutomu Shimokawa,Hikaru Sugita. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Titanium oxide particles and liquid dispersion thereof, photocatalyst thin film, member having photocatalyst thin film formed on surface thereof, and method for producing liquid dispersion of titanium oxide particles

Номер патента: EP4215491A1. Автор: Tomohiro Inoue,Manabu Furudate,Mikiya HINOUE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-26.

Titanium oxide particles, dispersion liquid thereof, photocatalyst thin film, member having photocatalyst thin film on surface, and method for producing titanium oxide particle dispersion liquid

Номер патента: US20230356196A1. Автор: Tomohiro Inoue,Manabu Furudate,Mikiya HINOUE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Engineering doped thin-film structure and device

Номер патента: WO2023091546A1. Автор: Supratik Guha,Manish Kumar Singh. Владелец: The Unversity Of Chicago. Дата публикации: 2023-05-25.

Titanium oxide particles, dispersion liquid thereof, photocatalyst thin film, member having photocatalyst thin film on surface, and method for producing titanium oxide particle dispersion liquid

Номер патента: US20230364586A1. Автор: Tomohiro Inoue,Manabu Furudate,Mikiya HINOUE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Titanium oxide particles, dispersion liquid of same, photocatalyst thin film, member having photocatalyst thin film on surface, and method for producing dispersion liquid of titanium oxide particles

Номер патента: EP4215273A1. Автор: Tomohiro Inoue,Manabu Furudate,Mikiya HINOUE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-26.

Photosensitive polyimide composition, base agent thereof, method of making the base agent, and solder-resistant polyimide thin film made from the composition

Номер патента: US20160018733A1. Автор: Shih-Chang Lin,Hsiu-Ming Chang,Tzu-Ching Hung. Владелец: Taiflex Scientific Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

METHOD OF FABRICATING PATTERNED CELLULOSE NANOCRYSTAL COMPOSITE NANOFIBERS AND NANO THIN FILMS AND THEIR APPLICATIONS

Номер патента: US20220177660A1. Автор: Wang Wei-Chih,Cheng Yen-Tse. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

METHOD OF FABRICATING PATTERNED CELLULOSE NANOCRYSTAL COMPOSITE NANOFIBERS AND NANO THIN FILMS AND THEIR APPLICATIONS

Номер патента: US20220177661A1. Автор: Wang Wei-Chih,Cheng Yen-Tse. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

METHODS OF PROTECTING METALLIC COMPONENTS AGAINST CORROSION USING CHROMIUM-CONTAINING THIN FILMS

Номер патента: US20210292901A1. Автор: Thompson David,Knisley Thomas,Saly Mark,BRITZ David Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-23.

METHODS OF PROTECTING METALLIC COMPONENTS AGAINST CORROSION USING CHROMIUM-CONTAINING THIN FILMS

Номер патента: US20190284694A1. Автор: Thompson David,Knisley Thomas,Saly Mark,BRITZ David Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

METHOD OF FABRICATING PATTERNED CELLULOSE NANOCRYSTAL COMPOSITE NANOFIBERS AND NANO THIN FILMS AND THEIR APPLICATIONS

Номер патента: US20200362128A1. Автор: Wang Wei-Chih,Cheng Yen-Tse. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Photosensitive polyimide composition, base agent thereof, method of making the base agent, and solder-resistant polyimide thin film made from the composition

Номер патента: US9285680B2. Автор: Shih-Chang Lin,Hsiu-Ming Chang,Tzu-Ching Hung. Владелец: Taiflex Scientific Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Preparation method of titanium dioxide (TiO2) nano-rod single-crystal array thin film

Номер патента: CN102122577B. Автор: 周刚,王忠胜,黄秋柳. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-05-30.

APPARATUS FOR MEASURING THICKNESS OF THIN FILM, SYSTEM INCLUDING THE APPARATUS, AND METHOD FOR MEASURING THICKNESS OF THIN FILM

Номер патента: US20160061583A1. Автор: KO Woo-Seok,YANG Yu-Sin,LEE Sang-Kil,Jun Chung-Sam,Ryu Sung-yoon,RYU Kwan-Woo,KIM Souk,KWAK Ho-Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-03-03.

Thin-film writing head, data storage system and method for manufacturing the thin-film writing head

Номер патента: JP2003157510A. Автор: Chen Injan,インジャン・チェン,Dan Shaozon,シャオゾン・ダン,Francis H Liu,フランシス・エイチ・リュウ,Stanimirov Stoev Croum,クロウム・スタニミロフ・ストエフ,Jan Hai,ハイ・ジャン,Wan Yuugyan,ユウギャン・ワン,Shii Shiizen,シーゼン・シイ. Владелец: Read Rite Corp. Дата публикации: 2003-05-30.

Method for preparation of MoO3-Pt thin films having bi-layered structure by electrochemical deposition and MoO3-Pt thin films prepared by the method

Номер патента: KR101130272B1. Автор: 김경화,백성현,정소미,신주경,탁용석. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-03-26.

Coating solution, titanium oxide thin film formed using the coating solution, and method for formation of thin film

Номер патента: KR101025122B1. Автор: 아키라 후지시마,크리스토퍼 코도니어,테츠야 시치,타카후미 누마타,켄이치 카츠마타,아키마사 나카무라,야스히로 카츠마타,테루오 코미네,켄이치로우 아메미야. Владелец: 도오까이 료가구 데쓰도오 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2011-03-25.

Thin film having interpenetrating net-work layer and method for manufacturing the thin film

Номер патента: AU2006324566A1. Автор: Toyoki Kunitake,Richard Vendamme. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2007-06-21.

Thin film having interpenetrating net-work layer and method for manufacturing the thin film

Номер патента: AU2006324566B2. Автор: Toyoki Kunitake,Richard Vendamme. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2011-05-26.

Hydrophilic thin film and vehicular mirror and glass product using the same hydrophilic thin film

Номер патента: JPH10330131A. Автор: Kiyoshi Miyashita,Tsutomu Ubukata,勉 生方,喜好 宮下. Владелец: Ichikoh Industries Ltd. Дата публикации: 1998-12-15.

Manufacture of compound semiconductor thin film having chalcopyrite structure and manufacture of solar cell having the thin film

Номер патента: JPH11284209A. Автор: Takeshi Iketani,剛 池谷. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 1999-10-15.

Coating solution, titanium oxide thin film formed using the coating solution, and method for formation of thin film

Номер патента: WO2008007451A1. Автор: Akira Fujishima,Kenichi Katsumata,Akimasa Nakamura,Tetsuya Shichi,Yasuhiro Katsumata,Christopher Cordonier,Takafumi Numata,Teruo Komine,Kenichirou Amemiya. Владелец: CENTRAL JAPAN RAILWAY COMPANY. Дата публикации: 2008-01-17.

Optical multi-layer thin film, optical element, and method for producing the optical multi-layer thin film

Номер патента: US20090161219A1. Автор: Hitoshi Ishizawa,Shunsuke Niisaka. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Adapter of sample holder for evaluation of mechanical durability of thin films and method for evaluation of quality of mechanical durability of thin films via this adapter

Номер патента: WO2022007985A1. Автор: Petr Bohac,Radim Čtvrtlík,Jan Tomáštík,Miroslav Hrabovský,Lubomír Jastrabík,Lukáš Václavek,Karel Cvrk,Miroslav Veselský,Petr Abrhám,Václav Koula. Владелец: UNIVERZITA PALACKEHO V OLOMOUCI. Дата публикации: 2022-01-13.

Photosensitive resin composition, thin film panel made with photosensitive resin composition, and method for manufacturing thin film panel

Номер патента: CN1808273A. Автор: 李羲国,金圭宁,八子由子,李东基. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-26.

Thin film having interpenetrating polymer network layer and method for producing the thin film

Номер патента: JPWO2007069649A1. Автор: 豊喜 国武,リシャール フォンダーン. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2009-05-21.

Thinly coated substrate forming T-shaped structure for testing characteristics of thin film material - has right-angled bend in each residual section of thin film supporting central limb of T

Номер патента: DE4134896A1. Автор: Detlef Dipl Ing Houdeau,Junming Dipl Ing Zhang,Arno Dipl Phys Dr Steckenborn. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1993-04-01.

Thin film specimen for tensile test and physical property evaluation method for thin film specimen

Номер патента: EP4036551A4. Автор: Yong Seok Choi,Han Sol Lee,Jee Soon Choi. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-12-28.

Thin film multilayer substrate, manufacturing method thereof, and liquid crystal display having thin film multilayer substrate

Номер патента: TW200727490A. Автор: Shinji Kawabuchi,Takafumi Hashiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-07-16.

Liquid crystal display panel, liquid crystal display, photodetector and method of regulating illumination

Номер патента: RU2444771C2. Автор: Чих-Чианг ЧЕН. Владелец: Асер Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-03-10.

Method of manufacturing active matrix substrate and liquid crystal display device

Номер патента: US12111555B2. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of manufacture of composite membranes on base of thin films of metals

Номер патента: RU2285748C2. Автор: Виталий Васильевич Старков,Анатолий Федорович Вяткин,Владимир Тимофеевич Волков,ткин Анатолий Федорович В. Владелец: Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии Наук (ИПТМ РАН). Дата публикации: 2006-10-20.

THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001167A1. Автор: Morosawa Narihiro. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND APPARATUS OF ARC PREVENTION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000767A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY AND IMAGE DISPLAY DEVICE IN WHICH THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY IS USED

Номер патента: US20120001189A1. Автор: Matsubara Ryohei,ISHIZAKI Mamoru. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Selective growth method of silicon-based thin film, method of manufacturing top gate type and bottom gate type thin film transistor

Номер патента: JP3170764B2. Автор: 田中　　勉,裕 瀧澤,健一 梁井,文代 竹内,勝行 菅. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-05-28.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

Method of one-layer-at-a-time analysis of thin films

Номер патента: RU2229115C1. Автор: С.А. Гынгазов,А.П. Суржиков,н Т.С. Франгуль,Т.С. Франгульян,вский А.В. Черн,А.В. Чернявский. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 2004-05-20.

Method of making photocathode and apparatus for making photocathode

Номер патента: RU2502151C1. Автор: Сергей Григорьевич Гаранин,Николай Николаевич Денисов,Владимир Александрович Терёхин,Юрий Алексеевич Трутнев,Сергей Владимирович Гарнов,Вадим Михайлович Брендель,Владимир Валентинович Букин,Владимир Хачатурович Багдасаров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук (ИОФ РАН). Дата публикации: 2013-12-20.

Method of layer-by-layer analysis of thin films

Номер патента: RU2229116C1. Автор: С.А. Гынгазов,А.П. Суржиков,н Т.С. Франгуль,Т.С. Франгульян,вский А.В. Черн,А.В. Чернявский. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 2004-05-20.

Method for manufacturing top gate TFT (thin film transistor) array substrate

Номер патента: CN103123912A. Автор: 张建华,陈龙龙,李喜峰. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-05-29.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SUBSTRATE FOR FLEXIBLE DEVICE, THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE FOR FLEXIBLE DEVICE, FLEXIBLE DEVICE, SUBSTRATE FOR THIN FILM ELEMENT, THIN FILM ELEMENT, THIN FILM TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR THIN FILM ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120187399A1. Автор: FUKUDA Shunji,SAKAYORI Katsuya,ARIHARA Keita,ICHIMURA Koji,Amagai Kei. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-07-26.

METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC SEMICONDUCTOR NANOFIBRILLAR NETWORK DISPERSED IN INSULATING POLYMER USING A BLEND OF ORGANIC SEMICONDUCTOR/INSULATING POLYMER AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME

Номер патента: US20120018708A1. Автор: . Владелец: POSTECH ACADEMY-INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-26.

Self-aligned top-gate thin film transistors and method for fabricating same

Номер патента: US20120018718A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-26.

TOP GATE THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120032173A1. Автор: Takai Yasuyoshi,Sato Ayumu,Hayashi Ryo,Kumomi Hideya,Yabuta Hisato. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-02-09.

METHOD OF FABRICATING A THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND A PHOTOSENSITIVE COMPOSITION USED IN THE THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120328991A1. Автор: KANG Hoon,KIM Jae-sung,JUNG Yang-ho,LEE Hi-kuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-12-27.

thin film transistor, fabricating method of the same, and flat panel display having the thin film transistor

Номер патента: KR101225372B1. Автор: 김진욱. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2013-01-22.

Method of forming nanoscale structures

Номер патента: RU2529458C1. Автор: Антон Евгеньевич Ефимов,Дмитрий Юрьевич Соколов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СНОТРА". Дата публикации: 2014-09-27.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY DEVICE, EL DISPLAY PANEL, EL DISPLAY DEVICE, THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY DEVICE MANUFACTURING METHOD, EL DISPLAY PANEL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120074421A1. Автор: KAWACHI Genshiro,KANEGAE Arinobu. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY DEVICE, EL DISPLAY PANEL, EL DISPLAY DEVICE, THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY DEVICE MANUFACTURING METHOD, EL DISPLAY PANEL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120074422A1. Автор: KAWACHI Genshiro,KANEGAE Arinobu. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: JP4618990B2. Автор: 吉晴 平形,哲二 石谷,修次 深井,良太 今林. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-26.

Thin-film transistor substrate with connection wiring board, method for manufacturing thin-film transistor substrate with connection wiring board, method for manufacturing connection wiring board, and electronic equipment

Номер патента: JP2016039208A. Автор: Shinya Fujimoto,Takeshi Tomino,慎也 藤本,充孝 永江,徹 三好,健 冨野,直子 沖本,Naoko Okimoto,Mitsutaka Nagae,Toru Miyoshi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-03-22.

THIN FILM PHOTOELECTRIC COVERSION MODULE

Номер патента: US20120000505A1. Автор: Chan Chung-Pui,Yeh Hsieh-Hsin. Владелец: Du Pont Apollo Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

Solvent-less method to manufacture thin film devices

Номер патента: CA3208589A1. Автор: Alberto Argoitia,Kangning Liang,Jaroslaw Zieba,Johannes P. Seydel. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2019-09-14.

Method of reducing transparent electrode cutoff during the production of thin film transistor liquid crystal display substrates

Номер патента: TWI291570B. Автор: Tean-Sen Jen,Ming-Tien Lin,Guo-Ren You,Shau-Wu Shiu. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2007-12-21.

Method of surface modification and transfer printed technique of oxide thin film fabrication

Номер патента: TW200921270A. Автор: Yu-Ming Sun,ying-zhi Lv,zhao-nan Hong,min-xiong Hong,ming-qi Xu. Владелец: Univ Nat Cheng Kung. Дата публикации: 2009-05-16.

METHODS OF FORMING HYDROPHOBIC SILICON DIOXIDE LAYER AND FORMING ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120135562A1. Автор: Lin Chang-Chih,Fan Ching-Lin,Chiu Ping-Cheng. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology. Дата публикации: 2012-05-31.

Deposition method of fluorine doped zinc oxide (ZnO:F) transparent conductive thin film

Номер патента: TW201009100A. Автор: Chun-Lung Tsai,Yu-Zen Tsai,Na-Fu Wang. Владелец: Univ Cheng Shiu. Дата публикации: 2010-03-01.

Manufacturing method of nanometric-sized lead barium titanate (PBT) powders and thin films

Номер патента: TW200920713A. Автор: wei-feng Zhang,Wen-Du Yang,yi-zhen Cai. Владелец: Univ Nat Kaohsiung Applied Sci. Дата публикации: 2009-05-16.

Thin film field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2630195B2. Автор: 直人 平野. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-16.

Thin film field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: JP5274165B2. Автор: 昌哉 中山. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-08-28.

COMPOSITION FOR AN OXIDE THIN FILM, A PREPARATION METHOD OF THE COMPOSITION, A METHOD FOR FORMING AN OXIDE THIN FILM USING THE COMPOSITION, AN ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE OXIDE THIN FILM, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE OXIDE THIN FILM

Номер патента: US20130161620A1. Автор: Kim Hyun Jae,RIM You Seung,JEONG Woong Hee. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University. Дата публикации: 2013-06-27.

Thin-film structure

Номер патента: RU2067361C1. Автор: А.М. Темнов,А.В. Крутов,С.Л. Темнова. Владелец: Государственное научно-производственное предприятие "Исток". Дата публикации: 1996-09-27.

Method of manufacturing non-distructive read-out type magnetic thin film memory

Номер патента: JPS51139738A. Автор: Toshihiko Kobayashi,Tetsusaburo Kamibayashi,Yoshihisa Komazawa,Aki Okada. Владелец: Kokusai Denshin Denwa KK. Дата публикации: 1976-12-02.

Zinc oxide based sputtering target, method of manufacturing the same, and zinc oxide based thin film

Номер патента: TW201000659A. Автор: Jin-ho Lee,Yoon-Gyu Lee,Ju-Ok Park,Yil-Hwan You. Владелец: Samsung Corning Prec Glass Co. Дата публикации: 2010-01-01.

METHOD OF PREPARING CARBON THIN FILM, AND ELECTRONIC DEVICE AND ELECTROCHEMICAL DEVICES EACH INCLUDING THE CARBON THIN FILM

Номер патента: US20120301816A1. Автор: Lee Tae-Woo. Владелец: POSTECH ACADEMY-INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2012-11-29.

Thin film electroluminescent element

Номер патента: CA1242021A. Автор: Atsushi Abe,Yosuke Fujita,Tomizo Matsuoka,Tsuneharu Nitta,Takao Tohda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1988-09-13.

Crucible device, control method of the crucible device, film thickness measuring device and thin film deposition apparatus

Номер патента: CN102808167A. Автор: 鲁俊瑞. Владелец: LIG ADP CO Ltd. Дата публикации: 2012-12-05.

Superconducting device having layered structure composed of oxide superconductor thin film and insulator thin film and method for manufacturing the same

Номер патента: CA2047413A1. Автор: Michitomo Iiyama,Sou Tanaka,Mitsuchika Saitoh. Владелец: Mitsuchika Saitoh. Дата публикации: 1992-01-20.

Method of determination of coefficient of viscosity of microdestruction of thin films from multicomponent amorphous and nanocrystal metal alloys (versions)

Номер патента: RU2561788C1. Автор: Иван Владимирович Ушаков,Амагалан Юрьевич Батомункуев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2015-09-10.

Thin film for wafer processing and method for manufacturing semiconductor devices using thin film for wafer processing

Номер патента: TW201130943A. Автор: Kazuki Tatebe. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-16.

Method of determining resistance of contact connection of wire and thin film

Номер патента: SU1250982A1. Автор: Дмитрий Трофимович Дячок. Владелец: Предприятие П/Я В-8751. Дата публикации: 1986-08-15.

Method of balancing and temperature compensating of bridge circuits of thin-film resistance strain gauge transducers

Номер патента: SU1174738A1. Автор: Анатолий Иванович Жучков,Евгений Алексеевич Мокров,Владимир Андреевич Тихоненков,Эльвира Александровна Алексеева. Владелец: Предприятие П/Я А-1891. Дата публикации: 1985-08-23.

Method of determining resistance of contact connection between wire and thin film conductor

Номер патента: SU1492309A1. Автор: Дмитрий Трофимович Дячок,Любомир Михайлович Смеркло,Ярослава Михайловна Сенишин,Владимир Андреевич Павлиш. Владелец: Предприятие П/Я В-8751. Дата публикации: 1989-07-07.

The selenizing vulcanization plant and method of a kind of Cu-In-Ga-Se-S thin film

Номер патента: CN105200388B. Автор: 吴兆,洪瑞江. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of preparing high-heat-conductive and high-electric-conductive thin film through dispersion of high-quality graphite powder and graphene with graphene oxide

Номер патента: CN104973590A. Автор: 张阳,黄富强,毕辉,于刘涛. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2015-10-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE, POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR THIN FILM, PROCESS FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR THIN FILM, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND PROCESS FOR PRODUCING FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20120168748A1. Автор: YANO Koki,INOUE Kazuyoshi. Владелец: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-05.

Preparation method of up-conversion luminescence Er / Yb co-doped TiO2 thin film

Номер патента: CN103397302B. Автор: 沈杰,王俊,毛鑫光,罗胜耘. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-06-17.

Optical thin film forming apparatus equipped with film thickness measuring device and optical thin film forming method

Номер патента: JP4547489B2. Автор: 清 細川,修 白井,和弘 高木,敏夫 笠原,義昭 野村. Владелец: 株式会社昭和真空. Дата публикации: 2010-09-22.

INK FOR FORMING THIN FILM OF SOLAR CELLS AND METHOD FOR PREPARING THE SAME, CIGS THIN FILM SOLAR CELL USING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120100661A1. Автор: LEE Young-hee,Choi Yong-Woo,KIM Hyung-Seok,Choe Young-Ho,Kim Ho-Gyoung. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

SEMICONDUCTOR THIN-FILM FORMING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE, AND THIN-FILM SUBSTRATE

Номер патента: US20130026479A1. Автор: KAWASHIMA Takahiro,NISHITANI Hikaru,OOTAKA Sei. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-01-31.

Manufacture of thin film magnetic head and manufacture of surface plate used for polishing thin film magnetic head

Номер патента: JPH10296620A. Автор: Hiroshi Chiba,Toshio Tamura,拓 千葉,Yoshiharu Waki,義晴 脇,利夫 田村. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-11-10.

Encapsulated liquid crystal thin film for flexible display and preparation method for encapsulated liquid crystal thin film

Номер патента: CN103217830A. Автор: 许军,蔡林君,骆小军,颜竹君. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-07-24.

Apparatus for hydrogen absorption of thin-film composites in hydrogen plasma and method for hydrogen absorption of thin-film composites in hydrogen plasma using same

Номер патента: RU2553745C2. Автор: Владимир Викторович Черниченко,Олег Владимирович Стогней,Илья Михайлович Трегубов,Александр Викторович Ситников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-06-20.

Thin film forming apparatus to disk-shaped optical recording medium material and thin-film forming method

Номер патента: JPH11144338A. Автор: Yuji Miura,Kiyoto Shibata,清人 柴田,裕司 三浦,Yasutomo Aman,康知 阿萬. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-28.

Superconducting thin film forming method, heater unit used in the method, and superconducting thin film forming apparatus

Номер патента: JP2937187B1. Автор: 伸義 榊原,昌廣 川村,博紀 星崎. Владелец: 株式会社移動体通信先端技術研究所. Дата публикации: 1999-08-23.

Thin film production method and vapor deposition material for co-evaporation for thin film formation

Номер патента: JP5673158B2. Автор: 英章 桜井,桜井　英章,勇気 吉田,久美子 有泉. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2015-02-18.

Organic Semiconductor Material, Organic Semiconductor Composition, Organic Thin Film, Field-Effect Transistor, And Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20120313086A1. Автор: Sadamitsu Yuichi. Владелец: Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha. Дата публикации: 2012-12-13.

Thin-film filed-effect transistor and manufacture thereof

Номер патента: JPH01183853A. Автор: Kazunori Matsumoto,Tetsuo Takahashi,哲郎 ▲高▼橋,Kazuaki Sugawara,和典 松本,一晃 菅原,Rieko Endou,理枝子 遠藤. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 1989-07-21.

Thin film field effect transistor and display device using the same

Номер патента: JP5191247B2. Автор: 淳 松永. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-05-08.

Thin film field effect transistor and process of fabricating the same

Номер патента: JP2010045243A. Автор: Shinji Imai,真二 今井. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of LCD Panel and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002156A1. Автор: Yi Hung Meng,Hung Tsai Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.