A top gate thin film transistor using nano particle and a method for manufacturing thereof
Номер патента: KR100792407B1
Опубликовано: 08-01-2008
Автор(ы): 김동원, 김상식, 장재원, 조경아
Принадлежит: 고려대학교 산학협력단
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 08-01-2008
Автор(ы): 김동원, 김상식, 장재원, 조경아
Принадлежит: 고려대학교 산학협력단
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor structure with a resistor and a transistor and method for forming the same
Номер патента: US20180350799A1. Автор: Wen-Hsin Lin,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho,Cheng-Tsung WU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-12-06.