Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Stacked semiconductor chip device with phase change material

Stacked semiconductor chip device with phase change material

Номер патента: US9331053B2
Опубликовано: 03-05-2016
Автор(ы): Gabriel H. Loh, Manish Arora, Michael J. Schulte, Nuwan Jayasena
Принадлежит: Advanced Micro Devices Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Stacked semiconductor package

Номер патента: US20240194648A1. Автор: Dawoon Jung,DongHun Lee,Seungduk Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Stacked semiconductor package

Номер патента: US20110254145A1. Автор: Jong Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Stacked semiconductor package structure having films and method for manufacturing the films

Номер патента: US20020151102A1. Автор: CHEN PENG,Wen Lee,Jichen Wu,Nai Yeh,Meng Tsai,C.F. Wang. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Stacked semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20120013026A1. Автор: Won-Gil HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-19.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US09711486B2. Автор: Toshiaki Nagai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Multi-chip modules including stacked semiconductor dice

Номер патента: US20200365561A1. Автор: Eric Tan Swee Seng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Stacked semiconductor package

Номер патента: US20240079380A1. Автор: Taeyoung Lee,Joonghyun Baek,Jaekyu SUNG,Dongok KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of making stackable semiconductor chips to build a stacked chip module

Номер патента: US6124149A. Автор: Jin Su Kim,Kyung Wook Paik,Hyung Su Ko. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-26.

Multi-stack semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20120217658A1. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-08-30.

Electronic component with at least two stacked semiconductor chips and method for fabricating the electronic component

Номер патента: US6710455B2. Автор: Bernd Goller,Holger Wörner,Robert-Christian Hagen,Gerald Ofner,Christian Stümpfl,Stefan Wein,Josef Thumbs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-23.

Stacked semiconductor devices

Номер патента: EP2579307A1. Автор: Kevin J. Hess,Perry H Pelley,Michael B. McShane. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-04-10.

Packaged integrated circuit devices with enhanced dam structures that provide increased yield and reliability

Номер патента: US20240355777A1. Автор: Seunghyun Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Stacked semiconductor die architecture with multiple layers of disaggregation

Номер патента: US12015009B2. Автор: Edward Burton. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Stacked semiconductor die architecture with multiple layers of disaggregation

Номер патента: US20240266323A1. Автор: Edward Burton. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Stacked semiconductor die architecture with multiple layers of disaggregation

Номер патента: US20200219843A1. Автор: Edward Burton. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Underfill material dispensing for stacked semiconductor chips

Номер патента: US20140026431A1. Автор: Jae-Woong Nah,Bucknell C. Webb,Katsuyuki Sakuma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Stacked semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09496189B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Bond pad rerouting element and stacked semiconductor device assemblies including the rerouting element

Номер патента: US20040036182A1. Автор: Jerry Brooks,David Corisis,Matt Schwab,Tracy Reynolds. Владелец: Brooks Jerry M.. Дата публикации: 2004-02-26.

Stacked Semiconductor Structure and Method

Номер патента: US20170323869A1. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Meng-Hsun Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Stacked Semiconductor Structure and Method

Номер патента: US20150294955A1. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Meng-Hsun Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Methods and systems for improving power delivery and signaling in stacked semiconductor devices

Номер патента: US20190067252A1. Автор: Anthony D. Veches. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods and systems for improving power delivery and signaling in stacked semiconductor devices

Номер патента: WO2019040145A1. Автор: Anthony D. Veches. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods and systems for improving power delivery and signaling in stacked semiconductor devices

Номер патента: US20220122943A1. Автор: Anthony D. Veches. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Methods and systems for improving power delivery and signaling in stacked semiconductor devices

Номер патента: US20190252355A1. Автор: Anthony D. Veches. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Interface for a semiconductor chip with adaptive via region arrangement and semiconductor device with stacked semiconductor chips

Номер патента: US20240014174A1. Автор: Yung-Chih Chen,Chih-Kang Chiu,Igor Elkanovich,Kun-Ti Lee. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US7919837B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US10366942B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20190295928A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US11424176B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20110133323A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US8970019B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20150155225A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20210074609A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Stack semiconductor package

Номер патента: US20240063155A1. Автор: Taeyoung Kim,Joonghyun Baek,Hyunsoo Chung,Hyungu Kang,Jaekyu SUNG,Cheolwoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Bump for semiconductor package, semiconductor package having bump, and stacked semiconductor package

Номер патента: US20120091584A1. Автор: Ki Young Kim,Qwan Ho Chung,Jin Ho Bae,Sung Ho Hyun,Myung Gun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor device with magnetically aligned chips and method for fabricating the same

Номер патента: US09773758B2. Автор: Ji Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20240282756A1. Автор: Jin Kyoung PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US12009344B2. Автор: Jin Kyoung PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20240258278A1. Автор: Won Il Lee,Hyuekjae Lee,Enbin Jo,Hyungchul Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Stacked semiconductor package, method of fabrication, and method of wire-bond monitoring

Номер патента: US20080067659A1. Автор: Tae-hun Kim,Heung-Kyu Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor device using wires and stacked semiconductor package

Номер патента: US20210104479A1. Автор: Seung Yeop Lee,Young Jo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Stacked semiconductor die assemblies with support members and associated systems and methods

Номер патента: US09418974B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Stacked semiconductor packages and methods of manufacturing stacked semiconductor packages

Номер патента: US20080157332A1. Автор: Seok-Ho Kim,Chang-Woo Shin,Ju-Il Choi,Cha-Jea JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Stacked semiconductor die assemblies with multiple thermal paths and associated systems and methods

Номер патента: US10741468B2. Автор: XIAO Li,JIAN Li,Brent Keeth,Steven K. Groothuis,Shijian Luo,Haojun Zhang,Jaspreet S. Gandhi,Luke G. England,Paul A. Silvestri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Stacked semiconductor die assemblies with support members and associated systems and methods

Номер патента: US11101262B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-24.

Stacked semiconductor die assemblies with support members and associated systems and methods

Номер патента: US11855065B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Stacked semiconductor die assemblies with support members and associated systems and methods

Номер патента: US20240128254A1. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Stack semiconductor package

Номер патента: US09466593B2. Автор: Dae-Ho Lee,Tae-Young Yoon,Hee-Jin Lee,Hyo-soon KANG,Seok-Hong Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor package including planar stacked semiconductor chips

Номер патента: US09875990B2. Автор: Jong Hyun Kim,Ki Yong Lee,Hyung Ju CHOI,Hyoung Min IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Stack semiconductor package

Номер патента: US20160190109A1. Автор: Dae-Ho Lee,Tae-Young Yoon,Hee-Jin Lee,Hyo-soon KANG,Seok-Hong Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-30.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20210351160A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240347505A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Stacked semiconductor die assemblies with die support members and associated systems and methods

Номер патента: US20240274583A1. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Stacked semiconductor die assemblies with die support members and associated systems and methods

Номер патента: US09985000B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Stacked semiconductor die assemblies with die support members and associated systems and methods

Номер патента: US09406660B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Stacked semiconductor devices with topside and backside interconnect wiring

Номер патента: US20230352406A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Mukta Ghate Farooq,Liqiao QIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US11984427B2. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Stacked semiconductor die assemblies with die support members and associated systems and methods

Номер патента: US11824044B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Stacked semiconductor package having heat dissipation structure

Номер патента: US20210005527A1. Автор: Jong Hoon Kim,Ki Bum Kim,Bok Kyu CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Optical device with thermally switching phase change material

Номер патента: EP3345045A1. Автор: Peiman Hosseini,Harish Bhaskaran,Ben Broughton. Владелец: Bodle Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-07-11.

Stacked semiconductor package

Номер патента: US09543231B2. Автор: Yun-seok Choi,Tae-Je Cho,Cha-Jea JO,Hyeok-Man Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Stacked semiconductor package including reconfigurable package units

Номер патента: US09780071B2. Автор: Sang Eun Lee,Yong Jae Park,Eun KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Stacked semiconductor device and method of controlling thereof

Номер патента: US09691740B2. Автор: Akihiro Chiyonobu,Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Stacked semiconductor chips

Номер патента: US20110024918A1. Автор: Thorsten Meyer,Markus Brunnbauer,Recai Sezi,Gottfried Beer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-02-03.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20230343750A1. Автор: Makoto Motoyoshi. Владелец: Tohoku Microtec Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

A stacked semiconductor assembly

Номер патента: EP4167286A1. Автор: Zainul FITERI,Stefano Dalcanale. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-04-19.

Semiconductor device having stacked semiconductor chips interconnected via TSV and method of fabricating the same

Номер патента: US09721926B2. Автор: Sang-uk Han,Tae-Hong Min,Young-Kun Jee,Tae-Joo Hwang,Yeong-Hwan CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Stacked semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US10153006B2. Автор: Yusuke Hamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Stacked semiconductor dies with selective capillary under fill

Номер патента: US09935082B2. Автор: Mitsuhisa Watanabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Micro bump, interposer for electrical connection having same, semiconductor package, multi-layer stacked semiconductor device, and display

Номер патента: US20240274564A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Stacked semiconductor dies for semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230044728A1. Автор: Jungbae Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Stacked semiconductor dies for semiconductor device assemblies

Номер патента: US20220285315A1. Автор: Jungbae Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Stacked semiconductor dies with selective capillary under fill

Номер патента: US10083941B2. Автор: Mitsuhisa Watanabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

Stacked semiconductor dies with selective capillary under fill

Номер патента: US20170186729A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-06-29.

Stacked semiconductor dies with selective capillary under fill

Номер патента: US20180366448A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Stacked semiconductor dies with selective capillary under fill

Номер патента: US20180182738A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240339438A1. Автор: Dong Uk Lee,Jae Hyung Park,Seung Geun Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Stack semiconductor device and memory device with driving circuits connected to through-silicon-vias (TSV) in different substrates in a staggered manner

Номер патента: US09941247B2. Автор: Ho-young Song,Sang-Hoon Shin,Hae-Suk LEE,Kyo-Min Sohn,Han-Vit JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Stacked semiconductor architecture including semiconductor dies and thermal spreaders on a base die

Номер патента: US20190206836A1. Автор: Edward A. Burton. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Chip-stacked semiconductor package with increased package reliability

Номер патента: US11756935B2. Автор: Jungmin Ko,Hyeongmun KANG,Insup Shin,Hwanyoung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with a semiconductor chip bonded between a first, plate-shaped electrode with a groove and a second electrode

Номер патента: EP4156247A3. Автор: Masato Nakamura,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kisho Ashida,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Stacked semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240194638A1. Автор: Yasuhiro Konishi. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US12142592B2. Автор: Jong Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240203483A1. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-06-20.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US09881663B2. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-30.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US11862235B2. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20230253360A1. Автор: Jong Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Stacked semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20030075788A1. Автор: Un-Young Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Stacked semiconductor package including connections electrically connecting first and second semiconductor packages

Номер патента: US09601458B2. Автор: Heung-Kyu Kwon,Su-chang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Chip stack, semiconductor devices having the same, and manufacturing methods for chip stack

Номер патента: WO2014034691A1. Автор: Masanori Yoshida. Владелец: PS4 Luxco S.a.r.l.. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor wafer, panel and electronic component with stacked semiconductor chips, and also method for producing same

Номер патента: US7701066B2. Автор: Bernd Goller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-04-20.

3d-stacked semiconductor device with improved alignment using carrier wafer patterning

Номер патента: US20230275063A1. Автор: Kang-ill Seo,Jason MARTINEAU,Byounghak Hong,Buhyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Stacked semiconductor package having electrical connections or varying heights between substrates, and semiconductor device including the stacked semiconductor package

Номер патента: US8546954B2. Автор: Heung-Kyu Kwon,Su-chang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-01.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20210013180A1. Автор: Hyun-Chul Seo,Jun-Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor Device Having a Layer Stack, Semiconductor Arrangement and Method for Producing the Same

Номер патента: US20240128226A1. Автор: Paul Frank,Frank Wagner,Sven Schmidbauer,Oliver Schilling,Thomas Heinelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20240021596A1. Автор: Seung Yeop Lee,Ju Il Eom. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Stacked semiconductor die assemblies with thermal spacers and associated systems and methods

Номер патента: US09818625B2. Автор: JIAN Li,Steven K. Groothuis,Michel Koopmans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20220037304A1. Автор: Seung Yeop Lee,Han Jun Bae,Ju Il Eom. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Thermal pads between stacked semiconductor dies and associated systems and methods

Номер патента: US20170352645A1. Автор: Jaspreet S. Gandhi,Michel Koopmans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Thermal pads between stacked semiconductor dies and associated systems and methods

Номер патента: US12033980B2. Автор: Jaspreet S. Gandhi,Michel Koopmans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Thermal pads between stacked semiconductor dies and associated systems and methods

Номер патента: US09768147B2. Автор: Jaspreet S. Gandhi,Michel Koopmans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Flip-chip device having underfill in controlled gap

Номер патента: EP1992016A2. Автор: Mark A. Gerber,Sohichi Kadoguchi,Masakazu Hakuno. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-11-19.

Flip-chip device having underfill in controlled gap

Номер патента: WO2007101239A2. Автор: Mark A. Gerber,Sohichi Kadoguchi,Masakazu Hakuno. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-09-07.

Stacked semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09633966B2. Автор: Jin Seong Kim,Jae Sung Park,Ju Hoon Yoon,Dong Joo Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device having laterally offset stacked semiconductor dies

Номер патента: US11929349B2. Автор: Chan H. Yoo,Ashok Pachamuthu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Thermal pads between stacked semiconductor dies and associated systems and methods

Номер патента: US20190006323A1. Автор: Jaspreet S. Gandhi,Michel Koopmans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device with separated main terminals

Номер патента: US09966344B2. Автор: Shin Soyano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device with thick bottom metal and preparation method thereof

Номер патента: US09653383B2. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yan Xun Xue,Aihua Lu,Ming-Chen Lu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Hybrid metallic structures in stacked semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US12068282B2. Автор: Tzu Ching Hung,Chien Wen Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

A stacked semiconductor device

Номер патента: WO2023151950A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-08-17.

Stacked semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09754892B2. Автор: Yong-Tae Kwon,Jun-Kyu Lee. Владелец: Nepes Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips and a redistribution layer

Номер патента: US09496216B2. Автор: Hye-jin Kim,Sang-Ho An,Kyung-Man Kim,Seok-Chan Lee,Sung-Hoon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20220189914A1. Автор: Jin Kyoung PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Thermal management in electronic apparatus with phase-change material and silicon heat sink

Номер патента: US09502740B2. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor Package Including Stacked Semiconductor Chips and a Redistribution Layer

Номер патента: US20130161788A1. Автор: Hye-jin Kim,Sang-Ho An,Kyung-Man Kim,Seok-Chan Lee,Sung-Hoon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips and method for fabricating the same

Номер патента: US20210265297A1. Автор: Miyoung Kim,Sungsu KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Stack semiconductor packages having wire-bonding connection structure

Номер патента: US20200286856A1. Автор: Jae Hoon Lee,Ji Yeong Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Circuit board with phase change material

Номер патента: US11742259B2. Автор: Manish Arora,Nuwan Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Stacked semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130264695A1. Автор: Kei Murayama. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US09640502B2. Автор: Po-Chen Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Stacked semiconductor device including a cooling structure

Номер патента: US11984376B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Stacked semiconductor device including a cooling structure

Номер патента: US20230386957A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Circuit board with phase change material

Номер патента: US20210313248A1. Автор: Manish Arora,Nuwan Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Stacked semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230395580A1. Автор: Yoshimasa Yoshioka. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device with plated lead frame, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09847235B2. Автор: Carsten Von Koblinski,Andre Brockmeier,Ulrike Fastner,Peter Zorn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device with flip chip structure and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US09673163B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Stacked semiconductor device with connection pad shield

Номер патента: US20240355765A1. Автор: Rui Wang,Takayuki Goto,Kazufumi Watanabe. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Stacked semiconductor device with connection pad disposed between connection pad shields

Номер патента: US20240355858A1. Автор: Rui Wang,Takayuki Goto,Kazufumi Watanabe. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Multi-pixel display device with light-guiding structures and light-emitting semicondutor chips disposed on interated circuit

Номер патента: US11984435B2. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09646901B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US20170229359A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09911673B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of mounting semiconductor chips

Номер патента: GB1526283A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1978-09-27.

OPTICAL DEVICE WITH THERMALLY SWITCHING PHASE CHANGE MATERIAL

Номер патента: US20190064555A1. Автор: Bhaskaran Harish,Hosseini Peiman,Broughton Ben. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Three-dimensional memory device with three-dimensional phase-change memory

Номер патента: US20200350287A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Three-dimensional memory device with three-dimensional phase change memory

Номер патента: CN110720145B. Автор: 刘峻. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Three-dimensional memory device with three-dimensional phase-change memory

Номер патента: EP3928353B1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Stacked semiconductor package and stacking method thereof

Номер патента: US20120322201A1. Автор: Tae Seung Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Stacked semiconductor package and stacking method thereof

Номер патента: US20120038062A1. Автор: Tae Seung Chung. Владелец: Polystak Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Semiconductor package having stacked semiconductor chips

Номер патента: US09589945B2. Автор: Yun-Hyeok Im,Tae-Je Cho,Cha-Jea JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Electronic component having stacked semiconductor chips in parallel, and a method for producing the component

Номер патента: US20040108585A1. Автор: Jochen Thomas,Wolfgang Hetzel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-06-10.

Semiconductor device and stacked semiconductor device

Номер патента: US20130093083A1. Автор: Mitsuaki Katagiri,Dai Sasaki,Hisashi Tanie. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Semiconductor package and stacked semiconductor package

Номер патента: US20080073761A1. Автор: Sung-Ki Lee,Chan-Min Han,Beung-Seuck SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Stacked semiconductor package

Номер патента: US20190333907A1. Автор: Dong-Ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Stacked semiconductor package and stacking method thereof

Номер патента: US8310041B2. Автор: Tae Seung Chung. Владелец: Polystak Inc. Дата публикации: 2012-11-13.

Stacked semiconductor chips packaging

Номер патента: US09449907B2. Автор: Lei Fu,Michael Zhuoying Su,Frank Gottfried Kuechenmeister. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US11996392B2. Автор: Jong Hoon Kim,Eun Hye DO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of manufacturing stacked semiconductor package

Номер патента: US8309372B2. Автор: Jong-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-13.

Method of manufacturing stacked semiconductor package

Номер патента: US20110183447A1. Автор: Jong-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor devices with recessed pads for die stack interconnections

Номер патента: US12087697B2. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Ruei Ying Sheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing a stacked semiconductor package

Номер патента: US20240021563A1. Автор: Seokhyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Stacked semiconductor device including hybrid bonding structure

Номер патента: US20240030266A1. Автор: Pyong Su Kwag. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Stacked semiconductor package

Номер патента: US11955449B2. Автор: Taehun Kim,Sang Cheon Park,Un-Byoung Kang,Jihwan HWANG,Hyuekjae Lee,JiHwan SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and stacked semiconductor device in which circuit board and semiconductor chip are connected by leads

Номер патента: US20100224984A1. Автор: Mitsuaki Katagiri,Dai Sasaki,Hisashi Tanie. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-09.

Stacked semiconductor chips packaging

Номер патента: US20150279773A1. Автор: Lei Fu,Michael Zhuoying Su,Frank Gottfried Kuechenmeister. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Stacked semiconductor device, printed circuit board, and method for manufacturing stacked semiconductor device

Номер патента: US09601470B2. Автор: Yuya OKADA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Stacked semiconductor chips packaging

Номер патента: WO2012106292A1. Автор: Lei Fu,Michael Zhuoying Su,Frank Gottfried Kuechenmeister. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor devices with recessed pads for die stack interconnections

Номер патента: US20230352413A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Ruei Ying Sheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Micro-bump, interposer for electrical connection having same, semiconductor package having same, multi-stacked semiconductor device having same, and display having same

Номер патента: WO2023018043A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: POINT ENGINEERING CO., LTD.. Дата публикации: 2023-02-16.

Stacked semiconductor devices and a method for fabricating the same

Номер патента: US20090315166A1. Автор: Yasuhiro Shinma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-24.

Stacked semiconductor devices and a method for fabricating the same

Номер патента: US8174107B2. Автор: Yasuhiro Shinma. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-05-08.

Stacked semiconductor package and method of forming the same

Номер патента: US20210384135A1. Автор: Amit Jain,Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong,Chin Lee Kuan,Sameer Shekhar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor chip stacking assemblies

Номер патента: US09633983B2. Автор: Qing Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Stacked semiconductor device, printed circuit board, and method for manufacturing stacked semiconductor device

Номер патента: US20150003029A1. Автор: Yuya OKADA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Triple stack semiconductor package

Номер патента: EP3216058A1. Автор: Anis Fauzi Bin Abdul Aziz,Lee Han Meng Eugene Lee,Sueann Lim Wei Fen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-13.

Forming a panel of triple stack semiconductor packages

Номер патента: US09691748B2. Автор: Anis Fauzi Bin Abdul Aziz,Lee Han Meng @ Eugene LEE,Sueann Lim Wei Fen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Chip-stacked semiconductor package

Номер патента: US09543276B2. Автор: Tae-Hong Min,Sun-Kyoung SEO,Young-Kun Jee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Fan-out stacked semiconductor package structure and packaging method thereof

Номер патента: US20230352449A1. Автор: Yenheng CHEN,Chengchung LIN. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Stacked semiconductor device test circuits and methods of use

Номер патента: US20220344223A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Stacked semiconductor device test circuits and methods of use

Номер патента: US11935798B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Stacked semiconductor device test circuits and methods of use

Номер патента: US20240178078A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Thermal management of integrated circuits using phase change material and heat spreaders

Номер патента: EP2842161A1. Автор: LIANG Cheng,Zhongping Bao,James D. BURRELL. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-03-04.

Thermal Energy Storage With A Phase-Change Material In A Non-Metal Container

Номер патента: US20160157333A1. Автор: Gerald Ho Kim,Jay Eunjae Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-06-02.

Thermal energy storage with a phase-change material in a non-metal container

Номер патента: US09924588B2. Автор: Gerald Ho Kim,Jay Eunjae Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-20.

Stacked semiconductor die assemblies with partitioned logic and associated systems and methods

Номер патента: EP3127149A1. Автор: JIAN Li,Steven K. Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-08.

Lead frame for stacked semiconductor packages, stacked semiconductor packages using it, and fabrication method thereof

Номер патента: WO2004008531A1. Автор: Rak-Hyun Ryoo,Jung-Hoon Kwon. Владелец: Sundus Co., Ltd.. Дата публикации: 2004-01-22.

Semiconductor device having semiconductor chips in resin and electronic circuit device with the semiconductor device

Номер патента: US09607949B2. Автор: Hiroshi Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Stacked semiconductor device and printed circuit board

Номер патента: US20140070384A1. Автор: Yoshitaka Kawase,Satoshi Sugimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device with bumps and display device module incorporating the same

Номер патента: US09385096B2. Автор: Hisao Nakamura,Shinya Suzuki,Yuichi Nakagomi. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-07-05.

Magnetic Phase Change Material for Heat Dissipation

Номер патента: US20190096780A1. Автор: Michael Roesner,Christoph Bergmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-03-28.

Device and Method for Cooling Components Using Magnetizable Phase-Change Material

Номер патента: US20110167838A1. Автор: Udo Schulz,Thomas Proepper,Andre Lischeck,Reinhold Danner,Heinrich Barth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Flip chip devices with flexible conductive adhesive

Номер патента: WO1999056509A9. Автор: Kevin Kwong-Tai Chung. Владелец: Chung Kevin Kwong Tai. Дата публикации: 2000-03-16.

Stacked semiconductor device, and set of onboard-components, body and jointing-elements to be used in the stacked semiconductor device

Номер патента: US20210399184A1. Автор: Makoto Motoyoshi. Владелец: Tohoku Microtec Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09711500B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20220013499A1. Автор: Jin Kyoung PARK,Ju Il Eom. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20220254756A1. Автор: Bok Kyu CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20210183815A1. Автор: Jinkyoung PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Fabrication method of semiconductor package with stacked semiconductor chips

Номер патента: US20180261563A1. Автор: Lu-Yi Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor package with stacked semiconductor chips

Номер патента: US09997481B2. Автор: Lu-Yi Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor package and stacked semiconductor package

Номер патента: US20130320568A1. Автор: Takashi Aoki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09997513B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US9299666B2. Автор: Takashi Aoki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

Fabrication method of semiconductor package with stacked semiconductor chips

Номер патента: US20200152591A1. Автор: Lu-Yi Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Stacked semiconductor device including esd protection circuits and method of fabricating the stacked semiconductor device

Номер патента: US20130009278A1. Автор: Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-10.

Stacked semiconductor device structure and method

Номер патента: US09711434B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Systems and methods for stacked semiconductor memory devices

Номер патента: US09472243B2. Автор: Anthony Fai,Nicholas C. Seroff. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Anodic aluminum oxide film-based interposer for electrical connection and manufacturing method therefor, semiconductor package and manufacturing method therefor, multi-stacked semiconductor device and manufacturing method therefor, display and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240112968A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Thermally enhanced structure for multi-chip device

Номер патента: US09530715B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Hang Tung,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device with chips on isolated mount regions

Номер патента: US8759955B2. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-06-24.

Method of designing arrangement of tsv in stacked semiconductor device and designing system for arrangement of tsv in stacked semiconductor device

Номер патента: US20140258949A1. Автор: Myung-Soo JANG,Jae-Rim LEE,Jong-Wha Chong,Min-Beom KIM,Wen Rui LI,Cheol-Jon JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2014-09-11.

Phase change material in substrate cavity

Номер патента: US20200118990A1. Автор: Cheng Xu,YING Wang,Chong Zhang,Junnan Zhao,Yikang Deng,Zhimin Wan,Kyu-Oh Lee,Chandra Mohan M. Jha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Strip-shaped substrate for producing chip carriers, electronic module with a chip carrier of this type, electronic device with a module of this type, and method for producing a substrate

Номер патента: US09941197B2. Автор: Siegfried Walter,Udo Becker,Eckhard Ditzel,Michael Benedikt. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-04-10.

Chip-stacked semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09905538B2. Автор: Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Byung-hyug Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09721865B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with backside inductor using through silicon vias

Номер патента: US20210098370A1. Автор: Daniel L. Stasiak,Hassan Naser,Matthew A. Cooke,Calist Friedman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Chip-stacked semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09601465B2. Автор: Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Byung-hyug Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacturing semiconductor devices with a paddle and electrically conductive clip and corresponding semiconductor device

Номер патента: US12033926B2. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09831204B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Stacked semiconductor dies for semiconductor device assemblies

Номер патента: US11942455B2. Автор: Jong Sik Paek,Jungbae Lee,Yeongbeom Ko,Youngik Kwon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor Device Including a Phase Change Material

Номер патента: US20150318272A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Guenther Ruhl,Hans-Joerg Timme. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-11-05.

Semiconductor device with semiconductor chip on flexible tape

Номер патента: US20010050418A1. Автор: Chikara Yamashita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor device with combined passive device on chip back side

Номер патента: US09524932B2. Автор: Martin Gruber,Andreas Munding. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Stacked semiconductor die assemblies with die substrate extensions

Номер патента: EP3586362A1. Автор: Keiyo Kusanagi,Fumitomo Watanabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

Stacked semiconductor die assemblies with die substrate extensions

Номер патента: US20190043840A1. Автор: Keiyo Kusanagi,Fumitomo Watanabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Stacked semiconductor die assemblies with die substrate extensions

Номер патента: US20180240782A1. Автор: Keiyo Kusanagi,Fumitomo Watanabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Stacked semiconductor die assemblies with die substrate extensions

Номер патента: WO2018156512A1. Автор: Keiyo Kusanagi,Fumitomo Watanabe. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor device including a phase change material

Номер патента: US09972613B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Guenther Ruhl,Hans-Joerg Timme. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device with lead terminals having portions thereof extending obliquely

Номер патента: US09472492B2. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Surface-mounted device with leads

Номер патента: EP1661181A1. Автор: Bernd Offermann. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2006-05-31.

Surface-mounted device with leads

Номер патента: WO2005022632A1. Автор: Bernd Offermann. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor Devices Having Phase-Change Material (PCM) Radio Frequency (RF) Switches and Integrated Passive Devices

Номер патента: US20200058851A1. Автор: David J. Howard,Gregory P. Slovin,Jefferson E. Rose,Nabil El-Hinnawy. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-02-20.

Power device with overvoltage arrester

Номер патента: US09979187B2. Автор: Thomas Basler,Edward Fuergut,Stephan Voss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device with lead terminals having portions thereof extending obliquely

Номер патента: US09812382B2. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with bypass functionality and method thereof

Номер патента: US09589904B2. Автор: Ralf Otremba. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing stacked semiconductor package

Номер патента: US09673185B2. Автор: Young-ho JOUNG,Jong-Gyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Phase change liquid cooling heat dissipation device

Номер патента: EP4239671A1. Автор: Xin Nie,Ruohan Yang,Yongheng WANG. Владелец: Thero New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US8692384B2. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-04-08.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US20140183705A1. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Methods for making semiconductor device with sealing resin

Номер патента: US09472540B2. Автор: Junji Tanaka,Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: VALLEY DEVICE MANAGEMENT. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device including stacked semiconductor chips

Номер патента: US09640243B2. Автор: Hiroaki Ikeda,Kayoko Shibata. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-05-02.

Stacked semiconductor package in which semiconductor packages are connected using a connector

Номер патента: US20090108430A1. Автор: Qwan Ho Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Stacked semiconductor apparatus, system and method of fabrication

Номер патента: US09754921B2. Автор: Yun-sang Lee,Young-don Choi,Kang-Wook Lee,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Power Rails For Stacked Semiconductor Device

Номер патента: US20230395437A1. Автор: Chan-Lon Yang,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Power rails for stacked semiconductor device

Номер патента: US11854910B2. Автор: Chan-Lon Yang,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor devices with embedded filler particles and associated methods for their production

Номер патента: US20240234227A9. Автор: Martin Mayer,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Electronic fuse with passive two-terminal phase change material and method of fabrication

Номер патента: US12002753B2. Автор: LAN Yu,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Kevin W. Brew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for providing electrical antifuse including phase change material

Номер патента: US09899318B2. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Three dimensional stacked semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140103530A1. Автор: Erh-Kun Lai,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Electronic device including thermal interface material having phase change material

Номер патента: US20240304565A1. Автор: Min Park,Dongkee JUNG,Kyuhwan Lee,Jieun HWANG,Haejin Lee,Myungjun KIM,SungBok LEE,Sunga YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Chip comprising a phase change material based protecting device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09520366B2. Автор: Luca Perniola,Yann Lamy. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-12-13.

Stacked semiconductor device assembly in computer system

Номер патента: US11693801B2. Автор: Scott C. Best. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-07-04.

Stacked Semiconductor Device Assembly in Computer System

Номер патента: US20240104037A1. Автор: Scott C. Best. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-03-28.

3d stacking semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308748A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Thermosetting resin composition (versions), construction of attachment of semiconductor device and method of manufacture of semiconductor device with use of thermosetting resin composition

Номер патента: RU2195474C2. Автор: Марк КОНАРСКИЙ,Збигнев А. ЩЕПАНЯК. Владелец: Локтайт Корпорейшн. Дата публикации: 2002-12-27.

Semiconductor device with decreased overlapping area between redistribution lines and signal lines

Номер патента: US09666240B2. Автор: Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Phase change switch with self-aligned heater and rf terminals

Номер патента: EP4106023A3. Автор: Matthias Markert,Christoph Kadow,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-26.

Signal transmission method of semiconductor integrated circuit for transmitting signal to a plurality of stacked semiconductor chips

Номер патента: US09680460B2. Автор: Chun-Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Stacked semiconductor chip rgbz sensor

Номер патента: EP3238274A1. Автор: Chung Chun Wan. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-11-01.

Stacked semiconductor chip rgbz sensor

Номер патента: WO2016105658A1. Автор: Chung Chun Wan. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for making cmos image sensor including stacked semiconductor chips and readout circuitry including a superlattice

Номер патента: US20190189655A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yi-Ann Chen,Abid Husain. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Stacked semiconductor chip RGBZ sensor

Номер патента: US09876050B2. Автор: Chung Chun Wan. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

Stacked semiconductor chip RGBZ sensor

Номер патента: US09508681B2. Автор: Chung Chun Wan. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Cmos image sensor including stacked semiconductor chips and readout circuitry including a superlattice and related methods

Номер патента: EP3724919A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yi-Ann Chen,Abid Husain. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2020-10-21.

Cmos image sensor including stacked semiconductor chips and readout circuitry including a superlattice

Номер патента: US20190189665A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yi-Ann Chen,Abid Husain. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Computing device with phase change material thermal management

Номер патента: US20150271908A1. Автор: Manish Arora,Michael J. Schulte. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-24.

Stacked semiconductor chip structure and its process

Номер патента: US20220085188A1. Автор: Bo Tu,Hsiang-Yi Cheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-17.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US20140097399A1. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Cmos image sensor including stacked semiconductor chips and image processing circuitry including a superlattice

Номер патента: US20190189669A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yi-Ann Chen,Abid Husain. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device with improved device performance

Номер патента: US11329043B2. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-10.

Semiconductor device with improved device performance

Номер патента: US20240258319A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory devices with reduced operational energy in phase change material and methods of operation

Номер патента: US09865339B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Bottom contact with self-aligned spacer for stacked semiconductor devices

Номер патента: WO2023180073A1. Автор: Brent Anderson,Gen Tsutsui,Junli Wang,Su Chen Fan,Albert Young. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-28.

Light emitting device with phase changing off state white material and methods of manufacture

Номер патента: EP3523831A1. Автор: Daniel Roitman,Ken Shimizu,Daniel ESTRADA,Marcel Rene Bohmer,Edward Kang. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2019-08-14.

Light emitting device with phase changing off state white material and methods of manufacture

Номер патента: US20200035883A1. Автор: Daniel Roitman,Kentaro Shimizu,Daniel ESTRADA,Marcel Rene Bohmer,Edward Kang. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2020-01-30.

Light emitting device with phase changing off state white material and methods of manufacture

Номер патента: WO2018067658A1. Автор: Daniel Roitman,Ken Shimizu,Daniel ESTRADA,Marcel Rene Bohmer,Edward Kang. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2018-04-12.

Stacked semiconductor package and method for performing bare die testing on a functional die in a stacked semiconductor package

Номер патента: US09995785B2. Автор: Lakshminarayana Pappu,Baruch Schnarch. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Physical unclonable function device with phase change

Номер патента: US11844293B2. Автор: Takashi Ando,Franco Stellari,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

An electronic assembly with phase-change material for thermal performance

Номер патента: AU2020202790A1. Автор: William F. Cooper,Christopher J. Schmit,Andrew SCHEFTER. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2020-11-19.

Three dimensional stacked semiconductor structure

Номер патента: US09741731B2. Автор: Erh-Kun Lai,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Phase change memory cell with double active volume

Номер патента: US20230284541A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods of forming a phase change layer and methods of fabricating a phase change memory device including the same

Номер патента: US20130143380A1. Автор: Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jeong-hee Park,Doo-Hwan Park,Gyu-Hwan OH,Hye-Young Park,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

Sb—Te—Ti phase-change memory material and Ti—Sb2Te3 phase-change memory material

Номер патента: US10276234B2. Автор: Cheng Peng,Feng Rao,Min Zhu,Kun REN,Zhitang Song,Xilin ZHOU,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2019-04-30.

Phase change memory and method for making the same

Номер патента: US20220231224A1. Автор: Zhitang Song,Sannian Song. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2022-07-21.

Stacked semiconductor package having fault detection and a method for identifying a fault in a stacked package

Номер патента: US09972611B2. Автор: Christopher J. Nelson,Lakshminarayana Pappu,Baruch Schnarch,Danka Goldin Schwabova. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Multi-layer phase change material

Номер патента: US09543510B2. Автор: Hao Tong,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing phase change memory and phase change memory

Номер патента: US20210376237A1. Автор: Yu Zhu,Chung-Hon Lam,Kuo-Feng Lo. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Phase change storage device with multiple serially connected storage regions

Номер патента: US09882126B2. Автор: Sangbum Kim,Wei-Chih Chien,Matthew J. BrightSky,Chiao-Wen Yeh,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Phase change memory cells

Номер патента: US09773977B2. Автор: Roberto Bez,Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Apparatus and method for passive phase change thermal management

Номер патента: EP1264343A2. Автор: Damion T. Searls,Terrance J. Dishongh,David H. Pullen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-12-11.

Apparatus and method for passive phase change thermal management

Номер патента: MY137459A. Автор: PULLEN David,Terrance J Dishongh,Damion T Searls. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-30.

Heat sink with internal chamber for phase change material

Номер патента: WO2020148728A1. Автор: Salah Addin Burhan Al Omari. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-07-23.

Method of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20150364678A1. Автор: Sung-Lae Cho,Dong-ho Ahn,Jung-Hwan Park,Hideki Horii,Jeong-hee Park,Zhe Wu,Jun-Ku Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-17.

Three dimensional stacked semiconductor memory

Номер патента: US20230284464A1. Автор: Daisaburo Takashima,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Phase change material for use in a phase change random access memory, the phase change material having uniformly distributed insulating impurities

Номер патента: US7956342B2. Автор: Yoon-Ho Khang,Dong-Seok Suh,Sang-mock Lee,Jin-seo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-07.

Thinned phase change material in bridge cell memory as a weight for artificial intelligence application

Номер патента: US20240147876A1. Автор: Michael RIZZOLO,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09583702B2. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,H.-S. Philip Wong,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-28.

Electrical component testing in stacked semiconductor arrangement

Номер патента: US09502315B2. Автор: Hao-chieh Chan,Shao-Yu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Electronic device assemblies and vehicles employing dual phase change materials

Номер патента: US09478478B2. Автор: Shailesh N. Joshi,Ercan Mehmet DEDE. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Phase-change memory cell with reduced heater size

Номер патента: US20230292637A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Phase change multilayer heterostructure with multiple heaters

Номер патента: US20240081159A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Phase Change Memory Cells And Methods Of Forming Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20140252302A1. Автор: Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Thermal management device with integrated thermoelectric generator and heat sync

Номер патента: US20240274740A1. Автор: Md. Hasan Zahir,Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-08-15.

Stacked semiconductor devices and signal distribution methods thereof

Номер патента: US20090020863A1. Автор: Young-don Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-22.

Integrated thermal management device with pv panel

Номер патента: US20240266456A1. Автор: Md. Hasan Zahir,Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-08-08.

Phase change memory with metastable set and reset states

Номер патента: US20160125938A1. Автор: Wanki Kim,Chung H. Lam,Sangbum Kim,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Thermal management device with integrated thermoelectric generator and heat sync

Номер патента: US12100778B2. Автор: Md. Hasan Zahir,Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-09-24.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US20150048291A1. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Integrated thermal management device with PV panel

Номер патента: US12100777B2. Автор: Md. Hasan Zahir,Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-09-24.

Phase change memory element

Номер патента: US09847479B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US09653683B2. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of manufacturing a phase change memory device including a heat sink

Номер патента: US09431610B2. Автор: Tae-Jin Park,Yoon-Jong Song,Chil-Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device with improved device performance

Номер патента: US11978736B2. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device with improved device performance

Номер патента: US20210296318A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor devices using semiconductor-metal phase change materials

Номер патента: EP4401149A2. Автор: Vincent Gambin,Benjamin Heying,Rachel A. KOLTUN. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Stacked semiconductor device having mirror-symmetric pattern

Номер патента: US12057448B2. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Hwichan Jun,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Metal oxide liner for cross-point phase change memory cell

Номер патента: US20220102625A1. Автор: Rajesh Venkatasubramanian,Hari Chandrasekaran,Hoi-sung Chung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for producing amorphous films of chalcogenide glass-based semiconductors with phase memory effect

Номер патента: RU2631071C2. Автор: Сергей Петрович Тимошенков,Алексей Анатольевич Шерченков,Наталья Егоровна Коробова,Петр Иванович Лазаренко,Алексей Вальтерович Бабич. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2017-09-18.

Bottom contact with self-aligned spacer for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230307447A1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Young,Gen Tsutsui,Junli Wang,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Phase-change memory cell with mixed-material switchable region

Номер патента: US20240196766A1. Автор: Wanki Kim,Cheng-Wei Cheng,Robert L. Bruce,Guy M. Cohen,Asit Ray,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

The computer (1) during in operation gets heated up because of the rotating compounds. In existing cooling unit requires external power source to operate, which increase the cost for using that device. The present invention focuses on using phase change material which absorbs the heat during in operation and after operation phase change material starts cool. During cool it attains the real state of material, which doesn’t require any external power source. It obviously reduces the cost involved in the system as well as increase the life of the computers.

Номер патента: AU2020102051A4. Автор: Balaji Devarajan,Priya A. K.,Arulmurugan B.,Rajeshkumar L.,Priyadharshini Muthukrishnan,Bhuvaneswari Venkateswaran. Владелец: Venkateswaran Bhuvaneswari Mrs. Дата публикации: 2020-10-08.

Set/reset methods for crystallization improvement in phase change memories

Номер патента: US20200365203A1. Автор: Neil Leslie Robertson,Gerardo A. Bertero,Michael K. Grobis,Mac D. Apodaca,Michael Nicolas Albert Tran,Zhaoqiang BAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: US20220173309A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Stacked semiconductor device having mirror-symmetric pattern

Номер патента: US11735585B2. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Hwichan Jun,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Commutator structure comprising several channels of phase change material and interdigitated control electrodes

Номер патента: US09934922B2. Автор: Bruno Reig,Damien Saint-Patrice,Gabriele Navarro,Alexandre Leon,Vincent Puyal. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-04-03.

Heat sink for a semiconductor chip device

Номер патента: US09859186B2. Автор: Nathan A. Nuttall. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US09673256B2. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Heat sink for a semiconductor chip device

Номер патента: US09543226B1. Автор: Nathan A. Nuttall. Владелец: Coriant Advanced Technology LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory and electronic devices with reduced operational energy in chalcogenide material

Номер патента: US20180144796A1. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Ir photodetector with graphene and phase change layers and related methods

Номер патента: US20230082228A1. Автор: Michael N. Leuenberger,Muhammad Waqas Shabbir. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2023-03-16.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US9837604B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor stack incorporating phase change material

Номер патента: US20140061580A1. Автор: Abu Sebastian,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20160181324A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20170125671A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Athletic activity monitoring device with energy capture

Номер патента: US09947852B2. Автор: Marcus Ward,Vikram Malhotra,Summer Schneider,Jerry WIANT,Jamian Cobbett. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Athletic activity monitoring device with energy capture

Номер патента: US09947718B2. Автор: Vikram Malhotra,Summer Schneider. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Athletic activity monitoring device with energy capture

Номер патента: US09755131B2. Автор: Marcus Ward,Vikram Malhotra,Summer Schneider,Jerry WIANT. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Athletic activity monitoring device with energy capture

Номер патента: US09748464B2. Автор: Marcus Ward,Vikram Malhotra,Ingo Stark,Summer Schneider,Jerry WIANT,Stephen Kreiger,Pamela Heidt. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Athletic activity monitoring device with energy capture

Номер патента: US09748463B2. Автор: Marcus Ward,Vikram Malhotra,Summer Schneider,Jerry WIANT. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Electrode configurations to increase electro-thermal isolation of phase-change memory elements and associated techniques

Номер патента: US09608042B2. Автор: Sanjay Rangan,Max F. Hineman,Giulio Albini,Fabio Pellizzer,Stephen W. Russell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US09559146B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Stacked semiconductor device and related method

Номер патента: US7682450B2. Автор: Jin-Hong Kim,Joon Kim,Suk-Chul Bang,Eun-Kuk Chung,Yun-Seung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: US20230123642A1. Автор: Ning Li,Wanki Kim,Devendra K. Sadana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20230298631A1. Автор: Dong Uk Lee,Jae Hyung Park,Seung Geun Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Thermoelectric cooling and/or moderation of transient thermal load using phase change material

Номер патента: WO2006047240A3. Автор: Uttam Ghoshal. Владелец: NanoCoolers Inc. Дата публикации: 2007-10-04.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US12094555B2. Автор: Dong Uk Lee,Jae Hyung Park,Seung Geun Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Heatsinks comprising a phase change material

Номер патента: US12082374B2. Автор: Jason Graham. Владелец: Simmonds Precision Products Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240339134A1. Автор: Dong Uk Lee,Jae Hyung Park,Seung Geun Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Capacitor of variable capacity, comprising a layer of a phase change material, and method for varying the capacity of a capacitor

Номер патента: US09824825B2. Автор: Bruno Reig,Jean-Claude Bastien. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-21.

Metal nitride keyhole or spacer phase change memory cell structures

Номер патента: US09627612B2. Автор: Chung Hon Lam,Sangbum Kim,Matthew Joseph BrightSky,Norma Edith Sosa Cortes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US09437816B2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Methods and apparatuses for aligning read data in a stacked semiconductor device

Номер патента: US11763855B2. Автор: Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Multi-stack semiconductor device with zebra nanosheet structure

Номер патента: US20230101171A1. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Seungchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Methods and apparatuses for aligning read data in a stacked semiconductor device

Номер патента: WO2019190709A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-03.

Methods and apparatuses for aligning read data in a stacked semiconductor device

Номер патента: US20210264955A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Material layer deposition methods, material layer stacks, semiconductor processing systems, and related computer program products

Номер патента: US20240203733A1. Автор: Alexandros Demos,Caleb Miskin,Yanfu Lu,Omar Elleuch. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-20.

Heat-dissipating device with interfacial enhancements

Номер патента: US20200271388A1. Автор: Victor Adrian Chiriac,Jorge Luis Rosales,Sean Charles ANDREWS. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Stacked semiconductor package having interposing print circuit board

Номер патента: US20090102036A1. Автор: Sung-Wook Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-23.

Phase-change device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US09691974B2. Автор: Lei Wang,Ying Li,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory device with improved phase change material nucleation rate

Номер патента: US20210305318A1. Автор: Dan Gealy,Kumar R. Virwani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Optoelectronic device using a phase change material

Номер патента: EP3622556A1. Автор: Syed Ghazi Sarwat,Harish Bhaskaran,Gerardo Rodriguez HERNANDEZ. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2020-03-18.

Optoelectronic device using a phase change material

Номер патента: WO2018206919A1. Автор: Syed Ghazi Sarwat,Harish Bhaskaran,Gerardo Rodriguez HERNANDEZ. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

3d-stacked semiconductor device having different channel and gate dimensions across lower stack and upper stack

Номер патента: US20230352528A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Phase-change memory device with conductive cladding

Номер патента: US20240147874A1. Автор: Kangguo Cheng,Guy M. Cohen,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

3d-stacked semiconductor device having different channel and gate dimensions across lower stack and upper stack

Номер патента: EP4270462A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Tellurium (Te) Precursors for Making Phase Change Memory Materials

Номер патента: US20130129603A1. Автор: Manchao Xiao,Thomas Richard Gaffney. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Phase change material

Номер патента: US20240292762A1. Автор: Fumio Sato,Yoshimasa Matsushita. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Multi-level phase change memory

Номер патента: US09747975B2. Автор: Charles C. Kuo,Ilya V. Karpov. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Phase change memory element

Номер патента: US09735352B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Barrier film techniques and configurations for phase-change memory elements

Номер патента: US09419212B2. Автор: Dale W. Collins,Allen Mcteer,Christopher W. Petz,Yongjun J. Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Stacked semiconductor device and system including the same

Номер патента: US10373661B2. Автор: Jin-Seong Park,Reum Oh,Hae-Suk LEE,Seung-Han Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-06.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US5128732A. Автор: TADASHI Nishimura,Yasuo Inoue,Yasuo Yamaguchi,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1992-07-07.

Phase change memory structure having low-k dielectric heat-insulating material and fabrication method thereof

Номер патента: US20130175493A1. Автор: Zhitang Song,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-07-11.

Size-controllable multi-stack semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4075514A1. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Ki-Il KIM,Gunho JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-19.

Multi-stack semiconductor device

Номер патента: US20120056306A1. Автор: Chih-Hsien Chien,Chang-Shiang Yang,Ke-Hsuan Liu. Владелец: Sun Well Solar Corp. Дата публикации: 2012-03-08.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US10720575B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US20200006646A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Size-controllable multi-stack semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220336582A1. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Ki-Il KIM,Gunho JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-20.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US10923653B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-16.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US20200006645A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device with the same

Номер патента: US20090031053A1. Автор: Kenichi Osada,Makoto Saen,Itaru Nonomura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-01-29.

Pin fin heat sink with integrated phase change material and method

Номер патента: US20190212073A1. Автор: Scott R. Bouras. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Method for fabricating a phase-change memory cell

Номер патента: US20190006421A1. Автор: Fabio Pellizzer,Michele Magistretti,Cristina Casellato,Monica Vigilante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Method for fabricating a phase-change memory cell

Номер патента: US20150357563A1. Автор: Fabio Pellizzer,Michele Magistretti,Cristina Casellato,Monica Vigilante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Photoresponsive, form-stable phase change composites and photodetectors made therefrom

Номер патента: US09834714B2. Автор: Zhenqiang Ma,Shaoqin GONG,Yunming Wang,Hongyi Mi. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-12-05.

Thermally optimized phase change memory cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US09698346B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Multi-level phase change device

Номер патента: US09564585B1. Автор: Jeffrey Lille,Luiz M. Franca-Neto. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2017-02-07.

Phase change memory and method of fabricating same

Номер патента: US09525130B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Shih-Chang Liu,Tsun-Kai Tsao,Ming-Huei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device with control of maximum value of current capable of being supplied

Номер патента: US09496042B1. Автор: Yoshihiko Kamata,Masahiro Yoshihara,Naofumi ABIKO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Boron Surface Passivation of Phase Change Memory Material

Номер патента: US20240099166A1. Автор: Robert L. Bruce,Marinus Johannes Petrus Hopstaken,Luxherta Buzi,Charlie Tabachnick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Phase change memory with gradual conductance change

Номер патента: US20200219933A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Phase Change Switch with Multi Face Heater Configuration

Номер патента: US20230119033A1. Автор: Hans Taddiken,Hans-Dieter Wohlmuth,Christoph Glacer,Matthias Markert,Christoph Kadow,Dominik Heiss,Martin Bartels. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-20.

Integrated switch using stacked phase change materials

Номер патента: US20220285614A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Phase-change random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230403956A1. Автор: Yao-Wen Chang,Huan-Chieh CHEN,Chia-Wen Zhong,Chin I WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Tuning emission wavelengths of quantum emitters via a phase change material

Номер патента: US11848400B2. Автор: Darius Urbonas,Rainer F. Mahrt,Thilo Hermann Curt Stoeferle,Michael A. Becker,Fabio Scafirimuto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Low current phase-change memory device

Номер патента: US20230397510A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Encapsulated phase change porous layer

Номер патента: US20200258811A1. Автор: Shailesh N. Joshi. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Tuning emission wavelengths of quantum emitters via a phase change material

Номер патента: EP4323834A1. Автор: Michael Becker,Rainer Mahrt,Thilo Stoeferle,Darius Urbonas,Fabio Scafirimuto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Hydrogen and Hydrocarbon Plasma Treatment of Phase Change Memory Material

Номер патента: US20240099163A1. Автор: Robert L. Bruce,John M. Papalia,Luxherta Buzi,Lynne Marie Gignac. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160276585A1. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn,H.S. Philip Wong. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-09-22.

Pahse chang material for phase chang memory and preparation method therefor

Номер патента: US20180315921A1. Автор: Feng Rao,Yong Wang,Zhitang Song,Keyuan Ding. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2018-11-01.

Small footprint phase change memory cell

Номер патента: US20140166967A1. Автор: Eric A. Joseph,Chung H. Lam,Hsiang-Lan Lung,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Tuning emission wavelengths of quantum emitters via a phase change material

Номер патента: WO2022268716A1. Автор: Michael Becker,Rainer Mahrt,Thilo Stoeferle,Darius Urbonas,Fabio Scafirimuto. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2022-12-29.

Phase change memory with multi-level programming

Номер патента: US20230301207A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Phase change memory cell with superlattice based thermal barrier

Номер патента: US20230077912A1. Автор: Takashi Ando,Kevin W. Brew,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Method of inducing crystallization of chalcogenide phase-change material and application thereof

Номер патента: US20220336743A1. Автор: Hao Tong,Xiangshui Miao,Ruizhe Zhao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-10-20.

Phase change memory with reduced programming current

Номер патента: US20230284543A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zuoguang Liu,Arthur Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Phase change heat-storing mechanisms for substrates of electronic assemblies

Номер патента: US11754343B2. Автор: Shailesh N. Joshi,Ercan M. Dede. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Phase change photovoltaic thermal management device

Номер патента: US20240266457A1. Автор: Md. Hasan Zahir,Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-08-08.

Phase change photovoltaic thermal management device

Номер патента: US12113143B2. Автор: Md. Hasan Zahir,Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-10-08.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175358A1. Автор: Hyun Min Lee,Jung Taik Cheong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Materials and components in phase change memory devices

Номер патента: US09741930B2. Автор: Davide Erbetta,Valter Soncini. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method, system and device for phase change memory with shunt

Номер патента: US09444043B2. Автор: Andrea Ghetti,Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Three-dimensional memory device with mobility-enhanced vertical channels and methods of forming the same

Номер патента: US20200235116A1. Автор: Yanli Zhang,Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Chun GE. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Methods Of Manufacturing Non-Volatile Phase-Change Memory Devices

Номер патента: US20120088347A1. Автор: Dong-ho Ahn,Young-Kuk Kim,Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-12.

Phase change material switch with improved thermal confinement and methods for forming the same

Номер патента: US20230403954A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Chyuan Tzeng,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Tsung-Hao YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Phase change switch with multi face heater configuration

Номер патента: US11563174B2. Автор: Hans Taddiken,Hans-Dieter Wohlmuth,Christoph Glacer,Matthias Markert,Christoph Kadow,Dominik Heiss,Martin Bartels. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-01-24.

Phase-change memory device with reduced programming voltage

Номер патента: US20220293853A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Phase change material cell with piezoelectric or ferroelectric stress inducer liner

Номер патента: US20130309782A1. Автор: Martin M. Frank,Alejandro G. Schrott,Bipin Rajendran,Catherine A. Dubourdieu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Memory cell with post deposition method for regrowth of crystalline phase change material

Номер патента: US20130119339A1. Автор: Stephen M. Rossnagel,Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Memory arrays having confined phase change material structures laterally surrounded with silicon nitride

Номер патента: US9755145B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Multi-Bit Storage Device Using Phase Change Material

Номер патента: US20240016071A1. Автор: Timothy Crockett,Lester Bartus, JR.. Владелец: Toshiba Global Commerce Solutions Holdings Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Phase Change Switch with Multi Face Heater Configuration

Номер патента: US20210320250A1. Автор: Hans Taddiken,Hans-Dieter Wohlmuth,Christoph Glacer,Matthias Markert,Christoph Kadow,Dominik Heiss,Martin Bartels. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-14.

Electric device comprising phase change material

Номер патента: EP1554763A2. Автор: Femke K. De Theije,Erwin R. Meinders,Martijn H. R. Lankhorst,Ronald M. Wolf. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-20.

Phase change memory cell with a wrap around and ring type of electrode contact and a projection liner

Номер патента: US20220181546A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kevin W. Brew,Sanjay C. Mehta,Ruqiang Bao,Injo OK,Nicole Saulnier,Iqbal Rashid Saraf,Andrew Herbert Simon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11127790B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20190363136A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Thermal management using phase change material

Номер патента: US20170176118A1. Автор: Michael K. Patterson,Andrew C. Alduino. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Projected phase change memory devices

Номер патента: US20210305503A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Timothy Mathew Philip,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device with source/drain pattern including buffer layer

Номер патента: US12027596B2. Автор: Yong Seung Kim,Dongwoo Kim,Seung Hun Lee,Gyeom KIM,Pankwi Park,Ryong Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

3D phase change memory with high endurance

Номер патента: US09972660B2. Автор: Wanki Kim,Hsiang-Lan Lung,Chung Hon Lam,Matthew J. BrightSky. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Multistage set procedure for phase change memory

Номер патента: US09892785B2. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Kiran Pangal,Gayathri Rao Subbu,Nevil N Gajera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Support frame with integrated phase change material for thermal management

Номер патента: US09836100B2. Автор: QIAN Han. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Phase change memory with high endurance

Номер патента: US09793323B1. Автор: Wanki Kim,Hsiang-Lan Lung,Chung Hon Lam,Matthew J. BrightSky. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Single Crystal Phase Change Material

Номер патента: US20110108792A1. Автор: Alejandro G. Schrott,Chieh-Fang Chen,Chung Hon Lam. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Stacked semiconductor device and test method thereof

Номер патента: US11456283B2. Автор: Sangmuk OH,Kangseol LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Thermal interface materials including polymeric phase-change materials

Номер патента: US11130845B2. Автор: Dylan J. Boday,Joseph Kuczynski,Timothy C. Mauldin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-28.

Insulated phase change memory using porous dielectrics

Номер патента: US20230093026A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Anirban Chandra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Dissipating heat using phase change material

Номер патента: US10524392B1. Автор: Tsung-Yu Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Lateral phase change memory cell

Номер патента: US20230309425A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Encapsulated phase change material heat sink and method

Номер патента: EP3126774A1. Автор: Adam C. Wood. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-02-08.

Phase change memory cell sidewall heater

Номер патента: US20240107900A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US11276818B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-15.

Stacked semiconductor device having mirror-symmetric pattern

Номер патента: US20230369317A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Hwichan Jun,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor devices using insulator-metal phase change materials

Номер патента: WO2020154028A1. Автор: Vincent Gambin,Benjamin Heying,Rachel A. KOLTUN. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2020-07-30.

Phase-change memory cells

Номер патента: US20140369114A1. Автор: Charalampos Pozidis,Chung Hon Lam,Sangbum Kim,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Bridge cell phase change memory

Номер патента: US20230200266A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240021733A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Boundary gate structure for diffusion break in 3d-stacked semiconductor device

Номер патента: US20230343825A1. Автор: Byounghak Hong,Saehan Park,Gunho JO,Panjae PARK,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Method to obtain information to control a manufacturing process for a stacked semiconductor device and detection system using such method

Номер патента: WO2024078883A1. Автор: Johannes Ruoff,Stratis Tzoumas,Christian LUTZWEILER. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US20200287130A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Thermal interface materials including polymeric phase-change materials

Номер патента: US20190256665A1. Автор: Dylan J. Boday,Joseph Kuczynski,Timothy C. Mauldin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

3d-stacked semiconductor device having different channel layer intervals at lower nanosheet transistor and upper nanosheet transistor

Номер патента: US20230352529A1. Автор: Byounghak Hong,Seungchan Yun,Gunho JO,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor devices using insulator-metal phase change materials and method for fabrication

Номер патента: US11018296B1. Автор: Vincent Gambin,Benjamin Heying,Rachel A. KOLTUN. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor Devices Using Insulator-Metal Phase Change Materials and Method for Fabrication

Номер патента: US20200235293A1. Автор: Vincent Gambin,Benjamin Heying,Rachel A. KOLTUN. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor devices using insulator-metal phase change materials

Номер патента: EP3915154A1. Автор: Vincent Gambin,Benjamin Heying,Rachel A. KOLTUN. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2021-12-01.

Set/reset methods for crystallization improvement in phase change memories

Номер патента: US20200365204A1. Автор: Neil Leslie Robertson,Gerardo A. Bertero,Michael K. Grobis,Mac D. Apodaca,Michael Nicolas Albert Tran,Zhaoqiang BAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Separate testing of continuity between an internal terminal in each chip and an external terminal in a stacked semiconductor device

Номер патента: US20090153177A1. Автор: Kayoko Shibata. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-06-18.

Phase change material memory device

Номер патента: US6881603B2. Автор: Stefan K. Lai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Self-aligned process for manufacturing a phase change memory cell and phase change memory cell thereby manufactured

Номер патента: EP1469532A1. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-10-20.

Phase-change material (pcm) radio frequency (rf) switching device with thin self-aligned dielectric layer

Номер патента: US20230413691A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Hung-Ju Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Phase Change Switch Fabricated with Front End of the Line Process

Номер патента: US20230389451A1. Автор: Matthias Markert,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-30.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US10177198B2. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20170358629A1. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Phase change memory with concentric ring-shaped heater

Номер патента: US20220416161A1. Автор: Carl Radens,Oscar van der Straten,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Juntao Li,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Electric device comprising phase change material

Номер патента: EP1576676A1. Автор: Erwin R. Meinders,Liesbeth Van Pieterson,Martijn H. R. Lankhorst,Robertus A. M. Wolters. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-21.

Phase change memory with graded heater

Номер патента: US20220416162A1. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Phase-change memory cells

Номер патента: US20150001457A1. Автор: Abu Sebastian,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20190140023A1. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Phase change memory with conductive rings

Номер патента: US20220416157A1. Автор: Carl Radens,Oscar van der Straten,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu,Praneet Adusumilli,Arthur Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Method and apparatus for cooling with a phase change material and heat pipes

Номер патента: EP1218965A1. Автор: James L. Haws,Byron Elliott Short, Jr.. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2002-07-03.

Heat sink incorporating microencapsulated phase-change material

Номер патента: US20200321265A1. Автор: Peter A. Bellus,James E. Faoro. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-10-08.

Phase-Change Material (PCM) Contacts with Slot Lower Portions and Contact Dielectric for Reducing Parasitic Capacitance and Improving Manufacturability in PCM RF Switches

Номер патента: US20200058857A1. Автор: David J. Howard,Gregory P. Slovin,Jefferson E. Rose,Michael J. Debar,Nabil El-Hinnawy. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-02-20.

Phase change material (pcm)-based conductive thermal actuator switches and associated stacked and arrayed systems

Номер патента: WO2024058866A1. Автор: Adam C. Wood,Andrew J. Pitts. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2024-03-21.

Circuits for Reducing RF Signal Interference and for Reducing DC Power Loss in Phase-Change Material (PCM) RF Switches

Номер патента: US20200058850A1. Автор: David J. Howard,Gregory P. Slovin,Jefferson E. Rose,Nabil El-Hinnawy. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-02-20.

Read Out Integrated Circuit (ROIC) for Rapid Testing and Characterization of Conductivity Skew of Phase-Change Material (PCM) in PCM Radio Frequency (RF) Switches

Номер патента: US20200057013A1. Автор: David J. Howard,Gregory P. Slovin,Nabil El-Hinnawy. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-02-20.

Coaxial phase change material heat sink for electric charging cable

Номер патента: US12119146B2. Автор: Amir Faghri,Kenneth Goodson,Mehdi Asheghi,Hamidreza Shabgard. Владелец: University of Oklahoma . Дата публикации: 2024-10-15.

Method of constructing a circuitry assembly for heat dispersal using a phase change material

Номер патента: US12068223B2. Автор: Michael Kedem. Владелец: ELTA SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory devices including phase change material elements

Номер патента: US09748475B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Phase change material switch and method of making the same

Номер патента: US09673392B2. Автор: Pavel Borodulin. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Phase change material layers

Номер патента: US09614152B2. Автор: Dohyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Phase change memory device with voltage control elements

Номер патента: US09525007B2. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Low thermal resistance phase change thermal interface material

Номер патента: WO2023154375A1. Автор: Radesh Jewram,Matthew BREN,Ryan VERHULST. Владелец: Henkel AG & Co. KGaa. Дата публикации: 2023-08-17.

Phase-change device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US20150333255A1. Автор: Lei Wang,Ying Li,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Phase-change device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US9419054B2. Автор: Lei Wang,Ying Li,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Composite target sputtering for forming doped phase change materials

Номер патента: US20130234093A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Chieh-Fang Chen,Simone Raoux,Yen-Hao Shih,Matthew J. Breitwisch,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

Systems and methods for phase change material based thermal assessment

Номер патента: US11812674B2. Автор: Chien-Mao Chen,Hung-Jen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Systems and methods for phase change material based thermal assessment

Номер патента: US20230397509A1. Автор: Chien-Mao Chen,Hung-Jen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Thermal energy storage with phase change materials having an adjustable transition temperature

Номер патента: US20230187686A1. Автор: Gao Liu,Ravi Prasher,Joseph Papp,Jonathan Lau,Sumanjeet Kaur,Christopher Dames,Drew Lilley,Piyachai Khomein. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-06-15.

Battery pack with phase change material

Номер патента: US09742047B2. Автор: Troy C. Thorson,Michael Kolden,Jeremy R. Ebner,Cameron R. Schulz,Todd M. Gehring. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Battery package filled with phase change material and battery using the same

Номер патента: US09401500B2. Автор: Chi Hoon Choi,Jin Woo Kwak,Kyong Hwa Song,Han Saem Lee,Byung Sam Choi. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-07-26.

Battery cell with phase change core

Номер патента: US20200303790A1. Автор: Ying Liu,Brennan Campbell,Scott Monismith,Yifan Tang,Derek Wong. Владелец: SF Motors Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Busbar with phase change material

Номер патента: EP4443682A1. Автор: Christian Berger,Isabell Buresch,Esteban SANCHEZ,Michael Ludwig,Artem VOITKO,Astrid WAGNER,Santos GONZALEZ IZQUIERDO,Sebastian BACKE. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2024-10-09.

Busbar with Phase Change Material

Номер патента: US20240339247A1. Автор: Christian Berger,Isabell Buresch,Esteban SANCHEZ,Michael Ludwig,Artem VOITKO,Astrid WAGNER,Santos GONZALEZ IZQUIERDO,Sebastian BACKE. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2024-10-10.

Phase change flame retardant fiber material and preparation method for thermal management of lithium-ion battery in enclosed space

Номер патента: US20230340702A1. Автор: Fan Yi,Peng Dong,Zhirong Wang,Junling Wang,Yuxin Zhou,Wenxi Wang,Yuhui Xia,Haoze Yang. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-26.

Charging port cooling with phase changing material and porous heat conductor cage

Номер патента: US20220118866A1. Автор: Taeyoung Han,Kuo-Huey CHEN,Bahram Khalighi,Chih-Hung Yen,Srinivasa Rao Vaddiraju,Satish P. Ketkar,Vicente Domenech-Llopis. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2022-04-21.

Battery pack with phase change material

Номер патента: US20170331163A1. Автор: Troy C. Thorson,Michael Kolden,Jeremy R. Ebner,Cameron R. Schulz,Todd M. Gehring. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Battery module comprising cooling plate filled with phase change material

Номер патента: US20240170761A1. Автор: Kihoon AHN. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Battery module comprising cooling plate filled with phase change material

Номер патента: EP4372871A1. Автор: Kihoon AHN. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Battery maintenance device with thermal buffer

Номер патента: US09419311B2. Автор: Kevin I. Bertness. Владелец: Midtronics Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Novel phase change magnetic material

Номер патента: WO2007046769A1. Автор: Tow Chong Chong,Wendong Song,Xiangshui Miao,Luping Shi. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2007-04-26.

1s2p battery pack for fast charge application, layered structure with phase change material (pcm) pouches and compressible foam for swelling absorption

Номер патента: EP4358227A1. Автор: MARCO Pifferi,Marco D'ULISSE,Francesco Pugliese,Giuseppe Pio Frascolla. Владелец: Datalogic IP Tech SRL. Дата публикации: 2024-04-24.

Pouch with thermal insulator and phase change material

Номер патента: WO2024081081A1. Автор: Erica Viola Lewis,Nigel Adrien Myers,Mark Daniel Goldman,Jason Jaspreet Singh HAER. Владелец: Lunar Energy, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

Pouch with thermal insulator and phase change material

Номер патента: US12051792B2. Автор: Erica Viola Lewis,Nigel Adrien Myers,Mark Daniel Goldman,Jason Jaspreet Singh HAER. Владелец: Lunar Energy Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Pouch with thermal insulator and phase change material

Номер патента: US11735786B1. Автор: Erica Viola Lewis,Nigel Adrien Myers,Mark Daniel Goldman,Jason Jaspreet Singh HAER. Владелец: Lunar Energy Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Switch based on a phase change material

Номер патента: US20240122083A1. Автор: Antonio Clemente,Bruno Reig,Cecilia Dupre,Benoit Charbonnier. Владелец: Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Altermatives. Дата публикации: 2024-04-11.

Cooling fin using phase change material and battery module including the same

Номер патента: US20240213570A1. Автор: Kihoon AHN. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Phase-change material distributed switch systems

Номер патента: EP3195403A1. Автор: Michael J. Lee,Robert Miles Young,Matthew Russell King,Pavel Borodulin,Nabil Abdel-Meguid El-Hinnawy. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-07-26.

Phase change composite apparatus for battery packs and methods of making

Номер патента: US20220302520A1. Автор: Said Al-Hallaj,Hexu WANG,Samuel T. PLUNKETT,Scott Morehouse,De'Nard HARPER,Reem KHOURY,Hamdi MOHAMED,Dan BAGBY. Владелец: Beam Global. Дата публикации: 2022-09-22.

Battery with selective phase change features

Номер патента: AU2024220103A1. Автор: Lewis Romeo Hom. Владелец: Wisk Aero LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Battery cooling device with fire protection material, battery module with fire protection material, and aircraft

Номер патента: US20220285752A1. Автор: Nils Ziegler. Владелец: Volocopter GmbH. Дата публикации: 2022-09-08.

Phase change material energy storage for electric vehicle thermal management system and method

Номер патента: EP4382331A2. Автор: Weiye Yuan,Hong Quan Lu. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Phase change material variable capacitor

Номер патента: US20140376149A1. Автор: Mark C. Lamorey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Phase change material energy storage for electric vehicle thermal management system and method

Номер патента: EP4382331A3. Автор: Weiye Yuan,Hong Quan Lu. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Phase change material (pcm)-based conductive thermal actuator switch

Номер патента: US20230081977A1. Автор: James E. Benedict,Andrew J. Pitts. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-03-16.

Phase change material (pcm)-based conductive thermal actuator switch

Номер патента: EP4402417A1. Автор: James E. Benedict,Andrew J. Pitts. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-07-24.

Phase change switch device

Номер патента: WO2023227773A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin,Christian BUTSCHKOW,Jochen Braumueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-30.

Flexible, heat-conducting, insulating, and viscous phase change heat dissipation sheet, and preparation method therefor and battery thermal management system thereof

Номер патента: US20240213580A1. Автор: YI WU,Xiaoming Fang,Zhengguo Zhang,Ziye LING. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-06-27.

A multifunctional tunable metasurface using vo2 phase changing material

Номер патента: WO2024197816A1. Автор: Huanhuan Gu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

A composite phase change material

Номер патента: GB2501393A. Автор: Dezhong Yang,Hao Du,Jianjun Shuang. Владелец: Chevron HK Ltd. Дата публикации: 2013-10-23.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: US20230343531A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Phase change nano electro-mechanical relay

Номер патента: US11742162B2. Автор: James Best,Gianluca Piazza. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-29.

Phase change nano electro-mechanical relay

Номер патента: US20240062975A1. Автор: James Best,Gianluca Piazza. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: EP4266482A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-25.

Electric generator comprising a plurality of electric accumulators and at least one heat-sink device incorporating a phase-change material

Номер патента: US20220158286A1. Автор: Thomas Scherer,Philippe PENE. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2022-05-19.

Phase-Change emulsion heat-transfer medium, preparation method therefor, and battery heat management system

Номер патента: GB2595152A. Автор: Zhang Zhengguo,FANG Xiaoming,Wang Fangxian,Ling Ziye. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2021-11-17.

Cooling mechanism for high-brightness X-ray tube using phase change heat exchange

Номер патента: US09905390B2. Автор: Xiaodong Xiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-27.

Composite phase change material

Номер патента: CA2812332C. Автор: Dezhong Yang,Hao Du,Jianjun Shuang. Владелец: Chevron HK Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Phase-change material reconfigurable circuits

Номер патента: US20140266300A1. Автор: Robert S. Howell,Robert Miles Young,Harold Clifton Hearne, Iii,Pavel Borodulin,Nabil Abdel-Meguid El-Hinnawy,Marc Eisenzweig Sherwin. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Electric generator comprising a plurality of electric accumulators and at least one heat-sink device incorporating a phase-change material

Номер патента: US12027716B2. Автор: Thomas Scherer,Philippe PENE. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-07-02.

Phase-change material based reconfigurable antenna

Номер патента: US09923267B1. Автор: Arash Ahmadivand,Nezih Pala,Burak Gerislioglu,Mustafa Karabiyik. Владелец: Florida International University FIU. Дата публикации: 2018-03-20.

Cooling mechanism for batteries using L-V phase change materials

Номер патента: US09865907B2. Автор: Xiaodong Xiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-09.

Battery thermal interfaces with microencapsulated phase change materials for enhanced heat exchange properties

Номер патента: US8927131B2. Автор: Xiaohui Jasmine Wang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2015-01-06.

Battery maintenance device with thermal buffer

Номер патента: US20110309800A1. Автор: Kevin I. Bertness. Владелец: Midtronics Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Storage node, phase change random access memory and methods of fabricating the same

Номер патента: US20070200108A1. Автор: Ki-Joon Kim,Jin-seo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-30.

Smart phase change composite for passive thermal management

Номер патента: EP4348756A1. Автор: Said Al-Hallaj,Stoyan Stoyanov,Hexu WANG,Samuel T. PLUNKETT,Scott Morehouse,Panos Prezas. Владелец: Beam Global. Дата публикации: 2024-04-10.

Pouch with thermal insulator and phase change material

Номер патента: US20240120578A1. Автор: Erica Viola Lewis,Nigel Adrien Myers,Mark Daniel Goldman,Jason Jaspreet Singh HAER. Владелец: Lunar Energy Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Systems and methods for beamforming using an array of phase change materials

Номер патента: US20240120652A1. Автор: Enxiao LUAN,Mahsa SALMANI,Armaghan ESHAGHI,Sreenil SAHA. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Permanent Magnets with Integrated Phase Change Materials

Номер патента: US20240213834A1. Автор: Maged IBRAHIM,Jean-Michel Lamarre,Roger Pelletier,Fabrice Bernler. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2024-06-27.

Thermal management films containing phase change materials

Номер патента: EP3253583A1. Автор: Mark Hartmann,Joseph Kelly,Jason Mcclusky. Владелец: Outlast Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-13.

Fuel cell thermal energy storage in phase-change material

Номер патента: GB2628021A. Автор: Lawes Stephen,L Mackey Bob. Владелец: Zeroavia Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Phase change material as a dynamic heat sink for trancutaneous energy transmission systems

Номер патента: US09537344B2. Автор: David L. Thompson,Rajesh Ramesh,Shan E. Gaw,Jeffrey B. Stewart,John E. Rodriguez,Charles A. Ritrivi,Eric M. Lewis. Владелец: Cyberonics Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Phase change random access memory

Номер патента: US7504652B2. Автор: Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-03-17.

Switch device with u-shaped phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3916818B1. Автор: Matthias Markert,Christoph Kadow,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device with thermally coupled phase change layers

Номер патента: US7969771B2. Автор: Patrick Ryan,Yuankai Zheng,Haiwen Xi,Michael Xuefei Tang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor device with phase-change material and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20240357948A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Tsung-Hao YEH,Hung-Ju Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Phase change material based temperature sensor

Номер патента: US20090001336A1. Автор: Robert Mcmahon,Chung Hon Lam,Nazmul Habib. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Forced air cooling system with phase change material

Номер патента: US20190390096A1. Автор: Giti Karimi-Moghaddam,Pietro CAIROLI,Taosha Jiang. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-12-26.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A3. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-05-24.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-03-08.

Electric device with phase change material and metod of manufacturing the same

Номер патента: US20060017076A1. Автор: Franciscus Widdershoven,Erwin Meinders,Martijn Lankhorst,Robertus Wolter,Wilhelmus Sebastianus Ketelaars. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-26.

Reducing shunts in memories with phase-change material

Номер патента: US20050136557A1. Автор: Chien Chiang,Daniel Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-23.

Portable Regulated Temperature Container with Phase Change Materials

Номер патента: US20240310086A1. Автор: Uttam Ghoshal,Dan GRIMM,James Borak,Key Kolle. Владелец: Sheetak Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Encapsulated phase change cell structures and methods

Номер патента: US8058095B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-15.

Piezoelectric mems resonator with integrated phase change material switches

Номер патента: EP3132473A1. Автор: Gwendolyn HUMMEL,Mateo RINALDI. Владелец: Northeastern University Boston. Дата публикации: 2017-02-22.

Reducing leakage currents in memories with phase-change material

Номер патента: US20060063297A1. Автор: Daniel Xu,Tyler Lowery. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-23.

Phase-change memory cell, phase-change memory, electronic device and preparation method

Номер патента: EP4343869A1. Автор: Xiang Li,Xin Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Bone-sealed audio device having insertion part with adhesive and phase-changing material

Номер патента: US09554216B2. Автор: Henning Knak Poulsen. Владелец: Oticon AS. Дата публикации: 2017-01-24.

Thermal management system with phase change and auxiliary cooling systems

Номер патента: US20220418168A1. Автор: Tianyi Gao. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Methods, structures, and devices for reducing operational energy in phase change memory

Номер патента: US20120002465A1. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Reusable warming blanket with phase change material

Номер патента: US11583437B2. Автор: Charles A. Lachenbruch,Kirsten M. Emmons,Neal WIGGERMANN,Michael S. Hood,Frank E. Sauser,David L. BEDEL,Robert J. Lawrence,Darrell L. Borgman,Varad N. Srivastava,Holly L. BENGEL,Logan Cobler,Kayla Stevens,Justine Pringle,Ryan S. Severns,Yongji Fu. Владелец: Aspen Surgical Products Inc. Дата публикации: 2023-02-21.

Active material devices with containment layer

Номер патента: WO2009073188A3. Автор: Regino Sandoval. Владелец: Regino Sandoval. Дата публикации: 2009-08-06.

Active material devices with containment layer

Номер патента: US20090140229A1. Автор: Regino Sandoval. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2009-06-04.

Active material devices with containment layer

Номер патента: WO2009073188A2. Автор: Regino Sandoval. Владелец: Ovonyx, Inc.. Дата публикации: 2009-06-11.

Phase change material switch with efficient heat spreader and methods for forming the same

Номер патента: US20240276897A1. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yu-Wen Wang,Han-Yu Chen,Chang-Chih Huang,Yi-Han CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Single-Crystal Phase Change Material on Insulator for Reduced Cell Variability

Номер патента: US20140069577A1. Автор: Guy Cohen,Simone Raoux. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Multifunctional composite phase change material supported by nickel-plated foam and mxene collaboratively, and preparation method thereof

Номер патента: NL2033966A. Автор: XUE Bai,Cheng Ziling. Владелец: Univ Guizhou. Дата публикации: 2023-03-07.

Multifunctional composite phase change material supported by nickel-plated foam and mxene collaboratively, and preparation method thereof

Номер патента: NL2033966B1. Автор: XUE Bai,Cheng Ziling. Владелец: Univ Guizhou. Дата публикации: 2023-07-28.

Variable resistance memory device with an interfacial adhesion heating layer, systems using the same and methods of forming the same

Номер патента: WO2008147595A1. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-12-04.

Resistive circuit switching storage cell production method, involves producing two slat shaped spacers, where former slat shaped shaper is electrically connected with phase change material

Номер патента: DE102005054931B3. Автор: Harald Seidl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-07-26.

Electronic device filled with phase change material between plurality of circuit boards connected by connecting members

Номер патента: US11895767B2. Автор: Seyoung JANG,Kyungha KOO,Seungjoo Lee,Chihwan JEONG,Hongki MOON,Kuntak KIM,Haejin Lee,Yunjeong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Electronic chip with two phase change memories

Номер патента: US20230309423A1. Автор: Remy Berthelon,Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-09-28.

Heat retentive food servingware with temperature self-regulating phase change core

Номер патента: AU3822897A. Автор: Brian L. Clothier,Amil J. Ablah. Владелец: Thermal Solutions Inc. Дата публикации: 1998-02-20.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A2. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2008-08-14.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A9. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: Roger Switzer. Дата публикации: 2008-10-09.

Doped phase change material and pram including the same

Номер патента: US20080149908A1. Автор: Matthias Wuttig,Yoon-Ho Khang,Ki-Joon Kim,Dong-Seok Suh,Daniel Wamwangi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Phase change material switch with ovonic threshold switching material selector and methods for forming the same

Номер патента: US20240276893A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Hung-Ju Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Phase change material-based data center cooling system

Номер патента: US09681589B1. Автор: James R. Hamilton,Peter G. Ross,Michael P. Czamara. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Phase change storage unit and phase change memory

Номер патента: US20240268242A1. Автор: Xiang Li,Hao Tong,Xin Chen,Ping Ma,Yanrong GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Removable phase change material to produce conformable interface for recharging an implanted neurostimulator

Номер патента: US20230310869A1. Автор: Robert J. Monson,Andrew Thomas Fried. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2023-10-05.

Phase-change memory cell with mixed-material switchable region

Номер патента: WO2024120160A1. Автор: Wanki Kim,Cheng-Wei Cheng,Robert L. Bruce,Guy M. Cohen,Asit Ray,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-13.

Phase change memory cell with high read margin at low power operation

Номер патента: EP1846961A1. Автор: Thomas Happ. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-24.

Configurable circuits using phase change switches

Номер патента: US20080029753A1. Автор: Yang Xu,Mehdi Asheghi,Lawrence Pileggi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-07.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: US20230189669A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: CA3194448A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-09.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: WO2022117264A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-06-09.

Phase-change material-based XOR logic gates

Номер патента: US12058943B2. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Phase change material layers and phase change memory devices including the same

Номер патента: US20090179185A1. Автор: Matthias Wuttig,Yoon-Ho Khang,Cheol-Kyu Kim,Ki-Joon Kim,Dong-Seok Suh,Youn-Seon Kang,Tae-Yon Lee,Daniel Wamwangi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Actuator assemblies comprising shape memory alloy wires and a coating with phase changing materials particles

Номер патента: US20200169195A1. Автор: Marco Citro,Davide Frigerio. Владелец: SAES Getters SpA. Дата публикации: 2020-05-28.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: EP3238283A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: WO2016105750A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Shallow trench type quadri-cell of phase-change random access memory (pram)

Номер патента: WO2010118346A3. Автор: Xia Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-03-03.

Phase-change material (pcm) radio frequency (rf) switching device with novel spreader design

Номер патента: US20240284808A1. Автор: Yao-Wen Chang,Huan-Chieh CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Athletic Activity Monitoring Device with Energy Capture

Номер патента: US20230422618A1. Автор: Marcus Ward,Vikram Malhotra,Summer Schneider,Jerry WIANT. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Athletic activity monitoring device with energy capture

Номер патента: EP4407860A2. Автор: Vikram Malhotra,Summer Schneider. Владелец: Nike Innovate Cv. Дата публикации: 2024-07-31.

Athletic activity monitoring device with energy capture

Номер патента: EP4407860A3. Автор: Vikram Malhotra,Summer Schneider. Владелец: Nike Innovate Cv. Дата публикации: 2024-10-09.

Three terminal phase change memory with self-aligned contacts

Номер патента: US12108692B2. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin W. Brew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Artificial intelligence device cell with improved phase change material region

Номер патента: WO2023046363A1. Автор: Injo OK,Nicole Saulnier,Kevin BREW,Iqbal Rashid Saraf. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-03-30.

Artificial intelligence device cell with improved phase change material region

Номер патента: EP4406389A1. Автор: Injo OK,Nicole Saulnier,Kevin BREW,Iqbal Rashid Saraf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: AU2021234173A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Wanki Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: WO2021181173A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Wanki Kim. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-09-16.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: GB2609776A. Автор: LI NING,Sadana Devendra,KIM WANKI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-15.

Chalcogenide phase change materials and their use

Номер патента: WO2011114173A1. Автор: Konstantin B. Borisenko. Владелец: ISIS INNOVATION LIMITED. Дата публикации: 2011-09-22.

Switch based on a phase-change material

Номер патента: US20240298552A1. Автор: Bruno Reig,Denis Mercier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-09-05.

Swich based on a phase-change material

Номер патента: US20240298554A1. Автор: Bruno Reig,Denis Mercier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-09-05.

Single mask adder phase change memory element

Номер патента: US20120168709A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Chung H. Lam,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Mechanical resonator with a spring-mass system comprising a phase-change material

Номер патента: US09584092B2. Автор: Mark A. Lantz,Johan B. C. Engelen,Wabe W. Koelmans. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Thermal management system with phase change and auxiliary cooling systems

Номер патента: US11889664B2. Автор: Tianyi Gao. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Spike-timing-dependent plasticity using inverse resistivity phase-change material

Номер патента: WO2023011885A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-02-09.

Phase change material with filament electrode

Номер патента: US20090275168A1. Автор: Eric A. Joseph,Gerhard Ingmar Meijer,Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Matthew J. Breitwisch,Roger W. Cheek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same

Номер патента: WO2007109021A1. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-09-27.

Etching process for phase-change films

Номер патента: US20090246964A1. Автор: Yi-Chou Chen,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Short bridge phase change memory cells and method of making

Номер патента: US20090289243A1. Автор: Song S. Xue,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-11-26.

Phase Change Material In An Electronic Switch Having A Flat Profile

Номер патента: US20240341205A1. Автор: Tsung-Hsueh Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Sb-te-ti phase-change memory material and ti-sb2te3 phase-change memory material

Номер патента: US20160099050A1. Автор: Cheng Peng,Feng Rao,Min Zhu,Kun REN,Zhitang Song,Xilin ZHOU,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-04-07.

Phase-change memory device with conductive cladding

Номер патента: WO2024093753A1. Автор: Kangguo Cheng,Guy M. Cohen,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-05-10.

Phase-change storage unit, phase-change memory, electronic device, and preparation method

Номер патента: US20240114808A1. Автор: Xiang Li,Xin Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Phase change memory unit and phase change memory

Номер патента: EP4391016A1. Автор: Xiang Li,Hao Tong,Xin Chen,Ping Ma,Yanrong GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Phase change material radio-frequency device and methods for forming the same

Номер патента: US20240224823A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Hung-Ju Li,Chien Ta Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Phase change memory device

Номер патента: US8263963B2. Автор: Sung-Lae Cho,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-11.

Phase Change Memory Device

Номер патента: US20110180774A1. Автор: Sung-Lae Cho,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-28.

Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US20100283027A1. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2010-11-11.

Solar photovoltaic powered phase change material thermal energy storage system

Номер патента: US20240125492A1. Автор: Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-04-18.

Solar photovoltaic powered phase change material thermal energy storage system

Номер патента: US12092360B2. Автор: Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-09-17.

Phase change memory device with reinforced adhesion force

Номер патента: US20090020741A1. Автор: Hae Chan PARK,Nam Kyun PARK,Cheol Seong Hwang,Byung Joon Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Cu-doped Sb-Te system phase change material, phase change memory and preparation method thereof

Номер патента: US11807798B2. Автор: Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-11-07.

Phase change memory cell with an airgap to allow for the expansion and restriction of the pcm material

Номер патента: US20230284542A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device including phase-change material

Номер патента: US20230380195A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Dongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods of forming a phase change material

Номер патента: US20120108037A1. Автор: Keith R. Hampton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Contact resistance of a metal liner in a phase change memory cell

Номер патента: US11957069B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Phase change memory device with reinforced adhesion force

Номер патента: US7687795B2. Автор: Hae Chan PARK,Nam Kyun PARK,Cheol Seong Hwang,Byung Joon Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

Cu-DOPED Sb-Te SYSTEM PHASE CHANGE MATERIAL, PHASE CHANGE MEMORY AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20230287253A1. Автор: Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-09-14.

Phase change memory cell with an airgap to allow for the expansion and restriction of the PCM material

Номер патента: US11963469B2. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US20120074370A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Phase change memory cell having pillar bottom electrode with improved thermal insulation

Номер патента: WO2023066649A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-04-27.

Phase change memory cell having pillar bottom electrode with improved thermal insulation

Номер патента: EP4420497A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Re-sampling with phase offset adjustment for luma and chroma to select filters in scalable video coding

Номер патента: US09998744B2. Автор: Ajay K. Luthra,Koohyar Minoo,David M. Baylon. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Re-sampling with phase offset adjustment for luma and chroma to select filters in scalable video coding

Номер патента: US09503732B2. Автор: Ajay K. Luthra,Koohyar Minoo,David M. Baylon. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2016-11-22.

Phase change memory device having phase change material layer containing phase change nano particles and method of fabricating the same

Номер патента: US20090278108A1. Автор: Yoon-Ho Khang,Dong-Seok Suh,Wil-Liam Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Phase change memory cell with ovonic threshold switch

Номер патента: US11910734B2. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Robert L. Bruce,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: US11889773B2. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Matthew Joseph BrightSky,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Phase change memory cell with ovonic threshold switch

Номер патента: US20230309422A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Robert L. Bruce,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods, structures, and devices for reducing operational energy in phase change memory

Номер патента: US20120002465A1. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: WO2022142647A1. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Matthew Joseph BrightSky,Jin Ping HAN. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-07-07.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: GB2617946A. Автор: OK Injo,Saulnier Nicole,Ping Han Jin,Joseph Brightsky Matthew,W Brew Kevin,Mathew Philip Timothy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Phase-change material, memory unit and method for electrically storing/reading data

Номер патента: US20090185412A1. Автор: Sung-Li Wang,Chien-Yu Chen,Lung-Han Peng,Meng-Kuei Hsieh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2009-07-23.

Lateral phase change memory

Номер патента: US20110003454A1. Автор: Richard Dodge,Guy Wicker. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-01-06.

Phase change random access memory device

Номер патента: US11765988B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Y-branch type phase-change all-optical boolean logic device and all-binary logic implementation method therefor

Номер патента: US20240319563A1. Автор: Han Li,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yunlai ZHU,Zhuli HE. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-09-26.

Multistage set procedure for phase change memory

Номер патента: US09583187B2. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Kiran Pangal,Gayathri Rao Subbu,Nevil N Gajera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Phase change memory and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2004055916A3. Автор: Charles H Dennison. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Memory element with memory material comprising phase-change material and dielectric material

Номер патента: WO1999054128A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Wolodymyr Czubatyj,David A. Strand,Boil Pashmakov,Sergey Kostylev,Patrick J. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-10-28.

Memory constructions comprising thin films of phase change material

Номер патента: US20140110658A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Methods of forming a phase change material

Номер патента: US20130017664A1. Автор: Keith R. Hampton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Phase change memory cell

Номер патента: GB2617734A. Автор: Mehta Sanjay,Sankarapandian Muthumanickam,OK Injo,Bao Ruqiang,Saulnier Nicole,Herbert Simon Andrew,Brew Kevin,Rashid Saraf Iqbal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Apparatuses and methods for implementing digital ledgers via phase change materials

Номер патента: US20240003753A1. Автор: Jochen Schmitt,Jan KUBIK,Padraig L. FITZGERALD,Michael P. Lynch,Alfonso Berduque,Alan O'Donnell,Gavin Cosgrave,Stanislav Jolondcovschi,Shaun Stephen Bradley,Michael J. CLIFFORD,Javier CALPE. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2024-01-04.

Phase change material cell with stress inducer liner

Номер патента: US20120147666A1. Автор: Martin M. Frank,Alejandro G. Schrott,Bipin Rajendran,Catherine A. Dubourdieu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Phase change material cell with piezoelectric or ferroelectric stress inducer liner

Номер патента: WO2012078456A1. Автор: Martin M. Frank,Alejandro G. Schrott,Bipin Rajendran,Catherine A. Dubourdieu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-14.

Post deposition method for regrowth of crystalline phase change material

Номер патента: EP2534710A1. Автор: Stephen M. Rossnagel,Alejandro G. Schrott,Lam H. Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-19.

Post deposition method for regrowth of crystalline phase change material

Номер патента: WO2011100079A1. Автор: Stephen M. Rossnagel,Alejandro G. Schrott,Lam H. Chung. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-08-18.

Switch based on phase-change material

Номер патента: US20240023468A1. Автор: Bruno Reig,Stephane Monfray,Alain Fleury,Philippe Cathelin,Vincent Puyal. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-18.

Switch based on phase-change material

Номер патента: US20240023465A1. Автор: Bruno Reig,Stephane Monfray,Alain Fleury,Philippe Cathelin,Vincent Puyal. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-18.

Switch based on phase-change material

Номер патента: US20240023467A1. Автор: Bruno Reig,Stephane Monfray,Alain Fleury. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-18.

Insulated phase change memory using porous dielectrics

Номер патента: WO2023041296A1. Автор: Lawrence Clevenger,Timothy Mathew Philip,Kevin BREW,Anirban Chandra. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-03-23.

Apparatuses and methods for implementing digital ledgers via phase change materials

Номер патента: WO2024003297A1. Автор: Michael Lynch,Jochen Schmitt,Jan KUBIK,Alfonso Berduque,Padraig Fitzgerald,Alan O'Donnell,Gavin Cosgrave,Shaun Bradley,Stanislav Jolondcovschi,Javier CALPE,Michael Clifford. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2024-01-04.

Phase-change memory device with reduced programming voltage

Номер патента: WO2022189300A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-09-15.

Memory device including switching material and phase change material

Номер патента: US20240046986A1. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Young Jae Kang,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Yongyoung PARK,Hajun SUNG,Dongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Multi-bit storage device using phase change material

Номер патента: US12004433B2. Автор: Timothy Crockett,Lester Bartus, JR.. Владелец: Toshiba Global Commerce Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Phase change heterostructure, and phase change memory device including the same

Номер патента: US20240065118A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Changyup Park,Youngjae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase change material radio-frequency switch for low power consumption and methods for forming the same

Номер патента: US20240224824A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Hung-Ju Li,Chien Ta Huang,Hui Hung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Phase change memory device accounting for volume change of phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090225589A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-10.

Phase change memory device accounting for volume change of phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120077324A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Phase change memory device accounting for volume change of phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US8093632B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-10.

Phase change random access memory device

Номер патента: US12089513B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods, devices and processes for multi-state phase change devices

Номер патента: US09437287B2. Автор: Davide Colombo,Davide Erbetta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Phase change memory cell including multiple phase change material portions

Номер патента: EP1783844A3. Автор: Thomas Happ,Jan Boris Philip. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-12-08.

Phase change memory device using carbon nanotube and method for fabricating the same

Номер патента: US7749801B2. Автор: Kuk-Hwan Kim,Yang-Kyu Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2010-07-06.

Phase change memory unit and preparation method therefor

Номер патента: US20240065120A1. Автор: Ming Li,Min Zhong,Gaoming FENG. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: US20240032445A1. Автор: Hans Taddiken,Valentyn Solomko,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: EP4312484A1. Автор: Hans Taddiken,Valentyn Solomko,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-31.

Phase change memory elements using energy conversion layers, memory arrays and systems including same, and methods of making and using same

Номер патента: US20120281466A1. Автор: Jun Liu,Mike Violette,Jon Daley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Phase change material containing carbon, memory device including the phase change material, and method of operating the memory device

Номер патента: US7737527B2. Автор: Dong-Seok Suh,Youn-Seon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-15.

Electric device comprising a layer of phase change material and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1576677A2. Автор: Erwin R. Meinders,Martijn H. R. Lankhorst,Franciscus P. Widdershoven,Robertus A. M. Wolters,Wilhelmus S. M. M. Ketelaars. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2005-09-21.

Electric device comprising a layer of phase change material and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1576677B1. Автор: Erwin R. Meinders,Martijn H. R. Lankhorst,Franciscus P. Widdershoven,Robertus A. M. Wolters,Wilhelmus S. M. M. Ketelaars. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-12-01.

Insulated phase change memory using porous dielectrics

Номер патента: US11980110B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Anirban Chandra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Multi-bit phase change memory devices

Номер патента: US20100220520A1. Автор: Hong-Sik Jeong,Gi-Tae Jeong,Young-Nam Hwang,Soon-Oh Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-02.

Electric device comprising phase change material

Номер патента: EP1787329B1. Автор: Erwin R. Meinders,Martijn H. R. Lankhorst,Franciscus P. Widdershoven,Robertus A. M. Wolters. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-10-27.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: EP4256630A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Electric device comprising phase change material

Номер патента: EP1787329A2. Автор: Erwin R. Meinders,Martijn H. R. Lankhorst,Franciscus P. Widdershoven,Robertus A. M. Wolters. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-05-23.

Phase change material switch with improved thermal dissipation and methods for forming the same

Номер патента: US20240099167A1. Автор: Kuo-Ching Huang,Yi Ching Ong,Fu-Hai Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Phase change memory cell sidewall heater

Номер патента: WO2024060645A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-28.

A phase change material electronic memory structure

Номер патента: EP1369925A3. Автор: Kurt Ulmer,David Punsalan,Heon Lee,Peter Fricke,Andrew Koll,Dennis Lazaroff,Andy Van Brocklin,Neal Meyer,Jim Ellenson,Ken Kramer. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2005-06-15.

Phase change memory structures

Номер патента: WO2009042293A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Rajesh A. Rao,Tushar P. Merchant. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-04-02.

Phase-change memory cell with asymmetric structure, a memory device including the phase-change memory cell, and a method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20230240160A1. Автор: Andrea Redaelli,Mario Allegra. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-27.

Carbon-containing interfacial layer for phase-change memory

Номер патента: US20030164515A1. Автор: Daniel Xu. Владелец: Daniel Xu. Дата публикации: 2003-09-04.

Phase change memory devices and their methods of fabrication

Номер патента: US7598112B2. Автор: Jae-hee Oh,Jae-Hyun Park,Won-Cheol Jeong,Se-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-06.

Thermally conductive phase-change composition, methods of manufacture thereof, and articles including the composition

Номер патента: GB2611901A. Автор: Smith Ian,Tan Kuitian,William Baker David. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 2023-04-19.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: EP4261905A1. Автор: Hans-Dieter Wohlmuth,Valentyn Solomko,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-18.

Programmable phase-change memory and method therefor

Номер патента: EP1829110A2. Автор: Karen Attenborough,Hans Boeve,Niek Lambert,Victor Van Acht. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-09-05.

Programmable phase-change memory and method therefor

Номер патента: US20120230100A1. Автор: Karen Attenborough,Hans Boeve,Niek Lambert,Victor Van Acht. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Phase change material for a phase change memory device and method for adjusting the resistivity of the material

Номер патента: WO2010125540A3. Автор: Robertus Adrianus Maria Wolters,Michael Antoine Armand In 'T Zandt,Harry Wondergem. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2011-04-07.

Phase Change Material for a Phase Change Memory Device and Method for Adjusting the Resistivity of the Material

Номер патента: US20120091416A1. Автор: Hendrikus Jan Wondergem,Michael Antoine Armand In 'T Zandt,Robertus Adrainus Maria Wolters. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Phase change material for a phase change memory device and method for adjusting the resistivity of the material

Номер патента: US8792265B2. Автор: Robertus Andrianus Maria Wolters,Hendrikus Jan Wondergem,Michael Antoine Armand In 'T Zandt. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-29.

Phase change memory cell with projection liner

Номер патента: WO2022123367A1. Автор: Ruqiang Bao,Injo OK,Nicole Saulnier,Kevin BREW,Prasad Bhosale,Iqbal Rashid Saraf,Andrew Herbert Simon. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2022-06-16.

Reduced power consumption phase change memory

Номер патента: EP2383811B1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-13.

Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same

Номер патента: EP2002491A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

Reduced power consumption phase change memory

Номер патента: EP2383811B9. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-11.

Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same

Номер патента: EP2002491B1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-19.

Phase change memory device and fabrication thereof

Номер патента: US20100213432A1. Автор: Chien-Min Lee,Ming-Jeng Huang,Jen-Chi Chuang,Jia-Yo Lin,Min-Chih Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: US20230337554A1. Автор: Hans-Dieter Wohlmuth,Valentyn Solomko,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-19.

Phase Change Switch Device Having a Set of Heaters Arranged to Heat a Phase Change Material and Method of Operating the Phase Change Switch Device

Номер патента: US20240056072A1. Автор: Hans Taddiken,Christoph Kadow,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Phase change memory cell with projection liner

Номер патента: GB2616808A. Автор: OK Injo,Bhosale Prasad,Bao Ruqiang,Saulnier Nicole,Herbert Simon Andrew,Brew Kevin,Rashid Saraf Iqbal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Phase change material switch device and related method

Номер патента: WO2023198632A1. Автор: Christoph Kadow,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-19.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A3. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: Roger Switzer. Дата публикации: 2008-11-27.

Phase-change memory structure and phase-change memory device including the same

Номер патента: US20240107778A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Youngjae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Phase change memory device suitable for high temperature operation

Номер патента: WO2011060032A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Simone Raoux,Bipin Rajendran,Matthew J. Breitwisch,Daniel Krebs. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP.. Дата публикации: 2011-05-19.

Spreader configuration for phase change material (pcm) switch and methods of forming the same

Номер патента: US20240130257A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Tsung-Hao YEH,Hsin Heng WANG,Yi Ching Ong,Hung-Ju Li,Fu-Hai Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Matching Circuits for Phase Change Material Switches

Номер патента: US20230090893A1. Автор: Jean-Luc Erb. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Matching circuits for phase change material switches

Номер патента: WO2023049571A1. Автор: Jean-Luc Erb. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2023-03-30.

Apparatus and method for ultra-fast crystallization in phase - change rf switches

Номер патента: WO2022172277A1. Автор: Shahar Kvatinsky,Eilam Yalon,Nicolas WAINSTEIN. Владелец: TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LIMITED. Дата публикации: 2022-08-18.

Method and structure for peltier-controlled phase change memory

Номер патента: WO2006121473A1. Автор: Lia Krusin-Elbaum,Dennis M. Newns. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-11-16.

Phase change memory and method of fabricating same

Номер патента: US20130048936A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Shih-Chang Liu,Tsun-Kai Tsao,Ming-Huei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Lightweight carbon foam structure for phase change material heat sinks

Номер патента: US20230266073A1. Автор: Joseph C. Rampone,Jesse Joseph Stieber,Gregory John Quinn,Allison Bender Thomas,Sagar Thapa. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Apparatus and method for ultra-fast crystallization in phase - change rf switches

Номер патента: US20240313766A1. Автор: Shahar Kvatinsky,Eilam Yalon,Nicolas WAINSTEIN. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Phase change material including deuterium

Номер патента: US20240324475A1. Автор: Kangguo Cheng,Amlan Majumdar,Juntao Li,Louis Zuoguang Liu,Arthur Roy Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory cell based on a phase-change material

Номер патента: US20240334712A1. Автор: DANIEL Benoit. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-03.

Ultra low power wideband non-coherent binary phase shift keying demodulator using first order sideband filters with phase 180 degree alignment

Номер патента: US09967120B2. Автор: Benjamin P. WILKERSON. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-08.

Forming phase change memories

Номер патента: MY135719A. Автор: Chien Chiang,Tyler Lowrey,Charles Dennison. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2008-06-30.

Metal chalcogenide film, memory element including same, and method for manufacturing phase-change heterolayer

Номер патента: US20240057347A1. Автор: Hyungjun Kim,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Hajun SUNG,Sangyoon Lee,Changyup Park,Seung-Min Chung,Inkyu Sohn. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-02-15.

Mechanical resonator with a spring-mass system comprising a phase-change material

Номер патента: US20170163239A1. Автор: Mark A. Lantz,Wabe W. Koelmans,Johan B.C. Engelen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Mechanical resonator with a spring-mass system comprising a phase-change material

Номер патента: US20160308470A1. Автор: Mark A. Lantz,Wabe W. Koelmans,Johan B.C. Engelen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Embedded heater in a phase change memory material

Номер патента: US11910731B2. Автор: Robert L. Bruce,Ching-Tzu Chen,Jin Ping HAN,Philip Joseph Oldiges. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Mechanical resonator with a spring-mass system comprising a phase-change material

Номер патента: US9887685B2. Автор: Mark A. Lantz,Johan B. C. Engelen,Wabe W. Koelmans. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Phase change memory unit and preparation method therefor

Номер патента: US20230363299A1. Автор: Ming Li,Min Zhong,Shoumian Chen,Gaoming FENG. Владелец: Shanghai IC Equipment Material Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Phase-change memory (PCM) including liner reducing resistance drift

Номер патента: US11805711B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Kevin W. Brew,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Phase change memory materials, devices and methods

Номер патента: EP1969602A1. Автор: Robert E. Simpson,Daniel William Hewak,Richard J. Curry,Mohammed Khawar Arshad Mairaj. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2008-09-17.

A non-volatile memory cell comprising a dielectric layer and a phase change material in series

Номер патента: WO2006078505A3. Автор: S Brad Herner. Владелец: S Brad Herner. Дата публикации: 2009-06-04.

Multilayer structure comprising a phase change material layer and a method of producing the same

Номер патента: EP2232602A1. Автор: Romain Delhougne,Vasile Paraschiv,Judit Lisoni. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-29.

Distributed computing with phase change material thermal management

Номер патента: US09792961B2. Автор: Manish Arora,Gabriel H. Loh,Michael J. Schulte,Srilatha Manne,Nuwan Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Electrosurgical devices with phase change materials

Номер патента: US09526566B1. Автор: Eric Johnson. Владелец: Ethicon Endo Surgery LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for producing crockery filled with phase-change material

Номер патента: EP3860407A1. Автор: Karim Redjal. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2021-08-11.

Method for producing crockery filled with phase-change material

Номер патента: WO2020070709A1. Автор: Karim Redjal. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2020-04-09.

Method for realizing anti-icing of aircraft surface by lubricating with phase-change material

Номер патента: NL2029566B1. Автор: Liu Hong,Li Xiaofei,Huang Xiaobin,Kong Weiliang. Владелец: Univ Shanghai Jiaotong. Дата публикации: 2023-06-01.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: AU2019312205B2. Автор: Ruoya Wang,Jennifer J. BARRETT. Владелец: Avent Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: GB2590323A. Автор: Wang Ruoya,J Barrett Jennifer. Владелец: Avent Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: WO2020023577A1. Автор: Ruoya Wang,Jennifer J. BARRETT. Владелец: Avent, Inc.. Дата публикации: 2020-01-30.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: AU2019312205A1. Автор: Ruoya Wang,Jennifer J. BARRETT. Владелец: Avent Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Wind turbine nacelle with phase change material which controls temperature using AI

Номер патента: AU2021102254A4. Автор: Mohanraj A.,Selvakumar A.,Balaji Devarajan,Bharathi E.,Ghayathri J.,Jagan Raj Jayapandiyan,Venkatesan M.,Gopinath P.,Murugesan P.,Meenakshi Devi P.,Mani R.,Vasanthakumar R.,Karthigai S.,Prasath S.,Rajakumareswaran V.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Heating and cooling systems and apparatuses with phase change materials

Номер патента: US11994348B2. Автор: Erik HATFIELD,Daniel Larsen,Hannah MALLALIEU,Jordan KENNIE. Владелец: Stash Energy Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Insulated chamber with phase change material

Номер патента: US09927169B2. Автор: Milton F Baker,Dale C Barnett,Robert W Dotterer,David N Figel,Stephen C Keiser. Владелец: CARON PRODUCTS AND SERVICES Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Thermal energy storage assembly with phase change materials

Номер патента: EP3039366A1. Автор: Zidu Ma,Mary Teresa LOMBARDO,Warren CLOUGH,Ivan Rydkin,Robert A. Chopko. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2016-07-06.

Heating and/or cooling unit with phase-change material

Номер патента: US20240369311A1. Автор: Jacques Mouchet. Владелец: Sun Ice Energy Pte Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Shipping package with phase-change material

Номер патента: WO2024042496A1. Автор: Jeffrey Thomas Whitely,Anthony Scott ALLEVA,Ryan Lawrence McKenzie SANDERS,Curtis Brian SCOTT,Chantal Ann WALKER. Владелец: Rapid Aid Corp.. Дата публикации: 2024-02-29.

Thermal buffering of downhole equipment with phase change material

Номер патента: WO2013096550A1. Автор: Sandrine Lelong-Feneyrou. Владелец: Schlumberger Holdings Limited. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device with phase comparator comparing phases between internal signal and external signal

Номер патента: US6833723B2. Автор: Takeo Miki,Takeshi Hamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-21.

Apparatuses and methods for temperature detection using electrical sensors with phase change materials

Номер патента: US20240003756A1. Автор: Jochen Schmitt,Jan KUBIK,Padraig L. FITZGERALD,Michael P. Lynch,Alfonso Berduque,Alan O'Donnell,Gavin P. Cosgrave,Stanislav Jolondcovschi,Shaun Stephen Bradley,Michael J. CLIFFORD,Javier CALPE. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-01-04.

Apparatuses and methods for temperature detection using electrical sensors with phase change materials

Номер патента: WO2024003298A1. Автор: Michael Lynch,Jochen Schmitt,Jan KUBIK,Alfonso Berduque,Padraig Fitzgerald,Alan O'Donnell,Gavin Cosgrave,Shaun Bradley,Stanislav Jolondcovschi,Javier CALPE,Michael Clifford. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2024-01-04.

Elongated interventional device with variable stiffness

Номер патента: US09987462B2. Автор: Franciscus Johannes Gerardus Hakkens,Jacob Roger Haartsen,Maurice Hubertus Elisabeth Van Der Beek,Martinus Bernardus Van Der Mark. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-06-05.

Oxazoline containing compositions of solid ink with phase change

Номер патента: RU2598472C2. Автор: Адела ГОРЕДЕМА,Гуэрино Г. САКРИПАНТЕ,Рина КАРЛИНИ,Кэролайн М. ТУРЕК,Эдвард Г. ЗВАРТЦ. Владелец: Ксерокс Корпорэйшн. Дата публикации: 2016-09-27.

Heating and cooling systems and apparatuses with phase change materials

Номер патента: WO2020198846A1. Автор: Erik HATFIELD,Daniel Larsen,Hannah MALLALIEU,Jordan KENNIE. Владелец: Stash Energy Inc.. Дата публикации: 2020-10-08.

Thermal receptacle with phase change material

Номер патента: US20190014932A1. Автор: Raymond Booska. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-01-17.

Evaporator with phase change material

Номер патента: US09581369B2. Автор: Gary S. Vreeland,Scott B. Lipa. Владелец: MAHLE International GmbH. Дата публикации: 2017-02-28.

Thermal receptacle with phase change material

Номер патента: US20200237126A1. Автор: Raymond Booska. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-30.

Insulated chamber with phase change material and door with controllable transparency

Номер патента: US20180216833A1. Автор: Stephen C. Keiser,Milton BAKER,Dale BARNETT,Robert DOTTERER,David FIGEL. Владелец: CARON PRODUCTS AND SERVICES Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Method of Operating A Linear Friction Welding System With Phase Change Assembly

Номер патента: US20200156181A1. Автор: Stephen A. Johnson. Владелец: APCI LLC. Дата публикации: 2020-05-21.

Systems and methods of using phase change material in power plants

Номер патента: US09476648B2. Автор: Ying Sun,Matthew McCarthy,Young I. Cho,Qinghua Xie,Baolan Shi,Han Hu,Philipp Boettcher. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-25.

State of charge sensor for phase change material thermal energy storage

Номер патента: US20240310082A1. Автор: Joseph D. Rendall,Anthony C. Gehl,Jerald A. Atchley,Diana Hun,Som S. Shrestha,Zhenglai Shen. Владелец: UT-BATTELLE, LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Pressure plate with phase change material

Номер патента: US10344816B2. Автор: Daniel Kearney,Giti Karimi-Moghaddam,Qimin Dong,Galen Burdeshaw. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-07-09.

Buffer storage arrangement filled with phase change material

Номер патента: EP3791127A1. Автор: Zoltan Andrassy,Farkas Rita Andrassyne. Владелец: HEATVENTORS KFT. Дата публикации: 2021-03-17.

Phase-change recording film with stable crystallization rate, target and process for producing the phase-change recording film

Номер патента: US20080220197A1. Автор: Hung-Chuan MAI,Jonq-Ren Lee,Yuan-Chang Lai,Tsung-Eong Hsieh. Владелец: Solar Applied Material Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Multi-component phase change material flame retardant, method for preparing, and application thereof

Номер патента: US20240327711A1. Автор: Li He,Dan Wang,Guolin Liu,Fei REN,Congling Shi,Honglei Che,Xiaodong QIAN,Jingyun JING,Mei Wan. Владелец: China Academy of Safety Science and Technology CASST. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor photonic devices using phase change materials

Номер патента: US20190339585A1. Автор: John Heck,Haisheng Rong,Charles Dennison,DerChang Kau,Harel Frish,Jeffrey Driscoll,George A. GHIURCAN,Jonathan K. Doylend,Michael E. Favaro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Phase change initiator for use with an exothermic phase change material

Номер патента: WO2010089586A2. Автор: Richard Thom,Jim Shaikh,Adam Kyte. Владелец: Feed Me Bottles Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Gel comprising a phase-change material, method of preparing the gel, thermal exchange implement comprising the gel

Номер патента: EP3122335A1. Автор: Richard M. Formato,Dimitrios P. Bakllas,Amrut N. Biswal. Владелец: Cold Chain Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-01.

Crockery comprising microwave-activatable phase-change material

Номер патента: US20240298825A1. Автор: Karim Redjal,Pascal Gabriëlle Nestor Mertens. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2024-09-12.

Phase change ink compositions and sulfonated compounds for use in the same

Номер патента: US20130276666A1. Автор: Peter G. Odell,James D. Mayo,Salma Falah Toosi,Mihaela Maria Birau,C. Geoffrey Allen,Biby Abraham. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Thermal energy storage system combining sensible heat solid material and phase change material

Номер патента: US20160201995A1. Автор: Oriol LEHMKUHL BARBA,Carlos David PÉREZ SEGARRA,Joaquim RIGOLA SERRANO,Jesús CASTRO GONZÁLEZ,Carles OLIET CASASAYAS,Ivette RODRÍGUEZ PÉREZ,Xavi TRIAS MIQUEL,Roser CAPDEVILA PARAMIO,Ramiro ALBA QUEIPO,Manuel Miguel ORDOÑO MARTÍNEZ,Asensi OLIVA LLENA,Pedro Andrés GALIONE KLOT. Владелец: Universitat Politecnica de Catalunya UPC. Дата публикации: 2016-07-14.

Novel modular gypsum board based on phase-change material and construction method therefor

Номер патента: LU505579B1. Автор: Xiao Dong,Yun Zhang,Zhiqing Chen,Chi XU,Deyu KONG,Dianle Qiu. Владелец: Zhejiang Province Institute Of Architectural Design And Res. Дата публикации: 2024-05-21.

Treated fiber reinforced form stable phase change

Номер патента: US09890313B2. Автор: Anil Kumar Mehta,Devendra Jain,Suman Kumari,Nidhi Agarwal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-13.

Thermal energy storage system combining sensible heat solid material and phase change material

Номер патента: US09841243B2. Автор: Oriol LEHMKUHL BARBA,Carlos David PÉREZ SEGARRA,Joaquim RIGOLA SERRANO,Jesús CASTRO GONZÁLEZ,Carles OLIET CASASAYAS,Ivette RODRÍGUEZ PÉREZ,Xavi TRIAS MIQUEL,Roser CAPDEVILA PARAMIO,Ramiro ALBA QUEIPO,Manuel Miguel ORDOÑO MARTÍNEZ,Asensi OLIVA LLENA,Pedro Andrés GALIONE KLOT. Владелец: Universitat Politecnica de Catalunya UPC. Дата публикации: 2017-12-12.

Phase change material injection device and structure for removing moisture of head lamp with the same

Номер патента: US09534841B2. Автор: Jeong Gyu Yang,Byung-Ook Park,Sae-Jun Park. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Phase change materials for refrigeration and ice making

Номер патента: US09528730B2. Автор: Patrick J. Boarman. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Process for preparing phase change microcapsule having thermally conductive shell

Номер патента: US09480960B2. Автор: Yi-Hsiuan Yu,Yen-Feng Shih,Hou-An Hsieh,Yen-Lin Tseng. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2016-11-01.

Aerostat with phase change adjustment airbag

Номер патента: GB2612398A. Автор: Zheng Wei,Zhang Xiaojun,Li Zhibin,WU Hongxin,ZHU Rongchen,ZHOU Donghua,Zhang Guilin,Miao Jinggang,Yin Yongjuan,Wen Junchen. Владелец: Zhi Bin Li. Дата публикации: 2023-05-03.

Heating device with phase-change material

Номер патента: WO2020065693A1. Автор: Enrica Monticelli,Filippo Bellomare,Claudio PAVAN,Claudio ZILIO,Simone MANCIN. Владелец: De' Longhi Appliances S.R.L. Con Unico Socio. Дата публикации: 2020-04-02.

Pitch-based carbon foam heat sink with phase change material

Номер патента: CA2334583C. Автор: James W. Klett,Timothy D. Burchell. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2009-06-30.

Therapeutic thermal compress with phase-change material

Номер патента: US12011388B2. Автор: Mark H. Bruder,Rodney L. Dobson. Владелец: Hilsinger Co Parent LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Perpendicular magnetic recording head laminated with AFM-FM phase change material

Номер патента: US20120087042A1. Автор: Kunliang Zhang,Yuchen Zhou,Kenichi Takano,Moris Dovek,Joe Smyth,Kowang Liu,Liejie Guan. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Cooling system with phase indication capability

Номер патента: US20210389042A1. Автор: Laila Ahmed Salim Bahammam. Владелец: KING ABDULAZIZ UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor layered device with data bus

Номер патента: US20180047432A1. Автор: Chiaki Dono,Chikara Kondo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Method of encapsulating a phase change material

Номер патента: US20230295918A1. Автор: Georgios Polyzos,Jaswinder K. Sharma. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Systems and methods for full spectrum solar thermal energy harvesting and storage by molecular and phase change material hybrids

Номер патента: US12061018B2. Автор: T. Randall Lee,Hadi Ghasemi,Varun Kashyap,Siwakorn SAKUNKAEWKASEM. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2024-08-13.

Phase change material composition and method of fabricating and packaging the same

Номер патента: US09803123B1. Автор: Orville Thomas Neal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Phase change material composition and method of fabricating and packaging the same

Номер патента: US09695349B1. Автор: Orville Thomas Neal. Владелец: Neal Energy Management LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Gel comprising a phase-change material, method of preparing the gel, thermal exchange implement comprising the gel, and method of preparing the thermal exchange implement

Номер патента: US09598622B2. Автор: Richard M. Formato,Dimitrios P. Bakllas,Amrut N. Biswal. Владелец: Cold Chain Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-21.

Refrigeration system with phase change material heat exchanger

Номер патента: CA2941708C. Автор: Vinayak S. GODBOLE,Roberto Horn Pereira. Владелец: Coca Cola Co. Дата публикации: 2023-04-04.

Pitch-based carbon foam heat sink with phase change material

Номер патента: CA2605200C. Автор: James W. Klett,Timothy D. Burchell. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2008-12-16.

Enhanced heat transfer in MRI gradient coils with phase-change materials

Номер патента: US7489132B2. Автор: Michael Kent Cueman,Mehmet Arik. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2009-02-10.

Heated beds with phase changing materials

Номер патента: KR20170034221A. Автор: 김규호. Владелец: (주)나노웨이브코리아. Дата публикации: 2017-03-28.

Thermal Energy Storage System with Phase Change Material and Method of Its Operation

Номер патента: US20240044585A1. Автор: Henrik Stiesdal. Владелец: Stiesdal Storage AS. Дата публикации: 2024-02-08.

Thermal energy storage system with phase change material and method of its operation

Номер патента: US11940226B2. Автор: Henrik Stiesdal. Владелец: Stiesdal Storage AS. Дата публикации: 2024-03-26.

Thermal energy storage system with phase change material and method of its operation

Номер патента: EP4314496A1. Автор: Henrik Stiesdal. Владелец: Stiesdal Storage AS. Дата публикации: 2024-02-07.

Actuator assemblies comprising shape memory alloy wires and a coating with phase changing materials particles

Номер патента: US11560881B2. Автор: Marco Citro,Davide Frigerio. Владелец: SAES Getters SpA. Дата публикации: 2023-01-24.

Actuator assemblies comprising shape memory alloy wires and a coating with phase changing materials particles

Номер патента: EP3645883A1. Автор: Marco Citro,Davide Frigerio. Владелец: SAES Getters SpA. Дата публикации: 2020-05-06.

Preparation method of shape stabilized phase change material via microporous carbon derived from chitin aerogel and application in thermal storage

Номер патента: LU502456B1. Автор: HUI Li,Xiaomin DENG,Lingbin Kong,Junchi Wang,Xiaobo Yan,Wenyao Guo. Владелец: Univ Shandong Jianzhu. Дата публикации: 2023-01-06.

Semiconductor layered device with data bus

Номер патента: EP3497699A1. Автор: Chiaki Dono,Chikara Kondo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-19.

Semiconductor chip, device and system comprising the semiconductor chip, and method for manufacturing the semiconductor chip or the system

Номер патента: EP4290411A1. Автор: Heiko Zimmermann,Günter R. FUHR. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-12-13.

Thermal control using phase-change material

Номер патента: WO2017192235A1. Автор: Philip Campbell,Larry W. Akers,Joseph F. Wrinn,David GRAZIOSE. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2017-11-09.

Phase change material

Номер патента: US20230265332A1. Автор: LIN Cong,Yulong Ding,Derek Chapman,Boyang ZOU. Владелец: Hubbard Products Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Solid state martensitic transformation phase change material components for thermal energy storage and transient heat transfer systems

Номер патента: US12071583B2. Автор: Brian Donovan,Darin J. Sharar,Ronald Warzoha. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device based on phase change memory for deep neural network and method for storing weight thereof

Номер патента: US20240161823A1. Автор: Joon-Sung Yang. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-16.

Compositions Comprising Phase Change Materials and Methods of Making the Same

Номер патента: US20230250327A1. Автор: Reyad I. Sawafta,Najih Naser. Владелец: PHASE CHANGE ENERGY SOLUTIONS Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Compositions Comprising Phase Change Materials and Methods of Making the Same

Номер патента: US20230227704A1. Автор: Reyad I. Sawafta,Najih Naser. Владелец: PHASE CHANGE ENERGY SOLUTIONS Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Compositions comprising phase change materials and methods of making the same

Номер патента: US12077707B2. Автор: Reyad I. Sawafta,Najih Naser. Владелец: PHASE CHANGE ENERGY SOLUTIONS Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Compositions comprising phase change materials and methods of making the same

Номер патента: US09914865B2. Автор: Reyad I. Sawafta,Najih Naser. Владелец: PHASE CHANGE ENERGY SOLUTIONS Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Content-addressable memory having phase change material devices

Номер патента: US20070097740A1. Автор: Colin Murphy,Narbeh Derhacobian. Владелец: Cswitch Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Image transfer product including a phase change material

Номер патента: EP3259645A1. Автор: Samuel R. Shuman,Peter Asplund,Scott Bridges. Владелец: Day International Corp. Дата публикации: 2017-12-27.

Image transfer product including a phase change material

Номер патента: US20160238968A1. Автор: Samuel R. Shuman,Peter Asplund,Scott Bridges. Владелец: Day International Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Chalcogenide phase change material based all-optical switch and manufacturing method therefor

Номер патента: US11609443B2. Автор: Yi Wang,Hao Tong,Xiangshui Miao,Yitao LU. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-03-21.

Chalcogenide phase change material based all-optical switch and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200379276A1. Автор: Yi Wang,Hao Tong,Xiangshui Miao,Yitao LU. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-12-03.

Composite coatings containing phase change materials

Номер патента: US20210340387A1. Автор: Narayanan Neithalath,Matthew Aguayo,Aashay Arora. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-11-04.

Content-addressable memory having phase change material devices

Номер патента: WO2007056272A3. Автор: Narbeh Derhacobian,Colin N Murphy. Владелец: Colin N Murphy. Дата публикации: 2009-05-14.

Content-addressable memory having phase change material devices

Номер патента: WO2007056272A2. Автор: Narbeh Derhacobian,Colin N. Murphy. Владелец: Cswitch Corporation. Дата публикации: 2007-05-18.

Degradable, biodegradable, and/or compostable packages containing phase change material

Номер патента: WO2022251336A1. Автор: Reyad I. Sawafta,Byron C. OWENS. Владелец: Phase Change Energy Solutions, Inc.. Дата публикации: 2022-12-01.

A phase change material composition and method of preparation thereof

Номер патента: US20210292629A1. Автор: Tao Tang,Qiang Zhu,Jian Wei Xu,Ying YingLesley LOW,Xian Yun Debbie SOO. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2021-09-23.

Shape-stabilized phase change materials for energy storage

Номер патента: US20210102106A1. Автор: Mohammad Mizanur Rahman,Md. Hasan Zahir,Mohammed Mozahar HOSSAIN,Salhi BILLEL. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2021-04-08.

Crockery system comprising thermal buffer material and phase- change material

Номер патента: US20240315472A1. Автор: Karim Redjal,Pascal Gabriëlle Nestor Mertens. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2024-09-26.

Stacked semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09975762B2. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Image transfer product including a phase change material

Номер патента: US09835986B2. Автор: Samuel R. Shuman,Peter Asplund,Scott Bridges. Владелец: Day International Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Phase change material with shape stabilisation, method for producing thereof and use thereof

Номер патента: EP4455248A1. Автор: Kinga Pielichowska,Martyna SZATKOWSKA. Владелец: Akademia Gomiczo Hutnicza. Дата публикации: 2024-10-30.

Gel comprising a phase-change material, method of preparing the gel, and thermal exchange implement comprising the gel

Номер патента: US09556373B2. Автор: Richard M. Formato,Dimitrios P. Bakllas. Владелец: Cold Chain Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Thermal energy storage, dissipation and EMI suppression for integrated circuits using porous graphite sheets and phase change material

Номер патента: US09501112B2. Автор: Mark Gallina,Steven Lofland,Daryl Nelson,Kevin Daniel,Daniel Chiang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Phase change material evaporator charging control

Номер патента: US09464837B2. Автор: Mingyu Wang,Prasad S. Kadle,Edward Wolfe, IV. Владелец: MAHLE International GmbH. Дата публикации: 2016-10-11.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: WO2006043230A1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-04-27.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: EP1807840A1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-07-18.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: EP1807840B1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-05-26.

Chemical phase change heat stores

Номер патента: WO1985000214A1. Автор: Norman A. Dutton,Richard J. Howling. Владелец: Lingard Engineering Limited. Дата публикации: 1985-01-17.

Shape stable phase change materials

Номер патента: GB2626197A. Автор: Busch Rainer,Stuart Biggin Ian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-17.

High-efficient central chiller plant system with variable load by phase change material thermal energy storage

Номер патента: US12055303B2. Автор: Kam Biu Richard CHAN. Владелец: Boca International Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Phase change materials

Номер патента: WO2024153920A1. Автор: Rainer Busch,Ian Stuart Biggin. Владелец: Ian Stuart Biggin. Дата публикации: 2024-07-25.

Phase change memory device and control method

Номер патента: EP2291846A1. Автор: Ludovic Goux. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-09.

Durability test method, device and system of phase change material

Номер патента: US12117409B1. Автор: Feng Yu,Haibin Yang,Hongzhi Cui,Lele CAO,Xiangpeng Cao. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-15.

Sterile status indicator by means of phase change

Номер патента: US09789218B2. Автор: Corvin Motz,Gerold Zieris,Joachim Amann. Владелец: Aesculap AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Phase change memory devices and systems having reduced voltage threshold drift and associated methods

Номер патента: US09627055B1. Автор: Mattia Robustelli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Polymer composition containing heat-accumulating phase change material, process for preparing said composition and product containing said composition

Номер патента: RU2415899C2. Автор: Херман РЕЕЗИГТ,Бартоломеус Вильхельмус Мария РАУВЕРС,Хендрик ГЛАСТРА. Владелец: Капзо Интернэшнл Б.В.. Дата публикации: 2011-04-10.

Method and apparatus for casting molten materials using phase-change material

Номер патента: US20020195733A1. Автор: John Cortum,Michael Mathiasmeier,Louis Stoecker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Thermoset additive manufactured articles incorporating a phase change material and method to make them

Номер патента: US20190248065A1. Автор: Daniel L. Dermody,Craig F. GORIN,Aleksander J. Pyzik,Sharon Allen,Niranjan MALVADKAR,Daniel P. Sophiea,Sanjay C. SOLANKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-15.

Portable Apparatus and Methods Using Phase Change Materials for Creating a Temperature Stabilized Environment

Номер патента: US20210180809A9. Автор: James H. Goldie,Stephen Macomber. Владелец: Fruition LLC. Дата публикации: 2021-06-17.

Optical recording medium having a plurality of discrete phase change data recording points

Номер патента: WO1997022468A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Hellmut Fritzsche. Владелец: Energy Conversion Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-06-26.

Phase change material pack

Номер патента: EP2786076A2. Автор: Mathew Holloway,Zsolt Bako-Biro. Владелец: VKR Holding AS. Дата публикации: 2014-10-08.

Phase change material pack

Номер патента: WO2013079728A2. Автор: Mathew Holloway,Zsolt Bako-Biro. Владелец: VKR Holding A/S. Дата публикации: 2013-06-06.

Phase change materials composite formulations

Номер патента: US12031084B2. Автор: Claudia Catalina Luhrs. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2024-07-09.

Mattress assemblies and components including phase change materials

Номер патента: WO2022108873A4. Автор: Ryan P. LIVELY,Sheri McGuire,Stephen J. A. DEWITT,Yun-Ho Ahn. Владелец: DREAMWELL, LTD.. Дата публикации: 2022-07-21.

Refrigerator Having A Water Dispensing Assembly And A Phase Change Material

Номер патента: US20170203948A1. Автор: Frank Bailly,Bernd Brabenec,Michael Laudahn. Владелец: BSH HAUSGERAETE GMBH. Дата публикации: 2017-07-20.

Flow control systems and methods for a phase change material solar receiver

Номер патента: WO2014105643A8. Автор: Ryan Webster,Russell MUREN,Luke ERICKSON,Cory Hodgkins,Drake Tilley. Владелец: ABENGOA SOLAR LLC. Дата публикации: 2015-09-17.

Skating rink that retains refrigeration energy by way of a phase-change material

Номер патента: US20240207714A1. Автор: Jacques Mouchet. Владелец: Sun Ice Energy Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Container for phase-change material

Номер патента: US20240159443A1. Автор: Jacques Mouchet. Владелец: Sun Ice Energy Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Portable Apparatus and Methods Using Phase Change Materials for Creating a Temperature Stabilized Environment

Номер патента: US20200041147A1. Автор: James H. Goldie,Stephen Macomber. Владелец: Fruition LLC. Дата публикации: 2020-02-06.

Phase-change memory element and method of storing data therein

Номер патента: US20040145944A1. Автор: Boil Pashmakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-29.

Process for manufacturing a phase change material for a temperature-controlled shipping package

Номер патента: GB2615569A. Автор: Chu Tay. Владелец: Hydropac Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Phase-change materials from wax-based colloidal dispersions and their process of making

Номер патента: CA2961663C. Автор: Amba Ayambem. Владелец: Henry Co LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Mattress assemblies and components including phase change materials

Номер патента: EP4247912A1. Автор: Ryan P. LIVELY,Sheri McGuire,Stephen J. A. DEWITT,Yun-Ho Ahn. Владелец: Dreamwell Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Micro-encapsulated phase-change material, preparation method thereof, and pillow comprising the same

Номер патента: US20230090981A1. Автор: Yong Wan. Владелец: Wuxi JHT Homewares Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Methods and systems for measuring state of charge of a phase change material thermal battery

Номер патента: US20240210121A1. Автор: Ryan Young,Eugene Jansen,Craig English,Eric Donovan,Nader Maharmeh. Владелец: Rolls Royce North American Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Microstructural surface incorporation of phase change materials for thermal management

Номер патента: US20240026560A1. Автор: Claudia Catalina Luhrs,Forest Douglas Shaner,Christopher James Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2024-01-25.

A modular phase change material system

Номер патента: GB201115174D0. Автор: . Владелец: Dublin Institute of Technology. Дата публикации: 2011-10-19.

Passive temperature control method of biological tissue based on optical phase change nanoparticles

Номер патента: GB2607645A. Автор: Yao Gang,Chen Qin,Li Huaxin,QI Hong,Ren Yatao. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2022-12-14.

Composition and method for preparing microencapsulated phase change materials

Номер патента: EP4423159A1. Автор: Wei Li,Liang Zhang,Jiguang Zhang,Minbiao HU. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-04.

Phase change material composition

Номер патента: EP4424792A1. Автор: Robin Studer,Poppy Jayne Patricia Hurst O'Neill,Remo Waser. Владелец: Cowa Thermal Solutions Ag. Дата публикации: 2024-09-04.

Control method and device for phase-change energy storage type cold and heat combined supply system with multi-heat source heat pump

Номер патента: AU2023266311B1. Автор: Xu Jing,Ma Lin,Wu Hui,Zhang Weiya,Zhou Dongxu,Zhou Hengjun,Xia Jiahua,Fan Kefei,Gao Shengyu,Liang Zhengdong. Владелец: Nanjing Jiangbei New Area Public Utilities Holding Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Phase change material composition

Номер патента: WO2024180405A1. Автор: Robin Studer,Poppy Jayne Patricia Hurst O'Neill,Remo Waser. Владелец: Cowa Thermal Solutions Ag. Дата публикации: 2024-09-06.

Method of modulated exothermic chemical systems through phase change materials

Номер патента: US09976068B2. Автор: Aydin K. Sunol,Sermin G. Sunol. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2018-05-22.

Devices for modulation of temperature and light based on phase change materials

Номер патента: US09797187B2. Автор: Dale Timothy Clifford,Shi-Chune Yao. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of modulated exothermic chemical systems through phase change materials

Номер патента: US09481821B2. Автор: Aydin K. Sunol,Sermin G. Sunol. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2016-11-01.

Composition of microwavable phase change material

Номер патента: US9765201B2. Автор: Anil Kumar Mehta,Devendra Jain,Suman Kumari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Spatial light modulator using phase-change materials with improved fill factor

Номер патента: US11808937B1. Автор: Jeong-Sun Moon,Kyung-Ah Son,Hwa Chang Seo,Kangmu Lee. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Time interleaved writing of phase change material for infrared spatial light modulator

Номер патента: US10755782B1. Автор: Jeong-Sun Moon,Daniel M. Zehnder. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2020-08-25.

Method of programming a phase change memory and phase change memory device

Номер патента: US09472271B2. Автор: Quentin Hubert,Carine Jahan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-10-18.

Field-emitter-based memory array with phase-change storage devices

Номер патента: US8000129B2. Автор: Daniel R. Shepard. Владелец: Contour Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-16.

Process for incorporation of a phase change material into gypsum wallboards and other aggregate construction panels

Номер патента: CA1332683C. Автор: Jean Paris,Jean-Francois Houle. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 1994-10-25.

Aerosol-generating device comprising multiple solid-liquid phase-change materials

Номер патента: CA2898248C. Автор: Michael Roger Cane,Patrick Charles Silvestrini,Christopher James Rowe,Marie Farine. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2020-08-25.

Modular passive solar energy heating unit employing phase change heat storage material state

Номер патента: CA1209429A. Автор: Douglas C. Taff,Robert B. Holdridge. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-08-12.

Aerosol-generating device comprising multiple solid-liquid phase-change materials

Номер патента: US10010112B2. Автор: Michael Roger Cane,Patrick Charles Silvestrini,Christopher James Rowe,Marie Farine. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2018-07-03.

Phase change heat exchanger

Номер патента: US5220954A. Автор: William J. Longardner,Robert L. Longardner. Владелец: Shape Inc. Дата публикации: 1993-06-22.

Fabrication of a phase change material (PCM) integrated insulation

Номер патента: US11828060B2. Автор: Liping Cai,Sheldon Q. Shi,Weihuan Zhao. Владелец: University of North Texas. Дата публикации: 2023-11-28.

Crockery comprising microwave-activatable phase-change material

Номер патента: AU2022311328A1. Автор: Karim Redjal,Pascal Gabriëlle Nestor Mertens. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2024-02-01.

Epoxy based phase change material, composition and method thereof

Номер патента: WO2024023846A1. Автор: Shashikant Sangmeshwar PAYMALLE,Amol Murlidharrao KENDHALE. Владелец: Elantas Beck India Limited. Дата публикации: 2024-02-01.

Crockery comprising microwave-activatable phase-change material

Номер патента: CA3225533A1. Автор: Karim Redjal,Pascal Gabriëlle Nestor Mertens. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2023-01-19.

Crockery comprising microwave-activatable phase-change material

Номер патента: EP4369993A1. Автор: Karim Redjal,Pascal Gabriëlle Nestor Mertens. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2024-05-22.

Apparatuses and methods for optical or visual detection of temperature change via phase change material

Номер патента: WO2024003294A1. Автор: Michael Lynch,Jochen Schmitt,Jan KUBIK,Alfonso Berduque,Padraig Fitzgerald,Alan O'Donnell,Gavin Cosgrave,Shaun Bradley,Stanislav Jolondcovschi,Javier CALPE,Michael Clifford. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2024-01-04.

Non-volatile content addressable memory using phase-change-material memory elements

Номер патента: EP1908076A1. Автор: Louis L. C. Hsu,Hon-Sum Philip Wong,Brian L. Ji,Chung Hon Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-09.

Non-volatile content addressable memory using phase-change-material memory elements

Номер патента: EP1908076A4. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Chung Hon Lam,Brian L Ji,Louis L C Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-17.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: EP2377128A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-10-19.

Sub-zero phase change materials with multiple crystallisation events

Номер патента: CA3207280A1. Автор: David Oliver,Andrew Bissell,Gylen ODLING,Kate FISHER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-09-09.

Sub-zero phase change materials with multiple crystallisation events

Номер патента: EP4301826A1. Автор: David Oliver,Andrew Bissell,Gylen ODLING,Kate FISHER. Владелец: Sunamp Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Sub-zero phase change materials with multiple crystallisation events

Номер патента: US20240141221A1. Автор: David Oliver,Gylen ODLING,Kate FISHER. Владелец: Sunamp Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Phase change material panel and passive thermally controlled shipping container employing the panels

Номер патента: WO2023288171A2. Автор: Jason Miller,Kai Goellner. Владелец: Peli Biothermal LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

Flexible phase change material

Номер патента: US20220380651A1. Автор: Johannes Ijsbrand Tiesnitsch. Владелец: TIESNITSCH BEHEER BV. Дата публикации: 2022-12-01.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: WO2010083087A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-07-22.

Phase change material panel and passive thermally controlled shipping container employing the panels

Номер патента: EP4370848A2. Автор: Jason Miller,Kai Goellner. Владелец: Peli Biothermal LLC. Дата публикации: 2024-05-22.

Flexible phase change material

Номер патента: EP4028483A1. Автор: Johannes Ijsbrand Tiesnitsch. Владелец: TIESNITSCH BEHEER BV. Дата публикации: 2022-07-20.

Polyurethane phase-change nanocapsule, phase-change polyurethane pouring sealant and preparation method therefor

Номер патента: US20240309256A1. Автор: Zhi Yu,Jianjun Chen,Jun Song,Hengchao HUANG,Mingsong Miao,You Rao. Владелец: Guangzhou Baiyun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Quick disconnect single shutoff fitting for phase changing material

Номер патента: US09989181B2. Автор: Annie Liu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Nanostructured phase change materials for solid state thermal management

Номер патента: US09963627B2. Автор: Sumitra RAJAGOPALAN,Giovanni Alexander Fabra Prieto. Владелец: Bioastra Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Controlling temperature in exothermic reactions with a phase change material

Номер патента: US09943992B2. Автор: Karl M. Nelson,Geoffrey Allen Butler. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for multilevel programming of phase change memory cells using a percolation algorithm

Номер патента: US7639526B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-29.

Phase-Change Materials and Optical Limiting Devices Utilizing Phase-Change Materials

Номер патента: US20100309539A1. Автор: Anthony Bresenhan Kaye,Richard Forsberg Haglund, JR.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-09.

Phase-change materials and optical limiting devices utilizing phase-change materials

Номер патента: WO2010141168A1. Автор: Anthony Bresenhan Kaye,Richard Forsberg Haglund. Владелец: ITT Manufacturing Enterprises, Inc.. Дата публикации: 2010-12-09.

Skived foam article containing energy absorbing phase change material

Номер патента: US5851338A. Автор: Robert J. Pushaw. Владелец: Wyner R H Associates Inc. Дата публикации: 1998-12-22.

Apparatuses and methods for optical or visual detection of temperature change via phase change material

Номер патента: US20240003754A1. Автор: Jochen Schmitt,Jan KUBIK,Padraig L. FITZGERALD,Michael P. Lynch,Alfonso Berduque,Alan O'Donnell,Gavin P. Cosgrave,Stanislav Jolondcovschi,Shaun Stephen Bradley,Michael J. CLIFFORD,Javier CALPE. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-01-04.

Apparatuses and methods for temperature detection using phase change materials

Номер патента: US20240003752A1. Автор: Jochen Schmitt,Jan KUBIK,Padraig L. FITZGERALD,Michael P. Lynch,Alfonso Berduque,Gavin Cosgrave,Stanislav Jolondcovschi,Shaun Stephen Bradley,Michael J. CLIFFORD,Javier CALPE,Alan ODONNELL. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-01-04.

Phase-change material and method for producing same

Номер патента: US11795360B2. Автор: Mary Anne WHITE,John Alexander Noël. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-24.

Treated fiber reinforced form stable phase change

Номер патента: WO2014064518A3. Автор: Anil Kumar Mehta,Devendra Jain,Suman Kumari,Samit JAIN,Nidhi AGRAWAL. Владелец: Agrawal Nidhi. Дата публикации: 2014-07-03.

Thermal Conduction Enhanced Organic Composite Shape-stabilized Phase Change Material and Preparation Method Thereof

Номер патента: US20200095489A1. Автор: Bingtao Tang,Shufen Zhang,Yuang Zhang,Rongwen Lv,Xiaoqiao FAN. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2020-03-26.

Phase change material injection device and structure for removing moisture of head lamp with the same

Номер патента: US20140283405A1. Автор: Jeong Gyu Yang,Byung-Ook Park,Sae-Jun Park. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Apparatuses and methods for temperature detection using phase change materials

Номер патента: WO2024003296A1. Автор: Michael Lynch,Jochen Schmitt,Jan KUBIK,Alfonso Berduque,Padraig Fitzgerald,Alan O'Donnell,Gavin Cosgrave,Shaun Bradley,Stanislav Jolondcovschi,Javier CALPE,Michael Clifford. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2024-01-04.

Thermal storage heat exchanger structures employing phase change materials

Номер патента: EP3491322A1. Автор: David Altman,Nicholas Ian Maniscalco,Jonathan Balducci. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-06-05.

Medical device with thermal management of the device-tissue interface

Номер патента: WO2008112741A2. Автор: James C. Barnitz. Владелец: Edge Product Development Corp.. Дата публикации: 2008-09-18.

Thermally reflective encapsulated phase change pigment

Номер патента: WO2007019447A2. Автор: James V. Bellemare. Владелец: The Government of the USA, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2007-02-15.

Phase change material insulation for containers

Номер патента: EP4088070A1. Автор: Jonathan Neeld. Владелец: DOUBLEDAY ACQUISITIONS LLC. Дата публикации: 2022-11-16.

Phase change material panel and passive thermally controlled shipping container employing the panels

Номер патента: WO2023288171A3. Автор: Jason Miller,Kai Goellner. Владелец: Peli Biothermal LLC. Дата публикации: 2023-02-23.

Flexible phase change material

Номер патента: NL2023799B1. Автор: Ijsbrand Tiesnitsch Johannes. Владелец: Tiesnitsch Beheer B V. Дата публикации: 2021-05-17.

Thermal insulator with thermally-cyclable phase change material

Номер патента: EP3253846A1. Автор: Wenhao Sun,Alan RANSIL. Владелец: Coolcomposites Inc. Дата публикации: 2017-12-13.

Phase change material for thermal therapy and delivery of active ingredients

Номер патента: US11707556B2. Автор: Aldo Laghi. Владелец: ALPS South LLC. Дата публикации: 2023-07-25.

Pla aerogel based phase-change composites for thermal energy storage and heat management

Номер патента: WO2024094672A1. Автор: De-Yi Wang,Guang-zhong YIN. Владелец: Fundación Universidad Francisco de Vitoria. Дата публикации: 2024-05-10.

Phase change insulation for subsea flowlines

Номер патента: US6000438A. Автор: Theodore R. Ohrn. Владелец: McDermott Technology Inc. Дата публикации: 1999-12-14.

Extraction from large thermal storage systems using phase change materials and latent heat exchangers

Номер патента: CA2893160C. Автор: Frank Antonio MUCCIARDI,Alan Leighton Wesley POWELL,Andrew Leighton Wesley POWELL. Владелец: 7837003 CANADA Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Phase change and shape change materials

Номер патента: EP2868299A2. Автор: Valery PEREVALOV,Refael Hof. Владелец: NEW PHASE LTD. Дата публикации: 2015-05-06.

Optical data storage system with multiple rewritable phase change recording layers

Номер патента: US5761188A. Автор: Hal Jervis Rosen,Kurt Allan Rubin,Wade Wai-Chung Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Phase change material matrix for incorporation in construction panels formed of gypsum or aggregate materials

Номер патента: CA1261696A. Автор: Jean Paris,Jean-Francois Houle. Владелец: Canadian Patents and Development Ltd. Дата публикации: 1989-09-26.

Ultrasound devices incorporating phase change materials and systems and methods using the devices

Номер патента: US20200022714A1. Автор: Paul Douglas Corl. Владелец: Sonomotions Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for low temperature microencapsulation of phase change materials

Номер патента: EP3344381A1. Автор: Mohammed Farid,Jamal Kurdi,Refat AL SHANNAQ,Shaheen AL-MUHTASEB. Владелец: Qatar Foundation for Education Science and Community Development. Дата публикации: 2018-07-11.

Phase change material evaporator charging control

Номер патента: US20130248166A1. Автор: Mingyu Wang,Prasad Shripad Kadle,Edward Wolfe, IV. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Method for low temperature microencapsulation of phase change materials

Номер патента: US20180223146A1. Автор: Mohammed Farid,Jamal Kurdi,Refat AL SHANNAQ,Shaheen AL-MUHTASEB. Владелец: College Of North Atlantic - Qatar. Дата публикации: 2018-08-09.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: US8717809B2. Автор: Godferius Adrianus Maria Hurkx,Jesus Perez Gonzales. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-05-06.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: US20120294074A1. Автор: Godferius Adrianus Maria Hurkx,Jesus Perez Gonzales. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-11-22.

Catalytic phase change dielectric sphere for methanol combustion and preparation method therefor

Номер патента: US11014081B2. Автор: Bin Su. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-25.

Catalytic Phase Change Dielectric Sphere for Methanol Combustion and Preparation Method Therefor

Номер патента: US20200055038A1. Автор: Bin Su. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-20.

Methods of making shape stable phase change material compositions

Номер патента: WO2024102900A1. Автор: Brian Chapman,Emmanuel MENA,Reyad Sawafta,Ryan McDaniel,Venu KUTURU,Mark Mcneill. Владелец: Phase Change Energy Solutions, Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Microelectromechanical system pressure sensor with pressure sensing element having phase-change material

Номер патента: WO2024087110A1. Автор: Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for low temperature microencapsulation of phase change materials

Номер патента: EP3733276A1. Автор: Mohammed Farid,Jamal Kurdi,Refat AL SHANNAQ,Shaheen AL-MUHTASEB. Владелец: College Of North Atlantic Qatar. Дата публикации: 2020-11-04.

Phase change material evaporator charging control

Номер патента: EP2839224A1. Автор: Mingyu Wang,Prasad Shripad Kadle,Edward Wolfe. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2015-02-25.

Phase change material evaporator charging control

Номер патента: WO2013142462A1. Автор: Mingyu Wang,Prasad Shripad Kadle,Edward Wolfe. Владелец: DELPHI TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-09-26.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: WO2011095902A1. Автор: Godefridus Adrianus Hurkx,Jesus Perez Gonzalez. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2011-08-11.

Flexible composite material with phase change thermal storage

Номер патента: US6004662A. Автор: Theresa M. Buckley. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-12-21.

Microencapsulation of a phase change meterial with enhanced flame resistance

Номер патента: WO2010042566A1. Автор: Timothy James Riazzi,Danny Allen Davis,Dale Ellis Work. Владелец: Microtek Laboratories, Inc.. Дата публикации: 2010-04-15.

Controllable phase change material bag and preparation method thereof and application thereof

Номер патента: US20220307773A1. Автор: Hong Yu,Lizhi Zhang,Chuanshuai DONG. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-09-29.

Shape-stabilized phase change materials for energy storage based on hierarchically porous calcium magnesium carbonate

Номер патента: US20210147736A1. Автор: Md. Hasan Zahir,Abbas Saeed Hakeem,Mohammed Mozahar HOSSAIN,Md. SHAFIULLAH. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2021-05-20.

Phase-change electric water heater and water temperature control method

Номер патента: EP3757478A1. Автор: Ming Wang,Yun Zeng,Shaohe QU. Владелец: Wuhu Midea Kitchen and Bath Appliances Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-30.

Phase-change material and method for producing same

Номер патента: EP4299548A2. Автор: Mary Anne WHITE,John Alexander Noël. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-03.

Phase-change material and method for producing same

Номер патента: US20200190382A1. Автор: Mary Anne WHITE,John Alexander Noël. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-18.

Phase-change material and method for producing same

Номер патента: EP4299548A3. Автор: Mary Anne WHITE,John Alexander Noël. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-03.

Phase-change material and method for producing same

Номер патента: EP3652266A1. Автор: Mary Anne WHITE,John Alexander Noël. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-20.

Microcapillary films containing phase change materials

Номер патента: EP2731796A2. Автор: Juergen Hoeppner,Rudolf J. Koopmans,Luis G. Zalamea Bustillo,Colmar WOCKE. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2014-05-21.

Thermal control using phase-change material

Номер патента: US20170322253A1. Автор: Philip Campbell,Larry Akers,David GRAZIOSE,Joseph Wrinn. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Density stabilized phase change material

Номер патента: MY121401A. Автор: James A Robinson,David John Czarnecki. Владелец: Modine Mfg Co. Дата публикации: 2006-01-28.

Sram bitline equalization using phase change material

Номер патента: US20180308544A1. Автор: William V. Huott,David D. Cadigan,Adam J. McPadden,Anuwat Saetow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Integrated optical phase change materials for reconfigurable optics in glass cores

Номер патента: US20240176167A1. Автор: John Heck,Haisheng Rong,Harel Frish,Tolga Acikalin,Kristof Darmawikarta,Sandeep Gaan,Suddhasattwa NAD,Eric J. M. Moret,Benjamin DUONG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

A textile product containing phase change material and a method for obtaining thereof

Номер патента: GB2594185A. Автор: Sarier Ni̇hal,Önder Karaoğlu Emel. Владелец: Istanbul Kultur Univ. Дата публикации: 2021-10-20.

Mattress assemblies including at least one panel including phase change materials

Номер патента: EP3924680A1. Автор: Michael S. Defranks,Christopher Francis Chunglo. Владелец: Dreamwell Ltd. Дата публикации: 2021-12-22.

Mattress assemblies including at least one panel including phase change materials

Номер патента: WO2020168040A1. Автор: Michael S. Defranks,Christopher Francis Chunglo. Владелец: DREAMWELL, LTD.. Дата публикации: 2020-08-20.

Interlocking modular phase change material system for cargo container

Номер патента: US12017845B2. Автор: Thomas R. Pherson. Владелец: Advanced Composite Structures LLC. Дата публикации: 2024-06-25.

Mattress containing microencapsulated phase change material

Номер патента: US20170020299A1. Автор: Petr Valenta,Patrick R. Carroll,Will Ringo,Tripp Joyce. Владелец: Milliken and Co. Дата публикации: 2017-01-26.

Sram bitline equalization using phase change material

Номер патента: US20180308545A1. Автор: William V. Huott,David D. Cadigan,Adam J. McPadden,Anuwat Saetow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Internally heated phase change material heat batteries

Номер патента: AU2019308740B2. Автор: Andrew Bissell,Santokh Gataora,Jonathan Nicholson,Kieran Doak. Владелец: Sunamp Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Phase change material core thermoplastic shell filament

Номер патента: US20220243998A1. Автор: Matthew Kirby SMITH,Kaif Dosani,Paramjot Singh,Adewale ODUKOMAIYA,Allison Jasmine MAHVI. Владелец: Tcpoly Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

System for heat exchange between a building and the earth's sub-soil comprising the circulation of phase change materials in a closed circuit

Номер патента: US20240053063A1. Автор: Bernard Bourbiaux,Isabelle Durand,Elena Sanz,Vivien Esnault,Marie Marsiglia,Habiba BOULHARTS,Jean-Francois LECOMTE,Vlasios LEONTIDIS. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2024-02-15.

Compositions comprising phase change material and concrete and uses thereof

Номер патента: WO2013123428A9. Автор: Gaurav Sant,Narayanan Neithalath. Владелец: Arizona Board of Regents. Дата публикации: 2014-02-27.

Internally heated phase change material heat batteries

Номер патента: ZA202100583B. Автор: Andrew Bissell,Santokh Gataora,Jonathan Nicholson,Kieran Doak. Владелец: Sunamp Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

A modular phase change material system

Номер патента: EP2761235A2. Автор: Mick MCKEEVER. Владелец: Dublin Institute of Technology. Дата публикации: 2014-08-06.

Data storage device with only internal addressing

Номер патента: US6145060A. Автор: Yuichi Masuda,Akihide Takasu. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-07.

Writing scheme for phase change material-content addressable memory

Номер патента: US20140026008A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Robert K. Montoye. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Retrofit roof with a phase change material modulated climate space

Номер патента: US11761211B2. Автор: Robert Joe Alderman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-19.

Phase change memory device with improved performance that minimizes cell degradation

Номер патента: US20110255333A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Polyurethane foams comprising phase change materials

Номер патента: US20240262950A1. Автор: Mohammed Mehdi FARID,Charles Arienrhi IKUTEGBE. Владелец: Auckland Uniservices Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Peritoneal dialysis system having phase change material ("pcm") heat exchange

Номер патента: EP4440650A2. Автор: Oskar Erik Frode Styrbjorn Fallman. Владелец: Baxter International Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Phase change materials

Номер патента: US20240287369A1. Автор: Andrea DOLFI,Giuseppe TRAVAGLINI. Владелец: Petroliam National Berhad Petronas. Дата публикации: 2024-08-29.

Phase change materials to address reversion problems in heavy oils

Номер патента: US12110464B2. Автор: Sankaran Murugesan,Asha PATEL,Kekeli A. Ekoue-Kovi. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Microfluidic phase-change membrane microvalves

Номер патента: US12103000B2. Автор: Elliot En-yu HUI,Hinesh Vipul Patel. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-10-01.

Thermal battery and heat exchanger assembly using phase change material

Номер патента: WO2023081136A3. Автор: Brian R. Butler,Andrew M. Welch. Владелец: EMERSON CLIMATE TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-06-15.

Thermal battery and heat exchanger assembly using phase change material

Номер патента: EP4427290A2. Автор: Brian R. Butler,Andrew M. Welch. Владелец: Copeland LP. Дата публикации: 2024-09-11.

Thermal battery and heat exchanger assembly using phase change material

Номер патента: WO2023081136A2. Автор: Brian R. Butler,Andrew M. Welch. Владелец: EMERSON CLIMATE TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-05-11.

Body support cushion having multiple layers of phase change material

Номер патента: US09980578B2. Автор: Tom Mikkelsen,Mohamed F. ALZOUBI,Christopher Anthony Arendoski,Stephen Watson Switzer,Kelly Wood Chandler. Владелец: Tempur Pedic Management LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Passive thermal system comprising combined heat pipe and phase change material and satellites incorporating same

Номер патента: US09868551B2. Автор: James Grossman,Alexander Smith,Daniel W. Field,Armen ASKIJIAN. Владелец: WorldVu Satellites Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Metal nitrate based compositions for use as phase change materials

Номер патента: ZA202101955B. Автор: David Oliver,Andrew John Bissell,Colin Richard Pulham,Emily Jane GODDARD,Gylen ODLING,Kate FISHER. Владелец: Sunamp Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

IMPROVEMENTS IN AND RELATING TO NUCLEATION AGENT COMPOSITIONS AND NUCLEATION AGENT PIECES AND METHODS FOR NUCLEATING PHASE CHANGE MATERIALS (PCMs)

Номер патента: WO2024218511A1. Автор: David Oliver,Andrew Bissell,Gylen ODLING. Владелец: SUNAMP LIMITED. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of encapsulating a phase change material with a metal oxide

Номер патента: US09493695B2. Автор: Manoj Kumar Ram,Elias K. Stefanakos,Dharendra Yogi Goswami,Chand K. Jotshi. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2016-11-15.

Latent heat storage using renewable phase change materials

Номер патента: US09434674B2. Автор: Suresh S. Narine,Michael C. Floros. Владелец: TRENT UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-09-06.

Direct contact heat exchanger with phase change of working fluid

Номер патента: US4192144A. Автор: Bill L. Pierce. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1980-03-11.

Method and system for the compact storage of heat and coolness by phase change materials

Номер патента: US4294078A. Автор: Calvin D. MacCracken. Владелец: Calmac Manufacturing Corp. Дата публикации: 1981-10-13.

Constant temperature packaging system and phase change formulation

Номер патента: CA2300618C. Автор: Ted J. Malach. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-20.

Tissue products including a temperature change composition containing phase change components within a non-interfering molecular scaffold

Номер патента: CA2777854C. Автор: Scott W. Wenzel,Corey Thomas Cunningham,Helen Kathleen Moen,Jeffery Richard Seidling. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for making a quasi-incompressible phase-change material with low thermal conductivity, and resulting product

Номер патента: US7105104B2. Автор: Jacques Jarrin,Jean-Claude Hipeaux,Angele Chomard. Владелец: Bouygues Offshore SA. Дата публикации: 2006-09-12.

Composite of aerogel and phase change material

Номер патента: CA2605693C. Автор: Stanley A. Lawton. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2012-10-16.

Crockery system comprising thermal buffer material and phase- change material

Номер патента: AU2022307166A1. Автор: Karim Redjal,Pascal Gabriëlle Nestor Mertens. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2024-01-25.

Compositions comprising phase change materials and methods of making the same

Номер патента: US11945990B2. Автор: Reyad I. Sawafta,Najih Naser. Владелец: PHASE CHANGE ENERGY SOLUTIONS Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Stacked Semiconductor Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20180265351A1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Heat sink phase change material

Номер патента: US20190212080A1. Автор: Gregory John Quinn,Daniel J. Kehoe. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Valve incorporating temporary phase change material

Номер патента: US11964422B2. Автор: Wallace Gregory Sawyer,Thomas Ettor ANGELINI,Tapomoy Bhattacharjee,Joshua MUSE,Meghan HUGHES,Carl David CRANE,Kyle D. SCHULZE,Curtis Taylor. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Programming a phase-change material memory

Номер патента: EP1537584A1. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2005-06-08.

Write Operation Method and Device for Phase Change Memory

Номер патента: US20150117096A1. Автор: Yansong Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Heat regulated printer element, use of a rubber material having a phase change material dispersed therein, a printer and a method of printing

Номер патента: US20090202936A1. Автор: Herbert Morelissen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-13.

Buoyancy-based platform assembly for phase change material thermal management

Номер патента: US20230119645A1. Автор: Comas Haynes. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Compositions comprising phase change materials and methods of making the same

Номер патента: US20240010897A1. Автор: Reyad I. Sawafta,Najih Naser. Владелец: PHASE CHANGE ENERGY SOLUTIONS Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Condenser-built-in same-cavity reduced-pressure distillation device with two-time phase change

Номер патента: CN103908791A. Автор: 冯斌,吴国存. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-07-09.

Organical electric bistable device with superhigh-speed phase change

Номер патента: CN1239329A. Автор: 徐伟,陈国荣,徐华华,华中一. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 1999-12-22.

BATTERY THERMAL MANAGEMENT WITH PHASE TRANSITION

Номер патента: US20120003523A1. Автор: Schaller Rolf,Kwak Sehoon. Владелец: CHRYSLER GROUP LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE-MOUNTABLE MAGNETIC FIELD SENSOR HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A CIRCUIT BOARD HAVING A MAGNETIC FIELD SENSOR

Номер патента: US20120001627A1. Автор: STEGER Jürgen,Flock Stefan,Krella Uwe. Владелец: Conti Temic Microeletronic GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for analysis of signals with phase-shift keying

Номер патента: RU2115247C1. Автор: Н.Н. Воронин,Г.В. Мандрика,Б.В. Балашов,С.Е. Косицын. Владелец: Военная академия связи. Дата публикации: 1998-07-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.