Three-terminal thyristor with single mos-gate controlled characteristics
Номер патента: GB2292009A
Опубликовано: 07-02-1996
Автор(ы): Janardhanan S Ajit
Принадлежит: International Rectifier Corp USA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-02-1996
Автор(ы): Janardhanan S Ajit
Принадлежит: International Rectifier Corp USA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Unit cell arrangement for emitter switched thyristor with base resistance control
Номер патента: US5294816A. Автор: Mahalingam Nandakumar,Mallikarjunaswamy S. Shekar,Bantval J. Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1994-03-15.