Compensation circuit for adjusting ratio of coincidence counts of data patterns, and memory device including the same, and operating method thereof.

Compensation circuit for adjusting ratio of coincidence counts of data patterns, and memory device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US11924008B2
Опубликовано: 05-03-2024
Автор(ы): Wonsuk Jang
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080074935A1. Автор: Chang-Hyuk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US12074616B2. Автор: Hironori Uchikawa,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device, memory module including the memory device, and operating method of memory controller

Номер патента: US12141478B2. Автор: Dohan Kim,Hoyoung Lee,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Taekyeong Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20150187420A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Storage device including nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09886219B2. Автор: Dukyoung Yun,Hyoungsuk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20240012567A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Power metal mesh and semiconductor memory device and method including the same

Номер патента: US20140140016A1. Автор: Jun Ho Lee,Tae Hoon Kim,Yang Hee Kim,Ic Su Oh,Sung Woo Han,Sun Ki CHO,Boo Ho JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080165591A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US7936635B2. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100165762A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Memory device, memory system including the same, and slew rate calibration method thereof

Номер патента: US20180131374A1. Автор: Hun-Dae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Systems and Methods for Adjusting an Aspect Ratio of a Content Slot

Номер патента: US20240205497A1. Автор: Chunlei Zhu,Weiming Liu,Zekan Qian. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Resistive memory device, method of fabricating the same, and memory apparatus and data processing system having the same

Номер патента: US09378813B2. Автор: Sung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20110134704A1. Автор: Ju Yeab Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240349615A1. Автор: Jun Ho Park,Byoung Jae Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile memory device, a storage device having the same and an operating method of the same

Номер патента: US09460795B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Three-dimensional nonvolatile memory device, semiconductor system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520409B2. Автор: Tae Kyung Kim,Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Magnetic memory device and method for forming the same

Номер патента: US09484526B2. Автор: Sang-Yong Kim,Yoon-Jong Song,Dae-eun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory device and method for manufacturing the same and method for operating the same

Номер патента: US20220293628A1. Автор: Hang-Ting Lue,Wei-Chen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor memory device, processing system including the same and power control circuit for the same

Номер патента: US20220101888A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Magnetic random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089504B2. Автор: Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859488B2. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Kwangseok KIM,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640755B2. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Kwangseok KIM,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608040B2. Автор: Inho Kim,Jongchul Park,Jung-Ik Oh,Jong-Kyu Kim,Gwang-Hyun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and electric device with the same

Номер патента: US20050105335A1. Автор: Riichiro Shirota,Masayuki Ichige,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Magnetoresistance random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12069955B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923138B2. Автор: Jae Hoon Kim,Sang Hwan Park,Kwangseok KIM,Keewon Kim,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Fusion memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12119336B2. Автор: Daehyun Kim,Jinmin Kim,Hyunsik Park,Hei Seung Kim,Sangkil Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20240296890A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Vertical non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09966115B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim,Ki-Hyun Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Phase-Change Random Access Memory Device and Methods of Making the Same

Номер патента: US20240206351A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220384525A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240147738A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230143211A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chao-Yang Chen. Владелец: Memorist Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Storage node of a resistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080169459A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12075621B2. Автор: LEI Liu,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210384118A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A3. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240221831A1. Автор: Chih-Hsiung Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US20200356308A1. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor Memory Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20230247823A1. Автор: Youngseok Kim,Jae Seong PARK,Sung-wook Jung,Daeyoung MOON,Young Sin Kim,Suhwan Hwang,Seongkeun CHO,Keum Joo Lee,Sungduk Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Three-dimensional NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US12041773B2. Автор: Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US11903184B2. Автор: Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Il Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Source structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4258843A3. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Yushi Hu,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190157284A1. Автор: Il-han Park,Bong-Soon Lim,June-Hong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US12089414B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09941333B2. Автор: Ji-Hyun Jeong,Gwan-Hyeob Koh,Dae-Hwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Magnetic memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US09583697B2. Автор: Minah Kang,Yong Sung Park,Sechung Oh,Keewon Kim,Soonoh Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device and method for accessing the same

Номер патента: US09542990B2. Автор: Zhijiong Luo,Zhengyong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09454999B2. Автор: Han Soo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09349465B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Resistive memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180190352A1. Автор: Jaeyeon LEE,Cheol Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Variable resistance memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220102628A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170025475A1. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Ferroelectric memory device and method of making the same

Номер патента: US20230262986A1. Автор: Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Huan-Sheng WEI,Chung-Wei Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Three-dimensional non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200211651A1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230282281A1. Автор: Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Integrated circuit, memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12063785B2. Автор: Chih-Wei Hung,Kuo-Pin Chang,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170005261A1. Автор: Shosuke Fujii,Takayuki Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: EP1750272A3. Автор: Syusuke Iwata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-23.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12073889B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Integrated circuit, memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230071284A1. Автор: Chih-Wei Hung,Kuo-Pin Chang,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230165005A1. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12087367B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4429435A2. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240306402A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US12058863B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Light-erasable embedded memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728260B1. Автор: Hao Su,Hong Liao,Chao Jiang,Chow Yee Lim. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Vertical memory device with gate lines at the same level connected

Номер патента: US09640549B2. Автор: Chang-Hyun Lee,Seok-Won Lee,Joon-Hee Lee,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090273045A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237348A1. Автор: Hwayeong LEE,Seulji SONG,Hunmo Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and method of producing the same

Номер патента: US20230301065A1. Автор: Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210305230A1. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220310581A1. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170069687A1. Автор: Tadashi Kai,Kenji Noma,Masahiko Nakayama,Yutaka Hashimoto,Yasuyuki Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20120044767A1. Автор: Jae-Gun Park,Jong-Dae Lee,Sung-Ho Seo,Woo-Sik Nam,Hyun-Min Seung,Yool-Guk Kim,Young-Hwan Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140376169A1. Автор: Toshiro Yokoyama,Misa Sugimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Memory device and method of operating the same to prevent occurrence of read fail by adjusting bit line voltage

Номер патента: US10304542B2. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim,Yeon Ji SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200119025A1. Автор: Chieh-Fang Chen,Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Multiferroic-assisted voltage controlled magnetic anisotropy memory device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220068337A1. Автор: Neil Smith,Bhagwati PRASAD,Alan Kalitsov. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US12137569B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12125523B2. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Resistance change memory device and method of sensing the same

Номер патента: US09916894B2. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Magnetoresistance random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240373756A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09818797B2. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US09653170B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09647034B2. Автор: Tadashi Kai,Kenji Noma,Masahiko Nakayama,Yutaka Hashimoto,Yasuyuki Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09595564B1. Автор: Akihito Ikedo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09524755B1. Автор: Mitsutoshi Nakamura,Shinya Naito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having diode connectedto memory device and circuit including the same

Номер патента: US11950409B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Three-dimensional nonvolatile memory device, semiconductor system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US9287286B2. Автор: Tae Kyung Kim,Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Variable resistive memory device, memory system including the same and method of driving the variable resistive memory device

Номер патента: US11862241B2. Автор: Min Chul Shin,Seung Min BAEK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory device, memory system including the same and methods of operation

Номер патента: US20210257266A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device having diode connectedto memory device and circuit including the same

Номер патента: US20230320081A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2024139206A1. Автор: Yu Wang,Xu HOU,Danyang Li,Zhichao DU,Daesik Song. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130277637A1. Автор: Byeung Chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240221832A1. Автор: Joonsuk Lee,Seyun KIM,Sunho Kim,Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Self-healing memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230072894A1. Автор: Young Jin Kim,Tae Whan Kim,Hao Qun An. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-03-09.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20160093382A1. Автор: Tatsuya Kato,Wataru Sakamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor devices, memory devices, and methods for forming the same

Номер патента: WO2023130203A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-13.

Ferroelectric memory device and method of making the same

Номер патента: US20030087480A1. Автор: Hee Kang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

Vertical memory devices and methods for operating the same

Номер патента: US20240282376A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor devices, memory devices, and methods for forming the same

Номер патента: EP4437810A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US09984754B2. Автор: Tatsuya Kato,Wataru Sakamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Variable resistance memory device and method of driving the same

Номер патента: US09666642B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230337415A1. Автор: Yoosang Hwang,MinSu CHOI,Keunnam Kim,Myeong-Dong LEE,Hyeon-Woo Jang,Sooho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device, and memory device and system including the semiconductor device

Номер патента: US20220122916A1. Автор: Nam-Jae Lee,Nam-Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device, and memory device and system including the semiconductor device

Номер патента: US20200350249A1. Автор: Nam-Jae Lee,Nam-Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device, and memory device and system including the semiconductor device

Номер патента: US11804437B2. Автор: Nam-Jae Lee,Nam-Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120205612A1. Автор: Hirofumi Inoue,Eiji Ito,Hideyuki Tabata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device, and memory device and system including the semiconductor device

Номер патента: US20240030141A1. Автор: Nam-Jae Lee,Nam-Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Nonvolatile memory device and system including the same

Номер патента: EP4284143A1. Автор: JUNG Tae Sung,Moo Rym CHOI,Yun Sun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Stairless three-dimensional memory device and method of making the same by forming replacement word lines

Номер патента: US20240178130A1. Автор: Akihiro Tobioka,Takayuki MAEKURA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Non-volatile memory device and system including the same

Номер патента: US20240015977A1. Автор: Yong Seok Kim,Min Jun Lee,Jong Ho WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240099029A1. Автор: Yoshiki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210225763A1. Автор: Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE,Ling-Chun TSENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20200105343A1. Автор: Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH,Chu-Jie HUANG,Nai-Chao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20140160854A1. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8724377B2. Автор: Takaya Yamanaka,Yoshiaki Asao,Susumu Shuto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210226013A1. Автор: Masakazu Goto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Three-dimensional non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200265893A1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240334706A1. Автор: Ki Deok KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240315036A1. Автор: Hiroyuki Yamashita,Shin Ishimatsu,Daisuke Nishida,Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai,Wataru Matsuura,Junichi KANEYAMA,Tomoyuki Takemoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09761314B2. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US09589973B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Single field effect transistor capacitor-less memory device and method of operating the same

Номер патента: US09508854B2. Автор: Arnab Biswas,Mihai Adrian Ionescu,Nilay DAGTEKIN. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2016-11-29.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466704B2. Автор: Changseok Kang,Sung-Il Chang,Jungdal CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09412454B2. Автор: Kunihiro Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: WO2022246789A1. Автор: LEI Liu,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-01.

Variable resistance memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US8653493B2. Автор: Youngnam HWANG,Myung Jin Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-18.

Memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240046969A1. Автор: Yen-Huei Chen,Po-Sheng Wang,Kao-Cheng LIN,Cheng Hung Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Yangsyu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210358544A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Vertical non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170236559A1. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim,Ki-Hyun Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-17.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US11895849B2. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20210399052A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20230253039A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210288068A1. Автор: Sung Won Cho,Ga Eun KIM,Yoon Hwan Son,Joo Hee PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Write assist for a memory device and methods of forming the same

Номер патента: US11830544B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

ONON sidewall structure for memory device and methods of making the same

Номер патента: US11854621B2. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US20210249592A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20230335196A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Variable resistance memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140113429A1. Автор: Youngnam HWANG,Myung Jin Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-24.

Write assist for a memory device and methods of forming the same

Номер патента: US10529415B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US11950518B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US11978510B2. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

ONON sidewall structure for memory device and method for making the same

Номер патента: US12009033B2. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Tri-state read-only memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US5859460A. Автор: Yi-Chung Sheng,Kuan-Cheng Su,Chen-Hui Chung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Memory cell, memory device, and methods of forming the same

Номер патента: SG11201806324UA. Автор: XINPENG WANG,Hideaki Fukuzawa,Jun Yu,Michael Han,Vladimir Bliznetsov. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2018-08-30.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240249774A1. Автор: Sung Min Lee,Sang Tae Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Mfms-fet, ferroelectric memory device, and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2009054707A3. Автор: Byung-Eun Park. Владелец: Univ Seoul Ind Coop Found. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7893473B2. Автор: Kenji Maruyama,Masao Kondo,Keisuke Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049609A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240282394A1. Автор: Chang Beom WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Multi-bit ferroelectric memory device and methods of forming the same

Номер патента: US09847123B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,F. Daniel Gealy,Chandra V. Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842637B2. Автор: Juhyun Kim,Ki Woong Kim,Yong Sung Park,Sechung Oh,Woo Chang Lim,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Multi-bit ferroelectric memory device and methods of forming the same

Номер патента: US09564576B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,F. Daniel Gealy,Chandra V. Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09444033B2. Автор: KEN Tokashiki,Yoonchul CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US10714493B2. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbin Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Nanowire memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120178233A1. Автор: Jung-Hoon Lee,Jin-Gyoo Yoo,Cheol-soon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US11778821B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20210265389A1. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210287741A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210005807A1. Автор: Baeseong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230352088A1. Автор: Chih-Hsiung Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20220199625A1. Автор: Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Il Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180061501A1. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim,Yeon Ji SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Source structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4258843A2. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Yushi Hu,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090206318A1. Автор: Yong-ho Ha,Hee-Ju SHIN,Doo-Hwan Park,Bong-Jin Kuh,Han-Bong Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A2. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US9691756B2. Автор: Euipil Kwon. Владелец: Rangduru Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11996152B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Non-volatile memory device and erasing method of the same

Номер патента: US20200411105A1. Автор: Ji-Young Lee,Il-han Park,Young-sik RHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Magnetic memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20130294151A1. Автор: In-jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-07.

Magnetic memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200168664A1. Автор: Juhyun Kim,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Resistive memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190272875A1. Автор: Jaeyeon LEE,Cheol Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210159231A1. Автор: Minsu Lee,Kiseok LEE,Minhee Cho,Woobin SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Nor-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200343260A1. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-29.

NOR-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11049874B2. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-29.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180033492A1. Автор: Ji Hyun Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US09972399B2. Автор: Ji Hyun Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: US09767878B1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,William J. Gallagher,Yu-Der Chih,Chun-Jung Lin,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Cell string of flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070064496A1. Автор: Sang Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-22.

Nonvolatile memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20060071265A1. Автор: Jeong-Uk Han,Kwang-Wook Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-06.

Ferroelectric memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230413576A1. Автор: Wei Zhang,Zhenyu Lu,Jianhua Sun,Yushi Hu,Meilan GUO. Владелец: Wuxi Smart Memories Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230238056A1. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Magnetic memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230292630A1. Автор: Yukio Hayakawa,Taeyoung Kim,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Three-dimensional memory device and methods for forming the same

Номер патента: EP4288997A1. Автор: Mingkang ZHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Non-Volatile Memory Device and Method of Operating the Same

Номер патента: US20230386581A1. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2023241433A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Yaqin LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-21.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180358104A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10453545B2. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170077398A1. Автор: Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10622545B2. Автор: Tatsuya Kishi,Masaru Toko,Keiji Hosotani,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-04-14.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230389437A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Liang-Wei WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230060167A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277744A1. Автор: Tatsuya Kishi,Masaru Toko,Keiji Hosotani,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11871588B2. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11832436B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230328963A1. Автор: Sung Gil Kim,Ji Hun NOH,Beom Seo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US11763894B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Variable resistive memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US9070478B2. Автор: Tae Hyeon Kim,Hye Jin Choi,Mann Ho CHO,Ju Heyuck Baeck. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2015-06-30.

Tunneling metamagnetic resistance memory device and methods of operating the same

Номер патента: US20210327484A1. Автор: Bhagwati PRASAD,Alan Kalitsov. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Signal lines in memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20220328396A1. Автор: YU LONG,Jia Sun,Yushi Hu,Ke Ma,Meilan GUO. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Magnetic memory device and electronic device comprising the same

Номер патента: US20230371276A1. Автор: Kil Ho Lee,Geon Hee Bae,Seung Pil KO,Yoon Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Contact structures having conductive portions in substrate in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11792980B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Beihan Wang,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120009757A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Memory devices and methods for operating the same

Номер патента: US20230389303A1. Автор: Hsiang-Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US11908517B2. Автор: Kuo-Chiang Hung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240057325A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG,Yanhong Wang,Yaqin LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7582941B2. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-01.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070047295A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130175490A1. Автор: Shosuke Fujii,Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH,Haruka KUSAI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-11.

Resistive memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190287611A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180358372A1. Автор: Sung-Min Hwang,Joon-Sung LIM,Gilsung Lee,Eunsuk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-13.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230337426A1. Автор: Chia-Tze Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240021247A1. Автор: Xin Zhang,Chuan Yang,Qian Gao,Yujun Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4201164A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230371259A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Electronic system including host, memory controller and memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220171532A1. Автор: Hye Mi KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09953702B2. Автор: Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory device, memory system including the same and operation method of the memory system

Номер патента: US09666297B1. Автор: Sang-Hyun Song,Chang-Wan Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and an operating method of the same

Номер патента: US12117901B2. Автор: Yesin RYU,Jaeyoun Youn,Sunggi AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Nonvolatile memory device and storage device having the same and operation method thereof

Номер патента: US09864682B2. Автор: Kitae Park,Doohyun Kim,BoGeun Kim,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and method of correcting errors in the same

Номер патента: US09786387B2. Автор: Kwang-Il Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: US20220068366A1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory device, memory system including the memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US20200381054A1. Автор: Sung Ho Kim,Jong Han AHN,Seong Cheon YU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09747058B2. Автор: Hyun-Joong Kim,Ju-Yun JUNG,Soo-Hyeong KIM,Gi-Won Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory device and system including the same

Номер патента: US09703628B2. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating memory systems

Номер патента: US11994948B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20160224440A1. Автор: Jong Won Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Memory device, memory system including the same, and operating method of the memory system

Номер патента: US12001683B2. Автор: Heehyun Nam,Wansoo Choi,Sumin Ahn,Heeyeon TAK,Hyunseon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory device, memory system including the same, operation method of the memory system

Номер патента: US09892778B1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Address decoding method, and memory controller and semiconductor memory system using the same

Номер патента: US20240177746A1. Автор: Cholmin Kim,Tae-Kyeong Ko,Chinam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Address decoding method, and memory controller and semiconductor memory system using the same

Номер патента: EP4379721A1. Автор: Cholmin Kim,Tae-Kyeong Ko,Chinam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028220A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and an operating method of the same

Номер патента: US20240095122A1. Автор: Yesin RYU,Jaeyoun Youn,Sunggi AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028218A1. Автор: Se Chun Park,Chan Hui Jeong,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Storage device including nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US11775203B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO,Woohyun Kang,Shinho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Storage devices including memory device and methods of operating the same

Номер патента: US09460005B2. Автор: Su-Ryun LEE,Youn-Won Park,Hong-Suk Choi,Chun-Um Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20180342302A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Su-Chueh Lo,Chun-Yu Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: EP3964972A1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-09.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: US11869571B2. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Device for interfacing between memory device and memory controller, package and system including the device

Номер патента: US20210397569A1. Автор: Sangsub SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory device and system including the same

Номер патента: US9653140B2. Автор: Yong Woo Lee,Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung,Hoe Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

High bandwidth memory device and system device having the same

Номер патента: SG10201901508YA. Автор: Reum Oh,Jun Gyu Lee,Ki Heung Kim,Moon Hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-30.

Memory device and system including the same

Номер патента: US20170221545A1. Автор: Yong Woo Lee,Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung,Hoe Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Memory device and system including the same

Номер патента: US20170110176A1. Автор: Yong Woo Lee,Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung,Hoe Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09953725B2. Автор: Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ye-sin Ryu,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory device and system including the same

Номер патента: US09886992B2. Автор: Yong Woo Lee,Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung,Hoe Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory device, memory system including the same and method of operating the same

Номер патента: US20240144990A1. Автор: Seongjin Cho,Hijung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US09928140B2. Автор: Jung Sunwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240021245A1. Автор: Jong Wook Kim,Dong Jun Kim,Hea Jong Yang,Pyung Hwa Kim,Yong Hwan Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US10846236B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180225220A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240257851A1. Автор: Sanghoon Cha,Yuhwan Ro,Seungwoo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: EP4407620A1. Автор: Sanghoon Cha,Yuhwan Ro,Seungwoo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09741454B2. Автор: Sang Kyu Lee,Chang Geun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Multi-channel semiconductor memory device and method of refreshing the same

Номер патента: US20110007594A1. Автор: Ho-Young Kim,Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-13.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12068039B2. Автор: Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230307063A1. Автор: Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12135882B2. Автор: Hyung Jin Choi,Se Chun Park,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Providing time-stamps for a memory device and method for managing the same

Номер патента: US11599273B2. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240069746A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

High bandwidth memory device and system device having the same

Номер патента: US20190278511A1. Автор: Reum Oh,Jun Gyu Lee,Ki Heung Kim,Moon Hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

Method of controlling repair of volatile memory device and storage device performing the same

Номер патента: EP3770764A1. Автор: Dong Kim,Hyunglae Eun,Inhoon Park,Jangseon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-27.

Memory system for performing recovery operation, memory device, and method of operating the same

Номер патента: US11989091B2. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20240257886A1. Автор: Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Cache memory device and fpga including the same

Номер патента: US20190188145A1. Автор: Hyukjun Lee,Hyunwoo Park,Hyun SO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation of Sogang University. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09754677B2. Автор: Jong Won Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09761287B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09601169B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09529536B2. Автор: Hong-Sik Kim,Young-Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US20150287455A1. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09443586B2. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: EP4411551A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: US20240264934A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and controlling method of the same

Номер патента: USRE49921E1. Автор: Akihisa Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09805827B2. Автор: Chul-woo Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US09530508B2. Автор: Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20150155041A1. Автор: Min Kyu Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210304831A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11355207B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Nonvolatile memory device, memory system including the same, and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US09543032B2. Автор: Soo-Woong Lee,Sangchul Kang,Seokcheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Non-volatile memory device, memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09514830B2. Автор: Sang Hwa Han,Hee Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US8873301B2. Автор: Tae Heui Kwon,Hwang Huh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20040004890A1. Автор: Hiroki Fujisawa,Hideyuki Yokou. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Semiconductor memory device and semiconductor system having the same

Номер патента: US09672896B2. Автор: Ki-Chang Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20170032829A1. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor memory device and method for initializing the same

Номер патента: EP1488424A2. Автор: Hiroshige Hirano,Yasuo Murakuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Memory device, memory system including the memory device, and test operation of the memory device

Номер патента: US12125550B2. Автор: Jun Hyuk Lee,Min Kyu Lee,Deung Kak YOO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Flash memory device revising program voltage, three-dimensional memory device, memory system including the memory device, and methods of programming the memory device

Номер патента: US09779833B2. Автор: Sang-Hyun Joo,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Electronic device for adjusting peak voltage of uwb transmission signal based on frame length of data and operation method thereof

Номер патента: EP3745601A1. Автор: Yi Yang,Hyunchul Kim,Sukgi HONG,Sehwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-02.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140050035A1. Автор: Shin Ho Chu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-20.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20240274206A1. Автор: Sangsoo Park,Jonghoon Park,Yongseok Kwon,Jaeduk Yu,Jauang YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230282274A1. Автор: Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Che-An Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Non-volatile memory device and method for programming the same

Номер патента: US20120147655A1. Автор: Sung Yeon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Nonvolatile memory device and methods of operating the same including floating a common source line based on at least one of a program command and an access address

Номер патента: US09905298B2. Автор: Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09564230B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Controller for semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210042221A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Phase change memory device and computing system having the same

Номер патента: US20130058160A1. Автор: Joo-young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-07.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: EP4421811A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Multibit memory device and method of operating the same

Номер патента: US12033703B2. Автор: OREN Shlomo,Amichai GIVANT,Yair Sofer. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20240290401A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Multibit memory device and method of operating the same

Номер патента: WO2023059772A1. Автор: OREN Shlomo,Amichai GIVANT,Yair Sofer. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-13.

Nonvolatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09852796B2. Автор: Sang-Hyun Joo,Kee-Ho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140226422A1. Автор: Suk Min Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12014796B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US20180005692A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20110158023A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20160133323A1. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor memory device and test method for the same

Номер патента: US20230115776A1. Автор: Haruyuki Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Memory device, a memory system having the same and an operating method thereof in which a row address is not separated depending on pages in a byte mode operation

Номер патента: US12080332B2. Автор: Seungki HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240312497A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125543B2. Автор: Jong Woo Kim,Eun Woo JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device and test method for the same

Номер патента: US12073900B2. Автор: Haruyuki Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Sense amplifier, and nonvolatile memory device and system including the same

Номер патента: US09997243B2. Автор: Seung Han OAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09959933B2. Автор: Ho-Jun Lee,Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Mesh-type electrode pattern and manufacturing method thereof, and touch panel including the same

Номер патента: US09958998B2. Автор: Seung Jin Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US09940998B2. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US09905301B2. Автор: Ji-Sang LEE,Pil Seon YOO,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09858993B2. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09837158B2. Автор: Jeong Hoon Kim,Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile memory device and storage device having the same

Номер патента: US09773566B2. Автор: Taesung Lee,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Resistive memory device and method of programming the same

Номер патента: US09761306B1. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09747997B2. Автор: Ho-Jun Lee,Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09715923B2. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Memory device and controlling method of the same

Номер патента: US09715344B2. Автор: Kyung-Ho Kim,Seung-Uk Shin,Sang-Kwon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Nonvolatile memory device and storage device having the same

Номер патента: US09576626B2. Автор: Taesung Lee,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Resistive memory device and method of operating the same

Номер патента: US09570170B2. Автор: Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Chi-Weon Yoon,Bo-Geun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and test method of the same

Номер патента: US09508453B2. Автор: Chul-Woo Yang,Byoung-In Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Multi level antifuse memory device and method of operating the same

Номер патента: US09502132B2. Автор: Chan-Yong Lee,Young-Hun Seo,Min-Soo Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09490013B1. Автор: Won Sun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Nonvolatile memory devices and methods of controlling the same

Номер патента: US09483413B2. Автор: Jun Jin Kong,Shay Landis,Avner Dor,Elona Erez. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09472291B2. Автор: Jung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09418737B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20130250652A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Memory device including page buffer circuit and ssd including the memory device, and method of using the same

Номер патента: US20240153565A1. Автор: Daeseok Byeon,Yongsung CHO,Minjeong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device including page buffer circuit and ssd including the memory device, and method of using the same

Номер патента: EP4365902A1. Автор: Daeseok Byeon,Yongsung CHO,Minjeong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-08.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240221819A1. Автор: Yu Wang,Xu HOU,Danyang Li,Zhichao DU,Daesik Song. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240264863A1. Автор: Yeongon Cho,Wooram YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: EP4411536A1. Автор: Wooram YANG,Yeongon Cho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US11307826B2. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-19.

Memory device and test method of the same

Номер патента: US10269443B2. Автор: Chih-Wei Chang,Chun-Chi Yu,Shen-Kuo Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Three dimensional memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203463A1. Автор: Murat Kerem Akarvardar,Xiaochen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20150170722A1. Автор: Young-Jun Ku,Tae-Sik Yun,Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125525B2. Автор: Yu-Hao Hsu,Tsung-Hsien Huang,Wei-jer Hsieh,Tsung-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09443596B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220101928A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US11398281B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140064005A1. Автор: Woong-Ju JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20120314518A1. Автор: Sang Oh Lim,Ho Youb Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20110002179A1. Автор: Sung-Ho Kim,Kwi-Dong Kim,Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US8379473B2. Автор: Sung-Ho Kim,Kwi-Dong Kim,Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Semiconductor Memory Device and Method for Operating the Same

Номер патента: US20100290279A1. Автор: Kwang-Myoung Rho,Woo-Hyun Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20100124107A1. Автор: Mi Sun Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US7443748B2. Автор: Mamoru Aoki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-28.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240274174A1. Автор: He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng,Wei-Yang Jiang. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Nonvolatile memory devices and methods of driving the same

Номер патента: US20130051164A1. Автор: Chang-Jung Kim,Chang-Bum Lee,Young-Bae Kim,Myoung-Jae Lee,Dong-Soo Lee,Man Chang,Seung-Ryul Lee,Kyung-Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20130083617A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-04.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20140003183A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20030227808A1. Автор: Atsumasa Sako. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Nonvolatile memory device and method of testing the same

Номер патента: US20090290435A1. Автор: Jin Yong Seong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09972405B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US09875777B2. Автор: Dae-Ho YUN,Hee-Jin BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09812223B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Nonvolatile memory device and method for sensing the same

Номер патента: US09728254B2. Автор: Mu-hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device and method of refreshing the same

Номер патента: US09646672B1. Автор: Jae-il Kim,Youk-Hee Kim,Jun-Gi Choi,Jong-Sam Kim,Hee-Seong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US09595309B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hun-Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile memory device and method of reading the same

Номер патента: US09508423B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Resistive memory device and method of operating the same

Номер патента: US09472282B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09466339B2. Автор: Jong Soon Leem. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Nonvolatile memory device and method of erasing the same

Номер патента: US09424940B1. Автор: Moosung Kim,Dongku Kang,Sungwhan SEO,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09418739B2. Автор: Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Nonvolatile memory device and method for driving the same

Номер патента: US09401215B2. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09349481B2. Автор: Seiichi Aritome,Angelo Visconti,Mattia Robustelli,Soo Jin Wi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240046984A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20110164464A1. Автор: Tomohiro Sawada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Semiconductor memory device and system including the same

Номер патента: US20110116335A1. Автор: Jung-Bae Lee,Cheol Kim,Dong Hyuk Lee,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-19.

Nonvolatile memory device and method of erasing the same

Номер патента: US20120008412A1. Автор: Young Soo Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12027209B2. Автор: Jong Woo Kim,Un Sang Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190304515A1. Автор: Hee Youl Lee,Sung In Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor memory device and method of operating the same whereby the voltage of a floated common source line is increased by increasing the voltage of a source select line coupled to an unselected memory block

Номер патента: US12073893B2. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Refresh circuit having variable restore time according to operating mode of semiconductor memory device and refresh method of the same

Номер патента: US20030198099A1. Автор: Jong-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240321365A1. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11961574B2. Автор: Un Sang Lee,June Young Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220005532A1. Автор: Sung Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180090224A1. Автор: Hoon Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20150016189A1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240212769A1. Автор: Un Sang Lee,June Young Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240161841A1. Автор: Seung Geun JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile memory device and storage device having the same

Номер патента: US09431083B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Hyuntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory system for processing data from memory device, and method of operating the same

Номер патента: US9368195B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20110273944A1. Автор: Jin Su Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210280235A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US9406402B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20160042805A1. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180190358A1. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Non-volatile memory device and method of driving the same

Номер патента: US20080209150A1. Автор: Dae-Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Resistive memory device and method of operating the same

Номер патента: US20160148683A1. Автор: Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Chi-Weon Yoon,Bo-Geun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120303871A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210210146A1. Автор: Hee Joo LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory device and computing method using the same

Номер патента: US20230368836A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for adjusting transmitting power ratio of radio module and associated radio module

Номер патента: EP4274320A1. Автор: Yi-Hsuan Lin,Yen-Wen Yang,Han-Chun CHANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Wireless communication device including a socket for a removable memory device and method of using the same

Номер патента: US7311551B1. Автор: David A. Krula. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167130A1. Автор: Seulji SONG,Kyusul PARK,Woohyun Park,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768266B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09564499B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Ki-Hyun Hwang,Kwang-Soo Seol,Hanmei Choi,Sunghoi Hur,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Ju-Yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09536970B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09666592B2. Автор: Ji Young Kim,Joon Hee Lee,Tae Hwan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device and apparatus including the same

Номер патента: US12080649B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Minhyun LEE,Hyeonsuk Shin,Seokmo Hong. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10411137B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150221660A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230164974A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11024640B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240284802A1. Автор: Jun Ho Jeong,Hee Ju SHIN,Se Chung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

3-D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09397108B2. Автор: Sang Hyun Oh,Byung Soo Park,Sun Mi Park,Seo Hyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09806185B2. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070176228A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050164427A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7432154B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7297594B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905759B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12127408B2. Автор: Young-jin JUNG,Bong Tae PARK,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12029024B2. Автор: Yuri Lee,Deokhan Bae,Juhun PARK,Yoonyoung Jung,Sooyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device with selection patterns, storage patterns, and a gap fill layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11856794B2. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220013722A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-13.

Three-dimensional semiconductor memory device andelectronic system including the same

Номер патента: US20240237362A9. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240114674A1. Автор: Chang Sik Kim,Jae Won Na,Jun Hwa Song,Ji Hee Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Three-dimensional semiconductor memory device andelectronic system including the same

Номер патента: US20240138157A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12048156B2. Автор: Shin-Hwan Kang,Sun-Il Shim,Seung Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240324165A1. Автор: Yuri Lee,Deokhan Bae,Juhun PARK,Yoonyoung Jung,Sooyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240315002A1. Автор: Kwang-Ho Park,Seungjae Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240365532A1. Автор: Ji Ho Park,Tae Jin Park,Ki Seok Lee,Jun Soo Kim,Ho Sang LEE,Myeong-Dong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Variable resistance memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09812501B2. Автор: Jin-Woo Lee,Masayuki Terai,Seung-Jae Jung,Youn-Seon Kang,Hyun-Su Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Variable resistance memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09685609B2. Автор: Seung-Jae Jung,Youn-Seon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09472445B2. Автор: Jong-Un Kim,Sang-Il Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11888042B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237324A9. Автор: Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-volatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140080298A1. Автор: Woo-Sung Lee,Jung-Geun Jee,Seok-Hoon Kim,Su-Jin Shin,Tae-Ouk Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-20.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12048158B2. Автор: Yujin Kim,WooJin Jang,Bio Kim,Jumi Yun,Philouk Nam,Youngseon Son,Kyongwon An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140151779A1. Автор: Eun Joo Jung,Jong Moo Choi,Jung Il Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Vertical memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240276723A1. Автор: Junhee LIM,SungBok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09859290B1. Автор: BO LIU,Xin Xu,Lanxiang Wang,Hong Liao,Chao Jiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09437609B2. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-09-06.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

3-dimensional non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: US20130161724A1. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090008700A1. Автор: Choong-ho Lee,Byung-yong Choi,Albert Fayrushin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240334690A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240081078A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Pin-Cheng HSU,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240215254A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4401116A2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090140314A1. Автор: Jin-Ha Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210111181A1. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11444092B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Non-volatile memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20070090449A1. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Byung-yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-26.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11744164B2. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Flash memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100163951A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1480273A3. Автор: Jung-hyun Lee,Young-soo Park,Won-Tae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-08.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4401116A3. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120156840A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240306370A1. Автор: Jang Eun Lee,Byoung Hoon Lee,Sungnam LYU,Hyo Jung Noh,Eul Ji JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240349502A1. Автор: Min Ho Lee,Ji Seong Kim,Sung Soon Kim,Sang Seob Lee,Seok Min JEON,Seong Man Jeon,Tae Hong GWON,Ki Gab YEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Three-dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09899411B2. Автор: Phil Ouk NAM,Woong Lee,Woosung Lee,Junkyu Yang,JinGyun Kim,Daehong Eom,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09721967B2. Автор: Sangwoo Lee,SunWoo Lee,Changwon Lee,Jeonggil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09646986B2. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240381653A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530789B2. Автор: Joonhee Lee,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Gate structure including multi-tunneling layer and method of fabricating the same, non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070114572A1. Автор: Byung Kim,Eun-kyung Lee,Kyung-Sang Cho,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170077309A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230328995A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130049098A1. Автор: Tatsuo Izumi,Tohru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150194332A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Il Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-09.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12048148B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200219934A1. Автор: ByeongJu Bae,Duckhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100171166A1. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US8431983B2. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-30.

Resistive random access memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210151504A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240268111A1. Автор: Pi-Shan Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3867954A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US10600763B1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200194403A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12080791B2. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10593676B2. Автор: Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230051615A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12082407B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070102751A1. Автор: Sang-Bum Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230337556A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Shu-Hung Yu,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371994A1. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Non-volatile memory device and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812641B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666570B2. Автор: Bo-Lun Wu,Chia-Hua Ho,Meng-Hung Lin,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09530899B2. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Jin-Tae Noh,Bi O Kim,Su-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508739B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09425191B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Stackable non-volatile resistive switching memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09412789B1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12148714B2. Автор: Di Wang,Wenxi Zhou,Wei Xie,Tingting Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Memory device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240074191A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Three-dimensional semiconductor memory device, electronic system including the same

Номер патента: US20240040791A1. Автор: Sunil Shim,Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170069762A1. Автор: Ling-Wuu Yang,Jeng-Hwa Liao,Jung-Yu Shieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130099348A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-25.

Memory device and system including the same

Номер патента: EP3926660A1. Автор: SungWon Cho,Junhyoung Kim,Byunggon PARK,Jeongeun Kim,Youngjin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-22.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210134813A1. Автор: Jeong Hun Kim,Seung Youl Kang,Seungeon Moon,Ji Hoon Jeon,Sung-Min Yoon,Jong Pil IM,Bae Ho Park,Chansoo YOON,Jiyong Woo. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2021-05-06.

Two-terminal memory device, a method for manufacturing the same, and a semiconductor device including a two-terminal memory device

Номер патента: US12022661B2. Автор: Sang-Hyeok Yang,Jong-Seok Lee,Ui-Yeon Won. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190319034A1. Автор: Meng-Chang Chan,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240204049A1. Автор: Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6489644B1. Автор: Jeong Min Seon. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-03.

3D AND flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12052869B2. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240244838A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Yao-Ting Tsai,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240251553A1. Автор: Ji Hoon Lee,Phil Ouk NAM,Young Bong SHIN,Mi Hye KANG,Jun Hee NA,Tae Gi YEH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120326112A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220165884A1. Автор: Bo-An Tsai,Shiangshiou Yen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240292626A1. Автор: Tadashi Iguchi,Kazuki Shoji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12069854B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240274535A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100059731A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140061571A1. Автор: Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8916949B2. Автор: Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-23.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240298442A1. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020000590A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230276620A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6777285B2. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240292594A1. Автор: Sanghyun Lee,Dongjun Lee,Jinwoo Han,Kiseok LEE,Sung-Min Park,Seokhan Park,Iljae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

[memory device and method for fabricating the same]

Номер патента: US20040110344A1. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080230829A1. Автор: Tzyh-Cheang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014778A1. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020175358A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230005864A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12096610B2. Автор: Chang-Min Hong,Hojoon Lee,Younghun Jung,Hee Bum Hong,Heesung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12089410B2. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7791121B2. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12113037B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240357811A1. Автор: Chia-Tze Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4456692A1. Автор: Kyung Hee Cho,Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240365527A1. Автор: Kyung Hee Cho,Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240365555A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang,Chia-Yu Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: EP4437811A1. Автор: Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: WO2024211099A1. Автор: Tong Liu,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Sony Varghese,Anand N. Iyer,Zhijun CHEN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240365565A1. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09997530B2. Автор: Dongwoo Kim,Kihyun Hwang,Gukhyon Yon,Dongkyum Kim,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09985044B2. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09966386B2. Автор: Naoki Yamamoto,Hisashi Kato,Hideki Inokuma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09905510B2. Автор: Yosuke Komori. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09893082B2. Автор: Chaeho Kim,Woong Lee,Sangryol Yang,Seunghyun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09852942B2. Автор: Wataru Sakamoto,Osamu Matsuura,Hideki Inokuma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837468B2. Автор: Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Sang-Hwan Park,Whan-kyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786683B1. Автор: Kiwamu Sakuma,Keiji Ikeda,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Magnetic random access memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09761792B2. Автор: Seung-Woo Lee,Jun-Soo Bae,Mi-Lim Park,Shi-jung Kim,Kyu-Man HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Resistive random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09728720B2. Автор: Chia Hua Ho,Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09711716B2. Автор: KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kiseok Suh,Myoungsu SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09583702B2. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,H.-S. Philip Wong,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570392B2. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09520407B2. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Nonvolatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09490371B2. Автор: Jaeho Choi,Young-Jin Noh,Ji-Hoon Choi,Jaeyoung Ahn,Seunghyun Lim,Kwangmin Park,Bio Kim,Jumi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09478561B2. Автор: Chaeho Kim,Woong Lee,Sangryol Yang,Seunghyun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09431418B2. Автор: Won-Seok Jung,Chang-seok Kang,Min-Yong Lee,Sang-Woo Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US11910613B2. Автор: Hee Suk Kim,Jee Hoon HAN,Hyo Joon Ryu,Jeong Yong Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Ferroelectric random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040013014A1. Автор: Eun-Seok Choi,Seung-Jin Yeom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-22.

3d non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130155771A1. Автор: Suk Goo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

3d non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150079746A1. Автор: Suk Goo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

3D non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8928144B2. Автор: Suk Goo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US12035519B2. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206181A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190067315A1. Автор: Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240215235A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240215234A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240188290A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Wei Xie,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

3-d non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150311209A1. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210134803A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Gihee CHO,Jungoo Kang,Sanghyuck Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060244025A1. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220093763A1. Автор: Chih-Hao Lin,Yi-Tsung TSAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271366A1. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240244824A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

3-D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9112044B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

Memory device and method of making the same

Номер патента: US20240074337A1. Автор: Chen-Feng Hsu,Cheng-Chun Chang,Xinyu Bao,Tung-Ying Lee,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4002463A1. Автор: Hang-Ting Lue,Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-25.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230371285A1. Автор: Jinwoo Lee,Dongho Ahn,Donggeon Gu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059615A1. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11956942B2. Автор: Tsutomu Nakanishi,Mutsumi Okajima,Yasuaki Ootera. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210217759A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US20220384470A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240081058A1. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

3d and flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230262979A1. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Vertical memory device and method of fabrication the same

Номер патента: US20200266212A1. Автор: Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301068A1. Автор: Hyuk Kim,Youngsik Lee,Yeonsu KIM,Sangwuk PARK,Hwanchul JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160072056A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-10.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120012803A1. Автор: Shigeto OSHINO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Non-volatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140273495A1. Автор: Minchul Kim,Jae-Hwang Sim,Sangbin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-18.

Three-dimensional nor-type memory device and method of making the same

Номер патента: US20200168630A1. Автор: Hanan Borukhov. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190067119A1. Автор: Ling-Wuu Yang,Jeng-Hwa Liao,Jung-Yu Shieh,Zong-Jie Ko. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080079054A1. Автор: Suk Goo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210020649A1. Автор: Seok-cheon BAEK,Ji-Sung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190312049A1. Автор: Seok-cheon BAEK,Ji-Sung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Antiferroelectric memory devices and methods of making the same

Номер патента: US20210066348A1. Автор: Rahul Sharangpani,Bhagwati PRASAD. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230301117A1. Автор: Erh-Kun Lai,Chih-Hsiang Yang,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230309299A1. Автор: Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US12068250B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240284810A1. Автор: Haider Abbas,Diing Shenp Ang. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11770938B2. Автор: Soon-Oh Park,Dong-Jun Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190157290A1. Автор: Chi-Pin Lu,Pei-Ci Jhang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240284653A1. Автор: Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Tao Chou. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-22.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12058858B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8779499B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US11758737B2. Автор: Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060017121A1. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US12051663B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060202260A1. Автор: Junya Maneki,Masaru Seto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240284669A1. Автор: Tzung-Ting Han,Chen-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110284944A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153985A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120256249A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8217444B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200235113A1. Автор: Su-Hyun Lee,Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Jin-Ho Oh,Tae-Hong GWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271350A1. Автор: Hiroshi NAKAKl,Takashi Maegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10186517B2. Автор: Hiroshi Nakaki,Takashi Maegawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179257A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110241094A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110312155A1. Автор: Masayuki Tanaka,Hirofumi IIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110312149A1. Автор: Heon Yong Chang,Myoung Sub KIM,Gap Sok DO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110316066A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240304692A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240324199A1. Автор: Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7518180B2. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240315043A1. Автор: Shosuke Fujii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240298440A1. Автор: Wen-Chieh Tsai,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12127403B2. Автор: Chun-Hao Chen,Wei-Kuang Chung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240365531A1. Автор: Sangho Lee,Taejin Park,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US12096624B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12058850B2. Автор: Sangho Lee,Taejin Park,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136594B2. Автор: Shota NIIHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210265474A1. Автор: Chi-Cheng Huang,Chih-Hao Pan,Po-Hsuan CHEN,Kuo-Lung Li,Szu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Magnetoresistive random access memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09997566B1. Автор: Jong-Chul Park,Jong-Kyu Kim,Sang-Kuk Kim,Woo-Hyun LEE,Jong-Soon Park,Hye-Ji YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated circuit device including vertical memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991271B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Chang-Sup Lee,Shin-Hwan Kang,Young-Hwan Son,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09972631B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Yao-Ting Tsai,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09960182B2. Автор: HongSuk Kim,Ji-Hoon Choi,Seunghyun Lim,Hyunjun Sim,Sunggil Kim,Hunhyeong LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09905571B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09865540B2. Автор: Hyuk Kim,Seung-pil Chung,Jae-Ho Min,Jong-Kyoung PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuit device including vertical memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859207B2. Автор: Kwang-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09853050B2. Автор: Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09842849B1. Автор: Hiroyuki Yamasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780144B2. Автор: Soon-Oh Park,Dong-Jun Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09768380B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09698150B2. Автор: Hiroshi Nakaki,Takashi Maegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09685451B2. Автор: Nam-Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09666596B2. Автор: Tomohiro Takamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09659782B2. Автор: Sung-Bin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09564450B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09559049B1. Автор: Shih-Ping Hong,Yuan-Chieh Chiu,Yao-An Chung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09553168B2. Автор: Sang Hyon KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09543313B2. Автор: Young-Soo Ahn,Jeong-Seob OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09530784B1. Автор: Hsiang-Yu Lai,Zu-Sing Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

3D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09524978B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Seok Min JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

3-D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09515074B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508922B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502431B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Daisuke Matsushita,Chika Tanaka,Masumi SAITOH,Kensuke Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502291B2. Автор: Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09461061B2. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Jin-Gyun Kim,Phil-ouk Nam,Jun-kyu YANG,Hun Hyeong LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Vertical-type nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09431416B2. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Dong-Chul Yoo,Phil-ouk Nam,Hun-Hyeong Lim,Jun-kyu YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431412B1. Автор: Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Satoshi Nagashima,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180061888A1. Автор: Euipil Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11963350B2. Автор: Sang Hyon KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200152654A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Three-dimensional flash memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240251550A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Three-dimensional resistive switching memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210384258A1. Автор: Cheol Seong Hwang. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2021-12-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202263A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11289612B2. Автор: Lu-Ping chiang,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-29.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: EP4436328A1. Автор: Jaehong Park,Yoongoo Kang,Seokjae Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240357795A1. Автор: Sang Jae Park,Tae Jin Park,Ki Seok Lee,Hui-jung Kim,Myeong-Dong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341093A1. Автор: Shun-Li Lan. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12074105B2. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09773838B2. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583536B2. Автор: Erh-Kun Lai,Yu-Hsuan Lin,Chao-I Wu,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device, magnetic memory device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09502643B2. Автор: Inho Kim,Jongchul Park,Byoungjae Bae,Shin Kwon,Changwoo SUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Multi-division staircase structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210351200A1. Автор: Yuting Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Three-dimensional semiconductor memory device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230247834A1. Автор: Gukhyon Yon,Soyeong AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Vertical channel-type 3d semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150179661A1. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-06-25.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210343740A1. Автор: Young-jin JUNG,Bong Tae PARK,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Nonvolatile memory device and method of forming the same

Номер патента: US7700426B2. Автор: Tae-Kyung Kim,Sung-Nam Chang,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-20.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240164099A1. Автор: Hong-Ji Lee,Tzung-Ting Han,Chang-Wen Jian. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Stairless three-dimensional memory device and method of making the same by forming replacement word lines

Номер патента: US20240179909A1. Автор: Akihiro Tobioka,Takayuki MAEKURA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20210313330A1. Автор: Takashi Sasaki,Shinobu Terada,Toshiyasu Fujimoto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224509A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240064952A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Bo-Rong Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12033957B2. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7679958B2. Автор: Byong-Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-16.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240081043A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110220986A1. Автор: Kuan-Fu Chen,Yu-Fong Huang,Miao-Chih Hsu,Shang-Wei Lin,I-Shen Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090194807A1. Автор: Hiroki Yamashita,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US7948800B2. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240040802A1. Автор: Chen-Feng Hsu,Chien-Min Lee,Cheng-Hsien Wu,Xinyu Bao,Tung-Ying Lee,Hengyuan Lee,Elia Ambrosi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120086069A1. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240244821A1. Автор: Xiaobing Chen,Yu-Hsien Li,Daochu Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12048258B2. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yuan-Tai Tseng,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7446362B2. Автор: Iwao Kunishima,Osamu Hidaka,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080158944A1. Автор: Byong-Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160268300A1. Автор: Masaru Kito,Hanae ISHIHARA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170263856A1. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130307047A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Yasuhito Yoshimizu,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6914284B2. Автор: Kentaro Nakajima,Keiji Hosotani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-05.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210242072A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9070781B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-30.

Pattern forming method, semiconductor memory device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240266170A1. Автор: Donghwan Lee,Wonchul Lee,Kanguk KIM,Seokhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180286988A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US20090185427A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070212835A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110195558A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100144115A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7678663B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130105883A1. Автор: Kwon Hong,Ki-hong Lee,Moon-Sig Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7429508B2. Автор: Iwao Kunishima,Osamu Hidaka,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160322421A1. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-03.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040173828A1. Автор: Kentaro Nakajima,Keiji Hosotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: USRE50137E1. Автор: Zhiliang Xia,Sung-Min Hwang,Se-Jun Park,Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Ahn-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200111954A1. Автор: Jaeho Jung,Young-Min Ko,Jonguk KIM,Byongju Kim,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240324474A1. Автор: Yu-Der Chih,Yun-sheng Chen,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Jonathan Tsung-Yung Chang,Wen-Zhang Lin,Cheng-Jun LIN,Wang-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190198511A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung-Min Hwang,Se-Jun Park,Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Ahn-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US12108605B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Chieh-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170110462A1. Автор: Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240349630A1. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yuan-Tai Tseng,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09966381B2. Автор: Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Satoshi Nagashima,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Three-dimensional semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947683B2. Автор: Yoshiro Shimojo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09853087B2. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Ki-Seok SUH,Kil-Ho Lee,Yoon-Jong Song,Jae-chul Shim,Yong-Seok Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09853048B2. Автор: Jong Kyoung Park,Ki Jeong Kim,O Ik Kwon,Su Jee SUNWOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09831264B2. Автор: Eun-Seok Choi,Sung-wook Jung,Jung-Seok Oh,Sa-Yong SHIM,In-Hey LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US09825052B2. Автор: Shih-Ping Hong,Yao-An Chung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09818753B2. Автор: Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09806092B1. Автор: Yoichi MINEMURA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09786676B2. Автор: Zhiliang Xia,Sung-Min Hwang,Se-Jun Park,Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Ahn-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US09773801B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09748478B2. Автор: Yoshihisa Kagawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09735171B2. Автор: Junya Fujita,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same while avoiding process damage to a variable resistance film

Номер патента: US09704922B2. Автор: Hiroyuki Ode,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Natsuki Fukuda,Atsushi Oga,Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09679945B2. Автор: Yusuke Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666595B2. Автор: Masaru Kito,Hanae ISHIHARA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653562B2. Автор: Jin-Ho Kim,Sung-Lae OH,Chang-Man SON,Go-Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09646977B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09613979B2. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09613967B1. Автор: Yoshinori Tanaka,Wei-Che Chang,Yi-Hao Chien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09590174B2. Автор: Tadashi Kai,Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto,Masaru Toko,Kuniaki Sugiura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09583535B2. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548369B2. Автор: Zu-Sing Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US09536892B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09530786B2. Автор: Kuang-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09484353B1. Автор: Erh-Kun Lai,Wei-Chen Chen,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

3-dimensional nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466609B2. Автор: Min Soo Kim,Young Jin Lee,Joo Hee Han,Dong Sun Sheen,Sung Jin Whang,Jin Hae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09431414B2. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Dong-Chul Yoo,Phil-ouk Nam,Byong-hyun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09287283B2. Автор: Eun-Seok Choi,Young-Wook Lee,Ki-hong Lee,Won-Joon Choi,Sang-Bum Lee,Se-Yun Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7501679B2. Автор: Sung Ho Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-10.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11935862B2. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US11903334B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220020766A1. Автор: Sang-Yong Park,Jae Duk Lee,Byung Chul Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: EP4071814A1. Автор: Yuri Lee,Deokhan Bae,Juhun PARK,Yoonyoung Jung,Sooyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240049469A1. Автор: Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11871558B2. Автор: Kwang-Ho Park,Jae Hoon Kim,Yong-Hoon Son,Seungjae Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4285413A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Three-dimensional memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11778823B2. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device and manufacturing method for the same

Номер патента: US11800704B2. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190027486A1. Автор: Chung-Jen Huang,Yun-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Nonvolatile memory device and apparatus including the same

Номер патента: US20220320135A1. Автор: Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Taein KIM,Youngtek OH,Hyeyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-06.

Inter-deck plug in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20200111807A1. Автор: Yong Zhang,Enbo Wang,Jialan He,Haohao YANG,Qianbin Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210375720A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11328981B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-10.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11735500B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230337431A1. Автор: Sung Won Cho,Ga Eun KIM,Yoon Hwan Son,Joo Hee PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200411545A1. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200388633A1. Автор: Jong Won Kim,Young Hwan Son,Kwang Young Jung,Jee Hoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210399009A1. Автор: Kangmin KIM,JoongShik SHIN,Hongik SON,Hyeonjoo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11856872B2. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090065847A1. Автор: Yong-Jun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4282003A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220157819A1. Автор: Kwang-Ho Park,Seungjae Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4346348A1. Автор: Chang Sik Kim,Jae Won Na,Jun Hwa Song,Ji Hee Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12010828B2. Автор: Kwang-Ho Park,Seungjae Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3963630A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-09.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210225863A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4282004A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4391762A2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Channel structures having protruding portions in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12035524B2. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Electromechanical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US7705372B2. Автор: Dong-won Kim,Sung-Young Lee,Eunjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-27.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090203178A1. Автор: Sung-Hwan Kim,Na-Young Kim,Chang-Woo Oh,Yong-lack Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-13.

Three-dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230309306A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Shi-Wei He,Yun-Fan CHOU,Guoguo Kong,Meng Qi ZHUANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US9401368B2. Автор: Yun Yang,ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Electromechanical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20100165737A1. Автор: Dong-won Kim,Sung-Young Lee,Eunjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11778805B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9136394B2. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153980A1. Автор: Masashi Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Multi-bit nonvolatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20060157753A1. Автор: Sung-min Kim,Eun-Jung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US9780096B2. Автор: Kee-jeong Rho,Tae-Wan Lim,Sang-Yong Park,Hyeong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12082395B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7208801B2. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140103283A1. Автор: Kwon Hong,Kee-Jeung Lee,Beom-Yong Kim,Woo-young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Capacitor for semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030190783A1. Автор: Dong Kim,Kee Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050265112A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Cell structure for a semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100096681A1. Автор: Yong-Sun Ko,Hak Kim,Yong-Kug Bae,Kyoung-Yun Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Dielectric structure in nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100181611A1. Автор: Kwon Hong,Kwan-Yong Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070148854A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210320124A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240373620A1. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175358A1. Автор: Hyun Min Lee,Jung Taik Cheong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887354B2. Автор: Jin-Woo Lee,Ji-Hyun Jeong,Gwan-Hyeob Koh,Dae-Hwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09780096B2. Автор: Kee-jeong Rho,Tae-Wan Lim,Sang-Yong Park,Hyeong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

3-dimensional (3D) non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09735203B2. Автор: Cheol Seong Hwang,Jun Yeong Seok. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-08-15.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09735170B2. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09613981B2. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09543316B2. Автор: Jongwon Kim,Changseok Kang,Hyunmin Lee,Hyeong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Split gate memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09484351B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Nonvolatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060226505A1. Автор: Yoo-Cheol Shin,Jung-Dal Dhoi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080121979A1. Автор: Yukie Nishikawa,Akira Takashima,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100327250A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Channel structures having protruding portions in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US11925019B2. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230335521A1. Автор: He Chen,LIANG XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240064981A1. Автор: Junhyoung Kim,Seonho Yoon,Bonghyun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240015974A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus including the memory device

Номер патента: US11895845B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-06.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230413570A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11227870B2. Автор: Tae Hun Kim,Doo Hee HWANG,Kwang Young Jung,Jae Ryong SIM,Jee Hoon HAN,Joo-Heon Kang,Gi Yong CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-18.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11812604B2. Автор: Eun Jung Kim,Hye Won Kim,Sung Yeon RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Concentric staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US11849575B2. Автор: Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Cuicui Kong. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230363167A1. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11812611B2. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11849570B2. Автор: Seung-Heon Lee,Ik Soo Kim,Byoung Deog Choi,Byeong Ju BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20230413541A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou,Shuangshuang WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11839079B2. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Variable resistance memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20160197121A1. Автор: Jin-Woo Lee,Masayuki Terai,Seung-Jae Jung,Hyun-Su Ju,Youn-Sean KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050153502A1. Автор: Yong-Suk Choi,Yong-Tae Kim,Jae-Hwang Kim,Seung-Beom Yoon,Young-Sam Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11980027B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2021007781A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11917827B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230328993A1. Автор: Sun Woo Kim,Jin Ho Bin,Ji Yeon Baek,Chul Young Kim,Ah Reum BAHK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162317A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG,Chen-Ming Tsai. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210104537A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4358671A1. Автор: Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200243499A1. Автор: Tae Kyung Kim,Kun Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230422475A1. Автор: LING Li,Tsun-Min Cheng,Ronghui Lin,Wen-Yi Teng,Liandie Zhuang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240074180A1. Автор: MIN Yang,Zongliang Huo,Xiaoming Mao,Tianhui Zhang,Shasha Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240138136A1. Автор: Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210020566A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210036012A1. Автор: Yujin Kim,WooJin Jang,Bio Kim,Jumi Yun,Philouk Nam,Youngseon Son,Kyongwon An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220238555A1. Автор: Yujin Kim,WooJin Jang,Bio Kim,Jumi Yun,Philouk Nam,Youngseon Son,Kyongwon An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-28.

Back-end-of-line memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240032274A1. Автор: Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Chung-Wei Wu,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240090214A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230230921A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240099008A1. Автор: Zhiliang Xia,Xiaoxin LIU,Zongliang Huo,Jiayi Liu,Xiaolong Du,Tingting Gao,Changzhi Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148919A1. Автор: Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240040770A1. Автор: Jina Kim,Ho-In Ryu,Kang-Uk Kim,Yunho Song,Dalhyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200395377A1. Автор: Tae Hun Kim,Doo Hee HWANG,Kwang Young Jung,Jae Ryong SIM,Jee Hoon HAN,Joo-Heon Kang,Gi Yong CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220115442A1. Автор: Seung-Heon Lee,Ik Soo Kim,Byoung Deog Choi,Byeong Ju BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Non-volatile memory device having threshold switching resistor, memory array including the non-volatile memory device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090086527A1. Автор: Young-soo Park,Myoung-Jae Lee,Chang-burn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-02.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200357816A1. Автор: Byoungil Lee,Jimo GU,Yujin SEO,Subin KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12002757B2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230422487A1. Автор: Wonseok Yoo,Jamin KOO,Jonghyeok Kim,Beom Seo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Charge-trap nonvolatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20080006872A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ju-Hyung Kim,Sang-Hun Jeon,Jong-Sun Sel,Chang-seok Kang,Jae-Sung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor device, memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230363159A1. Автор: Pi-Shan Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206167A1. Автор: SHENG Peng,Jing Gao,Kai Yu,Wenbo Zhang,Lei Xue,Zhaohui Cheng,Zhiyong Lu,Zhangyi LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Nonvolatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20100187595A1. Автор: Young-sun Kim,Sung-Hae Lee,Byong-sun Ju,Suk-Jin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-29.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206148A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206179A1. Автор: LIANG XIAO,Yihuan WANG,Mingkang ZHANG,Yingcheng Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: WO2024076297A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-11.

Semi-floating gate memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12040413B2. Автор: Heng Liu,Zhigang Yang,Jianghua LENG,Tianpeng Guan. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020033495A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089037A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Multi-stack three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3867952A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US10199381B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-02-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090065838A1. Автор: Takeshi Nagao. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230123764A1. Автор: Zhiqiang Wu,Yuan Hao Chang,Nuo XU,Po-Sheng LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

A stacked thin-film-transistor non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: EP1912255A3. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-11.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09570393B2. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240381783A1. Автор: Zhiqiang Wu,Yuan Hao Chang,Nuo XU,Po-Sheng LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2023272578A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100032747A1. Автор: Takayuki Okamura,Keiko ARIYOSHI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7355243B2. Автор: Sang Woo Nam. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-08.

Integrated circuit device including vertical memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10886289B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Chang-Sup Lee,Shin-Hwan Kang,Young-Hwan Son,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-05.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US11944019B2. Автор: Chen-Feng Hsu,Chien-Min Lee,Cheng-Hsien Wu,Xinyu Bao,Tung-Ying Lee,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180083018A1. Автор: Wataru Sakamoto,Satoshi Nagashima,Yoshiaki Fukuzumi,Shigehiro Yamakita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230122331A1. Автор: Kohji Kanamori,Sang Youn JO,Jee Hoon HAN,Hyo Joon Ryu,Seo-Goo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11930631B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240114683A1. Автор: TSUNG-WEI Lin,Chun-Sheng Wu,Kun-Che Wu,Chun-Yen Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Contact structures having conductive portions in substrate in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210159244A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Beihan Wang,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120252202A1. Автор: Giulio Albini,Federica Zanderigo,Maria Gabriella Righini,Francesca Sammiceli. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11910611B2. Автор: Sung Min Hwang,Woo Sung Yang,Dong Hoon Jang,Joon Sung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240055517A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Po-Ting Lin,Kuo-Chang Chiang,Yu-Chuan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Device and method of okpkrs codes assignment and i/q channels for reduction of ratio of peak and average power during transmission of data by means of improved dedicated channels of ascending communication line in wcdma systems

Номер патента: RU2338321C2. Автор: Дзу-Хо ЛИ,Дзоон-Йоунг ЧО,Йонг-Дзун КВАК,Юн-Хиоунг ХЕО,Йоунг-Бум КИМ,Дзоон-Йоунг ЧО (KR),Дзу-Хо ЛИ (KR),Йонг-Дзун КВАК (KR),Йоунг-Бум КИМ (KR),Юн-Хиоунг ХЕО (KR). Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2008-11-10.

Compensation circuit for adjusting ratio of coincidence counts of data patterns, and memory device including the same, and operating method thereof

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты