Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Memory and memory forming method

Номер патента: US20230292485A1
Опубликовано: 14-09-2023
Автор(ы): Deyuan Xiao, GuangSu SHAO
Принадлежит: Changxin Memory Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for manufacturing memory and memory

Номер патента: US20220384445A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory and forming method thereof

Номер патента: US20230413512A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory and its manufacturing method

Номер патента: US20220122978A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for fabricating memory and memory

Номер патента: US20220336467A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory and method for fabricating it

Номер патента: US20060275981A1. Автор: Thomas Hecht,Andreas Orth,Olaf Storbeck,Stefan Jakschik,Matthias Goldbach,Michael Stadtmueller,Uwe Schröder,Alejandro Avellan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-07.

Method for manufacturing memory and memory

Номер патента: US12082393B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory and electronic device

Номер патента: EP4421863A1. Автор: Jie Zhao,Min Zhang,Jeffrey Junhao XU,Heng Zhang,Hangbing Lv,Xichao Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Memory and method for manufacturing same

Номер патента: US20220216216A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Memory and manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US11956943B2. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor structure and method for forming the same, and memory and method for forming the same

Номер патента: US12075612B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Capacitor structure and manufacturing method thereof, and memory

Номер патента: US12148790B2. Автор: Haihan Hung,Yin Kuei Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Ferroelectric memory and methods of forming the same

Номер патента: US09768181B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20220285363A1. Автор: Tao Chen,Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Three-dimensional memory and method for forming same

Номер патента: US20230345710A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Transistor, 3d memory and manufacturing method therefor, electronic device

Номер патента: EP4380329A1. Автор: Jin Dai,Yong Yu,Jing Liang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-06-05.

Method to incorporate non-volatile memory and logic components into a single sub-0.3 micron fabrication process for embedded non-volatile memory

Номер патента: US5723355A. Автор: Shang-De Ted Chang,Binh Ly. Владелец: Programmable Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-03-03.

Method of forming flash memory, method of forming flash memory and sram circuitry, and etching methods

Номер патента: US20020013028A1. Автор: Kirk D. Prall,Graham Wolstenholme,Gregg Rettschlag. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Transistor, 3d memory and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: US20240130106A1. Автор: Jin Dai,Yong Yu,Jing Liang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor structure and method of forming the same, memory and method of forming the same

Номер патента: US12101927B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Dynamic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240334685A1. Автор: Keng-Ping Lin,Te-Hsuan Peng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory and method for forming memory

Номер патента: US11856749B2. Автор: RAN Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor structure and method of forming the same, memory and method of forming the same

Номер патента: US20220310625A1. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor structure and formation method therefor, memory and formation method therefor

Номер патента: EP4145511A1. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-08.

Method for forming a memory and memory

Номер патента: US20210383843A1. Автор: Zhe Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Resistive random access memory and method for controlling manufacturing of corresponding sub-resolution features of conductive and resistive elements

Номер патента: US20140170832A1. Автор: Albert Wu,Pantas Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7948023B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor device, three-dimensional memory and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20230134659A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Magnetic device and manufacturing method therefor, magnetic memory and electronic device

Номер патента: EP4358139A1. Автор: Wei Zhu,XUE Zhou,Xuepeng Qiu,Qing QIN,Huifang JIAO,Zhongqi Xu,Huanglin YANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Memory and storage on a single chip

Номер патента: US20240130143A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Agostino Pirovano,Mattia Robustelli,Matteo Impalà. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Phase change memory and method for making the same

Номер патента: US20220231224A1. Автор: Zhitang Song,Sannian Song. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2022-07-21.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200373483A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240194607A1. Автор: Wei Xu,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Yali Guo,Qiangwei Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory cell of resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09385314B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Heng-Yuan Lee,pei-yi Gu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-07-05.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210193918A1. Автор: Yu-Ting Chen,Chung-Hsuan Wang,Tz-Hau Guo,Chiung-Lin Hsu,Chang-Hsuan Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Method of fabricating a flash memory and an isolating structure applied to a flash memory

Номер патента: US20100230778A1. Автор: Shen-De Wang,Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258250A1. Автор: Yu-Tang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Three-dimensional memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160141300A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Wei-Chen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Three-dimensional memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US09536893B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Wei-Chen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Stack gate with tip vertical memory and method for fabricating the same

Номер патента: US6870216B2. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chi-Hui Lin,Ching-Nan Hsiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

Superlattice phase-change thin film with low density change, phase-change memory and preparation method therefor

Номер патента: US20220344584A1. Автор: MENG Xu,Ming Xu,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Jinlong Feng. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-10-27.

Resistive random access memory and manufacturing method

Номер патента: US20230050843A1. Автор: Han Xiao,Ru Huang,Zongwei Wang. Владелец: Advanded Institute Of Information Technology Aiit Peking University. Дата публикации: 2023-02-16.

Resistive random access memory and method for initializing the same

Номер патента: US20220069208A1. Автор: Ting-Chang Chang,Shih-Kai Lin,Wen-Chung Chen,Yi-Ting Tseng,Chun-Chu Lin,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-03-03.

Molecular memory and method for manufacturing molecular memory

Номер патента: US20220302398A1. Автор: Katsuya Inoue,Sadafumi Nishihara,Masahiro Sadakane,Masaru Fujibayashi. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2022-09-22.

Memory and preparation method therefor

Номер патента: EP4270478A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang,Deyuan Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200303638A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4255146A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Three-dimensional memory, fabricating method thereof and memory system

Номер патента: US20240164097A1. Автор: LEI Jin,Jianquan Jia,Kaiwei LI,Weiming Chen,Weiwei CHU,Wenhao Xiong,Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US10811607B2. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Method of manufacturing phase change memory and phase change memory

Номер патента: US20230024030A1. Автор: Chung-Hon Lam,Dong Gan. Владелец: Beijing Advanced Memory Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Pahse chang material for phase chang memory and preparation method therefor

Номер патента: US20180315921A1. Автор: Feng Rao,Yong Wang,Zhitang Song,Keyuan Ding. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device, memory, and memory system

Номер патента: EP4283677A1. Автор: He Chen,Lei Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11316106B2. Автор: Yu-Ting Chen,Chung-Hsuan Wang,Tz-Hau Guo,Chiung-Lin Hsu,Chang-Hsuan Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Resistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220005868A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shih-Ning TSAI,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Three-dimensional memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220165745A1. Автор: Bo Xu,BIN Yuan,Zongke Xu,Qiangwei Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Three-dimensional stacked memory and preparation method thereof

Номер патента: US20210104670A1. Автор: Hao Tong,Xiangshui Miao,Yushan SHEN. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-04-08.

Stack gate with tip vertical memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20040140500A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chi-Hui Lin,Ching-Nan Hsiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor and memory

Номер патента: EP4276882A1. Автор: Deyuan Xiao,Weiping BAI,Xingsong SU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Printheads having memories formed thereon

Номер патента: US09701115B2. Автор: Zhiyong Li,Ning Ge,Jianhua Yang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US9595562B2. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US20170141298A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240015954A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US9972772B2. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US20180226571A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230276618A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory forming method and memory

Номер патента: EP4036960A1. Автор: Xu Liu,Thomas Jongwan Kwon,Lintao Zhang,Lingguo ZHANG,Xiangui Zhou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090057748A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Piezoelectric element, droplet discharge head, ferroelectric memory, and piezoelectric actuator

Номер патента: EP4350790A1. Автор: Shintaro Hara,Yuji Matsushita,Hideki Mashima. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2024-04-10.

Highly Reliable Nonvolatile Memory and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20150349253A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yinglong Huang,Muxi Yu,Wenliang Bai. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-03.

Highly reliable nonvolatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09379322B2. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yinglong Huang,Muxi Yu,Wenliang Bai. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-28.

Dynamic random access memory and forming method therefor

Номер патента: US20240244833A1. Автор: XING Yu,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Organic Resistive Random Access Memory and a Preparation Method Thereof

Номер патента: US20160049604A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yichen FANG,Zongwei Wang,Wenliang Bai,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-18.

Transistor, memory and method of forming same

Номер патента: US12069851B2. Автор: Chung-Yen Chou,Chih-Yuan Chen,Jen-Chieh Cheng,Chao-Wei Lin,Qinfu ZHANG,Chia-Yi Chu,Huixian Lai,Jen-Kuo WU. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit memory and the method of forming the same

Номер патента: US12033942B2. Автор: Yukun LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory and method for manufacturing same

Номер патента: US12108588B2. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Conductive-bridging random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US10181560B2. Автор: Chu-Jie HUANG,Tseung-Yuen Tseng,Chun-An Lin,Guang-Jyun DAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-15.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210028358A1. Автор: Wei Wu,HE Qian,Bin Gao,Huaqiang Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-01-28.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US10804465B2. Автор: Wei Wu,HE Qian,Bin Gao,Huaqiang Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-13.

Memory and method for manufacturing same

Номер патента: US11985808B2. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory and fabricating method thereof

Номер патента: US11877441B2. Автор: Tao Chen,Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Method of manufacturing semiconductor memory and semiconductor memory

Номер патента: US11792975B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A1. Автор: Peter Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-06-08.

NOR structure flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09520400B2. Автор: Hao Fang,Yong Gu,Shizhen Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Forming method of memory and memory

Номер патента: US20230062348A1. Автор: Xu Liu,Thomas Jongwan Kwon,Lintao Zhang,Lingguo ZHANG,Xiangui Zhou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory and forming method thereof

Номер патента: US20230422474A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory and method for preparing memory

Номер патента: US20230010035A1. Автор: Xiaoling Wang,Xiaojie Li,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Memory and preparation method for memory

Номер патента: EP4084072A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11882689B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220045068A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Memory and method for manufacturing same

Номер патента: US20230005915A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory and method for manufacturing same

Номер патента: US20230005914A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory and method for manufacturing same

Номер патента: US20220052051A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory and method for manufacturing same

Номер патента: US11864375B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4184580A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-24.

Transistor and manufacturing method thereof, and memory

Номер патента: US20230389277A1. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of manufacturing capacitor, capacitor, and memory

Номер патента: US20230354574A1. Автор: Mengmeng Yang,Deyuan Xiao. Владелец: Changxin Jidian Beijing Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory and formation method thereof

Номер патента: US20210375869A1. Автор: Zhan Ying,Qiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory cell for fast erasable programmable read-only memory and method of its programming

Номер патента: RU2481653C2. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Виктор Николаевич Мурашев. Дата публикации: 2013-05-10.

NOR Memory Array, NOR Memory and Electronic Device

Номер патента: US20240357814A1. Автор: Jun Feng,Tao Xiong,Linkai WANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

High-density three-dimensional multilayer memory and fabrication method

Номер патента: US20240224540A1. Автор: Ke Wang,Jack Zezhong Peng. Владелец: Chengdu Pbm Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A9. Автор: Peter Lee. Владелец: Peter Lee. Дата публикации: 2006-08-03.

High-density three-dimensional multilayer memory and fabrication method

Номер патента: US20240224546A1. Автор: Ke Wang,Jack Zezhong Peng. Владелец: Chengdu Pbm Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional memory and manufacturing method therefor, and storage system

Номер патента: EP4440277A1. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Single-gate non-volatile memory and operation method thereof

Номер патента: US20080173915A1. Автор: Ming-Tsang Yang,Hsin-Chang Lin,Wen-Chien Huang,Hao-Cheng Chang,Cheng-Ying Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Magnetic random-access memory cell, memory and device

Номер патента: US12029135B2. Автор: Weisheng Zhao,Zhaohao Wang,Kaihua Cao,Gefei Wang. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268112A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4412423A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Three-dimensional memories, manufacturing methods thereof, and memory systems

Номер патента: US20240365544A1. Автор: Jie Yuan,Yali SONG,Quanshan Lv. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Resistive random access memory and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4418844A1. Автор: XUE Zhou,Xiaojie Wang,Qing QIN,Huifang JIAO,Xixia LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Flash memory and method of forming flash memory

Номер патента: US20030064563A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Flash memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20130207173A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-15.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240130099A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Temperature sensor and memory device having same

Номер патента: US12061125B2. Автор: Chien-Fu Huang,Chung-Kuang Chen,Chia-Ching Li,Chia-Ming Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory and electronic device

Номер патента: EP4243099A1. Автор: Xi Liu,XUE Zhou,Qing QIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Ferroelectric random access memory and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4141933A1. Автор: Xia Wei,Yan Zhang,Xiaowei Wang,Xichao Yang,Jianying QIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Resistive memory and methods of processing resistive memory

Номер патента: US20130009127A1. Автор: David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Memory cells and memory array structures and methods of their fabrication

Номер патента: US20240194264A1. Автор: Ramanathan GANDHI,Dmitry MIKULIK,Leo Lukose. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Layout of flash memory and formation method of the same

Номер патента: US6067249A. Автор: Hee-Youl Lee,Jae-Hyun Sone. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Memory cell, 3D memory and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: US11825642B1. Автор: Jin Dai,Yong Yu,Jing Liang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory cell, 3d memory and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4380330A1. Автор: Jin Dai,Yong Yu,Jing Liang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-06-05.

Phase change memory and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2004055916A3. Автор: Charles H Dennison. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor memory and semiconductor device having SOI structure

Номер патента: US5773865A. Автор: Hideto Hidaka,Takahiro Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Three-dimensional memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230140992A1. Автор: Wei Xu,Ming Zeng,Qingqing WANG,Jianlu Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11818966B2. Автор: Chun-Hao Wang,Yu-Ru Yang,Chung Yi Chiu,Yi Yu Lin,Po Kai Hsu,Ju Chun Fan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Ferroelectric memory and formation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4365901A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yuxing Li,Hangbing Lv,Jialin CAI,Weigu LI,Wanliang TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor devices, fabrication methods thereof, 3d memories and memory devices

Номер патента: US20240292625A1. Автор: LAN Yao,Jie Yan,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Esd protection circuit, protection method, semiconductor memory, and system

Номер патента: EP4276904A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Ferroelectric memory and formation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4339950A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Kailiang HUANG,Junxiao FENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Anti-Fuse Memory And Semiconductor Storage Device

Номер патента: US20170250187A1. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

Non-volatile memory and-array and method for operating the same

Номер патента: EP2041793A2. Автор: Robertus T. F. Van Schaijk,Michiel J. Van Duuren. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-04-01.

Thin film transistor, memory and manufacturing method, and electronic device

Номер патента: EP4261907A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Kailiang HUANG,Junxiao FENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Co-optimization of memory and logic devices by source/drain modulation and structures thereof

Номер патента: US20230320058A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Hung Hsieh,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Chun-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for manufacturing semiconductor device semiconductor device and memory

Номер патента: US20220115385A1. Автор: Shiran ZHANG,Youquan YU,Zhengqing SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory and forming method therefor

Номер патента: EP3933894A1. Автор: Zhan Ying,Qiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

One-time programmable memory and method for making the same

Номер патента: US09887201B2. Автор: Harry Shengwen Luan. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

One-time programmable memory and method for making the same

Номер патента: US09431254B2. Автор: Harry Shengwen Luan. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory forming method and memory

Номер патента: EP4099386A1. Автор: Xu Liu,Thomas Jongwan Kwon,Lintao Zhang,Lingguo ZHANG,Xiangui Zhou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Memory and forming method therefor

Номер патента: EP3933893A1. Автор: Zhan Ying,Qiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

One-time programmable memory and method for making the same

Номер патента: US20140217484A1. Автор: Harry Shengwen Luan. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Memory, and erasing method, programming method and reading method thereof

Номер патента: US9396801B1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Memory And Method For Forming The Same

Номер патента: US20210036117A1. Автор: Tao Yu. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Anti-fuse storage layout and circuit thereof, and anti-fuse memory and design method thereof

Номер патента: US20230207456A1. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Direct interconnection between processor and memory component

Номер патента: US20090144486A1. Автор: Tan Tat-Hin. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-06-04.

Fabrication method of a memory and the memory

Номер патента: US12114482B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Thin film transistor memory and its fabricating method

Номер патента: US20130264632A1. Автор: Sun Chen,Wei Zhang,Pengfei Wang,Shijin Ding,Xingmei Cui. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-10.

Multi-Level Cell Thin-Film Transistor Memory and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20200119033A1. Автор: Wei Zhang,Wenjun Liu,Shibing QIAN,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-16.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050161730A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060249771A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-11-09.

Memory and semiconductor package

Номер патента: US20240355776A1. Автор: Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

3D stacked compute and memory with copper pillars

Номер патента: US11764190B1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240237335A9. Автор: Yu-Jen Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Embedded sonos memory and method of making the same

Номер патента: US20230269945A1. Автор: Ning Wang,Kegang Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Non-volatile memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US10916664B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Method for manufacturing a microelectronic device integrating a physical unclonable function provided by resistive memories, and said device

Номер патента: US11444040B2. Автор: Florian Pebay-Peyroula,Christelle Charpin-Nicolle. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-09-13.

Method for manufacturing a microelectronic device integrating a physical unclonable function provided by resistive memories, and said device

Номер патента: US20210091014A1. Автор: Florian Pebay-Peyroula,Christelle Charpin-Nicolle. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-03-25.

Non-volatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130328119A1. Автор: Chun-Lien Su,Shaw-Hung Ku,Chi-Pei Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Multi-Value Nonvolatile Organic Resistive Random Access Memory and Method for Preparing the Same

Номер патента: US20160240778A1. Автор: QIANG LI,Yimao Cai,Ru Huang,Yue Pan,Yichen FANG,Zongwei Wang,Muxi Yu,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-18.

Metal-ono-vacuum tube charge trap flash (VTCTF) nonvolatile memory and the method for making the same

Номер патента: US9793285B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Metal-ono-vacuum tube charge trap flash (vtctf) nonvolatile memory and the method for making the same

Номер патента: US20180053777A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Metal-ono-vacuum tube charge trap flash (VTCTF) nonvolatile memory and the method for making the same

Номер патента: US9972637B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Metal-ono-vacuum tube charge trap flash (vtctf) nonvolatile memory and the method for making the same

Номер патента: US20170256557A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Magnetic-Floating Field-Assisted Thermionic Solar Cell With Semiconductor Nonvolatile Memories and Rechargeable Batteries

Номер патента: US20210111663A1. Автор: James Pan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-15.

Metal-ono-vacuum tube charge trap flash (VTCTF) nonvolatile memory and the method for making the same

Номер патента: US09972637B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods for manufacturing memory and logic devices using the same process without the need for additional masks

Номер патента: US20080138998A1. Автор: Shih Chin Lee,Ming-Shang Chen,Kuan Fu Chen,Yin Jen Chen,Tzung Ting Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478552B2. Автор: Hann-Ping Hwang,Li-Wei Liu,Chen-Hao Huang,Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148939A1. Автор: Hann-Ping Hwang,Li-Wei Liu,Chen-Hao Huang,Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Magnetoresistive effect element, magnetic memory and artificial intelligence system

Номер патента: US20240244983A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-07-18.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200027888A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10636801B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Memory and method for forming same

Номер патента: US12089393B2. Автор: Wenhao Hsieh,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Programmable hybrid memory and capacitive devices in dram process

Номер патента: WO2024144849A1. Автор: Paul Hartke,Gabriel Loh,Zachary Blair. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2024-07-04.

Die, memory and method of manufacturing die

Номер патента: US20220375824A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Self-aligned contact frequency doubling technology for memory and logic device applications

Номер патента: US20080227295A1. Автор: Yijian Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-18.

Die, memory and method of manufacturing die

Номер патента: US12119286B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Embedded memory and power management subpackage

Номер патента: US09871026B2. Автор: John S. Guzek,Debendra Mallik,Sasha N. OSTER,Timothy E. McIntosh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

One-Time Programmable Memory and Method for Making the Same

Номер патента: US20150311215A1. Автор: Harry Shengwen Luan. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

One-time programmable memory and method for making the same

Номер патента: US20110309421A1. Автор: Yue-Song He,Harry S. Luan,Ting-Wah Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for manufacturing non-volatile memory and structure thereof

Номер патента: US8093648B2. Автор: Wei-Ming Huang,An-Thung Cho,Chia-Tien Peng,Chun-Hsiun Chen,Chih-Wei Chao,Wan-Yi Liu,Chia-Kai CHEN. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-01-10.

1t1r resistive random access memory and manufacturing method therefor, transistor and device

Номер патента: EP3736865A1. Автор: Jian Shen,Guofeng YAO. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Memory system including the semiconductor memory and a controller

Номер патента: US20190392906A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Memory system including the semiconductor memory and a controller

Номер патента: US20220108754A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Memory system including the semiconductor memory and a controller

Номер патента: US20210050064A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Memory system including the semiconductor memory and a controller

Номер патента: US10453536B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Resistive memory and resistance window recovery method of resistive memory cell thereof

Номер патента: US10475513B2. Автор: Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chuan-Sheng Chou. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Method for accessing memory and memory device using the same

Номер патента: US11955164B2. Автор: Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Input/output connections of wafer-on-wafer bonded memory and logic

Номер патента: WO2023018824A1. Автор: Glen E. Hush,Kunal R. Parekh,Sean S. Eilert,Aliasger T. Zaidy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-16.

Testing memory of wafer-on-wafer bonded memory and logic

Номер патента: WO2023018828A1. Автор: Glen E. Hush,Kunal R. Parekh,Sean S. Eilert,Aliasger T. Zaidy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-16.

Input/output connections of wafer-on-wafer bonded memory and logic

Номер патента: US20230048628A1. Автор: Glen E. Hush,Kunal R. Parekh,Sean S. Eilert,Aliasger T. Zaidy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Integration of high density cross-point memory and cmos logic for high density low latency envm and edram applications

Номер патента: US20200357782A1. Автор: Yih Wang,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for accessing memory and memory device using the same

Номер патента: US20230360692A1. Автор: Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory system, read method, program, and memory controller

Номер патента: US11043275B2. Автор: Takayuki Itoh,Tomoya Kodama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-22.

Semiconductor memory and operating method thereof

Номер патента: US11798624B2. Автор: Kyung Min Kim,Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Anti-fuse memory and control method thereof

Номер патента: US11894082B2. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Non-volatile memory and manufacturing method thereof and operating method of memory cell

Номер патента: US20120127795A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Guan-Wei Wu,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Tamper-resistant circuit, back-end of the line memory and physical unclonable function for supply chain protection

Номер патента: GB2612485A. Автор: Ando Takashi,Kumar Arvind,Pfeiffer Dirk,Song Peilin,Plouchart Jean-Olivier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-03.

Anti-fuse memory and control method thereof

Номер патента: US20230207030A1. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory and forming method therefor

Номер патента: EP3929983A1. Автор: Wenhao Hsieh,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-29.

Memory and method for forming the same

Номер патента: US11600627B2. Автор: Tao Yu. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Spot cooling of processors and memories using thin film coolers

Номер патента: WO2023102013A1. Автор: Uttam Ghoshal. Владелец: Sheetak, Inc.. Дата публикации: 2023-06-08.

Wafer-on-wafer formed memory and logic

Номер патента: WO2023018776A1. Автор: Glen E. Hush,Kunal R. Parekh,Sean S. Eilert,Aliasger T. Zaidy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-16.

Wafer-on-wafer formed memory and logic

Номер патента: US20230048855A1. Автор: Glen E. Hush,Kunal R. Parekh,Sean S. Eilert,Aliasger T. Zaidy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Ferroelectric Domain Regulated Optical Readout Mode Memory And Preparing Method Thereof

Номер патента: US20200312398A1. Автор: HONG Shen,Xudong Wang,Jianlu Wang,Xiangjian Meng,Tie Lin,Junhao Chu,Guangjian Wu. Владелец: Shanghai Institute of Technical Physics of CAS. Дата публикации: 2020-10-01.

Three-dimensional vertical single transistor ferroelectric memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11839085B2. Автор: Huaxiang Yin,Tianchun Ye,Zhaozhao HOU,Chaolei Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-05.

Wafer-on-wafer formed memory and logic for genomic annotations

Номер патента: US11915742B2. Автор: Glen E. Hush,Kunal R. Parekh,Sean S. Eilert,Aliasger T. Zaidy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Wafer-on-wafer formed memory and logic for genomic annotations

Номер патента: WO2023018829A1. Автор: Glen E. Hush,Kunal R. Parekh,Sean S. Eilert,Aliasger T. Zaidy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-16.

Wafer-on-wafer formed memory and logic for genomic annotations

Номер патента: US20230050961A1. Автор: Glen E. Hush,Kunal R. Parekh,Sean S. Eilert,Aliasger T. Zaidy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Ferroelectric memory and storage device

Номер патента: EP4266312A1. Автор: Yu Zhang,Jeffrey Junhao XU,Yichen FANG,Zhaozhao HOU,Sitong BU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Memory, substrate structure of the memory, and method for preparing the substrate structure of the memory

Номер патента: US20210366725A1. Автор: Zhen Zhou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Ferroelectric memory and storage device

Номер патента: EP4227999A1. Автор: Yu Zhang,Jeffrey Junhao XU,Ying Wu,Heng Zhang,Yichen FANG,Weiliang JING,Zhaozhao HOU,Sitong BU,Wanliang TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Memory, substrate structure of the memory, and method for preparing the substrate structure of the memory

Номер патента: US12014932B2. Автор: Zhen Zhou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Integrated circuit memory and preparation method therefor, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP4068345A1. Автор: Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-05.

Semiconductor structure, memory and method for operating memory

Номер патента: US20230035348A1. Автор: Yanzhe TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Parallel plane memory and processor coupling in a 3-d micro-architectural system

Номер патента: EP2374151A1. Автор: Thomas R. Toms. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-10-12.

Memory and Manufacturing Method Thereof, and Electronic Device

Номер патента: US20230320070A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-10-05.

Apparatuses and methods including ferroelectric memory and for accessing ferroelectric memory

Номер патента: US20200005853A1. Автор: Christopher J. KAWAMURA,Scott J. Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memories and methods of operating memories having memory cells sharing a resistance variable material

Номер патента: US9640254B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

High bandwidth memories and systems including the same

Номер патента: US20210193615A1. Автор: Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn,Yaeyoun Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4394772A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230354598A1. Автор: Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Magnetic memory and a method of operating magnetic memory

Номер патента: US20190244646A1. Автор: Hyunsoo Yang,Jongmin Lee,Rajagopalan Ramaswamy. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2019-08-08.

Nonvolatile memory and programming method thereof

Номер патента: US20200194076A1. Автор: Xiao Luo,Chunhui Chen,Minyi Chen. Владелец: GigaDevice Semiconductor Shanghai Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

3D stacked compute and memory with copper-to-copper hybrid bond

Номер патента: US11784164B2. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Method of forming a 3d stacked compute and memory

Номер патента: US20230015487A1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of forming 3d stacked compute and memory with copper pillars

Номер патента: US20240047426A1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

SONOS memory and method for making the same

Номер патента: US11980032B2. Автор: Hua Shao,Naoki Tsuji,Haoyu Chen,Xiaoliang Tang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

SONOS Memory and Method for Making the Same

Номер патента: US20220020755A1. Автор: Hua Shao,Naoki Tsuji,Haoyu Chen,Xiaoliang Tang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for generating Gaussian error data using flash memory and apparatus using the same

Номер патента: US11880269B2. Автор: Ki-Hong Kim,Jun-Ki Kang,Bong-Soo LEE,Moon-Seok Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-01-23.

Flash Memory and Methods of Fabricating Flash Memory

Номер патента: US20090011588A1. Автор: Bong Kil Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for generating gaussian error data using flash memory and apparatus using the same

Номер патента: US20220374302A1. Автор: Ki-Hong Kim,Jun-Ki Kang,Bong-Soo LEE,Moon-Seok Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-11-24.

Fine Structural Body, Method For Manufacturing Fine Structural Body, Magnetic Memory, Charge Storage Memory And Optical Information Recording Medium

Номер патента: US20110287282A1. Автор: Kazuhito Hashimoto,Shin-ichi Ohkoshi,Hiroko Tokoro,Fumiyoshi Hakoe,Yoshihide Tsunobuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Non-volatile memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US11049947B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Non-volatile memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US20200152649A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20180197778A1. Автор: LIANG Chen,LIANG Han,Sheng Fen Chiu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Memory and its manufacturing method

Номер патента: US11800700B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Integrated circuit devices with backend memory and electrical feedthrough network of interconnects

Номер патента: US20220415811A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Non-volatile memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US10854758B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Non-volatile memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US20200152784A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Non-volatile ferroelectric memory and method of preparing the same

Номер патента: US11348943B2. Автор: Jun Jiang,Anquan Jiang,Xiaojie CHAI,Jianwei LIAN,Menghan AO. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-31.

Memory and logic device-integrated soft electronic system

Номер патента: US20190355787A1. Автор: Sung Yool Choi,Byung Chul Jang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor structure, memory and operation method thereof

Номер патента: EP4326025A1. Автор: Yanzhe TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Non-volatile memory and fabrication thereof

Номер патента: US20040105321A1. Автор: Chien-Hung Liu,Tung-Cheng Kuo,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-03.

Flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240138144A1. Автор: Yu-Jen Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Ferroelectric memory and storage device

Номер патента: US20230276636A1. Автор: Yu Zhang,Jeffrey Junhao XU,Ying Wu,Heng Zhang,Yichen FANG,Weiliang JING,Zhaozhao HOU,Sitong BU,Wanliang TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Non-volatile memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US20210005745A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Non-volatile ferroelectric memory and method of preparing the same

Номер патента: US20210036017A1. Автор: Jun Jiang,Anquan Jiang,Xiaojie CHAI,Jianwei LIAN,Menghan AO. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-02-04.

Programmable hybrid memory and capacitive device in a dram process

Номер патента: US20240224542A1. Автор: Paul Hartke,Gabriel Loh,Zachary Blair. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Radio frequency circuit and memory in thin flexible package

Номер патента: US5528222A. Автор: Michael J. Brady,Paul A. Moskowitz,Paul W. Coteus. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-06-18.

Capacitor manufacturing method, capacitor and memory

Номер патента: EP4290552A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor, memory and operation method therefor

Номер патента: EP4318476A1. Автор: Yanzhe TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Spin current magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, magnetic memory, and high-frequency magnetic element

Номер патента: US20190088395A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Minoru Ota,Hirokazu Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor structure and method for manufacturing same, memory and operation method thereof

Номер патента: US20230422492A1. Автор: Yanzhe TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Multi-state memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200303635A1. Автор: Jing Xu,YAN Cui,Junfeng Li,Jun Luo,Yanru Li,Tianchun Ye,Wenwu Wang,Sumei WANG,Meiyin YANG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-09-24.

Synaptic resistors for concurrent parallel signal processing, memory and learning with high speed and energy efficiency

Номер патента: WO2019147859A9. Автор: Yong Chen. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2022-03-03.

Synaptic Resistors for Concurrent Parallel Signal Processing, Memory and Learning with High Speed and Energy Efficiency

Номер патента: US20210406660A1. Автор: Yong Chen. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-12-30.

Synaptic resistors for concurrent parallel signal processing, memory and learning with high speed and energy efficiency

Номер патента: EP3743946A2. Автор: Yong Chen. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-12-02.

Method of manufacturing cards having an electronic memory, and cards obtained by performing said method

Номер патента: CA1255388A. Автор: Alain Rebjock,Jean-Paul Mollet,Jean-Louis Hayart. Владелец: Flonic SA. Дата публикации: 1989-06-06.

Memories and methods of forming thin-film transistors using hydrogen plasma doping

Номер патента: US20140197416A1. Автор: Zhenyu Lu,Haitao Liu,SHU QIN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Memories and methods of forming thin-film transistors using hydrogen plasma doping

Номер патента: US20150206906A1. Автор: Zhenyu Lu,Haitao Liu,SHU QIN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Non-volatile memory and program method thereof

Номер патента: US20200265896A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Spintronics device, magnetic memory, and electronic apparatus

Номер патента: US11875832B2. Автор: Yukio Nozaki. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-16.

Pattern forming method, mold and data processing method

Номер патента: US8722535B2. Автор: Masafumi Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Structures, lithographic mask forming solutions, mask forming methods, field emission display emitter mask forming methods, and methods of forming plural field emission display emitters

Номер патента: US20020006557A1. Автор: David Wells,Eric Knappenberger,James Alwan,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Structures and structure forming methods

Номер патента: US20020076620A1. Автор: James J. Alwan,David Wells,Eric J. Knappenberger,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method

Номер патента: US09465298B2. Автор: Hideaki Tsubaki,Shinichi Kanna. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method

Номер патента: US09291904B2. Автор: Hideaki Tsubaki,Shinichi Kanna. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Pattern forming method

Номер патента: US9437477B1. Автор: Makoto Aida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Defect removal device, defect removal method, pattern forming method, and method of manufacturing electronic device

Номер патента: US20230395366A1. Автор: Ryo Saito,Masahiro Yoshidome,Akihiko Ohtsu,Yukihisa KAWADA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Film-forming material, film-forming composition, film-forming method using film-forming material and film-forming composition, and semiconductor device fabricated using film-forming method

Номер патента: US20240240318A1. Автор: Jong Moon Kim,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Kok Chew TAN. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Etching pattern forming method in semiconductor manufacturing process

Номер патента: US12094719B2. Автор: Seung Hyun Lee,Su Jin Lee,Seung Hun Lee,Gi Hong Kim. Владелец: Youngchang Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Film-forming method, film-forming device, and crystalline oxide film

Номер патента: EP4407660A1. Автор: Takenori Watabe,Hiroshi Hashigami,Takahiro Sakatsume. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Assistant pattern configuration method, mask and forming method thereof, and related device

Номер патента: US11307502B2. Автор: YAO Xu,Feng Bai,Fan Zhang,Yibin HUANG,Wanjuan Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Pattern forming method, combined processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20230089980A1. Автор: Noriko Sakurai,Kosuke TAKAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Assistant pattern configuration method, mask and forming method thereof, and related device

Номер патента: US20210271176A1. Автор: YAO Xu,Feng Bai,Fan Zhang,Yibin HUANG,Wanjuan Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Film forming method and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US09947550B2. Автор: Eiji Takahashi. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Stretchable self-healing resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240215465A1. Автор: Jinhong Park,Yong Jun Park,Donghee SON,Minbaek Lee,Duhwan Seong. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-27.

Weak field stimulated skyrmion nucleation and manipulation for spintronic memory and processing devices

Номер патента: US20220366955A1. Автор: Binbin Wang,David McComb. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2022-11-17.

Weak field stimulated skyrmion nucleation and manipulation for spintronic memory and processing devices

Номер патента: US11990170B2. Автор: Binbin Wang,David McComb. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2024-05-21.

Resistive memory and methods of processing resistive memory

Номер патента: WO2011097008A3. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe Iii. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-11-17.

Resistive random access memory and method of preparing the same

Номер патента: US20240023469A1. Автор: Xiaoyan Li,Jie Yu,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv,Danian Dong. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-18.

Rectangular waveguide communication between memory and processor

Номер патента: US11728555B2. Автор: Yoshihito Koya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Rectangular waveguide communication between memory and processor

Номер патента: US20210391634A1. Автор: Yoshihito Koya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Rectangular waveguide communication between memory and processor

Номер патента: US20200099119A1. Автор: Yoshihito Koya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Memory and electronic device

Номер патента: EP4239636A1. Автор: Xi Liu,XUE Zhou,Qing QIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Cold Forming Method for Forming Power Pins and Power Pin Formed Thereof

Номер патента: US20160336675A1. Автор: Manzhi Zhou,Guangdong Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-17.

Cold forming method for forming power pins and power pin formed thereof

Номер патента: US09634419B2. Автор: Manzhi Zhou,Guangdong Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory cell, memory using the memory cell, memory cell manufacturing method, and memory recording/reading method

Номер патента: US7436697B2. Автор: Motoyoshi Murakami,Yasuhiro Gotoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Method of saving messages in messages memory and corresponding messages memory

Номер патента: RU2398357C2. Автор: Флориан ХАРТВИХ,Кристиан ХОРСТ,Франц БАЙЛЕР. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2010-08-27.

Memory and electronic device

Номер патента: EP4447090A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Kailiang HUANG,Junxiao FENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Information processing system performing synchronization between memory devices and memory devices performing wireless communication

Номер патента: US09898747B2. Автор: Shigeki Koizumi,Shuichi Sakurai,Keisuke Sato,Michio Ido,Masahiko Nakashima,Masaomi Teranishi,Shigeto ENDO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20220093163A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Recording control apparatus and method for recording in UDF format for a camera with flash memory and optical disk

Номер патента: EP1739677A3. Автор: Shunji c/o Sony Corporation Okada,Katsumi c/o Corporation Matsuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-01-10.

Static random access memory and operation method thereof

Номер патента: US20220284966A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Image forming apparatus, image forming method, and non-transitory computer readable medium that generates a warning based on a print document and print settings

Номер патента: US09858019B2. Автор: Ryohei Iwasaki,Masatake KAWABE,Hiroyoshi NAKAYAMA,Yoshihiro CHIDA. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Image forming apparatus, image forming method, and non-transitory computer readable medium for saving operation history information

Номер патента: US09542135B2. Автор: Yusaku Kurihara. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Active field semiconductor or optoelectronic device with non-volatile memory and method for manufacture of such device

Номер патента: RU2498461C2. Автор: ДИ ПАЙВА МАРТИНШ Родригу ФЕРРАН,ФОРТУНАТУ Элвира Мария КОРРЕЯ,ПЕРЕЙРА Луиш Мигел НУНИШ,БАРКИНЬЯ Педру Мигел КАНДИДУ,ОЛИВЕЙРА КОРРЕЯ Нуну Филипи ДИ. Владелец: Факулдади Ди Сиенсьяш И Текнология Да Универсидади Нова Ди Лижбуа. Дата публикации: 2013-11-10.

Multiple time programmable memory using one time programmable memory and error correction codes

Номер патента: US20220301631A1. Автор: Teemu Salo,Vesa TÖRNQVIST. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Image forming apparatus, image forming method, and recording medium

Номер патента: US20220094800A1. Автор: Masaki Tasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Image reading apparatus, image formation apparatus, image processing system, memory area sharing method for image reading apparatus, and memory area sharing method for image processing system

Номер патента: US20070008576A1. Автор: Hiroshi Hayashi,Hiromi Kita,Tadaomi Suzuki. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-11.

On-chip copying of data between nand flash memory and reram of a memory die

Номер патента: WO2016004317A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Manuel Antonio d'Abreu,Xinde Hu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-01-07.

Cameras and methods with data processing, memories, and an image sensor with multiple data ports

Номер патента: US09578267B2. Автор: Alexander Krymski,Alexey Slovick. Владелец: Alexander Krymski dba Alexima. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory controller, storage device and memory control method

Номер патента: US09564930B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Mitsunori Tadokoro,Shohei Asami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Spin transfer torque magnetoresistive random-access memory and design methods

Номер патента: RU2427045C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Мехди Хамиди САНИ,Сеонг-Оок ДЗУНГ,Сеи Сеунг ЙООН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-08-20.

Fused memory and arithmetic circuit

Номер патента: US20240235556A1. Автор: Michael Philip Fitton,Raymond Nijssen,Daniel Pugh. Владелец: Achronix Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Fused memory and arithmetic circuit

Номер патента: EP3956986A1. Автор: Michael Philip Fitton,Raymond Nijssen,Daniel Pugh. Владелец: Achronix Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-02-23.

Memory system, memory controller and memory control method

Номер патента: US09852022B2. Автор: Daiki Watanabe,Ryo Yamaki,Yuma YOSHINAGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

A method and an apparatus to speed the video system optimization using genetic algorithms and memory storage

Номер патента: EP1500261A1. Автор: Walid Ali. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-01-26.

A method and an apparatus to speed the video system optimization using genetic algorithms and memory storage

Номер патента: WO2003088647A1. Автор: Walid Ali. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-10-23.

Imaging Device Including Wear Leveling for Non-Volatile Memory and Secure Erase of Data

Номер патента: US20150002900A1. Автор: Bryan Scott Willett,Howard Charles Cochran,Michael James Klein. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Processing and memory device and system

Номер патента: US20240251566A1. Автор: Chung-Te Lin,Yen-Chung Ho,Pin-Cheng HSU,Han-Ting Tsai,Katherine Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Transmitting device, method for monitoring memory, and transmission system

Номер патента: US09608888B2. Автор: Yasuhiro Yamamori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Magnetic memory and reading/writing method thereof

Номер патента: US12035539B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Data migration between a raid memory and a dispersed storage network memory

Номер патента: US09442800B2. Автор: Gary W. Grube,Andrew Baptist,Jason K. Resch,Timothy W. Markison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Sense amplifiers, memories, and apparatuses and methods for sensing a data state of a memory cell

Номер патента: US09406353B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Image forming method and apparatus

Номер патента: US20010033759A1. Автор: Tomoyuki Yamada,Seiji Shiraki. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-25.

Video multiviewer system providing direct video data transfer to graphics processing unit (GPU) memory and related methods

Номер патента: US09615049B2. Автор: Chad Faragher. Владелец: Imagine Communications Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Ternary content addressable memory and two-port static random access memory

Номер патента: US20220238158A1. Автор: Chun-Chieh Chang,Chun-Hsien Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Interface IC and memory card including the same

Номер патента: US9846831B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Hiroaki Ohkubo,Shigeharu Nakata,Mitsuji Okada,Shuuichi Kagawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Interface ic and memory card including the same

Номер патента: US20160203394A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Hiroaki Ohkubo,Shigeharu Nakata,Mitsuji Okada,Shuuichi Kagawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Interface ic and memory card including the same

Номер патента: US20130327838A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Hiroaki Ohkubo,Shigeharu Nakata,Mitsuji Okada,Shuuichi Kagawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Interface IC and memory card including the same

Номер патента: US9305253B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Hiroaki Ohkubo,Shigeharu Nakata,Mitsuji Okada,Shuuichi Kagawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-05.

Processor and memory system

Номер патента: US20230289485A1. Автор: Veeramanikandan Raju,Jonathan William Nafziger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Adaptive compression data storing method for non-volatile memories and system using the same

Номер патента: US09720821B2. Автор: Ming-Yi Chu,Jui Hui HUNG. Владелец: Storart Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method and apparatus achieving memory and transmission overhead reductions in a content routing network

Номер патента: WO2005098863A3. Автор: Julio C Navas. Владелец: Ct Board Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

System and method for creating an intelligent memory and providing contextual intelligent recommendations

Номер патента: EP4384962A1. Автор: Malhar ANAOKAR,Akshat PRASAD. Владелец: Imemori Technologies Private Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Reduced memory and bandwidth motion adaptive video deinterlacing

Номер патента: WO2008051343A3. Автор: Lowell Winger,Cheng-Yu Pai. Владелец: Cheng-Yu Pai. Дата публикации: 2008-07-03.

Anti-fuse readout circuit, anti-fuse memory, and testing method

Номер патента: US12082402B2. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory and forming method therefor, and electronic apparatus

Номер патента: EP4328939A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Kailiang HUANG,Junxiao FENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Image forming apparatus, image forming method, and medium storing program executable by image forming apparatus

Номер патента: US20200314285A1. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

System and method for a communication terminal to manage memory and maintain a current application version for multiple applications

Номер патента: US6629227B1. Автор: Arturo A. Rodriguez,Dean F. Jerding,John M. Schlarb,Frank Domina. Владелец: Scientific Atlanta LLC. Дата публикации: 2003-09-30.

Distributed circuit switch having switch memory and control memory

Номер патента: US5388096A. Автор: Lars Westberg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 1995-02-07.

Electronic device including a digital circuit for accessing encrypted data in a memory and corresponding method to access encrypted data in a memory

Номер патента: US11023566B2. Автор: Albert Martinez,Stefano Lunghi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-01.

Allocating memory and redirecting memory writes in a cloud computing system based on temperature of memory modules

Номер патента: US11789609B2. Автор: Raymond-Noel Nkoulou KONO,Nisha Susan JOHN. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Electronic device including a digital circuit for accessing encrypted data in a memory and corresponding method to access encrypted data in a memory

Номер патента: US20190114400A1. Автор: Albert Martinez,Stefano Lunghi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-04-18.

Shared memory and shared multiplier programmable digital-filter implementation

Номер патента: US20070052557A1. Автор: Thomas Magdeburger,Dennis Best. Владелец: QUICKFILTER TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2007-03-08.

Memory and memory system thereof

Номер патента: US20240071555A1. Автор: Weibing SHANG,Yicheng GAO,Hangtian BA. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Multiple time programmable memory using one time programmable memory and error correction codes

Номер патента: US11854588B2. Автор: Teemu Salo,Vesa TÖRNQVIST. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Wireless communication device, method for controlling wireless communication device, game system, and memory system

Номер патента: US10146476B2. Автор: Keisuke Sato. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-04.

Secure key access with one-time programmable memory and applications thereof

Номер патента: EP2381672A1. Автор: Norman Stewart,Paul Ducharne,Albert Yunsang Wong,Wendy Wai Yin,Shijun Hunang. Владелец: ViXS Systems Inc. Дата публикации: 2011-10-26.

Memory system locking or unlocking data read to nonvolatile memory and control method thereof

Номер патента: US20200125279A1. Автор: Kazuhiro KUSHIYA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Electronic device comprising heterogeneous memories and method for transferring compression data between heterogeneous memories thereof

Номер патента: US20230359355A1. Автор: Jaewon Kim,Chulmin Kim,YongTaek Lee,Sooyong SUK,Hyunjoon CHA,Ohoon Kwon,Jaeseon SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Coordinated access method and system for external memory, and coordinated access architecture

Номер патента: EP3816925A1. Автор: Yongliang Li. Владелец: Verisilicon Holdings Co Ltd Cayman Islands. Дата публикации: 2021-05-05.

Fused memory and arithmetic circuit

Номер патента: US12034446B2. Автор: Michael Philip Fitton,Raymond Nijssen,Daniel Pugh. Владелец: Achronix Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device including non-volatile memory and method of managing data thereof

Номер патента: US20190065122A1. Автор: Kuniaki Ito,Hitomi Tanaka,Shuichi Sakurai,Keisuke Sato,Masahiko Nakashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory device including non-volatile memory and method of managing data thereof

Номер патента: US10838663B2. Автор: Kuniaki Ito,Hitomi Tanaka,Shuichi Sakurai,Keisuke Sato,Masahiko Nakashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Predicting output characteristics of image forming apparatuses, image forming systems, and image forming methods

Номер патента: US11936837B2. Автор: Takuma TAKAMIZAWA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory system, memory controller and memory control method

Номер патента: US20170068593A1. Автор: Daiki Watanabe,Ryo Yamaki,Yuma YOSHINAGA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Image processing apparatus for writing data based on write lifetime of memories and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US11652943B2. Автор: Fumiyoshi Kawase,Katsuma Nakamoto. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2023-05-16.

Utilizing local memory and dispersed storage memory to access encoded data slices

Номер патента: US20150012798A1. Автор: Gary W. Grube,Jason K. Resch,Timothy W. Markison. Владелец: Cleversafe Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Method for accessing system memory and associated processing circuit within a network card

Номер патента: US11895043B2. Автор: Chia-hung Lin. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Method and an apparatus to speed the video system optimization using genetic algorithms and memory storage

Номер патента: US20030198405A1. Автор: Walid Ali. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-10-23.

Cu-doped Sb-Te system phase change material, phase change memory and preparation method thereof

Номер патента: US11807798B2. Автор: Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-11-07.

Utilizing a local area network memory and a dispersed storage network memory to access data

Номер патента: US9471427B2. Автор: Gary W. Grube,Jason K. Resch,Timothy W. Markison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Multi-state memory and multi-functional devices comprising magnetoplastic or magnetoelastic materials

Номер патента: US20080225575A1. Автор: Peter Mullner,William Knowlton. Владелец: BOISE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2008-09-18.

Cu-DOPED Sb-Te SYSTEM PHASE CHANGE MATERIAL, PHASE CHANGE MEMORY AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20230287253A1. Автор: Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-09-14.

Memories and methods of operating memories having memory cells sharing a resistance variable material

Номер патента: US20150103590A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Multi-state memory and multi-functional devices comprising magnetoplastic or magnetoelastic materials

Номер патента: WO2008061166B1. Автор: Peter Mullner,William B Knowlton. Владелец: Univ Boise State. Дата публикации: 2008-10-09.

Multi-state memory and multi-functional devices comprising magnetoplastic or magnetoelastic materials

Номер патента: WO2008061166A9. Автор: Peter Mullner,William B Knowlton. Владелец: Univ Boise State. Дата публикации: 2008-12-11.

Image forming apparatus, memory management method, and memory management program

Номер патента: US20180241890A1. Автор: Yuji Fujita. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2018-08-23.

Apparatuses and methods including ferroelectric memory and for accessing ferroelectric memory

Номер патента: EP3507806A1. Автор: Christopher J. KAWAMURA,Scott J. Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-10.

Image forming apparatus, memory management method, and memory management program

Номер патента: US10367961B2. Автор: Yuji Fujita. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2019-07-30.

Channel sharing and memory sharing in a packet switching system

Номер патента: CA2118442A1. Автор: Richard Dennis Gitlin,Mark John Karol,Kai Yin Eng. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1995-06-09.

Electronic device and memory protection method using same

Номер патента: US20230198759A1. Автор: Donghoon Lee,Dongwook SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Data Stream Processor with Both in Memory and Persisted Messaging

Номер патента: US20180176122A1. Автор: Manish Agarwal,Alok Pareek,Bhushan Khaladkar,Vijayakrishna Nadimpalli,Nicholas Keene. Владелец: Striim Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Image forming apparatus, image forming method, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20170060504A1. Автор: Ryohei Iwasaki,Masatake KAWABE,Hiroyoshi NAKAYAMA,Yoshihiro CHIDA. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Clock generation circuit, memory, and clock duty cycle calibration method

Номер патента: EP4044434A1. Автор: Kai Tian,Yuxia Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-17.

Ternary content addressable memory and two-port static random access memory

Номер патента: US11475952B2. Автор: Chun-Chieh Chang,Chun-Hsien Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-18.

Cascaded two-stage computational SIMD engine having multi-port memory and multiple arithmetic units

Номер патента: US5669010A. Автор: Jerôme F. DULUK, Jr.. Владелец: Silicon Engines Inc. Дата публикации: 1997-09-16.

Miniature pager receiver with digital display and memory

Номер патента: US4197526A. Автор: Alfred B. Levine,Boris Haskell. Владелец: Boris Haskell. Дата публикации: 1980-04-08.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11929716B2. Автор: Li Zhao,Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Yangkuo Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Read operation circuit, semiconductor memory, and read operation method

Номер патента: US11928067B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11315610B1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Zijian Wang,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

Data reordering using buffers and memory

Номер патента: EP3335107A1. Автор: Ryan Haraden,Michael KERSH. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-06-20.

Clock generation circuit, memory and method for calibrating clock duty cycle

Номер патента: US11881858B2. Автор: Kai Tian,Yuxia Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Calibration circuit, memory, and calibration method

Номер патента: EP4033662A1. Автор: Kai Tian,Yuxia Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Memory and processor efficient network communications protocol

Номер патента: US20060098662A1. Автор: David Cole,Sunil Gupta,Tanner Andrews,Sekar Udayamurthy,Corey Brady,Patrick Milheron. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Digital communication system using real-time capacity achieving encoder design for channels with memory and feedback

Номер патента: US20150326412A1. Автор: Charalambos D. Charalambous,Christos K. Kourtellaris. Владелец: University of Cyprus. Дата публикации: 2015-11-12.

Method for signal transmission, circuit and memory

Номер патента: US20220383914A1. Автор: Kiho Kim. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Parasitic capacitance detection method, memory and readable storage medium

Номер патента: US11867745B2. Автор: Shibing QIAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

System and method for creating an intelligent memory and providing contextual intelligent recommendations

Номер патента: AU2021459986A1. Автор: Malhar ANAOKAR,Akshat PRASAD. Владелец: Imemori Tech Private Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

System and method for creating an intelligent memory and providing contextual intelligent recommendations

Номер патента: US11943189B2. Автор: Malhar ANAOKAR,Akshat PRASAD. Владелец: Imemori Technologies Private Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Calibration circuit, memory, and calibration method

Номер патента: US20230326497A1. Автор: Siman LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Reduced memory and bandwidth motion adaptive video deinterlacing

Номер патента: EP2095645A2. Автор: Lowell Winger,Cheng-Yu Pai. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2009-09-02.

Reduced memory and bandwidth motion adaptive video deinterlacing

Номер патента: WO2008051343A2. Автор: Lowell Winger,Cheng-Yu Pai. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2008-05-02.

Clock generation circuit, memory and method for calibrating clock duty cycle

Номер патента: US20220131532A1. Автор: Kai Tian,Yuxia Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Command decoder circuit, memory, and electronic device

Номер патента: US11972832B2. Автор: Enpeng Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Delay calibration circuit, memory, and clock signal calibration method

Номер патента: US20240171168A1. Автор: Song WANG,Xuerong JIA. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Composite cryptographic systems with variable configuration parameters and memory bound functions

Номер патента: WO2022261649A3. Автор: Bjorn Markus Jakobsson. Владелец: Artema Labs, Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Mechanical memory and tunable nano-eletromechanical system (nems) resonator

Номер патента: WO2020243201A1. Автор: David J. Miller,Benjamin J. Alemán. Владелец: University of Oregon. Дата публикации: 2020-12-03.

Mechanical memory and tunable nano-electromechanical systems (NEMS) resonator

Номер патента: US11862265B2. Автор: David J. Miller,Benjamin J. Alemán. Владелец: University of Oregon. Дата публикации: 2024-01-02.

Rifaximine polymorphous forms, methods for their preparing and their using in medicinal preparations

Номер патента: RU2270200C2. Автор: Мануэла КАМПАНА,Дарио БРАГА,Джузеппе К. ВИСКОМИ,Винченцо КАННАТА,Донателла КОФОРТИНИ,Денис СЕВЕРИНИ,Паоло РИГИ,Гоффредо РОСИНИ. Владелец: Альфа Вассерман С.п.А.. Дата публикации: 2006-02-20.

Radio terminal, radio base station, channel signal forming method and channel signal receiving method

Номер патента: RU2521089C2. Автор: Акихико НИСИО,Даити ИМАМУРА,Сейго НАКАО. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2014-06-27.

Graft pattern forming method and conductive pattern forming method

Номер патента: MY142216A. Автор: Koichi Kawamura,Yasuaki Matsushita. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-15.

Prober chuck for magnetic memory, and prober for magnetic memory provided with said chuck

Номер патента: US20160012920A1. Автор: Shigeyuki Sato,Hiroyuki Kenju,Ryoichi Utsumi,Tomokazu Yamashiro. Владелец: Toei Scientific Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Image forming apparatus and image forming method, equipped with image-input-to-box function and box-to-image-output function

Номер патента: US20140313534A1. Автор: Shuhei Obara. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Gaming device for developing visual-spatial memory and fine motor skills of children and adults

Номер патента: RU2710139C1. Автор: Сергей Аркадьевич Новоселов,Андрей Русланович Ведерников,Максим Русланович Ведерников,Ангелина Евгеньевна Ведерникова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный педагогический университет" (УрГПУ). Дата публикации: 2019-12-24.

Magnetic memory and method of management of it

Номер патента: RU2628221C1. Автор: Синтаро САКАИ,Масахико НАКАЯМА. Владелец: Тосиба Мемори Корпорейшн. Дата публикации: 2017-08-15.

Parallel use of integrated non-volatile memory and main volatile memory within a mobile device

Номер патента: WO2012003275A1. Автор: Christopher Kong Yee Chun. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Parallel use of integrated non-volatile memory and main volatile memory within a mobile device

Номер патента: EP2588963A1. Автор: Christopher Kong Yee Chun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-08.

Method of sharing memory resource for memory cloud and memory resource sharing system using the same

Номер патента: US20240086313A1. Автор: Jang Ho PARK. Владелец: Cosignon. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory and storage pool interfaces

Номер патента: US12086446B2. Автор: Bassam N. Coury,Thomas E. Willis,Sujoy Sen,Donald L. Faw,Durgesh Srivastava,Marcelo Cintra,Francois DUGAST. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Embedded dram cache memory and method having reduced latency

Номер патента: US20070168616A1. Автор: Joseph Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Storage devices having enhanced error detection and memory cell repair

Номер патента: US20240257889A1. Автор: Dong Kim,Inhoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240345948A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Reliable wear-leveling for non-volatile memory and method therefor

Номер патента: US09811456B2. Автор: David A. Roberts. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Electronic device that accesses memory and data writing method

Номер патента: US20230072176A1. Автор: Yue-Feng Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US20080253208A1. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Circuit for efficiently testing memory and shadow logic of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6263461B1. Автор: Ajay Khoche,Amitava Majumdar,Timothy Ayres. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2001-07-17.

Memory devices supporting read/modify/write memory operations involving both volatile memory and nonvolatile memory

Номер патента: US20230153247A1. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Flash-Control LLC. Дата публикации: 2023-05-18.

Storage system which utilizes two kinds of memory devices as its cache memory and method of controlling the storage system

Номер патента: US20110296091A1. Автор: Kentaro Shimada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Memory evaluating board and memory evaluating method

Номер патента: US20240345973A1. Автор: Tetsuji Tsunekawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Storage device including nonvolatile memory and memory controller and operating method of retiming circuit interfacing communication between nonvolatile memory and memory controller

Номер патента: US09601171B2. Автор: Hyunjin Kim,Youngjin Jeon,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Raid system including nonvolatile memory and operating method of the same

Номер патента: US20180150354A1. Автор: Ju Pyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Memory controller and memory system including same

Номер патента: US20180113641A1. Автор: Shi Hye KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for detecting memory and device for detecting memory

Номер патента: US20230010129A1. Автор: Xing Liu,Xiaodong Luo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Inspection method for memory integrity, nonvolatile memory and electronic device

Номер патента: US10762970B2. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Computer architecture with unified cache and main memory and associated methods

Номер патента: US20210064527A1. Автор: QIANG LI,William Xiao-Qing Huang. Владелец: Cloudminds Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory access system in which processor generates operation request, and memory interface accesses memory, and performs operation on data

Номер патента: US20010042143A1. Автор: Yoshinori Takeuchi,Akira Kitajima,Masaharu Imai,Takeshi Toyoyama,Masami Yamazaki,Yasuhiro Ooba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Secure digital certificate storing scheme for flash memory and electronic apparatus

Номер патента: WO2007062955A1. Автор: Stefan Andersson,Stefan Lindgren,Werner Johansson. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2007-06-07.

Memory apparatus and memory controller for accessing non-volatile memory

Номер патента: US20110113185A1. Автор: Kuo-Hua Yuan,Chao-Nan Chen. Владелец: Jmicron Tech Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Memory controlling device and memory system including the same

Номер патента: US20200004669A1. Автор: Myoungsoo Jung,Gyuyoung PARK. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Memories and operation methods thereof, memory systems and electronic devices

Номер патента: US20240312536A1. Автор: LEI Jin,An ZHANG,Kaikai You,Xinlei Jia,Jiayin HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Read-write control method for memory, and corresponding memory and server

Номер патента: US09990276B2. Автор: Ming Xie,Jianfeng Xu,Yue Wu,Wenzheng Li,Chaoyu ZHONG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Hardware acceleration system for simulation of logic and memory

Номер патента: EP1958105A2. Автор: William Watt,Henry T. Verheyen. Владелец: Liga Systems Inc. Дата публикации: 2008-08-20.

Hardware acceleration system for simulation of logic and memory

Номер патента: WO2007064716A2. Автор: William Watt,Henry T. Verheyen. Владелец: Liga Systems, Inc.. Дата публикации: 2007-06-07.

Method and memory controller for accessing multiple memories

Номер патента: US20240241658A1. Автор: Shuai LIN,Zhao-Yao Hu,Zhi-Fan Liang. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Erase-verify method for three-dimensional memories and memory system

Номер патента: US20190139615A1. Автор: Atsuhiro Suzuki,Wen-Jer Tsai,Yu-Hung Huang,Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Flash memory and erase method thereof

Номер патента: US12040024B2. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Electronic apparatus applying unified non-volatile memory and unified non-volatile memory controlling method

Номер патента: US20170018305A1. Автор: Da-Zen Chuang,Chi-Hsiang Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Read/write buffers for complete hiding of the refresh of a semiconductor memory and method of operating same

Номер патента: EP1119862A1. Автор: Wingyu Leung,Fu-Chieh Hsu. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-01.

Memory controller, memory system and memory control method

Номер патента: US20170075623A1. Автор: Takashi Ogasawara,Ikuo Magaki,Naoto Oshiyama,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Mode-changeable dual data rate random access memory driver with asymmetric offset and memory interface incorporating the same

Номер патента: US20150213855A1. Автор: Sunil SUDHAKARAN,Daehyun Chung. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Memory device including volatile memory, nonvolatile memory and controller

Номер патента: US20190287608A1. Автор: Yu Nakanishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory hardware fault detection method and apparatus, and memory controller

Номер патента: EP4421636A1. Автор: Zheng Tan,Yangbin Diao,Jiantao MA. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory operation method, memory and electronic device

Номер патента: US20240289025A1. Автор: Ze He,Nanfei WANG,Yingwu ZHANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Tag memory and cache system with automating tag comparison mechanism and cache method thereof

Номер патента: US09990302B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tien-Fu Chen,Keng-Hao Yang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2018-06-05.

Embedded device and memory management method thereof

Номер патента: US09892055B2. Автор: Chien-Hsing Huang. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory device including volatile memory, nonvolatile memory and controller

Номер патента: US09865323B1. Автор: Yu Nakanishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Electronic apparatus applying unified non-volatile memory and unified non-volatile memory controlling method

Номер патента: US09858997B2. Автор: Da-Zen Chuang,Chi-Hsiang Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Authenticated memory and controller slave

Номер патента: US09767303B2. Автор: Christophe Carvounas,Joël LeBihan. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Data writing method, memory control circuit unit and memory storage apparatus

Номер патента: US09619380B2. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for accessing flash memory and associated controller and memory device

Номер патента: US09489143B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for operating non-volatile memory on basis of temperature of memory and electronic device for supporting same

Номер патента: EP4394577A1. Автор: Changmi SHIN,Jaekab LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Information processing apparatus and memory access control method

Номер патента: US20230281129A1. Автор: Ken Iizawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20230251982A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory system, method of controlling memory system having volatile memory and nonvolatile memory, and controller

Номер патента: US20160266638A1. Автор: Toshikatsu Hida,Shohei Asami,Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Non-volatile storage device, non-volatile storage system, and memory control method with a refresh processing of a data

Номер патента: US9965202B2. Автор: Hirokazu So,Toshiyuki Honda,Shigekazu Kogita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Read-once memory and method of operating same

Номер патента: US20200272580A1. Автор: Bin Sai,Shixiong Lu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Method and memory system for legacy hosts

Номер патента: EP1952404A2. Автор: Carlos Gonzalez,Kevin M. Conley,Daniel C. Guterman,Yoram Cedar,Charles Schroter,Milton Lourenco Barrocas. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-08-06.

Data processor apparatus and memory interface

Номер патента: US20070011412A1. Автор: Malcolm Stewart,Denny Wong. Владелец: MtekVision Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-11.

Device for writing data into memory and method thereof

Номер патента: US20080310239A1. Автор: Kin-Ming So. Владелец: Princeton Technology Corp. Дата публикации: 2008-12-18.

Image forming apparatus, image forming method, and storage medium

Номер патента: US20240338156A1. Автор: Yuuki Arisawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory and operating method thereof

Номер патента: US20210104281A1. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US12040023B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory controller, memory system and memory control method

Номер патента: US09870170B2. Автор: Takashi Ogasawara,Ikuo Magaki,Naoto Oshiyama,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory operating method, memory and electronic device

Номер патента: US12147361B2. Автор: Ze He,Nanfei WANG,Yingwu ZHANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor storage device with volatile and nonvolatile memories to allocate blocks to a memory and release allocated blocks

Номер патента: US09703486B2. Автор: Shigehiro Asano,Shinichi Kanno,Hidenori Matsuzaki,Hirokuni Yano,Kazuya Kitsunai,Toshikatsu Hida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory programming methods and memory systems

Номер патента: US09691441B2. Автор: Takafumi Kunihiro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory controller, storage device and memory control method

Номер патента: US09690697B2. Автор: Kenji Sakurada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory access control device, cache memory and semiconductor device

Номер патента: US09684602B2. Автор: Seiji Maeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory-testing device and memory-testing method

Номер патента: US09653186B2. Автор: Chin-Jung Su,Rei-Fu Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Buffer memory management method, memory control circuit unit and memory storage device

Номер патента: US09639475B2. Автор: Kok-Yong Tan. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory system, method of controlling memory system having volatile memory and nonvolatile memory, and controller

Номер патента: US09568987B2. Автор: Toshikatsu Hida,Shohei Asami,Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Dedicated interface for coupling flash memory and dynamic random access memory

Номер патента: US09547447B2. Автор: James Bauman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory scheduling method and memory controller

Номер патента: US09514799B2. Автор: Xinyuan Wang,Haoyu Song. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Nonvolatile memory and electronic device

Номер патента: US09424442B2. Автор: Yansong Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Compositions and methods for improving learning and memory

Номер патента: EP1178835A1. Автор: Joe Z. Tsien. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2002-02-13.

Memory data refresh method and controller therefor, and memory

Номер патента: EP4002368A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Memory controller and memory system

Номер патента: US20220147273A1. Автор: Won Gyu SHIN,Ju Yeong YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US20220066640A1. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US11314412B2. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Memory system and memory control method

Номер патента: US20230297273A1. Автор: Takahiro Kubota,Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Random reads using multi-port memory and on-chip memory blocks

Номер патента: US12079484B2. Автор: Henri Fraisse,Dinesh D. Gaitonde,Abhishek Kumar Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Variable-resistance memory and writing method thereof

Номер патента: US09887007B1. Автор: Chia-Chen Kuo,Shyh-Shyuan Sheu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-02-06.

Solid state driving including nonvolatile memory, random access memory and memory controller

Номер патента: US09886379B2. Автор: Hyunjin Kim,Kitae Park,Youngjin Jeon,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Nonvolatile memory device including nonvolatile memory and resistance-time converter, and integrated circuit card including nonvolatile memory device

Номер патента: US09842645B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Hiroyuki Tezuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Start-up method for USB flash disk with synchronous flash memory and control system

Номер патента: US09645921B2. Автор: Jian Tang. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Resistive memory and data writing method for memory cell thereof

Номер патента: US09627059B2. Автор: Po-Wei Huang,Chia-hung Lin,Lih-Wei Lin,Ju-Chieh Cheng,Tsung-Huan Tsai,I-Hsien Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Random access memory and memory access method thereof

Номер патента: US09496014B2. Автор: Nan-Chun Lien,David C. Yu. Владелец: M31 Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory system and memory control method

Номер патента: US09424929B1. Автор: Masanobu Shirakawa,Ryo Yamaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Binuclear crystalline complexes of rare-earth ions (3+), method for production thereof, method of producing magnetic polymer composites, use of magnetic polymer composites as photosensitive magnetic media for spintronics and memory devices

Номер патента: RU2728127C1. Автор: Роман Борисович Моргунов,Наталия Алексеевна Санина,Екатерина Игоревна Куницына,Федор Анатольевич Пруднов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН). Дата публикации: 2020-07-28.

Memory managing method used in adding memory and information processing apparatus

Номер патента: US20020029325A1. Автор: Yasuhiro Ishii,Hiroshi Yashiro,Daisuke Sasaki,Hideki Murayama,Kazuo Horikawa,Masahiko Yamauchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Buffer memory, and computation device and system using the same

Номер патента: US11210017B2. Автор: Seok Joong Hwang,Yong Sang PARK. Владелец: SK TELECOM CO LTD. Дата публикации: 2021-12-28.

Memory, operating method therefor, and memory system

Номер патента: EP4202938A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Buffer memory, and computation device and system using the same

Номер патента: US20200310676A1. Автор: Yong Sang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Computer system architecture and memory controller for close-coupling within a hybrid processing system utilizing an adaptive processor interface port

Номер патента: EP1559021A4. Автор: Jon M Huppenthal,Thomas R Seeman,Lee A Burton. Владелец: SRC Computers LLC. Дата публикации: 2006-12-06.

Block-row decoders, memory block-row decoders, memories, methods for deselecting a decoder of a memory and methods of selecting a block of memory

Номер патента: US20140119149A1. Автор: Nicholas Hendrickson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

Operation methods of memories, memories, and storage systems

Номер патента: US20240274204A1. Автор: Zhiliang Xia,Yifan Li,Tianyu Wang,Xueqing Huang,Junyao Zhu,Wenhui Pei. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of controlling memory and electronic device performing the method

Номер патента: US12093108B2. Автор: Myungkee LEE,Chiwoong BYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Autonomous copy between external memory and internal memory

Номер патента: EP4435613A1. Автор: Po-Chun Fan,Pao-Hung Kuo,Sheng-Yen YANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Autonomous copy between external memory and internal memory

Номер патента: US20240319904A1. Автор: Po-Chun Fan,Pao-Hung Kuo,Sheng-Yen YANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Task Allocation with Chipset Attached Memory and Additional Processing Unit

Номер патента: US20240330076A1. Автор: Amitabh Mehra,Anil Harwani,William Robert Alverson,Jerry Anton Ahrens,Grant Evan Ley,Joshua Taylor Knight. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatus and method for transferring a plurality of data structures between memory and a plurality of vector registers

Номер патента: US09875214B2. Автор: Alex Klaiber,Nigel John Stephens,Mbou Eyole,Jeffry Gonion,Charles Tucker. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory controller, data storage device, and memory control method

Номер патента: US09753652B2. Автор: Ken Takeuchi,Chao Sun,Kosuke Miyaji. Владелец: Chuo University. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory and operating method thereof

Номер патента: US12014777B2. Автор: Li Xiang,Weihua Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory and training method for neutral network based on memory

Номер патента: US20230034366A1. Автор: Po-Kai Hsu,Yu-Hsuan Lin,Ming-Liang WEI. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Electronic device including non-volatile memory, and non-volatile memory management method thereof

Номер патента: EP4293520A1. Автор: Woojoong Lee,Jaewook KIM,Yeongjin GIL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-20.

Memory control method and memory control device

Номер патента: US20100284234A1. Автор: Nobukazu Koizumi,Shizuko Maruyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-11-11.

Memory and electronic device

Номер патента: US12073863B2. Автор: Yanxiang Liu,Yue Pan,Stephane Badel. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods and apparatus for persistent volatile computer memory and related applications thereof

Номер патента: EP1277115A2. Автор: Thomas Olson. Владелец: Stratus Technologies Bermuda Ltd. Дата публикации: 2003-01-22.

Vector processing engine employing format conversion circuitry in data flow paths between vector data memory and execution units, and related method

Номер патента: EP3069232A1. Автор: Raheel Khan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-21.

Memory control method and memory control device

Номер патента: US8264902B2. Автор: Nobukazu Koizumi,Shizuko Maruyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-11.

Pre-charge voltage generation circuit for random memory and random memory

Номер патента: US20240257859A1. Автор: Miaomiao Wu,Meifeng WANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Spin-orbit torque magnetoresistive random access memory and method of operating the same

Номер патента: US20240290367A1. Автор: Kaiyou Wang,Kun Lei,Xiukai Lan,Zelalem Abebe Bekele. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system with memory and controller

Номер патента: US12067250B2. Автор: Shohei Onishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory protection circuitry testing and memory scrubbing using memory built-in self-test

Номер патента: US09984766B1. Автор: Alan Jeremy BECKER,Peter Logan Harrod. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Vector processing engines (VPEs) employing format conversion circuitry in data flow paths between vector data memory and execution units to provide in-flight format-converting of input vector data to execution units for vector processing operations, and related vector processor systems and methods

Номер патента: US09880845B2. Автор: Raheel Khan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Data storing method for preventing data losing during flush operation, memory control circuit unit and memory storage apparatus

Номер патента: US09778862B2. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Philson Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

NAND flash memory and reading method thereof

Номер патента: US09564236B2. Автор: Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Systems and methods of memory and memory operation involving input latching, self-timing and/or other features

Номер патента: US09431079B1. Автор: Yoshi SATO,Leelean SHU,Hsin You S. LEE. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Memorial Having Persistent Computer-Readable Memory and Interface Means

Номер патента: US20210156166A1. Автор: Gregory Raab. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-27.

Data processor apparatus and memory interface

Номер патента: US20070011411A1. Автор: Malcolm Stewart,Denny Wong. Владелец: MtekVision Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-11.

Method for finding common optimal reference voltage and memory storage system

Номер патента: US20230317201A1. Автор: Youngjoon Choi,Goyo CHIANG. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Magnetic semiconductor memory and the reading method using spin-polarized electron beam

Номер патента: US6912148B2. Автор: Eric C. Hannah,Michael A. Brown. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-06-28.

Method for accessing a memory and memory access circuit

Номер патента: US20150332756A1. Автор: Gerd Dirscherl,Thomas Kuenemund,Gunther Fenzl,Joel Hatsch,Nikolai Sefzik. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-11-19.

Cell structure of 4T random access memory, random access memory and operation methods

Номер патента: US09812190B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2017-11-07.

Apparatuses, memories, and methods for address decoding and selecting an access line

Номер патента: US09786366B2. Автор: Stephen H. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Adding a profiling agent to a virtual machine to permit performance and memory consumption analysis within unit tests

Номер патента: US09727436B2. Автор: Mohammed Mostafa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method and computing device for using both volatile memory and non-volatile swap memory to pre-load a plurality of applications

Номер патента: US09665296B2. Автор: Jian Chen,Ashish Karkare,Alon Marcu,Robert S. Wu,Vsevolod Mountaniol. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Applications of Butyrolactone-I in Preparing Medicine for Preventing Neuroinflammation and/or Memory and Cognitive Disorders

Номер патента: LU501597B1. Автор: Yi Zhang. Владелец: Shenzhen Institute Of Guangdong Ocean Univ. Дата публикации: 2022-08-11.

Portable receiver and memory for remotely controlled presentations

Номер патента: EP1629368A2. Автор: Ivan Reiff,Huong Tovan,Mark D. O'keefe. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-03-01.

Controlling attention and memory by altering neuronal carbonic anhydrase activity

Номер патента: WO2001093744A3. Автор: Wei-Qin Zhao,Miao-Kun Sun,Daniel L Alkon. Владелец: Daniel L Alkon. Дата публикации: 2003-02-06.

Chromium complexes for improvement of memory and cognitive function

Номер патента: WO2009009393A4. Автор: James Komorowski,Vijaya Juturu. Владелец: Nutrition 21 Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Power management associated with memory and controller

Номер патента: US20240290396A1. Автор: Liang Yu,Jonathan S. Parry,Tal Sharifie. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Applications of Butyrolactone-I in Preparing Medicine for Preventing Neuroinflammation and/or Memory and Cognitive Disorders

Номер патента: US20220249435A1. Автор: Yi Zhang,Cai Song,Yanmei Li,Yongping Zhang,Yuan Wang,Pengzhi Hong,Xiaoxiang Ma,Yingying Nie,Yayue Liu,Jinyue Liang,Zhiyou Yang,Zhongji Qian. Владелец: Shenzhen Research Institute of Guangdong Ocean University. Дата публикации: 2022-08-11.

Data accessing interface having multiplex output module and sequential input module between memory and source to save routing space and power and related method thereof

Номер патента: US20080094338A1. Автор: Ching-Fang Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Pattern generator and memory testing device using the same

Номер патента: US20110119539A1. Автор: Takahiro Yasui. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Control and memory accesses using streaming audio

Номер патента: US20240281196A1. Автор: Satheesh Chellappan,Tomasz Pielaszkiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Display apparatus comprising bidirectional memories and method for driving the same

Номер патента: US09818378B2. Автор: Yohei Iida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

System including multi channel memory and operating method for the same

Номер патента: US09811460B2. Автор: Nak-Hee Seong,Hyeok-Man Kwon,Seung-hong Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Modular nucleic acid-based circuits for counters, binary operations, memory, and logic

Номер патента: US09624554B2. Автор: Timothy Kuan-Ta Lu,James J. Collins. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2017-04-18.

Storage system and memory management method

Номер патента: US20240377981A1. Автор: Takahiro Yamamoto,Shintaro Ito,Yoshinori Ohira,Sachie Tajima. Владелец: Hitachi Vantara Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method and apparatus for transferring data between a host and both a solid-state memory and a magnetic storage device

Номер патента: US09507543B2. Автор: Sehat Sutardja,Son Hong Ho. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Control and memory accesses using streaming audio

Номер патента: EP4453709A1. Автор: Satheesh Chellappan,Tomasz Pielaszkiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

Memory and access and operating method thereof

Номер патента: US09423974B2. Автор: Der-Ping LIU. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Antifuse-type non-volatile memory and control method thereof

Номер патента: US20240161844A1. Автор: Chia-Fu Chang,Ming-Hsuan Tan,Jen-Yu Peng. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Error correcting memory and method of operating same

Номер патента: EP1449082A2. Автор: Wingyu Leung,Fu-Chieh Hsu. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-25.

Data Processing Method and Apparatus for Shared Memory, and Device and Medium

Номер патента: US20240256163A1. Автор: Jiaqi JU,Liucheng TANG. Владелец: Beijing CHJ Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Serial access memory and data write/read method

Номер патента: US20030086323A1. Автор: Shigemi Yoshioka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Methods for the protection of memory and cognition

Номер патента: WO2004108085A3. Автор: Mark G Currie,John Jeffrey Talley,Yueh-tyng Chien,Craig Zimmerman,Brian M Cali. Владелец: Brian M Cali. Дата публикации: 2005-07-14.

Electronic device controlling an operation of a volatile memory and method for operating the same

Номер патента: US20230133234A1. Автор: Minjung Kim,Jeyoon KIM,Hakhyeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Techniques to aggregate compute, memory and input/output resources across devices

Номер патента: EP3014464A1. Автор: Paul S. Diefenbaugh,Eugene Gorbatov,John S. Howard,Nithyananda Siva JEGANATHAN,Neven M. Abou Gazala,Vincent A. MERRICK. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-04.

Read operation circuit, semiconductor memory, and read operation method

Номер патента: US11762579B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Information processing apparatus including NAND flash memory, and information processing method for the same

Номер патента: US20050157554A1. Автор: Katsuhiko Yanagawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Data storage system including backup memory and managing method thereof

Номер патента: US20130067171A1. Автор: Hung-Ming Chien,Che-Jen Wang,Yi-Hua Peng. Владелец: Promise Technology Inc Taiwan. Дата публикации: 2013-03-14.

Memory system and memory chip

Номер патента: US09880767B2. Автор: Hiroshi Sukegawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Learning and memory improver

Номер патента: US09877960B2. Автор: Hiroshi Watanabe,Nobuo Tsuruoka. Владелец: Cerebos Pacific Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for testing a memory and memory system

Номер патента: US09818492B2. Автор: Klaus Oberlaender. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-14.

Non-volatile memory and programming method thereof

Номер патента: US09779820B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Test access architecture for stacked memory and logic dies

Номер патента: US09689918B1. Автор: YU HUANG,Jing Ye,Yu Hu,Wu-Tung Cheng,Martin Keim,Ruifeng Guo,Liyang Lai,Etienne Racine,Ronald Press. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory management program, memory management method, and memory management device

Номер патента: US09575827B2. Автор: Kazuya Watanabe,Yasutoshi Suzuki,Hiroyuki Yamamoto,Yuki Hasegawa,Kazuhide Imaeda,Masayuki JIBU,Kentaro Nishihara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Dynamic random access memory and programming method therefor

Номер патента: US20220215884A1. Автор: Chao Yang Chen,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Data path interface circuit, memory and storage system

Номер патента: EP4009326A1. Автор: Kangling JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-08.

Data link between volatile memory and non-volatile memory

Номер патента: WO2020092625A1. Автор: Gil Golov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-07.

Data writing/reading method, a de-interleaving method, a data processing method, a memory and a memory drive apparatus

Номер патента: US8392673B1. Автор: Yoshikazu Sato. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-03-05.

A data writing/reading method, a de-interleaving method, a data processing method, a memory and a memory drive apparatus

Номер патента: EP1125299A1. Автор: Yoshikazu Satoh. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-22.

Executing sub-programs stored in an on-chip memory and charging a device via USB before enumeration process

Номер патента: US09772857B2. Автор: Shilin Pan,Yingguo Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Electronic device with cache memory and method of operating the same

Номер патента: US09684604B2. Автор: Seungjin YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of controlling erase operation of a memory and memory system implementing the same

Номер патента: US09443599B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn,Hyun-Ju Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

System with mcu and flash memory and control method for deep power down control thereof

Номер патента: US20240201877A1. Автор: Yang Gao. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory-mirroring control apparatus and memory-mirroring control method

Номер патента: US20090292891A1. Автор: Kazuhisa Fujita,Kazuya Uesugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-11-26.

System and method for enriching memories and enhancing emotions around specific personal events in the form of images, illustrations, audio, video and/or data

Номер патента: EP1866737A2. Автор: Jeffrey Smith,Selwyn Wan,Steve Israelson,Bernard C. Kummerli,Ryan Patrick Mccormack,Henry Winston Wier, Iii. Владелец: Temogique Inc. Дата публикации: 2007-12-19.

System and method for enriching memories and enhancing emotions around specific personal events in the form of images, illustrations, audio, video and/or data

Номер патента: WO2006099073A3. Автор: Jeffrey Smith,Selwyn Wan,Steve Israelson,Ryan Patrick Mccormack,Bernard C Kummerli,Henry Winston Wier Iii. Владелец: Temogique Inc. Дата публикации: 2008-01-24.

System and method for enriching memories and enhancing emotions around specific personal events in the form of images, illustrations, audio, video and/or data

Номер патента: CA2602616A1. Автор: Jeffrey Smith,Selwyn Wan,Steve Israelson,Bernard C. Kummerli,Ryan Patrick Mccormack,Henry Winston Wier, Iii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-21.

Memory-mirroring control apparatus and memory-mirroring control method

Номер патента: US20120324187A1. Автор: Kazuhisa Fujita,Kazuya Uesugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Memory and Read Circuit Thereof

Номер патента: US20240355369A1. Автор: Wei Fang,Haijun Sun. Владелец: Hikstor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Electronic device having scratchpad memory and management method for scratchpad memory

Номер патента: US09875191B2. Автор: Wen-Yu Su,Ta-Wei Chang,Ing-Chao Lin,Yu-Shiang Chien. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for mapping page address based on flash memory and system therefor

Номер патента: US09830260B2. Автор: Ho Young JUNG,Se Jin Kwon,Tae Sun Chung,Jae Kwang BAN. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory-mirroring control apparatus and memory-mirroring control method

Номер патента: US09612928B2. Автор: Kazuhisa Fujita,Kazuya Uesugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

L2 flush and memory fabric teardown

Номер патента: US09541984B2. Автор: Wei-Han Lien,Jason M. Kassoff,Shih-Chieh R. Wen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory and apparatus comprising same

Номер патента: EP4057153A1. Автор: Junwei Zhang,Shangbin CHEN,Jingye XUAN. Владелец: Anhui Cambricon Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-14.

Memory and operating method thereof

Номер патента: US20110157986A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

First in first out memory and storage device

Номер патента: EP4033347A1. Автор: Enpeng Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Accelerator system for training deep neural network model using nand flash memory and operating method thereof

Номер патента: US20230259747A1. Автор: Yunho Jin,Jae W. Lee,Jong Hyun BAE,Tae Jun Ham,Gin A Sohn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-08-17.

Ni-free beta ti alloys with shape memory and super-elastic properties

Номер патента: WO2018089028A8. Автор: Adam J. GRIEBEL,Song CAI,Jeremy E. Shaffer. Владелец: Fort Wayne Metals Research Products Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Optical disc recording and reproducing apparatus permitting recording tests using external buffer memory and method of driving the apparatus

Номер патента: US20050141383A1. Автор: Hang-Ro Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-30.

Integrated circuit and memory device performing boot-up operation

Номер патента: US09934875B2. Автор: Jeong-Tae Hwang,Ja-Beom Koo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Systems and methods for transforming a central processing unit (CPU) socket into a memory and/or input/output (I/O) expander

Номер патента: US09734103B2. Автор: Mukund P. Khatri. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-08-15.

Magnetic track storage unit, memory, and method for controlling magnetic track storage unit

Номер патента: US09653178B2. Автор: WEI YANG,Kai Yang,Junfeng Zhao,Yinyin Lin,Zhulin Wei,Yarong Fu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory system and memory controller for determining whether one or plurality of pointers can be stored in a second buffer and for executing data transfer between data buffer and host using the pointers

Номер патента: US09423979B2. Автор: Kohei Oikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Non-volatile memory and programming method thereof

Номер патента: US12020747B2. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Atom phase-controlled double rephasing-based quantum memory and double-rephased photon echo method therefor

Номер патента: US20130182303A1. Автор: Byoung Seung Ham. Владелец: INHA Industry Partnership Institute. Дата публикации: 2013-07-18.

Micro-system for burn-in system program from a plug-able subsystem into main memory and method thereof

Номер патента: US20040255178A1. Автор: Chi-Cheng Hung. Владелец: Cheertek Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Memory system controlling data erase for nonvolatile memory and control method for erasing data

Номер патента: US20180286485A1. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Integrated Systems and Methods for the Transactional Management of Main Memory and Data Storage

Номер патента: US20170010834A1. Автор: Michael Andrew Brian Parkes,Gregory Michael Parkes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-12.

Read operation circuit, semiconductor memory, and read operation method

Номер патента: US20210247925A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Data processing method for memory and related data processor

Номер патента: US20200133832A1. Автор: Zongliang Huo,Xiang FU,Qikang XU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for supporting cache coherency based on virtual addresses for artificial intelligence processor having large on-chip memory and apparatus for the same

Номер патента: US20240211401A1. Автор: Young-Su Kwon,Jin-Ho HAN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-27.

Nand flash memory and method for managing data thereof

Номер патента: US20110099435A1. Автор: Kai-Ping Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Memory and method for charging a word line thereof

Номер патента: US20090116293A1. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chun-yi Lee,Yung-Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Pet memory and agility exercise board game

Номер патента: US09756835B1. Автор: Nina Ottosson. Владелец: Kyjen Co LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Impedance calibration circuit, and semiconductor memory and memory system using the same

Номер патента: US09552894B2. Автор: Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Substituted alkyl-pyridazinones for the treatment of memory and learning malfunctions

Номер патента: EP1567159A1. Автор: Jozsef Barkoczy,Istvan Gacsalyi,Gyula Simig,Péter Kotay Nagy,György Lévay,András Egyed,Hajnalka Kompagne,Gábor SZÉNÁSI,László Gábor HÁRSING,Janos Wellmann,Eva Schmidt,Csilla Leveleki,Aniko Miklosne Kovacs,Bernadett MARKÓ. Владелец: Egyt Gyogyszervegyeszeti Gyar. Дата публикации: 2005-08-31.

Substituted alkyl-pyridazinones for the treatment of memory and learning malfunctions

Номер патента: US20060211703A1. Автор: Jozsef Barkoczy,Istvan Gacsalyi,Gyula Simig,Péter Kotay Nagy,György Lévay,András Egyed,Hajnalka Kompagne,Gábor SZÉNÁSI,Janos Wellmann,Eva Schmidt,Laszlo Harsing,Csilla Leveleki,Bernadett MARKÓ,Aniko Miklosne Koivacs. Владелец: EGIS PHARMACEUTICALS PLC. Дата публикации: 2006-09-21.

Substituted alkyl-pyridazinones for the treatment of memory and learning malfunctions

Номер патента: WO2004043465A1. Автор: Jozsef Barkoczy,Istvan Gacsalyi,Gyula Simig,Péter Kotay Nagy,György Lévay,András Egyed,Hajnalka Kompagne,Gábor SZÉNÁSI,László Gábor HÁRSING,Janos Wellmann,Eva Schmidt,Csilla Leveleki,Aniko Miklosne Kovacs,Bernadett MARKÓ. Владелец: Egis Gyogyszergyar Rt.. Дата публикации: 2004-05-27.

Programming methods and memories

Номер патента: US20140104958A1. Автор: Vishal Sarin,William H. Radke,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Programming methods and memories

Номер патента: US20130010542A1. Автор: Vishal Sarin,William H. Radke,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Optical Disk Drive Including Non-Volatile Memory and Method of Operating the Same

Номер патента: US20110317531A1. Автор: Jeon-Taek Im,Sung-Kook Bang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Methods for accessing a storage unit of a flash memory and apparatuses using the same

Номер патента: US09411686B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Yang-Chih Shen,Sheng-I Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US12033690B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: EP4092673A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-23.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US20220310134A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Enhancement of memory and/or cognition using substituted butyrophenone compounds

Номер патента: WO2007118325A8. Автор: Philip Seeman. Владелец: Clera Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US20240005967A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory and sense amplifying device thereof

Номер патента: US12094543B2. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US12094562B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US12112825B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Counting circuit, semiconductor memory, and counting method

Номер патента: US20240347124A1. Автор: Kai Sun,Zequn Huang. Владелец: Cxmt Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Prober chuck for magnetic memory, and prober for magnetic memory provided with said chuck

Номер патента: US9741453B2. Автор: Shigeyuki Sato,Hiroyuki Kenju,Ryoichi Utsumi,Tomokazu Yamashiro. Владелец: Toei Scientific Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method and device for testing memory and method for simulated testing

Номер патента: US20230230629A1. Автор: Dong Liu,Tianhao DIWU,Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Food and pharmaceutical composition containing novel aldehyde dehydrogenase for improving memory and cognitive function

Номер патента: US20240191210A1. Автор: Hung Taeck KWON. Владелец: Picoentech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Read operation circuit, semiconductor memory, and read operation method

Номер патента: EP3926631A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Systems, methods, and apparatus for devices with memory and storage configurations

Номер патента: US20240361952A1. Автор: Rekha Pitchumani,Tong Zhang,Yang Seok KI,Zongwang Li,Marie Mai NGUYEN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Systems, methods, and apparatus for devices with memory and storage configurations

Номер патента: EP4455893A1. Автор: Rekha Pitchumani,Tong Zhang,Yang Seok KI,Zongwang Li,Marie Mai NGUYEN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Artificial hair fiber having shape memory and shape restoration function, artificial hair fiber having excellent flame resistance, and artificial hair fiber having low gloss appearance

Номер патента: US09756886B2. Автор: Tomohiro Kimura,Atsushi Horihata,Yuhei Kasahara,Yudai Ogawa. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Genistein for use in the prevention of memory and cognitive loss

Номер патента: EP4260855A1. Автор: Grzegorz Węgrzyn,Karolina Pierzynowska,Magdalena Podlacha,Dorota Myslinska,Irena Majkutewicz,Lidia Gaffke,Zuzanna Cyske. Владелец: University of Gdansk. Дата публикации: 2023-10-18.

Error identification in memory and disk allocation layouts

Номер патента: US11934677B1. Автор: Huy Vu. Владелец: Two Six Labs LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Cosmetic composition containing a cypress essential oil complex as an active ingredient for enhancing memory and improving cognitive dysfunction

Номер патента: US20130115318A1. Автор: Su-Kang Han. Владелец: SKINBIO CO Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Differential Threshold Voltage Non-Volatile Memory and Related Methods

Номер патента: US20110261635A1. Автор: Lawrence T. Clark,David R. Allee,Sameer M. Venugopal. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2011-10-27.

Systems of apps using ai bots for one family member to share memories and life experiences with other family members

Номер патента: US20210117488A1. Автор: Srirajasekhar Koritala. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-22.

Withania somnifera composition for improving memory and cognition

Номер патента: WO2024189503A1. Автор: Benny Antony. Владелец: ARJUNA NATURAL PRIVATE LIMITED. Дата публикации: 2024-09-19.

Oligocrystalline ceramic structures for enhanced shape memory and pseudoelastic effects

Номер патента: US09512039B2. Автор: Christopher A. Schuh,Alan Lai,Zehui DU. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-12-06.

Biodegradable endovascular stent with shape memory and method of production thereof

Номер патента: RU2731318C1. Автор: Никита Геннадьевич Седуш,Леонид Витальевич Глущенко,Артур Евгеньевич КРУПНИН,Владислав Александрович Щепочкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инновационная компания "Современные технологии". Дата публикации: 2020-09-01.

Image forming apparatus and image forming method, equipped with image-input-to-box function and box-to-image-output function

Номер патента: US8970863B2. Автор: Shuhei Obara. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2015-03-03.

Merged memory and logic (MML) integrated circuits including independent memory bank signals and methods

Номер патента: US6067255A. Автор: Seong-Ook Jung,Min-hwa Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-05-23.

External storage device and memory access control method thereof

Номер патента: US20010001327A1. Автор: Masashi Naito,Kunihiro Katayama,Takayuki Tamura,Shigemasa Shiota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-17.

Memory system for improving memory reliability and memory management method for the same

Номер патента: US11037648B2. Автор: Tae Sik Yun,Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

Storage device, computing device including storage device and memory device, and operating method of computing device

Номер патента: US20230359567A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Methods for performing multiple memory operations in response to a single command and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11775459B2. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Storage device, computing device including storage device and memory device, and operating method of computing device

Номер патента: EP4276634A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Memory access system comprising volatile memory, non-volatile memory, processor, and programmable logic device and memory access method thereof

Номер патента: US11720260B2. Автор: Ching-Sheng Chuang. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Method and apparatus for adjusting cache memory and computer device

Номер патента: US20240012754A1. Автор: Sheng Wang,Shangzhi CAI. Владелец: Shanghai Bilibili Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Methods for performing multiple memory operations in response to a single command and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240126707A1. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor memory device having clock generator for controlling memory and method of generating clock signal

Номер патента: US20030058731A1. Автор: Jae-Hyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Memory fault recovery method, system, and memory

Номер патента: EP4379553A1. Автор: Lei Yuan,HUA Chen,Yangbin Diao,Yonggui Liang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor memory device having clock generator for controlling memory and method of generating clock signal

Номер патента: US6535457B1. Автор: Jae-Hyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-03-18.

Combination flash memory and dram memory board interleave-bypass memory access method, and memory access device incorporating both the same

Номер патента: US5966727A. Автор: Kenjiro Nishino. Владелец: Dux Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Storage controller having additional cache memory and a means for recovering from failure and reconfiguring a control unit thereof in response thereto

Номер патента: US5437022A. Автор: Brent C. Beardsley,Susan K. Candelaria,Bradley S. Powers,Mark A. Reid. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-07-25.

Universal arrangement for the exchange of data between the memories and the processing devices of a computer

Номер патента: US4330824A. Автор: Paul M. Girard. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 1982-05-18.

Semiconductor memory device with volatile memory and non-volatile memory in latched arrangement

Номер патента: US5262986A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

Memory and method for sensing sub-groups of memory elements

Номер патента: USRE37409E1. Автор: Lawrence Lai,Richard M. Barth,Wayne S. Richardson,Donald C. Stark. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2001-10-16.

Scheme for insuring data consistency between a plurality of cache memories and the main memory in a multi-processor computer system

Номер патента: CA1325289C. Автор: Scott Arnold,Tryggve Fossum,Ricky C. Hetherington,Michael E. Flynn,David J. Webb, Jr.,Stephen J. Delahunt. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1993-12-14.

Method and apparatus for arbitrating access requests to a shared computer system memory by a graphics controller and memory controller

Номер патента: US5818464A. Автор: Nicholas D. Wade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1998-10-06.

Memory card for data transfer system, data storage device, system host, and memory card identification method

Номер патента: US11809340B2. Автор: Hideaki Yamashita,Takeshi Ootsuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory system including a nonvolatile memory and a volatile memory, and processing method using the memory system

Номер патента: US10140060B2. Автор: Gi Ho Park. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-27.

Information processing device and memory controller

Номер патента: US20180032272A1. Автор: Mitsuru Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Data reading and writing processing from and to a semiconductor memory and a memory of a host device by using first and second interface circuits

Номер патента: US11868618B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory access system and memory access method

Номер патента: US20210208796A1. Автор: Ching-Sheng Chuang. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Cache memory and methods for managing data of an application processor including the cache memory

Номер патента: US20140149669A1. Автор: Junwhan AHN,Kiyoung CHOI,Sungyeum KIM,Hyeokman KWON,Youngjun KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US7782689B2. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Memory control apparatus and memory control method for swapping data based on data characteristics

Номер патента: US11029892B2. Автор: Satoshi Kazama,Shinya Kuwamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-06-08.

Selfcalibration method and circuit of nonvolatile memory and nonvolatile memory circuit

Номер патента: US20100014363A1. Автор: Xiang Yao,Nan Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Integrating overlaid content into displayed data via graphics processing circuitry and processing circuitry using a computing memory and an operating system memory

Номер патента: US20230326094A1. Автор: Dharmendra Etwaru. Владелец: Mobeus Industries Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Hardware acceleration system for simulation of logic and memory

Номер патента: WO2007064716A3. Автор: William Watt,Henry T Verheyen. Владелец: Liga Systems Inc. Дата публикации: 2008-10-02.

Memory and method with in-memory computing defect detection

Номер патента: EP4328915A1. Автор: Jaehyuk Lee,Seok Ju Yun,Seungchul Jung,Sungmeen Myung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-28.

Fault bits scrambling memory and method thereof

Номер патента: US20150019924A1. Автор: Shyue-Kung Lu,Hao-Cheng Jheng. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2015-01-15.

Hot plugging method and apparatus for memory module, and memory module

Номер патента: EP4300319A1. Автор: Guowei HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Electronic device having one-time-programmable (OTP) memory and method for writing and reading OTP memory

Номер патента: US11494262B2. Автор: Liang-Liang Song,Ming-Rui Li. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Memory control apparatus and memory control method

Номер патента: US20190347048A1. Автор: Satoshi Kazama,Shinya Kuwamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Electronic device, method of determining memory access efficiency for memory, and storage medium

Номер патента: US20240134532A1. Автор: Chen Feng,Liang Shan,Yupeng Li,Daheng GAO. Владелец: Kunlunxin Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for dynamically resizing instruction memory and data memory in system and associated system

Номер патента: US20230282254A1. Автор: wei-shu Huang,Hsieh-Han Chiang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory and method with in-memory computing defect detection

Номер патента: US20240071548A1. Автор: Jaehyuk Lee,Seok Ju Yun,Seungchul Jung,Sungmeen Myung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Data processing system and memory management method of data processing system

Номер патента: US20240095179A1. Автор: Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Shuangchen Li,Tianchan GUAN,Yijin GUAN. Владелец: Alibaba China Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory device, server device, and memory control method

Номер патента: US9952924B2. Автор: Yuichiro HANAFUSA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Data processing circuit with a cache memory and apparatus containing such a circuit

Номер патента: EP1275046A1. Автор: Martijn J. L. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-01-15.

Use of cache memory and another type of memory in distributed memory system

Номер патента: RU2643642C2. Автор: Томас Дж. БАРНС. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-02-02.

Memory test circuit, semiconductor integrated circuit and memory test method

Номер патента: US8289792B2. Автор: Kazuya KUDOU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Integrated circuit with self-test device for an embedded non-volatile memory and related test method

Номер патента: US20040109370A1. Автор: Steffen Gappisch,Georg Farkas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Nonvolatile memory and a method of writing data thereto

Номер патента: US5400280A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Multi-processor system having a shared program memory and related method

Номер патента: US6058458A. Автор: Jeong-Min Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-05-02.

Instruction methods for performing data formatting while moving data between memory and a vector register file

Номер патента: US5812147A. Автор: Henry P. Moreton,Timothy J. Van Hook,Michael L. Fuccio,Robert W. Pryor, Jr.,Charles F. Tuffli, III. Владелец: Silicon Graphics Inc. Дата публикации: 1998-09-22.

Systems and methods of memory and access management

Номер патента: WO2014033606A3. Автор: Pradeep Varma. Владелец: Pradeep Varma. Дата публикации: 2014-04-24.

Computer vector multiprocessing control with multiple access memory and priority conflict resolution method

Номер патента: US4901230A. Автор: Steve S. Chen,Alan J. Schiffleger. Владелец: Cray Research LLC. Дата публикации: 1990-02-13.

Memories and methods for performing vector atomic memory operations with mask control and variable data length and data unit size

Номер патента: US10026458B2. Автор: David Resnick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Memory system and memory system control method

Номер патента: US11954357B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory and data migration method

Номер патента: EP4213150A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Jingjie Cui. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-19.

Memory system and memory management method thereof

Номер патента: US20170344300A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Yu-Ming Chang,Hsiu-Chang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device, memory controller, and memory accessing method

Номер патента: US20200201559A1. Автор: Takahiro Irita,Nobuhiko Honda,Sho Yamanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory system including a nonvolatile memory and a volatile memory, and processing method using the memory system

Номер патента: US20160321013A1. Автор: Gi Ho Park. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-03.

Memory system including a nonvolatile memory and a volatile memory, and processing method using the memory system

Номер патента: US20190056889A1. Автор: Gi Ho Park. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-02-21.

Memory system including a nonvolatile memory and a volatile memory, and processing method using the memory system

Номер патента: US20200125296A1. Автор: Gi Ho Park. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-23.

Memory system including nonvolatile and volatile memory and operating method thereof

Номер патента: US9411719B2. Автор: Gi Ho Park. Владелец: Seong University Industry Academy Cooperation Foundation. Дата публикации: 2016-08-09.

Memory control circuit, memory, and memory module

Номер патента: US20230385147A1. Автор: Ken Ishii,Haruhiko Terada,Riichi Nishino. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Storage device, memory controller and memory control method

Номер патента: US20150310920A1. Автор: Osamu Torii,Riki SUZUKI,Kohsuke Harada,Naoaki Kokubun. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US20230207020A1. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory controller and memory system

Номер патента: US20200133837A1. Автор: Naoki Mukaida,Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory, control method of memory controller, and memory controller

Номер патента: US20150339198A1. Автор: Hironobu Miyamoto,Ryoichi Kato,Jun Shinohara,Tomonori Masuo,Tatsuya Sumiyoshi,Yuuichirou Gunji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Memory programming methods and memory systems

Номер патента: US11875866B2. Автор: Takafumi Kunihiro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Computing device, data transfer method between coprocessor and non-volatile memory, and computer-readable recording medium

Номер патента: US10303597B2. Автор: Myoungsoo Jung. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2019-05-28.

Computing device, data transfer method between coprocessor and non-volatile memory, and computer-readable recording medium

Номер патента: US20180300230A1. Автор: Myoungsoo Jung. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Computing device, data transfer method between coprocessor and non-volatile memory, and computer-readable recording medium

Номер патента: US10013342B2. Автор: Myoungsoo Jung. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2018-07-03.

Computing device, data transfer method between coprocessor and non-volatile memory, and computer-readable recording medium

Номер патента: US20170235671A1. Автор: Myoungsoo Jung. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Memory control method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US11960761B2. Автор: Chun-Yang Hu,Yi-Tein Hung. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Methods for generating notifications for updated information from mode registers of a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11977770B2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor storage device with volatile and nonvolatile memories to allocate blocks to a memory and release allocated blocks

Номер патента: US11960719B2. Автор: Shigehiro Asano,Shinichi Kanno,Hidenori Matsuzaki,Hirokuni Yano,Kazuya Kitsunai,Toshikatsu Hida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Processor with protection of an isolated memory and protection method for the isolated memory accessible only by a trusted core

Номер патента: US20240037035A1. Автор: Yanting Li,Junjie Zhang,Fangong GONG,Yipu Liu,Yingbing Guan. Владелец: Shanghai Zhaoxin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Magnetic memory, and programming control method, reading method, and magnetic storage device of the magnetic memory

Номер патента: US20210090630A1. Автор: Tao Wang,Hao Ni,Dan Ning,Zi Jian ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for testing memory and memory testing device

Номер патента: US20230084435A1. Автор: Xiaodong Luo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Read-write control method for memory, and corresponding memory and server

Номер патента: US20180260318A1. Автор: Ming Xie,Jianfeng Xu,Yue Wu,Wenzheng Li,Chaoyu ZHONG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Multi-level caching to deploy local volatile memory, local persistent memory, and remote persistent memory

Номер патента: US20210019206A1. Автор: Yue Li,Ronald S. Niles. Владелец: Memverge Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Storage device, memory access control system, and memory access control method

Номер патента: US20210026787A1. Автор: Masahiko Motoyama,Kentaro Umesawa,Shintaro HABA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2019236117A3. Автор: Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2019236117A2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-12-12.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: EP3803871A2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Information processing system and memory system

Номер патента: US20220334734A1. Автор: Hisashi Fujikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Operating method for a memory, a memory, and a memory system

Номер патента: US20240168642A1. Автор: Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Random reads using multi-port memory and on-chip memory blocks

Номер патента: US20230409204A1. Автор: Henri Fraisse,Dinesh D. Gaitonde,Abhishek Kumar Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for managing memory and electronic device using same

Номер патента: EP4357903A1. Автор: Geunsik LIM,Myungjoo HAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-24.

Electronic device for managing memory and operating method thereof

Номер патента: US20240211137A1. Автор: Jaewon Kim,Chulmin Kim,YongTaek Lee,Sooyong SUK,Ohoon Kwon,Jaeseon SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Processor with protection of an isolated memory and protection method for the isolated memory accessible only by a trusted core

Номер патента: US12013782B2. Автор: Yanting Li,Junjie Zhang,Fangong GONG,Yipu Liu,Yingbing Guan. Владелец: Shanghai Zhaoxin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Control method and apparatus for memory, and storage medium

Номер патента: US20230121846A1. Автор: Jianquan Jia,Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Matrices with memories and uses thereof

Номер патента: US5961923A. Автор: Yozo Satoda,Andrew E. Senyei,Gary S. David,Xiao-Yi Xiao,Michael P. Nova,Hanan Potash,Zahra Parandoosh,Chanfeng Zhao. Владелец: Irori Inc. Дата публикации: 1999-10-05.

Circuit with memory and support for host accesses of storage drive

Номер патента: US8521928B2. Автор: Sehat Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2013-08-27.

Semiconductor memory and method of testing semiconductor memory

Номер патента: US8090958B2. Автор: Takashi Oshikiri. Владелец: Takashi Oshikiri. Дата публикации: 2012-01-03.

Memory content protection during scan dumps and memory dumps

Номер патента: US8589749B1. Автор: Santiago Fernandez-Gomez,Jianlin Yu,Her{umlaut over (b)} Lopez-Aguado. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2013-11-19.

Memory and a data processor including a memory

Номер патента: US6529441B1. Автор: Timothy J. Cummins,Dara Joseph Brannick. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2003-03-04.

Test circuits and method for integrated circuit having memory and non-memory circuits by accumulating bits of a particular logic state

Номер патента: US5590134A. Автор: Chenwei J. Yin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-12-31.

Microcomputer provided with flash memory and method of storing program into flash memory

Номер патента: US6883060B1. Автор: Masahiro Hayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Matrices with memories and uses thereof

Номер патента: US6017496A. Автор: Yozo Satoda,Andrew E. Senyei,Gary S. David,Xiao-Yi Xiao,Michael P. Nova,Hanan Potash,Zahra Parandoosh,Chanfeng Zhao. Владелец: Irori Inc. Дата публикации: 2000-01-25.

Method for Generating Information Based on FIFO Memory and Apparatus, Device and Medium

Номер патента: US20240020246A1. Автор: MENG Yang,Qi Song,Xu Sun. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory and read and write methods of memory

Номер патента: US11875835B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Methods of determining host clock frequency for run time optimization of memory and memory devices employing the same

Номер патента: US10593384B2. Автор: Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-17.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US10671522B2. Автор: Hyun Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-02.

Memory system, memory controller and memory chip

Номер патента: US11789893B2. Автор: Chun Shiah. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Methods of determining host clock frequency for run time optimization of memory and memory devices employing the same

Номер патента: US20190043545A1. Автор: Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Memory device comprising flash memory and method for controlling a write speed of a bus transmitting data for storage on the flash memory

Номер патента: US20190115082A1. Автор: Francois Gervais,Danny Breton. Владелец: Distech Controls Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Storage device and memory system

Номер патента: US20230072613A1. Автор: Ji Hoon Kim,Joo Young Kim,Soo Young Ji,Jae Young Do,Yeo Reum PARK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-03-09.

Memory access control device, cache memory and semiconductor device

Номер патента: US20160267010A1. Автор: Seiji Maeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

System core for transferring data between an external device and memory

Номер патента: US7266620B1. Автор: Grayson Morris,Edward A. Wolff,Carl Donald Busboom,Dale Edward Schneider,Charles W. Kurak, Jr.,Gerald George Pechanek,Nikos P. Pitsianis,Patrick R. Marchand,Edwin Franklin Barry,David Strube,Ricardo E. Rodriguez,Marco C. Jacobs. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Information processing system and memory system

Номер патента: US20230297512A1. Автор: Tomoya Suzuki,Kazuhiro Hiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory access speed adjustment method, control device and memory module

Номер патента: US11922027B2. Автор: Chung-Ting Huang,Chung-Yi Lai,Ting-Chiang Liu. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Dynamic use of non-volatile ram as memory and storage on a storage system

Номер патента: US11782634B2. Автор: OWEN Martin,Parmeshwr Prasad,Rahul Deo Vishwakarma,Earl Medeiros. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Image forming apparatus, method, and computer-readable medium for preventing failures and errors in drum memory and belt memory due to hot-swapping

Номер патента: US11762332B2. Автор: Osamu Takahashi,Seiya Sato,Keita Inoue,Toshinori Araki,Tatsuro Yokoi,Masaaki Wakizaka,Koji Akagi,Shinta SUGIURA. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory management method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20200073792A1. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Integrated circuit for memory card and memory card using the circuit

Номер патента: US7885123B2. Автор: Paolo Rolandi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-02-08.

Nonvolatile memory device including nonvolatile memory and resistance-time converter, and integrated circuit card including nonvolatile memory device

Номер патента: US20170294227A1. Автор: Yoshikazu Katoh,Hiroyuki Tezuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Memory device and memory system

Номер патента: US20240061785A1. Автор: Tomoya Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory operating method, memory and electronic device

Номер патента: US20240078200A1. Автор: Ze He,Nanfei WANG,Yingwu ZHANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20180129599A1. Автор: Hyun Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Stacked memory and storage system

Номер патента: EP4156189A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Jingjie Cui. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-29.

Memory card using multi-level signaling and memory system having the same

Номер патента: US20090316485A1. Автор: Min-soo Kang,Chang-Duck Lee,Soong-Man Shin,Seok-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-24.

Memory Management Method and Device and Memory Controller

Номер патента: US20170132148A1. Автор: Yao Liu,Zehan CUI,Mingyu Chen,Licheng CHEN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Image forming apparatus, method, and computer-readable medium for preventing failures and errors in drum memory and belt memory due to hot-swapping

Номер патента: US20210041831A1. Автор: Osamu Takahashi,Seiya Sato,Keita Inoue,Toshinori Araki,Tatsuro Yokoi,Masaaki Wakizaka,Koji Akagi,Shinta SUGIURA. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Tracking of multiple objects using neural networks, local memories, and a shared memory

Номер патента: US20220309681A1. Автор: Cosmin Ionut BERCEA. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-09-29.

Memory system and memory control method

Номер патента: US20160267985A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Ryo Yamaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

High-speed memory and memory management system

Номер патента: US4527232A. Автор: Andreas V. Bechtolsheim. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1985-07-02.

Method of obtaining correspondence between memory and output

Номер патента: US3772655A. Автор: R Bluethman,R James. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1973-11-13.

Data processing device equipped with cache memory and a storage unit for storing data between a main storage or CPU cache memory

Номер патента: US5828860A. Автор: Atsuhiro Suga,Hitoshi Miyaoku,Koichi Sasamori,Kazuhide Yoshino. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-10-27.

Rendering processing apparatus requiring less storage capacity for memory and method therefor

Номер патента: CA2329892C. Автор: Osamu Chiba,Shohei Moriwaki,Kazuhiro Shimakawa,Yoshifumi Azekawa. Владелец: Renesas Design Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

System for simultaneous transmission of data blocks or vectors between a memory and one or a number of data-processing units

Номер патента: US4731724A. Автор: Claude Michel,Noureddine M'Rabet. Владелец: Sintra Alcatel SA. Дата публикации: 1988-03-15.

Failure analysis device for IC tester and memory device measuring device for IC tester

Номер патента: US5978949A. Автор: Chitomi Terayama. Владелец: Ando Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-02.

Data storage arrangement partitionable memory and method to accomplish partition

Номер патента: US20190171384A1. Автор: Karin Inbar,Avichay Hodes. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Memory control apparatus, information processing apparatus, and memory control method

Номер патента: US10777287B2. Автор: Takashi Yamamoto,Hiroshi Nakayama,Takao Matsui,Masayoshi Matsumura,Yuka Hosokawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Memory controller, and memory module and processor including the same

Номер патента: US20170351438A1. Автор: Jaesoo Lee,Myoungsoo Jung,Gyuyoung PARK. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Method for Managing a Fail Row of the Memory Plane of a Non Volatile Memory and Corresponding Memory Device

Номер патента: US20180108413A1. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-19.

Data refreshing method of memory, controller of memory, and memory

Номер патента: US11798612B2. Автор: Wu ZOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Readout circuit, memory, and method of reading out data of memory

Номер патента: US11830569B2. Автор: Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Computer and memory management method

Номер патента: US20140250286A1. Автор: Nobukazu Kondo,Yusuke Fukumura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Memory system and memory control method

Номер патента: US11886738B2. Автор: Takahiro Kubota,Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Optimizing spool and memory space management

Номер патента: US11886334B2. Автор: Ying Gao,Hari Kannan,Boris FEIGIN. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory control apparatus, information processing apparatus, and memory control method

Номер патента: US20190385686A1. Автор: Takashi Yamamoto,Hiroshi Nakayama,Takao Matsui,Masayoshi Matsumura,Yuka Hosokawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Method for managing a fail row of the memory plane of a non volatile memory and corresponding memory device

Номер патента: US9875798B2. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-01-23.

Data rebuilding method, memory storage apparatus, and memory control circuit unit

Номер патента: US11983069B2. Автор: Horng-Sheng Yan. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory and method for data compression and management

Номер патента: US20080133855A1. Автор: Soon-Yong Jeong,Chang-Woo MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-05.

Method for enhancing learning and memory by suppressing the activity of ncx2 protein

Номер патента: WO2004064854A1. Автор: Hee-Sup Shin,Hyewhon Rhim,Daejong Jeon,Yu-Mi Yang. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2004-08-05.

Memory controller, method for read control of memory, and associated storage system

Номер патента: US20210035618A1. Автор: Hsian-Feng Liu. Владелец: Xiamen Sigmastar Technology Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Methods of memory address verification and memory devices employing the same

Номер патента: US20240126701A1. Автор: Alberto Troia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for Managing a Fail Row of the Memory Plane of a Non Volatile Memory and Corresponding Memory Device

Номер патента: US20170162264A1. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-06-08.

An apparatus and method for transferring a plurality of data structures between memory and a plurality of vector registers

Номер патента: EP3329362A1. Автор: Alex Klaiber,Nigel John Stephens,Mbou Eyole,Charles Tucker,Jeffrey GONION. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2018-06-06.

Data refreshing method of memory, controller of memory, and memory

Номер патента: US20220093167A1. Автор: Wu ZOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor memory and data protection method

Номер патента: US20220301641A1. Автор: Munehiro Yoshida. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Computer system including a main memory device with heterogeneous memories and method of operating the same

Номер патента: US20240160574A1. Автор: Yun Jeong MUN,Ho Kyoon LEE,Rak Kie KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

A mobile communication terminal including NAND flash memory and method for booting the same

Номер патента: EP1607834A3. Автор: Hyung-Hoon Samsung Electronics Co. Ltd. Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-04.

Integrated circuit chip with flash memory and identification function

Номер патента: US20060118640A1. Автор: Gordon Yu,Yi-Hua Ho,Hung-Tse Ho,Ching-Lung Wu. Владелец: C One Tech Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Electronic apparatus having nonvolatile memory and program writing method for updating

Номер патента: US9665484B2. Автор: Akihiko Ikazaki. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Circuit-level memory and combinational block modeling

Номер патента: US6968305B1. Автор: Adrian J. Isles. Владелец: Averant Inc. Дата публикации: 2005-11-22.

Electronic device for adjusting driving voltage of volatile memory, and operating method therefor

Номер патента: EP4343766A1. Автор: Seungjin YANG,Changmi SHIN,Jeyoon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Electronic device managing memory and operation method therefor

Номер патента: US20230325245A1. Автор: Dongho Kim,Dongwook Lee,Jaehyeon Park,Hakryoul KIM,Jiseop SONG,Jiman KWON,Geonhee BACK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Processing unit for memory and access detection method thereof

Номер патента: US20240045599A1. Автор: Lide Duan,Shijian Zhang. Владелец: Alibaba China Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Nand flash memory and reading method thereof

Номер патента: US20180053568A1. Автор: Kazuki Yamauchi,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Memory and process sharing via input/output with virtualization

Номер патента: US20150026382A1. Автор: Moon J. Kim. Владелец: Moon J. Kim. Дата публикации: 2015-01-22.

Processors, methods and systems to allow secure communications between protected container memory and input/output devices

Номер патента: US20200393977A1. Автор: Vincent R. Scarlata,Ilya Alexandrovich,Gideon Gerzon,Vladimir Beker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Processors, methods, systems, and instructions to allow secure communications between protected container memory and input/output devices

Номер патента: WO2017052916A1. Автор: Vincent R. Scarlata,Ilya Alexandrovich,Gideon Gerzon,Vladimir Beker. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Cache coherence unit with integrated message passing and memory protection for a distributed, shared memory multiprocessor system

Номер патента: WO1999035581A1. Автор: Wolf-Dietrich Weber. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 1999-07-15.

Electronic device including non-volatile memory, and non-volatile memory management method thereof

Номер патента: US20230409471A1. Автор: Woojoong Lee,Jaewook KIM,Yeongjin GIL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Column select multiplexer and method for static random-access memory and computer memory subsystem employing the same

Номер патента: US20140085965A1. Автор: Andreas Gotterba,Joel DeWitt,Marek Smoszna. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Memory and Routing Module for Use in a Computer System

Номер патента: US20230281136A1. Автор: Stephen Felix,Simon Stacey. Владелец: Graphcore Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Write leveling circuit applied to memory, and control method and control apparatus for write leveling circuit

Номер патента: EP4354437A1. Автор: Zhiqiang Zhang,Yuling TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Memory controller and memory access method

Номер патента: US20240069763A1. Автор: Yasufumi Sugimori. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory control circuit and memory test method

Номер патента: US20180182466A1. Автор: Jenn-Shiang Lai,Chih-Yen Lo,Jin-Fu Li,Kuan-Te Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-06-28.

Memory and driving method therefor

Номер патента: US7295486B2. Автор: Chung-Kuang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-13.

Memory controller, non-volatile storage device, non-volatile storage system, and memory control method

Номер патента: US20190391762A1. Автор: Hirokazu So,Toshiyuki Honda,Masato Suto,Shigekazu Kogita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Error correcting memory and method of operating same

Номер патента: WO2003042826A3. Автор: Wingyu Leung,Fu-Chieh Hsu. Владелец: Freeman Jacqueline Carol. Дата публикации: 2004-04-22.

Memory and driving method therefor

Номер патента: US20060280021A1. Автор: Chung-Kuang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-14.

Electronic device and method of electronic device operating file system using data compression and memory partition

Номер патента: US12019906B2. Автор: Woojoong Lee,Sungjong SEO,Yeongjin GIL,Hobin WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Computation operator in memory and operation method thereof

Номер патента: US11145356B2. Автор: Chih-Sheng Lin,Tuo-Hung Hou,Heng-Yuan Lee,Jian-Wei Su,Fu-Cheng TSAI. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-10-12.

Modular nucleic acid-based circuits for counters, binary operations, memory and logic

Номер патента: US8645115B2. Автор: Timothy Lu,James J Collins. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2014-02-04.

Credit card circuit arrangement with a memory and an access control unit

Номер патента: US4572946A. Автор: Hartmut Schrenk. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1986-02-25.

Optimization of non-volatile solid-state memory by moving data based on data generation and memory wear

Номер патента: US20090327580A1. Автор: James R. Hamilton,Michael R. Fortin,Mike Neil,Burton J. Smith. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Serial access memory and data write/read method

Номер патента: US20010055022A1. Автор: Shigemi Yoshioka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-27.

Systems, methods, and apparatus for managing device memory and programs

Номер патента: US20230359376A1. Автор: William Martin,Oscar P. Pinto. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Discarding Idle Graphical Display Components from Memory and Processing

Номер патента: US20130120402A1. Автор: Tyler Robert Adams,Barry Christopher Allyn,Michael Ivan Borysenko,Warren LEUNG. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Method and system for adjusting memory, and semiconductor device

Номер патента: US20220068321A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Distributed database architecture based on shared memory and multi-process and implementation method thereof

Номер патента: US20220043805A1. Автор: Xiaozhong Wang,Xianliang JI,Zhenxing HE,Yingshuai LI. Владелец: Guizhou Esgyn Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Distributed database architecture based on shared memory and multi-process and implementation method thereof

Номер патента: US11526496B2. Автор: Xiaozhong Wang,Xianliang JI,Zhenxing HE,Yingshuai LI. Владелец: Guizhou Esgyn Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-13.

Programmable conductor random access memory and method for sensing same

Номер патента: WO2003077256A3. Автор: John T Moore,Glen Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-02-24.

Technologies for providing network interface support for remote memory and storage failover protection

Номер патента: WO2018063561A1. Автор: Francesc Guim Bernat,Karthik Kumar,Thomas Willhalm,Daniel RIVAS BARRAGAN,Patrick Lu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

Memory and sense parameter determination methods

Номер патента: EP2823402A1. Автор: William H. Radke,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-14.

Memory and sense parameter determination methods

Номер патента: US20130238863A1. Автор: William H. Radke,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Chromium complexes for improvement of memory and cognitive function

Номер патента: WO2009009393A3. Автор: James Komorowski,Vijaya Juturu. Владелец: Nutrition 21 Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Systems, methods, and apparatus for managing device memory and programs

Номер патента: EP4276641A1. Автор: William Martin,Oscar P. Pinto. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Method and system for adjusting memory, and semiconductor device

Номер патента: US11984190B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Memories and methods for sharing a signal node for the receipt and provision of non-data signals

Номер патента: WO2012030497A1. Автор: Brian Huber. Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-03-08.

Preparation for improving memory and learning and use thereof

Номер патента: WO2013098415A1. Автор: Andrzej Lipkowski,Bogdan LANG,Mariusz SACHARCZUK,Elzbieta SALINSKA. Владелец: NAPCO S.AR.L.. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor device with a diagnosing section that diagnoses correction memory and sensor apparatus

Номер патента: US11211133B2. Автор: Katsuhiro Shimazu,Kazuhiro Matsunami. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-28.

Maintaining data in a first level memory and buckets representing regions of memory devices to extend data cache

Номер патента: US11977483B2. Автор: Owen T. Anderson,Wayne A. Sawdon,Frank Schmuck,Subashini Balachandran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor memory and capacity configuration method for storage block thereon

Номер патента: EP4148736A1. Автор: Jixing Chen,Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Dynamic random access memory and programming method therefor

Номер патента: US11574684B2. Автор: Chao Yang Chen,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Metrics modules and methods for monitoring, analyzing and optimizing bus and memory operations in a complex integrated circuit

Номер патента: WO2008097451A1. Автор: Gregory T. Koker,Moinul I. Syed,Richard A. Gentile. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2008-08-14.

Preparation for improving memory and learning and use thereof

Номер патента: EP2797618A1. Автор: Andrzej Lipkowski,Bogdan LANG,Mariusz SACHARCZUK,Elzbieta SALINSKA. Владелец: Napco Sarl. Дата публикации: 2014-11-05.

Electronic device for controlling operation of volatile memory and operation method thereof

Номер патента: EP4390925A1. Автор: Minjung Kim,Jeyoon KIM,Hakhyeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Printed circuit board comprising memory, and data processing method thereof

Номер патента: US20240211271A1. Автор: Haksoo Kim,Jaehoon Jung,Byungjun Kim,Heonjin PARK,Taeheum LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Preparation for improving memory and learning and use thereof

Номер патента: US20150018282A1. Автор: Andrzej Lipkowski,Bogdan LANG,Mariusz SACHARCZUK,Elzbieta SALINSKA. Владелец: Napco Sarl. Дата публикации: 2015-01-15.

Method of characterizing errors in nand flash memory, and error estimation method and storage system control method using the same

Номер патента: US20230297471A1. Автор: Do Hee KIM,Ha Young LIM,Ji Yoon JUNG,Sung Gil Hong. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Learning and memory improver

Номер патента: MY183914A. Автор: Watanabe Hiroshi,Tsuruoka Nobuo. Владелец: Suntory Beverage & Food Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Learning and memory improver

Номер патента: WO2012160713A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Nobuo Tsuruoka. Владелец: Cerebos Pacific Limited. Дата публикации: 2012-11-29.

A data writing/reading method, a de-interleaving method, a data processing method, a memory and a memory drive apparatus

Номер патента: WO2001015173A1. Автор: Yoshikazu Satoh. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-03-01.

Method and system for adjusting memory, and semiconductor device

Номер патента: US11928357B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Write operation circuit, semiconductor memory, and write operation method

Номер патента: US11816351B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor memory and method for density configuring of bank of semiconductor memory

Номер патента: US11875045B2. Автор: Jixing Chen,Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Data Link Between Volatile Memory and Non-Volatile Memory

Номер патента: US20230076311A1. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Ternary content addressable memory and memory cell thereof

Номер патента: US20220108748A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

Method and system for adjusting memory, and semiconductor device

Номер патента: US20220137872A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Sense amplifier, memory and data readout method

Номер патента: US11862284B2. Автор: YING Wang,Weibing SHANG,Kanyu Cao,Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Multi-die stacked package memory and output synchronization method thereof

Номер патента: US11735229B2. Автор: Kk WEN. Владелец: Xtx Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Wear leveling and access method and device for non-volatile memory, and storage medium

Номер патента: US20210271398A1. Автор: Hong Gao,Bin Guo,Yinjun Han,Hongzhang YANG,Yaofeng Tu,Guihai Chen,Zongshuai Yan,Zhenjiang HUANG. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Wear leveling and access method and device for non-volatile memory, and storage medium

Номер патента: EP3825856A1. Автор: Hong Gao,Bin Guo,Yinjun Han,Hongzhang YANG,Yaofeng Tu,Guihai Chen,Zongshuai Yan,Zhenjiang HUANG. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2021-05-26.

Wear leveling and access method and device for non-volatile memory, and storage medium

Номер патента: US11320989B2. Автор: Hong Gao,Bin Guo,Yinjun Han,Hongzhang YANG,Yaofeng Tu,Guihai Chen,Zongshuai Yan,Zhenjiang HUANG. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2022-05-03.

Data processing method and apparatus for shared memory, and device and medium

Номер патента: EP4361811A1. Автор: Jiaqi JU,Liucheng TANG. Владелец: Beijing CHJ Automotive Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Computer System Having Multiple Computer Devices Each with Routing Logic and Memory Controller and Multiple Computer Devices Each with Processing Circuitry

Номер патента: US20230280907A1. Автор: Stephen Felix,Simon Christian Knowles,Daniel John Pelham WILKINSON. Владелец: Graphcore Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Multiprocessor arrangement having shared memory, and a method of communication between processors in a multiprocessor arrangement

Номер патента: US20120226873A1. Автор: Mark Janssens,Francisco Barat Quesada. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-09-06.

Measuring method for a semiconductor memory, and semiconductor memory

Номер патента: US7542327B2. Автор: Ulrich Zimmermann. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-06-02.

Measuring method for a semiconductor memory, and semiconductor memory

Номер патента: US20070153598A1. Автор: Ulrich Zimmermann. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-07-05.

Data transmission structure, data transmission method, and memory

Номер патента: EP4325500A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Multi-die Stacked Package Memory and Output Synchronization Method thereof

Номер патента: US20220310131A1. Автор: Kk WEN. Владелец: Xtx Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: EP3923285A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-15.

Method and device for transferring data between a main memory and a storage device

Номер патента: EP1631911A2. Автор: Paulus A. W. Van Niekerk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-03-08.

Row address decoding block for non-volatile memories and methods for decoding pre-decoded address information

Номер патента: US20120243344A1. Автор: Giovanni Bolognini,Marco Giovanni Fontana,Giuseppe Sciascia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor memory and method for density configurion of bank of semiconductor memory

Номер патента: US20230012916A1. Автор: Jixing Chen,Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Brain-like neural network with memory and information abstraction functions

Номер патента: US20230087722A1. Автор: Hualong REN. Владелец: Neurocean Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Storage system using a semiconductor memory and methods for managing files stored in the system

Номер патента: WO2000024003A1. Автор: Han Young Kim,Myoung Hwan Jung,Kil Sul Kim,Yeon Sang Yim. Владелец: Yeon Sang Yim. Дата публикации: 2000-04-27.

Method and device for transferring data between a main memory and a storage device

Номер патента: WO2004104846A3. Автор: Niekerk Paulus A W Van. Владелец: Niekerk Paulus A W Van. Дата публикации: 2005-01-13.

Management of programming and memory space for an internal combustion engine control system

Номер патента: US6009372A. Автор: Danny R. Baker,Thane Morgan. Владелец: Cummins Engine Co Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

Data processing system including an LSI chip containing a memory and its own address register

Номер патента: US3975714A. Автор: Gerald Weber,Jurgen Sorgenfrei. Владелец: Olympia Werke AG. Дата публикации: 1976-08-17.

Apparatus for minimizing the performance degradation due to address translation in computer systems employing random access memory and paging

Номер патента: CA1191967A. Автор: John A. Celio. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1985-08-13.

Instructions for performing an operation on a operand in memory and subsequently loading an original value of said operand in a register

Номер патента: CA2786045A1. Автор: Timothy Slegel,Dan Greiner,Marcel Mitran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Operation Method of Resistive Random Access Memory and Resistive Random Access Memory Device

Номер патента: US20180330788A1. Автор: HE Qian,Chen Wang,Bin Gao,Huaqiang Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-15.

Circuit for testing a memory and test method thereof

Номер патента: US11886733B2. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Read operation circuit, semiconductor memory, and read operation method

Номер патента: US20210249055A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Non-volatile memory and method with adjusted timing for individual programming pulses

Номер патента: US20160099059A1. Автор: Han Chen,Man Lung Mui,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-04-07.

Sense amplifier, memory and method for controlling a sense amplifier

Номер патента: US20220208235A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Junlin GE,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: EP3905247A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: US20210249056A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

A mixture of d-serine and caffeine for obtaining the effect of preventing the decline of learning ability or memory caused by stress and enhancing learning ability or memory, and a functional food composition containing the same

Номер патента: US20190134047A1. Автор: Man Ho Kim,Keun Hwa Jung,Sang Kun Lee,Kon Chu,Soon Tae Lee,Dae Jong JEON. Владелец: Advanced Nt. Дата публикации: 2019-05-09.

Write operation circuit, semiconductor memory, and write operation method

Номер патента: EP3923290A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-15.

Image forming apparatus and image forming method

Номер патента: US11945677B2. Автор: Suguru MASUNAGA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Nand flash memory and program method thereof

Номер патента: US20170140826A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Write operation circuit, semiconductor memory, and write operation method

Номер патента: US20210257011A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

System with mcu and flash memory and control method for deep power down control thereof

Номер патента: EP4390624A1. Автор: Yang Gao. Владелец: Gigadevice Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Digital computer with multi-processor capability utilizing intelligent composite memory and input/output modules and method for performing the same

Номер патента: US4276594A. Автор: Richard E. Morley. Владелец: Gould Inc. Дата публикации: 1981-06-30.

Data processing device having protected memory and corresponding method

Номер патента: CA2381162C. Автор: Ben Smeets,Bernd Moller,Harro Osthoff,Kar-Fat Poon. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2006-08-15.

Method for controlling program verify operations of a non-volatile memory and a corresponding circuit thereof

Номер патента: US10553297B2. Автор: Stefano Sivero,Alessandro Sanasi,Chiara Missiroli. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Electronic device for securing usable dynamic memory and operating method thereof

Номер патента: US11579927B2. Автор: Jaehong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-14.

Enhancement of learning and memory and treatment of amnesia

Номер патента: US20030105149A1. Автор: Sheng-Chu Kuo,Wen-Mei Fu,Che-Ming Teng,Fang-Yuan Lee,Keng-Chen Liang,Wei-Lin Chien. Владелец: Carlsbad Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Enhancement of learning and memory and treatment of amnesia

Номер патента: EP1425011A2. Автор: Sheng-Chu Kuo,Wen-Mei Fu,Che-Ming Teng,Fang-Yuan Lee,Keng-Chen Liang,Wei-Lin Chien. Владелец: Carlsbad Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-09.

Enhancement of learning and memory and treatment of amnesia

Номер патента: WO2003024397A3. Автор: Sheng-Chu Kuo,Wen-Mei Fu,Che-Ming Teng,Fang-Yuan Lee,Keng-Chen Liang,Wei-Lin Chien. Владелец: Wei-Lin Chien. Дата публикации: 2003-11-06.

Enhancement of learning and memory and treatment of amnesia

Номер патента: EP1425011A4. Автор: Sheng-Chu Kuo,Wen-Mei Fu,Che-Ming Teng,Fang-Yuan Lee,Keng-Chen Liang,Wei-Lin Chien. Владелец: Carlsbad Technology Inc. Дата публикации: 2007-09-19.

Enhancement of learning and memory and treatment of amnesia

Номер патента: AU2002327635B2. Автор: Sheng-Chu Kuo,Wen-Mei Fu,Che-Ming Teng,Fang-Yuan Lee,Keng-Chen Liang,Wei-Lin Chien. Владелец: Carlsbad Technology Inc. Дата публикации: 2007-12-13.

Enhancement of learning and memory and treatment of amnesia

Номер патента: EP1425011B1. Автор: Sheng-Chu Kuo,Wen-Mei Fu,Che-Ming Teng,Fang-Yuan Lee,Keng-Chen Liang,Wei-Lin Chien. Владелец: Carlsbad Technology Inc. Дата публикации: 2009-11-04.

Memory and boundary searching method thereof

Номер патента: US8164953B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-24.

Random access memory and refresh controller thereof

Номер патента: US20130155782A1. Автор: Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Memory system, controller, memory and reading method thereof

Номер патента: US10719390B2. Автор: Yi-Chun Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-21.

I/O and memory bus system for DFPs and units with two- or multi-dimensional programmable cell architectures

Номер патента: US6119181A. Автор: Robert MÜNCH,Martin Vorbach. Владелец: PACT GmbH. Дата публикации: 2000-09-12.

Photon echo quantum memory and method

Номер патента: US8891282B2. Автор: Jean-Louis Le Gouet,Thierry Chaneliere. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2014-11-18.

Asynchronous data transmission system with state variable memory and handshaking protocol circuits

Номер патента: US4390969A. Автор: Alan B. Hayes. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1983-06-28.

System and method for enriching memories and enhancing emotions around specific personal events in the form of images, illustrations, audio, video and/or data

Номер патента: WO2006099073A2. Автор: Jeffrey Smith,Selwyn Wan,Steve Israelson,Bernard C. Kummerli,Ryan Patrick Mccormack,Henry Winston Wier, Iii. Владелец: Temogique, Inc.. Дата публикации: 2006-09-21.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11929111B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Guanglei Wen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Read operation circuit, semiconductor memory, and read operation method

Номер патента: US11875053B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Read operation circuit, semiconductor memory, and read operation method

Номер патента: US11880597B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Write operation circuit, semiconductor memory and write operation method

Номер патента: US11803319B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Method and apparatus for allocating memory and electronic device

Номер патента: US20220147441A1. Автор: LEI Jia,Chao TIAN. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Control method, semiconductor memory, and electronic device

Номер патента: EP4276836A1. Автор: Lin Wang,Zhiqiang Zhang,Yuanyuan Gong,YoonJoo EOM. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Control method, semiconductor memory and electronic device

Номер патента: EP4276834A1. Автор: Lin Wang,Zhiqiang Zhang,Yuanyuan Gong,YoonJoo EOM. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Composition for enhancing memory and mitigating neurodegeneration and method thereof

Номер патента: US8709510B2. Автор: Che-Hao Lin. Владелец: SUN PLAZA INTERNATIONAL CO Ltd. Дата публикации: 2014-04-29.

Semiconductor memory and data writing method

Номер патента: EP4198703A1. Автор: Hongwen Li,Weibing SHANG,Kangling JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Enriching memory and enhancing emotions regarding specific personal events via images, illustrations, audio and video

Номер патента: WO2012021896A1. Автор: Jeffrey Smith,Bernard C. Kummerli,Gerard Furbershaw,Simon Asato. Владелец: Temogique, Inc.. Дата публикации: 2012-02-16.

Storage Unit, Memory, and Method for Controlling Storage Unit

Номер патента: US20160232984A1. Автор: WEI YANG,Kai Yang,Junfeng Zhao,Yinyin Lin,Zhulin Wei,Yarong Fu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Non-volatile memory and operation method thereof and electronic device

Номер патента: US20220076758A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Composition for enhancing memory and mitigating neurodegeneration and method thereof

Номер патента: US20140079817A1. Автор: Che-Hao Lin. Владелец: SUN PLAZA INTERNATIONAL CO Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor memory and method for writing data

Номер патента: US20220317919A1. Автор: Hongwen Li,Weibing SHANG,Kangling JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor memory and method for writing data

Номер патента: US11880585B2. Автор: Hongwen Li,Weibing SHANG,Kangling JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Atom phase-controlled double rephasing-based quantum memory and double-rephased photon echo method therefor

Номер патента: US8797621B2. Автор: Byoung Seung Ham. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-08-05.

System and method for hybrid rete reasoning based on in-memory and dbms

Номер патента: EP2377041A1. Автор: Seung Woo Lee,Mi Kyoung Lee,Jae Han Kim,Pyung Kim,Han Min Jung,Dong In Park,Won Kyung Sung,Sun Hwa Hahn. Владелец: Korea Institute of Science and Technology Information KISTI. Дата публикации: 2011-10-19.

Method for operating an information system, information system, and memory medium

Номер патента: US20120029822A1. Автор: Ernst-Peter Neuekirchner. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-02-02.

Integrated circuit device having a memory and majority logic

Номер патента: US4748594A. Автор: Norihiko Iida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-05-31.

Vehicular navigation system and memory medium

Номер патента: US6038508A. Автор: Hitoshi Asano,Kyomi Morimoto,Kazuteru Maekawa,Takeshi Yanagikubo. Владелец: Aisin AW Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-14.

Improvement of mood, memory and cognitive function with pyridoxal 5'-phosphate

Номер патента: CA2590605A1. Автор: Albert D. Friesen,Dawson James Reimer. Владелец: Medicure International Inc. Дата публикации: 2008-11-28.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11894047B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Rumin JI,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Yangkuo Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Control method, semiconductor memory, and electronic device

Номер патента: US20230307081A1. Автор: Lin Wang,Zhiqiang Zhang,Yuanyuan Gong,YoonJoo EOM. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of memory and cpu time allocation for a multi-user computer system

Номер патента: CA1329432C. Автор: William Davy. Владелец: Raxco Inc. Дата публикации: 1994-05-10.

Enhancement of learning and memory and treatment of amnesia

Номер патента: NZ532022A. Автор: Sheng-Chu Kuo,Wen-Mei Fu,Che-Ming Teng,Fang-Yuan Lee,Keng-Chen Liang,Wei-Lin Chien. Владелец: Carlsbad Technology Inc. Дата публикации: 2005-12-23.

Address refresh circuit and method, memory, and electronic device

Номер патента: US20230178135A1. Автор: Jixing Chen,Enpeng Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Random access memory and sense-amplifying compensation circuit thereof

Номер патента: US20240170030A1. Автор: Miao Xie,Shaoxu JIA. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Address refresh circuit, method, memory, and electronic device

Номер патента: EP4276832A1. Автор: Jixing Chen,Enpeng Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Integrating voltage to frequency converter and memory decoder

Номер патента: US4151464A. Автор: Edward Cooper. Владелец: Power Science Inc. Дата публикации: 1979-04-24.

Semiconductor device having integrated memory and logic

Номер патента: US6785187B2. Автор: Shoji Sakamoto,Tomonori Fujimoto,Kiyoto Ohta. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Interface method and system for enhanced data and memory management

Номер патента: US8918733B2. Автор: Joseph Francis Mann,Clinton Duane Britt. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2014-12-23.

Electroluminescent display screen with a memory and a particular configuration of electrodes

Номер патента: US5053675A. Автор: Pascal Thioulouse. Владелец: Centre National dEtudes des Telecommunications CNET. Дата публикации: 1991-10-01.

Composition containing d-cycloserine and d-alanine for memory and learning enhancement or treatment of a cognitive or psychotic disorder

Номер патента: CA2010635A1. Автор: Alex A. Cordi,Michel R. Jans. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-09-15.

Azetidine derivatives to treat memory and learning disorders

Номер патента: US4990504A. Автор: Alan P. Kozikowski,Erminio Costa,Jarda T. Wroblewski. Владелец: Fidia Georgetown Institute for Neurosciences. Дата публикации: 1991-02-05.

Io- and memory bus system for dfps as units with two- or multi-dimensionally programmable cell structures

Номер патента: AU5748898A. Автор: Robert MÜNCH,Martin Vorbach. Владелец: Pact Informationstechnologie Gmbh. Дата публикации: 1998-07-17.

Composition containing d-cycloserine and d-alanine for memory and learning enhancement or treatment of a cognitive or psychotic disorder

Номер патента: CA2010635C. Автор: Alex A. Cordi,Michel R. Jans. Владелец: GD Searle LLC. Дата публикации: 2001-03-06.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US11894101B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Aav/xbp1s-ha virus, gene therapy method and use thereof in the optimisation and improvement of learning, memory and cognitive capacities

Номер патента: US20170360961A1. Автор: Claudio Andrés HETZ FLORES,Gabriela Raquel Elena MARTINEZ BRAVO. Владелец: Universidad De Chile. Дата публикации: 2017-12-21.

Read operation circuit, semiconductor memory and read operation method

Номер патента: EP3893241A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

Storage device and memory system

Номер патента: US20160267012A1. Автор: Norikazu Yoshida,Isao KONUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Fabrication of pure and modified Ta2O5 thin film with enhanced properties for microwave communication, dynamic random access memory and integrated electronic applications

Номер патента: US20020031671A1. Автор: Eric Ngo,Pooran Joshi,Melanie Cole. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US20220310142A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

System, controller, computer readable memory, and method for precise on-line control of heat transfer in a food preparation process

Номер патента: AU2882500A. Автор: Zhijun Weng. Владелец: FMC Corp. Дата публикации: 2000-09-21.

Refresh address generation circuit and method, and memory and electronic device

Номер патента: EP4328913A1. Автор: Yinchuan GU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Interconnect device for selectively accumulating read data and aggregating processing results transferred between a processor core and memory

Номер патента: US11966736B2. Автор: Yongha Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

System, controller, computer readable memory, and method for precise on-line control of heat transfer in a food preparation process

Номер патента: EP1157319B1. Автор: Zhijun Weng. Владелец: FMC Technologies Inc. Дата публикации: 2003-05-07.

System, controller, computer readable memory, and method for precise on-line control of heat transfer in a food preparation process

Номер патента: EP1157319A1. Автор: Zhijun Weng. Владелец: FMC Corp. Дата публикации: 2001-11-28.

System for managing a game by random comparison among basic data stored in a memory and data instantaneously inputted with a point of sale

Номер патента: EP1738332A1. Автор: Gian Paolo Spano. Владелец: Carta Nicolina. Дата публикации: 2007-01-03.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US20220319579A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Apparatuses, memories, and methods for facilitating splitting of internal commands using a shared signal path

Номер патента: US20150228317A1. Автор: Donald M. Morgan,Kallol Mazumder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Memory and sense amplifying device thereof

Номер патента: US20230307064A1. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Enhancement of memory and/or cognition using substituted butyrophenone compounds

Номер патента: WO2007118325A1. Автор: Philip Seeman. Владелец: Clera Inc.. Дата публикации: 2007-10-25.

Food and pharmaceutical composition containing novel aldehyde dehydrogenase for improving memory and cognitive function

Номер патента: WO2024117700A1. Автор: Hung Taeck KWON. Владелец: PICOENTECH Co., LTD.. Дата публикации: 2024-06-06.

Data output circuit of semiconductor memory and related method

Номер патента: US8369160B2. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-02-05.

Method and device for testing memory and method for simulated testing

Номер патента: US12020744B2. Автор: Dong Liu,Tianhao DIWU,Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Control method, semiconductor memory, and electronic device

Номер патента: EP4276835A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Multi-purpose solitaire / rehabilitation / education tool for assisting patients / students / users to improve memory and eye / hand coordination

Номер патента: US20110091851A1. Автор: Joseph F. Aniano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-21.

Sense amplifier, memory and control method of sense amplifier

Номер патента: US11862285B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Jianqing Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Method and apparatus for reducing memory and communications bandwidth requirements in gnss receivers

Номер патента: US20150054680A1. Автор: Gary Lennen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-26.

Method of improving memory and learning ability

Номер патента: US11779616B1. Автор: Wan-Hua Tsai,Chia-Lin Wu,Chih-Ho LAI,I-Ling HSU. Владелец: Genmont Biotech Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Error identification in memory and disk allocation layouts

Номер патента: US20210026533A1. Автор: Huy Vu. Владелец: Two Six Labs LLC. Дата публикации: 2021-01-28.

Use of transcranial magnetic stimulation to improve memory and stress related syndromes in humans

Номер патента: EP1957163A1. Автор: Peter Ericsson,Thorleif Thorlin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-20.

Data output circuit of semiconductor memory and related method

Номер патента: US20110188323A1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Write protection circuit for memory and display apparatus

Номер патента: US11386943B2. Автор: Beizhou HUANG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Pipe forming method

Номер патента: RU2693708C1. Автор: Максим Сергеевич Карабаналов,Борис Владимирович Баричко,Анатолий Геннадьевич Илларионов,Федор Валерьевич Водолазский,Ярослав Игоревич Космацкий,Николай Владимирович Фокин,Елена Анатольевна Горностаева,Евгений Александрович Алюшкаев,Владислав Дмитриевич Николенко,Александр Маратович Ахмедьянов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Уральский государственный университет (национальный исследовательский университет)". Дата публикации: 2019-07-04.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, method for manufacturing actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, method for manufacturing electronic device, resin, and method for manufacturing resin

Номер патента: US20240248398A1. Автор: Tsutomu Yoshimura,Akiyoshi Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Exposure mask, method of designing and manufacturing the same, exposure method and apparatus, pattern forming method, and device manufacturing method

Номер патента: EP1642171A1. Автор: Takako Yamaguchi,Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2006-04-05.

Method of designing an exposure mask, exposure method, pattern forming method and device manufacturing method

Номер патента: EP1642171B1. Автор: Takako Yamaguchi,Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-06-15.

Light source type discriminating method, image forming method, method and apparatus for estimating light source energy distribution, and exposure amount determining method

Номер патента: US20040119977A1. Автор: Koji Takahashi,Makoto Yamada,Hideyasu Ishibashi. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-24.

Item made from composite material with ceramic coating (versions) and coating forming method

Номер патента: RU2345180C2. Автор: Сергиу БУКАР. Владелец: Олимекс Груп, Инк.. Дата публикации: 2009-01-27.

Toner, image forming device, image forming method, process cartridge and developer

Номер патента: RU2597022C1. Автор: Тойоси САВАДА,Синия НАКАЯМА,Хидеки СУГИУРА. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2016-09-10.

Image forming method and device

Номер патента: RU2713859C1. Автор: Вэй ГО. Владелец: Алибаба Груп Холдинг Лимитед. Дата публикации: 2020-02-07.

Method of hierarchical data structure forming, method of data search using hierarchical data structure, server and permanent machine-readable media

Номер патента: RU2632414C2. Автор: Леонид Леонидович Налчаджи. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Яндекс". Дата публикации: 2017-10-04.

Surface coating forming method and device and composition for the surface coating formation

Номер патента: RU2682344C1. Автор: Мартин БОЛЛ,Кристиан РАЙМЕР. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2019-03-19.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the same, pattern forming method, manufacturing method of electronic device, electronic device and resin

Номер патента: WO2013081184A1. Автор: Shuji Hirano,Hideaki Tsubaki,Hiroo Takizawa,Natsumi YOKOKAWA. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2013-06-06.

Integral forming method for large-size thin-walled ring shell

Номер патента: US20240359225A1. Автор: Yi Xu,Haihui ZHU,Zhubin He,Linwei LENG,Jian NING. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-10-31.

Film forming method

Номер патента: US12037683B2. Автор: Takenori Watabe,Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Forming method and instrument panel

Номер патента: US20230303026A1. Автор: Toshiaki Ono,Takaaki Nagata,Shoichiro Negishi,Toshihisa Kaga. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Forming method of silica glass and forming apparatus thereof

Номер патента: US6505484B1. Автор: Norio Komine,Seishi Fujiwara,Hiroki Jinbo. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-01-14.

Forming method of resist pattern and manufacturing method of thin-film magnetic head

Номер патента: US20100035189A1. Автор: Susumu Aoki,Hisayoshi Watanabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

MEMORIES AND THEIR FORMATION

Номер патента: US20120002477A1. Автор: Sinha Nishant,Tang Sanh D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND IMAGE FORMING METHOD

Номер патента: US20120002990A1. Автор: TAKEUCHI Toshifumi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONTAINER ELECTRONIC SEAL DEVICE WHICH CAN BE SELECTIVELY LOCKED AND UNLOCKED USING EXTERNAL MEMORY AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120001757A1. Автор: LEE Hye-Jin,Kim Hyun-Chul,JUNG Sea-Hee,LEE Hyun-Chel,KONG Jae-Hoon,SON Ho-Jun,KU Sang-Gun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Parallel Use of Integrated Non-Volatile Memory and Main Volatile Memory within a Mobile Device

Номер патента: US20120004011A1. Автор: CHUN Christopher Kong Yee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

MODULAR NUCLEIC ACID-BASED CIRCUITS FOR COUNTERS, BINARY OPERATIONS, MEMORY, AND LOGIC

Номер патента: US20120003630A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for concealed storage of confidential data in secure non-volatile memory and device therefor

Номер патента: RU2527758C2. Автор: Владимир Евгеньевич Мешков,Антон Валерьевич Семенов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2014-09-10.

Method of filling cache memory and commands output to execute and device for filling cache memory and commands output to execute

Номер патента: RU2592465C2. Автор: Сергей Иванович Аряшев,Константин Сергеевич Бычков. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-07-20.

Method of copying data in cache memory and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2504000C1. Автор: Сергей Иванович Аряшев,Наталья Владимировна Николина,Михаил Евгеньевич Барских. Владелец: Открытое акционерное общество "КОНСТРУКТОРСКОЕ БЮРО "КОРУНД-М" (ОАО КБ "КОРУНД-М"). Дата публикации: 2014-01-10.

System and method for a communication terminal to manage memory and maintain a current application version for multiple applications

Номер патента: CA2606753A1. Автор: Arturo A. Rodriguez,Dean F. Jerding,John M. Schlarb,Frank Domina. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Method of forming structures of magnetic tunnel barriers for magnetoresistive random access magnetic memory and structure of magnetic tunnel barrier for magnetoresistive random access magnetic memory (versions)

Номер патента: RU2367057C2. Автор: Андрей Владимирович Зенкевич,Александр Юрьевич Гойхман,Юрий Юрьевич Лебединский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский Инженерно-Физический Институт (государственный университет)". Дата публикации: 2009-09-10.

Improved scheme for insuring data consistency between a¹plurality of cache memories and the main memory in a¹multiprocessor computer system

Номер патента: IE901532A1. Автор: . Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1991-11-06.

Time base corrector memory arrangement and memory control

Номер патента: CA1286397C. Автор: Jan S. Wesolowski. Владелец: Ampex Corp. Дата публикации: 1991-07-16.

Agent promoting to prophylaxis of atherosclerosis, improving memory and vision

Номер патента: RU2290190C2. Автор: Сергей Иванович Аладьев,Николай Николаевич Федоров,Евгений Львович Гладыш,Андрей Анатольевич Галенко,Александр Анатольевич Душин,Иван Сергеевич Гуковский. Владелец: Иван Сергеевич Гуковский. Дата публикации: 2006-12-27.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND IMAGE FORMING METHOD

Номер патента: US20120002982A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL, AND PHOTOSENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, LOW REFRACTIVE INDEX FILM, OPTICAL DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE EACH USING THE SAME

Номер патента: US20120003436A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING METHOD

Номер патента: US20120003580A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOCONDUCTOR, IMAGE FORMING METHOD, IMAGE FORMING APPARATUS AND PROCESS CARTRIDGE

Номер патента: US20120003007A1. Автор: . Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL AND PHOTOSENSITIVE FILM USING THE SAME, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, ANTIREFLECTION FILM, INSULATING FILM, OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120003437A1. Автор: Kodama Kunihiko,WADA Kenji,OHTA Masaki. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND RESIST FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003583A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,TAKAHASHI Toshiya. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS TO ADD SPECIFIC DATA TO IMAGE, AND IMAGE FORMING METHOD OF ADDING THE SPECIFIC DATA TO THE IMAGE

Номер патента: US20120002224A1. Автор: KIMOTO Taizo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Image forming apparatus, image forming method, image forming program, and recording medium

Номер патента: US20120002230A1. Автор: Yamazaki Masataka. Владелец: RICOH COMPANY, LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING THE SAME AND PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20120003586A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND RESIST FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003590A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Protective road pavement coating forming method

Номер патента: RU2305726C1. Автор: Александр Борисович Соломенцев,Василий Петрович Колодезный,Анатолий Петрович Старчак,Сергей Владимирович Солопов,ев Николай Михайлович Терл,Николай Михайлович Терляев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный технический университет" (ОрелГТУ). Дата публикации: 2007-09-10.

Relief forming method in functional layer of article by planing (variants)

Номер патента: RU2312743C1. Автор: Аркадий Владимирович Трачук,Андрей Валерьевич Чеглаков,Александр Георгиевич Писарев,Александр Игоревич Мочалов,Валерий Анатольевич Чеглаков,Дмитрий Николаевич Грачев,Алексей Владимирович Греков,Андрей Владимирович Журавлев,Владимир Васильевич Павлов,залов Сергей Юрьевич В,Сергей Юрьевич Вязалов,Александр Васильевич Курочкин,Евгений Михайлович Метельский,Виктор Сергеевич Солдатченков,Яков Михайлович Ашкиназий,Виктор Афанасьевич Чекмарев,Алексей Иванович Климов,Сергей Геннадьевич Зарубин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Гознак"(ФГУП "Гознак"). Дата публикации: 2007-12-20.

Permanent form, method of assembling it and erection of wall using permanent form

Номер патента: RU2330920C1. Автор: Александр Алексеевич Михеев,Андрей Юрьевич Горев. Владелец: ООО "Вяткастройдеталь". Дата публикации: 2008-08-10.

Bun, bun production method and bun forming method

Номер патента: RU2156066C1. Автор: И.В. Ларин,О.С. Евтеева. Владелец: Закрытое акционерное общество "Щелковохлеб". Дата публикации: 2000-09-20.

Roadbed and roadbed forming method

Номер патента: RU2273687C1. Автор: Святослав Яковлевич Луцкий,Денис Владимирович Долгов,Евгений Самуилович Ашпиз,Св тослав Яковлевич Луцкий (RU),Денис Владимирович Долгов (RU),Евгений Самуилович Ашпиз (RU). Владелец: Евгений Самуилович Ашпиз. Дата публикации: 2006-04-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.