Halbleitervorrichtung, herstellungsverfahren dafür und sputtern von zielmaterial zur verwendung für das verfahren
Номер патента: ATE553223T1
Опубликовано: 15-04-2012
Автор(ы): Junichi Koike
Принадлежит: Advanced Interconnect Materials LLC
Опубликовано: 15-04-2012
Автор(ы): Junichi Koike
Принадлежит: Advanced Interconnect Materials LLC
Zusammendrückende polykristalline Siliziumschicht und Herstellungsverfahren dafür
Номер патента: DE102012100869A1. Автор: Markus Meyer,Wolfgang Lehnert,Stefan Pompl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-08-09.