Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • High mobility complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices with fins on insulator

High mobility complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices with fins on insulator

Номер патента: US20200066896A1
Опубликовано: 27-02-2020
Автор(ы): Chen Zhang, Kangguo Cheng, Wenyu Xu, Xin Miao
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of forming high mobility complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with fins on insulator

Номер патента: US11637041B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-25.

High mobility complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices with fins on insulator

Номер патента: US20210111195A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Stacked nanosheet complementary metal oxide semiconductor field effect transistor devices

Номер патента: US20210249412A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

STACKED NANOSHEET COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20200119015A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

STACKED NANOSHEET COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20210249412A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

HIGH MOBILITY COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES WITH FINS ON INSULATOR

Номер патента: US20200066896A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

FinFET complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices

Номер патента: US11652006B2. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-16.

Finfet complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices

Номер патента: US20210327769A1. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Finfet complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices

Номер патента: US20220139787A1. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Reconfigurable complementary metal oxide semiconductor device and method

Номер патента: US11817457B2. Автор: Stefan Dunkel,Dominik M. KLEIMAIER. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2023-11-14.

Reconfigurable complementary metal oxide semiconductor device and method

Номер патента: US20230395605A1. Автор: Stefan Dunkel,Dominik M. KLEIMAIER. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2023-12-07.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10008599B1. Автор: Hung-Lin Shih,Wei-Lun Hsu,Hsin-Che Huang,Shyan-Liang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20200388544A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method and structure for forming low contact resistance complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US20230387238A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Julien Frougier,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20160093616A1. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20180277679A1. Автор: Hung-Lin Shih,Wei-Lun Hsu,Hsin-Che Huang,Shyan-Liang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Nano-Sheet-Based Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Asymmetric Inner Spacers

Номер патента: US20210035870A1. Автор: Wang Chih-hao,Cheng Kuan-Lun,Young Bo-Feng,Yeong Sai-Hooi. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

Complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20110187412A1. Автор: Xiao Sun,Tso-Ping Ma,Minjoo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: EP4222781A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: WO2022072056A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-07.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: US20220102266A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) device and method

Номер патента: EP2847791A2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Jun Yuan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-03-18.

Gate all around complementary metal-oxide-semiconductor field effect transistors

Номер патента: US20230207563A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US10553496B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Fin field effect transistor complementary metal oxide semiconductor with dual strained channels with solid phase doping

Номер патента: US09947774B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Single spacer for complementary metal oxide semiconductor process flow

Номер патента: US09754942B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Jeffrey C. SHEARER,Jessica Dechene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Single spacer for complementary metal oxide semiconductor process flow

Номер патента: US09748146B1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Jeffrey C. SHEARER,Jessica Dechene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Fin field effect transistor complementary metal oxide semiconductor with dual strained channels with solid phase doping

Номер патента: US20180182867A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

MULTI-THRESHOLD VOLTAGE NON-PLANAR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210082915A1. Автор: WATANABE Koji,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Fin field effect transistor complementary metal oxide semiconductor with dual strained channels with solid phase doping

Номер патента: US20170125578A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Germanium structure, germanium fin field effect transistor structure and germanium complementary metal-oxide-semiconductor transistor structure

Номер патента: US20140374834A1. Автор: Chih-Hung Lo,Chun-Lin Chu,Chee-Wee Liu,Guang-Li Luo,Shu-Han Hsu. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2014-12-25.

FABRICATION OF FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING SEPARATE N-TYPE AND P-TYPE SOURCE/DRAINS USING A SINGLE SPACER DEPOSITION

Номер патента: US20180350812A1. Автор: Cheng Kangguo,LIE Fee Li,Miller Eric R.,Teehan Sean. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Single spacer for complementary metal oxide semiconductor process flow

Номер патента: US9450095B1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Jeffrey C. SHEARER,Jessica Dechene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Fabrication of fin field effect transistors for complementary metal oxide semiconductor devices including separate n-type and p-type source/drains using a single spacer deposition

Номер патента: US10886271B2. Автор: Kangguo Cheng,Eric R. Miller,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Compound semiconductor and complementary metal oxide semiconductor (cmos) transistor integration

Номер патента: WO2022197390A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-22.

Nickel Silicide in Bipolar Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS) Device and Method of Manufacturing

Номер патента: US20220068911A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,Mantavya SINHA. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Nickel Silicide in Bipolar Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS) Device

Номер патента: US20220068913A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,Mantavya SINHA. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of Manufacturing Nickel Silicide in Bipolar Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS)

Номер патента: US20220068912A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,Mantavya SINHA. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Fabrication of vertical doped fins for complementary metal oxide semiconductor field effect transistors

Номер патента: US09871041B1. Автор: Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Fabrication of vertical doped fins for complementary metal oxide semiconductor field effect transistors

Номер патента: US20180006037A1. Автор: Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Fabrication of vertical doped fins for complementary metal oxide semiconductor field effect transistors

Номер патента: US20180006036A1. Автор: Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Nano-Sheet-Based Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Asymmetric Inner Spacers

Номер патента: US20210035870A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Orientation engineering in complementary metal oxide semiconductor fin field effect transistor integration for increased mobility and sharper junction

Номер патента: US10734385B2. Автор: Hong He,Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Chia-Yu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Orientation engineering in complementary metal oxide semiconductor fin field effect transistor integration for increased mobility and sharper junction

Номер патента: US20190378839A1. Автор: Hong He,Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Chia-Yu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Orientation engineering in complementary metal oxide semiconductor fin field effect transistor integration for increased mobility and sharper junction

Номер патента: US20190378840A1. Автор: Hong He,Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Chia-Yu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

ORIENTATION ENGINEERING IN COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR INTEGRATION FOR INCREASED MOBILITY AND SHARPER JUNCTION

Номер патента: US20200075598A1. Автор: Doris Bruce B.,Chen Chia-Yu,Venigalla Rajasekhar,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Structure and method of high-performance extremely thin silicon on insulator complementary metal-oxide-semiconductor transistors with dual stress buried insulators

Номер патента: US20150001625A1. Автор: Ming Cai,Dechao Guo,Chun-Chen Yeh,Liyang Song. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Silicon-on-insulator (soi) complementary metal oxide semiconductor (cmos) standard library cell circuits having a gate back-bias rail(s), and related systems and methods

Номер патента: US20150325563A1. Автор: Yang Du,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-11-12.

Strained silicon complementary metal oxide semiconductor including a silicon containing tensile N-type fin field effect transistor and silicon containing compressive P-type fin field effect transistor formed using a dual relaxed substrate

Номер патента: US09842929B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Strained silicon complementary metal oxide semiconductor including a silicon containing tensile n-type fin field effect transistor and silicon containing compressive p-type fin field effect transistor formed using a dual relaxed substrate

Номер патента: US20170358677A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Methods of fabricating semiconductor devices including complementary metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US9899272B2. Автор: Hyun Jung Lee,Seung Hun Lee,Poren Tang,Sunjung Steve KIM,Moon Seung Yang,Geun Hee Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

STRAINED SILICON COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR INCLUDING A SILICON CONTAINING TENSILE N-TYPE FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SILICON CONTAINING COMPRESSIVE P-TYPE FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR FORMED USING A DUAL RELAXED SUBSTRATE

Номер патента: US20180053853A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Miao Xin,Loubet Nicolas J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

STRAINED SILICON COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR INCLUDING A SILICON CONTAINING TENSILE N-TYPE FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SILICON CONTAINING COMPRESSIVE P-TYPE FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR FORMED USING A DUAL RELAXED SUBSTRATE

Номер патента: US20170358677A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Miao Xin,Loubet Nicolas J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10103265B1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Kai-Lin Lee,Yi-Che Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Method to optimize work function in complementary metal oxide semiconductor (cmos) structures

Номер патента: US20110269276A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Dechao Guo,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Simple integration of non-volatile memory and complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US09881930B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170047426A1. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Forming dual metal complementary metal oxide semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20060160342A1. Автор: Mark Doczy,Valery Dubin,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Lawrence Wong,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Complementary Metal Oxide Semiconductor Integrated Circuit Using Raised Source Drain and Replacement Metal Gate

Номер патента: US20090261391A1. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Annalisa Cappellani,Matthew V. Metz. Владелец: Barns Chris E. Дата публикации: 2009-10-22.

3d complementary metal oxide semiconductor (cmos) device and method of forming the same

Номер патента: WO2021138528A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings. Дата публикации: 2021-07-08.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) apparatus with self-aligned backside contact

Номер патента: US20240096978A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

3d complementary metal oxide semiconductor (cmos) device and method of forming the same

Номер патента: US20210202481A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Mark I. Gardner,Anton J. deVilliers,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) TRANSISTOR AND TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR (TFET) ON A SINGLE SUBSTRATE

Номер патента: US20160268256A1. Автор: YANG Bin,Yuan Jun,Li Xia. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR REPLACEMENT GATE HIGH-K METAL GATE DEVICES WITH WORK FUNCTION ADJUSTMENTS

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Paruchuri Vamsi K.,Edge Lisa F.,Jamison Paul C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US9490255B1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20170110373A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20180114728A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

Multiple threshold voltage scheme in complementary metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US12068387B2. Автор: Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Finfet complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices

Номер патента: US20220139787A1. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES EMPLOYING PLASMA-DOPED SOURCE/DRAIN STRUCTURES AND RELATED METHODS

Номер патента: US20170352662A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

HORIZONTAL GATE-ALL-AROUND (GAA) FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) INTEGRATION

Номер патента: US20200185384A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

Hybrid complementary metal-oxide semiconductor field effect transistor nanosheet device

Номер патента: US11769796B2. Автор: Chen Zhang,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Uniform work function metal recess for vertical transistor complementary metal oxide semiconductor technology

Номер патента: US20200350313A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

UNIFORM WORK FUNCTION METAL RECESS FOR VERTICAL TRANSISTOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY

Номер патента: US20200350313A1. Автор: Cheng Kangguo,Sankarapandian Muthumanickam,Xie Ruilong,Park Chanro. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

FABRICATION OF VERTICAL DOPED FINS FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20180006036A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Mehta Sanjay C.,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180277679A1. Автор: Hsu Wei-Lun,Shih Hung-Lin,Huang Hsin-Che,Chou Shyan-Liang. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, OPTICAL APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150303114A1. Автор: CHO Young-Jin,LEE Sang-moon. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) device and method

Номер патента: US20130292767A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Jun Yuan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

CO-INTEGRATED GALLIUM NITRIDE (GAN) AND COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY

Номер патента: US20220093790A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,Thomas Nicole K.,Charue-Bakker Sandrine,EHLERT Robert. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

CIRCUITS EMPLOYING A BACK SIDE-FRONT SIDE CONNECTION STRUCTURE FOR COUPLING BACK SIDE ROUTING TO FRONT SIDE ROUTING, AND RELATED COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20220102266A1. Автор: Kang Seung Hyuk,SONG Stanley Seungchul,LIM Hyeokjin,VANG FOUA. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (CMOS) circuits and methods

Номер патента: US11404374B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-08-02.

DUAL-SEMICONDUCTOR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170084497A1. Автор: Leobandung Effendi,Lee Sanghoon,MO Renee T.,Sun Yanning. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

Atomic layer deposition sealing integration for nanosheet complementary metal oxide semiconductor with replacement spacer

Номер патента: US20170069481A1. Автор: Michael A. Guillorn,Isaac Lauer,Bruce B. Doris,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

ATOMIC LAYER DEPOSITION SEALING INTEGRATION FOR NANOSHEET COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR WITH REPLACEMENT SPACER

Номер патента: US20200066508A1. Автор: Doris Bruce B.,Lauer Isaac,Guillorn Michael A.,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

ATOMIC LAYER DEPOSITION SEALING INTEGRATION FOR NANOSHEET COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR WITH REPLACEMENT SPACER

Номер патента: US20180096835A1. Автор: Doris Bruce B.,Lauer Isaac,Guillorn Michael A.,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

ATOMIC LAYER DEPOSITION SEALING INTEGRATION FOR NANOSHEET COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR WITH REPLACEMENT SPACER

Номер патента: US20170194510A1. Автор: Doris Bruce B.,Lauer Isaac,Guillorn Michael A.,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

ATOMIC LAYER DEPOSITION SEALING INTEGRATION FOR NANOSHEET COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR WITH REPLACEMENT SPACER

Номер патента: US20180294151A1. Автор: Doris Bruce B.,Lauer Isaac,Guillorn Michael A.,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

ORIENTATION ENGINEERING IN COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR INTEGRATION FOR INCREASED MOBILITY AND SHARPER JUNCTION

Номер патента: US20190378839A1. Автор: Doris Bruce B.,Chen Chia-Yu,Venigalla Rajasekhar,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

ORIENTATION ENGINEERING IN COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR INTEGRATION FOR INCREASED MOBILITY AND SHARPER JUNCTION

Номер патента: US20190378840A1. Автор: Doris Bruce B.,Chen Chia-Yu,Venigalla Rajasekhar,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Atomic layer deposition sealing integration for nanosheet complementary metal oxide semiconductor with replacement spacer

Номер патента: US10037885B2. Автор: Michael A. Guillorn,Isaac Lauer,Bruce B. Doris,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-31.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20180323301A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-08.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20160268433A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-15.

Isolated complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) devices for radio-frequency (RF) circuits

Номер патента: US09673275B2. Автор: Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) voltage-controlled resistor

Номер патента: US20190214506A1. Автор: Sinan Goktepeli,Plamen Vassilev Kolev,Peter Graeme Clarke. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: EP4006965A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Isolated complementary metal-oxide semiconductor (cmos) devices for radio-frequency (rf) circuits

Номер патента: US20170117358A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Isolated complementary metal-oxide semiconductor (cmos) devices for radio-frequency (rf) circuits

Номер патента: WO2017070446A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-04-27.

Nano-sheet-based complementary metal-oxide-semiconductor devices with asymmetric inner spacers

Номер патента: US20240313119A1. Автор: Chia-Wei Chen,Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Hsin-Wen Su,Chia-Hao Pao,Chih-Yu Hsu,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

NANOWIRE CHANNEL STRUCTURES OF CONTINUOUSLY STACKED NANOWIRES FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES

Номер патента: US20170110374A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao,Yeap Choh Fei,Machkaoutsan Vladimir,SONG Stanley Seungchul,Yang Da,BADAROGLU Mustafa. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Nanowire channel structures of continuously stacked nanowires for complementary metal oxide semiconductor (CMOS) devices

Номер патента: US10032678B2. Автор: Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-07-24.

Nano-sheet-based complementary metal-oxide-semiconductor devices with asymmetric inner spacers

Номер патента: US11996484B2. Автор: Chia-Wei Chen,Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Hsin-Wen Su,Chia-Hao Pao,Chih-Yu Hsu,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: EP1974377A1. Автор: Massimo Fischetti,Qiqing Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-01.

Complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: WO2007077125A1. Автор: Massimo Fischetti,Qiqing Ouyang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2007-07-12.

Varactor integrated with complementary metal-oxide semiconductor devices

Номер патента: US11791342B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Nano-Sheet-Based Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Asymmetric Inner Spacers

Номер патента: US20220367728A1. Автор: Chia-Wei Chen,Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Hsin-Wen Su,Chia-Hao Pao,Chih-Yu Hsu,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220173099A1. Автор: LEE Kwanghee,Kim Sangwook,NAM Seunggeol,HEO Jinseong,LEE Yunseong,MOON Taehwan,BAE Hagyoul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-06-02.

Dual channel silicon/silicon germanium complementary metal oxide semiconductor performance with interface engineering

Номер патента: US20190229020A1. Автор: ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao,Richard G. Southwick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

COMPOUND SEMICONDUCTOR AND COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) TRANSISTOR INTEGRATION

Номер патента: US20220302107A1. Автор: Kim Jonghae,Lan Je-Hsiung,Dutta Ranadeep. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

Multi-threshold voltage non-planar complementary metal-oxide-semiconductor devices

Номер патента: US11749680B2. Автор: Koji Watanabe,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Vertical field effect transistor (vfet) programmable complementary metal oxide semiconductor inverter

Номер патента: US20190206859A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Vertical field effect transistor (vfet) programmable complementary metal oxide semiconductor inverter

Номер патента: US20190304968A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Microelectronic die with two dimensional (2d) complementary metal oxide semiconductor devices in an interconnect stack thereof

Номер патента: US20230420364A1. Автор: Uygar E. Avci,Scott B. Clendenning,Kevin P. O'brien,Ashish Verma Penumatcha,Tristan A. TRONIC,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Ande KITAMURA,Carl Hugo Naylor. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Gate dielectrics for complementary metal oxide semiconductors transistors and methods of fabrication

Номер патента: EP4020539A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Matthew V. Metz,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Tristan TRONIC,Devin Merrill,Kirby MAXEY,Tobias Brown-Heft. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) NANOSHEET DEVICES WITH EPITAXIAL SOURCE/DRAINS AND REPLACEMENT METAL GATE STRUCTURES

Номер патента: US20200287020A1. Автор: OK Injo,Lee Choonghyun,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

Field-effect transistors (fet) circuits employing topside and backside contacts for topside and backside routing of fet power and logic signals, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits

Номер патента: TW202230692A. Автор: 鐘海 金,史丹利承哲 宋,迪派克 薛瑪,巴拉尼 查瓦,林赫鎮,方培吉,承赫 姜,派瑞安南 曲丹巴瑞,克能 任,吉里德爾 娜拉帕帝,維努戈帕爾 波納帕里,華 汪. Владелец: 美商高通公司. Дата публикации: 2022-08-01.

NANOWIRE CHANNEL STRUCTURES OF CONTINUOUSLY STACKED HETEROGENEOUS NANOWIRES FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES

Номер патента: US20170110541A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao,Yeap Choh Fei,Machkaoutsan Vladimir,SONG Stanley Seungchul,Yang Da,BADAROGLU Mustafa. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Field-effect transitors (fet) circuits employing topside and backside contacts for topside and backside routing of fet power and logic signals, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits

Номер патента: WO2022060473A1. Автор: DEEPAK SHARMA,Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Jonghae Kim,Giridhar Nallapati,Peijie Feng,Bharani Chava,Hyeokjin LIM,Periannan Chidambaram,Venugopal Boynapalli,Foua Vang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-24.

STRUCTURE AND METHOD OF HIGH-PERFORMANCE EXTREMELY THIN SILICON ON INSULATOR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTORS WITH DUAL STRESS BURIED INSULATORS

Номер патента: US20150001625A1. Автор: Guo Dechao,Cai Ming,Yeh Chun-chen,Song Liyang. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

A structure and method for complementary metal oxide semiconductor (cmos) isolation

Номер патента: EP3888121A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-10-06.

FABRICATION OF FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES WITH UNIFORM HYBRID CHANNELS

Номер патента: US20190035695A1. Автор: Cheng Kangguo,Yang Jie,Xu Peng,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device and complementary metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US7538396B2. Автор: Shih-Kuei Ma,Chung-Yeh Lee,Chun-Ying Yeh,Wei-Ting Kuo. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-26.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH A COMMON METAL GATE

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Ando Takashi,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH A COMMON METAL GATE

Номер патента: US20200388544A1. Автор: Ando Takashi,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

High voltage cmos device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230197730A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chih-Wen Hsiung,Wu-Te Weng. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor circuit including nanosheets and fins on the same wafer

Номер патента: US20190214409A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

ORIENTATION ENGINEERING IN COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR INTEGRATION FOR INCREASED MOBILITY AND SHARPER JUNCTION

Номер патента: US20170092646A1. Автор: Doris Bruce B.,Chen Chia-Yu,Venigalla Rajasekhar,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150123184A1. Автор: Tang Tien-Hao,CHEN YU-CHUN,WANG Chang-Tzu,Su Kuan-Cheng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2015-05-07.

Single and double diffusion is used to interrupt to mention high performance fin formula field effect transistor (FINFET) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) circuit

Номер патента: CN109417097A. Автор: 袁骏,K·里姆,刘彦翔. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-03-01.

THIN-FILM-TRANSISTOR BASED COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) CIRCUIT

Номер патента: US20200203432A1. Автор: Rachmady Willy,Pillarisetty Ravi,Doyle Brian,Majhi Prashant,Sharma Abhishek,Pancholi Anup,KARPOV Elijah. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170047426A1. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Method for improving electrical performance of PMOS (P-channel Metal Oxide Semiconductor) device in silicon germanium CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) process

Номер патента: CN104392960A. Автор: 周建华. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-03-04.

Methods of Fabricating Semiconductor Devices Including Complementary Metal Oxide Semiconductor Transistors

Номер патента: US20170092547A1. Автор: Tang Poren,Lee Hyun Jung,Lee Seung Hun,YANG Moon Seung,KIM Sunjung Steve,JEONG Geun Hee. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

Complementary metal oxide semiconductor integrated circuit using raised source drain and replacement metal gate

Номер патента: US8148786B2. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Annalisa Cappellani,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-04-03.

ATOMIC LAYER DEPOSITION SEALING INTEGRATION FOR NANOSHEET COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR WITH REPLACEMENT SPACER

Номер патента: US20170069763A1. Автор: Doris Bruce B.,Lauer Isaac,Guillorn Michael A.,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR CIRCUIT STRUCTURE, PREPARATION METHOD THEREOF AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20140159038A1. Автор: IM Jang Soon. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-06-12.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR WITH DUAL STRAINED CHANNELS WITH SOLID PHASE DOPING

Номер патента: US20170125551A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR WITH DUAL STRAINED CHANNELS WITH SOLID PHASE DOPING

Номер патента: US20180182867A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

DUAL CHANNEL SILICON/SILICON GERMANIUM COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR PERFORMANCE WITH INTERFACE ENGINEERING

Номер патента: US20180315663A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Bao Ruqiang,Southwick Richard G.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Method for forming high voltage complementary metal-oxide semiconductor by utilizing retrograde ion implantation

Номер патента: US20050048712A1. Автор: Jung-Cheng Kao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-03.

CMOS (complementary metal oxide semiconductor) device capable of reducing charge collection generated by radiation and preparation method thereof

Номер патента: CN102386186B. Автор: 张兴,杨东,黄如,黄芊芊,谭斐,安霞. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-02-19.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2041785A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2008000556A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2008-01-03.

Bulk cmos devices with enhanced performance and methods of forming the same utilizing bulk cmos process

Номер патента: US20190304977A1. Автор: Baker Scott,Dirk Robert Walter Leipold,George Maxim,Michael Carroll,Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Compressive strained iii-v complementary metal oxide semiconductor (cmos) device

Номер патента: US20140191286A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

MONOLITHIC SELF-ALIGNED HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR (HBT) AND COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS)

Номер патента: US20200266290A1. Автор: Dutta Ranadeep. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR, METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140191318A1. Автор: LIN CHIEN-TING,Tsai Shih-Hung. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-07-10.

ORIENTATION ENGINEERING IN COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR INTEGRATION FOR INCREASED MOBILITY AND SHARPER JUNCTION

Номер патента: US20170092713A1. Автор: Doris Bruce B.,Chen Chia-Yu,Venigalla Rajasekhar,He Hong. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR (VFET) PROGRAMMABLE COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR INVERTER

Номер патента: US20190206859A1. Автор: Ning Tak H.,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR (VFET) PROGRAMMABLE COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR INVERTER

Номер патента: US20190304968A1. Автор: Ning Tak H.,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with microelectromechanical systems (MEMS) devices using a flat surface above a sacrificial layer

Номер патента: US09796582B1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: US09978682B1. Автор: Anthony Correale, Jr.,William GOODALL, III,Philip Michael ILES. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Multi-voltage complementary metal oxide semiconductor integrated circuits based on always-on N-well architecture

Номер патента: US09905560B2. Автор: Senthilkumar JAYAPAL,Navienkumar Ramachandran Arumugam. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: SG11201908898QA. Автор: Correale, Jr,Goodall, Iii,Philip Iles. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-30.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: WO2018191047A2. Автор: Jr. Anthony Correale,III William Goodall,Philip Michael ILES. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-10-18.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: WO2018191047A3. Автор: Jr. Anthony Correale,III William Goodall,Philip Michael ILES. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-11-22.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: EP3610507A2. Автор: Jr. Anthony Correale,III William Goodall,Philip Michael ILES. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-19.

Method for Manufacturing a Si-Based High-Mobility CMOS Device With Stacked Channel Layers, and Resulting Devices

Номер патента: US20180082907A1. Автор: Clement Merckling,Guillaume Boccardi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-03-22.

Method for manufacturing a Si-based high-mobility CMOS device with stacked channel layers, and resulting devices

Номер патента: US09947591B2. Автор: Clement Merckling,Guillaume Boccardi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-04-17.

Structure and method to form defect free high-mobility semiconductor fins on insulator

Номер патента: US9941302B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Structure and method to form defect free high-mobility semiconductor fins on insulator

Номер патента: US20180219026A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Structure and method to form defect free high-mobility semiconductor fins on insulator

Номер патента: US20170309647A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Method for Manufacturing a Si-Based High-Mobility CMOS Device With Stacked Channel Layers, and Resulting Devices

Номер патента: US20190181050A1. Автор: Clement Merckling,Guillaume Boccardi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-06-13.

Complementary metal oxide semiconductor element and manufacture method thereof

Номер патента: US20170301734A1. Автор: Mian Zeng,Shengdong Zhang,Xiangzhi XIAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Complementary metal oxide semiconductor element and manufacture method thereof

Номер патента: US9887242B2. Автор: Mian Zeng,Shengdong Zhang,Xiangzhi XIAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Complementary metal oxide semiconductor device e.g. complementary metal oxide semiconductor transistor, has gate stacks whose second conductive layers are formed of different conductive materials

Номер патента: DE102007005328A1. Автор: Hyung-Suk Suwon Jung,Jong-ho Suwon Lee,Sung-Kee Seongnam Han,Ju-youn Suwon Kim,Jung-min Ansan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-06.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR REPLACEMENT GATE HIGH-K METAL GATE DEVICES WITH WORK FUNCTION ADJUSTMENTS

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Paruchuri Vamsi K.,Edge Lisa F.,Jamison Paul C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

Complementary metal-oxide semiconductor transistor logic using strained SI/SIGE heterostructure layers

Номер патента: US5534713A. Автор: Khaled E. Ismail,Frank Stern. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-07-09.

FABRICATION OF FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES WITH UNIFORM HYBRID CHANNELS

Номер патента: US20180331104A1. Автор: Cheng Kangguo,Yang Jie,Xu Peng,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

FABRICATION OF FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING SEPARATE N-TYPE AND P-TYPE SOURCE/DRAINS USING A SINGLE SPACER DEPOSITION

Номер патента: US20180069003A1. Автор: Cheng Kangguo,LIE Fee Li,Miller Eric R.,Teehan Sean. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

FABRICATION OF FIN FIELD EFFECT TRANSISTORS FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING SEPARATE N-TYPE AND P-TYPE SOURCE/DRAINS USING A SINGLE SPACER DEPOSITION

Номер патента: US20180069004A1. Автор: Cheng Kangguo,LIE Fee Li,Miller Eric R.,Teehan Sean. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

SIMPLE INTEGRATION OF NON-VOLATILE MEMORY AND COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20180130811A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR CIRCUIT AND ITS MANUFACTURING PROCESS

Номер патента: FR2318500A1. Автор: . Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-02-11.

CMOS (complementary metal oxide semiconductor) transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102881657B. Автор: 孙冰. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-07.

Double gate, flexible thin-film transistor (TFT) complementary metal-oxide semiconductor (MOS) (CMOS) circuits and related fabrication methods

Номер патента: US10483287B1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-11-19.

Method for fabricating complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: US20040185595A1. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Complementary metal oxide semiconductor device, optical apparatus including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US9355917B2. Автор: Young-Jin Cho,Sang-Moon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Method for fabricating complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: US7029942B2. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-04-18.

Method for fabricating improved complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: CA1166361A. Автор: Robert F. Pfeifer,Murray L. Trudel. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) ultrasonic transducers and methods for forming the same

Номер патента: US09944514B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Gregory L. Charvat,Tyler S. Ralston,Nevada J. Sanchez. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Asynchronous logic element of a complementary metal-oxide-semiconductor structure

Номер патента: RU2693685C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2019-07-03.

metal-oxide-semiconductor transistor and complementary metal-oxide-semiconductor circuit related

Номер патента: US20240304624A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

CMOS device with decreased leakage current and method making same

Номер патента: US09859167B2. Автор: ANJO Kenji. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH III-V AND SILICON GERMANIUM TRANSISTORS ON INSULATOR

Номер патента: US20150255460A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Shiu Kuen-Ting,Majumdar Amlan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-10.

Silicon complementary metal oxide semiconductor body contact on insulator formed by grating

Номер патента: CN1128473C. Автор: 杰克·A·曼德尔曼,迈克尔·J·哈格路夫. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-11-19.

Complementary metal oxide semiconductor and component of the same

Номер патента: TW200425477A. Автор: Wein-Town Sun,Jen-Yi Hu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-16.

A method for forming a low temperature polysilicon complementary metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: TW200421620A. Автор: Kun-Hong Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-10-16.

SINGLE SPACER FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR PROCESS FLOW

Номер патента: US20170229463A1. Автор: Cheng Kangguo,Bergendahl Marc A.,LIE Fee Li,Miller Eric R.,Teehan Sean,Sporre John R.,SHEARER JEFFREY C.,Dechene Jessica. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

Dual-plane complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US20080113476A1. Автор: Brent Anderson,Edward Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Complementary metal oxide semiconductor circuit structure, preparation method thereof and display device

Номер патента: EP2743990B1. Автор: Jangsoon IM. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-24.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensor and method of making

Номер патента: US11581360B2. Автор: Bo-Tsung TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-14.

Dual-plane complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US20070235818A1. Автор: Brent Anderson,Edward Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Cmos device with decreased leakage current and method making same

Номер патента: US20170069542A1. Автор: ANJO Kenji. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Silicon germanium and silicon fins on oxide from bulk wafer

Номер патента: US20180315668A1. Автор: Hong He,Nicolas Loubet,Junli Wang,James Kuss. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-01.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator FIN on insulator substrate

Номер патента: US11862702B2. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator fin on insulator substrate

Номер патента: US20210305388A1. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator fin on insulator substrate

Номер патента: US20240088254A1. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

ISOLATED COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES FOR RADIO-FREQUENCY (RF) CIRCUITS

Номер патента: US20170117358A1. Автор: Kim Jonghae,Nowak Matthew Michael,Yun Changhan Hobie,Mudakatte Niranjan Sunil,KIM Daeik Daniel,Lan Je-Hsiung Jeffrey. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) VOLTAGE-CONTROLLED RESISTOR

Номер патента: US20190214506A1. Автор: GOKTEPELI Sinan,KOLEV Plamen Vassilev,CLARKE Peter Graeme. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

Method of fabricating a complementary metal oxide semiconductor (cmos) image sensor

Номер патента: US20110086459A1. Автор: Won-Joon Ho,Kyung-Lak Lee. Владелец: Crosstek Capital LLC. Дата публикации: 2011-04-14.

Method of fabricating a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor

Номер патента: US8247256B2. Автор: Won-Joon Ho,Kyung-Lak Lee. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-08-21.

Discontinuity prevention method for SiGe layer on oxide region surface and fabrication of heterojunction bipolar transistor (HBT) and bipolar complementary metal-oxide-semiconductor transistor (BiCMOS) using the method

Номер патента: TWI251878B. Автор: Mong-Song Liang,Shih-Chang Chen,Liang-Gi Yao,Kuen-Chyr Lee,Fu-chin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-03-21.

ATOMIC LAYER DEPOSITION SEALING INTEGRATION FOR NANOSHEET COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR WITH REPLACEMENT SPACER

Номер патента: US20170069734A1. Автор: Doris Bruce B.,Lauer Isaac,Guillorn Michael A.,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20210074759A1. Автор: TSAI Bo-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

METHOD FOR FABRICATING COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR

Номер патента: US20190096952A1. Автор: TSAI Bo-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

DUAL CHANNEL SILICON/SILICON GERMANIUM COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR PERFORMANCE WITH INTERFACE ENGINEERING

Номер патента: US20190229020A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Bao Ruqiang,Southwick Richard G.. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURE METHOD THEREOF

Номер патента: US20170301734A1. Автор: Zhang Shengdong,Zeng Mian,XIAO Xiangzhi. Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-10-19.

A method for forming complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: KR100675638B1. Автор: 백명기. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2007-02-02.

Complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: EP1974377B1. Автор: Massimo Fischetti,Qiqing Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-09-12.

Monolithic inductance-enhancing integrated circuits, complementary metal oxide semiconductor (cmos) inductance-enhancing integrated circuits, inductor assemblies, and inductance-multiplying methods

Номер патента: US20030075764A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

FIELD-EFFECT TRANSISTORS (FET) CIRCUITS EMPLOYING TOPSIDE AND BACKSIDE CONTACTS FOR TOPSIDE AND BACKSIDE ROUTING OF FET POWER AND LOGIC SIGNALS, AND RELATED COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) CIRCUITS

Номер патента: US20220093594A1. Автор: Kim Jonghae,Sharma Deepak,Kang Seung Hyuk,SONG Stanley Seungchul,RIM Kern,Boynapalli Venugopal,LIM Hyeokjin,Feng Peijie,Nallapati Giridhar,Chidambaram Periannan,Chava Bharani,VANG FOUA. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Nickel Silicide in Bipolar Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS) Device and Method of Manufacturing

Номер патента: US20220068911A1. Автор: Howard David J.,Sinha Mantavya,Preisler Edward. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Method of Manufacturing Nickel Silicide in Bipolar Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS)

Номер патента: US20220068912A1. Автор: Howard David J.,Sinha Mantavya,Preisler Edward. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Nickel Silicide in Bipolar Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS) Device

Номер патента: US20220068913A1. Автор: Howard David J.,Sinha Mantavya,Preisler Edward. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Method of Manufacturing Bipolar Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS) Devices Using Nickel Silicide

Номер патента: US20220068914A1. Автор: Howard David J.,Sinha Mantavya,Preisler Edward. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

How to manufacture N-channel and P-channel junction field effect transistors and CMOS transistors using complementary metal oxide semiconductors "or bipolar / CMOS processes

Номер патента: KR100303725B1. Автор: 리챠드비.머릴,도그알.파렌코프. Владелец: 클라크 3세 존 엠.. Дата публикации: 2001-11-22.

Flat pad structure for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor processes

Номер патента: US20160365378A1. Автор: Ming-Tsong Wang,Dun-Nian Yaung,Ching-Chun Wang,Yen-Ting Chiang,Feng-Chi Hung,Shyh-Fann Ting,Hsiao-Hui Tseng,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Using oxynitride spacer to reduce parasitic capacitance in CMOS devices

Номер патента: US20060054934A1. Автор: Kaiping Liu,Haowen Bu,Yuanning Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

Strained metal gate structure for cmos devices with improved channel mobility and methods of forming the same

Номер патента: WO2008106244A2. Автор: Wei He,Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Renee T. Mo,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-09-04.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor

Номер патента: US09859323B1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen,zhi-yang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods for dual metal gate complementary metal oxide semiconductor integration

Номер патента: WO2007025277A2. Автор: Naim Moumen,Muhammad Mustafa Hussain,Zhibo Zhang,Seung-Chul Song,Byoung Hun Lee,Rino Choi,Husam Alshareef,Joel Barnett. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2007-03-01.

Vertical transfer gate structure for a back-side illumination (BSI) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor using global shutter capture

Номер патента: US09818788B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Ultrasonic transducers in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) wafers and related apparatus and methods

Номер патента: US09899371B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Nevada J. Sanchez,Susan A. Alie. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensors with saddle-gate source follower for imaging pixels

Номер патента: US12142620B2. Автор: Jinwen Xiao,Yunfei GAO,Tae Seok Oh. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor with silicon and silicon germanium

Номер патента: US09859325B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yueh-Chuan Lee,Chia-Chan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Fabricating method of complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor

Номер патента: US20080113477A1. Автор: JHY-JYI SZE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensors

Номер патента: US09954019B2. Автор: Jungchak Ahn,Seungwook Lee,Youngwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor (CIS) package with an image buffer

Номер патента: US09899443B2. Автор: Kuo-Chung Yee,Kazuaki Hashimoto,Hsiao-Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensor sturcture of mixed integration area and potential reading method employing the same

Номер патента: US20030107663A1. Автор: Hsiu-Yu Cheng,Ya-Chin King. Владелец: Twin Han Tech Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensors

Номер патента: US20170040365A1. Автор: Jungchak Ahn,Seungwook Lee,Youngwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-09.

Complementary metal-oxide-semiconductor depth sensor element

Номер патента: US09859313B2. Автор: Tom Chang,Kao-Pin Wu. Владелец: Eminent Electronic Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Time delay integration structure for complementary metal-oxide semiconductor imaging sensor

Номер патента: US12046624B2. Автор: Robert Daniel McGrath. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Using different gate dielectrics with NMOS and PMOS transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060022271A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Time delay integration structure for complementary metal-oxide semiconductor imaging sensor

Номер патента: US20210327952A1. Автор: Robert Daniel McGrath. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Using different gate dielectrics with nmos and pmos transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: WO2006028577A2. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-03-16.

THREE-DIMENSIONAL (3D), VERTICALLY-INTEGRATED FIELD-EFFECT TRANSISTORS (FETs) FOR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) CELL CIRCUITS

Номер патента: US20200144264A1. Автор: Li Xia,Ekbote Shashank,Chidambaram Periannan. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

A STRUCTURE AND METHOD FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) ISOLATION

Номер патента: US20200176330A1. Автор: Yang Haining. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

THREE-DIMENSIONAL (3D), VERTICALLY-INTEGRATED FIELD-EFFECT TRANSISTORS (FETS) ELECTRICALLY COUPLED BY INTEGRATED VERTICAL FET-TO-FET INTERCONNECTS FOR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) CELL CIRCUITS

Номер патента: US20210280582A1. Автор: Ge Lixin,CHEN Jun,Lu Ye,LIM Kwanyong. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Integration of multiple threshold voltage devices for complementary metal oxide semiconductor using full metal gate

Номер патента: US20150333065A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Balasubramanian S. Haran,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Method of forming a complementary metal oxide semiconductor structure with n-type and p-type field effect transistors having symmetric source/drain junctions and optional dual silicides

Номер патента: US20160247805A1. Автор: Andres Bryant,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Structure featuring ferroelectric capacitance in interconnect level for steep sub-threshold complementary metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US20180226417A1. Автор: Takashi Ando,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Three-dimensional CMOS (complementary metal oxide semiconductor) based on two-dimensional transition metal chalcogenide and tellurium and preparation method thereof

Номер патента: CN111293085A. Автор: 张卫,陆叶,马顺利,包文中,郭晓娇. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-16.

FABRICATION OF VERTICAL DOPED FINS FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20180006037A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Mehta Sanjay C.,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (MOS) CAPACITOR

Номер патента: US20210036168A1. Автор: Wang Zhongze,Liu Gang,Lu Ye. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160093616A1. Автор: Huang Chien-Chung,Lai Chien-Ming,Wang Yu-Ping,Tsai Ya-Huei,Tseng Yu-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210125986A1. Автор: VELLIANITIS Georgios. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-04-29.

STRUCTURE FEATURING FERROELECTRIC CAPACITANCE IN INTERCONNECT LEVEL FOR STEEP SUB-THRESHOLD COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTORS

Номер патента: US20180226415A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

STRUCTURE FEATURING FERROELECTRIC CAPACITANCE IN INTERCONNECT LEVEL FOR STEEP SUB-THRESHOLD COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTORS

Номер патента: US20180226416A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

STRUCTURE FEATURING FERROELECTRIC CAPACITANCE IN INTERCONNECT LEVEL FOR STEEP SUB-THRESHOLD COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTORS

Номер патента: US20180226417A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

Method of forming a complementary metal oxide semiconductor structure with n-type and p-type field effect transistors having symmetric source/drain junctions and optional dual silicides

Номер патента: US20160247805A1. Автор: Andres Bryant,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

PN(positive negative) junction varactor in Bi CMOS (complementary metal oxide semiconductor) process and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102544119B. Автор: 陈帆,陈雄斌. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-07-09.

Complementary metal-oxide-semiconductor field effect transistor structure having ion implant in only one of the complementary devices

Номер патента: US20060022217A1. Автор: Matthias Passlack. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Extreme high mobility cmos logic

Номер патента: US20170309734A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Justin K. Brask,Robert S. Chau,Suman Datta,Amlan Majumdar,Mark L. Doczy,Mantu K. Hudait,Matthew V. Metz,Been-Yih Jin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Extreme high mobility CMOS logic

Номер патента: US09691856B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Justin K. Brask,Robert S. Chau,Suman Datta,Amlan Majumdar,Mark L. Doczy,Mantu K. Hudait,Matthew V. Metz,Been-Yih Jin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Stable high mobility motft and fabrication at low temperature

Номер патента: EP3005420A2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong,Juergen Musolf. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2016-04-13.

High mobility strained channels for fin-based transistors

Номер патента: EP2878013A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Roza Kotlyar,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Stephen M. Cea,Daniel B. Aubertine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-06-03.

High mobility strained channels for fin-based transistors

Номер патента: WO2014018181A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Roza Kotlyar,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Stephen M. Cea,Daniel B. Aubertine. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-01-30.

High mobility strained channels for fin-based transistors

Номер патента: US09893149B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Roza Kotlyar,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Stephen M. Cea,Daniel B. Aubertine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Silicon on insulator device with partially recessed gate

Номер патента: US09905648B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor-on-insulator wafer, semiconductor structure including a transistor, and methods for the formation and operation thereof

Номер патента: US20180040731A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor-on-insulator wafer, semiconductor structure including a transistor, and methods for the formation and operation thereof

Номер патента: US09966466B2. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

High mobility transistor element resulting from igto oxide semiconductor crystallization, and production method for same

Номер патента: US20240088270A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Bo Kyoung Kim,Nuri ON. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-03-14.

Complementary metal-oxide semiconductor integrated circuit device with isolation

Номер патента: US4870471A. Автор: Isao Ohkura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-09-26.

In vivo bioimaging method and system using near-infrared light and complementary metal-oxide-semiconductor image sensor

Номер патента: US10251556B2. Автор: Sang Chul Ahn,Bum Jae You,Seok Joon Kwon,Hwa Sup Lim. Владелец: Center Of Human Centered Interaction for Coexistence. Дата публикации: 2019-04-09.

Resistive processing units with complementary metal-oxide-semiconductor non-volatile analog memory

Номер патента: US20200258942A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Low resistance source/drain contacts for complementary metal oxide semiconductor (CMOS) devices

Номер патента: US9978750B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Rajasekhar Venigalla,Dechao Guo,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

COMPRESSIVE STRAINED III-V COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICE

Номер патента: US20140191286A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,Hashemi Pouya. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-10.

LOW RESISTANCE SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES

Номер патента: US20180261597A1. Автор: Guo Dechao,Yamashita Tenko,Venigalla Rajasekhar,Liu Zuoguang,Adusumilli Praneet,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

LOW RESISTANCE SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES

Номер патента: US20180261598A1. Автор: Guo Dechao,Yamashita Tenko,Venigalla Rajasekhar,Liu Zuoguang,Adusumilli Praneet,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

SUBSTRATE STRUCTURE, COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150115321A1. Автор: Cho Seong-ho,LEE Myoung-jae,Lee Sung-hun,LEE Sang-moon,YANG Moon-seung,Mohammad Rakib Uddin. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

Substrate structure, complementary metal oxide semiconductor device, and method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: TWI639221B. Автор: 李明宰,梁炆承,李商文,李成訓,穆罕默德 拉奇 武丁,趙成豪. Владелец: 南韓商三星電子股份有限公司. Дата публикации: 2018-10-21.

Substrate structure, complementary metal oxide semiconductor device and method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: KR102104062B1. Автор: 이성훈,이상문,조성호,이명재,모하메드 라킵 우딘,양문승. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-04-23.

INTEGRATION OF MULTIPLE THRESHOLD VOLTAGE DEVICES FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR USING FULL METAL GATE

Номер патента: US20150333065A1. Автор: HARAN BALASUBRAMANIAN S.,Jagannathan Hemanth,Edge Lisa F.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR

Номер патента: US20200168700A1. Автор: SONG JAE-JOON. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

Manufacturing method of vertical bipolar junction transistor which has deep n-well in tripple-well complementary metal oxide semiconductor technology and its receiver

Номер патента: KR100616233B1. Автор: 김영진,이귀로,남일구. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2006-08-25.

Method and apparatus for fabricating a high-performance band-edge complementary metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US8097500B2. Автор: Takashi Ando,Bruce B. Doris,James Pan,Changhwan Choi,Vijay Narayanan,Young-Hee Kim,Eduard A. Cartier,Vamsi K. Paruchuri,Elizabeth A. Duch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

Semiconductor device having high mobility channel

Номер патента: EP3050094A1. Автор: Ming Cai,John Jianhong ZHU,Da YANG,Bin Yang,Samit Sengupta,Giridhar Nallapati,PR Chidambaram,Jihong Choi,Chock Hing Gan,Ravi Mahendra TODI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-03.

Semiconductor device having high mobility channel

Номер патента: WO2015047709A1. Автор: Ming Cai,John Jianhong ZHU,Da YANG,Bin Yang,Samit Sengupta,Giridhar Nallapati,PR Chidambaram,Jihong Choi,Chock Hing Gan,Ravi Mahendra TODI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device with fin end spacer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200098876A1. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Tzu-Chung Wang,Kai-Tai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Method of making embedded memory device with silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US09634020B1. Автор: Nhan Do,Mandana TADAYONI,Chien Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Silicon-on-insulator structure having bipolar stress, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190304998A1. Автор: Changfeng Wang,Duanquan LIAO,Yanfei Ma. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) (FINFET) COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) CIRCUITS EMPLOYING SINGLE AND DOUBLE DIFFUSION BREAKS FOR INCREASED PERFORMANCE

Номер патента: US20180006035A1. Автор: Yuan Jun,Liu Yanxiang,RIM Kern. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Complementary metal oxide semiconductor device, and method for forming a metal oxide semiconductor device and a complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: KR100797138B1. Автор: 토마스 엔. 호스키,데일 씨. 제이콥슨. Владелец: 세미이큅, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-01-22.

Method of removing native oxide layer on doped region and fabrication of heterojunction bipolar transistor (HBT) and bipolar complementary metal-oxide-semiconductor transistor (BICMOS) using the method

Номер патента: TWI232504B. Автор: Mong-Song Liang,Chi-Chun Chen,Shih-Chang Chen,Liang-Gi Yao,Kuen-Chyr Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-05-11.

Complementary metal oxide semiconductor device with an electroplated metal replacement gate

Номер патента: US20090275179A1. Автор: Hariklia Deligianni,John M. Cotte,Toshiharu Furukawa,William R. Tonti,Veeraraghavan S. Basker,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150255516A1. Автор: Chen Yi-Wei,Chen Chung-Tao,Chiu Ta-Wei,Lin Yu-Pu. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

IMPROVED CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) TECHNOLOGY

Номер патента: US20070020830A1. Автор: Anthony Speranza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-01-25.

STRUCTURE AND METHOD TO ENABLING A BORDERLESS CONTACT TO SOURCE REGIONS AND DRAIN REGIONS OF A COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) TRANSISTOR

Номер патента: US20130178035A1. Автор: Vega Reinaldo A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140087525A1. Автор: Chen Yi-Wei,Chen Chung-Tao,Chiu Ta-Wei,Lin Yu-Pu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-27.

Inducing stress in cmos device

Номер патента: US20110006371A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-01-13.

Semiconductor device with fins

Номер патента: US11742414B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

High-mobility trench mosfets

Номер патента: US20110278665A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Semiconductor device with fin end spacer plug and method of manufacturing the same

Номер патента: US11244867B2. Автор: Tung Ying Lee,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Semiconductor device with fin end spacer plug and method of manufacturing the same

Номер патента: US11798849B2. Автор: Tung Ying Lee,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device with fin end spacer plug and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230369126A1. Автор: Tung Ying Lee,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Constrained epitaxial source/drain regions on semiconductor-on-insulator finfet device

Номер патента: US20150357412A1. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Constrained epitaxial source/drain regions on semiconductor-on-insulator finfet device

Номер патента: US20150279958A1. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device with different fin pitches

Номер патента: US09793271B1. Автор: Bruce B. Doris,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Polysilicon resistor formation in silicon-on-insulator replacement metal gate finFET processes

Номер патента: US09698061B2. Автор: Huiming Bu,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device with different fin pitches

Номер патента: US09653463B1. Автор: Bruce B. Doris,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for preparing silicon-based high-mobility CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) provided with III-V/Ge channel

Номер патента: CN103390591A. Автор: 潘教青,于红艳,王圩,周旭亮,李士颜. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2013-11-13.

SOI (silicon on insulator) layer variable-doping BCD (Bipolar complementary Metal oxide semiconductor) device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN107221558B. Автор: 张波,余洋,乔明,梁龙飞,王睿迪,詹珍雅. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-07-10.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: US20160133634A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Cmos devices and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2630662A1. Автор: Li Guo,Jian Yan,Guangtao Han,Hsiaochia Wu. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-28.

Cmos devices and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2630662A4. Автор: Li Guo,Jian Yan,Guangtao Han,Hsiaochia Wu. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-20.

Cmos devices and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2012079463A1. Автор: Li Guo,Jian Yan,Guangtao Han,Hsiaochia Wu. Владелец: Csmc Technologies Fab1 Co., Ltd. Дата публикации: 2012-06-21.

Cmos devices and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130099327A1. Автор: Li Guo,Jian Yan,Guangtao Han,Hsiaochia Wu. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor structure including a first transistor at a semiconductor-on-insulator region and a second transistor at a bulk region and method for the formation thereof

Номер патента: US09847347B1. Автор: Elliot John Smith,Nigel Chan,Nilesh Kenkare. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices with microelectromechanical systems (mems) devices using a flat surface above a sacrificial layer

Номер патента: US20200346925A1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices with microelectromechanical systems (mems) devices using a flat surface above a sacrificial layer

Номер патента: US20200024135A1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices with microelectromechanical systems (mems) devices using a flat surface above a sacrificial layer

Номер патента: US20190055120A1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) gas sensor and forming method thereof

Номер патента: CN104617095A. Автор: 袁彩雷,俞挺,骆兴芳. Владелец: Jiangxi Normal University. Дата публикации: 2015-05-13.

Heterogeneous integration method and heterogeneous integration device for compound semiconductor and silicon-based complementary metal oxide semiconductor wafer

Номер патента: CN110534473B. Автор: 刘洪刚,常虎东,孙兵,金智. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-04-05.

Semiconductor integrated circuits containing complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: EP0138517B1. Автор: William Thomas Lynch,Gerald Allan Coquin,Louis Carl Parrillo. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1988-07-06.

The Manufacturing resource method and Manufacturing resource device of compound semiconductor and silicon-based complementary metal oxide semiconductor wafer

Номер патента: CN110534473A. Автор: 刘洪刚,常虎东,孙兵,金智. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-12-03.

Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Device Comprising Silicon and Germanium and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140008730A1. Автор: Liesbeth Witters,Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-01-09.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150069517A1. Автор: Cho Seong-ho,LEE Myoung-jae,Lee Sung-hun,LEE Sang-moon,Uddin Mohammad Rakib,YANG Moon-seung. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, OPTICAL APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140191252A1. Автор: CHO Young-Jin,LEE Sang-moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-07-10.

Multi-Voltage Complementary Metal Oxide Semiconductor Integrated Circuits Based On Always-On N-Well Architecture

Номер патента: US20180158823A1. Автор: Jayapal Senthilkumar,Arumugam Navienkumar Ramachandran. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

FORMATION OF COMMON INTERFACIAL LAYER ON Si/SiGe DUAL CHANNEL COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190181052A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

FORMATION OF COMMON INTERFACIAL LAYER ON Si/SiGe DUAL CHANNEL COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180211885A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR WITH DUAL CONTACT LINERS

Номер патента: US20190279934A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102210325B1. Автор: 이성훈,이상문,조성호,이명재,모하메드 라킵 우딘,양문승. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-02-01.

method for fabricvating complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: KR100252902B1. Автор: 김동선. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Complimentary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) with Low Contact Resistivity and Method of Forming Same

Номер патента: US20190096885A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,Shih Ding-Kang,Lin Hau-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

Complimentary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) With Low Contact Resistivity and Method of Forming Same

Номер патента: US20140183645A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,Shih Ding-Kang,Lin Hau-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-07-03.

Complimentary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) with Low Contact Resistivity and Method of Forming Same

Номер патента: US20200119013A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,Shih Ding-Kang,Lin Hau-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Complimentary metal-oxide-semiconductor (CMOS) with low contact resistivity and method of forming same

Номер патента: US10978451B2. Автор: Ding-Kang SHIH,Clement Hsingjen Wann,Hau-Yu Lin,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: WO2016022212A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-11.

SILICON-ON-INSULATOR (SOI) COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) STANDARD LIBRARY CELL CIRCUITS HAVING A GATE BACK-BIAS RAIL(S), AND RELATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20150325563A1. Автор: Kamal Pratyush,Du Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-12.

Method for forming complementary metal oxide semiconductor (CMOS) structures with improved threshold voltage and flat band voltage stability (barrier layer to achieve threshold voltage control in CMOS device formation with high-k dielectrics) Selective implementation)

Номер патента: JP4711444B2. Автор: ボヤールチュク、ネスター、エイ・ジュニア,カブラル、シリル、ジュニア,カルティエ、エデュアルト、エイ,コペル、マシュー、ダブリュ,フランク、マーティン、エム,グーセフ、エフゲニ、ピー,グーハ、スプラティク,ジャミー、ラジャラオ,ナラヤナン、ビジェイ,パルチューリ、ヴァムシ、ケイ. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-06-29.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) circuit with increased breakdown value

Номер патента: KR950012713A. Автор: 브로스펠트 로타르,테우스 올리히,모쯔 마리오. Владелец: 도이취 아이티티 인더스트리스 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁. Дата публикации: 1995-05-16.

Semiconductor component with complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) circuit, with bulk terminals, via which current is determined in blocking direction of bulk diodes between doped troughs and base

Номер патента: DE102004009622A1. Автор: Peter Hofreiter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-16.

HIGH DIELECTRIC CONSTANT STRUCTURE FOR THE VERTICAL TRANSFER GATES OF A COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) IMAGE SENSOR

Номер патента: US20150372034A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,TSAI Cheng-Yuan,Tu Yeur-Luen,Wu Kuo-Ming,LAI Chih-Yu,Chen Sheng-Chau,Chou Cheng-Hsien,TZENG KUO-HWA. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) gate stack with high dielectric constant gate dielectric and integrated diffusion barrier

Номер патента: US20020190302A1. Автор: Supratik Guha,Kevin Chan,Evgeni Gousev,Paul Jamison,Lars-Ake Ragnarsson,Christopher D'Emic,Alexander Bojarczuk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) gate stack with high dielectric constant gate dielectric and integrated diffusion barrier

Номер патента: US20050156257A1. Автор: Supratik Guha,Kevin Chan,Evgeni Gousev,Paul Jamison,Lars-Ake Ragnarsson,Nestor Bojarczuk,Christopher D'Emic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

Complementary Metal Oxide Semiconductor device, optical apparatus comprising CMOS device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102083495B1. Автор: 조영진,이상문. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-03-02.

Multi-Voltage Complementary Metal Oxide Semiconductor Integrated Circuits Based On Always-On N-Well Architecture

Номер патента: US20160111424A1. Автор: Jayapal Senthilkumar,Arumugam Navienkumar Ramachandran. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor integrated circuit

Номер патента: JPS59201460A. Автор: Yoshifumi Masaki,Setsushi Kamuro,節史 禿,良文 政木. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1984-11-15.

Method for preparing complementary metal-oxide-semiconductor type field effect transistor

Номер патента: CN102915917A. Автор: 许高博,徐秋霞,李永亮. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-06.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR CIRCUIT

Номер патента: FR2318503A1. Автор: . Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-02-11.

Radiation-resistant memory element for static random-access memory devices on complementary metal-oxide-semiconductor transistors

Номер патента: RU2692307C1. Автор: Юрий Михайлович Герасимов,Ярослав Ярославович Петричкович,Николай Геннадьевич Григорьев,Андрей Вадимович Кобыляцкий. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" (АО НПЦ "ЭЛВИС"). Дата публикации: 2019-06-24.

Producing method for complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: CN100433290C. Автор: 李源镐. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2008-11-12.

Complementary metal-oxide semiconductor device

Номер патента: JPS6057961A. Автор: ハナフイ　エル　セイド　メレイス. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1985-04-03.

Method for fabricating complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: TW200428476A. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Method for fabricating complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: TWI339407B. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: Crosstek Capital LLC. Дата публикации: 2011-03-21.

Device threshold control of front-gate silicon-on-insulator mosfet using a self-aligned back-gate

Номер патента: EP1661158A2. Автор: Wilfried Haensch,Robert Dennard,Hussein Hanafi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-31.

Semiconductor Device With Self-Aligned Back Side Features

Номер патента: US20170047346A1. Автор: Stephen A. Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor device with self-aligned back side features

Номер патента: US20160042967A1. Автор: Stephen A. Fanelli. Владелец: Qualcomm Switch Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device with self-aligned back side features

Номер патента: EP3178112A1. Автор: Stephen A. Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-14.

Semiconductor device with self-aligned back side features

Номер патента: WO2016022341A1. Автор: Stephen A. Fanelli. Владелец: Silanna Semiconductor U.S.A., Inc.. Дата публикации: 2016-02-11.

Silicon-on-insulator integrated circuit devices with body contact structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US9685364B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Guan Huei See,Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Vertical replacement-gate silicon-on-insulator transistor

Номер патента: US20030064567A1. Автор: Samir Chaudhry,Paul Layman,J. Thomson,Jack Zhao,John McMacken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Lateral thin-film silicon-on-insulator (soi) device having multiple doping profile slopes in the drift region

Номер патента: WO2000031776A3. Автор: Mark Simpson,Theodore Letavic. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2000-09-08.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20180131232A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-10.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20190238004A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-01.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20210143679A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2021-05-13.

Method and system for a complementary metal oxide semiconductor wireless power receiver

Номер патента: US10826330B2. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-03.

Method and system for a complementary metal oxide semiconductor wireless power receiver

Номер патента: US09685793B2. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) ULTRASONIC TRANSDUCERS AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20180186628A1. Автор: Rothberg Jonathan M.,Charvat Gregory L.,Ralston Tyler S.,Sanchez Nevada J.,Fife Keith G.. Владелец: Butterfly Network, Inc.. Дата публикации: 2018-07-05.

Complementary metal oxide semiconductor (cmos) ultrasonic transducers and methods for forming the same

Номер патента: US20190210869A1. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Gregory L. Charvat,Tyler S. Ralston,Nevada J. Sanchez. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Complementary metal oxide semiconductor (cmos) ultrasonic transducers and methods for forming the same

Номер патента: US20150251896A1. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Gregory L. Charvat,Tyler S. Ralston,Nevada J. Sanchez. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) ULTRASONIC TRANSDUCERS AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20170283254A1. Автор: Rothberg Jonathan M.,Charvat Gregory L.,Ralston Tyler S.,Sanchez Nevada J.,Fife Keith G.. Владелец: Butterfly Network, Inc.. Дата публикации: 2017-10-05.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) ultrasonic transducers and methods for forming the same

Номер патента: US9738514B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Gregory L. Charvat,Tyler S. Ralston,Nevada J. Sanchez. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) ultrasonic transducers and methods for forming the same

Номер патента: US9290375B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Gregory L. Charvat,Tyler S. Ralston,Nevada J. Sanchez. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

SILICON ON INSULATOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR WITH AN ISOLATION FORMED AT LOW TEMPERATURE

Номер патента: US20130307078A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Shahidi Ghavam G.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-21.

SINGLE SPACER FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR PROCESS FLOW

Номер патента: US20170229350A1. Автор: Cheng Kangguo,Bergendahl Marc A.,LIE Fee Li,Miller Eric R.,Teehan Sean,Sporre John R.,SHEARER JEFFREY C.,Dechene Jessica. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

MANUFACTURING METHOD OF COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD OF ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20200357702A1. Автор: He Chao,Chen Yuxia. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Pressure sensor i.e. complementary metal-oxide-semiconductor compatible pressure sensor, for measuring ambient pressure, has insulator arranged between substrate and electrode, where substrate and electrode exhibits same composition

Номер патента: DE102012023429B3. Автор: Patentinhaber gleich. Владелец: ELMOS SEMICONDUCTOR SE. Дата публикации: 2013-08-22.

Method for manufacturing a complementary metal-oxide semiconductor sensor

Номер патента: US7115438B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Chi-Rong Lin,Nien-Chung Jiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-10-03.

Semiconductor device with fin end spacer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210217665A1. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Tzu-Chung Wang,Kai-Tai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Recessed gate silicon-on-insulator floating body device with self-aligned lateral isolation

Номер патента: US20140332880A1. Автор: John Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device with buried local interconnects

Номер патента: US09953857B2. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

High mobility tri-gate devices and methods of fabrication

Номер патента: US7042009B2. Автор: Mohamad A. Shaheen,Robert S. Chau,Brian Doyle,Peter Tolchinsky,Suman Dutta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-09.

Gate-all-around integrated circuit structures having high mobility

Номер патента: US20200105753A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having high mobility

Номер патента: US20230116170A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

COMPRESSIVE STRAINED III-V COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICE

Номер патента: US20140191287A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,Hashemi Pouya. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-10.

Ultrasonic Transducers in Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Wafers and Related Apparatus and Methods

Номер патента: US20150298170A1. Автор: Rothberg Jonathan M.,Sanchez Nevada J.,Fife Keith G.,Alie Susan A.. Владелец: Butterfly Network, Inc.. Дата публикации: 2015-10-22.

High-gain bipolar junction transistor compatible with complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process and method for fabricating the same

Номер патента: US7745882B2. Автор: Je-Don Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-29.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR (VFET) PROGRAMMABLE COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR INVERTER

Номер патента: US20190157261A1. Автор: Ning Tak H.,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Reference clock complementary metal-oxide semiconductor (cmos) input buffer with self-calibration and improved electrostatic discharge (esd) performance

Номер патента: US20230062619A1. Автор: Charles Qingle Wu,Weiyi Zhang,Yanying He. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Reference clock complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) input buffer with self-calibration and improved electrostatic discharge (ESP) performance

Номер патента: US11750949B2. Автор: Charles Qingle Wu,Weiyi Zhang,Yanying He. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) buffer

Номер патента: US8618836B1. Автор: Grigori Temkine,Oleg Drapkin. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-12-31.

Complementary metal oxide semiconductor (cmos) buffer

Номер патента: US20130342269A1. Автор: Grigori Temkine,Oleg Drapkin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-26.

High-voltage protection integrated circuit of Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) auxiliary trigger Selective Catalytic Reduction (SCR) structure

Номер патента: CN112563261B. Автор: 顾晓峰,梁海莲,冯希昆. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-06-27.

Method of making a diffused lightly doped drain device with built in etch stop

Номер патента: US5518945A. Автор: John A. Bracchitta,Stephen A. Mongeon,Gabriel Hartstein,Anthony C. Speranza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Electrostatic protective circuit for complementary-metal oxide semiconductor-integrated circuit

Номер патента: JPS5790969A. Автор: Naoyuki Morita. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1982-06-05.

Electrostatic protective circuit for complementary-metal oxide semiconductor-integrated circuit

Номер патента: JPS5790970A. Автор: Naoyuki Morita. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1982-06-05.

Finfet devices including high mobility channel materials with materials of graded composition in recessed source/drain regions and methods of forming the same

Номер патента: US20150035008A1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Self-aligned channel-only semiconductor-on-insulator field effect transistor

Номер патента: US09935178B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Finfet devices including high mobility channel materials with materials of graded composition in recessed source/drain regions

Номер патента: US09685509B2. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

High mobility semiconductor channel based thin-film transistors and manufacturing methods

Номер патента: US20210280719A1. Автор: Soo Young Choi,Jung Bae Kim,Dong Kil Yim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Self-aligned channel-only semiconductor-on-insulator field effect transistor

Номер патента: US20180108758A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Method of implanting impurities and method of manufacturing a complementary metal oxide semiconductor (cmos) image sensor using the same

Номер патента: US20120252155A1. Автор: Sang-jun Choi,Eun-Kyung Park,Jong-Cheol Shin,Duck-Hyung Lee,June-mo Koo,Yu-Jin Ahn,Sun-E Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-04.

Deep trench spacing isolation for complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensors

Номер патента: US20160163749A1. Автор: Chen-Jong Wang,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Jung-I Lin,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Deep trench spacing isolation for complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensors

Номер патента: US9559134B2. Автор: Chen-Jong Wang,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Jung-I Lin,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Hybrid material inversion-mode cylindrical gate-all-around complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) field effect transistor

Номер патента: WO2011066729A1. Автор: 张苗,王曦,陈静,薛忠营,肖德元. Владелец: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所. Дата публикации: 2011-06-09.

NANOMESH COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20140151639A1. Автор: Chang Josephine B.,Sleight Jeffrey W.,Guillorn Michael A.,Chang Paul. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-05.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20210210545A1. Автор: TSAI Bo-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR

Номер патента: US20190273112A1. Автор: TSAI Bo-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

Structure of complementary metal oxide semiconductor image sensor and its manufacturing method

Номер патента: CN100416842C. Автор: 李敬雨,李守根,朴基彻. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-03.

Semiconductor-on-insulator with back side support layer

Номер патента: US20150249056A1. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin,Paul A. Nygaard. Владелец: Silanna Semiconductor USA Inc. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor-on-insulator with back side strain inducing material

Номер патента: US09748272B2. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin,Paul A. Nygaard. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Metal oxide resistance memory integrating a standard complementary metal oxide semiconductor (CMOS) process and preparation method thereof

Номер патента: CN102683584B. Автор: 刘明,刘琦,吕杭炳,龙世兵,牛洁斌,王艳花. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-04-02.

Metal oxide resistance memory integrating a standard complementary metal oxide semiconductor (CMOS) process and preparation method thereof

Номер патента: CN102683584A. Автор: 刘明,刘琦,吕杭炳,龙世兵,牛洁斌,王艳花. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-09-19.

METHOD FOR INTEGRATING COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES WITH MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS (MEMS) DEVICES USING A FLAT SURFACE ABOVE A SACRIFICIAL LAYER

Номер патента: US20200024135A1. Автор: Chu Chia-Hua,Cheng Chun-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

METHOD FOR INTEGRATING COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES WITH MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS (MEMS) DEVICES USING A FLAT SURFACE ABOVE A SACRIFICIAL LAYER

Номер патента: US20180148326A1. Автор: Chu Chia-Hua,Cheng Chun-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

METHOD FOR INTEGRATING COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES WITH MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS (MEMS) DEVICES USING A FLAT SURFACE ABOVE A SACRIFICIAL LAYER

Номер патента: US20200346925A1. Автор: Chu Chia-Hua,Cheng Chun-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensor

Номер патента: US12068350B2. Автор: Junetaeg LEE,Seokha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICE HAVING GATE STRUCTURES CONNECTED BY A METAL GATE CONDUCTOR

Номер патента: US20140349451A1. Автор: Kwon Unoh,Yu Xiaojun,Greene Brian J.,Liang Yue,Chidambarrao Dureseti,HENSON William K.,Narasimha Shreesh. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-27.

Ultrasonic transducers in complementary metal oxide semiconductor (cmos) wafers and related apparatus and methods

Номер патента: TWI661534B. Автор: 強納森Ｍ 羅斯貝格,蘇珊Ａ 阿里,凱斯Ｇ 法菲,尼瓦達Ｊ 桑雪茲. Владелец: 美商蝴蝶網路公司. Дата публикации: 2019-06-01.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) IMAGE SENSOR

Номер патента: US20130320196A1. Автор: HIROSIGE GOTO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-05.

APPARATUS, SYSTEM AND METHOD OF BACK SIDE ILLUMINATION (BSI) COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) PIXEL ARRAY

Номер патента: US20160005896A1. Автор: Lahav Assaf,Fenigstein Amos. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) IMAGE SENSOR (CIS) PACKAGE WITH AN IMAGE BUFFER

Номер патента: US20180026067A1. Автор: LEE Hsiao-Wen,HASHIMOTO Kazuaki,Yee Kuo-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

VERTICAL TRANSFER GATE STRUCTURE FOR A BACK-SIDE ILLUMINATION (BSI) COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) IMAGE SENSOR USING GLOBAL SHUTTER CAPTURE

Номер патента: US20170053955A1. Автор: SZE JHY-JYI,Kalnitsky Alexander,Huang Yimin. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

DEEP TRENCH SPACING ISOLATION FOR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) IMAGE SENSORS

Номер патента: US20170084646A1. Автор: Wang Chen-Jong,Yang Tai-I,Lin Tien-Lu,Lin Ta-Chun,LIN JUNG-I. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

ULTRASONIC TRANSDUCERS IN COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) WAFERS AND RELATED APPARATUS AND METHODS

Номер патента: US20180130795A1. Автор: Rothberg Jonathan M.,Sanchez Nevada J.,Fife Keith G.,Alie Susan A.. Владелец: Butterfly Network, Inc.. Дата публикации: 2018-05-10.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) IMAGE SENSOR WITH SILICON AND SILICON GERMANIUM

Номер патента: US20170141153A1. Автор: SZE JHY-JYI,Lee Yueh-Chuan,CHEN Chia-Chan. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

ULTRASONIC TRANSDUCERS IN COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) WAFERS AND RELATED APPARATUS AND METHODS

Номер патента: US20190164956A1. Автор: Rothberg Jonathan M.,Sanchez Nevada J.,Fife Keith G.,Alie Susan A.. Владелец: Butterfly Network, Inc.. Дата публикации: 2019-05-30.

FLAT PAD STRUCTURE FOR INTEGRATING COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) IMAGE SENSOR PROCESSES

Номер патента: US20160365378A1. Автор: HUNG FENG-CHI,Yaung Dun-Nian,Tseng Hsiao-Hui,Wang Ching-Chun,Ting Shyh-Fann,Wang Ming-Tsong,Chiang Yen-Ting,Wu Wei Chuang. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) IMAGE SENSOR

Номер патента: US20170358620A1. Автор: TSAI Cheng-Yuan,Chen Sheng-Chau,Chou Cheng-Hsien,LI Sheng-Chan,Wang Zhi-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

ULTRASONIC TRANSDUCERS IN COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) WAFERS AND RELATED APPARATUS AND METHODS

Номер патента: US20160379973A1. Автор: Rothberg Jonathan M.,Sanchez Nevada J.,Fife Keith G.,Alie Susan A.. Владелец: Butterfly Network, Inc.. Дата публикации: 2016-12-29.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: US20090212335A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Ultrasonic transducers in complementary metal oxide semiconductor (cmos) wafers and related apparatus and methods

Номер патента: CA2946133A1. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Nevada J. Sanchez,Susan A. Alie. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Ultrasonic transducers in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) wafers and related apparatus and methods

Номер патента: US10707201B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Nevada J. Sanchez,Susan A. Alie. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2020-07-07.

VERTICAL TRANSFER GATE STRUCTURE FOR A BACK-SIDE ILLUMINATION (BSI) COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) IMAGE SENSOR USING GLOBAL SHUTTER CAPTURE

Номер патента: US20160343751A1. Автор: SZE JHY-JYI,Kalnitsky Alexander,Huang Yimin. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Complementary metal oxide semiconductor/bipolar complementary metal oxide semiconductor - integrated circuit for camera chip has single individual layer as last layer of passivation system sealing off integrated circuit

Номер патента: DE10239643B3. Автор: Konrad Dr. Bach. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2004-06-17.

Complementary metal oxide semiconductor/bipolar complementary metal oxide semiconductor - integrated circuit for camera chip has single individual layer as last layer of passivation system sealing off integrated circuit

Номер патента: DE10239642B3. Автор: Konrad Dr. Bach. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2004-06-24.

CMOS complementary metal oxide semiconductor contact hole etching method and CMOS complementary metal oxide semiconductor manufacturing method

Номер патента: CN103560082A. Автор: 吴敏,秦伟,李程,黄海辉,高慧慧,杨渝书. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-02-05.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH III-V OPTICAL INTERCONNECT HAVING III-V EPITAXIAL SEMICONDUCTOR MATERIAL FORMED USING LATERAL OVERGROWTH

Номер патента: US20160226222A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Using different gate dielectrics with nmos and pmos transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: TWI301666B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-10-01.

Method for manufacturing complementary metal-oxide-semiconductor transistor of integrated circuit, involves subjecting silicon-germanium layer to epitaxy process to form silicon layer, and oxidizing silicon layer using oxidation process

Номер патента: FR2974236A1. Автор: Didier Dutartre,Nicolas Breil,Joseph Shepard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-19.

Process of passivating a metal-gated complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US20030186518A1. Автор: Hyungjun Kim,Fenton McFeely,Vijay Narayanan,Alessandro Callegari,Christopher D'Emic,John Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-10-02.

CMOS (complementary metal oxide semiconductor) devices having metal gate NFETs and poly-silicon gate PFETs

Номер патента: US8018005B2. Автор: William K. Henson,Hongwen Yan,Richard Stephen Wise,Bruce Bennett Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Forming dual metal complementary metal oxide semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20090020825A1. Автор: Mark Doczy,Justin K. Brask,Robert S. Chau,Mitchell Taylor,Suman Datta,Jack Kavalieros,Matthew V. Metz,Jack Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-22.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20210020682A1. Автор: Ihara Hisanori. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-21.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEPTH SENSOR ELEMENT

Номер патента: US20200025556A1. Автор: Chang Tom,Wu Kao-Pin. Владелец: EMINENT ELECTRONIC TECHNOLOGY CORP. LTD.. Дата публикации: 2020-01-23.

CONCAVE REFLECTOR FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR (CIS)

Номер патента: US20210036043A1. Автор: CHEN YU-CHUN,Lu Jiech-Fun,Huang Po-Han. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20160043132A1. Автор: Ihara Hisanori. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20170040365A1. Автор: AHN Jungchak,LEE Seungwook,Jung Youngwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-02-09.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR, IMAGE PROCESSING METHOD AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20220068990A1. Автор: YANG XIN. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20160056198A1. Автор: AHN Jungchak,LEE Seungwook,Jung Youngwoo. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Concave reflector for complementary metal oxide semiconductor image sensor (cis)

Номер патента: US20190057994A1. Автор: Yu-Chun Chen,Po-Han Huang,Jiech-Fun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEPTH SENSOR ELEMENT

Номер патента: US20170074643A1. Автор: Chang Tom,Wu Kao-Pin. Владелец: EMINENT ELECTRONIC TECHNOLOGY CORP. LTD.. Дата публикации: 2017-03-16.

High Yield Complementary Metal-Oxide Semiconductor X-ray Detector

Номер патента: US20140183676A1. Автор: James Liu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-07-03.

Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Image Sensors

Номер патента: US20190109170A1. Автор: Ihara Hisanori. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSORS WITH SUBMICRON PIXELS AND PUNCH THROUGH CHARGE TRANSFER

Номер патента: US20210144324A1. Автор: Hynecek Jaroslav. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2021-05-13.

CONCAVE REFLECTOR FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR (CIS)

Номер патента: US20220278158A1. Автор: CHEN YU-CHUN,Lu Jiech-Fun,Huang Po-Han. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

BACKSIDE-ILLUMINATED COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR SENSOR AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190140000A1. Автор: HUANG Xiaolu,OISHI Amane,Kitamura Yosuke. Владелец: HUAIAN IMAGING DEVICE MANUFACTURER CORPORATION. Дата публикации: 2019-05-09.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20200161363A1. Автор: Ihara Hisanori. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-21.

Single photon avalanche diode imaging sensor for complementary metal oxide semiconductor stacked chip applications

Номер патента: US20150200222A1. Автор: Eric A. G. Webster. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Complementary metal oxide semiconductor image sensor device and method of forming the same

Номер патента: US20160204158A1. Автор: Chien-En Hsu,Chen Jie Gu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

CONCAVE REFLECTOR FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR (CIS)

Номер патента: US20200266228A1. Автор: CHEN YU-CHUN,Lu Jiech-Fun,Huang Po-Han. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

METHOD OF FORMING COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160307805A1. Автор: Huang Chien-Chung,Lai Chien-Ming,Wang Yu-Ping,Tsai Ya-Huei,Tseng Yu-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

CHEMICAL COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR (CCMOS) COLORIMETRIC SENSORS FOR MULTIPLEX DETECTION AND ANALYSIS

Номер патента: US20200340912A1. Автор: Tao Nongjian,Wang Di. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

Complementary Metal Oxide Semiconductor image sensor having high photosensitivity and method for fabricating thereof

Номер патента: KR100767629B1. Автор: 최양규,김국환. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2007-10-17.

Complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: JPS59121969A. Автор: Koji Makita,Kazuyoshi Shinada,牧田　耕次,品田　一義. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1984-07-14.

Backside illuminated CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor

Номер патента: CN102779826A. Автор: 叶菁,费孝爱. Владелец: Omnivision Technologies Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-14.

Complementary metal-oxide semiconductor image sensor, data readout method thereof and electronic system including the same

Номер патента: CN102137237A. Автор: 金永灿,李景镐,安正查,朴英桓,张东润,夏伊.哈马米,尤齐.希齐,尤里.弗里德曼. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-27.

Complementary metal oxide semiconductor image sensor cell for microelectronic device, has reading node that is in contact with doped region and connected to reading circuit, where node is arranged at distance away from edges of region

Номер патента: FR2971622A1. Автор: Yvon Cazaux. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-08-17.

Complementary metal oxide semiconductor imaging device for e.g. video camera, has microlens array comprising microlenses embodied according to respective circular templates which are provided with overlapping areas

Номер патента: FR2894035A1. Автор: Brendan Dunne,Olivier Gagliano,Caroline Fossati. Владелец: Universite Paul Cezanne Aix Marseille III. Дата публикации: 2007-06-01.

Wider dynamic range complementary metal oxide semiconductor image sensor, has controller connected between power terminal and output node to control output resistance of output node

Номер патента: FR2803158A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-29.

Backside-illuminated complementary metal oxide semiconductor sensor and the manufacturing method thereof

Номер патента: US10483312B2. Автор: Yosuke Kitamura,Amane Oishi,Xiaolu Huang. Владелец: Huaian Imaging Device Manufacturer Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

Method for manufacturing e.g. application-specific integrated circuit for P-channel complementary metal oxide semiconductor transistor, involves forming electrode structures with electrode materials and insulation layers

Номер патента: DE102011079836A1. Автор: Stephan-Detlef KRONHOLZ,Maciej Wiatr,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Complementary metal oxide semiconductor image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: EP1551062B1. Автор: Wi Sik Min. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-17.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensors

Номер патента: US10615216B2. Автор: HISANORI Ihara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-07.

The complementary metal oxide semiconductor image sensor and its manufacturing method for improving color reproduction

Номер патента: KR100628228B1. Автор: 한창훈. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-09-26.

Fabrication method of CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) device

Номер патента: CN104217999A. Автор: 马斌,陈瑜,陈华伦,罗啸,郭振强. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-12-17.

Common-gate stereoscopic CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor) device, OLED (Organic Light Emitting Diode) device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104752426A. Автор: 卜维亮. Владелец: Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-01.

Complementary metal oxide semiconductor image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: US20070052053A1. Автор: Chiu-Te Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-08.

An energy sensitive composition for forming a flattened film or microlens on a substrate, a method of manufacturing a hardened body, a method of manufacturing a hardened body, a microlens, and a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor

Номер патента: TWI726159B. Автор: 井上朋之,磯部信吾,言水志信,池田有里. Владелец: 日商東京應化工業股份有限公司. Дата публикации: 2021-05-01.

Method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: US7964495B2. Автор: Han-Choon Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-06-21.

CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor) image sensor

Номер патента: CN102044548B. Автор: 杨建平,朱虹,冷江华,辛春艳,徐锦心,吴立维. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-01-23.

The complementary metal oxide semiconductor image sensor and its manufacturing method using passivation

Номер патента: KR100606922B1. Автор: 한창훈. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

Method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: CN1992224A. Автор: 沈喜成. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Concave reflector for complementary metal oxide semiconductor image sensor (CIS)

Номер патента: US10680024B2. Автор: Yu-Chun Chen,Po-Han Huang,Jiech-Fun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Manufacture method of deep sub-micro complementary metal oxide semiconductor with ultrashallow junction

Номер патента: TW506080B. Автор: Li-Ren Shi. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-10-11.

Method of manufacturing a complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: DE19727492A1. Автор: Kwang-Soo Kim,Jae-Kap Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-02.

Complementary metal oxide semiconductor image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: CN1933167A. Автор: 金相荣. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2007-03-21.

Sensor i.e. charge coupled device sensor, for use in digital camera for recording image, has complementary metal oxide semiconductor component provided for determination of light amount beyond maximum amount of light

Номер патента: DE102008052679A1. Автор: Dirk Richter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Method for fabricating Complementary Metal Oxide Semiconductor image sensor

Номер патента: KR100544957B1. Автор: 한창훈. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-01-24.

Complementary metal oxide semiconductor (COMS) image sensor pixel structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103066089A. Автор: 赵宇航,康晓旭. Владелец: Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Method for manufacturing complementary metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: TW201816944A. Автор: 肖德元. Владелец: 上海新昇半導體科技有限公司. Дата публикации: 2018-05-01.

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor pixel and control time sequence thereof

Номер патента: CN102158663A. Автор: 陈杰,郭同辉,旷章曲,刘志碧. Владелец: Beijing Superpix Micro Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-17.

The complementary metal oxide semiconductor image sensor and its manufacturing method for filling a color filter material

Номер патента: KR100606919B1. Автор: 정선욱. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensors

Номер патента: US10181492B2. Автор: HISANORI Ihara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-15.

Method for fabricating complementary metal oxide semiconductor image sensor having redundancy module

Номер патента: US20040219707A1. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-04.

CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) process compatible ambient light sensor and preparation method thereof

Номер патента: CN107331673B. Автор: 李成. Владелец: Shanghai Xinchen Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Forming method of CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) transistor

Номер патента: CN104347512A. Автор: 禹国宾. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-02-11.

Complementary metal oxide semiconductor image sensor has planarization layer including microlenses of concave pattern formed corresponding to respective photodiodes, on color filter layers

Номер патента: DE102004062973A1. Автор: Shang Won KIM. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Using different gate dielectrics with NMOS and PMOS transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: TW200605303A. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-01.

The complementary metal oxide semiconductor image sensor and its manufacturing method using a wafer back side

Номер патента: KR100628236B1. Автор: 백승원. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-09-26.

Concave reflector for complementary metal oxide semiconductor image sensor (CIS)

Номер патента: US11923394B2. Автор: Yu-Chun Chen,Po-Han Huang,Jiech-Fun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Single photon avalanche diode imaging sensor for complementary metal oxide semiconductor stacked chip applications

Номер патента: HK1208286A1. Автор: ．韋伯斯特 埃里克．. Владелец: Omnivision Tech Inc. Дата публикации: 2016-02-26.

Chemical complementary metal-oxide semiconductor (ccmos) colorimetric sensors for multiplex detection and analysis

Номер патента: US20200340912A1. Автор: Di Wang,Nongjian Tao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-29.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09726819B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Three dimensional complementary metal oxide semiconductor carbon nanotube thin film transistor circuit

Номер патента: US09966416B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Xiao-Yang Xiao,Yu-Dan Zhao,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Organic light-emitting diode (OLED) image display apparatus driven by silicon-based complementary metal oxide semiconductor (CMOS) and manufacturing method

Номер патента: US10763318B2. Автор: Ping Liu. Владелец: Shenzhen Dianbond Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) X-Ray Detector With A Repaired CMOS Pixel Array

Номер патента: US20140183607A1. Автор: Liu James. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2014-07-03.

Complementary metal-oxide semiconductor compatible patterning of superconducting nanowire single-photon detectors

Номер патента: US20220262969A1. Автор: Mark Thompson,Damien Bonneau,Faraz Najafi,Joaquin Matres Abril. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Complementary metal-oxide semiconductor compatible patterning of superconducting nanowire single-photon detectors

Номер патента: US20200303573A1. Автор: Mark Thompson,Damien Bonneau,Faraz Najafi,Joaquin Matres Abril. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

MICRON-SCALE ACTIVE COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) OPTICAL TAGS

Номер патента: US20190060663A1. Автор: Shepard Kenneth,Ramakrishnan Girish. Владелец: The Trustees of Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2019-02-28.

INTEGRATED ACOUSTIC FILTER ON COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DIE

Номер патента: US20190273116A1. Автор: GOKTEPELI Sinan,FANELLI Stephen Alan,CHU Yun Han. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

Micron-scale active complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) optical tags

Номер патента: WO2017171988A3. Автор: Kenneth Shepard,Girish RAMAKRISHNAN. Владелец: The Trustees of Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2017-11-16.

Integrated acoustic filter on complementary metal oxide semiconductor (cmos) die

Номер патента: US20190273116A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli,Yun Han CHU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Micron-scale active complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) optical tags

Номер патента: US20190060663A1. Автор: Kenneth Shepard,Girish RAMAKRISHNAN. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2019-02-28.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH III-V OPTICAL INTERCONNECT HAVING III-V EPITAXIAL SEMICONDUCTOR MATERIAL FORMED USING LATERAL OVERGROWTH

Номер патента: US20170075062A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH III-V OPTICAL INTERCONNECT HAVING III-V EPITAXIAL SEMICONDUCTOR MATERIAL FORMED USING LATERAL OVERGROWTH

Номер патента: US20160105247A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Bulk complementary metal-oxide semiconductor radio frequency switch with enhanced radio frequency power handling

Номер патента: US20240291446A1. Автор: YING Chen,Che-Chun Kuo,Tienyu Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH III-V OPTICAL INTERCONNECT HAVING III-V EPITAXIALLY FORMED MATERIAL

Номер патента: US20160103278A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH III-V OPTICAL INTERCONNECT HAVING III-V EPITAXIALLY FORMED MATERIAL

Номер патента: US20160252677A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

IN VIVO BIOIMAGING METHOD AND SYSTEM USING NEAR-INFRARED LIGHT AND COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR

Номер патента: US20180055367A1. Автор: Lim Hwa Sup,Ahn Sang Chul,YOU Bum Jae,KWON Seok Joon. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

METHOD FOR MAKING THREE DIMENSIONAL COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR CARBON NANOTUBE THIN FILM TRANSISTOR CIRCUIT

Номер патента: US20190088722A1. Автор: LI QUN-QING,JIN YUAN-HAO,FAN SHOU-SHAN,ZHAO YU-DAN,XIAO XIAO-YANG,LI GUAN-HONG. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

HIGH DENSITY RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY INTEGRATED ON COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20190181338A1. Автор: Ando Takashi,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

Complementary Metal-Oxide Semiconductor Compatible Patterning of Superconducting Nanowire Single-Photon Detectors

Номер патента: US20190189816A1. Автор: Thompson Mark,Najafi Faraz,Bonneau Damien,Abril Joaquin Matres. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Three dimensional complementary metal oxide semiconductor carbon nanotube thin film transistor circuit

Номер патента: US20180219044A1. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Xiao-Yang Xiao,Yu-Dan Zhao,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

RESISTIVE PROCESSING UNITS WITH COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR NON-VOLATILE ANALOG MEMORY

Номер патента: US20200258942A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR COMPATIBLE PATTERNING OF SUPERCONDUCTING NANOWIRE SINGLE-PHOTON DETECTORS

Номер патента: US20200303573A1. Автор: Thompson Mark,Najafi Faraz,Bonneau Damien,Abril Joaquin Matres. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

METHOD FOR MAKING THREE DIMENSIONAL COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR CARBON NANOTUBE THIN FILM TRANSISTOR CIRCUI

Номер патента: US20170323930A1. Автор: LI QUN-QING,JIN YUAN-HAO,FAN SHOU-SHAN,ZHAO YU-DAN,XIAO XIAO-YANG,LI GUAN-HONG. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

THREE DIMENSIONAL COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR CARBON NANOTUBE THIN FILM TRANSISTOR CIRCUIT

Номер патента: US20170323931A1. Автор: LI QUN-QING,JIN YUAN-HAO,FAN SHOU-SHAN,ZHAO YU-DAN,XIAO XIAO-YANG,LI GUAN-HONG. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

temperature-based radiation-resistant reinforcing method for CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) process device

Номер патента: CN108511402B. Автор: 马武英,何振山,丛培天,姚志斌,王祖军,何宝平,盛江坤,董观涛,薛院院. Владелец: Northwest Institute of Nuclear Technology. Дата публикации: 2019-12-06.

Chip scale package structure of CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) image sensor and packaging method

Номер патента: CN101752267A. Автор: 三重野文健,鲍震雷. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-06-23.

Mixed light interconnection system based on standard CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor) process

Номер патента: CN106653934A. Автор: 谢生,毛陆虹,肖谧,郭维廉,丛佳. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-05-10.

Monitoring NFET/PFET Skew in Complementary Metal Oxide Semiconductor Devices

Номер патента: US20100174503A1. Автор: Jeffrey H. Oppold,Bruce Balch,Anthony Wayne Fazekas,Mark C.H. Lamorey,Joseph James Oler, Jr.,Chirstopher Daniel Parkinson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Magnetic storage and with complementary metal oxide semiconductor drive circuit integrated approach

Номер патента: CN106505077B. Автор: Z·Z·班迪克,L·M·弗兰卡-内托,J·R·奇尔德里斯,J·A·凯廷,N·L·罗伯逊. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2019-11-05.

Method of fabrication a silicon-on-insulator device with a channel stop

Номер патента: US20050085045A1. Автор: Masao Okihara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Method of fabricating a silicon-on-insulator device with a channel stop

Номер патента: US20060154431A1. Автор: Masao Okihara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-13.

Method of fabricating a silicon-on-insulator device with a channel stop

Номер патента: US7300851B2. Автор: Masao Okihara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-27.

Semiconductor-on-insulator (soi) substrate and method for forming

Номер патента: US20240355618A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Cheng-ta Wu,Yu-Chun Chang,Kuo Wei Wu,Ying Ling Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor-on-insulator (SOI) substrate and method for forming

Номер патента: US12062539B2. Автор: Chia-Ta Hsieh,Cheng-ta Wu,Yu-Chun Chang,Kuo Wei Wu,Ying Ling Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory device with high-mobility oxide semiconductor channel and methods for forming the same

Номер патента: WO2023224946A1. Автор: Milan PESIC. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory device with high-mobility oxide semiconductor channel and methods for forming the same

Номер патента: US20230380165A1. Автор: Milan PESIC. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Hybrid substrate technology for high-mobility planar and multiple-gate mosfets

Номер патента: WO2005124871A2. Автор: MIN Yang,Bruce B. Doris,Edward J. Nowak,Meikei Ieong. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-12-29.

Eeprom having coplanar on-insulator fet and control gate

Номер патента: IE79078B1. Автор: Alexandre Acovic,Tak Hung Ning,Paul Michael Solomon. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1998-04-08.

Silicon-on-insulator based radiation detection device and method

Номер патента: US20080093634A1. Автор: Edward Nowak,William Clark. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Silicon-on-insulator based radiation detection device and method

Номер патента: US8106457B2. Автор: Edward J. Nowak,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Silicon-on-insulator based radiation detection device and method

Номер патента: US20060244062A1. Автор: Edward Nowak,William Clark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-02.

Passivated germanium-on-insulator lateral bipolar transistors

Номер патента: US09852938B1. Автор: Tak H. Ning,Kevin K. Chan,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

High mobility semiconductor fins on insulator

Номер патента: US20190259672A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Modulation-doping-based high mobility atomic layer semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386858A1. Автор: DongHun Lee,Chul-ho Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-19.

CMOS device and its manufacturing method

Номер патента: KR19990069745A. Автор: 김상연. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1999-09-06.

Systems, Methods and Apparatuses for Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Antenna Switches Using Switched Resonators

Номер патента: US20070281629A1. Автор: Chang-Ho Lee,Joy Laskar,Haksun Kim,Jaejoon Chang,Minsik Ahn,Wangmyong Woo. Владелец: Wangmyong Woo. Дата публикации: 2007-12-06.

LIGHT ENGINE WITH INTEGRATED TURNING MIRROR FOR DIRECT COUPLING TO PHOTONICALLY-ENABLED COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DIE

Номер патента: US20180331493A1. Автор: Lii Justin,LIN Kai-Sheng,CAI Ziliang. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Systems, Methods, and Apparatuses for High Power Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Antenna Switches Using Body Switching and Substrate Junction Diode Controlling in Multistacking Structure

Номер патента: US20080129642A1. Автор: Chang-Ho Lee,Joy Laskar,Haksun Kim,Jaejoon Chang,Minsik Ahn,Wangmyong Woo. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Systems, Methods and Equipment for High Power Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) antenna couplings, using a frame coupling and an external component as a complex structure

Номер патента: FI123967B. Автор: Chang-Ho Lee,Joy Laskar,Min Sik Ahn,Wang Myong Woo,Haksun Kim,Jaejoon Chang. Владелец: Samsung Electro Mech. Дата публикации: 2014-01-15.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20150076920A1. Автор: Gulak Glenn,Zargham Meysam. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20210143679A1. Автор: Gulak Glenn,Zargham Meysam. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20180131232A1. Автор: Gulak Glenn,Zargham Meysam. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20190238004A1. Автор: Gulak Glenn,Zargham Meysam. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

Antenna system using complementary metal oxide semiconductor techniques

Номер патента: US7492317B2. Автор: Keith R. Tinsley,Seong-Youp Suh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-02-17.

Antenna system using complementary metal oxide semiconductor array technology

Номер патента: JP2008535272A. Автор: ティンズレー，キース,シュウ，ソンヨプ. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

Method and system for a complementary metal oxide semiconductor wireless power receiver

Номер патента: US11309740B2. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2022-04-19.

Antenna system using complementary metal oxide semiconductor techniques

Номер патента: US20070262904A1. Автор: Seong-Youp Suh,Keith Tinsley. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

SYSTEMS, METHODS, AND APPARATUS FOR HIGH COMPONENT METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) SEMICONDUCTOR ANTENNA SWITCHES USING BODY SWITCHING AND EXTERNAL COMPONENT IN MULTIPLE STACKING STRUCTURE

Номер патента: FR2921213A1. Автор: Joy Laskar,Min Sik Ahn,Chang Ho Lee,Wang Myong Woo,Haksun Kim,Jaejoon Chang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-20.

Symmetrical multiplexer on complementary metal-oxide-semiconductor (coms) transistors

Номер патента: RU2689820C1. Автор: Ярослав Ярославович Петричкович,Андрей Вадимович Кобыляцкий,Дмитрий Кириллович Сергеев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" (АО НПЦ "ЭЛВИС"). Дата публикации: 2019-05-29.

Voltage control unit of ring generators on complete metal-oxide-semiconductor (cmos) transistors

Номер патента: RU2763038C1. Автор: Юрий Михайлович Герасимов,Ярослав Ярославович Петричкович,Валерий Дмитриевич Байков,Николай Юрьевич Раннев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр «Электронные вычислительно-информационные системы» (АО НПЦ «ЭЛВИС»). Дата публикации: 2021-12-27.

Complementary metal-oxide semiconductor (cmos) compatible rf switch and high voltage control circuit (hvcc)

Номер патента: US20210050846A1. Автор: Yan Guo,Patrick T. Clancy. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device with voids within silicon-on-insulator (SOI) structure and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09721833B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Complementary metal-oxide-semiconductor temperature sensor with wide-range sensing capability and high energy-efficiency

Номер патента: US20230392991A1. Автор: BO Wang. Владелец: Qatar Foundation for Education Science and Community Development. Дата публикации: 2023-12-07.

Low voltage complementary metal oxide semiconductor process tri-state buffer

Номер патента: US20080100340A1. Автор: Tzung-Shen Chen,Chun-Yu Liao,Ti-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Multi-threshold complementary metal-oxide semiconductor (MTCMOS) bus circuit and method for reducing bus power consumption via pulsed standby switching

Номер патента: US20060082384A1. Автор: Rahul Rao,Kevin Nowka,Harmander Deogun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Linearity and dynamic range for complementary metal oxide semiconductor active pixel image sensors

Номер патента: US20020121589A1. Автор: Robert Guidash. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-09-05.

Test unit of ring generators on complementary metal-oxide-semiconductor transistors

Номер патента: RU2725333C1. Автор: Юрий Михайлович Герасимов,Ярослав Ярославович Петричкович,Николай Геннадьевич Григорьев,Андрей Вадимович Кобыляцкий,Дмитрий Кириллович Сергеев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" (АО НПЦ "ЭЛВИС"). Дата публикации: 2020-07-02.

Complementary metal-oxide semiconductor high-frequency ring oscillator

Номер патента: US6097256A. Автор: Dar-Chang Juang,De-Sheng Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2000-08-01.

High mobility heterojunction transistor and method

Номер патента: WO2001086713A1. Автор: Al F. Tasch, Jr.,Qiqing Ouyang,Sanjay Kumar Banerjee. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor-On-Insulator (SOI) Device with Reduced Parasitic Capacitance

Номер патента: US20210005630A1. Автор: Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-01-07.

Silicon-on-insulator radio frequency device and silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US09780164B2. Автор: Daniel Xu,Ernest Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Mixed orientation and mixed material semiconductor-on-insulator wafer

Номер патента: US20080251880A1. Автор: MIN Yang,Katherine L. Saenger,Alexander Reznicek,Guy M. Cohen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Implementing contacts for bodies of semiconductor-on-insulator transistors

Номер патента: US20020030229A1. Автор: John Sheets,Todd Christensen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Combined reactive gas species for high-mobility channel passivation

Номер патента: US09984870B2. Автор: Yohei Ogawa,Takashi Ando,Vijay Narayanan,John Rozen. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Creation of high mobility channels in thin-body SOI devices

Номер патента: US7067386B2. Автор: Brian S. Doyle,Brian E. Roberds. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-06-27.

Semiconductor structure with semiconductor-on-insulator region and method

Номер патента: US20230125584A1. Автор: Alvin J. Joseph,Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Cameron Luce. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor structure with semiconductor-on-insulator region and method

Номер патента: US12131904B2. Автор: Alvin J. Joseph,Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Cameron Luce. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

High mobility semiconductor devices

Номер патента: US4862228A. Автор: Hugh I. Ralph. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1989-08-29.

Apparatus and methods for integrated circuit with devices with body contact and devices with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20080232011A1. Автор: Minchang Liang,Yowjuang W. Liu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2008-09-25.

Method of fabricating high-mobility dual channel material based on soi substrate

Номер патента: US20130029478A1. Автор: Xi Wang,Bo Zhang,Miao Zhang,Zhongying Xue. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-01-31.

High-voltage semiconductor-on-insulator device

Номер патента: US20120132994A1. Автор: Yun Shi,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Varying the thickness of the surface silicon layer in a silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US5364800A. Автор: Keith A. Joyner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-11-15.

Extrusion tool, method for manufacturing shaped article with fins, and heat sink

Номер патента: AU2002353538A1. Автор: Makoto Fujioka. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2003-06-30.

EXTRUSION TOOL, METHOD FOR MANUFACTURING SHAPED ARTICLE WITH FINS, AND HEAT SINK

Номер патента: EP1455961A1. Автор: Makoto Oyama Reg. Off. SHOWA DENKO K.K. FUJIOKA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2004-09-15.

Extrusion tool and method for manufacturing shaped article with fins

Номер патента: EP1455961B1. Автор: Makoto Oyama Reg. Off. SHOWA DENKO K.K. FUJIOKA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-12-10.

Extrusion tool and method for manufacturing shaped article with fins

Номер патента: EP1455961B9. Автор: Makoto Oyama Reg. Off. SHOWA DENKO K.K. FUJIOKA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-08-12.

Method of manufacturing silicon on insulator substrate

Номер патента: US20170278741A1. Автор: Tetsuya Yamada,Shinjirou Uchida,Masamitsu Fukuda,Hiromichi Kinpara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

High-mobility structures, apparatuses and methods therefor

Номер патента: US9130171B2. Автор: Zhenan Bao,Jianguo Mei. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2015-09-08.

Packaging optoelectronic components and CMOS circuitry using silicon-on-insulator substrates for photonics applications

Номер патента: US09935089B2. Автор: Russell A. Budd,Jean-Olivier Plouchart,Mounir Meghelli,Jason Scott ORCUTT. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

High-mobility structures, apparatuses and methods therefor

Номер патента: US20130126836A1. Автор: Zhenan Bao,Jianguo Mei. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2013-05-23.

Packaging optoelectronic components and cmos circuitry using silicon-on-insulator substrates for photonics applications

Номер патента: US20170186739A1. Автор: Russell A. Budd,Jean-Olivier Plouchart,Mounir Meghelli,Jason Scott ORCUTT. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Packaging optoelectronic components and cmos circuitry using silicon-on-insulator substrates for photonics applications

Номер патента: US20180114785A1. Автор: Russell A. Budd,Jean-Olivier Plouchart,Mounir Meghelli,Jason Scott ORCUTT. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Packaging optoelectronic components and CMOS circuitry using silicon-on-insulator substrates for photonics applications

Номер патента: US09935088B2. Автор: Russell A. Budd,Jean-Olivier Plouchart,Mounir Meghelli,Jason Scott ORCUTT. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Packaging optoelectronic components and CMOS circuitry using silicon-on-insulator substrates for photonics applications

Номер патента: US09786641B2. Автор: Russell A. Budd,Jean-Olivier Plouchart,Mounir Meghelli,Jason Scott ORCUTT. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Heterogenous integration of complementary metal-oxide-semiconductor and MEMS sensors

Номер патента: US11845653B2. Автор: Ilker Ender Ocak,Wan Chia ANG,Piotr Kropelnicki. Владелец: Meridian Innovation Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Multi-level power supply system for a complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US20100201403A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Louis L. Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

A complementary metal-oxide-semiconductor x-ray detector

Номер патента: WO2014025967A2. Автор: David Ellis Barker,James Zhengshe Liu. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2014-02-13.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) dynamic random access memory (dram) cell with sense amplifier

Номер патента: US20140204654A1. Автор: John E. Barth, Jr.,Adis Vehabovic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Device comprising a micro-electro-mechanical system substrate with protrusions of different heights that has been integrated with a complementary metal-oxide-semiconductor substrate

Номер патента: US20190185317A1. Автор: Joseph Seeger,Jongwoo Shin,Houri Johari-Galle,Bongsang Kim,Dongyang Kang. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Emitter Coupled Logic (ECL) -Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor (BiCMOS) / Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Translators

Номер патента: KR940010530A. Автор: 신 뉴엔,이 로렌. Владелец: 내쇼날 세미컨덕터 코포레이션. Дата публикации: 1994-05-26.

Systems, methods, and apparatuses for complementary metal oxide semiconductor (cmos) antenna switches using body switching in multistacking structure

Номер патента: CN101159440A. Автор: 李彰浩,乔伊·拉斯卡尔,金学善,安敏植,赵壮赫,张在浚,禹王命. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-09.

Method for the integration of a microelectromechanical systems (mems) microphone device with a complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) device

Номер патента: US20160119722A1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) inverter circuit device

Номер патента: CN113193866A. Автор: 柳凡善,林奎昊,姜汰竟. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-07-30.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) inverter circuit device

Номер патента: US20170117894A1. Автор: Tae Kyoung KANG,Gyu Ho LIM,Beom Seon RYU. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

System for providing a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) emitter coupled logic (ECL) equivalent input/output (I/O) circuit

Номер патента: EP2077619B1. Автор: Jeffrey D. Loukusa,Sald E. Abdelli. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2013-03-13.

Differential amplifier, complementary metal-oxide-semiconductor fully differential amplifier, and low voltage complementary metal-oxide-semiconductor fully differential amplifier

Номер патента: TWI272766B. Автор: Chien-Hung Chen,Chih-Chiang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-02-01.

A kind of complementary metal oxide semiconductors (CMOS) time delay integration formula sensor

Номер патента: CN102611853B. Автор: 王勤立,李世祖. Владелец: X-SCAN IMAGING CORP. Дата публикации: 2016-06-08.

HYBRID POWER AMPLIFIER COMPRISING HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS (HBTs) AND COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES

Номер патента: US20150349731A1. Автор: Kwon Young,Jung Joo Min,Maple Marshall,Bockelman David. Владелец: Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-12-03.

Monolithic complementary metal-oxide semiconductor (cmos) - integrated silicon microphone

Номер патента: US20160241979A1. Автор: Jung-Huei Peng,Yao-Te Huang,Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Chin-Yi Cho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) analog switch circuit

Номер патента: US20150008978A1. Автор: Jung Hoon SUL,Brandon KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) COMPATIBLE RF SWITCH AND HIGH VOLTAGE CONTROL CIRCUIT (HVCC)

Номер патента: US20210050846A1. Автор: Guo Yan,Clancy Patrick T.. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) inverter circuit device

Номер патента: US20150109047A1. Автор: Tae Kyoung KANG,Gyu Ho LIM,Beom Seon RYU. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) INVERTER CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20170117894A1. Автор: KANG Tae Kyoung,RYU Beom Seon,LIM Gyu Ho. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2017-04-27.

MONOLITHIC COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) - INTEGRATED SILICON MICROPHONE

Номер патента: US20160241979A1. Автор: Chu Chia-Hua,Cheng Chun-Wen,Peng Jung-Huei,Huang Yao-Te,Cho Chin-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

Systems, Methods, and Apparatus for Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Antenna Couplers Utilizing Ground-Coupling in a Multistep Structure

Номер патента: FI20075675L. Автор: Joy Laskar,Jae Joon Chang,Min Sik Ahn,Chang Ho Lee,Chang Hyuk Cho,Wang Myong Woo,Hak Sun Kim. Владелец: Samsung Electro Mech. Дата публикации: 2008-04-04.

Bias circuit for high efficiency Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) power amplifier

Номер патента: CN110752827A. Автор: M·M·R·艾斯梅尔,M·A·Y·阿布达拉. Владелец: Adi Semiconductor Unlimited Co. Дата публикации: 2020-02-04.

Method of increased supply rejection on single-ended complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) switches

Номер патента: US10608630B1. Автор: John K. Jennings,Ionut C. CICAL,Diarmuid Collins. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2020-03-31.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) radio frequency (RF) antenna switch used in wireless communication has receiver switch having transistors including first transistor with body substrate

Номер патента: FR2906655A1. Автор: Joy Laskar,Jae Joon Chang,Min Sik Ahn,Chang Ho Lee,Chang Hyuk Cho,Wang Myong Woo,Hak Sun Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-04.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) time-delay integration (TDI) sensor for X-ray imaging applications

Номер патента: JP5809492B2. Автор: ワン チンリー,リー シズ. Владелец: X Scan Imaging Corp. Дата публикации: 2015-11-11.

Integrated acoustic filter on complementary metal oxide semiconductor (cmos) die

Номер патента: WO2019168595A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli,Yun Han CHU. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-09-06.

Integrated acoustic filter on complementary metal oxide semiconductor (cmos) die

Номер патента: EP3759816A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli,Yun Han CHU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-01-06.

Emitter coupled logic-bipolar complementary metal oxide semiconductor / complementary metal oxide semiconductor translators

Номер патента: KR100290725B1. Автор: 신 뉴엔,이 로렌. Владелец: 클라크 3세 존 엠.. Дата публикации: 2001-06-01.

Charge coupled device/complementary metal-oxide semiconductor camera having a focus adjusting ring

Номер патента: TW587192B. Автор: Won-Hee Park,Sang-Kyeng Choi. Владелец: Sekinos Korea Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

High-gain low noise figure complementary metal oxide semiconductor amplifier with low current consumption

Номер патента: US09735737B2. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DIFFERENTIAL ANTENNA TRANSMIT-RECEIVE SWITCHES WITH POWER COMBINING CIRCUITRY FOR ORTHOGONAL FREQUENCY-DIVISION MULTIPLEXING SYSTEMS

Номер патента: US20170005694A1. Автор: Gorbachov Oleksandr,Zhang Lisette L.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DIFFERENTIAL ANTENNA TRANSMIT-RECEIVE SWITCHES WITH POWER COMBINING CIRCUITRY FOR ORTHOGONAL FREQUENCY-DIVISION MULTIPLEXING SYSTEMS

Номер патента: US20160028432A1. Автор: Gorbachov Oleksandr,Zhang Lisette L.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

Complementary metal oxide semiconductor radio frequency power amplifiers with high linearity across a wide range of burst signals in wifi applications

Номер патента: US20160072444A1. Автор: QIANG LI,Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang,Lothar Musiol,Floyd Ashbaugh,Aydin Seyedi. Владелец: Rfaxis Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Complementary Metal Oxide Semiconductor Differential Antenna Transmit-Receive Switches with Power Combining Circuitry for Orthogonal Frequency-Division Multiplexing Systems

Номер патента: US20200136670A1. Автор: Gorbachov Oleksandr,Zhang Lisette L.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

High-gain low noise figure complementary metal oxide semiconductor amplifier with low current consumption

Номер патента: US20170163215A1. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-06-08.

FLEXIBLE COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR PROBES FOR CHRONIC, LARGE-SCALE NEURAL STIMULATION AND RECORDING

Номер патента: US20180185656A1. Автор: Shepard Kenneth L.,Tsai David,Kang Hongki,Thimot Jordan. Владелец: The Trustees of Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2018-07-05.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR POWER AMPLIFIER

Номер патента: US20140327483A1. Автор: BALTEANU FLORINEL. Владелец: RFAXIS, INC.. Дата публикации: 2014-11-06.

High-Gain Low Noise Figure Low Noise Complementary Metal Oxide Semiconductor Amplifier with Low Current Consumption

Номер патента: US20190229679A1. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

FLEXIBLE COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR PROBES FOR CHRONIC, LARGE-SCALE NEURAL STIMULATION AND RECORDING

Номер патента: US20210308468A1. Автор: Shepard Kenneth L.,Tsai David,Kang Hongki,Thimot Jordan. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-07.

High-Gain Low Noise Figure Complementary Metal Oxide Semiconductor Amplifier with Low Current Consumption

Номер патента: US20170317648A1. Автор: Gorbachov Oleksandr,Zhang Lisette L.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Current-mode logic to complementary metal oxide semiconductor logic converter

Номер патента: US20200319662A1. Автор: Marius Vicentiu Dina. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DIFFERENTIAL ANTENNA TRANSMIT-RECEIVE SWITCHES WITH POWER COMBINING CIRCUITRY FOR ORTHOGONAL FREQUENCY-DIVISION MULTIPLEXING SYSTEMS

Номер патента: US20180343029A1. Автор: Gorbachov Oleksandr,Zhang Lisette L.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

Output stage circuit for reducing THD (Total harmonic distortion) of low-voltage operational amplifier based on CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN112398447B. Автор: 孙德臣. Владелец: SG Micro Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-30.

Bipolar complementary metal oxide semiconductor (BiCMOS) current-type reference circuit

Номер патента: CN102841629B. Автор: 张磊,胡刚毅,张正平,王永禄,付东兵,胡蓉彬,朱璨,高煜寒,叶荣科. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2014-07-30.

Night vision equipment with regular infrared illumination function and global shutter CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) sensor

Номер патента: CN105306796A. Автор: 孙鲁毅. Владелец: Ambarella Inc. Дата публикации: 2016-02-03.

Bipolar complementary metal oxide semiconductor output drive circuit

Номер патента: JP2535082B2. Автор: リエン チュエン―デル,レウング ウインギュ. Владелец: INTEGUREITEITSUDO DEBAISU TEKUNOROJII Inc. Дата публикации: 1996-09-18.

Multi-threshold complementary metal-oxide semiconductor master slave flip-flop

Номер патента: US8253464B2. Автор: Abhishek Jain. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2012-08-28.

Complementary metal oxide semiconductor amplifier reducing 1/f noise

Номер патента: KR20090025627A. Автор: 박은철,고정욱,서춘덕. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-03-11.

Gain-adjustable CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor) broadband low-noise amplifier

Номер патента: CN106385239A. Автор: 吴秀山,俞丙威,韩建强,王艳智. Владелец: China Jiliang University. Дата публикации: 2017-02-08.

Transient enhanced LDO (low dropout regulator) circuit, CMOS (complementary metal oxide semiconductor) driver power supply circuit and laser system

Номер патента: CN110794907B. Автор: 向少卿,刘建峰. Владелец: Hesai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-03.

Complementary metal-oxide semiconductor direct current to direct current converter

Номер патента: CN102790523A. Автор: 安德鲁·拉巴杰维奇,曼比尔·纳吉. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-11-21.

Current mode logic - complementary metal oxide semiconductor converter

Номер патента: KR100912964B1. Автор: 김경훈,권대한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-08-20.

Bipolar-complementary metal oxide semiconductor inverter

Номер патента: EP0307323A2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-03-15.

Complementary metal oxide semiconductor voltage controlled oscillator

Номер патента: US7289002B2. Автор: Sung-Jae Jung,Heung-Bae Lee,Sang-Yoon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-30.

Complementary metal- oxide-semiconductor circuit

Номер патента: JPS6449423A. Автор: Yotsuto Derange Buiremu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1989-02-23.

Complementary metal-oxide semiconductor xylophone bar magnetometer with automatic resonance control

Номер патента: US20050030115A1. Автор: Eli Richards,Dennis Wickenden. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2005-02-10.

CMOS (complementary metal oxide semiconductor) image sensor column-sharing 2X2 pixel unit and CMOS image sensor pixel array

Номер патента: CN102868866A. Автор: 陈杰,郭同辉,旷章曲,刘志碧,唐冕. Владелец: Beijing Superpix Micro Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-09.

Current mode logic-complementary metal oxide semiconductor converter

Номер патента: US20090058464A1. Автор: Kyung-Hoon Kim,Dae-Han Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Complementary metal oxide semiconductor arrangement as an exclusive NOR circuit

Номер патента: DE2165162A1. Автор: Bernard Hubert Mesa Ariz. Schmidt j un. (V.StA.). M. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1972-07-20.

Four-stage differential cascode noise amplifier based on SiGe-BiCMOS (silicon germanium-bipolar complementary metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN113726299A. Автор: 陈阳平,苏黎明,龚海波,毛毅,姚静石,陶蕤. Владелец: Chengdu Mingyi Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Terahertz frequency tripler based on CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN111682848A. Автор: 杨涛,杨自强. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-09-18.

ADC (analog-to-digital converter) function safety checking device and method, CMOS (complementary metal oxide semiconductor) image sensor and reference pixel unit

Номер патента: CN112165586A. Автор: 王勇,李靖,宋博,于奇. Владелец: Chengdu Light Collector Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-01.

Complementary metal oxid semiconductor voltage level shift circuit

Номер патента: KR100261179B1. Автор: 김경월. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-07-01.

Circuit for providing high voltage switched signal in response to input of logic level in low voltage during complementary metal oxide semiconductor technology, has n type power FET and p type power FET providing current to external load

Номер патента: FR2955698A1. Автор: Hafid Amrani,Hubert Cordonnier. Владелец: CDDIC SAS. Дата публикации: 2011-07-29.

CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) inductive-storage integrated circuit structure integrating memristor

Номер патента: CN112700810A. Автор: 刘洋,周桐,于奇,胡绍刚,张宗镒. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-04-23.

Fully-integrated wireless receiving chip based on CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN110492896B. Автор: 徐兴,周晗,李湘春,蓝龙伟,范进生. Владелец: Suzhou Ruilian Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2021-04-30.

Complementary metal oxide semiconductor voltage level shift circuit

Номер патента: KR100290892B1. Автор: 배종혁. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-06-01.

Current mode logic-complementary metal oxide semiconductor converter

Номер патента: US7768307B2. Автор: Kyung-Hoon Kim,Dae-Han Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-03.

Complementary metal oxide semiconductor voltage controlled oscillator

Номер патента: US20060197621A1. Автор: Sung-Jae Jung,Heung-Bae Lee,Sang-Yoon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-07.

Method for reading images of complementary metal oxide semiconductor detector, involves forming corrected image by determining difference of image and corrected reset image based on difference of reset image and correction reset frame

Номер патента: DE102011107461B3. Автор: Dr. Eckardt Andreas,Holger Venus. Владелец: Deutsches Zentrum fuer Luft und Raumfahrt eV. Дата публикации: 2012-09-13.

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductors) comparator capable of resisting single event effect

Номер патента: CN106026999A. Автор: 蔡春华,刘小峰,王海滨,戴茜茜,孙洪文. Владелец: CHANGZHOU CAMPUS OF HOHAI UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-12.

Image sensor e.g. complementary metal-oxide-semiconductor sensor, has control circuit i.e. transistor, interrupting building-up of signal voltage in storage element when preset end voltage is achieved

Номер патента: DE102009044535A1. Автор: Christoph Bacher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Inverter and Method for Manipulating Time Delay Therewith

Номер патента: DE10200859B4. Автор: Kenneth Ft. Collins Koch,William Windsor Weiner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-11-13.

Output stage circuit for reducing THD (Total harmonic distortion) of low-voltage operational amplifier based on CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN112398447A. Автор: 孙德臣. Владелец: SG Micro Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

Current mode logic-complementary metal oxide semiconductor converter

Номер патента: CN101383612A. Автор: 权大汉,金敬勋. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-11.

Flexible complementary metal-oxide-semiconductor probes for chronic, large-scale neural stimulation and recording

Номер патента: US11617890B2. Автор: Kenneth L. Shepard,David Tsai,Hongki KANG,Jordan THIMOT. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2023-04-04.

High-gain low noise figure complementary metal oxide semiconductor amplifier with low current consumption

Номер патента: US10250191B2. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-04-02.

Sizing and Placement of Charge Recycling (CR) Transistors in Multithreshold Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (MTCMOS) Circuits

Номер патента: US20090174469A1. Автор: Farzan Fallah,Ehsan Pakbaznia,Massoud Pedram. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-07-09.

Flexible complementary metal-oxide-semiconductor probes for chronic, large-scale neural stimulation and recording

Номер патента: US20210308468A1. Автор: Kenneth L. Shepard,David Tsai,Hongki KANG,Jordan THIMOT. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2021-10-07.

BIAS CIRCUIT FOR HIGH EFFICIENCY COMPLIMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) POWER AMPLIFIERS

Номер патента: US20200028477A1. Автор: Esmael Mohamed Moussa Ramadan,ABDALLA Mohamed Ahmed Youssef. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

Bias circuit for high efficiency complimentary metal oxide semiconductor (CMOS) power amplifiers

Номер патента: US10680564B2. Автор: Mohamed Ahmed Youssef ABDALLA,Mohamed Moussa Ramadan Esmael. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2020-06-09.

Commutation device with gas insulation

Номер патента: RU2046433C1. Автор: Амано Наоки,Цубаки Тору,Коизуми Йоитиро. Владелец: Хитачи, Лтд.. Дата публикации: 1995-10-20.

Curtain gas filter for mass- and mobility-analyzers that excludes ion-source gases and ions of high mobility

Номер патента: US20110174966A1. Автор: Gary A. Eiceman,Hermann Wollnik,Alexander Tarassov. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Single event transient and upset mitigation for silicon-on-insulator cmos technology

Номер патента: CA2813310C. Автор: Ethan Cannon,Salim Rabaa,Josh Mackler. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-02-23.

Electronic devices with ultrasonic temperature sensors

Номер патента: EP4310473A1. Автор: Patrick R. GILL,Michael A. Lehr,Roberto M. Ribeiro,Flavius POP,Krishna Prasad VUMMIDI MURALI,Chaitanya Mudivarthi,Mohammad Waleed Shinwari. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Electronic Devices With Ultrasonic Temperature Sensors

Номер патента: US20240019318A1. Автор: Patrick R. GILL,Flavius POP,Krishna Prasad VUMMIDI MURALI,Chaitanya Mudivarthi,Mohammad Waleed Shinwari,Roberto M Ribeiro,Michael A Lehr. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Low-frequency complementary metal oxide semiconductor (cmos) ultrasonic transducer

Номер патента: US20230271222A1. Автор: Bichoy BAHR,Swaminathan Sankaran,Yanbo He. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Release chemical protection for integrated complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) and micro-electro-mechanical (mems) devices

Номер патента: TWI667188B. Автор: 麥可Ｊ 達奈門,法利柏 亞薩德拉吉. Владелец: 美商伊凡聖斯股份有限公司. Дата публикации: 2019-08-01.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) multi-well apparatus for electrical cell assessment

Номер патента: CA3187266A1. Автор: Donhee Ham,Hongkun Park,Wenxuan Wu,Henry Julian HINTON,Jeffrey T. Abbott. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2021-12-23.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) multi-well apparatus for electrical cell assessment

Номер патента: US20230184739A1. Автор: Donhee Ham,Hongkun Park,Wenxuan Wu,Henry Julian HINTON,Jeffrey T. Abbott. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2023-06-15.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) multi-well apparatus for electrical cell assessment

Номер патента: EP4168316A1. Автор: Donhee Ham,Hongkun Park,Wenxuan Wu,Henry Julian HINTON,Jeffrey T. Abbott. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2023-04-26.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) chip information clear circuit

Номер патента: CN102981585A. Автор: 周海清,熊金良,涂一新. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-20.

Display provided with complementary metal oxide semiconductor (CMOS) data removing circuit and mainboard for supporting display

Номер патента: CN102194432A. Автор: 周海清. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-21.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) multi-well apparatus for electrical cell assessment

Номер патента: EP4168316A4. Автор: Donhee Ham,Hongkun Park,Jeffrey T ABBOTT,Wenxuan Wu,Henry Julian HINTON. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-07-10.

Surfaces with embedded sensing and actuation networks using complementary-metal-oxide-semiconductor (CMOS) sensing chips

Номер патента: US9297671B2. Автор: Bharadwaj Amrutur,Navakanta Bhat. Владелец: Indian Institute of Science IISC. Дата публикации: 2016-03-29.

Surfaces with Embedded Sensing and Actuation Networks Using Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) Sensing Chips

Номер патента: US20120007586A1. Автор: Bharadwaj Amrutur,Navakanta Bhat. Владелец: Indian Institute of Science IISC. Дата публикации: 2012-01-12.

Surfaces with embedded sensing and actuation networks using complementary-metal-oxide-semiconductor (cmos) sensing chips

Номер патента: US20150369634A1. Автор: Bharadwaj Amrutur,Navakanta Bhat. Владелец: Indian Institute of Science IISC. Дата публикации: 2015-12-24.

INTEGRATION SCHEME FOR MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS (MEMS) DEVICES AND COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES

Номер патента: US20180029882A1. Автор: Chu Chia-Hua,Cheng Chun-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

INTEGRATION SCHEME FOR MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS (MEMS) DEVICES AND COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES

Номер патента: US20200115222A1. Автор: Chu Chia-Hua,Cheng Chun-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

FULLY INTEGRATED COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) FOURIER TRANSFORM INFRARED (FTIR) SPECTROMETER AND RAMAN SPECTROMETER

Номер патента: US20130321816A1. Автор: Dattner Yonathan,Yadid-Pecht Orly. Владелец: LUXMUX TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-05.

RELEASE CHEMICAL PROTECTION FOR INTEGRATED COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) AND MICRO-ELECTRO-MECHANICAL (MEMS) DEVICES

Номер патента: US20170015547A1. Автор: DANEMAN Michael J.,Assaderaghi Fariborz. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) ULTRASONIC TRANSDUCERS AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20170029271A1. Автор: Rothberg Jonathan M.,Charvat Gregory L.,Ralston Tyler S.,Sanchez Nevada J.,Fife Keith G.. Владелец: Butterfly Network, Inc.. Дата публикации: 2017-02-02.

Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) Min/Max Voltage Circuit for Switching Between Multiple Voltages

Номер патента: US20140140157A1. Автор: Sautter Rolf,Pille Juergen,Huott William V.,Kugel Michael,WENDEL Dieter. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-22.

RELEASE CHEMICAL PROTECTION FOR INTEGRATED COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) AND MICRO-ELECTRO-MECHANICAL (MEMS) DEVICES

Номер патента: US20160068388A1. Автор: DANEMAN Michael J.,Assaderaghi Fariborz. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) ULTRASONIC TRANSDUCERS AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20150084053A1. Автор: Rothberg Jonathan M.,Charvat Gregory L.,Ralston Tyler S.,Sanchez Nevada J.,Fife Keith G.. Владелец: Butterfly Network, Inc.. Дата публикации: 2015-03-26.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) dynamic random access memory (dram) cell with sense amplifier

Номер патента: US20140204654A1. Автор: John E. Barth, Jr.,Adis Vehabovic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) ULTRASONIC TRANSDUCERS AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20160207760A1. Автор: Rothberg Jonathan M.,Charvat Gregory L.,Ralston Tyler S.,Sanchez Nevada J.,Fife Keith G.. Владелец: Butterfly Network, Inc.. Дата публикации: 2016-07-21.

RELEASE CHEMICAL PROTECTION FOR INTEGRATED COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) AND MICRO-ELECTRO-MECHANICAL (MEMS) DEVICES

Номер патента: US20180346323A1. Автор: DANEMAN Michael J.,Assaderaghi Fariborz. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

SURFACES WITH EMBEDDED SENSING AND ACTUATION NETWORKS USING COMPLEMENTARY-METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) SENSING CHIPS

Номер патента: US20150369634A1. Автор: Bhat Navakanta,Amrutur Bharadwaj. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

A fully integrated complementary metal oxide semiconductor (cmos) fourier transform infrared (ftir) spectrometer and raman spectrometer

Номер патента: SG192778A1. Автор: Orly Yadid-Pecht,Yonathan Dattner. Владелец: Luxmux Technology Corp. Дата публикации: 2013-09-30.

A fully integrated complementary metal oxide semiconductor (cmos) fourier transform infrared (ftir) spectrometer and raman spectrometer

Номер патента: CA2768225A1. Автор: Orly Yadid-Pecht,Yonathan Dattner. Владелец: Luxmux Technology Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) multi-well apparatus for electrical cell assessment

Номер патента: IL299095A. Автор: . Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2023-02-01.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) ULTRASONIC TRANSDUCERS AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20140264660A1. Автор: Rothberg Jonathan M.,Charvat Gregory L.,Ralston Tyler S.,Sanchez Nevada J.,Fife Keith G.. Владелец: Butterfly Network, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) MICRO ELECTRO-MECHANICAL (MEMS) MICROPHONE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200207613A1. Автор: Wang Chuan-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Release chemical protection for integrated complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) and micro-electro-mechanical (mems) devices

Номер патента: EP2995586A1. Автор: Fariborz Assaderaghi,Michael J. Daneman. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2016-03-16.

Complementary metal oxide semiconductor photosensitive element and protective glass module therefor

Номер патента: TWM577595U. Автор: 李家銘,李遠智. Владелец: 同泰電子科技股份有限公司. Дата публикации: 2019-05-01.

System and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: US20160189772A1. Автор: Baker Shehadah Mohammad,Dirar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2016-06-30.

A system and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: WO2014083411A1. Автор: Baker Shehadah Mohammad,irar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University of Science, Technology & Research (KUSTAR). Дата публикации: 2014-06-05.

System and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: US09653162B2. Автор: Baker Shehadah Mohammad,Dirar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University. Дата публикации: 2017-05-16.

Area and power efficient implementation of resistive processing units using complementary metal oxide semiconductor technology

Номер патента: US12026609B2. Автор: Seyoung Kim,Tayfun Gokmen,Dennis M. Newns,Yurii A. Vlasov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

System and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: US20140369108A1. Автор: Baker Shehadah Mohammad,Dirar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2014-12-18.

System and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: US9299425B2. Автор: Baker Shehadah Mohammad,Dirar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2016-03-29.

Complementary metal-oxide-semiconductor x-ray detector

Номер патента: US20140042328A1. Автор: David Ellis Barker,James Zhengshe Liu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-02-13.

AREA AND POWER EFFICIENT IMPLEMENTATION OF RESISTIVE PROCESSING UNITS USING COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY

Номер патента: US20180053089A1. Автор: Vlasov Yurii A.,Newns Dennis M.,Gokmen Tayfun,KIM Seyoung. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

SYSTEM AND A METHOD FOR DESIGNING A HYBRID MEMORY CELLWITH MEMRISTOR AND COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20140153314A1. Автор: AL-HOMOUZ Dirar,Baker Shehadah Mohammad. Владелец: Khalifa University of Science, Technology & Research (KUSTAR). Дата публикации: 2014-06-05.

SYSTEM AND A METHOD FOR DESIGNING A HYBRID MEMORY CELL WITH MEMRISTOR AND COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20160189772A1. Автор: MOHAMMAD Baker Shehadah,AL-HOMOUZ Dirar. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

DEVICE COMPRISING A MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEM SUBSTRATE WITH PROTRUSIONS OF DIFFERENT HEIGHTS THAT HAS BEEN INTEGRATED WITH A COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20190185317A1. Автор: Johari-Galle Houri,SEEGER Joseph,Kim Bongsang,Shin Jongwoo,KANG Dongyang. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

ACCELEROMETER WITH COMPATIBILITY TO COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TECHNOLOGIES

Номер патента: US20180217178A1. Автор: Kautzsch Thoralf,Bieselt Steffen. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

SYSTEM AND A METHOD FOR DESIGNING A HYBRID MEMORY CELL WITH MEMRISTOR AND COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20140369108A1. Автор: MOHAMMAD Baker Shehadah,AL-HOMOUZ Dirar. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

RANDOM NUMBER GENERATOR COMPATIBLE WITH COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY

Номер патента: US20200272420A1. Автор: Cheng Kangguo. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

Infrared microbridge detector based on CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN113447141B. Автор: 潘辉,翟光杰,武佩,翟光强. Владелец: Beijing North Gaoye Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-12-02.

Infrared detector pixel and infrared detector based on CMOS (complementary metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN113720469B. Автор: 潘辉,翟光杰,武佩,翟光强. Владелец: Beijing North Gaoye Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-12-02.

Low-power-consumption reference voltage source suitable for nanoscale CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN113110679B. Автор: 代晶. Владелец: Guangdong Baoyuantong Testing Co ltd. Дата публикации: 2022-05-20.

Threshold voltage adjusting method and device, CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) device, electronic equipment and storage medium

Номер патента: CN111240392B. Автор: 刘艳,陈晓杰,董业民,单毅. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2021-07-27.

Unit to detect faults for Complementary Metal Oxide Semiconductor logic circuits

Номер патента: KR100360717B1. Автор: 김강철,차영두,한석붕. Владелец: 김강철. Дата публикации: 2002-11-13.

Infrared detector based on CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN113720451B. Автор: 潘辉,翟光杰,武佩,翟光强. Владелец: Beijing North Gaoye Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

DEAD MEMORY WITH COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR COMPONENTS

Номер патента: FR2285676A1. Автор: . Владелец: Texas Instruments France SAS. Дата публикации: 1976-04-16.

Infrared detector pixel and infrared detector based on CMOS (complementary metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN114112057B. Автор: 潘辉,翟光杰,武佩,翟光强. Владелец: Beijing North Gaoye Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-03-24.

Infrared detector based on CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN113720455A. Автор: 潘辉,翟光杰,武佩,翟光强. Владелец: Beijing North Gaoye Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) data recovery system and method

Номер патента: CN102541681A. Автор: 彭爽. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

A coloured photosensitive resin composition, color filter using the same, and complementary metal oxide semiconductor including the same

Номер патента: KR20070113757A. Автор: 김성현,이승노,송인각. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2007-11-29.

Infrared detector based on CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN113720466B. Автор: 潘辉,翟光杰,武佩,翟光强. Владелец: Beijing North Gaoye Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Complementary metal-oxide-semiconductor memory device e.g. dynamic random access memory, for storing e.g. secret key, has transistors connecting or separating potential terminal with or from programming terminal of memory cell

Номер патента: DE102005019587A1. Автор: Stephan Kraus,Gunther Lehmann,Matthias Knopf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-11-09.

Infrared detector mirror image element based on CMOS (complementary metal oxide semiconductor) process and infrared detector

Номер патента: CN113720480A. Автор: 潘辉,翟光杰,武佩,翟光强. Владелец: Beijing North Gaoye Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Infrared detector pixel based on CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) process and infrared detector

Номер патента: CN113720471B. Автор: 潘辉,翟光杰,武佩,翟光强. Владелец: Beijing North Gaoye Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-01-06.

Infrared detector pixel based on CMOS (complementary metal oxide semiconductor) process and infrared detector

Номер патента: CN113720463B. Автор: 潘辉,翟光杰,武佩,翟光强. Владелец: Beijing North Gaoye Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-03-24.

Wide-band metamaterial absorber compatible with CMOS (complementary metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN111929753A. Автор: 夏军,张易晨. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-11-13.

Infrared detector mirror image element based on CMOS (complementary metal oxide semiconductor) process and infrared detector

Номер патента: CN113720481A. Автор: 潘辉,翟光杰,武佩,翟光强. Владелец: Beijing North Gaoye Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Infrared detector mirror image element based on CMOS (complementary metal oxide semiconductor) process and infrared detector

Номер патента: CN113720480B. Автор: 潘辉,翟光杰,武佩,翟光强. Владелец: Beijing North Gaoye Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-01-06.

Sensor for detecting rotation angle of mechanical shaft, has complementary metal oxide semiconductor image sensor, which is designed as flat sensor

Номер патента: DE102007012271A1. Автор: Stefan Hubrich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

SUBTRAHERS IN COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY

Номер патента: DE3610875A1. Автор: Dennis A. Dracut Mass. Henlin. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1986-12-11.

Focusing apparatus for CCD (Charge Coupled Device)or CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor) module

Номер патента: KR200373786Y1. Автор: 박종수. Владелец: 박종수. Дата публикации: 2005-01-27.

Heterogenous integration of complementary metal-oxide-semiconductor and mems sensors

Номер патента: EP3947260A1. Автор: Ilker Ender Ocak,Wan Chia ANG,Piotr Kropelnicki. Владелец: Meridian Innovation Pte Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Monolithic post complementary metal-oxide-semiconductor integration of thermoelectric-based infrared detector

Номер патента: US20220185660A1. Автор: Ilker Ender Ocak,Wan Chia ANG,Piotr Kropelnicki. Владелец: Meridian Innovation Pte Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Power Mode Transition in Multi-Threshold Complementary Metal Oxide Semiconductor (MTCMOS) Circuits

Номер патента: US20080133954A1. Автор: Farzan Fallah,Massoud Pedram,Afshin Abdollahi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

A system and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: WO2014083411A8. Автор: Baker Shehadah Mohammad,Dirar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University of Science, Technology & Research (KUSTAR). Дата публикации: 2014-07-24.

Infrared detector pixel based on CMOS (complementary metal oxide semiconductor) process and infrared detector

Номер патента: CN113720478A. Автор: 潘辉,翟光杰,武佩,翟光强. Владелец: Beijing North Gaoye Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Simulation method for extreme low-temperature characteristics of typical CMOS (complementary metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN108875192B. Автор: 万博,付桂翠,冷红艳,姜贸公. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-10-25.

Accelerometer with compatibility to complementary metal-oxide-semiconductor technologies

Номер патента: US20180217178A1. Автор: Thoralf Kautzsch,Steffen Bieselt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-08-02.

Area and power efficient implementation of resistive processing units using complementary metal oxide semiconductor technology

Номер патента: US20230289585A1. Автор: Seyoung Kim,Tayfun Gokmen,Dennis M. Newns,Yurii A. Vlasov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method and apparatus for detecting high-mobility state of mobile terminal and related device

Номер патента: EP1859590A1. Автор: Yanzhong Philips Electronics China DAI,Kun Wah Philips Electronics China YIP. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-11-28.

Method and apparatus for blocking high mobility users in wireless networks

Номер патента: WO2014014680A3. Автор: Yan Zhou,Mehmet Yavuz,Peerapol Tinnakornsrisuphap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-30.

System and method to provide small cell power control and load balancing for high mobility user equipment in a network environment

Номер патента: US09813970B2. Автор: Ritesh K. Madan,Rohit Umesh Nabar,Ehsan Haghani. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method and apparatus for blocking high mobility users in wireless networks

Номер патента: WO2014014680A2. Автор: Yan Zhou,Mehmet Yavuz,Peerapol Tinnakornsrisuphap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-01-23.

Reference signaling for a high-mobility wireless communication device

Номер патента: WO2011057257A1. Автор: Tao Luo,Juan Montojo,Wanshi Chen,Xiaoxia Zhang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-05-12.

Reference signaling for a high-mobility wireless communication device

Номер патента: EP2499749A1. Автор: Tao Luo,Juan Montojo,Wanshi Chen,Xiaoxia Zhang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-09-19.

Techniques for detecting high mobility and enhancing modem performance

Номер патента: WO2023168645A1. Автор: LIANG Hong,Peng Hu,Jun Deng,Tom Chin,Kuo-Chun Lee,Jie Mao,Arvind Vardarajan Santhanam,Xuqiang ZHANG,Jiming Guo,Xiaochen Chen,Jiaheng LIU,Hewu GU,Xianwei ZHU,Zhongyue LOU,Wei-jei Song,Nanrun WU,Fei Liang,Rajeev PAL. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-09-14.

Wireless telecommunications system for high-mobility applications

Номер патента: US09819519B2. Автор: Shlomo Rakib,Ron Hadani. Владелец: Cohere Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Multiple access in wireless telecommunications system for high-mobility applications

Номер патента: US09722741B1. Автор: Shlomo Rakib,Ron Hadani. Владелец: Cohere Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Wireless telecommunications system for high-mobility applications

Номер патента: US09667307B1. Автор: Shlomo Rakib,Ron Hadani. Владелец: Cohere Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method and apparatus for detecting high-mobility state of mobile terminal and related device

Номер патента: US20090213920A1. Автор: Dai Yanzhong,Kun-Wah Yip. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-08-27.

Handover optimization for high mobility communications

Номер патента: US20240314648A1. Автор: Jie Zhu,Jing Li,Ashok Mantravadi,Rashmi Ranjan MOHANTY,Jie Mao,Zhanyi Liu,Yongle WU,Rajarajan RAJENDRAN,Nanrun WU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

System and method to provide small cell power control and load balancing for high mobility user equipment in a network environment

Номер патента: US20180041937A1. Автор: Ritesh K. Madan,Rohit Umesh Nabar,Ehsan Haghani. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

High-mobility resource allocation system and method for simulated users

Номер патента: US11533637B2. Автор: Ching-Hsiang Lin,Kai-Ten Feng,En-Cheng Liou,Pei-Ying Wu,Li-Hsiang SHEN. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2022-12-20.

High-mobility resource allocation system and method for simulated users

Номер патента: US20220225114A1. Автор: Ching-Hsiang Lin,Kai-Ten Feng,En-Cheng Liou,Pei-Ying Wu,Li-Hsiang SHEN. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2022-07-14.

Optimized multiple subscriber identity module mode in high mobility environments

Номер патента: EP4316177A1. Автор: Suresh Sanka,Vishnu Namboodiri Karakkad Kesavan Namboodiri,Shashidhar Vummintala. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Loudspeaker with fin-reinforced voice coil structure

Номер патента: EP4044620A1. Автор: Wei Zhang. Владелец: Haining Ximini Tech Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-17.

Wireless telecommunications system for high-mobility applications

Номер патента: WO2017173219A1. Автор: Shlomo Rakib,Ron Hadani. Владелец: COHERE TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-10-05.

Wireless telecommunications system for high-mobility applications

Номер патента: EP3437198A1. Автор: Shlomo Rakib,Ron Hadani. Владелец: Cohere Technologies Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Audio modules with fins to reduce acoustic noise due to airflow

Номер патента: US11910156B1. Автор: Matthew A. Donarski,Marco Baratelli,Claudio Notarangelo,Mo C. Chan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of fast beam refinement and tracking for high mobility wireless communication device

Номер патента: EP4229951A1. Автор: Bo Gao,Zhaohua Lu,Yu Ngok Li,Wenjun Yan,Ke YAO. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-08-23.

Method of fast beam refinement and tracking for high mobility wireless communication device

Номер патента: AU2020472170B2. Автор: Bo Gao,Zhaohua Lu,Yu Ngok Li,Wenjun Yan,Ke YAO. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of fast beam refinement and tracking for high mobility wireless communication device

Номер патента: AU2020472170A9. Автор: Bo Gao,Zhaohua Lu,Yu Ngok Li,Wenjun Yan,Ke YAO. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Handover optimization for high mobility communications

Номер патента: EP4388781A1. Автор: Jie Zhu,Jing Li,Ashok Mantravadi,Rashmi Ranjan MOHANTY,Jie Mao,Zhanyi Liu,Yongle WU,Rajarajan RAJENDRAN,Nanrun WU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

POI(piezoelectric-on-insulator) 기판 및 POI(piezoelectric-on-insulator) 기판을 생산하기 위한 공정

Номер патента: KR20240156413A. Автор: 알렉시스 드루인. Владелец: 소이텍. Дата публикации: 2024-10-29.

Microelectromechanical systems devices with improved reliability

Номер патента: US09796578B2. Автор: Richard Yeh,Kuan-Lin Chen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Microelectromechanical Systems Devices with Improved Reliability

Номер патента: US20160159638A1. Автор: Richard Yeh,Kuan-Lin Chen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Microfluidic device for selective sampling of high-mobility and morphologically normal spermatozoa from untreated seminal fluid

Номер патента: RU2711956C1. Автор: Уткан ДЕМИРДЖИ,Еркан ТЮЗЕЛ,Джеймс Леонард КИНГСЛИ,Тхируппатхираджа ЧИННАСАМИ. Владелец: Вустер Политекник Инститьют. Дата публикации: 2020-01-23.

Submersible device with fin propeller

Номер патента: RU2678732C1. Автор: Андрей Львович Сухоруков,Борис Анатольевич Лускин,Кирилл Алексеевич Коваль. Владелец: Акционерное общество "Центральное конструкторское бюро морской техники "Рубин". Дата публикации: 2019-01-31.

Method for dynamic monitoring of high mobile non-linear technical systems

Номер патента: RU2745382C1. Автор: Владимир Владимирович Шаповалов,Евгений Сергеевич Новиков,Владимир Иванович Колесников,Марина Андреевна Буракова,Игорь Владимирович Колесников,Дмитрий Сергеевич Мантуров,Эмин Эльдарович Фейзов,Валентина Александровна Фейзова,Андрей Львович Озябкин,Василий Борисович Мищиненко,Павел Викторович Харламов,Роман Андреевич Корниенко,Михаил Михайлович Шестаков,Денис Алексеевич Рябыш,Джасур Якубович Сангин,Петр Алексеевич Коропец,Андрей Михайлович Петрик. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ростовский государственный университет путей сообщения" (ФГБОУ ВО РГУПС). Дата публикации: 2021-03-24.

Tubing element with fins for a heat exchanger

Номер патента: US09733024B2. Автор: Carlos Quesada Saborio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-15.

Refrigerating device with metal end plank

Номер патента: RU2519788C2. Автор: Карл-Фридрих Лайбле,Хельмут ШТАЙХЕЛЕ. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2014-06-20.

High-mobility wheeled climbing robot

Номер патента: US12065207B1. Автор: Haifei ZHU,Yongjian Bu,Yongzhong Bu. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-08-20.

High-mobility artillery cannon system

Номер патента: WO2002061362A8. Автор: Richard Staiert,Robert B Stratton. Владелец: United Defense LP. Дата публикации: 2002-11-21.

High-mobility artillery cannon system

Номер патента: EP1377786A2. Автор: Richard c/o United Defense LP STAIERT,Robert B. c/o United Defense LP STRATTON. Владелец: United Defense LP. Дата публикации: 2004-01-07.

High-mobility artillery cannon system

Номер патента: NZ525873A. Автор: Richard Staiert,Robert B Stratton. Владелец: United Defense L. Дата публикации: 2005-02-25.

High mobility contoured pad

Номер патента: US12102215B2. Автор: Justin B. Li,J. D. Willcox. Владелец: Qore Performance Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of producing germanene-based euge2 and srge2 materials with high mobility of charge carriers

Номер патента: RU2723125C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Иван Сергеевич Соколов,Андрей Михайлович Токмачев,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Олег Евгеньевич Парфёнов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2020-06-08.

Aluminum panels with fins automatic assembling and welding installation and method

Номер патента: RU2660468C1. Автор: Михаил Владимирович Григорьев,Николай Павлович Алешин,Виктор Васильевич Бровко,Евгений Сергеевич Третьяков,Олег Александрович Преображенский,Алексей Аркадьевич Кочевалов. Владелец: Федеральное государственное автономное учреждение "Научно-учебный центр "Сварка и Контроль" при МГТУ им. Н.Э. Баумана" (ФГАУ НУЦСК при МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2018-07-06.

Watersport board fins with fin retention systems and watersport boards containing the same

Номер патента: US11685482B2. Автор: Jason Brewer,Wim De JAGER. Владелец: Vista Outdoor Operations LLC. Дата публикации: 2023-06-27.

Method of electron-beam welding of a plate with finned surface

Номер патента: RU2627553C1. Автор: Валерий Викторович Соснин,Сергей Владимирович Букреев,Александр Викторович Макаров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2017-08-08.

Watersport board fins with fin retention systems

Номер патента: WO2018209037A1. Автор: Jason Brewer,Wim De JAGER. Владелец: Jimmy Styks LLC. Дата публикации: 2018-11-15.

Bulkhead Igniter with Snap-On Insulator

Номер патента: US20240209715A1. Автор: Jeremy Todd MORRISON,Tyler Lee Smith. Владелец: DBK Industries LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Input device with mesh shaped electrodes

Номер патента: US12124663B2. Автор: Koji Ishizaki,Hiroshi Mizuhashi,Hayato Kurasawa. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Heat exchanger with fin wave control

Номер патента: RU2712563C2. Автор: Дональд Е. АРМИ,Джордж КЭН,Курт Л. СТИВЕНС,Майкл СПИНЕТИ,Майкл ЗАГЕР. Владелец: Хамильтон Сандстранд Корпорейшн. Дата публикации: 2020-01-29.

Aircraft with fin assembly of "codfish tail" type and with rear-mounted engine

Номер патента: RU2522539C2. Автор: Оливье КАЗАЛЬ,ДЕ ЛЯ САНЬ Жэм ЖЕНТИ. Владелец: Эрбюс Операсьон (С.А.С.). Дата публикации: 2014-07-20.

Composite high mobility tire for off-road vehicles

Номер патента: CA1098810A. Автор: Bruce J. Mccoll. Владелец: Mccoll B J and Co Ltd. Дата публикации: 1981-04-07.

Highly mobile, cost-efficient, integrated, low environmental disturbance equipment system and method for surface mineral exploration diamond core drilling

Номер патента: WO2023196752A1. Автор: Roman TESLYUK. Владелец: Earth Ai Inc.. Дата публикации: 2023-10-12.

Derepression of immunity in oncological and virological conditions by high mobility group box 1 derived peptides

Номер патента: US20160022761A1. Автор: Thomas E. Ichim,Samuel C. WAGNER,Dimitri N. Theofilopoulos,Andy J. KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-28.

Fiber-to-fiber platform for multi-layer ferroelectric on insulator waveguide devices

Номер патента: US20230324610A1. Автор: Ronald Reano,Jonathan Nagy,Ryan Patton,Karen Prabhakar. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory unit of complementary metal-oxide-semiconductor structure ram

Номер патента: RU2580072C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Павел Викторович Степанов. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Memory cell for complementary metal-oxide-semiconductor ram structure

Номер патента: RU2580071C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук"(ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Method for manufacturing silicon-on-insulator (SOI) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device with vertical gate structure

Номер патента: CN101764102B. Автор: 肖德元,程新红,俞跃辉,何大伟,王中健,徐大朋. Владелец: Shanghai Simgui Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-11.

Method and apparatus for elimination of parasitic bipolar action in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) silicon on insulator (SOI ) circuits

Номер патента: TW452939B. Автор: Andrew Douglas Davies,Salvatore N Storino. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-09-01.

Method of fabricating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) device

Номер патента: TW201203462A. Автор: Chien-Chung Huang,Yi-Wei Chen,Kuo-Chih Lai,Nien-Ting Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-01-16.

Method for manufacturing complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device with stress layer

Номер патента: CN102201369B. Автор: 宁先捷. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-03-19.

Backside illumination complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103094296A. Автор: 费孝爱,洪齐元. Владелец: Omnivision Technologies Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-08.

High-performance complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device

Номер патента: CN101976667A. Автор: 郭磊,许军,王敬. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-02-16.

Embedded dynamic memory compatible with deep sub-micron complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) logic technology and preparation method

Номер патента: CN102751286B. Автор: 方英娇. Владелец: WUXI LAIYAN MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2014-09-03.

Circulation analog-digital converter and conversion method for complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor

Номер патента: CN103067015B. Автор: 高静,徐江涛,聂凯明,姚素英,史再峰. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-08.

Zener diode structure in 60V high-voltage process for bipolar, complementary metal oxide semiconductor (CMOS) and double diffusion metal oxide semiconductor (DMOS) (BCD) devices, and manufacturing method for Zener diode structure

Номер патента: CN102544065B. Автор: 刘建华,杨金,吴晓丽,胡景芝. Владелец: Shanghai Advanced Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) digital logic gate circuit structure capable of resisting negative bias temperature instability (NBTI) effect

Номер патента: CN202143046U. Автор: 李斌,吴朝晖,赵明剑,刘利宁. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2012-02-08.

Optical scanning module with linear complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor

Номер патента: TW200906165A. Автор: Kang-Sheng Wang,qing-yuan Lin. Владелец: E Pin Optical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-01.

New structure of reset transistor in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI220789B. Автор: Jeng-Shian Lin,Shou-Guo Wu,Duen-Nian Yang,He-Ching Chian,Jian-Shian Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-09-01.

New structure of reset transistor in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200411913A. Автор: Jeng-Shian Lin,Shou-Guo Wu,Duen-Nian Yang,He-Ching Chian,Jian-Shian Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-07-01.

Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Device Having Gate Structures Connected By A Metal Gate Conductor

Номер патента: US20130168776A1. Автор: Kwon Unoh,Yu Xiaojun,Greene Brian J.,Liang Yue,Chidambarrao Dureseti,HENSON William K.,Narasimha Shreesh. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-04.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS)-process-based Hall switch offset voltage elimination method and circuit

Номер патента: CN102340299B. Автор: 张良,罗杰,罗立权,刘心泽. Владелец: ORIENT-CHIP SEMICONDUCTOR (SHANGHAI) Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-13.

Non-volatile memory array compatible with complementary metal oxide semiconductor (CMOS) logic process

Номер патента: CN202434521U. Автор: 方英娇. Владелец: WUXI LAIYAN MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2012-09-12.

Method of fabricating complementary metal-oxide-semiconductor transistor and metal-oxide-semiconductor transistor

Номер патента: TWI322473B. Автор: Shyh Fann Ting,Chia Wen Liang,Tzyy Ming Cheng,Cheng Tung Huang,Wen Han Hung,Li Shian Jeng,Kun Hsien Lee,Jing Yi Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-03-21.

Method of fabricating complementary metal-oxide-semiconductor transistor and metal-oxide-semiconductor transistor

Номер патента: TW200807566A. Автор: Wen-Han Hung,Shyh-Fann Ting,Cheng-Tung Huang,Li-Shian Jeng,Kun-Hsien Lee,Chia Wen Liang,Tzyy Ming Cheng,Jing Yi Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-02-01.

Differential complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) multi-mode low-noise amplifier with on-chip active Balun

Номер патента: CN101924524B. Автор: 李宁,李巍,周锋,叶凡,许俊,任俊彦,张楷晨. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-04.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) high gain broad band low noise amplifier

Номер патента: CN103117712B. Автор: 秦国轩,闫月星,杨来春. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-06-24.

Method for preparing double-layer isolation mixed crystal orientation strain silicon nanowire complementary metal oxide semiconductor (CMOS)

Номер патента: CN102683283A. Автор: 黄晓橹. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-19.

Method for preparing double-layer isolation mixed crystal orientation strain silicon nanowire complementary metal oxide semiconductor (CMOS)

Номер патента: CN102683283B. Автор: 黄晓橹. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-10-15.

Photoelectric converter of Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) image sensor

Номер патента: CN101742131B. Автор: 陈雄斌,陈瑜,熊涛,陈华伦,罗啸. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-20.

METHOD OF FABRICATING COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICE

Номер патента: US20120058634A1. Автор: CHIEN Chin-Cheng,Yeh Chiu-Hsien,Yang Chan-Lon,HUNG Lien-Fa,KAO Yun-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-08.

ANNEALING TECHNIQUES FOR HIGH PERFORMANCE COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICE FABRICATION

Номер патента: US20120190216A1. Автор: Lauer Isaac,Ronsheim Paul A.,Chan Kevin K.,Harley Eric C.,Lee Kam-Leung. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-26.

METHOD OF FABRICATING COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICE

Номер патента: US20120238065A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-20.

Surfaces with Embedded Sensing and Actuation Networks Using Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) Sensing Chips

Номер патента: US20120007586A1. Автор: Bhat Navakanta,Amrutur Bharadwaj. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE. Дата публикации: 2012-01-12.

WAFER LEVEL PACKAGING OF MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEMS (MEMS) AND COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) SUBSTRATES

Номер патента: US20120098122A1. Автор: YANG Hsueh-An. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-26.

Structure and Method to Enabling A Borderless Contact To Source Regions and Drain Regions Of A Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Transistor

Номер патента: US20120217588A1. Автор: Vega Reinaldo A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-30.

METHOD TO AVOID FIXED PATTERN NOISE WITHIN BACKSIDE ILLUMINATED (BSI) COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) SENSOR ARRAY

Номер патента: US20120258564A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-10-11.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) BUFFER

Номер патента: US20130342269A1. Автор: Temkine Grigori,Drapkin Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor and manufacture method thereof

Номер патента: CN101533802A. Автор: 高境鸿. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-09-16.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: TW200939459A. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-09-16.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: TWI370543B. Автор: Ching Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-08-11.

STRUCTURE AND METHOD OF HIGH-PERFORMANCE EXTREMELY THIN SILICON ON INSULATOR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTORS WITH DUAL STRESS BURIED INSULATORS

Номер патента: US20130264653A1. Автор: Guo Dechao,Cai Ming,Yeh Chun-chen,Song Liyang. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-10.

Method for assisting debugging of basic input-output system (BIOS) by complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) memory

Номер патента: TW200725257A. Автор: Chia-I Hsiao,Chien-Hsing Ko,Chung-Chien Lin. Владелец: Inventec Corp. Дата публикации: 2007-07-01.

Semiconductor device and complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: TW200824118A. Автор: Shih-Kuei Ma,Chung-Yeh Lee,Chun-Ying Yeh,Wei-Ting Kuo. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2008-06-01.

SILICON ON INSULATOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR WITH AN ISOLATION FORMED AT LOW TEMPERATURE

Номер патента: US20120326230A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

Double-polysilicon planar SOI (silicon on insulator) BiCMOS (bipolar complementary metal oxide semiconductor) integrated device and preparation method

Номер патента: CN102738172A. Автор: 宋建军,王斌,郝跃,舒斌,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,戴显英. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2012-10-17.

Method for modeling pulsating ionizing radiation upon integral microcircuit on complementary metal- oxide-semiconductor structures

Номер патента: RU2174691C2. Автор: А.В. Анисимов,Ю.И. Новоселов,Д.В. Койнов. Владелец: Центральный физико-технический институт МО РФ. Дата публикации: 2001-10-10.

Bi-polycrystal strain SiGe SOI (Silicon On Insulator) Bi CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) integrated device and preparation method thereof

Номер патента: CN102723338A. Автор: 宋建军,周春宇,郝跃,舒斌,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,戴显英. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2012-10-10.

MEMORY COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR RAM STRUCTURE

Номер патента: RU2013143517A. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Павел Викторович Степанов,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН). Дата публикации: 2015-04-10.

SOI (Silicon On Insulator) strain SiGe CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) integrated device and preparation method

Номер патента: CN102738179A. Автор: 宋建军,王斌,王海栋,郝跃,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,吕懿. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2012-10-17.

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) structure of wide forbidden band material on insulator and preparation method thereof

Номер патента: CN102437163A. Автор: 黄晓橹,陈玉文,刘格致. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-05-02.

CMOS complementary metal oxide semiconductor contact hole etching method and CMOS complementary metal oxide semiconductor manufacturing method

Номер патента: CN103560137A. Автор: 吴敏,秦伟,李程,黄海辉,高慧慧,杨渝书. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-02-05.

Three-strained fully planar SOI (silicon on insulator) BiCMOS (bipolar complementary metal oxide semiconductor) integrated device and preparation method

Номер патента: CN102738174A. Автор: 宋建军,王斌,周春宇,郝跃,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,吕懿. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2012-10-17.

Process of complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: TW251380B. Автор: Huoo-Tiee Lu,Shyh-Chang Tsay. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-07-11.

Complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: TW200824044A. Автор: Shin-Cheng Lin,Shih-Kuei Ma,Chung-Yeh Lee,Chun-Ying Yeh. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2008-06-01.

Method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: TWI331791B. Автор: Hung Lin Shih,Tsan Chi Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-10-11.

Low voltage complementary metal oxide semiconductor process tri-state buffer

Номер патента: TWI328347B. Автор: Ti Wen Chen,Tzung Shen Chen,Chun Yu Liao. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-01.

Low voltage complementary metal oxide semiconductor process tri-state buffer

Номер патента: TW200826492A. Автор: Tzung-Shen Chen,Chun-Yu Liao,Ti-Wen Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-16.

Method for manufacturing complementary metal-oxide-semiconductor thin film transistor

Номер патента: TW200919641A. Автор: Yi-Wei Chen,Yi-Sheng Cheng,Ming-Yan Chen,Ying-Chi Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-05-01.

Complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: TWI319612B. Автор: Shin Cheng Lin,Chun Ying Yeh,Chung Yeh Lee,Shih Kuei Ma. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2010-01-11.

Complementary metal oxide semiconductor class AB amplifier

Номер патента: TW486860B. Автор: Da-Chang Juang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-11.

Oxide memristor based on CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) process platform and preparation method thereof

Номер патента: CN109728161B. Автор: 黄如,蔡一茂,王宗巍,方亦陈,肖韩,凌尧天. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-09.

Nano CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) integrated device with strain Si vertical clip-shaped channel and preparation method thereof

Номер патента: CN102723332A. Автор: 宋建军,王斌,王海栋,郝跃,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,李妤晨. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2012-10-10.

Semiconductor device and complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: TWI328287B. Автор: Chun Ying Yeh,Ker Hsiao Huo,Chung Yeh Lee,Shih Kuei Ma. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2010-08-01.

INTEGRATION OF MULTIPLE THRESHOLD VOLTAGE DEVICES FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR USING FULL METAL GATE

Номер патента: US20140054717A1. Автор: HARAN BALASUBRAMANIAN S.,Jagannathan Hemanth,Edge Lisa F.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-27.

Preparation method for complementary metal oxide semiconductor element with dual metal grid

Номер патента: CN101494199A. Автор: 林建廷,许哲华,程立伟,杨进盛,马光华. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

METHOD OF MANUFACTURING COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120012938A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-19.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120025320A1. Автор: Chen Yi-Wei,Chen Chung-Tao,Chiu Ta-Wei,Lin Yu-Pu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-02.

COMPUTING DEVICE AND METHOD FOR CLEARING DATA STORED IN COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR CHIP

Номер патента: US20120047307A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120083066A1. Автор: KIM Sang-Young. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-04-05.

SYSTEM AND METHOD FOR RECOVERING DATA OF COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20120166784A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

THREE-DIMENSIONAL COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120228713A1. Автор: CHANG Yao-Jen,CHEN Kuan-Neng. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR DIRECT CURRENT TO DIRECT CURRENT CONVERTER

Номер патента: US20120293151A1. Автор: Labaziewicz Andrew,Nag Manbir. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2012-11-22.

CIRCUIT FOR CLEARING COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR INFORMATION

Номер патента: US20130057324A1. Автор: ZHOU HAI-QING,XIONG JIN-LIANG,TU YI-XIN. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

CIRCUIT FOR CLEARING DATA STORED IN COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20130147541A1. Автор: ZHOU HAI-QING. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-13.

Noninductive and high-gain CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) broadband low-noise amplifier

Номер патента: CN103633947A. Автор: 秦国轩,闫月星,杨来春. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-03-12.

CMOS (Complementary Metal Oxide-Semiconductor) voltage multiplying circuit

Номер патента: CN102096431A. Автор: 陶园林. Владелец: Shanghai Beiling Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-15.

Device for converting levels of logic signals based on complementary metal-oxide-semiconductor transistors

Номер патента: SU1319273A1. Автор: Сергей Григорьевич Ильченко,Александр Афанасьевич Скрыпов. Владелец: Организация П/Я Х-5263. Дата публикации: 1987-06-23.

Multilayer floating-gate all-solid-state pH value sensor based on standard CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductors) technology

Номер патента: CN102175740A. Автор: 常丽萍,施朝霞,曹全君,彭银生. Владелец: Zhejiang University of Technology ZJUT. Дата публикации: 2011-09-07.

Low-power-consumption time delay integral type CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor) image sensor

Номер патента: CN102801930B. Автор: 高静,徐超,徐江涛,姚素英,史再峰. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-05-14.

Device for checking leakage current of complementary metal-oxide semiconductor integrated circuits in dynamic mode

Номер патента: SU1242907A1. Автор: Эдуард Хаджимусович Чичев,Владимир Дмитриевич Дворников. Владелец: Научно-исследовательский институт часовой промышленности. Дата публикации: 1986-07-07.

Whole annular grid CMOS (complementary metal oxide semiconductor) field effect transistor and preparing method

Номер патента: CN103700660A. Автор: 程新红,王庶民,龚谦,李耀耀. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2014-04-02.

CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) full adder and method thereof

Номер патента: CN102355255B. Автор: 贾嵩,李夏禹,刘俐敏. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-09-11.

CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) combinational logic circuit

Номер патента: CN210120546U. Автор: 刘剑辉,刘志赟. Владелец: Shenzhen Zhichen Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-28.

Automatic exposure method and device for CMOS (complementary metal oxide semiconductor) image sensor

Номер патента: CN104754240A. Автор: 邓光平,祝晓笑,刘昌举,李毅强,吴治军,任思伟. Владелец: CETC 44 Research Institute. Дата публикации: 2015-07-01.

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor imaging system and method based on compressed sensing

Номер патента: CN105072359A. Автор: 封松林,汪宁,汪辉,章琦,田犁,方娜,叶汇贤. Владелец: Shanghai Advanced Research Institute of CAS. Дата публикации: 2015-11-18.

Embedded photoelectric auto-collimator based on planar array CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor) image sensor and operation method thereof

Номер патента: CN102175188A. Автор: 高鹏飞,郑遂,杨园园,瑚琦. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2011-09-07.

Reading amplifier based on complementary metal-oxide semiconductors

Номер патента: SU1149310A1. Автор: Павел Георгиевич Шабалин,Сергей Васильевич Кашигин,Виктор Петрович Старенький. Владелец: Предприятие П/Я Р-6429. Дата публикации: 1985-04-07.

Non-volatile memory compatible with CMOS (complementary metal oxide semiconductor) logic process and preparation method of non-volatile memory

Номер патента: CN102709295B. Автор: 方明,方英娇. Владелец: WUXI LAIYAN MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2015-06-17.

Sub-threshold CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor transistor) reference source

Номер патента: CN102176185B. Автор: 罗豪,韩雁,张泽松,韩晓霞,虞春英,蔡坤明. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2013-01-09.

Static discharge protective circuit and method for double carrier complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: CN100438018C. Автор: 陈孝贤. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-11-26.

CMOS (complementary metal oxide semiconductor) clear circuit of mainboard

Номер патента: CN202025278U. Автор: 陈志列,刘君玲,许和军. Владелец: EVOC Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-02.

CMOS (complementary metal oxide semiconductor)-process-based chopper bandgap reference circuit and reference voltage chip

Номер патента: CN203552113U. Автор: 刘宝生,乔爱国,谭迁宁. Владелец: Chipsea Technologies Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-16.

Complementary metal oxide semiconductor transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101740570B. Автор: 王文武,陈世杰. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-06-15.

Pixel structure of CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor) image sensor and manufacture method thereof

Номер патента: CN101789437B. Автор: 余泳. Владелец: Brigates Microelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-21.

PIP (Polysilicon-Insulator-Polysilicon) capacitor forming method based on BiCMOS (Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor) process

Номер патента: CN102117780B. Автор: 陈帆,张海芳,徐炯�. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-12.

Low voltage operational amplifier based on CMOS (complementary metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN102006022B. Автор: 刘凡,谭旻. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2014-04-16.

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) integrated receiving signal intensity indicator with process stability

Номер патента: CN104639270A. Автор: 陈超,黄成�,李红,吴建辉,白春风. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-05-20.

Complementary metal oxide semiconductor transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101740570A. Автор: 王文武,陈世杰. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2010-06-16.

CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor) and manufacture method thereof

Номер патента: CN101789401A. Автор: 肖德元,季明华. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-07-28.

Fully-integrated CMOS (complementary metal oxide semiconductor) radio frequency front-end circuit

Номер патента: CN103236430A. Автор: 周磊,唐鹏,章国豪,冯卫锋,李义梅,胡永智. Владелец: Core Microelectronics Technology (shanghai) Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-07.

Three-dimensional complementary metal oxide semiconductor device structure and producing method thereof

Номер патента: CN1610113A. Автор: 宋志棠,刘卫丽,封松林,陈邦明. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2005-04-27.

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) random number generator

Номер патента: CN101833434B. Автор: 孙迎彤,周盛华. Владелец: Nationz Technologies Inc. Дата публикации: 2012-10-17.

Three dimension complementary metal oxide semiconductor transistor structure and it spreparing method

Номер патента: CN100423265C. Автор: 宋志棠,刘卫丽,封松林,陈邦明. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2008-10-01.

Global reset release control method used for oversized-area-array CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor transistor) image sensor

Номер патента: CN104796635A. Автор: 苏凯,汪西虎,张曼,徐晚成,张先娆. Владелец: 771 Research Institute of 9th Academy of CASC. Дата публикации: 2015-07-22.

Driver based on low-voltage CMOS (complementary metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN107592107B. Автор: 董刚,黄嵩人. Владелец: HUNAN JINXIN ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-10.

Formation method of CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) transistor

Номер патента: CN105826256A. Автор: 刘佳磊. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-03.

CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor) rectifier

Номер патента: CN101834535A. Автор: 孙迎彤,周盛华. Владелец: Nationz Technologies Inc. Дата публикации: 2010-09-15.

CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) band-gap reference source circuit

Номер патента: CN103246310B. Автор: 张宁,王本艳,冒杨雷. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-07-22.

Compatible ranging CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor pixel unit and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104505394A. Автор: 陈哲,吴南健,曹中祥,底衫. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2015-04-08.

Production method and structure of complementary metal-oxide-semiconductor transistor

Номер патента: CN101246853A. Автор: 郑子铭,黄正同,洪文瀚,丁世汎,李坤宪,梁佳文,郑礼贤. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-08-20.

Tri-strain BiCMOS (Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor) integrated device based on SiGe HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) and preparation method

Номер патента: CN102790052B. Автор: 宋建军,周春宇,郝跃,舒斌,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,李妤晨. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2015-04-22.

Manufacturing method of CMOS (Complementary Metal oxide Semiconductor) transistor

Номер патента: CN102915968A. Автор: 张彬,鲍宇. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-02-06.

Optical diode complementary metal oxide semiconductor image sensor production method

Номер патента: CN1322014A. Автор: 金雅琴,徐清祥,郭东政,廖崇维. Владелец: SHUANGHAN SCI-TECH Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-14.

Temperature compensation current source having wide temperature scope and being compatible with CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor transistor) technique

Номер патента: CN102122189A. Автор: 周峰,赵喆,成杨,廖泽鑫. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-07-13.

Multithreshold complementary-metal-oxide-semiconductor current comparator

Номер патента: SU1309288A1. Автор: Владимир Ильич Ковальков. Владелец: Одесский Политехнический Институт. Дата публикации: 1987-05-07.

CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor)-machine-vision-based component size measuring system and measurement test method

Номер патента: CN102538672A. Автор: 高琼,高俊华,张启升,王洪福,张纪平,王俊元,曾志强,段能全,杜文华,马维金. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2012-07-04.

Current mode comparator based low voltage low power consumption CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductors) relaxation oscillator and method

Номер патента: CN104124921B. Автор: 孙俊,韩雁,钱雨霁. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2017-02-15.

Ultra-low power consumption pseudodifferential structure nonvolatile memory compatible with standard CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) process

Номер патента: CN104112476A. Автор: 王震,李�浩,李聪,李建成,李文晓,曾祥华,尚靖,谷晓忱,郑黎明. Владелец: Hunan Unicoretech Microelectronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-22.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor structure

Номер патента: CN101916762B. Автор: 肖军,高明辉,彭树根. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-05-20.

Programmable CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) temperature sensor with double-precision working mode

Номер патента: CN102435336B. Автор: 冯鹏,吴南健. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2013-09-18.

Radiation-resistant complementary metal-oxide-semiconductor transistor based element library

Номер патента: RU2539869C1. Автор: Юрий Михайлович Герасимов,Ярослав Ярославович Петричкович,Николай Геннадьевич Григорьев,Татьяна Владимировна Солохина,Александр Валентинович Глушков. Владелец: Закрытое акционерное общество "Электронно-вычислительные информационные и инструментальные системы" (ЗАО "ЭЛВИИС"). Дата публикации: 2015-01-27.

Manufacturing method and used etching method of complementary metal-oxide-semiconductor transistor (CMOS) imaging sensor

Номер патента: CN103094297A. Автор: 卞祖洋. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2013-05-08.

Complementary metal-oxide-semiconductor transistor (CMOS) image sensor and working method thereof

Номер патента: CN102843524A. Автор: 陈杰,汪辉,田犁,方娜,苗田乐. Владелец: Shanghai Advanced Research Institute of CAS. Дата публикации: 2012-12-26.

Band-gap reference voltage source of CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor transistor)

Номер патента: CN102890526A. Автор: 刘明,霍宗亮,谢常青,张满红,潘立阳,张君宇,陈映平,刘阿鑫. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-23.

Method for manufacturing complementary metal oxide semiconductor device structure

Номер патента: CN102299111B. Автор: 张力群,赵林林. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-12-11.

Circuit simulation model of crossed CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) integrated Hall magnetic sensor

Номер патента: CN102236736B. Автор: 徐跃,赵菲菲,吴金山,吴佩莉,何迟,王凱玄. Владелец: Nanjing Post and Telecommunication University. Дата публикации: 2012-11-28.

CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) random number generator

Номер патента: CN103186361A. Автор: 石道林. Владелец: Nationz Technologies Inc. Дата публикации: 2013-07-03.

Complementary metal-oxide-semiconductor transistor (CMOS) image sensor pixel array and manufacturing method of the same

Номер патента: CN103066086A. Автор: 周伟,顾学强. Владелец: Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Silicon germanide bipolar-complementary metal oxide semiconductor AB power amplifier

Номер патента: CN101951226B. Автор: 张伟,陈磊,苏杰,华林,阮颖,赖宗声,张书霖,刘盛富. Владелец: EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-08-08.

Double-strain plane BiCMOS (Bipolar Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor) integrated device and preparation method

Номер патента: CN102820295B. Автор: 宋建军,王斌,王海栋,郝跃,舒斌,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2014-12-31.

Modularized CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) industrial camera

Номер патента: CN201754599U. Автор: 高阳,田原,李功燕,吴莉婷,王林兴. Владелец: WUXI BRIGHTSKY ELECTRONIC CO Ltd. Дата публикации: 2011-03-02.

CMOS (complementary metal oxide semiconductor) contact hole etching method and CMOS manufacturing method

Номер патента: CN103633106A. Автор: 吴敏,秦伟,李程,黄海辉,高慧慧,杨渝书. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-03-12.

CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor) image sensor and forming method therefor

Номер патента: CN102646693A. Автор: 吴小利,张克云,饶金华. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2012-08-22.

Parasitic N-I-P type PIN device structure in BiCMOS (bipolar complementary metal oxide semiconductor) process and manufacturing method of structure

Номер патента: CN103123931A. Автор: 石晶,胡君,钱文生,刘冬华,段文婷. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-29.

Data backup method for double RTC (real time clock)/CMOS (complementary metal oxide semiconductor) RAM (random access memories) on X86 platform

Номер патента: CN102866936A. Автор: 张岳松. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-09.

Manufacturing method of backside illuminated complementary metal-oxide-semiconductor transistor (CMOS) image sensor

Номер патента: CN103066088A. Автор: 叶菁,高喜峰. Владелец: Omnivision Technologies Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) transistor and making method thereof

Номер патента: CN101930947B. Автор: 陈亮,杨林宏. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-03-28.

Low-temperature-coefficient current source fully compatible with standard CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) process

Номер патента: CN102129264A. Автор: 赵喆,周锋,成杨,廖泽鑫. Владелец: SHANGHAI SHENGRUIWO TECHNOLOGY DEVELOPMENT CO LTD. Дата публикации: 2011-07-20.

Ternary clock generator based on CMOS (complementary metal oxide semiconductor) technology

Номер патента: CN102916687A. Автор: 郎燕峰. Владелец: ZHEJIANG GONGSHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-02-06.

Millimeter wave power amplifier based on CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN214480486U. Автор: 王研,吴博文,孙利国,段宗明,潘东方. Владелец: CETC 38 Research Institute. Дата публикации: 2021-10-22.

Thermo-electric pile infrared detector compatible with complementary metal oxide semiconductor technology

Номер патента: CN102938444B. Автор: 孙蕾,王玮冰. Владелец: Jiangsu IoT Research and Development Center. Дата публикации: 2015-04-22.

Automated design method of ultra wide band CMOS (complementary metal oxide semiconductor) low noise amplifier and CMOS LNA (low noise amplifier) equipment

Номер патента: CN103956978A. Автор: 王巍,袁军,赵辰,徐巍,钟武,梁耀,冯世娟. Владелец: Chongqing University of Post and Telecommunications. Дата публикации: 2014-07-30.

Strain Si Bi CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor transistor) integrated device based on autocollimation technology and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102738158A. Автор: 宋建军,郝跃,舒斌,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,李妤晨,戴显英. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2012-10-17.

Method of suppressing short-channel effect of CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)

Номер патента: CN102427063A. Автор: 黄晓橹,陈玉文,邱慈云,毛刚. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-04-25.

CMOS (Complementary Metal-oxide Semiconductor) image sensor and CMOS image sensing circuit system

Номер патента: CN102544044B. Автор: 陈杰,汪辉,田犁,方娜,苗田乐. Владелец: Shanghai Advanced Research Institute of CAS. Дата публикации: 2015-06-24.

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101958328B. Автор: 肖德元,吴汉明,季明华. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-05-23.

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) integrated receiving signal intensity indicator with process stability

Номер патента: CN104639270B. Автор: 陈超,黄成�,李红,吴建辉,白春风. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-01-11.

Parasitic N-I-P type PIN device structure in bipolar junction transistor complementary metal oxide semiconductor (Bi CMOS) process and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103107186A. Автор: 石晶,胡君,钱文生,刘冬华,段文婷. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-15.

Digital still camera framework for supporting two-channel CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) sensor

Номер патента: CN102170571A. Автор: 金荣伟,李兴仁,石亚飞. Владелец: SHANGHAI INFOTM MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2011-08-31.

MEMS-CMOS (micro-electromechanical systems-complementary metal-oxide-semiconductor transistor) SAF (safe, arm and fire) integrated chip based on microsystem integration technology

Номер патента: CN102645140A. Автор: 赵越,娄文忠,宋荣昌. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-22.

Complementary metal-oxide semiconductor device

Номер патента: JPS6461942A. Автор: Narihito Yamagata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-03-08.

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor

Номер патента: CN101815179A. Автор: 任张强. Владелец: Brigates Microelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-25.

Method for manufacturing complementary metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: TW439224B. Автор: Yi-Chung Sheng,Cheng-Tung Huang,Shih-Chieh Hsu,Chin-Lai Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-06-07.

CMOS (complementary metal oxide semiconductor) image sensor

Номер патента: CN102595064B. Автор: 陈杰,汪辉,田犁,方娜,苗田乐. Владелец: Shanghai Advanced Research Institute of CAS. Дата публикации: 2014-07-09.

Lamination differential photoelectric detector based on standard CMOS (complementary metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN102593132B. Автор: 张世林,谢生,毛陆虹,康玉琢,肖新东. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-04-30.

Method of rejecting inreliable complementary metal-oxide semiconductor integrated circuits

Номер патента: SU1239658A1. Автор: Яков Вениаминович Малков,Геннадий Павлович Каленик,Юрий Александрович Сизов,Сергей Павлович Петров,Татьяна Дмитриевна Знаменская,Александр Максимович Молодык,Елена Владимировна Бражникова,Александр Георгиевич Барков,Андрей Анатольевич Дмитриев. Владелец: Московский Лесотехнический Институт. Дата публикации: 1986-06-23.

Vertical parasitic PNP device in BiCMOS (Bipolar Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) process and preparation method thereof

Номер патента: CN102487077A. Автор: 刘冬华,董金珠. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-06.

Wideband radio-frequency switch CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductors) circuit

Номер патента: CN102843121B. Автор: 林昱,郭东辉,李晓潮. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-08.

CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) band-gap reference source circuit

Номер патента: CN103246310A. Автор: 张宁,王本艳,冒杨雷. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-08-14.

CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) image sensor with irradiation on back surface

Номер патента: CN102347337A. Автор: 李�杰,霍介光. Владелец: Galaxycore Shanghai Ltd Corp. Дата публикации: 2012-02-08.

Back-illuminated type CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103117290A. Автор: 叶菁,高喜峰. Владелец: Omnivision Technologies Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-22.

Method for optimizing domain of CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) image sensor as well as etching method

Номер патента: CN101996261B. Автор: 罗飞. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Polishing method of dielectric layer of complementary metal-oxide-semiconductor transistor (CMOS) image sensor

Номер патента: CN101989575A. Автор: 罗飞,邹立. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-03-23.

Digital level conversion circuit based on low-voltage CMOS (complementary metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN210629454U. Автор: 胡胜发,肖正. Владелец: Anyka Guangzhou Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

Photosensitive diode based on CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN107546286B. Автор: 肖永贵,石开伟,廖晓鹰,邓青秀. Владелец: SHENZHEN YSPRING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-04.

Under-gate technology CMOS (complementary metal oxide semiconductor) device for inhibiting drain induction barrier lower effect and preparation method thereof

Номер патента: CN102420227B. Автор: 黄晓橹,陈玉文,谢欣云,邱慈云. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-07-09.

8-Bit Complementary Metal Oxide Semiconductor Digital to Analog Converter for 3 Volt

Номер патента: KR100283722B1. Автор: 이성현,조태원. Владелец: 조태원. Дата публикации: 2001-03-02.

Self-powered CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor) image sensor

Номер патента: CN102623476A. Автор: 陈杰,孙涛,汪辉,田犁,方娜,苗田乐. Владелец: Shanghai Advanced Research Institute of CAS. Дата публикации: 2012-08-01.

Method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: TW200905800A. Автор: Wen-Han Hung,Tzyy-Ming Cheng,Chia-Wen Liang,Meng-Yi Wu,Shyh-Fann Ting,Cheng-Tung Huang,Li-Shian Jeng,Kun-Hsien Lee,Shih-Chieh Hsu,Chih-Chiang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-02-01.

A three-dimensional complementary metal-oxide semiconductor transistor having high static discharging reliability

Номер патента: TW374229B. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-11.

Complementary metal oxide semiconductor image sensor layout structure

Номер патента: TW200705533A. Автор: Hsin-Ping Wu,Chia-Huei Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

CMOS/CCD (complementary metal–oxide–semiconductor/charge coupled device) micro-type shockproof machine base

Номер патента: TWM389801U. Автор: jian-zhong Cai,Wen-Jie Luo. Владелец: Ming Hsin Univ Of Science And Technology. Дата публикации: 2010-10-01.

Method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: TWI363401B. Автор: Shyh Fann Ting,Chia Wen Liang,Meng Yi Wu,Shih Chieh Hsu,Tzyy Ming Cheng,Chih Chiang Wu,Cheng Tung Huang,Wen Han Hung,Li Shian Jeng,Kun Hsien Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Dark calibration apparatus and method for linear complementary metal oxide semiconductor sensor

Номер патента: TW498683B. Автор: Jen-He Li. Владелец: Umax Data Systems Inc. Дата публикации: 2002-08-11.

Manufacture method of shallow junction complementary metal-oxide-semiconductor transistor (CMOS)

Номер патента: TW495858B. Автор: Shiou-Ying Juo. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-07-21.

Method for forming complementary metal oxide semiconductor sensor with high ratio of sensitivity to dark current

Номер патента: TW479357B. Автор: Ruei-Shiang Pan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-03-11.

Complementary metal-oxide semiconductor transistor and method of fabricating the same

Номер патента: TW200841419A. Автор: Wen-Han Hung,Shyh-Fann Ting,Cheng-Tung Huang,Chung Min Shih,Li-Shian Jeng,Kun-Hsien Lee,Chia Wen Liang,Meng Yi Wu,Tzyy Ming Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE WITH ENCAPSULATED REACH-THROUGH REGION

Номер патента: US20120001681A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods For In-Situ Passivation Of Silicon-On-Insulator Wafers

Номер патента: US20120003814A1. Автор: Ries Michael J.,Witte Dale A.,Stefanescu Anca,Jones Andrew M.. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for making silicon-on-insulator structure

Номер патента: RU2497231C1. Автор: Ида Евгеньевна Тысченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2013-10-27.

Design of sensitive element of pressure converter based on silicon-on-insulator structure

Номер патента: RU2474007C1. Автор: Игорь Валерьевич Годовицын. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение "Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Миэт". Дата публикации: 2013-01-27.

Fishing lure with fins and concave face

Номер патента: CA154263S. Автор: . Владелец: SUSAN BROOKER. Дата публикации: 2015-06-29.

Method for manufacturing of silicon-on-insulator structure

Номер патента: RU2368034C1. Автор: Владимир Павлович Попов,Ида Евгеньевна Тысченко. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-09-20.

Surfing with fin

Номер патента: RU2104898C1. Автор: И.М. Баранов,А.Н. Лордкипанидзе,М.Я. Мизина. Владелец: Научно-производственное предприятие "Форма". Дата публикации: 1998-02-20.

Vessel with fin propeller

Номер патента: RU2360831C2. Автор: Василий Николаевич Храмушин. Владелец: Василий Николаевич Храмушин. Дата публикации: 2009-07-10.

Method for manufacturing thin semiconductor films on insulator (alternatives)

Номер патента: RU2260874C2. Автор: А.Д. Сулимин,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,А.Д. Просий,К.А. Дракин,В.Л. Евдокимов,М.В. Бутырска,М.В. Бутырская. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2005-09-20.

Method of roduction structure "silicon-on-insulator"

Номер патента: RU2331949C1. Автор: Сергей Иванович Романов,Виктор Владимирович Кириенко,Максим Николаевич Чеюков. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2008-08-20.

Automotive high-mobility wheel

Номер патента: RU2529307C1. Автор: Николай Петрович Дядченко. Владелец: Николай Петрович Дядченко. Дата публикации: 2014-09-27.

Method for presorting of cmos chips made on silicon-on-insulator structures, by resistance to radiation effect

Номер патента: RU2364880C1. Автор: Александр Юрьевич Никифоров,Виталий Арсеньевич Телец,Игорь Борисович Яшанин,Георгий Георгиевич Давыдов,Андрей Юлиевич Седаков,Армен Вагоевич Согоян,Алексей Владимирович Скобелев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2009-08-20.

Glass for structures of silicon-on-insulator type

Номер патента: RU2083514C1. Автор: Н.И. Кошелев,А.И. Ермолаева. Владелец: Московский государственный институт электронной техники. Дата публикации: 1997-07-10.

Method to reject cmos microchips manufactured on silicon-on-insulator structures, by resistance to radiation exposure

Номер патента: RU2411527C1. Автор: Александр Юрьевич Никифоров,Виталий Арсеньевич Телец,Игорь Борисович Яшанин,Николай Николаевич Киселев,Георгий Георгиевич Давыдов,Вячеслав Викторович Маслов,Армен Вагоевич Согоян,Лев Анатольевич Синегубко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2011-02-10.

Method for producing silicon-on-insulator structure

Номер патента: RU2265255C2. Автор: В.П. Попов,Н.В. Дудченко,Д.В. Николаев,И.В. Антонова. Владелец: Институт физики полупроводников Объединенного Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2005-11-27.

Glass for crystalline-glass dielectric for structures of silicon-on- insulator type

Номер патента: RU2083515C1. Автор: В.З. Петрова,Н.И. Кошелев,А.И. Ермолаева. Владелец: Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 1997-07-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.