• Главная
  • Complementary metal-oxide semiconductor high-frequency ring oscillator

Complementary metal-oxide semiconductor high-frequency ring oscillator

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Multi-threshold complementary metal-oxide semiconductor master slave flip-flop

Номер патента: US8253464B2. Автор: Abhishek Jain. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2012-08-28.

High Frequency Ring Oscillator With Feed-Forward Paths

Номер патента: US20080024233A1. Автор: Alan Drake,Fadi Gebara,Jeremy Schaub. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Ring oscillator with frequency control loop

Номер патента: CA2153273C. Автор: Chinh L. Hoang. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Complementary metal-oxide semiconductor (cmos) compatible rf switch and high voltage control circuit (hvcc)

Номер патента: US20210050846A1. Автор: Yan Guo,Patrick T. Clancy. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) COMPATIBLE RF SWITCH AND HIGH VOLTAGE CONTROL CIRCUIT (HVCC)

Номер патента: US20210050846A1. Автор: Guo Yan,Clancy Patrick T.. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

Low voltage complementary metal oxide semiconductor process tri-state buffer

Номер патента: US20080100340A1. Автор: Tzung-Shen Chen,Chun-Yu Liao,Ti-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Apparatus, system and method of a metal-oxide-semiconductor (mos) transistor including a split-gate structure

Номер патента: US20210399634A1. Автор: Erez Sarig. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Metal-oxide-semiconductor capacitor based passive amplifier

Номер патента: US20240282785A1. Автор: Manuel H. Innocent. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Metal-oxide-semiconductor capacitor based passive amplifier

Номер патента: US12002822B2. Автор: Manuel H. Innocent. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) based voltage regulator circuit

Номер патента: EP3980858A1. Автор: Bernard James Griffiths. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-04-13.

Metal-oxide-semiconductor circuit designs and methods for operating same

Номер патента: EP2143200A1. Автор: Seyfollah Bazarjani,Guoqing Miao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-01-13.

Metal-oxide-semiconductor circuit designs and methods for operating same

Номер патента: WO2008127860A1. Автор: Seyfollah Bazarjani,Guoqing Miao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-23.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) buffer

Номер патента: US8618836B1. Автор: Grigori Temkine,Oleg Drapkin. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-12-31.

Complementary metal oxide semiconductor (cmos) buffer

Номер патента: US20130342269A1. Автор: Grigori Temkine,Oleg Drapkin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-26.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) inverter circuit device

Номер патента: US20150109047A1. Автор: Tae Kyoung KANG,Gyu Ho LIM,Beom Seon RYU. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) inverter circuit device

Номер патента: CN113193866A. Автор: 柳凡善,林奎昊,姜汰竟. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-07-30.

Bipolar-complementary metal oxide semiconductor inverter

Номер патента: EP0307323A2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-03-15.

Current mode logic-complementary metal oxide semiconductor converter

Номер патента: US20090058464A1. Автор: Kyung-Hoon Kim,Dae-Han Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Complementary metal oxid semiconductor voltage level shift circuit

Номер патента: KR100261179B1. Автор: 김경월. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-07-01.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) analog switch circuit

Номер патента: US20150008978A1. Автор: Jung Hoon SUL,Brandon KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) INVERTER CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20170117894A1. Автор: KANG Tae Kyoung,RYU Beom Seon,LIM Gyu Ho. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2017-04-27.

Current-mode logic to complementary metal oxide semiconductor logic converter

Номер патента: US20200319662A1. Автор: Marius Vicentiu Dina. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor integrated circuit

Номер патента: JPS59201460A. Автор: Yoshifumi Masaki,Setsushi Kamuro,節史 禿,良文 政木. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1984-11-15.

Current mode logic - complementary metal oxide semiconductor converter

Номер патента: KR100912964B1. Автор: 김경훈,권대한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-08-20.

Complementary metal- oxide-semiconductor circuit

Номер патента: JPS6449423A. Автор: Yotsuto Derange Buiremu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1989-02-23.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR POWER AMPLIFIER

Номер патента: US20140327483A1. Автор: BALTEANU FLORINEL. Владелец: RFAXIS, INC.. Дата публикации: 2014-11-06.

Integrated acoustic filter on complementary metal oxide semiconductor (cmos) die

Номер патента: WO2019168595A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli,Yun Han CHU. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-09-06.

INTEGRATED ACOUSTIC FILTER ON COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DIE

Номер патента: US20190273116A1. Автор: GOKTEPELI Sinan,FANELLI Stephen Alan,CHU Yun Han. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

High-Gain Low Noise Figure Complementary Metal Oxide Semiconductor Amplifier with Low Current Consumption

Номер патента: US20170317648A1. Автор: Gorbachov Oleksandr,Zhang Lisette L.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Complementary metal oxide semiconductor amplifier reducing 1/f noise

Номер патента: KR20090025627A. Автор: 박은철,고정욱,서춘덕. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-03-11.

Complementary metal oxide semiconductor voltage controlled oscillator

Номер патента: US7289002B2. Автор: Sung-Jae Jung,Heung-Bae Lee,Sang-Yoon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-30.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Complementary metal-oxide-semiconductor depth sensor element

Номер патента: US09859313B2. Автор: Tom Chang,Kao-Pin Wu. Владелец: Eminent Electronic Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: EP4006965A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Linearity and dynamic range for complementary metal oxide semiconductor active pixel image sensors

Номер патента: US20020121589A1. Автор: Robert Guidash. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-09-05.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensors

Номер патента: US09954019B2. Автор: Jungchak Ahn,Seungwook Lee,Youngwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Time delay integration structure for complementary metal-oxide semiconductor imaging sensor

Номер патента: US12046624B2. Автор: Robert Daniel McGrath. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for fabricating complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: US20040185595A1. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Time delay integration structure for complementary metal-oxide semiconductor imaging sensor

Номер патента: US20210327952A1. Автор: Robert Daniel McGrath. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20110187412A1. Автор: Xiao Sun,Tso-Ping Ma,Minjoo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Fabricating method of complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor

Номер патента: US20080113477A1. Автор: JHY-JYI SZE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20180131232A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-10.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20190238004A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-01.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20210143679A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2021-05-13.

Method and system for a complementary metal oxide semiconductor wireless power receiver

Номер патента: US10826330B2. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-03.

Simple integration of non-volatile memory and complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US09881930B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method and system for a complementary metal oxide semiconductor wireless power receiver

Номер патента: US09685793B2. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US10553496B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Complementary metal-oxide semiconductor integrated circuit device with isolation

Номер патента: US4870471A. Автор: Isao Ohkura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-09-26.

Method for fabricating improved complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: CA1166361A. Автор: Robert F. Pfeifer,Murray L. Trudel. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: EP1974377A1. Автор: Massimo Fischetti,Qiqing Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-01.

Complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: WO2007077125A1. Автор: Massimo Fischetti,Qiqing Ouyang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2007-07-12.

FinFET complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices

Номер патента: US11652006B2. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-16.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) device and method

Номер патента: EP2847791A2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Jun Yuan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-03-18.

Finfet complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices

Номер патента: US20210327769A1. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Finfet complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices

Номер патента: US20220139787A1. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for fabricating complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: US7029942B2. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-04-18.

Nickel Silicide in Bipolar Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS) Device

Номер патента: US20220068913A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,Mantavya SINHA. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensors

Номер патента: US20170040365A1. Автор: Jungchak Ahn,Seungwook Lee,Youngwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-09.

Complementary Metal Oxide Silicon Image Sensor And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR100769131B1. Автор: 임기식. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-10-23.

Semiconductor high frequency oscillation device

Номер патента: US3575643A. Автор: Michihisa Suga,Kenji Sekido. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-04-20.

Semiconductor device including metal-oxide-semiconductor disposed in a column decoder region

Номер патента: US09997223B2. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods for fabricating metal-oxide-semiconductor field effect transistors using gate sidewall spacers

Номер патента: US20040203197A1. Автор: Dong-soo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-14.

Metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20150155389A1. Автор: Jun-Yao Huang,Chien-Pang Tai,Yu-Chin Peng,Ke-Chuan Huang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US20180175019A1. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US10204896B2. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Thin film transistor substrate having high reliability metal oxide semiconductor material

Номер патента: US09735286B2. Автор: Kyung Park,Juheyuck BAECK,JongUk BAE,Jangyeon Kwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US09716169B2. Автор: Feng Huang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Process for preparing nano-porous metal oxide semiconductor layers

Номер патента: WO2004025675A1. Автор: Hieronymus Andriessen,Joop Van Deelen,Jan Kroon. Владелец: AGFA-GEVAERT. Дата публикации: 2004-03-25.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170084739A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Chia-Min Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230246104A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09680008B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Empirion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Laterally diffused metal oxide semiconductor and field drift metal oxide semiconductor

Номер патента: US09660072B2. Автор: Tien-Hao Tang,Lu-An CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Trench gate complimentary metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: CA2009067A1. Автор: Allen L. Solomon. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-09-21.

Coating material for forming porous metal oxide semiconductor film for photovoltaic cell

Номер патента: EP2128880A3. Автор: Tsuguo Koyanagi,Takaki Mizuno. Владелец: JGC Catalysts and Chemicals Ltd. Дата публикации: 2012-09-26.

Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor

Номер патента: US20240234591A9. Автор: Marianne Berolini,Cory Nelson,Ronald S. Demcko,Jeff Borgman. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating metal-oxide semiconductor transistor

Номер патента: US6150276A. Автор: Gary Hong,Claymens Lee. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Structure of metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20030189226A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Chih-Feng Huang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2003-10-09.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100330760A1. Автор: Kao-Way Tu,Yen-Chih Huang. Владелец: Nico Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US9647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Metal-oxide-semiconductor capacitor and circuit board including the same embedded therein

Номер патента: US12080809B2. Автор: Cory Nelson. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Hydrogenated p-channel metal oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09985139B2. Автор: Kenji Nomura. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09768292B2. Автор: Shu Zhang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Dual-well metal oxide semiconductor (MOS) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634139B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-25.

High voltage metal oxide semiconductor device and method for making same

Номер патента: US09627524B2. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Metal oxide semiconductor transistor with reduced gate height, and related fabrication methods

Номер патента: US7960229B2. Автор: Scott Luning,Rohit Pal,Frank Bin YANG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-06-14.

Self-aligned channel metal oxide semiconductor (mos) device and fabrication method thereof

Номер патента: EP4285417A1. Автор: Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Self-aligned channel metal oxide semiconductor (mos) device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240096963A1. Автор: Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307072A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: WO2011059782A3. Автор: Naveen Tipirneni,Deva N. Pattanayak. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2011-08-25.

Metal oxide semiconductor transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060138560A1. Автор: Jun-Gi Choi,Hi-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US20240105839A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

High-voltage metal-oxide semiconductor transistor

Номер патента: US9484422B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Compositions of metal oxide semiconductor nanomaterials and hemostatic polymers

Номер патента: US20210091266A1. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Laterally diffused metal-oxide- semiconductor structure

Номер патента: US20240072163A1. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Compositions of metal oxide semiconductor nanomaterials

Номер патента: US20200231459A1. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Method for fabicating trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20070134882A1. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Hsin-Huang Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Method for fabricating trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US7615442B2. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Hsin-Huang Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2009-11-10.

Lateral diffused metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20180342609A1. Автор: Shukun QI,Guipeng Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Device

Номер патента: US20130168767A1. Автор: Chun-Wei Chen,Wei-Shan Liao,An-Hung LIN,Hong-Ze Lin,Bo-Jui Huang,Ting-Zhou Yan,Kun-Yi Chou,Ming-Yong Jian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-04.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Metal oxide semiconductor transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067614A1. Автор: Jun-Gi Choi,Hi-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Self-Protected Drain-extended metal-oxide-semiconductor Transistor

Номер патента: US20130264608A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Alain Loiseau,Junjun Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Laterally diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180114831A1. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-26.

Metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100090284A1. Автор: Cheng-Yu Fang,Yen-Wei Liao,sheng-yuan Yang. Владелец: Advanced Analog Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140151799A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-06-05.

Variation Resistant Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Номер патента: US20130049140A1. Автор: Asen ASENOV,Gareth Roy. Владелец: Gold Standard Simulations Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20080298135A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20100213528A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Lateral diffused metal oxide semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899513B1. Автор: Wei-Chih Lin,Chih-Chia Hsu,Yin-Fu Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09837532B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for forming metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09741830B2. Автор: Kung-Hong Lee,Chun-Jung Tang,Te-Chih Chen,Tai-Ju Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

N-type metal oxide semiconductor spectrally sensitized with a cationic spectral sensitizer

Номер патента: WO2004025674A1. Автор: Hieronymus Andriessen,Paul Callant. Владелец: AGFA-GEVAERT. Дата публикации: 2004-03-25.

Semiconductor device and metal-oxide-semiconductor capacitor structure

Номер патента: US20220020684A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ka-Un Chan. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Method of making a trench gate complimentary metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US5108938A. Автор: Allen L. Solomon. Владелец: Grumman Aerospace Corp. Дата публикации: 1992-04-28.

Lateral oriented metal-oxide-semiconductor, mos device comprising a semiconductor body

Номер патента: US20230402541A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-14.

Amorphous metal oxide semiconductor layer and semiconductor device

Номер патента: US11894429B2. Автор: Shinichi Maeda,Yoshiomi Hiroi. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of forming metal-oxide-semiconductor transistor

Номер патента: US20100261323A1. Автор: Chien-Chung Huang,Neng-Kuo Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-14.

Manufacturing method of metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20170200814A1. Автор: Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Laterally diffused metal-oxide semiconductor with gate contact

Номер патента: US20230317815A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Lateral oriented metal-oxide-semiconductor, mos device comprising a semiconductor body

Номер патента: EP4290585A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-13.

High performance laterally-diffused metal-oxide semiconductor structure

Номер патента: US20240030341A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11949010B2. Автор: Budong You,Chunxin Xia. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Structure of trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20190355847A1. Автор: Chih-Fang Huang,Jheng-Yi Jiang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-11-21.

Well doping for metal oxide semiconductor (mos) varactor

Номер патента: US20190393359A1. Автор: YE Lu,YUN Yue,Chuan-Cheng Cheng,Chuan-Hsing Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US9257534B2. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20010049172A1. Автор: Charles Pearce. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Metal-oxide-semiconductor device with a doped titanate body

Номер патента: US20090065875A1. Автор: Yukiko Furukawa,Radu Surdeanu,Vincent C. Venezia. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-03-12.

Metal-oxide-semiconductor device with a doped titanate body

Номер патента: WO2006043243A1. Автор: Yukiko Furukawa,Radu Surdeanu,Vincent C. Venezia. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-04-27.

Laterally diffused metal-oxide semiconductor with gate contact

Номер патента: EP4254510A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Metal oxide semiconductor with multiple drain vias

Номер патента: US20230402515A1. Автор: Chih-Hung Chang,Chung-Hsiung Ho,Chi-Hsueh Li. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Process for preparing nano-porous metal oxide semiconductor layers

Номер патента: EP1540679A1. Автор: Hieronymus AGFA-GEVAERT ANDRIESSEN,Joop Van Deelen,Jan Kroon. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 2005-06-15.

Structure of trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20180315848A1. Автор: Chih-Fang Huang,Jheng-Yi Jiang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-11-01.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and its method of fabrication

Номер патента: US5498556A. Автор: Gary Hong,Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-03-12.

Silicon gigabit metal-oxide-semiconductor device processing

Номер патента: CA1216374A. Автор: Ping K. Ko. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1987-01-06.

Method for fabricating metal oxide semiconductor with lightly doped drain

Номер патента: US20060205126A1. Автор: Shih-Yi Yen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-09-14.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with a cold source

Номер патента: US20210210639A1. Автор: Jian Wang,Fei Liu,Hong Guo. Владелец: Versitech Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a notched gate electrode

Номер патента: US11791392B2. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor device, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240014255A1. Автор: Hojung Lee,Seung Yup Jang,Jaemoo KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for reducing plasma damage to a gate oxide of a metal-oxide semiconductor wafer

Номер патента: US20020155680A1. Автор: Yi-Fan Chen,Shou-Kong Fan,Chi-King Pu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20120313084A1. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor

Номер патента: US20240136448A1. Автор: Marianne Berolini,Cory Nelson,Ronald S. Demcko,Jeff Borgman. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor and method of fabricating same

Номер патента: US20210028307A1. Автор: Joo-Hyung Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Metal-oxide-semiconductor capacitor

Номер патента: WO2024086220A1. Автор: Marianne Berolini,Cory Nelson,Ronald S. Demcko,Jeff Borgman. Владелец: KYOCERA AVX Components Corporation. Дата публикации: 2024-04-25.

Trench vertical double diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: WO2012034372A8. Автор: Genyi Wang,Tzong Shiann Wo. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-19.

Lateral double diffusion metal oxide semiconductor element and its manufacture method

Номер патента: CN106469755A. Автор: 黄宗义. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-03-01.

Double-diffused metal oxide semiconductor and method for fabricating the same

Номер патента: KR100734143B1. Автор: 고광영. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-06-29.

Method of fabricating an air-gap spacer of a metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US5972763A. Автор: Tony Lin,Jih-Wen Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Metal-oxide-semiconductor (MOS) device and method for fabricating the same

Номер патента: US9059202B2. Автор: Yan Jin. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-16.

Metal oxide semiconductor device with dual-well and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI619200B. Автор: 黃宗義. Владелец: 立錡科技股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-21.

Metal oxide semiconductor transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20070267691A1. Автор: Frank Chen,Yu-Chi Chen,Jih-Wen Chou. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-11-22.

Metal oxide semiconductor structure and production method thereof

Номер патента: US9006730B2. Автор: Chung-Chin Huang,Chin-Wen Lin,Ted Hong Shinn,Chuan-I HUANG. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2015-04-14.

Power metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor

Номер патента: US4206469A. Автор: Earl S. Schlegel,Maurice H. Hanes. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1980-06-03.

High-voltage metal-oxide semiconductor (MOS) device

Номер патента: US5910666A. Автор: Jemmy Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

Composite inverse T-gate metal oxide semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US5097301A. Автор: Julian J. B. Sanchez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1992-03-17.

Method and system for providing a metal oxide semiconductor device having a drift enhanced channel

Номер патента: WO2008070748A3. Автор: Darwin Gene Enicks. Владелец: Darwin Gene Enicks. Дата публикации: 2008-10-30.

Laterally diffused metal oxide semiconductor structure

Номер патента: EP4328977A1. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20100171186A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Fabricating method of a high voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20070080398A1. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-12.

Method of fabricating high voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US7462532B2. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-12-09.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140021544A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-01-23.

A Vertical Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) and a Method of Forming the Same

Номер патента: US20210280700A1. Автор: Lars-Erik Wernersson,Olli-Pekka Kilpi. Владелец: C2amps AB. Дата публикации: 2021-09-09.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9520470B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-13.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9704987B2. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-07-11.

Self-protected metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20140015053A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,James P. Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US11843049B2. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor (ldmos) transistors

Номер патента: US20120091527A1. Автор: Budong You. Владелец: SILERGY TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-04-19.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307070A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Wen-Yi Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Anti-snapback circuitry for metal oxide semiconductor (mos) transistor

Номер патента: US20130292770A1. Автор: Kurt Kimber,David Litfin. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2013-11-07.

Processes for preparing metal oxide semiconductor nanomaterials

Номер патента: US11820672B2. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140061786A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for fabricating gate dielectrics of metal-oxide-semiconductor transistors using rapid thermal processing

Номер патента: US20090108377A1. Автор: Zhi Chen,Jun Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

High voltage double-diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20210184033A1. Автор: Edward John Coyne,Alan Brannick,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-17.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US20240120419A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Lateral diffusion metal oxide semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230238457A1. Автор: Zong-Han Lin,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

High-voltage metal oxide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20110018071A1. Автор: Kao-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Processes for preparing metal oxide semiconductor nanomaterials

Номер патента: EP3911595A1. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US11881527B2. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20240055515A1. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: EP2494600A2. Автор: Naveen Tipirneni,Deva N. Pattanayak. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2012-09-05.

Trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: WO2011059782A2. Автор: Naveen Tipirneni,Deva N. Pattanayak. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2011-05-19.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US8217471B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20170054018A1. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Method of manufacturing metal-oxide-semiconductor transistor

Номер патента: US20060189065A1. Автор: Tony Liu,Yun-Ren Wang,Ying-Wei Yen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-24.

Compositions of metal oxide semiconductor nanomaterials

Номер патента: EP3912194A1. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperaton Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20130181211A1. Автор: Chang-Tzu Wang,Tien-Hao Tang,Tai-Hsiang Lai,Lu-An CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

High voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20070128788A1. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-07.

High voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US7791137B2. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

High-voltage metal oxide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20100078737A1. Автор: Kao-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

High-voltage metal-oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20160043193A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

A vertical metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) and a method of forming the same

Номер патента: EP3622559A1. Автор: Lars-Erik Wernersson,Olli-Pekka Kilpi. Владелец: C2amps AB. Дата публикации: 2020-03-18.

Double diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20130313641A1. Автор: Chien-Hao Huang,Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-28.

Processes for preparing metal oxide semiconductor nanomaterials

Номер патента: WO2020150425A1. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device

Номер патента: US20140091389A1. Автор: Chih-Chung Wang,Ming-Shun Hsu,Ke-Feng Lin,Chiu-Te Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20180122921A1. Автор: Sen Zhang,Shukun QI,Guipeng Sun,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor (ldmos) transistors

Номер патента: US20210119041A1. Автор: Cho Chiu Ma. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Multi-level power supply system for a complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US20100201403A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Louis L. Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

A complementary metal-oxide-semiconductor x-ray detector

Номер патента: WO2014025967A2. Автор: David Ellis Barker,James Zhengshe Liu. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2014-02-13.

High performance chemical and bio sensors using metal oxide semiconductors

Номер патента: US20200088678A1. Автор: Yang Yang,Jonathan Yang,You Seung RIM. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-03-19.

High performance chemical and bio sensors using metal oxide semiconductors

Номер патента: US20180059051A1. Автор: Yang Yang,Jonathan Yang,You Seung RIM. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-03-01.

Gas sensor having metal-oxide semiconductor layer

Номер патента: US5250170A. Автор: Wasaburo Ohta,Shinji Yagawara. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1993-10-05.

Gas detection device and gas detection method using metal-oxide semiconductor gas sensor

Номер патента: US11698356B2. Автор: Kuniyuki IZAWA. Владелец: Figaro Engineering Inc. Дата публикации: 2023-07-11.

Metal oxide semiconductor gas sensor

Номер патента: US20240159700A1. Автор: Raitaro Masaoka,Kazutaka Fujita,Tomokazu Ishikura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Multiple threshold voltage scheme in complementary metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US12068387B2. Автор: Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Dual-semiconductor complementary metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US09627266B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Yanning Sun,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) voltage-controlled resistor

Номер патента: US20190214506A1. Автор: Sinan Goktepeli,Plamen Vassilev Kolev,Peter Graeme Clarke. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Multi-threshold voltage non-planar complementary metal-oxide-semiconductor devices

Номер патента: US11749680B2. Автор: Koji Watanabe,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Charge coupled device/complementary metal-oxide semiconductor camera having a focus adjusting ring

Номер патента: TW587192B. Автор: Won-Hee Park,Sang-Kyeng Choi. Владелец: Sekinos Korea Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

A method for forming a low temperature polysilicon complementary metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: TW200421620A. Автор: Kun-Hong Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-10-16.

Complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensor

Номер патента: US12068350B2. Автор: Junetaeg LEE,Seokha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Complementary metal oxide semiconductor and component of the same

Номер патента: TW200425477A. Автор: Wein-Town Sun,Jen-Yi Hu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-16.

DUAL-SEMICONDUCTOR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170084497A1. Автор: Leobandung Effendi,Lee Sanghoon,MO Renee T.,Sun Yanning. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

COMPOUND SEMICONDUCTOR AND COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) TRANSISTOR INTEGRATION

Номер патента: US20220302107A1. Автор: Kim Jonghae,Lan Je-Hsiung,Dutta Ranadeep. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Image Sensors

Номер патента: US20190109170A1. Автор: Ihara Hisanori. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20180114728A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150255516A1. Автор: Chen Yi-Wei,Chen Chung-Tao,Chiu Ta-Wei,Lin Yu-Pu. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

RESISTIVE PROCESSING UNITS WITH COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR NON-VOLATILE ANALOG MEMORY

Номер патента: US20200258942A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180277679A1. Автор: Hsu Wei-Lun,Shih Hung-Lin,Huang Hsin-Che,Chou Shyan-Liang. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: JPS59121969A. Автор: Koji Makita,Kazuyoshi Shinada,牧田 耕次,品田 一義. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1984-07-14.

Dual-plane complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US20080113476A1. Автор: Brent Anderson,Edward Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Method for forming high voltage complementary metal-oxide semiconductor by utilizing retrograde ion implantation

Номер патента: US20050048712A1. Автор: Jung-Cheng Kao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-03.

Method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: US7964495B2. Автор: Han-Choon Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-06-21.

A kind of complementary metal oxide semiconductors (CMOS) time delay integration formula sensor

Номер патента: CN102611853B. Автор: 王勤立,李世祖. Владелец: X-SCAN IMAGING CORP. Дата публикации: 2016-06-08.

Method for fabricating Complementary Metal Oxide Semiconductor image sensor

Номер патента: KR100544957B1. Автор: 한창훈. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-01-24.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensor and method of making

Номер патента: US11581360B2. Автор: Bo-Tsung TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-14.

Method for manufacturing complementary metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: TW201816944A. Автор: 肖德元. Владелец: 上海新昇半導體科技有限公司. Дата публикации: 2018-05-01.

Method and system for a complementary metal oxide semiconductor wireless power receiver

Номер патента: US11309740B2. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2022-04-19.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensors

Номер патента: US10181492B2. Автор: HISANORI Ihara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-15.

Forming method of CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) transistor

Номер патента: CN104347512A. Автор: 禹国宾. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-02-11.

Dual-plane complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US20070235818A1. Автор: Brent Anderson,Edward Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Antenna system using complementary metal oxide semiconductor techniques

Номер патента: US20070262904A1. Автор: Seong-Youp Suh,Keith Tinsley. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Producing method for complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: CN100433290C. Автор: 李源镐. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2008-11-12.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10103265B1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Kai-Lin Lee,Yi-Che Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Method for fabricating complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: TWI339407B. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: Crosstek Capital LLC. Дата публикации: 2011-03-21.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) device and method

Номер патента: US20130292767A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Jun Yuan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) IMAGE SENSOR

Номер патента: US20130320196A1. Автор: HIROSIGE GOTO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-05.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140087525A1. Автор: Chen Yi-Wei,Chen Chung-Tao,Chiu Ta-Wei,Lin Yu-Pu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-27.

APPARATUS, SYSTEM AND METHOD OF BACK SIDE ILLUMINATION (BSI) COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) PIXEL ARRAY

Номер патента: US20160005896A1. Автор: Lahav Assaf,Fenigstein Amos. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20210020682A1. Автор: Ihara Hisanori. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-21.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) IMAGE SENSOR (CIS) PACKAGE WITH AN IMAGE BUFFER

Номер патента: US20180026067A1. Автор: LEE Hsiao-Wen,HASHIMOTO Kazuaki,Yee Kuo-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEPTH SENSOR ELEMENT

Номер патента: US20200025556A1. Автор: Chang Tom,Wu Kao-Pin. Владелец: EMINENT ELECTRONIC TECHNOLOGY CORP. LTD.. Дата публикации: 2020-01-23.

Nano-Sheet-Based Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Asymmetric Inner Spacers

Номер патента: US20210035870A1. Автор: Wang Chih-hao,Cheng Kuan-Lun,Young Bo-Feng,Yeong Sai-Hooi. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

CONCAVE REFLECTOR FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR (CIS)

Номер патента: US20210036043A1. Автор: CHEN YU-CHUN,Lu Jiech-Fun,Huang Po-Han. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (MOS) CAPACITOR

Номер патента: US20210036168A1. Автор: Wang Zhongze,Liu Gang,Lu Ye. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20160043132A1. Автор: Ihara Hisanori. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20170040365A1. Автор: AHN Jungchak,LEE Seungwook,Jung Youngwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-02-09.

Method of Manufacturing Nickel Silicide in Bipolar Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS)

Номер патента: US20220068912A1. Автор: Howard David J.,Sinha Mantavya,Preisler Edward. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Nickel Silicide in Bipolar Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS) Device

Номер патента: US20220068913A1. Автор: Howard David J.,Sinha Mantavya,Preisler Edward. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR, IMAGE PROCESSING METHOD AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20220068990A1. Автор: YANG XIN. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20160056198A1. Автор: AHN Jungchak,LEE Seungwook,Jung Youngwoo. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

HIGH MOBILITY COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES WITH FINS ON INSULATOR

Номер патента: US20200066896A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20150076920A1. Автор: Gulak Glenn,Zargham Meysam. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20210074759A1. Автор: TSAI Bo-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEPTH SENSOR ELEMENT

Номер патента: US20170074643A1. Автор: Chang Tom,Wu Kao-Pin. Владелец: EMINENT ELECTRONIC TECHNOLOGY CORP. LTD.. Дата публикации: 2017-03-16.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR CIRCUIT STRUCTURE, PREPARATION METHOD THEREOF AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20140159038A1. Автор: IM Jang Soon. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-06-12.

MULTI-THRESHOLD VOLTAGE NON-PLANAR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210082915A1. Автор: WATANABE Koji,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

DEEP TRENCH SPACING ISOLATION FOR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) IMAGE SENSORS

Номер патента: US20170084646A1. Автор: Wang Chen-Jong,Yang Tai-I,Lin Tien-Lu,Lin Ta-Chun,LIN JUNG-I. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160093616A1. Автор: Huang Chien-Chung,Lai Chien-Ming,Wang Yu-Ping,Tsai Ya-Huei,Tseng Yu-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

Finfet complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices

Номер патента: US20220139787A1. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

METHOD FOR FABRICATING COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR

Номер патента: US20190096952A1. Автор: TSAI Bo-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) X-Ray Detector With A Repaired CMOS Pixel Array

Номер патента: US20140183607A1. Автор: Liu James. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2014-07-03.

High Yield Complementary Metal-Oxide Semiconductor X-ray Detector

Номер патента: US20140183676A1. Автор: James Liu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-07-03.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20170110373A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210125986A1. Автор: VELLIANITIS Georgios. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-04-29.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150123184A1. Автор: Tang Tien-Hao,CHEN YU-CHUN,WANG Chang-Tzu,Su Kuan-Cheng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2015-05-07.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20210143679A1. Автор: Gulak Glenn,Zargham Meysam. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

STACKED NANOSHEET COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20200119015A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

SIMPLE INTEGRATION OF NON-VOLATILE MEMORY AND COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20180130811A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20180131232A1. Автор: Gulak Glenn,Zargham Meysam. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

CONCAVE REFLECTOR FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR (CIS)

Номер патента: US20220278158A1. Автор: CHEN YU-CHUN,Lu Jiech-Fun,Huang Po-Han. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) IMAGE SENSOR WITH SILICON AND SILICON GERMANIUM

Номер патента: US20170141153A1. Автор: SZE JHY-JYI,Lee Yueh-Chuan,CHEN Chia-Chan. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20200161363A1. Автор: Ihara Hisanori. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-21.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR

Номер патента: US20200168700A1. Автор: SONG JAE-JOON. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20210210545A1. Автор: TSAI Bo-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

HIGH DENSITY RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY INTEGRATED ON COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20190181338A1. Автор: Ando Takashi,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

A STRUCTURE AND METHOD FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) ISOLATION

Номер патента: US20200176330A1. Автор: Yang Haining. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Complementary metal oxide semiconductor image sensor device and method of forming the same

Номер патента: US20160204158A1. Автор: Chien-En Hsu,Chen Jie Gu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) VOLTAGE-CONTROLLED RESISTOR

Номер патента: US20190214506A1. Автор: GOKTEPELI Sinan,KOLEV Plamen Vassilev,CLARKE Peter Graeme. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

STACKED NANOSHEET COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20210249412A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

MONOLITHIC COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) - INTEGRATED SILICON MICROPHONE

Номер патента: US20160241979A1. Автор: Chu Chia-Hua,Cheng Chun-Wen,Peng Jung-Huei,Huang Yao-Te,Cho Chin-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20190238004A1. Автор: Gulak Glenn,Zargham Meysam. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) TRANSISTOR AND TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR (TFET) ON A SINGLE SUBSTRATE

Номер патента: US20160268256A1. Автор: YANG Bin,Yuan Jun,Li Xia. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

CONCAVE REFLECTOR FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR (CIS)

Номер патента: US20200266228A1. Автор: CHEN YU-CHUN,Lu Jiech-Fun,Huang Po-Han. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

MONOLITHIC SELF-ALIGNED HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR (HBT) AND COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS)

Номер патента: US20200266290A1. Автор: Dutta Ranadeep. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR

Номер патента: US20190273112A1. Автор: TSAI Bo-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR WITH DUAL CONTACT LINERS

Номер патента: US20190279934A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, OPTICAL APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150303114A1. Автор: CHO Young-Jin,LEE Sang-moon. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

METHOD OF FORMING COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160307805A1. Автор: Huang Chien-Chung,Lai Chien-Ming,Wang Yu-Ping,Tsai Ya-Huei,Tseng Yu-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES EMPLOYING PLASMA-DOPED SOURCE/DRAIN STRUCTURES AND RELATED METHODS

Номер патента: US20170352662A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

CHEMICAL COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR (CCMOS) COLORIMETRIC SENSORS FOR MULTIPLEX DETECTION AND ANALYSIS

Номер патента: US20200340912A1. Автор: Tao Nongjian,Wang Di. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) IMAGE SENSOR

Номер патента: US20170358620A1. Автор: TSAI Cheng-Yuan,Chen Sheng-Chau,Chou Cheng-Hsien,LI Sheng-Chan,Wang Zhi-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

MANUFACTURING METHOD OF COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD OF ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20200357702A1. Автор: He Chao,Chen Yuxia. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Electrostatic protective circuit for complementary-metal oxide semiconductor-integrated circuit

Номер патента: JPS5790969A. Автор: Naoyuki Morita. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1982-06-05.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) gas sensor and forming method thereof

Номер патента: CN104617095A. Автор: 袁彩雷,俞挺,骆兴芳. Владелец: Jiangxi Normal University. Дата публикации: 2015-05-13.

Backside illuminated CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor

Номер патента: CN102779826A. Автор: 叶菁,费孝爱. Владелец: Omnivision Technologies Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-14.

A method for forming complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: KR100675638B1. Автор: 백명기. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2007-02-02.

method for fabricvating complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: KR100252902B1. Автор: 김동선. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR CIRCUIT AND ITS MANUFACTURING PROCESS

Номер патента: FR2318500A1. Автор: . Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-02-11.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR CIRCUIT

Номер патента: FR2318503A1. Автор: . Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-02-11.

Electrostatic protective circuit for complementary-metal oxide semiconductor-integrated circuit

Номер патента: JPS5790970A. Автор: Naoyuki Morita. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1982-06-05.

Complementary metal oxide semiconductor image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: EP1551062B1. Автор: Wi Sik Min. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-17.

Antenna system using complementary metal oxide semiconductor techniques

Номер патента: US7492317B2. Автор: Keith R. Tinsley,Seong-Youp Suh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-02-17.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensors

Номер патента: US10615216B2. Автор: HISANORI Ihara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-07.

A structure and method for complementary metal oxide semiconductor (cmos) isolation

Номер патента: EP3888121A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-10-06.

Antenna system using complementary metal oxide semiconductor array technology

Номер патента: JP2008535272A. Автор: ティンズレー,キース,シュウ,ソンヨプ. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

CMOS (complementary metal oxide semiconductor) transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102881657B. Автор: 孙冰. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-07.

Complementary metal oxide semiconductor circuit structure, preparation method thereof and display device

Номер патента: EP2743990B1. Автор: Jangsoon IM. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-24.

Complementary metal oxide semiconductor image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: US20070052053A1. Автор: Chiu-Te Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-08.

Structure of complementary metal oxide semiconductor image sensor and its manufacturing method

Номер патента: CN100416842C. Автор: 李敬雨,李守根,朴基彻. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-03.

Low-frequency complementary metal oxide semiconductor (cmos) ultrasonic transducer

Номер патента: US20230271222A1. Автор: Bichoy BAHR,Swaminathan Sankaran,Yanbo He. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Complementary metal oxide semiconductor photosensitive element and protective glass module therefor

Номер патента: TWM577595U. Автор: 李家銘,李遠智. Владелец: 同泰電子科技股份有限公司. Дата публикации: 2019-05-01.

ACCELEROMETER WITH COMPATIBILITY TO COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TECHNOLOGIES

Номер патента: US20180217178A1. Автор: Kautzsch Thoralf,Bieselt Steffen. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

DEAD MEMORY WITH COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR COMPONENTS

Номер патента: FR2285676A1. Автор: . Владелец: Texas Instruments France SAS. Дата публикации: 1976-04-16.

CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) data recovery system and method

Номер патента: CN102541681A. Автор: 彭爽. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

Focusing apparatus for CCD (Charge Coupled Device)or CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor) module

Номер патента: KR200373786Y1. Автор: 박종수. Владелец: 박종수. Дата публикации: 2005-01-27.

Complementary metal-oxide-semiconductor x-ray detector

Номер патента: US20140042328A1. Автор: David Ellis Barker,James Zhengshe Liu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-02-13.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) MICRO ELECTRO-MECHANICAL (MEMS) MICROPHONE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200207613A1. Автор: Wang Chuan-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

RANDOM NUMBER GENERATOR COMPATIBLE WITH COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY

Номер патента: US20200272420A1. Автор: Cheng Kangguo. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

Unit to detect faults for Complementary Metal Oxide Semiconductor logic circuits

Номер патента: KR100360717B1. Автор: 김강철,차영두,한석붕. Владелец: 김강철. Дата публикации: 2002-11-13.

Infrared detector based on CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN113720451B. Автор: 潘辉,翟光杰,武佩,翟光强. Владелец: Beijing North Gaoye Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) chip information clear circuit

Номер патента: CN102981585A. Автор: 周海清,熊金良,涂一新. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-20.

Infrared detector based on CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN113720455A. Автор: 潘辉,翟光杰,武佩,翟光强. Владелец: Beijing North Gaoye Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Infrared detector based on CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN113720466B. Автор: 潘辉,翟光杰,武佩,翟光强. Владелец: Beijing North Gaoye Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Wide-band metamaterial absorber compatible with CMOS (complementary metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN111929753A. Автор: 夏军,张易晨. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-11-13.

Lateral double diffusion metal oxide semiconductor element and manufacture method thereof

Номер патента: CN103474462B. Автор: 黄宗义. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-05-18.

Trench metal-oxide semiconductor element and its manufacture method

Номер патента: CN102956639B. Автор: 刘冠伶,翁士元. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device manufacturing method

Номер патента: TWI641146B. Автор: 蘇宏德,廖文毅,黃宗義,楊清堯,張國城. Владелец: 立錡科技股份有限公司. Дата публикации: 2018-11-11.

Trench-gate metal oxide semiconductor component and manufacture method thereof

Номер патента: CN102956639A. Автор: 刘冠伶,翁士元. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Semiconductor device and complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: TW200824118A. Автор: Shih-Kuei Ma,Chung-Yeh Lee,Chun-Ying Yeh,Wei-Ting Kuo. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2008-06-01.

Process of complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: TW251380B. Автор: Huoo-Tiee Lu,Shyh-Chang Tsay. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-07-11.

Complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: TW200824044A. Автор: Shin-Cheng Lin,Shih-Kuei Ma,Chung-Yeh Lee,Chun-Ying Yeh. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2008-06-01.

Method for manufacturing complementary metal-oxide-semiconductor thin film transistor

Номер патента: TW200919641A. Автор: Yi-Wei Chen,Yi-Sheng Cheng,Ming-Yan Chen,Ying-Chi Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-05-01.

Method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: TWI331791B. Автор: Hung Lin Shih,Tsan Chi Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-10-11.

Complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: TWI319612B. Автор: Shin Cheng Lin,Chun Ying Yeh,Chung Yeh Lee,Shih Kuei Ma. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2010-01-11.

Complementary metal oxide semiconductor class AB amplifier

Номер патента: TW486860B. Автор: Da-Chang Juang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-11.

Low voltage complementary metal oxide semiconductor process tri-state buffer

Номер патента: TWI328347B. Автор: Ti Wen Chen,Tzung Shen Chen,Chun Yu Liao. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-01.

Low voltage complementary metal oxide semiconductor process tri-state buffer

Номер патента: TW200826492A. Автор: Tzung-Shen Chen,Chun-Yu Liao,Ti-Wen Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-16.

Semiconductor device and complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: TWI328287B. Автор: Chun Ying Yeh,Ker Hsiao Huo,Chung Yeh Lee,Shih Kuei Ma. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2010-08-01.

COMPUTING DEVICE AND METHOD FOR CLEARING DATA STORED IN COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR CHIP

Номер патента: US20120047307A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

METHOD OF FABRICATING COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICE

Номер патента: US20120238065A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-20.

CIRCUIT FOR CLEARING COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR INFORMATION

Номер патента: US20130057324A1. Автор: ZHOU HAI-QING,XIONG JIN-LIANG,TU YI-XIN. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) high gain broad band low noise amplifier

Номер патента: CN103117712B. Автор: 秦国轩,闫月星,杨来春. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-06-24.

Modularized CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) industrial camera

Номер патента: CN201754599U. Автор: 高阳,田原,李功燕,吴莉婷,王林兴. Владелец: WUXI BRIGHTSKY ELECTRONIC CO Ltd. Дата публикации: 2011-03-02.

CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) band-gap reference source circuit

Номер патента: CN103246310A. Автор: 张宁,王本艳,冒杨雷. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-08-14.

METHOD OF MANUFACTURING COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120012938A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-19.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120025320A1. Автор: Chen Yi-Wei,Chen Chung-Tao,Chiu Ta-Wei,Lin Yu-Pu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-02.

METHOD OF FABRICATING COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICE

Номер патента: US20120058634A1. Автор: CHIEN Chin-Cheng,Yeh Chiu-Hsien,Yang Chan-Lon,HUNG Lien-Fa,KAO Yun-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-08.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120083066A1. Автор: KIM Sang-Young. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-04-05.

SYSTEM AND METHOD FOR RECOVERING DATA OF COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20120166784A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

THREE-DIMENSIONAL COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120228713A1. Автор: CHANG Yao-Jen,CHEN Kuan-Neng. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR DIRECT CURRENT TO DIRECT CURRENT CONVERTER

Номер патента: US20120293151A1. Автор: Labaziewicz Andrew,Nag Manbir. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2012-11-22.

SILICON ON INSULATOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR WITH AN ISOLATION FORMED AT LOW TEMPERATURE

Номер патента: US20120326230A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

CIRCUIT FOR CLEARING DATA STORED IN COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20130147541A1. Автор: ZHOU HAI-QING. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-13.

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) BUFFER

Номер патента: US20130342269A1. Автор: Temkine Grigori,Drapkin Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

Noninductive and high-gain CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) broadband low-noise amplifier

Номер патента: CN103633947A. Автор: 秦国轩,闫月星,杨来春. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-03-12.

CMOS (Complementary Metal Oxide-Semiconductor) voltage multiplying circuit

Номер патента: CN102096431A. Автор: 陶园林. Владелец: Shanghai Beiling Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-15.

CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) full adder and method thereof

Номер патента: CN102355255B. Автор: 贾嵩,李夏禹,刘俐敏. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-09-11.

CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) combinational logic circuit

Номер патента: CN210120546U. Автор: 刘剑辉,刘志赟. Владелец: Shenzhen Zhichen Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-28.

Static discharge protective circuit and method for double carrier complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: CN100438018C. Автор: 陈孝贤. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-11-26.

CMOS (complementary metal oxide semiconductor) clear circuit of mainboard

Номер патента: CN202025278U. Автор: 陈志列,刘君玲,许和军. Владелец: EVOC Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-02.

Complementary metal oxide semiconductor transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101740570B. Автор: 王文武,陈世杰. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-06-15.

High-performance complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device

Номер патента: CN101976667A. Автор: 郭磊,许军,王敬. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-02-16.

Low voltage operational amplifier based on CMOS (complementary metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN102006022B. Автор: 刘凡,谭旻. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2014-04-16.

Complementary metal oxide semiconductor transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101740570A. Автор: 王文武,陈世杰. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2010-06-16.

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) random number generator

Номер патента: CN101833434B. Автор: 孙迎彤,周盛华. Владелец: Nationz Technologies Inc. Дата публикации: 2012-10-17.

Driver based on low-voltage CMOS (complementary metal oxide semiconductor) process

Номер патента: CN107592107B. Автор: 董刚,黄嵩人. Владелец: HUNAN JINXIN ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-10.

Formation method of CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) transistor

Номер патента: CN105826256A. Автор: 刘佳磊. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-03.

CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor) rectifier

Номер патента: CN101834535A. Автор: 孙迎彤,周盛华. Владелец: Nationz Technologies Inc. Дата публикации: 2010-09-15.

CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) band-gap reference source circuit

Номер патента: CN103246310B. Автор: 张宁,王本艳,冒杨雷. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-07-22.

Manufacturing method of CMOS (Complementary Metal oxide Semiconductor) transistor

Номер патента: CN102915968A. Автор: 张彬,鲍宇. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-02-06.

Optical diode complementary metal oxide semiconductor image sensor production method

Номер патента: CN1322014A. Автор: 金雅琴,徐清祥,郭东政,廖崇维. Владелец: SHUANGHAN SCI-TECH Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-14.