一种互补金属氧化物半导体时间延迟积分式感测器.

一种互补金属氧化物半导体时间延迟积分式感测器

Номер патента: CN102611853B
Опубликовано: 08-06-2016
Автор(ы): 李世祖, 王勤立
Принадлежит: X-SCAN IMAGING CORP
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Time delay integration sensor handling defect pixels

Номер патента: US11849236B2. Автор: En-Feng Hsu,Chao-Chi Lee,Yi-Yuan Chen,Ren-Chieh Liu. Владелец: Taiwan Space Agency. Дата публикации: 2023-12-19.

Time delay integration sensor handling defect pixels

Номер патента: US20240073563A1. Автор: En-Feng Hsu,Chao-Chi Lee,Yi-Yuan Chen,Ren-Chieh Liu. Владелец: Taiwan Space Agency. Дата публикации: 2024-02-29.

Time-delayed-integration imaging with active pixel sensors

Номер патента: WO2001026382A9. Автор: Guang Yang,Bedabrata Pain,Thomas Cunningham,Monico Ortiz. Владелец: Monico Ortiz. Дата публикации: 2002-12-05.

Time delay integration (tdi)-based image sensor and imaging method thereof

Номер патента: US20230345148A1. Автор: Cheng MAO,Xiangshun KONG,Fegn YAN. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-26.

Charge demultiplexing high-speed cmos time delay and integration imaging

Номер патента: US20230353908A1. Автор: Hyun Jung Lee,Paul Donegan,Nixon O,Sung Kuk Hong. Владелец: Teledyne Digital Imaging Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Time delay integration (tdi)-based image sensor and imaging method thereof

Номер патента: EP4203462A1. Автор: FENG Yan,Cheng MAO,Xiangshun KONG. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-06-28.

Cross-row time delay integration method, apparatus and camera

Номер патента: CA3095218C. Автор: Jun Qin. Владелец: Chengdu Zhongxin Huarui Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

Systems and methods for increasing dynamic range of time-delay integration images

Номер патента: US12028624B2. Автор: Kirk Sigel,Mike E. Ciholas,Douglas Deangelis,Jeremy W. Aldridge. Владелец: Lynx System Developers Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Systems and methods for increasing dynamic range of time-delay integration images

Номер патента: US20210218886A1. Автор: Kirk Sigel,Mike E. Ciholas,Douglas Deangelis,Jeremy W. Aldridge. Владелец: Lynx System Developers Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Time delay integration image sensor with detection of travelling errors

Номер патента: US09967490B2. Автор: Frederic Mayer,Bertrand DE MONTE. Владелец: e2v Semiconductors SAS. Дата публикации: 2018-05-08.

Cross-row time delay integration method, apparatus and camera

Номер патента: US20200412984A1. Автор: Jun Qin. Владелец: Chengdu Zhongxin Huarui Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Time delay integration sensor with multiple sensor arrays

Номер патента: US11863885B2. Автор: Chao-Chi Lee,Ren-Chieh Liu. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Time delay integration sensor with multiple sensor arrays

Номер патента: US20240089620A1. Автор: Chao-Chi Lee,Ren-Chieh Liu. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Cmos time delay and integration image sensor

Номер патента: US20140054443A1. Автор: Naser Faramarzpour,Matthias Egbert Sonder. Владелец: Teledyne Dalsa Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Time delay integration sensor with pixels having different sensing ability

Номер патента: US20230353902A1. Автор: Ren-Chieh Liu. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Linearity and dynamic range for complementary metal oxide semiconductor active pixel image sensors

Номер патента: US20020121589A1. Автор: Robert Guidash. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-09-05.

Time delay integration sensor with dual gains

Номер патента: US20230164458A1. Автор: Chao-Chi Lee,Ren-Chieh Liu. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Multiplex time delay integration

Номер патента: US4900943A. Автор: Charles M. Marshall,Jeffrey L. McClelland, deceased. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1990-02-13.

Time delay integration structure for complementary metal-oxide semiconductor imaging sensor

Номер патента: US12046624B2. Автор: Robert Daniel McGrath. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Time delay integration structure for complementary metal-oxide semiconductor imaging sensor

Номер патента: US20210327952A1. Автор: Robert Daniel McGrath. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensor sturcture of mixed integration area and potential reading method employing the same

Номер патента: US20030107663A1. Автор: Hsiu-Yu Cheng,Ya-Chin King. Владелец: Twin Han Tech Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

In vivo bioimaging method and system using near-infrared light and complementary metal-oxide-semiconductor image sensor

Номер патента: US10251556B2. Автор: Sang Chul Ahn,Bum Jae You,Seok Joon Kwon,Hwa Sup Lim. Владелец: Center Of Human Centered Interaction for Coexistence. Дата публикации: 2019-04-09.

Metal-oxide-semiconductor capacitor based passive amplifier

Номер патента: US20240282785A1. Автор: Manuel H. Innocent. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device comprising a channel region of a transistor with a crystalline oxide semiconductor and a specific off-state current for the transistor

Номер патента: US9905596B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Systems and Methods for Implementing Time Delay Integration Imaging Techniques in Conjunction with Distinct Imaging Regions on a Monolithic Charge-Coupled Device Image Sensor

Номер патента: US20210211598A1. Автор: Ignacio ZULETA,Adam Fritzler. Владелец: Planet Labs Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Systems and Methods for Implementing Time Delay Integration Imaging Techniques in Conjunction with Distinct Imaging Regions on a Monolithic Charge-Coupled Device Image Sensor

Номер патента: US20200336688A1. Автор: Ignacio ZULETA,Adam Fritzler. Владелец: Planet Labs Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Systems and methods for implementing time delay integration imaging techniques in conjunction with distinct imaging regions on a monolithic charge-coupled device image sensor

Номер патента: EP3520392A1. Автор: Ignacio ZULETA,Adam Fritzler. Владелец: Planet Labs Inc. Дата публикации: 2019-08-07.

Metal-oxide-semiconductor capacitor based passive amplifier

Номер патента: US12002822B2. Автор: Manuel H. Innocent. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Time delay integration acquisition for spatial genomics imaging

Номер патента: WO2024026457A1. Автор: Mehdi Vaez-Iravani,Ang Li,Joseph R. Johnson,Jean Marc Fan Chung Tsang Min Ching. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-02-01.

Time delay integration acquisition for spatial genomics imaging

Номер патента: US20240035967A1. Автор: Mehdi Vaez-Iravani,Ang Li,Joseph R. Johnson,Jean Marc Fan Chung Tsang Min Ching. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Estimating Real-Time Delay of a Video Data Stream

Номер патента: US20230124694A1. Автор: Menashe Haskin,Amir LEIBMAN,Ishay Peled,Nitay Megides. Владелец: Edgy Bees Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Time-delay to enforce data capture and transmission compliance in real and near real time video

Номер патента: US11792499B2. Автор: John A. Cogliandro,Allan Mayorga,Matthew J. Tacy. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-10-17.

Electronically controllable time delay circuits

Номер патента: US3771062A. Автор: J Burnsweig. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1973-11-06.

Time-delay to enforce data capture and transmission compliance in real and near real time video

Номер патента: WO2023069511A1. Автор: John A. Cogliandro,Allan Mayorga,Matthew J. Tacy. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-04-27.

Methods and apparatus for reducing tune-time delay in a television appliance with personal versatile recorder capabilities

Номер патента: WO2004017631A3. Автор: Kun-Pei Chen,Joseph Mehr. Владелец: Gen Instrument Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Complementary metal-oxide semiconductor (cmos) compatible rf switch and high voltage control circuit (hvcc)

Номер патента: US20210050846A1. Автор: Yan Guo,Patrick T. Clancy. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) ultrasonic transducers and methods for forming the same

Номер патента: US09944514B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Gregory L. Charvat,Tyler S. Ralston,Nevada J. Sanchez. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20190238004A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-01.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20210143679A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2021-05-13.

Method and system for a complementary metal oxide semiconductor wireless power receiver

Номер патента: US10826330B2. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-03.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20180131232A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-10.

Method and system for a complementary metal oxide semiconductor wireless power receiver

Номер патента: US09685793B2. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Well doping for metal oxide semiconductor (mos) varactor

Номер патента: US20190393359A1. Автор: YE Lu,YUN Yue,Chuan-Cheng Cheng,Chuan-Hsing Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Laterally diffused metal oxide semiconductor (ldmos) transistor on a semiconductor on insulator (soi) layer with a backside device

Номер патента: US20190109232A1. Автор: Sinan Goktepeli,George Pete IMTHURN,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Laterally diffused metal oxide semiconductor (ldmos) transistor on a semiconductor on insulator (soi) layer with a backside device

Номер патента: WO2019071083A1. Автор: Sinan Goktepeli,George Pete IMTHURN,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-04-11.

Methods for determining a communication time delay in a communication network

Номер патента: CA3002598C. Автор: Hengxu Ha,Sankara Subramanian Sri Gopala Krishna Murthi. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2024-02-20.

Method and apparatus for indicating time delay in a wireless communication system

Номер патента: US11765748B2. Автор: Li-Chih Tseng,Chun-Wei Huang. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method to evaluate whether a time delay is better than a time limit

Номер патента: EP1552716A1. Автор: Thomas Maucksch. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2005-07-13.

Multipath time delay estimation apparatus and method and receiver

Номер патента: US09768895B2. Автор: Pei Chen,JianMin Zhou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Technologies for time-delayed augmented reality presentations

Номер патента: US20210065456A1. Автор: Giuseppe Raffa,Glen J. Anderson,Pete A. Denman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Compact tunable optical time delay

Номер патента: US12021564B1. Автор: Yong Mao,Shyh-Chung Lin,Hongyu HU. Владелец: Lightel Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Time delay device and phased array antenna

Номер патента: US20170279195A1. Автор: Ning Guan,Yuta HASEGAWA. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Method of acquisition by a mobile terminal of complementary information related to at least one poster present on a display panel

Номер патента: US20130029602A1. Автор: David Libault,Jerome Gonzalez,Jacques Lewiner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-31.

Autonomic discovery and integration of complementary internet services

Номер патента: US9876861B2. Автор: Anurag Srivastava,Abhijit A. Deshmukh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Acoustic wave manipulation by means of a time delay array

Номер патента: US20190364362A1. Автор: Deepak Ranjan Sahoo,Sriram Subramanian,Gianluca MEMOLI,Bruce Drinkwater,Mihai Caleap. Владелец: University of Sussex. Дата публикации: 2019-11-28.

Compact Tunable Optical Time Delay

Номер патента: US20240195509A1. Автор: Yong Mao,Shyh-Chung Lin,Hongyu HU. Владелец: Lightel Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Time delay estimation apparatus and time delay estimation method therefor

Номер патента: US20170192080A1. Автор: Hyu-Sang Kwon,WanHo CHO. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2017-07-06.

True-time delay generator

Номер патента: WO2002049240A2. Автор: Stanislav I. Ionov. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2002-06-20.

True-time delay generator

Номер патента: WO2002049240A8. Автор: Stanislav I Ionov. Владелец: Stanislav I Ionov. Дата публикации: 2003-05-08.

True-time delay generator

Номер патента: WO2002049240A3. Автор: Stanislav I Ionov. Владелец: Stanislav I Ionov. Дата публикации: 2003-01-16.

A method of compensating for a time delay of an information signal, computer program products, non-transitory computer-readable storage medium, control unit, wireless device, and chips therefor

Номер патента: WO2024210801A1. Автор: Bengt Lindoff,Joakim Axmon. Владелец: Beammwave Ab. Дата публикации: 2024-10-10.

Device and method for time delay fine-tuning UTP femto distribution and relay

Номер патента: US09838988B2. Автор: Ju Dong Lee. Владелец: CONTELA Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

All digital on-the-fly time delay calibrator

Номер патента: US5457719A. Автор: Bin Guo,Eugen Gershon,Jim Kubinec. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1995-10-10.

Fractional time delay structures in digitally oversampled microphone systems, circuits, and methods

Номер патента: US20190131961A1. Автор: Dashen Fan,Joseph Yong Kwon. Владелец: Kopin Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Time delay compensation method and apparatus and time delay control method and apparatus

Номер патента: US12021603B2. Автор: Bin Ren,Deshan Miao. Владелец: Datang Mobile Communications Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Reduced time delay for outputs of an occupancy sensor

Номер патента: EP2845066A1. Автор: Brian Eugene ELWELL. Владелец: Cooper Technologies Co. Дата публикации: 2015-03-11.

Multiple Sinusoid Signal Sub-Nyquist Sampling Method Based on Multi-channel Time Delay Sampling System

Номер патента: US20210226830A1. Автор: Ning FU,Zhenlong YAN,Zhiliang Wei,Liyan QIAO,Xiyuan PENG. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2021-07-22.

Estimating time delays in a simulcast communication system

Номер патента: US20100144382A1. Автор: Mac Lamar Hartless. Владелец: Pine Valley Investments Inc. Дата публикации: 2010-06-10.

Estimating time delays in a simulcast communication system

Номер патента: US8219130B2. Автор: Mac Lamar Hartless. Владелец: Pine Valley Investments Inc. Дата публикации: 2012-07-10.

Multibeam radio frequency photonic beamformer using a multi-signal slow light time delay unit

Номер патента: US09838125B2. Автор: John Chang,Matthew Chang,Paul Prucnal. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of protecting laser ranging facilities from optical interference with fixed time delay

Номер патента: RU2697868C1. Автор: Михаил Викторович Яковлев. Владелец: Михаил Викторович Яковлев. Дата публикации: 2019-08-21.

Method and device for time-delay adaptive control in wireless communication system

Номер патента: RU2354061C2. Автор: Нага БХУШАН,Питер Дж. БЛЭК,Мехмет ЯВУЗ,Мехмет ГУРЕЛЛИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2009-04-27.

Device for determination of time delay at multibeam propagation of signal in communication channel of return line of communication system using multistation access with code division

Номер патента: RU2115244C1. Автор: Ахн Джае-Мин,Ким Юнг-Ку,Сео Чан-Юнг. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 1998-07-10.

Time delay in digitally oversampled sensor systems, apparatuses, and methods

Номер патента: US9941895B2. Автор: Dashen Fan,Joseph Yong Kwon. Владелец: Kopin Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Apparatus and method for performing time delay estimation

Номер патента: CA2535632A1. Автор: Nathan Intrator,Leon N. Cooper,Ki-O Kim,Nicola Neretti. Владелец: Nicola Neretti. Дата публикации: 2005-02-17.

Acoustic wave manipulation by means of a time delay array

Номер патента: US20210195332A1. Автор: Deepak Ranjan Sahoo,Sriram Subramanian,Gianluca MEMOLI,Bruce Drinkwater,Mihai Caleap. Владелец: University of Sussex. Дата публикации: 2021-06-24.

Apparatuses and methods for determining time delay

Номер патента: US20200236635A1. Автор: Haipeng Lei,Chenxi Zhu,Zhi YAN,Xiaodong Yu. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Autonomic discovery and integration of complementary internet services

Номер патента: US20130275584A1. Автор: Anurag Srivastava,Abhijit A. Deshmukh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

UE report of time delays and phases from multiple transmission-reception points for pre-equalization

Номер патента: US11792719B2. Автор: Michael Levitsky,Assaf Touboul,Ran Berliner,Shay Landis,Idan Michael Horn,Yehonatan Dallal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Time delay compensation method and base station

Номер патента: EP4161133A1. Автор: Heng ZHOU. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-04-05.

Time-delay compensation method and apparatus, and device

Номер патента: EP4050946A1. Автор: Jing Xu,Yanan Lin,Zhe Fu,Bin Liang. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2022-08-31.

Apparatuses and methods for determining time delay

Номер патента: EP3639586A1. Автор: Haipeng Lei,Chenxi Zhu,Zhi YAN,Xiaodong Yu. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2020-04-22.

Systems and methods for determining a time delay in electrical power systems

Номер патента: US10884048B2. Автор: Hengxu Ha,Sankara Subramanian Sri Gopala Krishna Murthi. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2021-01-05.

Wireless communication with time-delay repetition detection

Номер патента: EP3796579A1. Автор: Alessio Filippi,Artur Tadeusz Burchard,Vincent Pierre Martinez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-03-24.

Ue report of time delays and phases from multiple transmission-reception points for pre-equalization

Номер патента: US20220104108A1. Автор: Michael Levitsky,Assaf Touboul,Ran Berliner,Shay Landis,Idan Michael Horn,Yehonatan Dallal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Ue report of time delays and phases from multiple transmission-reception points for pre-equalization

Номер патента: WO2022066345A1. Автор: Michael Levitsky,Assaf Touboul,Ran Berliner,Shay Landis,Idan Michael Horn,Yehonatan Dallal. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-31.

Ue report of time delays and phases from multiple transmission-reception points for pre-equalization

Номер патента: EP4218209A1. Автор: Michael Levitsky,Assaf Touboul,Ran Berliner,Shay Landis,Idan Michael Horn,Yehonatan Dallal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Stability criterion for time-delay of cyber-physical power systems under distributed control

Номер патента: US20220255964A1. Автор: LUO Xu,Qinglai Guo,Hongbin Sun,Wenchuan Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-08-11.

Stability criterion for time-delay of cyber-physical power systems under distributed control

Номер патента: US11973803B2. Автор: LUO Xu,Qinglai Guo,Hongbin Sun,Wenchuan Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-30.

Data shift circuit employing bistable and monostable multivibrators for providing equal time delays in leading and trailing edges of data pulses

Номер патента: US3558932A. Автор: William G Crouse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-01-26.

Improving classical and quantum free-space communication by adaptive optics and by separating the reference and signal beams with time delay for source(s) moving relative to the detector(s)

Номер патента: US20240243813A1. Автор: Hoi Fung CHAU,Kai Sum CHAN. Владелец: University of Hong Kong HKU. Дата публикации: 2024-07-18.

Variable-rate true-time delay filter

Номер патента: EP4434164A1. Автор: Gregory N. KIESEL,Charles R. GIBSON. Владелец: Viasat Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Methods for mitigating transparent timing delays in positioning with haps and ntn

Номер патента: EP4399942A1. Автор: Frank Frederiksen,Ryan Keating,Tzu-Chung Hsieh. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer

Номер патента: US11776968B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

A kind of preparation method of polyaniline/metallic oxide/carbon fiber anode composite and seawater battery and anode composite

Номер патента: CN109037663A. Автор: 王亚琴,邓姝皓,袁莉君,徐杨明. Владелец: Wuhan Zhongyuan Changjiang Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

A kind of preparation method of ternary metal oxide nanostructured electrode of super capacitor

Номер патента: CN108155029A. Автор: 陈志成,李国华,李盼盼,晋华东,李婉青,操梦雅. Владелец: ANHUI UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-12.

A kind of 3D porous graphenes/transition metal oxide composite material and its preparation method and application

Номер патента: CN108231427A. Автор: 刘林,戴友芝,金显明,汪形艳,蔡治邦,阎晓静. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-29.

A kind of flexible and transparent transition metal oxide resistance-variable storing device and preparation method thereof

Номер патента: CN108470827A. Автор: 张立,夏晴,何品,叶葱,张儒林,韦晓迪. Владелец: Hubei University. Дата публикации: 2018-08-31.

A kind of three-dimensional hierarchical structure metal oxide and preparation method thereof

Номер патента: CN109205681A. Автор: 王鹏,王辉,王荣方,季山,丁婕婷. Владелец: Jiaxing University. Дата публикации: 2019-01-15.

Complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensors with saddle-gate source follower for imaging pixels

Номер патента: US12142620B2. Автор: Jinwen Xiao,Yunfei GAO,Tae Seok Oh. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Fabricating method of complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor

Номер патента: US20080113477A1. Автор: JHY-JYI SZE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Symmetrical multiplexer on complementary metal-oxide-semiconductor (coms) transistors

Номер патента: RU2689820C1. Автор: Ярослав Ярославович Петричкович,Андрей Вадимович Кобыляцкий,Дмитрий Кириллович Сергеев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" (АО НПЦ "ЭЛВИС"). Дата публикации: 2019-05-29.

Monolithic inductance-enhancing integrated circuits, complementary metal oxide semiconductor (cmos) inductance-enhancing integrated circuits, inductor assemblies, and inductance-multiplying methods

Номер патента: US20030075764A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: US09978682B1. Автор: Anthony Correale, Jr.,William GOODALL, III,Philip Michael ILES. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Voltage control unit of ring generators on complete metal-oxide-semiconductor (cmos) transistors

Номер патента: RU2763038C1. Автор: Юрий Михайлович Герасимов,Ярослав Ярославович Петричкович,Валерий Дмитриевич Байков,Николай Юрьевич Раннев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр «Электронные вычислительно-информационные системы» (АО НПЦ «ЭЛВИС»). Дата публикации: 2021-12-27.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: EP4222781A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: WO2022072056A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-07.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: US20220102266A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Multi-voltage complementary metal oxide semiconductor integrated circuits based on always-on N-well architecture

Номер патента: US09905560B2. Автор: Senthilkumar JAYAPAL,Navienkumar Ramachandran Arumugam. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor

Номер патента: US09859323B1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen,zhi-yang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Vertical transfer gate structure for a back-side illumination (BSI) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor using global shutter capture

Номер патента: US09818788B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Isolated complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) devices for radio-frequency (RF) circuits

Номер патента: US09673275B2. Автор: Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: US20160133634A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: WO2016022212A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-11.

Complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20110187412A1. Автор: Xiao Sun,Tso-Ping Ma,Minjoo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Ultrasonic transducers in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) wafers and related apparatus and methods

Номер патента: US09899371B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Nevada J. Sanchez,Susan A. Alie. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Five stage complimentary metal-oxide semiconductor rectifier with energy harvesting antenna

Номер патента: US20240266970A1. Автор: Munir A. Al-Absi. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-08-08.

Five stage complimentary metal-oxide semiconductor rectifier with energy harvesting antenna

Номер патента: US12107511B2. Автор: Munir A. Al-Absi. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-10-01.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor with silicon and silicon germanium

Номер патента: US09859325B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yueh-Chuan Lee,Chia-Chan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device having a time delay function

Номер патента: US4947064A. Автор: Chang-Hyun Kim,Won-Tae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1990-08-07.

Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with microelectromechanical systems (MEMS) devices using a flat surface above a sacrificial layer

Номер патента: US09796582B1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Stacked nanosheet complementary metal oxide semiconductor field effect transistor devices

Номер патента: US20210249412A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Gate dielectrics for complementary metal oxide semiconductors transistors and methods of fabrication

Номер патента: EP4020539A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Matthew V. Metz,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Tristan TRONIC,Devin Merrill,Kirby MAXEY,Tobias Brown-Heft. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Methods for dual metal gate complementary metal oxide semiconductor integration

Номер патента: WO2007025277A2. Автор: Naim Moumen,Muhammad Mustafa Hussain,Zhibo Zhang,Seung-Chul Song,Byoung Hun Lee,Rino Choi,Husam Alshareef,Joel Barnett. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2007-03-01.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensors

Номер патента: US09954019B2. Автор: Jungchak Ahn,Seungwook Lee,Youngwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor (CIS) package with an image buffer

Номер патента: US09899443B2. Автор: Kuo-Chung Yee,Kazuaki Hashimoto,Hsiao-Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Complementary metal oxide semiconductor element and manufacture method thereof

Номер патента: US20170301734A1. Автор: Mian Zeng,Shengdong Zhang,Xiangzhi XIAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Complementary metal oxide semiconductor element and manufacture method thereof

Номер патента: US9887242B2. Автор: Mian Zeng,Shengdong Zhang,Xiangzhi XIAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Flat pad structure for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor processes

Номер патента: US20160365378A1. Автор: Ming-Tsong Wang,Dun-Nian Yaung,Ching-Chun Wang,Yen-Ting Chiang,Feng-Chi Hung,Shyh-Fann Ting,Hsiao-Hui Tseng,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Isolated complementary metal-oxide semiconductor (cmos) devices for radio-frequency (rf) circuits

Номер патента: US20170117358A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Isolated complementary metal-oxide semiconductor (cmos) devices for radio-frequency (rf) circuits

Номер патента: WO2017070446A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-04-27.

Method for fabricating complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: US20040185595A1. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Simple integration of non-volatile memory and complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US09881930B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) device and method

Номер патента: EP2847791A2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Jun Yuan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-03-18.

Method to optimize work function in complementary metal oxide semiconductor (cmos) structures

Номер патента: US20110269276A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Dechao Guo,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

metal-oxide-semiconductor transistor and complementary metal-oxide-semiconductor circuit related

Номер патента: US20240304624A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Compound semiconductor and complementary metal oxide semiconductor (cmos) transistor integration

Номер патента: WO2022197390A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-22.

High mobility complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices with fins on insulator

Номер патента: US20200066896A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Method of forming high mobility complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with fins on insulator

Номер патента: US11637041B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-25.

High mobility complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices with fins on insulator

Номер патента: US20210111195A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Silicon-on-insulator (soi) complementary metal oxide semiconductor (cmos) standard library cell circuits having a gate back-bias rail(s), and related systems and methods

Номер патента: US20150325563A1. Автор: Yang Du,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-11-12.

Asynchronous logic element of a complementary metal-oxide-semiconductor structure

Номер патента: RU2693685C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2019-07-03.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10008599B1. Автор: Hung-Lin Shih,Wei-Lun Hsu,Hsin-Che Huang,Shyan-Liang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensors

Номер патента: US20170040365A1. Автор: Jungchak Ahn,Seungwook Lee,Youngwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-09.

Complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: EP4006965A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Coating material for forming porous metal oxide semiconductor film for photovoltaic cell

Номер патента: EP2128880A3. Автор: Tsuguo Koyanagi,Takaki Mizuno. Владелец: JGC Catalysts and Chemicals Ltd. Дата публикации: 2012-09-26.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20200388544A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Structure and method of high-performance extremely thin silicon on insulator complementary metal-oxide-semiconductor transistors with dual stress buried insulators

Номер патента: US20150001625A1. Автор: Ming Cai,Dechao Guo,Chun-Chen Yeh,Liyang Song. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Structure and method to enhance both nfet and pfet performance using different kinds of stressed layers

Номер патента: US20110195581A1. Автор: Bruce B. Doris,Haining Yang,Huilong Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20160093616A1. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Complementary metal oxide semiconductor device, optical apparatus including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US9355917B2. Автор: Young-Jin Cho,Sang-Moon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: EP1974377A1. Автор: Massimo Fischetti,Qiqing Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-01.

Complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: WO2007077125A1. Автор: Massimo Fischetti,Qiqing Ouyang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2007-07-12.

Gate all around complementary metal-oxide-semiconductor field effect transistors

Номер патента: US20230207563A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Three dimensional complementary metal oxide semiconductor carbon nanotube thin film transistor circuit

Номер патента: US09966416B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Xiao-Yang Xiao,Yu-Dan Zhao,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Complementary metal-oxide-semiconductor depth sensor element

Номер патента: US09859313B2. Автор: Tom Chang,Kao-Pin Wu. Владелец: Eminent Electronic Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

FinFET complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices

Номер патента: US11652006B2. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-16.

Reconfigurable complementary metal oxide semiconductor device and method

Номер патента: US11817457B2. Автор: Stefan Dunkel,Dominik M. KLEIMAIER. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2023-11-14.

Finfet complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices

Номер патента: US20210327769A1. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Finfet complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices

Номер патента: US20220139787A1. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Complementary metal-oxide-semiconductor temperature sensor with wide-range sensing capability and high energy-efficiency

Номер патента: US20230392991A1. Автор: BO Wang. Владелец: Qatar Foundation for Education Science and Community Development. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for fabricating complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: US7029942B2. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-04-18.

Reconfigurable complementary metal oxide semiconductor device and method

Номер патента: US20230395605A1. Автор: Stefan Dunkel,Dominik M. KLEIMAIER. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2023-12-07.

Method and structure for forming low contact resistance complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US20230387238A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Julien Frougier,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: SG11201908898QA. Автор: Correale, Jr,Goodall, Iii,Philip Iles. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-30.

Low voltage complementary metal oxide semiconductor process tri-state buffer

Номер патента: US20080100340A1. Автор: Tzung-Shen Chen,Chun-Yu Liao,Ti-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Using different gate dielectrics with NMOS and PMOS transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060022271A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Complimentary metal-oxide-semiconductor circuit having transistors with different threshold voltages and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180076199A1. Автор: Wei-E Wang,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device having an oxide semiconductor film and a metal oxide film

Номер патента: US09842937B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Multi-threshold complementary metal-oxide semiconductor (MTCMOS) bus circuit and method for reducing bus power consumption via pulsed standby switching

Номер патента: US20060082384A1. Автор: Rahul Rao,Kevin Nowka,Harmander Deogun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Metal oxide thin film transistor and manufacturing method therefor, and display panel

Номер патента: EP4369417A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor device including oxide semiconductor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274722A1. Автор: Jun Hwe CHA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20150155389A1. Автор: Jun-Yao Huang,Chien-Pang Tai,Yu-Chin Peng,Ke-Chuan Huang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device including first and second metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US10636906B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Dohwan AHN,Toshikazu Imai,Shigetoshi Sota,Masaaki HIRAKO,Tomonari Ota. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Metal oxide thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20240250178A1. Автор: Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US20180175019A1. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US10204896B2. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Metal oxide thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240250177A1. Автор: Chen Xu,Jie Huang,Guangcai Yuan,Zhengliang Li,Lizhong Wang,Dongfang Wang,Shuilang Dong,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Dapeng XUE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09941414B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09711655B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Tatsuya Honda,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Takatsugu Omata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Complementary metal-oxide semiconductor integrated circuit device with isolation

Номер патента: US4870471A. Автор: Isao Ohkura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-09-26.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer

Номер патента: US12034047B2. Автор: Sang Woo Lee,Min Hee Cho,Woo Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210351292A1. Автор: Yung-Chang Chen,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

P-type oxide semiconductor film and method for forming same

Номер патента: US20200279955A1. Автор: Isao Takahashi,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Metal oxide thin film transistor, semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332425A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO,Fangqing Wen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Test unit of ring generators on complementary metal-oxide-semiconductor transistors

Номер патента: RU2725333C1. Автор: Юрий Михайлович Герасимов,Ярослав Ярославович Петричкович,Николай Геннадьевич Григорьев,Андрей Вадимович Кобыляцкий,Дмитрий Кириллович Сергеев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" (АО НПЦ "ЭЛВИС"). Дата публикации: 2020-07-02.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US10553496B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Thin Film Transistor Substrate Having High Reliability Metal Oxide Semiconductor Material

Номер патента: US20160343878A1. Автор: Kyung Park,Juheyuck BAECK,JongUk BAE,Jangyeon Kwon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-11-24.

Process for preparing nano-porous metal oxide semiconductor layers

Номер патента: WO2004025675A1. Автор: Hieronymus Andriessen,Joop Van Deelen,Jan Kroon. Владелец: AGFA-GEVAERT. Дата публикации: 2004-03-25.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US9647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for fabricating at least three metal-oxide semiconductor transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20120080758A1. Автор: Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2012-04-05.

Power metal-oxide-semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321973A1. Автор: Jianjun Yang,Yuan-Hsiang Chang,Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Wei Ta,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US12107125B2. Автор: Ryohei KANNO. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Capacitor comprising metal oxide film having high alignment

Номер патента: US09905586B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Controlled manufacturing method of metal oxide semiconductor and metal oxide semiconductor structure having controlled growth crystallographic plane

Номер патента: US09748095B2. Автор: Young-Jun Park,Seung-Nam Cha,Jung-Inn Sohn,Ji-yeon KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Thin film transistor substrate having high reliability metal oxide semiconductor material

Номер патента: US09735286B2. Автор: Kyung Park,Juheyuck BAECK,JongUk BAE,Jangyeon Kwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Laterally diffused metal oxide semiconductor and field drift metal oxide semiconductor

Номер патента: US09660072B2. Автор: Tien-Hao Tang,Lu-An CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170047426A1. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: WO2018191047A2. Автор: Jr. Anthony Correale,III William Goodall,Philip Michael ILES. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-10-18.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: WO2018191047A3. Автор: Jr. Anthony Correale,III William Goodall,Philip Michael ILES. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-11-22.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: EP3610507A2. Автор: Jr. Anthony Correale,III William Goodall,Philip Michael ILES. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-19.

Method of integrating thyristor and metal-oxide semiconductor transistor on a semiconductor substrate

Номер патента: US10134736B2. Автор: Yukihiro Nagai,Le-Tien Jung. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Oxide semiconductor composition and manufacturing method thereof, oxide thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082862B2. Автор: Jan-Tian Lian,Hung-Yu Wu,Hsin-min FU,Chia-Sheng Hsieh,Jang-Jeng Liang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-07-14.

Kind of light-heat dual curing anisotropic conductive adhesive anisotropic conductive film and their preparation methods

Номер патента: US20140193599A1. Автор: Ren-Liang Xiao,Chang-Hou Zhao,Cheng-Cui Liu,Xian-Fei Wan,Chang-Wu Yang,Hua-Guo Yin. Владелец: SHENZHEN FISHER INDUSTRIAL CO LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

Metal oxide semiconductor thin film, thin-film-transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: EP3317899A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-05-09.

Oxide Semiconductor Layer, Thin Film Transistor and Manufacturing Method Therefor, Display Panel, and Display Device

Номер патента: US20240243206A1. Автор: Fei Wang,Guangcai Yuan,Xiaolong Wang,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Hongtao Cao,Lingyan LIANG. Владелец: Ningbo Institute Of Materials Technology And Engineering. Дата публикации: 2024-07-18.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Metal oxide thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20240304698A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Metal oxide thin film transistor and method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20240363760A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Hydrogenated p-channel metal oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09985139B2. Автор: Kenji Nomura. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Metal oxide semiconductor thin film, thin film transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: US09806097B2. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-10-31.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09768292B2. Автор: Shu Zhang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Thin film transistor substrate having metal oxide semiconductor and manufacturing the same

Номер патента: US09748286B2. Автор: Woocheol Jeong,Imkuk KANG,SungKeun Lee,Yongtae SONG,Sungjun YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09680008B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Empirion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for fabricating improved complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: CA1166361A. Автор: Robert F. Pfeifer,Murray L. Trudel. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Complementary Metal Oxide Semiconductor Integrated Circuit Using Raised Source Drain and Replacement Metal Gate

Номер патента: US20090261391A1. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Annalisa Cappellani,Matthew V. Metz. Владелец: Barns Chris E. Дата публикации: 2009-10-22.

Forming dual metal complementary metal oxide semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20060160342A1. Автор: Mark Doczy,Valery Dubin,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Lawrence Wong,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor

Номер патента: US20240234591A9. Автор: Marianne Berolini,Cory Nelson,Ronald S. Demcko,Jeff Borgman. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods for fabricating metal-oxide-semiconductor field effect transistors using gate sidewall spacers

Номер патента: US20040203197A1. Автор: Dong-soo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-14.

A kind of magnetic-like linear silicon carbide and preparation method and application thereof

Номер патента: NL2034109A. Автор: Zhang Rui,WANG Hailong,Guan Li,Zhang Xinyue,Fan Bingbing,Wang Xiangli,Gao Qiancheng,Hao Wending. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2023-05-15.

A kind of magnetic-like linear silicon carbide and preparation method and application thereof

Номер патента: NL2034109B1. Автор: Zhang Rui,WANG Hailong,Guan Li,Zhang Xinyue,Fan Bingbing,Wang Xiangli,Gao Qiancheng,Hao Wending. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2023-12-08.

Solution composition for forming oxide semiconductor, and oxide semiconductor and electronic device including the same

Номер патента: US20140291664A1. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Jong-baek Seon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Metal-oxide-semiconductor capacitor and circuit board including the same embedded therein

Номер патента: US12080809B2. Автор: Cory Nelson. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Kind of computer network cable wiring fixing device

Номер патента: LU506182B1. Автор: Jun Liu. Владелец: Univ Baicheng Normal. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device including metal-oxide-semiconductor disposed in a column decoder region

Номер патента: US09997223B2. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) transistor with a vertical channel region

Номер патента: US09768293B1. Автор: Chin-Yi Huang,Wan-Jyun Syue,Kuo-Lung Tzeng,Zhuo-Cang YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

P-type oxide semiconductor, composition for producing p-type oxide semiconductor, method for producing r-type oxide semiconductor, semiconductor element, display element, image display device and system

Номер патента: RU2660407C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2018-07-06.

Metal-oxide-semiconductor circuit designs and methods for operating same

Номер патента: EP2143200A1. Автор: Seyfollah Bazarjani,Guoqing Miao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-01-13.

Metal-oxide-semiconductor circuit designs and methods for operating same

Номер патента: WO2008127860A1. Автор: Seyfollah Bazarjani,Guoqing Miao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-23.

Heterogeneous structures comprising iii-v semiconductors and metal oxide dielectrics, and a method of fabrication thereof

Номер патента: US20210126107A1. Автор: Alexander Gerber,Gregory KOPNOV. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Method for improving inversion layer mobility in a silicon carbide metal-oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: EP1430518A2. Автор: Richard Intern. Octrooibureau BV EGLOFF,Satyendranath Intern. Octrooibureau BV MUKHERJEE,Dev Intern. Octrooibureau BV ALOK,Emil Intern. Octrooibureau BV ARNOLD. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-23.

Metal-oxide-semiconductor transistor and method of forming gate layout

Номер патента: US20170330947A1. Автор: Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Metal-oxide thin-film transistor and method for fabricating same, display panel, and display device

Номер патента: US20240194747A1. Автор: Bin Lin,Zheng Liu,Rui Zhang,Bo Hu,Liangliang LI,Xinlin Peng. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Structure of metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20030189226A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Chih-Feng Huang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2003-10-09.

Vertical metal oxide semiconductor channel selector transistor and methods of forming the same

Номер патента: US12075633B2. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (SOI MOSFET) structure

Номер патента: US12057502B1. Автор: Wei Zhi,Gang Wang,Xianliang Wu,Zhixiang Huang,Kaikun NIU,Xingang REN,Yingsong LI,Siliang Wang,Sungen Cao,Huping JU. Владелец: ANHUI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-06.

Silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (soi mosfet) structure

Номер патента: US20240243201A1. Автор: Wei Zhi,Gang Wang,Xianliang Wu,Zhixiang Huang,Kaikun NIU,Xingang REN,Yingsong LI,Siliang Wang,Sungen Cao,Huping JU. Владелец: ANHUI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-18.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: US20220199859A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170084739A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Chia-Min Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel die and implementation method thereof

Номер патента: US20230037951A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

A trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor, mosfet, as well as a corresponding method of manufacture

Номер патента: EP4170728A1. Автор: Manoj Kumar,Steffen Holland,Chinmoy Khaund,Pei Heng Hung. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-04-26.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230246104A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Metal-oxide-semiconductor (mos) voltage divider with dynamic impedance control

Номер патента: US20140333367A1. Автор: Ricardo P. Coimbra,Edevaldo Pereira Silva, JR.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-13.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US09716169B2. Автор: Feng Huang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09660020B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Self-aligned metal oxide TFT with reduced number of masks and with reduced power consumption

Номер патента: US09614102B2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US20160013283A1. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-01-14.

Trench gate complimentary metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: CA2009067A1. Автор: Allen L. Solomon. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-09-21.

Method of manufacturing oxide semiconductor

Номер патента: US20210036224A1. Автор: Joosung KIM,Dongsu Kim,Hyungkoun CHO,Youngdae YUN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-02-04.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US12046694B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

LATERAL EXTENDED DRAIN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (LEDMOSFET) HAVING A HIGH DRAIN-TO-BODY BREAKDOWN VOLTAGE (Vb), A METHOD OF FORMING AN LEDMOSFET, AND A SILICON-CONTROLLED RECTIFIER (SCR) INCORPORATING A COMPLEMENTARY PAIR OF LEDMOSFETS

Номер патента: US20120168817A1. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Michel J. Abou-Khalil,Theodore J. Letavic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Metal oxide semiconductor field effect transistors (mosfet) including deep p-wells and methods of forming same

Номер патента: WO2022178252A1. Автор: Adam Morgan,Dongyoung Kim,Woongje Sung. Владелец: The Research Foundation for the State Universtiy of New York. Дата публикации: 2022-08-25.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20240339557A1. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Metal-oxide thin-film transistor, array base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20240297256A1. Автор: Lizhong Wang,Dongfang Wang,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US09997662B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09837532B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Integration of bipolar transistor into complimentary metal-oxide-semiconductor process

Номер патента: US09786656B1. Автор: Brent A. Anderson,Xuefeng Liu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140235015A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Akiharu Miyanaga,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2013008419A1. Автор: Toru Hasegawa,Masaki Koyama,Akihisa Shimomura,Kosei Nei,Suguru Hondo. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

Using different gate dielectrics with nmos and pmos transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: WO2006028577A2. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-03-16.

Nickel Silicide in Bipolar Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS) Device

Номер патента: US20220068913A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,Mantavya SINHA. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of Manufacturing Nickel Silicide in Bipolar Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS)

Номер патента: US20220068912A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,Mantavya SINHA. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20180277679A1. Автор: Hung-Lin Shih,Wei-Lun Hsu,Hsin-Che Huang,Shyan-Liang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Complementary metal-oxide semiconductor high-frequency ring oscillator

Номер патента: US6097256A. Автор: Dar-Chang Juang,De-Sheng Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2000-08-01.

Resistive processing units with complementary metal-oxide-semiconductor non-volatile analog memory

Номер патента: US20200258942A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Nickel Silicide in Bipolar Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS) Device and Method of Manufacturing

Номер патента: US20220068911A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,Mantavya SINHA. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240234520A9. Автор: FENG Lin,YU HUANG,Bin Yang,Gang Huang,Shuxian Chen,Huajun JIN,Hongfeng JIN,Chunxu LI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307072A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US20220285554A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Method for fabricating metal-oxide semiconductor transistor

Номер патента: US6150276A. Автор: Gary Hong,Claymens Lee. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Method for fabicating trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20070134882A1. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Hsin-Huang Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100330760A1. Автор: Kao-Way Tu,Yen-Chih Huang. Владелец: Nico Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for fabricating trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US7615442B2. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Hsin-Huang Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2009-11-10.

Lateral diffused metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20180342609A1. Автор: Shukun QI,Guipeng Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US12057504B2. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Metal-oxide semiconductor (mos) standard cells employing electrically coupled source regions and supply rails to relax source-drain tip-to-tip spacing between adjacent mos standard cells

Номер патента: US20180301447A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Da YANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Apparatus and method for rapid monitoring of inkjet ink droplets using time delay integration

Номер патента: US20230211602A1. Автор: Dong-Youn Shin. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2023-07-06.

Three-dimensional (3d) ferroelectric dipole metal-oxide semiconductor ferroelectric field-effect transistor (mosfefet) system, and related methods and systems

Номер патента: EP3610499A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-19.

Double self-aligned metal oxide tft

Номер патента: EP2812907A1. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2014-12-17.

Thin film transistor with low trap-density material abutting a metal oxide active layer and the gate dielectric

Номер патента: US09911857B2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Metal oxide TFT with improved stability and mobility

Номер патента: US09773918B2. Автор: TIAN Xiao,Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong,Juergen Musolf. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Metal oxide TFT with improved source/drain contacts and reliability

Номер патента: US09768322B2. Автор: TIAN Xiao,Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Dual-well metal oxide semiconductor (MOS) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634139B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for fabricating oxides/semiconductor interfaces

Номер патента: US20130109199A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

N-type metal oxide semiconductor spectrally sensitized with a cationic spectral sensitizer

Номер патента: WO2004025674A1. Автор: Hieronymus Andriessen,Paul Callant. Владелец: AGFA-GEVAERT. Дата публикации: 2004-03-25.

Composite metal oxide semiconductor and thin-film transistor made therefrom and its application

Номер патента: US11984510B2. Автор: Miao Xu,Lei Wang,HUA Xu,Junbiao Peng,Weifeng Chen,WEIJING Wu. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and metal-oxide-semiconductor capacitor structure

Номер патента: US20220020684A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ka-Un Chan. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Thin-film transistor having metal oxide semiconductor layers of heterojunction structure, display device comprising same, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230253504A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Hyeon Joo SEUL. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-08-10.

Metal oxide semiconductor (mos) isolation schemes with continuous active areas separated by dummy gates and related methods

Номер патента: WO2014159160A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,PR Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-10-02.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Soft magnetic metal powder comprising a metal oxide covering, and electronic component

Номер патента: US11993833B2. Автор: Hiroyuki Matsumoto,Kazuhiro YOSHIDOME,Akito HASEGAWA,Satoko MORI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Metal oxide semiconductor field effect transistor with reduced surface field folding

Номер патента: US9196680B1. Автор: Vijay Parthasarathy,Vishnu Khemka,Ronghua Zhu,Tahir Arif Khan. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2015-11-24.

Metal oxide semiconductor transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067614A1. Автор: Jun-Gi Choi,Hi-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Self-Protected Drain-extended metal-oxide-semiconductor Transistor

Номер патента: US20130264608A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Alain Loiseau,Junjun Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Metal oxide tft and manufacturing method therefor, and x-ray detector and display panel

Номер патента: EP4131424A1. Автор: Kun Zhao,Guangcai Yuan,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150014768A1. Автор: Kuan-Yu Chen,Wei-Lin Chen,Chih-Chung Wang,Chiu-Te Lee,Chiu-Ling Lee,Tseng-Hsun Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20100213528A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Lateral diffused metal oxide semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899513B1. Автор: Wei-Chih Lin,Chih-Chia Hsu,Yin-Fu Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for forming metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09741830B2. Автор: Kung-Hong Lee,Chun-Jung Tang,Te-Chih Chen,Tai-Ju Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US09685542B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a silicon-germanium layer beneath a portion of the gate

Номер патента: US11888062B2. Автор: Peter Baars,Felix Holzmüller,Ruchil K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

P-type oxide semiconductor film and method for forming same

Номер патента: EP3712305A1. Автор: Isao Takahashi,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

Metal oxide semiconductor (mos) controlled devices and methods of making the same

Номер патента: US20190006505A1. Автор: Kevin Matocha,Sauvik CHOWDHURY,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Metal oxide semiconductor (mos) controlled devices and methods of making the same

Номер патента: US20190334025A1. Автор: Kevin Matocha,Sauvik CHOWDHURY,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Metal oxide semiconductor (mos) controlled devices and methods of making the same

Номер патента: WO2019005464A1. Автор: Kevin Matocha,Sauvik CHOWDHURY,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2019-01-03.

Metal oxide semiconductor (mos) controlled devices and methods of making the same

Номер патента: US20200176596A1. Автор: Kevin Matocha,Sauvik CHOWDHURY,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device including transistor with doped oxide semiconductor and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11810858B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Metal-oxide semiconductor module and light-emitting diode display device including the same

Номер патента: US11450708B2. Автор: Yi-Sheng Lin,Kao-Way Tu,Yuan-Shun Chang,Li-Chang Yang. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Metal-oxide semiconductor module and light-emitting diode display device including the same

Номер патента: EP3817047A1. Автор: Yi-Sheng Lin,Kao-Way Tu,Yuan-Shun Chang,Li-Chang Yang. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-05.

Method for fabricating oxides/semiconductor interfaces

Номер патента: US10615028B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Method for fabricating oxides/semiconductor interfaces

Номер патента: US20150255268A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20120313084A1. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Metal oxide semiconductor material, target material and fabrication method therefor, thin film transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US20230268444A1. Автор: Fei Wang,Guangcai Yuan,Junbiao Peng,Linfeng Lan,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2023-08-24.

Metal-oxide semiconductor module and light-emitting diode display device including the same

Номер патента: US20210126047A1. Автор: Yi-Sheng Lin,Kao-Way Tu,Yuan-Shun Chang,Li-Chang Yang. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US9257534B2. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Process for preparing nano-porous metal oxide semiconductor layers

Номер патента: EP1540679A1. Автор: Hieronymus AGFA-GEVAERT ANDRIESSEN,Joop Van Deelen,Jan Kroon. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 2005-06-15.

Doped metal oxide semiconductor and thin-film transistor made therefrom and its application

Номер патента: US11894467B2. Автор: Miao Xu,Lei Wang,HUA Xu,Junbiao Peng,Weifeng Chen,WEIJING Wu. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-02-06.

Trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: WO2011059782A3. Автор: Naveen Tipirneni,Deva N. Pattanayak. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2011-08-25.

Metal-oxide-semiconductor transistor and method of forming gate layout

Номер патента: US9761657B2. Автор: Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Metal oxide semiconductor transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060138560A1. Автор: Jun-Gi Choi,Hi-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US20240105839A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

High-voltage metal-oxide semiconductor transistor

Номер патента: US9484422B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

High-voltage metal-oxide semiconductor transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US9196695B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-11-24.

Compositions of metal oxide semiconductor nanomaterials and hemostatic polymers

Номер патента: US20210091266A1. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Methods and devices for matching transmission line characteristics using stacked metal oxide semiconductor (mos) transistors

Номер патента: WO2014066152A1. Автор: Yan Hu,Miao Li,Xiaoliang Bai,Jing Kang,Jingcheng Zhuang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-01.

Methods and devices for matching transmission line characteristics using stacked metal oxide semiconductor (mos) transistors

Номер патента: EP2912772A1. Автор: Yan Hu,Miao Li,Xiaoliang Bai,Jing Kang,Jingcheng Zhuang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-09-02.

Laterally diffused metal-oxide- semiconductor structure

Номер патента: US20240072163A1. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Metal-oxide semiconductor (mos) capacitor (moscap) circuits and mos device array bulk tie cells for increasing mos device array density

Номер патента: EP4241312A1. Автор: Bed Raj Kandel. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080164505A1. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8536633B2. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Compositions of metal oxide semiconductor nanomaterials

Номер патента: US20200231459A1. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Oxide semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20200027955A1. Автор: Naoto Kikuchi,Shintarou Ikeda,Yoshihiro Aiura,Akane Samizo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-01-23.

Metal oxide semiconductor (mos) isolation schemes with continuous active areas separated by dummy gates and related methods

Номер патента: EP2973682A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,PR Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Metal-oxide semiconductor (mos) capacitor (moscap) circuits and mos device array bulk tie cells for increasing mos device array density

Номер патента: WO2022098434A1. Автор: Bed Raj Kandel. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-12.

Metal-oxide semiconductor (mos) capacitor (moscap) circuits and mos device array bulk tie cells for increasing mos device array density

Номер патента: US20220140153A1. Автор: Bed Raj Kandel. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for fabricating metal-oxide- semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20120329259A1. Автор: Wen-Han Hung,Tsai-Fu Chen,Tzyy-Ming Cheng,Ching-Sen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Device

Номер патента: US20130168767A1. Автор: Chun-Wei Chen,Wei-Shan Liao,An-Hung LIN,Hong-Ze Lin,Bo-Jui Huang,Ting-Zhou Yan,Kun-Yi Chou,Ming-Yong Jian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-04.

Laterally double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US11742423B2. Автор: Jing Zhu,Sen Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Nailong He,Shaohong Li,Guichuang Zhu. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Laterally diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180114831A1. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-26.

Metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100090284A1. Автор: Cheng-Yu Fang,Yen-Wei Liao,sheng-yuan Yang. Владелец: Advanced Analog Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

더미 게이트들에 의해 분리된 연속 액티브 영역들을 이용한 mos(metal oxide semiconductor) 절연 방식들 및 이와 관련된 방법들

Номер патента: KR20150131090A. Автор: 피알 치담바람,빈 양,시아 리. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2015-11-24.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140151799A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-06-05.

Variation Resistant Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Номер патента: US20130049140A1. Автор: Asen ASENOV,Gareth Roy. Владелец: Gold Standard Simulations Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

N-channel metal oxide semiconductor (nmos) driver circuit and method of making same

Номер патента: US20020089020A1. Автор: Louis Hsu,Lawrence Clevenger,Yujun Li,Rama Divakarumi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Flip-flop implemented with metal-oxide semiconductors using a single low-voltage power supply and control method thereof

Номер патента: US20070046352A1. Автор: Hung-Yu Li,Jinn-Shyan Wang. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-03-01.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20080298135A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Double Diffused Drain Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Floating Poly Thereon and Methods of Manufacturing The Same

Номер патента: US20110291187A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Double diffused drain metal-oxide-semiconductor devices with floating poly thereon and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140175544A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Apparatus of a metal-oxide-semiconductor (mos) transistor including a multi-split gate

Номер патента: US20180145139A1. Автор: Sagy Levy,Sharon Levin,Johnatan A. Kantarovsky,David Mistele. Владелец: TowerJazz Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Metal oxide semiconductor (MOS) isolation schemes with continuous active areas separated by dummy gates and related methods

Номер патента: US09997617B2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with extended gate dielectric layer

Номер патента: US09997601B2. Автор: Shiuan-Jeng Lin,Shyh-Wei Cheng,Che-Jung Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09960155B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09929144B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Metal oxide semiconductor field effect transistor having variable thickness gate dielectric

Номер патента: US09917168B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09875945B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Three-dimensional (3D) ferroelectric dipole metal-oxide semiconductor ferroelectric field-effect transistor (MOSFeFET) system, and related methods and systems

Номер патента: US09875784B1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09842903B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Control of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: RU2754501C1. Автор: Юрген БЕМЕР,Эберхард Ульрих КРАФФТ,Ян ВАЙГЕЛЬ,Марк-Маттиас БАКРАН,Андреас НАГЕЛЬ,Мартин ХЕЛЬСПЕР,Бернд ЛАСКА,Штефан Ханс Вернер ШЕНЕВОЛЬФ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2021-09-02.

Compatible vertical double diffused metal oxide semiconductor transistor and lateral double diffused metal oxide semiconductor transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US8530961B2. Автор: Le Wang,Lili He,Zhiyong Zhao,Linchun Gui. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-10.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and its method of fabrication

Номер патента: US5498556A. Автор: Gary Hong,Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-03-12.

Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel

Номер патента: US6956238B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Ranbir Singh,John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Lori A. Lipkin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-10-18.

Selective metal/metal oxide etch process

Номер патента: GB2537549A. Автор: VERMEULEN Paul,Allen Craig. Владелец: Sachem Inc. Дата публикации: 2016-10-19.

Amorphous metal oxide semiconductor layer and semiconductor device

Номер патента: US11894429B2. Автор: Shinichi Maeda,Yoshiomi Hiroi. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US11908930B2. Автор: Shiang Yang Ong,Namchil MUN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a gap between the drain and body wells

Номер патента: US20230268436A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Huihua Jiang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Manufacturing method of metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20170200814A1. Автор: Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Crystal, crystalline oxide semiconductor, semiconductor film containing crystalline oxide semiconductor, semiconductor device including crystal and/or semiconductor film and system including semiconductor device

Номер патента: US20210143251A1. Автор: Takahiro Sasaki,Isao Takahashi,Toshimi Hitora,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method of silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20230378341A1. Автор: Bo Shi,Dan ZENG,Daokun CHEN,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2023-11-23.

Oxide semiconductor composition and manufacturing method thereof, oxide thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150123110A1. Автор: Jan-Tian Lian,Hung-Yu Wu,Hsin-min FU,Chia-Sheng Hsieh,Jang-Jeng Liang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Metal oxide thin-film transistor and manufacturing method therefor, display panel and display apparatus

Номер патента: EP4345910A1. Автор: Bin Lin,Zheng Liu,Rui Zhang,Bo Hu,Liangliang LI,Xinlin Peng. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-03.

An enhancement mode metal-oxide-semiconductor field effect transistor and method for forming the same

Номер патента: EP1586119A2. Автор: Olin L. Hartin,Nicholas Medendorp,Matthias Passlack,Marcus Ray. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-10-19.

An enhancement mode metal-oxide-semiconductor field effect transistor and method for forming the same

Номер патента: WO2004064172A2. Автор: Olin L. Hartin,Nicholas Medendorp,Matthias Passlack,Marcus Ray. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-07-29.

Probe-oxide-semiconductor method and apparatus for measuring oxide charge on a semiconductor wafer

Номер патента: US5500607A. Автор: Roger L. Verkuil. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-03-19.

Metal oxide semiconductor transistor with reduced gate height, and related fabrication methods

Номер патента: US7960229B2. Автор: Scott Luning,Rohit Pal,Frank Bin YANG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-06-14.

Method of fabricating an air-gap spacer of a metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US5972763A. Автор: Tony Lin,Jih-Wen Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Metal-oxide-semiconductor (MOS) device and method for fabricating the same

Номер патента: US9059202B2. Автор: Yan Jin. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-16.

Silicon gigabit metal-oxide-semiconductor device processing

Номер патента: CA1216374A. Автор: Ping K. Ko. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1987-01-06.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with a cold source

Номер патента: US20210210639A1. Автор: Jian Wang,Fei Liu,Hong Guo. Владелец: Versitech Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Method for Manufacturing Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20190363187A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: US20210351321A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: WO2021229356A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: EP4150680A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor (ldmos) transistors

Номер патента: US20120091527A1. Автор: Budong You. Владелец: SILERGY TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-04-19.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor device, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240014255A1. Автор: Hojung Lee,Seung Yup Jang,Jaemoo KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-11.

Radiation-resistant metal oxide semiconductor composition containing zinc-indium-tin oxide, and preparation method and use thereof

Номер патента: US20200335454A1. Автор: Myung Gil KIM,Choongik KIM,Dongil Ho,Byung Kyu PARK. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chung Ang University. Дата публикации: 2020-10-22.

Method for reducing plasma damage to a gate oxide of a metal-oxide semiconductor wafer

Номер патента: US20020155680A1. Автор: Yi-Fan Chen,Shou-Kong Fan,Chi-King Pu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Self-aligned channel metal oxide semiconductor (mos) device and fabrication method thereof

Номер патента: EP4285417A1. Автор: Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Self-aligned channel metal oxide semiconductor (mos) device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240096963A1. Автор: Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor structure with low leakage current and reserved gate length

Номер патента: US20230402504A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor

Номер патента: US20240136448A1. Автор: Marianne Berolini,Cory Nelson,Ronald S. Demcko,Jeff Borgman. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor devices with a field plate

Номер патента: US20240006529A1. Автор: Guowei Zhang,JERRY JOSEPH James,Handoko Linewih,Surya Kris AMETHYSTNA. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Metal-oxide-semiconductor capacitor

Номер патента: WO2024086220A1. Автор: Marianne Berolini,Cory Nelson,Ronald S. Demcko,Jeff Borgman. Владелец: KYOCERA AVX Components Corporation. Дата публикации: 2024-04-25.

Double diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20130313641A1. Автор: Chien-Hao Huang,Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-28.

Metal oxide semiconductor device with improved threshold voltage and drain junction breakdown voltage and method for fabricating same

Номер патента: US20080023776A1. Автор: Allan Laser. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of making a trench gate complimentary metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US5108938A. Автор: Allen L. Solomon. Владелец: Grumman Aerospace Corp. Дата публикации: 1992-04-28.

Composite inverse T-gate metal oxide semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US5097301A. Автор: Julian J. B. Sanchez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1992-03-17.

Method for fabricating metal oxide semiconductor with lightly doped drain

Номер патента: US20060205126A1. Автор: Shih-Yi Yen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-09-14.

Lateral oriented metal-oxide-semiconductor, mos device comprising a semiconductor body

Номер патента: US20230402541A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor devices, transistors, and related methods for contacting metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US11908913B2. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ramanathan GANDHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Double-diffused metal-oxide-semiconductor transistor including a recessed dielectric

Номер патента: US20230299195A1. Автор: Sundar Chetlur,Maxim Klebanov,Thomas S. Chung,Chung C. Kuo. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a notched gate electrode

Номер патента: US11791392B2. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Dielectric metal oxide cap for channel containing germanium

Номер патента: US20180374928A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Ashish Agrawal,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Circuit with metal-oxide semiconductor field-effect transistor and diode module and implemetation mehtod thereof

Номер патента: US20230043861A1. Автор: Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for increasing breaking down voltage of lateral diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20100270615A1. Автор: Kwang-Ming Lin,Shih-Chan Chen,Shih-Chieh Pu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Method for forming shielding polysilicon sidewall for protecting shielded gate trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US11749735B2. Автор: YI Su,Hong Chang. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9520470B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-13.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9704987B2. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor devices, transistors, and related methods for contacting metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20220254896A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ramanathan GANDHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of forming metal-oxide-semiconductor transistor

Номер патента: US20100261323A1. Автор: Chien-Chung Huang,Neng-Kuo Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-14.

Method for fabricating gate dielectrics of metal-oxide-semiconductor transistors using rapid thermal processing

Номер патента: US20090108377A1. Автор: Zhi Chen,Jun Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Vertical metal oxide semiconductor channel selector transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20230284461A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Laterally diffused metal-oxide semiconductor with gate contact

Номер патента: US20230317815A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory device including composite metal oxide semiconductor channels and methods for forming the same

Номер патента: US20230363161A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

P-type metal oxide semiconductor material and fabrication method thereof

Номер патента: US8007694B2. Автор: Shan-Haw Chiou,Kuo-Chuang Chiu,Yi-Wen Kao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-08-30.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a gap between the drain and body wells

Номер патента: EP4235797A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Huihua Jiang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-30.

Lateral oriented metal-oxide-semiconductor, mos device comprising a semiconductor body

Номер патента: EP4290585A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-13.

Transistors for replacing metal-oxide-semiconductor field-effect transistors in nanoelectronics

Номер патента: US20120309142A1. Автор: Mark S. Miller,Justin Millis,Justin B. Jackson,Divesh Kapoor. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2012-12-06.

SILICON METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (Si MOSFET) WITH A WIDE-BANDGAP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR GROUP DRAIN AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210159338A1. Автор: Edward Yi Chang,Mau-Chung Frank Chang,Chieh-Hsi Chuang,Jessie Lin. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2021-05-27.

High performance laterally-diffused metal-oxide semiconductor structure

Номер патента: US20240030341A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11949010B2. Автор: Budong You,Chunxin Xia. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20170054018A1. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) device with aligned buried layer isolation layer

Номер патента: US20030151088A1. Автор: Shih-Hui Chen,Jeng Gong,Chi-Hung Kao,Meng-Chi Wu,Kuo--Hsu Huang,Jia-Rong Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Metal oxide semiconductor field effect transistor with crystalline oxide layer on a III-V material

Номер патента: US11081590B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Robert M. Wallace,Xiaoye Qin. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2021-08-03.

Semiconductor devices, transistors, and related methods for contacting metal oxide semiconductor devices

Номер патента: EP3676877A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ramanathan GANDHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-08.

Structure of trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20190355847A1. Автор: Chih-Fang Huang,Jheng-Yi Jiang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-11-21.

Heterogeneous structures comprising III-V semiconductors and metal oxide dielectrics, and a method of fabrication thereof

Номер патента: US11735643B2. Автор: Alexander Gerber,Gregory KOPNOV. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US9299796B2. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-03-29.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20010049172A1. Автор: Charles Pearce. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Metal-oxide-semiconductor device with a doped titanate body

Номер патента: US20090065875A1. Автор: Yukiko Furukawa,Radu Surdeanu,Vincent C. Venezia. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-03-12.

Metal-oxide-semiconductor device with a doped titanate body

Номер патента: WO2006043243A1. Автор: Yukiko Furukawa,Radu Surdeanu,Vincent C. Venezia. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-04-27.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device (ldmos) and fabrication method thereof

Номер патента: US20140035034A1. Автор: Chun-Wei Chen,Wei-Shan Liao,An-Hung LIN,Hong-Ze Lin,Bo-Jui Huang,Ting-Zhou Yan,Kun-Yi Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Laterally diffused metal-oxide semiconductor with gate contact

Номер патента: EP4254510A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

P-type metal oxide semiconductor material and fabrication method thereof

Номер патента: US20100148133A1. Автор: Shan-Haw Chiou,Kuo-Chuang Chiu,Yi-Wen Kao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-06-17.

Metal oxide semiconductor field effect transistors (mosfet) including deep p-wells and methods of forming same

Номер патента: US20240128323A1. Автор: Adam Morgan,Dongyoung Kim,Woongje Sung. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-04-18.

Metal oxide semiconductor with multiple drain vias

Номер патента: US20230402515A1. Автор: Chih-Hung Chang,Chung-Hsiung Ho,Chi-Hsueh Li. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Trench vertical double diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: WO2012034372A8. Автор: Genyi Wang,Tzong Shiann Wo. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-19.

Structure of trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20180315848A1. Автор: Chih-Fang Huang,Jheng-Yi Jiang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-11-01.

Metal oxide semiconductor material, target material and preparation method therefor, thin film transistor and preparation method therefor

Номер патента: EP4167291A1. Автор: Fei Wang,Guangcai Yuan,Junbiao Peng,Linfeng Lan,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2023-04-19.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230068212A1. Автор: Hyoshin AHN,Uihui KWON,Sangjun Yun,Seongnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20210336026A1. Автор: Hyoshin AHN,Uihui KWON,Sangjun Yun,Seongnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US11791394B2. Автор: Hyoshin AHN,Uihui KWON,Sangjun Yun,Seongnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for manufacturing an integrated circuit comprising an N-type laterally diffused metal oxide semiconductor (NLDMOS) transistor

Номер патента: US11823947B2. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-21.

Methods and apparatus for precise measurement of time delay between two signals

Номер патента: WO2004027448A3. Автор: Ernst Scherer. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2004-09-30.

Methods and apparatus for precise measurement of time delay between two signals

Номер патента: EP1547122A2. Автор: Ernst Scherer. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2005-06-29.

Methods and apparatus for precise measurement of time delay between two signals

Номер патента: WO2004027448A2. Автор: Ernst Scherer. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2004-04-01.

Method for manufacturing oxide semiconductor device

Номер патента: US09754784B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Metal-oxide semiconductor (MOS) field effect transistor having extremely shallow source/drain zones and silicide terminal zones, and a process for producing the transistor circuit

Номер патента: US4885617A. Автор: C. A. Mazure-Espejo,Franz Neppl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-12-05.

Method for manufacturing double-diffused metal-oxide semiconductor fieldeffect transistor device and the device thereby manufactured

Номер патента: CA1306313C. Автор: Takeshi Nobe,Masahiko Suzumura,Sigeo Akiyama. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1992-08-11.

Method for manufacturing a depletion type double-diffused metal-oxide semiconductor field effect transistor device

Номер патента: US4902636A. Автор: Takeshi Nobe,Masahiko Suzumura,Sigeo Akiyama. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1990-02-20.

Integrated Circuit with a Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20100052050A1. Автор: Ashraf W. Lotfi,Douglas Dean Lopata,William W. Troutman,Tanya Nigam. Владелец: Enpirion Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Metal oxide semiconductor (MOS) transistor having a recessed gate electrode and methods of fabricating the same

Номер патента: US7655522B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-02.

Power metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor

Номер патента: US4206469A. Автор: Earl S. Schlegel,Maurice H. Hanes. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1980-06-03.

High dielectric constant metal oxide gate dielectrics

Номер патента: US6998357B2. Автор: Peng Cheng,Brian S. Doyle,David B. Fraser,Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-14.

Transparent rectifying metal/metal oxide/semiconductor contact structure and method for the production thereof and use

Номер патента: CA2765981C. Автор: Marius Grundmann,Heiko Frenzel,Alexander Lajn,Holger von Wenckstern. Владелец: UNIVERSITAET LEIPZIG. Дата публикации: 2013-03-19.

Metal oxide semiconductor device having recess and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190043985A1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-02-07.

Method of forming laterally diffused metal oxide semiconductor transistor with partially unsilicided source/drain

Номер патента: US20150171191A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Lee-Wee Teo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140061786A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-03-06.

High voltage double-diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20210184033A1. Автор: Edward John Coyne,Alan Brannick,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-17.

High voltage (hv) metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) in semiconductor on insulator (soi) technology

Номер патента: US20190393340A1. Автор: Qingqing Liang,Sinan Goktepeli,Ravi Pramod Kumar Vedula,George Pete IMTHURN,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

High voltage (hv) metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) in semiconductor on insulator (soi) technology

Номер патента: US20200185522A1. Автор: Qingqing Liang,Sinan Goktepeli,Ravi Pramod Kumar Vedula,George Pete IMTHURN,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

High voltage (hv) metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) in semiconductor on insulator (soi) technology

Номер патента: EP3815147A1. Автор: Qingqing Liang,Sinan Goktepeli,Ravi Pramod Kumar Vedula,George Pete IMTHURN,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-05-05.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor and method of fabricating same

Номер патента: US20210028307A1. Автор: Joo-Hyung Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240136413A1. Автор: FENG Lin,YU HUANG,Bin Yang,Gang Huang,Shuxian Chen,Huajun JIN,Hongfeng JIN,Chunxu LI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: WO2016109118A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-07-07.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US20210066498A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

True time delay phase array radar using rotary clocks and electronic delay lines

Номер патента: EP1891700A2. Автор: John Wood,Haris Fozan Basit. Владелец: Multigig Inc. Дата публикации: 2008-02-27.

True time delay phase array radar using rotary clocks and electronic delay lines

Номер патента: WO2006133225A9. Автор: John Wood,Haris Fozan Basit. Владелец: Haris Fozan Basit. Дата публикации: 2007-03-08.

Electrode comprising a transition metal oxidenitride or a nitrogen-doped transition metal oxide as electronically active material

Номер патента: US9929405B2. Автор: Xiao-Jun Wang,Reinhard Nesper,Frank Krumeich. Владелец: BELENOS CLEAN POWER HOLDING AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Electrode comprising a transition metal oxidenitride or a nitrogen-doped transition metal oxide as electronically active material

Номер патента: US09929405B2. Автор: Xiao-Jun Wang,Reinhard Nesper,Frank Krumeich. Владелец: BELENOS CLEAN POWER HOLDING AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Variable delay line using variable capacitors in a maximally flat time delay filter

Номер патента: US09660605B2. Автор: Robert Jason TINSLEY,Marc Pos,Paul David Ferguson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Lateral double diffusion metal oxide semiconductor element and its manufacture method

Номер патента: CN106469755A. Автор: 黄宗义. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-03-01.

Double-diffused metal oxide semiconductor and method for fabricating the same

Номер патента: KR100734143B1. Автор: 고광영. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-06-29.

Metal oxide film, method for manufacturing same, thin film transistor, display apparatus, image sensor, and X-ray sensor

Номер патента: US9515193B2. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata,Masayuki Suzuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Metal oxide solar cell

Номер патента: RU2698533C1. Автор: Сергей Дмитриевич Варфоломеев,Олег Игоревич Шевалеевский,Людмила Леонидовна Ларина,Ольга Валериевна Алексеева,Виктория Михайловна Иванова,Леонтий Иванович Кузнецов,Павел Андреевич Ширяев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля Российской академии наук (ИБХФ РАН). Дата публикации: 2019-08-28.

Method of forming electric heating element by method of plasma sputtering metal and/or metal oxide matrix

Номер патента: RU2383956C2. Автор: Джефри БОРДМАН. Владелец: 2Д Хит Лимитед. Дата публикации: 2010-03-10.

Integrated magnetostrictive-piezoelectric-metal oxide semiconductor magnetic playback head

Номер патента: CA1193361A. Автор: Chester Piotrowski,William M. Mularie,Steven A. Bendson,Neil W. Loeding. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1985-09-10.

Metal oxide semiconductor device with dual-well and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI619200B. Автор: 黃宗義. Владелец: 立錡科技股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-21.

Metal oxide semiconductor transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20070267691A1. Автор: Frank Chen,Yu-Chi Chen,Jih-Wen Chou. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-11-22.

Metal oxide semiconductor structure and production method thereof

Номер патента: US9006730B2. Автор: Chung-Chin Huang,Chin-Wen Lin,Ted Hong Shinn,Chuan-I HUANG. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2015-04-14.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201519446A. Автор: Hung-Der Su,Kuo-Cheng Chang,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Wen-Yi Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-05-16.

Integrated circuit amplifier functioning in class AB and incorporating CMOS (metal oxide semiconductor) technology

Номер патента: US4419631A. Автор: Louis Tallaron,Jean P. Bertails,Cristian Perrin. Владелец: POUR L ETUDE ET LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES SPE Ste. Дата публикации: 1983-12-06.

High-voltage metal-oxide semiconductor (MOS) device

Номер патента: US5910666A. Автор: Jemmy Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

Method and system for providing a metal oxide semiconductor device having a drift enhanced channel

Номер патента: WO2008070748A3. Автор: Darwin Gene Enicks. Владелец: Darwin Gene Enicks. Дата публикации: 2008-10-30.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US11894458B2. Автор: Li Lu,Ling Yang,Longxing Shi,Kui Xiao,Weifeng Sun,Siyang Liu,Qichao Wang,Jiaxing WEI,Dejin Wang,Ran Ye. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Laterally diffused metal oxide semiconductor structure

Номер патента: EP4328977A1. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20100171186A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Fabricating method of a high voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20070080398A1. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-12.

Method of fabricating high voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US7462532B2. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-12-09.

Synthesis of metal oxide semiconductor nanoparticles from a molecular cluster compound

Номер патента: EP3044287A1. Автор: Nigel Pickett,Nathalie Gresty,Ombretta Masala,Steven Matthew Daniels. Владелец: Nanoco Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-07-20.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor device

Номер патента: US20230387290A1. Автор: Min Wang,Lijun Li,Yonghong Tao,Zhidong Lin,Zhigao Peng,Yuanxu GUO. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

N-type metal oxide semiconductor (nmos) transistor for electrostatic discharge (esd)

Номер патента: US20160099241A1. Автор: Tsung-Che Tsai,Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

N-type metal oxide semiconductor (NMOS) transistor for electrostatic discharge (ESD)

Номер патента: US9929143B2. Автор: Tsung-Che Tsai,Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140021544A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-01-23.

A Vertical Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) and a Method of Forming the Same

Номер патента: US20210280700A1. Автор: Lars-Erik Wernersson,Olli-Pekka Kilpi. Владелец: C2amps AB. Дата публикации: 2021-09-09.

Image sensor and semiconductor device having a metal oxide semiconductor layer doped with nitrogen, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220384502A1. Автор: Jin-Seong Park,Dong-Gyu Kim,TaekSoo JEON,Sanghoon Uhm,Yoon-Seo Kim,Hyun-Jun JEONG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-12-01.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20180082998A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20180096901A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20170365529A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20180033786A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Self-protected metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20140015053A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,James P. Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Memory device including composite metal oxide semiconductor channels and methods for forming the same

Номер патента: US20230363158A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

High voltage metal-oxide-semiconductor (HVMOS) device integrated with a high voltage junction termination (HVJT) device

Номер патента: US11862675B2. Автор: Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Po-Chih Chen,Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Karthick Murukesan,Shiuan-Jeng Lin,Wen-Chih Chiang,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US11843049B2. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307070A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Wen-Yi Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Laterally diffused metal oxide semiconductor transistor with partially unsilicided source/drain

Номер патента: US20110193162A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Lee-Wee Teo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and layout pattern thereof

Номер патента: US20130221438A1. Автор: Chih-Chung Wang,Chih-Wei Hsu,Ming-Tsung Lee,Wen-Fang Lee,Cheng-Hua Yang,Po-Ching Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and layout pattern thereof

Номер патента: US20130307071A1. Автор: Chih-Chung Wang,Ming-Tsung Lee,Te-Yuan Wu,Wen-Fang Lee,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Anti-snapback circuitry for metal oxide semiconductor (mos) transistor

Номер патента: US20130292770A1. Автор: Kurt Kimber,David Litfin. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2013-11-07.

Processes for preparing metal oxide semiconductor nanomaterials

Номер патента: US11820672B2. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Lateral extended drain metal oxide semiconductor field effect transistor (ledmosfet) with tapered dielectric plates to achieve a high drain-to-body breakdown voltage, a method of forming the transistor and a program storage device for designing the transistor

Номер патента: US20130001589A1. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Michel J. Abou-Khalil,Theodore J. Letavic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Laterally diffused metal oxide semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11830932B2. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xianguo HUANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210193815A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xunyi SONG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

High voltage metal-oxide-semiconductor (hvmos) device integrated with a high voltage junction termination (hvjt) device

Номер патента: US20200044014A1. Автор: Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Po-Chih Chen,Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Karthick Murukesan,Shiuan-Jeng Lin,Wen-Chih Chiang,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US20240120419A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Lateral diffusion metal oxide semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230238457A1. Автор: Zong-Han Lin,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140120676A1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-01.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140120679A1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-01.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140117443A1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-01.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120187483A1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2012-07-26.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8709900B1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-04-29.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8728895B1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-20.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8729630B1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-20.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8653594B2. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-02-18.

High-voltage metal oxide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20110018071A1. Автор: Kao-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Processes for preparing metal oxide semiconductor nanomaterials

Номер патента: EP3911595A1. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US11881527B2. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20240055515A1. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: EP2494600A2. Автор: Naveen Tipirneni,Deva N. Pattanayak. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2012-09-05.

Trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: WO2011059782A2. Автор: Naveen Tipirneni,Deva N. Pattanayak. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2011-05-19.

Method and apparatus for fabricating ultra-shallow junction metal-oxide semiconductor integrated circuit devices.

Номер патента: WO2005057662A3. Автор: Damien Lenoble,Francois Wacquant,Frederic Salvetti,Alexandre Dray,Etienne Robilliart,Ramiro Palla. Владелец: Ramiro Palla. Дата публикации: 2005-10-13.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US8217471B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11710787B2. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xianguo HUANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-07-25.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11742206B2. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xunyi SONG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of manufacturing metal-oxide-semiconductor transistor

Номер патента: US20060189065A1. Автор: Tony Liu,Yun-Ren Wang,Ying-Wei Yen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-24.

Compositions of metal oxide semiconductor nanomaterials

Номер патента: EP3912194A1. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperaton Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20130181211A1. Автор: Chang-Tzu Wang,Tien-Hao Tang,Tai-Hsiang Lai,Lu-An CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) based voltage regulator circuit

Номер патента: EP3980858A1. Автор: Bernard James Griffiths. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-04-13.

High voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20070128788A1. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-07.

High voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US7791137B2. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

High-voltage metal oxide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20100078737A1. Автор: Kao-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

High-voltage metal-oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20160043193A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Apparatus, system and method of a metal-oxide-semiconductor (mos) transistor including a split-gate structure

Номер патента: US20210399634A1. Автор: Erez Sarig. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Metal-oxide-semiconductor transistor and method of fabricating the same

Номер патента: EP3699962A1. Автор: Chih-Chung Wang,Sheng-Chen Chung,Ke-Feng Lin,Chiu-Te Lee,Liang-An HUANG,Chen-An Kuo,Kuang-Hsiu Chen,Kai-Ting Hu,Hsiang-Hua Hsu,Yan-Huei Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-08-26.

Laterally diffused metal oxide semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210143266A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xianguo HUANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

A vertical metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) and a method of forming the same

Номер патента: EP3622559A1. Автор: Lars-Erik Wernersson,Olli-Pekka Kilpi. Владелец: C2amps AB. Дата публикации: 2020-03-18.

High-voltage metal-oxide semiconductor transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20150287797A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Processes for preparing metal oxide semiconductor nanomaterials

Номер патента: WO2020150425A1. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device

Номер патента: US20140091389A1. Автор: Chih-Chung Wang,Ming-Shun Hsu,Ke-Feng Lin,Chiu-Te Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20180122921A1. Автор: Sen Zhang,Shukun QI,Guipeng Sun,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods for forming planar metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Номер патента: US20220238674A1. Автор: Lei Zhong,Qintao Zhang,Samphy Hong,David Jon Lee,Felix Levitov,Carlos CABALLERO,Durgaprasad Chaturvedula. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-07-28.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor (ldmos) transistors

Номер патента: US20210119041A1. Автор: Cho Chiu Ma. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

N-type metal oxide semiconductor transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240088293A1. Автор: Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Wei-Chuan Tsai,Jin-Yan Chiou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Techniques for fabricating charge balanced (cb) trench-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices

Номер патента: US20200105925A1. Автор: Stephen Daley Arthur,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,David Alan Lilienfeld,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-04-02.

Oxidation-reduction assisted exfoliation and reassembly of transition metal oxide lithium intercalation compounds

Номер патента: US20180034054A1. Автор: QIAN Cheng,Candace Chan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-01.

High-precision voltage dependent timing delay circuit

Номер патента: WO1997005700A1. Автор: Rainer Clemen,Wolfdieter Loehlein,Harald Mielich. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 1997-02-13.

Time delaybeamformer and method of time delay beamforming

Номер патента: WO2004083885A2. Автор: Peter Graham Richardson,Geoffrey Martin Herbert. Владелец: QINETIQ LIMITED. Дата публикации: 2004-09-30.

Powdery Metal Oxide Mother Particles, Powdery Metal Oxide Child Particles, Process for Producing Powdery Metal Oxide Particles, Powdery Composite Particles, and Electrode for Solid Oxide Fuel Cell

Номер патента: US20080003487A1. Автор: Koichi Takizawa. Владелец: Tokyo Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Multi-bit time delay adjuster unit for high rf applications and method

Номер патента: EP1440510B1. Автор: Shu-Ang Zhou. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2007-11-28.

Time delay beamformer and method of time delay beamforming

Номер патента: EP1609000A2. Автор: Peter Graham Richardson,Geoffrey Martin Herbert. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2005-12-28.

Time-delay buffer

Номер патента: US20100127748A1. Автор: Hung-Sung Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-05-27.

Buffer layer for the crystal growth of metal oxides of perovskite type in particular on amorphous substrates

Номер патента: US20230298778A1. Автор: Adrian David,Gilles Poullain,Alexis Boileau,Christophe LABBE,Fabrice Gourbilleau,Christophe CIBERT,Arnaud FOUCHET,Ulrike LÜDERS. Владелец: Ecole Nationale Superieure dIngenieurs de Caen. Дата публикации: 2023-09-21.

Scanning true time delay array antenna

Номер патента: EP4429026A1. Автор: William Henderson. Владелец: Thinkom Solutions Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Scanning true time delay array antenna

Номер патента: US20240304986A1. Автор: William Henderson. Владелец: Thinkom Solutions Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

An incremental time delay generator

Номер патента: WO1989002191A1. Автор: Stephen R. Whiteley. Владелец: Hypres, Incorporated. Дата публикации: 1989-03-09.

Formation of high quality titania, alumina and other metal oxide templated materials through coassembly

Номер патента: US12116287B2. Автор: Joanna Aizenberg,Tanya SHIRMAN,Katherine Reece PHILLIPS,Elijah Shirman,Theresa Kay. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-10-15.

Time delayer for automatic switch

Номер патента: RU2390867C2. Автор: Дзонг-Ман СОН. Владелец: ЭлЭс ИНДАСТРИАЛ СИСТЕМЗ КО., ЛТД.. Дата публикации: 2010-05-27.

Apparatus for depositing nanoparticles of metal oxides on a metal surface under normal conditions

Номер патента: RU2733530C1. Автор: Николай Васильевич Краснов,Марат Зарифович Мурадымов,Максим Николаевич Краснов,Екатерина Петровна Подольская,Ольга Александровна Кельциева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БиАП". Дата публикации: 2020-10-05.

Powders of valve metal and valve metal oxide mixes and method of their production

Номер патента: RU2542866C9. Автор: Кристоф ШНИТТЕР,Хольгер БРУММ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2015-11-20.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Powders of valve metal and valve metal oxide mixes and method of their production

Номер патента: RU2542866C2. Автор: Кристоф ШНИТТЕР,Хольгер БРУММ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2015-02-27.

Tandem metal oxide solar element

Номер патента: RU2626752C1. Автор: Сергей Сергеевич Козлов,Олег Игоревич Шевалеевский,Михаил Александрович Александров,Людмила Леонидовна Ларина,Александр Андреевич Пашали,Анна Борисовна Никольская,Марина Фаритовна Вильданова. Владелец: Открытое акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть". Дата публикации: 2017-07-31.

Time delay apparatus and method of using same

Номер патента: US7667515B1. Автор: Mark Rodwell,Ken Elliott,Susan Morton. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2010-02-23.

Photonic microwave time delay apparatus and method thereof

Номер патента: US10461418B2. Автор: Sheng-Kwang Hwang,Kun-Lin Hsieh,Chin-lung Yang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2019-10-29.

Dye-sensitized metal-oxide solar cell

Номер патента: RU2649239C1. Автор: Олег Игоревич Шевалеевский,Людмила Леонидовна Ларина,Анна Борисовна Никольская,Виктория Михайловна Иванова,Леонтий Иванович Кузнецов,Ольга Кирилловна Карягина. Владелец: Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" (ПАО "НК "Роснефть"). Дата публикации: 2018-03-30.

Method of producing highly efficient and electrically stable semiconductor layers of metal oxides, layers made using this method, and use thereof

Номер патента: RU2601210C2. Автор: Юрген ШТАЙГЕР,Алексей МЕРКУЛОВ,Арне ХОППЕ,Дуи Ву ПАМ,Анита НОЙМАНН. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2016-10-27.

Complementary Metal Oxide Silicon Image Sensor And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR100769131B1. Автор: 임기식. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-10-23.

Electrical Protective Circuit for Metal-Oxide-Semiconductor Transistors

Номер патента: GB1179388A. Автор: . Владелец: National Cash Register Co. Дата публикации: 1970-01-28.

Electrical apparatus including interlocking circuit for short-time delay and long-time delay tripping

Номер патента: CA1116281A. Автор: John T. Wilson. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1982-01-12.

Antenna having elements with programmable digitally generated time delays

Номер патента: US5130717A. Автор: Kenneth Ewen,Fredrick W. Barrett. Владелец: Loral Defense Systems. Дата публикации: 1992-07-14.

Time delay apparatus and method of using same

Номер патента: US20040056698A1. Автор: Mark Rodwell,Ken Elliott,Susan Morton. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2004-03-25.

True time delay phase array radar using rotary clocks and electronic delay lines

Номер патента: WO2006133225A3. Автор: John Wood,Haris Fozan Basit. Владелец: Haris Fozan Basit. Дата публикации: 2007-05-31.

Metal-oxide thin-film transistor and method for manufacturing same, x-ray detector, and display panel

Номер патента: US20240186379A1. Автор: Kun Zhao,Guangcai Yuan,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for manufacturing metal-oxide-semiconduct or field-effect transistors

Номер патента: WO2012071990A1. Автор: Alihajy Aliyeu. Владелец: Csmc Technologies Fab1 Co., Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240222515A1. Автор: Yongsung Kim,Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Coated Metal Oxide Materials and Method, Process, and Apparatus For Making The Same

Номер патента: US20230335727A1. Автор: Jin-Myoung LIM,Francisco A. LOPEZ. Владелец: Hunt Energy Enterprises LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

Oxidized film structure and method of making epitaxial metal oxide structure

Номер патента: US20020102418A1. Автор: Yong Liang,Shupan Gan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Reduction of metal oxide in dual frequency plasma etch chamber

Номер патента: EP1078389A1. Автор: ZHENG Xu,Vijay Parkhe,Gilbert Hausmann,Barney M. Cohen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-02-28.

Oxidized film structure and method of making epitaxial metal oxide structure

Номер патента: WO2002059945A2. Автор: Yong Liang,Shupan Gan. Владелец: BATTELLE MEMORIAL INSTITUTE. Дата публикации: 2002-08-01.

Selective deposition of metal oxide

Номер патента: US20240282572A1. Автор: Yonggyu Han,Eva Tois,Charles DEZELAH,Shaoren Deng,Glen Wilk,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Aranzazu MAESTRE CARO,Kranthi Kumar Vaidyula,Vincent Vandalon,Viraj Madhiwala,Nadadur Veeraraghavan Srinath,David Zanders. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US20170194218A1. Автор: Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi,Kazushi HAYASI. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Device for producing optically-controlled incremental time delays

Номер патента: WO2001014924A9. Автор: Betty Lise Anderson,Stuart A Collins. Владелец: Univ Ohio State. Дата публикации: 2002-09-06.

Semiconductor device comprising silicon and oxide semiconductor in channel formation region

Номер патента: US12080802B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Metal oxide nano-composite magnetic material, fabrication method, and method for linkage, enrichment, and isolation of phosphorylated species

Номер патента: US20100184962A1. Автор: Wei-Yu Chen,Cheng-Tai Chen,Hong-yi LIN,Yu-Chie Chen,Chun-Yuen Lo,Chih Chi Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Methods of forming metal oxide and semimetal oxide

Номер патента: US20060024881A1. Автор: Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Methods for the controlled synthesis of layered lithium and sodium transition metal oxides using electrochemically assisted ion-exchange

Номер патента: US20230282800A1. Автор: YU Han,Chong Liu. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of forming metal oxide film, metal oxide film and optical electronic device

Номер патента: US20130078457A1. Автор: Tomohiro Okumura,Osamu Morita,Mitsuo Saitoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Thin layer metal oxide capacitor, electronic device including the same (dram), and method of preparing the same

Номер патента: EP4290542A3. Автор: Changsoo LEE,Jooho Lee,Cheheung KIM,Jinhong Kim,Yong-hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Metal oxide film, semiconductor device, and method for evaluating metal oxide film

Номер патента: US20240321577A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kenichi Okazaki,Tomonori Nakayama,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai,Tomosato KANAGAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Nanostructured mixed metal oxides as catalysts and method of making thereof

Номер патента: US20190169043A1. Автор: Eranda Nikolla,Bingwen Wang,Ayad Nacy. Владелец: WAYNE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer

Номер патента: US09954114B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device including oxide semiconductor film containing indium

Номер патента: US09929280B2. Автор: Noriyoshi Suzuki,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Oxide semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09917206B2. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for preparing metal oxide nanoparticle/graphene composite using supercritical fluid and metal oxide nanoparticle/graphene composite prepared by the same

Номер патента: US09899671B2. Автор: Jaehoon Kim,Wenying Li,Do Hyeon YOON,Ji Eun HWANG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of forming semiconductor device with different energy gap oxide semiconductor stacked layers

Номер патента: US09899536B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Surface-modified metal oxide particle dispersion liquid, method for producing same, surface-modified metal oxide particle-silicone resin composite composition, surface-modified metal oxide particle-silicone resin composite body, optical member and light emitting device

Номер патента: US09856361B2. Автор: Takeshi Otsuka,Kenji Harada,Yasuyuki Kurino,Takeru Yamaguchi. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Oxide semiconductor device

Номер патента: US09847428B1. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Oxide semiconductor layer and production method therefor, oxide semiconductor precursor, oxide semiconductor layer, semiconductor element, and electronic device

Номер патента: US09842916B2. Автор: Satoshi Inoue,Tatsuya Shimoda,Nobutaka Fujimoto,Kiyoshi Nishioka,Tomoki Kawakita. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Hydroxyl group termination for nucleation of a dielectric metallic oxide

Номер патента: US09831084B2. Автор: Takashi Ando,Michael P. Chudzik,Martin M. Frank,Min Dai,Barry P. Linder,Rishikesh Krishnan,Joseph F. Shepard, Jr.,Claude Ortolland,David F. Hilscher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device comprising an oxide semiconductor

Номер патента: US09812467B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US09780005B2. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device having first and second oxide semiconductors with difference energy level

Номер патента: US09761738B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device including oxide semiconductor with an insulating film including galliium and oxygen

Номер патента: US09755082B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Oxide semiconductor film

Номер патента: US09748328B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Masashi Oota,Takuya Hirohashi,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having a stacked metal oxide

Номер патента: US09722092B2. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing a semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09721811B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer

Номер патента: US09660092B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Takuya Handa,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Composite cathode material based on layered transition metal oxides for lithium-ion batteries and its predecessor compounds

Номер патента: RU2748762C1. Автор: Артем Михайлович Абакумов,Александра Александровна Савина,Елена Дмитриевна Орлова. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий" (Сколковский институт науки и технологий). Дата публикации: 2021-05-31.

Multiple time delay power controller apparatus

Номер патента: US4719364A. Автор: John D. Pequet,Michael B. Pulizzi,Roger Cook. Владелец: Pulizzi Engineering Inc. Дата публикации: 1988-01-12.

Wavelength-addressable optical time-delay network and phased array antenna incorporating the same

Номер патента: US5761351A. Автор: Bartley C. Johnson. Владелец: McDonnell Douglas Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

MOS/LSI Time delay circuit

Номер патента: US4503345A. Автор: Michael M. Yamamura. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1985-03-05.

Time delay relay movement

Номер патента: CA1112273A. Автор: George J. Selas. Владелец: Allen Bradley Co LLC. Дата публикации: 1981-11-10.

Time delay circuit and time to digital converter

Номер патента: US20090128322A1. Автор: Stephan Henzler,Dominik Lorenz,Siegmar KÖPPE. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-05-21.

Active true time delay apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20170093384A1. Автор: Seong Mo Moon,Dong Hwan Shin,In Bok Yom,Jin Cheol JEONG,Dong Pil CHANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-03-30.

Time delay toll system for charging piles and its method

Номер патента: US11780338B2. Автор: Rui Ding. Владелец: Beijing X Charge Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for producing non-contiguous metal oxide semiconductors, of uniform and controlled size and density

Номер патента: US20230360912A1. Автор: Thierry Baron,Pierre-Vincent GUENERY,Jérémy MOEYAERT. Владелец: Ecole Superieure Chimie Physique Electronique Lyon. Дата публикации: 2023-11-09.

Method and system for controlling an electric motor with compensation for time delay in position determination

Номер патента: EP2678940A1. Автор: Long Wu,Robert Shaw,Srujan Kusumba. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2014-01-01.

Deposition method of metal oxide and manufacturing method of memory device

Номер патента: US20240038529A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiro Jinbo,Yuji EGI,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Configurable time delays for equalizing pulse width modulation timing

Номер патента: US20140240020A1. Автор: John Day,Bryan Kris,Stephen Bowling,Alex Dumais. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Reversed-structure electroluminescence element having coated inorganic transparent oxide semiconductor electron transport layer

Номер патента: EP4170722A1. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-26.

Method and system for controlling an electric motor with compensation for time delay in position determination

Номер патента: WO2012125259A8. Автор: Long Wu,Robert Shaw,Srujan Kusumba. Владелец: Deere & Company. Дата публикации: 2012-10-18.

Configurable time delays for equalizing pulse width modulation timing

Номер патента: EP2965410A2. Автор: John Day,Bryan Kris,Stephen Bowling,Alex Dumais. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-13.

Configurable time delays for equalizing pulse width modulation timing

Номер патента: WO2014133768A2. Автор: John Day,Bryan Kris,Stephen Bowling,Alex Dumais. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-04.

Techniques for fabricating charge balanced (cb) trench-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices

Номер патента: EP3857606A1. Автор: Stephen Daley Arthur,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,David Alan Lilienfeld,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-08-04.

Method for fabricating microchips using metal oxide masks

Номер патента: US20050181557A1. Автор: Thomas Hecht,Stefan Jakschik,Matthias Goldbach,Uwe Schröder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-08-18.

Porous oxide semiconductor particles

Номер патента: US20230406720A1. Автор: Toshiyuki Suzuki,Kazuhisa Yano,Masanori Inaba,Tomohiro Takeshita,Kensaku Kodama. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Display device including dual gate oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20190341437A1. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Oxide semiconductor transistor

Номер патента: US10403700B2. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

Oxide semiconductor, semiconductor device, semiconductor memory device, and solid-state imaging device

Номер патента: US20180076292A1. Автор: Hisayo Momose,Nobuki KANREI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Method of making a transparent metal oxide electrode

Номер патента: EP2847769A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Gerardus Johan Jozef Winands,Pieter Jan Bolt,Andrea Illiberi,Frank Theodoor Johannes Grob. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2015-03-18.

Functionalized metal oxide nanoparticles and solid electrolyte comprising the same

Номер патента: US20210408578A1. Автор: Rodrigo PARIS ESCRIBANO,Elisabetta FEDELI,Idoia URDAMPILLETA GONZALEZ,Andriy Kvasha,Juan NICOLÁS AGUADO,Oihane GARCÍA CALVO. Владелец: Repsol SA. Дата публикации: 2021-12-30.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A2. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2005-06-01.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A4. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Metal oxide coated with conductive polymer, electrode for electrochemical device comprising the same, and method of producing the metal oxide

Номер патента: US20200176764A1. Автор: Seokhyun Yoon,Byunggook LYU,Jongmin ROH. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Niobium metal oxide

Номер патента: WO2024126839A1. Автор: Sai SHIVAREDDY,Supreeth NAGENDRAN,Clare Philomena GREY. Владелец: Nyobolt Limited. Дата публикации: 2024-06-20.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of forming metal oxide coatings

Номер патента: WO1992019391A1. Автор: James C. W. Chien,Benmin Gong. Владелец: Chien James C W. Дата публикации: 1992-11-12.

Method of fabricating a metal oxynitride thin film that includes a first annealing of a metal oxide film in a nitrogen-containing atmosphere to form a metal oxynitride film and a second annealing of the metal oxynitride film in an oxidizing atmosphere

Номер патента: US20090096067A1. Автор: Toshihide Nabatame,Tomoaki Nishimura,Koji Tominaga,Kunihiko Iwamoto. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Porous multi-metal oxide nanotubes and production method therefor

Номер патента: US11905624B2. Автор: Ju Ahn PARK,Sangaraju Shanmugam. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Lithium metal oxide containing batteries having improved rate capability

Номер патента: EP3198669A1. Автор: Hideaki Maeda,Ing-Feng Hu,Ting Han,Yu Hua Kao. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-02.

Manufacturing method of oxide semiconductor device

Номер патента: US10446689B1. Автор: Hui-Ling Chen,Chien-Ming Lai,Sheng-Yao HUANG,Yen-Chen Chen,Han Chuan Fang,Jen-Po Huang,Seng Wah Liau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Low temperature reduction of metal oxides

Номер патента: AU2021262230A1. Автор: Jawad Haidar,Bilal Khan,Rajan GNANARAJAN. Владелец: Kinaltek Pty Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Low temperature reduction of metal oxides

Номер патента: EP4142971A1. Автор: Jawad Haidar,Bilal Khan,Rajan GNANARAJAN. Владелец: Kinaltek Pty Ltd. Дата публикации: 2023-03-08.

Thin film transistor comprising oxide semiconductor layer and silicon semiconductor layer and display apparatus comprising the same

Номер патента: US11495692B2. Автор: Pilsang YUN,Jiyong NOH,Intak Cho,Jaeman JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

Metal oxide based hydrophilic coatings for pem fuel cell bipolar plates

Номер патента: WO2006104542A3. Автор: Gayatri Vyas,Thomas A Trabold,Richard H Blunk,Youssef M Mikhail,Keith E Newman,Elhamid Mahmoud H Abd,Reena L Datta. Владелец: Gen Motors Global Technology. Дата публикации: 2007-11-22.

Oxide semiconductor composition, manufacturing method thereof, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: US10889504B2. Автор: Wenlin Zhang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-12.

Oxide semiconductor composition, manufacturing method thereof, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2019134394A1. Автор: Wenlin Zhang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-07-11.

Method of making a transparent metal oxide electrode

Номер патента: WO2013169106A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Gerardus Johan Jozef Winands,Pieter Jan Bolt,Andrea Illiberi,Frank Theodoor Johannes Grob. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2013-11-14.

Functionalized metal oxide nanoparticles and solid electrolyte comprising the same

Номер патента: EP3821487A1. Автор: Rodrigo PARIS ESCRIBANO,Elisabetta FEDELI,Idoia URDAMPILLETA GONZALEZ,Andriy Kvasha,Juan NICOLÁS AGUADO,Oihane GARCÍA CALVO. Владелец: Repsol SA. Дата публикации: 2021-05-19.

Method for preparing an electrode comprising a substrate, aligned carbon nanotubes and a metal oxide deposited by oxidative deposition, the electrode and uses thereof

Номер патента: US11557441B2. Автор: Mathieu Pinault,Fouad Ghamouss,Francois Tran Van,Emeline Charon,Baptiste Pibaleau. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-01-17.

Oxide semiconductor

Номер патента: US20180305219A1. Автор: Hiroshi Takashima,Ruiping Wang,Naoto Kikuchi,Hirofumi Kawanaka,Shintarou Ikeda,Yoshihiro Aiura,Akane Samizo,Kazuhiko Tonooka. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2018-10-25.

Mesoporous metal oxides, preparation and applications thereof

Номер патента: US10822246B2. Автор: Zhu Luo,Steven L. Suib. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2020-11-03.

Method of producing zinc oxide semiconductor crystal

Номер патента: US20090260563A1. Автор: Akihiko Yoshikawa,Munehisa Fujimaki,Koji Omichi,Yoshikazu Kaifuchi. Владелец: Chiba University NUC. Дата публикации: 2009-10-22.

Metal-oxide-based conductive-bridging random access memory (CBRAM) having the solid electrolyte doped with a second metal

Номер патента: US9431607B2. Автор: Philippe Blaise,Faiz Dahmani,Gabriel Molas,Elisa Vianello,Rémy GASSILOUD. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for forming metal oxide film, metal oxide film, and apparatus for forming metal oxide film

Номер патента: US20120040083A1. Автор: Akio Yoshida,Shizuo Fujita,Naoki Kameyama,Takahiro Shirahata,Hiroyuki Orita. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2012-02-16.

Metal-oxide-silicon device including nanometer scaled oxide structure to enhance light-emitting efficiency

Номер патента: US20030201434A1. Автор: Ching-Fuh Lin,Ting-Wei Su,Wei-Fang Lin,Eih-Zhe Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Metal-oxide-silicon device including nanometer scaled oxide structure to enhance light-emitting efficiency

Номер патента: US6770903B2. Автор: Ching-Fuh Lin,Ting-Wei Su,Wei-Fang Lin,Eih-Zhe Liang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2004-08-03.

Multifunctional Nanostructured Metal-Rich Metal Oxides

Номер патента: US20160035916A1. Автор: Andrew Wong,Jifeng Liu. Владелец: Dartmouth College. Дата публикации: 2016-02-04.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US12058873B2. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Silicon nanoparticle-containing hydrogen polysilsesquioxane calcined product-metal oxide complex and production method thereof, negative electrode active material for lithium ion battery, negative electrode for the lithium ion battery and lithium ion battery

Номер патента: US20190363353A1. Автор: YOSHIHITO Takano,TETSURO Kizaki,MASAKAZU Kondo,Hirotsuna Yamada. Владелец: JNC Petrochemical Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20150249123A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Piezolectric material comprising tungsten bronze structure metal oxide

Номер патента: EP2483941A1. Автор: Takayuki Watanabe,Makoto Kubota,Takanori Matsuda,Kaoru Miura,Jumpei Hayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-08-08.

Device containing metal oxide-containing layers

Номер патента: WO2018219757A1. Автор: Ralf Anselmann,Jürgen STEIGER,Gerhard Renner,Alexey Merkulov. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2018-12-06.

Functional metal oxide based microelectronic devices

Номер патента: EP3329515A1. Автор: Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Roza Kotlyar,Prashant Majhi,Niloy Mukherjee,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-06.

Functional metal oxide based microelectronic devices

Номер патента: US20180226509A1. Автор: Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Roza Kotlyar,Prashant Majhi,Niloy Mukherjee,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Precursor for preparing lithium composite transition metal oxide and method for preparing the same

Номер патента: US9905325B2. Автор: Sang Min Park,Ho suk SHIN,Sung-Kyun Chang,Dong Hun Lee,Byung Chun Park,Seong Hoon Kang. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Low temperature reduction of metal oxides

Номер патента: US20230295767A1. Автор: Jawad Haidar,Bilal Khan,Rajan GNANARAJAN. Владелец: Kinaltek Pty Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Composition for forming metal oxide film, patterning process, and method for forming metal oxide film

Номер патента: US20230280648A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiharu Yano,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Mesoporous metal oxides, preparation and applications thereof

Номер патента: US20170349447A1. Автор: Steven L. Suib. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2017-12-07.

Method of manufacturing semiconductor device that includes forming metal oxide film on semiconductor wafer

Номер патента: US7713884B2. Автор: Hiromi Ito,Yuuichi Kamimuta,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-05-11.

Rare earth metal&metal oxide electrode interfacing of oxide memory element in resistive random access memory cell

Номер патента: EP3221892A1. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-27.

Fixed time-delay circuit of high-speed interface

Номер патента: US11695398B2. Автор: Kai Li,Yuanjun Liang. Владелец: Shenzhen Pango Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Method of forming metal oxide metal capacitors using multi-step rapid material thermal process and a device formed thereby

Номер патента: US20020017670A1. Автор: Pradip Roy,Sailesh Merchant,Siddhartha Bhowmik,Sidhartha Sen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Layered metal oxide/amine composite material and preparation method and application thereof in magnesium ion battery

Номер патента: US20240243257A1. Автор: Fengxia Geng. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-18.

Compositions and methods for making lithium-transition metal oxide compounds including niobium

Номер патента: US20240228324A1. Автор: M. Whittingham,Fengxia XIN. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-07-11.

Metal oxide film, semiconductor device, and display device

Номер патента: US12098458B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Sintering process of metal oxide based formulations

Номер патента: WO2012140684A1. Автор: Thomas Meredith Brown,Aldo Di Carlo,Andrea REALE,Girolamo MINCUZZI. Владелец: DYEPOWER. Дата публикации: 2012-10-18.

System for optimizing power leakage and timing delay in an integrated circuit based on a cost factor of replacing cells

Номер патента: WO2017044611A1. Автор: Thomas Yu,Paras Gupta,Kelageri Nagaraj,Anil Kumar Koduru,Venkatesh Nayak,Bhanuprakash Gangula Venkatarama Reddy. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-16.

Fine metal particles and fine metal oxide particles in dry powder form, and use thereof

Номер патента: US20140178581A1. Автор: Daisuke Itoh,Masayuki Ueda,Yorishige Matsuba,Noriaki Hata. Владелец: Harima Chemical Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

A metal oxide product for manufacturing a positive electrode active material for lithium-ion rechargeable batteries

Номер патента: EP4423016A1. Автор: LIANG Zhu,Randy De Palma,Jong-Won Shin,Daniël NELIS,Kasper LAMBRIGHS. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2024-09-04.

Sintering process of metal oxide based formulations

Номер патента: EP2697810A1. Автор: Thomas Meredith Brown,Aldo Di Carlo,Andrea REALE,Girolamo MINCUZZI. Владелец: DYEPOWER. Дата публикации: 2014-02-19.

Image sensor having stacked metal oxide films as fixed charge film

Номер патента: US12080738B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Min-Ying Tsai,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20240349514A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Electrodes with improved cell reversal tolerance through functionalized and stabilized metal oxides

Номер патента: EP4218084A1. Автор: Rajesh Bashyam. Владелец: Hyzon Motors Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Metal oxide transistor, display panel and display apparatus

Номер патента: US12113133B2. Автор: Qinyuan Zhang. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Metal oxide nanoparticle dispersible in non-polar solvent, electron transport layer-forming ink composition for inkjet printing including the same, preparation method thereof, and light-emitting device and display including the same

Номер патента: US20240352268A1. Автор: Kyungnam Kim,Somang Kim,Yeseul PARK,Sungmin HA,Chunrae NAM,Dohyeong Kim,Sanghyun Sohn,Jaehong NOH,Gyucheol YOON,Deahee LEE. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Glass-based articles including a metal oxide concentration gradient

Номер патента: US12116311B2. Автор: Matthew John Dejneka,Sinue Gomez,Charlene Marie Smith,Zhongzhi Tang,Guangli Hu,Steven Alvin Tietje. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device with transistors including oxide semiconductors and capacitor elements

Номер патента: US12132057B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Crystallization process of oxide semiconductor, and method of manufacturing thin film transistor, a thin film transistor, a display panel, and an electronic device

Номер патента: US12062668B2. Автор: Soon Ho Choi,Hyo Min Kim,Chae Yeon HWANG. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2024-08-13.

Three-dimensional nanosized porous metal oxide electrode material of lithium ion battery and preparation method thereof

Номер патента: US09985273B2. Автор: Ming Zhang,Zhigang Xu,Gang Wang,Yanbing Wang,Jiangming Sun,Tiepeng Zhao,Shirong Xie. Владелец: Shanghai Zhongke Shenjiang Electric Vehicle Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Multifunctional nanostructured metal-rich metal oxides

Номер патента: US09954123B2. Автор: Andrew Wong,Jifeng Liu. Владелец: Dartmouth College. Дата публикации: 2018-04-24.

Transistor including oxide semiconductor, semiconductor device including the transistor, and electronic device including the transistor

Номер патента: US09954113B2. Автор: Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Yutaka Okazaki,Hiroaki Honda,Takuya Tsurume,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Driver circuit with oxide semiconductor layers having varying hydrogen concentrations

Номер патента: US09941310B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuji Asano,Yuki Imoto,Jun Koyama,Junichiro Sakata,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09905435B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

A kind of flow detector based on metal-oxide-semiconductor

Номер патента: CN108981831A. Автор: 侯光军. Владелец: Suzhou Tree Cloud Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

A kind of MRAM chip using hybridization metal-oxide-semiconductor

Номер патента: CN107845398A. Автор: 王志刚,戴瑾. Владелец: Shanghai Ciyu Information Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

A kind of aluminium oxide of doped metallic oxide and its preparation and application

Номер патента: CN108380170A. Автор: 黄磊,王海鹰,杨志辉,柴立元,杨卫春,唐崇俭,李青竹,刘恢,王云燕,颜旭,宋宝城. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-08-10.

A kind of bimetal-doped group vib metal oxide nano-material and preparation method and application

Номер патента: CN106477633A. Автор: 陈建峰,曾晓飞,杨晨熹. Владелец: Beijing University of Chemical Technology. Дата публикации: 2017-03-08.

A kind of resistive current of gapless metal-oxide lighting arrester inversion method and device

Номер патента: CN107167693B. Автор: 李谦,邵建康. Владелец: SHANGHAI DAFAN ELECTRICAL EQUIPMENT CO Ltd. Дата публикации: 2019-10-08.

A kind of preparation method of grade metal oxide spheres

Номер патента: CN108246276A. Автор: 晁自胜,方群,陈传盛,刘天贵. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-07-06.

A kind of LaMnO3Regulate and control Bi4Ti3O12Transition metal oxide ferroelectric thin film of band gap and preparation method thereof

Номер патента: CN110527954A. Автор: 吉高峰,曹先胜. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-12-03.

A kind of compound fluorination catalyst of metal oxide/C and its preparation method and application

Номер патента: CN109675592A. Автор: 何鑫,李义涛,肖前进,邓龙辉,孙明刚,唐火强,胡为晴,张宏清. Владелец: Ruyuan East Sunshine Fluorine Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-26.

A kind of preparation method of porous metal oxide

Номер патента: CN109970464A. Автор: 肖鹏,朱佳敏,李金伟,方华婵. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-07-05.

A kind of Cu-Ce-Zr mixed metal oxide catalysts

Номер патента: CN108607611A. Автор: 张晓东,宋亮,吕旭天,张夏璐. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-10-02.

A kind of method of stable dispersion metal oxide nanoparticles in aqueous phase

Номер патента: CN107311218A. Автор: 向勇,伍芳,黄玥,吴露,杨德江,费立勋. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-11-03.

A kind of Fe-Al-Ce ternary metal oxide method for preparing catalyst

Номер патента: CN106076348A. Автор: 王凯,马建锋. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-09.

A kind of sub-nanometer cluster transition metal oxide/MCM-41 composite material, preparation method and applications

Номер патента: CN110252384A. Автор: 杨千帆,包明,王加升. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2019-09-20.

A kind of preparation method of metal-metallic oxide nanocomposite

Номер патента: CN108031836B. Автор: 韩立,许壮,孔祥东,杨金波,丁石磊,薛明珠. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-12-03.

A kind of preparation method of poly metal oxide nano particle

Номер патента: CN109231255A. Автор: 杨建军,张建安,吴庆云,吴明元,王苗苗. Владелец: ANHUI UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-01-18.

A kind of iron sodium/molybdenum composite metal oxide catalyst and its preparation method and application

Номер патента: CN110115995A. Автор: 曾亮,巩金龙,陈赛,王显辉. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-08-13.

Heterogenous integration of complementary metal-oxide-semiconductor and MEMS sensors

Номер патента: US11845653B2. Автор: Ilker Ender Ocak,Wan Chia ANG,Piotr Kropelnicki. Владелец: Meridian Innovation Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Multi-level power supply system for a complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US20100201403A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Louis L. Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

A complementary metal-oxide-semiconductor x-ray detector

Номер патента: WO2014025967A2. Автор: David Ellis Barker,James Zhengshe Liu. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2014-02-13.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) dynamic random access memory (dram) cell with sense amplifier

Номер патента: US20140204654A1. Автор: John E. Barth, Jr.,Adis Vehabovic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Device comprising a micro-electro-mechanical system substrate with protrusions of different heights that has been integrated with a complementary metal-oxide-semiconductor substrate

Номер патента: US20190185317A1. Автор: Joseph Seeger,Jongwoo Shin,Houri Johari-Galle,Bongsang Kim,Dongyang Kang. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Method of Selecting Kind of Size of a Helmet and Shape of a Pad, Method of Adjusting Helmet Size by Using the Selection Method, and Head Size Measuring Tool Used in Aforesaid Selection Method

Номер патента: US20130158949A1. Автор: Takashi Ebisawa. Владелец: Shoei Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Kind of environment-friendly laundry beads with high stability and preparation method thereof

Номер патента: AU2023274148A1. Автор: Pingping WU,Quanwei WANG,Mingmei ZHANG. Владелец: Guangdong Youkai Technical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Metal oxide semiconductor gas sensor having nanostructure and method for manufacturing same

Номер патента: US09689785B2. Автор: Jong Kyu Kim,Sun Yong Hwang,Hyun Ah Kwon. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-06-27.

Kind of cyclone type bend pipe electrostatic spraying device

Номер патента: LU505898B1. Автор: Liang Wang,Zhipeng Han,Yanqing Ji,Xunliang Shi,Mengfei Ji. Владелец: Hebei Hengtong Pipe Fittings Group Co ltd. Дата публикации: 2024-06-24.

Kind of phycocyanin taro ball and preparation method

Номер патента: US20230329295A1. Автор: Meng Zhao,Xiaomei Wang,Xinyue Li,Zhongshan Zhang,Wenzhou XIANG,Bingquan Zhang,Zikang Ding. Владелец: Huzhou University. Дата публикации: 2023-10-19.

Blended tea brewed by using multiple kinds of tea leaves and tea blended by a tea blender

Номер патента: US20180116241A1. Автор: Yen Qi Cai,Siu Kam Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-03.

High performance chemical and bio sensors using metal oxide semiconductors

Номер патента: US20200088678A1. Автор: Yang Yang,Jonathan Yang,You Seung RIM. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-03-19.

Manufacturing method of metal oxide semiconductor material for gas sensor

Номер патента: US8529799B2. Автор: Takayuki Nakano,Takahiro Ishibashi,Daisuke Kuwahara,Tetsuji Imamura. Владелец: Hokuriku Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-10.

A Kind of Method for Making Fairy Tofu with Dried Leaves of Premna Puberula Pamp

Номер патента: AU2020101198A4. Автор: Yang Li,Mingsheng Zhang,Yanqiu Wang,Hongshen CHEN. Владелец: GUIZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-08-06.

Manufacturing method for metal oxide semiconductor material for gas sensor

Номер патента: US20120112137A1. Автор: Takayuki Nakano,Takahiro Ishibashi,Daisuke Kuwahara,Tetsuji Imamura. Владелец: Hokuriku Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-10.

A Kind of Chemostat for Microalgae

Номер патента: LU102502B1. Автор: Zheng Zheng,Jian He,Peng GU,Weizhen Zhang,Xingzhang LUO,Kaizhi Wang. Владелец: Univ Fudan. Дата публикации: 2021-08-09.

A kind of flavoring agent which can replace the attractiveness of plasma protein powder and its application

Номер патента: AU2020103641A4. Автор: Yong Zhang,Ruiyang Zhang,Fangfang Li,Dafei YIN,Yujing Zhu. Владелец: Shenyang Agricultural University. Дата публикации: 2021-02-04.

A kind of regenerative cement soil used for roadbed top

Номер патента: GB2613146A. Автор: Fengming Chu,Wentao YAO,Xinzhuang Wang Binglei Cui. Владелец: Taisheng Env Services Shandong Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-31.

Kind of outdoor furniture with a non-welded and quick-installed structure

Номер патента: US20200248852A1. Автор: DING Wang,Jian Qiang Xie. Владелец: Yotrio Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Kind of method for preparing l-citrulline by using aeromonas sp.

Номер патента: US20220112530A1. Автор: Shijin Wu. Владелец: Zhejiang University of Technology ZJUT. Дата публикации: 2022-04-14.

A kind of modified starch/quartz sand composite microsphere and its preparation method and application

Номер патента: AU2020102174A4. Автор: Hu Yang,Pei Li,Aimin Li,Boqiang Gao. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-15.

Kind of Ply Yarns and Ply Yarns Fabric

Номер патента: US20090130936A1. Автор: Weihua Ma,Yucheng Ma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-21.

A kind of oligosaccharides, their sulfates and dendrimers, and the uses of these compounds

Номер патента: EP1405855A4. Автор: Jianxin Gu,Fanzuo Kong,Jun Ning. Владелец: ShanghaiMed Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-04.

Kind of High Oil-Absorbable Resin (HOAR) Comprising of Acrylic Polymers and its Preparation Methods and Uses

Номер патента: US20120065290A1. Автор: Gang Tang,Xiangyang He,Yuee Fang. Владелец: SHANGHAI FINETAC PRECISION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

A kind of space concept where food and drink service is provided.

Номер патента: WO2021071458A3. Автор: Aziz KESGİN. Владелец: Kesgin Aziz. Дата публикации: 2021-07-29.

Kind of anti-permeability dry and wet multi-functional powder puff

Номер патента: US20200187622A1. Автор: Zhen-Guo Jin. Владелец: Guangzhou Meiyingrong Cosmetics Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Time domain multiplexing for imaging using time delay and integration sensors

Номер патента: EP2406599A1. Автор: Erik R. Kieft. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2012-01-18.

Apparatus and method for synchronizing sample stage motion with a time delay integration charge-couple device in a semiconductor inspection tool

Номер патента: US20130270444A1. Автор: Michael Wright,Pradeep Subrahmanyan,David Alles,Daniel Wack. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Apparatus and method for synchronizing sample stage motion with a time delay integration charge-couple device in a semiconductor inspection tool

Номер патента: EP2839505A1. Автор: Michael Wright,Pradeep Subrahmanyan,David Alles,Daniel Wack. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2015-02-25.

Drug-releasing compositions of metal oxide semiconductor nanomaterials and hemostatic polymers

Номер патента: US20210322566A1. Автор: Rajashekharayya A. Sanguramath,Ariel Antonio Franco. Владелец: Nsc Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Low-power, p-channel enhancement-type metal-oxide semiconductor field-effect transistor (PMOSFET) SRAM cells

Номер патента: US20060018147A1. Автор: Pramod Kolar,Hisham Massoud. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2006-01-26.

Metal-oxide semiconductor (MOS) transistor offset-cancelling (OC), zero-sensing (ZS) dead zone, current-latched sense amplifiers (SAs) (CLSAs) (OCZS-SAs) for sensing differential voltages

Номер патента: US09852783B1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Taehui Na,Byung Kyu Song. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-12-26.

A kind of gating circuit applied to single-photon detector

Номер патента: CN107024287A. Автор: 吴俊辉,沈寒冰,卜晓峰,马浩文. Владелец: CHAORUI MICROELECTRONICS Co Ltd SUZHOU. Дата публикации: 2017-08-08.

A kind of being quenched and current-limiting circuit applied to single-photon detector

Номер патента: CN107024288A. Автор: 吴俊辉,沈寒冰,卜晓峰,马浩文. Владелец: CHAORUI MICROELECTRONICS Co Ltd SUZHOU. Дата публикации: 2017-08-08.

High performance chemical and bio sensors using metal oxide semiconductors

Номер патента: US20180059051A1. Автор: Yang Yang,Jonathan Yang,You Seung RIM. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-03-01.

Sensing material for detecting hydrogen sulfide, hydrogen sulfide-sensitive layer, and metal oxide semiconductor-type gas sensor

Номер патента: US20220324721A1. Автор: Raitaro Masaoka,Tomokazu Ishikura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Time-delay integration in detection of labeled beads

Номер патента: US20090021735A1. Автор: Mark F. Oldham,Eric S. Nordman,John S. Shigeura,Richard T. Reel,Janice G. Shigeura. Владелец: Applera Corp. Дата публикации: 2009-01-22.

Gas sensor having metal-oxide semiconductor layer

Номер патента: US5250170A. Автор: Wasaburo Ohta,Shinji Yagawara. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1993-10-05.

Time-delay integration in a flow cytometry system

Номер патента: US7428047B2. Автор: Mark F. Oldham,Eric S. Nordman,John S. Shigeura,Richard T. Reel. Владелец: Applied Biosystems Inc. Дата публикации: 2008-09-23.

Multi-focal-plane scanning using time delay integration imaging

Номер патента: US20240044863A1. Автор: Christopher Bencher. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Multi-focal-plane scanning using time delay integration imaging

Номер патента: WO2024031067A1. Автор: Christopher Bencher. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-02-08.

Analyzing system for the detection of reducing and oxidizing gases in a carrier gas with a metal-oxide-semiconductor sensor arrangement

Номер патента: US20060052953A1. Автор: Xavier Sanchez,Jesus Brezmes,Raul Calavia,Xavier Correig,Eduard Llobet,Xavier Vilanova. Владелец: Sociedad Espanola de Carburos Metalicas SA. Дата публикации: 2006-03-09.

Stability region determining method for distributed power cyber-physical system with multiple time delays

Номер патента: US20220244687A1. Автор: LUO Xu,Qinglai Guo,Hongbin Sun,Wenchuan Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-08-04.

Absolute time delay generating device

Номер патента: US20100013536A1. Автор: Chen-Yi Lee,Jui-Yuan Yu,Chien-Ying Yu,Juinn-Ting Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2010-01-21.

Metal oxide gas sensor array devices, systems, and associated methods

Номер патента: EP3237896A1. Автор: Noureddine Tayebi,Pradyumna SINGH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

System and method for improving request for creating distributed group of resources based on time delay

Номер патента: RU2760243C2. Автор: Цзиньлинь ВАН,Ицян ШЭН,Ган ЧЭН,Сяочжоу Е,Хаоцзян ДЭН,Линфан ВАН. Владелец: Бэйцзин Хили Текнолоджи Ко. Лтд.. Дата публикации: 2021-11-23.

Hydrogen production from water using photocatalysts comprising metal oxides and graphene nanoparticles

Номер патента: US20160296909A1. Автор: Sandro Gambarotta,Hicham Idriss,Moussa Saleh,Ahmed Khaja WAHAB. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2016-10-13.

Timing delay characterization method, memory compiler and computer program product

Номер патента: US20150178430A1. Автор: Annie-Li-Keow Lum,Derek C. Tao,Pao-Po HOU,Shaojie Xu,Yukit TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Anomaly detection and diagnosis in factory automation system using pre-processed time-delay neural network with loss function adaptation

Номер патента: EP4396639A1. Автор: Kieran Parsons,Ye Wang,Kyeong Jin Kim,Philip Orlik,Jianlin Guo,Toshiaki Akino,Bryan LIU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Timing delay characterization method, memory compiler and computer program product

Номер патента: US20140282318A1. Автор: Annie-Li-Keow Lum,Derek C. Tao,Pao-Po HOU,Shaojie Xu,Yukit TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Electronic time delay fuse

Номер патента: CA3118035A1. Автор: Liam Mcnelis,Eric Mulhern,Andreas Robert Zemla,Frank Haron Preiss,Sascha Thieltges,Frank Graziola. Владелец: DynaEnergetics GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-05-14.

Method and apparatus for selection of an internal or external time delay

Номер патента: US7532051B2. Автор: Fomin Uladzimir. Владелец: Neotec Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Method of producing powder of simple or complex metal oxide

Номер патента: RU2723166C1. Автор: Виктор Дмитриевич Журавлев,Лариса Валерьевна Ермакова,Шамиль Минулович Халиуллин,Татьяна Александровна Патрушева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2020-06-09.

Mixed metal oxide oxidation catalysts and oxidative ammonolysis of propane and isobutane and method of obtaining them

Номер патента: RU2356627C2. Автор: Клаус Ж. ЛАГМЭР,Джессика ЗИСК,Роберт К. ГРАССЕЛЛИ. Владелец: ИНЕОС ЮЭсЭй ЛЛК. Дата публикации: 2009-05-27.

Device to initiate electric loads, method of initiation of electric loads after expiry of time delays set in advance and remote electric device to delay initiation of electric load

Номер патента: RU2077699C1. Автор: Джон Камилле Марш Майкл,Катерол Аткинс Раймонд,Мередит Ходсон Тревор. Владелец: Си-Эс-Ай-Ар. Дата публикации: 1997-04-20.

Electro-chemical reduction of metal oxides

Номер патента: RU2347015C2. Автор: Эндрю Артур ШУК,Грегори Дэвид РИГБИ,Иван РАТЧЕВ. Владелец: Би Эйч Пи БИЛЛИТОН ИННОВЕЙШН ПТИ ЛТД.. Дата публикации: 2009-02-20.

Metal oxides and/or their hydrates for the stabilization of aqueous preparation against growth of microorganisms

Номер патента: RU2744384C2. Автор: Анита ЦУМСТЕГ,Симон УРВИЛЕР,Йоахим ГЛАУБИЦ. Владелец: Омиа Интернэшнл Аг. Дата публикации: 2021-03-09.

Metal oxide in form of particles

Номер патента: RU2271993C2. Автор: Грэхам Пол ДРЭНСФИЛД,Сьюзн КАТТЕР,Филип Лоренс ЛИТ. Владелец: Империал Кемикал Индастриз ПЛС. Дата публикации: 2006-03-20.

Gas detection device and gas detection method using metal-oxide semiconductor gas sensor

Номер патента: US11698356B2. Автор: Kuniyuki IZAWA. Владелец: Figaro Engineering Inc. Дата публикации: 2023-07-11.

Signal processing system and method for radiation detector based on metal oxide semiconductor (mos) transistor

Номер патента: EP4332637A1. Автор: Qiang Liu,Sheng Wu,Zhenhua LIN,Yongjie Wang,Ming Cui,Jinhan WANG,Kunliang YAO,Yudong Luo,Jianzheng GAO. Владелец: Harbin Engineering University Yantai Research Institute. Дата публикации: 2024-03-06.

Signal processing system and method for radiation detector based on metal oxide semiconductor (mos) transistor

Номер патента: US20240077626A1. Автор: Qiang Liu,Sheng Wu,Zhenhua LIN,Yongjie Wang,Ming Cui,Jinhan WANG,Kunliang YAO,Yudong Luo,Jianzheng GAO. Владелец: Harbin Engineering University Yantai Research Institute. Дата публикации: 2024-03-07.

Metal oxide semiconductor gas sensor

Номер патента: US20240159700A1. Автор: Raitaro Masaoka,Kazutaka Fujita,Tomokazu Ishikura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Dynamically adjusting reconciliation time-delays

Номер патента: US20220019460A1. Автор: Aiden Keating. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Water heater with mix tank fluid time delay for causal feedforward control of hot water temperature

Номер патента: US20200200399A1. Автор: Mark Daniels,Adrian VOICU. Владелец: Aerco International Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Water heater with mix tank fluid time delay for causal feedforward control of hot water temperature

Номер патента: USRE49883E1. Автор: Mark Daniels,Adrian VOICU. Владелец: Watts Regulator Co. Дата публикации: 2024-03-26.

A unified approach to modelling and control of time-delay systems

Номер патента: AU2020104119A4. Автор: Rahul Gupta,Mukesh Kumar,Manjeet Singh,Souvik Ganguli,Nirav Karelia,Arashdeep SINGH,Vipin Chandra Pal,AnshuMli Gaur,Rajat Joshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-04.

Chemiluminescent device with time delay activation

Номер патента: US20120177534A1. Автор: Reuven Ruby Schmerling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Method and apparatus for estimating time delay of GPS receiver in hybrid navigation system

Номер патента: US7124026B2. Автор: Hyun-Su Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-17.

Adjustable time delay for fire suppression system

Номер патента: EP1922116A1. Автор: Peter Karalis,Richard Lawrence Lupien. Владелец: Kidde Fenwal Inc. Дата публикации: 2008-05-21.

Method and device for radar target feature recognition based on optical time-delay fast interferometric scanning

Номер патента: US20240241244A1. Автор: Jie Li,Xiaofeng Jin,Xiaohuan SUN,Bing Wei,Yafeng Zhu,Yinfang XIE. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-07-18.

Metal oxide nanorod arrays on monolithic substrates

Номер патента: US09855549B2. Автор: ZHENG Ren,Pu-Xian Gao,Yanbing GUO. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2018-01-02.

Spiral exhibition hanger having time delay mechanism and capable of allowing commodities to be placed on or taken down

Номер патента: US09675184B2. Автор: HONG Xin. Владелец: Hangzhou Langhong Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Medical injection device with time delay indicator

Номер патента: RU2508922C2. Автор: Андре ЛАРСЕН,Оле Кристиан НИЛЬСЕН,Салим БОУАЙДАТ,Ян ПРОЙТУН. Владелец: Ново Нордиск А/С. Дата публикации: 2014-03-10.

Powder of metal oxide, powder of titanium oxide, method of producing metal oxide powder

Номер патента: RU2127221C1. Автор: Мохри Масахиде,Койке Хиронобу,Умеда Тецу,Танака Синитиро,Ватанабе Хисаси,Саегуса Кунио,Хасегава Акира. Владелец: Сумитомо Кемикал Компани Лимитед. Дата публикации: 1999-03-10.

Method of obtaining particles of doped metal oxides

Номер патента: RU2404119C2. Автор: Кай ШУМАХЕР,Хельмут РОТ,Райнер ГОЛЬХЕРТ,Харальд АЛЬФ,Андрее-Маттиас РОХНИА,Кай ШУМАХЕР (DE),Хельмут РОТ (DE),Райнер ГОЛЬХЕРТ (DE),Харальд АЛЬФ (DE),Андрее-Маттиас РОХНИА (DE). Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2010-11-20.

Improved ammoxidation catalysts based on mixed metal oxides

Номер патента: RU2561084C2. Автор: Роберт А. ГУСТАФЕРРО,Марк А. ТОФТ,Чарльз Дж. БЕСЕКЕР,Майкл Дж. СИЛИ,Джеймс Ф. БРАЗДИЛ. Владелец: ИНЕОС ЮЭсЭй ЭлЭлСи. Дата публикации: 2015-08-20.

Metal oxide electrode for potentiometric measurements and method of its production

Номер патента: RU2691661C1. Автор: Владимир Сергеевич Руднев,Марина Сергеевна Васильева,Наталья Евгеньевна Забудская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН). Дата публикации: 2019-06-17.

Mixed oxide powder containing alkali metal oxide, and silicon rubber containing said powder

Номер патента: RU2395449C2. Автор: Кай ШУМАХЕР,Хельмут РОТ,Райнер ГОЛЬХЕРТ,Хельмут МАНГОЛЬД,Марио ШОЛЬЦ,Кай ШУМАХЕР (DE),Хельмут РОТ (DE),Райнер ГОЛЬХЕРТ (DE),Хельмут МАНГОЛЬД (DE),Марио ШОЛЬЦ (DE). Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2010-07-27.

Synthesis of nanoparticles of composite metal oxides in supercritical water

Номер патента: RU2438982C2. Автор: Владимир Ильич Аникеев. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of preparing mixed metal oxide catalysts for oxidative ammonolysis and/or oxidation of lower alkanes

Номер патента: RU2495720C2. Автор: Бхагья Чандра СУТРАДХАР,Джеймс Ф. БРЭЗДИЛ,Марк А. ТОФТ,Чарльз Дж. БЕСЕКЕР,Майкл Дж. СИЛИ,Муин С. ХАДДАД,Кристос ПАРАРИЗОС. Владелец: ИНЕОС ЮЭсЭй ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-10-20.

Method and device for continuous production of metal oxide catalyst

Номер патента: RU2477653C2. Автор: Йон ЯН,Баошан ВУ,Йонван ЛИ,Хонвэй СЯН,Цзян СЮ. Владелец: Синфьюэлс Чайна Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2013-03-20.

Time delay perforating apparatus

Номер патента: US5078210A. Автор: Kevin R. George. Владелец: Halliburton Co. Дата публикации: 1992-01-07.

Methods of genetic analysis involving the amplification of complementary duplicons

Номер патента: CA2597947C. Автор: Roger Letts Dawkins,John Anthony Millman,Joseph Frederick Williamson. Владелец: Genetic Technologies Ltd. Дата публикации: 2014-05-13.

Multiple time delay power controller apparatus with time delay turn-on and turn-off

Номер патента: CA1303718C. Автор: John D. Pequet,Michael B. Pulizzi,Roger Cook. Владелец: Pulizzi Engineering Inc. Дата публикации: 1992-06-16.

Kind of optical lens and a kind of miner's helmet lamp

Номер патента: US20150043222A1. Автор: Jinbo Jiang,Wenda Jiang. Владелец: Huizhou Light Engine Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Anomaly detection and diagnosis in factory automation system using pre-processed time-delay neural network with loss function adaptation

Номер патента: WO2023032364A1. Автор: Kieran Parsons,Ye Wang,Kyeong Jin Kim,Philip Orlik,Jianlin Guo,Toshiaki Akino,Bryan LIU. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2023-03-09.

Stability region determining method for distributed power cyber-physical system with multiple time delays

Номер патента: US11513485B2. Автор: LUO Xu,Qinglai Guo,Hongbin Sun,Wenchuan Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-29.

Anomaly detection and diagnosis in factory automation system using pre-processed time-delay neural network with loss function adaptation

Номер патента: US12007760B2. Автор: Toshiaki Koike Akino,Kieran Parsons,Ye Wang,Kyeong Jin Kim,Philip Orlik,Jianlin Guo,Bryan LIU. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Process for the Production of Metal Oxides

Номер патента: US20210261427A1. Автор: Ethan NOVEK. Владелец: Innovator Energy LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

Metal oxide powder, and method for producing same

Номер патента: US20240182318A1. Автор: Koji Miyazaki,Takaaki Minamikawa,Hiroyuki Shiotsuki. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Nanostructure material with metallic oxide and method for detecting phosphorus-containing compounds

Номер патента: US7935535B2. Автор: Hong-Ping Lin,Shaw-Yi Yen,Shou-Nan Li,Bo-Jui Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-05-03.

Method of forming metal oxide nanostructures on a TiN-buffered-substrate

Номер патента: US11976365B1. Автор: Faheem Ahmed,Nagih Mohammed Shaalan,Shalendra Kumar,Thamraa Alshahrani,Nishat Arshi,Ghazzai Almutairi,P. M. Z. Hasan,Naushad Ahmad,Afzal Hussain. Владелец: King Faisal University SA. Дата публикации: 2024-05-07.

Metal Oxide-Stabilized Zirconium Oxide Ceramic Materials

Номер патента: US20170190643A1. Автор: Matthew Purcell,Wayne Turbeville,Wenqin SHEN,Karen LIBBY,Franz PETZOLD,Marc K. BORN. Владелец: Clariant Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Metal oxide-stabilized zirconium oxide ceramic materials

Номер патента: EP3137434A1. Автор: Matthew Purcell,Wayne Turbeville,Wenqin SHEN,Karen LIBBY,Marc BORN,Franz PETZOLD. Владелец: Clariant Corp. Дата публикации: 2017-03-08.

Metal oxide-stabilized zirconium oxide ceramic materials

Номер патента: WO2015167978A1. Автор: Matthew Purcell,Wayne Turbeville,Wenqin SHEN,Karen LIBBY,Marc BORN,Franz PETZOLD. Владелец: CLARIANT CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-05.

Supported two-component metal oxide catalyst for advanced treatment of petrochemical wastewater and method for preparing same

Номер патента: US11666892B2. Автор: Yuexi Zhou,Changyong Wu,Liya FU. Владелец: CHINESE RESEARCH ACADEMY OF ENVIRONMENTAL SCIENCES. Дата публикации: 2023-06-06.

Metal oxide material reduction means

Номер патента: CA3211225A1. Автор: Ola Eriksson,Daniel MARJAVAARA,Björn Åström,Örjan Fjällborg. Владелец: Luossavaara Kiirunavaara AB LKAB. Дата публикации: 2022-08-25.

Method for preparing particulate metal oxide materials

Номер патента: US20230278931A1. Автор: John Hryn,Yuepeng Zhang,Gregory K. Krumdick,Jungkuk LEE. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Bifunctional metal oxides and paraffin isomerization therewith

Номер патента: WO2022265891A1. Автор: Jihad M. Dakka,Scott J. WEIGEL,Wesley SATTLER,Brandon M. Carcuffe,Megan E. Witzke,Ryan S. DUGAN. Владелец: ExxonMobil Technology and Engineering Company. Дата публикации: 2022-12-22.

Time delay control and system embodying same

Номер патента: US4844798A. Автор: Robert J. Fox. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-07-04.

Antimicrobial material comprising synergistic combinations of metal oxides

Номер патента: US20210251235A1. Автор: Mechael KANOVSKY. Владелец: ARGAMAN TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2021-08-19.

Reduction of carbon monoxide and nitric oxide in smoking articles using nanoscale particles and/or clusters of nitrided transition metal oxides

Номер патента: WO2005039327A2. Автор: B.V. Reddy,F. Rasouli. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS S.A.. Дата публикации: 2005-05-06.

Method of manufacturing complex metal oxide powder and amorphous complex metal oxide

Номер патента: US20080003161A1. Автор: Takeshi Kijima,Setsuya Iwashita,Toshihiko Kaneda,Satoshi Kimura,Hidemichi Furihata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Circuit arrangement and method for an electronic system for time-delayed outputting of a switching signal

Номер патента: US20030174006A1. Автор: Herbert Haller,Harald Schurz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2003-09-18.

Circuit arrangement and method for an electronic system for time-delayed outputting of a switching signal

Номер патента: US6784713B2. Автор: Herbert Haller,Harald Schurz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2004-08-31.

Chiral nematic nanocrystalline metal oxides

Номер патента: EP2763938A1. Автор: Wadood Yasser Hamad,Mark John Maclachlan,Kevin Eric Shopsowitz. Владелец: FPINNOVATIONS. Дата публикации: 2014-08-13.

Methods of producing metal oxides, a method of producing adsorption media including the same, and a precursor of an active component including the metal oxide

Номер патента: WO2011115742A1. Автор: Nicholas R. Mann,Troy Tranter. Владелец: BATTELLE ENERGY ALLIANCE, LLC. Дата публикации: 2011-09-22.

Transparent substrate with metal oxide layers and method for producing same

Номер патента: EP4439132A1. Автор: Tetsuro Inokuchi,Akihiko Niino. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Transparent substrate with metal oxide layers and method for producing same

Номер патента: US20240329279A1. Автор: Tetsuro Inokuchi,Akihiko Niino. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Graft polymerized metal oxide compositions and methods

Номер патента: WO1999006458A1. Автор: Charles E. Seeney,Tanna K. Watson. Владелец: Kerr-Mcgee Chemical, L.L.C.. Дата публикации: 1999-02-11.

Method for determining and eliminating time delay between radio frequency pulse and layer selection gradient in a magnetic resonance device

Номер патента: US20200341086A1. Автор: De He Weng. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for determining and eliminating time delay between radio frequency pulse and layer selection gradient in a magnetic resonance device

Номер патента: US11280864B2. Автор: De He Weng. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2022-03-22.

Mesoporous metal oxides and processes for preparation thereof

Номер патента: US09908103B2. Автор: Steven L. Suib,Altug Suleyman POYRAZ. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2018-03-06.

Forming white metal oxide films by oxide structure modification or subsurface cracking

Номер патента: US09839974B2. Автор: Peter N. Russell-Clarke,Masashige Tatebe,Michael S. Nashner,Daniel T. McDonald. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Systems and methods for locking device management including time delay policies using random time delays

Номер патента: US09747737B2. Автор: Adam Kuenzi. Владелец: UTC Fire and Security Americas Corp Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Time delayed secondary retention mechanism for safety joint in a wellbore

Номер патента: US09745836B2. Автор: Paul David Ringgenberg,Reid Elliott Zevenbergen,Russell S. Haake. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing layered metal oxide particles and layered metal oxide particles formed thereof

Номер патента: US09738986B2. Автор: ZHONG Chen,Yuxin Tang,Zhili Dong. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-22.

Metal oxide catalyst for selective catalytic reduction

Номер патента: US20240375086A1. Автор: Yuejin Li,Dengsong ZHANG,Hongrui LI,Penglu WANG,Shau Lin CHEN. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

HIGH-STRENGTH COLD-ROLLED STEEL SHEET WITH THE ULTIMATE TENSILE STRENGTH OF 780 MPa OR MORE HAVING THE EXCELLENT LOCAL DEFORMABILITY AND TIME-DELAYED RISE OF THE HARDNESS OF THE WELDING POINT

Номер патента: RU2312163C2. Автор: Рики ОКАМОТО,Коити ГОТО,Хироказу ТАНИГУТИ. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2007-12-10.

Procedure for control of refrigerator and refrigerator with time delay of compressor turning on

Номер патента: RU2432532C2. Автор: Ханс ИЛЕ,Томас ГУФФЛЕР,Георг ХАУСМАНН. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2011-10-27.

Plasma synthesis of nanopowdered metal oxide and related device

Номер патента: RU2351535C2. Автор: Махер И. БОУЛОС,Ежи В. ЮРЕВИЧ,Кристин А. Абдель Мессих НЕССИМ. Владелец: Текна Плазма Системз Инк.. Дата публикации: 2009-04-10.

Method of determining time-delayed changes of physical values depending on temperature or mechanical stress for glass or glass-ceramic

Номер патента: RU2593917C1. Автор: Ральф ЕДАМЦИК,Клеменс КУНИШ,Торальф ЙОХАНССОН. Владелец: Шотт АГ. Дата публикации: 2016-08-10.

Solid metal hydroxide solution, solid metal oxide solution, and method of preparation thereof

Номер патента: RU2196105C2. Автор: Хирофуми Курису,Рюйчи Ишибаши,Тошиказу Кодани,Мареши Такегаки. Владелец: Татехо Кемикал Индастриз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2003-01-10.

Method of producing water self-dispersed metal oxide and hydroxide powder, powder and aqueous dispersion thus obtained, use thereof

Номер патента: RU2447108C2. Автор: Жан МОРО,Жан-Марк СЮО,Ив КЕНЗИХЕР. Владелец: Коатекс С.А.С.. Дата публикации: 2012-04-10.

Magnetic metal oxide coated polymer nanoparticles and use thereof

Номер патента: RU2472530C2. Автор: Шломо МАРДЖЕЛ,Бенни ПЕРЛШТЕЙН,Чая БРОУДИ,Том Миккелсен. Владелец: Генри Форд Хоспитал. Дата публикации: 2013-01-20.

Method of obtaining metal oxide-containing layers

Номер патента: RU2553151C2. Автор: Юрген ШТАЙГЕР,Хайко ТИМ,Арне ХОППЕ,Алексей Андреевич МЕРКУЛОВ,Дуи Ву ПХАМ. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2015-06-10.

Method of metals and alloy production by way of metal oxides carbo-thermal recovery

Номер патента: RU2458150C2. Автор: Виктор БЛЭК,Гари БЕРНС,Роберт ХЕРБЕРТ,Сефа ЙИЛМАЗ. Владелец: Дау Корнинг Корпорейшн. Дата публикации: 2012-08-10.

Method of producing composite materials as polymer matrices filled with nanoparticles of metal oxides with modified surface

Номер патента: RU2638658C2. Автор: Никита Александрович Емельянов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Малое Инновационное Предприятие "Междисциплинарный Нанотехнологический Центр". Дата публикации: 2017-12-15.

Methods and apparatuses for electronic time delay and systems including same

Номер патента: US8002026B2. Автор: John A. Arrell, Jr.,Ronald S. Borja,William J. Slade,Francois X. Prinz. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2011-08-23.

Hybrid architecture for integrated optic switchable time delay lines and method of fabricating same

Номер патента: US5701372A. Автор: Gregory A. Magel,Robert M. Boysel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-12-23.

Detection of and responses to time delays in networked control systems

Номер патента: US9946231B2. Автор: Mohamed Abdelghani,Arman SARGOLZAEI,Kang K. YEN. Владелец: Florida International University FIU. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods and apparatuses for electronic time delay and systems including same

Номер патента: CA2667377C. Автор: John A. Arrell, Jr.,Ronald S. Borja,William J. Slade,Francois X. Prinz. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2014-04-01.

Molecular detection methods using molecular detection chips including a metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20080093229A1. Автор: Sun-Hee Kim,Yoon-kyoung Cho,Geun-bae Lim,Chin-Sung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Time delay relay

Номер патента: CA1326404C. Автор: Anthony John Rowe. Владелец: Aeci Ltd. Дата публикации: 1994-01-25.

Time delay latch device

Номер патента: US6536347B1. Автор: Alexey T. Zacharin. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2003-03-25.

Query enhancement system and method for constructing elastic field based on time delay

Номер патента: US11386103B2. Автор: Jinlin Wang,Gang Cheng,Lingfang Wang,Haojiang Deng,Xiaozhou Ye,Yiqiang SHENG. Владелец: Institute of Acoustics CAS. Дата публикации: 2022-07-12.

Methods and apparatuses for electronic time delay and systems including same

Номер патента: US7789153B2. Автор: John A. Arrell, Jr.,Ronald S. Borja,William J. Slade,Francois X. Prinz. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2010-09-07.

Metal oxide microparticles, method for producing same, dispersion for forming infrared-shielding film, method for producing same, method for forming infrared-shielding film, and base material having infrared-shielding film

Номер патента: US11796725B2. Автор: Satoko Higano,Miho Shoji. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Chemiluminescent device with time delay activation

Номер патента: WO2012079062A1. Автор: Reuven Schmerling. Владелец: Reuven Schmerling. Дата публикации: 2012-06-14.

Metal oxide microparticles, method for producing same, dispersion for forming infrared-shielding film, method for producing same, method for forming infrared-shielding film, and base material having infrared-shielding film

Номер патента: EP3770119A1. Автор: Satoko Higano,Miho Shoji. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-01-27.

Metal oxide microparticles, method for producing same, dispersion for forming infrared-shielding film, method for producing same, method for producing same, method for forming infrared-shielding film, and base material having infrared-shielding film

Номер патента: US20210191016A1. Автор: Satoko Higano,Miho Shoji. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Methods for processing fumed metallic oxides

Номер патента: SG11201809665YA. Автор: Michele Louisa Ostraat. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2018-11-29.

High temperature layered mixed-metal oxide materials with enhanced stability

Номер патента: SG11201807929TA. Автор: John Adrian Hall,Andrew Whiting,Hugh Christopher Greenwell,Manohara Gudiyor Veerabhadrappa,Gasan Selman Alabedi. Владелец: Univ Durham. Дата публикации: 2018-10-30.

Capacitive Igniter with a Flameout Time-delay Function

Номер патента: US20150316018A1. Автор: Lin He,Minghong Zhang. Владелец: CHONGQING LIHUA TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Networked control system time-delay compensation method based on predictive control

Номер патента: US20210149349A9. Автор: Zhong Wang,Xinchao Liu,Jingbo Zhao,Bingxin XUE,Jingxuhui ZHU,Tengfei QIU. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-05-20.

A method for co-producing monophenols and cellulose by catalytic oxidation of biomass over a transition metal oxide

Номер патента: EP3831801A1. Автор: Jing Liu,Qi Zhang,Wei Lv,Longlong Ma,Yuting ZHU,Chenguang Wang. Владелец: Guangzhou Institute of Energy Conversion of CAS. Дата публикации: 2021-06-09.

Catalysator element comprised of a mixed metal oxide hydrotalcite-like compound

Номер патента: US20200164347A1. Автор: Eric GENTY,Dulgheru PETRICA,Thiery VISART DE BOCARME. Владелец: BOSAL EMISSION CONTROL SYSTEMS NV. Дата публикации: 2020-05-28.

Catalysator element comprised of a mixed metal oxide hydrotalcite-like compound

Номер патента: EP3651901A1. Автор: Eric GENTY,Dulgheru PETRICA,Thiery VISART DE BOCARME. Владелец: BOSAL EMISSION CONTROL SYSTEMS NV. Дата публикации: 2020-05-20.

Catalysator element comprised of a mixed metal oxide hydrotalcite-like compound

Номер патента: US11173474B2. Автор: Eric GENTY,Dulgheru PETRICA,Thiery VISART DE BOCARME. Владелец: BOSAL EMISSION CONTROL SYSTEMS NV. Дата публикации: 2021-11-16.

Catalysator element comprised of a mixed metal oxide hydrotalcite-like compound

Номер патента: WO2019011782A1. Автор: Eric GENTY,Dulgheru PETRICA,Thiery VISART DE BOCARME. Владелец: BOSAL EMISSION CONTROL SYSTEMS NV. Дата публикации: 2019-01-17.

Metal oxide based soil conditioner

Номер патента: EP3442339A1. Автор: Pallabi Das,Sanjay PRATIHAR,Satya Sundar BHATTACHARYA,Kasturi SARMAH. Владелец: Tezpur University. Дата публикации: 2019-02-20.

Electrophoretic core-shell particles having an organic pigment core and a shell with a thin metal oxide layer and a silane layer

Номер патента: US12025901B2. Автор: Jay William Anseth,Craig Alan BREEN,Brandon Macdonald. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Rare-earth doped metal oxide ceramic waveguide quantum memories and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11958780B2. Автор: Haitao Zhang,Jun Yang,Sean Matthew Garner,Bruce Gardiner Aitken,Daniel Aloysius Nolan,Thomas Dale Ketcham. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of fabricating metal oxide nanomaterials using a thermally decomposable solid substrate

Номер патента: US11827525B1. Автор: Babiker Yagoub Elhadi Abdulkhair,Mohamed Rahamtalla Elamin. Владелец: Imam Mohammad Ibn Saud Islamic University. Дата публикации: 2023-11-28.

Methods for producing C2 to C5 paraffins using a hybrid catalyst comprising gallium metal oxide

Номер патента: US12030036B2. Автор: Andrzej Malek,Joseph F. DEWILDE,Vera P. SANTOS CASTRO,Alexey KIRILIN,Adam Chojecki,Glenn POLLEFEYT,Kyle C. ANDREWS,David F. YANCEY,Davy L. S. Nieskens. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Formulation for the preparation of optical metal oxide layers

Номер патента: WO2024141329A1. Автор: Henning SEIM,Amir Holtzman,Nina LIDICH,Hagai Arbell,Oleg CHASHCHIKHIN,Andreas BERKEFELD,Ira WEINSTOCK,Nitai LEFFLER,Roy SCHREIBER. Владелец: B.G. NEGEV TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS LTD.. Дата публикации: 2024-07-04.

Номер патента: AU2023208717A1. Автор: Heinz Herbst,Michele Gerster,Lili Liu,Liangliang Qu,Rupa Hiremath Darji,Keith TASK,Michael David BURKE,Toan Van Pho,Carmen A. HENDRICKS-GUY,Edward MALITS. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-07-25.

Electrophoretic core-shell particles having an organic pigment core and a shell with a thin metal oxide layer and a silane layer

Номер патента: WO2021158381A1. Автор: Jay William Anseth,Craig Alan BREEN,Brandon Macdonald. Владелец: E INK CORPORATION. Дата публикации: 2021-08-12.

Organically modified metal oxide nanoparticles, organically modified metal oxide nanoparticles-containing solution, organically modified metal oxide nanoparticles-containing resist composition, and resist pattern forming method

Номер патента: US11747724B2. Автор: Daisuke Kawana,Masatoshi Arai,Yoshitaka Komuro,Takaya Maehashi,Sho Kataoka,Takatoshi INARI,Kiwamu Sue,Yusuke YOSHIGOE. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Electrophoretic core-shell particles having an organic pigment core and a shell with a thin metal oxide layer and a silane layer

Номер патента: US20240272510A1. Автор: Jay William Anseth,Craig Alan BREEN,Brandon Macdonald. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Composition containing spinel-type metal oxides

Номер патента: US20240262986A1. Автор: Ahmed A. AL-GHAMDI,Nikolay Todorov DISHOVSKY,Petrunka Atanasova MALINOVA,Abdullah G. Al-Sehemi,Nikolay Todorov Atanasov,Gabriela Lachezarova Atanasova,Irena Kirilova MIHAYLOVA. Владелец: Research Center For Advanced Materials Science King Khalid University Kku. Дата публикации: 2024-08-08.

Номер патента: WO2023141089A9. Автор: Heinz Herbst,Michele Gerster,Lili Liu,Liangliang Qu,Rupa Hiremath Darji,Keith TASK,Michael David BURKE,Toan Van Pho,Carmen A. HENDRICKS-GUY,Edward MALITS. Владелец: BASF CORPORATION. Дата публикации: 2024-07-25.

Method, electronic module and computer program product for detecting time delayed relationship between a first and at least a second sensor data stream of measurements

Номер патента: WO2018141410A1. Автор: Jonathan Christoph Boidol,Andreas Hapfelmeier. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2018-08-09.

Method for the preparation of metal oxide hollow nanoparticles

Номер патента: EP3368206A1. Автор: Liberato Manna,Massimo Colombo,Chunzheng WU. Владелец: Universita Degli Studi Di Genova. Дата публикации: 2018-09-05.

A novel metal oxide-polymer nano composite for ammonia sensing at temperatures below ambient including sub-zero temperatures

Номер патента: WO2022208540A1. Автор: Swastik MONDAL,Nirman CHAKRABORTY. Владелец: COUNCIL OF SCIENTIFIC AND INDUSTRIAL RESEARCH. Дата публикации: 2022-10-06.

Rare earth metal oxide coatings prepared with rare earth metal nitrate or acetate solutions for improving high temperature oxidation and corrosion of stainless steels

Номер патента: US11326260B1. Автор: Frederick Alan Myers,Amanda R. GLASS,Zhuangfei Zhou. Владелец: Cleveland Cliffs Steel Properties Inc. Дата публикации: 2022-05-10.

Methods of Forming a Metal Material from a Metal Oxide Material by Electrochemical Reduction and Related Systems and Articles

Номер патента: US20240337037A1. Автор: Prabhat K. TRIPATHY. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2024-10-10.

Номер патента: RU2580072C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Павел Викторович Степанов. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Device for protection against static electricity discharges of power leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on silicon wafers with n-type conductivity

Номер патента: RU2585882C2. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2016-06-10.

Memory cell for complementary metal-oxide-semiconductor ram structure

Номер патента: RU2580071C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук"(ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Method for diagnostics of kind of aero-elastic vibrations of working blades of axial turbo-machine

Номер патента: RU2402751C1. Автор: Анатолий Алексеевич Хориков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный институт авиационного моторостроения имени П.И. Баранова". Дата публикации: 2010-10-27.

Device for protecting leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on sos (silicon-on-sapphire) and soi (silicon-on-insulator) structures from static electric discharges

Номер патента: RU2467431C1. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов,Николай Иванович Плис. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2012-11-20.

Номер патента: RU2541894C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН). Дата публикации: 2015-02-20.

New or Improved Process of Manufacturing an Enamel, applicable to all kinds of Bricks and other Articles made of Clay.

Номер патента: GB189915804A. Автор: Edouard Pierre Corneil Willems. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-10-14.

Transistor with metal-oxide-semiconductor structure on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: RU2477904C1. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков,Андрей Александрович Глушко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН). Дата публикации: 2013-03-20.

Method of complementary-phase control of reversible valve converter

Номер патента: RU2414801C1. Автор: Сергей Николаевич Сидоров,Дмитрий Сергеевич Миронов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2011-03-20.

Recirculation method to measure time delay of signal propagation from digital integrated microcircuit chips

Номер патента: RU2545362C1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-03-27.

Monolayers of organic compounds on metal oxide surfaces or metal surfaces containing oxide and component produced therewith based on organic electronics

Номер патента: US20120003485A1. Автор: Hayden Oliver,Schmid Gunter,Halik Marcus,Habich Dana Berlinde. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.