Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

背照式cmos影像传感器

Номер патента: CN102779826A
Опубликовано: 14-11-2012
Автор(ы): 叶菁, 费孝爱
Принадлежит: Omnivision Technologies Shanghai Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Backside illuminated image sensor structure

Номер патента: US09620550B2. Автор: Chien-Chung Chen,Chun-Yuan Hsu,Hung-Chang Chang,Yung-Hsieh LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Mechanisms for forming backside illuminated image sensor structure

Номер патента: US20150162365A1. Автор: Chien-Chung Chen,Chun-Yuan Hsu,Hung-Chang Chang,Yung-Hsieh LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09806123B2. Автор: Hiroyuki Sekine,Kazushige Takechi,Fuminori Tamura,Toru Ukita,Takayuki Ishino. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9401382B2. Автор: Hiroyuki Sekine,Kazushige Takechi,Fuminori Tamura,Toru Ukita,Takayuki Ishino. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Backside depletion for backside illuminated image sensors

Номер патента: US8436443B2. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Han-Chi Liu,Ching-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Backside depletion for backside illuminated image sensors

Номер патента: US20080224247A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Han-Chi Liu,Ching-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Solid-state image sensor and imaging system

Номер патента: RU2466478C1. Автор: Тадаси САВАЯМА,Тадаси САВАЯМА (JP). Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2012-11-10.

Backside illuminated avalanche photodiode and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132131B2. Автор: Sang Hwan Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-29.

Backside-illuminated photodetector structure and method of making the same

Номер патента: US10361323B2. Автор: Wan-Yu Lee,Ying-hao Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

Backside-Illuminated Photodetector Structure and Method of Making the Same

Номер патента: US20180145191A1. Автор: Wan-Yu Lee,Ying-hao Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Backside-illuminated photodetector structure and method of making the same

Номер патента: US09876127B2. Автор: Wan-Yu Lee,Ying-hao Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Low dark current backside illumination sensor

Номер патента: US20190198554A1. Автор: Takashi Ando,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Backside-Illuminated Photodetector Structure and Method of Making the Same

Номер патента: US20190341508A1. Автор: Wan-Yu Lee,Ying-hao Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Cmos depth image sensor with integrated shallow trench isolation structures

Номер патента: EP3254311A1. Автор: Onur Can Akkaya,Cyrus Bamji,Swati Mehta,Tamer Elkhatib. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-12-13.

Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190333947A1. Автор: Chang Hun Han,Sang Won Yun. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Method of forming backside illuminated image sensor device with shielding layer

Номер патента: US11810939B2. Автор: Zen-Fong Huang,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Chia-Yu WEI,Su-Hua CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Backside illuminator image sensor device with shielding layer

Номер патента: US20150123225A1. Автор: Zen-Fong Huang,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Chia-Yu WEI,Su-Hua CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Encapsulation of backside illumination photosensitive device

Номер патента: US20140291790A1. Автор: Cheng-Ta Ko,Ming-Ji Dai,Zhi-Cheng Hsiao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-10-02.

Backside illuminated image sensor device with shielding layer and forming method

Номер патента: US20240021651A1. Автор: Zen-Fong Huang,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Chia-Yu WEI,Su-Hua CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

CMOS image sensors including vertical transistor

Номер патента: US09806113B2. Автор: Kyung-Ho Lee,Hee-Geun Jeong,Jung-Chak Ahn,Young-Sun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

CMOS image sensors including vertical transistor

Номер патента: US09647016B2. Автор: Kyung-Ho Lee,Hee-Geun Jeong,Jung-Chak Ahn,Young-Sun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Image sensor device and method

Номер патента: US09722109B2. Автор: Bruce C. S. CHOU,Jung-Kuo Tu,Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Kuo-Chin Huang,Tzu-Jui WANG,Cheng-chieh Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Image sensor device and method

Номер патента: US10510912B2. Автор: Bruce C. S. CHOU,Jung-Kuo Tu,Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Kuo-Chin Huang,Tzu-Jui WANG,Cheng-chieh Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Semiconductor image sensor module, method for manufacturing the same as well as camera and method for manufacturing the same

Номер патента: US7319217B2. Автор: Ikuo Yoshihara,Masamitsu Yamanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-01-15.

Image sensor using light-sensitive device and method of operating the image sensor

Номер патента: US20110242384A1. Автор: Sung-Ho Park,I-hun Song,Ji-hyun Hur,Sang-Hun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-06.

Complementary metal-oxide-semiconductor depth sensor element

Номер патента: US09859313B2. Автор: Tom Chang,Kao-Pin Wu. Владелец: Eminent Electronic Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Line image sensor with plural elements arranged at a predetermined pitch according to thermal expansion

Номер патента: US5063286A. Автор: Yutaka Kaneko. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1991-11-05.

Flat pad structure for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor processes

Номер патента: US20160365378A1. Автор: Ming-Tsong Wang,Dun-Nian Yaung,Ching-Chun Wang,Yen-Ting Chiang,Feng-Chi Hung,Shyh-Fann Ting,Hsiao-Hui Tseng,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Fabrication of low leakage-current backside illuminated photodiodes

Номер патента: US20070012866A1. Автор: Lars Carlson,Shulai Zhao,John Sheridan,Alan Mollet. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Metal shield structure and methods for BSI image sensors

Номер патента: US09812492B2. Автор: Ying-Lang Wang,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Mechanisms for forming backside illuminated image sensor device structure

Номер патента: US09620551B2. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Wei Liu,Chung-Chuan Tseng,Li-Hsin CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Mechanisms for forming backside illuminated image sensor device structure

Номер патента: US20160172392A1. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Wei Liu,Chung-Chuan Tseng,Li-Hsin CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Method and Apparatus for Image Sensor Packaging

Номер патента: US20200035743A1. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Pao-Tung Chen,Meng-Hsun Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Method and Apparatus for Image Sensor Packaging

Номер патента: US20160254306A1. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Pao-Tung Chen,Meng-Hsun Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Method and apparatus for image sensor packaging

Номер патента: US10475843B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Pao-Tung Chen,Meng-Hsun Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Pixel for CMOS image sensor and image sensor including the same

Номер патента: US09620546B2. Автор: Hee Geun Jeong,Young Woo Chung,Tae Hun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of making wafer structure for backside illuminated color image sensor

Номер патента: US20070262364A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Chung-Yi Yu,Tzu-Hsuan Hsu,Chris Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for fabricating backside-illuminated sensors

Номер патента: EP2812920A1. Автор: Venkatesan Murali,Christopher J. Petti,Arvind Chari,Gopal Prabhu. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2014-12-17.

Backside illuminated MSM device method

Номер патента: US5494833A. Автор: Eric A. Martin,Kenneth Vaccaro,Joseph P. Lorenzo. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1996-02-27.

Graded-semiconductor image sensor

Номер патента: US09911770B2. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Dyson H. Tai,Dajiang Yang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Dark current reduction in back-illuminated imaging sensors

Номер патента: US8946818B2. Автор: Peter Alan Levine,Mahalingam Bhaskaran,Pradyumna Swain. Владелец: SRI International Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Dark current reduction in back-illuminated imaging sensors and method of fabricating same

Номер патента: EP2149157A1. Автор: Peter Alan Levine,Pradyumna Swain,Mahalingam Bhasharan. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2010-02-03.

Dark current reduction in back-illuminated imaging sensors and method of fabricating same

Номер патента: WO2008147421A1. Автор: Peter Alan Levine,Pradyumna Swain,Mahalingam Bhasharan. Владелец: Sarnoff Corporation. Дата публикации: 2008-12-04.

Dark current reduction in back-illuminated imaging sensors

Номер патента: US20120190150A1. Автор: Peter Alan Levine,Mahalingam Bhaskaran,Pradyumna Swain. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-26.

Graded-semiconductor image sensor

Номер патента: US20170345851A1. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Dyson H. Tai,Dajiang Yang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Operating method of image sensor

Номер патента: US09749567B2. Автор: Zhibiao Zhou,Chen-Bin Lin,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Isolation trench structure of backside illuminated cmos image sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230065976A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Linghao Xiong. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Backside illumination cmos image sensors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20110193147A1. Автор: Kyung-Ho Lee,Jung-Chak Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Method for Forming Backside Illumination CMOS Image Sensor

Номер патента: US20230290805A1. Автор: Han Wang,XIAO FAN,Guanglong Chen. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US12034030B2. Автор: Chang Hun Han. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220068985A1. Автор: Chang Hun Han. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Backside illuminated (BSI) CMOS image sensor (CIS) with a resonant cavity and a method for manufacturing the BSI CIS

Номер патента: US09865640B2. Автор: Amos Fenigstein,Assaf Lahav. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

CMOS image sensor with embedded micro-lenses

Номер патента: US09543352B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Zen-Fong Huang,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Chia-Yu WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200235144A1. Автор: Seong Jin Kim,Chang Hun Han,Jong Man KIM,In Guen Yeo. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US12002835B2. Автор: Chang Hun Han. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor

Номер патента: US09859323B1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen,zhi-yang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Vertical transfer gate structure for a back-side illumination (BSI) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor using global shutter capture

Номер патента: US09818788B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Grids in backside illumination image sensor chips and methods for forming the same

Номер патента: US09478581B2. Автор: Ting-Chun Wang,Chung-Ren Sun,Shiu-Ko Jangjian,Min Hao Hong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Backside illuminated CMOS image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US10319762B2. Автор: Chang-Hun Han. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-11.

Backside illumination image sensor and preparation method thereof

Номер патента: US20240321931A1. Автор: Yang Zhou. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200091209A1. Автор: Chang Hun Han. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Voltage biased metal shielding and deep trench isolation for backside illuminated (BSI) image sensors

Номер патента: US09871070B2. Автор: Chen-Jong Wang,Tzu-Hsuan Hsu,Ching-Chun Wang,Chien-Hsien Tseng,Feng-Chi Hung,Wen-I Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Backside illuminated image sensor

Номер патента: US20130015325A1. Автор: Jung-Chak Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-17.

Methods and circuitry for improving global shutter efficiency in backside illuminated high dynamic range image sensor pixels

Номер патента: US11778343B2. Автор: Sergey Velichko,Tomas Geurts,Dajiang Yang,Bartosz Piotr BANACHOWICZ,Muhammad Maksudur RAHMAN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200235145A1. Автор: Chang Hun Han,Jong Man KIM. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Mechanisms for forming backside illuminated image sensor device structure

Номер патента: US20150076638A1. Автор: Hsun-Ying Huang,Chih-Ho Tai,Wei-Chih Weng,Bo-Chang Su,Hsien-Liang Meng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Backside illuminated image sensor

Номер патента: US20240222412A1. Автор: Chang Hun Han,Tae Wook Kang,Man Lyun HA. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Chip stacking with an auxiliary circuit chip on a backside illuminated (bsi) surface of an image sensor chip

Номер патента: US20240234471A1. Автор: Swarnal Borthakur,Tomas Geurts. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Backside illuminated (BSI) image sensor with a reflector

Номер патента: US09761623B2. Автор: Yueh-Chuan Lee,Chia-Chan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Backside illuminated image sensor device having an oxide film and method of forming an oxide film of a backside illuminated image sensor device

Номер патента: US09691809B2. Автор: Li Te Hsu,Hung Jui Chang,Jeng Chang HER,Chung-Bin Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Backside illuminated image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240120362A1. Автор: Ju Hwan Jung,Tae Wook Kang,Sang Won Yun. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190319054A1. Автор: Chang Hun Han. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Image sensors with backside trench structures

Номер патента: US09748298B2. Автор: Sergey Velichko,Victor Lenchenkov. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Backside illuminated image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240113149A1. Автор: Chang Hun Han,Ju Hwan Jung,Tae Wook Kang,Sang Won Yun. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09812488B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Backside illuminated image sensor and manufacturing method therefore

Номер патента: US12040343B2. Автор: Chih-Ping Chung,Ming-Yu Ho,Jun-Ming Su. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Cfa alignment mark formation in image sensors

Номер патента: EP2304797A1. Автор: Frederick T. Brady. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2011-04-06.

High dynamic range, backside-illuminated, low crosstalk image sensor with walls on backside surface to isolate photodiodes

Номер патента: US20230282671A1. Автор: Gang Chen,Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Backside illumination image sensor and image-capturing device

Номер патента: US20240251179A1. Автор: Yosuke Kusaka. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Cfa alignment mark formation in image sensors

Номер патента: WO2010005555A1. Автор: Frederick T. Brady. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2010-01-14.

Backside illuminated image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290815A1. Автор: Chih-Ping Chung,Ming-Yu Ho,Jun-Ming Su. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Backside illuminated image sensor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282798A1. Автор: Yu Ling Huang,Yu-Yuan Lai. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Backside illumination image sensor and image-capturing device

Номер патента: US09704902B2. Автор: Yosuke Kusaka. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Backside illuminated image sensor substrate and method for manufacturing backside illuminated image sensor

Номер патента: US20240006454A1. Автор: Hao Zou,Sheng Hu,Yan XIE,Guoliang YE,Tianjian Liu,Xuanjun LIU. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Lateral light shield in backside illuminated imaging sensors

Номер патента: US20140312447A1. Автор: YIN Qian,Gang Chen,Duli Mao,Howard E. Rhodes,Vincent Venezia,Dyson H. Tai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Backside illuminated image sensor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160181294A1. Автор: Lixin Zhao. Владелец: Galaxycore Shanghai Ltd Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Backside illuminated sensor pixel structure

Номер патента: US20210082975A1. Автор: Gang Chen,Qin Wang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods and circuitry for improving global shutter efficiency in backside illuminated high dynamic range image sensor pixels

Номер патента: US20210014438A1. Автор: Sergey Velichko,Tomas Geurts,Dajiang Yang,Bartosz Piotr BANACHOWICZ,Muhammad Maksudur RAHMAN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-01-14.

Backside-illumination solid-state image pickup apparatus and backside-illumination solid-state image-pickup-apparatus manufacturing method, image pickup apparatus, and electronic equipment

Номер патента: US20220037382A1. Автор: Naoki Komai,Yuichi Yamamoto,Taizo Takachi,Hirotaka Yoshioka,Satoru Wakiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Cmos image sensors

Номер патента: US20240274638A1. Автор: Sung-Ho Choi,Kyungho Lee,Jung Bin YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Image Sensor and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20100155873A1. Автор: Keun Hyuk Lim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

CMOS image sensors

Номер патента: US12094906B2. Автор: Sung-Ho Choi,Kyungho Lee,Jung Bin YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrating bond pad structures with light shielding structures on an image sensor

Номер патента: US09818776B2. Автор: Swarnal Borthakur,Marc Sulfridge. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Method and apparatus for image sensor packaging

Номер патента: US09917123B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Vertically integrated image sensor chips and methods for forming the same

Номер патента: US09847368B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Jeng-Shyan Lin,Wen-De Wang,Feng-Chi Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Biased backside illuminated sensor shield structure

Номер патента: US09614000B2. Автор: JHY-JYI SZE,Dun-Nian Yaung,Ching-Chun Wang,Feng-Chi Hung,Shyh-Fann Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Backside illuminated imaging sensor with silicide light reflecting layer

Номер патента: US7989859B2. Автор: Duli Mao,Howard E. Rhodes,Vincent Venezia,Hsin-Chih Tai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2011-08-02.

Backside-illuminated image sensor and method of forming the same

Номер патента: US20100201926A1. Автор: Yun Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-12.

Structure and method for improving near-infrared quantum efficiency of backside illuminated image sensor

Номер патента: US20230411413A1. Автор: Wei Zhou,Yamin CAO,Chunshan Zhao,Wuzhi Zhang,Yansheng WANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Image sensor with buried self aligned focusing element

Номер патента: US20100038523A1. Автор: Duli Mao,Howard E. Rhodes,Ashish Shah,Vincent Venezia,Hsin-Chih Tai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Metal shield structures in backside illumination image sensor chips

Номер патента: US8698217B2. Автор: Chien-Chung Chen,Chun-Yuan Hsu,Kun-Ei Chen,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-15.

Backside illuminated imaging sensor with light attenuating layer

Номер патента: WO2009099492A1. Автор: YIN Qian,Duli Mao,Howard E. Rhodes,Vincent Venezia,Hsin-Chih Tai. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2009-08-13.

Backside-Illuminated Color Image Sensors With Crosstalk-Suppressing Color Filter Array

Номер патента: US20180076247A1. Автор: Chih-Wei Hsiung,Boyang Zhang,Wu-Zang Yang,Chia-Ying Liu,Chun-Yung Ai,Chin-Poh Pang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Backside illumination image sensor and method of forming the same

Номер патента: US20240162262A1. Автор: Zhigao Wang,Huike WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180069039A1. Автор: Chang Hun Han. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Backside illumination image sensor and image-capturing device

Номер патента: US11979672B2. Автор: Yosuke Kusaka. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

CMOS image sensor

Номер патента: US20060054939A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu,Shou-Gwo Wuu,Wen-De Wang,Ho-Ching Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-03-16.

Backside illuminated image sensors having buried light shields with absorptive antireflective coating

Номер патента: US09786702B2. Автор: Victor Lenchenkov. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Backside illuminated global shutter image sensor

Номер патента: US11769781B2. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Pixel, image sensor including the same, and portable electronic device including the image sensor

Номер патента: US09748299B2. Автор: Kyung Ho Lee,Jung Chak Ahn,Young Woo Jung,Hae Yong PARK,Seung Joo Nah. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensors

Номер патента: US10181492B2. Автор: HISANORI Ihara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-15.

BSI image sensor and method of forming same

Номер патента: US09917121B2. Автор: Hsiu-Yu Cheng,Yeur-Luen Tu,Hung-Wen Hsu,Jiech-Fun Lu,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Backside illumination image sensors

Номер патента: US20230352515A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,David T. Price,Rick Jerome. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Backside-illuminated solid-state imaging device, method for manufacturing backside-iilluminated solid-state imaging device, imaging device, and electronic equipment

Номер патента: EP3902005A1. Автор: Naoki Komai,Yuichi Yamamoto,Taizo Takachi,Hirotaka Yoshioka,Satoru Wakiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-10-27.

Stacked cmos image sensor

Номер патента: US20240072090A1. Автор: Chen-Jong Wang,Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu,Tzu-Jui WANG,Chi-Hsien Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Backside illuminated image sensors having buried light shields with absorptive antireflective coating

Номер патента: US20140077061A1. Автор: Victor Lenchenkov. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Image sensor

Номер патента: US20230402477A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Wei-Chieh Chiang,Keng-Yu Chou,Chun-Hao Chuang,Wen-Hau Wu,Cheng Yu Huang,Chih-Kung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Planar layer of image sensor, method for manufacturing planer layer, and image sensor including planar layer

Номер патента: US20080054389A1. Автор: Young-Je Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Pixel of image sensor and image sensor

Номер патента: US20240204031A1. Автор: Kwanyoung Oh,Daehyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Cmos image sensors

Номер патента: US20220293645A1. Автор: Sung-Ho Choi,Kyungho Lee,Jung Bin YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Cmos image sensors

Номер патента: US20170207259A1. Автор: Sung-Ho Choi,Kyungho Lee,Jung Bin YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

BSI image sensor and method of forming same

Номер патента: US11916091B2. Автор: Hsiu-Yu Cheng,Yeur-Luen Tu,Hung-Wen Hsu,Jiech-Fun Lu,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Stacked backside-illuminated quanta image sensor with cluster-parallel readout

Номер патента: US11924573B2. Автор: Eric R. Fossum,Saleh MASOODIAN. Владелец: Dartmouth College. Дата публикации: 2024-03-05.

Pixel and circuit design for image sensors with hole-based photodiodes

Номер патента: US09728575B1. Автор: Jeffery Beck,Hong-Wei Lee. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor image sensor comprising a metal mesh filter

Номер патента: WO2005057657A2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-06-23.

Backside illuminated imaging systems having auto-focus pixels

Номер патента: US20150244957A1. Автор: Dongsoo Kim,Kwang-Bo Cho. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Cmos image sensor

Номер патента: US20180190691A1. Автор: Youngbin LEE,Gukhyon Yon,Soojin HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Image sensor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240266376A1. Автор: Kook Tae Kim,JinGyun Kim,Jonghyeon Noh,Byeongtaek Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Back side illuminated cmos image sensor arrays

Номер патента: US20180097025A1. Автор: Hirofumi Komori,Jingyi Bai. Владелец: Cista System Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Back side illuminated CMOS image sensor arrays

Номер патента: US09876045B2. Автор: Hirofumi Komori,Jingyi Bai. Владелец: Cista System Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor Image Sensor Device Having Back Side Illuminated Image Sensors with Embedded Color Filters

Номер патента: US20190140001A1. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor Image Sensor Device Having Back Side Illuminated Image Sensors with Embedded Color Filters

Номер патента: US20160172417A1. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor image sensor device having back side illuminated image sensors with embedded color filters

Номер патента: US10770502B2. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Method of fabricating semiconductor image sensor device having back side illuminated image sensors with embedded color filters

Номер патента: US09786716B2. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Wave guide filter for semiconductor imaging devices

Номер патента: US20220139983A1. Автор: Kazuaki Hashimoto,Wei-Chieh Chiang,Keng-Yu Chou,Chun-Hao Chuang,Wen-Hau Wu,Chien-Hsien Tseng,Cheng Yu Huang,Chih-Kung Chang,Ting-Cheng Chang,Wen-Chien Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor imaging device having improved dark current performance

Номер патента: US20240313010A1. Автор: JHY-JYI SZE,Chen-Jong Wang,Dun-Nian Yaung,Yimin Huang,Jen-Cheng Liu,Seiji Takahashi,Feng-Jia Shiu,Feng-Chi Hung,Wei-Cheng Hsu,Chun-Wei Chang,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of making a semiconductor image sensor having reflection component

Номер патента: US20240204024A1. Автор: Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Chun-Liang Lu,Cheng-Hao Chiu,Huan-En Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Solid state image sensor having a grid-patterned inter-pixel isolation section separating the photoelectric conversion sections of each of the pixels from one another and provided with protruding sections

Номер патента: US12100718B2. Автор: Ryoji Suzuki. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Back side illuminated image sensor with deep trench isolation structures and self-aligned color filters

Номер патента: US09799697B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Image sensor with improved dark current performance

Номер патента: US8697472B2. Автор: Yung-Cheng Chang,Hsun-Ying Huang,Wei-Chih Weng,Jin-Hong Cho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-15.

Complementary metal grid and deep trench isolation in CIS application

Номер патента: US09806116B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu,Bo-Tsung TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor image-sensing structure and image sensor device

Номер патента: US20240047495A1. Автор: Wei-Lin Chen,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor image sensor having reflection component and method of making

Номер патента: US11923393B2. Автор: Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Chun-Liang Lu,Cheng-Hao Chiu,Huan-En Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor imaging device having improved dark current performance

Номер патента: US12040336B2. Автор: JHY-JYI SZE,Chen-Jong Wang,Dun-Nian Yaung,Yimin Huang,Jen-Cheng Liu,Seiji Takahashi,Feng-Jia Shiu,Feng-Chi Hung,Wei-Cheng Hsu,Chun-Wei Chang,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor image sensor

Номер патента: US10510795B1. Автор: JHY-JYI SZE,Kazuaki Hashimoto,Wei-Chieh Chiang,Keng-Yu Chou,Chun-Hao Chuang,Wen-Hau Wu,Chien-Hsien Tseng,Cheng Yu Huang,Chih-Kung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Semiconductor image sensor

Номер патента: US20200098801A1. Автор: JHY-JYI SZE,Kazuaki Hashimoto,Wei-Chieh Chiang,Keng-Yu Chou,Chun-Hao Chuang,Wen-Hau Wu,Chien-Hsien Tseng,Cheng Yu Huang,Chih-Kung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor Image Sensor Device Having Back Side Illuminated Image Sensors with Embedded Color Filters

Номер патента: US20170025460A1. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Wave guide filter for semiconductor imaging devices

Номер патента: US20240088182A1. Автор: Kazuaki Hashimoto,Wei-Chieh Chiang,Keng-Yu Chou,Chun-Hao Chuang,Wen-Hau Wu,Chien-Hsien Tseng,Cheng Yu Huang,Chih-Kung Chang,Ting-Cheng Chang,Wen-Chien Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Wave guide filter for semiconductor imaging devices

Номер патента: US11862650B2. Автор: Kazuaki Hashimoto,Wei-Chieh Chiang,Keng-Yu Chou,Chun-Hao Chuang,Wen-Hau Wu,Chien-Hsien Tseng,Cheng Yu Huang,Chih-Kung Chang,Ting-Cheng Chang,Wen-Chien Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Cis structure with complementary metal grid and deep trench isolation and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180026061A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu,Bo-Tsung TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Image sensors integrated with infrared sensors and electronic devices including the same

Номер патента: EP3916787A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-01.

Solid state image sensor with extended spectral response

Номер патента: WO2017112370A1. Автор: Biay-Cheng Hseih,Sergiu Radu Goma,Todor Georgiev GEORGIEV. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-06-29.

Solid state image sensor with extended spectral response

Номер патента: EP3394891A1. Автор: Biay-Cheng Hseih,Sergiu Radu Goma,Todor Georgiev GEORGIEV. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-10-31.

Backside illuminated cmos image sensor and method of making the same

Номер патента: US20230091032A1. Автор: Feng Ji,Xiang Peng,Haoyu Chen. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Backside illuminated image sensor with negatively charged layer

Номер патента: US09659981B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Ching-Chun Wang,Cheng-ta Wu,Shyh-Fann Ting,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensors

Номер патента: US09954019B2. Автор: Jungchak Ahn,Seungwook Lee,Youngwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Time delay integration structure for complementary metal-oxide semiconductor imaging sensor

Номер патента: US12046624B2. Автор: Robert Daniel McGrath. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Time delay integration structure for complementary metal-oxide semiconductor imaging sensor

Номер патента: US20210327952A1. Автор: Robert Daniel McGrath. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

System and method for high-speed down-sampled cmos image sensor readout

Номер патента: US20180227531A1. Автор: Kuo-Yu Chou,Shang-Fu Yeh,Chih-Lin LEE,Calvin Yi-Ping Chao,Chiao-Yi Huang,Chin-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

System and method for high-speed down-sampled CMOS image sensor readout

Номер патента: US09955096B2. Автор: Kuo-Yu Chou,Shang-Fu Yeh,Chih-Lin LEE,Calvin Yi-Ping Chao,Chiao-Yi Huang,Chin-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensor sturcture of mixed integration area and potential reading method employing the same

Номер патента: US20030107663A1. Автор: Hsiu-Yu Cheng,Ya-Chin King. Владелец: Twin Han Tech Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Backside illuminated image sensor with backside trenches

Номер патента: WO2010027395A2. Автор: Frederick T. Brady. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2010-03-11.

Backside illuminated image sensor with backside trenches

Номер патента: EP2311091A2. Автор: Frederick T. Brady. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2011-04-20.

Low dark current CMOS image sensor cell and array layout

Номер патента: US20030106986A1. Автор: Hsiu-Yu Cheng,Ya-Chin King. Владелец: Twin Han Tech Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensors with saddle-gate source follower for imaging pixels

Номер патента: US12142620B2. Автор: Jinwen Xiao,Yunfei GAO,Tae Seok Oh. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Backside illuminated image sensor with biased layer

Номер патента: WO2010005484A1. Автор: Shenlin Chen,Robert Michael Guidash. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2010-01-14.

Backside illuminated image sensor with negatively charged layer

Номер патента: US20170243903A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Ching-Chun Wang,Cheng-ta Wu,Shyh-Fann Ting,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor (CIS) package with an image buffer

Номер патента: US09899443B2. Автор: Kuo-Chung Yee,Kazuaki Hashimoto,Hsiao-Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Backside illumination image sensor and method for reducing dark current of backside illumination image sensor

Номер патента: US20160225804A1. Автор: Wenqiang Li,Jie Li,Lixin Zhao,Ze Xu. Владелец: Galaxycore Shanghai Ltd Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Backside illuminated imaging sensor with backside p+ doped layer

Номер патента: EP2245666A1. Автор: Howard E. Rhodes,Hidetoshi Nozaki. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2010-11-03.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor with silicon and silicon germanium

Номер патента: US09859325B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yueh-Chuan Lee,Chia-Chan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Backside illuminated image sensor device

Номер патента: US09679939B1. Автор: Ching-Chun Wang,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang,Yin-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Backside illumination cmos image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130320472A1. Автор: Han Choon Lee,Jong Taek Hwang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-12-05.

Fabricating method of complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor

Номер патента: US20080113477A1. Автор: JHY-JYI SZE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensors

Номер патента: US20170040365A1. Автор: Jungchak Ahn,Seungwook Lee,Youngwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-09.

Backside illuminated image sensor pixels with dark field microlenses

Номер патента: US20140085517A1. Автор: Victor Lenchenkov,Xianmin Yi. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Ferroelectric-oxide hybrid-gate transistor block for semiconductor imaging sensors

Номер патента: US11610923B2. Автор: Jinwen Xiao,Yunfei GAO,Tae Seok Oh. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-21.

Ferroelectric-oxide hybrid-gate transistor block for semiconductor imaging sensors

Номер патента: US20220238580A1. Автор: Jinwen Xiao,Yunfei GAO,Tae Seok Oh. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Backside-illuminated imaging sensor including backside passivation

Номер патента: US20100013039A1. Автор: YIN Qian,Duli Mao,Howard E. Rhodes,Vincent Venezia,Hsin-Chih Tai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor structure of backside illumination cmos image sensor and method for forming the same

Номер патента: US20230387176A1. Автор: Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Stacked chip image sensor with light-sensitive circuit elements on the bottom chip

Номер патента: US20140103411A1. Автор: Tiejun Dai,Guannho George Tsau. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Backside illuminated image sensor with three-dimensional transistor structure and forming method thereof

Номер патента: US20200135777A1. Автор: Wenqiang Li,Jie Li,Yonggang Wang,Lixin Zhao. Владелец: Galaxycore Shanghai Ltd Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Package process of backside illumination image sensor

Номер патента: US20120009716A1. Автор: Wen-Hsiung Chang. Владелец: Mos Art Pack Corp. Дата публикации: 2012-01-12.

Method of manufacturing image sensor having enhanced backside illumination quantum efficiency

Номер патента: US09640582B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Yuan-Hung Liu,Jen-Cheng Liu,Han-Chi Liu,Yin-Kai Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Backside illumination type solid-state imaging device, manufacturing method for backside illumination type solid-state imaging device, imaging apparatus and electronic equipment

Номер патента: US20220310680A1. Автор: Naoki Komai,Tadashi Iijima,Yuichi Yamamoto,Taizo Takachi,Masaya Nagata,Suguru Saito,Yoichi Ootsuka,Masaki HANEDA,Satoru Wakiyama,Kaori Takimoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Method and Apparatus for Image Sensor Packaging

Номер патента: US20160307944A1. Автор: Ping-Yin Liu,Lan-Lin Chao,Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Calvin Yi-Ping Chao,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728573B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device comprising a channel region of a transistor with a crystalline oxide semiconductor and a specific off-state current for the transistor

Номер патента: US9905596B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Complementary Metal Oxide Silicon Image Sensor And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR100769131B1. Автор: 임기식. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-10-23.

Complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensor

Номер патента: US12068350B2. Автор: Junetaeg LEE,Seokha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Pixel of a multi-stacked CMOS image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899453B2. Автор: Kyung-bae Park,Yong-wan Jin,Woong Choi,Kwang-Hee Lee,Kyu-Sik Kim,Do-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Seal ring support for backside illuminated image sensor

Номер патента: US20130122637A1. Автор: YIN Qian,Duli Mao,Vincent Venezia,Hsin-Chih Tai,Keh-Chiang Ku. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Backside illuminated image sensor

Номер патента: US20200127029A1. Автор: Guy Meynants. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2020-04-23.

Wafer For Backside Illumination Type Solid Imaging Device, Production Method Thereof And Backside Illumination Solid Imaging Device

Номер патента: US20090289283A1. Автор: Kazunari Kurita,Shuichi Omote. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-11-26.

Image sensor with substrate noise isolation

Номер патента: US20140267860A1. Автор: Tiejun Dai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

CMOS image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US7682863B2. Автор: Hyuk Woo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Cmos image sensor

Номер патента: US20100197067A1. Автор: Nan-Yi Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-05.

Successive approximation register analog-to-digital converter, CMOS image sensor including the same and operating method thereof

Номер патента: US09905603B1. Автор: Tae-Gyu Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

CMOS image sensor with peninsular ground contracts and method of manufacturing the same

Номер патента: US09653511B2. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Dyson Hsinchin Tai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Annealing Methods for Backside Illumination Image Sensor Chips

Номер патента: US20130171766A1. Автор: Yu-Ting Lin,Yu-Sheng Wang,Shiu-Ko Jangjian,Wei-Ming You,Chih-Cherng Jeng,Ching-Hwanq Su,Cheng-Jung Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Image sensor with light blocking layer

Номер патента: US20210118927A1. Автор: Jae Hoon Jeon,Jae Kyu Lee,Tae Yon LEE,Myung Lae Chu,Gwi Deok Ryan Lee,Sang Chun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Image sensors with improved surface planarity

Номер патента: US09847359B2. Автор: Ulrich Boettiger,Swarnal Borthakur,Richard Mauritzson,Aaron BELSHER. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of Manufacturing Image Sensor Having Enhanced Backside Illumination Quantum Efficiency

Номер патента: US20170236863A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Yuan-Hung Liu,Jen-Cheng Liu,Han-Chi Liu,Yin-Kai Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Stacked cmos image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230411431A1. Автор: Chen-Jong Wang,Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu,Tzu-Jui WANG,Chi-Hsien Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Backside illumination type solid-state imaging device, manufacturing method for backside illumination type solid-state imaging device, imaging apparatus and electronic equipment

Номер патента: US20200258924A1. Автор: Naoki Komai,Tadashi Iijima,Yuichi Yamamoto,Taizo Takachi,Masaya Nagata,Suguru Saito,Yoichi Ootsuka,Masaki HANEDA,Satoru Wakiyama,Kaori Takimoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Backside illuminated image sensor with self-aligned metal pad structures

Номер патента: US20190088705A1. Автор: Gang Chen,Qin Wang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Image sensors with vertically stacked photodiodes and vertical transfer gates

Номер патента: US20200194488A1. Автор: Manuel H. Innocent,Sergey Velichko,Johan Camiel Julia Janssens,Tomas Geurts. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-06-18.

Image sensors with vertically stacked photodiodes and vertical transfer gates

Номер патента: EP3577692A2. Автор: Manuel H. Innocent,Sergey Velichko,Johan Camiel Julia Janssens,Tomas Geurts. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-12-11.

Image sensors with vertically stacked photodiodes and vertical transfer gates

Номер патента: WO2018187403A2. Автор: Manuel H. Innocent,Sergey Velichko,Johan Camiel Julia Janssens,Tomas Geurts. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-10-11.

Image sensors with vertically stacked photodiodes and vertical transfer gates

Номер патента: EP3577691A1. Автор: Manuel H. Innocent,Sergey Velichko,Johan Camiel Julia Janssens,Tomas Geurts. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-12-11.

Cmos image sensor

Номер патента: US20070145425A1. Автор: Hyuk Woo. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Image sensors with vertically stacked photodiodes and vertical transfer gates

Номер патента: US20190074317A1. Автор: Manuel H. Innocent,Sergey Velichko,Johan Camiel Julia Janssens,Tomas Geurts. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160211290A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Chemical complementary metal-oxide semiconductor (ccmos) colorimetric sensors for multiplex detection and analysis

Номер патента: US20200340912A1. Автор: Di Wang,Nongjian Tao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-29.

Structure and Method for Backside-Illuminated Image Device

Номер патента: US20230317760A1. Автор: Chen-Jong Wang,Dun-Nian Yaung,Ching-Chun Wang,Tzu-Jui WANG,Hao-Lin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09955097B2. Автор: Makoto Motoyoshi,Shin Iwabuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Pixel of a multi-stacked cmos image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160225827A1. Автор: Kyung-bae Park,Yong-wan Jin,Woong Choi,Kwang-Hee Lee,Kyu-Sik Kim,Do-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-04.

Pad structure for backside illuminated (bsi) image sensors

Номер патента: US20170301715A1. Автор: Kai-Fung Chang,Ching-Hung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Image sensor having stacked metal oxide films as fixed charge film

Номер патента: US12080738B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Min-Ying Tsai,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Binary cmos image sensors, methods of operating same, and image processing systems including same

Номер патента: US20140103192A1. Автор: Young-Gu Jin,Dong Ki Min,Ju Hwan Jung,Tae-Yon Lee,Kwang-Hyun Lee,Je Il RYU,Seok Yong HONG,Tae-Seok Oh,Tae-Chan Kim,Yoon Dong PARK,Sang-chul Sul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Method for producing wafer for backside illumination type solid imaging device

Номер патента: US20100062584A1. Автор: Kazunari Kurita,Shuichi Omote. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

CMOS image sensor (CIS) including MRAM (magnetic random access memory)

Номер патента: US10157951B2. Автор: Dae-Shik Kim,Gwan-Hyeob Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-18.

Square-gate source-follower for CMOS image sensor pixel

Номер патента: US11830897B2. Автор: Jinwen Xiao,Yunfei GAO,Tae Seok Oh. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

CMOS image sensor and auto exposure method performed in units of pixels in the same

Номер патента: US11425320B2. Автор: Minwoong Seo,Myunglae Chu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-23.

Image sensor and semiconductor device having a metal oxide semiconductor layer doped with nitrogen, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220384502A1. Автор: Jin-Seong Park,Dong-Gyu Kim,TaekSoo JEON,Sanghoon Uhm,Yoon-Seo Kim,Hyun-Jun JEONG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-12-01.

Amplitude modulated pixel setup for high-speed readout of CMOS image sensors

Номер патента: US11902682B2. Автор: Orly Yadid-Pecht,Devin ATKIN,Ulian SHAHNOVICH. Владелец: UTI LP. Дата публикации: 2024-02-13.

Amplitude modulated pixel setup for high-speed readout of cmos image sensors

Номер патента: US20210377475A1. Автор: Orly Yadid-Pecht,Devin ATKIN,Ulian SHAHNOVICH. Владелец: Widr Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210021776A1. Автор: Makoto Motoyoshi,Shin Iwabuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220124270A1. Автор: Makoto Motoyoshi,Shin Iwabuchi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180054583A1. Автор: Makoto Motoyoshi,Shin Iwabuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Method and apparatus for reducing smear in back-illuminated imaging sensors

Номер патента: WO2008033697A2. Автор: Bhaskaran Mahalingam,Peter Levine,Norman Goldsmith,Pradyumna Swain. Владелец: Sarnoff Corporation. Дата публикации: 2008-03-20.

Method and apparatus for reducing smear in back-illuminated imaging sensors

Номер патента: WO2008033697A3. Автор: Bhaskaran Mahalingam,Peter Levine,Norman Goldsmith,Pradyumna Swain. Владелец: Pradyumna Swain. Дата публикации: 2008-09-18.

Cmos image sensor and auto exposure method performed in units of pixels in the same

Номер патента: US20200396401A1. Автор: Minwoong Seo,Myunglae Chu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Cmos image sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070155086A1. Автор: Jin Han Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240234458A1. Автор: Jongmin JEON,TaekSoo JEON,Jaesung HUR,Je-Hyung Ryu,Haji LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor image sensor structure having metal-filled trench contact

Номер патента: US20170092669A1. Автор: Sungkwon C. Hong,Gordon M. Grivna,David T. Price,Rick Jerome. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor image sensor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11538844B2. Автор: Ming-Shing Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Formation of buried color filters in a back side illuminated image sensor with an ono-like structure

Номер патента: US9368531B2. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Formation of buried color filters in a back side illuminated image sensor with an ono-like structure

Номер патента: US20160276400A1. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Method of fabricating back-illuminated imaging sensors

Номер патента: US20100032783A1. Автор: Pradyumna Kumar Swain,Mahalingam Bhaskaran,Peter Alan Pal Levine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Formation of buried color filters in a back side illuminated image sensor using an etching-stop layer

Номер патента: US09825085B2. Автор: CHEN Hsin-Chi,Chen Chiu-Jung,Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor image sensor structure having metal-filled trench contact

Номер патента: US09711556B2. Автор: Sungkwon C. Hong,Gordon M. Grivna,David T. Price,Rick Jerome. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Image sensor and method of fabricating an image sensor

Номер патента: US20200381473A1. Автор: Dongchan Kim,Hajin LIM,Taeyon Lee,Sang-Su PARK,Kwansik Kim,Changhwa KIM,Beomsuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Image sensor trench isolation with conformal doping

Номер патента: US20150056739A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Luan C. Tran,Cheng-ta Wu,Chih-Hui Huang,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Imaging apparatus and image sensor array

Номер патента: US20190052861A1. Автор: Tomohiro Yamazaki. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Imaging apparatus and image sensor array

Номер патента: US20160173857A1. Автор: Tomohiro Yamazaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Imaging apparatus and image sensor array

Номер патента: US11736676B2. Автор: Tomohiro Yamazaki. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Imaging apparatus and image sensor array

Номер патента: US10129531B2. Автор: Tomohiro Yamazaki. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-11-13.

Method for fabricating complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: US20040185595A1. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for fabricating complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: US7029942B2. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-04-18.

Cmos image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20090159941A1. Автор: Sang Tae Moon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Cmos image sensor and method of driving the same

Номер патента: US20080035966A1. Автор: Jung-Chak Ahn,Ju-Hyun Ko,Yong-Jei Lee,Sung-In Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-14.

Pixel array structure for cmos image sensor and method of the same

Номер патента: WO2007105905A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

Pixel array structure for cmos image sensor and method of the same

Номер патента: EP1994564A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-11-26.

CMOS image sensor and a method of forming the same

Номер патента: US09653513B1. Автор: Yang Wu,Inna Patrick,Kihong Kim,Desmond Cheung,Feixia Yu. Владелец: Himax Imaging Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Optical block pixel, image sensor having an optical block pixel and method for eliminating an offset and a read out noise thereof

Номер патента: KR100790588B1. Автор: 민대성. Владелец: (주) 픽셀플러스. Дата публикации: 2008-01-02.

Light sensing pixel of image sensor with low operating voltage

Номер патента: US20080079043A1. Автор: Mi Jin Kim,Bong Ki MHEEN,Young Joo Song. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-04-03.

Multispectral imaging sensor provided with means for limiting crosstalk

Номер патента: US11862658B2. Автор: Laurent Roux,Marc Hubert,Stephane Tisserand,Vincent SAUGET. Владелец: Silios Technologies SA. Дата публикации: 2024-01-02.

Dual isolation for image sensors

Номер патента: US20080217720A1. Автор: Xiaofeng Fan,Richard A. Mauritzson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Dual isolation for image sensors

Номер патента: WO2008112492A1. Автор: Xiaofeng Fan,Richard A. Mauritzson. Владелец: APTINA IMAGING CORPORATION. Дата публикации: 2008-09-18.

Device for detecting overflow of charges for backside illumination pixel

Номер патента: US20240064426A1. Автор: François Ayel,Oliver SAXOD. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-02-22.

Metal oxide tft and manufacturing method therefor, and x-ray detector and display panel

Номер патента: EP4131424A1. Автор: Kun Zhao,Guangcai Yuan,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Method of producing thin film transistor, thin film transistor, display device, image sensor, and X-ray sensor

Номер патента: US09673048B2. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata,Masayuki Suzuki,Masashi Ono,Toshiya IDEUE. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Top gate metal oxide thin film transistor switching device for imaging applications

Номер патента: WO2017099918A1. Автор: Jungwon Park,Byung-Kyu Park,Shawn Michael O'rourke,Karthik Nagarajan. Владелец: dpiX, LLC. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor imager device, method of operating such a device, method of manufacturing such a device and semiconductor image sensor comprising such a device

Номер патента: US20110272560A1. Автор: Jan Theodoor Jozef Bosiers. Владелец: Dalsa Corp. Дата публикации: 2011-11-10.

Controllable semiconductor image sensor and arrangement with such a sensor

Номер патента: US5005085A. Автор: Martin Spies,Hans Spies,Alfons Woehrl. Владелец: Messerschmitt Bolkow Blohm AG. Дата публикации: 1991-04-02.

High-sensitivity image sensor and fabrication method thereof

Номер патента: KR100531234B1. Автор: 김훈. Владелец: 전자부품연구원. Дата публикации: 2005-11-28.

Structure of cmos image sensor with the multi-pillar type transistor

Номер патента: KR100647514B1. Автор: 최양규,유리은. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor device, manufacturing method, solid state image sensor, and electronic equipment

Номер патента: US10950637B2. Автор: Masaki HANEDA. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Semiconductor device, manufacturing method, solid state image sensor, and electronic equipment

Номер патента: US20200227462A1. Автор: Masaki HANEDA. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Image sensor and detection system using same

Номер патента: US20230236322A1. Автор: Shuyu Lei. Владелец: Ningbo Abax Sensing Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor image sensor and the method of operating the same

Номер патента: US4454526A. Автор: Tadahiro Ohmi,Jun-ichi Nishizawa,Takashige Tamamushi. Владелец: Semiconductor Research Foundation. Дата публикации: 1984-06-12.

Semiconductor device, manufacturing method, solid state image sensor, and electronic equipment

Номер патента: US11776923B2. Автор: Masaki HANEDA. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device, manufacturing method, solid state image sensor, and electronic equipment

Номер патента: US20210183661A1. Автор: Masaki HANEDA. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device, manufacturing method, solid state image sensor, and electronic equipment

Номер патента: US20230402411A1. Автор: Masaki HANEDA. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Solidstate image sensor device

Номер патента: US5254868A. Автор: Yutaka Saito. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1993-10-19.

Semiconductor device having first and second oxide semiconductors with difference energy level

Номер патента: US09761738B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Imaging sensor and display device including the same

Номер патента: US20220344416A1. Автор: Takashi Noguchi,Hiroshi Kageyama,Kyung Bae Park,Akira Higa. Владелец: University of the Ryukyus NUC. Дата публикации: 2022-10-27.

Metal-oxide thin-film transistor and method for manufacturing same, x-ray detector, and display panel

Номер патента: US20240186379A1. Автор: Kun Zhao,Guangcai Yuan,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

CCD imaging sensors

Номер патента: US4798958A. Автор: James R. Janesick,Stythe T. Elliott. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 1989-01-17.

Controlled manufacturing method of metal oxide semiconductor and metal oxide semiconductor structure having controlled growth crystallographic plane

Номер патента: US09748095B2. Автор: Young-Jun Park,Seung-Nam Cha,Jung-Inn Sohn,Ji-yeon KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Image sensor having improved moving target discernment capabilities

Номер патента: US4176369A. Автор: Richard D. Nelson,A. James Hughes. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1979-11-27.

Semiconductor image sensor having CCD shift register

Номер патента: US4194213A. Автор: Shunsuke Furukawa,Yasuo Kano,Tadayoshi Mifune. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1980-03-18.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US20170194218A1. Автор: Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi,Kazushi HAYASI. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US09780005B2. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

In vivo bioimaging method and system using near-infrared light and complementary metal-oxide-semiconductor image sensor

Номер патента: US10251556B2. Автор: Sang Chul Ahn,Bum Jae You,Seok Joon Kwon,Hwa Sup Lim. Владелец: Center Of Human Centered Interaction for Coexistence. Дата публикации: 2019-04-09.

Metal oxide solar cell

Номер патента: RU2698533C1. Автор: Сергей Дмитриевич Варфоломеев,Олег Игоревич Шевалеевский,Людмила Леонидовна Ларина,Ольга Валериевна Алексеева,Виктория Михайловна Иванова,Леонтий Иванович Кузнецов,Павел Андреевич Ширяев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля Российской академии наук (ИБХФ РАН). Дата публикации: 2019-08-28.

Multifunctional Nanostructured Metal-Rich Metal Oxides

Номер патента: US20160035916A1. Автор: Andrew Wong,Jifeng Liu. Владелец: Dartmouth College. Дата публикации: 2016-02-04.

Complementary metal oxide semiconductor element and manufacture method thereof

Номер патента: US20170301734A1. Автор: Mian Zeng,Shengdong Zhang,Xiangzhi XIAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Complementary metal oxide semiconductor element and manufacture method thereof

Номер патента: US9887242B2. Автор: Mian Zeng,Shengdong Zhang,Xiangzhi XIAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: US20160133634A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20110187412A1. Автор: Xiao Sun,Tso-Ping Ma,Minjoo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device having an oxide semiconductor film and a metal oxide film

Номер патента: US09842937B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Metal oxide thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240250177A1. Автор: Chen Xu,Jie Huang,Guangcai Yuan,Zhengliang Li,Lizhong Wang,Dongfang Wang,Shuilang Dong,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Dapeng XUE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Thin Film Transistor Substrate Having High Reliability Metal Oxide Semiconductor Material

Номер патента: US20160343878A1. Автор: Kyung Park,Juheyuck BAECK,JongUk BAE,Jangyeon Kwon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-11-24.

Capacitor comprising metal oxide film having high alignment

Номер патента: US09905586B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Thin film transistor substrate having high reliability metal oxide semiconductor material

Номер патента: US09735286B2. Автор: Kyung Park,Juheyuck BAECK,JongUk BAE,Jangyeon Kwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Oxide Semiconductor Layer, Thin Film Transistor and Manufacturing Method Therefor, Display Panel, and Display Device

Номер патента: US20240243206A1. Автор: Fei Wang,Guangcai Yuan,Xiaolong Wang,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Hongtao Cao,Lingyan LIANG. Владелец: Ningbo Institute Of Materials Technology And Engineering. Дата публикации: 2024-07-18.

Structure and method of high-performance extremely thin silicon on insulator complementary metal-oxide-semiconductor transistors with dual stress buried insulators

Номер патента: US20150001625A1. Автор: Ming Cai,Dechao Guo,Chun-Chen Yeh,Liyang Song. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Solution composition for forming oxide semiconductor, and oxide semiconductor and electronic device including the same

Номер патента: US20140291664A1. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Jong-baek Seon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Metal-oxide thin-film transistor and method for fabricating same, display panel, and display device

Номер патента: US20240194747A1. Автор: Bin Lin,Zheng Liu,Rui Zhang,Bo Hu,Liangliang LI,Xinlin Peng. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Complementary metal oxide semiconductor device, optical apparatus including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US9355917B2. Автор: Young-Jin Cho,Sang-Moon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Vertical metal oxide semiconductor channel selector transistor and methods of forming the same

Номер патента: US12075633B2. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Self-aligned metal oxide TFT with reduced number of masks and with reduced power consumption

Номер патента: US09614102B2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon-on-insulator (soi) complementary metal oxide semiconductor (cmos) standard library cell circuits having a gate back-bias rail(s), and related systems and methods

Номер патента: US20150325563A1. Автор: Yang Du,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-11-12.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US12046694B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20240339557A1. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Metal-oxide thin-film transistor, array base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20240297256A1. Автор: Lizhong Wang,Dongfang Wang,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US09997662B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) device and method

Номер патента: EP2847791A2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Jun Yuan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-03-18.

Double self-aligned metal oxide tft

Номер патента: EP2812907A1. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2014-12-17.

Composite metal oxide semiconductor and thin-film transistor made therefrom and its application

Номер патента: US11984510B2. Автор: Miao Xu,Lei Wang,HUA Xu,Junbiao Peng,Weifeng Chen,WEIJING Wu. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-05-14.

Metal-oxide semiconductor module and light-emitting diode display device including the same

Номер патента: US11450708B2. Автор: Yi-Sheng Lin,Kao-Way Tu,Yuan-Shun Chang,Li-Chang Yang. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Metal-oxide semiconductor module and light-emitting diode display device including the same

Номер патента: EP3817047A1. Автор: Yi-Sheng Lin,Kao-Way Tu,Yuan-Shun Chang,Li-Chang Yang. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-05.

Metal-oxide semiconductor module and light-emitting diode display device including the same

Номер патента: US20210126047A1. Автор: Yi-Sheng Lin,Kao-Way Tu,Yuan-Shun Chang,Li-Chang Yang. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Metal oxide thin-film transistor and manufacturing method therefor, display panel and display apparatus

Номер патента: EP4345910A1. Автор: Bin Lin,Zheng Liu,Rui Zhang,Bo Hu,Liangliang LI,Xinlin Peng. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-03.

Method for fabricating metal oxide semiconductor with lightly doped drain

Номер патента: US20060205126A1. Автор: Shih-Yi Yen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-09-14.

Vertical metal oxide semiconductor channel selector transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20230284461A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Self-protected metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20140015053A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,James P. Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor device having a stacked metal oxide

Номер патента: US09722092B2. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Semiconductor device comprising an oxide semiconductor

Номер патента: US09812467B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Oxide semiconductor film

Номер патента: US09748328B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Masashi Oota,Takuya Hirohashi,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Display device including dual gate oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20190341437A1. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Oxide semiconductor transistor

Номер патента: US10403700B2. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20150249123A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Transparent rectifying metal/metal oxide/semiconductor contact structure and method for the production thereof and use

Номер патента: CA2765981C. Автор: Marius Grundmann,Heiko Frenzel,Alexander Lajn,Holger von Wenckstern. Владелец: UNIVERSITAET LEIPZIG. Дата публикации: 2013-03-19.

Tandem metal oxide solar element

Номер патента: RU2626752C1. Автор: Сергей Сергеевич Козлов,Олег Игоревич Шевалеевский,Михаил Александрович Александров,Людмила Леонидовна Ларина,Александр Андреевич Пашали,Анна Борисовна Никольская,Марина Фаритовна Вильданова. Владелец: Открытое акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть". Дата публикации: 2017-07-31.

Dye-sensitized metal-oxide solar cell

Номер патента: RU2649239C1. Автор: Олег Игоревич Шевалеевский,Людмила Леонидовна Ларина,Анна Борисовна Никольская,Виктория Михайловна Иванова,Леонтий Иванович Кузнецов,Ольга Кирилловна Карягина. Владелец: Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" (ПАО "НК "Роснефть"). Дата публикации: 2018-03-30.

Multi-voltage complementary metal oxide semiconductor integrated circuits based on always-on N-well architecture

Номер патента: US09905560B2. Автор: Senthilkumar JAYAPAL,Navienkumar Ramachandran Arumugam. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Complementary metal-oxide semiconductor integrated circuit device with isolation

Номер патента: US4870471A. Автор: Isao Ohkura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-09-26.

Monolithic inductance-enhancing integrated circuits, complementary metal oxide semiconductor (cmos) inductance-enhancing integrated circuits, inductor assemblies, and inductance-multiplying methods

Номер патента: US20030075764A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: EP4006965A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Stacked nanosheet complementary metal oxide semiconductor field effect transistor devices

Номер патента: US20210249412A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Reference clock complementary metal-oxide semiconductor (cmos) input buffer with self-calibration and improved electrostatic discharge (esd) performance

Номер патента: US20230062619A1. Автор: Charles Qingle Wu,Weiyi Zhang,Yanying He. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Reference clock complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) input buffer with self-calibration and improved electrostatic discharge (ESP) performance

Номер патента: US11750949B2. Автор: Charles Qingle Wu,Weiyi Zhang,Yanying He. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device including first and second metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US10636906B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Dohwan AHN,Toshikazu Imai,Shigetoshi Sota,Masaaki HIRAKO,Tomonari Ota. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09680008B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Empirion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Compound semiconductor and complementary metal oxide semiconductor (cmos) transistor integration

Номер патента: WO2022197390A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-22.

A trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor, mosfet, as well as a corresponding method of manufacture

Номер патента: EP4170728A1. Автор: Manoj Kumar,Steffen Holland,Chinmoy Khaund,Pei Heng Hung. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-04-26.

Metal-oxide semiconductor field effect transistor, method of fabricating the same, and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09646891B2. Автор: Xingui ZHANG,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Nickel Silicide in Bipolar Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS) Device and Method of Manufacturing

Номер патента: US20220068911A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,Mantavya SINHA. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Integration of bipolar transistor into complimentary metal-oxide-semiconductor process

Номер патента: US09786656B1. Автор: Brent A. Anderson,Xuefeng Liu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Nickel Silicide in Bipolar Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS) Device

Номер патента: US20220068913A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,Mantavya SINHA. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of Manufacturing Nickel Silicide in Bipolar Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS)

Номер патента: US20220068912A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,Mantavya SINHA. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US20220285554A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US12057504B2. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Metal-oxide semiconductor (mos) standard cells employing electrically coupled source regions and supply rails to relax source-drain tip-to-tip spacing between adjacent mos standard cells

Номер патента: US20180301447A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Da YANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Metal oxide semiconductor (mos) isolation schemes with continuous active areas separated by dummy gates and related methods

Номер патента: WO2014159160A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,PR Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-10-02.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8536633B2. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Metal oxide semiconductor (mos) isolation schemes with continuous active areas separated by dummy gates and related methods

Номер патента: EP2973682A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,PR Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Metal-oxide semiconductor (mos) capacitor (moscap) circuits and mos device array bulk tie cells for increasing mos device array density

Номер патента: US20220140153A1. Автор: Bed Raj Kandel. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Self-Protected Drain-extended metal-oxide-semiconductor Transistor

Номер патента: US20130264608A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Alain Loiseau,Junjun Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100090284A1. Автор: Cheng-Yu Fang,Yen-Wei Liao,sheng-yuan Yang. Владелец: Advanced Analog Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Complimentary metal-oxide-semiconductor circuit having transistors with different threshold voltages and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180076199A1. Автор: Wei-E Wang,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140151799A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-06-05.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20100213528A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Metal-oxide semiconductor (mos) capacitor (moscap) circuits and mos device array bulk tie cells for increasing mos device array density

Номер патента: EP4241312A1. Автор: Bed Raj Kandel. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080164505A1. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Metal-oxide semiconductor (mos) capacitor (moscap) circuits and mos device array bulk tie cells for increasing mos device array density

Номер патента: WO2022098434A1. Автор: Bed Raj Kandel. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-12.

Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Device

Номер патента: US20130168767A1. Автор: Chun-Wei Chen,Wei-Shan Liao,An-Hung LIN,Hong-Ze Lin,Bo-Jui Huang,Ting-Zhou Yan,Kun-Yi Chou,Ming-Yong Jian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-04.

더미 게이트들에 의해 분리된 연속 액티브 영역들을 이용한 mos(metal oxide semiconductor) 절연 방식들 및 이와 관련된 방법들

Номер патента: KR20150131090A. Автор: 피알 치담바람,빈 양,시아 리. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2015-11-24.

N-channel metal oxide semiconductor (nmos) driver circuit and method of making same

Номер патента: US20020089020A1. Автор: Louis Hsu,Lawrence Clevenger,Yujun Li,Rama Divakarumi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20080298135A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Metal oxide semiconductor (MOS) isolation schemes with continuous active areas separated by dummy gates and related methods

Номер патента: US09997617B2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09960155B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09929144B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Metal oxide semiconductor field effect transistor having variable thickness gate dielectric

Номер патента: US09917168B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09875945B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Compatible vertical double diffused metal oxide semiconductor transistor and lateral double diffused metal oxide semiconductor transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US8530961B2. Автор: Le Wang,Lili He,Zhiyong Zhao,Linchun Gui. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-10.

Method for manufacturing an integrated circuit comprising an N-type laterally diffused metal oxide semiconductor (NLDMOS) transistor

Номер патента: US11823947B2. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-21.

High voltage double-diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20210184033A1. Автор: Edward John Coyne,Alan Brannick,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-17.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US20210066498A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

High-voltage metal-oxide semiconductor (MOS) device

Номер патента: US5910666A. Автор: Jemmy Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140021544A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-01-23.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20180082998A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20180096901A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20170365529A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20180033786A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

High voltage metal-oxide-semiconductor (HVMOS) device integrated with a high voltage junction termination (HVJT) device

Номер патента: US11862675B2. Автор: Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Po-Chih Chen,Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Karthick Murukesan,Shiuan-Jeng Lin,Wen-Chih Chiang,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US11843049B2. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Anti-snapback circuitry for metal oxide semiconductor (mos) transistor

Номер патента: US20130292770A1. Автор: Kurt Kimber,David Litfin. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2013-11-07.

High voltage metal-oxide-semiconductor (hvmos) device integrated with a high voltage junction termination (hvjt) device

Номер патента: US20200044014A1. Автор: Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Po-Chih Chen,Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Karthick Murukesan,Shiuan-Jeng Lin,Wen-Chih Chiang,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20240055515A1. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20130181211A1. Автор: Chang-Tzu Wang,Tien-Hao Tang,Tai-Hsiang Lai,Lu-An CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Electrical Protective Circuit for Metal-Oxide-Semiconductor Transistors

Номер патента: GB1179388A. Автор: . Владелец: National Cash Register Co. Дата публикации: 1970-01-28.

Method of making a transparent metal oxide electrode

Номер патента: EP2847769A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Gerardus Johan Jozef Winands,Pieter Jan Bolt,Andrea Illiberi,Frank Theodoor Johannes Grob. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2015-03-18.

Method of making a transparent metal oxide electrode

Номер патента: WO2013169106A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Gerardus Johan Jozef Winands,Pieter Jan Bolt,Andrea Illiberi,Frank Theodoor Johannes Grob. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2013-11-14.

Boron-coated back-illuminated image sensor with fluoride-based anti-reflection coating

Номер патента: WO2024151790A1. Автор: John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole,Evgeniia Butaeva,Larissa Juschkin,Ting Fung CHUNG. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2024-07-18.

Boron-Coated Back-Illuminated Image Sensor With Fluoride-Based Anti-Reflection Coating

Номер патента: US20240243143A1. Автор: John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole,Evgeniia Butaeva,Larissa Juschkin,Ting Fung CHUNG. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

metal-oxide-semiconductor transistor and complementary metal-oxide-semiconductor circuit related

Номер патента: US20240304624A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Asynchronous logic element of a complementary metal-oxide-semiconductor structure

Номер патента: RU2693685C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2019-07-03.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: WO2022072056A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-07.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: US20220102266A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: EP4222781A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods for dual metal gate complementary metal oxide semiconductor integration

Номер патента: WO2007025277A2. Автор: Naim Moumen,Muhammad Mustafa Hussain,Zhibo Zhang,Seung-Chul Song,Byoung Hun Lee,Rino Choi,Husam Alshareef,Joel Barnett. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2007-03-01.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: US09978682B1. Автор: Anthony Correale, Jr.,William GOODALL, III,Philip Michael ILES. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20160093616A1. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Gate all around complementary metal-oxide-semiconductor field effect transistors

Номер патента: US20230207563A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Three dimensional complementary metal oxide semiconductor carbon nanotube thin film transistor circuit

Номер патента: US09966416B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Xiao-Yang Xiao,Yu-Dan Zhao,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Ultrasonic transducers in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) wafers and related apparatus and methods

Номер патента: US09899371B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Nevada J. Sanchez,Susan A. Alie. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with microelectromechanical systems (MEMS) devices using a flat surface above a sacrificial layer

Номер патента: US09796582B1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Gate dielectrics for complementary metal oxide semiconductors transistors and methods of fabrication

Номер патента: EP4020539A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Matthew V. Metz,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Tristan TRONIC,Devin Merrill,Kirby MAXEY,Tobias Brown-Heft. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: WO2016022212A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-11.

Using different gate dielectrics with NMOS and PMOS transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060022271A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor device including oxide semiconductor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274722A1. Автор: Jun Hwe CHA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) ultrasonic transducers and methods for forming the same

Номер патента: US09944514B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Gregory L. Charvat,Tyler S. Ralston,Nevada J. Sanchez. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Simple integration of non-volatile memory and complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US09881930B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Isolated complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) devices for radio-frequency (RF) circuits

Номер патента: US09673275B2. Автор: Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Metal oxide thin film transistor and manufacturing method therefor, and display panel

Номер патента: EP4369417A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Backside illumination image sensor, manufacturing method thereof and image-capturing device

Номер патента: US09894305B2. Автор: Hironobu Murata. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Backside illumination image sensor, manufacturing method thereof and image-capturing device

Номер патента: US09609248B2. Автор: Hironobu Murata. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: SG11201908898QA. Автор: Correale, Jr,Goodall, Iii,Philip Iles. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-30.

Metal oxide thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20240250178A1. Автор: Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US20180175019A1. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US10204896B2. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20150155389A1. Автор: Jun-Yao Huang,Chien-Pang Tai,Yu-Chin Peng,Ke-Chuan Huang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210351292A1. Автор: Yung-Chang Chen,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09941414B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09711655B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Tatsuya Honda,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Takatsugu Omata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer

Номер патента: US12034047B2. Автор: Sang Woo Lee,Min Hee Cho,Woo Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

P-type oxide semiconductor film and method for forming same

Номер патента: US20200279955A1. Автор: Isao Takahashi,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Metal oxide thin film transistor, semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332425A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO,Fangqing Wen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US10553496B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Method to optimize work function in complementary metal oxide semiconductor (cmos) structures

Номер патента: US20110269276A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Dechao Guo,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US9647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for fabricating at least three metal-oxide semiconductor transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20120080758A1. Автор: Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2012-04-05.

Power metal-oxide-semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321973A1. Автор: Jianjun Yang,Yuan-Hsiang Chang,Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Wei Ta,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US12107125B2. Автор: Ryohei KANNO. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Laterally diffused metal oxide semiconductor and field drift metal oxide semiconductor

Номер патента: US09660072B2. Автор: Tien-Hao Tang,Lu-An CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Simultaneous formation of a top oxide layer in a silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) transistor and a gate oxide in a metal oxide semiconductor (MOS)

Номер патента: US09583501B1. Автор: Jeong-Mo Hwang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170047426A1. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: WO2018191047A2. Автор: Jr. Anthony Correale,III William Goodall,Philip Michael ILES. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-10-18.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: WO2018191047A3. Автор: Jr. Anthony Correale,III William Goodall,Philip Michael ILES. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-11-22.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: EP3610507A2. Автор: Jr. Anthony Correale,III William Goodall,Philip Michael ILES. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-19.

Oxide semiconductor composition and manufacturing method thereof, oxide thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082862B2. Автор: Jan-Tian Lian,Hung-Yu Wu,Hsin-min FU,Chia-Sheng Hsieh,Jang-Jeng Liang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-07-14.

Metal oxide thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20240304698A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09768292B2. Автор: Shu Zhang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Tin based p-type oxide semiconductor and thin film transistor applications

Номер патента: US09647135B2. Автор: Kenji Nomura. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20200388544A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Forming dual metal complementary metal oxide semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20060160342A1. Автор: Mark Doczy,Valery Dubin,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Lawrence Wong,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Method of integrating thyristor and metal-oxide semiconductor transistor on a semiconductor substrate

Номер патента: US10134736B2. Автор: Yukihiro Nagai,Le-Tien Jung. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Metal oxide semiconductor thin film, thin-film-transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: EP3317899A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-05-09.

Metal-oxide-semiconductor capacitor based passive amplifier

Номер патента: US20240282785A1. Автор: Manuel H. Innocent. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Metal-oxide-semiconductor capacitor and circuit board including the same embedded therein

Номер патента: US12080809B2. Автор: Cory Nelson. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Metal oxide thin film transistor and method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20240363760A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Hydrogenated p-channel metal oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09985139B2. Автор: Kenji Nomura. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Metal oxide semiconductor thin film, thin film transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: US09806097B2. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-10-31.

Thin film transistor substrate having metal oxide semiconductor and manufacturing the same

Номер патента: US09748286B2. Автор: Woocheol Jeong,Imkuk KANG,SungKeun Lee,Yongtae SONG,Sungjun YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for fabricating improved complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: CA1166361A. Автор: Robert F. Pfeifer,Murray L. Trudel. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Complementary Metal Oxide Semiconductor Integrated Circuit Using Raised Source Drain and Replacement Metal Gate

Номер патента: US20090261391A1. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Annalisa Cappellani,Matthew V. Metz. Владелец: Barns Chris E. Дата публикации: 2009-10-22.

Backside illumination image sensor, manufacturing method thereof and image-capturing device

Номер патента: US11910118B2. Автор: Hironobu Murata. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Backside illumination image sensor, manufacturing method thereof and image-capturing device

Номер патента: US20230224610A1. Автор: Hironobu Murata. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Backside illumination image sensor, manufacturing method thereof and image-capturing device

Номер патента: US20240163584A1. Автор: Hironobu Murata. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor

Номер патента: US20240234591A9. Автор: Marianne Berolini,Cory Nelson,Ronald S. Demcko,Jeff Borgman. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device including metal-oxide-semiconductor disposed in a column decoder region

Номер патента: US09997223B2. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) transistor with a vertical channel region

Номер патента: US09768293B1. Автор: Chin-Yi Huang,Wan-Jyun Syue,Kuo-Lung Tzeng,Zhuo-Cang YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Lateral double diffused metal-oxide-semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09634099B2. Автор: Jui-Chun Chang,Shang-Hui Tu,Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Metal oxide film, method for manufacturing same, thin film transistor, display apparatus, image sensor, and X-ray sensor

Номер патента: US9515193B2. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata,Masayuki Suzuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods for fabricating metal-oxide-semiconductor field effect transistors using gate sidewall spacers

Номер патента: US20040203197A1. Автор: Dong-soo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-14.

Heterogeneous structures comprising iii-v semiconductors and metal oxide dielectrics, and a method of fabrication thereof

Номер патента: US20210126107A1. Автор: Alexander Gerber,Gregory KOPNOV. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US09716169B2. Автор: Feng Huang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

P-type oxide semiconductor, composition for producing p-type oxide semiconductor, method for producing r-type oxide semiconductor, semiconductor element, display element, image display device and system

Номер патента: RU2660407C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2018-07-06.

Segmented multi-channel backside illuminated solid state detector with through-hole for detecting secondary and backscattered electrons

Номер патента: EP4324014A1. Автор: James Spallas,Lawrence Muray,Alan Brodie,John Gerling,Marcel Trimpl. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: EP1974377A1. Автор: Massimo Fischetti,Qiqing Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-01.

Complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: WO2007077125A1. Автор: Massimo Fischetti,Qiqing Ouyang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for improving inversion layer mobility in a silicon carbide metal-oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: EP1430518A2. Автор: Richard Intern. Octrooibureau BV EGLOFF,Satyendranath Intern. Octrooibureau BV MUKHERJEE,Dev Intern. Octrooibureau BV ALOK,Emil Intern. Octrooibureau BV ARNOLD. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-23.

Metal-oxide-semiconductor transistor and method of forming gate layout

Номер патента: US20170330947A1. Автор: Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Structure of metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20030189226A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Chih-Feng Huang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2003-10-09.

Silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (SOI MOSFET) structure

Номер патента: US12057502B1. Автор: Wei Zhi,Gang Wang,Xianliang Wu,Zhixiang Huang,Kaikun NIU,Xingang REN,Yingsong LI,Siliang Wang,Sungen Cao,Huping JU. Владелец: ANHUI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-06.

Silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (soi mosfet) structure

Номер патента: US20240243201A1. Автор: Wei Zhi,Gang Wang,Xianliang Wu,Zhixiang Huang,Kaikun NIU,Xingang REN,Yingsong LI,Siliang Wang,Sungen Cao,Huping JU. Владелец: ANHUI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-18.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: US20220199859A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170084739A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Chia-Min Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230246104A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09660020B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

High voltage metal oxide semiconductor device and method for making same

Номер патента: US09627524B2. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

High mobility complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices with fins on insulator

Номер патента: US20200066896A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10008599B1. Автор: Hung-Lin Shih,Wei-Lun Hsu,Hsin-Che Huang,Shyan-Liang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Finfet complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices

Номер патента: US20210327769A1. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Finfet complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices

Номер патента: US20220139787A1. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Reconfigurable complementary metal oxide semiconductor device and method

Номер патента: US20230395605A1. Автор: Stefan Dunkel,Dominik M. KLEIMAIER. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2023-12-07.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20180277679A1. Автор: Hung-Lin Shih,Wei-Lun Hsu,Hsin-Che Huang,Shyan-Liang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Method and structure for forming low contact resistance complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US20230387238A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Julien Frougier,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Isolated complementary metal-oxide semiconductor (cmos) devices for radio-frequency (rf) circuits

Номер патента: WO2017070446A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-04-27.

Resistive processing units with complementary metal-oxide-semiconductor non-volatile analog memory

Номер патента: US20200258942A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US20160013283A1. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-01-14.

Trench gate complimentary metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: CA2009067A1. Автор: Allen L. Solomon. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-09-21.

Method of manufacturing oxide semiconductor

Номер патента: US20210036224A1. Автор: Joosung KIM,Dongsu Kim,Hyungkoun CHO,Youngdae YUN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-02-04.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

LATERAL EXTENDED DRAIN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (LEDMOSFET) HAVING A HIGH DRAIN-TO-BODY BREAKDOWN VOLTAGE (Vb), A METHOD OF FORMING AN LEDMOSFET, AND A SILICON-CONTROLLED RECTIFIER (SCR) INCORPORATING A COMPLEMENTARY PAIR OF LEDMOSFETS

Номер патента: US20120168817A1. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Michel J. Abou-Khalil,Theodore J. Letavic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Metal oxide semiconductor field effect transistors (mosfet) including deep p-wells and methods of forming same

Номер патента: WO2022178252A1. Автор: Adam Morgan,Dongyoung Kim,Woongje Sung. Владелец: The Research Foundation for the State Universtiy of New York. Дата публикации: 2022-08-25.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09837532B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

FinFET complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices

Номер патента: US11652006B2. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-16.

Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140235015A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Akiharu Miyanaga,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Reconfigurable complementary metal oxide semiconductor device and method

Номер патента: US11817457B2. Автор: Stefan Dunkel,Dominik M. KLEIMAIER. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2023-11-14.

Method of forming high mobility complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with fins on insulator

Номер патента: US11637041B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-25.

Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2013008419A1. Автор: Toru Hasegawa,Masaki Koyama,Akihisa Shimomura,Kosei Nei,Suguru Hondo. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

Isolated complementary metal-oxide semiconductor (cmos) devices for radio-frequency (rf) circuits

Номер патента: US20170117358A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Using different gate dielectrics with nmos and pmos transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: WO2006028577A2. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-03-16.

High mobility complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices with fins on insulator

Номер патента: US20210111195A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240234520A9. Автор: FENG Lin,YU HUANG,Bin Yang,Gang Huang,Shuxian Chen,Huajun JIN,Hongfeng JIN,Chunxu LI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307072A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Method for fabricating metal-oxide semiconductor transistor

Номер патента: US6150276A. Автор: Gary Hong,Claymens Lee. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Method for fabicating trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20070134882A1. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Hsin-Huang Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100330760A1. Автор: Kao-Way Tu,Yen-Chih Huang. Владелец: Nico Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for fabricating trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US7615442B2. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Hsin-Huang Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2009-11-10.

Lateral diffused metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20180342609A1. Автор: Shukun QI,Guipeng Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Three-dimensional (3d) ferroelectric dipole metal-oxide semiconductor ferroelectric field-effect transistor (mosfefet) system, and related methods and systems

Номер патента: EP3610499A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-19.

Thin film transistor with low trap-density material abutting a metal oxide active layer and the gate dielectric

Номер патента: US09911857B2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Metal oxide TFT with improved stability and mobility

Номер патента: US09773918B2. Автор: TIAN Xiao,Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong,Juergen Musolf. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Metal oxide TFT with improved source/drain contacts and reliability

Номер патента: US09768322B2. Автор: TIAN Xiao,Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Complementary metal oxide heterojunction memory devices and methods related thereto

Номер патента: US09634247B2. Автор: Dongmin Chen,Lee Cleveland,Seshubabu Desu,Kurt Pfluger,Jean Yang-Scharlotta. Владелец: 4D S Pty Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Dual-well metal oxide semiconductor (MOS) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634139B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for manufacturing lateral double-diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09627513B2. Автор: Meng Wang,Budong You,Zheng Lyu. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US09685542B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for fabricating oxides/semiconductor interfaces

Номер патента: US20130109199A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for fabricating oxides/semiconductor interfaces

Номер патента: US10615028B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Method for fabricating oxides/semiconductor interfaces

Номер патента: US20150255268A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device and metal-oxide-semiconductor capacitor structure

Номер патента: US20220020684A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ka-Un Chan. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US9257534B2. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Thin-film transistor having metal oxide semiconductor layers of heterojunction structure, display device comprising same, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230253504A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Hyeon Joo SEUL. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-08-10.

Doped metal oxide semiconductor and thin-film transistor made therefrom and its application

Номер патента: US11894467B2. Автор: Miao Xu,Lei Wang,HUA Xu,Junbiao Peng,Weifeng Chen,WEIJING Wu. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-02-06.

Metal-oxide-semiconductor transistor and method of forming gate layout

Номер патента: US9761657B2. Автор: Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US20240105839A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Compositions of metal oxide semiconductor nanomaterials

Номер патента: US20200231459A1. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Metal oxide semiconductor field effect transistor with reduced surface field folding

Номер патента: US9196680B1. Автор: Vijay Parthasarathy,Vishnu Khemka,Ronghua Zhu,Tahir Arif Khan. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2015-11-24.

Method for fabricating metal-oxide- semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20120329259A1. Автор: Wen-Han Hung,Tsai-Fu Chen,Tzyy-Ming Cheng,Ching-Sen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Metal oxide semiconductor transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067614A1. Автор: Jun-Gi Choi,Hi-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Variation Resistant Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Номер патента: US20130049140A1. Автор: Asen ASENOV,Gareth Roy. Владелец: Gold Standard Simulations Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150014768A1. Автор: Kuan-Yu Chen,Wei-Lin Chen,Chih-Chung Wang,Chiu-Te Lee,Chiu-Ling Lee,Tseng-Hsun Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Double Diffused Drain Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Floating Poly Thereon and Methods of Manufacturing The Same

Номер патента: US20110291187A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Double diffused drain metal-oxide-semiconductor devices with floating poly thereon and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140175544A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Lateral diffused metal oxide semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899513B1. Автор: Wei-Chih Lin,Chih-Chia Hsu,Yin-Fu Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for forming metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09741830B2. Автор: Kung-Hong Lee,Chun-Jung Tang,Te-Chih Chen,Tai-Ju Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a silicon-germanium layer beneath a portion of the gate

Номер патента: US11888062B2. Автор: Peter Baars,Felix Holzmüller,Ruchil K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

P-type oxide semiconductor film and method for forming same

Номер патента: EP3712305A1. Автор: Isao Takahashi,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

Metal oxide semiconductor (mos) controlled devices and methods of making the same

Номер патента: US20190006505A1. Автор: Kevin Matocha,Sauvik CHOWDHURY,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Metal oxide semiconductor (mos) controlled devices and methods of making the same

Номер патента: US20190334025A1. Автор: Kevin Matocha,Sauvik CHOWDHURY,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Metal oxide semiconductor (mos) controlled devices and methods of making the same

Номер патента: WO2019005464A1. Автор: Kevin Matocha,Sauvik CHOWDHURY,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2019-01-03.

Metal oxide semiconductor (mos) controlled devices and methods of making the same

Номер патента: US20200176596A1. Автор: Kevin Matocha,Sauvik CHOWDHURY,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device including transistor with doped oxide semiconductor and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11810858B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: WO2011059782A3. Автор: Naveen Tipirneni,Deva N. Pattanayak. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2011-08-25.

Metal oxide semiconductor transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060138560A1. Автор: Jun-Gi Choi,Hi-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

High-voltage metal-oxide semiconductor transistor

Номер патента: US9484422B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

High-voltage metal-oxide semiconductor transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US9196695B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-11-24.

Compositions of metal oxide semiconductor nanomaterials and hemostatic polymers

Номер патента: US20210091266A1. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Laterally diffused metal-oxide- semiconductor structure

Номер патента: US20240072163A1. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Laterally double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US11742423B2. Автор: Jing Zhu,Sen Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Nailong He,Shaohong Li,Guichuang Zhu. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Laterally diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180114831A1. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-26.

Apparatus of a metal-oxide-semiconductor (mos) transistor including a multi-split gate

Номер патента: US20180145139A1. Автор: Sagy Levy,Sharon Levin,Johnatan A. Kantarovsky,David Mistele. Владелец: TowerJazz Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with extended gate dielectric layer

Номер патента: US09997601B2. Автор: Shiuan-Jeng Lin,Shyh-Wei Cheng,Che-Jung Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Three-dimensional (3D) ferroelectric dipole metal-oxide semiconductor ferroelectric field-effect transistor (MOSFeFET) system, and related methods and systems

Номер патента: US09875784B1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09842903B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Selective metal/metal oxide etch process

Номер патента: GB2537549A. Автор: VERMEULEN Paul,Allen Craig. Владелец: Sachem Inc. Дата публикации: 2016-10-19.

Amorphous metal oxide semiconductor layer and semiconductor device

Номер патента: US11894429B2. Автор: Shinichi Maeda,Yoshiomi Hiroi. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US11908930B2. Автор: Shiang Yang Ong,Namchil MUN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20120313084A1. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Oxide semiconductor composition and manufacturing method thereof, oxide thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150123110A1. Автор: Jan-Tian Lian,Hung-Yu Wu,Hsin-min FU,Chia-Sheng Hsieh,Jang-Jeng Liang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Probe-oxide-semiconductor method and apparatus for measuring oxide charge on a semiconductor wafer

Номер патента: US5500607A. Автор: Roger L. Verkuil. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-03-19.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and its method of fabrication

Номер патента: US5498556A. Автор: Gary Hong,Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-03-12.

Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel

Номер патента: US6956238B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Ranbir Singh,John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Lori A. Lipkin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-10-18.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a gap between the drain and body wells

Номер патента: US20230268436A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Huihua Jiang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: US20210351321A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: WO2021229356A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: EP4150680A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor (ldmos) transistors

Номер патента: US20120091527A1. Автор: Budong You. Владелец: SILERGY TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-04-19.

Manufacturing method of metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20170200814A1. Автор: Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Crystal, crystalline oxide semiconductor, semiconductor film containing crystalline oxide semiconductor, semiconductor device including crystal and/or semiconductor film and system including semiconductor device

Номер патента: US20210143251A1. Автор: Takahiro Sasaki,Isao Takahashi,Toshimi Hitora,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Radiation-resistant metal oxide semiconductor composition containing zinc-indium-tin oxide, and preparation method and use thereof

Номер патента: US20200335454A1. Автор: Myung Gil KIM,Choongik KIM,Dongil Ho,Byung Kyu PARK. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chung Ang University. Дата публикации: 2020-10-22.

Method for reducing plasma damage to a gate oxide of a metal-oxide semiconductor wafer

Номер патента: US20020155680A1. Автор: Yi-Fan Chen,Shou-Kong Fan,Chi-King Pu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method of silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20230378341A1. Автор: Bo Shi,Dan ZENG,Daokun CHEN,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2023-11-23.

Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor devices with a field plate

Номер патента: US20240006529A1. Автор: Guowei Zhang,JERRY JOSEPH James,Handoko Linewih,Surya Kris AMETHYSTNA. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Metal-oxide-semiconductor capacitor based passive amplifier

Номер патента: US12002822B2. Автор: Manuel H. Innocent. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

An enhancement mode metal-oxide-semiconductor field effect transistor and method for forming the same

Номер патента: EP1586119A2. Автор: Olin L. Hartin,Nicholas Medendorp,Matthias Passlack,Marcus Ray. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-10-19.

An enhancement mode metal-oxide-semiconductor field effect transistor and method for forming the same

Номер патента: WO2004064172A2. Автор: Olin L. Hartin,Nicholas Medendorp,Matthias Passlack,Marcus Ray. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-07-29.

Metal oxide semiconductor transistor with reduced gate height, and related fabrication methods

Номер патента: US7960229B2. Автор: Scott Luning,Rohit Pal,Frank Bin YANG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-06-14.

Method of fabricating an air-gap spacer of a metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US5972763A. Автор: Tony Lin,Jih-Wen Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Metal-oxide-semiconductor (MOS) device and method for fabricating the same

Номер патента: US9059202B2. Автор: Yan Jin. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-16.

Silicon gigabit metal-oxide-semiconductor device processing

Номер патента: CA1216374A. Автор: Ping K. Ko. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1987-01-06.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with a cold source

Номер патента: US20210210639A1. Автор: Jian Wang,Fei Liu,Hong Guo. Владелец: Versitech Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Method for Manufacturing Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20190363187A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor device, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240014255A1. Автор: Hojung Lee,Seung Yup Jang,Jaemoo KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-11.

Self-aligned channel metal oxide semiconductor (mos) device and fabrication method thereof

Номер патента: EP4285417A1. Автор: Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Self-aligned channel metal oxide semiconductor (mos) device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240096963A1. Автор: Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor structure with low leakage current and reserved gate length

Номер патента: US20230402504A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor

Номер патента: US20240136448A1. Автор: Marianne Berolini,Cory Nelson,Ronald S. Demcko,Jeff Borgman. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Metal-oxide-semiconductor capacitor

Номер патента: WO2024086220A1. Автор: Marianne Berolini,Cory Nelson,Ronald S. Demcko,Jeff Borgman. Владелец: KYOCERA AVX Components Corporation. Дата публикации: 2024-04-25.

Double diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20130313641A1. Автор: Chien-Hao Huang,Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-28.

Metal oxide semiconductor device with improved threshold voltage and drain junction breakdown voltage and method for fabricating same

Номер патента: US20080023776A1. Автор: Allan Laser. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor devices, transistors, and related methods for contacting metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US11908913B2. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ramanathan GANDHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a notched gate electrode

Номер патента: US11791392B2. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Dielectric metal oxide cap for channel containing germanium

Номер патента: US20180374928A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Ashish Agrawal,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for forming shielding polysilicon sidewall for protecting shielded gate trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US11749735B2. Автор: YI Su,Hong Chang. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor devices, transistors, and related methods for contacting metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20220254896A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ramanathan GANDHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of forming metal-oxide-semiconductor transistor

Номер патента: US20100261323A1. Автор: Chien-Chung Huang,Neng-Kuo Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-14.

Laterally diffused metal-oxide semiconductor with gate contact

Номер патента: US20230317815A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

P-type metal oxide semiconductor material and fabrication method thereof

Номер патента: US8007694B2. Автор: Shan-Haw Chiou,Kuo-Chuang Chiu,Yi-Wen Kao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-08-30.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a gap between the drain and body wells

Номер патента: EP4235797A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Huihua Jiang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-30.

Lateral oriented metal-oxide-semiconductor, mos device comprising a semiconductor body

Номер патента: EP4290585A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-13.

High performance laterally-diffused metal-oxide semiconductor structure

Номер патента: US20240030341A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11949010B2. Автор: Budong You,Chunxin Xia. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) device with aligned buried layer isolation layer

Номер патента: US20030151088A1. Автор: Shih-Hui Chen,Jeng Gong,Chi-Hung Kao,Meng-Chi Wu,Kuo--Hsu Huang,Jia-Rong Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Metal oxide semiconductor field effect transistor with crystalline oxide layer on a III-V material

Номер патента: US11081590B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Robert M. Wallace,Xiaoye Qin. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2021-08-03.

Semiconductor devices, transistors, and related methods for contacting metal oxide semiconductor devices

Номер патента: EP3676877A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ramanathan GANDHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-08.

Heterogeneous structures comprising III-V semiconductors and metal oxide dielectrics, and a method of fabrication thereof

Номер патента: US11735643B2. Автор: Alexander Gerber,Gregory KOPNOV. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Laterally diffused metal-oxide semiconductor with gate contact

Номер патента: EP4254510A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

P-type metal oxide semiconductor material and fabrication method thereof

Номер патента: US20100148133A1. Автор: Shan-Haw Chiou,Kuo-Chuang Chiu,Yi-Wen Kao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-06-17.

Metal oxide semiconductor with multiple drain vias

Номер патента: US20230402515A1. Автор: Chih-Hung Chang,Chung-Hsiung Ho,Chi-Hsueh Li. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Trench vertical double diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: WO2012034372A8. Автор: Genyi Wang,Tzong Shiann Wo. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-19.

Method of making a trench gate complimentary metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US5108938A. Автор: Allen L. Solomon. Владелец: Grumman Aerospace Corp. Дата публикации: 1992-04-28.

Composite inverse T-gate metal oxide semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US5097301A. Автор: Julian J. B. Sanchez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1992-03-17.

Lateral oriented metal-oxide-semiconductor, mos device comprising a semiconductor body

Номер патента: US20230402541A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-14.

Double-diffused metal-oxide-semiconductor transistor including a recessed dielectric

Номер патента: US20230299195A1. Автор: Sundar Chetlur,Maxim Klebanov,Thomas S. Chung,Chung C. Kuo. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for increasing breaking down voltage of lateral diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20100270615A1. Автор: Kwang-Ming Lin,Shih-Chan Chen,Shih-Chieh Pu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9520470B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-13.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9704987B2. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for fabricating gate dielectrics of metal-oxide-semiconductor transistors using rapid thermal processing

Номер патента: US20090108377A1. Автор: Zhi Chen,Jun Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Memory device including composite metal oxide semiconductor channels and methods for forming the same

Номер патента: US20230363161A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Transistors for replacing metal-oxide-semiconductor field-effect transistors in nanoelectronics

Номер патента: US20120309142A1. Автор: Mark S. Miller,Justin Millis,Justin B. Jackson,Divesh Kapoor. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2012-12-06.

SILICON METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (Si MOSFET) WITH A WIDE-BANDGAP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR GROUP DRAIN AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210159338A1. Автор: Edward Yi Chang,Mau-Chung Frank Chang,Chieh-Hsi Chuang,Jessie Lin. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2021-05-27.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20170054018A1. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Metal oxide semiconductor material, target material and fabrication method therefor, thin film transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US20230268444A1. Автор: Fei Wang,Guangcai Yuan,Junbiao Peng,Linfeng Lan,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2023-08-24.

Structure of trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20190355847A1. Автор: Chih-Fang Huang,Jheng-Yi Jiang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US9299796B2. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-03-29.

Well doping for metal oxide semiconductor (mos) varactor

Номер патента: US20190393359A1. Автор: YE Lu,YUN Yue,Chuan-Cheng Cheng,Chuan-Hsing Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20010049172A1. Автор: Charles Pearce. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Metal-oxide-semiconductor device with a doped titanate body

Номер патента: US20090065875A1. Автор: Yukiko Furukawa,Radu Surdeanu,Vincent C. Venezia. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-03-12.

Metal-oxide-semiconductor device with a doped titanate body

Номер патента: WO2006043243A1. Автор: Yukiko Furukawa,Radu Surdeanu,Vincent C. Venezia. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-04-27.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device (ldmos) and fabrication method thereof

Номер патента: US20140035034A1. Автор: Chun-Wei Chen,Wei-Shan Liao,An-Hung LIN,Hong-Ze Lin,Bo-Jui Huang,Ting-Zhou Yan,Kun-Yi Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Metal oxide semiconductor field effect transistors (mosfet) including deep p-wells and methods of forming same

Номер патента: US20240128323A1. Автор: Adam Morgan,Dongyoung Kim,Woongje Sung. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-04-18.

Structure of trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20180315848A1. Автор: Chih-Fang Huang,Jheng-Yi Jiang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-11-01.

Metal oxide semiconductor material, target material and preparation method therefor, thin film transistor and preparation method therefor

Номер патента: EP4167291A1. Автор: Fei Wang,Guangcai Yuan,Junbiao Peng,Linfeng Lan,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2023-04-19.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230068212A1. Автор: Hyoshin AHN,Uihui KWON,Sangjun Yun,Seongnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20210336026A1. Автор: Hyoshin AHN,Uihui KWON,Sangjun Yun,Seongnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US11791394B2. Автор: Hyoshin AHN,Uihui KWON,Sangjun Yun,Seongnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Metal-oxide semiconductor (MOS) field effect transistor having extremely shallow source/drain zones and silicide terminal zones, and a process for producing the transistor circuit

Номер патента: US4885617A. Автор: C. A. Mazure-Espejo,Franz Neppl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-12-05.

Method for manufacturing double-diffused metal-oxide semiconductor fieldeffect transistor device and the device thereby manufactured

Номер патента: CA1306313C. Автор: Takeshi Nobe,Masahiko Suzumura,Sigeo Akiyama. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1992-08-11.

Method for manufacturing a depletion type double-diffused metal-oxide semiconductor field effect transistor device

Номер патента: US4902636A. Автор: Takeshi Nobe,Masahiko Suzumura,Sigeo Akiyama. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1990-02-20.

Integrated Circuit with a Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20100052050A1. Автор: Ashraf W. Lotfi,Douglas Dean Lopata,William W. Troutman,Tanya Nigam. Владелец: Enpirion Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Metal oxide semiconductor (MOS) transistor having a recessed gate electrode and methods of fabricating the same

Номер патента: US7655522B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-02.

Power metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor

Номер патента: US4206469A. Автор: Earl S. Schlegel,Maurice H. Hanes. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1980-06-03.

High dielectric constant metal oxide gate dielectrics

Номер патента: US6998357B2. Автор: Peng Cheng,Brian S. Doyle,David B. Fraser,Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-14.

Metal oxide semiconductor device having recess and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190043985A1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-02-07.

Method of forming laterally diffused metal oxide semiconductor transistor with partially unsilicided source/drain

Номер патента: US20150171191A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Lee-Wee Teo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Laterally diffused metal oxide semiconductor (ldmos) transistor on a semiconductor on insulator (soi) layer with a backside device

Номер патента: US20190109232A1. Автор: Sinan Goktepeli,George Pete IMTHURN,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140061786A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-03-06.

High voltage (hv) metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) in semiconductor on insulator (soi) technology

Номер патента: US20190393340A1. Автор: Qingqing Liang,Sinan Goktepeli,Ravi Pramod Kumar Vedula,George Pete IMTHURN,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

High voltage (hv) metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) in semiconductor on insulator (soi) technology

Номер патента: US20200185522A1. Автор: Qingqing Liang,Sinan Goktepeli,Ravi Pramod Kumar Vedula,George Pete IMTHURN,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

High voltage (hv) metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) in semiconductor on insulator (soi) technology

Номер патента: EP3815147A1. Автор: Qingqing Liang,Sinan Goktepeli,Ravi Pramod Kumar Vedula,George Pete IMTHURN,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-05-05.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor and method of fabricating same

Номер патента: US20210028307A1. Автор: Joo-Hyung Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240136413A1. Автор: FENG Lin,YU HUANG,Bin Yang,Gang Huang,Shuxian Chen,Huajun JIN,Hongfeng JIN,Chunxu LI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: WO2016109118A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-07-07.

Laterally diffused metal oxide semiconductor (ldmos) transistor on a semiconductor on insulator (soi) layer with a backside device

Номер патента: WO2019071083A1. Автор: Sinan Goktepeli,George Pete IMTHURN,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-04-11.

Lateral double diffusion metal oxide semiconductor element and its manufacture method

Номер патента: CN106469755A. Автор: 黄宗义. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-03-01.

Double-diffused metal oxide semiconductor and method for fabricating the same

Номер патента: KR100734143B1. Автор: 고광영. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-06-29.

Method of producing highly efficient and electrically stable semiconductor layers of metal oxides, layers made using this method, and use thereof

Номер патента: RU2601210C2. Автор: Юрген ШТАЙГЕР,Алексей МЕРКУЛОВ,Арне ХОППЕ,Дуи Ву ПАМ,Анита НОЙМАНН. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2016-10-27.

Metal oxide semiconductor device with dual-well and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI619200B. Автор: 黃宗義. Владелец: 立錡科技股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-21.

Metal oxide semiconductor transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20070267691A1. Автор: Frank Chen,Yu-Chi Chen,Jih-Wen Chou. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-11-22.

Metal oxide semiconductor structure and production method thereof

Номер патента: US9006730B2. Автор: Chung-Chin Huang,Chin-Wen Lin,Ted Hong Shinn,Chuan-I HUANG. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2015-04-14.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201519446A. Автор: Hung-Der Su,Kuo-Cheng Chang,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Wen-Yi Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-05-16.

Method and system for providing a metal oxide semiconductor device having a drift enhanced channel

Номер патента: WO2008070748A3. Автор: Darwin Gene Enicks. Владелец: Darwin Gene Enicks. Дата публикации: 2008-10-30.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US11894458B2. Автор: Li Lu,Ling Yang,Longxing Shi,Kui Xiao,Weifeng Sun,Siyang Liu,Qichao Wang,Jiaxing WEI,Dejin Wang,Ran Ye. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Laterally diffused metal oxide semiconductor structure

Номер патента: EP4328977A1. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20100171186A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Fabricating method of a high voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20070080398A1. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-12.

Method of fabricating high voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US7462532B2. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-12-09.

Synthesis of metal oxide semiconductor nanoparticles from a molecular cluster compound

Номер патента: EP3044287A1. Автор: Nigel Pickett,Nathalie Gresty,Ombretta Masala,Steven Matthew Daniels. Владелец: Nanoco Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-07-20.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor device

Номер патента: US20230387290A1. Автор: Min Wang,Lijun Li,Yonghong Tao,Zhidong Lin,Zhigao Peng,Yuanxu GUO. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

N-type metal oxide semiconductor (nmos) transistor for electrostatic discharge (esd)

Номер патента: US20160099241A1. Автор: Tsung-Che Tsai,Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

N-type metal oxide semiconductor (NMOS) transistor for electrostatic discharge (ESD)

Номер патента: US9929143B2. Автор: Tsung-Che Tsai,Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

A Vertical Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) and a Method of Forming the Same

Номер патента: US20210280700A1. Автор: Lars-Erik Wernersson,Olli-Pekka Kilpi. Владелец: C2amps AB. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory device including composite metal oxide semiconductor channels and methods for forming the same

Номер патента: US20230363158A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307070A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Wen-Yi Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Laterally diffused metal oxide semiconductor transistor with partially unsilicided source/drain

Номер патента: US20110193162A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Lee-Wee Teo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and layout pattern thereof

Номер патента: US20130221438A1. Автор: Chih-Chung Wang,Chih-Wei Hsu,Ming-Tsung Lee,Wen-Fang Lee,Cheng-Hua Yang,Po-Ching Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and layout pattern thereof

Номер патента: US20130307071A1. Автор: Chih-Chung Wang,Ming-Tsung Lee,Te-Yuan Wu,Wen-Fang Lee,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Processes for preparing metal oxide semiconductor nanomaterials

Номер патента: US11820672B2. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Lateral extended drain metal oxide semiconductor field effect transistor (ledmosfet) with tapered dielectric plates to achieve a high drain-to-body breakdown voltage, a method of forming the transistor and a program storage device for designing the transistor

Номер патента: US20130001589A1. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Michel J. Abou-Khalil,Theodore J. Letavic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Laterally diffused metal oxide semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11830932B2. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xianguo HUANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210193815A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xunyi SONG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US20240120419A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Lateral diffusion metal oxide semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230238457A1. Автор: Zong-Han Lin,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140120676A1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-01.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140120679A1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-01.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140117443A1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-01.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120187483A1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2012-07-26.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8709900B1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-04-29.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8728895B1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-20.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8729630B1. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-05-20.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8653594B2. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-02-18.

High-voltage metal oxide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20110018071A1. Автор: Kao-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Processes for preparing metal oxide semiconductor nanomaterials

Номер патента: EP3911595A1. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US11881527B2. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: EP2494600A2. Автор: Naveen Tipirneni,Deva N. Pattanayak. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2012-09-05.

Trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: WO2011059782A2. Автор: Naveen Tipirneni,Deva N. Pattanayak. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2011-05-19.

Method and apparatus for fabricating ultra-shallow junction metal-oxide semiconductor integrated circuit devices.

Номер патента: WO2005057662A3. Автор: Damien Lenoble,Francois Wacquant,Frederic Salvetti,Alexandre Dray,Etienne Robilliart,Ramiro Palla. Владелец: Ramiro Palla. Дата публикации: 2005-10-13.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US8217471B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11710787B2. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xianguo HUANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-07-25.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11742206B2. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xunyi SONG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of manufacturing metal-oxide-semiconductor transistor

Номер патента: US20060189065A1. Автор: Tony Liu,Yun-Ren Wang,Ying-Wei Yen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-24.

Compositions of metal oxide semiconductor nanomaterials

Номер патента: EP3912194A1. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperaton Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

High voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20070128788A1. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-07.

High voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US7791137B2. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

High-voltage metal oxide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20100078737A1. Автор: Kao-Way Tu. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

High-voltage metal-oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20160043193A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Apparatus, system and method of a metal-oxide-semiconductor (mos) transistor including a split-gate structure

Номер патента: US20210399634A1. Автор: Erez Sarig. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Metal-oxide-semiconductor transistor and method of fabricating the same

Номер патента: EP3699962A1. Автор: Chih-Chung Wang,Sheng-Chen Chung,Ke-Feng Lin,Chiu-Te Lee,Liang-An HUANG,Chen-An Kuo,Kuang-Hsiu Chen,Kai-Ting Hu,Hsiang-Hua Hsu,Yan-Huei Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-08-26.

Laterally diffused metal oxide semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210143266A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xianguo HUANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

A vertical metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) and a method of forming the same

Номер патента: EP3622559A1. Автор: Lars-Erik Wernersson,Olli-Pekka Kilpi. Владелец: C2amps AB. Дата публикации: 2020-03-18.

High-voltage metal-oxide semiconductor transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20150287797A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Processes for preparing metal oxide semiconductor nanomaterials

Номер патента: WO2020150425A1. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device

Номер патента: US20140091389A1. Автор: Chih-Chung Wang,Ming-Shun Hsu,Ke-Feng Lin,Chiu-Te Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20180122921A1. Автор: Sen Zhang,Shukun QI,Guipeng Sun,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods for forming planar metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Номер патента: US20220238674A1. Автор: Lei Zhong,Qintao Zhang,Samphy Hong,David Jon Lee,Felix Levitov,Carlos CABALLERO,Durgaprasad Chaturvedula. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-07-28.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor (ldmos) transistors

Номер патента: US20210119041A1. Автор: Cho Chiu Ma. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

N-type metal oxide semiconductor transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240088293A1. Автор: Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Wei-Chuan Tsai,Jin-Yan Chiou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Techniques for fabricating charge balanced (cb) trench-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices

Номер патента: US20200105925A1. Автор: Stephen Daley Arthur,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,David Alan Lilienfeld,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-04-02.

Oxide semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09917206B2. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for manufacturing metal-oxide-semiconduct or field-effect transistors

Номер патента: WO2012071990A1. Автор: Alihajy Aliyeu. Владелец: Csmc Technologies Fab1 Co., Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240222515A1. Автор: Yongsung Kim,Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Oxidized film structure and method of making epitaxial metal oxide structure

Номер патента: US20020102418A1. Автор: Yong Liang,Shupan Gan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Reduction of metal oxide in dual frequency plasma etch chamber

Номер патента: EP1078389A1. Автор: ZHENG Xu,Vijay Parkhe,Gilbert Hausmann,Barney M. Cohen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-02-28.

Oxidized film structure and method of making epitaxial metal oxide structure

Номер патента: WO2002059945A2. Автор: Yong Liang,Shupan Gan. Владелец: BATTELLE MEMORIAL INSTITUTE. Дата публикации: 2002-08-01.

Selective deposition of metal oxide

Номер патента: US20240282572A1. Автор: Yonggyu Han,Eva Tois,Charles DEZELAH,Shaoren Deng,Glen Wilk,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Aranzazu MAESTRE CARO,Kranthi Kumar Vaidyula,Vincent Vandalon,Viraj Madhiwala,Nadadur Veeraraghavan Srinath,David Zanders. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device comprising silicon and oxide semiconductor in channel formation region

Номер патента: US12080802B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Methods of forming metal oxide and semimetal oxide

Номер патента: US20060024881A1. Автор: Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Method of forming metal oxide film, metal oxide film and optical electronic device

Номер патента: US20130078457A1. Автор: Tomohiro Okumura,Osamu Morita,Mitsuo Saitoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Thin layer metal oxide capacitor, electronic device including the same (dram), and method of preparing the same

Номер патента: EP4290542A3. Автор: Changsoo LEE,Jooho Lee,Cheheung KIM,Jinhong Kim,Yong-hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Metal oxide film, semiconductor device, and method for evaluating metal oxide film

Номер патента: US20240321577A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kenichi Okazaki,Tomonori Nakayama,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai,Tomosato KANAGAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer

Номер патента: US09954114B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device including oxide semiconductor film containing indium

Номер патента: US09929280B2. Автор: Noriyoshi Suzuki,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of forming semiconductor device with different energy gap oxide semiconductor stacked layers

Номер патента: US09899536B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Surface-modified metal oxide particle dispersion liquid, method for producing same, surface-modified metal oxide particle-silicone resin composite composition, surface-modified metal oxide particle-silicone resin composite body, optical member and light emitting device

Номер патента: US09856361B2. Автор: Takeshi Otsuka,Kenji Harada,Yasuyuki Kurino,Takeru Yamaguchi. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Oxide semiconductor device

Номер патента: US09847428B1. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Oxide semiconductor layer and production method therefor, oxide semiconductor precursor, oxide semiconductor layer, semiconductor element, and electronic device

Номер патента: US09842916B2. Автор: Satoshi Inoue,Tatsuya Shimoda,Nobutaka Fujimoto,Kiyoshi Nishioka,Tomoki Kawakita. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Hydroxyl group termination for nucleation of a dielectric metallic oxide

Номер патента: US09831084B2. Автор: Takashi Ando,Michael P. Chudzik,Martin M. Frank,Min Dai,Barry P. Linder,Rishikesh Krishnan,Joseph F. Shepard, Jr.,Claude Ortolland,David F. Hilscher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for etching metal or metal oxide by ozone water, method for smoothing surface of metal or metal oxide by ozone water, and patterning method using ozone water

Номер патента: US09797046B2. Автор: Takatoki Yamamoto,Ryuji Hatsuki. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device including oxide semiconductor with an insulating film including galliium and oxygen

Номер патента: US09755082B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing a semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09721811B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer

Номер патента: US09660092B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Takuya Handa,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for fabricating microchips using metal oxide masks

Номер патента: US20050181557A1. Автор: Thomas Hecht,Stefan Jakschik,Matthias Goldbach,Uwe Schröder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-08-18.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A2. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2005-06-01.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A4. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Method of fabricating a metal oxynitride thin film that includes a first annealing of a metal oxide film in a nitrogen-containing atmosphere to form a metal oxynitride film and a second annealing of the metal oxynitride film in an oxidizing atmosphere

Номер патента: US20090096067A1. Автор: Toshihide Nabatame,Tomoaki Nishimura,Koji Tominaga,Kunihiko Iwamoto. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Oxide semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20200027955A1. Автор: Naoto Kikuchi,Shintarou Ikeda,Yoshihiro Aiura,Akane Samizo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-01-23.

Manufacturing method of oxide semiconductor device

Номер патента: US10446689B1. Автор: Hui-Ling Chen,Chien-Ming Lai,Sheng-Yao HUANG,Yen-Chen Chen,Han Chuan Fang,Jen-Po Huang,Seng Wah Liau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Thin film transistor comprising oxide semiconductor layer and silicon semiconductor layer and display apparatus comprising the same

Номер патента: US11495692B2. Автор: Pilsang YUN,Jiyong NOH,Intak Cho,Jaeman JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

Oxide semiconductor composition, manufacturing method thereof, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: US10889504B2. Автор: Wenlin Zhang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-12.

Oxide semiconductor composition, manufacturing method thereof, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2019134394A1. Автор: Wenlin Zhang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-07-11.

Oxide semiconductor

Номер патента: US20180305219A1. Автор: Hiroshi Takashima,Ruiping Wang,Naoto Kikuchi,Hirofumi Kawanaka,Shintarou Ikeda,Yoshihiro Aiura,Akane Samizo,Kazuhiko Tonooka. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2018-10-25.

Method for forming metal oxide film, metal oxide film, and apparatus for forming metal oxide film

Номер патента: US20120040083A1. Автор: Akio Yoshida,Shizuo Fujita,Naoki Kameyama,Takahiro Shirahata,Hiroyuki Orita. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2012-02-16.

Metal-oxide-silicon device including nanometer scaled oxide structure to enhance light-emitting efficiency

Номер патента: US20030201434A1. Автор: Ching-Fuh Lin,Ting-Wei Su,Wei-Fang Lin,Eih-Zhe Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Metal-oxide-silicon device including nanometer scaled oxide structure to enhance light-emitting efficiency

Номер патента: US6770903B2. Автор: Ching-Fuh Lin,Ting-Wei Su,Wei-Fang Lin,Eih-Zhe Liang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2004-08-03.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US12058873B2. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Composition for forming metal oxide film, patterning process, and method for forming metal oxide film

Номер патента: US20230280648A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiharu Yano,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of forming metal oxide metal capacitors using multi-step rapid material thermal process and a device formed thereby

Номер патента: US20020017670A1. Автор: Pradip Roy,Sailesh Merchant,Siddhartha Bhowmik,Sidhartha Sen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Metal oxide film, semiconductor device, and display device

Номер патента: US12098458B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20240349514A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Linearity and dynamic range for complementary metal oxide semiconductor active pixel image sensors

Номер патента: US20020121589A1. Автор: Robert Guidash. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-09-05.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20180131232A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-10.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20190238004A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-01.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20210143679A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2021-05-13.

Method and system for a complementary metal oxide semiconductor wireless power receiver

Номер патента: US10826330B2. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-03.

Method and system for a complementary metal oxide semiconductor wireless power receiver

Номер патента: US09685793B2. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Coating material for forming porous metal oxide semiconductor film for photovoltaic cell

Номер патента: EP2128880A3. Автор: Tsuguo Koyanagi,Takaki Mizuno. Владелец: JGC Catalysts and Chemicals Ltd. Дата публикации: 2012-09-26.

Process for preparing nano-porous metal oxide semiconductor layers

Номер патента: WO2004025675A1. Автор: Hieronymus Andriessen,Joop Van Deelen,Jan Kroon. Владелец: AGFA-GEVAERT. Дата публикации: 2004-03-25.

N-type metal oxide semiconductor spectrally sensitized with a cationic spectral sensitizer

Номер патента: WO2004025674A1. Автор: Hieronymus Andriessen,Paul Callant. Владелец: AGFA-GEVAERT. Дата публикации: 2004-03-25.

Process for preparing nano-porous metal oxide semiconductor layers

Номер патента: EP1540679A1. Автор: Hieronymus AGFA-GEVAERT ANDRIESSEN,Joop Van Deelen,Jan Kroon. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 2005-06-15.

Oxidation-reduction assisted exfoliation and reassembly of transition metal oxide lithium intercalation compounds

Номер патента: US20180034054A1. Автор: QIAN Cheng,Candace Chan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-01.

Formation of high quality titania, alumina and other metal oxide templated materials through coassembly

Номер патента: US12116287B2. Автор: Joanna Aizenberg,Tanya SHIRMAN,Katherine Reece PHILLIPS,Elijah Shirman,Theresa Kay. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of forming electric heating element by method of plasma sputtering metal and/or metal oxide matrix

Номер патента: RU2383956C2. Автор: Джефри БОРДМАН. Владелец: 2Д Хит Лимитед. Дата публикации: 2010-03-10.

Powdery Metal Oxide Mother Particles, Powdery Metal Oxide Child Particles, Process for Producing Powdery Metal Oxide Particles, Powdery Composite Particles, and Electrode for Solid Oxide Fuel Cell

Номер патента: US20080003487A1. Автор: Koichi Takizawa. Владелец: Tokyo Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Metal oxide nano-composite magnetic material, fabrication method, and method for linkage, enrichment, and isolation of phosphorylated species

Номер патента: US20100184962A1. Автор: Wei-Yu Chen,Cheng-Tai Chen,Hong-yi LIN,Yu-Chie Chen,Chun-Yuen Lo,Chih Chi Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Buffer layer for the crystal growth of metal oxides of perovskite type in particular on amorphous substrates

Номер патента: US20230298778A1. Автор: Adrian David,Gilles Poullain,Alexis Boileau,Christophe LABBE,Fabrice Gourbilleau,Christophe CIBERT,Arnaud FOUCHET,Ulrike LÜDERS. Владелец: Ecole Nationale Superieure dIngenieurs de Caen. Дата публикации: 2023-09-21.

Apparatus for depositing nanoparticles of metal oxides on a metal surface under normal conditions

Номер патента: RU2733530C1. Автор: Николай Васильевич Краснов,Марат Зарифович Мурадымов,Максим Николаевич Краснов,Екатерина Петровна Подольская,Ольга Александровна Кельциева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БиАП". Дата публикации: 2020-10-05.

Powders of valve metal and valve metal oxide mixes and method of their production

Номер патента: RU2542866C9. Автор: Кристоф ШНИТТЕР,Хольгер БРУММ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2015-11-20.

Powders of valve metal and valve metal oxide mixes and method of their production

Номер патента: RU2542866C2. Автор: Кристоф ШНИТТЕР,Хольгер БРУММ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2015-02-27.

Coated Metal Oxide Materials and Method, Process, and Apparatus For Making The Same

Номер патента: US20230335727A1. Автор: Jin-Myoung LIM,Francisco A. LOPEZ. Владелец: Hunt Energy Enterprises LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

Methods for the controlled synthesis of layered lithium and sodium transition metal oxides using electrochemically assisted ion-exchange

Номер патента: US20230282800A1. Автор: YU Han,Chong Liu. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2023-09-07.

Nanostructured mixed metal oxides as catalysts and method of making thereof

Номер патента: US20190169043A1. Автор: Eranda Nikolla,Bingwen Wang,Ayad Nacy. Владелец: WAYNE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-06.

Method for preparing metal oxide nanoparticle/graphene composite using supercritical fluid and metal oxide nanoparticle/graphene composite prepared by the same

Номер патента: US09899671B2. Автор: Jaehoon Kim,Wenying Li,Do Hyeon YOON,Ji Eun HWANG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2018-02-20.

Composite cathode material based on layered transition metal oxides for lithium-ion batteries and its predecessor compounds

Номер патента: RU2748762C1. Автор: Артем Михайлович Абакумов,Александра Александровна Савина,Елена Дмитриевна Орлова. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий" (Сколковский институт науки и технологий). Дата публикации: 2021-05-31.

Functionalized metal oxide nanoparticles and solid electrolyte comprising the same

Номер патента: US20210408578A1. Автор: Rodrigo PARIS ESCRIBANO,Elisabetta FEDELI,Idoia URDAMPILLETA GONZALEZ,Andriy Kvasha,Juan NICOLÁS AGUADO,Oihane GARCÍA CALVO. Владелец: Repsol SA. Дата публикации: 2021-12-30.

Niobium metal oxide

Номер патента: WO2024126839A1. Автор: Sai SHIVAREDDY,Supreeth NAGENDRAN,Clare Philomena GREY. Владелец: Nyobolt Limited. Дата публикации: 2024-06-20.

Low temperature reduction of metal oxides

Номер патента: AU2021262230A1. Автор: Jawad Haidar,Bilal Khan,Rajan GNANARAJAN. Владелец: Kinaltek Pty Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Low temperature reduction of metal oxides

Номер патента: EP4142971A1. Автор: Jawad Haidar,Bilal Khan,Rajan GNANARAJAN. Владелец: Kinaltek Pty Ltd. Дата публикации: 2023-03-08.

Metal oxide based hydrophilic coatings for pem fuel cell bipolar plates

Номер патента: WO2006104542A3. Автор: Gayatri Vyas,Thomas A Trabold,Richard H Blunk,Youssef M Mikhail,Keith E Newman,Elhamid Mahmoud H Abd,Reena L Datta. Владелец: Gen Motors Global Technology. Дата публикации: 2007-11-22.

Functionalized metal oxide nanoparticles and solid electrolyte comprising the same

Номер патента: EP3821487A1. Автор: Rodrigo PARIS ESCRIBANO,Elisabetta FEDELI,Idoia URDAMPILLETA GONZALEZ,Andriy Kvasha,Juan NICOLÁS AGUADO,Oihane GARCÍA CALVO. Владелец: Repsol SA. Дата публикации: 2021-05-19.

Mesoporous metal oxides, preparation and applications thereof

Номер патента: US10822246B2. Автор: Zhu Luo,Steven L. Suib. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2020-11-03.

Mesoporous metal oxides, preparation and applications thereof

Номер патента: US20170349447A1. Автор: Steven L. Suib. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2017-12-07.

Layered metal oxide/amine composite material and preparation method and application thereof in magnesium ion battery

Номер патента: US20240243257A1. Автор: Fengxia Geng. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-18.

Compositions and methods for making lithium-transition metal oxide compounds including niobium

Номер патента: US20240228324A1. Автор: M. Whittingham,Fengxia XIN. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-07-11.

Sintering process of metal oxide based formulations

Номер патента: WO2012140684A1. Автор: Thomas Meredith Brown,Aldo Di Carlo,Andrea REALE,Girolamo MINCUZZI. Владелец: DYEPOWER. Дата публикации: 2012-10-18.

Sintering process of metal oxide based formulations

Номер патента: EP2697810A1. Автор: Thomas Meredith Brown,Aldo Di Carlo,Andrea REALE,Girolamo MINCUZZI. Владелец: DYEPOWER. Дата публикации: 2014-02-19.

Symmetrical multiplexer on complementary metal-oxide-semiconductor (coms) transistors

Номер патента: RU2689820C1. Автор: Ярослав Ярославович Петричкович,Андрей Вадимович Кобыляцкий,Дмитрий Кириллович Сергеев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" (АО НПЦ "ЭЛВИС"). Дата публикации: 2019-05-29.

Multiple image sensor system with shared processing

Номер патента: EP2215832A1. Автор: Robert Michael Guidash. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-08-11.

Complementary metal-oxide semiconductor high-frequency ring oscillator

Номер патента: US6097256A. Автор: Dar-Chang Juang,De-Sheng Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2000-08-01.

Complementary metal-oxide semiconductor (cmos) compatible rf switch and high voltage control circuit (hvcc)

Номер патента: US20210050846A1. Автор: Yan Guo,Patrick T. Clancy. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Digital double sampling method, a related CMOS image sensor, and a digital camera comprising CMOS image sensor

Номер патента: US09866775B2. Автор: Dong-Myung Lee,Gun-hee Han,Seog-Heon Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Voltage control unit of ring generators on complete metal-oxide-semiconductor (cmos) transistors

Номер патента: RU2763038C1. Автор: Юрий Михайлович Герасимов,Ярослав Ярославович Петричкович,Валерий Дмитриевич Байков,Николай Юрьевич Раннев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр «Электронные вычислительно-информационные системы» (АО НПЦ «ЭЛВИС»). Дата публикации: 2021-12-27.

MEMS-released curved image sensor

Номер патента: US09551856B2. Автор: Kaigham Jacob Gabriel,Philip Sean Stetson. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Multi-threshold complementary metal-oxide semiconductor (MTCMOS) bus circuit and method for reducing bus power consumption via pulsed standby switching

Номер патента: US20060082384A1. Автор: Rahul Rao,Kevin Nowka,Harmander Deogun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Five stage complimentary metal-oxide semiconductor rectifier with energy harvesting antenna

Номер патента: US20240266970A1. Автор: Munir A. Al-Absi. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-08-08.

Five stage complimentary metal-oxide semiconductor rectifier with energy harvesting antenna

Номер патента: US12107511B2. Автор: Munir A. Al-Absi. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-10-01.

Test unit of ring generators on complementary metal-oxide-semiconductor transistors

Номер патента: RU2725333C1. Автор: Юрий Михайлович Герасимов,Ярослав Ярославович Петричкович,Николай Геннадьевич Григорьев,Андрей Вадимович Кобыляцкий,Дмитрий Кириллович Сергеев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" (АО НПЦ "ЭЛВИС"). Дата публикации: 2020-07-02.

Backside illuminated global shutter pixel with active reset

Номер патента: US20190058840A1. Автор: Tomas Geurts. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-02-21.

Digital double sampling method, a related cmos image sensor, and a digital camera comprising the cmos image sensor

Номер патента: US20080111059A1. Автор: Dong-Myung Lee,Gun-hee Han,Seog-Heon Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-15.

Cmos image sensors with reduced power consumption

Номер патента: WO2017212075A3. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,Daniel Peter CANNIFF,Steven J. DECKER,Edward GUTHRIE. Владелец: ANALOG DEVICES GLOBAL. Дата публикации: 2018-01-18.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

CMOS image sensor capable of performing analog correlated double sampling

Номер патента: US20060220940A1. Автор: Haek-Soo Oh. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Single exposure high dynamic range (hdr) analog front-end for cmos image sensors

Номер патента: US20230300478A1. Автор: Eric Bohannon. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Cmos image sensor system and method thereof

Номер патента: US20150092086A1. Автор: Chih-Tsung Chang,Jyun-jie Sie. Владелец: Uchange Technology Co ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel die and implementation method thereof

Номер патента: US20230037951A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Metal-oxide-semiconductor (mos) voltage divider with dynamic impedance control

Номер патента: US20140333367A1. Автор: Ricardo P. Coimbra,Edevaldo Pereira Silva, JR.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-13.

Methods and apparatuses for detection of radiation with semiconductor image sensors

Номер патента: US09939534B2. Автор: Joshua Joseph Cogliati. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2018-04-10.

Complementary metal-oxide-semiconductor temperature sensor with wide-range sensing capability and high energy-efficiency

Номер патента: US20230392991A1. Автор: BO Wang. Владелец: Qatar Foundation for Education Science and Community Development. Дата публикации: 2023-12-07.

Low voltage complementary metal oxide semiconductor process tri-state buffer

Номер патента: US20080100340A1. Автор: Tzung-Shen Chen,Chun-Yu Liao,Ti-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Methods and devices for matching transmission line characteristics using stacked metal oxide semiconductor (mos) transistors

Номер патента: EP2912772A1. Автор: Yan Hu,Miao Li,Xiaoliang Bai,Jing Kang,Jingcheng Zhuang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-09-02.

Drive circuit for semiconductor image sensor array

Номер патента: US20140312208A1. Автор: Akehiko Uchiyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Methods and devices for matching transmission line characteristics using stacked metal oxide semiconductor (mos) transistors

Номер патента: WO2014066152A1. Автор: Yan Hu,Miao Li,Xiaoliang Bai,Jing Kang,Jingcheng Zhuang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-01.

Flip-flop implemented with metal-oxide semiconductors using a single low-voltage power supply and control method thereof

Номер патента: US20070046352A1. Автор: Hung-Yu Li,Jinn-Shyan Wang. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-03-01.

Control of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: RU2754501C1. Автор: Юрген БЕМЕР,Эберхард Ульрих КРАФФТ,Ян ВАЙГЕЛЬ,Марк-Маттиас БАКРАН,Андреас НАГЕЛЬ,Мартин ХЕЛЬСПЕР,Бернд ЛАСКА,Штефан Ханс Вернер ШЕНЕВОЛЬФ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2021-09-02.

Color video camera and method for improving resolution of a semiconductor image sensor

Номер патента: US5282043A. Автор: Raymond Pidoux,Roland Cochard,Marc-Henri Duvoisin. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1994-01-25.

Leakage current compensating circuit for semiconductor image sensor

Номер патента: US3814849A. Автор: H Bucher,D Wartburg. Владелец: Ball Brothers Research Corp. Дата публикации: 1974-06-04.

Cmos image sensor

Номер патента: EP1772011A1. Автор: Youn Jung Lee,jae soon nr 171-1606 Kolon APT HWANG,Hun Joon Jung. Владелец: MtekVision Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-11.

Cmos image sensor

Номер патента: WO2006004351A1. Автор: Youn Jung Lee,Jae Soon Hwang,Hun Joon Jung. Владелец: Mtek Vision Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-01-12.

Multi-chip color image sensor with light-receiving windows arranged to provide sensor output signals corresponding to the gap between adjacent sensors

Номер патента: US5315412A. Автор: Seiji Hashimoto,Akio Mihara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1994-05-24.

Circuit with metal-oxide semiconductor field-effect transistor and diode module and implemetation mehtod thereof

Номер патента: US20230043861A1. Автор: Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Two-dimensional semiconductor image sensor with regulated integration time

Номер патента: US4496980A. Автор: Hans-Joerg Pfleiderer,Heiner Herbst. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1985-01-29.

Integrated magnetostrictive-piezoelectric-metal oxide semiconductor magnetic playback head

Номер патента: CA1193361A. Автор: Chester Piotrowski,William M. Mularie,Steven A. Bendson,Neil W. Loeding. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1985-09-10.

Integrated circuit amplifier functioning in class AB and incorporating CMOS (metal oxide semiconductor) technology

Номер патента: US4419631A. Автор: Louis Tallaron,Jean P. Bertails,Cristian Perrin. Владелец: POUR L ETUDE ET LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES SPE Ste. Дата публикации: 1983-12-06.

Metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) based voltage regulator circuit

Номер патента: EP3980858A1. Автор: Bernard James Griffiths. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-04-13.

Metal-oxide-semiconductor circuit designs and methods for operating same

Номер патента: EP2143200A1. Автор: Seyfollah Bazarjani,Guoqing Miao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-01-13.

Metal-oxide-semiconductor circuit designs and methods for operating same

Номер патента: WO2008127860A1. Автор: Seyfollah Bazarjani,Guoqing Miao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-23.

Piezolectric material comprising tungsten bronze structure metal oxide

Номер патента: EP2483941A1. Автор: Takayuki Watanabe,Makoto Kubota,Takanori Matsuda,Kaoru Miura,Jumpei Hayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-08-08.

Rare earth metal&metal oxide electrode interfacing of oxide memory element in resistive random access memory cell

Номер патента: EP3221892A1. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-27.

Flash light adjustment apparatus in using image sensor

Номер патента: KR100536988B1. Автор: 조정욱. Владелец: 주식회사 팬택앤큐리텔. Дата публикации: 2005-12-14.

Multi-level power supply system for a complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US20100201403A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Louis L. Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Metal oxide semiconductor gas sensor having nanostructure and method for manufacturing same

Номер патента: US09689785B2. Автор: Jong Kyu Kim,Sun Yong Hwang,Hyun Ah Kwon. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-06-27.

High performance chemical and bio sensors using metal oxide semiconductors

Номер патента: US20200088678A1. Автор: Yang Yang,Jonathan Yang,You Seung RIM. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-03-19.

Manufacturing method of metal oxide semiconductor material for gas sensor

Номер патента: US8529799B2. Автор: Takayuki Nakano,Takahiro Ishibashi,Daisuke Kuwahara,Tetsuji Imamura. Владелец: Hokuriku Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-10.

Manufacturing method for metal oxide semiconductor material for gas sensor

Номер патента: US20120112137A1. Автор: Takayuki Nakano,Takahiro Ishibashi,Daisuke Kuwahara,Tetsuji Imamura. Владелец: Hokuriku Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-10.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) dynamic random access memory (dram) cell with sense amplifier

Номер патента: US20140204654A1. Автор: John E. Barth, Jr.,Adis Vehabovic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

A complementary metal-oxide-semiconductor x-ray detector

Номер патента: WO2014025967A2. Автор: David Ellis Barker,James Zhengshe Liu. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2014-02-13.

Heterogenous integration of complementary metal-oxide-semiconductor and MEMS sensors

Номер патента: US11845653B2. Автор: Ilker Ender Ocak,Wan Chia ANG,Piotr Kropelnicki. Владелец: Meridian Innovation Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Device comprising a micro-electro-mechanical system substrate with protrusions of different heights that has been integrated with a complementary metal-oxide-semiconductor substrate

Номер патента: US20190185317A1. Автор: Joseph Seeger,Jongwoo Shin,Houri Johari-Galle,Bongsang Kim,Dongyang Kang. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Drug-releasing compositions of metal oxide semiconductor nanomaterials and hemostatic polymers

Номер патента: US20210322566A1. Автор: Rajashekharayya A. Sanguramath,Ariel Antonio Franco. Владелец: Nsc Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Low-power, p-channel enhancement-type metal-oxide semiconductor field-effect transistor (PMOSFET) SRAM cells

Номер патента: US20060018147A1. Автор: Pramod Kolar,Hisham Massoud. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2006-01-26.

Metal-oxide semiconductor (MOS) transistor offset-cancelling (OC), zero-sensing (ZS) dead zone, current-latched sense amplifiers (SAs) (CLSAs) (OCZS-SAs) for sensing differential voltages

Номер патента: US09852783B1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Taehui Na,Byung Kyu Song. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-12-26.

High performance chemical and bio sensors using metal oxide semiconductors

Номер патента: US20180059051A1. Автор: Yang Yang,Jonathan Yang,You Seung RIM. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-03-01.

Sensing material for detecting hydrogen sulfide, hydrogen sulfide-sensitive layer, and metal oxide semiconductor-type gas sensor

Номер патента: US20220324721A1. Автор: Raitaro Masaoka,Tomokazu Ishikura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Gas sensor having metal-oxide semiconductor layer

Номер патента: US5250170A. Автор: Wasaburo Ohta,Shinji Yagawara. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1993-10-05.

Metal oxide gas sensor array devices, systems, and associated methods

Номер патента: EP3237896A1. Автор: Noureddine Tayebi,Pradyumna SINGH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Analyzing system for the detection of reducing and oxidizing gases in a carrier gas with a metal-oxide-semiconductor sensor arrangement

Номер патента: US20060052953A1. Автор: Xavier Sanchez,Jesus Brezmes,Raul Calavia,Xavier Correig,Eduard Llobet,Xavier Vilanova. Владелец: Sociedad Espanola de Carburos Metalicas SA. Дата публикации: 2006-03-09.

Hydrogen production from water using photocatalysts comprising metal oxides and graphene nanoparticles

Номер патента: US20160296909A1. Автор: Sandro Gambarotta,Hicham Idriss,Moussa Saleh,Ahmed Khaja WAHAB. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2016-10-13.

Mixed metal oxide oxidation catalysts and oxidative ammonolysis of propane and isobutane and method of obtaining them

Номер патента: RU2356627C2. Автор: Клаус Ж. ЛАГМЭР,Джессика ЗИСК,Роберт К. ГРАССЕЛЛИ. Владелец: ИНЕОС ЮЭсЭй ЛЛК. Дата публикации: 2009-05-27.

Electro-chemical reduction of metal oxides

Номер патента: RU2347015C2. Автор: Эндрю Артур ШУК,Грегори Дэвид РИГБИ,Иван РАТЧЕВ. Владелец: Би Эйч Пи БИЛЛИТОН ИННОВЕЙШН ПТИ ЛТД.. Дата публикации: 2009-02-20.

Metal oxides and/or their hydrates for the stabilization of aqueous preparation against growth of microorganisms

Номер патента: RU2744384C2. Автор: Анита ЦУМСТЕГ,Симон УРВИЛЕР,Йоахим ГЛАУБИЦ. Владелец: Омиа Интернэшнл Аг. Дата публикации: 2021-03-09.

Metal oxide nanorod arrays on monolithic substrates

Номер патента: US09855549B2. Автор: ZHENG Ren,Pu-Xian Gao,Yanbing GUO. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2018-01-02.

Powder of metal oxide, powder of titanium oxide, method of producing metal oxide powder

Номер патента: RU2127221C1. Автор: Мохри Масахиде,Койке Хиронобу,Умеда Тецу,Танака Синитиро,Ватанабе Хисаси,Саегуса Кунио,Хасегава Акира. Владелец: Сумитомо Кемикал Компани Лимитед. Дата публикации: 1999-03-10.

Method of producing powder of simple or complex metal oxide

Номер патента: RU2723166C1. Автор: Виктор Дмитриевич Журавлев,Лариса Валерьевна Ермакова,Шамиль Минулович Халиуллин,Татьяна Александровна Патрушева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2020-06-09.

Metal oxide electrode for potentiometric measurements and method of its production

Номер патента: RU2691661C1. Автор: Владимир Сергеевич Руднев,Марина Сергеевна Васильева,Наталья Евгеньевна Забудская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН). Дата публикации: 2019-06-17.

Mixed oxide powder containing alkali metal oxide, and silicon rubber containing said powder

Номер патента: RU2395449C2. Автор: Кай ШУМАХЕР,Хельмут РОТ,Райнер ГОЛЬХЕРТ,Хельмут МАНГОЛЬД,Марио ШОЛЬЦ,Кай ШУМАХЕР (DE),Хельмут РОТ (DE),Райнер ГОЛЬХЕРТ (DE),Хельмут МАНГОЛЬД (DE),Марио ШОЛЬЦ (DE). Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2010-07-27.

Method of preparing mixed metal oxide catalysts for oxidative ammonolysis and/or oxidation of lower alkanes

Номер патента: RU2495720C2. Автор: Бхагья Чандра СУТРАДХАР,Джеймс Ф. БРЭЗДИЛ,Марк А. ТОФТ,Чарльз Дж. БЕСЕКЕР,Майкл Дж. СИЛИ,Муин С. ХАДДАД,Кристос ПАРАРИЗОС. Владелец: ИНЕОС ЮЭсЭй ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-10-20.

Method and device for continuous production of metal oxide catalyst

Номер патента: RU2477653C2. Автор: Йон ЯН,Баошан ВУ,Йонван ЛИ,Хонвэй СЯН,Цзян СЮ. Владелец: Синфьюэлс Чайна Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2013-03-20.

Metal oxide in form of particles

Номер патента: RU2271993C2. Автор: Грэхам Пол ДРЭНСФИЛД,Сьюзн КАТТЕР,Филип Лоренс ЛИТ. Владелец: Империал Кемикал Индастриз ПЛС. Дата публикации: 2006-03-20.

Gas detection device and gas detection method using metal-oxide semiconductor gas sensor

Номер патента: US11698356B2. Автор: Kuniyuki IZAWA. Владелец: Figaro Engineering Inc. Дата публикации: 2023-07-11.

Radiation image conversion panel, method for producing radiation image conversion panel, radiation image sensor, and method for producing radiation image sensor

Номер патента: US20180313963A1. Автор: Kazuhiro Shirakawa,Akinori TOU. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-11-01.

Signal processing system and method for radiation detector based on metal oxide semiconductor (mos) transistor

Номер патента: EP4332637A1. Автор: Qiang Liu,Sheng Wu,Zhenhua LIN,Yongjie Wang,Ming Cui,Jinhan WANG,Kunliang YAO,Yudong Luo,Jianzheng GAO. Владелец: Harbin Engineering University Yantai Research Institute. Дата публикации: 2024-03-06.

Signal processing system and method for radiation detector based on metal oxide semiconductor (mos) transistor

Номер патента: US20240077626A1. Автор: Qiang Liu,Sheng Wu,Zhenhua LIN,Yongjie Wang,Ming Cui,Jinhan WANG,Kunliang YAO,Yudong Luo,Jianzheng GAO. Владелец: Harbin Engineering University Yantai Research Institute. Дата публикации: 2024-03-07.

Metal oxide semiconductor gas sensor

Номер патента: US20240159700A1. Автор: Raitaro Masaoka,Kazutaka Fujita,Tomokazu Ishikura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Nanostructure material with metallic oxide and method for detecting phosphorus-containing compounds

Номер патента: US7935535B2. Автор: Hong-Ping Lin,Shaw-Yi Yen,Shou-Nan Li,Bo-Jui Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-05-03.

Metal Oxide-Stabilized Zirconium Oxide Ceramic Materials

Номер патента: US20170190643A1. Автор: Matthew Purcell,Wayne Turbeville,Wenqin SHEN,Karen LIBBY,Franz PETZOLD,Marc K. BORN. Владелец: Clariant Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Metal oxide-stabilized zirconium oxide ceramic materials

Номер патента: WO2015167978A1. Автор: Matthew Purcell,Wayne Turbeville,Wenqin SHEN,Karen LIBBY,Marc BORN,Franz PETZOLD. Владелец: CLARIANT CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-05.

Mesoporous metal oxides and processes for preparation thereof

Номер патента: US09908103B2. Автор: Steven L. Suib,Altug Suleyman POYRAZ. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing layered metal oxide particles and layered metal oxide particles formed thereof

Номер патента: US09738986B2. Автор: ZHONG Chen,Yuxin Tang,Zhili Dong. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of obtaining particles of doped metal oxides

Номер патента: RU2404119C2. Автор: Кай ШУМАХЕР,Хельмут РОТ,Райнер ГОЛЬХЕРТ,Харальд АЛЬФ,Андрее-Маттиас РОХНИА,Кай ШУМАХЕР (DE),Хельмут РОТ (DE),Райнер ГОЛЬХЕРТ (DE),Харальд АЛЬФ (DE),Андрее-Маттиас РОХНИА (DE). Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2010-11-20.

Improved ammoxidation catalysts based on mixed metal oxides

Номер патента: RU2561084C2. Автор: Роберт А. ГУСТАФЕРРО,Марк А. ТОФТ,Чарльз Дж. БЕСЕКЕР,Майкл Дж. СИЛИ,Джеймс Ф. БРАЗДИЛ. Владелец: ИНЕОС ЮЭсЭй ЭлЭлСи. Дата публикации: 2015-08-20.

Synthesis of nanoparticles of composite metal oxides in supercritical water

Номер патента: RU2438982C2. Автор: Владимир Ильич Аникеев. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2012-01-10.

Process for the Production of Metal Oxides

Номер патента: US20210261427A1. Автор: Ethan NOVEK. Владелец: Innovator Energy LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

Metal oxide powder, and method for producing same

Номер патента: US20240182318A1. Автор: Koji Miyazaki,Takaaki Minamikawa,Hiroyuki Shiotsuki. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of forming metal oxide nanostructures on a TiN-buffered-substrate

Номер патента: US11976365B1. Автор: Faheem Ahmed,Nagih Mohammed Shaalan,Shalendra Kumar,Thamraa Alshahrani,Nishat Arshi,Ghazzai Almutairi,P. M. Z. Hasan,Naushad Ahmad,Afzal Hussain. Владелец: King Faisal University SA. Дата публикации: 2024-05-07.

Metal oxide-stabilized zirconium oxide ceramic materials

Номер патента: EP3137434A1. Автор: Matthew Purcell,Wayne Turbeville,Wenqin SHEN,Karen LIBBY,Marc BORN,Franz PETZOLD. Владелец: Clariant Corp. Дата публикации: 2017-03-08.

Supported two-component metal oxide catalyst for advanced treatment of petrochemical wastewater and method for preparing same

Номер патента: US11666892B2. Автор: Yuexi Zhou,Changyong Wu,Liya FU. Владелец: CHINESE RESEARCH ACADEMY OF ENVIRONMENTAL SCIENCES. Дата публикации: 2023-06-06.

System and method for controlling metal oxide gel particle size

Номер патента: US11774339B2. Автор: Nicholas LINNEEN. Владелец: X Energy LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Metal oxide material reduction means

Номер патента: CA3211225A1. Автор: Ola Eriksson,Daniel MARJAVAARA,Björn Åström,Örjan Fjällborg. Владелец: Luossavaara Kiirunavaara AB LKAB. Дата публикации: 2022-08-25.

Method for preparing particulate metal oxide materials

Номер патента: US20230278931A1. Автор: John Hryn,Yuepeng Zhang,Gregory K. Krumdick,Jungkuk LEE. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Bifunctional metal oxides and paraffin isomerization therewith

Номер патента: WO2022265891A1. Автор: Jihad M. Dakka,Scott J. WEIGEL,Wesley SATTLER,Brandon M. Carcuffe,Megan E. Witzke,Ryan S. DUGAN. Владелец: ExxonMobil Technology and Engineering Company. Дата публикации: 2022-12-22.

Antimicrobial material comprising synergistic combinations of metal oxides

Номер патента: US20210251235A1. Автор: Mechael KANOVSKY. Владелец: ARGAMAN TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2021-08-19.

Reduction of carbon monoxide and nitric oxide in smoking articles using nanoscale particles and/or clusters of nitrided transition metal oxides

Номер патента: WO2005039327A2. Автор: B.V. Reddy,F. Rasouli. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS S.A.. Дата публикации: 2005-05-06.

Silicone polymer-coated, hydrophobized metal oxides

Номер патента: AU7261096A. Автор: Mark Mitchnick,Anthony J O'lenick Jr.. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 1997-05-22.

Method of manufacturing complex metal oxide powder and amorphous complex metal oxide

Номер патента: US20080003161A1. Автор: Takeshi Kijima,Setsuya Iwashita,Toshihiko Kaneda,Satoshi Kimura,Hidemichi Furihata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Chiral nematic nanocrystalline metal oxides

Номер патента: EP2763938A1. Автор: Wadood Yasser Hamad,Mark John Maclachlan,Kevin Eric Shopsowitz. Владелец: FPINNOVATIONS. Дата публикации: 2014-08-13.

Methods of producing metal oxides, a method of producing adsorption media including the same, and a precursor of an active component including the metal oxide

Номер патента: WO2011115742A1. Автор: Nicholas R. Mann,Troy Tranter. Владелец: BATTELLE ENERGY ALLIANCE, LLC. Дата публикации: 2011-09-22.

Transparent substrate with metal oxide layers and method for producing same

Номер патента: EP4439132A1. Автор: Tetsuro Inokuchi,Akihiko Niino. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Transparent substrate with metal oxide layers and method for producing same

Номер патента: US20240329279A1. Автор: Tetsuro Inokuchi,Akihiko Niino. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Graft polymerized metal oxide compositions and methods

Номер патента: WO1999006458A1. Автор: Charles E. Seeney,Tanna K. Watson. Владелец: Kerr-Mcgee Chemical, L.L.C.. Дата публикации: 1999-02-11.

Forming white metal oxide films by oxide structure modification or subsurface cracking

Номер патента: US09839974B2. Автор: Peter N. Russell-Clarke,Masashige Tatebe,Michael S. Nashner,Daniel T. McDonald. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Nanostructured metal oxide compositions for applied photocatalysis

Номер патента: US09764959B2. Автор: Geoffrey A. Ozin,Thomas Edward Wood,Laura Brennan Hoch. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2017-09-19.

Metal oxide catalyst for selective catalytic reduction

Номер патента: US20240375086A1. Автор: Yuejin Li,Dengsong ZHANG,Hongrui LI,Penglu WANG,Shau Lin CHEN. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of producing composite metal oxide, metal oxide sintered body, and rotary kiln

Номер патента: US09598320B2. Автор: Mikio Nakashima,Naomichi Hori. Владелец: Toho Material Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Ultrasonic imaging sensor positioning

Номер патента: RU2740259C2. Автор: Рэймонд ЧАН,Цзинь-Зу ЧЭНЬ,Цзя ДУ,Йохан Партомо ДЯЯДИНИНГРАТ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-01-12.

Plasma synthesis of nanopowdered metal oxide and related device

Номер патента: RU2351535C2. Автор: Махер И. БОУЛОС,Ежи В. ЮРЕВИЧ,Кристин А. Абдель Мессих НЕССИМ. Владелец: Текна Плазма Системз Инк.. Дата публикации: 2009-04-10.

Method of producing water self-dispersed metal oxide and hydroxide powder, powder and aqueous dispersion thus obtained, use thereof

Номер патента: RU2447108C2. Автор: Жан МОРО,Жан-Марк СЮО,Ив КЕНЗИХЕР. Владелец: Коатекс С.А.С.. Дата публикации: 2012-04-10.

Magnetic metal oxide coated polymer nanoparticles and use thereof

Номер патента: RU2472530C2. Автор: Шломо МАРДЖЕЛ,Бенни ПЕРЛШТЕЙН,Чая БРОУДИ,Том Миккелсен. Владелец: Генри Форд Хоспитал. Дата публикации: 2013-01-20.

Method of metals and alloy production by way of metal oxides carbo-thermal recovery

Номер патента: RU2458150C2. Автор: Виктор БЛЭК,Гари БЕРНС,Роберт ХЕРБЕРТ,Сефа ЙИЛМАЗ. Владелец: Дау Корнинг Корпорейшн. Дата публикации: 2012-08-10.

Method of producing composite materials as polymer matrices filled with nanoparticles of metal oxides with modified surface

Номер патента: RU2638658C2. Автор: Никита Александрович Емельянов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Малое Инновационное Предприятие "Междисциплинарный Нанотехнологический Центр". Дата публикации: 2017-12-15.

Catalysator element comprised of a mixed metal oxide hydrotalcite-like compound

Номер патента: US20200164347A1. Автор: Eric GENTY,Dulgheru PETRICA,Thiery VISART DE BOCARME. Владелец: BOSAL EMISSION CONTROL SYSTEMS NV. Дата публикации: 2020-05-28.

Catalysator element comprised of a mixed metal oxide hydrotalcite-like compound

Номер патента: EP3651901A1. Автор: Eric GENTY,Dulgheru PETRICA,Thiery VISART DE BOCARME. Владелец: BOSAL EMISSION CONTROL SYSTEMS NV. Дата публикации: 2020-05-20.

Catalysator element comprised of a mixed metal oxide hydrotalcite-like compound

Номер патента: US11173474B2. Автор: Eric GENTY,Dulgheru PETRICA,Thiery VISART DE BOCARME. Владелец: BOSAL EMISSION CONTROL SYSTEMS NV. Дата публикации: 2021-11-16.

Catalysator element comprised of a mixed metal oxide hydrotalcite-like compound

Номер патента: WO2019011782A1. Автор: Eric GENTY,Dulgheru PETRICA,Thiery VISART DE BOCARME. Владелец: BOSAL EMISSION CONTROL SYSTEMS NV. Дата публикации: 2019-01-17.

Metal oxide based soil conditioner

Номер патента: EP3442339A1. Автор: Pallabi Das,Sanjay PRATIHAR,Satya Sundar BHATTACHARYA,Kasturi SARMAH. Владелец: Tezpur University. Дата публикации: 2019-02-20.

Method of fabricating metal oxide nanomaterials using a thermally decomposable solid substrate

Номер патента: US11827525B1. Автор: Babiker Yagoub Elhadi Abdulkhair,Mohamed Rahamtalla Elamin. Владелец: Imam Mohammad Ibn Saud Islamic University. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for producing porous metal oxide

Номер патента: US20230159347A1. Автор: Shogo Tsubota,Robert Hepburn. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Metal oxide films and uv-curable precursor solutions for deposition of metal oxide films

Номер патента: WO2023235899A1. Автор: Douglas A Keszler,Omid Sadeghi,Cory K Perkins. Владелец: Phosio Corporation. Дата публикации: 2023-12-07.

Methods and systems for upgrading mixed pyrolysis oil to light aromatics over mixed metal oxide catalysts

Номер патента: US20240010934A1. Автор: Sohel K. SHAIKH,Miao SUN,Chandrasekar SUBRAMANI,Eman Z. Albaher,Wojciech Andrzej Supronowicz. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-01-11.

Regenerable mgo promoted metal oxide oxygen carriers for chemical looping combustion

Номер патента: WO2014062241A1. Автор: Duane D. Miller,Ranjani V. Siriwardane. Владелец: United States Department of Energy. Дата публикации: 2014-04-24.

Method for manufacture of transition metal oxide fine particles

Номер патента: US20210229179A1. Автор: Jiyoung JUNG,Seojin Lee,Jihyun Kim,Sanghyun Hong,Yooseok Kwon,Sangeun SHIM,Sosan HWANG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-07-29.

Metal oxide/hydroxide materials

Номер патента: NZ546946A. Автор: Patrick Gordon Hartley,Peter James Harbour. Владелец: Commw Scient Ind Res Org. Дата публикации: 2009-01-31.

Shaped artificial polymer articles with hybrid metal oxide particles

Номер патента: AU2023208717A1. Автор: Heinz Herbst,Michele Gerster,Lili Liu,Liangliang Qu,Rupa Hiremath Darji,Keith TASK,Michael David BURKE,Toan Van Pho,Carmen A. HENDRICKS-GUY,Edward MALITS. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-07-25.

Purification of finely divided, pyrogenically prepared metal oxide particles

Номер патента: EP1656324A1. Автор: Kai Schumacher,Jürgen FLESCH,Volker Hamm. Владелец: Degussa GmbH. Дата публикации: 2006-05-17.

Method for producing porous metal oxide

Номер патента: US12012337B2. Автор: Shogo Tsubota,Robert Hepburn. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Structurally modified nanosheets of metal oxides and related methods

Номер патента: US20240254633A1. Автор: QIAN Rong,Vinayak P. Dravid,Jingshan Du. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-08-01.

Composite silica-metal oxide particles for magnesiothermic reduction

Номер патента: WO2015061159A1. Автор: Dimitris Elias Katsoulis,Robert Larsen,Mercouri Kanatzidis,Vasgen A. Shamamian,Kyriaki POLYCHRONOPOULOU,JR. Michael WEBERSKI. Владелец: Dow Corning Corporation. Дата публикации: 2015-04-30.

Methods of manufacturing metal oxide nanowires

Номер патента: US20070275567A1. Автор: Yang Liu,Chunhua Xu,San-Qiang Shi,Chung Woo. Владелец: Hong Kong Polytechnic University HKPU. Дата публикации: 2007-11-29.

Regenerable MgO Promoted Metal Oxide Oxygen Carriers for Chemical Looping Combustion

Номер патента: US20130316292A1. Автор: Duane D. Miller,Ranjani V. Siriwardane. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 2013-11-28.

Two-dimensional high-entropy metal oxide assembly with high thermal conductivity and preparation method thereof

Номер патента: US20220242745A1. Автор: Lingjie ZHANG,Weiwei Cai,Ningzhong Bao. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2022-08-04.

Composition containing spinel-type metal oxides

Номер патента: US20240262986A1. Автор: Ahmed A. AL-GHAMDI,Nikolay Todorov DISHOVSKY,Petrunka Atanasova MALINOVA,Abdullah G. Al-Sehemi,Nikolay Todorov Atanasov,Gabriela Lachezarova Atanasova,Irena Kirilova MIHAYLOVA. Владелец: Research Center For Advanced Materials Science King Khalid University Kku. Дата публикации: 2024-08-08.

Shaped artificial polymer articles with hybrid metal oxide particles

Номер патента: WO2023141089A9. Автор: Heinz Herbst,Michele Gerster,Lili Liu,Liangliang Qu,Rupa Hiremath Darji,Keith TASK,Michael David BURKE,Toan Van Pho,Carmen A. HENDRICKS-GUY,Edward MALITS. Владелец: BASF CORPORATION. Дата публикации: 2024-07-25.

Three-dimensional printing with metal oxide nanoparticle fusing agents

Номер патента: US12110404B2. Автор: Krzysztof Nauka,Vladek Kasperchik. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-10-08.

Manufacturing method of backside illuminated complementary metal-oxide-semiconductor transistor (CMOS) image sensor

Номер патента: CN103066088A. Автор: 叶菁,高喜峰. Владелец: Omnivision Technologies Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Manufacturing method and used etching method of complementary metal-oxide-semiconductor transistor (CMOS) imaging sensor

Номер патента: CN103094297A. Автор: 卞祖洋. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2013-05-08.

Complementary metal-oxide-semiconductor transistor (CMOS) image sensor and working method thereof

Номер патента: CN102843524A. Автор: 陈杰,汪辉,田犁,方娜,苗田乐. Владелец: Shanghai Advanced Research Institute of CAS. Дата публикации: 2012-12-26.

Complementary metal-oxide-semiconductor transistor (CMOS) image sensor pixel array and manufacturing method of the same

Номер патента: CN103066086A. Автор: 周伟,顾学强. Владелец: Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Polishing method of dielectric layer of complementary metal-oxide-semiconductor transistor (CMOS) image sensor

Номер патента: CN101989575A. Автор: 罗飞,邹立. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-03-23.

NMOS (N-channel metal oxide semiconductor) linear array image sensor with voltage-outputting segmental integration readout circuit

Номер патента: CN104219462A. Автор: 张佩杰,宋克非. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2014-12-17.

NMOS (N-channel metal oxide semiconductor) linear array image sensor with segmental integral reading circuit

Номер патента: CN104219466A. Автор: 张佩杰,宋克非. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2014-12-17.

UNIT PIXEL ARRAY OF AN IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND PACKAGE INCLUDING THE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001286A1. Автор: YOON JUNHO. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RAMP SIGNAL GENERATOR AND IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001055A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SILICON NITRIDE LIGHT PIPES FOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20120001284A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SENSING DEVICE AND IMAGE SENSOR MODULE THEREOF

Номер патента: US20120001054A1. Автор: Wang Wei Chung,Shen Chi Chih,Li Kuo Hsiung,Chen Hui Hsuan,Chuang Jui Cheng. Владелец: PIXART IMAGING INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CORRELATED DOUBLE SAMPLING CIRCUIT AND IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002093A1. Автор: Lee Dong Hun,HAM Seog Heon,Yoo Kwi Sung,Kwon Min Ho,Jung Wun-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Memory unit of complementary metal-oxide-semiconductor structure ram

Номер патента: RU2580072C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Павел Викторович Степанов. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Memory cell for complementary metal-oxide-semiconductor ram structure

Номер патента: RU2580071C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук"(ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Semiconductor metal-oxide gas sensor

Номер патента: RU2206082C1. Автор: С.И. Рембеза,Е.С. Рембеза,Т.В. Свистова,Г.В. Горлова. Владелец: Воронежский государственный технический университет. Дата публикации: 2003-06-10.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Trigger for complementary microcircuit of metal-oxide-semiconductor structure

Номер патента: RU2541894C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН). Дата публикации: 2015-02-20.

Device for protection against static electricity discharges of power leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on silicon wafers with n-type conductivity

Номер патента: RU2585882C2. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2016-06-10.

Transistor with metal-oxide-semiconductor structure on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: RU2477904C1. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков,Андрей Александрович Глушко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН). Дата публикации: 2013-03-20.

NANOSCALE METAL OXIDE RESISTIVE SWITCHING ELEMENT

Номер патента: US20120001146A1. Автор: Lu Wei,Jo Sung Hyun. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-01-05.

RAPID CRYSTALLIZATION OF HEAVILY DOPED METAL OXIDES AND PRODUCTS PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20120001172A1. Автор: Li Qi,Shang Jian-Ku. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SELF-DISPERSIBLE COATED METAL OXIDE POWDER, AND PROCESS FOR PRODUCTION AND USE

Номер патента: US20120003287A1. Автор: Schlossman David,Shao Yun,Orr Carl. Владелец: KOBO PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Monolayers of organic compounds on metal oxide surfaces or metal surfaces containing oxide and component produced therewith based on organic electronics

Номер патента: US20120003485A1. Автор: Hayden Oliver,Schmid Gunter,Halik Marcus,Habich Dana Berlinde. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METAL OXIDE ULTRAFINE FIBER-BASED COMPOSITE SEPARATOR WITH HEAT RESISTANCE AND SECONDARY BATTERY USING SAME

Номер патента: US20120003524A1. Автор: Jang Sung-Yeon,KIM Dong Young,JO Seong Mu. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

METAL OXIDE NEGATIVE ELECTRODES FOR LITHIUM-ION ELECTROCHEMICAL CELLS AND BATTERIES

Номер патента: US20120003533A1. Автор: Dahn Jeffrey R.,Li Jin,Obrovac Mark N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Mixture for manufacture of metal oxide nonlinear resistors

Номер патента: RU2039384C1. Автор: В.В. Александров. Владелец: Всероссийский электротехнический институт им.В.И.Ленина. Дата публикации: 1995-07-09.

Method of production of flexible nanoporous composite membrane with cellular structure of anode metal oxide or alloy

Номер патента: RU2545887C2. Автор: Кирилл Сергеевич Напольский,Андрей Анатольевич Елисеев,Алексей Викторович Лукашин,Дмитрий Игоревич Петухов. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Фабрика новых материалов". Дата публикации: 2015-04-10.

Lateral double diffusion metal oxide semiconductor element and manufacture method thereof

Номер патента: CN103474462B. Автор: 黄宗义. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-05-18.

Trench metal-oxide semiconductor element and its manufacture method

Номер патента: CN102956639B. Автор: 刘冠伶,翁士元. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device manufacturing method

Номер патента: TWI641146B. Автор: 蘇宏德,廖文毅,黃宗義,楊清堯,張國城. Владелец: 立錡科技股份有限公司. Дата публикации: 2018-11-11.

Trench-gate metal oxide semiconductor component and manufacture method thereof

Номер патента: CN102956639A. Автор: 刘冠伶,翁士元. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING AN IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001287A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGE SENSOR AND CAMERA

Номер патента: US20120002070A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

FULL SPECTRUM RECOGNITION IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120002250A1. Автор: . Владелец: WEIHAI HUALING OPTO-ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of reduction of metal oxides

Номер патента: RU2317342C2. Автор: Валентин Николаевич Александров,Владимир Александрович Баранов,Владислав Владимирович Баранов,Даниил Валентинович Александров. Владелец: Даниил Валентинович Александров. Дата публикации: 2008-02-20.

Procedure for production of ultra-nano-disperse powder of transition metal oxide or mixture of oxides of transition metals

Номер патента: RU2400428C2. Автор: Ирина Владимировна Николаенко,Геннадий Петрович Швейкин. Владелец: Институт химии твердого тела Уральского Отделения Российской Академии наук. Дата публикации: 2010-09-27.

Method for oxidative ammonolysis of propane and isobutane in presence of mixed metal oxide catalysts

Номер патента: RU2451548C2. Автор: Герри В. ЗЕЙДЖЕК,Бхагья Чандра СУТРАДХАР,Стивен Алан Коэн,Клаус Г. ЛАГМЭЙР,Алакананда БХАТТАЧАРЬЯ,Франк Ф. Джр. БРАЗДИЛ,Герри В. ЗЕЙДЖЕК (US),Бхагья Чандра СУТРАДХАР (US),Клаус Г. ЛАГМЭЙР (US),Стивен Алан КОЭН (US),Алакананда БХАТТАЧАРЬЯ (US),Франк Ф. Джр. БРАЗДИЛ (US). Владелец: ИНЕОС ЮЭсЭй ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-05-27.

Method of production of the reflex metal-oxide coatings (versions)

Номер патента: RU2298531C1. Автор: Виктор Васильевич Дроботенко,Михаил Игоревич Конев,Иль Владимирович Шестов,Илья Владимирович Шестов. Владелец: Илья Владимирович Шестов. Дата публикации: 2007-05-10.

Procedure for application of metal oxide coatings on surface of unalloyed steel

Номер патента: RU2588962C2. Автор: Сергей Максимович Решетников,Фаат Залалутдинович Гильмутдинов,Евгений Викторович Харанжевский,Михаил Дмитриевич Кривилев,Эдуард Евгеньевич Садиоков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Удмуртский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "УдГУ"). Дата публикации: 2016-07-10.

Method of obtaining catalyst on porous metal oxide carrier for carbohydrate oxydation

Номер патента: RU2468861C1. Автор: Сергей Геннадьевич Емельянов,Николай Алексеевич Борщ,Юрий Александрович Миргород,Валентина Геннадьевна Бородина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2012-12-10.

Metal-oxide catalyst for growing bundles of carbon nanotubes from gaseous phase

Номер патента: RU2427423C1. Автор: Алексей Григорьевич Ткачев,Александр Васильевич Мележик. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НаноТехЦентр". Дата публикации: 2011-08-27.

Method of obtaining nanosized metal oxides from organometallic precursors

Номер патента: RU2526552C1. Автор: Геннадий Ефимович Ремнев,Роман Владимирович Сазонов,Галина Евгеньевна Холодная,Денис Владимирович Пономарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2014-08-27.

HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR WITH IN PIXEL MEMORY

Номер патента: US20120001060A1. Автор: He Xinping. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of regenerating metal oxide industrial catalysts for organic synthesis

Номер патента: RU2414301C1. Автор: Виктор Яковлевич Хентов,Лидия Николаевна Великанова,Наталья Александровна Егорова,Светлана Леонидовна Рябоволова,Владимир Владимирович Семченко,Лидия Ивановна Аракелян. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2011-03-20.

Automated technological line for surface modification of polymer fibrous material by metal oxide nanoparticles

Номер патента: RU2542303C1. Автор: Геннадий Георгиевич Волокитин,Татьяна Дмитриевна Малиновская,Анатолий Сергеевич Рухов,Вячеслав Рудольфович Артюшин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный архитектурно-строительный университет" (ТГАСУ). Дата публикации: 2015-02-20.

Method of removal the impurity metals oxides from aluminum at its purification

Номер патента: RU2305712C1. Автор: Алексей Иванович Гончаров. Владелец: Алексей Иванович Гончаров. Дата публикации: 2007-09-10.

Mixed metal oxide-based memristor

Номер патента: RU2524415C1. Автор: Андрей Михайлович Маркеев,Андрей Владимирович Зенкевич,Константин Викторович Егоров,Юрий Юрьевич Лебединский. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2014-07-27.

Method of fluorinating dispersed rare metal oxides and reactor for realising said method

Номер патента: RU2444474C1. Автор: Юрий Николаевич Туманов,Николай Михайлович Троценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2012-03-10.

Method of producing nanostructured metal oxide coatings

Номер патента: RU2521643C1. Автор: Владимир Георгиевич Севастьянов,Николай Тимофеевич Кузнецов,Елизавета Петровна Симоненко,Николай Петрович Симоненко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук (ИОНХ РАН). Дата публикации: 2014-07-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.