Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • The complementary metal oxide semiconductor image sensor and its manufacturing method using a wafer back side

The complementary metal oxide semiconductor image sensor and its manufacturing method using a wafer back side

Номер патента: KR100628236B1
Опубликовано: 26-09-2006
Автор(ы): 백승원
Принадлежит: 동부일렉트로닉스 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Image Sensor Structure with Reduced Floating Node and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240153979A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Feng-Chi Hung,Wen-I Hsu,wei long Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Solid-state image sensor, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US20240290809A1. Автор: Bo Ma. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Image sensor package, camera module having same and manufacturing method for the same

Номер патента: US7696465B2. Автор: Ying-Cheng Wu,Chi-Kuei Lee,Shih-Min Wang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

Backside illuminated image sensor device having an oxide film and method of forming an oxide film of a backside illuminated image sensor device

Номер патента: US09691809B2. Автор: Li Te Hsu,Hung Jui Chang,Jeng Chang HER,Chung-Bin Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Cmos image sensor

Номер патента: US20070145425A1. Автор: Hyuk Woo. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Back-side illumination image sensor and method for fabricating back-side illumination image sensor

Номер патента: US20120280343A1. Автор: Fang-Ming Huang,Tsung-Chieh Chang. Владелец: Himax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728573B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Image sensor with improved dark current performance

Номер патента: US8697472B2. Автор: Yung-Cheng Chang,Hsun-Ying Huang,Wei-Chih Weng,Jin-Hong Cho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-15.

Image sensor and semiconductor device having a metal oxide semiconductor layer doped with nitrogen, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220384502A1. Автор: Jin-Seong Park,Dong-Gyu Kim,TaekSoo JEON,Sanghoon Uhm,Yoon-Seo Kim,Hyun-Jun JEONG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-12-01.

CMOS Image Sensor Encapsulation Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20190198545A1. Автор: Chien-Yao Huang,Chen-Hsin Wu,Tzu-Huan CHENG,Hao-Che LIU,Liu-Yuh LIN,Liang-Chih WENG,Chien-Chun Liu,Sau-Mou Wu,Ti-Hsien Tai,Yu-Hsiang Pan,Leon A. Chiu. Владелец: Chengdu Pioneer Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

CMOS (complementary Metal oxide semiconductor) process compatible ambient light sensor and preparation method thereof

Номер патента: CN107331673B. Автор: 李成. Владелец: Shanghai Xinchen Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

A kind of image sensor pixel cells and its manufacture method

Номер патента: CN107046044A. Автор: 龟井诚司. Владелец: Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Image sensor having optical black region and dark level compensation method using the same

Номер патента: KR102253023B1. Автор: 황보광. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2021-05-17.

Vertical transfer gate structure for a back-side illumination (BSI) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor using global shutter capture

Номер патента: US09818788B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor

Номер патента: US09859323B1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen,zhi-yang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Cmos image sensors

Номер патента: US20240274638A1. Автор: Sung-Ho Choi,Kyungho Lee,Jung Bin YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

CMOS image sensors

Номер патента: US12094906B2. Автор: Sung-Ho Choi,Kyungho Lee,Jung Bin YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor Image Sensor Device Having Back Side Illuminated Image Sensors with Embedded Color Filters

Номер патента: US20190140001A1. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor Image Sensor Device Having Back Side Illuminated Image Sensors with Embedded Color Filters

Номер патента: US20160172417A1. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor image sensor device having back side illuminated image sensors with embedded color filters

Номер патента: US10770502B2. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Method of fabricating semiconductor image sensor device having back side illuminated image sensors with embedded color filters

Номер патента: US09786716B2. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

CMOS image sensor

Номер патента: US20060054939A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu,Shou-Gwo Wuu,Wen-De Wang,Ho-Ching Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-03-16.

Back side illuminated image sensor with deep trench isolation structures and self-aligned color filters

Номер патента: US09799697B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensors

Номер патента: US10181492B2. Автор: HISANORI Ihara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-15.

Image sensor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240266376A1. Автор: Kook Tae Kim,JinGyun Kim,Jonghyeon Noh,Byeongtaek Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Image sensor

Номер патента: US20230402477A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Wei-Chieh Chiang,Keng-Yu Chou,Chun-Hao Chuang,Wen-Hau Wu,Cheng Yu Huang,Chih-Kung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Image sensor and method of forming the same

Номер патента: US20210020671A1. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor image-sensing structure and image sensor device

Номер патента: US20240047495A1. Автор: Wei-Lin Chen,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Cmos image sensors

Номер патента: US20220293645A1. Автор: Sung-Ho Choi,Kyungho Lee,Jung Bin YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Cmos image sensors

Номер патента: US20170207259A1. Автор: Sung-Ho Choi,Kyungho Lee,Jung Bin YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor Image Sensor Device Having Back Side Illuminated Image Sensors with Embedded Color Filters

Номер патента: US20170025460A1. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240234458A1. Автор: Jongmin JEON,TaekSoo JEON,Jaesung HUR,Je-Hyung Ryu,Haji LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Color image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859319B2. Автор: Axel Crocherie,Jean-Pierre Oddou,Stephane Allegret-Maret,Hugues Leininger. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-01-02.

Cmos image sensor

Номер патента: US20180190691A1. Автор: Youngbin LEE,Gukhyon Yon,Soojin HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Image sensing device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148969A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12094905B2. Автор: Saysamone Pittikoun,Chih-Ping Chung,Ming-Yu Ho. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US09818782B2. Автор: Il-Ho Song,Yeoun-Soo KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741759B2. Автор: Jung-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Image sensing device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09673248B2. Автор: Chung-Chuan Tseng,Li-Hsin CHU,Tsung-Han Kuo,zhi-wei Zhuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Back Side Illuminated Image Sensor with Deep Trench Isolation Structures and Self-Aligned Color Filters

Номер патента: US20200395395A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220392935A1. Автор: Bo-Ray LEE. Владелец: Silicon Optronics Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Back side illuminated cmos image sensor arrays

Номер патента: US20180097025A1. Автор: Hirofumi Komori,Jingyi Bai. Владелец: Cista System Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Image sensors with stress adjusting layers

Номер патента: US11769780B2. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Feng-Chien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of manufacturing solid-state image sensor, solid-state image sensor, and camera

Номер патента: US20160293657A1. Автор: Yasuhiro Kawabata,Kei Aoki,Masaki Kurihara,Takayuki Sumida,Naoki Inatani,Masao Ishioka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

Image Sensor and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20100155873A1. Автор: Keun Hyuk Lim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Low dark current CMOS image sensor cell and array layout

Номер патента: US20030106986A1. Автор: Hsiu-Yu Cheng,Ya-Chin King. Владелец: Twin Han Tech Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Pixel array structure for cmos image sensor and method of the same

Номер патента: WO2007105905A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

Pixel array structure for cmos image sensor and method of the same

Номер патента: EP1994564A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-11-26.

Separation type unit pixel having 3d structure for image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2006109937A9. Автор: Do Young Lee. Владелец: Do Young Lee. Дата публикации: 2007-11-15.

Complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensor

Номер патента: US12068350B2. Автор: Junetaeg LEE,Seokha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Planar layer of image sensor, method for manufacturing planer layer, and image sensor including planar layer

Номер патента: US20080054389A1. Автор: Young-Je Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Separation type unit pixel having 3d structure for image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1869706A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2007-12-26.

Complementary metal-oxide-semiconductor depth sensor element

Номер патента: US09859313B2. Автор: Tom Chang,Kao-Pin Wu. Владелец: Eminent Electronic Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Image sensor manufacturing methods

Номер патента: US09721984B2. Автор: Kuo-Hsiu Wei,Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Mu-Han Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Cmos image sensor

Номер патента: US20100197067A1. Автор: Nan-Yi Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-05.

Wafer level curved image sensors and method of fabricating the same

Номер патента: US09853078B2. Автор: Young-Hun Choi,Yun-Hui YANG,Sung-Bo Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Aerogel-encapsulated image sensor and manufacturing method for same

Номер патента: US09812478B2. Автор: Chun-Sheng Fan,Wei-Feng Lin. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor image sensor and method for forming the same

Номер патента: US20190165025A1. Автор: SZE JHY-JYI,Dun-Nian Yaung,Yimin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Stacked cmos image sensor

Номер патента: US20240072090A1. Автор: Chen-Jong Wang,Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu,Tzu-Jui WANG,Chi-Hsien Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Light sensing pixel of image sensor with low operating voltage

Номер патента: US20080079043A1. Автор: Mi Jin Kim,Bong Ki MHEEN,Young Joo Song. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device including image sensor and method of forming the same

Номер патента: US20240379711A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Feng-Chi Hung,Shyh-Fann Ting,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: RU2544887C2. Автор: Хидео КОБАЯСИ,Масанори ОГУРА,Тецунобу КОТИ,Масаси КИТАНИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-03-20.

Method for forming semiconductor image sensor

Номер патента: US20210118933A1. Автор: JHY-JYI SZE,Dun-Nian Yaung,Yimin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Polydimethylsiloxane antireflective layer for an image sensor

Номер патента: US20220139980A1. Автор: Chen-Kuei Chung,Chen-Chi Wu,Yi-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Dummy pattern for improving micro-lens formation in an image sensor

Номер патента: EP1414075A3. Автор: Katsumi Yamamoto. Владелец: Omnivision International Holding Ltd. Дата публикации: 2005-09-21.

Semiconductor image sensor comprising a metal mesh filter

Номер патента: WO2005057657A2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-06-23.

Omnidirectional image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US10529754B2. Автор: Dae Hyeong Kim,Yang Ho Cho,Dong Kyung Nam,Jun Kyul SONG,Mincheol LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-07.

Pixel and circuit design for image sensors with hole-based photodiodes

Номер патента: US09728575B1. Автор: Jeffery Beck,Hong-Wei Lee. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Wafer for manufacturing image sensors, test key layout for defects inspection, and methods for manufacturing image sensors and for forming test key

Номер патента: US20070246639A1. Автор: Cheng-Hung Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-10-25.

Pixel structure for CMOS image sensor

Номер патента: US10923519B2. Автор: Yan Li,Wuzhi Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09806123B2. Автор: Hiroyuki Sekine,Kazushige Takechi,Fuminori Tamura,Toru Ukita,Takayuki Ishino. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Manufacturing method for preventing image sensor from undercut

Номер патента: US20080064218A1. Автор: Joo-hyun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9401382B2. Автор: Hiroyuki Sekine,Kazushige Takechi,Fuminori Tamura,Toru Ukita,Takayuki Ishino. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Absorption enhancement structure to increase quantum efficiency of image sensor

Номер патента: US12002828B2. Автор: Cheng-Hsien Chou,Jiech-Fun Lu,Tsun-Kai Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Back side illumination image sensors and electronic device including the same

Номер патента: US11894409B2. Автор: Jun Sung PARK,Jong Hoon Park,Yun Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Back side illumination image sensors and electronic device including the same

Номер патента: US20240128299A1. Автор: Jun Sung PARK,Jong Hoon Park,Yun Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Electron bombarded image sensor array device and its manufacturing method

Номер патента: US8269187B2. Автор: Albert Hendrik Jan Meinen,Gezinus Ruiter,Daniela Georgeta Tomuta,Jan Van Spijker. Владелец: Photonis Dep BV. Дата публикации: 2012-09-18.

Absorption enhancement structure to increase quantum efficiency of image sensor

Номер патента: US20220359595A1. Автор: Cheng-Hsien Chou,Jiech-Fun Lu,Tsun-Kai Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Electron bombarded image sensor array device and its manufacturing method

Номер патента: AU2006257395B2. Автор: Albert Hendrik Jan Meinen,Gezinus Ruiter,Daniela Georgeta Tomuta,Jan Van Spijker. Владелец: Photonis Dep BV. Дата публикации: 2012-02-09.

Single chip spectral polarization imaging sensor

Номер патента: US12130180B2. Автор: Viktor Gruev. Владелец: University of Illinois at Urbana Champaign. Дата публикации: 2024-10-29.

CMOS image sensor and method for its manufacture.

Номер патента: NL1011381A1. Автор: Woodward Yang,Ju Il Lee,Nan Yi Lee. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1999-09-01.

Imaging sensor, forming method and its working method

Номер патента: CN108565272A. Автор: 黄晓橹,大石周. Владелец: Huaian Imaging Device Manufacturer Corp. Дата публикации: 2018-09-21.

Image sensor with improved charge transfer efficiency and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4922582B2. Автор: 在 暎 朴,延 燮 林. Владелец: インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・Ｉｉ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー. Дата публикации: 2012-04-25.

Image sensor chip having plate, wafer assembly and manufacturing method for the same

Номер патента: US20060152615A1. Автор: Gu-Sung Kim,Kang-Wook Lee,Keum-Hee Ma,Yong-Chai Kwon,Seong-Il Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-13.

Time delay integration structure for complementary metal-oxide semiconductor imaging sensor

Номер патента: US12046624B2. Автор: Robert Daniel McGrath. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Time delay integration structure for complementary metal-oxide semiconductor imaging sensor

Номер патента: US20210327952A1. Автор: Robert Daniel McGrath. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensors

Номер патента: US09954019B2. Автор: Jungchak Ahn,Seungwook Lee,Youngwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for fabricating complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: US20040185595A1. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensor sturcture of mixed integration area and potential reading method employing the same

Номер патента: US20030107663A1. Автор: Hsiu-Yu Cheng,Ya-Chin King. Владелец: Twin Han Tech Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

CMOS image sensor and auto exposure method performed in units of pixels in the same

Номер патента: US11425320B2. Автор: Minwoong Seo,Myunglae Chu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-23.

Complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensors with saddle-gate source follower for imaging pixels

Номер патента: US12142620B2. Автор: Jinwen Xiao,Yunfei GAO,Tae Seok Oh. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Pixel for CMOS image sensor and image sensor including the same

Номер патента: US09620546B2. Автор: Hee Geun Jeong,Young Woo Chung,Tae Hun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Cmos image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20090159941A1. Автор: Sang Tae Moon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor (CIS) package with an image buffer

Номер патента: US09899443B2. Автор: Kuo-Chung Yee,Kazuaki Hashimoto,Hsiao-Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor with silicon and silicon germanium

Номер патента: US09859325B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yueh-Chuan Lee,Chia-Chan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

System and method for high-speed down-sampled cmos image sensor readout

Номер патента: US20180227531A1. Автор: Kuo-Yu Chou,Shang-Fu Yeh,Chih-Lin LEE,Calvin Yi-Ping Chao,Chiao-Yi Huang,Chin-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Cmos image sensor and method of driving the same

Номер патента: US20080035966A1. Автор: Jung-Chak Ahn,Ju-Hyun Ko,Yong-Jei Lee,Sung-In Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-14.

Fabricating method of complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor

Номер патента: US20080113477A1. Автор: JHY-JYI SZE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

System and method for high-speed down-sampled CMOS image sensor readout

Номер патента: US09955096B2. Автор: Kuo-Yu Chou,Shang-Fu Yeh,Chih-Lin LEE,Calvin Yi-Ping Chao,Chiao-Yi Huang,Chin-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensors

Номер патента: US20170040365A1. Автор: Jungchak Ahn,Seungwook Lee,Youngwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-09.

Ferroelectric-oxide hybrid-gate transistor block for semiconductor imaging sensors

Номер патента: US11610923B2. Автор: Jinwen Xiao,Yunfei GAO,Tae Seok Oh. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-21.

Ferroelectric-oxide hybrid-gate transistor block for semiconductor imaging sensors

Номер патента: US20220238580A1. Автор: Jinwen Xiao,Yunfei GAO,Tae Seok Oh. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Pixel of a multi-stacked CMOS image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899453B2. Автор: Kyung-bae Park,Yong-wan Jin,Woong Choi,Kwang-Hee Lee,Kyu-Sik Kim,Do-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

CMOS image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US7682863B2. Автор: Hyuk Woo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Method for fabricating complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: US7029942B2. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-04-18.

CMOS image sensor and a method of forming the same

Номер патента: US09653513B1. Автор: Yang Wu,Inna Patrick,Kihong Kim,Desmond Cheung,Feixia Yu. Владелец: Himax Imaging Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Solid-state image sensor and its manufacturing method, curable composition for forming infrared cut-off filters, and camera module

Номер патента: US09818778B2. Автор: Hisamitsu Tomeba. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device comprising a channel region of a transistor with a crystalline oxide semiconductor and a specific off-state current for the transistor

Номер патента: US9905596B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Cmos image sensor and auto exposure method performed in units of pixels in the same

Номер патента: US20200396401A1. Автор: Minwoong Seo,Myunglae Chu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

CMOS image sensors including vertical transistor

Номер патента: US09806113B2. Автор: Kyung-Ho Lee,Hee-Geun Jeong,Jung-Chak Ahn,Young-Sun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

CMOS image sensors including vertical transistor

Номер патента: US09647016B2. Автор: Kyung-Ho Lee,Hee-Geun Jeong,Jung-Chak Ahn,Young-Sun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Wafer level chip scale package of an image sensor by means of through hole interconnection and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2008143461A3. Автор: Young Sung Kim,Tae-seok Park. Владелец: Tae-seok Park. Дата публикации: 2009-01-15.

Stacked cmos image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230411431A1. Автор: Chen-Jong Wang,Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu,Tzu-Jui WANG,Chi-Hsien Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09955097B2. Автор: Makoto Motoyoshi,Shin Iwabuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Image sensor with light blocking layer

Номер патента: US20210118927A1. Автор: Jae Hoon Jeon,Jae Kyu Lee,Tae Yon LEE,Myung Lae Chu,Gwi Deok Ryan Lee,Sang Chun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Formation of buried color filters in a back side illuminated image sensor with an ono-like structure

Номер патента: US9368531B2. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Formation of buried color filters in a back side illuminated image sensor with an ono-like structure

Номер патента: US20160276400A1. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Successive approximation register analog-to-digital converter, CMOS image sensor including the same and operating method thereof

Номер патента: US09905603B1. Автор: Tae-Gyu Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Formation of buried color filters in a back side illuminated image sensor using an etching-stop layer

Номер патента: US09825085B2. Автор: CHEN Hsin-Chi,Chen Chiu-Jung,Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

CMOS image sensor with peninsular ground contracts and method of manufacturing the same

Номер патента: US09653511B2. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Dyson Hsinchin Tai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Photoelectric device based on quantum dots and its manufacturing method

Номер патента: US20240250193A1. Автор: Seong Jun Kang,Jun Hyung Jeong. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-25.

Chemical complementary metal-oxide semiconductor (ccmos) colorimetric sensors for multiplex detection and analysis

Номер патента: US20200340912A1. Автор: Di Wang,Nongjian Tao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-29.

Solid state imaging device, solid state imaging device manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US12119366B2. Автор: Naoki Komai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Backside illuminated image sensor with negatively charged layer

Номер патента: US09659981B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Ching-Chun Wang,Cheng-ta Wu,Shyh-Fann Ting,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Solid-state image sensor and imaging system

Номер патента: RU2466478C1. Автор: Тадаси САВАЯМА,Тадаси САВАЯМА (JP). Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2012-11-10.

Binary cmos image sensors, methods of operating same, and image processing systems including same

Номер патента: US20140103192A1. Автор: Young-Gu Jin,Dong Ki Min,Ju Hwan Jung,Tae-Yon Lee,Kwang-Hyun Lee,Je Il RYU,Seok Yong HONG,Tae-Seok Oh,Tae-Chan Kim,Yoon Dong PARK,Sang-chul Sul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Metal oxide tft and manufacturing method therefor, and x-ray detector and display panel

Номер патента: EP4131424A1. Автор: Kun Zhao,Guangcai Yuan,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Analog front end (afe) device for light-receiving sensor and method of controlling the same

Номер патента: US20240276123A1. Автор: Jun Hee Cho,Hyeong Seok SEO. Владелец: Solidvue Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Low crosstalk, front-side illuminated, back-side contact photodiode array

Номер патента: US20120104532A1. Автор: Peter Steven Bui,Narayan Dass Taneja. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-03.

Method of producing thin film transistor, thin film transistor, display device, image sensor, and X-ray sensor

Номер патента: US09673048B2. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata,Masayuki Suzuki,Masashi Ono,Toshiya IDEUE. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Pixel of a multi-stacked cmos image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160225827A1. Автор: Kyung-bae Park,Yong-wan Jin,Woong Choi,Kwang-Hee Lee,Kyu-Sik Kim,Do-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-04.

Back side illuminaton image sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100164041A1. Автор: Mun Hwan Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Wafer structure, optical sensor, and corresponding method of production

Номер патента: WO2024160459A1. Автор: Harald Etschmaier,Georg Parteder,Robert Allen Helmick. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and Apparatus for Image Sensor Packaging

Номер патента: US20160307944A1. Автор: Ping-Yin Liu,Lan-Lin Chao,Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Calvin Yi-Ping Chao,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Solid state image pickup device and its manufacturing method

Номер патента: EP1766686A1. Автор: Masanori c/o FUJI FILM MICRODEV.CO. LTD. NAGASE,Kaichiro c/o FUJI FILM MICRODEV. CO. LTD. CHIBA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-03-28.

Image sensor having stacked metal oxide films as fixed charge film

Номер патента: US12080738B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Min-Ying Tsai,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

CMOS image sensor (CIS) including MRAM (magnetic random access memory)

Номер патента: US10157951B2. Автор: Dae-Shik Kim,Gwan-Hyeob Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-18.

Square-gate source-follower for CMOS image sensor pixel

Номер патента: US11830897B2. Автор: Jinwen Xiao,Yunfei GAO,Tae Seok Oh. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Back side illumination image sensor reduced in size and method for manufacturing the same

Номер патента: US8420429B2. Автор: Se Jung Oh,In Gyun Jeon,Heui Gyun Ahn,Jun Ho Won. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2013-04-16.

Back side illumination image sensor reduced in size and method for manufacturing the same

Номер патента: US8421134B2. Автор: Se Jung Oh,In Gyun Jeon,Heui Gyun Ahn,Jun Ho Won. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2013-04-16.

Back side illumination image sensor reduced in size and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120301996A1. Автор: In-Gyun Jeon,Se-Jung Oh,Heui-Gyun Ahn,Jun-Ho WON. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Image sensor and method of operating the image sensor

Номер патента: US20160021322A1. Автор: Kyung-Ho Lee,Young-Woo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-21.

Image sensing device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148442A1. Автор: Jung-Chih Tsao,Jian-Ming Chen,Yao-Hsiang Liang,Chi-Ming Lu,Chih-Chang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Image sensing device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200373345A1. Автор: Jung-Chih Tsao,Jian-Ming Chen,Yao-Hsiang Liang,Chi-Ming Lu,Chih-Chang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Dark current reduction in back-illuminated imaging sensors and method of fabricating same

Номер патента: EP2149157A1. Автор: Peter Alan Levine,Pradyumna Swain,Mahalingam Bhasharan. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2010-02-03.

Dark current reduction in back-illuminated imaging sensors and method of fabricating same

Номер патента: WO2008147421A1. Автор: Peter Alan Levine,Pradyumna Swain,Mahalingam Bhasharan. Владелец: Sarnoff Corporation. Дата публикации: 2008-12-04.

Image sensor and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US12089476B2. Автор: Ming Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Photodetecting device and manufacturing method thereof, and image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09905606B2. Автор: WENXU Xianyu,Jeongyub Lee,Wooyoung Yang,Yongyoung PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Wafer-level lens structure for contact image sensor module

Номер патента: US09780133B2. Автор: Ming-Chieh Lin. Владелец: Creative Sensor Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Image sensing device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691804B2. Автор: Jung-Chih Tsao,Jian-Ming Chen,Yao-Hsiang Liang,Chi-Ming Lu,Chih-Chang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210151491A1. Автор: Hsiang-Hung Chang,Chia-Wen Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-05-20.

Dual image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090115012A1. Автор: Joon-Ku Yoon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Dual isolation for image sensors

Номер патента: US20080217720A1. Автор: Xiaofeng Fan,Richard A. Mauritzson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20080315271A1. Автор: In Cheol Baek,Kyung Min Park,Han Choon Lee,Sun Chan LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Dual isolation for image sensors

Номер патента: WO2008112492A1. Автор: Xiaofeng Fan,Richard A. Mauritzson. Владелец: APTINA IMAGING CORPORATION. Дата публикации: 2008-09-18.

Quantum efficiency enhancement for CMOS Imaging sensor with borderless contact

Номер патента: US20060148119A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Shou-Gwo Wuu,Jeng-Shyan Lin,Chien-Hsien Tseng,Ho-Ching Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for fabrication of a silicon photosensor array on a wafer and testing the same

Номер патента: US20030008423A1. Автор: Paul Hosier,Jagdish Tandon. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Controlled manufacturing method of metal oxide semiconductor and metal oxide semiconductor structure having controlled growth crystallographic plane

Номер патента: US09748095B2. Автор: Young-Jun Park,Seung-Nam Cha,Jung-Inn Sohn,Ji-yeon KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Flat pad structure for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor processes

Номер патента: US20160365378A1. Автор: Ming-Tsong Wang,Dun-Nian Yaung,Ching-Chun Wang,Yen-Ting Chiang,Feng-Chi Hung,Shyh-Fann Ting,Hsiao-Hui Tseng,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Composite metal oxide semiconductor and thin-film transistor made therefrom and its application

Номер патента: US11984510B2. Автор: Miao Xu,Lei Wang,HUA Xu,Junbiao Peng,Weifeng Chen,WEIJING Wu. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-05-14.

Manufacture method of TFT substrate involving reduced number of masks and structure of TFT substrate so manufactured

Номер патента: US09793298B2. Автор: Jun Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Oxide semiconductor thin film transistor having spaced channel and barrier strips and manufacturing method thereof

Номер патента: US10749036B2. Автор: Qianyi Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-18.

Complementary metal oxide semiconductor element and manufacture method thereof

Номер патента: US20170301734A1. Автор: Mian Zeng,Shengdong Zhang,Xiangzhi XIAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Complementary metal oxide semiconductor element and manufacture method thereof

Номер патента: US9887242B2. Автор: Mian Zeng,Shengdong Zhang,Xiangzhi XIAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Thin film transistor, its manufacturing method and display device

Номер патента: US09653578B2. Автор: WU Wang,Fei SHANG,Haijun Qiu,Guolei Wang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09899532B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Xuyuan Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US09698278B2. Автор: Chunsheng Jiang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Oxide thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09947796B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Oxide Semiconductor Layer, Thin Film Transistor and Manufacturing Method Therefor, Display Panel, and Display Device

Номер патента: US20240243206A1. Автор: Fei Wang,Guangcai Yuan,Xiaolong Wang,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Hongtao Cao,Lingyan LIANG. Владелец: Ningbo Institute Of Materials Technology And Engineering. Дата публикации: 2024-07-18.

Manufacturing method of TFT array substrate

Номер патента: US09647013B2. Автор: XIANG Liu,Jianshe XUE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: US20160133634A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20110187412A1. Автор: Xiao Sun,Tso-Ping Ma,Minjoo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device having an oxide semiconductor film and a metal oxide film

Номер патента: US09842937B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711606B1. Автор: Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Metal oxide thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240250177A1. Автор: Chen Xu,Jie Huang,Guangcai Yuan,Zhengliang Li,Lizhong Wang,Dongfang Wang,Shuilang Dong,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Dapeng XUE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09960189B2. Автор: Guangcai Yuan,Chunsheng Jiang,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09614098B2. Автор: Guangcai Yuan,Chunsheng Jiang,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

CMOS device and its manufacturing method

Номер патента: KR19990069745A. Автор: 김상연. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1999-09-06.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234431A1. Автор: Hyung Jun Kim,Jun Hyung LIM,Eok Su Kim,Kyung Jin JEON,Yun Yong NAM,So Young Koo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Capacitor comprising metal oxide film having high alignment

Номер патента: US09905586B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacturing method of tft substrate and tft substrate

Номер патента: US20210336040A1. Автор: Xianwang WEI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Thin Film Transistor Substrate Having High Reliability Metal Oxide Semiconductor Material

Номер патента: US20160343878A1. Автор: Kyung Park,Juheyuck BAECK,JongUk BAE,Jangyeon Kwon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-11-24.

Display device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4451826A1. Автор: Seungho YANG,Jun Hyung LIM,Sangwoo SOHN,Yeon Keon Moon,Eun Hyun Kim,Hyunjun JEONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Thin film transistor substrate having high reliability metal oxide semiconductor material

Номер патента: US09735286B2. Автор: Kyung Park,Juheyuck BAECK,JongUk BAE,Jangyeon Kwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Display substrate, its testing method and its manufacturing method

Номер патента: US09608125B2. Автор: Jian Chen,Zhenfei Cai,Zhengwei Chen,Chaohuan HSU. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Manufacturing method for complementary TFT device and manufacturing method for OLED display panel

Номер патента: US10096656B1. Автор: Zhe Liu,Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-09.

Structure and method of high-performance extremely thin silicon on insulator complementary metal-oxide-semiconductor transistors with dual stress buried insulators

Номер патента: US20150001625A1. Автор: Ming Cai,Dechao Guo,Chun-Chen Yeh,Liyang Song. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Solution composition for forming oxide semiconductor, and oxide semiconductor and electronic device including the same

Номер патента: US20140291664A1. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Jong-baek Seon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Complementary metal oxide semiconductor device, optical apparatus including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US9355917B2. Автор: Young-Jin Cho,Sang-Moon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Metal-oxide thin-film transistor and method for fabricating same, display panel, and display device

Номер патента: US20240194747A1. Автор: Bin Lin,Zheng Liu,Rui Zhang,Bo Hu,Liangliang LI,Xinlin Peng. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Vertical metal oxide semiconductor channel selector transistor and methods of forming the same

Номер патента: US12075633B2. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Self-aligned metal oxide TFT with reduced number of masks and with reduced power consumption

Номер патента: US09614102B2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2503085C1. Автор: Масахико СУЗУКИ,Хирохико НИСИКИ,Такеси ХАРА,Юудзи МИДЗУНО,Есимаса ТИКАМА,Есифуми ОХТА,Тецуя АИТА,Митико ТАКЕИ,Окифуми НАКАГАВА,Есиюки ХАРУМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-12-27.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) device and method

Номер патента: EP2847791A2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Jun Yuan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-03-18.

Silicon-on-insulator (soi) complementary metal oxide semiconductor (cmos) standard library cell circuits having a gate back-bias rail(s), and related systems and methods

Номер патента: US20150325563A1. Автор: Yang Du,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-11-12.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US12046694B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20240339557A1. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Metal-oxide thin-film transistor, array base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20240297256A1. Автор: Lizhong Wang,Dongfang Wang,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Via formed in a wafer using a front-side and a back-side process

Номер патента: US20240038695A1. Автор: Ankur Aggarwal,Jeremy Matthew Plunkett. Владелец: Celestial AI Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Doped metal oxide semiconductor and thin-film transistor made therefrom and its application

Номер патента: US11894467B2. Автор: Miao Xu,Lei Wang,HUA Xu,Junbiao Peng,Weifeng Chen,WEIJING Wu. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-02-06.

Oxide semiconductor having ohmic junction structure, thin-film transistor having same, and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20240120379A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Ho Jae Lee. Владелец: Iucf Hyu Industry University Cooperation Hanyang Foundation University. Дата публикации: 2024-04-11.

Thin film of metal oxide, organic electroluminescent device including thin film, photovoltaic cell including thin film, and manufacturing method of thin film

Номер патента: US20190058142A1. Автор: Kazuhiro Ito,Hideo Hosono,Satoru Watanabe,Nobuhiro Nakamura,Toshinari Watanabe,Yoshitake Toda,Naomichi Miyakawa. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2019-02-21.

Thin film of metal oxide, organic electroluminescent device including thin film, photovoltaic cell including thin film, and manufacturing method of thin film

Номер патента: US20170186984A1. Автор: Kazuhiro Ito,Hideo Hosono,Satoru Watanabe,Nobuhiro Nakamura,Toshinari Watanabe,Yoshitake Toda,Naomichi Miyakawa. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2017-06-29.

Thin film of metal oxide, organic electroluminescent device including thin film, photovoltaic cell including thin film, and manufacturing method of thin film

Номер патента: US11871590B2. Автор: Kazuhiro Ito,Hideo Hosono,Satoru Watanabe,Nobuhiro Nakamura,Toshinari Watanabe,Yoshitake Toda,Naomichi Miyakawa. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2024-01-09.

High-temperature ultrasonic sensor and method of its manufacturing

Номер патента: RU2581421C1. Автор: Нориаки САЙТО,Ки Хан НАМ,Хйеон Кю ДЖУ,Минэхиро ТОНОСАКИ,Фумиясу ИКАРАСИ,Хидэо КАВАГУТИ. Владелец: Соник Корпорэйшн. Дата публикации: 2016-04-20.

Multi-voltage complementary metal oxide semiconductor integrated circuits based on always-on N-well architecture

Номер патента: US09905560B2. Автор: Senthilkumar JAYAPAL,Navienkumar Ramachandran Arumugam. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Complementary metal-oxide semiconductor integrated circuit device with isolation

Номер патента: US4870471A. Автор: Isao Ohkura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-09-26.

Metal oxide semiconductor component having voltage regulation and electrostatic discharge protection and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW200824093A. Автор: Ye-Lin Chen,Tung-Chen Kuo. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-01.

Monolithic inductance-enhancing integrated circuits, complementary metal oxide semiconductor (cmos) inductance-enhancing integrated circuits, inductor assemblies, and inductance-multiplying methods

Номер патента: US20030075764A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Stacked nanosheet complementary metal oxide semiconductor field effect transistor devices

Номер патента: US20210249412A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: EP4006965A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Bipolar-cmos-dmos semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20200066714A1. Автор: Bo Zhang,Song Pu,Ming Qiao. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-02-27.

Reference clock complementary metal-oxide semiconductor (cmos) input buffer with self-calibration and improved electrostatic discharge (esd) performance

Номер патента: US20230062619A1. Автор: Charles Qingle Wu,Weiyi Zhang,Yanying He. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Reference clock complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) input buffer with self-calibration and improved electrostatic discharge (ESP) performance

Номер патента: US11750949B2. Автор: Charles Qingle Wu,Weiyi Zhang,Yanying He. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device including first and second metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US10636906B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Dohwan AHN,Toshikazu Imai,Shigetoshi Sota,Masaaki HIRAKO,Tomonari Ota. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140151799A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-06-05.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09680008B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Empirion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Compound semiconductor and complementary metal oxide semiconductor (cmos) transistor integration

Номер патента: WO2022197390A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-22.

Three-dimensional bipolar-cmos-dmos (bcd) structure with integrated back-side capacitor

Номер патента: US20230317719A1. Автор: Lei Shi,Jian Wu,Hang FAN,Shuming Xu,Luyao Song. Владелец: Shanghai Bright Power Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

A trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor, mosfet, as well as a corresponding method of manufacture

Номер патента: EP4170728A1. Автор: Manoj Kumar,Steffen Holland,Chinmoy Khaund,Pei Heng Hung. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-04-26.

Metal-oxide semiconductor field effect transistor, method of fabricating the same, and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09646891B2. Автор: Xingui ZHANG,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Nickel Silicide in Bipolar Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS) Device

Номер патента: US20220068913A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,Mantavya SINHA. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of Manufacturing Nickel Silicide in Bipolar Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS)

Номер патента: US20220068912A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,Mantavya SINHA. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Nickel Silicide in Bipolar Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS) Device and Method of Manufacturing

Номер патента: US20220068911A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,Mantavya SINHA. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20160163542A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230268230A1. Автор: Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,Fumihito Tachibana. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Secondary battery mounted chip manufacturing method

Номер патента: CA2992968C. Автор: Tatsuo Inoue,Juri Ogasawara,Kazuyuki Tsunokuni,Takuo Kudoh,Takashi Tonokawa,Tomokazu Saitoh. Владелец: Micronics Japan Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Rebot control method using non-contact displacement sensor and apparatus thereof

Номер патента: US20240227186A1. Автор: Seung Won Seo. Владелец: Gsf Solution Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Wafer manufacturing method, epitaxial wafer manufacturing method, and wafer and epitaxial wafer manufactured thereby

Номер патента: EP3916137A1. Автор: Jong Hwi Park,Jung-Gyu Kim,Eun Su Yang,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Yeon Sik Lee,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: SKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

Wafer manufacturing method, epitaxial wafer manufacturing method, and wafer and epitaxial wafer manufactured thereby

Номер патента: US20240076799A1. Автор: Jong Hwi Park,Jung-Gyu Kim,Eun Su Yang,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Yeon Sik Lee,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Wafer manufacturing method, epitaxial wafer manufacturing method, and wafer and epitaxial wafer manufactured thereby

Номер патента: US11939698B2. Автор: Jong Hwi Park,Jung-Gyu Kim,Eun Su Yang,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Yeon Sik Lee,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09922858B2. Автор: Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Manufacturing method of chips

Номер патента: US20230377940A1. Автор: Yu Zhao,Shin Tabata. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Silicon wafer manufacturing method

Номер патента: US20240203745A1. Автор: Tatsuo Abe,Yuki Tanaka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

DOPED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR AND THIN-FILM TRANSISTOR MADE THEREFROM AND ITS APPLICATION

Номер патента: US20210083124A1. Автор: Wang Lei,Xu Hua,Chen Weifeng,Xu Miao,Peng Junbiao,WU Weijing. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

COMPOSITE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR AND THIN-FILM TRANSISTOR MADE THEREFROM AND ITS APPLICATION

Номер патента: US20210083125A1. Автор: Wang Lei,Xu Hua,Chen Weifeng,Xu Miao,Peng Junbiao,WU Weijing. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Power MOSFT (metal-oxide -semiconductor field effect transistor) device with low specific on-resistance and manufacturing method of power MOSFT device

Номер патента: CN104241386B. Автор: 叶鹏,朱袁正. Владелец: Wuxi NCE Power Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-01.

THIN FILM OF METAL OXIDE, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE INCLUDING THIN FILM, PHOTOVOLTAIC CELL INCLUDING THIN FILM, AND MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM

Номер патента: US20190058142A1. Автор: HOSONO Hideo,Ito Kazuhiro,Toda Yoshitake,NAKAMURA Nobuhiro,Watanabe Satoru,Miyakawa Naomichi,Watanabe Toshinari. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

THIN FILM OF METAL OXIDE, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE INCLUDING THIN FILM, PHOTOVOLTAIC CELL INCLUDING THIN FILM, AND MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM

Номер патента: US20170186984A1. Автор: HOSONO Hideo,Ito Kazuhiro,Toda Yoshitake,NAKAMURA Nobuhiro,Watanabe Satoru,Miyakawa Naomichi,Watanabe Toshinari. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

THIN FILM OF METAL OXIDE, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE INCLUDING THIN FILM, PHOTOVOLTAIC CELL INCLUDING THIN FILM, AND MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM

Номер патента: US20210343961A1. Автор: HOSONO Hideo,Ito Kazuhiro,Toda Yoshitake,NAKAMURA Nobuhiro,Watanabe Satoru,Miyakawa Naomichi,Watanabe Toshinari. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2021-11-04.

Measuring method of image formation characteristic, exposure method, exposure apparatus and its adjustment method, manufacture method of device, and recording medium

Номер патента: TWI220999B. Автор: Masato Hamatani,Toshio Tsukakoshi. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2004-09-11.

Composite dielectric material doped with nanoparticle of rare earth metal oxide embedded in silicon dioxide showing colossal dielectric response and magnetodielectric effect and manufacturing method therefor

Номер патента: TW201133620A. Автор: Sudip Mukherjee,Ching-Hsuan Chen,Hung-duen Yang. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2011-10-01.

Connection storage grid storage unit and its operation and manufacture method

Номер патента: CN104600076B. Автор: 骆志炯. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-11.

TRANSISTOR-TYPE VISCOSITY SENSOR, AND VISCOSITY MEASUREMENT SYSTEM AND VISCOSITY MEASURING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20150255546A1. Автор: CHYI Jen-Inn,Wang Yu-Lin,FANG Jung-Ying. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Field effect transistor, especially for use as a sensor element or acceleration sensor, and method for its manufacture

Номер патента: US20020005530A1. Автор: Klaus Heyers,Bernhard Elsner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

NEW PHOTOVOLTAIC SENSOR AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: FR2346861A1. Автор: . Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1977-10-28.

Semiconductor pressure sensor and method for its manufacture

Номер патента: DE3918769C2. Автор: Tetsuo Fujii,Osamu Ina,Susumu Kuroyanagi,Yoshitaka Gotoh. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2001-12-13.

N-type transistor, n-type transistor sensor, and n-type transistor channel manufacturing method

Номер патента: JP4891550B2. Автор: 和彦 松本,厚彦 小島,哲 長尾. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2012-03-07.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09768292B2. Автор: Shu Zhang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Gate thin-film insulating material of high dielectric constant and its manufacturing method (alternatives)

Номер патента: RU2305346C2. Автор: Екатерина Дмитриевна Политова,Наталь Владимировна Голубко,Наталья Владимировна Голубко. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИ им. Л.Я. Карпова). Дата публикации: 2007-08-27.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: EP4222781A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: WO2022072056A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-07.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: US20220102266A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Array substrate and manufacturing method therefor, and display panel

Номер патента: US20240248353A1. Автор: Huan Yang,Shengdong Zhang,Congwei Liao,Te-Chen Chung,Xiaoliang Zhou,Qingping LIN,Zhongfei Zou. Владелец: InfoVision Optoelectronics Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Wafer back-side polishing system and method for integrated circuit device manufacturing processes

Номер патента: US09852899B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Shen-Nan Lee,Hsin-Hsien Lu,Kuo-Yin Lin,Wen-Kuei Liu,Kuo-Cheng Lien,Chang-Sheng Lin,Yu-Wei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

High-speed and high-capacity mos transistor and its manufacturing process

Номер патента: RU2197769C2. Автор: Хюн-Сик Ким,Хеон-Йонг Син,Соо-Чеол Ли. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2003-01-27.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US10553496B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Boron-coated back-illuminated image sensor with fluoride-based anti-reflection coating

Номер патента: WO2024151790A1. Автор: John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole,Evgeniia Butaeva,Larissa Juschkin,Ting Fung CHUNG. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2024-07-18.

Boron-Coated Back-Illuminated Image Sensor With Fluoride-Based Anti-Reflection Coating

Номер патента: US20240243143A1. Автор: John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole,Evgeniia Butaeva,Larissa Juschkin,Ting Fung CHUNG. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Wafer flatness evaluation method, wafer flatness evaluation apparatus carrying out the evaluation method, wafer manufacturing method using the evaluation method, wafer quality assurance method using the evaluation method, semiconductor device manufacturing method using the evaluation method and semiconductor device manufacturing method using a wafer evaluated by the evaluation method

Номер патента: US7365830B2. Автор: Makoto Kobayashi,Masashi Ichikawa,Kenichi Kodama,Soichi Inoue,Tadahito Fujisawa,Tsuneyuki Hagiwara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-29.

Wafer flatness evaluation method, wafer flatness evaluation apparatus carrying out the evaluation method, wafer manufacturing method using the evaluation method, wafer quality assurance method using the evaluation method, semiconductor device manufacturing method using the evaluation method and semiconductor device manufacturing method using a wafer evaluated by the evaluation method

Номер патента: US20070177126A1. Автор: Makoto Kobayashi,Masashi Ichikawa,Kenichi Kodama,Soichi Inoue,Tadahito Fujisawa,Tsuneyuki Hagiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-08-02.

Wafer back-side polishing system and method for integrated circuit device manufacturing processes

Номер патента: US20160190023A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Shen-Nan Lee,Hsin-Hsien Lu,Kuo-Yin Lin,Wen-Kuei Liu,Kuo-Cheng Lien,Chang-Sheng Lin,Yu-Wei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Sequencing chip and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4407044A1. Автор: YUAN Li,Handong Li,Shifeng Li,Zhaohui Wang,Wenwei Zhang,Tengyue Li,Aoli WANG,Xiaogang Song,Lingling Peng,Xueqin Jiang,Jiacheng Chen,Fuxing Huang. Владелец: BGI Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Metallic oxide thin film transistor, array substrate and their manufacturing methods, display device

Номер патента: US20160365366A1. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Metallic oxide thin film transistor, array substrate and their manufacturing methods, display device

Номер патента: US09627414B2. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

In vivo bioimaging method and system using near-infrared light and complementary metal-oxide-semiconductor image sensor

Номер патента: US10251556B2. Автор: Sang Chul Ahn,Bum Jae You,Seok Joon Kwon,Hwa Sup Lim. Владелец: Center Of Human Centered Interaction for Coexistence. Дата публикации: 2019-04-09.

metal-oxide-semiconductor transistor and complementary metal-oxide-semiconductor circuit related

Номер патента: US20240304624A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with microelectromechanical systems (MEMS) devices using a flat surface above a sacrificial layer

Номер патента: US09796582B1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Asynchronous logic element of a complementary metal-oxide-semiconductor structure

Номер патента: RU2693685C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2019-07-03.

Complementary thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966415B2. Автор: Mian Zeng,Shengdong Zhang,Hsiangchih Hsiao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Metal oxide thin film transistor and manufacturing method therefor, and display panel

Номер патента: EP4369417A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Sequencing chip and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2019426202A1. Автор: YUAN Li,Handong Li,Shifeng Li,Zhaohui Wang,Wenwei Zhang,Tengyue Li,Aoli WANG,Xiaogang Song,Lingling Peng,Xueqin Jiang,Jiacheng Chen,Fuxing Huang. Владелец: BGI Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20180323301A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-08.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20160268433A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-15.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Methods for dual metal gate complementary metal oxide semiconductor integration

Номер патента: WO2007025277A2. Автор: Naim Moumen,Muhammad Mustafa Hussain,Zhibo Zhang,Seung-Chul Song,Byoung Hun Lee,Rino Choi,Husam Alshareef,Joel Barnett. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2007-03-01.

High voltage cmos device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230197730A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chih-Wen Hsiung,Wu-Te Weng. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-06-22.

P-type oxide semiconductor film and method for forming same

Номер патента: US20200279955A1. Автор: Isao Takahashi,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: US09978682B1. Автор: Anthony Correale, Jr.,William GOODALL, III,Philip Michael ILES. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Wafer inspection apparatus and wafer inspection method using the same

Номер патента: US20180061041A1. Автор: Byeong Hwan Jeon,Tae Joong Kim,Jae Chol JOO,Jun Bum Park,Tae Heung AHN,Soo Ryonng Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20160093616A1. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Array substrate and manufacturing method therefor, and display panel

Номер патента: US20230290788A1. Автор: Chih-Cheng Tsai,Te-Chen Chung,Xingang Wang,Huilong Zheng. Владелец: InfoVision Optoelectronics Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Capacitor and its manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20050186752A1. Автор: Motohisa Noguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US12107125B2. Автор: Ryohei KANNO. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Active device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170194501A1. Автор: Ya-Ju Lu,Chin-Tzu Kao,Jin-Chuan Guo. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device chip manufacturing method

Номер патента: US09935008B2. Автор: Toshiyuki Tateishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Functionalized metal oxide soldering methods and UV sensor manufactured thereof

Номер патента: US09855618B2. Автор: Kyoungsik Yu,Kyungmook KWON,Jaeho Shim,Kyunghan Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Oxide semiconductor composition and manufacturing method thereof, oxide thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082862B2. Автор: Jan-Tian Lian,Hung-Yu Wu,Hsin-min FU,Chia-Sheng Hsieh,Jang-Jeng Liang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-07-14.

Gate all around complementary metal-oxide-semiconductor field effect transistors

Номер патента: US20230207563A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Power metal-oxide-semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321973A1. Автор: Jianjun Yang,Yuan-Hsiang Chang,Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Wei Ta,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20240304498A1. Автор: Rui Ju,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Hongxu Shao. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Three dimensional complementary metal oxide semiconductor carbon nanotube thin film transistor circuit

Номер патента: US09966416B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Xiao-Yang Xiao,Yu-Dan Zhao,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Ultrasonic transducers in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) wafers and related apparatus and methods

Номер патента: US09899371B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Nevada J. Sanchez,Susan A. Alie. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US09871145B2. Автор: Daigo Ito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshiaki Yamamoto,Takashi Hamada,Daisuke Matsubayashi,Yutaka Okazaki,Masaharu Nagai,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device manufacturing method using a multilayer resist

Номер патента: US09711344B2. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US09691905B2. Автор: Daigo Ito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshiaki Yamamoto,Takashi Hamada,Daisuke Matsubayashi,Yutaka Okazaki,Masaharu Nagai,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method to optimize work function in complementary metal oxide semiconductor (cmos) structures

Номер патента: US20110269276A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Dechao Guo,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor wafer aligning system and method using same

Номер патента: US6333636B1. Автор: Jae-Soon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-25.

Apparatus of inspecting resistive defects of semiconductor devices and inspecting method using the same

Номер патента: US20160084901A1. Автор: Yu-Sin Yang,Chung-Sam Jun,Mi-Ra PARK,Sang-Kil Lee,Yong-Deok Jeong,Na-Kyoung LEE,Dae-Jin SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-24.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Semiconductor die singulation method using varied carrier substrate temperature

Номер патента: US09773689B2. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-09-26.

Manufacturing methods for laterally diffused metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20130137224A1. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Bernhard H. Grote,Tahir A. Khan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-05-30.

Methods of forming semiconductor packages with back side metal

Номер патента: US12040310B2. Автор: Eiji KUROSE. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Gate dielectrics for complementary metal oxide semiconductors transistors and methods of fabrication

Номер патента: EP4020539A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Matthew V. Metz,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Tristan TRONIC,Devin Merrill,Kirby MAXEY,Tobias Brown-Heft. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: WO2016022212A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-11.

Using different gate dielectrics with NMOS and PMOS transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060022271A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (SOI MOSFET) structure

Номер патента: US12057502B1. Автор: Wei Zhi,Gang Wang,Xianliang Wu,Zhixiang Huang,Kaikun NIU,Xingang REN,Yingsong LI,Siliang Wang,Sungen Cao,Huping JU. Владелец: ANHUI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-06.

Silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (soi mosfet) structure

Номер патента: US20240243201A1. Автор: Wei Zhi,Gang Wang,Xianliang Wu,Zhixiang Huang,Kaikun NIU,Xingang REN,Yingsong LI,Siliang Wang,Sungen Cao,Huping JU. Владелец: ANHUI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-18.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170084739A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Chia-Min Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Method of manufacturing device having adhesive film on back-side surface thereof

Номер патента: US20090075458A1. Автор: Masaru Nakamura. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor device including oxide semiconductor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274722A1. Автор: Jun Hwe CHA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) ultrasonic transducers and methods for forming the same

Номер патента: US09944514B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Gregory L. Charvat,Tyler S. Ralston,Nevada J. Sanchez. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Simple integration of non-volatile memory and complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US09881930B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Backside structure and methods for BSI image sensors

Номер патента: US09837464B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shuang-Ji Tsai,Wen-De Wang,Keng-Yu Chou,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for etching metal or metal oxide by ozone water, method for smoothing surface of metal or metal oxide by ozone water, and patterning method using ozone water

Номер патента: US09797046B2. Автор: Takatoki Yamamoto,Ryuji Hatsuki. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-10-24.

Isolated complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) devices for radio-frequency (RF) circuits

Номер патента: US09673275B2. Автор: Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Metal oxide film, method for manufacturing same, thin film transistor, display apparatus, image sensor, and X-ray sensor

Номер патента: US9515193B2. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata,Masayuki Suzuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for fabricating improved complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: CA1166361A. Автор: Robert F. Pfeifer,Murray L. Trudel. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Complementary Metal Oxide Semiconductor Integrated Circuit Using Raised Source Drain and Replacement Metal Gate

Номер патента: US20090261391A1. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Annalisa Cappellani,Matthew V. Metz. Владелец: Barns Chris E. Дата публикации: 2009-10-22.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: SG11201908898QA. Автор: Correale, Jr,Goodall, Iii,Philip Iles. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-30.

Forming dual metal complementary metal oxide semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20060160342A1. Автор: Mark Doczy,Valery Dubin,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Lawrence Wong,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307072A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20150155389A1. Автор: Jun-Yao Huang,Chien-Pang Tai,Yu-Chin Peng,Ke-Chuan Huang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Manufacturing method of power semiconductor

Номер патента: US20140329364A1. Автор: Chien-Ping Chang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Metal oxide thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20240250178A1. Автор: Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US20180175019A1. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Wafer marking method, nitride semiconductor device manufacturing method, and nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4354492A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Back-side memory element with local memory select transistor

Номер патента: US20210313391A1. Автор: Arvind Kumar,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US10204896B2. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Wet etching process-based modeling method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240202399A1. Автор: Hui ZENG,Ruijing Han. Владелец: Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09941414B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Apparatus and method for determining the location of plate elements of a wafer boat

Номер патента: US09865485B2. Автор: Andreas Hartmann,Ottmar Graf,Daniel Knöpfle. Владелец: CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG. Дата публикации: 2018-01-09.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09711655B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Tatsuya Honda,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Takatsugu Omata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170047426A1. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Wafer back surface cleaning device

Номер патента: US20240173750A1. Автор: Junichi Fukushima. Владелец: Tokyo Seimitsu Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer

Номер патента: US12034047B2. Автор: Sang Woo Lee,Min Hee Cho,Woo Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210351292A1. Автор: Yung-Chang Chen,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Sintering materials and attachment methods using same

Номер патента: EP3154729A1. Автор: Bawa Singh,Siuli Sarkar,Sutapa MUKHERJEE,Ravindra Mohan Bhatkal,Shamik Ghoshal,Remya Chandran,Ranjit S. PANDHER,Pavan VISHWANATH,V. Sathish KUMAR. Владелец: Alpha Metals Inc. Дата публикации: 2017-04-19.

Method of forming shape on mask based on deep learning, and mask manufacturing method using the method of forming the shape on mask

Номер патента: US11747721B2. Автор: Mincheol Kang,Useong KIM,Woojoo SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Optical Filter Structure For Arbitrary Combination Of RGB And IR Wavelength Ranges And Its Manufacturing Method

Номер патента: US20240274728A1. Автор: pei-yuan Ni,Cheng-Hsing Tsou,Wei-Hao CHENG. Владелец: Kingray Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Wafer-level packaging methods using a photolithographic bonding material

Номер патента: US20200135689A1. Автор: Hu Shi,Mengbin LIU. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Variation Resistant Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Номер патента: US20130049140A1. Автор: Asen ASENOV,Gareth Roy. Владелец: Gold Standard Simulations Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Metal oxide thin film transistor, semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332425A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO,Fangqing Wen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Optical filter structure for arbitrary combination of RGB and IR wavelength ranges and its manufacturing method

Номер патента: US12046686B2. Автор: pei-yuan Ni,Cheng-Hsing Tsou,Wei-Hao CHENG. Владелец: Kingray Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865731B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09837532B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated circuit with back side inductor

Номер патента: US09716056B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Laterally diffused metal oxide semiconductor and field drift metal oxide semiconductor

Номер патента: US09660072B2. Автор: Tien-Hao Tang,Lu-An CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

P-type oxide semiconductor, composition for producing p-type oxide semiconductor, method for producing r-type oxide semiconductor, semiconductor element, display element, image display device and system

Номер патента: RU2660407C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2018-07-06.

Lateral double diffusion metal oxide semiconductor element and its manufacture method

Номер патента: CN106469755A. Автор: 黄宗义. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-03-01.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and its method of fabrication

Номер патента: US5498556A. Автор: Gary Hong,Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-03-12.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20030155652A1. Автор: Kenji Masumoto,Mutsumi Masumoto,Kensho Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Via formed using a partial plug that extends into a substrate

Номер патента: US20240038657A1. Автор: Ankur Aggarwal,Jeremy Matthew Plunkett. Владелец: Celestial AI Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Through-substrate via formed using a partial plug that stops before a substrate

Номер патента: US20240038694A1. Автор: Ankur Aggarwal,Jeremy Matthew Plunkett. Владелец: Celestial AI Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Manufacturing method of wafer level chip scale package structure

Номер патента: US20160111293A1. Автор: Hsiu Wen Hsu,Chih Cheng Hsieh. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: WO2018191047A2. Автор: Jr. Anthony Correale,III William Goodall,Philip Michael ILES. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-10-18.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: WO2018191047A3. Автор: Jr. Anthony Correale,III William Goodall,Philip Michael ILES. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-11-22.

Dry etching apparatus and its manufacturing method

Номер патента: US6350698B1. Автор: Yukihiro Kamide. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-02-26.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20030107054A1. Автор: Kenji Masumoto,Mutsumi Masumoto,Kensho Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Complementary metal oxide semiconductor (mos) (cmos) standard cell circuits employing metal lines in a first metal layer used for routing, and related methods

Номер патента: EP3610507A2. Автор: Jr. Anthony Correale,III William Goodall,Philip Michael ILES. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-19.

Process for molding a back side wafer singulation guide

Номер патента: US20200111708A1. Автор: Thomas Scott Morris,Rommel Quintero,Neftali Salazar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Apparatus for processing a wafer, and method of controlling such an apparatus

Номер патента: WO2020160976A1. Автор: Stefan Koch,Martin KLEINDIENST. Владелец: LAM RESEARCH AG. Дата публикации: 2020-08-13.

Chip separation supported by back side trench and adhesive therein

Номер патента: US20220328355A1. Автор: Martin Brandl,Gunther Mackh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Metal-oxide-silicon device including nanometer scaled oxide structure to enhance light-emitting efficiency

Номер патента: US20030201434A1. Автор: Ching-Fuh Lin,Ting-Wei Su,Wei-Fang Lin,Eih-Zhe Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Metal-oxide-silicon device including nanometer scaled oxide structure to enhance light-emitting efficiency

Номер патента: US6770903B2. Автор: Ching-Fuh Lin,Ting-Wei Su,Wei-Fang Lin,Eih-Zhe Liang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2004-08-03.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US9647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for fabricating at least three metal-oxide semiconductor transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20120080758A1. Автор: Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220352372A1. Автор: Jie Bai,Wenli Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing by the same method

Номер патента: US20010018254A1. Автор: Ichiro Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Metal oxide thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20240304698A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Lateral diffused metal oxide semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899513B1. Автор: Wei-Chih Lin,Chih-Chia Hsu,Yin-Fu Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Tin based p-type oxide semiconductor and thin film transistor applications

Номер патента: US09647135B2. Автор: Kenji Nomura. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Dual-well metal oxide semiconductor (MOS) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634139B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-25.

Simultaneous formation of a top oxide layer in a silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) transistor and a gate oxide in a metal oxide semiconductor (MOS)

Номер патента: US09583501B1. Автор: Jeong-Mo Hwang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Complementary silicon-insulator-semiconductor field effect transis tor integrated circuit and a method for its manufacture

Номер патента: GB1363581A. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1974-08-14.

Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140235015A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Akiharu Miyanaga,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20200388544A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor

Номер патента: US20240234591A9. Автор: Marianne Berolini,Cory Nelson,Ronald S. Demcko,Jeff Borgman. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of integrating thyristor and metal-oxide semiconductor transistor on a semiconductor substrate

Номер патента: US10134736B2. Автор: Yukihiro Nagai,Le-Tien Jung. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

A low-noise sensor and an inspection system using a low-noise sensor

Номер патента: EP3085077A1. Автор: David L. Brown,Yung-ho Chuang,John Fielden. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8633038B2. Автор: Hideo Kawano,Haruko Tamegai,Tooru YASHIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Evaluation method and evaluation device of edge shape of silicon wafer, silicon wafer, and selection method and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3671816A1. Автор: Takeshi Kobayashi,Makoto Kobayashi,Masahiro Sakurada,Koichi Kanaya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-24.

Using a light source to temporarily saturate a camera sensor of a camera connected to a computer

Номер патента: US20180316835A1. Автор: Jace W. Files,John Trevor Morrison. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-11-01.

Metal oxide semiconductor thin film, thin-film-transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: EP3317899A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-05-09.

Semiconductor storage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7995376B2. Автор: Daisuke Yamazaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-08-09.

Wafer processing apparatus and wafer processing method using the same

Номер патента: US20240282586A1. Автор: Sunggil Kang,Dongkyu Shin,Hoseop Choi,Sangjin AN,Chanyeong JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Laterally diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180114831A1. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080073798A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Indium phosphide wafer having pits on the back side, method and etching solution for manufacturing the same

Номер патента: US20200227268A1. Автор: Sung-Nee George Chu,Haimiao Li,Liugang WANG. Владелец: Beijing Tongmei Xtal Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Metal-oxide-semiconductor capacitor based passive amplifier

Номер патента: US20240282785A1. Автор: Manuel H. Innocent. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150014768A1. Автор: Kuan-Yu Chen,Wei-Lin Chen,Chih-Chung Wang,Chiu-Te Lee,Chiu-Ling Lee,Tseng-Hsun Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243204A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Metal-oxide-semiconductor capacitor and circuit board including the same embedded therein

Номер патента: US12080809B2. Автор: Cory Nelson. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Metal oxide thin film transistor and method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20240363760A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Cleaning liquid composition for semiconductor wafer and cleaning method using same

Номер патента: US11970672B2. Автор: Seung Hyun Lee,Seong Hwan Kim,Seung Hun Lee,Seung Oh JIN. Владелец: Youngchang Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device including metal-oxide-semiconductor disposed in a column decoder region

Номер патента: US09997223B2. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Hydrogenated p-channel metal oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09985139B2. Автор: Kenji Nomura. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Packaged wafer manufacturing method and device chip manufacturing method

Номер патента: US09892986B2. Автор: Xin Lu,Hideki Koshimizu,Yurika Araya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Metal oxide semiconductor thin film, thin film transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: US09806097B2. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-10-31.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) transistor with a vertical channel region

Номер патента: US09768293B1. Автор: Chin-Yi Huang,Wan-Jyun Syue,Kuo-Lung Tzeng,Zhuo-Cang YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device having super junction metal oxide semiconductor structure and fabrication method for the same

Номер патента: US09755065B2. Автор: Toshio Nakajima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Thin film transistor substrate having metal oxide semiconductor and manufacturing the same

Номер патента: US09748286B2. Автор: Woocheol Jeong,Imkuk KANG,SungKeun Lee,Yongtae SONG,Sungjun YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09666678B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Lateral double diffused metal-oxide-semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09634099B2. Автор: Jui-Chun Chang,Shang-Hui Tu,Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Manufacturing method of power MOSFET using a hard mask as a CMP stop layer between sequential CMP steps

Номер патента: US09589810B2. Автор: Satoshi Eguchi,Daisuki Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09577091B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Ionizing radiations planar converter and its manufacturing method

Номер патента: RU2599274C1. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Андрей Андреевич Краснов,Ксения Андреевна Кузьмина,Юлия Константиновна Омельченко,Валерий Петрович Яромский. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2016-10-10.

Embedded sonos with triple gate oxide and manufacturing method of the same

Номер патента: WO2018231410A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Venkatraman Prabhakar,Ali Keshavarzi,Igor Kouznetsov. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-12-20.

Methods of forming semiconductor packages with back side metal

Номер патента: US20210159210A1. Автор: Eiji KUROSE. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-05-27.

Methods of forming semiconductor packages with back side metal

Номер патента: US20190333891A1. Автор: Eiji KUROSE. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-10-31.

Methods of forming semiconductor packages with back side metal

Номер патента: US11562981B2. Автор: Eiji KUROSE. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-01-24.

P-type oxide semiconductor film and method for forming same

Номер патента: EP3712305A1. Автор: Isao Takahashi,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

Back-side wafer modification

Номер патента: US11830778B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Somnath Ghosh,David Wolpert,Daniel James Dechene,Michael Romain. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Apparatus and Method for Forming Alignment Features for Back Side Processing of a Wafer

Номер патента: US20150028499A1. Автор: Thomas Kieran Nunan,Christine H. Tsau,William David Sawyer. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2015-01-29.

Apparatus and method for forming alignment features for back side processing of a wafer

Номер патента: WO2015013243A1. Автор: Thomas Kieran Nunan,Christine H. Tsau,William D. Sawyer. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

Wafer system-level fan-out packaging structure and manufacturing method

Номер патента: US11894243B2. Автор: Yenheng CHEN,Chengchung LIN. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Device chip manufacturing method

Номер патента: US20200343139A1. Автор: Frank Wei. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Back-side wafer modification

Номер патента: GB2616536A. Автор: WOLPERT David,GHOSH Somnath,Romain Michael,a clevenger Lawrence,James Dechene Daniel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: EP1974377A1. Автор: Massimo Fischetti,Qiqing Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-01.

Complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: WO2007077125A1. Автор: Massimo Fischetti,Qiqing Ouyang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2007-07-12.

Position determining method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240071826A1. Автор: Takanobu Ono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods for fabricating metal-oxide-semiconductor field effect transistors using gate sidewall spacers

Номер патента: US20040203197A1. Автор: Dong-soo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-14.

Heterogeneous structures comprising iii-v semiconductors and metal oxide dielectrics, and a method of fabrication thereof

Номер патента: US20210126107A1. Автор: Alexander Gerber,Gregory KOPNOV. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of forming a stacked-die integrated circuit chip package on a wafer level

Номер патента: MY134235A. Автор: M Lam Ken. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-11-30.

Method of forming a stacked-die integrated circuit chip package on a wafer level

Номер патента: WO2001067511A2. Автор: Ken M. Lam. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2001-09-13.

Method for improving inversion layer mobility in a silicon carbide metal-oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: EP1430518A2. Автор: Richard Intern. Octrooibureau BV EGLOFF,Satyendranath Intern. Octrooibureau BV MUKHERJEE,Dev Intern. Octrooibureau BV ALOK,Emil Intern. Octrooibureau BV ARNOLD. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-23.

Metal-oxide-semiconductor transistor and method of forming gate layout

Номер патента: US20170330947A1. Автор: Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure

Номер патента: US20230377973A1. Автор: Kazunori Fuji,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Pixel arrangement structure and driving method therefor, as well as display substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240244913A1. Автор: Guangru Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Structure of metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20030189226A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Chih-Feng Huang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure

Номер патента: US11742243B2. Автор: Kazunori Fuji,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of producing a wafer scale package

Номер патента: WO2008116335A2. Автор: Hartmut Rudmann,Markus Rossi,Stephan Heimgartner. Владелец: HEPTAGON OY. Дата публикации: 2008-10-02.

Back side design for flat silicon carbide susceptor

Номер патента: EP4211715A1. Автор: Hui Chen,Schubert Chu,John Newman,Xinning Luan,Zhepeng Cong,Shaofeng Chen,Kirk Allen Fisher,James M. AMOS,Shawn Joseph Bonham,Philip Michael Amos,Aimee S. Erhardt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-19.

Method of wafer dicing and manufacturing method of semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240290658A1. Автор: Jimin Kim,Youngchul KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US11764115B2. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US11756831B2. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US11764114B2. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US20220157668A1. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US20220157659A1. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US20220157669A1. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US20220157658A1. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200321521A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: US20220199859A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Silicon carbide composite wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4095291A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Silicon carbide composite wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384385A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Plasma process uniformity by wafer back side doping

Номер патента: US20240112904A1. Автор: Kwang Jae Shin,Kezia Cheng,Alan Sangone Chen,Taecheol Shon,Yong Woo Jeon. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230246104A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Back side design for flat silicon carbide susceptor

Номер патента: US20240304492A1. Автор: Hui Chen,Schubert S. Chu,John Newman,Xinning Luan,Zhepeng Cong,Shaofeng Chen,Kirk Allen Fisher,James M. AMOS,Shawn Joseph Bonham,Philip Michael Amos,Aimee S. Erhardt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Controlling impurities in a wafer for an electronic circuit

Номер патента: WO2012136999A1. Автор: Cornelis DE GROOT,Peter Ashburn,Peter WILSHAW,Kanad Mallik,Doug JORDAN. Владелец: ISIS INNOVATION LIMITED. Дата публикации: 2012-10-11.

Wafer processing apparatus for combined high-pressure process and vacuum process, and wafer processing method using decompression

Номер патента: US20240339338A1. Автор: Chul Hee SHIN. Владелец: HPSP Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Wafer manufacturing method

Номер патента: EP4447091A1. Автор: Hideaki Shirai,Ryota Takagi,Bahman Soltani,Koichiro Yasuda,Tomoki Kawazu,Sodai NOMURA,Shunsuke SOBAJIMA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Carrier system, exposure apparatus, carrier method, exposure method, device manufacturing method, and suction device

Номер патента: US09821469B2. Автор: Hideaki Hara. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US09716169B2. Автор: Feng Huang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Methods for etching through-wafer vias in a wafer

Номер патента: US09711364B2. Автор: Elena Becerra Woodard,Daniel Kwadwo Amponsah Berkoh,Dean G. Scott. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Power MOS transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09698248B2. Автор: WEI Liu,Pengfei Wang,LEI Liu,Xi Lin,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09666838B2. Автор: Shinsuke Iguchi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09660020B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Wafer temporary bonding method and thin wafer manufacturing method

Номер патента: US09646868B2. Автор: Hiroyuki Yasuda,Michihiro Sugo,Masahito Tanabe,Shohei Tagami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

High voltage metal oxide semiconductor device and method for making same

Номер патента: US09627524B2. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09625831B1. Автор: Kazuhiro Segawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Processing apparatus, processing method, and device manufacturing method

Номер патента: US09594312B2. Автор: Shinichi Hirano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: US09588443B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09552983B2. Автор: Hironobu Hirata,Yoshikazu Moriyama,Masayoshi Yajima. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

FinFET complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices

Номер патента: US11652006B2. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-16.

High mobility complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices with fins on insulator

Номер патента: US20200066896A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Reconfigurable complementary metal oxide semiconductor device and method

Номер патента: US11817457B2. Автор: Stefan Dunkel,Dominik M. KLEIMAIER. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2023-11-14.

Laterally double diffused metal oxide semiconductor (ldmos) device on fully depleted silicon on insulator (fdsoi) enabling high input voltage

Номер патента: US20190157451A1. Автор: El Mehdi Bazizi,Alban Zaka,Ignasi Cortes Mayol,Tom Herrmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10008599B1. Автор: Hung-Lin Shih,Wei-Lun Hsu,Hsin-Che Huang,Shyan-Liang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Method of forming high mobility complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with fins on insulator

Номер патента: US11637041B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-25.

Protection of a wafer-level chip scale package (wlcsp)

Номер патента: US20140138855A1. Автор: Christian Zenz,Tonny Kamphuis,Sascha Moeller,Leonardus Antonius Elisabeth van Gemert,Hartmut BUENNING. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-05-22.

Wafer back side processing structure and apparatus

Номер патента: US9443721B2. Автор: Wei-Chih Lin,Song-Bor Lee,Cheng-Chien Li,Ching-Kun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Finfet complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices

Номер патента: US20210327769A1. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Finfet complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices

Номер патента: US20220139787A1. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Isolated complementary metal-oxide semiconductor (cmos) devices for radio-frequency (rf) circuits

Номер патента: US20170117358A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Using different gate dielectrics with nmos and pmos transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: WO2006028577A2. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-03-16.

Heterojunction structure-based solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US11769848B2. Автор: Jaehyeong LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-26.

High mobility complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices with fins on insulator

Номер патента: US20210111195A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Reconfigurable complementary metal oxide semiconductor device and method

Номер патента: US20230395605A1. Автор: Stefan Dunkel,Dominik M. KLEIMAIER. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2023-12-07.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20180277679A1. Автор: Hung-Lin Shih,Wei-Lun Hsu,Hsin-Che Huang,Shyan-Liang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Method and structure for forming low contact resistance complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US20230387238A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Julien Frougier,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Back side metallization thin film structure and method for forming the same

Номер патента: US20240170434A1. Автор: Chien-Hsun Chuang. Владелец: AG Materials Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Wafer processing method for dividing a wafer along wafer processing method predefined division lines using polyester sheet

Номер патента: MY202217A. Автор: Kiuchi Hayato,Matsuzawa Minoru,Fujii Yusuke,YODO Yoshiaki,OHMAE Makiko,HARADA Shigenori,ARAKAWA Taro,AGARI Masamitsu,KAWAMURA Emiko,MIYAI Toshiki. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Isolated complementary metal-oxide semiconductor (cmos) devices for radio-frequency (rf) circuits

Номер патента: WO2017070446A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-04-27.

Heterojunction structure-based solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210167238A1. Автор: Jaehyeong LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-06-03.

Resistive processing units with complementary metal-oxide-semiconductor non-volatile analog memory

Номер патента: US20200258942A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Thin-film transistor having metal oxide semiconductor layers of heterojunction structure, display device comprising same, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230253504A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Hyeon Joo SEUL. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US20160013283A1. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-01-14.

Quantum dot light emitting diode, display apparatus and its manufacturing method

Номер патента: US9947886B2. Автор: Shi Shu,Wei Xu,Yonglian QI,Chuanxiang XU,Xiaolong He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Wafer rewiring double verification structure, and manufacturing method and verification method thereof

Номер патента: US20240079271A1. Автор: Wenjie Huang. Владелец: Hefei Chipmore Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20080061327A1. Автор: Yu-Chou Lee,Tsung-Chi Cheng,Hung-Yi Hsu,Yea-Chung Shih,Jui-Chung Chang,Hsiang-Hsien Chung,Wen-Kuang Tsao,Ching-Yeh Kuo. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Double-sided marking of semiconductor wafers and method of using a double-sided marked semiconductor wafer

Номер патента: GB201014264D0. Автор: . Владелец: DOUBLECHECK SEMICONDUCTORS Pte Ltd. Дата публикации: 2010-10-13.

Wafer level package having a pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Trench gate complimentary metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: CA2009067A1. Автор: Allen L. Solomon. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-09-21.

Wafer holding apparatus and wafer processing method using the same

Номер патента: US20200118863A1. Автор: Kazuma Sekiya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Method of manufacturing oxide semiconductor

Номер патента: US20210036224A1. Автор: Joosung KIM,Dongsu Kim,Hyungkoun CHO,Youngdae YUN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-02-04.

Shape accuracy improvement using a novel calibration approach

Номер патента: WO2002011183B1. Автор: Peter Harvey,Jaydeep Sinha,William Drohan,William Goldfarb. Владелец: ADE Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Euv exposure apparatus, and overlay correction method and semiconductor device fabricating method using the same

Номер патента: US20210397079A1. Автор: Jeongjin Lee,Chan Hwang,Seungyoon LEE,Doogyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Euv exposure apparatus, and overlay correction method and semiconductor device fabricating method using the same

Номер патента: US20210333701A1. Автор: Jeongjin Lee,Chan Hwang,Seungyoon LEE,Doogyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Superjunction ldmos and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130082326A1. Автор: Shushu TANG. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Wafer cleaning apparatus and wafer cleaning method using the same

Номер патента: US12042828B2. Автор: Seung Min Shin,Young-Hoo Kim,Yong Jun Choi,In Gi Kim,Tae-Hong Kim,Seok Hoon Kim,Kun Tack LEE,Hun Jae JANG,Ji Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Wafer dividing method using co2 laser

Номер патента: US20110186554A1. Автор: Hiroshi Morikazu,Tasuku Koyanagi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Estimating heights of defects in a wafer by scaling a 3D model using an artificial neural network

Номер патента: US12057336B2. Автор: Gaurav Kumar,Chanwoo Park,Yunje CHO,Shashank Shrikant AGASHE,Sathyanarayanan Kulasekaran. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Optical part and its manufacturing method

Номер патента: US20050013013A1. Автор: Tsuyoshi Kaneko. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-20.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20240282634A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210066594A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device manufacturing method with reduced gate electrode height loss and related devices

Номер патента: US10535750B2. Автор: Yang Liu,Yongmeng Lee,Shaofeng Yu,Jianhua Ju,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8883635B2. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Method for cutting a wafer using a protection sheet

Номер патента: US20060189100A1. Автор: Masaharu Ishizuka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Manufacturing method of metal-insulator-metal device

Номер патента: US20180254316A1. Автор: Hsin Tai,Ming-Chen Lu,Po-Cheng Chang,Hui-Chin Huang,Pei-Ting Tou. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

LATERAL EXTENDED DRAIN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (LEDMOSFET) HAVING A HIGH DRAIN-TO-BODY BREAKDOWN VOLTAGE (Vb), A METHOD OF FORMING AN LEDMOSFET, AND A SILICON-CONTROLLED RECTIFIER (SCR) INCORPORATING A COMPLEMENTARY PAIR OF LEDMOSFETS

Номер патента: US20120168817A1. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Michel J. Abou-Khalil,Theodore J. Letavic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Wafer level package having a pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US9133021B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190326441A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11069821B2. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

A semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180145182A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Metal oxide semiconductor field effect transistors (mosfet) including deep p-wells and methods of forming same

Номер патента: WO2022178252A1. Автор: Adam Morgan,Dongyoung Kim,Woongje Sung. Владелец: The Research Foundation for the State Universtiy of New York. Дата публикации: 2022-08-25.

Method for improving the ohmic contact between a front contact grid and a doped layer of a wafer solar cell

Номер патента: US20240282870A1. Автор: Ansgar Mette,Florian Stenzel,Janko Cieslak,Axel Schwabedissen,Martin Schäper,Eckehard Hofmueller,Eve Krassowski,Stefan Stoeckel,Stefan HOERNLEIN. Владелец: HANWHA Q CELLS GMBH. Дата публикации: 2024-08-22.

Photoelectric device based on quantum dots and its manufacturing method

Номер патента: US20240250198A1. Автор: Seong Jun Kang,Jun Hyung Jeong. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-25.

Display device and manufacturing method of display device

Номер патента: US20240290767A1. Автор: Dojin Kim,Hanyoung YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Wafer manufacturing method

Номер патента: US20240326174A1. Автор: Hideaki Shirai,Ryota Takagi,Bahman Soltani,Koichiro Yasuda,Tomoki Kawazu,Sodai NOMURA,Shunsuke SOBAJIMA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

METAL OXIDE CONDUCTING FILM FOR THE USE OF SOLAR ENERGY AND ITS MANUFACTURING PROCESS

Номер патента: FR2420192A1. Автор: . Владелец: PPG Industries Inc. Дата публикации: 1979-10-12.

Sintered metal oxide for thermistor, thermistor element, thermistor temperature sensor and method for producing sintered metal oxide for thermistor

Номер патента: GB201111351D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2011-08-17.

Sintered metal oxide for thermistor, thermistor element, thermistor temperature sensor, and method for producing sintered metal oxide for thermistor

Номер патента: GB2479293B. Автор: Takashi Yamaguchi,Toshiaki Fujita,Kazutaka Fujiwara. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2014-11-05.

Sintered metal oxide for thermistor, thermistor element, thermistor temperature sensor, and method for producing sintered metal oxide for thermistor

Номер патента: US20110273265A1. Автор: Takashi Yamaguchi,Toshiaki Fujita,Kazutaka Fujiwara. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2011-11-10.

Oxygen content exhaust gas sensor, and method of its manufacture

Номер патента: CA1139843A. Автор: Ernst Linder,Helmut Weyl,Hermann Fischer,Lothar Weber,Karl-Hermann Friese,Helmut Maurer,Rainer Noack,Leo Steinke,Wolfgang Heinemann,Günter Knoll,Hans-Ulrich Gruber. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1983-01-18.

Antenna duplexer and its design method ,manufacturing method and communication device

Номер патента: CN100342581C. Автор: 中村弘幸,关俊一. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-10.

Linearity and dynamic range for complementary metal oxide semiconductor active pixel image sensors

Номер патента: US20020121589A1. Автор: Robert Guidash. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-09-05.

A method for efficient beamforming using a complementary noise separation filter

Номер патента: EP1728091A2. Автор: Matti Hämäläinen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-12-06.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20180131232A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-10.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20190238004A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-01.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20210143679A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2021-05-13.

Method and system for a complementary metal oxide semiconductor wireless power receiver

Номер патента: US10826330B2. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-03.

Method and system for a complementary metal oxide semiconductor wireless power receiver

Номер патента: US09685793B2. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

A metal strip having continuous solderless terminals, and its manufacturing method, pcb and insertion method

Номер патента: EP4439869A1. Автор: Zhiyi CHEN,Ronghua Gao,Sean Cheang Low,Guillaume Jacobs,Yunqiu GE. Владелец: Axon' Interconnect Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Back-side-emitting vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) wafer bonded to a heat-dissipation wafer, devices and methods

Номер патента: US09728934B2. Автор: Tak Kui Wang,Chung-Yi Su. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Metal hydride storage canister design and its manufacture

Номер патента: US20030019765A1. Автор: Jefferson Yang,Mike Kao. Владелец: Asia Pacific Fuel Cell Technologies Ltd. Дата публикации: 2003-01-30.

Process for preparing nano-porous metal oxide semiconductor layers

Номер патента: WO2004025675A1. Автор: Hieronymus Andriessen,Joop Van Deelen,Jan Kroon. Владелец: AGFA-GEVAERT. Дата публикации: 2004-03-25.

Coating material for forming porous metal oxide semiconductor film for photovoltaic cell

Номер патента: EP2128880A3. Автор: Tsuguo Koyanagi,Takaki Mizuno. Владелец: JGC Catalysts and Chemicals Ltd. Дата публикации: 2012-09-26.

Antenna-feeder microwave device made of carbon composite material and its manufacturing method

Номер патента: RU2577918C1. Автор: Николай Александрович Дугин,Татьяна Михайловна Заборонкова,Евгений Николаевич Мясников,Виктор Владимирович Чугурин. Владелец: федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-исследовательский радиофизический институт". Дата публикации: 2016-03-20.

Multiple-element electrochemical capacitor and its manufacturing method

Номер патента: RU2419907C1. Автор: Юрий Мидхатович Гинатулин,Андрей Викторович Десятов,Антон Владимирович Асеев,Александр Петрович Кубышкин,Сергей Иванович Сиротин,Любовь Владимировна Булибекова,Любовь Денсуновна Ли. Владелец: ЮГ Инвестмент Лтд.. Дата публикации: 2011-05-27.

Supercapacitor and its manufacturing method

Номер патента: RU2668533C1. Автор: Вячеслав Викторович Светухин,Дмитрий Владимирович Марков,Владимир Дмитриевич Рисованый,Виктор Николаевич Николкин,Сергей Викторович Булярский,Леонид Прокопьевич Синельников,Сергей Борисович Злоказов,Александр Александрович Джанелидзе. Владелец: Акционерное общество "ИНСТИТУТ РЕАКТОРНЫХ МАТЕРИАЛОВ". Дата публикации: 2018-10-01.

Electric double-layer capacitor and its manufacturing method

Номер патента: US20240055194A1. Автор: Shinji Miyata,Satoshi Nishishita,Keisuke Oga. Владелец: Tokin Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Fuel cell separator plated with nickel and its manufacturing method

Номер патента: WO2008066278A1. Автор: Yong Hun Lee,Joon Taik Suh,Jung Hyuk Suh. Владелец: Jung Hyuk Suh. Дата публикации: 2008-06-05.

Manufacturing method for alloy material, alloy material, electrochemical element, electrochemical module, electrochemical device, energy system and solid oxide fuel cell

Номер патента: US11767586B2. Автор: Mitsuaki Echigo,Hisao Ohnishi. Владелец: Osaka Gas Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Manufacturing method for alloy material, alloy material, electrochemical element, electrochemical module, electrochemical device, energy system and solid oxide fuel cell

Номер патента: US12110598B2. Автор: Mitsuaki Echigo,Hisao Ohnishi. Владелец: Osaka Gas Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Ignition plug for internal combustion engine and its manufacturing method

Номер патента: RU2419935C1. Автор: Кен ХАНАСИ,Сатору КАДОВАКИ,Цуненобу ХОРИ,Кенка ЦУБОТА,Хиротака АИДА,Хироя ИСИГУРО. Владелец: Денсо Корпорейшн. Дата публикации: 2011-05-27.

Counter electrode for electrochromic device and its manufacturing method

Номер патента: RU2609599C2. Автор: Алексей Сергеевич Чувашлев,Дмитрий Вильямович Крыльский,Сергей Владимирович Филин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт прикладной акустики". Дата публикации: 2017-02-02.

High-voltage bushing insulator, and its manufacturing method

Номер патента: RU2653498C1. Автор: Ахим ЛАНГЕНС,Энгельберт ЭНГЕЛЬС. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2018-05-10.

Electrical connector assembly and its manufacturing method

Номер патента: US12080963B1. Автор: Ying-Chung Chen,Mu-Jung Huang. Владелец: Dongguan Tarng Yu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Permeable metal substrate, metal-supported solid oxide fuel cell and their manufacturing methods

Номер патента: US09905873B2. Автор: Chang-Sing Hwang,Chun-Huang Tsai,Chun-Liang Chang,Zong-Yang Chuang Shie,Sheng-Fu Yang,Te-Jung Huang,Ming-Hsiu Wu,Jing-Kai Lin. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2018-02-27.

Composite cathode material based on layered transition metal oxides for lithium-ion batteries and its predecessor compounds

Номер патента: RU2748762C1. Автор: Артем Михайлович Абакумов,Александра Александровна Савина,Елена Дмитриевна Орлова. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий" (Сколковский институт науки и технологий). Дата публикации: 2021-05-31.

Multilayer coil and its manufacturing method

Номер патента: RU2747580C1. Автор: Хуэйцзюнь ЛОНГ. Владелец: ЛОНГ, Хайфэн. Дата публикации: 2021-05-11.

Electric sheet steel with aligned grain structure and its manufacturing method

Номер патента: RU2605725C2. Автор: Сатоси АРАИ,Хидеюки ХАМАМУРА,Кодзи ХИРАНО,Хирофуми ИМАИ. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2016-12-27.

Transfer foil, transfer method, transfer apparatus, flat cathode-ray tube, and its manufacturing method

Номер патента: US20050175820A1. Автор: Koichi Furui,Jun Miura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Manufacturing method for a power supply module

Номер патента: US09907184B2. Автор: Yanfei Liu,Douglas James Malcolm,Hongnian Zhang. Владелец: Sumida Electric HK Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

One time cold-rolled steel strip for shadow mask and method of its manufacturing

Номер патента: RU2381294C2. Автор: Шуангцзиэ ЧУ,Цзун ЛИ,Ксиучжэн ЛИН,Рэнчжонг ЦЗИН,Хайлинг ГУАН,Цзианцинг ГОНГ. Владелец: Баошан Айрон Энд Стил Ко., Лтд. Дата публикации: 2010-02-10.

Plate from grain-oriented electrical steel with excellent adhesion of coating and its manufacturing method

Номер патента: RU2405842C1. Автор: Коки ТАНАКА,Сатоси АРАИ,Хотака ХОНМА,Юдзи КУБО,Казуми МИЗУКАМИ,Еиити НАНБА. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2010-12-10.

Glass-ceramic composite electric insulating material and its manufacturing method

Номер патента: RU2664993C1. Автор: Георгий Юрьевич Сморчков,Юрий Михайлович Поздяев,Ирина Михайловна Ириничева,Ирина Алексеевна Асабова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2018-08-24.

Linear motor compressor and its application in cooling system

Номер патента: US5818131A. Автор: Wei-Min Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-10-06.

Head suspension assembly and its manufacturing method

Номер патента: MY114244A. Автор: AOYAGI Akihiko,Terashima Hiroshi,Igarashi Kyoji,Take Masatoshi. Владелец: Hitachi Global Storage Tech Netherlands B V. Дата публикации: 2002-09-30.

Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060279909A1. Автор: Lik Kee. Владелец: Samxon Electronics Dong Guan Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-14.

Electrode for calcium batteries and its manufacturing method

Номер патента: EP4053943A1. Автор: Ashley Philip BLACK SERRA,M. Rosa PALACIN PEIRO,María Elena ARROYO DOMPABLO. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 2022-09-07.

Plasma uniformity control using a static magnetic field

Номер патента: US20230298866A1. Автор: Bing Ji,Alexei Marakhtanov,Ken Lucchesi,John Holland. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Stage apparatus and its driving method, exposure apparatus and device manufacturing method

Номер патента: US20040201834A1. Автор: Shinji Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Electrode structure and its manufacturing method and battery structure including the same

Номер патента: US20240170681A1. Автор: Kuan-Zong Fung,Shu-Yi Tsai. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2024-05-23.

Microsolenoid coil and its manufacturing method

Номер патента: EP1178499B1. Автор: Takashi Nishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-24.

Stage apparatus and its driving method, exposure apparatus and device manufacturing method

Номер патента: US6903807B2. Автор: Shinji Uchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Electronic device including image sensor and dynamic vison sensor, and operation method thereof

Номер патента: US20240086512A1. Автор: Jinhyun Kim,Sungoh KIM,Jonghoon WON,Ildo Kim,Sangjun YU,Jongwoon JANG,Inkoo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Image sensor with multiple image readout

Номер патента: US20240179425A1. Автор: Ying Noyes,Ho Sang LEE,Micha Galor Gluskin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Image sensor with multiple image readout

Номер патента: WO2024118403A1. Автор: Ying Noyes,Ho Sang LEE,Micha Galor Gluskin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-06.

Image sensor pixel circuit and its working method

Номер патента: CN109120834A. Автор: 王林,黄金德. Владелец: Brigates Microelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Image sensor assembly of roll trap device and image acquisition method using the same

Номер патента: KR102340126B1. Автор: 김성남,김동순,최경산,고상욱,안정준. Владелец: 김성남. Дата публикации: 2021-12-16.

Cation exchange membrane, its manufacture and electrolyzing method using it

Номер патента: JPS5732390A. Автор: Sadao Fujii,Koji Saiki,Satoshi Imai. Владелец: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1982-02-22.

Auto Attendant System and its Method and Call Forwarding Method using speech recognition

Номер патента: KR100741267B1. Автор: 김희경,김문식,구명완. Владелец: 주식회사 케이티. Дата публикации: 2007-07-19.

Piezoelectric motor with rotor position detector and its piezomotor stator manufacturing method

Номер патента: KR100341871B1. Автор: 로랜드루디어. Владелец: 아스라브 쏘시에떼 아노님. Дата публикации: 2002-11-29.

Tubular thermoelectric module and its structural element manufacturing method

Номер патента: RU2615211C2. Автор: Рольф БРЮКК,Вильфрид МЮЛЛЕР. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2017-04-04.

Decision support system and its running method for water quality forecasting using a gis

Номер патента: KR100794589B1. Автор: 김계현,홍석영. Владелец: 대한민국 (농촌진흥청장). Дата публикации: 2008-01-17.

A kind of PCB radiating subassemblies, PCB circuit devcies and its radiating and manufacture method

Номер патента: CN106961786A. Автор: 李红雨,姜桂宾. Владелец: Zhuhai Enpower Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

BUILT-IN INDUCTIVE APPROXIMATION SENSOR AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2009126827A. Автор: УУ Марк ДЕ,Филипп ВЕНЬЕ,Петер ХЕЙМЛИХЕР,Шарль РЕМ,УУ Марк ДЕ (CH),Филипп ВЕНЬЕ (CH),Петер ХЕЙМЛИХЕР (CH),Шарль РЕМ (CH). Владелец: Оптосис СА (CH). Дата публикации: 2011-12-20.

FLAT SENSOR AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2014113095A. Автор: Теммо ПИТКАНЕН,Юха ЛИНДСТРЕМ. Владелец: Элси Текнолоджиз Ой. Дата публикации: 2015-10-20.

Bimorph piezoelectric device for acceleration sensor and method of its manufacture

Номер патента: KR100380517B1. Автор: 니시하라카즈나리,쿠보타키요토모,타지카히로후미,노무라코오지,시마무라테쯔로,사사키유키노리,야마구찌마사코. Владелец: 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-04-16.

Bimorph piezoelectric device for acceleration sensor and method of its manufacture

Номер патента: EP0932044A1. Автор: Koji Nomura,Masako Yamaguchi,Yukinori Sasaki,Kazunari Nishihara,Tetsuro Shimamura,Hirohumi Tajika,Kiyotomo Kubota. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-07-28.

Sensor and method for monitoring an electrically operated drive system using a sensor

Номер патента: DE102021006193A1. Автор: Ulrich Armbruster. Владелец: Baumer Germany & Co Kg GmbH. Дата публикации: 2023-06-15.

Multiple image sensor system with shared processing

Номер патента: EP2215832A1. Автор: Robert Michael Guidash. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-08-11.

Symmetrical multiplexer on complementary metal-oxide-semiconductor (coms) transistors

Номер патента: RU2689820C1. Автор: Ярослав Ярославович Петричкович,Андрей Вадимович Кобыляцкий,Дмитрий Кириллович Сергеев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" (АО НПЦ "ЭЛВИС"). Дата публикации: 2019-05-29.

Digital double sampling method, a related CMOS image sensor, and a digital camera comprising CMOS image sensor

Номер патента: US09866775B2. Автор: Dong-Myung Lee,Gun-hee Han,Seog-Heon Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Voltage control unit of ring generators on complete metal-oxide-semiconductor (cmos) transistors

Номер патента: RU2763038C1. Автор: Юрий Михайлович Герасимов,Ярослав Ярославович Петричкович,Валерий Дмитриевич Байков,Николай Юрьевич Раннев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр «Электронные вычислительно-информационные системы» (АО НПЦ «ЭЛВИС»). Дата публикации: 2021-12-27.

Complementary metal-oxide semiconductor (cmos) compatible rf switch and high voltage control circuit (hvcc)

Номер патента: US20210050846A1. Автор: Yan Guo,Patrick T. Clancy. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

MEMS-released curved image sensor

Номер патента: US09551856B2. Автор: Kaigham Jacob Gabriel,Philip Sean Stetson. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Blur-calibration system for electro-optical sensors and method using a moving multi-target constellation

Номер патента: US20130050505A1. Автор: Darin Williams. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-02-28.

Blur-calibration system for electro-optical sensors and method using a moving multi-target constellation

Номер патента: EP2748767A1. Автор: Darin Williams. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2014-07-02.

Blur-calibration system for electro-optical sensors and method using a moving multi-target constellation

Номер патента: WO2013028758A1. Автор: Darin Williams. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2013-02-28.

Multi-threshold complementary metal-oxide semiconductor (MTCMOS) bus circuit and method for reducing bus power consumption via pulsed standby switching

Номер патента: US20060082384A1. Автор: Rahul Rao,Kevin Nowka,Harmander Deogun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Five stage complimentary metal-oxide semiconductor rectifier with energy harvesting antenna

Номер патента: US20240266970A1. Автор: Munir A. Al-Absi. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-08-08.

FM modulator using a monostable multivibrator

Номер патента: US5926072A. Автор: Yukio Ishiyama. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-20.

Five stage complimentary metal-oxide semiconductor rectifier with energy harvesting antenna

Номер патента: US12107511B2. Автор: Munir A. Al-Absi. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-10-01.

On-board camera and its manufacturing method

Номер патента: US09751155B2. Автор: Yajun Wang,Tianwu Zeng. Владелец: SUZHOU INVO AUTOMOTIVE ELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Hearing protection assembly with ear plugs and its manufacturing method

Номер патента: RU2746154C1. Автор: Кеннет Ф. ТЕЕТЕРС,Джейкоб ЭЛИ,Роберт С. КОФФИН,Фэн ЦАЙ. Владелец: 3М Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2021-04-07.

Pixel block structure and its manufacturing method

Номер патента: RU2747443C2. Автор: Ших-Сиэнь ТСЭН. Владелец: Ших-Сиэнь ТСЭН. Дата публикации: 2021-05-05.

CMOS image sensor capable of performing analog correlated double sampling

Номер патента: US20060220940A1. Автор: Haek-Soo Oh. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20110211390A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Back-side memory element with local memory select transistor

Номер патента: WO2019016728A1. Автор: Arvind Kumar,Joshua Rubin. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2019-01-24.

OGS touch screen substrate bridge structure and manufacturing method thereof, OGS touch screen and its manufacturing method as well as display device

Номер патента: US09939936B2. Автор: Xiaofeng Wang,Weigang Gong,Qingchao Meng,Chengzhu Lu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Test unit of ring generators on complementary metal-oxide-semiconductor transistors

Номер патента: RU2725333C1. Автор: Юрий Михайлович Герасимов,Ярослав Ярославович Петричкович,Николай Геннадьевич Григорьев,Андрей Вадимович Кобыляцкий,Дмитрий Кириллович Сергеев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" (АО НПЦ "ЭЛВИС"). Дата публикации: 2020-07-02.

Digital double sampling method, a related cmos image sensor, and a digital camera comprising the cmos image sensor

Номер патента: US20080111059A1. Автор: Dong-Myung Lee,Gun-hee Han,Seog-Heon Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-15.

Flip-flop implemented with metal-oxide semiconductors using a single low-voltage power supply and control method thereof

Номер патента: US20070046352A1. Автор: Hung-Yu Li,Jinn-Shyan Wang. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-03-01.

Cmos image sensors with reduced power consumption

Номер патента: WO2017212075A3. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,Daniel Peter CANNIFF,Steven J. DECKER,Edward GUTHRIE. Владелец: ANALOG DEVICES GLOBAL. Дата публикации: 2018-01-18.

Image collection sensor device, unmanned counting edge computing system and method using the same

Номер патента: US20240161492A1. Автор: Byung-hee Son,Hark Yoo,Geun Yong Kim,Sung Chang Kim,Ji Hyoung RYU,Jaein KIM,Hee Do KIM,Ryangsoo KIM,Chorwon KIM,Kicheoul WANG,Giha YOON. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-05-16.

Optical system and optical image processing method using image restoration

Номер патента: US20220188981A1. Автор: Chen Han Huang,Chun San Tai,Ting Yi Lin. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2022-06-16.

Acoustic Eavesdropping Using A Smartphone Camera

Номер патента: US20240187735A1. Автор: YAN Long,Kevin Butler,Kevin Fu,Sara RAMPAZZI,Pirouz NAGHAVI. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for accurately geolocating an image sensor installed on board an aircraft

Номер патента: US09875403B2. Автор: Jean-Marie Petit. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20140241051A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Current accumulative pixel structure for CMOS-TDI image sensor

Номер патента: US09769407B2. Автор: Jing Gao,Zaifeng Shi,Jiangtao Xu,Zhiyuan Gao,Suying Yao,Kaiming Nie. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-09-19.

Image sensor and analog to digital converter and analog to digital converting method thereof

Номер патента: US09712772B2. Автор: Jinwoo Kim,Kyung-Min Kim,Heesung Chae,Jungho Lee,Seunghoon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Single exposure high dynamic range (hdr) analog front-end for cmos image sensors

Номер патента: US20230300478A1. Автор: Eric Bohannon. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Cmos image sensor system and method thereof

Номер патента: US20150092086A1. Автор: Chih-Tsung Chang,Jyun-jie Sie. Владелец: Uchange Technology Co ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Non-volatile memory device and its operating method

Номер патента: US20240206187A1. Автор: Younghyun Kim,Simin Chen,Seongui An,Taewon Jin,Taehyeon Noh. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-06-20.

Image stabilizing device of the MEMS type, in particular for image acquisition using a digital-image sensor

Номер патента: US8022996B2. Автор: Fabio Pasolini,Luca Fontanella. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-09-20.

Using a camera for hearing device algorithm training

Номер патента: US12058495B2. Автор: Jingjing Xu,Justin R. Burwinkel,Karrie LaRae Recker. Владелец: Starkey Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel die and implementation method thereof

Номер патента: US20230037951A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Electronic device for providing function by using rgb image and ir image acquired through one image sensor

Номер патента: EP3675477A1. Автор: Dong Soo Kim,Young Kwon Yoon,Lokesh Rayasandra Boregowda,Prajit Sivasankaran Nair,Hwa Yong KANG,Jong Hun Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-01.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of providing an assembled image using a digital microscope, digital microscope system, and program for providing an assembled image using a digital microscope

Номер патента: US12078792B2. Автор: Andreas Schmid,Ludwig WILDNER. Владелец: Precipoint GmbH. Дата публикации: 2024-09-03.

Optoelectronic sensor and method of detecting objects

Номер патента: US12105202B2. Автор: Thomas Russ,Romain Müller,Sebastian Tschuch. Владелец: SICK AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Metal-oxide-semiconductor (mos) voltage divider with dynamic impedance control

Номер патента: US20140333367A1. Автор: Ricardo P. Coimbra,Edevaldo Pereira Silva, JR.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-13.

Capacitance sensor gauge integrated in window panel and its manufacture method

Номер патента: RU2463642C2. Автор: Джае Бум ПАРК. Владелец: Уорлдвижин Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-10-10.

Complementary metal-oxide-semiconductor temperature sensor with wide-range sensing capability and high energy-efficiency

Номер патента: US20230392991A1. Автор: BO Wang. Владелец: Qatar Foundation for Education Science and Community Development. Дата публикации: 2023-12-07.

Wafer-level camera module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150350502A1. Автор: Shu-Yu Lin. Владелец: Altek Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Complementary metal-oxide semiconductor high-frequency ring oscillator

Номер патента: US6097256A. Автор: Dar-Chang Juang,De-Sheng Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2000-08-01.

Low voltage complementary metal oxide semiconductor process tri-state buffer

Номер патента: US20080100340A1. Автор: Tzung-Shen Chen,Chun-Yu Liao,Ti-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

A composite material frame profile, solar energy module frame and its manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088824A1. Автор: Yi Feng,Heng HOU. Владелец: Zhejiang Deyilong Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Piezoelectric vibrator manufacturing method, and piezoelectric vibrator, oscillator, electronic apparatus, and radio clock

Номер патента: US20100237739A1. Автор: Keiichi Ouchi,Yuki Hoshi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Transparent resin film, its manufacturing method, electronic display, liquid crystal display, organic EL display, and touch panel

Номер патента: US20080113204A1. Автор: Yasushi Okubo,Takahiro Takagi,Kaori Ono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-15.

Stacked crystal resonator and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110049093A1. Автор: Kenji Shimao. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-03.

Stacked crystal resonator and manufacturing method thereof

Номер патента: US8390176B2. Автор: Kenji Shimao. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-05.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11737380B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Genetically modified recombinant fibroblast growth factor (fgf1) conjugated with metal or metal oxide nanoparticles, its dna and amino acid sequences and use

Номер патента: WO2013157973A1. Автор: Piotr JAKIMOWICZ,Małgorzata ZAKRZEWSKA,Jacek OTLEWSKI,Anna SZLACHCIC,Katarzyna PALA. Владелец: Wrocławskie Centrum Badań Eit+ Sp Z. O.O.. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for manufacturing multispectral image sensor, and device thereof

Номер патента: US20240020809A1. Автор: Wei Li,Dingjun Zhang,Shaoguang SHI,Zejia HUANG,Longye JIANG. Владелец: Orbbec Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Mold for manufacturing the contact lens, and its manufacturing and pavement method using it

Номер патента: KR101565500B1. Автор: 김명삼. Владелец: 김명삼. Дата публикации: 2015-11-03.

MEMS chip and its manufacturing method with the arc-shaped seamed edge in the back side

Номер патента: CN106829848B. Автор: 华亚平. Владелец: ANHUI NORTHERN XINDONG LIANKE MICROSYSTEMS TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-28.

Electrochemical sensor and related methods

Номер патента: US20230296554A1. Автор: Arash Takshi,Mohammad Shakhawat Hossain. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2023-09-21.

Transistor-type viscosity sensor, and viscosity measurement system and viscosity measuring method using the same

Номер патента: US09752972B2. Автор: Jen-Inn Chyi,Yu-Lin Wang,Jung-Ying Fang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-09-05.

A kind of porous metal oxide coats the preparation method of ruthenium-based catalyst and its application of catalysis producing cyclohexene with benzene selective hydrogenation

Номер патента: CN106466614A. Автор: 刘杰,卫敏,何杉,薛笑格. Владелец: Beijing University of Chemical Technology. Дата публикации: 2017-03-01.

A catalyst containing a titanium fluoride component on a metal oxide of group III A of the periodic table, and its use

Номер патента: DE2741209C2. Автор: Ji-Yong Des Plaines Ill. Ryu. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 1983-11-10.

METHOD FOR PRODUCING METAL OXIDE COATING ON A CONDUCTIVE SUBSTRATE, ACTIVATED CATHODE THEREOF AND ITS USE IN ELECTROLYSIS OF AQUEOUS ALKALICHLORIDE SOLUTIONS

Номер патента: DE602004001230D1. Автор: Philippe Joubert,Francoise Andolfatto,Gerard Duboeuf. Владелец: Arkema SA. Дата публикации: 2006-07-27.

Thermal expansable rubber tube and its making method and lining method using it

Номер патента: JPS5378282A. Автор: Kenji Yoshino,Nagahiro Kouno. Владелец: STAR CHEMICAL KOGYO KK. Дата публикации: 1978-07-11.

SHEET FOR APPLYING A PREFINED SURFACE PATTERN TO A CONCRETE ELEMENT DURING ITS MANUFACTURE, SYSTEM AND METHOD USING THE SAME FOR MANUFACTURING A CONCRETE ELEMENT

Номер патента: FR3077024A1. Автор: Jeremy Guichard,Maxime Perrin. Владелец: Pro T Co. Дата публикации: 2019-07-26.

Carrier separation screen device, Carrier separation screen diffuser method and its diffuser device, Wastewater treatment method using these devices and wastewater treatment device

Номер патента: KR19990076904A. Автор: 도시아키 츠보네,게이 바바,도요시 사와다,다츠오 다케치,신이치 엔도. Владелец: 야마오카 요지로. Дата публикации: 1999-10-25.

Recording medium, its manufacture, image forming method using this, and dispersion liquid

Номер патента: JPH10217603A. Автор: 祐司 近藤,Yuji Kondo,Takeshi Santo,Hiroyuki Sugata,剛 三東,裕之 菅田,洋 冨岡,Hiroshi Tomioka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

The spiral spray that spray expansion extruding built pile and its construction method and this method use, which is expanded, squeezes drilling machine

Номер патента: CN108330959A. Автор: 李金良. Владелец: Shandong Beiteli Foundation Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-27.

Micropump and/or micromixer with integrated sensor and process for its manufacture

Номер патента: EP1128075A3. Автор: Hanns-Erik Dr. Endres,Martin Dr. Richter. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2003-10-29.

Liquid crystal display and its operation and manufacture method

Номер патента: CN101290415A. Автор: 吴诗聪,李汪洋,葛志兵,朱欣宇,托马斯·X·Z·吴,韦忠光. Владелец: Chi Mei Electronics Co ltd. Дата публикации: 2008-10-22.

Liquid crystal display and its operation and manufacture method

Номер патента: CN101290415B. Автор: 吴诗聪,李汪洋,葛志兵,朱欣宇,托马斯·X·Z·吴,韦忠光. Владелец: Chi Mei Electronics Co ltd. Дата публикации: 2012-10-03.

Energy-saving electric heating fan and its electrothermal element manufacture method

Номер патента: CN101334214A. Автор: 劳鑑滔. Владелец: BIJI INTERNATION Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-31.

The color melamine material of one kind seven and its melamine product manufacture method

Номер патента: CN108003561A. Автор: 诸葛剑锋. Владелец: From Dongguan Science And Technology Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Oral care product and its use and manufacture method

Номер патента: CN107106473A. Автор: 斯泰西·拉文德,R·萨利文,纳杰马·卡恩. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 2017-08-29.

Inorganic composition and its products and manufacturing method

Номер патента: CN101265064B. Автор: 中川温. Владелец: Nichiha Corp. Дата публикации: 2013-03-13.

Organ with microchannel imitates device and its use and manufacture method

Номер патента: CN104328050B. Автор: 唐纳德·E·英格贝尔,胡东恩. Владелец: Childrens Medical Center Corp. Дата публикации: 2017-12-15.

A kind of metallic aluminium fiber melt-blowing device and its melt-blown manufacture method

Номер патента: CN107876788A. Автор: 袁洋,殷世春. Владелец: Jiangsu Wodesai Mold Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-06.

Enteric sustained-release fine particles of tamsulosin and its salt and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040253309A1. Автор: Akira Ito,Shigeru Yamazaki,Tetsuya Tamura,Takao Mizumoto,Yoji Tanijiri,Hiroya Sugao,Mare Nishura. Владелец: Yamanouchi Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-16.

Contact lens for inhibiting myopia progression and its design and manufacturing method

Номер патента: KR102522801B1. Автор: 다카시 후지카도,아사키 스자키,미쓰히코 나카다,유키히사 사카이. Владелец: 가부시끼가이샤 메니콘. Дата публикации: 2023-04-19.

Hot-worked copper alloy and its usage and manufacturing method of hot-worked copper alloy

Номер патента: JP7017316B2. Автор: アルテンバーガー ルゴール,ハンス アチーム クアン. Владелец: Wieland Werke AG. Дата публикации: 2022-02-08.

Capacitive accelerometer sensor and method for its manufacture

Номер патента: US5569852A. Автор: Michael Offenberg,Horst Muenzel,Jiri Marek,Frank Bantien. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1996-10-29.

Oral care product and its use and manufacturing method

Номер патента: CN108472514A. Автор: 图兰·马图尔,安德烈·布鲁内拉,露丝·欣里希斯. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 2018-08-31.

DEFORMABLE TUBULAR CONTAINER AND ITS ONE PIECE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2627463B1. Автор: . Владелец: Simon Patrick. Дата публикации: 1990-06-15.

A kind of sandwich structure divertor module and its integrally formed manufacturing method

Номер патента: CN109036590A. Автор: 王冲,文世峰,周燕,杨展,段隆臣,谭松成,方小红. Владелец: Wuhan Huake 3d Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

Ion sensor and method for its manufacture and use.

Номер патента: DE69112884T2. Автор: Masao Yafuso,John L Dektar,Evan A Thompson,James F Fagan,Sanjay L Patil. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1996-02-15.

Animal feed composition and its use and manufacturing method

Номер патента: KR950700747A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-02-20.

Carbon nanotube SB-FET hydrogen sensor and methods for its manufacture and operation

Номер патента: EP2362216A1. Автор: Maximilian Fichtner,Ralph Krupke,Frank Hennrich,Manfred Kappes,Hilbert von Löhneysen,Marc Ganzhorn,Aravind Vijayaraghavan,Simone Dehm. Владелец: Karlsruher Institut fuer Technologie KIT. Дата публикации: 2011-08-31.

Functional nano particles evenly adsorbing textile products and it's effective manufacturing method

Номер патента: KR101773547B1. Автор: 박흥수,전영민,김영률,이상락,양중식,전준후,황민수. Владелец: 사단법인 코티티시험연구원. Дата публикации: 2017-09-01.

A case for storing eyelash extensions and its use and manufacturing method

Номер патента: JP2023129458A. Автор: LOTTI Sahara,ロッティ サハラ. Владелец: Lashify Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Fin cooling system, cooling fins and its increasing material manufacturing method

Номер патента: CN108161002A. Автор: 王智勇,刘学胜,何欢,闫岸如,曹明真. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-06-15.

Pressure Sensor and Method for its Manufacture

Номер патента: US20130263670A1. Автор: Berlinger Andrea,Rossberg Andreas,Schmidt Elke,Selders Peter. Владелец: Endress + Hauser GmbH + Co. KG. Дата публикации: 2013-10-10.

AMPEROMETRIC SENSOR AND METHOD FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: US20170000396A9. Автор: JERNIGAN Walter,Buck Harvey,Mischler Reinhold,Staib Arnulf,Hajnsek Martin. Владелец: ROCHE DIAGNOSTICS OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2017-01-05.

AMPEROMETRIC SENSOR AND METHOD FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: US20150038814A1. Автор: JERNIGAN Walter,Buck Harvey,Mischler Reinhold,Staib Arnulf,Hajnsek Martin. Владелец: ROCHE DIAGNOSTICS OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

Inductive, Conductivity Sensor and Method for its Manufacture

Номер патента: US20140167790A1. Автор: Torsten Pechstein. Владелец: Endress and Hauser Conducta Gesellschaft fuer Mess und Regeltechnik mbH and Co KG. Дата публикации: 2014-06-19.

Capacitive pressure difference sensor and method for its manufacture

Номер патента: US20170146416A1. Автор: Rafael Teipen,Benjamin Lemke. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 2017-05-25.

CAPACITIVE PRESSURE SENSOR AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20190219469A1. Автор: Lopatin Sergej,Teipen Rafael,Lemke Benjamin,Nommensen Peter. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

Pressure Difference Sensor and Method for its Manufacture

Номер патента: US20150260598A1. Автор: Teipen Rafael,Getman Igor,Link Thomas,Nommensen Peter. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

AMPEROMETRIC SENSOR AND METHOD FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: US20170290538A1. Автор: JERNIGAN Walter,Buck Harvey,Mischler Reinhold,Staib Arnulf,Hajnsek Martin. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

Integratable capacitative pressure sensor and process for its manufacture

Номер патента: EP0515416B1. Автор: Wilfried Mokwa,Günther Zimmer,Jörg EICHHOLZ,Michael Kandler,Yiannakis Manoli. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 1994-04-13.

Magnetic field sensor and method for its manufacture

Номер патента: KR0175979B1. Автор: Virgil Simon Speriosu,Robert Edward Fontana,Moris Musa Dovek,Jaquelin Ketner Spong. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1999-04-01.

Amperometric sensor and method for its manufacturing

Номер патента: US20090099433A1. Автор: Reinhold Mischler,Arnulf Staib,Harvey Buck,Martin Hajnsek,Walter Jernigan. Владелец: Roche Diagnostics Operations Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Amperometric sensor and method for its manufacturing

Номер патента: US9700252B2. Автор: Reinhold Mischler,Arnulf Staib,Harvey Buck,Martin Hajnsek,Walter Jernigan. Владелец: Roche Diabetes Care Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Amperometric sensor and method for its manufacturing

Номер патента: US8527024B2. Автор: Reinhold Mischler,Arnulf Staib,Harvey Buck,Martin Hajnsek,Walter Jernigan. Владелец: Roche Diagnostics Operations Inc. Дата публикации: 2013-09-03.

Magnetic force sensor and method for its manufacture

Номер патента: EP1070237B1. Автор: Lutz Axel May,Neill Brodey,John Owsley. Владелец: Abas Inc. Дата публикации: 2007-05-23.

Humidity sensor and process for its manufacture

Номер патента: DE3151630C2. Автор: Christian Dipl.-Ing. 7000 Stutgart Borgwardt,Traugott Dr. 7141 Großbottwar Kallfaß,Ernst Prof. Dr. 7000 Stuttgart Lüder. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 1986-07-03.

Load sensor and method for its manufacture

Номер патента: DE102009012308A1. Автор: Hideyuki Kariya-shi Hayakawa,Kenji Kariya-shi Morikawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Sensor and method for its manufacture

Номер патента: DE19707458A1. Автор: Helmut Weyl,Hans-Martin Dr Wiedenmann,Karl-Hermann Dr Friese,Heinz Geier. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1998-08-27.

Smart anchor head with integrated tensile measuremet sensor and strand tensile force measurement and diagnosis method using thereof

Номер патента: KR102225514B1. Автор: 조승현,박재하,승홍민. Владелец: 한국표준과학연구원. Дата публикации: 2021-03-10.

OPTICAL SENSOR AND METHODS OF ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2007114896A. Автор: Стивен К. ЧАРЛТОН,Сунг-Квон ДЗУНГ,Дицзя ХУАН,Сани Дж. ДЖОРДЖ,Стивен К. ЧАРЛТОН (US),Сунг-Квон ДЗУНГ (US),Дицзя ХУАН (US),Сани Дж. ДЖОРДЖ (US). Владелец: БАЙЕР ХЕЛТКЭА ЭлЭлСи (US). Дата публикации: 2008-10-27.

Cholesterol sensor and process for its manufacture

Номер патента: DE69720391D1. Автор: Tomohiro Yamamoto,Shiro Nankai,Toshihiko Yoshioka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

PRESSURE SENSOR AND PROCEDURE FOR ITS MANUFACTURE.

Номер патента: IT1285025B1. Автор: Danilo Caratto. Владелец: Bitron SPA. Дата публикации: 1998-06-03.

Tire pressure sensor and method for its manufacture

Номер патента: DE69402374T2. Автор: Masanobu Toyofuku. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 1997-08-07.

SIDE CONTROL SENSOR AND METHODS OF ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2007137671A. Автор: Джон П. КРИВЕН,Майкл П. ВАНСИКЛ,Джон П. КРИВЕН (US),Майкл П. ВАНСИКЛ (US). Владелец: Байер Хелткэр Ллк (Us). Дата публикации: 2009-04-20.

CAPACITIVE PRESSURE SENSOR AND PROCEDURE FOR ITS MANUFACTURE.

Номер патента: ES2042284T3. Автор: Frank Hegner,Manfred Frank. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 1993-12-01.

Pressure sensor and process for its manufacture

Номер патента: DE112013006062B4. Автор: Masamichi Itou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Pressure sensor and method for its manufacture +

Номер патента: DE102010063065A1. Автор: Elke Schmidt,Andrea Berlinger,Andreas Rossberg,Peter Selders. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 2012-06-14.

Amperometric sensor and method for its manufacturing

Номер патента: CA2654220A1. Автор: Reinhold Mischler,Arnulf Staib,Harvey Buck,Martin Hajnsek,Walter Jernigan. Владелец: Walter Jernigan. Дата публикации: 2007-12-27.

Air-navigation device with inertia sensors and radio-navigation receivers and air-navigation method using said elements

Номер патента: RU2434248C2. Автор: Жак КОАТАНТИЕК,Шарль ДЮССЮРЖЕЙ. Владелец: Таль. Дата публикации: 2011-11-20.

PRESSURE SENSOR AND PROCEDURE FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: NO931051L. Автор: Jes Waldemar Vogler,Juergen Werner Adelhelm. Владелец: Danfoss AS. Дата публикации: 1993-10-11.

Gas sensor and method for its manufacture

Номер патента: DE102011082419A1. Автор: Kiyomi Kobayashi,Zhenzhou Su. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Capacitive pressure sensor and method for its manufacture

Номер патента: DE102015119272A1. Автор: Rafael Teipen,Sergey Lopatin,Peter Nommensen,Benjamin Lemke. Владелец: HSG IMIT Institut fuer Mikro und Informationstechnik. Дата публикации: 2017-05-11.

High temperature gas sensor and method for its manufacture

Номер патента: DE4402117A1. Автор: . Владелец: Siemens Matsushita Components GmbH and Co KG. Дата публикации: 1995-08-10.

Additive manufacturing using a recoater with in situ exchangeable recoater blades

Номер патента: EP3585544A1. Автор: Thomas Graham Spears,Rachel Levine. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-01-01.

Surface Plasmon Based Cantilever Sensors and Detection or Quantitative Analysis of Material Methods Using the Same

Номер патента: KR100889588B1. Автор: 정봉현,김민곤,신용범. Владелец: 한국생명공학연구원. Дата публикации: 2009-03-19.

A manufacturing method of moxa using a salt

Номер патента: KR100690075B1. Автор: 김명식. Владелец: 김명식. Дата публикации: 2007-03-09.

A manufacturing method of pudding using a Bokbunja

Номер патента: KR100938442B1. Автор: 이용님,전주연,오전희,차연수,유옥경,강세화. Владелец: 고창군. Дата публикации: 2010-01-25.

Manufacturing method for lactide using a tube bundle falling film reactor and an agitated thin film reactor

Номер патента: KR101486213B1. Автор: 장종산,한요한,전종열,박병수. Владелец: 한국화학연구원. Дата публикации: 2015-01-26.

Manufacturing method for lactide using a multitude falling film reactor

Номер патента: KR101376485B1. Автор: 장종산,한요한,전종열. Владелец: 한국화학연구원. Дата публикации: 2014-04-01.

Sensor, system having a sensor and a measurement object, and method for measuring temperature using a sensor

Номер патента: CN103547896A. Автор: R·霍宁克卡,J·纳格尔,F·蒙德尼科夫,W·格勒默尔. Владелец: Micro Epsilon Messtechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-01-29.

Semiconductor resistive sensors manufacturing methods for the ozone in the air content measurements

Номер патента: RU2665348C2. Автор: Александр Константинович Аветисов,Марина Петровна Дмитриева,Людмила Алексеевна Обвинцева,Татьяна Борисовна Шарова,Ирина Петровна Сухарева. Владелец: Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова"). Дата публикации: 2018-08-29.

Fingerprint sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US7400750B2. Автор: Yun-Woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-15.

Titanium sulfide whiskers based chemoresistive type gas sensor and its manufacturing method

Номер патента: RU2684429C1. Автор: Виктор Владимирович Сысоев,Андрей Витальевич Лашков,Илья Анатольевич Плугин,Алексей Владимирович Липатов,Александр Сергеевич Синицкий. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2019-04-09.

Gas sensor and gas analysis multisensor chip based on graphene functionalized with carbonyl groups

Номер патента: RU2745636C1. Автор: Алексей Владимирович Емельянов,Виктор Владимирович Сысоев,Алексей Сергеевич Варежников,Максим Андреевич Соломатин,Максим Константинович Рабчинский,Сергей Александрович Рыжков,Павел Николаевич Брунков,Марина Владимировна Байдакова,Владимир Викторович Шнитов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2021-03-29.

Exposure method, exposure quantity calculating system using the exposure method and semiconductor device manufacturing method using the exposure method

Номер патента: US20040253553A1. Автор: Takashi Sato,Shoji Mimotogi,Shigeru Hasebe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-16.

Exposure method, exposure quantity calculating system using the exposure method and semiconductor device manufacturing method using the exposure method

Номер патента: US7118834B2. Автор: Takashi Sato,Shoji Mimotogi,Shigeru Hasebe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-10.

Wafer back side grinding process

Номер патента: US20110086580A1. Автор: Jen-Chung Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

A fibre optic gas sensor and manufacturing method of fibre optic gas sensor

Номер патента: WO2016137348A4. Автор: Marek Napierala,Karol WYSOKINSKI,Tomasz Nasilowski,Tomasz STAŃCZYK,Michał MURAWSKI,Michał SZYMAŃSKI,Małgorzata Broczkowska,Agnieszka Kołakowska. Владелец: Inphotech Sp. Z O. O.. Дата публикации: 2016-10-27.

Brush roller and its manufacturing method and brush roller mold

Номер патента: US20220125193A1. Автор: Chen-Ping Hsu. Владелец: CENEFOM CORP. Дата публикации: 2022-04-28.

Brush roller and its manufacturing method and brush roller mold

Номер патента: US12108871B2. Автор: Chen-Ping Hsu. Владелец: CENEFOM CORP. Дата публикации: 2024-10-08.

Improved fragmentation shell and its manufacturing method

Номер патента: RU2754907C2. Автор: Йюрген ВОЛЬФ,Михель МУСТЕР,Дональд Мейер,Петер ШПАЦ. Владелец: Руаг Аммотек Аг. Дата публикации: 2021-09-08.

Immersion lithography system using a sealed wafer bath

Номер патента: US09696634B2. Автор: Ching-Yu Chang,BURN JENG LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Manufacturing method of metal oxide semiconductor material for gas sensor

Номер патента: US8529799B2. Автор: Takayuki Nakano,Takahiro Ishibashi,Daisuke Kuwahara,Tetsuji Imamura. Владелец: Hokuriku Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-10.

Image sensor evaluation method using computing device including processor

Номер патента: US20230069283A1. Автор: Sungsu KIM,Joon-seo Yim,Eun-Ji YONG,Sungho GIL,Ohyeong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Manufacturing method for metal oxide semiconductor material for gas sensor

Номер патента: US20120112137A1. Автор: Takayuki Nakano,Takahiro Ishibashi,Daisuke Kuwahara,Tetsuji Imamura. Владелец: Hokuriku Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-10.

Epi substrate with low doped epi layer and high doped si substrate layer for media growth on epi and low contact resistance to back-side substrate

Номер патента: US20100264391A1. Автор: Ajay Jain,Valluri R. Rao,John Magana. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

EPI substrate with low doped EPI layer and high doped Si substrate layer for media growth on EPI and low contact resistance to back-side substrate

Номер патента: US8072016B2. Автор: Ajay Jain,Valluri R. Rao,John Magana. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-12-06.

Sound absorption material having excellent absorption characteristics and the method of its manufacture

Номер патента: RU2641875C2. Автор: Дзунг Воок ЛИ,Кие Йоун ДЗЕОНГ,Бонг Хиун ПАРК,Хио Сеок КИМ,До Хиун КИМ,Чи Хун КИМ. Владелец: Торэй Кемикал Корея Инк.. Дата публикации: 2018-01-22.

Heat exchange tube and its manufacturing method

Номер патента: RU2561802C1. Автор: Сунг-хван ЧОИ. Владелец: Сунг-хван ЧОИ. Дата публикации: 2015-09-10.

Identification and individualization device and its manufacturing method

Номер патента: RU2676932C1. Автор: Сергей Николаевич Полушкин. Владелец: Сергей Николаевич Полушкин. Дата публикации: 2019-01-11.

Infant formula containing sialic acid and its manufacturing method

Номер патента: RU2396879C2. Автор: Джошуа К. ЭНТОНИ,Роберт Дж. МАКМАОН,Мэри Фрэнсиз ЛОКНИСКАР,Стивен Чарльз РАМСИ,Ратчапонг ВАНТАНАГОРН. Владелец: Мид Джонсон Ньютришн Компани. Дата публикации: 2010-08-20.

Structural support and its manufacturing method

Номер патента: RU2764270C2. Автор: Массимо Виллано. Владелец: Гуарнифлон С.П.А.. Дата публикации: 2022-01-17.

Offset PS Plate with Compound Support and Its Manufacturing Process

Номер патента: US20080107895A1. Автор: Xiangfeng CHEN. Владелец: WENZHOU KONITA PRINTING EQUIPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-08.

Multi-level power supply system for a complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US20100201403A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Louis L. Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

On-chip ADC test for image sensors

Номер патента: US20030067319A1. Автор: Kwang-Bo Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Silicate coating for improving operational characteristics of acoustic panel and its manufacturing methods

Номер патента: RU2759765C2. Автор: Джеффри В. ДОНЕЛАН,Назер АЛЬДАБАЙБЕХ. Владелец: ЮЭсДжи ИНТЕРИОРС, ЛЛК. Дата публикации: 2021-11-17.

Neutral coated article with low radiating power and method of its manufacture

Номер патента: RU2159158C2. Автор: Эндрю НЬЮМЭН Джордж,Линн Стюарт-Дэвис Ройэнн. Владелец: Ппг Индастриз Огайо Инк.. Дата публикации: 2000-11-20.

Sealing assembly with non-contact labyrinth (versions), and its manufacturing method

Номер патента: RU2464468C2. Автор: Скотт Б. ЛАТТИМЕ,Ричард БОРОВСКИ,Алисия БЛЭК,Кевин М. ДИЛЛОН,Роджер ТРЕНТМАН,Стефен И. БРИСТЕР,Карл Ф. МЭДОУС,Брайан М. ХУПП,Дэвид Ж. ТОТ. Владелец: Федерал-Могул Корпорейшн. Дата публикации: 2012-10-20.

Low-lactose and lactose-free milk product and its manufacture method

Номер патента: RU2551230C2. Автор: Ретта ТИКАНМЯКИ,Харри КАЛЛИОЙНЕН. Владелец: Валио Лтд. Дата публикации: 2015-05-20.

Sample for the reinforcing threads and polymer binder adhesion connection strength determining and its manufacturing method

Номер патента: RU2683106C1. Автор: Александр Алексеевич Кульков,Юрий Валентинович Антипов,Павел Михайлович Хавалкин. Владелец: Акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт специального машиностроения" (АО "ЦНИИСМ"). Дата публикации: 2019-03-26.

Laminated glass and its manufacturing method

Номер патента: RU2768804C1. Автор: Кристиан ЭФФЕРТЦ,Бастиан КЛАУСС,Михаэль ЦАЙС,Габор ФАРГА. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2022-03-24.

Flowmeter and its manufacturing method

Номер патента: RU2662035C1. Автор: Андрей Владимирович Штырлин,Максим Юрьевич Сагайдак,Евгений Валерьевич Смирнов,Сергей Иванович Сидоров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Компания Штрай". Дата публикации: 2018-07-23.

Deformed magnesium alloy allowing well formability and its manufacture method

Номер патента: RU2384639C2. Автор: Канг-Хыунг КИМ,Канг-Хыунг КИМ (KR). Владелец: Примометал Ко. Лтд.. Дата публикации: 2010-03-20.

High-strength facade thermo panel and method of its manufacturing

Номер патента: RU2652211C1. Автор: Владимир Александрович Борисов,Виталий Александрович Борисов. Владелец: Виталий Александрович Борисов. Дата публикации: 2018-04-25.

Three-layer tape and its manufacturing method

Номер патента: RU2656040C2. Автор: Геннадий Степанович Железнов,Алексей Анатольевич Алексеев. Владелец: Алексей Анатольевич Алексеев. Дата публикации: 2018-05-30.

Photo-alignment material and liquid crystal display device and its manufacturing method using the same

Номер патента: US20020071079A1. Автор: Mi Nam. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-13.

Photo-alignment material and liquid crystal display device and its manufacturing method using the same

Номер патента: US20040022964A1. Автор: Mi Nam. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Fine forging method, manufacturing method of liquid ejection head, and liquid ejection head

Номер патента: US20070216736A1. Автор: Yasunori Koike,Nagamitsu Takashima,Fujio Akahane,Ryoji Uesugi,Kazushige Hakeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Nanocomposite electrochemical capacitor and its manufacturing method

Номер патента: RU2518150C2. Автор: Юрий Мидхатович Гинатулин,Андрей Викторович Десятов,Антон Владимирович Асеев,Александр Петрович Кубышкин,Сергей Иванович Сиротин,Любовь Владимировна Булибекова,Любовь Денсуновна Ли. Владелец: ЮГ Инвестмент Лтд.. Дата публикации: 2014-06-10.

Bushing for high-pressure bottles, and its manufacturing method

Номер патента: RU2507437C2. Автор: Джованни ФРАТТИ. Владелец: К.Т.С.С.П.А.. Дата публикации: 2014-02-20.

Chassis and its manufacturing method

Номер патента: RU2665505C1. Автор: Андерс Исакссон. Владелец: Ссаб Текнолоджи Аб. Дата публикации: 2018-08-30.

High-strength steel pipes with low ratio of yield strength to ultimate strength, welded with electric contact welding, steel strip for pipes, welded with electric contact welding, and manufacturing methods thereof

Номер патента: RU2605396C2. Автор: Ясухиро МАЦУКИ,Томохиро ИНОУЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2016-12-20.

Waste decontaminating reagent for oil and gas industry and its manufacturing method

Номер патента: RU2527288C2. Автор: Юрий Михайлович Гержберг,Василий Николаевич Большаков. Владелец: Открытое акционерное общество "Северные магистральные нефтепроводы" (ОАО "СМН"). Дата публикации: 2014-08-27.

Filler of hose towed extended antennas and its manufacturing method

Номер патента: RU2771158C2. Автор: Игорь Валентинович Котельников,Денис Анатольевич Олейник,Федор Алексеевич Шариков,Алексей Александрович Джуманиязов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Фордевинд". Дата публикации: 2022-04-27.

Composite material hinge and its manufacturing method

Номер патента: RU2604745C2. Автор: Аттилио МАЗИНИ. Владелец: Аутомобили Ламборгини С.П.А.. Дата публикации: 2016-12-10.

Back-side taper wedging drive system

Номер патента: US5461952A. Автор: David Goss. Владелец: Textron Inc. Дата публикации: 1995-10-31.

Metal oxide semiconductor gas sensor having nanostructure and method for manufacturing same

Номер патента: US09689785B2. Автор: Jong Kyu Kim,Sun Yong Hwang,Hyun Ah Kwon. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor resistive sensors manufacturing method for the ozone in the air content measurements

Номер патента: RU2660333C2. Автор: Александр Константинович Аветисов,Марина Петровна Дмитриева,Людмила Алексеевна Обвинцева,Татьяна Борисовна Шарова,Ирина Петровна Сухарева,Фатима Христофоровна Чибирова. Владелец: Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова"). Дата публикации: 2018-07-05.

High-strength sheet steel with coating obtained with hot dipping, which has high impact strength at low temperatures, for being used in forming, and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2430185C2. Автор: Масаюки АБЕ,Синити ЯМАГУТИ,Ясуто ГОТО,Хиронори САТО. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2011-09-27.

Hot-rolled sheet steel for small-diameter flexible tubing and its manufacturing method

Номер патента: RU2753344C1. Автор: Такеси ЁКОТА,Хидэюки КИМУРА,Судзи КАВАМУРА,Итиро СУГИМОТО,Макото АСАИ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-08-13.

Purification method used in molybdenum metallurgy

Номер патента: RU2764728C1. Автор: Жонгвей ЖАО,Йонгли ЛИ. Владелец: Сентрал Сауф Юниверсити. Дата публикации: 2022-01-19.

Multilayer protective material and its manufacturing method

Номер патента: RU2373070C2. Автор: Еис РЕММЕР. Владелец: Кауттуа Пейпер Милл Ой. Дата публикации: 2009-11-20.

Two-component adhesive composition and its manufacturing method

Номер патента: RU2757011C2. Автор: Жуй СЕ,Джонатан БАРРУС,Михаил И. ГЕЛФЕР. Владелец: Дау Глоубл Текнолоджиз Ллк. Дата публикации: 2021-10-08.

Blade with changeable installation angle and its manufacturing method, stator section unit, stator section, turbomachine module and turbomachine

Номер патента: RU2511811C2. Автор: Клод Робер Луи ЛЕЖАР,Од АБАДИ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2014-04-10.

Methods for producing 2,5-furandicarboxylic acid, and its intermediate compounds, and derivatives

Номер патента: RU2750483C2. Автор: Валерий СОКОЛОВСКИЙ,Эрик Л. Диас,Винсент Дж. Мерфи,Томас Р. БУССИ,Гари М. ДИАМОНД,Гуанг ЧЖУ,Джеймс М. ЛОНГМИРЕ,Стэнли ХЕРРМАНН,Стаффан ТОРССЕЛЛ,Майя ЛАВРЕНКО. Владелец: СТОРА ЭНЗО ОуВайДжей. Дата публикации: 2021-06-28.

Filtering element for purifying hot gas from dust and its manufacturing method

Номер патента: RU2759084C2. Автор: Борис Лазаревич Красный,Константин Игоревич Иконников,Анастасия Сергеевна Сизова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Научно-технический центр «Бакор». Дата публикации: 2021-11-09.

Textured sheet magnetic steel with insulating coating and its manufacturing method

Номер патента: RU2675887C1. Автор: Тосито ТАКАМИЯ,Такаси ТЭРАСИМА,Рюйти СУЭХИРО,Макото ВАТАНАБЭ,Кацутоси ХАНАДА. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-12-25.

Photodefined aperture plate and its manufacturing method

Номер патента: RU2593254C2. Автор: Хон СЮЙ. Владелец: Стэмфорд Девайсиз Лтд.. Дата публикации: 2016-08-10.

Blade of gas turbine engine for airborne vehicle, and its manufacturing method

Номер патента: RU2462620C2. Автор: Хидео МОРИТА,Цутому МУРАКАМИ,Икуо ОКУМУРА,Такахиро ОГИ,Кацуёси МОРИЯ. Владелец: АйЭйчАй АЭРОСПЕЙС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2012-09-27.

Metastable beta-titanium alloy, clock spring based on such an alloy and its manufacturing method

Номер патента: RU2764070C2. Автор: Паскаль ЛАЕРТ,Пьер ШАРБОННЬЕ,Лоран ПЕЛЬТЬЕ. Владелец: Сас Инно Тек Консей. Дата публикации: 2022-01-13.

Fabrication of self-aligned reflective/protective overlays on magnetoresistance sensors, and the sensors

Номер патента: MY130413A. Автор: Witold Kula,Alexander Michael Zeltser. Владелец: Hitachi Global Storage Tech Nl. Дата публикации: 2007-06-29.

Fabrication of self-aligned reflective/protective overlays on magnetoresistance sensors, and the sensors

Номер патента: US20050226998A1. Автор: Witold Kula,Alexander Zeltser. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2005-10-13.

Fabrication of self-aligned reflective/protective overlays on magnetoresistance sensors, and the sensors

Номер патента: EP1426781A3. Автор: Witold Kula,Alexander Michael Zeltser. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2006-11-22.

System and method for analyzing a light beam of a wafer inspection tool or an exposure tool

Номер патента: US20080056557A1. Автор: Richard L. Guldi,J.E. Patrick Gagnon,Chris Dale Atkinson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

System and method for sensor phasing using a substrate edge signal

Номер патента: US20090326863A1. Автор: Aaron Michael Burry,Vladimir Kozitsky,Alex Scott Brougham. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Estimation of anomalies using a three-dimensional model of an environment

Номер патента: US20240242425A1. Автор: Siavash Haghighat Khajavi. Владелец: Aalto Korkeakoulusäätiö sr. Дата публикации: 2024-07-18.

System and method for sensor phasing using a substrate edge signal

Номер патента: US7996181B2. Автор: Aaron Michael Burry,Vladimir Kozitsky,Alex Scott Brougham. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2011-08-09.

Estimation of anomalies using a three-dimensional model of an environment

Номер патента: WO2024149936A1. Автор: Siavash Haghighat Khajavi. Владелец: AALTO UNIVERSITY FOUNDATION SR. Дата публикации: 2024-07-18.

Coffee capsule manufacturing tool and its manufacturing method

Номер патента: US20240336383A1. Автор: Xiaofeng Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-10.

Micro-fluidic chip and its modification method and application in detection of the quantity of food bacteria

Номер патента: US10752963B2. Автор: ZHEN Wang,Min Zhou,Xudong Cao,Yuqian Jiang,Xingkai Hao,Chuanpi Wang,Meina Sun. Владелец: Greentown Agricultural Testing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-25.

Metal oxide supported palladium catalyst for hydrocarbon oxidation

Номер патента: US09656257B2. Автор: Mohamed Mokhtar Mohamed Abdalla,Saleh Abdel-Mgeed Ahmed SALEH,Khalid Soliman Khalil KHAIROU. Владелец: Umm Al Qura University. Дата публикации: 2017-05-23.

Hollow metal screw and its manufacturing method

Номер патента: RU2697536C2. Автор: Чарльз Дж. ХАТТЕР. Владелец: Физикал Системз, Инк.. Дата публикации: 2019-08-15.

Platform cooling device intended for turbine rotary blade and its manufacturing method

Номер патента: RU2605791C2. Автор: Аарон Изекиль СМИТ,Скотт Эдмонд ЭЛЛИС. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2016-12-27.

Rotational flexible connection and its manufacturing method

Номер патента: RU2493449C2. Автор: Маркус К. БЕКЕР,Петер ФРОС,Майк МАРЦИНКОВСКИ,Михель ХОЛЬЦАПФЕЛЬ,Михель БАХМАНН,Михель ЯРОС. Владелец: Войт Патент Гмбх. Дата публикации: 2013-09-20.

Alloy close to beta-titanium for applications requiring high strength, and its manufacturing methods

Номер патента: RU2496901C2. Автор: Джон ФЭННИНГ. Владелец: Титаниум Металс Корпорейшн. Дата публикации: 2013-10-27.

Three-dimensional advertisement sign and its manufacturing method

Номер патента: RU2613867C2. Автор: Синхуа ШЕНЬ. Владелец: Ву Цзян Йу Син Метал Арт Декорэйшн Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-03-21.

Hot-bent pipe and its manufacturing method

Номер патента: RU2404280C2. Автор: Нобуаки ТАКАХАСИ,Акио ЯМАМОТО,Масахико ХАМАДА. Владелец: Сумитомо Метал Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2010-11-20.

Solar photoelectric module and its manufacturing method

Номер патента: RU2431786C1. Автор: Дмитрий Семенович Стребков,Ирина Самуиловна Персиц,Алексей Владимирович Чирков,Галина Сергеевна Чехунина,Владислав Поулек,Дмитрий Семенович Стребков (RU),Ирина Самуиловна Персиц (RU),Галина Сергеевна Чехунина (RU),Алексей Владимирович Чирков (RU),Владислав Поулек (CZ). Владелец: Фирма "Поулек Солар с.р.о.". Дата публикации: 2011-10-20.

Detrimental material storage container and its manufacturing method

Номер патента: RU2303305C2. Автор: Ханс ГЕОРГИИ,Ханс ГЕОРГИИ (GB). Владелец: Ойстер Интернэшнл Н.В.. Дата публикации: 2007-07-20.

High performance chemical and bio sensors using metal oxide semiconductors

Номер патента: US20200088678A1. Автор: Yang Yang,Jonathan Yang,You Seung RIM. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-03-19.

Plastic container with a recess in its bottom and its manufacturing method, resp. device and use

Номер патента: EP2477899A2. Автор: William Dierickx. Владелец: RESILUX NV. Дата публикации: 2012-07-25.

Plastic container with a recess in its bottom and its manufacturing method, resp. device and use

Номер патента: WO2011014935A2. Автор: William Dierickx. Владелец: RESILUX. Дата публикации: 2011-02-10.

Interaction system between infrastructure and multiple moving objects through sensor fusion based intersection 3d space creation and interaction method using the same

Номер патента: US20240087225A1. Автор: Jinwoo Kim,Jeong Dan Choi,Kyoung Hwan An,Ki Tae Kim,Myungwook PARK. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-03-14.

Wafer Lens Manufacturing Method

Номер патента: US20120243111A1. Автор: Yasushi Iijima,Naohiro Kageyama. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Grip of golf club and its manufacture method

Номер патента: US20020082110A1. Автор: Yung-Hsiang Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Antibacterial chemical compound, its manufacturing method and its use thereof

Номер патента: US20230277551A1. Автор: Chung-Wai Shiau,Hao-Chieh Chiu. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2023-09-07.

Semitransparent tactile surface sensor and a method of sensing an interaction with an object using the semitransparent tactile surface sensor

Номер патента: US20210389872A1. Автор: Michael Jenkin,Yogesh Girdhar,Gregory Lewis DUDEK,David MEGER,Francois Hogan,Sahand Rezaei-Shoshtari. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-16.

Lead-Free Free-Cutting Aluminum Brass Alloy And Its Manufacturing Method

Номер патента: US20100158748A1. Автор: Chuankai Xu,Zhenqing Hu,Siqi Zhang. Владелец: Xiamen Lota International Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Projection screen and its manufacturing method

Номер патента: US20060114560A1. Автор: Kazuhito Shimoda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Metal oxide having spinel-type crystal structure, method for producing same, carbon dioxide reduction method, and carbon dioxide reduction apparatus

Номер патента: EP4414330A1. Автор: Hiroaki Kobayashi,Hirotsugu Takizawa,Itaru Homma,Jun Fukushima,Kazuki Okawara. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-08-14.

Photomask creating method, data creating method, and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240329518A1. Автор: Koichi Fujii. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-10-03.

Low-pressure reinforced concrete pipe and its manufacturing method

Номер патента: RU2770507C2. Автор: Виктор Алексеевич Рахманов,Владислав Иванович Мелихов,Николай Емельянович Мишуков,Александр Александрович Сафонов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский, проектно-конструкторский и технологический институт ВНИИжелезобетон". Дата публикации: 2022-04-18.

Light-dynamic demonstration device and its manufacturing method

Номер патента: RU2676795C1. Автор: Дмитрий Евгеньевич Кармалак. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Кармалак. Дата публикации: 2019-01-11.

Article with coating with ir-reflecting layer and method of its manufacturing

Номер патента: RU2718457C1. Автор: Бернд ДИСТЕЛЬДОРФ,Антон ДИТРИХ,Роберт БЕЙКЕР,Стюарт СИЛЬВЕСТЕР,Эдуардо САНС. Владелец: ГАРДИАН ИНДАСТРИЗ ЮКей ЛТД.. Дата публикации: 2020-04-06.

Tube from high-carbon steel with excellent processability in cold state, processability and hardenability and its manufacturing method

Номер патента: RU2600460C2. Автор: Сунсуке ТОЙОДА,Такатоси ОКАБЕ,Ёсиказу КАВАБАТА,Масатоси АРАТАНИ,Кенити ИВАЗАКИ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2016-10-20.

Bread, containing bread improving agent and its manufacturing method

Номер патента: RU2360418C2. Автор: Хитоси ЙОКОЯМА,Такая КОСЕКИ. Владелец: Фудзи Ойл Компани, Лимитед. Дата публикации: 2009-07-10.

Method of metals and alloy production by way of metal oxides carbo-thermal recovery

Номер патента: RU2458150C2. Автор: Виктор БЛЭК,Гари БЕРНС,Роберт ХЕРБЕРТ,Сефа ЙИЛМАЗ. Владелец: Дау Корнинг Корпорейшн. Дата публикации: 2012-08-10.

Super bainitic steel, and its manufacturing method

Номер патента: RU2479662C2. Автор: Харшад Кумар Дхарамши Хансрадж БХАДЕШИ,Карлос ГАРСИЯ-МАТЕО,Питер БРАУН. Владелец: Государственный Секретарь По Обороне. Дата публикации: 2013-04-20.

Spherical tokamak vacuum chamber and its manufacturing process

Номер патента: RU2080661C1. Автор: Н.Я. Дворкин,И.Н. Лейкин,В.В. Миков,К.Г. Шаховец,Г.П. Гардымов,П.А. Лопушко,А.К. Редкач,Н.В. Сахаров. Владелец: Государственное предприятие "Ленинградский Северный завод". Дата публикации: 1997-05-27.

Method for manufacturing at least one membrane system, membrane system for a micromechanical sensor, and component

Номер патента: US11866323B2. Автор: Tobias Sebastian Frey,Renate Mueller. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-01-09.

Cookware that achieves non-stick effect by means of pure inorganic structural layer, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4393352A1. Автор: Cheng Fang,Qiang Cheng. Владелец: Zhejiang Sanhe Kitchenware Co ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Citron rice wine and its manufacturing method

Номер патента: US20150218500A1. Автор: Hong Jun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-08-06.

A composition of the energy drink and a method of its manufacturing

Номер патента: EP4329513A1. Автор: Mika Tapio Reijonen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-06.

Antibacterial chemical compound, its manufacturing method and its use thereof

Номер патента: US11925650B2. Автор: Chung-Wai Shiau,Hao-Chieh Chiu. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-12.

Method and device for separating charged particles in liquid sample and manufacturing method of the device

Номер патента: US9096828B2. Автор: Chen-Kuei Chung,Chia-Cheng Tu,Chia-Chern Chen,Hsien-Chang Chang,Cheng-Ting Li. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2015-08-04.

Anti-forgery sticker and its manufacturing method

Номер патента: US20020081425A1. Автор: Kwang-Gil Oh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Novel Automobile Shelter Curtain And Its Manufacture Method

Номер патента: PH12018050409A1. Автор: Bin Chen,Yiming Lu,Ling Yin,Rongfu Zhang,Yahong Zhao. Владелец: Shanghai Hanshi Mould Forming Co ltd. Дата публикации: 2020-05-27.

A tooth gap brush with a replaceable core brush body and its manufacturing method

Номер патента: NL2037307A. Автор: Li Weiwei,Shao Ling,Zhu Liu,Xue Na,Wu Yincheng,Luo Mingxiao,Zha Na,Peng Kerui,Lang Juan. Владелец: Univ Taizhou. Дата публикации: 2024-04-26.

Method for creating a pattern on a wafer using a single photomask

Номер патента: WO2004077163A3. Автор: Jan Willem Gemmink,Patrice Declementi. Владелец: Patrice Declementi. Дата публикации: 2005-01-13.

Exposure method, mask data producing method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8142960B2. Автор: Satoshi Nagai,Kazuya Fukuhara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-27.

Inkjet head and its manufacturing method

Номер патента: US20020109756A1. Автор: Tomohisa Mikami,Shuji Koike,Yoshiaki Sakamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Slit grating and its manufacturing method, grating structure and display device

Номер патента: US09612371B2. Автор: Chiachiang Lin,Naifu WU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Composite forming tool and its manufacturing method

Номер патента: RU2657913C1. Автор: Александр Викторович Иванов,Наталья Андреевна Бердникова,Олег Александрович Белов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по космической деятельности "РОСКОСМОС". Дата публикации: 2018-06-18.

Gas detector based on aminated graphene and method for its manufacture

Номер патента: RU2753185C1. Автор: Сергей Игоревич Павлов,Виктор Владимирович Сысоев,Алексей Сергеевич Варежников,Максим Андреевич Соломатин,Максим Константинович Рабчинский,Сергей Александрович Рыжков,Дина Юрьевна Столярова,Николай Владимирович Улин,Святослав Даниилович Савельев,Павел Николаевич Брунков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «ГрафСенсорс». Дата публикации: 2021-08-12.

Forged part made of bainite steel and its manufacturing method

Номер патента: RU2763027C1. Автор: Виктор БОРДЕРО. Владелец: Арселормиттал. Дата публикации: 2021-12-24.

Spherical annular sealing element and its manufacturing method

Номер патента: RU2451224C2. Автор: Шуичи КУБОТА,Коичи ИШИДА,Сатоши МАТСУНАГА,Еиджи САТОУ. Владелец: Оилс Корпорэйшн. Дата публикации: 2012-05-20.

Wrapping paper with low flammability and method and machine for its manufacture

Номер патента: RU2506364C1. Автор: Такафуми ИЗУМИЯ,Синдзо КИДА,Кейсуке ТОВАТАРИ. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2014-02-10.

SPONZERLESS HELICOPTER PROPELLER BLADE FROM POLYMERIC COMPOSITE MATERIALS AND METHOD OF ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2739269C1. Автор: Владимир Александрович Матвеев,Сергей Владимирович Чуклинов,Дмитрий Александрович Подорящий. Владелец: Акционерное общество "Вертолеты России". Дата публикации: 2020-12-22.

Method of producing methacrolein and its air-conditioning / dehydration for direct oxidative etherification

Номер патента: RU2645214C2. Автор: Штеффен КРИЛЛЬ,Маттиас ГРЁМПИНГ,Александер ЛИГИН,Торстен БАЛЬДУФ,Рудольф БУРГАРДТ. Владелец: Эвоник Рём ГмбХ. Дата публикации: 2018-02-19.

Aluminium alloy sheet and its manufacturing method

Номер патента: RU2556171C1. Автор: Томоюки ХИРАЯМА,Пичжи ЧЖАО,Такеси ХАНДА,Тосия АНАМИ,Юсуке НАГАИСИ,Кодзи ИТАКУРА,Хирокадзу МИЯГАВА,Цутому ХАТТОРИ,Сигенори ЙОСИДЗАВА,Акио ЙОСИДЗАВА. Владелец: Ниппон Лайт Метал Компани, Лтд.. Дата публикации: 2015-07-10.

Composite panel assembly for aircraft and its manufacturing method

Номер патента: RU2747826C2. Автор: ПАСТОР Мигель Анхель РОЧЕР,МАРТИНЕС Виктор ТАБЕРНЕРО. Владелец: Эрбус Оперейшнс, С.Л.. Дата публикации: 2021-05-14.

Smoking article and its manufacturing method

Номер патента: RU2600920C2. Автор: Карл КАЛДЖУРА. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2016-10-27.

Absorbing product with channels and its manufacturing method

Номер патента: RU2769161C2. Автор: Стивен СМЕТ,Вернер ВАН ИНГЕЛГЕМ,Том ДЕРИККЕ,Дрис ВЕРДЮЙН. Владелец: ДРАЙЛОК ТЕКНОЛОДЖИЗ НВ. Дата публикации: 2022-03-28.

Coated article with in-series activated low-emission coating and/or its manufacturing method

Номер патента: RU2725209C2. Автор: Алексей КРАСНОВ,Жан-Марк ЛЕММЕР,Херберт ЛАГЕ. Владелец: Сантр Люксамбуржуа Де Решерш Пур Ле Верр Э Ля Серамик (С.Р.В.С.) Сарл. Дата публикации: 2020-06-30.

Smoking article and its manufacturing method

Номер патента: RU2605833C2. Автор: Карл КАЛДЖУРА,Джон Ричардсон,Кевин БЛИК,Пол КЛАРК,Грэм ПЕНРОУЗ,Айан ДАНКЛИ,Филип ФОКУС,Дейвид ПЕЙТОН,Киэ Сон ПАРК,Стьюарт ДАНЛОП,Патрик МЕРЕДИТ. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2016-12-27.

Resistant coating and its manufacturing method

Номер патента: RU2405858C2. Автор: Инголф ЕНДЛЕР. Владелец: Фраунхофер-Геселлскхафт Зур Фёрдерунг Дер Ангевандтен Форскхунг Е.В.. Дата публикации: 2010-12-10.

Rotor of screw compressor, and its manufacturing method

Номер патента: RU2493436C2. Автор: БОК Симон Петер Г. ДЕ,Йохан НАХТЕРГАЛЕ,БОК Рихард Андре Мария ДЕ. Владелец: АТЛАС КОПКО ЭРПАУЭР, НАМЛОЗЕ ВЕННОТСХАП. Дата публикации: 2013-09-20.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) dynamic random access memory (dram) cell with sense amplifier

Номер патента: US20140204654A1. Автор: John E. Barth, Jr.,Adis Vehabovic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

A complementary metal-oxide-semiconductor x-ray detector

Номер патента: WO2014025967A2. Автор: David Ellis Barker,James Zhengshe Liu. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2014-02-13.

Heterogenous integration of complementary metal-oxide-semiconductor and MEMS sensors

Номер патента: US11845653B2. Автор: Ilker Ender Ocak,Wan Chia ANG,Piotr Kropelnicki. Владелец: Meridian Innovation Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Method of aligning structures on opposite sides of a wafer

Номер патента: EP1285879A3. Автор: Luc Ouellet. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-09.

Sequence conversion and signal amplifier dna having abasic nucleic acids, and detection methods using same

Номер патента: US20240117414A1. Автор: Toru Yoshimura,Takamitsu MORIKAWA. Владелец: ABBOTT LABORATORIES. Дата публикации: 2024-04-11.

Gas detector comprising plural gas sensors and gas detection

Номер патента: US20210041386A1. Автор: Tomohiro Kawaguchi,Tatsuya Ishimoto,Masafumi TOYOTA,Kunihiko MAEJIMA. Владелец: Figaro Engineering Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Device comprising a micro-electro-mechanical system substrate with protrusions of different heights that has been integrated with a complementary metal-oxide-semiconductor substrate

Номер патента: US20190185317A1. Автор: Joseph Seeger,Jongwoo Shin,Houri Johari-Galle,Bongsang Kim,Dongyang Kang. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Composition of the energy drink and a method of its manufacturing

Номер патента: US20240188614A1. Автор: Mika Tapio Reijonen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-13.

Display apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3682294A1. Автор: Zhihua Sun,Xibin Shao,Hebin ZHAO,Yujie Gao,Yingying Qu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-22.

Electric apparatus and its manufacturing method

Номер патента: EP4201318A1. Автор: Juha MYLLYKANGAS,Arto Nikula. Владелец: Bittum Biosignals Oy. Дата публикации: 2023-06-28.

Film three-dimensional mesh fabric and its manufacturing method

Номер патента: US20190054763A1. Автор: Ya-Ling Chi. Владелец: Giant Knitting Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Blue light polarization film and its manufacturing method, blue backlight and liquid crystal display device

Номер патента: US20160370521A1. Автор: Ang Xiao. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Gradual fiber cladding light stripper and its manufacturing method

Номер патента: US12050346B2. Автор: Wen-Kai Xu,Ding-Jun Wang. Владелец: Brimo Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Pump and its manufacturing method

Номер патента: EP2906827A1. Автор: Richard Paul Hayes-Pankhurst,Jonathan Edward FORD. Владелец: Quantex Patents Ltd. Дата публикации: 2015-08-19.

Method of Forming Variable Patterns Using a Reticle

Номер патента: US20090098487A1. Автор: Robert Maher,Francis J. Mcnally,Lee J. Jacobson,Zualfquar Mohammed. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Blue or bluish green aluminum silicate luminous storage material and its manufacturing method

Номер патента: US5961884A. Автор: Tadashi Endo,Pingfan Mo. Владелец: Read Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-05.

Bimodal block copolymer, process for manufacturing method and its usage

Номер патента: US20030216511A1. Автор: Dai-Seung Choi,Jong-hyun Park,Sam-Min Kim,Jong-Geun Kim. Владелец: Korea Kumho Petrochemical Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Astaxanthin nanoemulsion and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230061072A1. Автор: Hui-Min Wang,Yi-Chen Wang,Jui-Jen Chang,Hsing-Yu Huang. Владелец: Trade Wind Biotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Cocopeat Based Substrate and Its Manufacturing Method

Номер патента: US20240180089A1. Автор: Jie Liu. Владелец: Unc Newtec LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Digital pcr chip with on-chip micro-slot array based on impedance detection and its manufacturing method

Номер патента: US20230285961A1. Автор: Bo Zhao,Yangfan XUAN. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-09-14.

Atrial shunt device, manufacturing method, and atrial shunt system using shunt device

Номер патента: US20240325698A1. Автор: Meihui Zhang,Yuchen LIANG,Chengwen JIANG,Zhongliang Xiong. Владелец: Chenxing Nantong Medical Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

STROBO THIN FILM CHEMICAL ANALYSIS APPARATUS AND ASSAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003659A1. Автор: Yoo Jae Chern. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method and used etching method of complementary metal-oxide-semiconductor transistor (CMOS) imaging sensor

Номер патента: CN103094297A. Автор: 卞祖洋. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2013-05-08.

Complementary metal-oxide-semiconductor transistor (CMOS) image sensor and working method thereof

Номер патента: CN102843524A. Автор: 陈杰,汪辉,田犁,方娜,苗田乐. Владелец: Shanghai Advanced Research Institute of CAS. Дата публикации: 2012-12-26.

Complementary metal-oxide-semiconductor transistor (CMOS) image sensor pixel array and manufacturing method of the same

Номер патента: CN103066086A. Автор: 周伟,顾学强. Владелец: Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Manufacturing method of backside illuminated complementary metal-oxide-semiconductor transistor (CMOS) image sensor

Номер патента: CN103066088A. Автор: 叶菁,高喜峰. Владелец: Omnivision Technologies Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Polishing method of dielectric layer of complementary metal-oxide-semiconductor transistor (CMOS) image sensor

Номер патента: CN101989575A. Автор: 罗飞,邹立. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-03-23.

Gaseous ammonia sensor and method of its manufacture by means of metallocomplexes of porhyrins

Номер патента: RU2172486C2. Автор: Л.П. Маслов,нцева В.Д. Рум,В.Д. Румянцева,А.Ф. Миронов. Владелец: Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова. Дата публикации: 2001-08-20.

NMOS (N-channel metal oxide semiconductor) linear array image sensor with voltage-outputting segmental integration readout circuit

Номер патента: CN104219462A. Автор: 张佩杰,宋克非. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2014-12-17.

NMOS (N-channel metal oxide semiconductor) linear array image sensor with segmental integral reading circuit

Номер патента: CN104219466A. Автор: 张佩杰,宋克非. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2014-12-17.

Semiconductor gas sensor and process of its manufacture

Номер патента: RU2143678C1. Автор: А.В. Шустров,Г.А. Кобозева,И.А. Мироненко. Владелец: Открытое Акционерное Общество Центральный научно-исследовательский технологический институт "Техномаш". Дата публикации: 1999-12-27.

Capacitive pressure sensor and method of its manufacture

Номер патента: RU2099680C1. Автор: А.А. Казарян,П.В. Миодушевский. Владелец: Центральный аэрогидродинамический институт им.проф.Н.Е.Жуковского. Дата публикации: 1997-12-20.

Power metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) component with bottom source electrode and manufacture method thereof

Номер патента: CN103137655A. Автор: 黄平,薛彦迅,何约瑟. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-06-05.

THREE-AXIS MAGNETIC SENSOR AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2007134110A. Автор: Хидеки САТО,Масайоси ОМУРА,Хироси НАИТО,Тосиюки ООХАСИ,Юкио ВАКУИ,Тихиро ОСУГА,Хидеки САТО (JP),Масайоси ОМУРА (JP),Хироси НАИТО (JP),Тосиюки ООХАСИ (JP),Юкио ВАКУИ (JP),Тихиро ОСУГА (JP). Владелец: Ямаха Корпорейшн (Jp). Дата публикации: 2009-03-20.

Image sensor for biological tissue measurement and biological tissue measurement method using the sensor

Номер патента: JP4332628B2. Автор: 淳 太田,崇 徳田,景一郎 香川,昭宏 上原. Владелец: 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学. Дата публикации: 2009-09-16.

Face mask and its high speed manufacturing method

Номер патента: GB202008754D0. Автор: . Владелец: Concepts for Success C4S. Дата публикации: 2020-07-22.

Image sensor module with protective protrusion edge and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI282169B. Автор: Shiou-Wen Du,Meng-Nan He,Tzung-Shian Shin,Shang-Feng Shie,Jen-Bin Peng. Владелец: Kingpak Tech Inc. Дата публикации: 2007-06-01.

Image sensor module with protective protrusion edge and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200711109A. Автор: Meng-Nan He,Zong-Xian Xin,xiu-wen Du,zhen-bin Peng,Shang-Feng Xie. Владелец: Kingpak Tech Inc. Дата публикации: 2007-03-16.

Image sensor module having air-fleeing hole and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200727063A. Автор: Meng-Nan He,Jian-Wei Zhang,Zong-Xian Xin,xiu-wen Du,zhen-bin Peng,jun-hua Zhuang. Владелец: Kingpak Tech Inc. Дата публикации: 2007-07-16.

Image sensor package structure and its method for packing

Номер патента: CN104851899B. Автор: 王蔚,王之奇,喻琼. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-19.

A kind of imaging sensor mounting structure and its oven

Номер патента: CN209300863U. Автор: 杨华,郑秀谦,戴建亮. Владелец: Shanghai Chunmi Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-27.

Image sensor with built-in Fresnel lenses and manufacturing method for image sensor

Номер патента: CN102569327A. Автор: 孔蔚然. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2012-07-11.

Image sensor package and inage sensor module and manufacture method therewith

Номер патента: TW200824106A. Автор: Chun-Hung Lin,Ying-Cheng Wu. Владелец: Altus Technology Inc. Дата публикации: 2008-06-01.

CMOS image sensor structure for preventing scribing damage and manufacturing method thereof

Номер патента: CN107634074B. Автор: 顾学强. Владелец: Shanghai Micro Well Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-21.

Capacitive pressure sensor and method of its manufacture

Номер патента: RU2099681C1. Автор: А.А. Казарян. Владелец: Центральный аэрогидродинамический институт им.проф.Н.Е.Жуковского. Дата публикации: 1997-12-20.

A kind of cycle frame and its integrated forming manufacture method

Номер патента: CN107599442A. Автор: 朱元勇. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-19.

Coil bracket component and its mould and manufacture method

Номер патента: CN104066218B. Автор: 李河,肖移龙. Владелец: Foshan Shunde Midea Electrical Heating Appliances Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Guide plate and its dot pattern manufacturing method

Номер патента: TWI567435B. Автор: 羅秉澤. Владелец: 茂林光電科技股份有限公司. Дата публикации: 2017-01-21.

Fluid bearing device and its sealing member manufacturing method

Номер патента: JP2006077860A. Автор: Mitsugi Kaji,貢 加治. Владелец: NTN Toyo Bearing Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

A kind of very thin directional silicon steel and its short route manufacture method

Номер патента: CN104962816B. Автор: 刘海涛,刘振宇,王国栋,刘文强,曹光明,李成刚,张宝光,宋红宇,王银平,安灵子,赵士淇. Владелец: Northeastern University China. Дата публикации: 2017-10-24.

Gas container and its cap and manufacturing method thereof

Номер патента: TW334409B. Автор: Mamoru Shibasaka,Sumio Takeishi,Naoshi Morishita,Hiroo Ikenoue,kuniichi Iwabuchi. Владелец: TOYO SEIKAN KAISHA LTD. Дата публикации: 1998-06-21.

Engine and its camshaft, the manufacture method of camshaft

Номер патента: CN107587908A. Автор: 奚勇,杨洲,朱松. Владелец: Shanghai Universoon Auto Parts Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

A bean loose being eaten together with rice or bread and its processing and manufacturing method

Номер патента: CN101161101A. Автор: 陈崧. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-16.

Piezoelectric actuator and its driving method, manufacturing method for piezoelectric actuator, and droplet injection device

Номер патента: JP2003243741A. Автор: Maki Ito,Koji Sumi,浩二 角,マキ 伊藤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-08-29.

The high contrast screen for projector and its self-aligned manufacturing method

Номер патента: TW293887B. Автор: Jeng-Jong Lin,Shyh-Yuan Yu. Владелец: CTX Opto Electronics Corp. Дата публикации: 1996-12-21.

Face mask and its high speed manufacturing method

Номер патента: GB202009810D0. Автор: . Владелец: Concepts for Success C4S. Дата публикации: 2020-08-12.

Temperature sensor and method for its manufacture

Номер патента: US20120266451A1. Автор: Popp Oliver,Pfau Axel,HOLOUBEK Jiri,BOGUHN Dirk,POLAK Jiri. Владелец: Endress + Hauser Flowtec AG. Дата публикации: 2012-10-25.

Manufacturing method of two-sided flexible printed board

Номер патента: RU2539583C2. Автор: Сергей Петрович Тимошенков,Кирилл Семенович Тихонов,Юрий Геннадьевич Долговых,Андрей Юрьевич Титов,Дмитрий Владимирович Пебалк,Олег Альбертович Греков,Петр Николаевич Жарков. Владелец: Открытое акционерное общество "Московский радиозавод "Темп". Дата публикации: 2015-01-20.

MICROELECTRONIC MEASURING DEVICE (SENSOR) AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2002128660A. Автор: Вячеслав Геннадьевич Певгов,В чеслав Геннадьевич Певгов,Дмитрий Юрьевич Харитонов,Александр Викторович Писляков,Алексей Андреевич Васильев,Сергей Юрьевич Гогиш-Клушин,ков Александр Викторович Писл. Владелец: ков Александр Викторович Писл. Дата публикации: 2004-04-27.

Magnetic field sensor and method of its manufacturing

Номер патента: RU2513655C1. Автор: Виктор Яковлевич Принц,Александр Борисович Воробьев,Антон Васильевич Чесницкий. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2014-04-20.

Humidity sensor and way of its manufacturing

Номер патента: RU2365908C1. Автор: Леонид Павлович Маслов,Ольга Васильевна Сорокина,Валентин Александрович Кутвицкий,Фёдор Николаевич Карачевцев,Александр Евгеньевич Клеймюк. Владелец: Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования. Дата публикации: 2009-08-27.

Microelectronic differential pressure sensor and method of its manufacture

Номер патента: RU2107272C1. Автор: Эдуард Людвикович Егиазарян. Владелец: Эдуард Людвикович Егиазарян. Дата публикации: 1998-03-20.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND PACKAGE INCLUDING THE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001286A1. Автор: YOON JUNHO. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

UNIT PIXEL ARRAY OF AN IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SILICON NITRIDE LIGHT PIPES FOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20120001284A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CORRELATED DOUBLE SAMPLING CIRCUIT AND IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002093A1. Автор: Lee Dong Hun,HAM Seog Heon,Yoo Kwi Sung,Kwon Min Ho,Jung Wun-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ACTIVELY TRACKING MULTIPLE MOVING OBJECTS USING A MONITORING CAMERA

Номер патента: US20120002056A1. Автор: HONG Sang-Jin,NAM Yun-Young,CHO Shung-Han,KIM Yang-Weon,CHO We-Duke,HWANG Yong-Hyeon. Владелец: Ajou University Industry-Academic Corporation Foundation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Regenerating a Polishing Pad Using a Polishing Pad Sub Plate

Номер патента: US20120003903A1. Автор: SUZUKI Eisuke,SUZUKI Tatsutoshi. Владелец: Toho Engineering. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

RAMP SIGNAL GENERATOR AND IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001055A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METAL OXIDE ULTRAFINE FIBER-BASED COMPOSITE SEPARATOR WITH HEAT RESISTANCE AND SECONDARY BATTERY USING SAME

Номер патента: US20120003524A1. Автор: Jang Sung-Yeon,KIM Dong Young,JO Seong Mu. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

RAPID CRYSTALLIZATION OF HEAVILY DOPED METAL OXIDES AND PRODUCTS PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20120001172A1. Автор: Li Qi,Shang Jian-Ku. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND RESIST FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003583A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,TAKAHASHI Toshiya. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of shf powerful field ldmos transistors

Номер патента: RU2364984C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Сергей Александрович Ерохин,Татьяна Николаевна Пекарчук,Сергей Сергеевич Бычков,Виктор Васильевич Бачурин (RU),Сергей Сергеевич Бычков (RU),Сергей Александрович Ерохин (RU),Татьяна Николаевна Пекарчук (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2009-08-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SPARK PLUG AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001533A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLLOW MEMBER AND AN APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120003496A1. Автор: Tomizawa Atsushi,Kubota Hiroaki. Владелец: Sumitomo Metal Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND RESIST FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003590A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSOR WITH IN PIXEL MEMORY

Номер патента: US20120001060A1. Автор: He Xinping. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SENSING DEVICE AND IMAGE SENSOR MODULE THEREOF

Номер патента: US20120001054A1. Автор: Wang Wei Chung,Shen Chi Chih,Li Kuo Hsiung,Chen Hui Hsuan,Chuang Jui Cheng. Владелец: PIXART IMAGING INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COORDINATE INPUT APPARATUS, LIGHT RECEIVING APPARATUS OF THE COORDINATE INPUT APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002217A1. Автор: Kobayashi Katsuyuki,Yoshimura Yuichiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, OPTICAL SENSOR, AND SOLAR CELL

Номер патента: US20120001163A1. Автор: Nakamura Shin,Nakahara Kentaro,Kobayashi Kenji,Suguro Masahiro. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CAPACITANCE SENSOR AND INFORMATION INPUT APPARATUS

Номер патента: US20120001867A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of controlling mass fraction of the uranium-235 isotope in gas-phase uranium hexafluoride and its measuring system

Номер патента: RU2325672C1. Автор: Александр Викторович Сапрыгин,Валерий Юрьевич Овчинников,Виктор Эдуардович Залецкий,Радик Раскатович Ахтямов,Александр Викторович Сапрыгин (RU),Виктор Эдуардович Залецкий (RU),Валерий Юрьевич Овчинников (RU),мов Радик Раскатович Ахт (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "УРАЛЬСКИЙ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЙ КОМБИНАТ". Дата публикации: 2008-05-27.

CAPACITIVE TYPE HUMIDITY SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000285A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NANOSCALE METAL OXIDE RESISTIVE SWITCHING ELEMENT

Номер патента: US20120001146A1. Автор: Lu Wei,Jo Sung Hyun. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGE SENSOR AND CAMERA

Номер патента: US20120002070A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Anode holder and its manufacture method

Номер патента: RU2325470C2. Автор: Василий Петрович Галенко,Георгий Михайлович Шеленков,Виктор Александрович Дядечко,Сергей Анатольевич Когулько,Валерий Сергеевич Наталич,Виктор Эдуардович Трояновский,Анатолий Александрович Коропченко,Сергей Анатольевич Когулько (UA),Георгий Михайлович Шеленков (UA),Валерий Сергеевич Наталич (UA),новский Виктор Эдуардович Тро (UA),Василий Петрович Галенко (UA),дечко Виктор Александрович Д (UA),Анатолий Александрович Коропченко (UA). Владелец: Открытое Акционерное Общество "Сумское Машиностроительное Научно-Производственное Объединение Им. М.В. Фрунзе". Дата публикации: 2008-05-27.

Memory unit of complementary metal-oxide-semiconductor structure ram

Номер патента: RU2580072C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Павел Викторович Степанов. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Memory cell for complementary metal-oxide-semiconductor ram structure

Номер патента: RU2580071C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук"(ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

DEVICE AND METHOD FOR STRIPPING A WAFER FROM A CARRIER

Номер патента: US20120000613A1. Автор: Thallner Erich. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING AN IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001287A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE MANUFACTURING METHOD, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20120001290A1. Автор: Sawada Ken. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

GEOPOSITIONING METHOD USING ASSISTANCE DATA

Номер патента: US20120001799A1. Автор: . Владелец: CENTRE NATIONAL D'ETUDES SPATIALES. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR MODIFYING AN IMAGE BY USING A SALIENCY MAP BASED ON COLOR FREQUENCY

Номер патента: US20120002107A1. Автор: Damkat Chris,De Haan Gerard,Hofman Paul Michiel,Kapadia Dipti. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

FULL SPECTRUM RECOGNITION IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120002250A1. Автор: . Владелец: WEIHAI HUALING OPTO-ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Telephone Exchange Apparatus and Telephone Terminal and a Control Method Used for a Telephone System

Номер патента: US20120002665A1. Автор: KIMURA Shingo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120003778A1. Автор: OOTAKE Hajime. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

DNA CHIP, KIT FOR DETECTING OR GENOTYPING BACTERIA CAUSING SEXUALLY TRANSMITTED DISEASES, GENOTYPING ANTIBACTERIAL DRUG RESISTANCE AND DETECTING OR GENOTYPING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120004113A1. Автор: . Владелец: GOODGENE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of sorbitised rolled wire made from high-carbon steel

Номер патента: RU2377316C1. Автор: Рафкат Спартакович Тахаутдинов,Юрий Алексеевич Бодяев,Олег Владимирович Федонин,Владимир Викторович Павлов,Олег Петрович Ширяев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Патентные услуги". Дата публикации: 2009-12-27.

TRANSFLECTIVE TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001188A1. Автор: HAYASHI Masami. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY MANUFACTURING METHOD, BATTERY MANUFACTURED BY SUCH METHOD, VEHICLE AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120002359A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL DISC, OPTICAL DISC MANUFACTURING METHOD, OPTICAL DISC RECORDING DEVICE AND OPTICAL DISC REPRODUCTION DEVICE

Номер патента: US20120002517A1. Автор: Yamaoka Masaru,Shoji Mamoru,Nishikiori Keiji,Usui Makoto,Moriya Mitsuro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method For Amplification And Functional Enhancment Of Blood Derived Progenitor Cells Using A Closed Culture System

Номер патента: US20120003738A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POLYURETHANE RESIN AQUEOUS DISPERSION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004361A1. Автор: Watanabe Masahiko,Takahashi Manabu,Takigawa Shinya. Владелец: UBE INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GRIPPING DEVICE, TRANSFER DEVICE, PROCESSING DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120004773A1. Автор: . Владелец: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER LEVEL PACKAGE HAVING A PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Chen Chien-An,Huang Chun-An,Chiu Shih-Kuang,Liao Hsin-Yi,Chang Hong-Da. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL SENSOR AND DISPLAY DEVICE PROVIDED WITH SAME

Номер патента: US20120002149A1. Автор: Brown Christopher,Katoh Hiromi,Tanaka Kohei. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FLIM TRANSISTOR SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003768A1. Автор: Lee Ho-jun,CHIN Hong-Kee,BANG Jung-Suk,KIM Woong-Kwon,CHOI Shin-Il,CHOI Seung-Ha,KIM Sang-Gab,Jeong Yu-Gwang,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER TRANSMISSION APPARATUS USING A PLANETARY GEAR

Номер патента: US20120004071A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Granulated product and its manufacture method

Номер патента: RU2543148C2. Автор: Евгений Павлович Пивоваров,Оксана Владимировна Мороз,Раиса Валериевна Плотникова,Наталья Геннадьевна Гринченко. Владелец: Наталья Геннадьевна Гринченко. Дата публикации: 2015-02-27.

Tuyere for bottom metal blowing with gases in ladle, and its manufacturing method

Номер патента: RU2479635C2. Автор: Георгий Михайлович Варьяш,Владимир Иванович Золотухин,Роман Борисович Медведев,Евгений Иванович Гордеев,Илья Андреевич Ильичев. Владелец: ООО Научно-производственное предприятие "Вулкан-ТМ" (ООО НПП "Вулкан-ТМ"). Дата публикации: 2013-04-20.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Electroplating bath, and its manufacturing method

Номер патента: RU2496926C1. Автор: Галина Ивановна Шайдурова,Сергей Анатольевич Лобковский,Игорь Львович Васильев,Зинаида Корниловна Васенина. Владелец: Открытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Искра". Дата публикации: 2013-10-27.

Method of production of flexible nanoporous composite membrane with cellular structure of anode metal oxide or alloy

Номер патента: RU2545887C2. Автор: Кирилл Сергеевич Напольский,Андрей Анатольевич Елисеев,Алексей Викторович Лукашин,Дмитрий Игоревич Петухов. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Фабрика новых материалов". Дата публикации: 2015-04-10.

Functional meat product and its manufacture method

Номер патента: RU2550649C2. Автор: Андрей Борисович Лисицын,Ирина Михайловна Чернуха,Лилия Вячеславовна Федулова,Елена Александровна Котенкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт мясной промышленности имени В.М. Горбатова". Дата публикации: 2015-05-10.

Composite material tube and its manufacture method

Номер патента: RU2364509C2. Автор: Николай Владимирович Ушаков,Владислав Николаевич Баранов,Оксана Степановна Заремба,Евгений Геннадьевич Дубровин,Валерий Анатольевич Селезенев. Владелец: Николай Владимирович Ушаков. Дата публикации: 2009-08-20.

Bearing alloys based on aluminum and its manufacturing method

Номер патента: RU2577876C1. Автор: Александр Евгеньевич Миронов,Иосиф Сергеевич Гершман,Андрей Викторович Овечкин,Евгений Иосифович Гершман,Елена Геннадьевна Котова,Михаил Альбертович Кошелев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Научно-Исследовательский Институт Железнодорожного Транспорта". Дата публикации: 2016-03-20.

Trench metal-oxide semiconductor element and its manufacture method

Номер патента: CN102956639B. Автор: 刘冠伶,翁士元. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Flooring and its manufacturing method

Номер патента: SG10201809106SA. Автор: Teo Lay Peng Priscila,Ye Linghu. Владелец: Bamco Pte Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Cold-rolled steel plate having excellent quality of surface after forming, and its manufacturing method

Номер патента: RU2532689C2. Автор: Ясунобу НАГАТАКИ,Хидеюки ТАКАХАСИ,Хидеюки КИМУРА. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2014-11-10.

Body of wing feeder and method of its manufacturing

Номер патента: RU2488782C2. Автор: Вячеслав Геннадьевич Гребенкин,Станислав Эдуардович Зорин,Андрей Иванович Сморкалов. Владелец: Андрей Иванович Сморкалов. Дата публикации: 2013-07-27.

Induction coil and its manufacturing method.

Номер патента: MY111958A. Автор: SHEN KUEI-HSIEN. Владелец: Lantek Electronic Inc. Дата публикации: 2001-03-31.

HUMIDITY SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000284A1. Автор: Hasegawa Hideki,Yokoyama Shinya,Waga Satoshi,Tondokoro Atsushi,Sakashita Tadashi,Morita Sumihito,Kamimura Hideki,Yamatani Masaya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SELF-DISPERSIBLE COATED METAL OXIDE POWDER, AND PROCESS FOR PRODUCTION AND USE

Номер патента: US20120003287A1. Автор: Schlossman David,Shao Yun,Orr Carl. Владелец: KOBO PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METAL OXIDE NEGATIVE ELECTRODES FOR LITHIUM-ION ELECTROCHEMICAL CELLS AND BATTERIES

Номер патента: US20120003533A1. Автор: Dahn Jeffrey R.,Li Jin,Obrovac Mark N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Fermented milk product and its manufacture method

Номер патента: RU2641266C2. Автор: Сергей Игоревич Перминов,Елена Николаевна Леонова,Максим Михайлович Подповеткин. Владелец: Акционерное общество "Вимм-Билль-Данн". Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor metal-oxide gas sensor

Номер патента: RU2206082C1. Автор: С.И. Рембеза,Е.С. Рембеза,Т.В. Свистова,Г.В. Горлова. Владелец: Воронежский государственный технический университет. Дата публикации: 2003-06-10.

Powerful microwave ldmos transistor and method of its manufacturing

Номер патента: RU2473150C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Станислав Михайлович Романовский,Татьяна Николаевна Пекарчук,Александр Константинович Бельков,Сергей Сергеевич Бычков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предриятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2013-01-20.

High-strength cold-rolled steel plate with excellent ability for deep drawing, and its manufacturing method

Номер патента: RU2532563C2. Автор: Ёсимаса ФУНАКАВА. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2014-11-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.