Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Wet Etching Method

Номер патента: US20230374669A1
Опубликовано: 23-11-2023
Автор(ы): Kazuki Yoshiura, Kenta WATANABE, Soichi Kumon, Takahisa Taniguchi, Takuya Okada, Yosuke Nakamura
Принадлежит: Central Glass Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: EP4354490A1. Автор: Kazuma Matsui,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Wet Etching Solution and Wet Etching Method

Номер патента: US20240055273A1. Автор: Tatsuo Miyazaki,Chih-Chien Lin,Takahisa Taniguchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Wet Etching Method and Etching Solution

Номер патента: US20180138053A1. Автор: Akifumi YAO,Masaki Fujiwara,Tatsuo Miyazaki,Kunihiro Yamauchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Metal removal method, dry etching method, and production method for semiconductor element

Номер патента: US20220325418A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-10-13.

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: US20240282583A1. Автор: Kazuma Matsui,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Dry etching method, method for manufacturing semiconductor device, and etching device

Номер патента: US20220056593A1. Автор: Akifumi YAO,Kunihiro Yamauchi,Yuuta TAKEDA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Etching method, method for producing dielectric film of low dielectric constant, method for producing porous member, etching system and thin film forming equipment

Номер патента: EP1881525A1. Автор: Hitoshi MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES LTD SAKAMOTO,Chikako HITEC Co. Ltd. KOBAYASHI. Владелец: Phyzchemix Corp. Дата публикации: 2008-01-23.

Etching method

Номер патента: US20200263309A1. Автор: Koki Tanaka,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Wet Etching Method and Etching Solution

Номер патента: US20180138053A1. Автор: Akifumi YAO,Masaki Fujiwara,Tatsuo Miyazaki,Kunihiro Yamauchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Method and structure for wet etch utilizing etch protection layer comprising boron and carbon

Номер патента: US20180350623A1. Автор: Werner Knaepen,Bert Jongbloed,Dieter Pierreux. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-12-06.

Etching method and method for producing semiconductor element

Номер патента: US20240249952A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Etching method and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: EP4181176A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-05-17.

Etching gas, etching method, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230386851A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Etching gas, etching method, and method for producing semiconductor element

Номер патента: EP4231332A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-08-23.

Gold or gold alloy etching solution composition and etching method

Номер патента: EP4283014A1. Автор: Yuki Yoshida,Koichi Inoue,Iori KAWASHIMA,Itsuki KASHIWAGI. Владелец: Kanto Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Composition for etching silicon nitride film and etching method using same

Номер патента: US20210363423A1. Автор: Jung Min Choi,Sang Ran Koh,Jun Young Jang,Youn Jin Cho,Yong Woon Yoon,Ki Wook Hwang,Kwen Woo HAN. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Etching gas, method for producing same, etching method, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230386853A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Etching gas, method for producing same, etching method, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230374381A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Etching gas, etching method, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230386850A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Etching gas, etching method, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4231331A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-08-23.

Etching gas and etching method

Номер патента: EP4307349A1. Автор: Yosuke TANIMOTO,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Etching solution and etching method for gold or gold alloy

Номер патента: US20240076547A1. Автор: Yuki Yoshida,Koichi Inoue,Iori KAWASHIMA,Itsuki KASHIWAGI. Владелец: Kanto Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Etching gas and etching method

Номер патента: US20240153778A1. Автор: Yosuke TANIMOTO,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Etching method and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: US20230290643A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2023-09-14.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230420263A1. Автор: Takayuki Katsunuma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Etching method

Номер патента: US11901185B2. Автор: Takayuki Tajima,Mitsuo Sano,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Dry Etching Method

Номер патента: US20210358762A1. Автор: Hiroyuki Oomori,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230307243A1. Автор: Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Plasma etching method

Номер патента: US20190228983A1. Автор: Takaaki Sakurai,Hirotoshi Inui. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240213032A1. Автор: Takuya Sawano,Koki MUKAIYAMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of forming phosphosilicate glass having a high wet-etch rate

Номер патента: EP1060286A1. Автор: Peter W. Lee,Cary Ching,Rong Pan,Francimar Campana,Paul Gee,Ishing Lou. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-12-20.

Low wet etch rate silicon nitride film

Номер патента: WO2009085974A2. Автор: Jing Wu,Hemant P. Mungekar,Young S. Lee. Владелец: Wang, Anchuan. Дата публикации: 2009-07-09.

How to reduce the wet etch rate of SiN films without damaging the underlying substrate

Номер патента: KR102453443B1. Автор: 데니스 엠. 하우스만,앤드류 존 맥케로우. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-10-11.

Method for reducing the wet etch rate of a sin film without damaging the underlying substrate

Номер патента: WO2018089314A1. Автор: Dennis M. Hausmann,Andrew John McKerrow. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-05-17.

Method for reducing the wet etch rate of a sin film without damaging the underlying substrate

Номер патента: US10454029B2. Автор: Dennis M. Hausmann,Andrew John McKerrow. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Etching composition for metal nitride layer and etching method using the same

Номер патента: US12031077B2. Автор: Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Seok Hyeon NAM. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Plasma etching method

Номер патента: US20170372915A1. Автор: Hirotoshi Inui. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US12062522B2. Автор: Fumiya Kobayashi,Maju TOMURA,Keiji Kitagaito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Etching method, method of manufacturing article, and etching solution

Номер патента: US09701902B2. Автор: Yusaku Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Plasma etching method

Номер патента: US09680090B2. Автор: Kentaro Yamada,Naohiro Yamamoto,Masato Ishimaru,Makoto Suyama,Daisuke Fujita. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Etching method

Номер патента: US12020942B2. Автор: Kenta Doi,Toshiyuki Nakamura,Yasuhiro Morikawa,Taichi Suzuki. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Etching liquid composition and etching method

Номер патента: US20180298501A1. Автор: Tamami Aoki,Yoshihide Saio,Yuji MASAMOTO. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Etching method

Номер патента: US20240304453A1. Автор: Kenta Doi,Toshiyuki Nakamura,Yasuhiro Morikawa,Taichi Suzuki. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US09991138B2. Автор: Akifumi YAO,Mitsuhiro Tachibana,Koji Takeya,Tatsuo Miyazaki,Kunihiro Yamauchi,Jun Lin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Dry etching method, method for manufacturing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: US11972955B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Etching composition for metal nitride layer and etching method using the same

Номер патента: US20220396733A1. Автор: Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Seok Hyeon NAM. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: EP4159892A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2023-04-05.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210143028A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Takatoshi ORUI,Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent

Номер патента: MY152247A. Автор: Shirahata Satoshi,MATSUDA Osamu,Kikuchi Nobuyuki,Hayashida Ichiro. Владелец: Wako Pure Chem Ind Ltd. Дата публикации: 2014-09-15.

High-precision etching method

Номер патента: US11827988B2. Автор: Chen Li,Huilong Zhu,Yongkui Zhang,Xiaogen YIN,Anyan Du. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-28.

Dry etching method for film layer structure and film layer structure

Номер патента: US20210010140A1. Автор: Chong HU,Xianwang WEI. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Atomic layer etching method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20220375760A1. Автор: Jun Hee Cho,Joong Jin Park,Youn Joung CHO,Gyu-hee Park,Eun Hyea Ko,Hee Yeon Jeong,Byeong IL Yang,Ji Yu Choi. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Etching method, etching apparatus, and storage medium

Номер патента: US9449844B2. Автор: Isao Yamada,Kenichi Hara,Takashi Hayakawa,Noriaki Toyoda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Etching method and processing device

Номер патента: US20240191359A1. Автор: Toshio Hasegawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Etching method and etching composition

Номер патента: US20150287608A1. Автор: Ta-Hone Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Dry etching method and dry etching agent

Номер патента: US9929021B2. Автор: Akifumi YAO,Hiroyuki Oomori. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Etching liquid composition and etching method

Номер патента: US20200010762A1. Автор: Daisuke Omiya,Junro ISHIZAKI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Dry Etching Method and Dry Etching Agent

Номер патента: US20170084467A1. Автор: Akifumi YAO,Hiroyuki Oomori. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Etching method and etching device

Номер патента: US20210287915A1. Автор: Akifumi YAO,Kazuaki Nishimura,Susumu Yamauchi,Tatsuo Miyazaki,Kunihiro Yamauchi,Jun Lin. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for improving etching rate of wet etching

Номер патента: US11869774B2. Автор: Nannan Zhang,Yen-Teng Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Etching composition for selectively etching silicon nitride, etching method, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240014044A1. Автор: Hyun Goo Kang,Young Mee Kang,Eun Seok Oh,Sang Woo LIM,Tae Gun Park,Go Un KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-11.

Etching method

Номер патента: US12119233B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Etching method of semiconductor substrate, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US09514958B2. Автор: Tadashi Inaba,Atsushi Mizutani,Tetsuya Kamimura,Yoshinori Nishiwaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Etching composition, etching method, production method for semiconductor device, and production method for gate-all-around transistor

Номер патента: EP4280258A1. Автор: Mari Abe,Ken Harada,Tatsunobu Suzuki. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Etching Composition, Etching Method, Method for Manufacturing Semiconductor Device, and Method for Manufacturing Gate-All-Around-Type Transistor

Номер патента: US20230374383A1. Автор: Mari Abe,Ken Harada,Tatsunobu Suzuki. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Plasma etching method using gas molecule containing sulfur atom

Номер патента: EP3813097A1. Автор: Yoshinao Takahashi,Korehito Kato,Yoshihiko IKETANI,Mitsuharu SHIMODA. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-28.

Etchant composition for adjusting etching selectivity of titanium nitride film with respect to tungsten film, and etching method using same

Номер патента: US20230295500A1. Автор: Seung Hyun Lee,Seong Hwan Kim,Seung Hun Lee,Seung Oh JIN. Владелец: Youngchang Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Wet etch formulations and related methods

Номер патента: WO2024163820A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Steven A. Lippy,Atanu K. DAS,Hunter Patrick Hickox. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-08-08.

Wet etch formulations and related methods

Номер патента: US20240254391A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Steven A. Lippy,Atanu K. DAS,Hunter Patrick Hickox. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and structure for wet etch utilizing etch protection layer comprising boron and carbon

Номер патента: US20180350623A1. Автор: Werner Knaepen,Bert Jongbloed,Dieter Pierreux. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-12-06.

Wet etching composition having excellent wetting property for semiconductors

Номер патента: KR0170794B1. Автор: 미츠시 이타노,마사오 이시이,도모히로 호소미,시게루 마루야마. Владелец: 이노우에 노리유키. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of wet etching an inorganic antireflection layer

Номер патента: EP1386350A1. Автор: Johannes Van Wingerden,Dirk M. Knotter,Madelon G. J. Rovers. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-02-04.

Methods for depositing low k and low wet etch rate dielectric thin films

Номер патента: US09799511B2. Автор: Ning Li,David Thompson,Li-Qun Xia,Mihaela Balseanu,Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of wet etching an inorganic antireflection layer

Номер патента: WO2002089192A8. Автор: Wingerden Johannes Van,Dirk M Knotter,Madelon G J Rovers. Владелец: Madelon G J Rovers. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods For Depositing Low K And Low Wet Etch Rate Dielectric Thin Films

Номер патента: US20180040470A1. Автор: Ning Li,David Thompson,Li-Qun Xia,Mihaela Balseanu,Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Wet etch apparatus

Номер патента: US20210391189A1. Автор: Han-Wen LIAO,Hong-Ting LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Surface treatment method, dry etching method, cleaning method, production method for semiconductor device, and etching device

Номер патента: US20240194490A1. Автор: Kunihiro Yamauchi,Akiou Kikuchi,Hikaru KITAYAMA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Surface treatment method, dry etching method, cleaning method, semiconductor device manufacturing method, and etching device

Номер патента: EP4307346A4. Автор: Kunihiro Yamauchi,Akiou Kikuchi,Hikaru KITAYAMA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Electrode tuning, depositing, and etching methods

Номер патента: US20230215735A1. Автор: Yung-Chen Lin,Ho-Yung David Hwang,Chi-I Lang,Lei LIAO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Etching gas, method for producing same, etching method, and method for producing semiconductor element

Номер патента: IL302116A. Автор: . Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Plasma etching method, and production method for semiconductor element

Номер патента: US20220068652A1. Автор: Yoshimasa Inamoto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Dry Etching Method, Semiconductor Device Manufacturing Method, and Chamber Cleaning Method

Номер патента: US20190355590A1. Автор: Akifumi YAO,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Plasma etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150187588A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Etching method

Номер патента: US09786512B2. Автор: Daisuke Tamura,Ryuuu ISHITA,Yu NAGATOMO,Kousuke KOIWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Etching method

Номер патента: US09779961B2. Автор: Wataru TAKAYAMA,Yuki Kaneko,Sho TOMINAGA,Yusuke Saitoh,Yu NAGATOMO,Hayato Hishinuma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

High-purity fluorinated hydrocarbon, use as a plasma etching gas, and plasma etching method

Номер патента: US09984896B2. Автор: Tatsuya Sugimoto. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Silicon etching liquid, silicon etching method, and microelectromechanical element

Номер патента: US09875904B2. Автор: Yoshiko Fujioto. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US12142495B2. Автор: Nobuhiro Takahashi,Toshiki KANAKI,Megumi UMEMOTO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

In-situ sequential silicon containing hard mask layer/silicon layer plasma etch method

Номер патента: US6069091A. Автор: Ming-Yeon Hung,Fa-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Etching method with metal hard mask

Номер патента: US20240112923A1. Автор: Yu Zhang,Xiaoming He,Zhaocheng LIU,Aki AKIBA. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Silicon etchant and etching method

Номер патента: GB2474187A. Автор: Kazuyoshi Yaguchi,Ryuji Sotoaka. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2011-04-06.

Etching method, substrate processing apparatus, and substrate processing system

Номер патента: US11810791B2. Автор: Maju TOMURA,Hironari SASAGAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Etching apparatus and etching method technical field

Номер патента: WO2014010751A1. Автор: Isao Yamada,Koji Yamashita,Kenichi Hara,Koji Kasuga,Noriaki Toyoda. Владелец: University of Hyogo. Дата публикации: 2014-01-16.

Etching method for sic substrate and holding container

Номер патента: US20170323797A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Masato Shinohara,Koji Ashida,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI,Norihito YABUKI,Yasunori Kutsuma,Youji Teramoto. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20240112922A1. Автор: Atsushi Takahashi,Noboru Saito,Ryo Matsubara,Yuta NAKANE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Dry-etching method

Номер патента: US10192749B2. Автор: Kenichi Kuwahara,Syuji ENOKIDA. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Etching method of multilayer film

Номер патента: US20140206199A1. Автор: Hiroaki Ishizuka,Akihiro Yokota,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Etsuji Ito,Shu KUSANO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210233776A1. Автор: Masaaki Kikuchi,Wakako Ishida,Yasunori Hatamura,Wataru Togashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240153744A1. Автор: Atsushi Takahashi,Ryo Matsubara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Dry-etching method

Номер патента: US20170162397A1. Автор: Kenichi Kuwahara,Syuji ENOKIDA. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor Etching Method

Номер патента: US20220037161A1. Автор: Lei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Methods to provide uniform wet etching of material within high aspect ratio features provided on a patterned substrate

Номер патента: US20240105455A1. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Etching methods and methods of manufacturing semiconductor devices using the same

Номер патента: US09812332B2. Автор: DongSuk Shin,Hanjin Lim,Moonhan Park,Hyun-Kwan Yu,Woonki SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Wet etch process and method to provide uniform etching of material formed within features having different critical dimension (CD)

Номер патента: US12100599B2. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Wet etch process and method to provide uniform etching of material formed within features having different critical dimension (cd)

Номер патента: WO2024058863A1. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter D'ELIA. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods to provide uniform wet etching of material within high aspect ratio features provided on a patterned substrate

Номер патента: WO2024072563A1. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter D'ELIA. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Wet etch process and method to provide uniform etching of material formed within features having different critical dimension (cd)

Номер патента: US20240087908A1. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Wet etch process and method to control fin height and channel area in a fin field effect transistor (finfet)

Номер патента: US20240087909A1. Автор: Shan Hu,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Wet etching method and wet etching device

Номер патента: TWI406333B. Автор: Ryuji Sotoaka,Keiichi Tanaka,Tomoyuki Azuma. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co. Дата публикации: 2013-08-21.

Wet etching method and wet etching apparatus

Номер патента: TW200731396A. Автор: Ryuji Sotoaka,Keiichi Tanaka,Tomoyuki Azuma. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co. Дата публикации: 2007-08-16.

Etching-solution composition and wet etching method using same

Номер патента: CN104039925A. Автор: 李昌一,林廷训,金铉卓,李珍旭,宋忠植. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-10.

Atomic layer etching method

Номер патента: US20210193473A1. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Jin Sung Chun,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Etching method using plasma, and method of fabricating semiconductor device including the etching method

Номер патента: US09865474B2. Автор: Sangheon Lee,Xinglong Chen,Gon-Jun KIM,In-Ho Choi,Vladimir Volynets,Sang-jin An,Hee-jeon Yang,Sung-keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11710644B2. Автор: Takahiro Yokoyama,Masanori Hosoya,Hiroie MATSUMOTO,Taihei MATSUHASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Etching method, substrate processing apparatus, and substrate processing system

Номер патента: US20210202260A1. Автор: Masanobu Honda,Shinya Ishikawa,Kenta Ono. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Plasma etching method and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US10529582B2. Автор: Mitsunari Horiuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-07.

Etching method

Номер патента: US6844265B2. Автор: Masahiko Ouchi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-01-18.

Plasma reactor and etching method using the same

Номер патента: US20110155694A1. Автор: Sungyong KO,Hwankook CHAE,Keehyun KIM,Weonmook LEE,Kunjoo PARK,Minshik KIM,KwangMin Lee,Hyeokjin Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20140073113A1. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Etching method

Номер патента: US20150170932A1. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Fumiya Kobayashi,Hikaru Watanabe,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Etching method

Номер патента: US20190074190A1. Автор: Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US20120244709A1. Автор: Yoshiki Igarashi,Kazuki Narishige. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Etching method

Номер патента: US12125708B2. Автор: Yu Zhao,Hiroyuki Kobayashi,Takashi Hattori,Hiroto Otake. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Plasma etching method

Номер патента: US09978566B2. Автор: Akihiro Yokota,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Etsuji Ito,Tatsuro Ohshita,Shu KUSANO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Plasma etching method

Номер патента: US09966273B2. Автор: Yoshiki Igarashi,Wataru TAKAYAMA,Sho TOMINAGA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Plasma etching method

Номер патента: US09793136B2. Автор: Kosei Ueda,Yoshinobu Hayakawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Etching method

Номер патента: US09735025B2. Автор: Yuki Kaneko,Masayuki Sawataishi,Tomonori Miwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US09728418B2. Автор: Hiroshi Tsujimoto,Keigo TOYODA,Masaru ISAGO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210143017A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Etching method

Номер патента: US09613824B2. Автор: Hironobu Ichikawa,Isao Tafusa,Yusuke Saitoh. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Etching method, and method of producing semiconductor substrate product and semiconductor device using the same

Номер патента: US09558953B2. Автор: Tadashi Inaba,Tetsuya Kamimura,Naotsugu Muro,Takahiro Watanabe,Kee Young PARK. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Etching gas and etching method

Номер патента: US09368363B2. Автор: Takefumi Suzuki. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Dry etching method using potential control of grid and substrate

Номер патента: US20220375761A1. Автор: Ki Hyun Kim,Hee Ju Kim,Geun Young Yeom,Ye Eun Kim,Doo San KIM,You Jin JI,Yun Jong JANG,You Jung GILL. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-11-24.

Etching method for semiconductor device

Номер патента: EP1511067A3. Автор: Fujio Masuoka,Takashi Yokoyama,Shinji Horii,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-31.

Etching method for semiconductor device

Номер патента: US20050037621A1. Автор: Fujio Masuoka,Takashi Yokoyama,Shinji Horii,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-02-17.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230251567A1. Автор: Yoshihide Kihara,Jaeyoung Park,Maju TOMURA,Taiki Miura,Ryutaro Suda,Yusuke FUKUNAGA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230317466A1. Автор: Masahito Yamaguchi,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Plasma etching method

Номер патента: US20190096689A1. Автор: Go Matsuura. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Etching method, plasma processing apparatus, and substrate processing system

Номер патента: US20240312771A1. Автор: Noboru Saito,Takahiro Yokoyama,Yusuke Takino. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240355589A1. Автор: Yoshihide Kihara,Maju TOMURA,Koki MUKAIYAMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Dry etching method

Номер патента: US09905431B2. Автор: Masahito Mori,Takao Arase,Satoshi Terakura,Ryuta Machida. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09887109B2. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Masaya Kawamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Etching method, etching apparatus, and storage medium

Номер патента: US09887092B2. Автор: Hideaki Sato,Takahiro Furukawa,Hiromi Hara,Takami Satoh,Toshiyuki Shiokawa,Takahiro Kawazu,Yusuke FUTAMATA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Etching method for substrate to be processed and plasma-etching device

Номер патента: US09721803B2. Автор: Hiroyuki Takaba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Etching method

Номер патента: US09666446B2. Автор: Yoshiki Igarashi,Wataru TAKAYAMA,Sho TOMINAGA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Plasma etching method of modulating high frequency bias power to processing target object

Номер патента: US09548214B2. Автор: Fumio Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Etching method of multilayered film

Номер патента: US09536707B2. Автор: Yusuke Saitoh,Ryuuu ISHITA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Etching method for reducing microloading effect

Номер патента: US09443741B1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Zhi-Jian Wang,Cheng-Chang Wu,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US09396968B2. Автор: Kazuhiro Kubota. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Etching solution composition and method of wet etching with the same

Номер патента: KR102006323B1. Автор: 이창일,임정훈,김현탁,이진욱,송충식. Владелец: 솔브레인 주식회사. Дата публикации: 2019-08-01.

WET-ETCHING METHOD AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200251341A1. Автор: OKAJIMA HIROAKI,SHINZAKI YOHHEI,OGINO KAZUKI. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

Wet etching method for a single layer or multiple layer comprising Ag or Ag alloy, and etchant composition for a single layer or multiple layer comprising Ag or Ag alloy, and method for manufacturing a thin film transistor and a thin film transistor

Номер патента: KR20170112314A. Автор: 장상훈,안기훈,심경보. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2017-10-12.

Etching method using halogen fluoride and method for producing semiconductor

Номер патента: US20220051898A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-02-17.

Etching method and fabrication method of semiconductor structures

Номер патента: US20170294343A1. Автор: Hai Yang Zhang,Cheng Long ZHANG,Min Da HU,Er Hu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Etching method and fabrication method of semiconductor structures

Номер патента: US10573551B2. Автор: Hai Yang Zhang,Cheng Long ZHANG,Min Da HU,Er Hu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Etching method and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US11114305B2. Автор: Yosuke TANIMOTO. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-09-07.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11810792B2. Автор: Masatsugu Makabe,Takanori Eto,Sho SAITOH. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Etching method and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230395389A1. Автор: Kazuma Matsui,Yosuke TANIMOTO,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Etching method and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20210217627A1. Автор: Yosuke TANIMOTO. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-15.

Etching method and apparatus

Номер патента: US20200312669A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi,Nobuhiro Takahashi,Yasuo Asada,Ayano Hagiwara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Atomic layer etching method

Номер патента: US11450531B2. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Jin Sung Chun,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Etching method for silicon nitride and production method for semiconductor element

Номер патента: US12014929B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Dry etching method

Номер патента: US5366590A. Автор: Shingo Kadomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1994-11-22.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11139169B2. Автор: Sho Kumakura,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-10-05.

Etching method and photomask blank processing method

Номер патента: EP2251741A3. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Shinichi Igarashi,Yukio Inazuki,Yoshinori Kinase. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-19.

Etching method

Номер патента: US20180301346A1. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Plasma etching method

Номер патента: US8741166B2. Автор: Tomoyuki Watanabe,Tetsuo Ono,Mamoru Yakushiji,Michikazu Morimoto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Plasma etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20130267094A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Hironobu Ichikawa,Jin KUDO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Etching method

Номер патента: US20200168469A1. Автор: Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Etching apparatus and etching method using the same

Номер патента: US20230386788A1. Автор: Jiwon Jung,Chin-Wook Chung. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-30.

Etching method, method for manufacturing semiconductor device, etching program, and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240162047A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Masafumi Urakawa,Yuki Chiba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230377850A1. Автор: Masahito Yamaguchi,Takatoshi ORUI,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Etching method and method for producing semiconductor element

Номер патента: EP4235752A1. Автор: Kazuma Matsui,Yosuke TANIMOTO,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20200402800A1. Автор: Sho Kumakura,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20220102159A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Masanori Hosoya,Hiroie MATSUMOTO,Taihei MATSUHASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Etching method and semiconductor manufacturing method

Номер патента: EP3706158A1. Автор: Yosuke TANIMOTO. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-09-09.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230298898A1. Автор: Shingo Takahashi,Shogo Yamaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Plasma etching method

Номер патента: EP3989682A1. Автор: Daisuke Sato,Yuki Oka,Kaoru Kaibuki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-04-27.

Plasma etching method and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190080923A1. Автор: Mitsunari Horiuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US8283254B2. Автор: Takahito Mukawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-10-09.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US10872779B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Masaru Izawa,Kohei Kawamura,Nobuya MIYOSHI,Kazunori Shinoda,Kazumasa Ookuma,Yutaka Kouzuma. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-12-22.

Etching method

Номер патента: US20230197458A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Takatoshi ORUI,Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20240038494A1. Автор: Nobuyuki Fukui,Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Etching method

Номер патента: US20240047222A1. Автор: Kenji Maeda,Kenetsu Yokogawa,Kenji Ishikawa,Masaru Hori,Kazunori Shinoda,Hirotaka Hamamura. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11842900B2. Автор: Ryuichi Asako. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Etching method of multilayered film

Номер патента: US20160042919A1. Автор: Yusuke Saitoh,Ryuuu ISHITA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20190304801A1. Автор: Susumu Yamauchi,Jun Lin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20190006186A1. Автор: Hiroki Sato,Hisashi Hirose. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240112927A1. Автор: Fumiya TAKATA,Kota Oikawa,Wataru Togashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210305057A1. Автор: Shinya Morikita,Toshikatsu Tobana,Fumiya TAKATA,Kota ISHIHARADA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240162045A9. Автор: Shota Yoshimura,Shinya Morikita,Fumiya TAKATA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Etching method

Номер патента: US20240063026A1. Автор: Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11495468B2. Автор: Masanobu Honda,Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240038501A1. Автор: Akira Nakagawa,Kenji Komatsu,Tsukasa Hirayama,Kazuma KAMIMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240030010A1. Автор: Yoshihide Kihara,Maju TOMURA,Koki MUKAIYAMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Etching Method and Apparatus

Номер патента: US20130072013A1. Автор: Ying Zhang,Chien-An Chen,Shih-Hung Chen,Ying Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210066089A1. Автор: Masanobu Honda,Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20180342401A1. Автор: Kosuke Koiwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20200234963A1. Автор: Sho Kumakura,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Methods For Depositing Low K And Low Wet Etch Rate Dielectric Thin Films

Номер патента: US20160322214A1. Автор: Xia Li-Qun,LI NING,Thompson David,Balseanu Mihaela,Saly Mark. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

Methods and apparatuses for uniform reduction of the in-feature wet etch rate of a silicon nitride film formed by ald

Номер патента: SG10201507848XA. Автор: Jon Henri,Dennis M Hausmann,James S Sims,Kathryn M Kelchner. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Method and apparatus of forming phosphosilicate glass having a high wet-etch rate

Номер патента: TW508372B. Автор: Cary Ching,Rong Pan,Paul Gee,Ishing Lou,Dr Ulrich Wiese. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-11-01.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US12020903B2. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Etching method

Номер патента: US20160260624A1. Автор: Hidekazu Iida. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US20210104382A1. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Etching method, etching apparatus, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of template

Номер патента: US20230307233A1. Автор: Hideaki Sakurai,Noriko Sakurai,Takeharu Motokawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Etching method and element chip manufacturing method

Номер патента: US11817323B2. Автор: Akihiro Itou,Shogo Okita,Atsushi Harikai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210159084A1. Автор: Yoshihide Kihara,Sho Kumakura,Maju TOMURA,Hironari SASAGAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11380555B2. Автор: Yoshihide Kihara,Sho Kumakura,Maju TOMURA,Hironari SASAGAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210082709A1. Автор: Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US12014930B2. Автор: Masanori Hosoya,Mitsuhiro Iwano. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Etching method and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09972696B2. Автор: Sang Won Bae,Hoyoung Kim,Wonsang Choi,Jae-Jik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Method, apparatus and composition for wet etching

Номер патента: WO2013084083A3. Автор: Stefan Detterbeck. Владелец: LAM RESEARCH AG. Дата публикации: 2015-08-06.

Wet etching method and method of fabricating semiconductor device by using the same

Номер патента: US20230230843A1. Автор: Taeheon Kim,Kyunghyun Kim,Sanghoon JEONG,ChangSup Mun,Seungcheol Chae,Junyoul Yang,Yongsik Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Wet etching method for silicon nitride film

Номер патента: US8741168B2. Автор: Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Method for synchronous wet etching processing of differential microstructures

Номер патента: US20190355587A1. Автор: Jian Gao,Qiang Liu,Xin Chen,Yun Chen,Xun Chen,Chengqiang CUI,Dachuang SHI. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-11-21.

Methods of fabricating memory devices using wet etching and dry etching

Номер патента: US09484219B2. Автор: Dong-Chan Kim,Han-jin Lim,Young-Geun Park,Sang-Yeol Kang,Bong-Hyun Kim,Wook-Yeol Yi,Chang-Mu AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Anisotropic wet etching

Номер патента: US6395645B1. Автор: Chen-Kuei Chung,Ching-Yi Wu,Chien-Chih Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-05-28.

Metal layer protection during wet etching

Номер патента: US20240250147A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Protecting delicate semiconductor features during wet etching

Номер патента: US20040072448A1. Автор: Kevin O'Brien,Justin Brask,Vijayakumar Ramachandrarao,Patrick Paluda. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Wet etched insulator and electronic circuit component

Номер патента: US20030085451A1. Автор: Hiroshi Yagi,Nobuhiro Sakihama,Katsuya Sakayori,Tsuyoshi Yamazaki,Shigeki Kawano,Hiroko Amasaki,Terutoshi Momose,Tomoko Togashi,Michiaki Uchiyama. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2003-05-08.

Apparatus for wet etching while forming interconnect trench in insulating film

Номер патента: US20130233489A1. Автор: Tadahiro Imada,Yoshihiro Nakata,Koji Nozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

Wet etch process and methods to form air gaps between metal interconnects

Номер патента: US20240087950A1. Автор: Shan Hu,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Wet etch process and methods to form air gaps between metal interconnects

Номер патента: WO2024058875A1. Автор: Shan Hu,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter D'ELIA. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-21.

Metal oxide wet etching method

Номер патента: AU2022358422A1. Автор: George Kovall,Colleen Shang FENRICH. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Wet etching apparatus

Номер патента: US20200075359A1. Автор: Jin Woo Lee,Seung Min Shin,Yong Jun Choi,Seok Hoon Kim,Ji Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of forming a non volatile memory device using wet etching

Номер патента: US09418864B2. Автор: John Power,Danny Pak-Chum Shum,Ulrike Bewersdorff-Sarlette,Wolfram Langheinrich,Alfred Vater. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-16.

Co-doping to control wet etch rate of fcvd oxide layers

Номер патента: WO2024006298A1. Автор: Timothy J. Miller,Jun Seok Lee,Vikram M. Bhosle,Deven Raj Mittal. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-01-04.

Metal layer protection during wet etching

Номер патента: US20230420540A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Co-doping to control wet etch rate of fcvd oxide layers

Номер патента: US20240006158A1. Автор: Timothy J. Miller,Jun Seok Lee,Vikram M. Bhosle,Deven Raj Mittal. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Metal layer protection during wet etching

Номер патента: US11984491B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for forming memory device involving ion implantation of the control gate spacer and wet etching process to expose sidewall of control gate

Номер патента: US10896911B2. Автор: Cheng-Ta Yang,Hsu-Chi Cho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-01-19.

Method for improving etching rate of wet etching

Номер патента: US20220102157A1. Автор: Nannan Zhang,Yen-Teng Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Composition for Wet Etching of Silicon Dioxide

Номер патента: US20120070998A1. Автор: Jung Hun Lim,Dae Hyun Kim,Seong Hwan Park,Chang Jin Yoo. Владелец: Techno Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-22.

WET ETCHING COMPOSITION AND METHOD

Номер патента: US20220275276A1. Автор: Bilodeau Steven M.,WHITE Michael,KIM Youngmin,Cooper Emanuel I.,WHITE Daniela. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

COMPOSITION FOR WET ETCHING TO SILICON NITRIDE

Номер патента: US20190367811A1. Автор: SONG Jung Hwan,LEE Junwoo,LEE SOK HO,JEON SEONG SIK,JO SUNG IL,KIM BYEOUNG TAK,LIM AH HYEON. Владелец: LTCAM CO., LTD.. Дата публикации: 2019-12-05.

Selective wet etching of hafnium aluminum oxide films

Номер патента: US8283258B2. Автор: Yi Yang,Prashant Raghu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

A Composition for Wet Etching to Silicon Nitride

Номер патента: KR101953380B1. Автор: 이석호,송정환,전성식,이준우,조성일,김병탁,임아현. Владелец: 엘티씨에이엠 주식회사. Дата публикации: 2019-02-28.

Wet Etching Material Preventing Glass Sludge

Номер патента: KR102203778B1. Автор: 이명호,박동용. Владелец: 주식회사 이엔에프테크놀로지. Дата публикации: 2021-01-15.

Selective Wet Etching of Hafnium Aluminum Oxide Films

Номер патента: US20090047790A1. Автор: Yi Yang,Prashant Raghu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device fabrication method including the plasma etching method

Номер патента: US20220020597A1. Автор: Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Nam Kyun Kim,Kyuho Kim,Sungjun ANN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Selective Etching Method and Method for Forming an Isolation Structure of a Memory Device

Номер патента: US20100167494A1. Автор: Dae Jin Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Etching method and manufacturing method of a semiconductor memory device

Номер патента: US20240321570A1. Автор: Tsubasa IMAMURA,Ayata Harayama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Etching method and storage medium

Номер патента: US09613823B2. Автор: Hiroyuki Takahashi,Kenshirou ASAHI,Kimihiko DEMICHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Via-hole etching method

Номер патента: US09564354B2. Автор: Donghua Jiang,Wuyang ZHAO,Chundong LI,Byung Chun Lee,Yongyi FU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20150206715A1. Автор: Takayuki Ishii,Ryoichi Yoshida,Ken Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Etching method with metal hard mask

Номер патента: US12100601B2. Автор: Yu Zhang,Zhaocheng LIU,Aki AKIBA. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Etching method

Номер патента: US09911617B2. Автор: Jinbiao Liu,Junfeng Li,Xiaobin He,Junjie Li,Qinghua Yang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-03-06.

Etching method

Номер патента: US09472736B2. Автор: Toshiyuki Kondo,Atsushi Suzuki,Midori Mori,Koichi Naniwae,Fumihara Teramae. Владелец: EL Seed Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US20120309203A1. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device and etching method

Номер патента: US20220375763A1. Автор: Akiko Hirata,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230402289A1. Автор: Yoshihide Kihara,Kae Takahashi,Maju TOMURA,Noriyoshi ARIMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20140076848A1. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US8252694B2. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-08-28.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20160268140A1. Автор: Shunichi Mikami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Plasma etching method and apparatus, control program and computer-readable storage medium storing the control program

Номер патента: US20060289385A1. Автор: Akihiro Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: US20080190892A1. Автор: Sung Tae Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-08-14.

Etching method, substrate processing apparatus, and substrate processing system

Номер патента: US12112954B2. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Shinya Ishikawa,Sho Kumakura,Kenta Ono,Maju TOMURA,Yusuke Takino,Hironari SASAGAWA,Tomohiko Niizeki,Yuta NAKANE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09922806B2. Автор: Yoshinobu Ooya,Ryohei Takeda,Maju TOMURA,Ryuichi TAKASHIMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride

Номер патента: US09754797B2. Автор: Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Etching method

Номер патента: US09735021B2. Автор: Masayuki Sawataishi,Tomonori Miwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Dry etching method

Номер патента: US09728422B2. Автор: Hiroyuki Oomori,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US09659789B2. Автор: Yoshinobu Ooya,Ryohei Takeda,Ryuichi TAKASHIMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Etching method

Номер патента: US09543164B2. Автор: Ryoichi Yoshida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Plasma etching method

Номер патента: US09437450B2. Автор: Tetsuro Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240234163A1. Автор: Shoi Suzuki,Taku GOHIRA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Etching method using oxygen-containing hydrofluorocarbon

Номер патента: US20240290627A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Etching method using oxygen-containing hydrofluorocarbon

Номер патента: US20240290628A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Etching method using oxygen-containing hydrofluorocarbon

Номер патента: WO2024178284A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-08-29.

Etching method using oxygen-containing hydrofluorocarbon

Номер патента: WO2024178258A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-08-29.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20080179283A1. Автор: Hiroyuki SHIBAMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Pattern sheet, semiconductor intermediate product, and hole etching method

Номер патента: US20240266182A1. Автор: Chun Wang,Qingjun Zhou,Yiming Zhang,Xiaoping Shi,Qiushi XIE,Dongsan Li. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Etching method

Номер патента: US09997374B2. Автор: Yoshinobu Ooya,Ryohei Takeda,Sho TOMINAGA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Plasma etching method

Номер патента: US09779962B2. Автор: Shinichi Kozuka,Takao FUNAKUBO,Yuta Seya,Aritoshi Mitani. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Etching method

Номер патента: US09691630B2. Автор: Nobuhiro Takahashi,Shuji Moriya,Masashi Matsumoto,Tetsuro Takahashi,Junichiro Matsunaga. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09530666B2. Автор: Hideki Mizuno,Kumiko Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09524876B2. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Etching method, and recording medium

Номер патента: US09466507B2. Автор: Shigeki Tozawa,Tomoaki OGIWARA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US09384999B2. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Uniform sidewall profile etch method for forming low contact leakage schottky diode contact

Номер патента: US6096629A. Автор: Yen-Shih Ho,Jun-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Etching method

Номер патента: US7402523B2. Автор: Takehiko Orii,Eiichi Nishimura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-22.

Reactive ion etch method for forming vias through nitrogenated silicon oxide layers

Номер патента: US5904566A. Автор: Chia-Shiung Tsai,Hun-Jan Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-05-18.

Etching method

Номер патента: US20240030037A1. Автор: Yutaro Aoki,Atsushi Yamashita,Masayuki Kimura. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Etching method, method of manufacturing semiconductor chip, and method of manufacturing article

Номер патента: US20190252199A1. Автор: Mitsuo Sano,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Keiichiro Matsuo,Kazuo Shimokawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Bevel etching method

Номер патента: US20230207327A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Etching method

Номер патента: US20210175089A1. Автор: Masaki Inaba,Kazuki Nishihara. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Etching method and photosensitive resin composition

Номер патента: EP3961676A1. Автор: Teruhiro Uematsu. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-02.

Etching method

Номер патента: US20170186619A1. Автор: Jinbiao Liu,Junfeng Li,Xiaobin He,Junjie Li,Qinghua Yang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-29.

Dual-tank etch method for oxide thickness control

Номер патента: US7405165B2. Автор: Yang Kai Fan,Yong Rong Chang,Yi Song Chiu,Ping Yin Shin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-07-29.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20230386793A1. Автор: Kenji Maeda,Yosuke Kurosaki,Hiroto Otake. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Dry etching method

Номер патента: US9330888B2. Автор: Xi Chen,Liangliang LI,Yao Liu,Xiaowei Liu,Jinchao BAI,Xiangqian Ding. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11791175B2. Автор: Takayuki Suga,Jun Lin,Yoshiki Igarashi,Satoru KIKUSHIMA,Chengya CHU. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20230395400A1. Автор: Takayuki Suga,Jun Lin,Yoshiki Igarashi,Satoru KIKUSHIMA,Chengya CHU. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Plasma etching method using perfluoroisopropyl vinyl ether

Номер патента: US20230162972A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-05-25.

Plasma etching method using pentafluoropropanol

Номер патента: US20230178341A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-08.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20210118690A1. Автор: Shuichi Kuboi,Seiya YOSHINAGA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Plasma etching method

Номер патента: US20240006186A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim,Sang-Hyun YOU. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-01-04.

Plasma etching methods

Номер патента: US6010967A. Автор: Kevin G. Donohoe,Richard L. Stocks. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-01-04.

Plasma etching method

Номер патента: US20100264116A1. Автор: Tatsuya Sugimoto,Masahiro Nakamura,Takefumi Suzuki. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Plasma etching method

Номер патента: US7037843B2. Автор: Isamu Namose. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Etching method, air-gap dielectric layer, and dynamic random-access memory

Номер патента: US11948805B2. Автор: Chun Wang,Bo Zheng,Xin Wu,Zhenguo MA. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20150332929A1. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US11637020B2. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20220051902A1. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Etching Method, and Recording Medium

Номер патента: US20160163562A1. Автор: Shigeki Tozawa,Tomoaki OGIWARA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230377851A1. Автор: Kenji Komatsu,Fumiya Yoshii. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20220059360A1. Автор: Taku GOHIRA,Michiko Nakaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11804379B2. Автор: Taku GOHIRA,Michiko Nakaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20240006187A1. Автор: Hiroyuki Abe,Reiko SASAHARA,Teppei Okumura,Seungmin Kim,Toshinori Debari,Woonghyun JEUNG,Kenshiro ASAHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20230290653A1. Автор: Masaki Inaba,Yuya Akanishi,Kazuki Nishihara. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Atomic layer etching method using ligand exchange reaction

Номер патента: US20240079249A1. Автор: Dong Kyun Lee,Jooyong Kim,Jae Chul Lee,Eun Ae JUNG,Byeong IL Yang,Hyun Sik Noh,Kyoung-Mun Kim,Younghun Byun,Changhyun Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20190237332A1. Автор: KATSUNORI Tanaka,Hotaka Maruyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240213031A1. Автор: Yoshimitsu Kon,Atsuki Hashimoto,Sho SAITOH. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20230290644A1. Автор: Yuya Akanishi,Kazuki Nishihara. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Etching composition, etching method, production method for semiconductor device, and production method for gate-all-around transistor

Номер патента: EP4280258A4. Автор: Mari Abe,Ken Harada,Tatsunobu Suzuki. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Liquid-carrying roller for wet etching and wet etching method

Номер патента: EP4207260A1. Автор: LIN Lu,Bin Chen,Yunlu Wang. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Wet etching method and wet etching system

Номер патента: US12119230B2. Автор: Takashi Ono,Kazuma Sekiya,Daigo Shitabo. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Wet etching method, substrate liquid processing apparatus, and storage medium

Номер патента: US20180012754A1. Автор: Hiromitsu Nanba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Oxidation to mitigate dry etch and/or wet etch fluorine residue

Номер патента: US12068385B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chi-Shin Wang,Chun-Neng LIN,Chun-Cheng CHOU,U-Ting Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of Manufacture Using Complementary Conductivity-Selective Wet-Etching Techniques for III-Nitride Materials and Devices

Номер патента: US20200381260A1. Автор: Young Jae Park,Russell Dean Dupuis,Shyh-Chiang Shen,Oliver Moreno,Theeradetch Detchprohm. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Wet etching control system, wet etching machine and wet etching control method

Номер патента: US12094734B2. Автор: Hsin-Hung Chen,Yen-Teng Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Selective wet etching and textured surface planarization processes

Номер патента: US09558954B2. Автор: Hong Lu,Scott W. Duncan. Владелец: Luminus Devices Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Wet etching process-based modeling method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240202399A1. Автор: Hui ZENG,Ruijing Han. Владелец: Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Liquid-carrying roller for wet etching and wet etching method

Номер патента: US20230343888A1. Автор: LIN Lu,Bin Chen,Yunlu Wang. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Etch-ending point measuring method for wet-etch process

Номер патента: US5622636A. Автор: Yun J. Huh,Sang J. Choi,Suk B. Han. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1997-04-22.

Methods for planarizing a substrate using a combined wet etch and chemical mechanical polishing (cmp) process

Номер патента: US20240087907A1. Автор: Shan Hu,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods for planarizing a substrate using a combined wet etch and chemical mechanical polishing (CMP) process

Номер патента: US12100598B2. Автор: Shan Hu,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

System and method for controlling directionality of fast-wet etching of crystalline silicon, c-Si

Номер патента: US11906946B2. Автор: Frank Holsteyns,Michel Bosman,Antoine Pacco,Utkur MIRSAIDOV,Tanmay Ghosh,Zainul Aabdin. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2024-02-20.

SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING DIRECTIONALITY OF FAST-WET ETCHING OF CRYSTALLINE SILICON, c-SI

Номер патента: US20220113701A1. Автор: Frank Holsteyns,Michel Bosman,Antoine Pacco,Utkur MIRSAIDOV,Tanmay Ghosh,Zainul Aabdin. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2022-04-14.

Method for expanding trenches by an anisotropic wet etch

Номер патента: EP1186028A1. Автор: Dirk Tobben,Alexander Michaelis,Stephan Kudelka. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-03-13.

Wet etching control system, wet etching machine and wet etching control method

Номер патента: US20220076967A1. Автор: Hsin-Hung Chen,Yen-Teng Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Photonically tuned etchant reactivity for wet etching

Номер патента: WO2020051068A1. Автор: Paul Abel,Omid Zandi. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2020-03-12.

Wet etching method of single wafer

Номер патента: EP1746639A1. Автор: Sakae c/o Sumco Corporation Koyata,Tomohiro c/o Sumco Corporation Hashii,Katsuhiko c/o Sumco Corporation Murayama,Kazuhige c/o Sumco Corporation Takaishi,Takeo c/o Sumco Corporation Katoh. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-01-24.

Composition containing a dicyanostyryl group, for forming a resist underlayer film capable of being wet etched

Номер патента: US11977331B2. Автор: Takafumi Endo,Yuki Endo. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Etching method and etching system

Номер патента: RU2332749C1. Автор: Ясухиро МОРИКАВА,Тосио ХАЯСИ,Коукоу СУУ. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2008-08-27.

Sputter etch methods

Номер патента: US20040266190A1. Автор: Jae Han. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Etching method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20050118818A1. Автор: Tomoya Nishida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor device and etching method

Номер патента: US20240213086A1. Автор: Akiko Hirata,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Etching method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US7153710B2. Автор: Tomoya Nishida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-12-26.

Multilayer magnetic tunnel junction etching method and MRAM device

Номер патента: US12063866B2. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN,Zhiwen ZOU. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Plasma etching method for semiconductor device and etching apparatus of the same

Номер патента: US20020137340A1. Автор: Kye-Hyun Baek,Kil-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Chemical etching method using a metal catalyst

Номер патента: US20240203746A1. Автор: Kyung Hwan Kim,Min Young Kim,Hang Lim LEE,Jung Woo OH,Sun Hae CHOI. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Etching method

Номер патента: US09812292B2. Автор: Hidekazu Iida. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Substrate etching method

Номер патента: US09478439B2. Автор: Zhongwei Jiang. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Etching method

Номер патента: US20210028356A1. Автор: Jun Sato,Kiyoshi Maeda,Ken Ando,Shigeru Tahara,Hiroki Maehara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20220399204A1. Автор: Nobuhiro Takahashi,Ken NAKAGOMI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Polysilicon etching method

Номер патента: US20190385864A1. Автор: Hongkun SONG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Two etchant etch method

Номер патента: US20020052113A1. Автор: AJAY Kumar,Dragan Podlesnik,Jeffrey Chinn,Anisul Khan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-05-02.

Single-wafer etching method for wafer and etching apparatus thereof

Номер патента: MY147183A. Автор: Takeo Katoh,Tomohiro Hashii,Katsuhiko Murayama,Sakae Koyata,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-11-14.

Local dry etching method

Номер патента: US6649528B2. Автор: Michihiko Yanagisawa,Tadayoshi Okuya. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-18.

Dry etching method

Номер патента: US20140008322A1. Автор: Kazuya Abe,Toshiyasu Sakai,Hiroyuki Abo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Precise etching apparatus for preparing recessed-gate enhancement device and etching method for the same

Номер патента: US20220157609A1. Автор: Guoqiang Li,Runze LI,Zhikun Liu,Dingbo Chen,Lijun Wan,Peiye SUN,Xianfeng QUE,Shunan YAO. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-05-19.

Etching method

Номер патента: US20240297046A1. Автор: Kenji Maeda,Kenetsu Yokogawa,Kenji Ishikawa,Masaru Hori,Kazunori Shinoda,Hirotaka Hamamura,Thi-Thuy-Nga NGUYEN. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Plasma Etching Method

Номер патента: US20120052688A1. Автор: Shoichi Murakami,Akimitsu Oishi,Masayasu Hatashita. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Etching method of oxide semiconductor film, oxide semiconductor workpiece, and electronic device

Номер патента: US12074030B2. Автор: Akiko Hirata,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Etching method using hydrogen peroxide solution containing tungsten

Номер патента: US09929017B2. Автор: Yoshihiro Uozumi,Nagisa Takami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Etching method and storage medium

Номер патента: US09607855B2. Автор: Nobuhiro Takahashi,Koji Takeya,Masashi Matsumoto,Junichiro Matsunaga,Ayano Hagiwara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US09419211B2. Автор: Takashi Sone,Eiichi Nishimura,Fumiko Yamashita,Masato Kushibiki,Nao Koizumi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Plasma etching method

Номер патента: US09412607B2. Автор: Eiji Suzuki,Yuji Otsuka,Yutaka Osada,Akinori Kitamura,Masayuki Kohno,Hiroto Ohtake,Yusuke Takino,Tomiko Kamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Dry-etching method and apparatus, photomasks and method for the preparation thereof, and semiconductor circuits and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US6391791B1. Автор: Satoshi Aoyama,Takaei Sasaki,Noriyuki Harashima,Shouichi Sakamoto. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 2002-05-21.

Etching method for forming vertical structure, electronic device including vertical structure formed by the etching method, and method of manufacturing the electronic device

Номер патента: US11895922B2. Автор: Choongho RHEE,Sungchan Kang,Yongseop YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Etching method for forming vertical structure, electronic device including vertical structure formed by the etching method, and method of manufacturing the electronic device

Номер патента: US20220158074A1. Автор: Choongho RHEE,Sungchan Kang,Yongseop YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of selectively etching compound semiconductor and method of manufacturing compound semiconductor device using the selective etching method

Номер патента: US5942447A. Автор: Shinichi Miyakuni. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Plasma processing tools dual-source plasma etchers, dual-source plasma etching methods, and methods of forming planar coil dual-source plasma etchers

Номер патента: US6136720A. Автор: Guy T. Blalock,Kevin G. Donohoe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-24.

Dry etching method for a gallium nitride type compound semiconductor

Номер патента: US5693180A. Автор: Satoshi Sugahara,Katsuki Furukawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-12-02.

Etching method of etching apparatus

Номер патента: US20220359173A1. Автор: Shih-Chieh Lin,Shuen-Hsiang Ke. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Multilayer magnetic tunnel junction etching method and mram device

Номер патента: US20210376232A1. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN,Zhiwen ZOU. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Silicon Dry Etching Method

Номер патента: US20160005612A1. Автор: Isamu Mori,Akiou Kikuchi,Masanori WATARI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Substrate etching method

Номер патента: US20150311091A1. Автор: Zhongwei Jiang. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Plasma etching method

Номер патента: US20180240690A1. Автор: Kenta Chito. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Etching method and substrate processing system

Номер патента: US11784054B2. Автор: Nobuhiro Takahashi,Yasuo Asada,Kazuhito Miyata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240071723A1. Автор: Koki Tanaka,Masahiko Yokoi,Ryutaro Suda,Ryu NAGAI,Ikko Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Silicon dry etching method

Номер патента: US9524877B2. Автор: Isamu Mori,Akiou Kikuchi,Masanori WATARI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Dry etching method

Номер патента: US20100255612A1. Автор: Hitoshi Kobayashi,Toru Ito,Yoshiharu Inoue,Toshiaki Nishida,Hiroaki Ishimura,Masunori Ishihara. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Dry etching method and apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5990016A. Автор: Byong-dong Kim,Jung-kyu Lee,Sung-il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-23.

Selective etching method for III-V group semiconductor material using a mixed etching gas and a stop-etching gas

Номер патента: US5389574A. Автор: Yasuyuki Mizunuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1995-02-14.

Dry etching Method

Номер патента: US5635021A. Автор: Kenji Harafuji. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-06-03.

Electrochemical etching method

Номер патента: US5167778A. Автор: Hiroyuki Kaneko,Makoto Uchiyama,Hidetoshi Nojiri,Norihiko Kiritani. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1992-12-01.

Dry etching method

Номер патента: US4406733A. Автор: Shinichi Tachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-09-27.

Multi-step local dry etching method for SOI wafer

Номер патента: US20040063329A1. Автор: Yasuhiro Horiike,Kazuyuki Tsuruoka,Michihiko Yanagisawa. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Etching method for semiconductor product

Номер патента: US20150140690A1. Автор: Shigetoshi Sugawa,Tatsuro Yoshida,Takeshi Sakai,Kazuhiro Yoshikawa. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-05-21.

Plasma edge ring, plasma etching apparatus including the same, and plasma etching method using the same

Номер патента: US20230142436A1. Автор: Sang Ki Nam,Hyunjoo Lee,Young Hyun Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Liquid mixture and method for selectively wet etching silicon germanium

Номер патента: US20180277379A1. Автор: Christian Fischer,Dries Dictus. Владелец: LAM RESEARCH AG. Дата публикации: 2018-09-27.

WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME

Номер патента: US20190040317A1. Автор: Takahashi Kenichi,HORITA Akinobu,OIE Toshiyuki,Ito Aya,SHIMADA Kenji. Владелец: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.. Дата публикации: 2019-02-07.

Wet etching composition for substrate having SiN layer and Si layer and wet etching method using the same

Номер патента: CN108513679B. Автор: 岛田宪司,尾家俊行,高桥健一,堀田明伸,伊藤彩. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-02-07.

Wet etching composition for substrate having SiN layer and Si layer and wet etching method using same

Номер патента: US10689573B2. Автор: Kenji Shimada,Toshiyuki Oie,Kenichi Takahashi,Aya Ito,Akinobu HORITA. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-06-23.

For with SiN layer and Si layers of substrate wet etch composition and use its wet etch process

Номер патента: CN108513679A. Автор: 岛田宪司,尾家俊行,高桥健,高桥健一,堀田明伸,伊藤彩. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2018-09-07.

A Composition for wet etching , and method of wet etching with the same

Номер патента: KR101320416B1. Автор: 임정훈,박재완,이진욱,정찬근. Владелец: 솔브레인 주식회사. Дата публикации: 2013-10-22.

Etching-solution composition and wet etching method using same

Номер патента: WO2013100644A1. Автор: 이창일,임정훈,김현탁,이진욱,송충식. Владелец: 솔브레인 주식회사. Дата публикации: 2013-07-04.

Wet etch chemistry for selective silicon etch

Номер патента: US10676668B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Yu-Wen Wang,Neng-Jye Yang,Kuo Bin HUANG,Shun Wu Lin,Jian-Jou LIAN,Shih Min CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Wet etch patterning of an aluminum nitride film

Номер патента: CA3062002A1. Автор: Dosi Dosev. Владелец: Rosemount Aerospace Inc. Дата публикации: 2020-09-05.

FORMULATIONS FOR WET ETCHING NIPT DURING SILICIDE FABRICATION

Номер патента: US20150162213A1. Автор: Bilodeau Steven M.,Chen Tianniu,Barnes Jeffrey A.,Rajaram Rekha,Cooper Emanuel I.,Boggs Karl E.,Chen Li-Min,Biscotto Mark. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2015-06-11.

Modulated metal removal using localized wet etching

Номер патента: US8530359B2. Автор: Steven T. Mayer,David W. Porter. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2013-09-10.

Ruthenium silicide wet etch

Номер патента: US6498110B2. Автор: Michael T. Andreas,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-24.

Liquid mixture and method for selectively wet etching silicon germanium

Номер патента: US20180277379A1. Автор: Christian Fischer,Dries Dictus. Владелец: LAM RESEARCH AG. Дата публикации: 2018-09-27.

WET ETCH APPARATUS

Номер патента: US20210391189A1. Автор: Liao Han-Wen,LU Hong-Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-16.

Selective metal wet etch composition and process

Номер патента: WO2008061258A2. Автор: William A. Wojtczak,Sian Collins. Владелец: SACHEM, INC.. Дата публикации: 2008-05-22.

Modulated metal removal using localized wet etching

Номер патента: US20100029088A1. Автор: Steven T. Mayer,David W. Porter. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2010-02-04.

A Composition for wet etching

Номер патента: KR101097277B1. Автор: 임정훈,이병일,이진욱,박성환,정찬진. Владелец: 솔브레인 주식회사. Дата публикации: 2011-12-22.

A Composition for Wet Etching to Silicon Nitride

Номер патента: KR101828437B1. Автор: 박화경. Владелец: 주식회사 디엔에스. Дата публикации: 2018-03-29.

Wet etch suitable for creating square cuts in si

Номер патента: US7628932B2. Автор: Whonchee Lee,Janos Fucsko,David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Wet etch suitable for creating square cuts in si and resulting structures

Номер патента: WO2007143072A3. Автор: Whonchee Lee,Janos Fucsko,David H Wells. Владелец: David H Wells. Дата публикации: 2008-02-14.

Composition for wet Etching of polysilicon and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: KR102468776B1. Автор: 김호영,최원상,배상원,백재직. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-11-22.

A Composition for Wet Etching to Silicon Nitride

Номер патента: KR101769349B1. Автор: 박화경. Владелец: (주)제이씨아이. Дата публикации: 2017-08-18.

Selective metal wet etch composition and process

Номер патента: US20080116170A1. Автор: William Wojtczak,Sian Collins. Владелец: Sachem Inc. Дата публикации: 2008-05-22.

Selective NiGe wet etch for transistors with Ge body and/or Ge source/drain extensions

Номер патента: US6703291B1. Автор: Steven Keating,Boyan Boyanov,Anand Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-09.

Ruthenium silicide wet etch

Номер патента: US20020123235A1. Автор: Michael Andreas,Brenda Kraus. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Perforation of insulating films on semiconductor elements - uses ion beam bombardment for material sputtering followed by wet etching

Номер патента: DE2534043A1. Автор: Dietrich Dr Ing Widmann,Leonhard Dr Rer Nat Mader. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1977-02-03.

Ruthenium silicide wet etch

Номер патента: AU2002245516A1. Автор: Michael T. Andreas,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Wet etch patterning of an aluminum nitride film

Номер патента: US10662058B1. Автор: Dosi Dosev. Владелец: Rosemount Aerospace Inc. Дата публикации: 2020-05-26.

A Composition for wet etching with high selectivity to silicon nitride

Номер патента: KR101097275B1. Автор: 임정훈,이병일,이진욱,박성환,정찬진. Владелец: 솔브레인 주식회사. Дата публикации: 2011-12-22.

Self-limiting isotropic wet etching process

Номер патента: US6379573B1. Автор: Eun Sok Kim,Cheol-Hyun Han. Владелец: UNIVERSITY OF HAWAII. Дата публикации: 2002-04-30.

Selective wet etching of metal nitrides

Номер патента: IL186503A0. Автор: . Владелец: Dean Dewulf. Дата публикации: 2008-01-20.

Method and apparatus for wet-etching semiconductor wafers

Номер патента: EP1149411A1. Автор: Dirk M. Knotter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-10-31.

Wet etching method and method of forming semiconductor device using the same

Номер патента: KR102525050B1. Автор: 이진우,김경현,고용선,문창섭,김광수,한훈,김건영,성충기,차세호,송선중. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-04-26.

Wet etching method

Номер патента: KR102099609B1. Автор: 김영선. Владелец: 주식회사 웨트마니아. Дата публикации: 2020-04-10.

Method and apparatus for wet-etching semiconductor wafers

Номер патента: KR100664774B1. Автор: 노터더크엠. Владелец: 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2007-01-04.

Method and apparatus for dynamic control of the temperature of a wet etch process

Номер патента: US20170092550A1. Автор: Antonio Luis Pacheco Rotondaro,Wallace P. Printz. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Method of Wet Etching and Method of Fabricating Semiconductor Device Using the Same

Номер патента: US20180102254A1. Автор: Yongsun Ko,Kwangsu Kim,Jinwoo Lee,Hoon Han,Kyunghyun Kim,Se-Ho Cha,Keonyoung KIM,ChangSup Mun,Choongkee Seong,Sunjoong SONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-12.

Selective wet etching of oxides

Номер патента: CA2608285A1. Автор: William Wojtczak,Sian Collins. Владелец: Sian Collins. Дата публикации: 2006-11-23.

Flowable oxide film with tunable wet etch rate

Номер патента: US8846536B2. Автор: Bart van Schravendijk,Nerissa Draeger,Karena Shannon,Kaihan Ashtiani. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2014-09-30.

Selective Wet Etchings Of Oxides

Номер патента: US20080210900A1. Автор: William Wojtczak,Sian Collins. Владелец: Sachem Inc. Дата публикации: 2008-09-04.

Processing method of performing remove process by wet etching, processing device and computer-readable recording medium thereof

Номер патента: KR101046662B1. Автор: 게일 글렌. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-07-06.

Wet etching chemistry and method of forming semiconductor device using the same

Номер патента: US12046476B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Li-min Chen,Chieh-Yi Shen,Meng-Hsien Li,Ying-Chuen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of forming semiconductor device using wet etching chemistry

Номер патента: US20240339327A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Li-min Chen,Chieh-Yi Shen,Meng-Hsien Li,Ying-Chuen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing semiconductor element that includes wet etching semiconductor layer that includes crystallized two-dimensional layers

Номер патента: US12022690B2. Автор: Hyungjun Kim,Young Jun Kim,Jun Hyung LIM,Ju Sang Park,Whang Je Woo. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for fabricating a semiconductor device using wet etching and dry etching and semiconductor device

Номер патента: US20240318320A1. Автор: Michael Ehmann,Matteo Dainese,Sigrid Wabnig,Hiroshi Narahashi,Saurabh Roy,Johanna Schlaminger,Katharina Teichmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Wet etching chemistry and method of forming semiconductor device using the same

Номер патента: US20230307240A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Li-min Chen,Chieh-Yi Shen,Meng-Hsien Li,Ying-Chuen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for fabricating a semiconductor device using wet etching and dry etching and semiconductor device

Номер патента: US12018387B2. Автор: Michael Ehmann,Matteo Dainese,Sigrid Wabnig,Hiroshi Narahashi,Saurabh Roy,Johanna Schlaminger,Katharina Teichmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-25.

Plasma processing method, plasma etching method and manufacturing method of solid photographic element

Номер патента: TWI245343B. Автор: Seiji Samukawa,Mitsuru Okigawa. Владелец: Seiji Samukawa. Дата публикации: 2005-12-11.

Etching method

Номер патента: US09396962B2. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Keiji Kitagaito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240234097A1. Автор: Atsushi Takahashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Recess etching solution, recess etching method, and surface-treated semiconductor substrate manufacturing method

Номер патента: EP4257727A1. Автор: Toshiyuki Oie,Satoshi Okabe,Po-Hung Wang,Chung-Yi Chen,Tomoyuki Adaniya,Yoshihiro Hommo. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Recess etching solution, recess etching method, and surface-treated semiconductor substrate manufacturing method

Номер патента: US20240047224A1. Автор: Toshiyuki Oie,Satoshi Okabe,Po-Hung Wang,Chung-Yi Chen,Tomoyuki Adaniya,Yoshihiro Hommo. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Photolithographic etching method for nickel oxide

Номер патента: US3677847A. Автор: Alfred E Feuersanger,Lawrence M Harris. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1972-07-18.

Etching device and etching method

Номер патента: US20230335419A1. Автор: Kai-Ming Yang,Cheng-Ta Ko,Pu-Ju Lin,Chin-Sheng Wang,Chia-Yu Peng. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Wet metal-etching method and apparatus used for MEMS

Номер патента: US20110223771A1. Автор: Tao Wang,Xiaolin Han,Zhiming Wu,Yadong Jiang,Weizhi Li. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2011-09-15.

Integration of Ru wet etch and CMP for beol interconnects with Ru layer

Номер патента: US09558997B2. Автор: Kunaljeet Tanwar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

INTEGRATION OF Ru WET ETCH AND CMP FOR BEOL INTERCONNECTS WITH Ru LAYER

Номер патента: US20140187036A1. Автор: Kunaljeet Tanwar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Etching method

Номер патента: US09530671B2. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11764070B2. Автор: Satoshi TODA,Naoki Shindo,Gen You,Haruna Suzuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Plasma etching method

Номер патента: US09449842B2. Автор: Takahiro Abe,Takeshi Shimada,Masato Ishimaru,Makoto Suyama. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Dry etching method

Номер патента: US5880035A. Автор: Seiichi Fukuda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

Etching method

Номер патента: WO2023209982A1. Автор: Kenji Ishikawa,Masaru Hori,Kazunori Shinoda,Hirotaka Hamamura,Thi-Thuy-Nga NGUYEN. Владелец: Hitachi High-Tech Corporation. Дата публикации: 2023-11-02.

Dry etching method of copper or copper alloy interconnection layer employing plasma of an iodine compound

Номер патента: US5240559A. Автор: Tomoaki Ishida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210090898A1. Автор: Satoshi TODA,Naoki Shindo,Ryo Kuwajima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Dry etching method

Номер патента: US20190080928A1. Автор: Lei Zhao,Qingzhao Liu,Jiushi WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Dry etching method

Номер патента: US10468271B2. Автор: Lei Zhao,Qingzhao Liu,Jiushi WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Etching method of glass substrate and wet etching apparatus thereof

Номер патента: US09676661B2. Автор: JIA Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

WET ETCH CHEMISTRY FOR SELECTIVE SILICON ETCH

Номер патента: US20190119570A1. Автор: Wang Yu-Wen,Yeh Ming-Hsi,Lian Jian-Jou,Yang Neng-Jye,Huang Kuo Bin,LIN Shun Wu,CHANG Shih Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-04-25.

WET ETCH CHEMISTRY FOR SELECTIVE SILICON ETCH

Номер патента: US20180171226A1. Автор: Wang Yu-Wen,Yeh Ming-Hsi,Lian Jian-Jou,Yang Neng-Jye,Huang Kuo Bin,LIN Shun Wu,CHANG Shih Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-06-21.

WET ETCHING METHOD

Номер патента: US20220139723A1. Автор: YU Qiao,SUN Tianyang,ZHANG Xiaoshan. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Method, apparatus, and composition for wet etching

Номер патента: KR102049125B1. Автор: 스테판 디터벡. Владелец: 램 리서치 아게. Дата публикации: 2019-11-26.

Etching composition, metal-containing film etching method using the same and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20240318077A1. Автор: Kyuyoung HWANG,Cheol Ham,Mihyun PARK,Sungmin Kim,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Daihyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Etching liquid, kit of same, etching method using same, method for producing semiconductor substrate product, and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US09809746B2. Автор: Atsushi Mizutani,Keeyoung Park,Yasuo Sugishima. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Wet etching device and explosion prevention method thereof

Номер патента: US20180108545A1. Автор: JIA Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Liquid composition used in etching copper- and titanium-containing multilayer film, etching method in which said composition is used, method for manufacturing multilayer-film wiring, and substrate

Номер патента: US09365934B2. Автор: Satoshi Tamai,Kunio Yube,Tomoyuki Adaniya. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Plasma etching method

Номер патента: US20190027368A1. Автор: Go Matsuura. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Dry etching method, and dry etching agent and storage container therefor

Номер патента: US12100600B2. Автор: Shinya Ikeda,Hiroyuki Oomori,Tatsunori Kamida. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Liquid composition and etching method for etching silicon substrate

Номер патента: US9799526B2. Автор: Shuji Koyama,Hirohisa Fujita,Taichi YONEMOTO. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Liquid composition and etching method for etching silicon substrate

Номер патента: US20160020113A1. Автор: Shuji Koyama,Hirohisa Fujita,Taichi YONEMOTO. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Etching method

Номер патента: US20170309478A1. Автор: Nobuhiro Takahashi,Kazuaki Nishimura,Koji Takeya,Junichiro Matsunaga. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Wet etching of silicon containing antireflective coatings

Номер патента: US09418865B2. Автор: John Fitzsimmons,Gregory Nowling. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Wet etching method of silicon oxide layer and method for manufacturing a semiconductor device including the wet etching method

Номер патента: KR100546358B1. Автор: 황인석,고용선,윤병문,이원준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Through-silicon vias and interposers formed by metal-catalyzed wet etching

Номер патента: US09343363B2. Автор: Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: Semprius Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Wet Etching of Silicon Containing Antireflective Coatings

Номер патента: US20150187596A1. Автор: John Fitzsimmons,Gregory Nowling. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Selective wet etching of inorganic antireflective coatings

Номер патента: EP1062691A1. Автор: Lee Whonchee,Kevin James Torek,Bedge Satish. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-27.

Wet etching method of silicon oxide in semiconductor device manufacturing

Номер патента: KR980005731A. Автор: 김대희,윤용혁. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for wet etching oxides and/or insulators

Номер патента: EP1073105A3. Автор: Daniel Scott Marshall,Lucia R. Salem,Harland G. Thompkins. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-09-10.

Wet etching method of silicon oxide film

Номер патента: KR100223768B1. Автор: 김대희,윤용혁. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Al deposition based on ALD2O3Ultrasonic wet etching method as mask

Номер патента: CN111584359A. Автор: 谢浩,陈鑫,戴宁,胡淑红,林虹宇,黄田田. Владелец: Shanghai Institute of Technical Physics of CAS. Дата публикации: 2020-08-25.

Non-selective wet etching method for multilayer material and application thereof

Номер патента: CN112582262B. Автор: 赵润,车相辉,武艳青,姚文港,董风鑫. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2022-10-04.

Anisotropic wet etching method

Номер патента: US6486075B1. Автор: Clifton Walk Draper. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Semiconductor device manufacturing method and wet etching processing apparatus

Номер патента: JP4302131B2. Автор: 和盛 吉野. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-22.

METHOD FOR WET ETCHING OF BLOCK COPOLYMER SELF-ASSEMBLY PATTERN

Номер патента: US20180033638A1. Автор: Yoon Sung Soo,CHOI Eun Young,Park No Jin,Kim Jung Keun,Lee Mi Sook,Ku Se Jin,Lee Je Gwon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2018-02-01.

Methods For Depositing Low K And Low Wet Etch Rate Dielectric Thin Films

Номер патента: US20180040470A1. Автор: Xia Li-Qun,LI NING,Thompson David,Balseanu Mihaela,Saly Mark. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

SYSTEM AND METHOD FOR PERFORMING A WET ETCHING PROCESS

Номер патента: US20160126148A1. Автор: Goldberg David A.,Clark John,TADDEI John,Lawrence Elena,Mauer Laura,Yutkowitz Jonathan,Zwirnmann Eric Kurt. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

Wet Etching of Silicon Containing Antireflective Coatings

Номер патента: US20150187596A1. Автор: Nowling Gregory,Fitzsimmons John. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2015-07-02.

OPERATING METHOD FOR WET ETCHING SYSTEM AND RELATED SYSTEM

Номер патента: US20200203195A1. Автор: Mun Chang Sup,KIM Dong Ha,JEONG Sang Hoon,KIM Tae Heon,KO YONG SUN,SHIM Woo Gwan,YANG Jun Youl,CHA Se Ho. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

MONITORING STRUCTURE AND MONITORING METHOD FOR SILICON WET ETCHING DEPTH

Номер патента: US20140346647A1. Автор: Su Wei,XIA Changfeng,Zhang Xinwei,Fan Chengjian. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD FOR SYNCHRONOUS WET ETCHING PROCESSING OF DIFFERENTIAL MICROSTRUCTURES

Номер патента: US20190355587A1. Автор: GAO JIAN,Chen Xun,Chen Xin,Chen Yun,Liu Qiang,SHI Dachuang,CUI Chengqiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Selective wet etching of inorganic antireflective coatings

Номер патента: KR20010041688A. Автор: 켈빈 제임스 토렉,리 원치,벧지 사티쉬. Владелец: 미크론 테크놀로지 인코포레이티드. Дата публикации: 2001-05-25.

Method for carrying out wet etching on GaAs-based material by utilizing two-step method

Номер патента: CN103531458A. Автор: 刘鹏程,安宁,陈芳,刘国军,魏志鹏,张升云,冯源,周路,郝永芹,单少杰,罗扩郎,何斌太. Владелец: Changchun University of Science and Technology. Дата публикации: 2014-01-22.

Method for reducing silicon damage in silicon oxide wet etching

Номер патента: CN107170665B. Автор: 李阳柏,赵庆鹏. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

Semiconductor device with have silicon facet using wet etch and method for manufacturing same

Номер патента: KR101576529B1. Автор: 신동석,김명선,김동혁,정회성,허정식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-12-11.

Process for wet etching of semiconductor wafers

Номер патента: GB2334374B. Автор: Gerald Wagner,Franz Sumnitsch. Владелец: Sez Ag. Дата публикации: 2002-09-04.

System and method for selectively modifying a wet etch rate in a large area

Номер патента: US7172973B1. Автор: Richard W. Foote,William M. Coppock,Victor M. Torres,Terry Lines. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-02-06.

Process of wet etching of a silicon nitride layer

Номер патента: EP0474482A1. Автор: Yoshio c/o Fujitsu Limited Hirano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-03-11.

Method to minimize wet etch undercuts and provide pore sealing of extreme low k (k<2.5) dielectrics

Номер патента: CN101202227A. Автор: 夏立群,希姆·M·萨德,石美仪,徐惠文,阿米尔·阿尔-巴亚提,德里克·威蒂. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-06-18.

High-pressure annealing and reducing wet etch rates

Номер патента: US10062561B2. Автор: Steven Verhaverbeke,Keith Tatseun WONG,Kurtis S Leschkies. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-08-28.

High pressure annealing and reduced wet etching rate

Номер патента: JP7048596B2. Автор: スティーヴン ヴァハヴェルベク，,カーティス エス． レスキーズ，,キース タットスン ウォン，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-05.

Etching methods, etching apparatus and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20030036285A1. Автор: Takashi Kokubun. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Selective etching method and etching assembly

Номер патента: US20240312790A1. Автор: Eva Tois,Shaoren Deng,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Vincent Vandalon,Viraj Madhiwala. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-19.

Atomic layer etch methods and hardware for patterning applications

Номер патента: US09997371B1. Автор: Adrien Lavoie,Purushottam Kumar,Pulkit Agarwal. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Dry etching method of semiconductor substrate and dry etching method of silicon oxide film

Номер патента: EP4152362A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Selective etching methods and etching assemblies

Номер патента: US20240213033A1. Автор: Yonggyu Han,Shaoren Deng,Marko Tuominen,Kranthi Kumar Vaidyula,Vincent Vandalon,Nadadur Veeraraghavan Srinath. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Etching method

Номер патента: US20100209675A1. Автор: Hsin-Fang Su,Shih-Chang Tsai,Yu-Chung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-19.

Memory device etch methods

Номер патента: US20100120239A1. Автор: Angela T. Hui,Jihwan Choi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Radical generating method, etching method and apparatus for use in these methods

Номер патента: TW200522200A. Автор: Toshio Goto,Masaru Hori,Mikio Nagai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2005-07-01.

Etching methods using silicon-containing hydrofluorocarbons

Номер патента: EP4420154A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-08-28.

Etching method

Номер патента: US09972503B2. Автор: Masanobu Honda,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Etching method

Номер патента: US09837285B2. Автор: Masanobu Honda,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Anisotropic wet etching of silicon

Номер патента: US20070231540A1. Автор: Tomoyasu Aoshima. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

WET ETCHING CONTROL SYSTEM, WET ETCHING MACHINE AND WET ETCHING CONTROL METHOD

Номер патента: US20220076967A1. Автор: Chen Hsin-Hung,Huang Yen-Teng. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

Wet etching device and substrate wet etching method

Номер патента: CN110993529B. Автор: 彭钊. Владелец: TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-26.

Liquid-carrying roller for wet etching and wet etching method

Номер патента: CN112309913A. Автор: 陈斌,卢林,王云露. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Liquid-carrying roller for wet etching and wet etching method

Номер патента: EP4207260A4. Автор: LIN Lu,Bin Chen,Yunlu Wang. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Wet etch apparatus and method for using the same

Номер патента: US20200168480A1. Автор: Han-Wen LIAO,Hong-Ting LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

WET ETCHING MACHINE AND ETCHING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20160343594A1. Автор: WANG Shikai,Kim Dongseob,Li Qianqian,JUNG Jaeyun,LI Shengrong,Liang Yadong,Geng Jun,Li Dengtao. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Wet-etching facility for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: TW451350B. Автор: Seung-Kun Lee,Gyu-Hwan Kwag,Jae-hyung Jung,Young-hwan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-21.

Device for wet etching an edge of a semiconductor disk

Номер патента: TW434733B. Автор: Reinhard Sellmer,Robert Kumnig. Владелец: Sez Semiconduct Equip Zubehoer. Дата публикации: 2001-05-16.

Anisotropic wet etching of silicon

Номер патента: TWI315750B. Автор: Tomoyasu Aoshima. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2009-10-11.

Method for expanding trenches by an anisotropic wet etch

Номер патента: TW471105B. Автор: Dirk Tobben,Alexander Michaelis,Stephan Kudelka. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Anisotropic wet etching of silicon

Номер патента: HK1066099A1. Автор: Tomoyasu Aoshima. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2005-03-11.

A kind of wet etching method

Номер патента: CN109473505A. Автор: 徐乐,孙涌涛,黎剑骑. Владелец: Hengdian Group DMEGC Magnetics Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-15.

Wet etching method

Номер патента: JP4107096B2. Автор: 知保 青島. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2008-06-25.

Wet etching method in which a cleaning liquid container is disposed under a wafer support on which a wafer to be washed is placed to recover washing water flowing down through gaps of the wafer support

Номер патента: TW202107549A. Автор: 松崎栄. Владелец: 日商迪思科股份有限公司. Дата публикации: 2021-02-16.

A kind of wet etching method of p-type HgCdTe composite film contact holes

Номер патента: CN107342219A. Автор: 宁提,陈慧卿. Владелец: CETC 11 Research Institute. Дата публикации: 2017-11-10.

Wet etching method

Номер патента: JP7303688B2. Автор: 栄 松崎. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-07-05.

A kind of wet etching method of InGaP

Номер патента: CN106486355B. Автор: 陈�峰,陈一峰. Владелец: Chengdu Hiwafer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-01.

Wet etching method for silicon semiconductor wafer

Номер патента: JP3070676B2. Автор: 勉 佐藤. Владелец: 直江津電子工業株式会社. Дата публикации: 2000-07-31.

Wet etching method, substrate liquid processing device and memory medium

Номер патента: TWI637436B. Автор: 難波宏光. Владелец: 東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2018-10-01.

System and method for performing a wet etching process

Номер патента: US20180294196A1. Автор: John Clark,David A. Goldberg,Laura Mauer,John Taddei,Eric Kurt ZWIRNMANN,Elena Lawrence,Jonathan YUTKOWITZ. Владелец: Veeco Precision Surface Processing LLC. Дата публикации: 2018-10-11.

Wet etching process for self-assembled pattern of block copolymer

Номер патента: KR101932799B1. Автор: 구세진,김정근,윤성수,최은영,박노진,이제권,이미숙. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2018-12-26.

Apparatus and process for bulk wet etch with leakage protection

Номер патента: US20050118822A1. Автор: Han Feng,Pang Foo,Zhe Wang,Qingxin Zhang. Владелец: Institute of Microelectronics ASTAR. Дата публикации: 2005-06-02.

Novel wet etching agent for II-VI semiconductors and method

Номер патента: CN102668044A. Автор: 裘再明,孙晓光,毛国平,迈克尔·W·本奇. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2012-09-12.

Environmentally green process and composition for cobalt wet etch

Номер патента: US9947547B2. Автор: Cornelius Brown Peethala,Frank W. Mont,Randolph F. Knarr,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Wet etching process, applied to a rotating semiconductor substrate

Номер патента: EP0510965B1. Автор: Yoshimitsu Saito. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-04.

Forming a cavity with a wet etch for backside contact formation

Номер патента: US20220359689A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Andrew Joseph Kelly. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

ENVIRONMENTALLY GREEN PROCESS AND COMPOSITION FOR COBALT WET ETCH

Номер патента: US20180005839A1. Автор: Mont Frank W.,Knarr Randolph F.,Peethala Cornelius Brown,Siddiqui Shariq. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

WET ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20170110344A1. Автор: Xue Dapeng. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Self-Limited, Anisotropic Wet Etching of Transverse Vias in Microfluidic Chips

Номер патента: US20160133517A1. Автор: Delamarche Emmanuel,Eker Bilge,Temiz Yuksel. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Feature Size Reduction in Semiconductor Devices by Selective Wet Etching

Номер патента: US20150170923A1. Автор: Wang Yun,Higuchi Randall J.,Nardi Federico,Huertas Robert A.. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2015-06-18.

WET ETCH APPARATUS AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20200168479A1. Автор: Liao Han-Wen,LU Hong-Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-05-28.

WET ETCH APPARATUS AND METHOD FOR USING THE SAME

Номер патента: US20200168480A1. Автор: Liao Han-Wen,LU Hong-Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-05-28.

Method of Manufacture Using Complementary Conductivity-Selective Wet-Etching Techniques for III-Nitride Materials and Devices

Номер патента: US20200381260A1. Автор: Park Young Jae,Detchprohm Theeradetch,SHEN Shyh-Chiang,Dupuis Russell Dean,Moreno Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

FORMING A CAVITY WITH A WET ETCH FOR BACKSIDE CONTACT FORMATION

Номер патента: US20220359689A1. Автор: Kelly Andrew Joseph,CHEN Yi-Hsiu. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Equipment for monitoring suck-back abnormity of wet etching machine and use method thereof

Номер патента: CN115295443A. Автор: 马强,陈晋,徐友峰,许志远. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-04.

Wet etching apparatus

Номер патента: KR102253286B1. Автор: 노부오 고바야시,요시아키 구로카와,고이치 하마다. Владелец: 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2021-05-20.

Wet etching device

Номер патента: TWI739355B. Автор: 小林信雄,黑川禎明,濱田晃一. Владелец: 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司. Дата публикации: 2021-09-11.

Wet etching process apparatus of semiconductor wafer

Номер патента: KR100196998B1. Автор: 한석빈. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of Fabricating Vertical Structure using Wet Etching

Номер патента: KR101361610B1. Автор: 김용권,김현석,김정무,지창현,방용승. Владелец: 전북대학교산학협력단. Дата публикации: 2014-02-12.

Smith-Purcell Free Electron Laser Device Fabrication Method using Employing Wet Etched Grating

Номер патента: KR101040676B1. Автор: 김정일,전석기,한성태. Владелец: 한국전기연구원. Дата публикации: 2011-06-13.

Apparatus and method for wet etching a wafer-like article

Номер патента: JP4884494B2. Автор: クルト・ランゲン. Владелец: LAM RESEARCH AG. Дата публикации: 2012-02-29.

Wet etching apparatus

Номер патента: KR20160006142A. Автор: 노부오 고바야시,요시아키 구로카와,고이치 하마다. Владелец: 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2016-01-18.

A system and method for performing a wet etching process

Номер патента: WO2016070036A1. Автор: John Clark,David A. Goldberg,Laura Mauer,John Taddei,Elena Lawrence,Eric Kurt ZWIMMANN,Jonathan YUTKOWITZ. Владелец: Veeco Precision Surface Processing LLC. Дата публикации: 2016-05-06.

Novel wet etching agent for ii-vi semiconductors and method

Номер патента: WO2011062835A3. Автор: Guoping Mao,Zai-Ming Qiu,Michael W. Bench,Xiaoguang Sun. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2011-10-06.

Method for wet etching of block copolymer self-assembly pattern

Номер патента: US10153173B2. Автор: Sung Soo Yoon,Jung Keun Kim,No Jin Park,Eun Young Choi,Je Gwon Lee,Se Jin Ku,Mi Sook Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Wet etching and laser-assisted metal foil hole machining method

Номер патента: KR102002968B1. Автор: 김성현,박태원,이은상,최승건,최웅걸,문기창,송우재. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-07-23.

Method of manufacturing photonic crystal bandgap device using wet etching process

Номер патента: KR101339647B1. Автор: 김재홍,허두창,김정일,김근주,전석기. Владелец: 한국전기연구원. Дата публикации: 2013-12-09.

Forming a cavity with a wet etch for backside contact formation

Номер патента: US20220157956A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Andrew Joseph Kelly. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Forming a cavity with a wet etch for backside contact formation

Номер патента: US11942527B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Andrew Joseph Kelly. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Forming a cavity with a wet etch for backside contact formation

Номер патента: US20240194753A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Andrew Joseph Kelly. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Plasma etching method

Номер патента: US20130048599A1. Автор: Masato Ishimaru,Makoto Satake,Makoto Suyama,Yasukiyo Morioka. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Wet-etch process and composition

Номер патента: US5183534A. Автор: Douglas E. Fjare,Allyson J. Beuhler,Cynthia A. Navar. Владелец: BP Corp North America Inc. Дата публикации: 1993-02-02.

Wet-etch process and composition

Номер патента: CA2037490C. Автор: Douglas Eric Fjare,Allyson Jeanne Beuhler,Cynthia Ann Navar. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2002-05-21.

Wet etching composition and method

Номер патента: US11781066B2. Автор: Daniela White,Michael White,Emanuel Cooper,Steven M. Bilodeau,Youngmin Kim. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Etching method of material on basis of silicon with formation of silicon columns and lithium rechargeable battery with anode made from material etched with use of this method

Номер патента: RU2429553C2. Автор: Майно ГРИН,Фенгминг ЛИУ. Владелец: Нексеон Лтд.. Дата публикации: 2011-09-20.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US09882124B2. Автор: Akitaka Shimizu,Eiichi Nishimura,Fumiko Yamashita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Plasma etching method, plasma etching device, plasma processing method, and plasma processing device

Номер патента: US09837251B2. Автор: Naoki Moriguchi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Plasma etching method and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20240038546A1. Автор: Kazuma Matsui,Yuki Oka. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2024-02-01.

WET ETCHING EQUIPMENT AND WET ETCHING METHOD

Номер патента: US20180051378A1. Автор: Xue Dapeng. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

Method for fabricating a semiconductor device using wet etching and dry etching and semiconductor device

Номер патента: EP4033518B1. Автор: Michael Ehmann,Matteo Dainese,Sigrid Wabnig,Hiroshi Narahashi,Saurabh Roy,Johanna Schlaminger,Katharina Teichmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-11-06.

Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing

Номер патента: US8372757B2. Автор: Steven T. Mayer,Eric Webb,David W. Porter. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2013-02-12.

Wet Etching Methods for Copper Removal and Planarization in Semiconductor Processing

Номер патента: US20100015805A1. Автор: Steven T. Mayer,Eric Webb,David W. Porter. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2010-01-21.

Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing

Номер патента: KR20120024844A. Автор: 스티븐 티. 메이어,에릭 웹,데이비드 더블유. 포터. Владелец: 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2012-03-14.

Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing

Номер патента: US9074286B2. Автор: Steven T. Mayer,Eric Webb,David W. Porter. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2015-07-07.

Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing

Номер патента: US9447505B2. Автор: Steven T. Mayer,David W. Porter,Eric G. Webb. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing

Номер патента: WO2011017119A3. Автор: Steven T. Mayer,Eric Webb,David W. Porter. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2011-06-03.

Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing

Номер патента: WO2011017119A2. Автор: Steven T. Mayer,Eric Webb,David W. Porter. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2011-02-10.

Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing

Номер патента: KR101227830B1. Автор: 스티븐 티. 메이어,에릭 웹,데이비드 더블유. 포터. Владелец: 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2013-01-30.

Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing

Номер патента: TW201546329A. Автор: Eric Webb,Steven T Mayer,David W Porter. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2015-12-16.

Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing

Номер патента: KR101622562B1. Автор: 스티븐 티. 메이어,에릭 웹,데이비드 더블유. 포터. Владелец: 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2016-05-19.

Wet etch of titanium-tungsten film

Номер патента: US20040140288A1. Автор: Robert Small,Bakul Patel,Shihying Lee. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2004-07-22.

A method to improve the ashing/wet etch damage resistance and integration stability of low dielectric constant films

Номер патента: CN101316945A. Автор: 希姆·M·萨德,亚历山德罗斯·T·迪莫斯,桑·H·安. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-12-03.

Method to deposit conformal and low wet etch rate encapsulation layer using PECVD

Номер патента: TW201805476A. Автор: 史貴凡迪 巴頓 Ｊ 凡,阿希爾 欣荷,魏鴻吉,毛依莎. Владелец: 蘭姆研究公司. Дата публикации: 2018-02-16.

Method to deposit conformal and low wet etch rate encapsulation layer using pecvd

Номер патента: US20170323785A1. Автор: Bart J. van Schravendijk,Akhil Singhal,Joseph Hung-chi Wei,Yisha Mao. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Methods and compositions for wet etching

Номер патента: US20080041813A1. Автор: Alan Cuthbertson,Isaiah Olatunde Oladeji. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Formulations for wet etching nipt during silicide fabrication

Номер патента: KR102100254B1. Автор: 엠마누엘 아이 쿠퍼,제프리 에이 반스,칼 이 보그스,레카 라자람,티안니우 천,스티븐 엠 빌로도,리-민 천,마크 비스코토. Владелец: 엔테그리스, 아이엔씨.. Дата публикации: 2020-04-13.

Reduced in-feature wet etch rate ratio

Номер патента: KR20230034217A. Автор: 애드리언 라보이,더글라스 월터 애그뉴,엘리 전,프랭크 로렌 파스콸레,어니쉬 굽타,이안 존 커틴. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-03-09.

Wet etching system

Номер патента: US20050241760A1. Автор: Chang-Kuei Huang,Ching-Feng Chen,Chih-Hung Huang,Jung-Lung Huang,Sheng-Chou Gau,Chen-Hsien Ou. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Carrying device, wet etching apparatus and usage method thereof

Номер патента: US20170202091A1. Автор: Zhiyuan Lin,Yinhu HUANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them

Номер патента: EP1258916A1. Автор: Hidenori Takahashi,Teruo c/o Hamamatsu Photonics K.K. TAKAHASHI,Motoyuki C/O Hamamatsu Photonics K.K. Watanabe. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2002-11-20.

Wafer temperature measurement for wet etching bath applications

Номер патента: US20240242987A1. Автор: Zheng Yan,Ivan Maleev,Yaowu Ma,Basanta Bhaduri. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Wet etching apparatus

Номер патента: US20200365423A1. Автор: Jianfeng Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Spray assembly and wet etching device having the same

Номер патента: US09892940B2. Автор: JIA Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

The Apparatus for wet etching

Номер патента: KR100516345B1. Автор: 이동철,김준태,박태규,강순석. Владелец: (주)울텍. Дата публикации: 2005-09-22.

Anisotropic wet etching in patterning

Номер патента: US20230420265A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ming-Chi Huang,Ying-Liang Chuang,Tefu Yeh,Cheng-Chieh TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for increasing capacitance of an HSG rugged capacitor using a phosphine rich oxidation and subsequent wet etch

Номер патента: US5696014A. Автор: Thomas A. Figura. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1997-12-09.

Etching method and bevel etching apparatus

Номер патента: US09623516B2. Автор: Masaki Kondo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Spin etching method for semiconductor wafer

Номер патента: US20090209110A1. Автор: Osamu Nagai,Ayumu Okano. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Display panel, plasma etching method and system

Номер патента: US20210119128A1. Автор: Pengbin ZHANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Ultra-large area scanning reactive ion etching machine and etching method thereof

Номер патента: US20220068617A1. Автор: Xiong Li,Ping Gao,Xiangang Luo,Zeyu ZHAO,Yanqin WANG,Xiaoliang Ma,Yinghui Guo,Mingbo PU. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2022-03-03.

Ultra-large area scanning type reactive ion etching machine and etching method

Номер патента: EP3905310A1. Автор: Xiong Li,Ping Gao,Xiangang Luo,Zeyu ZHAO,Yanqin WANG,Xiaoliang Ma,Yinghui Guo,Mingbo PU. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-03.

Etching method for oxide semiconductor film

Номер патента: US12062548B2. Автор: Tetsuya Tatsumi,Kazuhiro Karahashi,Akiko Hirata,Satoshi Hamaguchi,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09460897B2. Автор: Takayuki Katsunuma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Etching method

Номер патента: US10424491B2. Автор: Yuki TAKANASHI,Noriaki OIKAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-09-24.

Plasma etching method and plasma etching system for carrying out the same

Номер патента: US6159388A. Автор: Shinya Iida,Yasuhiro Horiike,Michihiko Yanagisawa. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-12.

Etching method for use in fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US5798303A. Автор: Darwin A. Clampitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-08-25.

Dry etching method

Номер патента: US20180233376A9. Автор: Yueping Zuo,Yinghai Ma,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Etching method for oxide semiconductor film

Номер патента: US20220122852A1. Автор: Tetsuya Tatsumi,Kazuhiro Karahashi,Akiko Hirata,Satoshi Hamaguchi,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Laser etching apparatus and laser etching method using the same

Номер патента: US20230294209A1. Автор: HeungYeol Na,Jungwoo CHOI,Yoonchul KIM,Seong Jin YEON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Etching method for fabricating semiconductor device structure

Номер патента: US20230418259A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Display panel, plasma etching method and system

Номер патента: US11189797B2. Автор: Pengbin ZHANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Local etching apparatus and local etching method

Номер патента: US20010036741A1. Автор: Michihiko Yanagisawa,Chikai Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Wet etching of samarium selenium for piezoelectric processing

Номер патента: US20200227274A1. Автор: Yu Luo,Paul M. Solomon,Matthew W. Copel,Christine Armstrong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Wet etching of samarium selenium for piezoelectric processing

Номер патента: US20180233378A1. Автор: Yu Luo,Paul M. Solomon,Matthew W. Copel,Christine Armstrong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Wet etching of samarium selenium for piezoelectric processing

Номер патента: US20180205000A1. Автор: Yu Luo,Paul M. Solomon,Matthew W. Copel,Christine Armstrong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

A kind of method of wet-method etching equipment and wet etching

Номер патента: CN106898569A. Автор: 赵德江. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Gate trim process using either wet etch or dry etch approach to target CD for selected transistors

Номер патента: US8409994B2. Автор: Angela T. Hui,Jihwan Choi,Bradley M. Davis. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-04-02.

A kind of wet etching method in multiple layer metal patterning process

Номер патента: CN103681277B. Автор: 韩文胜,缪新海,臧延亮. Владелец: Wuxi CSMC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-03.

Selective wet etching method of silicon

Номер патента: KR100392362B1. Автор: 이진호,조경익,김도형,송윤호,황치선. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2003-07-22.

Method of fabricating ferroelectric integrated circuit using dry and wet etching

Номер патента: EP0951058A2. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Joseph D. Cuchiaro,Akira c/o NEC Corporation Furuya,Yoichi c/o NEC Corporation Miyasaka. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 1999-10-20.

Wet etch and clean chemistries for MoOx

Номер патента: US8906812B2. Автор: Hiroyuki Ode,Wim Deweerd,Kim Van Berkel. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-12-09.

WET ETCHING OF SAMARIUM SELENIUM FOR PIEZOELECTRIC PROCESSING

Номер патента: US20200027749A1. Автор: LUO Yu,Solomon Paul M.,Copel Matthew W.,Armstrong Christine. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

TOP CORNER ROUNDING BY IMPLANT-ENHANCED WET ETCHING

Номер патента: US20150064872A1. Автор: Moll Hans-Peter,LEPPER Marco,Graf Werner. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-03-05.

WET ETCHING OF SAMARIUM SELENIUM FOR PIEZOELECTRIC PROCESSING

Номер патента: US20180233378A1. Автор: LUO Yu,Solomon Paul M.,Copel Matthew W.,Armstrong Christine. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

WET ETCHING OF SAMARIUM SELENIUM FOR PIEZOELECTRIC PROCESSING

Номер патента: US20200227274A1. Автор: LUO Yu,Solomon Paul M.,Copel Matthew W.,Armstrong Christine. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

WET ETCH REMOVAL OF Ru SELECTIVE TO OTHER METALS

Номер патента: US20180323151A1. Автор: Rath David L.,Briggs Benjamin D.,Peethala Cornelius B.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Chemical wet etch removal of underlayer material after performing chemical mechanical polishing on a primary layer

Номер патента: US6211087B1. Автор: Milind Weling,Calvin Gabriel. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2001-04-03.

Wet etching system and method

Номер патента: CN106653659A. Автор: 薛大鹏. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Method of fabricating ferroelectric integrated circuit using dry and wet etching

Номер патента: KR19990083290A. Автор: 후루야아키라,미야사카요이치,쿠치아로조셉디,파즈드아라우조칼로스에이. Владелец: 엔이씨 주식회사. Дата публикации: 1999-11-25.

Wafer-level Au metal film wet etching patterning method

Номер патента: CN112271135B. Автор: 张帅,张伟,刘阳,包星晨,房立峰. Владелец: No 214 Institute of China North Industries Group Corp. Дата публикации: 2023-02-28.

WET ETCH AND CLEAN CHEMISTRIES FOR MoOx

Номер патента: US20120329235A1. Автор: Hiroyuki Ode,Wim Deweerd,Kim Van Berkel. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Etching method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120094445A1. Автор: Shinya Sasagawa,Hiroshi Fujiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Selective thermal etching methods of metal or metal-containing materials for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20230274947A1. Автор: Jean-Marc Girard,Nicolas Blasco,Masato Hirai,Venkateswara R. Pallem,Nicolas Gosset,Megumi ISAJI,Rocio Alejandra Arteaga Muller,Rapheal ROCHAT. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Wet atomic layer etching method and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321805A1. Автор: Wooyoung Kim,Minwoo Rhee,Kyeongbin LIM,Bumki Moon,Seungho Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

A method for wet etching

Номер патента: WO1999043873A1. Автор: Kishore K. Chakravorty. Владелец: Candescent Technologies Corporation. Дата публикации: 1999-09-02.

Electrotechnical steel strip with the oriented structure continuous electrolytic etching method and device for the electrotechnical steel strip with the oriented structure continuous electrolytic etching

Номер патента: RU2676816C1. Автор: Кэндзи МАЦУДА. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-01-11.

Wet etching method for an N-type bifacial cell

Номер патента: US09537037B2. Автор: Chen Zhao,Lei Shi,Fei Zheng,Zhongli RUAN,Zhongwei Zhang,Yuxue ZHAO. Владелец: SHANGHAI SHENZHOU NEW ENERGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

System and method for performing a wet etching process

Номер патента: US09698062B2. Автор: Laura Mauer,John Taddei,Elena Lawrence,Ramey Youssef. Владелец: Veeco Precision Surface Processing LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for Fabricating Silicon Nanowire Field Effect Transistor Based on Wet Etching

Номер патента: US20120302027A1. Автор: Xin Huang,Ru Huang,Yujie Ai,Jiewen Fan,Shuai Sun,Runsheng Wang,Jibin Zou. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-29.

Piezoeletric wet etch process with reduced resist lifting and controlled undercut

Номер патента: US09755139B2. Автор: Xin Li,Neng Jiang,Joel Soman,Thomas Warren Lassiter,Mary Alyssa Drummond Roby,YungShan Chang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Separation method of GaN substrate by wet etching

Номер патента: US09876136B2. Автор: Dong-Seon Lee,Chang Mo KANG,Duk-Jo KONG,Junyoub LEE. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-01-23.

Self-aligned wet etching process

Номер патента: US20130157454A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Kazuaki TAKESAKO,Yu-Ling Huang,Yukihiro Nagai,Chih-Wei Hsiung,Yu-Shan Hsu,Wei-Chih Liu,Wei-Che Chang,Hirotake Fujita,Tomohiro Kadoya,Hsuan-Yu Fang,Meng-Hsien Chen,Chun-Chiao Tseng,Chung-Yung Ai,Chun-Hua Huang,Wen Kuei Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Prevention of backside cracks in semiconductor chips or wafers using backside film or backside wet etch

Номер патента: US20080191322A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Timothy H. Daubenspeck,Christopher D. Muzzy,Wolfgang Sauter,Jerome B. Lasky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-14.

Prevention of backside cracks in semiconductor chips or wafers using backside film or backside wet etch

Номер патента: US20080122037A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Timothy H. Daubenspeck,Christopher D. Muzzy,Wolfgang Sauter,Jerome B. Lasky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Prevention of backside cracks in semiconductor chips or wafers using backside film or backside wet etch

Номер патента: US7989358B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Timothy H. Daubenspeck,Christopher D. Muzzy,Wolfgang Sauter,Jerome B. Lasky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Selective wet etch composition and method

Номер патента: EP4419619A1. Автор: Chia-Jung Hsu,WonLae KIM,Steven A. Lippy,Hyongpyo Hong,Atanu K. DAS,Ming-Chi Liao. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Thin film resistor (TFR) formed in an integrated circuit device using wet etching of a dielectric cap

Номер патента: US11990257B2. Автор: Paul Fest. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Thin film resistor (tfr) formed in an integrated circuit device using wet etching of a dielectric cap

Номер патента: WO2021173197A1. Автор: Paul Fest. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2021-09-02.

Wet etching device and wet etching method

Номер патента: CN1797221A. Автор: 黄荣龙,邱立峰,高胜洲,欧振宪. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2006-07-05.

Via etch method for back contact multijunction solar cells

Номер патента: US10090420B2. Автор: Lan Zhang,Sathya Chary,Ewelina Lucow,Ferran Suarez. Владелец: Solar Junction Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Method of end point detection using a sinusoidal interference signal for a wet etch process

Номер патента: US5956142A. Автор: K. Paul Muller,Klaus Dieter Penner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-09-21.

ETCHING METHOD OF GLASS SUBSTRATE AND WET ETCHING APPARATUS THEREOF

Номер патента: US20170243768A1. Автор: Li Jia. Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-08-24.

Measuring method of etching end point of wet etching equipment

Номер патента: JP2995542B2. Автор: ユン・ズン・ホ. Владелец: エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド. Дата публикации: 1999-12-27.

Method for measuring the etch endpoint of a wet etch apparatus having a container

Номер патента: KR970052177A. Автор: 허윤준. Владелец: Lg 반도체주식회사. Дата публикации: 1997-07-29.

Composite wet etching method of laminated film

Номер патента: JP4181853B2. Автор: 茂 木村,忠宣 上杉. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-11-19.

Combined wet etching method for stacked films

Номер патента: KR100613028B1. Автор: 키무라시게루,우에스기타다노리. Владелец: 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디.. Дата публикации: 2006-08-14.

WET ETCHING DEVICE AND EXPLOSION PREVENTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20180108545A1. Автор: Li Jia. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

METHOD FOR REDUCING THE WET ETCH RATE OF A SIN FILM WITHOUT DAMAGING THE UNDERLYING SUBSTRATE

Номер патента: US20180138405A1. Автор: Hausmann Dennis M.,McKerrow Andrew John. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

Composition for forming resist underlayer film capable of wet etching, containing heterocyclic compound having dicyanostyryl group

Номер патента: TW202113487A. Автор: 遠藤貴文,遠藤勇樹. Владелец: 日商日產化學股份有限公司. Дата публикации: 2021-04-01.

Roll-to-roll substrate transfer apparatus, wet etching apparatus comprising the same and apparatus for manufacturing printed circuit board

Номер патента: KR101204089B1. Автор: 김덕흥. Владелец: 삼성테크윈 주식회사. Дата публикации: 2012-11-22.

Etching method of copper-molybdenum film and array substrate

Номер патента: US11756797B2. Автор: Yuan Mei. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Plasma etching method and apparatus, and method of manufacturing liquid ejection head

Номер патента: US20120175061A1. Автор: Shuji Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Etching method

Номер патента: US20180174859A1. Автор: Jun Zhang,Xufei Xu,Jie Song,Yijun Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Laser etching method for transparent conductive plate and transparent conductive plate prepared thereby

Номер патента: US09496074B2. Автор: Yu-Yang Chang,Shiou-Ming Liu,Yao-Zong Chen,Chien-Rong Lu. Владелец: Nanobit Tech Co ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Multiple etch method for fabricating spacer layers

Номер патента: US20030211697A1. Автор: Hun-Jan Tao,Ming-Huan Tsai,Mei-Ru Kuo,Jw-Wang Hsu,Baw-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-11-13.

Plasma etching method using faraday cage

Номер патента: EP3712927A1. Автор: So Young Choo,Eun Kyu Her,Jeong Ho Park,Bu Gon Shin,Chung Wan Kim,Song Ho Jang,Jung Hwan Yoon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

Plasma etching method using faraday cage

Номер патента: US20200365379A1. Автор: So Young Choo,Eun Kyu Her,Jeong Ho Park,Bu Gon Shin,Chung Wan Kim,Song Ho Jang,Jung Hwan Yoon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Structure production wet etch method and structure production apparatus

Номер патента: US11791151B2. Автор: Fumimasa HIRIKIRI. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Wet etching of thermally or chemically cured polyimide

Номер патента: US4846929A. Автор: Claudius Feger,Gareth G. Hougham,John J. Ritsko,Steven E. Molis,Peter Slota, Jr.,John J. Glenning,Walter P. Pawlowski,Steven L. Bard,Randy W. Snyder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-07-11.

Method for manufacturing conductive pattern layer by two-step wet etching process

Номер патента: TW499505B. Автор: Atsushi Yamamoto. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2002-08-21.

Wet etching method and composition

Номер патента: JP3173730B2. Автор: ダグラス・エリツク・フジヤール,アリソン・ジーン・ビユーラー,シンシア・アン・ナバー. Владелец: ビーピー・アモコ・コーポレイシヨン. Дата публикации: 2001-06-04.

Dry etching methods for reducing fluorocarbon-containing gas emissions

Номер патента: US20240212988A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Tzu-Ming Ou Yang,Yuan-Hao Su. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Dry etching method

Номер патента: US20060108323A1. Автор: Shuichi Okawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Ion beam etching method and ion beam etching apparatus

Номер патента: US09966092B2. Автор: Kiyotaka Sakamoto,Yasushi Kamiya,Hiroshi Akasaka. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Wet etching solution

Номер патента: CN102225874A. Автор: 朴明国,罗贞仁,梁浩锡. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2011-10-26.

Wet-etch process and composition

Номер патента: CA2037490A1. Автор: Douglas Eric Fjare,Allyson Jeanne Beuhler,Cynthia Ann Navar. Владелец: BP Corp North America Inc. Дата публикации: 1992-05-01.

Composition for wet etching of Crystallized ITO

Номер патента: KR101293628B1. Автор: 임정훈,이양화. Владелец: 솔브레인 주식회사. Дата публикации: 2013-08-13.

Spin-on protective coatings for wet-etch processing of microelectronic substrates

Номер патента: KR101189394B1. Автор: 쳉홍 리,킴벌리 에이. 루벤,토니 디. 플레임. Владелец: 브레우어 사이언스 인코포레이션. Дата публикации: 2012-10-11.

Spin-on protective coatings for wet-etch processing of microelectronic substrates

Номер патента: KR101573946B1. Автор: 구 수,킴버리 에이. 예스,토니 디. 프라임. Владелец: 브레우어 사이언스 인코포레이션. Дата публикации: 2015-12-02.

Spin-on protective coatings for wet-etch processing of microelectronic substrates

Номер патента: TW200914522A. Автор: Tony D Flaim,Gu Xu,Kimberly A Yess. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2009-04-01.

Spin-on protective coatings for wet-etch processing of microelectronic substrates

Номер патента: TW200603283A. Автор: Cheng-Hong Li,Tony D Flaim,Kimberly A Ruben. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2006-01-16.

Spin-on protective coatings for wet-etch processing of microelectronic substrates

Номер патента: TWI454523B. Автор: Tony D Flaim,Gu Xu,Kimberly A Yess. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2014-10-01.

Wet etching patterning compositions and methods

Номер патента: WO2015038295A1. Автор: Chaofeng Zou,Erin R. BELL,Liping Guo,Lawrence S. DAHEDL. Владелец: Carestream Health, Inc.. Дата публикации: 2015-03-19.

Wet etching composition and method

Номер патента: EP4041845A1. Автор: Daniela White,Emanuel I. Cooper,Michael White,Steven M. Bilodeau,Youngmin Kim. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2022-08-17.

Wet-etch process and composition

Номер патента: EP0446032B1. Автор: Douglas Eric Fjare,Allyson Jeanne Beuhler,Cynthia Ann Navar. Владелец: BP Corp North America Inc. Дата публикации: 1995-05-24.

Spin-on protective coatings for wet-etch processing of microelectronic substrates

Номер патента: WO2009035866A3. Автор: Tony D Flaim,Gu Xu,Kimberly A Yess. Владелец: Kimberly A Yess. Дата публикации: 2009-05-14.

Wet etching composition and method

Номер патента: EP4041845A4. Автор: Daniela White,Emanuel I. Cooper,Michael White,Steven M. Bilodeau,Youngmin Kim. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20240203694A1. Автор: Masahiro Yamamoto,Masaki Hosono,Kyohei Noguchi,Takuji Sako,Julen AROZAMENA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Plasma etching method

Номер патента: US09960014B2. Автор: Masatoshi Miyake,Nobuyuki Negishi,Ken&#39;etsu Yokogawa,Naoyuki Kofuji,Masami Kamibayashi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240212982A1. Автор: Wakako Ishida,Taihei MATSUHASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Plasma etching method and plasma etching device

Номер патента: US20240096596A1. Автор: Hee Ju Kim,Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Geun Young Yeom,Wonjun CHANG,Soo NAM GOONG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-03-21.

Plasma etching method

Номер патента: US20170084430A1. Автор: Masatoshi Miyake,Nobuyuki Negishi,Ken&#39;etsu Yokogawa,Naoyuki Kofuji,Masami Kamibayashi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240203698A1. Автор: Yoshihide Kihara,Ryo Matsubara,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida,Koki MUKAIYAMA,Takuto Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

MRAM wet etch method

Номер патента: US7258809B2. Автор: Eugene J. O&#39;Sullivan,Daniel Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-21.

Mram wet etch method

Номер патента: US20080156664A1. Автор: Eugene J. O&#39;Sullivan,Daniel Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

MRAM wet etch method

Номер патента: US20060289381A1. Автор: Eugene O&#39;sullivan,Daniel Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Methods of wet etching a self-assembled monolayer patterned substrate and metal patterned articles

Номер патента: EP2446067A1. Автор: Matthew H. Frey,Lijun Zu,Myungchan Kang,Jeffrey H. Tokie. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2012-05-02.

Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them

Номер патента: WO2001084620A1. Автор: Teruo Takahashi,Motoyuki Watanabe. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2001-11-08.

Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them

Номер патента: EP1258916B1. Автор: Hidenori Takahashi,Teruo c/o Hamamatsu Photonics K.K. TAKAHASHI,Motoyuki C/O Hamamatsu Photonics K.K. Watanabe. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-05-21.

Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them

Номер патента: EP1296367A1. Автор: Teruo Takahashi,Motoyuki Watanabe. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2003-03-26.

wet etching apparatus and wet etching method using the same

Номер патента: KR101197194B1. Автор: 이재홍,오민섭. Владелец: 주식회사 엔에스티. Дата публикации: 2012-11-02.

Thickness measuring apparatus, wet etching apparatus using the same, and wet etching method

Номер патента: JP4486217B2. Автор: 輝雄 高橋,元之 渡邉. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2010-06-23.

Wet etching equipment and wet etching method

Номер патента: CN110364421B. Автор: 褚海波. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-25.

WET ETCHING NOZZLE, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT INCLUDING THE SAME, AND WET ETCHING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20150340250A1. Автор: Park Jong-hyuk,LEE Mong-Sup,HAN Dong-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

Ingaas epi structure and wet etch process for enabling iii-v gaa in art trench

Номер патента: EP3238242A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Sanaz K. Gardner,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Nadia M. Rahhal-Orabi,Nancy M. Zelick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Wet etching of the edge and bevel of a silicon wafer

Номер патента: WO2006060752A3. Автор: Herman Itzkowitz,John Taddei. Владелец: John Taddei. Дата публикации: 2009-04-23.

A kind of wet etching gas extraction system and Wet-method etching device

Номер патента: CN106876304A. Автор: 张超,杨晓峰,王彬,李桂,李明晖,吕耀军. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

A kind of wet etching equipment and wet etch process with removable cover

Номер патента: CN110429053A. Автор: 李翔,朱龙,承明忠,顾玲燕,任奕宇. Владелец: Jiangyin Jianghua Microelectronic Material Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-08.

A kind of wet etching exhaust system and Wet-method etching device

Номер патента: CN106876304B. Автор: 张超,杨晓峰,王彬,李桂,李明晖,吕耀军. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-10.

Apparatus for wet etching of insulating glass substrate and method for wet etching the same

Номер патента: KR100551736B1. Автор: 유성열. Владелец: 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사. Дата публикации: 2006-02-13.

Wet Etching Apparatus and the Etching Method Thereof

Номер патента: US20160027669A1. Автор: Li Jia. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd.. Дата публикации: 2016-01-28.

Single-sided high throughput wet etching and wet processing apparatus and method

Номер патента: CA2716131A1. Автор: Ricardo I. Fuentes. Владелец: Materials And Technologies Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Selective anisotropic wet etching of workfunction metal for semiconductor devices

Номер патента: US20080073723A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Brian S. Doyle,Uday Shah,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

A kind of Sb2Te3Thermoelectric film wet etching method

Номер патента: CN105742477B. Автор: 魏涛,魏劲松,周奇军. Владелец: Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS. Дата публикации: 2018-01-12.

WET ETCHING METHOD, SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20180012754A1. Автор: Nanba Hiromitsu. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

Wet etching protection clamp free of damage to wafer

Номер патента: CN105405802A. Автор: 杨青,徐鹏飞. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2016-03-16.

Wafer wet etching cleaning device

Номер патента: CN105185734A. Автор: 姚立新,陈仲武,刘玉倩. Владелец: Beijing Semiconductor Equipment Institute. Дата публикации: 2015-12-23.

Wet etching apparatus for thin plate

Номер патента: KR101102518B1. Автор: 최광명. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2012-01-04.

Shallow trench isolation structures for semiconductor devices including wet etch barriers and methods of fabricating same

Номер патента: US20080290446A1. Автор: Il-young Yoon,Dong-Suk Shin,Yong-kuk Jeong,Jung-Shik HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-27.

APPARATUS FOR WET ETCHING WHILE FORMING INTERCONNECT TRENCH IN INSULATING FILM

Номер патента: US20130233489A1. Автор: IMADA Tadahiro,Nozaki Koji,NAKATA Yoshihiro. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2013-09-12.

ULTRA HIGH-SPEED WET ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20130244442A1. Автор: Ohmi Tadahiro,Ohashi Tomotsugu,Yoshikawa Kazuhiro,Yoshida Tetsuro,Uchimura Teppei,Soeda Kazuki. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-19.

FLOWABLE OXIDE FILM WITH TUNABLE WET ETCH RATE

Номер патента: US20150044882A1. Автор: VAN SCHRAVENDIJK Bart,Draeger Nerissa,Shannon Karena,Ashtiani Kaihan. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

PHOTONICALLY TUNED ETCHANT REACTIVITY FOR WET ETCHING

Номер патента: US20200075358A1. Автор: ABEL Paul,ZANDI Omid. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-03-05.

WET ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20200075359A1. Автор: Lee Jin Woo,CHOI Yong Jun,Kim Seok Hoon,Shin Seung Min,CHA Ji Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

GATE METAL PATTERNING TO AVOID GATE STACK ATTACK DUE TO EXCESSIVE WET ETCHING

Номер патента: US20200083051A1. Автор: Reznicek Alexander,Wang Junli,Mochizuki Shogo,Rubin Joshua. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

INTEGRATION OF Ru WET ETCH AND CMP FOR BEOL INTERCONNECTS WITH Ru LAYER

Номер патента: US20140187036A1. Автор: Tanwar Kunaljeet. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-07-03.

HIGH-PRESSURE ANNEALING AND REDUCING WET ETCH RATES

Номер патента: US20180122630A1. Автор: Verhaverbeke Steven,WONG Keith Tatseun,Leschkies Kurtis S.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-05-03.

METHOD OF DEPOSITING A LOW-TEMPERATURE, NO-DAMAGE HDP SIC-LIKE FILM WITH HIGH WET ETCH RESISTANCE

Номер патента: US20150140833A1. Автор: Ingle Nitin,Mallick Abhijit Basu,Thadani Kiran V.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

SPRAY ASSEMBLY AND WET ETCHING DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20170140950A1. Автор: Li Jia. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

DRY AND WET ETCH RESISTANCE FOR ATOMIC LAYER DEPOSITED TIO2 FOR SIT SPACER APPLICATION

Номер патента: US20190148140A1. Автор: Peethala Cornelius Brown,De Silva Ekmini A.,Arceo de la Pena Abraham. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Through-Silicon Vias and Interposers Formed by Metal-Catalyzed Wet Etching

Номер патента: US20140264937A1. Автор: Bower Christopher,MEITL Matthew. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

WET ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140290859A1. Автор: KOBAYASHI Nobuo,HAMADA Koichi,KUROKAWA Yoshiaki. Владелец: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-02.

Gate metal patterning to avoid gate stack attack due to excessive wet etching

Номер патента: US20190237336A1. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Joshua Rubin,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

INGAAS EPI STRUCTURE AND WET ETCH PROCESS FOR ENABLING III-V GAA IN ART TRENCH

Номер патента: US20170263706A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Zelick Nancy M.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Murthy Anand S.,Mohapatra Chandra S.,Rahhal-Orabi Nadia M.,GARDNER Sanaz K.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

SYSTEM FOR WET ETCHING

Номер патента: US20160365259A1. Автор: WANG Shikai,LIU Xiaoning,Kim Dongseob,JUNG Jaeyun,Geng Jun,Li Dengtao,LIANG Xuanqi,HUANG Tengfei. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

WET ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20200365423A1. Автор: Chen Jianfeng. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Method of manufacture enhancement mode semiconductor probe using anisotropic wet etching and side-wall, and an information storage device using thereof

Номер патента: KR100842923B1. Автор: 김종필,고형수,박병국,홍승범,박철민,최우영,송재영,김상완. Владелец: 재단법인서울대학교산학협력재단. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor substrates drying method using surfactants in supercritical carbon dioxide after wet etching

Номер патента: KR100875586B1. Автор: 이민영,도경민,정재목,임권택. Владелец: 부경대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-12-23.

A heater for wet etching

Номер патента: KR100660935B1. Автор: 곽성재. Владелец: 곽성재. Дата публикации: 2006-12-26.

Wet etch system with overflow particle removing feature

Номер патента: US6752897B2. Автор: Ruei-Hung Jang,Chih-Lin Ying,Tien-Hsing Woo,Tsung-Chi Hsieh,Shih-Shiung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-06-22.

Light emitting diode manufacturing method capable of using wet etching to carry out substrate peeling

Номер патента: CN105047769A. Автор: 其他发明人请求不公开姓名,李政鸿,林兓兓,徐志波. Владелец: Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-11.

Metal wet etching end point monitoring method and device thereof

Номер патента: CN105575846A. Автор: 叶江波. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-11.

Acid groove type wet etching process

Номер патента: CN109560025B. Автор: 孙兴. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-02.

Wet etching of the edge and bevel of a silicon wafer

Номер патента: WO2009014587A1. Автор: Herman Itzkowitz. Владелец: Solid State Equiptment Corp.. Дата публикации: 2009-01-29.

Silicon chip wet-etching technique

Номер патента: CN107946216A. Автор: 刘强,陈五奎,徐文州. Владелец: Leshan Topraycell Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-20.

Spraying module and wet-etching device provided with same

Номер патента: CN104888996A. Автор: 李嘉. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-09.

Semiconductor device manufacturing by sequential ion and wet etchings prior to lift-off metallization

Номер патента: US4757033A. Автор: Toshiki Ebata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1988-07-12.

A kind of wafer wet etching system

Номер патента: CN108682639A. Автор: 陈涛,王康. Владелец: 陈涛. Дата публикации: 2018-10-19.

Gate metal patterning to avoid gate stack attack due to excessive wet etching

Номер патента: US10573521B2. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Joshua Rubin,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Wet etching equipment

Номер патента: KR970002736U. Автор: 이창희. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1997-01-24.

Wet etching chemicals reactive tank

Номер патента: CN107527844A. Автор: 蒋阳波,万先进,吴关平,汪亚军,张静平,吴良辉. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-29.

Wet etching fixture

Номер патента: WO2022217820A1. Автор: 廖洪钢,邓俊先,江友红. Владелец: 厦门大学. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor wet-etching device

Номер патента: KR970003682Y1. Автор: 김상권. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-04-23.

Manufacturing Method of Photonic Crystal Passive Device using Wet Etching

Номер патента: KR101011681B1. Автор: 박시현,김정일,손채화,김근주,전석기,진윤식. Владелец: 한국전기연구원. Дата публикации: 2011-01-31.

A kind of method cleaned after rinse bath and wet etching silicon oxynitride

Номер патента: CN110233126A. Автор: 吴军,王益,黄乐. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-13.

Temperature control protection system for heater of wet etching tool

Номер патента: TW449895B. Автор: Duo-Yau Shiu,Guo-Cheng Jang,Jr-Shian Shen,Jia-Shing Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-08-11.

Jig for wet etching

Номер патента: CN102859663B. Автор: 西本阳一郎. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-06-10.

Method for using a wet etch to manufacturing a semiconductor device having a silicided gate electrode and a method for manufacturing an integrated circuit including the same

Номер патента: US7157358B2. Автор: Lindsey Hall,Haowen Bu,Shaofeng Yu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-01-02.

Selective wet etch process for CMOS ICs having embedded strain inducing regions and integrated circuits therefrom

Номер патента: US7943456B2. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

A kind of feeding device of wet etching

Номер патента: CN107919307A. Автор: 刘勇,刘志锋,林建伟,季根华,何大娟. Владелец: Taizhou Zhonglai Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

A heater for wet etching

Номер патента: KR20060125198A. Автор: 곽성재. Владелец: 곽성재. Дата публикации: 2006-12-06.

Overflow groove structure of wet etching cleaning mechanism

Номер патента: CN112058774A. Автор: 罗永胜. Владелец: Taizhou Laolin Decoration Co ltd. Дата публикации: 2020-12-11.

Method to improve wet etch budget in feol integration

Номер патента: US20110081765A1. Автор: Sanjay Mehta,Jason E. Cummings,David V. Horak,Hemanth Jagannathan,Balasubramanian S. Haran,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Wet etching of the edge and bevel of a silicon wafer

Номер патента: WO2006060752A2. Автор: Herman Itzkowitz,John Taddei. Владелец: Solid State Equipment Corporation. Дата публикации: 2006-06-08.

Process Equipment for Wet etching

Номер патента: KR100442452B1. Автор: 노병태. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2004-07-30.

Pattern formation method, pattern, and etching method, electronic device manufacturing method, and electronic device using same

Номер патента: US09880472B2. Автор: Keita Kato,Ryosuke Ueba. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Pattern formation method, etching method, electronic device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: US09810981B2. Автор: Keita Kato,Tsukasa Yamanaka,Naoya Iguchi,Michihiro Shirakawa,Naohiro Tango,Ryosuke Ueba. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Etching adhesive tape, method of manufacturing the same and etching method

Номер патента: US09909037B2. Автор: Ming Zhang,Jing Wang,Min He,Xiaodong Xie. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Wet etching method

Номер патента: JP2002505499A. Автор: カイショア、ケイ．チャクラボーティー. Владелец: Candescent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-02-19.

Patterning of organic film by wet etching process

Номер патента: US20210399206A1. Автор: Yi-Fan Su,Wei Hsiang Weng,Min-Lun Yang,Shaojui Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Manufacturing method of array substrate using dry etching processing and wet etching processing, array substrate and display device

Номер патента: US11469253B2. Автор: Yinhu HUANG,Binbin CAO,Chengshao Yang,Haijiao QIAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Surface functionalization of sinx thin film by wet etching for improved adhesion of metal-dielectric for hsio

Номер патента: US20230317614A1. Автор: Yi Yang,Rahul N. Manepalli,Suddhasattwa NAD,Marcel WALL,Benjamin DUONG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Wet etching method, micro movable element manufacturing method, and micro movable element

Номер патента: JP4504237B2. Автор: 知史 上田,トエン アン グエン,忠司 中谷,岳明 島内,雅彦 今井. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-07-14.

Wet Etching Method for an N-type Bifacial Cell

Номер патента: US20160329451A1. Автор: Shi Lei,Zhao Chen,ZHANG Zhongwei,Zheng Fei,Ruan Zhongli,Zhao Yuxue. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

N-type double-sided battery wet etching method

Номер патента: JP6553731B2. Автор: ジュヨン、フェイ,ジャーン、ジョーンウェイ,シー、レイ,ルワン、ジョーンリー,ジャオ、チェン,ジャオ、ユイシュエ. Владелец: 上海神舟新能源▲発▼展有限公司. Дата публикации: 2019-07-31.

Wet etching method for an N-type bifacial cell

Номер патента: AU2015323848A1. Автор: Chen Zhao,Lei Shi,Fei Zheng,Zhongli RUAN,Zhongwei Zhang,Yuxue ZHAO. Владелец: SHANGHAI SHENZHOU NEW ENERGY DEV CO Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Wet etching method for N-type double-sided battery

Номер патента: CN105576074A. Автор: 石磊,郑飞,赵晨,张忠卫,阮忠立,赵钰雪. Владелец: SHANGHAI SHENZHOU NEW ENERGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-11.

End detection method in wet etching course

Номер патента: CN1127660C. Автор: 卡尔·P·马勒,克劳斯·D·彭纳. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-11-12.

SELECTIVE WET ETCHING OF HAFNIUM ALUMINUM OXIDE FILMS

Номер патента: US20140103498A1. Автор: Yang Yi,Raghu Prashant. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-04-17.

SEPARATION METHOD OF GaN SUBSTRATE BY WET ETCHING

Номер патента: US20150050762A1. Автор: Kang Chang Mo,Lee Dong-Seon,KONG Duk-Jo,LEE Junyoub. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

SYSTEM AND METHOD FOR PERFORMING A WET ETCHING PROCESS

Номер патента: US20140242731A1. Автор: TADDEI John,Lawrence Elena,Mauer Laura,Youssef Ramey. Владелец: Solid State Equipment LLC. Дата публикации: 2014-08-28.

WET ETCHING OF SAMARIUM SELENIUM FOR PIEZOELECTRIC PROCESSING

Номер патента: US20180205000A1. Автор: LUO Yu,Solomon Paul M.,Copel Matthew W.,Armstrong Christine. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Piezoeletric wet etch process with reduced resist lifting and controlled undercut

Номер патента: US20170338401A1. Автор: Xin Li,Neng Jiang,Joel Soman,Thomas Warren Lassiter,Mary Alyssa Drummond Roby,YungShan Chang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

PIEZOELETRIC WET ETCH PROCESS WITH REDUCED RESIST LIFTING AND CONTROLLED UNDERCUT

Номер патента: US20150380637A1. Автор: Li Xin,Jiang Neng,Soman Joel,Lassiter Thomas Warren,Roby Mary Alyssa Drummond,Chang YungShan. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2015-12-31.

A process for producing amorphous silicon solar cells by wet etching holes or trenches through backside electrodes and amorphous silicon

Номер патента: DE4230338B4. Автор: Takayuki Mizumura,Kenji Sumoto Sawada,Naoki Sumoto Kojima,Yasuyoshi Sumoto Kawanishi,Masatoshi Sumoto Otsuki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Method of formation of self-aligned source/drain and ultra-short gate length with wet etching

Номер патента: KR102437939B1. Автор: 이정희,김은진,강승현,김정길. Владелец: 경북대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-08-30.

Process for manufacturing a semiconductor diode by dry and wet etching

Номер патента: FR3127072A1. Автор: Bertrand Szelag,Laetitia ADELMINI. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-03-17.

Quantum dot single photon source and wet etching preparation method of microlens array thereof

Номер патента: CN111403567A. Автор: 陈瑶,牛智川,李叔伦,倪海桥,尚向军. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2020-07-10.

Ic having dielectric polymeric coated protruding features having wet etched exposed tips

Номер патента: US20110291263A1. Автор: Jeffrey A. West. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Preparation method for wet etching type oxide thin film transistor and prepared thin film transistor

Номер патента: CN105321827A. Автор: 肖鹏,彭俊彪,兰林锋. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2016-02-10.

Method of forming tiny silicon nitride spacer for flash EPROM by fully wet etching technology

Номер патента: US6908813B2. Автор: Tsung-Chi Hsieh,Yuan-ko Hwang,Hung-Hsin Liu,Kuei-Jen Chang,Shih Chiung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-06-21.

Process for the wet etching of a pyramidal texture on silicium surfaces

Номер патента: EP0944114A3. Автор: Konstantin Holdermann. Владелец: Siemens Solar GmbH. Дата публикации: 2000-02-23.

Self-limited, anisotropic wet etching of transverse vias in microfluidic chips

Номер патента: US9917148B2. Автор: Emmanuel Delamarche,Yuksel Temiz,Bilge Eker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Polycrystalline Silicon Wet Etch Solution

Номер патента: KR950019922A. Автор: 우상호. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-07-24.

Separation method of GaN substrate using wet etching

Номер патента: KR101471621B1. Автор: 강창모,이동선,이준엽,공득조. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2014-12-11.

Method for manufacturing solar cell through poor piece generated after wet etching of monocrystalline silicon piece

Номер патента: CN103715306A. Автор: 杨建国,张东,田娜,周莹,郑会刚,殷国安. Владелец: JULI NEW ENERGY CO Ltd. Дата публикации: 2014-04-09.

AlGaN photoelectric cathode based on Ag nano particle catalysis wet etching

Номер патента: CN104835865A. Автор: 陈亮,金尚忠,沈洋,徐珍宝,周占春,苏玲爱,董艳燕. Владелец: China Jiliang University. Дата публикации: 2015-08-12.

Water squeezing roller for wet etching

Номер патента: CN108574024B. Автор: 宋飞飞,吴挺,邓刚,董方,张向斌. Владелец: Hengdian Group DMEGC Magnetics Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Method of end point detection for a wet etch process

Номер патента: TW401508B. Автор: Karl Paul Muller,Klaus Dieter Penner. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2000-08-11.

Process for manufacturing a semiconductor diode by dry and wet etching

Номер патента: FR3127072B1. Автор: Bertrand Szelag,Laetitia ADELMINI. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-08-04.

A system and method for performing a wet etching process

Номер патента: SG11201506667WA. Автор: Laura Mauer,John Taddei,Elena Lawrence,Ramey Youssef. Владелец: Veeco Prec Surface Proc Llc. Дата публикации: 2015-09-29.

Wafer clamping apparatus for wet etching

Номер патента: TWI220289B. Автор: Bing-Yue Tsui,Peter Pan,Yang-Shih Hsu,Masaki Nomiyama,Chun-Chi Ma. Владелец: Grand Plastic Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-11.

Etching method for manufacturing substrate structure having thick electrically conductive layer, and substrate structure having thick electrically conductive layer

Номер патента: US11895778B2. Автор: Tze-Yang Yeh,Shih-Hsi Tai,Tung-Ho Tao. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Etching method for manufacturing substrate structure having thick electrically conductive layer, and substrate structure having thick electrically conductive layer

Номер патента: US20230199969A1. Автор: Tze-Yang Yeh,Shih-Hsi Tai,Tung-Ho Tao. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Plasma etching method

Номер патента: US8293127B1. Автор: Joseph F. Rypl. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Copper etching method for manufacturing circuit board

Номер патента: US20160262269A1. Автор: Ting-Hao Lin,Chiao-Cheng Chang,yi-nong Lin. Владелец: Kinsus Interconnect Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Etching method

Номер патента: US9332647B2. Автор: Norikazu Nakamura. Владелец: MIMAKI ENGINEERING CO LTD. Дата публикации: 2016-05-03.

Etching method

Номер патента: US20150305165A1. Автор: Norikazu Nakamura. Владелец: MIMAKI ENGINEERING CO LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

Method of wet etching, method of manufacturing micro moving element, and micro moving element

Номер патента: KR100737308B1. Автор: 사토시 우에다,투안 응구옌 안,다다시 나카타니,다케아키 시마노우치,마사히코 이마이. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-07-09.

Micro movable device and method of making the same using wet etching

Номер патента: US7540968B2. Автор: Satoshi Ueda,Tadashi Nakatani,Masahiko Imai,Takeaki Shimanouchi,Anh Tuan Nguyen. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-06-02.

Wet etching

Номер патента: JPH01145816A. Автор: Koji Ueda,Fumitoshi Yamashita,文敏 山下,Sunao Hashimoto,浩司 植田,直 橋本. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1989-06-07.

Method of fabricating capillary discharge plasma display panel using combination of laser and wet etchings

Номер патента: WO2002041351A3. Автор: Steven Kim,Young-Joon Lee,Geun-Young Yeom,Sooho Park. Владелец: Sooho Park. Дата публикации: 2003-04-17.

Methods for wet etching of noble metals

Номер патента: WO2024107260A1. Автор: Paul Abel. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Etching method for making fluid bearings

Номер патента: US6905617B2. Автор: Hung-Kuang Hsu,Kuang-Hsien Chang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-06-14.

Etching method for making fluid bearings

Номер патента: US20040060905A1. Автор: Hung-Kuang Hsu,Kuang-Hsien Chang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-04-01.

Multi-stage resin surface etching method, and plating method on resin using same

Номер патента: EP3633066A1. Автор: Hiroshi Ishizuka,Miyoko IZUMITANI,Yasuyuki Kuramochi. Владелец: JCU Corp. Дата публикации: 2020-04-08.

Photomask etching method for chemical vapor deposition film

Номер патента: US20110027719A1. Автор: Pei-Chang Wang. Владелец: United Radiant Tech Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A3. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-07-20.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A2. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-05-11.

Reactive ion beam etching method and a thin film head fabricated using the method

Номер патента: AU4047500A. Автор: Boris L. Druz,Danielle S. Hines,John F. Londono,Kurt E. Williams. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2000-10-16.

Methods of continuously wet etching a patterned substrate

Номер патента: WO2013048834A1. Автор: Jeffrey H. Tokie. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2013-04-04.

Methods of wet etching a self-assembled monolayer patterned substrate and metal patterned articles

Номер патента: US20120082825A1. Автор: Matthew H. Frey,Lijun Zu,Myungchan Kang,Jeffrey H. Tokie. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2012-04-05.

Methods of continuously wet etching a patterned substrate

Номер патента: KR101999871B1. Автор: 리준 주,조셉 더블유 브이 우디,크리스틴 이 모란,제프리 에이치 토키,토마스 엠 린치,다니엘 엠 렌츠,로버트 에스 데이빗슨. Владелец: 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니. Дата публикации: 2019-10-01.

Methods of continuously wet etching a patterned substrate

Номер патента: EP2761059A1. Автор: Robert S. Davidson,Daniel M. Lentz,Lijun Zu,Cristin E. Moran,Jeffrey H. Tokie,Thomas M. Lynch,Joseph W. V. WODDY. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2014-08-06.

Wet etching solution composition, wet etching method of glass, and patterned glass by the wet etching method

Номер патента: US20240045108A1. Автор: Katsushi Igarashi,Sang-Ro Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-08.

Electro-etching method for an area-selective treatment of a substrate

Номер патента: WO2024153798A1. Автор: Harald Okorn-Schmidt,Herbert Ötzlinger,Marianne KOLITSCH-MATALN,Manuel REICHENPFADER,Alexander PÖCHEIM. Владелец: Semsysco GmbH. Дата публикации: 2024-07-25.

Electro-etching method for an area-selective treatment of a substrate

Номер патента: EP4403676A1. Автор: Harald Okorn-Schmidt,Herbert Ötzlinger,Marianne KOLITSCH-MATALN,Manuel REICHENPFADER,Alexander PÖCHEIM. Владелец: Semsysco GmbH. Дата публикации: 2024-07-24.

Resin composition, anti-etching layer and etching method

Номер патента: US20230212414A1. Автор: Hui-Ju Chen,Yu-Ning Chen,Shao-Li Ho,Jia Jheng Lin. Владелец: Echem Solutions Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Composite structure made of titanium and/or a titanium alloy and/or niti and a polymer, and electrochemical etching method for producing same

Номер патента: US20240208180A1. Автор: Rainer Adelung,Melike Baytekin-Gerngroß,Mark-Daniel Gerngroß,Juergen Carstensen. Владелец: Christian Albrechts Universitatet Zu Kiel. Дата публикации: 2024-06-27.

Wet etching apparatus and method thereof

Номер патента: CN102315092A. Автор: 郑文达. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-11.

Wet etching apparatus and method thereof

Номер патента: CN102315092B. Автор: 郑文达. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-31.

Process flow with wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: US20220082756A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

On-chip diffraction grating prepared by crystallographic wet-etch

Номер патента: US20150185377A1. Автор: YUN-CHUNG Na,John Heck,Haisheng Rong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Process flow with pre-biased mask and wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: WO2024129761A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics, Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Process flow with pre-biased mask and wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: US11782211B2. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Assembly of 2-dimensional matrix of optical transmitter or receiver based on wet etched silicon interposer

Номер патента: WO2019048653A1. Автор: Chenhui Li,Oded Raz,Ripalta Stabile. Владелец: Technische Universiteit Eindhoven. Дата публикации: 2019-03-14.

Assembly of 2-dimensional matrix of optical transmitter or receiver based on wet etched silicon interposer

Номер патента: EP3679412A1. Автор: Chenhui Li,Oded Raz,Ripalta Stabile. Владелец: Eindhoven Technical University. Дата публикации: 2020-07-15.

Process flow with wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: EP4214796A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Ink jet etching method and ink jet printing system

Номер патента: US09574301B2. Автор: Kazuhiko Kitamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

A laser etching method for mems probes

Номер патента: US20240001485A1. Автор: Ming Zhou,Haichao Yu. Владелец: Maxone Semiconductor Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Etching method and method of manufacturing liquid discharge head substrate

Номер патента: US20160039206A1. Автор: Yuzuru Ishida,Takashi Usui,Toshiyasu Sakai,Hisanori Hosaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Anodic etching method for the detection of electrically active defects in silicon

Номер патента: CA1069221A. Автор: Robert O. Schwenker,Michael R. Poponiak,John L. Deines. Владелец: John L. Deines. Дата публикации: 1980-01-01.

Etching method employing positive photoresist film

Номер патента: US4686173A. Автор: Jun Kanamori,Mamoru Yokoyama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1987-08-11.

Apparatus For Wet Etching

Номер патента: KR100516849B1. Автор: 김영관,고경완. Владелец: 고경완. Дата публикации: 2005-09-27.

Methods of Continuously Wet Etching A Patterned Substrate

Номер патента: US20140231381A1. Автор: Davidson Robert S.,Zu Lijun,Tokie Jeffrey H.,Moran Cristin E.,WOODY,V Joseph W.,Lentz Daniel M.,Lynch Thomas M.. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-21.

CARRYING DEVICE, WET ETCHING APPARATUS AND USAGE METHOD THEREOF

Номер патента: US20170202091A1. Автор: LIN ZHIYUAN,Huang Yinhu. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

Organic transistor element, and method of manufacturing the same by concurrently doping an organic semiconductor layer and wet etching an electrode provided on the organic semiconductor layer

Номер патента: US8431448B2. Автор: Kenji Nakamura,Hiroyuki Endoh,Katsunari Obata,Takuya Hata. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2013-04-30.

Method for manufacturing sheet-type heating element for wet etching using polymeric ptc constant heating ink

Номер патента: WO2017007082A1. Автор: 임기현,노치우. Владелец: 엔디티엔지니어링(주). Дата публикации: 2017-01-12.

Out-Coupling Enhanced Organic Light Emitting Devices by the Wet-Etching of Transparent Conducting Layer and method of the OLED

Номер патента: KR101428790B1. Автор: 오민철,장지향. Владелец: 부산대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-08-08.

Production process of electronic component using wet etching, electronic component, and suspension for hard disk

Номер патента: US20030052078A1. Автор: Hiroshi Yagi,Katsuya Sakayori,Shigeki Kawano,Hiroko Amasaki,Terutoshi Momose,Tomoko Togashi,Michiaki Uchiyama. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2003-03-20.

ETCHING LIQUID STORAGE APPARATUS AND A WET ETCHING DEVICE

Номер патента: US20150367286A1. Автор: LI Liangliang,LIU Yao,Guo Zongjie,DING Xiangqian,BAI Jinchao. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

WET ETCHING METHODS FOR COPPER REMOVAL AND PLANARIZATION IN SEMICONDUCTOR PROCESSING

Номер патента: US20130207030A1. Автор: PORTER David W.,Mayer Steven T.,Webb Eric. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

WET ETCHING METHODS FOR COPPER REMOVAL AND PLANARIZATION IN SEMICONDUCTOR PROCESSING

Номер патента: US20150267306A1. Автор: PORTER David W.,Mayer Steven T.,Webb Eric G.. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

WET ETCHING PATTERNING COMPOSITIONS AND METHODS

Номер патента: US20150069011A1. Автор: GUO LIPING,Zou Chaofeng,Bell Erin R.,Dahedl Lawrence S.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

Wet etching solution having high selectivity for silicon oxide

Номер патента: KR101057155B1. Автор: 라정인,박명국,양호석. Владелец: 제일모직주식회사. Дата публикации: 2011-08-16.

A Composition for wet etching of silicon dioxide

Номер патента: KR101094663B1. Автор: 임정훈,김대현,박성환,유창진. Владелец: 솔브레인 주식회사. Дата публикации: 2011-12-20.

Process for wet etching of binder phase and method for recovering waste liquid thereof

Номер патента: CN112011781A. Автор: 孙思叡. Владелец: SHANGHAI NAGOYA PRECISION TOOLS Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

A Composition for wet etching of silicon nitride or silicon oxide

Номер патента: KR101391605B1. Автор: 임정훈,박재완,이진욱,이양화. Владелец: 솔브레인 주식회사. Дата публикации: 2014-05-08.

Process for wet etching binding phase and method for recovering waste liquid therefrom

Номер патента: WO2020238342A1. Автор: 孙思叡. Владелец: 上海名古屋精密工具股份有限公司. Дата публикации: 2020-12-03.

Etching composition for titanium-containing layer, etching method of etching titanium-containing layer, and method of manufacturing semiconductor device using the etching composition

Номер патента: EP4421148A1. Автор: Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Cheol Ham,Byoungki CHOI,Sungmin Kim,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Minjae Sung,Gayoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Wet etching solution composition, wet etching method for glass, and glass patterned by wet etching method

Номер патента: TW202317497A. Автор: 李相老,五十嵐克史. Владелец: 五十嵐克史. Дата публикации: 2023-05-01.

ETCHING METHOD OF GLASS SUBSTRATE AND WET ETCHING APPARATUS THEREOF

Номер патента: US20160236973A1. Автор: Li Jia. Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2016-08-18.

Positive-type photosensitive resin composition, cured film and manufacturing method thereof, pattern, mems structure manufacturing method, dry and wet etching method

Номер патента: CN103019034B. Автор: 米泽裕之,下野胜弘. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-05-24.

Siloxane resin-based anti-reflective coating composition having high wet etch rate

Номер патента: KR101156200B1. Автор: 비안시아오 종,에릭 에스. 모이어. Владелец: 다우 코닝 코포레이션. Дата публикации: 2012-06-18.

A method of wet etching for cross section of ultra-thin glass

Номер патента: KR102222715B1. Автор: 구본기. Владелец: 주식회사 도우인시스. Дата публикации: 2021-03-04.

Technology for preparing optical fiber end face micro-lens array based on femtosecond laser assisted wet etching

Номер патента: CN114815066A. Автор: 梁磊,李正勇,涂彬. Владелец: Zhongshan Jingliang Optoelectronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-07-29.

Waste liquid storage device and wet etching system

Номер патента: WO2019033307A1. Автор: 曹飞,徐蕊,钟仁聪. Владелец: 深圳市柔宇科技有限公司. Дата публикации: 2019-02-21.

METHOD FOR FORMING ZnO NANOWIRES PATTERNED SELECTIVELY ON SUBSTRATE VIA WET ETCHING

Номер патента: KR101090398B1. Автор: 최영진,배준호,심이레. Владелец: 명지대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-12-06.

Method for preparing dielectric layer based on anisotropic wet etching, dielectric layer and flexible pressure sensor

Номер патента: CN111122018A. Автор: 邹强,雷志明. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-05-08.

Method of laser processing for drilling a hole in a glass substrate with wet etching process

Номер патента: EP3406393B1. Автор: Yasushi Ito,Kaori TATEISHI. Владелец: Via Mechanics Ltd. Дата публикации: 2021-01-20.

Preferential etching method of forming a microstructure for an optical fibre

Номер патента: WO2008121270A1. Автор: Michael T Gallagher,Daniel W Hawtof,Karl W Koch Iii,Leonard C Ii Dabich,Brett J Hoover. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-09.

Preferential etching method of forming a microstructure for an optical fibre

Номер патента: EP2132150A1. Автор: Daniel Warren Hawtof,Michael Thomas Gallagher,Brett Jason Hoover,Leonard Charles II DABICH,Karl W Koch Iii. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-12-16.

Photosensitive resin composition, method for producing pattern, mems structure, method for producing the structure, method for dry etching, method for wet etching, mems shutter device, and image display apparatus

Номер патента: KR101863644B1. Автор: 가츠히로 시모노,히로유키 요네자와. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-06-04.

The method that a small amount of crystal face of wet etching quartz crystal obtains holocrystalline face etch rate

Номер патента: CN106495089B. Автор: 张晋,李源,张辉,幸研. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-09-21.

Wet etching method for semiconductor manufacturing

Номер патента: KR950003919A. Автор: 박상훈,김영서. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-02-17.

Wet-etching method in semiconductor process

Номер патента: KR970007440B1. Автор: 박상훈,김영서. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-05-08.

A kind of quick method for determining any tangential wet etching structure and morphology of quartz

Номер патента: CN107915202A. Автор: 张晋,张辉,幸研,张云泽. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-04-17.

A kind of silicon wet etching masking method based on ALD technique

Номер патента: CN110386587A. Автор: 王玮,李婷,杨芳,张大成,罗葵,郭俊敏,姜博岩,范泽新. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-10-29.

Device and method for processing low-taper glass deep hole by using liquid flowing coating to assist laser back wet etching

Номер патента: CN110640337B. Автор: 王涛,高健,张朝阳,朱浩,戴学仁,朱帅杰,张先烁. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2021-06-22.

Method for preparing double-sided random micro-lens array by combining photoetching and wet etching

Номер патента: CN113031129A. Автор: 邓启凌,薛莉,庞辉,曹阿秀. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-25.

Alkaline-resistant negative photoresist for silicon wet-etch without silicon nitride

Номер патента: CN101657758B. Автор: T·D·弗莱,X·钟,J·马尔霍特拉. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2015-03-04.

Method for forming device structure by all-wet etching

Номер патента: CN106629581B. Автор: 许开东. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-23.

Wet etching silicon oxide during the formation of a damascene pole and adjacent structure

Номер патента: US20120113544A1. Автор: Christian R. Bonhôte,Kanaiyalal C. Patel. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2012-05-10.

PROCESS FLOW WITH WET ETCHING FOR SMOOTH SIDEWALLS IN SILICON NITRIDE WAVEGUIDES

Номер патента: US20220082756A1. Автор: Feshali Avi. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

ON-CHIP DIFFRACTION GRATING PREPARED BY CRYSTALLOGRAPHIC WET-ETCH

Номер патента: US20150185377A1. Автор: Rong Haisheng,HECK John,Na Yun-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Ultrasonic vibration and laser-induced backside wet etching drilling apparatus

Номер патента: KR101625948B1. Автор: 박민수. Владелец: 서울과학기술대학교 산학협력단. Дата публикации: 2016-05-31.

Method for fabricating ?-nitride compound semiconductor light-emitting device using maskless selective wet etching

Номер патента: KR100608930B1. Автор: 한대섭,박성주,김석순,김자연,나석인. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2006-08-08.

Wet etching machine having mist spraying function

Номер патента: CN202839710U. Автор: 姚琪,王虎,陆波,邱小永. Владелец: ZHEJIANG BEYONDSUN PV CO Ltd. Дата публикации: 2013-03-27.

Negative photoresist resistant to concentrated aqueous bases for silicon wet-etch without silicon nitride

Номер патента: EP2142960B1. Автор: Tony D. Flaim,Xing-Fu Zhong,Jyoti Malhotra. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2012-01-11.

Alkaline-resistant negative photoresist for silicon wet-etch without silicon nitride

Номер патента: KR101425697B1. Автор: 토니 디. 플레임,싱-푸 쫑,지오티 말로트라. Владелец: 브레우어 사이언스 인코포레이션. Дата публикации: 2014-08-01.

Method for processing microstructure array on gallium nitride surface by femtosecond laser wet etching

Номер патента: CN110508932B. Автор: 张明华,吴靓,李圣,肖逸锋,钱锦文,欧艳,付斯倚. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-06-18.

Wet etching device

Номер патента: KR200145916Y1. Автор: 진중만. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Alkaline-resistant negative photoresist for silicon wet-etch without silicon nitride

Номер патента: US20080261145A1. Автор: Tony D. Flaim,Xing-Fu Zhong,Jyoti Malhotra. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Washing drying device for wet etching

Номер патента: CN114688832A. Автор: 刘毅,吴旭,刘丹,吴芳,方亮,张淑芳,林鸿涛,黄中浩. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2022-07-01.

Microneedle structures and corresponding production methods employing a backside wet etch

Номер патента: US20090011158A1. Автор: Yehoshua Yeshurun. Владелец: NanoPass Tech Ltd. Дата публикации: 2009-01-08.

Method of wet etching on oxide layer

Номер патента: KR950004973B1. Автор: 홍성구. Владелец: 대우통신주식회사. Дата публикации: 1995-05-16.

Air curtain protection device of silicon solar cell wet etching machine

Номер патента: CN202601573U. Автор: 张强,施利君. Владелец: SUZHOU KZONE EQUIPMENT TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-12.

Method for recovering noble metal gold in gold film wet etching liquid

Номер патента: CN115710641A. Автор: 王传凯,范玮霖,付智林. Владелец: Chengdu Timemaker Crystal Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-02-24.

On-chip diffraction grating prepared by crystallographic wet-etch

Номер патента: US9360601B2. Автор: YUN-CHUNG Na,John Heck,Haisheng Rong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Device and method for processing low-taper glass deep hole by using liquid flowing coating to assist laser back wet etching

Номер патента: CN110640337A. Автор: 王涛,高健,张朝阳,朱浩,戴学仁,朱帅杰,张先烁. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2020-01-03.

Microneedle structures and corresponding production methods employing a backside wet etch

Номер патента: WO2008114252A2. Автор: Yehoshua Yeshurun. Владелец: NANOPASS TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2008-09-25.

Process flow with wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: EP4214796A4. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

Taper-etching method and method of manufacturing near-field light generator

Номер патента: US20140175053A1. Автор: Yoshitaka Sasaki,Hironori Araki,Shigeki Tanemura,Hiroyuki Ito. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20120003838A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Deep-etching method

Номер патента: RU2464646C2. Автор: Виктор Эдуардович Гюнтер,Раис Габбасович Хафизов,Фаниля Асгатовна Хафизова,Руслан Марсельевич Миргазизов,Марсель Закиевич Миргазизов,Фарид Амирович Хайруллин,Дмитрий Эдуардович Цыплаков,Айгуль Корбановна Козлова. Владелец: Марсель Закиевич Миргазизов. Дата публикации: 2012-10-20.

Metal or alloy laser etching method

Номер патента: RU2460619C2. Автор: Сергей Георгиевич Горный,Дмитрий Викторович Соколов,Михаил Иванович Патров,Константин Владимирович Юдин,Александр Геннадьевич Валиулин,Сергей Евгеньевич Попков,Юрий Борисович Гречко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Лазерный Центр&#34;. Дата публикации: 2012-09-10.

Semiconductor chemical etching method

Номер патента: RU2524137C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Суйкум Алиевна Шангереева. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования &#34;Дагестанский Государственный Технический Университет&#34; (Дгту). Дата публикации: 2014-07-27.

Material etching method

Номер патента: RU2299934C2. Автор: Василий Васильевич Остапенко,лик Гаррий Абрамович Б,Гаррий Абрамович Бялик,Олег Николаевич Ткач. Владелец: Гаррий Абрамович Бялик. Дата публикации: 2007-05-27.

Wet-etching apparatus and wet-etching method

Номер патента: TW200623249A. Автор: Jung-Lung Huang,Sheng-Chou Gau,Chen-Hsien Ou,Li-Feng Chiu. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2006-07-01.

Wet-etching apparatus and wet-etching method

Номер патента: TWI257667B. Автор: Jung-Lung Huang,Sheng-Chou Gau,Chen-Hsien Ou,Li-Feng Chiu. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2006-07-01.

Photosensitive resin composition for etching resist, method of manufacturing pattern, mems structure and method of manufacturing the same, dry etching method, wet etching method, mems shutter device, and image display device

Номер патента: JP2012181488A. Автор: Katsuhiro Shimono,Hiroyuki Yonezawa,裕之 米澤,勝弘 下野. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Photosensitive resin composition for etching resist, pattern manufacturing method, MEMS structure and manufacturing method thereof, dry etching method, wet etching method, MEMS shutter device, and image display device

Номер патента: JP5291744B2. Автор: 裕之 米澤,勝弘 下野. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-09-18.

Thickness measuring apparatus, wet etching apparatus using the same, and wet etching method

Номер патента: JP4347517B2. Автор: 輝雄 高橋,元之 渡邉. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2009-10-21.

Multiple wet etching method

Номер патента: TWI323486B. Автор: Tsong Sheng Lay,Tao Yuan Chang,Chien Liang Chiu,Kuei Ya Chuang. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2010-04-11.

Multiple wet etching method

Номер патента: TW200826183A. Автор: Tao-Yuan Chang,Tsong-Sheng Lay,Chien-Liang Chiu,Kuei-Ya Chuang. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2008-06-16.

Wet etching apparatus and controlling method of etching rate of polycrystalline silicon

Номер патента: TWI284943B. Автор: Chien-Hsing Tu,Rui-Hui Wen. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-08-01.

Wet etching apparatus and controlling method of etching rate of polycrystalline silicon

Номер патента: TW200717667A. Автор: Chien-Hsing Tu,Rui-Hui Wen. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

Drying nozzle for wet etching and wet etching equipment

Номер патента: CN107579026B. Автор: 蒋阳波,李君�,张静平,吴良辉,顾立勋. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-07.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING PATTERN, MEMS STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING THE STRUCTURE, METHOD FOR DRY ETCHING, METHOD FOR WET ETCHING, MEMS SHUTTER DEVICE, AND IMAGE DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120107563A1. Автор: YONEZAWA Hiroyuki,SHIMONO Katsuhiro. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-05-03.

Wet etching cleaning device and wet etching equipment

Номер патента: CN206716576U. Автор: 赵敏,汪杰,陈聪文,聂行健. Владелец: Tunghsu Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-08.

GATE TRIM PROCESS USING EITHER WET ETCH OR DRY ETCH APPROACH TO TARGET CD FOR SELECTED TRANSISTORS

Номер патента: US20120032308A1. Автор: Hui Angela T.,Choi Jihwan,Davis Bradley M.. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

Method for preparing semicylindrical superfine slot by combining twice membranous layer deposition, dry etching and wet etching

Номер патента: CN102153046A. Автор: 刘玲,罗先刚,方亮,王长涛,刘凯鹏,邢卉,冯沁. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2011-08-17.

Method for patterning sapphire by combining wet etching and dry etching

Номер патента: CN102184842B. Автор: 顾小云,张建宝. Владелец: HC Semitek Corp. Дата публикации: 2012-11-07.

Etching solution for performing wet etching on lanthanum nickelate film and ferroelectric film/lanthanum nickelate composite film and preparation method thereof

Номер патента: CN103087718B. Автор: 朱建国,余萍,张小山,陈潇洋,樊明雷. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2014-12-31.

Wet etching apparatus and etching residue detection method used in the apparatus

Номер патента: JP3772070B2. Автор: 和夫 吉田,美和 生田,進 河野,儀美 木之下,泰志 松井,勲 坂田. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-05-10.

Surface treatment method for increasing fused silica element threshold value through wet etching-dry etching combination

Номер патента: CN103922601A. Автор: 向霞,祖小涛,晏中华. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2014-07-16.

Wet etching equipment and method for extending lifetime of etchant

Номер патента: TWI242243B. Автор: Ching-His Yu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2005-10-21.

Method of utilizing the surface-treated spin-on-glass to improve the latitude in dielectrics wet etching process

Номер патента: TW409345B. Автор: Ming-Shian Feng,Chi-Fa Lin,Wei-Jr Tzeng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2000-10-21.

Wet etching cleaning device capable of improving uniformity after etching

Номер патента: CN218274527U. Автор: 刘康华,赵大国,燕强,王尧林,朱焱均. Владелец: Yiyi Semiconductor Technology Wuxi Co ltd. Дата публикации: 2023-01-10.

Wet etching machine bench and method for eliminating silicon wafer etching difference

Номер патента: CN101886262B. Автор: 杨华,姚嫦娲. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-18.

Method for patterning sapphire by combining wet etching and dry etching

Номер патента: CN102184842A. Автор: 顾小云,张建宝. Владелец: HC Semitek Corp. Дата публикации: 2011-09-14.

Anisotropic wet etching

Номер патента: TW472318B. Автор: Cheng-Tsai Li. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-01-11.

Exaust apparatus for lifting and lowering drain tank of wet etching device

Номер патента: TW201023262A. Автор: Chih-Hung Wu,Hung-Wen Chang,Chia-Kang Wang,Hsien-Hung Chen. Владелец: Grand Plastic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Wet etching device

Номер патента: TW577121B. Автор: Ming-Hsien Yang,Sheng-Chou Gau,Sung-Yi Chou,Jen-Chih Peng. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-02-21.

Method of anisoptropic wet etching of silicone

Номер патента: PL353673A1. Автор: Helena Teterycz,Jan Dziuban,Rafał Walczak. Владелец: Politechnika Wrocławska. Дата публикации: 2003-11-03.

Wet etching device

Номер патента: TW200421474A. Автор: Ming-Hsien Yang,Sheng-Chou Gau,Jen-Chih Peng,Sun-Gyi Chou. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-10-16.

Metal sheet processing method and metal sheet processing apparatus using wet etching method

Номер патента: JP3994767B2. Автор: 修 古賀,龍二 上田. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2007-10-24.

Wet etching method for aluminum film in surface acoustic wave device

Номер патента: CN102978621A. Автор: 董启明. Владелец: Beijing Zhongxun Sifang Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-20.

Wet etching method for metal layer on front surface of high inverse-voltage Schottky diode

Номер патента: CN102915927A. Автор: 王海峰. Владелец: HANGZHOU LION MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2013-02-06.

Wet etching method of sputtered gold layer for fine spacing gold bump process

Номер патента: TW589686B. Автор: Yan-Ching Lin,Sung-Ping Lu,Kuen-Yung Huang,Jung-Bang Chi. Владелец: FuPo Electronics Corp. Дата публикации: 2004-06-01.

Wet etching method for silicon wafer

Номер патента: JP6455980B2. Автор: 吉川　和博,和博 吉川. Владелец: Ace Inc. Дата публикации: 2019-01-23.

Wet etching method

Номер патента: JPH01188444A. Автор: Takashi Kimura,Hideaki Sasaki,秀昭 佐々木,隆 木村,浩和 嶋田,直人 川崎,Hirokazu Shimada,Naoto Kawasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1989-07-27.

Prepare the wet etching method of high selectivity QCL ridge waveguide structure

Номер патента: CN104882788B. Автор: 王利军,王占国,梁平,胡颖,张锦川,刘峰奇,刘俊岐,闫方亮. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2018-03-30.

Wet etching system

Номер патента: JP3842657B2. Автор: 博 渡部. Владелец: CHEMICAL ART Tech Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Wet etching system

Номер патента: JP6529625B2. Автор: 禎明 黒川,信雄 小林,小林　信雄,黒川　禎明,晃一 濱田. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp . Дата публикации: 2019-06-12.

Wet etching device for rear of wafer

Номер патента: JPS63221627A. Автор: Kazuhisa Nagaya,永屋　和久. Владелец: NEC Kyushu Ltd. Дата публикации: 1988-09-14.

Wet etching device

Номер патента: JPS6295824A. Автор: Tomoo Ishida,石田　智男. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1987-05-02.

Semiconductor Wet Etching Equipment

Номер патента: KR970056067U. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1997-10-13.

Wet etching equipment

Номер патента: CN202126999U. Автор: 孙文昌,范学丽. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

WET ETCHING SOLUTION

Номер патента: US20120007019A1. Автор: . Владелец: CHEIL INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-12.

WET ETCHING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120111835A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

SPIN-ON PROTECTIVE COATINGS FOR WET-ETCH PROCESSING OF MICROELECTRONIC SUBSTRATES

Номер патента: US20120130004A1. Автор: . Владелец: BREWER SCIENCE INC.. Дата публикации: 2012-05-24.

METHOD TO IMPROVE WET ETCH BUDGET IN FEOL INTEGRATION

Номер патента: US20120178236A1. Автор: Horak David V.,Mehta Sanjay,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,Jagannathan Hemanth,Cummings Jason E.,Edge Lisa F.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-12.

ON-CHIP DIFFRACTION GRATING PREPARED BY CRYSTALLOGRAPHIC WET-ETCH

Номер патента: US20120250157A1. Автор: Rong Haisheng,HECK John,Na Yun-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

Method for Fabricating Silicon Nanowire Field Effect Transistor Based on Wet Etching

Номер патента: US20120302027A1. Автор: Huang Ru,Sun Shuai,Ai Yujie,Fan Jiewen,Wang Runsheng,HUANG Xin,Zou Jibin. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

METHOD OF WET ETCHING SUBSTRATES FOR FORMING THROUGH HOLES TO EMBED WAFER LEVEL OPTICAL LENS MODULES

Номер патента: US20120305526A1. Автор: . Владелец: HIMAX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2012-12-06.

SELECTIVE WET ETCHING OF HAFNIUM ALUMINUM OXIDE FILMS

Номер патента: US20120306059A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-12-06.

WET ETCH AND CLEAN CHEMISTRIES FOR MoOx

Номер патента: US20120329235A1. Автор: Deweerd Wim,Ode Hiroyuki,Van Berkel Kim. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

WET-ETCHING JIG

Номер патента: US20130026690A1. Автор: Nishimoto Yoichiro. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2013-01-31.

MONITORING APPARATUS AND METHOD FOR IN-SITU MEASUREMENT OF WAFER THICKNESSES FOR MONITORING THE THINNING OF SEMICONDUCTOR WAFERS AND THINNING APPARATUS COMPRISING A WET ETCHING APPARATUS AND A MONITORING APPARATUS

Номер патента: US20130034918A1. Автор: Dusemund Claus,Schoenleber Martin,Michelt Berthold,Dietz Christoph. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

WET ETCHING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20130062015A1. Автор: Cheng Wen-Da. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd.. Дата публикации: 2013-03-14.

METHOD, APPARATUS AND COMPOSITION FOR WET ETCHING

Номер патента: US20130102158A1. Автор: DETTERBECK Stefan. Владелец: LAM RESEARCH AG. Дата публикации: 2013-04-25.

SELF-ALIGNED WET ETCHING PROCESS

Номер патента: US20130157454A1. Автор: TANAKA Yoshinori,HUANG Yu-Ling,LIU Wei-Chih,Nagai Yukihiro,Hsiung Chih-Wei,FANG Hsuan-Yu,Chen Meng-Hsien,Tseng Chun-Chiao,Ai Chung-Yung,Hsu Yu-Shan,Chang Wei-Che,Huang Chun-Hua,Takesako Kazuaki,Kadoya Tomohiro,Hsu Wen Kuei,Fujita Hirotake. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

FLOWABLE OXIDE FILM WITH TUNABLE WET ETCH RATE

Номер патента: US20130230987A1. Автор: VAN SCHRAVENDIJK Bart,Draeger Nerissa,Shannon Karena,Ashtiani Kaihan. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-05.

WET-ETCHING EQUIPMENT AND ITS SUPPLYING DEVICE

Номер патента: US20130312911A1. Автор: CHEN TSUNG-YUAN,TSENG TZYY-JANG. Владелец: UNIMICRON TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-28.

METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE INCLUDING A WET ETCH PROCESS FOR REMOVING SILICON NITRIDE

Номер патента: US20140113455A1. Автор: Beyer Sven,Reimer Berthold,von Kluge Johannes. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-04-24.

Method for simultaneously performing a cleaning process and a wet etching process on a semiconductor substrate

Номер патента: JP3533366B2. Автор: 岳人 丸山,哲男 青山,承史 三田村,久起 阿部. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-05-31.

Method for improving wet etching performance

Номер патента: CN101625968A. Автор: 朱骏. Владелец: Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-13.

A processing device capable of increasing sapphire laser back wet etching rate

Номер патента: CN203437818U. Автор: 胡伟,苑学瑞,魏昕,高勋银,谢小柱,胡满凤. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-02-19.

Washing method after wet etching and method for forming thin-film transistor using same

Номер патента: CN1851885A. Автор: 张耿志,叶国光. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-10-25.

The uniform laying apparatus of silicon wafer wet etching surface moisture film

Номер патента: CN208240617U. Автор: 杨光. Владелец: Jiangsu Green Power PV Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-14.

A kind of method of Si substrate of wet etching sample

Номер патента: CN103311117B. Автор: 甘霖,丁伟,李志远,郭红莲. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2016-03-30.

Treatment method after wet etching using hydrogen peroxide

Номер патента: KR940016535A. Автор: 최승봉. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-07-23.

Method for preparing phase type diffraction optical element according to wet etching

Номер патента: CN102681335B. Автор: 刘明,谢常青,李海亮,史丽娜,牛洁斌,朱效立. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-08-07.

Manufacturing process of MEMS impression template based on wet etching

Номер патента: CN100485525C. Автор: 李涤尘,洪军,卢秉恒,丁玉成,段玉岗,王权岱. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2009-05-06.

Method for preparing phase shift storage by silicon wet etching and keying process

Номер патента: CN100492695C. Автор: 宋志棠,封松林,刘奇斌. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2009-05-27.

MHz sound wave transducer device for wet etching and cleaning process

Номер патента: CN102509713B. Автор: 吴仪,李春彦. Владелец: Beijing Sevenstar Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-25.

Jet type wet etching equipment

Номер патента: JP3067398B2. Автор: 正朗 岡村. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-07-17.

Wet etching device

Номер патента: JPS63184337A. Автор: Naoki Inagaki,直樹 稲垣. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-07-29.

Method of cleaning after wet etching

Номер патента: CN103021817A. Автор: 杨冰. Владелец: Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-03.

Liquid driving system for wet etching water film

Номер патента: CN203367238U. Автор: 杨东,张恒,姚骞,段甜键,马煜隆,包崇彬. Владелец: Tianwei New Energy Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-25.

Wet etching equipment

Номер патента: CN201611648U. Автор: 谢志勇. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-10-20.

Wet etching surface treatment method and the method of preparing a porous silicon wafer

Номер патента: TWI605109B. Автор: ming-ru Yu,yan-jun Huang,Bo-Wei Xie,yao-bo Chen,Geng-Min Lin,fang-yi Zhou. Владелец: UTECH SOLAR Corp. Дата публикации: 2017-11-11.

Machining device and machining method for enhancing sapphire laser back wet etching rate

Номер патента: CN103418912A. Автор: 胡伟,苑学瑞,魏昕,高勋银,谢小柱,胡满凤. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-12-04.

Wet etching equipment

Номер патента: JP6687784B2. Автор: 禎明 黒川,信雄 小林,小林　信雄,黒川　禎明,晃一 濱田. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp . Дата публикации: 2020-04-28.

Process method for preventing defects of photoresist during wet etching

Номер патента: CN103165533A. Автор: 毛智彪. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-06-19.

Wet etching equipment

Номер патента: CN201520802U. Автор: 陈建同,欧阳志升,姚洋羽,廖钦盛. Владелец: CPT Display Technology Shenzheng Ltd. Дата публикации: 2010-07-07.

Wet etching processing method and processing apparatus therefor

Номер патента: JP3745863B2. Автор: 明典 磯. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp . Дата публикации: 2006-02-15.

Wet etching equipment

Номер патента: CN100419121C. Автор: 黄荣龙,黄志鸿,高胜洲,欧振宪,黄昌桂,陈青枫. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2008-09-17.

Process method for preventing occurrence of defects of photoresist in wet etching

Номер патента: CN103199016A. Автор: 毛智彪,董献国,甘志峰. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-07-10.

Photoetching process method of direct photoresist mask for silicon substrate wet etching

Номер патента: CN102135726B. Автор: 吴鹏,阚欢. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-27.

Method for transferring nano-imprint pattern by using wet etching

Номер патента: TW200729325A. Автор: Chau-Nan Hong,Min-Hsiung Hon,Guan-Liang Lai,Ing-Chi Leu. Владелец: Univ Nat Cheng Kung. Дата публикации: 2007-08-01.

Wet etching and cleaning device

Номер патента: CN210778501U. Автор: 金小斗. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Wet etching substrate and method of manufacturing substrate having metal pattern

Номер патента: JP5774814B2. Автор: 義哲 姜,勝 中川,中川　勝,知之 大嶽,祥一 久保. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-09-09.

Wet etching device

Номер патента: CN203760432U. Автор: 钟立华,张田超. Владелец: Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Method for carrying out wet etching on substrates

Номер патента: CN102866438B. Автор: 陈振亨. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-06-03.

Removal method of fine particles generated in wet etching process of semiconductor device

Номер патента: KR970016835A. Автор: 김창욱,조영민,유정식,우용진. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-04-28.

Advanced process control method of wet etching process

Номер патента: CN103173766A. Автор: 刘佳磊. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-06-26.

Etchant delivering pipeline system and method used in wet etching process

Номер патента: CN105065914A. Автор: 董新杰. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-18.

Method for preparing groove structure embedded with carbon nano tube (CNT) by virtue of selective wet etching

Номер патента: CN102208350B. Автор: 张岩,李彦,傅云义,张朝晖,赵华波,魏芹芹. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-08-29.

Device for wet etching of silicon carbide wafer

Номер патента: CN203768489U. Автор: 张健,高玉强,高辉,张士祥,柏文文,张婉君. Владелец: SICC Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-13.

Cleaning method after wet etching and method for forming thin film transistor using the same

Номер патента: TWI273713B. Автор: Kuo-Kuang Yeh,Keng-Chih Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-02-11.

Method of elimination of edge of backing film off a wafer and the prescription of wet-etching liquid acid used on the silicon wafer surface oxidized film

Номер патента: TW374935B. Автор: Chang-Wei Huang,wan-ying Zhang. Владелец: Taisil Electronic Materials Corp. Дата публикации: 1999-11-21.

Cleaning method after wet etching and method for forming thin film transistor using the same

Номер патента: TW200739916A. Автор: Kuo-Kuang Yeh,Keng-Chih Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-10-16.

Method for setting plasma chamber having an adaptive plasma source, plasma etching method using the same and manufacturing method for adaptive plasma source

Номер патента: TWI274527B. Автор: Nam-Hun Kim,Yeong-Su Song,Sang-Ryong Oh,Sheung-Ki Kim,Yung-Kun Oh. Владелец: Adaptive Plasma Tech Corp. Дата публикации: 2007-02-21.

Method for setting plasma chamber having an adaptive plasma source, plasma etching method using the same and manufacturing method for adaptive plasma source

Номер патента: TW200635444A. Автор: Do Hyung Lee,Nam-Hun Kim,Yeong-Su Song,Sang-Ryong Oh,Sheung-Ki Kim,Yung-Kun Oh. Владелец: Adaptive Plasma Tech Corp. Дата публикации: 2006-10-01.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.