Integrierte Schaltung umfassend eine Zelle mit mehrfacher Höhe
Номер патента: DE102019113506B4
Опубликовано: 09-11-2023
Автор(ы): Dal-Hee LEE, Hyeon-gyu You, Jae-Ho Park, Jin-young Lim, Sang-hoon BAEK
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-11-2023
Автор(ы): Dal-Hee LEE, Hyeon-gyu You, Jae-Ho Park, Jin-young Lim, Sang-hoon BAEK
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Integrierte Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung
Номер патента: DE102020127331B4. Автор: Chia-Tien Wu,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.