Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Method of fabricating a relay

Номер патента: US9887056B2
Опубликовано: 06-02-2018
Автор(ы): Kwangsik LEE
Принадлежит: LSIS Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of making a relay

Номер патента: US20090119906A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Excel Cell Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-14.

Method of fabricating a working component for magnetic heat exchange

Номер патента: US09524816B2. Автор: ALEXANDER Barcza,Matthias Katter,Volker Zellmann. Владелец: Vacuumschmelze GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of fabricating magnetic bubble memory device

Номер патента: US4556583A. Автор: Tadashi Ikeda,Yutaka Sugita,Teruaki Takeuchi,Ryo Imura,Norio Ohta. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-12-03.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040075109A1. Автор: Daisuke Inomata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Method of fabricating a support structure

Номер патента: WO2003028915A9. Автор: John D Porter,Roger W Barton,Theodore S Fahlen,Bob L Mackey,George B Hopple. Владелец: Candescent Intellectual Prop. Дата публикации: 2004-12-29.

Method of fabricating a support structure

Номер патента: WO2003028915A1. Автор: John D. Porter,Bob L. Mackey,Roger W. Barton,Theodore S. Fahlen,George B. Hopple. Владелец: Candescent Intellectual Property Services, Inc.. Дата публикации: 2003-04-10.

Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus

Номер патента: US09702041B2. Автор: Young-Hoon Kim,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Yong-Min Yoo,Dae-Youn Kim. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory cell with planarized carbon nanotube layer and methods of forming the same

Номер патента: WO2009088890A3. Автор: Mark Clark,Yoichiro Tanaka,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2009-09-17.

Method of fabricating temperature control device

Номер патента: US6848171B2. Автор: Kazuya Kuriyama,Yoichi Yasue. Владелец: KOMATSU LTD. Дата публикации: 2005-02-01.

Method of patterning wall and phosphor well matrix utilizing glass

Номер патента: US6834431B1. Автор: John D. Porter,Bob L. Mackey,Roger W. Barton,Theodore S. Fahlen,George B. Hopple. Владелец: Candescent Intellectual Property Services Inc. Дата публикации: 2004-12-28.

Method of fabricating crystal unit, crystal unit fabrication mask, and crystal unit package

Номер патента: US20140158292A1. Автор: Masakazu Kishi,Hajime Kubota,Masayuki Itoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Method of fabricating an RF substrate with selected electrical properties

Номер патента: US20050087284A1. Автор: Terry Provo,Thomas Smyth,Dennis Tebbe,Dara Ruggiero. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of Fabricating an RF Substrate with Selected Electrical Properties

Номер патента: US20070117403A1. Автор: Terry Provo,Thomas Smyth,Dennis Tebbe,Dara Ruggiero. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2007-05-24.

Method of fabricating an rf substrate with selected electrical properties

Номер патента: WO2005043681A1. Автор: Terry Provo,Dara Ruggiero,Dennis L. Tebbe,Thomas P. Smyth. Владелец: HARRIS CORPORATION. Дата публикации: 2005-05-12.

Method of fabricating an rf substrate with selected electrical properties

Номер патента: CA2542132A1. Автор: Terry Provo,Dara Ruggiero,Dennis L. Tebbe,Thomas P. Smyth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Method of fabricating an rf substrate with selected electrical properties

Номер патента: EP1678789A1. Автор: Terry Provo,Dara Ruggiero,Dennis L. Tebbe,Thomas P. Smyth. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2006-07-12.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040229467A1. Автор: Koki Muto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060263982A1. Автор: Koki Muto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-23.

Method of fabricating acoustic resonator with planarization layer

Номер патента: US09680439B2. Автор: Stefan Bader,Phil Nikkel,Robert Thalhammer. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

A method of fabricating a bipolar junction transistor

Номер патента: WO1996010839A1. Автор: Rick C. Jerome,Ian R. C. Post. Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 1996-04-11.

A method of fabricating a release substrate

Номер патента: EP1709676A1. Автор: Olivier Rayssac,Takeshi Akatsu. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-10-11.

A method of fabricating a release substrate

Номер патента: WO2005074022A1. Автор: Olivier Rayssac,Takeshi Akatsu. Владелец: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2005-08-11.

Method of fabricating a release substrate

Номер патента: US7544265B2. Автор: Olivier Rayssac,Takeshi Akatsu. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2009-06-09.

Method of fabricating a release substrate

Номер патента: US20070077729A1. Автор: Olivier Rayssac,Pierre Rayssac,Gisele Rayssac,Takeshi Akatsu. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of fabricating packaging substrate having embedded through-via interposer

Номер патента: US09781843B2. Автор: Dyi-chung Hu,Tzyy-Jang Tseng. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for fabricating a clamping device for flexible substrate

Номер патента: US7926170B2. Автор: Te-Chi Wong,Chen-Der Tsai,Chin-Jyi Wu,Yun-Chuan Tu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-04-19.

Compound for filling small gaps in a semiconductor device, composition including the compound, and method of fabricating a semiconductor capacitor

Номер патента: US20110151640A1. Автор: Tae Ho Kim,Chang Soo Woo,Sung Jae Lee,Hee Jae Kim,Sang Geun Yun. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Method of fabricating a thin film transistor

Номер патента: US20010026965A1. Автор: Joon-Young Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Method of fabricating a thin film transistor

Номер патента: US6281055B1. Автор: Joon-Young Yang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-28.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09947583B2. Автор: Hsien-Chang Wu,Chao-Hsien Peng,Hsiang-Huan Lee,Ching-Fu YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of fabricating piezoelectric energy harvesting device

Номер патента: US09876161B2. Автор: Sang Kyun Lee,Yil Suk Yang,Jong-Kee Kwon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-01-23.

Connector terminal, electric connector, and method of fabricating the connector terminal

Номер патента: US09735517B1. Автор: Takayoshi Endo,Takuya Takeda. Владелец: Dai Ichi Seiko Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Substrate peeling apparatus and method of fabricating device using the same

Номер патента: US09688062B2. Автор: Yukinori Asakawa. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09570347B2. Автор: Hsien-Chang Wu,Chao-Hsien Peng,Hsiang-Huan Lee,Ching-Fu YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of forming electric heating element by method of plasma sputtering metal and/or metal oxide matrix

Номер патента: RU2383956C2. Автор: Джефри БОРДМАН. Владелец: 2Д Хит Лимитед. Дата публикации: 2010-03-10.

Method of fabricating capacitor having hafnium oxide

Номер патента: US20030003648A1. Автор: Chang-Rock Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Method of fabricating conductive thin film

Номер патента: US09966168B1. Автор: Hung-Tao CHEN,Chang-Shu Kuo,In-Gann Chen,Han-Hsuan Cheng. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2018-05-08.

The fabricating method of single electron transistor (set) by employing nano-lithographical technology in the semiconductor process

Номер патента: WO2007079174A3. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Ming-Nung Lin. Дата публикации: 2007-12-06.

The fabricating method of single electron transistor (set) by employing nano-lithographical technology in the semiconductor process

Номер патента: EP1972016A2. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Chen Chung-Chin. Дата публикации: 2008-09-24.

The fabricating method of single electron transistor (set) by employing nano-lithographical technology in the semiconductor process

Номер патента: WO2007079174A2. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Chen, Chung, Chin. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of manufacturing integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices

Номер патента: US20230025951A1. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of manufacturing integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices

Номер патента: US20190158058A1. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: US20230178484A1. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: EP4191334A3. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-06.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: EP4191334A2. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-07.

Optical repeater, manufacturing method of optical repeater, and relay method of optical signal

Номер патента: US11990726B2. Автор: Satoshi Mikami,Eduardo Mateo RODRIGUEZ. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Methods of designing and fabricating a semiconductor device based on determining a least common multiple between select layout pitches

Номер патента: US11854976B2. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of fabricating a component material for a battery cell

Номер патента: EP4038674A1. Автор: William Richardson,Robert Noble,Brian Hayden,Thomas Foley,Gianfranco ARESTA,Louise TURNER,Thomas RISBRIDGER,Owain Clark. Владелец: Ilika Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-08-10.

Method of fabricating a component material for a battery cell

Номер патента: WO2021064356A1. Автор: William Richardson,Robert Noble,Brian Hayden,Thomas Foley,Gianfranco ARESTA,Louise TURNER,Thomas RISBRIDGER,Owain Clark. Владелец: Ilika Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Non-woven fabric current collector, method of fabricating battery using the same, and system for fabricating the same

Номер патента: US09935316B2. Автор: Min Gyu Choi,Chang Hyeon Kim,Lee Hyun Shin. Владелец: Jenax Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Flexible organic light emitting diode display and method of fabricating the same

Номер патента: US09966572B2. Автор: Jiangjiang JIN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Group III nitride crystals, their fabrication method, and method of fabricating bulk group III nitride crystals in supercritical ammonia

Номер патента: US09670594B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Photovoltaic cell and methods of fabricating same.

Номер патента: AU2023250513A1. Автор: DI Yan,James Bullock,Heping SHEN,Sieu Pheng PHANG,Leiping DUAN,Kylie Catchpole,Daniel Harold MACDONALD,Rabin BASNET,Josua Andreas STÜCKELBERGER,Jose de Jesus IBARRA MICHEL. Владелец: Australian National University. Дата публикации: 2024-10-24.

Dopant ink composition and method of fabricating a solar cell there from

Номер патента: US09799783B2. Автор: Paul LOSCUTOFF,Steven Edward Molesa,Kahn Wu. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of fabricating copper indium gallium selenide (CIGS) thin film for solar cell using simplified co-vacuum evaporation and copper indium gallium selenide (CIGS) thin film for solar cell fabricated by the same

Номер патента: US09472708B2. Автор: Ara Cho,Jae-Ho Yun,Sung Woo Choi,SeJin Ahn,Jihye Gwak,Kyung Hoon YOON,Kee Shik Shin,SeoungKyu Ahn,Guk-Yeong Jeong,Hisun Park. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of fabricating a solar cell

Номер патента: US09899562B2. Автор: Po-Chuan YANG. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-02-20.

Nanoshell, method of fabricating same and uses thereof

Номер патента: US09991458B2. Автор: Yakov Roizin,Simon Litsyn,Gil Rosenman. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of fabricating group III nitride with gradually degraded crystal structure

Номер патента: US09822465B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Solar cell module and method of fabricating the same

Номер патента: US09698290B2. Автор: Bong Seok Moon. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of fabricating bulk group III nitride crystals in supercritical ammonia

Номер патента: US09790616B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: US09640685B2. Автор: Myoung Seok Sung. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of using laser welding to ohmic contact of metallic thermal and diffusion barrier layer for foil-based metallization of solar cells

Номер патента: US09634178B1. Автор: Nils-Peter Harder,Robert Woehl,Gabriel Harley,Matthieu Moors,Taeseok Kim,Jens-Dirk MOSCHNER,Michel Arsène Olivier Ngamo Toko. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Gas-diffusive electrode, method of its fabrication, membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode and method of fabrication of membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode

Номер патента: RU2559833C2. Автор: Вальтер АДРИАНСЕНС,ГАЙЕГО Иоланда АЛЬВАРЕС,Филиппе ВЕРМЕЙРЕН,Андре-Виктор КЛАЕС. Владелец: Вито Нв. Дата публикации: 2015-08-10.

Method of fabricating a metal wrap through solar cell

Номер патента: US09455360B2. Автор: Tirunelveli S. Ravi,Ashish Asthana,Kramadhati V. Ravi,Somnath Nag. Владелец: Crystal Solar Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Thin single-crystal silicon solar cells mounted to a structural support member and method of fabricating

Номер патента: US11978820B2. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,William R. Tonti,James Marc Leas,Peter H Mitchell. Владелец: Semivation LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of fabricating a back-contact solar cell and device thereof

Номер патента: WO2011109058A2. Автор: David Smith,Bo Li,Peter Cousins. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2011-09-09.

Thin Single-Crystal Silicon Solar Cells Mounted to a Structural Support Member and Method of Fabricating

Номер патента: US20240097065A1. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,William R. Tonti,James Marc Leas,Peter H Mitchell. Владелец: Semivation LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of fabricating a back-contact solar cell and device thereof

Номер патента: US09406821B2. Автор: David Smith,Bo Li,Peter Cousins. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of fabricating dry electrode

Номер патента: US20240282905A1. Автор: Hyun Jin Kim,Geun Ho Choi,Han Nah Song. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of fabricating graphene nano-mesh

Номер патента: US09595401B1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Changseung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Methods of fabricating a photovoltaic module, and related system

Номер патента: US20140170801A1. Автор: Bastiaan Arie Korevaar,Jinbo Cao,Scott Daniel Feldman-Peabody,Mark Jeffrey Pavol,Adam Fraser HALVERSON,Douglas Garth Jensen. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Methods of fabricating a photovoltaic module, and related system

Номер патента: EP2932802A1. Автор: Bastiaan Arie Korevaar,Jinbo Cao,Scott Daniel Feldman-Peabody,Mark Jeffrey Pavol,Adam Fraser HALVERSON,Douglas Garth Jensen. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2015-10-21.

Method of fabricating a pre-lithiated electrode and lithium-ion battery cell

Номер патента: US20240170643A1. Автор: Felix Scheile,Armin ADER,Roman KRAFFT,Tanja Zünd,Richard Rauen. Владелец: Lilium eAircraft GmbH. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of fabricating a three-dimensional (3D) porous electrode architecture for a microbattery

Номер патента: US09559349B2. Автор: Paul V. Braun,Kevin A. Arpin,Hailong Ning. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2017-01-31.

Methods of fabricating a photovoltaic module, and related system

Номер патента: US09490386B2. Автор: Bastiaan Arie Korevaar,Jinbo Cao,Scott Daniel Feldman-Peabody,Mark Jeffrey Pavol,Adam Fraser HALVERSON,Douglas Garth Jensen. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor and thermoelectric materials and methods of making the same using selective laser melting

Номер патента: US20190229252A1. Автор: Michael Carter,Haidong Zhang,Saniya LeBlanc,Ahmed El Desouky. Владелец: George Washington University. Дата публикации: 2019-07-25.

Graphite composite structure, method of fabricating the same and composite electrode structure of the same

Номер патента: US20180069240A1. Автор: Ming-Sheng Leu,Ding-Shiang Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-03-08.

Nanofiber membrane-electrode-assembly and method of fabricating same

Номер патента: US09876246B2. Автор: Peter N. Pintauro,Jason Ballengee,Matthew Brodt. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-01-23.

Photovoltaic perovskite material and method of fabrication

Номер патента: US09391287B1. Автор: Qi Wang,Cheng Bi,Jinsong Huang,Rui Dong,Qingfeng Dong,Yuchuan Sao,Zhengguo Xiao. Владелец: University of Nebraska. Дата публикации: 2016-07-12.

Method of fabricating battery protection circuit package

Номер патента: US20220322537A9. Автор: Hyun Seok Lee,Hyuk Hwi NA,Ho Seok HWANG,Sang Hoon AHN. Владелец: ITM Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of fabricating battery protection circuit package

Номер патента: US20210368631A1. Автор: Hyun Seok Lee,Hyuk Hwi NA,Ho Seok HWANG,Sang Hoon AHN. Владелец: ITM Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Methods of fabricating porous membrane

Номер патента: US20220331747A1. Автор: Chung-Yuan Mou,Kuo-Lun Tung,Jingling Yang,Geng-Sheng Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2022-10-20.

Wire substrate, display device including the same, and method of fabricating wire substrate

Номер патента: US20190086754A1. Автор: Chan Woo Yang,Joon Yong Park,Gyung Min Baek,Ju Hyun Lee,Hong Sick Park,Hyun Eok Shin,Sang Won SHIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Wire substrate, display device including the same, and method of fabricating wire substrate

Номер патента: US20190324337A1. Автор: Chan Woo Yang,Joon Yong Park,Gyung Min Baek,Ju Hyun Lee,Hong Sick Park,Hyun Eok Shin,Sang Won SHIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Method of fabricating light extraction substrate for organic light emitting device

Номер патента: US09688571B2. Автор: Jae Ho Lee,Young Suk Lee,Ki Yeon Lee,Kyung Min YOON. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of fabricating catalyst carrier for generating hydrogen through methane reformation

Номер патента: US09630166B1. Автор: Wen-Song Hwang,Ruey-Yi Lee,Ning-Yih Hsu,Meng-Han Huang,Yi-Sin Chou. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of fabricating a catalyst on a substrate

Номер патента: AU2022372236A1. Автор: Hark Hoe Tan,Chennupati Jagadish,Siva Krishna KARUTURI,Bikesh Gupta,Joshua Zheyan SOO. Владелец: Australian National University. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of fabricating a catalyst on a substrate

Номер патента: AU2022372236A2. Автор: Hark Hoe Tan,Chennupati Jagadish,Siva Krishna KARUTURI,Bikesh Gupta,Joshua Zheyan SOO. Владелец: Australian National University. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of fabricating a catalyst on a substrate

Номер патента: EP4419252A1. Автор: Hark Hoe Tan,Chennupati Jagadish,Siva Krishna KARUTURI,Bikesh Gupta,Joshua Zheyan SOO. Владелец: Australian National University. Дата публикации: 2024-08-28.

Solar cell apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US09954122B2. Автор: Chin Woo Lim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method For Fabricating A Photovoltaic Module Including Laser Cutting Of A Photovoltaic Label

Номер патента: US20230207721A1. Автор: Mathieu Baudrit. Владелец: Sono Motors GmbH. Дата публикации: 2023-06-29.

Thin-film, flexible optoelectronic devices incorporating a single lattice-matched dilute nitride junction and methods of fabrication

Номер патента: WO2019245620A1. Автор: Nikhil Jain,Gang He,Brendan Kayes. Владелец: Alta Devices, Inc.. Дата публикации: 2019-12-26.

Thin-film, flexible optoelectronic devices incorporating a single lattice-matched dilute nitride junction and methods of fabrication

Номер патента: US20190386169A1. Автор: Nikhil Jain,Gang He,Brendan M. Kayes. Владелец: Awbscqemgk Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Solar apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US09991402B2. Автор: Ho Gun Cho. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Apparatus, system, and method of preventing battery rack damage by measuring voltage

Номер патента: US09954379B2. Автор: Jongbum Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods of fabricating laser-induced graphene and compositions thereof

Номер патента: US12012336B2. Автор: James M. Tour,Carter Kittrell,Ruquan Ye,Yilun Li,Yieu Chyan,Christopher John ARNUSCH,Jordan Miller,Swatantra Pratap SINGH,Duy X. LUONG,Ian KINSTLINGER,Savannah COFER. Владелец: BG Negev Technologies and Applications Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: US20150053267A1. Автор: Chin Woo Lim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Relay control device and method of controlling relay control device

Номер патента: US20230230788A1. Автор: Mutsumi Kikuchi,Tatsumi Yamauchi,Hikaru Miura. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Coil support structure and method of retaining pcba of a relay

Номер патента: EP3985704A1. Автор: Davide Mantoan. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Method of determining a filter of a relay and relay for performing the same

Номер патента: US9712264B2. Автор: Inkyu Lee,Han Bae Kong. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of designing and fabricating a microlens array

Номер патента: US20180209030A1. Автор: Qi Wang,TARIQ ALI,Ilyas I. Khayrullin,Amalkumar P. Ghosh,Ihor Wacyk,Kerry TICE,Evan DONOGHUE. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Terminal device having a relay function and method of providing information related to a relay function

Номер патента: US10165496B2. Автор: Rickard Ljung,Saif ALNASHI. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-12-25.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of fabricating a hollow wall for controlling directional deposition of material

Номер патента: EP4095886A1. Автор: Pavel ASEEV,Amrita Singh,Guanzhong WANG,Ekaterina CHERNYSHEVA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-11-30.

Method of fabricating a hollow wall for controlling directional deposition of material

Номер патента: AU2019477107A1. Автор: Pavel ASEEV,Amrita Singh,Guanzhong WANG,Ekaterina CHERNYSHEVA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-06-30.

Substrate for flat panel display device, method of manufacturing the same, flat panel display device using substrate and method of manufacturing flat panel display device

Номер патента: WO2007132979A1. Автор: Jong-Uk Bu,Dong-Chun Kim. Владелец: Senplus Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Mask set for fabricating integrated circuits and method of fabricating integrated circuits

Номер патента: US8758961B1. Автор: Chooi Pei Lim,Francis Man-Chit Chow,Jordan Plofsky,Danny Biran. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Method of fabricating electrodes, method of fabricating thin film transistor, method of fabricating array substrate, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: EP3535776A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-09-11.

Method of fabricating light emitting diode and light emitting diode manufactured thereby

Номер патента: US09947845B2. Автор: Seong-Ju Park,Young-Chul LEEM. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of fabricating crystalline island on substrate

Номер патента: US20170154903A1. Автор: Douglas R. Dykaar. Владелец: DIFTEK LASERS Inc. Дата публикации: 2017-06-01.

Method of fabricating thin-film transistor

Номер патента: US20010035528A1. Автор: Fang-Chen Luo,Chien-Sheng Yang. Владелец: Unipac Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

UV light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09905732B2. Автор: Hwa Mok Kim,Ki Yon Park,Jeong Hun HEO,Gun Woo Han. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Photomasks, methods of fabricating the photomasks, and method of fabricating semiconductor devices by using the photomasks

Номер патента: US09817309B2. Автор: Jung-Hwan Lee,Byung-gook Kim,Sang-Hyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of fabricating crystalline island on substrate

Номер патента: US09601329B2. Автор: Douglas R. Dykaar. Владелец: DIFTEK LASERS Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

UV light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09496455B2. Автор: Hwa Mok Kim,Ki Yon Park,Jeong Hun HEO,Gun Woo Han. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Method of fabricating back-illuminated imaging sensors

Номер патента: US20100032783A1. Автор: Pradyumna Kumar Swain,Mahalingam Bhaskaran,Peter Alan Pal Levine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Storage node, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070045701A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Resistive switching memory including resistive switching layer fabricated using sputtering and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167286A1. Автор: Jin Pyo Hong,Tae Yoon Kim,Gwang Ho BAEK,Da Seul HYEON,Gabriel JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010003050A1. Автор: Sachiko Onozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-07.

Liquid leak sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20220065737A1. Автор: Beak Myeong SEONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-03.

Integrated circuit, system and method of forming same

Номер патента: US12131998B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Liquid leak sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US11747234B2. Автор: Beak Myeong SEONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of fabricating nonpolar gallium nitride-based semiconductor layer, nonpolar semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09966497B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of fabricating hafnium oxide layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US09831085B2. Автор: Deok Sin Kil,Jae Sung Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of fabricating light-scattering substrate

Номер патента: US09464351B2. Автор: Hyun Bin Kim,June Hyoung Park,Gun Sang Yoon. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

System and method of generating and distributing energy

Номер патента: RU2408072C2. Автор: Дэвид Р. КРИСВЕЛЛ. Владелец: Дэвид Р. КРИСВЕЛЛ. Дата публикации: 2010-12-27.

Deterministic Quantum Emitter Operating At Room Temperature In Optical Communication Wavelength Using Intersubband Transition Of Nitride-Based Semiconductor Quantum Dot, Method Of Fabricating Same, And Operating Method Thereof

Номер патента: US20190027645A1. Автор: Yong-Hoon Cho,Hwanseop Yeo,JongHoi Cho. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-01-24.

Substrate with locally integrated single crystalline silicon layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20060144323A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Takashi Noguchi,Young-soo Park,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-06.

Laser apparatus and a method of fabricating thereof

Номер патента: WO2003003530A9. Автор: Alexander A Betin,Hans W Bruesselbach,David Sumida. Владелец: David Sumida. Дата публикации: 2004-07-08.

Guided-mode laser apparatus with improved cladding structure and a method of fabricating thereof

Номер патента: US20030012534A1. Автор: David Sumida,Hans Bruesselbach,Alexander Betin. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2003-01-16.

Method of recovery of MOTFT backplane after a-Si photodiode fabrication

Номер патента: US09947704B1. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Guangming Wang. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09875900B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09627213B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-04-18.

Trench field-effect device and method of fabricating same

Номер патента: US09601336B2. Автор: Hongwei Zhou,Dongyue Gao. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of fabricating semiconductor device having element isolation trench

Номер патента: US6559031B2. Автор: Kazunori Fujita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US8048800B2. Автор: Mi-Ra Kim,Wan-Joo Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-11-01.

Discharge light source and method of fabricating the same

Номер патента: US20050264214A1. Автор: Tsuyoshi Haga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US20110059609A1. Автор: Mi-Ra Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-03-10.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20120282745A1. Автор: Hideo Yamamoto,Kei Takehara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Method of fabricating a sputtering target, sputtering target fabricated by using the method, and an organic light-emitting display apparatus fabricated using the sputtering target

Номер патента: US20150014652A1. Автор: Jin-woo Park,Hun Kim,Su-Hyuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-15.

Method of fabricating memory and memory

Номер патента: US20060063279A1. Автор: Shigeharu Matsushita,Kazunari Honma. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Method of fabricating a resistor and a capacitor electrode in an integrated circuit

Номер патента: US20010049175A1. Автор: Kuo-Liang Huang,I- Ho Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of fabricating thin film transistor structure

Номер патента: US09935182B2. Автор: Wen Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

FinFET devices having fins with a tapered configuration and methods of fabricating the same

Номер патента: US09875905B2. Автор: Ruilong Xie,Min Gyu Sung,Catherine B. Labelle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Microlens, and method of fabricating thereof

Номер патента: US20090059391A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Three-dimensional tunneling field-effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20200176592A1. Автор: Chang Hwan Choi,Dong Hwan Lim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of fabricating light emitting body protection glass for quantum dot display

Номер патента: US10351468B1. Автор: Taehwan Kim,Hyunyoung Lim. Владелец: JINWOO ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-16.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20100273304A1. Автор: Hideo Yamamoto,Kei Takehara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process

Номер патента: US09691618B2. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Kiho Hwang,Hyunju Lee,Je-Hun WOO,Seungkyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Sputtering target, method of fabricating the same, and method of fabricating an organic light emitting display apparatus

Номер патента: US09416439B2. Автор: Jin-woo Park,Dong-Jin Kim,Sun-young Jung,Sang-Wook Sin,Il-sang Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240071810A1. Автор: Hoon Han,Byung Keun Hwang,Young Hun Sung,Youn Joung CHO,Eun Hyea Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20160064234A1. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Chih-tang Peng,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of fabricating conductive pattern, display device, and method of fabricating display device

Номер патента: US12041830B2. Автор: Jong Hyun Choung,Hong Sick Park,Jae Uoon KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of fabricating surface-emitting laser

Номер патента: US20180356459A1. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Fabrication method of implanting siliconions into the silicon substrate

Номер патента: US20020155701A1. Автор: Nobuaki Hamanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of handling test pad and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230395440A1. Автор: Jun Zhou,Sheng Hu,Qiong Zhan. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Fabrication method of thin film transistor substrate for X-ray detector

Номер патента: US20030096441A1. Автор: Ik kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of fabricating capacitor over bit line and bottom electrode thereof

Номер патента: US20080124886A1. Автор: Cheng-Che Lee,Tsung-De Lin. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Silicon precursor, method of forming a layer using the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09899392B2. Автор: Younjoung CHO,Xiaobing Zhou,Michael David Telgenhoff,JunHyun Cho,Kyunghye Jung. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US09831251B2. Автор: Jun Tan,Jian Zhong,Qiuming Huang,Jianqin Gao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of fabricating semiconductor device and computing system for implementing the method

Номер патента: US09754789B2. Автор: Hwa-Sung Rhee,Yoon-hae Kim,Jong-Shik Yoon,Byung-Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of fabricating a semiconductor device including a plurality of isolation features

Номер патента: US09685344B2. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Chih-tang Peng,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US09508551B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Jeehoon HAN,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of fabricating miniaturized semiconductor or other device

Номер патента: US09443755B2. Автор: Steven Zhang,Donjiang WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of fabricating a flash memory and an isolating structure applied to a flash memory

Номер патента: US20100230778A1. Автор: Shen-De Wang,Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of fabricating stretchable electronic device, stretchable electronic device, and stretchable display apparatus

Номер патента: US20210354435A1. Автор: Yingsong XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Light emitting diode package and method of fabricating the same

Номер патента: US20130214315A1. Автор: Peiching Ling,Vivek B. Dutta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-22.

Method of fabricating wafer level package

Номер патента: US20130344627A1. Автор: Eun-Kyoung Choi,Sang-Won Kim,Sang-uk Han,Jong-Youn Kim,Ji-Seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140220752A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jae-Young Park,Bon-young Koo,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Kang-Hun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-07.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US9711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US20160035617A1. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Fabrication system of semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20200348599A1. Автор: Jinhong Park,Seungmin Lee,Suntaek LIM,Jinseok Heo,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Hybrid element and method of fabricating the same

Номер патента: US12087754B2. Автор: Hyunjoon Kim,Dongho Kim,Seogwoo Hong,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Joonyong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Inspection method, inspection system, and method of fabricating semiconductor package using the same

Номер патента: US20180101940A1. Автор: Younghoon Sohn,Yusin Yang,Ilsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

Method of fabricating semiconductor device having dummy micro bumps between stacking dies

Номер патента: US20240304466A1. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai,Chung-Chieh TING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing ceramic LED packages with higher heat dissipation

Номер патента: US09842973B2. Автор: Xiantao Yan. Владелец: Ledengin Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09793165B2. Автор: Kyu-Ha Lee,Taeje Cho,Hogeon SONG,SeYoung JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of fabricating a heat sink

Номер патента: US09791219B2. Автор: Preben Bonde,Gorm Gamborg. Владелец: Schneider Electric IT Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US09711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of generating plasma in remote plasma source and method of fabricating semiconductor device using the same method

Номер патента: US09685346B2. Автор: Sangheon Lee,Gon-Jun KIM,Sam Hyungsam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09627252B2. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating polysilicon layer, thin film transistor, organic light emitting diode display device including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US09576797B2. Автор: Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Tae-Hoon Yang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of fabricating polarizing member, and method of fabricating liquid crystal display including polarizing member

Номер патента: US09541789B2. Автор: Gug-Rae Jo,Dae-Young Lee,Jung-Gun NAM,Dae-Hwan JANG,Kang-Soo Han. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of fabricating semiconductor cleaners

Номер патента: US09529366B2. Автор: Frank Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of fabricating a merged P-N junction and schottky diode with regrown gallium nitride layer

Номер патента: US09525039B2. Автор: Ozgur Aktas,Quentin Diduck,Isik C. Kizilyalli,Hui Nie,Thomas R. Prunty,Dave P. Bour. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09461148B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jae-Young Park,Bon-young Koo,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Kang-Hun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of fabricating a transistor using contact etch stop layers

Номер патента: US09412841B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Lee-Wee Teo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: WO2020107216A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2020-06-04.

Methods of fabricating memory devices

Номер патента: US9172039B2. Автор: Masayuki Terai,In-Gyu Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-27.

Method of fabricating stretchable electronic device, stretchable electronic device, and stretchable display apparatus

Номер патента: WO2019205130A1. Автор: Yingsong XU. Владелец: CHENGDU BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-10-31.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100123183A1. Автор: Katsuhiko Yamamoto,Tadashi Terasaki,Hirotaka Hamamura,Yoshiki Yonamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2010-05-20.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: US20180331206A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Method of fabricating conductor structures with metal comb bridging avoidance

Номер патента: WO2002025715A3. Автор: Sey-Ping Sun,Bradley K Davis,Shengnian Song. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of fabricating conductor structures with metal comb bridging avoidance

Номер патента: WO2002025715A2. Автор: Sey-Ping Sun,Bradley K. Davis,Shengnian Song. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-03-28.

Method of fabricating stretchable electronic device, stretchable electronic device, and stretchable display apparatus

Номер патента: EP3788653A1. Автор: Yingsong XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-10.

Atom and ion sources and sinks, and methods of fabricating the same

Номер патента: US20180098411A1. Автор: Jonathan J. Bernstein. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Methods of fabricating semiconductor package

Номер патента: US20240162128A1. Автор: Gi Jo Jung. Владелец: LB Semicon Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: EP3888130A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-06.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: EP3488471A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Methods of fabricating semiconductor package

Номер патента: US12046526B2. Автор: Jin-woo Park,Jung-Ho Park,Jae Gwon Jang,Gwang Jae JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of fabricating gate dielectric layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070093011A1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Tung-Hsing Lee,Li-Shian Jeng,Tzermin Shen,Da-Ching Cho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of Fabricating Memory

Номер патента: US20220399344A1. Автор: Haibin XIANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Current collector for electrical energy storage device and method of fabrication thereof

Номер патента: WO2024205487A1. Автор: Koichi Fukuda,Yoshihiko Kinoshita,Chang Chieh Hang. Владелец: Sodion Energy Pte. Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of fabricating memory devices

Номер патента: US09960170B1. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Chan-Sic Yoon,Kiseok LEE,Jemin PARK,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of fabricating a MOSFET with an undoped channel

Номер патента: US09923056B2. Автор: Chih-Hsiung Lin,Tai-Yuan Wang,Chia-Der Chang,Jung-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming SiOCN material layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09887080B2. Автор: Gi-gwan PARK,Kang-Hun Moon,Yong-Suk Tak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842841B2. Автор: Ji Hun Kim,Wonseok Yoo,Jeonghoon Oh,Eun-Sun Lee,Ilgweon KIM,Junhwa SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming key patterns and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09704721B2. Автор: Ja-Min Koo,Heeju Shin,Jonghwa Baek,Boo-Hyun Ham,Rankyung Jung,Hyunchang LEE,Yongkug Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09620518B2. Автор: Yao-Fu Chan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of fabricating a MOSFET with an undoped channel

Номер патента: US09564510B2. Автор: Chih-Hsiung Lin,Tai-Yuan Wang,Chia-Der Chang,Jung-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of manufacturing a FinFET device having a stepped profile

Номер патента: US09514991B2. Автор: Yuan-Shun Chao,Hou-Yu Chen,Chih-Wei Kuo,Shyh-Horng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of verifying line reliability and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080160655A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Method of fabricating semiconductor device, and plating apparatus

Номер патента: US20080023335A1. Автор: Koji Arita,Ryohei Kitao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of fabricating schottky barrier diode

Номер патента: US20090029518A1. Автор: Tadaaki Souma. Владелец: Toko Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Fabricating a gate oxide

Номер патента: US8501562B1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2013-08-06.

Semiconductor fin structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20200212205A1. Автор: Geert Eneman,Geoffrey Pourtois,Liesbeth Witters,Bartlomiej PAWLAK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of fabricating self aligned schottky junctions for semiconductors devices

Номер патента: EP1958244A1. Автор: Markus Müller. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-08-20.

Method of fabricating semiconductor device and patterning semiconductor structure

Номер патента: US12062547B2. Автор: Hsing Ou Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of fabricating printed circuit board (pcb) substrate having a cavity

Номер патента: US20150090688A1. Автор: Jack Ajoian. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Method of fabricating a sige semiconductor structure

Номер патента: EP1716598A1. Автор: Peter Deixler,Roy Colclaser,Brian Wroblewski. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-11-02.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: EP3140858A1. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-15.

Method of fabricating self-aligned polysilicon via plug

Номер патента: US6291338B1. Автор: JHY-JYI SZE,Benjamin Szu-Min Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-09-18.

Method of fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: US20050142738A1. Автор: Byeong Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device having a structure to improve contact processing margin, and method of fabricating the same

Номер патента: US20070037354A1. Автор: Dae Kim,Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Methods of fabricating passive element without planarizing and related semiconductor device

Номер патента: US20080054393A1. Автор: Timothy Dalton,Jeffrey Gambino,Anthony Stamper,Ebenezer Eshun,Kunal Vaed,Anil Chinthakindi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080142921A1. Автор: Atsuo Isobe,Suguru Ozawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Method of fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: US7067360B2. Автор: Byeong Ryeol Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-27.

Display substrate and method of fabricating display substrate

Номер патента: EP3453052A1. Автор: Dejiang Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-13.

Methods of fabricating a semiconductor device having low contact resistance

Номер патента: US20120208335A1. Автор: Ho Jin Cho,Yong Soo Joung,Kyong Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Etching method and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09972696B2. Автор: Sang Won Bae,Hoyoung Kim,Wonsang Choi,Jae-Jik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of fabricating a semiconductor device having a via structure and an interconnection structure

Номер патента: US09905458B2. Автор: Seongho Park,Yongkong SIEW. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of fabricating semiconductor device with an overlay mask pattern

Номер патента: US09812364B2. Автор: Jong-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09793158B2. Автор: Yong Kong Siew,Hyunsu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of testing a semiconductor-on-insulator structure and application of said test to the fabrication of such a structure

Номер патента: US09698063B2. Автор: Patrick Reynaud,Walter Schwarzenbach,Konstantin Bourdelle,Jean-Francois Gilbert. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: US09620626B2. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09412649B1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chia-Tien Wu,Tsai-Sheng Gau,Yung-Sung Yen,Yung-Hsu WU,Kuei-Shun Chen,Ta-Ching Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

A method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: MY151464A. Автор: Lee Hing Wah,Daniel Bien Chia SHENG,Rozina Abdul Rani,Mohd Ismahadi Syono. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-05-30.

Method of fabricating silicon thin film layer

Номер патента: US20070048983A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Ji-sim Jung,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Jong-Man Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Method of fabricating semiconductor device, and plating apparatus

Номер патента: US8038864B2. Автор: Koji Arita,Ryohei Kitao. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080085472A1. Автор: Hyoung-Joo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050181528A1. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074288A1. Автор: Kenichi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Method of fabricating semiconductor device having dummy micro bumps between stacking dies

Номер патента: US12020952B2. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai,Chung-Chieh TING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20200227314A1. Автор: Ji Young Kim,Sung Bin Park,Han Seong Kim,Jong Min Baek,Kyu Hee Han,Deok Young Jung,Yeong Gil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Method of fabricating a semiconductor light-emitting device and the semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20010017375A1. Автор: Shoji Hirata,Hironobu Narui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Semicondunctor device and method of fabricating the same

Номер патента: WO2012028109A1. Автор: Wei Huang. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-08.

Method of fabricating semiconductor package and semiconductor package structure including the semiconductor package

Номер патента: US20240266307A1. Автор: Junghyun Roh,Manhee Han,Jaeyoung HONG,Wangsun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of fabricating semiconductor device having dual gate

Номер патента: US20150093888A1. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Hag-Ju Cho,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-02.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US7265432B2. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020048904A1. Автор: Takahiro Oka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Method for fabricating a split gate flash memory cell

Номер патента: US20030049904A1. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Method of fabricating memory devices including b-site dopants and logic devices through wafer bonding

Номер патента: US20240276734A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Biswajeet Guha,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi,James David Clarkson,Abel Fernandez. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159989A1. Автор: Jeong Pyo Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20140124834A1. Автор: Atsushi Nakamura,Dong-jun Lee,Keita Kato,Jae-ho Kim,Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Si-Young Lee,Suk-Koo Hong. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US8987118B2. Автор: Atsushi Nakamura,Dong-jun Lee,Keita Kato,Jae-ho Kim,Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Si-Young Lee,Suk-Koo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-24.

Methods of fabricating a fully silicided gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077756A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040253800A1. Автор: Yong-Sun Ko,Sang-Sup Jeong,Jae-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-16.

Method of fabricating MOS transistor

Номер патента: US20060141720A1. Автор: Yong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20210111128A1. Автор: Seokhyun Lee,Kyoung Lim SUK,Seung-Kwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of fabrication of an integrated thermoelectric converter, and integrated thermoelectric converter thus obtained

Номер патента: US20210359189A1. Автор: Paolo Ferrari,Bruno Murari,Flavio Francesco Villa,Luca Zanotti,Lucia Zullino,Andrea NOMELLINI,Luca SEGHIZZI,Martina SCOLARI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of fabricating electronic device including a sensor module

Номер патента: US20230290175A1. Автор: Shinya Onoue,Dongjin Jeong,Jin HYUN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Methods of fabricating a multianalyte detection device and devices thereof

Номер патента: US20240319135A1. Автор: Narendra Kumar,Kenneth S. Burch,Michael GEIWITZ,Matthew CATALANO. Владелец: Boston College. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09966262B2. Автор: JaeWoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of fabricating a semiconductor package having mold layer with curved corner

Номер патента: US09929131B2. Автор: Hyein YOO,Yeongseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09881809B2. Автор: Hong-Ji Lee,Xin-Guan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for fabricating a finFET metallization architecture using a self-aligned contact etch

Номер патента: US09818876B1. Автор: Guillaume Bouche. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09768025B2. Автор: Yongkong SIEW,Sung-yup Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of fabricating semiconductor structure with improved critical dimension control

Номер патента: US09653345B1. Автор: En-Chiuan Liou,Yu-Ting Hung,Che-Yi Lin,Chia-Hsun Tseng,Shin-Feng Su,Shang-Nan Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Vertical light emitting diode with photonic nanostructures and method of fabrication thereof

Номер патента: US09647183B2. Автор: Sudhiranjan Tripathy,Siew Lang Teo,Surani Bin Dolmanan,Krishna Kumar MANIPPADY,Kaixin Vivian LIN,Sivashankar KRISHNAMOORTHY. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627247B2. Автор: Hong-Ji Lee,Fang-Hao Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09614025B2. Автор: Chung-Yen Chou,Kuo-Chi Tu,Chih-Yang Pai,Wen-Chuan Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of fabricating sputtering target, sputtering target using the method, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the sputtering target

Номер патента: US09598764B2. Автор: Jin-woo Park,Dong-Jin Kim,Sun-young Jung,Il-sang Lee,Sang-Wook Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09559112B2. Автор: Youngwoo Park,Jungdal CHOI,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of fabricating semiconductor device having a trench structure penetrating a buried layer

Номер патента: US09543190B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Apparatus and method of attaching solder ball and method of fabricating semiconductor package including solder ball

Номер патента: US09364914B2. Автор: Chul-Yong JANG,Seokhyun Lee,Jaegwon JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-14.

Fabrication method of non-volatile memory

Номер патента: US20070092997A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220059697A1. Автор: Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Process gas for cryogenic etching, plasma etching apparatus, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230230840A1. Автор: Hiroshi Sasaki,Dongkyu LEE,Songyun Kang,Younseon Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of fabricating composite field emission source

Номер патента: US9005407B2. Автор: Jian-Min Jeng,Wen-Ching Shih,Jyi-Tsong Lo,Wei-Lung Tasi. Владелец: Tatung University. Дата публикации: 2015-04-14.

Method of fabricating gate

Номер патента: US6448605B1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-10.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090197378A1. Автор: Satoru Shimada,Seiji Otake,Yasuhiro Takeda. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-06.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device testing apparatus and methods of testing and fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230366853A1. Автор: Donghyun Lee,Younghoon Sohn,Sung Yoon Ryu,Sooseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20170345679A1. Автор: Sangjin Kim,TaeYong KWON,Yunkyeong JANG,Donghoon HWANG,Sebeom OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Method of Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20120090535A1. Автор: Takashi Nakao,Hiroshi Itokawa,Tsutomu Sato,Shinji Mori,Ichiro Mizushima,Masahiko Murano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of fabricating a capacitor

Номер патента: US20240162279A1. Автор: Vincent Caro,Quentin Paoli. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2024-05-16.

Photoelectric device, method of fabricating the same and packaging apparatus for the same

Номер патента: US8093078B2. Автор: Chester Kuo,Hung Chin Lin. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of fabricating composite field emission source

Номер патента: US20120090986A1. Автор: Jian-Min Jeng,Wen-Ching Shih,Jyi-Tsong Lo,Wei-Lung Tasi. Владелец: Tatung University. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of fabricating silicon carbide material

Номер патента: US20220024773A1. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Method of fabricating gate

Номер патента: US20020052103A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20070254389A1. Автор: Chang-ki Hong,Jeong-Nam Han,Dae-hyuk Kang,Kun-tack Lee,Sung-il Cho,Jung-min Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-01.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Methods of fabricating semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20090250752A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-08.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US7306996B2. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-11.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US9524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167130A1. Автор: Seulji SONG,Kyusul PARK,Woohyun Park,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US7932102B2. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Byung-Seo Kim,Yoon-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-26.

Method of fabricating semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200169058A1. Автор: Hitoshi Sato,Kazuya Yamada,Hiroki Nagai. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Thin film transistor, method of fabricating thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20190267493A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang,Hongda Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of fabricating a multilayered dielectric diffusion barrier layer

Номер патента: US7470597B2. Автор: Elbert E. Huang,Jeffrey C. Hedrick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-30.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: EP4049083A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-08-31.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: WO2021078657A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of fabricating thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US10777588B2. Автор: HU Meng,Qi Huang,Xuelei Liang,Jiye XIA,Boyuan TIAN,Guodong Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a cmos process flow

Номер патента: US20170084465A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Hui-Mei Shih. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Method of intercalating insulating layer between metal catalyst layer and graphene layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20170170012A1. Автор: Insu Jeon,Jiyeon Ku,Hyowon KIM,Wonhee KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of fabricating metal silicide layer

Номер патента: US20060154474A1. Автор: Yi-Wei Chen,Yi-Yiing Chiang,Yu-Lan Chang,Tzung-Yu Hung,Chao-Ching Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

Method of fabricating a halide perovskite

Номер патента: US20240170591A1. Автор: Wei Wang,You Meng,Chung Yin Johnny Ho,Zhengxun Lai. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US9853010B2. Автор: Jin Ho Lee,Kwang-Seong Choi,Hyun-Cheol Bae,Yong Sung Eom,Haksun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-12-26.

Apparatus for fabricating semiconductor device having upper and lower inlets for supplying supercritical fluids and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110593B2. Автор: Yong-jhin Cho,Young Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of fabricating a semiconductor structure

Номер патента: US20180047585A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chia-Wei Chang,Chun-Hung Lee,Tzu-Yen Hsieh,Dai-Lin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110421B2. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240332268A1. Автор: Seokhyun Lee,Kyoung Lim SUK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Carrier substrate having a plurality of fluid passages and method of fabricating display apparatus utilizing the same

Номер патента: US09997547B2. Автор: Yueping Zuo,Chien Hung Liu,Yinghai Ma,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09972683B2. Автор: Dong-Kwon Kim,Ji-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09947771B2. Автор: Byoung-Keon Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of fabricating a vertical MOS transistor

Номер патента: US09941390B2. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a CMOS process flow

Номер патента: US09911613B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Hui-Mei Shih. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of fabricating a tunable schottky diode with depleted conduction path

Номер патента: US09899500B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09853010B2. Автор: Jin Ho Lee,Kwang-Seong Choi,Hyun-Cheol Bae,Yong Sung Eom,Haksun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of fabricating semiconductor image sensor device having back side illuminated image sensors with embedded color filters

Номер патента: US09786716B2. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of fabricating a semiconductor structure

Номер патента: US09779963B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chia-Wei Chang,Chun-Hung Lee,Tzu-Yen Hsieh,Dai-Lin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method and processing apparatus for fabricating a magnetic resistive random access memory device

Номер патента: US09761795B2. Автор: Kiwoong Kim,Sechung Oh,Sangyong Kim,Yongsung PARK,Youngman JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of fabricating memory device

Номер патента: US09748261B2. Автор: Young-woo Park,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09685582B2. Автор: Hyuck Jung Choi,Dae Hee Kim. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

FinFET and method of fabricating the same

Номер патента: US09634104B2. Автор: Donald Y. Chao,Hou-Yu Chen,Shyh-Horng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09613967B1. Автор: Yoshinori Tanaka,Wei-Che Chang,Yi-Hao Chien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Wire grid polarizer and method of fabricating the same

Номер патента: US09612379B2. Автор: Min Hyuck KANG,Eun Ae KWAK,Hyeong Gyu JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method and processing apparatus for fabricating a magnetic resistive random access memory device

Номер патента: US09570673B2. Автор: Kiwoong Kim,Sechung Oh,Sangyong Kim,Yongsung PARK,Youngman JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09543165B2. Автор: Yung-Sung Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09530870B2. Автор: Nam-Kyu Kim,Seokhoon Kim,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Byeongchan Lee,Kwan Heum Lee,Choeun LEE,Sujin JUNG,Dong Chan Suh,Jieon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Carrier and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09496163B2. Автор: Jisoon Park,Byung Lyul Park,Hyungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of fabricating a charge-trapping gate stack using a CMOS process flow

Номер патента: US09496144B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Hui-Mei Shih. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of fabricating semiconductor image sensor device having back side illuminated image sensors with embedded color filters

Номер патента: US09461089B2. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of fabricating heat dissipating board

Номер патента: US09363885B1. Автор: Tsuyoshi Takagi,Noriaki Taneko,Shukichi Takii. Владелец: Meiko Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Method of Semiconducotr integrated Circuit Fabrication

Номер патента: US20140138838A1. Автор: Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Method of fabricating a pixel array

Номер патента: US20120171792A1. Автор: Chih-Ming Lai,Yung-Hui Yeh,Chun-Cheng Cheng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-07-05.

Method of fabricating high-voltage CMOS device

Номер патента: US20050142723A1. Автор: Kwang Ko. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Methods of fabrication of high-density laser diode stacks

Номер патента: EP2786459A1. Автор: Edward F. Stephens, Iv,Frank L. Struemph,Jeremy Scott Junghans. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2014-10-08.

Miniature field plate t-gate and method of fabricating the same

Номер патента: WO2020214227A9. Автор: Jeong-Sun Moon,Joel C. Wong,Robert M. GRABAR,Michael T. ANTCLIFFE. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Miniature field plate t-gate and method of fabricating the same

Номер патента: EP3948955A2. Автор: Jeong-Sun Moon,Joel C. Wong,Robert M. GRABAR,Michael T. ANTCLIFFE. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2022-02-09.

Cleaning composition, cleaning apparatus, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20190241844A1. Автор: Young-Hoo Kim,Jung-min Oh,Tae Keun Kim,Min Hee Cho,Ji Soo Jeong,Hyo San LEE,Ye Rim YEON,Mi Hyun Park,Hae Rim Oh. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Method of fabricating a bipolar junction transistor

Номер патента: US20060099757A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20120012839A1. Автор: Hyun-Sik Seo,Jong-Uk Bae,Yong-Yub Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US20170062431A1. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device, display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20010020702A1. Автор: Kiichi Hirano,Naoya Sotani,Toshifumi Yamaji,Yoshihiro Morimoto,Kiyoshi Yoneda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Method of fabricating a diode

Номер патента: US8034700B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Reiner Barthelmess. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-10-11.

Method of fabricating a diode

Номер патента: US20100136774A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Reiner Barthelmess. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-06-03.

Method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20010018240A1. Автор: Tae-Kyung Kim,Seung-Ki Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20180130665A1. Автор: Hyun Park,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Methods of Forming Interconnect Structures in Semiconductor Fabrication

Номер патента: US20210375756A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US8906805B2. Автор: Sang-Yong Park,Jin-Taek Park,Woon-kyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-09.

Solid-state image sensor with pillar surface microstructure and method of fabricating the same

Номер патента: US11749699B2. Автор: Shih-Ping Lee,Yi-Ping Lin,Ya-Ting Chen,Hsin-Ying Tung,Yu-Ching Liao. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of fabricating semiconductor strucutre

Номер патента: US20200098583A1. Автор: Jr-Sheng Chen,Chih-Hsien Hsu,Chin-Han Meng,An-Chi Li,Lin-Ching Huang,Yu-Pei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Miniature field plate T-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US11764271B2. Автор: Jeong-Sun Moon,Joel C. Wong,Robert M. GRABAR,Michael T. ANTCLIFFE. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of fabrication of low value resistors in a semiconductor material

Номер патента: WO2009138951A1. Автор: Sébastien Jacqueline,David Chevrie,Francois Lecornec,Serge Bardy. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-11-19.

Method of fabricating semiconductor light emitting device

Номер патента: US20170077346A1. Автор: Sang Jun Lee,Seung Hyun Kim,Sang Heon Han,Dong Yul Lee,Suk Ho Yoon,Jang Mi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Method of fabricating a damascene structure

Номер патента: US20020137319A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Teng-Chun Tsai,Hsueh-Chung Chen,Yung-Tsung Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Methods of fabricating fully silicide gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077740A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of Fabricating Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Номер патента: US20080038909A1. Автор: Woong Je Sung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-14.

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090130804A1. Автор: Chen-Pang Kung,Huai-Yuan Tseng,Ming-Hsien Lee,Horng-Chih Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-05-21.

Method of fabricating memory

Номер патента: US20100323483A1. Автор: Cheng-Ming Yih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080076213A1. Автор: Chun-Chieh Chang,Tzung-Yu Hung,Chao-Ching Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of fabricating node contacts

Номер патента: US20020115291A1. Автор: Tzung-Han Lee,King-Lung Wu,Kun-Chi Lin. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP NO 3. Дата публикации: 2002-08-22.

Cerium oxide nanoparticles, methods for fabricating the same and methods for fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230167566A1. Автор: Sang Kyun Kim,Min Young Kim,Kyu Hyoung Lee,Hyo San LEE,Chul Oh Park,In Kwon Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-06-01.

Spatial semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150048486A1. Автор: Chih-Chien Liu,Wen-Yi Teng,Hung-Lin Shih,Jei-Ming Chen,Chieh-Wen Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

A cfet cell and a method of fabricating a cfet cell

Номер патента: EP4435843A1. Автор: Gaspard Hiblot,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-09-25.

Package having redistribution layer structure with protective layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355756A1. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee,Chun-Hui Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Battery system and diagnosis method of high-side driver using the same

Номер патента: EP4443179A1. Автор: Giho Seo,Duck-Hyun Kim,Kwangmin YOO,Kyosung KOO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20220359282A1. Автор: Taesung Lee,JongSeok Lee,Uihyoung LEE,Honyun Park,Sewan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-10.

Oxide semiconductor sputtering target and method of fabricating thin-film transistor using same

Номер патента: US12119225B2. Автор: Shinhyuk Kang,Jeonghyun Moon,Kangmin Ok. Владелец: KV Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US20140084469A1. Автор: Hsiang-Huan Lee,Ming Han Lee,Tz-Jun Kuo,Chien-Hsin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Battery system and diagnosis method of high-side driver using the same

Номер патента: US20240339682A1. Автор: Giho Seo,Duck-Hyun Kim,Kwangmin YOO,Kyosung KOO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods of fabricating semiconductor package

Номер патента: US20200168477A1. Автор: Jin Kuk Lee,Jae Jin KWON. Владелец: LB Semicon Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Methods of fabricating semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices

Номер патента: US09984881B2. Автор: Scott T. Sheppard,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09953841B2. Автор: Kuang-Chao Chen,Yen-Ju Chen,Shih-Ping Hong,Yuan-Chieh Chiu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09941139B2. Автор: Yung-Sung Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09917117B2. Автор: Moo Soon KO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Fan-out panel level package and method of fabricating the same

Номер патента: US09892980B2. Автор: Jinsung Kim,Younghoon Sohn,Yusin Yang,Chungsam Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US09847336B2. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09847266B2. Автор: Kangmin JEON,Jaehyun Lee,Dongsoo Lee,Hyung Joo Lee,Kyounghoon Han,Tae-Hwa Kim,Chanhoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of fabricating semiconductor package having semiconductor element

Номер патента: US09812340B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Meng-Tsung Lee,Fu-Tang HUANG,Chiang-Cheng Chang,Jung-Pang Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of fabricating synapse memory device

Номер патента: US09773802B2. Автор: XIANYU Wenxu,Seong Ho Cho,Hojung Kim,Inkyeong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US09761460B1. Автор: Chia-Ching Lin,En-Chiuan Liou,Yen-Pu Chen,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US09679850B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Chen-Hsiang LU,Wei Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of fabricating FinFET device and structure thereof

Номер патента: US09653593B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of fabricating power MOSFET

Номер патента: US09653560B1. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excellence Mos Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of fabricating switched-capacitor DC-to-DC converters

Номер патента: US09640445B1. Автор: Jae Ho Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09640444B2. Автор: Sunyoung Park,Jung-Ho Do,Kwanyoung Chun,Sanghoon Baek,Sang-Kyu Oh,Taejoong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Coating apparatus and method of fabricating liquid crystal display device using the same

Номер патента: US09567555B2. Автор: O-Jun Kwon,Kang-Il Cho. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of fabricating semiconductor package having an interposer structure

Номер патента: US09548220B2. Автор: Chun-Tang Lin,Yi-Che Lai,Yi-Chian Liao,Kuan-Wei Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of fabricating a semiconductor structure with a self-aligned contact

Номер патента: US09543203B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,En-Chiuan Liou,Yu-Ting Hung,Wei-Hao Huang,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of fabricating semiconductor package, semiconductor package formed thereby, and semiconductor device including the same

Номер патента: US09508704B2. Автор: Hyunsoo Chung,Inyoung LEE,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of fabricating semiconductor light emitting device

Номер патента: US09502605B2. Автор: Sang Jun Lee,Seung Hyun Kim,Sang Heon Han,Dong Yul Lee,Suk Ho Yoon,Jang Mi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09478430B2. Автор: Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of fabricating three-dimensional gate-all-around vertical gate structures and semiconductor devices, and three-dimensional gate-all-round vertical gate structures and semiconductor devices thereof

Номер патента: US09466610B1. Автор: Ta-Hone Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240222123A1. Автор: Jiho Park,Ji-Eun Lee,Young-Seung Cho,Kang In KIM,Si Nyeon KIM,Youngwoo SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7772131B2. Автор: Jae-Hyun Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Strain compensated semiconductor structures and methods of fabricating strain compensated semiconductor structures

Номер патента: EP1523766A1. Автор: Adam William Saxler. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-04-20.

Method of fabricating a semiconductor device including ion implantation at a tilt angle in exposed regions

Номер патента: US20120015510A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-19.

Method of fabricating a semiconductor device including ion implantation at a tilt angle in exposed regions

Номер патента: US20110275204A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of fabricating a semiconductor device including ion implantation at a tilt angle in exposed regions

Номер патента: US7981782B2. Автор: Min Yong Lee,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-19.

Method of fabricating a 3-d device

Номер патента: US20110171781A1. Автор: Dong Ho Lee,Jong Ho Lee,Eun Chul Ahn,Yong Chai Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of fabricating light pipe of image sensing device

Номер патента: US20170018595A1. Автор: Saysamone Pittikoun,Tzu-Wen Kao,Yu-Yuan Lai,Meng-Chieh Hsieh. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Chip package and its method of fabrication

Номер патента: US20240162259A1. Автор: Julien Cuzzocrea,Younes BOUTALEB. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20120202335A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20140248755A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Method of fabricating a transistor with reduced hot carrier injection effects

Номер патента: US20170243950A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210272815A1. Автор: Chong Kwang Chang,Sug Hyun SUNG,Dong Hoon KHANG,Min Hwan JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of Semiconductor Integrated Circuit Fabrication

Номер патента: US20160172196A1. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of fabricating a mask

Номер патента: US20180226250A1. Автор: Chieh-Te Chen,Cheng-Yu Wang,Hsien-Shih Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Methods of fabricating semiconductor device using high-K layer for spacer etch stop and related devices

Номер патента: US8481392B1. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-09.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20160086813A1. Автор: Un-Gyu Paik,Sang-kyun Kim,Dong-jun Lee,Jong-woo Kim,Ye-Hwan Kim,Ji-hoon SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-24.

Method of Fabricating High-Power Module

Номер патента: US20200171578A1. Автор: Hung-Cheng Chen,Chang-Shu Kuo,In-Gann Chen,Steve Lien-Chung Hsu,Chia-Ming Yang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20130034960A1. Автор: HAIYANG Zhang,Dongjiang Wang,Minda Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A4. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Method of semiconductor device fabrication

Номер патента: US10446396B2. Автор: Tsung-Yao Wen,Angus Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-15.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20090075462A1. Автор: Rolf Weis,Dirk Manger,Christoph Noelscher. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-03-19.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US12074031B2. Автор: Chong Kwang Chang,Sug Hyun SUNG,Dong Hoon KHANG,Min Hwan JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of fabricating a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7205197B2. Автор: Katsuji Yoshida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-17.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130280882A1. Автор: Young-Nam Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Methods of fabricating a semiconductor device with capacitors using mold structure and protection layer

Номер патента: US20140065784A1. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Je-woo Han,Gyungjin Min,Junho Yoon,Yongmoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4246592A1. Автор: Jaejin Lee,Youngjun Kim,Eun-Ok Lee,Taekyung Yoon,Hunyoung Bark,Dongju Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-20.

Method of fabricating semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160099378A1. Автор: Sang Jun Lee,Seung Hyun Kim,Sang Heon Han,Dong Yul Lee,Suk Ho Yoon,Jang Mi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266188A1. Автор: Kiseok Kim,Jihye SHIM,Okseon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of fabricating bipolar junction transistor

Номер патента: US20070184608A1. Автор: Mingshang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Method of fabricating semiconductor device using photo key

Номер патента: US20140038383A1. Автор: Jae-Hong Park,Dong-Chan Kim,Je-woo Han,Jun-ho Yoon,Gyung-Jin Min,Yong-Moon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-06.

Method of fabricating buried contact

Номер патента: US20020058367A1. Автор: Shih-Ying Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

Method of fabrication of low value resistors in a semiconductor material

Номер патента: EP2286442A1. Автор: Sébastien Jacqueline,David Chevrie,Francois Lecornec,Serge Bardy. Владелец: Murata Integrated Passive Solutions SA. Дата публикации: 2011-02-23.

Complementary field effect transistor cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240321889A1. Автор: Gaspard Hiblot,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240332059A1. Автор: Jonghyuk Park,Myungjae JANG,Youngin Kim,Byoungho Kwon,Jin-Woo Bae,Byungsoo JOO,Yeil KIM,Kyoungjoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240313066A1. Автор: Chan Hwang,Soo Kyung Kim,Jonghyun JUNG,Moosong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09985008B2. Автор: JunHo Lee,Hongbin Shi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and patterning method

Номер патента: US09984931B2. Автор: Jinwook Lee,Dohyoung Kim,Dongwoo Han,Kwang-Yong Yang,Haegeon JUNG,KyungYub JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of forming gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09978853B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Self-aligned contact etch for fabricating a FinFET

Номер патента: US09905473B1. Автор: Guillaume Bouche,Vimal Kamineni,Michael Aquilino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Polycrystalline silicon thin film transistor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09891501B2. Автор: Ting-Yu Hsu,Hsiang-Yun Hsiao,Pei-Yun Wang,Cheng-Wei JIANG,Ya-Qin HUANG,Chia-Kai CHEN,Shih-Liang Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-02-13.

Light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842961B2. Автор: Hyuck Jung Choi,Dae Hee Kim. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09818825B2. Автор: Dong-Kwon Kim,Yong-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor packages and methods of fabricating the same

Номер патента: US09818699B2. Автор: Bongchan Kim,Young-ja KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09812329B2. Автор: Jung Sik Choi,Youn Joung CHO,Won Woong CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of fabricating three dimensional integrated circuit

Номер патента: US09761513B2. Автор: Chun Hui Yu,Kuo-Chung Yee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09755057B1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09728408B2. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of making a FinFET device

Номер патента: US09659810B2. Автор: Chen Kuang-Hsin,Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting,Joanna Chaw Yane Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of fabricating a semiconductor integrated circuit using a directed self-assembly block copolymer

Номер патента: US09640397B2. Автор: Tien-I Bao,Chieh-Han Wu,Chung-Ju Lee,Tsung-Yu Chen,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Yu-Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627514B1. Автор: Dong-Kwon Kim,Ji-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating sample support membrane

Номер патента: US09613780B2. Автор: Yuji Konyuba. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09583705B2. Автор: Young-Nam Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of fabricating semiconductor MOS device

Номер патента: US09577069B1. Автор: Chia-Lin Wang,Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Kuan-Lin Liu,Wen-Fang Lee,Ping-Hung Chiang,Chang-Po Hsiung,Shih-Chieh Pu,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of fabricating transient semiconductor based on single-wall nanotube

Номер патента: US09564319B2. Автор: Sung-Hun Jin. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of INU. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of fabricating vertical field effect transistors with protective fin liner during bottom spacer recess etch

Номер патента: US09530700B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Reinaldo A. Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09524870B2. Автор: Chun-Soo KANG,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of fabricating thin-film transistor substrate

Номер патента: US09484442B2. Автор: Yuta Sugawara. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Wiring structure for trench fuse component with methods of fabrication

Номер патента: US09431339B2. Автор: Edward P. Maciejewski,Chengwen Pei,Subramanian S. Iyer,Toshiaki Kirihata,Deepal U. Wehella-Gamage. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Heterostructure system and method of fabricating the same

Номер патента: US11062902B2. Автор: Gil Markovich,Yoram DAGAN,Alon RON,Amir HEVRONI. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

Heterostructure system and method of fabricating the same

Номер патента: EP3501038A1. Автор: Gil Markovich,Yoram DAGAN,Alon RON,Amir HEVRONI. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Method of fabricating package

Номер патента: US20230369066A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US11107723B1. Автор: Long Wang,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan,Penghui LU,Zijun Sun. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Method of fabricating substrate where patterns are formed

Номер патента: US8691334B2. Автор: Euijoon Yoon,Sung-Hoon Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-08.

Method of fabricating non-polar and semi-polar devices using epitaxial lateral overgrowth

Номер патента: EP3776672A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Hongjian Li,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-02-17.

Fabricating method of a pixel structure

Номер патента: US20070099354A1. Автор: Meng-Yi Hung,Ming-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20230081723A1. Автор: Yong Hyun Kim,Ju Hyung Lee,Min Jae Lee,Sun Chul Kim,Dong Uk KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Method of fabricating thin film transistor array

Номер патента: US6940095B2. Автор: Meng-Yi Hung. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Method of fabricating a charge trap nand flash memory device

Номер патента: US20130087849A1. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210257249A1. Автор: Long Wang,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan,Penghui LU,Zijun Sun. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170323886A1. Автор: Wei Cheng Wu,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240280895A1. Автор: Byung-Hyun Lee,Hoin Lee,Dongkyun Lee,Jinnam YEEM,Sangchul Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of fabricating semiconductor devices using a two-step gap-fill process

Номер патента: US20210050522A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Youngmin KO,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-18.

Self-aligned contacts and methods of fabrication

Номер патента: US20150279738A1. Автор: Guillaume Bouche,Xiang Hu,Andre Labonte,Gabriel Padron Wells. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200212206A1. Автор: Se Ho LEE,Bo yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of fabricating a strained semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: EP1695377A2. Автор: Huajie Chen,Guy Cohen,Stephen Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-30.

Method of fabricating a strained semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: WO2005055290A2. Автор: Huajie Chen,Guy Cohen,Stephen Bedell. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2005-06-16.

Thin film transistor, method of fabricating thin film transistor and pixel structure

Номер патента: US20120037908A1. Автор: Shine-Kai Tseng,Huang-Chun Wu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of fabricating thin film transistor array

Номер патента: US20050032282A1. Автор: Meng-Yi Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

Method of fabricating thin film transistor array

Номер патента: US20040104401A1. Автор: Meng-Yi Hung. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Method of selectively forming local interconnects using design rules

Номер патента: US20020114180A1. Автор: Jigish Trivedi,Mike Violette,Todd Abbott,Chuck Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Method of fabricating contact hole

Номер патента: US20190393080A1. Автор: Feng-Yi Chang,Yu-Ching Chen,Shih-Fang Tzou,Fu-Che Lee,Hsin-Yu Chiang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Stretchable interconnect structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12120814B2. Автор: Yue Zhao,Chee Keong Tee,Yu Jun TAN. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US11990474B2. Автор: Chi-Feng Huang,Shu Fang Fu,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Charge trapping split gate device and method of fabricating same

Номер патента: US09966477B2. Автор: Mark T. Ramsbey,Unsoon Kim,Sameer S. Haddad,Chun Chen,Kuo Tung CHANG,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09911828B2. Автор: NAKJIN SON,Yeon Ho Park,Kyungsoo Kim,Wookhyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09871122B2. Автор: Jaeseok Yang,Hyunjae Lee,In-wook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of forming a bottom electrode of a magnetoresistive random access memory cell

Номер патента: US09847477B2. Автор: Wei-Chieh Huang,Jieh-Jang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Package module and method of fabricating the same

Номер патента: US09806010B2. Автор: Tao Wang,Kai Lu,Zhen-Qing ZHAO. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of fabricating flash memory device

Номер патента: US09793155B2. Автор: Jee-hoon Han,Ho-Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09786644B2. Автор: Hongbin Shi,Kang Joon LEE,Hojeong MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of fabricating a gate dielectric for high-k metal gate devices

Номер патента: US09711373B2. Автор: Chen-Hua Yu,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Tai-Bor Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor structure with self-aligned spacers and method of fabricating the same

Номер патента: US09691665B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductive device with a single diffusion break and method of fabricating the same

Номер патента: US09660022B2. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods of fabricating substrates

Номер патента: US09653315B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott Sills,Anton Devilliers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09640429B2. Автор: Masahiro Nishi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of fabricating semiconductor light emitting device

Номер патента: US09614121B1. Автор: Chul Min Kim,Joo Young CHEON,Jeong Wook Lee,Yong Seok Choi,Ho Chul Lee,Do Young RHEE,Dong Gyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09608165B2. Автор: Ye Seul KIM,Jin Woong LEE,Yeo Jin Yoon,Sang Hyun Oh,In Soo Kim,Kyung Wan Kim,Tae Kyoon KIM. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of fabricating smooth seed layers with uniform crystalline texture for high perpendicular magnetic anisotropy materials

Номер патента: US09595666B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US09589842B2. Автор: Mitsuo Umemoto,Inho Choi,Donghan Kim,Jae Choon Kim,Jikho Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of patterning a material layer

Номер патента: US09570302B1. Автор: Kevin Huang,Jeng-Horng Chen,Shu-Hao Chang,Kuo-Chang Kau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of fabricating a polymer frame with a rectangular array of cavities

Номер патента: US09554469B2. Автор: Dror Hurwitz,Alex Huang. Владелец: Zhuhai Advanced Chip Carriers and Electronic Substrate Solutions Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09530696B1. Автор: Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Wei-Hsin Liu,Wei-Lun Hsu,Shang-Yi Yang,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09508832B2. Автор: Hyun Jung Lee,Seung Hun Lee,Poren Tang,Sunjung Kim,Jongryeol YOO,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Self-aligned contacts and methods of fabrication

Номер патента: US09460963B2. Автор: Guillaume Bouche,Xiang Hu,Andre Labonte,Gabriel Padron Wells. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09455178B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang,Hsiang-Lun Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of making a FinFET device

Номер патента: US09443768B2. Автор: Ming-Feng Shieh,Hung-Chang Hsieh,Han-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of fabricating semiconductor integrated circuit having phase-change layer

Номер патента: US09419221B2. Автор: Se Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of fabricating wafer

Номер патента: US20140137793A1. Автор: Seok Min Kang,Moo Seong Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Method of fabricating memory

Номер патента: US7344938B2. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Kuohua Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-18.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US10312086B2. Автор: Kuo-Yao Chou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-04.

Method of fabricating MOS sensor

Номер патента: US20020151139A1. Автор: Jui-Hsiang Pan,Chih-Hua Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-17.

Methods of fabricating a device

Номер патента: US20190259614A1. Автор: Kuo-Yao Chou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Method of fabricating light-emitting diode display panel

Номер патента: US20210336076A1. Автор: Yang Sun. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Encapsulated quantum confinement structures and method of fabricating same

Номер патента: US20240250222A1. Автор: Yehonadav BEKENSTEIN,Rotem STRASSBERG. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of fabricating a plurality of linear arrays with submicron y-axis alignment

Номер патента: US10943895B2. Автор: Gary D. Redding,Joseph F. Casey. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Method of fabricating nonvolatile organic bistable memory device including polymer thin film with nanoparticles serving as charge trapping region

Номер патента: WO2009022774A1. Автор: Jae-Hoon Jung,Tae-Whan Kim,Dong-Ick Son,Jae-Hyeon Leem. Владелец: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION, HANYANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-02-19.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20150031195A1. Автор: Jihoon Kim,Eun Tae Kim,Jin Ho Oh,Jongmyeong Lee,Heesook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-29.

Apparatus for fabricating blank mask and method of fabricating the same

Номер патента: US20240248390A1. Автор: Tae Wan Kim,Hyung Joo Lee,In Kyun SHIN. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Apparatus for and method of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20190288203A1. Автор: Jiho Park,Jaeho Jung,Jeonghee Park,Kyoung Sun Kim,Changyup Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7651933B2. Автор: Guee-Hwang SIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-26.

Method of fabricating light emitting device

Номер патента: US8053261B2. Автор: Yu-Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Method of fabricating a structure with an oxide layer of a desired thickness on a Ge or SiGe substrate

Номер патента: US20060270244A1. Автор: Nicolas Daval,Yves-Mathieu Le Vaillant. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of fabricating semiconductor device including removing impurities from silicon nitride layer

Номер патента: US20060160358A1. Автор: Jae-Hwan Kim,Sang-Kyu Park,Kyong-Min Kim,Sang-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060228856A1. Автор: Hung-Wen Su,Yung-Cheng Lu,Keng-Chu Lin,Yi-Chi Liao,H. Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Method of fabricating a semiconductor device having a pre metal dielectric liner

Номер патента: US20070155111A1. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110256719A1. Автор: Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Yoon-Jae Kim,Doo-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of fabricating contact hole

Номер патента: US20190206724A1. Автор: Feng-Yi Chang,Yu-Ching Chen,Shih-Fang Tzou,Fu-Che Lee,Hsin-Yu Chiang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Method of fabricating a metal wiring line

Номер патента: US6001732A. Автор: Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Semiconductor package and method of fabricating semiconductor package

Номер патента: US12125741B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Chen-Cheng Kuo,Zi-Jheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09978762B2. Автор: Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09875925B2. Автор: Jong-Myeong Lee,Hee-sook Park,Jeong-hee Park,Taek-Jung Kim,Han-Young Kim,Myung-Ho Kong,Keon-seok Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of fabricating semiconductor structure using planarization process and cleaning process

Номер патента: US09748111B2. Автор: Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of fabricating wafer

Номер патента: US09745667B2. Автор: Seok Min Kang,Moo Seong Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09711506B2. Автор: Junggil YANG,Sung Gi Hur,Sangsu Kim,TaeYong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09564325B2. Автор: Hyunwoo Kim,Ki-Jeong Kim,Hyosung Lee,Chawon KOH,Cheol Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09537045B2. Автор: Yeo Jin Yoon,Joon Hee Lee,Chang Yeon Kim,Joo Won Choi,Jeong Hun HEO,Su Young LEE. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of fabricating nano-scale structures and nano-scale structures fabricated using the method

Номер патента: US09522821B2. Автор: Ripon Kumar DEY,Bo Cui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US09502342B2. Автор: Ilho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of fabricating a FinFET device

Номер патента: US12033898B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting,Joanna Chaw Yane Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: WO2008084085A9. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2009-09-03.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-11-11.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: US20100102402A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-29.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769B1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2011-03-16.

Epitaxial wafer, light-emitting element, method of fabricating epitaxial wafer and method of fabricating light-emitting element

Номер патента: US20110057214A1. Автор: Taichiroo Konno. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Method for fabricating a gate structure

Номер патента: US20120018817A1. Автор: Ouyang Hui,Yi-Chen Huang,Matt Yeh,Fan-yi Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Method of fabricating flash memory

Номер патента: US20080166865A1. Автор: Hyun-Sang Hwang,Man Jang,Min-Seok Jo,Ho-Kyung Park. Владелец: Poongsan Microtec Co Ltd Status Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Method of fabricating finfet structure

Номер патента: US20180047636A1. Автор: Junggun YOU,Sukhoon Jeong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-15.

Methods of fabricating ferroelectric memory devices

Номер патента: US20190019683A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Method of fabricating a two-sided die in a four-sided leadframe based package

Номер патента: US20100255640A1. Автор: Hem Takiar,Cheemen Yu,Vani Verma. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Method of fabricating a bond pad structure

Номер патента: US9601446B2. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Yu-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20090163004A1. Автор: Yeong Sil Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

[method of fabricating a thin film transistor array panelsubstrate]

Номер патента: US20040191968A1. Автор: Ko-Chin Yang. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2004-09-30.

Apparatus for fabricating blank mask and method of fabricating the same

Номер патента: US20240248389A1. Автор: Tae Wan Kim,Seong Yoon Kim,Geon Gon LEE. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Etchant composition and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20200216758A1. Автор: Jung-Hun Lim,Hyo-san Lee,Young-Chan Kim,Hoon Han,Jin-Uk Lee,Jung-Ah Kim,Ik-hee KIM. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Method of fabricating a stretchable computing device

Номер патента: US09915978B2. Автор: Sasha Oster,Aleksandar Aleksov,Adel Elsherbini,Nadine L. Dabby,Braxton Lathrop,Lakshman Krishnamurthy,Tom L. Simmons. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of forming openings in a material layer

Номер патента: US09911611B2. Автор: Ru-Gun Liu,Yung-Sung Yen,Chieh Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of fabricating DMOS and CMOS transistors

Номер патента: US09859168B1. Автор: Jung Lee,Kyung Ho Lee,Hyun Kwang Shin. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of fabricating FinFET structure

Номер патента: US09842778B2. Автор: Junggun YOU,Sukhoon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device, method of fabricating the semiconductor device, and method of forming epitaxial layer

Номер патента: US09653472B2. Автор: Joon Suk Lee,Woo Sung Lee,Woong Lee,Hun Hyeong LIM,Kyong Won AN,Chae Ho KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of fabricating a bond pad structure

Номер патента: US09601446B2. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Yu-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of forming a nanowire

Номер патента: US09564317B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Martin Christopher Holland,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of fabricating semiconductor device having contact structures

Номер патента: US09543202B2. Автор: Youngseok Kim,Jamin KOO,Kongsoo Lee,Goeun BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Microelectronic package having direct contact heat spreader and method of manufacturing same

Номер патента: US09508675B2. Автор: Shriram Ramanathan,Valery M. Dubin,Daoqiang Lu,Gilroy J. Vandentop,Chuan Hu,Rajashree Baskaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Liquid crystal display and method of fabricating the same

Номер патента: US09496063B2. Автор: KANG Moon Jo,Seung Ho Jung,Young Joo Choi,Joon Geol KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits

Номер патента: US09490169B2. Автор: Helmut Hagleitner,Zoltan Ring,Scott Thomas Sheppard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of fabricating display device

Номер патента: US09466623B2. Автор: Ji Young Park,Sang Gab Kim,Dong II Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12033895B2. Автор: Chun-Hung Lee,Shih-Chiang Chen,Hsiu-Hao Tsao,Tze-Chung Lin,Chung-Shu WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of fabricating a superconducting parallel plate capacitor

Номер патента: US12034404B2. Автор: Andrew J. Berkley,Paul I. Bunyk,Jed D. Whittaker,Loren J. Swenson,Mark H. Volkmann,Peter D. Spear,Christopher B. Rich. Владелец: 1372934 BC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for fabricating a semiconductor memory device

Номер патента: US20030060002A1. Автор: Walter Hartner,Gerhard Enders,Rainer Bruchhaus,Volker Weinrich,Nicolas Nagel,Matthias Kronke,Thomas Mikolajick,Igor Kasko,Michael Rohner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-27.

Method of fabricating BGA packages

Номер патента: US6830957B2. Автор: Han-Ping Pu,Chih-Ming Huang,Chien-Ping Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-14.

Capacitors and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140004670A1. Автор: Martin Ostermayr,Richard Lindsay. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-01-02.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing integrated circuit using encapsulation during an etch process

Номер патента: US20200013950A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Sarin A. Deshpande,Kerry Joseph NAGEL. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of forming a novel gate electrode structure comprised of a silicon-germanium layer located between random grained polysilicon layers

Номер патента: US20040132270A1. Автор: Shih-Chang Chen,Liang-Gi Yao,Chia-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of fabricating semiconductor device having fine contact holes

Номер патента: US20080096391A1. Автор: Joo-Young Kim,Jae-Hwang Sim,Dong-Hwa Kwak,Sung-Hyun KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140183749A1. Автор: SANGHOON Lee,Kyong-won An,Woosung Lee,Yongseok CHO,Hyunyong Go,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor Assembly and Method of Fabricating a Semiconductor Structure

Номер патента: US20170330842A1. Автор: Hwee Seng Jimmy Chew,Shoa Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Corner transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20130001658A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Yu-Teh Chiang,Yu-Wei Ting. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20240213177A1. Автор: Young-woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20170271479A1. Автор: DongHun Lee,Jinbum Kim,Jaeyoung Park,Kwan Heum Lee,Choeun LEE,Jeongho Yoo,Bonyoung Koo,Jieon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-21.

Methods of using and fabricating a supporting substrate for the deposition, automated recognition, and spectroscopic identification of particles

Номер патента: US7016034B2. Автор: Markus Lankers,Oliver Valet,Lothar Holz. Владелец: rap ID Particle Systems GmbH. Дата публикации: 2006-03-21.

Method of fabricating electrical machine

Номер патента: US09692282B2. Автор: Subhash Marutirao Brahmavar. Владелец: Regal Beloit America Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Integrated micro/nanogenerator and method of fabricating the same

Номер патента: US09762151B2. Автор: Haixia Zhang,Xiaosheng Zhang,Mengdi Han,Fuyun Zhu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of fabricating a circuit board structure having an embedded electronic element

Номер патента: US09433108B2. Автор: Yung-Ching Lin,Ta-Han Lin,Chih-Kuie Yang. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory cell that employs a selectively fabricated carbon nano-tube reversible resistance-switching element formed over a bottom conductor and methods of forming the same

Номер патента: EP2227827A1. Автор: Mark Clark,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-09-15.

Method for transmitting a signal using a relay station in a wireless communication system

Номер патента: WO2009145484A2. Автор: Jin Sam Kwak,Jae Hoon Chung,Doo Hyun Sung,Kyu Jin Park,Eun Jong Lee,Ae Ran Youn,Han Gyu Cho,Ji Wook Chung. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2009-12-03.

Method of fabricating wiring board

Номер патента: US8387241B2. Автор: Hironori Sato,Masao Izumi,Kenji Nishio,Masaki Muramatsu,Kazunaga Higo,Takuya Torii. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-05.

Method of utilizing a relay node in wireless communication system

Номер патента: US09654256B2. Автор: Sung-Duck Chun,Sung-Jun Park,Seung-June Yi,Sung-hoon Jung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of receiving message in communication system using relay process being limited to wireless interface and apparatus of the same

Номер патента: US20110194484A1. Автор: Sung Jun Park,Sung Hoon Jung,Sung Duck Chun,Seung June Yi,Young Dae Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2011-08-11.

Method of fabricating a multi-channel modulator driver with enclosure

Номер патента: US09936587B2. Автор: Anthony Chiu,Craig Steinbeiser,Khiem Dinh. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Fabricating a liquid-cooling apparatus with coolant filter

Номер патента: US09763357B2. Автор: Levi A. Campbell,Richard C. Chu,Michael J. Ellsworth, Jr.,Madhusudan K. Iyengar,Roger R. Schmidt,Robert E. Simons,Milnes P. DAVID. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of fabricating light functional substrate and organic light emitting diode having the same

Номер патента: US09678250B2. Автор: Seung Koo Park,Nam Sung Cho,Jaehyun MOON,Byoung Gon Yu,Jeong Ik Lee,Jonghee Lee,Doo-Hee Cho,Chul Woong Joo,Jin Wook Shin,Joo Hyun Hwang,Jun-Han Han,Jin Woo Huh,Jong Tae Lim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of fabricating multilayer printed circuit board

Номер патента: US20090056119A1. Автор: Jung Hyun Park,Myung Sam Kang,Ji Hong Jo,Je Gwang Yoo,Chang Sup Ryu,Jin Yong An,Soon Oh Jung,Shuhichi Okabe. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of fabricating a printed circuit board interconnect assembly

Номер патента: US09532465B2. Автор: John Vesce,Joseph William Heery, JR.. Владелец: TTM Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming a substrate core structure using microvia laser drilling and conductive layer pre-patterning and substrate core structure formed according to the method

Номер патента: US09648733B2. Автор: Charan Gurumurthy,Islam Salama,Yonggang Li,Hamid Azimi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Film bulk acoustic wave resonator wafer and method of fabricating a film bulk acoustic wave resonator

Номер патента: US20050104689A1. Автор: Kenji Inoue. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

METHOD OF DETERMINING A FILTER OF A RELAY AND RELAY FOR PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20160261357A1. Автор: Lee Inkyu,Kong Han Bae. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

DTERMINAL DEVICE HAVING A RELAY FUNCTION AND METHOD OF PROVIDING INFORMATION RELATED TO A RELAY FUNCTION

Номер патента: US20190098554A1. Автор: LJUNG Rickard,Alnashi Saif. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

TERMINAL DEVICE HAVING A RELAY FUNCTION AND METHOD OF PROVIDING INFORMATION RELATED TO A RELAY FUNCTION

Номер патента: US20150215028A1. Автор: LJUNG Rickard,Alnashi Saif. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

User Equipment (UE), Evolved Node-B (ENB) and Methods of Paging in Accordance with a Relay Arrangement

Номер патента: US20210068200A1. Автор: Changhong Shan,Alexandre Saso Stojanovski. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

USER EQUIPMENT (UE), EVOLVED NODE-B (ENB) AND METHODS OF PAGING IN ACCORDANCE WITH A RELAY ARRANGEMENT

Номер патента: US20200245407A1. Автор: Stojanovski Alexandre Saso,Shan Changhong. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

Method of using a router as a relay proxy

Номер патента: TW200915784A. Автор: Huan-Yun Wei,You-Xin Yan,yi-xiang Lin. Владелец: D Link Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Retransmission station device, mobile communication system, base station device and method of controlling relay station

Номер патента: RU2598816C2. Автор: Хироаки АМИНАКА. Владелец: Нек Корпорейшн. Дата публикации: 2016-09-27.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20230209984A1. Автор: HUI Li,Weili Li,Mingxing Liu,Shuaiyan GAN,Haohan ZHANG. Владелец: Hefei Visionox Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of Pre-warning and Identifying Fault of Relay Protection of Intelligent Substation

Номер патента: US20240330540A1. Автор: Jun Tao,Jiangping Wang,Ke Ma,Yuzhu WU,Zaixin Yang,Minfu A,Yunmin Wang,Rucheng ZHOU,Yedong TAOPU,Yannan QU,Jiangyi GE. Владелец: Inner Mongolia Power Group Co Ltd Inner Mongolia Power Research Institute. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of relay discovery and communication in a wireless communications system

Номер патента: US09713072B2. Автор: Ching-Yu Liao,Feng-Seng Chu. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of fabricating a micro-electromechanical fluid ejection device having enhanced actuator strength

Номер патента: US20050055829A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2005-03-17.

Method of power saving for wtru to network relay

Номер патента: EP4413786A1. Автор: Saad Ahmad,Michelle Perras,Samir Ferdi,XiaoYan Shi,Taimoor ABBAS. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Power supply system, image forming apparatus having the power supply system, and control method of the power supply system

Номер патента: US09509219B2. Автор: Katsumi Inukai,Hiroyuki Naganawa. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

System and Method of Powering an External Device with a Vehicular Battery System

Номер патента: US20220016982A1. Автор: Keith Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-20.

Data communication apparatuses for communication with an external apparatus over a network, control methods of the data communication apparatuses and storage mediums

Номер патента: US09444750B2. Автор: Tomohiro Kimura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of relay transmission from packet switching domain to channel switching domain and equipment for implementing that method

Номер патента: RU2340120C2. Автор: Цзе Сюй,Вэньюй ЛЮ,Фан Ю. Владелец: Хювэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-11-27.

Method of indicating and determining radio relay link boundary and base station therefor

Номер патента: RU2553666C2. Автор: Цзинь ЯН,Мин ЮАНЬ,Фэн БИ,Фэн ЛЯН,Ифэй ЮАНЬ,Шуаньшуань У. Владелец: ЗетТиИ Корпорейшн. Дата публикации: 2015-06-20.

Method of operating sidelink remote ue in relation to path switching in wireless communication system

Номер патента: US20230388771A1. Автор: Seungmin Lee,Giwon Park,Seoyoung Back. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-11-30.

Control method of ac electric drive

Номер патента: RU2724982C1. Автор: Виктор Николаевич Мещеряков,Денис Владимирович Ласточкин,Владимир Владимирович Пикалов,Павел Сергеевич Пономарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Липецкий государственный технический университет". Дата публикации: 2020-06-29.

Method of handover control, relay apparatus, and method for selecting target cell in radio communication system

Номер патента: US20160142952A1. Автор: Yoshio Ueda,Atsushi Nakata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Ferroelectric polymer memory device including polymer electrodes and method of fabricating same

Номер патента: US20060071256A1. Автор: Ebrahim Andideh,Lee Rockford. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Ferroelectric polymer memory device including polymer electrodes and method of fabricating the same

Номер патента: WO2006036691A2. Автор: Ebrahim Andideh,Lee Rockford. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-04-06.

Method of fabricating display device

Номер патента: US20240324279A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Yuichi Yanagisawa,Shun Mashiro,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of performing anti-jamming techniques through antenna beam hopping in communication systems implemented by using plurality of relay and electronic apparatus thereof

Номер патента: US20240348312A1. Автор: Ju Hyung Lee,Jae Won Choi,Chul Hee Choi,Byung Seok WOO,Myung Jin JANG,Hak Keum SEO,Ki Keun KIM. Владелец: Agency for Defence Development. Дата публикации: 2024-10-17.

Fused quartz dual shell resonator and method of fabrication

Номер патента: US20240125599A1. Автор: Andrei M. Shkel,Yusheng Wang,Mohammad H. ASADIAN ARDAKANI. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-04-18.

Methods of Facilitating the Handover of a User Equipment, UE, in a Telecommunication Network from a Base Station to a Relay Node, as well as Corresponding Nodes and Modules

Номер патента: US20240205778A1. Автор: Ahmet Serdar Tan,Elham DEHGHAN BIYAR. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of preventing misoperations about a relay protection device in a smart substation

Номер патента: US9904588B2. Автор: ZHEN Li,MENG Li,Xing Liu,Bao Zhao,Huawei Jia,Xinling LI,Juan JI,Leitao Wang,Junhong Qiu,Lintao Ma,Lunshan Zhang,Ruizhi Jiang. Владелец: Xuchang XJ Software Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of fabricating a semiconducting thin film of polymer with improved chain ordering by drying in solvent rich atmosphere

Номер патента: US6339012B1. Автор: Jianna Wang,THOMAS Jackson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-15.

Relay communication method of next generation cellular communication system

Номер патента: EP2206250A1. Автор: Yong Hoon Lee,Dong Ho Cho,Woong Sup Lee,Hee Jung Yu,Ho Won Lee,Young Seok Oh. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2010-07-14.

Fused quartz dual shell resonator and method of fabrication

Номер патента: US11703330B2. Автор: Andrei M. Shkel,Yusheng Wang,Mohammad H. ASADIAN ARDAKANI. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-07-18.

A method of fabricating a single photon source

Номер патента: EP2250530A1. Автор: Steven Prawer,Steven Trpkovski,David Allan Simpson,Eric Ampem-Lassen,Brant Cameron Gibson. Владелец: University of Melbourne. Дата публикации: 2010-11-17.

Method and apparatus for setting up a relay link in a wireless communication system

Номер патента: US09736886B2. Автор: Woo-Yong Lee,Kapseok Chang,Sung-Geun Jin,Hyoung-Jin Kwon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of establishing optimum value of equivalent isotropically radiated power of spacecraft transmitting system on low circular orbit for communication with retransmitter in high-altitude circular orbit

Номер патента: RU2742629C1. Автор: Владимир Анатольевич Мухин. Владелец: Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва". Дата публикации: 2021-02-09.

Machine for stacking and bonding sub-boards of a multilayer board for a printed circuit and method of fabrication of a multilayer board

Номер патента: WO2002067644A9. Автор: Amedeo Candore. Владелец: Amedeo Candore. Дата публикации: 2004-05-13.

Method of preventing misoperations about a relay protection device in a smart substation

Номер патента: US20170060670A1. Автор: ZHEN Li,MENG Li,Xing Liu,Bao Zhao,Huawei Jia,Xinling LI,Juan JI,Leitao Wang,Junhong Qiu,Lintao Ma,Lunshan Zhang,Ruizhi Jiang. Владелец: XJ Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Guide film, method of fabricating the guide film, and apparatus for and method of fabricating display device

Номер патента: US12049068B2. Автор: Sang Won Lee,Jong Deok PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods of Manufacturing Memory Units, and Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20090162998A1. Автор: Man-Hyoung Ryoo,Takahiro YASUE,Byeong Ok Cho,Moon-Sook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of vehicle mounted relaying

Номер патента: WO2024170537A1. Автор: Rikin SHAH,David González González,Andreas Andrae,Reuben GEORGE STEPHEN. Владелец: Continental Automotive Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of fabricating a magnetoresistive bit from a magnetoresistive stack

Номер патента: US20240049607A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Sarin A. Deshpande,Kerry Joseph NAGEL. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Guide film, method of fabricating the guide film, and apparatus for and method of fabricating display device

Номер патента: US20240343030A1. Автор: Sang Won Lee,Jong Deok PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods of mobile device based relay for coverage extension

Номер патента: US11758463B2. Автор: Pei-Kai Liao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of transceiving signal at relay node in wireless communication system and apparatus thereof

Номер патента: US09356680B2. Автор: Ki Jun Kim,Hak Seong Kim,Han Byul SEO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of fabricating flash memory with shallow and deep junctions

Номер патента: US20020137283A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Wen-Jer Tsai,Tso Fan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of fabricating a radiative and conductive thermal metamaterial composite

Номер патента: US20210283569A1. Автор: Ercan M. Dede. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Method of fabricating a semiconductor IC DRAM device enjoying enhanced focus margin

Номер патента: US5670409A. Автор: Atsuyoshi Koike,Kazuyuki Miyazawa,Hiroshi Otori,Fumiyuki Kanai,Kazuhiko Kajigaya,Masaharu Kubo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-09-23.

Relay apparatus and method of controlling relay apparatus

Номер патента: US09859969B2. Автор: Nobuhiko Arashin,Akira Yamasaki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of communication scheduling in a multihop network

Номер патента: WO2009006085A1. Автор: Eugene Visotsky,Shyamal Ramachandran. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2009-01-08.

System and method of fabricating objects using additive manufacturing with reduced interference and noise

Номер патента: US20240324106A1. Автор: Richard Neill. Владелец: Advanced Printed Electronic Solutions LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus, system, and method of controlling session, and recording medium

Номер патента: US09769220B2. Автор: Takahiro Asai,Hiroshi Hinohara,Naoki Umehara. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of locating vsat communication network station

Номер патента: RU2606958C1. Автор: Владимир Николаевич Иванов,Алексей Владимирович Воронин,Сергей Андреевич Трофименков. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Академия Федеральной службы охраны Российской Федерации" (Академия ФСО России). Дата публикации: 2017-01-10.

Method of fabricating non-volatile memory

Номер патента: US20040142547A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of fabricating a static random access memory

Номер патента: US6287909B1. Автор: Yu-Chih Chuang,Tse-Yi Lu,Yi-Min Jen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-09-11.

Method of fabricating non-volatile memory

Номер патента: US6794280B2. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-21.

Method of fabricating memory device

Номер патента: US20030232484A1. Автор: Chih-Wei Hung,Da Sung,Chien-Chih Du. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-18.

Graphene sensor and method of fabricating the same and touch-sensitive display device

Номер патента: US09551937B2. Автор: Zhen Liu,Yunping DI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Communication method for a coordinator, a relay device, a source device and a destination device included in a wireless network

Номер патента: US09516574B2. Автор: Kap-Seok Chang,Seung-Eun Hong,Woo-Yong Lee,Hyun-Kyu Chung,Yong-Sun Kim,Sung-Geun Jin,Hyoung-Jin Kwon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-12-06.

Operation method of relay ue related to sidelink connection establishment in wireless communication system

Номер патента: EP4404679A1. Автор: Seungmin Lee,Giwon Park,Jongwoo Hong,Seoyoung Back. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-24.

Bonding member, display module, and method of fabricating display device

Номер патента: US12069881B2. Автор: Sung Chul Kim,Yong Hwan SHIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor data storage devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11690231B2. Автор: Yongjae Kim,Seung Pil KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12089420B2. Автор: Yongjae Kim,Seung Pil KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Relay device and relay method of voice signal

Номер патента: US20210329056A1. Автор: Hirotaka SONOBE. Владелец: Icom Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of fabricating read only memory

Номер патента: US6569713B2. Автор: Chih-Ping Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-27.

Method of fabricating read only memory

Номер патента: US20020192877A1. Автор: Chih-Ping Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method of fabricating a floating gate for a nonvolatile memory

Номер патента: US20060138525A1. Автор: Chul Yoon. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method of fabricating mask read only memory

Номер патента: US20020168822A1. Автор: Chun-Jung Lin,Ful-Long Ni,Chun-Yi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Sloped termination in molybdenum layers and method of fabricating

Номер патента: US09660603B2. Автор: Elizabeth Costner Stewart,Nicholas S. Dellas,Neng Jiang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of updating BS system information of a relay station in a broadband wireless access system

Номер патента: US09520936B2. Автор: Hee Jeong Cho,Ki Seon Ryu,In Uk JUNG,Yong Ho Kim,Young Soo Yuk,Gi Won Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-12-13.

Material in form of fabric and method of its manufacturing

Номер патента: RU2553294C2. Автор: Марк Роберт СИВИК,Франк Уильям ДЕНОМЕ,Грегори Чарльз ГОРДОН,Пол Деннис ТРОХАН,Алиссандрэа Хоуп ХАМАД-ЕБРАХИМПУР,Джон Герхард МАЙКЛ,Стивен Джозеф ХОДСОН,Брайан Патрик КРОЛЛ,Андреас Иосиф ДРЕХЕР. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2015-06-10.

Rrc connection-related operation method of ue in sidelink relay in wireless communication system

Номер патента: EP4319217A1. Автор: Seungmin Lee,Giwon Park,Jongwoo Hong,Seoyoung Back. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-07.

Non-volatile memory structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20040115887A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-17.

Method of fabricating a mask ROM

Номер патента: US6194274B1. Автор: Shyng Yeuan Che. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-02-27.

Method of fabricating memeory

Номер патента: US20060270142A1. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of fabricating memeory

Номер патента: US20070259493A1. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Kuohua Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Solid state electrolyte memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7696509B2. Автор: Cha-Hsin Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-04-13.

Method of fabricating resistive random access memory cell

Номер патента: US12114579B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Backhaul downlink signal decoding method of relay station and relay station using same

Номер патента: US09712360B2. Автор: Dae Won Lee,Byoung Hoon Kim,Ki Jun Kim,Hak Seong Kim,Han Byul SEO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240196587A1. Автор: Sohee Choi,Sohyang LEE,Jeongmin JIN,JinSeo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Communication system and method of controlling the same

Номер патента: US09648111B2. Автор: Jin Sunata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of creating a wireless network comprising a plurality of devices

Номер патента: RU2699575C1. Автор: Данила Валентинович Кунтушев,Михаил Евгеньевич Климанов,Евгений Алексеевич Щеколов,Антон Николаевич Овсянников. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по космической деятельности "РОСКОСМОС". Дата публикации: 2019-09-06.

In-vehicle network system, relay device, and method of controlling in-vehicle network system

Номер патента: US20180183626A1. Автор: Yutaka Ueda,Toshio Shimada,Toshio Kawamura,Hiroya Ando,Tomomi Kawamura,Shu ISHIZUKA,Masashi AMESARA,Yoshiro Hirata,Yoshifumi OHMORI,Taichi MATSUMURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Relay communication method of communication ue and communication ue thereof

Номер патента: US20170366958A1. Автор: Jun Suk Kim,Hyunseok RYU,Min Jang,Wonjun Hwang,Won Jin LEE,Min Young Chung. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-12-21.

Fpaa-based mho distance protection relay and method of realizing such a relay

Номер патента: WO2010130296A1. Автор: Andrzej Klimek,Tarlochan Singh Sidhu,Mohammad R. Dadash Zadeh. Владелец: Areva T&D UK Ltd. Дата публикации: 2010-11-18.

A method of handling and fabricating a neutron responsive fuel

Номер патента: GB1077384A. Автор: . Владелец: Atomic Energy of Canada Ltd AECL. Дата публикации: 1967-07-26.

Fabrication method of conductive fabric, multi-pressure sensor for fiber type and measuring method of multi-pressure

Номер патента: US20210156752A1. Автор: Seong Jin Jang,Jae Hoon Ko,Jee Young Lim,Seung Ju LIM. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2021-05-27.

Manufacturing method of a display device comprising a relay electrode electrically connected to a switching element via a contact hole penetrating a color filter layer

Номер патента: US11733573B2. Автор: Osamu Itou. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

METHOD OF DESIGNING AND FABRICATING A MICROLENS ARRAY

Номер патента: US20180209030A1. Автор: WANG Qi,Ghosh Amalkumar P.,Ali Tariq,KHAYRULLIN Ilyas I.,TICE Kerry,WACYK IHOR,DONOGHUE Evan. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Method of improving the yield of a nozzle plate fabrication process

Номер патента: US09630411B2. Автор: Paul Van Der Sluis,Jeroen Herman Lammers,Alwin Rogier Martijn Verschueren,Adrianus Antonius Johannes OP 'T HOOG. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-04-25.

Seam for fabric for paper production and industrial fabric and method of its manufacture

Номер патента: RU2482233C2. Автор: Дана ИГЛС. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2013-05-20.

Method of Fabricating a Photomask Used to Form a Lens

Номер патента: US20110170197A1. Автор: Nobuhiko Sato,Yasuhiro Sekine,Masataka Ito,Masaki Kurihara,Hitoshi Shindo,Kyouhei Watanabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Erosion shield, method of fabricating a shield, and method of fabricating an article having a shield

Номер патента: US09695697B2. Автор: II Theodore William FANDREI. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Concrete reinforcing guide and method of constructing concrete reinforcing guide

Номер патента: WO2008033991A3. Автор: Gloria Marie Buley. Владелец: Gloria Marie Buley. Дата публикации: 2008-07-31.

Magnetic recording medium and method of fabricating the same

Номер патента: US20050048322A1. Автор: Hitoshi Wako. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Rotary magnetic recording/reproducing apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: EP1037200A3. Автор: Shun Kayama,Junichi Ogasawara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-10-04.

Method of fabricating a multiple holographic lens

Номер патента: WO1990004797A1. Автор: Benjamin J. Pernick,Douglas S. Hobbs,Nils J. Fonneland,Stephen J. Caputi,John V. Fine, Sr.. Владелец: Grumman Aerospace Corporation. Дата публикации: 1990-05-03.

Method of fabricating a composite material casing for a gas turbine engine, and a casing obtained thereby

Номер патента: US09784122B2. Автор: Antoine Jean-Philippe BEAUJARD,Elric Georges Andre Fremont. Владелец: Herakles SA. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods of fabricating a precoated steel plate

Номер патента: US09676061B2. Автор: Aurelien Pic,Rene Vierstraete,Pascal Verrier,Bernd Thommes,Wolfram Ehling,Jean-Francois Canourgues. Владелец: ArcelorMittal France SA. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of fabricating a magnetic head having a CPP sensor with ELG fabrication and a partially milled stripe height

Номер патента: US20080186626A1. Автор: Ying Hong,David John Seagle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-07.

Method of fabricating a fluid ejection device having a data storage structure

Номер патента: US7669314B2. Автор: Satya Prakash,James A Feinn,Lawrence White,Terry Mcmahon,Donald W Schulte,Adam Ghozeil. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-03-02.

Method of fabricating a composite engineered wood material floor board

Номер патента: US09616650B2. Автор: Francois Roy. Владелец: BOA-FRANC SENC. Дата публикации: 2017-04-11.

Micro structure, micro actuators, method of fabricating micro structure and micro actuators

Номер патента: US20130141769A1. Автор: Jungwook CHOI,Jae-Ik Lee,Jongbaeg Kim,Youngkee EUN,Youngsup SONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2013-06-06.

Method of fabricating a printhead having isolated nozzles

Номер патента: US20060209134A1. Автор: Kia Silverbrook,Gregory Mcavoy. Владелец: KIA SILVERBROOK AND GREGORY JOHN MCAVOY. Дата публикации: 2006-09-21.

Method of Fabricating a Uranium-Bearing Foil

Номер патента: US20100282375A1. Автор: Jackie G. Gooch,Amy L. DeMint. Владелец: Babcock and Wilcox Technical Services Y 12 Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

Variable immersion lobe mixer for turbofan jet engine exhaust and method of fabricating the same

Номер патента: US09995245B2. Автор: Mustafa Dindar,Vaughn Ray Kunze. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of fabrication of cooling plate and cooling plate fabricated by this method

Номер патента: RU2338790C2. Автор: Никола МУСЕЛЬ,Ги ТИЙЕН,Роберт ШМЕЛЕР. Владелец: Поль Вурт С.А.. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of fabrication of nickel strip

Номер патента: RU2561629C2. Автор: Теодор ШТУТ. Владелец: Теодор ШТУТ. Дата публикации: 2015-08-27.

Method of fabricating a mailbox

Номер патента: US20040244176A1. Автор: James Madara,Charles Lanyon,Richard Shreiner. Владелец: Spring City Electrical Manufacturing Co. Дата публикации: 2004-12-09.

Method of fabricating inkjet nozzles having associated ink priming features

Номер патента: US20070080133A1. Автор: Kai Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2007-04-12.

Touch sensor including nanowire array and method of fabricating the same

Номер патента: US09740323B2. Автор: Myung-Han Yoon,Jaehyuk Lee. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-08-22.

Bonding technique of fabric units for paper manufacturing and duck fabric to each other, manufactured by these methods

Номер патента: RU2334034C2. Автор: Фрэнсис Л. ДЭВЕНПОРТ,Джозеф Дж. О`КОННОР,Чарлз И. КРАМЕР,Морис ПАКУИН,Фрэнсис Л. ДЭВЕНПОРТ (US),Чарлз И. КРАМЕР (US),Джозеф Дж. О`КОННОР (US),Морис ПАКУИН (US). Владелец: Олбэни Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2008-09-20.

Method of fabricating a catalyst converter

Номер патента: US20020133947A1. Автор: Yasuhiro Nogami,Fumihisa Yamaguchi. Владелец: Calsonic Kansei Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of fabricating photoconductor coupled liquid crystal light valve

Номер патента: US5324549A. Автор: Katsumi Adachi,Akitsugu Hatano,Takashi Hayakawa,Shiro Narikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-06-28.

Method of fabricating a tread plate having alternating stripes incorporated thereon

Номер патента: US20050066512A1. Автор: Raymond Buckley,Clarence Haas. Владелец: Sure Foot Ind Corp. Дата публикации: 2005-03-31.

Method of fabricating a tread plate having alternating stripes incorporated thereon

Номер патента: US20060123618A1. Автор: Raymond Buckley,Clarence Haas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-15.

Method of fabricating a torque converter with an etched clutch surface and a torque converter with an etched clutch surface

Номер патента: US09657824B2. Автор: Rashid Farahati,Jeffrey Krause,Christine Malott,Prasanna Gurumurthy. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of fabricating a polishing pad having an optical window

Номер патента: US20030084774A1. Автор: KYLE David. Владелец: Rodel Holdings Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Method of fabricating a biasing plate spring for a wire-dot print head

Номер патента: US4979277A. Автор: Tetsuhiro Yamada,Masahiro Tatsukami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1990-12-25.

Method of fabricating a polishing pad having an optical window

Номер патента: WO2003039812A1. Автор: Kyle W. David. Владелец: Rodel Holdings, Inc.. Дата публикации: 2003-05-15.

Method of fabricating a magnetic transducer with multilayer conductive leads including a tantalum layer, a chromium layer and a rhodium layer

Номер патента: US7200919B2. Автор: Mustafa Pinarbasi. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2007-04-10.

Method of fabricating a continuous nanofiber

Номер патента: US09951444B2. Автор: Yuris Dzenis. Владелец: NuTech Ventures Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Welded component comrising seamless curved pipe and sections of seamless straight pipe, and also methods of fabrication thereof

Номер патента: RU2433331C2. Автор: Цутому АРИТА. Владелец: Сумитомо Метал Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2011-11-10.

Fibre preform, composite element reinforced with fibres and method of their preparation

Номер патента: RU2542976C2. Автор: Джонатан ГОЕРИНГ. Владелец: Олбани Энджиниэрд Композитс, Инк.. Дата публикации: 2015-02-27.

Fabric for use in composite materials and method of producing fabric and element from composite material

Номер патента: RU2587554C2. Автор: Томас БИШОФФ,Мелике АФСАР. Владелец: Гроц-Беккерт Кг. Дата публикации: 2016-06-20.

Method of fabricating a nanochannel system for dna sequencing and nanoparticle characterization

Номер патента: US20170152134A9. Автор: Jin-woo Kim,Taylor Busch,Chao-Hung Steve Tung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-01.

Method of fabricating a nanochannel system for DNA sequencing and nanoparticle characterization

Номер патента: US09718668B2. Автор: Jin-woo Kim,Taylor Busch,Chao-Hung Steve Tung. Владелец: University of Arkansas. Дата публикации: 2017-08-01.

Obstacle avoidance control system and method of its fabrication (versions)

Номер патента: RU2573117C2. Автор: Эрнст ЛИНДТНЕР,Михель БЛЮМЕЛЬ,Кристиан ХЕНГСТ. Владелец: Косма Инжиниринг Еуропе Аг. Дата публикации: 2016-01-20.

Method of fabricating a gas tank

Номер патента: US20020121013A1. Автор: Kyle Krejci. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of production of fabric bags or containers using heat fused seams

Номер патента: US20240239557A1. Автор: Clifford DUNLAP,Daniel R. Schnaars, SR.. Владелец: Ameriglobe LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Filter of diesel engine exhaust gas solid particles, methods of its fabrication and application

Номер патента: RU2438777C2. Автор: Томас КРОЙЦЕР,Маркус ПФАЙФЕР,Маркус КЁГЕЛЬ,Геральд ЙЭСКЕ,Стефани ФРАНТЦ,Франк-Вальтер ШЮТЦЕ. Владелец: Умикоре Аг Унг Ко. Кг. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of fabricating three-dimensional object and apparatus for fabricating three-dimensional object

Номер патента: US20230271256A1. Автор: Yunsheng Sun,Shozo Sakura,Yohei Osanai,Kohichiroh TANAKA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods of fabricating a glass ribbon

Номер патента: US09790121B2. Автор: Sean Matthew Garner,Xinghua Li,Anatoli Anatolyevich Abramov,James William Brown,Chester Hann Huei Chang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of fabricating optical fiber preform

Номер патента: US20090211300A1. Автор: Makoto Yoshida. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-27.

Method of fabricating a bonded cascade assembly for an aircraft thrust reverser

Номер патента: US09803587B1. Автор: Henry A. Schaefer,Mark A. Wadsworth. Владелец: Spirit AeroSystems Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of fabricating a bonded cascade assembly for an aircraft thrust reverser

Номер патента: US09587582B1. Автор: Henry A. Schaefer,Mark A. Wadsworth. Владелец: Spirit AeroSystems Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Cylindrical paper drum and method of fabricating the same

Номер патента: EP1136249B1. Автор: Motoharu Kasuya. Владелец: Taiyo Sealpack Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-04.

Method of fabricating a magnetic deformable machine and deformable 3d magnetic machine

Номер патента: EP4168241A1. Автор: Wenqi Hu,Metin Sitti,Jiachen Zhang,Ziyu Ren. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-04-26.

Method of fabricating a magnetic deformable machine and deformable 3d magnetic machine

Номер патента: WO2022033933A1. Автор: Wenqi Hu,Metin Sitti,Jiachen Zhang,Ziyu Ren. Владелец: MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.. Дата публикации: 2022-02-17.

Moulding tool and method of fabrication of component

Номер патента: RU2457111C2. Автор: Марк Эдвин ФАННЕЛЛ. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Лимитед. Дата публикации: 2012-07-27.

Method of fabricating a housing for an implantable medical device having integrated features

Номер патента: US09968793B2. Автор: Jeremy Glynn,Steven Harein. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-05-15.

Control device for vehicle and method of controlling vehicle

Номер патента: US09346423B2. Автор: Takehiko Yamazaki. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Modular semi-submerged structure and method of its fabrication

Номер патента: RU2558165C2. Автор: Роберто ГОНАН. Владелец: Финкантьери С.П.А.. Дата публикации: 2015-07-27.

Method of producing fire-resistant textile materials from cellulose and synthetic fibres

Номер патента: RU2714084C1. Автор: Сергей Вениаминович Заикин,Елена Анатольевна Соловьева,Елена Владимировна Сильченко,Вадим Александрович Баранов,Арюхан Васильевна Цыбикдоржиева,Ирина Агзамовна Курмашова,Любовь Еелиевна Абросимова. Владелец: Закрытое акционерное общество "Центр высокопрочных материалов "Армированные композиты" (ЗАО ЦВМ "Армированные композиты"). Дата публикации: 2020-02-11.

A method of fabrication of thermally expanded core in polarization-maintaining optical fibre, polarization-maintaining optical fibre with a thermally expanded core, use thereof, a method of fabrication a mode-field adapter and a fibre mode-field adapter

Номер патента: EP4459338A1. Автор: Katarzyna KRUPA,Yuriy Stepanenko,Mateusz PIELACH,Agnieszka JAMROZIK. Владелец: Instytut Chemii Fizycznej of PAN. Дата публикации: 2024-11-06.

Method of fabricating a spar for a blade, and a method of fabricating a blade

Номер патента: US09950478B2. Автор: Jacques Gaffiero,Andre Amari,Benedicte Rinaldi. Владелец: Airbus Helicopters SAS. Дата публикации: 2018-04-24.

Liquid crystal materials, methods of fabricating liquid crystal display panels and liquid crystal display panels

Номер патента: US20180105750A1. Автор: Song LAN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Method of fabricating solid freeform fabrication object and device for fabricating solid freeform fabrication object

Номер патента: US20180264717A1. Автор: Hiroyuki Naito,Yoshihiro Norikane,Kenji Sugiura,Yoshihito Shimada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Method of fabricating diffractive backlight

Номер патента: US12124073B2. Автор: ZHEN Peng,David A. Fattal,Ming Ma,Thomas HOEKMAN. Владелец: Leia Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Relay printing system, control method of relay printing system and data medium

Номер патента: RU2494876C2. Автор: Йосихито НАНАУМИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-10-10.

Systems and methods for fabricating a microchannel vascular network device and seeding a microchannel

Номер патента: WO2020257539A1. Автор: Craig Neville,Joseph P. Vacanti,Batzaya BYAMBAA,Matthew James Hancock,Carly COMER,Tyler LIEBERTHAL,Tatevik SAHAKYANTS,Andrew Paul SPANN. Владелец: 3D Biolabs, Llc. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of deriving etching correction values for petterns of photomask and method of fabricating photomask

Номер патента: US20080124632A1. Автор: Chao-Lung Lo,Sunwook Jung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Quantum-dot spectrometers for use in biomedical devices and methods of use

Номер патента: RU2665202C2. Автор: Хорхе ГОНСАЛЕС,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-08-28.

Drug-transfer device, drug-delivery system incorporating the same, methods of fabricating the same, and methods of enabling administration of a drug

Номер патента: US20100326020A1. Автор: Scott Albert Uhland,Philipp Helmut Schmaelzle. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Programmable mask and method of fabricating biomolecule array using the same

Номер патента: US20060030030A1. Автор: Young Kim,Se Park,Dong Shin,Chang Choi,Hyeon Pyo,Moon Jung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2006-02-09.

Programmable mask and method of fabricating biomolecule array using the same

Номер патента: US20080273128A1. Автор: Moon Youn Jung,Chang Auck Choi,Se Ho Park,Young Jun Kim,Dong Ho Shin,Hyeon Bong Pyo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-11-06.

Method of fabricating a composite material part with improved intra-yarn densification

Номер патента: US09988750B2. Автор: Arnaud Fillion,Eric Philippe,Eric Bouillon,Francois Charleux. Владелец: Herakles SA. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for fabricating a colored component for a watch

Номер патента: US09625879B2. Автор: Ching Tom Kong,Ying Nan WANG. Владелец: Master Dynamic Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of producing a mesh filter, a mesh filter and an ejector assembly comprising such a mesh filter

Номер патента: RU2740653C2. Автор: Франсуа КОРМАН. Владелец: Зодиак Аэротекникс. Дата публикации: 2021-01-19.

Method of fabricating one or more crocheted characters

Номер патента: US20220081813A1. Автор: Veronica F. Patterson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of fabricating molds for forming waveguides and related systems and methods using the waveguides

Номер патента: US20240359372A1. Автор: Frank Y. Xu,Vikramjit Singh,Shuqiang Yang,Marlon Edward Menezes,David James Lentz,Yanhua Wang. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Plural relay sensor method of delivery

Номер патента: US12110137B2. Автор: Michael Anderson,Grant Appel,Nathaniel Bowen,Hugh Briggs,Spencer Flint,Seth Konig,Erin LESLIE. Владелец: United States Department of the Air Force. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of fabricating a wooden perch

Номер патента: US09718210B1. Автор: Michael Sazhin. Владелец: Parrot Wizard Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of fabricating a polycrystalline diamond compact

Номер патента: US09453270B1. Автор: Michael A. Vail,Kenneth E. Bertagnolli. Владелец: US Synthetic Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Hydrogen gas sensor and a method of fabricating thereof

Номер патента: US20190212293A1. Автор: Zain Hassan Yamani,Mohammad Kamal HOSSAIN,Qasem Ahmed DRMOSH. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2019-07-11.

Janus transition metal dichalcogenide thin film and method of fabricating the same

Номер патента: US20230151482A1. Автор: Won Jun Lee,Suk Ho Chol,Chan Wook Jang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-05-18.

A thermal microactuator for a suspension arm of a hard disk drive and a method of fabricating the thermal microactuator

Номер патента: WO2012011874A1. Автор: Pantelis Alexopoulos,Jiaping YANG,Cheng Peng Tan. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2012-01-26.

Method of fabricating film of substrate and film, backlight unit and liquid crystal display using the same

Номер патента: US09857502B2. Автор: Myoung Soo Ahn,Myung Jun Kim,Yun Gu Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Alignment exposure method and method of fabricating display substrate

Номер патента: US09715173B2. Автор: Bin Wu,Kun Li,Xuequan Yu,Wenjun Shen,Lizhi Ren,Yadong Gao. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of fabricating a liquid crystal polymer film

Номер патента: US09617205B2. Автор: Nelson V. Tabirian,Sarik R. Nersisyan,Brian R. Kimball,Diane M. Steeves,Rafael O Vergara. Владелец: Beam Engineering for Advanced Measurements Co. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of fabricating a prescription label bag

Номер патента: US09561883B1. Автор: Stefan Jerzy Debski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-07.

Disposable underwear with solution of continuity and methods of production

Номер патента: RU2336064C2. Автор: Юнг Х. ХУАНГ,ГОМПЕЛЬ Пол Т. ВАН,Расселл Е. ТОРСОН,Кеннет Дж. ВАГНЕР,Джин Ф. НИМАЙЕР,Джудит А. МЬЮЗИЛ,Хайди К. ВУДИ,Бриджет А. БЭЛОГ,Синди МААС,Джером Стив ВЕЙТ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2008-10-20.

Method of manufacturing base fabric containing a waist component, and disposable panty product made thereof

Номер патента: RU2683739C1. Автор: Лукас БЕК,Карин ЛЬЮНГБЕРГ. Владелец: Эссити Хайджин энд Хелт АБ. Дата публикации: 2019-04-01.

Conduits for transporting fluids and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210270405A1. Автор: John P. Leuer,Tony DI CARLO,Brian T. Vaniman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-09-02.

Thermally drawn chemically active fibre device and a method of fabrication thereof

Номер патента: WO2022157539A1. Автор: Fabien Sorin,Bastien Schyrr. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL). Дата публикации: 2022-07-28.

Method of fabricating mask for forming wood grain patterns

Номер патента: US20090155482A1. Автор: Min Su Kim,Jong Seo Park. Владелец: Moltex Yangsan Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Actuatable optical device, method of fabricating the device, and use of a magnetic substance

Номер патента: US20210221059A1. Автор: Harald Giessen,Simon Thiele,Chris Jung,Alois M. Herkommer. Владелец: Baden Wuerttemberg Stiftung gGmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Photomask using separated exposure technique, method of fabricating photomask, and apparatus for fabricating photomask by using the method

Номер патента: US20070231715A1. Автор: Sung-Ho Park,Byung-gook Kim,Seong-Woon Choi,Hee-Bom Kim,Hak-Seung Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-04.

Photomask using separated exposure technique, method of fabricating photomask, and apparatus for fabricating photomask by using the method

Номер патента: US20110244376A1. Автор: Sung-Ho Park,Byung-gook Kim,Seong-Woon Choi,Hee-Bom Kim,Hak-Seung Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of fabricating three-dimensional structure and method of manufacturing substrate with spacer

Номер патента: US20090244126A1. Автор: Kazuaki Okamori. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Method of fabricating a device, device, and deposition apparatus

Номер патента: WO2024132142A1. Автор: Wolfgang Braun,Dong Yeong Kim,Alexander Everardus Maria SMINK. Владелец: MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of fabricating display device having patterned lithium-based transition metal oxide

Номер патента: US12117630B2. Автор: Christophe Peroz,Mauro MELLI,Melanie Maputol WEST. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of fabricating display device having patterned lithium-based transition metal oxide

Номер патента: EP4439156A2. Автор: Mauro MELLI, Christophe PEROZ, Melanie Maputol WEST. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Systems, assemblies, and methods of fabrication of radio-frequency coil assemblies of a magnetic resonance system

Номер патента: US20240369656A1. Автор: Jana M. Vincent,Fraser J.L. Robb. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Chute for cement truck and method of fabricating a chute for a cement truck

Номер патента: US09925690B2. Автор: Sylvain Morrissette. Владелец: Groupe PPD Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods of fabricating COA type liquid crystal display panels and COA type liquid crystal display panels

Номер патента: US09897882B1. Автор: JI Li,Xiaolong Ma. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods of fabricating photonic crystal

Номер патента: US09593429B2. Автор: Moon Gyu Han,Chul-joon Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of fabricating a foamed, injection molded component with improved ductility and toughness

Номер патента: US09555564B2. Автор: Xiaofei Sun,Lih-Sheng Turng. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-01-31.

A truss and a method of fabricating same

Номер патента: WO2001096679A1. Автор: Murray Ellen. Владелец: Bigspace Technologies Pty Ltd. Дата публикации: 2001-12-20.

Bonded products and methods of fabrication therefor

Номер патента: US20030040180A1. Автор: Leigh Canham,Christopher Reeves. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Bonded products and methods of fabrication therefor

Номер патента: EP1242334A1. Автор: Leigh Trevor Canham,Christopher Leslie Reeves. Владелец: pSiMedica Ltd. Дата публикации: 2002-09-25.

Method of fabricating a bare aluminum conductor

Номер патента: US20040211588A1. Автор: Graham Stratford,Rosaire Begin,Danny Elder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Method of compensating for distortion caused by fingerprint input sensors of heterogeneous fingerprint recognition systems

Номер патента: US7856128B2. Автор: Hak Il Kim,Young Chan Han. Владелец: INHA Industry Partnership Institute. Дата публикации: 2010-12-21.

Photomask, method of fabricating a photomask, and method of fabricating a semiconductor structure using a photomask

Номер патента: US20220276552A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Tzu Han Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Method of fabricating a light-guide optical element

Номер патента: US20240337780A1. Автор: Elad Sharlin,Dror HERMONI. Владелец: Lumus Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of fabricating a light-guide optical element

Номер патента: US12135445B2. Автор: Elad Sharlin,Dror HERMONI. Владелец: Lumus Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method of fabricating wavelength conversion device

Номер патента: US09606420B2. Автор: Keisuke Ota. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-03-28.

Mask blank and method of fabricating phase shift mask from the same

Номер патента: US20030194620A1. Автор: Yong-Hoon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-16.

Method of compensating for distortion caused by fingerprint input sensors of heterogeneous fingerprint recognition systems

Номер патента: US20070230751A1. Автор: Hak Il Kim,Young Chan Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-04.

Method of fabricating a mask using common bias values in optical proximity correction

Номер патента: US09952499B2. Автор: Moon-gyu JEONG,So-Rang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods of fabricating probe cards including nanotubes

Номер патента: US09851378B2. Автор: Alexander Brandorff. Владелец: Wentworth Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Wire grid polarizer and method of fabricating the same

Номер патента: US09753201B2. Автор: Min Hyuck KANG,Su Mi LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of longitudinal zigzag shadow weaves fabrics producing

Номер патента: RU2605379C2. Автор: Галина Ивановна Толубеева,Сергей Сергеевич Кольцов,Елена Евгеньевна Демидова,Анна Сергеевна Зяблицева,Денис Александрович Мирошниченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение профессионального образования "Ивановский государственный политехнический университет". Дата публикации: 2016-12-20.

Sensor and method of determining type tissue

Номер патента: RU2655021C1. Автор: КРИШНАН Моханкумар ВАЛИЯМБАТХ,ЛиньФан СЮЙ,ВОНГ Вэй Лик УИЛЛЬЯМ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-05-23.

Method of producing dice check fabrics

Номер патента: RU2656955C1. Автор: Николай Анатольевич Коробов,Галина Ивановна Толубеева,Денис Александрович Мирошниченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ивановский государственный политехнический университет". Дата публикации: 2018-06-07.

Method of fabricating test probe

Номер патента: WO2024136242A1. Автор: Donghoon Park,Chaeyoon Lee,Seungha BAEK,Jinsik SON. Владелец: LEENO INDUSTRIAL INC.. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of determining a concentration of hydrogen gas with a hydrogen gas sensor

Номер патента: US20200064304A1. Автор: Zain Hassan Yamani,Mohammad Kamal HOSSAIN,Qasem Ahmed DRMOSH. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2020-02-27.

Poled fiber, a method of fabricating the poled fiber, and a dispersion compensator

Номер патента: US6845201B2. Автор: Sahnggi Park,Jongbae Kim,Yonggyu Choi,Jungjin Ju. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2005-01-18.

Mode size converters and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2015176024A1. Автор: Jibin Sun,Haipeng Zhang,Sandeep Razdan,Nicola PUGLIANO, (Nick). Владелец: TYCO ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-19.

Method of fabricating liquid crystal display

Номер патента: US20020036737A1. Автор: Hyeon Son,Ku Park. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-28.

Inkjet printhead and method of fabricating color filter

Номер патента: US20070037075A1. Автор: Sang-Il Kim,Seung-Joo Shin,Sung-Woong Kim,Jung-yong Lee,Kye-Si Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of fabricating an aircraft structural component

Номер патента: GB2627516A. Автор: Barnett Thomas,Bryant Stuart. Владелец: Airbus Operations Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Blank mask and method of fabricating the same

Номер патента: US20240345467A1. Автор: Tae Wan Kim,Tae Young Kim,Hyung Joo Lee,Min Gyo Jeong,Geon Gon LEE. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of fabricating scaffold for tissue engineering

Номер патента: US09795710B2. Автор: Katsuyuki Yamanaka,Yusuke Shigemitsu,Yuuhiro Sakai. Владелец: GC Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for fabricating a biocompatible material having a high carbide phase and such material

Номер патента: US09776246B2. Автор: Haitong Zeng,Aiguo Wang,Zongtao Zhang,Daniel E. Lawrynowicz. Владелец: Howmedica Osteonics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Polarizer and method of fabricating the same

Номер патента: US09594200B2. Автор: Tae Woo Kim,Seung Won Park,Dae Ho Yoon,Moon Gyu LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Methods of fabricating graphene using alloy catalyst

Номер патента: US09359211B2. Автор: Hyun-Jong Chung,Sun-Ae Seo,David Seo,Jin-Seong Heo,Yun-sung Woo,Sae-ra Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-07.

Shaped fabric banks and a method of producing a fabric product

Номер патента: GB2597586A. Автор: Johnson Simon,GROVER Shruti. Владелец: Pattern Project Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

A method of fabricating a cantilever structure and a cantilever structure

Номер патента: WO2010011186A9. Автор: Yee Chong Loke,Kuan Song Yeong,Erik Johansson Cox. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2010-04-22.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7220521B2. Автор: Eiichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Method of fabricating foil brazing member

Номер патента: US20070090158A1. Автор: Sumio Susa,Haruhiko Watanabe,Masaki Harada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Fluid ejection devices and methods of fabrication

Номер патента: WO2008013748A1. Автор: Jeremy Harlan Donaldson,Bradley D. Chung,Michael Hager,Thomas R. Strand. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of fabricating an aircraft structural component

Номер патента: GB2627517A. Автор: Barnett Thomas,Bryant Stuart. Владелец: Airbus Operations Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Spot size converter for adapting the diameter and/or the shape of a mode field of an optical component and method of fabricating a spot size converter

Номер патента: WO2024126496A1. Автор: Gerrit Fiol,Patrick Runge. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of fabrication of laminates of elastic material suitable for dielectric elastomer sensing

Номер патента: US09816800B2. Автор: Benjamin Marc O'brien,Todd Alan Gisby,Antoni Edward HARBUZ,Samuel SCHLATTER. Владелец: Stretchsense Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of fabricating reflective photomask

Номер патента: US09726970B2. Автор: Choong Han RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of fabrication of billets of coins

Номер патента: RU2383657C2. Автор: Адриан КЕМПСТЕР. Владелец: Диффьюжн Эллойс Лимитед. Дата публикации: 2010-03-10.

Method of fabricating inert anode for production of aluminium by means of electrolisis in melt

Номер патента: RU2336369C2. Автор: Арман ГАБРИЭЛЬ,Вероник ЛОРАН. Владелец: Алюминиюм Пешинэ. Дата публикации: 2008-10-20.

Method of fabricating a liquid crystal display device and a liquid crystal display device

Номер патента: US20220197084A1. Автор: Michel Sagardoyburu,Simon Springer. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2022-06-23.

Scanning heat flow probe and the method of fabricating the same

Номер патента: US6652139B2. Автор: LI Shi,Uttam Shyamalindu Ghoshal,Steven Alan Cordes,Chandler Todd McDowell,James Patrick Doyle,David R. DiMilia,Matthew James Farinelli,Snigdha Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-11-25.

Method for fabricating a hydrophobic coating for corrosion protection

Номер патента: US20200140697A1. Автор: Gasan Selman Alabedi,Enrico Bovero,Aziz Fihri. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2020-05-07.

Hydrophobic coating for corrosion protection and method of fabrication

Номер патента: WO2019010300A1. Автор: Gasan Selman Alabedi,Enrico Bovero,Aziz Fihri. Владелец: Aramco Services Company. Дата публикации: 2019-01-10.

Method of fabricating resistive touch panel

Номер патента: US20080001868A1. Автор: Chun-Hao Wang,Chien-Chung Kuo. Владелец: Wintek Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of fabricating a composite membrane containing a metal ion adsorbent

Номер патента: US20150034860A1. Автор: Lin-Hsiang Huang,Wein-Duo Yang,Zen-Ja Chung. Владелец: National Kaohsiung University of Applied Sciences. Дата публикации: 2015-02-05.

Method of fabricating suspended beam in a MEMS process

Номер патента: US20070082422A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2007-04-12.

Method of fabricating magnetic head slider including partial removal step of protecting film

Номер патента: US20100291294A1. Автор: Kunihiro Ueda,Hong Xin Fang,Dong Wong. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2010-11-18.

Robot skin apparatus, method of fabricating a robot skin apparatus, and a system including a robot skin apparatus

Номер патента: US20230130680A1. Автор: ZHONG YANG,Dan O. Popa,Joshua R. Baptist,Mohammad Nasser Saadatzi,Ruoshi Zhang. Владелец: University of Louisville Research Foundation ULRF. Дата публикации: 2023-04-27.

Spot size converter for adapting the diameter and/or the shape of a mode field of an optical component and method of fabricating a spot size converter

Номер патента: WO2024125774A1. Автор: Gerrit Fiol,Patrick Runge. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of fabrication polymer waveguide

Номер патента: US09910217B2. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Chun-Hao Tseng,Wan-Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of fabricating a timepiece component and component obtained from this method

Номер патента: US12124223B2. Автор: Pierre Cusin,Alex Gandelhman,Clare Golfier,Michel MUSY. Владелец: Nivarox Far SA. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of fabricating a bath of electrolyte for plating a platinum-based metallic underlayer on a metallic substrate

Номер патента: US09752243B2. Автор: Juliette Hugot,Frederic Lagrange,Herve Molet. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2017-09-05.

System and method of fabricating and assembling industrial plant modules for industrial plant construction

Номер патента: US09453333B2. Автор: Ronald Porter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of making biologically active alpha-beta peptides

Номер патента: US09416156B2. Автор: Lisa M. Johnson,Samuel H. Gellman,William S. Horne. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of producing multifunctional ceramic matrix composite materials (versions)

Номер патента: RU2603330C2. Автор: Сергей Викторович Соколов,Ольга Георгиевна Рыжова,Евгений Акимович Богачев,Иван Анатольевич Тимофеев,Екатерина Сергеевна Сафонова,Павел Анатольевич Тимофеев,Светлана Викторовна Жукова. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московской области "Технологический университет". Дата публикации: 2016-11-27.

Color organic fiber, fabric and sewn products and also method of fabrics obtaining

Номер патента: RU2658246C2. Автор: Кендзи ИВАСИТА,Хироки СИМАДА,Саори КУРОДА. Владелец: Тейдзин Лимитед. Дата публикации: 2018-06-19.

Method of fabricating hot-adhesive back with thermoplastic polymer points and thermoplastic polymer used in this method

Номер патента: RU2317311C2. Автор: Жан ЛЕФЕВР,Бенуа МЕСНИЛЬ. Владелец: Лэньер Де Пикарди Бс. Дата публикации: 2008-02-20.

Method of repairing articles from polymer composite materials with one-side access to repair area

Номер патента: RU2723868C1. Автор: Виктор Семенович Виленц. Владелец: Виктор Семенович Виленц. Дата публикации: 2020-06-17.

Method of fabricating thin film with varying thickness

Номер патента: US20220033954A1. Автор: Yu-Chi Lin,Chih-Chung Wu,Chi-Fang Huang,Cheng-Sheng Huang,Chi-Yung Hsieh. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of fabricating a liquid crystal display

Номер патента: US20020031852A1. Автор: Hsin-Ming Chen. Владелец: Unipac Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Medical leads with segmented electrodes and methods of fabrication thereof

Номер патента: US12064617B2. Автор: Kevin Wilson,Jeffrey Mitchell,Ryan Sefkow,John R. Gonzalez,Christopher A. Crawford,Raymond P. Bray. Владелец: Advanced Neuromodulation Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Photoluminescent fabric and method of making the photoluminescent fabric

Номер патента: WO2014118742A1. Автор: Luca Beltrame,Andrea Bressan. Владелец: Akkotex Srl. Дата публикации: 2014-08-07.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200143010A1. Автор: Kang-Min Jung,Sangtae Kim,Bong-Soo Kang,Sooyong Lee,Kyoil KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Hub lock releasing structure for a tape recorder and related method of fabrication

Номер патента: US20020020774A1. Автор: Sung-Hee Hong,Jae-kab Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Ceramic scintillating materials and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240091853A1. Автор: Yi Xie,Logan Joyce. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of fabricating a shade panel

Номер патента: AU2023267589A1. Автор: Chien-Fong Huang. Владелец: Teh Yor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of fabricating housing and housing

Номер патента: US09713889B2. Автор: Chih-Wei Chen,Hung-Chi Shui,Hsi-Hsing Hsu,Che-Kai Lin,Shan-Chin CHANG. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of fabricating housing and housing

Номер патента: US09582029B2. Автор: Chih-Wei Chen,Hung-Chi Shui,Hsi-Hsing Hsu,Che-Kai Lin,Shan-Chin CHANG. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods of fabricating test sample containers by applying barrier coatings after sealed container sterilization

Номер патента: US09428287B2. Автор: Weihua Sonya Wolters,Stanley Michael Philipak. Владелец: Biomerieux Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Medical leads with segmented electrodes and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09370653B2. Автор: Kevin Wilson,Jeffrey Mitchell,Ryan Sefkow,John R. Gonzalez,Christopher A. Crawford,Raymond P. Bray. Владелец: Advanced Neuromodulation Systems Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Window deco film and method of fabricating the same

Номер патента: US20200159348A1. Автор: Cheol Hun Lee,Gwang Yong TAK,Ki Joon PARK. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Tubular liner, method of fabrication and use thereof

Номер патента: AU2022341130A1. Автор: Sylvain Morissette,Joel Heraud,Olivier BOUX. Владелец: Sanexen Environmental Services Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of fabricating a reflective type LCD

Номер патента: US20020031605A1. Автор: Wei-Chih Chang,Hsin Ming Chen,Yao-Nan Chen,Yun-Chieh Yuan. Владелец: Unipac Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Method of fabricating a magnetic tag

Номер патента: WO2004031444A3. Автор: Daniel Robert Johnson,Jonathan Geoffrey Gore,George Jiri Tomka,William Norman Damerell,Rhian Jenna Pugh. Владелец: Rhian Jenna Pugh. Дата публикации: 2004-11-25.

Method of fabricating a magnetic tag

Номер патента: WO2004031444A2. Автор: Daniel Robert Johnson,Jonathan Geoffrey Gore,George Jiri Tomka,William Norman Damerell,Rhian Jenna Pugh. Владелец: QINETIQ LIMITED. Дата публикации: 2004-04-15.

Tubular liner, method of fabrication and use thereof

Номер патента: EP4399357A1. Автор: Sylvain Morissette,Joel Heraud,Olivier BOUX. Владелец: Sanexen Environmental Services Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Device for fabricating solid freeform object and method of fabricating solid freeform object

Номер патента: US20220250317A1. Автор: Shinya Seno. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

A cmos method of fabricating a combination of an ion sensitive field effect transistor (isfet) and mosfet device

Номер патента: WO2014189360A1. Автор: Zain Azlina Mohd,Mohd Rofei Mat Hussin,Muhamad Ramdzan Buyong,Zaini Khairil Mazwan MOHD,Sharaifah Kamariah WAN SABLI. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-11-27.

Method of fabricating a concrete slab system

Номер патента: US09926701B2. Автор: S. Allen Face,Gregory M Scurto. Владелец: GCP Applied Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods of fabricating sand control screen assemblies using three-dimensional printing

Номер патента: US09909397B2. Автор: Michael W. Sanders,Philip D. Nguyen,James William OGLE. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of fabricating rails

Номер патента: RU2336336C2. Автор: Масахару УЕДА,Акира КОБАЯСИ,Нориаки ОНОДЕРА,Таку САТОХ,Такуя САТОХ,Казуо ФУДЗИТА. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2008-10-20.

Method of fabricating metal-nitride vertically aligned nanocomposites

Номер патента: WO2021141787A1. Автор: Haiyan Wang,Xinghang Zhang,Xuejing Wang. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-07-15.

Method of fabricating a magnetic recording medium

Номер патента: US20040131891A1. Автор: Takuya Uzumaki,Hiroto Takeshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-07-08.

Mother substrate for liquid crystal display device and method of fabricating liquid crystal display device

Номер патента: US20070291214A1. Автор: Sang-Ky Jeon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-20.

Method of fabricating a magnetic tag

Номер патента: EP1547040A2. Автор: Daniel Robert Johnson,Jonathan Geoffrey Gore,George Jiri Tomka,William Norman Damerell,Rhian Jenna Pugh. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2005-06-29.

Medical garments and accessories with welded elasticized parts and methods of manufacture

Номер патента: US20190297973A1. Автор: David Randall Ponich,Joshua Alfred Eulert,Enrico Wing Kei Fok,Lucas Paul Ethier. Владелец: Primed Medical Products Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of fabricating composite PDMS microstructure

Номер патента: US09644257B2. Автор: Chun-Ting Lin,Fan-Gang Tseng,Pen-Cheng WANG,Tung-Yua LEE. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of fabricating a polycrystalline diamond structure

Номер патента: US20120000136A1. Автор: Mohammad N. Sani. Владелец: US Synthetic Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Blade spar of aerodynamic model of propeller and method of its manufacture

Номер патента: RU2652545C1. Автор: Владимир Алексеевич Козлов,Юрий Юрьевич Евдокимов,Сергей Владимирович Ходунов,Александр Викторович Усов,Антон Анатольевич Горский,Иван Владимирович Трифонов,Сергей Юрьевич Козырев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ"). Дата публикации: 2018-04-26.

Floor tile including fabric material, and method of its production

Номер патента: RU2691030C1. Автор: Со Йоунг КИМ,Воон Киу ДЗАНГ,Йоунг Дае СОНГ. Владелец: Нокс Корпорейшн. Дата публикации: 2019-06-07.

Method of fabrication of wearable layer of refractory lining in casting ladles and casting moulds, also wearable layer of refractory lining fabricated by this method

Номер патента: RU2383412C2. Автор: Слагнес СТЕЙНАР. Владелец: Норт Кейп Минералз Ас. Дата публикации: 2010-03-10.

Method of fabricating multilayer container and articles thus produced

Номер патента: RU2443610C2. Автор: Гайлес ГРИНФИЛД. Владелец: Гринфилд Бин, Ллс. Дата публикации: 2012-02-27.

Preferential etching method of forming a microstructure for an optical fibre

Номер патента: WO2008121270A1. Автор: Michael T Gallagher,Daniel W Hawtof,Karl W Koch Iii,Leonard C Ii Dabich,Brett J Hoover. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-09.

Cover lens and a method of fabricating a cover lens

Номер патента: WO2024115037A1. Автор: Michael Renaud,Leonardus Novianto DEPARI,Hang Tong Edwin TEO,Venu Gopal Madhav ANNAMDAS,Thoralf Klingner,Shakerzadeh MAZIAR,Ikhwan SYED. Владелец: Continental Automotive Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-06-06.

Preferential etching method of forming a microstructure for an optical fibre

Номер патента: EP2132150A1. Автор: Daniel Warren Hawtof,Michael Thomas Gallagher,Brett Jason Hoover,Leonard Charles II DABICH,Karl W Koch Iii. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-12-16.

A liner for reinforcing a pipe and method of making the same

Номер патента: EP1313982A2. Автор: Georg Adolphs,Claude M.J.G.L. Renaud. Владелец: Owens Corning Fiberglas Espana SL. Дата публикации: 2003-05-28.

Method of fabricating a free-standing microstructure

Номер патента: WO2006036518A2. Автор: Clarence Chui,Jeffrey B. Sampsell. Владелец: Idc, Llc. Дата публикации: 2006-04-06.

Reflecting sheet and method of fabricating the same

Номер патента: US20120050902A1. Автор: Sang-Hyun Lee,Won-Taek Moon,Sang-Dae Han,Su-Jin Chang,Sung-Hun Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Fabricating a metal beam

Номер патента: NZ564803A. Автор: John Window. Владелец: HENLEY TECHNOLOGY Ltd. Дата публикации: 2009-11-27.

Methods of fabricating curved two-dimensional membranes and membranes thereof

Номер патента: EP4401868A2. Автор: Konstantin Novoselov,Daria Andreeva-Baeumler. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-07-24.

MEMS structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09790088B2. Автор: Meng-Jia Lin,Shih-Wei Li,Weng-Yi Chen,Chung-Hsien Liu,Yung-Hsiao Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Apparatus for fabricating lens, method of fabricating lens, and lens

Номер патента: US09678316B2. Автор: Myoung Jin An,Seung Man Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Preparation method of printing plate for alignment film

Номер патента: US09381733B1. Автор: Hongpeng LI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Fabric intended for provision of permanent fold and method of its production

Номер патента: RU2341597C2. Автор: Марк Лодевейк МОНС. Владелец: Людвиг Свенссон Б.В.. Дата публикации: 2008-12-20.

Connecting element of hollow hermetic product of integral structure and method of its manufacturing

Номер патента: RU2702564C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Михаил Владимирович Никитин. Владелец: Михаил Владимирович Никитин. Дата публикации: 2019-10-08.

Active composition of fabric softener

Номер патента: RU2526035C1. Автор: ЯКОБ Харальд,КЁЛЕ Ханс-Юрген,ШЁППНЕР Маттиас,ОЙЛЕР Аксель,Джон МЕЛЕДАТХУ Саджи,Л. КУРТ Тодд,Г. ЯНГ Делберт,ХАМАНН Инго,ШИК Георг. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2014-08-20.

Fabrication method of multi-functional composites from pre/post-consumer carpet

Номер патента: US20100193987A1. Автор: Ranji Vaidyanathan,Abhishek Kumar Singh,Gajendra Pandey,Raman Pal Singh. Владелец: Oklahoma State University. Дата публикации: 2010-08-05.

Sensor device and a method of detecting a component in gas

Номер патента: US20190154570A1. Автор: Goran Stemme,Floria OTTONELLO BRIANO,Kristinn B. GYLFASON,Hans SOHLSTRÖM. Владелец: SENSEAIR AB. Дата публикации: 2019-05-23.

A sensor device and a method of detecting a component in gas

Номер патента: EP3314238A1. Автор: Goran Stemme,Floria OTTONELLO BRIANO,Kristinn B. GYLFASON,Hans SOHLSTRÖM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-02.

A sensor device and a method of detecting a component in gas

Номер патента: SE1550898A1. Автор: Sohlström Hans,Stemme Göran,B Gylfason Kristinn,OTTONELLO BRIANO Floria. Владелец: Sohlstroem Hans. Дата публикации: 2016-12-30.

A sensor device and a method of detecting a component in gas

Номер патента: US20180164208A1. Автор: Goran Stemme,Floria OTTONELLO BRIANO,Kristinn B. GYLFASON,Hans SOHLSTRÖM. Владелец: SENSEAIR AB. Дата публикации: 2018-06-14.

A sensor device and a method of detecting a component in gas

Номер патента: CA2990947C. Автор: Goran Stemme,Floria OTTONELLO BRIANO,Kristinn B. GYLFASON,Hans SOHLSTRÖM. Владелец: SENSEAIR AB. Дата публикации: 2024-05-14.

Polymer membrane and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2023046744A1. Автор: Lucas Johannes Anna Maria Beckers,Renatus Hendricus Maria Sanders. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2023-03-30.

Method of fabricating color filter substrate

Номер патента: US20080014512A1. Автор: I-Hua Ho. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2008-01-17.

Polymer membrane and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4405456A1. Автор: Lucas Johannes Anna Maria Beckers,Renatus Hendricus Maria Sanders. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2024-07-31.

Liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110076418A1. Автор: Mitsuhiro Sugimoto,Toshihiko Motomatsu. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Method of Fabricating Halftone Phase Shift Mask

Номер патента: US20090253053A1. Автор: Hye Mi Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-08.

Method of fabricating a part out of CMC material

Номер патента: US09440888B2. Автор: Eric Philippe,Eric Bouillon,Andre Lafond,Franck Lamouroux. Владелец: Herakles SA. Дата публикации: 2016-09-13.

Proposed article for structural element of vehicle, method of fabricated article stretching for structural element of vehicle and device for fabricated article stretching for structural element of vehicle

Номер патента: RU2705881C1. Автор: Такаси МИЯГИ,Кенитиро ОЦУКА. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2019-11-12.

Multiple glass unit and method of fabricating it

Номер патента: RU2745783C1. Автор: Вальтер Шрайбер,Флориан КАРРЕ,Дирк НЮССЕР. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2021-03-31.

Tie made of textile material and method of its manufacturing

Номер патента: RU2431435C2. Автор: Никола СОММА. Владелец: Сомма Энд С. С.Р.Л.. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of fabricating concentric-tube catalytic reactor assembly

Номер патента: WO2017019504A1. Автор: Scott Blanchet,Zhijiang Li. Владелец: Nuvera Fuel Cells, LLC. Дата публикации: 2017-02-02.

Sensor device and a method of detecting a component in gas

Номер патента: US10209180B2. Автор: Goran Stemme,Floria OTTONELLO BRIANO,Kristinn B. GYLFASON,Hans SOHLSTRÖM. Владелец: SENSEAIR AB. Дата публикации: 2019-02-19.

Plenum insert for seat and method of its fabrication

Номер патента: US11890977B2. Автор: Goran Bajic. Владелец: IGB Automotive Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of fabricating a planar substrate having optical waveguides

Номер патента: US20100284660A1. Автор: David Neil Payne,Jayanta Kumar Sahu,Andrew Simon Webb,Corin Barry Edmund Gawith,Peter George Robin Smith,Faisal Rafiq MAHAMD ADIKAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Method of influencing operating characteristic of a relay in particular of earth-leakaga one

Номер патента: PL270303A1. Автор: Wiesław Tarczyński,Jan Bator,Antoni Paluch. Владелец: Poludniowy Okreg Energetyczny. Дата публикации: 1989-08-07.

Method of manufacturing a fabric. A fabric made by the method, and an apparatus for manufacturing the fabric

Номер патента: GB201418427D0. Автор: . Владелец: REYNOLDS SONIA M. Дата публикации: 2014-12-03.

Method of manufacturing a fabric. A fabric made by the method, and an apparatus for manufacturing the fabric.

Номер патента: GB201518419D0. Автор: . Владелец: REYNOLDS SONIA M. Дата публикации: 2015-12-02.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE PRESSURE VESSEL AND METHOD OF ASSEMBLING THE SAME

Номер патента: US20120000916A1. Автор: Kleber Richard M.,Kia Hamid G.,Wang Chen-Shih,Carsley John E.,Berger Elisabeth J.,SUN Ce,Schultheis Valentin,Fell Stephan. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

QUANTUM DOT SENSITIZED WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC DEVICES & METHODS OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120003773A1. Автор: Harkness,IV Samuel D.,Richter Hans J.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing multilayer contour-profiled tissue

Номер патента: RU2466219C1. Автор: Владимир Терентьевич Сергеев,Ирина Юрьевна Павлихина,Марина Николаевна Никулина,Татьяна Леонидовна Доброва. Владелец: Закрытое акционерное общество "ТРИ-Д". Дата публикации: 2012-11-10.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabricating helical rotor pump stator

Номер патента: RU2325557C1. Автор: Виталий Григорьевич Тамурка,Аркадий Николаевич Карпов,Александр Владимирович Алтынов,Марина Владимировна Алтынова,Олег Аркадьевич Карпов,Виталий Григорьевич Тамурка (RU),Александр Владимирович Алтынов (RU),Марина Владимировна Алтынова (RU),Аркадий Николаевич Карпов (RU),Олег Аркадьевич Карпов (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральное научно-конструкторское бюро" (ФГУП "ЦНКБ"). Дата публикации: 2008-05-27.

Stabilisation device of fabric level in technological machine

Номер патента: RU2540571C1. Автор: Виктор Федорович Глазунов,Владимир Трофимович Филичев,Павел Вячеславович Вилков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный энергетический университет имени В.И. Ленина" (ИГЭУ). Дата публикации: 2015-02-10.

RINSE ADDED AMINOSILICONE CONTAINING COMPOSITIONS AND METHODS OF USING SAME

Номер патента: US20120004156A1. Автор: Vetter Kerry Andrew,Panandiker Rajan Keshav,"ONeil Julie Ann",VETTER Nicholas David. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VEHICLE CONTROL DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING VEHICLE

Номер патента: US20120004801A1. Автор: Watanabe Takashi. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE ASSEMBLY, METHOD OF FABRICATING ELECTRODE ASSEMBLY, AND SECONDARY BATTERY INCLUDING ELECTRODE ASSEMBLY

Номер патента: US20120003506A1. Автор: SHIN Hosik. Владелец: Samsung SDI Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabrication of apparatus for air cooling of gas, method of fabrication of apparatus heat exchanger section (versions), method of fabrication of apparatus chamber for gas inlet or outlet, method of hydraulic pressure testing of apparatus heat exchanger section and method of hydraulic pressure testing of apparatus manifold for gas supply and removal

Номер патента: RU2364811C2. Автор: Николай Павлович Селиванов. Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2009-08-20.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming fabric with variable density of filling thread

Номер патента: RU2495168C2. Автор: Владимир Юрьевич Селиверстов,Александр Павлович Гречухин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Костромской государственный технологический университет". Дата публикации: 2013-10-10.

3d integrated circuit package and method of fabrication thereof

Номер патента: SG172704A1. Автор: Subhash Gupta,Sangki Hong. Владелец: Tezzaron Semiconductor S Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of fabricating uniform layer of graphitic carbon nitride (g-c3n4) on conductive substrate and semiconductor device thereof

Номер патента: MY190658A. Автор: Asri Mat Teridi Mohd,Ahmad Ludin Norasikin,Fazli Ismail Aznan,Aida Mohamed Nurul,Safaei Javad,Adib Ibrahim Mohd. Владелец: Univ Kebangsaan Malaysia. Дата публикации: 2022-05-09.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of training and mastering teaching material and device to this end

Номер патента: RU2357294C2. Автор: Владимир Васильевич Куцеев,Евгений Иванович Трубилин,Анатолий Николаевич Медовник. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2009-05-27.

Method of fabric production

Номер патента: RU2516855C2. Автор: Сергей Борисович Шилов. Владелец: Сергей Борисович Шилов. Дата публикации: 2014-05-20.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabrication of armour cover for insert charge of composite solid propellant for rocket motor and heat-barrier material

Номер патента: RU2557629C1. Автор: Татьяна Иосифовна Пастор,Александр Михайлович Губкин,Вячеслав Александрович Гуськов,Ираида Семеновна Ламзина,Сергей Николаевич Архиреев,Наталья Николаевна Орлова,Юрий Гаврилович Карнаухов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП "ЦНИИХМ"). Дата публикации: 2015-07-27.

Method of simulating radar targets

Номер патента: RU2562614C1. Автор: Николай Александрович Усов,Иван Федорович Купряшкин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2015-09-10.

Radiation-resistant fibre-optic guide, method for production thereof and method of improving radiation resistance of fibre-optic guide (versions)

Номер патента: RU2537523C1. Автор: Валерий Ефимович Карасик,Алексей Николаевич Гурьянов,Евгений Михайлович Дианов,Алексей Борисович Пнев,Владимир Федорович Хопин,Михаил Юрьевич Салганский,Александр Леонидович Томашук,Павел Федорович Кашайкин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2015-01-10.

Method of production of armour helmet from laminated polymeric composites and armour helmet from laminated polymeric composites

Номер патента: RU2564970C1. Автор: Евгений Федорович Харченко,Владимир Александрович Анискович,Илья Сергеевич Гавриков,Елена Владимировна Куприянова,Николай Владимирович Греков. Владелец: Закрытое акционерное общество "Центр высокопрочных материалов "Армированные композиты" (ЗАО ЦВМ "Армоком"). Дата публикации: 2015-10-10.

Method of giving the effect of translucence to fabrics made of mixture of cotton and polyether fibers

Номер патента: RU2021406C1. Автор: В.Н. Кондратьев,С.И. Архарова,В.Б. Кузнецов,Н.В. Егоров. Владелец: Ивановский научно-исследовательский институт хлопчатобумажной промышленности. Дата публикации: 1994-10-15.

Method of fabrication of a food freshness indicator using polymer substrate

Номер патента: PH22018050220U1. Автор: Armando S Somintac,Christopher Jude T Vergara,Laureen Ida M Ballesteros. Владелец: Univ Of The Philippines Diliman. Дата публикации: 2018-12-21.

Method of fabrication of internal shell of nozzle of combustion chamber of liquid-propellant rocket engine (lpre)

Номер патента: RU2563289C1. Автор: Любовь Дмитриевна Гладкова,Анатолий Михайлович Гордон,Наталья Николаевна Короткова,Иван Тихонович Коптев,Борис Иванович Омигов,Сергей Степанович Юхневич,Юрий Владимирович Шаров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр имени М.В. Хруничева" (ФГУП "ГКНПЦ им. М.В. Хруничева"). Дата публикации: 2015-09-20.

Method of determining anisotropy of properties of tissues under action of operational factors

Номер патента: RU2582224C2. Автор: Надежда Анатольевна Смирнова,Вероника Владимировна Замышляева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Костромской государственный технологический университет". Дата публикации: 2016-04-20.

Method of production of fabrics of comb shadow weaves

Номер патента: RU2515863C1. Автор: Галина Ивановна Толубеева,Сергей Сергеевич Кольцов,Антон Евгеньевич Шопыгин,Александра Михайловна Псыркова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановская государственная текстильная академия" (ИГТА). Дата публикации: 2014-05-20.

Metal coating of upgraded adhesion to material of pad and method of fabrication of this coating

Номер патента: RU2358034C2. Автор: Александр Германович Ермилов,Сергей Иванович Сухонос,Дмитрий Николаевич Вовк. Владелец: Дмитрий Николаевич Вовк. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of assembling fireproof structure

Номер патента: RU2477249C1. Автор: Андрей Алексеевич Дорофеев,Мария Петровна Пасечник,Эмма Валеевна Быкова,Гульзара Хамитовна Коршунова,Светлана Николаевна Силяева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2013-03-10.

Method of fabrication of shape generating parts of die moulds out of steel for producing items out of plastic by casting method under pressure or by press forming

Номер патента: RU2375141C1. Автор: Борис Владимирович Афонин,Александр Михайлович Великолуг,Павел Вячеславович Воронин,Роман Павлович Воронин,Борис Владимирович Афонин (RU),Александр Михайлович Великолуг (RU),Павел Вячеславович Воронин (RU),Роман Павлович Воронин (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Завод им. В.А. Дегтярева". Дата публикации: 2009-12-10.

Method of production of fabric of check weave

Номер патента: RU2519921C1. Автор: Николай Анатольевич Коробов,Галина Ивановна Толубеева,Сергей Сергеевич Кольцов,Антон Евгеньевич Шопыгин,Дарья Сергеевна Яблокова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановская государственная текстильная академия" (ИГТА). Дата публикации: 2014-06-20.

Method of fabricating complex axially symmetric welded structures

Номер патента: RU2409457C1. Автор: Рудольф Анатольевич Кобылин,Владимир Михайлович Заболотнов,Александр Николаевич Хабаров,Николай Александрович Макаровец,Владимир Евгеньевич Ерохин,Валерий Владимирович Гаевский. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Государственное научно-производственное предприятие "Сплав". Дата публикации: 2011-01-20.

Method of controlling alternating current drive

Номер патента: RU2362264C1. Автор: Виктор Николаевич Мещеряков,Максим Александрович Туркин. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ЛИПЕЦКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ (ГОУ ВПО ЛГТУ). Дата публикации: 2009-07-20.

Method of fabricating concrete article (versions)

Номер патента: RU2454325C1. Автор: Александр Николаевич Щербаков,Сергей Петрович Кузнецов,Анатолий Иванович Лычагин,Олег Викторович Степанов,Олег Степанович Свиридов,Руслан Рустемович Мусин,Константин Николаевич Аполон,Любовь Алексеевна Колмакова,Анатолий Тимофеевич Михалёв,Игорь Вячеславович Садунов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЛИРСОТ". Дата публикации: 2012-06-27.

Screen vacuum heat insulation of cryogenic tank of rocket space upper stage and method of fabrication thereof

Номер патента: RU2384492C2. Автор: Евгений Николаевич Туманин,Михаил Викторович Рожков. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева". Дата публикации: 2010-03-20.

Method of fabrication of packet wood unit

Номер патента: RU2520644C1. Автор: Антон Викторович Хрипко. Владелец: Антон Викторович Хрипко. Дата публикации: 2014-06-27.

Method of fabricating 3d decorative articles (versions)

Номер патента: RU2412063C1. Автор: Илья Викторович Новопашин,Равиль Тагирович Минибаев. Владелец: Илья Викторович Новопашин. Дата публикации: 2011-02-20.

Method of fabricating jack-pad and said jack-pad

Номер патента: RU2453492C1. Автор: Владимир Иванович Губин,Евгений Федорович Харченко,Владимир Александрович Анискович,Николай Александрович Зеленов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "АРМОКОМ-ЦЕНТР". Дата публикации: 2012-06-20.

Method of fabricating a ceramic material on the basis of titanium dibromide

Номер патента: RU2063391C1. Автор: А.Д. Верхотуров,И.В. Сокол,О.В. Николенко. Владелец: Институт материаловедения ДВО РАН. Дата публикации: 1996-07-10.

Method of fabrication castable refractory nickel-based alloys (versions)

Номер патента: RU2541330C1. Автор: Виктор Васильевич Сидоров,Вадим Евгеньевич Ригин,Лидия Александровна Подкопаева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2015-02-10.

Method of fabrication of helical screw (russian logic version - version 2)

Номер патента: RU2544073C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2015-03-10.

Method of fabricating protective coating item from beryllium and its alloys

Номер патента: RU2344098C1. Автор: Валентина Алексеевна Розененкова,Надежда Александровна Миронова,Вячеслав Семенович Каськов,В чеслав Семенович Каськов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2009-01-20.

Method of fabricating plates out of titanium alloy

Номер патента: RU2335571C2. Автор: Александр Николаевич Козлов,Александр Владимирович Берестов,Андрей Владимирович Зайцев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Корпорация Всмпо-Ависма". Дата публикации: 2008-10-10.

Method of fabricating steel-casting refractories

Номер патента: RU2272012C1. Автор: Юрий Ефимович Пивинский,Ефим Моисеевич Гришпун. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Внедренческая Фирма "Керамбет-Огнеупор". Дата публикации: 2006-03-20.

Method of fabricating jack-pad and said jack-pad

Номер патента: RU2423315C1. Автор: Евгений Федорович Харченко,Владимир Александрович Анискович,Николай Александрович Зеленов,Александр Болеславович Миткевич. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно производственное предприятие "АРМОКОМ-ЦЕНТР". Дата публикации: 2011-07-10.

Improvements in Methods of Charging and Discharging Electric Accumulators in Systems of Electric Distribution.

Номер патента: GB190510495A. Автор: Alfred Mills Taylor,George Scobell Ellis. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-05-17.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.