Mask revision recording circuit for a memory circuit
Номер патента: TW201227374A
Опубликовано: 01-07-2012
Автор(ы): Cheng-Nan CHANG, Shi-Huei Liu, Yung-Hsing Chen
Принадлежит: Etron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-07-2012
Автор(ы): Cheng-Nan CHANG, Shi-Huei Liu, Yung-Hsing Chen
Принадлежит: Etron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Mask revision recording circuit for a memory circuit
Номер патента: US20120167019A1. Автор: Shi-Huei Liu,Cheng-Nan CHANG,Yung-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.