Semiconductor substrate and light emitting device using the same
Номер патента: US8110844B2
Опубликовано: 07-02-2012
Автор(ы): Hwan-Kuk YUH
Принадлежит: Theleds Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-02-2012
Автор(ы): Hwan-Kuk YUH
Принадлежит: Theleds Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device and Method for Producing the Same
Номер патента: US20140264415A1. Автор: Koji Okuno,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.