Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170213903A1
Опубликовано: 27-07-2017
Автор(ы): Hsiung Chih-Wen, Lin Ming-Cheng, TSAI Ming-Wei, Wong King-Yuen
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140187003A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-07-03.

High electron mobility transistor, radio frequency transistor, power amplifier, and preparation method for high electron mobility transistor

Номер патента: US20240322029A1. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

High electron mobility transistor, radio frequency transistor, power amplifier, and method for preparing high electron mobility transistor

Номер патента: EP4407688A1. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20230282740A1. Автор: Chih-Wei Chang,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Yao-Hsien Chung,Shih-Wei Su,Hao-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20220262939A1. Автор: Chih-Wei Chang,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Yao-Hsien Chung,Shih-Wei Su,Hao-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

High electron mobility transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313085A1. Автор: Shang-Hua Tsai. Владелец: Infinity Communication Tech Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

High electron mobility transistor and high electron mobility transistor forming method

Номер патента: US20240313084A1. Автор: Wei-Chih Ho. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

High electron mobility transistors with field plate electrode

Номер патента: US09577064B2. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: Selex ES SpA. Дата публикации: 2017-02-21.

Electronic assembly provided with a plurality of high electron mobility transistors

Номер патента: US20220328681A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-13.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09608100B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Jong-Bong Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140159048A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu,K.C. Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-06-12.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140061724A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-03-06.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234538A9. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20110272741A1. Автор: In-jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-10.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US12100758B2. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136422A1. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-04-25.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040393B2. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240322030A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4379811A2. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US20140073095A1. Автор: Ken Sato. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230369448A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

High electron mobility transistor with gate electrode below the channel

Номер патента: US20230197842A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Cezar Bogdan Zota,Eunjung Cha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4379811A3. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

High electron mobility transistors

Номер патента: US09425276B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234539A9. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040380B2. Автор: Chen-Wei Pan,Chun-Pin Fang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040392B2. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339532A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

High Electron Mobility Transistor and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20110156100A1. Автор: Chien-I Kuo,Edward Yi Chang,Heng-Tung Hsu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2011-06-30.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230231044A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12080787B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258398A1. Автор: Boram Kim,Junhyuk Park,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

High Electron Mobility Transistor and manufacture method thereof

Номер патента: CN103579299B. Автор: 杨宗谕,黄宗义,邱建维,黄智方,张庭辅. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-04-13.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103579299A. Автор: 杨宗谕,黄宗义,邱建维,黄智方,张庭辅. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-02-12.

High-electron-mobility transistor with high voltage endurance capability and preparation method thereof

Номер патента: US20210066481A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240136432A1. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-04-25.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240234561A9. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistor with semiconductor layer having a thickness varying along the transistor width

Номер патента: WO2019077784A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-04-25.

High electron mobility transistor (HEMT)

Номер патента: US09735240B2. Автор: LONG Yang,Dong Lee,William Fenwick. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

High electron mobility transistor structure and manufacturing method therefor and application thereof

Номер патента: EP4318596A1. Автор: YU Zhou,QIAN LI,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Xinkun ZHANG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for fabricating high electron mobility transistor

Номер патента: US20230238455A1. Автор: Chih-Wei Chang,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Yao-Hsien Chung,Shih-Wei Su,Hao-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN112652659A. Автор: 张峻铭,侯俊良,黄哲弘,廖文荣. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

High electron mobility transistor hemt device, wafer, packaging device, and electronic device

Номер патента: EP4210111A1. Автор: Hang Wang,DONGLIANG Zhang,Feng Xie,Jianyun Zhu,Ronghua XIE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

High electron mobility transistors, methods of manufacturing the same, and electronic devices including the same

Номер патента: US20150048421A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Hyo-ji CHOI,Young-Hwan Park,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-19.

High electron mobility transistor esd protection structures

Номер патента: EP3599640A8. Автор: Chungchi Gina Liao,Muhammad Ayman Shibib. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20190334023A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

High electron mobility transistors having barrier liners and integration schemes

Номер патента: US20230155016A1. Автор: Zhong-Xiang He,Anthony Stamper,Ramsey HAZBUN,Pernell Dongmo. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Access conductivity enhanced high electron mobility transistor

Номер патента: US09679762B2. Автор: Yan Zhu,Xinyu Zhang,Andrew Paul Edwards. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US09379227B2. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-28.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20200373423A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

RF high-electron-mobility transistors including group III-N stress neutral barrier layers with high breakdown voltages

Номер патента: US11710785B2. Автор: Debdeep Jena,Samuel James Bader,Huili Grace Xing,Reet Chaudhuri,Austin Hickman. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-25.

Integrated circuit with high electron mobility transistor

Номер патента: GB2412238A. Автор: Chul Hong Park. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-09-21.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20180294341A1. Автор: Chih-Yen Chen,Hsien-Lung Yang. Владелец: Wavetek Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

High electron mobility transistor (hemt)

Номер патента: EP3767685A1. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Kuan-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-20.

Multi-channel high electron mobility transistor with doped gate fins

Номер патента: US20240332409A1. Автор: Clemens Ostermaier,Korbinian Reiser,Lauri Olavi Knuuttila. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-03.

High electron mobility transistor device having an aluminum-doped buffer layer

Номер патента: US20240355917A1. Автор: José JIMENEZ,Jinqiao Xie,Vipan Kumar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

High electron mobility transistor device having an aluminum-doped buffer layer

Номер патента: US12074214B2. Автор: José JIMENEZ,Jinqiao Xie,Vipan Kumar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

High electron mobility transistor (HEMT) device and method of making the same

Номер патента: US09865721B1. Автор: Jinqiao Xie,Edward A. Beam, III. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US09793371B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Doped gallium nitride high-electron mobility transistor

Номер патента: US09640650B2. Автор: Jinqiao Xie,Edward A. Beam, III. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Structure for a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor

Номер патента: US09601608B2. Автор: Ming-Wei Tsai,King-Yuen Wong,Han-Chin Chiu,Sheng-De Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US09419093B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20240178285A1. Автор: Hsin-Chang Tsai,Shyh-Chiang Shen,Yi-Wei Lien,Wei-Chih Cheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20220093778A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20230020271A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for manufacturing high-electron-mobility transistor

Номер патента: US20230402526A1. Автор: Chan-Shin Wu. Владелец: Ultraband Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for manufacturing high-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4290582A1. Автор: Chan-Shin Wu. Владелец: Ultraband Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

High electron mobility transistors with field plate electrode

Номер патента: WO2012017390A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-02-09.

High-electron-mobility transistor structure as well as fabricating method and use thereof

Номер патента: US20240186405A1. Автор: YU Zhou,QIAN LI,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Xinkun ZHANG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-06-06.

Metamorphic high electron mobility transistor-heterojunction bipolar transistor integration

Номер патента: US20210391321A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240072153A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240021703A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240038844A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Lun Chen,Yen-Hsing Chen,Chun-Liang Kuo,Ruei-Hong SHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230387280A1. Автор: Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11830941B2. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

High-electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230335630A1. Автор: Ta-Kang Lo,Cheng-Han Wu,Cheng-Guo Chen,Jian-Li Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

High-electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP4266374A1. Автор: Ta-Kang Lo,Cheng-Han Wu,Cheng-Guo Chen,Jian-Li Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230100904A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240014309A1. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240194773A1. Автор: Tzu-Wen Wang,Yen-Chun Tseng,Chuan-Wei Chen. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240128353A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP4312277A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Lun Chen,Yen-Hsing Chen,Chun-Liang Kuo,Ruei-Hong SHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-31.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240038871A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11894441B2. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230378314A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136423A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

High electron mobility transistor and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2023194211A1. Автор: Joff Derluyn,Prem Kumar Kandaswamy. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2023-10-12.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240097004A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240178310A1. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

High breakdown enhancement mode gallium nitride based high electron mobility transistors with integrated slant field plate

Номер патента: WO2008021544A3. Автор: Yuvaraj Dora,Chang Soo Suh,Umesh K Mishra. Владелец: Umesh K Mishra. Дата публикации: 2008-06-19.

High Electron Mobility Transistor with Varying Semiconductor Layer

Номер патента: US20190115462A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20160126339A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-05.

High electron mobility transistor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230290872A1. Автор: Po-Jung Lin,Jia-Zhe Liu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

High Electron Mobility Transistor ESD Protection Structures

Номер патента: US20200035666A1. Автор: Muhammed Ayman Shibib,Chungchi Gina Liao. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Low power smith-purcell radiation sources based on high electron mobility transistor structures

Номер патента: US20230327011A1. Автор: John S Cetnar,David H Tomich,Shivashankar R Vangala. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2023-10-12.

Rf high-electron-mobility transistors including group iii-n stress neutral barrier layers with high breakdown voltages

Номер патента: US20200388701A1. Автор: Debdeep Jena,Samuel James Bader,Huili Grace Xing,Reet Chaudhuri,Austin Hickman. Владелец: Comell University. Дата публикации: 2020-12-10.

pseudomorphic high electron mobility transistor for suppressing negative differential resistance and method for producing the same

Номер патента: KR100554967B1. Автор: 이진구,오정훈,전병철,설우석,김삼동. Владелец: 김삼동. Дата публикации: 2006-03-03.

High electron mobility transistor having conductive plate on passivation layer and method for forming the same

Номер патента: US11855174B2. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Pseudomorphic high electron mobility transistor comprising doped low temperature buffer layer

Номер патента: US20140138746A1. Автор: Hans G. Rohdin,Nathan Perkins,Jonathan Abrokwah,John Stanback,Philbert Marsh. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor structure and high electron mobility transistor

Номер патента: US11942519B2. Автор: Chih-Yen Chen,Franky Juanda LUMBANTORUAN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US20160359015A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US20150140745A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Method for fabricating high electron mobility transistor

Номер патента: US20240072126A1. Автор: Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

PSEUDOMORPHIC HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (pHEMT) COMPRISING LOW TEMPERATURE BUFFER LAYER

Номер патента: US20130285119A1. Автор: Phil Marsh,Hans G. Rohdin,Nate PERKINS,Jonathan Abrokwah,John Stanback. Владелец: Avago Technologies Wireless IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

High electron mobility transistor (HEMT)

Номер патента: US11843046B2. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Kuan-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11257939B2. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

Predisposed high electron mobility transistor

Номер патента: WO2014055314A3. Автор: Christer Hallin. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

High electron mobility transistors having improved passivation structures and reduces drain current drift, as well as methods of fabricating such devices

Номер патента: WO2024039968A3. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyle BOTHE,Jia GUO,Chris Hardiman,Elizabeth Keenan. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-21.

High electron mobility transistors having reduced drain current drift and methods of fabricating such devices

Номер патента: WO2024039968A2. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyle BOTHE,Jia GUO,Chris Hardiman,Elizabeth Keenan. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-02-22.

High electron mobility transistor (HEMT) and a method of forming the same

Номер патента: US9831332B2. Автор: Shinya Mizuno. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

High electron mobility transistor (hemt)

Номер патента: US20210020767A1. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Kuan-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

High electron mobility transistor device and methods for forming the same

Номер патента: US20210057562A1. Автор: Chien-Jen Sun,Chi-Feng HSIEH,Tuan-Wei WANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210151591A1. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US20150087118A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Double aluminum nitride spacers for nitride high electron-mobility transistors

Номер патента: WO2013185089A1. Автор: Yu Cao,Wayne Johnson,Oleg Laboutin. Владелец: IQE KC, LLC. Дата публикации: 2013-12-12.

High electron mobility transistor (hemt) comprising stacked nanowire or nanosheet heterostructures

Номер патента: US20220328655A1. Автор: Xiuling Li,Shaloo Rakheja. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2022-10-13.

High electron mobility transistor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11881478B2. Автор: Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

High electron mobility transistors including lightly doped drain regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09443968B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

High electron mobility transistor and high electron mobility transistor forming method

Номер патента: US11799000B1. Автор: Yan Lai,Wei-Chen YANG. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

High electron mobility transistor and high electron mobility transistor forming method

Номер патента: US20240213334A1. Автор: Yan Lai,Wei-Chen YANG. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Multi-channel gate-all-around high-electron-mobility transistor

Номер патента: US20220131013A1. Автор: YE Lu,Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Chenjie TANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

High electron mobility transistor with periodically carbon doped gallium nitride

Номер патента: US09608103B2. Автор: Jeffrey Craig Ramer,Karl Knieriem. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

High electron mobility transistor and method for manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: WO2019163163A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-08-29.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US9276098B2. Автор: Hong-Pyo HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-01.

Monolithic integration of enhancement-mode and depletion-mode galium nitride high electron mobility transistors

Номер патента: US20240014291A1. Автор: Elias AL ALAM,Alireza LOGHMANY. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2024-01-11.

Monolithic integration of enhancement-mode and depletion-mode galium nitride high electron mobility transistors

Номер патента: CA3199022A1. Автор: Alireza LOGHMANY,Elias AL-ALAM. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2022-05-19.

High-electron-mobility transistor devices

Номер патента: US20180158940A1. Автор: Kyle Terrill,Ayman SHIBIB. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

High electron mobility transistor and manufacturing method therefor, chip, and electronic device

Номер патента: EP4250368A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Qiang He,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Shuiming LI,Chunhua FAN,Yangyi ZHU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130187197A1. Автор: Woo Jin Chang,Ho Kyun Ahn,Sung Bum Bae,Chull Won JU,Young Rak PARK,Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Seong-Il Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-07-25.

Insulating structure of high electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210013335A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230299169A1. Автор: Chih-Hung Lu,Yu-Jen Huang,Jih-Wen Chou,Hsin-Hong Chen,Po-Hsien Yeh,Robin Christine Hwang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for manufacturing nitride-based high electron mobility transistor and nitride-based high electron mobility transistor

Номер патента: US20220037517A1. Автор: Noboru Fukuhara,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Structures for a high-electron-mobility transistor and related methods

Номер патента: US20210351286A1. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI,Joseph James Jerry. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-11.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US12132103B2. Автор: Yu-Chieh Chou,Yung-Fong Lin,Tsung-Hsiang Lin,Li-Wen CHUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

High electron mobility transistor (hemt) and forming method thereof

Номер патента: US20220181478A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

High electron mobility transistor, field-effect transistor, epitaxial substrate, method of manufacturing epitaxial substrate, and method of manufacturing group iii nitride transistor

Номер патента: CA2570558A1. Автор: Takashi Sakurada,Makoto Kiyama,Shin Hashimoto,Tatsuya Tanabe,Tomihito Miyazaki,Kouhei Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Structure for increasing mobility in a high electron mobility transistor

Номер патента: US11101379B2. Автор: Haoran Li,Stacia Keller,Umesh K. Mishra,Xun Zheng,Brian Romanczyk,Matthew Guidry,Steven WIENECKE,Elaheh Ahmadi. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-08-24.

High electron mobility transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US09859410B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US20240222133A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Manufacturing method for forming insulating structure of high electron mobility transistor

Номер патента: US20210074838A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

High electron mobility transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240243194A1. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240162313A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Ruey-Chyr Lee,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

A heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: US20240304715A1. Автор: Olof Kordina,Jr-Tai Chen. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2024-09-12.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240355920A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Gallium Nitride high-electron mobility transistors with p-type layers and process for making the same

Номер патента: US12142674B2. Автор: Saptharishi Sriram. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150087142A1. Автор: Woo Jin Chang,Ho Kyun Ahn,Sung Bum Bae,Chull Won JU,Young Rak PARK,Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Seong-Il Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-03-26.

Enhancement-mode High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20200235218A1. Автор: Brice De Jaeger,Niels Posthuma,Steve Stoffels. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-23.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4333042A3. Автор: Santosh Sharma,Steven Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4333042A2. Автор: Santosh Sharma,Steven Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US12051740B2. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240290875A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20220376100A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Multi-Channel High Electron Mobility Transistor with Reduced Input Capacitance

Номер патента: US20240304670A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-12.

Multi-channel high electron mobility transistor with reduced input capacitance

Номер патента: EP4428927A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-11.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US09899493B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US09525054B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234559A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240322008A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12107157B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Electronic device comprising two high electron mobility transistors

Номер патента: US20220328471A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-13.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230231021A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof, chip, and electronic device

Номер патента: US20230343835A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Qiang He,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Shuiming LI,Chunhua FAN,Yangyi ZHU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Enhancement High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230420498A1. Автор: Han-Chung Tai. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-12-28.

High Electron Mobility Transistor and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20200203502A1. Автор: David Zhou,Roy Wong,Han-Chin Chiu,Jinhan Zhang,Ming-Hong CHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12034068B2. Автор: Joff Derluyn. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2024-07-09.

A high electron mobility transistor

Номер патента: EP3642882A1. Автор: Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2020-04-29.

High electron mobility transistor, preparation method, and power amplifier/switch

Номер патента: EP4254507A1. Автор: Xiaoxiang Wu,Teng JIANG,Sike TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Enhancement-mode high electron mobility transistors with small fin isolation features

Номер патента: US20220344457A1. Автор: Jean Lapointe,Alireza LOGHMANY,Elias AL-ALAM. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2022-10-27.

High-electron-mobility transistors

Номер патента: US09525055B2. Автор: Jamal Ramdani,Alexey Kudymov,Linlin Liu. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for producing a semiconductor device comprising a Schottky diode and a high electron mobility transistor

Номер патента: US09431511B2. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-30.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240079485A1. Автор: Chih-Hung Lu,Jih-Wen Chou,Bo-An Tsai,Zheng-Chang MU,Po-Hsien Yeh,Robin Christine Hwang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230402537A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Huai-Tzu Chiang,Chuang-Han Hsieh,Kai Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230129579A1. Автор: Tsai-Fu Chen,Hao-Ming Lee,Shou-Wei Hsieh,Ta Kang Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200111901A1. Автор: Wen-Ying Wen,Chih-hao Chen. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Method for manufacturing nitride-based high electron mobility transistor and nitride-based high electron mobility transistor

Номер патента: US12002880B2. Автор: Noboru Fukuhara,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US11757029B2. Автор: Jongseob Kim,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Structures for a high-electron-mobility transistor and related methods

Номер патента: US11888051B2. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI,Joseph James Jerry. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12034071B2. Автор: Yang Du,Chia-Ching HUANG,Shin-Chen Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

High-electron-mobility transistor (hemt)

Номер патента: EP4383345A1. Автор: Mark D. Levy,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Methods of manufacturing high electron mobility transistors having a modified interface region

Номер патента: US12015075B2. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210193824A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

High electron mobility transistor device

Номер патента: US20140253241A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

High electron mobility transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12057490B2. Автор: Ming-Chang Lu,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Iii-nitride/gallium oxide based high electron mobility transistors

Номер патента: US20230089714A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2023-03-23.

P-gan high-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240154021A1. Автор: Ting-Chang Chang,Shih-Kai Lin,Wei-Chen Huang,Chung-Wei Wu,Po-Hsun Chen,Yong-Ci Zhang,Sheng-Yao Chou. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2024-05-09.

High electron mobility transistor device having a barrier layer with a protruding portion

Номер патента: US12100756B2. Автор: Tsai-Fu Chen,Hao-Ming Lee,Shou-Wei Hsieh,Ta Kang Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Elemental semiconductor material contact for high electron mobility transistor

Номер патента: US20140349449A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12080778B2. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

High electron mobility transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20240347621A1. Автор: Ming-Chang Lu,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Sensor-less overcurrent fault detection using high electron mobility transistors

Номер патента: US12074209B2. Автор: Jing Xu,Xiaoqing Song,Pietro CAIROLI,Utkarsh Raheja. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-27.

High electron mobility transistor

Номер патента: US09960264B1. Автор: Chih-Yen Chen,Hsien-Lung Yang. Владелец: Wavetek Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Source/drain regions for high electron mobility transistors (HEMT) and methods of forming same

Номер патента: US09929248B2. Автор: Chun-Hsiang FAN,Mao-Lin Huang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US09704968B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Surface treatment and passivation for high electron mobility transistors

Номер патента: US09666683B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

High electron mobility transistors exhibiting dual depletion and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09660048B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Source/drain regions for high electron mobility transistors (HEMT) and methods of forming same

Номер патента: US09536962B1. Автор: Chun-Hsiang FAN,Mao-Lin Huang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240371968A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

High electron mobility transistor (HEMT) and forming method thereof

Номер патента: US11296214B2. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

High electron mobility transistor (hemt) and forming method thereof

Номер патента: US20220173236A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

High electron mobility transistor (hemt) and forming method thereof

Номер патента: US20210020769A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

High electron mobility transistor (hemt) and forming method thereof

Номер патента: EP3767683A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-20.

Semiconductor structure, high electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11967642B2. Автор: Chih-Yen Chen,Franky Juanda LUMBANTORUAN,Chun-Yang Chen,Tuan-Wei WANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11489048B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

High-electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20210134978A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

High-electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20240006511A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Gallium nitride-based high electron mobility transistor epitaxial wafer and preparation method therefor

Номер патента: US20230326996A1. Автор: Chen Su,Peng Li,HUI Wang,Jiahui Hu,Yuanyuan JIANG,Wubin Zhang. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Gallium nitride high-electron mobility transistors with deep implanted p-type layers in silicon carbide substrates

Номер патента: WO2017223403A1. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin,Alexander Suvorov. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2017-12-28.

High electron mobility transistor, preparation method, and power amplifier/switch

Номер патента: US20230352558A1. Автор: Xiaoxiang Wu,Teng JIANG,Sike TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Gallium Nitride High-Electron Mobility Transistors with Deep Implanted P-Type Layers in Silicon Carbide Substrates for Power Switching and Radio Frequency Applications and Process for Making the Same

Номер патента: US20170373178A1. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin,Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Gallium Nitride High-Electron Mobility Transistors with Deep Implanted P-Type Layers in Silicon Carbide Substrates for Power Switching and Radio Frequency Applications and Process for Making the Same

Номер патента: US20190229187A1. Автор: Saptharishi Sriram,Thomas Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Electronic device provided with a stack of two high electron mobility transistors arranged in a bridge half-arm

Номер патента: US20220359714A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-11-10.

Gallium nitride high-electron mobility transistors with deep implanted p-type layers in silicon carbide substrates

Номер патента: EP3475985A1. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin,Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2019-05-01.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US12002879B2. Автор: Younghwan Park,Boram Kim,Dongchul Shin,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

High electron mobility transistors

Номер патента: US20240088242A1. Автор: Randy L. Wolf,Rebouh Benelbar,Rajendran Krishnasamy,Michel J. Abou-Khalil,Ajay RAMAN,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20230369481A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20230290839A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Ruey-Chyr Lee,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11804544B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230275146A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

A high electron mobility transistor

Номер патента: WO2018234338A1. Автор: Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2018-12-27.

Multi-gate high electron mobility transistors and methods of fabrication

Номер патента: EP3192101A1. Автор: Patrick Morrow,Sansaptak DASGUPTA,Kimin Jun,Alejandro X. Levander. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240014310A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12009415B2. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20210013334A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20230238445A1. Автор: Chun-Ling Lin,Ko-Wei Lin,Chun-Chieh Chiu,Hsin-Fu Huang,Shu Min Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US20230112917A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US12002681B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: US12002881B2. Автор: Olof Kordina,Jr-Tai Chen. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2024-06-04.

High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a back barrier layer

Номер патента: US11855199B2. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230275147A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230335614A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11735644B2. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240071758A1. Автор: Wen-Jung Liao,Bo-Yu Chen,Chih-Tung Yeh,Ruey-Chyr Lee,You-Jia Chang,Yun-Chun Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US11810962B2. Автор: Cheng-Wei Chou,Hsin-Chih Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

High electron mobility transistor (hemt) with a back barrier layer

Номер патента: US20220384630A1. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11973133B2. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230361207A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11749748B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

High electron mobility transistor (hemt) with a back barrier layer

Номер патента: US20240088284A1. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP4328976A1. Автор: Wen-Jung Liao,Bo-Yu Chen,Chih-Tung Yeh,Ruey-Chyr Lee,You-Jia Chang,Yun-Chun Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240113215A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240079405A1. Автор: Santosh Sharma,Steven Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US11616135B2. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-28.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: EP3863064A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12027604B2. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

High electron mobility transistors and methods for fabricating the same

Номер патента: US20180374944A1. Автор: Francis J. Kub,Karl D. Hobart,Virginia D. Wheeler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-12-27.

High-electron-mobility transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230387282A1. Автор: Wei-Ting Chang,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Ching Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: TW202115909A. Автор: 張峻銘,黃哲弘,廖文榮,侯俊良,葉治東. Владелец: 聯華電子股份有限公司. Дата публикации: 2021-04-16.

Method for making integrated heterojunction bipolar/high electron mobility transistor

Номер патента: US5920773A. Автор: Julia J. Brown,Madjid Hafizi,William E. Stanchina. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

A heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: TW201919238A. Автор: 陳志泰,歐羅夫 寇迪那. Владелец: 瑞典商斯維甘公司. Дата публикации: 2019-05-16.

High electron mobility transistor devices having a silicided polysilicon layer

Номер патента: US11923446B2. Автор: Vibhor Jain,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu,Johnatan Avraham Kantarovsky,MARK David LEVY,Ephrem Gebreselasie. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

An enhancement mode metal insulator semiconductor high electron mobility transistor

Номер патента: WO2020236180A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2020-11-26.

Gallium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230395694A1. Автор: Chan-Hong Chern,Yi-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

High electron mobility transistor devices having a silicided polysilicon layer

Номер патента: US20240038882A1. Автор: Vibhor Jain,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu,Johnatan Avraham Kantarovsky,MARK David LEVY,Ephrem Gebreselasie. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for epitaxy of high electron mobility transistor

Номер патента: US20240063291A1. Автор: Jia-Zhe Liu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Multi-threshold voltage galium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230420541A1. Автор: Elias AL ALAM,Alireza LOGHMANY. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2023-12-28.

High electron mobility transistor devices having a silicided polysilicon layer

Номер патента: US20240038881A1. Автор: Vibhor Jain,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu,Johnatan Avraham Kantarovsky,MARK David LEVY,Ephrem Gebreselasie. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for Producing a Semiconductor Device Comprising a Schottky Diode and a High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20150214327A1. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-07-30.

An enhancement mode metal insulator semiconductor high electron mobility transistor

Номер патента: US20220254912A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

An enhancement mode metal insulator semiconductor high electron mobility transistor

Номер патента: EP3973576A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-03-30.

Integrated depletion and enhancement mode gallium nitride high-electron mobility transistors

Номер патента: US20240063219A1. Автор: JERRY JOSEPH James,Francois Hebert,Richard J. Rassel,Santosh Sharma,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for producing a semiconductor device comprising a Schottky diode and a high electron mobility transistor

Номер патента: US9276082B2. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-03-01.

High electron mobility transistor (HEMT) device structure

Номер патента: US10014402B1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

High-electron-mobility transistor with buried interconnect

Номер патента: EP3331027A2. Автор: Yongping Ding,Kyle Terrill,Ayman SHIBIB,Jinman Yang. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-06-06.

Methods of manufacturing high electron mobility transistors having improved performance

Номер патента: EP4341998A1. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3726585A2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-10-21.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210217885A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20220416073A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP4216281A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-26.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20200328298A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Gallium nitride device and method for manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: US20240038847A1. Автор: Chun-Liang Hou,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

Номер патента: US20210134966A1. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyoung-Keun Lee. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

Номер патента: WO2020142345A2. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyoung-Keun Lee. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2020-07-09.

High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

Номер патента: EP3906583A2. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyoung-Keun Lee. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-11-10.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US11894453B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for manufacturing high electron mobility transistor with at least two barrier layers

Номер патента: US11462636B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3726585A3. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

Gallium nitride device and method for manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: EP4312276A1. Автор: Chun-Liang Hou,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-31.

Method for manufacturing high electron mobility transistor device

Номер патента: US20240006525A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chun-Lung Chen,Bo-Yu Chen,Lung-En Kuo,Yuan Yu Chung,You-Jia Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Enhancement mode high electron mobility transistor

Номер патента: US11935947B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Source/Drain Regions for High Electron Mobility Transistors (HEMT) and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170084717A1. Автор: Chun-Hsiang FAN,Mao-Lin Huang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Source/Drain Regions for High Electron Mobility Transistors (HEMT) and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170025507A1. Автор: Chun-Hsiang FAN,Mao-Lin Huang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

Номер патента: US11355600B2. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyoung-Keun Lee. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

High electron mobility transistor (hemt) device and method of forming the same

Номер патента: US20240014307A1. Автор: Wei Jen Chen,Kai Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3772112A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-03.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US11804538B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Methods of fabricating semiconductor structures and high electron mobility transistors

Номер патента: US20190207012A1. Автор: Yu-Chieh Chou,Yung-Fung Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

High electron mobility transistor (hemt) devices and methods

Номер патента: US20210091219A1. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-25.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11784238B2. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

High electron mobility transistor structure

Номер патента: US20190131427A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Process of forming a high electron mobility transistor including a gate electrode layer spaced apart from a silicon nitride film

Номер патента: US11710773B2. Автор: Yukinori Nose,Kenta Sugawara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Sensor-less overcurrent fault detection using high electron mobility transistors

Номер патента: EP4149000A1. Автор: Jing Xu,Xiaoqing Song,Pietro CAIROLI,Utkarsh Raheja. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2023-03-15.

Method for fabricating a high electron mobility transistor

Номер патента: EP4210113A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

High electron mobility transistor epitaxial structure

Номер патента: US20240063270A1. Автор: Jia-Zhe Liu,Hong-Che LIN. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Manufacturing of scalable gate length high electron mobility transistors

Номер патента: EP2601678A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: Selex ES SpA. Дата публикации: 2013-06-12.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210083073A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20230402527A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3796395A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-24.

High electron mobility transistor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230369447A1. Автор: Jia-Zhe Liu,Tzu-Yao Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US20240120416A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

High electron mobility transistors having improved performance

Номер патента: US12009417B2. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240186384A1. Автор: Mark D. Levy,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210036138A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Manufacturing of scalable gate length high electron mobility transistors

Номер патента: WO2012017389A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-02-09.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240274673A1. Автор: Hwi-Huang Chen,Chih-Hung Lu,Yu-Jen Huang,Jih-Wen Chou,Hsin-Hong Chen,Robin Christine Hwang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

High electron mobility transistor, radio frequency transistor, power amplifier, and method for preparing high electron mobility transistor

Номер патента: EP4407688A4. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

High electron mobility transistor and electronic device including the same

Номер патента: US20240274689A1. Автор: Boram Kim,Sunkyu Hwang,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Nitride high electron mobility transistor wafer and manufacturing method of the nitride high electron mobility transistor wafer

Номер патента: KR102391923B1. Автор: 이호준,이태돈,조영우,송문규,박경욱,송현돈,배석태,남대호. Владелец: 주식회사 에이프로세미콘. Дата публикации: 2022-04-28.

High electron mobility transistor and method of forming the same using atomic layer deposition technique

Номер патента: US09685548B2. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4092756A2. Автор: Alessandro Chini,Ferdinando Iucolano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-11-23.

High electron mobility transistors

Номер патента: US20160359034A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4092756A3. Автор: Alessandro Chini,Ferdinando Iucolano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-22.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190006498A1. Автор: Wong King-Yuen,TSAI Ming-Wei,Hsiung Chih-Wen,Lin Ming-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

INSULATING STRUCTURE OF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210013335A1. Автор: Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170133496A1. Автор: Wong King-Yuen,TSAI Ming-Wei,Hsiung Chih-Wen,Lin Ming-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140332822A1. Автор: TAKEYA Motonobu. Владелец: SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2014-11-13.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180294347A1. Автор: Wong King-Yuen,TSAI Ming-Wei,Hsiung Chih-Wen,Lin Ming-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Nitride high electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN113314590B. Автор: 孙志鹏,郝跃,张进成,姚佳佳,薛军帅,吴冠霖,杨雪妍,李祖懋. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2023-03-21.

Metal oxide semiconductor HEMT (High Electron Mobility Transistor) and manufacture method thereof

Номер патента: CN106601791A. Автор: 陈建国,刘美华,林信南. Владелец: Shenzhen Founder Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

Normally-off high electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN111863957A. Автор: 刘军林,吕全江. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2020-10-30.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN113451393A. Автор: 童小东,邢利敏. Владелец: Shenzhen Times Suxin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-28.

Normally-off high electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN112582470A. Автор: 刘军林,吕全江. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2021-03-30.

Series-connected high electron mobility transistors and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201218319A. Автор: YI Chang,Heng-Tung Hsu. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2012-05-01.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200144382A1. Автор: Chen Chih-Wei,Wen Wen-Ying. Владелец: Nuvoton Technology Corporation. Дата публикации: 2020-05-07.

III-nitride semiconductor high electron mobility transistor with enhanced reliability and manufacturing method thereof

Номер патента: CN114141870A. Автор: 张力,陈敬,郑柘炀. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2022-03-04.

High-electron-mobility transistor (HEMT) structure capable of protecting a III-V compound layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US10269948B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yu-Syuan Lin,Han-Chin Chiu,Yao-Chung Chang,Sheng-De Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: TW201123444A. Автор: Edward Yi Chang,Chie-Ni Kuo,Heng-Tung Hsu. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2011-07-01.

A high electron mobility transistor with source and drain electrodes below the channel

Номер патента: WO2023100058A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Eunjung Cha,Bogdan ZOTA. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-06-08.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING BOTH ENHANCEMENT MODE GROUP III-N HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND DEPLETION MODE GROUP III-N HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20210351288A1. Автор: Logan John,Hwang Kiuchul,Schultz Brian D.,Thomidis Christos. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2021-11-11.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING BOTH ENHANCEMENT MODE GROUP III-N HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND DEPLETION MODE GROUP III-N HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20200328296A1. Автор: Logan John,Hwang Kiuchul,Schultz Brian D.,Thomidis Christos. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2020-10-15.

High electron mobility transistor and method of manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: JP6668597B2. Автор: 健 中田. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-18.

High electron mobility transistor and method of manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: JP6746887B2. Автор: 健 中田. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-08-26.

High-linearity enhanced gallium nitride high-electron-mobility transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN111969046A. Автор: 刘志宏,郝跃,王泽宇,张进成,郝璐,蔡鸣,周弘,赵胜雷,张苇杭,段小玲. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-11-20.

High electron mobility transistor and manufacturing method of the same

Номер патента: JP2017168627A. Автор: Takeshi Nakada,健 中田,剛志 河内,Takeshi Kouchi,勇夫 眞壁,Isao Makabe,圭一 由比,Keiichi Yui. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

High-electron mobility transistor and manufacturing method for same

Номер патента: CN103681831B. Автор: 赵超,罗军,邓坚,包琦龙. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-02-08.

High-performance MIS gate enhanced GaN-based high electron mobility transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN111682064B. Автор: 郭志友,李渊,夏凡,张淼,夏晓宇,谭秀洋,马建铖. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-06-07.

Enhancement-mode high-electron-mobility transistor and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW201205806A. Автор: Edward Yi Chang,Chia-Hua Chang,Yueh-Chin Lin. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2012-02-01.

High electron mobility transistor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210013331A1. Автор: Chih-Yen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

High Electron Mobility Transistor with Graded Back-Barrier Region

Номер патента: US20180138304A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-17.

Methods of forming films including scandium at low temperatures using chemical vapor deposition to provide piezoelectric resonator devices and/or high electron mobility transistor devices

Номер патента: US12102010B2. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

High-electron-mobility transistor (HEMT) capable of protecting a III-V compound layer

Номер патента: US09941398B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yu-Syuan Lin,Han-Chin Chiu,Yao-Chung Chang,Sheng-De Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

High electron mobility transistor (HEMT) capable of absorbing a stored hole more efficiently and method for manufacturing the same

Номер патента: US09484429B2. Автор: Mayumi Morizuka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR WITH HIGH VOLTAGE ENDURANCE CAPABILITY AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20210066481A1. Автор: LI Zilan. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

High electron mobility transistor of multi-channel groove gate MIS structure and manufacturing method

Номер патента: CN113644127A. Автор: 何云龙,王冲,马晓华,郑雪峰,郝跃,王润豪. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2021-11-12.

GaN-based high electron mobility transistor with groove-grid multi-channel structure and manufacturing method

Номер патента: CN113644128A. Автор: 何云龙,王冲,马晓华,郑雪峰,郝跃,邓松. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2021-11-12.

Composite-Channel High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20200411663A1. Автор: Sriram Saptharishi. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

A kind of enhancement type high electron mobility transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN105655395B. Автор: 裴轶. Владелец: SUZHOU JIEXINWEI SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

An improved structure of a high electron mobility transistor and a fabrication method thereof

Номер патента: TWI481025B. Автор: Shih-Ming Joseph Liu,Cheng Guan Yuan. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2015-04-11.

Gallium nitride-based high-electron-mobility transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN114759082A. Автор: 谢志文,张铭信,陈铭胜,侯合林. Владелец: Jiangxi Zhao Chi Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-15.

High electron mobility transistors

Номер патента: GB2239557A. Автор: Chun-Woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1991-07-03.

AlGaN high electron mobility transistor with high breakdown voltage and preparation method thereof

Номер патента: CN111613669A. Автор: 郭志友,李渊,夏凡,张淼,夏晓宇,谭秀洋,马建铖. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-09-01.

High electron mobility transistor and preparation method thereof with n-p-n structure back potential barrier

Номер патента: CN109638074A. Автор: 王茜,王晓亮,姜丽娟,冯春,王权,肖红领,徐健凯,陈昌禧. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2019-04-16.

High electron mobility transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN113284802A. Автор: 林志东,魏鸿基,何先良. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-20.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220093778A1. Автор: Wang Yu-Ren,Hsu Yu-Ming,Chen Yen-Hsing,Yang Tsung-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

NORMALLY-OFF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND FABRICATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20170154987A1. Автор: TU Shang-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170236909A1. Автор: Kim Dong-Young,Min Byoung-Gue,Yoon Hyung Sup,Kim Hae Cheon,Nam Eun Soo,Kwon Yong-hwan,AHN Ho Kyun,KIM Seong Il,LEE Jong Min,LIM Jong-Won,KANG Dong Min,LEE Sang-Heung,DO Jae Won,CHO Kyu Jun,JUNG Hyun Wook. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2017-08-17.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200365699A1. Автор: Chiu Han-Chin,Chang Ming-Hong,Liao Hang,WONG KINGYUEN. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

A kind of high electron mobility transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN109659354A. Автор: 李鹏,王群,胡加辉,郭炳磊,葛永晖,吕蒙普. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-19.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: KR101856687B1. Автор: 이상민,정희석,정연국,구황섭,김현제. Владелец: (주)웨이비스. Дата публикации: 2018-05-14.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: KR20170048125A. Автор: 이상민,정희석,정연국,구황섭,김현제. Владелец: 주식회사 기가레인. Дата публикации: 2017-05-08.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: CN105448977A. Автор: 丁庆,陈家诚,姚建可. Владелец: China Communication Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-30.

High electron mobility transistor with shortened recovery time

Номер патента: US9117742B2. Автор: Yoshitsugu Yamamoto,Hiroyuki Kinoshita,Tetsuo Kunii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-08-25.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) AND FORMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210020769A1. Автор: Wu Chien-Liang,Kang Chih-Kai,Hsueh Sheng-Yuan,Sheng Yi-Chung,Lee Kuo-Hsing,Huang Guan-Kai. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) AND FORMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220173236A1. Автор: Wu Chien-Liang,Kang Chih-Kai,Hsueh Sheng-Yuan,Sheng Yi-Chung,Lee Kuo-Hsing,Huang Guan-Kai. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2022-06-02.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) AND FORMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220181478A1. Автор: Wu Chien-Liang,Kang Chih-Kai,Hsueh Sheng-Yuan,Sheng Yi-Chung,Lee Kuo-Hsing,Huang Guan-Kai. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2022-06-09.

Mixed polarity AlGaN/GaN high electron mobility transistor based on sputtering AlN substrate and preparation method thereof

Номер патента: CN109559991B. Автор: 张涛,马晓华,郝跃,张进成,张雅超,任泽阳. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-09-15.

High-electron-mobility transistor device and preparation method thereof

Номер патента: CN106601805A. Автор: 陈建国,刘美华,林信南. Владелец: Shenzhen Founder Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

Nanowire high-electron-mobility transistor integrating nonpolar GaN and preparation method thereof

Номер патента: CN105161532A. Автор: 李凯,宋伟东,王汝鹏,李述体. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-16.

High electron mobility transistor chip and preparation method thereof

Номер патента: CN113838931A. Автор: 王江波,李瑶,吴志浩. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-24.

High electron mobility transistor epitaxial wafer and preparation method thereof

Номер патента: CN112928162B. Автор: 李鹏,胡加辉,苏晨. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-09.

MIS-HEMT (metal insulating layer-high electron mobility transistor) device with back field plate structure and preparation method thereof

Номер патента: CN103730492A. Автор: 蔡勇,于国浩,张宝顺,董志华. Владелец: SUZHOU NENGWU ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-16.

METHOD FOR HETEROEPITAXIAL GROWTH OF HIGH CHANNEL CONDUCTIVITY AND HIGH BREAKDOWN VOLTAGE NITROGEN POLAR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20130307027A1. Автор: Lu Jing,Keller Stacia,Mishra Umesh K.. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device with high-electron mobility transistor

Номер патента: US20230327008A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Bogdan Cezar Zota,Eunjung Cha,Katarzyna Hnida-Gut. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

High electron mobility transistor with source and drain electrodes below the channel

Номер патента: US20230178642A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Cezar Bogdan Zota,Eunjung Cha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

A STRUCTURE FOR INCREASING MOBILITY IN A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20190348532A1. Автор: Keller Stacia,Mishra Umesh K.,LI Haoran,Zheng Xun,Ahmadi Elaheh,Guidry Matthew,Romanczyk Brian,Wienecke Steven. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device with high-electron mobility transistor

Номер патента: WO2023194825A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Bogdan Cezar Zota,Eunjung Cha,Katarzyna Hnida-Gut. Владелец: Ibm Israel - Science & Technology Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: EP3767684A1. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-20.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20210020768A1. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11081579B2. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS, METHODS OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150048421A1. Автор: Shin Jai-kwang,Oh Jae-joon,CHOI Hyo-ji,JEON Woo-chul,PARK Young-hwan,PARK Ki-yeol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-02-19.

HIGH POWER PERFORMANCE GALLIUM NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR WITH LEDGES AND FIELD PLATES

Номер патента: US20200052103A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

MANUFACTURING METHOD FOR FORMING INSULATING STRUCTURE OF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210074838A1. Автор: Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

MANUFACTURING METHOD FOR FORMINGINSULATING STRUCTURE OF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20220293780A1. Автор: Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2022-09-15.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATION HAVING REDUCED GATE LENGTH AND LEAK CURRENT

Номер патента: US20190334022A1. Автор: Charles Matthew,Buckley Julien,TORRES Alphonse. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2019-10-31.

RF HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS INCLUDING GROUP III-N STRESS NEUTRAL BARRIER LAYERS WITH HIGH BREAKDOWN VOLTAGES

Номер патента: US20200388701A1. Автор: Bader Samuel James,Chaudhuri Reet,Xing Huili Grace,Jena Debdeep,Hickman Austin. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

ELECTRONIC DEVICE PROVIDED WITH A STACK OF TWO HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS ARRANGED IN A BRIDGE HALF-ARM

Номер патента: US20220359714A1. Автор: Nongaillard Matthieu,Oheix Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

High breakdown enhancement mode gallium nitride based high electron mobility transistors with integrated slant field plate

Номер патента: WO2008021544A2. Автор: Yuvaraj Dora,Chang Soo Suh,Umesh K. Mishra. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2008-02-21.

High electronic mobility transistor for optoelectronic application, has interface loaded with electrons at level of nucleation and barrier layers, and passivation layer made of aluminum oxide formed at surface of barrier layer

Номер патента: FR2922045A1. Автор: Erhard Kohn,Sylvain Delage,Farid Medjoub. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2009-04-10.

High electron mobility transistor and method of fabrication having reduced gate length and leak current

Номер патента: US10879383B2. Автор: Matthew Charles,Julien Buckley,Alphonse TORRES. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-12-29.

High electron mobility transistor hemt device, wafer, packaging device, and electronic device

Номер патента: EP4210111A4. Автор: Hang Wang,DONGLIANG Zhang,Feng Xie,Jianyun Zhu,Ronghua XIE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130234207A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-12.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130307026A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,KIM Kyoung-yeon,HWANG Sun-kyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-11-21.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140021510A1. Автор: Shin Jai-kwang,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,JEON Woo-chul,PARK Young-hwan,PARK Ki-yeol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-23.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140021511A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,JEON Woo-chul,PARK Young-hwan,KIM Kyoung-yeon,KIM Joon-yong,PARK Ki-yeol,HWANG Sun-kyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-23.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140061725A1. Автор: Shin Jai-kwang,Ha Jong-bong,JEON Woo-chul,PARK Young-hwan,PARK Ki-yeol,HWANG Sun-kyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-06.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140077267A1. Автор: HEO Hong-Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-20.

HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140097470A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,KIM Kyoung-yeon,KIM Joon-yong,HWANG Sun-kyu. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200006543A1. Автор: CHYI Jen-Inn,LIU Chia-Cheng,TU Shang-Ju,CHANG Tsung-Cheng,YANG Ya-Yu,Shen Yu-Jiun. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150008485A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Hong Ki-ha. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210013333A1. Автор: YANG PO-YU. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210013334A1. Автор: Huang Shin-Chuan,Hou Chun-Liang,Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming,CHEN Bo-Rong,Yeh Chih-Tung. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210020768A1. Автор: Chang Chun-Ming,Yeh Chih-Tung. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20220052166A1. Автор: Hou Chun-Liang,Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming,Yeh Chih-Tung,Hsu Yi-Shan,Lee Ruey-Chyr. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140151749A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,JEON Woo-chul,PARK Young-hwan,PARK Ki-yeol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-05.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME USING ATOMIC LAYER DEPOSITION TECHNIQUE

Номер патента: US20170077283A1. Автор: Nakata Ken. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20220140124A1. Автор: Huang Shin-Chuan,Hou Chun-Liang,Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming,CHEN Bo-Rong,Yeh Chih-Tung. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2022-05-05.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210098601A1. Автор: Hou Chun-Liang,Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming,Yeh Chih-Tung,Huang Che-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140183598A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Chiu Han-Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-07-03.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150123139A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Oh Jae-joon,CHONG Soo-Gine,HWANG Sunk-yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-05-07.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20220278222A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20220278223A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND PROCESS TO FORM THE SAME

Номер патента: US20160149024A1. Автор: Makabe Isao. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2016-05-26.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210175343A1. Автор: Huang Shin-Chuan,Hou Chun-Liang,Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming,CHEN Bo-Rong,Yeh Chih-Tung,Hsu Yi-Shan,Huang Che-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140231816A1. Автор: Wong King-Yuen,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,Chiu Han-Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-21.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140239306A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-28.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20220310823A1. Автор: CHANG Chia-Ming,SYU Rong-Hao,SONG Chun-Han,LIAO Yu-An. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20220310824A1. Автор: YANG PO-YU. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210249528A1. Автор: Wang Yu-Ren,Hsu Yu-Ming,Chen Yen-Hsing,Yang Tsung-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210249529A1. Автор: LU Shui-Yen,Chang Ming-Hua,Su Po-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

High Electron Mobility Transistor and Method of Forming the Same

Номер патента: US20140319583A1. Автор: Wong King-Yuen,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,Chiu Han-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

MULTI-GATE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20170229565A1. Автор: Jun Kimin,MORROW Patrick,DASGUPTA Sansaptak,LEVANDER ALEJANDRO X.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140327043A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,JEON Woo-chul,HWANG Sun-kyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-11-06.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20170271496A1. Автор: Nakata Ken,Yui Keiichi,KOUCHI Tsuyoshi,MAKABE lsao. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2017-09-21.

STRUCTURES FOR A HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR AND RELATED METHODS

Номер патента: US20210351286A1. Автор: LEI Jiacheng,JERRY JOSEPH James,SUSAI Lawrence Selvaraj. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

HYBRID HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND ACTIVE MATRIX STRUCTURE

Номер патента: US20160315101A1. Автор: Sadana Devendra K.,Afzali-Ardakani Ali,Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

High electron mobility transistor and method of driving the same

Номер патента: KR102065113B1. Автор: 김종섭,황인준,신재광,최혁순,전우철,오재준,황선규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-01-10.

GaN-based high electron mobility transistor and method for making the same

Номер патента: US20060226442A1. Автор: An-Ping Zhang,James Kretchmer,Edmund Kaminsky. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US9252255B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Hyuk-soon Choi,Sun-Kyu Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-02.

Normally off nitride high electron mobility transistor and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR101008272B1. Автор: 한철구,최홍구. Владелец: 전자부품연구원. Дата публикации: 2011-01-13.

High electron mobility transistor and production method

Номер патента: CN108666217A. Автор: 马晓华,祝杰杰,陈丽香,刘捷龙,贾富春. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2018-10-16.

Gan-based high electron mobility transistor and method for making the same

Номер патента: EP1872408A4. Автор: An-Ping Zhang,James Kretchmer,Edmund Kaminsky. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 2009-11-18.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: CN112885901B. Автор: 胡俊杰. Владелец: SMIC Manufacturing Shaoxing Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-30.

High electron mobility transistor and method for fabricating thereof

Номер патента: KR101208674B1. Автор: 이원상. Владелец: 주식회사 대원이노스트. Дата публикации: 2012-12-05.

High electron mobility transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: CN102916044A. Автор: 洪起夏,金钟燮,申在光,崔赫洵,黄仁俊,吴在浚,河种奉. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-06.

High electron mobility transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: CN112289683A. Автор: 胡俊杰,任文珍. Владелец: SMIC Manufacturing Shaoxing Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-29.

High electron mobility transistor and semiconductor device

Номер патента: CN214797426U. Автор: F·尤克拉诺,A·基尼. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-11-19.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH FIELD PLATE ELECTRODE

Номер патента: US20130193487A1. Автор: Peroni Marco,Romanini Paolo. Владелец: SELES ES S.P.A.. Дата публикации: 2013-08-01.

PSEUDOMORPHIC HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (pHEMT) COMPRISING LOW TEMPERATURE BUFFER LAYER

Номер патента: US20130285119A1. Автор: Phil Marsh,Hans G. Rohdin,Nate PERKINS,Jonathan Abrokwah,John Stanback. Владелец: Avago Technologies Wireless IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

DOUBLE ALUMINUM NITRIDE SPACERS FOR NITRIDE HIGH ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20130341635A1. Автор: Cao Yu,Johnson Wayne,Laboutin Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

High electron mobility transistor structure and method of making the same

Номер патента: US20160005823A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20190013399A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210013331A1. Автор: Chen Chih-Yen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2021-01-14.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) SEMICONDUCTOR DEVICES WITH REDUCED DYNAMIC RESISTANCE

Номер патента: US20210013336A1. Автор: Jeon Woochul,Salih Ali,Vaughan-Edmunds Llewellyn. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2021-01-14.

High Electron Mobility Transistor ESD Protection Structures

Номер патента: US20200035666A1. Автор: Shibib Muhammed Ayman,Liao Chungchi Gina. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE, HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20150041825A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,Chen Xiaomeng,CHIANG Chen-Hao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-02-12.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210036138A1. Автор: Hou Chun-Liang,Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) HAVING AN INDIUM-CONTAINING LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210050209A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Hsu Chung-Chieh,Liu Po-Chun,CHIANG Chen-Hao,CHING Min-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

III-NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20190051741A1. Автор: TUNG Chien-Kai,FENG Tien Ching. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210057561A1. Автор: SUN Chien-Jen,HSIEH Chi-Feng,WANG Tuan-Wei. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2021-02-25.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210057562A1. Автор: SUN Chien-Jen,HSIEH Chi-Feng,WANG Tuan-Wei. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2021-02-25.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20190067430A1. Автор: Lin Hsin-Chih,Lin Yung-Hao,LIN Shin-Cheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2019-02-28.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICES AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190067431A1. Автор: Lin Hsin-Chih,Lin Yung-Hao,LIN Shin-Cheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2019-02-28.

ENHANCEMENT-MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20140151712A1. Автор: Cao Yu,Johnson Wayne,Laboutin Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-05.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210083073A1. Автор: Lin Chun-Hsien,LIU An-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

METHOD OF FORMING A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20150087118A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,CHIANG Chen-Hao,Chiu Han-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

Source/Drain Regions for High Electron Mobility Transistors (HEMT) and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170084717A1. Автор: Huang Mao-Lin,Fan Chun-Hsiang,Lin Chun-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

COMPOSITIONALLY GRADED NITRIDE-BASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20140167058A1. Автор: Cao Yu,Johnson Wayne,Laboutin Oleg. Владелец: IQE, KC, LLC. Дата публикации: 2014-06-19.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20210091219A1. Автор: Patti Davide Giuseppe. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

High Electron Mobility Transistor with Periodically Carbon Doped Gallium Nitride

Номер патента: US20160099345A1. Автор: Ramer Jeffrey Craig,Knieriem Karl. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Group III-Nitride High-Electron Mobility Transistors with Buried P-Type Layers and Process for Making the Same

Номер патента: US20210104623A1. Автор: Smith Thomas,Sriram Saptharishi,Suvorov Alexander,Hallin Christer. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

High Electron Mobility Transistor with Negative Capacitor Gate

Номер патента: US20190115445A1. Автор: Teo Koon Hoo,Chowdhury Nadim. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

High Electron Mobility Transistor with Varying Semiconductor Layer

Номер патента: US20190115462A1. Автор: Teo Koon Hoo,Chowdhury Nadim. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20140203289A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

High Electron Mobility Transistor Structure

Номер патента: US20140209920A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-07-31.

High Electron Mobility Transistor with Dual Thickness Barrier Layer

Номер патента: US20200119162A1. Автор: Curatola Gilberto,Haeberlen Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US20150140745A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

STRUCTURE FOR A GALLIUM NITRIDE (GaN) HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20160141404A1. Автор: Wong King-Yuen,TSAI Ming-Wei,Chiu Han-Chin,Liu Sheng-de. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

Group iii-nitride high-electron mobility transistors with gate connected buried p-type layers and process for making the same

Номер патента: US20210167199A1. Автор: Saptharishi Sriram,Jia GUO. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

High Electron Mobility Transistor with Graded Back-Barrier Region

Номер патента: US20180138304A1. Автор: Curatola Gilberto. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

LATERAL HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR WITH INTEGRATED CLAMP DIODE

Номер патента: US20180158917A1. Автор: Odnoblyudov Vladimir,Aktas Ozgur. Владелец: QROMIS, Inc.. Дата публикации: 2018-06-07.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210193824A1. Автор: Hou Chun-Liang,Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20140252368A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20170170295A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors (HEMTs) Having Reduced Current Collapse And Power Added Efficiency Enhancement

Номер патента: US20210202729A1. Автор: Logan John,Torabi Abbas,Schultz Brian D.. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2021-07-01.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT)

Номер патента: US20170179271A1. Автор: Yang Long,Fenwick William,Lee Dong. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20200176593A1. Автор: Derluyn Joff. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20170194471A1. Автор: Yi Pei. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

High Electron Mobility Transistor with Carrier Injection Mitigation Gate Structure

Номер патента: US20170200817A1. Автор: Curatola Gilberto,Prechtl Gerhard,Haeberlen Oliver,Ostermaier Clemens. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR WITH INDIUM NITRIDE LAYER

Номер патента: US20150236101A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,Lee Ru-Liang,CHIANG Chen-Hao,CHING Min-Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-08-20.

High Electron Mobility Transistors Having Improved Reliability

Номер патента: US20150236122A1. Автор: Fan Ren,Stephen John Pearton,Jihyun Kim. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) HAVING AN INDIUM-CONTAINING LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150236146A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Hsu Chung-Chieh,Liu Po-Chun,CHIANG Chen-Hao,CHING Min-Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-08-20.

INDIUM-CONTAINING CONTACT AND BARRIER LAYER FOR III-NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20150255589A1. Автор: Fenwick William. Владелец: TOSHIBA CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-10.

Group III-Nitride High-Electron Mobility Transistors with Buried P-Type Layers and Process for Making the Same

Номер патента: US20190237569A1. Автор: Smith Thomas,Sriram Saptharishi,Suvorov Alexander,Hallin Christer. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) DEVICE

Номер патента: US20190237570A1. Автор: III Edward A.,Beam,Xie Jinqiao. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

METHODS OF FORMING FILMS INCLUDING SCANDIUM AT LOW TEMPERATURES USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION TO PROVIDE PIEZOELECTRIC RESONATOR DEVICES AND/OR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20210280634A1. Автор: Moe Craig,Leathersich Jeffrey M.. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR WITH TRENCH ISOLATION STRUCTURE CAPABLE OF APPLYING STRESS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210280705A1. Автор: YANG PO-YU. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS WITH HETEROJUNCTION DOPANT DIFFUSION BARRIER

Номер патента: US20180248028A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Kennel Harold W.,Murthy Anand S.,Mohapatra Chandra S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-08-30.

High Electron Mobility Transistor Structure and Method of Making the Same

Номер патента: US20190245046A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

CONTACT METALLURGY FOR SELF-ALIGNED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20140346566A1. Автор: Basu Anirban. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-27.

ELEMENTAL SEMICONDUCTOR MATERIAL CONTACTFOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20140346567A1. Автор: Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman,Basu Anirban. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-27.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS WITH COUNTER-DOPED DOPANT DIFFUSION BARRIER

Номер патента: US20180254332A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Kennel Harold W.,Murthy Anand S.,Mohapatra Chandra S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-09-06.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20160268411A1. Автор: Nakata Ken. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210336042A1. Автор: Derluyn Joff. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-28.

High-electron-mobility transistor (hemt) capable of protecting iii-v compound layer

Номер патента: US20170271492A1. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yu-Syuan Lin,Han-Chin Chiu,Yao-Chung Chang,Sheng-De Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR WITH INDIUM NITRIDE LAYER

Номер патента: US20160284827A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,Lee Ru-Liang,CHIANG Chen-Hao,CHING Min-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Anti-barrier-conduction (abc) spacers for high electron-mobility transistors (hemts)

Номер патента: US20190267480A1. Автор: Keun-Yong BAN,Ashok T. Ramu. Владелец: Duet Microelectronics Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

High Electron Mobility Transistor with Deep Charge Carrier Gas Contact Structure

Номер патента: US20190280093A1. Автор: Curatola Gilberto,Haeberlen Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

High Electron Mobility Transistor with Dual Thickness Barrier Layer

Номер патента: US20190280100A1. Автор: Curatola Gilberto,Haeberlen Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH IMPROVED HEAT DISSIPATION

Номер патента: US20170294528A1. Автор: Ren Fan,Pearton Stephen John,Law Mark E.,Hwang Ya-Hsi. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20180294341A1. Автор: Chen Chih-Yen,Yang Hsien-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

High Electron Mobility Transistor Structure and Method of Making the Same

Номер патента: US20170338316A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Damage-Free Plasma-Enhanced CVD Passivation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20170338332A1. Автор: Hobart Karl D.,Anderson Travis J.,Tadjer Marko J.,Koehler Andrew D.. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2017-11-23.

DUAL-OPERATION DEPLETION/ENHANCEMENT MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20190326425A1. Автор: Ramu Ashok T.,Bayruns Robert J.,Bayruns John. Владелец: DUET MICROELECTRONICS LLC. Дата публикации: 2019-10-24.

METHOD OF FORMING A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20160359015A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,CHEN Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20160359034A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,CHIANG Chen-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) AND A METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160372588A1. Автор: Mizuno Shinya. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.. Дата публикации: 2016-12-22.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20170365700A1. Автор: III Edward A.,Beam,Xie Jinqiao. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

Gallium Nitride High-Electron Mobility Transistors with Deep Implanted P-Type Layers in Silicon Carbide Substrates for Power Switching and Radio Frequency Applications and Process for Making the Same

Номер патента: US20170373178A1. Автор: Sriram Saptharishi,Suvorov Alexander,Hallin Christer. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20200373423A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Composite-Channel High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20200411663A1. Автор: Saptharishi Sriram. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

T-gate and N-surface GaN/AlGaN fin-type high electron mobility transistor

Номер патента: CN105914232A. Автор: 郝跃,张进成,黄旭,张金风,安阳. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2016-08-31.

Structure for fabricating high electron mobility transistors utilizing the formation of complaint substrates

Номер патента: US6646293B2. Автор: Rudy M. Emrick,Stephen Kent Rockwell,John E. Holmes. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-11-11.

Method of manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: KR101626463B1. Автор: 김종섭,황인준,정우인,홍기하,신재광,최혁순,오재준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-06-02.

High electron mobility transistor (HEMT)

Номер патента: JP5390768B2. Автор: ウー イーフェン,パリーク プリミット,ミシュラ ウメシュ,ムーア マーシャ. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-01-15.

Method of forming a self-aligned, selectively etched, double recess high electron mobility transistor

Номер патента: US6838325B2. Автор: Colin S. Whelan,Elsa K. Tong. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2005-01-04.

Structure of high electron mobility transistor growth on si substrate and the method thereof

Номер патента: US20130049070A1. Автор: Edward Yi Chang,Yueh-Chin Lin,Shih-Hsuan Tang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-28.

High electron mobility transistor

Номер патента: US9660066B2. Автор: Hao-Chung Kuo,Zhen-Yu Li,Chunyen Chang,An-Jye TZOU. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-05-23.

High-frequency group iii-nitride-based high electron mobility transistors with high-aluminum concentration barriers and recessed gates

Номер патента: US20240363745A1. Автор: Chirag Gupta,Jiahao Chen,Swarnav Mukhopadhyay,Shubhra Shweta Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-31.

High-frequency group iii-nitride-based high electron mobility transistors with high-aluminum concentration barriers and recessed gates

Номер патента: WO2024226212A2. Автор: Chirag Gupta,Jiahao Chen,Swarnav Mukhopadhyay,Shubhra Shweta Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-31.

Normally-off high electron mobility transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US09786775B2. Автор: Shang-Ju TU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

High electron mobility transistor

Номер патента: US09570597B2. Автор: Jong-Seob Kim,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Sun-Kyu Hwang,Jong-Bong Ha,Young-Hwan Park,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Structure of high electron mobility transistor growth on Si substrate and the method thereof

Номер патента: US8796117B2. Автор: Edward Yi Chang,Yueh-Chin Lin,Shih-Hsuan Tang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-08-05.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: US20240234560A9. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Gallium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230411509A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

High electron mobility transistor device

Номер патента: US20230326980A1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Wei Jen Chen,Chi-Hsiao Chen,Kai Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: EP4362105A2. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: EP4362105A3. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Field plate biasing of high electron mobility transistor

Номер патента: US20240282827A1. Автор: Marco A. Zuniga,Ashutosh Ravindra Joharapurkar,Thomas William Macelwee,Rohan Samsi,Lucas Andrew Milner,Vineet Unni,Jayasimha S. Prasad,Ramesh G. KARPUR. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Substrate biasing for bidirectional high electron mobility transistor device

Номер патента: US20240072161A1. Автор: Santosh Sharma. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Field plate biasing of high electron mobility transistor

Номер патента: WO2024176174A1. Автор: Marco A. Zuniga,Thomas MacElwee,Jayasimha Prasad,Rohan Samsi,Ramesh Karpur,Vineet Unni,Lucas MILNER,Ashutosh Joharapurkar. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

High electron mobility transistor

Номер патента: US09627523B2. Автор: Chih-Wei Yang,Chien-Kai Tung,Heng-Kuang Lin,Hsiang-Chun WANG,Hsein-chin CHIU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20160211330A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Zhen-Yu Li,Chunyen Chang,An-Jye TZOU. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2016-07-21.

Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor substrate voltage management circuit

Номер патента: US11838017B2. Автор: Michael J. Harrison,Patrick Lyle CHAPMAN,Christiaan Johannes van Antwerpen. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor substrate voltage management circuit

Номер патента: EP4364205A1. Автор: Michael J. Harrison,Patrick Lyle CHAPMAN,Christiaan Johannes van Antwerpen. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor substrate voltage management circuit

Номер патента: US20220416784A1. Автор: Michael J. Harrison,Patrick Lyle CHAPMAN,Christiaan Johannes van Antwerpen. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

GaN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20220123136A1. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Shan Lin,Wen-Chung Chen,Hong-Chih Chen,Yun-Hsuan Lin,Mao-Chou Tai,Hao-Xuan Zheng,Fu-Yuan Jin,Fong-Min Ciou. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-04-21.

Capacitance networks for enhancing high voltage operation of a high electron mobility transistor and method therein

Номер патента: EP3997737A1. Автор: Alexey Kudymov,Sorin Georgescu,Kuo-Chang Yang,Kamal VARADARAJAN. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-05-18.

Capacitance networks for enhancing high voltage operation of a high electron mobility transistor and method therein

Номер патента: US20220262941A1. Автор: Alexey Kudymov,Sorin Georgescu,Kuo-Chang Yang,Kamal VARADARAJAN. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Aluminum free group iii-nitride based high electron mobility transistors and methods of fabricating same

Номер патента: EP1875514A1. Автор: Adam William Saxler. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-01-09.

Group-III nitride based high electron mobility transistor (HEMT) with barrier/spacer layer

Номер патента: US6849882B2. Автор: Umesh Mishra,Yifeng Wu,Stacia Keller,Prashant Chavarkar,Ioulia P. Smorchkova,Wladyslaw Walukiewicz. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-02-01.

Normally-off high electron mobility transistor

Номер патента: US8890212B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Sun-Kyu Hwang,Young-Hwan Park,Kyoung-Yeon Kim,Joon-Yong Kim,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-18.

Enhancement mode high-electron-mobility transistor having n-i-p semiconductor junction structure and applications thereof

Номер патента: US20230352574A1. Автор: Yu-Jen Liu,Tsung-Cheng Chang,Chia-Cheng Liu,Ming-Chin Chen,Ya-Yu YANG,Shang-Ju TU,Chung-Chih Tsai,Tien Ching FENG. Владелец: Unikorn Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

InGaAs/GaAs high electron mobility transistor

Номер патента: US6953955B2. Автор: Wei-Chou Hsu,Ching-Sung Lee. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2005-10-11.

Group-iii nitride based high electron mobility transistor (hemt) with barrier/spacer layer

Номер патента: CA2447058C. Автор: Umesh Mishra,Yifeng Wu,Stacia Keller,Prashant Chavarkar,Ioulia P. Smorchkova,Wladyslaw Walukiewicz. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

High electron mobility transistor

Номер патента: US9331154B2. Автор: Chih-Wei Yang,Hsien-Chin Chiu,Chien-Kai Tung,Heng-Kuang Lin,Hsiang-Chun WANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors having a gate contact on a gallium nitride based cap segment and methods of fabricating same

Номер патента: CA2453318C. Автор: Richard Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Complementary high electron mobility transistor

Номер патента: US20230207679A1. Автор: Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

P-gan high electron mobility transistor field plating

Номер патента: WO2024030127A1. Автор: Ayman SHIBIB,Saba RAJABI. Владелец: Vishay Siliconix LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: US20240136431A1. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

High-electron mobility transistor

Номер патента: WO2010126288A1. Автор: Doyeol Ahn. Владелец: UNIVERSITY OF SEOUL INDUSTRY COOPERATION FOUNDATION. Дата публикации: 2010-11-04.

P-GaN HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20230378337A1. Автор: Ting-Chang Chang,yu-xuan Wang,Shih-Kai Lin,Wei-Chen Huang,Kai-Chun Chang,Mao-Chou Tai,Ting-Tzu Kuo. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2023-11-23.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12002857B2. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11848376B1. Автор: Yan Lai,Wei-Chen YANG. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

High electron mobility transistors with charge compensation

Номер патента: US20200373383A1. Автор: Yuhao ZHANG. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240194774A1. Автор: Tzu-Wen Wang,Yen-Chun Tseng,Chuan-Wei Chen. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

High electron mobility transistor (hemt) and fabrication method therefor

Номер патента: EP3955313B1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Multi-gate high electron mobility transistors (HEMTs) employing tuned recess depth gates for improved device linearity

Номер патента: US11855198B2. Автор: YE Lu,Peijie Feng,Junjing Bao,Chenjie TANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Multi-gate high electron mobility transistors (hemts) employing tuned recess depth gates for improved device linearity

Номер патента: WO2021207485A1. Автор: YE Lu,Peijie Feng,Junjing Bao,Chenjie TANG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-10-14.

Multi-gate high electron mobility transistors (hemts) employing tuned recess depth gates for improved device linearity

Номер патента: EP4133530A1. Автор: YE Lu,Peijie Feng,Junjing Bao,Chenjie TANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Method of fabricating a high electron mobility transistor and fabricated transistor

Номер патента: DE102020214767A1. Автор: Hans-Joachim Würfl,Elke Meissner. Владелец: Ferdinand Braun Institut GgmbH Leibniz Inst Fuer Hoechstfrequenztechnik. Дата публикации: 2022-05-25.

High Electron Mobility Transistor (HEMT), Transistor Assembly, Method of Controlling a HEMT, and Method of Making a HEMT

Номер патента: DE102021201791A1. Автор: Fabian LOFINK,Bernhard Wagner,Holger Kapels,Simon Fichtner. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2022-08-25.

Hybrid high electron mobility transistor and active matrix structure

Номер патента: US20170047378A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150054035A1. Автор: Hong-Pyo HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-26.

HYBRID HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND ACTIVE MATRIX STRUCTURE

Номер патента: US20190237511A1. Автор: Sadana Devendra K.,Afzali-Ardakani Ali,Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

Hybrid high electron mobility transistor and active matrix structure

Номер патента: US20160316539A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: CN112216736A. Автор: 杨柏宇. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-12.

High-electron-mobility transistor and preparation method therefor

Номер патента: WO2018054377A1. Автор: 李涛,于洪宇,沈忱,纪冬梅,蒋苓利. Владелец: 苏州珂晶达电子有限公司. Дата публикации: 2018-03-29.

Hybrid high electron mobility transistor and active matrix structure

Номер патента: US9504123B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: TWI786422B. Автор: 黎子蘭. Владелец: 大陸商廣東致能科技有限公司. Дата публикации: 2022-12-11.

Hybrid high electron mobility transistor and active matrix structure

Номер патента: US9502435B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Selectively Area Regrown III-Nitride High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20130313613A1. Автор: Asif Khan,Vinod Adivarahan,Qhalid Fareed. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2013-11-28.

LATERAL HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR WITH INTEGRATED CLAMP DIODE

Номер патента: US20200044033A1. Автор: Odnoblyudov Vladimir,Aktas Ozgur. Владелец: QROMIS, Inc.. Дата публикации: 2020-02-06.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH LOCALIZED SUB-FIN ISOLATION

Номер патента: US20180158957A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Murthy Anand S.,Mohapatra Chandra S.,Rahhal-Orabi Nadia M.,GARDNER Sanaz K.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device including a high-electron-mobility transistor (hemt) and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170229480A1. Автор: Jun-De JIN,Kuan-Chi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

High electron mobility transistor with trench isolation structure capable of applying stress and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210280706A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

High power pseudomorphic gallium arsenide high electron mobility transistors

Номер патента: US5262660A. Автор: Po-Hsin Liu,Dwight C. Streit,Kin L. Tan. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1993-11-16.

Pseudomorphic high electron mobility transistor, low noise amplifier, and related apparatus

Номер патента: US20240332412A1. Автор: TENG Teng,Xiaomin ZHOU,Jie Yu,Minglang YU,Jianwei Ye,Yusi XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Pseudomorphic high electron mobility transistor, low-noise amplifier and related device

Номер патента: EP4451341A1. Автор: TENG Teng,Xiaomin ZHOU,Jie Yu,Minglang YU,Jianwei Ye,Yusi XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Epitaxial oxide high electron mobility transistor

Номер патента: US20230141076A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Electronic device comprising two high electron mobility transistors

Номер патента: US20220320325A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-06.

Monolithic cascode multi-channel high electron mobility transistors

Номер патента: US20240079484A1. Автор: Ming Xiao,Yuhao ZHANG. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

High electron mobility transistor and manufacturing method therefor, chip, and electronic device

Номер патента: EP4250368A4. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Qiang He,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Shuiming LI,Chunhua FAN,Yangyi ZHU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor structure having both enhancement mode group iii-n high electron mobility transistors and depletion mode group iii-n high electron mobility transistors

Номер патента: US20210351288A1. Автор: John Logan,Brian D. Schultz,Kiuchul Hwang,Christos THOMIDIS. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-11-11.

Methods of forming high electron mobility transistors with controlled gate length and high electron mobility transistors with controlled gate length

Номер патента: US20240304678A1. Автор: Won Sang Lee. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

GaN-based high electron mobility transistors and fabrication method thereof

Номер патента: US12113127B2. Автор: Kuang-Po Hsueh. Владелец: Nanjing Greenchip Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

High electron mobility transistor structure and manufacturing method therefor and application thereof

Номер патента: EP4318596A4. Автор: YU Zhou,QIAN LI,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Xinkun ZHANG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-08-21.

High-electron-mobility transistor having a buried field plate

Номер патента: US09728630B2. Автор: Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

High electron mobility transistor fabrication process on reverse polarized substrate by layer transfer

Номер патента: US09935191B2. Автор: Patrick Morrow,Sansaptak DASGUPTA,Kimin Jun,Alejandro X. Levander. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US09876093B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Insulating structure of high electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210013332A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150087142A1. Автор: Kim Seong-il,Yoon Hyung Sup,Nam Eun Soo,CHANG Woo Jin,AHN Ho Kyun,BAE Sung Bum,JU Chull Won,PARK Young Rak,MUN Jae Kyoung,LIM Jong-Won,KANG Dong Min,LEE Sang-Heung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2015-03-26.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140187003A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiu Chien-Wei,Yang Tsung-Yu,Huang Chih-Fang,Chang Ting-Fu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION, R.O.C. Дата публикации: 2014-07-03.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160133738A1. Автор: CHANG EDWARD YI,Lin Yueh-Chin,Hsieh Ting-En. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Enhancement Mode High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20160218204A1. Автор: Pei Yi. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN113257891A. Автор: 张辉,林科闯,刘胜厚,孙希国,蔡仙清. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-13.

High-electron-mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US11011380B2. Автор: Ming-Wei Tsai,Ming-Cheng Lin,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

InAlN/AlGaN enhanced-type high-electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104393039A. Автор: 郝跃,张进成,李姚,薛军帅. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2015-03-04.

Insulating structure of high electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US11380786B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

High-electron-mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201731103A. Автор: 熊志文,林明正,敬源 黃,蔡明瑋. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2017-09-01.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN114551591A. Автор: 杨柏宇. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-27.

Semiconductor device including high electron mobility transistor or high hole mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11830940B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200111901A1. Автор: Chen Chih-Hao,Wen Wen-Ying. Владелец: Nuvoton Technology Corporation. Дата публикации: 2020-04-09.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD AND HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20180197737A1. Автор: Kinoshita Hiroyuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2018-07-12.

High electron mobility transistor (HEMT) made of layers of Group XIII element nitrides and manufacturing method thereof

Номер патента: US8754449B2. Автор: Robert Dwilinski,Roman Doradzinski,Jerzy Garczynski,Yasuo Kanbara,Leszek P. Sierzputowski. Владелец: Ammono Sp zoo. Дата публикации: 2014-06-17.

The High Electron Mobility Transistor that performance pair exhausts and manufacture method thereof

Номер патента: CN102194867B. Автор: 洪起夏,金钟燮,申在光,崔赫洵,黄仁俊,吴在浚. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-10.

High electron mobility transistor (hemt) made of layers of group xiii element nitrides and manufacturing method thereof.

Номер патента: WO2005122232A1. Автор: Robert Dwilinski,Roman Doradzinski,Jerzy Garczynski,Yasuo Kanbara,Leszek P. Sierzputowski. Владелец: Ammono Sp. Z O.O.. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor structure having both enhancement mode group iii-n high electron mobility transistors and depletion mode group iii-n high electron mobility transistors

Номер патента: EP3953973A1. Автор: John Logan,Brian D. Schultz,Kiuchul Hwang,Christos THOMIDIS. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-02-16.

Semiconductor structure having both enhancement mode group iii-n high electron mobility transistors and depletion mode group iii-n high electron mobility transistors

Номер патента: WO2020209971A1. Автор: John Logan,Brian D. Schultz,Kiuchul Hwang,Christos THOMIDIS. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2020-10-15.

Method for manufacturing nitride-based high electron mobility transistor and nitride-based high electron mobility transistor

Номер патента: US20220037517A1. Автор: Noboru Fukuhara,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor structure having both enhancement mode group iii-n high electron mobility transistors and depletion mode group iii-n high electron mobility transistors

Номер патента: SG11202106757RA. Автор: John Logan,Kiuchul Hwang,Christos THOMIDIS,Brian D Schultz. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-07-29.

High-electron-mobility transistor device with integrated p-n layer

Номер патента: US20240213239A1. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

High-electron-mobility transistor with protective diode

Номер патента: US09589951B2. Автор: Kiyoshi Takeuchi,Takashi Hase,Ippei Kume,Toshiharu Nagumo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

High-electron-mobility transistor employing gate first process and manufacturing method for the transistor

Номер патента: WO2014154120A1. Автор: 王鹏飞,张卫,孙清清,周鹏,刘晓勇. Владелец: 复旦大学. Дата публикации: 2014-10-02.

High electron mobility transistor and manufacturing method for the same

Номер патента: JP2021174987A. Автор: Jae-joon Oh,Jongseob Kim,在浚 ▲呉▼,鍾燮 金. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-01.

High electron mobility transistor with doped semiconductor region in gate structure

Номер патента: US20240222488A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl,Thomas Detzel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-04.

DAMAGE-FREE PLASMA-ENHANCED CVD PASSIVATION OF AlGaN/GaN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: WO2017200827A8. Автор: Karl D. Hobart,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson,Marko J. Tadjer. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2018-07-12.

High electron mobility transistor devices

Номер патента: US20190067430A1. Автор: Hsin-Chih Lin,Shin-Cheng Lin,Yung-Hao Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Structure with photodiode, high electron mobility transistor, surface acoustic wave device and fabricating method of the same

Номер патента: US20240162208A1. Автор: Chih-Wei Chang,Chung-Yi Chiu,Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

High electron mobility transistor devices and method for fabricating the same

Номер патента: US20190067431A1. Автор: Hsin-Chih Lin,Shin-Cheng Lin,Yung-Hao Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Damage-free plasma-enhanced CVD passivation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Номер патента: US09960266B2. Автор: Karl D. Hobart,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson,Marko J. Tadjer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device with high electron mobility transistor (HEMT) having source field plate

Номер патента: US09704982B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of making high electron mobility transistor structure

Номер патента: US09583588B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

GaN-Based High Electron Mobility Transistors and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20230268431A1. Автор: Kuang-Po Hsueh. Владелец: Nanjing Greenchip Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

High electron mobility transistor semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1923907A3. Автор: Weidong Liu,Jane Lee,Po-Hsin Liu,Jennifer Wang,Xiaobing Mei,Richard Lai,Wayne Yoshida,Linh Dang,Michael Barsky. Владелец: Northrop Grumman Space and Mission Systems Corp. Дата публикации: 2009-04-15.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20210336016A1. Автор: Yu-Chieh Chou,Ting-En HSIEH,Yung-Fong Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20210143257A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220293779A1. Автор: HUANG CHIA-CHING,Du Yang,Lin Shin-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

High electron mobility transistor and forming method thereof

Номер патента: CN103367418B. Автор: 余俊磊,姚福伟,游承儒,黄敬源,许竣为,杨富智,蔡俊琳. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-30.

High electron mobility transistor and driving method thereof

Номер патента: JP6381881B2. Автор: 申　在光,在光 申,在浚 ▲呉▼,鍾燮 金,▲祐▼徹 全,基烈 朴,永煥 朴,▲呉▼　在浚,種奉 河. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-29.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20210288149A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

High electron mobility transistor having self-aligned miniature field mitigating plate and protective dielectric layer and fabrication method thereof

Номер патента: US20090159930A1. Автор: Robert Coffie,Po-Hsin Liu,loulia Smorchkova,Ben Heying,Carol Namba,Boris Hikin. Владелец: Northrop Grumman Space and Mission Systems Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

High electron mobility transistor semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20090206369A1. Автор: Weidong Liu,Jane Lee,Po-Hsin Liu,Jennifer Wang,Xiaobing Mei,Richard Lai,Wayne Yoshida,Linh Dang,Michael Barsky. Владелец: Northrop Grumman Space and Mission Systems Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

High electron mobility transistor, field-effect transistor, epitaxial substrate, method of manufacturing epitaxial substrate, and method of manufacturing group iii nitride transistor

Номер патента: TW200705659A. Автор: Takashi Sakurada,Makoto Kiyama,Shin Hashimoto,Tatsuya Tanabe,Tomihito Miyazaki,Kouhei Miura. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2007-02-01.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FINFET)

Номер патента: US20200251582A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

High electron mobility transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: KR20230000718A. Автор: 김종섭,박준혁,김준용,전우철,황선규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-01-03.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US20230369449A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Group iii nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: US20200105915A1. Автор: Sudhiranjan Tripathy,Surani Bin Dolmanan,Krishna Kumar MANIPPADY,Kaixin Vivian LIN,Hui Ru TAN. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2020-04-02.

High Electron Mobility Transistor with Doped Semiconductor Region in Gate Structure

Номер патента: US20210234028A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl,Thomas Detzel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-07-29.

High-electron-mobility transistor device with integrated p-n layer

Номер патента: EP4391041A1. Автор: James Fiorenza,Daniel Piedra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Group iii-nitride high-electron mobility transistors and process for making the same

Номер патента: EP4292132A1. Автор: Saptharishi Sriram,Jia GUO. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US20240021702A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Kai-Lin Lee,Huai-Tzu Chiang,Chuang-Han Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20220310823A1. Автор: Chia-Ming Chang,Rong-Hao SYU,Chun-Han SONG,Yu-An LIAO. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Group iii-nitride high-electron mobility transistors and process for making the same

Номер патента: WO2022173571A8. Автор: Saptharishi Sriram,Jia GUO. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-02-16.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US12015074B2. Автор: Chia-Ming Chang,Rong-Hao SYU,Chun-Han SONG,Yu-An LIAO. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR INCLUDING A GATE ELECTRODE

Номер патента: US20200044067A1. Автор: Banerjee Abhishek,Moens Peter,VANMEERBEEK Piet. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2020-02-06.

MANUFACTURING METHOD OF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20160071727A1. Автор: Yamamoto Takahiro,Ohno Akihito,ERA Atsushi. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2016-03-10.

MANUFACTURING METHOD OF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20200127115A1. Автор: Shih Ying-Ru,Chiu Hsien-Chin. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-04-23.

HIGH-VOLTAGE GAN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH REDUCED LEAKAGE CURRENT

Номер патента: US20170301780A1. Автор: Carlson Douglas,Boles Timothy E.,Kaleta Anthony. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2017-10-19.

High-voltage gan high electron mobility transistors

Номер патента: US20170301781A1. Автор: Timothy E. Boles,Douglas CARLSON,Anthony Kaleta. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

HIGH-VOLTAGE GAN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH REDUCED LEAKAGE CURRENT

Номер патента: US20190341480A1. Автор: Carlson Douglas,Boles Timothy E.,Kaleta Anthony. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-11-07.

GALLIUM NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR HAVING HIGH BREAKDOWN VOLTAGE AND FORMATION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20190393300A1. Автор: Li Chen,Zhang Feng,YAN Fawang,ZHAO Beiji,LIU Chunxue. Владелец: Shanghai Simgui Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-12-26.

Manufacturing method for high-electron-mobility transistor

Номер патента: US10811261B2. Автор: Ming-Wei Tsai,Ming-Cheng Lin,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Manufacturing method of high electron mobility transistor

Номер патента: US9355841B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Akihito Ohno,Atsushi ERA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Electronic device including a high electron mobility transistor including a gate electrode and a dielectric film

Номер патента: US10818787B1. Автор: Abhishek Banerjee,Peter Moens. Владелец: Deutsche Bank AG New York Branch. Дата публикации: 2020-10-27.

High electron mobility transistor having a reduced input resistance and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4120359A1. Автор: Erwan Morvan,Jérôme BISCARRAT,Yveline Gobil. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2023-01-18.

High voltage GaN high electron mobility transistor

Номер патента: JP7073271B2. Автор: イー． ボールズ、ティモシー,カールソン、ダグラス,カレタ、アンソニー. Владелец: メイコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス インコーポレイテッド. Дата публикации: 2022-05-23.

Gallium nitride high electron mobility transistor having high breakdown voltage and formation method therefor

Номер патента: WO2018157523A1. Автор: 张峰,李晨,闫发旺,刘春雪,赵倍吉. Владелец: 上海新傲科技股份有限公司. Дата публикации: 2018-09-07.

Gallium nitride high electron mobility transistor having high breakdown voltage and formation method therefor

Номер патента: EP3591708A4. Автор: Chen Li,Feng Zhang,Fawang YAN,Beiji ZHAO,Chunxue LIU. Владелец: Shanghai Simgui Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-30.

High electron mobility transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130175539A1. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Jong-Bong Ha,Ki-ha Hong,Chang-Yong Um. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130302953A1. Автор: KIM Jun-youn,LEE Jae-won,CHOI Hyo-ji. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US20140008659A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

High electron mobility transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140021480A1. Автор: Woo-Chul JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-23.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140073095A1. Автор: SATO Ken. Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-03-13.

High Electron Mobility Transistor and Method of Forming the Same

Номер патента: US20150021667A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

High Electron Mobility Transistor and Method of Forming the Same

Номер патента: US20170092738A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,CHIANG Chen-Hao,Chiu Han-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

High Electron Mobility Transistor and Method of Forming the Same

Номер патента: US20140191240A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

High Electron Mobility Transistor and Method of Forming the Same

Номер патента: US20180151692A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Chiu Han-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140242761A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,CHEN Po-Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-28.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200161447A1. Автор: Lin Hsin-Chih,CHOU CHENG-WEI. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2020-05-21.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150221745A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,Hong Ki-ha. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

High Electron Mobility Transistor and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20200203502A1. Автор: Wong Roy,Chiu Han-Chin,Zhou David,Chang Ming-Hong,Zhang Jinhan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

A heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: US20200203521A1. Автор: Olof Kordina,Jr-Tai Chen. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2020-06-25.

High Electron Mobility Transistor and Method of Forming the Same

Номер патента: US20160293723A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200328288A1. Автор: Lin Hsin-Chih,CHOU CHENG-WEI. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2020-10-15.

Epitaxial structure for high-electron-mobility transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200350426A1. Автор: Nien-Tze Yeh,Yutao Fang,Boting Liu,Kaixuan Zhang. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20180374944A1. Автор: Hobart Karl D.,Kub Francis J.,Wheeler Virginia D.,Anderson Travis J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20220376100A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101813177B1. Автор: 황인준,홍기하,신재광,최혁순,하종봉,오재준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-12-29.

High electron mobility transistor and method of driving the same

Номер патента: KR101946009B1. Автор: 박영환,김종섭,박기열,신재광,하종봉,전우철,오재준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-02-08.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101813180B1. Автор: 김종섭,황인준,홍기하,신재광,최혁순,하종봉,오재준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-12-29.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101922120B1. Автор: 전우철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-11-26.

High electron mobility transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US8933446B2. Автор: Woo-Chul JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-13.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220416070A1. Автор: Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Woochul Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210336045A1. Автор: Jongseob Kim,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101869045B1. Автор: 김종섭,황인준,홍기하,신재광,최혁순,하종봉,오재준,엄창용. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2018-06-19.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220416071A1. Автор: Jongseob Kim,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Heterostructure for high electron mobility transistors and method of producing the same

Номер патента: CN111164733A. Автор: 陈志泰,奥洛夫·科迪纳. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2020-05-15.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20210158252A. Автор: 신동철,박영환,김종섭,박준혁,김준용,황인준,정수진,김보람,오재준,황선규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-12-30.

Heterostructure for high electron mobility transistor and method for manufacturing same

Номер патента: KR102330907B1. Автор: 제이알-타이 첸,올로프 코르디나. Владелец: 스웨간 에이비. Дата публикации: 2021-11-25.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US8895992B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-25.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US9231093B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Hyuk-soon Choi,Sun-Kyu Hwang,Jong-Bong Ha,Young-Hwan Park,Kyoung-Yeon Kim,Joon-Yong Kim,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-05.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101927408B1. Автор: 박영환,김종섭,김준용,김경연,황인준,박기열,신재광,최혁순,하종봉,전우철,오재준,황선규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-03-07.

Method for manufacturing sensor having structure of high electron mobility transistor and sensor using thereof

Номер патента: KR102161445B1. Автор: 정해용,박경호,박형호,조주영. Владелец: (재)한국나노기술원. Дата публикации: 2020-10-06.

The face N GaN base fin high electron mobility transistor and production method

Номер патента: CN105932041B. Автор: 郝跃,张进成,黄旭,张金风,安阳. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2019-03-26.

Multi-gate high electron mobility transistors and methods of fabrication

Номер патента: TW201622148A. Автор: 派翠克 摩洛,全箕玟,山薩塔克 達斯古塔,亞歷韓卓 利萬德. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2016-06-16.

MANUFACTURING OF SCALABLE GATE LENGTH HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20130189817A1. Автор: Peroni Marco,Romanini Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-25.

High electron mobility transistor structure and method

Номер патента: US20130334538A1. Автор: Paul Saunier. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) DEVICE AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20200006522A1. Автор: Yeh Chia-Ling,Chen Ching Yu. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Source/Drain Regions for High Electron Mobility Transistors (HEMT) and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170025507A1. Автор: Chun-Hsiang FAN,Mao-Lin Huang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

METHOD OF MAKING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20150056766A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

High-Electron-Mobility Transistor Having a Buried Field Plate

Номер патента: US20160071967A1. Автор: Prechtl Gerhard,Haeberlen Oliver,Ostermaier Clemens. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

METHOD OF FORMING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20170077255A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Tsai Chun-Lin. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR FABRICATION PROCESS ON REVERSE POLARIZED SUBSTRATE BY LAYER TRANSFER

Номер патента: US20170077281A1. Автор: Jun Kimin,MORROW Patrick,DASGUPTA Sansaptak,LEVANDER ALEJANDRO X.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

PROCESS OF FORMING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) AND HEMT FORMED BY THE SAME

Номер патента: US20190081154A1. Автор: WATANABE Tadashi,Matsuda Hajime. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.. Дата публикации: 2019-03-14.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE WITH IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE PERFORMANCE

Номер патента: US20140170819A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-06-19.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) WITH A BACK BARRIER LAYER

Номер патента: US20220140123A1. Автор: CHEN CHING-YU,Yeh Chia-Ling,Lin Yu-Shine,XIE Jiang-He,MOHANTA Pravanshu. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Surface treatment and passivation for high electron mobility transistors

Номер патента: US20170104083A1. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICES AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190103468A1. Автор: Lin Hsin-Chih,Lin Yung-Hao,LIN Shin-Cheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

GROUP III NITRIDE BASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20200105915A1. Автор: LIN Kaixin Vivian,Tripathy Sudhiranjan,Manippady Krishna Kumar,Bin Dolmanan Surani,Tan Hui Ru. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2020-04-02.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT)

Номер патента: US20190115435A1. Автор: Lee Won Sang. Владелец: RFHIC Corporation. Дата публикации: 2019-04-18.

Surface Treatment and Passivation for High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20190115447A1. Автор: TSAI Cheng-Yuan,Chiu Han-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20190131427A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Surface Treatment and Passivation for High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20200127114A1. Автор: TSAI Cheng-Yuan,Chiu Han-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

Process of forming high electron mobility transistor (hemt) and hemt formed by the same

Номер патента: US20210167188A1. Автор: Tadashi Watanabe,Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

METHOD OF FABRICATING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20220293747A1. Автор: LIN Yung-Fong,CHOU Yu-Chieh,Hsieh Ting-En. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2022-09-15.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR WITH BURIED INTERCONNECT

Номер патента: US20180158942A1. Автор: Ding Yongping,SHIBIB Ayman,TERRILL Kyle,YANG Jinman. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20180166565A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Chen Kuei-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-06-14.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210217885A1. Автор: YANG PO-YU. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) DEVICE AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20210226040A1. Автор: Yeh Chia-Ling,Chen Ching Yu. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Method for Producing a Semiconductor Device Comprising a Schottky Diode and a High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20150214327A1. Автор: Decoutere Stefaan,Lenci Silvia. Владелец: IMEC. Дата публикации: 2015-07-30.

High Electron Mobility Transistor with Doped Semiconductor Region in Gate Structure

Номер патента: US20210234028A1. Автор: Prechtl Gerhard,Haeberlen Oliver,Detzel Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

METHODS OF MANUFACTURING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20150221746A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,Hong Ki-ha,KIM Ki-Won,LEE Jung-hee,IM Ki-sik,KIM Dong-seok. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20190207012A1. Автор: CHOU Yu-Chieh,Lin Yung-Fung. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2019-07-04.

METHOD OF MANUFACTURING GATE STRUCTURE FOR GALLIUM NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20200212197A1. Автор: Liu Chu-Kuang,Yang Hung-Kun. Владелец: EXCELLIANCE MOS CORPORATION. Дата публикации: 2020-07-02.

High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

Номер патента: US20200219987A1. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyoung-Keun Lee. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Gallium Nitride High-Electron Mobility Transistors with Deep Implanted P-Type Layers in Silicon Carbide Substrates for Power Switching and Radio Frequency Applications and Process for Making the Same

Номер патента: US20190229187A1. Автор: Smith Thomas,Sriram Saptharishi. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

SURFACE TREATMENT AND PASSIVATION FOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20210265486A1. Автор: TSAI Cheng-Yuan,Chiu Han-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Enhancement-mode High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20200235218A1. Автор: Posthuma Niels,Stoffels Steve,De Jaeger Brice. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

METHOD OF FORMING A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210280689A1. Автор: Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

ELEMENTAL SEMICONDUCTOR MATERIAL CONTACT FOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20140349449A1. Автор: Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman,Basu Anirban. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-27.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICES AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190252505A1. Автор: Lin Hsin-Chih,Lin Yung-Hao,LIN Shin-Cheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2019-08-15.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20190252510A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Surface Treatment and Passivation for High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20170263729A1. Автор: TSAI Cheng-Yuan,Chiu Han-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) AND PROCESS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20170263743A1. Автор: Nakata Ken. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2017-09-14.

Access Conductivity Enhanced High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20160276473A1. Автор: Zhang Xinyu,ZHU Yan,Edwards Andrew Paul. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20180277646A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

METHOD OF FORMING A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20160308023A1. Автор: Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

METHODS FOR PROCESSING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT)

Номер патента: US20200287004A1. Автор: Lee Won Sang. Владелец: RFHIC Corporation. Дата публикации: 2020-09-10.

Method of Forming a High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20170317184A1. Автор: Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR WITH BURIED INTERCONNECT

Номер патента: US20190312137A1. Автор: Ding Yongping,SHIBIB Ayman,TERRILL Kyle,YANG Jinman. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

PROCESS OF FORMING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) AND HEMT FORMED BY THE SAME

Номер патента: US20200312982A1. Автор: WATANABE Tadashi,Matsuda Hajime. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.. Дата публикации: 2020-10-01.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT)

Номер патента: US20170330940A1. Автор: Lee Won Sang. Владелец: RFHIC Corporation. Дата публикации: 2017-11-16.

METHOD OF FORMING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20150349087A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20200328298A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

METHOD OF FORMING A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20180350945A1. Автор: Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

High-Electron-Mobility Transistor Having a Buried Field Plate

Номер патента: US20170365702A1. Автор: Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-21.

GALLIUM NITRIDE HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH P-TYPE LAYERS AND PROCESS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20170373176A1. Автор: Sriram Saptharishi. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

METHOD OF FORMING A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20200373408A1. Автор: Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS HAVING IMPROVED CONTACT SPACING AND/OR IMPROVED CONTACT VIAS

Номер патента: US20200395474A1. Автор: Radulescu Fabian,Namishia Dan,Jones Evan,Fisher Jeremy,Sheppard Scott,Bothe Kyle,Hardiman Chris. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Circuits and group iii-nitride high-electron mobility transistors with buried p-type layers improving overload recovery and process for implementing the same

Номер патента: US20220367696A1. Автор: Saptharishi Sriram,Thomas J. Smith, Jr.,Charles W. Richards, Iv. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

METHODS OF MANUFACTURING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS HAVING IMPROVED PERFORMANCE

Номер патента: US20220376085A1. Автор: Bothe Kyle,Bisges Joshua. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS HAVING IMPROVED PERFORMANCE

Номер патента: US20220376099A1. Автор: Bothe Kyle,Bisges Joshua. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20220416073A1. Автор: YANG PO-YU. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2022-12-29.

The method that Si base AlGaN/GaN high electron mobility transistor is transferred to flexible substrate

Номер патента: CN110148561A. Автор: 刘冉,田朋飞,郑立荣,赵德胜,林润泽. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-08-20.

Method for providing a nanoscale, high electron mobility transistor (HEMT) on insulator

Номер патента: US7550758B2. Автор: Darwin G. Enicks. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-06-23.

Method for providing a nanoscale, high electron mobility transistor (HEMT) on insulator

Номер патента: US8173526B2. Автор: Darwin G. Enicks. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

High electron mobility transistor

Номер патента: KR102100928B1. Автор: 황인준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-05-15.

High electron mobility transistor device and semiconductor device

Номер патента: CN215680609U. Автор: F·尤克拉诺,C·特林加里. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-01-28.

High electron mobility transistor (HEMT) substrate

Номер патента: JP5309395B2. Автор: ロベルト ドヴィリニスキ,ロマン ドラジニスキ,イエジ ガルチニスキ,レシェック ペ シェシュプトフスキ,ヤスオ カンバラ. Владелец: Ammono Sp zoo. Дата публикации: 2013-10-09.

High Electron Mobility Transistor representing dual depletion and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101774933B1. Автор: 김종섭,황인준,홍기하,신재광,최혁순,오재준. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2017-09-06.

Spatial terahertz wave phase modulator based on high electron mobility transistor

Номер патента: US09865692B2. Автор: Yaxin Zhang,Yuncheng Zhao,Shixiong LIANG,Ziqiang YANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-01-09.

Gallium nitride high electron mobility transistor and gate structure thereof

Номер патента: US20200212173A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Structure to increase breakdown voltage of high electron mobility transistor

Номер патента: US11289592B2. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Shan Lin,Wen-Chung Chen,Yu-Lin Tsai,Yu-Ching Tsao,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-03-29.

Structure to increase breakdown voltage of high electron mobility transistor

Номер патента: US20210367068A1. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Shan Lin,Wen-Chung Chen,Yu-Lin Tsai,Yu-Ching Tsao,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2021-11-25.

Bidirectional device provided with a stack of two high electron mobility transistors connected head-to-tail

Номер патента: US20220336651A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-20.

Reverse direction high-electron-mobility transistor circuit

Номер патента: US20200126970A1. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-23.

Method and apparatus for controlling a gate voltage in high electron mobility transistor

Номер патента: US09461637B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Sun-Kyu Hwang,Jong-Bong Ha,Young-Hwan Park,Joon-Yong Kim,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11251292B2. Автор: Yu Cao,Yongjie Cui,Andrew Arthur Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-02-15.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20200373419A1. Автор: Yu Cao,Yongjie Cui,Andrew Arthur Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Sensors using aigan/gan high electron mobility transistors

Номер патента: WO2009039298A2. Автор: Fan Ren,Stephen John Pearton,Tanmay Lele,Hung-Ta Wang,Byoung-Sam Kang. Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2009-03-26.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20230335629A1. Автор: Zhibiao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method and apparatus for controlling a gate voltage in high electron mobility transistor

Номер патента: US20140240026A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Sun-Kyu Hwang,Jong-Bong Ha,Young-Hwan Park,Joon-Yong Kim,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

High electron mobility transistors and power amplifiers including said transistors having improved performance and reliability

Номер патента: EP3984068A1. Автор: Bruce Schmukler,Evan Jones,Scott Sheppard,Jeremy Fisher,Fabian Radulescu,Terry Alcorn,Kyle BOTHE,Chris Hardiman,Dan Namishia. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

High electron mobility transistor having reduced threshold voltage variation and method of manufacturing the same

Номер патента: US09543391B2. Автор: In-jun Hwang,Jae-joon Oh,Jae-won Lee,Hyo-ji CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Resurf iii-n high electron mobility transistor

Номер патента: WO2014179808A1. Автор: Naveen Tipirneni,Sameer Pendharkar,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-11-06.

Resurf iii-n high electron mobility transistor

Номер патента: EP2992559A1. Автор: Naveen Tipirneni,Sameer Pendharkar,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-03-09.

High electron mobility transistor - has lattice mismatched spacer layer between electron supply and electron transfer layers

Номер патента: FR2698722A1. Автор: Kikkawa Toshihide,Ochimizy Hirosato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-06-03.

Lateral High Electron Mobility Transistor With Schottky Junction

Номер патента: US20130264580A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-10-10.

High electron mobility transistor with indium gallium nitride layer

Номер патента: TW201232776A. Автор: Paul Saunier. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-01.

N-face high electron mobility transistors with low buffer leakage and low parasitic resistance

Номер патента: TW200905876A. Автор: Yi Pei,Umesh K Mishra,Siddharth Rajan,Man Hoi Wong. Владелец: Univ California. Дата публикации: 2009-02-01.

High electron-mobility transistor

Номер патента: US09865720B2. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

High electron mobility transistor

Номер патента: US5144378A. Автор: Kohki Hikosaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-09-01.

Multi-function power control circuit using enhancement mode gallium nitride (gan) high electron mobility transistors (hemts)

Номер патента: US20170170731A1. Автор: Anthony G.P. Marini,James L. Larrauri,Simon P. Wainwright,Max Zafrani. Владелец: Freebird Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

N-face high electron mobility transistors with low buffer leakage and low parasitic resistance

Номер патента: US7935985B2. Автор: Yi Pei,Umesh K. Mishra,Siddharth Rajan,Man Hoi Wong. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2011-05-03.

High-electron mobility transistor with zinc oxide

Номер патента: US7105868B2. Автор: Shanthi Ganesan,Jeff Nause. Владелец: Cermet Inc. Дата публикации: 2006-09-12.

Semiconductor device, heterojunction bipolar transistor, and high electron mobility transistor

Номер патента: EP0624907A2. Автор: Shigekazu C/O Mitsubishi Denki K.K. Izumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-11-17.

High electron mobility transistors and power amplifiers including said transistors having improved performance and reliability

Номер патента: US20200395475A1. Автор: Bruce Schmukler,Evan Jones,Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Terry Alcorn,Kyle BOTHE,Chris Hardiman,Dan Namishia. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

High electron mobility transistor

Номер патента: US5406099A. Автор: Shigeru Hiramatsu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1995-04-11.

Electronic Device Including a High Electron Mobility Transistor Including a Gate Electrode and a Gate Interconnect and a Method of Using the Same

Номер патента: US20210005740A1. Автор: Banerjee Abhishek,Moens Peter. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2021-01-07.

Electronic Device Including a High Electron Mobility Transistor Including a Gate Electrode and a Dielectric Film

Номер патента: US20200335617A1. Автор: Banerjee Abhishek,Moens Peter. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2020-10-22.

High Electron Mobility Transistors and Integrated Circuits with Improved Feature Uniformity and Reduced defects for Microwave and Millimetre Wave Applications

Номер патента: US20150372096A1. Автор: Shih Ishiang,Qiu Chunong,Shih Yi-Chi,Qiu Cindy X.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

High electron mobility transistor having a boron nitride alloy interlayer and method of production

Номер патента: US20200273973A1. Автор: Xiaohang Li. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2020-08-27.

GALLIUM NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND GATE STRUCTURE THEREOF

Номер патента: US20200212173A1. Автор: Liu Chu-Kuang,Yang Hung-Kun. Владелец: EXCELLIANCE MOS CORPORATION. Дата публикации: 2020-07-02.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040061130A1. Автор: Mayumi Morizuka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Indium gallium nitride channel high electron mobility transistors, and method of making the same

Номер патента: KR100863762B1. Автор: 레드윙존엠,피너에드윈엘. Владелец: 크리, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-10-16.

High electron mobility transistor and power amplifier

Номер патента: US6489628B1. Автор: Mayumi Morizuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-12-03.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030162339A1. Автор: Mayumi Morizuka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Detection sensor comprising a selective high-electron-mobility transistor for detecting a gaseous or liquid component

Номер патента: US11408322B2. Автор: Vincent Aubry,Abdallah Ougazzaden,Yacine Halfaya,Paul Voss,Chris Bishop,Jean-Paul Salvestini. Владелец: Georgia Tech Lorraine. Дата публикации: 2022-08-09.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20120274402A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Group iii nitride-based high electron mobility transistor

Номер патента: US20130256681A1. Автор: Winston Wang,Willie Huang,Ivan Huang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Lateral High Electron Mobility Transistor With Schottky Junction

Номер патента: US20130264580A1. Автор: Hirler Franz,Zundel Markus. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20140042449A1. Автор: Jong-Seob Kim,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Sun-Kyu Hwang,Jong-Bong Ha,Young-Hwan Park,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-13.

Selectively Area Regrown III-Nitride High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20150001550A1. Автор: Khan Asif,Adivarahan Vinod,Fareed Qhalid. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

DEVICE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR IMPROVING THE DISADVANTAGES OF P-GAN GATE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20220029008A1. Автор: YANG Chun-Chieh,Lai Yu-Chen,Hsin Yue-Ming,ZHONG Yi-Nan. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-27.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20220037516A1. Автор: Chen Chih-Yen,LUMBANTORUAN Franky Juanda. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2022-02-03.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT)

Номер патента: US20210020767A1. Автор: Chiang Huai-Tzu,Lin Sheng-Hao,Liu Kuan-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20150054034A1. Автор: Chih-Wei Yang,Hsien-Chin Chiu,Chien-Kai Tung,Heng-Kuang Lin,Hsiang-Chun WANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

HIGH ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20170054015A1. Автор: Nakata Ken. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2017-02-23.

ENHANCEMENT MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210066484A1. Автор: Huang Shin-Chuan,Hou Chun-Liang,Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming,CHEN Bo-Rong,Yeh Chih-Tung. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210066487A1. Автор: Wang Yu-Ren,WANG Yu-Chi,Hsu Yu-Ming,Chen Yen-Hsing,Yang Tsung-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR WITH INDIUM NITRIDE LAYER

Номер патента: US20160071969A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,Lee Ru-Liang,CHIANG Chen-Hao,CHING Min-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

ENHANCEMENT MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT)

Номер патента: US20190067440A1. Автор: Shrivastava Mayank,Bhat Navakanta,SONI Ankit,RAGHAVAN Srinivasan,Dutta Gupta Sayak. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20160126339A1. Автор: Lee Jae-Hoon,Lee Nam-Young,PARK Chan-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

HIGH ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR PRIMARILY MADE OF NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIALS

Номер патента: US20170133499A1. Автор: MIZUE Chihoko. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

REVERSE DIRECTION HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR CIRCUIT

Номер патента: US20200126970A1. Автор: Whitney David L.,Del Arroz Manuel M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) SEMICONDUCTOR DEVICES WITH REDUCED DYNAMIC RESISTANCE

Номер патента: US20180138306A1. Автор: Jeon Woochul,Salih Ali,Vaughan-Edmunds Llewellyn. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-05-17.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20180158940A1. Автор: SHIBIB Ayman,TERRILL Kyle. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20140253241A1. Автор: Lee Jae-Hoon,Lee Nam-Young,PARK Chan-Ho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-11.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20220310833A1. Автор: Park Younghwan,KIM Boram,KIM Jongseob,OH Jaejoon,CHONG Soogine,HWANG Sunkyu,SHIN Dongchul,KIM Joonyong,PARK Junhyuk,HWANG Injun,YU Minchul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-09-29.

ENHANCEMENT-MODE HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210202728A1. Автор: Nongaillard Matthieu,Oheix Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

High Electron Mobility Transistor with Multiple Channels

Номер патента: US20140266324A1. Автор: Teo Koon Hoo,Ma Rui,Feng Peijie. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

GALLIUM NITRIDE BASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR INCLUDING AN ALUMINUM GALLIUM NITRIDE BARRIER LAYER

Номер патента: US20160190296A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,Brown Richard J.,Bour David P.,Romano Linda,Prunty Thomas R.,Edwards Andrew P.,Raj Madhan M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20160190297A1. Автор: Ramdani Jamal,Liu LinLin,Kudymov Alexey. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

ALUMINUM-GALLIUM-NITRIDE COMPOUND/GALLIUM-NITRIDE HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20180182879A1. Автор: REN Chunjiang,CHEN Tangsheng. Владелец: CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION NO. 55 RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2018-06-28.

DOPED GALLIUM NITRIDE HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20150200287A1. Автор: III Edward A.,Beam,Xie Jinqiao. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2015-07-16.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20160211330A1. Автор: Li Zhen-Yu,Kuo Hao-Chung,TZOU An-Jye,CHANG Chunyen. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-07-21.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20190198651A1. Автор: SHIBIB Ayman,TERRILL Kyle. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20160233326A1. Автор: LIN Heng-Kuang,YANG Chih-Wei,TUNG Chien-Kai,WANG Hsiang-Chun,CHIU Hsein-chin. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

Group III Nitride High Electron Mobility Transistor (HEMT) Device

Номер патента: US20140319584A1. Автор: Dong Zhihua,Cai Yong,YU Guohao,Zhang Baoshun. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) WITH RESURF JUNCTION

Номер патента: US20200227543A1. Автор: Shrivastava Mayank,SOMAN Rohith,SONI Ankit,RAGHAVAN Srinivasan,BHAT Navakant. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20200251583A1. Автор: Chiang Huai-Tzu,Lin Sheng-Hao,Liu Kuan-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR HAVING A BORON NITRIDE ALLOY INTERLAYER AND METHOD OF PRODUCTION

Номер патента: US20200273973A1. Автор: Li Xiaohang. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

High electron mobility transistor (hemt) device

Номер патента: US20170294529A1. Автор: Jinqiao Xie,Edward A. Beam, III. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20180301528A1. Автор: Chih-Yen Chen. Владелец: Wavetek Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20180308925A1. Автор: Chen Chih-Yen,Yang Hsien-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR WITH REVERSE ARRANGEMENT OF CHANNEL LAYER AND BARRIER LAYER

Номер патента: US20190334023A1. Автор: Nakata Ken. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS,INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

RESONANT BODY HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20150364669A1. Автор: Rais-Zadeh Mina,Ansari Azadeh. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH CHARGE COMPENSATION

Номер патента: US20200373383A1. Автор: Zhang Yuhao. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20200373419A1. Автор: Cao Yu,Ketterson Andrew Arthur,Cui Yongjie. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

GALLIUM NITRIDE BI-DIRECTIONAL HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR IN SWITCHED-MODE NEUTRAL FORMING DEVICE APPLICATIONS

Номер патента: US20220360187A1. Автор: Harrison Michael J.. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20220376102A1. Автор: KIM Jongseob,OH Jaejoon,HWANG Sunkyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-11-24.

GALLIUM NITRIDE BI-DIRECTIONAL HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR SUBSTRATE VOLTAGE MANAGEMENT CIRCUIT

Номер патента: US20220416784A1. Автор: Harrison Michael J.,Chapman Patrick Lyle,van Antwerpen Christiaan Johannes. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Method of manufacturing a high electron mobility transistor

Номер патента: US6689652B2. Автор: Mayumi Morizuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Group III nitride high electron mobility transistor (HEMT) device

Номер патента: US9070756B2. Автор: Yong Cai,Guohao Yu,Zhihua Dong,Baoshun Zhang. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2015-06-30.

High electron mobility transistor

Номер патента: JP3429700B2. Автор: 泰範 舘野. Владелец: 富士通カンタムデバイス株式会社. Дата публикации: 2003-07-22.

Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors having a gate contact on a gallium nitride based cap segment

Номер патента: US6548333B2. Автор: Richard Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

Single voltage supply pseudomorphic high electron mobility transistor (phemt) power device and process for manufacturing the same

Номер патента: WO2008041249A1. Автор: Claudio Lanzieri,Simone Lavanga,Marco Peroni,Antonio Cetronio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2008-04-10.

Normally off high electron mobility transistor

Номер патента: KR101922122B1. Автор: 박영환,김준용,김경연,박기열,신재광,전우철,오재준,황선규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-11-26.

High electron mobility transistor

Номер патента: WO2019176138A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-09-19.

Bidirectional normally-off III-V high electron mobility transistor (HEMT)devices and circuits

Номер патента: US09960157B2. Автор: Gerhard Prechtl,Bernhard Zojer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-01.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140159048A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiu Chien-Wei,Yang Tsung-Yu,Huang Chih-Fang,Hsiao Tsung-Chieh,Chang Ting-Fu,Su Hung-Der,PENG Po-Chin,Liu Ya-Hsien,Chang K.C.. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-12.

High electron mobility transistor and manufacturing method therefor, chip, and electronic device

Номер патента: WO2022126353A1. Автор: 刘涛,李海军,贺强,张志利,汤岑,李水明,樊春华,饶进,鲁微,马俊彩,术洋溢. Владелец: 华为技术有限公司. Дата публикации: 2022-06-23.

High electron mobility transistor having improved electron controllability

Номер патента: CA2080081C. Автор: Yoshikazu Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1997-05-20.

High electron mobility transistor and manufacturing method

Номер патента: DE69705990D1. Автор: Tomoyuki Kamiyama. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

High electron mobility transistor

Номер патента: US5321278A. Автор: Yoshikazu Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF DRIVING THE SAME

Номер патента: US20140103969A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,JEON Woo-chul,PARK Young-hwan,PARK Ki-yeol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-17.

Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100303173B1. Автор: 오정우,이종람. Владелец: 정명식. Дата публикации: 2001-09-29.

High electron mobility transistor and method of manufacturing same

Номер патента: EP0805498B1. Автор: Tomoyuki Kamiyama. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-08.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20130146890A1. Автор: LEE Jae-won,Hwang In-jun,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,CHOI Hyo-ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-13.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20140027779A1. Автор: KIM Jong-Seob,Hwang In-jun,Oh Jae-joon,CHOI Hyo-ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-30.

Protection Device for Normally-On and Normally-Off High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20140035003A1. Автор: Rieger Walter,Häberlen Oliver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-02-06.

NORMALLY-OFF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20140091363A1. Автор: Shin Jai-kwang,Oh Jae-joon,JEON Woo-chul,PARK Young-hwan,KIM Kyoung-yeon,KIM Joon-yong,PARK Ki-yeol,HWANG Sun-kyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-03.

PSEUDOMORPHIC HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR COMPRISING DOPED LOW TEMPERATURE BUFFER LAYER

Номер патента: US20140138746A1. Автор: Abrokwah Jonathan,ROHDIN Hans G.,STANBACK John,Perkins Nathan,Marsh Philbert. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-22.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20220085196A1. Автор: HUANG CHIA-CHING,Chen Chih-Yen,LUMBANTORUAN Franky Juanda. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

NOFF III-NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20190067465A1. Автор: SIZOV Victor. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR INCLUDING PLURALITY OF GATE ELECTRODES

Номер патента: US20140151747A1. Автор: Shin Jai-kwang,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,JEON Woo-chul,PARK Young-hwan,PARK Ki-yeol,HWANG Sun-kyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-05.

High Electron Mobility Transistors with Minimized Performance Effects of Microcracks in the Channel Layers

Номер патента: US20150102387A1. Автор: Shih Ishiang,Qiu Chunong,Shih Yi-Chi,Qiu Cindy X.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20150108547A1. Автор: Hwang In-jun. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

High electron mobility transistors with improved gates and reduced surface traps

Номер патента: US20150263116A1. Автор: Shih Ishiang,Qiu Chunong,Shih Yi-Chi,Wu Jay-Hsing,Qiu Cindy X.. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

STRUCTURE TO INCREASE BREAKDOWN VOLTAGE OF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210367068A1. Автор: CHANG Ting-Chang,Tsai Yu-Lin,CHEN Po-Hsun,Lin Yu-Shan,Chen Wen-Chung,Tsao Yu-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-25.

GALLIUM NITRIDE BI-DIRECTIONAL HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR IN SWITCHED MODE POWER CONVERTER APPLICATIONS

Номер патента: US20220416678A1. Автор: Harrison Michael J.. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Pseudomorphic high electron mobility transistor power device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100438895B1. Автор: 형창희,박민,김해천,문재경,안호균,지홍구. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2004-07-02.

High electron mobility transistor

Номер патента: JP3086748B2. Автор: 忍 藤田,康夫 芦沢,隆夫 野田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-09-11.

Photodetector using high electron mobility transistor

Номер патента: KR100343814B1. Автор: Jong In Song. Владелец: Kwangju Inst Sci & Tech. Дата публикации: 2002-07-20.

High electron mobility transistor (HEMT) and method of fabrication

Номер патента: US09947780B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Robert Chau,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Electronic Device Comprising a Die Comprising a High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20200066568A1. Автор: Gordon M. Grivna,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

High electron mobility transistor, method of manufacturing the same and electronic device including transistor

Номер патента: KR102100927B1. Автор: 김선재,김태상,손경석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-05-15.

High electron mobility transistor, method of manufacturing the same and electronic device including transistor

Номер патента: KR20150017040A. Автор: 김선재,김태상,손경석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-02-16.

Electronic Device Comprising a Die Comprising a High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20200066568A1. Автор: Grivna Gordon M.,Salih Ali. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Manufacturing method of high electron mobility transistor

Номер патента: KR910004319B1. Автор: 남춘우,이종붕. Владелец: 강진구. Дата публикации: 1991-06-25.

Electronic device comprising a die comprising a high electron mobility transistor

Номер патента: US10784140B2. Автор: Gordon M. Grivna,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-09-22.

High Electron Mobility Transistor with Tunable Threshold Voltage

Номер патента: US20190115463A1. Автор: Teo Koon Hoo,Chowdhury Nadim. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

Detection sensor having a sensor cell with a high-electron mobility transistor and ring resonator(s)

Номер патента: US11187671B2. Автор: Vincent Aubry,Abdallah Ougazzaden,Yacine Halfaya,Paul Voss,Jean-Paul Salvestini. Владелец: Georgia Tech Lorraine. Дата публикации: 2021-11-30.

Detection sensor having a sensor cell with a high-electron mobility transistor and ring resonator(s)

Номер патента: US20200278315A1. Автор: Vincent Aubry,Abdallah Ougazzaden,Yacine Halfaya,Paul Voss,Jean-Paul Salvestini. Владелец: Georgia Tech Lorraine. Дата публикации: 2020-09-03.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2005527102A. Автор: ウー イーフェン,パリーク プリミット,ミシュラ ウメシュ. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-09-08.

Gallium arsenide bipolar junction type high electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN114864575A. Автор: 樊永辉,樊晓兵,许明伟. Владелец: Shenzhen Huixin Communication Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-08-05.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12068408B2. Автор: Olivier Trescases,Jaume Roig-Guitart,Peter Moens,Herbert DE VLEESCHOUWER,Mohammad Shawkat ZAMAN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor in switched mode power converter applications

Номер патента: WO2022271618A1. Автор: Michael J. Harrison. Владелец: Enphase Energy, Inc.. Дата публикации: 2022-12-29.

Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor in switched mode power converter applications

Номер патента: US12088210B2. Автор: Michael J. Harrison. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Electronic Device Including a High Electron Mobility Transistor and a Diode

Номер патента: US20210225836A1. Автор: ROIG-GUITART Jaume,Mouhoubi Samir. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2021-07-22.

Manufacturing method of low-temperature non-gold ohmic contact of GaN-based high-electronic-mobility transistor

Номер патента: CN103606516A. Автор: 刘果果,刘新宇,郑英奎,魏珂,黄森,王鑫华,陈向东,张昊翔,万远涛,封飞飞,章晋汉. Владелец: Hangzhou Silan Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-26.

GaN high electron mobility transistor and GaN diode

Номер патента: CN103887334B. Автор: 雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克斯,杰伦·克龙,约翰尼斯·唐克斯,斯蒂芬·海尔,简·雄斯基. Владелец: Yasuyo Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

High electron mobility transistor and application thereof

Номер патента: CN110600539A. Автор: 冯宇翔,刘利书. Владелец: Guangdong Midea Refrigeration Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-20.

A High-electron-mobility transistor (HEMT)

Номер патента: US20190081164A1. Автор: Mayank Shrivastava. Владелец: Indian Institute of Science IISC. Дата публикации: 2019-03-14.

Spatial terahertz wave phase modulator based on high electron mobility transistor

Номер патента: US20170236912A1. Автор: Yaxin Zhang,Yuncheng Zhao,Shixiong LIANG,Ziqiang YANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-08-17.

III-Nitride High Electron Mobility Transistor Structures and Methods for Fabrication of Same

Номер патента: US20150255547A1. Автор: YUAN Li,Sun Haifeng,Lo Patrick Guo Qiang,Lee Kean Boon,Wang Weizhu,Selvaraj Susai Lawrence. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2015-09-10.

TRENCH HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20140367695A1. Автор: Barlow Stephen P.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Low noise amplifiers including group III nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: US8829999B2. Автор: Jeremy Fisher. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-09-09.

High electron mobility transistor

Номер патента: JP3376078B2. Автор: 健治 今西. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-02-10.

Device for measuring high electron mobility transistor

Номер патента: CN114414977A. Автор: 章涛,周春华,林文杰,李思超,陈钰林. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-29.

High electron mobility transistor with reduced back gating effect - has active semiconductor overlain with contact strips and on buffer layer partly separated from substrate by insulator

Номер патента: FR2693593A1. Автор: SAITO Junji. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-01-14.

METHOD OF MANUFACTURING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210104395A1. Автор: YAMAMURA Takuji,SUMIYOSHI Kazuhide,NISHIGUCHI Kenya. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2021-04-08.

Gallium nitride based high electron mobility transistor (GaN-HEMT) device with an iron-doped cap layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997594B2. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND POWER AMPLIFIERS INCLUDING SAID TRANSISTORS HAVING IMPROVED PERFORMANCE AND RELIABILITY

Номер патента: US20210175351A1. Автор: Radulescu Fabian,Namishia Dan,Jones Evan,Sheppard Scott,Alcorn Terry,Bothe Kyle,Hardiman Chris,Schmukler Bruce. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND POWER AMPLIFIERS INCLUDING SAID TRANSISTORS HAVING IMPROVED PERFORMANCE AND RELIABILITY

Номер патента: US20200395475A1. Автор: Radulescu Fabian,Namishia Dan,Jones Evan,Sheppard Scott,Alcorn Terry,Bothe Kyle,Hardiman Chris,Schmukler Bruce. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Junction high electron mobility transistor-heterojunction bipolar transistor (jhemt-hbt) monolithic microwave integrated circuit (mmic) and single growth method of fabrication

Номер патента: EP0829906A2. Автор: Jeffrey B. Shealy,Mehran Matloubian. Владелец: HE Holdings Inc. Дата публикации: 1998-03-18.

HIGH PERFORMANCE, HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH GRAPHENE HOLE EXTRACTION CONTACTS

Номер патента: US20190140120A1. Автор: Ma Zhenqiang,Chang Tzu-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistors and Methods of Fabrication

Номер патента: US20130288461A1. Автор: Dungan Thomas Edward,NIKKEL Philip Gene. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

PSEUDO-CONDUCTIVE HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND MICROELECTRONIC SENSORS BASED ON THEM

Номер патента: US20190021622A1. Автор: Lichtenstein Amir,RAM Ayal. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

HYBRID HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND ACTIVE MATRIX STRUCTURE

Номер патента: US20170069689A1. Автор: Sadana Devendra K.,Afzali-Ardakani Ali,Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

A kind of method for integrating monolithic of high electron mobility transistor and light emitting diode with vertical structure

Номер патента: CN108550683B. Автор: 李国强,万利军,陈丁波,刘智崑. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-10-18.

Pseudo-conductive high-electron mobility transistors and microelectronic sensors based on them

Номер патента: WO2017153906A2. Автор: Amir Lichtenstein,Ayal Ram. Владелец: RG Innovations PTE LTD.. Дата публикации: 2017-09-14.

SHORT GATE-LENGTH HIGH ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS WITH ASYMMETRIC RECESS AND SELF-ALIGNED OHMIC ELECTRODES

Номер патента: US20130295757A1. Автор: Xu Dong,Chao Pane-chane,Chu Kanin. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

DETECTION SENSOR COMPRISING A SELECTIVE HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR FOR DETECTING A GASEOUS OR LIQUID COMPONENT

Номер патента: US20200040798A1. Автор: AUBRY Vincent,OUGAZZADEN Abdallah,SALVESTINI Jean-Paul,VOSS Paul,HALFAYA Yacine,BISHOP Chris. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Rf acoustic wave resonators integrated with high electron mobility transistors including a shared piezoelectric/buffer layer and methods of forming the same

Номер патента: US20210067123A1. Автор: Craig Moe,Jeffrey B. Shealy,Mary Winters. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for Producing a Semiconductor Device Comprising a Schottky Diode and a High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20140306235A1. Автор: Decoutere Stefaan,Lenci Silvia. Владелец: IMEC. Дата публикации: 2014-10-16.

Process for producing silicon semiconductor wafers with III-V layer structures for the integration of silicon devices with Group III-V layer structures based High Electron Mobility Transistors (HEMT) and corresponding semiconductor layer arrangement

Номер патента: DE102009051521A1. Автор: Ralf Lerner,Gabriel Kittler. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2011-05-19.

High electron mobility transistor-based terahertz wave space external modulator

Номер патента: US09590739B2. Автор: Shen Qiao,Yaxin Zhang,Zhihong FENG,Shixiong LIANG,Ziqiang YANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-03-07.

Power converter circuits including high electron mobility transistors for switching and rectification

Номер патента: US09467038B2. Автор: Robert Joseph Callanan. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

High-Voltage Gate Driver that Drives Group III-N High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20120176162A1. Автор: Karl Richard Heck. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Power amplifier having depletion mode high electron mobility transistor

Номер патента: US20110037521A1. Автор: Dong-Young Kim,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Jong-Won Lim,Hae Cheon Kim,Hokyun Ahn,Woojin CHANG,Hong Gu Ji. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-02-17.

Power converter circuits including high electron mobility transistors for switching and rectification

Номер патента: US20150049514A1. Автор: Robert Joseph Callanan. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

DETECTION SENSOR HAVING A SENSOR CELL WITH A HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND RING RESONATOR(S)

Номер патента: US20200278315A1. Автор: AUBRY Vincent,OUGAZZADEN Abdallah,SALVESTINI Jean-Paul,VOSS Paul,HALFAYA Yacine. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

Detection sensor having a sensor cell with a high-electron-mobility transistor and ring resonator(s)

Номер патента: IL266063A. Автор: . Владелец: Georgia Tech Lorraine. Дата публикации: 2019-06-30.

Detection sensor having a sensor cell with a high-electron-mobility transistor and ring resonator(s)

Номер патента: IL266063B. Автор: . Владелец: Georgia Tech Lorraine. Дата публикации: 2022-01-01.

High-electron mobility transistor terahertz wave modulator loaded in waveguide

Номер патента: US20200259235A1. Автор: Yaxin Zhang,Xilin ZHANG,Zhihong FENG,Shixiong LIANG,Ziqiang Yang Yang. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-08-13.

Topside contact device and method for characterization of high electron mobility transistor (hemt) heterostructure on insulating and semi-insulating substrates

Номер патента: US20220381816A1. Автор: Jacek Lagowski,Marshall Wilson,Alexandre Savtchouk,Dmitriy Marinskiy,Bret Schrayer. Владелец: Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Topside contact device and method for characterization of high electron mobility transistor (hemt) heterostructure on insulating and semi-insulating substrates

Номер патента: WO2022251045A1. Автор: Jacek Lagowski,Marshall Wilson,Alexandre Savtchouk,Dmitriy Marinskiy,Bret Schrayer. Владелец: Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-01.

Parameter extraction method for quasi-physical large-signal model for microwave gallium nitride high-electron-mobility transistors

Номер патента: US20210279379A1. Автор: Bo Yan,Yunqiu Wu,Yuehang Xu,Shuman Mao,Ruimin Xu. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-09-09.

POWER CONVERTER CIRCUITS INCLUDING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS FOR SWITCHING AND RECTIFICATION

Номер патента: US20150049514A1. Автор: Callanan Robert Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING A GATE VOLTAGE IN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20140240026A1. Автор: Shin Jai-kwang,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,JEON Woo-chul,PARK Young-hwan,KIM Joon-yong,PARK Ki-yeol,HWANG Sun-kyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-28.

MULTI-FUNCTION POWER CONTROL CIRCUIT USING ENHANCEMENT MODE GALLIUM NITRIDE (GAN) HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS (HEMTS)

Номер патента: US20170170731A1. Автор: Marini Anthony G.P.,Larrauri James L.,Wainwright Simon P.,Zafrani Max. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR-BASED TERAHERTZ WAVE SPACE EXTERNAL MODULATOR

Номер патента: US20160233962A1. Автор: Feng Zhihong,ZHANG Yaxin,Liang Shixiong,Yang Ziqiang,QIAO Shen. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2016-08-11.

SENSORS USING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20140120630A1. Автор: Ren Fan,Pearton Stephen John,Wang Hung-Ta,LELE TANMAY,KANG BYOUNG-SAM. Владелец: University of Florida Research Foundation, Incorporated. Дата публикации: 2014-05-01.

METHOD AND SYSTEM FOR STEAM PURITY MONITORING THROUGH USE OF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20140154047A1. Автор: Witney Andrew Batton. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2014-06-05.

Parameter extraction method for quasi-physical large-signal model for microwave gallium nitride high-electron-mobility transistors

Номер патента: US20210279379A1. Автор: Bo Yan,Yunqiu Wu,Yuehang Xu,Shuman Mao,Ruimin Xu. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-09-09.

High-voltage gallium nitride high-electron mobility transistor

Номер патента: RU2534002C1. Автор: Николай Иванович Каргин,Роман Валериевич Рыжук,Руслан Иванович Иванов,Павел Игоревич Блинов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2014-11-27.

DEVICE HAVING SERIES-CONNECTED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120098037A1. Автор: CHANG EDWARD YI,HSU HENG-TUNG. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-04-26.

DEVICE HAVING SERIES-CONNECTED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120305991A1. Автор: CHANG EDWARD YI,HSU HENG-TUNG. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-12-06.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130187197A1. Автор: Kim Seong-il,Yoon Hyung Sup,Nam Eun Soo,CHANG Woo Jin,AHN Ho Kyun,BAE Sung Bum,JU Chull Won,PARK Young Rak,MUN Jae Kyoung,LIM Jong-Won,KANG Dong Min,LEE Sang-Heung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2013-07-25.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140061658A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiu Chien-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140061724A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiu Chien-Wei,Yang Tsung-Yu,Huang Chih-Fang,Chang Ting-Fu. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

Enhanced high electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102376760B. Автор: 张翼,张嘉华,林岳钦. Владелец: Spring Foundation of NCTU. Дата публикации: 2013-12-18.

AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101853880B. Автор: 王冲,马晓华,郝跃,杨凌,高海霞,曹艳荣. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2011-10-19.

Pseudomorphic high electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102280476B. Автор: 林罡,高建峰,章军云. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2012-12-19.

High electron mobility transistor (HEMT) component and manufacture method thereof

Номер патента: CN103117221A. Автор: 刘果果,刘新宇,魏珂,黄�俊. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-22.

ENHANCEMENT-MODE HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120238064A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-20.

Pseudomorphic high electron mobility transistor and manufacturing method of the same

Номер патента: CN103137683A. Автор: 高建峰,章军云. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2013-06-05.

Gallium-nitride-based high electron mobility transistor and manufacturing method

Номер патента: CN102427084B. Автор: 王晓亮,姜丽娟,冯春,肖红领,王翠梅,毕杨,陈竑. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2013-08-07.

ENHANCEMENT-MODE HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120025270A1. Автор: CHANG EDWARD YI,Chang Chia-Hua,Lin Yueh-Chin. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-02.

Double channel pseudomorphic high electron mobility transistor

Номер патента: TW557567B. Автор: Kuo-Hui Yu,Wen-Chau Liu,Hung-Ming Chuang. Владелец: Univ Nat Cheng Kung. Дата публикации: 2003-10-11.

High electron mobility transistors

Номер патента: GB202400028D0. Автор: . Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2024-02-14.

High electron mobility transistors

Номер патента: GB202400029D0. Автор: . Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2024-02-14.

High electron mobility transistors

Номер патента: GB202406167D0. Автор: . Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of vulcanization treatment on metamorphic InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor (MHEMT)

Номер патента: TW200713463A. Автор: Yuan-Chang Huang,Liann-Be Chang,xian-qin Qiu,zhong-wen Chen,Wei-Xian Li. Владелец: Univ Chang Gung. Дата публикации: 2007-04-01.

A structure of high electron mobility transistor, a device comprising the structure and a metnod of producing the same

Номер патента: TW201114031A. Автор: Edward Yi Chang,Yun-Chi Wu,Yueh-Chin Lin. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2011-04-16.

One-dimensional electronic gas GaN-based HEMT (High Electron Mobility Transistor) device adopting selective area epitaxy and preparation method thereof

Номер патента: CN103400856A. Автор: 马晓华,郝跃,陈伟伟,赵胜雷,汤国平. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2013-11-20.

InAs epitaxial materials for high-speed high electron mobility transistor (HEMT) components and preparation method thereof

Номер патента: CN103107190B. Автор: 张玉明,吕红亮,张义门,宁旭斌,崔强生,武利翻. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2015-04-08.

A kind of high electron mobility transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN109786438A. Автор: 李鹏,王群,郭炳磊,葛永晖,吕蒙普. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: TWI794599B. Автор: 周鈺傑,林永豐,謝廷恩. Владелец: 世界先進積體電路股份有限公司. Дата публикации: 2023-03-01.

A kind of high electron mobility transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN109786441A. Автор: 于洪宇,曾凡明. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-05-21.

STRUCTURE OF A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND A FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130082305A1. Автор: LIU Shih-Ming Joseph,YUAN Cheng-Guan. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-04.

Thin potential barrier enhanced AlGaN/GaN high electron mobility transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN105931999B. Автор: 李鹏,杨眉,戴�峰,吕玲,马晓华,郑雪峰,郝跃,毛维,张亚松,何文龙,许晟瑞,曹艳荣,习鹤. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2018-06-26.

STRUCTURE OF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR GROWTH ON SI SUBSTRATE AND THE METHOD THEREOF

Номер патента: US20130049070A1. Автор: Lin Yueh-Chin,YI CHANG Edward,Tang Shih-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

Composite channel MHEMT (Metamorphic High Electron Mobility Transistor) microwave oscillator and preparation method thereof

Номер патента: CN104637941B. Автор: 马磊,黄伟,李琦,李跃,李思敏,李海鸥,首照宇,吉宪,吴笑峰. Владелец: Guilin University of Electronic Technology. Дата публикации: 2017-05-10.

Super-junction-based gallium nitride HEMT (High Electron Mobility Transistor) device and preparation method thereof

Номер патента: CN103077891B. Автор: 黄伟,李琦,于宗光,邓洪高,李思敏,李海鸥,首照宇,吴笑峰,胡仕刚. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2015-07-01.

EPITAXIAL SUBSTRATE FOR ELECTRONIC DEVICE, HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR, AND METHOD FOR PRODUCING THEM

Номер патента: JP6404738B2. Автор: 智彦 柴田,柴田　智彦. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-17.

High-Voltage Gate Driver that Drives Group III-N High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20120176162A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

Manufacturing method of AlGaN/GaN insulated gate high electron mobility transistor (HEMT)

Номер патента: CN101710590B. Автор: 王冲,马晓华,郝跃,杨凌,高海霞,曹艳荣. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2011-12-07.

E-Mode High Electron Mobility Transistor And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20120086049A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-12.

E-Mode High Electron Mobility Transistors And Methods Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20120112202A1. Автор: KIM Jong-Seob,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,Hong Ki-ha,Shin Jae-kwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-10.

High Electron Mobility Transistors And Methods Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20120280244A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-11-08.

BIPOLAR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20120326211A1. Автор: Stevens Kevin S.,Lutz Charles R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130001587A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,Hong Ki-ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-03.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130032816A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,Hong Ki-ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-02-07.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130082240A1. Автор: KIM Jun-youn,LEE Jae-won,CHOI Hyo-ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-04-04.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20130105808A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-02.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20130168685A1. Автор: Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-07-04.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20130168686A1. Автор: Hsu Chun-Wei,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,CHEN Po-Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-07-04.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20130256679A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-10-03.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140042446A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,CHIANG Chen-Hao,Chiu Han-Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-02-13.

High electron mobility transistor and its manufacture

Номер патента: JPH10335638A. Автор: Sunao Takahashi,直 高橋. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-12-18.

Based on monolithic heterogeneous integrated Cascode structure GaN high electron mobility transistor and production method

Номер патента: CN109786376A. Автор: 郝跃,张春福,张家祺,陈大正,张进成,张苇杭. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2019-05-21.

POWER CONVERTER CIRCUITS INCLUDING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS FOR SWITCHING AND RECTIFCATION

Номер патента: US20120074920A1. Автор: Callanan Robert Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

Methods Of Manufacturing High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20120088341A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,Hong Ki-ha,KIM Ki-Won,LEE Jung-hee,IM Ki-sik,KIM Dong-seok. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-12.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR WITH INDIUM GALLIUM NITRIDE LAYER

Номер патента: US20120153356A1. Автор: Saunier Paul. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Low Noise Amplifiers Including Group III Nitride Based High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20120194276A1. Автор: Fisher Jeremy. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-02.

Lateral High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20120267636A1. Автор: Hirler Franz,Zundel Markus. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-10-25.

Normally-Off High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20120280278A1. Автор: . Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-11-08.

Enhancement Mode Group III-V High Electron Mobility Transistor (HEMT) and Method for Fabrication

Номер патента: US20120313106A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-13.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR HAVING REDUCED THRESHOLD VOLTAGE VARIATION AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130099285A1. Автор: LEE Jae-won,Hwang In-jun,Oh Jae-joon,CHOI Hyo-ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-04-25.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20130105817A1. Автор: Saunier Paul. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2013-05-02.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE WITH IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE PERFORMANCE

Номер патента: US20130134435A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-30.

High Electron Mobility Transistors with Multiple Channels

Номер патента: US20130141156A1. Автор: Duan Chunjie,Teo Koon Hoo,Feng Peijie,Oishi Toshiyuki,Masatoshi Nakayama. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-06.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE WITH IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE PERFORMANCE

Номер патента: US20130161638A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-06-27.

PREDISPOSED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20140091309A1. Автор: Hallin Christer. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-04-03.

GaN high electron mobility transistor (HEMT) technology based monolithic integration active quasi circulator

Номер патента: CN104868866A. Автор: 蔡奇,车文荃,顾黎明,冯文杰,陈海东. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2015-08-26.

Structure of improving gallium nitride base high electronic mobility transistor property and producing method

Номер патента: CN1783512A. Автор: 王晓亮,王军喜,曾一平,李晋闽,李建平,胡国新,王翠梅. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2006-06-07.

Group III nitride enhancement mode HEMT (High Electron Mobility Transistor) device

Номер патента: CN102427085A. Автор: 王越,蔡勇,于国浩,张宝顺,董志华. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2012-04-25.

Group III nitride enhancement mode HEMT (High Electron Mobility Transistor) device

Номер патента: CN102427085B. Автор: 王越,蔡勇,于国浩,张宝顺,董志华. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2014-04-16.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.