Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

A High-electron-mobility transistor (HEMT)

Номер патента: US20190081164A1
Опубликовано: 14-03-2019
Автор(ы): Mayank Shrivastava
Принадлежит: Indian Institute of Science IISC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Multi-gate high electron mobility transistors and methods of fabrication

Номер патента: EP3192101A1. Автор: Patrick Morrow,Sansaptak DASGUPTA,Kimin Jun,Alejandro X. Levander. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

High-electron-mobility transistor with buried interconnect

Номер патента: EP3331027A2. Автор: Yongping Ding,Kyle Terrill,Ayman SHIBIB,Jinman Yang. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-06-06.

High electron mobility transistor (hemt) and forming method thereof

Номер патента: US20220181478A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

High electron mobility transistor device having a barrier layer with a protruding portion

Номер патента: US12100756B2. Автор: Tsai-Fu Chen,Hao-Ming Lee,Shou-Wei Hsieh,Ta Kang Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

High electron mobility transistor (HEMT) and forming method thereof

Номер патента: US11296214B2. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

High electron mobility transistor (hemt) and forming method thereof

Номер патента: US20210020769A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

High electron mobility transistor (hemt) and forming method thereof

Номер патента: US20220173236A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

High electron mobility transistor (hemt) and forming method thereof

Номер патента: EP3767683A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-20.

High electron mobility transistor and manufacturing method therefor, chip, and electronic device

Номер патента: EP4250368A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Qiang He,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Shuiming LI,Chunhua FAN,Yangyi ZHU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230129579A1. Автор: Tsai-Fu Chen,Hao-Ming Lee,Shou-Wei Hsieh,Ta Kang Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof, chip, and electronic device

Номер патента: US20230343835A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Qiang He,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Shuiming LI,Chunhua FAN,Yangyi ZHU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Manufacturing method for forming insulating structure of high electron mobility transistor

Номер патента: US20210074838A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Insulating structure of high electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210013335A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210217885A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US11894453B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for manufacturing high electron mobility transistor with at least two barrier layers

Номер патента: US11462636B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3726585A2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-10-21.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20220416073A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP4216281A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-26.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20200328298A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3726585A3. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US20240120416A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Multi-Channel High Electron Mobility Transistor with Reduced Input Capacitance

Номер патента: US20240304670A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-12.

Multi-channel high electron mobility transistor with reduced input capacitance

Номер патента: EP4428927A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-11.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US11757029B2. Автор: Jongseob Kim,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Gallium nitride high-electron mobility transistors with deep implanted p-type layers in silicon carbide substrates

Номер патента: WO2017223403A1. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin,Alexander Suvorov. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2017-12-28.

Gallium Nitride High-Electron Mobility Transistors with Deep Implanted P-Type Layers in Silicon Carbide Substrates for Power Switching and Radio Frequency Applications and Process for Making the Same

Номер патента: US20170373178A1. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin,Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Gallium nitride high-electron mobility transistors with deep implanted p-type layers in silicon carbide substrates

Номер патента: EP3475985A1. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin,Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2019-05-01.

High-electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20210134978A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20220093778A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20230020271A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240079485A1. Автор: Chih-Hung Lu,Jih-Wen Chou,Bo-An Tsai,Zheng-Chang MU,Po-Hsien Yeh,Robin Christine Hwang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

High electron mobility transistors exhibiting dual depletion and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09660048B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Normally-off high electron mobility transistor

Номер патента: US8890212B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Sun-Kyu Hwang,Young-Hwan Park,Kyoung-Yeon Kim,Joon-Yong Kim,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-18.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220293779A1. Автор: HUANG CHIA-CHING,Du Yang,Lin Shin-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

High electron mobility transistor with semiconductor layer having a thickness varying along the transistor width

Номер патента: WO2019077784A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-04-25.

Structures for a high-electron-mobility transistor and related methods

Номер патента: US20210351286A1. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI,Joseph James Jerry. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-11.

High Electron Mobility Transistor with Varying Semiconductor Layer

Номер патента: US20190115462A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

High-electron-mobility transistor with high voltage endurance capability and preparation method thereof

Номер патента: US20210066481A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

High electron mobility transistor (hemt) comprising stacked nanowire or nanosheet heterostructures

Номер патента: US20220328655A1. Автор: Xiuling Li,Shaloo Rakheja. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2022-10-13.

P-gan high electron mobility transistor field plating

Номер патента: WO2024030127A1. Автор: Ayman SHIBIB,Saba RAJABI. Владелец: Vishay Siliconix LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240162313A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Ruey-Chyr Lee,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230299169A1. Автор: Chih-Hung Lu,Yu-Jen Huang,Jih-Wen Chou,Hsin-Hong Chen,Po-Hsien Yeh,Robin Christine Hwang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

High electron mobility transistor

Номер патента: US09960264B1. Автор: Chih-Yen Chen,Hsien-Lung Yang. Владелец: Wavetek Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12034071B2. Автор: Yang Du,Chia-Ching HUANG,Shin-Chen Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4379811A2. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4379811A3. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

High electron mobility transistor having conductive plate on passivation layer and method for forming the same

Номер патента: US11855174B2. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20230335629A1. Автор: Zhibiao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230402537A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Huai-Tzu Chiang,Chuang-Han Hsieh,Kai Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Structures for a high-electron-mobility transistor and related methods

Номер патента: US11888051B2. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI,Joseph James Jerry. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11251292B2. Автор: Yu Cao,Yongjie Cui,Andrew Arthur Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-02-15.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20200373419A1. Автор: Yu Cao,Yongjie Cui,Andrew Arthur Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US12002879B2. Автор: Younghwan Park,Boram Kim,Dongchul Shin,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Gallium nitride device and method for manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: US20240038847A1. Автор: Chun-Liang Hou,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11489048B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240072153A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20230290839A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Ruey-Chyr Lee,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Gallium nitride device and method for manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: EP4312276A1. Автор: Chun-Liang Hou,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-31.

High-electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20240006511A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240178310A1. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Enhancement High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230420498A1. Автор: Han-Chung Tai. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-12-28.

Multi-threshold voltage galium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230420541A1. Автор: Elias AL ALAM,Alireza LOGHMANY. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2023-12-28.

Enhancement-mode high electron mobility transistors with small fin isolation features

Номер патента: US20220344457A1. Автор: Jean Lapointe,Alireza LOGHMANY,Elias AL-ALAM. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2022-10-27.

Source/drain regions for high electron mobility transistors (HEMT) and methods of forming same

Номер патента: US09929248B2. Автор: Chun-Hsiang FAN,Mao-Lin Huang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Source/drain regions for high electron mobility transistors (HEMT) and methods of forming same

Номер патента: US09536962B1. Автор: Chun-Hsiang FAN,Mao-Lin Huang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Source/Drain Regions for High Electron Mobility Transistors (HEMT) and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170084717A1. Автор: Chun-Hsiang FAN,Mao-Lin Huang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Source/Drain Regions for High Electron Mobility Transistors (HEMT) and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170025507A1. Автор: Chun-Hsiang FAN,Mao-Lin Huang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Gallium nitride high electron mobility transistor and gate structure thereof

Номер патента: US20200212173A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Gallium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230395694A1. Автор: Chan-Hong Chern,Yi-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

High electron mobility transistors

Номер патента: US20240088242A1. Автор: Randy L. Wolf,Rebouh Benelbar,Rajendran Krishnasamy,Michel J. Abou-Khalil,Ajay RAMAN,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

High electron mobility transistors with charge compensation

Номер патента: US20200373383A1. Автор: Yuhao ZHANG. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

High electron mobility transistor device

Номер патента: US20230326980A1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Wei Jen Chen,Chi-Hsiao Chen,Kai Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

High electron mobility transistor (hemt) device and method of forming the same

Номер патента: US20240014307A1. Автор: Wei Jen Chen,Kai Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

High electron mobility transistors with field plate electrode

Номер патента: US09577064B2. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: Selex ES SpA. Дата публикации: 2017-02-21.

Capacitance networks for enhancing high voltage operation of a high electron mobility transistor and method therein

Номер патента: EP3997737A1. Автор: Alexey Kudymov,Sorin Georgescu,Kuo-Chang Yang,Kamal VARADARAJAN. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-05-18.

High electron mobility transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240243194A1. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US12100758B2. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Multi-channel high electron mobility transistor with doped gate fins

Номер патента: US20240332409A1. Автор: Clemens Ostermaier,Korbinian Reiser,Lauri Olavi Knuuttila. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-03.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20230238445A1. Автор: Chun-Ling Lin,Ko-Wei Lin,Chun-Chieh Chiu,Hsin-Fu Huang,Shu Min Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

High electron mobility transistors with field plate electrode

Номер патента: WO2012017390A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-02-09.

Method for manufacturing high electron mobility transistor device

Номер патента: US20240006525A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chun-Lung Chen,Bo-Yu Chen,Lung-En Kuo,Yuan Yu Chung,You-Jia Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11830941B2. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

High electron mobility transistors having improved passivation structures and reduces drain current drift, as well as methods of fabricating such devices

Номер патента: WO2024039968A3. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyle BOTHE,Jia GUO,Chris Hardiman,Elizabeth Keenan. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-21.

High electron mobility transistors having reduced drain current drift and methods of fabricating such devices

Номер патента: WO2024039968A2. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyle BOTHE,Jia GUO,Chris Hardiman,Elizabeth Keenan. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-02-22.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240014309A1. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

High breakdown enhancement mode gallium nitride based high electron mobility transistors with integrated slant field plate

Номер патента: WO2008021544A3. Автор: Yuvaraj Dora,Chang Soo Suh,Umesh K Mishra. Владелец: Umesh K Mishra. Дата публикации: 2008-06-19.

High electron mobility transistors having improved performance

Номер патента: US12009417B2. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

High Electron Mobility Transistor and Method of Forming the Same

Номер патента: US20150021667A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR WITH BURIED INTERCONNECT

Номер патента: US20190312137A1. Автор: Ding Yongping,SHIBIB Ayman,TERRILL Kyle,YANG Jinman. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

High electron mobility transistor hemt device, wafer, packaging device, and electronic device

Номер патента: EP4210111A1. Автор: Hang Wang,DONGLIANG Zhang,Feng Xie,Jianyun Zhu,Ronghua XIE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

Access conductivity enhanced high electron mobility transistor

Номер патента: US09679762B2. Автор: Yan Zhu,Xinyu Zhang,Andrew Paul Edwards. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US12132103B2. Автор: Yu-Chieh Chou,Yung-Fong Lin,Tsung-Hsiang Lin,Li-Wen CHUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

High electron mobility transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US09859410B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

High electron mobility transistor

Номер патента: US09570597B2. Автор: Jong-Seob Kim,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Sun-Kyu Hwang,Jong-Bong Ha,Young-Hwan Park,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Methods of manufacturing high electron mobility transistors having a modified interface region

Номер патента: US12015075B2. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US09793371B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US09419093B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

High electron mobility transistor (HEMT) and a method of forming the same

Номер патента: US9831332B2. Автор: Shinya Mizuno. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

High electron mobility transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12057490B2. Автор: Ming-Chang Lu,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

A high electron mobility field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2013176905A4. Автор: Karim S. Boutros,Sameh Khalil. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2014-01-23.

High electron mobility transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20240347621A1. Автор: Ming-Chang Lu,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods of manufacturing high electron mobility transistors having improved performance

Номер патента: EP4341998A1. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US20160359015A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP4328976A1. Автор: Wen-Jung Liao,Bo-Yu Chen,Chih-Tung Yeh,Ruey-Chyr Lee,You-Jia Chang,Yun-Chun Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US20150140745A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240071758A1. Автор: Wen-Jung Liao,Bo-Yu Chen,Chih-Tung Yeh,Ruey-Chyr Lee,You-Jia Chang,Yun-Chun Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US11810962B2. Автор: Cheng-Wei Chou,Hsin-Chih Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

High electron mobility transistor and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2023194211A1. Автор: Joff Derluyn,Prem Kumar Kandaswamy. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2023-10-12.

Manufacturing of scalable gate length high electron mobility transistors

Номер патента: EP2601678A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: Selex ES SpA. Дата публикации: 2013-06-12.

Manufacturing of scalable gate length high electron mobility transistors

Номер патента: WO2012017389A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-02-09.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240079405A1. Автор: Santosh Sharma,Steven Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Integrated depletion and enhancement mode gallium nitride high-electron mobility transistors

Номер патента: US20240063219A1. Автор: JERRY JOSEPH James,Francois Hebert,Richard J. Rassel,Santosh Sharma,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11749748B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240014310A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

An enhancement mode metal insulator semiconductor high electron mobility transistor

Номер патента: WO2020236180A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2020-11-26.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11804544B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230361207A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

An enhancement mode metal insulator semiconductor high electron mobility transistor

Номер патента: US20220254912A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

An enhancement mode metal insulator semiconductor high electron mobility transistor

Номер патента: EP3973576A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-03-30.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20210013334A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for manufacturing nitride-based high electron mobility transistor and nitride-based high electron mobility transistor

Номер патента: US20220037517A1. Автор: Noboru Fukuhara,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Enhancement-mode High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20200235218A1. Автор: Brice De Jaeger,Niels Posthuma,Steve Stoffels. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-23.

Method for manufacturing nitride-based high electron mobility transistor and nitride-based high electron mobility transistor

Номер патента: US12002880B2. Автор: Noboru Fukuhara,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Gallium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230411509A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Enhancement mode high-electron-mobility transistor having n-i-p semiconductor junction structure and applications thereof

Номер патента: US20230352574A1. Автор: Yu-Jen Liu,Tsung-Cheng Chang,Chia-Cheng Liu,Ming-Chin Chen,Ya-Yu YANG,Shang-Ju TU,Chung-Chih Tsai,Tien Ching FENG. Владелец: Unikorn Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

High electron mobility transistor and high electron mobility transistor forming method

Номер патента: US20240313084A1. Автор: Wei-Chih Ho. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

High electron mobility transistor (hemt)

Номер патента: EP3767685A1. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Kuan-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-20.

Low power smith-purcell radiation sources based on high electron mobility transistor structures

Номер патента: US20230327011A1. Автор: John S Cetnar,David H Tomich,Shivashankar R Vangala. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2023-10-12.

High electron mobility transistor (HEMT)

Номер патента: US11843046B2. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Kuan-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

High electron mobility transistor (hemt)

Номер патента: US20210020767A1. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Kuan-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

High electron mobility transistor

Номер патента: US09627523B2. Автор: Chih-Wei Yang,Chien-Kai Tung,Heng-Kuang Lin,Hsiang-Chun WANG,Hsein-chin CHIU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240097004A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

High electron mobility transistor structure and manufacturing method therefor and application thereof

Номер патента: EP4318596A1. Автор: YU Zhou,QIAN LI,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Xinkun ZHANG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-02-07.

High-electron-mobility transistor structure as well as fabricating method and use thereof

Номер патента: US20240186405A1. Автор: YU Zhou,QIAN LI,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Xinkun ZHANG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-06-06.

High electron mobility transistor

Номер патента: US9331154B2. Автор: Chih-Wei Yang,Hsien-Chin Chiu,Chien-Kai Tung,Heng-Kuang Lin,Hsiang-Chun WANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Electronic assembly provided with a plurality of high electron mobility transistors

Номер патента: US20220328681A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-13.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) WITH RESURF JUNCTION

Номер патента: US20200227543A1. Автор: Shrivastava Mayank,SOMAN Rohith,SONI Ankit,RAGHAVAN Srinivasan,BHAT Navakant. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

High electron mobility transistor and manufacturing method therefor, chip, and electronic device

Номер патента: EP4250368A4. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Qiang He,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Shuiming LI,Chunhua FAN,Yangyi ZHU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR WITH BURIED INTERCONNECT

Номер патента: US20180158942A1. Автор: Ding Yongping,SHIBIB Ayman,TERRILL Kyle,YANG Jinman. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

HIGH-VOLTAGE GAN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH REDUCED LEAKAGE CURRENT

Номер патента: US20170301780A1. Автор: Carlson Douglas,Boles Timothy E.,Kaleta Anthony. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2017-10-19.

InAlN/AlGaN enhanced-type high-electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104393039A. Автор: 郝跃,张进成,李姚,薛军帅. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2015-03-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: KR20230011164A. Автор: 박영환,김종섭,전우철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-01-20.

High electron mobility transistors having barrier liners and integration schemes

Номер патента: US20230155016A1. Автор: Zhong-Xiang He,Anthony Stamper,Ramsey HAZBUN,Pernell Dongmo. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

High-electron-mobility transistor (hemt)

Номер патента: EP4383345A1. Автор: Mark D. Levy,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09608100B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Jong-Bong Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

RF high-electron-mobility transistors including group III-N stress neutral barrier layers with high breakdown voltages

Номер патента: US11710785B2. Автор: Debdeep Jena,Samuel James Bader,Huili Grace Xing,Reet Chaudhuri,Austin Hickman. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-25.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US09379227B2. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-28.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12080778B2. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US09704968B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Surface treatment and passivation for high electron mobility transistors

Номер патента: US09666683B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240371968A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210193824A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258398A1. Автор: Boram Kim,Junhyuk Park,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

High electron mobility transistors and methods for fabricating the same

Номер патента: US20180374944A1. Автор: Francis J. Kub,Karl D. Hobart,Virginia D. Wheeler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-12-27.

High electron mobility transistor structure

Номер патента: US20190131427A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

High electron mobility transistor and high electron mobility transistor forming method

Номер патента: US11799000B1. Автор: Yan Lai,Wei-Chen YANG. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

High electron mobility transistor and high electron mobility transistor forming method

Номер патента: US20240213334A1. Автор: Yan Lai,Wei-Chen YANG. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12034068B2. Автор: Joff Derluyn. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2024-07-09.

A high electron mobility transistor

Номер патента: EP3642882A1. Автор: Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2020-04-29.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20230282740A1. Автор: Chih-Wei Chang,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Yao-Hsien Chung,Shih-Wei Su,Hao-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for fabricating high electron mobility transistor

Номер патента: US20230238455A1. Автор: Chih-Wei Chang,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Yao-Hsien Chung,Shih-Wei Su,Hao-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20220262939A1. Автор: Chih-Wei Chang,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Yao-Hsien Chung,Shih-Wei Su,Hao-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Rf high-electron-mobility transistors including group iii-n stress neutral barrier layers with high breakdown voltages

Номер патента: US20200388701A1. Автор: Debdeep Jena,Samuel James Bader,Huili Grace Xing,Reet Chaudhuri,Austin Hickman. Владелец: Comell University. Дата публикации: 2020-12-10.

Capacitance networks for enhancing high voltage operation of a high electron mobility transistor and method therein

Номер патента: US20220262941A1. Автор: Alexey Kudymov,Sorin Georgescu,Kuo-Chang Yang,Kamal VARADARAJAN. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20180294341A1. Автор: Chih-Yen Chen,Hsien-Lung Yang. Владелец: Wavetek Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Field plate biasing of high electron mobility transistor

Номер патента: US20240282827A1. Автор: Marco A. Zuniga,Ashutosh Ravindra Joharapurkar,Thomas William Macelwee,Rohan Samsi,Lucas Andrew Milner,Vineet Unni,Jayasimha S. Prasad,Ramesh G. KARPUR. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20160126339A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-05.

Field plate biasing of high electron mobility transistor

Номер патента: WO2024176174A1. Автор: Marco A. Zuniga,Thomas MacElwee,Jayasimha Prasad,Rohan Samsi,Ramesh Karpur,Vineet Unni,Lucas MILNER,Ashutosh Joharapurkar. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for fabricating a high electron mobility transistor

Номер патента: EP4210113A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210083073A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20230402527A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11848376B1. Автор: Yan Lai,Wei-Chen YANG. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240038871A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for fabricating high electron mobility transistor

Номер патента: US20240072126A1. Автор: Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3772112A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-03.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US11804538B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11784238B2. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3796395A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-24.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240186384A1. Автор: Mark D. Levy,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210036138A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200111901A1. Автор: Wen-Ying Wen,Chih-hao Chen. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4333042A3. Автор: Santosh Sharma,Steven Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4333042A2. Автор: Santosh Sharma,Steven Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

High Electron Mobility Transistor and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20200203502A1. Автор: David Zhou,Roy Wong,Han-Chin Chiu,Jinhan Zhang,Ming-Hong CHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for manufacturing high-electron-mobility transistor

Номер патента: US20230402526A1. Автор: Chan-Shin Wu. Владелец: Ultraband Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for manufacturing high-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4290582A1. Автор: Chan-Shin Wu. Владелец: Ultraband Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Gallium Nitride High-Electron Mobility Transistors with Deep Implanted P-Type Layers in Silicon Carbide Substrates for Power Switching and Radio Frequency Applications and Process for Making the Same

Номер патента: US20190229187A1. Автор: Saptharishi Sriram,Thomas Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

A high electron mobility transistor

Номер патента: WO2018234338A1. Автор: Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2018-12-27.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240021703A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

High-electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230335630A1. Автор: Ta-Kang Lo,Cheng-Han Wu,Cheng-Guo Chen,Jian-Li Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

High-electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP4266374A1. Автор: Ta-Kang Lo,Cheng-Han Wu,Cheng-Guo Chen,Jian-Li Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20240178285A1. Автор: Hsin-Chang Tsai,Shyh-Chiang Shen,Yi-Wei Lien,Wei-Chih Cheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

High electron mobility transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20110272741A1. Автор: In-jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-10.

High electron mobility transistors including lightly doped drain regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09443968B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors having a gate contact on a gallium nitride based cap segment and methods of fabricating same

Номер патента: CA2453318C. Автор: Richard Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12107157B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Multi-channel gate-all-around high-electron-mobility transistor

Номер патента: US20220131013A1. Автор: YE Lu,Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Chenjie TANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

High electron mobility transistor devices having a silicided polysilicon layer

Номер патента: US11923446B2. Автор: Vibhor Jain,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu,Johnatan Avraham Kantarovsky,MARK David LEVY,Ephrem Gebreselasie. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

High electron mobility transistor devices having a silicided polysilicon layer

Номер патента: US20240038882A1. Автор: Vibhor Jain,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu,Johnatan Avraham Kantarovsky,MARK David LEVY,Ephrem Gebreselasie. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

High electron mobility transistor devices having a silicided polysilicon layer

Номер патента: US20240038881A1. Автор: Vibhor Jain,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu,Johnatan Avraham Kantarovsky,MARK David LEVY,Ephrem Gebreselasie. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Electronic device provided with a stack of two high electron mobility transistors arranged in a bridge half-arm

Номер патента: US20220359714A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-11-10.

Structure to increase breakdown voltage of high electron mobility transistor

Номер патента: US11289592B2. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Shan Lin,Wen-Chung Chen,Yu-Lin Tsai,Yu-Ching Tsao,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-03-29.

Structure to increase breakdown voltage of high electron mobility transistor

Номер патента: US20210367068A1. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Shan Lin,Wen-Chung Chen,Yu-Lin Tsai,Yu-Ching Tsao,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2021-11-25.

High-electron-mobility transistors

Номер патента: US09525055B2. Автор: Jamal Ramdani,Alexey Kudymov,Linlin Liu. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Complementary high electron mobility transistor

Номер патента: US20230207679A1. Автор: Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

High Electron Mobility Transistor with Doped Semiconductor Region in Gate Structure

Номер патента: US20210234028A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl,Thomas Detzel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-07-29.

High electron mobility transistor with doped semiconductor region in gate structure

Номер патента: US20240222488A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl,Thomas Detzel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-04.

High electron mobility transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140021480A1. Автор: Woo-Chul JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-23.

High electron mobility transistor with trench isolation structure capable of applying stress and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210280706A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20200328298A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: CN112216736A. Автор: 杨柏宇. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-12.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN113257891A. Автор: 张辉,林科闯,刘胜厚,孙希国,蔡仙清. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-13.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101922120B1. Автор: 전우철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-11-26.

High electron mobility transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US8933446B2. Автор: Woo-Chul JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-13.

Semiconductor device with high electron mobility transistor

Номер патента: US9818856B2. Автор: Kenji Ito,Kazuyoshi Tomita,Shoji Mizuno,Tsutomu Uesugi,Shinichi Hoshi,Tetsu Kachi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

High electron mobility transistors

Номер патента: US09425276B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20190334023A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20200373423A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234559A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240290875A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140187003A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-07-03.

Structure for a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor

Номер патента: US09601608B2. Автор: Ming-Wei Tsai,King-Yuen Wong,Han-Chin Chiu,Sheng-De Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040393B2. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230231021A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240322030A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230275146A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11973133B2. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230275147A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

High electron mobility transistor (hemt) with a back barrier layer

Номер патента: US20240088284A1. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a back barrier layer

Номер патента: US11855199B2. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

High electron mobility transistor (hemt) with a back barrier layer

Номер патента: US20220384630A1. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12009415B2. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140061724A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-03-06.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140159048A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu,K.C. Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-06-12.

High electron mobility transistor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230369447A1. Автор: Jia-Zhe Liu,Tzu-Yao Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US9276098B2. Автор: Hong-Pyo HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-01.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240355920A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

High-electron-mobility transistor having a buried field plate

Номер патента: US09728630B2. Автор: Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP4312277A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Lun Chen,Yen-Hsing Chen,Chun-Liang Kuo,Ruei-Hong SHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-31.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240038844A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Lun Chen,Yen-Hsing Chen,Chun-Liang Kuo,Ruei-Hong SHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11257939B2. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210151591A1. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US12051740B2. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20220376100A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230100904A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US11616135B2. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-28.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: EP3863064A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-11.

Double aluminum nitride spacers for nitride high electron-mobility transistors

Номер патента: WO2013185089A1. Автор: Yu Cao,Wayne Johnson,Oleg Laboutin. Владелец: IQE KC, LLC. Дата публикации: 2013-12-12.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12002857B2. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20230369481A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structure and high electron mobility transistor

Номер патента: US11942519B2. Автор: Chih-Yen Chen,Franky Juanda LUMBANTORUAN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

High-frequency group iii-nitride-based high electron mobility transistors with high-aluminum concentration barriers and recessed gates

Номер патента: US20240363745A1. Автор: Chirag Gupta,Jiahao Chen,Swarnav Mukhopadhyay,Shubhra Shweta Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-31.

High-frequency group iii-nitride-based high electron mobility transistors with high-aluminum concentration barriers and recessed gates

Номер патента: WO2024226212A2. Автор: Chirag Gupta,Jiahao Chen,Swarnav Mukhopadhyay,Shubhra Shweta Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-31.

Metamorphic high electron mobility transistor-heterojunction bipolar transistor integration

Номер патента: US20210391321A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230369448A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

High electron mobility transistor esd protection structures

Номер патента: EP3599640A8. Автор: Chungchi Gina Liao,Muhammad Ayman Shibib. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040392B2. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339532A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: TW202115909A. Автор: 張峻銘,黃哲弘,廖文榮,侯俊良,葉治東. Владелец: 聯華電子股份有限公司. Дата публикации: 2021-04-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230335614A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230387280A1. Автор: Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230378314A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11735644B2. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Enhancement mode high electron mobility transistor

Номер патента: US11935947B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

High Electron Mobility Transistor ESD Protection Structures

Номер патента: US20200035666A1. Автор: Muhammed Ayman Shibib,Chungchi Gina Liao. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12027604B2. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Spatial terahertz wave phase modulator based on high electron mobility transistor

Номер патента: US09865692B2. Автор: Yaxin Zhang,Yuncheng Zhao,Shixiong LIANG,Ziqiang YANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-01-09.

P-GaN HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20230378337A1. Автор: Ting-Chang Chang,yu-xuan Wang,Shih-Kai Lin,Wei-Chen Huang,Kai-Chun Chang,Mao-Chou Tai,Ting-Tzu Kuo. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2023-11-23.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) DEVICE AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20200006522A1. Автор: Yeh Chia-Ling,Chen Ching Yu. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) DEVICE AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20210226040A1. Автор: Yeh Chia-Ling,Chen Ching Yu. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Resurf iii-n high electron mobility transistor

Номер патента: WO2014179808A1. Автор: Naveen Tipirneni,Sameer Pendharkar,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-11-06.

Resurf iii-n high electron mobility transistor

Номер патента: EP2992559A1. Автор: Naveen Tipirneni,Sameer Pendharkar,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-03-09.

GaN-based high electron mobility transistors and fabrication method thereof

Номер патента: US12113127B2. Автор: Kuang-Po Hsueh. Владелец: Nanjing Greenchip Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

High Electron Mobility Transistor with Doped Semiconductor Region in Gate Structure

Номер патента: US20210234028A1. Автор: Prechtl Gerhard,Haeberlen Oliver,Detzel Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

High electron mobility transistor

Номер патента: KR102100928B1. Автор: 황인준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-05-15.

Normally off high electron mobility transistor

Номер патента: KR101922122B1. Автор: 박영환,김준용,김경연,박기열,신재광,전우철,오재준,황선규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-11-26.

High Electron Mobility Transistor representing dual depletion and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101774933B1. Автор: 김종섭,황인준,홍기하,신재광,최혁순,오재준. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2017-09-06.

Normally-off high electron mobility transistor

Номер патента: EP2713402A2. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Sun-Kyu Hwang,Young-Hwan Park,Kyoung-Yeon Kim,Joon-Yong Kim,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-02.

High electron mobility transistor and manufacturing method for the same

Номер патента: JP2021174987A. Автор: Jae-joon Oh,Jongseob Kim,在浚 ▲呉▼,鍾燮 金. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-01.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210336045A1. Автор: Jongseob Kim,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

High Electron Mobility Transistor (HEMT)

Номер патента: EP2760051A3. Автор: Youichi Kamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-27.

Source/Drain Regions for High Electron Mobility Transistors (HEMT) and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170025507A1. Автор: Chun-Hsiang FAN,Mao-Lin Huang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

High electron mobility transistor fabrication process on reverse polarized substrate by layer transfer

Номер патента: US09935191B2. Автор: Patrick Morrow,Sansaptak DASGUPTA,Kimin Jun,Alejandro X. Levander. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Normally-off high electron mobility transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US09786775B2. Автор: Shang-Ju TU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Insulating structure of high electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210013332A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210013333A1. Автор: YANG PO-YU. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20210143257A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20170194471A1. Автор: Yi Pei. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Enhancement Mode High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20160218204A1. Автор: Pei Yi. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

III-Nitride High Electron Mobility Transistor Structures and Methods for Fabrication of Same

Номер патента: US20150255547A1. Автор: YUAN Li,Sun Haifeng,Lo Patrick Guo Qiang,Lee Kean Boon,Wang Weizhu,Selvaraj Susai Lawrence. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2015-09-10.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR WITH TRENCH ISOLATION STRUCTURE CAPABLE OF APPLYING STRESS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210280705A1. Автор: YANG PO-YU. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

High-voltage gan high electron mobility transistors

Номер патента: US20170301781A1. Автор: Timothy E. Boles,Douglas CARLSON,Anthony Kaleta. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

HIGH-VOLTAGE GAN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH REDUCED LEAKAGE CURRENT

Номер патента: US20190341480A1. Автор: Carlson Douglas,Boles Timothy E.,Kaleta Anthony. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-11-07.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH CHARGE COMPENSATION

Номер патента: US20200373383A1. Автор: Zhang Yuhao. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20200373419A1. Автор: Cao Yu,Ketterson Andrew Arthur,Cui Yongjie. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

High electron mobility transistor and method of driving the same

Номер патента: KR102065113B1. Автор: 김종섭,황인준,신재광,최혁순,전우철,오재준,황선규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-01-10.

Method of manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: KR101626463B1. Автор: 김종섭,황인준,정우인,홍기하,신재광,최혁순,오재준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-06-02.

High electron mobility transistor and method of driving the same

Номер патента: KR101946009B1. Автор: 박영환,김종섭,박기열,신재광,하종봉,전우철,오재준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-02-08.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US9252255B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Hyuk-soon Choi,Sun-Kyu Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-02.

Insulating structure of high electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US11380786B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Nitride high electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN113314590B. Автор: 孙志鹏,郝跃,张进成,姚佳佳,薛军帅,吴冠霖,杨雪妍,李祖懋. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2023-03-21.

Planar high electron mobility transistor

Номер патента: CN114664943A. Автор: 周翔. Владелец: Nantong Shangyangtong Integrated Circuit Co ltd. Дата публикации: 2022-06-24.

High electron mobility transistor

Номер патента: US9076850B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jae-joon Oh,Hyo-ji CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-07.

High electron mobility transistor and driving method thereof

Номер патента: JP6381881B2. Автор: 申　在光,在光 申,在浚 ▲呉▼,鍾燮 金,▲祐▼徹 全,基烈 朴,永煥 朴,▲呉▼　在浚,種奉 河. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-29.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220416071A1. Автор: Jongseob Kim,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20210288149A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20210158252A. Автор: 신동철,박영환,김종섭,박준혁,김준용,황인준,정수진,김보람,오재준,황선규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for producing a semiconductor device comprising a Schottky diode and a high electron mobility transistor

Номер патента: US09431511B2. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-30.

High electron mobility transistor device having an aluminum-doped buffer layer

Номер патента: US20240355917A1. Автор: José JIMENEZ,Jinqiao Xie,Vipan Kumar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

High electron mobility transistor device having an aluminum-doped buffer layer

Номер патента: US12074214B2. Автор: José JIMENEZ,Jinqiao Xie,Vipan Kumar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

High electron mobility transistor with periodically carbon doped gallium nitride

Номер патента: US09608103B2. Автор: Jeffrey Craig Ramer,Karl Knieriem. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

A heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: US20240304715A1. Автор: Olof Kordina,Jr-Tai Chen. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2024-09-12.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040380B2. Автор: Chen-Wei Pan,Chun-Pin Fang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12080787B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230231044A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

High electron mobility transistor

Номер патента: US9660066B2. Автор: Hao-Chung Kuo,Zhen-Yu Li,Chunyen Chang,An-Jye TZOU. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-05-23.

High electron mobility transistor, field-effect transistor, epitaxial substrate, method of manufacturing epitaxial substrate, and method of manufacturing group iii nitride transistor

Номер патента: CA2570558A1. Автор: Takashi Sakurada,Makoto Kiyama,Shin Hashimoto,Tatsuya Tanabe,Tomihito Miyazaki,Kouhei Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Method for producing a semiconductor device comprising a Schottky diode and a high electron mobility transistor

Номер патента: US9276082B2. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-03-01.

Method for Producing a Semiconductor Device Comprising a Schottky Diode and a High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20150214327A1. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-07-30.

High electron mobility transistor (HEMT) device structure

Номер патента: US10014402B1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Gallium Nitride high-electron mobility transistors with p-type layers and process for making the same

Номер патента: US12142674B2. Автор: Saptharishi Sriram. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

High-electron-mobility transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230387282A1. Автор: Wei-Ting Chang,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Ching Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: US12002881B2. Автор: Olof Kordina,Jr-Tai Chen. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2024-06-04.

A heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: TW201919238A. Автор: 陳志泰,歐羅夫 寇迪那. Владелец: 瑞典商斯維甘公司. Дата публикации: 2019-05-16.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20160211330A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Zhen-Yu Li,Chunyen Chang,An-Jye TZOU. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor structure, high electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11967642B2. Автор: Chih-Yen Chen,Franky Juanda LUMBANTORUAN,Chun-Yang Chen,Tuan-Wei WANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US20150087118A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

High electron mobility transistor device and methods for forming the same

Номер патента: US20210057562A1. Автор: Chien-Jen Sun,Chi-Feng HSIEH,Tuan-Wei WANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

High electron mobility transistors, methods of manufacturing the same, and electronic devices including the same

Номер патента: US20150048421A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Hyo-ji CHOI,Young-Hwan Park,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-19.

High electron mobility transistor (hemt) devices and methods

Номер патента: US20210091219A1. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-25.

Doped gallium nitride high-electron mobility transistor

Номер патента: US09640650B2. Автор: Jinqiao Xie,Edward A. Beam, III. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

P-gan high-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240154021A1. Автор: Ting-Chang Chang,Shih-Kai Lin,Wei-Chen Huang,Chung-Wei Wu,Po-Hsun Chen,Yong-Ci Zhang,Sheng-Yao Chou. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2024-05-09.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240322008A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Iii-nitride/gallium oxide based high electron mobility transistors

Номер патента: US20230089714A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2023-03-23.

Pseudomorphic high electron mobility transistor, low noise amplifier, and related apparatus

Номер патента: US20240332412A1. Автор: TENG Teng,Xiaomin ZHOU,Jie Yu,Minglang YU,Jianwei Ye,Yusi XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Pseudomorphic high electron mobility transistor, low-noise amplifier and related device

Номер патента: EP4451341A1. Автор: TENG Teng,Xiaomin ZHOU,Jie Yu,Minglang YU,Jianwei Ye,Yusi XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Gallium nitride-based high electron mobility transistor epitaxial wafer and preparation method therefor

Номер патента: US20230326996A1. Автор: Chen Su,Peng Li,HUI Wang,Jiahui Hu,Yuanyuan JIANG,Wubin Zhang. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Electronic Device Including a High Electron Mobility Transistor Including a Gate Electrode and a Gate Interconnect and a Method of Using the Same

Номер патента: US20210005740A1. Автор: Banerjee Abhishek,Moens Peter. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2021-01-07.

Electronic Device Including a High Electron Mobility Transistor Including a Gate Electrode and a Dielectric Film

Номер патента: US20200335617A1. Автор: Banerjee Abhishek,Moens Peter. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2020-10-22.

Electronic device including a high electron mobility transistor including a gate electrode and a dielectric film

Номер патента: US10818787B1. Автор: Abhishek Banerjee,Peter Moens. Владелец: Deutsche Bank AG New York Branch. Дата публикации: 2020-10-27.

Semiconductor device with high electron mobility transistor (HEMT) having source field plate

Номер патента: US09704982B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

High Electron Mobility Transistor (HEMT)

Номер патента: JP7066778B2. Автор: サン リー，ウォン. Владелец: アールエフエイチアイシー コーポレイション. Дата публикации: 2022-05-13.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT)

Номер патента: US20190115435A1. Автор: Lee Won Sang. Владелец: RFHIC Corporation. Дата публикации: 2019-04-18.

METHODS FOR PROCESSING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT)

Номер патента: US20200287004A1. Автор: Lee Won Sang. Владелец: RFHIC Corporation. Дата публикации: 2020-09-10.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT)

Номер патента: US20170330940A1. Автор: Lee Won Sang. Владелец: RFHIC Corporation. Дата публикации: 2017-11-16.

High electron mobility transistor (HEMT)

Номер патента: JP5390768B2. Автор: ウー イーフェン,パリーク プリミット,ミシュラ ウメシュ,ムーア マーシャ. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-01-15.

High electron mobility transistor (hemt)

Номер патента: EP3455883B1. Автор: Won Sang Lee. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2021-11-03.

High electron mobility transistor devices

Номер патента: US20190067430A1. Автор: Hsin-Chih Lin,Shin-Cheng Lin,Yung-Hao Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

High electron mobility transistor devices and method for fabricating the same

Номер патента: US20190067431A1. Автор: Hsin-Chih Lin,Shin-Cheng Lin,Yung-Hao Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

High electron mobility transistor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210013331A1. Автор: Chih-Yen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

LATERAL HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR WITH INTEGRATED CLAMP DIODE

Номер патента: US20200044033A1. Автор: Odnoblyudov Vladimir,Aktas Ozgur. Владелец: QROMIS, Inc.. Дата публикации: 2020-02-06.

Group III-Nitride High-Electron Mobility Transistors with Buried P-Type Layers and Process for Making the Same

Номер патента: US20210104623A1. Автор: Smith Thomas,Sriram Saptharishi,Suvorov Alexander,Hallin Christer. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

Group iii-nitride high-electron mobility transistors with gate connected buried p-type layers and process for making the same

Номер патента: US20210167199A1. Автор: Saptharishi Sriram,Jia GUO. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210217885A1. Автор: YANG PO-YU. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Group III-Nitride High-Electron Mobility Transistors with Buried P-Type Layers and Process for Making the Same

Номер патента: US20190237569A1. Автор: Smith Thomas,Sriram Saptharishi,Suvorov Alexander,Hallin Christer. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180294347A1. Автор: Wong King-Yuen,TSAI Ming-Wei,Hsiung Chih-Wen,Lin Ming-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS HAVING IMPROVED CONTACT SPACING AND/OR IMPROVED CONTACT VIAS

Номер патента: US20200395474A1. Автор: Radulescu Fabian,Namishia Dan,Jones Evan,Fisher Jeremy,Sheppard Scott,Bothe Kyle,Hardiman Chris. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20220416073A1. Автор: YANG PO-YU. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2022-12-29.

GaN high electron mobility transistor and GaN diode

Номер патента: CN103887334B. Автор: 雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克斯,杰伦·克龙,约翰尼斯·唐克斯,斯蒂芬·海尔,简·雄斯基. Владелец: Yasuyo Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

High-electron-mobility transistor and preparation method therefor

Номер патента: WO2018054377A1. Автор: 李涛,于洪宇,沈忱,纪冬梅,蒋苓利. Владелец: 苏州珂晶达电子有限公司. Дата публикации: 2018-03-29.

High breakdown enhancement mode gallium nitride based high electron mobility transistors with integrated slant field plate

Номер патента: WO2008021544A2. Автор: Yuvaraj Dora,Chang Soo Suh,Umesh K. Mishra. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2008-02-21.

Structure for increasing mobility in a high electron mobility transistor

Номер патента: US11101379B2. Автор: Haoran Li,Stacia Keller,Umesh K. Mishra,Xun Zheng,Brian Romanczyk,Matthew Guidry,Steven WIENECKE,Elaheh Ahmadi. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-08-24.

High electron mobility transistor (HEMT)

Номер патента: US09735240B2. Автор: LONG Yang,Dong Lee,William Fenwick. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

High electron mobility transistor (HEMT) device and method of making the same

Номер патента: US09865721B1. Автор: Jinqiao Xie,Edward A. Beam, III. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

High electron mobility transistor, radio frequency transistor, power amplifier, and method for preparing high electron mobility transistor

Номер патента: EP4407688A1. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

High electron mobility transistor, radio frequency transistor, power amplifier, and preparation method for high electron mobility transistor

Номер патента: US20240322029A1. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US09899493B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: EP4362105A2. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: EP4362105A3. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US09525054B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: US20240234560A9. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistor device

Номер патента: US20140253241A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

Substrate biasing for bidirectional high electron mobility transistor device

Номер патента: US20240072161A1. Автор: Santosh Sharma. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

High electron mobility transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313085A1. Автор: Shang-Hua Tsai. Владелец: Infinity Communication Tech Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240136432A1. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-04-25.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240234561A9. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-07-11.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: US20240136431A1. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US20240222133A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234538A9. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136422A1. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-04-25.

Elemental semiconductor material contact for high electron mobility transistor

Номер патента: US20140349449A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Process of forming a high electron mobility transistor including a gate electrode layer spaced apart from a silicon nitride film

Номер патента: US11710773B2. Автор: Yukinori Nose,Kenta Sugawara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240113215A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US20140073095A1. Автор: Ken Sato. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

High electron mobility transistor, preparation method, and power amplifier/switch

Номер патента: EP4254507A1. Автор: Xiaoxiang Wu,Teng JIANG,Sike TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

High electron mobility transistor, preparation method, and power amplifier/switch

Номер патента: US20230352558A1. Автор: Xiaoxiang Wu,Teng JIANG,Sike TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US20230112917A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US12002681B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240194773A1. Автор: Tzu-Wen Wang,Yen-Chun Tseng,Chuan-Wei Chen. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

Номер патента: US20210134966A1. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyoung-Keun Lee. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

Номер патента: WO2020142345A2. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyoung-Keun Lee. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2020-07-09.

High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

Номер патента: EP3906583A2. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyoung-Keun Lee. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-11-10.

High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

Номер патента: US11355600B2. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyoung-Keun Lee. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Methods of fabricating semiconductor structures and high electron mobility transistors

Номер патента: US20190207012A1. Автор: Yu-Chieh Chou,Yung-Fung Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240194774A1. Автор: Tzu-Wen Wang,Yen-Chun Tseng,Chuan-Wei Chen. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Predisposed high electron mobility transistor

Номер патента: WO2014055314A3. Автор: Christer Hallin. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

Monolithic integration of enhancement-mode and depletion-mode galium nitride high electron mobility transistors

Номер патента: US20240014291A1. Автор: Elias AL ALAM,Alireza LOGHMANY. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2024-01-11.

Monolithic integration of enhancement-mode and depletion-mode galium nitride high electron mobility transistors

Номер патента: CA3199022A1. Автор: Alireza LOGHMANY,Elias AL-ALAM. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2022-05-19.

Group-iii nitride based high electron mobility transistor (hemt) with barrier/spacer layer

Номер патента: CA2447058C. Автор: Umesh Mishra,Yifeng Wu,Stacia Keller,Prashant Chavarkar,Ioulia P. Smorchkova,Wladyslaw Walukiewicz. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Group-III nitride based high electron mobility transistor (HEMT) with barrier/spacer layer

Номер патента: US6849882B2. Автор: Umesh Mishra,Yifeng Wu,Stacia Keller,Prashant Chavarkar,Ioulia P. Smorchkova,Wladyslaw Walukiewicz. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-02-01.

Aluminum free group iii-nitride based high electron mobility transistors and methods of fabricating same

Номер патента: EP1875514A1. Автор: Adam William Saxler. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-01-09.

Sensors using aigan/gan high electron mobility transistors

Номер патента: WO2009039298A2. Автор: Fan Ren,Stephen John Pearton,Tanmay Lele,Hung-Ta Wang,Byoung-Sam Kang. Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2009-03-26.

High-electron mobility transistor

Номер патента: WO2010126288A1. Автор: Doyeol Ahn. Владелец: UNIVERSITY OF SEOUL INDUSTRY COOPERATION FOUNDATION. Дата публикации: 2010-11-04.

High electron mobility transistor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230290872A1. Автор: Po-Jung Lin,Jia-Zhe Liu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234539A9. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11894441B2. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN112652659A. Автор: 张峻铭,侯俊良,黄哲弘,廖文荣. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240128353A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Electronic device comprising two high electron mobility transistors

Номер патента: US20220328471A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-13.

Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor substrate voltage management circuit

Номер патента: US11838017B2. Автор: Michael J. Harrison,Patrick Lyle CHAPMAN,Christiaan Johannes van Antwerpen. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor substrate voltage management circuit

Номер патента: EP4364205A1. Автор: Michael J. Harrison,Patrick Lyle CHAPMAN,Christiaan Johannes van Antwerpen. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor substrate voltage management circuit

Номер патента: US20220416784A1. Автор: Michael J. Harrison,Patrick Lyle CHAPMAN,Christiaan Johannes van Antwerpen. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

GaN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20220123136A1. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Shan Lin,Wen-Chung Chen,Hong-Chih Chen,Yun-Hsuan Lin,Mao-Chou Tai,Hao-Xuan Zheng,Fu-Yuan Jin,Fong-Min Ciou. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US20150140745A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

High electron mobility transistor hemt device, wafer, packaging device, and electronic device

Номер патента: EP4210111A4. Автор: Hang Wang,DONGLIANG Zhang,Feng Xie,Jianyun Zhu,Ronghua XIE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Methods of forming high electron mobility transistors with controlled gate length and high electron mobility transistors with controlled gate length

Номер патента: US20240304678A1. Автор: Won Sang Lee. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

High-electron-mobility transistor device with integrated p-n layer

Номер патента: US20240213239A1. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for manufacturing nitride-based high electron mobility transistor and nitride-based high electron mobility transistor

Номер патента: US20220037517A1. Автор: Noboru Fukuhara,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

High-electron-mobility transistor device with integrated p-n layer

Номер патента: EP4391041A1. Автор: James Fiorenza,Daniel Piedra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

High electron mobility transistor structure and method

Номер патента: US20130334538A1. Автор: Paul Saunier. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20140042449A1. Автор: Jong-Seob Kim,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Sun-Kyu Hwang,Jong-Bong Ha,Young-Hwan Park,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-13.

High electron mobility transistor structure and method of making the same

Номер патента: US20160005823A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

High Electron Mobility Transistor with Dual Thickness Barrier Layer

Номер патента: US20200119162A1. Автор: Curatola Gilberto,Haeberlen Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160133738A1. Автор: CHANG EDWARD YI,Lin Yueh-Chin,Hsieh Ting-En. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200161447A1. Автор: Lin Hsin-Chih,CHOU CHENG-WEI. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2020-05-21.

High Electron Mobility Transistor with Dual Thickness Barrier Layer

Номер патента: US20190280100A1. Автор: Curatola Gilberto,Haeberlen Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200328288A1. Автор: Lin Hsin-Chih,CHOU CHENG-WEI. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2020-10-15.

METHODS OF MANUFACTURING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS HAVING IMPROVED PERFORMANCE

Номер патента: US20220376085A1. Автор: Bothe Kyle,Bisges Joshua. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS HAVING IMPROVED PERFORMANCE

Номер патента: US20220376099A1. Автор: Bothe Kyle,Bisges Joshua. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

High electron mobility transistor and forming method thereof

Номер патента: CN103367418B. Автор: 余俊磊,姚福伟,游承儒,黄敬源,许竣为,杨富智,蔡俊琳. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-30.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101813177B1. Автор: 황인준,홍기하,신재광,최혁순,하종봉,오재준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-12-29.

High electron mobility transistor device and semiconductor device

Номер патента: CN215680609U. Автор: F·尤克拉诺,C·特林加里. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-01-28.

High electron mobility transistor structure

Номер патента: US9728613B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Lateral high electron mobility transistor with integrated clamp diode

Номер патента: WO2018106698A1. Автор: Vladimir Odnoblyudov,Ozgur Aktas. Владелец: QROMIS, Inc.. Дата публикации: 2018-06-14.

Lateral high electron mobility transistor with integrated clamp diode

Номер патента: EP3552238A4. Автор: Vladimir Odnoblyudov,Ozgur Aktas. Владелец: Qromis Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Lateral high electron mobility transistor with integrated clamp diode

Номер патента: TWI741094B. Автор: 奧茲卡 阿克塔斯,佛拉迪米耶 歐諾博利伍鐸. Владелец: 美商克若密斯股份有限公司. Дата публикации: 2021-10-01.

High-electron-mobility transistor with protective diode

Номер патента: US09589951B2. Автор: Kiyoshi Takeuchi,Takashi Hase,Ippei Kume,Toshiharu Nagumo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

High electron mobility transistor structure and manufacturing method therefor and application thereof

Номер патента: EP4318596A4. Автор: YU Zhou,QIAN LI,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Xinkun ZHANG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-08-21.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20150054034A1. Автор: Chih-Wei Yang,Hsien-Chin Chiu,Chien-Kai Tung,Heng-Kuang Lin,Hsiang-Chun WANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Normally-off high electron mobility transistors

Номер патента: US9373688B2. Автор: Oliver Häberlen,Gilberto Curatola,Gianmauro Pozzovivo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-06-21.

Method and apparatus for controlling a gate voltage in high electron mobility transistor

Номер патента: US09461637B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Sun-Kyu Hwang,Jong-Bong Ha,Young-Hwan Park,Joon-Yong Kim,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Sensor-less overcurrent fault detection using high electron mobility transistors

Номер патента: US12074209B2. Автор: Jing Xu,Xiaoqing Song,Pietro CAIROLI,Utkarsh Raheja. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-27.

Method and apparatus for controlling a gate voltage in high electron mobility transistor

Номер патента: US20140240026A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Sun-Kyu Hwang,Jong-Bong Ha,Young-Hwan Park,Joon-Yong Kim,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Sensor-less overcurrent fault detection using high electron mobility transistors

Номер патента: EP4149000A1. Автор: Jing Xu,Xiaoqing Song,Pietro CAIROLI,Utkarsh Raheja. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2023-03-15.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130187197A1. Автор: Woo Jin Chang,Ho Kyun Ahn,Sung Bum Bae,Chull Won JU,Young Rak PARK,Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Seong-Il Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-07-25.

Method for epitaxy of high electron mobility transistor

Номер патента: US20240063291A1. Автор: Jia-Zhe Liu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150087142A1. Автор: Woo Jin Chang,Ho Kyun Ahn,Sung Bum Bae,Chull Won JU,Young Rak PARK,Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Seong-Il Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-03-26.

High electron mobility transistor epitaxial structure

Номер патента: US20240063270A1. Автор: Jia-Zhe Liu,Hong-Che LIN. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

High-electron-mobility transistor devices

Номер патента: US20180158940A1. Автор: Kyle Terrill,Ayman SHIBIB. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Bidirectional device provided with a stack of two high electron mobility transistors connected head-to-tail

Номер патента: US20220336651A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-20.

Reverse direction high-electron-mobility transistor circuit

Номер патента: US20200126970A1. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-23.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US20230369449A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Multi-gate high electron mobility transistors (hemts) employing tuned recess depth gates for improved device linearity

Номер патента: EP4133530A1. Автор: YE Lu,Peijie Feng,Junjing Bao,Chenjie TANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Multi-gate high electron mobility transistors (HEMTs) employing tuned recess depth gates for improved device linearity

Номер патента: US11855198B2. Автор: YE Lu,Peijie Feng,Junjing Bao,Chenjie TANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

METHOD OF FORMING A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210280689A1. Автор: Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

METHOD OF FORMING A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20160308023A1. Автор: Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Method of Forming a High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20170317184A1. Автор: Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

METHOD OF FORMING A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20180350945A1. Автор: Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

METHOD OF FORMING A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20200373408A1. Автор: Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US10741665B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-11.

Multi-gate high electron mobility transistors (hemts) employing tuned recess depth gates for improved device linearity

Номер патента: WO2021207485A1. Автор: YE Lu,Peijie Feng,Junjing Bao,Chenjie TANG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-10-14.

A method of fabricating a semiconductor device as a high electron mobility semiconductor device (HEMT) having a field weakening plate and semiconductor device

Номер патента: DE102008052595B4. Автор: Ioulia Lakewood Smorchkova,Carol Walnut Namba,Po-Hsin Anaheim Liu,Robert Camarillo Coffie,Roger Torrance Tsai. Владелец: Northrop Grumman Space and Mission Systems Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Source/Drain Regions for High Electron Mobility Transistors (HEMT) and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170084717A1. Автор: Huang Mao-Lin,Fan Chun-Hsiang,Lin Chun-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) SEMICONDUCTOR DEVICES WITH REDUCED DYNAMIC RESISTANCE

Номер патента: US20180138306A1. Автор: Jeon Woochul,Salih Ali,Vaughan-Edmunds Llewellyn. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-05-17.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) AND PROCESS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20170263743A1. Автор: Nakata Ken. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2017-09-14.

Group III nitride high electron mobility transistor (HEMT) device

Номер патента: US9070756B2. Автор: Yong Cai,Guohao Yu,Zhihua Dong,Baoshun Zhang. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2015-06-30.

MULTI-GATE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS (HEMTs) EMPLOYING TUNED RECESS DEPTH GATES FOR IMPROVED DEVICE LINEARITY

Номер патента: US20210320197A1. Автор: YE Lu,Peijie Feng,Junjing Bao,Chenjie TANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Electronic device comprising two high electron mobility transistors

Номер патента: US20220320325A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-06.

High electron mobility transistor having reduced threshold voltage variation and method of manufacturing the same

Номер патента: US09543391B2. Автор: In-jun Hwang,Jae-joon Oh,Jae-won Lee,Hyo-ji CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device including high electron mobility transistor or high hole mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11830940B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Lateral High Electron Mobility Transistor With Schottky Junction

Номер патента: US20130264580A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-10-10.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240274673A1. Автор: Hwi-Huang Chen,Chih-Hung Lu,Yu-Jen Huang,Jih-Wen Chou,Hsin-Hong Chen,Robin Christine Hwang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of making high electron mobility transistor structure

Номер патента: US09583588B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Selectively Area Regrown III-Nitride High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20130313613A1. Автор: Asif Khan,Vinod Adivarahan,Qhalid Fareed. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2013-11-28.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US20140008659A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

Selectively Area Regrown III-Nitride High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20150001550A1. Автор: Khan Asif,Adivarahan Vinod,Fareed Qhalid. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190006498A1. Автор: Wong King-Yuen,TSAI Ming-Wei,Hsiung Chih-Wen,Lin Ming-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR FABRICATION PROCESS ON REVERSE POLARIZED SUBSTRATE BY LAYER TRANSFER

Номер патента: US20170077281A1. Автор: Jun Kimin,MORROW Patrick,DASGUPTA Sansaptak,LEVANDER ALEJANDRO X.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210083073A1. Автор: Lin Chun-Hsien,LIU An-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Surface treatment and passivation for high electron mobility transistors

Номер патента: US20170104083A1. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICES AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190103468A1. Автор: Lin Hsin-Chih,Lin Yung-Hao,LIN Shin-Cheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

Surface Treatment and Passivation for High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20190115447A1. Автор: TSAI Cheng-Yuan,Chiu Han-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200111901A1. Автор: Chen Chih-Hao,Wen Wen-Ying. Владелец: Nuvoton Technology Corporation. Дата публикации: 2020-04-09.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20190131427A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Surface Treatment and Passivation for High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20200127114A1. Автор: TSAI Cheng-Yuan,Chiu Han-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20140252368A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20160190297A1. Автор: Ramdani Jamal,Liu LinLin,Kudymov Alexey. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

MULTI-GATE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20170229565A1. Автор: Jun Kimin,MORROW Patrick,DASGUPTA Sansaptak,LEVANDER ALEJANDRO X.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170236909A1. Автор: Kim Dong-Young,Min Byoung-Gue,Yoon Hyung Sup,Kim Hae Cheon,Nam Eun Soo,Kwon Yong-hwan,AHN Ho Kyun,KIM Seong Il,LEE Jong Min,LIM Jong-Won,KANG Dong Min,LEE Sang-Heung,DO Jae Won,CHO Kyu Jun,JUNG Hyun Wook. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2017-08-17.

Gallium Nitride High-Electron Mobility Transistors with Deep Implanted P-Type Layers in Silicon Carbide Substrates for Power Switching and Radio Frequency Applications and Process for Making the Same

Номер патента: US20190229187A1. Автор: Smith Thomas,Sriram Saptharishi. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

SURFACE TREATMENT AND PASSIVATION FOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20210265486A1. Автор: TSAI Cheng-Yuan,Chiu Han-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

High Electron Mobility Transistor Structure and Method of Making the Same

Номер патента: US20190245046A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICES AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190252505A1. Автор: Lin Hsin-Chih,Lin Yung-Hao,LIN Shin-Cheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2019-08-15.

Surface Treatment and Passivation for High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20170263729A1. Автор: TSAI Cheng-Yuan,Chiu Han-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

High Electron Mobility Transistor Structure and Method of Making the Same

Номер патента: US20170338316A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Epitaxial structure for high-electron-mobility transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200350426A1. Автор: Nien-Tze Yeh,Yutao Fang,Boting Liu,Kaixuan Zhang. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Gallium Nitride High-Electron Mobility Transistors with Deep Implanted P-Type Layers in Silicon Carbide Substrates for Power Switching and Radio Frequency Applications and Process for Making the Same

Номер патента: US20170373178A1. Автор: Sriram Saptharishi,Suvorov Alexander,Hallin Christer. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

RF HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS INCLUDING GROUP III-N STRESS NEUTRAL BARRIER LAYERS WITH HIGH BREAKDOWN VOLTAGES

Номер патента: US20200388701A1. Автор: Bader Samuel James,Chaudhuri Reet,Xing Huili Grace,Jena Debdeep,Hickman Austin. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

GALLIUM NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR HAVING HIGH BREAKDOWN VOLTAGE AND FORMATION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20190393300A1. Автор: Li Chen,Zhang Feng,YAN Fawang,ZHAO Beiji,LIU Chunxue. Владелец: Shanghai Simgui Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-12-26.

Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors having a gate contact on a gallium nitride based cap segment

Номер патента: US6548333B2. Автор: Richard Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

Device for measuring high electron mobility transistor

Номер патента: CN114414977A. Автор: 章涛,周春华,林文杰,李思超,陈钰林. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-29.

Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors having a gate contact on a gallium nitride based cap segment and methods of fabricating same

Номер патента: CA2453318A1. Автор: Richard Peter Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

A kind of enhancement type high electron mobility transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN105655395B. Автор: 裴轶. Владелец: SUZHOU JIEXINWEI SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

High-electron-mobility transistors

Номер патента: US9306014B1. Автор: Jamal Ramdani,Alexey Kudymov,Linlin Liu. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220416070A1. Автор: Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Woochul Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

High electron mobility transistor with gate electrode below the channel

Номер патента: US20230197842A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Cezar Bogdan Zota,Eunjung Cha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

pseudomorphic high electron mobility transistor for suppressing negative differential resistance and method for producing the same

Номер патента: KR100554967B1. Автор: 이진구,오정훈,전병철,설우석,김삼동. Владелец: 김삼동. Дата публикации: 2006-03-03.

PSEUDOMORPHIC HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (pHEMT) COMPRISING LOW TEMPERATURE BUFFER LAYER

Номер патента: US20130285119A1. Автор: Phil Marsh,Hans G. Rohdin,Nate PERKINS,Jonathan Abrokwah,John Stanback. Владелец: Avago Technologies Wireless IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

High electron mobility transistors and power amplifiers including said transistors having improved performance and reliability

Номер патента: EP3984068A1. Автор: Bruce Schmukler,Evan Jones,Scott Sheppard,Jeremy Fisher,Fabian Radulescu,Terry Alcorn,Kyle BOTHE,Chris Hardiman,Dan Namishia. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

High electron mobility transistors and power amplifiers including said transistors having improved performance and reliability

Номер патента: US20200395475A1. Автор: Bruce Schmukler,Evan Jones,Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Terry Alcorn,Kyle BOTHE,Chris Hardiman,Dan Namishia. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device including a high-electron-mobility transistor (hemt) and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170229480A1. Автор: Jun-De JIN,Kuan-Chi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Bidirectional normally-off III-V high electron mobility transistor (HEMT)devices and circuits

Номер патента: US09960157B2. Автор: Gerhard Prechtl,Bernhard Zojer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-01.

STRUCTURES FOR A HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR AND RELATED METHODS

Номер патента: US20210351286A1. Автор: LEI Jiacheng,JERRY JOSEPH James,SUSAI Lawrence Selvaraj. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

METHOD OF FORMING A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20160359015A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,CHEN Po-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for forming fluorine doped high electron mobility transistor (HEMT) devices

Номер патента: US11545567B2. Автор: Chih-Yen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-01-03.

High electron mobility transistors

Номер патента: US20160359034A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

High electron mobility transistor with indium gallium nitride layer

Номер патента: TW201232776A. Автор: Paul Saunier. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-01.

High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20190013399A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20220052166A1. Автор: Hou Chun-Liang,Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming,Yeh Chih-Tung,Hsu Yi-Shan,Lee Ruey-Chyr. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150054035A1. Автор: Hong-Pyo HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-26.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210057561A1. Автор: SUN Chien-Jen,HSIEH Chi-Feng,WANG Tuan-Wei. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2021-02-25.

ENHANCEMENT MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210066484A1. Автор: Huang Shin-Chuan,Hou Chun-Liang,Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming,CHEN Bo-Rong,Yeh Chih-Tung. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

High-Electron-Mobility Transistor Having a Buried Field Plate

Номер патента: US20160071967A1. Автор: Prechtl Gerhard,Haeberlen Oliver,Ostermaier Clemens. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR WITH INDIUM NITRIDE LAYER

Номер патента: US20160071969A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,Lee Ru-Liang,CHIANG Chen-Hao,CHING Min-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

NORMALLY-OFF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND FABRICATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20170154987A1. Автор: TU Shang-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20170170295A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20190198651A1. Автор: SHIBIB Ayman,TERRILL Kyle. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210249529A1. Автор: LU Shui-Yen,Chang Ming-Hua,Su Po-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

GALLIUM NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND GATE STRUCTURE THEREOF

Номер патента: US20200212173A1. Автор: Liu Chu-Kuang,Yang Hung-Kun. Владелец: EXCELLIANCE MOS CORPORATION. Дата публикации: 2020-07-02.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20160233326A1. Автор: LIN Heng-Kuang,YANG Chih-Wei,TUNG Chien-Kai,WANG Hsiang-Chun,CHIU Hsein-chin. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

Spatial terahertz wave phase modulator based on high electron mobility transistor

Номер патента: US20170236912A1. Автор: Yaxin Zhang,Yuncheng Zhao,Shixiong LIANG,Ziqiang YANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-08-17.

High Electron Mobility Transistor with Deep Charge Carrier Gas Contact Structure

Номер патента: US20190280093A1. Автор: Curatola Gilberto,Haeberlen Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20180301528A1. Автор: Chih-Yen Chen. Владелец: Wavetek Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

High-Electron-Mobility Transistor Having a Buried Field Plate

Номер патента: US20170365702A1. Автор: Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-21.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200365699A1. Автор: Chiu Han-Chin,Chang Ming-Hong,Liao Hang,WONG KINGYUEN. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20200373423A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20220376100A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20220376102A1. Автор: KIM Jongseob,OH Jaejoon,HWANG Sunkyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-11-24.

Low noise amplifiers including group III nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: US8829999B2. Автор: Jeremy Fisher. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-09-09.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101813180B1. Автор: 김종섭,황인준,홍기하,신재광,최혁순,하종봉,오재준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-12-29.

High Electron Mobility Transistor and manufacture method thereof

Номер патента: CN103579299B. Автор: 杨宗谕,黄宗义,邱建维,黄智方,张庭辅. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-04-13.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103579299A. Автор: 杨宗谕,黄宗义,邱建维,黄智方,张庭辅. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-02-12.

Structure of high electron mobility transistor growth on si substrate and the method thereof

Номер патента: US20130049070A1. Автор: Edward Yi Chang,Yueh-Chin Lin,Shih-Hsuan Tang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-28.

Structure of high electron mobility transistor growth on Si substrate and the method thereof

Номер патента: US8796117B2. Автор: Edward Yi Chang,Yueh-Chin Lin,Shih-Hsuan Tang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-08-05.

High electron mobility transistor and method for manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: WO2019163163A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-08-29.

Method for making integrated heterojunction bipolar/high electron mobility transistor

Номер патента: US5920773A. Автор: Julia J. Brown,Madjid Hafizi,William E. Stanchina. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Pseudomorphic high electron mobility transistor comprising doped low temperature buffer layer

Номер патента: US20140138746A1. Автор: Hans G. Rohdin,Nathan Perkins,Jonathan Abrokwah,John Stanback,Philbert Marsh. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

A heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: US20200203521A1. Автор: Olof Kordina,Jr-Tai Chen. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2020-06-25.

A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20200176593A1. Автор: Derluyn Joff. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Method of manufacturing a high electron mobility transistor

Номер патента: US6689652B2. Автор: Mayumi Morizuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FINFET)

Номер патента: US20200251582A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

High electron mobility transistor (HEMT) capable of absorbing a stored hole more efficiently and method for manufacturing the same

Номер патента: US09484429B2. Автор: Mayumi Morizuka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Electronic component with a high-electron-mobility heterojunction

Номер патента: US20200066891A1. Автор: Erwan Morvan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-02-27.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20160268411A1. Автор: Nakata Ken. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) SEMICONDUCTOR DEVICES WITH REDUCED DYNAMIC RESISTANCE

Номер патента: US20210013336A1. Автор: Jeon Woochul,Salih Ali,Vaughan-Edmunds Llewellyn. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2021-01-14.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) HAVING AN INDIUM-CONTAINING LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210050209A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Hsu Chung-Chieh,Liu Po-Chun,CHIANG Chen-Hao,CHING Min-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) WITH A BACK BARRIER LAYER

Номер патента: US20220140123A1. Автор: CHEN CHING-YU,Yeh Chia-Ling,Lin Yu-Shine,XIE Jiang-He,MOHANTA Pravanshu. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20180166565A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Chen Kuei-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-06-14.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT)

Номер патента: US20170179271A1. Автор: Yang Long,Fenwick William,Lee Dong. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) HAVING AN INDIUM-CONTAINING LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150236146A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Hsu Chung-Chieh,Liu Po-Chun,CHIANG Chen-Hao,CHING Min-Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-08-20.

High electron mobility transistor (HEMT) having an indium-containing layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11551927B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chung-Chieh Hsu,Chen-Hao Chiang,Min-Chang CHING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-10.

Monolithic cascode multi-channel high electron mobility transistors

Номер патента: US20240079484A1. Автор: Ming Xiao,Yuhao ZHANG. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

High electron mobility transistor, field-effect transistor, epitaxial substrate, method of manufacturing epitaxial substrate, and method of manufacturing group iii nitride transistor

Номер патента: TW200705659A. Автор: Takashi Sakurada,Makoto Kiyama,Shin Hashimoto,Tatsuya Tanabe,Tomihito Miyazaki,Kouhei Miura. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2007-02-01.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD AND HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20180197737A1. Автор: Kinoshita Hiroyuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2018-07-12.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING BOTH ENHANCEMENT MODE GROUP III-N HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND DEPLETION MODE GROUP III-N HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20210351288A1. Автор: Logan John,Hwang Kiuchul,Schultz Brian D.,Thomidis Christos. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2021-11-11.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING BOTH ENHANCEMENT MODE GROUP III-N HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND DEPLETION MODE GROUP III-N HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20200328296A1. Автор: Logan John,Hwang Kiuchul,Schultz Brian D.,Thomidis Christos. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2020-10-15.

High electron mobility transistor and method of manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: JP6668597B2. Автор: 健 中田. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-18.

High electron mobility transistor and method of manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: JP6746887B2. Автор: 健 中田. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-08-26.

N-face high electron mobility transistors with low buffer leakage and low parasitic resistance

Номер патента: TW200905876A. Автор: Yi Pei,Umesh K Mishra,Siddharth Rajan,Man Hoi Wong. Владелец: Univ California. Дата публикации: 2009-02-01.

High electron-mobility transistor

Номер патента: US09865720B2. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

High electron mobility transistor and method of forming the same using atomic layer deposition technique

Номер патента: US09685548B2. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210013334A1. Автор: Huang Shin-Chuan,Hou Chun-Liang,Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming,CHEN Bo-Rong,Yeh Chih-Tung. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210036138A1. Автор: Hou Chun-Liang,Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

III-NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20190051741A1. Автор: TUNG Chien-Kai,FENG Tien Ching. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

HIGH ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20170054015A1. Автор: Nakata Ken. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2017-02-23.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210066487A1. Автор: Wang Yu-Ren,WANG Yu-Chi,Hsu Yu-Ming,Chen Yen-Hsing,Yang Tsung-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

METHOD OF FORMING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20170077255A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Tsai Chun-Lin. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20220140124A1. Автор: Huang Shin-Chuan,Hou Chun-Liang,Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming,CHEN Bo-Rong,Yeh Chih-Tung. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2022-05-05.

High Electron Mobility Transistor with Periodically Carbon Doped Gallium Nitride

Номер патента: US20160099345A1. Автор: Ramer Jeffrey Craig,Knieriem Karl. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210098601A1. Автор: Hou Chun-Liang,Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming,Yeh Chih-Tung,Huang Che-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND PROCESS TO FORM THE SAME

Номер патента: US20160149024A1. Автор: Makabe Isao. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2016-05-26.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210193824A1. Автор: Hou Chun-Liang,Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

METHODS OF MANUFACTURING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20150221746A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,Hong Ki-ha,KIM Ki-Won,LEE Jung-hee,IM Ki-sik,KIM Dong-seok. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

High Electron Mobility Transistors Having Improved Reliability

Номер патента: US20150236122A1. Автор: Fan Ren,Stephen John Pearton,Jihyun Kim. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

INDIUM-CONTAINING CONTACT AND BARRIER LAYER FOR III-NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20150255589A1. Автор: Fenwick William. Владелец: TOSHIBA CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-10.

Enhancement-mode High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20200235218A1. Автор: Posthuma Niels,Stoffels Steve,De Jaeger Brice. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20190252510A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Access Conductivity Enhanced High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20160276473A1. Автор: Zhang Xinyu,ZHU Yan,Edwards Andrew Paul. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

TRENCH HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20140367695A1. Автор: Barlow Stephen P.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR WITH INDIUM NITRIDE LAYER

Номер патента: US20160284827A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,Lee Ru-Liang,CHIANG Chen-Hao,CHING Min-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20180277646A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

METHOD OF FORMING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20150349087A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

GALLIUM NITRIDE HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH P-TYPE LAYERS AND PROCESS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20170373176A1. Автор: Sriram Saptharishi. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040061130A1. Автор: Mayumi Morizuka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

High electron mobility transistor and manufacturing method of the same

Номер патента: JP2017168627A. Автор: Takeshi Nakada,健 中田,剛志 河内,Takeshi Kouchi,勇夫 眞壁,Isao Makabe,圭一 由比,Keiichi Yui. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Manufacturing method of high electron mobility transistor

Номер патента: US9355841B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Akihito Ohno,Atsushi ERA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

High electron mobility transistor

Номер патента: JP2822547B2. Автор: 康己 彦坂. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-11-11.

Contact metallurgy for self-aligned high electron mobility transistor

Номер патента: US9276077B2. Автор: Anirban Basu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-01.

Method of forming high electron mobility transistor

Номер патента: US9985103B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU,Chun-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Gallium nitride high electron mobility transistor structure

Номер патента: KR101157921B1. Автор: 윌리엄 이. 호크,존 제이. 모스카. Владелец: 레이티언 캄파니. Дата публикации: 2012-06-22.

Heterostructure for high electron mobility transistors and method of producing the same

Номер патента: CN111164733A. Автор: 陈志泰,奥洛夫·科迪纳. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2020-05-15.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220093778A1. Автор: Wang Yu-Ren,Hsu Yu-Ming,Chen Yen-Hsing,Yang Tsung-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Manufacturing method for high-electron-mobility transistor

Номер патента: US10811261B2. Автор: Ming-Wei Tsai,Ming-Cheng Lin,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

High-electron-mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US11011380B2. Автор: Ming-Wei Tsai,Ming-Cheng Lin,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

High Electron Mobility Transistor and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20110156100A1. Автор: Chien-I Kuo,Edward Yi Chang,Heng-Tung Hsu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2011-06-30.

Epitaxial oxide high electron mobility transistor

Номер патента: US20230141076A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

InGaAs/GaAs high electron mobility transistor

Номер патента: US6953955B2. Автор: Wei-Chou Hsu,Ching-Sung Lee. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2005-10-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136423A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Integrated circuit with high electron mobility transistor

Номер патента: GB2412238A. Автор: Chul Hong Park. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-09-21.

A STRUCTURE FOR INCREASING MOBILITY IN A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20190348532A1. Автор: Keller Stacia,Mishra Umesh K.,LI Haoran,Zheng Xun,Ahmadi Elaheh,Guidry Matthew,Romanczyk Brian,Wienecke Steven. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2019-11-14.

Method of fabricating a high electron mobility transistor and fabricated transistor

Номер патента: DE102020214767A1. Автор: Hans-Joachim Würfl,Elke Meissner. Владелец: Ferdinand Braun Institut GgmbH Leibniz Inst Fuer Hoechstfrequenztechnik. Дата публикации: 2022-05-25.

High Electron Mobility Transistor (HEMT), Transistor Assembly, Method of Controlling a HEMT, and Method of Making a HEMT

Номер патента: DE102021201791A1. Автор: Fabian LOFINK,Bernhard Wagner,Holger Kapels,Simon Fichtner. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2022-08-25.

ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR INCLUDING A GATE ELECTRODE

Номер патента: US20200044067A1. Автор: Banerjee Abhishek,Moens Peter,VANMEERBEEK Piet. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2020-02-06.

Electronic Device Including a High Electron Mobility Transistor and a Diode

Номер патента: US20210225836A1. Автор: ROIG-GUITART Jaume,Mouhoubi Samir. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2021-07-22.

METHOD OF FORMING A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20150087118A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,CHIANG Chen-Hao,Chiu Han-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

Process of forming high electron mobility transistor (hemt) and hemt formed by the same

Номер патента: US20210167188A1. Автор: Tadashi Watanabe,Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

PROCESS OF FORMING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) AND HEMT FORMED BY THE SAME

Номер патента: US20200312982A1. Автор: WATANABE Tadashi,Matsuda Hajime. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.. Дата публикации: 2020-10-01.

Process of forming high electron mobility transistor (HEMT) and HEMT formed by the same

Номер патента: US10686053B2. Автор: Tadashi Watanabe,Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-06-16.

High electron mobility transistor (hemt) and fabrication method therefor

Номер патента: EP3955313B1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

High-electron-mobility transistor (HEMT) capable of protecting a III-V compound layer

Номер патента: US09941398B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yu-Syuan Lin,Han-Chin Chiu,Yao-Chung Chang,Sheng-De Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Group III Nitride High Electron Mobility Transistor (HEMT) Device

Номер патента: US20140319584A1. Автор: Dong Zhihua,Cai Yong,YU Guohao,Zhang Baoshun. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) AND A METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160372588A1. Автор: Mizuno Shinya. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.. Дата публикации: 2016-12-22.

III-nitride high electron mobility transistor (HEMT) with barrier / spacer layer

Номер патента: JP2005509274A. Автор: ウー，イーフェン,ミシュラ，ウメシュ,ヴァルキーヴィチュ，ヴラディスロウ,シャヴァーカー，プラシャント,スモルキコヴァ，イオウリア・ピー,ケラー，スタシア. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-04-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE, HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) AND METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: US20150041825A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,Chen Xiaomeng,CHIANG Chen-Hao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-02-12.

Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors (HEMTs) Having Reduced Current Collapse And Power Added Efficiency Enhancement

Номер патента: US20210202729A1. Автор: Logan John,Torabi Abbas,Schultz Brian D.. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2021-07-01.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) DEVICE

Номер патента: US20190237570A1. Автор: III Edward A.,Beam,Xie Jinqiao. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

High-electron-mobility transistor (hemt) capable of protecting iii-v compound layer

Номер патента: US20170271492A1. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yu-Syuan Lin,Han-Chin Chiu,Yao-Chung Chang,Sheng-De Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

High electron mobility transistor (hemt) device

Номер патента: US20170294529A1. Автор: Jinqiao Xie,Edward A. Beam, III. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20170365700A1. Автор: III Edward A.,Beam,Xie Jinqiao. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

High electron mobility transistor (HEMT) made of layers of Group XIII element nitrides and manufacturing method thereof

Номер патента: US8754449B2. Автор: Robert Dwilinski,Roman Doradzinski,Jerzy Garczynski,Yasuo Kanbara,Leszek P. Sierzputowski. Владелец: Ammono Sp zoo. Дата публикации: 2014-06-17.

High electron mobility transistor (HEMT) substrate

Номер патента: JP5309395B2. Автор: ロベルト ドヴィリニスキ,ロマン ドラジニスキ,イエジ ガルチニスキ,レシェック ペ シェシュプトフスキ,ヤスオ カンバラ. Владелец: Ammono Sp zoo. Дата публикации: 2013-10-09.

High-electron-mobility transistor (HEMT) structure capable of protecting a III-V compound layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US10269948B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yu-Syuan Lin,Han-Chin Chiu,Yao-Chung Chang,Sheng-De Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

High electron mobility transistor (HEMT) device

Номер патента: US10734512B2. Автор: Jinqiao Xie,Edward A. Beam, III. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2020-08-04.

Group-III nitride based high electron mobility transistor (HEMT) with barrier/spacer layer

Номер патента: EP2282346A3. Автор: Umesh Mishra,Yifeng Wu,Stacia Keller,Prashant Chavarkar,Ioulia P. Smorchkova,Wladyslaw Walukiewicz. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-04-27.

High electron mobility transistor (hemt) made of layers of group xiii element nitrides and manufacturing method thereof.

Номер патента: WO2005122232A1. Автор: Robert Dwilinski,Roman Doradzinski,Jerzy Garczynski,Yasuo Kanbara,Leszek P. Sierzputowski. Владелец: Ammono Sp. Z O.O.. Дата публикации: 2005-12-22.

Gallium nitride high electron mobility transistors (hemts) having reduced current collapse and power added efficiency enhancement

Номер патента: EP4082044A1. Автор: John Logan,Brian D. Schultz,Abbas Torabi. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-11-02.

A HIGH ELECTRON MOBILITY DEVICE BASED ON THE GATE-FIRST PROCESS AND THE PRODUCTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20150333141A1. Автор: ZHANG Wei,Wang Pengfei,Liu Xiaoyong,Sun Qingqing,Zhou Peng. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

High electron mobility transistor, radio frequency transistor, power amplifier, and method for preparing high electron mobility transistor

Номер патента: EP4407688A4. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

High electron mobility transistor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11881478B2. Автор: Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor structure having both enhancement mode group iii-n high electron mobility transistors and depletion mode group iii-n high electron mobility transistors

Номер патента: US20210351288A1. Автор: John Logan,Brian D. Schultz,Kiuchul Hwang,Christos THOMIDIS. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-11-11.

High-electron mobility transistor with zinc oxide

Номер патента: US7105868B2. Автор: Shanthi Ganesan,Jeff Nause. Владелец: Cermet Inc. Дата публикации: 2006-09-12.

Nitride high electron mobility transistor wafer and manufacturing method of the nitride high electron mobility transistor wafer

Номер патента: KR102391923B1. Автор: 이호준,이태돈,조영우,송문규,박경욱,송현돈,배석태,남대호. Владелец: 주식회사 에이프로세미콘. Дата публикации: 2022-04-28.

High-electron-mobility transistor employing gate first process and manufacturing method for the transistor

Номер патента: WO2014154120A1. Автор: 王鹏飞,张卫,孙清清,周鹏,刘晓勇. Владелец: 复旦大学. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor structure having both enhancement mode group iii-n high electron mobility transistors and depletion mode group iii-n high electron mobility transistors

Номер патента: SG11202106757RA. Автор: John Logan,Kiuchul Hwang,Christos THOMIDIS,Brian D Schultz. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor structure having both enhancement mode group iii-n high electron mobility transistors and depletion mode group iii-n high electron mobility transistors

Номер патента: EP3953973A1. Автор: John Logan,Brian D. Schultz,Kiuchul Hwang,Christos THOMIDIS. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-02-16.

Semiconductor structure having both enhancement mode group iii-n high electron mobility transistors and depletion mode group iii-n high electron mobility transistors

Номер патента: WO2020209971A1. Автор: John Logan,Brian D. Schultz,Kiuchul Hwang,Christos THOMIDIS. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2020-10-15.

DAMAGE-FREE PLASMA-ENHANCED CVD PASSIVATION OF AlGaN/GaN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: WO2017200827A8. Автор: Karl D. Hobart,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson,Marko J. Tadjer. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2018-07-12.

High electron mobility transistor and electronic device including the same

Номер патента: US20240274689A1. Автор: Boram Kim,Sunkyu Hwang,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

High Electron Mobility Transistor with Graded Back-Barrier Region

Номер патента: US20180138304A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-17.

Methods of forming films including scandium at low temperatures using chemical vapor deposition to provide piezoelectric resonator devices and/or high electron mobility transistor devices

Номер патента: US12102010B2. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Damage-free plasma-enhanced CVD passivation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Номер патента: US09960266B2. Автор: Karl D. Hobart,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson,Marko J. Tadjer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-05-01.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US09876093B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Lateral High Electron Mobility Transistor With Schottky Junction

Номер патента: US20130264580A1. Автор: Hirler Franz,Zundel Markus. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20220037516A1. Автор: Chen Chih-Yen,LUMBANTORUAN Franky Juanda. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2022-02-03.

High Electron Mobility Transistor ESD Protection Structures

Номер патента: US20200035666A1. Автор: Shibib Muhammed Ayman,Liao Chungchi Gina. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

METHOD OF MAKING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20150056766A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

COMPOSITIONALLY GRADED NITRIDE-BASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20140167058A1. Автор: Cao Yu,Johnson Wayne,Laboutin Oleg. Владелец: IQE, KC, LLC. Дата публикации: 2014-06-19.

High Electron Mobility Transistor and Method of Forming the Same

Номер патента: US20140191240A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

GROUP III NITRIDE BASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20200105915A1. Автор: LIN Kaixin Vivian,Tripathy Sudhiranjan,Manippady Krishna Kumar,Bin Dolmanan Surani,Tan Hui Ru. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2020-04-02.

High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20140203289A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20220278222A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20220278223A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

REVERSE DIRECTION HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR CIRCUIT

Номер патента: US20200126970A1. Автор: Whitney David L.,Del Arroz Manuel M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

MANUFACTURING METHOD OF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20200127115A1. Автор: Shih Ying-Ru,Chiu Hsien-Chin. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-04-23.

STRUCTURE FOR A GALLIUM NITRIDE (GaN) HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20160141404A1. Автор: Wong King-Yuen,TSAI Ming-Wei,Chiu Han-Chin,Liu Sheng-de. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

High Electron Mobility Transistor with Graded Back-Barrier Region

Номер патента: US20180138304A1. Автор: Curatola Gilberto. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210175343A1. Автор: Huang Shin-Chuan,Hou Chun-Liang,Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming,CHEN Bo-Rong,Yeh Chih-Tung,Hsu Yi-Shan,Huang Che-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140231816A1. Автор: Wong King-Yuen,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,Chiu Han-Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-21.

METHOD OF FABRICATING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20220293747A1. Автор: LIN Yung-Fong,CHOU Yu-Chieh,Hsieh Ting-En. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2022-09-15.

High Electron Mobility Transistor and Method of Forming the Same

Номер патента: US20180151692A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Chiu Han-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

LATERAL HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR WITH INTEGRATED CLAMP DIODE

Номер патента: US20180158917A1. Автор: Odnoblyudov Vladimir,Aktas Ozgur. Владелец: QROMIS, Inc.. Дата публикации: 2018-06-07.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20180158940A1. Автор: SHIBIB Ayman,TERRILL Kyle. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH LOCALIZED SUB-FIN ISOLATION

Номер патента: US20180158957A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Murthy Anand S.,Mohapatra Chandra S.,Rahhal-Orabi Nadia M.,GARDNER Sanaz K.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20140253241A1. Автор: Lee Jae-Hoon,Lee Nam-Young,PARK Chan-Ho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-11.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20220310824A1. Автор: YANG PO-YU. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20220310833A1. Автор: Park Younghwan,KIM Boram,KIM Jongseob,OH Jaejoon,CHONG Soogine,HWANG Sunkyu,SHIN Dongchul,KIM Joonyong,PARK Junhyuk,HWANG Injun,YU Minchul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-09-29.

ENHANCEMENT-MODE HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210202728A1. Автор: Nongaillard Matthieu,Oheix Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

High Electron Mobility Transistor with Multiple Channels

Номер патента: US20140266324A1. Автор: Teo Koon Hoo,Ma Rui,Feng Peijie. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

GALLIUM NITRIDE BASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR INCLUDING AN ALUMINUM GALLIUM NITRIDE BARRIER LAYER

Номер патента: US20160190296A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,Brown Richard J.,Bour David P.,Romano Linda,Prunty Thomas R.,Edwards Andrew P.,Raj Madhan M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

DOPED GALLIUM NITRIDE HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20150200287A1. Автор: III Edward A.,Beam,Xie Jinqiao. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2015-07-16.

High Electron Mobility Transistor with Carrier Injection Mitigation Gate Structure

Номер патента: US20170200817A1. Автор: Curatola Gilberto,Prechtl Gerhard,Haeberlen Oliver,Ostermaier Clemens. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150221745A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,Hong Ki-ha. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

High Electron Mobility Transistor and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20200203502A1. Автор: Wong Roy,Chiu Han-Chin,Zhou David,Chang Ming-Hong,Zhang Jinhan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20190207012A1. Автор: CHOU Yu-Chieh,Lin Yung-Fung. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2019-07-04.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210249528A1. Автор: Wang Yu-Ren,Hsu Yu-Ming,Chen Yen-Hsing,Yang Tsung-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

METHOD OF MANUFACTURING GATE STRUCTURE FOR GALLIUM NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20200212197A1. Автор: Liu Chu-Kuang,Yang Hung-Kun. Владелец: EXCELLIANCE MOS CORPORATION. Дата публикации: 2020-07-02.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR WITH INDIUM NITRIDE LAYER

Номер патента: US20150236101A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,Lee Ru-Liang,CHIANG Chen-Hao,CHING Min-Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-08-20.

High Electron Mobility Transistor and Method of Forming the Same

Номер патента: US20140319583A1. Автор: Wong King-Yuen,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,Chiu Han-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

Номер патента: US20200219987A1. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyoung-Keun Lee. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140332822A1. Автор: TAKEYA Motonobu. Владелец: SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2014-11-13.

METHODS OF FORMING FILMS INCLUDING SCANDIUM AT LOW TEMPERATURES USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION TO PROVIDE PIEZOELECTRIC RESONATOR DEVICES AND/OR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20210280634A1. Автор: Moe Craig,Leathersich Jeffrey M.. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210336042A1. Автор: Derluyn Joff. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-28.

High Electron Mobility Transistor and Method of Forming the Same

Номер патента: US20160293723A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR HAVING A BORON NITRIDE ALLOY INTERLAYER AND METHOD OF PRODUCTION

Номер патента: US20200273973A1. Автор: Li Xiaohang. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH IMPROVED HEAT DISSIPATION

Номер патента: US20170294528A1. Автор: Ren Fan,Pearton Stephen John,Law Mark E.,Hwang Ya-Hsi. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20180308925A1. Автор: Chen Chih-Yen,Yang Hsien-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR WITH REVERSE ARRANGEMENT OF CHANNEL LAYER AND BARRIER LAYER

Номер патента: US20190334023A1. Автор: Nakata Ken. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS,INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20160359034A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,CHIANG Chen-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

RESONANT BODY HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20150364669A1. Автор: Rais-Zadeh Mina,Ansari Azadeh. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

High Electron Mobility Transistors and Integrated Circuits with Improved Feature Uniformity and Reduced defects for Microwave and Millimetre Wave Applications

Номер патента: US20150372096A1. Автор: Shih Ishiang,Qiu Chunong,Shih Yi-Chi,Qiu Cindy X.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20180374944A1. Автор: Hobart Karl D.,Kub Francis J.,Wheeler Virginia D.,Anderson Travis J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

ELECTRONIC DEVICE PROVIDED WITH A STACK OF TWO HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS ARRANGED IN A BRIDGE HALF-ARM

Номер патента: US20220359714A1. Автор: Nongaillard Matthieu,Oheix Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

GALLIUM NITRIDE BI-DIRECTIONAL HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR IN SWITCHED-MODE NEUTRAL FORMING DEVICE APPLICATIONS

Номер патента: US20220360187A1. Автор: Harrison Michael J.. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Circuits and group iii-nitride high-electron mobility transistors with buried p-type layers improving overload recovery and process for implementing the same

Номер патента: US20220367696A1. Автор: Saptharishi Sriram,Thomas J. Smith, Jr.,Charles W. Richards, Iv. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

GALLIUM NITRIDE BI-DIRECTIONAL HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR SUBSTRATE VOLTAGE MANAGEMENT CIRCUIT

Номер патента: US20220416784A1. Автор: Harrison Michael J.,Chapman Patrick Lyle,van Antwerpen Christiaan Johannes. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

A kind of high electron mobility transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN109659354A. Автор: 李鹏,王群,胡加辉,郭炳磊,葛永晖,吕蒙普. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-19.

High-linearity enhanced gallium nitride high-electron-mobility transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN111969046A. Автор: 刘志宏,郝跃,王泽宇,张进成,郝璐,蔡鸣,周弘,赵胜雷,张苇杭,段小玲. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-11-20.

Indium gallium nitride channel high electron mobility transistors, and method of making the same

Номер патента: KR100863762B1. Автор: 레드윙존엠,피너에드윈엘. Владелец: 크리, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-10-16.

GaN-based high electron mobility transistor and method for making the same

Номер патента: US20060226442A1. Автор: An-Ping Zhang,James Kretchmer,Edmund Kaminsky. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

High electron mobility transistor

Номер патента: WO2019176138A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-09-19.

GaN/AIGaN/GaN dispersion-free high electron mobility transistors

Номер патента: US20050077541A1. Автор: Sten Heikman,Umesh Mishra,Likun Shen. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2005-04-14.

Enhancement-mode group III-n high electronic mobility transistor with reverse polarization cap

Номер патента: CN103930995A. Автор: 萨恩迪普·巴尔. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-07-16.

High electron mobility transistors with localized sub-fin isolation

Номер патента: US10431690B2. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Sanaz K. Gardner,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Nadia M. Rahhal-Orabi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-01.

High electron mobility transistor and power amplifier

Номер патента: US6489628B1. Автор: Mayumi Morizuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-12-03.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2005527102A. Автор: ウー イーフェン,パリーク プリミット,ミシュラ ウメシュ. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-09-08.

Normally off nitride high electron mobility transistor and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR101008272B1. Автор: 한철구,최홍구. Владелец: 전자부품연구원. Дата публикации: 2011-01-13.

High electron mobility transistors device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101306591B1. Автор: 곽준섭,오승규,송치균. Владелец: 순천대학교 산학협력단. Дата публикации: 2013-09-11.

GaN/AlGaN/GaN dispersion-free high electron mobility transistors

Номер патента: US7700973B2. Автор: Likun Shen,Umesh Kumar Mishra,Sten Johan Heikman. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2010-04-20.

Gan-based high electron mobility transistor and method for making the same

Номер патента: EP1872408A4. Автор: An-Ping Zhang,James Kretchmer,Edmund Kaminsky. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 2009-11-18.

High electron mobility transistor

Номер патента: WO2006096249A3. Автор: Adam William Saxler. Владелец: Adam William Saxler. Дата публикации: 2009-04-09.

A kind of preparation method of enhanced AlGaN/GaN high electron mobility transistor

Номер патента: CN105789047B. Автор: 马平,王军喜,李晋闽,张烁,刘波亭,吴冬雪. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2018-12-18.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: TWI786422B. Автор: 黎子蘭. Владелец: 大陸商廣東致能科技有限公司. Дата публикации: 2022-12-11.

Method of forming a high electron mobility semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09543291B2. Автор: Peter Moens,Jaume Roig Guitart. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of forming a high electron mobility semiconductor device and structure therefor

Номер патента: EP2779246A3. Автор: Jaume Roig-Guitart,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-29.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20210091219A1. Автор: Patti Davide Giuseppe. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

Anti-barrier-conduction (abc) spacers for high electron-mobility transistors (hemts)

Номер патента: US20190267480A1. Автор: Keun-Yong BAN,Ashok T. Ramu. Владелец: Duet Microelectronics Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

METHOD OF FORMING A HIGH ELECTRON MOBILITY SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE THEREFOR

Номер патента: US20160118377A1. Автор: Roig Guitart Jaume,Moens Peter. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2016-04-28.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12068408B2. Автор: Olivier Trescases,Jaume Roig-Guitart,Peter Moens,Herbert DE VLEESCHOUWER,Mohammad Shawkat ZAMAN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor in switched mode power converter applications

Номер патента: WO2022271618A1. Автор: Michael J. Harrison. Владелец: Enphase Energy, Inc.. Дата публикации: 2022-12-29.

Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor in switched mode power converter applications

Номер патента: US12088210B2. Автор: Michael J. Harrison. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

DEVICE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR IMPROVING THE DISADVANTAGES OF P-GAN GATE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20220029008A1. Автор: YANG Chun-Chieh,Lai Yu-Chen,Hsin Yue-Ming,ZHONG Yi-Nan. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-27.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20190067430A1. Автор: Lin Hsin-Chih,Lin Yung-Hao,LIN Shin-Cheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2019-02-28.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICES AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190067431A1. Автор: Lin Hsin-Chih,Lin Yung-Hao,LIN Shin-Cheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2019-02-28.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150087142A1. Автор: Kim Seong-il,Yoon Hyung Sup,Nam Eun Soo,CHANG Woo Jin,AHN Ho Kyun,BAE Sung Bum,JU Chull Won,PARK Young Rak,MUN Jae Kyoung,LIM Jong-Won,KANG Dong Min,LEE Sang-Heung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2015-03-26.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20160211330A1. Автор: Li Zhen-Yu,Kuo Hao-Chung,TZOU An-Jye,CHANG Chunyen. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-07-21.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20200251583A1. Автор: Chiang Huai-Tzu,Lin Sheng-Hao,Liu Kuan-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATION HAVING REDUCED GATE LENGTH AND LEAK CURRENT

Номер патента: US20190334022A1. Автор: Charles Matthew,Buckley Julien,TORRES Alphonse. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2019-10-31.

GaN-based groove insulated gate enhanced high electron mobility transistor based on negative capacitance medium

Номер патента: CN107170822B. Автор: 马晓华,祝杰杰,陈丽香,刘捷龙. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-04-28.

Method for manufacturing composite gate dielectric GaN-based insulated gate high electron mobility transistor

Номер патента: CN106373884B. Автор: 侯斌,马晓华,郝跃,杨凌,祝杰杰. Владелец: Xian University of Electronic Science and Technology. Дата публикации: 2019-12-24.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT)

Номер патента: US20210020767A1. Автор: Chiang Huai-Tzu,Lin Sheng-Hao,Liu Kuan-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

High electron mobility transistor (HEMT) structure with refractory gate metal

Номер патента: US7411226B2. Автор: Po-Hsin Liu,Ronald Grundbacher,Richard Lai,Yeong-Chang Choug,Denise L. Leung. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2008-08-12.

Detection sensor comprising a selective high-electron-mobility transistor for detecting a gaseous or liquid component

Номер патента: US11408322B2. Автор: Vincent Aubry,Abdallah Ougazzaden,Yacine Halfaya,Paul Voss,Chris Bishop,Jean-Paul Salvestini. Владелец: Georgia Tech Lorraine. Дата публикации: 2022-08-09.

Multi-function power control circuit using enhancement mode gallium nitride (gan) high electron mobility transistors (hemts)

Номер патента: US20170170731A1. Автор: Anthony G.P. Marini,James L. Larrauri,Simon P. Wainwright,Max Zafrani. Владелец: Freebird Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

High power pseudomorphic gallium arsenide high electron mobility transistors

Номер патента: US5262660A. Автор: Po-Hsin Liu,Dwight C. Streit,Kin L. Tan. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1993-11-16.

An improved structure of a high electron mobility transistor and a fabrication method thereof

Номер патента: TWI481025B. Автор: Shih-Ming Joseph Liu,Cheng Guan Yuan. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2015-04-11.

ENHANCEMENT MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT)

Номер патента: US20190067440A1. Автор: Shrivastava Mayank,Bhat Navakanta,SONI Ankit,RAGHAVAN Srinivasan,Dutta Gupta Sayak. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device with high-electron mobility transistor

Номер патента: US20230327008A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Bogdan Cezar Zota,Eunjung Cha,Katarzyna Hnida-Gut. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device with high-electron mobility transistor

Номер патента: WO2023194825A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Bogdan Cezar Zota,Eunjung Cha,Katarzyna Hnida-Gut. Владелец: Ibm Israel - Science & Technology Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20120274402A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

PSEUDOMORPHIC HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (pHEMT) COMPRISING LOW TEMPERATURE BUFFER LAYER

Номер патента: US20130285119A1. Автор: Phil Marsh,Hans G. Rohdin,Nate PERKINS,Jonathan Abrokwah,John Stanback. Владелец: Avago Technologies Wireless IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210013331A1. Автор: Chen Chih-Yen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2021-01-14.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20160126339A1. Автор: Lee Jae-Hoon,Lee Nam-Young,PARK Chan-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170133496A1. Автор: Wong King-Yuen,TSAI Ming-Wei,Hsiung Chih-Wen,Lin Ming-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200144382A1. Автор: Chen Chih-Wei,Wen Wen-Ying. Владелец: Nuvoton Technology Corporation. Дата публикации: 2020-05-07.

HYBRID HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND ACTIVE MATRIX STRUCTURE

Номер патента: US20190237511A1. Автор: Sadana Devendra K.,Afzali-Ardakani Ali,Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

CONTACT METALLURGY FOR SELF-ALIGNED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20140346566A1. Автор: Basu Anirban. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-27.

HYBRID HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND ACTIVE MATRIX STRUCTURE

Номер патента: US20160315101A1. Автор: Sadana Devendra K.,Afzali-Ardakani Ali,Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Single voltage supply pseudomorphic high electron mobility transistor (phemt) power device and process for manufacturing the same

Номер патента: WO2008041249A1. Автор: Claudio Lanzieri,Simone Lavanga,Marco Peroni,Antonio Cetronio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2008-04-10.

III-nitride semiconductor high electron mobility transistor with enhanced reliability and manufacturing method thereof

Номер патента: CN114141870A. Автор: 张力,陈敬,郑柘炀. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2022-03-04.

Single voltage supply pseudomorphic high electron mobility transistor (phemt) power device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20100102358A1. Автор: Claudio Lanzieri,Simone Lavanga,Marco Peroni,Antonio Cetronio. Владелец: Selex Sistemi Integrati SpA. Дата публикации: 2010-04-29.

High electron mobility transistor with coupled field plate

Номер патента: CN108847422B. Автор: 李志明,李阳,张春伟,岳文静,付小倩. Владелец: University of Jinan. Дата публикации: 2021-08-06.

Laminated gate enhanced GaN high electron mobility transistor containing ferroelectric gate dielectric and preparation method

Номер патента: CN107369704B. Автор: 马晓华,杨凌,祝杰杰,陈丽香,刘捷龙. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2021-01-01.

Insulated gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor with multi-channel fin structure

Номер патента: CN105355657A. Автор: 何云龙,王冲,马晓华,郑雪峰,郝跃,张进成,魏晓晓. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2016-02-24.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND POWER AMPLIFIERS INCLUDING SAID TRANSISTORS HAVING IMPROVED PERFORMANCE AND RELIABILITY

Номер патента: US20210175351A1. Автор: Radulescu Fabian,Namishia Dan,Jones Evan,Sheppard Scott,Alcorn Terry,Bothe Kyle,Hardiman Chris,Schmukler Bruce. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND POWER AMPLIFIERS INCLUDING SAID TRANSISTORS HAVING IMPROVED PERFORMANCE AND RELIABILITY

Номер патента: US20200395475A1. Автор: Radulescu Fabian,Namishia Dan,Jones Evan,Sheppard Scott,Alcorn Terry,Bothe Kyle,Hardiman Chris,Schmukler Bruce. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

A high electron mobility transistor with source and drain electrodes below the channel

Номер патента: WO2023100058A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Eunjung Cha,Bogdan ZOTA. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-06-08.

Multi-gate GaN high electron mobility transistors (HEMTs)

Номер патента: CN102270659B. Автор: 刘新宇,庞磊,王鑫华,王建辉,袁婷婷. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-09-26.

High electron mobility transistors

Номер патента: GB2239557A. Автор: Chun-Woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1991-07-03.

High electron mobility transistor with source and drain electrodes below the channel

Номер патента: US20230178642A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Cezar Bogdan Zota,Eunjung Cha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Group iii nitride-based high electron mobility transistor

Номер патента: US20130256681A1. Автор: Winston Wang,Willie Huang,Ivan Huang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200006543A1. Автор: CHYI Jen-Inn,LIU Chia-Cheng,TU Shang-Ju,CHANG Tsung-Cheng,YANG Ya-Yu,Shen Yu-Jiun. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

HIGH POWER PERFORMANCE GALLIUM NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR WITH LEDGES AND FIELD PLATES

Номер патента: US20200052103A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR WITH HIGH VOLTAGE ENDURANCE CAPABILITY AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20210066481A1. Автор: LI Zilan. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

High Electron Mobility Transistor with Varying Semiconductor Layer

Номер патента: US20190115462A1. Автор: Teo Koon Hoo,Chowdhury Nadim. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

HIGH ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR PRIMARILY MADE OF NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIALS

Номер патента: US20170133499A1. Автор: MIZUE Chihoko. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: KR101856687B1. Автор: 이상민,정희석,정연국,구황섭,김현제. Владелец: (주)웨이비스. Дата публикации: 2018-05-14.

High electron mobility transistor

Номер патента: JP3376078B2. Автор: 健治 今西. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-02-10.

Gallium-nitride-based high-electronic-mobility transistor having semi-insulating layer

Номер патента: CN105762184A. Автор: 李振超,杜江锋. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2016-07-13.

High-electron mobility transistor and manufacturing method for same

Номер патента: CN103681831B. Автор: 赵超,罗军,邓坚,包琦龙. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-02-08.

High-electron-mobility transistor device and preparation method thereof

Номер патента: CN106601805A. Автор: 陈建国,刘美华,林信南. Владелец: Shenzhen Founder Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

Gallium nitride-based high electron mobility transistor

Номер патента: CN108878524B. Автор: 刘勇,汪浩,于奇,辛奇,白智元,杜江锋. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-06-12.

Semiconductor structure and high electron mobility transistor

Номер патента: CN115548087A. Автор: 陈志谚,钒达·卢. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-30.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: KR20170048125A. Автор: 이상민,정희석,정연국,구황섭,김현제. Владелец: 주식회사 기가레인. Дата публикации: 2017-05-08.

Enhancement-mode high-electron-mobility transistor structure

Номер патента: TW201709514A. Автор: 李依晴,徐文慶,黃彥綸,孫健仁. Владелец: 環球晶圓股份有限公司. Дата публикации: 2017-03-01.

High electron mobility transistor with lateral depletion region

Номер патента: CN111682067B. Автор: 张�雄,崔一平,田勇,胡国华. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-25.

Nanowire high-electron-mobility transistor integrating nonpolar GaN and preparation method thereof

Номер патента: CN105161532A. Автор: 李凯,宋伟东,王汝鹏,李述体. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-16.

NOFF III-NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20190067465A1. Автор: SIZOV Victor. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

High electron mobility transistors with improved gates and reduced surface traps

Номер патента: US20150263116A1. Автор: Shih Ishiang,Qiu Chunong,Shih Yi-Chi,Wu Jay-Hsing,Qiu Cindy X.. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Electronic Device Comprising a Die Comprising a High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20200066568A1. Автор: Gordon M. Grivna,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Electronic Device Comprising a Die Comprising a High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20200066568A1. Автор: Grivna Gordon M.,Salih Ali. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Electronic device comprising a die comprising a high electron mobility transistor

Номер патента: US10784140B2. Автор: Gordon M. Grivna,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-09-22.

Method for Producing a Semiconductor Device Comprising a Schottky Diode and a High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20150214327A1. Автор: Decoutere Stefaan,Lenci Silvia. Владелец: IMEC. Дата публикации: 2015-07-30.

PROCESS OF FORMING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) AND HEMT FORMED BY THE SAME

Номер патента: US20190081154A1. Автор: WATANABE Tadashi,Matsuda Hajime. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.. Дата публикации: 2019-03-14.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150008485A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Hong Ki-ha. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

INSULATING STRUCTURE OF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210013335A1. Автор: Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210057562A1. Автор: SUN Chien-Jen,HSIEH Chi-Feng,WANG Tuan-Wei. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2021-02-25.

MANUFACTURING METHOD OF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20160071727A1. Автор: Yamamoto Takahiro,Ohno Akihito,ERA Atsushi. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2016-03-10.

MANUFACTURING METHOD FOR FORMING INSULATING STRUCTURE OF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210074838A1. Автор: Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140151749A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,JEON Woo-chul,PARK Young-hwan,PARK Ki-yeol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-05.

High Electron Mobility Transistor and Method of Forming the Same

Номер патента: US20170092738A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,CHIANG Chen-Hao,Chiu Han-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

High Electron Mobility Transistor with Tunable Threshold Voltage

Номер патента: US20190115463A1. Автор: Teo Koon Hoo,Chowdhury Nadim. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

MANUFACTURING METHOD FOR FORMINGINSULATING STRUCTURE OF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20220293780A1. Автор: Liao Wen-Jung,Chang Chun-Ming. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2022-09-15.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20220310823A1. Автор: CHANG Chia-Ming,SYU Rong-Hao,SONG Chun-Han,LIAO Yu-An. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

ALUMINUM-GALLIUM-NITRIDE COMPOUND/GALLIUM-NITRIDE HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20180182879A1. Автор: REN Chunjiang,CHEN Tangsheng. Владелец: CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION NO. 55 RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2018-06-28.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS WITH HETEROJUNCTION DOPANT DIFFUSION BARRIER

Номер патента: US20180248028A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Kennel Harold W.,Murthy Anand S.,Mohapatra Chandra S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-08-30.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS WITH COUNTER-DOPED DOPANT DIFFUSION BARRIER

Номер патента: US20180254332A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Kennel Harold W.,Murthy Anand S.,Mohapatra Chandra S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-09-06.

ELEMENTAL SEMICONDUCTOR MATERIAL CONTACT FOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20140349449A1. Автор: Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman,Basu Anirban. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-27.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20170271496A1. Автор: Nakata Ken,Yui Keiichi,KOUCHI Tsuyoshi,MAKABE lsao. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2017-09-21.

Damage-Free Plasma-Enhanced CVD Passivation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20170338332A1. Автор: Hobart Karl D.,Anderson Travis J.,Tadjer Marko J.,Koehler Andrew D.. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2017-11-23.

Structure for fabricating high electron mobility transistors utilizing the formation of complaint substrates

Номер патента: US6646293B2. Автор: Rudy M. Emrick,Stephen Kent Rockwell,John E. Holmes. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-11-11.

Method of forming a self-aligned, selectively etched, double recess high electron mobility transistor

Номер патента: US6838325B2. Автор: Colin S. Whelan,Elsa K. Tong. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2005-01-04.

High electron mobility transistor with reduced back gating effect - has active semiconductor overlain with contact strips and on buffer layer partly separated from substrate by insulator

Номер патента: FR2693593A1. Автор: SAITO Junji. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-01-14.

Method of forming a self-aligned, selectively etched, double recess high electron mobility transistor

Номер патента: KR100985214B1. Автор: 콜린 에스 웰란,엘자 케이 통. Владелец: 레이티언 캄파니. Дата публикации: 2010-10-05.

High electron mobility transistor for switch and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR101001222B1. Автор: 한철구,최홍구. Владелец: 전자부품연구원. Дата публикации: 2010-12-15.

Detection sensor having a sensor cell with a high-electron mobility transistor and ring resonator(s)

Номер патента: US11187671B2. Автор: Vincent Aubry,Abdallah Ougazzaden,Yacine Halfaya,Paul Voss,Jean-Paul Salvestini. Владелец: Georgia Tech Lorraine. Дата публикации: 2021-11-30.

Detection sensor having a sensor cell with a high-electron mobility transistor and ring resonator(s)

Номер патента: US20200278315A1. Автор: Vincent Aubry,Abdallah Ougazzaden,Yacine Halfaya,Paul Voss,Jean-Paul Salvestini. Владелец: Georgia Tech Lorraine. Дата публикации: 2020-09-03.

Method for improving cooling performance of GaN high-electron mobility transistor (HEMT) device

Номер патента: CN105140122A. Автор: 周建军,孔岑,郁鑫鑫. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2015-12-09.

High electron mobility transistor (HEMT) and method of fabrication

Номер патента: US09947780B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Robert Chau,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) AND FORMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210020769A1. Автор: Wu Chien-Liang,Kang Chih-Kai,Hsueh Sheng-Yuan,Sheng Yi-Chung,Lee Kuo-Hsing,Huang Guan-Kai. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) AND FORMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220173236A1. Автор: Wu Chien-Liang,Kang Chih-Kai,Hsueh Sheng-Yuan,Sheng Yi-Chung,Lee Kuo-Hsing,Huang Guan-Kai. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2022-06-02.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) AND FORMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220181478A1. Автор: Wu Chien-Liang,Kang Chih-Kai,Hsueh Sheng-Yuan,Sheng Yi-Chung,Lee Kuo-Hsing,Huang Guan-Kai. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for providing a nanoscale, high electron mobility transistor (HEMT) on insulator

Номер патента: US7550758B2. Автор: Darwin G. Enicks. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-06-23.

Method for providing a nanoscale, high electron mobility transistor (HEMT) on insulator

Номер патента: US8173526B2. Автор: Darwin G. Enicks. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Method for providing a nanoscale, high electron mobility transistor (hemt) on insulator

Номер патента: US20090258478A1. Автор: Darwin G. Enicks. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-10-15.

METHOD OF FORMING A HIGH ELECTRON MOBILITY SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE THEREFOR

Номер патента: US20140264453A1. Автор: Moens Peter,ROIG-GUITART Jaume. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

High electron mobility transistor - has lattice mismatched spacer layer between electron supply and electron transfer layers

Номер патента: FR2698722A1. Автор: Kikkawa Toshihide,Ochimizy Hirosato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-06-03.

High electron mobility transistor, method of manufacturing the same and electronic device including transistor

Номер патента: KR102100927B1. Автор: 김선재,김태상,손경석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-05-15.

High electron mobility transistor, method of manufacturing the same and electronic device including transistor

Номер патента: KR20150017040A. Автор: 김선재,김태상,손경석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-02-16.

Semiconductor device, heterojunction bipolar transistor, and high electron mobility transistor

Номер патента: EP0624907A2. Автор: Shigekazu C/O Mitsubishi Denki K.K. Izumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-11-17.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: TW201123444A. Автор: Edward Yi Chang,Chie-Ni Kuo,Heng-Tung Hsu. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2011-07-01.

Structure with photodiode, high electron mobility transistor, surface acoustic wave device and fabricating method of the same

Номер патента: US20240162208A1. Автор: Chih-Wei Chang,Chung-Yi Chiu,Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

High electron mobility transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130175539A1. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Jong-Bong Ha,Ki-ha Hong,Chang-Yong Um. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

MANUFACTURING OF SCALABLE GATE LENGTH HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20130189817A1. Автор: Peroni Marco,Romanini Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-25.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH FIELD PLATE ELECTRODE

Номер патента: US20130193487A1. Автор: Peroni Marco,Romanini Paolo. Владелец: SELES ES S.P.A.. Дата публикации: 2013-08-01.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130234207A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-12.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130302953A1. Автор: KIM Jun-youn,LEE Jae-won,CHOI Hyo-ji. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130307026A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,KIM Kyoung-yeon,HWANG Sun-kyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-11-21.

METHOD FOR HETEROEPITAXIAL GROWTH OF HIGH CHANNEL CONDUCTIVITY AND HIGH BREAKDOWN VOLTAGE NITROGEN POLAR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20130307027A1. Автор: Lu Jing,Keller Stacia,Mishra Umesh K.. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

DOUBLE ALUMINUM NITRIDE SPACERS FOR NITRIDE HIGH ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20130341635A1. Автор: Cao Yu,Johnson Wayne,Laboutin Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140021510A1. Автор: Shin Jai-kwang,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,JEON Woo-chul,PARK Young-hwan,PARK Ki-yeol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-23.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140021511A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,JEON Woo-chul,PARK Young-hwan,KIM Kyoung-yeon,KIM Joon-yong,PARK Ki-yeol,HWANG Sun-kyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-23.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140061725A1. Автор: Shin Jai-kwang,Ha Jong-bong,JEON Woo-chul,PARK Young-hwan,PARK Ki-yeol,HWANG Sun-kyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-06.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140073095A1. Автор: SATO Ken. Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-03-13.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140077267A1. Автор: HEO Hong-Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-20.

HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140097470A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,KIM Kyoung-yeon,KIM Joon-yong,HWANG Sun-kyu. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210020768A1. Автор: Chang Chun-Ming,Yeh Chih-Tung. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS, METHODS OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150048421A1. Автор: Shin Jai-kwang,Oh Jae-joon,CHOI Hyo-ji,JEON Woo-chul,PARK Young-hwan,PARK Ki-yeol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-02-19.

Hybrid high electron mobility transistor and active matrix structure

Номер патента: US20170047378A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

ENHANCEMENT-MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20140151712A1. Автор: Cao Yu,Johnson Wayne,Laboutin Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-05.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME USING ATOMIC LAYER DEPOSITION TECHNIQUE

Номер патента: US20170077283A1. Автор: Nakata Ken. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE WITH IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE PERFORMANCE

Номер патента: US20140170819A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-06-19.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140183598A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Chiu Han-Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-07-03.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140187003A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiu Chien-Wei,Yang Tsung-Yu,Huang Chih-Fang,Chang Ting-Fu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION, R.O.C. Дата публикации: 2014-07-03.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150123139A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Oh Jae-joon,CHONG Soo-Gine,HWANG Sunk-yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-05-07.

High Electron Mobility Transistor with Negative Capacitor Gate

Номер патента: US20190115445A1. Автор: Teo Koon Hoo,Chowdhury Nadim. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

High Electron Mobility Transistor Structure

Номер патента: US20140209920A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-07-31.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140239306A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-28.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140242761A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,CHEN Po-Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-28.

HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170213903A1. Автор: Wong King-Yuen,TSAI Ming-Wei,Hsiung Chih-Wen,Lin Ming-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140327043A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,JEON Woo-chul,HWANG Sun-kyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-11-06.

ELEMENTAL SEMICONDUCTOR MATERIAL CONTACTFOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20140346567A1. Автор: Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman,Basu Anirban. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-27.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20180294341A1. Автор: Chen Chih-Yen,Yang Hsien-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Hybrid high electron mobility transistor and active matrix structure

Номер патента: US20160316539A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

DUAL-OPERATION DEPLETION/ENHANCEMENT MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20190326425A1. Автор: Ramu Ashok T.,Bayruns Robert J.,Bayruns John. Владелец: DUET MICROELECTRONICS LLC. Дата публикации: 2019-10-24.

Composite-Channel High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20200411663A1. Автор: Saptharishi Sriram. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

T-gate and N-surface GaN/AlGaN fin-type high electron mobility transistor

Номер патента: CN105914232A. Автор: 郝跃,张进成,黄旭,张金风,安阳. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2016-08-31.

Mixed polarity AlGaN/GaN high electron mobility transistor based on sputtering AlN substrate and preparation method thereof

Номер патента: CN109559991B. Автор: 张涛,马晓华,郝跃,张进成,张雅超,任泽阳. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-09-15.

Manufacturing method of high electron mobility transistor

Номер патента: KR910004319B1. Автор: 남춘우,이종붕. Владелец: 강진구. Дата публикации: 1991-06-25.

The method that Si base AlGaN/GaN high electron mobility transistor is transferred to flexible substrate

Номер патента: CN110148561A. Автор: 刘冉,田朋飞,郑立荣,赵德胜,林润泽. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-08-20.

High electron mobility transistor

Номер патента: JP3429700B2. Автор: 泰範 舘野. Владелец: 富士通カンタムデバイス株式会社. Дата публикации: 2003-07-22.

Method for making gallium nitride high electron-mobility transistor on silicon slice

Номер патента: CN104465373A. Автор: 程伟,赵岩,孔岑,吴立枢. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2015-03-25.

Inversion type high electron mobility transistor device

Номер патента: JPS6235677A. Автор: Tomonori Ishikawa,石川　知則. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-02-16.

Method and device for manufacturing enhanced gallium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: CN115588616A. Автор: 李瑶,杨国江,于世珩. Владелец: Jiangsu Changjing Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-01-10.

High electron mobility transistor and production method

Номер патента: CN108666217A. Автор: 马晓华,祝杰杰,陈丽香,刘捷龙,贾富春. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2018-10-16.

Method for manufacturing high electron mobility transistor having hetero junction

Номер патента: KR100590763B1. Автор: 배성범. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2006-06-15.

Hybrid high electron mobility transistor and active matrix structure

Номер патента: US9504123B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101869045B1. Автор: 김종섭,황인준,홍기하,신재광,최혁순,하종봉,오재준,엄창용. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2018-06-19.

Method for Producing a Semiconductor Device Comprising a Schottky Diode and a High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20140306235A1. Автор: Decoutere Stefaan,Lenci Silvia. Владелец: IMEC. Дата публикации: 2014-10-16.

Process for producing silicon semiconductor wafers with III-V layer structures for the integration of silicon devices with Group III-V layer structures based High Electron Mobility Transistors (HEMT) and corresponding semiconductor layer arrangement

Номер патента: DE102009051521A1. Автор: Ralf Lerner,Gabriel Kittler. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2011-05-19.

METHOD OF FORMING A HIGH ELECTRON MOBILITY SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140264456A1. Автор: JR. John Michael,Parsey,Salih Ali. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD OF MANUFACTURING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210104395A1. Автор: YAMAMURA Takuji,SUMIYOSHI Kazuhide,NISHIGUCHI Kenya. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2021-04-08.

Junction high electron mobility transistor-heterojunction bipolar transistor (jhemt-hbt) monolithic microwave integrated circuit (mmic) and single growth method of fabrication

Номер патента: EP0829906A2. Автор: Jeffrey B. Shealy,Mehran Matloubian. Владелец: HE Holdings Inc. Дата публикации: 1998-03-18.

Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistors and Methods of Fabrication

Номер патента: US20130288461A1. Автор: Dungan Thomas Edward,NIKKEL Philip Gene. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

SHORT GATE-LENGTH HIGH ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS WITH ASYMMETRIC RECESS AND SELF-ALIGNED OHMIC ELECTRODES

Номер патента: US20130295757A1. Автор: Xu Dong,Chao Pane-chane,Chu Kanin. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

PSEUDOMORPHIC HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR COMPRISING DOPED LOW TEMPERATURE BUFFER LAYER

Номер патента: US20140138746A1. Автор: Abrokwah Jonathan,ROHDIN Hans G.,STANBACK John,Perkins Nathan,Marsh Philbert. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-22.

Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100303173B1. Автор: 오정우,이종람. Владелец: 정명식. Дата публикации: 2001-09-29.

High electron mobility transistor

Номер патента: US5321278A. Автор: Yoshikazu Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

Gallium nitride based high electron mobility transistor (GaN-HEMT) device with an iron-doped cap layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997594B2. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20130146890A1. Автор: LEE Jae-won,Hwang In-jun,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,CHOI Hyo-ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-13.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20140027779A1. Автор: KIM Jong-Seob,Hwang In-jun,Oh Jae-joon,CHOI Hyo-ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-30.

Protection Device for Normally-On and Normally-Off High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20140035003A1. Автор: Rieger Walter,Häberlen Oliver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-02-06.

NORMALLY-OFF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20140091363A1. Автор: Shin Jai-kwang,Oh Jae-joon,JEON Woo-chul,PARK Young-hwan,KIM Kyoung-yeon,KIM Joon-yong,PARK Ki-yeol,HWANG Sun-kyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-03.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF DRIVING THE SAME

Номер патента: US20140103969A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,JEON Woo-chul,PARK Young-hwan,PARK Ki-yeol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-17.

PSEUDO-CONDUCTIVE HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND MICROELECTRONIC SENSORS BASED ON THEM

Номер патента: US20190021622A1. Автор: Lichtenstein Amir,RAM Ayal. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

DETECTION SENSOR COMPRISING A SELECTIVE HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR FOR DETECTING A GASEOUS OR LIQUID COMPONENT

Номер патента: US20200040798A1. Автор: AUBRY Vincent,OUGAZZADEN Abdallah,SALVESTINI Jean-Paul,VOSS Paul,HALFAYA Yacine,BISHOP Chris. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Rf acoustic wave resonators integrated with high electron mobility transistors including a shared piezoelectric/buffer layer and methods of forming the same

Номер патента: US20210067123A1. Автор: Craig Moe,Jeffrey B. Shealy,Mary Winters. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20220085196A1. Автор: HUANG CHIA-CHING,Chen Chih-Yen,LUMBANTORUAN Franky Juanda. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

HYBRID HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND ACTIVE MATRIX STRUCTURE

Номер патента: US20170069689A1. Автор: Sadana Devendra K.,Afzali-Ardakani Ali,Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR INCLUDING PLURALITY OF GATE ELECTRODES

Номер патента: US20140151747A1. Автор: Shin Jai-kwang,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,JEON Woo-chul,PARK Young-hwan,PARK Ki-yeol,HWANG Sun-kyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-05.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140159048A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiu Chien-Wei,Yang Tsung-Yu,Huang Chih-Fang,Hsiao Tsung-Chieh,Chang Ting-Fu,Su Hung-Der,PENG Po-Chin,Liu Ya-Hsien,Chang K.C.. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-12.

High Electron Mobility Transistors with Minimized Performance Effects of Microcracks in the Channel Layers

Номер патента: US20150102387A1. Автор: Shih Ishiang,Qiu Chunong,Shih Yi-Chi,Qiu Cindy X.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20150108547A1. Автор: Hwang In-jun. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

HIGH PERFORMANCE, HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH GRAPHENE HOLE EXTRACTION CONTACTS

Номер патента: US20190140120A1. Автор: Ma Zhenqiang,Chang Tzu-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

STRUCTURE TO INCREASE BREAKDOWN VOLTAGE OF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20210367068A1. Автор: CHANG Ting-Chang,Tsai Yu-Lin,CHEN Po-Hsun,Lin Yu-Shan,Chen Wen-Chung,Tsao Yu-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-25.

GALLIUM NITRIDE BI-DIRECTIONAL HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR IN SWITCHED MODE POWER CONVERTER APPLICATIONS

Номер патента: US20220416678A1. Автор: Harrison Michael J.. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Pseudomorphic high electron mobility transistor power device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100438895B1. Автор: 형창희,박민,김해천,문재경,안호균,지홍구. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2004-07-02.

High electron mobility transistor

Номер патента: JP3086748B2. Автор: 忍 藤田,康夫 芦沢,隆夫 野田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-09-11.

Photodetector using high electron mobility transistor

Номер патента: KR100343814B1. Автор: Jong In Song. Владелец: Kwangju Inst Sci & Tech. Дата публикации: 2002-07-20.

High electron mobility transistor.

Номер патента: EP0469136A1. Автор: Yi Ching Pao,James S Harris. Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1992-02-05.

Semiconductor device, semiconductor laser, and high electron mobility transistor

Номер патента: US5734670A. Автор: Kenichi Ono,Takashi Motoda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-31.

A kind of method for integrating monolithic of high electron mobility transistor and light emitting diode with vertical structure

Номер патента: CN108550683B. Автор: 李国强,万利军,陈丁波,刘智崑. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-10-18.

High electron mobility transistor having improved electron controllability

Номер патента: CA2080081C. Автор: Yoshikazu Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1997-05-20.

Power converter circuits including high electron mobility transistors for switching and rectification

Номер патента: US09467038B2. Автор: Robert Joseph Callanan. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Power converter circuits including high electron mobility transistors for switching and rectification

Номер патента: US20150049514A1. Автор: Robert Joseph Callanan. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

High-Voltage Gate Driver that Drives Group III-N High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20120176162A1. Автор: Karl Richard Heck. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

High electron mobility transistor-based terahertz wave space external modulator

Номер патента: US09590739B2. Автор: Shen Qiao,Yaxin Zhang,Zhihong FENG,Shixiong LIANG,Ziqiang YANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-03-07.

Power amplifier having depletion mode high electron mobility transistor

Номер патента: US20110037521A1. Автор: Dong-Young Kim,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Jong-Won Lim,Hae Cheon Kim,Hokyun Ahn,Woojin CHANG,Hong Gu Ji. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-02-17.

DETECTION SENSOR HAVING A SENSOR CELL WITH A HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND RING RESONATOR(S)

Номер патента: US20200278315A1. Автор: AUBRY Vincent,OUGAZZADEN Abdallah,SALVESTINI Jean-Paul,VOSS Paul,HALFAYA Yacine. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

Detection sensor having a sensor cell with a high-electron-mobility transistor and ring resonator(s)

Номер патента: IL266063A. Автор: . Владелец: Georgia Tech Lorraine. Дата публикации: 2019-06-30.

Detection sensor having a sensor cell with a high-electron-mobility transistor and ring resonator(s)

Номер патента: IL266063B. Автор: . Владелец: Georgia Tech Lorraine. Дата публикации: 2022-01-01.

High-electron mobility transistor terahertz wave modulator loaded in waveguide

Номер патента: US20200259235A1. Автор: Yaxin Zhang,Xilin ZHANG,Zhihong FENG,Shixiong LIANG,Ziqiang Yang Yang. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-08-13.

Terahertz wave amplifier based on high electron mobility transistor

Номер патента: CN110600972B. Автор: 张平,宫玉彬,王战亮,陈亚鸣,潘依林,师凝洁. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-05-14.

Topside contact device and method for characterization of high electron mobility transistor (hemt) heterostructure on insulating and semi-insulating substrates

Номер патента: US20220381816A1. Автор: Jacek Lagowski,Marshall Wilson,Alexandre Savtchouk,Dmitriy Marinskiy,Bret Schrayer. Владелец: Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Topside contact device and method for characterization of high electron mobility transistor (hemt) heterostructure on insulating and semi-insulating substrates

Номер патента: WO2022251045A1. Автор: Jacek Lagowski,Marshall Wilson,Alexandre Savtchouk,Dmitriy Marinskiy,Bret Schrayer. Владелец: Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-01.

Parameter extraction method for quasi-physical large-signal model for microwave gallium nitride high-electron-mobility transistors

Номер патента: US20210279379A1. Автор: Bo Yan,Yunqiu Wu,Yuehang Xu,Shuman Mao,Ruimin Xu. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-09-09.

MULTI-FUNCTION POWER CONTROL CIRCUIT USING ENHANCEMENT MODE GALLIUM NITRIDE (GAN) HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS (HEMTS)

Номер патента: US20170170731A1. Автор: Marini Anthony G.P.,Larrauri James L.,Wainwright Simon P.,Zafrani Max. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

POWER CONVERTER CIRCUITS INCLUDING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS FOR SWITCHING AND RECTIFICATION

Номер патента: US20150049514A1. Автор: Callanan Robert Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING A GATE VOLTAGE IN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20140240026A1. Автор: Shin Jai-kwang,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,JEON Woo-chul,PARK Young-hwan,KIM Joon-yong,PARK Ki-yeol,HWANG Sun-kyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-28.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR-BASED TERAHERTZ WAVE SPACE EXTERNAL MODULATOR

Номер патента: US20160233962A1. Автор: Feng Zhihong,ZHANG Yaxin,Liang Shixiong,Yang Ziqiang,QIAO Shen. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2016-08-11.

SENSORS USING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20140120630A1. Автор: Ren Fan,Pearton Stephen John,Wang Hung-Ta,LELE TANMAY,KANG BYOUNG-SAM. Владелец: University of Florida Research Foundation, Incorporated. Дата публикации: 2014-05-01.

METHOD AND SYSTEM FOR STEAM PURITY MONITORING THROUGH USE OF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Номер патента: US20140154047A1. Автор: Witney Andrew Batton. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2014-06-05.

Parameter extraction method for quasi-physical large-signal model for microwave gallium nitride high-electron-mobility transistors

Номер патента: US20210279379A1. Автор: Bo Yan,Yunqiu Wu,Yuehang Xu,Shuman Mao,Ruimin Xu. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-09-09.

High-voltage gallium nitride high-electron mobility transistor

Номер патента: RU2534002C1. Автор: Николай Иванович Каргин,Роман Валериевич Рыжук,Руслан Иванович Иванов,Павел Игоревич Блинов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2014-11-27.

Micro-accelerometer based on high electron mobility transistor (HEMT)

Номер патента: CN101718801B. Автор: 刘俊,薛晨阳,张文栋,侯婷婷,唐军,刘国文,贾晓娟,谭振新,熊继军,马游春,苏淑靖,张斌珍,崔兢. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2011-09-07.

STRUCTURE OF A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND A FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130082305A1. Автор: LIU Shih-Ming Joseph,YUAN Cheng-Guan. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-04.

GaN high electron mobility transistor (HEMT) technology based monolithic integration active quasi circulator

Номер патента: CN104868866A. Автор: 蔡奇,车文荃,顾黎明,冯文杰,陈海东. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2015-08-26.

InAs epitaxial materials for high-speed high electron mobility transistor (HEMT) components and preparation method thereof

Номер патента: CN103107190B. Автор: 张玉明,吕红亮,张义门,宁旭斌,崔强生,武利翻. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2015-04-08.

High electron mobility transistor (HEMT) component and manufacture method thereof

Номер патента: CN103117221A. Автор: 刘果果,刘新宇,魏珂,黄�俊. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-22.

Enhancement Mode Group III-V High Electron Mobility Transistor (HEMT) and Method for Fabrication

Номер патента: US20120313106A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-13.

Manufacturing method of AlGaN/GaN insulated gate high electron mobility transistor (HEMT)

Номер патента: CN101710590B. Автор: 王冲,马晓华,郝跃,杨凌,高海霞,曹艳荣. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2011-12-07.

Linear High Electron Mobility Transistor (HEMT) power amplifier with active biasing circuit

Номер патента: TW200719579A. Автор: Huei Wang,Tian-Wei Huang,Zheng-Han Cai. Владелец: Univ Nat Taiwan. Дата публикации: 2007-05-16.

Linear high electron mobility transistor (HEMT) power amplifier with active biasing circuit

Номер патента: TWI287350B. Автор: Huei Wang,Tian-Wei Huang,Jeng-Han Tsai. Владелец: Univ Nat Taiwan. Дата публикации: 2007-09-21.

Double channel pseudomorphic high electron mobility transistor

Номер патента: TW557567B. Автор: Kuo-Hui Yu,Wen-Chau Liu,Hung-Ming Chuang. Владелец: Univ Nat Cheng Kung. Дата публикации: 2003-10-11.

High electron mobility transistors

Номер патента: GB202400028D0. Автор: . Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2024-02-14.

High electron mobility transistors

Номер патента: GB202400029D0. Автор: . Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2024-02-14.

High electron mobility transistors

Номер патента: GB202406167D0. Автор: . Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of vulcanization treatment on metamorphic InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor (MHEMT)

Номер патента: TW200713463A. Автор: Yuan-Chang Huang,Liann-Be Chang,xian-qin Qiu,zhong-wen Chen,Wei-Xian Li. Владелец: Univ Chang Gung. Дата публикации: 2007-04-01.

A structure of high electron mobility transistor, a device comprising the structure and a metnod of producing the same

Номер патента: TW201114031A. Автор: Edward Yi Chang,Yun-Chi Wu,Yueh-Chin Lin. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2011-04-16.

ENHANCEMENT-MODE HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120025270A1. Автор: CHANG EDWARD YI,Chang Chia-Hua,Lin Yueh-Chin. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-02.

POWER CONVERTER CIRCUITS INCLUDING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS FOR SWITCHING AND RECTIFCATION

Номер патента: US20120074920A1. Автор: Callanan Robert Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

E-Mode High Electron Mobility Transistor And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20120086049A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-12.

Methods Of Manufacturing High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20120088341A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,Hong Ki-ha,KIM Ki-Won,LEE Jung-hee,IM Ki-sik,KIM Dong-seok. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-12.

DEVICE HAVING SERIES-CONNECTED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120098037A1. Автор: CHANG EDWARD YI,HSU HENG-TUNG. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-04-26.

E-Mode High Electron Mobility Transistors And Methods Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20120112202A1. Автор: KIM Jong-Seob,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,Hong Ki-ha,Shin Jae-kwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-10.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR WITH INDIUM GALLIUM NITRIDE LAYER

Номер патента: US20120153356A1. Автор: Saunier Paul. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

High-Voltage Gate Driver that Drives Group III-N High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20120176162A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

Low Noise Amplifiers Including Group III Nitride Based High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20120194276A1. Автор: Fisher Jeremy. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-02.

ENHANCEMENT-MODE HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120238064A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-20.

Lateral High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20120267636A1. Автор: Hirler Franz,Zundel Markus. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-10-25.

High Electron Mobility Transistors And Methods Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20120280244A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-11-08.

Normally-Off High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20120280278A1. Автор: . Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-11-08.

DEVICE HAVING SERIES-CONNECTED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120305991A1. Автор: CHANG EDWARD YI,HSU HENG-TUNG. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-12-06.

BIPOLAR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20120326211A1. Автор: Stevens Kevin S.,Lutz Charles R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130001587A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,Hong Ki-ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-03.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130032816A1. Автор: KIM Jong-Seob,Shin Jai-kwang,Hwang In-jun,Choi Hyuk-soon,Oh Jae-joon,Ha Jong-bong,Hong Ki-ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-02-07.

STRUCTURE OF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR GROWTH ON SI SUBSTRATE AND THE METHOD THEREOF

Номер патента: US20130049070A1. Автор: Lin Yueh-Chin,YI CHANG Edward,Tang Shih-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130082240A1. Автор: KIM Jun-youn,LEE Jae-won,CHOI Hyo-ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-04-04.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR HAVING REDUCED THRESHOLD VOLTAGE VARIATION AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130099285A1. Автор: LEE Jae-won,Hwang In-jun,Oh Jae-joon,CHOI Hyo-ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-04-25.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20130105808A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-02.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20130105817A1. Автор: Saunier Paul. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2013-05-02.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE WITH IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE PERFORMANCE

Номер патента: US20130134435A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-30.

High Electron Mobility Transistors with Multiple Channels

Номер патента: US20130141156A1. Автор: Duan Chunjie,Teo Koon Hoo,Feng Peijie,Oishi Toshiyuki,Masatoshi Nakayama. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-06.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE WITH IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE PERFORMANCE

Номер патента: US20130161638A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-06-27.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20130168685A1. Автор: Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-07-04.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20130168686A1. Автор: Hsu Chun-Wei,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,CHEN Po-Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-07-04.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130187197A1. Автор: Kim Seong-il,Yoon Hyung Sup,Nam Eun Soo,CHANG Woo Jin,AHN Ho Kyun,BAE Sung Bum,JU Chull Won,PARK Young Rak,MUN Jae Kyoung,LIM Jong-Won,KANG Dong Min,LEE Sang-Heung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2013-07-25.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20130256679A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-10-03.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140042446A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun,CHIANG Chen-Hao,Chiu Han-Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-02-13.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140061658A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiu Chien-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140061724A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiu Chien-Wei,Yang Tsung-Yu,Huang Chih-Fang,Chang Ting-Fu. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

PREDISPOSED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20140091309A1. Автор: Hallin Christer. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-04-03.

Structure of improving gallium nitride base high electronic mobility transistor property and producing method

Номер патента: CN1783512A. Автор: 王晓亮,王军喜,曾一平,李晋闽,李建平,胡国新,王翠梅. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2006-06-07.

Enhanced high electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102376760B. Автор: 张翼,张嘉华,林岳钦. Владелец: Spring Foundation of NCTU. Дата публикации: 2013-12-18.

High electron mobility transistor and its manufacture

Номер патента: JPH10335638A. Автор: Sunao Takahashi,直 高橋. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-12-18.

AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101853880B. Автор: 王冲,马晓华,郝跃,杨凌,高海霞,曹艳荣. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2011-10-19.

Group III nitride enhancement mode HEMT (High Electron Mobility Transistor) device

Номер патента: CN102427085A. Автор: 王越,蔡勇,于国浩,张宝顺,董志华. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2012-04-25.

Group III nitride enhancement mode HEMT (High Electron Mobility Transistor) device

Номер патента: CN102427085B. Автор: 王越,蔡勇,于国浩,张宝顺,董志华. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2014-04-16.

A kind of high electron mobility transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN109786438A. Автор: 李鹏,王群,郭炳磊,葛永晖,吕蒙普. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

T-gate fabrication method of a water-doped high electron mobility transistor

Номер патента: KR19990075338A. Автор: 김문덕. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-15.

EPITAXIAL SUBSTRATE FOR ELECTRONIC DEVICE, HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR, AND METHOD FOR PRODUCING THEM

Номер патента: JP6404738B2. Автор: 智彦 柴田,柴田　智彦. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-17.

High electron mobility transistor

Номер патента: TW201947766A. Автор: 沈豫俊,杜尚儒,吳俊儀,陳明欽,王淞丞,劉家呈,陳東富,楊亞諭. Владелец: 晶元光電股份有限公司. Дата публикации: 2019-12-16.

Pseudomorphic high electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102280476B. Автор: 林罡,高建峰,章军云. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2012-12-19.

High electron mobility transistor

Номер патента: JP4748501B2. Автор: 清輝 吉田,成明 池田. Владелец: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2011-08-17.

One-dimensional electronic gas GaN-based HEMT (High Electron Mobility Transistor) device adopting selective area epitaxy and preparation method thereof

Номер патента: CN103400856A. Автор: 马晓华,郝跃,陈伟伟,赵胜雷,汤国平. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2013-11-20.

Group-III nitride HEM (High Electron Mobility Transistor) device

Номер патента: CN102420247B. Автор: 王越,蔡勇,于国浩,张宝顺,董志华. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2013-10-30.

Method for measuring electric parameter of gallium arsenide pseudomorphic HEMT (high electron mobility transistor) material

Номер патента: CN102313835B. Автор: 王伟,杨瑞霞,牛晨亮,武一宾. Владелец: HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-09-04.

Step-like groove-grid high electron mobility transistor

Номер патента: CN102130158B. Автор: 王冲,李亮,马晓华,郝跃,张进成,陈珂,奚鹏程,付小凡,解露,薛晓咏. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2012-07-25.

Photo-responsive high electron mobility transistor

Номер патента: JPH11297983A. Автор: Kazuoki Matsugaya,Shigeo Kawasaki,松ヶ谷　　和沖,繁男 川▲崎▼. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 1999-10-29.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.